natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave “monolithic integrated circuit” and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
Mikroaaltotehomoduulit (MPM), jotka koostuvat vähintään kulkuaaltoputkesta, ”monoliittisesta integroidusta mikroaaltopiiristä” ja integroidusta elektronisesta teholähteestä ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a. A ‘turn-on time’ from off to fully operational in less than 10 seconds;
a. ’Kytkeytymisaika’ nolla-asennosta täyteen toimintavalmiuteen vähemmän kuin 10 sekuntia;
b. A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
b. Tilavuus vähemmän kuin suurin nimellisteho watteina kerrottuna 10 cm3/W:llä; ja
c. An “instantaneous bandwidth” greater than 1 octave (fmax. > 2fmin.) and having either of the following:
c. ”Hetkellinen kaistanleveys” enemmän kuin 1 oktaavi (fmax.> 2fmin.), ja jompikumpi seuraavista ominaisuuksista:
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
b.9.b kohdassa tarkoitetun tilavuuden laskemiseksi annetaan seuraava esimerkki: 20 W:n suurimmalla nimellisteholla tilavuuden tulisi olla 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
The ‘turn-on time’ in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e. it includes the warm-up time of the MPM.
b.9.a kohdassa tarkoitettu ’kytkeytymisaika’ viittaa aikaan, joka kuluu täydestä nolla-asennosta täyteen toimintavalmiuteen eli siihen sisältyy MPM:n lämpenemisaika.
a. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(126 + 20log10F-20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
a. Yksisivukaistan (SSB) vaihekohina dBc/Hz:einä on parempi kuin -(126 + 20log10F–20log10f) taajuuksilla 10 Hz < F < 10 kHz; ja
b. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(114 + 20log10F-20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
b. Yksisivukaistan (SSB) vaihekohina dBc/Hz:einä on parempi kuin -(114 + 20log10F–20log10f) taajuuksilla 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
b.10 kohdassa F on toimintataajuuden poikkeama hertseinä ja f on toimintataajuus megahertseinä.
“Frequency synthesiser” “electronic assemblies” having a “frequency switching time” as specified by any of the following:
”Elektroniset taajuussyntetisoijakokoonpanot”, joiden ”taajuuden vaihtoaika” on jokin seuraavista:
a. Less than 312 ps;
a. Vähemmän kuin 312 ps;
b. Less than 100 μs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
b. Vähemmän kuin 100 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 1,6 GHz syntesoidulla taajuusalueella, joka ylittää 3,2 GHz mutta ei 10,6 GHz:iä;
c. Less than 250 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
c. Vähemmän kuin 250 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 550 MHz syntesoidulla taajuusalueella, joka ylittää 10,6 GHz mutta ei 31,8 GHz:iä;
d. Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
d. Vähemmän kuin 500 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 550 MHz syntesoidulla taajuusalueella, joka ylittää 31,8 GHz mutta ei 43,5 GHz:iä; tai
e. Less than 1 ms within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz.
e. Vähemmän kuin 1 ms syntesoidulla taajuusalueella, joka ylittää 43,5 GHz.
For general purpose “signal analysers”, signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
Yleiskäyttöiset ”signaalianalysaattorit”, signaaligeneraattorit, verkkoanalysaattorit ja mikroaaltotestivastaanottimet: katso. 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e ja 3A002.f kohta.
c. Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
c. Seuraavat akustiset aaltolaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
Pinta-akustiset aaltolaitteet ja matalatila-akustiset laitteet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. A carrier frequency exceeding 6 GHz;
a. Kantoaallon taajuus ylittää 6 GHz;
b. A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
b. Kantoaallon taajuus ylittää 1 GHz mutta ei 6 GHz:iä, ja jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A ‘frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB;
’Taajuuden sivukeilan vaimennus’ ylittää 65 dB;
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
Maksimiviiveen ja kaistanleveyden tulo (aika mikrosekunteina ja kaistanleveys megahertseinä) on enemmän kuin 100
c. A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
c. Kantoaallon taajuus 1 GHz tai vähemmän, ja jokin seuraavista ominaisuuksista:
A ‘frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
’Taajuuden sivukeilan vaimennus’ ylittää 65 dB ja kaistanleveys suurempi kuin 100 MHz;
‘Frequency side-lobe rejection’ is the maximum rejection value specified in data sheet.
’Taajuuden sivukeilan vaimennus’ on suurin datalehdellä mainittu vaimennusarvo.
Acoustic-optic “signal processing” devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Akusto-optiset ”signaalinkäsittely”laitteet, jotka käyttävät hyväkseen ääniaaltojen (kappale- tai pinta-aaltojen) ja valoaaltojen vuorovaikutusta ja jotka sallivat signaalien tai kuvien suoran käsittelyn, mukaan lukien spektrianalyysi, korrelaatio tai konvoluutio;
c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi akustisia aaltolaitteita, jotka rajoittuvat yhteen kaistanpäästöön, alipäästö-, ylipäästö- tai imusuodatukseen tai resonointitoimintoon.
d. Electronic devices and circuits containing components, manufactured from “superconductive” materials, specially designed for operation at temperatures below the “critical temperature” of at least one of the “superconductive” constituents and having either of the following:
d. Elektroniset laitteet tai piirit, jotka sisältävät ”suprajohtavista” materiaaleista valmistettuja komponentteja ja jotka on erityisesti suunniteltu toimimaan ainakin yhden ”suprajohtavan” ainesosansa ”kriittisen lämpötilan” alapuolella ja joilla on jompikumpi seuraavista ominaisuuksista:
Current switching for digital circuits using “superconductive” gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
Virtakytkentä digitaalipiireissä, joissa käytetään ”suprajohtavia” portteja, joiden porttikohtaisen viiveen (sekunteina) ja porttikohtaisen tehohäviön (watteina) tulo on vähemmän kuin 10-14 J; tai
e. High energy devices as follows:
e. Seuraavat suurenergialaitteet:
‘Cells’ as follows:
Seuraavat ’parit’:
a. ‘Primary cells’ having an ‘energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
a. ’Ensiöparit’, joiden ’energiatiheys’ ylittää 550 Wh/kg 20 °C:ssa;
b. ‘Secondary cells’ having an ‘energy density’ exceeding 250 Wh/kg at 20 °C;
b. ’Toisioparit’, joiden ’energiatiheys’ ylittää 250 Wh/kg 20 °C:ssa;
For the purpose of 3A001.e.1.,‘energy density’ (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
e.1 kohdassa ’energiatiheys’ lasketaan nimellisjännitteestä kerrottuna nimelliskapasiteetilla ampeeritunteina (Ah) jaettuna massalla kilogrammoina.
For the purpose of 3A001.e.1., a ‘cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
e.1.a kohdassa ’pari’ määritellään sähkökemialliseksi laitteeksi, jolla on positiivinen ja negatiivinen elektrodi ja elektrolyytti ja joka on sähköenergian lähde.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a ‘primary cell’ is a ‘cell’ that is not designed to be charged by any other source.
e.1.a.a kohdassa ’ensiöpari’ on ’pari’, jota ei ole suunniteltu ladattavaksi mistään muusta lähteestä.
For the purpose of 3A001.e.1.b., a ‘secondary cell’ is a ‘cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
e.1.b.a kohdassa ’toisiopari’ on ’pari’, joka on suunniteltu ladattavaksi ulkoisesta sähkölähteestä.
e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
e.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi paristoja, mukaan lukien yksipariset paristot.
SEE ALSO 3A201.a.
KATSO MYÖS 3A201.a KOHTA.
a. Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
a. Kondensaattorit, joiden toistotiheys on alle 10 Hz (kertatoimiset kondensaattorit) ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
b. Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
b. Kondensaattorit, joiden toistotiheys on 10 Hz tai enemmän (toistuvatoimiset kondensaattorit) ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
“Superconductive” electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
”Suprajohtavat” sähkömagneetit tai solenoidit, jotka on erityisesti suunniteltu täysin ladattaviksi tai purettaviksi alle 1 sekunnissa ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
SEE ALSO 3A201.b.
KATSO MYÖS 3A201.b KOHTA.
e.3. does not control “superconductive” electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
e.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi ”suprajohtavia” sähkömagneetteja tai solenoideja, jotka on erityisesti suunniteltu magneettiresonanssikuvausta (MRI) varten lääketieteellisiin laitteisiin.
a. Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
a. Purkauksen aikana luovutettu maksimienergia on enemmän kuin 10 kJ ensimmäisen sekunnin aikana;
b. Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
b. Virtakäämien sisäläpimitta on yli 250 mm; ja
c. Rated for a magnetic induction of more than 8 T or “overall current density” in the winding of more than 300 A/mm2;
c. Magneettisen induktion nimellisarvo on enemmän kuin 8 T tai ”kokonaisvirrantiheys” käämissä on yli 300 A/mm2;
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are “space-qualified”, having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ‘AM0’ illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
Aurinkokennot, CIC-järjestelmät ja aurinkopaneelit, jotka ovat ”avaruuskelpoisia” ja joiden keskimääräinen vähimmäistehokkuus on enemmän kuin 20 prosenttia 301 K:n (28 °C:n) toimintalämpötilassa simuloidussa ’AM0’-valaistuksessa, jonka säteilyvoimakkuus on 1367 wattia neliömetriä kohden (W/m2);
’, or ‘Air Mass Zero’, refers to the spectral irradiance of sun light in the earth’s outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
’AM0’ tai ’ilmamassan arvo 0’ (Air Mass Zero) tarkoittaa auringonvalon spektraalista säteilyvoimakkuutta maapallon uloimmassa ilmakehässä, kun maapallon ja auringon välinen etäisyys on yksi astronominen yksikkö (AU).
f. Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ± 1,0 second of arc;
f. Pyöriväsyötteiset absoluuttisen asennon kooderit, joiden tarkkuus on ±1,0 kaarisekuntia tai pienempi (parempi);
g. Solid-state pulsed power switching thyristor devices and ‘thyristor modules’, using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
g. Solid-state-pulssivirtakytkintyristorilaitteet ja ’tyristorimoduulit’, joissa käytetään joko sähköisesti, optisesti ja elekronisäteilyllä ohjattuja kytkentämenetelmiä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having both of the following:
Suurin kytkentävirran nousunopeus (di/dt) on suurempi kuin 2000 A/μs, ja molemmat seuraavista ominaisuuksista:
a. An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
a. Suurin estojännite on yhtä suuri tai suurempi kuin 3000 V; ja
b. A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
b. Huippuvirta (syöksyvirta) on yhtä suuri tai suurempi kuin 3000 A.
g. includes:
g kohtaan sisältyvät:
Solidtrons
Solidtronit.
g. does not control thyristor devices and ‘thyristor modules’ incorporated into equipment designed for civil railway or “civil aircraft” applications.
g kohta ei aseta valvonnanalaiseksi tyristorilaitteita ja ’tyristorimoduuleja’, jotka on sisällytetty laitteisiin, jotka on suunniteltu rautateiden siviilisovelluksia tai ”siviili-ilma-alusten” sovelluksia varten.
For the purposes of 3A001.g., a ‘thyristor module’ contains one or more thyristor devices.
g.a kohdassa ’tyristorimoduuliin’ sisältyy yksi tai useampi tyristorilaite.
h. Solid-state power semiconductor switches, diodes, or ‘modules’, having all of the following:
h. Solid-state-puolijohdevirtakytkimet, diodit tai ’modulit’, joilla kaikki seuraavat ominaisuudet:
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Myötäestojännitteen suurin toistuva hetkellisarvo 3A001.h kohdassa käsittää nielu-lähdejännitteen, kollektori-emitterijännitteen, vastaestojännitteen suurimman toistuvan hetkellisarvon ja sulkujännitteen suurimman toistuvan hetkellisarvon.
h. includes:
h kohta käsittää seuraavaa:
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
Liitoskanavatransistorit (JFET)
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
Vertikaaliset liitoskanavatransistorit (VJFET)
Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)
Metallioksidipuolijohdekanavatransistorit (MOSFET)
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
Kaksoisdiffusoidut metallioksidipuolijohdekanavatransistorit (DMOSFET)
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Eristettyhilaiset bipolaaritransistorit (IGBT)
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
Korkean elektroniliikkuvuuden transistorit (HEMT)
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
Bipolaariset liitostransistorit (BJT)
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Tyristorit ja ohjatut piitasasuuntaajat (SCR)
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
Hilalta sammutettavat tyristorit (GTO)
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
Emitteriltä sammutettavat tyristorit (ETO)
Schottky Diodes
Schottky-diodit.
h. does not control switches, diodes, or ‘modules’ incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or “civil aircraft” applications.
h kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi virtakytkimiä, diodeja tai ’moduuleja’, jotka sisältyvät laitteistoihin, jotka on tarkoitettu siviilikäytössä olevissa autoissa, siviilikäytössä olevilla rautateillä tai ”siviili-ilma-aluksissa” käytettäviin sovelluksiin.
For the purposes of 3A001.h., ‘modules’ contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
h kohdassa mainitut ’moduulit’ käsittävät yhden tai useita solid-state-puolijohdevirtakytkimiä tai -diodeja.
a. Recording equipment as follows and specially designed test tape therefor:
a. Seuraavat nauhoituslaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut testinauhat:
a. A bandwidth exceeding 4 MHz per electronic channel or track;
a. Kaistanleveys ylittää 4 MHz kullakin elektronisella kanavalla tai nauhan raidalla;
b. A bandwidth exceeding 2 MHz per electronic channel or track and having more than 42 tracks; or
b. Kaistanleveys ylittää 2 MHz kullakin elektronisella kanavalla tai nauhan raidalla ja raitojen määrä ylittää 42; tai
c. A time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ± 0,1 μs;
c. Soveltuvan IRIG:n (International Range Instrumentation Group) tai EIA:n (Electronic Industries Association) suosituksen mukaisesti mitattu aika(taso)siirtymävirhe on alle ±0,1 mikrosekuntia;
Analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
Analogisia nauhureita, jotka on erityisesti suunniteltu siviilivideotarkoituksiin, ei katsota instrumentointinauhureiksi.
a.2. does not control digital video magnetic tape recorders specially designed for television recording using a signal format, which may include a compressed signal format, standardised or recommended by the ITU, the IEC, the SMPTE, the EBU, the ETSI or the IEEE for civil television applications.
a.2 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi digitaalisia videonauhureita, jotka on erityisesti suunniteltu televisionauhoituksiin käyttäen sellaista signaalimuotoa, johon saattaa sisältyä ITU:n (International Telecommunication Unit), IEC:n International Technical Commission), SMPTE:n (Society of Motion Picture and Television Engineers), EBU:n (European Broadcasting Unit), ETSI:n (European Telecommunications Standards Institute) tai IEEE:n (Institute of Electrical and Electronic Engineers) standardien tai suositusten mukainen tiivistetty signaalimuoto siviilitelevisiosovelluksissa.
Digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having either of the following:
Viistopyyhkäisytekniikkaa tai kiinteäpää-tekniikkaa käyttävät digitaaliset instrumentointinauhurit, joilla on jompikumpi seuraavista ominaisuuksista:
a. A maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s; or
a. Digitaaliliitännän maksimisiirtonopeus ylittää 175 Mbit/s; tai
b. Being “space-qualified”;
b. Ne ovat ”avaruuskelpoisia”;
a.3. does not control analogue magnetic tape recorders equipped with HDDR conversion electronics and configured to record only digital data.
a.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi analogisia nauhureita, jotka on varustettu HDDR-konversioelektroniikalla ja jotka on tarkoitettu vain digitaalisen tiedon nauhoittamiseen.
Waveform digitisers and transient recorders, having both of the following:
Aaltomuodon digitointilaitteet ja transienttitallentimet, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:
a. Digitising rate equal to or more than 200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more; and
a. Digitointinopeus on 200 miljoonaa näytteenottoa sekunnissa tai enemmän ja resoluutio 10 bittiä tai enemmän; ja
b. A ‘continuous throughput’ of 2 Gbit/s or more;
b. ’Jatkuva käsittelykyky’ 2 Gbit/s tai enemmän;
For those instruments with a parallel bus architecture, the ‘continuous throughput’ rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Laitteille, joissa on rinnakkaisväyläarkkitehtuuri, ’jatkuva käsittelykyky’ on suurin sanansiirtonopeus kerrottuna sanan bittien lukumäärällä.
‘Continuous throughput’ is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
’Jatkuva käsittelykyky’ tarkoittaa suurinta tiedonsiirtonopeutta, jonka laite voi tulostaa massamuistiin tietoa menettämättä samalla, kun se ylläpitää näytteenottonopeutta ja analogia-digitaalimuunnosta.
Digital instrumentation data recorders using magnetic disk storage technique and having both of the following:
Digitaaliset instrumentointitietonauhoittimet, joissa käytetään magneettilevymuistitekniikkaa ja joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:
a. Digitising rate equal to or more than 100 million samples per second and a resolution of 8 bit or more; and
a. Digitointinopeus vähintään 100 miljoonaa näytettä sekunnissa ja resoluutio 8 bittiä tai enemmän; ja
b. A ‘continuous throughput’ of 1 Gbit/s or more;
b. ’Jatkuva käsittelykyky’, joka on vähintään 1 Gbit/s;
c. Radio-frequency “signal analysers” as follows:
c. Seuraavat radiotaajuus ”signaalianalysaattorit”:
“Signal analysers” having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz;
”Signaalianalysaattorit”, joilla on yli 10 MHz:n resoluutiokaistanleveys (RBW) 3 dB:n teholla missä tahansa taajuusalueella, joka on yli 31,8 GHz mutta enintään 37,5 GHz;
“Signal analysers” having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than - 150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 70 GHz;
”Signaalianalysaattorit”, joiden keskimääräinen kohinataso (Displayed Average Noise Level (DANL)) on alle (parempi) kuin -150 dBm/Hz missä tahansa taajuusalueella, joka on yli 43,5 GHz mutta enintään 70 GHz;
“Signal analysers” having a frequency exceeding 70 GHz;
”Signaalianalysaattorit”, joiden taajuus ylittää 70 GHz;
“Dynamic signal analysers” having a “real-time bandwidth” exceeding 40 MHz;
”Dynaamiset signaalianalysaattorit”, joiden ”tosiaikainen kaistanleveys” ylittää 40 MHz;
c.4. does not control those “dynamic signal analysers” using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
c.4 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi niitä ”dynaamisia signaalianalysaattoreita”, jotka käyttävät vain ”vakiosuhteisia kaistasuotimia” (kutsutaan myös oktaavi- tai osaoktaavisuotimiksi).
d. Frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:
d. Taajuussyntetisoivat signaaligeneraattorit, joiden tuottamien lähtötaajuuksien tarkkuus ja lyhyen tai pitkän aikavälin stabiilius on sisäisen perusvertailuoskillaattorin ohjaama, siitä johdettu tai sen määräämä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Specified to generate a ‘pulse duration’ of less than 100 ns anywhere within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 70 GHz;
Määritetty tuottamaan alle 100 ns:n ’pulssinkeston’ missä tahansa syntesoidulla taajuusalueella, joka ylittää 31,8 GHz mutta ei ylitä 70 GHz:iä;
An output power exceeding 100 mW (20 dBm) anywhere within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 70 GHz;
Lähtöteho ylittää 100 mW (20 dBm) missä tahansa syntesoidulla taajuusalueella, joka ylittää 43,5 GHz mutta ei ylitä 70 GHz:iä;
A “frequency switching time” as specified by any of the following:
”Taajuuden vaihtoaika” on jokin seuraavista:
d. Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz;
d. Vähemmän kuin 500 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 550 MHz syntesoidulla taajuusalueella, joka ylittää 31,8 GHz mutta ei 43,5 GHz:iä;
e. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 56 GHz; or
e. Vähemmän kuin 1 ms kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 550 MHz syntesoidulla taajuusalueella, joka ylittää 43,5 GHz mutta ei 56 GHz:iä; tai
f. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesised frequency range exceeding 56 GHz but not exceeding 70 GHz;
f. Vähemmän kuin 1 ms kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 2,2 GHz syntesoidulla taajuusalueella, joka ylittää 56 GHz mutta ei 70 GHz:iä;
At synthesised frequencies exceeding 3,2 GHz but not exceeding 70 GHz, and having both of the following:
Syntesoidut taajuudet ylittävät 3,2 GHz mutta ei 70 GHz:iä, ja sillä on molemmat seuraavista ominaisuuksista:
a. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(126 + 20log10F - 20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
a. Yksisivukaistan (SSB) vaihekohina dBc/Hz:einä on parempi kuin -(126 + 20log10F–20log10f) taajuuksilla 10 Hz < F < 10 kHz; ja