natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Vacuum pumps having all of the following characteristics:
c. Mikrolaukaisuyksiköt, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a.
Niiden mikään ulottuvuus ei ole suurempi kuin 35 mm;
Input throat size equal to or greater than 380 mm;
Nimellisjännite on vähintään 1 kV; ja
The pumping speed is determined at the measurement point with nitrogen gas or air.
230 kohdassa ’pulssin nousuaika’ määritellään ajaksi, jonka kuluessa jännite nousee 10 prosentista 90 prosenttiin jännitteen amplitudista.
The ultimate vacuum is determined at the input of the pump with the input of the pump blocked off.
Neutronigeneraattorijärjestelmät, mukaan lukien putket, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
High-velocity gun systems (propellant, gas, coil, electromagnetic, and electrothermal types, and other advanced systems) capable of accelerating projectiles to 1,5 km/s or greater.
a. Ne on suunniteltu toimimaan ilman ulkoista tyhjöjärjestelmää; ja
SEE ALSO MILTARY GOODS CONTROLS.
b. Ne käyttävät jotakin seuraavista:
Bellows-sealed scroll-type compressors and bellows-sealed scroll-type vacuum pumps having all of the following:
Sähköstaattista kiihdytystä tritium-deuteriumydinreaktion synnyttämiseen; tai
SEE ALSO 2B350.i.
Sähköstaattista kiihdytystä deuterium-deuteriumydinreaktion synnyttämiseen ja kykenevät tuottamaan vähintään 3 × 109 neutronia/s.
a.
Seuraavat, muut kuin 1A007 kohdassa määritellyt monipistesytytinjärjestelmät:
Capable of an inlet volume flow rate of 50 m3/h or greater;
Katso 1A007.b kohdasta sytyttimet.
b.
b. Järjestelyt, joita käyttäen voidaan yhdellä tai usealla sytyttimellä sytyttää räjähdyspinta yli 5000 mm2:n alalla yhdellä laukaisusignaalilla lähes samanaikaisesti, sytytyksen ajoitus leviää koko pinta-alalle vähemmässä kuin 2,5 μs:ssa.
Capable of a pressure ratio of 2:1 or greater; and
232 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi sytyttimiä, joissa käytetään vain ensiöräjähteitä, esimerkiksi lyijyatsidia.
c.
Seuraavat, muut kuin 0B002.g kohdassa määritellyt massaspektrometrit, jotka kykenevät mittaamaan ioneja, joiden atomipaino on vähintään 230, ja joiden resoluutio on parempi kuin 2 osaa 230:stä ja niiden ionilähteet: a. Induktiivisesti kytketyt plasmamassaspektrometrit (ICP/MS = Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometers);
Having all surfaces that come in contact with the process gas made from any of the following materials:
b. Hehkupurkausmassaspektrometrit (GDMS = Glow Discharge Mass Spectrometers);
Aluminium or aluminium alloy;
d. Elektronipommitusmassaspektrometrit, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:
Aluminium oxide;
Molekyylisäteen syöttöjärjestelmä, joka injektoi analyyttimolekyylien sädekimpun ionilähteen alueelle, jossa elektronisäde ionisoi molekyylit; ja
Stainless steel;
Yksi tai useampia ’kylmäloukkuja’, jotka voidaan jäähdyttää 193 °K:n (– 80 °C:n) lämpötilaan;
Nickel or nickel alloy;
e. Ei käytössä;
Phosphor bronze; or
f. Massaspektrometrit, jotka on varustettu aktinideja tai aktinidifluorideja varten käytettäväksi suunnitellulla mikrofluorausionilähteellä.
Fluoropolymers.
d kohdan elektronipommitusmassaspektrometreistä käytetään myös nimitystä elektronitörmäysmassaspektrometrit tai elektroni-ionisaatiomassaspektrometrit.
Chemical manufacturing facilities, equipment and components, as follows:
Liuskajohdot, jotka tarjoavat matalan induktanssin polun sytyttimille ja joilla on seuraavat ominaisuudet:
a.
a. Nimellisjännite suurempi kuin 2 kV; ja
Reaction vessels or reactors, with or without agitators, with total internal (geometric) volume greater than 0,1 m3 (100 litres) and less than 20 m3 (20000 litres), where all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed or contained are made from any of the following materials:
b. Induktanssi vähemmän kuin 20 nH.
'Alloys' with more than 25 % nickel and 20 % chromium by weight;
Seuraavat puolijohdekomponenttien tai -materiaalien valmistuslaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut osat ja komponentit:
Fluoropolymers (polymeric or elastomeric materials with more than 35 % fluorine by weight);
a. Seuraavat epitaksikasvatusta varten suunnitellut laitteet:
Glass (including vitrified or enamelled coating or glass lining);
Laitteet, jotka kykenevät tuottamaan vähintään 75 mm:n matkalla kerroksen muuta materiaalia kuin piitä, jonka kerrospaksuuden vaihtelu on alle ± 2,5 %;
Nickel or 'alloys' with more than 40 % nickel by weight;
a.1 kohta käsittää ALE-laitteet (atomikerroskasvatus).
Tantalum or tantalum 'alloys';
Metalliorgaanista kemiallista kaasufaasipinnoitusta (MOCVD) suorittavat reaktorit, jotka on suunniteltu sellaisen materiaalin yhdistepuolijohdekiteiden epitaksikasvatusta varten, jolla on kaksi tai useampia seuraavista alkuaineista: alumiini, gallium, indium, arseeni, fosfori, antimoni tai typpi;
Titanium or titanium 'alloys';
Molekyylisuihku-epitaksikasvatuslaitteet, jotka käyttävät kaasu- tai kiinteitä lähteitä;
Zirconium or zirconium 'alloys'; or
b. Laitteet, jotka on suunniteltu ioni-istutusta varten ja joilla on jokin seuraavista:
Niobium (columbium) or niobium 'alloys';
Ne on suunniteltu ja optimoitu toimimaan niin, että säteen energia on vähintään 20 keV ja säteen virta vähintään 10 mA:n vety-, deuterium- tai heliumistutusta varten;
b.
Ne mahdollistavat kuvion suoran istutuksen;
Agitators designed for use in reaction vessels or reactors specified in 2B350.a.; and impellers, blades or shafts designed for such agitators, where all surfaces of the agitator that come in direct contact with the chemical(s) being processed or contained are made from any of the following materials:
Säteen energia on vähintään 65 keV ja säteen virta vähintään 45 mA, jotta voidaan suorittaa korkeaenerginen happi-istutus kuumennettuun puolijohde”substraattiin”; tai
Glass (including vitrified or enamelled coatings or glass lining);
Ne on suunniteltu ja optimoitu toimimaan niin, että säteen energia on vähintään 20 keV ja säteen virta vähintään 10 mA, jotta pii-implantti voidaan istuttaa puolijohde”substraattiin”, joka on kuumennettu vähintään 600 °C:een;
c.
c. Anisotrooppiset plasmakuivasyövytyslaitteet, joilla on kaikki seuraavat:
Storage tanks, containers or receivers with a total internal (geometric) volume greater than 0,1 m3 (100 litres) where all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed or contained are made from any of the following materials:
Ne on suunniteltu tai optimoitu tuottamaan minimiviivanleveys, joka on enintään 65 nm; ja
d.
Kiekon sisäinen epäyhdenmukaisuus on enintään 10 % 3σ:sta mitattuna siten, että enintään 2 mm reunaa jätetään ottamatta huomioon;
Heat exchangers or condensers with a heat transfer surface area greater than 0,15 m2, and less than 20 m2; and tubes, plates, coils or blocks (cores) designed for such heat exchangers or condensers, where all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:
d. Ei käytössä;
Graphite or 'carbon graphite';
e. Automaattisyöttöiset monikammioiset puolijohdekiekkojen käsittelyjärjestelmät, joilla on kaikki seuraavat:
Zirconium or zirconium 'alloys';
Niissä on sellaiset liitännät kiekkojen syöttöä ja ulosottoa varten, joihin voidaan liittää enemmän kuin kaksi 3B001.a, 3B001.b tai 3B001.c kohdassa eriteltyä toiminnaltaan erilaista ’puolijohteiden valmistuslaitetta’; ja
Silicon carbide;
Ne on suunniteltu muodostamaan tyhjössä toimiva integroitu järjestelmä ’useiden kiekkojen peräkkäistä prosessointia’ varten;
Titanium carbide; or
e kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi automaattisia kiekkojen robottikäsittelijöitä, jotka on suunniteltu erityisesti kiekkojen rinnakkaista prosessointia varten.
e.
Sovellettaessa 3B001.e kohtaa ’puolijohteiden valmistuslaitteilla’ tarkoitetaan modulaarisia välineitä, jotka tuottavat toiminnaltaan erilaisia puolijohdetuotannon fysikaalisia prosesseja, kuten pinnoitus-, syövytys-, istutus- ja lämpöprosessointi.
Distillation or absorption columns of internal diameter greater than 0,1 m; and liquid distributors, vapour distributors or liquid collectors designed for such distillation or absorption columns, where all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:
Sovellettaessa 3B001.e kohtaa ’useiden kiekkojen peräkkäisellä prosessoinnilla’ tarkoitetaan mahdollisuutta prosessoida kukin kiekko erilaisissa ’puolijohteiden valmistuslaitteissa’ esimerkiksi siirtämällä kiekko yhdeltä välineeltä toiselle ja edelleen kolmannelle käyttämällä automaattisyöttöisiä monikammioisia puolijohdekiekkojen käsittelyjärjestelmiä.
f.
f. Seuraavat litografialaitteet:
Remotely operated filling equipment in which all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:
Askeltavat kohdistus- ja valotuslaitteet (suora kohdistus kiekkoon) tai kohdistus- ja pyyhkäisy- (skanneri) laitteet kiekkojen prosessointia varten, jotka käyttävät foto-optisia tai röntgenmenetelmiä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
'Alloys' with more than 25 % nickel and 20 % chromium by weight; or
a. Valolähteen aallonpituus lyhyempi kuin 193 nm; tai
g.
b. Ne kykenevät tuottamaan kuvion, jonka ”pienin erottuva kuvion koko” (MRF) on enintään 45 nm;
Valves and components, as follows:
”Pienin erottuva kuvion koko” (MRF) lasketaan seuraavalla kaavalla, jossa:
Valves, having both of the following:
an exposure valonlähteen aallonpituus nanometreinä
a.
× K-kerroin
A 'nominal size' greater than 10 mm (3/8″); and
numeerinen aukko
b.
jossa K kerroin = 0,35
All surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being produced, processed, or contained are made from 'corrosion resistant materials';
Kohokuviointilaitteet, jotka kykenevät tuottamaan kuvioita, joiden koko on enintään 45 nm;
Valves, other than those specified in 2B350.g.1., having all of the following;
f.2 kohtaan sisältyvät:
a.
Pehmytkuviointivälineet
A 'nominal size' equal to or greater than 25,4 mm (1″) and equal to or less than 101,6 mm (4″);
Kuumapakotusvälineet
b.
Nanomuokkauskuviointivälineet
Casings (valve bodies) or preformed casing liners;
Step and flash -kuviointi (S-FIL) -välineet
c.
Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu maskien valmistukseen tai puolijohdekomponenttien prosessointiin käyttäen suoria kirjoitusjärjestelmiä (direct writing methods), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
A closure element designed to be interchangeable; and
a. Ne käyttävät poikkeutettua ja fokusoitua elektronisuihkua, ionisuihkua tai ”laser”sädettä; ja
d.
Suihkun tai säteen pisteen koko on pienempi kuin 0,2 μm;
All surfaces of the casing (valve body) or preformed case liner that come in direct contact with the chemical(s) being produced, processed, or contained are made from 'corrosion resistant materials';
Ne kykenevät tuottamaan kuvioita, joiden viivaleveys on alle 1 μm; tai
Components, designed for valves specified in 2B350.g.1 or 2B350.g.2., in which all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being produced, processed, or contained are made from 'corrosion resistant materials', as follows:
Niiden kohdistustarkkuus on parempi kuin ± 0,20 μm (3 sigmaa);
a.
g. Maskit tai retikkelit, jotka on suunniteltu 3A001 kohdassa määriteltyjä integroituja piirejä varten;
Casings (valve bodies);
h. Monikerrosmaskit, joissa on vaihesiirtokerros, joita ei ole määritelty 3B001.g kohdassa ja joilla on jokin seuraavista:
b.
Ne on tehty maskin ”substraattiaihiolle” (substrate blank) lasista, joka on määritelty niin, että siinä on kahtaistaittumista alle 7 nm/cm; tai
Preformed casing liners;
Ne on suunniteltu käytettäväksi litografialaitteissa, joiden valolähteen aallonpituus on lyhyempi kuin 245 nm;
For the purposes of 2B350.g., 'corrosion resistant materials' means any of the following materials:
h kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi monikerrosmaskeja, joissa on vaihesiirtokerros ja jotka on suunniteltu sellaisten muistilaitteiden valmistukseen, joita ei aseteta valvonnanalaiseksi 3A001 kohdassa.
Nickel or alloys with more than 40 % nickel by weight;
i. Kohokuviointimallineet, jotka on suunniteltu 3A001 kohdassa määriteltyjä integroituja piirejä varten.
Alloys with more than 25 % nickel and 20 % chromium by weight;
Seuraavat testauslaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu valmiiden tai puolivalmiiden puolijohteiden ja erityisesti niitä varten suunniteltujen komponenttien ja tarvikkeiden testaamiseen:
Glass or glass-lined (including vitrified or enamelled coating);
a. Laitteet transistorien S-parametrien testaukseen yli 31,8 GHz:n alueella;
Tantalum or tantalum alloys;
c. Laitteet 3A001.b.2 kohdassa määriteltyjen integroitujen mikroaaltopiirien testaukseen.
Titanium or titanium alloys;
Hetero-epitaksimateriaalit, jotka koostuvat ”substraatista”, jonka päälle on epitaksisti kasvatettu useita kerroksia seuraavia aineita:
Zirconium or zirconium alloys;
a. Pii (Si);
Niobium (columbium) or niobium alloys; or
c. Piikarbidi (SiC); tai
Ceramic materials as follows:
d. Galliumin tai indiumin ”III/V-yhdisteet”.
Silicon carbide with a purity of 80 % or more by weight;
d kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ”substraattia”, jolla on yksi tai useampia P-tyypin epitaksisia kerroksia GaN:a, InGaN:a, AlGaN:a, InAlN:a, InAlGaN:a, GaP:a, InGaP:a, AlInP:a tai InGaAlP:a, riippumatta alkuaineiden järjestyksestä, paitsi jos P-tyypin epitaksinen kerros on N-tyypin kerrosten välissä.
Aluminium oxide (alumina) with a purity of 99.9 % or more by weight;
Seuraavat estopinnoitemateriaalit ja seuraavilla estopinnoitteilla pinnoitetut ”substraatit”:
Zirconium oxide (zirconia).
a. Estopinnoitteet, jotka on suunniteltu puolijohdelitografiaa varten seuraavasti:
The 'nominal size' is defined as the smaller of the inlet and outlet diameters.
Positiiviestopinnoitteet, joiden spektrivaste on sovitettu (optimoitu) alle 245 nm:n mutta vähintään 15 nm:n aallonpituuksille;
h.
Estopinnoitteet, joiden spektrivaste on sovitettu (optimoitu) alle 15 nm:n mutta yli 1 nm:n aallonpituuksille;
Multi-walled piping incorporating a leak detection port, in which all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed or contained are made from any of the following materials:
b. Kaikki estopinnoitteet, jotka on suunniteltu käytettäväksi elektroni- tai ionisuihkun kanssa ja joiden herkkyys on 0,01 mikrocoulombia/mm2 tai parempi;
i.
d. Kaikki estopinnoitteet, jotka on optimoitu pintakuvausteknologiaa varten;
Multiple-seal and seal-less pumps, with manufacturer's specified maximum flow-rate greater than 0,6 m3/hour, or vacuum pumps with manufacturer's specified maximum flow-rate greater than 5 m3/hour (under standard temperature (273 K (0 °C)) and pressure (101,3 kPa) conditions), other than those specified in 2B233; and casings (pump bodies), preformed casing liners, impellers, rotors or jet pump nozzles designed for such pumps, in which all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:
e. Kaikki estopinnoitteet, jotka on suunniteltu tai optimoitu käytettäväksi lämpö- tai säteilykovetusprosessia käyttävien 3B001.f.2 kohdassa määriteltyjen kohokuviointilaitteiden kanssa.
Ceramics;
Seuraavat orgaanis-epäorgaaniset yhdisteet:
Ferrosilicon (high silicon iron alloys);
a. Metalliorgaaniset alumiini-, gallium- tai indiumyhdisteet, joiden (perusmetallin) puhtaus (metalleista) on parempi kuin 99999 %;
In 2B350.i., the term seal refers to only those seals that come into direct contact with the chemical(s) being processed (or are designed to), and provide a sealing function where a rotary or reciprocating drive shaft passes through a pump body.
b. Arseeniorgaaniset, antimoni-orgaaniset ja fosfori-orgaaniset yhdisteet, joiden puhtaus (epäorgaanisista aineista) on parempi kuin 99999 %.
j.
003 kohdassa asetetaan valvonnanalaiseksi vain yhdisteet, joiden metallinen, osittain metallinen tai ei-metallinen elementti on suoraan liittynyt hiileen molekyylin orgaanisessa osassa.
Incinerators designed to destroy chemicals specified in entry 1C350, having specially designed waste supply systems, special handling facilities and an average combustion chamber temperature greater than 1273 K (1000 °C), in which all surfaces in the waste supply system that come into direct contact with the waste products are made from or lined with any of the following materials:
Fosfori-, arseeni- tai antimonihydridit, joiden puhtaus on parempi kuin 99999 %, myös jalokaasuilla tai vedyllä laimennettuina.
Ceramics; or
004 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi hydridejä, jotka sisältävät vähintään 20 mooliprosenttia jalokaasuja tai vetyä.
Nickel or 'alloys' with more than 40 % nickel by weight.
Piikarbidi- (SiC), galliumnitridi- (GaN), aluminiumnitridi- (AIN) tai aluminiumgalliumnitridi- (AIGaN) puolijohde ”substraatit”, tai näiden materiaalien harkot, boulet tai muut preformit, joiden resistiivisyys on enemmän kuin 10000 ohmisenttimetriä 20 °C:ssa.
For the purposes of 2B350, the materials used for gaskets, packing, seals, screws, washers or other materials performing a sealing function do not determine the status of control, provided that such components are designed to be interchangeable.
005 kohdassa määritellyt ”substraatit”, joissa on vähintään yksi epitaksinen kerros piikarbidia, galliumnitridiä, aluminiumnitridiä tai aluminiumgalliumnitridiä.
'Carbon graphite' is a composition consisting of amorphous carbon and graphite, in which the graphite content is eight percent or more by weight.
”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu 3A001.b–3A002.g tai 3B kohdassa määriteltyjen laitteiden ”kehittämistä” tai ”tuotantoa” varten.
For the listed materials in the above entries, the term 'alloy' when not accompanied by a specific elemental concentration is understood as identifying those alloys where the identified metal is present in a higher percentage by weight than any other element.
”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu 3B001.a–f, 3B002 tai 3A225 kohdassa määriteltyjen laitteiden ”käyttöä” varten.
Toxic gas monitoring systems and their dedicated detecting components, other than those specified in 1A004, as follows; and detectors; sensor devices; and replaceable sensor cartridges therefor:
’Fysiikkapohjaiset’ simulaatio-”ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu sellaisten litografia-, syövytys- ja pinnoitusprosessien ”kehittämiseen”, jotka muuntavat maskin kuviot erityisiksi topografisiksi johtimien, eristeiden ja puolijohdemateriaalien kuvioiksi.
a.
’Fysiikkapohjaisella’ tarkoitetaan 3D003 kohdassa laskelmien käyttämistä fysikaalisten syy ja seuraus -tapahtumien jakson määrittämiseen fysikaalisten ominaisuuksien perusteella (esimerkiksi lämpötila, paine, diffuusiovakiot ja puolijohdemateriaalien ominaisuudet).
Designed for continuous operation and usable for the detection of chemical warfare agents or chemicals specified in 1C350, at concentrations of less than 0,3 mg/m3; or
Kirjastot, suunnitteluparametrit sekä niihin liittyvät tiedot puolijohdekomponenttien ja integroitujen piirien suunnittelua varten käsitetään ”teknologiaksi”.
b.
”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu 3A003 kohdassa määriteltyjen laitteiden ”kehittämistä” varten.
Designed for the detection of cholinesterase-inhibiting activity.
”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 3A101.b kohdassa määriteltyjen laitteiden ”käyttöä” varten.
Equipment capable of use in handling biological materials, as follows:
”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu vahvistamaan tai heikentämään taajuusmuuntimien tai generaattoreiden suorituskykyä, jotta 3A225 kohdan ominaisuudet täyttyvät.
a.
”Teknologia” yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A, 3B tai 3C kohdassa määriteltyjen laitteiden ja materiaalien ”kehittämistä” ja ”tuotantoa” varten.
Complete biological containment facilities at P3, P4 containment level;
001 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi 3A003 kohdassa valvottujen laitteiden tai komponenttien ”tuotantoa” varten tarvittavaa ”teknologiaa”.
P3 or P4 (BL3, BL4, L3, L4) containment levels are as specified in the WHO Laboratory Biosafety manual (3rd edition Geneva 2004).
001 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi sellaisten 3A001.a.3–3A001.a.12 kohtien mukaan valvonnanalaisten integroitujen piirien, ”kehittämistä” tai ”tuotantoa” varten tarvittavaa ”teknologiaa”, joilla on kaikki seuraavat:
b.
Ne käyttävät ”teknologiaa”, jonka koko on vähintään 0,130 μm; ja
Fermenters and components as follows:
Ne sisältävät monikerrosrakenteita, joissa on korkeintaan kolme metallikerrosta.
Fermenters capable of cultivation of pathogenic "microorganisms" or of live cells for the production of pathogenic viruses or toxins, without the propagation of aerosols, having a total capacity of 20 litres or more;
Muu kuin 3E001 kohdassa määritelty ”teknologia” yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti sellaisen ”mikroprosessorimikropiirin”, ”mikrotietokonemikropiirin” tai mikro-ohjainmikropiiriytimen ”kehittämistä” ja ”tuotantoa” varten, jonka aritmeettisloogisen yksikön hakuleveys on 32 bittiä tai enemmän ja jolla on jokin seuraavista piirteistä tai ominaisuuksista:
Components designed for fermenters in 2B352.b.1. as follows:
a. ’Vektoriprosessoriyksikkö’, joka on suunniteltu suorittamaan enemmän kuin kaksi laskutoimitusta liukulukuvektoreille (32-bittisten tai sitä suurempien lukujen yksiulotteiset matriisit) samanaikaisesti;
a.
’Vektoriprosessoriyksikkö’ on prosessorielementti, jossa on sisäänrakennetut käskyt, jotka suorittavat useita laskutoimituksia liukulukuvektoreille (32-bittisten tai sitä suurempien lukujen yksiulotteiset matriisit) samanaikaisesti, ja jossa on vähintään yhden vektorin aritmeettislooginen yksikkö.
Cultivation chambers designed to be sterilised or disinfected in situ;
b. Suunniteltu suorittamaan enemmän kuin neljä 64-bittistä tai sitä suurempaa liukulukutoimitusta kierrosta kohden; tai
b.
c. Suunniteltu suorittamaan enemmän kuin neljä 16-bittistä kiintolukutoimitusta kertolasku-summausta käyttäen kierrosta kohden (esimerkiksi sellaisen analogisen tiedon digitaalinen käsittely, joka on aiemmin muunnettu digitaaliseen muotoon eli digitaalinen ”signaalinkäsittely”)
Cultivation chamber holding devices;
c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi multimedialaajennuksia varten olevaa ”teknologiaa”.
c.
002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ”teknologiaa” yleisen sellaisten mikroprosessoriytimien ”kehittämistä” ja ”tuotantoa” varten, joilla on kaikki seuraavista:
Process control units capable of simultaneously monitoring and controlling two or more fermentation system parameters (e.g., temperature, pH, nutrients, agitation, dissolved oxygen, air flow, foam control);
Niihin sisältyy monikerroksisia rakenteita, joissa on viisi metallikerrosta tai vähemmän.
For the purposes of 2B352.b. fermenters include bioreactors, single-use (disposable) bioreactors, chemostats and continuous-flow systems.
002 kohtaan sisältyy ”teknologia” digitaalisia signaalinkäsittelijöitä ja digitaalisia taulukkosuorittimia varten.
c.
Muu ”teknologia” seuraavien ”kehittämistä” ja ”tuotantoa” varten:
Centrifugal separators, capable of continuous separation without the propagation of aerosols, having all the following characteristics:
a. Tyhjö-mikroelektroniset komponentit;
Flow rate exceeding 100 litres per hour;
b. Heterorakenteiset elektroniset puolijohdekomponentit, kuten korkean elektroniliikkuvuuden transistorit (HEMT), heterobipolaaritransistorit (HBT), kvanttikuoppa- tai superhilakomponentit;
Components of polished stainless steel or titanium;
b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ”teknologiaa” alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia HEMT-transistoreja varten ja alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia heteroliitosbipolaaritransistoreja (HBT) varten.
One or more sealing joints within the steam containment area; and
c. ”Suprajohtavat” elektroniset komponentit;
Capable of in-situ steam sterilisation in a closed state;
d. Elektronisten komponenttien timanttifilmisubstraatit;
Centrifugal separators include decanters.
e. Piieristyssubstraatit integroiduille piireille, joissa eristysaineena on piidioksidi;
d.
f. Piikarbidisubstraatit elektronisille komponenteille;
Cross (tangential) flow filtration equipment and components as follows:
g. Elektroniset tyhjöputket, jotka toimivat 31,8 GHz:n tai suuremmilla taajuuksilla.