natgillin/translations-raw huggingface dataset:
"technology" for the design of tools, dies or fixtures specially designed for any of the following processes:
Kifejezetten az alábbi eljárások bármelyikéhez tervezett szerszámok, matricák, tartozékok tervezésére szolgáló „technológia”:
"superplastic forming";
„Szuperképlékeny alakítás”;
"diffusion bonding"; or
„Diffúziós kötés”; vagy
"direct-acting hydraulic pressing";
„Közvetlen hatású hidraulikus sajtolás”;
"superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
Alumíniumötvözetek, titánötvözetek vagy „szuperötvözetek”„szuperképlékeny alakítása”:
"diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
„Szuperötvözetek” vagy titánötvözetek „diffúziós kötése”:
"direct-acting hydraulic pressing" of aluminium alloys or titanium alloys:
Alumíniumötvözetek vagy titánötvözetek „közvetlen hatású hidraulikus sajtolása”:
"hot isostatic densification" of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
Titánötvözetek, alumíniumötvözetek vagy „szuperötvözetek”„meleg izosztatikus tömörítése”:
"technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
Repülőgép-szerkezetek gyártásához használt, hidraulikus nyújtó-formázó gépek és szerszámaik „kifejlesztésére” vagy „gyártására” szolgáló „technológia”;
"technology" for the "development" of generators of machine tool instructions (e.g., part programmes) from design data residing inside "numerical control" units;
Szerszámgép-utasítások (pl. részprogramok) generátorának „kifejlesztésére” szolgáló olyan „technológia”, amely a „számjegy-vezérlésű” egységben található tervezési adatokra támaszkodik;
"technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
Műhelytevékenység korszerű döntéstámogatási rendszeréhez szükséges szakértői rendszert „számjegyvezérlő egységbe” integráló „szoftver”„kifejlesztésére” szolgáló „technológia”;
"technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical note.
Szervetlen fedőrétegeknek, vagy szervetlen felületmódosító burkolatoknak (amelyeket következő táblázat 3. oszlopa határoz meg) a nem-elektronikus szubsztrátumokra (amelyeket a következő táblázat 2. oszlopa határoz meg) történő alkalmazásának „technológiája”, a következő táblázat 1. oszlopában meghatározott és a Műszaki megjegyzésben meghatározott eljárásokkal.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
A 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116 vagy a 2D101 alatt meghatározott berendezés vagy „szoftver”„felhasználására” vonatkozó, az Általános technológiai megjegyzés szerinti „technológia”.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or"software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B232, 2D201 or 2D202.
A 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225–2B232, 2D201 vagy 2D202 alatt meghatározott berendezés, vagy „szoftver”„felhasználására” vonatkozó, az Általános technológiai megjegyzés szerinti „technológia”.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
A 2B350–2B352 alatt meghatározott termékek „felhasználására” vonatkozó, az Általános technológiai megjegyzés szerinti „technológia”.
"Superalloys"
„Szuperötvözetek”
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix""composites"
Szén-szén, kerámia és fém „mátrix”„kompozitok”
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporisation
Fizikai gőzfázisú leválasztás (PVD): „lézer” elpárologtatás
Polymers (11) and Organic"matrix""composites"
Polimerek (11) és szerves „mátrix”„kompozitok”
Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
Pack-cementálás (a „nem-pack” cementálás tekintetében lásd: „A”) (10)
The term "coating process" includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
„Bevonási folyamaton” egyaránt értendő a felületen végzett javítás, a felület korábbi állapotának visszaállítása, illetve az eredeti bevonási folyamat is.
The term "alloyed aluminide coating" includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Az „ötvözött aluminid-bevonat” kifejezés vonatkozik az egy vagy több lépcsőben előállított bevonatokra, amelyekben egy vagy több elemet az aluminid-bevonat felvitele előtt helyeztek el, még akkor is, ha ez egy más bevonatolási folyamattal történt.
The term "noble metal modified aluminide" coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
A „nemesfémmel módosított aluminid” kifejezés arra a többlépcsős bevonási folyamatra vonatkozik, amelynek során az aluminid-bevonatolás alkalmazása előtt valamilyen más bevonási folyamattal nemesfémet vagy nemesfémeket visznek fel.
The term "mixtures thereof" includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
Az „ezek keverékei” kifejezés diffúz anyagokra, szemcsés kompozitokra, ko-depozitokra és többrétegű depozitokra vonatkozik, és azok a táblázatban szereplő bevonási folyamatok egyszeri vagy többszöri alkalmazásával állíthatók elő.
"MCrAlX" refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
Az „MCrAlX” olyan bevonó ötvözeteket jelent, amelyekben az „M” kobaltnak, vasnak, nikkelnek vagy ezek valamilyen kombinációjának felel meg, az „X” hafniumot, ittriumot, szilíciumot, tantált jelent, bármely mennyiségben vagy egyéb különböző arányokban és kombinációkban szándékosan bevitt adalékanyagot 0,01 tömegszázalék fölött, kivéve:
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
A CoCrAlY-bevonat, amely kevesebb mint 22 tömegszázalék krómot, kevesebb mint 7 tömegszázalék alumíniumot és kevesebb mint 2 tömegszázalék ittriumot tartalmaz;
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight percent of yttrium; or
A CoCrAlY-bevonat, amely 22–24 tömegszázalék krómot, 10–12 tömegszázalék alumíniumot és 0,5–0,7 tömegszázalék ittriumot tartalmaz; vagy
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
A NiCrAlY-bevonat, amely 21–23 tömegszázalék krómot, 10–12 tömegszázalék alumíniumot és 0,9–1,1 tömegszázalék ittriumot tartalmaz.
The term "aluminium alloys" refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Az „alumíniumötvözetek” olyan ötvözeteket jelentenek, amelyek 293 K (20 °C) hőmérsékleten mért maximális szakítószilárdsága legalább 190 Mpa.
The term "corrosion resistant steel" refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
A „korrózióálló acél” kifejezés olyan acélokra vonatkozik, mint például az AISI (American Iron and Steel Institute – Amerikai Vas- és Acélintézet) 300-as sorozata vagy az ezzel egyenértékű nemzeti szabvány szerinti acélok.
"Refractory metals and alloys" include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
A „tűzálló fémek és ötvözetek” az alábbi fémekből és ötvözeteikből állnak: nióbium (kolumbium), molibdén, volfrám és tantál.
"Sensor window materials", as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
A „szenzorablak-anyagok” a következők: alumínium-oxid, szilícium, germánium, cink-szulfid, cink-szelenid, gallium-arzenid, gyémánt, gallium-foszfid, zafír és a következő fémhalogenidek: a 40 mm-nél nagyobb átmérőjű érzékelő üveganyagok esetén cirkónium-fluorid és hafnium-fluorid.
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
A 2. kategória nem vonja ellenőrzés alá a repülőgépek szilárd szárnyszelvényeinek egylépcsős pack-cementálására szolgáló „technológiát”.
"Polymers", as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
„Polimerek”, ideértve a következőket: polimidek, poliészterek, poliszulfidok, polikarbonátok és poliuretánok.
"Modified zirconia" refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
A „módosított cirkónium-oxid” más fémoxidok adalékaira vonatkozik (pl. kalcium, magnézium, ittrium, hafnium, ritkaföldfémek oxidjai stb.), amelyeket azért adagolnak a cirkóniumhoz, hogy stabilizálják a krisztallográfiai fázisokat és a fázisösszetételeket.
"Titanium alloys" refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
A „titánötvözetek” azokra az űrhajózási ötvözetekre utalnak, amelyek 293 K (20 °C) hőmérsékleten mért maximális szakítószilárdsága 900 MPa vagy annál több.
"Low-expansion glasses" refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
Az „alacsony tágulású üvegek” olyan üvegekre vonatkoznak, amelyek 293 K (20 °C) hőmérsékleten mért hőtágulási együtthatója 1 × 10–7 K–1 vagy annál kevesebb.
"Dielectric layers" are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
A „dielektromos rétegek” többrétegű szigetelőanyagból készült bevonatok, amelyekben a különböző törésmutatójú anyagokból álló modell interferencia-jellemzőit használják fel a különböző hullámhosszúságú sávok visszaverésére, átvitelére vagy elnyelésére.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
A dielektromos rétegek négynél több dielektromos rétegre vagy szigetelő/fém „kompozit” rétegre vonatkoznak.
"Cemented tungsten carbide" does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
A „cementált volfrám-karbid” nem foglalja magában a volfrám-karbid/(kobalt, nikkel), titán-karbid/(kobalt, nikkel), króm-karbid/nikkel- króm és króm-karbid/nikkel vágó és forgácsoló-szerszám anyagokat.
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
Az ellenőrzés nem terjed ki a kifejezetten a következő anyagokon gyémántszerű szén bevonatok létrehozására tervezett „technológiára”:
"Silicon carbide" does not include cutting and forming tool materials.
A „szilícium-karbid” nem foglalja magába a vágó- és forgácsoló-szerszám anyagokat.
chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Gőzfázisú kémiai leválasztás (Chemical Vapour Deposition – CVD) olyan rétegfelviteli vagy felületmódosítási bevonási folyamat, amelynek során fémet, ötvözetet, „kompozitot” vagy kerámiát visznek fel hevített hordozó felületére.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
A bomláshoz vagy a vegyi reakcióhoz szükséges energiát a hordozó hője, plazmakisülés vagy „lézer”sugárzás szolgáltatja.
"laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
A „lézer” elgőzölögtetés vagy pulzáló vagy folytonos hullámú „lézer”sugarakat alkalmaz a bevonóanyag elpárologtatására;
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
A „non line-of-sight” bevonásnál hordozóeltolást alkalmaznak.
If the integrated circuit is a silicon-based "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit described in 3A001.a.3. having an operand (data) word length of 8 bit or less, the control status of the integrated circuit is determined in 3A001.a.3.
Ha az integrált áramkör a 3A001.a.3. alatt jellemzett szilíciumalapú „mikroszámítógépes mikroáramkör” vagy „mikrokontroller mikroáramkör”, melyek operandus (adat) szóhosszúsága 8 bit vagy annál kevesebb, az integrált áramkör ellenőrzési státusát a 3A001.a.3. határozza meg.
Electronic components and specially designed components therefor, as follows:
Elektronikai alkatrészek és a kifejezetten azokhoz tervezett részelemek, az alábbiak szerint:
"Monolithic integrated circuits";
„Monolit integrált áramkörök”;
"Hybrid integrated circuits";
„Hibrid integrált áramkörök”;
"Multichip integrated circuits";
„Multichip integrált áramkörök”;
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
„Film típusú integrált áramkörök”, beleértve a szilícium/zafír integrált áramköröket is;
"Optical integrated circuits".
„Optikai integrált áramkörök”.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
„Mikroprocesszor mikroáramkörök”, „mikroszámítógép mikroáramkörök”, mikrovezérlő mikroáramkörök, vegyes félvezetőből gyártott tároló integrált áramkörök, analóg-digitális, digitális-analóg átalakítók, elektro-optikai, vagy „jelfeldolgozásra” tervezett „optikai integált áramkörök”, felhasználó által programozható logikai eszközök, egyedi integrált áramkörök, amelyek funkciója vagy annak a berendezésnek, amelyben az integrált áramkört fel fogják használni az ellenőrzési státusa ismeretlen, gyors Fourier-transzformáló (FFT) processzorok, elektronikusan törölhető programozható csak olvasható memóriák (EEPROM-ok), flash memóriák, vagy statikus véletlen elérésű memóriák (SRAM-ok), amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
„Mikroprocesszor mikroáramkörök”, „mikroszámítógép mikroáramkörök” és mikrovezérlő mikroáramkörök, amelyek vegyes félvezetőből készültek, és 40 MHz-et meghaladó órajel-frekvencián működnek;
N.B.:SEE ALSO 3A101.
N.B.:LÁSD MÉG 3A101.
digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
Digitális-analóg átalakítók, amelyek felbontása legalább 12 bit, és a „beállási idő” kevesebb mint 10 ns;
electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
„Jelfeldolgozáshoz” tervezett elektro-optikai és „optikai integrált áramkörök”, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
one or more than one internal "laser" diode;
Egy vagy több belső „lézer” dióda;
"field programmable logic devices" having any of the following:
Felhasználó által programozható logikai eszközök, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
a typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
A tipikus „alapkapu-késleltetési idő” kevesebb mint 0,1 ns; vagy
"Field programmable logic devices" are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
A felhasználó által programozható logikai eszközök felhasználó által programozható kapuként, illetve felhasználó által programozható logikai tömbként is ismertek
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band having all of the following:
1. megjegyzés:A 3A001.b.1. nem vonja ellenőrzés alá az alábbi jellemzők mindegyikével rendelkező bármilyen frekvenciasávban történő működésre tervezett vagy minősített csöveket:
is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Az „ITU által” rádió-kommunikációs szolgáltatóknak, de nem rádió-meghatározásra „kiosztott”.
Note 2:3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes having all of the following:
2. megjegyzés:A 3A001.b.1. nem vonja ellenőrzés alá a nem „űrminősítésű”, és az alábbi jellemzők mindegyikével rendelkező csöveket:
tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
31,8 GHz-nél magasabb frekvencián üzemelő csövek;
tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
Katód fűtőelemmel rendelkező csövek, amelyek esetében a névleges RF teljesítmény elérésének ideje kevesebb mint 3 másodperc;
coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
Csatolt üregrezonátorok, vagy származékaik, melyek „relatív sávszélessége” meghaladja a 7 %-ot, vagy amelyek csúcsteljesítménye több mint 2,5 kW;
helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
Helix csövek vagy származékaik, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők bármelyikével:
an "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
A „pillanatnyi sávszélesség” több mint egy oktáv, az átlagos teljesítmény (kW) és a maximális üzemi frekvencia (GHz) szorzata nagyobb mint 0,5;
an "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
A „pillanatnyi sávszélesség” legfeljebb egy oktáv, az átlagos kimenő teljesítmény (kW) és a maximális üzemi frekvencia (GHz) szorzata pedig nagyobb 1-nél; vagy
being "space qualified";
„Űrminősítésű”.
microwave "monolithic integrated circuits" (MMIC) power amplifiers having any of the following:
Mikrohullámú monolit integrált áramkörű (MMIC) teljesítményerősítők, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők valamelyikével:
Note:the control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Megjegyzés:Az olyan tranzisztor ellenőrzési státusát, amelynek névleges működési frekvenciája a 3A001.b.3.a.–3A001.b.3.e. pontban megadott, egynél több frekvenciatartományban szereplő frenkvenciákat tartalmaz, a legalacsonyabb átlagos kimenő teljesítményre vonatkozó ellenőrzési küszöb határozza meg.
microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers having any of the following:
Félvezető mikrohullámú erősítők és félvezető mikrohullámú erősítőket tartalmazó mikrohullámú részegységek/modulok, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
an average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P > 150 W*GHz2/fGHz2];
A P átlagos kimeneti teljesítmény (wattban) nagyobb mint 150 osztva a maximális üzemi frekvencia (GHz-ben) a négyzeten [P>150 W*GHz2/fGHz2];
a "fractional bandwidth" of 5 % or greater; and
Relatív sávszélesságük 5 %-nál nagyobb; és
electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs and having any of the following:
Elektronikusan vagy mágnesesen hangolható sáváteresztő vagy sávzáró szűrők, amelyeknek több mint 5 olyan hangolható rezonátoruk van, amely 10 μs-nál rövidebb idő alatt 1,5:1 frekvencia sávban (fmax./fmin.) biztosítják a hangolást, és rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
converters and harmonic mixers designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d, 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
A 3A002.c., a 3A002.d., a 3A002.e, vagy a 3A002.f. alatt meghatározott berendezések frekvenciatartományának kiterjesztésére tervezett átalakítók és harmonikus keverők, amelyek a fentiekben megállapított paraméterhatárokon kívül esnek;
microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
A 3A001.b.1. alatt meghatározott csöveket tartalmazó mikrohullámú teljesítményerősítők, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
Note:3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Megjegyzés:A 3A001.b.8. nem vonja ellenőrzés alá az „ITU által” rádiókommunikációs szolgáltatóknak, de nem rádiómeghatározásra „kiosztott” frekvenciákon történő működésre tervezett vagy minősített berendezéseket.
microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
Legalább egy haladóhullámú csőből, egy mikrohullámú monolitikus áramkörből és egy integrált elektronikus teljesítményszabályozóból álló mikrohullámú teljesítménymérők (MPM), amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
a "turn-on time" from off to fully operational in less than 10 seconds;
10 másodpercnél rövidebb bekapcsolási idő, amely alatt kikapcsolt állapotból teljesen működőképes állapot érhető el;
a frequency greater than 18 GHz.
18 GHz-nél nagyobb frekvencia.
to calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
A 3A001.b.9.b. pont szerinti térfogat kiszámítására az alábbi példa szolgál: 20 W maximális névleges teljesítmény esetén a térfogat 20 W x 10 cm3/W = 200 cm3.
the "turn-on time" in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational; i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
A 3A001.b.9.a pont szerinti bekapcsolási idő az az időtartam, amely alatt kikapcsolt állapotból teljesen működőképes állapot érhető el, vagyis az magában foglalja a mikrohullámú teljesítménymérő bemelegedési idejét is.
surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves in materials), having any of the following:
Felületi akusztikai hullám és felületi terjedésű (shallow bulk) akusztikai hullámeszközök (azaz az anyagokban haladó elasztikus hullámokat felhasználó „jelfeldolgozó” eszközök), amelyek rendelkeznek az alábbiak bármelyikével:
a carrier frequency exceeding 6 GHz;
A vivőfrekvencia meghaladja a 6 GHz-et;
a carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
A vivőfrekvencia nagyobb mint 1 GHz, de nem haladja meg a 6 GHz-et, és rendelkezik az alábbi jellemzők bármelyikével:
a carrier frequency of 1 GHz or less, having any of the following:
1 GHz vagy annál kisebb vivőfrekvencia, és az alábbi jellemzők bármelyike: