natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
d. Kaikki estopinnoitteet, jotka on optimoitu pintakuvausteknologiaa varten;
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
e. Kaikki estopinnoitteet, jotka on suunniteltu tai optimoitu käytettäväksi lämpö- tai säteilykovetusprosessia käyttävien 3B001.f.2 kohdassa määriteltyjen kohokuviointilaitteiden kanssa.
An activator (normally a halide salt); and
Seuraavat orgaanis-epäorgaaniset yhdisteet:
An inert powder, most frequently alumina.
a. Metalliorgaaniset alumiini-, gallium- tai indiumyhdisteet, joiden (perusmetallin) puhtaus (metalleista) on parempi kuin 99,999 %;
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
b. Arseeniorgaaniset, antimoni-orgaaniset ja fosfori-orgaaniset yhdisteet, joiden puhtaus (epäorgaanisista aineista) on parempi kuin 99,999 %.
d.
3C003 kohdassa asetetaan valvonnanalaiseksi vain yhdisteet, joiden metallinen, osittain metallinen tai ei-metallinen elementti on suoraan liittynyt hiileen molekyylin orgaanisessa osassa.
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Fosfori-, arseeni- tai antimonihydridit, joiden puhtaus on parempi kuin 99,999 %, myös jalokaasuilla tai vedyllä laimennettuina.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
3C004 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi hydridejä, jotka sisältävät vähintään 20 mooliprosenttia jalokaasuja tai vetyä.
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Piikarbidi- (SiC), galliumnitridi- (GaN), aluminiumnitridi- (AIN) tai aluminiumgalliumnitridi- (AIGaN) puolijohde "substraatit", tai näiden materiaalien harkot, boulet tai muut preformit, joiden resistiivisyys on enemmän kuin 10000 ohmisenttimetriä 20 °C:ssa.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
3C005 kohdassa määritellyt "substraatit", joissa on vähintään yksi epitaksinen kerros piikarbidia, galliumnitridiä, aluminiumnitridiä tai aluminiumgalliumnitridiä.
e.
"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 3A001.b–3A002.h tai 3B kohdassa määriteltyjen laitteiden "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 3B001.a–f, 3B002 tai 3A225 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.
f.
'Fysiikkapohjaiset' simulaatio-"ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu sellaisten litografia-, syövytys- ja pinnoitusprosessien "kehittämiseen", jotka muuntavat maskin kuviot erityisiksi topografisiksi johtimien, eristeiden ja puolijohdemateriaalien kuvioiksi.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
'Fysiikkapohjaisella' tarkoitetaan 3D003 kohdassa laskelmien käyttämistä fysikaalisten syy ja seuraus -tapahtumien jakson määrittämiseen fysikaalisten ominaisuuksien perusteella (esimerkiksi lämpötila, paine, diffuusiovakiot ja puolijohdemateriaalien ominaisuudet).
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Kirjastot, suunnitteluparametrit sekä niihin liittyvät tiedot puolijohdekomponenttien ja integroitujen piirien suunnittelua varten käsitetään "teknologiaksi".
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 3A003 kohdassa määriteltyjen laitteiden "kehittämistä" varten.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 3A101.b kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.
g.
"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu vahvistamaan tai heikentämään taajuusmuuntimien tai generaattoreiden suorituskykyä, jotta 3A225 kohdan ominaisuudet täyttyvät.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A, 3B tai 3C kohdassa määriteltyjen laitteiden ja materiaalien "kehittämistä" ja "tuotantoa" varten.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
3E001 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi 3A003 kohdassa täsmennettyjen laitteiden tai komponenttien "tuotantoa" varten tarvittavaa "teknologiaa".
CATEGORY 3 — ELECTRONICS
3E001 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi sellaisten 3A001.a.3–3A001.a.12 kohtien mukaan valvonnanalaisten integroitujen piirien, "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten tarvittavaa "teknologiaa", joilla on kaikki seuraavat:
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.13, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Ne käyttävät "teknologiaa", jonka koko on vähintään 0 130 μm; ja
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.13 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Ne sisältävät monikerrosrakenteita, joissa on korkeintaan kolme metallikerrosta.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.13.
Muu kuin 3E001 kohdassa määritelty "teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti sellaisen "mikroprosessorimikropiirin", "mikrotietokonemikropiirin" tai mikro-ohjainmikropiiriytimen "kehittämistä" ja "tuotantoa" varten, jonka aritmeettisloogisen yksikön hakuleveys on 32 bittiä tai enemmän ja jolla on jokin seuraavista piirteistä tai ominaisuuksista:
Electronic items as follows:
a.
a.
'Vektoriprosessoriyksikkö', joka on suunniteltu suorittamaan enemmän kuin kaksi laskutoimitusta liukulukuvektoreille (32-bittisten tai sitä suurempien lukujen yksiulotteiset matriisit) samanaikaisesti;
General purpose integrated circuits, as follows:
'Vektoriprosessoriyksikkö' on prosessorielementti, jossa on sisäänrakennetut käskyt, jotka suorittavat useita laskutoimituksia liukulukuvektoreille (32-bittisten tai sitä suurempien lukujen yksiulotteiset matriisit) samanaikaisesti, ja jossa on vähintään yhden vektorin aritmeettislooginen yksikkö ja vektorirekisterit, joissa on kussakin vähintään 32 elementtiä.
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
b. Suunniteltu suorittamaan enemmän kuin neljä 64-bittistä tai sitä suurempaa liukulukutoimitusta kierrosta kohden; tai
Integrated circuits include the following types:
c. Suunniteltu suorittamaan enemmän kuin kahdeksan 16-bittistä kiintolukutoimitusta kertolasku-summausta käyttäen kierrosta kohden (esimerkiksi sellaisen analogisen tiedon digitaalinen käsittely, joka on aiemmin muunnettu digitaaliseen muotoon eli digitaalinen "signaalinkäsittely")
"Monolithic integrated circuits";
3E002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi multimedialaajennuksia varten olevaa "teknologiaa".
"Hybrid integrated circuits";
3E002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi "teknologiaa" yleisen sellaisten mikroprosessoriytimien "kehittämistä" ja "tuotantoa" varten, joilla on kaikki seuraavista:
"Multichip integrated circuits";
Niihin sisältyy monikerroksisia rakenteita, joissa on viisi metallikerrosta tai vähemmän.
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
3E002 kohtaan sisältyy "teknologia" digitaalisia signaalinkäsittelijöitä ja digitaalisia taulukkosuorittimia varten.
"Optical integrated circuits";
Muu "teknologia" seuraavien "kehittämistä" ja "tuotantoa" varten:
"Three dimensional integrated circuits".
a. Tyhjö-mikroelektroniset komponentit;
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
b. Heterorakenteiset elektroniset puolijohdekomponentit, kuten korkean elektroniliikkuvuuden transistorit (HEMT), heterobipolaaritransistorit (HBT), kvanttikuoppa- tai superhilakomponentit;
a.
3E003.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi "teknologiaa" alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia HEMT-transistoreja varten ja alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia heteroliitosbipolaaritransistoreja (HBT) varten.
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
c.
b.
"Suprajohtavat" elektroniset komponentit;
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
d. Elektronisten komponenttien timanttifilmisubstraatit;
c.
e. Piieristyssubstraatit integroiduille piireille, joissa eristysaineena on piidioksidi;
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
f. Piikarbidisubstraatit elektronisille komponenteille;
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
g. Elektroniset tyhjöputket, jotka toimivat 31,8 GHz:n tai suuremmilla taajuuksilla.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A001.a.1 tai 2, 3A101, 3A102 tai 3D101 kohdassa määriteltyjen laitteiden ja "ohjelmistojen" "käyttöä" varten.
a.
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3D101 kohdassa määriteltyjen "ohjelmistojen" "kehittämistä" varten.
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
RYHMÄ 4 – TIETOKONEET
c.
Tietokoneet, niihin liittyvät laitteet tai "ohjelmistot", jotka suorittavat tietoliikenteen tai "paikallisverkon" toimintoja, on arvioitava myös 5 ryhmän 1 osan (Tietoliikenne) toimintaparametrit huomioon ottaen.
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
Ohjausyksiköitä, jotka yhdistävät suoraan keskusyksikön, "keskusmuistin" tai levyohjaimien väyliä tai kanavia, ei katsota 5 ryhmän 1 osassa (Tietoliikenne) määritellyiksi tietoliikennelaitteiksi.
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Pakettikytkentää varten erityisesti suunniteltujen "ohjelmistojen" valvonnanalaisuus: katso 5D001 kohta.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
Seuraavat elektroniset tietokoneet ja niihin liittyvät laitteet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, sekä "elektroniset kokoonpanot" ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
KATSO MYÖS 4A101.
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
a. Jotka on erityisesti suunniteltu niin, että niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
ADCs having any of the following:
4A001.a.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi siviiliajoneuvo-, rautatie- tai "siviili-ilma-alus"sovelluksiin erityisesti suunniteltuja tietokoneita.
SEE ALSO 3A101
Kestävät säteilyä yli jonkin seuraavista rajoista:
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 1000 million words per second;
a. Kokonaisannos
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
5 × 103 Gy (pii);
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
b. Annosnopeus
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with an output rate greater than 250 million words per second; or
5 × 106 Gy (pii)/s; tai
A resolution of 16 bit or more with an output rate greater than 65 million words per second;
c. Kertahäiriö
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
1 × 10– 8 virhettä/bitti/vrk;
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
4A001.a.2 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi "siviili-ilma-alus"sovelluksiin erityisesti suunniteltuja tietokoneita.
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
b. Ei käytössä.
For 'multiple channel ADCs', the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
Seuraavat "digitaaliset tietokoneet", "elektroniset kokoonpanot" ja niihin liittyvät laitteet sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
For 'interleaved ADCs' or for 'multiple channel ADCs' that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
4A003 kohta sisältää seuraavat:
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
'Vektoriprosessorit';
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Matriisiprosessorit;
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
Digitaaliset signaaliprosessorit;
'Multiple channel ADCs' are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
Logiikkaprosessorit;
'Interleaved ADCs' are defined as devices which have multiple ADC units that sample the same analogue input at different times such that when the outputs are aggregated, the analogue input has been effectively sampled and converted at a higher sampling rate.
Laitteet "kuvan laadun parantamista" varten.
b.
Muihin laitteisiin tai järjestelmiin sisältyvien 4A003 kohdassa kuvattujen "digitaalisten tietokoneiden" ja niihin liittyvien laitteiden valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden tai järjestelmien valvonnanalaisuuden mukaan edellyttäen, että:
Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
"Digitaaliset tietokoneet" tai niihin liittyvät laitteet ovat näiden muiden laitteiden tai järjestelmien toiminnan kannalta välttämättömiä;
A resolution of 10 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 3500 MSPS; or
Tietoliikenteessä käytettävien "digitaalisten tietokoneiden" ja niihin liittyvien laitteiden valvonnanalaisuus: katso 5 ryhmä 1 osa (Tietoliikenne).
A resolution of 12 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 1250 MSPS and having any of the following:
"Digitaalisten tietokoneiden" ja niihin liittyvien laitteiden "teknologia" on määritelty 4E kohdassa.
A settling time less than 9 ns to 0,024 % of full scale from a full scale step; or
"Digitaaliset tietokoneet", joiden "mukautettu huipputehokkuus" ("APP") on yli 12,5 painotettua teraliukulukutoimitusta sekunnissa (WT);
b.
c. Seuraavat "elektroniset kokoonpanot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu nostamaan tehokkuutta yhdistämällä prosessoreja siten, että yhdistelmän "APP" ylittää 4A003.b kohdassa määritellyn rajan;
A 'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
4A003.c kohdassa asetetaan valvonnanalaiseksi ainoastaan "elektroniset kokoonpanot" ja ohjelmoitavat keskinäiset kytkennät, jotka eivät ylitä 4A003.b kohdassa määriteltyä rajaa, kun ne toimitetaan erillisinä "elektronisina kokoonpanoina".
'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
4A003.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi tuotteita tai tuoteperheitä varten erityisesti suunniteltuja elektronisia kokoonpanoja, jotka maksimikokoonpanossaan eivät ylitä 4A003.b kohdassa määriteltyä rajaa.
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
"Elektroniset kokoonpanot", moduulit tai laitteet, jotka suorittavat analogia-digitaalimuunnoksia: ks. 3A002.h.
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than – 3 dBfs (full scale).
g. Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu "digitaalisten tietokoneiden" toiminnan yhdistämiseen ulkoisella keskinäisliitännällä, jonka avulla viestiliikenne toimii yksisuuntaisella tiedonsiirtonopeudella yli 2,0 Gbyte/s/liityntä.
'Adjusted update rate' for DACs:
4A003.g kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi sisäisiä liitäntälaitteita (esim. emolevyjä ja väyliä), passiivisia kytkentälaitteita, "verkkoliityntäohjaimia" tai "tietoliikenneohjaimia".
For conventional (non-interpolating) DACs, the 'adjusted update rate' is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
Seuraavat tietokoneet ja niitä varten erityisesti suunnitellut niihin liittyvät laitteet, "elektroniset kokoonpanot" ja komponentit:
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
a.
For interpolating DACs (oversampling DACs), the 'adjusted update rate' is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
"Systoliset matriisitietokoneet";
For interpolating DACs, the 'adjusted update rate' may be referred to by different terms including:
b.
input data rate
"Hermoverkkotietokoneet";
input word rate
c.
input sample rate
"Optiset tietokoneet".
maximum total input bus rate
Järjestelmät, laitteet ja niiden komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu "tunkeutumisohjelmiston" luomista, käyttöä tai toimitusta taikka sen kanssa viestimistä varten.
maximum DAC clock rate for DAC clock input.
Muut kuin 4A001.a.1 kohdassa määritellyt analogiset tietokoneet, "digitaaliset tietokoneet" tai digitaaliset differentiaalianalysaattorit, jotka on suunniteltu kovaan käyttöön ja suunniteltu tai muunnettu 9A004 kohdassa määriteltyjen avaruuteen laukaisussa käytettävien kantorakettien tai 9A104 kohdassa määriteltyjen luotainrakettien käyttöä varten.
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
Hybriditietokoneet, jotka on erityisesti suunniteltu 9A004 kohdassa määriteltyjen avaruuteen laukaisussa käytettävien kantorakettien tai 9A104 kohdassa määriteltyjen luotainrakettien mallintamista, simulointia tai konstruktioiden integrointia varten.
a.
Tätä valvonnanalaisuutta sovelletaan ainoastaan, kun laitteita toimitetaan 7D103 tai 9D103 kohdassa määriteltyjen "ohjelmistojen" kanssa.
One or more than one internal "laser" diode;
Muissa ryhmissä kuvattuja laitteita varten tarkoitettujen "ohjelmistojen" valvonnanalaisuutta käsitellään kyseisissä ryhmissä.
b.
Seuraavat "ohjelmistot":
One or more than one internal light detecting element; and
a. 4A001–4A004 tai 4D kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen" "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten erityisesti suunnitellut tai muunnetut "ohjelmistot".
c.
b. Muut kuin 4D001.a kohdassa määritellyt "ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu seuraavien laitteiden "kehittämiseen" tai "tuotantoon":
Optical waveguides;
"Digitaaliset tietokoneet", joiden "mukautettu huipputehokkuus" ("APP") on yli 6,0 painotettua teraliukulukutoimitusta sekunnissa (WT);
Field programmable logic devices having any of the following:
"Elektroniset kokoonpanot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suorituskyvyn tehostamiseksi yhdistämällä prosessoreja siten, että yhdistelmän "APP" ylittää 4D001.b.1 kohdassa määritellyn rajan;
a.
"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu "tunkeutumisohjelmiston" luomista, käyttöä tai toimitusta taikka sen kanssa viestimistä varten.
A maximum number of single-ended digital input/outputs of greater than 700; or
a. Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti "teknologia", joka on tarkoitettu 4A tai 4D kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen" "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten.
b.
b. Muu kuin 4E001.a kohdassa määritelty "teknologia", joka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu seuraavien laitteiden "kehittämiseen" tai "tuotantoon":
An 'aggregate one-way peak serial transceiver data rate' of 500 Gb/s or greater;
"Elektroniset kokoonpanot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suorituskyvyn tehostamiseksi yhdistämällä prosessoreja siten, että yhdistelmän "APP" ylittää 4E001.b.1 kohdassa määritellyn rajan;
3A001.a.7. includes:
c.
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
"Teknologia" "tunkeutumisohjelmistojen" "kehittämistä" varten.
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
MUKAUTETTUA HUIPPUTEHOKKUUTTA ("APP") KOSKEVA TEKNINEN HUOMAUTUS
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
"APP" on mukautettu huippunopeus, jolla "digitaaliset tietokoneet" suorittavat 64-bittisten tai sitä suurempien liukulukujen yhteenlasku- ja kertolaskutoimituksia.
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
"APP" ilmaistaan painotettuina teraliukulukutoimituksina sekunnissa (WT), yksikköinä, jotka koostuvat 1012:sta mukautetusta liukulukutoimituksesta sekunnissa.
Field Programmable Interconnects (FPICs)
Tässä teknisessä huomautuksessa käytetyt lyhenteet
Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
n "digitaalisen tietokoneen" prosessorien lukumäärä
'Aggregate one-way peak serial transceiver data rate' is the product of the peak serial one-way transceiver data rate times the number of transceivers on the FPGA.
i prosessorin numero (i, … n)
Neural network integrated circuits;
prosessorin kierrosaika (ti = 1/Fi)
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
prosessorin taajuus
a.
liukulukujen laskennan huippunopeus
More than 1500 terminals;
arkkitehtuurin mukautustekijä
b.
Yhteenveto "APP":n laskentamenetelmästä
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,02 ns; or
Määritetään kunkin prosessorin i osalta 64-bittisten tai sitä suurempien liukulukujen toimitusten huippumäärä FPOi, joka suoritetaan kierrosta kohden "digitaalisen tietokoneen" kunkin prosessorin osalta.
c.
Huom.