natgillin/translations-raw huggingface dataset:
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
A hordozót és a porkeveréket egy retortában helyezik el, amelyet a bevonóanyag leválásához szükséges időtartamra 1030 K (757 °C)–1375 K (1102 °C) közötti hőmérsékletre fűtenek fel.
plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
A plazmaszórás olyan rétegfelviteli eljárás, amely során a plazmát egy szórófej állítja elő és szabályozza; a porított vagy huzalos bevonóanyag a szórófejbe kerül be, amely azt megolvasztja, és ezt szórja ki a hordozó felé, ahol az teljes mértékben tapadó bevonatot képez.
1:Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
1:A kis nyomás a környezeti, légköri nyomásnál kisebb nyomást jelent.
2:High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
2:A nagy sebesség azt jelenti, hogy a fúvókából eltávozó gáz sebessége 0,1 MPa nyomásnál 293 K-en (20 °C) meghaladja a 750 m/s-ot.
slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Az iszapleválasztás az a felületmódosító bevonási vagy rétegfelviteli eljárás, amelynek során a kívánt bevonat elérése érdekében a hordozóra folyadékban feloldott szerves kötőanyaggal kevert fém- vagy kerámiaport visznek fel szórással, bemerítéssel vagy festéssel, az azt követő levegőn vagy kemencében történő szárítással, illetve hőkezeléssel.
sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
A katódporlasztás olyan rétegfelviteli folyamat, amelyben pozitív töltésű részecskéket gyorsítanak és mozgatnak elektromos térben a céltárgy (bevonóanyag) felszíne felé.
1:The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
1:A táblázat csak a triódás, magnetronos vagy reaktív katódporlasztásra vonatkozik, amelyekkel a bevonóanyag tapadásának növelését és a leválasztás sebességét kívánják növelni, valamint a megnövelt nagyfrekvenciás (NF) porlasztásra vonatkozik, amelyet a nemfémes bevonóanyagok elgőzölögtetésére használnak.
2:Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
2:Az alacsony energiájú (5 keV-nál kisebb) ionsugarakat a leválasztás aktiválására lehet használni.
ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Az ionbeültetés az a felületmódosító bevonási eljárás, amelynek során az ötvözőelemet ionizálják, erőtérben felgyorsítják és a hordozó felületének meghatározott részébe ültetik.
Note 1:the control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
1. megjegyzés:A 3A001.a.3.–3A001.a.10. alatt vagy a 3A001.a.12. alatt meghatározottaktól eltérő, a 3A001 vagy 3A002 alatt ismertetett berendezések és alkatrészek – amelyeket más berendezésekhez speciálisan terveztek, illetve amelyek ugyanolyan funkcionális jellemzőkkel rendelkeznek, mint a többi berendezés – ellenőrzési státusát a többi berendezés ellenőrzési státusa határozza meg.
Note 2:the control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
2. megjegyzés:A 3A001.a.3.–3A001.a.9. alatt vagy a 3A001.a.12. alatt ismertetett integrált áramkörök ellenőrzési státusát – amelyeket megváltoztathatatlan módon programoztak vagy más berendezéshez egyedi funkcióra terveztek – a többi berendezés ellenőrzési státusa határozza meg.
N.B.:when the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
N.B.:Amikor a gyártó vagy a felhasználó nem tudja meghatározni a többi berendezés ellenőrzési státusát, akkor az integrált áramkörök ellenőrzési státusát a 3A001.a.3.–3A001.a.9., vagy a 3A001.a.12. határozza meg.
general purpose integrated circuits, as follows:
Általános célú integrált áramkörök, az alábbiak szerint:
Note 1:the control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
1. megjegyzés:Azoknak a (befejezett vagy be nem fejezett) lapkáknak, amelyeken a funkciót meghatározták, az ellenőrzési státusát a 3A001.a. alatti paraméterek szerint kell értékelni.
Note 2:Integrated circuits include the following types:
2. megjegyzés:Integrált áramkörök alatt a következő típusokat értjük
a total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
5 × 103 Gy (Si) vagy ennél nagyobb teljes dózis;
a dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
5 × 106 Gy (Si)/s vagy magasabb dózisintenzitás-változás; vagy
a fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
5 × 1013 n/cm2 vagy magasabb neutronfolyam (integrált fluxus) (1 MeV ekvivalens) szilíciumon, vagy ennek megfelelője más anyagon;
Note:3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Megjegyzés:A 3A001.a.1.c. nem vonatkozik a Fém Szigetelő Félvezetőkre (MIS).
rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
398 K (+ 125 °C) feletti környezeti hőmérsékleten történő működésre méretezték;
rated for operation at an ambient temperature below 218 K (–55 °C); or
218 K (–55 °C) alatti környezeti hőmérsékleten történő működésre méretezték; vagy
rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (–55 °C) et 398 K (125 °C);
A 398 K (+ 125 °C) és a 218 K (–55 °C) közötti hőmérséklet-tartományban történő működésre méretezték;
Note:3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Megjegyzés:A 3A001.a.2. nem vonatkozik a polgári gépjárművekben vagy a vasúti mozdonyokban alkalmazott integrált áramkörökre.
Note:3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Megjegyzés:A 3A001.a.3. magában foglalja a digitális jelfeldolgozókat, a digitális tömbprocesszorokat és a digitális társprocesszorokat.
analogue-to-digital converters having any of the following:
Analóg-digitális átalakítók, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
N.B.:SEE ALSO 3A101
N.B.:LÁSD MÉG 3A101.
a resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
Felbontásuk legalább 8 bit, de 10 bitnél kevesebb, 500 millió szó/másodpercnél nagyobb kimeneti teljesítménnyel;
a resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
Felbontásuk legalább 10 bit, de 12 bitnél kevesebb, 200 millió szó/másodpercnél nagyobb kimeneti teljesítménnyel;
a resolution of 12 bit with an output rate greater than 105 million words per second;
Felbontásuk 12 bit, 105 millió szó/másodpercnél nagyobb kimeneti teljesítménnyel;
a resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 10 million words per second; or
Felbontásuk legalább 12 bit, de legfeljebb 14 bit, 10 millió szó/másodpercnél nagyobb kimeneti teljesítménnyel; vagy
a resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 2,5 million words per second;
Felbontásuk legalább 14 bit, 2,5 millió szó/másodpercnél nagyobb kimeneti teljesítménnyel;
digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
Digitális-analóg átalakítók, amelyek felbontása legalább 12 bit, és a "beállási idő" kevesebb mint 10 ns;
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Gyakran megahertzben (MHz) vagy mega-minta/másodpercben (MS/s) fejezik ki.
electro-optical and "optical integrated circuits" designed for "signal processing" having all of the following:
"Jelfeldolgozáshoz" tervezett elektro-optikai és "optikai integrált áramkörök", amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
one or more than one internal "laser" diode;
Egy vagy több belső "lézer" dióda;
one or more than one internal light detecting element; and
Egy vagy több belső fényérzékelő elem; és
optical waveguides;
Optikai hullámvezetők;
field programmable logic devices having any of the following:
Felhasználó által programozható logikai eszközök, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
an equivalent usable gate count of more than 30000 (2 input gates);
Az ekvivalens hasznos kapuszám meghaladja a 30000-et (2 bemeneti kapu);
a typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
A tipikus "alapkapu-késleltetési idő" kevesebb mint 0,1 ns; vagy
a toggle frequency exceeding 133 MHz;
Az átbillenési frekvencia 133 MHz-nél nagyobb;
Note:3A001.a.7. includes:
Megjegyzés:A 3A001.a.7. magában foglalja az alábbiakat:
simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
Egyszerű programozható logikai eszközök (SPLD)
complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
Komplex programozható logikai eszközök (CPLD)
field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
Felhasználó által programozható kapu tömbök (FPGA)
field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
Felhasználó által programozható logikai tömbök (FPLA)
field Programmable Interconnects (FPICs)
Felhasználó által programozható összekapcsolók (FPIC)
N.B.:field programmable logic devices are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
N.B.:A felhasználó által programozható logikai eszközök felhasználó által programozható kapuként, illetve felhasználó által programozható logikai tömbként is ismertek
neural network integrated circuits;
Neurális hálózati integrált áramkörök;
custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
Egyedi integrált áramkörök, melyeknél vagy a funkció ismeretlen, vagy az integrált áramkört felhasználó berendezés ellenőrzési státusa a gyártó számára ismeretlen, és amelyek rendelkeznek a következő jellemzők bármelyikével:
more than 1000 terminals;
Több mint 1000 terminál;
an operating frequency exceeding 3 GHz;
Az üzemi frekvencia meghaladja a 3 GHz-et;
digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Bármely vegyes félvezetőn alapuló, a 3A001.a.3.–3A001.a.10. és a 3A001.a.12. alatt meghatározottaktól eltérő digitális integrált áramkörök, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők bármelyikével:
an equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
Az ekvivalens kapuszám meghaladja a 3000-et (2 bemeneti kapu); vagy
a toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
Az átbillenési frekvencia meghaladja az 1,2 GHz-et;
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 μs.
Ha N = 1024 pont, a 3A001.a.12. szerinti képlettel számítva a végrehajtási idő kevesebb mint 500 μs;
microwave or millimetre wave components, as follows:
Mikrohullámú vagy milliméteres hullámú alkatrészek:
electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:
Elektronikus vákuumcsövek és katódok, az alábbiak szerint:
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
1. megjegyzés:A 3A001.b.1. nem vonja ellenőrzés alá az alábbi jellemzők mindegyikével rendelkező bármilyen frekvenciasávban történő működésre tervezett vagy minősített csöveket:
does not exceed 31,8 GHz; and
Nem haladja meg a 31,8 GHz-et; és
is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Az "ITU által" rádió-kommunikációs szolgáltatóknak, de nem rádió-meghatározásra "kiosztott".
Note 2:3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes which meet all of the following characteristics:
2. megjegyzés:A 3A001.b.1. nem vonja ellenőrzés alá a nem "űrminősítésű", és az alábbi jellemzők mindegyikével rendelkező csöveket:
an average output power equal to or less than 50 W; and
Átlagos kimeneti teljesítménye legfeljebb 50 W; és
designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
Az alábbi jellemzők mindegyikével rendelkező bármilyen frekvenciasávban történő működésre tervezett vagy minősített csöveket:
exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
Nagyobb mint 31,8 GHz, de nem haladja meg a 43,5 GHz-et; és
travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
Impulzusüzemre vagy folyamatos hullámüzemre szánt haladó hullámú csövek, az alábbiak szerint:
operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
31,8 GHz-nél magasabb frekvencián történő üzemelés;
having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
Katód fűtőelemmel a névleges RF teljesítmény elérésének ideje kevesebb mint 3 másodperc;
coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
Csatolt üregrezonátorok, vagy származékaik, melyek "relatív sávszélessége" meghaladja a 7 %-ot, vagy amelyek csúcsteljesítménye több mint 2,5 kW;
helix tubes, or derivatives thereof, with any of the following characteristics:
Helix csövek vagy származékaik, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők bármelyikével:
an "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
A "pillanatnyi sávszélesség" több mint egy oktáv, az átlagos teljesítmény (kW) és a maximális üzemi frekvencia (GHz) szorzata nagyobb mint 0,5;
an "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
A "pillanatnyi sávszélesség" legfeljebb egy oktáv, az átlagos kimenő teljesítmény (kW) és a maximális üzemi frekvencia (GHz) szorzata pedig nagyobb 1-nél; vagy
being "space qualified";
"Űrminősítésű".
crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
Több mint 17 dB erősítésű keresztmezős erősítőcsövek;
impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
Elektroncsövekhez tervezett impregnált katódok a névleges üzemi feltételek mellett 5 A/cm2-t meghaladó folyamatos emissziós áramsűrűséggel;
microwave monolithic integrated circuits (MMIC) power amplifiers having any of the following:
Mikrohullámú monolit integrált áramkörű (MMIC) teljesítményerősítők, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők valamelyikével:
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
3,2 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 6 GHz-es frekvencián történő működésre méretezettek, átlagos kimeneti teljesítményük meghaladja a 4 W-ot (36 dBm), relatív sávszélességük pedig 15 %-nál nagyobb;
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
6 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 16 GHz-es frekvencián történő működésre méretezettek, átlagos kimeneti teljesítményük meghaladja az 1 W-ot (30 dBm), relatív sávszélességük pedig 10 %-nál nagyobb;
rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
16 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 31,8 GHz-es frekvencián történő működésre méretezettek, átlagos kimeneti teljesítményük meghaladja a 0,8 W-ot (29 dBm), relatív sávszélességük pedig 10 %-nál nagyobb;
rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz;
31,8 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 37,5 GHz-es frekvencián történő működésre méretezettek;
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
37,5 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 43,5 GHz-es frekvencián történő működésre méretezettek, átlagos kimeneti teljesítményük meghaladja a 0,25 W-ot (24 dBm), relatív sávszélességük pedig 10 %-nál nagyobb; vagy
rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz.
43,5 GHz-nél nagyobb frkvencián történő működésre méretezettek.
Note 1:3A001.b.2. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 GHz to 42,5 GHz.
1. megjegyzés:A 3A001.b.2. nem vonja ellenőrzés alá az olyan műsorszóró műholdak berendezéseit, amelyeket 40,5 és 42,5 GHz közötti frekvenciatartományban való működésre terveztek.
Note 2:the control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
2. megjegyzés:Az olyan MMIC ellenőrzési státusát, amelynek névleges működési frekvenciája a 3A001.b.2.a.–3A001.b.2.f. pontban megadott, egynél több frekvenciatartományban szereplő frekvenciákat tartalmaz, a legalacsonyabb átlagos kimenő teljesítményre vonatkozó ellenőrzési küszöb határozza meg.
Note 3:Notes 1 and 2 in the chapeau to Category 3 mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
3. megjegyzés:A 3. kategória elején található 1. és 2. megjegyzés azt jelenti, hogy a 3A001.b.2. nem vonja ellenőrzés alá az olyan MMIC-ket, amelyeket kifejezetten más jellegű alkalmazáshoz terveztek, pl.: telekommunikációhoz, radarhoz, gépkocsihoz.
discrete microwave transistors having any of the following:
Diszkrét mikrohullámú tranzisztorok, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők valamelyikével:
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and having an average output power greater than 60W (47,8 dBm);
3,2 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 6 GHz-es frekvencián történő működésre méretezettek, és átlagos kimeneti teljesítményük meghaladja a 60 W-ot (47,8 dBm);
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and having an average output power greater than 20W (43 dBm);
6 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 31,8 GHz-es frekvencián történő működésre méretezettek, és átlagos kimeneti teljesítményük meghaladja a 20 W-ot (43 dBm);
rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and having an average output power greater than 0,5W (27 dBm);
31,8 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 37,5 GHz-es frekvencián történő működésre méretezettek, és átlagos kimeneti teljesítményük meghaladja a 0,5 W-ot (27 dBm);
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
37,5 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 43,5 GHz-es frekvencián történő működésre méretezettek, és átlagos kimeneti teljesítményük meghaladja az 1 W-ot (30 dBm); vagy
Note:the control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Megjegyzés:Az olyan tranzisztor ellenőrzési státusát, amelynek névleges működési frekvenciája a 3A001.b.3.a.–3A001.b.3.e. pontban megadott, egynél több frekvenciatartományban szereplő frenkvenciákat tartalmaz, a legalacsonyabb átlagos kimenő teljesítményre vonatkozó ellenőrzési küszöb határozza meg.
microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave amplifiers having any of the following:
Félvezető mikrohullámú erősítők és mikrohullámú erősítőket tartalmazó mikrohullámú részegységek/modulok, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 60W (47,8 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
3,2 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 6 GHz-es frekvencián történő működésre méretezettek, átlagos kimeneti teljesítményük meghaladja a 60 W-ot (47,8 dBm), relatív sávszélességük pedig 15 %-nál nagyobb;
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15W (42 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
6 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 31,8 GHz-es frekvencián történő működésre méretezettek, átlagos kimeneti teljesítményük meghaladja a 15 W-ot (42 dBm), relatív sávszélességük pedig 10 %-nál nagyobb;
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
37,5 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 43,5 GHz-es frekvencián történő működésre méretezettek, átlagos kimeneti teljesítményük meghaladja az 1 W-ot (30 dBm), relatív sávszélességük pedig 10 %-nál nagyobb;
rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz; or
43,5 GHz-nél nagyobb frekvencián történő működésre méretezettek; vagy
rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
3,2 GHz-nél nagyobb frekvencián történő működésre méretezettek, és a következő tulajdonságok mindegyikével rendelkeznek:
an average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P>150 W*GHz2/fGHz2];
A P átlagos kimeneti teljesítmény (wattban) nagyobb mint 150 osztva a maximális üzemi frekvencia (GHz-ben) a négyzeten [P>150 W*GHz2/fGHz2];
a fractional bandwidth of 5 % or greater; and
Relatív sávszélesságük 5 %-nál nagyobb; és
any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d = 15 cm*GHz/fGHz].
Bármely két egymásra merőleges, d (cm-ben megadott) hosszúságú oldala egyenlő vagy kisebb mint 15 osztva a legalacsonyabb (GHz-ben megadott) üzemi frekvenciával [d≤ 15cm*GHz/fGHz].
3,2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3,2 GHz and below [d ≤ 15 cm*GHz/3,2 GHz].
A 3,2 GHz-ig terjedő vagy annál kisebb névleges működési tartományú erősítők esetében a 3A001.b.4.f.3. pont képletében a 3,2 GHz-et kell a legalacsonyabb üzemi frekvenciaként alkalmazni [d≤15cm*GHz/3,2 GHz].
N.B.:MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
N.B.:Az MMIC teljesítményerősítőket a 3A001.b.2. pontban megadott szempontok alapján kell értékelni.
Note 1:3A001.b.4. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 to 42,5 GHz.
1. megjegyzés:A 3A001.b.4. nem vonja ellenőrzés alá az olyan műsorszóró műholdak berendezéseit, amelyeket 40,5 és 42,5 GHz közötti frekvenciatartományban való működésre terveztek.