natgillin/translations-raw huggingface dataset:
f.
b. Elektronianturi, jonka sitomaton pikselien jakoväli on enintään 500 μm ja joka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’ muulla tavoin kuin mikrokanavalevyllä; ja
Less than 1 ms for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesized frequency range exceeding 56 GHz but not exceeding 90 GHz; or
Jokin seuraavista valokatodeista:
g.
a. Monialkaalivalokatodit (esim. S-20 ja S-25), joiden valoherkkyys ylittää 350 μA/lm;
Less than 1 ms within the synthesized frequency range exceeding 90 GHz;
b. GaAs- tai GaInAs-valokatodit; tai
For general purpose "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
c. Muut ”III/V-yhdiste”puolijohteisiin perustuvat valokatodit, joiden maksimi”säteilynherkkyys” on enemmän kuin 10 mA/W;
c.
b. Kuvanvahvistinputket, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
Vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1050 nm mutta enintään 1800 nm;
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
a. Mikrokanavalevy, jonka reikätiheys (keskipisteiden välinen etäisyys) on enintään 12 μm; tai
a.
”III/V-yhdiste”puolijohteisiin perustuvat valokatodit (kuten GaAs- tai GaInAs-valokatodit) ja elektroninsiirtoon perustuvat valokatodit, joiden maksimi”säteilynherkkyys” on yli 15 mA/W;
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
c. Seuraavat erityisesti suunnitellut komponentit:
b.
Mikrokanavalevyt, joiden reikätiheys (keskipisteiden välinen etäisyys) on enintään 12 μm;
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
Elektronianturi, jonka sitomaton pikselien jakoväli on enintään 500 μm ja joka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’ muulla tavoin kuin mikrokanavalevyllä;
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB;
”III/V-yhdiste”puolijohteisiin perustuvat valokatodit (kuten GaAs- tai GaInAs-valokatodit) ja elektroninsiirtoon perustuvat valokatodit;
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
a.2.c.3 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi yhdistepuolijohteisiin perustuvia valokatodeja, jotka on suunniteltu niin, että niiden maksimi”säteilynherkkyys” on jokin seuraavista:
A bandwidth greater than 250 MHz; or
enintään 10 mA/W, kun vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm mutta enintään 1050 nm; tai
A dispersive delay of more than 10 μs; or
enintään 15 mA/W, kun vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1050 nm mutta enintään 1800 nm.
c.
Seuraavat muut kuin ”avaruuskelpoiset” ”fokusoivat tasorakenteet”:
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
’Mikrobolometrien’ muut kuin ”avaruuskelpoiset” ”fokusoivat tasorakenteet” määritellään ainoastaan 6A002.a.3.f kohdassa.
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
Lineaarisia tai kaksiulotteisia monielementtisiä ilmaisinrakenteita pidetään ”fokusoivina tasorakenteina”;
'Frequency side-lobe rejection' is the maximum rejection value specified in data sheet.
a.3 kohta sisältää valojohtavat ja valosähköiset rakenteet.
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
a.3 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraavia:
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Monielementtiset (enintään 16 elementtiä sisältävät) koteloidut valojohtavat parit, joissa käytetään joko lyijysulfidia tai lyijyselenidiä;
c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Pyrosähköiset ilmaisimet, jotka perustuvat joihinkin seuraavista:
d.
Triglysiinisulfaatti ja sen muunnokset;
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
Lyijylantaanizirkoniumtitanaatti ja sen muunnokset;
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
Litiumtantalaatti;
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
Polyvinyylideenifluoridi ja sen muunnokset; tai
e.
Strontiumbariumniobaatti ja sen muunnokset.
High energy devices as follows:
”Fokusoivat tasorakenteet”, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’, ja jotka on suunniteltu niin, että niiden maksimi”säteilynherkkyys” on enintään 10 mA/W aallonpituusalueella, joka on yli 760 nm, ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
'Cells' as follows:
Niihin sisältyy vasterajoitinmekanismi, jota ei ole tarkoitettu poistettavaksi tai muunnettavaksi; ja
a.
Vasterajoitinmekanismi liittyy kiinteästi tai se on yhdistetty ilmaisinelementtiin; tai
'Primary cells' having an 'energy density' exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
”Fokusoiva tasorakenne” toimii vain siihen asennetun vasterajoitinmekanismin kanssa.
b.
Ilmaisinelementtiin kiinteästi liittyvää vasterajoitinmekanismia ei ole suunniteltu poistettavaksi tai muunnettavaksi tai ilmaisin ei toimi.
'Secondary cells' having an 'energy density' exceeding 300 Wh/kg at 20 °C;
a. Muut kuin ”avaruuskelpoiset” ”fokusoivat tasorakenteet”, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
For the purpose of 3A001.e.1.,'energy density' (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 900 nm mutta enintään 1050 nm; ja
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
a. Vasteen ”aikavakio” on alle 0,5 ns; tai
For the purpose of 3A001.e.1., a 'cell' is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
b. Ne on erityisesti suunniteltu tai muunnettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’ ja niiden maksimi”säteilynherkkyys” on yli 10 mA/W;
It is the basic building block of a battery.
b. Muut kuin ”avaruuskelpoiset” ”fokusoivat tasorakenteet”, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
For the purpose of 3A001.e.1.a., a 'primary cell' is a 'cell' that is not designed to be charged by any other source.
Yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1050 nm mutta enintään 1200 nm; ja
For the purpose of 3A001.e.1.b., a 'secondary cell' is a 'cell' that is designed to be charged by an external electrical source.
a. Vasteen ”aikavakio” on enintään 95 ns; tai
e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
c. Muut kuin ”avaruuskelpoiset” epälineaariset (kaksiulotteiset) ”fokusoivat tasorakenteet”, joissa yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1200 nm mutta enintään 30000 nm;
High energy storage capacitors as follows:
Piihin tai muuhun aineeseen pohjautuvien ’mikrobolometrien’ muut kuin ”avaruuskelpoiset” ”fokusoivat tasorakenteet” määritellään ainoastaan 6A002.a.3.f kohdassa.
N.B
d. Muut kuin ”avaruuskelpoiset” lineaariset (yksiulotteiset) ”fokusoivat tasorakenteet”, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
SEE ALSO 3A201.a. and the Military Goods Controls.
Yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1200 nm mutta enintään 3000 nm; ja
a.
a. Ilmaisinelementin ’skannaussuunnan’ mitan suhde ilmaisinelementin ’ristiskannaussuunnan’ mittaan on vähemmän kuin 3,8; tai
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
b. Signaalin prosessointi anturielementeissä;
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
a.3.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi ”fokusoivia tasorakenteita” (enintään 32 elementtiä sisältäviä), joiden ilmaisinelementit on rajoitettu pelkästään germaniummateriaaliin.
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
Sovellettaessa 6A002.a.3.d kohtaa ’ristiskannaussuunta’ määritellään ilmaisinelementtien lineaarisen rakenteen suuntaiseksi akseliksi ja ’skannaussuunta’ ilmaisinelementtien lineaarista rakennetta vasten kohtisuorassa olevaksi akseliksi.
A total energy equal to or more than 25 kJ;
e. Muut kuin ”avaruuskelpoiset” lineaariset (yksiulotteiset) ”fokusoivat tasorakenteet”, joissa yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 3000 nm mutta enintään 30000 nm;
b.
f. ’Mikrobolometri’-aineeseen pohjautuvat muut kuin ”avaruuskelpoiset” epälineaariset (kaksiulotteiset) ”fokusoivat tasorakenteet”, joissa yksittäisten elementtien suodattamaton vaste on aallonpituusalueella, joka on vähintään 8000 nm mutta enintään 14000 nm;
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Sovellettaessa 6A002.a.3.f kohtaa ’mikrobolometri’ määritellään lämpökuvausanturiksi, jota infrapunasäteilyn absorption aiheuttaman lämpötilamuutoksen vuoksi käytetään tuottamaan mitä tahansa käyttökelpoista signaalia.
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
g. Muut kuin ”avaruuskelpoiset” ”fokusoivat tasorakenteet”, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
A total energy equal to or more than 100 J; and
Yksittäisten ilmaisinelementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm mutta enintään 900 nm;
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
Ne on erityisesti suunniteltu tai muunnettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’, ja niiden maksimi”säteilynherkkyys” ylittää 10 mA/W aallonpituuksilla, jotka ovat yli 760 nm; ja
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
Sisältävät enemmän kuin 32 elementtiä.
SEE ALSO 3A201.b.
b. Etäishavainnointisovelluksiin suunnitellut ”yksispektriset kuvannusanturit” ja ”monispektriset kuvannusanturit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Hetkellinen näkökenttä (IFOV) on vähemmän kuin 200 μrad (mikroradiaania); tai
a.
Ne on määritelty toimimaan aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm mutta enintään 30000 nm, ja niillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:
b.
Ne ovat ”avaruuskelpoisia”; tai
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
Ne on suunniteltu ilmassa tapahtuvaan toimintaan, ne käyttävät muita kuin pii-ilmaisimia, ja niiden IFOV on vähemmän kuin 2,5 mrad (milliradiaania);
c.
b.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi ”yksispektrisiä kuvannusantureita”, joiden vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 300 nm mutta enintään 900 nm, ja jotka käsittävät ainoastaan seuraavia muita kuin ”avaruuskelpoisia” ilmaisimia tai muita kuin ”avaruuskelpoisia” ”fokusoivia tasorakenteita”:
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
Varauskytketyt piirit (CCD), joita ei ole suunniteltu tai muunnettu käytettäväksi ’varauksen monistamiseen’; tai
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated 'AM0' illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
Komplementaariset metallioksidipuolijohdelaitteet (CMOS), joita ei ole suunniteltu tai muunnettu käytettäväksi ’varauksen monistamiseen’.
'AM0', or 'Air Mass Zero', refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
c. ’Suorakatselu’kuvauslaitteet, jotka sisältävät jonkin seuraavista:
f.
a.2.a tai 6A002.a.2.b kohdassa määritellyt kuvanvahvistinputket;
Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ± 1,0 second of arc;
a.3 kohdassa määritellyt ”fokusoivat tasorakenteet”; tai
g.
a.1 kohdassa määritellyt solid-state-ilmaisimet;
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and 'thyristor modules', using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Termi ’suorakatselu’ viittaa kuvauslaitteisiin, jotka näyttävät visuaalisen kuvan tarkkailijalle muuttamatta kuvaa sähköiseksi signaaliksi televisionäyttöä varten ja jotka eivät voi tallettaa kuvaa valokuvana, elektronisesti tai millään muullakaan tavalla.
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
c kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi seuraavia laitteita, jotka sisältävät muita kuin GaAs- tai GaInAs-valokatodeja:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
Teollisuus- tai siviilikäyttöön tarkoitetut murtohälyttimet, liikenteessä tai teollisuudessa käytettävät liikkeen ohjaus- tai laskentajärjestelmät;
a.
Lääketieteelliset laitteet;
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
Teollisuuden laitteet, joita käytetään materiaalien ominaisuuksien tarkastukseen, lajitteluun tai analysointiin;
b.
Teollisten uunien liekinilmaisimet;
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu laboratoriokäyttöön.
g. includes:
d. Seuraavat optisten anturien toimintaa tukevat erikoiskomponentit:
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
”Avaruuskelpoiset” kryojäähdyttimet;
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
Seuraavat muut kuin ”avaruuskelpoiset” kryojäähdyttimet, joiden kylmälähteen lämpötila on alle 218 K (-55 °C):
Light Triggering Thyristors (LTTs)
a. Suljetulla kierrolla varustetut, joiden määritelty keskimääräinen vioittumisaika (MTTF) tai keskimääräinen vikaväli (MTBF) on yli 2500 tuntia;
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
b. Itsesäätävät Joule-Thomson (JT) -minijäähdyttimet, joiden ulkohalkaisija on alle 8 mm;
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
Optiset anturikuidut, jotka on erityisesti valmistettu joko koostumuksellisesti tai rakenteellisesti tai muunnettu pinnoittamalla, akustisesti, termisesti, inertiaalisesti, sähkömagneettisesti tai ydinsäteilylle herkiksi;
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
d.3 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi koteloituja optisia anturikuituja, jotka on erityisesti suunniteltu reikäluotauksen anturisovelluksiin.
Solidtrons
e. Ei käytössä.
g. does not control thyristor devices and 'thyristor modules' incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Seuraavat kamerat, järjestelmät tai laitteet ja niiden komponentit:
For the purposes of 3A001.g., a 'thyristor module' contains one or more thyristor devices.
KATSO MYÖS 6A203 KOHTA.
h.
Televisiokamerat ja filmipohjaiset valokuvakamerat, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu vedenalaiseen käyttöön: ks. 8A002.d.1. ja 8A002.e kohta.
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or 'modules', having all of the following:
a. Seuraavat instrumentointikamerat ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
a.3–6A003.a.5 kohdassa määritellyt moduulirakenteiset instrumentointikamerat on arvioitava niiden suurimman suorituskyvyn mukaan käyttäen saatavilla olevia ohjelmalisäkkeitä kameran valmistajan eritelmien mukaisesti.
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
Suurinopeuksiset elokuvakamerat, jotka käyttävät mitä tahansa filmikokoa välillä 8 mm–16 mm, mukaan lukien ne kamerat, joissa filmiä siirretään jatkuvasti kuvausajanjakson aikana, ja jotka kykenevät ottamaan yli 13150 kuvaa sekunnissa;
Continuous current greater than 1 A.
a.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi siviilikäyttöön tarkoitettuja elokuvakameroita.
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Mekaaniset suurinopeuksiset kamerat, joissa filmi ei liiku ja jotka kykenevät ottamaan yli 1000000 kuvaa sekunnissa täydellä 35 mm filmin kuvan korkeudella tai suhteessa suuremmilla nopeuksilla, kun kuvan korkeus on pienempi, tai suhteessa pienemmillä nopeuksilla, kun kuvan korkeus on suurempi;
h. includes:
Seuraavat mekaaniset tai elektroniset juovakamerat:
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
a. Mekaaniset juovakamerat, joiden piirtonopeus on yli 10 mm/μs;
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
b. Elektroniset juovakamerat, joiden ajallinen erottelutarkkuus on parempi kuin 50 ns;
Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)
Elektroniset yksittäiskuvakamerat, joiden nopeus ylittää 1000000 kuvaa sekunnissa;
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
Elektroniset kamerat, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
a. Elektronisen sulkimen nopeus (avainnuskyky) on vähemmän kuin 1 μs täyttä kuvaa kohti; ja
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
b. Luettavuusaika sallii yli 125 täyden kuvan nopeuden sekunnissa;
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
Ohjelmalisäkkeet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
a. Ne on erityisesti suunniteltu 6A003.a kohdassa määriteltyjä moduulirakenteisia instrumentointikameroita varten; ja
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
b. Niiden ansiosta nämä kamerat saavuttavat valmistajan eritelmien mukaisesti 6A003.a.3, 6A003.a.4 tai 6A003.a.5 kohdassa määritellyt ominaisuudet;
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
b. Seuraavat kuvannuskamerat:
PiN Diodes
b kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi televisio- tai videokameroita, jotka on erityisesti suunniteltu televisiolähetyksiä varten.
Schottky Diodes
Solid-state-antureita sisältävät videokamerat, joiden vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 10 nm mutta enintään 30000 nm, ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
h. does not control switches, diodes, or 'modules', incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
a. Niillä on jokin seuraavista:
For the purposes of 3A001.h., 'modules' contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
Enemmän kuin 4 × 106 ”aktiivista pikseliä” solid-state-matriisia kohti yksivärikameroissa (mustavalkokameroissa);
General purpose electronic equipment as follows:
Enemmän kuin 4 × 106 ”aktiivista pikseliä” solid-state-matriisia kohti värikameroissa, joissa on kolme solid-state-matriisia; tai
Waveform digitisers and transient recorders, having all of the following:
d kohdassa määritellyt optiikan ohjauslaitteet; tai
a.
Mahdollisuus tallentaa sisäisesti tuotettuja ’kamerapaikannustietoja’.
Digitising rate equal to or more than200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more;
Sovellettaessa tätä kohtaa digitaaliset videokamerat olisi arvioitava liikkuvan kuvankaappaukseen käytettyjen ”aktiivisten pikselien” enimmäismäärän perusteella.
b.
Sovellettaessa tätä kohtaa ’kamerapaikannustiedoilla’ tarkoitetaan tietoja, joita tarvitaan määrittämään kameran tähtäysviivan suunta maahan nähden.
A 'continuous throughput' of 2 Gbit/s or more; and
Tähän sisältyy 1) vaakasuora kulma, jonka kameran tähtäysviiva muodostaa suhteessa maan magneettikentän suuntaan ja 2) pystysuora kulma kameran tähtäysviivan ja maan horisontin välillä.
c.
Pyyhkäisevät kamerat ja pyyhkäisevät kamerajärjestelmät, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Triggered acquisition of transients or aperiodic signals
a. Vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 10 nm mutta enintään 30000 nm;
For those instruments with a parallel bus architecture, the 'continuous throughput' rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
b. Lineaarisia ilmaisinryhmiä, joissa on enemmän kuin 8192 elementtiä ryhmää kohti; ja
'Continuous throughput' is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
c. Mekaaninen pyyhkäisy yhdessä suunnassa;
For the purposes of 3A002.a.5.c., acquisition can be triggered internally or externally.
b.2 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi pyyhkäiseviä kameroita ja pyyhkäiseviä kamerajärjestelmiä, jotka on erityisesti suunniteltu johonkin seuraavista tarkoituksista:
Digital instrumentation data recorder systems using magnetic disk storage technique and having all of the following, and specially designed digital recorders therefor:
Teollisuus- tai siviilikäyttöön tarkoitetut valokopiokoneet;
a.
Kuvanlukijat, jotka on erityisesti suunniteltu siviiliolosuhteissa, paikallaan ja lähietäisyydellä käytettäviin kuvanlukusovelluksiin (esim. asiakirjoissa, taideteoksissa tai valokuvissa olevin kuvien tai tekstin toistoon); tai
Digitised instrumentation data rate equal to or more than 100 million samples per second at a resolution of 8 bit or more; and
Lääketieteelliset laitteet;
b.
Kuvannuskamerat, jotka sisältävät 6A002.a.2.a tai 6A002.a.2.b kohdassa määriteltyjä kuvanvahvistinputkia;
A 'continuous throughput' of 1 Gbit/s or more;
’Kuvannuskamerat’, jotka sisältävät joitakin seuraavista ”fokusoivista tasorakenteista”:
Digital instrumentation data recorder systems can be configured either with a digitiser integrated within or outside the digital recorder.
a. 6A002.a.3.a–6A002.a.3.e kohdissa määriteltyjä ”fokusoivia tasorakenteita”;
Real-time oscilloscopes having a vertical root-mean-square (rms) noise voltage of less than 2 % of full-scale at the vertical scale setting that provides the lowest noise value for any input 3dB bandwidth of 60 GHz or greater per channel;
b. 6A002.a.3.f kohdassa määriteltyjä ”fokusoivia tasorakenteita”; tai
a.7. does not control equivalent-time sampling oscilloscopes
c. 6A002.a.3.g kohdassa määriteltyjä ”fokusoivia tasorakenteita”;
c.
b.4 kohdassa määritellyt ’kuvannuskamerat’ sisältävät ”fokusoivia tasorakenteita”, jotka yhdistettyinä näyttöpiirin lisäksi riittävään signaalinkäsittelyelektroniikkaan mahdollistavat vähimmillään analogisen tai digitaalisen signaalin ulostulon, kun teho on kytketty.
"Signal analysers" as follows:
b.4.a kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi seuraaviin käyttötarkoituksiin suunniteltuja kuvannuskameroita, joissa on sellaisia lineaarisia ”fokusoivia tasorakenteita”, jotka sisältävät 12 elementtiä tai vähemmän, ja joissa ei käytetä aikaviivästystä ja integrointia elementeissä:
"Signal analysers" having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz;
Teollisuuden laitteet, joita käytetään rakennusten, laitteiden tai teollisuusprosessien lämpövirtojen havaitsemiseen tai seuraamiseen;
"Signal analysers" having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than -150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu laboratoriokäyttöön; tai
"Signal analysers" having a frequency exceeding 90 GHz;
b kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi kuvannuskameroita, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"Signal analysers" having all of the following:
Niiden enimmäiskuvataajuus on enintään 9 Hz;
a.
Horisontaalinen tai vertikaalinen hetkellinen näkökenttä (IFOV) on vähintään 10 mrad/pixel (millidariaania/pikseli);
"Real-time bandwidth" exceeding 170 MHz; and
Linssi, jonka polttoväli on kiinteä ja jota ei ole suunniteltu poistettavaksi;
b.
Ei ”suorakatselunäyttöä”, ja