natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Note 2:The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Huom. 2:Niiden MMIC-piirien valvonta-asema, joiden nimelliseen toimintataajuuteen sisältyvät taajuudet, jotka on lueteltu useammalla kuin yhdellä taajuusalueella, sellaisina kuin ne on määritelty 3A001.b.2.a–3A001.b.2.f kohdassa, määräytyy alimman keskimääräisen lähtötehon valvontakynnyksen mukaan.
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
Ne toimivat yli 37,5 GHz:n ja enintään 43,5 GHz:n taajuuksilla ja niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 1 W (30 dBm), tai
Note:The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Huom.:Niiden transistorien valvonta-asema, joiden nimelliseen toimintataajuuteen sisältyvät taajuudet, jotka on lueteltu useammalla kuin yhdellä taajuusalueella, sellaisina kuin ne on määritelty 3A001.b.3.a– 3A001.b.3.e kohdassa, määräytyy alimman keskimääräisen lähtötehon valvontakynnyksen mukaan.
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers, having any of the following:
Puolijohde-mikroaaltovahvistimet ja puolijohde-mikroaaltovahvistimia sisältävät mikroaaltokokoonpanot/moduulit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Ne toimivat yli 37,5 GHz:n ja enintään 43,5 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 1 W (30 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia;
Rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
Ne toimivat yli 3,2 GHz:n taajuuksilla ja niillä on kaikki seuraavista ominaisuuksista:
A "fractional bandwidth" of 5 % or greater; and
"Suhteellinen kaistanleveys" on 5 prosenttia tai suurempi; ja
Any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15cm × GHz/fGHz];
Minkä tahansa kahden kohtisuorassa toisiaan vasten olevan sivun pituus d (cm:einä) on yhtä suuri tai pienempi kuin 15 jaettuna alimmalla toimintataajuudella (GHz:einä) [d ≤ 15 cm × GHz/fGHz].
3,2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3.2 GHz and below [d≤ 15cm × GHz/3.2 GHz].
Arvoa 3,2 GHz olisi käytettävä alimpana toimintataajuutena (fGHz) 3A001.b.4.f.3 kohdan kaavassa niiden vahvistimien osalta, joiden nimellinen toiminta-alue ulottuu alaspäin arvoon 3,2 GHz ja sen alle [d ≤ 15 cm × GHz/3,2 GHz].
Note 2:The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Huom. 2:Niiden tuotteiden valvonta-asema, joiden nimelliseen toimintataajuuteen sisältyvät taajuudet, jotka on lueteltu useammalla kuin yhdellä taajuusalueella, sellaisina kuin ne on määritelty 3A001.b.4.a– 3A001.b.4.e kohdassa, määräytyy alimman keskimääräisen lähtötehon valvontakynnyksen mukaan.
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1.5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 µs and having any of the following:
Elektronisesti tai magneettisesti viritettävät kaistanpäästö- tai kaistanestosuotimet, joissa on enemmän kuin 5 viritettävää resonaattoria, jotka voidaan virittää vähemmässä kuin 10 mikrosekunnissa taajuuskaistalle, jonka fmax/fmin on 1,5:1, ja joiden:
Converters and harmonic mixers, designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
Muuntimet ja harmoniset sekoittajat (harmonic mixers), jotka on suunniteltu ulottamaan 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e tai 3A002.f kohdassa määriteltyjen laitteiden taajuusalueen kohdissa mainittujen rajojen ulkopuolelle;
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Mikroaaltotehovahvistimet, jotka sisältävät 3A001.b.1 kohdassa määriteltyjä putkia ja joilla on kaikki seuraavat:
An average output power density to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
Keskimääräinen ulostulon tehotiheys suhteessa massaan on yli 80 W/kg; ja
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
Mikroaaltotehomoduulit (MPM), jotka koostuvat vähintään kulkuaaltoputkesta, "monoliittisesta integroidusta mikroaaltopiiristä" ja integroidusta elektronisesta teholähteestä ja joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:
A ’turn-on time’ from off to fully operational in less than 10 seconds;
’Kytkeytymisaika’ nolla-asennosta täyteen toimintavalmiuteen vähemmän kuin 10 sekuntia;
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
Tilavuus vähemmän kuin suurin nimellisteho watteina kerrottuna 10 cm3/W:llä; ja
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
Enintään 18 GHz:n taajuuksien osalta RF-lähtöteho on enemmän kuin 100 W; tai
A frequency greater than 18 GHz;
Taajuus on enemmän kuin 18 GHz;
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
3A001.b.9.b kohdassa tarkoitetun tilavuuden laskemiseksi annetaan seuraava esimerkki: 20 W:n suurimmalla nimellisteholla tilavuuden tulisi olla 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
The’turn-on time’ in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
3A001.b.9.a kohdassa tarkoitettu ’kytkeytymisaika’ viittaa aikaan, joka kuluu täydestä nolla-asennosta täyteen toimintavalmiuteen eli siihen sisältyy MPM:n lämpenemisaika.
Oscillators or oscillator assemblies, designed to operate with all of the following:
Oskillaattorit tai oskillaatorikokoonpanot, jotka on suunniteltu toimimaan kaikilla seuraavilla ominaisuuksilla:
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(126+20log10F-20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
Yksisivukaistan (SSB) vaihekohina dBc/Hz:einä on parempi kuin -(126+20log10F-20log10f) taajuuksilla 10 Hz < F < 10 kHz; ja
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(114+20log10F-20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
Yksisivukaistan (SSB) vaihekohina dBc/Hz:einä on parempi kuin -(114+20log10F-20log10f) taajuuksilla 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
3A001.b.10. kohdassa F on toimintataajuuden poikkeama hertseinä ja f on toimintataajuus megahertseinä.
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
Seuraavat akustiset aaltolaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
Pinta-akustiset aaltolaitteet ja matalatila-akustiset laitteet, joilla on jokin seuraavista:
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
Kantoaallon taajuus ylittää 6 GHz;
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
Kantoaallon taajuus ylittää 1 GHz, mutta ei 6 GHz, ja jolla on jokin seuraavista:
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB;
’Taajuuden sivukeilan vaimennus’ ylittää 65 dB;
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in µs and bandwidth in MHz) of more than 100;
Maksimiviiveen ja kaistanleveyden tulo (aika mikrosekunteina ja kaistanleveys megahertseinä) on enemmän kuin 100
A dispersive delay of more than 10 µs; or
Dispersiivinen viive on enemmän kuin 10 mikrosekuntia; tai
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
Kantoaallon taajuus 1 GHz tai vähemmän ja jokin seuraavista:
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
’Taajuuden sivukeilan vaimennus’ ylittää 65 dB ja kaistanleveys suurempi kuin 100 MHz;
Technical Note:’Frequency side-lobe rejection’ is the maximum rejection value specified in data sheet.
Tekn. huom.:’Taajuuden sivukeilan vaimennus’ on suurin datalehdellä mainittu vaimennusarvo.
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
Kappaleakustiset (tila-akustiset) laitteet, jotka sallivat signaalien suoran prosessoinnin yli 6 GHz:n taajuuksilla;
Note:3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Huom.3A001.c. kohta ei aseta valvonnanalaiseksi akustisia aaltolaitteita, jotka rajoittuvat yhteen kaistanpäästöön, alipäästö-, ylipäästö- tai imusuodatukseen tai resonointitoimintoon.
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
Elektroniset laitteet tai piirit, jotka sisältävät "suprajohtavista" materiaaleista valmistettuja komponentteja ja jotka on erityisesti suunniteltu toimimaan ainakin yhden "suprajohtavan" ainesosansa "kriittisen lämpötilan" alapuolella, ja joilla on jokin seuraavista:
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10-14 J; or
Virtakytkentä digitaalipiireissä, joissa käytetään "suprajohtavia" portteja, joiden porttikohtaisen viiveen (sekunteina) ja porttikohtaisen tehohäviön (watteina) tulo on vähemmän kuin 10–14 J; tai
High energy devices as follows:
Seuraavat suurenergialaitteet:
’Cells’ as follows:
Seuraavat ’parit’:
’Primary cells’ having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 oC;
’Ensiöparit’, joiden ’energiatiheys’ ylittää 550 Wh/kg 20 °C:ssa;
’Secondary cells’ having an ’energy density’ exceeding 250 Wh/kg
’Toisioparit’, joiden ’energiatiheys’ ylittää 250 Wh/kg.
For the purpose of 3A001.e.1.,’energy density’ (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
3A001.e.1 kohdassa ’energiatiheys’ lasketaan nimellisjännitteestä kerrottuna nimelliskapasiteetilla ampeeritunteina (Ah) jaettuna massalla kilogrammoina.
For the purpose of 3A001.e.1., a ’cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
3A001.e.1.a kohdassa ’pari’ määritellään sähkökemialliseksi laitteeksi, jolla on positiivinen ja negatiivinen elektrodi ja elektrolyytti ja joka on sähköenergian lähde.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a ’primary cell’ is a ’cell’ that is not designed to be charged by any other source.
3A001.e.1.a.a kohdassa ’ensiöpari’ on ’pari’, jota ei ole suunniteltu ladattavaksi mistään muusta lähteestä.
For the purpose of 3A001.e.1.b., a ’secondary cell’ is a ’cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
3A001.e.1.b.a kohdassa ’toisiopari’ on ’pari’, joka on suunniteltu ladattavaksi ulkoisesta sähkölähteestä.
Note:3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
Huom.3A001.e.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi paristoja, mukaan lukien yksipariset paristot.
High energy storage capacitors as follows:
Seuraavat suurenergiset varauskondensaattorit:
N.B.:SEE ALSO 3A201.a.
Huom.:KATSO MYÖS 3A201.a KOHTA
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Kondensaattorit, joiden toistotiheys on alle 10 Hz (kertatoimiset kondensaattorit) ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
Nimellisjännite on 5 kV tai enemmän;
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Kondensaattorit, joiden toistotiheys on 10 Hz tai enemmän (toistuvatoimiset kondensaattorit) ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
"Suprajohtavat" sähkömagneetit tai solenoidit, jotka on erityisesti suunniteltu täysin ladattaviksi tai purettaviksi alle 1 sekunnissa ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
N.B.:SEE ALSO 3A201.b.
Huom.:KATSO MYÖS 3A201.b KOHTA
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1,367 watts per square metre (W/m2);
Aurinkokennot, CIC-järjestelmät ja aurinkopaneelit, jotka ovat "avaruuskelpoisia" ja joiden keskimääräinen vähimmäistehokkuus on enemmän kuin 20 prosenttia 301 K:n (28 °C:n) toimintalämpötilassa simuloidussa ’AM0’-valaistuksessa, jonka säteilyvoimakkuus on 1,367 wattia neliömetriä kohden (W/m2);
Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ±1,0 second of arc;
Pyöriväsyötteiset absoluuttisen asennon kooderit, joiden tarkkuus on ±1,0 kaarisekuntia tai pienempi (parempi);
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and ’thyristor modules’, using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Solid state -pulssivirtakytkintyristorilaitteet ja ’tyristorimoduulit’, joissa käytetään joko sähköisesti, optisesti ja elekronisäteilyllä ohjattuja kytkentämenetelmiä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
Suurin kytkentävirran nousunopeus (di/dt) on suurempi kuin 30000 A/μs ja estojännite on suurempi kuin 1100 V; tai
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
Suurin kytkentävirran nousunopeus (di/dt) on suurempi kuin 2000 A/μs ja kaikki seuraavista:
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
Suurin estojännite on yhtä suuri tai suurempi kuin 3000 V; ja
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
Huippuvirta (syöksyvirta) on yhtä suuri tai suurempi kuin 3000 A.
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Ohjatut piitasasuuntaajat (SCR)
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
ETT-tyristorit (Electrical Triggering Thyristors) (ETT)
Light Triggering Thyristors (LTTs)
LTT-tyristorit (Light Triggering Thyristors) (LTT)
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
IGCT-tyristorit (Integrated Gate Commutated Thyristors) (IGCT)
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
Hilalta sammutettavat tyristorit (Gate Turn-off Thyristors) (GTO)
Solidtrons
Solidtronit
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or ’modules’, having all of the following:
Solid-state -puolijohdevirtakytkimet, diodit, tai ’modulit’, joilla kaikki seuraavat ominaisuudet:
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
Suurin rajapinnan toimintalämpötila on korkeampi kuin 488 K (215 °C),
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
Myötäestojännitteen (sulkujännitteen) suurin toistuva hetkellisarvo on yli 300 V, ja
Continuous current greater than 1 A.
Jatkuva virta suurempi kuin 1 A.
Note 1:Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Huom. 1:Myötäestojännitteen suurin toistuva hetkellisarvo 3A001.h kohdassa käsittää nielu-lähdejännitteen, kollektori-emitterijännitteen, vastaestojännitteen suurimman toistuvan hetkellisarvon ja sulkujännitteen suurimman toistuvan hetkellisarvon.
Note 2:3A001.h. includes:
Huom. 2:3A001.h. kohta käsittää seuraavaa:
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
liitoskanavatransistorit (JFET)
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
vertikaaliset liitoskanavatransistorit (VJFET)
Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)
metallioksidipuolijohdekanavatransistorit (MOSFET)
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
kaksoisdiffusoidut metallioksidipuolijohdekanavatransistorit (DMOSFET)
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
eristettyhilaiset bipolaaritransistorit (IGBT)
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
korkean elektroniliikkuvuuden transistorit (HEMT)
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
bipolaariset liitostransistorit (BJT)
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
tyristorit ja ohjatut piitasasuuntaajat (SCR)
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
hilalta sammutettavat tyristorit (GTO)
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
emitteriltä sammutettavat tyristorit (ETO)
PiN Diodes
Pin-diodit
Schottky Diodes
Schottky-diodit
Note 3:3A001.h. does not control switches, diodes, or ’modules’ incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
Huom. 3:3A001.h kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi virtakytkimiä, diodeja tai ’moduuleja’, jotka sisältyvät laitteistoihin, jotka on tarkoitettu siviilikäytössä olevissa autoissa, siviilikäytössä olevilla rautateillä tai "siviili-ilma-aluksissa" käytettäviin sovelluksiin.
For the purposes of 3A001.h., ’modules’ contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
3A001.h kohdassa mainitut ’moduulit’ käsittävät yhden tai useita solid-state -puolijohdevirtakytkimiä tai diodeja.
Recording equipment as follows and specially designed test tape therefor:
Seuraavat nauhoituslaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut testinauhat:
A time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ±0,1 µs;
Soveltuvan IRIG:n (International Range Instrumentation Group) tai EIA:n (Electronic Industries Association) suosituksen mukaisesti mitattu aika(taso)siirtymävirhe on alle ±0,1 mikrosekuntia;
Note:Analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
Huom.:Analogisia nauhureita, jotka on erityisesti suunniteltu siviilivideotarkoituksiin ei katsota instrumentointinauhureiksi.
Digital video magnetic tape recorders having a maximum digital interface transfer rate exceeding 360 Mbit/s;
Digitaaliset videonauhurit, joiden digitaaliliitännän maksimisiirtonopeus ylittää 360 Mbit/s;
Digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having any of the following:
Viistopyyhkäisytekniikkaa tai kiinteäpää-tekniikkaa käyttävät digitaaliset instrumentointinauhurit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s; or
Digitaaliliitännän maksimisiirtonopeus ylittää 175 Mbit/s; tai
Equipment having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s and designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
Laitteet, joiden digitaalisen liitännän maksimisiirtonopeus ylittää 175 Mbit/s ja jotka on suunniteltu muuntamaan digitaaliset videonauhurit instrumentointinauhureina käytettäviksi;
Waveform digitisers and transient recorders, having all of the following:
Aaltomuodon digitointilaitteet ja transienttitallentimet, joilla on seuraavat ominaisuudet:
A ’continuous throughput’ of 2 Gbit/s or more;
’Jatkuva käsittelykyky’ 2 Gbit/s tai enemmän;
For those instruments with a parallel bus architecture, the ’continuous throughput’ rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Laitteille, joissa on rinnakkaisväyläarkkitehtuuri, ’jatkuva käsittelykyky’ on suurin sanansiirtonopeus kerrottuna sanan bittien lukumäärällä.
’Continuous throughput’ is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
’Jatkuva käsittelykyky’ tarkoittaa suurinta tiedonsiirtonopeutta, jonka laite voi tulostaa massamuistiin tietoa menettämättä samalla kun se ylläpitää näytteenottonopeutta ja analogia-digitaalimuunnosta.
Digital instrumentation data recorders using magnetic disk storage technique and having all of the following:
Digitaaliset instrumentointitietonauhoittimet, joissa käytetään magneettilevymuistitekniikkaa ja joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:
A ’continuous throughput’ of 1 Gbit/s or more;
’Jatkuva käsittelykyky’, joka on vähintään 1 Gbit/s;
"Frequency synthesiser""electronic assemblies" having a "frequency switching time" from one selected frequency to another of less than 1 ms;
Elektroniset "taajuussyntetisoija"kokoonpanot, joiden "taajuuden vaihtoaika" yhdeltä valitulta taajuudelta toiselle on vähemmän kuin 1 ms;
Note:The control status of "signal analysers", signal generators, network analysers, and microwave test receivers as stand-alone instruments is determined by 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., and 3A002.f., respectively.
Huom."Signaalianalysaattoreiden", signaaligeneraattoreiden, verkkoanalysaattoreiden ja mikroaaltotestivastaanotinten valvonnanalaisuus erillisinä välineinä määräytyy 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e ja 3A002.f kohdan perusteella.
Radio-frequency "signal analysers" as follows:
Seuraavat radiotaajuus"signaalianalysaattorit":
"Signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz and having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz;
"Signaalianalysaattorit", jotka kykenevät analysoimaan yli 31,8 GHz:n mutta enintään 37,5 GHz:n taajuuksia, ja joilla on yli 10 MHz:n resoluutiokaistanleveys (RBW) 3 dB:n teholla;
"Signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 43,5 GHz;
"Signaalianalysaattorit", jotka kykenevät analysoimaan yli 43,5 GHz:n taajuuksia;
Note:3A002.c.3. does not control those "dynamic signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Huom.:3A002.c.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi niitä "dynaamisia signaalianalysaattoreita", jotka käyttävät vain ’vakiosuhteisia kaistasuotimia’ (kutsutaan myös oktaavi- tai osaoktaavisuotimiksi).
Frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:
Taajuussyntetisoivat signaaligeneraattorit, joiden tuottamien lähtötaajuuksien tarkkuus ja lyhyen tai pitkän aikavälin stabiilius on sisäisen perusvertailuoskillaattorin ohjaama, siitä johdettu tai sen määräämä, ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A maximum synthesised frequency exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz and rated to generate a ’pulse duration’ of less than 100 ns;
Syntesoitu maksimitaajuus ylittää 31,8 GHz mutta ei ylitä 43,5 GHz:iä ja on mitoitettu tuottamaan alle 100 ns:n ’pulssinkesto’;
A "frequency switching time" from one selected frequency to another as specified by any of the following:
"Taajuuden vaihtoaika" yhdeltä valitulta taajuudelta toiselle on jokin seuraavista:
Less than 312 ps;
Vähemmän kuin 312 ps;
Less than 100 µs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
Vähemmän kuin 100 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 1,6 GHz syntesoidulla taajuusalueella, joka ylittää 3,2 GHz mutta ei 10,6 GHz;