natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Digitaaliset signaaliprosessorit;
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
Logiikkaprosessorit;
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
Laitteet ”kuvan laadun parantamista” varten.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
Muihin laitteisiin tai järjestelmiin sisältyvien 4A003 kohdassa kuvattujen ”digitaalisten tietokoneiden” ja niihin liittyvien laitteiden valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden tai järjestelmien valvonnanalaisuuden mukaan edellyttäen, että:
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
”Digitaaliset tietokoneet” tai niihin liittyvät laitteet ovat näiden muiden laitteiden tai järjestelmien toiminnan kannalta välttämättömiä;
Specific TE-PVD processes are as follows:
”Digitaaliset tietokoneet” tai niihin liittyvät laitteet eivät ole näiden muiden laitteiden tai järjestelmien ”olennaisin osa”; ja
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
Muita laitteita varten erityisesti suunniteltujen ”signaalin käsittely”laitteiden tai ”kuvan laatua parantavien” laitteiden valvonnanalaisuuden määrittelee näiden muiden laitteiden valvonnanalaisuus, vaikka ne ylittäisivätkin olennaisimman osan kriteerin, mikäli ne suorittavat vain näiden muiden laitteiden vaatimia toimintoja.
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
Tietoliikenteessä käytettävien ”digitaalisten tietokoneiden” ja niihin liittyvien laitteiden valvonnanalaisuus: katso 5 ryhmä 1 osa (Tietoliikenne).
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
”Digitaalisten tietokoneiden” ja niihin liittyvien laitteiden ”teknologia” on määritelty 4E kohdassa.
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
b. ”Digitaaliset tietokoneet”, joiden ”mukautettu huipputehokkuus” (”APP”) on yli 29 painotettua teraliukulukutoimitusta sekunnissa (WT);
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
c. Seuraavat ”elektroniset kokoonpanot”, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu nostamaan tehokkuutta yhdistämällä prosessoreja siten, että yhdistelmän ”APP” ylittää 4A003.b kohdassa määritellyn rajan;
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
4A003.c kohdassa asetetaan valvonnanalaiseksi ainoastaan ”elektroniset kokoonpanot” ja ohjelmoitavat keskinäiset kytkennät, jotka eivät ylitä 4A003.b kohdassa määriteltyä rajaa, kun ne toimitetaan erillisinä ”elektronisina kokoonpanoina”.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
4A003.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi tuotteita tai tuoteperheitä varten erityisesti suunniteltuja elektronisia kokoonpanoja, jotka maksimikokoonpanossaan eivät ylitä 4A003.b kohdassa määriteltyä rajaa.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
4A003.g kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi sisäisiä liitäntälaitteita (esim. emolevyjä ja väyliä), passiivisia kytkentälaitteita, ”verkkoliityntäohjaimia” tai ”tietoliikenneohjaimia”.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Seuraavat tietokoneet ja niitä varten erityisesti suunnitellut niihin liittyvät laitteet, ”elektroniset kokoonpanot” ja komponentit:
c.
a. ’Systoliset matriisitietokoneet’;
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
b. ’Hermoverkkotietokoneet’;
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
c. ’Optiset tietokoneet’.
An activator (normally a halide salt); and
’Systolinen matriisitietokone’ on tietokone, jossa käyttäjä voi ohjata tiedon virtausta ja muuttamista dynaamisesti loogisten porttien tasolla.
An inert powder, most frequently alumina.
’Hermoverkkotietokone’ on tietokonelaite, joka on suunniteltu tai muunnettu jäljittelemään neuronin tai neuroniryhmän käyttäytymistä eli jolle on ominaista se, että sen laitteisto kykenee aiempien tietojen perusteella muuttamaan useiden laskennallisten komponenttien välisten kytkentöjen painotusta ja määrää.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
’Optinen tietokone’ on tietokonetta, joka on suunniteltu tai muunnettu käyttämään valoa tiedon esittämiseen ja jonka laskenta- tai loogiset tiedonkäsittelyelementit perustuvat suoraan toisiinsa kytkettyihin optisiin komponentteihin.
d.
Järjestelmät, laitteet ja niiden komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu ”tunkeutumisohjelmiston” luomista, komentojen antamista ja valvontaa tai toimitusta varten.
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Muut kuin 4A001.a.1 kohdassa määritellyt analogiset tietokoneet, ”digitaaliset tietokoneet” tai digitaaliset differentiaalianalysaattorit, jotka on suunniteltu kovaan käyttöön ja suunniteltu tai muunnettu 9A004 kohdassa määriteltyjen avaruuteen laukaisussa käytettävien kantorakettien tai 9A104 kohdassa määriteltyjen luotainrakettien käyttöä varten.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Hybriditietokoneet, jotka on erityisesti suunniteltu 9A004 kohdassa määriteltyjen avaruuteen laukaisussa käytettävien kantorakettien tai 9A104 kohdassa määriteltyjen luotainrakettien mallintamista, simulointia tai konstruktioiden integrointia varten.
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Tätä valvonnanalaisuutta sovelletaan ainoastaan, kun laitteita toimitetaan 7D103 tai 9D103 kohdassa määriteltyjen ”ohjelmistojen” kanssa.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Muissa ryhmissä kuvattuja laitteita varten tarkoitettujen ”ohjelmistojen” valvonnanalaisuutta käsitellään kyseisissä ryhmissä.
e.
Seuraavat ”ohjelmistot”:
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
a. 4A001–4A004 tai 4D kohdassa määriteltyjen laitteiden tai ”ohjelmistojen” ”kehittämistä” tai ”tuotantoa” varten erityisesti suunnitellut tai muunnetut ”ohjelmistot”.
f.
b. Muut kuin 4D001.a kohdassa määritellyt ”ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu seuraavien laitteiden ”kehittämiseen” tai ”tuotantoon”:
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
”Digitaaliset tietokoneet”, joiden ”mukautettu huipputehokkuus” (”APP”) on yli 15 painotettua teraliukulukutoimitusta sekunnissa (WT);
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
”Elektroniset kokoonpanot”, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suorituskyvyn tehostamiseksi yhdistämällä prosessoreja siten, että yhdistelmän ”APP” ylittää 4D001.b.1 kohdassa määritellyn rajan;
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Ei käytössä
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu ”tunkeutumisohjelmiston” luomista, komentojen antamista ja valvontaa tai toimitusta varten.
g.
4D004 kohdassa ei aseteta valvonnan alaiseksi ”ohjelmistoa”, joka on erityisesti suunniteltu ja rajoitettu tarjoamaan ”ohjelmiston” päivityksiä tai parannuksia, jotka täyttävät kaikki seuraavat ominaisuudet:
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Päivitys tai parannut toimii vain sen kohteena olevan järjestelmän omistajan tai hallinnoijan hyväksynnällä; ja
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
Päivityksen tai parannuksen jälkeen päivitetty tai parannettu ”ohjelmisto” ei ole mikään seuraavista:
CATEGORY 3 — ELECTRONICS
4D004 kohdassa määritelty ”ohjelmisto”; tai
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., or 3A001.a.12. to 3A001.a.14., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
”Tunkeutumisohjelmisto”.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., or 3A001.a.12. to 3A001.a.14. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
a. Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti ”teknologia”, joka on tarkoitettu 4A tai 4D kohdassa määriteltyjen laitteiden tai ”ohjelmistojen” ”kehittämistä”, ”tuotantoa” tai ”käyttöä” varten.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., and 3A001.a.12. to 3A001.a.14.
b. Yleisen teknologiahuomautuksen mukainen muu kuin 4E001.a kohdassa määritelty ”teknologia’ seuraavien laitteiden ”kehittämistä” tai ”tuotantoa” varten:
Electronic items as follows:
”Elektroniset kokoonpanot”, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suorituskyvyn tehostamiseksi yhdistämällä prosessoreja siten, että yhdistelmän ”APP” ylittää 4E001.b.1 kohdassa määritellyn rajan;
a.
c. ”Teknologia” ”tunkeutumisohjelmistojen” ”kehittämistä” varten.
General purpose integrated circuits, as follows:
4E001.a ja 4E001.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ’haavoittuvuuksien havaitsemista’ tai ’kybertapahtumiin reagoimista’.
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Huomautuksella 1 ei vähennetä viejän sijoittautumispaikkana olevan jäsenvaltion toimivaltaisen viranomaisen oikeutta varmistaa, että 4E001.a ja 4E001.c kohtaa noudatetaan.
Integrated circuits include the following types:
’Haavoittuvuuksien havaitsemisella’ tarkoitetaan prosessia, jonka mukaisesti haavoittuvuus tunnistetaan ja siitä raportoidaan tai viestitään yksilöille tai organisaatioille, jotka ovat vastuussa haavoittuvuuden korjaamiseen liittyvien toimien toteuttamisesta tai koordinoinnista, tai jonka mukaisesti haavoittuvuutta analysoidaan näiden yksilöiden ja organisaatioiden kanssa.
"Monolithic integrated circuits";
’Kybertapahtumiin reagoimisella’ tarkoitetaan prosessia, jonka mukaisesti vaihdetaan tarvittavia tietoja kyberturvallisuuteen liittyvästä tapahtumasta yksilöiden tai organisaatioiden kanssa, jotka ovat vastuussa kyberturvallisuuteen liittyvää tapahtumaa koskevien korjaavien toimien toteuttamisesta tai koordinoinnista.
"Hybrid integrated circuits";
MUKAUTETTUA HUIPPUTEHOKKUUTTA (”APP”) KOSKEVA TEKNINEN HUOMAUTUS
"Multichip integrated circuits";
”APP” on mukautettu huippunopeus, jolla ”digitaaliset tietokoneet” suorittavat 64-bittisten tai sitä suurempien liukulukujen yhteenlasku- ja kertolaskutoimituksia.
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
”APP” ilmaistaan painotettuina teraliukulukutoimituksina sekunnissa (WT), yksikköinä, jotka koostuvat 1012:sta mukautetusta liukulukutoimituksesta sekunnissa.
"Optical integrated circuits";
Tässä teknisessä huomautuksessa käytetyt lyhenteet
"Three dimensional integrated circuits";
n ”digitaalisen tietokoneen” prosessorien lukumäärä
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" ("MMICs").
i prosessorin numero (i,…n)
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
prosessorin kierrosaika (ti = 1/Fi)
a.
prosessorin taajuus
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
liukulukujen laskennan huippunopeus
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
Yhteenveto ”APP”:n laskentamenetelmästä
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Huom.
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
FPO:ta määritettäessä otetaan huomioon ainoastaan 64-bittisten tai sitä suurempien liukulukujen yhteenlasku- ja kertolaskutoimitukset.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitised data, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, Static Random-Access Memories (SRAMs), or 'non-volatile memories', having any of the following:
Kaikki liukulukutoimitukset on ilmaistava toimituksina prosessorin kierrosta kohden; useita kierroksia vaativat toimitukset voidaan ilmaista murto-osina kierrosta kohden.
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Lasketaan liukulukunopeus R kunkin prosessorin osalta Ri = FPOi/ti.
b.
Lasketaan ”APP” seuraavasti: ”APP” = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn.
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
’Vektoriprosessorien’ osalta Wi = 0,9.
c.
Muiden kuin ’vektoriprosessorien’ osalta Wi = 0,3.
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
Huom. 1:
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Jokainen toimitus lasketaan niiden prosessorien osalta, jotka suorittavat yhdistettyjä toimituksia, kuten yhteen- ja kertolaskuja, kierroksen aikana.
'Non-volatile memories' are memories with data retention over a period of time after a power shutdown.
Huom. 2:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
Liukuhihnaprosessorien osalta todellinen laskentanopeus R on liukuhihnanopeudesta (liukuhihnan ollessa täynnä) tai muusta kuin liukuhihnanopeudesta se, kumpi on nopeampi.
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Huom. 3:
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
Kunkin osallistuvan prosessorin laskentanopeus R lasketaan sen maksiminopeudessa, joka on teoreettisesti mahdollinen ennen kuin yhdistelmän ”APP” johdetaan.
a.
Yhtäaikaisten toimitusten oletetaan olevan olemassa, kun tietokoneen valmistaja mainitsee tietokoneen käyttöohjeissa tai esitteessä yhdessä vaikuttavat, rinnakkaiset tai yhtäaikaiset toimitukset tai suoritukset.
ADCs having any of the following:
Huom. 4:
SEE ALSO 3A101
”APP”:ta laskettaessa ei oteta huomioon prosessoreja, jotka rajoittuvat syöttö/tulostus- ja oheistoimintoihin (esimerkiksi levyasema, viestintä- ja videonäyttö).
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with a "sample rate" greater than 1,3 Giga Samples Per Second (GSPS);
Huom. 5:
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with a "sample rate" greater than 600 Mega Samples Per Second (MSPS);
”APP”-arvoja ei lasketa seuraavien osalta: prosessoriyhdistelmät, jotka on yhdistetty (toisiinsa) ”paikallisverkoilla”, alueverkoilla, yhteisillä siirräntäyhteyksillä/-laitteilla, siirräntäohjausjärjestelmillä ja muilla ”ohjelmistojen” avulla toteutetuilla tietoliikenneyhteyksillä.
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with a "sample rate" greater than 400 MSPS;
Huom. 6:
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with a "sample rate" greater than 250 MSPS; or
”APP”-arvot on laskettava prosessoriyhdistelmille, joihin sisältyy prosessoreja, jotka on erityisesti suunniteltu tehostamaan suorituskykyä toimimalla yhdistelmänä, toimimalla yhtäaikaisesti ja jakamalla muistia;
A resolution of 16 bit or more with a "sample rate" greater than 65 MSPS;
Yhdistetään kaikki prosessorit ja kiihdyttimet, jotka toimivat yhtäaikaisesti ja sijaitsevat samassa sirussa.
For integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitized data, see 3A001.a.14.
Prosessoriyhdistelmät jakavat muistia, kun jokin prosessori kykenee saamaan yhteyden johonkin muistipaikkaan järjestelmässä välimuistilohkojen tai muistisanojen kautta ilman minkään ohjelmistomekanismin osallistumista; tämä voidaan saavuttaa käyttämällä 4A003.c kohdassa määriteltyjä ”elektronisia kokoonpanoja”.
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
Huom. 7:
The resolution of the ADC is the number of bits of the digital output that represents the measured analogue input.
’Vektoriprosessori’ määritellään prosessoriksi, jossa on sisäänrakennetut käskyt, jotka suorittavat useita laskutoimituksia liukulukuvektoreille (64-bittisten tai sitä suurempien lukujen yksiulotteiset matriisit) samanaikaisesti, ja jossa on vähintään kaksi vektoripääyksikköä ja vähintään kahdeksan vektorirekisteriä, joissa on kussakin ainakin 64 elementtiä.
Effective Number of Bits (ENOB) is not used to determine the resolution of the ADC.
RYHMÄ 5 – TIETOLIIKENNE JA ”TIEDON SUOJAUS”
For "multiple channel ADCs", the "sample rate" is not aggregated and the "sample rate" is the maximum rate of any single channel.
1 Osa – TIETOLIIKENNE
For "interleaved ADCs" or for "multiple channel ADCs" that are specified to have an interleaved mode of operation, the "sample rates" are aggregated and the "sample rate" is the maximum combined total rate of all of the interleaved channels.
Tietoliikennelaitteita tai -järjestelmiä varten erityisesti suunniteltujen komponenttien, testaus- ja ”tuotanto”laitteiden ja ”ohjelmistojen” valvonnanalaisuus on määritelty 5 ryhmän 1 osassa.
b.
Erityisesti televiestintälaitteita tai -järjestelmiä varten kehitettyjen ”lasereiden” osalta ks. 6A005.
Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
”Digitaaliset tietokoneet”, niihin liittyvät laitteet tai ”ohjelmistot”, jotka ovat olennaisia tässä ryhmässä kuvattujen tietoliikennelaitteiden toiminnalle ja tukevat niitä, katsotaan erityisesti tätä tarkoitusta varten suunnitelluiksi komponenteiksi, edellyttäen, että ne ovat valmistajan tavanomaisesti toimittamia vakiotyyppejä.
A resolution of 10 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 3500 MSPS; or
Tämä koskee myös tietokonejärjestelmiä toimintaa, hallintoa, ylläpitoa, teknistä suunnittelua tai laskutusta varten.
A resolution of 12 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 1250 MSPS and having any of the following:
Seuraavat tietoliikennejärjestelmät, laitteet, komponentit ja varusteet:
A settling time less than 9 ns to arrive at or within 0,024 % of full scale from a full scale step; or
Erityisesti suunniteltu kestämään ydinräjähdyksestä aiheutuvia hetkellisiä elektronisia vaikutuksia tai sähkömagneettista pulssia;
b.
Erityisesti suojattu kestämään gamma-, neutroni- tai ionisäteilyä;
A 'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
Erityisesti suunniteltu toimimaan alle 218 K (– 55°C) lämpötiloissa; tai
'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
Erityisesti suunniteltu toimimaan yli 397 K (124 °C) lämpötiloissa;
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
5A001.a.3 ja 5A001.a.4 kohdassa asetetaan valvonnanalaiseksi vain elektroniset laitteet.
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than -3 dBfs (full scale).
5A001.a.2, 5A001.a.3 ja 5A001.a.4 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi satelliiteissa käytettäviksi suunniteltuja tai muunnettuja laitteita.
'Adjusted update rate' for DACs:
b. Tietoliikennejärjestelmät ja -laitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit tai tarvikkeet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, toiminnoista tai piirteistä:
For conventional (non-interpolating) DACs, the 'adjusted update rate' is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
Kytkemättömät vedenalaiset viestintäjärjestelmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
a. Akustinen kantoaaltotaajuus, joka on alueen 20–60 kHz ulkopuolella;
For interpolating DACs (oversampling DACs), the 'adjusted update rate' is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
b. Käyttävät sähkömagneettista kantoaaltotaajuutta alle 30 kHz;
For interpolating DACs, the 'adjusted update rate' may be referred to by different terms including:
c. Käyttävät elektronista keilanohjaustekniikkaa; tai
input data rate
d. Käyttävät ”lasereita” tai valodiodeita (LED), joiden lähtöaallonpituus on yli 400 nm mutta alle 700 nm ”paikallisverkossa”;
input word rate
Radiolaitteet, jotka toimivat 1,5–87,5 MHz:n kaistalla ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
input sample rate
a. Ennakoivat ja valitsevat automaattisesti kanavakohtaisia taajuuksia ja ”digitaalisia kokonaissiirtonopeuksia” optimoidakseen lähetystä; ja
maximum total input bus rate
b. Sisältävät lineaarisen tehovahvistinkonfiguraation, joka kykenee tukemaan useampia signaaleja samanaikaisesti vähintään1 kW:n lähtöteholla 1,5–30 MHz:n taajuusalueella tai vähintään 250 W:n lähtöteholla 30–87,5 MHz:n taajuusalueella, yhden tai useamman oktaavin ”hetkellisen taajuuskaistan” yli, siten että ulostulon yliaalto- ja särösisältö on parempi kuin -80 dB;