natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Measuring the distance of submerged or buried objects; or
Mittaamaan etäisyyttä uponneisiin tai hautautuneisiin kohteisiin; tai
Fish finding.
Paikallistamaan kalaparvia.
Diver deterrent acoustic systems specially designed or modified to disrupt divers and having a sound pressure level equal to or exceeding 190 dB (reference 1 µPa at 1 m) at frequencies of 200 Hz and below.
Akustiset sukeltajien häirintäjärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu sukeltajien häiritsemiseksi ja joiden äänenpainetaso on 190 dB (viitepaine 1 µPa 1 m:n etäisyydellä) tai korkeampi taajuudella 200 Hz ja sen alle.
Note 1:6A001.c. does not control diver deterrent systems based on underwater explosive devices, air guns or combustible sources.
Huom. 1:6A001.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi sukeltajien häirintäjärjestelmiä, jotka perustuvat vedenalaisiin räjähdyslaitteisiin, ilma-aseisiin tai palaviin lähteisiin.
Note 2:6A001.c. includes diver deterrent acoustic systems that use spark gap sources, also known as plasma sound sources.
Huom. 2:6A001.c kohta käsittää akustiset sukeltajien häirintäjärjestelmät, joissa käytetään kipinäväli-lähteitä eli plasma-äänilähteitä.
N.B.:SEE ALSO 6A102.
HUOM.:KATSO MYÖS 6A102 KOHTA.
Optical detectors as follows:
Seuraavat optiset ilmaisimet:
"Space-qualified" solid-state detectors as follows:
Seuraavat "avaruuskelpoiset" solid-state-ilmaisimet:
Note:For the purpose of 6A002.a.1., solid-state detectors include "focal plane arrays".
Huom.:6A002.a.1 kohdassa solid-state -ilmaisimiin kuuluvat myös "fokusoivat tasorakenteet".
"Space-qualified" solid-state detectors having all of the following:
"Avaruuskelpoiset" solid-state-ilmaisimet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
A peak response in the wavelength range exceeding 10 nm but not exceeding 300 nm; and
Vastehuippu aallonpituusalueella, joka on yli 10 nm mutta ei yli 300 nm; ja
A peak response in the wavelength range exceeding 900 nm but not exceeding 1200 nm; and
Vastehuippu aallonpituusalueella, joka on yli 900 nm mutta ei yli 1200 nm; ja
A response "time constant" of 95 ns or less;
Vasteen "aikavakio" 95 ns tai vähemmän;
"Space-qualified" solid-state detectors having a peak response in the wavelength range exceeding 1200 nm but not exceeding 30000 nm;
"Avaruuskelpoiset" solid-state ilmaisimet, joiden vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1200 nm mutta ei yli 30000 nm;
"Space-qualified""focal plane arrays" having more than 2048 elements per array and having a peak response in the wavelength range exceeding 300 nm but not exceeding 900 nm.
"Avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet", joissa on enemmän kuin 2048 elementtiä ryhmää kohti ja joiden vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 300 nm mutta ei yli 900 nm.
A single metal anode; or
Yksi metallianodi; tai
Metal anodes with a centre to centre spacing greater than 500 µm.
Metallianodeja, joiden etäisyys keskipisteestä keskipisteeseen on yli 500 µm.
’Charge multiplication’ is a form of electronic image amplification and is defined as the generation of charge carriers as a result of an impact ionization gain process.
’Varauksen monistaminen’ on yksi elektronisen kuvanvahvistuksen muoto ja se määritellään varauksenkuljettajien syntymiseksi törmäysionisointiin perustuvassa vahvistusprosessissa.
’Charge multiplication’ sensors may take the form of an image intensifier tube, solid state detector or "focal plane array".
’Varauksen monistamiseen’ perustuvat anturit voivat olla kuvanvahvistinputkia, puolijohdeilmaisimia tai "fokusoivia tasorakenteita".
A peak response in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 1050 nm;
Vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm mutta ei yli 1050nm;
Electron image amplification using any of the following:
Elektroninen kuvanvahvistus, jossa käytetään jotain seuraavista:
A microchannel plate with a hole pitch (centre-to-centre spacing) of 12 µm or less; or
Mikrokanavalevy, jonka reikätiheys (keskipisteiden välinen etäisyys) on 12 µm tai vähemmän; tai
An electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 µm or less, specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ other than by a microchannel plate; and
Elektronianturi, jonka sitomaton pikselien jakoväli on 500 µm tai vähemmän ja joka on erityisesti suunniteltu tai jota on muutettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’ muulla tavoin kuin mikrokanavalevyllä; ja
Multialkali photocathodes (e.g., S-20 and S-25) having a luminous sensitivity exceeding 350 µA/lm;
Monialkaalivalokatodit (esim. S-20 ja S-25), joiden valoherkkyys ylittää 350 µA/lm;
Other "III/V compound" semiconductor photocathodes having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W;
Muut "III/V" yhdistepuolijohteisiin perustuvat valokatodit, joiden maksimi säteilynherkkyys on enemmän kuin 10 mA/W;
A peak response in the wavelength range exceeding 1050 nm but not exceeding 1800 nm;
Vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1050 nm mutta ei yli 1800 nm;
"III/V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes, having a maximum radiant sensitivity exceeding 15 mA/W;
"III/V-yhdiste" puolijohteisiin perustuvat valokatodit (kuten GaAs- tai GaInAs-valokatodit) ja elektroninsiirtoon perustuvat valokatodit, joiden maksimi säteilynherkkyys on enemmän kuin 15 mA/W;
Specially designed components as follows:
Seuraavat erityisesti suunnitellut komponentit:
Microchannel plates having a hole pitch (centre-to-centre spacing) of 12 µm or less;
Mikrokanavalevyt, joiden reikätiheys (keskipisteiden välinen etäisyys) on 12 µm tai vähemmän;
An electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 µm or less, specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ other than by a microchannel plate;
Elektronianturi, jonka sitomaton pikselien jakoväli on 500 µm tai vähemmän ja joka on erityisesti suunniteltu tai jota on muutettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’ muulla tavoin kuin mikrokanavalevyllä;
"III/V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes;
"III/V-yhdiste" puolijohteisiin perustuvat valokatodit (kuten GaAs- tai GaInAs-valokatodit) ja elektroninsiirtoon perustuvat valokatodit;
Note:6A002.a.2.c.3. does not control compound semiconductor photocathodes designed to achieve a maximum radiant sensitivity of any of the following:
Huom.:6A002.a.2.c.3. kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi yhdistepuolijohteisiin perustuvia valokatodeja, jotka on suunniteltu niin, että niiden maksimi säteilynherkkyys on jokin seuraavista:
10 mA/W or less at the peak response in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 1050 nm; or
10 mA/W tai vähemmän, kun vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm mutta ei yli1050nm; tai
Non-"space-qualified""focal plane arrays" as follows:
Seuraavat ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet":
N.B.:’Microbolometer’ non-"space-qualified""focal plane arrays" are only specified in 6A002.a.3.f.
Huom.:’Mikrobolometrien’ ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet" määritellään ainoastaan 6A002.a.3.f kohdassa.
Strontium barium niobate and variants.
Strontiumbariumniobaatti ja sen muunnokset.
"Focal plane arrays" specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and limited by design to have a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following:
"Fokusoivat tasorakenteet", jotka on erityisesti suunniteltu tai joita on muutettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’ ja jotka on suunniteltu niin, että niiden maksimi säteilynherkkyys on 10 mA/W tai vähemmän aallonpituusalueella, joka on yli 760 nm, ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Incorporating a response limiting mechanism designed not to be removed or modified; and
Sisäänrakennettu vasterajoitinmekanismi, jota ei voi poistaa eikä muuttaa; ja
The response limiting mechanism is integral to or combined with the detector element; or
Vasterajoitinmekanismi liittyy kiinteästi tai se on yhdistetty ilmaisinelementtiin; tai
The "focal plane array" is only operable with the response limiting mechanism in place.
"Fokusoiva tasorakenne" toimii vain siihen asennetun vasterajoitinmekanismin kanssa.
Non-"space-qualified""focal plane arrays" having all of the following:
Ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Individual elements with a peak response within the wavelength range exceeding 900 nm but not exceeding 1050 nm; and
Yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 900nm mutta ei yli 1050 nm; ja
A response "time constant" of less than 0,5 ns; or
Vasteen "aikavakio" on vähemmän kuin 0,5 ns; tai
Specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W;
Ne on erityisesti suunniteltu tai niitä on muutettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’ ja niiden maksimi säteilynherkkyys on yli 10 mA/W;
A response "time constant" of 95 ns or less; or
Vasteen "aikavakio" on 95 ns tai vähemmän; tai
Non-"space-qualified" non-linear (2-dimensional) "focal plane arrays" having individual elements with a peak response in the wavelength range exceeding 1200 nm but not exceeding 30000 nm;
Ei-"avaruuskelpoiset" epälineaariset (kaksiulotteiset) "fokusoivat tasorakenteet", joissa yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1200 nm mutta ei yli 30000 nm;
N.B.:Silicon and other material based ’microbolometer’ non-"space-qualified""focal plane arrays" are only specified in 6A002.a.3.f.
Huom.:Piihin tai muuhun aineeseen pohjautuvien mikrobolometrien ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet" määritellään ainoastaan 6A002.a.3.f kohdassa.
Non-"space-qualified" linear (1-dimensional) "focal plane arrays" having all of the following:
Ei-"avaruuskelpoiset" lineaariset (yksiulotteiset) "fokusoivat tasorakenteet", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Individual elements with a peak response in the wavelength range exceeding 1200 nm but not exceeding 3000 nm; and
Yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1200 nm mutta ei yli 3000 nm; ja
A ratio of ’scan direction’ dimension of the detector element to the ’cross-scan direction’ dimension of the detector element of less than 3,8; or
Ilmaisinelementin ’skannaussuunnan’ mitan suhde ilmaisinelementin ’ristiskannaussuunnan’ mittaan on vähemmän kuin 3,8; tai
Signal Processing In The Element (SPRITE);
Signaalin prosessointi elementissä (SPRITE);
For the purposes of 6A002.a.3.d., ’cross-scan direction’ is defined as the axis parallel to the linear array of detector elements and the ’scan direction’ is defined as the axis perpendicular to the linear array of detector elements.
6A002.a.3.d kohdassa ’ristiskannaussuunta’ määritellään ilmaisinelementtien lineaarisen rakenteen suuntaiseksi akseliksi ja ’skannaussuunta’ ilmaisinelementtien lineaarista rakennetta vasten kohtisuorassa olevaksi akseliksi.
Non-"space-qualified" linear (1-dimensional) "focal plane arrays" having individual elements with a peak response in the wavelength range exceeding 3000 nm but not exceeding 30000 nm;
Ei-"avaruuskelpoiset" lineaariset (yksiulotteiset) "fokusoivat tasorakenteet", joissa yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 3000 nm mutta ei yli 30000 nm.
Non-"space-qualified" non-linear (2-dimensional) infrared "focal plane arrays" based on ’microbolometer’ material having individual elements with an unfiltered response in the wavelength range equal to or exceeding 8000 nm but not exceeding 14000 nm;
’Mikrobolometri’-aineeseen pohjautuvat ei-"avaruuskelpoiset" epälineaariset (kaksiulotteiset) "fokusoivat tasorakenteet", joissa yksittäisten elementtien suodattamaton vaste on aallonpituusalueella, joka on yhtä suuri tai suurempi kuin 8000 nm mutta ei suurempi kuin 14000 nm;
For the purposes of 6A002.a.3.f., ’microbolometer’ is defined as a thermal imaging detector that, as a result of a temperature change in the detector caused by the absorption of infrared radiation, is used to generate any usable signal.
6A002.a.3.f kohdassa ’mikrobolometri’ määritellään lämpökuvausanturiksi, jota infrapunasäteilyn absorption aiheuttaman lämpötilamuutoksen vuoksi käytetään tuottamaan mitä tahansa käyttökelpoista signaalia.
Individual detector elements with a peak response in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 900 nm;
Yksittäisten ilmaisinelementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm mutta ei yli 900 nm;
Specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W for wavelengths exceeding 760 nm; and
Erityisesti suunniteltu tai muutettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’ ja joiden maksimi säteilynherkkyys ylittää 10 mA/W aallonpituuksilla, jotka ovat yli 760 nm; ja
Greater than 32 elements.
Sisältävät enemmän kuin 32 elementtiä.
"Monospectral imaging sensors" and "multispectral imaging sensors", designed for remote sensing applications and having any of the following:
Etäishavainnointisovelluksiin suunnitellut "yksispektriset kuvannusanturit" ja "monispektriset kuvannusanturit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
An Instantaneous-Field-Of-View (IFOV) of less than 200 µrad (microradians); or
Hetkellinen näkökenttä (IFOV) on vähemmän kuin 200 µrad (mikroradiaania); tai
Specified for operation in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 30000 nm and having all the following;
Ne on määritelty toimimaan aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm, mutta ei yli 30000 nm, ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Designed for airborne operation, using other than silicon detectors, and having an IFOV of less than 2,5 mrad (milliradians);
Ne on suunniteltu ilmassa tapahtuvaan toimintaan ja käyttävät muita kuin pii-ilmaisimia ja niiden IFOV on vähemmän kuin 2,5 mrad (milliradiaania);
Note:6A002.b.1. does not control "monospectral imaging sensors" with a peak response in the wavelength range exceeding 300 nm but not exceeding 900 nm and only incorporating any of the following non–"space-qualified" detectors or non–"space-qualified" focal plane arrays:
Huom.6A002.b.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "yksispektrisiä kuvannusantureita", joiden vastehuippu aallonpituusalueella on yli 300 nm, mutta ei yli 900 nm, ja jotka käsittävät ainoastaan seuraavia ei-"avaruuskelpoisia" ilmaisimia tai ei-avaruuskelpoisia "fokusoivia tasorakenteita":
Charge Coupled Devices (CCD) not designed or modified to achieve ’charge multiplication’; or
Varauskytketyt piirit (CCD), joita ei ole suunniteltu tai muunnettu käytettäväksi’varauksen monistamiseen’; tai
Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) devices not designed or modified to achieve ’charge multiplication’.
Komplementaariset metallioksidipuolijohdelaitteet (CMOS), joita ei ole suunniteltu tai muunnettu käytettäväksi ’varauksen monistamiseen’.
’Direct view’ imaging equipment incorporating any of the following:
’Suorakatselu’kuvauslaitteet, jotka sisältävät jonkin seuraavista laitteista:
Image intensifier tubes specified in 6A002.a.2.a. or 6A002.a.2.b.;
6A002.a.2.a tai 6A002.a.2.b kohdassa määriteltyjä kuvanvahvistinputkia;
"Focal plane arrays" specified in 6A002.a.3. or 6A002.e.; or
6A002.a.3 tai 6A002.e kohdassa määriteltyjä "fokusoivia tasorakenteita"; tai
Solid state detectors specified in 6A002.a.1.;
6A002.a.1 kohdassa määriteltyjä solid-state-ilmaisimia;
’Direct view’ refers to imaging equipment that presents a visual image to a human observer without converting the image into an electronic signal for television display, and that cannot record or store the image photographically, electronically or by any other means.
Termi ’suorakatselu’ viittaa kuvauslaitteisiin, jotka näyttävät visuaalisen kuvan tarkkailijalle muuttamatta kuvaa sähköiseksi signaaliksi televisionäyttöä varten ja jotka eivät voi tallettaa kuvaa valokuvana, elektronisesti tai millään muullakaan tavalla.
Non-"space-qualified" cryocoolers having a cooling source temperature below 218 K (–55 °C), as follows:
Seuraavat ei-"avaruuskelpoiset" kryojäähdyttimet, joiden kylmälähteen lämpötila on alle 218 K (–55 °C):
Closed cycle type with a specified Mean-Time-To-Failure (MTTF) or Mean-Time-Between-Failures (MTBF), exceeding 2500 hours;
Suljetulla kierrolla varustetut, joiden määritelty keskimääräinen vioittumisaika (MTTF) tai keskimääräinen vikaväli (MTBF) ylittää 2500 tuntia;
Optical sensing fibres specially fabricated either compositionally or structurally, or modified by coating, to be acoustically, thermally, inertially, electromagnetically or nuclear radiation sensitive;
Optiset anturointikuidut, jotka on erityisesti valmistettu, joko koostumuksellisesti tai rakenteellisesti tai pinnoittamalla, akustisesti, termisesti, inertiaalisesti, sähkömagneettisesti tai ydinsäteilylle herkiksi;
N.B.:SEE ALSO 6A203.
HUOM.:KATSO MYÖS 6A203 KOHTA.
N.B.:For cameras specially designed or modified for underwater use, see 8A002.d. and 8A002.e.
Huom.:Kamerat, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu vedenalaiseen käyttöön: katso 8A002.d ja 8A002.e kohta.
Note:Instrumentation cameras, specified in 6A003.a.3. to 6A003.a.5., with modular structures should be evaluated by their maximum capability, using plug-ins available according to the camera manufacturer's specifications.
Huom.:6A003.a.3–6A003.a.5 kohdassa määritellyt moduulirakenteiset instrumentointikamerat on arvioitava niiden suurimman suorituskyvyn mukaan käyttäen saatavilla olevia ohjelmalisäkkeitä kameran valmistajan eritelmien mukaisesti.
Mechanical high speed cameras, in which the film does not move, capable of recording at rates exceeding 1000000 frames/s for the full framing height of 35 mm film, or at proportionately higher rates for lesser frame heights, or at proportionately lower rates for greater frame heights;
Mekaaniset suurinopeuksiset kamerat, joissa filmi ei liiku ja jotka kykenevät ottamaan yli 1000000 kuvaa sekunnissa täydellä 35 mm:n filmin kuvan korkeudella tai suhteessa suuremmilla nopeuksilla, kun kuvan korkeus on pienempi, tai suhteessa pienemmillä nopeuksilla, kun kuvan korkeus on suurempi;
Mechanical or electronic streak cameras, having writing speeds exceeding 10mm/μs;
Mekaaniset tai elektroniset juovakamerat, joiden piirtonopeus ylittää 10 mm/µs;
Electronic cameras having all of the following:
Elektroniset kamerat, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
An electronic shutter speed (gating capability) of less than 1 µs per full frame; and
Elektronisen sulkimen nopeus (avainnuskyky) on vähemmän kuin 1 s täyttä kuvaa kohti; ja
A read out time allowing a framing rate of more than 125 full frames per second;
Luettavuusaika sallii yli 125 täyden kuvan nopeuden sekunnissa;
Plug-ins having all of the following characteristics:
Ohjelmalisäkkeet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Enabling these cameras to meet the characteristics specified in 6A003.a.3., 6A003.a.4., or 6A003.a.5., according to the manufacturer's specifications;
Niiden ansiosta nämä kamerat saavuttavat valmistajan eritelmien mukaisesti 6A003.a.3, 6A003.a.4 tai 6A003.a.5 kohdassa määritellyt ominaisuudet;
Imaging cameras as follows:
Seuraavat kuvannuskamerat:
Note:6A003.b. does not control television or video cameras, specially designed for television broadcasting.
Huom.:6A003.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi televisio- tai videokameroita, jotka on erityisesti suunniteltu televisiolähetyksiä varten.
Video cameras incorporating solid state sensors, having a peak response in the wavelength range exceeding 10 nm, but not exceeding 30000 nm and having all of the following:
Solid-state-antureita sisältävät videokamerat, joiden vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 10 nm mutta ei yli 30000 nm, ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Optical mirrors specified in 6A004.a.;
6A004.a kohdassa määritellyt optiset peilit;
Optical control equipment specified in 6A004.d.; or
6A004.d kohdassa määritellyt optiikan ohjauslaitteet; tai
The capability for annotating internally generated ’camera tracking data’;
Mahdollisuus tallentaa sisäisesti tuotettuja ’kamerapaikannustietoja’.
For the purpose of this entry, ’camera tracking data’ is the information necessary to define camera line of sight orientation with respect to the earth.
Tässä kohdassa tarkoitetaan ’kamerapaikannustiedoilla’ tietoja, joita tarvitaan määrittämään kameran tähtäysviivan suunta maahan nähden.
A peak response in the wavelength range exceeding 10 nm, but not exceeding 30000 nm;
Vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 10 nm mutta ei yli 30000 nm;
Imaging cameras incorporating image intensifier tubes specified in 6A002.a.2.a. or 6A002.a.2.b.;
Kuvannuskamerat, jotka sisältävät 6A002.a.2.a tai 6A002.a.2.b kohdassa määriteltyjä kuvanvahvistinputkia;
’Imaging cameras’ incorporating "focal plane arrays" having any of the following:
’Kuvannuskamerat’, jotka sisältävät joitakin seuraavista "fokusoivista tasorakenteista":
Incorporating "focal plane arrays" specified in 6A002.a.3.a. to 6A002.a.3.e.;
6A002.a.3.a–6A002.a.3.e kohdissa määriteltyjä "fokusoivia tasorakenteita";
Incorporating "focal plane arrays" specified in 6A002.a.3.f.; or
6A002.a.3.f kohdassa määriteltyjä "fokusoivia tasorakenteita"; tai
Incorporating "focal plane arrays" specified in 6A002.a.3.g.;
6A002.a.3.g kohdassa määriteltyjä "fokusoivia tasorakenteita";
Note 1:Imaging cameras specified in 6A003.b.4. include "focal plane arrays" combined with sufficient "signal processing" electronics, beyond the read out integrated circuit, to enable as a minimum the output of an analogue or digital signal once power is supplied.
Huom. 1:6A003.b.4 kohdassa määritellyt "kuvannuskamerat" sisältävät "fokusoivia tasorakenteita", jotka yhdistettyinä näyttöpiirin lisäksi riittävään signaalinkäsittelyelektroniikkaan mahdollistavat vähimmillään analogisen tai digitaalisen signaalin ulostulon, kun teho on kytketty.
Note 3:6A003.b.4.b. does not control imaging cameras having any of the following:
Huom. 3:6A003b.4.b. ei aseta valvonnanalaiseksi kuvannuskameroita, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Having a minimum horizontal or vertical ’Instantaneous-Field-of-View (IFOV)’ of at least 10 mrad/pixel (milliradians/pixel);
Horisontaalinen tai vertikaalinen hetkellinen näkökenttä (IFOV) on vähintään 10 mrad/pixel (millidariaania/pikseli);
Not incorporating a’direct view’display, and
Ei’suorakatselunäyttöä’, ja
The camera is specially designed for installation into a civilian passenger land vehicle of less than 3 tonnes (gross vehicle weight) and having all of the following:
Kamera on erityisesti suunniteltu asennettavaksi vähemmän kuin kolme tonnia (kokonaispaino) painavaan siviilihenkilöitä kuljettavaan maa-ajoneuvoon ja sillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Is only operable when installed in any of the following:
Se toimii vain, jos se on asennettu johonkin seuraavista:
’Instantaneous Field of View (IFOV)’ specified in 6A003.b.4. Note 3.b. is the lesser figure of the ’Horizontal IFOV’ or the ’Vertical IFOV’.
Kohdan 6A003.b.4 huomautuksessa 3.b tarkoitettu ’hetkellinen näkökenttä’ (IFOV) on alempi luku ’horisontaalisen’ tai ’vertikaalisen IFOV:n’ arvoista.
’Horizontal IFOV’ = horizontal Field of View (FOV) / number of horizontal detector elements
’Horisontaalinen IFOV’ = horisontaalinen näkökenttä (FOV) / horisontaalisten anturielementtien lukumäärä.
’Vertical IFOV’ = vertical Field of View (FOV) / number of vertical detector elements.
’Vertikaalinen IFOV’ = vertikaalinen näkökenttä (FOV) / vertikaalisten anturielementtien lukumäärä.
’Direct view’ in 6A003.b.4. Note 3.b. refers to an imaging camera operating in the infrared spectrum that presents a visual image to a human observer using a near-to-eye micro display incorporating any light-security mechanism.
Kohdan 6A003.b.4 huomautuksessa 3.b. tarkoitettu ’suorakatselu’ tarkoittaa infrapunaspektrillä toimivaa kuvannuskameraa, joka näyttää visuaalisen kuvan inhimilliselle tarkkailijalle minkä tahansa valoturvamekanismin sisältävällä silmikkotyyppisellä mikronäytöllä.
Note 4:6A003.b.4.c. does not control ’imaging cameras’ having any of the following:
Huom. 4:6A003.b.4.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi ’kuvannuskameroita’, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: