natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Note 2:The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
2. megjegyzés:Az olyan termék ellenőrzési státusát, amelynek névleges üzemi frekvenciája a 3A001.b.4.a.–3A001.b.4.e. pontban megadott, egynél több frekvenciatartományban szereplő frekvenciákat tartalmaz, a legalacsonyabb átlagos kimenetiteljesítmény-ellenőrzési küszöb alapján kell meghatározni.
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1.5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 µs and having any of the following:
Elektronikusan vagy mágnesesen hangolható sáváteresztő, vagy sávzáró szűrők, amelyeknek több, mint 5 olyan hangolható rezonátoruk van, amely 10 μs-nál rövidebb idő alatt 1,5:1 frekvencia sávban (fmax./fmin.) biztosítják a hangolást, és rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
Converters and harmonic mixers, designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
A 3A002.c., a 3A002.d, a 3A002.e, vagy a 3A002.f. alatt meghatározott berendezések frekvenciatartományának kiterjesztésére tervezett átalakítók és harmonikus keverők, amelyek a fentiekben megállapított paraméterhatárokon kívül esnek;
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
A 3A001.b.1. alatt meghatározott csöveket tartalmazó mikrohullámú teljesítményerősítők, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
An average output power density to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
a tömegarányhoz viszonyított, 80 W/kg-ot meghaladó átlagos kimeneti teljesítmény-sűrűség; és
Note:3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Megjegyzés:A 3A001.b.8. nem vonja ellenőrzés alá az „ITU által” rádió-kommunikációs szolgáltatóknak, de nem rádió-meghatározásra „kiosztott” frekvenciákon történő működésre tervezett vagy minősített berendezéseket.
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
Legalább egy haladóhullámú csőből, egy mikrohullámú monolitikus áramkörből és egy integrált elektronikus teljesítményszabályozóból álló mikrohullámú teljesítménymérők (MPM), amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
A ’turn-on time’ from off to fully operational in less than 10 seconds;
10 másodpercnél rövidebb bekapcsolási idő, amely alatt kikapcsolt állapotból teljesen működképes állapot érhető el;
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
a Wattban kifejezett maximális névleges teljesítmény 10 cm3/W szorzatánál kisebb térfogat; és
An "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax.
egy oktávnál nagyobb (fmax.
> 2fmin.) and having any of the following:
> 2fmin.) pillanatnyi sávszélesség, és az alábbiak valamelyike:
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
18 GHz-zel egyenlő vagy annál kisebb frekvencia esetében a rádiófrekvencia kimenő teljesítménye 100 W-nál nagyobb; vagy
A frequency greater than 18 GHz;
18 GHz-nél nagyobb frekvencia.
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
A 3A001.b.9.b. pont szerinti térfogat kiszámítására az alábbi példa szolgál:20 W maximális névleges teljesítmény esetén a térfogat 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
The’turn-on time’ in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
A 3A001.b.9.a pont szerinti bekapcsolási idő az az időtartam, amely alatt kikapcsolt állapotból teljesen működékpes állapot érhető el, vagyis az magában foglalja a mikrohullámú teljesítménymérő bemelegedési idejét is.
Oscillators or oscillator assemblies, designed to operate with all of the following:
Az alábbiak mindegyikével működő oszcillátorok vagy oszcillátorszerelvények:
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(126+20log10F-20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
olyan egyoldalsávos (SBB) fáziszaj, amely jobb, mint -(126+20log10F-20log10f) dBc/Hz-ben, ha 10 Hz < F < 10 kHz; valamint
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(114+20log10F-20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
olyan egyoldalsávos (SBB) fáziszaj, amely jobb, mint -(114+20log10F-20log10f) dBc/Hz-ben, ha 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
A 3A001.b.10. pontban „F” a működési frekvenciától történő eltérés Hz-ben, „f” pedig a működési frekvencia MHz-ben kifejezve.
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
Akusztikai hullámeszközök, és a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
Felületi akusztikai hullám és felületi terjedésű (shallow bulk) akusztikai hullámeszközök, amelyek rendelkeznek az alábbiak bármelyikével:
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
A vivőfrekvencia meghaladja a 6 GHz-et;
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
A vivőfrekvencia nagyobb, mint 1 GHz, de nem haladja meg a 6 GHz-et, és rendelkezik az alábbi jellemzők bármelyikével:
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB;
A „mellékhurok frekvenciaelnyomása” meghaladja az 65 dB-t;
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in µs and bandwidth in MHz) of more than 100;
A maximális késleltetési idő és a sávszélesség szorzata (az időt μs-ban és a sávszélességet MHz-ben mérve) több, mint 100;
A dispersive delay of more than 10 µs; or
A szórási késleltetés nagyobb, mint 10 μs; vagy
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
1 GHz vagy annál kisebb vivőfrekvencia, és az alábbi jellemzők bármelyike:
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
A „mellékhurok frekvenciaelnyomása” meghaladja az 65 dB-t, a sávszélesség pedig nagyobb, mint 100 MHz;
Technical Note:’Frequency side-lobe rejection’ is the maximum rejection value specified in data sheet.
Műszaki megjegyzés:A „mellékhurok frekvenciaelnyomása” az adatlapon meghatározott legnagyobb frekvenciaelnyomási érték.
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
Tömb akusztikai hullámeszközök, amelyek lehetővé teszik a jelek közvetlen feldolgozását 6 GHz-et meghaladó frekvencián;
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Akusztikai-optikai „jelfeldolgozó” eszközök, melyek az akusztikai hullámok (tömbhullám vagy felületi hullám) és a fényhullámok közötti kölcsönhatást használják fel, és lehetővé teszik jelek vagy képek közvetlen feldolgozását, beleértve a színképelemzést, a korrelációt és a konvolúciót is;
Note:3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Megjegyzés:A 3A001.c. pont nem vonja ellenőrzés alá azokat az akusztikai hullámeszközöket, amelyek egyszűrős sáváteresztő, aluláteresztő, felüláteresztő vagy lyukszűrésre vagy rezonáló funkcióra korlátozódnak.
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
„Szupravezető” anyagokból gyártott alkatrészeket tartalmazó, kifejezetten legalább az egyik „szupravezető” alkotóelem „kritikus hőmérséklete” alatti hőmérsékleten történő működésre tervezett elektronikus berendezések vagy áramkörök, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10-14 J; or
„szupravezető” kapuval rendelkező digitális áramkörök áramkapcsolása, ha kapunként a késleltetési idő (másodperc) és kapunként a teljesítményveszteség (Watt) szorzata kisebb, mint 10–14 J; vagy
High energy devices as follows:
Nagy energiájú eszközök, az alábbiak szerint:
’Cells’ as follows:
„Cellák”, az alábbiak szerint:
’Primary cells’ having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 oC;
20 °C-on 550 Wh/kg-nál nagyobb „energiasűrűségű”„primer cellák”;
’Secondary cells’ having an ’energy density’ exceeding 250 Wh/kg
250 Wh/kg-nál nagyobb „energiasűrűségű”„másodlagos cellák”;
For the purpose of 3A001.e.1., a ’cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
A 3A001.e.1. pont alkalmazásában a „cella” olyan elektrokémiai eszköz, amely pozitív és negatív elektródákkal, valamint elektrolittal rendelkezik, és elektromos energia forrása.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a ’primary cell’ is a ’cell’ that is not designed to be charged by any other source.
A 3A001.e.1.a. pont alkalmazásában a „primer cella”olyan „cella”, amelyet nem más források általi töltésre terveztek.
For the purpose of 3A001.e.1.b., a ’secondary cell’ is a ’cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
A 3A001.e.1b. pont alkalmazásában a „másodlagos cella”olyan „cella”, amelyet külső elektromos forrás általi töltésre terveztek.
High energy storage capacitors as follows:
Nagy energiájú tárolókondenzátorok, az alábbiak szerint:
N.B.:SEE ALSO 3A201.a.
NB.:LÁSD MÉG: 3A201.a.
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Kondenzátorok, melyek ismétlési frekvenciája kisebb, mint 10 Hz (egytöltetű kondenzátorok), és amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Legalább 10 Hz ismétlési frekvenciájú kondenzátorok (ismétlő kondenzátorok), amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
1 másodpercnél rövidebb idejű teljes feltöltésre vagy kisütésre tervezett „szupravezető” elektromágnesek vagy mágnestekercsek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
N.B.:SEE ALSO 3A201.b.
NB.:LÁSD MÉG: 3A201.b.
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1,367 watts per square metre (W/m2);
„Űrminősítésű”, 1367 W/m2 szimulált „AM0” besugárzás esetén, 301 K (+28 °C) üzemi hőmérsékleten 20 %-ot meghaladó minimális átlagos hatékonyságú napelemek, cellás belső kapcsolású borító üveges (CIC) szerelt egységek, nappanelek és napkollektorok.
’AM0’, or ’Air Mass Zero’, refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Az „AM0” vagy „Air Mass Zero” (zéró légtömeg) a napfény spektrális sugárzására vonatkozik a Föld külső atmoszférájában, amikor a Föld és a Nap távolsága egy csillagászati egység (AU).
Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ±1,0 second of arc;
Forgóbemenet típusú tengely abszolútpozíció-kódolók, amelyek pontossága ±1,0 ívmásodperc vagy kevesebb (jobb) annál;
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and ’thyristor modules’, using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Elektromos, optikai vagy elektronsugárzás-vezérlésű kapcsolási módozatú, szilárd test impulzusos áramkapcsoló tirisztorok és „tirisztor-modulok”, amelyek rendelkeznek az alábbiak bármelyikével:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
a maximális bekapcsolási áramváltozási meredekség (di/dt) a 30000 A/μs-t meghaladja, a pozitív zárófeszültség pedig 1100 V-nál nagyobb; és
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
a maximális bekapcsolási áramváltozási meredekség (di/dt) a 2000 A/μs-t meghaladja, és az alábbiak mindegyike fennáll:
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
a pozitív csúcszárófeszültség a 3000 V-ot meghaladja vagy azzal egyenlő; és
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
a csúcsáram a 3000 A–t meghaladja vagy azzal egyenlő.
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
szilíciumvezérlésű egyeniránytók (SCR)
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
elektromos kapcsolású tirisztorok (ETT)
Light Triggering Thyristors (LTTs)
fény kapcsolású tirisztor (LTT)
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
integrált vezérlőelektródával szabályozott tirisztor (IGCT)
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
vezérlőelektródával kikapcsolható tirisztor (GTO)
Solidtrons
szolidtron
Note 2:3A001.g. does not control thyristor devices and ’thyristor modules’ incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
2. megjegyzés:3A001.g. pont nem vonja ellenőrzés alá a polgári vasúti közlekedés és a „polgári repülőgépek” általi felhasználás céljára tervezett berendezésekbe beépített tirisztorokat és „tirisztor modulokat”.
For the purposes of 3A001.g., a ’thyristor module’ contains one or more thyristor devices.
A 3A001.g. pont alkalmazásában a „tirisztor modul” egy vagy több tirisztort tartalmaz.
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or ’modules’, having all of the following:
Szilárdtest alapú teljesítményelektronikai félvezető kapcsolók, diódák vagy modulok, amelyek az alábbi jellemzők mindegyikével rendelkeznek:
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
488 K (215 °C) feletti maximális pn-átmenet hőmérsékleten is működőképesek;
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
a pozitív ismétlődő csúcszárófeszültség (zárófeszültség) meghaladja a 300 V-ot; valamint
Continuous current greater than 1 A.
az egyenáram erőssége nagyobb, mint 1 A.
Note 1:Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
1. megjegyzés:A 3A001.h. pontban említett pozitív ismétlődő csúcszárófeszültség magában foglalja a nyelő-forrás feszültséget, a kollektor-emitter feszültséget, a negatív ismétlődő csúcszárófeszültséget és a pozitív ismétlődő lezáró csúcsfeszültséget.
Note 2:3A001.h. includes:
2. megjegyzés:A 3A001.h. pont magában foglalja az alábbiakat:
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
záróréteges térvezérlésű tranzisztorok (JFET),
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
záróréteges térvezérlésű vertikális tranzisztorok (VJFET),
Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)
fém-oxid-félvezető térvezérlésű tranzisztorok (MOSFET),
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
kétszeresen diffundáltatott, fém-oxid-félvezető térvezérlésű tranzisztorok (DMOSFET),
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
szigetelt vezérlőelektródos bipoláris tranzisztorok (IGBT),
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
nagy elektronmozgékonyságú tranzisztorok (HEMT),
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
bipoláris tranzisztorok (BJT),
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
tirisztorok és szilíciumvezérlésű egyenirányítók (SCR),
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
vezérlőelektródával kikapcsolható tirisztorok (GTO),
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
emittorral kikapcsolható tirisztorok (ETO),
PiN Diodes
PiN-diódák,
Schottky Diodes
schottky-diódák.
Note 3:3A001.h. does not control switches, diodes, or ’modules’ incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
3. megjegyzés:A 3A001.h. pont nem vonja ellenőrzés alá a polgári gépkocsik, a polgári vasúti közlekedés és a „polgári repülőgépek” általi felhasználás céljára tervezett berendezésekbe beépített kapcsolókat, diódákat vagy „modulokat”.
For the purposes of 3A001.h., ’modules’ contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
A 3A001.h. pont alkalmazásában a „modulok” magukban foglalnak egy vagy több, szilárdtest alapú teljesítményelektronikai félvezető kapcsolót vagy diódát.
Recording equipment as follows and specially designed test tape therefor:
Rögzítőberendezések és a kifejezetten ezekhez tervezett vizsgálószalag, az alábbiak szerint:
A time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ±0,1 µs;
Az időeltérés (alap) hibája – a vonatkozó IRIG vagy EIA dokumentumok szerint mérve kevesebb, mint ±0,1 μs;
Note:Analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
Megjegyzés:A kifejezetten polgári videózási célokra tervezett analóg mágneses rögzítők nem tekintendők műszeres mágnesszalagos rögzítőknek.
Digital video magnetic tape recorders having a maximum digital interface transfer rate exceeding 360 Mbit/s;
Digitális képmagnetofonok, amelyek maximális digitális interfész átviteli sebessége meghaladja a 360 Mbit/s-ot;
Digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having any of the following:
Helikális letapogatási technikát vagy rögzített fejes technikát alkalmazó digitális műszeres mágnesszalagos adatrögzítők, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők bármelyikével:
A maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s; or
A maximális digitális interfész átviteli sebesség meghaladja a 175 Mbit/s-ot, vagy
Equipment having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s and designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
Olyan berendezések, amelyeket úgy terveztek, hogy segítségükkel a digitális képmagnók alkalmassá tehetők digitális műszeres adatrögzítőként történő felhasználásra, és amelyek maximális digitális interfész átviteli sebessége 175 Mbit/s-nál nagyobb;
Waveform digitisers and transient recorders, having all of the following:
Hullámforma-digitalizálók és tranziens rögzítők, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
A ’continuous throughput’ of 2 Gbit/s or more;
2 Gbit/s, vagy nagyobb folyamatos átbocsátási sebesség;
For those instruments with a parallel bus architecture, the ’continuous throughput’ rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Párhuzamos buszfelépítésű berendezések esetén a folyamatos átbocsátási sebességet a maximális szósebesség és a szó bitekben mért hosszának a szorzata adja.
’Continuous throughput’ is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
A folyamatos átbocsátás a berendezésnek az a legnagyobb kimenő adatsebessége, amelynél a mintavételi sebesség és az analóg-digitális konverzió fenntartása mellett adatveszteség nem lép fel.
Digital instrumentation data recorders using magnetic disk storage technique and having all of the following:
Digitális műszerezési adatrögzítők mágneslemez tárolási technikával, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
A ’continuous throughput’ of 1 Gbit/s or more;
1 Gbit/s, vagy nagyobb folyamatos átbocsátási sebesség;
"Frequency synthesiser""electronic assemblies" having a "frequency switching time" from one selected frequency to another of less than 1 ms;
„Frekvenciaszintetizáló”„elektronikus részegységek”, amelynek „frekvencia-kapcsolási ideje” egy kiválasztott frekvenciáról egy másikra kevesebb, mint 1 ms;
Note:The control status of "signal analysers", signal generators, network analysers, and microwave test receivers as stand-alone instruments is determined by 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., and 3A002.f., respectively.
Megjegyzés:a független jelanalizátorok, a jelgenerátorok, a hálózati analizátorok és a mikrohullámú mérő vevőkészülékek ellenőrzését a 3A002.c., a 3A002.d., a 3A002.e. és a 3A002.f. pont határozza meg.
Radio-frequency "signal analysers" as follows:
Rádiófrekvenciás „jelanalizátorok”, ideértve a következőket:
"Signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz and having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz;
„Jelanalizátorok”, amelyek képesek 31,8 GHz-et meghaladó, de 37,5 GHz-et meg nem haladó frekvenciák elemzésére, és 10 MHz-et meghaladó, 3 dB felbontási sávszélességgel (RBW) rendelkeznek;
"Signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 43,5 GHz;
„Jelanalizátorok”, amelyek képesek 43,5 GHz-et meghaladő frekvenciák elemzésére;
"Dynamic signal analysers" having a "real-time bandwidth" exceeding 500 kHz;
„Dinamikus jelanalizátorok”, amelyek „valós idejű sávszélessége” meghaladja a 500 kHz-et;
Note:3A002.c.3. does not control those "dynamic signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Megjegyzés:A 3A002.c.3. nem vonja ellenőrzés alá azokat a „dinamikus jelanalizátorokat”, amelyek csak állandó százalékú sávszélesség-szűrőket (más néven oktáv vagy törtoktáv szűrőket) használnak;
Frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:
Frekvenciaszintetizált jelgenerátorok, amelyek olyan kimenő frekvenciákat biztosítanak, amelyek pontossága, rövid és hosszú távú stabilitása szabályozott, a belső alap (mester) referenciaoszcillátorokból ered, illetve azáltal meghatározott, és amelyek rendelkeznek a következők bármelyikével:
A maximum synthesised frequency exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz and rated to generate a ’pulse duration’ of less than 100 ns;
A maximális szintetizált frekvencia meghaladja a 31,8 GHz-et, de nem nagyobb 43,5 GHz-nél, és amelyeket 100 ns-nél kevesebb „impulzusidőtartam” generálására méreteztek;
A "frequency switching time" from one selected frequency to another as specified by any of the following:
Az alábbi jellemzők valamelyikével bíró „frekvenciakapcsolási idő” az egyik kiválasztott frekvenciáról a másikra:
Less than 312 ps;
a frekvenciakapcsolási idő kevesebb, mint 312 ps;
Less than 100 µs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
a 3,2 GHz és 10,6 GHz közötti szintetizált frekvenciatartományban az 1,6 GHz-et meghaladó frekvenciaváltás esetén a frekvenciakapcsolási idő kevesebb, mint 100 µs;
Less than 250 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
a 10,6 GHz és 31,8 GHz közötti szintetizált frekvenciatartományban az 550 MHz-et meghaladó frekvenciaváltás esetén a frekvenciakapcsolási idő kevesebb, mint 250 µs;
Less than 500 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
a 31,8 GHz és 43,5 GHz közötti szintetizált frekvenciatartományban az 550 MHz-et meghaladó frekvenciaváltás esetén a frekvenciakapcsolási idő kevesebb, mint 500 µs;