natgillin/translations-raw huggingface dataset:
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
A "korrózióálló acél" kifejezés olyan acélokra vonatkozik, mint például az AISI (American Iron and Steel Institute – Amerikai Vas- és Acélintézet) 300-as sorozata vagy az ezzel egyenértékű nemzeti szabvány szerinti acélok.
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
A "tűzálló fémek és ötvözetek" az alábbi fémekből és ötvözeteikből állnak: nióbium (kolumbium), molibdén, volfrám és tantál.
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
A "szenzorablak-anyagok" a következők: alumínium-oxid, szilícium, germánium, cink-szulfid, cink-szelenid, gallium-arzenid, gyémánt, gallium-foszfid, zafír és a következő fémhalogenidek: a 40 mm-nél nagyobb átmérőjű érzékelő üveganyagok esetén cirkónium-fluorid és hafnium-fluorid.
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
A 2. kategória nem vonja ellenőrzés alá a repülőgépek szilárd szárnyszelvényeinek egylépcsős pack-cementálására szolgáló "technológiát".
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
"Polimerek", ideértve a következőket: polimidek, poliészterek, poliszulfidok, polikarbonátok és poliuretánok.
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
A "módosított cirkónium-oxid" más fémoxidok adalékaira vonatkozik (pl. kalcium, magnézium, ittrium, hafnium, ritkaföldfémek oxidjai stb.), amelyeket azért adagolnak a cirkóniumhoz, hogy stabilizálják a krisztallográfiai fázisokat és a fázisösszetételeket.
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
Az ellenőrzés nem terjed ki a kalciummal vagy a magnéziummal történő keverés vagy fúzió útján módosított cirkóniumból készült hőgát bevonatokra.
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
A "titánötvözetek" azokra az űrhajózási ötvözetekre utalnak, amelyek 293 K (20 °C) hőmérsékleten mért maximális szakítószilárdsága 900 MPa vagy annál több.
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10 –7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
Az "alacsony tágulású üvegek" olyan üvegekre vonatkoznak, amelyek 293 K (20 °C) hőmérsékleten mért hőtágulási együtthatója 1 × 10 -7 K-1 vagy annál kevesebb.
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
A "dielektromos rétegek" többrétegű szigetelőanyagból készült bevonatok, amelyekben a különböző törésmutatójú anyagokból álló modell interferencia-jellemzőit használják fel a különböző hullámhosszúságú sávok visszaverésére, átvitelére vagy elnyelésére.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
A dielektromos rétegek négynél több dielektromos rétegre vagy szigetelő/fém "kompozit" rétegre vonatkoznak.
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/ (cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
A "cementált volfrám-karbid" nem foglalja magában a volfrám-karbid/(kobalt, nikkel), titán-karbid/(kobalt, nikkel), króm-karbid/nikkel- króm és króm-karbid/nikkel vágó és forgácsoló-szerszám anyagokat.
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
Az ellenőrzés nem terjed ki a kifejezetten a következő anyagokon gyémántszerű szén bevonatok létrehozására tervezett "technológiára":
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
mágneses lemezmeghajtók és fejek, eldobható termékek gyártására szolgáló berendezések, vízcsap szelepek, hangszórómembrán, gépjárművek motor része, vágószerszámok, lyukasztó süllyesztékei, iroda-automatizálási berendezések, mikrofonok és gyógyászati eszközök vagy a műanyagok öntésére vagy formázására használt, kevesebb mint 5 % beríliumot tartalmazó ötvözetekből gyártott formák.
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
A "szilícium-karbid" nem foglalja magába a vágó- és forgácsoló-szerszám anyagokat.
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
A kerámia hordozóanyagok kifejezés e tétel alkalmazásában nem foglalják magukban az 5 % vagy nagyobb tömegben agyagot vagy cementet – akár különálló komponensek, akár kombinációban szerepelnek – tartalmazó kerámiákat.
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
A táblázat 1. oszlopában szereplő eljárások meghatározásai:
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Gőzfázisú kémiai leválasztás (Chemical Vapour Deposition – CVD) olyan rétegfelviteli vagy felületmódosítási bevonási folyamat, amelynek során fémet, ötvözetet, "kompozitot" vagy kerámiát visznek fel hevített hordozó felületére.
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
A hordozó közelében kiválasztott vagy elegyített gázok reakciója eredményezi a kívánt elemek, ötvözetek vagy vegyületek leválasztását.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
A bomláshoz vagy a vegyi reakcióhoz szükséges energiát a hordozó hője, plazmakisülés vagy "lézer"sugárzás szolgáltatja.
1 CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
NB 1: A CVD-eljárások közé tartoznak a következők is: nem-pack (out-of-pack) irányított gázáram, pulzáló CVD, szabályozott nukleidos termikus leválasztás (controlled nucleation thermal decomposition – CNTD), plazmagerjesztésű vagy plazmát alkalmazó CVD-eljárások.
2 Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
A pack porkeverékbe merített hordozót jelent.
3 The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
A nem-pack eljárásokban használt gázhalmazállapotú anyagok ugyanannak az alapreakciónak során ugyanolyan paraméterekkel jönnek létre, mint a pack-cementálás eljárás paraméterei, kivéve, hogy a bevonandó hordozó nem kerül kapcsolatba a porkeverékkel.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Termikus gőzölögtetésű-fizikai gőzfázisú leválasztás (TE-PVD) olyan bevonatkezelési eljárás, amelyet 0,1 Pa-nál kisebb nyomású vákuumban végeznek el, úgy, hogy a bevonóanyag elgőzölögtetésére hőenergiát használnak fel.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
Az eljárás eredményeként az elgőzölögtetett anyag kicsapódik, illetve lerakódik a megfelelően elhelyezett hordozóra.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
Az eljárás szokásos módosítási eszköze az, hogy kompaund bevonatok szintetizálása céljából a bevonási eljárás során gázt adagolnak be a vákuumkamrába.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
Ion- vagy elektronsugarak, illetve plazma alkalmazása a bevonási eljárás aktiválására vagy előmozdítására szintén e technikai eljárás szokásos módosítását képezi.
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
E folyamatokat jellemezheti továbbá az, hogy az optikai jellemzőknek és a bevonatok vastagságának mérésére az eljárás során monitorokat használnak.
Specific TE-PVD processes are as follows:
A speciális TE-PVD eljárások az alábbiak:
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
Az elektronsugaras PVD a bevonatot képező anyag hevítésére és elgőzölögtetésére elektronsugarat alkalmaz;
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
A ellenállás fűtésű PVD villamosan ellenálló hőforrások és visszaverődő ionsugarak kombinációját alkalmazza, amelyek képesek biztosítani az elgőzölögtetett bevonóanyagok ellenőrzött és egységes áramát;
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
A "lézer" elgőzölögtetés vagy pulzáló vagy folytonos hullámú "lézer"sugarakat alkalmaz a bevonóanyag elpárologtatására;
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
A katódíves bevonás a bevonóanyagnak olyan fogyó katódját használja, amelynek felszínén egy földelt érintkezővel történő rövid idejű érintkezés során ívkisülés keletkezik.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
Az ív ellenőrzött mozgása erodálja a katód felületét, s ezzel intenzív ionizált plazmaáramot hoz létre.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Az anód lehet egy kúp, amely a katód felszínéhez egy szigetelőn keresztül csatlakozik, vagy a kamrát lehet anódként használni.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
A "non line-of-sight" bevonásnál hordozó-eltolást alkalmaznak.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Ez a meghatározás nem tartalmazza a nem-előfeszített szubsztrátumok esetén alkalmazott random katódsugaras bevonást.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Az ionbeültetés az általános TE-PVD eljárás speciális módosítása, amelyben a plazmát vagy az ionforrást használnak a létrehozandó bevonat anyagának ionizálására, és a plazmából leválasztandó anyagok kinyerésének megkönnyítésére a hordozóhoz negatív előfeszítést alkalmaznak.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Ezen eljárások szokásos módosításait képezik: a reaktív anyagok bevezetése, a szilárd anyagoknak a kamrában történő elgőzölögtetése, és monitorok alkalmazása az optikai jellemzők eljárás közbeni mérésére és a bevonatok vastagságának ellenőrzésére.
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
A pack-cementálás olyan felületmódosító bevonási vagy rétegfelviteli eljárás, amelynek során a hordozót porkeverékbe (az ún. pack) merítik, amely a következőkből áll:
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
A felvitelre szánt fémek pora (általában alumínium, króm, szilícium vagy ezek kombinációi);
An activator (normally a halide salt); and
Aktivátor (általában egy halogénsó); és
An inert powder, most frequently alumina.
Egy semleges por, általában timföld.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
A hordozót és a porkeveréket egy retortában helyezik el, amelyet a bevonóanyag leválásához szükséges időtartamra 1030 K (757 °C)-1375 K (1102 °C) közötti hőmérsékletre fűtenek fel.
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
A plazmaszórás olyan rétegfelviteli eljárás, amely során a plazmát egy szórófej állítja elő és szabályozza; a porított vagy huzalos bevonóanyag a szórófejbe kerül be, amely azt megolvasztja, és ezt szórja ki a hordozó felé, ahol az teljes mértékben tapadó bevonatot képez.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
A plazmaszórás vagy kisnyomású plazmaszórásból vagy víz alatti, nagy sebességű plazmaszórásból áll.
1 Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
A kis nyomás a környezeti, légköri nyomásnál kisebb nyomást jelent.
2 High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
A nagy sebesség azt jelenti, hogy a fúvókából eltávozó gáz sebessége 0,1 MPa nyomásnál 293 K-en (20 °C) meghaladja a 750 m/s-ot.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Az iszapleválasztás az a felületmódosító bevonási vagy rétegfelviteli eljárás, amelynek során a kívánt bevonat elérése érdekében a hordozóra folyadékban feloldott szerves kötőanyaggal kevert fém- vagy kerámiaport visznek fel szórással, bemerítéssel vagy festéssel, az azt követő levegőn vagy kemencében történő szárítással, illetve hőkezeléssel.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
A katódporlasztás olyan rétegfelviteli folyamat, amelyben pozitív töltésű részecskéket gyorsítanak és mozgatnak elektromos térben a céltárgy (bevonóanyag) felszíne felé.
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
A becsapódó ionok kinetikus energiája elegendő ahhoz, hogy a céltárgy felületéből atomok váljanak ki, és a megfelelően elhelyezett hordozón kiváljanak.
1 The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
A táblázat csak a triódás, magnetronos vagy reaktív katódporlasztásra vonatkozik, amelyekkel a bevonóanyag tapadásának növelését és a leválasztás sebességét kívánják növelni, valamint a megnövelt nagyfrekvenciás (NF) porlasztásra vonatkozik, amelyet a nemfémes bevonóanyagok elgőzölögtetésére használnak.
2 Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Az alacsony energiájú (5 keV-nál kisebb) ionsugarakat a leválasztás aktiválására lehet használni.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Az ionbeültetés az a felületmódosító bevonási eljárás, amelynek során az ötvözőelemet ionizálják, erőtérben felgyorsítják és a hordozó felületének meghatározott részébe ültetik.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
Ez magában foglalja azokat az eljárásokat, amelyek során az ionbeültetés az elektronsugaras fizikai gőzfázisú leválasztással vagy katódporlasztással egyidejűleg történik.
CATEGORY 3
3. KATEGÓRIA
Note 1: The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
1. megjegyzés: A 3A001.a.3.-3A001.a.10. alatt, vagy a 3A001.a.12. alatt meghatározottaktól eltérő, a 3A001, vagy 3A002 alatt ismertetett berendezések és alkatrészek – amelyeket más berendezésekhez speciálisan terveztek, illetve amelyek ugyanolyan funkcionális jellemzőkkel rendelkeznek, mint a többi berendezés – ellenőrzési státusát a többi berendezés ellenőrzési státusa határozza meg.
Note 2: The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
2. megjegyzés: A 3A001.a.3.-3A001.a.9. alatt, vagy a 3A001.a.12. alatt ismertetett integrált áramkörök ellenőrzési státusát – amelyeket megváltoztathatatlan módon programoztak vagy más berendezéshez egyedi funkcióra terveztek – a többi berendezés ellenőrzési státusa határozza meg.
N.B.: When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
NB.: Amikor a gyártó vagy a felhasználó nem tudja meghatározni a többi berendezés ellenőrzési státusát, akkor az integrált áramkörök ellenőrzési státusát a 3A001.a.3.-3A001.a.9., vagy a 3A001.a.12. határozza meg.
If the integrated circuit is a silicon-based "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit described in 3A001.a.3. having an operand (data) word length of 8 bit or less, the control status of the integrated circuit is determined in 3A001.a.3.
Ha az integrált áramkör a 3A001.a.3. alatt jellemzett szilíciumalapú "mikroszámítógépes mikroáramkör" vagy "mikrokontroller mikroáramkör", melyek operandus (adat) szóhosszúsága 8 bit vagy annál kevesebb, az integrált áramkör ellenőrzési státusát a 3A001.a.3. határozza meg.
Electronic components, as follows:
Elektronikai alkatrészek, az alábbiak szerint:
General purpose integrated circuits, as follows:
Általános célú integrált áramkörök,az alábbiak szerint:
Note 1: The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
1. megjegyzés: Azoknak a (befejezett vagy be nem fejezett) lapkáknak, amelyeken a funkciót meghatározták, az ellenőrzési státusát a 3A001.a. alatti paraméterek szerint kell értékelni.
Note 2: Integrated circuits include the following types:
2. megjegyzés: Integrált áramkörök alatt a következő típusokat értjük:
"Monolithic integrated circuits";
"Monolit integrált áramkörök";
"Hybrid integrated circuits";
"Hibrid integrált áramkörök";
"Multichip integrated circuits";
"Multichip integrált áramkörök";
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
"Film típusú integrált áramkörök", beleértve a szilícium/zafír integrált áramköröket is;
"Optical integrated circuits".
"Optikai integrált áramkörök".
Integrated circuits, designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
A sugárzásállónak tervezett vagy minősített integrált áramkörök, melyek ellenállnak a következők bármelyikének:
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
5 × 103 Gy (Si) vagy ennél nagyobb teljes dózis;
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
5 × 106 Gy (Si)/s vagy magasabb dózisintenzitás-változás; vagy
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
5 × 1013 n/cm2 vagy magasabb neutronfolyam (integrált fluxus) (1 MeV ekvivalens) szilíciumon, vagy ennek megfelelője más anyagon;
Note: 3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Megjegyzés: A 3A001.a.1.c. nem vonatkozik a Fém Szigetelő Félvezetőkre (MIS).
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
"Mikroprocesszor mikroáramkörök", "mikroszámítógép mikroáramkörök", mikrovezérlő mikroáramkörök, vegyes félvezetőből gyártott tároló integrált áramkörök, analóg-digitális, digitális-analóg átalakítók, elektro-optikai, vagy "jelfeldolgozásra" tervezett "optikai integált áramkörök", felhasználó által programozható logikai eszközök, neu rális hálózatok integrált áramkörei, egyedi integrált áramkörök, amelyek funkciója vagy annak a berendezésnek, amelyben az integrált áramkört fel fogják használni az ellenőrzési státusa ismeretlen, gyors Fourier transzformáló (FFT) processzorok, elektronikusan törölhető programozható csak olvasható memóriák (EEPROM-ok), flash memóriák, vagy statikus véletlen elérésű memóriák (SRAM-ok), amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
398 K (+ 125 °C) feletti környezeti hőmérsékleten történő működésre méretezték;
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
218 K (– 55 °C) alatti környezeti hőmérsékleten történő működésre méretezték; vagy
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) et 398 K (125 °C);
A 398 K (+ 125 °C) és a 218 K (– 55 °C) közötti hőmérséklet-tartományban történő működésre méretezték;
Note: 3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Megjegyzés: A 3A001.a.2. nem vonatkozik a polgári gépjárművekben vagy a vasúti mozdonyokban alkalmazott integrált áramkörökre.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, having any of the following characteristics:
"Mikroprocesszor mikroáramkörök", "mikroszámítógép mikroáramkörök" és mikrovezérlő mikroáramkörök, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
Note: 3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Megjegyzés: A 3A001.a.3. magában foglalja a digitális jelfeldolgozókat, a digitális tömbprocesszorokat és a digitális társprocesszorokat.
Not used;
Nem használt;