natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Note 1:for the purpose of 3A002.d., the term frequency synthesised signal generators includes arbitrary waveform and function generators.
1. megjegyzés:A 3A002.d. pont alkalmazásában a "frekvenciaszintetizált jelgenerátorok" kifejezés kiterjed a digitális hullámforma generátorra és funkciógenerátorra is.
Note 2:3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
2. megjegyzés:A 3A002.d. nem vonja ellenőrzés alá azokat a berendezéseket, amelyekben a kimenő frekvenciát két vagy több kristályoszcillátor frekvenciájának összegzése vagy kivonása, vagy pedig az összegzés, illetve kivonás utáni eredmény szorzata adja.
arbitrary waveform and function generators are normally specified by sample rate (e.g. GSample/s), which is converted to the RF domain by the Nyquist factor of two.
A digitális hullámforma generátor és funkciógenerátor meghatározása általában a mintafrekvenciával történik (pl. Gminta/s), amelyet a kettős Nyquist-tényezővel átkonvertálnak rádiófrekvenciává.
Thus, a 1 GSample/s arbitrary waveform has a direct output capability of 500 MHz or, when oversampling is used, the maximum direct output capability is proportionately lower.
Ily módon 1 Gminta/s digitális hullámforma 500 MHz közvetlen kimeneti teljesítménnyel rendelkezik. Túlmintázás (oversampling) alkalmazása esetén a maximális közvetlen kimeneti teljesítmény arányosan alacsonyabb.
for the purposes of 3A002.d.1., "pulse duration" is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
A 3A002.d.1. alkalmazásában az impulzusidőtartam azt az időintervallumot jelenti, amely aközött telik el, amíg az impulzus belépő éle eléri a maximum 90 %-át, és az impulzus kilépő éle eléri a maximum 10 %-át.
network analysers with a maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz;
43,5 GHz-nél nagyobb maximális üzemi frekvenciájú hálózati analizátorok;
microwave test receivers having all of the following:
Mikrohullámú mérő vevőkészülékek, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők mindegyikével:
a maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz; and
A maximális üzemi frekvencia meghaladja a 43,5 GHz-et; és
being capable of measuring amplitude and phase simultaneously;
Képes az amplitúdó és a fázis egyszerre történő mérésére;
atomic frequency standards having any of the following:
Atomfrekvencia-etalonok, amelyek rendelkeznek a következők bármelyikével:
long-term stability (aging) less (better) than 1 × 10–11/month; or
A hosszú távú stabilitás (öregedés) kisebb (jobb), mint 1 × 10–11/hónap; vagy
being "space qualified".
"Űrminősítésű".
Note:3A002.g.1. does not control non-"space qualified" rubidium standards.
Megjegyzés:A 3A002.g.1. nem vonja ellenőrzés alá a nem "űrminősítésű" rubídium-etalonokat.
analogue to digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedised equipment;
"Rakétákban" felhasználható analóg-digitális átalakítók, amelyeket úgy terveztek, hogy megfeleljenek a megerősített konstrukciójú berendezésekre vonatkozó katonai előírásoknak.
accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
Olyan gyorsítók, amelyek képesek 2 MeV vagy azt meghaladó energiájú, felgyorsított elektronokból származó "bremsstrahlung" (fékezési sugárzás) segítségével előállított elektromágneses sugárzást közvetíteni, valamint az ezeket a gyorsítókat tartalmazó rendszerek;
Note:3A101.b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
Megjegyzés:A fenti 3A101.b. alpont nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten orvosi célra tervezett berendezéseket.
’Thermal batteries’ designed or modified for ’missiles’.
"Rakétákban" való felhasználás céljára tervezett vagy módosított "termikus telepek".
In 3A102 ’thermal batteries’ are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
A 3A102 pont szerinti "termikus telepek" olyan egyszeri felhasználásra szánt telepek, amelyek elektrolitként szilárd nem vezető szervetlen sót tartalmaznak.
These batteries incorporate a pyrolytic material that, when ignited, melts the electrolyte and activates the battery.
Ezek a telepek olyan pirolitikus anyagot foglalnak magukban, amely gyújtásra megolvasztja az elektrolitot és aktiválja a telepet.
In 3A102 ’missile’ means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
A 3A102 pontban a "rakéta" olyan komplett rakétarendszereket és pilóta nélküli légijármű-rendszereket jelöl, melyek hatósugara legalább 300 km és legalább 500 kg hasznos teher célba juttatására képesek.
capacitors having either of the following sets of characteristics:
Kondenzátorok, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzőcsoportok valamelyikével:
voltage rating greater than 1,4 kV;
Névleges feszültségük nagyobb mint 1,4 kV;
energy storage greater than 10 J;
A tárolt energia nagyobb mint 10 J;
capacitance greater than 0,5 μF; and
Kapacitásuk nagyobb mint 0,5 μF; és
series inductance less than 50 nH; or
Soros induktivitásuk kisebb mint 50 nH; vagy
voltage rating greater than 750 V;
Névleges feszültségük nagyobb mint 750 V;
capacitance greater than 0,25 μF; and
Kapacitásuk nagyobb mint 0,25 μF; és
series inductance less than 10 nH;
Soros induktivitásuk kisebb mint 10 nH;
superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
"Szupravezető" szolenoid elektromágnesek, amelyek rendelkeznek az összes következő jellemzővel:
capable of creating magnetic fields greater than 2 T;
Képesek 2 T-nál nagyobb mágneses tér létrehozására;
a ratio of length to inner diameter greater than 2;
L/D (hossz/belső átmérő) arány nagyobb mint 2;
inner diameter greater than 300 mm; and
300 mm-nél nagyobb belső átmérő; és
magnetic field uniform to better than 1 % over the central 50 % of the inner volume;
A belső térfogat központi 50 %-ában a mágneses tér egyenletessége jobb mint 1 %.
Note:3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported "as parts of" medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Megjegyzés:A 3A201.b. nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten orvosi mágneses magrezonancia (NMR) megjelenítő rendszerekhez tervezett mágneseket, amelyeket e rendszerek részeként kerülnek kivitelre.
The phrase "as part of" does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched "as part of" the imaging systems.
A "részeként" kifejezés úgy értendő, ahogy az fizikailag nem feltétlenül képezi ugyanannak a szállítmánynak a részét. Lehetőség van különböző forrásokból származó részszállításokra, feltéve, hogy a vonatkozó kiviteli dokumentumokból egyértelműen kiderül, hogy a szállítmány a megjelenítő rendszer részét képezi.
flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
Impulzus-röntgengenerátorok vagy impulzusos elektrongyorsítók, amelyek rendelkeznek a következő jellemzőcsoportok valamelyikével:
an accelerator peak electron energy of 500 KeV or greater but less than 25 MeV; and
Az elektrongyorsító csúcsenergiája 500 keV vagy annál nagyobb, de 25 MeV-nál kisebb; és
with a ’figure of merit’ (K) of 0,25 or greater; or
A (K) "jósági tényező" 0,25 vagy annál nagyobb; vagy
an accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
Az elektrongyorsító csúcsenergiája 25 MeV vagy annál nagyobb; és
a ’peak power’ greater than 50 MW.
A "csúcsteljesítmény" 50 MW-nál nagyobb.
Note:3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes.
Megjegyzés:A 3A201.c. nem vonja ellenőrzés alá sem az olyan berendezések alkatrészeit, amelyeket nem elektronnyaláb- vagy röntgensugárzás céljaira (pl. elektronmikroszkópia), és sem azokat, amelyeket orvosi célra terveztek.
The ’figure of merit’ K is defined as:
A "K" jósági tényezőt a következőképpen kell meghatározni:
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 μs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
"Q"a teljes gyorsított töltés coulombban, ha a gyorsító nyaláb impulzus időtartama legfeljebb 1 μs.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
A "Q"egyenlő az "i"-nek "t"idő szerinti integráljával, 1 μs-ra vagy az impulzus időtartamára vonatkoztatva, attól függően, hogy melyik a kisebb, ahol "i" a nyaláb áramerőssége amperben, "t" az idő másodpercben (Q = ∫ idt).
’Peak power’ = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
A "csúcsteljesítmény" = (csúcspotenciál voltban) × (csúcs sugáráram amperben).
multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
Többfázisú kimenet, amely képes 40 W vagy annál nagyobb teljesítmény leadására;
capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
Képesek a 600-tól 2000 Hz-ig terjedő frekvenciatartományban üzemelni;
total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
A teljes harmonikus torzítás jobb (kisebb), mint 10 %; és
frequency control better (less) than 0,1 %.
A frekvenciastabilitás jobb (kisebb), mint 0,1 %.
capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
Képesek 8 óra időtartamon át folyamatosan 100 V vagy annál nagyobb feszültségű, 500 A vagy annál nagyobb kimeneti áram előállítására; és
current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
Áramerősség- vagy feszültségstabilitásuk 8 óra időtartam alatt jobb mint 0,1 %.
capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
Képesek 8 óra időtartamon át folyamatosan 20 kV vagy annál nagyobb feszültségű, 1 A vagy annál nagyobb kimeneti áram előállítására; és
Switching devices, as follows:
Kapcsolóberendezések, az alábbiak szerint:
cold cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
Hideg katódcsövek, függetlenül attól, hogy gázzal töltöttek-e vagy sem, amelyek a szikraközhöz hasonlóan működnek, és rendelkeznek az összes következő jellemzővel:
containing three or more electrodes;
Három vagy annál több elektródát tartalmaznak;
anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
Névleges anódcsúcsfeszültség 2,5 kV vagy nagyobb;
anode peak current rating of 100 A or more 100 A; and
Névleges anód-csúcsáramerősség 100 A vagy annál nagyobb; és
Note:3A228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
Megjegyzés:A 3A228 magában foglalja a gázkritron- és a vákuumspritron-csöveket is.
triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
Kioldó szikraközök, amelyek rendelkeznek az alábbi mindkét jellemzővel:
an anode delay time of 15 μs or less; and
Anódkésleltetési idő 15 μs vagy annál kevesebb; és
rated for a peak current of 500 A or more;
500 A vagy nagyobb névleges csúcsáramerősség.
modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g., having all of the following characteristics:
A 3A001.g. pontban meghatározottaktól eltérő, gyorskapcsoló funkcióval rendelkező modulok vagy részegységek, amelyek rendelkeznek az az alábbi jellemzők mindegyikével:
anode peak voltage rating greater than 2 kV;
2 kV-nél nagyobb névleges anód csúcsfeszültség;
anode peak current rating of 500 A or more; and
500 A vagy annál nagyobb névleges anód csúcsáramerősség; és
turn on time of 1 μs or less.
1 μs vagy annál kisebb kapcsolási idő.
N.B.:SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS
N.B.:LÁSD MÉG HADIIPARI TERMÉK-ELLENŐRZÉSI JEGYZÉK.
explosive detonator firing sets designed to drive multiple controlled detonators specified in 3A232;
Robbanó detonátor gyújtóegységek, amelyeket a 3A232 alatt meghatározott többszörös vezérlésű detonátorokhoz terveztek;
modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Moduláris elektromos impulzusgenerátorok (impulzusadó), amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
designed for portable, mobile, or ruggedised-use;
Hordozható, mobil, vagy rezgésálló kivitelben készültek;
enclosed in a dust tight enclosure;
Porzáró burkolattal rendelkeznek;
capable of delivering their energy in less than 15 μs;
Képesek energiájukat 15 μs-nál rövidebb idő alatt leadni;
having an output greater than 100 A;
Kimeneti áramerősségük nagyobb mint 100 A;
having a ’rise time’ of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
"Felfutási idejük" 40 Ohmnál kisebb terhelésre kevesebb mint 10 μs;
no dimension greater than 254 mm;
Egyetlen méretük sem haladja meg a 254 mm-t;
weight less than 25 kg; and
Tömegük kisebb mint 25 kg; és
specified for use over an extended temperature range 223 K (–50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Szélsőséges hőmérsékleti viszonyok – 223 K-től (–50 °C) 373 K-ig (100 °C-ig) – közötti vagy világűrben történő használatra alkalmasnak minősítették.
output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
55 ohm ellenállás terhelésre 6 V-nál nagyobb kimenő feszültség; és
’pulse transition time’ less than 500 ps.
Az "impulzus felfutási idő" kevesebb mint 500 ps.
In 3A230, ’pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
A 3A230 szerinti "impulzus felfutási idő" az az idő, ami alatt a feszültség amplitúdója 10 %-ról 90 %-ra növekedik.
designed for operation without an external vacuum system; and
Külső vákuumrendszer nélküli üzemelésre tervezték; és
utilising electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
A trícium-deutérium magreakciót elektrosztatikus gyorsítás alkalmazásával idézik elő.
electrically driven explosive detonators, as follows:
Elektromosan vezérelt robbanóanyag detonátorok, az alábbiak szerint:
exploding bridge (EB);
Robbantó kapcsoló (EB);
exploding bridge wire (EBW);
Robbantó izzószál (EBW);
slapper;
Ütőszeg;
exploding foil initiators (EFI);
Robbantófólia iniciátor (EFI).
arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
Egyszeres vagy többszörös detonátorral működő rendszerek, amelyeket arra terveztek, hogy egyetlen tűzjelre közel egyidejűleg iniciáljanak 5000 mm2-nél nagyobb robbanási felületet úgy, hogy a berobbantás idejének átfutása a felületen kevesebb mint 2,5 μs.
Note:3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Megjegyzés:A 3A232 nem vonja ellenőrzés alá a csak primer robbanóanyagokat, pl. az ólomazidot alkalmazó detonátorokat.
inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
Induktív csatolású plazma-tömegspektrométerek (ICP/MS);
glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Parázsfénykisüléses tömegspektrométerek (GDMS);
thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
Hőionizációs tömegspektrométerek (TIMS);
electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Elektronbombázásos tömegspektrométerek, amelyek forráskamrája UF6-nak (urán-hexafluoridnak) ellenálló anyagból készült, vagy azzal vonták be;
molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
Molekulasugár-tömegspektrométerek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők valamelyikével:
a source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (–80 °C) or less; or
Forráskamrájuk rozsdamentes acélból, vagy molibdénből készült, illetve azzal vonták be, és hidegcsapdával rendelkeznek, amely képes 193 K-re (–80 °C) vagy annál alacsonyabb hőmérsékletre hűteni; vagy
a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Forráskamrájuk UF6-nak (urán-hexafluoridnak) ellenálló anyagból készült, vagy azzal vonták be;
mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
Aktinidákkal, vagy aktinida-fluoridokkal történő működésre tervezett mikrofluorozó ionforrással ellátott tömegspektrométerek.
equipment designed for epitaxial growth, as follows:
Epitaxiális növesztéshez használt berendezés, az alábbiak szerint:
equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ±2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Minimum 75 mm-es távolságon ±2,5 %-nál jobb tűrésű, bármilyen, a szilikontól eltérő anyag rétegvastagság előállítására képes berendezés;
metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
Fémorganikus gőzfázisú kémiai leválasztására szolgáló (MOCVD) reaktorok, melyeket a 3C003 vagy a 3C004 alatt meghatározott anyagok közötti vegyi reakció segítségével kifejezetten a vegyes félvezető kristály növesztésére terveztek;
molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Gáz vagy szilárd forrásokat alkalmazó molekuláris sugár epitaxiális növesztő berendezés;
equipment designed for ion implantation, having any of the following:
Ionbeültetésre tervezett berendezés, amely rendelkezik az alábbi jellemzők bármelyikével:
a beam energy (accelerating voltage) exceeding 1 MeV;
A sugárnyaláb energia (a gyorsítófeszültség) meghaladja az 1 MeV-ot;
being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
2 keV-nál alacsonyabb sugárnyaláb energiára (gyorsítófeszültségre) tervezett és e szinten történő működésre optimalizált berendezés;
direct write capability; or
Közvetlen írási lehetőség; vagy
a beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
A hevített félvezető anyagú egykristályba történő nagy energiájú oxigénimplantációra használt legalább 65 kEV nagyságú sugárnyaláb energia és legalább 45 mA nagyságú sugáráram;
anisotropic plasma dry etching equipment, as follows:
Anizotróp plazma szárazmarató berendezés, ideértve a következőket:
equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
Kazettáról kazettára történő működéssel és betöltés-zárral rendelkező berendezés, amely rendelkezik a következő jellemzők bármelyikével:
designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ±5 % 3 sigma precision; or
Úgy tervezték vagy optimalizálták, hogy ±5 % 3 szigma precizitás mellett állítson elő 180 nm vagy kisebb kritikus méreteket; vagy
designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 μm in diameter;
Úgy tervezték, hogy 0,1 μm-nél nagyobb átmérőjű mérhető részecskemérettel állítson elő nagyobb 0,04 részecske/cm2-nél alacsonyabb értéket;
equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
Kifejezetten a 3B001.e. által ellenőrzés alá vont berendezéshez tervezett berendezés, amely rendelkezik a következő jellemzők bármelyikével:
designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
Úgy tervezték, hogy 0,1 μm-nél nagyobb átmérőjű mérhető részecskemérettel állítson elő nagyobb 0,04 részecske/cm2-nél alacsonyabb értéket;
plasma enhanced CVD equipment, as follows:
Plazmaszórásos gőzfázisú kémiai leválasztó (CVD) berendezés, az alábbiak szerint:
equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Kazettáról kazettára történő működéssel és betöltészárral rendelkező berendezés, amelyet a legfeljebb 180 nm-es kritikus méretű félvezető eszközök gyártásához terveztek vagy optimalizáltak;
equipment specially designed for equipment controlled by 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Kifejezetten a 3B001.e. alatt meghatározott berendezéshez tervezett berendezés, amelyet a legfeljebb 180 nm-es kritikus méretű félvezető eszközök gyártásához terveztek vagy optimalizáltak;
automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
Automata töltésű többkamrás központi szeletkezelő rendszerek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
A szeletek be- és kivitelére interfészeket használnak, amelyekhez több mint két félvezető-feldolgozó készülék csatlakoztatható; és
designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;
Szekvenciális többszörös szeletfeldolgozás céljából, integrált rendszer vákuumkörnyezetben történő kialakítására tervezték;
Note:3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Megjegyzés:A 3B001.e. nem vonja ellenőrzés alá a nem vákuumkörnyezetben történő működésre tervezett automata robot szeletkezelő rendszereket.
lithography equipment, as follows:
Litográfiai berendezés, az alábbiak szerint:
align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following:
A fotóoptikai vagy röntgen módszerrel történő szeletfeldolgozásra szolgáló irányzó, exponáló és ismétlő (közvetlen szeletre fotózás) vagy exponáló és letapogató (letapogatás) berendezés, amely rendelkezik az alábbi jellemzők bármelyikével:
a light source wavelength shorter than 245 nm; or
A fényforrás hullámhosszúsága rövidebb, mint 245 nm; vagy
capable of producing a pattern with a ’minimum resolvable feature’ size of 180 nm or less;
Képes 180 nm, vagy annál kisebb minimális felbontási méretű (MRF) minta létrehozására.
The ’minimum resolvable feature’ size is calculated by the following formula:
A minimális felbontási méret (MRF) kiszámítása a következők szerint történik:
MRF = an exposure light source wavelength in nm
MRF =a megvilágító fényforrás hullámhossza nanométerben meghatározva
× K factor
× K faktor
imprint lithography equipment capable of producing features of 180 nm or less;
180 nm vagy annál kisebb felbontási méretű minta létrehozására képes imprinting litográfiai berendezés;
Note:3B001.f.2. includes:
Megjegyzés:a 3B001.f.2. pont magában foglalja az alábbiakat:
micro contact printing tools
mikrokontaktus-nyomtatók,
hot embossing tools
forró dombornyomásra szolgáló eszközök,
nano-imprint lithography tools
nano-imprinting litográfiai eszközök,
step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Step and Flesh imprinting litográfiai (S-FIL) eszközök.
equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:
Kifejezetten maszkkészítésre vagy félvezetőeszköz gyártására tervezett berendezés, amely eltérített fókuszált elektronsugarat, ionsugarat, vagy lézersugarat alkalmaz, és amely rendelkezik az alábbiak bármelyikével:
a spot size smaller than 0,2 μm;
A sugárpont mérete kisebb mint 0,2 μm;
being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
Képes olyan mintát előállítani, amelynek fő mérete 1 μm-nél kisebb; vagy
an overlay accuracy of better than ±0,20 μm (3 sigma);
Az elhelyezési pontosság jobb mint ±0,20 μm (3 szigma);