natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Fused silicides
Muita laitteita varten erityisesti suunniteltujen ”signaalin käsittely”laitteiden tai ”kuvan laatua parantavien” laitteiden valvonnanalaisuuden määrittelee näiden muiden laitteiden valvonnanalaisuus, vaikka ne ylittäisivätkin olennaisimman osan kriteerin, mikäli ne suorittavat vain näiden muiden laitteiden vaatimia toimintoja.
Fused aluminides except for resistance heating elements
Tietoliikenteessä käytettävien ”digitaalisten tietokoneiden” ja niihin liittyvien laitteiden valvonnanalaisuus: katso 5 ryhmä 1 osa (Tietoliikenne). c.
F. Sputter Deposition
”Digitaalisten tietokoneiden” ja niihin liittyvien laitteiden ”teknologia” on määritelty 4E kohdassa.
Noble metal modified aluminides (3)
b. ”Digitaaliset tietokoneet”, joiden ”mukautettu huipputehokkuus” (”APP”) on yli 16 painotettua teraliukulukutoimitusta sekunnissa (WT);
Platinum
c. Seuraavat ”elektroniset kokoonpanot”, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu nostamaan tehokkuutta yhdistämällä prosessoreja siten, että yhdistelmän ”APP” ylittää 4A003.b kohdassa määritellyn rajan;
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
4A003.c kohdassa asetetaan valvonnanalaiseksi ainoastaan ”elektroniset kokoonpanot” ja ohjelmoitavat keskinäiset kytkennät, jotka eivät ylitä 4A003.b kohdassa määriteltyä rajaa, kun ne toimitetaan erillisinä ”elektronisina kokoonpanoina”.
Dielectic layers (15)
4A003.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi tuotteita tai tuoteperheitä varten erityisesti suunniteltuja elektronisia kokoonpanoja, jotka maksimikokoonpanossaan eivät ylitä 4A003.b kohdassa määriteltyä rajaa.
G. Ion Implantation
g. Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu ”digitaalisten tietokoneiden” toiminnan yhdistämiseen ulkoisella keskinäisliitännällä, jonka avulla viestiliikenne toimii yksisuuntaisella tiedonsiirtonopeudella yli 2,0 Gbyte/s/liityntä.
High temperature bearing steels
4A003.g kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi sisäisiä liitäntälaitteita (esim. emolevyjä ja väyliä), passiivisia kytkentälaitteita, ”verkkoliityntäohjaimia” tai ”tietoliikenneohjaimia”.
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
Seuraavat tietokoneet ja niitä varten erityisesti suunnitellut niihin liittyvät laitteet, ”elektroniset kokoonpanot” ja komponentit:
Cemented tungsten carbide (16)
a. ”Systoliset matriisitietokoneet”;
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - NOTES
b. ”Hermoverkkotietokoneet”;
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
c. ”Optiset tietokoneet”.
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Järjestelmät, laitteet ja niiden komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu ”tunkeutumisohjelmiston” luomista, komentojen antamista ja valvontaa tai toimitusta varten.
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
Muut kuin 4A001.a.1 kohdassa määritellyt analogiset tietokoneet, ”digitaaliset tietokoneet” tai digitaaliset differentiaalianalysaattorit, jotka on suunniteltu kovaan käyttöön ja suunniteltu tai muunnettu 9A004 kohdassa määriteltyjen avaruuteen laukaisussa käytettävien kantorakettien tai 9A104 kohdassa määriteltyjen luotainrakettien käyttöä varten.
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
Hybriditietokoneet, jotka on erityisesti suunniteltu 9A004 kohdassa määriteltyjen avaruuteen laukaisussa käytettävien kantorakettien tai 9A104 kohdassa määriteltyjen luotainrakettien mallintamista, simulointia tai konstruktioiden integrointia varten.
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
Tätä valvonnanalaisuutta sovelletaan ainoastaan, kun laitteita toimitetaan 7D103 tai 9D103 kohdassa määriteltyjen ”ohjelmistojen” kanssa.
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
Muissa ryhmissä kuvattuja laitteita varten tarkoitettujen ”ohjelmistojen” valvonnanalaisuutta käsitellään kyseisissä ryhmissä.
a.
Seuraavat ”ohjelmistot”:
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
a. 4A001–4A004 tai 4D kohdassa määriteltyjen laitteiden tai ”ohjelmistojen” ”kehittämistä” tai ”tuotantoa” varten erityisesti suunnitellut tai muunnetut ”ohjelmistot”.
b.
b. Muut kuin 4D001.a kohdassa määritellyt ”ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu seuraavien laitteiden ”kehittämiseen” tai ”tuotantoon”:
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
”Digitaaliset tietokoneet”, joiden ”mukautettu huipputehokkuus” (”APP”) on yli 8,0 painotettua teraliukulukutoimitusta sekunnissa (WT);
c.
”Elektroniset kokoonpanot”, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suorituskyvyn tehostamiseksi yhdistämällä prosessoreja siten, että yhdistelmän ”APP” ylittää 4D001.b.1 kohdassa määritellyn rajan;
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu ”tunkeutumisohjelmiston” luomista, komentojen antamista ja valvontaa tai toimitusta varten.
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
a. Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti ”teknologia”, joka on tarkoitettu 4A tai 4D kohdassa määriteltyjen laitteiden tai ”ohjelmistojen” ”kehittämistä”, ”tuotantoa” tai ”käyttöä” varten.
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
b. Yleisen teknologiahuomautuksen mukainen muu kuin 4E001.a kohdassa määritelty ”teknologia’ seuraavien laitteiden ”kehittämistä” tai ”tuotantoa” varten:
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
”Elektroniset kokoonpanot”, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suorituskyvyn tehostamiseksi yhdistämällä prosessoreja siten, että yhdistelmän ”APP” ylittää 4E001.b.1 kohdassa määritellyn rajan;
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
c. ”Teknologia” ”tunkeutumisohjelmistojen” ”kehittämistä” varten.
Category 2 does not include "technology" for single-step pack cementation of solid airfoils.
MUKAUTETTUA HUIPPUTEHOKKUUTTA (”APP”) KOSKEVA TEKNINEN HUOMAUTUS
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
”APP” on mukautettu huippunopeus, jolla ”digitaaliset tietokoneet” suorittavat 64-bittisten tai sitä suurempien liukulukujen yhteenlasku- ja kertolaskutoimituksia.
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
”APP” ilmaistaan painotettuina teraliukulukutoimituksina sekunnissa (WT), yksikköinä, jotka koostuvat 1012:sta mukautetusta liukulukutoimituksesta sekunnissa.
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
Tässä teknisessä huomautuksessa käytetyt lyhenteet
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
n ”digitaalisen tietokoneen” prosessorien lukumäärä
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10-7 K-1 or less measured at 293 K (20 °C).
i prosessorin numero (i,…n)
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
prosessorin kierrosaika (ti = 1/Fi)
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
prosessorin taajuus
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
liukulukujen laskennan huippunopeus
"Technology" for depositing diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
arkkitehtuurin mukautustekijä
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
Yhteenveto ”APP”:n laskentamenetelmästä
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
Määritetään kunkin prosessorin i osalta 64-bittisten tai sitä suurempien liukulukujen toimitusten huippumäärä FPOi, joka suoritetaan kierrosta kohden ”digitaalisen tietokoneen” kunkin prosessorin osalta.
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
Huom.
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - TECHNICAL NOTE
FPO:ta määritettäessä otetaan huomioon ainoastaan 64-bittisten tai sitä suurempien liukulukujen yhteenlasku- ja kertolaskutoimitukset.
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Kaikki liukulukutoimitukset on ilmaistava toimituksina prosessorin kierrosta kohden; useita kierroksia vaativat toimitukset voidaan ilmaista murto-osina kierrosta kohden.
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Lasketaan liukulukunopeus R kunkin prosessorin osalta Ri = FPOi/ti.
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
Lasketaan ”APP” seuraavasti: ”APP” = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
Huom. 1:
N.B.1.
Jokainen toimitus lasketaan niiden prosessorien osalta, jotka suorittavat yhdistettyjä toimituksia, kuten yhteen- ja kertolaskuja, kierroksen aikana.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Huom. 2:
N.B.2.
Liukuhihnaprosessorien osalta todellinen laskentanopeus R on liukuhihnanopeudesta (liukuhihnan ollessa täynnä) tai muusta kuin liukuhihnanopeudesta se, kumpi on nopeampi.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Huom. 3:
N.B.3.
Kunkin osallistuvan prosessorin laskentanopeus R lasketaan sen maksiminopeudessa, joka on teoreettisesti mahdollinen ennen kuin yhdistelmän ”APP” johdetaan.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Yhtäaikaisten toimitusten oletetaan olevan olemassa, kun tietokoneen valmistaja mainitsee tietokoneen käyttöohjeissa tai esitteessä yhdessä vaikuttavat, rinnakkaiset tai yhtäaikaiset toimitukset tai suoritukset.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
Huom. 5:
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
”APP”-arvoja ei lasketa seuraavien osalta: prosessoriyhdistelmät, jotka on yhdistetty (toisiinsa) ”paikallisverkoilla”, alueverkoilla, yhteisillä siirräntäyhteyksillä/-laitteilla, siirräntäohjausjärjestelmillä ja muilla ”ohjelmistojen” avulla toteutetuilla tietoliikenneyhteyksillä.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
Huom. 6:
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
”APP”-arvot on laskettava prosessoriyhdistelmille, joihin sisältyy prosessoreja, jotka on erityisesti suunniteltu tehostamaan suorituskykyä toimimalla yhdistelmänä, toimimalla yhtäaikaisesti ja jakamalla muistia;
Specific TE-PVD processes are as follows:
Yhdistetään kaikki prosessorit ja kiihdyttimet, jotka toimivat yhtäaikaisesti ja sijaitsevat samassa sirussa.
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
Prosessoriyhdistelmät jakavat muistia, kun jokin prosessori kykenee saamaan yhteyden johonkin muistipaikkaan järjestelmässä välimuistilohkojen tai muistisanojen kautta ilman minkään ohjelmistomekanismin osallistumista; tämä voidaan saavuttaa käyttämällä 4A003.c kohdassa määriteltyjä ”elektronisia kokoonpanoja”.
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
Huom. 7:
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
’Vektoriprosessori’ määritellään prosessoriksi, jossa on sisäänrakennetut käskyt, jotka suorittavat useita laskutoimituksia liukulukuvektoreille (64-bittisten tai sitä suurempien lukujen yksiulotteiset matriisit) samanaikaisesti, ja jossa on vähintään kaksi vektoripääyksikköä ja vähintään kahdeksan vektorirekisteriä, joissa on kussakin ainakin 64 elementtiä.
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
RYHMÄ 5 – TIETOLIIKENNE JA ”TIEDON SUOJAUS”
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
1 Osa – TIETOLIIKENNE
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Tietoliikennelaitteita tai -järjestelmiä varten erityisesti suunniteltujen komponenttien, testaus- ja ”tuotanto”laitteiden ja ”ohjelmistojen” valvonnanalaisuus on määritelty 5 ryhmän 1 osassa.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Erityisesti televiestintälaitteita tai -järjestelmiä varten kehitettyjen ”lasereiden” osalta ks. 6A005.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Seuraavat tietoliikennejärjestelmät, laitteet, komponentit ja varusteet:
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
a. Tietoliikennelaitteet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, toiminnoista tai piirteistä:
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Erityisesti suunniteltu kestämään ydinräjähdyksestä aiheutuvia hetkellisiä elektronisia vaikutuksia tai sähkömagneettista pulssia;
c.
Erityisesti suojattu kestämään gamma-, neutroni- tai ionisäteilyä; tai
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Erityisesti suunniteltu toimimaan lämpötila-alueen 218–397 K (– 55–124 °C) ulkopuolella;
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
5A001.a.3 kohta koskee vain elektronisia laitteita.
An activator (normally a halide salt); and
5A001.a.2 ja 5A001.a.3 kohta ei koske satelliiteissa käytettäviksi suunniteltuja tai muunnettuja laitteita.
An inert powder, most frequently alumina.
b. Tietoliikennejärjestelmät ja -laitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit tai tarvikkeet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, toiminnoista tai piirteistä:
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Kytkemättömät vedenalaiset viestintäjärjestelmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
d.
a. Akustinen kantoaaltotaajuus, joka on alueen 20–60 kHz ulkopuolella;
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
b. Käyttävät sähkömagneettista kantoaaltotaajuutta alle 30 kHz;
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
c. Käyttävät elektronista keilanohjaustekniikkaa; tai
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
d. Käyttävät ”lasereita” tai valodiodeita (LED), joiden lähtöaallonpituus on yli 400 nm mutta alle 700 nm ”paikallisverkossa”;
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Radiolaitteet, jotka toimivat 1,5–87,5 MHz:n kaistalla ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
e.
a. Ennakoivat ja valitsevat automaattisesti kanavakohtaisia taajuuksia ja ”digitaalisia kokonaissiirtonopeuksia” optimoidakseen lähetystä; ja
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
b. Sisältävät lineaarisen tehovahvistinkonfiguraation, joka kykenee tukemaan useampia signaaleja samanaikaisesti vähintään1 kW:n lähtöteholla 1,5–30 MHz:n taajuusalueella tai vähintään 250 W:n lähtöteholla 30–87,5 MHz:n taajuusalueella, yhden tai useamman oktaavin ”hetkellisen taajuuskaistan” yli, siten että ulostulon yliaalto- ja särösisältö on parempi kuin -80 dB;
f.
Muut kuin 5A001.b.4 kohdassa määritellyt radiolaitteet, jotka käyttävät ”hajaspektritekniikkaa”, mukaan lukien ”taajuushyppely”tekniikka, ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
a. Hajautuskoodit ovat käyttäjän ohjelmoitavissa; tai
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
b. Lähetettävän kaistan kokonaisleveys on vähintään 100 kertaa minkä tahansa informaatiokanavan kaistan leveys ja on yli 50 kHz;
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
5A001.b.3.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi radiolaitteita, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi jonkin seuraavista kanssa:
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Siviilikäyttöön tarkoitetut solukkoradiojärjestelmät; tai
g.
Kiinteät tai liikkuvat satelliittimaa-asemat siviilikäyttöön tarkoitettua kaupallista tietoliikennettä varten;
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
5A001.b.3 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi laitteita, jotka on suunniteltu toimiviksi enintään 1 W:n ulostuloteholla.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
Radiolaitteet, jotka käyttävät ultralaajakaistamodulointitekniikoita ja joiden kanavointi-, sekoitus- tai verkkotunnuskoodit ovat käyttäjän ohjelmoitavissa ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
CATEGORY 3 - ELECTRONICS
a. Kaistanleveys on yli 500 MHz; tai
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.14, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
b. ”Suhteellinen kaistanleveys” 20 prosenttia tai enemmän;
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.14 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Digitaalisesti ohjatut radiovastaanottimet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.14.
a. Yli 1000 kanavaa;
Electronic items as follows:
b. ’Kanavanvaihtoaika’ alle 1 ms;
a.
c. Tutkivat tai pyyhkivät automaattisesti osaa sähkömagneettisesta spektristä; ja
General purpose integrated circuits, as follows:
d. Identifioivat vastaanotetut signaalit tai lähettimen tyypin; tai
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
5A001.b.5 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi radiolaitteita, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi siviilikäytössä olevissa solukkoradiojärjestelmissä
Integrated circuits include the following types:
’Kanavanvaihtoaika’ tarkoittaa aikaa (eli viivettä) vaihdettaessa vastaanottavalta taajuudelta toiselle, jotta saavutetaan lopullinen määritetty vastaanottotaajuus tai taajuus, joka on ± 0,05 prosentin sisällä siitä.
"Monolithic integrated circuits";
Tuotteiden, joiden määritetty taajuusalue on vähemmän kuin ± 0,05 prosenttia niiden keskitaajuuden ympärillä, määritellään olevan kykenemättömiä kanavataajuuden vaihtoon.
"Hybrid integrated circuits";
Käyttävät digitaalisia ”signaalin käsittely” toimintoja ’puheenkoodauksen’ ulostuloon alle 700 bit/s nopeuksilla;
"Multichip integrated circuits";
Nopeudeltaan vaihtelevan ’puheenkoodauksen’ osalta sovelletaan 5A001.b.6 kohtaa jatkuvan puheen ’puheenkoodauksen’ ulostuloon.
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
Sovellettaessa 5A001.b.6 kohtaa ’puheenkoodauksella’ tarkoitetaan tekniikkaa, jossa ihmisen äänestä otetaan näytteitä, minkä jälkeen nämä näytteet muunnetaan digitaaliseksi signaaliksi ottaen huomioon ihmisen puheen erityispiirteet.
"Optical integrated circuits";
c. Yli 500 m pitkät optiset kuidut, jotka valmistajan ilmoituksen mukaan kykenevät kestämään ’vetolujuuskokeessa’ yli 2 × 109 N/m2:n tai tätä suurempaa vetorasitusta;
"Three dimensional integrated circuits";
Veden alla käytettävien yhdyskaapelien osalta katso 8A002a.3 kohta.