natgillin/translations-raw huggingface dataset:
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
a. odstupanje fokusiranog elektronskog snopa i
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
najmanja veličina snopa od 15 nm ili manja; ili
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
pogreška preklapanja manja od 27 nm (srednja vrijednost + 3 sigme);
Specific TE-PVD processes are as follows:
g. maske i mreže namijenjene integriranim sklopovima, navedene u 3A001;
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
h. višeslojne maske s fazno pomaknutim slojem, koje nisu navedene u 3B001.g. i imaju bilo koju od sljedećih značajki:
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
izrađene maske na „sirovom supstratu” od stakla čija je dvostruka refrakcija manja od 7 nm/cm ili
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
namijenjene upotrebi s litografskom opremom čija je valna duljina svjetlosnog izvora manja od 245 nm;
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
3B001.h. ne odnosi se na višeslojne maske s fazno pomaknutim slojem namijenjene izradi memorijskih uređaja na koje se ne odnosi 3A001.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
i. litografske tiskarske šablone namijenjene integriranim sklopovima navedenima u 3A001.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Oprema za ispitivanje posebno namijenjena ispitivanju dovršenih ili nedovršenih poluvodičkih uređaja, kako slijedi, te za njih posebno namijenjene komponente i pribor:
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
a. za ispitivanje S-parametara tranzistorskih uređaja pri frekvencijama višima od 31,8 GHz;
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
c. za ispitivanje mikrovalnih integriranih sklopova navedenih u 3A001.b.2.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Heteroepitaksijalni materijali sastavljeni od „podloge” koja ima složene epitaksijalno uzgojene višestruke slojeve od bilo kojeg od sljedećih materijala:
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
a. silicij (Si);
c.
b. germanij (Ge);
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
c. silicijev karbid (SiC) ili
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
d. „III/V spojevi” galija ili indija.
An activator (normally a halide salt); and
3C001.d. ne odnosi se na „podloge” koje imaju jedan ili više epitaksijalnih slojeva P-tipa iz GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP ili InGaAlP, neovisno o slijednosti elemenata, osim ako se epitaksijalni sloj P-tipa nalazi između slojeva N-tipa.
An inert powder, most frequently alumina.
Materijali za zaštitni premaz, kako slijedi, i „podloge” premazane sljedećim zaštitnim premazom:
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
a. zaštitni premazi namijenjeni poluvodičkoj litografiji, kako slijedi:
d.
pozitivni zaštitni premazi posebno podešeni (optimizirani) za upotrebu pri valnim duljinama manjima od 245 nm, no većima ili jednakima 15 nm;
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
zaštitni premazi posebno podešeni (optimizirani) za upotrebu pri valnim duljinama manjima od 15 nm, no većima od 1 nm;
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
b. svi zaštitni premazi namijenjeni za upotrebu s elektronskim snopovima ili ionskim snopovima, osjetljivosti od 0,01 μkulon/mm2 ili veće;
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
d. svi zaštitni premazi optimizirani za tehnologije snimanja površine;
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
e. svi zaštitni premazi namijenjeni ili optimizirani za upotrebu s tiskarskom litografskom opremom navedenom u 3B001.f.2. koji primjenjuju termički postupak ili postupak otvrdnjavanja s pomoću svjetlosti.
e.
Organsko-anorganski spojevi kako slijedi:
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
a. organskometalni spojevi aluminija, galija ili indija čistoće (metalne baze) veće od 99,999 %;
f.
b. organskoarsenski, organskoantimonski i organskofosforni spojevi čistoće (baze anorganskog elementa) veće od 99,999 %.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
3C003 odnosi se samo na spojeve čiji su metalni, djelomično metalni ili nemetalni elementi izravno povezani s ugljikom u organskom dijelu molekule.
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Hidridi fosfora, arsena ili antimona, čistoće veće od 99,999 %, čak i kad su otopljeni u inertnim plinovima ili vodiku.
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
3C004 ne odnosi se na hidride koji sadržavaju 20 % molarnih ili više inertnih plinova ili vodika.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Poluvodičke „podloge” silicijeva karbida (SiC), galijeva nitrida (GaN), aluminijeva nitrida (AlN) ili aluminij galijeva nitrida (AlGaN) ili ingoti, dijelovi ili drugi poluproizvodi od tih materijala s otpornošću većom od 10000 oma-cm pri 20 °C.
g.
„Podloge” navedene u 3C005 s najmanje jednim epitaksijalnim slojem iz silicijeva karbida, galijeva nitrida, aluminijeva nitrida ili aluminij galijeva nitrida.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
„Softver” posebno namijenjen „razvoju” ili „proizvodnji” opreme navedene u 3A001.b. do 3A002.h. ili 3B.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
„Softver” posebno namijenjen „upotrebi” opreme navedene u 3B001.a. do f., 3B002 ili 3A225.
CATEGORY 3 - ELECTRONICS
„Softver” za simulaciju „na temelju fizičkih zakona” posebno namijenjen „razvoju” postupaka litografiranja, jetkanja ili nanašanja za prevođenje maskirnih uzoraka u određene topografske uzorke u vodičima, dielektričkom ili poluvodičkom materijalu.
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.14, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
,Na temelju fizičkih zakona’ u 3D003 znači upotreba izračuna za određivanje slijeda fizičkih uzroka i posljedica na temelju fizičkih svojstava (npr. temperatura, tlak, konstante difuzije i svojstva poluvodičkih materijala).
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.14 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Knjižnice, projektni atributi ili s njima povezani podaci za projektiranje poluvodičkih uređaja ili integriranih sklopova smatraju se „tehnologijom”.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.14.
„Softver” posebno namijenjen „razvoju” opreme navedene u 3A003.
Electronic items as follows:
„Softver” posebno namijenjen ili prilagođen za „upotrebu” opreme navedene u 3A101.b.
a.
„Softver” posebno namijenjen poboljšanju ili uklanjanju ograničenja radnih značajki pretvarača ili generatora frekvencija kako bi se zadovoljile značajke iz 3A225.
General purpose integrated circuits, as follows:
„Tehnologija” prema Napomeni o tehnologiji općenito za „razvoj” ili „proizvodnju” opreme ili materijala navedenih u 3A, 3B ili 3C.
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
3E001 ne odnosi se na „tehnologiju” za opremu ili komponente navedene u 3A003.
Integrated circuits include the following types:
3E001 ne odnosi se na „tehnologiju” za integrirane sklopove navedene u 3A001.a.3. do 3A001.a.12., koji imaju sve sljedeće značajke:
"Monolithic integrated circuits";
upotrebljavaju „tehnologiju” od 0,130 μm ili više i
"Hybrid integrated circuits";
uključuju višeslojne konstrukcije s najviše tri metalna sloja.
"Multichip integrated circuits";
„Tehnologija” u skladu s Napomenom o tehnologiji općenito, osim one navedene u 3E001, za „razvoj” ili „proizvodnju”„mikroprocesorskih mikrosklopova”, „mikroračunalnih mikrosklopova” ili jezgre mikrosklopova mikrokontrolera koji imaju aritmetičku logičku jedinicu sa širinom pristupa od 32 bita ili više i bilo koje od sljedećih obilježja ili značajki:
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
a. „vektorska procesorska jedinica” koja se upotrebljava za istovremeno obavljanje više od dva izračuna nad vektorima s pomičnim zarezom (jednodimenzionalnim 32-bitnim nizovima ili većim brojevima);
"Optical integrated circuits";
‚Vektorska procesorska jedinica’ znači procesorski element s ugrađenim instrukcijama koje istovremeno obavljaju višestruke izračune nad vektorima s pomičnim zarezom (jednodimenzionalnim 32-bitnim nizovima ili većim brojevima), s najmanje jednom vektorskom aritmetičkom logičkom jedinicom i vektorskim registrima s najmanje 32 elementa.
"Three dimensional integrated circuits";
b. namijenjena obavljanju više od četiri 64-bitne ili veće operacije s pomičnim zarezom po ciklusu ili
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" ("MMICs").
c. namijenjena obavljanju više od osam16-bitne ili veće operacije s nepomičnim zarezom po ciklusu (npr. digitalna manipulacija analogne informacije koja je prethodno konvertirana u digitalni oblik, poznata i pod nazivom digitalna „obrada signala”).
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
3E002 ne odnosi se na tehnologiju za multimedijalne ekstenzije.
a.
3E002 ne odnosi se na „tehnologiju” za mikroprocesorske jezgre koje imaju sve sljedeće značajke:
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
uključuju višeslojne strukture s najviše pet metalnih slojeva.
b.
3E002 uključuje „tehnologiju” za „razvoj” ili „proizvodnju” procesora digitalnog signala i procesora digitalnog niza.
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
Druge „tehnologije” za „razvoj” ili „proizvodnju” sljedećeg:
c.
a. vakuumskih mikroelektroničkih uređaja;
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
b. heterostrukturalnih poluvodičkih elektroničkih uređaja kao što su tranzistori s visokom pokretljivošću elektrona (HEMT), heterobipolarni tranzistori (HBT), kvantni bunar i superrešetkasti uređaji;
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
3E003.b. ne odnosi se na „tehnologiju” tranzistora s visokom pokretljivošću elektrona (HEMT) koji rade pri frekvencijama manjima od 31,8 GHz ni heterobipolarnih tranzistora (HBT) koji rade pri frekvencijama manjima od 31,8 GHz.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitised data, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, Electrical Erasable Programmable Read-Only Memories (EEPROMs), flash memories, Static Random-Access Memories (SRAMs), or Magnetic Random Access Memories (MRAMs), having any of the following:
c. „supravodljivih” elektroničkih uređaja;
a.
d. podloga od filmova dijamanata za elektroničke komponente;
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
e. podloge od silicij-na-izolaciju (SOI) za integrirane sklopove kod kojih je izolacija silicijev dioksid;
b.
f. podloga silicijeva karbida za elektroničke komponente;
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (-55 °C); or
g. ‚vakuumskih elektroničkih uređaja’ koji rade na frekvencijama od 31,8 GHz ili višima.
c.
„Tehnologija” u skladu s Napomenom o tehnologiji općenito za „upotrebu” opreme ili „softvera” navedenih u 3A001.a.1. ili 2., 3A101, 3A102 ili 3D101.
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (-55 °C) to 398 K (125 °C);
„Tehnologija” u skladu s Napomenom o tehnologiji općenito za „razvoj”„softvera” navedenih u 3D101.
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
„Tehnologija” u skladu s Napomenom o tehnologiji općenito za „upotrebu” opreme navedene u 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 do 3A234.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
„Tehnologija’ u obliku kodova ili ključeva za poboljšanje ili uklanjanje ograničenja radnih značajki pretvarača ili generatora frekvencija kako bi se zadovoljile značajke iz 3A225.
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
KATEGORIJA 4. – RAČUNALA
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
Računala, pripadajuća oprema i „softver” kojima se izvode telekomunikacijske funkcije ili funkcije „lokalne mreže” moraju biti ocijenjeni i u odnosu na radne značajke kategorije 5., 1. dijela (Telekomunikacije).
a.
Upravljačke jedinice koje su izravno povezane sa sabirnicama ili kanalima središnjih procesorskih jedinica, „središnje memorije” ili upravljački sklopovi diska ne smatraju se telekomunikacijskom opremom opisanom u kategoriji 5., 1. dijelu (Telekomunikacije).
ADCs having any of the following:
Za kontrolni status „softvera” posebno oblikovan za prespajanje paketa vidi 5D001.
SEE ALSO 3A101
Elektronička računala i pripadajuća oprema koji imaju bilo koju od sljedećih značajki i „elektronički sklopovi” te za njih posebno oblikovane komponente:
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 1.3 giga samples per second (GSPS);
VIDI I 9A101.
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 600 mega samples per second (MSPS);
a. posebno oblikovani kako bi imali bilo koju od sljedećih značajki:
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with an output rate greater than 400 mega samples per second (MSPS);
namijenjeni radu pri okolnoj temperaturi ispod 228 K (– 45 °C) ili iznad 358 K (85 °C) ili
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with an output rate greater than 250 mega samples per second (MSPS); or
4A001.a.1. ne odnosi se na računala posebno namijenjena primjeni u civilnim automobilima, vlakovima ili „civilnim zrakoplovima”.
A resolution of 16 bit or more with an output rate greater than 65 mega samples per second (MSPS);
otporni na zračenje da bi podnijeli sljedeće doze:
For integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitized data, see 3A001.a.14.
ukupnu dozu
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
5 × 103 Gy (silicij);
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
određenu stalnu dozu
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
5 × 106 Gy (silicij)/s ili
For 'multiple channel ADCs', the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
pojedinačnu dozu
For 'interleaved ADCs' or for 'multiple channel ADCs' that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
1 × 10-8 greške/bit/dan;
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
4A001.a.2. ne odnosi se na računala posebno namijenjena primjeni u „civilnim zrakoplovima”.
It is often specified in megahertz (MHz), mega words per second or mega samples per second (MSPS).
b. ne upotrebljava se.
For the purpose of measuring output rate, one sample per second is equivalent to one Hertz or one output word per second.
„digitalna računala”, „elektronički sklopovi” i njihova pripadajuća oprema, kako slijedi, i za njih posebno oblikovane komponente:
'Multiple channel ADCs' are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
4A003 uključuje sljedeće:
'Interleaved ADCs' are defined as devices which have multiple ADC units that sample the same analogue input at different times such that when the outputs are aggregated, the analogue input has been effectively sampled and converted at a higher sampling rate.
‚vektorske procesore’,
b.
procesore niza,
Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
procesore digitalnog signala,
A resolution of 10 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 3500 MSPS; or
logičke procesore,
A resolution of 12 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 1250 MSPS and having any of the following:
opremu oblikovanu za „poboljšanje slike”.
a.
Kontrolni status „digitalnih računala” i pripadajuće opreme opisane u 4A003 određuje se prema kontrolnom statusu druge opreme ili sustava pod uvjetom da:
A settling time less than 9 ns to 0,024 % of full scale from a full scale step; or
su „digitalna računala” ili pripadajuća oprema ključni za rad druge opreme ili sustava;
b.
„digitalna računala” ili pripadajuća oprema nisu „glavni element” druge opreme ili sustava i
A 'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
Kontrolni status opreme za „obradu signala” ili „poboljšanje slike” posebno oblikovane za drugu opremu s funkcijama ograničenima na funkcije potrebne za drugu opremu određuje se prema kontrolnom statusu te druge opreme, čak i ako ona premašuje kriterij „glavnog elementa”.
'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
Za kontrolni status „digitalnih računala” ili pripadajuće opreme za telekomunikacijsku opremu vidi kategoriju 5., 1. dio (Telekomunikacije). c.
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
„tehnologija” za „digitalna računala” i pripadajuću opremu određuje se prema 4E.
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than -3 dBfs (full scale).
b. „digitalna računala” s „korigiranom najvećom učinkovitošću” („APP”) koja prelazi 16 ponderiranih teraflopa (WT);
'Adjusted update rate' for DACs:
c. „elektronički sklopovi” posebno izrađeni ili preinačeni za poboljšanje rada sastavljanjem procesora tako da „APP” sastavljanja prelazi granicu iz 4A003.b.;
For conventional (non-interpolating) DACs, the 'adjusted update rate' is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
4A003.c. se odnosi samo na one „elektroničke sklopove” i programabilna međupovezivanja koja ne prelaze granicu iz 4A003.b. kada se otpremaju kao neintegrirani „elektronički sklopovi”.
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
4A003.c. ne odnosi se na „elektroničke sklopove” posebno oblikovane za proizvod ili skupinu proizvoda čija maksimalna konfiguracija ne premašuje granicu iz 4A003.b.
For interpolating DACs (oversampling DACs), the 'adjusted update rate' is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
g. oprema posebno oblikovana za združivanje učinkovitosti „digitalnih računala” pružanjem međusobne vanjske povezanosti, koja omogućuje komunikacije pri brzinama prijenosa podataka većima od 2,0 Gbit/s po vezi.
For interpolating DACs, the 'adjusted update rate' may be referred to by different terms including:
4A003.g. ne odnosi se na opremu za unutarnje veze (npr. stražnje ploče, sabirnice), opremu pasivne međuveze, „upravljačke sklopove pristupa mreži” ili „upravljačke sklopove komunikacijskog kanala”.
input data rate
Računala, kako slijedi te posebno oblikovana pripadajuća oprema, „elektronički sklopovi” i za njih oblikovane komponente:
input word rate
a. „sistolično matrično računalo”;
input sample rate
b. „neuronsko računalo”;
maximum total input bus rate
c. „optičko računalo”.
maximum DAC clock rate for DAC clock input.
Sustavi, oprema i njihove komponente, posebno oblikovani ili preinačeni za stvaranje, naredbe i kontrolu ili isporuku „softvera za neovlašteni ulazak”.
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
Analogna računala, „digitalna računala” ili digitalni diferencijalni analizatori, osim onih navedenih u 4A001.a.1., koji su pojačani i oblikovani ili preinačeni za upotrebu na vozilima za lansiranje svemirskih letjelica navedenima u 9A004 ili u sondažnim raketama navedenima u 9A104.
a.
„Hibridna računala” posebno oblikovana za modeliranje, simulacije ili integraciju dizajna vozila za lansiranje svemirskih letjelica navedenih u 9A004 ili sondažnih raketa navedenih u 9A104.
One or more than one internal "laser" diode;
To se odnosi samo na slučaj kada se oprema isporučuje sa „softverom” navedenim u 7D103 ili 9D103.