natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Detonator firing sets (initiator systems, firesets), including electronically-charged, explosively-driven and optically-driven firing sets, other than those specified in 1A007.a., designed to drive multiple controlled detonators specified in 1A007.b.;
Nelinearni (2-dimenzionalni) „žarišnoravninski nizovi”, koji nisu „prikladni za upotrebu u svemiru” i koji imaju pojedinačne elemente s maksimalnim odzivom u području valnih duljina iznad 1200 nm, ali ne iznad 30000 nm;
b.
‚Mikrobolometri’ izrađeni od silicija i drugih materijala, koji služe kao „žarišnoravninski nizovi”, a koji nisu „prikladni za upotrebu u svemiru”, navedeni su samo u 6A002.a.3.f.
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
d. linearni (1-dimenzionalni) „žarišnoravninski nizovi”, koji nisu „prikladni za upotrebu u svemiru” i imaju sve sljedeće značajke:
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
pojedinačni elementi s maksimalnim odzivom u području valnih duljina iznad 1200 nm, ali ne iznad 3000 nm i
Capable of delivering their energy in less than 15 μs into loads of less than 40 ohms;
a. omjer između dimenzije ‚smjera skeniranja’ detektorskog elementa i dimenzije ‚smjera poprečnog skeniranja’ detektorskog elementa manji od 3,8 ili
Having an output greater than 100 A;
b. obrada signala u detektorskim elementima;
No dimension greater than 30 cm;
6A002.a.3.d. ne odnosi se na „žarišnoravninske nizove” s detektorskim elementima (najviše 32 elementa), koji su izrađeni samo od germanija.
Weight less than 30 kg; and
Za potrebe 6A002.a.3.d. ‚smjer poprečnog skeniranja’ definiran je kao os koja je paralelna s linearnim nizom detektorskih elemenata, dok je ‚smjer skeniranja’ definiran kao os okomita na linearni niz detektorskih elemenata.
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
e. linearni (1-dimenzionalni) „žarišnoravninski nizovi”, koji nisu „prikladni za upotrebu u svemiru” i koji imaju pojedinačne elemente s maksimalnim odzivom u području valnih duljina iznad 3000 nm, ali ne iznad 30000 nm;
3A229.b. includes xenon flash-lamp drivers.
f. nelinearni (2-dimenzionalni) infracrveni „žarišnoravninski nizovi” koji nisu „prikladni za upotrebu u svemiru” i koji se temelje na ‚mikrobolometarskim’ materijalima s pojedinačnim elementima s nefiltriranim odzivom u području valnih duljina od 8000 nm ili više, ali ne iznad 14000 nm;
c.
Za potrebe 6A002.a.3.f. ‚mikrobolometar’ definiran je kao termički slikovni detektor koji generira upotrebljiv signal kao rezultat temperaturne promjene u strukturi detektora zbog apsorpcije infracrvene svjetlosti.
Micro-firing units having all of the following characteristics:
g. „žarišnoravninski nizovi” koji nisu „prikladni za upotrebu u svemiru” i koji imaju sve sljedeće značajke:
No dimension greater than 35 mm;
individualni detektorski elementi s maksimalnim odzivom u području valnih duljina iznad 400 nm, ali ne iznad 900 nm;
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
posebno oblikovani ili preinačeni za ‚umnažanje naboja’ s maksimalnom „osjetljivošću na zračenje” većom od 10 mA/W za valne duljine veće od 760 nm i
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
imaju više od 32 elementa;
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
b. „monospektralni slikovni senzori” i „multispektralni slikovni senzori” oblikovani za daljinska pretraživanja, koji imaju bilo koju od sljedećih značajki:
a.
trenutačno pregledno polje (IFOV) manje od 200 μrad (mikroradijana) ili
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
namijenjeni su radu u području valnih duljina iznad 400 nm, ali ne iznad 30000 nm i imaju sve sljedeće značajke:
b.
a. proizvode izlazne slikovne podatke u digitalnom formatu i
'Pulse transition time' less than 500 ps.
„prikladni za upotrebu u svemiru”; ili
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
oblikovani za rad u zraku, upotrebljavajući detektore koji nisu silikonski te imaju IFOV manji od 2,5 mrad (miliradijana);
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
6A002.b.1. ne odnosi se na „monospektralne slikovne senzore” s maksimalnim odzivom u području valnih duljina iznad 300 nm, ali ne iznad 900 nm, u koje je uključen bilo koji od detektora koji nisu „prikladni za upotrebu u svemiru” ili „žarišnoravninskih nizova” koji isto tako nisu „prikladni za upotrebu u svemiru”:
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
CCD senzori koji nisu oblikovani ili preinačeni za ‚umnažanje naboja’ ili
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
CMOS senzori koji nisu oblikovani ili preinačeni za ‚umnažanje naboja’.
a.
c. oprema za stvaranje slika s ‚izravnim pogledom’ koja sadržava bilo koju od sljedećih značajki:
Designed for operation without an external vacuum system; and
cijevi za pojačavanje slike iz 6A002.a.2.a.ili 6A002.a.2.b.;
b.
„žarišnoravninske nizove” iz 6A002.a.3. ili
Utilizing any of the following:
detektore u čvrstom stanju navedene u 6A002.a.1.;
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
‚Izravni pogled’ odnosi se na opremu za stvaranje slika koja čovjeku promatraču prikazuje vidljivu sliku bez pretvaranja slike u elektronički signal za televizijski prikaz, a koja ne može bilježiti ili memorirati sliku fotografski, elektronički ili na neki drugi način.
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
6A002.c. ne odnosi se na sljedeću opremu koja ima ugrađeno nešto osim GaAs ili GaInAs fotokatode:
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
industrijskom ili civilnom alarmu za nedopušten ulazak, sustavima kontrole ili brojanja kretanja u prometu ili industriji;
See 1A007.b. for detonators.
medicinsku opremu;
b.
industrijskoj opremi za pregled, sortiranje ili analizu svojstava materijala;
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over an area greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
detektore plamena za industrijske peći;
3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
opremu posebno oblikovanu za upotrebu u laboratoriju.
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
d. posebne pomoćne komponente za optičke senzore kako slijedi:
a.
kriorashlađivači „prikladni za upotrebu u svemiru”;
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
kriorashlađivači koji nisu „prikladni za upotrebu u svemiru” i koji imaju temperaturu izvora hlađenja ispod 218 K (–55 °C), kako slijedi:
b.
a. tip zatvorenog kruga s navedenim srednjim vremenom do kvara (MTTF) ili srednjim vremenom između kvarova (MTBF) većim od 2500 sati;
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
b.
c.
Joule-Thomson (JT) samoregulacijski minirashlađivači koji imaju (vanjske) promjere cijevi manje od 8 mm;
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
optička senzorska vlakna posebno oblikovana po sastavu ili strukturi ili preinačena oblaganjem da budu akustički, toplinski, inercijski, elektromagnetski osjetljiva ili osjetljiva na nuklearnu radijaciju;
d.
6A002.d.3. ne odnosi se na ugrađena optički osjetljiva vlakna, posebno oblikovana za detekciju u napravama za bušenje.
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
e. ne upotrebljava se.
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
Kamere, sustavi ili oprema te njihove komponente kako slijedi:
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
VIDI I 6A203.
e.
a. instrumentacijske kamere i za njih posebno oblikovane komponente kako slijedi:
Not used;
Instrumentacijske kamere s modularnim strukturama, navedene u 6A003.a.3. do 6A003.a.5., trebalo bi ocijeniti prema njihovim maksimalnim mogućnostima, upotrebljavajući utikače dostupne u skladu sa specifikacijama proizvođača kamera.
f.
filmske kamere velike brzine koje upotrebljavaju bilo koji format filma od 8 mm do uključivo 16 mm, u kojima film neprekidno prolazi tijekom čitavog vremena snimanja i koje mogu snimati pri brzini većoj od 13150 slika/s;
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
6A003.a.1. ne odnosi se na filmske kamere namijenjene civilnim potrebama.
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
mehaničke kamere velike brzine u kojima se film ne pomiče i koje mogu snimati pri brzini većoj od 1000000 slika/s za pune visine slika 35 mm filma, ili pri proporcionalno većim brzinama za manje visine slika, ili pri proporcionalno manjim brzinama za veće visine slika;
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
mehaničke ili elektroničke kamere koje daju prugastu sliku kako slijedi:
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
a. mehaničke kamere koje daju prugastu sliku i imaju brzine zapisa veće od 10 mm/μs;
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
b. elektroničke kamere koje daju prugastu sliku s vremenskom razlučivosti boljom od 50 ns;
a.
elektroničke kamere koje imaju brzinu stvaranja slike veću od 1000000 slika/s;
Voltage rating greater than 2 kV; and
elektroničke kamere koje imaju sve sljedeće značajke:
b Inductance of less than 20 nH.
a. brzinu elektroničkog zaklopca (aktivacijska sposobnost) manju od 1 μs za punu sliku i
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
b. vrijeme čitanja koje omogućuje brzinu veću od 125 punih slika u sekundi;
SEE ALSO 2B226
utikači koji imaju sve sljedeće značajke:
a.
a. posebno oblikovani za instrumentacijske kamere koje imaju modularne strukture i koje su navedene u 6A003.a. i
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
b. omogućuju tim kamerama ispunjenje značajki navedenih u 6A003.a.3., 6A003.a.4. ili 6A003.a.5., u skladu sa specifikacijama proizvođača;
Equipment designed or modified to produce a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
b. slikovne kamere kako slijedi:
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
6A003.b. ne odnosi se na televizijske ili videokamere posebno oblikovane za televizijsko emitiranje.
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
videokamere s ugrađenim poluvodičkim senzorima, koje imaju maksimalni odziv u području valnih duljina iznad 10 nm, ali ne iznad 30000 nm i sve od sljedećih značajki:
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
a. ima bilo koju od sljedećih značajki:
b.
više od 4 × 106„aktivnih piksela” po poluvodičkom polju za monokromne (crno-bijele) kamere;
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
više od 4 × 106„aktivnih piksela” po poluvodičkom polju za kamere u boji s tri poluvodička polja ili
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
više od 12 × 106„aktivnih piksela” za kamere u boji s poluvodičkim poljima s ugrađenim jednim poluvodičkim poljem i
Direct write capability;
optička zrcala navedena u 6A004.a.;
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
optičku kontrolnu opremu navedenu u 6A004.d. ili
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
sposobnost bilježenja unutarnjih ‚podataka o praćenju kamere’;
e.
Za potrebe ove stavke digitalne videokamere potrebno je ocijeniti prema najvećem broju „aktivnih piksela” upotrijebljenih za snimanje pokretnih slika.
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
Za potrebe ove stavke ‚podaci o praćenju kamere’ informacije su neophodne za određivanje orijentacije gledanja kamere u odnosu na Zemlju.
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
To uključuje: 1. horizontalni kut gledanja kamere u odnosu na smjer Zemljina magnetskog polja i 2. vertikalni kut između smjera gledanja kamere i Zemljina horizonta.
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
kamere za skeniranje i sustavi kamera za skeniranje, koji imaju sve sljedeće značajke:
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
a. maksimalni odziv u području valnih duljina iznad 10 nm, ali ne iznad 30000 nm;
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
b. linearna detektorska polja s više od 8192 elemenata po polju i
f.
6A003.b.2. ne odnosi se na kamere i sustave kamera za skeniranje posebno oblikovane za bilo što od sljedećega:
Lithography equipment as follows:
industrijske ili civilne fotokopirne strojeve;
a.
medicinsku opremu.
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
slikovne kamere s ugrađenim cijevima za pojačavanje slike navedenima u 6A002.a.2.a. ili 6A002.a.2.b.;
b.
slikovne kamere s ugrađenim „žarišnoravninskim nizovima” koje imaju bilo koju od sljedećih značajki:
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
a. „žarišnoravninske nizove” navedene u 6A002.a.3.a. do 6A002.a.3.e.;
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
b. „žarišnoravninske nizove” navedene u 6A002.a.3.f.; ili
an exposure light source wavelength in nm
c. „žarišnoravninske nizove” navedene u 6A002.a.3.g.;
K factor
Slikovne kamere opisane u 6A003.b.4. uključuju „žarišnoravninske nizove” koji su s integriranim sklopovima za čitanje podataka povezani zadovoljavajućom „signalno-procesnom” elektronikom, koja omogućuje da se nakon dovedenog napajanja na izlazu minimalno dobije analogni ili digitalni signal.
numerical aperture
6A003.b.4. ne odnosi se na slikovne kamere s ugrađenim linearnim „žarišnoravninskim nizovima” s dvanaest elemenata ili manje, u kojima se ne primjenjuje vremensko kašnjenje i integracija unutar elementa, namijenjene bilo čemu od sljedećega: a.
where the K factor = 0,35
industrijskom ili civilnom alarmu za nedopušten ulazak, sustavima kontrole ili brojanja kretanja u prometu ili industriji; b.
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
industrijskoj opremi koja se upotrebljava za pregled ili nadzor protoka topline u zgradama, opremi i industrijskim postupcima; c.
3B001.f.2. includes:
industrijskoj opremi za pregled, sortiranje ili analizu svojstava materijala; d.
Micro contact printing tools
opremi posebno oblikovanoj za upotrebu u laboratoriju ili e.
Hot embossing tools
medicinskoj opremi.
Nano-imprint lithography tools
6A003.b.4.b. ne odnosi se na slikovne kamere koje imaju bilo koju od sljedećih značajki:
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
maksimalnu brzinu stvaranja slike od 9 Hz ili manju;
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
imaju minimalno horizontalno ili vertikalno ‚trenutačno pregledno polje’ (IFOV) od najmanje 10 miliradijana po pikselu;
a.
imaju leće s nepromjenjivom fokusnom daljinom koje nije moguće ukloniti;
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
ne uključuju ‚izravan pogled’ i
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
nemaju mogućnost dobivanja slike detektiranog vidnog polja ili
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
kamera je namijenjena samo jednoj primjeni i korisnik je ne može preinačiti ili
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
kamera je posebno namijenjena ugradnji u civilno putničko vozilo i ima sve sljedeće značajke:
a.
položaj i konfiguracija kamere u vozilu služe samo kao pomoć vozaču za sigurnu upotrebu vozila;
A deflected focused electron beam; and
radi samo u slučajevima kada je ugrađena u bilo što od sljedećega:
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
civilno putničko vozilo za koje je namijenjena, mase manje od 4500 kg (bruto masa vozila) ili
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
posebno oblikovan i autoriziran testni prostor za održavanje i
g.
uključuje aktivni mehanizam koji sprečava rad kamere u slučaju njezina uklanjanja iz vozila za koje je namijenjena;
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
‚Horizontalni IFOV’ = horizontalno vidno polje (FOV) / broj horizontalnih detektorskih elemenata
h.
‚Vertikalni IFOV’ = vertikalno vidno polje (FOV) / broj vertikalnih detektorskih elemenata.
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
6A003.b.4.c. ne odnosi se na slikovne kamere koje imaju bilo koju od sljedećih značajki:
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
kamera je posebno oblikovana za ugradnju kao sastavni dio sustava ili opreme za upotrebu u zgradama ili povezanih na električnu mrežu, a zbog svoje izvedbe ograničena je na jednu primjenu, kako slijedi;
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
praćenje industrijskih procesa, kontrolu kvalitete ili analizu svojstava materijala;
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
laboratorijsku opremu posebno oblikovanu za znanstvena istraživanja;
i.
opremu za otkrivanje financijskih prijevara i
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
sustav(e) ili opremu za koju je namijenjena ili
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
posebno oblikovan i autoriziran prostor za održavanje i
a.
uključuje aktivni mehanizam koji sprečava rad kamere u slučaju njezina uklanjanja iz sustava ili opreme za koje je namijenjena;
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
ako je kamera posebno namijenjena ugradnji u civilno putničko vozilo ili trajekte za putnike i vozila i ima sve sljedeće značajke:
c.
položaj i konfiguracija kamere u vozilu ili trajektu služe samo kao pomoć vozaču ili operateru za sigurnu upotrebu vozila ili trajekta;
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
civilno putničko vozilo za koje je namijenjena i civilno putničko vozilo za koje je namijenjena i koje ima masu manju od 4500 kg (bruto masa vozila);
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
trajekt za putnike i vozila za koji je namijenjena i koji ima ukupnu duljinu (LOA) 65 m ili veću ili
a.
posebno oblikovan i autoriziran testni prostor za održavanje i
Silicon (Si);
uključuje aktivni mehanizam koji sprečava rad kamere u slučaju njezina uklanjanja iz vozila za koje je namijenjena;
b.
zbog svoje izvedbe ograničene su na najveću „osjetljivost na zračenje” od 10 mA/W ili manju pri valnim duljinama većima od 760 nm i imaju sve sljedeće značajke:
Germanium (Ge);
imaju uređaj za ograničavanje odziva oblikovan tako da ga nije moguće ukloniti ili preinačiti;
c.
uključuju aktivni mehanizam koji sprečava rad kamere u slučaju uklanjanja uređaja za ograničavanje odziva i
Silicon carbide (SiC); or
nisu posebno oblikovane ili preinačene za upotrebu pod vodom ili d.
d.
imaju sve sljedeće značajke:
"III/V compounds" of gallium or indium.
ne uključuju ‚izravan pogled’ ili elektronički prikaz slike;
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
nemaju mogućnosti za dobivanje vidljive slike detektiranog vidnog polja;
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
„žarišnoravninski nizovi” rade samo ako su ugrađeni u kameru za koju su namijenjeni i
a.
„žarišnoravninski nizovi” uključuju aktivni mehanizam zbog kojeg su trajno neupotrebljivi u slučaju njihova uklanjanja iz kamere za koju su namijenjeni.
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
slikovne kamere s poluvodičkim detektorima navedenima u 6A002.a.1.
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
Optička oprema i komponente kako slijedi:
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
a. optička zrcala (reflektori) kako slijedi:
b.
Za potrebe 6A004.a., prag osjetljivosti optičkih komponenti na oštećenja uzrokovana djelovanjem laserske zrake (Laser Induced Damage Threshold – LIDT) mjeri se u skladu s ISO 21254-1:2011.
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Za optička zrcala posebno oblikovana za litografsku opremu vidi 3B001.
d.
„deformabilna zrcala” koja imaju aktivni optički otvor veći od 10 mm i bilo koju od sljedećih značajki te za njih posebno oblikovane komponente
All resists optimised for surface imaging technologies;
a. imaju sve sljedeće značajke:
e.
mehaničku rezonantnu frekvenciju od 750 Hz ili više i
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
više od 200 aktivatora ili
Organo-inorganic compounds as follows:
b. prag osjetljivosti optičkih komponenti na oštećenja uzrokovana djelovanjem laserske zrake (LIDT) ima bilo koju od sljedećih značajki:
a.
veći je od 1 kW/ cm2 kod upotrebe „CW lasera” ili
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
veći je od 2 J/ cm2 kod upotrebe „laserskih” impulsa od 20 ns uz frekvenciju ponavljanja 20 Hz;
b.
laka monolitna zrcala čija je prosječna „ekvivalentna gustoća” manja od 30 kg/m2 i ukupna masa veća od 10 kg;
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
6A004.a.2. ne odnosi se na zrcala koja su posebno oblikovana za usmjeravanje Sunčeva zračenja za heliostatske instalacije na zemlji.
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
strukture lakih „složenih” ili pjenastih zrcala čija je prosječna „ekvivalentna gustoća” manja od 30 kg/m2 i ukupna masa veća od 2 kg;