natgillin/translations-raw huggingface dataset:
GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 2.7 GHz and below [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz].
Kao najnižu radnu frekvenciju (fGHz) u formuli iz 3A001.b.4.f.3. trebalo bi primjenjivati 2,7 GHz za pojačala čije se nazivno radno područje spušta do 2,7 GHz i niže [d ≤ 15 cm * GHz/2,7 GHz].
MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
MMIC pojačala snage potrebno je ocijeniti prema kriterijima iz 3A001.b.2.
The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest peak saturation output threshold.
Kontrolni status predmeta čija nazivna radna frekvencija obuhvaća frekvencije sadržane u više od jednog frekvencijskog raspona, kao što je navedeno u 3A001.b.4.a. do 3A001.b.4.e., određuje se najnižim pragom zasićene vršne izlazne snage.
b.4. includes transmit/receive modules and transmit modules.
b.4. uključuje odašiljačke/prijamne module i odašiljačke module.
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs and having any of the following:
elektronički ili magnetno podesivi pojasni propust ili pojasni filtri koji imaju više od 5 podesivih rezonatora s mogućnošću podešavanja kroz frekvencijski pojas od 1,5:1 (fmax/fmin) u manje od 10 μs i koji imaju bilo koju od sljedećih značajki:
a. A band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
a. širina pojasnog propusta veća od 0,5 % središnje frekvencije ili
b. A band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
b. širina pojasne brane manja od 0,5 % središnje frekvencije;
Converters and harmonic mixers that are any of the following:
pretvarači i harmonijski mikseri za koje vrijedi bilo što od sljedećega:
a. Designed to extend the frequency range of "signal analysers" beyond 90 GHz;
a. namijenjeni su za širenje frekvencijskog područja „analizatora signala” iznad 90 GHz;
b. Designed to extend the operating range of signal generators as follows:
b. namijenjeni su za širenje dosega generatora signala kako slijedi:
Beyond 90 GHz;
iznad 90 GHz;
To an output power greater than 100 mW (20 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43.5 GHz but not exceeding 90 GHz;
do izlazne snage koja prelazi 100 mW (20 dBm) bilo gdje unutar frekvencijskog područja između 43,5 GHz i 90 GHz;
c. Designed to extend the operating range of network analysers as follows:
c. namijenjeni su za širenje dosega mrežnih analizatora kako slijedi:
Beyond 110 GHz;
iznad 110 GHz;
To an output power greater than 31.62 mW (15 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43.5 GHz but not exceeding 90 GHz;
do izlazne snage koja prelazi 31,62 mW (15 dBm) bilo gdje unutar frekvencijskog područja između 43,5 GHz i 90 GHz;
To an output power greater than 1 mW (0 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 90 GHz but not exceeding 110 GHz; or
do izlazne snage koja prelazi 1 mW (0 dBm) bilo gdje unutar frekvencijskog područja između 90 GHz i 110 GHz ili
d. Designed to extend the frequency range of microwave test receivers beyond 110 GHz;
d. namijenjeni su za širenje frekvencijskog područja mikrovalnih ispitnih prijamnika iznad 110 GHz;
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
mikrovalna pojačala snage koja sadržavaju cijevi navedene u 3A001.b.1. i koja imaju sve sljedeće značajke:
a. Operating frequencies above 3 GHz;
a. radne frekvencije iznad 3 GHz;
b. An average output power to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
b. prosječna izlazna snaga u odnosu na masu veća od 80 W/kg i
c. A volume of less than 400 cm3;
c. volumen manji od 400 cm3;
b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
b.8. ne odnosi se na opremu oblikovanu ili namijenjenu za rad u bilo kojem frekvencijskom pojasu koji je „dodijeljen od ITU-a” za radiokomunikacijske usluge, ali ne za radiolokaciju.
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
mikrovalni moduli snage (Microwave power modules – MPM), koji se sastoje minimalno od cijevi s putujućim valom, mikrovalnog „monolitnog integriranog sklopa” i integriranog elektronskog poboljšivača snage i imaju sve sljedeće značajke:
a. A 'turn-on time' from off to fully operational in less than 10 seconds;
a. ‚vrijeme uključivanja’ iz isključenog položaja do dostizanja pune funkcionalnosti kraće od 10 sekundi;
b. A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
b. volumen manji od maksimalne nominalne snage u vatima pomnožene s 10 cm3/W i
c. An "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax > 2fmin) and having any of the following:
c. „trenutačna širina pojasa” veća od jedne oktave (fmax > 2fmin), s bilo kojom od sljedećih značajki:
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
za frekvencije od najviše 18 GHz, RF izlazna snaga veća od 100 W ili
A frequency greater than 18 GHz;
frekvencija veća od 18 GHz;
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Za izračun volumena u 3A001.b.9.b daje se sljedeći primjer: za maksimalnu nazivnu snagu od 20 W volumen bi bio: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
The 'turn-on time' in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
‚Vrijeme uključivanja’ iz 3A001.b.9.a. odnosi se na vrijeme od potpuno isključenog do potpuno u funkciji; tj. uključuje i vrijeme zagrijavanja MPM-a.
Oscillators or oscillator assemblies, specified to operate with a single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, less (better) than – (126 + 20log10F - 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz;
oscilatori ili oscilatorski sklopovi, sa specificiranim faznim šumom u jednom bočnom pojasu (SSB), izraženim u dBc/Hz, manjim (boljim) od -(126 + 20log10F - 20log10f) bilo gdje unutar područja od 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz;
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
U 3A001.b.10. F je regulacijsko odstupanje od radne frekvencije u Hz, a f je radna frekvencija u MHz.
"Frequency synthesiser" "electronic assemblies" having a "frequency switching time" as specified by any of the following:
„elektronički sklopovi”„frekvencijskog sintetizatora” koji imaju „vrijeme prebacivanja frekvencije” kako je određeno bilo kojom od sljedećih značajki:
a. Less than 156 ps;
a. manje od 156 ps;
b. Less than 100 μs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
b. manje od 100 μs za bilo koju promjenu frekvencije iznad 1,6 GHz unutar sintetiziranog frekvencijskog područja koje prelazi 4,8 GHz, ali ne prelazi 10,6 GHz;
c. Less than 250 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
c. manje od 250 μs za bilo koju promjenu frekvencije iznad 550 MHz unutar sintetiziranog frekvencijskog područja koje prelazi 10,6 GHz, ali ne prelazi 31,8 GHz;
d. Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz;
d. manje od 500 μs za bilo koju promjenu frekvencije iznad 550 MHz unutar sintetiziranog frekvencijskog područja koje prelazi 31,8 GHz, ali ne prelazi 43,5 GHz;
e. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 56 GHz;
e. manje od 1 ms za bilo koju promjenu frekvencije iznad 550 MHz unutar sintetiziranog frekvencijskog područja koje prelazi 43,5 GHz, ali ne prelazi 56 GHz;
f. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesized frequency range exceeding 56 GHz but not exceeding 90 GHz; or
f. manje od 1 ms za bilo koju promjenu frekvencije iznad 2,2 GHz unutar sintetiziranog frekvencijskog područja koje prelazi 56 GHz, ali ne prelazi 90 GHz ili
g. Less than 1 ms within the synthesized frequency range exceeding 90 GHz;
g. manje od 1 ms unutar sintetiziranog frekvencijskog područja iznad 90 GHz;
For general purpose "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
Za „analizatore signala”, generatore signala, mrežne analizatore i mikrovalne ispitne prijamnike namijenjene općoj upotrebi vidi 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., odnosno 3A002.f.
c. Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
c. akustički uređaji, kako slijedi, i za njih posebno namijenjene komponente:
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
površinski akustički uređaji i akustički uređaji za površinsko snimanje (shallow bulk) (tj. uređaji za „obradu signala” koji upotrebljavaju elastične valove u materijalima), koji imaju bilo koju od sljedećih značajki:
a. A carrier frequency exceeding 6 GHz;
a. noseća frekvencija veća od 6 GHz;
b. A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
b. noseća frekvencija veća od 1 GHz, ali ne veća od 6 GHz s bilo kojom od sljedećih značajki:
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB;
‚prigušenje bočne frekvencije’ veće od 65 dB;
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
umnožak najvećeg vremenskog kašnjenja i širine pojasa (vrijeme u μs i širina pojasa u MHz) veći od 100;
A bandwidth greater than 250 MHz; or
širina pojasa veća od 250 MHz ili
A dispersive delay of more than 10 μs; or
disperzijsko kašnjenje od više od 10 μs ili
c. A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
c. noseća frekvencija od 1 GHz ili manja s bilo kojom od sljedećih značajki:
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
‚prigušenje bočne frekvencije’ veće od 65 dB i širina pojasa veća od 100MHz;
'Frequency side-lobe rejection' is the maximum rejection value specified in data sheet.
‚Prigušenje bočne frekvencije’ znači maksimalna vrijednost prigušenja navedena u tehničkim podacima.
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
veliki (volumenski) akustički uređaji kojima se dopušta izravna obrada signala pri frekvencijama iznad 6 GHz;
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
uređaji za akustično-optičku „obradu signala” koji primjenjuju interakciju između zvučnih valova (velikih valova ili površinskih valova) i svjetlosnih valova kojima se dopušta izravna obrada signala ili slika, uključujući analizu spektra, korelaciju ili konvoluciju;
c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
c. ne odnosi se na akustičke uređaje koji su ograničeni na jednopojasno, niskopropusno, visokopropusno filtriranje ili filtriranje frekvencija ili rezonantnu funkciju.
d. Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
d. elektronički uređaji i sklopovi koji sadržavaju komponente izrađene od „supravodljivih” materijala posebno namijenjenih radu pri temperaturama ispod „kritične temperature” od najmanje jednog od „supravodljivih” sastavnih dijelova, koji imaju bilo koju od sljedećih značajki:
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
preklapanje toka za digitalne sklopove sa „supravodljivim” vratima s kojima je umnožak kašnjenja na vratima (u sekundama) i gubitak snage na vratima (u W) manji od 10-14 J ili
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
izbor frekvencije pri svim frekvencijama s pomoću titrajnih krugova s Q-vrijednostima većima od 10000;
e. High energy devices as follows:
e. uređaji velike energije kako slijedi:
'Cells' as follows:
‚ćelije’ kako slijedi:
a. 'Primary cells' having an 'energy density' exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
a. ‚primarne ćelije’ koje imaju ‚gustoću energije’ veću od 550 Wh/kg na 20 °C;
b. 'Secondary cells' having an 'energy density' exceeding 300 Wh/kg at 20 °C;
b. ‚sekundarne ćelije’ koje imaju ‚gustoću energije’ veću od 300 Wh/kg na 20 °C;
For the purpose of 3A001.e.1.,'energy density' (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Za potrebe 3A001.e.1. ‚gustoća energije’ (Wh/kg) računa se množenjem nazivnog napona u vatima s nazivnim kapacitetom u ampersatima (Ah) i dijeljenjem s masom u kg.
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
Ako nazivni kapacitet nije naveden, gustoća energije računa se iz nazivnog napona na kvadrat pomnoženog s trajanjem pražnjenja u satima i zatim podijeljenog s otporom pražnjenja u omima i masom u kilogramima.
For the purpose of 3A001.e.1., a 'cell' is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Za potrebe 3A001.e.1. ‚ćelija’ znači elektrokemijski uređaj koji ima pozitivnu i negativnu elektrodu, elektrolit i izvor je električne energije.
It is the basic building block of a battery.
Ona je temeljni sastavni element baterije.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a 'primary cell' is a 'cell' that is not designed to be charged by any other source.
Za potrebe 3A001.e.1.a. ‚primarna ćelija’ znači ‚ćelija’ koja nije oblikovana za punjenje bilo kakvim drugim izvorom.
For the purpose of 3A001.e.1.b., a 'secondary cell' is a 'cell' that is designed to be charged by an external electrical source.
Za potrebe 3A001.e.1.b. ‚sekundarna ćelija’ znači ‚ćelija’ koja je oblikovana za punjenje vanjskim izvorom energije.
e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
e.1. ne odnosi se na baterije, uključujući jednoćelijske baterije.
High energy storage capacitors as follows:
kondenzatori velikog kapaciteta za pohranu energije kako slijedi:
N.B
VAŽNA NAPOMENA:
SEE ALSO 3A201.a. and the Military Goods Controls.
VIDI I 3A201.a. i Popis robe vojne namjene.
a. Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
a. kondenzatori s frekvencijom ponavljanja od manje od 10 Hz (monostabilni kondenzatori) koji imaju sve sljedeće značajke:
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
nazivni napon od 5 kV ili veći;
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
gustoća energije od 250 J/kg ili veća i
A total energy equal to or more than 25 kJ;
ukupna energija od 25 kJ ili veća;
b. Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
b. kondenzatori s frekvencijom ponavljanja od 10 Hz ili više (kondenzatori s frekvencijom ponavljanja) koji imaju sve sljedeće značajke:
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
gustoća energije od 50 J/kg ili veća;
A total energy equal to or more than 100 J; and
ukupna energija od 100 J ili veća i
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
trajanje ciklusa punjenje/pražnjenje: 10000 ili dulje od toga;
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
„supravodljivi” elektromagneti i solenoidi posebno oblikovani da se mogu u potpunosti napuniti ili isprazniti u manje od jedne sekunde i koji imaju sve sljedeće značajke:
SEE ALSO 3A201.b.
VIDI I 3A201.b.
e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
e.3. ne odnosi se na „supravodljive” elektromagnete ili solenoide posebno namijenjene stvaranju slika s pomoću medicinskih uređaja za magnetnu rezonancu (MRI).
a. Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
a. energija isporučena tijekom pražnjenja veća od 10 kJ u prvoj sekundi;
b. Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
b. unutarnji promjer namota koji prenose struju veći od 250 mm i
c. Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
c. nazivna magnetska indukcija veća od 8 T ili „ukupna gustoća struje” u namotima veća od 300 A/mm2;
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated 'AM0' illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
solarne ćelije, CIC (cell-interconnect-coerglass) sklopovi, solarni paneli i solarni nizovi, koji su „prikladni za upotrebu u svemiru”, čija je minimalna prosječna učinkovitost veća od 20 % na radnoj temperaturi od 301 K (28 °C) pod simuliranim ‚AM0’ osvjetljenjem s radijacijom od 1367 vata po kvadratnom metru (W/m2);
'AM0', or 'Air Mass Zero', refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
’ ili ‚Air Mass Zero’ odnosi se na spektralno ozračenje sunčeve svjetlosti u Zemljinoj vanjskoj atmosferi pri čemu udaljenost između Zemlje i Sunca iznosi jednu astronomsku jedinicu (AJ).
f. Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ± 1,0 second of arc;
f. rotacijski davači apsolutnog položaja koji imaju točnost od ± 1,0 lučne sekunde ili manju (veću) od toga;
g. Solid-state pulsed power switching thyristor devices and 'thyristor modules', using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
g. Elektronički poluvodički impulsno napajani prekidački tiristorski uređaji i ‚tiristorski moduli’ koji koriste bilo električne, optičke ili elektronskim zračenjem kontrolirane metode prekidanja i imaju bilo koju od sljedećih značajki:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
maksimalna brzina uključivanja (di/dt) veća od 30000 A/μs i blokirni napon veći od 1100 V ili
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
maksimalna brzina uključivanja (di/dt) veća od 2000 A/μs i sve sljedeće značajke:
a. An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
a. vršni napon u isključenom stanju od 3000 V ili veći i
b. A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
b. vršna struja od 3000 A ili veća.
g. includes:
g. uključuje:
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
silikonski kontrolirane rektifikatore,
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
tiristore s električnim okidanjem,
Light Triggering Thyristors (LTTs)
tiristore sa svjetlosnim okidanjem,
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
tiristore s integriranim vratima,
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
tiristore sa zakretnim vratima,
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
MOS kontrolirane tiristore,
Solidtrons
solidtrone.
g. does not control thyristor devices and 'thyristor modules' incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
g. ne odnosi se na tiristorske uređaje i ‚tiristorske module’ ugrađene u opremu namijenjenu uporabi u civilnim željeznicama ili „civilnim zrakoplovima”.
For the purposes of 3A001.g., a 'thyristor module' contains one or more thyristor devices.
Za potrebe 3A001.g. ‚tiristorski modul’ sadržava jedan tiristorski uređaj ili više njih.
h. Solid-state power semiconductor switches, diodes, or 'modules', having all of the following:
h. čvrsti poluvodički prekidači, diode ili ‚moduli’ koji imaju sve sljedeće značajke:
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
namijenjeni su za maksimalnu radnu temperaturu spajanja iznad 488 K (215 °C);
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
periodični vršni napon u isključenom stanju (blokirajući napon) iznad 300 V i
Continuous current greater than 1 A.
istosmjerna struja veća od 1 A.
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Periodični vršni blokirajući napon u isključenom stanju iz 3A001.h. uključuje napon između odvoda i uvoda, napon između kolektora i emitera, periodični vršni reverzibilni napon i periodični vršni blokirajući napon u isključenom stanju.
h. includes:
h. uključuje:
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
spojne tranzistore s efektom polja (JFET),
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
vertikalno spojne tranzistore s efektom polja (VJFET),
Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)
metalnooksidne tranzistore s efektom polja (MOSFET),
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
difuzne metalnooksidne tranzistore s efektom polja (DMOSFET),
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
bipolarne tranzistore s izoliranim vratima (IGBT),
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
tranzistore s visoko mobilnim elektronima (HEMT),
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
bipolarne spojne tranzistore (BJT),
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
tiristore i silicijeve usmjerivače (SCR),
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
tiristore s mehanizmom za isključivanje (GTO),
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
emitere s mehanizmom za isključivanje (ETO),
PiN Diodes
diode PiN,
Schottky Diodes
Schottky-diode.
h. does not control switches, diodes, or 'modules', incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
h. ne odnosi se na prekidače, diode ili ‚module’ ugrađene u opremu namijenjenu uporabi u civilnim automobilima, civilnoj željeznici ili „civilnim zrakoplovima”.
For the purposes of 3A001.h., 'modules' contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
Za potrebe 3A001.h. ‚moduli’ sadržavaju jedan ili više čvrstih poluvodičkih prekidača ili dioda.
General purpose electronic equipment as follows:
elektronička oprema opće namjene kako slijedi:
a. Recording equipment and oscilloscopes as follows:
a. oprema za snimanje i osciloskopi kako slijedi:
Waveform digitisers and transient recorders, having all of the following:
digitalizatori valnog oblika i prijelazni snimači koji imaju sve sljedeće značajke:
a. Digitising rate equal to or more than200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more;
a. brzina digitalizacije od 100 milijuna uzoraka u sekundi ili veća i razlučivost od 10 bita ili veća;
b. A 'continuous throughput' of 2 Gbit/s or more; and
b. ‚kontinuirana propusnost’ od 2 Gbit/s ili veća i
c. Triggered acquisition of transients or aperiodic signals
c. okidajuće primanje prijelaznih i aperiodskih signala;