natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
Valmistajia ei velvoiteta mittaamaan 6A004.e.2 kohdassa tarkoitettua pinnan epätasaisuutta, ellei optista elementtiä ole suunniteltu tai valmistettu valvontaparametrin täyttämistä tai ylittämistä varten.
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
6A004.e kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi ei-pallomaisia optisia elementtejä, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
Optisen aukon suurin mitta on alle 1 m ja polttovälin suhde aukkoon on vähintään 4,5:1;
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
Optisen aukon suurin mitta on vähintään 1 m ja polttovälin suhde aukkoon on vähintään 7:1;
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
Ne on suunniteltu Fresnel-, flyeye-, juova-, prisma- tai diffraktiotyyppisiksi optisiksi elementeiksi;
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
Ne on valmistettu borosilikaattilasista, jonka lineaarinen lämpölaajenemiskerroin on suurempi kuin 2,5 × 10–6/K 25 °C:n lämpötilassa; tai
f.
Ne ovat röntgenoptisia elementtejä, joilla on sisäisiä peiliominaisuuksia (esim. putkityyppinen peili).
Lithography equipment as follows:
Litografialaitteita varten erityisesti suunniteltujen ei- pallomaisten optisten elementtien osalta katso 3B001 kohta.
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
f. Dynaamiset aaltorintaman mittauslaitteet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a.
’Kuvanopeus’ on vähintään 1 kHz; ja
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
Aaltorintamatarkkuus on λ/20 tai vähemmän (parempi) suunnitellulla aallonpituudella.
b.
Sovellettaessa 6A004.f kohtaa ’kuvanopeus’ on taajuus, jolla kaikki ”aktiiviset pikselit” ”fokusoivassa tasorakenteessa” integroituvat aaltorintaman sensorioptiikan heijastamien kuvien tallentamiseksi.
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
Seuraavat muut kuin 0B001.g.5 tai 0B001.h.6 kohdassa määritellyt ”laserit”, komponentit ja optiset laitteet:
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
KATSO MYÖS 6A205 KOHTA.
where the K factor = 0,35
Pulssi”lasereihin” kuuluvat ne, jotka toimivat pulssitettuina jatkuva-aaltomoodissa (CW).
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
Eksimeeri-, puolijohde-, kemialliset, hiilimonoksidi-, hiilidioksidi- ja ’yksittäisiä pulsseja tuottavat’ neodymiumlasi”laserit” määritellään ainoastaan 6A005.d kohdassa.
3B001.f.2. includes:
’Yksittäisiä pulsseja tuottava’ viittaa ”laseriin”, joka tuottaa joko yhden yksittäisen ulostulopulssin tai jonka tuottamien pulssien aikaväli on yli minuutin.
Micro contact printing tools
6A005 kohta sisältää kuitu”laserit”.
Hot embossing tools
”Laserien”, jotka kykenevät taajuuden muuttamiseen (eli aallonpituuden muuttamiseen) muutoin kuin siten, että yksi ”laser” syöttää energiaa toiseen ”laseriin”, valvonnanalaisuus määräytyy sekä lähde”laserin” tuotoksen että taajuusmuunnetun optisen tuotoksen valvontaparametrien perusteella.
Nano-imprint lithography tools
Huom. 5:
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
6A005 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi seuraavia ”lasereita”:
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
Rubiini”laserit”, joiden lähtöenergia on alle 20 J;
a.
Typpi”laserit”;
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
Krypton”laserit”.
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
6A005 kohdassa käsitteellä ’laserin hyötysuhde’ (wall-plug efficiency) tarkoitetaan ”laserin” lähtötehon (tai ”keskimääräisen lähtötehon”) suhdetta ”laserin” käyttämiseen tarvittavan sähköisen virtalähteen kokonaistehoon, mukaan lukien virtalähteen/virransäädön ja lämmönpoiston/lämmönvaihdon edellyttämä teho.
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
a. Ei-viritettävät jatkuvaa valoa tuottavat (CW, continuous wave) ”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
Lähtöaallonpituus on alle 150 nm ja lähtöteho yli 1 W;
a.
Lähtöaallonpituus on vähintään 150 nm mutta enintään 510 nm, ja lähtöteho on yli 30 W;
A deflected focused electron beam; and
6A005.a.2 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi argon”lasereita”, joiden lähtöteho on enintään 50 W.
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
Lähtöaallonpituus on yli 510 nm mutta enintään 540 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
a. Yksitransversaalimuodon ulostulo ja lähtöteho on yli 50 W; tai
g.
b. Monitransversaalimuodon ulostulo ja lähtöteho on yli 150 W;
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Lähtöaallonpituus on yli 540 nm mutta enintään 800 nm, ja lähtöteho on yli 30 W;
h.
Lähtöaallonpituus on yli 800 nm mutta enintään 975 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified in 3B001.g. and having any of the following:
b. Monitransversaalimuodon ulostulo ja lähtöteho on yli 80 W;
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
Lähtöaallonpituus on yli 975 nm mutta enintään 1150 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
a. Yksitransversaalimuoto ja lähtöteho on yli 500 W; tai
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not specified in 3A001.
b. Monitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
i.
’Laserin hyötysuhde’ on yli 18 prosenttia ja lähtöteho on yli 500 W; tai
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Lähtöteho on yli 2 kW;
j.
6A005.a.6.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi monitransversaalimuodossa toimivia teollisuus”lasereita”, joiden lähtöteho on yli 2 kW mutta enintään 6 kW ja joiden kokonaismassa on yli 1200 kg.
Mask "substrate blanks" with multilayer reflector structure consisting of molybdenum and silicon, and having all of the following:
Tässä huomautuksessa kokonaismassalla tarkoitetaan kaikkia ”laserin” käyttämiseen tarvittavia komponentteja (esim. ”laser”, virtalähde, lämmönpoistaja), mutta siihen ei sisälly säteen kunnostukseen tai kuljetukseen tarvittava ulkoinen optiikka.
Specially designed for 'Extreme Ultraviolet' ('EUV') lithography; and
6A005.a.6.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi monitransversaalimuodossa toimivia teollisuus”lasereita”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Compliant with SEMI Standard P37.
Lähtöteho on yli 500 W mutta enintään 1 kW, ja niillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:
'Extreme Ultraviolet' ('EUV') refers to electromagnetic spectrum wavelengths greater than 5 nm and less than 124 nm.
Sädeparametritulo (BPP) on yli 0,7 mm•mrad; ja
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
’Luminanssi’ on enintään 1024 W/(mm•mrad)2;
a.
Lähtöteho on yli 1 kW mutta enintään 1,6 kW, ja BPP on yli 1,25 mm•mrad;
For testing S-parameters of items specified in 3A001.b.3.;
Lähtöteho on yli 1,6 kW mutta enintään 2,5 kW, ja BPP on yli 1,7 mm•mrad;
c.
Lähtöteho on yli 2,5 kW mutta enintään 3,3 kW, ja BPP on yli 2,5 mm•mrad;
For testing items specified in 3A001.b.2.
Lähtöteho on yli 3,3 kW mutta enintään 4 kW, ja BPP on yli 3,5 mm•mrad;
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Lähtöteho on yli 4 kW mutta enintään 5 kW, ja BPP on yli 5 mm•mrad;
Silicon (Si);
Lähtöteho on yli 6 kW mutta enintään 8 kW, ja BPP on yli 12 mm•mrad; tai
b.
Lähtöteho on yli 8 kW mutta enintään 10 kW, ja BPP on yli 24 mm•mrad;
Germanium (Ge);
6A005.a.6.b kohdan huomautuksessa 2.a ’luminanssi’ määritellään seuraavasti: ”laserin” lähtöteho jaettuna toiseen potenssiin korotetulla sädeparametritulolla (BPP) eli lähtöteho/BPP2.
c.
Lähtöaallonpituus on yli 1150 nm mutta enintään 1555 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Silicon carbide (SiC); or
a. Yksitransversaalimuoto ja lähtöteho on yli 50 W; tai
d.
b. Monitransversaalimuoto ja lähtöteho on yli 80 W;
"III/V compounds" of gallium or indium.
Lähtöaallonpituus on yli 1555 nm mutta enintään 1850 nm, ja lähtöteho on yli 1 W;
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Lähtöaallonpituus on yli 1850 nm mutta enintään 2100 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
a. Yksitransversaalimuoto ja lähtöteho on yli 1 W; tai
a.
b. Monitransversaalimuodon ulostulo ja lähtöteho on yli 120 W; tai
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
Lähtöaallonpituus on yli 2100 nm ja lähtöteho on yli 1 W;
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 193 nm but equal to or greater than 15 nm;
b. Ei-”viritettävät” pulssitoimiset ”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
Lähtöaallonpituus on alle 150 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
b.
a. Lähtöenergia on yli 50 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 1 W; tai
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
b. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 1 W;
d.
Lähtöaallonpituus on vähintään 150 nm mutta enintään 510 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
All resists optimised for surface imaging technologies;
a. Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 30 W; tai
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
6A005.b.2.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi argon”lasereita”, joiden keskimääräinen lähtöteho on enintään 50 W.
Organo-inorganic compounds as follows:
a. Yksitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a.
Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 50 W; tai
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 50 W; tai
b.
Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 150 W; tai
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 150 W;
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Lähtöaallonpituus on yli 540 nm mutta enintään 800 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
a. ”Pulssin kesto” on alle 1 ps, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Lähtöenergia on yli 0 005 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 5 GW; tai
High resistivity materials as follows:
”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 20 W; tai
a.
b. ”Pulssin kesto” on vähintään 1 ps, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C;
Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 30 W; tai
b.
”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 30 W;
Polycrystalline "substrates" or polycrystalline ceramic "substrates", having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C and having at least one non-epitaxial single-crystal layer of silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN), or aluminium gallium nitride (AlGaN) on the surface of the "substrate".
Yksitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 20 W;
Materials, not specified in 3C001, consisting of a "substrate" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
b. ”Pulssin kesto” on vähintään 1 ps mutta enintään 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
Lähtöenergia on yli 0,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 50 W;
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
Yksitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 20 W; tai
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Monitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 50 W; tai
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
c. ”Pulssin kesto” on yli 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Lähtöenergia on yli 2 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 50 W;
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
Yksitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 50 W; tai
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
Monitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 80 W;
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
a. ”Pulssin kesto” on alle 1 ps, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Ulostulon ”huipputeho” on yli 2 GW pulssia kohti;
3E001 does not control "technology" for equipment or components specified in 3A003.
”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 30 W; tai
3E001 does not control "technology" for integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Lähtöenergia on yli 0,002 J pulssia kohti;
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
b. ”Pulssin kesto” on vähintään 1 ps mutta alle 1 ns, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
Ulostulon ”huipputeho” on yli 5 GW pulssia kohti;
3E001 does not control 'Process Design Kits' ('PDKs') unless they include libraries implementing functions or technologies for items specified in 3A001.
Lähtöenergia on yli 0,1 J pulssia kohti;
A 'Process Design Kit' ('PDK') is a software tool provided by a semiconductor manufacturer to ensure that the required design practices and rules are taken into account in order to successfully produce a specific integrated circuit design in a specific semiconductor process, in accordance with technological and manufacturing constraints (each semiconductor manufacturing process has its particular 'PDK').
c. ”Pulssin kesto” on vähintään 1 ns mutta enintään 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
Yksitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a.
a. ”Huipputeho” on yli 100 MW;
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
b. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 20 W, ja ne on suunniteltu niin, että suurin mahdollinen pulssintoistotaajuus on enintään 1 kHz;
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
c. ’Laserin hyötysuhde’ on yli 12 prosenttia ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 100 W, ja ne kykenevät toimimaan yli 1 kHz:n pulssintoistotaajuudella;
b.
d. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 150 W, ja ne kykenevät toimimaan yli 1 kHz:n pulssintoistotaajuudella; tai
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
e. Lähtöenergia on yli 2 J pulssia kohti; tai
c.
Monitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Designed to perform more than eight 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
a. ”Huipputeho” on yli 400 MW;
3E002 does not control "technology" for multimedia extensions.
b. ’Laserin hyötysuhde’ on yli 18 % ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 500 W;
3E002 does not control "technology" for micro-processor cores, having all of the following:
c. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 2 kW; tai
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
d. Lähtöenergia on yli 4 J pulssia kohti; tai
3E002 includes "technology" for the "development" or "production" of digital signal processors and digital array processors.
d. ”Pulssin kesto” on yli 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
a. ”Huipputeho” on yli 500 kW;
a.
b. ’Laserin hyötysuhde’ on yli 12 % ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 100 W; tai
Vacuum microelectronic devices;
c. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 150 W; tai
b.
a. ”Huipputeho” on yli 1 MW;
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
b. ’Laserin hyötysuhde’ on yli 18 % ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 500 W; tai
3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
c. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 2 kW;
"Superconductive" electronic devices;
a. ”Pulssin kesto” on enintään 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
d.
Monitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 50 W; tai
Substrates of films of diamond for electronic components.
b. ”Pulssin kesto” on yli 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
e.
Lähtöenergia on yli 2 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 50 W;
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
Monitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 80 W;
f.
Lähtöaallonpituus on yli 1555 nm mutta enintään 1850 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Substrates of silicon carbide for electronic components;
a. Lähtöenergia on yli 100 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 1 W; tai
g.
Lähtöaallonpituus on yli 1850 nm mutta enintään 2100 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
'Vacuum electronic devices' operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
a. Yksitransversaalimuoto, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
Lähtöenergia on yli 100 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 1 W; tai
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software"specified in 3D101.
”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 1 W; tai
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
b. Monitransversaalimuoto, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
Lähtöenergia on yli 100 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 10 kW; tai
CATEGORY 4 — COMPUTERS
”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 120 W; tai
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Lähtöaallonpituus on yli 2100 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, 'main storage' or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
a. Lähtöenergia on yli 100 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 1 W; tai
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
b. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 1 W;
'Main storage' is the primary storage for data or instructions for rapid access by a central processing unit.
c. ”Viritettävät” ”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
It consists of the internal storage of a "digital computer" and any hierarchical extension thereto, such as cache storage or non-sequentially accessed extended storage.
Lähtöaallonpituus on alle 600 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
a. Lähtöenergia on yli 50 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 1 W; tai
SEE ALSO 4A101.
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho on yli 1 W;
a.
6A005.c.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi väriaine”lasereita” tai muita neste”lasereita”, joilla on monimuotolähtö ja joiden aallonpituus on vähintään 150 nm mutta enintään 600 nm ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Specially designed to have any of the following:
Lähtöenergia on vähemmän kuin 1,5 J pulssia kohti tai ”huipputeho” on vähemmän kuin 20 W; ja
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C); or
Keskimääräinen tai CW-lähtöteho on vähemmän kuin 20 W.