natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
Névleges anódcsúcsfeszültség 2,5 kV vagy annál nagyobb;
Anode peak current rating of 100 A or more 100 A; and
Névleges anód-csúcsáramerősség 100 A vagy annál nagyobb; és
Anode delay time of 10 μs or less;
10 μs vagy annál kisebb anód-késleltetési idő.
Note: 3A228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
Megjegyzés: A 3A228 magában foglalja a gázkritron- és a vákuumspritron-csöveket is.
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
Kioldó szikraközök, amelyek rendelkeznek az alábbi mindkét jellemzővel:
An anode delay time of 15 μs or less; and
15 μs vagy annál kisebb anód-késleltetési idő; és
Rated for a peak current of 500 A or more;
500 A vagy annál nagyobb névleges csúcsáramerősség;
Modules or assemblies with a fast switching function having all of the following characteristics:
Gyorskapcsoló funkcióval rendelkező modulok vagy részegységek, amelyek rendelkeznek az az alábbi jellemzők mindegyikével:
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
2 kV-nél nagyobb névleges anód csúcsfeszültség;
Anode peak current rating of 500 A or more; and
500 A vagy annál nagyobb névleges anód csúcsáramerősség; és
Turn on time of 1 μs or less.
1 μs vagy annál kisebb kapcsolási idő.
Firing sets and equivalent high current pulse generators as follows:
Gyújtóegységek és az ezekkel egyenértékű nagy áramerősségű impulzusgenerátorok, az alábbiak szerint:
N.B.: SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS
NB.: LÁSD MÉG: HADIIPARI TERMÉKELLENŐRZÉSI JEGYZÉK.
Explosive detonator firing sets designed to drive multiple controlled detonators specified in 3A232;
Robbanó detonátor gyújtóegységek, amelyeket a 3A232 alatt meghatározott többszörös vezérlésű detonátorokhoz terveztek;
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Moduláris elektromos impulzusgenerátorok (impulzusadó), amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
Hordozható, mobil, vagy rezgésálló kivitelben készültek;
Enclosed in a dust tight enclosure;
Porzáró burkolattal rendelkeznek;
Capable of delivering their energy in less than 15 μs;
Képesek energiájukat 15 μs-nál rövidebb idő alatt leadni;
Having an output greater than 100 A;
Kimeneti áramerősségük nagyobb, mint 100 A;
Having a 'rise time' of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
"Felfutási idejük" 40 Ohmnál kisebb terhelésre kevesebb, mint 10 μs;
No dimension greater than 254 mm;
Egyetlen méretük sem haladja meg a 254 mm-t;
Weight less than 25 kg; and
Tömegük kisebb, mint 25 kg; és
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Szélsőséges hőmérsékleti viszonyok – 223 K-től (–50 °C) 373 K-ig (100 °C-ig) – közötti vagy világűrben történő használatra alkalmasnak minősítették.
Note: 3A229.b. includes xenon flash lamp drivers.
Megjegyzés: A 3A229.b. a xenon villanólámpa meghajtókat is magában foglalja.
High-speed pulse generators having both of the following characteristics:
Nagy sebességű impulzusgenerátorok, amelyek rendelkeznek mindkét alábbi jellemzővel:
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
55 ohm ellenállás terhelésre 6 V-nál nagyobb kimenő feszültség; és
'Pulse transition time' less than 500 ps.
Az "impulzus felfutási idő" kevesebb, mint 500 ps.
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
A 3A230 szerinti "impulzus felfutási idő" az az idő, ami alatt a feszültség amplitúdója 10 %-ról 90 %-ra növekedik.
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
Neutrongenerátor-rendszerek, beleértve a csöveket is, amelyek rendelkeznek mindkét alábbi jellemzővel:
Designed for operation without an external vacuum system; and
Külső vákuumrendszer nélküli üzemelésre tervezték; és
Utilizing electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
A trícium-deutérium magreakciót elektrosztatikus gyorsítás alkalmazásával idézik elő.
Detonators and multipoint initiation systems, as follows:
Detonátorok és többpontos indítórendszerek, az alábbiak szerint:
Electrically driven explosive detonators, as follows:
Elektromosan vezérelt robbanóanyag detonátorok, az alábbiak szerint:
Exploding bridge (EB);
Robbantó kapcsoló (EB);
Exploding bridge wire (EBW);
Robbantó izzószál (EBW);
Slapper;
Ütőszeg;
Exploding foil initiators (EFI);
Robbantófólia iniciátor (EFI).
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
Egyszeres vagy többszörös detonátorral működő rendszerek, amelyeket arra terveztek, hogy egyetlen tűzjelre közel egyidejűleg iniciáljanak 5000 mm2-nél nagyobb robbanási felületet úgy, hogy a berobbantás idejének átfutása a felületen kevesebb, mint 2,5 μs.
Note: 3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Megjegyzés: A 3A232 nem vonja ellenőrzés alá a csak primer robbanóanyagokat, pl. az ólomazidot alkalmazó detonátorokat.
In 3A232 the detonators of concern all utilise a small electrical conductor (bridge, bridge wire or foil) that explosively vapourises when a fast, high-current electrical pulse is passed through it.
A 3A232 szerinti detonátorok kis elektromos vezetőt alkalmaznak (híd, hídszál, vagy fólia), amely robbanásszerűen elpárolog, amikor gyors, nagyfeszültségű elektromos impulzus halad át rajta.
In nonslapper types, the exploding conductor starts a chemical detonation in a contacting high-explosive material such as PETN (Pentaerythritoltetranitrate).
A nem-ütőszeges típusoknál a felrobbanó detonátor kémiai robbanást indít a hozzá érintkező nagy robbanóerejű anyagban, mint pl. a PETN (pentaeritrit-tetranitrát).
In slapper detonators, the explosive vapourisation of the electrical conductor drives a flyer or slapper across a gap and the impact of the slapper on an explosive starts a chemical detonation.
Az ütőszeges detonátorokban az elektromos vezető robbanásszerű párolgása egy nyíláson keresztül gyújtószeget, vagy ütőszeget repít át, és az ütőszeg becsapódása a robbanóanyagban kémiai robbanást indít el.
The slapper in some designs is driven by a magnetic force.
Bizonyos rendszerek esetén az ütőszeget mágneses erő mozgatja.
The term exploding foil detonator may refer to either an EB or a slapper-type detonator.
A robbantó fólia detonátor kifejezés vonatkozhat mind az EB, mind az ütőszeg típusú detonátorra.
Also, the word initiator is sometimes used in place of the word detonator.
A detonátor szó helyett időnként használják az indítógyújtó szót is.
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
A 0B002.g. alatt meghatározottaktól eltérő tömegspektrométerek, amelyek képesek 230 atomtömeg-egységnyi vagy annál nagyobb tömegű ionok mérésére, és felbontóképességük jobb, mint 2 rész a 230-ban, valamint a hozzájuk tartozó ionforrások, az alábbiak szerint:
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
Induktív csatolású plazma-tömegspektrométerek (ICP/MS);
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Parázsfénykisüléses tömegspektrométerek (GDMS);
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
Hőionizációs tömegspektrométerek (TIMS);
Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Elektronbombázásos tömegspektrométerek, amelyek forráskamrája UF6-nak (urán-hexafluoridnak) ellenálló anyagból készült, vagy azzal vonták be;
Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
Molekulasugár-tömegspektrométerek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők valamelyikével:
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or
Forráskamrájuk rozsdamentes acélból, vagy molibdénből készült, illetve azzal vonták be, és hidegcsapdával rendelkeznek, amely képes 193 K-re (–80 °C) vagy annál alacsonyabb hőmérsékletre hűteni; vagy
A source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Forráskamrájuk UF6-nak (urán-hexafluoridnak) ellenálló anyagból készült, vagy azzal vonták be;
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
Aktinidákkal, vagy aktinida-fluoridokkal történő működésre tervezett mikrofluorozó ionforrással ellátott tömegspektrométerek.
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Félvezető eszközök vagy anyagok gyártására vagy vizsgálatára szolgáló berendezések, valamint a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek és tartozékok, az alábbiak szerint:
Equipment designed for epitaxial growth, as follows:
Epitaxiális növesztéshez használt berendezés, az alábbiak szerint:
Equipment capable of producing any of the following:
Az alábbiak bármelyikének előállítására képes berendezés:
A silicon layer with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 200 mm or more; or
Minimum 200 mm-es távolságon +2,5 %-nál jobb tűrésű szilikon-rétegvastagság előállítására képes berendezés;
A layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Minimum 75 mm-es távolságon +2,5 %-nál jobb tűrésű, bármilyen, a szilikontól eltérő anyag rétegvastagság előállítására képes berendezés;
Metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
Fémorganikus gőzfázisú kémiai leválasztására szolgáló (MOCVD) reaktorok, melyeket a 3C003 vagy a 3C004 alatt meghatározott anyagok közötti vegyi reakció segítségével kifejezetten a vegyes félvezető kristály növesztésére terveztek;
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Gáz vagy szilárd forrásokat alkalmazó molekuláris sugár epitaxiális növesztő berendezés;
Equipment designed for ion implantation, having any of the following:
Ionbeültetésre tervezett berendezés, amely rendelkezik az alábbi jellemzők bármelyikével:
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1 MeV;
A sugárnyaláb energia (a gyorsítófeszültség) meghaladja az 1 MeV-ot;
Being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
2 keV-nál alacsonyabb sugárnyaláb energiára (gyorsítófeszültségre) tervezett és e szinten történő működésre optimalizált berendezés;
Direct write capability; or
Közvetlen írási lehetőség; vagy
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
A hevített félvezető anyagú egykristályba történő nagy energiájú oxigénimplantációra használt legalább 65 kEV nagyságú sugárnyaláb energia és legalább 45 mA nagyságú sugáráram;
Anisotropic plasma dry etching equipment, as follows:
Anizotróp plazma száraz-marató berendezés, ideértve a következőket:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
Kazettáról kazettára történő működéssel és betöltés-zárral rendelkező berendezés, amely rendelkezik a következő jellemzők bármelyikével:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 0,3 μm or less with ± 5 % 3 sigma precision; or
Úgy tervezték vagy optimalizálták, hogy ± 5 % 3 szigma precizitás mellett állítson elő 0,3 μm vagy kisebb kritikus méreteket; vagy
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 μm in diameter;
Úgy tervezték, hogy 0,1 μm-nél nagyobb átmérőjű mérhető részecskemérettel állítson elő nagyobb 0,04 részecske/cm2-nél alacsonyabb értéket;
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
Kifejezetten a 3B001.e. által ellenőrzés alá vont berendezéshez tervezett berendezés, amely rendelkezik a következő jellemzők bármelyikével:
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
Úgy tervezték, hogy 0,1 μm-nél nagyobb átmérőjű mérhető részecskemérettel állítson elő nagyobb 0,04 részecske/cm2-nél alacsonyabb értéket;
Plasma enhanced CVD equipment, as follows:
Plazmaszórásos gőzfázisú kémiai leválasztó (CVD) berendezés, az alábbiak szerint:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Kazettáról kazettára történő működéssel és betöltés-zárral rendelkező berendezés, amelyet a legfeljebb 180 nm-es kritikus méretű félvezető eszközök gyártásához terveztek vagy optimalizáltak;
Equipment specially designed for equipment controlled by 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Kifejezetten a 3B001.e. alatt meghatározott berendezéshez tervezett berendezés, amelyet a legfeljebb 180 nm-es kritikus méretű félvezető eszközök gyártásához terveztek vagy optimalizáltak;
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
Automata töltésű többkamrás központi szeletkezelő rendszerek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
A szeletek be- és kivitelére interfészeket használnak, amelyekhez több, mint két félvezető-feldolgozó készülék csatlakoztatható; és
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;
Szekvenciális többszörös szeletfeldolgozás céljából, integrált rendszer vákuumkörnyezetben történő kialakítására tervezték;
Note: 3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Megjegyzés: A 3B001.e. nem vonja ellenőrzés alá a nem vákuumkörnyezetben történő működésre tervezett automata robot szeletkezelő rendszereket.
Lithography equipment, as follows:
Litográfiai berendezés, az alábbiak szerint:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following:
A fotóoptikai vagy röntgen módszerrel történő szeletfeldolgozásra szolgáló irányzó, exponáló és ismétlő (közvetlen szeletre fotózás) vagy exponáló és letapogató (letapogatás) berendezés, amely rendelkezik az alábbi jellemzők bármelyikével:
A light source wavelength shorter than 350 nm; or
A fényforrás hullámhosszúsága rövidebb, mint 350 nm; vagy
Capable of producing a pattern with a'minimum resolvable feature' size of 0,35 μm or less;
Képes 0,5 μm, vagy annál kisebb minimális felbontási méretű (MRF) minta létrehozására.
The "minimum resolvable feature" size is calculated by the following formula:
A minimális felbontási méret (MRF) kiszámítása a következők szerint történik:
numerical aperture
numerikus apertúra
where the K factor = 0,7
ahol "K" faktor = 0,7
MRF = minimum resolvable feature size
"MRF" = minimálisan felbontási méret
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:
Kifejezetten maszkkészítésre vagy félvezetőeszköz gyártására tervezett berendezés, amely eltérített fókuszált elektronsugarat, ionsugarat, vagy lézersugarat alkalmaz, és amely rendelkezik az alábbiak bármelyikével:
A spot size smaller than 0,2 μm;
A sugárpont mérete kisebb, mint 0,2 μm;
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
Képes olyan mintát előállítani, amelynek fő mérete 1 μm-nél kisebb; vagy
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
Az elhelyezési pontosság jobb, mint ± 0,20 μm (3 szigma);
Masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
A 3A001 pontban meghatározott, integrált áramkörökhöz tervezett maszkok és hajszálvonalas lemezek;
Multi-layer masks with a phase shift layer.
Többrétegű maszkok fáziseltolásos rétegekkel.
Note: 3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Megjegyzés: A 3B001.h. nem vonja ellenőrzés alá azokat a fáziseltolásos rétegekkel ellátott többrétegű maszkokat, amelyeket a 3A001 pontban meg nem határozott memóriaeszközök gyártására terveztek.
"Stored programme controlled" test equipment, specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Kifejezetten kész, vagy félkész félvezető eszközökhöz tervezett "tárolt programvezérlésű" tesztberendezések, valamint a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek és tartozékok, az alábbiak szerint:
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Tranzisztor eszközök S-paraméterének tesztelésére szolgáló eszközök 31,8 GHz-et meghaladó frekvencián;
For testing integrated circuits capable of performing functional (truth table) testing at a 'pattern rate' of more than 667 MHz;
Funkcionális (igazságtábla) tesztelés végrehajtására képes integrált áramköröknek a 667 MHz-nél nagyobb "mintasebesség" mellett történő tesztelésére szolgáló eszközök;
Note: 3B002.b. does not control test equipment specially designed for testing:
Megjegyzés: A 3B002.b. nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten a következők tesztelésére tervezett tesztberendezéseket:
"Electronic assemblies" or a class of "electronic assemblies" for home or entertainment applications;
"Elektronikus részegységek", vagy "elektronikus részegységek" egy osztálya háztartási, vagy szórakoztatási alkalmazásokhoz;
Uncontrolled electronic components, "electronic assemblies" or integrated circuits;
Nem ellenőrzött elektronikus alkatrészek, "elektronikus részegységek" vagy integrált áramkörök;
Memories.
Memóriák.
For the purpose of this entry,' pattern rate' is defined as the maximum frequency of digital operation of a tester.
E pont alkalmazásában a "mintasebesség" a vizsgáló berendezés digitális működésének maximális frekvenciáját jelenti.
It is therefore equivalent to the highest data rate that a tester can provide in non-multiplexed mode.
Így ez megfelel a berendezés által nem-multiplexált üzemmódban biztosított legnagyobb adatsebességnek.
It is also referred to as test speed, maximum digital frequency or maximum digital speed.
Erre a paraméterre vizsgálati sebességként, maximális digitális frekvenciaként, illetve maximális digitális sebességként is szoktak hivatkozni.
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
A 3A001.b.2. részben meghatározott mikrohullámú integrált áramkörök tesztelésére szolgáló eszközök.
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Több réteget tartalmazó hetero-epitaxiális anyagok, amelyeket a következő rétegek bármelyikéből epitaxiálisan növesztett "szubsztrátumokból" állnak:
Silicon;
Szilícium;
Germanium;
Germánium;
III/V compounds of gallium or indium.
III/V gallium- vagy indiumvegyületek;
III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide).
A III/V vegyületek olyan polikristály vagy bináris vagy komplex egykristályos termékek, amelyek a Mengyelejev-féle periódusos rendszer III/A és V/A csoportjának elemeiből állnak (pl. gallium-arzenid, gallium-alumínium-arzenid, indium-foszfid).
Resist materials, as follows, and "substrates" coated with controlled resists:
Védőréteg anyagok és ellenőrzött védőanyagokkal bevont "szubsztrátumok":
Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 350 nm;
Pozitív védőréteg anyagok, amelyeket kifejezetten 350 nm alatti hullámhosszúságú félvezető litográfiához igazítottak (optimalizáltak);
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
0,01 μcoulomb/mm2 vagy annál jobb érzékenységgel rendelkező valamennyi olyan védőréteg anyag, amelyeket elektronsugárral vagy ionsugárral történő alkalmazásra terveztek;
All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
2,5 mJ/mm2 vagy annál jobb érzékenységgel rendelkező valamennyi röntgensugárral történő használatra tervezett védőréteg;
All resists optimised for surface imaging technologies, including 'silylated' resists.
A felületi képalkotási technológiákhoz optimalizált összes védőréteg, beleértve a "szililezett" védőanyagokat is;
'Silylation' techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
A szililezési technikák olyan eljárások, amelyek a védőréteg felületének oxidálását is magukban foglalják, mind a nedves, mind a száraz előhívási eljárás teljesítményének fokozása céljából.
Organo-inorganic compounds, as follows:
Szerves-szervetlen vegyületek, az alábbiak szerint:
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Alumínium, gallium, vagy indium fémorganikus vegyületei 99,999 %-nál nagyobb tisztasággal (fémbázison);
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Szerves arzén-, antimon- vagy foszforvegyületek 99,999 %-nál nagyobb tisztasággal (szervetlen elem bázison).
Note: 3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Megjegyzés: A 3C003 csak azokat a vegyületeket vonja ellenőrzés alá, amelyek fémes, részben fémes és nemfémes eleme közvetlenül kapcsolódik a molekula szerves részében lévő szénatomhoz.
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
Foszfor-, arzén- vagy antimon-hidridek, melyek tisztasága még semleges gázokban, vagy hidrogénben oldva is nagyobb, mint 99,999 %.
Note: 3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Megjegyzés: A 3C004 nem vonja ellenőrzés alá a semleges gázokat vagy hidrogént 20 mólszázaléknál kisebb mennyiségben tartalmazó hidrideket.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
Kifejezetten a 3A001.b.-3A002.g. vagy a 3B alatt meghatározott berendezések "kifejlesztésére" vagy "gyártására" tervezett "szoftver".
"Software" specially designed for the "use" of any of the following:
Bármely következő berendezés "használatára" tervezett "szoftver":
Equipment specified in 3B001.a. to f.; or
A 3B001.a.-f. pontban meghatározott berendezés; vagy
Equipment specified in 3B002.
A 3B002. pontban meghatározott berendezés.
Physics-based simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Olyan, fizikán alapuló szimulációs "szoftver", amelyet kifejezetten olyan litográfiai, maratási vagy leválasztási folyamatok "fejlesztésére" terveztek, amelyek segítségével a maszkmintákat a vezetőkön, a dielektrikumokon vagy a félvezető anyagon megjelenő specifikus topográfiai mintákká fordítják le.