natgillin/translations-raw huggingface dataset:
ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
Ioniavusteinen resistiivinen-kuumennus-PVD-prosessissa käytetään resistiivisiä kuumennuslähteitä yhdessä iskeytyvän(-vien) ionisäte(id)en kanssa tuottamaan kontrolloidun ja yhtenäisen höyrystyneiden pinnoiteaineksien vuon.
"laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
"Laser"höyrystys-(PVD) käyttää joko pulssi- tai jatkuvan aallon "laser"säteitä höyrystämään pinnoituksen muodostavia materiaaleja;
cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
Katodikaaripinnoitus(-PVD) käyttää kuluvaa katodia, joka on pinnoitteen muodostavaa materiaalia sekä kaaripurkausta, joka aikaansaadaan koskettamalla hetkellisesti sen pintaa maaliipaisimella.
N.B.:This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Huom.:Tämä määritelmä ei koske satunnaista katodikaaripinnoitusta biassoimattomia substraatteja käytettäessä.
ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Ioni-pinnoitus (-PVD) on TE-PVD-prosessin muunnos, jossa plasma- tai ionilähdettä käytetään ionisoimaan pinnoitettavia aineksia ja negatiivinen biasjännite johdetaan substraattiin pinnoitusaineksien erottamiseksi plasmasta.
pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Pakkasementointi on pinnan muunnos- tai pinnoitusprosessi, jossa substraatti upotetaan jauheseokseen (pakkaan), joka koostuu:
the metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
Depositioitavista metallijauheista (tavallisesti alumiinia, kromia, piitä tai niiden yhdistelmiä);
an activator (normally a halide salt); and
Aktivaattorista (tavallisesti halidisuola); ja
an inert powder, most frequently alumina.
Reagoimattomasta aineesta, useimmiten alumiinioksidista.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Substraatti ja jauheseos asetetaan retorttiin, joka kuumennetaan 757 °C (1030 K)–1102 °C (1375 K) asteeseen riittäväksi ajaksi pinnoitteen aikaansaamiseksi.
plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Plasmaruiskutus on pinnoitusprosessi, jossa plasmaa tuottavaan ja ohjaavaan sumuttimeen syötetään pinnoitemateriaalia jauheena tai lankana, ne sulatetaan ja kiihdytetään substraattia kohden.
1:Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Huom. 1:Matalapaineella tarkoitetaan alle ilmakehän painetta.
2:High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Huom. 2:Suurinopeuksisella tarkoitetaan kaasun lähtönopeutta suuttimesta, kun se ylittää 750 m/s laskettuna 20 °C (293 K) asteen lämpötilassa ja 0,1 MPa paineessa.
slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Lietepinnoitus on pinnan muunnos- tai pinnoitusprosessi, jossa orgaanisen aineen sitomaa metalli- tai keraamijauhetta riippuu nesteessä ja sumuttamalla, kastamalla tai maalaamalla se aikaansaadaan substraatille, jota seuraa ilmassa tai uunissa tapahtuva kuivaus sekä lämpökäsittely halutun pinnoitteen aikaansaamiseksi.
sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Sputterointi on pinnoitusprosessi, joka perustuu "liikemäärän siirto" -ilmiöön, jossa positiiviset ionit kiihdytetään sähkökentässä kohti pinnoitemateriaalin pintaa.
1:The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Huom. 1:Taulukko viittaa vain triodi-, magnetroni- tai reaktiiviseen sputterointiin, jota käytetään lisäämään pinnoitteen kiinnittymistä ja depositionopeutta ja radiotaajuudella voimistettuun sputterointiin, jota käytetään mahdollistamaan ei-metallisten pinnoitemateriaalien höyrystämisen.
2:Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Huom. 2:Matalaenergisiä (alle 5 keV) ionisäteitä voidaan käyttää aktivoimaan depositiota.
ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Ioni-istutus on pinnan muunnospinnoitusprosessi, jossa seostettava elementti ionisoidaan, kiihdytetään potentiaaligradientin läpi ja istutetaan substraatin pinnan tietylle alueelle.
Note 1:the control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Huom. 1:Sellaisten 3A001 tai 3A002 kohdassa kuvattujen laitteiden, kokoonpanojen ja komponenttien, 3A001.a.3–3A001.a.10 tai 3A001.a.12 kohdassa kuvattuja lukuun ottamatta, jotka on erityisesti suunniteltu, tai joilla on samat toiminnalliset ominaisuudet kuin jollain muulla laitteella, valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden mukaan.
Note 2:the control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Huom. 2:3A001.a.3–3A001.a.9 tai 3A001.a.12 kohdassa kuvattujen integroitujen piirien, jotka on ohjelmoitu ei-muutettavasti, tai jotka on suunniteltu erityistä toimintoa varten, valvonnanalaisuus määräytyy niiden muiden laitteiden mukaan, joita varten ne on tarkoitettu.
N.B.:when the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Huom.:Milloin valmistaja tai vientiluvan hakija ei pysty määrittelemään näiden muiden laitteiden valvonnanalaisuutta, valvonnanalaisuus määräytyy 3A001.a.3–3A001.a.9 tai 3A001.a.12 kohdan mukaan.
general purpose integrated circuits, as follows:
Seuraavat yleiskäyttöiset integroidut piirit:
Note 1:the control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Huom. 1:(Valmiiden tai puolivalmiiden) piikiekkojen, joissa toiminto on määritelty, valvonnanalaisuus arvioidaan 3A001.a kohdan parametrien mukaan.
Note 2:Integrated circuits include the following types:
Huom. 2:Integroidut piirit sisältävät seuraavat tyypit:
a total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
Säteilyä kokonaisannoksena 5 × 103 Gy (Pii) tai enemmän;
a dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
Säteilyä, jonka annosnopeus 5 × 106 Gy (Pii)/s tai enemmän; tai
a fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Neutronien integroitua vuontiheyttä (1 MeV:n vastaavuus), joka on 5 × 1013 n/cm2 tai enemmän piin osalta tai sitä vastaavan aineen osalta muiden materiaalien ollessa kyseessä.
Note:3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Huom.:3A001.a.1.c kohtaa ei sovelleta metallieristepuolijohteisiin (MIS).
rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
suunniteltu toimimaan yli 398 K (125 °C) lämpötiloissa;
rated for operation at an ambient temperature below 218 K (–55 °C); or
suunniteltu toimimaan alle 218 K (–55 °C) lämpötiloissa; tai
rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (–55 °C) et 398 K (125 °C);
mitoitettu toimimaan koko lämpötila-alueella 218 K (–55 °C) – 398 K (125 °C);
Note:3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Huom.:3A001.a.2 kohta ei koske siviiliautoihin tai juniin tarkoitettuja integroituja piirejä.
Note:3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Huom.:3A001.a.3 kohta sisältää digitaaliset signaaliprosessorit, digitaaliset matriisiprosessorit ja digitaaliset apuprosessorit.
analogue-to-digital converters having any of the following:
Analogia-digitaalimuuntimet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
N.B.:SEE ALSO 3A101
Huom.:KATSO MYÖS 3A101 KOHTA.
a resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
Resoluutio 8 bittiä tai enemmän mutta alle 10 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 500 miljoonaa sanaa sekunnissa;
a resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
Resoluutio 10 bittiä tai enemmän mutta alle 12 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 200 miljoonaa sanaa sekunnissa;
a resolution of 12 bit with an output rate greater than 105 million words per second;
Resoluutio 12 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 105 miljoonaa sanaa sekunnissa;
a resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 10 million words per second; or
Resoluutio yli 12 bittiä mutta enintään 14 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 10 miljoonaa sanaa sekunnissa; tai
a resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 2,5 million words per second;
Resoluutio yli 14 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 2,5 miljoonaa sanaa sekunnissa;
digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
Digitaali-analogiamuuntimet, joiden resoluutio on 12 bittiä tai enemmän ja "asettumisaika" alle 10 ns;
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Se ilmaistaan usein suureilla megahertsi (MHz) tai miljoona näytettä sekunnissa (MSPS).
electro-optical and "optical integrated circuits" designed for "signal processing" having all of the following:
Sähköoptiset tai "optiset integroidut piirit""signaalinkäsittelyä" varten, joilla on kaikki seuraavat:
one or more than one internal "laser" diode;
Yksi tai useampi sisäinen "laser"diodi;
one or more than one internal light detecting element; and
Yksi tai useampi sisäinen valoa ilmaiseva elementti; ja
optical waveguides;
Optisia aaltoputkia;
field programmable logic devices having any of the following:
Käyttäjäohjelmoitavat logiikkapiirit, joilla on jokin seuraavista:
an equivalent usable gate count of more than 30000 (2 input gates);
Ekvivalenttinen käytettävissä oleva porttiluku yli 30000 (2 sisäänmenoa porttia kohti);
a typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
Tyypillinen "perusportin etenemisviive" on vähemmän kuin 0,1 ns; tai
a toggle frequency exceeding 133 MHz;
Tilanvaihtotaajuus ylittää 133 MHz;
Note:3A001.a.7. includes:
Huom.:3A001.a.7 kohtaan sisältyvät:
simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
Yksinkertaiset ohjelmoitavat logiikkapiirit (SPLD:t)
complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
Monimutkaiset ohjelmoitavat logiikkapiirit (CPLD:t)
field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
Kentällä ohjelmoitavat porttimatriisipiirit (FPGA:t)
field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
Käyttäjäohjelmoitavat logiikkaverkot (FPLA:t)
field Programmable Interconnects (FPICs)
Kentällä ohjelmoitavat yhdyskomponentit (FPIC:t)
N.B.:field programmable logic devices are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
Huom.:’Käyttäjäohjelmoitavat logiikkapiirit’ tunnetaan myös nimellä ’kentällä ohjelmoitavat porttimatriisipiirit’ tai ’käyttäjäohjelmoitavat logiikkaverkot’.
neural network integrated circuits;
Integroidut hermoverkkopiirit;
custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
Asiakaskohtaiset integroidut piirit, joiden toiminta on tuntematon, tai jotka on tarkoitettu laitteisiin, joiden valvonnanalaisuus on valmistajalle tuntematon ja joilla on jokin seuraavista:
more than 1000 terminals;
Liitospisteiden lukumäärä ylittää 1000;
an operating frequency exceeding 3 GHz;
Toimintataajuus ylittää 3 GHz;
digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Muut digitaaliset integroidut piirit kuin 3A001.a.3–3A001.a.10 tai 3A001.a.12 kohdassa kuvatut, jotka perustuvat yhdistepuolijohteisiin ja joilla on jokin seuraavista:
an equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
Ekvivalenttinen porttiluku on enemmän kuin 3000 (2 sisäänmenoa porttia kohti); tai
a toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
Kellotaajuus ylittää 1,2 GHz;
microwave or millimetre wave components, as follows:
Mikroaalto- tai millimetriaaltolaitteet:
electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:
Seuraavat elektroniset tyhjöputket ja katodit:
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
Huom. 1:3A001.b.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi putkia, jotka on suunniteltu tai mitoitettu toimimaan taajuuskaistalla, joka täyttää kaikki seuraavat ominaisuudet:
does not exceed 31,8 GHz; and
Joka ei ylitä 31,8 GHz; ja
is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Jonka "ITU on allokoinut" radioviestintäpalveluille, mutta ei radiomääritykselle.
Note 2:3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes which meet all of the following characteristics:
Huom. 2:3A001.b.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi muita kuin "avaruuskelpoisia" putkia, jotka täyttävät kaikki seuraavat ominaisuudet:
an average output power equal to or less than 50 W; and
Keskimääräinen lähtöteho on 50 W tai vähemmän; ja
designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
suunnitellut tai mitoitetut toimimaan taajuuskaistalla, joka täyttää kaikki seuraavat ominaisuudet:
exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
Joka ylittää 31,8 GHz mutta ei ylitä 43,5 GHz; ja
travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
Seuraavat kulkuaaltoputket pulssi- tai jatkuville aalloille:
operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Jotka toimivat yli 31,8 GHz:n taajuuksilla;
having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
Joiden hehkukatodien käynnistysaika nimelliseen RF-tehoon asti on vähemmän kuin 3 sekuntia;
coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
Kytketyt onteloputket tai niiden muunnokset, joiden "suhteellinen kaistanleveys" on enemmän kuin 7 % tai huipputeho ylittää 2,5 kW;
helix tubes, or derivatives thereof, with any of the following characteristics:
Kierukkaputket tai niiden muunnokset, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
an "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
"Hetkellinen kaistanleveys" on enemmän kuin puoli oktaavia tai enemmän ja nimellisen keskimääräisen lähtötehon (kilowatteina) ja maksimitoimintataajuuden (gigahertseinä) tulo on enemmän kuin 0,5;
an "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
"Hetkellinen kaistanleveys" on yksi oktaavia tai alle ja nimellisen keskimääräisen lähtötehon (kilowatteina) ja maksimitoimintataajuuden (gigahertseinä) tulo on enemmän kuin 1; tai
being "space qualified";
Ovat "avaruuskelpoisia";
crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
Ristikenttävahvistinputket, joiden vahvistus on enemmän kuin 17 dB,
impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
Elektroniputkien kyllästetyt katodit, jotka tuottavat nimellisissä olosuhteissa jatkuvan emissiovirran tiheyden, joka ylittää 5 A/cm2;
microwave monolithic integrated circuits (MMIC) power amplifiers having any of the following:
Monoliittisina integroituina mikroaaltopiireinä (MMIC) toteutetut tehovahvistimet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
Ne toimivat yli 3,2 GHz:n ja enintään 6 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 4 W (36 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 15 prosenttia;
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Ne toimivat yli 6 GHz:n ja enintään 16 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 1 W (30 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia;
rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Ne toimivat yli 16 GHz:n ja enintään 31,8 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 0,8 W (29 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia;
rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz;
Ne toimivat yli 31,8 GHz:n ja enintään 37,5 GHz:n taajuuksilla;
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
Ne toimivat yli 37,5 GHz:n ja enintään 43,5 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 0,25 W (24 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia, tai
rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz.
Ne toimivat yli 43,5 GHz:n taajuuksilla.
Note 1:3A001.b.2. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 GHz to 42,5 GHz.
Huom. 1:3A001.b.2 kohta ei aseteta valvonnanalaiseksi yleisradiolähetyksiin tarkoitettujen satelliittien laitteita, jotka on suunniteltu tai mitoitettu toimimaan 40,5–42,5 GHz:n taajuusalueella.
Note 2:the control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Huom. 2:Niiden MMIC-piirien valvonta-asema, joiden nimelliseen toimintataajuuteen sisältyvät taajuudet, jotka on lueteltu useammalla kuin yhdellä taajuusalueella, sellaisina kuin ne on määritelty 3A001.b.2.a– 3A001.b.2.f kohdassa, määräytyy alimman keskimääräisen lähtötehon valvontakynnyksen mukaan.
Note 3:Notes 1 and 2 in the chapeau to Category 3 mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
Huom. 3:Ryhmän 3 johdannossa olevat huomautukset 1 ja 2 tarkoittavat sitä, että 3A001.b.2 kohta ei aseteta valvonnanalaiseksi MMIC-piirejä, jos ne on erityisesti suunniteltu muita sovelluksia, esimerkiksi televiestintää, tutkia tai autoja, varten.
discrete microwave transistors having any of the following:
Erillismikroaaltotransistorit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and having an average output power greater than 60W (47,8 dBm);
Ne toimivat yli 3,2 GHz:n ja enintään 6 GHz:n taajuuksilla ja niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 60 W (47,8 dBm);
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and having an average output power greater than 20W (43 dBm);
Ne toimivat yli 6 GHz:n ja enintään 31,8 GHz:n taajuuksilla ja niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 20 W (43 dBm);
rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and having an average output power greater than 0,5W (27 dBm);
Ne toimivat yli 31,8 GHz:n ja enintään 37,5 GHz:n taajuuksilla ja niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 0,5 W (27 dBm);
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
Ne toimivat yli 37,5 GHz:n ja enintään 43,5 GHz:n taajuuksilla ja niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 1 W (30 dBm), tai;
Note:the control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Huom.:Niiden transistorien valvonta-asema, joiden nimelliseen toimintataajuuteen sisältyvät taajuudet, jotka on lueteltu useammalla kuin yhdellä taajuusalueella, sellaisina kuin ne on määritelty 3A001.b.3.a–3A001.b.3.e kohdassa, määräytyy alimman keskimääräisen lähtötehon valvontakynnyksen mukaan.
microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave amplifiers having any of the following:
Puolijohde-mikroaaltovahvistimet ja mikroaaltovahvistimia sisältävät mikroaaltokokoonpanot/moduulit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 60W (47,8 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
Ne toimivat yli 3,2 GHz:n ja enintään 6 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 60 W (47,8 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 15 prosenttia;
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15W (42 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Ne toimivat yli 6 GHz:n ja enintään 31,8 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 15 W (42 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia;
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Ne toimivat yli 37,5 GHz:n ja enintään 43,5 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 1 W (30 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia;
rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz; or
Ne toimivat yli 43,5 GHz:n taajuuksilla; tai
rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
Ne toimivat yli 3,2 GHz:n taajuuksilla ja niillä on kaikki seuraavista ominaisuuksista:
an average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P>150 W*GHz2/fGHz2];
Keskimääräinen lähtöteho (watteina), P, suurempi kuin 150 jaettuna toiseen potenssiin korotetulla suurimmalla toimintataajuudella (GHz:einä) [P>150 W*GHz2/fGHz2];
a fractional bandwidth of 5 % or greater; and
Suhteellinen kaistanleveys on 5 prosenttia tai suurempi; ja