natgillin/translations-raw huggingface dataset:
SEE MILITARY GOODS CONTROLS FOR O-Ethyl-2-diisopropylaminoethyl methyl phosphonite (QL) (57856-11-8);
O-etyyli-2-N,N-di-isopropyyli-aminoetyyli-metyylifosfoniitti (QL) (57856-11-8): KATSO ASETARVIKELUETTELO
Ammonium hydrogen fluoride or ammonium bifluoride (1341-49-7);
Ammoniumvetyfluoridi eli ammoniumbifluoridi (1341-49-7)
N,N-Diisopropyl-(Beta)-aminoethyl chloride hydrochloride (4261-68-1);
N,N-di-isopropyyli2-aminoetyylikloridihydrokloridi (4261-68-1).
Methylphosphonic acid (993-13-5);
Metyylifosfonihappo (993-13-5)
Diethyl methylphosphonate (683-08-9);
Dietyylimetyylifosfonaatti (683-08-9)
N,N-Dimethylaminophosphoryl dichloride (677-43-0);
N,N-dimetyyliaminofosforyylidikloridi (677-43-0)
Triisopropyl phosphite (116-17-6);
Tri-isopropyylifosfiitti (116-17-6)
Ethyldiethanolamine (139-87-7);
Etyylidietanoliamiini (139-87-7)
O,O-Diethyl phosphorothioate (2465-65-8);
O,O-dietyylifosforotioaatti (2465-65-8)
O,O-Diethyl phosphorodithioate (298-06-6);
O,O-dietyylifosforoditioaatti (298-06-6)
Sodium hexafluorosilicate (16893-85-9);
Natriumheksafluorisilikaatti (16893-85-9)
Methylphosphonothioic dichloride (676-98-2).
Metyylifosfonotiohappodikloridi (676-98-2).
Note 1: For exports to "States not Party to the Chemical Weapons Convention", 1C350 does not control "chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entries 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 and .63 in which no individually specified chemical constitutes more than 10 % by the weight of the mixture.
Huom. 1: Kemiallisia aseita koskevaan yleissopimukseen kuulumattomiin valtioihin vietävien tuotteiden osalta 1C350 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "kemiallisia seoksia", jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C350 kohdan 1, 3, 5, 11, 12, 13, 17, 18, 21, 22, 26, 27, 28, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 54, 55, 56, 57 ja 63 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 10 painoprosenttia kyseisestä seoksesta.
Note 2: For exports to "States Party to the Chemical Weapons Convention", 1C350 does not control "chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entries 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 and .63 in which no individually specified chemical constitutes more than 30 % by the weight of the mixture.
Huom. 2: Kemiallisia aseita koskevaan yleissopimukseen kuuluviin valtioihin vietävien tuotteiden osalta 1C350 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "kemiallisia seoksia", jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C350 kohdan 1, 3, 5, 11, 12, 13, 17, 18, 21, 22, 26, 27, 28, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 54, 55, 56, 57 ja 63 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 30 painoprosenttia kyseisestä seoksesta.
Note 3: 1C350 does not control "chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entries 1C350 .2, .6, .7, .8, .9, .10, .14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .39, .40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52, .53, .58, .59, .60, .61 and .62 in which no individually specified chemical constitutes more than 30 % by the weight of the mixture.
Huom. 3: 1C350 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "kemiallisia seoksia", jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C350 kohdan 2, 6, 7, 8, 9, 10, 14, 15, 16, 19, 20, 24, 25, 30, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 58, 59, 60, 61 ja 62 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 30 painoprosenttia kyseisestä seoksesta.
Rift Valley fever virus;
Rift Valley -kuumevirus;
White pox;
White pox -virus;
Lumpy skin disease virus;
Lumpy skin -tautivirus;
Genetic elements and genetically modified organisms, as follows:
Seuraava geneettinen materiaali ja geneettisesti muunnetut organismit:
See 1C350 for ethyldiethanolamine (139-87-7);
etyylidietanoliamiinin (139-87-7) osalta katso 1C350 kohta,
Note 3: 1C450 does not control "chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entry 1C450.b.8. in which no individually specified chemical constitutes more than 30 % by the weight of the mixture.
Huom. 3: 1C450 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "kemiallisia seoksia", jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C450.b.8 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 30 painoprosenttia kyseisestä seoksesta.
"Technology" for the design or "production" of the following base materials or non-"composite" ceramic materials:
"Teknologia" seuraavien perusmateriaalien tai ei-"komposiittisten" keraamisten materiaalien suunnittelua tai "tuotantoa" varten:
5000 ppm for complex compounds or single nitrides; and
5000 ppm kompleksisissa yhdisteissä tai yksinkertaisissa nitrideissä; ja
Other base materials with an average particle size equal to or less than 5 μm and no more than 10 % of the particles larger than 10 μm; or
Muu perusmateriaali, jonka keskimääräinen hiukkaskoko on 5 μm tai vähemmän ja korkeintaan 10 prosenttia hiukkasista on kooltaan suurempia kuin 10 μm; tai
Non-"composite" ceramic materials composed of the materials described in 1E002.c.1.;
Keraamiset ei-"komposiitti"materiaalit, jotka koostuvat 1E002.c.1 kohdassa kuvatuista materiaaleista;
Note: 1E002.f. does not control "technology" for the repair of "civil aircraft" structures using carbon "fibrous or filamentary materials" and epoxy resins, contained in aircraft manufacturers' manuals.
Huom.: 1E002.f kohta ei aseta valvonnanalaiseksi siviililentokoneiden rakenteiden korjaamiseen tarvittavaa "teknologiaa", jossa käytetään hiili"kuitu- tai -säiemateriaaleja" ja hartseja, jotka sisältyvät lentokonevalmistajan käsikirjoihin.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 1A002, 1A202, 1A225 to 1A227, 1B201, 1B225 to 1B233, 1C002.b.3. or b. 4., 1C010.b., 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 to 1C240 or 1D201.
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1A002, 1A202, 1A225–1A227, 1B201, 1B225–1B233, 1C002.b.3 tai b.4, 1C010.b, 1C202, 1C210, 1C216, 1C225–1C240 tai 1D201 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.
A rotary axis can be driven by a linear device (e.g., a screw or a rack-and-pinion).
Pyörivää akselia voi käyttää lineaarinen laite (esim. ruuvi tai hammastanko).
For the purposes of 2B, the number of axes which can be co-ordinated simultaneously for "contouring control" is the number of axes along or around which, during processing of the workpiece, simultaneous and interrelated motions are performed between the workpiece and a tool.
kohdassa niiden akseleiden määrä, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa", on niiden akseleiden määrä, joita pitkin tai joiden ympäri suoritetaan työkappaleen prosessoinnin aikana samanaikaisia ja toisiinsa liittyviä työkappaleen ja työkalun välisiä liikkeitä.
This does not include any additional axes along or around which other relative movement within the machine are performed such as:
Tähän eivät sisälly muut akselit, joita pitkin tai joiden ympäri suoritetaan muita suhteellisia liikkeitä koneen sisällä, kuten:
Crankshafts or camshafts;
Kampiakselit tai nokka-akselit;
Note 3: A machine tool having at least two of the three turning, milling or grinding capabilities (e.g., a turning machine with milling capability), must be evaluated against each applicable entry 2B001.a., b. or c.
Huom. 3: Työstökone, jolla on ainakin kaksi kaikkiaan kolmesta sorvaamista, jyrsintää ja hiontaa koskevasta ominaisuudesta (esim. sorvaamiskone, jossa on jyrsintäominaisuus), on arvioitava kunkin sovellettavan kohdan 2B001a, b tai c osalta.
Positioning accuracy with "all compensations available" equal to or less (better) than 4 μm according to ISO 230/2 (1988) [1] Manufacturers calculating positioning accuracy in accordance with ISO 230/2 (1997) should consult the competent authorities of the Member State in which they are established.
Paikannustarkkuus "kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen" on saman suuruinen, tai vähemmän (parempi) kuin 4 mikrometriä ISO 230/2:n [1] Valmistajien, jotka laskevat paikannustarkkuustasoja ISO 230/2:n (1997) mukaisesti, olisi neuvoteltava sen jäsenvaltion toimivaltaisten viranomaisten kanssa, johon ne ovat sijoittautuneet.
Numerically controlled machine tools using a magnetorheological finishing (MRF) process equipped to produce non-spherical surfaces and having any of the following characteristics:
Numeerisesti ohjatut työstökoneet, joissa käytetään magnetoreologista viimeistelyprosessia (MRF) ja jotka on varustettu tuottamaan ei-pallomaisia pintoja ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Finishing the form to less (better) than 1.0 μm; or
Muodon viimeistely alle (paremmaksi kuin) 1,0 μm:iin; tai
Finishing to a roughness less (better) than 100 nm rms.
Karheuden viimeistely alle (paremmaksi kuin) 100 nm rms:iin.
A controlled thermal environment exceeding 1773 K (1500 °C); or
Säädettävä lämpötila ylittää 1773 K (1500 °C); astetta; tai
Ion implantation production equipment having beam currents of 5 mA or more;
Ioni-istutustuotantolaitteet, joiden ionisuihkun virta on 5 mA tai enemmän;
Electron beam physical vapour deposition (EB-PVD) production equipment incorporating power systems rated for over 80 kW, having any of the following:
Tuotantolaitteet elektronisuihkun avulla tapahtuvaa fysikaalista kaasufaasipinnoitusta varten (EB-PVD), joihin sisältyvien tehojärjestelmien nimellisteho ylittää 80 kW ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A liquid pool level "laser" control system which regulates precisely the ingots feed rate; or
Nestelähteen pinnan "laser"säätöjärjestelmä, joka tarkasti ohjaa tankojen syöttönopeutta; tai
Plasma spraying production equipment having any of the following characteristics:
Plasmaruiskutustuotantolaitteet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Sputter deposition production equipment capable of current densities of 0,1 mA/mm2 or higher at a deposition rate of 15 μm/h or more;
Sputterointituotantolaitteet, joiden virtatiheys voi olla 0,1 mA/mm2 tai suurempi, kun pinnoitusnopeus on 15 μm tunnissa tai suurempi;
Cathodic arc deposition production equipment incorporating a grid of electromagnets for steering control of the arc spot on the cathode;
Katodikaaripinnoitustuotantolaitteet, jotka sisältävät sähkömagneeteista koostuvan hilan kaaren pisteen ohjaamiseksi katodilla;
Chemical vapour deposition (CVD) furnaces, other than those specified in 2B005.a., designed or modified for the densification of carbon-carbon composites.
Muut kuin 2B005.a kohdassa määritellyt uunit kemiallista kaasufaasipinnoitusta (CVD) varten, jotka on suunniteltu tai muunnettu hiili-hiilikomposiittien tiivistämiseen.
Vibration test systems employing feedback or closed loop techniques and incorporating a digital controller, capable of vibrating a system at an acceleration equal to or greater than 10 g rms between 20 Hz and 2 kHz and imparting forces equal to or greater than 50 kN, measured 'bare table';
Tärinäntestausjärjestelmät, joissa käytetään takaisinkytkentä- tai suljetun silmukan tekniikkaa, joissa on digitaalinen ohjain, jolla koejärjestelmää voidaan tärisyttää 10 g:n rms tai suuremmalla kiihdytysarvolla 20 Hz–2 kHz:n taajuusalueella ja tuottaa 50 kN:n tai sitä suurempia voimia 'paljaalla alustalla' mitattuna;
Positioning accuracies with "all compensations available" equal to or less (better) than 6 μm according to ISO 230/2 (1988) [1] Manufacturers calculating positioning accuracy in accordance with ISO 230/2 (1997) should consult the competent authorities of the Member State in which they are established.
Paikannustarkkuus "kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen" on saman suuruinen tai vähemmän (parempi) kuin 6 μm ISO 230/2:n (1988) [1] Valmistajien, jotka laskevat paikannustarkkuustasoja ISO 230/2:n (1997) mukaisesti, olisi neuvoteltava sen jäsenvaltion toimivaltaisten viranomaisten kanssa, johon ne ovat sijoittautuneet. tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltynä minkä tahansa lineaarisen akselin suuntaan; tai
Positioning accuracies with "all compensations available" equal to or less (better) than 4 μm according to ISO 230/2 (1988) [1] Manufacturers calculating positioning accuracy in accordance with ISO 230/2 (1997) should consult the competent authorities of the Member State in which they are established.
Paikannustarkkuus "kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen" on saman suuruinen tai vähemmän (parempi) kuin 4 μm ISO 230/2:n (1988) [1] Valmistajien, jotka laskevat paikannustarkkuustasoja ISO 230/2:n (1997) mukaisesti, olisi neuvoteltava sen jäsenvaltion toimivaltaisten viranomaisten kanssa, johon ne ovat sijoittautuneet.
Capable of achieving a maximum working pressure of 69 MPa or greater; and
kykenevät saavuttamaan 69 MPa:n tai suuremman maksimitoimintapaineen;
A one-dimensional length "measurement uncertainty" equal to or less (better) than (1,25 + L/1000) μm tested with a probe of an "accuracy" of less (better) than 0,2 μm (L is the measured length in millimetres) (Ref.: VDI/VDE 2617 Parts 1 and 2);
Yhden dimension pituuden "mittauksen epävarmuus" (1,25 + L/1000) μm tai pienempi (parempi) testattuna anturilla, jonka "tarkkuus" on pienempi (parempi) kuin 0,2 μm (L on mitattu pituus millimetreinä); (Viite: VDI/VDE 2617 Osat 1 ja 2);
Systems for simultaneous linear-angular inspection of hemishells, having both of the following characteristics:
Lineaarisen ja kulmasiirtymän samanaikaiseen tarkasteluun kykenevät järjestelmät, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
i. Multiple-seal, and seal-less pumps, with manufacturer's specified maximum flow-rate greater than 0,6 m3/hour, or vacuum pumps with manufacturer's specified maximum flow-rate greater than 5 m3/hour (under standard temperature (273 K (0 °C)) and pressure (101,3 kPa) conditions); and casings (pump bodies), preformed casing liners, impellers, rotors or jet pump nozzles designed for such pumps, in which all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:
i. Monitiivisteiset ja tiivisteettömät pumput, joiden valmistajan ilmoittama maksimivirtausnopeus on suurempi kuin 0,6 m3/h, tai vakuumipumput, joiden valmistajan ilmoittama maksimivirtausnopeus on suurempi kuin 5 m3/h (vakiolämpötilassa (0 °C, 273 K astetta) ja -ilmanpaineessa (101,30 kPa)), ja tällaisissa pumpuissa käytettävät rungot (pumppujen rungot), muotoon puristetut runkotiivisteet, juoksupyörät, roottorit tai suihkupumppusuuttimet, joissa kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
"Teknologia" lentokoneen runkorakenteiden valmistukseen tarkoitettujen hydraulisten venytysmuovauskoneiden ja niiden muottien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten;
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
"Teknologia" valmistusosaston toimintojen kehittyneen päätöksenteon tukemiseksi "numeerisiin ohjaus" yksiköihin asiantuntijajärjestelmiä sisällyttävien integrointi"ohjelmistojen""kehittämistä" varten;
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
"Teknologia" Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119–2B122 tai 2D101 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen""käyttöä" varten.
Deposition techniques
Pinnoitustekniikat
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporisation
"Laser" - PVD
Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
Hiilletyslaatikko-karkaisu (katso edellä kohta A. muun kuin laatikko-karkaisun osalta) (10)
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
Kromi-, tantaali- tai niobium-(Columbium)lisäaineet
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
Termi 'korroosionkestävä teräs' tarkoittaa AISI (American Iron and Steal Institute) 300 -sarjaa tai vastaavia kansallisia standarditeräksiä.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
Dielektriset kerrokset tarkoittavat enemmän kuin neljää dielektristä kerrosta tai dielektristä/metalli"komposiitti" kerrosta.
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
'Volframikarbidikovametalli' ei sisällä lastuamis- ja muovaustyökalumateriaaleja, joilla on seuraava koostumus: volframikarbidi/(koboltti, nikkeli), titaanikarbidi/(koboltti, nikkeli), kromikarbidi/nikkeli-kromi tai kromikarbidi/nikkeli.
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
Elektronisuihku-PVD-prosessissa käytetään elektronisuihkua kuumentamaan ja höyrystämään pinnoitteen muodostavaa materiaalia.
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
Ioniavusteinen resistiivinen-kuumennus-PVD-prosessissa käytetään resistiivisiä kuumennuslähteitä yhdessä iskeytyvän(-vien) ionisäte(id)en kanssa tuottamaan kontrolloidun ja yhtenäisen höyrystyneiden pinnoiteaineksien vuon.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Substraatin (jännite)biassointia käytetään näkymättömissä tapahtuvaan pinnoitukseen.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Ioni-pinnoitus (-PVD) on TE-PVD-prosessin muunnos, jossa plasma- tai ionilähdettä käytetään ionisoimaan pinnoitettavia aineksia ja negatiivinen biasjännite johdetaan substraattiin pinnoitusaineksien erottamiseksi plasmasta.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Ioni-istutus on pinnan muunnospinnoitusprosessi, jossa seostettava elementti ionisoidaan, kiihdytetään potentiaaligradientin läpi ja istutetaan substraatin pinnan tietylle alueelle.
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Neutronien integroitua vuontiheyttä (1 MeV:n vastaavuus), joka on 5 × 1013 n/cm2 tai enemmän piin osalta tai sitä vastaavan aineen osalta muiden materiaalien ollessa kyseessä.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
"Mikroprosessoripiirit", "mikrotietokonepiirit" ja mikro-ohjainpiirit, jotka on valmistettu yhdistepuolijohteesta ja toimivat kellotaajuudella, joka ylittää 40 MHz;
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
Resoluutio 8 bittiä tai enemmän mutta alle 10 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 500 miljoonaa sanaa sekunnissa;
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
Resoluutio 10 bittiä tai enemmän mutta alle 12 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 200 miljoonaa sanaa sekunnissa;
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 50 million words per second;
Resoluutio 12 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 50 miljoonaa sanaa sekunnissa;
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 5 million words per second; or;
Resoluutio yli 12 bittiä mutta enintään 14 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 5 miljoonaa sanaa sekunnissa; tai
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 1 million words per second;
Resoluutio yli 14 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 1 miljoona sanaa sekunnissa;
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
Ulostulonopeus on muuntimen maksimiulostulonopeus arkkitehtuurista tai ylinäytteistyksestä riippumatta.
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
Myyjä voi kutsua ulostulonopeutta myös näytteenottonopeudeksi, muunnosnopeudeksi tai suoritusnopeudeksi.
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
Ulostulonopeuden mittaamisessa yksi ulostuleva sana sekunnissa vastaa yhtä hertsiä tai yhtä näytettä sekunnissa.
One or more than one internal "laser" diode;
Yksi tai useampi sisäinen "laser"diodi;
One or more than one internal light detecting element; and
Yksi tai useampi sisäinen valoa ilmaiseva elementti; ja
Field programmable logic devices having any of the following:
Käyttäjäohjelmoitavat logiikkapiirit, joilla on jokin seuraavista:
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2N)/20480 ms, where N is the number of points;
Nopea-Fourier-muunnos-prosessorit (FFT), joiden nimellinen suoritusaika N:n pisteen kompleksiselle FFT-muunnokselle on vähemmän kuin (N log2 N)/20480 ms, jossa N on pisteiden lukumäärä;
Note 1: 3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
Huom. 1: 3A001.b.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi putkia, jotka on suunniteltu tai mitoitettu toimimaan taajuuskaistalla, joka täyttää kaikki seuraavat ominaisuudet:
An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
"Hetkellinen kaistanleveys" on yksi oktaavia tai alle ja nimellisen keskimääräisen lähtötehon (kilowatteina) ja maksimitoimintataajuuden (gigahertseinä) tulo on enemmän kuin 1; tai
Note 2: The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Huom. 2: Niiden MMIC-piirien valvonta-asema, joiden nimelliseen toimintataajuuteen sisältyvät taajuudet, jotka on lueteltu useammalla kuin yhdellä taajuusalueella, sellaisina kuin ne on määritelty 3A001.b.2.a– 3A001.b.2.f kohdassa, määräytyy alimman keskimääräisen lähtötehon valvontakynnyksen mukaan.
Discrete microwave transistors having any of the following:
Erillismikroaaltotransistorit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Note: The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Huom.: Niiden transistorien valvonta-asema, joiden nimelliseen toimintataajuuteen sisältyvät taajuudet, jotka on lueteltu useammalla kuin yhdellä taajuusalueella, sellaisina kuin ne on määritelty 3A001.b.3.a– 3A001.b.3.e kohdassa, määräytyy alimman keskimääräisen lähtötehon valvontakynnyksen mukaan.
Rated for operation at frequencies above 3.2 GHz and having all of the following:
Ne toimivat yli 3,2 GHz:n taajuuksilla ja niillä on kaikki seuraavista ominaisuuksista:
GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3.2 GHz and below [d≤ 15 cm*GHz/3.2 GHz].
Tekn. huom.: Arvoa 3,2 GHz olisi käytettävä alimpana toimintataajuutena (fGHz) 3A001.b.4.f.3 kohdan kaavassa niiden vahvistimien osalta, joiden nimellinen toiminta-alue ulottuu alaspäin arvoon 3,2 GHz ja sen alle [d≤15 cm*GHz/3,2 GHz].