natgillin/translations-raw huggingface dataset:
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Huom. 2:
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
Radiovastaanottimien osalta katso 5A001.b.5.
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
g. Passiiviset koherentit paikantamisjärjestelmät (ns. passiiviset tutkat) tai -laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu havaitsemaan ja jäljittämään liikkuvia esineitä mittaamalla muista lähettimistä kuin tutkista lähtöisin olevien ympäröivien radiotaajuusemissioiden heijastuksia;
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
Muut lähettimet kuin tutkat voivat olla kaupallisessa radio-, televisio- tai solukkopohjaisessa televerkkoliikenteessä käytettäviä tukiasemia.
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
g kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraavia:
a.
Radioastronomiset laitteet; tai
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
Järjestelmät tai laitteet, joiden toiminta edellyttää kohteesta peräisin olevia radiolähetyksiä.
b.
h. Improvisoitujen räjähteiden (IED) torjuntaan tarkoitetut laitteet ja niihin liittyvät laitteet seuraavasti:
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
Radiotaajuuslähetyslaitteet, joita ei ole määritelty 5A001.f kohdassa ja jotka on suunniteltu tai muunnettu ennenaikaisesti aktivoimaan tai estämään omatekoisten räjähteiden laukaisu;
c.
Laitteet, jotka hyödyntävät tekniikkaa, joka on suunniteltu mahdollistamaan radioviestintä saman taajuuden kanavilla, joita 5A001.h.1 kohdassa määritellyt samalla alueella sijaitsevat laitteet käyttävät.
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
i. Ei käytössä;
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
Ne suorittavat kaikkia seuraavia IP-runkoverkossa (esim. kansallisen tason IP-runkoverkko):
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
a. Analysoivat sovelluskerroksessa (esim. avointen järjestelmien yhteenliittämismallin (OSI) 7. kerros (ISO/IEC 7498-1));
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
b. Poimivat valittua metatietoa ja sovellussisältöä (esim. ääntä, videota, viestejä, liitteitä); ja
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
c. Indeksoivat poimittuja tietoja; ja
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Ne on erityisesti suunniteltu suorittamaan kaikki seuraavista:
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
a. Hakujen suorittaminen ’kiinteiden kriteereiden’ perusteella; ja
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
b. Yksittäisen henkilön tai ihmisryhmän suhdeverkoston kartoittaminen.
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
j kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi järjestelmiä tai laitteita, jotka on erityisesti suunniteltu jotakin seuraavaa varten:
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
Myyntitarkoitus;
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Verkkopalvelujen laatu (Network Quality of Service (QoS)); tai
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
Käyttäjäkokemuksen laatu (Quality of Experience (QoE)).
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
’Kiinteät kriteerit’ (hard selectors) tarkoittavat tietoa tai tietojoukkoa, joka liittyy yksittäiseen henkilöön (esim. sukunimi, etunimi, sähköpostiosoite, katuosoite, puhelinnumero tai erilaisiin ryhmiin kuuluminen).
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
Kaukomittaus- tai kaukohallintalaitteet, mukaan lukien maalaitteet, jotka on suunniteltu tai muunnettu ’ohjuksia’ varten.
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
101 kohdassa ’ohjuksella’ tarkoitetaan täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka on yli 300 km.
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
101 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
Laitteita, jotka on suunniteltu tai muunnettu miehitettyjä ilma-aluksia tai satelliitteja varten;
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — TECHNICAL NOTE
Maassa sijaitsevia laitteita, jotka on suunniteltu tai muunnettu maa- tai merisovelluksia varten;
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Laitteita, jotka on suunniteltu kaupallisia, siviili- tai ihmishenkien turvallisuutta koskevia (esimerkiksi eheys, lentoturvallisuus) GNSS-palveluja varten.
a.
Seuraavat tietoliikenteen testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet, -komponentit ja -varusteet
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
a. Laitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit ja varusteet, jotka on erityisesti suunniteltu 5A001 kohdassa määriteltyjen laitteiden, toimintojen tai ominaisuuksien ”kehittämistä” tai ”tuotantoa” varten.
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
a kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi optisten kuitujen karakterisointilaitteita.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
b. Laitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit ja varusteet, jotka on erityisesti suunniteltu seuraavien tietoliikenteen tai siirtolaitteiden ”kehittämiseen”:
N.B.
Laitteet, jotka käyttävät ”laseria” ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
a. Siirrossa käytetty aallonpituus on yli 1750 nm;
N.B.
b. Suorittavat ”optista vahvistusta” käyttämällä praseodyymikyllästettyjä fluoridikuituvahvistimia (PDFFA);
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
c. Käyttävät koherenttia optista siirtotekniikkaa tai koherenttia optista ilmaisutekniikkaa; tai
N.B.
b.2.c kohdassa asetetaan valvonnanalaiseksi laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu sellaisten järjestelmien ”kehittämistä” varten, jotka käyttävät optista paikallisoskillaattoria vastaanottopuolella kantoaalto ”laserin” synkronoimiseen.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Sovellettaessa 5B001.b.2.c kohtaa näihin tekniikoihin sisältyvät optinen heterodyne-, homodyne- tai intradyne-tekniikka.
b.
d. Käyttävät analogiatekniikkaa ja kaistanleveys on yli 2,5 GHz; tai
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
b.2.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kaupallisten TV-järjestelmien ”kehittämistä” varten erityisesti suunniteltuja laitteita.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
Radiolaitteet, jotka käyttävät kvadratuuri-amplitudimodulointitekniikkaa (QAM), jonka taso ylittää 256;
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
Ei ole.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
a. ”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 5A001 kohdassa määriteltyjen laitteiden, toimintojen tai ominaisuuksien ”kehittämistä”, ”tuotantoa” tai ”käyttöä” varten;
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
c. Erityiset ”ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu toteuttamaan 5A001 tai 5B001 kohdassa määriteltyjen laitteiden ominaisuuksia, toimintoja tai piirteitä;
Specific TE-PVD processes are as follows:
d. ”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu seuraavien tietoliikenteen siirto- tai kytkentälaitteiden ”kehittämistä” varten:
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
a. Siirrossa käytetty aallonpituus on yli 1750 nm; tai
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
b. Käyttävät analogiatekniikkaa ja kaistanleveys on yli 2,5 GHz; tai
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
d.2.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ”ohjelmistoja”, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu kaupallisten TV-järjestelmien ”kehittämistä” varten.
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
Radiolaitteet, jotka käyttävät kvadratuuri-amplitudimodulointitekniikkaa (QAM), jonka taso on yli 256.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 5A101 kohdassa määriteltyjen laitteiden ”käyttöä” varten.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Seuraava ”teknologia”:
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
a. ”Teknologia” yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti, joka on tarkoitettu 5A001 kohdassa määriteltyjen laitteiden, toimintojen tai piirteiden tai 5D001.a kohdassa määriteltyjen ”ohjelmistojen” ”kehittämistä”, ”tuotantoa” tai ”käyttöä” varten (toimintaa lukuun ottamatta);
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
b. Seuraava erityinen ”teknologia”:
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Satelliiteissa käytettäväksi erityisesti suunniteltujen tietoliikennelaitteiden ”kehitystä” tai ”tuotantoa” varten ”tarvittava” ”teknologia”;
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
”Teknologia” sellaisten ”laser” tietoliikennetekniikoiden ”kehittämistä” tai ”käyttöä” varten, joilla kyetään automaattisesti seuraamaan signaaleja ja ylläpitämään yhteyttä ilmakehän ulkopuolella tai vedenpinnan alla;
c.
”Teknologia” sellaisten digitaalisen solukkoradiotukiaseman vastaanottolaitteiden kehittämistä varten, joiden monitaajuus-, monikanava-, monimuoto-, monikoodausalgoritmi- tai monikäytäntökäytön mahdollistavaa vastaanottokykyä voidaan muuntaa ”ohjelmiston” muutoksilla;
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
”Teknologia” ”hajaspektri” tekniikoiden, ”taajuushyppely” tekniikat mukaan lukien, ”kehittämistä” varten;
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
b.4 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ”teknologiaa” seuraavien ”kehittämistä” varten:
An activator (normally a halide salt); and
c. Yleisen teknologiahuomautuksen mukainen ”teknologia”, joka on tarkoitettu seuraavien ”kehittämiseen” tai ”tuotantoon”:
An inert powder, most frequently alumina.
Laitteet, jotka käyttävät digitaalitekniikkaa ja jotka on suunniteltu toimimaan yli 560 Gbit/s ”digitaalisella kokonaissiirtonopeudella”;
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Televiestintäsiirtolaitteiden osalta ”digitaalinen kokonaissiirtonopeus” on yhden liitännän yksisuuntainen nopeus mitattuna nopeimmasta portista tai reitistä.
d.
b. Suorittavat ”optista vahvistusta” käyttämällä praseodyymikyllästettyjä fluoridikuituvahvistimia (PDFFA);
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
c. Käyttävät koherenttia optista siirtotekniikkaa tai koherenttia optista ilmaisutekniikkaa;
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
c.2.c kohdassa asetetaan valvonnanalaiseksi ”teknologia” sellaisten järjestelmien ”kehittämistä” tai ”tuotantoa” varten, jotka käyttävät optista paikallisoskillaattoria vastaanottopuolella kantoaalto ”laserin” synkronoimiseen.
N.B. 1
Sovellettaessa 5E001.c.2.c kohtaa näihin tekniikoihin sisältyvät optinen heterodyne,- homodyne- tai intradyne-tekniikka.
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
d. Käyttävät aallonpituusjakoon perustuvaa kanavointitekniikkaa, jossa optisten kantoaaltojen välinen etäisyys on alle 100 GHz; tai
N.B.
e. Käyttävät analogiatekniikkaa ja kaistanleveys on yli 2,5 GHz;
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
c.2.e kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kaupallisten TV-järjestelmien ”kehittämiseen” tai ”tuotantoon” tarkoitettua ”teknologiaa”.
e.
Muiden laseria käyttävien laitteiden kuin televiestintälaitteiden ”kehittämiseen” tai ”tuotantoon” tarkoitetun ”teknologian” osalta katso 6E kohta.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Laitteet, jotka käyttävät ”optista kytkentää” ja joiden kytkentäaika on alle 1 ms.
f.
Radiolaitteet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
a. Käyttävät kvadratuuri-amplitudimodulointitekniikkaa (QAM), jonka taso on yli 256;
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
b. Niiden tulo- tai lähtötaajuus on yli 31,8 GHz; tai
N.B.
c.4.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi sellaisten laitteiden ”kehittämiseen” tai ”tuotantoon” tarkoitettua ”teknologiaa”, jotka on suunniteltu tai muunnettu toimimaan taajuuskaistalla, joka on ”ITU:n allokoima” radioviestintäpalveluille mutta ei radiomääritykselle.
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
c. Toimivat 1,5–87,5 MHz:n kaistalla ja sisältävät adaptiivisen tekniikan, joka antaa paremman häiriösignaalien vaimennuksen kun 15 dB; tai
N.B.
Matkaviestinlaitteet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
a. Käyttävät optista aallonpituutta, joka on vähintään 200 nm ja enintään 400 nm; ja
g.
b. Toimivat ”paikallisverkkona”;
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
d. ”Teknologia” yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti erityisesti televiestintään tarkoitettujen sellaisten monoliittisina integroituina mikroaaltopiireinä (MMIC) toteutettujen tehovahvistimien ”kehittämistä” tai ”tuotantoa” varten, jotka ovat joitakin seuraavista:
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
Sovellettaessa 5E001.d kohtaa parametrin kyllästyneeseen huippulähtötehoon voidaan viitata tuotetiedoissa myös lähtötehona, kyllästyneenä antotehona, enimmäistehona, huipputehona tai lähdön modulaatiohuipputehona.
CATEGORY 3 —
Ne toimivat yli 2,7 GHz:n ja enintään 6,8 GHz:n taajuuksilla, niiden ”suhteellinen kaistanleveys” on yli 15 prosenttia, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
ELECTRONICS
a. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 75 W (48,75 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 2,7 GHz ja enintään 2,9 GHz;
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.13, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
b. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 55 W (47,4 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 2,9 GHz ja enintään 3,2 GHz;
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.13 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
c. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 40 W (46 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 3,2 GHz ja enintään 3,7 GHz; tai
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.13.
d. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 20 W (43 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 3,7 GHz ja enintään 6,8 GHz;
Electronic components and specially designed components therefor, as follows:
Ne toimivat yli 6,8 GHz:n ja enintään 16 GHz:n taajuuksilla, niiden ”suhteellinen kaistanleveys” on yli 10 prosenttia, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a.
a. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 10 W (40 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 6,8 GHz ja enintään 8,5 GHz; tai
General purpose integrated circuits, as follows:
b. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 5 W (37 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 8,5 GHz ja enintään 16 GHz;
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Ne toimivat yli 3 W:n (34,77 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 16 GHz ja enintään 31,8 GHz, ja niiden ”suhteellinen kaistanleveys” on yli 10 prosenttia;
Integrated circuits include the following types:
Ne toimivat yli 0,1 nW:n (-70 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 31,8 GHz ja enintään 37 GHz;
"Multichip integrated circuits";
Ne toimivat yli 10 mW:n (10 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 75 GHz ja enintään 90 GHz, ja niiden ”suhteellinen kaistanleveys” on yli 5 prosenttia; tai
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
Ne toimivat yli 0,1 nW:n (-70 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 90 GHz;
"Optical integrated circuits";
e. ”Teknologia” yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti erityisesti televiestintään tarkoitettujen sellaisten elektronisten laitteiden ja piirien ”kehittämistä” tai ”tuotantoa” varten, jotka sisältävät ”suprajohtavista” materiaaleista valmistettuja komponentteja ja jotka on erityisesti suunniteltu toimimaan ainakin yhden ”suprajohtavan” ainesosansa ”kriittisen lämpötilan” alapuolella, ja joilla on jokin seuraavista:
"Three dimensional integrated circuits".
Taajuuden valinta kaikilla taajuuksilla käyttäen resonanssipiirejä, joiden Q-arvo on yli 10000.
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
”TIEDONSUOJAUS”
b.
”Tiedonsuojaus” tuotteiden tai -toimintojen valvonnanalaisuus määritellään 5 ryhmän 2 osassa, myös siinä tapauksessa, että ne ovat muiden järjestelmien tai laitteiden komponentteja, ”ohjelmistoja” tai toimintoja.
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
5 ryhmän 2 osassa ei aseteta valvonnanalaiseksi tuotteita, jotka ovat käyttäjän hallussa hänen henkilökohtaista käyttöään varten.
c.
Salausta koskevissa huomautuksissa 5A002 ja 5D002 ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraavia:
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Tuotteet, jotka täyttävät kaikki seuraavat:
a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Ovat yleisesti yleisön ostettavissa rajoituksitta vähittäismyyntipisteissä varastosta jollain seuraavista tavoista: