natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Heat exchangers or condensers with a heat transfer surface area greater than 0,05 m2, and less than 30 m2; and tubes, plates, coils or blocks (cores) designed for such heat exchangers or condensers, where all surfaces that come in direct contact with the fluid(s) are any of the following:
Lämmönvaihtimet tai lauhduttimet, joiden lämmönvaihtopinta on yli 0,05 m2 ja alle 30 m2, ja putket, levyt, kelat tai lohkot (ytimet), jotka on suunniteltu tällaisia vaihtimia tai lauhduttimia varten, joissa kaikki nesteen (nesteiden) kanssa suoraan kosketukseen joutuvat pinnat on valmistettu jostain seuraavista materiaaleista:
Silicon carbide; or
piikarbidi; tai
b. Made from both stainless steel and one or more of the materials specified in II.A2.015.a.
b. Ne on tehty sekä ruostumattomasta teräksestä että vähintään yhdestä II.A2.015.a kohdassa tarkoitetusta materiaalista.
Multiple-seal, and seal-less pumps, other than those specified in 2B350.i, suitable for corrosive fluids, with manufacturer's specified maximum flow-rate greater than 0,6 m3/hour, or vacuum pumps with manufacturer's specified maximum flow-rate greater than 5 m3/hour [measured under standard temperature (273 K or 0 °C) and pressure (101,3 kPa) conditions]; and casings (pump bodies), preformed casing liners, impellers, rotors or jet pump nozzles designed for such pumps, in which all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are any of the following:
Muut kuin 2B350.i kohdassa määritellyt monitiivisteiset ja tiivisteettömät pumput, jotka kestävät syövyttäviä nesteitä ja joiden valmistajan ilmoittama maksimivirtausnopeus on suurempi kuin 0,6 m3/h, tai tyhjöpumput, joiden valmistajan ilmoittama maksimivirtausnopeus on suurempi kuin 5 m3/h (mitattuna vakiolämpötilassa (273 K (0 °C)) ja -ilmanpaineessa (101,3 kPa)), ja rungot (pumppujen rungot), muotoon puristetut runkotiivisteet, juoksupyörät, roottorit tai suihkupumppusuuttimet tällaisia pumppuja varten, joissa kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen käsiteltävän kemikaalin (käsiteltävien kemikaalien) kanssa, on valmistettu jostain seuraavista materiaaleista:
SEE ALSO IV.A2.010.
KATSO MYÖS IV.A2.010
Graphite or 'carbon graphite'
grafiitti tai ’grafiittihiili’;
Niobium (columbium) or niobium alloys; or
niobium (kolumbium) tai niobiumseokset; tai
Aluminium alloys; or
alumiiniseokset tai
b. Made from both stainless steel and one or more of the materials specified in II.A2.016.a.
b. Ne on tehty sekä ruostumattomasta teräksestä että vähintään yhdestä II.A2.016.a kohdassa tarkoitetusta materiaalista.
a. Capable of continuously producing, over a time period of eight hours, 10 kV or more, with output power of 5 kW or more with or without sweeping; and
a. ne kykenevät 8 tunnin jakson aikana jatkuvasti tuottamaan vähintään 10 kV:n jännitteen vähintään 5 kW:n lähtöteholla pyyhkäisyllä tai ilman; ja
b. Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of four hours.
b. niiden jännitteen tai virran stabiilius on parempi kuin 0,1 % neljän tunnin jakson aikana.
This item does not cover power supplies defined in items 0B001.j.5 and 3A227.
Tämä kohta ei koske 0B001.j.5 ja 3A227 kohdassa määriteltyjä teholähteitä.
Mass spectrometers, other than those specified in 3A233 or 0B002.g, capable of measuring ions of 200 atomic mass units or more and having a resolution of better than 2 parts in 200, as follows, and ion sources thereof:
Seuraavat, muut kuin 3A233 tai 0B002.g kohdassa määritellyt massaspektrometrit, jotka kykenevät mittaamaan ioneja, joiden atomipaino on 200 tai enemmän, ja joiden resoluutio on parempi kuin 2 osaa 200:sta, ja niiden ionilähteet:
c. Thermal ionisation mass spectrometers (TIMS);
b. Hehkupurkausmassaspektrometrit (GDMS = Glow Discharge Mass Spectrometers);
d. Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with 'materials resistant to corrosion by uranium hexafluoride UF6';
c. Termistä ionisaatiota käyttävät massaspektrometrit (TIMS = thermal ionization mass spectrometers); d. Elektronipommitusmassaspektrometrit, joiden lähdekammio on valmistettu ’UF6-korroosiota kestävistä materiaaleista’ tai vuorattu tai päällystetty niillä;
e. Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
e. Molekyylisuihkumassaspektrometrit, joilla on jompikumpi seuraavista ominaisuuksista:
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80°C) or less; or
lähdekammio on valmistettu ruostumattomasta teräksestä tai molybdeenistä tai vuorattu tai päällystetty niillä ja varustettu kylmäloukulla, joka kykenee jäähtymään 193 K:n (–80 °C:n) lämpötilaan tai sen alle; tai
A source chamber constructed from, lined with or plated with 'materials resistant to corrosion by uranium hexafluoride (UF6)';
lähdekammio on valmistettu ’UF6-korroosiota kestävistä materiaaleista’ tai vuorattu tai päällystetty niillä;
f. Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
f. Massaspektrometrit, jotka on varustettu aktinideja tai aktinidifluorideja varten käytettäväksi suunnitellulla mikrofluorausionilähteellä.
a. Multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
a. monivaiheulostulo kykenee antamaan vähintään 40 W:n tehon;
b. Capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz; and
b. kykenee toimimaan 600–2000 Hz:n taajuusalueella; ja
c. Frequency control better (less) than 0,1 %.
c. taajuuden säätö on parempi (pienempi) kuin 0,1 %.
Optical equipment and components, other than those specified in 6A002, 6A004.b as follows:
Seuraavat, muut kuin 6A002, 6A004.b kohdassa määritellyt optiset laitteet ja komponentit:
Wave front corrector systems for use with a laser beam having a diameter exceeding 4 mm, and specially designed components thereof, including control systems, phase front sensors and 'deformable mirrors' including bimorph mirrors.
Aaltorintaman korjausjärjestelmät, jotka on tarkoitettu käytettäväksi halkaisijaltaan yli 4 mm:n lasersäteen kanssa, ja erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit, mukaan lukien valvontajärjestelmät, vaiherintama-anturit ja ’muotoaan muuttavat peilit’, myös bimorfiset peilit.
This item does not cover mirrors defined in 6A004.a, 6A005.e and 6A005.f.
Tämä kohta ei koske 6A004.a, 6A005.e ja 6A005.f kohdassa määriteltyjä peilejä.
Argon ion "lasers" having an average output power equal to or greater than 5 W.
Argonioni"laserit", joiden keskimääräinen lähtöteho on vähintään 5 W.
This item does not cover argon ion 'lasers' defined in items 0B001.g.5, 6A005 and 6A205.a.
Tämä kohta ei koske 0B001.g.5, 6A005 ja 6A205.a kohdassa määriteltyjä argonioni’lasereita’.
a. Individual semiconductor "lasers" with an output power greater than 200 mW each, in quantities larger than 100;
a. erilliset puolijohde"laserit", joista kunkin lähtöteho on suurempi kuin 200 mW ja joita on enemmän kuin 100;
b. Semiconductor "laser" arrays having an output power greater than 20 W.
b. puolijohde"laserien" ryhmät, joiden lähtöteho on suurempi kuin 20 mW.
This item does not cover "lasers" defined in items 0B001.g.5, 0B001.h.6 and 6A005.b.
Tämä kohta ei koske 0B001.g.5, 0B001.h.6 ja 6A005.b kohdassa määriteltyjä "lasereita".
This item does not cover "laser" diodes with a wavelength in the range 1200 nm – 2000 nm.
Tämä kohta ei koske "laser"diodeja, joiden aallonpituus on 1200–2000 nm.
Tunable semiconductor "lasers" and tunable semiconductor 'laser' arrays, of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array stacks of semiconductor 'lasers' containing at least one tunable semiconductor 'laser' array of such wavelength.
Viritettävät puolijohde"laserit" ja viritettävien puolijohde"laserien" ryhmät, joiden aallonpituus on 9–17 μm, ja puolijohde"laserien" ryhmien kerrokset, jotka sisältävät vähintään yhden viritettävän puolijohde"laser"ryhmän, jolla on mainittu aallonpituus.
This item does not cover semiconductor "lasers" defined in items 0B001.h.6 and 6A005.b
Tämä kohta ei koske 0B001.h.6 ja 6A005.b kohdassa määriteltyjä puolijohde"lasereita".
a. Titanium-sapphire lasers,
a. titaanisafiirilaserit
b. Alexandrite lasers.
b. aleksandriittilaserit.
This item does not cover titanium-sapphire and alexandrite lasers defined in items 0B001.g.5, 0B001.h.6 and 6A005.c.1.
Tämä kohta ei koske 0B001.g.5, 0B001.h.6 ja 6A005.c.1 kohdassa määriteltyjä titaanisafiiri- ja aleksandriittilasereita.
Neodymium-doped (other than glass) "lasers", having an output wavelength greater than 1000 nm but not exceeding 1100 nm and output energy exceeding 10 J per pulse.
Neodyymiseostetut (muut kuin lasi-)"laserit", joiden lähtöaallonpituus on yli 1000 nm mutta ei enemmän kuin 1100 nm ja lähtöenergia on yli 10 J pulssia kohden.
This item does not cover neodymium-doped (other than glass) 'lasers' defined in item 6A005.c.2.b.
Tämä kohta ei koske 6A005.c.2.b kohdassa määriteltyjä neodyymiseostettuja (muita kuin lasi-)"lasereita".
a. Framing tubes and solid-state imaging devices having a recurrence frequency equal to or exceeding 1 kHz;
a. erilliskuvaputket tai solid-state-kuvauslaitteet, joiden toistotiheys on vähintään 1 kHz;
b. Recurrence frequency supplies;
b. toistotiheystarvikkeet;
c. Pockels cells.
c. Pockel-kennot.
Operating at wavelengths between 300 nm and 800 nm;
Ne toimivat 300 nm:n ja 800 nm:n välillä olevilla aallonpituuksilla;
An average output power greater than 10 W but not exceeding 30 W;
Niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 10 W mutta enintään 30 W;
A repetition rate greater than 1 kHz; and
Toistotaajuus on suurempi kuin 1 kHz; ja
Pulse width less than 100 ns.
Pulssin leveys on alle 100 ns.
This item does not cover single mode oscillators.
Tämä kohta ei koske yksimuoto-oskillaattoreita.
This item does not cover tunable pulsed dye laser amplifiers and oscillators defined in item 6A205.c, 0B001.g.5 and 6A005.
Tämä kohta ei koske 6A205.c, 0B001.g.5 ja 6A005 kohdassa määriteltyjä viritettäviä pulssitoimisia väriainelaservahvistimia ja -oskillaattoreita.
Operating at wavelengths between 9000 nm and 11000 nm;
Ne toimivat 9000 nm:n ja 11000 nm:n välillä olevilla aallonpituuksilla;
A repetition rate greater than 250 Hz;
Toistotaajuus on suurempi kuin 250 Hz;
An average output power greater than 100 W but not exceeding 500 W; and
Niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 100 W mutta enintään 500 W; ja
Pulse width less than 200 ns.
Pulssin leveys on alle 200 ns.
This item does not cover pulsed carbon dioxide laser amplifiers and oscillators defined in item 6A205.d., 0B001.h.6. and 6A005.d.
Tämä kohta ei koske 6A205.d, 0B001.h.6 ja 6A005.d kohdassa määriteltyjä pulssitoimisia hiilidioksidilaservahvistimia ja oskillaattoreita.
Copper vapour 'lasers' having both of the following characteristics:
Kupari (Cu)-höyry"laserit", joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:
Operating at wavelengths between 500 and 600 nm; and
Ne toimivat 500 nm:n ja 600 nm:n välillä olevilla aallonpituuksilla; ja
An average output power equal to or greater than 15 W.
Niiden keskimääräinen lähtöteho on vähintään 15 W.
Pulsed carbon monoxide 'lasers' having all of the following characteristics:
Pulssitoimiset hiilimonoksidi"laserit", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Operating at wavelengths between 5000 and 6000 nm;
Ne toimivat 5000 nm:n ja 6000 nm:n välillä olevilla aallonpituuksilla;
An average output power greater than 100 W; and
Niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 100 W; ja
Pulse width of less than 200 ns.
Pulssin leveys on alle 200 ns. Huom.:
This item does not control the higher power (typically 1 to 5 kW) industrial carbon monoxide lasers used in applications such as cutting and welding, as these latter lasers are either continuous wave or are pulsed with a pulse width greater than 200 ns.
Nämä laserit ovat jatkuvatoimisia lasereita tai pulssilasereita, joiden pulssin leveys on yli 200 ns.
I. Inertial navigation systems which are certified for use on "civil aircraft" by civil authorities of a State participating in the Wassenaar Arrangement, and specially designed components thereof, as follows:
I. Inertiasuunnistusjärjestelmät, jotka Wassenaarin järjestelyyn osallistuvan valtion siviiliviranomaiset ovat sertifioineet käytettäväksi "siviili-ilma-aluksissa", ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
a. Inertial navigation systems (INS) (gimballed or strapdown) and inertial equipment designed for "aircraft", land vehicle, vessels (surface or underwater) or 'spacecraft' for attitude, guidance or control, having any of the following characteristics, and specially designed components thereof:
a. Inertiasuunnistusjärjestelmät (INS) (kardaaniset ja sidotut) sekä inertialaitteet, jotka on suunniteltu "ilma-aluksen", maakulkuneuvon, aluksen (pinta- tai vedenalaisen) tai "avaruusaluksen" asentoa, ohjausta tai valvontaa varten ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
Navigation error (free inertial) subsequent to normal alignment of 0,8 nautical mile per hour (nm/hr) 'Circular Error Probable' (CEP) or less (better); or
(vapaa inertiaalinen) navigointivirhe tavanomaisen linjauksen jälkeen on 0,8 merimailin tunnissa ’todennäköinen paikannuksen etäisyysvirhe’ (CEP) tai vähemmän (parempi); tai
b. Hybrid Inertial Navigation Systems embedded with Global Navigation Satellite Systems(s) (GNSS) or with "Data-Based ReferencedNavigation" ("DBRN") System(s) for attitude, guidance or control, subsequent to normal alignment, having an INS navigation position accuracy, after loss of GNSS or "DBRN" for a period of up to four minutes, of less (better) than 10 metres 'Circular Error Probable' (CEP);
b. Hybridi-inertiasuunnistusjärjestelmät, jotka on yhdistetty maailmanlaajuisen / maailmanlaajuisten satelliittinavigointi-järjestelmän/järjestelmien (GNSS) kanssa tai "DBRN (Data-Based Referenced Navigation)" -järjestelmän/-järjestelmien kanssa asentoa, ohjausta tai valvontaavarten tavanomaisen linjauksen jälkeen ja joiden INS-suunnistuspaikannustarkkuus GNSS:n tai "DBRN":n menetyksen jälkeen aina neljän minuutin ajan on vähemmän (parempi) kuin 10 metrin ’todennäköinen paikannuksen etäisyysvirhe’ (CEP);
c. Inertial Equipment for Azimuth, Heading, or North Pointing having any of the following characteristics, and specially designed components thereof:
c. Inertialaitteet suuntakulman, ohjaussuunnan tai pohjoisen osoittamista varten, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
Designed to have an Azimuth, Heading, or North Pointing accuracy equal to, or less (better) than 6 arc/ minutes RMS at 45 degrees latitude; or
suunniteltu osoittamaan suuntakulma, ohjaussuunta tai pohjoinen tarkkuudella, joka on sama tai pienempi (parempi) kuin 6 kaariminuuttia RMS 45 leveysasteessa; tai
Designed to have a non-operating shock level of at least 900 g at a duration of at least 1 msec.
suunniteltu siten, että niillä on vähintään 900 g:n iskutaso toimimattomana vähintään 1 ms:n ajan.
The parameters of I.a. and I.b. are applicable with any of the following environmental conditions:
ja I.b kohdan parametrejä sovelletaan kaikissa seuraavissa ympäristöolosuhteissa:
a. A constant power spectral density (PSD) value of 0,04 g2/Hz over a frequency interval of 15 to 1000 Hz; and
a. vakio tehospektritiheyden (PSD) arvo on 0,04 g2/Hz taajuusvälillä 15–1000 Hz; ja
b. The PSD attenuates with a frequency from 0,04 g2/Hz to 0,01 g2/Hz over a frequency interval from 1000 to 2000 Hz;
b. PSD vaimenee taajuuden mukana 0,04 g2/Hz:stä 0,01 g2/Hz:iin taajuusvälillä 1000–2000 Hz;
A roll and yaw rate equal to or greater than +2,62 radian/s (150 deg/s); or
Kulmanopeus on vähintään +2,62 radiaania/s (150 astetta/s); tai
'Circular Error Probable' (CEP) – In a circular normal distribution, the radius of the circle containing 50 percent of the individual measurements being made, or the radius of the circle within which there is a 50 percent probability of being located.
’Todennäköinen paikannuksen etäisyysvirhe’ (CEP) – Tavanomaisessa ympyräjakelussa sellaisen ympyrän säde, joka sisältää 50 prosenttia tehdyistä yksittäisistä mittauksista, tai sellaisen ympyrän säde, jossa on 50 prosentin todennäköisyys sijoittua.
Technology required for the development or production of the items in Part IV A. (Goods) of Annex IV.
Teknologia, jota tarvitaan liitteessä IV olevassa IV.A osassa (Tuotteet) lueteltujen tuotteiden kehittämisessä tai tuotannossa.
The term 'technology' includes software.
Käsitteeseen ’teknologia’ sisältyvät ohjelmistot.
Goods and technology referred to in Articles 3(1), 3(3) and 3(5), 5(2), 8(4), 18(1), 31(1) and 45
3 artiklan 1, 3 ja 5 kohdassa, 5 artiklan 2 kohdassa, 8 artiklan 4 kohdassa, 18 artiklan 1 kohdassa, 31 artiklan 1 kohdassa ja 45 artiklassa tarkoitetut tuotteet ja teknologia
Unless otherwise stated, reference numbers used in the column below entitled 'Description' refer to the descriptions of dual use items and technology set out in Annex I to Regulation (EC) No 428/2009.
Jollei toisin mainita, jäljempänä sarakkeessa "Kuvaus" käytetyt viitenumerot viittaavat asetuksen (EY) N:o 428/2009 liitteessä I esitettyjen kaksikäyttötuotteiden ja -teknologian kuvauksiin.
A reference number in the column below entitled 'Related item from Annex I to Regulation (EC) No 428/2009' means that the characteristics of the item described in the 'Description' column lie outside the parameters set out in the description of the dual use entry referred to.
Jäljempänä sarakkeessa "Vastaava tuote asetuksen (EY) N:o 428/2009 liitteessä I" oleva viitenumero tarkoittaa sitä, että sarakkeessa "Kuvaus" kuvaillun tuotteen ominaispiirteet eivät vastaa viittauksen kohteena olevan kaksikäyttötuotekohdan kuvauksessa esitettyjä parametrejä.
The object of the controls contained in this Annex should not be defeated by the export of any non-controlled goods (including plant) containing one or more controlled components when the controlled component or components is/are the principal element of the goods and can feasibly be removed or used for other purposes.
Tähän liitteeseen sisältyvää valvontaa ei saa kiertää sellaisten ei-valvonnanalaisten tuotteiden (tuotantolaitos mukaan lukien) viennillä, jotka sisältävät yhden tai useampia valvonnanalaisia komponentteja, kun valvonnanalainen komponentti tai komponentit ovat tuotteiden olennaisia osia ja voidaan järkevästi irrottaa tai käyttää toisiin tarkoituksiin.
In judging whether the controlled component or components is/are to be considered the principal element, it is necessary to weigh the factors of quantity, value and technological know-how involved and other special circumstances which might establish the controlled component or components as the principal element of the goods being procured.
Arvioitaessa sitä, onko valvonnanalaista komponenttia tai komponentteja pidettävä olennaisina osina, on välttämätöntä punnita määrään, arvoon ja teknologiseen taitotietoon liittyviä tekijöitä sekä muita erityistekijöitä, jotka voisivat osoittaa valvonnanalaisen komponentin tai valvonnanalaisten komponenttien olevan toimitettavien tuotteiden olennaisia osia.
(To be read in conjunction with Section III.B)
(Luetaan yhdessä III.B osan kanssa.)
The sale, supply, transfer or export of "technology" which is "required" for the "use" of goods the sale, supply, transfer or export of which is controlled in Part A (Goods) below, is controlled in accordance with the provisions of Section III.B.
Sellaisen "teknologian" myyntiä, toimittamista, siirtämistä tai vientiä, jota "tarvitaan" sellaisten tuotteiden "käyttöön", joiden myyntiä, toimittamista, siirtämistä tai vientiä valvotaan jäljempänä olevan A osan (Tuotteet) nojalla, valvotaan III.B osan säännösten mukaisesti.
The sale, supply, transfer or export of "technology" which is "required" for the "development" or "production" of goods the sale, supply, transfer or export of which is controlled in Part A (Goods) below, is prohibited in accordance with the provisions of Annex II, Section II.B.
Sellaisen "teknologian" myynti, toimittaminen, siirtäminen tai vienti, jota "tarvitaan" sellaisten tuotteiden "kehittämiseen" tai "tuotantoon", joiden myyntiä, toimittamista, siirtämistä tai vientiä valvotaan jäljempänä olevan A osan (Tuotteet) nojalla, on kielletty liitteessä II olevan II.B osan säännösten mukaisesti.
The "technology""required" for the "use" of goods under control remains under control even when it is applicable to non-controlled goods.
"Teknologia", jota "tarvitaan" valvonnanalaisten tuotteiden "käyttöä" varten, on valvonnanalaista myös silloin, kun se on sovellettavissa ei-kiellettyihin tuotteisiin.
Controls do not apply to that "technology" which is the minimum necessary for the installation, operation, maintenance (checking) and repair of those goods which are not controlled or the export of which has been authorised in accordance with Regulation (EC) No 423/2007 or This Regulation.
Valvonta ei koske sitä "teknologiaa", joka tarvitaan vähimmäistapauksessa sellaisten tuotteiden käyttöönottoa, toimintaa, huoltoa (tarkastusta) ja korjausta varten, jotka eivät ole valvonnanalaisia tai joiden vienti on sallittu asetuksen (EY) N:o 423/2007 tai tämän asetuksen mukaisesti.
'Glove Boxes', specially designed for radioactive isotopes, radioactive sources or radionuclides.
”Hansikaskaapit”, jotka on erityisesti suunniteltu radioaktiivisia isotooppeja, radioaktiivisia lähteitä tai radionuklideja varten.
'Glove Boxes' means equipment providing protection to the user, from hazardous vapour, particles or radiation, from materials inside the equipment being handled or processed by a person outside the equipment, by means of manipulators or gloves integrated into the equipment.
”Hansikaskaapeilla” tarkoitetaan laitteita, jotka suojaavat käyttäjää vaaralliselta höyryltä, hiukkasilta tai säteilyltä, jota aiheutuu laitteiston sisällä olevista materiaaleista, joita laitteiston ulkopuolella oleva henkilö käsittele tai jalostaa laitteistoon kuuluvien käsittelylaitteiden tai hansikkaiden avulla.
Toxic gas monitoring systems designed for continuous operation and detection of Hydrogen Sulphide, and specially designed detectors therefore.
Myrkyllisten kaasujen valvontajärjestelmät, jotka on suunniteltu jatkuvaan toimintaan ja rikkivedyn havaitsemiseen, sekä niiden erityisesti suunnitellut ilmaisimet.
Helium Leak Detectors.
Heliumvuotojen ilmaisimet.
Materials, chemicals, 'micro-organisms' and 'toxins'
Materiaalit, kemikaalit, ”mikro-organismit” ja ”toksiinit”
a. Copolymers of vinylidene fluoride having 75 % or more beta crystalline structure without stretching;
a. vinyylideenifluoridin sekapolymeerit, joilla ilman venytystä on vähintään 75 % betakiderakennetta;
b. Fluorinated polyimides containing 10 % by weight or more of combined fluorine;
b. fluoratut polyimidit, jotka sisältävät vähintään 10 painoprosenttia sitoutunutta fluoria;
c. Fluorinated phosphazene elastomers containing 30 % by weight or more of combined fluorine;
c. fluoratut fosfatseeni-elastomeerit, jotka sisältävät vähintään 30 painoprosenttia sitoutunutta fluoria;
d. Polychlorotrifluoroethylene (PCTFE, e.g. Kel-F ®);
d. polyklooritrifluorieteeni (PCTFE, esim. Kel-F ®);
e. Fluoro-elastomers (e.g., Viton ®, Tecnoflon ®);
e. fluoroelastomeerit (esim. Viton ®, Tecnoflon ®);
f. Polytetrafluoroethylene (PTFE).
f. polytetrafluorieteeni (PTFE).
This item does not cover nuclear detection systems defined in item 1A004.c.
Tämä kohta ei koske 1A004.c kohdassa määriteltyjä ydinalan ilmaisinjärjestelmiä.
Steel alloys in sheet or plate form, having any of the following characteristics:
Terässeoksesta valmistetut levyt, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Steel alloys 'capable of' ultimate tensile strength of 1200 MPa or more, at 293 K (20 °C); or
a. terässeokset, joiden murtovetolujuus on vähintään 1200 MPa lämpötilassa 293K (20 °C); tai
Nitrogen-stabilised duplex stainless steel.
b. typellä stabiloitu ruostumaton dupleksiteräs.
The phrase alloys 'capable of' encompasses alloys before or after heat treatment
Lujuusmääritelmä kattaa seokset sekä lämpökäsittelemättöminä että -käsiteltyinä.