natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Note 2:A machine tool having at least two of the three turning, milling or grinding capabilities (e.g., a turning machine with milling capability), must be evaluated against each applicable entry 2B001.a. or 2B201.a. or b.
Huom. 2:Työstökone, jolla on ainakin kaksi kaikkiaan kolmesta sorvaamista, jyrsintää ja hiontaa koskevasta ominaisuudesta (esim. sorvaamiskone, jossa on jyrsintäominaisuus), on arvioitava kunkin sovellettavan kohdan 2B001.a tai 2B201.a tai b osalta.
A one-dimensional length "measurement uncertainty" equal to or less (better) than(1,25 + L/1000) µm tested with a probe of an "accuracy" of less (better) than 0,2 µm (L is the measured length in millimetres) (Ref.:VDI/VDE 2617 Parts 1 and 2);
Yhden dimension pituuden "mittauksen epävarmuus" on (1,25 + L/1000) μm tai pienempi (parempi) testattuna anturilla, jonka "tarkkuus" on pienempi (parempi) kuin 0,2 μm (L on mitattu pituus millimetreinä); (Viite: VDI/VDE 2617 Osat 1 ja 2);
"Measurement uncertainty" along any linear axis equal to or less (better) than 3,5 µm per 5 mm; and
"Mittauksen epävarmuus" mitä tahansa lineaarista akselia pitkin on 3,5 μm tai vähemmän (parempi) 5 mm matkalla; ja
"Angular position deviation" equal to or less than 0.02°.
"Kiertymiskulman poikkeama" on 0,02 astetta tai vähemmän.
Note 1:Machine tools that can be used as measuring machines are controlled if they meet or exceed the criteria specified for the machine tool function or the measuring machine function.
Huom. 1:Työstökoneet, joita voidaan käyttää mittauskoneina ovat valvonnanalaisia, jos niiden ominaisuudet täyttävät tai ylittävät työstökoneille tai mittausasemille määritellyt kriteerit.
Note 2:A machine specified in 2B206 is controlled if it exceeds the control threshold anywhere within its operating range.
Huom. 2:2B206 kohdassa määritelty kone on valvonnanalainen, jos se ylittää valvontakynnyksen missä tahansa toiminta-alueellaan.
Which, according to the manufacturer's technical specification, can be equipped with "numerical control" units or a computer control;
Jotka valmistajan teknisten spesifikaatioiden mukaan voidaan varustaa "numeerisella ohjaus"yksiköillä tai tietokoneohjauksella;
They may be of ’master/slave’ type or operated by joystick or keypad.
Ne voivat olla ’isäntä-orja’-tyyppisiä tai niitä käytetään ohjaimella tai näppäimistöltä.
N.B.:SEE ALSO 3B.
HUOM.:KATSO MYÖS 3B KOHTA.
Consumable electrode capacities between 1000 cm3 and 20000 cm3; and
Niiden sulavaelektrodikapasiteetti on 1000 cm3 – 20000 cm3; ja
Capable of operating with melting temperatures above 1473 K (1200 °C).
Ne kykenevät toimimaan yli 1473 K (1200 °C) asteen sulatuslämpötiloissa.
Note:2B228.a. includes precision mandrels, clamps, and shrink fit machines.
Huom.:2B228.a kohtaan sisältyvät tarkkuustuurnat, puristimet ja kutistussovituskoneet.
In 2B228.c. the bellows have all of the following characteristics:
2B228.c. kohdassa tarkoitetuilla palkeilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Made of high-strength aluminium alloys, maraging steel or high strength "fibrous or filamentary materials".
Valmistusaineina lujat alumiiniseokset, maraging-teräs tai lujat "kuitu- tai säiemateriaalit".
A full scale of less than 13 kPa and an ’accuracy’ of better than ±1 % of full-scale; or
Mitta-alue enintään 13 kPa ja ’tarkkuus’ parempi kuin ±1 % täydestä mitta-alueesta; tai
A full scale of 13 kPa or greater and an ’accuracy’ of better than ±130 Pa.
Kokonaismitta-alue 13 kPa tai suurempi ja ’tarkkuus’ parempi kuin ±130 Pa.
Zirconium or zirconium alloys; or
Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista; tai
Niobium (columbium) or niobium alloys;
Niobiumista (columbiumista) tai niobiumseoksista.
Graphite or ’carbon graphite’;
Grafiitista;
Silicon carbide;
Piikarbidista;
Titanium carbide; or
Titaanikarbidista; tai
Distillation or absorption columns of internal diameter greater than 0,1 m; and liquid distributors, vapour distributors or liquid collectors designed for such distillation or absorption columns, where all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:
Tislaus- tai imeytyskolonnit, joiden sisähalkaisija on suurempi kuin 0,1 m ja tällaisissa tislaus- tai imeytyskolonneissa käytettävät nestejakelijat, höyryjakelijat ja nestekerääjät, joissa kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:
Ceramic materials as follows:
Seuraavista keraamisista materiaaleista:
Silicon carbide with purity of 80 % or more by weight;
Piikarbidi, jonka puhtaus on vähintään 80 painoprosenttia;
Aluminium oxide (alumina) with purity of 99,9 % or more by weight;
Alumiinioksidi, jonka puhtaus on vähintään 99,9 painoprosenttia;
Zirconium oxide (zirconia);
Zirkoniumoksidi.
i. Multiple-seal and seal-less pumps, with manufacturer's specified maximum flow-rate greater than 0,6 m3/hour, or vacuum pumps with manufacturer's specified maximum flow-rate greater than 5 m3/hour (under standard temperature (273 K (0 °C)) and pressure (101,3 kPa) conditions); and casings (pump bodies), preformed casing liners, impellers, rotors or jet pump nozzles designed for such pumps, in which all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:
i. Monitiivisteiset ja tiivisteettömät pumput, joiden valmistajan ilmoittama maksimivirtausnopeus on suurempi kuin 0,6 m3/h, tai vakuumipumput, joiden valmistajan ilmoittama maksimivirtausnopeus on suurempi kuin 5 m3/h (vakiolämpötilassa (0 °C, 273 K astetta) ja -ilmanpaineessa (101,30 kPa)), ja tällaisissa pumpuissa käytettävät rungot (pumppujen rungot), muotoon puristetut runkotiivisteet, juoksupyörät, roottorit tai suihkupumppusuuttimet, joissa kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:
Nickel or alloys with more than 40 % nickel by weight.
Nikkeli tai seokset, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä.
"Carbon graphite" is a composition consisting of amorphous carbon and graphite, in which the graphite content is eight percent or more by weight.
"Grafiittihiili" on amorfisesta hiilestä ja grafiitista koostuva seos, jonka koostumuksesta vähintään kahdeksan painoprosenttia on grafiittia.
Toxic gas monitoring systems, other than those specified in 1A004, as follows; and dedicated detectors therefor:
Seuraavat muut kuin 1A004 kohdassa määritellyt myrkyllisten kaasujen valvontajärjestelmät ja niiden erikoisilmaisimet:
or P4 (BL3, BL4, L3, L4) containment levels are as specified in the WHO Laboratory Biosafety manual (3rd edition Geneva 2004).
ja P4 (BL3, BL4, L3, L4) turvatasot on määritelty WHO:n (Maailman terveysjärjestö) Laboratorion bioturvakäsikirjassa (Laboratory biosafety manual) (kolmas painos, Geneve 2004).
Fermenters capable of cultivation of pathogenic "microorganisms", viruses or capable of toxin production, without the propagation of aerosols, and having a total capacity of 20 litres or more;
Fermenttorit, joilla voidaan kasvattaa patogeenisiä "mikro-organismeja", viruksia tai tuottaa toksiineja ilman aerosolien muodostusta, ja joiden kokonaiskapasiteetti on vähintään 20 litraa;
Cross (tangential) flow filtration equipment capable of separation of pathogenic micro-organisms, viruses, toxins or cell cultures, without the propagation of aerosols, having all of the following characteristics:
Risti(tangentiaali)virtaussuodatinlaitteet, joilla pystytään erottamaan patogeeniset mikro-organismit, virukset, toksiinit tai soluviljelmät ilman aerosolimuodostusta ja joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:
A total filtration area equal to or greater than 1 m2; and
Kokonaissuodatuspinnan koko on vähintään 1 m2; ja
Capable of being sterilised or disinfected in-situ; or
Ne ovat steriloitavissa tai desinfioitavissa paikalla; tai
Using disposable or single-use filtration components;
Niissä käytetään kertakäyttöisiä suodatinkomponentteja;
Cross (tangential) flow filtration components (e.g. modules, elements, cassettes, cartridges, units or plates) with filtration area equal to or greater than 0,2 m2 for each component and designed for use in cross (tangential) flow filtration equipment specified in 2B352.d.;
Risti(tangentiaali)virtaussuodatinkomponentit (esimerkiksi moduulit, elementit, kasetit, säiliöt, yksiköt tai levyt), joiden suodatuspinta on vähintään 0,2 m2 kunkin komponentin osalta ja jotka on tarkoitettu käytettäviksi 2B352.d kohdassa mainituissa risti(tangentiaali)virtaussuodatinlaitteissa;
Note:In 2B352.f.2., isolators include flexible isolators, dry boxes, anaerobic chambers, glove boxes and laminar flow hoods (closed with vertical flow).
Huom.:2B352.f.2 kohdassa isolaattoreihin kuuluvat joustavat isolaattorit, kuivakaapit, anaerobikammiot, hansikaskaapit ja laminaarivirtaushuuvat (suljettu pystyvirtauksella).
Chambers designed for aerosol challenge testing with "microorganisms", viruses or "toxins" and having a capacity of 1 m3 or greater.
Kammiot, jotka on suunniteltu "mikro-organismeilla", viruksilla tai "toksiineilla" tehtäviä aerosolialtistuskokeita varten ja joiden kammiotilavuus on 1 m3 tai suurempi.
"Software", other than that specified in 2D002, specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 2A001 or 2B001 to 2B009.
Muut kuin 2D002 kohdassa määritellyt "ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 2A001 tai 2B001–2B009 kohdassa määriteltyjen laitteiden "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten.
N.B.:SEE ALSO 9D004.
HUOM.:KATSO MYÖS 9D004 KOHTA.
"Software", other than that specified in 1D003, specially designed for "use" of equipment specified in 2B351.
Muut kuin 1D003 kohdassa määritellyt "ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 2B351 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.
"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 2A or 2B.
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 2A tai 2B kohdassa määriteltyjen laitteiden "tuotantoa" varten.
Other "technology", as follows:
Seuraavat muut "teknologiat":
"Technology" for the "development" of interactive graphics as an integrated part in "numerical control" units for preparation or modification of part programmes;
"Teknologia""numeerisen ohjaus"yksikön integroituna osana olevan työstöohjelmien laatimiseksi tai muuntamiseksi tarvittavan interaktiivisen grafiikan kehittämistä varten;
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
"Teknologia" ilma-alusten runkorakenteiden valmistukseen tarkoitettujen hydraulisten venytysmuovauskoneiden ja niiden muottien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten;
Note:The table and Technical Note appear after entry 2E301.
Huom.:Taulukko ja tekniset huomautukset on esitetty 2E301 kohdan jälkeen.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B232, 2D201 or 2D202.
"Teknologia" Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b, 2B007.c, 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225–2B232, 2D201 tai 2D202 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen""käyttöä" varten.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
"Teknologia" Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 2B350–2B352 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.
Ceramics (19) and Low- expansion glasses (14)
keraamiset aineet (19) ja vähän laajenevat lasit (14)
Diamond-like carbon (17)
imantin kaltainen hiili (17)
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix""composites"
hiili-hiili-, keraami- ja metalli "matriisi""komposiitit"
Polymers (11) and
polymeerit (11) ja "komposiitit", joilla on orgaaninen "matriisi"
Organic "matrix""composites" Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix""composites"
hiili-hiili-, keraami- ja metalli-"matriisi""komposiitit"
Abradable Nickel-Graphite Abradable materials
muovattava nikkeligrafiitti
containing Ni-Cr-Al
muovattavat Ni-Cr-Al-pitoiset aineet
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
keraamiset aineet ja vähän laajenevat lasit (14)
Additions of Chromium Tantalum orNiobium (Columbium)
kromi-, tantaali- tai niobium-(columbium)lisäaineet
’MCrAlX’ refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
’McrAlX’ tarkoittaa metalliseospinnoitetta, jossa M vastaa kobolttia, rautaa, nikkeliä tai niiden yhdistelmiä ja X vastaa hafniumia, yttriumia, piitä, tantaalia missä tahansa määrässä tai muuta tarkoituksellista lisäainetta yli 0,01 painoprosenttia erilaisissa suhteissa ja yhdistelmissä, paitsi:
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
CoCrAlY-pinnoitteet, jotka sisältävät 22–24 painoprosenttia kromia 10–12 painoprosenttia alumiinia ja 0,5–0,7 painoprosenttia yttriumia;
The term ’corrosion resistant steel’ refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
Termi ’korroosionkestävä teräs’ tarkoittaa AISI (American Iron and Steal Institute) 300- sarjaa tai vastaavia kansallisia standarditeräksiä.
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
Kiinteiden turbiininsiipilevyjen yksivaiheinen hiiletyslaatikkokarkaisu"teknologia" ei ole valvonnanalaista 2 ryhmässä.
’Polymers’, as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Seuraavat polymeerit: polyimidi, polyesteri, polysulfidi, polykarbonaatit ja polyuretaanit.
’Low-expansion glasses’ refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
’Vähän laajenevat lasit’ tarkoittaa laseja, joiden lämpölaajenemiskerroin on 1 × 10–7 K–1 tai vähemmän mitattuna 20 °C (293 K) asteen lämpötilassa.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
Dielektriset kerrokset tarkoittavat enemmän kuin neljää dielektristä kerrosta tai dielektristä/metalli"komposiitti"kerrosta.
includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Huom. 1:CVD sisältää seuraavat prosessit: suunnatun kaasuvirtauksen ei-pakkauspinnoitus, sykkivä CVD, säädettävä ydintymislämpöhajoaminen (CNTD), plasma- tai plasma-avusteinen CVD.
denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Huom. 2:Pakkaus tarkoittaa jauheseokseen upotettua substraattia.
gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Huom. 3:Kaasumaiset, reagoivat aineet, joita käytetään ei-pakkausprosessissa tuotetaan käyttämällä samoja perusreaktioita ja parametreja, kuin pakkauspinnoitusprosessissakin, paitsi että siinä pinnoitettava substraatti ei ole kosketuksissa jauheseokseen.
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
"Laser"höyrystys-(PVD) käyttää joko pulssi- tai jatkuvan aallon "laser"säteitä höyrystämään pinnoituksen muodostavia materiaaleja;
definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Huom.:Tämä määritelmä ei koske satunnaista katodikaaripinnoitusta biassoimattomia substraatteja käytettäessä.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Substraatti ja jauheseos asetetaan retorttiin, joka kuumennetaan 757 °C (1030 K) – 1102 C° (1375 K) asteeseen riittäväksi ajaksi pinnoitteen aikaansaamiseksi.
pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Huom. 1:Matalapaineella tarkoitetaan alle ilmakehän painetta.
velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Huom. 2:Suurinopeuksisella tarkoitetaan kaasun lähtönopeutta suuttimesta, kun se ylittää 750 m/s laskettuna 20 °C (293 K) asteen lämpötilassa ja 0,1 MPa paineessa.
Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Huom. 1:Taulukko viittaa vain triodi-, magnetroni- tai reaktiiviseen sputterointiin, jota käytetään lisäämään pinnoitteen kiinnittymistä ja depositionopeutta ja radiotaajuudella voimistettuun sputterointiin, jota käytetään mahdollistamaan ei-metallisten pinnoitemateriaalien höyrystämisen.
N.B.2Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Huom. 2:Matalaenergisiä (alle 5 keV) ionisäteitä voidaan käyttää aktivoimaan depositiota.
Note 1:The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Huom. 1:3A001 tai 3A002 kohdassa kuvattujen laitteiden ja komponenttien, 3A001.a.3–3A001.a.10 tai 3A001.a.12 kohdassa kuvattuja lukuun ottamatta, jotka on erityisesti suunniteltu jotain muuta laitetta varten, tai joilla on samat toiminnalliset ominaisuudet kuin jollain muulla laitteella, valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden mukaan.
Note 2:The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Huom. 2:3A001.a.3–3A001.a.9 tai 3A001.a.12 kohdassa kuvattujen integroitujen piirien, jotka on ohjelmoitu ei-muutettavasti tai jotka on suunniteltu jonkin muun laitteen erityistä toimintoa varten, valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden mukaan.
N.B.:When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Huom.:Milloin valmistaja tai vientiluvan hakija ei pysty määrittelemään näiden muiden laitteiden valvonnanalaisuutta, valvonnanalaisuus määräytyy 3A001.a.3–3A001.a.9 tai 3A001.a.12 kohdan mukaan.
Note 1:The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Huom. 1:(Valmiiden tai puolivalmiiden) piikiekkojen, joissa toiminto on määritelty, valvonnanalaisuus arvioidaan 3A001.a kohdan parametrien mukaan.
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Integroidut piirit, jotka on suunniteltu tai mitoitettu kestämään jotakin seuraavista:
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (–55 °C); or
suunniteltu toimimaan alle 218 K (–55 °C) lämpötiloissa; tai
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (–55 °C) to 398 K (125 °C);
mitoitettu toimimaan koko lämpötila-alueella 218 K (–55 °C) – 398 K (125 °C);
ALSO 3A101
Huom.:KATSO MYÖS 3A101 KOHTA.
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 105 million words per second;
Resoluutio 12 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 105 miljoonaa sanaa sekunnissa;
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 10 million words per second; or
Resoluutio yli 12 bittiä mutta enintään 14 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 10 miljoonaa sanaa sekunnissa; tai
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 2,5 million words per second;
Resoluutio yli 14 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 2,5 miljoonaa sanaa sekunnissa;
Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more and a "settling time" of less than 10 ns;
Digitaali-analogiamuuntimet, joiden resoluutio on 12 bittiä tai enemmän ja "asettumisaika" alle 10 ns;
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
Sähköoptiset tai "optiset integroidut piirit""signaalinkäsittelyä" varten, joilla on kaikki seuraavat:
’Field programmable logic devices’ having any of the following:
’Käyttäjäohjelmoitavat logiikkapiirit’, joilla on jokin seuraavista;
A maximum number of digital input/outputs greater than 200; or
Digitaalisten tulo-lähtöjen suurin määrä on enemmän kuin 200; tai
A system gate count of greater than 230000;
Järjestelmäporttiluku on suurempi kuin 230000;
’Field programmable logic devices’ are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
’Käyttäjäohjelmoitavat logiikkapiirit’ tunnetaan myös nimellä ’kentällä ohjelmoitavat porttimatriisipiirit’ tai ’käyttäjäohjelmoitavat logiikkaverkot’.
Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
3A001.a.7.a kohdassa mainittuun digitaalisten tulo-lähtöjen suurimpaan määrään viitataan myös käyttäjän tulo-lähtöjen suurimpana määränä tai käytettävissä olevien tulo-lähtöjen suurimpana määränä riippumatta siitä, onko integroitu piiri koteloitu vai päällystämätön ruutu.
More than 1500 terminals;
Liitospisteiden lukumäärä ylittää 1500;
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,02 ns; or
Tyypillinen "perusportin etenemisviive" on vähemmän kuin 0,02 ns; tai
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N) /20480 ms, where N is the number of points;
Nopea-Fourier-muunnos -prosessorit (FFT), joiden nimellinen suoritusaika N:n pisteen kompleksiselle FFT-muunnokselle on vähemmän kuin (N log2 N)/20480 ms, jossa N on pisteiden lukumäärä;
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 µs.
Kun N on yhtä kuin 1024 pistettä, 3A001.a.12 kohdan kaavan mukainen suoritusaika on 500 µs.
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Huom 1:3A001.b.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi putkia, jotka on suunniteltu tai mitoitettu toimimaan taajuuskaistalla, jolla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Note 2:3A001.b.1. does not control non-"space-qualified" tubes having all of the following:
Huom. 2:3A001.b.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi muita kuin "avaruuskelpoisia" putkia, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Suunnitellut tai mitoitetut toimimaan taajuuskaistalla, jolla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Putket, jotka toimivat yli 31,8 GHz:n taajuuksilla;
Tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
Putket, joiden hehkukatodien käynnistysaika nimelliseen RF-tehoon asti on vähemmän kuin 3 sekuntia;
Helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
Kierukkaputket tai niiden muunnokset, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Being "space-qualified";
Ovat "avaruuskelpoisia";
Crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
Ristikenttävahvistinputket, joiden vahvistus on enemmän kuin 17 dB;
Microwave "Monolithic Integrated Circuits" (MMIC) power amplifiers having any of the following:
"Monoliittisina integroituina mikroaaltopiireinä" (MMIC) toteutetut tehovahvistimet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz;
Ne toimivat yli 43,5 GHz:n taajuuksilla;