natgillin/translations-raw huggingface dataset:
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
Lähtöteho on yli 3,3 kW mutta enintään 4 kW, ja BPP on yli 3,5 mm•mrad;
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
Lähtöteho on yli 4 kW mutta enintään 5 kW, ja BPP on yli 5 mm•mrad;
a.
Lähtöteho on yli 5 kW mutta enintään 6 kW, ja BPP on yli 7,2 mm•mrad;
Voltage rating greater than 2 kV; and
Lähtöteho on yli 6 kW mutta enintään 8 kW, ja BPP on yli 12 mm•mrad; tai
b Inductance of less than 20 nH.
Lähtöteho on yli 8 kW mutta enintään 10 kW, ja BPP on yli 24 mm•mrad;
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Lähtöaallonpituus on yli 1150 nm mutta enintään 1555 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
SEE ALSO 2B226
a. Yksitransversaalimuoto ja lähtöteho on yli 50 W; tai
a.
b. Monitransversaalimuoto ja lähtöteho on yli 80 W;
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
Lähtöaallonpituus on yli 1555 nm mutta enintään 1850 nm, ja lähtöteho on yli 1 W;
Equipment designed or modified to produce a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Lähtöaallonpituus on yli 1850 nm mutta enintään 2100 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
a. Yksitransversaalimuoto ja lähtöteho on yli 1 W; tai
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
b. Monitransversaalimuodon ulostulo ja lähtöteho on yli 120 W; tai
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Lähtöaallonpituus on yli 2100 nm ja lähtöteho on yli 1 W;
b.
b. Ei-”viritettävät” pulssitoimiset ”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Lähtöaallonpituus on alle 150 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
a. Lähtöenergia on yli 50 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 1 W; tai
Direct write capability;
b. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 1 W;
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
Lähtöaallonpituus on vähintään 150 nm mutta enintään 510 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
a. Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 30 W; tai
e.
b. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 30 W;
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
6A005.b.2.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi argon”lasereita”, joiden keskimääräinen lähtöteho on enintään 50 W.
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
a. Yksitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 50 W; tai
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 50 W; tai
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 150 W; tai
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 150 W;
f.
Lähtöaallonpituus on yli 540 nm mutta enintään 800 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Lithography equipment as follows:
a. ”Pulssin kesto” on alle 1 ps, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
Lähtöenergia on yli 0 005 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 5 GW; tai
a.
”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 20 W; tai
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
b. ”Pulssin kesto” on vähintään 1 ps, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
b.
Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 30 W; tai
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 30 W;
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
Yksitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 20 W;
an exposure light source wavelength in nm
b. ”Pulssin kesto” on vähintään 1 ps mutta enintään 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
K factor
Lähtöenergia on yli 0,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 50 W;
numerical aperture
Yksitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 20 W; tai
where the K factor = 0,35
Monitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 50 W; tai
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
c. ”Pulssin kesto” on yli 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
3B001.f.2. includes:
Lähtöenergia on yli 2 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 50 W;
Micro contact printing tools
Yksitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 50 W; tai
Hot embossing tools
Monitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 80 W;
Nano-imprint lithography tools
a. ”Pulssin kesto” on alle 1 ps, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Ulostulon ”huipputeho” on yli 2 GW pulssia kohti;
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 30 W; tai
a.
Lähtöenergia on yli 0,002 J pulssia kohti;
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
b. ”Pulssin kesto” on vähintään 1 ps mutta alle 1 ns, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
Ulostulon ”huipputeho” on yli 5 GW pulssia kohti;
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
Lähtöenergia on yli 0,1 J pulssia kohti;
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
c. ”Pulssin kesto” on vähintään 1 ns mutta enintään 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A deflected focused electron beam; and
a. ”Huipputeho” on yli 100 MW;
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
b. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 20 W, ja ne on suunniteltu niin, että suurin mahdollinen pulssintoistotaajuus on enintään 1 kHz;
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
c. ’Laserin hyötysuhde’ on yli 12 prosenttia ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 100 W, ja ne kykenevät toimimaan yli 1 kHz:n pulssintoistotaajuudella;
g.
d. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 150 W, ja ne kykenevät toimimaan yli 1 kHz:n pulssintoistotaajuudella; tai
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
e. Lähtöenergia on yli 2 J pulssia kohti; tai
h.
Monitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
a. ”Huipputeho” on yli 400 MW;
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
b. ’Laserin hyötysuhde’ on yli 18 % ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 500 W;
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
c. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 2 kW; tai
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
d. Lähtöenergia on yli 4 J pulssia kohti; tai
i.
d. ”Pulssin kesto” on yli 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
a. ”Huipputeho” on yli 500 kW;
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
b. ’Laserin hyötysuhde’ on yli 12 % ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 100 W; tai
a.
c. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 150 W; tai
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
a. ”Huipputeho” on yli 1 MW;
c.
b. ’Laserin hyötysuhde’ on yli 18 % ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 500 W; tai
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
c. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 2 kW;
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Lähtöaallonpituus on yli 1150 nm mutta enintään 1555 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a.
a. ”Pulssin kesto” on enintään 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Silicon (Si);
Monitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 50 W; tai
Germanium (Ge);
Lähtöenergia on yli 2 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 50 W;
c.
Monitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 80 W;
Silicon carbide (SiC); or
Lähtöaallonpituus on yli 1555 nm mutta enintään 1850 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
d.
a. Lähtöenergia on yli 100 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 1 W; tai
"III/V compounds" of gallium or indium.
Lähtöaallonpituus on yli 1850 nm mutta enintään 2100 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
a. Yksitransversaalimuoto, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Lähtöenergia on yli 100 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 1 W; tai
a.
”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 1 W; tai
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
b. Monitransversaalimuoto, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
Lähtöenergia on yli 100 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 10 kW; tai
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 120 W; tai
b.
Lähtöaallonpituus on yli 2100 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
a. Lähtöenergia on yli 100 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 1 W; tai
d.
b. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 1 W;
All resists optimised for surface imaging technologies;
c. ”Viritettävät” ”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
e.
Lähtöaallonpituus on alle 600 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
a. Lähtöenergia on yli 50 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 1 W; tai
Organo-inorganic compounds as follows:
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho on yli 1 W;
a.
6A005.c.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi väriaine”lasereita” tai muita neste”lasereita”, joilla on monimuotolähtö ja joiden aallonpituus on vähintään 150 nm mutta enintään 600 nm ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1.
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Lähtöenergia on vähemmän kuin 1,5 J pulssia kohti tai ”huipputeho” on vähemmän kuin 20 W; ja 2.
b.
Keskimääräinen tai CW-lähtöteho on vähemmän kuin 20 W.
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Lähtöaallonpituus on vähintään 600 nm mutta enintään 1400 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
a. Lähtöenergia on yli 1 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 20 W; tai
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho on yli 20 W; tai
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Lähtöaallonpituus on yli 1400 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
d. Muut ”laserit”, joita ei ole määritelty 6A005.a, 6A005.b tai 6A005.c kohdassa, seuraavasti:
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
Seuraavat puolijohde”laserit”:
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
6A005.d.1 kohta sisältää puolijohde”laserit”, joilla on optinen ulostulo (esim. kuituoptiset häntäkaapelit).
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
Erityisesti muita laitteita varten suunniteltujen puolijohdelaserien valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden mukaan.
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
a. Erilliset yksitransversaalimoodissa toimivat puolijohde”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Aallonpituus on enintään 1510 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho on suurempi kuin 1,5 W; tai
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Aallonpituus on suurempi kuin 1510 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho on yli 500 mW;
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
b. Erilliset monitransversaalimoodissa toimivat puolijohde”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
Aallonpituus on pienempi kuin 1400 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 15 W;
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
Aallonpituus vähintään 1400 nm mutta pienempi kuin 1900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 2,5 W; tai
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Aallonpituus vähintään 1900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 1 W;
3E001 does not control "technology" for equipment or components specified in 3A003.
c. Erilliset puolijohde”laser” ’liuskat’, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
3E001 does not control "technology" for integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Aallonpituus on pienempi kuin 1400 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 100 W;
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
Aallonpituus vähintään 1400 nm mutta pienempi kuin 1900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 25 W; tai
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
Aallonpituus vähintään 1900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 10 W;
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
d. Puolijohde”laser” ’pinot’ (kaksiulotteiset rakenteet), joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a.
Aallonpituus pienempi kuin 1400 nm ja jokin seuraavista ominaisuuksista:
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
a. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho pienempi kuin 3 kW ja keskimääräinen tai CW-lähtö’tehotiheys’ suurempi kuin 500 W/cm2;
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
b. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho vähintään 3 kW mutta enintään 5 kW, ja keskimääräinen tai CW-lähtö’tehotiheys’ suurempi kuin 350 W/cm2;
b.
c. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 5 kW;
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
d. Pulssin huippu’tehotiheys’ suurempi kuin 2500 W/cm2; tai
c.
6A005.d.1.d.1.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi epitaksisesti valmistettuja monoliittisia laitteita.
Designed to perform more than eight 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
e. Avaruudellisesti koherentti keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 150 W;
3E002 does not control "technology" for multimedia extensions.
Aallonpituus vähintään 1400 nm mutta pienempi kuin 1900 nm, ja jokin seuraavista ominaisuuksista:
3E002 does not control "technology" for micro-processor cores, having all of the following:
a. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho pienempi kuin 250 W ja keskimääräinen tai CW-lähtö’tehotiheys’ suurempi kuin 150 W/cm2;
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
b. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho vähintään 250 W mutta enintään 500 W, ja keskimääräinen tai CW-lähtö’tehotiheys’ suurempi kuin 50 W/cm2;
3E002 includes "technology" for the "development" or "production" of digital signal processors and digital array processors.
c. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 500 W;
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
d. Pulssin huippu’tehotiheys’ suurempi kuin 500 W/cm2; tai
a.
6A005.d.1.d.2.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi epitaksisesti valmistettuja monoliittisia laitteita.
Vacuum microelectronic devices;
e. Avaruudellisesti koherentti keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 15 W;
b.
Aallonpituus vähintään 1900 nm ja jokin seuraavista ominaisuuksista:
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
a. Keskimääräinen tai CW-lähtö’tehotiheys’ suurempi kuin 50 W/cm2;
3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 10 W; tai
c.
c. Avaruudellisesti koherentti keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 1,5 W; tai
"Superconductive" electronic devices;
Vähintään yksi 6A005.d.1.c kohdassa määritelty ”laser” ’liuska’;
d.
Sovellettaessa 6A005.d.1.d kohtaa ’tehotiheydellä’ tarkoitetaan kokonais”laser”lähtötehoa jaettuna ’pinon’ emitteripinta-alalla.
Substrates of films of diamond for electronic components.
e. Muut kuin 6A005.d.1.d kohdassa määritellyt puolijohde”laser” ’pinot’, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
e.
Erityisesti suunnitellut tai muunnetut yhdistettäväksi muihin ’pinoihin’, jotta voidaan muodostaa suurempi ’pino’; ja
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
Integroidut liitännät, jotka ovat yhteisiä sekä elektroniikalle että jäähdytykselle;
f.
6A005.d.1.e kohdassa määriteltyjä puolijohde”laser” ’pinoja’ yhdistämällä muodostetut ’pinot’, joita ei ole suunniteltu edelleen yhdistettäväksi tai muunnettavaksi, on määritelty 6A005.d.1.d kohdassa.
Substrates of silicon carbide for electronic components;
6A005.d.1.e kohdassa määriteltyjä puolijohde”laser” ’pinoja’ yhdistämällä muodostetut ’pinot’, jotka on suunniteltu edelleen yhdistettäväksi tai muunnettavaksi, on määritelty 6A005.d.1.e kohdassa.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
’Liuska’ (myös nimellä puolijohde”laser” ’liuska’, ”laser”diodi’liuska’ tai diodi’liuska’) muodostuu useista puolijohde”lasereista” yksiulotteisessa rakenteessa.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software"specified in 3D101.
’Pino’ muodostuu useista ’liuskoista’, jotka muodostavat puolijohde”laserien” kaksiulotteisen rakenteen.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
Hiilimonoksidi(CO)”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
a. Lähtöenergia on yli 2 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 5 kW; tai
CATEGORY 4 - COMPUTERS
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho on yli 5 kW;
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Hiilidioksidi(CO2)”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
a. CW-lähtöteho on yli 15 kW;
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
b. Pulssiulostulon ”pulssin kesto” on yli 10 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 10 kW; tai
SEE ALSO 4A101.
”Huipputeho” on yli 100 kW; tai
Specially designed to have any of the following:
Pulssin energia on yli 5 J pulssia kohti; tai