natgillin/translations-raw huggingface dataset:
single transverse mode and output power exceeding 50 W; or
yksitransversaalimuodon lähtöteho ylittää 50 W; tai
multiple transverse mode and output power exceeding 80 W; or
monitransversaalimuodon lähtöteho ylittää 80 W; tai
output wavelength exceeding 1555 nm and output power exceeding 1 W.
lähtöaallonpituus ylittää 1555 nm ja lähtöteho ylittää 1 W.
non-"tunable""pulsed lasers" having any of the following:
Ei-viritettävät pulssitoimiset "laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
output wavelength less than 150 nm and any of the following:
lähtöaallonpituus ei ylitä 150 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
output energy exceeding 50 mJ per pulse and "peak power" exceeding 1 W; or
lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 1 W; tai
"average output power" exceeding 1 W;
keskimääräinen lähtöteho ylittää 1 W;
output wavelength of 150 nm or more but not exceeding 520 nm and any of the following:
lähtöaallonpituus ylittää 150 nm, mutta ei ylitä 520 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
output energy exceeding 1,5 J per pulse and "peak power" exceeding 30 W; or
lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti; ja pulssi"huipputeho" ylittää 30 W; tai
"average output power" exceeding 30 W;
keskimääräinen lähtöteho ylittää 30 W;
Note:6A005.b.2.b. does not control Argon "lasers" having an "average output power" equal to or less than 50 W.
Huom.:6A005.b.2.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi argon"lasereita", joiden keskimääräinen lähtöteho on enintään 50 W.
single transverse mode output and any of the following:
yksitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
output energy exceeding 1,5 J per pulse and "peak power" exceeding 50 W; or
lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 50 W; tai
"average output power" exceeding 50 W; or
keskimääräinen lähtöteho ylittää 50 W; tai
output energy exceeding 1,5 J per pulse and "peak power" exceeding 150 W; or
lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 150 W; tai
"average output power" exceeding 150 W;
keskimääräinen lähtöteho ylittää 150 W;
output wavelength exceeding 540 nm but not exceeding 800 nm and any of the following:
lähtöaallonpituus ylittää 540 nm, mutta ei ylitä 800 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
output energy exceeding 1,5 J per pulse and "peak power" exceeding 30 W; or
lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 30 W; tai
"average output power" exceeding 30 W;
keskimääräinen lähtöenergia ylittää 30 W;
"pulse duration" not exceeding 1 µs and any of the following:
pulssin kesto ei ylitä 1 μs ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
output energy exceeding 0,5 J per pulse and "peak power" exceeding 50 W;
lähtöenergia ylittää 0,5 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 50 W;
single transverse mode output and "average output power" exceeding 20 W; or
yksitransversaalimuodon ulostulon keskimääräinen lähtöteho ylittää 20 W; tai
multiple transverse mode output and "average output power" exceeding 50 W; or
monitransversaalimuodon ulostulon keskimääräinen lähtöteho ylittää 50 W; tai
"pulse duration" exceeding 1 µs and any of the following:
pulssin kesto ylittää 1 μs ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
output energy exceeding 2 J per pulse and "peak power" exceeding 50 W;
lähtöenergia ylittää 2 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 50 W;
single transverse mode output and "average output power" exceeding 50 W; or
yksitransversaalimuodon ulostulon keskimääräinen lähtöteho ylittää 50 W; tai
multiple transverse mode output and "average output power" exceeding 80 W;
monitransversaalimuodon ulostulon keskimääräinen lähtöteho ylittää 80 W;
output wavelength exceeding 975 nm but not exceeding 1150 nm and any of the following:
lähtöaallonpituus ylittää 975 nm, mutta ei ylitä 1150 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"pulse duration" of less than 1 ns and any of the following:
pulssin kesto ei ylitä 1 ns ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
output "peak power" exceeding 5 GW per pulse;
ulostulon huipputeho ylittää 5 GW pulssia kohti;
"average output power" exceeding 10 W; or
keskimääräinen lähtöteho ylittää 10 W; tai
output energy exceeding 0,1 J per pulse;
lähtöenergia ylittää 0,1 J pulssia kohti;
"pulse duration" exceeding 1 ns but not exceeding 1 μs, and any of the following:
pulssin kesto ylittää 1 ns, mutta ei ylitä 1 μs ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
single transverse mode output any of the following:
yksitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"peak power" exceeding 100 MW;
huipputeho ylittää 100 MW;
"average output power" exceeding 20 W limited by design to a maximum pulse repetition frequency less than or equal to 1 kHz;
keskimääräinen lähtöteho ylittää 20 W ja ne on suunniteltu niin, että suurin mahdollinen pulssintoistotaajuus on enintään 1 kHz;
’wall-plug efficiency’ exceeding 12 % and "average output power" exceeding 100 W and capable of operating at a pulse repetition frequency greater than 1 kHz;
’laserin hyötysuhde’ ylittää 12 prosenttia ja keskimääräinen lähtöteho ylittää 100 W ja ne voivat toimia yli 1 kHz:n pulssintoistotaajuudella;
"average output power" exceeding 150 W and capable of operating at a pulse repetition frequency greater than 1 kHz; or
keskimääräinen lähtöteho ylittää 150 W ja ne voivat toimia yli 1 kHz:n pulssintoistotaajuudella; tai
output energy exceeding 2 J per pulse; or
lähtöenergia ylittää 2 J pulssia kohti; tai
"peak power" exceeding 400 MW;
huipputeho ylittää 400 MW;
’wall-plug efficiency’ exceeding 18 % and "average output power" exceeding 500 W;
’laserin hyötysuhde’ ylittää 18 prosenttia ja keskimääräinen lähtöteho ylittää 500 W;
"average output power" exceeding 2 kW; or
keskimääräinen lähtöteho ylittää 2 kW; tai
output energy exceeding 4 J per pulse; or
lähtöenergia ylittää 4 J pulssia kohti; tai
"pulse duration" exceeding 1 μs and any of the following:
pulssin kesto ylittää 1 μs ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"peak power" exceeding 500 kW;
huipputeho ylittää 500 kW;
’wall-plug efficiency’ exceeding 12 % and "average output power" exceeding 100 W; or
’laserin hyötysuhde’ ylittää 12 prosenttia ja keskimääräinen lähtöteho ylittää 100 W; tai
"average output power" exceeding 150 W; or
keskimääräinen lähtöteho ylittää 150 W; tai
"peak power" exceeding 1 MW;
huipputeho ylittää 1 MW;
’wall-plug efficiency’ exceeding 18 % and "average output power" exceeding 500 W; or
’laserin hyötysuhde’ ylittää 18 prosenttia ja keskimääräinen lähtöteho ylittää 500 W; tai
"average output power" exceeding 2 kW;
keskimääräinen lähtöteho ylittää 2 kW;
output wavelength exceeding 1150 nm but not exceeding 1555 nm and any of the following:
lähtöaallonpituus ylittää 1150 nm, mutta ei ylitä 1555 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
output energy exceeding 2 J per pulse and "peak power" exceeding 50 W;
lähtöenergia ylittää 0,5 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 50 W;
multiple transverse mode output and "average output power" exceeding 80 W; or
monitransversaalimuodon ulostulon keskimääräinen lähtöteho ylittää 80 W; tai
output wavelength exceeding 1555 nm and any of the following
lähtöaallonpituus ylittää 1555 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
output energy exceeding 100 mJ per pulse and "peak power" exceeding 1 W; or
lähtöenergia ylittää 100 mJ pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 1 W; tai
"tunable""lasers" having any of the following:
"Viritettävät""laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Note:6A005.c. includes titanium-sapphire (Ti: Al2O3), thulium-YAG (Tm: YAG), thulium-YSGG (Tm: YSGG), alexandrite (Cr: BeAl2O4), colour centre "lasers", dye "lasers" and liquid "lasers".
Huom.:6.A005.c kohta sisältää titaani-safiiri- (Ti:Al2O3), tulium-YAG- (Tm:YAG), tulium-YSGG- (Tm:YSGG), aleksandriitti- (Cr:BeAl2O4), värikeskus-, väriaine- ja neste"laserit".
output wavelength less than 600 nm and any of the following:
lähtöaallonpituus on vähemmän kuin 600 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
output energy exceeding 50 mJ per pulse and "peak power" exceeding 1 W; or
lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohden ja pulssi"huipputeho" ylittää 1 W; tai
average or CW output power exceeding 1 W;
keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W;
output wavelength of 600 nm or more but not exceeding 1400 nm and any of the following:
lähtöaallonpituus on 600 nm tai enemmän mutta ei ylitä 1400 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
output energy exceeding 1 J per pulse and "peak power" exceeding 20 W; or
lähtöenergia ylittää 1 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 20 W; tai
average or CW output power exceeding 20 W; or
keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 20 W; tai
output wavelength exceeding 1400 nm and any of the following:
lähtöaallonpituus ylittää 1400 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
semiconductor "lasers" as follows:
seuraavat puolijohde"laserit":
individual single-transverse mode semiconductor "lasers" having any of the following:
erilliset yksitransversaalimoodissa toimivat puolijohde"laserit", joilla on jokin seuraavista:
wavelength equal to or less than 1510 nm and average or CW output power exceeding 1,5 W; or
aallonpituus on 1510 nm tai pienempi ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho on suurempi kuin 1,5 W; tai
wavelength greater than 1510 nm and average or CW output power exceeding 500 mW;
aallonpituus on suurempi kuin 1510 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 500 mW; tai
individual, multiple-transverse mode semiconductor "lasers" having any of the following:
erilliset, monitransversaalimoodissa toimivat puolijohde"laserit", joilla on jokin seuraavista:
wavelength of less than 1400 nm and average or CW output power exceeding 10W;
aallonpituus on pienempi kuin 1400 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 10 W;
wavelength equal to or greater than 1400 nm and less than 1900 nm and average or CW output power exceeding 2,5 W; or
aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1400 nm ja pienempi kuin 1900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 2,5 W; tai
wavelength equal to or greater than 1900 nm and average or CW output power exceeding 1 W;
aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 1 W;
individual semiconductor "laser""arrays", having any of the following:
erilliset puolijohde"laserien"-ryhmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
wavelength of less than 1400 nm and average or CW output power exceeding 80 W;
aallonpituus pienempi kuin 1400 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 80 W;
wavelength equal to or greater than 1400 nm and less than 1900 nm and average or CW output power exceeding 25 W; or
aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1400 nm ja pienempi kuin 1900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 25 W; tai
wavelength equal to or greater than 1900 nm and average or CW output power exceeding 10 W;
aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 10 W;
"array stacks" of semiconductor "lasers" containing at least one "array" specified in 6A005.d.1.c.;
puolijohde"laserien" ryhmien kerrokset, jotka sisältävät vähintään yhden ryhmän, joka on valvonnanalainen 6A005.d.1.c kohdan perusteella.
an "array" consists of multiple semiconductor "laser" emitters fabricated as a single chip so that the centres of the emitted light beams are on parallel paths.
’Ryhmä’ muodostuu useista puolijohde"laser"emittereistä, jotka on valmistettu yhtenä siruna niin, että säteilevien valonsäteiden keskustat ovat yhdensuuntaisilla reiteillä.
an "array stack" is fabricated by stacking, or otherwise assembling, "arrays" so that the centres of the emitted light beams are on parallel paths.
’Ryhmien kerros’ on valmistettu kerrostamalla tai muuten kokoamalla ’ryhmät’ niin, että säteilevien valonsäteiden keskustat ovat yhdensuuntaisilla reiteillä.
output energy exceeding 2 J per pulse and "peak power" exceeding 5 kW; or
lähtöenergia ylittää 2 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 5 kW; tai
average or CW output power exceeding 5 kW;
keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 5 kW;
CW output power exceeding 15 kW;
CW-lähtöteho ylittää 15 kW;
pulsed output with a "pulse duration" exceeding 10 µs and any of the following:
pulssiulostulon pulssin kesto ylittää 10 μs ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"average output power" exceeding 10 kW; or
keskimääräinen lähtöteho ylittää 10 kW; tai
"peak power" exceeding 100 kW; or
pulssi"huipputeho" ylittää 100 kW; tai
pulsed output with a "pulse duration" equal to or less than 10 µs and any of the following:
pulssiulostulon pulssin kesto on 10 μs tai lyhyempi ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
pulse energy exceeding 5 J per pulse; or
pulssin energia ylittää 5 J pulssia kohti; tai
"average output power" exceeding 2,5 kW;
keskimääräinen lähtöteho ylittää 2,5 kW;
excimer "lasers" having any of the following:
Eksimeeri"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
output wavelength not exceeding 150 nm and any of the following:
lähtöaallonpituus ei ylitä 150 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
output energy exceeding 50 mJ per pulse; or
lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohti; tai
output wavelength exceeding 150 nm but not exceeding 190 nm and any of the following:
lähtöaallonpituus ylittää 150 nm, mutta ei ylitä 190 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
output energy exceeding 1,5 J per pulse; or
lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti; tai
"average output power" exceeding 120 W;
keskimääräinen lähtöteho ylittää 120 W;
output wavelength exceeding 190 nm but not exceeding 360 nm and any of the following:
lähtöaallonpituus ylittää 190 nm, mutta ei ylitä 360 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
output energy exceeding 10 J per pulse; or
lähtöenergia ylittää 10 J pulssia kohti; tai
"average output power" exceeding 500 W; or
keskimääräinen lähtöteho ylittää 500 W; tai
output wavelength exceeding 360 nm and any of the following:
lähtöaallonpituus ylittää 360 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"non-repetitive pulsed" Nd: glass "lasers" having any of the following:
’Yksittäisiä pulsseja tuottavat’ neodyymilasi"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"pulse duration" not 1 µs and output energy exceeding 50 J per pulse; or
pulssin kesto ei ylitä 1 μs ja lähtöenergia ylittää 50 J pulssia kohti; tai
"pulse duration" exceeding 1 µs and output energy exceeding 100 J per pulse;
pulssin kesto ylittää 1 μs ja lähtöenergia ylittää 100 J pulssia kohti;
Note:"non-repetitive pulsed" refers to "lasers" that produce either a single output pulse or that have a time interval between pulses exceeding one minute.
Huom.:’Yksittäisiä pulsseja tuottava’ viittaa "laseriin", joka tuottaa joko yhden yksittäisen ulostulopulssin tai jonka tuottamien pulssien aikaväli on yli minuutin.
mirrors cooled either by "active cooling" or by heat pipe cooling;
’Aktiivisella jäähdytyksellä’ tai lämpöputkijäähdytyksellä jäähdytetyt peilit;
"Active cooling" is a cooling technique for optical components using flowing fluids within the subsurface (nominally less than 1 mm below the optical surface) of the optical component to remove heat from the optic.
’Aktiivinen jäähdytys’ on optisten osien jäähdytystekniikka, jossa käytetään välittömästi optisen komponentin pinnan alla virtaavia nesteitä (nimellisetäisyys optisesta pinnasta vähemmän kuin 1 mm) siirtämään lämpöä optiikasta.
optical mirrors or transmissive or partially transmissive optical or electro-optical components specially designed for use with specified "lasers";
Optiset peilit tai läpäisevät tai osittain läpäisevät optiset tai sähköoptiset komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi määriteltyjen "lasereiden" kanssa;
dynamic wavefront (phase) measuring equipment capable of mapping at least 50 positions on a beam wavefront and any of the following:
Dynaamiset aaltorintaman (vaiheen) mittauslaitteet, joilla voidaan rekisteröidä ainakin 50 positiota säteen aaltorintamasta, ja joilla on jokin seuraavista:
optical equipment and components specially designed for a phased-array "SHPL" system for coherent beam combination to an accuracy of λ/10 at the designed wavelength, or 0,1 μm, whichever is the smaller;
Optiset laitteet, kokoonpanot tai komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu vaiheistettujen ryhmien koherenttia sädettä kombinoivaa "SHPL"-järjestelmää varten tarkkuudella, joka on seuraavista pienempi: λ/10 suunnitellulla aallonpituudella tai 0,1 μm;
"Magnetometers", "magnetic gradiometers", "intrinsic magnetic gradiometers" underwater electric field sensors, "compensation systems", and specially designed components therefor, as follows:
Seuraavat "magnetometrit", "magneettikentän gradiometrit", "itseisjohtavuuteen perustuvat magneettikentän gradiometrit", vedenalaiset sähkökenttäanturit ja kompensointijärjestelmät sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
using "superconductive" (SQUID) "technology" and having any of the following:
Jotka käyttävät "suprajohtavaa" (SQUID) "teknologiaa" ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
"compensation systems" for magnetic or underwater electric field sensors resulting in a performance equal to or better than the specified parameters of 6A006.a., 6A006.b. or 6A006.c.
Kompensointijärjestelmät magneettisia antureita tai vedenalaisia sähkökenttäantureita varten, joiden aikaansaama suorituskyky on yhtä suuri tai parempi kuin 6A006.a, 6A006.b tai 6A006.c kohdan vertailuparametrit.
gravity meters designed or modified for ground use and having a static accuracy of less (better) than 10 μgal;
Maalla käytettäväksi suunnitellut tai muunnetut gravimetrit (painovoiman mittarit), joiden staattinen tarkkuus on vähemmän (parempi) kuin 10 μgal;
gravity meters designed for mobile platforms and having all of the following:
Liikkuville alustoille suunnitellut gradiometrit, joiden:
Radar systems, equipment and assemblies having any of the following, and specially designed components therefor:
Tutkajärjestelmät, -laitteet ja -kokoonpanot, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
a tunable bandwidth exceeding ±6,25 % of the "centre operating frequency";
Joissa on viritettävä kaistanleveys, joka on yli ±6,25 % ’keskitoimintataajuudesta’;
The "centre operating frequency" equals one half of the sum of the highest plus the lowest specified operating frequencies.
’Keskitoimintataajuus’ on puolet korkeimman ja alhaisimman määritellyn toimintataajuuden summasta.
employing processing of radar signals and using any of the following:
Jotka käsittelevät tutkasignaalia käyttäen:
"radar spread spectrum" techniques; or
"Tutkan hajaspektri" -tekniikkaa; tai
"radar frequency agility" techniques;
"Tutkan taajuushyppely" -tekniikkaa;
ground radar equipment specially designed for enroute air traffic control and having all the following:
Maanpinnalla olevia tutkalaitteita, jotka on erikoisesti suunniteltu reittilentoliikenteen ohjausta varten ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a maximum "instrumented range" of 500 km or less;
Maksimi"näyttöalue" on 500 km tai vähemmän;
configured so that radar target data can be transmitted only one way from the radar site to one or more civil ATC centres;
Konfiguroitu siten, että tutkan maalitietoa voidaan lähettää vain yhteen suuntaan tutka-asemalta yhteen tai useampaan siviililennonjohtokeskukseen;
contains no provisions for remote control of the radar scan rate from the enroute ATC centre; and
Ei ole varauduttu tutkan pyyhkäisynopeuden kauko-ohjaukseen reitin varrella olevasta lennonjohtokeskuksesta; ja
permanently installed;
Kiinteästi rakennettu.
being "laser" radar or Light Detection and Ranging (LIDAR) equipment and having any of the following:
"Laser"tutkat tai valoon perustuvat havainnointi- ja etäisyydenmittauslaitteet (LIDAR), joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
having "signal processing" sub-systems using "pulse compression" and having any of the following:
Sisältävät "signaalinkäsittelyä" varten alajärjestelmiä, jotka käyttävät "pulssikompressio"tekniikkaa ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
having data processing sub-systems and having any of the following:
Sisältävät tiedonkäsittelyn alajärjestelmiä, jotka:
Radiation hardened "detectors", other than those specified in 6A002, specially designed or modified for protecting against nuclear effects (e.g. electromagnetic pulse (EMP), X-rays, combined blast and thermal effects) and usable for "missiles", designed or rated to withstand radiation levels which meet or exceed a total irradiation dose of 5 × 105 rads (silicon).
Muut kuin 6A002 kohdassa määritellyt säteilyä kestävät ’ilmaisimet’, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suojaamaan ydinaseiden vaikutuksilta (esim. sähkömagneettiselta pulssilta (EMP = Electromagnetic Pulse), röntgensäteilyltä, yhdistetyiltä paineisku- ja lämpövaikutuksilta) ja voidaan käyttää "ohjuksissa", ja jotka on suunniteltu tai mitoitettu kestämään kokonaisannokseltaan 5 × 105 radin (Pii) tai sen ylittäviä säteilytasoja.
In 6A102, a "detector" is defined as a mechanical, electrical, optical or chemical device that automatically identifies and records, or registers a stimulus such as an environmental change in pressure or temperature, an electrical or electromagnetic signal or radiation from a radioactive material.
6A102 kohdassa ’ilmaisimeksi’ määritellään mekaaninen, sähköinen, optinen tai kemiallinen laite, joka automaattisesti tunnistaa ja tallentaa tai rekisteröi ärsykkeen, kuten ympäristön paineen tai lämpötilan muutoksen, sähköisen tai sähkömagneettisen signaalin tai radioaktiivisesta aineesta lähtevän säteilyn.
precision tracking systems, usable for "missiles", as follows:
Seuraavat tarkkuusseurantajärjestelmät, joita voidaan käyttää ’ohjuksissa’:
range instrumentation radars including associated optical/infrared trackers with all of the following capabilities:
Instrumenttietäisyystutkat, mukaan lukien niihin liittyvät optiset/infrapunaseurantalaitteet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
"missile" means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
6A108.b kohdassa tarkoitetaan ’ohjuksella’ täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka on yli 300 kilometriä.
N.B.:for copper vapour lasers, see 6A005.b.
Huom:Kuparihöyrylaserit, katso 6A005.b.
Systems, other than those specified in 6B008, specially designed for radar cross section measurement usable for "missiles" and their subsystems.
Muut kuin 6B008 kohdassa määritellyt järjestelmät, joita voidaan käyttää ’ohjuksissa’ ja niiden alajärjestelmissä ja jotka on erityisesti suunniteltu tutkapoikkipintojen mittaamiseen.
In 6B108 "missile" means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
Kohdassa 6B108 kohdassa ’ohjuksella’ tarkoitetaan täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka ylittää 300 km.
cadmium zinc telluride (CdZnTe), with zinc content of less than 6 % by "mole fraction";
Kadmiumsinkkitelluoidi (CdZnTe), jonka sinkkipitoisuus on alle 6 ’mooliosuus’prosenttia;
"Mole fraction" is defined as the ratio of moles of ZnTe to the sum of moles of CdTe and ZnTe present in the crystal.
’Mooliosuus’ määritellään ZnTe-moolien suhteeksi kiteessä olevien CdTe- ja ZnTe-moolien summaan.
zinc selenide (ZnSe) and zinc sulphide (ZnS) "substrate blanks" produced by the chemical vapour deposition process and having any of the following:
Sinkkiselenidi (ZnSe)- ja sinkkisulfidi (ZnS)- "substraattiaihiot", jotka on tuotettu kemiallisella kaasufaasipinnoitusmenetelmällä ja joilla on jokin seuraavista:
a diameter greater than 80 mm and a thickness of 20 mm or more;
Läpimitta suurempi kuin 80 mm ja paksuus 20 mm tai enemmän;
boules of any of the following electro-optic materials:
Minkä tahansa seuraavien sähköoptisten materiaalien synteettiset kiteet:
silver gallium selenide (AgGaSe2); or
Hopeagalliumselenidi (AgGaSe2);