natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Less than 250 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
Vähemmän kuin 250 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 550 MHz syntesoidulla taajuusalueella, joka ylittää 10,6 GHz mutta ei 31,8 GHz;
Less than 500 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
Vähemmän kuin 500 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 550 MHz syntesoidulla taajuusalueella, joka ylittää 31,8 GHz mutta ei 43,5 GHz; tai
Less than 1 ms within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz; or
Vähemmän kuin 1 ms syntesoidulla taajuusalueella, joka ylittää 43,5 GHz; tai
A maximum synthesised frequency exceeding 3,2 GHz and having all of the following:
Syntesoitu maksimitaajuus ylittää 3,2 GHz ja sillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(126 + 20log10F — 20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
Yksisivukaistan (SSB) vaihekohina dBc/Hz:einä on parempi kuin -(126 + 20log10F – 20log10f) taajuuksilla 10 Hz < F < 10 kHz ja
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(114 + 20log10F — 20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
Yksisivukaistan (SSB) vaihekohina dBc/Hz:einä on parempi kuin -(114 + 20log10F – 20log10f) taajuuksilla 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
3A002.d.4 kohdassa F on toimintataajuuden poikkeama hertseinä ja f on toimintataajuus megahertseinä;
Note 1.:For the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Huom. 1:3A002.d kohdassa ’taajuussyntetisoivat signaaligeneraattorit’ sisältyvät satunnaisaalto- ja satunnaisfunktiogeneraattorit.
Note 2.:3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Huom. 2:3A002.d kohta ei aseta valvonnanalaiseksi laitteita, joissa lähtötaajuus aikaansaadaan joko laskemalla yhteen tai vähentämällä toisistaan kahden tai useamman kideoskillaattorin taajuuksia ja kertomalla siten saatu tulos.
Arbitrary waveform and function generators are normally specified by sample rate (e.g., GSample/s), which is converted to the RF domain by the Nyquist factor of two.
Satunnaisaalto- ja satunnaisfunktiogeneraattoreille on normaalisti ominaista näytteenottotaajuus (esim. GSample/s), joka muunnetaan suurtaajuusalueelle Nyquist-kertoimella 2.
Thus, a 1 GSample/s arbitrary waveform has a direct output capability of 500 MHz.
Näin ollen 1 GSample/s:n satunnaisaallonpituudella on 500 MHz:n suora lähdön virranantokyky.
Or, when oversampling is used, the maximum direct output capability is proportionately lower.
Jos käytetään ylinäytteistystä, suurin suora lähdön virranantokyky on suhteessa alhaisempi.
For the purposes of 3A002.d.1., ’pulse duration’ is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
3A002.d.1 kohdassa tarkoitetaan ’pulssinkestolla’ aikaa, joka kuluu siitä, kun pulssin etureuna saavuttaa 90 prosenttia huipusta, siihen, kun pulssin takareuna saavuttaa 10 prosenttia huipusta.
Atomic frequency standards being any of the following:
Atomitaajuusstandardit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"Space-qualified";
Ne ovat "avaruuskelpoisia";
Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10-11/month; or
Rubidiumittomia ja pitkän aikavälin stabiilius on vähemmän (parempi) kuin 1 × 10–11 kuukaudessa; tai
Non-"space-qualified" and having all of the following:
"Ei-avaruuskelpoiset", joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:
Being a rubidium standard;
On rubidiumstandardi;
Long-term stability less (better) than 1 × 10-11/month; and
Pitkän aikavälin stabiilius on vähemmän (parempi) kuin 1 × 10–11 kuukaudessa; ja
Total power consumption of less than 1 W.
Tehonkulutus vähemmän kuin 1 W.
Analogue-to-digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedized equipment;
"Ohjuksissa" käyttökelpoiset analogia-digitaalimuuntimet, jotka on suunniteltu vastaamaan sotilasspesifikaatioiden kovaan käyttöön tarkoitettujen laitteiden vaatimuksia;
’Thermal batteries’ designed or modified for ’missiles’.
"Ohjuksia" varten suunnitellut tai muunnetut ’lämpöakut’.
In 3A102 ’thermal batteries’ are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
3A102 kohdassa ’lämpöakut’ ovat kertakäyttöisiä akkuja, jotka sisältävät elektrolyytinä kiinteän johtamattoman epäorgaanisen suolan.
In 3A102 ’missile’ means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
3A102 kohdassa "ohjus" tarkoittaa täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, jotka pystyvät kuljettamaan hyötykuorman vähintään 300 km:n etäisyydelle.
Capacitance greater than 0,5 µF; and
Kapasitanssi suurempi kuin 0,5 µF ja
Capacitance greater than 0,25 µF; and
Kapasitanssi suurempi kuin 0,25 µF ja
Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
”Suprajohtavat” solenoidisähkömagneetit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Note:3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported ’as parts of’ medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Huom.:3A201.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi magneetteja, jotka on erityisesti suunniteltu lääketieteellisten ydinmagneettiseen resonanssiin (NMR) perustuvien kuvanmuodostusjärjestelmien ’osiksi’.
The phrase ’as part of’ does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched ’as part of’ the imaging systems.
Sana ’osiksi’ ei välttämättä tarkoita saman toimituksen fyysistä osaa; erilliset toimitukset ovat sallittuja eri lähteistä, mikäli niihin liittyvissä vientiasiakirjoissa selvästi mainitaan, että toimitukset lähetetään kuvanmuodostusjärjestelmän ’osiksi’.
Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
Seuraavat välähtävät röntgensalamageneraattorit tai pulssitoimiset elektronikiihdyttimet, joilla on joko 1. tai 2. kohdassa luetellut ominaisuudet:
An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
Kiihdyttimen huippuelektronienergia on 500 keV tai suurempi, mutta pienempi kuin 25 MeV; ja
With a ’figure of merit’ (K) of 0,25 or greater; or
’Hyvyysluku’ (K) on 0,25 tai suurempi; tai
A ’peak power’ greater than 50 MW.
’Huipputeho’ on suurempi kuin 50 MW.
Note:3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes:
Huom.:3A201.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kiihdyttimiä, jotka ovat muuhun kuin elektronisuihku- tai röntgensäteilytykseen (esimerkiksi elektronimikroskopiaan) suunniteltujen laitteiden komponentteja eikä niitä, jotka on suunniteltu lääketieteellisiä laitteita varten:
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 µs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
Jos elektronipulssin kesto on pienempi tai yhtä suuri kuin 1 mikrosekunti, Q on kiihdytetty kokonaisvaraus coulombeina.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 µs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 µs.
Jos elektronipulssin kesto on suurempi kuin 1 mikrosekunti, Q on 1 mikrosekunnissa kiihdytetty maksimisähkövaraus.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 µs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
Q on yhtä kuin elektronivirran i integraali ajan t suhteen (Q = ∫ idt), jossa i on säteen virta ampeereina ja t aika sekunneissa.
’Peak power’ = (peak potential in volts) x (peak beam current in amperes).
’Huipputeho’ = (huippujännite voltteina) × (säteen huippuvirta ampeereina).
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 µs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
Mikroaaltokiihdytysonteloihin perustuvissa koneissa pulssin kesto on pienempi kahdesta seuraavasta: 1 μs tai yhden mikroaaltomodulaattorin pulssin tuottaman tiivistetyn pulssipaketin kesto.
High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
Muut kuin 0B001.j.6 kohdassa mainitut tasavirtasuurteholähteet, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
Muut kuin 0B001.j.5 kohdassa määritellyt tasavirtakorkeajännitelähteet, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
Kylmäkatodiputket, olivatpa ne sitten kaasutäytteisiä tai ei, jotka toimivat kipinävälin tavoin ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Anode delay time of 10 µs or less;
Anodin viiveaika on 10 μs tai lyhyempi;
Note:3A228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
Huom.:3A228 kohtaan sisältyvät kaasukryptonputket ja tyhjösprytron-putket.
An anode delay time of 15 µs or less; and
Anodiviiveaika on 15 μs tai lyhyempi; ja
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g., having all of the following characteristics:
Muut kuin 3A001.g kohdassa määritellyt nopeatoimiset kytkinmodulit tai -kokoonpanot, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Turn-on time of 1 µs or less.
Kytkentäaika on 1 µs tai vähemmän.
1A007.a. for explosive detonator firing sets.
Huom.:Katso 1A007.a räjähtävien sytyttimien laukaisulaitteet
Enclosed in a dust-tight enclosure;
Ne on koteloitu pölytiiviisti;
Capable of delivering their energy in less than 15 µs;
Pystyvät luovuttamaan energiansa alle 15 µs:ssa;
Having a ’rise time’ of less than 10 µs into loads of less than 40 ohms;
’Nousuaika’ on lyhyempi kuin 10 µs alle 40 ohmin kuormituksella;
Specified for use over an extended temperature range 223 K (–50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Ne on määritelty käytettäväksi laajalla lämpötila-alueella (223 K (–50 °C)-373 K (100 °C) astetta) tai sopiviksi "avaruussovelluksiin".
Note:3A229.b. includes xenon flash-lamp drivers.
Huom.:3A229.b kohtaan sisältyvät ksenonsalamavalon käyttölaitteet.
’Pulse transition time’ less than 500 ps.
’Pulssin nousuaika’ on lyhyempi kuin 500 ps.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
Seuraavat, muut kuin 1A007 kohdassa määritellyt monipistesytytinjärjestelmät:
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 µs.
Järjestelyt, joita käyttäen voidaan yhdellä tai usealla sytyttimellä sytyttää räjähdyspinta yli 5000 mm2: n alalla yhdellä laukaisusignaalilla lähes samanaikaisesti, sytytyksen ajoitus leviää koko pinta-alalle vähemmässä kuin 2,5 µs:ssa.
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (–80 °C) or less; or
Lähdekammio on valmistettu, vuorattu tai päällystetty ruostumattomalla teräksellä tai molybdeenillä ja varustettu kylmäloukulla, joka kykenee jäähtymään 193 K (–80 C) asteeseen tai sen alle; tai
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Seuraavat puolijohdekomponenttien tai -materiaalien valmistuslaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut osat ja komponentit:
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
Seuraavat epitaksikasvatusta varten suunnitellut laitteet:
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ±2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Laitteet, jotka kykenevät tuottamaan vähintään 75 mm:n matkalla kerroksen muuta materiaalia kuin silikonia, jonka kerrospaksuuden vaihtelu on alle ±2,5 %;
Note:3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Huom:3B001.a.1 kohta käsittää ALE-laitteet (atomikerroskasvatus).
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
Reaktorit, jotka suorittavat metalliorgaanista kemiallista kaasufaasipinnoitusta (MOCVD) ja jotka on erityisesti suunniteltu yhdistepuolijohdekiteiden kasvatukseen käyttäen kohtien 3C003 tai 3C004 mukaan valvonnanalaisten materiaalien välistä kemiallista reaktiota;
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Laitteet, jotka on suunniteltu ioni-istutusta varten ja joilla on jokin seuraavista:
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1MeV;
Säteen energia (kiihdytysjännite) ylittää 1 MeV;
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Säteen energia vähintään 65 keV ja säteen virta vähintään 45 mA, jotta voidaan suorittaa korkeaenerginen happi-istutus kuumennettuun puolijohde"substraattiin";
Anisotropic plasma dry etching equipment as follows:
Seuraavat anisotrooppiset plasmakuivasyövytyslaitteet:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ±5 % 3 sigma precision; or
Ne on suunniteltu tai optimoitu tuottamaan kriittiset mitat, jotka ovat 180 nm tai vähemmän ±5 % 3 sigman tarkkuudella); tai
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 µm in diameter;
Ne on suunniteltu kehittämään cm2:ä kohden vähemmän kuin 0,04 partikkelia, joiden mitattavissa oleva koko on halkaisijaltaan suurempi kuin 0,1 µm;
Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition (CVD) equipment as follows:
Seuraavat plasma-CVD (chemical vapour deposition = kemiallinen kaasufaasipinnoitus)-laitteet:
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu 3B001.e kohdassa määriteltyjä laitteita varten ja jotka on suunniteltu valmistajan eritelmien mukaan tai optimoitu käytettäväksi sellaisten puolijohdelaitteiden tuotannossa, joiden kriittiset mitat ovat 180 nm tai vähemmän;
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
Automaattisyöttöiset monikammioiset puolijohdekiekkojen käsittelyjärjestelmät, joilla on kaikki seuraavat:
Lithography equipment as follows:
Seuraavat litografialaitteet:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
Askeltavat kohdistus- ja valotuslaitteet (suora kohdistus kiekkoon) tai kohdistus- ja pyyhkäisy- (skanneri) laitteet kiekkojen prosessointia varten, jotka käyttävät foto-optisia tai röntgenmenetelmiä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Capable of producing a pattern with a ’minimum resolvable feature size’ of 180 nm or less;
Ne pystyvät tuottamaan kuvion, jonka ’pienin erottuva kuvion koko’ on 180 nm tai vähemmän;
The ’minimum resolvable feature size’ is calculated by the following formula:
’Pienin erottuva kuvion koko’ lasketaan seuraavalla kaavalla:
MRF = ’minimum resolvable feature size’
MRF on ’pienin erottuva kuvion koko’
Imprint lithography equipment capable of producing features of 180 nm or less;
Kohokuviointilaitteet, joilla pystytään tuottamaan kuvioita, joiden koko on 180 nm tai vähemmän;
Note:3B001.f.2. includes:
Huom.3B001.f.2 kohtaan sisältyvät:
Micro contact printing tools
Pehmytkuviointivälineet
Hot embossing tools
Kuumapakotusvälineet
Nano-imprint lithography tools
Nanomuokkauskuviointivälineet
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Step and flash -kuviointi (S-FIL) -välineet
Using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
käyttävät poikkeutettua ja fokusoitua elektronisuihkua, ionisuihkua tai "laser"sädettä, ja
A spot size smaller than 0,2 µm;
Suihkun tai säteen pisteen koko on pienempi kuin 0,2 µm;
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 µm; or
Kykenevät tuottamaan kuvioita, joiden viivaleveys on vähemmän kuin 1 µm; tai
An overlay accuracy of better than ±0,20 µm (3 sigma);
Kohdistustarkkuus on parempi kuin ±0,20 µm (3 sigmaa).
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Maskit tai retikkelit, jotka on suunniteltu 3A001 kohdassa määriteltyjä integroituja piirejä varten;
Multi-layer masks with a phase shift layer;
Monikerrosmaskit, joissa on vaihesiirtokerros;
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
Seuraavat testauslaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu valmiiden tai puolivalmiiden puolijohteiden ja erityisesti niitä varten suunniteltujen komponenttien ja tarvikkeiden testaamiseen:
Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
Positiiviestopinnoitteet, joiden spektrivaste on erityisesti sovitettu (optimoitu) alle 245 nm:n aallonpituuksille;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 µcoulomb/mm2 or better;
Kaikki estopinnoitteet, jotka on suunniteltu käytettäväksi elektroni- tai ionisuihkun kanssa ja joiden herkkyys on 0,01 mikrocoulombia/mm2 tai parempi;
All resists optimised for surface imaging technologies, including ’silylated’ resists;
Kaikki pintakuvausteknologiaa varten optimoidut estopinnoitteet, ’piitetyt’ estopinnoitteet mukaan lukien.
’Silylation’ techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
’Piittämis’ tekniikka on prosessi, jossa käytetään estopinnoitteen pinnan oksidointia parantamaan sen ominaisuuksia sekä märkä- että kuivakehityksessä.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Kaikki estopinnoitteet, jotka on suunniteltu tai optimoitu käytettäväksi lämpö- tai säteilykovetusprosessia käyttävien 3B001.f.2 kohdassa määriteltyjen kohokuviointilaitteiden kanssa.
Organo-inorganic compounds as follows:
Seuraavat orgaanis-epäorgaaniset yhdisteet:
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Metalliorgaaniset alumiini-, gallium- tai indiumyhdisteet, joiden (perusmetallin) puhtaus (metalleista) on parempi kuin 99,999 %;
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Arseeniorgaaniset, antimoni-orgaaniset ja fosfori-orgaaniset yhdisteet, joiden puhtaus (epäorgaanisista aineista) on parempi kuin 99,999 %.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
Piikarbidi (SiC), galliumnitridi (GaN), aluminiumnitridi (AIN) tai aluminiumgalliumnitridi (AIGaN) "substraatit", tai harkot, boulet näiden materiaalien muut preformit, joiden resistiivisyys on enemmän kuin 10000 ohmisenttimetriä 20° C:ssa.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 3B001.a–f kohdassa tai 3B002 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.
’Physics-based’ simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
’Fysiikkapohjaiset’ simulaatio-"ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu sellaisten litografia-, syövytys- ja pinnoitusprosessien "kehittämiseen", jotka muuntavat maskin kuviot erityisiksi topografisiksi johtimien, eristeiden ja puolijohdemateriaalien kuvioiksi.
’Physics-based’ in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
’Fysiikkapohjaisella’ tarkoitetaan 3D003 kohdassa laskelmien käyttämistä fysikaalisten syy ja seuraus-tapahtumien jakson määrittämiseen fysikaalisten ominaisuuksien perusteella (esimerkiksi lämpötila, paine, diffuusiovakiot ja puolijohdemateriaalien ominaisuudet).
Note 2:3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Huom. 2:3E001 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi sellaisten 3A001.a.3–3A001.a.12 kohtien mukaan valvonnanalaisten integroitujen piirien,"kehittämistä" tai "tuotantoa" varten tarvittavaa "teknologiaa", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Using "technology" of 0,5 µm or more; and
Perustuvat 0,5:n mikrometrin tai karkeampaan"teknologiaan"; ja
Not incorporating ’multi-layer structures’.
Eivät sisällä ’monikerrosrakenteita’.
’Multi-layer structures’ do not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
’Monikerrosrakenteet’ eivät sisällä komponentteja, joissa on korkeintaan kolme metallikerrosta ja kolme monikiteistä piikerrosta.
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
Muu kuin 3E001 kohdassa määritelty "teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti sellaisen "mikroprosessorimikropiirin", "mikrotietokonemikropiirin" tai mikro-ohjainmikropiiriytimen "kehittämistä" ja "tuotantoa" varten, jonka aritmeettisloogisen yksikön hakuleveys on 32 bittiä tai enemmän ja jolla on jokin seuraavista piirteistä tai ominaisuuksista:
A ’vector processor unit’ designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
’Vektoriprosessoriyksikkö’, joka on suunniteltu suorittamaan enemmän kuin kaksi laskutoimitusta liukulukuvektoreille (32-bittisten tai sitä suurempien lukujen yksiulotteiset matriisit) samanaikaisesti;
A ’vector processor unit’ is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
’Vektoriprosessoriyksikkö’ on prosessorielementti, jossa on sisäänrakennetut käskyt, jotka suorittavat useita laskutoimituksia liukulukuvektoreille (32-bittisten tai sitä suurempien lukujen yksiulotteiset matriisit) samanaikaisesti, ja jossa on vähintään yhden vektorin aritmeettislooginen yksikkö.
Designed to perform more than two 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
Suunniteltu suorittamaan enemmän kuin kaksi 64-bittistä tai sitä suurempaa liukulukutoimitusta kierrosta kohden; tai