natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Strain rate;
Metalliorgaanista kemiallista kaasufaasipinnoitusta (MOCVD) suorittavat reaktorit, jotka on suunniteltu sellaisen materiaalin yhdistepuolijohdekiteiden epitaksikasvatusta varten, jolla on kaksi tai useampia seuraavista alkuaineista: alumiini, gallium, indium, arseeni, fosfori, antimoni tai typpi;
Temperature;
Molekyylisuihku-epitaksikasvatuslaitteet, jotka käyttävät kaasu- tai kiinteitä lähteitä;
Pressure;
b. Laitteet, jotka on suunniteltu ioni-istutusta varten ja joilla on jokin seuraavista:
b.
Ne on suunniteltu ja optimoitu toimimaan niin, että säteen energia on vähintään 20 keV ja säteen virta vähintään 10 mA:n vety-, deuterium- tai heliumistutusta varten;
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
Ne mahdollistavat kuvion suoran istutuksen;
c.
Säteen energia on vähintään 65 keV ja säteen virta vähintään 45 mA, jotta voidaan suorittaa korkeaenerginen happi-istutus kuumennettuun puolijohde”substraattiin”; tai
'Direct-acting hydraulic pressing'of aluminium alloys or titanium alloys:
Ne on suunniteltu ja optimoitu toimimaan niin, että säteen energia on vähintään 20 keV ja säteen virta vähintään 10 mA, jotta pii-implantti voidaan istuttaa puolijohde”substraattiin”, joka on kuumennettu vähintään 600 °C:een;
Cycle time;
e. Automaattisyöttöiset monikammioiset puolijohdekiekkojen käsittelyjärjestelmät, joilla on kaikki seuraavat:
d.
Niissä on sellaiset liitännät kiekkojen syöttöä ja ulosottoa varten, joihin voidaan liittää enemmän kuin kaksi 3B001.a.1, 3B001.a.2, 3B001.a.3 tai 3B001.b kohdassa eriteltyä toiminnaltaan erilaista ’puolijohteiden valmistuslaitetta’; ja
'Hot isostatic densification' of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
Ne on suunniteltu muodostamaan tyhjiössä toimiva integroitu järjestelmä ’useiden kiekkojen peräkkäistä prosessointia’ varten;
'Direct-acting hydraulic pressing' is a deformation process which uses a fluid-filled flexible bladder in direct contact with the workpiece.
3B001.e kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi automaattisia kiekkojen robottikäsittelijöitä, jotka on suunniteltu erityisesti kiekkojen rinnakkaista prosessointia varten.
'Hot isostatic densification' is a process of pressurising a casting at temperatures exceeding 375 K (102 °C) in a closed cavity through various media (gas, liquid, solid particles, etc.) to create equal force in all directions to reduce or eliminate internal voids in the casting
Sovellettaessa 3B001.e kohtaa ’puolijohteiden valmistuslaitteilla’ tarkoitetaan modulaarisia välineitä, jotka tuottavat toiminnaltaan erilaisia puolijohdetuotannon fysikaalisia prosesseja, kuten pinnoitus-, istutus- ja lämpöprosessointi.
c.
Sovellettaessa 3B001.e kohtaa ’useiden kiekkojen peräkkäisellä prosessoinnilla’ tarkoitetaan mahdollisuutta prosessoida kukin kiekko erilaisissa ’puolijohteiden valmistuslaitteissa’ esimerkiksi siirtämällä kiekko yhdeltä välineeltä toiselle ja edelleen kolmannelle käyttämällä automaattisyöttöisiä monikammioisia puolijohdekiekkojen käsittelyjärjestelmiä.
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
f. Seuraavat litografialaitteet:
e.
Askeltavat kohdistus- ja valotuslaitteet (suora kohdistus kiekkoon) tai kohdistus- ja pyyhkäisy- (skanneri) laitteet kiekkojen prosessointia varten, jotka käyttävät foto-optisia tai röntgenmenetelmiä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
b. Ne kykenevät tuottamaan kuvion, jonka ”pienin erottuva kuvion koko” (MRF) on enintään 45 nm; Tekn. huom.: ”Pienin erottuva kuvion koko” (MRF) lasketaan seuraavalla kaavalla, jossa: jossa K-kerroin = 0,35
f.
3B001.f.2 kohtaan sisältyvät:
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
Pehmytkuviointivälineet
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
Kuumapakotusvälineet
This table should be read to specify the "technology" for a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
Nanomuokkauskuviointivälineet
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
Step and flash -kuviointi (S-FIL) -välineet
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu maskien valmistukseen ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
a. Poikkeutettu ja fokusoitu elektronisuihku, ionisuihku tai ”laser”säde; ja
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
Puoliarvoleveyden (FWHM) pistekoko pienempi kuin 65 m ja kuvan sijoitus alle 17 nm (keskiarvo + 3 sigmaa); tai
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
Toisen kerroksen kohdistusvirhe alle 23 nm (keskiarvo + 3 sigmaa) maskissa;
Table
Laitteet, jotka on suunniteltu laitteiden prosessointiin käyttäen suoria kirjoitusjärjestelmiä (direct writing methods), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Deposition techniques
a. Poikkeutettu ja fokusoitu elektronisuihku; ja
Coating Process (1)
Suihkun vähimmäiskoko enintään 15 nm; tai
Substrate
Kohdistusvirhe alle 27 nm (keskiarvo + 3 sigmaa);
Resultant Coating
g. Maskit tai retikkelit, jotka on suunniteltu 3A001 kohdassa määriteltyjä integroituja piirejä varten;
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
h. Monikerrosmaskit, joissa on vaihesiirtokerros, joita ei ole määritelty 3B001.g kohdassa ja joilla on jokin seuraavista:
"Superalloys"
Ne on tehty maskin ”substraattiaihiolle” (substrate blank) lasista, joka on määritelty niin, että siinä on kahtaistaittumista alle 7 nm/cm; tai
Aluminides for internal passages
Ne on suunniteltu käytettäväksi litografialaitteissa, joiden valolähteen aallonpituus on lyhyempi kuin 245 nm;
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
3B001.h kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi monikerrosmaskeja, joissa on vaihesiirtokerros ja jotka on suunniteltu sellaisten muistilaitteiden valmistukseen, joita ei ole määritelty 3A001 kohdassa.
Silicides
i. Kohokuviointimallineet, jotka on suunniteltu 3A001 kohdassa määriteltyjä integroituja piirejä varten.
Carbides
j. Maskin ”substraattiaihiot”, joissa on molybneenista ja silikonista koostuva monikerroksinen reflektorirakenne ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Dielectric layers (15)
Ne on suunniteltu erityisesti ’EUV’-litografiaa (’Extreme Ultraviolet’) varten; ja
Diamond
Ne ovat SEMIn P37-standardin mukaiset.
Diamond-like carbon (17)
’EUV:llä’ (’Extreme Ultraviolet’) tarkoitetaan elektromagneettisen spektrin aallonpituutta, joka on yli 5 nm ja alle 124 nm.
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"
Seuraavat testauslaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu valmiiden tai puolivalmiiden puolijohteiden ja erityisesti niitä varten suunniteltujen komponenttien ja tarvikkeiden testaamiseen:
Refractory metals
a. Laitteet 3A001.b.3 kohdassa määriteltyjen laitteiden S-parametrien testaukseen;
Mixtures thereof (4)
c. Laitteet 3A001.b.2 kohdassa määriteltyjen laitteiden testaukseen.
Aluminides
Hetero-epitaksimateriaalit, jotka koostuvat ”substraatista”, jonka päälle on epitaksisti kasvatettu useita kerroksia seuraavia aineita:
Alloyed aluminides (2)
a. Pii (Si);
Boron nitride
c. Piikarbidi (SiC); tai
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
d. Galliumin tai indiumin ”III/V-yhdisteet”.
Tungsten
3C001.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ”substraattia”, jolla on yksi tai useampia P-tyypin epitaksisia kerroksia GaN:a, InGaN:a, AlGaN:a, InAlN:a, InAlGaN:a, GaP:a,, GaAs:a, AlGaAs:a, InP:a, InGaP:a, AlInP:a tai InGaAlP:a, riippumatta alkuaineiden järjestyksestä, paitsi jos P-tyypin epitaksinen kerros on N-tyypin kerrosten välissä.
Molybdenum and Molybdenum alloys
Seuraavat estopinnoitemateriaalit ja seuraavilla estopinnoitteilla pinnoitetut ”substraatit”:
Beryllium and Beryllium alloys
a. Seuraavat estopinnoitteet, jotka on suunniteltu puolijohdelitografiaa varten:
Sensor window materials (9)
Positiiviestopinnoitteet, joiden spektrivaste on sovitettu (optimoitu) alle 193 nm:n mutta vähintään 15 nm:n aallonpituuksille;
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
Estopinnoitteet, joiden spektrivaste on sovitettu (optimoitu) alle 15 nm:n mutta yli 1 nm:n aallonpituuksille;
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
b. Kaikki estopinnoitteet, jotka on suunniteltu käytettäväksi elektroni- tai ionisuihkun kanssa ja joiden herkkyys on 0,01 mikrocoulombia/mm2 tai parempi;
Alloyed silicides
d. Kaikki estopinnoitteet, jotka on optimoitu pintakuvausteknologiaa varten;
Modified zirconia (12)
e. Kaikki estopinnoitteet, jotka on suunniteltu tai optimoitu käytettäväksi lämpö- tai säteilykovetusprosessia käyttävien 3B001.f.2 kohdassa määriteltyjen kohokuviointilaitteiden kanssa.
Corrosion resistant steel (7)
Seuraavat orgaanis-epäorgaaniset yhdisteet:
Borides
a. Metalliorgaaniset alumiini-, gallium- tai indiumyhdisteet, joiden (perusmetallin) puhtaus (metalleista) on parempi kuin 99999 %;
Beryllium
b. Arseeniorgaaniset, antimoni-orgaaniset ja fosfori-orgaaniset yhdisteet, joiden puhtaus (epäorgaanisista aineista) on parempi kuin 99999 %.
Titanium alloys (13)
3C003 kohdassa asetetaan valvonnanalaiseksi vain yhdisteet, joiden metallinen, osittain metallinen tai ei-metallinen elementti on suoraan liittynyt hiileen molekyylin orgaanisessa osassa.
Nitrides
Fosfori-, arseeni- tai antimonihydridit, joiden puhtaus on parempi kuin 99999 %, myös jalokaasuilla tai vedyllä laimennettuina.
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
3C004 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi hydridejä, jotka sisältävät vähintään 20 mooliprosenttia jalokaasuja tai vetyä.
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
Seuraavat korkean resistiivisyyden materiaalit:
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
a. Piikarbidi- (SiC), galliumnitridi- (GaN), aluminiumnitridi- (AIN) tai aluminiumgalliumnitridi- (AIGaN) puolijohde ”substraatit”, tai näiden materiaalien harkot, boulet tai muut preformit, joiden resistiivisyys on enemmän kuin 10000 ohmisenttimetriä 20 °C:ssa;
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
b. Monikiteiset ”substraatit” tai monikiteiset keraamiset ”substraatit”, joiden resistiivisyys on enemmän kuin 10000 ohmisenttimetriä 20 °C:ssa ja joissa on vähintään yksi ei-epitaksinen yksikiteinen kerros piitä (Si), piikarbidia (SiC), galliumnitridiä (GaN), alumininitridiä (AlN) tai aluminigalliumnitriä (AlGaN) ”substraatin” pinnalla.
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
Materiaalit, joita ei ole määritelty 3C001 kohdassa ja jotka koostuvat 3C005 kohdassa määritellystä ”substraatista”, jossa on vähintään yksi epitaksinen kerros piikarbidia, galliumnitridiä, aluminiumnitridiä tai aluminiumgalliumnitridiä.
Polymers (11) and Organic "matrix" "composites"
”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu 3A001.b–3A002.h tai 3B kohdassa määriteltyjen laitteiden ”kehittämistä” tai ”tuotantoa” varten.
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu 3B001.a–f, 3B002 tai 3A225 kohdassa määriteltyjen laitteiden ”käyttöä” varten.
Refractory metals and alloys (8)
’Fysiikkapohjaiset’ simulaatio-”ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu sellaisten litografia-, syövytys- ja pinnoitusprosessien ”kehittämiseen”, jotka muuntavat maskin kuviot erityisiksi topografisiksi johtimien, eristeiden ja puolijohdemateriaalien kuvioiksi.
Oxides
’Fysiikkapohjaisella’ tarkoitetaan 3D003 kohdassa laskelmien käyttämistä fysikaalisten syy ja seuraus -tapahtumien jakson määrittämiseen fysikaalisten ominaisuuksien perusteella (esimerkiksi lämpötila, paine, diffuusiovakiot ja puolijohdemateriaalien ominaisuudet).
D. Plasma spraying
Kirjastot, suunnitteluparametrit sekä niihin liittyvät tiedot puolijohdekomponenttien ja integroitujen piirien suunnittelua varten käsitetään ”teknologiaksi”.
Abradable Nickel-Graphite
”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu 3A003 kohdassa määriteltyjen laitteiden ”kehittämistä” varten.
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 3A101.b kohdassa määriteltyjen laitteiden ”käyttöä” varten.
Abradable Al-Si-Polyester
”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu vahvistamaan tai heikentämään taajuusmuuntimien tai generaattoreiden suorituskykyä, jotta 3A225 kohdan ominaisuudet täyttyvät.
Fused silicides
3E001 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ”teknologiaa” 3A001.a.3–3A001.a.12 kohdassa määriteltyjä sellaisia integroituja piirejä varten, joilla on kaikki seuraavat:
Fused aluminides except for resistance heating elements
Ne käyttävät ”teknologiaa”, jonka koko on vähintään 0 130 μm; ja
F. Sputter Deposition
Ne sisältävät monikerrosrakenteita, joissa on korkeintaan kolme metallikerrosta.
Noble metal modified aluminides (3)
3E001 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ’prosessisuunnittelusarjoja’ (’PDK’), paitsi jo niihin sisältyy kirjastoja, joilla toteutetaan tehtäviä tai teknologiaa 3A001 kohdassa määriltyjen laitteiden osalta.
Platinum
’Prosessisuunnittelusarja’ (’PDK’) on ohjelmistoväline, jonka puolijohdevalmistaja tarjoaa sen varmistamiseksi, että vaaditut suunnittelukäytännöt ja -säännöt otetaan huomioon, jotta voidaan tuottaa tietty integroidun piirin suunnittelu tietyssä puolijohdeprosessissa teknologiaan ja valmistukseen liittyvien rajoitusten mukaisesti (kussakin puolijohteen valmistusprosessissa on oma ’PDK’).
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
Muu kuin 3E001 kohdassa määritelty ”teknologia” yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti sellaisen ”mikroprosessorimikropiirin”, ”mikrotietokonemikropiirin” tai mikro-ohjainmikropiiriytimen ”kehittämistä” ja ”tuotantoa” varten, jonka aritmeettisloogisen yksikön hakuleveys on 32 bittiä tai enemmän ja jolla on jokin seuraavista piirteistä tai ominaisuuksista:
Dielectic layers (15)
a. ’Vektoriprosessoriyksikkö’, joka on suunniteltu suorittamaan enemmän kuin kaksi laskutoimitusta liukulukuvektoreille (32-bittisten tai sitä suurempien lukujen yksiulotteiset matriisit) samanaikaisesti;
G. Ion Implantation
’Vektoriprosessoriyksikkö’ on prosessorielementti, jossa on sisäänrakennetut käskyt, jotka suorittavat useita laskutoimituksia liukulukuvektoreille (32-bittisten tai sitä suurempien lukujen yksiulotteiset matriisit) samanaikaisesti, ja jossa on vähintään yhden vektorin aritmeettislooginen yksikkö ja vektorirekisterit, joissa on kussakin vähintään 32 elementtiä.
High temperature bearing steels
b. Suunniteltu suorittamaan enemmän kuin neljä 64-bittistä tai sitä suurempaa liukulukutoimitusta kierrosta kohden; tai
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
c. Suunniteltu suorittamaan enemmän kuin kahdeksan 16-bittistä kiintolukutoimitusta kertolasku-summausta käyttäen kierrosta kohden (esimerkiksi sellaisen analogisen tiedon digitaalinen käsittely, joka on aiemmin muunnettu digitaaliseen muotoon eli digitaalinen ”signaalinkäsittely”)
Cemented tungsten carbide (16)
3E002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi multimedialaajennuksia varten olevaa ”teknologiaa”.
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - NOTES
3E002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ”teknologiaa” sellaisia mikroprosessoriytimiä varten, joilla on kaikki seuraavat:
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Niihin sisältyy monikerroksisia rakenteita, joissa on viisi metallikerrosta tai vähemmän.
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
3E002 kohtaan sisältyy ”teknologia” digitaalisten signaalinkäsittelijöiden ja digitaalisten taulukkosuorittimien ”kehittämistä” tai ”tuotantoa” varten.
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
Muu ”teknologia” seuraavien ”kehittämistä” ja ”tuotantoa” varten:
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
a. Tyhjiömikroelektroniset laitteet;
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
b. Heterorakenteiset elektroniset puolijohdekomponentit, kuten korkean elektroniliikkuvuuden transistorit (HEMT), heterobipolaaritransistorit (HBT), kvanttikuoppa- tai superhilakomponentit;
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
3E003.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ”teknologiaa” alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia HEMT-transistoreja varten ja alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia heteroliitosbipolaaritransistoreja (HBT) varten.
a.
c. ”Suprajohtavat” elektroniset komponentit;
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
d. Elektronisten komponenttien timanttifilmisubstraatit;
b.
e. Piieristyssubstraatit integroiduille piireille, joissa eristysaineena on piidioksidi;
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
f. Piikarbidisubstraatit elektronisille komponenteille;
c.
g. ’Tyhjiöelektroniset laitteet’, jotka toimivat 31,8 GHz:n tai suuremmilla taajuuksilla.
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
”Teknologia” yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A001.a.1 tai 2, 3A101, 3A102 tai 3D101 kohdassa määriteltyjen laitteiden ja ”ohjelmistojen” ”käyttöä” varten.
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
”Teknologia” yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3D101 kohdassa määriteltyjen ”ohjelmistojen” ”kehittämistä” varten.
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
”Teknologia” yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.g, 3A201, 3A225–3A234 kohdassa määriteltyjen laitteiden ”käyttöä” varten.
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
”Teknologia” koodien tai avainten muodossa vahvistamaan tai heikentämään taajuusmuuntimien tai generaattoreiden suorituskykyä, jotta 3A225 kohdan ominaisuudet täyttyvät.
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
RYHMÄ 4 – TIETOKONEET
Category 2 does not include "technology" for single-step pack cementation of solid airfoils.
Tietokoneet, niihin liittyvät laitteet tai ”ohjelmistot”, jotka suorittavat tietoliikenteen tai ”paikallisverkon” toimintoja, on arvioitava myös 5 ryhmän 1 osan (Tietoliikenne) toimintaparametrit huomioon ottaen.
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Ohjausyksiköitä, jotka yhdistävät suoraan keskusyksikön, ’keskusmuistin’ tai levyohjaimien väyliä tai kanavia, ei katsota 5 ryhmän 1 osassa (Tietoliikenne) määritellyiksi tietoliikennelaitteiksi.
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
Pakettikytkentää varten erityisesti suunniteltujen ”ohjelmistojen” valvonnanalaisuus: katso 5D001 kohta.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
a. Jotka on erityisesti suunniteltu niin, että niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
Mitoitettu toimimaan alle 228 K:n (– 45 °C:n) tai yli 358 K:n (85 °C:n) lämpötilassa; tai
"Technology" for depositing diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
4A001.a.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi siviiliajoneuvo-, rautatie- tai ”siviili-ilma-alus”sovelluksiin erityisesti suunniteltuja tietokoneita.
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
Kestävät säteilyä yli jonkin seuraavista rajoista:
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
Kokonaisannos
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
5 × 103 Gy (pii);
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - TECHNICAL NOTE
Annosnopeus
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
5 × 106 Gy (pii)/s; tai
a.
Kertahäiriö
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
1 × 10–8 virhettä/bitti/vrk;
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
4A001.a.2 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ”siviili-ilma-alus”sovelluksiin erityisesti suunniteltuja tietokoneita.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
b. Ei käytössä.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Seuraavat ”digitaaliset tietokoneet”, ”elektroniset kokoonpanot” ja niihin liittyvät laitteet sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
4A003 kohta sisältää seuraavat:
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
’Vektoriprosessorit’;
b.
Matriisiprosessorit;