natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Cylindrical external, internal, and external-internal grinding machines, having all of the following:
’Muunnettu zirkoniumoksidi’ tarkoittaa, että zirkoniumoksidissa on lisäaineena muiden metallien oksideja (esim. kalsiumoksidi, magnesiumoksidi, ytriumoksidi, hafniumoksidi ja harvinaisten maametallien oksidit), joita käytetään stabiloimaan tiettyjä kiteisiä faaseja ja faasikombinaatioita.
b.
’Vähän laajenevilla laseilla’ tarkoitetaan laseja, joiden lämpölaajenemiskerroin on enintään 1 × 10-7 K-1 mitattuna 293 K:n (20 °C:n) lämpötilassa.
Machines designed specifically as jig grinders that do not have a z-axis or a w-axis, with a "unidirectional positioning repeatability" less (better) than 1,1 μm
’Dielektriset kerrokset’ ovat pinnoitteita, jotka rakentuvat eristysmateriaalien useista kerroksista, joissa eri taitekertoimen omaavien materiaalien interferenssiominaisuuksia käytetään heijastamaan, lähettämään tai absorboimaan eri aallonpituuskaistoja.
c.
Dielektriset kerrokset tarkoittavat enemmän kuin neljää dielektristä kerrosta tai dielektristä/metalli”komposiitti”kerrosta.
Surface grinders.
’Volframikarbidikovametalli’ ei sisällä lastuamis- ja muovaustyökalumateriaaleja, joilla on seuraava koostumus: volframikarbidi/(koboltti, nikkeli), titaanikarbidi/(koboltti, nikkeli), kromikarbidi/nikkeli-kromi tai kromikarbidi/nikkeli.
d.
Valvonnanalaiseksi ei aseteta ”teknologiaa”, jolla pinnoitetaan timantin kaltaisella hiilellä seuraavia:
Electrical discharge machines (EDM) of the non-wire type which have two or more rotary axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control";
magneettiset levyasemat ja magneettipäät, kertakäyttötuotteiden valmistukseen käytettävät laitteet, hanaventtiilit, kaiuttimien akustiset kalvot, moottorien osat autoihin, terätyökalut, lävistyspuristinmatriisit, toimistoautomaatiolaitteet, mikrofonit tai lääkinnälliset laitteet tai muovien valamiseen tai muovaamiseen tarkoitetut muotit, jotka on valmistettu alle 5 prosenttia berylliumia sisältävistä seoksista.
e.
’Piikarbidi’ ei sisällä terätyökaluihin tai muototeriin käytettäviä aineita.
Machine tools for removing metals, ceramics or "composites", having all of the following:
TAULUKKO – PINNOITUSTEKNIIKAT – TEKNISET HUOMAUTUKSET
Removing material by means of any of the following:
Taulukon 1 sarakkeessa mainitut prosessit määritellään seuraavasti:
a.
Huom. 1:
Water or other liquid jets, including those employing abrasive additives;
CVD sisältää seuraavat prosessit: suunnatun kaasuvirtauksen ei-pakkauspinnoitus, sykkivä CVD, säädettävä ydintymislämpöhajoaminen (CNTD), plasma- tai plasma-avusteinen CVD.
b.
Huom. 2:
Electron beam; or
Pakkaus tarkoittaa jauheseokseen upotettua substraattia.
c.
Huom. 3:
"Laser" beam; and
Kaasumaiset, reagoivat aineet, joita käytetään ei-pakkausprosessissa, tuotetaan käyttämällä samoja perusreaktioita ja parametreja kuin pakkauspinnoitusprosessissakin, paitsi että siinä pinnoitettava substraatti ei ole kosketuksissa jauheseokseen.
At least two rotary axes having all of the following:
b. Terminen höyrystys-fysikaalinen kaasufaasipinnoitus (TE-PVD = Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition) on pinnoitusprosessi, joka suoritetaan tyhjössä paineen ollessa alle 0,1 Pa, jossa termistä energiaa käytetään höyrystämään pinnoitusmateriaalia.
a.
Tässä prosessissa höyrystyneet ainesosat kondensoituvat tai asettuvat sopivasti sijoitetun substraatin pinnalle.
Can be coordinated simultaneously for "contouring control"; and
Kaasujen lisääminen tyhjökammioon pinnoitusprosessin aikana on tavallinen prosessin muunnos.
b.
Ioni- tai elektronisäteen tai plasman käyttö pinnoitusprosessin aktivoinnissa tai avustamisessa on myös tavallinen tämän tekniikan muunnos.
A positioning "accuracy" of less (better) than 0,003o;
Monitorien käyttö mahdollistamaan prosessin aikana optisten ominaisuuksien tai pinnoitteen paksuuden mittauksen voi olla näiden prosessien lisäpiirre.
f.
Eri TE-PVD-prosessit ovat seuraavat:
Deep-hole-drilling machines and turning machines modified for deep-hole-drilling, having a maximum depth-of-bore capability exceeding 5m.
Elektronisuihku-PVD -prosessissa käytetään elektronisuihkua kuumentamaan ja höyrystämään pinnoitteen muodostavaa materiaalia.
Numerically controlled optical finishing machine tools equipped for selective material removal to produce non-spherical optical surfaces having all of the following characteristics:
Ioniavusteinen resistiivinen-kuumennus-PVD -prosessissa käytetään resistiivisiä kuumennuslähteitä yhdessä iskeytyvän(-vien) ionisäte(id)en kanssa tuottamaan kontrolloidun ja yhtenäisen höyrystyneiden pinnoiteaineksien vuon.
a.
”Laser”höyrystys-prosessi käyttää joko pulssi- tai jatkuvan aallon ”laser”säteitä höyrystämään pinnoituksen muodostavia materiaaleja;
Finishing the form to less (better) than 1,0 μm;
Katodikaaripinnoitus käyttää kuluvaa katodia, joka on pinnoitteen muodostavaa materiaalia sekä kaaripurkausta, joka aikaansaadaan koskettamalla hetkellisesti sen pintaa maaliipaisimella.
b.
Ohjaamalla kaarta erotetaan katodin pinnasta ionisoitua plasmaa.
Finishing to a roughness less (better) than 100 nm rms.
Anodina voi olla joko kartio, joka on kiinnitetty katodin läheisyyteen, eristeen tai kammion läpi.
c.
Substraatin (jännite)biassointia käytetään näkymättömissä tapahtuvaan pinnoitukseen.
Four or more axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control"; and
Tämä määritelmä ei koske satunnaista katodikaaripinnoitusta biassoimattomia substraatteja käytettäessä.
d.
Ioni-pinnoitus (-PVD) on TE-PVD -prosessin muunnos, jossa plasma- tai ionilähdettä käytetään ionisoimaan pinnoitettavia ainesosia ja negatiivinen biasjännite johdetaan substraattiin ainesosien erottamiseksi plasmasta.
Using any of the following processes:
Reagoivien aineksien käyttäminen, kiinteiden aineiden höyrystäminen prosessikammiossa ja monitorien käyttö mahdollistamaan prosessin aikaisen, pinnoitteen optisten ominaisuuksien ja paksuuden mittaamiseksi ovat tavallisia prosessin muunnoksia.
'Energetic particle beam finishing';
Aktivaattori (tavallisesti halidisuola); ja
For the purposes of 2B002:
d. Plasmaruiskutus on pinnoitusprosessi, jossa plasmaa tuottavaan ja ohjaavaan sumuttimeen syötetään pinnoitemateriaalia jauheena tai lankana, ne sulatetaan ja kiihdytetään substraattia kohden.
'MRF' is a material removal process using an abrasive magnetic fluid whose viscosity is controlled by a magnetic field.
Plasmaruiskutus on joko matalapaineessa tapahtuvaa tai suurinopeuksista plasmaruiskutusta.
'ERF' is a removal process using an abrasive fluid whose viscosity is controlled by an electric field.
Matalapaineella tarkoitetaan alle ilmakehän painetta.
'Energetic particle beam finishing' uses Reactive Atom Plasmas (RAP) or ion-beams to selectively remove material.
Suurinopeuksisella tarkoitetaan kaasun lähtönopeutta suuttimesta, kun se on yli 750 m/s laskettuna 293 K:n (20 °C:n) lämpötilassa ja 0,1 MPa paineessa.
'Inflatable membrane tool finishing' is a process that uses a pressurized membrane that deforms to contact the workpiece over a small area.
e. Lietepinnoitus on pinnan muunnos- tai pinnoitusprosessi, jossa orgaanisen aineen sitoma metalli- tai keraamijauhe on suspendoitunut nesteeseen, ja sitä lisätään sumuttamalla, kastamalla tai maalaamalla substraatille, minkä jälkeen tehdään ilmassa tai uunissa tapahtuva kuivaus sekä lämpökäsittely halutun pinnoitteen aikaansaamiseksi.
'Fluid jet finishing' makes use of a fluid stream for material removal.
f. Sputterointi on pinnoitusprosessi, joka perustuu liikemäärän siirtoilmiöön, jossa positiiviset ionit kiihdytetään sähkökentässä kohti pinnoitemateriaalin pintaa.
"Numerically controlled" or manual machine tools, and specially designed components, controls and accessories therefor, specially designed for the shaving, finishing, grinding or honing of hardened (Rc=40 or more) spur, helical and double-helical gears with a pitch diameter exceeding 1250 mm and a face width of 15 % of pitch diameter or larger finished to a quality of AGMA 14 or better (equivalent to ISO 1328 class 3).
Iskeytyvien ionien kineettinen energia on riittävä, jotta pinnoitemateriaalin pinnasta irtoaa atomeja, jotka pinnoittavat sopivasti sijoitetun substraatin.
Hot "isostatic presses" having all of the following, and specially designed components and accessories therefor:
Taulukko viittaa vain triodi-, magnetroni- tai reaktiiviseen sputterointiin, jota käytetään lisäämään pinnoitteen kiinnittymistä ja pinnoitusnopeutta, ja radiotaajuudella voimistettuun sputterointiin, jota käytetään mahdollistamaan ei-metallisten pinnoitemateriaalien höyrystäminen.
SEE ALSO 2B104 and 2B204.
Matalaenergisiä (alle 5 keV) ionisäteitä voidaan käyttää aktivoimaan pinnoitusta.
a.
g. Ioni-istutus on pinnan muunnospinnoitusprosessi, jossa seostettava elementti ionisoidaan, kiihdytetään potentiaaligradientin läpi ja istutetaan substraatin pinnan tietylle alueelle.
A controlled thermal environment within the closed cavity and a chamber cavity with an inside diameter of 406 mm or more; and
Tämä sisältää prosessit, joissa ioni-istutus suoritetaan samanaikaisesti elektronisuihku-PVD:llä tai sputteroinnilla.
b.
RYHMÄ 3 – ELEKTRONIIKKA
Having any of the following:
3A001 tai 3A002 kohdassa kuvattujen laitteiden ja komponenttien, 3A001.a.3–3A001.a.10, 3A001.a.12 tai 3A001.a.14 kohdassa kuvattuja lukuun ottamatta, jotka on erityisesti suunniteltu jotain muuta laitetta varten, tai joilla on samat toiminnalliset ominaisuudet kuin jollain muulla laitteella, valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden mukaan.
A maximum working pressure exceeding 207 MPa;
3A001.a.3–3A001.a.9, 3A001.a.12 tai 3A001.a.14 kohdassa kuvattujen integroitujen piirien, jotka on ohjelmoitu ei-muutettavasti tai jotka on suunniteltu jonkin muun laitteen erityistä toimintoa varten, valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden mukaan.
A controlled thermal environment exceeding 1773 K (1500 °C); or
Jos valmistaja tai vientiluvan hakija ei pysty määrittelemään näiden muiden laitteiden valvonnanalaisuutta, valvonnanalaisuus määräytyy 3A001.a.3–3A001.a.9, 3A001.a.12 tai 3A001.a.14 kohdan mukaan.
A facility for hydrocarbon impregnation and removal of resultant gaseous degradation products.
Seuraavat elektroniset tuotteet:
The inside chamber dimension is that of the chamber in which both the working temperature and the working pressure are achieved and does not include fixtures.
a. Seuraavat yleiskäyttöiset integroidut piirit:
That dimension will be the smaller of either the inside diameter of the pressure chamber or the inside diameter of the insulated furnace chamber, depending on which of the two chambers is located inside the other.
(Valmiiden tai puolivalmiiden) piikiekkojen, joissa toiminto on määritelty, valvonnanalaisuus arvioidaan 3A001.a kohdan parametrien mukaan.
For specially designed dies, moulds and tooling see 1B003, 9B009 and the Military Goods Controls.
Integroidut piirit sisältävät seuraavat tyypit:
Equipment specially designed for the deposition, processing and in-process control of inorganic overlays, coatings and surface modifications, as follows, for substrates specified in column 2, by processes shown in column 1 in the Table following 2E003.f., and specially designed automated handling, positioning, manipulation and control components therefor:
”Monoliittiset integroidut piirit”;
a.
”Integroidut hybridipiirit”;
Chemical vapour deposition (CVD) production equipment having all of the following:
”Integroidut monipalapiirit”;
SEE ALSO 2B105.
”Integroidut kalvopiirit”, integroidut pii-safiiripiirit mukaan lukien;
A process modified for one of the following:
”Optiset integroidut piirit”.
a.
”Kolmiulotteiset integroidut piirit”;
Pulsating CVD;
”Monoliittiset integroidut mikroaaltopiirit” (”MMIC”).
b.
Integroidut piirit, jotka on suunniteltu tai mitoitettu kestämään jotakin seuraavista:
Controlled nucleation thermal deposition (CNTD); or
a. Säteilyä, jonka kokonaisannos on 5 × 103 Gy (pii) tai enemmän;
c.
b. Säteilyä, jonka annosnopeus 5 × 106 Gy (pii)/s tai enemmän; tai
Plasma enhanced or plasma assisted CVD; and
c. Neutronien integroitu vuontiheys (1 MeV:n vastaavuus), joka on 5 × 1013 n/cm2 tai enemmän piin osalta tai sitä vastaava muiden materiaalien osalta;
a.
3A001.a.1.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi metallieristepuolijohteita (MIS).
Incorporating high vacuum (equal to or less than 0,01 Pa) rotating seals; or
”Mikroprosessoripiirit”, ”mikrotietokonepiirit”, mikro-ohjainpiirit, integroidut muistipiirit, jotka on valmistettu yhdistepuolijohteesta, analogi-digitaalimuuntimet, integroidut piirit, jotka sisältävät analogi-digitaalimuuntimia ja tallentavat tai prosessoivat digitoitua dataa, digitaali-analogimuuntimet, sähköoptiset tai ”optiset integroidut piirit” ”signaalinkäsittelyä” varten, käyttäjäohjelmoitavat logiikkapiirit, sellaiset asiakaskohtaiset integroidut piirit, joiden toiminta on tuntematon tai jotka on tarkoitettu laitteisiin, joiden valvonnanalaisuus on tuntematon, nopea Fourier-muunnos (FFT)-prosessorit, elektronisesti pyyhittävät ohjelmoitavat lukumuistit (EEPROMSit), pikamuistipiirit, staattiset luku-/kirjoitusmuistit (SRAMit) tai magneettiset luku-/kirjoitusmuistit (MRAMit), joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
b.
a. Suunniteltu toimimaan yli 398 oK (125 °C) lämpötiloissa;
Incorporating in situ coating thickness control;
b. Suunniteltu toimimaan alle 218 oK (– 55 °C) lämpötiloissa; tai
b.
c. Mitoitettu toimimaan koko lämpötila-alueella 218–398 oK (– 55– 125 °C);
Ion implantation production equipment having beam currents of 5 mA or more;
3A001.a.2 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi siviiliautoihin tai juniin tarkoitettuja integroituja piirejä.
c.
”Mikroprosessoripiirit”, ”mikrotietokonepiirit” ja mikro-ohjainpiirit, jotka on valmistettu yhdistepuolijohteesta ja toimivat kellotaajuudella, joka on yli 40 MHz;
Electron beam physical vapour deposition (EB-PVD) production equipment incorporating power systems rated for over 80 kW and having any of the following:
3A001.a.3 kohta sisältää digitaaliset signaaliprosessorit, digitaaliset matriisiprosessorit ja digitaaliset apuprosessorit.
A liquid pool level "laser" control system which regulates precisely the ingots feed rate; or
Seuraavat integroidut analogia-digitaalimuunnin- tai digitaali-analogiamuunninpiirit:
A computer controlled rate monitor operating on the principle of photo-luminescence of the ionised atoms in the evaporant stream to control the deposition rate of a coating containing two or more elements;
a. Analogia-digitaalimuuntimet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
d.
KATSO MYÖS 3A101.
Plasma spraying production equipment having any of the following:
Resoluutio vähintään 8 bittiä mutta alle 10 bittiä ja ulostulonopeus yli 1,3 miljardia näytettä sekunnissa (GSPS);
Operating at reduced pressure controlled atmosphere (equal to or less than 10 kPa measured above and within 300 mm of the gun nozzle exit) in a vacuum chamber capable of evacuation down to 0,01 Pa prior to the spraying process; or
Resoluutio vähintään 10 bittiä mutta alle 12 bittiä ja ulostulonopeus yli 600 miljoonaa näytettä sekunnissa (MSPS);
Incorporating in situ coating thickness control;
Resoluutio vähintään 12 bittiä mutta alle 14 bittiä ja ulostulonopeus yli 400 miljoonaa näytettä sekunnissa (MSPS);
e.
Resoluutio vähintään 14 bittiä mutta alle 16 bittiä ja ulostulonopeus yli 250 miljoonaa näytettä sekunnissa (MSPS); tai
Sputter deposition production equipment capable of current densities of 0,1 mA/mm2 or higher at a deposition rate of 15 μm/h or more;
Resoluutio vähintään 16 bittiä ja ulostulonopeus yli 65 miljoonaa näytettä sekunnissa (MSPS);
f.
Sellaisten integroitujen piirien osalta, jotka sisältävät analogi-digitaalimuuntimia ja tallentavat tai prosessoivat digitoitua dataa, katso 3A001.a.14 kohta.
Cathodic arc deposition production equipment incorporating a grid of electromagnets for steering control of the arc spot on the cathode;
N:n bitin resoluutio vastaa 2n:n vertailutason kvantisointia.
g.
Ulostulevan sanan bittien lukumäärä on yhtä suuri kuin analogia-digitaalimuuntimen resoluutio.
Ion plating production equipment capable of the in situ measurement of any of the following:
Ulostulonopeus on muuntimen maksimiulostulonopeus arkkitehtuurista tai ylinäytteistyksestä riippumatta.
Coating thickness on the substrate and rate control; or
’Monikanavaisten analogia-digitaalimuuntimien’ osalta ulostulot eivät ole aggregoituja ja ulostulonopeus on minkä tahansa yksittäisen kanavan suurin ulostulonopeus.
Optical characteristics.
’Limitettyjen analogia-digitaalimuuntimien’ osalta tai niiden ’monikanavaisten analogia-digitaalimuuntimien’ osalta, joilla on määritelty olevan limitetty toimintatapa, ulostulot ovat aggregoidut ja ulostulonopeus on kaikkien ulostulojen suurin yhdistetty kokonaisulostulonopeus.
2B005 does not control chemical vapour deposition, cathodic arc, sputter deposition, ion plating or ion implantation equipment, specially designed for cutting or machining tools.
Myyjä voi kutsua ulostulonopeutta myös näytteenottonopeudeksi, muunnosnopeudeksi tai suoritusnopeudeksi.
Dimensional inspection or measuring systems, equipment and "electronic assemblies", as follows:
Se ilmaistaan usein suureilla megahertsi (MHz), miljoonaa sanaa sekunnissa tai miljoonaa näytettä sekunnissa (MSPS).
a.
Ulostulonopeuden mittaamisessa yksi ulostuleva näyte sekunnissa vastaa yhtä hertsiä tai yhtä ulostulevaa sanaa sekunnissa.
Computer controlled or "numerically controlled" Coordinate Measuring Machines (CMM), having a three dimensional (volumetric) maximum permissible error of length measurement (E0,MPE) at any point within the operating range of the machine (i.e., within the length of axes) equal to or less (better) than (1,7 + L/1 000) μm (L is the measured length in mm), according to ISO 10360-2 (2009);
’Monikanavaiset analogia-digitaalimuuntimet’ määritellään laitteiksi, joihin sisältyy useampi kuin yksi analogia-digitaalimuunnin ja jotka on suunniteltu siten, että kullakin analogia-digitaalimuuntimella on erillinen analoginen sisääntulo.
The E0,MPE of the most accurate configuration of the CMM specified by the manufacturer (e.g., best of the following: probe, stylus length, motion parameters, environment) and with "all compensations available" shall be compared to the 1,7 + L/1 000 μm threshold.
’Limitetyt analogia-digitaalimuuntimet’ määritellään laitteiksi, joissa on useita analogia-digitaalimuunninyksikköjä, jotka ottavat näytteitä samasta analogisesta sisääntulosta eri aikoina siten, että kun ulostulot aggregoidaan, analogisesta sisääntulosta on tosiasiallisesti otettu näytteet ja se on muunnettu korkeammalla näytteenottonopeudella.
SEE ALSO 2B206.
b. Digitaali-analogiamuuntimet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
b.
Resoluutio vähintään 10 bittiä ja ’korjattu muunnosnopeus’ suurempi kuin 3500 MSPS; tai
Linear and angular displacement measuring instruments, as follows:
Resoluutio vähintään 12 bittiä ja ’korjattu muunnosnopeus’ suurempi kuin 1250 MSPS, ja jokin seuraavista ominaisuuksista:
'Linear displacement' measuring instruments having any of the following:
a. Asettumisaika alle 9 ns 0,024 prosenttiin täydestä asteikosta tietystä täyden asteikon vaiheesta; tai
Interferometer and optical-encoder displacement measuring systems containing a "laser" are only controlled in 2B006.b.1.c. and 2B206.c.
b. ’Häiriötön dynaaminen alue’ (SFDR) suurempi kuin 68 dBc (kantotaajuus) syntesoitaessa täyden asteikon 100 MHz:n analoginen signaali tai korkein määritelty täyden asteikon analogisen signaalin taajuus alle 100 MHz:n alueella.
For the purpose of 2B006.b.1.
’Häiriötön dynaaminen alue’ (SFDR) määritellään digitaali-analogiamuuntimen sisääntulossa olevan kantotaajuuden (korkein signaalikomponentti) RMS-arvon suhteeksi sen ulostulossa olevan seuraavaksi suurimman melu- tai harmonisen särön komponentin RMS-arvoon.
'linear displacement' means the change of distance between the measuring probe and the measured object.
SFDR määritetään suoraan spesifikaatiotaulukosta tai SFDR:tä ja taajuutta koskevista kuvauksista.
a.
Signaalin määritellään olevan täyden asteikon signaali kun sen amplitudi on yli -3 dBfs (täysi asteikko).
Non-contact type measuring systems with a "resolution" equal to or less (better) than 0,2 μm within a measuring range up to 0,2 mm;
Digitaali-analogiamuuntimien ’korjattu muunnosnopeus’:
b.
Konventionaalisten (ei-interpoloivien) digitaali-analogiamuuntimien osalta ’korjattu muunnosnopeus’ on nopeus, jolla digitaali-analogiamuunnin muuntaa digitaalisen signaalin analogiseksi signaaliksi ja muuttaa ulostulon analogiset arvot.
Linear Variable Differential Transformer (LVDT) systems having all of the following:
Niiden digitaali-analogiamuuntimien osalta, joissa interpolointitoiminto voidaan ohittaa (interpolointikerroin yksi), kyseessä olevaa digitaali-analogiamuunninta olisi pidettävä konventionaalisena (ei-interpoloivana) digitaali-analogiamuuntimena.
a.
sisääntulon datanopeus
"Linearity" equal to or less (better) than 0,1 % measured from 0 to the 'full operating range', for LVDTs with a 'full operating range' up to and including ± 5 mm; or
sisääntulon sananopeus
b.
sisääntulon näytenopeus
"Linearity" equal to or less (better) than 0,1 % measured from 0 to 5 mm for LVDTs with a 'full operating range' greater than ± 5 mm; and
sisääntulon suurin kokonaisväylänopeus
Drift equal to or less (better) than 0,1 % per day at a standard ambient test room temperature ±1 K;
suurin digitaali-analogiamuuntimen siirtonopeus digitaali-analogiamuuntimen kellosisääntulon osalta.
For the purposes of 2B006.b.1.b., 'full operating range' is half of the total possible linear displacement of the LVDT.
”Signaalinkäsittelyä” varten tarkoitetut sähköoptiset tai ”optiset integroidut piirit”, joilla on kaikki seuraavat:
For example, LVDTs with a 'full operating range' up to and including ± 5 mm can measure a total possible linear displacement of 10 mm.
a. Yksi tai useampi sisäinen ”laser”diodi;
c.
b. Yksi tai useampi sisäinen valoa ilmaiseva elementti; ja
Measuring systems having all of the following:
c. Optisia aaltoputkia;
Containing a "laser";
Käyttäjäohjelmoitavat logiikkapiirit, joilla on jokin seuraavista;
A "resolution" over their full scale of 0,200 nm or less (better); and
a. Yksipuolisten digitaalisten tulo-lähtöjen suurin määrä on yli 700; tai
Capable of achieving a "measurement uncertainty" equal to or less (better) than (1,6 + L/2 000) nm (L is the measured length in mm) at any point within a measuring range, when compensated for the refractive index of air and measured over a period of 30 seconds at a temperature of 20 ± 0,01 °C; or
b. ’Yksisuuntaisen sarjaliikennelähetin-vastaanottimen yhteenlaskettu huippudatanopeus’ vähintään 500 Gb/s;
d.
3A001.a.7 kohtaan sisältyvät:
"Electronic assemblies" specially designed to provide feedback capability in systems specified in 2B006.b.1.c.;
Yksinkertaiset ohjelmoitavat logiikkapiirit (SPLD:t)
2B006.b.1. does not control measuring interferometer systems, with an automatic control system that is designed to use no feedback techniques, containing a "laser" to measure slide movement errors of machine-tools, dimensional inspection machines or similar equipment.
Monimutkaiset ohjelmoitavat logiikkapiirit (CPLD:t)
Angular displacement measuring instruments having an angular position "accuracy" equal to or less (better) than 0,00025o;
Ohjelmoitava porttimatriisit (FPGA:t)
2B006.b.2. does not control optical instruments, such as autocollimators, using collimated light (e.g., "laser" light) to detect angular displacement of a mirror.
Ohjelmoitavat logiikkamatriisit (FPLA:t)
c.
Ohjelmoitavat yhdyskomponentit (FPIC:t)
Equipment for measuring surface roughness (including surface defects), by measuring optical scatter with a sensitivity of 0,5 nm or less (better).
Sellaisten integroitujen piirien osalta, joissa on käyttäjäohjelmoitavia logiikkapiirilaitteita yhdistettynä analogi-digitaalimuuntajaan, katso 3A001.a.14 kohta.