natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
Kykenevät tuottamaan kuvioita, joiden viivaleveys on vähemmän kuin 1 μm; tai
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
Kohdistustarkkuus on parempi kuin ± 0,20 μm (3 sigmaa).
Masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
Maskit tai retikkelit, jotka on suunniteltu 3A001 kohdassa määriteltyjä integroituja piirejä varten;
Multi-layer masks with a phase shift layer.
Monikerrosmaskit, joissa on vaihesiirtokerros.
Note: 3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Huom.: 3B001.h kohta ei aseta valvonnanalaiseksi monikerrosmaskeja, joissa on vaihesiirtokerros ja jotka on suunniteltu sellaisten muistilaitteiden valmistukseen, joita ei aseteta valvonnanalaiseksi 3A001 kohdassa.
"Stored programme controlled" test equipment, specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Seuraavat "ohjelmallisesti ohjatut" testauslaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu valmiiden tai puolivalmiiden puolijohteiden ja erityisesti niitä varten suunniteltujen komponenttien ja tarvikkeiden testaamiseen:
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Laitteet transistorien S-parametrien testaukseen yli 31,8 GHz:n alueella;
For testing integrated circuits capable of performing functional (truth table) testing at a 'pattern rate' of more than 667 MHz;
Integroitujen piirien ja niistä muodostuvien kokoonpanojen testauslaitteet, jotka kykenevät suorittamaan toiminnallista (totuustaulu-) testausta yli 667 MHz:n 'bittikuvionopeudella';
Note: 3B002.b. does not control test equipment specially designed for testing:
Huom.: 3B002.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi laitteita, jotka on erityisesti suunniteltu testaamaan:
"Electronic assemblies" or a class of "electronic assemblies" for home or entertainment applications;
Koti- tai viihdekäyttöön tarkoitettujen laitteiden "elektronisia kokoonpanoja" tai "kokoonpano"luokkia;
Uncontrolled electronic components, "electronic assemblies" or integrated circuits;
Valvonnan ulkopuolisia "elektronisia komponentteja", "elektronisia kokoonpanoja" tai integroituja piirejä;
Memories.
Muistit
For the purpose of this entry,' pattern rate' is defined as the maximum frequency of digital operation of a tester.
Tässä kohdassa 'bittikuvionopeudella' tarkoitetaan testauslaitteen digitaalisen toiminnan suurinta taajuutta.
It is therefore equivalent to the highest data rate that a tester can provide in non-multiplexed mode.
Näin ollen se vastaa suurinta tietonopeutta, jonka testauslaite voi saavuttaa muussa kuin multipleksoidussa toimintatilassa.
It is also referred to as test speed, maximum digital frequency or maximum digital speed.
Se tunnetaan myös nimillä testinopeus, suurin digitaalinen taajuus ja suurin digitaalinen nopeus.
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Laitteet 3A001.b.2 kohdassa määriteltyjen integroitujen mikroaaltopiirien testaukseen.
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Hetero-epitaksimateriaalit, jotka koostuvat "substraatista", jonka päälle on epitaksiasti kasvatettu useita kerroksia seuraavia aineita:
Silicon;
Pii;
III/V compounds of gallium or indium.
Galliumin tai indiumin III/V-yhdisteet.
III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide).
III/V-yhdisteet ovat monikiteisiä valmisteita tai binaarisia tai kompleksisia yksikiteisiä valmisteita, jotka koostuvat Mendelejevin jaksollisen luokitustaulun ryhmien IIIA ja VA alkuaineista (esim. galliumarsenidi, galliumalumiiniarsenidi, indiumfosfidi).
Resist materials, as follows, and "substrates" coated with controlled resists:
Seuraavat estopinnoitemateriaalit ja valvonnanalaisilla estopinnoitemateriaaleilla pinnoitetut "substraatit":
Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 350 nm;
Positiiviestopinnoitteet, joiden spektrivaste on erityisesti sovitettu (optimoitu) alle 350 nm:n aallonpituuksille;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Kaikki estopinnoitteet, jotka on tarkoitettu käytettäväksi elektroni- tai ionisuihkun kanssa ja joiden herkkyys on 0,01 mikrocoulombia/mm2 tai parempi;
All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
Kaikki röntgenestopinnoitteet, joiden herkkyys on 2,5 mJ/mm2 tai parempi;
All resists optimised for surface imaging technologies, including 'silylated' resists.
Kaikki pintakuvausteknologiaa varten optimoidut estopinnoitteet, ’piitetyt’ resistit mukaan lukien.
'Silylation' techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
'Piittämis'tekniikka on prosessi, jossa käytetään estopinnoitteen pinnan oksidointia parantamaan sen ominaisuuksia sekä märkä- että kuivakehityksessä.
Organo-inorganic compounds, as follows:
Seuraavat orgaanis-epäorgaaniset yhdisteet:
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Metalliorgaaniset alumiini-, gallium- tai indiumyhdisteet, joiden (perusmetallin) puhtaus (metalleista) on parempi kuin 99,999 %;
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Arseeniorgaaniset, antimoni-orgaaniset ja fosfori-orgaaniset yhdisteet, joiden puhtaus (epäorgaanisista aineista) on parempi kuin 99,999 %.
Note: 3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Huom.: 3C003 kohta asettaa valvonnanalaiseksi vain yhdisteet, joiden metallinen, osittain metallinen tai ei-metallinen elementti on suoraan liittynyt hiileen molekyylin orgaanisessa osassa.
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
Fosfori-, arseeni- tai antimonihydridit, joiden puhtaus on parempi kuin 99,999 %, myös jalokaasuilla tai vedyllä laimennettuina.
Note: 3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Huom.: 3C004 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi hydridejä, jotka sisältävät 20 mooliprosenttia tai enemmän jalokaasuja tai vetyä.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 3A001.b–3A002.g tai 3B kohdassa määriteltyjen laitteiden "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten.
"Software" specially designed for the "use" of any of the following:
"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu jonkin seuraavista "käyttöä" varten:
Equipment specified in 3B001.a. to f.; or
3B001.a–f kohdassa tarkoitetut laitteet; tai
Equipment specified in 3B002.
3B002 kohdassa tarkoitetut laitteet.
Physics-based simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Fysiikkapohjaiset simulaatio-"ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu sellaisten litografia-, syövytys- ja pinnoitusprosessien "kehittämiseen", jotka muuntavat maskin kuviot erityisiksi topografisiksi johtimien, eristeiden ja puolijohdemateriaalien kuvioiksi.
'Physics-based' in 3.D.3. means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
'Fysiikkapohjaisella' tarkoitetaan 3D003 kohdassa laskelmien käyttämistä fysikaalisten syy ja seuraus -tapahtumien jakson määrittämiseen fysikaalisten ominaisuuksien perusteella (esimerkiksi lämpötila, paine, diffuusiovakiot ja puolijohdemateriaalien ominaisuudet).
Note: Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Huom.: Kirjastot, suunnitteluparametrit sekä niihin liittyvät tiedot puolijohdekomponenttien ja integroitujen piirien suunnittelua varten käsitetään "teknologiaksi".
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 3A003 kohdassa määriteltyjen laitteiden "kehittämistä" varten.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
"Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 3A101.b kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A, 3B tai 3C kohdassa määriteltyjen laitteiden ja materiaalien "kehittämistä" ja "tuotantoa" varten.
Note 1: 3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Huom. 1: 3E001 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi 3A003 kohdassa valvottujen laitteiden tai komponenttien "tuotantoa" varten tarvittavaa teknologiaa.
Note 2: 3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Huom. 2: 3E001 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi sellaisten 3A001.a.3–3A001.a.12 kohtien mukaan valvonnanalaisten integroitujen piirien, "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten tarvittavaa "teknologiaa", joilla on seuraavat ominaisuudet:
Using "technology" of 0,5 μm or more, and
Perustuvat 0,5:n mikrometrin tai karkeampaan "teknologiaan"; ja
Not incorporating 'multi-layer structures'.
Eivät sisällä 'monikerrosrakenteita'.
The term "multi-layer structures" does not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
Termi 'monikerrosrakenteet' ei sisällä komponentteja, joissa on korkeintaan kolme metallikerrosta ja kolme monikiteistä piikerrosta.
"Technology" according to the General Technology Note other than that specified in 3E001 for the "development" or "production" of "microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits having a "composite theoretical performance" ("CTP") of 530 million theoretical operations per second (Mtops) or more and an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more.
Muu kuin 3E001 kohdassa määritelty "teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti sellaisten "mikroprosessoripiirien", "mikrotietokonepiirien" ja mikro-ohjainpiirien "kehittämistä" ja "tuotantoa" varten, joiden "yhdistetty teoreettinen tehokkuus" ("CTP") on 530 miljoonaa teoreettista operaatiota sekunnissa (Mtops) tai enemmän ja joiden aritmeettisloogisen yksikön hakuleveys on 32 bittiä tai enemmän.
Note: Decontrol note 2 to 3E001 also applies to 3E002.
Huom.: 3E001 kohtaa koskeva valvonnan soveltamatta jättämistä koskeva huomautus 2 koskee myös 3E002 kohtaa.
Other "technology" for the "development" or "production" of:
Muu "teknologia" seuraavien komponenttien "kehittämistä" ja "tuotantoa" varten:
Vacuum microelectronic devices;
Tyhjö-mikroelektroniset komponentit;
Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
Heterorakenteiset puolijohdekomponentit, kuten korkean elektroniliikkuvuuden transistorit (HEMT), heterobipolaaritransistorit (HBT), kvanttikuoppa- tai superhilakomponentit;
Note: 3E003.b. does not control technology for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Huom.: 3E003.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi teknologiaa alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia HEMT-transistoreja varten ja alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia heteroliitosbipolaaritransistoreja (HBT) varten.
"Superconductive" electronic devices;
"Suprajohtavat" elektroniset komponentit.
Substrates of films of diamond for electronic components;
Elektronisten komponenttien timanttifilmisubstraatit.
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
Piieristyssubstraatit integroiduille piireille, joissa eristysaineena on piidioksidi.
Substrates of silicon carbide for electronic components;
Piikarbidisubstraatit elektronisille komponenteille.
Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
Elektroniset tyhjöputket, jotka toimivat 31,8 GHz:n tai suuremmilla taajuuksilla.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101 or 3D101.
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A001.a.1 tai 2, 3A101 tai 3D101 kohdassa määriteltyjen laitteiden ja "ohjelmistojen""käyttöä" varten.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3D101 kohdassa määriteltyjen "ohjelmistojen""kehittämistä" varten.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A201, 3A225 to 3A233.
"Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A201, 3A225–3A233 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.
CATEGORY 4
RYHMÄ 4
COMPUTERS
TIETOKONEET
Note 1: Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Huom. 1: Tietokoneet, niihin liittyvät laitteet tai "ohjelmistot", jotka suorittavat tietoliikenteen tai "paikallisverkon" toimintoja, tulee arvioida myös 5 ryhmän 1 osa (Tietoliikenne) toimintaparametreja vasten.
Note 2: Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Huom. 2: Ohjausyksiköitä, jotka yhdistävät suoraan keskusyksikön, "keskusmuistin" tai levyohjaimien väyliä tai kanavia, ei katsota 5 ryhmän 1 osa (Tietoliikenne) määrittelemiksi tietoliikennelaitteiksi.
N.B.: For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
Huom.: Pakettikytkentää varten erityisesti suunniteltujen "ohjelmistojen" valvonnanalaisuus: katso 5D001 kohta.
Note 3: Computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").
Huom. 3: Tietokoneet, niihin liittyvät laitteet tai "ohjelmistot", jotka suorittavat salausta, salauksen analysointia tai sertifioitavissa olevaa monitasoista turvallisuuden valvontaa tai sertifioitavissa olevaa käyttöoikeuden rajaamista tai jotka rajoittavat sähkömagneettista mukautuvuutta (EMC), tulee arvioida myös 5 ryhmän 2 osa ("Tiedon suojaus") toimintaparametreja vasten.
Electronic computers and related equipment, as follows, and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
Seuraavat elektroniset tietokoneet ja niihin liittyvät laitteet sekä niitä varten erityisesti suunnitellut "elektroniset kokoonpanot" ja komponentit:
N.B.: SEE ALSO 4A101.
Huom.: KATSO MYÖS 4A101 KOHTA.
Specially designed to have any of the following characteristics:
Jotka on erityisesti suunniteltu niin, että niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C);
Mitoitettu toimimaan ympäröivässä lämpötilassa alle 228 K (– 45 °C) astetta tai yli 358 K (85 °C) astetta;
Note: 4A001.a.1. does not apply to computers specially designed for civil automobile or railway train applications.
Huom.: 4A001.a.1 kohta ei koske siviiliajoneuvo- tai -rautatiesovelluksiin erityisesti suunniteltuja tietokoneita.
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
Kestävät säteilyä yli jonkin seuraavista rajoista:
Total Dose 5 × 103 Gy (silicon);
Kokonaisannos 5 × 103 Gy (Pii);
Dose Rate Upset 5 × 106 Gy (silicon)/s; or
Annosnopeus 5 × 106 Gy (Pii)/s; tai
Single Event Upset 1 × 10–7 Error/bit/day;
Kertahäiriö 1 × 10-7 virhettä/bit/vrk;
Having characteristics or performing functions exceeding the limits in Category 5, Part 2 ("Information Security").
Joilla on 5 ryhmän 2 osassa ("Tiedon suojaus") määritellyt rajat ylittäviä ominaisuuksia tai toimintoja.
Note: 4A001.b. does not control electronic computers and related equipment when accompanying their user for the user's personal use.
Huom.: 4A001.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi elektronisia tietokoneita ja niihin liittyviä laitteita, kun käyttäjällä on ne mukanaan henkilökohtaista käyttöä varten.
"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows, and specially designed components therefor:
Seuraavat "digitaaliset tietokoneet", "elektroniset kokoonpanot" ja niihin liittyvät laitteet sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
Note 1: 4A003 includes the following:
Huom. 1: 4A003 kohta sisältää seuraavat:
Vector processors;
Vektoriprosessorit;
Array processors;
Matriisiprosessorit;
Digital signal processors;
Digitaaliset signaaliprosessorit;
Logic processors;
Logiikkaprosessorit;
Equipment designed for "image enhancement";
Laitteet "kuvan laadun parantamista" varten;
Equipment designed for "signal processing".
Laitteet "signaalinkäsittelyä" varten.
Note 2: The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
Huom. 2: Muihin laitteisiin tai järjestelmiin sisältyvien 4A003 kohdassa kuvattujen "digitaalisten tietokoneiden" ja niihin liittyvien laitteiden valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden tai järjestelmien valvonnanalaisuuden mukaan edellyttäen, että:
The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
"Digitaaliset tietokoneet" tai niihin liittyvät laitteet ovat näiden muiden laitteiden tai järjestelmien toiminnan kannalta välttämättömiä;
The "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
"Digitaaliset tietokoneet" tai niihin liittyvät laitteet eivät ole näiden muiden laitteiden tai järjestelmien olennaisin osa; ja
The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
Huom. 1: Muita laitteita varten erityisesti suunniteltujen "signaalin käsittely"– tai "kuvan laatua parantavien" laitteiden valvonnanalaisuuden määrittelee näiden muiden laitteiden valvonnanalaisuus, vaikka ne ylittäisivätkin olennaisimman osan kriteerin, mikäli ne suorittavat vain näiden muiden laitteiden vaatimia toimintoja.
For the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Huom. 2: Tietoliikenteessä käytettävien "digitaalisten tietokoneiden" ja niihin liittyvien laitteiden valvonnanalaisuus: katso 5 ryhmä 1 osa (Tietoliikenne).
The "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E.
"Digitaalisten tietokoneiden" ja niihin liittyvien laitteiden "teknologia" on määritelty 4E kohdassa.
Designed or modified for "fault tolerance";
Jotka on suunniteltu tai muunnettu "vikasietoisiksi";
Note: For the purposes of 4A003.a., "digital computers" and related equipment are not considered to be designed or modified for "fault tolerance" if they utilise any of the following:
Huom.: 4A003.a kohdan tarkoituksia varten ei "digitaalisia tietokoneita" tai niihin liittyviä laitteita katsota suunnitelluiksi tai muunnetuiksi "vikasietoisiksi", jos ne käyttävät:
Error detection or correction algorithms in "main storage";
"Keskusmuistin" virheenpaljastus- tai virheenkorjausalgoritmeja;
The interconnection of two "digital computers" so that, if the active central processing unit fails, an idling but mirroring central processing unit can continue the system's functioning;
Kahden "digitaalisen tietokoneen" välistä kytkentää siten, että aktiivisen keskusyksikön pettäessä vapaana oleva ja sen toimintaa peilaava keskusyksikkö voi jatkaa järjestelmän toimintaa;
The interconnection of two central processing units by data channels or by use of shared storage to permit one central processing unit to perform other work until the second central processing unit fails, at which time the first central processing unit takes over in order to continue the system's functioning; or
Kahden keskusyksikön välistä tiedonsiirtokytkentää tai yhteistä muistiyksikköä siten, että yksi keskusyksikkö voi suorittaa muita tehtäviä kunnes toinen keskusyksikkö pettää, jolloin ensinmainittu ottaa hoitaakseen järjestelmän toiminnan; tai
The synchronisation of two central processing units by "software" so that one central processing unit recognises when the other central processing unit fails and recovers tasks from the failing unit.
Kahden keskusyksikön synkronointia "ohjelmistojen" avulla siten, että yksi keskusyksikkö huomaa milloin toinen pettää ja voi ottaa huolehtiakseen sen tehtävät.
"Digital computers" having a "composite theoretical performance" ("CTP") exceeding 190000 million theoretical operations per second (Mtops);
"Digitaaliset tietokoneet", joiden "yhteenlaskettu teoreettinen tehokkuus" ("CTP") ylittää 190000 miljoonaa teoreettista operaatiota sekunnissa (Mtops);
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of "computing elements" ("CEs") so that the "CTP" of the aggregation exceeds the limit in 4A003.b.;
Seuraavat "elektroniset kokoonpanot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu nostamaan tehokkuutta laskentayksiköitä ("CE") lisäämällä siten, että yhdistetty "yhteenlaskettu teoreettinen tehokkuus" ylittää 4A003.b kohdan rajan;
Note 1: 4A003.c. applies only to "electronic assemblies" and programmable interconnections not exceeding the limit in 4A003.b. when shipped as unintegrated "electronic assemblies".
Huom. 1: 4A003.c kohtaa sovelletaan ainoastaan kokoonpanoihin ja ohjelmoitaviin keskinäisiin kytkentöihin, jotka eivät ylitä 4A003.b kohdassa määriteltyä rajaa, kun ne toimitetaan erillisinä "elektronisina kokoonpanoina".
It does not apply to "electronic assemblies" inherently limited by nature of their design for use as related equipment specified in 4A003.d. or 4A003.e.
Sitä ei sovelleta "elektronisiin kokoonpanoihin", joiden rakenne rajoittaa niiden käytön 4A003.d tai 4A003.e kohdan määritteleminä liittyvinä laitteina.
Note 2: 4A003.c. does not control "electronic assemblies" specially designed for a product or family of products whose maximum configuration does not exceed the limit of 4A003.b.
Huom. 2: 4A003.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi tuotteita tai tuoteperheitä varten erityisesti suunniteltuja elektronisia kokoonpanoja, jotka maksimikokoonpanossaan eivät ylitä 4A003.b kohdan rajaa.
Equipment performing analogue-to-digital conversions exceeding the limits in 3A001.a.5.;
Laitteet, jotka suorittavat analogia-digitaalimuunnoksia tai digitaali-analogiamuunnoksia ja jotka ylittävät 3A001.a.5 kohdassa mainitut rajat;