natgillin/translations-raw huggingface dataset:
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
b. sustavi koji upotrebljavaju jedan ili više detonatora i koji su projektirani za gotovo istodobno iniciranje eksplozivne površine na području većem od 5000 mm2 jednim signalom za paljenje, pri čemu je vremensko odstupanje iniciranja na cijeloj površini manje od 2,5 μs.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
3A232 ne odnosi se na detonatore u kojima se upotrebljavaju samo primarni eksplozivi, primjerice olovni azid.
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
maseni spektrometri, osim onih navedenih u 0B002.g., koji mogu mjeriti ione od 230 u ili više i koji imaju razlučivost bolju od 2 dijela u 230, kako slijedi, i njihovi izvore iona:
"Technology" for depositing diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
a. maseni spektrometri s induktivno vezanom plazmom (ICP/MS);
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
b. maseni spektrometri s tinjavim izbijanjem (GDMS);
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
c. maseni spektrometri s termičkom ionizacijom (TIMS);
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
d. maseni spektrometri s bombardiranjem elektrona koji imaju obje sljedeće značajke:
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - TECHNICAL NOTE
sustav ulaza molekularnog snopa kojim se ubacuje paralelna zraka molekule analita u područje izvora iona gdje molekule ionizira elektronski snop i
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
jedna ili više ‚stupica s hlađenjem’ koje je moguće ohladiti na temperaturu od 193 K (– 80 °C);
a.
e. ne upotrebljava se;
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
f. maseni spektrometri opremljeni izvorom za mikrofluorinaciju iona namijenjeni za aktinide ili fluoride aktinida.
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
Maseni spektrometri s bombardiranjem elektrona iz 3A233.d. poznati su i kao maseni spektrometri s elektronskim udarom ili maseni spektrometri s elektronskom ionizacijom.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
U 3A233.d.2. ‚stupica s hlađenjem’ znači uređaj koji hvata plinske molekule kondenziranjem ili zamrzavanjem molekula na hladne površine.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Za potrebe 3A233.d.2. plinska helij-kriogenska vakuumska pumpa zatvorene petlje nije ‚stupica s hlađenjem’.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Trakasti vodovi koji osiguravaju niskoinduktivnu vezu prema detonatorima, koji imaju sljedeće značajke:
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
a. nazivni napon veći od 2 kV i
b.
b induktivnost manja od 20 nH.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Oprema za proizvodnju poluvodičkih uređaja ili materijala, kako slijedi, te za njih posebno namijenjene komponente i pribor:
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
VIDJETI I 2B226
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
a. oprema koja se upotrebljava za epitaksijalni rast kako slijedi:
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
oprema namijenjena ili preinačena za proizvodnju sloja bilo kojeg materijala osim silicija debljine manje od ± 2,5 % na udaljenosti od 75 mm ili više;
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
3B001.a.1. uključuje opremu za epitaksiju atomskog sloja.
Specific TE-PVD processes are as follows:
reaktori za taloženje para metalnoorganskih kemikalija (MOCVD) koji se upotrebljavaju za epitaksijalni rast materijala složenog poluvodiča, koji imaju najmanje dva sljedeća elementa: aluminij, galij, indij, arsen, fosfor, antimon ili dušik;
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
oprema za epitaksijalni rast s molekularnim snopom koja upotrebljava plinovite ili krute izvore;
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
b. oprema namijenjena implantaciji iona, koja ima bilo koju od sljedećih značajki:
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
namijenjena je i optimizirana za rad pri energiji snopa od 20 keV ili većoj i struji snopa od 10 mA ili većoj za usađivanje vodika, deuterija ili helija;
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
ima mogućnost izravnog upisivanja;
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
energija snopa od 65 keV ili veća i struja snopa od 45 mA ili veća za usađivanje visokoenergetskog kisika u grijani poluvodički materijal „podloge”; ili
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
namijenjena je i optimizirana za rad pri energiji snopa od 20 keV ili većoj i struji snopa od 10 mA ili većoj za usađivanje silicija u poluvodički materijal „podloge” koji je grijan na 600 °C ili na višu temperaturu;
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
e. višekomorni središnji sustavi s automatskim punjenjem radi rukovanja pločicama koji imaju sve sljedeće značajke:
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
sučelja za ulaz/izlaz poluvodičke pločice, na koja se spajaju više od dva ‚poluvodička procesna alata’ navedena u 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 ili 3B001.b. i
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
upotrebljavaju se za tvorbu integriranog sustava u vakuumskoj okolini za ‚sekvencijsku obradu višestruke poluvodičke pločice’;
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
3B001.e. ne odnosi se na sustave za rukovanje automatskim robotskim poluvodičkim pločicama posebno namijenjene paralelnom procesuiranju pločica.
c.
Za potrebe 3B001.e. ‚poluvodički procesni alati’ znači modularni alati koji omogućavaju funkcionalno različite fizičke postupke za proizvodnju poluvodiča, kao što su nanošenje, implantacija ili termička obrada.
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Za potrebe 3B001.e. ‚sekvencijska obrada višestruke poluvodičke pločice’ znači mogućnost obrade svake pločice u drugom ‚poluvodičkom procesnom alatu’, npr. prijenos svake pločice s jednog alata na drugi i treći alat s višekomornim središnjim sustavom s automatskim punjenjem radi rukovanja pločicama.
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
f. litografska oprema kako slijedi:
An activator (normally a halide salt); and
oprema za poravnavanje, izlaganje i ponavljanje (izravan korak na poluvodičkoj pločici) ili oprema za skakanje i pretraživanje (pretraživač) za obradu poluvodičke pločice s pomoću fotooptičke ili metode X-zraka, koja ima bilo koju od sljedećih značajki:
An inert powder, most frequently alumina.
a. valna duljina svjetlosnog izvora kraća od 193 nm ili
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
b. sposobnost proizvodnje oblika s ‚minimalnom veličinom razlučive značajke’ (MRF) od 45 nm ili manje;
d.
‚Minimalna veličina razlučive značajke’ (Minimum Resolvable Feature – MRF) izračunava se s pomoću sljedeće formule:
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
pri čemu je faktor K = 0,35
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
litografska oprema za tiskanje s mogućnošću izrade detalja od 45 nm ili manjih;
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
3B001.f.2. uključuje:
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
mikrokontaktne alate za tiskanje,
e.
alate za vruće utiskivanje,
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
tiskarske litografske alate nanopreciznosti
f.
„step and flash” tiskarske litografske alate (S-FIL).
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
oprema posebno namijenjena izradi maski koja ima sve sljedeće značajke:
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
a. odstupanje fokusiranog elektronskog snopa, ionskog snopa ili „laserskog” snopa i
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
veličina točke FWHM (puna širina na polovini visine) manja od 65 nm i pozicioniranje slike manje od 17 nm (srednja vrijednost + 3 sigme); ili
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
pogreška preklapanja drugog sloja manja od 23 nm (srednja vrijednost + 3 sigme) na maski;
g.
oprema namijenjena obradi uređaja s pomoću metoda izravnog zapisa, koja ima sve sljedeće značajke:
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
a. odstupanje fokusiranog elektronskog snopa i
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
najmanja veličina snopa od 15 nm ili manja; ili
CATEGORY 3 — ELECTRONICS
pogreška preklapanja manja od 27 nm (srednja vrijednost + 3 sigme);
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., or 3A001.a.12. to 3A001.a.14., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
g. maske i mreže namijenjene integriranim sklopovima, navedene u 3A001;
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., or 3A001.a.12. to 3A001.a.14. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
h. višeslojne maske s fazno pomaknutim slojem, koje nisu navedene u 3B001.g. i imaju bilo koju od sljedećih značajki:
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., and 3A001.a.12. to 3A001.a.14.
izrađene maske na „sirovom supstratu” od stakla čija je dvostruka refrakcija manja od 7 nm/cm ili
Electronic items as follows:
namijenjene upotrebi s litografskom opremom čija je valna duljina svjetlosnog izvora manja od 245 nm;
a.
3B001.h. ne odnosi se na višeslojne maske s fazno pomaknutim slojem namijenjene izradi memorijskih uređaja koji nisu navedeni u 3A001.
General purpose integrated circuits, as follows:
i. litografske tiskarske šablone namijenjene integriranim sklopovima navedenima u 3A001.
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
j. maske „sirovih supstrata” s višeslojnom reflektirajućom strukturom koja se sastoji od molibdena i silicija te ima sve sljedeće značajke:
Integrated circuits include the following types:
posebno izrađene za ‚ekstremnu ultraljubičastu’ (‚EUV’) litografiju; i
"Monolithic integrated circuits";
u skladu s normom SEMI P37.
"Hybrid integrated circuits";
‚ekstremno ultraljubičasto’ (‚EUV’) odnosi se na valne duljine elektromagnetskog spektra veće od 5 nm i manje od 124 nm.
"Multichip integrated circuits";
Oprema za ispitivanje posebno namijenjena ispitivanju dovršenih ili nedovršenih poluvodičkih uređaja, kako slijedi, te za njih posebno namijenjene komponente i pribor:
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
a.
"Optical integrated circuits";
Za ispitivanje S-parametara robe navedene u 3A001.b.3;
"Three dimensional integrated circuits";
c.
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" ("MMICs").
Za ispitivanje robe navedene u 3A001.b.2.
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Heteroepitaksijalni materijali sastavljeni od „podloge” koja ima složene epitaksijalno uzgojene višestruke slojeve od bilo kojeg od sljedećih materijala:
a.
a. silicij (Si);
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
b. germanij (Ge);
b.
c. silicijev karbid (SiC) ili
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
d. „III/V spojevi” galija ili indija.
c.
3C001.d. ne odnosi se na „podloge” koje imaju jedan ili više epitaksijalnih slojeva P-tipa iz GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP ili InGaAlP, neovisno o slijednosti elemenata, osim ako se epitaksijalni sloj P-tipa nalazi između slojeva N-tipa.
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Materijali za zaštitni premaz, kako slijedi, i „podloge” premazane sljedećim zaštitnim premazom:
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
a. zaštitni premazi namijenjeni poluvodičkoj litografiji, kako slijedi:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitised data, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, Static Random-Access Memories (SRAMs), or 'non-volatile memories', having any of the following:
pozitivni zaštitni premazi posebno podešeni (optimizirani) za upotrebu pri valnim duljinama manjima od 193 nm, no većima ili jednakima 15 nm;
a.
zaštitni premazi posebno podešeni (optimizirani) za upotrebu pri valnim duljinama manjima od 15 nm, no većima od 1 nm;
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
b. svi zaštitni premazi namijenjeni za upotrebu s elektronskim snopovima ili ionskim snopovima, osjetljivosti od 0,01 μkulon/mm2 ili veće;
b.
d. svi zaštitni premazi optimizirani za tehnologije snimanja površine;
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
e. svi zaštitni premazi namijenjeni ili optimizirani za upotrebu s tiskarskom litografskom opremom navedenom u 3B001.f.2. koji primjenjuju termički postupak ili postupak otvrdnjavanja s pomoću svjetlosti.
c.
Organsko-anorganski spojevi kako slijedi:
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
a. organskometalni spojevi aluminija, galija ili indija čistoće (metalne baze) veće od 99,999 %;
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
b. organskoarsenski, organskoantimonski i organskofosforni spojevi čistoće (baze anorganskog elementa) veće od 99,999 %.
'Non-volatile memories' are memories with data retention over a period of time after a power shutdown.
3C003 odnosi se samo na spojeve čiji su metalni, djelomično metalni ili nemetalni elementi izravno povezani s ugljikom u organskom dijelu molekule.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
Hidridi fosfora, arsena ili antimona, čistoće veće od 99,999 %, čak i kad su otopljeni u inertnim plinovima ili vodiku.
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
3C004 ne odnosi se na hidride koji sadržavaju 20 % molarnih ili više inertnih plinova ili vodika.
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
Vrlo otporni materijali kako slijedi:
ADCs having any of the following:
Poluvodičke „podloge” silicijeva karbida (SiC), galijeva nitrida (GaN), aluminijeva nitrida (AlN) ili aluminij galijeva nitrida (AlGaN) ili ingoti, dijelovi ili drugi poluproizvodi od tih materijala s otpornošću većom od 10000 oma-cm pri 20 °C.
SEE ALSO 3A101
b.
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with a "sample rate" greater than 1,3 Giga Samples Per Second (GSPS);
Polikristalne „podloge” ili polikristalne keramičke „podloge” čija je otpornost pri 20 °C veća od 10000 ohm-cm i na površini podloge imaju barem jedan neepitaksijalni monokristalni sloj silicija (Si), silicijeva karbida (SiC), galijeva nitrida (GaN), aluminijeva nitrida (AlN) ili aluminij galijeva nitrida (AlGaN).
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with a "sample rate" greater than 600 Mega Samples Per Second (MSPS);
Materijali koji nisu navedeni u 3C001, a sastoje se od „podloge” navedene u 3C005 s najmanje jednim epitaksijalnim slojem silicijeva karbida, galijeva nitrida, aluminijeva nitrida ili aluminij galijeva nitrida.
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with a "sample rate" greater than 400 MSPS;
„Softver” posebno namijenjen „razvoju” ili „proizvodnji” opreme navedene u 3A001.b. do 3A002.h. ili 3B.
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with a "sample rate" greater than 250 MSPS; or
„Softver” posebno namijenjen „upotrebi” opreme navedene u 3B001.a. do f., 3B002 ili 3A225.
A resolution of 16 bit or more with a "sample rate" greater than 65 MSPS;
„Softver” za simulaciju „na temelju fizičkih zakona” posebno namijenjen „razvoju” postupaka litografiranja, jetkanja ili nanašanja za prevođenje maskirnih uzoraka u određene topografske uzorke u vodičima, dielektričkom ili poluvodičkom materijalu.
For integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitized data, see 3A001.a.14.
,Na temelju fizičkih zakona’ u 3D003 znači upotreba izračuna za određivanje slijeda fizičkih uzroka i posljedica na temelju fizičkih svojstava (npr. temperatura, tlak, konstante difuzije i svojstva poluvodičkih materijala).
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
Knjižnice, projektni atributi ili s njima povezani podaci za projektiranje poluvodičkih uređaja ili integriranih sklopova smatraju se „tehnologijom”.
The resolution of the ADC is the number of bits of the digital output that represents the measured analogue input.
„Softver” posebno namijenjen „razvoju” opreme navedene u 3A003.
Effective Number of Bits (ENOB) is not used to determine the resolution of the ADC.
„Softver” posebno namijenjen ili prilagođen za „upotrebu” opreme navedene u 3A101.b.
For "multiple channel ADCs", the "sample rate" is not aggregated and the "sample rate" is the maximum rate of any single channel.
„Softver” posebno namijenjen poboljšanju ili uklanjanju ograničenja radnih značajki pretvarača ili generatora frekvencija kako bi se zadovoljile značajke iz 3A225.
For "interleaved ADCs" or for "multiple channel ADCs" that are specified to have an interleaved mode of operation, the "sample rates" are aggregated and the "sample rate" is the maximum combined total rate of all of the interleaved channels.
„Tehnologija” prema Napomeni o tehnologiji općenito za „razvoj” ili „proizvodnju” opreme ili materijala navedenih u 3A, 3B ili 3C.
b.
3E001 ne odnosi se na „tehnologiju” za opremu ili komponente navedene u 3A003.
Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
3E001 ne odnosi se na „tehnologiju” za integrirane sklopove navedene u 3A001.a.3. do 3A001.a.12., koji imaju sve sljedeće značajke:
A resolution of 10 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 3500 MSPS; or
upotrebljavaju „tehnologiju” od 0,130 μm ili više i
A resolution of 12 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 1250 MSPS and having any of the following:
uključuju višeslojne konstrukcije s najviše tri metalna sloja.
a.
3E001 ne odnosi se na ‚alate za projektiranje postupka’ (engl.
A settling time less than 9 ns to arrive at or within 0,024 % of full scale from a full scale step; or
Process Design Kits - PDK) osim ako uključuju knjižnice koje primjenjuju funkcije ili tehnologije za robu navedenu u 3A001.
b.
‚Alat za projektiranje postupka’ (engl.