natgillin/translations-raw huggingface dataset:
b. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(114 + 20log10F - 20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz; or
b. Yksisivukaistan (SSB) vaihekohina dBc/Hz:einä on parempi kuin -(114 + 20log10F–20log10f) taajuuksilla 10 kHz ≤ F < 500 kHz; tai
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
d.4 kohdassa F on toimintataajuuden poikkeama hertseinä ja f on toimintataajuus megahertseinä;
A maximum synthesised frequency exceeding 70 GHz;
Syntesoitu maksimitaajuus ylittää 70 GHz;
Note 1.:
Huom. 1:
For the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
d kohdassa ’taajuussyntetisoivat signaaligeneraattorit’ sisältyvät satunnaisaalto- ja satunnaisfunktiogeneraattorit.
Note 2.:
Huom. 2:
d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
d kohta ei aseta valvonnanalaiseksi laitteita, joissa lähtötaajuus aikaansaadaan joko laskemalla yhteen tai vähentämällä toisistaan kahden tai useamman kideoskillaattorin taajuuksia ja kertomalla siten saatu tulos.
Arbitrary waveform and function generators are normally specified by sample rate (e.g. GSample/s), which is converted to the RF domain by the Nyquist factor of two.
Satunnaisaalto- ja satunnaisfunktiogeneraattoreille on normaalisti ominaista näytteenottotaajuus (esim. GSample/s), joka muunnetaan suurtaajuusalueelle Nyquist-kertoimella 2.
For the purposes of 3A002.d.1., ‘pulse duration’ is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
d.1 kohdassa tarkoitetaan ’pulssinkestolla’ aikaa, joka kuluu siitä, kun pulssin etureuna saavuttaa 90 prosenttia huipusta, siihen, kun pulssin takareuna saavuttaa 10 prosenttia huipusta.
e. Network analysers having either of the following:
e. Verkkoanalysaattorit, joilla on jompikumpi seuraavista ominaisuuksista:
Maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz and output power exceeding 31,62 mW (15 dBm); or
Maksimitoimintataajuus ylittää 43,5 GHz ja lähtöteho ylittää 31,62 mW (15 dBm); tai
Maximum operating frequency exceeding 70 GHz;
Maksimitoimintataajuus ylittää 70 GHz;
f. Microwave test receivers having both of the following:
f. Mikroaaltotestivastaanottimet, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:
g. Atomic frequency standards being any of the following:
g. Atomitaajuusstandardit, jotka ovat jotakin seuraavista:
“Space-qualified”;
Ne ovat ”avaruuskelpoisia”;
Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
Rubidiumittomia ja pitkän aikavälin stabiilius on vähemmän (parempi) kuin 1 × 10-11 kuukaudessa; tai
Non-“space-qualified” and having all of the following:
”Ei-avaruuskelpoisia”, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a. Being a rubidium standard;
a. Niillä on rubidiumstandardi;
b. Long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; and
b. Pitkän aikavälin stabiilius on vähemmän (parempi) kuin 1 × 10-11 kuukaudessa; ja
c. Total power consumption of less than 1 W.
c. Tehonkulutus vähemmän kuin 1 W.
a. Analogue-to-digital converters, usable in “missiles”, designed to meet military specifications for ruggedised equipment;
a. ”Ohjuksissa” käyttökelpoiset analogia-digitaalimuuntimet, jotka on suunniteltu vastaamaan sotilasspesifikaatioiden kovaan käyttöön tarkoitettujen laitteiden vaatimuksia;
b. Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
b. Kiihdyttimet, joilla pystytään lähettämään sähkömagneettista säteilyä, joka tuotetaan 2 MeV:n energiaan tai sen yli kiihdytettyjen elektronien jarrutussäteilyn (bremsstrahlung) avulla, sekä näitä kiihdyttimiä sisältävät järjestelmät.
b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
b kohdassa ei määritellä laitteita, jotka on erityisesti suunniteltu lääketieteellisiin tarkoituksiin.
‘Thermal batteries’ designed or modified for ‘missiles’.
”Ohjuksia” varten suunnitellut tai muunnetut ’lämpöakut’.
In 3A102 ‘thermal batteries’ are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
102 kohdassa ’lämpöakut’ ovat kertakäyttöisiä akkuja, jotka sisältävät elektrolyyttinä kiinteän johtamattoman epäorgaanisen suolan.
In 3A102 ‘missile’ means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
102 kohdassa ”ohjus” tarkoittaa täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, jotka pystyvät kuljettamaan hyötykuorman vähintään 300 km:n etäisyydelle.
Electronic components, other than those specified in 3A001, as follows:
Seuraavat muut kuin 3A001 kohdassa määritellyt elektroniset komponentit:
a. Capacitors having either of the following sets of characteristics:
a. Kondensaattorit, joilla on seuraavat joko 1 tai 2 kohdassa luetellut ominaisuudet:
a. Voltage rating greater than 1,4 kV;
a. Nimellisjännite suurempi kuin 1,4 kV;
b. Energy storage greater than 10 J;
b. Energian varastointikyky suurempi kuin 10 J;
c. Capacitance greater than 0,5 μF; and
c. Kapasitanssi suurempi kuin 0,5 μF ja
d. Series inductance less than 50 nH; or
d. Sarjainduktanssi vähemmän kuin 50 nH; tai
a. Voltage rating greater than 750 V;
a. Nimellisjännite suurempi kuin 750 V;
b. Capacitance greater than 0,25 μF; and
b. Kapasitanssi suurempi kuin 0,25 μF ja
c. Series inductance less than 10 nH;
c. Sarjainduktanssi vähemmän kuin 10 nH;
b. Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
b. ”Suprajohtavat” solenoidisähkömagneetit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
b. does not control magnets specially designed for and exported ‘as parts of’ medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi magneetteja, jotka on erityisesti suunniteltu lääketieteellisten ydinmagneettiseen resonanssiin (NMR) perustuvien kuvanmuodostusjärjestelmien ’osiksi’.
The phrase ‘as part of’ does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched ‘as part of’ the imaging systems.
Sana ’osiksi’ ei välttämättä tarkoita saman toimituksen fyysistä osaa; erilliset toimitukset ovat sallittuja eri lähteistä, mikäli niihin liittyvissä vientiasiakirjoissa selvästi mainitaan, että toimitukset lähetetään kuvanmuodostusjärjestelmän ’osiksi’.
c. Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
c. Välähtävät röntgensalamageneraattorit tai pulssitoimiset elektronikiihdyttimet, joilla on seuraavat joko 1 tai 2 kohdassa luetellut ominaisuudet:
a. An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
a. Kiihdyttimen huippuelektronienergia on 500 keV tai suurempi, mutta pienempi kuin 25 MeV; ja
b. With a ‘figure of merit’ (K) of 0,25 or greater; or
b. ’Hyvyysluku’ (K) on 0,25 tai suurempi; tai
a. An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
a. Kiihdyttimen huippuelektronienergia on 25 MeV tai suurempi; ja
b. A ‘peak power’ greater than 50 MW.
b. ’Huipputeho’ on suurempi kuin 50 MW.
c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes:
c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kiihdyttimiä, jotka ovat muuhun kuin elektronisuihku- tai röntgensäteilytykseen (esimerkiksi elektronimikroskopiaan) suunniteltujen laitteiden komponentteja eikä niitä, jotka on suunniteltu lääketieteellisiä laitteita varten:
The ‘figure of merit’ K is defined as:
’Hyvyysluku’ K on määritelty seuraavasti:
K = 1,7 × 103 × V2,65 × Q
K = 1,7 × 103 V2,65 Q
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
Q on yhtä kuin elektronivirran i integraali ajan t suhteen (Q=∫ idt), jossa i on säteen virta ampeereina ja t aika sekunneissa.
‘Peak power’ = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
’Huipputeho’ = (huippujännite voltteina) × (säteen huippuvirta ampeereina).
a. Multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
a. Monivaiheulostulo kykenee antamaan 40 W tai suuremman tehon;
b. Capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
b. Kykenee toimimaan 600–2000 Hz:n taajuusalueella;
c. Total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
c. Harmoninen kokonaissärö on parempi (pienempi) kuin 10 %; ja
d. Frequency control better (less) than 0,1 %.
d. Taajuuden säätö on parempi (pienempi) kuin 0,1 %.
Frequency changers in 3A225 are also known as converters or inverters.
225 kohdan taajuusmuuntimia kutsutaan myös konverttereiksi tai inverttereiksi.
High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
Muut kuin 0B001.j.6 kohdassa mainitut tasavirtasuurteholähteet, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:
a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
a. Ne kykenevät 8 tunnin jakson aikana jatkuvasti tuottamaan 100 V:n tai korkeamman jännitteen 500 A:n tai suuremmalla virralla; ja
b. Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
b. Niiden jännitteen tai virran stabiilius on parempi kuin 0,1 % 8 tunnin jakson aikana
High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
Muut kuin 0B001.j.5 kohdassa määritellyt tasavirtakorkeajännitelähteet, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:
a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
a. Ne kykenevät 8 tunnin jakson aikana jatkuvasti tuottamaan 20 kV tai korkeamman jännitteen 1 A:n tai suuremmalla virralla; ja
a. Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
a. Kylmäkatodiputket, olivatpa ne sitten kaasutäytteisiä tai ei, jotka toimivat kipinävälin tavoin ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
228 kohtaan sisältyvät kaasukryptonputket ja tyhjösprytronputket.
b. Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
b. Liipaistavat kipinävälit, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:
An anode delay time of 15 μs or less; and
Anodin viiveaika on 15 μs tai lyhyempi; ja
c. Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
c. Muut kuin 3A001.g tai 3A001.h kohdassa määritellyt nopeatoimiset kytkinmodulit tai -kokoonpanot, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Turn-on time of 1 μs or less.
Kytkentäaika on 1 μs tai vähemmän.
See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
Katso 1A007.a räjähtävien sytyttimien laukaisulaitteet
a. Not used;
a. Ei käytössä;
b. Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
b. Moduulirakenteiset sähköpulssigeneraattorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Having a ‘rise time’ of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
’Nousuaika’ on lyhyempi kuin 10 μs alle 40 ohmin kuormituksella;
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Ne on määritelty käytettäväksi laajalla lämpötila-alueella (223 K (–50 °C)–373 K (100 °C) astetta) tai sopiviksi ”avaruussovelluksiin”.
b. includes xenon flash-lamp drivers.
b kohtaan sisältyvät ksenonsalamavalon käyttölaitteet.
High-speed pulse generators having both of the following characteristics:
Erittäin nopeat pulssigeneraattorit, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:
a. Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms; and
a. Lähtöjännite on yli 6 V alle 55 ohmin resistiivisellä kuormalla; ja
b. ‘Pulse transition time’ less than 500 ps.
b. ’Pulssin nousuaika’ on lyhyempi kuin 500 ps.
In 3A230, ‘pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
230 kohdassa ’pulssin nousuaika’ määritellään ajaksi, jonka kuluessa jännite nousee 10 prosentista 90 prosenttiin jännitteen amplitudista.
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
Neutronigeneraattorijärjestelmät, mukaan lukien putket, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:
a. Designed for operation without an external vacuum system; and
a. Ne on suunniteltu toimimaan ilman ulkoista tyhjöjärjestelmää; ja
b. Utilising electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
b. Hyväksikäyttävät sähköstaattista kiihdytystä tritium-deuteriumydinreaktion synnyttämiseen.
See 1A007.b. for detonators.
Katso 1A007.b sytyttimet.
b. Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
b. Järjestelyt, joita käyttäen voidaan yhdellä tai usealla sytyttimellä sytyttää räjähdyspinta yli 5000 mm2:n alalla yhdellä laukaisusignaalilla lähes samanaikaisesti, sytytyksen ajoitus leviää koko pinta-alalle vähemmässä kuin 2,5 μs:ssa.
232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
232 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi sytyttimiä, joissa käytetään vain ensiöräjähteitä, esimerkiksi lyijyatsidia.
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Seuraavat, muut kuin 0B002.g kohdassa määritellyt massaspektrometrit, jotka kykenevät mittaamaan atomipainoltaan 230 tai raskaampia ioneja ja joiden resoluutio on parempi kuin 2 osaa 230:stä ja niiden ionilähteet: a. Induktiivisesti kytketyt plasmamassaspektrometrit (ICP/MS = Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometers);
a. Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
b. Hehkupurkausmassaspektrometrit (GDMS = Glow Discharge Mass Spectrometers);
d. Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
d. Elektronipommitusmassaspektrometrit, joiden lähdekammio on tehty, vuorattu tai päällystetty UF6-kestävillä materiaaleilla;
e. Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
e. Molekyylisuihkumassaspektrometrit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or
Lähdekammio on valmistettu, vuorattu tai päällystetty ruostumattomalla teräksellä tai molybdeenillä ja varustettu kylmäloukulla, joka kykenee jäähtymään 193 K (–80 °C) asteeseen tai sen alle; tai
a. Equipment designed for epitaxial growth as follows:
a. Seuraavat epitaksikasvatusta varten suunnitellut laitteet:
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Laitteet, jotka kykenevät tuottamaan vähintään 75 mm:n matkalla kerroksen muuta materiaalia kuin silikonia, jonka kerrospaksuuden vaihtelu on alle ±2,5 %;
a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
a.1 kohta käsittää ALE-laitteet (atomikerroskasvatus).
b. Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
b. Laitteet, jotka on suunniteltu ioni-istutusta varten ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1MeV;
Säteen energia (kiihdytysjännite) ylittää 1 MeV:n;
Direct write capability; or
Ne mahdollistavat kuvion suoran istutuksen; tai
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material “substrate”;
Säteen energia on vähintään 65 keV ja säteen virta vähintään 45 mA, jotta voidaan suorittaa korkeaenerginen happi-istutus kuumennettuun puolijohde”substraattiin”;
c. Anisotropic plasma dry etching equipment having both of the following:
c. Anisotrooppiset plasmakuivasyövytyslaitteet, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 65 nm or less; and
Ne on suunniteltu tai optimoitu tuottamaan minimiviivanleveys, joka on 65 nm tai vähemmän; ja
Within-wafer non-uniformity equal to or less than 10 % 3σ measured with an edge exclusion of 2 mm or less;
Kiekon sisäinen epäyhdenmukaisuus on enintään 10 % 3σ:sta mitattuna siten, että enintään 2 mm reunaa jätetään ottamatta huomioon;
d. Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition (CVD) equipment as follows:
d. Seuraavat plasma-CVD (chemical vapour deposition = kemiallinen kaasufaasipinnoitus) -laitteet:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
Laitteet, joissa on kasetista-kasettiin toiminta ja syöttökammiot ja jotka on suunniteltu valmistajan eritelmien mukaan tai optimoitu käytettäväksi sellaisten puolijohdelaitteiden tuotannossa, joiden kriittiset mitat ovat 65 nm tai vähemmän;
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu 3B001.e kohdassa määriteltyjä laitteita varten ja jotka on suunniteltu valmistajan eritelmien mukaan tai optimoitu käytettäväksi sellaisten puolijohdelaitteiden tuotannossa, joiden kriittiset mitat ovat 65 nm tai vähemmän;
e. Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having both of the following:
e. Automaattisyöttöiset monikammioiset puolijohdekiekkojen käsittelyjärjestelmät, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different ‘semiconductor process tools’ specified in 3B001.a., 3B001.b., 3B001.c. or 3B001.d. are designed to be connected; and
Sellaiset liitännät kiekkojen syöttöä ja ulosottoa varten, joihin voidaan liittää enemmän kuin kaksi 3B001.a, 3B001.b, 3B001.c tai 3B001.d kohdassa eriteltyä toiminnaltaan erilaista ’puolijohteiden valmistuslaitetta’; ja
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for ‘sequential multiple wafer processing’;
Ne on suunniteltu muodostamaan tyhjössä toimiva integroitu järjestelmä ’useiden kiekkojen peräkkäistä prosessointia’ varten.
e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
e kohta ei aseta valvonnanalaiseksi automaattisia kiekkojen robottikäsittelijöitä, jotka on suunniteltu erityisesti kiekkojen rinnakkaista prosessointia varten.
For the purpose of 3B001.e., ‘semiconductor process tools’ refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.
e kohdassa ’puolijohteiden valmistuslaitteilla’ tarkoitetaan modulaarisia välineitä, jotka tuottavat toiminnaltaan erilaisia puolijohdetuotannon fysikaalisia prosesseja, kuten pinnoitus-, syövytys-, istutus- ja lämpöprosessointi.
For the purpose of 3B001.e., ‘sequential multiple wafer processing’ means the capability to process each wafer in different ‘semiconductor process tools’, such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
e kohdassa ’useiden kiekkojen peräkkäisellä prosessoinnilla’ tarkoitetaan mahdollisuutta prosessoida kukin kiekko erilaisissa ’puolijohteiden valmistuslaitteissa’ esimerkiksi siirtämällä kiekko yhdeltä välineeltä toiselle ja edelleen kolmannelle käyttämällä automaattisyöttöisiä monikammioisia puolijohdekiekkojen käsittelyjärjestelmiä.
f. Lithography equipment as follows:
f. Seuraavat litografialaitteet:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having either of the following:
Askeltavat kohdistus- ja valotuslaitteet (suora kohdistus kiekkoon) tai kohdistus- ja pyyhkäisy- (skanneri)laitteet kiekkojen prosessointia varten, jotka käyttävät foto-optisia tai röntgenmenetelmiä ja joilla on jompikumpi seuraavista ominaisuuksista:
a. A light source wavelength shorter than 245 nm; or
a. Valolähteen aallonpituus lyhyempi kuin 245 nm; tai
b. Capable of producing a pattern with a ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) of 95 nm or less;
b. Ne pystyvät tuottamaan kuvion, jonka ’pienin erottuva kuvion koko’ (MRF) on 95 nm tai vähemmän;
The ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) is calculated by the following formula:
’Pienin erottuva kuvion koko’ (MRF) lasketaan seuraavalla kaavalla:
MRF =an exposure light source wavelength in nm
MRF =aallonpituus nanometreinä
where the K factor = 0,35
jossa: K kerroin = 0,35
Imprint lithography equipment capable of producing features of 95 nm or less;
Kohokuviointilaitteet, joilla pystytään tuottamaan kuvioita, joiden koko on 95 nm tai vähemmän;
f.2. includes:
f.2 kohtaan sisältyvät:
a. Using deflected focussed electron beam, ion beam or “laser” beam; and
a. Ne käyttävät poikkeutettua ja fokusoitua elektronisuihkua, ionisuihkua tai ”laser”sädettä; ja
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
Ne kykenevät tuottamaan kuvioita, joiden viivaleveys on vähemmän kuin 1 μm; tai
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
Kohdistustarkkuus on parempi kuin ±0,20 μm (3 sigmaa).
g. Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
g. Maskit tai retikkelit, jotka on suunniteltu 3A001 kohdassa määriteltyjä integroituja piirejä varten;
h. Multi-layer masks with a phase shift layer;
h. Monikerrosmaskit, joissa on vaihesiirtokerros;
h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
h kohta ei aseta valvonnanalaiseksi monikerrosmaskeja, joissa on vaihesiirtokerros ja jotka on suunniteltu sellaisten muistilaitteiden valmistukseen, joita ei aseteta valvonnanalaiseksi 3A001 kohdassa.
a. For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
a. Laitteet transistorien S-parametrien testaukseen yli 31,8 GHz:n alueella;
c. For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
c. Laitteet 3A001.b.2 kohdassa määriteltyjen integroitujen mikroaaltopiirien testaukseen.
Hetero-epitaxial materials consisting of a “substrate” having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Hetero-epitaksimateriaalit, jotka koostuvat ”substraatista”, jonka päälle on epitaksisti kasvatettu useita kerroksia seuraavia aineita:
a. Silicon (Si);
a. Pii (Si);
c. Silicon carbide (SiC); or
c. Piikarbidi (SiC); tai
d. “III/V compounds” of gallium or indium.
d. Galliumin tai indiumin ”III/V-yhdisteet”.
Resist materials as follows and “substrates” coated with the following resists:
Seuraavat estopinnoitemateriaalit ja seuraavilla estopinnoitteilla pinnoitetut ”substraatit”:
a. Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
a. Positiiviestopinnoitteet, joiden spektrivaste on erityisesti sovitettu (optimoitu) alle 245 nm:n aallonpituuksille;