natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Note 1:3A001.b.4. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 to 42,5 GHz.
Huom. 1:3A001.b.4 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi yleisradiolähetyksiin tarkoitettujen satelliittien laitteita, jotka on suunniteltu tai mitoitettu toimimaan 40,5–42,5 GHz:n taajuusalueella.
electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs and having any of the following:
Elektronisesti tai magneettisesti viritettävät kaistanpäästö- tai kaistanestosuotimet, joissa on enemmän kuin 5 viritettävää resonaattoria, jotka voidaan virittää vähemmässä kuin 10 mikrosekunnissa taajuuskaistalle, jonka fmax/fminon 1,5:1, ja joiden:
converters and harmonic mixers designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d, 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
Muuntimet ja harmoniset sekoittajat (harmonic mixers), jotka on suunniteltu ulottamaan 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e tai 3A002.f kohdassa määriteltyjen laitteiden taajuusalueen kohdissa mainittujen rajojen ulkopuolelle;
microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Mikroaaltotehovahvistimet, jotka sisältävät 3A001.b.1 kohdassa määriteltyjä putkia ja joilla on kaikki seuraavat:
Note:3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Huom.:3A001.b.8 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi laitteita, jotka on suunniteltu tai mitoitettu toimimaan taajuuskaistalla, jonka "ITU on allokoinut" radioviestintäpalveluille, mutta ei radiomääritykselle.
microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
Mikroaaltotehomoduulit (MPM), jotka koostuvat vähintään kulkuaaltoputkesta, "monoliittisesta integroidusta mikroaaltopiiristä" ja integroidusta elektronisesta teholähteestä ja joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:
a "turn-on time" from off to fully operational in less than 10 seconds;
’Kytkeytymisaika’ nolla-asennosta täyteen toimintavalmiuteen vähemmän kuin 10 sekuntia;
an "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax. > 2 fmin.) and having any of the following:
"Hetkellinen kaistanleveys" enemmän kuin 1 oktaavi (fmax.>2fmin.) ja jokin seuraavista:
a frequency greater than 18 GHz.
Taajuus on enemmän kuin 18 GHz;
to calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
3A001.b.9.b kohdassa tarkoitetun tilavuuden laskemiseksi annetaan seuraava esimerkki: 20 W:n suurimmalla nimellisteholla tilavuuden tulisi olla 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
the "turn-on time" in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational; i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
3A001.b.9.a kohdassa tarkoitettu ’kytkeytymisaika’ viittaa aikaan, joka kuluu täydestä nolla-asennosta täyteen toimintavalmiuteen eli siihen sisältyy MPM:n lämpenemisaika.
a carrier frequency exceeding 6 GHz;
Kantoaallon taajuus ylittää 6 GHz;
a carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
Kantoaallon taajuus ylittää 1 GHz, mutta ei 6 GHz, ja jolla on jokin seuraavista:
a frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
Taajuuden sivukeilan vaimennus ylittää 55 dB ja kaistanleveys suurempi kuin 100 MHz;
bulk (volume) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves) which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 2,5 GHz;
Kappaleakustiset (tila-akustiset) laitteet (eli "signaalinkäsittely"laitteet, jotka käyttävät hyväkseen elastisia aaltoja), jotka sallivat signaalien suoran prosessoinnin yli 2,5 GHz:n taajuuksilla;
electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents having any of the following:
Elektroniset laitteet tai piirit, jotka sisältävät "suprajohtavista" materiaaleista valmistettuja komponentteja ja jotka on erityisesti suunniteltu toimimaan ainakin yhden "suprajohtavan" ainesosansa "kriittisen lämpötilan" alapuolella, ja joilla on jokin seuraavista:
"cells", as follows:
Seuraavat ’parit’:
"primary cells" having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
’Ensiöparit’, joiden ’energiatiheys’ ylittää 550 Wh/kg 20 °C:ssa;
"secondary cells" having 250 Wh/kg;
’Toisioparit’, joiden ’energiatiheys’ ylittää 250 Wh/kg.
For the purpose of 3A001.e.1., "energy density" (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
3A001.e.1 kohdassa ’energiatiheys’ lasketaan nimellisjännitteestä kerrottuna nimelliskapasiteetilla ampeeritunteina (Ah) jaettuna massalla kilogrammoina.
for the purpose of 3A001.e.1., a "cell" is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
3A001.e.1.a kohdassa ’pari’ määritellään sähkökemialliseksi laitteeksi, jolla on positiivinen ja negatiivinen elektrodi ja elektrolyytti ja joka on sähköenergian lähde.
for the purpose of 3A001.e.1.a., a "primary cell" is a "cell" that is not designed to be charged by any other source.
3A001.e.1.a.a kohdassa ’ensiöpari’ on ’pari’, jota ei ole suunniteltu ladattavaksi mistään muusta lähteestä.
for the purpose of 3A001.e.1.b., a "secondary cell" is a "cell" that is designed to be charged by an external electrical source.
3A001.e.1.b.a kohdassa ’toisiopari’ on ’pari’, joka on suunniteltu ladattavaksi ulkoisesta sähkölähteestä.
Note:3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
Huom.:3A001.e.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi paristoja, mukaan lukien yksipariset paristot.
capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Kondensaattorit, joiden toistotiheys on alle 10 Hz (kertatoimiset kondensaattorit) ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Kondensaattorit, joiden toistotiheys on 10 Hz tai enemmän (toistuvatoimiset kondensaattorit) ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
"Superconductive" electromagnets and solenoids specially designed to be fully charged or discharged in less than one second andhaving all of the following:
"Suprajohtavat" sähkömagneetit tai solenoidit, jotka on erityisesti suunniteltu täysin ladattaviksi tai purettaviksi alle 1 sekunnissa ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2).
Aurinkokennot, CIC-järjestelmät ja aurinkopaneelit, jotka ovat "avaruuskelpoisia" ja joiden keskimääräinen vähimmäistehokkuus on enemmän kuin 20 prosenttia 301 K:n (28 °C:n) toimintalämpötilassa simuloidussa ’AM0’-valaistuksessa, jonka säteilyvoimakkuus on 1,367 wattia neliömetriä kohden (W/m2);
"AM0", or "Air Mass Zero", refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
’AM0’ tai ’ilmamassan arvo 0’ (Air Mass Zero) tarkoittaa auringonvalon spektraalista säteilyvoimakkuutta maapallon uloimmassa ilmakehässä, kun maapallon ja auringon välinen etäisyys on yksi astronominen yksikkö (AU).
solid-state pulsed power switching thyristor devices and "thyristor modules" using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Solid state -pulssivirtakytkintyristorilaitteet ja ’tyristorimoduulit’, joissa käytetään joko sähköisesti, optisesti ja elekronisäteilyllä ohjattuja kytkentämenetelmiä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
Suurin kytkentävirran nousunopeus (di/dt) on suurempi kuin 2000 A/μs ja kaikki seuraavista:
Note 2:3A001.g. does not control thyristor devices and "thyristor modules" incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Huom. 2:3A001.g kohta ei aseta valvonnanalaiseksi tyristorilaitteita ja ’tyristorimoduuleja’, jotka on sisällytetty laitteisiin, jotka on suunniteltu rautateiden siviilisovelluksia tai "siviili-ilma-alusten" sovelluksia varten.
For the purposes of 3A001.g., a "thyristor module" contains one or more thyristor devices.
3A001.g.a kohdassa ’tyristorimoduuliin’ sisältyy yksi tai useampi tyristorilaite.
General purpose electronic equipment and accessories therefor, as follows:
Yleiskäyttöiset elektroniset laitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut tarvikkeet:
digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having any of the following:
Viistopyyhkäisytekniikkaa tai kiinteäpää-tekniikkaa käyttävät digitaaliset instrumentointinauhurit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
equipment, having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbits/s and designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
Laitteet, joiden digitaalisen liitännän maksimisiirtonopeus ylittää 175 Mbit/s ja jotka on suunniteltu muuntamaan digitaaliset videonauhurit instrumentointinauhureina käytettäviksi;
a "continuous throughput" of 2 Gbit/s or more;
’Jatkuva käsittelykyky’ 2 Gbit/s tai enemmän;
For those instruments with a parallel bus architecture, the "continuous throughput" rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Laitteille, joissa on rinnakkaisväyläarkkitehtuuri, ’jatkuva käsittelykyky’ on suurin sanansiirtonopeus kerrottuna sanan bittien lukumäärällä.
"Continuous throughput" is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
’Jatkuva käsittelykyky’ tarkoittaa suurinta tiedonsiirtonopeutta, jonka laite voi tulostaa massamuistiin tietoa menettämättä samalla kun se ylläpitää näytteenottonopeutta ja analogia-digitaalimuunnosta.
digital instrumentation data recorders, using magnetic disk storage technique and having all of the following:
Digitaaliset instrumentointitietonauhoittimet, joissa käytetään magneettilevymuistitekniikkaa ja joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:
a "continuous throughput" of 1 Gbit/s or more;
’Jatkuva käsittelykyky’, joka on vähintään 1 Gbit/s;
"frequency synthesiser""electronic assemblies" having a "frequency switching time" from one selected frequency to another of less than 1 ms;
Elektroniset "taajuussyntetisoija"kokoonpanot, joiden "taajuuden vaihtoaika" yhdeltä valitulta taajuudelta toiselle on vähemmän kuin 1 ms;
Note:the control status of "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers as stand-alone instruments is determined by 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., and 3A002.f., respectively.
Huom.:"Signaalianalysaattoreiden", signaaligeneraattoreiden, verkkoanalysaattoreiden ja mikroaaltotestivastaanotinten valvonnanalaisuus erillisinä välineinä määräytyy 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e ja 3A002.f kohdan perusteella.
radio frequency "signal analysers" as follows:
Seuraavat radiotaajuus"signaalianalysaattorit":
frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:
Taajuussyntetisoivat signaaligeneraattorit, joiden tuottamien lähtötaajuuksien tarkkuus ja lyhyen tai pitkän aikavälin stabiilius on sisäisen perusvertailuoskillaattorin ohjaama, siitä johdettu tai sen määräämä, ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Note 1:for the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Huom. 1:3A002.d kohdassa ’taajuussyntetisoivat’ signaaligeneraattorit sisältyvät satunnaisaalto- ja satunnaisfunktiogeneraattorit.
atomic frequency standards being any of the following:
Atomitaajuusstandardit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"space qualified";
"Avaruuskelpoisia";
non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
Rubidiumittomia ja pitkän aikavälin stabiilius on vähemmän (parempi) kuin 1 × 10–11 kuukaudessa; tai
non-"space qualified" and having all of the following:
"Ei-avaruuskelpoiset", joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:
being a rubidium standard;
On rubidiumstandardi;
long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; and
Pitkän aikavälin stabiilius on vähemmän (parempi) kuin 1 × 10–11 kuukaudessa; ja
total power consumption of less than 1 W.
Tehonkulutus vähemmän kuin 1 W.
"Thermal batteries" designed or modified for "missiles".
’Ohjuksia’ varten suunnitellut tai muunnetut ’lämpöakut’.
In 3A102 "thermal batteries" are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
3A102 kohdassa ’lämpöakut’ ovat kertakäyttöisiä akkuja, jotka sisältävät elektrolyyttinä kiinteän johtamattoman epäorgaanisen suolan.
In 3A102 "missile" means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
3A102 kohdassa ’ohjus’ tarkoittaa täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, jotka pystyvät kuljettamaan hyötykuorman vähintään 300 km:n etäisyydelle.
flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
Seuraavat välähtävät röntgensalamageneraattorit tai pulssitoimiset elektronikiihdyttimet, joilla on joko 1. tai 2. kohdassa luetellut ominaisuudet:
with a "figure of merit" (K) of 0,25 or greater; or
’Hyvyysluku’ (K) on 0,25 tai suurempi; tai
a "peak power" greater than 50 MW.
’Huipputeho’ on suurempi kuin 50 MW.
The "figure of merit" K is defined as:
’Hyvyysluku’ K on määritelty seuraavasti:
"Peak power" = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
’Huipputeho’ = (huippujännite voltteina) × (säteen huippuvirta ampeereina).
Frequency changers or generators, other than those specified in 0B001.b.13., having all of the following characteristics:
Muut kuin 0B001.b.13 kohdassa määritellyt taajuusmuuntimet tai generaattorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Note:3A228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
Huom.:kuten 3A228 kohtaan sisältyvät kaasukryptonputket ja tyhjösprytronputket.
High-current pulse generators as follows:
Seuraavat suurvirtapulssigeneraattorit:
N.B.:See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
Huom.:Katso 1A007.a räjähtävien sytyttimien laukaisulaitteet
Not used;
Ei käytössä.
having a "rise time" of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
’Nousuaika’ on lyhyempi kuin 10 μs alle 40 ohmin kuormituksella;
"pulse transition time" less than 500 ps.
’Pulssin nousuaika’ on lyhyempi kuin 500 ps.
In 3A230, "pulse transition time" is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
3A230 kohdassa ’pulssin nousuaika’ määritellään ajaksi, jonka kuluessa jännite nousee 10 prosentista 90 prosenttiin jännitteen amplitudista.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
Seuraavat muut kuin1A007 kohdassa määritellyt monipistesytytinjärjestelmät:
N.B.:See 1A007.b. for detonators.
Huom.:Katso 1A007.b sytyttimet
Note:3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Huom.:3A232 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi sytyttimiä, joissa käytetään vain ensiöräjähteitä, esimerkiksi lyijyatsidia.
equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Laitteet, jotka on suunniteltu ioni-istutusta varten ja joilla on jokin seuraavista:
plasma enhanced chemical vapour deposition (CVD) equipment as follows:
Seuraavat plasma-CVD (chemical vapour deposition = kemiallinen kaasufaasipinnoitus)-laitteet:
equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu 3B001.e kohdassa määriteltyjä laitteita varten ja jotka on suunniteltu valmistajan eritelmien mukaan tai optimoitu käytettäväksi sellaisten puolijohdelaitteiden tuotannossa, joiden kriittiset mitat ovat 180 nm tai vähemmän;
align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
Askeltavat kohdistus- ja valotuslaitteet (suora kohdistus kiekkoon) tai kohdistus- ja pyyhkäisy- (skanneri) laitteet kiekkojen prosessointia varten, jotka käyttävät foto-optisia tai röntgenmenetelmiä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
capable of producing a pattern with a "minimum resolvable feature size" of 180 nm or less;
Ne pystyvät tuottamaan kuvion, jonka ’pienin erottuva kuvion koko’ on 180 nm tai vähemmän;
The "minimum resolvable feature size" is calculated by the following formula:
’Pienin erottuva kuvion koko’ lasketaan seuraavalla kaavalla:
MRF = "minimum resolvable feature size"
MRF on ’pienin erottuva kuvion koko’.
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu maskien valmistukseen tai puolijohdekomponenttien prosessointiin käyttäen suoria kirjoitusjärjestelmiä (direct writing methods), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
käyttävät poikkeutettua ja fokusoitua elektronisuihkua, ionisuihkua tai "laser"sädettä, ja
a spot size smaller than 0,2 µm;
Suihkun tai säteen pisteen koko on pienempi kuin 0,2 μm;
being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 µm; or
Kykenevät tuottamaan kuvioita, joiden viivaleveys on vähemmän kuin 1 μm; tai
an overlay accuracy of better than ±0,20 µm (3 sigma);
Kohdistustarkkuus on parempi kuin ±0,20 μm (3 sigmaa).
multi-layer masks with a phase shift layer.
Monikerrosmaskit, joissa on vaihesiirtokerros;
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Hetero-epitaksimateriaalit, jotka koostuvat "substraatista", jonka päälle on epitaksisti kasvatettu useita kerroksia seuraavia aineita:
Silicon (Si);
Pii (Si);
Silicon carbide (SiC); or
Piikarbidi (SiC); tai
"III/V compounds" of gallium or indium.
Galliumin tai indiumin "III/V-yhdisteet".
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Seuraavat estopinnoitemateriaalit ja seuraavilla estopinnoitteilla pinnoitetut "substraatit":
all resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Kaikki estopinnoitteet, jotka on suunniteltu käytettäväksi elektroni- tai ionisuihkun kanssa ja joiden herkkyys on 0,01 mikrocoulombia/mm2 tai parempi;
all resists optimised for surface imaging technologies, including "silylated" resists.
Kaikki pintakuvausteknologiaa varten optimoidut estopinnoitteet, ’piitetyt’ estopinnoitteet mukaan lukien.
"Silylation" techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
’Piittämis’tekniikka on prosessi, jossa käytetään estopinnoitteen pinnan oksidointia parantamaan sen ominaisuuksia sekä märkä- että kuivakehityksessä.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified by 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Kaikki estopinnoitteet, jotka on suunniteltu tai optimoitu käytettäväksi lämpö- tai säteilykovetusprosessia käyttävien 3B001.f.2 kohdassa määriteltyjen kohokuviointilaitteiden kanssa.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
Piikarbidi (SiC), galliumnitridi (GaN), aluminiumnitridi (AIN) tai aluminiumgalliumnitridi (AIGaN) "substraatit", tai harkot, boulet näiden materiaalien muut preformit, joiden resistiivisyys on enemmän kuin 10000 ohmisenttimetriä 20 °C:ssa.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
3C005 kohdassa tarkoitetut "substraatit", joissa on vähintään yksi epitaksinen kerros piikarbidia, galliumnitridiä, aluminiumnitridiä tai aluminiumgalliumnitridiä.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 3B001.a–f kohdassa tai 3B002 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten:
"Physics-based" simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
’Fysiikkapohjaiset’ simulaatio-"ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu sellaisten litografia-, syövytys- ja pinnoitusprosessien "kehittämiseen", jotka muuntavat maskin kuviot erityisiksi topografisiksi johtimien, eristeiden ja puolijohdemateriaalien kuvioiksi.
"Physics-based" in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
’Fysiikkapohjaisella’ tarkoitetaan 3D003 kohdassa laskelmien käyttämistä fysikaalisten syy ja seuraus -tapahtumien jakson määrittämiseen fysikaalisten ominaisuuksien perusteella (esimerkiksi lämpötila, paine, diffuusiovakiot ja puolijohdemateriaalien ominaisuudet).
Note 1:3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Huom. 1:3E001 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi 3A003 kohdassa valvottujen laitteiden tai komponenttien "tuotantoa" varten tarvittavaa "teknologiaa".
Note 2:3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Huom. 2:3E001 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi sellaisten 3A001.a.3–3A001.a.12 kohtien mukaan valvonnanalaisten integroitujen piirien, "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten tarvittavaa "teknologiaa", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
not incorporating "multi-layer structures".
Eivät sisällä ’monikerrosrakenteita’.
"Multi-layer structures" do not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
’Monikerrosrakenteet’ eivät sisällä komponentteja, joissa on korkeintaan kolme metallikerrosta ja kolme monikiteistä piikerrosta.
a "vector processor unit" designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
’Vektoriprosessoriyksikkö’, joka on suunniteltu suorittamaan enemmän kuin kaksi laskutoimitusta liukulukuvektoreille (32-bittisten tai sitä suurempien lukujen yksiulotteiset matriisit) samanaikaisesti;