natgillin/translations-raw huggingface dataset:
a maximum synthesised frequency exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz and rated to generate a ’pulse duration’ of less than 100 ns;
Syntesoitu maksimitaajuus ylittää 31,8 GHz mutta ei ylitä 43,5 GHz:iä ja on mitoitettu tuottamaan alle 100 ns:n ’pulssinkesto’;
a maximum synthesised frequency exceeding 43,5 GHz;
Syntesoitu maksimitaajuus ylittää 43,5 GHz;
a "frequency switching time" from one selected frequency to another as specified by any of the following:
"Taajuuden vaihtoaika" yhdeltä valitulta taajuudelta toiselle on jokin seuraavista:
less than 10 ns;
Vähemmän kuin 10 ns;
less than 100 µs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
Vähemmän kuin 100 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 1,6 GHz syntesoidulla taajuusalueella, joka ylittää 3,2 GHz mutta ei 10,6 GHz;
less than 250 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
Vähemmän kuin 250 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 550 MHz syntesoidulla taajuusalueella, joka ylittää 10,6 GHz mutta ei 31,8 GHz;
less than 500 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
Vähemmän kuin 500 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 550 MHz syntesoidulla taajuusalueella, joka ylittää 31,8 GHz mutta ei 43,5 GHz; tai
less than 1 ms within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz; or
Vähemmän kuin 1 ms syntesoidulla taajuusalueella, joka ylittää 43,5 GHz; tai
a single sideband (SSB) phase noise better than — (126 + 20 log10F — 20 log10f) in dBc/Hz, where F is the off-set from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
Yksisivukaistan (SSB) vaihekohina on parempi kuin – (126 + 20 log10F – 20 log10f), dBc/Hz, jossa F on toimintataajuuden poikkeama hertseinä ja f on toimintataajuus megahertseinä;
Note 1:for the purpose of 3A002.d., the term frequency synthesised signal generators includes arbitrary waveform and function generators.
Huom. 1:3A002.d kohdassa termiin ’taajuussyntesoivat signaaligeneraattorit’ sisältyvät satunnaisaalto- ja satunnaisfunktiogeneraattorit.
Note 2:3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Huom. 2:3A002.d kohta ei aseta valvonnanalaiseksi laitteita, joissa lähtötaajuus aikaansaadaan joko laskemalla yhteen tai vähentämällä toisistaan kahden tai useamman kideoskillaattorin taajuuksia ja kertomalla siten saatu tulos.
arbitrary waveform and function generators are normally specified by sample rate (e.g. GSample/s), which is converted to the RF domain by the Nyquist factor of two.
Satunnaisaalto- ja satunnaisfunktiogeneraattoreille on normaalisti ominaista näytteenottotaajuus (esim. GSample/s), joka muunnetaan suurtaajuusalueelle Nyquist-kertoimella 2.
Thus, a 1 GSample/s arbitrary waveform has a direct output capability of 500 MHz or, when oversampling is used, the maximum direct output capability is proportionately lower.
Näin ollen 1 GSample/s:n satunnaisaallonpituudella on 500 MHz:n suora lähdön virranantokyky. Jos käytetään ylinäytteistystä, suurin suora lähdön virranantokyky on suhteessa alhaisempi.
for the purposes of 3A002.d.1., "pulse duration" is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
3A002.d.1 kohdassa tarkoitetaan ’pulssinkestolla’ aikaa, joka kuluu siitä, kun pulssin etureuna saavuttaa 90 prosenttia huipusta, siihen, kun pulssin takareuna saavuttaa 10 prosenttia huipusta.
network analysers with a maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz;
Verkkoanalysaattorit, joiden maksimitoimintataajuus ylittää 43,5 GHz;
microwave test receivers having all of the following:
Mikroaaltotestivastaanottimet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz; and
Maksimitoimintataajuus ylittää 43,5 GHz; ja
being capable of measuring amplitude and phase simultaneously;
Ne kykenevät mittaamaan samanaikaisesti sekä amplitudia että vaihetta;
atomic frequency standards having any of the following:
Atomitaajuusstandardit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
long-term stability (aging) less (better) than 1 × 10–11/month; or
Pitkän aikavälin (vanhenemis-)stabiilius on vähemmän (parempi) kuin 1 × 10–11 kuukaudessa; tai
being "space qualified".
Ne ovat "avaruuskelpoisia".
Note:3A002.g.1. does not control non-"space qualified" rubidium standards.
Huom.:3A002.g.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi ei-"avaruuskelpoisia" rubidiumstandardeja.
analogue to digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedised equipment;
"Ohjuksissa" käyttökelpoiset analogia-digitaalimuuntimet, jotka on suunniteltu vastaamaan sotilasspesifikaatioiden kovaan käyttöön tarkoitettujen laitteiden vaatimuksia;
accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
Kiihdyttimet, joilla pystytään lähettämään sähkömagneettista säteilyä, joka tuotetaan 2 MeV:n energiaan tai sen yli kiihdytettyjen elektronien jarrutussäteilyn (Bremsstrahlung) avulla, sekä näitä kiihdyttimiä sisältävät järjestelmät.
Note:3A101.b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
Huom.:3A101.b kohdassa ei määritellä laitteita, jotka on erityisesti suunniteltu lääketieteellisiin tarkoituksiin.
’Thermal batteries’ designed or modified for ’missiles’.
’Ohjuksia’ varten suunnitellut tai muunnetut ’lämpöakut’.
In 3A102 ’thermal batteries’ are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
3A102 kohdassa ’lämpöakut’ ovat kertakäyttöisiä akkuja, jotka sisältävät elektrolyyttinä kiinteän johtamattoman epäorgaanisen suolan.
These batteries incorporate a pyrolytic material that, when ignited, melts the electrolyte and activates the battery.
Nämä akut sisältävät pyrolyyttisen materiaalin, joka sytytettynä sulattaa elektrolyytin ja aktivoi akun.
In 3A102 ’missile’ means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
3A102 kohdassa ’ohjus’ tarkoittaa täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, jotka pystyvät kuljettamaan hyötykuorman vähintään 300 km:n etäisyydelle.
capacitors having either of the following sets of characteristics:
Kondensaattorit, joilla on joko 1 tai 2 kohdassa luetellut ominaisuudet:
voltage rating greater than 1,4 kV;
Nimellisjännite suurempi kuin 1,4 kV
energy storage greater than 10 J;
Energian varastointikyky suurempi kuin 10J
capacitance greater than 0,5 μF; and
Kapasitanssi suurempi kuin 0,5 μF ja
series inductance less than 50 nH; or
Sarjainduktanssi vähemmän kuin 50 nH; tai
voltage rating greater than 750 V;
Nimellisjännite suurempi kuin 750 V
capacitance greater than 0,25 μF; and
Kapasitanssi suurempi kuin 0,25 μF ja
series inductance less than 10 nH;
Sarjainduktanssi vähemmän kuin 10 nH;
superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
"Suprajohtavat" solenoidisähkömagneetit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
capable of creating magnetic fields greater than 2 T;
Pystyvät muodostamaan yli 2 T:n magneettikenttiä;
a ratio of length to inner diameter greater than 2;
Pituuden suhde sisähalkaisijaan on suurempi kuin 2;
inner diameter greater than 300 mm; and
Sisähalkaisija yli 300 mm; ja
magnetic field uniform to better than 1 % over the central 50 % of the inner volume;
Magneettikenttä poikkeaa vähemmän kuin 1 % tasaisesta kentästä sisätilavuuden keskeisen puoliskon (50 %) alueella;
Note:3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported "as parts of" medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Huom.:3A201.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi magneetteja, jotka on erityisesti suunniteltu lääketieteellisten ydinmagneettiseen resonanssiin (NMR) perustuvien kuvanmuodostusjärjestelmien ’osiksi’.
The phrase "as part of" does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched "as part of" the imaging systems.
Sana ’osiksi’ ei välttämättä tarkoita saman toimituksen fyysistä osaa; erilliset toimitukset ovat sallittuja eri lähteistä, mikäli niihin liittyvissä vientiasiakirjoissa selvästi mainitaan, että toimitukset lähetetään kuvanmuodostusjärjestelmän ’osiksi’.
flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
Seuraavat välähtävät röntgensalamageneraattorit tai pulssitoimiset elektronikiihdyttimet, joilla on joko a tai b kohdassa luetellut ominaisuudet:
an accelerator peak electron energy of 500 KeV or greater but less than 25 MeV; and
Kiihdyttimen huippuelektronienergia on 500 keV tai suurempi, mutta pienempi kuin 25 MeV; ja
with a ’figure of merit’ (K) of 0,25 or greater; or
’Hyvyysluku’ (K) on 0,25 tai suurempi; tai
an accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
Kiihdyttimen huippuelektronienergia on 25 MeV tai suurempi; ja
a ’peak power’ greater than 50 MW.
’Huipputeho’ on suurempi kuin 50 MW.
Note:3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes.
Huom.:3A201.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kiihdyttimiä, jotka ovat muuhun kuin elektronisuihku- tai röntgensäteilytykseen (esimerkiksi elektronimikroskopiaan) suunniteltujen laitteiden komponentteja eikä niitä, jotka on suunniteltu lääketieteellisiä laitteita varten:
The ’figure of merit’ K is defined as:
’Hyvyysluku’ K on määritelty seuraavasti:
’Peak power’ = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
’Huipputeho’ = (huippujännite voltteina) × (säteen huippuvirta ampeereina).
multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
Monivaiheulostulo kykenee antamaan 40 W:n tai suuremman tehon;
capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
Kykenee toimimaan 600–2000 Hz:n taajuusalueella;
total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
Harmoninen kokonaissärö on parempi (pienempi) kuin 10 %; ja
frequency control better (less) than 0,1 %.
Taajuuden säätö on parempi (pienempi) kuin 0,1 %.
capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
Ne kykenevät 8 tunnin jakson aikana jatkuvasti tuottamaan 100 V:n tai korkeamman jännitteen 500 A:n tai suuremmalla virralla; ja
current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
Niiden jännitteen tai virran stabiilius on parempi kuin 0,1 % 8 tunnin jakson aikana.
capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
Ne kykenevät 8 tunnin jakson aikana jatkuvasti tuottamaan 20 kV:n tai korkeamman jännitteen 1 A:n tai suuremmalla virralla; ja
cold cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
Kylmäkatodiputket, olivatpa ne sitten kaasutäytteisiä tai ei, jotka toimivat kipinävälin tavoin ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
containing three or more electrodes;
Ne sisältävät kolme tai useampia elektrodeja;
anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
Huippuanodijännitteen nimellisarvo on 2,5 kV tai enemmän;
anode peak current rating of 100 A or more 100 A; and
Huippuanodivirran nimellisarvo on 100 A tai enemmän; ja
Note:3A228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
Huom.:3A228 kohtaan sisältyvät kaasukryptonputket ja tyhjösprytronputket.
triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
Liipaistavat kipinävälit, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
an anode delay time of 15 μs or less; and
Anodiviiveaika on 15 μs tai lyhyempi; ja
rated for a peak current of 500 A or more;
Huippuvirran nimellisarvo 500 A tai enemmän;
modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g., having all of the following characteristics:
Muut kuin 3A001.g kohdassa määritellyt nopeatoimiset kytkinmodulit tai -kokoonpanot, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
anode peak voltage rating greater than 2 kV;
Huippuanodijännitteen nimellisarvo on suurempi kuin 2 kV;
anode peak current rating of 500 A or more; and
Huippuanodivirran nimellisarvo on 500 A tai enemmän; ja
turn on time of 1 μs or less.
Kytkentäaika on 1 μs tai vähemmän.
N.B.:SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS
HUOM.:KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO.
explosive detonator firing sets designed to drive multiple controlled detonators specified in 3A232;
Räjähtävien sytyttimien laukaisulaitteet, jotka on suunniteltu laukaisemaan 3A232 kohdassa määriteltyjä valvonnanalaisia monipistesytyttimiä;
modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Moduulirakenteiset sähköpulssigeneraattorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
designed for portable, mobile, or ruggedised-use;
Ne on suunniteltu liikkuviksi tai vaativissa olosuhteissa käytettäviksi;
enclosed in a dust tight enclosure;
Ne on koteloitu pölytiiviisti;
capable of delivering their energy in less than 15 μs;
Pystyvät luovuttamaan energiansa alle 15 μs:ssa;
having an output greater than 100 A;
Lähtövirta on suurempi kuin 100 A;
having a ’rise time’ of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
’Nousuaika’ on lyhyempi kuin 10 μs alle 40 ohmin kuormituksella.
no dimension greater than 254 mm;
Mikään ulottuvuus ei ole suurempi kuin 254 mm;
weight less than 25 kg; and
Paino on alle 25 kg; ja
specified for use over an extended temperature range 223 K (–50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Ne on määritelty käytettäväksi laajalla lämpötila-alueella (223 K (–50 °C) – 373 K (100 °C) astetta) tai sopiviksi "avaruussovelluksiin".
output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
Lähtöjännite on yli 6 V alle 55 ohmin resistiivisellä kuormalla; ja
’pulse transition time’ less than 500 ps.
’Pulssin nousuaika’ on lyhyempi kuin 500 ps.
In 3A230, ’pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
3A230 kohdassa ’pulssin nousuaika’ määritellään ajaksi, jonka kuluessa jännite nousee 10 prosentista 90 prosenttiin jännitteen amplitudista.
designed for operation without an external vacuum system; and
Ne on suunniteltu toimimaan ilman ulkoista tyhjöjärjestelmää; ja
utilising electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
Hyväksikäyttävät sähköstaattista kiihdytystä tritium-deuteriumydinreaktion synnyttämiseen.
electrically driven explosive detonators, as follows:
Seuraavat sähköisesti ohjattavat räjähtävät sytyttimet:
exploding bridge (EB);
Räjähtävä siltajohdin (EB);
exploding bridge wire (EBW);
Räjähtävä siltajohdinlanka (EBW);
slapper;
Iskulaukaisin;
exploding foil initiators (EFI);
Räjähtävät kalvosytyttimet (EFI);
arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
Järjestelyt, joita käyttäen voidaan yhdellä tai usealla sytyttimellä sytyttää räjähdyspinta yli 5000 mm2:n alalla yhdellä laukaisusignaalilla lähes samanaikaisesti, sytytyksen ajoitus leviää koko pinta-alalle vähemmässä kuin 2,5 μs:ssa.
Note:3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Huom.:Tämä kohta ei aseta valvonnanalaiseksi sytyttimiä, joissa käytetään vain ensiöräjähteitä, esimerkiksi lyijyatsidia.
inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
Induktiivisesti kytketyt plasmamassaspektrometrit (ICP/MS = Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometers);
glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Hehkupurkausmassaspektrometrit (GDMS = Glow Discharge Mass Spectrometers);
thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
Termistä ionisaatiota käyttävät massaspektrometrit (TIMS = Thermal Ionization Mass Spectrometers);
electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Elektronipommitusmassaspektrometrit, joiden lähdekammio on tehty, vuorattu tai päällystetty UF6-kestävillä materiaaleilla;
molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
Molekyylisuihkumassaspektrometrit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (–80 °C) or less; or
Lähdekammio on valmistettu, vuorattu tai päällystetty ruostumattomalla teräksellä tai molybdeenillä ja varustettu kylmäloukulla, joka kykenee jäähtymään 193 K (–80 °C) asteeseen tai sen alle; tai
a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Lähdekammio on valmistettu, vuorattu tai päällystetty UF6-kestävillä materiaaleilla;
mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
Massaspektrometrit, jotka on varustettu aktinideja tai aktinidifluorideja varten käytettäväksi suunnitellulla mikrofluorausionilähteellä.
equipment designed for epitaxial growth, as follows:
Seuraavat epitaksikasvatusta varten suunnitellut laitteet:
equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ±2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Laitteet, jotka kykenevät tuottamaan vähintään 75 mm:n matkalla kerroksen muuta materiaalia kuin silikonia, jonka kerrospaksuuden vaihtelu on alle +2,5 %;
metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
Reaktorit, jotka suorittavat metalliorgaanista kemiallista kaasufaasipinnoitusta (MOCVD) ja jotka on erityisesti suunniteltu yhdistepuolijohdekiteiden kasvatukseen käyttäen kohtien 3C003 tai 3C004 mukaan valvonnanalaisten materiaalien välistä kemiallista reaktiota;
molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Molekyylisuihku-epitaksikasvatuslaitteet, jotka käyttävät kaasu- tai kiinteitä lähteitä;
equipment designed for ion implantation, having any of the following:
Laitteet, jotka on suunniteltu ioni-istutusta varten ja joilla on jokin seuraavista:
a beam energy (accelerating voltage) exceeding 1 MeV;
Säteen energia (kiihdytysjännite) ylittää 1 MeV;
being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
Ne on erityisesti suunniteltu ja optimoitu toimimaan pienemmällä kuin 2 keV:n säteen energialla (kiihdytysjännitteellä);
direct write capability; or
Mahdollistavat kuvion suoran istutuksen; tai
a beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Säteen energia vähintään 65 keV ja säteen virta vähintään 45 mA, jotta voidaan suorittaa korkeaenerginen happi-istutus kuumennettuun puolijohde "substraattiin";
anisotropic plasma dry etching equipment, as follows:
Seuraavat anisotrooppiset plasmakuivasyövytyslaitteet:
equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
Laitteet, joissa on kasetista-kasettiin toiminta ja syöttökammiot ja joissa on jokin seuraavista:
designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ±5 % 3 sigma precision; or
Ne on suunniteltu tai optimoitu tuottamaan kriittiset mitat, jotka ovat 180 nm tai vähemmän ±5 % 3 sigman tarkkuudella); tai
designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 μm in diameter;
Ne on suunniteltu kehittämään cm2:ä kohden vähemmän kuin 0,04 partikkelia, joiden mitattavissa oleva koko on halkaisijaltaan suurempi kuin 0,1 μm;
equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu 3B001.e kohdan mukaan valvonnanalaisia laitteita varten ja joissa on jokin seuraavista:
designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
Ne on suunniteltu kehittämään cm2:ä kohden vähemmän kuin 0,04 partikkelia, joiden mitattavissa oleva koko on halkaisijaltaan suurempi kuin 0,1 μm;
plasma enhanced CVD equipment, as follows:
Seuraavat plasma-CVD-laitteet:
equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Laitteet, joissa on kasetista-kasettiin toiminta ja syöttökammiot ja jotka on suunniteltu valmistajan eritelmien mukaan tai optimoitu käytettäväksi sellaisten puolijohdelaitteiden tuotannossa, joiden kriittiset mitat ovat 180 nm tai vähemmän;
equipment specially designed for equipment controlled by 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu 3B001.e kohdan mukaan valvonnanalaisia laitteita varten ja jotka on suunniteltu valmistajan eritelmien mukaan tai optimoitu käytettäväksi sellaisten puolijohdelaitteiden tuotannossa, joiden kriittiset mitat ovat 180 nm tai vähemmän;
automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
Automaattisyöttöiset monikammioiset puolijohdekiekkojen käsittelyjärjestelmät, joilla on kaikki seuraavat:
interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
Menetelmät kiekkojen syöttöä ja ulosottoa varten ja joihin voidaan liittää enemmän kuin kaksi puolijohdeprosessilaitetta; ja
designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;
Suunniteltu muodostamaan tyhjössä toimiva integroitu järjestelmä useiden kiekkojen peräkkäistä prosessointia varten.
Note:3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Huom.:3B001.e kohta ei aseta valvonnanalaiseksi automaattisia kiekkojen robottikäsittelijöitä, joita ei ole suunniteltu toimimaan tyhjössä.
lithography equipment, as follows:
Seuraavat litografialaitteet:
align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following:
Askeltavat kohdistus- ja valotuslaitteet (suora kohdistus kiekkoon) tai kohdistus- ja pyyhkäisy- (skanneri) laitteet kiekkojen prosessointia varten, jotka käyttävät foto-optisia tai röntgenmenetelmiä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a light source wavelength shorter than 245 nm; or
Valolähteen aallonpituus lyhyempi kuin 245 nm; tai
capable of producing a pattern with a ’minimum resolvable feature’ size of 180 nm or less;
Ne pystyvät tuottamaan kuvion, jonka ’pienin erottuva kuvion’ koko on 180 nm tai vähemmän;
The ’minimum resolvable feature’ size is calculated by the following formula:
’Pienimmän erottuvan kuvion’ koko lasketaan seuraavalla kaavalla:
imprint lithography equipment capable of producing features of 180 nm or less;
Kohokuviointilaitteet, joilla pystytään tuottamaan kuvioita, joiden koko on 180 nm tai vähemmän;
Note:3B001.f.2. includes:
Huom.:3B001.f.2 kohtaan sisältyvät:
micro contact printing tools
Pehmytkuviointivälineet
hot embossing tools
Kuumapakotusvälineet
nano-imprint lithography tools
Nanomuokkauskuviointivälineet
step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Step and flash -kuviointi (S-FIL) -välineet