natgillin/translations-raw huggingface dataset:
a. “Technology” according to the General Technology Note for the “development”, “production” or “use” of equipment specified in 5A002, 5B002 or “software” specified in 5D002.a. or 5D002.c.
a. ”Teknologia” yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 5A002 tai 5B002 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai 5D002.a tai 5D002.c kohdassa määritelyjen ”ohjelmistojen””kehittämistä”, ”tuotantoa” tai ”käyttöä” varten.
b. “Technology” to enable an item to achieve or exceed the controlled performance levels for functionality specified by 5A002.a. that would not otherwise be enabled.
b. ”Teknologia”, joka mahdollistaa sen, että tuote saavuttaa tai ylittää 5A002.a kohdassa määritellyt toiminnallisuutta koskevat valvotut suorituksen tasot, jotka eivät olisi muuten mahdollisia.
SENSORS AND LASERS
ANTURIT JA ”LASERIT”
a. Marine acoustic systems, equipment and specially designed components therefor, as follows:
a. Seuraavat meriakustiset järjestelmät, laitteet tai erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit:
a.1. does not control equipment as follows:
a.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi seuraavia laitteita:
Depth sounders operating vertically below the apparatus, not including a scanning function exceeding ± 20 °, and limited to measuring the depth of water, the distance of submerged or buried objects or fish finding;
Vertikaalisesti laitteesta alaspäin toimivia syvyysluotaimia, jotka eivät sisällä ±20 astetta ylittävää keilaustoimintoa ja jotka rajoittuvat mittaamaan veden syvyyttä tai etäisyyttä uponneisiin tai hautautuneisiin kohteisiin tai paikallistamaan kalaparvia;
a. Acoustic seabed survey equipment as follows:
a. Seuraavat akustiset merenpohjan kartoituslaitteistot:
Surface vessel survey equipment designed for seabed topographic mapping and having all of the following:
Pinta-alusten kartoituslaitteistot merenpohjan topografian kartoitusta varten, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a. Designed to take measurements at an angle exceeding 20 ° from the vertical;
a. Suunniteltu mittaamaan vertikaalisesta suunnasta 20 astetta ylittävässä kulmassa;
b. Designed to measure seabed topography at seabed depths exceeding 600 m;
b. Suunniteltu kartoittamaan merenpohjan pinnanmuodostusta merenpohjassa yli 600 metrin syvyydessä;
c. ‘Sounding resolution’ less than 2; and
c. ’Luotauksen resoluutio’ alle 2; ja
d. ‘Enhancement’ of the depth accuracy through compensation for all the following:
d. Syvyystarkkuuden ’tehostus’ kompensoinnin avulla kaikkien seuraavien osalta:
Motion of the acoustic sensor;
Akustisen anturin liike;
In-water propagation from sensor to the seabed and back; and
Eteneminen vedessä anturista merenpohjaan ja takaisin; ja
Sound speed at the sensor;
Äänen nopeus anturin kohdalla;
Technical Notes
Tekn. huom.
‘Sounding resolution’ is the swath width (degrees) divided by the maximum number of soundings per swath.
’Luotauksen resoluutio’ on peittoalueen leveys (asteina) jaettuna luotausten enimmäismäärällä peittoaluetta kohden.
‘Enhancement’ includes the ability to compensate by external means.
’Tehostukseen’ sisältyy kyky kompensoida ulkoisin keinoin.
Underwater survey equipment designed for seabed topographic mapping and having all of the following:
Vedenalaiset kartoituslaitteistot merenpohjan topografian kartoitusta varten, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a. Designed or modified to operate at depths exceeding 300 m; and
a. Suunniteltu tai muunnettu toimimaan yli 300 metrin syvyyksissä; ja
b. ‘Sounding rate’ greater than 3800;
b. ’Luotauksen taajuus’ yli 3800;
‘Sounding rate’ is the product of the maximum speed (m/s) at which the sensor can operate and the maximum number of soundings per swath.
’Luotauksen taajuus’ (’Sounding rate’) on seuraavien tulo: anturin toiminnan enimmäisnopeus (m/s) ja luotausten enimmäismäärä peittoaluetta kohden.
Side Scan Sonar (SSS) or Synthetic Aperture Sonar (SAS), designed for seabed imaging and having all of the following:
Viistokaikuluotain (Side Scan Sonar) tai synteettisen apertuurin luotain (Synthetic Aperture Sonar), jotka on suunniteltu merenpohjan kuvaamista varten ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a. Designed or modified to operate at depths exceeding 500 m; and
a. Suunniteltu tai muunnettu toimimaan yli 500 metrin syvyyksissä; ja
b. An ‘area coverage rate’ of greater than 570 m2/s while operating with both an ‘along track resolution’ and ‘across track resolution’ of less than 15 cm.
b. ’Alueen peittotaajuus’ suurempi kuin 570 m2/s toimittaessa sekä ’pitkittäisresoluutiolla’ että ’poikittaisresoluutiolla’, jotka ovat alle 15 cm.
‘Area coverage rate’ (m2/s) is twice the product of the maximum sonar range (m) and the maximum speed (m/s) at which the sensor can operate.
’Alueen peittotaajuus’ (’Area coverage rate’) (m2/s) on kaksi kertaa luotaimen suurimman toiminta-alueen (m) ja anturin toiminnan enimmäisnopeuden (m/s) tulo.
‘Along track resolution’ (cm), for SSS only, is the product of azimuth (horizontal) beamwidth (degrees) and maximum sonar range (m) and 0,873.
’Pitkittäisresoluutio’ (cm), vain viistokaikuluotainten osalta, on seuraavien tulo: atsimuutti (vaakatasoinen) keilanleveys (asteina), luotaimen suurin toiminta-alue (m) ja 0,873.
‘Across track resolution’ (cm) is 75 divided by the signal bandwidth (kHz).
’Poikittaisresoluutio’ (cm) on 75 jaettuna signaalin kaistanleveydellä (kHz).
b. Object detection or location systems, having any of the following:
b. Kohteen havaitsemis- tai paikantamisjärjestelmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Forming beams of less than 1 ° on any axis and having an operating frequency of less than 100 kHz;
Muodostavat minkä tahansa akselin suunnassa alle 1:n asteen säteitä ja toimintataajuus on vähemmän kuin 100 kHz;
Designed to withstand pressure during normal operation at depths exceeding 1000 m and having transducers with any of the following:
Suunniteltu kestämään normaalissa käytössä painetta yli 1000 metrin syvyyksissä ja sisältävät muuntimia, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. Dynamic compensation for pressure; or
a. Dynaaminen kompensointi painetta vastaan; tai
b. Incorporating other than lead zirconate titanate as the transduction element;
b. Sisältävät muunninelementissä jotain muuta kuin lyijyzirkonaattititanaattia;
c. Acoustic projectors, including transducers, incorporating piezoelectric, magnetostrictive, electrostrictive, electrodynamic or hydraulic elements operating individually or in a designed combination and having any of the following:
c. Akustiset projektorit, mukaan lukien muuntimet, jotka sisältävät yksittäin tai suunnitellussa kombinaatiossa toimivia pietso-sähköisiä, magnetostriktiivisiä, sähköstriktiivisiä, sähködynaamisia tai hydraulisia elementtejä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
The control status of acoustic projectors, including transducers, specially designed for other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Erityisesti muita laitteita varten suunniteltujen akustisten projektorien, muuntimet mukaan lukien, valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden valvonnanalaisuuden mukaan.
a.1.c. does not control electronic sources which direct the sound vertically only, or mechanical (e.g. air gun or vapour-shock gun) or chemical (e.g. explosive) sources.
a.1.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi elektronisia äänilähteitä, jotka suuntaavat ääntä vain pystysuunnassa, tai mekaanisia (esim. ilmatykki tai höyryshokkitykki) tai kemiallisia (esim. räjähde) äänilähteitä.
An instantaneous radiated ‘acoustic power density’ exceeding 0,01 mW/mm2/Hz for devices operating at frequencies below 10 kHz;
Hetkellisesti säteilevän ’akustisen tehon tiheys’ ylittää 0,01 mW/mm2/Hz laitteilla, jotka toimivat alle 10 kHz:n taajuuksilla;
A continuously radiated ‘acoustic power density’ exceeding 0,001 mW/mm2/Hz for devices operating at frequencies below 10 kHz; or
Jatkuvasti säteilevän ’akustisen tehon tiheys’ ylittää 0,001 mW/mm2/Hz laitteilla, jotka toimivat alle 10 kHz:n taajuuksilla; tai
‘Acoustic power density’ is obtained by dividing the output acoustic power by the product of the area of the radiating surface and the frequency of operation.
’Akustisen tehon tiheys’ saadaan jakamalla akustinen lähtöteho säteilevän pinnan pinta-alan ja toimintataajuuden tulolla.
d. Acoustic systems and equipment, designed to determine the position of surface vessels or underwater vehicles and having all the following, and specially designed components therefor:
d. Akustiset järjestelmät ja laitteet, jotka on suunniteltu pinta-alusten tai vedenalaisten alusten sijainnin määrittämiseen ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet, sekä erityisesti tätä varten suunnitellut komponentit:
Detection range exceeding 1000 m; and
Yli 1000 metrin havaitsemiskyky; ja
Positioning accuracy of less than 10 m rms (root mean square) when measured at a range of 1000 m;
Paikannustarkkuus, joka on parempi kuin 10 m rms (tehollisarvo) 1000 m:n etäisyydellä mitattuna;
a.1.d. includes:
a.1.d kohta sisältää:
Equipment using coherent “signal processing” between two or more beacons and the hydrophone unit carried by the surface vessel or underwater vehicle;
Laitteet, jotka käyttävät koherenttia ”signaalinkäsittelyä” kahden tai useamman majakan ja pinta-aluksen tai vedenalaisen aluksen kuljettaman hydrofoniyksikön välillä;
e. Active individual sonars, specially designed or modified to detect, locate and automatically classify swimmers or divers, having all of the following:
e. Erilliset kaikuluotaimet, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu havaitsemaan, paikantamaan ja luokittelemaan automaattisesti uimarit tai sukeltajat ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Detection range exceeding 530 m;
Havaitsemiskyky yli 530 m;
Positioning accuracy of less than 15 m rms (root mean square) when measured at a range of 530 m; and
Paikannustarkkuus parempi kuin 15 m rms (tehollisarvo) 530 m:n etäisyydellä mitattuna; ja
Transmitted pulse signal bandwidth exceeding 3 kHz;
Lähetetyn pulssisignaalin kaistanleveys yli 3 kHz;
For diver detection systems specially designed or modified for military use, see the Military Goods Controls.
Erityisesti sotilaskäyttöön suunnitellut tai muunnetut sukeltajien havaitsemisjärjestelmät: ks. asetarvikeluettelo.
For 6A001.a.1.e., where multiple detection ranges are specified for various environments, the greatest detection range is used.
Kun 6A001.a.1.e kohdan osalta eri ympäristöille määritellään useita etäisyyksiä havaitsemiskyvylle, käytetään niistä suurinta.
Passive systems, equipment and specially designed components therefor, as follows:
Seuraavat passiiviset järjestelmät, laitteet tai erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit:
a. Hydrophones having any of the following:
a. Hydrofonit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
The control status of hydrophones specially designed for other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Muita laitteita varten erityisesti suunniteltujen hydrofonien valvonnanalaisuus määräytyy kyseisten muiden laitteiden valvonnanalaisuuden mukaan.
a. Optical fibres;
a. Optisia kuituja;
b. ‘Piezoelectric polymer films’ other than polyvinylidene-fluoride (PVDF) and its co-polymers P(VDF-TrFE) and P(VDF-TFE); or
b. ’Pietsosähköisiä polymeerikalvoja’, lukuun ottamatta polyvinylideenifluoridia (PVDF) ja sen sekapolymeereja P(VDF-TrFE) ja P(VDF-TFE); tai
c. ‘Flexible piezoelectric composites’;
c. ’Taipuisia pietsosähköisiä komposiitteja’;
A ‘hydrophone sensitivity’ better than – 180 dB at any depth with no acceleration compensation;
’Hydrofonin herkkyys’ ilman kiihtyvyyskompensointia on parempi kuin –180 dB missä tahansa syvyydessä;
‘Piezoelectric polymer film’ sensing elements consist of polarised polymer film that is stretched over and attached to a supporting frame or spool (mandrel).
Anturielementti ’pietsosähköinen polymeerikalvo’ koostuu polaroidusta polymeerikalvosta, joka on venytetty ja kiinnitetty tukikehykseen tai -rullaan (tuurna).
‘Flexible piezoelectric composite’ sensing elements consist of piezoelectric ceramic particles or fibres combined with an electrically insulating, acoustically transparent rubber, polymer or epoxy compound, where the compound is an integral part of the sensing elements.
Anturielementti ’taipuisa pietsosähköinen komposiitti’ koostuu pietsosähköisistä keraamisista hiukkasista tai kuiduista, jotka on yhdistetty sähköä eristävään ja ääntä läpäisevään kumiin, polymeeriin tai epoksiyhdisteeseen, jossa yhdiste on anturielementin kiinteä osa.
‘Hydrophone sensitivity’ is defined as twenty times the logarithm to the base 10 of the ratio of rms output voltage to a 1 V rms reference, when the hydrophone sensor, without a pre-amplifier, is placed in a plane wave acoustic field with an rms pressure of 1 μPa.
’Hydrofonin herkkyys’ määritellään ulostulojännitteen rms-arvon ja 1 V:n rms vertailuarvon suhteen kaksikymmenkertaisena kymmenlogaritmina, kun hydrofonianturi, ilman etuvahvistinta, asetetaan akustiseen tasoaaltokenttään, jonka rms paine on 1 μPa.
b. Towed acoustic hydrophone arrays having any of the following:
b. Hinattavat akustiset hydrofonijärjestelmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Hydrophone group spacing of less than 12,5 m or ‘able to be modified’ to have hydrophone group spacing of less than 12,5 m;
Hydrofoniryhmien välinen etäisyys on vähemmän kuin 12,5 m tai ne ”voidaan muuntaa” siten, että hydrofoniryhmien välinen etäisyys on vähemmän kuin 12,5 m;
Designed or ‘able to be modified’ to operate at depths exceeding 35 m;
Suunniteltu tai ’voidaan muuntaa’ toimimaan yli 35 metrin syvyyksissä;
‘Able to be modified’ in 6A001.a.2.b.1. and 2. means having provisions to allow a change of the wiring or interconnections to alter hydrophone group spacing or operating depth limits.
a.2.b.1 ja 2 kohdassa termi ’voidaan muuntaa’ tarkoittaa varautumista mahdollisuuteen muuttaa kaapelointia tai kytkentöjä hydrofoniryhmien välisen etäisyyden tai niiden toimintasyvyyden rajojen muuttamiseksi.
Heading sensors specified in 6A001.a.2.d.;
a.2.d kohdan mukaan valvonnanalaiset suunta-anturit;
c. Processing equipment, specially designed for towed acoustic hydrophone arrays, having “user accessible programmability” and time or frequency domain processing and correlation, including spectral analysis, digital filtering and beamforming using Fast Fourier or other transforms or processes;
c. Hinattavia akustisia hydrofonijärjestelmiä varten erityisesti suunnitellut (signaalien) käsittelylaitteet, jotka ovat ”käyttäjän ohjelmoitavissa” ja joissa on aika- tai taajuusalueen käsittely ja korrelaatio, mukaan lukien spektrianalyysi, digitaalinen suodatus ja säteen muotoilu käyttäen nopeaa Fourier-muunnosta tai muita muunnoksia tai käsittelyjä;
d. Heading sensors having all of the following:
d. Suunta-anturit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
An accuracy of better than ± 0,5 °; and
Tarkkuus on parempi kuin ±0,5 astetta; ja
e. Bottom or bay cable systems, having any of the following:
e. Pohja- tai poukamakaapelijärjestelmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. Designed to operate at depths exceeding 35 m or having an adjustable or removable depth sensing device in order to operate at depths exceeding 35 m; and
a. Suunniteltu toimimaan yli 35:n syvyyksissä tai joilla on säädettävä tai irrotettava syvyysanturilaite yli 35 m:n syvyyksissä tapahtuvaa toimintaa varten; ja
b. Capable of being operationally interchanged with towed acoustic hydrophone array modules;
b. Voidaan vaihtaa hinattavien akustisten hydrofonijärjestelmämoduulien kanssa toiminnallisesti.
f. Processing equipment, specially designed for bottom or bay cable systems, having “user accessible programmability” and time or frequency domain processing and correlation, including spectral analysis, digital filtering and beamforming using Fast Fourier or other transforms or processes;
f. Pohja- tai poukamakaapelijärjestelmiä varten erityisesti suunnitellut (signaalien) käsittelylaitteet, jotka ovat ”käyttäjän ohjelmoitavissa” ja joissa on aika- tai taajuusalueen käsittely ja korrelaatio, mukaan lukien spektrianalyysi, digitaalinen suodatus ja säteen muotoilu käyttäen nopeaa Fourier-muunnosta tai muita muunnoksia tai käsittelyjä;
a.2. also controls receiving equipment, whether or not related in normal application to separate active equipment, and specially designed components therefor.
a.2 kohdassa asetetaan valvonnanalaiseksi myös vastaanottavat laitteet, siitä riippumatta, liittyvätkö ne normaalissa käytössä erillisiin aktiivisiin laitteisiin, ja erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit.
b. Correlation-velocity and Doppler-velocity sonar log equipment, designed to measure the horizontal speed of the equipment carrier relative to the sea bed, as follows:
b. Akustiset korrelaatio- ja Doppler-lokilaitteet, jotka on suunniteltu mittaamaan niitä kuljettavan aluksen horisontaalista nopeutta merenpohjan suhteen, seuraavasti:
a. Designed to operate at distances between the carrier and the sea bed exceeding 500 m; or
a. Suunniteltu toimimaan niitä kuljettavan aluksen ja merenpohjan välisillä etäisyyksillä, jotka ylittävät 500 m; tai
b. Having speed accuracy better than 1 % of speed;
b. Niiden nopeudenmittauksen tarkkuus on parempi kuin 1 % nopeudesta;
b. does not control depth sounders limited to any of the following:
b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi syvyysluotaimia, joiden toiminta rajoittuu johonkin seuraavista:
b. does not control equipment specially designed for installation on surface vessels.
b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi pinta-aluksiin asennettavaksi suunniteltuja valvontalaitteita.
c. Not used.
c. Ei käytössä.
SEE ALSO 6A102.
KATSO MYÖS 6A102 KOHTA.
a. Optical detectors as follows:
a. Seuraavat optiset ilmaisimet:
“Space-qualified” solid-state detectors as follows:
Seuraavat ”avaruuskelpoiset” solid-state-ilmaisimet:
For the purpose of 6A002.a.1., solid-state detectors include “focal plane arrays”.
a.1 kohdassa solid-state-ilmaisimiin kuuluvat myös ”fokusoivat tasorakenteet”.
a. “Space-qualified” solid-state detectors having all of the following:
a. ”Avaruuskelpoiset” solid-state-ilmaisimet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
b. “Space-qualified” solid-state detectors having all of the following:
b. ”Avaruuskelpoiset” solid-state-ilmaisimet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
A response “time constant” of 95 ns or less;
Vasteen ”aikavakio” 95 ns tai vähemmän;
c. “Space-qualified” solid-state detectors having a peak response in the wavelength range exceeding 1200 nm but not exceeding 30000 nm;
c. ”Avaruuskelpoiset” solid-state-ilmaisimet, joiden vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1200 nm mutta ei yli 30000 nm;
d. “Space-qualified” “focal plane arrays” having more than 2048 elements per array and having a peak response in the wavelength range exceeding 300 nm but not exceeding 900 nm.
d. ”Avaruuskelpoiset””fokusoivat tasorakenteet”, joissa on enemmän kuin 2048 elementtiä ryhmää kohti ja joiden vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 300 nm mutta ei yli 900 nm.
a.2. does not control non-imaging photomultiplier tubes having an electron sensing device in the vacuum space limited solely to any of the following:
a.2 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi ei-kuvantavia valomonistinputkia, joiden tyhjiötilassa on elektronianturi, jossa on joko:
Metal anodes with a centre to centre spacing greater than 500 μm.
Metallianodeja, joiden etäisyys keskipisteestä keskipisteeseen on yli 500 μm.
‘Charge multiplication’ is a form of electronic image amplification and is defined as the generation of charge carriers as a result of an impact ionisation gain process.
’Varauksen monistaminen’ on yksi elektronisen kuvanvahvistuksen muoto ja se määritellään varauksenkuljettajien syntymiseksi törmäysionisointiin perustuvassa vahvistusprosessissa.
‘Charge multiplication’ sensors may take the form of an image intensifier tube, solid state detector or “focal plane array”.
’Varauksen monistamiseen’ perustuvat anturit voivat olla kuvanvahvistinputkia, puolijohdeilmaisimia tai ”fokusoivia tasorakenteita”.
a. Image intensifier tubes having all of the following:
a. Kuvanvahvistinputket, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
A peak response in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 1050 nm;
Vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm mutta ei yli 1050 nm;
a. A microchannel plate with a hole pitch (centre-to-centre spacing) of 12 μm or less; or
a. Mikrokanavalevy, jonka reikätiheys (keskipisteiden välinen etäisyys) on 12 μm tai vähemmän; tai
b. An electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 μm or less, specially designed or modified to achieve ‘charge multiplication’ other than by a microchannel plate; and
b. Elektronianturi, jonka sitomaton pikselien jakoväli on 500 μm tai vähemmän ja joka on erityisesti suunniteltu tai jota on muutettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’ muulla tavoin kuin mikrokanavalevyllä; ja
a. Multialkali photocathodes (e.g. S-20 and S-25) having a luminous sensitivity exceeding 350 μA/lm;
a. Monialkaalivalokatodit (esim. S-20 ja S-25), joiden valoherkkyys ylittää 350 μA/lm;
b. GaAs or GaInAs photocathodes; or
b. GaAs- tai GaInAs-valokatodit; tai
c. Other “III/V compound” semiconductor photocathodes having a maximum “radiant sensitivity” exceeding 10 mA/W;
c. Muut ”III/V” yhdistepuolijohteisiin perustuvat valokatodit, joiden maksimi ”säteilynherkkyys” on enemmän kuin 10 mA/W;
b. Image intensifier tubes having all of the following:
b. Kuvanvahvistinputket, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
“III/V compound” semiconductor (e.g. GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes, having a maximum “radiant sensitivity” exceeding 15 mA/W;
”III/V-yhdiste” puolijohteisiin perustuvat valokatodit (kuten GaAs- tai GaInAs-valokatodit) ja elektroninsiirtoon perustuvat valokatodit, joiden maksimi ”säteilynherkkyys” on enemmän kuin 15 mA/W;
c. Specially designed components as follows:
c. Seuraavat erityisesti suunnitellut komponentit:
An electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 μm or less, specially designed or modified to achieve ‘charge multiplication’ other than by a microchannel plate;
Elektronianturi, jonka sitomaton pikselien jakoväli on 500 μm tai vähemmän ja joka on erityisesti suunniteltu tai jota on muutettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’ muulla tavoin kuin mikrokanavalevyllä;
“III/V compound” semiconductor (e.g. GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes;
”III/V-yhdiste” puolijohteisiin perustuvat valokatodit (kuten GaAs- tai GaInAs-valokatodit) ja elektroninsiirtoon perustuvat valokatodit;
a.2.c.3. does not control compound semiconductor photocathodes designed to achieve a maximum “radiant sensitivity” of any of the following:
a.2.c.3 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi yhdistepuolijohteisiin perustuvia valokatodeja, jotka on suunniteltu niin, että niiden maksimi ”säteilynherkkyys” on jokin seuraavista:
10 mA/W or less at the peak response in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 1050 nm; or
10 mA/W tai vähemmän, kun vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm mutta ei yli 1050 nm; tai
Non-“space-qualified” “focal plane arrays” as follows:
Seuraavat ei-”avaruuskelpoiset””fokusoivat tasorakenteet”:
‘Microbolometer’ non-“space-qualified” “focal plane arrays” are only specified in 6A002.a.3.f.
’Mikrobolometrien’ ei-”avaruuskelpoiset””fokusoivat tasorakenteet” määritellään ainoastaan 6A002.a.3.f kohdassa.
Linear or two-dimensional multi-element detector arrays are referred to as “focal plane arrays”;
Lineaarisia tai kaksiulotteisia monielementtisiä ilmaisinrakenteita pidetään ”fokusoivina tasorakenteina”;
a.3. includes photoconductive arrays and photovoltaic arrays.
a.3 kohta sisältää valojohtavat ja valosähköiset rakenteet.
a.3. does not control:
a.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi: