natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and 'thyristor modules', using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Seuraavat optiset anturit tai niitä varten tarkoitetut laitteet ja komponentit:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
KATSO MYÖS 6A102 KOHTA.
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
a. Seuraavat optiset ilmaisimet:
a.
Seuraavat ”avaruuskelpoiset” solid-state-ilmaisimet:
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
Sovellettaessa 6A002.a.1 kohtaa solid-state -ilmaisimiin kuuluvat myös ”fokusoivat tasorakenteet”.
b.
a. ”Avaruuskelpoiset” solid-state-ilmaisimet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
Vastehuippu aallonpituusalueella, joka on yli 10 nm mutta enintään 300 nm; ja
3A001.g. includes:
Vaste yli 400 nm:n aallonpituuksilla vähemmän kuin 0,1 % vastehuipusta;
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
b. ”Avaruuskelpoiset” solid-state-ilmaisimet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
Vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 900 nm mutta enintään 1200 nm; ja
Light Triggering Thyristors (LTTs)
Vasteen ”aikavakio” on enintään 95 ns;
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
c. ”Avaruuskelpoiset” solid-state-ilmaisimet, joiden vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1200 nm mutta enintään 30000 nm;
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
d. ”Avaruuskelpoiset” ”fokusoivat tasorakenteet”, joissa on enemmän kuin 2048 elementtiä ryhmää kohti ja joiden vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 300 nm mutta enintään 900 nm.
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
Seuraavat kuvanvahvistinputket ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
Solidtrons
6A002.a.2 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi ei-kuvantavia valomonistinputkia, joiden tyhjiötilassa on elektronianturi, jossa on jokin seuraavista:
3A001.g. does not control thyristor devices and 'thyristor modules' incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Yksi metallianodi; tai
For the purposes of 3A001.g., a 'thyristor module' contains one or more thyristor devices.
Metallianodeja, joiden etäisyys keskipisteestä keskipisteeseen on yli 500 μm.
h.
a. Kuvanvahvistinputket, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or 'modules', having all of the following:
Vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm mutta enintään 1050 nm;
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
Elektroninen kuvanvahvistus, jossa käytetään jotain seuraavista:
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
a. Mikrokanavalevy, jonka reikätiheys (keskipisteiden välinen etäisyys) on enintään 12 μm; tai
Continuous current greater than 1 A.
b. Elektronianturi, jonka sitomaton pikselien jakoväli on enintään 500 μm ja joka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’ muulla tavoin kuin mikrokanavalevyllä; ja
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Jokin seuraavista valokatodeista:
3A001.h. includes:
a. Monialkaalivalokatodit (esim. S-20 ja S-25), joiden valoherkkyys ylittää 350 μA/lm;
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
b. GaAs- tai GaInAs-valokatodit; tai
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
c. Muut ”III/V-yhdiste”puolijohteisiin perustuvat valokatodit, joiden maksimi”säteilynherkkyys” on enemmän kuin 10 mA/W;
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs)
b. Kuvanvahvistinputket, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
Vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1050 nm mutta enintään 1800 nm;
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
”III/V-yhdiste”puolijohteisiin perustuvat valokatodit (kuten GaAs- tai GaInAs-valokatodit) ja elektroninsiirtoon perustuvat valokatodit, joiden maksimi”säteilynherkkyys” on yli 15 mA/W;
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
c. Seuraavat erityisesti suunnitellut komponentit:
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
Mikrokanavalevyt, joiden reikätiheys (keskipisteiden välinen etäisyys) on enintään 12 μm;
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Elektronianturi, jonka sitomaton pikselien jakoväli on enintään 500 μm ja joka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’ muulla tavoin kuin mikrokanavalevyllä;
PiN Diodes
enintään 10 mA/W, kun vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm mutta enintään 1050 nm; tai
Schottky Diodes
enintään 15 mA/W, kun vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1050 nm mutta enintään 1800 nm.
3A001.h. does not control switches, diodes, or 'modules', incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
Seuraavat muut kuin ”avaruuskelpoiset” ”fokusoivat tasorakenteet”:
For the purposes of 3A001.h., 'modules' contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
’Mikrobolometrien’ muut kuin ”avaruuskelpoiset” ”fokusoivat tasorakenteet” määritellään ainoastaan 6A002.a.3.f kohdassa.
General purpose "electronic assemblies", modules and equipment, as follows:
Lineaarisia tai kaksiulotteisia monielementtisiä ilmaisinrakenteita pidetään ”fokusoivina tasorakenteina”;
Recording equipment and oscilloscopes as follows:
6A002.a.3 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraavia:
Digital data recorders having all of the following:
Monielementtiset (enintään 16 elementtiä sisältävät) koteloidut valojohtavat parit, joissa käytetään joko lyijysulfidia tai lyijyselenidiä;
a.
Pyrosähköiset ilmaisimet, jotka perustuvat joihinkin seuraavista:
A sustained 'continuous throughput' of more than 6,4 Gbit/s to disk or solid-state drive memory; and
Triglysiinisulfaatti ja sen muunnokset;
b.
Lyijylantaanizirkoniumtitanaatti ja sen muunnokset;
A processor that performs analysis of radio frequency signal data while it is being recorded;
Litiumtantalaatti;
For recorders with a parallel bus architecture, the 'continuous throughput' rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Polyvinyylideenifluoridi ja sen muunnokset; tai
'Continuous throughput' is the fastest data rate the instrument can record to disk or solid-state drive memory without the loss of any information while sustaining the input digital data rate or digitizer conversion rate.
Strontiumbariumniobaatti ja sen muunnokset.
Real-time oscilloscopes having a vertical root-mean-square (rms) noise voltage of less than 2 % of full-scale at the vertical scale setting that provides the lowest noise value for any input 3dB bandwidth of 60 GHz or greater per channel;
”Fokusoivat tasorakenteet”, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’, ja jotka on suunniteltu niin, että niiden maksimi”säteilynherkkyys” on enintään 10 mA/W aallonpituusalueella, joka on yli 760 nm, ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
3A002.a.7. does not control equivalent-time sampling oscilloscopes.
Niihin sisältyy vasterajoitinmekanismi, jota ei ole tarkoitettu poistettavaksi tai muunnettavaksi; ja
c.
Vasterajoitinmekanismi liittyy kiinteästi tai se on yhdistetty ilmaisinelementtiin; tai b.
"Signal analysers" as follows:
”Fokusoiva tasorakenne” toimii vain siihen asennetun vasterajoitinmekanismin kanssa.
"Signal analysers" having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz;
Ilmaisinelementtiin kiinteästi liittyvää vasterajoitinmekanismia ei ole suunniteltu poistettavaksi tai muunnettavaksi tai ilmaisin ei toimi.
"Signal analysers" having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than -150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Lämpösähköparistorakenteet, joissa on vähemmän kuin 5130 elementtiä.
"Signal analysers" having a frequency exceeding 90 GHz;
a. Muut kuin ”avaruuskelpoiset” ”fokusoivat tasorakenteet”, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
"Signal analysers" having all of the following:
Yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 900 nm mutta enintään 1050 nm; ja
a.
a. Vasteen ”aikavakio” on alle 0,5 ns; tai
"Real-time bandwidth" exceeding 170 MHz; and
b. Ne on erityisesti suunniteltu tai muunnettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’ ja niiden maksimi”säteilynherkkyys” on yli 10 mA/W;
b.
b. Muut kuin ”avaruuskelpoiset” ”fokusoivat tasorakenteet”, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Having any of the following;
Yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1050 nm mutta enintään 1200 nm; ja
100 % probability of discovery with less than a 3 dB reduction from full amplitude due to gaps or windowing effects of signals having a duration of 15 μs or less; or
a. Vasteen ”aikavakio” on enintään 95 ns; tai
A "frequency mask trigger" function with 100 % probability of trigger (capture) for signals having a duration of 15 μs or less;
c. Muut kuin ”avaruuskelpoiset” epälineaariset (kaksiulotteiset) ”fokusoivat tasorakenteet”, joissa yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1200 nm mutta enintään 30000 nm;
Probability of discovery in 3A002.c.4.b.1. is also referred to as probability of intercept or probability of capture.
Piihin tai muuhun aineeseen pohjautuvien ’mikrobolometrien’ muut kuin ”avaruuskelpoiset” ”fokusoivat tasorakenteet” määritellään ainoastaan 6A002.a.3.f kohdassa.
For the purposes of 3A002.c.4.b.1., the duration for 100 % probability of discovery is equivalent to the minimum signal duration necessary for the specified level measurement uncertainty.
d. Muut kuin ”avaruuskelpoiset” lineaariset (yksiulotteiset) ”fokusoivat tasorakenteet”, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
3A002.c.4. does not control those "signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1200 nm mutta enintään 3000 nm; ja
d.
a. Ilmaisinelementin ’skannaussuunnan’ mitan suhde ilmaisinelementin ’ristiskannaussuunnan’ mittaan on vähemmän kuin 3,8; tai
Signal generators having any of the following:
b. Signaalin prosessointi anturielementeissä;
Specified to generate pulse-modulated signals having all of the following, anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz:
6A002.a.3.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi ”fokusoivia tasorakenteita” (enintään 32 elementtiä sisältäviä), joiden ilmaisinelementit on rajoitettu pelkästään germaniummateriaaliin.
a.
Sovellettaessa 6A002.a.3.d kohtaa ’ristiskannaussuunta’ määritellään ilmaisinelementtien lineaarisen rakenteen suuntaiseksi akseliksi ja ’skannaussuunta’ ilmaisinelementtien lineaarista rakennetta vasten kohtisuorassa olevaksi akseliksi.
'Pulse duration' of less than 25 ns; and
e. Muut kuin ”avaruuskelpoiset” lineaariset (yksiulotteiset) ”fokusoivat tasorakenteet”, joissa yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 3000 nm mutta enintään 30000 nm;
b.
f. ’Mikrobolometri’-aineeseen pohjautuvat muut kuin ”avaruuskelpoiset” epälineaariset (kaksiulotteiset) ”fokusoivat tasorakenteet”, joissa yksittäisten elementtien suodattamaton vaste on aallonpituusalueella, joka on vähintään 8000 nm mutta enintään 14000 nm;
On/off ratio equal to or exceeding 65 dB;
Sovellettaessa 6A002.a.3.f kohtaa ’mikrobolometri’ määritellään lämpökuvausanturiksi, jota infrapunasäteilyn absorption aiheuttaman lämpötilamuutoksen vuoksi käytetään tuottamaan mitä tahansa käyttökelpoista signaalia.
An output power exceeding 100 mW (20 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
g. Muut kuin ”avaruuskelpoiset” ”fokusoivat tasorakenteet”, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
A "frequency switching time" as specified by any of the following:
Yksittäisten ilmaisinelementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm mutta enintään 900 nm;
b.
Ne on erityisesti suunniteltu tai muunnettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’, ja niiden maksimi”säteilynherkkyys” ylittää 10 mA/W aallonpituuksilla, jotka ovat yli 760 nm; ja
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
Ne sisältävät enemmän kuin 32 elementtiä.
d.
b. Etäishavainnointisovelluksiin suunnitellut ”yksispektriset kuvannusanturit” ja ”monispektriset kuvannusanturit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz; or
Hetkellinen näkökenttä (IFOV) on vähemmän kuin 200 μrad (mikroradiaania); tai
e.
Ne on määritelty toimimaan aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm mutta enintään 30000 nm, ja niillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the frequency range exceeding 37 GHz but not exceeding 90 GHz;
a. Ne antavat kuvatiedon ulostulossaan digitaalisessa muodossa; ja
f.
Ne ovat ”avaruuskelpoisia”; tai
Not used;
Ne on suunniteltu ilmassa tapahtuvaan toimintaan, ne käyttävät muita kuin pii-ilmaisimia, ja niiden IFOV on vähemmän kuin 2,5 mrad (milliradiaania);
Single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, specified as being any of the following:
6A002.b.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi ”yksispektrisiä kuvannusantureita”, joiden vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 300 nm mutta enintään 900 nm, ja jotka käsittävät ainoastaan seuraavia muita kuin ”avaruuskelpoisia” ilmaisimia tai muita kuin ”avaruuskelpoisia” ”fokusoivia tasorakenteita”:
a.
Varauskytketyt piirit (CCD), joita ei ole suunniteltu tai muunnettu käytettäväksi ’varauksen monistamiseen’; tai
Less (better) than – (126 + 20log10F – 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz anywhere within the frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 90 GHz; or
Komplementaariset metallioksidipuolijohdelaitteet (CMOS), joita ei ole suunniteltu tai muunnettu käytettäväksi ’varauksen monistamiseen’.
b.
c. ’Suorakatselu’kuvauslaitteet, jotka sisältävät jonkin seuraavista:
Less (better) than – (206 – 20log10f) anywhere within the range of 10 kHz< F≤ 100 kHz anywhere within the frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 90 GHz; or
6A002.a.2.a tai 6A002.a.2.b kohdassa määritellyt kuvanvahvistinputket;
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
6A002.a.3 kohdassa määritellyt ”fokusoivat tasorakenteet”; tai
A maximum frequency exceeding 90 GHz;
6A002.a.1 kohdassa määritellyt solid-state-ilmaisimet;
For the purpose of 3A002.d., signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Termi ’suorakatselu’ viittaa kuvauslaitteisiin, jotka näyttävät visuaalisen kuvan tarkkailijalle muuttamatta kuvaa sähköiseksi signaaliksi televisionäyttöä varten ja jotka eivät voi tallettaa kuvaa valokuvana, elektronisesti tai millään muullakaan tavalla.
3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
6A002.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi seuraavia laitteita, jotka sisältävät muita kuin GaAs- tai GaInAs-valokatodeja:
The maximum frequency of an arbitrary waveform or function generator is calculated by dividing the sample rate, in samples/second, by a factor of 2,5.
Teollisuus- tai siviilikäyttöön tarkoitetut murtohälyttimet, liikenteessä tai teollisuudessa käytettävät liikkeen ohjaus- tai laskentajärjestelmät;
For the purposes of 3A002.d.1.a, 'pulse duration' is defined as the time interval from the point on the leading edge that is 50 % of the pulse amplitude to the point on the trailing edge that is 50 % of the pulse amplitude.
Lääketieteelliset laitteet;
Network analysers having any of the following:
Teollisten uunien liekinilmaisimet;
An output power exceeding 31,62 mW (15 dBm) anywhere within the operating frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu laboratoriokäyttöön.
An output power exceeding 1 mW (0 dBm) anywhere within the operating frequency range exceeding 90 GHz but not exceeding 110 GHz;
d. Seuraavat optisten anturien toimintaa tukevat erikoiskomponentit:
'Nonlinear vector measurement functionality' at frequencies exceeding 50 GHz but not exceeding 110 GHz; or
”Avaruuskelpoiset” kryojäähdyttimet;
'Nonlinear vector measurement functionality' is an instrument’s ability to analyse the test results of devices driven into the large-signal domain or the non-linear distortion range.
Seuraavat muut kuin ”avaruuskelpoiset” kryojäähdyttimet, joiden kylmälähteen lämpötila on alle 218 K (– 55 °C):
A maximum operating frequency exceeding 110 GHz;
a. Suljetulla kierrolla varustetut, joiden määritelty keskimääräinen vioittumisaika (MTTF) tai keskimääräinen vikaväli (MTBF) on yli 2500 tuntia;
f.
b. Itsesäätävät Joule-Thomson (JT) -minijäähdyttimet, joiden ulkohalkaisija on alle 8 mm;
A maximum operating frequency exceeding 110 GHz; and
6A002.d.3 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi koteloituja optisia anturikuituja, jotka on erityisesti suunniteltu reikäluotauksen anturisovelluksiin.
Being capable of measuring amplitude and phase simultaneously;
e. Ei käytössä.
g.
Seuraavat kamerat, järjestelmät tai laitteet ja niiden komponentit:
Atomic frequency standards being any of the following:
KATSO MYÖS 6A203 KOHTA.
"Space-qualified";
a. Seuraavat instrumentointikamerat ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
6A003.a.3–6A003.a.5 kohdassa määritellyt moduulirakenteiset instrumentointikamerat on arvioitava niiden suurimman suorituskyvyn mukaan käyttäen saatavilla olevia ohjelmalisäkkeitä kameran valmistajan eritelmien mukaisesti.
Non-"space-qualified" and having all of the following:
Suurinopeuksiset elokuvakamerat, jotka käyttävät mitä tahansa filmikokoa välillä 8 mm–16 mm, mukaan lukien ne kamerat, joissa filmiä siirretään jatkuvasti kuvausajanjakson aikana, ja jotka kykenevät ottamaan yli 13150 kuvaa sekunnissa;
a.
6A003.a.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi siviilikäyttöön tarkoitettuja elokuvakameroita.
Being a rubidium standard;
Mekaaniset suurinopeuksiset kamerat, joissa filmi ei liiku ja jotka kykenevät ottamaan yli 1000000 kuvaa sekunnissa täydellä 35 mm filmin kuvan korkeudella tai suhteessa suuremmilla nopeuksilla, kun kuvan korkeus on pienempi, tai suhteessa pienemmillä nopeuksilla, kun kuvan korkeus on suurempi;
b.
Seuraavat mekaaniset tai elektroniset juovakamerat:
Long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; and
a. Mekaaniset juovakamerat, joiden piirtonopeus on yli 10 mm/μs;
c.
b. Elektroniset juovakamerat, joiden ajallinen erottelutarkkuus on parempi kuin 50 ns;
Total power consumption of less than 1 W;
Elektroniset yksittäiskuvakamerat, joiden nopeus ylittää 1000000 kuvaa sekunnissa;
h.
Elektroniset kamerat, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
"Electronic assemblies", modules, or equipment, specified to perform all of the following:
a. Elektronisen sulkimen nopeus (avainnuskyky) on vähemmän kuin 1 μs täyttä kuvaa kohti; ja
Analogue-to-digital conversions meeting any of the following:
b. Luettavuusaika sallii yli 125 täyden kuvan nopeuden sekunnissa;
a.
Ohjelmalisäkkeet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an input sample rate greater than 1300 million samples per second;
a. Ne on erityisesti suunniteltu 6A003.a kohdassa määriteltyjä moduulirakenteisia instrumentointikameroita varten; ja
b.
b. Niiden ansiosta nämä kamerat saavuttavat valmistajan eritelmien mukaisesti 6A003.a.3, 6A003.a.4 tai 6A003.a.5 kohdassa määritellyt ominaisuudet;
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an input sample rate greater than 1000 million samples per second;
b. Seuraavat kuvannuskamerat:
c.
6A003.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi televisio- tai videokameroita, jotka on erityisesti suunniteltu televisiolähetyksiä varten.
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with an input sample rate greater than 1000 million samples per second;
Solid-state-antureita sisältävät videokamerat, joiden vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 10 nm mutta enintään 30000 nm, ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
d.
a. Jokin seuraavista:
A resolution of 14 bit or more but less than 16 bit, with an input sample rate greater than 400 million samples per second; or
Enemmän kuin 4 × 106”aktiivista pikseliä” solid-state-matriisia kohti yksivärikameroissa (mustavalkokameroissa);
e.
Enemmän kuin 4 × 106”aktiivista pikseliä” solid-state-matriisia kohti värikameroissa, joissa on kolme solid-state-matriisia; tai
A resolution of 16 bit or more with an input sample rate greater than 180 million samples per second; and
Enemmän kuin 12 × 106”aktiivista pikseliä” solid-state-matriisia kohti värikameroissa, joissa on yksi solid-state-matriisi; ja
a.
6A004.a kohdassa määritellyt optiset peilit;
Output of digitized data;
6A004.d kohdassa määritellyt optiikan ohjauslaitteet; tai
b.
Mahdollisuus tallentaa sisäisesti tuotettuja ’kamerapaikannustietoja’.
Storage of digitized data; or
Sovellettaessa tätä kohtaa digitaaliset videokamerat olisi arvioitava liikkuvan kuvankaappaukseen käytettyjen ”aktiivisten pikselien” enimmäismäärän perusteella.
c.
Sovellettaessa tätä kohtaa ’kamerapaikannustiedoilla’ tarkoitetaan tietoja, joita tarvitaan määrittämään kameran tähtäysviivan suunta maahan nähden.
Processing of digitized data;
Tähän sisältyy: 1) vaakasuora kulma, jonka kameran tähtäysviiva muodostaa suhteessa maan magneettikentän suuntaan ja 2) pystysuora kulma kameran tähtäysviivan ja maan horisontin välillä.
Digital data recorders, oscilloscopes, "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers, are specified in 3A002.a.6., 3A002.a.7., 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
Pyyhkäisevät kamerat ja pyyhkäisevät kamerajärjestelmät, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
For multiple-channel "electronic assemblies" or modules, control status is determined by the highest single-channel specified performance.
a. Vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 10 nm mutta enintään 30000 nm;
3A002.h. includes ADC cards, waveform digitizers, data acquisition cards, signal acquisition boards and transient recorders.
b. Lineaarisia ilmaisinryhmiä, joissa on enemmän kuin 8192 elementtiä ryhmää kohti; ja
Spray cooling thermal management systems employing closed loop fluid handling and reconditioning equipment in a sealed enclosure where a dielectric fluid is sprayed onto electronic components using specially designed spray nozzles that are designed to maintain electronic components within their operating temperature range, and specially designed components therefor.
c. Mekaaninen pyyhkäisy yhdessä suunnassa;
Electronic equipment, devices and components, other than those specified in 3A001, as follows:
6A003.b.2 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi pyyhkäiseviä kameroita ja pyyhkäiseviä kamerajärjestelmiä, jotka on erityisesti suunniteltu johonkin seuraavista tarkoituksista:
a.
Teollisuus- tai siviilikäyttöön tarkoitetut valokopiokoneet;
Analogue-to-digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedized equipment;
Kuvanlukijat, jotka on erityisesti suunniteltu siviiliolosuhteissa, paikallaan ja lähietäisyydellä käytettäviin kuvanlukusovelluksiin (esim. asiakirjoissa, taideteoksissa tai valokuvissa olevin kuvien tai tekstin toistoon); tai
b.
Lääketieteelliset laitteet.