natgillin/translations-raw huggingface dataset:
a frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
A mellékhurok frekvencia-elnyomása meghaladja az 55 dB-t, a sávszélesség pedig nagyobb mint 100 MHz;
bulk (volume) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves) which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 2,5 GHz;
Tömb akusztikai hullámeszközök (azaz elasztikus hullámokat felhasználó „jelfeldolgozó” eszközök), amelyek lehetővé teszik a jelek közvetlen feldolgozását 2,5 GHz-et meghaladó frekvencián;
acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Akusztikai-optikai „jelfeldolgozó” eszközök, melyek az akusztikai hullámok (tömbhullám vagy felületi hullám) és a fényhullámok közötti kölcsönhatást használják fel, és lehetővé teszik jelek vagy képek közvetlen feldolgozását, beleértve a színképelemzést, a korrelációt és a konvolúciót is;
electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents having any of the following:
„Szupravezető” anyagokból gyártott alkatrészeket tartalmazó, kifejezetten legalább az egyik „szupravezető” alkotóelem „kritikus hőmérséklete” alatti hőmérsékleten történő működésre tervezett elektronikus berendezések vagy áramkörök, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
„Szupravezető” kapuval rendelkező digitális áramkörök áramkapcsolása, ha kapunként a késleltetési idő (másodperc) és kapunként a teljesítményveszteség (Watt) szorzata kisebb mint 10–14 J; vagy
"cells", as follows:
Cellák, az alábbiak szerint:
"primary cells" having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
20 °C-on 550 Wh/kg-nál nagyobb „energiasűrűségű”„primer cellák”;
"secondary cells" having 250 Wh/kg;
250 Wh/kg-nál nagyobb „energiasűrűségű”„másodlagos cellák”;
for the purpose of 3A001.e.1., a "cell" is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
A 3A001.e.1. pont alkalmazásában a „cella” olyan elektrokémiai eszköz, amely pozitív és negatív elektródákkal, valamint elektrolittal rendelkezik, és elektromos energia forrása.
for the purpose of 3A001.e.1.a., a "primary cell" is a "cell" that is not designed to be charged by any other source.
A 3A001.e.1.a. pont alkalmazásában a „primer cella”olyan „cella”, amelyet nem más források általi töltésre terveztek.
for the purpose of 3A001.e.1.b., a "secondary cell" is a "cell" that is designed to be charged by an external electrical source.
A 3A001.e.1b. pont alkalmazásában a „másodlagos cella”olyan „cella”, amelyet külső elektromos forrás általi töltésre terveztek.
Note:3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
Megjegyzés:A 3A001.e.1. pont nem vonja ellenőrzés alá az telepeket, így az egy cellából álló telepeket sem.
capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Kondenzátorok, melyek ismétlési frekvenciája kisebb mint 10 Hz (egytöltetű kondenzátorok), és amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Legalább 10 Hz ismétlési frekvenciájú kondenzátorok (ismétlő kondenzátorok), amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
"Superconductive" electromagnets and solenoids specially designed to be fully charged or discharged in less than one second andhaving all of the following:
1 másodpercnél rövidebb idejű teljes feltöltésre vagy kisütésre tervezett „szupravezető” elektromágnesek vagy mágnestekercsek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
Note:3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Megjegyzés:A 3A001.e.3. nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten mágneses rezonancia képalkotó orvosi berendezésekhez készített „szupravezető” elektromágneseket, illetve mágnestekercseket.
solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2).
„Űrminősítésű”, 1367 W/m2 szimulált „AM0” besugárzás esetén, 301 K (+ 28 °C) üzemi hőmérsékleten 20 %-ot meghaladó minimális átlagos hatékonyságú napelemek, cellás belső kapcsolású borító üveges (CIC) szerelt egységek, nappanelek és napkollektorok.
"AM0", or "Air Mass Zero", refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Az „AM0” vagy „Air Mass Zero” (zéró légtömeg) a napfény spektrális sugárzására vonatkozik a Föld külső atmoszférájában, amikor a Föld és a Nap távolsága egy csillagászati egység (AU).
solid-state pulsed power switching thyristor devices and "thyristor modules" using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Elektromos, optikai vagy elektronsugárzás-vezérlésű kapcsolási módozatú, szilárd test impulzusos áramkapcsoló tirisztorok és „tirisztor-modulok”, amelyek rendelkeznek az alábbiak bármelyikével:
a maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
a maximális bekapcsolási áramváltozási meredekség (di/dt) a 2000 A/μs-t meghaladja, és az alábbiak mindegyike fennáll:
Note 2:3A001.g. does not control thyristor devices and "thyristor modules" incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
2. megjegyzés:A 3001.g. pont nem vonja ellenőrzés alá a polgári vasúti közlekedés és a „polgári repülőgépek” általi felhasználás céljára tervezett berendezésekbe beépített tirisztorokat és „tirisztor modulokat”.
For the purposes of 3A001.g., a "thyristor module" contains one or more thyristor devices.
A 3A001.g. pont alkalmazásában a „tirisztor modul” egy vagy több tirisztort tartalmaz.
General purpose electronic equipment and accessories therefor, as follows:
Általános célú elektronikus berendezések és azok alkatrészei, az alábbiak szerint:
digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having any of the following:
Helikális letapogatási technikát vagy rögzített fejes technikát alkalmazó digitális műszeres mágnesszalagos adatrögzítők, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők bármelyikével:
equipment, having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbits/s and designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
Olyan berendezések, amelyeket úgy terveztek, hogy segítségükkel a digitális képmagnók alkalmassá tehetők digitális műszeres adatrögzítőként történő felhasználásra, és amelyek maximális digitális interfész átviteli sebessége 175 Mbit/s-nál nagyobb;
a "continuous throughput" of 2 Gbit/s or more;
2 Gbit/s, vagy nagyobb folyamatos átbocsátási sebesség;
For those instruments with a parallel bus architecture, the "continuous throughput" rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Párhuzamos buszfelépítésű berendezések esetén a folyamatos átbocsátási sebességet a maximális szósebesség és a szó bitekben mért hosszának a szorzata adja.
"Continuous throughput" is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
A folyamatos átbocsátás a berendezésnek az a legnagyobb kimenő adatsebessége, amelynél a mintavételi sebesség és az analóg-digitális konverzió fenntartása mellett adatveszteség nem lép fel.
digital instrumentation data recorders, using magnetic disk storage technique and having all of the following:
Digitális műszerezési adatrögzítők mágneslemez tárolási technikával, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
a "continuous throughput" of 1 Gbit/s or more;
1 Gbit/s, vagy nagyobb folyamatos átbocsátási sebesség;
"frequency synthesiser""electronic assemblies" having a "frequency switching time" from one selected frequency to another of less than 1 ms;
„Frekvenciaszintetizáló”„elektronikus részegységek”, amelyek „frekvenciakapcsolási ideje” egy kiválasztott frekvenciáról egy másikra kevesebb mint 1 ms;
Note:the control status of "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers as stand-alone instruments is determined by 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., and 3A002.f., respectively.
Megjegyzés:a független jelanalizátorok, a jelgenerátorok, a hálózati analizátorok és a mikrohullámú mérő vevőkészülékek ellenőrzését a 3A002.c., a 3A002.d., a 3A002.e. és a 3A002.f. pont határozza meg.
radio frequency "signal analysers" as follows:
Rádiófrekvenciás „jelanalizátorok”, ideértve a következőket:
"signal analysers"capable of analysing frequencies exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz and having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz;
„Jelanalizátorok”, amelyek képesek 31,8 GHz-et meghaladó, de 37,5 GHz-et meg nem haladó frekvenciák elemzésére, és 10 MHz-et meghaladó, 3 dB felbontási sávszélességgel (RBW) rendelkeznek;
"signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 43,5 GHz;
„Jelanalizátorok”, amelyek képesek 43,5 GHz-et meghaladó frekvenciák elemzésére;
"dynamic signal analysers" having a "real-time bandwidth" exceeding 500 kHz;
„Dinamikus jelanalizátorok”, amelyek „valós idejű sávszélessége” meghaladja a 500 kHz-et;
Note:3A002.c.3. does not control those "dynamic signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Megjegyzés:A 3A002.c.3. nem vonja ellenőrzés alá azokat a „dinamikus jelanalizátorokat”, amelyek csak állandó százalékú sávszélességszűrőket (más néven oktáv vagy törtoktáv szűrőket) használnak;
a maximum synthesised frequency exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz and rated to generate a ’pulse duration’ of less than 100 ns;
A maximális szintetizált frekvencia meghaladja a 31,8 GHz-et, de nem nagyobb 43,5 GHz-nél, és amelyeket 100 ns-nél kevesebb „impulzus-időtartam” generálására méreteztek;
a "frequency switching time" from one selected frequency to another as specified by any of the following:
Az alábbi jellemzők valamelyikével bíró „frekvenciakapcsolási idő” az egyik kiválasztott frekvenciáról a másikra:
less than 500 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
a 31,8 GHz és 43,5 GHz közötti szintetizált frekvenciatartományban az 550 MHz-et meghaladó frekvenciaváltás esetén a frekvenciakapcsolási idő kevesebb mint 500 µs; vagy
a single sideband (SSB) phase noise better than — (126 + 20 log10F — 20 log10f) in dBc/Hz, where F is the off-set from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
Az egy oldalsávos (SSB) fáziszaja jobb mint – (126 + 20 log10F – 20log10f) dBc/Hz-ben, ahol „F a működési frekvenciától történő eltérés Hz-ben, és” f a működési frekvencia MHz-ben;
Note 1:for the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
1. megjegyzés:A 3A002.d. pont alkalmazásában a „frekvenciaszintetizált jelgenerátorok” magukban foglalják a digitális hullámforma generátorokat és a funkciógenerátorokat is.
atomic frequency standards being any of the following:
Az alábbi atomfrekvencia-etalonok bármelyike:
"space qualified";
„Űrminősítésű”;
non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
A hosszú távú stabilitás kisebb (jobb) mint 1 × 10–11/hónap; vagy
non-"space qualified" and having all of the following:
Nem űrminősítésű, és rendelkezik az alábbi jellemzők mindegyikével:
being a rubidium standard;
Rubídium-etalon;
long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; and
A hosszú távú stabilitás kisebb (jobb) mint 1 × 10–11/hónap; és
total power consumption of less than 1 W.
A teljes energiafogyasztás kevesebb mint 1 W.
analogue to digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedised equipment;
„Rakétákban” felhasználható analóg-digitális átalakítók, amelyeket úgy terveztek, hogy megfeleljenek a megerősített konstrukciójú berendezésekre vonatkozó katonai előírásoknak.
accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
Olyan gyorsítók, amelyek képesek 2 MeV vagy azt meghaladó energiájú, felgyorsított elektronokból származó „bremsstrahlung” (fékezési sugárzás) segítségével előállított elektromágneses sugárzást közvetíteni, valamint az ezeket a gyorsítókat tartalmazó rendszerek;
"Thermal batteries" designed or modified for "missiles".
„Rakétákban” való felhasználás céljára tervezett vagy módosított „termikus telepek”.
In 3A102 "thermal batteries" are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
A 3A102 pont szerinti „termikus telepek” olyan egyszeri felhasználásra szánt telepek, amelyek elektrolitként szilárd nem vezető szervetlen sót tartalmaznak.
In 3A102 "missile" means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
A 3A102 pontban a „rakéta” olyan komplett rakétarendszereket és pilóta nélküli légijármű-rendszereket jelöl, melyek hatósugara legalább 300 km és legalább 500 kg hasznos teher célba juttatására képesek.
superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
„Szupravezető” szolenoid elektromágnesek, amelyek rendelkeznek az összes következő jellemzővel:
The phrase "as part of" does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched "as part of" the imaging systems.
A „részeként” kifejezés úgy értendő, ahogy az fizikailag nem feltétlenül képezi ugyanannak a szállítmánynak a részét. Lehetőség van különböző forrásokból származó részszállításokra, feltéve, hogy a vonatkozó kiviteli dokumentumokból egyértelműen kiderül, hogy a szállítmány a megjelenítő rendszer részét képezi.
with a "figure of merit" (K) of 0,25 or greater; or
A (K) „jósági tényező” 0,25 vagy annál nagyobb; vagy
a "peak power" greater than 50 MW.
A „csúcsteljesítmény” 50 MW-nál nagyobb.
The "figure of merit" K is defined as:
A „K” jósági tényezőt a következőképpen kell meghatározni:
V is the peak electron energy in million electron volts.
„V” az elektron csúcsenergiája millió elektronvoltban,
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 μs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
„Q”a teljes gyorsított töltés coulombban, ha a gyorsító nyaláb impulzus időtartama legfeljebb 1 μs.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 μs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 μs.
Ha a gyorsító nyaláb impulzus 1 μs-nál nagyobb, akkor „Q” az 1 μs alatti maximális gyorsított töltés.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
A „Q”egyenlő az „i”-nek „t”idő szerinti integráljával, 1 μs-ra vagy az impulzus időtartamára vonatkoztatva, attól függően, hogy melyik a kisebb, ahol „i” a nyaláb áramerőssége amperben, „t” az idő másodpercben (Q = ∫ idt).
"Peak power" = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
A „csúcsteljesítmény” = (csúcspotenciál voltban) × (csúcs sugáráram amperben).
High-current pulse generators as follows:
Nagy áramerősségű impulzusgenerátorok, az alábbiak szerint:
N.B.:See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
NB.:A robbanó detonátor gyújtóegységek tekintetében lásd az 1A007.a. pontot.
having a "rise time" of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
„Felfutási idejük” 40 Ohmnál kisebb terhelésre kevesebb mint 10 μs;
"pulse transition time" less than 500 ps.
Az „impulzus felfutási idő” kevesebb mint 500 ps.
In 3A230, "pulse transition time" is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
A 3A230 szerinti „impulzus felfutási idő” az az idő, ami alatt a feszültség amplitúdója 10 %-ról 90 %-ra növekedik.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
Az 1A007. pontban meghatározottól eltérő, többpontos indítórendszerek, az alábbiak szerint:
N.B.:See 1A007.b. for detonators.
NB.:A detonátorok tekintetében lásd az 1A007.b. pontot.
equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Ionbeültetésre tervezett berendezés, amely rendelkezik az alábbi jellemzők bármelyikével:
plasma enhanced chemical vapour deposition (CVD) equipment as follows:
Plazmaszórásos gőzfázisú kémiai leválasztó (Chemical Vapour Deposition, CVD) berendezés, az alábbiak szerint:
equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Kifejezetten a 3B001.e. pontban meghatározott berendezéshez tervezett berendezés, amelyet a legfeljebb 180 nm-es kritikus méretű félvezető eszközök gyártásához terveztek vagy optimalizáltak;
align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
A fotóoptikai vagy röntgen módszerrel történő szeletfeldolgozásra szolgáló irányzó, exponáló és ismétlő (közvetlen szeletre fotózás) vagy exponáló és letapogató (letapogatás) berendezés, amely rendelkezik az alábbi jellemzők bármelyikével:
capable of producing a pattern with a "minimum resolvable feature size" of 180 nm or less;
Képes 180 nm, vagy annál kisebb minimális felbontási méretű (MRF) minta létrehozására.
The "minimum resolvable feature size" is calculated by the following formula:
A minimális felbontási méret (MRF) kiszámítása a következők szerint történik:
where the K factor = 0,45
ahol „K” faktor = 0,45
MRF = "minimum resolvable feature size"
„MRF” = minimális felbontási méret
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
Kifejezetten maszkkészítésre vagy félvezetőeszköz gyártására tervezett berendezés, amely közvetlen írásos módszert alkalmaz, és amely rendelkezik az alábbi jellemzők mindegyikével:
using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
eltérített fókuszált elektronsugarat, ionsugarat, vagy lézersugarat alkalmaz; és
a spot size smaller than 0,2 µm;
a sugárpont mérete kisebb mint 0,2 μm;
being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 µm; or
képes olyan mintát előállítani, amelynek fő mérete 1 μm-nél kisebb; vagy
an overlay accuracy of better than ±0,20 µm (3 sigma);
az elhelyezési pontosság jobb mint ±0,20 μm (3 szigma);
multi-layer masks with a phase shift layer.
Többrétegű maszkok fáziseltolásos rétegekkel;
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Több réteget tartalmazó hetero-epitaxiális anyagok, amelyeket a következő rétegek bármelyikéből epitaxiálisan növesztett „szubsztrátumokból” állnak:
Silicon (Si);
Szilícium (Si);
Germanium (Ge);
Germánium (Ge);
Silicon carbide (SiC); or
Szilícium-karbid (SiC); vagy
"III/V compounds" of gallium or indium.
III/V gallium- vagy indiumvegyületek.
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Védőréteg anyagok és az alább védőanyagokkal bevont „szubsztrátumok”:
all resists optimised for surface imaging technologies, including "silylated" resists.
A felületi képalkotási technológiákhoz optimalizált összes védőréteg, beleértve a „szililezett” védőanyagokat is;
"Silylation" techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
A szililezési technikák olyan eljárások, amelyek a védőréteg felületének oxidálását is magukban foglalják, mind a nedves, mind a száraz előhívási eljárás teljesítményének fokozása céljából.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified by 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Valamennyi olyan védőanyag, amelyet a 3B001.f.2. pontban meghatározott olyan imprinting litográfiai berendezésekhez terveztek vagy optimalizáltak, amelyek termikus vagy fotokémiai eljárást alkalmaznak.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
20 °C-on 10000 ohm-cm-t meghaladó ellenállású szilícium-karbid (SiC), gallium-nitrid (GaN), alimínium-nitrid (AlN) vagy alumínium-galliumnitrid (AlGaN) szubsztrátumok, vagy ezen anyagok öntecsei, monokristályai vagy egyéb előformái.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
A 3C005. pontban meghatározott szubsztrátumok, amelyek legalább egy epitaxiális szilícium-karbid, gallium-nitrid, alimínium-nitrid vagy alumínium-galliumnitrid réteggel rendelkeznek.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
Kifejezetten a 3A001.b.–3A002.g. vagy a 3B pontban meghatározott berendezések „kifejlesztésére” vagy „gyártására” tervezett „szoftver”.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
„Kifejezetten a 3B001.a– f. pontban vagy a 3B002. pontban meghatározott berendezések használatára” tervezett „szoftver”.
"Physics-based" simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Olyan, fizikán alapuló szimulációs „szoftver”, amelyet kifejezetten olyan litográfiai, maratási vagy leválasztási folyamatok „fejlesztésére” terveztek, amelyek segítségével a maszkmintákat a vezetőkön, a dielektrikumokon vagy a félvezető anyagon megjelenő specifikus topográfiai mintákká fordítják le.
"Physics-based" in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
A 3D003. pont alkalmazásában a „fizikán alapuló” kifejezés számítások használatát jelenti, amelyek azt a célt szolgálják, hogy a fizikai tulajdonságok (pl.: hőmérséklet, nyomás, diffúziós állandó és félvezető anyagok tulajdonságai) alapján meghatározzanak egy ok-okozati viszonyban álló fizikai eseménysort.
Note:Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Megjegyzés:A félvezető eszközök vagy integrált áramkörök tervezéséhez kapcsolódó könyvtárakat, tervezési jellemzőket, illetve adatokat „technológiának” kell tekinteni.
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
Kifejezetten a 3A003 pontban meghatározott berendezés „fejlesztésére” tervezett „szoftver”.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
Kifejezetten a 3A101.b. alatt meghatározott berendezések „használatához” tervezett vagy átalakított „szoftver”.