natgillin/translations-raw huggingface dataset:
"Average output power" exceeding 20 W limited by design to a maximum pulse repetition frequency less than or equal to 1 kHz;
"LIITE IV
c.
(Tämän asetuksen 22 artiklan 1 kohdassa tarkoitettu luettelo)
'Wall-plug efficiency' exceeding 12 %, "average output power" exceeding 100 W and capable of operating at a pulse repetition frequency greater than 1kHz;
Tuotteen mainitseminen tässä liitteessä ei vaikuta liitteessä I olevia massatuotantotuotteita koskevien säännösten soveltamiseen.
d.
I OSA
"Average output power" exceeding 150 W and capable of operating at a pulse repetition frequency greater than 1 kHz; or
001 Sähkömagneettisia aaltoja absorboiviksi erityisesti suunnitellut materiaalit tai itseisjohtavat polymeerit
e.
KATSO MYÖS 1C101 KOHTA.
Output energy exceeding 2 J per pulse; or
Muut, kuin 1C001 kohdassa määritellyt, "ohjuksissa", "ohjusten" alajärjestelmissä tai 9A012 kohdassa määritellyissä miehittämättömissä ilma-aluksissa käyttökelpoiset materiaalit ja laitteet, jotka pienentävät havaittavuutta, kuten tutkaheijastavuutta, ultravioletti-, infrapuna- tai akustista havaittavuutta.
"Peak power" exceeding 400 MW;
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1D103 kohdassa määriteltyjen "ohjelmistojen" "kehittämistä" varten.
b.
Tutkan kaikupinnan pulssimittausjärjestelmät, joiden lähetettävien pulssien leveydet ovat enintään 100 ns, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit.
'Wall-plug efficiency' exceeding 18 % and "average output power" exceeding 500 W;
KATSO MYÖS 6B108 KOHTA.
c.
Järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tutkapoikkipintojen mittaamiseen ja joita voidaan käyttää "ohjuksissa", ja niiden alajärjestelmät.
"Average output power" exceeding 2 kW; or
Yhteisön strateginen valvonta
d.
Seuraavat laitteet ja laitteistot, jotka on erityisesti suunniteltu latausten ja "energeettisiä aineita" sisältävien laitteiden laukaisemiseen sähköisin keinoin:
Output energy exceeding 4 J per pulse; or
a. Räjähtävien sytyttimien laukaisulaitteet, jotka on suunniteltu laukaisemaan jäljempänä 1A007.b kohdassa määriteltyjä valvonnanalaisia monipiste sytyttimiä;
d.
b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi sytyttimiä, joissa käytetään vain ensiöräjähteitä, esimerkiksi lyijyatsidia.
"Pulse duration" exceeding 1 μs and any of the following:
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1C239 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.
"Peak power" exceeding 500 kW;
KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO.
b.
Seuraavat, muut kuin edellä 1A007 kohdassa määritellyt monipistesytytinjärjestelmät…
'Wall-plug efficiency' exceeding 12 % and "average output power" exceeding 100 W; or
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti A228.a., 3A228.b. tai 3A231 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.
c.
Akustiikka seuraavasti:
"Average output power" exceeding 150 W; or
Kohteen havaitsemis- tai paikantamisjärjestelmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a.
Lähetystaajuus on alle 5 kHz;
"Peak power" exceeding 1 MW;
Suunniteltu kestämään …;
b.
Hydrofonit … jotka sisältävät …
'Wall-plug efficiency' exceeding 18 % and "average output power" exceeding 500 W; or
Hydrofonit … joilla on …
c.
Hydrofonit … jotka on suunniteltu …
"Average output power" exceeding 2 kW;
Hinattavat akustiset hydrofonijärjestelmät …
Output wavelength exceeding 1150 nm but not exceeding 1555 nm, and any of the following:
Hinattavien akustisten hydrofonijärjestelmien reaaliaikaisia sovelluksia varten erityisesti suunnitellut (signaalien) käsittelylaitteet, jotka ovat "käyttäjän ohjelmoitavissa" ja joissa on aika- tai taajuusalueen käsittely ja korrelaatio, mukaan lukien spektrianalyysi, digitaalinen suodatus ja säteen muotoilu käyttäen nopeaa Fourier-muunnosta tai muita muunnoksia tai käsittelyjä;
a.
Pohja- tai poukamakaapelijärjestelmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"Pulse duration" not exceeding 1 μs and any of the following:
Sisältää hydrofoneja … tai
b.
Sisältää multipleksoituja hydrofoniryhmien signaalimoduuleja …;
"Pulse duration" exceeding 1 μs and any of the following:
Pohja- tai poukamakaapelijärjestelmien reaaliaikaisia sovelluksia varten erityisesti suunnitellut (signaalien) käsittelylaitteet, jotka ovat "käyttäjän ohjelmoitavissa" ja joissa on aika- tai taajuusalueen käsittely ja korrelaatio, mukaan lukien spektrianalyysi, digitaalinen suodatus ja säteen muotoilu käyttäen nopeaa Fourier-muunnosta tai muita muunnoksia tai käsittelyjä;
Multiple transverse mode output and "average output power" exceeding 80 W; or
"Ohjelmistot" akustisen tiedon "tosiaikaiseksi käsittelemiseksi";
Output wavelength exceeding 1555 nm and any of the following:
b.
a.
'Aktiiviset äänen vaimennus- tai kumoamisjärjestelmät' tai tehonsiirtojärjestelmiin erityisesti suunnitellut magneettiset laakerit, jotka sisältävät elektronisia ohjausjärjestelmiä ja jotka kykenevät aktiivisesti vähentämään laitteiden tärinää tuottamalla melun tai tärinän vastasignaaleja suoraan melun tai tärinän lähteeseen;
Output energy exceeding 100 mJ per pulse and "peak power" exceeding 1 W; or
"Teknologia", joka on tarkoitettu erityisesti vedenalaisen melun vähentämiseen suunniteltujen potkurien "kehittämistä", "tuotantoa", korjausta, huoltoa tai uudelleenkoneistamista varten.
c.
Yhteisön strateginen valvonta – Salaus – 5 ryhmän 2 osa
"Tunable" "lasers" having any of the following:
Laitteet, jotka on suunniteltu tai muunnettu suorittamaan 'salauksen analysointitoimintoja'.
Output wavelength less than 600 nm and any of the following:
Huom.:
b.
a.2 kohta sisältää järjestelmät tai laitteet, jotka on suunniteltu tai muunnettu suorittamaan 'salauksen analysointitoimintoja' takaisinmallinnustekniikalla.
Average or CW output power exceeding 1 W;
Ainoastaan "ohjelmistot", joilla on 5A002.a.2 kohdassa määriteltyjen laitteiden ominaisuuksia tai jotka suorittavat tai simuloivat niiden toimintoja;
c.1. does not control dye lasers or other liquid lasers, having a multimode output and a wavelength of 150 nm or more but not exceeding 600 nm and all of the following:
Ainoastaan "teknologia" 5A002.a.2 tai 5D002.c.1 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten.
Output energy less than 1,5 J per pulse or a "peak power" less than 20 W; and
MTCR-tekniikka
Average or CW output power less than 20 W.
"Ohjautuslaitteet", joita voidaan käyttää "ohjuksissa", jotka kykenevät 3,33 %:n tai parempaan järjestelmätarkkuuteen toimintaetäisyydellä (esim.
Output wavelength of 600 nm or more but not exceeding 1400 nm, and any of the following:
"CEP" on enintään 10 km 300 km:n matkalla), lukuun ottamatta "ohjautuslaitteita", jotka on tarkoitettu ohjuksiin, joiden kantomatka on alle 300 km, tai miehitettyihin ilma-aluksiin.
a.
Edellä 7A117 kohdassa määriteltyjä laitteita varten erityisesti suunnitellut testaus-, kalibrointi- tai linjauslaitteet.
Output energy exceeding 1 J per pulse and "peak power" exceeding 20 W; or
001 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi ylläpitotasojen I tai II testaus-, kalibrointi- tai linjauslaitteita.
b.
Edellä 7A117 kohdassa määriteltyjen laitteiden "tuotantoon" erityisesti suunnitellut laitteet.
Average or CW output power exceeding 20 W; or
"Tuotantolaitokset", jotka on erityisesti suunniteltu edellä 7A117 kohdassa määriteltyjä laitteita varten;
Output wavelength exceeding 1400 nm and any of the following:
"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu edellä 7B003 tai 7B103 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.
d.
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti edellä 7A117, 7B003, 7B103 tai 7D101 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen" "kehittämistä" varten.
Other "lasers", not specified in 6A005.a., 6A005.b. or 6A005.c. as follows:
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti edellä 7A117, 7B003, 7B103 tai 7D101 kohdassa määriteltyjen laitteiden "tuotantoa" varten.
Semiconductor "lasers" as follows:
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti edellä 7A117, 7B003, 7B103 tai 7D101 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.
d.1. includes semiconductor "lasers" having optical output connectors (e.g., fibre optic pigtails).
Avaruuteen laukaisussa käytettävät kantoraketit jotka kykenevät vähintään 300 km:n kantomatkaan vähintään 500 kg:n hyötykuormalla.
The control status of semiconductor "lasers" specially designed for other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Nestemäistä polttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjestelmät, jotka sisältävät mitä tahansa 9A006 kohdassa määriteltyjä järjestelmiä tai komponentteja, joita voidaan käyttää edellä 9A004 kohdassa määriteltyihin avaruuteen laukaisussa käytettäviin kantoraketteihin tai jäljempänä 9A104 kohdassa määriteltyihin luotainraketteihin.
a.
KATSO MYÖS 9A105 JA 9A119 KOHTA.
Individual single-transverse mode semiconductor "lasers" having any of the following:
Kiinteää polttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjestelmät, joita voidaan käyttää edellä 9A004 kohdassa määriteltyihin avaruuteen laukaisussa käytettäviin kantoraketteihin tai jäljempänä 9A104 kohdassa määriteltyihin luotainraketteihin ja joilla on jokin seuraavista:
Wavelength equal to or less than 1510 nm and average or CW output power, exceeding 1,5 W; or
Seuraavat erityisesti kiinteää polttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjestelmiä varten suunnitellut komponentit:
Wavelength greater than 1510 nm and average or CW output power, exceeding 500 mW;
KATSO MYÖS 9A108.c KOHTA.
b.
d. Liikkuvan suuttimen tai sekundäärisen polttoaineen ruiskutuksen työntövektorin ohjausjärjestelmät, joita voidaan käyttää edellä 9A004 kohdassa määriteltyihin avaruuteen laukaisussa käytettäviin kantoraketteihin tai jäljempänä 9A104 kohdassa määriteltyihin luotainraketteihin ja jotka kykenevät johonkin seuraavista:
Individual, multiple-transverse mode semiconductor "lasers" having any of the following:
Niillä on yli ± 5 asteen liike akselinsa ympäri;
Wavelength of less than 1400 nm and average or CW output power, exceeding 15 W;
Niiden kulmavektoria voidaan kääntää vähintään 20 astetta/s; tai
Wavelength equal to or greater than 1400 nm and less than 1900 nm and average or CW output power, exceeding 2,5 W; or
Niiden kulmavektorikiihtyvyys on vähintään 40 astetta/s2.
Wavelength equal to or greater than 1900 nm and average or CW output power, exceeding 1 W;
Luotainraketit, jotka kykenevät vähintään 300 km:n kantomatkaan vähintään 500 kg:n hyötykuormalla.
c.
a. Muut kuin 9A005 kohdassa määritellyt nestemäistä polttoainetta käyttävät rakettimoottorit, joita voidaan käyttää "ohjuksissa" ja jotka on integroitu tai suunniteltu tai muunnettu integroitavaksi nestemäistä polttoainetta käyttävään työntövoimajärjestelmään, jonka kokonaisimpulssikapasiteetti on vähintään 1,1 MNs, lukuun ottamatta nestemäistä polttoainetta käyttäviä huippurakettimoottoreita, jotka on suunniteltu tai muunnettu satelliittisovelluksiin, ja joilla on kaikki seuraavat:
Individual semiconductor "laser" 'bars', having any of the following:
Suuttimen halkaisija on enintään 20 mm; ja
Wavelength of less than 1400 nm and average or CW output power, exceeding 100 W;
Palokammiopaine enintään 15 bar.
Wavelength equal to or greater than 1400 nm and less than 1900 nm and average or CW output power, exceeding 25 W; or
Seuraavat muut kuin 9A006 kohdassa määritellyt nestemäistä polttoainetta käyttäviin raketteihin erityisesti suunnitellut järjestelmät ja komponentit, joita voidaan käyttää "ohjuksissa":
Wavelength equal to or greater than 1900 nm and average or CW output power, exceeding 10 W;
c. Työntövoimavektorin ohjauksen alajärjestelmät lukuun ottamatta niitä, jotka on suunniteltu rakettijärjestelmille, jotka eivät kykene vähintään 300 km:n kantomatkaan vähintään 500 kg:n hyötykuormalla.
d.
Seuraavat muut kuin 9A008 kohdassa määritellyt komponentit, joita voidaan käyttää "ohjuksissa" ja jotka on erityisesti suunniteltu kiinteää polttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjestelmiä varten:
Semiconductor "laser" 'stacked arrays' (two-dimensional arrays) having any of the following:
Seuraavat "ohjuksissa" käyttökelpoiset ilmakehään palaamaan suunnitellut alukset sekä niitä varten suunnitellut tai muunnetut laitteet, lukuun ottamatta aseistamattomia hyötykuormia varten suunniteltuja aluksia:
Wavelength less than 1400 nm and having any of the following:
b. Keraamisista tai sulamalla kuluvista aineista valmistetut lämpösuojukset ja niiden osat;
a.
c. Kevyistä, suuren ominaislämmön omaavista aineista valmistetut jäähdytyslevyt ja niiden osat;
Average or CW total output power less than 3 kW and having average or CW output 'power density' greater than 500 W/cm2;
Muut kuin edellä 9A005 tai 9A007.a kohdassa määritellyt yksittäiset rakettien vaiheet, jotka kykenevät 300 km:n kantomatkaan vähintään 500 kg:n hyötykuormalla täydellisissä rakettijärjestelmissä tai miehittämättömissä ilma-aluksissa.
b.
Erityisesti suunnitellut "tuotantolaitteet" edellä 9A005, 9A007.a, 9A008.d, 9A105.a, 9A106.c, 9A108.c, 9A116 tai 9A119 kohdassa määriteltyjä järjestelmiä, alajärjestelmiä ja komponentteja varten.
Average or CW total output power equal to or exceeding 3 kW but less than or equal to 5 kW, and having average or CW output 'power density' greater than 350 W/cm2;
Erityisesti suunnitellut "tuotantolaitokset" 9A004 kohdassa määriteltyjä avaruuteen laukaisussa käytettäviä kantoraketteja varten tai edellä 9A005, 9A007.a, 9A008.d, 9A104, 9A105.a, 9A106.c, 9A108.c, 9A116 tai 9A119 kohdassa määriteltyjä järjestelmiä, alajärjestelmiä ja komponentteja varten.
c.
"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu edellä 9B116 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.
Average or CW total output power exceeding 5 kW;
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti edellä 9A004, 9A005, 9A007.a., 9A008.d., 9B115, 9B116 tai 9D101 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen" "kehittämistä" varten.
d.
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti edellä 9A004, 9A005, 9A007.a., 9A008.d., 9B115 tai 9B116 kohdassa määriteltyjen laitteiden "tuotantoa" varten.
Peak pulsed 'power density' exceeding 2500 W/cm2; or
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti edellä 9A104, 9A105.a., 9A106.c., 9A108.c., 9A116 tai 9A119 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten.
e.
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti edellä 9A004, 9A005, 9A007.a, 9A008.d, 9A104, 9A105.a, 9A106.c, 9A108.c, 9A116, 9A119, 9B115, 9B116 tai 9D101 kohdassa määriteltyjen avaruuteen laukaisussa käytettävien kantorakettien "käyttöä" varten
Spatially coherent average or CW total output power, greater than 150 W;
Poikkeukset:
Wavelength greater than or equal to 1400 nm but less than 1900 nm, and having any of the following:
Liitteessä IV ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraavaa MTCR-tekniikkaa:
a.
tuotteet, jotka siirretään Euroopan avaruusjärjestön (ESA) sopimussuhteen mukaisesta määräyksestä tai jotka ESA siirtää virallisten tehtäviensä hoitamiseksi;
Average or CW total output power less than 250 W and average or CW output 'power density' greater than 150 W/cm2;
tuotteet, jotka siirretään jäsenvaltion kansallisen avaruusjärjestön sopimussuhteen mukaisesta määräyksestä tai jotka se siirtää virallisten tehtäviensä hoitamiseksi;
b.
tuotteet, jotka siirretään kahden tai useamman eurooppalaisen hallituksen allekirjoittaman yhteisön avaruuteen laukaisua koskevan kehittämis- ja tuotanto- ohjelman yhteydessä annetun sopimussuhteen mukaisen määräyksen perusteella;
Average or CW total output power equal to or exceeding 250 W but less than or equal to 500 W, and having average or CW output 'power density' greater than 50 W/cm2;
tuotteet, jotka siirretään valtion valvomalle avaruuteenlaukaisupaikalle jäsenvaltion alueella, paitsi jos kyseinen jäsenvaltio valvoo kyseisiä siirtoja tämän asetuksen ehtojen mukaisesti.
Average or CW total output power exceeding 500 W;
(ei kansallista yleisvientilupaa yhteisön sisäistä kauppaa varten)
d.
Kemiallisten aseiden kieltosopimus
Peak pulsed 'power density' exceeding 500 W/cm2; or
Risiini
e.
Saxitoksiini
Spatially coherent average or CW total output power, exceeding 15 W
NSG-tekniikka
Wavelength greater than or equal to 1900 nm and having any of the following:
Liitteessä I oleva 0 ryhmä sisältyy kokonaisuudessaan liitteeseen IV, lukuun ottamatta seuraavia:
a.
001: tämä kohta ei sisälly liitteeseen IV.
Average or CW output 'power density' greater than 50 W/cm2;
002: tämä kohta ei sisälly liitteeseen IV, lukuun ottamatta seuraavia erityisiä halkeamiskelpoisia aineita:
b.
Erotettu plutonium;
Average or CW output power greater than 10 W; or
Isotoopilla 235 tai 233 yli 20-prosenttiseksi rikastettu uraani.
c.
003 kohta ainoastaan "ydinreaktorissa" käyttöä varten (0A001.a kohdan puitteissa)
Spatially coherent average or CW total output power, exceeding 1,5 W; or
001 kohta (ohjelmistot) sisältyy liitteeseen IV, paitsi siltä osin kuin ne liittyvät 0C001 kohtaan tai niihin 0C002 kohdan aineisiin, jotka eivät sisälly liitteeseen IV.
At least one "laser" 'bar' specified in 6A005.d.1.c.;
001 kohta (teknologia) sisältyy liitteeseen IV, paitsi siltä osin kuin se liittyy 0C001 kohtaan tai niihin 0C002 kohdan aineisiin, jotka eivät sisälly liitteeseen IV.
For the purposes of 6A005.d.1.d., 'power density' means the total "laser" output power divided by the emitter surface area of the 'stacked array'.
Sähkömagneettiset isotooppierottimet, jotka on suunniteltu toimimaan tai varusteltu yhdellä tai useilla ionilähteillä, joilla voidaan saada aikaan 50 mA:n tai suurempi ionisuihkun kokonaisvirta.
'Stacked arrays', formed by combining semiconductor "laser" 'stacked arrays' specified by 6A005.d.1.e., that are not designed to be further combined or modified are specified by 6A005.d.1.d.
Litiumin 6-isotoopin pitoisuus luonnossa on noin 6,5 painoprosenttia (7,5 atomiprosenttia).
'Stacked arrays', formed by combining semiconductor "laser" 'stacked arrays' specified by 6A005.d.1.e., that are designed to be further combined or modified are specified by 6A005.d.1.e.
235 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi tuotteita ja laitteita, joissa on alle 1,48 × 103 GBq (40 Ci) tritiumia.
d.1.e. does not control modular assemblies of single 'bars' designed to be fabricated into end-to-end stacked linear arrays.
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1C012.b kohdassa määriteltyjen laitteiden ja materiaalien "kehittämistä" ja "tuotantoa" varten.
Semiconductor "lasers" are commonly called "laser" diodes.
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1B226, 1B231, 1B233, 1C233 tai 1C235kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.
A 'bar' (also called a semiconductor "laser" 'bar', a "laser" diode 'bar' or diode 'bar') consists of multiple semiconductor "lasers" in a one-dimensional array.
Huippuanodijännitteen nimellisarvo on vähintään 2,5 kV;
A 'stacked array' consists of multiple 'bars' forming a two-dimensional array of semiconductor "lasers".
Anodin viiveaika on enintään 10 μs;
Carbon monoxide (CO) "lasers" having any of the following:
Anodin viiveaika on enintään 15 μs; ja
a.
Huippuvirran nimellisarvo on vähintään 500 A;
Output energy exceeding 2 J per pulse and "peak power" exceeding 5 kW; or
b. Ne käyttävät sähköstaattista kiihdytystä tritium-deuteriumydinreaktion synnyttämiseen;
b.
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A229 tai 3A232 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.
Average or CW output power exceeding 5 kW;
a. Seuraavat mekaaniset pyöriväpeiliset kamerat ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
Carbon dioxide (CO2) "lasers" having any of the following:
Juovakamerat, joiden piirtonopeus on yli 0,5 mm/μs;
a.
a kohdassa näiden kameroiden komponentteihin sisältyvät niiden synkronointi-elektroniikkayksiköt sekä turbiineista, peileistä ja laakereista koostuvat roottorikokoonpanot.
b.
a. Manganiini-anturit, joilla mitataan yli 10 GPa:n paineita;
Pulsed output with a "pulse duration" exceeding 10 μs and any of the following:
b. Kvartsipaineanturit, joilla mitataan yli 10 GPa:n paineita."
"Average output power" exceeding 10 kW; or
Liitteiden I ja IV sanamuotojen ja soveltamisalojen väliset erot on tekstissä lihavoitu ja kursivoitu.
"Peak power" exceeding 100 kW; or
Huom.:
c.
”Suurteholaser”;
Pulsed output with a "pulse duration" equal to or less than 10 μs and any of the following:
”Siirtolaser”.
Pulse energy exceeding 5 J per pulse; or
Huom.:
"Average output power" exceeding 2,5 kW;
b kohdassa ’ohjus’ tarkoittaa täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä.
Excimer "lasers" having any of the following:
a.5 kohdassa ’ohjuksilla’ tarkoitetaan täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka on yli 300 km.
a.
Yli 2 metrin pituisille akseleille on tehtävä testit yli 2 metrin segmenteissä.
Output wavelength not exceeding 150 nm and any of the following:
Yli 4 metrin pituiset akselit edellyttävät useita testejä (esim. kaksi testiä yli 4 m:n ja enintään 8 m:n pituisille akseleille, kolme testiä yli 8 m:n ja enintään 12 m:n pituisille akseleille, ja kunkin testin on katettava yli 2 m:n segmentti ja ne on jaettava tasaisin välein akselin pituudelle.
Output energy exceeding 50 mJ per pulse; or
Sovellettaessa 2B006.b.1 kohtaa ’lineaarisella siirtymällä’ tarkoitetaan mittapään ja mitattavan kohteen välisen etäisyyden muutosta.
"Average output power" exceeding 1 W;
Muut kuin 0B001.j.6 kohdassa mainitut tasavirtasuurteholähteet, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
b.
a. Ne kykenevät 8 tunnin jakson aikana jatkuvasti tuottamaan vähintään 100 V:n jännitteen vähintään 500 A:n virralla; ja
Output wavelength exceeding 150 nm but not exceeding 190 nm and any of the following:
Muut kuin 0B001.j.5 kohdassa määritellyt tasavirtakorkeajännitelähteet, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
Output energy exceeding 1,5 J per pulse; or
a. Ne kykenevät 8 tunnin jakson aikana jatkuvasti tuottamaan vähintään 20 kV:n jännitteen vähintään 1 A:n virralla; ja
"Average output power" exceeding 120 W;
Huom.:
c.
a. 0,05 nT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti alle 1 Hz:n taajuuksilla;
Output wavelength exceeding 190 nm but not exceeding 360 nm and any of the following:
b. 1 × 10-3 nT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti 1–10 Hz:n taajuuksilla; tai
Output energy exceeding 10 J per pulse; or
c. 1 × 10-4 nT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti yli 10 Hz:n taajuuksilla;
"Average output power" exceeding 500 W; or
Kuituoptiset ”magnetometrit”, joiden ’herkkyys’ on alempi (parempi) kuin 1 nT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti;
d.
b. Vedenalaiset sähkökenttäanturit, joiden ’herkkyys’ on alempi (parempi) kuin 8 nanovolttia metriä kohti Hz:n neliöjuurta kohti 1 Hz:n taajuudella mitattuna;
Output wavelength exceeding 360 nm and any of the following:
c. Seuraavat ”magneettikentän gradiometrit”:
For excimer "lasers" specially designed for lithography equipment, see 3B001.
”Magneettikentän gradiometrit”, jotka käyttävät useita 6A006.a kohdassa määriteltyjä ”magnetometrejä”;
"Chemical lasers" as follows:
b kohdassa ’ohjuksella’ tarkoitetaan täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka on yli 300 km.
a.
c. ”Ohjelmistot”, jotka on suunniteltu tai muunnettu käytettäväksi kameroissa, jotka sisältävät 6A002.a.3.f kohdassa määriteltyjä ”fokusoivia tasorakenteita”, ja jotka on suunniteltu tai muunnettu poistamaan kuvataajuutta koskevan rajoituksen siten, että kamera voi ylittää 6A003.b.4 kohdan huomautuksessa 3.a määritetyn kuvataajuuden.
Hydrogen Fluoride (HF) "lasers";
Ilmassa käytettävät korkeusmittarit, jotka toimivat muilla kuin 4,2–4,4 GHz:n taajuuksilla, nämä taajuudet mukaan lukien, ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
b.
a. Ne suorittavat ”tehon hallintaa”; tai
Deuterium Fluoride (DF) "lasers";
b. Ne käyttävät vaiheavainnusmodulaatiota.
c.
Vedenalaiset ääniluotainnavigointijärjestelmät, joissa käytetään ohjausmoduulilla varustettuja Doppler- tai korrelaatiolokeja, joissa kuljetun matkan ’todennäköinen paikannuksen etäisyysvirhe’ on 3 % tai vähemmän (parempi), ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit.
"Transfer lasers" as follows:
008 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi pinta-aluksiin asennettavaksi määriteltyjä järjestelmiä tai järjestelmiä, joissa sijaintia koskevien tietojen antaminen edellyttää akustisia hätämajakoita tai poijuja.