natgillin/translations-raw huggingface dataset:
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — TECHNICAL NOTE
TABLICA – TEHNIKE TALOŽENJA – TEHNIČKE NAPOMENE
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Postupci navedeni u Stupcu 1 Tablice definirani su kako slijedi:
a. Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
a. Taloženje kemijskim parama (CVD) postupak je izvođenja završnog premaza ili modificiranja površine premazom u kojem se metal, slitina ili „kompozit” te dielektrični ili keramički sloj taloži na zagrijanu podlogu.
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
Plinoviti reagensi raspadaju se ili spajaju u blizini podloge stvarajući taloženje željenog materijala u elementarnom obliku te kao slitine ili spoja na podlogu.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation. N.B.
Za taj postupak raspadanja ili kemijske reakcije energija se može osigurati toplinom podloge, tinjavim izbijanjem plazme ili zračenjem „lasera”.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes. N.B.
CVD taloženje uključuje sljedeće postupke: taloženje usmjerenim protokom plina svežnja, impulsno CVD taloženje, kontrolirano nukleatsko termalno taloženje (CNTD), postupci CVD taloženja ojačani ili potpomognuti plazmom.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture. N.B.
Smjesa označava podlogu uronjenu u mješavinu praha.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Plinoviti reagensi koji se upotrebljavaju kod postupka iz svežnja proizvode se s pomoću istih osnovnih reakcija i parametara kao i postupak cementiranja smjesom, osim što podloga koja se premazuje nije u dodiru s mješavinom praha.
b. Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
b. Termalna evaporacija – fizičko taloženje pare (TE-PVD) postupak je završnog premazivanja koji se provodi u vakuumu uz tlak manji od 0,1 Pa gdje se izvor toplinske energije upotrebljava za isparavanje materijala za premazivanje.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
Rezultat je tog postupka kondenzacija ili taloženje isparavanih vrsta na odgovarajuće postavljene podloge.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
Dodavanje plinova u vakuumsku komoru tijekom postupka premazivanja kako bi se sintetizirali spojevi premaza uobičajena je modifikacija postupka.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
Upotreba ionskog ili elektronskog snopa ili plazme za aktiviranje taloženja premaza ili pomaganje taloženju također je uobičajena modifikacija ove tehnike.
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
Upotreba monitora za mjerenje optičkih karakteristika i debljine premaza tijekom samog postupka može biti jedna od značajki ovog postupka.
Specific TE-PVD processes are as follows:
Specifični su TE-PVD postupci kako slijedi:
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
PVD elektronski snop upotrebljava elektronski snop kojim se zagrijava i isparava materijal koji stvara premaz;
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
PVD rezistivno zagrijavanje s pomoću iona upotrebljava elektronski otporne izvore topline u kombinaciji s ionskim snopom ili snopovima koji se sudaraju kako bi se proizveo kontroliran i ujednačen protok isparenih vrsta premaza;
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
isparavanje „laserom” koristi se impulsnim ili neprekinutim valnim „laserskim” snopom za isparavanje materijala koji tvore premaz;
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
taloženje katodnim lukom koristi se potrošnom katodom materijala koji tvori premaz, a trenutačnim dodirom na površinski mehanizam za otpuštanje na površini dolazi do lučnog izbijanja.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
Upravljanjem kretanja luka troši se površina katode stvarajući visokoioniziranu plazmu.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Anoda može biti tuljac pričvršćen na periferiju katode kroz izolator ili komora.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Nakošenje podloge upotrebljava se za spremanje koje nije vidljivo.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Ova definicija ne obuhvaća nasumično taloženje katodnim lukom na nepolarizirane podloge.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
ionsko oblaganje posebna je modifikacija općeg TE-PVD postupka u kojem se upotrebljava plazma ili izvor iona za ionizaciju vrsta koje treba taložiti, a na podlogu se primjenjuje negativna polarizacija kako bi se olakšalo izvlačenje vrsta iz plazme.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Uvođenje reaktivnih vrsta, isparavanje krutih tvari unutar procesne komore i upotreba monitora za mjerenje optičkih karakteristika i debljine premaza tijekom samog procesa uobičajene su modifikacije postupka.
c. Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
c. Cementiranje smjesom postupak je modifikacije površine premazivanjem ili završnim premazivanjem u kojem se podloga uranja u mješavinu praha (smjesu) koja se sastoji od:
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
prahova metala koji će se taložiti (obično aluminij, krom, silicij ili njihove kombinacije);
An activator (normally a halide salt); and
aktivatora (obično sol halida) i
An inert powder, most frequently alumina.
inertnog praha, najčešće aluminijeva oksida.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Podloga i mješavina praha nalaze se u retorti koja se zagrijava do temperature između 1030 K (757 °C) i 1375 K (1102 °C) dovoljno dugo da se premaz nataloži.
d. Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
d. Raspršivanje plazme postupak je nanošenja završnog premaza u kojem top (baklja za raspršivanje) koji proizvodi plazmu i upravlja njome prihvaća materijale za premazivanje u obliku praha ili žice, tali ih i raspršuje prema podlozi na kojoj se stvara integralno povezan premaz.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Raspršivanje plazme sastoji se od raspršivanja plazme pri niskom tlaku ili velikoj brzini.
N.B. 1
VAŽNA NAPOMENA 1.:
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure. N.B.
Nizak tlak znači manje od okolno atmosferskog tlaka.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Velika brzina odnosi se na brzinu plina na izlazu iz mlaznice koja je veća od 750 m/s mjereno pri 293 K (20 °C) na 0,1 MPa.
e. Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
e. Taloženje kapljive kaše postupak je modificiranja površine premazivanjem ili završnim premazivanjem u kojem se od metalnog ili keramičkog praha i organskog veziva u tekućini stvara suspenzija koja se nanosi raspršivanjem, uranjanjem ili premazivanjem, sušenjem na zraku ili u peći i toplinskom obradom kako bi se dobio željeni premaz.
f. Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
f. Taloženje raspršenih čestica postupak je završnog premazivanja koji se temelji na pojavi prijenosa momenta, pri kojoj se pozitivni ioni ubrzavaju s pomoću električnog polja prema površini cilja (materijal za premazivanje).
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate. N.B.
Kinetička energija iona pri udaru dovoljna je da se oslobode atomi na ciljanoj površini i talože na odgovarajuće postavljenu podlogu.
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials. N.B.
Tablica se odnosi samo na taloženje triode, magnetrona ili reaktivnog isprštanog materijala koji se upotrebljava za povećanje adhezivnosti premaza i brzine taloženja i na povećano taloženje raspršenih čestica s pomoću radio frekvencije (RF) koje se upotrebljava za omogućivanje isparavanja nemetalnih materijala za premazivanje.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Snopovi iona niske energije (manje od 5 keV) mogu se upotrebljavati za aktiviranje taloženja.
g. Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
g. Ugradnja iona postupak je premazivanja modificiranjem površine u kojem se element koji treba spojiti u slitinu ionizira, ubrzava kroz potencijalni gradijent i usađuje u područje površine podloge.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
To uključuje postupke kod kojih se usađivanje obavlja istodobno s taloženjem fizičkih para elektronskim snopom ili taloženjem raspršenih čestica.
CATEGORY 3 —
KATEGORIJA 3 –
ELECTRONICS
ELEKTRONIKA
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.13, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Kontrolni status opreme i komponenata opisanih u 3A001 ili 3A002, osim onih opisanih u 3A001.a.3. do 3A001.a.10., 3A001.a.12. ili 3A001.a.13., koji su posebno projektirani za ili koji imaju iste funkcionalne karakteristike kao i druga oprema utvrđen je kontrolnim statusom druge opreme.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.13 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Kontrolni status integriranih sklopova opisanih u 3A001.a.3. do 3A001.a.9., 3A001.a.12. ili 3A001.a.13. koji su nepromjenjivo programirani ili projektirani za određenu funkciju za drugu opremu utvrđen je kontrolnim statusom druge opreme.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.13.
Kada proizvođač ili korisnik ne može utvrditi kontrolni status druge opreme, kontrolni status integriranih sklopova utvrđen je u 3A001.a.3. do 3A001.a.9., 3A001.a.12. i 3A001.a.13.
Electronic components and specially designed components therefor, as follows:
Elektroničke komponente i komponente posebno projektirane za njih, kako slijedi:
a. General purpose integrated circuits, as follows:
a. integrirani sklopovi opće namjene, kako slijedi:
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
kontrolni status poluvodičkih pločica (dovršenih ili nedovršenih), čija je funkcija utvrđena, treba procijeniti prema parametrima iz 3A001.a.
Integrated circuits include the following types:
integrirani sklopovi uključuju sljedeće vrste:
"Monolithic integrated circuits";
„monolitski integrirani sklop”,
"Hybrid integrated circuits";
„hibridni integrirani sklop”,
"Multichip integrated circuits";
„integrirani sklop s više čipova”,
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
„integrirani sklop presvučen filmom”, uključujući integrirane sklopove silicij-na-safiru,
"Optical integrated circuits";
„optički integrirani sklop”;
"Three dimensional integrated circuits".
„trodimenzionalni integrirani sklop”.
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
integrirani sklopovi, projektirani ili ocijenjeni kao otporni na zračenje da mogu podnijeti bilo što od sljedećeg:
a. A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
a. ukupnu dozu od 5 × 103 Gy (silicij) ili veću od toga;
b. A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
b. određenu stalnu dozu ionizirajućeg zračenja od 5 × 106 Gy (silicij)/s ili više ili
c. A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
c. gustoću protoka (integrirani fluks) neutrona (ekvivalent 1 MeV) od 5 × 1013 n/cm2 ili više na siliciju ili njegovu ekvivalentu za druge materijale;
a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
a.1.c. ne odnosi se na metalne izolatorske poluprovodnike (Metal Insulator Semiconductors – MIS).
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
„mikroprocesorski mikrosklopovi”, „mikroračunalni mikrosklopovi”, mikroupravljački mikrosklopovi, integrirani sklopovi za pohranu izrađeni od složenih poluvodiča, analogno-digitalni pretvarači, digitalno-analogni pretvarači‚ elektrooptički ili „optički integrirani sklopovi” namijenjeni za „obradu signala”, logički uređaji s programabilnim poljima, integrirani sklopovi po narudžbi za koje su nepoznati funkcija i status nadzora opreme u kojoj će se integrirani sklop upotrebljavati, procesori za brzu Fourierovu transformaciju (FFT), električne memorije s mogućnošću programiranja i brisanja (EEPROMs), impulsne memorije ili statičke memorije s izravnim pristupom (SRAMs), koji imaju bilo koju od sljedećih značajki:
a. Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
a. predviđeni su za rad pri temperaturi okoliša iznad 398 K (125 °C);
b. Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
b. predviđeni su za rad pri temperaturi okoliša ispod 218 K (- 55 °C) ili
c. Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
c. predviđeni su za rad u cijelom rasponu temperature okoliša od 218 K (- 55 °C) do 398 K (125 °C);
a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
a.2. ne odnosi se na integrirane sklopove za primjenu u području civilnih automobila ili željeznice.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
„mikroprocesorski mikrosklopovi”, „mikroračunalni mikrosklopovi” i mikroupravljački mikrosklopovi, proizvedeni od sastavljenih poluvodiča koji djeluju na taktnoj frekvenciji većoj od 40 MHz;
a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
a.3. uključuje procesore digitalnog signala, procesore digitalnog niza i digitalne koprocesore.
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
integrirani sklopovi analogno-digitalnih pretvarača (A/D pretvarači) i digitalno-analognih pretvarača (D/A pretvarači) kako slijedi:
a. ADCs having any of the following:
a. A/D pretvarači koji imaju bilo koju od sljedećih značajki:
N.B.:
VAŽNA NAPOMENA:
SEE ALSO 3A101
VIDI I 3A101
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 1,000 million words per second;
razlučivost od 8 bita ili veća, ali manja od 10 bita, s izlaznom brzinom većom od 1000 milijuna riječi u sekundi;
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 125 million words per second; or
razlučivost od 12 bita s izlaznom brzinom većom od 200 milijuna riječi u sekundi; 4. razlučivost veća od 12 bita, ali manja ili jednaka 14 bita, s izlaznom brzinom većom od 125 milijuna riječi u sekundi ili
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 20 million words per second;
razlučivost veća od 14 bita s izlaznom brzinom većom od 20 milijuna riječi u sekundi;
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
Razlučivost od n bita odgovara kvantizaciji od 2n razina.
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
Broj bitova izlazne riječi jednak je razlučivosti A/D pretvarača.
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
Izlazna brzina maksimalna je izlazna brzina pretvarača, bez obzira na arhitekturu ili pretjerano uzorkovanje.
For 'multiple channel ADCs', the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
Kod ‚višekanalnih A/D pretvarača’ izlazne se brzine ne zbrajaju, već je izlazna brzina jednaka najvećoj izlaznoj brzini bilo kojeg pojedinačnog kanala.
For 'interleaved ADCs' or for 'multiple channel ADCs' that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
Kod ‚A/D pretvarača s razdijeljenim sustavom’ ili kod ‚višekanalnih A/D pretvarača’ kod kojih je moguće razdijeljeno djelovanje, izlazne se brzine zbrajaju tako da je izlazna brzina jednaka najvišoj kombiniranoj ukupnoj izlaznoj brzini svih izlaznih brzina.
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
Trgovci mogu kao izlaznu brzinu upotrijebiti i frekvenciju uzorkovanja, brzinu pretvorbe ili brzinu propusnosti.
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
To je često izraženo u megahercima (MHz) ili megauzorcima u sekundi (MSPS).
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
Za mjerenje izlazne brzine podrazumijeva se da je jedna izlazna riječ u sekundi jednaka jednom Hz ili jednom uzorku u sekundi.
'Multiple channel ADCs' are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
‚Višekanalni A/D pretvarači’ znači uređaji koji integriraju više od jednog A/D pretvarača, izrađeni tako da svaki A/D pretvarač ima odvojen analogni ulaz.
'Interleaved ADCs' are defined as devices which have multiple ADC units that sample the same analogue input at different times such that when the outputs are aggregated, the analogue input has been effectively sampled and converted at a higher sampling rate.
‚A/D pretvarači s razdijeljenim sustavom’ znači uređaji koji imaju više A/D pretvaračkih jedinica koje uzorkuju isti analogni ulaz u različitim vremenima, tako da je po zbrajanju izlaznih signala ulazni analogni signal učinkovito uzorkovan i pretvoren pri višoj brzini uzorkovanja.
b. Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
b. digitalno-analogni (D/A pretvarači) koji imaju bilo koju od sljedećih značajki:
A resolution of 10 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 3500 MSPS; or
1. rezolucija od 10 bita ili veća s ‚prilagođenim stupnjem nadogradnje’ većim od 3500 MSPS ili
A resolution of 12 bit or more with an 'adjusted update rate' of equal to or greater than 1250 MSPS and having any of the following:
2. rezolucija od 12 bita ili veća s ‚prilagođenim stupnjem nadogradnje’ od najmanje 1250 MSPS i koji imaju bilo koju od sljedećih značajki:
a. A settling time less than 9 ns to 0,024 % of full scale from a full scale step; or
a. vrijeme smirivanja sa stupnja punog opsega na 0,024 % punog opsega kraće je od 9 ns ili
b. A 'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
b. ‚dinamički opseg bez smetnji’ (SFDR) veći je od 68 dBc (nosač) kada se sintetizira analogni signal u punom opsegu s frekvencijom 100MHz ili analogni signal u punom opsegu s najvišom frekvencijom, koja je određena ispod 100MHz.
'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
‚Dinamički opseg bez smetnji’ (SFDR) znači odnos RMS vrijednosti noseće frekvencije (najjača signalna komponenta) na ulazu D/A pretvarača i RMS vrijednosti sljedeće najjače šumne komponente ili komponente harmonične distorzije na izlazu.
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
SFDR se određuje neposredno iz tablice specifikacija ili iz sheme vrijednosti SFDR-a u odnosu na frekvenciju.
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than – 3 dBfs (full scale).
Signal ima puni opseg kada je njegova amplituda veća od -3 dBfs (full scale – puni opseg).
'Adjusted update rate' for DACs:
‚Prilagođen stupanj nadogradnje’ za D/A pretvarače: