natgillin/translations-raw huggingface dataset:
’Refractory metals and alloys’ include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
A „tűzálló fémek és ötvözetek” az alábbi fémekből és ötvözeteikből állnak: nióbium (kolumbium), molibdén, volfrám és tantál.
’Sensor window materials’, as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
A „szenzorablak-anyagok” a következők: alumínium-oxid, szilícium, germánium, cink-szulfid, cink-szelenid, gallium-arzenid, gyémánt, gallium-foszfid, zafír és a következő fémhalogenidek: a 40 mm-nél nagyobb átmérőjű érzékelő üveganyagok esetén cirkónium-fluorid és hafnium-fluorid.
’Polymers’, as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
„Polimerek”, ideértve a következőket: polimidek, poliészterek, poliszulfidok, polikarbonátok és poliuretánok.
’Modified zirconia’ refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
A „módosított cirkónium-oxid” más fémoxidok adalékaira vonatkozik (pl. kalcium, magnézium, ittrium, hafnium, ritkaföldfémek oxidjai stb.), amelyeket azért adagolnak a cirkóniumhoz, hogy stabilizálják a krisztallográfiai fázisokat és a fázisösszetételeket.
’Titanium alloys’ refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
A „titánötvözetek” azokra az űrhajózási ötvözetekre utalnak, amelyek 293 K (20 °C) hőmérsékleten mért maximális szakítószilárdsága 900 MPa vagy annál több.
’Low-expansion glasses’ refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
Az „alacsony tágulású üvegek” olyan üvegekre vonatkoznak, amelyek 293 K (20 °C) hőmérsékleten mért hőtágulási együtthatója 1 × 10–7 K–1 vagy annál kevesebb.
’Dielectric layers’ are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
A „dielektromos rétegek” többrétegű szigetelőanyagból készült bevonatok, amelyekben a különböző törésmutatójú anyagokból álló modell interferencia-jellemzőit használják fel a különböző hullámhosszúságú sávok visszaverésére, átvitelére vagy elnyelésére.
’Cemented tungsten carbide’ does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
A „cementált volfrám-karbid” nem foglalja magában a volfrám-karbid/(kobalt, nikkel), titán-karbid/(kobalt, nikkel), króm-karbid/nikkel- króm és króm-karbid/nikkel vágó és forgácsoló-szerszám anyagokat.
’Silicon carbide’ does not include cutting and forming tool materials.
A „szilícium-karbid” nem foglalja magába a vágó- és forgácsoló-szerszám anyagokat.
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Gőzfázisú kémiai leválasztás (Chemical Vapour Deposition – CVD) olyan rétegfelviteli vagy felületmódosítási bevonási folyamat, amelynek során fémet, ötvözetet, „kompozitot” vagy kerámiát visznek fel hevített hordozó felületére.
includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
NB1.A CVD-eljárások közé tartoznak a következők is: nem-pack (out-of-pack) irányított gázáram, pulzáló CVD, szabályozott nukleidos termikus leválasztás (controlled nucleation thermal decomposition – CNTD), plazmagerjesztésű vagy plazmát alkalmazó CVD-eljárások.
denotes a substrate immersed in a powder mixture.
NB2.A pack porkeverékbe merített hordozót jelent.
gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
NB3.A nem-pack eljárásokban használt gázhalmazállapotú anyagok ugyanannak az alapreakciónak során ugyanolyan paraméterekkel jönnek létre, mint a pack-cementálás eljárás paraméterei, kivéve, hogy a bevonandó hordozó nem kerül kapcsolatba a porkeverékkel.
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
E folyamatokat jellemezheti továbbá az, hogy az optikai jellemzőknek és a bevonatok vastagságának mérésere az eljárás során monitorokat használnak.
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
A „lézer” elgőzölögtetés vagy pulzáló vagy folytonos hullámú „lézer”sugarakat alkalmaz a bevonóanyag elpárologtatására;
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
A „non line-of-sight” bevonásnál hordozó-eltolást alkalmaznak.
definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
NB:Ez a meghatározás nem tartalmazza a nem-előfeszített szubsztrátumok esetén alkalmazott random katódsugaras bevonást.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
A hordozót és a porkeveréket egy retortában helyezik el, amelyet a bevonóanyag leválásához szükséges időtartamra 1030 K (757 °C) – 1375 K (1102 °C) közötti hőmérsékletre fűtenek fel.
pressure means less than ambient atmospheric pressure.
NB1.A kis nyomás a környezeti, légköri nyomásnál kisebb nyomást jelent.
velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
NB2.A nagy sebesség azt jelenti, hogy a fúvókából eltávozó gáz sebessége 0,1 MPa nyomásnál 293 K-en (20 °C) meghaladja a 750 m/s-ot.
Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
NB1.:A táblázat csak a triódás, magnetronos vagy reaktív katódporlasztásra vonatkozik, amelyekkel a bevonóanyag tapadásának növelését és a leválasztás sebességét kívánják növelni, valamint a megnövelt nagyfrekvenciás (NF) porlasztásra vonatkozik, amelyet a nemfémes bevonóanyagok elgőzölögtetésére használnak.
N.B.2Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
NB2.:Az alacsony energiájú (5 keV-nál kisebb) ionsugarakat a leválasztás aktiválására lehet használni.
Note 1:The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
1. megjegyzés:A 3A001.a.3.–3A001.a.10 alatt, vagy a 3A001.a.12 alatt meghatározottaktól eltérő, a 3A001, vagy 3A002 alatt ismertetett berendezések és alkatrészek – amelyeket más berendezésekhez speciálisan terveztek, illetve amelyek ugyanolyan funkcionális jellemzőkkel rendelkeznek, mint a többi berendezés – ellenőrzési státusát a többi berendezés ellenőrzési státusa határozza meg.
Note 2:The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
2. megjegyzés:A 3A001.a.3.–3A001.a.9 alatt, vagy a 3A001.a.12 alatt ismertetett integrált áramkörök ellenőrzési státusát – amelyeket megváltoztathatatlan módon programoztak vagy más berendezéshez egyedi funkcióra terveztek – a többi berendezés ellenőrzési státusa határozza meg.
N.B.:When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
NB.:Amikor a gyártó vagy a felhasználó nem tudja meghatározni a többi berendezés ellenőrzési státusát, akkor az integrált áramkörök ellenőrzési státusát a 3A001.a.3–3A001.a.9. vagy a 3A001.a.12. határozza meg.
General purpose integrated circuits, as follows:
Általános célú integrált áramkörök, az alábbiak szerint:
Note 1:The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
1. megjegyzés:Azoknak a (befejezett vagy be nem fejezett) lapkáknak, amelyeken a funkciót meghatározták, az ellenőrzési státusát a 3A001.a. alatti paraméterek szerint kell értékelni.
Note 2:Integrated circuits include the following types:
2. megjegyzés:Integrált áramkörök alatt a következő típusokat értjük:
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
A sugárzásállónak tervezett vagy minősített integrált áramkörök, melyek ellenállnak a következők bármelyikének:
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
5 × 106 Gy(Si)/s vagy magasabb dózisintenzitás-változás.; vagy
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
„Mikroprocesszor mikroáramkörök”, „mikroszámítógép mikroáramkörök”, mikrovezérlő mikroáramkörök, vegyes félvezetőből gyártott tároló integrált áramkörök, analóg-digitális, digitális-analóg átalakítók, elektro-optikai, vagy „jelfeldolgozásra” tervezett „optikai integrált áramkörök”, felhasználó által programozható logikai eszközök, egyedi integrált áramkörök, amelyek funkciója vagy annak a berendezésnek, amelyben az integrált áramkört fel fogják használni az ellenőrzési státusa ismeretlen, gyors Fourier transzformáló (FFT) processzorok, elektronikusan törölhető programozható csak olvasható memóriák (EEPROM-ok), flash memóriák, vagy statikus véletlen elérésű memóriák (SRAM-ok), amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
398 K (+125 °C) feletti környezeti hőmérsékleten történő működésre méretezték;
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (–55 °C); or
218 K (–55 °C) alatti környezeti hőmérsékleten történő működésre méretezték; vagy
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (–55 °C) to 398 K (125 °C);
A 398 K (+125 °C) és a 218 K (–55 °C) közötti hőmérséklet-tartományban történő működésre méretezték;
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
„Mikroprocesszor mikroáramkörök”, „mikroszámítógép mikroáramkörök” és mikrovezérlő mikroáramkörök, amelyek vegyes félvezetőből készültek, és 40 MHz-et meghaladó órajel frekvencián működnek;
Note:3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Megjegyzés:A 3A001.a.3 magában foglalja a digitális jelfeldolgozókat, a digitális tömbprocesszorokat és a digitális társprocesszorokat.
ALSO 3A101
N.B.:LÁSD MÉG 3A101.
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 105 million words per second;
Felbontásuk 12 bit, 105 millió szó/másodpercnél nagyobb kimeneti teljesítménnyel;
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 10 million words per second; or
Felbontásuk legalább 12 bit, de legfeljebb 14 bit, 10 millió szó/másodpercnél nagyobb kimeneti teljesítménnyel; vagy
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 2,5 million words per second;
Felbontásuk legalább 14 bit, 2,5 millió szó/másodpercnél nagyobb kimeneti teljesítménnyel;
Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more and a "settling time" of less than 10 ns;
Digitális-analóg átalakítók, amelyek felbontása legalább 12 bit, és a „beállási idő” kevesebb, mint 10 ns;
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the analogue-to-digital converter.
A kibocsátási szó bit-száma megegyzik az analóg-digitális átalakító felbontásával.
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
Az értékesítők a kimeneti teljesítményt mintavételezési teljesítménynek, átalakítási aránynak, átbocsátási sebességnek vagy átmenőteljesítmény- frekvenciának is nevezik.
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Gyakran megahertzben (MHz) vagy mega- minta/másodpercben (MS/s) fejezik ki.
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
A kimeneti teljesítmény mérésének alkalmazásában egy kimeneti szó/másodperc egyenlő egy Hertz-cel vagy egy minta per másodperccel.
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
„Jelfeldolgozáshoz” tervezett elektro-optikai és „optikai integrált áramkörök”, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
One or more than one internal "laser" diode;
Egy vagy több belső „lézer”dióda;
’Field programmable logic devices’ having any of the following:
Felhasználó által programozható logikai eszközök, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
A maximum number of digital input/outputs greater than 200; or
a digitális bemenetek/kimenetek maximális száma meghaladja a 200-at; vagy
A system gate count of greater than 230000;
a rendszer kapuszáma meghaladja a 230000-et.
Note:3A001.a.7. includes:
Megjegyzés:A 3A001.a.7magában foglalja az alábbiakat:
’Field programmable logic devices’ are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
A felhasználó által programozható logikai eszközök felhasználó által programozható kapuként, illetve felhasználó által programozható logikai tömbként is ismertek.
Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
A digitális bemenetek/kimenetek 3A001.a.7.a. pontban említett maximális számára maximális felhasználói bemenetként/kimenetként vagy maximálisan rendelkezésre álló bemenetként/kimenetként is szoktak hivatkozni, attól függően, hogy az integrált áramkör tokozott áramkör-e vagy pedig tokozatlan áramkör.
More than 1500 terminals;
Több mint 1500 terminál;
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,02 ns; or
A tipikus „alapkapu-késleltetési idő” kevesebb, mint 0,02 ns; vagy
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Bármely vegyes félvezetőn alapuló, a 3A001.a.3.–3A001.a.10. és a 3A001.a.12. alatt meghatározottaktól eltérő digitális integrált áramkörök, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők bármelyikével:
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N) /20480 ms, where N is the number of points;
Gyors Fourier Transzformáló (FFT) processzorok, amelyek minősített végrehajtási ideje egy N-pontú komplex FTT-re kisebb mint (N log2 N)/20480 ms, ahol N a pontok száma;
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 µs.
Ha N = 1024 pont, a 3A001.a.12. szerinti képlettel számítva a végrehajtási idő kevesebb, mint 500 μs;
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
1. megjegyzés:A 3A001.b.1. nem vonja ellenőrzés alá az alábbi jellemzők mindegyikével rendelkező bármilyen frekvenciasávban történő működésre tervezett vagy minősített csöveket:
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Az „ITU által” rádió-kommunikációs szolgáltatóknak, de nem rádió-meghatározásra „kiosztot”.
Note 2:3A001.b.1. does not control non-"space-qualified" tubes having all of the following:
2. megjegyzés:A 3A001.b.1. nem vonja ellenőrzés alá a nem „űrminősítésű”, és az alábbi jellemzők mindegyikével rendelkező csöveket:
Designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Az alábbi jellemzők mindegyikével rendelkező bármilyen frekvenciasávban történő működésre tervezett vagy minősített csöveket:
Tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
31,8 GHz-nél magasabb frekvencián üzemelő csövek;
Tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
Katód fűtőelemmel rendelkező csövek, amelyek esetében a névleges RF teljesítmény elérésének ideje kevesebb, mint 3 másodperc;
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
Csatolt üregrezonátorok, vagy származékaik, melyek „relatív sávszélessége” meghaladja a 7 %-ot, vagy amelyek csúcsteljesítménye több, mint 2,5 kW;
Helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
Helix csövek vagy származékaik, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők bármelyikével:
An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
A „pillanatnyi sávszélesség” több, mint egy oktáv, az átlagos teljesítmény (kW) és a maximális üzemi frekvencia (GHz) szorzata nagyobb, mint 0,5;
An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
A „pillanatnyi sávszélesség” legfeljebb egy oktáv, az átlagos kimenő teljesítmény (kW) és a maximális üzemi frekvencia (GHz) szorzata pedig nagyobb 1-nél; vagy
Being "space-qualified";
„Űrminősítésű”.
Microwave "Monolithic Integrated Circuits" (MMIC) power amplifiers having any of the following:
Mikrohullámú monolit integrált áramkörű (MMIC) teljesítményerősítők, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők valamelyikével:
Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz;
31,8 GHz-et meghaladó, de legfeljebb 37,5 GHz-es frekvencián való működésre tervezett teljesítményerősítők;
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
37,5 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 43,5 GHz-es frekvencián történő működésre méretezettek, átlagos kimeneti teljesítményük meghaladja a 0,25 W-ot (24 dBm), relatív sávszélességük pedig 10 %-nál nagyobb;vagy
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz;
43,5 GHz-et meghaladó frekvencián való működésre tervezett teljesítményerősítők;
Note 1:3A001.b.2. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 GHz to 42,5 GHz.
1. megjegyzés:A 3A001.b.2 nem vonja ellenőrzés alá az olyan műsorszóró műholdak berendezéseit, amelyeket 40,5 és 42,5 GHz közötti frekvenciatartományban való működésre terveztek.
Note 2:The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
2. megjegyzés:Az olyan MMIC ellenőrzési státusát, amelynek névleges működési frekvenciája a 3A001.b.2.a.–3A001.b.2.f. pontban megadott, egynél több frekvenciatartományban szereplő frekvenciákat tartalmaz, a legalacsonyabb átlagos kimenő teljesítményre vonatkozó ellenőrzési küszöb határozza meg.
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and having an average output power greater than 60W (47,8 dBm);
3,2 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 6 GHz-es frekvencián történő működésre méretezettek, és átlagos kimeneti teljesítményük meghaladja a 60 W-ot (47,8 dBm),
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and having an average output power greater than 20W (43 dBm);
6 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 31,8 GHz-es frekvencián történő működésre méretezettek, és átlagos kimeneti teljesítményük meghaladja a 20 W-ot (43 dBm),
Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and having an average output power greater than 0,5W (27 dBm);
31,8 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 37,5 GHz-es frekvencián történő működésre méretezettek, és átlagos kimeneti teljesítményük meghaladja a 0,5 W-ot (27 dBm),
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
37,5 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 43,5 GHz-es frekvencián történő működésre méretezettek, és átlagos kimeneti teljesítményük meghaladja az 1 W-ot (30 dBm), vagy
Note:The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Megjegyzés:Az olyan tranzisztor ellenőrzési státusát, amelynek névleges működési frekvenciája a 3A001.b.3.a.–3A001.b.3.e. pontban megadott, egynél több frekvenciatartományban szereplő frenkvenciákat tartalmaz, a legalacsonyabb átlagos kimenő teljesítményre vonatkozó ellenőrzési küszöb határozza meg.
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers, having any of the following:
Félvezető mikrohullámú erősítők és félvezető mikrohullámú erősítőket tartalmazó mikrohullámú részegységek/modulok amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
37,5 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 43,5 GHz-es frekvencián történő működésre méretezettek, átlagos kimeneti teljesítményük meghaladja az 1 W-ot (30 dBm), relatív sávszélességük pedig 10 %-nál nagyobb;
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz; or
43,5 GHz-nél nagyobb frkvencián történő működésre méretezettek, vagy
Rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
3,2 GHz-nél nagyobb frkvencián történő működésre méretezettek, és a következő tulajdonságok mindegyikével rendelkeznek:
A "fractional bandwidth" of 5 % or greater; and
Relatív sávszélesságük 5 %-nál nagyobb;és
Any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15cm × GHz/fGHz];
Bármely két egymásra merőleges, d (cm-ben megadott) hosszúságú oldala egyenlő vagy kisebb, mint 15 osztva a legalacsonyabb (GHz-ben megadott) üzemi frekvenciával [d ≤ 15cm × GHz/fGHz].
3,2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3.2 GHz and below [d≤ 15cm × GHz/3.2 GHz].
A 3,2 GHz-ig terjedő vagy annál kisebb névleges működési tartományú erősítők esetében a 3A001.b.4.f.3. pont képletében a 3,2 GHz-et kell a legalacsonyabb üzemi frekvenciaként alkalmazni [d ≤ 15cm × GHz/3,2 GHz].
N.B.:MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
NB:Az MMIC teljesítményerősítőket a 3A001.b.2. pontban megadott szempontok alapján kell értékelni.