natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Pulsed “lasers” include those that run in a continuous wave (CW) mode with pulses superimposed.
Pulssi”lasereihin” kuuluvat ne, jotka toimivat pulssitettuina jatkuva-aaltomoodissa (CW).
Excimer, semiconductor, chemical, CO, CO2, and non-repetitive pulsed Nd:glass “lasers” are only specified in 6A005.d.
Eksimeeri”laserit”, puolijohde”laserit”, kemialliset ”laserit”, hiilimonoksidi”laserit”, hiilidioksidi”laserit” ja yksittäisiä pulsseja tuottavat neodymiumlasi”laserit” määritellään ainoastaan 6A005.d kohdassa.
Note 5:
005 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi seuraavia ”lasereita”: a.
005 does not control “lasers” as follows:
Rubiini”laserit”, joiden lähtöenergia on alle 20 J; b. Typpi”laserit”; c.
Output wavelength less than 150 nm and output power exceeding 1 W;
Lähtöaallonpituus ei ylitä 150 nm:iä, ja lähtöteho ylittää 1 W;
Output wavelength of 150 nm or more but not exceeding 520 nm and output power exceeding 30 W;
Lähtöaallonpituus ylittää 150 nm mutta ei ylitä 520 nm:iä, ja lähtöteho ylittää 30 W;
a.2. does not control Argon “lasers” having an output power equal to or less than 50 W.
a.2 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi argon”lasereita”, joiden lähtöteho on enintään 50 W.
Output wavelength exceeding 520 nm but not exceeding 540 nm and any of the following:
Lähtöaallonpituus ylittää 520 nm mutta ei 540 nm:iä, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. Single transverse mode output and output power exceeding 50 W; or
a. Yksitransversaalimuodon ulostulon lähtöteho ylittää 50 W; tai
b. Multiple transverse mode output and output power exceeding 150 W;
b. Monitransversaalimuodon ulostulon lähtöteho ylittää 150 W;
Output wavelength exceeding 540 nm but not exceeding 800 nm and output power exceeding 30 W;
Lähtöaallonpituus ylittää 540 nm mutta ei ylitä 800 nm:iä, ja lähtöteho ylittää 30 W;
Output wavelength exceeding 800 nm but not exceeding 975 nm and any of the following:
Lähtöaallonpituus ylittää 800 nm mutta ei 975 nm:iä, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
b. Multiple transverse mode output and output power exceeding 80 W;
b. Monitransversaalimuodon ulostulon lähtöteho ylittää 80 W;
‘Wall-plug efficiency’ exceeding 18 % and output power exceeding 500 W; or
”Laserin hyötysuhde” ylittää 18 prosenttia ja lähtöteho ylittää 500 W; tai
Output power exceeding 2 kW;
Lähtöteho ylittää 2 kW;
a.6.b. does not control multiple transverse mode, industrial “lasers” with output power exceeding 2 kW and not exceeding 6 kW with a total mass greater than 1200 kg.
a.6.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi monitransversaalimuodossa toimivia teollisuus”lasereita”, joiden lähtöteho ylittää 2 kW mutta ei ylitä 6 kW:ia ja joiden kokonaismassa on yli 1200 kg.
For the purpose of this note, total mass includes all components required to operate the “laser”, e.g. “laser”, power supply, heat exchanger, but excludes external optics for beam conditioning and/or delivery.
Tässä huomautuksessa kokonaismassalla tarkoitetaan kaikkia ’laserin’ käyttämiseen tarvittavia komponentteja, mm. ”laser”, virtalähde, lämmönpoistaja, mutta siihen ei sisälly säteen kunnostukseen tai kuljetukseen tarvittava ulkoinen optiikka.
Output wavelength exceeding 1150 nm but not exceeding 1555 nm and of the following:
Lähtöaallonpituus ylittää 1150 nm mutta ei ylitä 1555 nm:iä, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. Single transverse mode and output power exceeding 50 W; or
a. Yksitransversaalimuodon lähtöteho ylittää 50 W; tai
b. Multiple transverse mode and output power exceeding 80 W; or
b. Monitransversaalimuodon lähtöteho ylittää 80 W; tai
“Average output power” exceeding 50 W; or
Keskimääräinen lähtöteho ylittää 50 W; tai
b. Multiple transverse mode output and any of the following:
b. monitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Output energy exceeding 1,5 J per pulse and “peak power” exceeding 150 W; or
Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti ja pulssi”huipputeho” ylittää 150 W; tai
“Average output power” exceeding 150 W;
Keskimääräinen lähtöteho ylittää 150 W;
Output wavelength exceeding 540 nm but not exceeding 800 nm and any of the following:
Lähtöaallonpituus ylittää 540 nm mutta ei ylitä 800 nm:iä, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. Output energy exceeding 1,5 J per pulse and “peak power” exceeding 30 W; or
a. Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti ja pulssi”huipputeho” ylittää 30 W; tai
b. “Average output power” exceeding 30 W;
b. Keskimääräinen lähtöteho ylittää 30 W;
a. “Pulse duration” not exceeding 1 μs and any of the following:
a. ”Pulssin kesto” ei ylitä 1 μs:ia, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Output energy exceeding 0,5 J per pulse and “peak power” exceeding 50 W;
Lähtöenergia ylittää 0,5 J pulssia kohti ja pulssi”huipputeho” ylittää 50 W;
Single transverse mode output and “average output power” exceeding 20 W; or
Yksitransversaalimuodon ulostulon ”keskimääräinen lähtöteho” ylittää 20 W; tai
Multiple transverse mode output and “average output power” exceeding 50 W; or
Monitransversaalimuodon ulostulon ”keskimääräinen lähtöteho” ylittää 50 W; tai
b. “Pulse duration” exceeding 1 μs and any of the following:
b. ”Pulssin kesto” ylittää 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Output energy exceeding 2 J per pulse and “peak power” exceeding 50 W;
Lähtöenergia ylittää 0,5 J pulssia kohti ja pulssi”huipputeho” ylittää 50 W;
Single transverse mode output and “average output power” exceeding 50 W; or
Yksitransversaalimuodon ulostulon ”keskimääräinen lähtöteho” ylittää 50 W; tai
Multiple transverse mode output and “average output power” exceeding 80 W;
Monitransversaalimuodon ulostulon keskimääräinen lähtöteho ylittää 80 W;
Output wavelength exceeding 975 nm but not exceeding 1150 nm and any of the following:
Lähtöaallonpituus ylittää 975 nm mutta ei ylitä 1150 nm:iä, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. “Pulse duration” of less than 1 ns and any of the following:
a. ”Pulssin kesto” ei ylitä 1 ns:ia, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Output “peak power” exceeding 5 GW per pulse;
Ulostulon ”huipputeho” ylittää 5 GW pulssia kohti;
“Average output power” exceeding 10 W; or
”Keskimääräinen lähtöteho” ylittää 10 W; tai
Output energy exceeding 0,1 J per pulse;
Lähtöenergia ylittää 0,1 J pulssia kohti;
b. “Pulse duration” equal to or exceeding 1 ns but not exceeding 1 μs, and any of the following:
b. ”Pulssin kesto” on 1 ns tai ylittää sen mutta ei ylitä 1 μs:ia, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Single transverse mode output and any of the following:
Yksitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. “Peak power” exceeding 100 MW;
a. ”Huipputeho” ylittää 100 MW;
b. “Average output power” exceeding 20 W limited by design to a maximum pulse repetition frequency less than or equal to 1 kHz;
b. ”Keskimääräinen lähtöteho” ylittää 20 W, ja ne on suunniteltu niin, että suurin mahdollinen pulssintoistotaajuus on enintään 1 kHz;
c. ‘Wall-plug efficiency’ exceeding 12 %, “average output power” exceeding 100 W and capable of operating at a pulse repetition frequency greater than 1 kHz;
c. ’Laserin hyötysuhde’ ylittää 12 prosenttia ja keskimääräinen lähtöteho ylittää 100 W, ja ne voivat toimia yli 1 kHz:n pulssintoistotaajuudella;
d. “Average output power” exceeding 150 W and capable of operating at a pulse repetition frequency greater than 1 kHz; or
d. ”Keskimääräinen lähtöteho” ylittää 150 W, ja ne voivat toimia yli 1 kHz:n pulssintoistotaajuudella; tai
e. Output energy exceeding 2 J per pulse; or
e. Lähtöenergia ylittää 2 J pulssia kohti; tai
Multiple transverse mode output and any of the following:
Monitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. “Peak power” exceeding 400 MW;
a. ”Huipputeho” ylittää 400 MW;
b. ‘Wall-plug efficiency’ exceeding 18 % and “average output power” exceeding 500 W;
b. ’Laserin hyötysuhde’ ylittää 18 prosenttia ja keskimääräinen lähtöteho ylittää 500 W;
c. “Average output power” exceeding 2 kW; or
c. ”Keskimääräinen lähtöteho” ylittää 2 kW; tai
d. Output energy exceeding 4 J per pulse; or
d. Lähtöenergia ylittää 4 J pulssia kohti; tai
c. “Pulse duration” exceeding 1 μs and any of the following:
c. ”Pulssin kesto” ylittää 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. “Peak power” exceeding 500 kW;
a. ”Huipputeho” ylittää 500 kW;
b. ‘Wall-plug efficiency’ exceeding 12 % and “average output power” exceeding 100 W; or
b. ’Laserin hyötysuhde’ ylittää 12 prosenttia ja keskimääräinen lähtöteho ylittää 100 W; tai
c. “Average output power” exceeding 150 W; or
c. ”Keskimääräinen lähtöteho” ylittää 150 W; tai
a. “Peak power” exceeding 1 MW;
a. ”Huipputeho” ylittää 1 MW;
b. ‘Wall-plug efficiency’ exceeding 18 % and “average output power” exceeding 500 W; or
b. ’Laserin hyötysuhde’ ylittää 18 prosenttia ja keskimääräinen lähtöteho ylittää 500 W; tai
c. “Average output power” exceeding 2 kW;
c. ”Keskimääräinen lähtöteho” ylittää 2 kW;
Output wavelength exceeding 1150 nm but not exceeding 1555 nm, and any of the following:
Lähtöaallonpituus ylittää 1150 nm mutta ei ylitä 1555 nm:iä, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Multiple transverse mode output and “average output power” exceeding 80 W; or
Monitransversaalimuodon ulostulon ”keskimääräinen lähtöteho” ylittää 80 W; tai
Output wavelength exceeding 1555 nm and any of the following:
Lähtöaallonpituus ylittää 1555 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. Output energy exceeding 100 mJ per pulse and “peak power” exceeding 1 W; or
a. Lähtöenergia ylittää 100 mJ pulssia kohti ja pulssi”huipputeho” ylittää 1 W; tai
b. “Average output power” exceeding 1 W;
b. ”Keskimääräinen lähtöteho” ylittää 1 W;
c. “Tunable” “lasers” having any of the following:
c. ”Viritettävät””laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
c. includes titanium-sapphire (Ti: Al2O3), thulium-YAG (Tm: YAG), thulium-YSGG (Tm: YSGG), alexandrite (Cr: BeAl2O4), colour centre “lasers”, dye “lasers”, and liquid “lasers”.
kohta sisältää titaani-safiiri- (Ti:Al2O3), tulium-YAG- (Tm:YAG), tulium-YSGG- (Tm:YSGG), aleksandriitti- (Cr:BeAl2O4), värikeskus-, väriaine- ja neste”laserit”.
Output wavelength less than 600 nm and any of the following:
Lähtöaallonpituus on vähemmän kuin 600 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. Output energy exceeding 50 mJ per pulse and “peak power” exceeding 1 W; or
a. Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohden ja pulssi”huipputeho” ylittää 1 W; tai
b. Average or CW output power exceeding 1 W;
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W;
c.1. does not control dye lasers or other liquid lasers, having a multimode output and a wavelength of 150 nm or more but not exceeding 600 nm and all of the following:
c.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi väriainelasereita tai muita nestelasereita, joilla on monimuotolähtö ja joiden aallonpituus on 150 nm tai enemmän mutta ei yli 600 nm ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Output energy less than 1,5 J per pulse or a “peak power” less than 20 W; and
Lähtöenergia on vähemmän kuin 1,5 J pulssia kohti tai pulssi”huipputeho” on vähemmän kuin 20 W; ja
Average or CW output power less than 20 W.
Keskimääräinen tai CW-lähtöteho on vähemmän kuin 20 W.
Output wavelength of 600 nm or more but not exceeding 1400 nm, and any of the following:
Lähtöaallonpituus on 600 nm tai enemmän mutta ei ylitä 1400 nm:iä, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. Output energy exceeding 1 J per pulse and “peak power” exceeding 20 W; or
a. Lähtöenergia ylittää 1 J pulssia kohti ja pulssi”huipputeho” ylittää 20 W; tai
b. Average or CW output power exceeding 20 W; or
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 20 W; tai
Output wavelength exceeding 1400 nm and any of the following:
Lähtöaallonpituus ylittää 1400 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
d. Other “lasers”, not specified in 6A005.a., 6A005.b. or 6A005.c. as follows:
d. Seuraavat muut ”laserit”, joita ei ole määritelty 6A005.a, 6A005.b tai 6A005.c kohdassa:
Semiconductor “lasers” as follows:
Seuraavat puolijohde”laserit”:
d.1. includes semiconductor “lasers” having optical output connectors (e.g. fibre optic pigtails).
d.1 kohta sisältää puolijohde”laserit”, joilla on optinen ulostulo (esim. kuituoptiset häntäkaapelit).
The control status of semiconductor “lasers” specially designed for other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Erityisesti muita laitteita varten suunniteltujen puolijohde”laserien” valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden mukaan.
a. Individual single-transverse mode semiconductor “lasers” having any of the following:
a. Erilliset yksitransversaalimoodissa toimivat puolijohde”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Wavelength equal to or less than 1510 nm and average or CW output power, exceeding 1,5 W; or
Aallonpituus on 1510 nm tai pienempi ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho on suurempi kuin 1,5 W; tai
Wavelength greater than 1510 nm and average or CW output power, exceeding 500 mW;
Aallonpituus on suurempi kuin 1510 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 500 mW; tai
b. Individual, multiple-transverse mode semiconductor “lasers” having any of the following:
b. Erilliset monitransversaalimoodissa toimivat puolijohde”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Wavelength of less than 1400 nm and average or CW output power, exceeding 15 W;
Aallonpituus on pienempi kuin 1400 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 15 W;
Wavelength equal to or greater than 1400 nm and less than 1900 nm and average or CW output power, exceeding 2,5 W; or
Aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1400 nm ja pienempi kuin 1900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 2,5 W; tai
Wavelength equal to or greater than 1900 nm and average or CW output power, exceeding 1 W;
Aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 1 W;
c. Individual semiconductor “laser” ‘bars’, having any of the following:
c. Erilliset puolijohde”laser”’liuskat’, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Wavelength of less than 1400 nm and average or CW output power, exceeding 100 W;
Aallonpituus pienempi kuin 1400 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 100 W;
Wavelength equal to or greater than 1400 nm and less than 1900 nm and average or CW output power, exceeding 25 W; or
Aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1400 nm, mutta pienempi kuin 1900 nm, ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 25 W; tai
Wavelength equal to or greater than 1900 nm and average or CW output power, exceeding 10 W;
Aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 10 W.
d. Semiconductor “laser” ‘stacked arrays’ (two-dimensional arrays) having any of the following:
d. Puolijohde”laser”’pinot’ (kaksiulotteiset rakenteet), joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Wavelength less than 1400 nm and having any of the following:
Aallonpituus pienempi kuin 1400 nm ja jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. Average or CW total output power less than 3 kW and having average or CW output ‘power density’ greater than 500 W/cm2;
a. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho pienempi kuin 3 kW ja keskimääräinen tai CW-lähtö’tehotiheys’ suurempi kuin 500 W/cm2
b. Average or CW total output power equal to or exceeding 3 kW but less than or equal to 5 kW, and having average or CW output ‘power density’ greater than 350 W/cm2;
b. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho yhtä suuri tai suurempi kuin 3 kW, mutta enintään 5 kW, ja keskimääräinen tai CW-lähtö’tehotiheys’ suurempi kuin 350 W/cm2
c. Average or CW total output power exceeding 5 kW;
c. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 5 kW;
d. Peak pulsed ‘power density’ exceeding 2500 W/cm2; or
d. Pulssin huippu’tehotiheys’ suurempi kuin 2500 W/cm2; tai
e. Spatially coherent average or CW total output power, greater than 150 W;
e. Avaruudellisesti koherentti keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 150 W;
Wavelength greater than or equal to 1400 nm but less than 1900 nm, and having any of the following:
Aallonpituus suurempi tai yhtä suuri kuin 1400 nm mutta pienempi kuin 1900 nm, ja jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. Average or CW total output power less than 250 W and average or CW output ‘power density’ greater than 150 W/cm2;
a. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho pienempi kuin 250 W ja keskimääräinen tai CW-lähtö’tehotiheys’ suurempi kuin 150 W/cm2;
b. Average or CW total output power equal to or exceeding 250 W but less than or equal to 500 W, and having average or CW output ‘power density’ greater than 50 W/cm2;
b. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho yhtä suuri tai suurempi kuin 250 W, mutta enintään 500 W/cm2; ja keskimääräinen tai CW-lähtö’tehotiheys’ suurempi kuin 50 W/cm2;
c. Average or CW total output power exceeding 500 W;
c. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 500 W;
d. Peak pulsed ‘power density’ exceeding 500 W/cm2; or
d. Pulssin huippu’tehotiheys’ suurempi kuin 500 W/cm2; tai
e. Spatially coherent average or CW total output power, exceeding 15 W;
e. Avaruudellisesti koherentti keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 15 W;
Wavelength greater than or equal to 1900 nm and having any of the following:
Aallonpituus suurempi tai yhtä suuri kuin 1900 nm ja jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. Average or CW output ‘power density’ greater than 50 W/cm2;
a. Keskimääräinen tai CW-lähtö’tehotiheys’ suurempi kuin 50 W/cm2;
b. Average or CW output power greater than 10 W; or
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 10 W; tai
c. Spatially coherent average or CW total output power, exceeding 1,5 W; or
c. Avaruudellisesti koherentti keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 1,5 W; tai
Specially designed or modified to be combined with other ‘stacked arrays’ to form a larger ‘stacked array’; and
Erityisesti suunnitellut tai muunnetut yhdistettäväksi muihin ’pinoihin’, jotta voidaan muodostaa suurempi ’pino’; ja
Integrated connections, common for both electronics and cooling;
Integroidut liitännät, jotka ovat yhteisiä sekä elektroniikalle että jäähdytykselle;
A ‘bar’ (also called a semiconductor “laser” ‘bar’, a “laser” diode ‘bar’ or diode ‘bar’) consists of multiple semiconductor “lasers” in a one-dimensional array.
’Liuska’ (myös nimellä puolijohde”laser”’liuska’, ”laser”diodi’liuska’ tai diodi’liuska’) muodostuu useista puolijohde ”lasereista” yksiulotteisessa rakenteessa.
a. Output energy exceeding 2 J per pulse and “peak power” exceeding 5 kW; or
a. Lähtöenergia ylittää 2 J pulssia kohti ja pulssi”huipputeho” ylittää 5 kW; tai
b. Average or CW output power exceeding 5 kW;
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 5 kW;
Carbon dioxide (CO2) “lasers” having any of the following:
Hiilidioksidi(CO2)”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. CW output power exceeding 15 kW;
a. CW-lähtöteho ylittää 15 kW;
b. Pulsed output with a “pulse duration” exceeding 10 μs and any of the following:
b. Pulssiulostulon ”pulssin kesto” ylittää 10 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
“Average output power” exceeding 10 kW; or
”Keskimääräinen lähtöteho” ylittää 10 kW; tai
“Peak power” exceeding 100 kW; or
Pulssi”huipputeho” ylittää 100 kW; tai
c. Pulsed output with a “pulse duration” equal to or less than 10 μs and any of the following:
c. Pulssiulostulon ”pulssin kesto” on 10 μs tai lyhyempi, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Pulse energy exceeding 5 J per pulse; or
Pulssin energia ylittää 5 J pulssia kohti; tai
“Average output power” exceeding 2,5 kW;
”Keskimääräinen lähtöteho” ylittää 2,5 kW;
Output energy exceeding 50 mJ per pulse; or
Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohti; tai
“Average output power” exceeding 1 W;
”Keskimääräinen lähtöteho” ylittää 1 W;
b. Output wavelength exceeding 150 nm but not exceeding 190 nm and any of the following:
b. Lähtöaallonpituus ylittää 150 nm mutta ei ylitä 190 nm:iä, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Output energy exceeding 1,5 J per pulse; or
Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti; tai
“Average output power” exceeding 120 W;
”Keskimääräinen lähtöteho” ylittää 120 W;
c. Output wavelength exceeding 190 nm but not exceeding 360 nm and any of the following:
c. Lähtöaallonpituus ylittää 190 nm mutta ei ylitä 360 nm:iä, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Output energy exceeding 10 J per pulse; or
Lähtöenergia ylittää 10 J pulssia kohti; tai
“Average output power” exceeding 500 W; or
”Keskimääräinen lähtöteho” ylittää 500 W; tai
Oxygen Iodine (O2-I) “lasers”;
Happijodi(O2-I)”laserit”;
Deuterium Fluoride-Carbon dioxide (DF-CO2) “lasers”;
Deuteriumfluoridihiilidioksidi(DF-CO2)”laserit”;
‘Non-repetitive pulsed’ Nd: glass “lasers” having any of the following:
Yksittäisiä pulsseja tuottavat neodyymilasi”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. “Pulse duration” not exceeding 1 μs and output energy exceeding 50 J per pulse; or
a. ”Pulssin kesto” ei ylitä 1 μs:ia ja lähtöenergia ylittää 50 J pulssia kohti; tai
‘Non-repetitive pulsed’ refers to “lasers” that produce either a single output pulse or that have a time interval between pulses exceeding one minute.
’Yksittäisiä pulsseja tuottava’ viittaa ”laseriin”, joka tuottaa joko yhden yksittäisen ulostulopulssin tai jonka tuottamien pulssien aikaväli on yli minuutin.
e. Components as follows:
e. Seuraavat komponentit:
For shared aperture optical elements, capable of operating in “Super-High Power Laser” (“SHPL”) applications, see the Military Goods Controls.
”SHPL”-sovelluksissa toimimaan kykenevät yhteisen aukon optiset elementit: katso asetarvikeluettelo.
Dynamic wavefront (phase) measuring equipment capable of mapping at least 50 positions on a beam wavefront and any of the following:
Dynaamiset aaltorintaman (vaiheen) mittauslaitteet, joilla voidaan rekisteröidä ainakin 50 positiota säteen aaltorintamasta ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. Frame rates equal to or more than 100 Hz and phase discrimination of at least 5 % of the beam’s wavelength; or
a. Kuvataajuus on 100 Hz tai enemmän ja vaiheen erottelukyky vähintään 5 % säteen aallonpituudesta; tai
b. Frame rates equal to or more than 1000 Hz and phase discrimination of at least 20 % of the beam’s wavelength;
b. Kuvanopeus on 1000 Hz tai enemmän ja vaiheen erottelukyky vähintään 20 % säteen aallonpituudesta;
“Laser” diagnostic equipment capable of measuring “SHPL” system angular beam steering errors of equal to or less than 10 μrad;
”Laserien” diagnostiikkalaitteet, joilla kyetään mittaamaan ”SHPL”-järjestelmän säteen ohjauksen kulmavirheitä, jotka ovat 10 μrad tai pienempiä;
Optical equipment and components, specially designed for a phased-array “SHPL” system for coherent beam combination to an accuracy of λ/10 at the designed wavelength, or 0,1 μm, whichever is the smaller;
Optiset laitteet, kokoonpanot tai komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu vaiheistettujen ryhmien koherenttia sädettä kombinoivaa ”SHPL”-järjestelmää varten tarkkuudella, joka on seuraavista pienempi: λ/10 suunnitellulla aallonpituudella tai 0,1 μm;
Projection telescopes specially designed for use with “SHPL” systems.
Erityisesti ”SHPL”-järjestelmissä käytettäväksi tarkoitetut projektioteleskoopit.
g. ‘Laser acoustic detection equipment’ having all of the following:
g. ’Laserakustiset havainnointilaitteet’, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
“Magnetometers” using “superconductive” (SQUID) “technology” and having any of the following:
”Magnetometrit”, jotka käyttävät ”suprajohtavaa” (SQUID) ”teknologiaa” ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. SQUID systems designed for stationary operation, without specially designed subsystems designed to reduce in-motion noise, and having a ‘sensitivity’ equal to or lower (better) than 50 fT (rms) per square root Hz at a frequency of 1 Hz; or
a. Paikallaan käytettäväksi suunniteltuja SQUID-järjestelmiä, joissa ei ole erityisesti suunniteltuja alajärjestelmiä liikkeessä aiheutuvan kohinan vähentämiseksi ja joiden ’herkkyys’ on 50 fT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti 1 Hz:n taajuudella tai alempi (parempi); tai