natgillin/translations-raw huggingface dataset:
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
"Fokusoivaan tasorakenteeseen" sisältyy aktiivinen mekanismi, joka estää sen toiminnan pysyvästi, kun se poistetaan kamerasta, johon se oli tarkoitettu.
b.
Kuvannuskamerat, jotka sisältävät 6A002.a.1 kohdassa määriteltyjä solid-state-antureita.
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
Seuraavat optiset laitteet ja komponentit:
c.
a. Seuraavat optiset peilit (heijastimet):
Designed to perform more than eight 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
Sovellettaessa 6A004.a kohtaa LIDT (Laser Induced Damage Threshold) mitataan ISO-standardin 21254-1:2011 mukaisesti.
3E002 does not control "technology" for multimedia extensions.
Erityisesti litografialaitteita varten suunniteltujen optisten peilien osalta katso 3B001 kohta.
3E002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
"Muotoaan muuttavat peilit", joiden aktiivinen optinen aukko on suurempi kuin 10 mm ja joilla on jokin seuraavista, ja erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit:
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
a. Joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
3E002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
Mekaaninen resonanssitaajuus vähintään 750 Hz; ja
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
Yli 200 toimilaitetta; tai
a.
b. LIDT (Laser Induced Damage Threshold) on jokin seuraavista:
Vacuum microelectronic devices;
Suurempi kuin 1 kW/cm2 käytettäessä "CW-laseria"; tai
b.
Suurempi kuin 2 J/cm2 käytettäessä 20 ns "laser"pulsseja 20 Hz:n toistotiheydellä;
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
Kevyet monoliittiset peilit, joiden keskimääräinen "ekvivalenttitiheys" on alle 30 kg/m2 ja joiden kokonaispaino on yli 10 kg;
3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
6A004.a.2 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi peilejä, jotka on erityisesti suunniteltu ohjaamaan auringon säteilyä maassa oleviin heliostaattilaitteistoihin.
c.
Kevyet "komposiitti"- tai vaahtopeilirakenteet, joiden keskimääräinen "ekvivalenttitiheys" alle 30 kg/m2 ja joiden kokonaispaino on yli 2 kg;
"Superconductive" electronic devices;
6A004.a.3 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi peilejä, jotka on erityisesti suunniteltu ohjaamaan auringon säteilyä maassa oleviin heliostaattilaitteistoihin.
d.
Peilit, jotka on erityisesti suunniteltu 6A004.d.2.a kohdassa määritellyn säteen ohjauspeilin asteita varten ja joiden latteus on λ/10 tai parempi ((λ on 633 nm) ja joilla on jokin seuraavista:
Substrates of films of diamond for electronic components.
a. Halkaisija tai pääakselin pituus on vähintään 100 mm; tai
e.
b. Niillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
Halkaisija tai pääakselin pituus on yli 50 mm mutta alle 100 mm; ja
f.
LIDT (Laser Induced Damage Threshold) on jokin seuraavista:
Substrates of silicon carbide for electronic components;
a. Suurempi kuin 10 kW/cm2 käytettäessä "CW-laseria"; tai
g.
b. Suurempi kuin 20 J/cm2 käytettäessä 20 ns "laser"pulsseja 20 Hz:n toistotiheydellä;
Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
b. Sinkkiselenidistä (ZnSe) tai sinkkisulfidista (ZnS) valmistetut optiset komponentit, joiden lähete on aallonpituusalueella, joka on yli 3000 nm mutta enintään 25000 nm ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
Tilavuus on yli 100 cm3; tai
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software"specified in 3D101.
Halkaisija tai pääakselin pituus on yli 80 mm ja paksuus (syvyys) 20 mm;
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
c. Seuraavat "avaruuskelpoiset" optisten järjestelmien komponentit:
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
Komponentit, jotka on kevennetty alle 20 %:iin sellaisen massiivikappaleen "ekvivalenttitiheyteen" verrattuna, jolla on sama aukko ja paksuus;
CATEGORY 4 — COMPUTERS
Raakasubstraatit tai (yksi- tai monikerroksisella, metallisella tai dielektrisellä, johtavalla, puolijohtavalla tai eristävällä) pinnoitteella pinnoitetut tai suojaavalla kalvolla varustetut substraatit;
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Peilien segmentit tai kokoonpanot, jotka on suunniteltu koottavaksi avaruudessa optiseksi järjestelmäksi, jonka kokoava aukko on sama tai suurempi kuin yksittäisen optiikan, jonka halkaisija on 1 m;
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Komponentit, jotka on valmistettu "komposiitti"materiaaleista, joiden lineaarinen lämpölaajenemiskerroin on enintään 5 × 10– 6 minkä tahansa koordinaatin suunnassa;
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
d. Seuraavat optiikan ohjauslaitteet:
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu 6A004.c.1 tai 6A004.c.3 kohdassa määriteltyjen "avaruuskelpoisten" komponenttien pinnanmuodon tai asennon ylläpitoon;
SEE ALSO 4A101.
Seuraavat ohjauksen, seurannan, stabiloinnin tai resonaattorin kohdistuksen laitteet:
a.
a. Säteen ohjauspeilin asteet, jotka on suunniteltu kannattamaan peilejä, joiden halkaisija tai pääakselin pituus on yli 50 mm ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet, ja erityisesti niitä varten suunnitellut elektroniset ohjauslaitteet:
Specially designed to have any of the following:
Maksimikulmasiirtymä vähintään ± 26 mrad;
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C); or
Mekaaninen resonanssitaajuus vähintään 500 Hz; ja
4A001.a.1. does not control computers specially designed for civil automobile, railway train or "civil aircraft" applications.
Kulma"tarkkuus" 10 μrad (mikroradiaania) tai vähemmän (parempi);
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
b. Resonaattorin kohdistuksen laite, jonka kaistanleveydet ovat vähintään 100 Hz ja "tarkkuus" 10 μrad tai vähemmän (parempi);
a.
Kardaanit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Total Dose
a. Maksimikääntymä yli 5 astetta;
5 × 103 Gy (silicon);
b. Kaistanleveys vähintään 100 Hz;
b.
c. Kulmasuuntausvirhe enintään 200 μrad (mikroradiaania); ja
Dose Rate Upset
d. Jokin seuraavista:
5 × 106 Gy (silicon)/s; or
Halkaisija tai pääakselin pituus yli 0,15 m mutta enintään 1 m ja kykenevät yli 2 radiaanin/s2 kulmakiihtyvyyksiin; tai
c.
Halkaisija tai pääakselin pituus on yli 1 m ja kykenevät yli 0,5 radiaanin/s2 kulmakiihtyvyyteen;
Single Event Upset
e.
1 × 10– 8 Error/bit/day;
'Ei- pallomaiset optiset elementit', joilla on kaikki seuraavat:
4A001.a.2. does not control computers specially designed for "civil aircraft" applications.
Optisen aukon suurin mitta on yli 400 mm;
"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows and specially designed components therefor:
'Ei- pallomainen optinen elementti' on optisessa järjestelmässä käytettävä elementti, jonka kuvapinta- tai pinnat on suunniteltu siten, että ne poikkeavat täydellisen pallomaisesta muodosta.
4A003 includes the following:
Valmistajia ei velvoiteta mittaamaan 6A004.e.2 kohdassa tarkoitettua pinnan epätasaisuutta, ellei optista elementtiä ole suunniteltu tai valmistettu valvontaparametrin täyttämistä tai ylittämistä varten.
'Vector processors';
6A004.e kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi ei-pallomaisia optisia elementtejä, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Array processors;
Optisen aukon suurin mitta on alle 1 m ja polttovälin suhde aukkoon on vähintään 4,5:1;
Digital signal processors;
Optisen aukon suurin mitta on vähintään 1 m ja polttovälin suhde aukkoon on vähintään 7:1;
Logic processors;
Ne on suunniteltu Fresnel-, flyeye-, juova-, prisma- tai diffraktiotyyppisiksi optisiksi elementeiksi;
Equipment designed for "image enhancement".
Ne on valmistettu borosilikaattilasista, jonka lineaarinen lämpölaajenemiskerroin on suurempi kuin 2,5 × 10– 6/K 25 °C:n lämpötilassa; tai
The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
Ne ovat röntgenoptisia elementtejä, joilla on sisäisiä peiliominaisuuksia (esim. putkityyppinen peili).
The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
Litografialaitteita varten erityisesti suunniteltujen ei- pallomaisten optisten elementtien osalta katso 3B001 kohta.
The "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
Seuraavat muut kuin 0B001.g.5 tai 0B001.h.6 kohdassa määritellyt "laserit", komponentit ja optiset laitteet:
The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
KATSO MYÖS 6A205 KOHTA.
For the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Pulssi"lasereihin" kuuluvat ne, jotka toimivat pulssitettuina jatkuva-aaltomoodissa (CW).
The "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E.
Eksimeeri-, puolijohde-, kemialliset, hiilimonoksidi-, hiilidioksidi- ja 'yksittäisiä pulsseja tuottavat' neodymiumlasi"laserit" määritellään ainoastaan 6A005.d kohdassa.
b.
'Yksittäisiä pulsseja tuottava' viittaa "laseriin", joka tuottaa joko yhden yksittäisen ulostulopulssin tai jonka tuottamien pulssien aikaväli on yli minuutin.
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 12,5 Weighted TeraFLOPS (WT);
6A005 kohta sisältää kuitu"laserit".
c.
"Laserien", jotka kykenevät taajuuden muuttamiseen (eli aallonpituuden muuttamiseen) muutoin kuin siten, että yksi "laser" syöttää energiaa toiseen "laseriin", valvonnanalaisuus määräytyy sekä lähde"laserin" tuotoksen että taajuusmuunnetun optisen tuotoksen valvontaparametrien perusteella.
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit specified in 4A003.b.;
Huom. 5:
4A003.c. controls only "electronic assemblies" and programmable interconnections not exceeding the limit specified in 4A003.b. when shipped as unintegrated "electronic assemblies".
6A005 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi seuraavia "lasereita":
4A003.c. does not control "electronic assemblies" specially designed for a product or family of products whose maximum configuration does not exceed the limit specified in 4A003.b.
Rubiini"laserit", joiden lähtöenergia on alle 20 J;
For "electronic assemblies", modules or equipment, performing analogue-to-digital conversions, see 3A002.h.
Typpi"laserit";
g.
Krypton"laserit".
Equipment specially designed for aggregating the performance of "digital computers" by providing external interconnections which allows communications at unidirectional data rates exceeding 2,0 Gbyte/s per link.
6A005 kohdassa käsitteellä 'laserin hyötysuhde' (wall-plug efficiency) tarkoitetaan "laserin" lähtötehon (tai "keskimääräisen lähtötehon") suhdetta "laserin" käyttämiseen tarvittavan sähköisen virtalähteen kokonaistehoon, mukaan lukien virtalähteen/virransäädön ja lämmönpoiston/lämmönvaihdon edellyttämä teho.
4A003.g. does not control internal interconnection equipment (e.g. backplanes, buses), passive interconnection equipment, "network access controllers" or "communications channel controllers".
a. Ei-"viritettävät" jatkuvaa valoa tuottavat (CW, continuous wave) "laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Computers as follows and specially designed related equipment, "electronic assemblies" and components therefor:
Lähtöaallonpituus on alle 150 nm ja lähtöteho yli 1 W;
a.
Lähtöaallonpituus on vähintään 150 nm mutta enintään 510 nm, ja lähtöteho on yli 30 W;
"Systolic array computers";
6A005.a.2 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi argon"lasereita", joiden lähtöteho on enintään 50 W.
b.
Lähtöaallonpituus on yli 510 nm mutta enintään 540 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"Neural computers";
a. Yksitransversaalimuodon ulostulon lähtöteho on yli 50 W; tai
c.
b. Monitransversaalimuodon ulostulon lähtöteho on yli 150 W;
"Optical computers".
Lähtöaallonpituus on yli 540 nm mutta enintään 800 nm, ja lähtöteho on yli 30 W;
Systems, equipment, and components therefor, specially designed or modified for the generation, operation or delivery of, or communication with, "intrusion software".
Lähtöaallonpituus on yli 800 nm mutta enintään 975 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Analogue computers, "digital computers" or digital differential analysers, other than those specified in 4A001.a.1., which are ruggedized and designed or modified for use in space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.
b. Monitransversaalimuodon ulostulon lähtöteho on yli 80 W;
"Hybrid computers" specially designed for modelling, simulation or design integration of space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.
Lähtöaallonpituus on yli 975 nm mutta enintään 1150 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
This control only applies when the equipment is supplied with "software" specified in 7D103 or 9D103.
a. Yksitransversaalimuodon lähtöteho on yli 200 W; tai
The control status of "software" for equipment described in other Categories is dealt with in the appropriate Category.
b. Monitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"Software" as follows:
'Laserin hyötysuhde' on yli 18 prosenttia ja lähtöteho on yli 500 W; tai
"Software" specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment or "software" specified in 4A001 to 4A004, or 4D.
6A005.a.6.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi monitransversaalimuodossa toimivia teollisuus"lasereita", joiden lähtöteho on yli 2 kW mutta enintään 6 kW ja joiden kokonaismassa on yli 1200 kg.
b.
Tässä huomautuksessa kokonaismassalla tarkoitetaan kaikkia "laserin" käyttämiseen tarvittavia komponentteja, mm. "laser", virtalähde, lämmönpoistaja, mutta siihen ei sisälly säteen kunnostukseen tai kuljetukseen tarvittava ulkoinen optiikka.
"Software", other than that specified in 4D001.a., specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment as follows:
6A005.a.6.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi monitransversaalimuodossa toimivia teollisuus"lasereita", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 6,0 Weighted TeraFLOPS (WT);
Lähtöteho on yli 500 W mutta enintään 1 kW, ja niillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit in 4D001.b.1.
Sädeparametritulo (BPP) on yli 0,7 mm · mrad; ja
"Software" specially designed or modified for the generation, operation or delivery of, or communication with, "intrusion software".
'Luminanssi' on enintään 1024 W/(mm · mrad)2;
a.
Lähtöteho on yli 1 kW mutta enintään 1,6 kW, ja BPP on yli 1,25 mm · mrad;
"Technology" according to the General Technology Note, for the "development", "production" or "use" of equipment or "software" specified in 4A or 4D.
Lähtöteho on yli 1,6 kW mutta enintään 2,5 kW, ja BPP on yli 1,7 mm · mrad;
b.
Lähtöteho on yli 2,5 kW mutta enintään 3,3 kW, ja BPP on yli 2,5 mm · mrad;
"Technology", other than that specified in 4E001.a., specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment as follows:
Lähtöteho on yli 3,3 kW mutta enintään 4 kW, ja BPP on yli 3,5 mm · mrad;
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit in 4E001.b.1.
Lähtöteho on yli 4 kW mutta enintään 5 kW, ja BPP on yli 5 mm · mrad;
c.
Lähtöteho on yli 5 kW mutta enintään 6 kW, ja BPP on yli 7,2 mm · mrad;
"Technology" for the "development" of "intrusion software".
Lähtöteho on yli 6 kW mutta enintään 8 kW, ja BPP on yli 12 mm · mrad; tai
TECHNICAL NOTE ON "ADJUSTED PEAK PERFORMANCE" ("APP")
Lähtöteho on yli 8 kW mutta enintään 10 kW, ja BPP on yli 24 mm · mrad;
"APP" is an adjusted peak rate at which "digital computers" perform 64-bit or larger floating point additions and multiplications.
Lähtöaallonpituus on yli 1150 nm mutta enintään 1555 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"APP" is expressed in Weighted TeraFLOPS (WT), in units of 1012 adjusted floating point operations per second
a. Yksitransversaalimuodon lähtöteho on yli 50 W; tai
Abbreviations used in this Technical Note
b. Monitransversaalimuodon lähtöteho on yli 80 W; tai
n number of processors in the "digital computer"
Lähtöaallonpituus on yli 1555 nm ja lähtöteho on yli 1 W;
i processor number (i,…n)
b. Ei-"viritettävät" pulssitoimiset "laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
processor cycle time (ti = 1/Fi)
Lähtöaallonpituus on alle 150 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
processor frequency
a. Lähtöenergia on yli 50 mJ pulssia kohti ja "huipputeho" on yli 1 W; tai
peak floating point calculating rate
b.
architecture adjustment factor
"Keskimääräinen lähtöteho" on yli 1 W;
Outline of "APP" calculation method
Lähtöaallonpituus on vähintään 150 nm mutta enintään 510 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
For each processor i, determine the peak number of 64-bit or larger floating point operations, FPOi, performed per cycle for each processor in the "digital computer".
a. Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti ja "huipputeho" on yli 30 W; tai
Note
b.
In determining FPO, include only 64-bit or larger floating point additions and/or multiplications.
"Keskimääräinen lähtöteho" on yli 30 W;
All floating point operations must be expressed in operations per processor cycle; operations requiring multiple cycles may be expressed in fractional results per cycle.
6A005.b.2.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi argon"lasereita", joiden "keskimääräinen lähtöteho" on enintään 50 W.
For processors not capable of performing calculations on floating point operands of 64-bit or more, the effective calculating rate R is zero.
a. Yksitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Calculate the floating point rate R for each processor Ri = FPOi/ti.
Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti ja "huipputeho" on yli 50 W; tai
Calculate "APP" as "APP" = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn.
"Keskimääräinen lähtöteho" on yli 50 W; tai
For 'vector processors', Wi = 0,9.
Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti ja "huipputeho" on yli 150 W; tai
For non-'vector processors', Wi = 0,3.
"Keskimääräinen lähtöteho" on yli 150 W;
Note 1
Lähtöaallonpituus on yli 540 nm mutta enintään 800 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
For processors that perform compound operations in a cycle, such as addition and multiplication, each operation is counted.
a.
Note 2
"Pulssin kesto" on alle 1 ps, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
For a pipelined processor the effective calculating rate R is the faster of the pipelined rate, once the pipeline is full, or the non-pipelined rate.
Lähtöenergia on yli 0 005 J pulssia kohti ja "huipputeho" on yli 5 GW; tai
Note 3
"Keskimääräinen lähtöteho" on yli 20 W; tai
The calculating rate R of each contributing processor is to be calculated at its maximum value theoretically possible before the "APP" of the combination is derived.
b.
Simultaneous operations are assumed to exist when the computer manufacturer claims concurrent, parallel, or simultaneous operation or execution in a manual or brochure for the computer.
"Pulssin kesto" on vähintään 1 ps, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Note 4
Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti ja "huipputeho" on yli 30 W; tai
Do not include processors that are limited to input/output and peripheral functions (e.g., disk drive, communication and video display) when calculating "APP".
"Keskimääräinen lähtöteho" on yli 30 W;
Note 5
Yksitransversaalimuodon ulostulo ja "keskimääräinen lähtöteho" on yli 20 W;
"APP" values are not to be calculated for processor combinations (inter)connected by "Local Area Networks", Wide Area Networks, I/O shared connections/devices, I/O controllers and any communication interconnection implemented by "software".
b.
Note 6
"Pulssin kesto" on vähintään 1 ps mutta enintään 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"APP" values must be calculated for processor combinations containing processors specially designed to enhance performance by aggregation, operating simultaneously and sharing memory;
Lähtöenergia on yli 0,5 J pulssia kohti ja "huipputeho" on yli 50 W;
Aggregate all processors and accelerators operating simultaneously and located on the same die.
Yksitransversaalimuodon ulostulo ja "keskimääräinen lähtöteho" on yli 20 W; tai
Processor combinations share memory when any processor is capable of accessing any memory location in the system through the hardware transmission of cache lines or memory words, without the involvement of any software mechanism, which may be achieved using "electronic assemblies" specified in 4A003.c.
Monitransversaalimuodon ulostulo ja "keskimääräinen lähtöteho" on yli 50 W; tai
Note 7
c.
A 'vector processor' is defined as a processor with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 64-bit or larger numbers) simultaneously, having at least 2 vector functional units and at least 8 vector registers of at least 64 elements each.
"Pulssin kesto" on yli 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
CATEGORY 5 — TELECOMMUNICATIONS AND "INFORMATION SECURITY"
Lähtöenergia on yli 2 J pulssia kohti ja "huipputeho" on yli 50 W;
Part 1 — TELECOMMUNICATIONS
Yksitransversaalimuodon ulostulo ja "keskimääräinen lähtöteho" on yli 50 W; tai
The control status of components, test and "production" equipment and "software" therefor which are specially designed for telecommunications equipment or systems is determined in Category 5, Part 1.
Monitransversaalimuodon ulostulo ja "keskimääräinen lähtöteho" on yli 80 W;
For "lasers" specially designed for telecommunications equipment or systems, see 6A005.
a.