natgillin/translations-raw huggingface dataset:
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
b. Toimii vähintään 600 Hz:n taajuudella; ja
f.
c. Taajuuden säätö on parempi (pienempi) kuin 0,2 %.
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
3A225 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi taajuusmuuntimia tai generaattoreita, jos niissä on laitteistoa, "ohjelmistoa" tai "teknologiaa" koskevia rajoitteita, jotka rajaavat suorituskyvyn alemmaksi kuin edellä määritelty, edellyttäen että ne täyttävät jonkin seuraavista vaatimuksista:
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
Ne on palautettava alkuperäiselle valmistajalle, jotta niiden suorituskykyä voidaan vahvistaa tai rajoitteita vapauttaa;
This table should be read to specify the technology of a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
Ne vaativat 3D225 kohdassa määriteltyjä "ohjelmistoja" suorituskyvyn vahvistamiseksi tai heikentämiseksi, jotta ne täyttäisivät 3A225 kohdan ominaisuuksia koskevat vaatimukset; tai
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
Ne vaativat 3E225 kohdassa määriteltyä "teknologiaa" suorituskyvyn vahvistamiseksi tai heikentämiseksi, jotta ne täyttäisivät 3A225 kohdan ominaisuuksia koskevat vaatimukset.
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
3A225 kohdan taajuusmuuntimia kutsutaan myös konverttereiksi tai inverttereiksi.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
3A225 kohdan taajuusmuuntimia voidaan markkinoida generaattoreina, sähköisinä testauslaitteina, vaihtovirtalähteinä ja seuraavina: Variable Speed Motors Drives, Variable Speed Drives (VSDs), Variable Frequency Drives (VFDs), Adjustable Frequency Drives (AFDs) tai Adjustable Speed Drives (ASDs).
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
Muut kuin 0B001.j.6 kohdassa mainitut tasavirtasuurteholähteet, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
a. Ne kykenevät 8 tunnin jakson aikana jatkuvasti tuottamaan vähintään 100 V:n jännitteen vähintään 500 A:n virralla; ja
Table
b. Niiden jännitteen tai virran stabiilius on parempi kuin 0,1 % 8 tunnin jakson aikana.
Deposition techniques
Muut kuin 0B001.j.5 kohdassa määritellyt tasavirtakorkeajännitelähteet, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
Coating Process (1) [3]
a. Ne kykenevät 8 tunnin jakson aikana jatkuvasti tuottamaan vähintään 20 kV:n jännitteen vähintään 1 A:n virralla; ja
Substrate
Seuraavat kytkinlaitteet:
Resultant Coating
a. Kylmäkatodiputket, olivatpa ne sitten kaasutäytteisiä tai ei, jotka toimivat kipinävälin tavoin ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
Ne sisältävät vähintään kolme elektrodia;
"Superalloys"
Huippuanodijännitteen nimellisarvo on vähintään 2,5 kV;
Aluminides for internal passages
Huippuanodivirran nimellisarvo on vähintään 100 A; ja
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
Anodin viiveaika on enintään 10 μs;
Silicides
3A228 kohtaan sisältyvät kaasukryptonputket ja tyhjösprytronputket.
Carbides
b. Liipaistavat kipinävälit, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
Dielectric layers (15)
Anodin viiveaika on enintään 15 μs; ja
Diamond
Huippuvirran nimellisarvo on vähintään 500 A;
Diamond-like carbon (17)
c. Muut kuin 3A001.g tai 3A001.h kohdassa määritellyt nopeatoimiset kytkinmoduulit tai -kokoonpanot, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix""composites"
Huippuanodijännitteen nimellisarvo on suurempi kuin 2 kV;
Refractory metals
Huippuanodivirran nimellisarvo on vähintään 500 A; ja
Mixtures thereof (4)
Kytkentäaika on enintään 1 μs.
Aluminides
Seuraavat suurvirtapulssigeneraattorit:
Alloyed aluminides (2)
a. Sytyttimien laukaisulaitteet (sytytinjärjestelmät, laukaisulaitteet), mukaan luettuna muut kuin 1A007.a kohdassa määritellyt sähköiseen, räjähtävään ja optiseen sytytykseen perustuvat laukaisulaitteet, jotka on suunniteltu laukaisemaan 1A007.b kohdassa määriteltyjä valvonnanalaisia monipistesytyttimiä;
Tungsten
Ne kykenevät luovuttamaan energiansa alle 15 μs:ssa alle 40 ohmin kuormituksella;
Molybdenum and Molybdenum alloys
Niiden lähtövirta on suurempi kuin 100 A;
Beryllium and Beryllium alloys
Niiden mikään ulottuvuus ei ole suurempi kuin 30 cm;
Sensor window materials (9)
Niiden paino on alle 30 kg; ja
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
Ne on määritelty käytettäväksi laajalla lämpötila-alueella (223–373 °K (– 50–100 °C)) tai sopiviksi avaruussovelluksiin.
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
3A229.b kohtaan sisältyvät ksenonsalamavalon käyttölaitteet.
Alloyed silicides
c. Mikrolaukaisuyksiköt, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Modified zirconia (12)
Niiden mikään ulottuvuus ei ole suurempi kuin 35 mm;
Corrosion resistant steel (7)
Nimellisjännite on vähintään 1 kV; ja
Borides
Kapasitanssi on vähintään 100 nF;
Beryllium
Erittäin nopeat pulssigeneraattorit, ja niiden 'pulssinmuokkausverkot', joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:
Titanium alloys (13)
a. Lähtöjännite on yli 6 V alle 55 ohmin resistiivisellä kuormalla; ja
Nitrides
b.
B.2.
'Pulssin nousuaika' on lyhyempi kuin 500 ps.
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
3A230 kohdassa 'pulssin nousuaika' määritellään ajaksi, jonka kuluessa jännite nousee 10 prosentista 90 prosenttiin jännitteen amplitudista.
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
'Pulssinmuokkausverkot' ovat impulsseja muodostavia verkkoja, jotka on suunniteltu ottamaan vastaan jänniteporrasfunktio ja muokkaamaan se erilaisiksi pulssimuodoiksi, joita voivat olla suorakaide, kolmio, porras, impulssi, eksponentiaalinen ja monosyklinen.
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
'Pulssinmuokkausverkot' voivat olla olennainen osa pulssigeneraattoria tai ne voivat olla laitteeseen kytkettävä moduuli tai ulkoisesti liitetty laite.
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
Neutronigeneraattorijärjestelmät, mukaan lukien putket, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
Diamond-like carbon
a. Ne on suunniteltu toimimaan ilman ulkoista tyhjöjärjestelmää; ja
B.4.
b. Ne käyttävät jotakin seuraavista:
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
Sähköstaattista kiihdytystä tritium-deuteriumydinreaktion synnyttämiseen; tai
Polymers (11) and Organic "matrix""composites"
Sähköstaattista kiihdytystä deuterium-deuteriumydinreaktion synnyttämiseen ja kykenevät tuottamaan vähintään 3 × 109 neutronia/s.
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
Seuraavat, muut kuin 1A007 kohdassa määritellyt monipistesytytinjärjestelmät:
Refractory metals and alloys (8)
Katso 1A007.b kohdasta sytyttimet.
Oxides
b. Järjestelyt, joita käyttäen voidaan yhdellä tai usealla sytyttimellä sytyttää räjähdyspinta yli 5000 mm2:n alalla yhdellä laukaisusignaalilla lähes samanaikaisesti, sytytyksen ajoitus leviää koko pinta-alalle vähemmässä kuin 2,5 μs:ssa.
D. Plasma spraying
3A232 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi sytyttimiä, joissa käytetään vain ensiöräjähteitä, esimerkiksi lyijyatsidia.
Abradable Nickel-Graphite
Seuraavat, muut kuin 0B002.g kohdassa määritellyt massaspektrometrit, jotka kykenevät mittaamaan ioneja, joiden atomipaino on vähintään 230, ja joiden resoluutio on parempi kuin 2 osaa 230:stä ja niiden ionilähteet: a. Induktiivisesti kytketyt plasmamassaspektrometrit (ICP/MS = Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometers);
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
b. Hehkupurkausmassaspektrometrit (GDMS = Glow Discharge Mass Spectrometers);
Abradable Al-Si-Polyester
d. Elektronipommitusmassaspektrometrit, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:
Aluminium alloys (6)
Molekyylisäteen syöttöjärjestelmä, joka injektoi analyyttimolekyylien sädekimpun ionilähteen alueelle, jossa elektronisäde ionisoi molekyylit; ja
E. Slurry Deposition
Yksi tai useampia 'kylmäloukkuja', jotka voidaan jäähdyttää 193 °K:n (– 80 °C:n) lämpötilaan;
Fused silicides
e. Ei käytössä;
Fused aluminides except for resistance heating elements
f. Massaspektrometrit, jotka on varustettu aktinideja tai aktinidifluorideja varten käytettäväksi suunnitellulla mikrofluorausionilähteellä.
F. Sputter Deposition
3A233.d kohdan elektronipommitusmassaspektrometreistä käytetään myös nimitystä elektronitörmäysmassaspektrometrit tai elektroni-ionisaatiomassaspektrometrit.
Noble metal modified aluminides (3)
3A233.d.2 kohdassa 'kylmäloukku' tarkoittaa laitetta, jolla kerätään kaasumolekyylit kondensoimalla tai jäädyttämällä ne kylmillä pinnoilla.
Platinum
Sovellettaessa 3A233.d.2 kohtaa suljettuun heliumkiertoon perustuva kryotyhjöpumppu ei ole 'kylmäloukku'.
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
Liuskajohdot, jotka tarjoavat matalan induktanssin polun sytyttimille ja joilla on seuraavat ominaisuudet:
Dielectic layers (15)
a. Nimellisjännite suurempi kuin 2 kV; ja
G. Ion Implantation
b. Induktanssi vähemmän kuin 20 nH.
High temperature bearing steels
Seuraavat puolijohdekomponenttien tai -materiaalien valmistuslaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut osat ja komponentit:
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
a. Seuraavat epitaksikasvatusta varten suunnitellut laitteet:
Cemented tungsten carbide (16)
Laitteet, jotka kykenevät tuottamaan vähintään 75 mm:n matkalla kerroksen muuta materiaalia kuin piitä, jonka kerrospaksuuden vaihtelu on alle ± 2,5 %;
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — NOTES
3B001.a.1 kohta käsittää ALE-laitteet (atomikerroskasvatus).
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Metalliorgaanista kemiallista kaasufaasipinnoitusta (MOCVD) suorittavat reaktorit, jotka on suunniteltu sellaisen materiaalin yhdistepuolijohdekiteiden epitaksikasvatusta varten, jolla on kaksi tai useampia seuraavista alkuaineista: alumiini, gallium, indium, arseeni, fosfori, antimoni tai typpi;
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Molekyylisuihku-epitaksikasvatuslaitteet, jotka käyttävät kaasu- tai kiinteitä lähteitä;
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
b. Laitteet, jotka on suunniteltu ioni-istutusta varten ja joilla on jokin seuraavista:
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
Ne on suunniteltu ja optimoitu toimimaan niin, että säteen energia on vähintään 20 keV ja säteen virta vähintään 10 mA:n vety-, deuterium- tai heliumistutusta varten;
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
Ne mahdollistavat kuvion suoran istutuksen;
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
Säteen energia on vähintään 65 keV ja säteen virta vähintään 45 mA, jotta voidaan suorittaa korkeaenerginen happi-istutus kuumennettuun puolijohde"substraattiin"; tai
a.
Ne on suunniteltu ja optimoitu toimimaan niin, että säteen energia on vähintään 20 keV ja säteen virta vähintään 10 mA, jotta pii-implantti voidaan istuttaa puolijohde"substraattiin", joka on kuumennettu vähintään 600 °C:een;
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
d. Ei käytössä;
b.
e. Automaattisyöttöiset monikammioiset puolijohdekiekkojen käsittelyjärjestelmät, joilla on kaikki seuraavat:
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
Niissä on sellaiset liitännät kiekkojen syöttöä ja ulosottoa varten, joihin voidaan liittää enemmän kuin kaksi 3B001.a.1, 3B001.a.2, 3B001.a.3 tai 3B001.b kohdassa eriteltyä toiminnaltaan erilaista 'puolijohteiden valmistuslaitetta'; ja
c.
Ne on suunniteltu muodostamaan tyhjössä toimiva integroitu järjestelmä 'useiden kiekkojen peräkkäistä prosessointia' varten;
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
3B001.e kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi automaattisia kiekkojen robottikäsittelijöitä, jotka on suunniteltu erityisesti kiekkojen rinnakkaista prosessointia varten.
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Sovellettaessa 3B001.e kohtaa 'puolijohteiden valmistuslaitteilla' tarkoitetaan modulaarisia välineitä, jotka tuottavat toiminnaltaan erilaisia puolijohdetuotannon fysikaalisia prosesseja, kuten pinnoitus-, istutus- ja lämpöprosessointi.
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
Sovellettaessa 3B001.e kohtaa 'useiden kiekkojen peräkkäisellä prosessoinnilla' tarkoitetaan mahdollisuutta prosessoida kukin kiekko erilaisissa 'puolijohteiden valmistuslaitteissa' esimerkiksi siirtämällä kiekko yhdeltä välineeltä toiselle ja edelleen kolmannelle käyttämällä automaattisyöttöisiä monikammioisia puolijohdekiekkojen käsittelyjärjestelmiä.
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
f. Seuraavat litografialaitteet:
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
Askeltavat kohdistus- ja valotuslaitteet (suora kohdistus kiekkoon) tai kohdistus- ja pyyhkäisy- (skanneri) laitteet kiekkojen prosessointia varten, jotka käyttävät foto-optisia tai röntgenmenetelmiä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
a. Valolähteen aallonpituus lyhyempi kuin 193 nm; tai
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
b. Ne kykenevät tuottamaan kuvion, jonka "pienin erottuva kuvion koko" (MRF) on enintään 45 nm;
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
"Pienin erottuva kuvion koko" (MRF) lasketaan seuraavalla kaavalla, jossa:
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
valonlähteen aallonpituus nanometreinä
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10– 7 K– 1 or less measured at 293 K (20 °C).
numeerinen aukko
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
jossa K-kerroin = 0,35
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
Kohokuviointilaitteet, jotka kykenevät tuottamaan kuvioita, joiden koko on enintään 45 nm;
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
3B001.f.2 kohtaan sisältyvät:
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
Pehmytkuviointivälineet
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
Kuumapakotusvälineet
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
Nanomuokkauskuviointivälineet
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
Step and flash -kuviointi (S-FIL) -välineet
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — TECHNICAL NOTE
Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu maskien valmistukseen ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
a. Poikkeutettu ja fokusoitu elektronisuihku, ionisuihku tai "laser"säde;ja
a.
Puoliarvoleveyden (FWHM) pistekoko pienempi kuin 65 m ja kuvan sijoitus alle 17 nm (keskiarvo + 3 sigmaa); tai
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Toisen kerroksen kohdistusvirhe alle 23 nm (keskiarvo + 3 sigmaa) maskissa;
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
Laitteet, jotka on suunniteltu laitteiden prosessointiin käyttäen suoria kirjoitusjärjestelmiä (direct writing methods), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
a. Poikkeutettu ja fokusoitu elektronisuihku; ja
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Suihkun vähimmäiskoko enintään 15 nm; tai
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Kohdistusvirhe alle 27 nm (keskiarvo + 3 sigmaa);
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
g. Maskit tai retikkelit, jotka on suunniteltu 3A001 kohdassa määriteltyjä integroituja piirejä varten;
b.
h. Monikerrosmaskit, joissa on vaihesiirtokerros, joita ei ole määritelty 3B001.g kohdassa ja joilla on jokin seuraavista:
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Ne on tehty maskin "substraattiaihiolle" (substrate blank) lasista, joka on määritelty niin, että siinä on kahtaistaittumista alle 7 nm/cm; tai
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
Ne on suunniteltu käytettäväksi litografialaitteissa, joiden valolähteen aallonpituus on lyhyempi kuin 245 nm;
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
3B001.h kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi monikerrosmaskeja, joissa on vaihesiirtokerros ja jotka on suunniteltu sellaisten muistilaitteiden valmistukseen, joita ei aseteta valvonnanalaiseksi 3A001 kohdassa.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
i. Kohokuviointimallineet, jotka on suunniteltu 3A001 kohdassa määriteltyjä integroituja piirejä varten.
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
Seuraavat testauslaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu valmiiden tai puolivalmiiden puolijohteiden ja erityisesti niitä varten suunniteltujen komponenttien ja tarvikkeiden testaamiseen:
Specific TE-PVD processes are as follows:
a. Laitteet transistorien S-parametrien testaukseen yli 31,8 GHz:n alueella;
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
c. Laitteet 3A001.b.2 kohdassa määriteltyjen integroitujen mikroaaltopiirien testaukseen.
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
Hetero-epitaksimateriaalit, jotka koostuvat "substraatista", jonka päälle on epitaksisti kasvatettu useita kerroksia seuraavia aineita:
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
a. Pii (Si);
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
c. Piikarbidi (SiC); tai
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
d. Galliumin tai indiumin "III/V-yhdisteet".
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
3C001.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi "substraattia", jolla on yksi tai useampia P-tyypin epitaksisia kerroksia GaN:a, InGaN:a, AlGaN:a, InAlN:a, InAlGaN:a, GaP:a, InGaP:a, AlInP:a tai InGaAlP:a, riippumatta alkuaineiden järjestyksestä, paitsi jos P-tyypin epitaksinen kerros on N-tyypin kerrosten välissä.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Seuraavat estopinnoitemateriaalit ja seuraavilla estopinnoitteilla pinnoitetut "substraatit":
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
a. Estopinnoitteet, jotka on suunniteltu puolijohdelitografiaa varten seuraavasti:
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Positiiviestopinnoitteet, joiden spektrivaste on sovitettu (optimoitu) alle 245 nm:n mutta vähintään 15 nm:n aallonpituuksille;
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Estopinnoitteet, joiden spektrivaste on sovitettu (optimoitu) alle 15 nm:n mutta yli 1 nm:n aallonpituuksille;
c.
b. Kaikki estopinnoitteet, jotka on suunniteltu käytettäväksi elektroni- tai ionisuihkun kanssa ja joiden herkkyys on 0,01 mikrocoulombia/mm2 tai parempi;