natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Detonator firing sets (initiator systems, firesets), including electronically-charged, explosively-driven and optically-driven firing sets, other than those specified in 1A007.a., designed to drive multiple controlled detonators specified in 1A007.b.;
Yksitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 20 W;
b.
b. ”Pulssin kesto” on vähintään 1 ps mutta enintään 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Lähtöenergia on yli 0,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 50 W;
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
Yksitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 20 W; tai
Capable of delivering their energy in less than 15 μs into loads of less than 40 ohms;
Monitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 50 W; tai
Having an output greater than 100 A;
c. ”Pulssin kesto” on yli 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
No dimension greater than 30 cm;
Lähtöenergia on yli 2 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 50 W;
Weight less than 30 kg; and
Yksitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 50 W; tai
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Monitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 80 W;
b. includes xenon flash-lamp drivers.
Lähtöaallonpituus on yli 975 nm mutta enintään 1150 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
c.
a. ”Pulssin kesto” on alle 1 ps, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Micro-firing units having all of the following characteristics:
Ulostulon ”huipputeho” on yli 2 GW pulssia kohti;
No dimension greater than 35 mm;
”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 10 W; tai
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
Lähtöenergia on yli 0,002 J pulssia kohti;
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
b. ”Pulssin kesto” on vähintään 1 ps mutta alle 1 ns, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
Ulostulon ”huipputeho” on yli 5 GW pulssia kohti;
a.
Lähtöenergia on yli 0,1 J pulssia kohti;
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
c. ”Pulssin kesto” on vähintään 1 ns mutta enintään 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
b.
Yksitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
'Pulse transition time' less than 500 ps.
a. ”Huipputeho” on yli 100 MW;
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
b. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 20 W, ja ne on suunniteltu niin, että suurin mahdollinen pulssintoistotaajuus on enintään 1 kHz;
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
c. ’Laserin hyötysuhde’ on yli 12 prosenttia ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 100 W, ja ne kykenevät toimimaan yli 1 kHz:n pulssintoistotaajuudella;
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
d. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 150 W, ja ne kykenevät toimimaan yli 1 kHz:n pulssintoistotaajuudella; tai
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
e. Lähtöenergia on yli 2 J pulssia kohti; tai
a.
Monitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Designed for operation without an external vacuum system; and
a. ”Huipputeho” on yli 400 MW;
b.
b. ’Laserin hyötysuhde’ on yli 18 % ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 500 W;
Utilizing any of the following:
c. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 2 kW; tai
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
d. Lähtöenergia on yli 4 J pulssia kohti; tai
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
d. ”Pulssin kesto” on yli 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
a. ”Huipputeho” on yli 500 kW;
See 1A007.b. for detonators.
b. ’Laserin hyötysuhde’ on yli 12 % ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 100 W; tai
b.
c. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 150 W; tai
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5,000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
a. ”Huipputeho” on yli 1 MW;
232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
b. ’Laserin hyötysuhde’ on yli 18 % ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 500 W; tai
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
c. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 2 kW;
a.
Lähtöaallonpituus on yli 1150 nm mutta enintään 1555 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
a. ”Pulssin kesto” on enintään 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
b.
b. ”Pulssin kesto” on yli 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Monitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 80 W; tai
c.
Lähtöaallonpituus on yli 1555 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
a. Lähtöenergia on yli 100 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 1 W; tai
d.
c. ”Viritettävät” ”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
Lähtöaallonpituus on alle 600 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho on yli 1 W;
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
c.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi väriainelasereita tai muita nestelasereita, joilla on monimuotolähtö ja joiden aallonpituus on vähintään 150 nm mutta enintään 600 nm ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
e.
Lähtöenergia on vähemmän kuin 1,5 J pulssia kohti tai ”huipputeho” on vähemmän kuin 20 W; ja
Not used;
Keskimääräinen tai CW-lähtöteho on vähemmän kuin 20 W.
f.
Lähtöaallonpituus on vähintään 600 nm mutta enintään 1400 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
a. Lähtöenergia on yli 1 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 20 W; tai
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho on yli 20 W; tai
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
Lähtöaallonpituus on yli 1400 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
d. Muut ”laserit”, joita ei ole määritelty 6A005.a, 6A005.b tai 6A005.c kohdassa, seuraavasti:
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
Seuraavat puolijohde”laserit”:
a.
d.1 kohta sisältää puolijohde”laserit”, joilla on optinen ulostulo (esim. kuituoptiset häntäkaapelit).
Voltage rating greater than 2 kV; and
Erityisesti muita laitteita varten suunniteltujen puolijohdelaserien valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden mukaan.
b.
a. Erilliset yksitransversaalimoodissa toimivat puolijohde”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Inductance of less than 20 nH.
Aallonpituus on enintään 1510 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho on suurempi kuin 1,5 W; tai
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Aallonpituus on suurempi kuin 1510 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho on yli 500 mW;
a.
b. Erilliset monitransversaalimoodissa toimivat puolijohde”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Aallonpituus vähintään 1400 nm mutta pienempi kuin 1900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 2,5 W; tai
a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Aallonpituus vähintään 1900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 1 W;
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
c. Erilliset puolijohde”laser”’liuskat’, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Aallonpituus on pienempi kuin 1400 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 100 W;
b.
Aallonpituus vähintään 1400 nm mutta pienempi kuin 1900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 25 W; tai
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Aallonpituus vähintään 1900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 10 W;
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
d. Puolijohde”laser”’pinot’ (kaksiulotteiset rakenteet), joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Direct write capability;
Aallonpituus pienempi kuin 1400 nm ja jokin seuraavista ominaisuuksista:
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
a. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho pienempi kuin 3 kW ja keskimääräinen tai CW-lähtö’tehotiheys’ suurempi kuin 500 W/cm2;
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
b. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho vähintään 3 kW mutta enintään 5 kW, ja keskimääräinen tai CW-lähtö’tehotiheys’ suurempi kuin 350 W/cm2;
c.
c. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 5 kW;
Anisotropic plasma dry etching equipment having all of the following:
d. Pulssin huippu’tehotiheys’ suurempi kuin 2500 W/cm2;tai tai
Designed or optimised to produce critical dimensions of 65 nm or less; and
e. Avaruudellisesti koherentti keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 150 W;
Within-wafer non-uniformity equal to or less than 10 % 3σ measured with an edge exclusion of 2 mm or less;
Aallonpituus vähintään 1400 nm mutta pienempi kuin 1900 nm, ja jokin seuraavista ominaisuuksista:
d.
a. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho pienempi kuin 250 W ja keskimääräinen tai CW-lähtö’tehotiheys’ suurempi kuin 150 W/cm2;
Not used;
b. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho vähintään 250 W mutta enintään 500 W, ja keskimääräinen tai CW-lähtö’tehotiheys’ suurempi kuin 50 W/cm2;
e.
c. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 500 W;
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
d. Pulssin huippu’tehotiheys’ suurempi kuin 500 W/cm2;tai tai
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a., 3B001.b. or 3B001.c. are designed to be connected; and
e. Avaruudellisesti koherentti keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 15 W;
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
Aallonpituus vähintään 1900 nm ja jokin seuraavista ominaisuuksista:
e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
a. Keskimääräinen tai CW-lähtö’tehotiheys’ suurempi kuin 50 W/cm2;
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 10 W; tai
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
c. Avaruudellisesti koherentti keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 1,5 W; tai
f.
Vähintään yksi 6A005.d.1.c kohdassa määritelty ”laser”’liuska’;
Lithography equipment as follows:
Sovellettaessa 6A005.d.1.d kohtaa ’tehotiheydellä’ tarkoitetaan kokonais”laser”lähtötehoa jaettuna ’pinon’ emitteripinta-alalla.
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
e. Muut kuin 6A005.d.1.d kohdassa määritellyt puolijohde”laser”’pinot’, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a.
Erityisesti suunnitellut tai muunnetut yhdistettäväksi muihin ’pinoihin’, jotta voidaan muodostaa suurempi ’pino’; ja
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
Integroidut liitännät, jotka ovat yhteisiä sekä elektroniikalle että jäähdytykselle;
b.
d.1.e kohdassa määriteltyjä puolijohde”laser”’pinoja’ yhdistämällä muodostetut ’pinot’, joita ei ole suunniteltu edelleen yhdistettäväksi tai muunnettavaksi, on määritelty 6A005.d.1.d kohdassa.
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
d.1.e kohdassa määriteltyjä puolijohde”laser”’pinoja’ yhdistämällä muodostetut ’pinot’, jotka on suunniteltu edelleen yhdistettäväksi tai muunnettavaksi, on määritelty 6A005.d.1.e kohdassa.
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
d.1.e kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi yksittäisten ’liuskojen’ modulaarisia kokoonpanoja, jotka on suunniteltu valmistettavaksi päästä päähän lineaarisiksi rakenteiksi.
an exposure light source wavelength in nm
Puolijohde”lasereita” kutsutaan tavallisesti ”laser”diodeiksi.
× K factor
’Liuska’ (myös nimellä puolijohde”laser”’liuska’, ”laser”diodi’liuska’ tai diodi’liuska’) muodostuu useista puolijohde”lasereista” yksiulotteisessa rakenteessa.
numerical aperture
’Pino’ muodostuu useista ’liuskoista’, jotka muodostavat puolijohde”laserien” kaksiulotteisen rakenteen.
where the K factor = 0,35
Hiilimonoksidi(CO)”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
a. Lähtöenergia on yli 2 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 5 kW; tai
f.2. includes:
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho on yli 5 kW;
Micro contact printing tools
Hiilidionoksidi(CO2)”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Hot embossing tools
a. CW-lähtöteho on yli 15 kW;
Nano-imprint lithography tools
b. Pulssiulostulon ”pulssin kesto” on yli 10 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 10 kW; tai
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
”Huipputeho” on yli 100 kW; tai
a.
c. Pulssiulostulon ”pulssin kesto” on enintään 10 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
Pulssin energia on yli 5 J pulssia kohti; tai
A spot size smaller than 0,2 μm;
”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 2,5 kW;
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
Eksimeeri”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
a. Lähtöaallonpituus on enintään 150 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
g.
Lähtöenergia on yli 50 mJ pulssia kohti; tai
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 1 W;
h.
b. Lähtöaallonpituus on yli 150 nm mutta enintään 190 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti; tai
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 120 W;
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
c. Lähtöaallonpituus on yli 190 nm mutta enintään 360 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Lähtöenergia on yli 10 J pulssia kohti; tai
i.
”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 500 W; tai
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
d. Lähtöaallonpituus on yli 360 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
Erityisesti litografialaitteita varten suunniteltujen eksimeeri ”lasereiden” osalta katso 3B001 kohta.
a.
Seuraavat ”kemialliset laserit”:
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
a. Vetyfluoridi(HF) ”laserit”;
c.
b. Deuteriumfluoridi(DF) ”laserit”;
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
c. Seuraavat ”siirtolaserit”:
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Happijodi(O2-I) ”laserit”;
a.
Deuteriumfluoridihiilidioksidi(DF-CO2) ”laserit”;
Silicon (Si);
Yksittäisiä pulsseja tuottavat neodyymilasi”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
b.
a. ”Pulssin kesto” on enintään 1 μs ja lähtöenergia on yli 50 J pulssia kohti; tai
Germanium (Ge);
b. ”Pulssin kesto” on yli 1 μs ja lähtöenergia on yli 100 J pulssia kohti;
c.
e. Seuraavat komponentit:
Silicon carbide (SiC); or
’Aktiivisella jäähdytyksellä’ tai lämpöputkijäähdytyksellä jäähdytetyt peilit;
d.
’Aktiivinen jäähdytys’ on optisten osien jäähdytystekniikka, jossa käytetään välittömästi optisen komponentin pinnan alla virtaavia nesteitä (nimellisetäisyys optisesta pinnasta vähemmän kuin 1 mm) siirtämään lämpöä optiikasta.
"III/V compounds" of gallium or indium.
Optiset peilit tai läpäisevät tai osittain läpäisevät optiset tai sähköoptiset komponentit, muut kuin sulatetut suippenevat kuituliittimet ja monikerroksiset dielektriset hilat (MLD), jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi määriteltyjen ”lasereiden” kanssa; Huom.:
d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Kuituliittimet ja MLD:t määritellään 6A005.e.3 kohdassa.
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Seuraavat kuitu”laser”komponentit:
a.
a. Sulatetut suippenevat kuituliittimet (monimuoto/monimuoto), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
Väliinkytkemisvaimennus on 0,3 dB tai vähemmän (parempi) pidettynä nimellisellä keskimääräisellä tai CW-lähtöteholla (pois luettuna mahdollisen yksimuotoytimen kautta siirretty lähtöteho), joka on yli 1000 W; ja
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
Syöttökuitujen lukumäärä on vähintään 3;
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
b. Sulatetut suippenevat kuituliittimet (yksimuoto/monimuoto), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
b.
Väliinkytkemisvaimennus on vähemmän (parempi) kuin 0,5 dB pidettynä nimellisellä keskimääräisellä tai CW-lähtöteholla, joka on yli 4600 W;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Syöttökuitujen lukumäärä on vähintään 3; ja
d.
a. Sädeparametritulo (BPP) lähtötehosta mitattuna on enintään 1,5 mm mrad, kun syöttökuituja on enintään 5; tai
All resists optimised for surface imaging technologies;
b. Sädeparametritulo (BPP) lähtötehosta mitattuna on enintään 2,5 mm mrad, kun syöttökuituja on enemmän kuin 5;
e.
c. Monikerroksiset dielektriset hilat (MLD), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Suunniteltu vähintään 5 kuitu”laserin” spektri- tai koherentin säteen yhdistelmää varten; ja
Organo-inorganic compounds as follows:
CW LIDT (Laser Induced Damage Threshold) on vähintään 10 kW/cm2.
a.
f. Seuraavat optiset laitteet:
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
”SHPL”-sovelluksissa toimimaan kykenevät yhteisen aukon optiset elementit: katso asetarvikeluettelo.
b.
Dynaamiset aaltorintaman (vaiheen) mittauslaitteet, jotka kykenevät rekisteröimään ainakin 50 positiota säteen aaltorintamasta ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
a. Kuvanopeus on vähintään 100 Hz ja vaiheen erottelukyky vähintään 5 % säteen aallonpituudesta; tai
003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
b. Kuvanopeus on vähintään 1000 Hz ja vaiheen erottelukyky vähintään 20 % säteen aallonpituudesta;
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
”Laserien” diagnostiikkalaitteet, jotka kykenevät mittaamaan ”SHPL”-järjestelmän säteen ohjauksen kulmavirheitä, jotka ovat enintään 10 μrad;
004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Optiset laitteet tai komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu vaiheistettujen ryhmien koherenttia sädettä kombinoivaa ”SHPL”-järjestelmää varten tarkkuudella, joka on seuraavista pienempi: λ/10 suunnitellulla aallonpituudella tai 0,1 μm;
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
Erityisesti ”SHPL”-järjestelmissä käytettäväksi tarkoitetut projektioteleskoopit.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
g. ’Laserakustiset havainnointilaitteet’, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
Jatkuvatoimisen (CW-) laserin lähtöteho on vähintään 20 mW;
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
Laserin taajuusvakavuus 10 MHz tai parempi (vähemmän);