natgillin/translations-raw huggingface dataset:
A 'transmit MMIC': is a "MMIC" that provides amplitude and phase control for transmission of signals.
5A003 kohdassa määritellyt laitteet tai 5D002.c.2 kohdassa määritellyt ”ohjelmistot”; tai
2,7 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.12.c. for transmit/receive or transmit modules that have a rated operation range extending downward to 2.7 GHz and below [d≤15cm*GHz*N/2,7 GHz].
5A004 kohdassa määritellyt laitteet tai 5D002.c.3 kohdassa määritellyt ”ohjelmistot”;
3A001.b.12. applies to 'transmit/receive modules' or 'transmit modules' with or without a heat sink.
b. ”Ohjelmisto”, joka on suunniteltu tai muunnettu ”salauksen aktivoinnin” avulla muuntamaan tuote, jota ei ole määritelty 5 ryhmän 2 osassa, tuotteeksi, joka määritellään 5A002.a tai 5D002.c.1 kohdassa ja jota ei ole vapautettu salausta koskevassa huomautuksessa (5 ryhmän 2 osassa oleva huomautus 3), tai ”salauksen aktivoinnilla” mahdollistamaan 5 ryhmän 2 osassa jo määritellyn tuotteen lisätoiminto, joka määritellään 5A002.a kohdassa;
The value of d in 3A001.b.12.c. does not include any portion of the 'transmit/receive module' or 'transmit module' that functions as a heat sink.
c. ”Ohjelmistot”, joilla on joidenkin seuraavien laitteiden ominaisuuksia tai jotka suorittavat tai simuloivat niiden toimintoja:
'Transmit/receive modules', or 'transmit modules', or 'transmit/receive MMICs' or 'transmit MMICs' may or may not have N integrated radiating antenna elements where N is the number of transmit or transmit/receive channels.
5A002.a, 5A002.c, 5A002.d tai 5A002.e kohdassa määritellyt laitteet;
c.
5D002.c.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ”ohjelmistoja”, jotka on rajoitettu ”toiminta-, hallinto- tai ylläpito”tehtäviin (OAM), joissa käytetään vain julkaistuja tai kaupallisia salausteknisiä standardeja.
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
5A003 kohdassa määritellyt laitteet; tai
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
5A004 kohdassa määritellyt laitteet;
a.
a. ”Teknologia” yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 5A002, 5A003, 5A004 tai 5B002 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai 5D002.a tai 5D002.c kohdassa määriteltyjen ”ohjelmistojen” ”kehittämistä”, ”tuotantoa” tai ”käyttöä” varten.
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
b. ”Teknologia”, jolla ”salauksen aktivoinnin” avulla muunnetaan tuote, jota ei ole määritelty 5 ryhmän 2 osassa, tuotteeksi, joka määritellään 5A002.a tai 5D002.c.1 kohdassa ja jota ei ole vapautettu salausta koskevassa huomautuksessa (5 ryhmän 2 osassa oleva huomautus 3), tai jolla ”salauksen aktivoinnin” avulla mahdollistetaan 5 ryhmän 2 osassa jo määritellyn tuotteen lisätoiminto, joka määritellään 5A002.a kohdassa;
b.
5E002 kohta sisältää ”tiedonsuojauksen” tekniset tiedot, jotka on saatu 5 ryhmän 2 osassa määriteltyjen tehtävien, ominaisuuksien tai tekniikkojen toteuttamisen arvioimiseksi tai määrittämiseksi tehdyistä menettelyistä.
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
RYHMÄ 6 – ANTURIT JA LASERIT
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB;
Seuraavat akustiset järjestelmät, laitteet ja komponentit:
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
a. Seuraavat meriakustiset järjestelmät, laitteet tai erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit:
A bandwidth greater than 250 MHz; or
Seuraavat aktiiviset (lähettävät tai lähettävät ja vastaanottavat) järjestelmät, laitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
A dispersive delay of more than 10 μs; or
6A001.a.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraavia laitteita:
c.
Vertikaalisesti laitteesta alaspäin toimivat syvyysluotaimet, jotka eivät sisällä ± 20 astetta ylittävää keilaustoimintoa ja jotka rajoittuvat mittaamaan veden syvyyttä tai etäisyyttä uponneisiin tai hautautuneisiin kohteisiin tai paikallistamaan kalaparvia;
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
Seuraavat akustiset majakat:
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
Akustiset hätämajakat;
'Frequency side-lobe rejection' is the maximum rejection value specified in data sheet.
Äänimajakat, jotka on erityisesti suunniteltu vedenalaisen aseman paikantamista tai siihen palaamista varten.
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
a. Seuraavat akustiset merenpohjan kartoituslaitteistot:
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Pinta-alusten kartoituslaitteistot, jotka on suunniteltu merenpohjan topografian kartoitusta varten ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
a. Suunniteltu mittaamaan vertikaalisesta suunnasta 20 astetta ylittävässä kulmassa;
d.
b. Suunniteltu kartoittamaan merenpohjan pinnanmuodostusta merenpohjassa yli 600 m:n syvyydessä;
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
c. ’Luotauksen resoluutio’ alle 2; ja
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
d. Syvyys”tarkkuuden” ’tehostus’ kompensoinnin avulla kaikkien seuraavien osalta:
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
Akustisen anturin liike;
e.
Eteneminen vedessä anturista merenpohjaan ja takaisin; ja
High energy devices as follows:
Äänen nopeus anturin kohdalla;
'Cells' as follows:
’Luotauksen resoluutio’ on peittoalueen leveys (asteina) jaettuna luotausten enimmäismäärällä peittoaluetta kohden.
a.
’Tehostukseen’ sisältyy kyky kompensoida ulkoisin keinoin.
'Primary cells' having any of the following at 20 °C;
Vedenalaiset kartoituslaitteistot, jotka on suunniteltu merenpohjan topografian kartoitusta varten ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
'Energy density' exceeding 550 Wh/kg and a 'continuous power density' exceeding 50 W/kg; or
Akustisen anturin paineluokitus määrittää 6A001.a.1.a.2 kohdassa määritellyn laitteen syvyysluokituksen.
'Energy density' exceeding 50 Wh/kg and a 'continuous power density' exceeding 350 W/kg; or
a. Niillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:
b.
Suunniteltu tai muunnettu toimimaan yli 300 m:n syvyyksissä; ja
'Secondary cells' having an 'energy density' exceeding 350 Wh/kg at 20 °C;
’Luotauksen taajuus’ yli 3800 m/s; tai
For the purpose of 3A001.e.1., 'energy density' (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
’Luotauksen taajuus’ on seuraavien tulo: anturin toiminnan enimmäisnopeus (m/s) ja luotausten enimmäismäärä peittoaluetta kohden, kun kattavuudeksi oletetaan 100 %.
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
Sellaisten järjestelmien osalta, jotka luotaavat kahteen suuntaan (3D-luotaimet), olisi käytettävä kumman tahansa suunnan ’luotauksen taajuuden’ enimmäisarvoa.
For the purpose of 3A001.e.1., a 'cell' is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
b. Muut kuin 6A001.a.1.a.2.a kohdassa määritellyt kartoituslaitteistot, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
It is the basic building block of a battery.
Suunniteltu tai muunnettu toimimaan yli 100 m:n syvyyksissä;
For the purpose of 3A001.e.1.a., a 'primary cell' is a 'cell' that is not designed to be charged by any other source.
Suunniteltu mittaamaan vertikaalisesta suunnasta 20 astetta ylittävässä kulmassa;
For the purpose of 3A001.e.1.b., a 'secondary cell' is a 'cell' that is designed to be charged by an external electrical source.
a. Toimintataajuus on alle 350 kHz; tai
For the purpose of 3A001.e.1.a., 'continuous power density' (W/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the specified maximum continuous discharge current in ampere (A) divided by the mass in kilograms.
b. Suunniteltu mittaamaan merenpohjan topografiaa yli 200 m:n etäisyydellä akustisesta anturista; ja
'Continuous power density' is also referred to as specific power.
Syvyys”tarkkuuden” ’tehostus’ kompensoinnin avulla kaikkien seuraavien osalta:
3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
a. Akustisen anturin liike;
High energy storage capacitors as follows:
b. Eteneminen vedessä anturista merenpohjaan ja takaisin; ja
SEE ALSO 3A201.a. and the Military Goods Controls.
c. Äänen nopeus anturin kohdalla;
a.
Viistokaikuluotain (Side Scan Sonar) tai synteettisen apertuurin luotain (Synthetic Aperture Sonar), joka on suunniteltu merenpohjan kuvaamista varten ja jolla on kaikki seuraavat ominaisuudet, ja niitä varten erityisesti suunnitellut lähettävät ja vastaanottavat akustiset järjestelmät:
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
a. Suunniteltu tai muunnettu toimimaan yli 500 m:n syvyyksissä;
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
b. ’Alueen peittotaajuus’ suurempi kuin 570 m2/s toimittaessa enimmäistoiminta-alueella, jolla se voi toimia 15 cm alittavalla ’pitkittäisresoluutiolla’; ja
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
c. ’Poikittaisresoluutio’ on alle 15 cm;
A total energy equal to or more than 25 kJ;
’Alueen peittotaajuus’ (m2/s) on kaksi kertaa seuraavien tulo: luotaimen toiminta-alue (m) ja anturin toiminnan enimmäisnopeus (m/s) kyseisellä toiminta-alueella.
b.
’Pitkittäisresoluutio’ (cm), vain viistokaikuluotainten osalta, on seuraavien tulo: atsimuutti (vaakatasoinen) keilanleveys (asteina), luotaimen toiminta-alue (m) ja 0,873.
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
’Poikittaisresoluutio’ (cm) on 75 jaettuna signaalin kaistanleveydellä (kHz).
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
b. Kohteen havaitsemiseen tai paikantamiseen suunnitellut järjestelmät tai lähettävät ja vastaanottavat järjestelmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A total energy equal to or more than 100 J; and
Lähetystaajuus on alle 10 kHz;
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
Äänenpaineen taso on yli 224 dB (vertailuarvo 1 μΡa 1 m:ssä) laitteilla, joiden toimintataajuus on 10 kHz:n ja 24 kHz:n välisellä taajuusalueella;
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
Äänenpaineen taso on yli 235 dB (vertailuarvo 1 μΡa 1 m:ssä) laitteilla, joiden toimintataajuus on 24 kHz:n ja 30 kHz:n välisellä taajuusalueella;
SEE ALSO 3A201.b.
Muodostavat minkä tahansa akselin suunnassa alle 1:n asteen säteitä ja toimintataajuus on alle 100 kHz;
3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Suunniteltu toimimaan 5120 m ylittävällä selvän näytön etäisyydellä; tai
a.
Suunniteltu kestämään normaalissa käytössä painetta yli 1000 m:n syvyyksissä ja sisältävät muuntimia, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
a. Dynaaminen kompensointi painetta vastaan; tai
b.
b. Sisältävät muunninelementissä jotain muuta kuin lyijyzirkonaattititanaattia;
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
c. Akustiset projektorit (mukaan lukien muuntimet), jotka sisältävät yksittäin tai suunnitellussa kombinaatiossa toimivia pietsosähköisiä, magnetostriktiivisiä, sähköstriktiivisiä, sähködynaamisia tai hydraulisia elementtejä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
c.
Erityisesti muita laitteita, joita ei ole määritelty 6A001 kohdassa, varten suunniteltujen akustisten projektorien, muuntimet mukaan lukien, valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden valvonnanalaisuuden mukaan.
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
6A001.a.1.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi elektronisia äänilähteitä, jotka suuntaavat ääntä vain pystysuunnassa, tai mekaanisia (esim. ilmatykki tai höyryshokkitykki) tai kemiallisia (esim. räjähde) äänilähteitä.
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated 'AM0' illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
6A001.a.1.c kohdassa määritellyt pietsosähköiset elementit sisältävät seuraavista valmistetut: lyijy-magnesium-niobaatti/lyijy-titanaatti (Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 tai PMN-PT) yksittäiskiteet, jotka on kasvatettu kiintoaineliuoksesta, tai lyijy-indium-niobaatti/lyijy-magnesium niobaatti/lyijy-titanaatti (Pb(In1/2Nb1/2)O3–Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–PbTiO3 tai PIN-PMN-PT) yksittäiskiteet, jotka on kasvatettu kiintoaineliuoksesta.
'AM0', or 'Air Mass Zero', refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Ne toimivat yli 10 kHz:n taajuuksilla, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
f.
a. Niitä ei ole suunniteltu toimimaan jatkuvasti 100 %:n käyttösyklissä, ja niiden säteilevän ’vapaan kentän lähetystaso (SLRMS)’ on yli (10log(f) + 169,77) dB (vertailutaso 1 μPa 1 m:ssä), jossa f on taajuus hertseinä alle 10 kHz:n maksimilähetysjännitevasteesta (Transmitting Voltage Response – TVR); tai
Rotary input type absolute position encoders having an "accuracy" equal to or less (better) than 1,0 second of arc and specially designed encoder rings, discs or scales therefor;
b. Ne on suunniteltu toimimaan jatkuvasti 100 %:n käyttösyklissä, ja niiden säteilevän ’vapaan kentän lähetystaso (SLRMS)’ 100 %:n käyttösyklissä on yli (10log(f) + 159,77) dB (vertailutaso 1 μPa 1 m:ssä), jossa f on taajuus hertseinä alle 10 kHz:n maksimilähetysjännitevasteesta (Transmitting Voltage Response – TVR); tai
g.
’Vapaan kentän lähetystaso (SLRMS)’ määritellään enimmäisvasteakselilla, ja se on akustisen projektorin kaukokentällä.
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and 'thyristor modules', using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Se voidaan johtaa lähetysjännitevasteesta (Transmitting Voltage Response) käytämällä seuraavaa yhtälöä: SLRMS = (TVR + 20log VRMS) dB (vertailuarvo 1μPa 1 m:ssä), jossa SLRMS on lähetystaso, TVR on lähetysjännitevaste ja VRMS on projektorin käyttöjännite.
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
Sivukeilavaimennus on yli 22 dB;
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
d. Akustiset järjestelmät ja laitteet, jotka on suunniteltu pinta-alusten tai vedenalaisten alusten sijainnin määrittämiseen ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet, sekä erityisesti tätä varten suunnitellut komponentit:
a.
Havaitsemiskyky on yli 1000 m; ja
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
Määritetty sijaintivirhe on alle 10 m rms (tehollisarvo) 1000 m:n etäisyydellä mitattuna;
b.
6A001.a.1.d kohta sisältää seuraavat:
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
Laitteet, jotka käyttävät koherenttia ”signaalinkäsittelyä” kahden tai useamman majakan ja pinta-aluksen tai vedenalaisen aluksen kuljettaman hydrofoniyksikön välillä;
3A001.g. includes:
Laitteet, jotka kykenevät automaattisesti korjaamaan äänen nopeuden etenemisvirheet jonkin pisteen laskemista varten.
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
e. Erilliset kaikuluotaimet, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu havaitsemaan, paikantamaan ja luokittelemaan automaattisesti uimarit tai sukeltajat ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet, ja niitä varten erityisesti suunnitellut lähettävät ja vastaanottavat akustiset järjestelmät:
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
Havaitsemiskyky on yli 530 m;
Light Triggering Thyristors (LTTs)
Määritetty sijaintivirhe on alle 15 m rms (tehollisarvo) 530 m:n etäisyydellä mitattuna; ja
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
Lähetetyn pulssisignaalin kaistanleveys on yli 3 kHz;
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
Erityisesti sotilaskäyttöön suunnitellut tai muunnetut sukeltajien havaitsemisjärjestelmät: ks. asetarvikeluettelo.
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
Kun 6A001.a.1.e kohdan osalta eri ympäristöille määritellään useita etäisyyksiä havaitsemiskyvylle, käytetään niistä suurinta.
Solidtrons
Seuraavat passiiviset järjestelmät, laitteet tai erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit:
3A001.g. does not control thyristor devices and 'thyristor modules' incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
a. Hydrofonit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
For the purposes of 3A001.g., a 'thyristor module' contains one or more thyristor devices.
Muita laitteita varten erityisesti suunniteltujen hydrofonien valvonnanalaisuus määräytyy kyseisten muiden laitteiden valvonnanalaisuuden mukaan.
h.
Hydrofonit koostuvat yhdestä tai useammasta anturielementistä ja niillä on yksi akustinen ulostulokanava.
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or 'modules', having all of the following:
Useampia elementtejä sisältäviin voidaan viitata hydrofoniryhmänä.
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
Sisältävät yhtenäisiä taipuisia anturielementtejä;
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
Sisältävät taipuisia kokoonpanoja erillisistä anturielementeistä, joiden halkaisija tai pituus on alle 20 mm ja etäisyys toisistaan vähemmän kuin 20 mm;
Continuous current greater than 1 A.
Sisältävät jonkin seuraavista anturielementeistä:
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
a. Optiset kuidut;
3A001.h. includes:
b. ’Pietsosähköiset polymeerikalvot’, lukuun ottamatta polyvinylideenifluoridia (PVDF) ja sen sekapolymeereja P(VDF-TrFE) ja P(VDF-TFE);
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
c. ’Taipuisat pietsosähköiset komposiitit’;
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
d. Lyijy-magnesium-niobaatti/lyijy-titanaatti (Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 tai PMN-PT) pietsosähköiset yksittäiskiteet, jotka on kasvatettu kiintoaineliuoksesta; tai
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs)
e. Lyijy-indium-niobaatti/lyijy-magnesium niobaatti/lyijy-titanaatti (Pb(In1/2Nb1/2)O3–Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–PbTiO3 tai PIN-PMN-PT) yksittäiskiteet, jotka on kasvatettu kiintoaineliuoksesta.
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
’Hydrofonin herkkyys’ ilman kiihtyvyyskompensointia on parempi kuin -180 dB missä tahansa syvyydessä;
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Suunniteltu toimimaan yli 35 m:n syvyyksissä ja joissa on kiihtyvyyskompensointi; tai
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
Suunniteltu toimimaan yli 1000 m:n syvyyksissä;
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
Anturielementti ’pietsosähköinen polymeerikalvo’ koostuu polaroidusta polymeerikalvosta, joka on venytetty ja kiinnitetty tukikehykseen tai -rullaan (tuurna).
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Anturielementti ’taipuisa pietsosähköinen komposiitti’ koostuu pietsosähköisistä keraamisista hiukkasista tai kuiduista, jotka on yhdistetty sähköä eristävään ja ääntä läpäisevään kumiin, polymeeriin tai epoksiyhdisteeseen, jossa yhdiste on anturielementin kiinteä osa.
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
’Hydrofonin herkkyys’ määritellään ulostulojännitteen rms-arvon ja 1 V:n rms vertailuarvon suhteen kaksikymmenkertaisena kymmenlogaritmina, kun hydrofonin anturi, ilman etuvahvistinta, asetetaan akustiseen tasoaaltokenttään, jonka rms-paine on 1 μPa.
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
Esimerkiksi – 160 dB:n hydrofoni (vertailuarvo 1 V mikropascalia kohti) antaisi sellaisessa kentässä 10–8 V:n ulostulojännitteen, kun taas toinen – 180 dB:n herkkyydellä antaisi vain 10–9 V:n ulostulojännitteen.
PiN Diodes
Hydrofonijärjestelmät koostuvat useista hydrofoneista ja niillä on useita akustisia ulostulokanavia.
Schottky Diodes
Hydrofoniryhmien välinen etäisyys on vähemmän kuin 12,5 m tai ne ’voidaan muuntaa’ siten, että hydrofoniryhmien välinen etäisyys on vähemmän kuin 12,5 m;
3A001.h. does not control switches, diodes, or 'modules', incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
Suunniteltu tai ’voidaan muuntaa’ toimimaan yli 35 m:n syvyyksissä;
For the purposes of 3A001.h., 'modules' contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
6A001.a.2.b.1 ja 2 kohdassa termi ’voidaan muuntaa’ tarkoittaa varautumista mahdollisuuteen muuttaa kaapelointia tai kytkentöjä hydrofoniryhmien välisen etäisyyden tai niiden toimintasyvyyden rajojen muuttamiseksi.
i.
Näitä varautumisia ovat: varakaapelointi, joka on yli 10 % kaapelien lukumäärästä, hydrofoniryhmien välisen etäisyyden sovituslohkot tai sisäiset syvyyden rajoituslaitteet, jotka ovat säädettäviä tai jotka ohjaavat useampaa kuin yhtä hydrofoniryhmää.
Intensity, amplitude, or phase electro-optic modulators, designed for analogue signals and having any of the following:
6A001.a.2.d kohdassa määritellyt suunta-anturit;
A maximum operating frequency of more than 10 GHz but less than 20 GHz, an optical insertion loss equal to or less than 3 dB and having any of the following:
Pitkittäissuunnassa lujitetut järjestelmäsukat;
a.
Kokoonpantu järjestelmä on halkaisijaltaan alle 40 mm;
A 'half-wave voltage' ('Vπ') less than 2,7 V when measured at a frequency of 1 GHz or below; or
Hydrofoniominaisuudet ovat 6A001.a.2.a kohdassa määriteltyjä; tai
b.
6A001.a.2.d kohdassa määritellyt kiihtyvyysmittariin perustuvat hydroakustiset anturit;
A 'Vπ' of less than 4 V when measured at a frequency of more than 1 GHz; or
c. Hinattavia akustisia hydrofonijärjestelmiä varten erityisesti suunnitellut (signaalien) käsittelylaitteet, jotka ovat ”käyttäjän ohjelmoitavissa” ja joissa on aika- tai taajuusalueen käsittely ja korrelaatio, mukaan lukien spektrianalyysi, digitaalinen suodatus ja säteen muotoilu käyttäen nopeaa Fourier-muunnosta tai muita muunnoksia tai käsittelyjä;
A maximum operating frequency equal to or greater than 20 GHz, an optical insertion loss equal to or less than 3 dB and having any of the following:
d. Suunta-anturit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a.
”Tarkkuus” on parempi kuin 0,5 astetta; ja
A 'Vπ' less than 3,3 V when measured at a frequency of 1 GHz or below; or
Suunniteltu toimimaan yli 35 m:n syvyyksissä tai joilla on säädettävä tai irrotettava syvyysanturilaite yli 35 m:n syvyyksissä tapahtuvaa toimintaa varten;
b.
Inertiaohjausjärjestelmien osalta katso 7A003.c kohta.
A 'Vπ' less than 5 V when measured at a frequency of more than 1 GHz.
e. Pohja- tai poukamahydrofonijärjestelmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
3A001.i. includes electro-optic modulators having optical input and output connectors (e.g., fibre-optic pigtails).
Sisältää 6A001.a.2.a kohdassa määriteltyjä hydrofoneja;