natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
‚Izravni pogled’ odnosi se na opremu za stvaranje slika koja čovjeku promatraču prikazuje vidljivu sliku bez pretvaranja slike u elektronički signal za televizijski prikaz, a koja ne može bilježiti ili memorirati sliku fotografski, elektronički ili na neki drugi način.
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
6A002.c. ne odnosi se na sljedeću opremu koja ima ugrađeno nešto osim GaAs ili GaInAs fotokatode:
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
industrijskom ili civilnom alarmu za nedopušten ulazak, sustavima kontrole ili brojanja kretanja u prometu ili industriji;
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
medicinsku opremu;
f.
industrijskoj opremi za pregled, sortiranje ili analizu svojstava materijala;
Lithography equipment as follows:
detektore plamena za industrijske peći;
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
opremu posebno oblikovanu za upotrebu u laboratoriju.
a.
d. posebne pomoćne komponente za optičke senzore kako slijedi:
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
kriorashlađivači „prikladni za upotrebu u svemiru”;
b.
kriorashlađivači koji nisu „prikladni za upotrebu u svemiru” i koji imaju temperaturu izvora hlađenja ispod 218 K (– 55 °C), kako slijedi:
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
a. tip zatvorenog kruga s navedenim srednjim vremenom do kvara (MTTF) ili srednjim vremenom između kvarova (MTBF) većim od 2500 sati;
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
b.
where the K factor = 0,35
Joule-Thomson (JT) samoregulacijski minirashlađivači koji imaju (vanjske) promjere cijevi manje od 8 mm;
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
optička senzorska vlakna posebno oblikovana po sastavu ili strukturi ili preinačena oblaganjem da budu akustički, toplinski, inercijski, elektromagnetski osjetljiva ili osjetljiva na nuklearnu radijaciju;
Micro contact printing tools
e. ne upotrebljava se.
Hot embossing tools
f. ‚integrirani sklopovi za čitanje podataka’ posebno oblikovani za „žarišnoravninske nizove” navedene u 6A002.a.3.
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
‚Integrirani sklop za čitanje podataka’ jest integrirani sklop koji je namijenjen kao baza za „žarišnoravninski niz” ili da bude vezan uz njega te za čitanje signala (tj. izvlačenje i pohrana) koje proizvode elementi za detekciju.
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
‚Integrirani sklop za čitanje podataka’ barem čita naboj iz elemenata za detekciju tako da ekstrahira naboj i primijeni funkciju multipleksiranja na način da zadrži podatke koji se odnose na prostornu poziciju i orijentaciju elemenata za detekciju za procesiranje unutar ili izvan ‚integriranog sklopa za čitanje podataka’.
a.
Kamere, sustavi ili oprema te njihove komponente kako slijedi:
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
VIDJETI I 6A203.
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
a. instrumentacijske kamere i za njih posebno oblikovane komponente kako slijedi:
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
Instrumentacijske kamere s modularnim strukturama, navedene u 6A003.a.3. do 6A003.a.5., trebalo bi ocijeniti prema njihovim maksimalnim mogućnostima, upotrebljavajući utikače dostupne u skladu sa specifikacijama proizvođača kamera.
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
elektroničke kamere koje daju prugastu sliku s vremenskom razlučivosti boljom od 50 ns;
A deflected focused electron beam; and
elektroničke kamere koje imaju sve sljedeće značajke:
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
a. brzinu elektroničkog zaklopca (aktivacijska sposobnost) manju od 1 μs za punu sliku i
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
b. vrijeme čitanja koje omogućuje brzinu veću od 125 punih slika u sekundi;
g.
utikači koji imaju sve sljedeće značajke:
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
a. posebno oblikovani za instrumentacijske kamere koje imaju modularne strukture i koje su navedene u 6A003.a. i
h.
b. omogućuju tim kamerama ispunjenje značajki navedenih u 6A003.a.3., 6A003.a.4. ili 6A003.a.5., u skladu sa specifikacijama proizvođača;
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified in 3B001.g. and having any of the following:
b. slikovne kamere kako slijedi:
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
6A003.b. ne odnosi se na televizijske ili videokamere posebno oblikovane za televizijsko emitiranje.
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
videokamere s ugrađenim poluvodičkim senzorima, koje imaju maksimalni odziv u području valnih duljina iznad 10 nm, ali ne iznad 30000 nm i sve od sljedećih značajki:
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not specified in 3A001.
a. ima bilo koju od sljedećih značajki:
i.
više od 4 × 106 „aktivnih piksela” po poluvodičkom polju za monokromne (crno-bijele) kamere;
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
više od 4 × 106 „aktivnih piksela” po poluvodičkom polju za kamere u boji s tri poluvodička polja ili
j.
više od 12 × 106 „aktivnih piksela” za kamere u boji s poluvodičkim poljima s ugrađenim jednim poluvodičkim poljem i
Mask "substrate blanks" with multilayer reflector structure consisting of molybdenum and silicon, and having all of the following:
optička zrcala navedena u 6A004.a.;
Specially designed for 'Extreme Ultraviolet' ('EUV') lithography; and
optičku kontrolnu opremu navedenu u 6A004.d. ili
Compliant with SEMI Standard P37.
sposobnost bilježenja unutarnjih ‚podataka o praćenju kamere’;
'Extreme Ultraviolet' ('EUV') refers to electromagnetic spectrum wavelengths greater than 5 nm and less than 124 nm.
Za potrebe ove stavke digitalne videokamere potrebno je ocijeniti prema najvećem broju „aktivnih piksela” upotrijebljenih za snimanje pokretnih slika.
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
Za potrebe ove stavke ‚podaci o praćenju kamere’ informacije su neophodne za određivanje orijentacije gledanja kamere u odnosu na Zemlju.
a.
To uključuje: 1. horizontalni kut gledanja kamere u odnosu na smjer Zemljina magnetskog polja i 2. vertikalni kut između smjera gledanja kamere i Zemljina horizonta.
For testing S-parameters of items specified in 3A001.b.3.;
kamere za skeniranje i sustavi kamera za skeniranje, koji imaju sve sljedeće značajke:
c.
a. maksimalni odziv u području valnih duljina iznad 10 nm, ali ne iznad 30000 nm;
For testing items specified in 3A001.b.2.
b. linearna detektorska polja s više od 8192 elemenata po polju i
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
c. mehaničko skeniranje u jednom smjeru;
a.
6A003.b.2. ne odnosi se na kamere i sustave kamera za skeniranje posebno oblikovane za bilo što od sljedećega:
Silicon (Si);
industrijske ili civilne fotokopirne strojeve;
b.
skenere slika posebno oblikovane za civilnu stacionarnu upotrebu skeniranja s male udaljenosti (npr. reprodukciju slika ili teksta u dokumentima, umjetničkim djelima ili fotografijama) ili
Germanium (Ge);
medicinskoj opremi.
c.
slikovne kamere s ugrađenim cijevima za pojačavanje slike navedenima u 6A002.a.2.a. ili 6A002.a.2.b.;
Silicon carbide (SiC); or
slikovne kamere s ugrađenim „žarišnoravninskim nizovima” koje imaju bilo koju od sljedećih značajki:
d.
a. „žarišnoravninske nizove” navedene u 6A002.a.3.a. do 6A002.a.3.e.;
"III/V compounds" of gallium or indium.
b. „žarišnoravninske nizove” navedene u 6A002.a.3.f.; ili
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
c. „žarišnoravninske nizove” navedene u 6A002.a.3.g.;
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Slikovne kamere opisane u 6A003.b.4. uključuju „žarišnoravninske nizove” koji su s integriranim sklopovima za čitanje podataka povezani zadovoljavajućom „signalno-procesnom” elektronikom, koja omogućuje da se nakon dovedenog napajanja na izlazu minimalno dobije analogni ili digitalni signal.
a.
6A003.b.4. ne odnosi se na slikovne kamere s ugrađenim linearnim „žarišnoravninskim nizovima” s dvanaest elemenata ili manje, u kojima se ne primjenjuje vremensko kašnjenje i integracija unutar elementa, namijenjene bilo čemu od sljedećega:
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
industrijskoj opremi koja se upotrebljava za pregled ili nadzor protoka topline u zgradama, opremi i industrijskim postupcima;
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 193 nm but equal to or greater than 15 nm;
opremi posebno oblikovanoj za upotrebu u laboratoriju ili
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
6A003.b.4.b. ne odnosi se na slikovne kamere koje imaju bilo koju od sljedećih značajki:
b.
maksimalnu brzinu stvaranja slike od 9 Hz ili manju;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
imaju minimalno horizontalno ili vertikalno ‚trenutačno pregledno polje’ (IFOV) od najmanje 10 miliradijana po pikselu;
d.
imaju leće s nepromjenjivom fokusnom daljinom koje nije moguće ukloniti;
All resists optimised for surface imaging technologies;
ne uključuju ‚izravan pogled’ i
e.
nemaju mogućnost dobivanja slike detektiranog vidnog polja ili
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
kamera je namijenjena samo jednoj primjeni i korisnik je ne može preinačiti ili
Organo-inorganic compounds as follows:
kamera je posebno namijenjena ugradnji u civilno putničko vozilo i ima sve sljedeće značajke:
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
radi samo u slučajevima kada je ugrađena u bilo što od sljedećega:
b.
civilno putničko vozilo za koje je namijenjena, mase manje od 4500 kg (bruto masa vozila) ili
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
posebno oblikovan i autoriziran testni prostor za održavanje i
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
uključuje aktivni mehanizam koji sprečava rad kamere u slučaju njezina uklanjanja iz vozila za koje je namijenjena;
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
‚Horizontalni IFOV’ = horizontalno vidno polje (FOV) / broj horizontalnih detektorskih elemenata
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
‚Vertikalni IFOV’ = vertikalno vidno polje (FOV) / broj vertikalnih detektorskih elemenata.
High resistivity materials as follows:
6A003.b.4.c. ne odnosi se na slikovne kamere koje imaju bilo koju od sljedećih značajki:
a.
kamera je posebno oblikovana za ugradnju kao sastavni dio sustava ili opreme za upotrebu u zgradama ili povezanih na električnu mrežu, a zbog svoje izvedbe ograničena je na jednu primjenu, kako slijedi;
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C;
praćenje industrijskih procesa, kontrolu kvalitete ili analizu svojstava materijala;
b.
laboratorijsku opremu posebno oblikovanu za znanstvena istraživanja;
Polycrystalline "substrates" or polycrystalline ceramic "substrates", having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C and having at least one non-epitaxial single-crystal layer of silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN), or aluminium gallium nitride (AlGaN) on the surface of the "substrate".
opremu za otkrivanje financijskih prijevara i
Materials, not specified in 3C001, consisting of a "substrate" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
sustav(e) ili opremu za koju je namijenjena ili
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
posebno oblikovan i autoriziran prostor za održavanje i
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
uključuje aktivni mehanizam koji sprečava rad kamere u slučaju njezina uklanjanja iz sustava ili opreme za koje je namijenjena;
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
ako je kamera posebno namijenjena ugradnji u civilno putničko vozilo ili trajekte za putnike i vozila i ima sve sljedeće značajke:
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
položaj i konfiguracija kamere u vozilu ili trajektu služe samo kao pomoć vozaču ili operateru za sigurnu upotrebu vozila ili trajekta;
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
civilno putničko vozilo za koje je namijenjena i civilno putničko vozilo za koje je namijenjena i koje ima masu manju od 4500 kg (bruto masa vozila);
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
trajekt za putnike i vozila za koji je namijenjena i koji ima ukupnu duljinu (LOA) 65 m ili veću ili
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
posebno oblikovan i autoriziran testni prostor za održavanje i
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
uključuje aktivni mehanizam koji sprečava rad kamere u slučaju njezina uklanjanja iz vozila za koje je namijenjena;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
zbog svoje izvedbe ograničene su na najveću „osjetljivost na zračenje” od 10 mA/W ili manju pri valnim duljinama većima od 760 nm i imaju sve sljedeće značajke:
3E001 does not control "technology" for equipment or components specified in 3A003.
imaju uređaj za ograničavanje odziva oblikovan tako da ga nije moguće ukloniti ili preinačiti;
3E001 does not control "technology" for integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
uključuju aktivni mehanizam koji sprečava rad kamere u slučaju uklanjanja uređaja za ograničavanje odziva i
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
nisu posebno oblikovane ili preinačene za upotrebu pod vodom ili
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
d. imaju sve sljedeće značajke:
3E001 does not control 'Process Design Kits' ('PDKs') unless they include libraries implementing functions or technologies for items specified in 3A001.
ne uključuju ‚izravan pogled’ ili elektronički prikaz slike;
A 'Process Design Kit' ('PDK') is a software tool provided by a semiconductor manufacturer to ensure that the required design practices and rules are taken into account in order to successfully produce a specific integrated circuit design in a specific semiconductor process, in accordance with technological and manufacturing constraints (each semiconductor manufacturing process has its particular 'PDK').
nemaju mogućnosti za dobivanje vidljive slike detektiranog vidnog polja;
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
„žarišnoravninski nizovi” rade samo ako su ugrađeni u kameru za koju su namijenjeni i
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
slikovne kamere s poluvodičkim detektorima navedenima u 6A002.a.1.
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
Optička oprema i komponente kako slijedi:
b.
a. optička zrcala (reflektori) kako slijedi:
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
Za potrebe 6A004.a., prag osjetljivosti optičkih komponenti na oštećenja uzrokovana djelovanjem laserske zrake (Laser Induced Damage Threshold – LIDT) mjeri se u skladu s ISO 21254-1:2011.
c.
Za optička zrcala posebno oblikovana za litografsku opremu vidjeti 3B001.
Designed to perform more than eight 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
‚deformabilna zrcala’ koja imaju aktivni optički otvor veći od 10 mm i bilo koju od sljedećih značajki te za njih posebno oblikovane komponente,
3E002 does not control "technology" for multimedia extensions.
a. imaju sve sljedeće značajke:
3E002 does not control "technology" for micro-processor cores, having all of the following:
mehaničku rezonantnu frekvenciju od 750 Hz ili više i
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
više od 200 aktivatora ili
3E002 includes "technology" for the "development" or "production" of digital signal processors and digital array processors.
b. prag osjetljivosti optičkih komponenti na oštećenja uzrokovana djelovanjem laserske zrake (LIDT) ima bilo koju od sljedećih značajki:
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
veći je od 1 kW/ cm2 kod upotrebe „CW lasera” ili
a.
veći je od 2 J/ cm2 kod upotrebe „laserskih” impulsa od 20 ns uz frekvenciju ponavljanja 20 Hz;
Vacuum microelectronic devices;
‚deformabilna zrcala’ zrcala su koja imaju bilo koju od sljedećih značajki:
b.
jednu kontinuiranu optičku reflektirajuću površinu koja se dinamično deformira primjenom pojedinog zakretnog momenta ili sile čime se kompenzira distorzija oblika optičkog vala koji pada na zrcalo ili
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
višestruke optičke reflektirajuće elemente koje je moguće pojedinačno i dinamično prerazmjestiti primjenom zakretnih momenata ili sila čime se kompenzira distorzija oblika optičkog vala koji pada na zrcalo.
3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
‚Deformabilna zrcala’ poznata su i kao adaptivna optička zrcala.
c.
laka monolitna zrcala čija je prosječna „ekvivalentna gustoća” manja od 30 kg/m2 i ukupna masa veća od 10 kg;
"Superconductive" electronic devices;
6A004.a.2. ne odnosi se na zrcala koja su posebno oblikovana za usmjeravanje Sunčeva zračenja za heliostatske instalacije na zemlji.
d.
strukture lakih „složenih” ili pjenastih zrcala čija je prosječna „ekvivalentna gustoća” manja od 30 kg/m2 i ukupna masa veća od 2 kg;
Substrates of films of diamond for electronic components.
6A004.a.3. ne odnosi se na zrcala koja su posebno oblikovana za usmjeravanje Sunčeva zračenja za heliostatske instalacije na zemlji.
e.
zrcala koja su posebno namijenjena za dijelove zrcala s upravljanjem snopa navedene u 6A004.d.2.a. s plosnatošću λ / 10 ili boljom (λ je jednako 633 nm), koja imaju bilo koju od sljedećih značajki:
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
a. promjer ili duljinu glavne osi 100 mm ili veće ili
f.
b. ima sve sljedeće značajke:
Substrates of silicon carbide for electronic components;
promjer ili duljinu glavne osi veće od 50 mm, ali manje od 100 mm i
g.
prag osjetljivosti optičkih komponenti na oštećenja uzrokovana djelovanjem laserske zrake (LIDT) ima bilo koju od sljedećih značajki:
'Vacuum electronic devices' operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
a. veći je od 10 kW/ cm2 kod upotrebe „CW lasera” ili
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
b. veći je od 20 J/ cm2 kod upotrebe „laserskih” impulsa od 20 ns uz frekvenciju ponavljanja 20 Hz;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software"specified in 3D101.
b. optičke komponente izrađene od cinkova selenida (ZnSe) ili cinkova sulfida (ZnS) s prijenosom u području valnih duljina iznad 3000 nm, ali ne iznad 25000 nm i koje imaju bilo koju od sljedećih značajki:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
volumen veći od 100 cm3; ili
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
promjer ili duljinu glavne osi veće od 80 mm i debljinu (dubinu) 20 mm;
CATEGORY 4 — COMPUTERS
c. komponente za optičke sustave „prikladne za upotrebu u svemiru” kako slijedi:
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
olakšane na manje od 20 % „ekvivalentne gustoće” u odnosu na čvrsti izradak istog otvora i debljine;
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, 'main storage' or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
sirovi supstrati, obrađeni supstrati s oblogom površine (jedan sloj ili više slojeva, metalna ili dielektrična, vodička, poluvodička ili izolirna) ili sa zaštitnim filmom;
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
segmenti ili sklopovi zrcala oblikovani za sastavljanje u svemiru u optički sustav s ekvivalentom sabirnog otvora od jednog optičkog 1 m u promjeru ili većim;