natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Cross (tangential) flow filtration components (e.g. modules, elements, cassettes, cartridges, units or plates) with filtration area equal to or greater than 0,2 m2 for each component and designed for use in cross (tangential) flow filtration equipment specified in 2B352.d.;
Seuraavat, muut kuin 0B002.g kohdassa määritellyt massaspektrometrit, jotka kykenevät mittaamaan ioneja, joiden atomipaino on vähintään 230, ja joiden resoluutio on parempi kuin 2 osaa 230:stä ja niiden ionilähteet:
e.
b. Hehkupurkausmassaspektrometrit (GDMS = Glow Discharge Mass Spectrometers);
Steam, gas or vapour sterilisable freeze-drying equipment with a condenser capacity of 10 kg of ice or more in 24 hours and less than 1000 kg of ice in 24 hours;
c. Termistä ionisaatiota käyttävät massaspektrometrit (TIMS = Thermal Ionization Mass Spectrometers);
f.
d. Elektronipommitusmassaspektrometrit, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista: 1.
Protective and containment equipment, as follows:
Molekyylisäteen syöttöjärjestelmä, joka injektoi analyyttimolekyylien sädekimpun ionilähteen alueelle, jossa elektronisäde ionisoi molekyylit; ja
Protective full or half suits, or hoods dependent upon a tethered external air supply and operating under positive pressure;
Yksi tai useampia ’kylmäloukkuja’, jotka voidaan jäähdyttää 193 oK:n (– 80 °C:n) lämpötilaan;
2B352.f.1. does not control suits designed to be worn with self-contained breathing apparatus.
e. Ei käytössä;
Biocontainment chambers, isolators, or biological safety cabinets having all of the following characteristics, for normal operation:
f. Massaspektrometrit, jotka on varustettu aktinideja tai aktinidifluorideja varten käytettäväksi suunnitellulla mikrofluorausionilähteellä.
a.
3A233.d kohdan elektronipommitusmassaspektrometreistä käytetään myös nimitystä elektronitörmäysmassaspektrometrit tai elektroni-ionisaatiomassaspektrometrit.
Fully enclosed workspace where the operator is separated from the work by a physical barrier;
Liuskajohdot, jotka tarjoavat matalan induktanssin polun sytyttimille ja joilla on seuraavat ominaisuudet:
b.
a. Nimellisjännite suurempi kuin 2 kV; ja
Able to operate at negative pressure;
b. Induktanssi vähemmän kuin 20 nH.
c.
Seuraavat puolijohdekomponenttien tai -materiaalien valmistuslaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut osat ja komponentit:
Means to safely manipulate items in the workspace;
KATSO MYÖS 2B226 KOHTA.
d.
a. Seuraavat epitaksikasvatusta varten suunnitellut laitteet:
Supply and exhaust air to and from the workspace is HEPA filtered;
Laitteet, jotka on suunniteltu tai muunnettu tuottamaan kerros muuta materiaalia kuin piitä, jonka kerrospaksuuden vaihtelu on alle ± 2,5 % vähintään 75 mm:n matkalla;
2B352.f.2. includes Class III biosafety cabinets, as described in the latest edition of the WHO Laboratory Biosafety Manual or constructed in accordance with national standards, regulations or guidance.
3B001.a.1 kohta käsittää ALE-laitteet (atomikerroskasvatus).
2B352.f.2. does not include isolators specially designed for barrier nursing or transportation of infected patients.
Metalliorgaanista kemiallista kaasufaasipinnoitusta (MOCVD) suorittavat reaktorit, jotka on suunniteltu sellaisen materiaalin yhdistepuolijohdekiteiden epitaksikasvatusta varten, jolla on kaksi tai useampia seuraavista alkuaineista: alumiini, gallium, indium, arseeni, fosfori, antimoni tai typpi;
g.
Molekyylisuihku-epitaksikasvatuslaitteet, jotka käyttävät kaasu- tai kiinteitä lähteitä;
Aerosol inhalation equipment designed for aerosol challenge testing with "microorganisms", viruses or "toxins" as follows:
b. Laitteet, jotka on suunniteltu ioni-istutusta varten ja joilla on jokin seuraavista:
Whole-body exposure chambers having a capacity of 1 m3 or more;
Ne on suunniteltu ja optimoitu toimimaan niin, että säteen energia on vähintään 20 keV ja säteen virta vähintään 10 mA:n vety-, deuterium- tai heliumistutusta varten;
Nose-only exposure apparatus utilising directed aerosol flow and having capacity for exposure of any of the following:
Ne mahdollistavat kuvion suoran istutuksen;
a.
Säteen energia on vähintään 65 keV ja säteen virta vähintään 45 mA, jotta voidaan suorittaa korkeaenerginen happi-istutus kuumennettuun puolijohde”substraattiin”; tai
12 or more rodents; or
Ne on suunniteltu ja optimoitu toimimaan niin, että säteen energia on vähintään 20 keV ja säteen virta vähintään 10 mA, jotta pii-implantti voidaan istuttaa puolijohde”substraattiin”, joka on kuumennettu vähintään 600 °C:een;
2 or more animals other than rodents;
Niissä on sellaiset liitännät kiekkojen syöttöä ja ulosottoa varten, joihin voidaan liittää enemmän kuin kaksi 3B001.a.1, 3B001.a.2, 3B001.a.3 tai 3B001.b kohdassa eriteltyä toiminnaltaan erilaista ’puolijohteiden valmistuslaitetta’; ja
Closed animal restraint tubes designed for use with nose-only exposure apparatus utilising directed aerosol flow;
Ne on suunniteltu muodostamaan tyhjiössä toimiva integroitu järjestelmä ’useiden kiekkojen peräkkäistä prosessointia’ varten;
h.
3B001.e kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi automaattisia kiekkojen robottikäsittelijöitä, jotka on suunniteltu erityisesti kiekkojen rinnakkaista prosessointia varten.
Spray drying equipment capable of drying toxins or pathogenic "microorganisms" having all of the following:
Sovellettaessa 3B001.e kohtaa ’puolijohteiden valmistuslaitteilla’ tarkoitetaan modulaarisia välineitä, jotka tuottavat toiminnaltaan erilaisia puolijohdetuotannon fysikaalisia prosesseja, kuten pinnoitus-, istutus- ja lämpöprosessointi.
A water evaporation capacity of ≥ 0,4 kg/h and ≤ 400 kg/h;
Sovellettaessa 3B001.e kohtaa ’useiden kiekkojen peräkkäisellä prosessoinnilla’ tarkoitetaan mahdollisuutta prosessoida kukin kiekko erilaisissa ’puolijohteiden valmistuslaitteissa’ esimerkiksi siirtämällä kiekko yhdeltä välineeltä toiselle ja edelleen kolmannelle käyttämällä automaattisyöttöisiä monikammioisia puolijohdekiekkojen käsittelyjärjestelmiä.
The ability to generate a typical mean product particle size of ≤ 10 μm with existing fittings or by minimal modification of the spray-dryer with atomization nozzles enabling generation of the required particle size; and
f. Seuraavat litografialaitteet:
Capable of being sterilised or disinfected in situ.
Askeltavat kohdistus- ja valotuslaitteet (suora kohdistus kiekkoon) tai kohdistus- ja pyyhkäisy- (skanneri) laitteet kiekkojen prosessointia varten, jotka käyttävät foto-optisia tai röntgenmenetelmiä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
None.
a. Valolähteen aallonpituus lyhyempi kuin 193 nm; tai
"Software", other than that specified in 2D002, as follows:
b. Ne kykenevät tuottamaan kuvion, jonka ”pienin erottuva kuvion koko” (MRF) on enintään 45 nm;
a.
”Pienin erottuva kuvion koko” (MRF) lasketaan seuraavalla kaavalla, jossa:
"Software" specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment specified in 2A001 or 2B001
valonlähteen aallonpituus nanometreinä
b.
K-kerroin
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2A001.c, 2B001 or 2B003 to 2B009.
numeerinen aukko
2D001 does not control part programming "software" that generates "numerical control" codes for machining various parts.
jossa K-kerroin = 0,35
"Software" for electronic devices, even when residing in an electronic device or system, enabling such devices or systems to function as a "numerical control" unit, capable of co-ordinating simultaneously more than four axes for "contouring control".
Kohokuviointilaitteet, jotka kykenevät tuottamaan kuvioita, joiden koko on enintään 45 nm;
2D002 does not control "software" specially designed or modified for the operation of items not specified in Category 2.
3B001.f.2 kohtaan sisältyvät:
2D002 does not control "software" for items specified in 2B002.
Pehmytkuviointivälineet
See 2D001 and 2D003 for "software" for items specified in 2B002.
Kuumapakotusvälineet
2D002 does not control "software" that is exported with, and the minimum necessary for the operation of, items not specified by Category 2.
Nanomuokkauskuviointivälineet
"Software", designed or modified for the operation of equipment specified in 2B002, that converts optical design, workpiece measurements and material removal functions into "numerical control" commands to achieve the desired workpiece form.
Step and flash -kuviointi (S-FIL) -välineet
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 or 2B119 to 2B122.
Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu maskien valmistukseen ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
SEE ALSO 9D004.
a. Poikkeutettu ja fokusoitu elektronisuihku, ionisuihku tai ”laser”säde; ja
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 or 2B227.
Puoliarvoleveyden (FWHM) pistekoko pienempi kuin 65 m ja kuvan sijoitus alle 17 nm (keskiarvo + 3 sigmaa); tai
"Software" specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 2B201.
Toisen kerroksen kohdistusvirhe alle 23 nm (keskiarvo + 3 sigmaa) maskissa; 3B001.f. jatkoa
2D202 does not control part programming "software" that generates "numerical control" command codes but does not allow direct use of equipment for machining various parts.
Laitteet, jotka on suunniteltu laitteiden prosessointiin käyttäen suoria kirjoitusjärjestelmiä (direct writing methods), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
"Software", other than that specified in 1D003, specially designed for "use" of equipment specified in 2B351.
a. Poikkeutettu ja fokusoitu elektronisuihku; ja
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software" specified in 2A, 2B or 2D.
Suihkun vähimmäiskoko enintään 15 nm; tai
2E001 includes "technology" for the integration of probe systems into coordinate measurement machines specified in 2B006.a.
Kohdistusvirhe alle 27 nm (keskiarvo + 3 sigmaa);
"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 2A or 2B.
g. Maskit tai retikkelit, jotka on suunniteltu 3A001 kohdassa määriteltyjä integroituja piirejä varten;
Other "technology", as follows:
h. Monikerrosmaskit, joissa on vaihesiirtokerros, joita ei ole määritelty 3B001.g kohdassa ja joilla on jokin seuraavista:
b.
3B001.h kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi monikerrosmaskeja, joissa on vaihesiirtokerros ja jotka on suunniteltu sellaisten muistilaitteiden valmistukseen, joita ei aseteta valvonnanalaiseksi 3A001 kohdassa.
"Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:
i. Kohokuviointimallineet, jotka on suunniteltu 3A001 kohdassa määriteltyjä integroituja piirejä varten.
"Technology" for the design of tools, dies or fixtures specially designed for any of the following processes:
Seuraavat testauslaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu valmiiden tai puolivalmiiden puolijohteiden ja erityisesti niitä varten suunniteltujen komponenttien ja tarvikkeiden testaamiseen:
a.
a. Laitteet transistorien S-parametrien testaukseen yli 31,8 GHz:n alueella;
"Superplastic forming";
c. Laitteet 3A001.b.2 kohdassa määriteltyjen integroitujen mikroaaltopiirien testaukseen.
b.
Hetero-epitaksimateriaalit, jotka koostuvat ”substraatista”, jonka päälle on epitaksisti kasvatettu useita kerroksia seuraavia aineita:
"Diffusion bonding"; or
a. Pii (Si);
c.
c. Piikarbidi (SiC); tai
"Direct-acting hydraulic pressing";
d. Galliumin tai indiumin ”III/V-yhdisteet”.
Technical data consisting of process methods or parameters as listed below used to control:
3C001.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ”substraattia”, jolla on yksi tai useampia P-tyypin epitaksisia kerroksia GaN:a, InGaN:a, AlGaN:a, InAlN:a, InAlGaN:a, GaP:a,, GaAs:a, AlGaAs:a, InP:a, InGaP:a, AlInP:a tai InGaAlP:a, riippumatta alkuaineiden järjestyksestä, paitsi jos P-tyypin epitaksinen kerros on N-tyypin kerrosten välissä.
a.
Seuraavat estopinnoitemateriaalit ja seuraavilla estopinnoitteilla pinnoitetut ”substraatit”:
"Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
a. Estopinnoitteet, jotka on suunniteltu puolijohdelitografiaa varten seuraavasti:
Surface preparation;
Positiiviestopinnoitteet, joiden spektrivaste on sovitettu (optimoitu) alle 245 nm:n mutta vähintään 15 nm:n aallonpituuksille;
Strain rate;
Estopinnoitteet, joiden spektrivaste on sovitettu (optimoitu) alle 15 nm:n mutta yli 1 nm:n aallonpituuksille;
Temperature;
b. Kaikki estopinnoitteet, jotka on suunniteltu käytettäväksi elektroni- tai ionisuihkun kanssa ja joiden herkkyys on 0,01 mikrocoulombia/mm2 tai parempi;
Pressure;
d. Kaikki estopinnoitteet, jotka on optimoitu pintakuvausteknologiaa varten;
b.
e. Kaikki estopinnoitteet, jotka on suunniteltu tai optimoitu käytettäväksi lämpö- tai säteilykovetusprosessia käyttävien 3B001.f.2 kohdassa määriteltyjen kohokuviointilaitteiden kanssa.
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
Seuraavat orgaanis-epäorgaaniset yhdisteet:
c.
a. Metalliorgaaniset alumiini-, gallium- tai indiumyhdisteet, joiden (perusmetallin) puhtaus (metalleista) on parempi kuin 99999 %;
"Direct-acting hydraulic pressing" of aluminium alloys or titanium alloys:
b. Arseeniorgaaniset, antimoni-orgaaniset ja fosfori-orgaaniset yhdisteet, joiden puhtaus (epäorgaanisista aineista) on parempi kuin 99999 %.
Cycle time;
3C003 kohdassa asetetaan valvonnanalaiseksi vain yhdisteet, joiden metallinen, osittain metallinen tai ei-metallinen elementti on suoraan liittynyt hiileen molekyylin orgaanisessa osassa.
d.
Fosfori-, arseeni- tai antimonihydridit, joiden puhtaus on parempi kuin 99999 %, myös jalokaasuilla tai vedyllä laimennettuina.
"Hot isostatic densification" of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
3C004 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi hydridejä, jotka sisältävät vähintään 20 mooliprosenttia jalokaasuja tai vetyä.
c.
Piikarbidi- (SiC), galliumnitridi- (GaN), aluminiumnitridi- (AIN) tai aluminiumgalliumnitridi- (AIGaN) puolijohde ”substraatit”, tai näiden materiaalien harkot, boulet tai muut preformit, joiden resistiivisyys on enemmän kuin 10000 ohmisenttimetriä 20 °C:ssa.
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
3C005 kohdassa määritellyt ”substraatit”, joissa on vähintään yksi epitaksinen kerros piikarbidia, galliumnitridiä, aluminiumnitridiä tai aluminiumgalliumnitridiä.
d.
”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu 3A001.b–3A002.h tai 3B kohdassa määriteltyjen laitteiden ”kehittämistä” tai ”tuotantoa” varten.
"Technology" for the "development" of generators of machine tool instructions (e.g., part programs) from design data residing inside "numerical control" units;
”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu 3B001.a–f, 3B002 tai 3A225 kohdassa määriteltyjen laitteiden ”käyttöä” varten.
e.
’Fysiikkapohjaiset’ simulaatio-”ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu sellaisten litografia-, syövytys- ja pinnoitusprosessien ”kehittämiseen”, jotka muuntavat maskin kuviot erityisiksi topografisiksi johtimien, eristeiden ja puolijohdemateriaalien kuvioiksi.
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
’Fysiikkapohjaisella’ tarkoitetaan 3D003 kohdassa laskelmien käyttämistä fysikaalisten syy ja seuraus -tapahtumien jakson määrittämiseen fysikaalisten ominaisuuksien perusteella (esimerkiksi lämpötila, paine, diffuusiovakiot ja puolijohdemateriaalien ominaisuudet).
f.
Kirjastot, suunnitteluparametrit sekä niihin liittyvät tiedot puolijohdekomponenttien ja integroitujen piirien suunnittelua varten käsitetään ”teknologiaksi”.
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu 3A003 kohdassa määriteltyjen laitteiden ”kehittämistä” varten.
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 3A101.b kohdassa määriteltyjen laitteiden ”käyttöä” varten.
This table should be read to specify the "technology" for a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu vahvistamaan tai heikentämään taajuusmuuntimien tai generaattoreiden suorituskykyä, jotta 3A225 kohdan ominaisuudet täyttyvät.
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
”Teknologia” yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A, 3B tai 3C kohdassa määriteltyjen laitteiden ja materiaalien ”kehittämistä” ja ”tuotantoa” varten.
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
3E001 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ”teknologiaa” 3A003 kohdassa määriteltyjä laitteita tai komponentteja varten.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
3E001 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ”teknologiaa” 3A001.a.3–3A001.a.12 kohdassa määriteltyjä sellaisia integroituja piirejä varten, joilla on kaikki seuraavat:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
Ne käyttävät ”teknologiaa”, jonka koko on vähintään 0 130 μm; ja
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
Ne sisältävät monikerrosrakenteita, joissa on korkeintaan kolme metallikerrosta.
Table
Muu kuin 3E001 kohdassa määritelty ”teknologia” yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti sellaisen ”mikroprosessorimikropiirin”, ”mikrotietokonemikropiirin” tai mikro-ohjainmikropiiriytimen ”kehittämistä” ja ”tuotantoa” varten, jonka aritmeettisloogisen yksikön hakuleveys on 32 bittiä tai enemmän ja jolla on jokin seuraavista piirteistä tai ominaisuuksista:
Deposition techniques
a. ’Vektoriprosessoriyksikkö’, joka on suunniteltu suorittamaan enemmän kuin kaksi laskutoimitusta liukulukuvektoreille (32-bittisten tai sitä suurempien lukujen yksiulotteiset matriisit) samanaikaisesti;
Coating Process (1) [2]
’Vektoriprosessoriyksikkö’ on prosessorielementti, jossa on sisäänrakennetut käskyt, jotka suorittavat useita laskutoimituksia liukulukuvektoreille (32-bittisten tai sitä suurempien lukujen yksiulotteiset matriisit) samanaikaisesti, ja jossa on vähintään yhden vektorin aritmeettislooginen yksikkö ja vektorirekisterit, joissa on kussakin vähintään 32 elementtiä.
Substrate
b. Suunniteltu suorittamaan enemmän kuin neljä 64-bittistä tai sitä suurempaa liukulukutoimitusta kierrosta kohden; tai
Resultant Coating
c. Suunniteltu suorittamaan enemmän kuin kahdeksan 16-bittistä kiintolukutoimitusta kertolasku-summausta käyttäen kierrosta kohden (esimerkiksi sellaisen analogisen tiedon digitaalinen käsittely, joka on aiemmin muunnettu digitaaliseen muotoon eli digitaalinen ”signaalinkäsittely”)
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
3E002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi multimedialaajennuksia varten olevaa ”teknologiaa”.
"Superalloys"
3E002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ”teknologiaa” sellaisia mikroprosessoriytimiä varten, joilla on kaikki seuraavat:
Aluminides for internal passages
Niihin sisältyy monikerroksisia rakenteita, joissa on viisi metallikerrosta tai vähemmän.
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
3E002 kohtaan sisältyy ”teknologia” digitaalisten signaalinkäsittelijöiden ja digitaalisten taulukkosuorittimien ”kehittämistä” tai ”tuotantoa” varten.
Silicides
Muu ”teknologia” seuraavien ”kehittämistä” ja ”tuotantoa” varten:
Carbides
a. Tyhjiö-mikroelektroniset laitteet;
Dielectric layers (15)
b. Heterorakenteiset elektroniset puolijohdekomponentit, kuten korkean elektroniliikkuvuuden transistorit (HEMT), heterobipolaaritransistorit (HBT), kvanttikuoppa- tai superhilakomponentit;
Diamond
3E003.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ”teknologiaa” alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia HEMT-transistoreja varten ja alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia heteroliitosbipolaaritransistoreja (HBT) varten.
Diamond-like carbon (17)
c. ”Suprajohtavat” elektroniset komponentit;
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"
d. Elektronisten komponenttien timanttifilmisubstraatit;
Refractory metals
e. Piieristyssubstraatit integroiduille piireille, joissa eristysaineena on piidioksidi;
Mixtures thereof (4)
f. Piikarbidisubstraatit elektronisille komponenteille;
Aluminides
g. ’Tyhjiöelektroniset laitteet’, jotka toimivat 31,8 GHz:n tai suuremmilla taajuuksilla.
Alloyed aluminides (2)
”Teknologia” yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A001.a.1 tai 2, 3A101, 3A102 tai 3D101 kohdassa määriteltyjen laitteiden ja ”ohjelmistojen” ”käyttöä” varten.
Boron nitride
”Teknologia” yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3D101 kohdassa määriteltyjen ”ohjelmistojen” ”kehittämistä” varten.
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
”Teknologia” yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.g, 3A201, 3A225–3A234 kohdassa määriteltyjen laitteiden ”käyttöä” varten.
Tungsten
”Teknologia” koodien tai avainten muodossa vahvistamaan tai heikentämään taajuusmuuntimien tai generaattoreiden suorituskykyä, jotta 3A225 kohdan ominaisuudet täyttyvät.
Molybdenum and Molybdenum alloys
RYHMÄ 4 – TIETOKONEET
Beryllium and Beryllium alloys
Tietokoneet, niihin liittyvät laitteet tai ”ohjelmistot”, jotka suorittavat tietoliikenteen tai ”paikallisverkon” toimintoja, on arvioitava myös 5 ryhmän 1 osan (Tietoliikenne) toimintaparametrit huomioon ottaen.
Sensor window materials (9)
Ohjausyksiköitä, jotka yhdistävät suoraan keskusyksikön, ”keskusmuistin” tai levyohjaimien väyliä tai kanavia, ei katsota 5 ryhmän 1 osassa (Tietoliikenne) määritellyiksi tietoliikennelaitteiksi.
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
Pakettikytkentää varten erityisesti suunniteltujen ”ohjelmistojen” valvonnanalaisuus: katso 5D001 kohta.
Modified zirconia (12)
a. Jotka on erityisesti suunniteltu niin, että niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Corrosion resistant steel (7)
Mitoitettu toimimaan alle 228 K:n (– 45 °C:n) tai yli 358 K:n (85 °C:n) lämpötilassa; tai
Borides
4A001.a.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi siviiliajoneuvo-, rautatie- tai ”siviili-ilma-alus”sovelluksiin erityisesti suunniteltuja tietokoneita.
Beryllium
Kestävät säteilyä yli jonkin seuraavista rajoista:
Titanium alloys (13)
Kokonaisannos
Nitrides
5 x 103 Gy (pii);
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
Annosnopeus
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
5 x 106 Gy (pii)/s; tai
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
Kertahäiriö
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
1 x 10-8 virhettä/bitti/vrk;
Polymers (11) and Organic "matrix" "composites"
Seuraavat ”digitaaliset tietokoneet”, ”elektroniset kokoonpanot” ja niihin liittyvät laitteet sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
4A003 kohta sisältää seuraavat:
Refractory metals and alloys (8)
’Vektoriprosessorit’;
Oxides
Matriisiprosessorit;
D. Plasma spraying
Digitaaliset signaaliprosessorit;
Abradable Nickel-Graphite
Logiikkaprosessorit;
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
Laitteet ”kuvan laadun parantamista” varten.
E. Slurry Deposition
”Digitaaliset tietokoneet” tai niihin liittyvät laitteet eivät ole näiden muiden laitteiden tai järjestelmien ”olennaisin osa”; ja