natgillin/translations-raw huggingface dataset:
This table should be read to specify the technology of a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
Tätä taulukkoa olisi tulkittava niin, että siinä määritellään tietyn pinnoitusprosessin teknologia vain silloin, kun 3 sarakkeessa mainittu pinnoitetulos esitetään vastaavassa kohdassa kuin asiaankuuluva substraatti 2 sarakkeessa.
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal “matrix” “composites” substrates, but are not included for the application of silicides to ‘cemented tungsten carbide’ (16), ‘silicon carbide’ (18) substrates.
Esimerkiksi kemiallista kaasufaasipinnoitusta (CVD) koskevat pinnoitusprosessin tekniset tiedot koskevat niitä tapauksia, joissa silisideillä pinnoitetaan hiili-hiili-, keraami- ja metalli”matriisi””komposiitti”-substraatteja, mutta ne eivät koske tapauksia, joissa silisideillä pinnoitetaan ’volframikarbidikovametalli’ (16)- ja ’piikarbidi’ (18) -substraatteja.
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing ‘cemented tungsten carbide’ (16), ‘silicon carbide’ (18).
Jälkimmäisessä tapauksessa pinnoitetulosta (silisidit) ei mainita 3 sarakkeen kohdassa, joka vastaa 2 sarakkeen kohtaa, jossa mainitaan ’volframikarbidikovametalli’ (16) ja ’piikarbidi’ (18).
“Technology” according to the General Technology Note for the “use” of equipment or “software” specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
”Teknologia” Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119–2B122 tai 2D101 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai ”ohjelmistojen””käyttöä” varten.
“Technology” according to the General Technology Note for the “use” of equipment or “software” specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B232, 2D201 or 2D202.
”Teknologia” Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b, 2B007.c, 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225–2B232, 2D201 tai 2D202 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai ”ohjelmistojen””käyttöä” varten.
“Technology” according to the General Technology Note for the “use” of goods specified in 2B350 to 2B352.
”Teknologia” Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 2B350-2B352 kohdassa määriteltyjen tuotteiden ”käyttöä” varten.
Coating Process (1) [5]
Pinnoitusprosessi (1) [5]
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
A. Kemiallinen kaasu-faasipinnoitus (CVD)
“Superalloys”
aluminidit
Ceramics (19) and Low-expansion glasses (14)
dielektriset kerrokset (15) aluminidit
Carbon-carbon, Ceramic and Metal “matrix” “composites”
jalometallimuunnetut aluminidit (3)
Refractory metals
platina
Mixtures thereof (4)
niiden sekoitukset (4) dielektriset kerrokset (15)
Alloyed aluminides (2)
karbidit
Boron nitride
aluminidit seostetut aluminidit (2) karbidit
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
korroosionkestävä teräs (7)
Tungsten
platina
Molybdenum and Molybdenum alloys
hiili-hiili-, keraami- ja metalli-”matriisi””komposiitit” silisidit karbidit tulenkestävät metallit
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
silisidit
Alloyed silicides
silisidit
Corrosion resistant steel (7)
”superseokset”
Beryllium
beryllium ja berylliumseokset boridit dielektriset kerrokset (15) berylium
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
niiden sekoitukset(4)
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
molybdeeni ja molybdeeniseokset dielektriset kerrokset (15)
D. Plasma spraying
volframikarbidi-kovametalli (16), piikarbidi dielektriset kerrokset (15)
Abradable Nickel-Graphite
Katodikaari- Purkaus PVD
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
”superseokset”
Abradable Al-Si-Polyester
seostetut silisidit
F. Sputter Deposition
tulenkestävät metallit ja seokset (8)
Noble metal modified aluminides (3)
korroosionkestävät teräkset (7)
Platinum
fuusatut aluminidit paitsi lämmitysvastus-elementit hiili-hiili-, keraami- ja metalli-”matriisi””komposiitit” silisidit karbidit
Ceramics and Low-expansion glasses (14)
muovattava nikkeligrafiitti muovattavat Ni-Cr-Al-pitoiset aineet muovattava Al-Si-polyesteri E. Lietepinnoitus
G. Ion Implantation
G. Ioni-istutus
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
kromi-, tantaali- tai niobium-(columbium)lisäaineet
Table — Deposition Techniques — Notes
Pinnoitustekniikkoja kuvaavaan taulukkoon liittyvät huomautukset
The term ‘coating process’ includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Termi ’pinnoitusprosessi’ sisältää paitsi alkuperäisen pinnoituksen, myös sen korjauksen tai uusimisen.
The term ‘alloyed aluminide coating’ includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Termi ’seostettu aluminidipinnoitus’ sisältää yksi- ja monivaiheiset pinnoitukset, joissa substraatti pinnoitetaan ensin tai samanaikaisesti aluminidipinnoituksen kanssa muulla alkuaineella tai -aineilla silloinkin, kun näillä alkuaineilla pinnoitetaan jotain muuta prosessia käyttäen.
The term ‘noble metal modified aluminide’ coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
Termi ’jalometallimuunnettu aluminidipinnoitus’ sisältää monivaiheiset pinnoitukset, joissa jalometallia tai jalometalleja aikaansaadaan substraatin pinnalle jollakin muulla prosessilla ennen aluminidipinnoitusta.
The term ‘mixtures thereof’ includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
Termi ’niiden sekoitukset’ sisältää suodatettuja aineita, lajiteltuja seoksia sekä lisä- ja monikerrospinnoitteita ja niitä aikaansaadaan yhden tai useamman taulukossa mainitun prosessin avulla.
‘MCrAlX’ refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
’McrAlX’ tarkoittaa metalliseospinnoitetta, jossa M vastaa kobolttia, rautaa, nikkeliä tai niiden yhdistelmiä ja X vastaa hafniumia, yttriumia, piitä, tantaalia missä tahansa määrässä tai muuta tarkoituksellista lisäainetta yli 0,01 painoprosenttia erilaisissa suhteissa ja yhdistelmissä, paitsi:
a. CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
a. CoCrAlY-pinnoitteet, jotka sisältävät vähemmän kuin 22 painoprosenttia kromia, vähemmän kuin 7 painoprosenttia alumiinia ja vähemmän kuin 2 painoprosenttia yttriumia;
b. CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
b. CoCrAlY-pinnoitteet, jotka sisältävät 22–24 painoprosenttia kromia, 10–12 painoprosenttia alumiinia ja 0,5–0,7 painoprosenttia yttriumia;
c. NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
c. NiCrAlY-pinnoitteet, jotka sisältävät 21–23 painoprosenttia kromia, 10–12 painoprosenttia alumiinia ja 0,9–1,1 painoprosenttia ytriumia.
The term ‘aluminium alloys’ refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Termi ’alumiiniseos’ tarkoittaa metalliseoksia, joiden murtovetolujuus on 190 MPa tai enemmän mitattuna 20 °C (293 K) asteen lämpötilassa.
The term ‘corrosion resistant steel’ refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
Termi ’korroosionkestävä teräs’ tarkoittaa AISI (American Iron and Steal Institute) 300-sarjaa tai vastaavia kansallisia standarditeräksiä.
‘Refractory metals and alloys’ include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
’Tulenkestävät metallit ja seokset’ sisältävät seuraavia metalleja ja niiden seoksia: niobium (columbium), molybdeeni, volframi ja tantaali.
‘Sensor window materials’, as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
’Anturi-ikkunamateriaaleja’ ovat seuraavat: alumiinioksidi, pii, germanium, sinkkisulfidi, sinkkiselenidi, galliumarsenidi, timantti, galliumfosfidi, safiiri ja seuraavat metallihalidit: zirkoniumfluoridista ja hafniumfluoridista koostuvat anturi-ikkunamateriaalit, joiden läpimitta ylittää 40 mm.
“Technology” for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
Kiinteiden turbiininsiipilevyjen yksivaiheinen hiiletyslaatikkokarkaisu”teknologia” ei ole valvonnanalaista 2 ryhmässä.
‘Polymers’, as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Seuraavat polymeerit: polyimidi, polyesteri, polysulfidi, polykarbonaatit ja polyuretaanit.
‘Modified zirconia’ refers to additions of other metal oxides (e.g. calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
’Muunnettu zirkoniumoksidi’ tarkoittaa, että siinä on muiden metallien oksideja lisäaineena, kuten kalsiumoksidi, magnesiumoksidi, ytriumoksidi, hafniumoksidi ja harvinaisten maametallien oksidit jne. zirkoniin asti, joita käytetään stabiloimaan tiettyjä kiteisiä faaseja ja faasikombinaatioita.
‘Titanium alloys’ refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
’Titaaniseokset’ tarkoittaa vain ilmailu- tai avaruuskäyttöön tarkoitettuja seoksia, joiden murtovetolujuus on 900 MPa tai enemmän mitattuna 20 °C (293 K) asteen lämpötilassa.
‘Low-expansion glasses’ refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
’Vähän laajenevat lasit’ tarkoittaa laseja, joiden lämpölaajenemiskerroin on 1 × 10–7 K–1 tai vähemmän mitattuna 20 °C (293 K) asteen lämpötilassa.
‘Dielectric layers’ are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
’Dielektriset kerrokset’ ovat pinnoitteita, jotka rakentuvat eristysmateriaalien useista kerroksista, joissa eri taitekertoimen omaavien materiaalien interferenssiominaisuuksia halutulla tavalla käytetään heijastamaan, lähettämään tai absorboimaan eri aallonpituuskaistoja.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal “composite” layers.
Dielektriset kerrokset tarkoittavat enemmän kuin neljää dielektristä kerrosta tai dielektristä/metalli”komposiitti”kerrosta.
‘Cemented tungsten carbide’ does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
’Volframikarbidikovametalli’ ei sisällä lastuamis- ja muovaustyökalumateriaaleja, joilla on seuraava koostumus: volframikarbidi/(koboltti, nikkeli), titaanikarbidi/(koboltti, nikkeli), kromikarbidi/nikkeli-kromi tai kromikarbidi/nikkeli.
“Technology” specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
”Teknologiaa”, joka on erityisesti tarkoitettu pinnoittamaan timantin kaltaisella hiilellä seuraavia, ei valvota:
‘Silicon carbide’ does not include cutting and forming tool materials.
’Piikarbidi’ ei sisällä terätyökaluihin tai muototeriin käytettäviä aineita.
Table — Deposition Techniques — Technical Note
Pinnoitustekniikkoja Kuvaavaan Taulukkoon Liittyvät Tekniset Huomautukset
a. Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, “composite”, dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
a. Kemiallinen kaasufaasipinnoitus (CVD) on pinnoitus- tai pinnan muunnosprosessi, jossa metallia, metalliseosta, ”komposiittia”, dielektristä ainetta tai keraamia depositioidaan kuumennetulle substraatille.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or “laser” irradiation.
Hajoamisen tai kemiallisen reaktioprosessin tarvitsema energia saadaan substraatin lämmöstä, hohtopurkaus plasmasta tai ”laser”säteilytyksestä.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
CVD sisältää seuraavat prosessit: suunnatun kaasuvirtauksen ei-pakkauspinnoitus, sykkivä CVD, säädettävä ydintymislämpöhajoaminen (CNTD), plasma- tai plasma-avusteinen CVD.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Pakkaus tarkoittaa jauheseokseen upotettua substraattia.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Kaasumaiset, reagoivat aineet, joita käytetään ei-pakkausprosessissa, tuotetaan käyttämällä samoja perusreaktioita ja parametreja kuin pakkauspinnoitusprosessissakin, paitsi että siinä pinnoitettava substraatti ei ole kosketuksissa jauheseokseen.
b. Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporise the coating material.
b. Terminen höyrystys-fysikaalinen höyrypinnoitus (TE-PVD = Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition) on pinnoitusprosessi, joka suoritetaan tyhjössä paineen ollessa alle 0,1 Pa, jossa termistä energiaa käytetään höyrystämään pinnoitusmateriaalia.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesise compound coatings is an ordinary modification of the process.
Kaasujen lisääminen tyhjökammioon pinnoitusprosessin aikana on tavallinen prosessin muunnos.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating’s deposition is also a common modification in this technique.
Ioni- tai elektronisäteen tai plasman käyttö aktivoimaan tai avustamaan pinnoitusprosessia on myös tavallinen tämän tekniikan muunnos.
“Laser” Vaporisation uses either pulsed or continuous wave “laser” beams to vaporise the material which forms the coating;
”Laser”höyrystys(-PVD) käyttää joko pulssi- tai jatkuvan aallon ”laser”säteitä höyrystämään pinnoituksen muodostavia materiaaleja;
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionised plasma.
Ohjaamalla kaarta erotetaan katodin pinnasta ionisoitua plasmaa.
Substrate biasing is used for non-line-of-sight deposition.
Substraatin (jännite)biassointia käytetään näkymättömissä tapahtuvaan pinnoitukseen.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Tämä määritelmä ei koske satunnaista katodikaaripinnoitusta biassoimattomia substraatteja käytettäessä.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionise the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Ioni-pinnoitus(-PVD) on TE-PVD -prosessin muunnos, jossa plasma- tai ionilähdettä käytetään ionisoimaan pinnoitettavia aineksia ja negatiivinen biasjännite johdetaan substraattiin pinnoitusaineksien erottamiseksi plasmasta.
c. Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
c. Pakkasementointi on pinnan muunnos- tai pinnoitusprosessi, jossa substraatti upotetaan jauheseokseen (pakkaan), joka koostuu:
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Substraatti ja jauheseos asetetaan retorttiin, joka kuumennetaan 1030 K (757 °C)–1375 K (1102 °C) asteeseen riittäväksi ajaksi pinnoitteen aikaansaamiseksi.
d. Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
d. Plasmaruiskutus on pinnoitusprosessi, jossa plasmaa tuottavaan ja ohjaavaan sumuttimeen syötetään pinnoitemateriaalia jauheena tai lankana, ne sulatetaan ja kiihdytetään substraattia kohden.
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Matalapaineella tarkoitetaan alle ilmakehän painetta.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Suurinopeuksisella tarkoitetaan kaasun lähtönopeutta suuttimesta, kun se ylittää 750 m/s laskettuna 20 °C (293 K) asteen lämpötilassa ja 0,1 MPa paineessa.
e. Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
e. Lietepinnoitus on pinnan muunnos- tai pinnoitusprosessi, jossa orgaanisen aineen sitomaa metalli- tai keraamijauhetta riippuu nesteessä ja sumuttamalla, kastamalla tai maalaamalla se aikaansaadaan substraatille, jota seuraa ilmassa tai uunissa tapahtuva kuivaus sekä lämpökäsittely halutun pinnoitteen aikaansaamiseksi.
f. Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
f. Sputterointi on pinnoitusprosessi, joka perustuu ”liikemäärän siirto” -ilmiöön, jossa positiiviset ionit kiihdytetään sähkökentässä kohti pinnoitemateriaalin pintaa.
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Taulukko viittaa vain triodi-, magnetroni- tai reaktiiviseen sputterointiin, jota käytetään lisäämään pinnoitteen kiinnittymistä ja depositionopeutta ja radiotaajuudella voimistettuun sputterointiin, jota käytetään mahdollistamaan ei-metallisten pinnoitemateriaalien höyrystämisen.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Matalaenergisiä (alle 5 keV) ionisäteitä voidaan käyttää aktivoimaan depositiota.
g. Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
g. Ioni-istutus on pinnan muunnospinnoitusprosessi, jossa seostettava elementti ionisoidaan, kiihdytetään potentiaaligradientin läpi ja istutetaan substraatin pinnan tietylle alueelle.
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
001 tai 3A002 kohdassa kuvattujen laitteiden ja komponenttien, 3A001.a.3–3A001.a.10 tai 3A001.a.12 kohdassa kuvattuja lukuun ottamatta, jotka on erityisesti suunniteltu jotain muuta laitetta varten, tai joilla on samat toiminnalliset ominaisuudet kuin jollain muulla laitteella, valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden mukaan.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
a.3–3A001.a.9 tai 3A001.a.12 kohdassa kuvattujen integroitujen piirien, jotka on ohjelmoitu ei-muutettavasti tai jotka on suunniteltu jonkin muun laitteen erityistä toimintoa varten, valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden mukaan.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Milloin valmistaja tai vientiluvan hakija ei pysty määrittelemään näiden muiden laitteiden valvonnanalaisuutta, valvonnanalaisuus määräytyy 3A001.a.3–3A001.a.9 tai 3A001.a.12 kohdan mukaan.
a. General purpose integrated circuits, as follows:
a. Seuraavat yleiskäyttöiset integroidut piirit:
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
(Valmiiden tai puolivalmiiden) piikiekkojen, joissa toiminto on määritelty, valvonnanalaisuus arvioidaan 3A001.a kohdan parametrien mukaan.
Integrated circuits include the following types:
Integroidut piirit sisältävät seuraavat tyypit:
“Monolithic integrated circuits”;
”Monoliittiset integroidut piirit”;
“Hybrid integrated circuits”;
”Integroidut hybridipiirit”;
“Multichip integrated circuits”;
”Integroidut monipalapiirit”;
“Film type integrated circuits”, including silicon-on-sapphire integrated circuits;
”Integroidut kalvopiirit”, integroidut pii-safiiripiirit mukaan lukien;
“Optical integrated circuits”.
”Optiset integroidut piirit”.
a. A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
a. Säteilyä kokonaisannoksena 5 × 103 Gy (pii) tai enemmän;
b. A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
b. Säteilyä, jonka annosnopeus 5 × 106 Gy (pii)/s tai enemmän; tai
c. A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
c. Neutronien integroitua vuontiheyttä (1 MeV:n vastaavuus), joka on 5 × 1013 n/cm2 tai enemmän piin osalta tai sitä vastaavan aineen osalta muiden materiaalien ollessa kyseessä
a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
a.1.c kohtaa ei sovelleta metallieristepuolijohteisiin (MIS).
“Microprocessor microcircuits”, “microcomputer microcircuits”, microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or “optical integrated circuits” designed for “signal processing”, field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
”Mikroprosessoripiirit”, ”mikrotietokonepiirit”, mikro-ohjainpiirit, integroidut muistipiirit, jotka on valmistettu yhdistepuolijohteesta, analogia-digitaalimuuntimet, digitaali-analogiamuuntimet, sähköoptiset tai ”optiset integroidut piirit””signaalinkäsittelyä” varten, käyttäjän ohjelmoitavat logiikkapiirit, sellaiset asiakaskohtaiset integroidut piirit, joiden toiminta on tuntematon tai jotka on tarkoitettu laitteisiin, joiden valvonnanalaisuus on tuntematon, nopea Fourier-muunnos (FFT)-prosessorit, elektronisesti pyyhittävät ohjelmoitavat lukumuistit (EEPROMSit), pikamuistipiirit taikka staattiset luku-/kirjoitusmuistit (SRAMit), jotka on joko
a. Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
a. Suunniteltu toimimaan yli 398 K (125 °C) lämpötiloissa;
b. Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
b. Suunniteltu toimimaan alle 218 K (–55 °C) lämpötiloissa; tai