natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Capable of delivering their energy in less than 15 μs into loads of less than 40 ohms;
mogu isporučiti energiju za manje od 15 μs u opterećenjima manjima od 40 oma;
No dimension greater than 30 cm;
dimenzije ne prelaze 30 cm;
Weight less than 30 kg; and
imaju težinu manju od 30 kg i
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
namijenjeni su za upotrebu u širem rasponu temperatura od 223 K (– 50 °C) do 373 K (100 °C) ili su primjereni za upotrebu u aeronautici.
b. includes xenon flash-lamp drivers.
b. uključuje pogone za bljeskalice na ksenon.
c. Micro-firing units having all of the following characteristics:
c. jedinice za mikropaljenje koje imaju sve sljedeće značajke:
No dimension greater than 35 mm;
dimenzije ne prelaze 35 mm;
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
nazivni napon od 1 kV ili veći i
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
kapacitivnost od 100 μF ili veća.
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
Impulsni generatori visoke brzine s pripadajućim ‚impulsnim glavama’, koji imaju obje sljedeće značajke:
a. Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
a. izlazni napon veći od 6 V u otporsko opterećenje manje od 55 oma i
b. 'Pulse transition time' less than 500 ps.
b. ‚vrijeme odziva impulsa’ kraće od 500 ps.
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
U 3A230 ‚vrijeme odziva impulsa’ znači vremenski interval između 10 % i 90 % amplitude napona.
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
‚Impulsne glave’ znači mreže koje formiraju impulse namijenjene prihvaćanju naponskog skoka i njegovu oblikovanju u razne impulsne oblike koji mogu biti pravokutni, trokutasti, skokoviti, impulsni, eksponencijalni ili monociklični.
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
‚Impulsne glave’ mogu biti sastavni dio impulsnog generatora, mogu biti utični sastavnici za uređaj ili uređaji za vanjsko spajanje.
a. Designed for operation without an external vacuum system; and
a. namjena za rad bez vanjskog sustava vakuuma i
b. Utilizing any of the following:
b. primjenjuju bilo što od sljedećeg:
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
elektrostatsku akceleraciju kako bi potaknuli nuklearnu reakciju tricija-deuterija ili
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
elektrostatsku akceleraciju kako bi potaknuli nuklearnu reakciju deuterija-deuterija kojom može nastati 3 × 109 ili više neutrona u sekundi.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
Sustavi za višestruko iniciranje, osim onih navedenih u 1A007, kako slijedi:
See 1A007.b. for detonators.
Vidjeti 1A007.b. za detonatore.
b. Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5,000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
b. aranžmani koji upotrebljavaju jedan ili više detonatora i koji se upotrebljavaju za gotovo istovremeno iniciranje eksplozivne površine veće od 5000 mm2 jednim signalom za paljenje, pri čemu je vremensko odstupanje iniciranja na cijeloj površini manje od 2,5 μs.
232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
232 ne odnosi se na detonatore u kojima se upotrebljavaju samo primarni eksplozivi, primjerice olovni azid.
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Maseni spektrometri, osim onih navedenih u 0B002.g., koji mogu mjeriti ione od 230 jedinica atomske mase ili više i koji imaju razlučivost bolju od dva dijela u 230 te njihovi izvori iona:
b. Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
b. maseni spektrometri s tinjavim izbijanjem (GDMS);
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
sustav ulaza molekularnog snopa kojim se ubacuje paralelna zraka molekula analita u područje izvora iona gdje molekule ionizira elektronski snop i
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
jedna ili više ‚stupica s hlađenjem’ koje je moguće ohladiti na temperaturu od 193 K (- 80 °C);
e. Not used;
e. ne upotrebljava se;
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
Maseni spektrometri s bombardiranjem elektrona iz 3A233.d. poznati su i kao maseni spektrometri s elektronskim udarom ili maseni spektrometri s elektronskom ionizacijom.
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
U 3A233.d.2. ‚stupica s hlađenjem’ znači uređaj koji hvata plinske molekule kondenziranjem ili zamrzavanjem molekula na hladne površine.
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
Za potrebe 3A233.d.2. plinska helij-kriogenska vakuumska pumpa zatvorene petlje nije ‚stupica s hlađenjem’.
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
Mikrotrakasti vodovi koji osiguravaju niskoinduktivnu vezu prema detonatorima, koji imaju sljedeće značajke:
b. Inductance of less than 20 nH.
induktivnost manja od 20 nH.
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Oprema za proizvodnju poluvodičkih uređaja ili materijala, kako slijedi, te za njih posebno namijenjene komponente i pribor:
a. Equipment designed for epitaxial growth as follows:
a. oprema koja se upotrebljava za epitaksijalni rast kako slijedi:
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
oprema koja može proizvoditi sloj bilo kojeg materijala osim silicija debljine manje od ± 2,5 % na udaljenosti od 75 mm ili više;
a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
a.1. uključuje opremu za epitaksiju atomskog sloja.
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
reaktori za organsko taloženje metala kemijskim parama koji se upotrebljavaju za epitaksijalni rast materijala složenog poluvodiča, koji imaju najmanje dva sljedeća elementa: aluminij, galij, indij, arsen, fosfor, antimon ili dušik;
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
oprema za epitaksijalni rast s molekularnim snopom koja upotrebljava plinovite ili krute izvore;
b. Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
b. oprema namijenjena implantaciji iona, koja ima bilo koju od sljedećih značajki:
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
upotrebljava se i optimizirana je za rad pri energiji snopa od 20 keV ili većoj i struji snopa od 10 mA ili većoj za usađivanje vodika, deuterija ili helija;
Direct write capability;
ima mogućnost izravnog upisivanja;
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
energija snopa od 65 keV ili veća i struja snopa od 45mA ili veća za usađivanje visokoenergetskog kisika u grijani poluvodički materijal „podloge”; ili
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
upotrebljava se i optimizirana je za rad pri energiji snopa od 20 keV ili većoj i struji snopa od 10 mA ili većoj za usađivanje silikona u poluvodički materijal „podloge” koji je grijan na 600 °C ili na višu temperaturu;
c. Anisotropic plasma dry etching equipment having all of the following:
c. oprema za suho jetkanje uz upotrebu anizotropske plazme, koja ima sve sljedeće značajke:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 65 nm or less; and
izrađena je ili optimizirana za proizvodnju kritičnih dimenzija od 65 nm ili manjih i
Within-wafer non-uniformity equal to or less than 10 % 3σ measured with an edge exclusion of 2 mm or less;
neskladnost unutar pločice iznosi 10 % 3σ ili manje, mjereno bez ruba širine od 2 mm ili manjeg;
d. Not used;
d. ne upotrebljava se;
e. Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
e. sustavi za rukovanje automatskim utovarom s više komora koji imaju sve sljedeće značajke:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a., 3B001.b. or 3B001.c. are designed to be connected; and
sučelja za ulaz/izlaz poluvodičke pločice, na koja se spajaju više od dva ‚poluvodička procesna alata’ navedena u 3B001.a., 3B001.b. ili 3B001.c i
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
upotrebljavaju se za tvorbu integriranog sustava u vakuumskoj okolini za ‚sekvencijsku obradu višestruke poluvodičke pločice’;
e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
e. ne odnosi se na sustave za rukovanje automatskim robotskim poluvodičkim pločicama posebno namijenjene paralelnom procesuiranju pločica.
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.
Za potrebe 3B001.e. ‚poluvodički procesni alati’ znači modularni alati koji omogućavaju funkcionalno različite fizičke postupke za proizvodnju poluvodiča, kao što su nanošenje, jetkanje, implantacija ili termička obrada.
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
Za potrebe 3B001.e. ‚sekvencijska obrada višestruke poluvodičke pločice’ znači mogućnost obrade svake pločice u drugom ‚poluvodičkom procesnom alatu’, npr. prijenos svake pločice s jednog alata na drugi i treći alat s višekomornim centralnim sustavom s automatskim punjenjem radi rukovanja pločicama.
f. Lithography equipment as follows:
f. litografska oprema kako slijedi:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
oprema za poravnavanje, izlaganje i ponavljanje (izravan korak na poluvodičkoj pločici) ili oprema za skakanje i pretraživanje (pretraživač) za obradu poluvodičke pločice s pomoću fotooptičke ili metode X-zraka, koja ima bilo koju od sljedećih značajki:
a. A light source wavelength shorter than 193 nm; or
a. valna duljina svjetlosnog izvora kraća od 193 nm ili
b. Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
b. sposobnost proizvodnje oblika s ‚minimalnom veličinom razlučive značajke’ (MRF) od 45 nm ili manje;
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
‚Minimalna veličina razlučive značajke’ (Minimum Resolvable Feature – MRF) izračunava se s pomoću sljedeće formule:
an exposure light source wavelength in nm
valna duljina svjetlosnog izvora u nm
× K factor
faktor K
numerical aperture
numerički otvor
where the K factor = 0,35
pri čemu je faktor K = 0,35
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
litografska oprema za tiskanje s mogućnošću izrade detalja od 45 nm ili manjih;
f.2. includes:
f.2. uključuje sljedeće:
Micro contact printing tools
mikrokontaktne alate za tiskanje,
Hot embossing tools
alate za vruće utiskivanje,
Nano-imprint lithography tools
litografske alate nano preciznosti
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
„step and flash” tiskarske litografske alate (S-FIL).
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
oprema posebno namijenjena izradi maski ili obradi poluvodičkih uređaja s pomoću metoda izravnog zapisa koja ima sve sljedeće značajke:
a. Using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
a. upotrebljava odstupanje fokusiranog elektronskog snopa, ionskog snopa ili „laserskog” snopa i
A spot size smaller than 0,2 μm;
veličina točke manja od 0,2 μm;
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
sposobnost proizvodnje uzorka s veličinom značajke od manje od 1 μm ili
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
završna točnost bolja od ± 0,20 μm (3 sigme);
g. Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
g. maske i mreže namijenjene integriranim sklopovima, navedene u 3A001;
h. Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
h. višeslojne maske s fazno pomaknutim slojem, koje nisu navedene u 3B001.g. i imaju bilo koju od sljedećih značajki:
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
izrađene maske na „praznom supstratu” od stakla čiji je dvostruka refrakcija manja od 7 nm/cm ili
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
namijenjene upotrebi s litografskom opremom čija je valna duljina svjetlosnog izvora manja od 245 nm;
h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
h. ne odnosi se na višeslojne maske s fazno pomaknutim slojem namijenjene izradi memorijskih uređaja na koje se ne odnosi 3A001.
i. Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
i. litografske tiskarske šablone namijenjene integriranim sklopovima navedenima u 3A001.
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
Oprema za ispitivanje posebno namijenjena ispitivanju dovršenih ili nedovršenih poluvodičkih uređaja, kako slijedi, te za njih posebno namijenjene komponente i pribor:
a. For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
a. za ispitivanje S-parametara tranzistorskih uređaja pri frekvencijama višima od 31,8 GHz;
c. For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
c. za ispitivanje mikrovalnih integriranih sklopova navedenih u 3A001.b.2.
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Heteroepitaksijalni materijali sastavljeni od „podloge” koja ima složene epitaksijalno uzgojene višestruke slojeve od bilo kojeg od sljedećih materijala:
a. Silicon (Si);
a. silicij (Si);
b. Germanium (Ge);
b. germanij (Ge);
c. Silicon carbide (SiC); or
c. silicijev karbid (SiC) ili
d. "III/V compounds" of gallium or indium.
d. „III/V spojevi” galija ili indija.
d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
d. ne odnosi se na „podloge” koje imaju jedan ili više epitaksijanih slojeva P-tipa iz GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP ili InGaAlP, neovisno o slijednosti elemenata, osim ako se epitaksijalni sloj P-tipa nalazi između slojeva N-tipa.
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Materijali za zaštitni premaz, kako slijedi, i „podloge” premazane sljedećim zaštitnim premazom:
a. Resists designed for semiconductor lithography as follows:
a. zaštitni premazi namijenjeni poluvodičkoj litografiji, kako slijedi:
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
pozitivni zaštitni premazi posebno podešeni (optimizirani) za upotrebu pri valnim duljinama manjima od 245 nm, no većima ili jednakima 15 nm;
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
zaštitni premazi posebno podešeni (optimizirani) za upotrebu pri valnim duljinama manjima od 15 nm, no većima od 1 nm;
b. All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
b. svi zaštitni premazi namijenjeni za upotrebu s elektronskim snopovima ili ionskim snopovima, osjetljivosti od 0,01 μkulon/mm2 ili veće;
d. All resists optimised for surface imaging technologies;
d. svi zaštitni premazi optimizirani za tehnologije snimanja površine;
e. All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
e. svi zaštitni premazi namijenjeni ili optimizirani za upotrebu s tiskarskom litografskom opremom navedenom u 3B001.f.2. koji primjenjuju termički postupak ili postupak otvrdnjavanja s pomoću svjetlosti.
Organo-inorganic compounds as follows:
Organsko-anorganski spojevi kako slijedi:
a. Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
a. organsko-metalni spojevi aluminija, galija ili indija čistoće (metalne baze) veće od 99,999 %;
b. Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
b. organsko-arsenski, organsko-antimonski i organsko-fosforni spojevi čistoće (baze anorganskog elementa) veće od 99,999 %.
003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
003 odnosi se samo na spojeve čiji su metalni, djelomično metalni ili nemetalni elementi izravno povezani s ugljikom u organskom dijelu molekule.
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
Hidridi fosfora, arsena ili antimona, čistoće veće od 99,999 %, čak i kad su otopljeni u inertnim plinovima ili vodiku.
004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
004 ne odnosi se na hidride koji sadržavaju 20 % molarnih ili više inertnih plinova ili vodika.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
Poluvodičke „podloge” silicijeva karbida (SiC), galijeva nitrida (GaN), aluminijeva nitrida (AlN) ili aluminij galijeva nitrida (AlGaN) ili ingoti, dijelovi ili drugi poluproizvodi tih materijala s otpornošću većom od 10000 oma-cm pri 20 °C.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
„Podloge” navedene u 3C005 s najmanje jednim epitaksijalnim slojem iz silicijeva karbida, galijeva nitrida, aluminijeva nitrida ili aluminij galijeva nitrida.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
„Softver” posebno namijenjen „razvoju” ili „proizvodnji” opreme navedene u 3A001.b. do 3A002.g. ili 3B.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
„Softver” posebno namijenjen „upotrebi” opreme navedene u 3B001.a. do f., 3B002 ili 3A225.
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
„Softver” za simulaciju „na temelju fizičkih zakona” posebno namijenjen „razvoju” postupaka litografiranja, jetkanja ili nanašanja za prevođenje maskirnih uzoraka u određene topografske uzorke u vodičima, dielektričkom ili poluvodičkom materijalu.
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
‚Na temelju fizičkih zakona’ u 3D003 znači upotreba izračuna za određivanje slijeda fizičkih uzroka i posljedica na temelju fizičkih svojstava (npr. temperatura, tlak, konstante difuzije i svojstva poluvodičkih materijala).
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Knjižnice, projektni atributi ili s njima povezani podaci za projektiranje poluvodičkih uređaja ili integriranih sklopova smatraju se „tehnologijom”.
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
„Softver” posebno namijenjen „razvoju” opreme navedene u 3A003.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
„Softver” posebno namijenjen ili preinačen za „upotrebu” opreme navedene u 3A101.b.
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
„Softver” posebno namijenjen poboljšanju ili uklanjanju ograničenja radnih značajki pretvarača ili generatora frekvencija kako bi se zadovoljile značajke iz 3A225.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
„Tehnologija” prema Napomeni o tehnologiji općenito za „razvoj” ili „proizvodnju” opreme ili materijala navedenih u 3A, 3B ili 3C.
001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
001 ne odnosi se na „tehnologiju” za „proizvodnju” opreme ili komponenata koje su utvrđene točkom 3A003.
001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
001 ne odnosi se na „tehnologiju” za „razvoj” ili „proizvodnju” integriranih sklopova navedenih u 3A001.a.3. do 3A001.a.12., koji imaju sve sljedeće značajke:
Using "technology" at or above 0.130 μm; and
upotrebljavaju „tehnologije” od 0,130 μm ili više i
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
uključuju višeslojne konstrukcije s najviše tri metalna sloja.
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
„Tehnologija” u skladu s Napomenom o tehnologiji općenito, osim one navedene u 3E001, za „razvoj” ili „proizvodnju”„mikroprocesorskih mikrosklopova”, „mikroračunalnih mikrosklopova” ili mikrosklopova mikrokontrolera koji imaju aritmetičku logičku jedinicu sa širinom pristupa od 32 bita ili više i bilo koje od sljedećih obilježja ili značajki: