natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Less than 1 ms within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz; or
a 43,5 GHz-et meghaladó szintetizált frekvenciatartományban az 550 MHz-et meghaladó frekvenciaváltás esetén a frekvenciakapcsolási idő kevesebb, mint 1 ms; vagy
A maximum synthesised frequency exceeding 3,2 GHz and having all of the following:
A maximális szintetizált frekvencia meghaladja a 3,2 GHz-et, és rendelkezik az alábbi jellemzők mindegyikével:
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(126 + 20log10F — 20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
az egyoldalsávos (SSB) fáziszaja jobb, mint -(126 + 20log10F – 20log10f) dBc/Hz-ben, ha 10 Hz < F < 10 kHz;
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(114 + 20log10F — 20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
az egyoldalsávos (SSB) fáziszaja jobb, mint -(114 + 20log10F – 20log10f), ha 10 kHz ≤ F < 500 kHz.
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
A 3A002.d.4. pontban „F” a működési frekvenciától történő eltérés Hz-ben, „f” pedig a működési frekvencia MHz-ben kifejezve;
Note 1.:For the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
1. megjegyzés:A 3A002.d. pont alkalmazásában a „frekvenciaszintetizált jelgenerátorok” magukban foglalják a digitális hullámforma generátorokat és a funkciógenerátorokat is.
Note 2.:3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
2. megjegyzés:A 3A02.d nem vonja ellenőrzés alá azokat a berendezéseket, amelyekben a kimenő frekvenciát két vagy több kristályoszcillátor frekvenciájának összegzése vagy kivonása, vagy pedig az összegzés, illetve kivonás utáni eredmény szorzata adja.
Arbitrary waveform and function generators are normally specified by sample rate (e.g., GSample/s), which is converted to the RF domain by the Nyquist factor of two.
A digitális hullámforma generátor és funkciógenerátor meghatározása általában a mintafrekvenciával történik (pl. Gminta/s), amelyet a kettős Nyquist-tényezővel átkonvertálnak rádiófrekvenciává.
Thus, a 1 GSample/s arbitrary waveform has a direct output capability of 500 MHz.
Ily módon 1Gminta/s digitális hullámforma 500 MHz közvetlen kimeneti teljesítménnyel rendelkezik.
Or, when oversampling is used, the maximum direct output capability is proportionately lower.
Túlmintázás(oversampling) alkalmazása esetén a maximális közvetlen kimeneti teljesítmény arányosan alacsonyabb.
For the purposes of 3A002.d.1., ’pulse duration’ is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
A 3A002.d.1. alkalmazásában az impulzusidőtartam azt az időintervallumot jelenti, amely aközött telik el, amíg az impulzus belépő éle eléri a maximum 90 %-át, és az impulzus kilépő éle eléri a maximum 10 %-át.
Atomic frequency standards being any of the following:
Az alábbi atomfrekvencia-etalonok bármelyike:
"Space-qualified";
„Űrminősítésű”;
Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10-11/month; or
A hosszú távú stabilitás kisebb (jobb), mint 1 × 10–11/hónap; vagy
Non-"space-qualified" and having all of the following:
Nem űrminősítésű, és rendelkezik az alábbi jellemzők mindegyikével:
Being a rubidium standard;
Rubídium-etalon;
Long-term stability less (better) than 1 × 10-11/month; and
A hosszú távú stabilitás kisebb (jobb), mint 1 × 10–11/hónap; és
Total power consumption of less than 1 W.
A teljes energiafogyasztás kevesebb, mint 1 W.
Analogue-to-digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedized equipment;
„Rakétákban” felhasználható analóg-digitális átalakítók, amelyeket úgy terveztek, hogy megfeleljenek a megerősített konstrukciójú berendezésekre vonatkozó katonai előírásoknak.
Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
Olyan gyorsítók, amelyek képesek 2 MeV vagy azt meghaladó energiájú, felgyorsított elektronokból származó „bremsstrahlung” (fékezési sugárzás) segítségével előállított elektromágneses sugárzást közvetíteni, valamint az ezeket a gyorsítókat tartalmazó rendszerek;
’Thermal batteries’ designed or modified for ’missiles’.
„Rakétákban” való felhasználás céljára tervezett vagy módosított „termikus telepek”.
In 3A102 ’thermal batteries’ are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
A 3A102 pont szerinti „termikus telepek” olyan egyszeri felhasználásra szánt telepek, amelyek elektrolitként szilárd nem vezető szervetlen sót tartalmaznak.
In 3A102 ’missile’ means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
A 3A102 pontban a „rakéta”olyan komplett rakétarendszereket és pilóta nélküli légijármű-rendszereket jelöl, melyek hatósugara legalább 300 km és legalább 300 kg hasznos teher célba juttatására képesek.
Capacitance greater than 0,5 µF; and
Kapacitásuk nagyobb, mint 0,5 µF; és
Capacitance greater than 0,25 µF; and
Kapacitásuk nagyobb, mint 0,25 µF; és
Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
„„Szupravezető” szolenoid elektromágnesek, amelyek rendelkeznek az összes következő jellemzővel:
Magnetic field uniform to better than 1 % over the central 50 % of the inner volume;
A belső térfogat központi 50 %-ában a mágneses tér egyenletessége jobb, mint 1 %.
Note:3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported ’as parts of’ medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Megjegyzés:A 3A201.b. nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten orvosi mágneses magrezonancia (NMR) megjelenítő rendszerekhez tervezett mágneseket, amelyeket e rendszerek részeként kerülnek kivitelre.
The phrase ’as part of’ does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched ’as part of’ the imaging systems.
A „részeként” kifejezés úgy értendő, Ahogy az fizikailag nem feltétlenül képezi ugyanannak a szállítmánynak a részét. Lehetőség van különböző forrásokból származó részszállításokra, feltéve, hogy a vonatkozó kiviteli dokumentumokból egyértelműen kiderül, hogy a szállítmány a megjelenítő rendszer részét képezi.
Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
Impulzus-röntgengenerátorok vagy impulzusos elektrongyorsítók, amelyek rendelkeznek a következő jellemzőcsoportok valamelyikével:
An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
Az elektrongyorsító csúcsenergiája 500 keV vagy annál nagyobb, de 25 MeV-nál kisebb; és
With a ’figure of merit’ (K) of 0,25 or greater; or
A (K) „jósági tényező” 0,25 vagy annál nagyobb; vagy
A ’peak power’ greater than 50 MW.
A „csúcsteljesítmény” 50 MW-nál nagyobb
Note:3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes:
Megjegyzés:A 3A201.c. nem vonja ellenőrzés alá sem az olyan berendezések alkatrészeit, amelyeket nem elektronnyaláb- vagy röntgensugárzás céljaira (pl. elektronmikroszkópia), és sem azokat, amelyeket orvosi célra terveztek.
The ’figure of merit’ K is defined as:
A „K” jósági tényezőt a következőképpen kell meghatározni:
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 µs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
„Q” a teljes gyorsított töltés coulombban, ha a gyorsító nyaláb impulzus időtartama legfeljebb 1 µs.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 µs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 µs.
Ha a gyorsító nyaláb impulzus 1 µs-nál nagyobb, akkor „Q” az 1 µs alatti maximális gyorsított töltés.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 µs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
A „Q” egyenlő az „i”-nek „t” idő szerinti integráljával, 1 µs-ra vagy az impulzus időtartamára vonatkoztatva, attól függően, hogy melyik a kisebb, ahol „i” a nyaláb áramerőssége amperben, „t” az idő másodpercben (Q = ∫ idt).
’Peak power’ = (peak potential in volts) x (peak beam current in amperes).
A „csúcsteljesítmény” = (csúcspotenciál voltban) x (csúcs sugáráram amperben).
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 µs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
A sugárimpulzus időtartam mikrohullámú gyorsító üregrezonátorok elvén alapuló gépekben az 1 µs érték és az egy mikrohullámú modulátor impulzusból eredő nyaláb időtartama közül a kisebb értékkel egyezik meg.
High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
A 0B001.j.6. alatt meghatározottaktól eltérő egyenáramú, nagyteljesítményű tápegységek, amelyek az alábbi mindkét jellemzővel rendelkeznek:
High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
A 0B001.j.5. alatt meghatározottaktól eltérő nagyfeszültségű, egyenáramú tápegységek, amelyek az alábbi mindkét jellemzővel rendelkeznek:
Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
Hideg katódcsövek, függetlenül attól, hogy gázzal töltöttek-e vagy sem, amelyek a szikraközhöz hasonlóan működnek, és rendelkeznek az összes következő jellemzővel:
Anode delay time of 10 µs or less;
Anód késleltetési idő 10 µs vagy kisebb;
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
Kioldó szikraközök, amelyek rendelkeznek a következő mindkét jellemzővel:
An anode delay time of 15 µs or less; and
Anód késleltetési idő 15 µs vagy annál kevesebb; és
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g., having all of the following characteristics:
A 3A001.g. pontban meghatározottaktól eltérő, gyorskapcsoló funkcióval rendelkező modulok vagy részegységek, amelyek rendelkeznek az az alábbi jellemzők mindegyikével:
Turn-on time of 1 µs or less.
1 µs vagy annál kisebb kapcsolási idő.
1A007.a. for explosive detonator firing sets.
NB.:A robbanó detonátor gyújtóegységek tekintetében lásd az 1A007.a. pontot.
Enclosed in a dust-tight enclosure;
Porzáró burkolattal rendelkeznek;
Capable of delivering their energy in less than 15 µs;
Képesek energiájukat 15 µs-nál rövidebb idő alatt leadni;
Having a ’rise time’ of less than 10 µs into loads of less than 40 ohms;
„Felfutási idejük” 40 Ohmnál kisebb terhelésre kevesebb, mint 10 µs.
Specified for use over an extended temperature range 223 K (–50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Szélsőséges hőmérsékleti viszonyok –223 K-től (–50 °C) 373 K-ig (100 °C-ig) – közötti vagy világűrben történő használatra alkalmasnak minősítették.
Note:3A229.b. includes xenon flash-lamp drivers.
Megjegyzés:A 3A229.b. a xenon villanólámpa meghajtókat is magában foglalja.
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
55 ohm ellenállás terhelésre 6 V-nál nagyobb kimenő feszültség, és
’Pulse transition time’ less than 500 ps.
Az „impulzus felfutási idő” kevesebb, mint 500 ps.
In 3A230, ’pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
A 3A230 szerinti„impulzus felfutási idő” az az idő, ami alatt a feszültség amplitúdója 10 %-ról 90 %-ra növekedik.
N.B.:See 1A007.b. for detonators.
NB.:A detonátrok tekintetében lásd az 1A007.b. pontot.
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 µs.
Egyszeres vagy többszörös detonátorral működő rendszerek, amelyeket arra terveztek, hogy egyetlen tűzjelre közel egyidejűleg iniciáljanak 5000 mm2-nél nagyobb robbanási felületet úgy, hogy a berobbantás idejének átfutása a felületen kevesebb, mint 2,5 µs.
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (–80 °C) or less; or
Forráskamrájuk rozsdamentes acélból, vagy molibdénből készült, illetve azzal vonták be, és hidegcsapdával rendelkeznek, amely képes 193 K-re (–80 °C) vagy annál alacsonyabb hőmérsékletre hűteni; vagy
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Félvezető eszközök vagy anyagok gyártására vagy vizsgálatára szolgáló berendezések, valamint a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek és tartozékok, az alábbiak szerint:
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
Epitaxiális növesztéshez használt berendezés, az alábbiak szerint:
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ±2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Minimum 75 mm-es távolságon ±2,5 %-nál jobb tűrésű, bármilyen, a szilikontól eltérő anyag rétegvastagság előállítására képes berendezés;
Note:3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Megjegyzés:A 3B001.a.1. pontba beletartozik az atomréteg-epitaxiához (Atomic Layer Epitaxy, ALE) használt berendezés is.
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
Fémorganikus gőzfázisú kémiai leválasztására szolgáló (MOCVD) reaktorok, melyeket a 3C003 vagy a 3C004 alatt meghatározott anyagok közötti vegyi reakció segítségével kifejezetten a vegyes félvezető kristály növesztésére terveztek;
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Ionbeültetésre tervezett berendezés, amely rendelkezik az alábbi jellemzők bármelyikével:
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1MeV;
A sugárnyaláb energia (a gyorsítófeszültség) meghaladja az 1MeV-ot;
Anisotropic plasma dry etching equipment as follows:
Anizotróp plazma száraz-marató berendezés, ideértve a következőket:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ±5 % 3 sigma precision; or
Úgy tervezték vagy optimalizálták, hogy ±5 % 3 szigma precizitás mellett állítson elő 180 nm vagy kisebb kritikus méreteket; vagy
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 µm in diameter;
Úgy tervezték, hogy 0,1 μm-nél nagyobb átmérőjű mérhető részecskemérettel állítson elő nagyobb 0,04 részecske/cm2-nél alacsonyabb értéket;
Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition (CVD) equipment as follows:
Plazmaszórásos gőzfázisú kémiai leválasztó (Chemical Vapour Deposition, CVD) berendezés, az alábbiak szerint:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Kazettáról kazettára történő működéssel és betöltés-zárral rendelkező berendezés, amelyet a legfeljebb 180 nm-es kritikus méretű félvezető eszközök gyártásához terveztek vagy optimalizáltak:
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Kifejezetten a 3B001.e. pontban meghatározott berendezéshez tervezett berendezés, amelyet a legfeljebb 180 nm-es kritikus méretű félvezető eszközök gyártásához terveztek vagy optimalizáltak;
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
Automata töltésű többkamrás központi szeletkezelő rendszerek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
Lithography equipment as follows:
Litográfiai berendezés, az alábbiak szerint:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
A fotóoptikai vagy röntgen módszerrel történő szeletfeldolgozásra szolgáló irányzó, exponáló és ismétlő (közvetlen szeletre fotózás) vagy exponáló és letapogató (letapogatás) berendezés, amely rendelkezik az alábbi jellemzők bármelyikével:
Capable of producing a pattern with a ’minimum resolvable feature size’ of 180 nm or less;
Képes 180 nm, vagy annál kisebb minimális felbontási méretű (MRF) minta létrehozására.
The ’minimum resolvable feature size’ is calculated by the following formula:
A minimális felbontási méret (MRF) kiszámítása a következők szerint történik:
MRF = an exposure light source wavelength in nm
MRF = a megvilágító fényforrás hullámhossza nanométerben meghatározva
MRF = ’minimum resolvable feature size’
MRF = „minimálisan felbontási méret”
Imprint lithography equipment capable of producing features of 180 nm or less;
180 nm vagy annál kisebb felbontási méretű minta létrehozására képes imprinting litográfiai berendezés;
Micro contact printing tools
mikrokontaktus-nyomtatók
Hot embossing tools
forró dombornyomásra szolgáló eszközök
Nano-imprint lithography tools
nano-imprinting litográfiai eszközök
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Step and Flesh imprinting litográfiai (S-FIL) eszközök
Using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
eltérített fókuszált elektronsugarat, ionsugarat, vagy lézersugarat alkalmaz; és
A spot size smaller than 0,2 µm;
a sugárpont mérete kisebb, mint 0,2 µm;
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 µm; or
képes olyan mintát előállítani, amelynek fő mérete 1 µm-nél kisebb; vagy
An overlay accuracy of better than ±0,20 µm (3 sigma);
az elhelyezési pontosság jobb, mint ±0,20 µm (3 szigma);
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
A 3A001 pontban meghatározott integrált áramkörökhöz tervezett maszkok és hajszálvonalas lemezek;
Multi-layer masks with a phase shift layer;
Többrétegű maszkok fáziseltolásos rétegekkel;
Note:3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Megjegyzés:A 3B001.h. nem vonja ellenőrzés alá azokat a fáziseltolásos rétegekkel ellátott többrétegű maszkokat, amelyeket a 3A001. pontban meg nem határozott memóriaeszközök gyártására terveztek.
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
Kifejezetten kész, vagy félkész félvezető eszközökhöz tervezett tesztberendezések, valamint a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek és tartozékok, az alábbiak szerint:
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
A 3A001.b.2 részben meghatározott mikrohullámú integrált áramkörök tesztelésére szolgáló eszközök.
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Védőréteg anyagok és az alábbi védőanyagokkal bevont „szubsztrátumok”:
Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
Pozitív védőréteg anyagok, amelyeket kifejezetten 245 nm alatti hullámhosszúságú félvezető litográfiához igazítottak (optimalizáltak);
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 µcoulomb/mm2 or better;
0,01 µcoulomb/mm2 vagy annál jobb érzékenységgel rendelkező valamennyi olyan védőréteg anyag, amelyeket elektronsugárral vagy ionsugárral történő alkalmazásra terveztek;
All resists optimised for surface imaging technologies, including ’silylated’ resists;
A felületi képalkotási technológiákhoz optimalizált összes védőréteg, beleértve a „szililezett” védőanyagokat is;
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Valamennyi olyan védőanyag, amelyet a 3B001.f.2. pontban meghatározott olyan imprinting litográfiai berendezésekhez terveztek vagy optimalizáltak, amelyek termikus vagy fotokémiai eljárást alkalmaznak.
Organo-inorganic compounds as follows:
Szerves-szervetlen vegyületek, az alábbiak szerint:
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Alumínium, gallium, vagy indium fémorganikus vegyületei 99,999 %-nál nagyobb tisztasággal (fémbázison);
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Szerves arzén-, antimon- vagy foszforvegyületek 99,999 %-nál nagyobb tisztasággal (szervetlen elem bázison).
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
20 °C-on10000 ohm-cm-t meghaladó ellenállású szilíciumkarbid (SiC), gallium nitrid (GaN), alimínium nitrid (AlN) vagy alumínium-galliumnitrid (AlGaN) szubsztrátumok, vagy ezen anyagok öntecsei, monokristályai vagy egyéb előformái.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
A 3C005 pontban meghatározott szubsztrátumok, amelyek legalább egy epitaxiális szilíciumkarbid, gallium nitrid, alimínium-nitrid vagy alumínium-galliumnitrid réteggel rendelkeznek.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
Kifejezetten a 3A001.b–3A002.g vagy a 3B pontban meghatározott berendezések „kifejlesztésére” vagy „gyártására” tervezett „szoftver”.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
Kifejezetten a 3B001.a.–f. pontban vagy a 3B002 pontban meghatározott berendezések használatára tervezett „szoftver”.
’Physics-based’ simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Olyan, fizikán alapuló szimulációs „szoftver”, amelyet kifejezetten olyan litográfiai, maratási vagy leválasztási folyamatok „fejlesztésére” terveztek, amelyek segítségével a maszkmintákat a vezetőkön, a dielektrikumokon vagy a félvezető anyagon megjelenő specifikus topográfiai mintákká fordítják le.
’Physics-based’ in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
A 3D003. pont alkalmazásában a „fizikán alapuló” kifejezés számítások használatát jelenti, amelyek azt a célt szolgálják, hogy a fizikai tulajdonságok (pl.: hőmérséklet, nyomás, diffúziós állandó és félvezető anyagok tulajdonságai) alapján meghatározzanak egy ok-okozati viszonyban álló fizikai eseménysort.
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
Kifejezetten a 3A003. pontban meghatározott berendezés „fejlesztésére” tervezett „szoftver”.
Using "technology" of 0,5 µm or more; and
0,5 μm-es vagy finomabb technológiát alkalmaznak; és
Not incorporating ’multi-layer structures’.
Nem tartalmaznak „többrétegű struktúrákat”.
’Multi-layer structures’ do not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
A „többrétegű struktúra” nem vonatkozik a maximum két fémréteget és 2 poliszilikon réteget magukban foglaló eszközökre.