natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Analog to digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedized equipment;
"Ohjuksissa" käyttökelpoiset analogia-digitaalimuuntimet, jotka on suunniteltu vastaamaan sotilasspesifikaatioiden kovaan käyttöön tarkoitettujen laitteiden vaatimuksia;
Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
Kiihdyttimet, joilla pystytään lähettämään sähkömagneettista säteilyä, joka tuotetaan 2 MeV:n energiaan tai sen yli kiihdytettyjen elektronien jarrutussäteilyn (bremsstrahlung) avulla, sekä näitä kiihdyttimiä sisältävät järjestelmät.
Note: 3A101.b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
Huom.: 3A101.b kohdassa ei määritellä laitteita, jotka on erityisesti suunniteltu lääketieteellisiin tarkoituksiin.
Electronic components, other than those specified in 3A001, as follows;
Seuraavat muut kuin 3A001 kohdassa määritellyt elektroniset komponentit:
Capacitors having either of the following sets of characteristics:
Kondensaattorit, joilla on joko 1. tai 2. kohdassa luetellut ominaisuudet:
Voltage rating greater than 1,4 kV;
Nimellisjännite suurempi kuin 1,4 kV
Energy storage greater than 10 J;
Energian varastointikyky suurempi kuin 10 J
Capacitance greater than 0,5 μF; and
Kapasitanssi suurempi kuin 0,5 μF ja
Series inductance less than 50 nH; or
Sarjainduktanssi vähemmän kuin 50 nH; tai
Voltage rating greater than 750 V;
Nimellisjännite suurempi kuin 750 V
Capacitance greater than 0,25 μF; and
Kapasitanssi suurempi kuin 0,25 μF ja
Series inductance less than 10 nH;
Sarjainduktanssi vähemmän kuin 10 nH;
Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
"Suprajohtavat" solenoidisähkömagneetit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Capable of creating magnetic fields greater than 2 T;
Pystyvät muodostamaan yli 2 T:n magneettikenttiä;
A ratio of length to inner diameter greater than 2;
Pituuden suhde sisähalkaisijaan on suurempi kuin 2;
Inner diameter greater than 300 mm; and
Sisähalkaisija yli 300 mm; ja
Magnetic field uniform to better than 1 % over the central 50 % of the inner volume;
Magneettikenttä poikkeaa vähemmän kuin 1 % tasaisesta kentästä sisätilavuuden keskeisen puoliskon (50 %) alueella;
Note: 3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported 'as parts of' medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Huom.: 3A201.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi magneetteja, jotka on erityisesti suunniteltu lääketieteellisten ydinmagneettiseen resonanssiin (NMR) perustuvien kuvanmuodostusjärjestelmien 'osiksi'.
The phrase 'as part of' does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched 'as part of' the imaging systems.
Sana 'osiksi' ei välttämättä tarkoita saman toimituksen fyysistä osaa; erilliset toimitukset ovat sallittuja eri lähteistä, mikäli niihin liittyvissä vientiasiakirjoissa selvästi mainitaan, että toimitukset lähetetään kuvanmuodostusjärjestelmän 'osiksi'.
Flash X ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
Seuraavat välähtävät röntgensalamageneraattorit tai pulssitoimiset elektronikiihdyttimet, joilla on joko a. tai b. kohdassa luetellut ominaisuudet:
An accelerator peak electron energy of 500 KeV or greater but less than 25 MeV; and
Kiihdyttimen huippuelektronienergia on 500 keV tai suurempi, mutta pienempi kuin 25 MeV; ja
With a 'figure of merit' (K) of 0,25 or greater; or
"Hyvyysluku" (K) on 0,25 tai suurempi; tai
An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
Kiihdyttimen huippuelektronienergia on 25 MeV tai suurempi; ja
A 'peak power' greater than 50 MW.
Huipputeho on suurempi kuin 50 MW.
Note: 3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes.
Huom.: 3A201.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kiihdyttimiä, jotka ovat muuhun kuin elektronisuihku- tai röntgensäteilytykseen (esimerkiksi elektronimikroskopiaan) suunniteltujen laitteiden komponentteja eikä niitä, jotka on suunniteltu lääketieteellisiä laitteita varten:
The 'figure of merit' K is defined as:
'Hyvyysluku' K on määritelty seuraavasti:
V is the peak electron energy in million electron volts.
V on huippuelektronienergia miljoonina elektronivoltteina.
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 μs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
Jos elektronipulssin kesto on pienempi tai yhtä suuri kuin 1 mikrosekunti, Q on kiihdytetty kokonaisvaraus coulombeina.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 μs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 μs.
Jos elektronipulssin kesto on suurempi kuin 1 mikrosekunti, Q on 1 mikrosekunnissa kiihdytetty maksimisähkövaraus.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
Q on yhtä kuin elektronivirran i integraali ajan t suhteen (Q = ∫ idt), jossa i on säteen virta ampeereina ja t aika sekunneissa.
'Peak power' = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
'Huipputeho' = (huippujännite voltteina) × (säteen huippuvirta ampeereina).
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
Mikroaaltokiihdytysonteloihin perustuvissa koneissa pulssin kesto on pienempi kahdesta seuraavasta: 1 μs tai yhden mikroaaltomodulaattorin pulssin tuottaman tiivistetyn pulssipaketin kesto.
In machines based on microwave accelerating cavities, the peak beam current is the average current in the time duration of a bunched beam packet.
Mikroaaltokiihdytysonteloihin perustuvissa koneissa säteen huippuvirta on tiivistetyn pulssipaketin keskimääräinen virta sen keston aikana.
Frequency changers or generators, other than those specified in 0B001.b.13., having all of the following characteristics:
Muut kuin 0B001.c.13 kohdassa määritellyt taajuusmuuntimet tai generaattorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
Monivaiheulostulo kykenee antamaan 40 W tai suuremman tehon;
Capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
Kykenee toimimaan 600–2000 Hz:n taajuusalueella;
Total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
Harmoninen kokonaissärö on parempi (pienempi) kuin 10 %; ja
Frequency control better (less) than 0,1 %.
Taajuuden säätö on parempi (pienempi) kuin 0,1 %.
Frequency changers in 3A225 are also known as converters or inverters.
3A225 kohdan taajuusmuuntimia kutsutaan myös konverttereiksi tai inverttereiksi.
High power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
Muut kuin 0B001.j.6 kohdassa mainitut tasavirtasuurteholähteet, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
Ne kykenevät 8 tunnin jakson aikana jatkuvasti tuottamaan 100 V:n tai korkeamman jännitteen 500 A:n tai suuremmalla virralla; ja
Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
Niiden jännitteen tai virran stabiilius on parempi kuin 0,1 % 8 tunnin jakson aikana
High voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
Muut kuin 0B001.j.5 kohdassa määritellyt tasavirtakorkeajännitelähteet, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
Ne kykenevät 8 tunnin jakson aikana jatkuvasti tuottamaan 20 kV tai korkeamman jännitteen 1 A:n tai suuremmalla virralla; ja
Switching devices, as follows:
Seuraavat kytkinlaitteet:
Cold cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
Kylmäkatodiputket, olivatpa ne sitten kaasutäytteisiä tai ei, jotka toimivat kipinävälin tavoin ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Containing three or more electrodes;
Ne sisältävät kolme tai useampia elektrodeja;
Anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
Huippuanodijännitteen nimellisarvo on 2,5 kV tai enemmän;
Anode peak current rating of 100 A or more 100 A; and
Huippuanodivirran nimellisarvo on 100 A tai enemmän; ja
Anode delay time of 10 μs or less;
Anodin viiveaika on 10 μs tai lyhyempi;
Note: 3A228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
Huom.: 3A228 kohtaan sisältyvät kaasukryptonputket ja tyhjösprytronputket.
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
Liipaistavat kipinävälit, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
An anode delay time of 15 μs or less; and
Anodiviiveaika on 15 μs tai lyhyempi; ja
Rated for a peak current of 500 A or more;
huippuvirran nimellisarvo 500 A tai enemmän;
Modules or assemblies with a fast switching function having all of the following characteristics:
Nopeatoimiset kytkinmodulit tai -kokoonpanot, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
Huippuanodijännitteen nimellisarvo on suurempi kuin 2 kV;
Anode peak current rating of 500 A or more; and
Huippuanodivirran nimellisarvo on 500 A tai enemmän; ja
Turn on time of 1 μs or less.
Kytkentäaika on 1 μs tai vähemmän.
Firing sets and equivalent high current pulse generators as follows:
Seuraavat laukaisulaitteet ja vastaavat suurvirtapulssigeneraattorit:
N.B.: SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS
Huom: KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO.
Explosive detonator firing sets designed to drive multiple controlled detonators specified in 3A232;
Räjähtävien sytyttimien laukaisulaitteet, jotka on suunniteltu laukaisemaan 3A232 kohdassa määriteltyjä valvonnanalaisia monipistesytyttimiä;
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Moduulirakenteiset sähköpulssigeneraattorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
Ne on suunniteltu liikkuviksi tai vaativissa olosuhteissa käytettäviksi;
Enclosed in a dust tight enclosure;
Ne on koteloitu pölytiiviisti;
Capable of delivering their energy in less than 15 μs;
Pystyvät luovuttamaan energiansa alle 15 μs:ssa;
Having an output greater than 100 A;
Lähtövirta on suurempi kuin 100 A;
Having a 'rise time' of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
'Nousuaika' on lyhyempi kuin 10 μs alle 40 ohmin kuormituksella.
No dimension greater than 254 mm;
Mikään ulottuvuus ei ole suurempi kuin 254 mm;
Weight less than 25 kg; and
Paino on alle 25 kg; ja
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Ne on määritelty käytettäväksi laajalla lämpötila-alueella (223 K (– 50 °C) 373 K (100 °C) astetta) tai sopiviksi "avaruussovelluksiin".
Note: 3A229.b. includes xenon flash lamp drivers.
Huom.: 3A229.b kohtaan sisältyvät ksenonsalamavalon käyttölaitteet.
High-speed pulse generators having both of the following characteristics:
Erittäin nopeat pulssigeneraattorit, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
Lähtöjännite on yli 6 V alle 55 ohmin resistiivisellä kuormalla; ja
'Pulse transition time' less than 500 ps.
'Pulssin nousuaika' on lyhyempi kuin 500 ps.
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
3A230 kohdassa 'pulssin nousuaika' määritellään ajaksi, jonka kuluessa jännite nousee 10 prosentista 90 prosenttiin jännitteen amplitudista.
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
Neutronigeneraattorijärjestelmät, mukaan lukien putket, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
Designed for operation without an external vacuum system; and
Ne on suunniteltu toimimaan ilman ulkoista tyhjöjärjestelmää; ja
Utilizing electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
Hyväksikäyttävät sähköstaattista kiihdytystä tritium-deuteriumydinreaktion synnyttämiseen.
Detonators and multipoint initiation systems, as follows:
Seuraavat sytyttimet ja monipistesytytinjärjestelmät:
Electrically driven explosive detonators, as follows:
Seuraavat sähköisesti ohjattavat räjähtävät sytyttimet:
Exploding bridge (EB);
Räjähtävä siltajohdin (EB);
Exploding bridge wire (EBW);
Räjähtävä siltajohdinlanka (EBW);
Slapper;
Iskulaukaisin;
Exploding foil initiators (EFI);
Räjähtävät kalvosytyttimet (EFI);
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
sJärjestelyt, joita käyttäen voidaan yhdellä tai usealla sytyttimellä sytyttää räjähdyspinta yli 5000 mm2:n alalla yhdellä laukaisusignaalilla lähes samanaikaisesti, sytytyksen ajoitus leviää koko pinta-alalle vähemmässä kuin 2,5 μs:ssa.
Note: 3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Huom.: Tämä kohta ei aseta valvonnanalaiseksi sytyttimiä, joissa käytetään vain ensiöräjähteitä, esimerkiksi lyijyatsidia.
In 3A232 the detonators of concern all utilise a small electrical conductor (bridge, bridge wire or foil) that explosively vapourises when a fast, high-current electrical pulse is passed through it.
3A232 kohdassa kaikki kyseiset sytyttimet käyttävät pientä sähköjohdinta (siltavastusta, siltavastuslankaa tai kalvoa), joka kaasuuntuu räjähdysmäisesti, kun nopea, voimakas sähköinen pulssi kulkee sen läpi.
In nonslapper types, the exploding conductor starts a chemical detonation in a contacting high-explosive material such as PETN (Pentaerythritoltetranitrate).
Muissa kuin iskulaukaisin-tyypeissä räjähtävä johdin käynnistää kemiallisen räjähdyksen siihen yhteydessä olevassa voimakkaassa räjähteessä, esim. PETN:ssä (pentaerytritoltetranitraatissa).
The term exploding foil detonator may refer to either an EB or a slapper-type detonator.
Joissakin malleissa iskurin käyttövoimana on magneettinen voima.
Also, the word initiator is sometimes used in place of the word detonator.
Termiä räjähtävä kalvo voidaan käyttää joko EB- tai iskurityyppisistä sytyttimistä.
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Seuraavat, muut kuin 0B002.g kohdassa määritellyt massaspektrometrit, jotka kykenevät mittaamaan atomipainoltaan 230 tai raskaampia ioneja, ja joiden resoluutio on parempi kuin 2 osaa 230:stä ja niiden ionilähteet:
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
Induktiivisesti kytketyt plasmamassaspektrometrit (ICP/MS = Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometers);
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Hehkupurkausmassaspektrometrit (GDMS = Glow Discharge Mass Spectrometers);
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
Termistä ionisaatiota käyttävät massaspektrometrit (TIMS = Thermal Ionization Mass Spectrometers);
Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Elektronipommitusmassaspektrometrit, joiden lähdekammio on tehty, vuorattu tai päällystetty UF6-kestävillä materiaaleilla;
Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
Molekyylisuihkumassaspektrometrit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or
Lähdekammio on valmistettu, vuorattu tai päällystetty ruostumattomalla teräksellä tai molybdeenillä ja varustettu kylmäloukulla, joka kykenee jäähtymään 193 K (– 80 °C) asteeseen tai sen alle; tai
A source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Lähdekammio on valmistettu, vuorattu tai päällystetty UF6-kestävillä materiaaleilla;
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
Massaspektrometrit, jotka on varustettu aktinideja tai aktinidifluorideja varten käytettäväksi suunnitellulla mikrofluorausionilähteellä.
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Seuraavat puolijohdekomponenttien tai -materiaalien valmistuslaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut osat ja komponentit:
Equipment designed for epitaxial growth, as follows:
Seuraavat epitaksikasvatusta varten suunnitellut laitteet:
Equipment capable of producing any of the following:
Laitteet, jotka kykenevät tuottamaan jonkin seuraavista:
A silicon layer with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 200 mm or more; or
Vähintään 200 mm:n matkalla silikonikerroksen, jonka kerrospaksuuden vaihtelu on alle ± 2,5 %; tai
A layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Vähintään 75 mm:n matkalla kerroksen muuta materiaalia kuin silikonia ja kerrospaksuuden vaihtelu on alle ± 2,5 %;
Metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
Reaktorit, jotka suorittavat metalliorgaanista kemiallista kaasufaasipinnoitusta (MOCVD) ja jotka on erityisesti suunniteltu yhdistepuolijohdekiteiden kasvatukseen käyttäen kohtien 3C003 tai 3C004 mukaan valvonnanalaisten materiaalien välistä kemiallista reaktiota;
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Molekyylisuihku-epitaksikasvatuslaitteet, jotka käyttävät kaasu- tai kiinteitä lähteitä;
Equipment designed for ion implantation, having any of the following:
Laitteet, jotka on suunniteltu ioni-istutusta varten ja joilla on jokin seuraavista:
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1 MeV;
Säteen energia (kiihdytysjännite) ylittää 1 MeV;
Being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
Ne on erityisesti suunniteltu ja optimoitu toimimaan pienemmällä kuin 2 keV:n säteen energialla (kiihdytysjännitteellä);
Direct write capability; or
Mahdollistavat kuvion suoran istutuksen; tai
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Säteen energia vähintään 65 keV ja säteen virta vähintään 45 mA, jotta voidaan suorittaa korkeaenerginen happi-istutus kuumennettuun puolijohde "substraattiin";
Anisotropic plasma dry etching equipment, as follows:
Seuraavat anisotrooppiset plasmakuivasyövytyslaitteet:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
Laitteet, joissa on kasetista-kasettiin toiminta ja syöttökammiot ja joissa on jokin seuraavista:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 0,3 μm or less with ± 5 % 3 sigma precision; or
Ne on suunniteltu tai optimoitu tuottamaan minimiviivanleveyden, joka on 0,3 μm tai vähemmän ± 5 % 3 sigman tarkkuudella); tai
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 μm in diameter;
Ne on suunniteltu kehittämään cm2:ä kohden vähemmän kuin 0,04 partikkelia, joiden mitattavissa oleva koko on halkaisijaltaan suurempi kuin 0,1 μm;
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu 3B001.e kohdan mukaan valvonnanalaisia laitteita varten ja joissa on jokin seuraavista:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 0,3 μm or less with ± 5 % 3 sigma precision; or
Ne on suunniteltu tai optimoitu tuottamaan kriittiset mitat, jotka ovat 0,3 μm tai vähemmän ± 5 % 3 sigman tarkkuudella); tai
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
Ne on suunniteltu kehittämään cm2:ä kohden vähemmän kuin 0,04 partikkelia, joiden mitattavissa oleva koko on halkaisijaltaan suurempi kuin 0,1 μm;
Plasma enhanced CVD equipment, as follows:
Seuraavat plasma-CVD -laitteet:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Laitteet, joissa on kasetista-kasettiin toiminta ja syöttökammiot ja jotka on suunniteltu valmistajan eritelmien mukaan tai optimoitu käytettäväksi sellaisten puolijohdelaitteiden tuotannossa, joiden kriittiset mitat ovat 180 nm tai vähemmän;
Equipment specially designed for equipment controlled by 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu 3B001.e kohdan mukaan valvonnanalaisia laitteita varten ja jotka on suunniteltu valmistajan eritelmien mukaan tai optimoitu käytettäväksi sellaisten puolijohdelaitteiden tuotannossa, joiden kriittiset mitat ovat 180 nm tai vähemmän;
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
Automaattisyöttöiset monikammioiset puolijohdekiekkojen käsittelyjärjestelmät, joilla on kaikki seuraavat:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
Menetelmät kiekkojen syöttöä ja ulosottoa varten ja joihin voidaan liittää enemmän kuin kaksi puolijohdeprosessilaitetta; ja
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;
Suunniteltu muodostamaan tyhjössä toimiva integroitu järjestelmä useiden kiekkojen peräkkäistä prosessointia varten.
Note: 3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Huom.: 3B001.e kohta ei aseta valvonnanalaiseksi automaattisia kiekkojen robottikäsittelijöitä, joita ei ole suunniteltu toimimaan tyhjössä.
Lithography equipment, as follows:
Seuraavat litografialaitteet:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following:
Askeltavat kohdistus- ja valotuslaitteet (suora kohdistus kiekkoon) tai kohdistus- ja pyyhkäisy- (skanneri) laitteet kiekkojen prosessointia varten, jotka käyttävät foto-optisia tai röntgenmenetelmiä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A light source wavelength shorter than 350 nm; or
Valolähteen aallonpituus lyhyempi kuin 350 nm; tai
Capable of producing a pattern with a'minimum resolvable feature' size of 0,35 μm or less;
Ne pystyvät tuottamaan kuvion, jonka ’pienin erottuva kuvion’ koko on 0,35 μm tai vähemmän;
The "minimum resolvable feature" size is calculated by the following formula:
'Pienimmän erottuvan kuvion' koko lasketaan seuraavalla kaavalla:
numerical aperture
numeerinen aukko
where the K factor = 0,7
jossa: K kerroin = 0,7
MRF = minimum resolvable feature size
MRF on pienin erottuva kuvion koko.
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:
Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu maskien valmistukseen tai puolijohdekomponenttien prosessointiin käyttäen poikkeutettua ja fokusoitua elektronisuihkua, ionisuihkua tai "laser" sädettä, ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
A spot size smaller than 0,2 μm;
Suihkun tai säteen pisteen koko on pienempi kuin 0,2 μm;