natgillin/translations-raw huggingface dataset:
d.
a. Ilmaisinelementin 'skannaussuunnan' mitan suhde ilmaisinelementin 'ristiskannaussuunnan' mittaan on vähemmän kuin 3,8; tai
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
b. Signaalin prosessointi anturielementeissä;
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
6A002.a.3.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi "fokusoivia tasorakenteita" (enintään 32 elementtiä sisältäviä), joiden ilmaisinelementit on rajoitettu pelkästään germaniummateriaaliin.
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
Sovellettaessa 6A002.a.3.d kohtaa 'ristiskannaussuunta' määritellään ilmaisinelementtien lineaarisen rakenteen suuntaiseksi akseliksi ja 'skannaussuunta' ilmaisinelementtien lineaarista rakennetta vasten kohtisuorassa olevaksi akseliksi.
e.
e. Muut kuin "avaruuskelpoiset" lineaariset (yksiulotteiset) "fokusoivat tasorakenteet", joissa yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 3000 nm mutta enintään 30000 nm;
Not used;
f.
f.
'Mikrobolometri'-aineeseen pohjautuvat muut kuin "avaruuskelpoiset" epälineaariset (kaksiulotteiset) "fokusoivat tasorakenteet", joissa yksittäisten elementtien suodattamaton vaste on aallonpituusalueella, joka on vähintään 8000 nm mutta enintään 14000 nm;
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
Sovellettaessa 6A002.a.3.f kohtaa 'mikrobolometri' määritellään lämpökuvausanturiksi, jota infrapunasäteilyn absorption aiheuttaman lämpötilamuutoksen vuoksi käytetään tuottamaan mitä tahansa käyttökelpoista signaalia.
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
g. Muut kuin "avaruuskelpoiset" "fokusoivat tasorakenteet", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
Yksittäisten ilmaisinelementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm mutta enintään 900 nm;
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
Ne on erityisesti suunniteltu tai muunnettu niin, että saadaan aikaan 'varauksen monistaminen', ja niiden maksimi"säteilynherkkyys" ylittää 10 mA/W aallonpituuksilla, jotka ovat yli 760 nm; ja
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
Ne sisältävät enemmän kuin 32 elementtiä.
a.
b. Etäishavainnointisovelluksiin suunnitellut "yksispektriset kuvannusanturit" ja "monispektriset kuvannusanturit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Voltage rating greater than 2 kV; and
Hetkellinen näkökenttä (IFOV) on vähemmän kuin 200 μrad (mikroradiaania); tai
b Inductance of less than 20 nH.
Ne on määritelty toimimaan aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm mutta enintään 30000 nm, ja niillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
a. Ne antavat kuvatiedon ulostulossaan digitaalisessa muodossa; ja
a.
Ne ovat "avaruuskelpoisia"; tai
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
Ne on suunniteltu ilmassa tapahtuvaan toimintaan, ne käyttävät muita kuin pii-ilmaisimia, ja niiden IFOV on vähemmän kuin 2,5 mrad (milliradiaania);
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
6A002.b.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi "yksispektrisiä kuvannusantureita", joiden vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 300 nm mutta enintään 900 nm, ja jotka käsittävät ainoastaan seuraavia muita kuin "avaruuskelpoisia" ilmaisimia tai muita kuin "avaruuskelpoisia" "fokusoivia tasorakenteita":
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Varauskytketyt piirit (CCD), joita ei ole suunniteltu tai muunnettu käytettäväksi 'varauksen monistamiseen'; tai
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
Komplementaariset metallioksidipuolijohdelaitteet (CMOS), joita ei ole suunniteltu tai muunnettu käytettäväksi 'varauksen monistamiseen'.
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
c.
b.
'Suorakatselu'kuvauslaitteet, jotka sisältävät jonkin seuraavista:
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
6A002.a.2.a tai 6A002.a.2.b kohdassa määritellyt kuvanvahvistinputket;
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
6A002.a.3 kohdassa määritellyt "fokusoivat tasorakenteet"; tai
Direct write capability;
6A002.a.1 kohdassa määritellyt solid-state-ilmaisimet;
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
Termi 'suorakatselu' viittaa kuvauslaitteisiin, jotka näyttävät visuaalisen kuvan tarkkailijalle muuttamatta kuvaa sähköiseksi signaaliksi televisionäyttöä varten ja jotka eivät voi tallettaa kuvaa valokuvana, elektronisesti tai millään muullakaan tavalla.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
6A002.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi seuraavia laitteita, jotka sisältävät muita kuin GaAs- tai GaInAs-valokatodeja:
d.
Teollisuus- tai siviilikäyttöön tarkoitetut murtohälyttimet, liikenteessä tai teollisuudessa käytettävät liikkeen ohjaus- tai laskentajärjestelmät;
Not used;
Lääketieteelliset laitteet.
e.
Teollisuuden laitteet, joita käytetään materiaalien ominaisuuksien tarkastukseen, lajitteluun tai analysointiin;
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
Teollisten uunien liekinilmaisimet;
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu laboratoriokäyttöön.
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
d. Seuraavat optisten anturien toimintaa tukevat erikoiskomponentit:
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
"Avaruuskelpoiset" kryojäähdyttimet;
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
Seuraavat muut kuin "avaruuskelpoiset" kryojäähdyttimet, joiden kylmälähteen lämpötila on alle 218 K (– 55 °C):
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
a. Suljetulla kierrolla varustetut, joiden määritelty keskimääräinen vioittumisaika (MTTF) tai keskimääräinen vikaväli (MTBF) on yli 2500 tuntia;
f.
b. Itsesäätävät Joule-Thomson (JT) -minijäähdyttimet, joiden ulkohalkaisija on alle 8 mm;
Lithography equipment as follows:
Optiset anturikuidut, jotka on erityisesti valmistettu joko koostumuksellisesti tai rakenteellisesti tai muunnettu pinnoittamalla, akustisesti, termisesti, inertiaalisesti, sähkömagneettisesti tai ydinsäteilylle herkiksi;
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
6A002.d.3 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi koteloituja optisia anturikuituja, jotka on erityisesti suunniteltu reikäluotauksen anturisovelluksiin.
a.
e. Ei käytössä.
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
Seuraavat kamerat, järjestelmät tai laitteet ja niiden komponentit:
b.
KATSO MYÖS 6A203 KOHTA.
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
a. Seuraavat instrumentointikamerat ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
6A003.a.3–6A003.a.5 kohdassa määritellyt moduulirakenteiset instrumentointikamerat on arvioitava niiden suurimman suorituskyvyn mukaan käyttäen saatavilla olevia ohjelmalisäkkeitä kameran valmistajan eritelmien mukaisesti.
an exposure light source wavelength in nm
Suurinopeuksiset elokuvakamerat, jotka käyttävät mitä tahansa filmikokoa välillä 8 mm–16 mm, mukaan lukien ne kamerat, joissa filmiä siirretään jatkuvasti kuvausajanjakson aikana, ja jotka kykenevät ottamaan yli 13150 kuvaa sekunnissa;
K factor
6A003.a.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi siviilikäyttöön tarkoitettuja elokuvakameroita.
numerical aperture
Mekaaniset suurinopeuksiset kamerat, joissa filmi ei liiku ja jotka kykenevät ottamaan yli 1000000 kuvaa sekunnissa täydellä 35 mm filmin kuvan korkeudella tai suhteessa suuremmilla nopeuksilla, kun kuvan korkeus on pienempi, tai suhteessa pienemmillä nopeuksilla, kun kuvan korkeus on suurempi;
where the K factor = 0,35
Seuraavat mekaaniset tai elektroniset juovakamerat:
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
a. Mekaaniset juovakamerat, joiden piirtonopeus on yli 10 mm/ms;
3B001.f.2. includes:
b. Elektroniset juovakamerat, joiden ajallinen erottelutarkkuus on parempi kuin 50 ns;
Micro contact printing tools
Elektroniset yksittäiskuvakamerat, joiden nopeus ylittää 1000000 kuvaa sekunnissa;
Hot embossing tools
Elektroniset kamerat, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Nano-imprint lithography tools
a. Elektronisen sulkimen nopeus (avainnuskyky) on vähemmän kuin 1 μs täyttä kuvaa kohti; ja
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
b. Luettavuusaika sallii yli 125 täyden kuvan nopeuden sekunnissa;
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
Ohjelmalisäkkeet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a.
a. Ne on erityisesti suunniteltu 6A003.a kohdassa määriteltyjä moduulirakenteisia instrumentointikameroita varten; ja
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
b. Niiden ansiosta nämä kamerat saavuttavat valmistajan eritelmien mukaisesti 6A003.a.3, 6A003.a.4 tai 6A003.a.5 kohdassa määritellyt ominaisuudet;
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
b. Seuraavat kuvannuskamerat:
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
6A003.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi televisio- tai videokameroita, jotka on erityisesti suunniteltu televisiolähetyksiä varten.
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
Solid-state-antureita sisältävät videokamerat, joiden vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 10 nm mutta enintään 30000 nm, ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a.
a. Jokin seuraavista:
A deflected focused electron beam; and
Enemmän kuin 4 × 106"aktiivista pikseliä" solid-state-matriisia kohti yksivärikameroissa (mustavalkokameroissa);
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
Enemmän kuin 4 × 106"aktiivista pikseliä" solid-state-matriisia kohti värikameroissa, joissa on kolme solid-state-matriisia; tai
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
Enemmän kuin 12 × 106"aktiivista pikseliä" solid-state-matriisia kohti värikameroissa, joissa on yksi solid-state-matriisi; ja
g.
6A004.a kohdassa määritellyt optiset peilit;
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
6A004.d kohdassa määritellyt optiikan ohjauslaitteet; tai
h.
Mahdollisuus tallentaa sisäisesti tuotettuja 'kamerapaikannustietoja'.
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
Sovellettaessa tätä kohtaa digitaaliset videokamerat olisi arvioitava liikkuvan kuvankaappaukseen käytettyjen "aktiivisten pikselien" enimmäismäärän perusteella.
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
Sovellettaessa tätä kohtaa 'kamerapaikannustiedoilla' tarkoitetaan tietoja, joita tarvitaan määrittämään kameran tähtäysviivan suunta maahan nähden.
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
Tähän sisältyy: 1) vaakasuora kulma, jonka kameran tähtäysviiva muodostaa suhteessa maan magneettikentän suuntaan ja 2) pystysuora kulma kameran tähtäysviivan ja maan horisontin välillä.
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Pyyhkäisevät kamerat ja pyyhkäisevät kamerajärjestelmät, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
i.
a. Vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 10 nm mutta enintään 30000 nm;
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
b. Lineaarisia ilmaisinryhmiä, joissa on enemmän kuin 8192 elementtiä ryhmää kohti; ja
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
c. Mekaaninen pyyhkäisy yhdessä suunnassa;
a.
6A003.b.2 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi pyyhkäiseviä kameroita ja pyyhkäiseviä kamerajärjestelmiä, jotka on erityisesti suunniteltu johonkin seuraavista tarkoituksista:
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Teollisuus- tai siviilikäyttöön tarkoitetut valokopiokoneet;
c.
Kuvanlukijat, jotka on erityisesti suunniteltu siviiliolosuhteissa, paikallaan ja lähietäisyydellä käytettäviin kuvanlukusovelluksiin (esim. asiakirjoissa, taideteoksissa tai valokuvissa olevin kuvien tai tekstin toistoon); tai
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Lääketieteelliset laitteet.
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Kuvannuskamerat, jotka sisältävät 6A002.a.2.a tai 6A002.a.2.b kohdassa määriteltyjä kuvanvahvistinputkia;
a.
'Kuvannuskamerat', jotka sisältävät joitakin seuraavista "fokusoivista tasorakenteista":
Silicon (Si);
a. 6A002.a.3.a–6A002.a.3.e kohdissa määriteltyjä "fokusoivia tasorakenteita";
b.
b. 6A002.a.3.f kohdassa määriteltyjä "fokusoivia tasorakenteita"; tai
Germanium (Ge);
c. 6A002.a.3.g kohdassa määriteltyjä "fokusoivia tasorakenteita";
c.
6A003.b.4 kohdassa määritellyt 'kuvannuskamerat' sisältävät "fokusoivia tasorakenteita", jotka yhdistettyinä näyttöpiirin lisäksi riittävään signaalinkäsittelyelektroniikkaan mahdollistavat vähimmillään analogisen tai digitaalisen signaalin ulostulon, kun teho on kytketty.
Silicon carbide (SiC); or
6A003.b.4.a kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi seuraaviin käyttötarkoituksiin suunniteltuja kuvannuskameroita, joissa on sellaisia lineaarisia "fokusoivia tasorakenteita", jotka sisältävät 12 elementtiä tai vähemmän, ja joissa ei käytetä aikaviivästystä ja integrointia elementeissä:
d.
Teollisuuden laitteet, joita käytetään rakennusten, laitteiden tai teollisuusprosessien lämpövirtojen havaitsemiseen tai seuraamiseen;
"III/V compounds" of gallium or indium.
Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu laboratoriokäyttöön; tai
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
6A003b.4.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi kuvannuskameroita, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Niiden enimmäiskuvataajuus on enintään 9 Hz;
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
Linssi, jonka polttoväli on kiinteä ja jota ei ole suunniteltu poistettavaksi;
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
Ei "suorakatselunäyttöä", ja
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
Ei mahdollisuutta saada katselukelpoista kuvaa havaitusta näkökentästä; tai
b.
Kamera on suunniteltu vain yhtä sovellusta varten, eikä sitä ole suunniteltu käyttäjän muunnettavaksi; tai
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Kamera on erityisesti suunniteltu asennettavaksi siviilihenkilöitä kuljettavaan maa-ajoneuvoon ja sillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:
d.
Kameran sijoittelu ja konfiguraatio ajoneuvossa ovat sellaiset, että sen ainoana tarkoituksena on avustaa kuljettajaa ajoneuvon turvallisessa toiminnassa;
All resists optimised for surface imaging technologies;
Sitä voidaan käyttää ainoastaan, jos se on asennettu johonkin seuraavista:
e.
Siviilihenkilöitä kuljettava maa-ajoneuvo, johon se on tarkoitettu ja joka painaa vähemmän kuin 4500 kg (kokonaispaino); tai
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Erityisesti suunniteltu valtuutettu huoltotestiympäristö; ja
Organo-inorganic compounds as follows:
Se sisältää aktiivisen mekanismin, joka estää kameraa toimimasta, kun se poistetaan ajoneuvosta, johon se on tarkoitettu.
a.
6A003.b.4 kohdan huomautuksessa 3.b tarkoitettu 'hetkellinen näkökenttä' (IFOV) on alempi luku 'horisontaalisen IFOV:n' tai 'vertikaalisen IFOV:n' arvoista.
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
'Horisontaalinen IFOV' = horisontaalinen näkökenttä (FOV) / horisontaalisten anturielementtien lukumäärä.
b.
'Vertikaalinen IFOV' = vertikaalinen näkökenttä (FOV) / vertikaalisten anturielementtien lukumäärä.
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Kohdan 6A003.b.4 huomautuksessa 3.b tarkoitettu 'suorakatselu' tarkoittaa infrapunaspektrillä toimivaa kuvannuskameraa, joka näyttää visuaalisen kuvan inhimilliselle tarkkailijalle minkä tahansa valoturvamekanismin sisältävällä silmikkotyyppisellä mikronäytöllä.
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
6A003b.4.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi kuvannuskameroita, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
Kamera on erityisesti suunniteltu asennettavaksi kiinteänä osana rakennukseen ja verkkovirtajärjestelmiin tai -laitteisiin, ja se on suunniteltu yhteen seuraavista sovelluksista:
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Teollisuusprosessien valvonta, laadunvalvonta tai materiaalien ominaisuuksien analysointi;
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
Laboratoriolaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu tieteellistä tutkimusta varten;
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
Taloudellisten väärinkäytösten havaitsemiseen tarkoitetut laitteet; ja
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
Järjestelmät tai laitteet, joihin se oli tarkoitettu; tai
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
Erityisesti suunniteltu valtuutettu huoltoympäristö; ja
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Se sisältää aktiivisen mekanismin, joka estää kameraa toimimasta, kun se poistetaan järjestelmästä tai laitteesta, johon se oli tarkoitettu;
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Kun kamera on erityisesti suunniteltu asennettavaksi siviilihenkilöitä kuljettavaan maa-ajoneuvoon tai matkustajia ja ajoneuvoja kuljettaviin lauttoihin, ja sillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Kameran sijoittelu ja konfiguraatio ajoneuvossa tai lautalla ovat sellaiset, että sen ainoana tarkoituksena on avustaa kuljettajaa ajoneuvon tai lautan turvallisessa toiminnassa;
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
Siviilihenkilöitä kuljettava maa-ajoneuvo, johon se on tarkoitettu ja joka painaa vähemmän kuin 4500 kg (kokonaispaino);
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
Matkustajia ja ajoneuvoja kuljettava lautta, johon se on tarkoitettu ja jonka kokonaispituus (LOA( on vähintään 65 m; tai
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
Erityisesti suunniteltu valtuutettu huoltotestiympäristö; ja
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Se sisältää aktiivisen mekanismin, joka estää kameraa toimimasta, kun se poistetaan ajoneuvosta, johon se oli tarkoitettu;
3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components specified in 3A003.
Se on suunniteltu niin, että sen maksimi"säteilynherkkyys" on enintään 10 mA/W aallonpituuksilla, jotka ovat yli 760 nm, ja sillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:
3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Niihin sisältyy vasterajoitinmekanismi, jota ei ole tarkoitettu poistettavaksi tai muunnettavaksi;
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
Se sisältää aktiivisen mekanismin, joka estää kameraa toimimasta, kun vasterajoitinmekanismi poistetaan; ja
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
Sitä ei ole erityisesti suunniteltu tai muunnettu vedenalaiseen käyttöön; tai
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
Ei 'suorakatselunäyttöä' eikä elektronista kuvanäyttöä;
a.
Ei mahdollisuutta saada katselukelpoista kuvaa havaitusta näkökentästä;
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
"Fokusoiva tasorakenne" toimii vain, jos se on asennettu siihen kameraan, johon se oli tarkoitettu; ja