natgillin/translations-raw huggingface dataset:
A band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
Laitteita, jotka on suunniteltu tai muunnettu miehitettyjä ilma-aluksia tai satelliitteja varten;
Converters and harmonic mixers that are any of the following:
Maassa sijaitsevia laitteita, jotka on suunniteltu tai muunnettu maa- tai merisovelluksia varten;
a.
Laitteita, jotka on suunniteltu kaupallisia, siviili- tai ihmishenkien turvallisuutta koskevia (esimerkiksi eheys, lentoturvallisuus) GNSS-palveluja varten.
Designed to extend the frequency range of "signal analysers" beyond 90 GHz;
Seuraavat tietoliikenteen testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet, -komponentit ja -varusteet
b.
a. Laitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit ja varusteet, jotka on erityisesti suunniteltu 5A001 kohdassa määriteltyjen laitteiden, toimintojen tai ominaisuuksien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten.
Designed to extend the operating range of signal generators as follows:
5B001.a kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi optisten kuitujen karakterisointilaitteita.
Beyond 90 GHz;
b. Laitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit ja varusteet, jotka on erityisesti suunniteltu seuraavien tietoliikenteen tai siirtolaitteiden "kehittämiseen":
To an output power greater than 100 mW (20 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Laitteet, jotka käyttävät "laseria" ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
c.
a. Siirrossa käytetty aallonpituus on yli 1750 nm;
Designed to extend the operating range of network analysers as follows:
c. Käyttävät koherenttia optista siirtotekniikkaa tai koherenttia optista ilmaisutekniikkaa; tai
Beyond 110 GHz;
5B001.b.2.c kohdassa asetetaan valvonnanalaiseksi laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu sellaisten järjestelmien "kehittämistä" varten, jotka käyttävät optista paikallisoskillaattoria vastaanottopuolella kantoaalto"laserin" synkronoimiseen.
To an output power greater than 31,62 mW (15 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Sovellettaessa 5B001.b.2.c kohtaa näihin tekniikoihin sisältyvät optinen heterodyne-, homodyne- tai intradyne-tekniikka.
To an output power greater than 1 mW (0 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 90 GHz but not exceeding 110 GHz; or
d. Käyttävät analogiatekniikkaa ja kaistanleveys on yli 2,5 GHz; tai
d.
5B001.b.2.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kaupallisten TV-järjestelmien "kehittämistä" varten erityisesti suunniteltuja laitteita.
Designed to extend the frequency range of microwave test receivers beyond 110 GHz;
Radiolaitteet, jotka käyttävät kvadratuuri-amplitudimodulointitekniikkaa (QAM), jonka taso ylittää 1024;
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Ei ole.
Operating frequencies above 3 GHz;
"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 5A001 kohdassa määriteltyjen laitteiden, toimintojen tai ominaisuuksien "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten;
b.
c. Erityiset "ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu toteuttamaan 5A001 tai 5B001 kohdassa määriteltyjen laitteiden ominaisuuksia, toimintoja tai piirteitä;
An average output power to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
d.
c.
"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu seuraavien tietoliikenteen siirto- tai kytkentälaitteiden "kehittämistä" varten:
A volume of less than 400 cm3;
a. Siirrossa käytetty aallonpituus on yli 1750 nm; tai
3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
b. Käyttävät analogiatekniikkaa ja kaistanleveys on yli 2,5 GHz; tai
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
5D001.d.2.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi "ohjelmistoja", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu kaupallisten TV-järjestelmien "kehittämistä" varten.
a.
Radiolaitteet, jotka käyttävät kvadratuuri-amplitudimodulointitekniikkaa (QAM), jonka taso ylittää 1024;
A 'turn-on time' from off to fully operational in less than 10 seconds;
"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 5A101 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.
b.
Seuraava "teknologia":
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
a.
c.
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti, joka on tarkoitettu 5A001 kohdassa määriteltyjen laitteiden, toimintojen tai piirteiden tai 5D001.a kohdassa määriteltyjen "ohjelmistojen" "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten (toimintaa lukuun ottamatta);
An "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax > 2fmin) and having any of the following:
b. Seuraava erityinen "teknologia":
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
Satelliiteissa käytettäväksi erityisesti suunniteltujen tietoliikennelaitteiden "kehitystä" tai "tuotantoa" varten "tarvittava" "teknologia";
A frequency greater than 18 GHz;
"Teknologia" sellaisten "laser"tietoliikennetekniikoiden "kehittämistä" tai "käyttöä" varten, joilla kyetään automaattisesti seuraamaan signaaleja ja ylläpitämään yhteyttä ilmakehän ulkopuolella tai vedenpinnan alla;
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
"Teknologia" sellaisten digitaalisen solukkoradiotukiaseman vastaanottolaitteiden kehittämistä varten, joiden monitaajuus-, monikanava-, monimuoto-, monikoodausalgoritmi- tai monikäytäntökäytön mahdollistavaa vastaanottokykyä voidaan muuntaa "ohjelmiston" muutoksilla;
The 'turn-on time' in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
"Teknologia" "hajaspektri"tekniikoiden, "taajuushyppely"tekniikat mukaan lukien, "kehittämistä" varten;
Oscillators or oscillator assemblies, specified to operate with a single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, less (better) than – (126 + 20log10F – 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz;
5E001.b.4 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi "teknologiaa" seuraavien "kehittämistä" varten:
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
c. Yleisen teknologiahuomautuksen mukainen "teknologia", joka on tarkoitettu seuraavien "kehittämiseen" tai "tuotantoon":
"Frequency synthesiser" "electronic assemblies" having a "frequency switching time" as specified by any of the following:
Laitteet, jotka käyttävät digitaalitekniikkaa ja jotka on suunniteltu toimimaan yli 560 Gbit/s "digitaalisella kokonaissiirtonopeudella";
a.
Televiestintäsiirtolaitteiden osalta "digitaalinen kokonaissiirtonopeus" on yhden liitännän yksisuuntainen nopeus mitattuna nopeimmasta portista tai reitistä.
Less than 156 ps;
c. Käyttävät koherenttia optista siirtotekniikkaa tai koherenttia optista ilmaisutekniikkaa;
b.
5E001.c.2.c kohdassa asetetaan valvonnanalaiseksi "teknologia" sellaisten järjestelmien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten, jotka käyttävät optista paikallisoskillaattoria vastaanottopuolella kantoaalto"laserin" synkronoimiseen.
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
Sovellettaessa 5E001.c.2.c kohtaa näihin tekniikoihin sisältyvät optinen heterodyne,- homodyne- tai intradyne-tekniikka.
c.
d. Käyttävät aallonpituusjakoon perustuvaa kanavointitekniikkaa, jossa optisten kantoaaltojen välinen etäisyys on alle 100 GHz; tai
Less than 250 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
e. Käyttävät analogiatekniikkaa ja kaistanleveys on yli 2,5 GHz;
d.
5E001.c.2.e kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kaupallisten TV-järjestelmien "kehittämiseen" tai "tuotantoon" tarkoitettua "teknologiaa".
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz;
Muiden laseria käyttävien laitteiden kuin televiestintälaitteiden "kehittämiseen" tai "tuotantoon" tarkoitetun "teknologian" osalta katso 6E kohta.
e.
Laitteet, jotka käyttävät "optista kytkentää" ja joiden kytkentäaika on alle 1 ms.
Less than 1 ms for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 56 GHz;
Radiolaitteet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
f.
a. Käyttävät kvadratuuri-amplitudimodulointitekniikkaa (QAM), jonka taso on yli 1024;
Less than 1 ms for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesized frequency range exceeding 56 GHz but not exceeding 90 GHz; or
b. Niiden tulo- tai lähtötaajuus on yli 31,8 GHz; tai
g.
5E001.c.4.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi sellaisten laitteiden "kehittämiseen" tai "tuotantoon" tarkoitettua "teknologiaa", jotka on suunniteltu tai muunnettu toimimaan taajuuskaistalla, joka on "ITU:n allokoima" radioviestintäpalveluille mutta ei radiomääritykselle.
Less than 1 ms within the synthesized frequency range exceeding 90 GHz;
c. Toimivat 1,5–87,5 MHz:n kaistalla ja sisältävät adaptiivisen tekniikan, joka antaa paremman häiriösignaalien vaimennuksen kun 15 dB; tai
For general purpose "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
Matkaviestinlaitteet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
c.
a. Käyttävät optista aallonpituutta, joka on vähintään 200 nm ja enintään 400 nm; ja
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
b. Toimivat "paikallisverkkona";
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
d.
a.
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti erityisesti televiestintään tarkoitettujen sellaisten monoliittisina integroituina mikroaaltopiireinä (MMIC) toteutettujen tehovahvistimien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten, jotka ovat joitakin seuraavista:
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
Sovellettaessa 5E001.d kohtaa parametrin kyllästyneeseen huippulähtötehoon voidaan viitata tuotetiedoissa myös lähtötehona, kyllästyneenä antotehona, enimmäistehona, huipputehona tai lähdön modulaatiohuipputehona.
b.
Ne toimivat yli 2,7 GHz:n ja enintään 6,8 GHz:n taajuuksilla, niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 15 prosenttia, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
a. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 75 W (48,75 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 2,7 GHz ja enintään 2,9 GHz;
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB;
b. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 55 W (47,4 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 2,9 GHz ja enintään 3,2 GHz;
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
c. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 40 W (46 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 3,2 GHz ja enintään 3,7 GHz; tai
A bandwidth greater than 250 MHz; or
d. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 20 W (43 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 3,7 GHz ja enintään 6,8 GHz;
A dispersive delay of more than 10 μs; or
Ne toimivat yli 6,8 GHz:n ja enintään 16 GHz:n taajuuksilla, niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
c.
a. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 10 W (40 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 6,8 GHz ja enintään 8,5 GHz; tai
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
b. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 5 W (37 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 8,5 GHz ja enintään 16 GHz;
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
Ne toimivat yli 3 W:n (34,77 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 16 GHz ja enintään 31,8 GHz, ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia;
'Frequency side-lobe rejection' is the maximum rejection value specified in data sheet.
Ne toimivat yli 0,1 nW:n (-70 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 31,8 GHz ja enintään 37 GHz;
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
Ne toimivat yli 1 W:n (30 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 37 GHz ja enintään 43,5 GHz, ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia;
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Ne toimivat yli 31,62 mW:n (15 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 43,5 GHz ja enintään 75 GHz, ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia;
3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Ne toimivat yli 10 mW:n (10 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 75 GHz ja enintään 90 GHz, ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 5 prosenttia; tai
d.
Ne toimivat yli 0,1 nW:n (– 70 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 90 GHz;
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
e.
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10– 14 J; or
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti erityisesti televiestintään tarkoitettujen sellaisten elektronisten laitteiden ja piirien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten, jotka sisältävät "suprajohtavista" materiaaleista valmistettuja komponentteja ja jotka on erityisesti suunniteltu toimimaan ainakin yhden "suprajohtavan" ainesosansa "kriittisen lämpötilan" alapuolella, ja joilla on jokin seuraavista:
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
Taajuuden valinta kaikilla taajuuksilla käyttäen resonanssipiirejä, joiden Q-arvo on yli 10000.
e.
Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti "teknologia", joka on tarkoitettu 5A101 kohdassa määriteltyjen laitteiden "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten.
High energy devices as follows:
2 osa – "TIEDONSUOJAUS"
'Cells' as follows:
5 ryhmän 2 osassa ei aseteta valvonnanalaiseksi tuotteita, jotka ovat käyttäjän hallussa hänen henkilökohtaista käyttöään varten.
a.
Salausta koskevissa huomautuksissa 5A002, 5A003, 5A004 ja 5D002 ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraavia:
'Primary cells' having an 'energy density' exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
Tuotteet, jotka täyttävät kaikki seuraavat:
b.
Ovat yleisesti yleisön ostettavissa rajoituksitta vähittäismyyntipisteissä varastosta jollain seuraavista tavoista:
'Secondary cells' having an 'energy density' exceeding 350 Wh/kg at 20 °C;
Käsikaupassa;
For the purpose of 3A001.e.1.,'energy density' (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Postimyynnissä;
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
Elektronisesti tapahtuvassa myynnissä; tai
For the purpose of 3A001.e.1., a 'cell' is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Puhelinmyynnissä;
It is the basic building block of a battery.
Käyttäjä ei voi helposti muuntaa salauksen toiminnallisuutta;
For the purpose of 3A001.e.1.a., a 'primary cell' is a 'cell' that is not designed to be charged by any other source.
On suunniteltu käyttäjän käyttöönotettaviksi ilman merkittävää toimittajan tukea; ja
For the purpose of 3A001.e.1.b., a 'secondary cell' is a 'cell' that is designed to be charged by an external electrical source.
Tuotteita koskevat yksityiskohtaiset tiedot ovat tarvittaessa saatavilla ja pyynnöstä esitetään toimivaltaisille viranomaisille siinä jäsenvaltiossa, johon viejä on sijoittautunut, jotta voidaan varmistaa edellä 1–3 kohdassa kuvattujen ehtojen täyttyminen.
3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
Tämän huomautuksen a kohdassa kuvattujen olemassa olevien tuotteiden laitteistokomponentit tai 'suoritettavat ohjelmistot', jotka on suunniteltu näitä olemassa olevia tuotteita varten ja jotka täyttävät kaikki seuraavat:
High energy storage capacitors as follows:
"Tiedonsuojaus" ei ole komponentin tai 'suoritettavan ohjelmiston' ensisijainen tehtävä tai tehtäväjoukko;
N.B
Komponentti tai 'suoritettava ohjelmisto' ei muuta mitään olemassa olevan tuotteen salauksen toiminnallisuutta tai lisää uutta salauksen toiminnallisuutta olemassa olevaan tuotteeseen;
SEE ALSO 3A201.a. and the Military Goods Controls.
Komponentin tai 'suoritettavan ohjelmiston' ominaisuudet ovat kiinteitä eikä niitä ole suunniteltu tai muunnettu asiakkaan eritelmien mukaisesti; ja
a.
Jos sen jäsenvaltion, johon viejä on sijoittautunut, toimivaltaiset viranomaiset katsovat sen tarpeelliseksi, tarkat tiedot komponentista tai 'suoritettavasta ohjelmistosta' ja tarkat tiedot merkityksellisistä lopputuotteista ovat saatavilla ja toimitetaan toimivaltaiselle viranomaiselle pyynnöstä, jotta voidaan varmistaa edellä kuvattujen edellytysten noudattaminen.
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Salausta koskevassa huomautuksessa 'suoritettavalla ohjelmistolla' tarkoitetaan suoritettavassa muodossa olevaa "ohjelmistoa" olemassa olevasta laitteistokomponentista ja joka on jätetty pois 5A002, 5A003 tai 5A004 kohdasta salausta koskevalla huomautuksella.
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
'Suoritettaviin ohjelmistoihin' eivät sisälly "ohjelmiston" täydelliset binäärikuvat, jotka toimivat lopputuotteessa.
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
Huomautus salausta koskevaan huomautukseen:
A total energy equal to or more than 25 kJ;
Jotta huomautuksessa 3 olevan a kohdan vaatimukset täyttyisivät, kaikkien seuraavien on täytyttävä:
b.
Tuote voi kiinnostaa laajasti erilaisia yksilöitä ja yrityksiä; ja
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Tuotteen pääasiallista toiminnallisuutta koskevat hinnat ja tiedot ovat saatavilla ennen ostamista ilman tarvetta ottaa yhteyttä myyjään tai toimittajaan.
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
Pelkkää hintakyselyä ei pidetä yhteydenottona.
A total energy equal to or more than 100 J; and
Määrittäessään sitä, täyttyvätkö huomautuksessa 3 olevan a alakohdan vaatimukset, toimivaltaiset viranomaiset voivat ottaa huomioon merkityksellisiä tekijöitä, kuten määrän, hinnan, vaaditut tekniset taidot, olemassa olevat myyntikanavat, tyypilliset asiakkaat, tyypillisen käytön tai toimittajan mahdolliset syrjivät käytännöt.
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
5 ryhmän 2 osassa ei aseteta valvonnanalaisiksi tuotteita, jotka sisältävät tai käyttävät "salausta" ja täyttävät kaikki seuraavat edellytykset:
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
Ensisijainen toiminto tai toimintojen joukko ei ole mikään seuraavista:
SEE ALSO 3A201.b.
"Tiedonsuojaus";
Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
Verkottaminen (käsittää operaatiot, hallinnoinnin, hallinnan ja tarjonnan);
b.
Salauksen toiminnallisuus rajoittuu niiden ensisijaisen toiminnon tai toimintojen joukon tukemiseen; ja
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
Tuotteita koskevat yksityiskohtaiset tiedot ovat tarvittaessa saatavilla ja pyynnöstä esitetään toimivaltaisille viranomaisille siinä jäsenvaltiossa, johon viejä on sijoittautunut, jotta voidaan varmistaa edellä a ja b kohdassa kuvattujen ehtojen täyttyminen.
c.
Seuraavat "tiedonsuojaus"järjestelmät, -laitteet ja -komponentit:
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
a. Seuraavat salaustekniset "tiedonsuojaus"järjestelmät, -laitteet ja -komponentit:
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated 'AM0' illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
Satelliittinavigointijärjestelmien (GNSS) vastaanottolaitteet, jotka sisältävät tai käyttävät salauksen purkua: valvonnanalaisuuden osalta katso 7A005 kohta, ja niihin liittyvien salaus"ohjelmistojen" ja -"teknologian" osalta katso 7D005 ja 7E001 kohdat.
'AM0', or 'Air Mass Zero', refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Jotka on suunniteltu tai muunnettu käyttämään digitaalitekniikkaan perustuvaa "salausta", joka suorittaa mitä tahansa muuta salaustoimintaa kuin autentikointia, digitaalista allekirjoitusta tai kopioinnilta suojatun "ohjelmiston" käyttöä, ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
f.
Autentikointi, digitaalinen allekirjoitus ja kopioinnilta suojatun "ohjelmiston" käyttö sisältävät niihin liittyvät avaimenhallintatoiminnot.
Rotary input type absolute position encoders having an "accuracy" equal to or less (better) than 1,0 second of arc;
Autentikointiin sisältyy kaikki sellainen valvonta, jossa ei salata tiedostoja tai tekstiä lukuun ottamatta sitä, mikä liittyy suoraan salasanojen, henkilökohtaisten tunnusnumeroiden tai vastaavan tiedon suojaamiseen luvattoman pääsyn estämiseksi.
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and 'thyristor modules', using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
"Symmetrinen algoritmi", joka käyttää yli 56 bitin avaimenpituutta; tai
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/ms and off-state voltage greater than 1100 V; or
5 ryhmän 2 osassa pariteettibittejä ei lasketa avaimen pituuteen.
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/ms and having all of the following:
b.
a.
"Epäsymmetrinen algoritmi", jossa algoritmin turvallisuus perustuu johonkin seuraavista ominaisuuksista:
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
Yli 512 bitin kokonaislukujen tekijöihin jako (esimerkiksi RSA);
b.
Diskreettien logaritmien laskenta äärellisen kannan suuremmassa kuin 512 bitin yksikköryhmässä (esim. Diffie-Hellman Z/pZ:ssä); tai
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
Diskreetit logaritmit muissa kuin 5A002.a.1.b.2 kohdassa mainitussa suuremmassa kuin 112 bitin ryhmässä (esimerkiksi Diffie-Hellman elliptisellä käyrällä);
3A001.g. includes:
5A002.a kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraavia:
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Seuraavat älykortit ja älykorttien 'luku- ja kirjoituslaitteet':
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
Älykortti tai sähköisesti luettava henkilöasiakirja (esim. rahake, biometrinen passi), joka täyttää jonkin seuraavista edellytyksistä: