natgillin/translations-raw huggingface dataset:
any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d = 15 cm*GHz/fGHz].
Minkä tahansa kahden kohtisuorassa toisiaan vasten olevan sivun pituus d (cm:einä) on yhtä suuri tai pienempi kuin 15 jaettuna alimmalla toimintataajuudella (GHz:einä) [d = 15 cm*GHz/fGHz].
3,2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3,2 GHz and below [d ≤ 15 cm*GHz/3,2 GHz].
Arvoa 3,2 GHz olisi käytettävä alimpana toimintataajuutena (fGHz) 3A001.b.4.f.3 kohdan kaavassa niiden vahvistimien osalta, joiden nimellinen toiminta-alue ulottuu alaspäin arvoon 3,2 GHz ja sen alle [d≤15 cm*GHz/3,2 GHz].
N.B.:MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
Huom.:MMIC-tehovahvistimet olisi arvioitava 3A001.b.2 kohdan vaatimuksiin nähden.
Note 1:3A001.b.4. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 to 42,5 GHz.
Huom. 1:3A001.b.4 kohta ei aseteta valvonnanalaiseksi yleisradiolähetyksiin tarkoitettujen satelliittien laitteita, jotka on suunniteltu tai mitoitettu toimimaan 40,5–42,5 GHz:n taajuusalueella.
Note 2:the control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Huom. 2:Niiden tuotteiden valvonta-asema, joiden nimelliseen toimintataajuuteen sisältyvät taajuudet, jotka on lueteltu useammalla kuin yhdellä taajuusalueella, sellaisina kuin ne on määritelty 3A001.b.4.a–3A001.b.4.e kohdassa, määräytyy alimman keskimääräisen lähtötehon valvontakynnyksen mukaan.
electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs having any of the following:
Elektronisesti tai magneettisesti viritettävät kaistanpäästö- tai kaistanestosuotimet, joissa on enemmän kuin 5 viritettävää resonaattoria, jotka voidaan virittää vähemmässä kuin 10 mikrosekunnissa taajuuskaistalle, jonka fmax/fminon 1,5:1, ja joiden:
a band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
Päästökaistan leveys on enemmän kuin 0,5 % keskitaajuudesta; tai
a band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
Estokaistan leveys on vähemmän kuin 0,5 % keskitaajuudesta;
mixers and converters designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
Sekoittajat ja muuntimet, jotka on suunniteltu ulottamaan 3A002.c, 3A002.e tai 3A002.f kohdassa määriteltyjen laitteiden taajuusalueen kohdissa mainittujen rajojen ulkopuolelle;
microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b. and having all of the following:
Mikroaaltotehovahvistimet, jotka sisältävät 3A001.b kohdassa määriteltyjä putkia ja joilla on kaikki seuraavat:
operating frequencies above 3 GHz;
Toimintataajuudet ovat yli 3 GHz;
an average output power density exceeding 80 W/kg; and
Keskimääräinen ulostulon suhde tiheyteen on 80 W/kg; ja
a volume of less than 400 cm3;
Tilavuus on vähemmän kuin 400 cm3;
Note:3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Huom.:3A001.b.8 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi laitteita, jotka on suunniteltu tai mitoitettu toimimaan taajuuskaistalla, jonka "ITU on allokoimut" radioviestintäpalveluille, mutta ei radiomääritykselle.
microwave power modules (MPM), consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave monolithic integrated circuit and an integrated electronic power conditioner, having all of the following characteristics:
Mikroaaltotehomoduulit (MPM), jotka koostuvat vähintään kulkuaaltoputkesta, monoliittisesta integroidusta mikroaaltopiiristä ja integroidusta elektronisesta teholähteestä ja joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:
a turn-on time from off to fully operational in less than 10 seconds;
Kytkeytymisaika nolla-asennosta täyteen toimintavalmiuteen vähemmän kuin 10 sekuntia;
a volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
Tilavuus vähemmän kuin suurin nimellisteho watteina kerrottuna 10 cm3/W:llä; ja
an "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax. > 2 fmin.) and any of the following:
"Hetkellinen kaistanleveys" enemmän kuin 1 oktaavi (fmax.>2fmin.) ja mikä tahansa seuraavista:
for frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
Enintään 18 GHz:n taajuuksien osalta RF-lähtöteho on enemmän kuin 100 W; tai
having a frequency greater than 18 GHz.
Taajuus on enemmän kuin 18 GHz.
to calculate the control volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
3A001.b.9.b kohdassa tarkoitetun ohjaustilavuuden laskemiseksi annetaan seuraava esimerkki: 20 W:n suurimmalla nimellisteholla tilavuuden tulisi olla 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
the turn-on time in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational; i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
3A001.b.9.a kohdassa tarkoitettu kytkeytymisaika viittaa aikaan, joka kuluu täydestä nolla-asennosta täyteen toimintavalmiuteen eli siihen sisältyy MPM:n lämpenemisaika.
acoustic wave devices, as follows, and specially designed components therefor:
Seuraavat akustiset aaltolaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves in materials), having any of the following:
Pinta-akustiset aaltolaitteet ja matalatila-akustiset laitteet (eli "signaalinkäsittely"laitteet, jotka käyttävät hyväkseen materiaalien elastisten aaltojen kulkua), joilla on jokin seuraavista:
a carrier frequency exceeding 2,5 GHz;
Kantoaallon taajuus ylittää 2,5 GHz;
a carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 2,5 GHz, and having any of the following:
Kantoaallon taajuus ylittää 1 GHz, mutta ei 2,5 GHz ja jolla on jokin seuraavista:
a frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB;
Taajuuden sivukeilan vaimennus ylittää 55 dB;
a product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
Maksimiviiveen ja kaistanleveyden tulo (aika mikrosekunteina ja kaistanleveys megahertseinä) on enemmän kuin 100;
a bandwidth greater than 250 MHz; or
Kaistanleveys suurempi kuin 250 MHz; tai
a dispersive delay of more than 10 μs; or
Dispersiivinen viive on enemmän kuin 10 mikrosekuntia; tai
a carrier frequency of 1 GHz or less, having any of the following:
Kantoaallon taajuus 1 GHz tai vähemmän ja jokin seuraavista:
a frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB and a bandwidth greater than 50 MHz;
Taajuuden sivukeilan vaimennus ylittää 55 dB ja kaistanleveys suurempi kuin 50 MHz;
bulk (volume) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves) which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 1 GHz;
Kappaleakustiset (tila-akustiset) laitteet (eli "signaalinkäsittely"laitteet, jotka käyttävät hyväkseen elastisia aaltoja), jotka sallivat signaalien suoran prosessoinnin yli 1 GHz:n taajuuksilla;
acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Akusto-optiset "signaalinkäsittely"laitteet, jotka käyttävät hyväkseen ääniaaltojen (kappale- tai pinta-aaltojen) ja valoaaltojen vuorovaikutusta, ja jotka sallivat signaalien tai kuvien suoran käsittelyn, mukaan lukien spektrianalyysi, korrelaatio tai konvoluutio;
electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents, with any of the following:
Elektroniset laitteet tai piirit, jotka sisältävät "suprajohtavista" materiaaleista valmistettuja komponentteja, ja jotka on erityisesti suunniteltu toimimaan ainakin yhden "suprajohtavan" ainesosansa "kriittisen lämpötilan" alapuolella, ja joilla on jokin seuraavista:
current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
Virtakytkentä digitaalipiireissä, joissa käytetään "suprajohtavia" portteja, joiden porttikohtaisen viiveen (sekunteina) ja porttikohtaisen tehohäviön (watteina) tulo on vähemmän kuin 10–14J; tai
frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
Taajuuden valinta kaikilla taajuuksilla käyttäen resonanssipiirejä, joiden Q-arvo ylittää 10000;
high energy devices, as follows:
Seuraavat suurenergialaitteet:
’cells’, as follows:
Seuraavat ’parit’:
’primary cells’ having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
’Ensiöparit’, joiden ’energiatiheys’ ylittää 550 Wh/kg 20 °C:ssa;
’secondary cells’ having 250 Wh/kg;
’Toisioparit’, joiden ’energiatiheys’ ylittää 250 Wh/kg.
For the purpose of 3A001.e.1., "energy density" (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere hours divided by the mass in kilograms.
3A001.e.1 kohdassa ’energiatiheys’ lasketaan nimellisjännitteestä kerrottuna nimelliskapasiteetilla ampeeritunteina jaettuna massalla kilogrammoina.
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
Jos nimelliskapasiteettia ei ole esitetty, energiatiheys lasketaan neliöidystä nimellisjännitteestä kerrottuna purkauksen kestolla tunteina jaettuna purkauskuormalla ohmeina ja massalla kilogrammoina.
for the purpose of 3A001.e.1., a ’cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, and electrolyte, and is a source of electrical energy.
3A001.e.1.a kohdassa ’pari’ määritellään sähkökemialliseksi laitteeksi, jolla on positiivinen ja negatiivinen elektrodi ja elektrolyytti ja joka on sähköenergian lähde.
It is the basic building block of a battery.
Se on pariston peruslohko.
for the purpose of 3A001.e.1.a., a ’primary cell’ is a ’cell’ that is not designed to be charged by any other source.
3A001.e.1.a.a kohdassa ’ensiöpari’ on ’pari’, jota ei ole suunniteltu ladattavaksi mistään muusta lähteestä.
for the purpose of 3A001.e.1.b., a ’secondary cell’ is a ’cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
3A001.e.1.b.a kohdassa ’toisiopari’ on ’pari’, joka on suunniteltu ladattavaksi ulkoisesta sähkölähteestä.
Note:3A001.e.1. does not control batteries, including single cell batteries.
Huom.:3A001.e.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi paristoja, mukaan lukien yksipariset paristot.
high energy storage capacitors, as follows:
Seuraavat suurenergiset varauskondensaattorit:
N.B.:SEE ALSO 3A201.a.
Huom.:KATSO MYÖS 3A201.a KOHTA.
capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) having all of the following:
Kondensaattorit, joiden toistotiheys on alle 10 Hz (kertatoimiset kondensaattorit) ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a voltage rating equal to or more than 5 kV;
Nimellisjännite 5 kV tai enemmän;
an energy density equal to or more than 250 J/kg; and
Energiatiheys 250 J/kg tai enemmän; ja
a total energy equal to or more than 25 kJ;
Kokonaisenergia 25 kJ tai enemmän;
capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) having all of the following:
Kondensaattorit, joiden toistotiheys on 10 Hz tai enemmän (toistuvatoimiset kondensaattorit) ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
an energy density equal to or more than 50 J/kg;
Energiatiheys on 50 J/kg tai enemmän;
a total energy equal to or more than 100 J; and
Kokonaisenergia on 100J tai enemmän; ja
a charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
Lataus-purkuikä on 10000 tai enemmän;
N.B.:SEE ALSO 3A201.b.
Huom.:KATSO MYÖS 3A201.b KOHTA.
Note:3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Huom.:3A001.e.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "suprajohtavia" sähkömagneetteja tai solenoideja, jotka on erityisesti suunniteltu magneettiresonanssikuvausta (MRI) varten lääketieteellisiin laitteisiin.
energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
Purkauksen aikana luovutettu maksimienergia on enemmän kuin 10 kJ ensimmäisen sekunnin aikana;
inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
Virtakäämien sisäläpimitta on yli 250 mm; ja
rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
Magneettisen induktion nimellisarvo on enemmän kuin 8 T tai "kokonaisvirrantiheys" käämissä on yli 300 A/mm2;
solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2).
Aurinkokennot, CIC-järjestelmät ja aurinkopaneelit, jotka ovat "avaruuskelpoisia" ja joiden keskimääräinen vähimmäistehokkuus on enemmän kuin 20 prosenttia 301 K:n (28 °C:n) toimintalämpötilassa simuloidussa ’AM0’-valaistuksessa, jonka säteilyvoimakkuus on 1,367 wattia neliömetriä kohden (W/m2).
’AM0’, or ’Air Mass Zero’, refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
’AM0’ tai ’ilmamassan arvo 0’ (Air Mass Zero) tarkoittaa auringonvalon spektraalista säteilyvoimakkuutta maapallon uloimmassa ilmakehässä, kun maapallon ja auringon välinen etäisyys on yksi astronominen yksikkö (AU).
rotary input type shaft absolute position encoders having any of the following:
Pyöriväsyötteiset akselin absoluuttisen asennon kooderit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a resolution of better than 1 part in 265000 (18 bit resolution) of full scale; or
Resoluutio on parempi kuin 1 osa 265000:sta (18 bitin resoluutio) koko alueella; tai
an accuracy better than ±2,5 seconds of arc.
Tarkkuus on parempi kuin ±2,5 kaarisekuntia;
solid-state pulsed power switching thyristor devices and ’thyristor modules’ using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods, having any of the following:
Solid state -pulssivirtakytkintyristorilaitteet ja ’tyristorimoduulit’, joissa käytetään joko sähköisesti, optisesti ja elekronisäteilyllä ohjattuja kytkentämenetelmiä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
Suurin kytkentävirran nousunopeus (di/dt) on suurempi kuin 30000 A/μs ja estojännite on suurempi kuin 1100 V; tai
a maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and all of the following:
Suurin kytkentävirran nousunopeus (di/dt) on suurempi kuin 2000 A/μs ja kaikki seuraavista:
an off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
Suurin estojännite on yhtä suuri tai suurempi kuin 3000 V; ja
a peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
Huippuvirta (syöksyvirta) on yhtä suuri tai suurempi kuin 3000 A.
Note 1:3A001.g. includes:
Huom. 1:3A001.g kohtaan sisältyvät:
silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Ohjatut piitasasuuntaajat (SCR)
electrical Triggering Thyristors (ETTs)
ETT-tyristorit (Electrical Triggering Thyristors) (ETT)
light Triggering Thyristors (LTTs)
LTT-tyristorit (Light Triggering Thyristors) (LTT)
integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
IGCT-tyristorit (Integrated Gate Commutated Thyristors) (IGCT)
gate Turn-off Thyristors (GTOs)
Hilalta sammutettavat tyristorit (Gate Turn-off Thyristors) (GTO)
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
MOS-tyristorit (MOS Controlled Thyristors) (MCT)
solidtrons
Solidtronit
Note 2:3A001.g. does not control thyristor devices and ’thyristor modules’ incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Huom. 2:3A001.g kohta ei aseta valvonnanalaiseksi tyristorilaitteita ja ’tyristorimoduuleja’, jotka on sisällytetty laitteisiin, jotka on suunniteltu rautateiden siviilisovelluksia tai "siviili-ilma-alusten" sovelluksia varten.
For the purposes of 3A001.g., a ’thyristor module’ contains one or more thyristor devices.
3A001.g.a kohdassa ’tyristorimoduuliin’ sisältyy yksi tai useampi tyristorilaite.
recording equipment, as follows, and specially designed test tape therefor:
Seuraavat nauhoituslaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut testinauhat:
analogue instrumentation magnetic tape recorders, including those permitting the recording of digital signals (e.g. using a high density digital recording (HDDR) module), having any of the following:
Analogiset instrumentointinauhurit, mukaan lukien ne, jotka mahdollistavat myös digitaalisten signaalien tallentamisen (esim. käyttämällä suuritiheyksisen digitaalisen tallennuksen (HDDR) mahdollistavaa moduulia), joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a bandwidth exceeding 4 MHz per electronic channel or track;
Kaistanleveys ylittää 4 MHz kullakin elektronisella kanavalla tai nauhan raidalla;
a bandwidth exceeding 2 MHz per electronic channel or track and having more than 42 tracks; or
Kaistanleveys ylittää 2 MHz kullakin elektronisella kanavalla tai nauhan raidalla ja raitojen määrä ylittää 42; tai
a time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ±0,1 μs;
Soveltuvan IRIG:n (International Range Instrumentation Group) tai EIA:n (Electronic Industries Association) suosituksen mukaisesti mitattu aika(taso)siirtymävirhe on alle ±0,1 mikrosekuntia;
Note:analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
Huom.:Analogisia nauhureita, jotka on erityisesti suunniteltu siviilivideotarkoituksiin ei katsota instrumentointinauhureiksi.
digital video magnetic tape recorders having a maximum digital interface transfer rate exceeding 360 Mbits/s;
Digitaaliset videonauhurit, joiden digitaaliliitännän maksimisiirtonopeus ylittää 360 Mbit/s;
Note:3A002.a.2. does not control digital video magnetic tape recorders specially designed for television recording using a signal format, which may include a compressed signal format, standardised or recommended by the ITU, the IEC, the SMPTE, the EBU, the ETSI or the IEEE for civil television applications.
Huom.:3A002.a.2 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi digitaalisia videonauhureita, jotka on erityisesti suunniteltu televisionauhoituksiin käyttäen sellaista signaalimuotoa, johon saattaa sisältyä ITU:n (International Telecommunication Unit), IEC:n International Technical Commission), SMPTE:n (Society of Motion Picture and Television Engineers), EBU:n (European Broadcasting Unit), ETSI:n (European Telecommunications Standards Institute) tai IEEE:n (Institute of Electrical and Electronic Engineers) standardien tai suositusten mukainen tiivistetty signaalimuoto siviilitelevisiosovelluksissa.
digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques, having any of the following:
Viistopyyhkäisytekniikkaa tai kiinteäpää-tekniikkaa käyttävät digitaaliset instrumentointinauhurit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbits/s; or
Digitaaliliitännän maksimisiirtonopeus ylittää 175 Mbit/s; tai
Note:3A002.a.3. does not control analogue magnetic tape recorders equipped with HDDR conversion electronics and configured to record only digital data.
Huom.:3A002.a.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi analogisia nauhureita, jotka on varustettu HDDR-konversioelektroniikalla ja jotka on tarkoitettu vain digitaalisen tiedon nauhoittamiseen.
equipment, having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbits/s, designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
Laitteet, joiden digitaalisen liitännän maksimisiirtonopeus ylittää 175 Mbit/s ja jotka on suunniteltu muuntamaan digitaaliset videonauhurit instrumentointinauhureina käytettäviksi;
waveform digitisers and transient recorders having all of the following:
Aaltomuodon digitointilaitteet ja transienttitallentimet, joilla on seuraavat ominaisuudet:
digitising rate equal to or more than 200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more; and
Digitointinopeus on 200 miljoonaa näytteenottoa sekunnissa tai enemmän ja resoluutio 10 bittiä tai enemmän; ja
a continuous throughput of 2 Gbit/s or more;
Jatkuva käsittelykyky 2 Gbit/s tai enemmän;
digital instrumentation data recorders, using magnetic disk storage technique, having all of the following:
Digitaaliset instrumentointitietonauhoittimet, joissa käytetään magneettilevymuistitekniikkaa ja joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:
digitising rate equal to or more than 100 million samples per second and a resolution of 8 bit or more; and
Digitointinopeus vähintään 100 miljoonaa näytettä sekunnissa ja resoluutio 8 bittiä tai enemmän; ja
a continuous throughput of 1 Gbit/s or more;
Jatkuva suorituskyky, joka on vähintään 1 Gbit/s;
"frequency synthesiser""electronic assemblies" having a "frequency switching time" from one selected frequency to another of less than 1 ms;
Elektroniset "taajuussyntesoija"kokoonpanot, joiden "taajuuden vaihtoaika" yhdeltä valitulta taajuudelta toiselle on vähemmän kuin 1 ms;
Note:the control status of signal analysers, signal generators, network analysers and microwave test receivers as stand-alone instruments is determined by 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., and 3A002.f., respectively.
Huom.:Signaalianalysaattoreiden, signaaligeneraattoreiden, verkkoanalysaattoreiden ja mikroaaltotestivastaanotinten valvonnanalaisuus erillisinä välineinä määräytyy 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e ja 3A002.f kohdan perusteella.
radio frequency "signal analysers", as follows:
Seuraavat radiotaajuus"signaalianalysaattorit":
"signal analysers"capable of analysing frequencies exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz and having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz;
"Signaalianalysaattorit", jotka kykenevät analysoimaan yli 31,8 GHz:n mutta enintään 37,5 GHz:n taajuuksia, ja joilla on yli 10 MHz:n resoluutiokaistanleveys (RBW) 3 dB:n teholla;
"signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 43,5 GHz;
"Signaalianalysaattorit", jotka kykenevät analysoimaan yli 43,5 GHz:n taajuuksia;
"dynamic signal analysers" having a "real-time bandwidth" exceeding 500 kHz;
"Dynaamiset signaalianalysaattorit", joiden "tosiaikainen kaistanleveys" ylittää 500 kHz;
Note:3A002.c.3. does not control those "dynamic signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Huom.:3A002.c.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi niitä "dynaamisia signaalianalysaattoreita", jotka käyttävät vain "vakiosuhteisia kaistasuotimia" (kutsutaan myös oktaavi- tai osaoktaavisuotimiksi).
frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:
Taajuussyntesoivat signaaligeneraattorit, joiden tuottamien lähtötaajuuksien tarkkuus ja lyhyen tai pitkän aikavälin stabiilius on sisäisen perusvertailuoskillaattorin ohjaama, siitä johdettu tai sen määräämä, ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: