natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Lightweight "composite" or foam mirror structures having an average "equivalent density" of less than 30 kg/m2 and a total mass exceeding 2 kg;
Kevyet "komposiitti"- tai vaahtopeilirakenteet, joiden keskimääräinen "ekvivalenttitiheys" on vähemmän kuin 30 kg/m2 ja joiden kokonaispaino ylittää 2 kg;
Beam steering mirrors more than 100 mm in diameter or length of major axis, which maintain a flatness of lambda/2 or better (lambda is equal to 633 nm) having a control bandwidth exceeding 100 Hz.
Säteen ohjauspeilit, joiden se läpimitta tai sen päähalkaisijan pituus, jolla latteus on lambda/2 tai parempi (lambda on 623 nm), on yli 100 mm ja joiden ohjauskaistanleveys ylittää 100 Hz;
Optical components made from zinc selenide (ZnSe) or zinc sulphide (ZnS) with transmission in the wavelength range exceeding 3000 nm but not exceeding 25000 nm and having any of the following:
Sinkkiselenidistä (ZnSe) tai sinkkisulfidista (ZnS) valmistetut optiset komponentit, joiden lähete on aallonpituusalueella, joka on yli 3000 nm mutta alle 25000 nm ja joilla on jokin seuraavista:
Exceeding 100 cm3 in volume; or
Tilavuus ylittää 100 cm3; tai
Exceeding 80 mm in diameter or length of major axis and 20 mm in thickness (depth).
Läpimitta tai pääakselin pituus ylittää 80 mm ja paksuus (syvyys) 20 mm;
"Space-qualified" components for optical systems, as follows:
Seuraavat "avaruuskelpoiset" optisten järjestelmien osat:
Lightweighted to less than 20 % "equivalent density" compared with a solid blank of the same aperture and thickness;
Jotka on kevennetty alle 20 %:iin sellaisen massiivikappaleen ekvivalenttitiheyteen verrattuna, jolla on sama aukko ja paksuus;
Raw substrates, processed substrates having surface coatings (single-layer or multi-layer, metallic or dielectric, conducting, semiconducting or insulating) or having protective films;
Raakasubstraatit tai (yksi- tai monikerroksisella, metallisella tai dielektrisellä, johtavalla, puolijohtavalla tai eristävällä) pinnoitteella pinnoitetut tai suojaavalla kalvolla varustetut substraatit;
Segments or assemblies of mirrors designed to be assembled in space into an optical system with a collecting aperture equivalent to or larger than a single optic 1 m in diameter;
Peilien segmentit tai kokoonpanot, jotka on suunniteltu koottavaksi avaruudessa optiseksi järjestelmäksi, jonka kokoava aukko on sama tai suurempi kuin yksittäisen läpimitaltaan 1 m:n optiikan;
Manufactured from "composite" materials having a coefficient of linear thermal expansion equal to or less than 5 × 10-6 in any coordinate direction.
Jotka on valmistettu "komposiitti"materiaaleista, joiden lineaarinen lämpölaajenemiskerroin on 5 × 10-6 tai pienempi minkä tahansa koordinaatin suunnassa;
Optical control equipment, as follows:
Seuraavat optiikan ohjauslaitteet:
Specially designed to maintain the surface figure or orientation of the "space-qualified" components specified in 6A004.c.1. or 6A004.c.3.;
Jotka on erityisesti suunniteltu 6A004.c.1 tai 6A004.c.3 kohdassa määriteltyjen "avaruuskelpoisten" komponenttien pinnanmuodon tai asennon ylläpitoon;
Having steering, tracking, stabilisation or resonator alignment bandwidths equal to or more than 100 Hz and an accuracy of 10 μrad (microradians) or less;
Joilla ohjauksen, seurannan, stabiloinnin tai resonaattorin kohdistuksen kaistanleveydet ovat 100 Hz tai enemmän ja tarkkuus 10 μrad (mikroradiaania) tai vähemmän;
Gimbals having all of the following:
Kardaanit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
A maximum slew exceeding 5°;
Maksimikääntymä ylittää 5 astetta;
A bandwidth of 100 Hz or more;
Kaistanleveys 100 Hz tai enemmän;
Angular pointing errors of 200 μrad (microradians) or less; and
Kulmasuuntausvirhe 200 mikroradiaania tai vähemmän; tai
Exceeding 0,15 m but not exceeding 1 m in diameter or major axis length and capable of angular accelerations exceeding 2 rad (radians)/s2; or
Läpimitta tai pääakselin pituus yli 0,15 m, mutta ei yli 1 m ja kykenevät yli 2 radiaanin/s2 kulmakiihtyvyyksiin; tai
Exceeding 1 m in diameter or major axis length and capable of angular accelerations exceeding 0,5 rad (radians)/s2;
Läpimitta tai pääakselin pituus on yli 1 m ja kykenevät yli 0,5 radiaanin/s2 kulmakiihtyvyyteen;
Specially designed to maintain the alignment of phased array or phased segment mirror systems consisting of mirrors with a segment diameter or major axis length of 1 m or more.
Jotka on erityisesti suunniteltu ylläpitämään sellaisten vaiheistettujen peiliryhmien tai segmenttipeilijärjestelmien linjausta, jotka rakentuvat segmentin halkaisijaltaan tai pääakselin pituudeltaan 1 m:n tai suuremmista peileistä;
'Aspheric optical elements' having all of the following characteristics:
'Ei- pallomaiset optiset elementit', joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:
The largest dimension of the optical-aperture is greater than 400 mm;
Optisen aukon suurin mitta on yli 400 mm;
The surface roughness is less than 1 nm (rms) for sampling lengths equal to or greater than 1 mm; and
Pinnan epätasaisuus on alle 1 nm (rms) 1 mm:n tai sitä suurempien näytteenottopituuksien osalta; ja
The coefficient of linear thermal expansion's absolute magnitude is less than 3 × 10-6/K at 25 °C.
Lineaarisen lämpölaajenemiskertoimen absoluuttinen suuruus on alle 3 × 10-6/K lämpötilassa 25 °C.
An 'aspheric optical element' is any element used in an optical system whose imaging surface or surfaces are designed to depart from the shape of an ideal sphere.
'Ei- pallomainen optinen elementti' on optisessa järjestelmässä käytettävä elementti, jonka kuvapinta- tai pinnat on suunniteltu siten, että ne poikkeavat täydellisen pallomaisesta muodosta.
Manufacturers are not required to measure the surface roughness listed in 6A004.e.2. unless the optical element was designed or manufactured with the intent to meet, or exceed, the control parameter.
Valmistajia ei velvoiteta mittaamaan 6A004.e.2 kohdassa tarkoitettua pinnan epätasaisuutta, ellei optista elementtiä ole suunniteltu tai valmistettu tarkoituksena täyttää tai ylittää valvontaan liittyvä parametri.
Note: 6A004.e. does not control aspheric optical elements having any of the following:
Huom.: 6A004.e kohta ei aseta valvonnanalaiseksi ei- pallomaisia optisia elementtejä, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A largest optical-aperture dimension less than 1 m and a focal length to aperture ratio equal to or greater than 4,5:1;
Optisen aukon suurin mitta on alle 1 m ja polttovälin suhde aukkoon on 4,5:1 tai suurempi;
A largest optical-aperture dimension equal to or greater than 1 m and a focal length to aperture ratio equal to or greater than 7:1;
Optisen aukon suurin mitta on 1 m tai suurempi ja polttovälin suhde aukkoon on 7:1 tai suurempi;
Being designed as Fresnel, flyeye, stripe, prism or diffractive optical elements;
Ne on suunniteltu Fresnel-, flyeye-, juova-, prisma- tai diffraktiotyyppisiksi optisiksi elementeiksi;
Being fabricated from borosilicate glass having a coefficient of linear thermal expansion greater than 2,5 × 10-6/K at 25 °C; or
Ne on valmistettu borosilikaattilasista, jonka lineaarinen lämpölaajenemiskerroin on suurempi kuin 2,5 × 10-6/K lämpötilassa 25 °C; tai
Being an x-ray optical element having inner mirror capabilities (e.g. tube-type mirrors).
Ne ovat röntgenoptisia elementtejä, joilla on sisäisiä peiliominaisuuksia (esim. putkityyppinen peili).
N.B.: For aspheric optical elements specially designed for lithography equipment, see 3B001.
Huom.: Litografialaitteita varten erityisesti suunniteltujen ei- pallomaisten optisten elementtien osalta katso 3B001 kohta.
"Lasers", other than those specified in 0B001.g.5. or 0B001.h.6., components and optical equipment, as follows:
Seuraavat muut kuin 0B001.g.5 tai 0B001.h.6 kohdassa määritellyt "laserit", komponentit ja optiset laitteet:
N.B.: SEE ALSO 6A205.
Huom.: KATSO MYÖS 6A205 KOHTA.
Note 1: Pulsed "lasers" include those that run in a continuous wave (CW) mode with pulses superimposed.
Huom. 1: Pulssi"lasereihin" kuuluvat ne, jotka toimivat pulssitettuina jatkuva-aaltomoodissa (CW).
Note 2: Pulse-excited "lasers" include those that run in a continuously excited mode with pulse excitation superimposed.
Huom. 2: Pulssiviritettyihin "lasereihin" kuuluvat ne, jotka toimivat pulssitettuina jatkuvassa viritetyssä moodissa.
Note 3: The control status of Raman "lasers" is determined by the parameters of the pumping source "lasers".
Huom. 3: Raman- "laserien" valvonnanalaisuus määritetään pumppu "laserien" parametrien mukaan.
The pumping source "lasers" can be any of the "lasers" described below.
Pumppu-"laserit" voivat olla kaikkia alla kuvattuja "lasereita".
Gas "lasers", as follows:
Seuraavat kaasu"laserit":
Excimer "lasers", having any of the following:
Excimer-"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
An output wavelength not exceeding 150 nm and having any of the following:
Lähtöaallonpituus ei ylitä 150 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
An output energy exceeding 50 mJ per pulse; or
Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohti; tai
An average output power exceeding 1 W;
Keskimääräinen lähtöteho ylittää 1 W;
An output wavelength exceeding 150 nm but not exceeding 190 nm and having any of the following:
Lähtöaallonpituus ylittää 150 nm, mutta ei ylitä 190 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
An output energy exceeding 1,5 J per pulse; or
Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti; tai
An average output power exceeding 120 W;
Keskimääräinen lähtöteho ylittää 120 W;
An output wavelength exceeding 190 nm but not exceeding 360 nm and having any of the following:
Lähtöaallonpituus ylittää 190 nm, mutta ei ylitä 360 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
An output energy exceeding 10 J per pulse; or
Lähtöenergia ylittää 10 J pulssia kohti; tai
An average output power exceeding 500 W; or
Keskimääräinen lähtöteho ylittää 500 W; tai
An output wavelength exceeding 360 nm and having any of the following:
Lähtöaallonpituus ylittää 360 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
An average output power exceeding 30 W;
Keskimääräinen lähtöenergia ylittää 30 W;
N.B.: For excimer "lasers" specially designed for lithography equipment, see 3B001
Huom.: Erityisesti litografialaitteita varten suunniteltujen excimer-"lasereiden" osalta katso 3B001 kohta.
Metal vapour "lasers", as follows:
Seuraavat metallihöyry"laserit":
Copper (Cu) "lasers" having an average output power exceeding 20 W;
Kupari(Cu)"laserit", joiden keskimääräinen lähtöteho ylittää 20 W;
Gold (Au) "lasers" having an average output power exceeding 5 W;
Kulta(Au)"laserit", joiden keskimääräinen lähtöteho ylittää 5 W;
Sodium (Na) "lasers" having an output power exceeding 5 W;
Natrium(Na)"laserit", joiden lähtöteho ylittää 5 W;
Barium (Ba) "lasers" having an average output power exceeding 2 W;
Barium(Ba)"laserit", joiden keskimääräinen lähtöteho ylittää 2 W;
Carbon monoxide (CO) "lasers" having any of the following:
Hiilimonoksidi(CO)"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
An output energy exceeding 2 J per pulse and a pulsed "peak power" exceeding 5 kW; or
Lähtöenergia ylittää 2 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 5 kW; tai
An average or CW output power exceeding 5 kW;
Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 5 kW;
Carbon dioxide (CO2) "lasers" having any of the following:
Hiilidioksidi(CO2)"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A CW output power exceeding 15 kW;
CW-lähtöteho ylittää 15 kW;
A pulsed output having a "pulse duration" exceeding 10 μs and having any of the following:
Pulssiulostulon "pulssin kesto" ylittää 10 μs ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
An average output power exceeding 10 kW; or
Keskimääräinen lähtöteho ylittää 10 kW; tai
A pulsed "peak power" exceeding 100 kW; or
Pulssi"huipputeho" ylittää 100 kW; tai
A pulsed output having a "pulse duration" equal to or less than 10 μs; and having any of the following:
Pulssiulostulon "pulssin kesto" on 10 μs tai vähemmän ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A pulse energy exceeding 5 J per pulse; or
Pulssin energia ylittää 5 J pulssia kohti; tai
An average output power exceeding 2,5 kW;
Keskimääräinen lähtöteho ylittää 2,5 kW;
"Chemical lasers", as follows:
Seuraavat "kemialliset laserit":
Hydrogen Fluoride (HF) "lasers";
Vetyfluoridi(HF)"laserit";
Deuterium Fluoride (DF) "lasers";
Deuteriumfluoridi(DF)"laserit";
"Transfer lasers", as follows:
Seuraavat "siirtolaserit":
Oxygen Iodine (O2-I) "lasers";
Happijodi(O2-I)"laserit";
Deuterium Fluoride-Carbon dioxide (DF-CO2) "lasers";
Deuteriumfluoridihiilidioksidi(DF-CO2)"laserit";
Krypton ion or argon ion "lasers" having any of the following:
Kryptonioni- tai argonioni"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
An output energy exceeding 1,5 J per pulse and a pulsed "peak power" exceeding 50 W; or
Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 50 W; tai
An average or CW output power exceeding 50 W;
Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 50 W;
Other gas "lasers", having any of the following:
Muut kaasu"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Note: 6A005.a.7. does not control nitrogen "lasers".
Huom.: 6A005.a.7 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi typpi"lasereita".
An output energy exceeding 50 mJ per pulse and a pulsed "peak power" exceeding 1 W; or
Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohden ja pulssin "huipputeho" ylittää 1 W; tai
An average or CW output power exceeding 1 W;
Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W;
An output wavelength exceeding 150 nm but not exceeding 800 nm and having any of the following:
Lähtöaallonpituus ylittää 150 nm mutta ei 800 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
An output energy exceeding 1,5 J per pulse and a pulsed "peak power" exceeding 30 W; or
Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohden ja pulssin "huipputeho" ylittää 30 W; tai
An average or CW output power exceeding 30 W;
Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 30 W:
An output wavelength exceeding 800 nm but not exceeding 1400 nm and having any of the following:
Lähtöaallonpituus ylittää 800 nm mutta ei 1400 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
An output energy exceeding 0,25 J per pulse and a pulsed "peak power" exceeding 10 W; or
Lähtöenergia ylittää 0,25 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 10 W; tai
An average or CW output power exceeding 10 W; or
Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 10 W;
An output wavelength exceeding 1400 nm and an average or CW output power exceeding 1 W.
Lähtöaallonpituus ylittää 1400 nm ja keskimääräinen CW-lähtöteho ylittää 1 W;
Semiconductor "lasers", as follows:
Seuraavat puolijohde-"laserit":
Individual single-transverse mode semiconductor "lasers", having any of the following:
Erilliset yksitransversaalimoodissa toimivat puolijohde"laserit", joilla on jokin seuraavista:
A wavelength equal to or less than 1510 nm, and having an average or CW output power exceeding 1,5 W; or
Aallonpituus on 1510 nm tai pienempi ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho on suurempi kuin 1.5 W; tai
A wavelength greater than 1510 nm, and having an average or CW output power exceeding 500 mW;
Aallonpituus on suurempi kuin 1510 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 500 mW;
Individual, multiple-transverse mode semiconductor "lasers", having any of the following:
Erilliset, monitransversaalimoodissa toimivat puolijohde"laserit", joilla on jokin seuraavista:
A wavelength of less than 1400 nm, and having an average or CW output power exceeding 10 W;
Aallonpituus pienempi kuin 1400 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 10 W;
A wavelength equal to or greater than 1400 nm and less than 1900 nm, and having an average or CW output power exceeding 2,5 W; or
Aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1400 nm ja pienempi kuin 1900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 2,5 W; tai
A wavelength equal to or greater than 1900 nm and having an average or CW output power exceeding 1 W.
Aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 1 W.
Individual semiconductor "laser" arrays, having any of the following:
Erilliset puolijohde"laserien"-ryhmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A wavelength of less than 1400 nm, and having an average or CW output power exceeding 80 W;
Aallonpituus pienempi kuin 1400 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 80 W;
A wavelength equal to or greater than 1400 nm and less than 1900 nm, and having an average or CW output power exceeding 25 W; or
Aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1400 nm ja pienempi kuin 1900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 25 W; tai
A wavelength equal to or greater than 1900 nm, and having an average or CW output power exceeding 10 W.
Aallonpituus yhtä suuri tai suurempi kuin 1900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 10 W.
Array stacks of semiconductor "lasers" containing at least one array that is controlled under 6A005.b.3.
Puolijohde"laserien" ryhmien kerrokset, jotka sisältävät vähintään yhden ryhmän, joka on valvonnanalainen 6A005.b.3 kohdan perusteella.
Semiconductor "lasers" are commonly called "laser" diodes.
Puolijohde"lasereita" kutsutaan tavallisesti "laser"diodeiksi.
An 'array' consists of multiple semiconductor "laser" emitters fabricated as a single chip so that the centres of the emitted light beams are on parallel paths.
'Ryhmä' muodostuu useista puolijohde"laser"emittereistä, jotka on valmistettu yhtenä siruna niin, että säteilevien valonsäteiden keskustat ovat yhdensuuntaisilla reiteillä.
An 'array stack' is fabricated by stacking, or otherwise assembling, 'arrays' so that the centres of the emitted light beams are on parallel paths.
'Ryhmien kerros' on valmistettu kerrostamalla tai muuten kokoamalla 'ryhmät' niin, että säteilevien valonsäteiden keskustat ovat yhdensuuntaisilla reiteillä.
Note 1: 6A005.b. includes semiconductor "lasers" having optical output connectors (e.g. fibre optic pigtails).
Huom. 1: 6A005.b kohta sisältää puolijohdelaserit, joilla on optinen ulostulo (esim. kuituoptiset häntäkaapelit).
Note 2: The control status of semiconductor "lasers" specially designed for other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Huom. 2: Erityisesti muita laitteita varten suunniteltujen puolijohdelaserien valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden mukaan.
Solid state "lasers", as follows:
Seuraavat jähme"laserit":
"Tunable""lasers" having any of the following:
"Viritettävät""laserit", joilla on jokin seuraavista:
Note: 6A005.c.1. includes titanium — sapphire (Ti: Al2O3), thulium — YAG (Tm: YAG), thulium — YSGG (Tm: YSGG), alexandrite (Cr: BeAl2O4) and colour centre "lasers".
Huom.: 6A005.c.1 kohta sisältää titaani-safiiri- (Ti:Al2O3), tulium-YAG- (Tm:YAG), tulium-YSGG- (Tm:YSGG), aleksandriitti- (Cr:BeAl2O4) ja värikeskus"laserit".
An output wavelength less than 600 nm and having any of the following:
Lähtöaallonpituus on vähemmän kuin 600 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
An output wavelength of 600 nm or more but not exceeding 1400 nm and having any of the following:
Lähtöaallonpituus on 600 nm tai enemmän mutta ei ylitä 1400 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
An output energy exceeding 1 J per pulse and a pulsed "peak power" exceeding 20 W; or
Lähtöenergia ylittää 1 J pulssia kohti ja pulssi"huipputeho" ylittää 20 W; tai
An average or CW output power exceeding 20 W; or
Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 20 W; tai
An output wavelength exceeding 1400 nm and having any of the following:
Lähtöaallonpituus ylittää 1400 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Non-"tunable""lasers", as follows:
Seuraavat ei-"viritettävät""laserit":
Note: 6A005.c.2. includes atomic transition solid state "lasers".
Huom.: 6A005.c.2 kohta sisältää atomitransitio-jähme"laserit".
Neodymium glass "lasers", as follows:
Seuraavat neodyymilasi"laserit":
"Q-switched lasers" having any of the following:
Q-kytkin"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
An output energy exceeding 20 J but not exceeding 50 J per pulse and an average output power exceeding 10 W; or
Lähtöenergia ylittää 20 J mutta ei 50 J pulssia kohden ja keskimääräinen lähtöteho ylittää 10 W; tai
An output energy exceeding 50 J per pulse;
Lähtöenergia ylittää 50 J pulssia kohden;
Non-"Q-switched lasers" having any of the following:
Ei-Q-kytkin"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
An output energy exceeding 50 J but not exceeding 100 J per pulse and an average output power exceeding 20 W; or
Lähtöenergia ylittää 50 J mutta ei ylitä 100 J pulssia kohden ja keskimääräinen lähtöteho ylittää 20 W; tai
An output energy exceeding 100 J per pulse;
Lähtöenergia ylittää 100 J pulssia kohden;
Neodymium-doped (other than glass) "lasers", having an output wavelength exceeding 1000 nm but not exceeding 1100 nm, as follows:
Seuraavat neodyymiseostetut (muut kuin lasi-) "laserit", joiden lähtöaallonpituus on yli 1000 nm, mutta alle 1100 nm:
N.B.: For neodymium-doped (other than glass) "lasers" having an output wavelength not exceeding 1000 nm or exceeding 1100 nm, see 6A005.c.2.c.
Huom.: Neodyymiseostetut (muut kuin lasi-) "laserit", joiden ulostulon aallonpituus ylittää 1000 nm, mutta ei ylitä 1100 nm: katso 6A005.c.2.c kohta.
Pulse-excited, mode-locked, "Q-switched lasers" having a "pulse duration" of less than 1 ns and having any of the following:
Pulssiviritetyt, moodilukitut "Q-kytkinlaserit", joiden pulssin kesto on vähemmän kuin 1 ns ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A "peak power" exceeding 5 GW;
"Huipputeho" ylittää 5 GW;
An average output power exceeding 10 W; or
Keskimääräinen lähtöteho ylittää 10 W; tai
A pulsed energy exceeding 0,1 J;
Pulssienergia ylittää 0,1 J;
Pulse-excited, "Q-switched lasers" having a "pulse duration" equal to or more than 1 ns, and having any of the following:
Pulssiviritetyt, "Q-kytkinlaserit", joiden "pulssin kesto" on 1 ns tai enemmän ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A single-transverse mode output having:
Yksitransversaalimuodon ulostulon:
A "peak power" exceeding 100 MW;
"Huipputeho" ylittää 100 MW;
An average output power exceeding 20 W; or
Keskimääräinen lähtöteho ylittää 20 W; tai
A pulsed energy exceeding 2 J; or
Pulssienergia ylittää 2 J; tai
A multiple-transverse mode output having:
Monitransversaalimuodon ulostulon:
A "peak power" exceeding 400 MW;
"Huipputeho" ylittää 400 MW;
An average output power exceeding 2 kW; or
Keskimääräinen lähtöteho ylittää 2 kW; tai
A pulsed energy exceeding 2 J;
Pulssienergia ylittää 2 J;
Pulse-excited, non-"Q-switched lasers", having:
Pulssiviritetyt, ei-"Q-kytkinlaserit", joiden:
A "peak power" exceeding 500 kW; or
"Huipputeho" ylittää 500 kW; tai
An average output power exceeding 150 W; or
Keskimääräinen lähtöteho ylittää 150 W; tai
A "peak power" exceeding 1 MW; or
Huipputeho ylittää 1 MW; tai
An average power exceeding 2 kW;
Keskimääräinen teho ylittää 2 kW;
Continuously excited "lasers" having:
Jatkuvasti viritettävät "laserit", joiden:
An average or CW output power exceeding 150 W; or
Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 150 W; tai
An average or CW output power exceeding 2 kW;
Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 2 kW;
Other non-"tunable""lasers", having any of the following:
Muut ei-viritettävät "laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A wavelength less than 150 nm and having any of the following:
Aallonpituus on alle 150 nm ja jokin seuraavista ominaisuuksista:
A wavelength of 150 nm or more but not exceeding 800 nm and having any of the following:
Aallonpituus on 150 nm tai enemmän mutta ei ylitä 800 nm ja jokin seuraavista ominaisuuksista:
A wavelength exceeding 800 nm but not exceeding 1400 nm, as follows:
Aallonpituus ylittää 800 nm mutta ei ylitä 1400 nm:
"Q-switched lasers" having:
"Q-kytkinlaserit", joiden:
An output energy exceeding 0,5 J per pulse and a pulsed "peak power" exceeding 50 W; or
Lähtöenergia ylittää 0,5 J pulssia kohden ja pulssin "huipputeho" ylittää 50 W; tai
An average output power exceeding:
Keskimääräinen lähtöteho ylittää:
10 W for single-transverse mode "lasers";
Yksi-transversaali "lasereilla" 10 W;
30 W for multiple-transverse mode "lasers";
Moni-transversaali "lasereilla" 30 W;
Non-"Q-switched lasers" having:
Ei-"Q-kytkinlaserit", joiden: