natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Individual semiconductor "laser"’arrays’, having any of the following:
erilliset puolijohde"laserien" ryhmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Wavelength of less than 1400 nm and average or CW output power, exceeding 80 W;
aallonpituus pienempi kuin 1400 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 80 W;
Wavelength equal to or greater than 1400 nm and less than 1900 nm and average or CW output power, exceeding 25 W; or
aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1400 nm ja pienempi kuin 1900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 25 W; tai
Wavelength equal to or greater than 1900 nm and average or CW output power, exceeding 10 W;
aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 10 W.
’Array stacks’ of semiconductor "lasers" containing at least one ’array’ specified in 6A005.d.1.c.;
puolijohde"laserien" ryhmien kerrokset, jotka sisältävät vähintään yhden ryhmän, joka on valvonnanalainen 6A005.d.1.c kohdan perusteella.
An ’array’ consists of multiple semiconductor "laser" emitters fabricated as a single chip so that the centres of the emitted light beams are on parallel paths.
’Ryhmä’ muodostuu useista puolijohde"laser"emittereistä, jotka on valmistettu yhtenä siruna niin, että säteilevien valonsäteiden keskustat ovat yhdensuuntaisilla reiteillä.
An ’array stack’ is fabricated by stacking, or otherwise assembling, ’arrays’ so that the centres of the emitted light beams are on parallel paths.
’Ryhmien kerros’ on valmistettu kerrostamalla tai muuten kokoamalla ’ryhmät’ niin, että säteilevien valonsäteiden keskustat ovat yhdensuuntaisilla reiteillä.
Output energy exceeding 2 J per pulse and "peak power" exceeding 5 kW; or
lähtöenergia ylittää 2 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 5 kW; tai
Average or CW output power exceeding 5 kW;
keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 5 kW;
Pulsed output with a "pulse duration" exceeding 10 µs and any of the following:
pulssiulostulon pulssin kesto ylittää 10 μs ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"Average output power" exceeding 10 kW; or
keskimääräinen lähtöteho ylittää 10 kW; tai
"Peak power" exceeding 100 kW; or
pulssi"huipputeho" ylittää 100 kW; tai
Pulsed output with a "pulse duration" equal to or less than 10 µs and any of the following:
pulssiulostulon pulssin kesto on 10 μs tai lyhyempi ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Pulse energy exceeding 5 J per pulse; or
pulssin energia ylittää 5 J pulssia kohti; tai
"Average output power" exceeding 2,5 kW;
keskimääräinen lähtöteho ylittää 2,5 kW;
Excimer "lasers" having any of the following:
Eksimeeri"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Output wavelength not exceeding 150 nm and any of the following:
lähtöaallonpituus ei ylitä 150 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Output energy exceeding 50 mJ per pulse; or
lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohti; tai
Output wavelength exceeding 150 nm but not exceeding 190 nm and any of the following:
lähtöaallonpituus ylittää 150 nm, mutta ei ylitä 190 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Output energy exceeding 1,5 J per pulse; or
lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti; tai
"Average output power" exceeding 120 W;
keskimääräinen lähtöteho ylittää 120 W;
Output wavelength exceeding 190 nm but not exceeding 360 nm and any of the following:
lähtöaallonpituus ylittää 190 nm, mutta ei ylitä 360 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Output energy exceeding 10 J per pulse; or
lähtöenergia ylittää 10 J pulssia kohti; tai
"Average output power" exceeding 500 W; or
keskimääräinen lähtöteho ylittää 500 W; tai
Output wavelength exceeding 360 nm and any of the following:
lähtöaallonpituus ylittää 360 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
N.B.:For excimer "lasers" specially designed for lithography equipment, see 3B001.
Huom.:Erityisesti litografialaitteita varten suunniteltujen eksimeeri"lasereiden" osalta katso 3B001 kohta.
"Chemical lasers" as follows:
Seuraavat "kemialliset laserit":
Hydrogen Fluoride (HF) "lasers";
vetyfluoridi(HF)"laserit";
Deuterium Fluoride (DF) "lasers";
deuteriumfluoridi(DF)"laserit";
"Transfer lasers" as follows:
seuraavat "siirtolaserit":
Oxygen Iodine (O2-I) "lasers";
happijodi(O2-I)"laserit";
Deuterium Fluoride-Carbon dioxide (DF-CO2) "lasers";
deuteriumfluoridihiilidioksidi(DF-CO2)"laserit";
’Non-repetitive pulsed’ Nd: glass "lasers" having any of the following:
Yksittäisiä pulsseja tuottavat neodyymilasi"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"Pulse duration" not exceeding 1 µs and output energy exceeding 50 J per pulse; or
pulssin kesto ei ylitä 1 μs ja lähtöenergia ylittää 50 J pulssia kohti; tai
"Pulse duration" exceeding 1 µs and output energy exceeding 100 J per pulse;
pulssin kesto ylittää 1 μs ja lähtöenergia ylittää 100 J pulssia kohti;
Note:’Non-repetitive pulsed’ refers to "lasers" that produce either a single output pulse or that have a time interval between pulses exceeding one minute.
Huom:"Yksittäisiä pulsseja tuottava" viittaa "laseriin", joka tuottaa joko yhden yksittäisen ulostulopulssin tai jonka tuottamien pulssien aikaväli on yli minuutin.
Components as follows:
Seuraavat komponentit:
Mirrors cooled either by ’active cooling’ or by heat pipe cooling;
’Aktiivisella jäähdytyksellä’ tai lämpöputkijäähdytyksellä jäähdytetyt peilit;
Optical mirrors or transmissive or partially transmissive optical or electro-optical components, specially designed for use with specified "lasers";
Optiset peilit tai läpäisevät tai osittain läpäisevät optiset tai sähköoptiset komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi määriteltyjen "lasereiden" kanssa;
Optical equipment as follows:
Optiset laitteet seuraavasti:
N.B.:For shared aperture optical elements, capable of operating in "Super-High Power Laser" ("SHPL") applications, see the Military Goods Lists.
Huom.:"SHPL"-sovelluksissa toimimaan kykenevät yhteisen aukon optiset elementit: katso asetarvikeluettelo.
Dynamic wavefront (phase) measuring equipment capable of mapping at least 50 positions on a beam wavefront and any of the following:
Dynaamiset aaltorintaman (vaiheen) mittauslaitteet, joilla voidaan rekisteröidä ainakin 50 positiota säteen aaltorintamasta, ja joilla on jokin seuraavista:
"Laser" diagnostic equipment capable of measuring "SHPL" system angular beam steering errors of equal to or less than 10 µrad;
"Laserien" diagnostiikkalaitteet, joilla kyetään mittaamaan "SHPL"-järjestelmän säteen ohjauksen kulmavirheitä, jotka ovat 10 μrad tai pienempiä;
Optical equipment and components, specially designed for a phased-array "SHPL" system for coherent beam combination to an accuracy of λ/10 at the designed wavelength, or 0.1 µm, whichever is the smaller;
Optiset laitteet, kokoonpanot tai komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu vaiheistettujen ryhmien koherenttia sädettä kombinoivaa "SHPL"-järjestelmää varten tarkkuudella, joka on seuraavista pienempi: λ/10 suunnitellulla aallonpituudella tai 0,1 μm;
"Magnetometers", "magnetic gradiometers", "intrinsic magnetic gradiometers", underwater electric field sensors, "compensation systems", and specially designed components therefor, as follows:
Seuraavat "magnetometrit", "magneettikentän gradiometrit", "itseisjohtavuuteen perustuvat magneettikentän gradiometrit", vedenalaiset sähkökenttäanturit ja kompensointijärjestelmät sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
"Magnetometers" using "superconductive" (SQUID) "technology" and having any of the following:
"Magnetometrit", jotka käyttävät "suprajohtavaa" (SQUID) "teknologiaa" ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
SQUID systems designed for stationary operation, without specially designed subsystems designed to reduce in-motion noise, and having a ’sensitivity’ equal to or lower (better) than 50 fT (rms) per square root Hz at a frequency of 1 Hz; or
Paikallaan käytettäväksi suunniteltuja SQUID-järjestelmiä, joissa ei ole erityisesti suunniteltuja alajärjestelmiä liikkeessä aiheutuvan kohinan vähentämiseksi ja joiden ’herkkyys’ on 50 fT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti 1 Hz:n taajuudella tai alempi (parempi); tai
SQUID systems having an in-motion-magnetometer ’sensitivity’ lower (better) than 20 pT (rms) per square root Hz at a frequency of 1 Hz and specially designed to reduce in-motion noise;
SQUID-järjestelmiä, joiden liikkeessä käytettävien magnetometrien ’herkkyys’ on alempi (parempi) kuin 20 pT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti 1 Hz:n taajuudella ja jotka on erityisesti suunniteltu liikkeessä aiheutuvan kohinan vähentämiseksi;
"Magnetometers" using optically pumped or nuclear precession (proton/Overhauser) "technology" having a ’sensitivity’ lower (better) than 20 pT (rms) per square root Hz at a frequency of 1 Hz;
"Magnetometrit", jotka käyttävät optisesti pumpattua tai ydinpresessio- (protoni/Overhauser-) "teknologiaa", jonka ’herkkyys’ on alempi (parempi) kuin 20 pT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti 1 Hz:n taajuudella;
"Magnetometers" using fluxgate "technology" having a ’sensitivity’ equal to or lower (better) than 10 pT (rms) per square root Hz at a frequency of 1 Hz;
"Magnetometrit", jotka käyttävät fluxgate-"teknologiaa", jonka ’herkkyys’ on 10 pT (rms) tai alempi (parempi) Hz:n neliöjuurta kohti 1 Hz:n taajuudella;
Induction coil "magnetometers" having a ’sensitivity’ lower (better) than any of the following:
Induktiokelamagnetometrit, joiden "herkkyys" on alempi (parempi) kuin:
1 × 10-3 nT (rms) per square root Hz at frequencies of 1 Hz or more but not exceeding 10 Hz; or
1 × 10–3 nT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti taajuuksilla 1 Hz-10 Hz; tai
1 × 10-4 nT (rms) per square root Hz at frequencies exceeding 10 Hz;
1 × 10–4 nT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti taajuuksilla yli 10 Hz;
Fibre optic "magnetometers" having a ’sensitivity’ lower (better) than 1 nT (rms) per square root Hz;
Kuituoptiset "magnetometrit", joiden ’herkkyys’ on alempi (parempi) kuin 1 nT (rms) Hz:n neliöjuurta kohti;
Underwater electric field sensors having a ’sensitivity’ lower (better) than 8 nanovolt per metre per square root Hz when measured at 1 Hz;
Vedenalaiset sähkökenttäanturit, joiden ’herkkyys’ on alempi (parempi) kuin 8 nanovolttia metriä kohti Hz:n neliöjuurta kohti 1 Hz:n taajuudella mitattuna;
"Magnetic gradiometers" as follows:
Seuraavat "magneettikentän gradiometrit":
Fibre optic "intrinsic magnetic gradiometers" having a magnetic gradient field ’sensitivity’ lower (better) than 0,3 nT/m rms per square root Hz;
Kuituoptiset "itseisjohtavuuteen perustuvat magneettikentän gradiometrit", joiden magneettisen gradienttikentän ’herkkyys’ on alempi (parempi) kuin 0,3 nT/m rms Hz:n neliöjuurta kohti;
"Intrinsic magnetic gradiometers", using "technology" other than fibre-optic "technology", having a magnetic gradient field ’sensitivity’ lower (better) than 0,015 nT/m rms per square root Hz;
"Itseisjohtavuuteen perustuvat magneettikentän gradiometrit", jotka käyttävät muuta kuin kuituoptista "teknologiaa" ja joiden magneettisen gradienttikentän "herkkyys" on alempi (parempi) kuin 0,015 nT/m rms Hz:n neliöjuurta kohti;
"Compensation systems" for magnetic or underwater electric field sensors resulting in a performance equal to or better than the specified parameters of 6A006.a., 6A006.b. or 6A006.c.
Kompensointijärjestelmät magneettisia antureita tai vedenalaisia sähkökenttäantureita varten, joiden aikaansaama suorituskyky on yhtä suuri tai parempi kuin 6A006.a, 6A006.b tai 6A006.c kohdan vertailuparametrit.
For the purposes of 6A006., ’sensitivity’ (noise level) is the root mean square of the device-limited noise floor which is the lowest signal that can be measured.
6A006 kohdassa ’herkkyys’ (kohinataso) on laitekohtaisen pohjakohinan, joka on heikoin mitattavissa oleva signaali, tehollisarvo.
N.B.:SEE ALSO 6A107.
HUOM.:KATSO MYÖS 6A107 KOHTA.
Gravity meters designed or modified for ground use and having a static accuracy of less (better) than 10 µgal;
Maalla käytettäväksi suunnitellut tai muunnetut gravimetrit (painovoiman mittarit), joiden staattinen tarkkuus on vähemmän (parempi) kuin 10 μgal;
Gravity meters designed for mobile platforms and having all of the following:
Liikkuville alustoille suunnitellut gradiometrit, joiden:
Radar systems, equipment and assemblies, having any of the following, and specially designed components therefor:
Tutkajärjestelmät, -laitteet ja -kokoonpanot, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
N.B.:SEE ALSO 6A108.
HUOM.:KATSO MYÖS 6A108 KOHTA.
Operating at frequencies from 40 GHz to 230 GHz and having any of the following:
Jotka toimivat taajuuksilla 40 GHz–230 GHz ja joilla on jompikumpi seuraavista ominaisuuksista:
An average output power exceeding 100 mW; or
Keskimääräinen lähtöteho on yli 100 mW; tai
Locating accuracy of 1 m or less (better) in range and 0.2 degree or less (better) in azimuth;
Paikantamistarkkuus on 1 metri tai vähemmän (tarkempi) ja suuntakulmatarkkuus on 0,2 astetta tai vähemmän (tarkempi)
A tunable bandwidth exceeding ±6,25 % of the ’centre operating frequency’;
Joissa on viritettävä kaistanleveys, joka on yli ±6,25 % ’keskitoimintataajuudesta’;
Capable of operating in synthetic aperture (SAR), inverse synthetic aperture (ISAR) radar mode, or sidelooking airborne (SLAR) radar mode;
Jotka kykenevät toimimaan synteettisessä apertuuri- (SAR), käänteisessä synteettisessä apertuuritutkamoodissa (ISAR) tai sivukulma-tutkamoodissa(SLAR);
Employing processing of radar signals and using any of the following:
Jotka käsittelevät tutkasignaalia käyttäen:
"Radar spread spectrum" techniques; or
"Tutkan hajaspektri" -tekniikkaa; tai
"Radar frequency agility" techniques;
"Tutkan taajuushyppely" -tekniikkaa;
Ground radar equipment specially designed for enroute air traffic control and having all the following:
Maanpinnalla olevia tutkalaitteita, jotka on erikoisesti suunniteltu reittilentoliikenteen ohjausta varten ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
A maximum "instrumented range" of 500 km or less;
Maksimi"näyttöalue" on 500 km tai vähemmän;
Configured so that radar target data can be transmitted only one way from the radar site to one or more civil ATC centres;
Konfiguroitu siten, että tutkan maalitietoa voidaan lähettää vain yhteen suuntaan tutka-asemalta yhteen tai useampaan siviililennonjohtokeskukseen;
Contains no provisions for remote control of the radar scan rate from the enroute ATC centre; and
Ei ole varauduttu tutkan pyyhkäisynopeuden kauko-ohjaukseen reitin varrella olevasta lennonjohtokeskuksesta; ja
Permanently installed;
Kiinteästi rakennettu.
Being "laser" radar or Light Detection and Ranging (LIDAR) equipment and having any of the following:
"Laser"tutkat tai valoon perustuvat havainnointi- ja etäisyydenmittauslaitteet (LIDAR), joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Employing coherent heterodyne or homodyne detection techniques and having an angular resolution of less (better) than 20 µrad (microradians); or
Ne käyttävät koherenttia heterodyne- tai homodyneilmaisutekniikkaa ja niiden kulmanerottelukyky on parempi kuin 20 μrad (mikroradiaania); tai
Designed for carrying out airborne bathymetric littoral surveys to International Hydrographic Organization (IHO) Order 1a Standard (5th Edition February 2008) for Hydrographic Surveys or better, and using one or more lasers with a wavelength exceeding 400 nm but not exceeding 600 nm.
Ne on suunniteltu batymetristen rannikkokartoitusten suorittamiseen ilmasta vähintään Kansainvälisen hydrografisen järjestön (IHO) merenmittausstandardin 1a (5. painos, helmikuu 2008) vaatimusten mukaisesti ja käyttäen yhtä tai useampaa laseria, joiden aallonpituus on yli 400 nm, mutta ei yli 600 nm.
Note 1:LIDAR equipment specially designed for surveying is only specified in 6A008.j.3.
Huom. 1:Vain kartoitukseen suunniteltu LIDAR-laitteisto eritellään 6A008.j.3 kohdassa.
Note 2:6A008.j. does not control LIDAR equipment specially designed for meteorological observation.
Huom. 2:6A008.j kohta ei aseta valvonnanalaiseksi erityisesti säähavainnointiin suunniteltuja LIDAR-laitteistoja.
Note 3:Parameters in the IHO Order 1a Standard 5th Edition February 2008 are summarized as follows:
Huom. 3:IHO:n standardin 1a (5. painos, helmikuu 2008) parametrit ovat lyhyesti seuraavat:
Horizontal Accuracy (95 % Confidence Level) = 5 m +5 % of depth.
Horisontaalinen tarkkuus (luotettavuustaso 95 %) = 5 m +5 % syvyydestä.
Depth Accuracy for Reduced Depths (95 % confidence level)
Syvyystarkkuus redusoiduille syvyyksille (luotettavuustaso 95 %)
= ±√(a2+(b*d)2), where:
= ±√(a2+(b*d)2), kun:
a = 0,5 m = constant depth error,
a = 0,5 m = vakio syvyysvirhe,
i.e. the sum of all constant depth errors
ts. kaikkien vakioiden syvyysvirheiden summa
b = 0,013 = factor of depth dependent error
b = 0,013 = syvyydestä riippuvan virheen kerroin
b*d = depth dependent error,
b*d = syvyydestä riippuva virhe,
i.e. the sum of all depth dependent errors
ts. kaikkien syvyydestä riippuvien virheiden summa
d = depth
d = syvyys
Feature Detection = Cubic features > 2 m in depths up to 40 m;
Ominaisuuden ilmaisu = Kuutio-ominaisuudet > 2 m syvyyksissä 40 m:iin saakka;
10 % of depth beyond 40 m.
10 % yli 40 m:n syvyydestä.
Having "signal processing" sub-systems using "pulse compression" and having any of the following:
Sisältävät "signaalinkäsittelyä" varten alajärjestelmiä, jotka käyttävät "pulssikompressio"tekniikkaa ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Having data processing sub-systems and having any of the following:
Sisältävät tiedonkäsittelyn alajärjestelmiä, jotka:
Gravity meters, other than those specified in 6A007.b, designed or modified for airborne or marine use, and having a static or operational accuracy of 7 × 10-6 m/s2 (0,7 milligal) or less (better), and having a time-to-steady-state registration of two minutes or less;
Muut kuin 6A007.b kohdassa määritellyt gravimetrit, jotka on suunniteltu tai muunnettu ilmassa tai merellä tapahtuvaa käyttöä varten ja joiden staattinen tai operationaalinen tarkkuus on 7 × 10–6 m/s2 (0,7milligalia) tai sitä vähemmän (parempi) ja joiden vakiintumisaika on kaksi minuuttia tai vähemmän.
Radar and laser radar systems designed or modified for use in space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104;
Tutka- ja "laser" tutkajärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäviksi 9A004 kohdassa määritellyissä avaruuteen laukaisussa käytettävissä kantoraketeissa tai 9A104 kohdassa määritellyissä luotainraketeissa;
Imaging sensor equipment;
Kuvausanturilaitteet
Scene mapping and correlation (both digital and analogue) equipment;
Näkymäkartoitus- ja korrelointilaitteet (sekä digitaaliset että analogiset)
Doppler navigation radar equipment.
Doppler-navigointitutkalaitteet
Precision tracking systems, usable for ’missiles’, as follows:
Seuraavat tarkkuusseurantajärjestelmät, joita voidaan käyttää ’ohjuksissa’:
Angular resolution better than 1,5 milliradians;
Kulmaresoluutio on parempi kuin 1,5 milliradiaania;
Note:In 6A203.a. components of such cameras include their synchronizing electronics units and rotor assemblies consisting of turbines, mirrors and bearings.
Huom.:6A203.a kohdassa näiden kameroiden komponentteihin sisältyvät niiden synkronointi-elektroniikkayksiköt sekä turbiineista, peileistä ja laakereista koostuvat roottorikokoonpanot.
N.B.:For copper vapour lasers, see 6A005.b.
Huom:Kuparihöyrylaserit, katso 6A005.b.
Tunable pulsed single-mode dye laser oscillators having all of the following characteristics:
Viritettävät pulssitoimiset yksimuoto-väriaine "laser"-oskillaattorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Neodymium-doped (other than glass) "lasers" with an output wavelength between 1000 and 1100 nm having either of the following
Neodyymiseostetut "Q-kytkin-laserit" (muut kuin lasi-), joiden lähtöaallonpituus ylittää 1000 nm, mutta ei ylitä 1100 nm, joilla on jompikumpi seuraavista ominaisuuksista:
Pulse-excited and Q-switched with a pulse duration equal to or more than 1 ns, and having either of the following:
Pulssiviritettävät "Q-kytkin-laserit", joiden pulssinkesto on vähintään 1 ns ja joilla on jompikumpi seuraavista ominaisuuksista;
A single–transverse mode output with an average output power greater than 40W; or
yksitransversaalimuodon ulostulo, jonka keskimääinen lähtöteho ylittää 40 W, tai
A multiple-transverse mode output having an average power greater than 50 W; or
monitransversaalimuodon ulostulo, jonka keskimääräinen lähtöteho ylittää 50 W; tai
Incorporating frequency doubling to give an output wavelength between 500 and 550 nm with an average output power of more than 40 W.
Mukana on taajuuden kahdentaminen, jolloin lähtöaallonpituus on 500–550 nm ja keskimääräinen lähtöteho ylittää 40 W.
Equipment for measuring absolute reflectance to an accuracy of ±0,1 % of the reflectance value;
Laitteet, joilla mitataan absoluuttista heijastumissuhdetta ±0,1 %:n tarkkuudella heijastumissuhteen arvosta;
Pulse radar cross-section measurement systems having transmit pulse widths of 100 ns or less, and specially designed components therefor.
Tutkan kaikupinnan pulssimittausjärjestelmät, joiden lähetettävien pulssien leveydet ovat 100 ns tai vähemmän, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit.
N.B.:SEE ALSO 6B108.
HUOM.:KATSO MYÖS 6B108 KOHTA.
Systems, other than those specified in 6B008, specially designed for radar cross section measurement usable for ’missiles’ and their subsystems.
Muut kuin 6B008 kohdassa määritellyt järjestelmät, joita voidaan käyttää "ohjuksissa" ja niiden alajärjestelmissä ja jotka on erityisesti suunniteltu tutkapoikkipintojen mittaamiseen.
In 6B108 ’missile’ means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
Kohdassa 6B108 kohdassa "ohjuksella" tarkoitetaan täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka ylittää 300 km.
Optical sensor materials as follows:
Seuraavat optiset anturimateriaalit:
Cadmium zinc telluride (CdZnTe), with zinc content of less than 6 % by ’mole fraction’;
Kadmiumsinkkitelluoidi (CdZnTe), jonka sinkkipitoisuus on alle 6 ’mooliosuus’ prosenttia;
Optical materials as follows:
Seuraavat optiset materiaalit:
Zinc selenide (ZnSe) and zinc sulphide (ZnS) "substrate blanks", produced by the chemical vapour deposition process and having any of the following:
Sinkkiselenidi (ZnSe)- ja sinkkisulfidi (ZnS)-"substraattiaihiot", jotka on tuotettu kemiallisella kaasufaasipinnoitusmenetelmällä ja joilla on jokin seuraavista:
A diameter greater than 80 mm and a thickness of 20 mm or more;
Läpimitta suurempi kuin 80 mm ja paksuus 20 mm tai enemmän;
Boules of any of the following electro-optic materials:
Minkä tahansa seuraavien sähköoptisten materiaalien synteettiset kiteet:
Silver gallium selenide (AgGaSe2); or
Hopeagalliumselenidi (AgGaSe2);
Non-linear optical materials having all of the following:
Epälineaariset optiset materiaalit, joilla on kaikki seuraavat:
Third order susceptibility (chi 3) of 10-6 m2/V2 or more; and
Kolmannen tason suskeptibiliteetti (khi 3) on 10–6m2/V2 tai enemmän; ja
"Substrate blanks" of silicon carbide or beryllium beryllium (Be/Be) deposited materials, exceeding 300 mm in diameter or major axis length;
Piikarbidista tai beryllium-beryllium (Be/Be) -pinnoitetuista materiaaleista valmistetut "substraattiaihiot", joiden läpimitta tai pääakselin pituus on yli 300 mm;
Glass, including fused silica, phosphate glass, fluorophosphate glass, zirconium fluoride (ZrF4) and hafnium fluoride (HfF4) and having all of the following:
Lasi, mukaan lukien kvartsilasi, fosfaattilasi, fluorofosfaattilasi, zirkoniumfluoridi (ZrF4) ja hafniumfluoridi (HfF4), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
High homogeneity (index of refraction variance) less than 5 × 10-6;
Korkea homogeenisuus (refraktiovarianssin indeksi) on vähemmän kuin 5 × 10–6;
Synthetically produced diamond material with an absorption of less than 10-5 cm-1 for wavelengths exceeding 200 nm but not exceeding 14000 nm.
Synteettisesti tuotettu timanttimateriaali, jonka absorptio on vähemmän kuin 10–5 cm–1 aallonpituuksilla, jotka ylittävät 200 nm mutta ovat alle 14000 nm.
Synthetic crystalline "laser" host material in unfinished form as follows:
Seuraavat kiteiset "laserien" perusmateriaalit käsittelemättömässä muodossa:
Other "software" as follows:
Seuraavat muut "ohjelmistot":