natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Plasmaruiskutus on joko matalapaineessa tai suurinopeuksista plasmaruiskutusta.
1 Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Huom. 1: Matalapaineella tarkoitetaan alle ilmakehän painetta.
2 High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Huom. 2: Suurinopeuksisella tarkoitetaan kaasun lähtönopeutta suuttimesta, kun se ylittää 750 m/s laskettuna 20 °C (293 K) asteen lämpötilassa ja 0,1 MPa paineessa.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Lietepinnoitus on pinnan muunnos- tai pinnoitusprosessi, jossa orgaanisen aineen sitomaa metalli- tai keraamijauhetta riippuu nesteessä ja sumuttamalla, kastamalla tai maalaamalla se aikaansaadaan substraatille, jota seuraa ilmassa tai uunissa tapahtuva kuivaus sekä lämpökäsittely halutun pinnoitteen aikaansaamiseksi.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Sputterointi on pinnoitusprosessi, joka perustuu "liikemäärän siirto" -ilmiöön, jossa positiiviset ionit kiihdytetään sähkökentässä kohti pinnoitemateriaalin pintaa.
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Iskeytyvien ionien kineettinen energia on riittävä irroittamaan atomeja sen pinnasta ja pinnoittamaan sopivasti asetettua substraattia.
1 The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Huom. 1: Taulukko viittaa vain triodi-, magnetroni- tai reaktiiviseen sputterointiin, jota käytetään lisäämään pinnoitteen kiinnittymistä ja depositionopeutta ja radiotaajuudella voimistettuun sputterointiin, jota käytetään mahdollistamaan ei-metallisten pinnoitemateriaalien höyrystämisen.
2 Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Huom. 2: Matalaenergisiä (alle 5 keV) ionisäteitä voidaan käyttää aktivoimaan depositiota.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Ioni-istutus on pinnan muunnospinnoitusprosessi, jossa seostettava elementti ionisoidaan, kiihdytetään potentiaaligradientin läpi ja istutetaan substraatin pinnan tietylle alueelle.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
Tämä sisältää prosessit, joissa ioni-istutus suoritetaan samanaikaisesti elektronisuihku-PVD:llä tai sputteroinnilla.
CATEGORY 3
RYHMÄ 3
ELECTRONICS
ELEKTRONIIKKA
Note 1: The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Huom. 1: Sellaisten 3A001 tai 3A002 kohdassa kuvattujen laitteiden, kokoonpanojen ja komponenttien, 3A001.a.3–3A001.a.10 tai 3A001.a.12 kohdassa kuvattuja lukuun ottamatta, jotka on erityisesti suunniteltu, tai joilla on samat toiminnalliset ominaisuudet kuin jollain muulla laitteella, valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden mukaan.
Note 2: The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Huom. 2: 3A001.a.3–3A001.a.9 tai 3A001.a.12 kohdassa kuvattujen integroitujen piirien, jotka on ohjelmoitu ei-muutettavasti, tai jotka on suunniteltu erityistä toimintoa varten, valvonnanalaisuus määräytyy niiden muiden laitteiden mukaan, joita varten ne on tarkoitettu.
N.B.: When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Huom: Milloin valmistaja tai vientiluvan hakija ei pysty määrittelemään näiden muiden laitteiden valvonnanalaisuutta, valvonnanalaisuus määräytyy 3A001.a.3–3A001.a.9 tai 3A001.a.12 kohdan mukaan.
If the integrated circuit is a silicon-based "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit described in 3A001.a.3. having an operand (data) word length of 8 bit or less, the control status of the integrated circuit is determined in 3A001.a.3.
Jos integroitu piiri on piipohjainen 3A001.a.3 kohdassa kuvattu "mikrotietokonepiiri" tai mikro-ohjainpiiri, jonka operandin (tiedon) sanan pituus on 8 bittiä tai vähemmän, integroidun piirin valvonnanalaisuus määräytyy 3A001.a.3 kohdan mukaan.
Electronic components, as follows:
Elektroniset komponentit seuraavasti:
General purpose integrated circuits, as follows:
Seuraavat yleiskäyttöiset integroidut piirit:
Note 1: The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Huom. 1: (Valmiiden tai puolivalmiiden) piikiekkojen, joissa toiminto on määritelty, valvonnanalaisuus arvioidaan 3A001.a kohdan parametrien mukaan.
Note 2: Integrated circuits include the following types:
Huom. 2: Integroidut piirit sisältävät seuraavat tyypit:
"Monolithic integrated circuits";
"Monoliittiset integroidut piirit";
"Hybrid integrated circuits";
"Integroidut hybridipiirit";
"Multichip integrated circuits";
"Integroidut monipalapiirit";
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
"Integroidut kalvopiirit", integroidut pii-safiiripiirit mukaan lukien;
"Optical integrated circuits".
"Optiset integroidut piirit".
Integrated circuits, designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Integroidut piirit, jotka on suunniteltu tai mitoitettu kestämään jotakin seuraavista:
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
Säteilyä kokonaisannoksena 5 × 103 Gy (Pii) tai enemmän;
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
Säteilyä, jonka annosnopeus 5 × 106 Gy (Pii)/s tai enemmän; tai
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Neutronien integroitua vuontiheyttä (1 MeV:n vastaavuus), joka on 5 × 1013 n/cm2 tai enemmän piin osalta tai sitä vastaavan aineen osalta muiden materiaalien ollessa kyseessä
Note: 3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Huom.: 3A001.a.1.c kohtaa ei sovelleta metallieristepuolijohteisiin (MIS).
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
"Mikroprosessoripiirit", "mikrotietokonepiirit", mikro-ohjainpiirit, integroidut muistipiirit, jotka on valmistettu yhdistepuolijohteesta, analogia-digitaalimuuntimet, digitaali-analogiamuuntimet, sähköoptiset tai "optiset integroidut piirit""signaalinkäsittelyä" varten, käyttäjän ohjelmoitavat logiikkapiirit, integroidut hermoverkkopiirit, sellaiset asiakaskohtaiset integroidut piirit, joiden toiminta on tuntematon tai jotka on tarkoitettu laitteisiin, joiden valvonnanalaisuus on tuntematon, nopea Fourier-muunnos (FFT)-prosessorit, elektronisesti pyyhittävät ohjelmoitavat lukumuistit (EEPROMSit), pikamuistipiirit taikka staattiset luku-/kirjoitusmuistit (SRAMit), jotka on joko
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
suunniteltu toimimaan yli 398 K (125 °C) lämpötiloissa;
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
suunniteltu toimimaan alle 218 K (– 55 °C) lämpötiloissa; tai
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) et 398 K (125 °C);
mitoitettu toimimaan koko lämpötila-alueella 218 K (– 55 °C) – 398 K (125 °C);
Note: 3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Huom.: 3A001.a.2 kohta ei koske siviiliautoihin tai juniin tarkoitettuja integroituja piirejä.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, having any of the following characteristics:
"Mikroprosessoripiirit", "mikrotietokonepiirit" ja mikro-ohjainpiirit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Note: 3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Huom.: 3A001.a.3 kohta sisältää digitaaliset signaaliprosessorit, digitaaliset matriisiprosessorit ja digitaaliset apuprosessorit.
Not used;
Ei käytössä;
Manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz; or
Valmistettu yhdistepuolijohteesta ja toimii kellotaajuudella, joka ylittää 40 MHz; tai
More than one data or instruction bus or serial communication port that provides a direct external interconnection between parallel "microprocessor microcircuits" with a transfer rate exceeding 150 Mbyte/s;
Rinnakkaisten "mikroprosessoripiirien" välillä on suoraa ulkoista liitäntää varten useampia kuin yksi tieto- tai käskyväylä tai sarjaliikenneportti, joiden siirtonopeus ylittää 150 Mbyte/s;
Storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor;
Integroidut muistipiirit, jotka on valmistettu yhdistepuolijohteista;
Analogue-to-digital and digital-to-analogue converter integrated circuits, as follows:
Seuraavat integroidut analogia-digitaalimuunnin- tai digitaali-analogiamuunninpiirit:
Analogue-to-digital converters having any of the following:
Analogia-digitaalimuuntimet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
SEE ALSO 3A101
Huom.: KATSO MYÖS 3A101 KOHTA.
A resolution of 8 bit or more, but less than 12 bit, with a 'total conversion time' of less than 5 ns;
Resoluutio 8 bittiä tai enemmän mutta alle 12 bittiä ja 'kokonaismuuntoaika' alle 5 ns;
A resolution of 12 bit with a 'total conversion time' of less than 20 ns;
Resoluutio 12 bittiä ja 'kokonaismuuntoaika' alle 20 ns;
A resolution of more than 12 bit but equal to or less than 14 bit with a 'total conversion time' of less than 200 ns; or
Resoluutio yli 12 bittiä mutta enintään 14 bittiä ja 'kokonaismuuntoaika' alle 200 mikrosekuntia; tai
A resolution of more than 14 bit with a 'total conversion time' of less than 1 μs;
Resoluutio yli 14 bittiä ja 'kokonaismuuntoaika' alle 1 μs;
Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
Digitaali-analogiamuuntimet, joiden resoluutio on 12 bittiä tai enemmän ja "asettumisaika" alle 10 ns;
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
N:n bitin resoluutio vastaa 2n:n vertailutason kvantisointia.
'Total conversion time' is the inverse of sample rate.
'Kokonaismuuntoaika' on näytteenottotaajuuden käänteisluku.
Electro-optical and "optical integrated circuits" designed for "signal processing" having all of the following:
Sähköoptiset tai "optiset integroidut piirit""signaalinkäsittelyä" varten, joilla on kaikki seuraavat:
One or more than one internal "laser" diode;
Yksi tai useampi sisäinen "laser" diodi;
One or more than one internal light detecting element; and
Yksi tai useampi sisäinen valoa ilmaiseva elementti; a
Optical waveguides;
Optisia aaltoputkia;
Field programmable logic devices having any of the following:
Käyttäjäohjelmoitavat logiikkapiirit, joilla on jokin seuraavista;
An equivalent usable gate count of more than 30000 (2 input gates);
Ekvivalenttinen käytettävissä oleva porttiluku yli 30000 (2 sisäänmenoa porttia kohti);
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
Tyypillinen "perusportin etenemisviive" on vähemmän kuin 0,1 ns; tai
A toggle frequency exceeding 133 MHz;
Tilanvaihtotaajuus ylittää 133 MHz;
Note: 3A001.a.7. includes:
Huom.: 3A001.a.7 kohtaan sisältyvät:
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
Yksinkertaiset ohjelmoitavat logiikkapiirit (SPLD:t)
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
Monimutkaiset ohjelmoitavat logiikkapiirit (CPLD:t)
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
Kentällä ohjelmoitavat porttimatriisipiirit (FPGA:t)
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
Käyttäjäohjelmoitavat logiikkaverkot (FPLA:t)
Field Programmable Interconnects (FPICs)
Kentällä ohjelmoitavat yhdyskomponentit (FPIC:t)
N.B.: Field programmable logic devices are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
Huom:'Käyttäjäohjelmoitavat logiikkapiirit' tunnetaan myös nimellä 'kentällä ohjelmoitavat porttimatriisipiirit' tai 'käyttäjäohjelmoitavat logiikkaverkot'.
Neural network integrated circuits;
Integroidut hermoverkkopiirit;
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
Asiakaskohtaiset integroidut piirit, joiden toiminta on tuntematon, tai jotka on tarkoitettu laitteisiin, joiden valvonnanalaisuus on valmistajalle tuntematon ja joilla on jokin seuraavista:
More than 1000 terminals;
Liitospisteiden lukumäärä ylittää 1000;
An operating frequency exceeding 3 GHz;
Toimintataajuus ylittää 3 GHz;
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Muut digitaaliset integroidut piirit kuin 3A001.a.3–3A001.a.10 tai 3A001.a.12 kohdassa kuvatut, jotka perustuvat yhdistepuolijohteisiin ja joilla on jokin seuraavista:
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
Ekvivalenttinen porttiluku on enemmän kuin 3000 (2 sisäänmenoa porttia kohti); tai
A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
Kellotaajuus ylittää 1,2 GHz;
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2N)/20480 ms, where N is the number of points;
Nopea-Fourier-muunnos -prosessorit (FFT), joiden nimellinen suoritusaika N:n pisteen kompleksiselle FFT-muunnokselle on vähemmän kuin (N log2 N)/20480 ms, jossa N on pisteiden lukumäärä;
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 μs.
Kun N on yhtä kuin 1024 pistettä, 3A001.a.12 kohdan kaavan mukainen suoritusaika on 500 μs.
Microwave or millimetre wave components, as follows:
Mikroaalto- tai millimetriaaltolaitteet:
Electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:
Seuraavat elektroniset tyhjöputket ja katodit:
Note 1: 3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
Huom 1: 3A001.b.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi putkia, jotka on suunniteltu tai mitoitettu toimimaan taajuuskaistalla, joka täyttää kaikki seuraavat ominaisuudet:
Does not exceed 31,8 GHz; and
Joka ei ylitä 31,8 GHz; ja
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Jonka "ITU on allokoinut" radioviestintäpalveluille, mutta ei radiomääritykselle.
Note 2: 3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes which meet all of the following characteristics:
Huom. 2: 3A001.b.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi muita kuin "avaruuskelpoisia" putkia, jotka täyttävät kaikki seuraavat ominaisuudet:
An average output power equal to or less than 50 W; and
Keskimääräinen lähtöteho on 50 W tai vähemmän; ja
Designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
suunnitellut tai mitoitetut toimimaan taajuuskaistalla, joka täyttää kaikki seuraavat ominaisuudet:
Exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
Joka ylittää 31,8 GHz mutta ei ylitä 43,5 GHz; ja
Travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
Seuraavat kulkuaaltoputket pulssi- tai jatkuville aalloille:
Operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Jotka toimivat yli 31,8 GHz:n taajuuksilla;
Having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
Joiden hehkukatodien käynnistysaika nimelliseen RF-tehoon asti on vähemmän kuin 3 sekuntia;
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
Kytketyt onteloputket tai niiden muunnokset, joiden "suhteellinen kaistanleveys" on enemmän kuin 7 % tai huipputeho ylittää 2,5 kW;
Helix tubes, or derivatives thereof, with any of the following characteristics:
Kierukkaputket tai niiden muunnokset, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
"Hetkellinen kaistanleveys" on enemmän kuin puoli oktaavia tai enemmän ja nimellisen keskimääräisen lähtötehon (kilowatteina) ja maksimitoimintataajuuden (gigahertseinä) tulo on enemmän kuin 0,5;
An "instantaneous bandwidth"of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
"Hetkellinen kaistanleveys" on yksi oktaavia tai alle ja nimellisen keskimääräisen lähtötehon (kilowatteina) ja maksimitoimintataajuuden (gigahertseinä) tulo on enemmän kuin 1; tai
Being "space qualified";
Ovat "avaruuskelpoisia";
Crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
Ristikenttävahvistinputket, joiden vahvistus on enemmän kuin 17 dB,
Impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
Elektroniputkien kyllästetyt katodit, jotka tuottavat nimellisissä olosuhteissa jatkuvan emissiovirran tiheyden, joka ylittää 5 A/cm2;
Microwave monolithic integrated circuits (MMIC) power amplifiers having any of the following:
Monoliittisina integroituina mikroaaltopiireinä (MMIC) toteutetut tehovahvistimet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
Ne toimivat yli 3,2 GHz:n ja enintään 6 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 4 W (36 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 15 prosenttia;
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Ne toimivat yli 6 GHz:n ja enintään 16 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 1 W (30 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia;
Rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Ne toimivat yli 16 GHz:n ja enintään 31,8 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 0,8 W (29 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia;
Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz;
Ne toimivat yli 31,8 GHz:n ja enintään 37,5 GHz:n taajuuksilla;
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
Ne toimivat yli 37,5 GHz:n ja enintään 43,5 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 0,25 W (24 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 10 prosenttia, tai
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz.
Ne toimivat yli 43,5 GHz:n taajuuksilla.
Note 1: 3A001.b.2. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 GHz to 42,5 GHz.
Huom. 1: 3A001.b.2 kohta ei aseteta valvonnanalaiseksi yleisradiolähetyksiin tarkoitettujen satelliittien laitteita, jotka on suunniteltu tai mitoitettu toimimaan 40,5–42,5 GHz:n taajuusalueella.
Note 2: The control status of the MMIC whose operating frequency spans more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2., is determined by the lowest average output power control threshold.
Huom. 2: Niiden MMIC-piirien valvonta-asema, joiden toimintataajuus ulottuu useammalle kuin yhdelle taajuusalueelle, sellaisina kuin ne on määritelty 3A001.b.2 kohdassa, määräytyy alimman keskimääräisen lähtötehon valvontakynnyksen mukaan.
Note 3: Notes 1 and 2 in the chapeau to Category 3 mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
Huom. 3: Ryhmän 3 johdannossa olevat huomautukset 1 ja 2 tarkoittavat sitä, että 3A001.b.2 kohta ei aseteta valvonnanalaiseksi MMIC-piirejä, jos ne on erityisesti suunniteltu muita sovelluksia, esimerkiksi televiestintää, tutkia tai autoja, varten.
Microwave transistors having any of the following:
Mikroaaltotransistorit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and having an average output power greater than 60W (47,8 dBm);
Ne toimivat yli 3,2 GHz:n ja enintään 6 GHz:n taajuuksilla ja niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 60 W (47,8 dBm);
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and having an average output power greater than 20W (43 dBm);
Ne toimivat yli 6 GHz:n ja enintään 31,8 GHz:n taajuuksilla ja niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 20 W (43 dBm);
Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and having an average output power greater than 0,5W (27 dBm);
Ne toimivat yli 31,8 GHz:n ja enintään 37,5 GHz:n taajuuksilla ja niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 0,5 W (27 dBm);
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
Ne toimivat yli 37,5 GHz:n ja enintään 43,5 GHz:n taajuuksilla ja niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 1 W (30 dBm), tai;
Note: The control status of an item whose operating frequency spans more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3., is determined by the lowest average output power control threshold.
Huom.: Niiden tuotteiden valvonta-asema, joiden toimintataajuus ulottuu useammalle kuin yhdelle taajuusalueelle, sellaisina kuin ne on määritelty 3A001.b.3 kohdassa, määräytyy alimman keskimääräisen lähtötehon valvontakynnyksen mukaan.
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave amplifiers having any of the following:
Puolijohde-mikroaaltovahvistimet ja mikroaaltovahvistimia sisältävät mikroaaltokokoonpanot/moduulit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 60W (47,8 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
Ne toimivat yli 3,2 GHz:n ja enintään 6 GHz:n taajuuksilla, niiden keskimääräinen lähtöteho on yli 60 W (47,8 dBm) ja niiden "suhteellinen kaistanleveys" on yli 15 prosenttia;