natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Electron beam physical vapour deposition (EB-PVD) production equipment incorporating power systems rated for over 80 kW and having any of the following:
anturi-ikkunamateriaalit (9)
A liquid pool level "laser" control system which regulates precisely the ingots feed rate; or
Terminen höyrystys-fysikaalinen kaasufaasipinnoitus (TE-PVD)
A computer controlled rate monitor operating on the principle of photo-luminescence of the ionised atoms in the evaporant stream to control the deposition rate of a coating containing two or more elements;
Fysikaalinen kaasufaasipinnoitus (PVD): elektronisuihkun avulla tapahtuva fysikaalinen kaasufaasipinnoitus (EB-PVD)
d.
seostetut silisidit
Plasma spraying production equipment having any of the following:
muunnettu zirkoniumoksidi (12)
Operating at reduced pressure controlled atmosphere (equal to or less than 10 kPa measured above and within 300 mm of the gun nozzle exit) in a vacuum chamber capable of evacuation down to 0,01 Pa prior to the spraying process; or
korroosionkestävät teräkset (7)
Incorporating in situ coating thickness control;
boridit
e.
berylium
Sputter deposition production equipment capable of current densities of 0,1 mA/mm2 or higher at a deposition rate of 15 μm/h or more;
titaaniseokset (13)
f.
nitridit
Cathodic arc deposition production equipment incorporating a grid of electromagnets for steering control of the arc spot on the cathode;
Ioniavusteinen resistiivinen fysikaalinen kaasufaasipinnoitus (PVD) (ionipinnoitus)
g.
keraamiset aineet (19) ja vähän laajenevat lasit
Ion plating production equipment capable of the in situ measurement of any of the following:
volframikarbidi-kovametalli (16), piikarbidit
Coating thickness on the substrate and rate control; or
Fysikaalinen kaasufaasipinnoitus (PVD): "Laser"höyrystys
Optical characteristics.
timantin kaltainen hiili
2B005 does not control chemical vapour deposition, cathodic arc, sputter deposition, ion plating or ion implantation equipment, specially designed for cutting or machining tools.
Fysikaalinen kaasufaasipinnoitus (PVD): Katodikaaripurkaus
Dimensional inspection or measuring systems, equipment and "electronic assemblies", as follows:
polymeerit (11) ja "komposiitit", joilla on orgaaninen "matriisi"
a.
C. Hiilletyslaatikkokarkaisu (katso edellä A kohta muun kuin laatikkokarkaisun osalta) (10)
Computer controlled or "numerically controlled" Coordinate Measuring Machines (CMM), having a three dimensional (volumetric) maximum permissible error of length measurement (E0,MPE) at any point within the operating range of the machine (i.e., within the length of axes) equal to or less (better) than (1,7 + L/1000) μm (L is the measured length in mm), according to ISO 10360-2 (2009);
tulenkestävät metallit ja seokset (8)
The E0,MPE of the most accurate configuration of the CMM specified by the manufacturer (e.g., best of the following: probe, stylus length, motion parameters, environment) and with "all compensations available" shall be compared to the 1,7 + L/1000 μm threshold.
oksidit
SEE ALSO 2B206.
D. Plasmaruiskutus
b.
muovattava nikkeligrafiitti
Linear and angular displacement measuring instruments, as follows:
muovattavat Ni-Cr-Al-pitoiset aineet
'Linear displacement' measuring instruments having any of the following:
muovattava Al-Si-polyesteri
Interferometer and optical-encoder displacement measuring systems containing a "laser" are only controlled in 2B006.b.1.c. and 2B206.c.
alumiiniseokset (6)
For the purpose of 2B006.b.1.
E. Lietepinnoitus
'linear displacement' means the change of distance between the measuring probe and the measured object.
fuusatut silisidit
a.
fuusatut aluminidit paitsi lämmitysvastuselementit
Non-contact type measuring systems with a "resolution" equal to or less (better) than 0,2 μm within a measuring range up to 0,2 mm;
F. Sputterointi
b.
jalometallimuunnetut aluminidit (3)
Linear Variable Differential Transformer (LVDT) systems having all of the following:
platina
a.
keraamiset aineet ja vähän laajenevat lasit (14)
"Linearity" equal to or less (better) than 0,1 % measured from 0 to the 'full operating range', for LVDTs with a 'full operating range' up to and including ± 5 mm; or
dielektriset kerrokset (15)
b.
G. Ioni-istutus
"Linearity" equal to or less (better) than 0,1 % measured from 0 to 5 mm for LVDTs with a 'full operating range' greater than ± 5 mm; and
korkean lämpötilan laakeriteräkset
Drift equal to or less (better) than 0,1 % per day at a standard ambient test room temperature ± 1 K;
kromi-, tantaali- tai niobium-(columbium)lisäaineet
For the purposes of 2B006.b.1.b., 'full operating range' is half of the total possible linear displacement of the LVDT.
volframikarbidi-kovametalli (16)
For example, LVDTs with a 'full operating range' up to and including ± 5 mm can measure a total possible linear displacement of 10 mm.
TAULUKKO – PINNOITUSTEKNIIKAT – HUOMAUTUKSET
c.
Termi 'pinnoitusprosessi' sisältää, paitsi alkuperäisen pinnoituksen, myös sen korjauksen tai uusimisen.
Measuring systems having all of the following:
Termi 'seostettu aluminidipinnoitus' sisältää yksi- ja monivaiheiset pinnoitukset, joissa substraatti pinnoitetaan ensin tai samanaikaisesti aluminidipinnoituksen kanssa muulla alkuaineella tai -aineilla silloinkin, kun näillä alkuaineilla pinnoitetaan jotain muuta prosessia käyttäen.
Containing a "laser";
Se ei kuitenkaan sisällä yksivaiheista hiiletyslaatikkokarkaisuprosessia, jota käytetään useampaan kertaan seostetun aluminidin aikaansaamiseksi.
A "resolution" over their full scale of 0,200 nm or less (better); and
Termi 'jalometallimuunnettu aluminidipinnoitus' sisältää monivaiheiset pinnoitukset, joissa jalometallia tai jalometalleja aikaansaadaan substraatin pinnalle jollakin muulla prosessilla ennen aluminidipinnoitusta.
Capable of achieving a "measurement uncertainty" equal to or less (better) than (1,6 + L/2000) nm (L is the measured length in mm) at any point within a measuring range, when compensated for the refractive index of air and measured over a period of 30 seconds at a temperature of 20 ± 0,01 °C; or
Termi 'niiden sekoitukset' sisältää suodatettuja aineita, lajiteltuja seoksia sekä lisä- ja monikerrospinnoitteita ja niitä aikaansaadaan yhden tai useamman taulukossa mainitun pinnoitusprosessin avulla.
d.
'McrAlX' tarkoittaa metalliseospinnoitetta, jossa M vastaa kobolttia, rautaa, nikkeliä tai niiden yhdistelmiä ja X vastaa hafniumia, yttriumia, piitä, tantaalia missä tahansa määrässä tai muuta tarkoituksellista lisäainetta yli 0,01 painoprosenttia erilaisissa suhteissa ja yhdistelmissä, paitsi:
"Electronic assemblies" specially designed to provide feedback capability in systems specified in 2B006.b.1.c.;
a. CoCrAlY-pinnoitteet, jotka sisältävät alle 22 painoprosenttia kromia, alle 7 painoprosenttia alumiinia ja alle 2 painoprosenttia yttriumia;
2B006.b.1. does not control measuring interferometer systems, with an automatic control system that is designed to use no feedback techniques, containing a "laser" to measure slide movement errors of machine-tools, dimensional inspection machines or similar equipment.
b. CoCrAlY-pinnoitteet, jotka sisältävät 22–24 painoprosenttia kromia, 10–12 painoprosenttia alumiinia ja 0,5–0,7 painoprosenttia yttriumia; tai
Angular displacement measuring instruments having an angular position "accuracy" equal to or less (better) than 0,00025°;
c. NiCrAlY-pinnoitteet, jotka sisältävät 21–23 painoprosenttia kromia, 10–12 painoprosenttia alumiinia ja 0,9–1,1 painoprosenttia yttriumia.
2B006.b.2. does not control optical instruments, such as autocollimators, using collimated light (e.g., "laser" light) to detect angular displacement of a mirror.
Termi 'alumiiniseos' tarkoittaa metalliseoksia, joiden murtovetolujuus on vähintään 190 MPa mitattuna 293 K:n (20 °C:n) lämpötilassa.
c.
Termi 'korroosionkestävä teräs' tarkoittaa AISI (American Iron and Steal Institute) 300 -sarjaa tai vastaavia kansallisia standarditeräksiä.
Equipment for measuring surface roughness (including surface defects), by measuring optical scatter with a sensitivity of 0,5 nm or less (better).
'Tulenkestävät metallit ja seokset' sisältävät seuraavia metalleja ja niiden seoksia: niobium (columbium), molybdeeni, volframi ja tantaali.
2B006 includes machine tools, other than those specified by 2B001, that can be used as measuring machines if they meet or exceed the criteria specified for the measuring machine function.
'Anturi-ikkunamateriaaleja' ovat seuraavat: alumiinioksidi, pii, germanium, sinkkisulfidi, sinkkiselenidi, galliumarsenidi, timantti, galliumfosfidi, safiiri ja seuraavat metallihalidit: zirkoniumfluoridista ja hafniumfluoridista koostuvat anturi-ikkunamateriaalit, joiden halkaisija on yli 40 mm.
"Robots" having any of the following characteristics and specially designed controllers and "end-effectors" therefor:
Kiinteiden turbiininsiipilevyjen yksivaiheinen hiiletyslaatikkokarkaisu "teknologia" ei ole valvonnanalaista 2 ryhmässä.
SEE ALSO 2B207.
'Polymeerit' seuraavasti: polyimidi, polyesteri, polysulfidi, polykarbonaatit ja polyuretaanit.
a.
'Muunnettu zirkoniumoksidi' tarkoittaa, että zirkoniumoksidissa on lisäaineena muiden metallien oksideja (esim. kalsiumoksidi, magnesiumoksidi, ytriumoksidi, hafniumoksidi ja harvinaisten maametallien oksidit), joita käytetään stabiloimaan tiettyjä kiteisiä faaseja ja faasikombinaatioita.
Capable in real time of full three-dimensional image processing or full three-dimensional 'scene analysis' to generate or modify "programmes" or to generate or modify numerical programme data;
Lämpöeristyspinnoitukset, jotka on valmistettu zirkoniumoksidista, joka on muunnettu kalsiumoksidia tai magnesiumoksidia sekoittamalla tai fuusioimalla, eivät ole valvonnanalaisia.
The 'scene analysis' limitation does not include approximation of the third dimension by viewing at a given angle, or limited grey scale interpretation for the perception of depth or texture for the approved tasks (2 1/2 D).
'Titaaniseoksilla' tarkoitetaan vain ilmailu- tai avaruuskäyttöön tarkoitettuja seoksia, joiden murtovetolujuus on vähintään 900 MPa mitattuna 293 K:n (20 °C:n) lämpötilassa.
b.
'Vähän laajenevilla laseilla' tarkoitetaan laseja, joiden lämpölaajenemiskerroin on enintään 1 × 10– 7 K– 1 mitattuna 293 K:n (20 °C:n) lämpötilassa.
Specially designed to comply with national safety standards applicable to potentially explosive munitions environments;
'Dielektriset kerrokset' ovat pinnoitteita, jotka rakentuvat eristysmateriaalien useista kerroksista, joissa eri taitekertoimen omaavien materiaalien interferenssiominaisuuksia käytetään heijastamaan, lähettämään tai absorboimaan eri aallonpituuskaistoja.
2B007.b. does not control "robots" specially designed for paint-spraying booths.
Dielektriset kerrokset tarkoittavat enemmän kuin neljää dielektristä kerrosta tai dielektristä/metalli"komposiitti"kerrosta.
c.
'Volframikarbidikovametalli' ei sisällä lastuamis- ja muovaustyökalumateriaaleja, joilla on seuraava koostumus: volframikarbidi/(koboltti, nikkeli), titaanikarbidi/(koboltti, nikkeli), kromikarbidi/nikkeli-kromi tai kromikarbidi/nikkeli.
Specially designed or rated as radiation-hardened to withstand a total radiation dose greater than 5 × 103 Gy (silicon) without operational degradation; or
Valvonnanalaiseksi ei aseteta "teknologiaa", joka on erityisesti tarkoitettu pinnoittamaan timantin kaltaisella hiilellä seuraavia:
The term Gy(silicon) refers to the energy in Joules per kilogram absorbed by an unshielded silicon sample when exposed to ionising radiation.
magneettiset levyasemat ja magneettipäät, kertakäyttötuotteiden valmistukseen käytettävät laitteet, hanaventtiilit, kaiuttimien akustiset kalvot, moottorien osat autoihin, terätyökalut, lävistyspuristinmatriisit, toimistoautomaatiolaitteet, mikrofonit tai lääkinnälliset laitteet tai muovien valamiseen tai muovaamiseen tarkoitetut muotit, jotka on valmistettu alle 5 prosenttia berylliumia sisältävistä seoksista.
d.
'Piikarbidi' ei sisällä terätyökaluihin tai muototeriin käytettäviä aineita.
Specially designed to operate at altitudes exceeding 30000 m.
Tässä tarkoitetut keraamiset substraatit eivät sisällä keraamisia aineita, joissa on vähintään 5 painoprosenttia savea tai sementtiä erillisinä ainesosina tai yhdisteinä.
Assemblies or units, specially designed for machine tools, or dimensional inspection or measuring systems and equipment, as follows:
TAULUKKO – PINNOITUSTEKNIIKAT – TEKNISET HUOM AUTUKSET
a.
Taulukon 1 sarakkeessa mainitut prosessit määritellään seuraavasti:
Linear position feedback units having an overall "accuracy" less (better) than (800 + (600 × L/1000)) nm (L equals the effective length in mm);
a. Kemiallinen kaasufaasipinnoitus (CVD) on pinnoitus- tai pinnan muunnosprosessi, jossa kuumennettu substraatti pinnoitetaan metallilla, metalliseoksella, "komposiitilla", dielektrisellä aineella tai keraamilla.
For "laser" systems see also 2B006.b.1.c., 2B006.b.1.d. and 2B206.c.
Kaasumaiset reagoivat aineet hajoavat tai yhdistyvät substraatin välittömässä läheisyydessä, jonka seurauksena haluttu alkuaine, metalliseos tai yhdiste pinnoittaa substraatin.
b.
Hajoamisen tai kemiallisen reaktioprosessin tarvitsema energia saadaan substraatin lämmöstä, hohtopurkausplasmasta tai "laser"säteilytyksestä.
Rotary position feedback units having an "accuracy" less (better) than 0,00025°;
CVD sisältää seuraavat prosessit: suunnatun kaasuvirtauksen ei-pakkauspinnoitus, sykkivä CVD, säädettävä ydintymislämpöhajoaminen (CNTD), plasma- tai plasma-avusteinen CVD.
For "laser" systems see also Note to 2B006.b.2.
Pakkaus tarkoittaa jauheseokseen upotettua substraattia.
2B008.a. and 2B008.b. control units, which are designed to determine the positioning information for feedback control, such as inductive type devices, graduated scales, infrared systems or "laser" systems.
Kaasumaiset, reagoivat aineet, joita käytetään ei-pakkausprosessissa, tuotetaan käyttämällä samoja perusreaktioita ja parametreja kuin pakkauspinnoitusprosessissakin, paitsi että siinä pinnoitettava substraatti ei ole kosketuksissa jauheseokseen.
c.
b. Terminen höyrystys-fysikaalinen kaasufaasipinnoitus (TE-PVD = Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition) on pinnoitusprosessi, joka suoritetaan tyhjössä paineen ollessa alle 0,1 Pa, jossa termistä energiaa käytetään höyrystämään pinnoitusmateriaalia.
"Compound rotary tables" and "tilting spindles", capable of upgrading, according to the manufacturer's specifications, machine tools to or above the levels specified in 2B.
Tässä prosessissa höyrystyneet ainesosat kondensoituvat tai asettuvat sopivasti sijoitetun substraatin pinnalle.
Spin-forming machines and flow-forming machines, which, according to the manufacturer's technical specification, can be equipped with "numerical control" units or a computer control and having all of the following:
Kaasujen lisääminen tyhjökammioon pinnoitusprosessin aikana on tavallinen prosessin muunnos.
SEE ALSO 2B109 AND 2B209.
Ioni- tai elektronisäteen tai plasman käyttö pinnoitusprosessin aktivoinnissa tai avustamisessa on myös tavallinen tämän tekniikan muunnos.
a.
Monitorien käyttö mahdollistamaan prosessin aikana optisten ominaisuuksien tai pinnoitteen paksuuden mittauksen voi olla näiden prosessien lisäpiirre.
Three or more axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control"; and
Eri TE-PVD-prosessit ovat seuraavat:
b.
Elektronisuihku-PVD -prosessissa käytetään elektronisuihkua kuumentamaan ja höyrystämään pinnoitteen muodostavaa materiaalia.
A roller force more than 60 kN.
Ioniavusteinen resistiivinen-kuumennus-PVD -prosessissa käytetään resistiivisiä kuumennuslähteitä yhdessä iskeytyvän(-vien) ionisäte(id)en kanssa tuottamaan kontrolloidun ja yhtenäisen höyrystyneiden pinnoiteaineksien vuon.
For the purpose of 2B009, machines combining the function of spin-forming and flow-forming are regarded as flow-forming machines.
"Laser"höyrystys-prosessi käyttää joko pulssi- tai jatkuvan aallon "laser"säteitä höyrystämään pinnoituksen muodostavia materiaaleja;
"Isostatic presses", other than those specified in 2B004, having all of the following:
Katodikaaripinnoitus käyttää kuluvaa katodia, joka on pinnoitteen muodostavaa materiaalia sekä kaaripurkausta, joka aikaansaadaan koskettamalla hetkellisesti sen pintaa maaliipaisimella.
SEE ALSO 2B204.
Ohjaamalla kaarta erotetaan katodin pinnasta ionisoitua plasmaa.
a.
Anodina voi olla joko kartio, joka on kiinnitetty katodin läheisyyteen, eristeen tai kammion läpi.
Maximum working pressure of 69 MPa or greater;
Substraatin (jännite)biassointia käytetään näkymättömissä tapahtuvaan pinnoitukseen.
b.
Tämä määritelmä ei koske satunnaista katodikaaripinnoitusta biassoimattomia substraatteja käytettäessä.
Designed to achieve and maintain a controlled thermal environment of 873 K (600 °C) or greater; and
Ioni-pinnoitus (-PVD) on TE-PVD -prosessin muunnos, jossa plasma- tai ionilähdettä käytetään ionisoimaan pinnoitettavia ainesosia ja negatiivinen biasjännite johdetaan substraattiin ainesosien erottamiseksi plasmasta.
c.
Reagoivien aineksien käyttäminen, kiinteiden aineiden höyrystäminen prosessikammiossa ja monitorien käyttö mahdollistamaan prosessin aikaisen, pinnoitteen optisten ominaisuuksien ja paksuuden mittaamiseksi ovat tavallisia prosessin muunnoksia.
Possessing a chamber cavity with an inside diameter of 254 mm or greater.
c. Pakkasementointi on pinnan muunnos- tai pinnoitusprosessi, jossa substraatti upotetaan jauheseokseen (pakkaan), joka koostuu seuraavista:
Chemical vapour deposition (CVD) furnaces, other than those specified in 2B005.a., designed or modified for the densification of carbon-carbon composites.
Pinnoitukseen käytettävät metallijauheet (tavallisesti alumiinia, kromia, piitä tai niiden yhdistelmiä);
Flow-forming machines, other than those specified in 2B009, and specially designed components as follows:
Aktivaattori (tavallisesti halidisuola); ja
SEE ALSO 2B209.
Reagoimaton aine, useimmiten alumiinioksidi.
a.
Substraatti ja jauheseos asetetaan retorttiin, joka kuumennetaan 1030–1375 K:n (757–1102 °C:n) lämpötilaan riittäväksi ajaksi pinnoitteen aikaansaamiseksi.
Flow-forming machines having all of the following:
d. Plasmaruiskutus on pinnoitusprosessi, jossa plasmaa tuottavaan ja ohjaavaan sumuttimeen syötetään pinnoitemateriaalia jauheena tai lankana, ne sulatetaan ja kiihdytetään substraattia kohden.
According to the manufacturer's technical specification, can be equipped with "numerical control" units or a computer control, even when not equipped with such units; and
Plasmaruiskutus on joko matalapaineessa tapahtuvaa tai suurinopeuksista plasmaruiskutusta.
With more than two axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control".
Matalapaineella tarkoitetaan alle ilmakehän painetta.
b.
Suurinopeuksisella tarkoitetaan kaasun lähtönopeutta suuttimesta, kun se on yli 750 m/s laskettuna 293 K:n (20 °C:n) lämpötilassa ja 0,1 MPa paineessa.
Specially designed components for flow-forming machines specified in 2B009 or 2B109.a.
e. Lietepinnoitus on pinnan muunnos- tai pinnoitusprosessi, jossa orgaanisen aineen sitoma metalli- tai keraamijauhe on suspendoitunut nesteeseen, ja sitä lisätään sumuttamalla, kastamalla tai maalaamalla substraatille, minkä jälkeen tehdään ilmassa tai uunissa tapahtuva kuivaus sekä lämpökäsittely halutun pinnoitteen aikaansaamiseksi.
2B109 does not control machines that are not usable in the production of propulsion components and equipment (e.g. motor cases) for systems specified in 9A005, 9A007.a. or 9A105.a.
f. Sputterointi on pinnoitusprosessi, joka perustuu liikemäärän siirtoilmiöön, jossa positiiviset ionit kiihdytetään sähkökentässä kohti pinnoitemateriaalin pintaa.
Machines combining the function of spin-forming and flow-forming are for the purpose of 2B109 regarded as flow-forming machines.
Iskeytyvien ionien kineettinen energia on riittävä, jotta pinnoitemateriaalin pinnasta irtoaa atomeja, jotka pinnoittavat sopivasti sijoitetun substraatin.
Vibration test systems, equipment and components therefor, as follows:
Taulukko viittaa vain triodi-, magnetroni- tai reaktiiviseen sputterointiin, jota käytetään lisäämään pinnoitteen kiinnittymistä ja pinnoitusnopeutta, ja radiotaajuudella voimistettuun sputterointiin, jota käytetään mahdollistamaan ei-metallisten pinnoitemateriaalien höyrystäminen.
a.
Matalaenergisiä (alle 5 keV) ionisäteitä voidaan käyttää aktivoimaan pinnoitusta.
Vibration test systems employing feedback or closed loop techniques and incorporating a digital controller, capable of vibrating a system at an acceleration equal to or greater than 10 g rms between 20 Hz and 2 kHz while imparting forces equal to or greater than 50 kN, measured 'bare table';
g. Ioni-istutus on pinnan muunnospinnoitusprosessi, jossa seostettava elementti ionisoidaan, kiihdytetään potentiaaligradientin läpi ja istutetaan substraatin pinnan tietylle alueelle.
b.
Tämä sisältää prosessit, joissa ioni-istutus suoritetaan samanaikaisesti elektronisuihku-PVD:llä tai sputteroinnilla.
Digital controllers, combined with specially designed vibration test software, with a 'real-time control bandwidth' greater than 5 kHz designed for use with vibration test systems specified in 2B116.a.;
RYHMÄ 3 – ELEKTRONIIKKA
In 2B116.b., 'real-time control bandwidth' means the maximum rate at which a controller can execute complete cycles of sampling, processing data and transmitting control signals.
3A001 tai 3A002 kohdassa kuvattujen laitteiden ja komponenttien, 3A001.a.3–3A001.a.10, 3A001.a.12 tai 3A001.a.13 kohdassa kuvattuja lukuun ottamatta, jotka on erityisesti suunniteltu jotain muuta laitetta varten, tai joilla on samat toiminnalliset ominaisuudet kuin jollain muulla laitteella, valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden mukaan.
c.
3A001.a.3–3A001.a.9, 3A001.a.12 tai 3A001.a.13 kohdassa kuvattujen integroitujen piirien, jotka on ohjelmoitu ei-muutettavasti tai jotka on suunniteltu jonkin muun laitteen erityistä toimintoa varten, valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden mukaan.
Vibration thrusters (shaker units), with or without associated amplifiers, capable of imparting a force equal to or greater than 50 kN, measured 'bare table', and usable in vibration test systems specified in 2B116.a.;
Jos valmistaja tai vientiluvan hakija ei pysty määrittelemään näiden muiden laitteiden valvonnanalaisuutta, valvonnanalaisuus määräytyy 3A001.a.3–3A001.a.9, 3A001.a.12 tai 3A001.a.13 kohdan mukaan.
d.
Seuraavat elektroniset tuotteet:
Test piece support structures and electronic units designed to combine multiple shaker units in a system capable of providing an effective combined force equal to or greater than 50 kN, measured 'bare table', and usable in vibration systems specified in 2B116.a.
a. Seuraavat yleiskäyttöiset integroidut piirit:
In 2B116, 'bare table' means a flat table, or surface, with no fixture or fittings.
(Valmiiden tai puolivalmiiden) piikiekkojen, joissa toiminto on määritelty, valvonnanalaisuus arvioidaan 3A001.a kohdan parametrien mukaan.
Equipment and process controls, other than those specified in 2B004, 2B005.a., 2B104 or 2B105, designed or modified for densification and pyrolysis of structural composite rocket nozzles and reentry vehicle nose tips.
Integroidut piirit sisältävät seuraavat tyypit:
Balancing machines and related equipment, as follows:
"Monoliittiset integroidut piirit";
SEE ALSO 2B219.
"Integroidut hybridipiirit";
a.
"Integroidut monipalapiirit";
Balancing machines having all the following characteristics:
"Integroidut kalvopiirit", integroidut pii-safiiripiirit mukaan lukien;
Not capable of balancing rotors/assemblies having a mass greater than 3 kg;
"Optiset integroidut piirit".
Capable of balancing rotors/assemblies at speeds greater than 12500 rpm;
"Kolmiulotteiset integroidut piirit".
Capable of correcting unbalance in two planes or more; and
Integroidut piirit, jotka on suunniteltu tai mitoitettu kestämään jotakin seuraavista:
Capable of balancing to a residual specific unbalance of 0,2 g mm per kg of rotor mass;
a. Säteilyä, jonka kokonaisannos on 5 × 103 Gy (pii) tai enemmän;
2B119.a. does not control balancing machines designed or modified for dental or other medical equipment.
b. Säteilyä, jonka annosnopeus 5 × 106 Gy (pii)/s tai enemmän; tai