natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
b. spetsiaalselt ette nähtud või kohandatud 'laengu kordistamise' saavutamiseks ja maksimaalse kiirgustundlikkusega üle 10 mA/W;
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
b. mitte-"kosmosekindlad"" fokaaltasandilised massiivid", millel on järgmised omadused:
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over an area greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
c. mitte-"kosmosekindlad" mittelineaarsed (kahemõõtmelised) "fokaaltasandilised massiivid", millel on üksikelemendid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku üle 1200 nm, kuid mitte üle 30000 nm;
3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Ränist ja muust materjalist 'mikrobolomeetri' mitte-"kosmosekindlad" "fokaaltasandilised massiivid" on määratletud ainult punktis 6A002.a.3.f.
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 u or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
d. mitte-"kosmosekindlad" lineaarsed (ühemõõtmelised) "fokaaltasandilised massiivid", millel on kõik järgmised omadused:
a.
üksikelemendid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku üle 1200 nm, kuid mitte üle 3000 nm, ja
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
a. detektorielementide 'skaneerimissuuna' mõõdu suhe detektorielementide 'ristiskaneerimise suuna' mõõtu on väiksem kui 3,8 või
b.
b. signaalitöötlus detektorelementides;
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Punkt 6A002.a.3.d ei hõlma "fokaaltasandilisi massiive" (kuni 32 elementi), mille detektorielemendid on üksnes germaaniumist.
c.
Punkti 6A002.a.3.d mõistes on 'ristiskaneerimise suund' määratletud detektorielementide lineaarse reaga paralleelse teljena ja 'skaneerimise suund' on määratletud detektorielementide lineaarse reaga risti asetseva teljega.
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
e. mitte-"kosmosekindlad" lineaarsed (ühemõõtmelised) "fokaaltasandilised maatriksid", millel on üksikelemendid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku üle 3000 nm, kuid mitte üle 30000 nm;
d.
f. mitte-"kosmosekindlad" mittelineaarsed (kahemõõtmelised) infrapuna "fokaaltasandilised massiivid" 'mikrobolomeetri' materjalist, mille üksikelementide poolt registreeritud filtreerimata lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku üle 8000 nm, kuid mitte üle 14000 nm;
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
Punkti 6A002.a.3.f tähenduses on 'mikrobolomeeter' soojuskiirguse detektor, kus kasuliku signaali tekitamiseks kasutatakse infrapunakiirguse neeldumisel detektoris tekkivat temperatuuri muutust.
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
g. mitte-"kosmosekindlad"" fokaaltasandilised massiivid", millel on järgmised omadused:
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
üksikud detektorielemendid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku üle 400 nm, kuid mitte üle 900 nm;
e.
spetsiaalselt ette nähtud või kohandatud 'laengu kordistamise' saavutamiseks ja maksimaalse kiirgustundlikkusega üle 10 mA/W lainepikkustel üle 760 nm ja
Not used;
rohkem kui 32 elementi.
f.
b. kaugjälgimisseadmetele ette nähtud "monospektraalsed pildiandurid" ja "multispektraalsed pildiandurid", millel on mis tahes järgmine omadus:
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
hetkeline vaateväli (IFOV) on väiksem kui 200 μrad (mikroradiaani) või
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
spetsifitseeritud tööks lainepikkuste vahemikus üle 400 nm, kuid mitte üle 30000 nm, ja millel on kõik järgmised omadused:
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
a. esitab kujutise väljundandmed digitaalkujul ja
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
"kosmosekindlad"; või
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
ette nähtud õhus toimuvaks tööks, kasutades muid kui ränidetektoreid, ning mille hetkeline vaateväli (IFOV) on väiksem kui 2,5 mrad (milliradiaani);
a.
Punkt 6A002.b.1 ei hõlma "monospektraalseid pildiandureid", mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb vahemikku üle 300 nm, kuid mitte üle 900 nm ja mis sisaldavad üksnes mis tahes järgmist mitte-"kosmosekindlat" detektorit või mitte-"kosmosekindlat" "fokaaltasandilist massiivi":
Voltage rating greater than 2 kV; and
laengsidestusseadmed (CCD), mis ei ole loodud või kohandatud 'laengu kordistamiseks', või
b Inductance of less than 20 nH.
täiendavad metalloksiid-pooljuht- (CMOS) seadmed, mis ei ole loodud ega kohandatud 'laengu kordistamiseks'.
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
c. 'vahetu vaatega' kuvaseadmed, mis sisaldavad mis tahes järgmist:
SEE ALSO 2B226
punktis 6A002.a.2.a või punktis 6A002.a.2.b nimetatud kujutisevõimendustorud;
a.
punktis 6A002.a.3 nimetatud "fokaaltasandilised massiivid" või
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
punktis 6A002.a.1 nimetatud tahkisdetektorid;
Equipment designed or modified to produce a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Mõiste 'vahetu vaatega' viitab kuvaseadmetele, mis esitavad vaatlejale nähtava kujundi, muutmata seda elektrooniliseks signaaliks televiisoriekraani jaoks, võimaldamata esitatavaid kujutusi elektrooniliselt, fotograafiliselt või mõnel muul viisil säilitada või salvestada.
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Punkt 6A002.c ei hõlma järgmisi seadmeid, mis sisaldavad muid kui GaAs- või GaInAs-fotokatoode:
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
tööstus- või tsiviilkasutuses olevad sissemurdmise alarmsüsteemid, liikluses või tööstuses kasutatavad liikumise kontrolli- või loendussüsteemid;
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
meditsiiniseadmed;
b.
tööstusseadmed, mida kasutatakse materjalide omaduste kontrollimiseks, sorteerimiseks või analüüsiks;
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
leegidetektorid tööstuslikes ahjudes;
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
spetsiaalselt laboratoorseks kasutamiseks ette nähtud seadmed.
Direct write capability;
d. spetsiaalsed optiliste andurite abikomponendid:
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
"kosmosekindlad" krüojahutid;
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
mitte-"kosmosekindlad" krüojahutid, mille jahutustemperatuur on madalam kui 218 K (–55 °C):
e.
a. suletud tsükliga jahuti, mis on spetsifitseeritud töötama keskmise kasutusajaga tõrkeni (MTTF) või keskmise tõrketusvältusega (MTBF) üle 2500 tunni;
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
b.
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
Joule-Thomsoni isereguleeruvad minijahutid, mille välisdiameeter on väiksem kui 8 mm;
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
optiliselt tundlikud kiud, mis on spetsiaalselt valmistatud kas koostiseliselt või struktuurselt või kohandatud katmise teel olema akustiliselt, termiliselt, inertsiaalselt, elektromagnetiliselt või tuumakiirguse suhtes tundlikud;
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
Punkt 6A002.d.3 ei hõlma kapseldatud optiliselt tundlikke kiude, mis on spetsiaalselt loodud puuraukude seire rakenduste jaoks.
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
e. ei kasutata.
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
f.
f.
'Väljundkiibid' (read-out integrated circuits, 'ROIC'), mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 6A002.a.3. nimetatud "fokaaltasandilistele massiividele".
Lithography equipment as follows:
Punkt 6A002.f ei hõlma spetsiaalselt tsiviilotstarbeliste mootorsõidukite jaoks ette nähtud 'väljundkiipe'.
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
Järgmised kaamerad, süsteemid või seadmed ja nende komponendid:
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
a.
b.
Seadistuskaamerad ja spetsiaalselt nende jaoks loodud komponendid:
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
Punktides 6A003.a.3–6A003.a.5 nimetatud modulaarse ehitusega seadistuskaameraid tuleks hinnata nende maksimaalse suutlikkuse alusel, kasutades olemasolevaid lisandprogramme vastavalt kaameratootja spetsifikatsioonile.
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
elektroonilised vöötkaamerad, mille ajaline täpsus on parem kui 50 ns;
where the K factor = 0,35
elektroonilised kaaderkaamerad, mille kiirus on üle 1000000 kaadri sekundis;
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
elektroonilised kaamerad, millel on kõik järgmised omadused:
3B001.f.2. includes:
a. elektroonilise katiku kiirus (strobeerimisvõime) on lühem kui 1 μs ühe täiskaadri kohta ja
Micro contact printing tools
b. lugemisaeg võimaldab kaadrijoondamiskiirust üle 125 täiskaadri sekundis;
Hot embossing tools
lisandprogrammid, millel on kõik järgmised omadused:
Nano-imprint lithography tools
a. mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 6A003.a nimetatud modulaarse ehitusega seadistuskaamerate jaoks ja
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
b. mis võimaldavad nendel kaameratel täita valmistaja kirjeldusele vastavad ja punktis 6A003.a.3, 6A003.a.4 või 6A003.a.5 nimetatud omadused;
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
b.
a.
Järgmised pildinduskaamerad:
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
Punkt 6A003.b ei hõlma spetsiaalselt televisioonisaadete jaoks konstrueeritud televisiooni- ja videokaameraid.
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
Videokaamerad, mis sisaldavad pooljuhtandureid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku üle 10 nm, kuid mitte üle 30000 nm, ja millel on kõik järgmised omadused:
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
a. millel on mõni järgmistest omadustest:
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
monokroomkaamerad (must-valge) rohkem kui 4 × 106"aktiivpiksliga" tahkismassiivi kohta;
a.
kolme tahkismassiiviga värvikaamerad rohkem kui 4 × 106"aktiivpiksliga" tahkismassiivi kohta või
A deflected focused electron beam; and
ühe tahkismassiiviga värvikaamerad rohkem kui 12 × 106"aktiivpiksliga" tahkismassiivi kohta ja
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
punktis 6A004.a nimetatud optilised peeglid,
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
punktis 6A004.d nimetatud optilised juhtseadmed või
g.
võime salvestada sisemiselt genereeritud 'andmeid kaamera positsiooni kohta';
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Selle punkti tähenduses tuleks digitaalkaameraid hinnata liikuvate kujutiste salvestamiseks kasutatud "aktiivpikslite" maksimaalse arvu alusel.
h.
Selle punkti tähenduses on 'andmed kaamera positsiooni kohta' info, mis on vajalik kaamera vaatenurga asetuse määratlemiseks maa suhtes.
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified in 3B001.g. and having any of the following:
See hõlmab järgmist: 1) horisontaalne nurk, mis jääb kaamera vaatenurga ja maa magnetvälja suuna vahele ja; 2) vertikaalne nurk, mis jääb kaamera vaatenurga ja maa horisondi vahele.
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
skannerkaamerad ja skannerkaamerasüsteemid, millel on kõik järgmised omadused:
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
a. tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku üle 10 nm, kuid mitte üle 30000 nm;
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not specified in 3A001.
b. lineaarsed detektormassiivid üle 8192 elemendiga massiivis ja
i.
c. mehaanilise ühesuunalise laotusega;
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Punkt 6A003.b.2 ei hõlma skannerkaameraid ja skannerkaamerasüsteeme, mis on spetsiaalselt ette nähtud mis tahes järgmiste seadmete jaoks:
j.
tööstus- või tsiviilkasutuses olevad koopiamasinad;
Mask "substrate blanks" with multilayer reflector structure consisting of molybdenum and silicon, and having all of the following:
skannerid, mis on spetsiaalselt ette nähtud tsiviilkasutuses, paiksete, lähiskannimisrakenduste jaoks (nt dokumentides, kunstiteostes või fotodes sisalduvate kujutiste või teksti taasesitamiseks), või
Specially designed for 'Extreme Ultraviolet' ('EUV') lithography; and
meditsiiniseadmed.
Compliant with SEMI Standard P37.
pildinduskaamerad, mis sisaldavad punktis 6A002.a.2.a või 6A002.a.2.b nimetatud kujutisvõimendeid;
'Extreme Ultraviolet' ('EUV') refers to electromagnetic spectrum wavelengths greater than 5 nm and less than 124 nm.
pildinduskaamerad, mis sisaldavad "fokaaltasandilisi massiive", millel on mis tahes järgmine omadus:
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
a. sisaldavad punktides 6A002.a.3.a–6A002.a.3.e nimetatud "fokaaltasandilisi massiive";
a.
b. sisaldavad punktis 6A002.a.3.f nimetatud "fokaaltasandilisi massiive"; või
For testing S-parameters of items specified in 3A001.b.3.;
c. sisaldavad punktis 6A002.a.3.g nimetatud "fokaaltasandilisi massiive";
c.
Punktis 6A003.b.4 nimetatud 'pildinduskaamerad' sisaldavad lisaks väljundkiibile piisava "signaali töötlemise" elektroonikaga varustatud "fokaaltasandilisi massiive", mis võimaldavad sisselülitamisel vähemalt analoog- või digitaalväljundsignaali.
For testing items specified in 3A001.b.2.
Punkt 6A003.b.4.a ei hõlma pildinduskaameraid, mis sisaldavad lineaarseid kaheteistkümne (12) või vähema elemendiga "fokaaltasandilisi massiive" ja mis ei kasuta elemendisisest ajalist viivitust ja integreerimist ning mis on ette nähtud järgmiseks:
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
tööstusseadmed, mida kasutatakse soojuse voolamise kontrollimiseks või seireks hoonetes, seadmetes või tootmisprotsessides;
a.
spetsiaalselt laboratoorseks kasutamiseks ette nähtud seadmed või
Silicon (Si);
Punkt 6A003.b.4.b ei hõlma pildinduskaameraid, millel on mis tahes järgmine omadus:
b.
maksimaalne kaadrisagedus kuni 9 Hz;
Germanium (Ge);
minimaalne horisontaalne või vertikaalne 'hetkeline vaateväli (IFOV)' vähemalt 10 mrad (milliradiaani);
c.
sisaldab fikseeritud fookuskaugusega objektiivi, mis ei ole eemaldatav;
Silicon carbide (SiC); or
ei sisalda 'vahetu vaatega' näidikut, ja
d.
ilma aparatuurita, mis võimaldaks kindlaksmääratud vaateväljast saada vaadeldavat kujutist; või
"III/V compounds" of gallium or indium.
kaamera on loodud mingi kindla rakenduse tarvis ning selliselt, et kasutaja seda ei muuda, või
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
kaamera on spetsiaalselt ette nähtud paigaldamiseks tsiviilotstarbelistele reisijaid vedavatele sõidukile ja sel on kõik järgmised omadused:
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
kaamera asetus ja konfiguratsioon sõidukis on mõeldud ainult juhi abistamiseks sõiduki ohutul käsitsemisel;
a.
töötab üksnes siis, kui on paigaldatud ühte järgmistest:
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
tsiviilotstarbeline reisijateveo maismaasõiduk, mille jaoks see on ette nähtud, ja mis kaalub vähem kui 4500 kg (täismass), või
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 193 nm but equal to or greater than 15 nm;
spetsiaalselt selleks ette nähtud autoriseeritud ekspluatatsiooni katseseade ja
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
sisaldab aktiivmehhanismi, mis ei võimalda kaameral töötada, kui see eemaldatakse sõidukilt, mille jaoks see on ette nähtud.
b.
Punkti 6A003.b.4. märkuses 3.b nimetatud 'hetkeline vaateväli (IFOV)' on 'horisontaalse IFOV-i' või 'vertikaalse IFOV-i' väikseim väärtus.
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
'Horisontaalne IFOV' = horisontaalne hetkeline vaateväli (FOV) / horisontaalsete detektorelementide arv
d.
'Vertikaalne IFOV' = vertikaalne hetkeline vaateväli (FOV) / vertikaalsete detektorelementide arv
All resists optimised for surface imaging technologies;
Punkti 6A003.b.4 märkuses 3.b nimetatud mõiste 'vahetu vaade' viitab pildinduskaamerale, mis töötab infrapunases spektriosas ja esitab vaatlejale nähtava kujundi lähedalt vaadataval ja mis tahes valguskaitsemehhanismi sisaldaval mikroekraanil.
e.
Punkt 6A003.b.4.c ei hõlma pildinduskaameraid, millel on mis tahes järgmine omadus:
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
kaamera on spetsiaalselt ette nähtud paigaldamiseks sisetingimustes kasutatavatele ja vooluvõrku ühendatud süsteemidele või seadmetele nende lahutamatu komponendina ning kaamera kasutamine on ehitusest tulenevalt piiratud ühega järgmistest rakendustest:
Organo-inorganic compounds as follows:
tööstusprotsessi jälgimine, kvaliteedikontroll või materjalide omaduste analüüs;
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
finantspettuste avastamise seadmed ja
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
spetsiaalselt selleks ette nähtud autoriseeritud ekspluatatsiooniseade ja
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
sisaldab aktiivmehhanismi, mis ei võimalda kaameral töötada, kui see eemaldatakse süsteemi(de)st või seadmetest, mille jaoks see on ette nähtud;
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
kus kaamera on spetsiaalselt ette nähtud paigaldamiseks tsiviilotstarbelistele reisijaid vedavatele maismaasõidukile või reisijaid ja sõidukeid vedavale parvlaevale ja sel on kõik järgmised omadused:
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
kaamera asetus ja konfiguratsioon sõidukis või parvlaeval on mõeldud ainult juhi või operaatori abistamiseks sõiduki või parvlaeva ohutul juhtimisel;
High resistivity materials as follows:
tsiviilotstarbeline reisijateveo maismaasõiduk, mille jaoks see on ette nähtud, ja mis kaalub vähem kui 4500 kg (täismass),
a.
reisijaid või sõidukeid vedav parvlaev, mille jaoks see on ette nähtud, kogupikkusega 65 m ja üle selle, või
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C;
spetsiaalselt selleks ette nähtud autoriseeritud ekspluatatsiooni katseseade ja
b.
sisaldab aktiivmehhanismi, mis ei võimalda kaameral töötada, kui see eemaldatakse sõidukilt, mille jaoks see on ette nähtud;
Polycrystalline "substrates" or polycrystalline ceramic "substrates", having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C and having at least one non-epitaxial single-crystal layer of silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN), or aluminium gallium nitride (AlGaN) on the surface of the "substrate".
maksimaalne "kiirgustundlikkus" on ehituse tõttu 10 mA/W või vähem lainepikkustel üle 760 nm ja millel on kõik järgmised omadused:
Materials, not specified in 3C001, consisting of a "substrate" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
sisaldab koste/tundlikkuse piiramise mehhanismi, mida ei saa eemaldada ega modifitseerida;
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
sisaldab aktiivmehhanismi, mis ei võimalda kaameral töötada, kui koste/tundlikkuse piiramise mehhanism eemaldatakse, ja
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
ei ole spetsiaalselt loodud või kohandatud veealuseks kasutamiseks või
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
d. millel on kõik järgmised omadused:
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
ei sisalda 'vahetu vaate' või elektroonilise kujutise kuvarit;
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
puudub võimalus tuvastatud vaatevälja vaadeldava kujutise väljastamiseks;
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
"fokaaltasandiline massiiv" töötab üksnes siis, kui see on paigaldatud kaamerale, mille jaoks see on ette nähtud, ja
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
"fokaaltasandiline massiiv" sisaldab aktiivmehhanismi, mis muudab selle püsivalt mittetoimivaks, kui see eemaldatakse kaameralt, mille jaoks see on ette nähtud