natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Titanium alloys (13)
Punktis 3A225 määratletud sagedusmuundureid võidakse turustada generaatoritena, elektrooniliste katseseadmetena, vahelduvvooluallikatena, reguleeritava kiirusega mootorajamitena, sagedusmuunduritena, muutuvsagedusega ajamitena, reguleeritava sagedusega ajamitena või reguleeritava kiirusega elektriajamitena.
Nitrides
Suure võimsusega alalisvooluallikad, muud kui punktis 0B001.j.6 nimetatud, millel on mõlemad järgmised omadused:
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
a. võimaldavad 8 tunni jooksul saada pidevalt väljundpinget 100 V või rohkem voolutugevusel 500 A või rohkem ja
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
b. voolu ja pinge stabiilsus 8 tunni vältel on parem kui 0,1 %.
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
Kõrgepingelised alalisvooluallikad, muud kui punktis 0B001.j.5 nimetatud, millel on mõlemad järgmised omadused:
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
a. võimaldavad 8 tunni jooksul saada pidevalt väljundpinget 20 kV või rohkem voolutugevusel 1 A või rohkem ja
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
Järgmised lülitusseadmed:
Polymers (11) and Organic "matrix" "composites"
a. külmkatoodiga lambid, gaasiga täidetult või mitte, mis töötavad analoogiliselt kaitsesädemikuga ja millel on kõik järgmised omadused:
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
sisaldavad kolme või enamat elektroodi;
Refractory metals and alloys (8)
anoodpinge tippnimiväärtusega 2,5 kV või rohkem;
Oxides
anoodvoolu tippnimiväärtus 100 A või rohkem ja
D. Plasma spraying
anoodi viiteaeg 10 μs või vähem;
Abradable Nickel-Graphite
punkt 3A228 hõlmab gaastäitega krütrone ja vaakumsprütrone.
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
b. ümberlülitatavad sädevahemikud, millel on mõlemad järgmised omadused:
Abradable Al-Si-Polyester
anoodi viiteaeg 15 μs või vähem; ja
Aluminium alloys (6)
tippnimivoolutugevus 500 A või rohkem.
E. Slurry Deposition
c. kiirlülitustoimega moodulid või sõlmed, muud kui punktis 3A001.g või 3A001.h nimetatud, millel on kõik järgmised omadused:
Fused silicides
anoodpinge tippnimiväärtus üle 2 kV;
Fused aluminides except for resistance heating elements
anoodvoolu tippnimiväärtus 500 A või rohkem ja
F. Sputter Deposition
anoodi viiteaeg 1 μs või vähem;
Noble metal modified aluminides (3)
Kõrgvoolu impulssgeneraatorid:
Platinum
a. lõhkeainete detonaatorite initsieerimissüsteemid, kaasa arvatud elektrooniliselt laetud ja optiliselt juhitavad detonaatorite süsteemis, muud kui punktis 1A007.a nimetatud, mis on projekteeritud juhtima punktis 1A007.b nimetatud mitmikkontrolli detonaatoreid;
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
b. moodul-elektriimpulsi generaatorid (pulsarid), millel on kõik järgmised tehnilised omadused:
Dielectic layers (15)
ette nähtud portatiivseks, mobiilseks või karmides tingimustes kasutamiseks;
G. Ion Implantation
võimelised andma energiat vähem kui 15 μs jooksul koormustel vähem kui 40 oomi;
High temperature bearing steels
väljundvool üle 100 A;
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
ükski mõõde ei ületa 30 cm;
Cemented tungsten carbide (16)
raskus vähem kui 30 kg ja
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - NOTES
ette nähtud kasutamiseks laiendatud temperatuurivahemikus 223 K (–50 °C) kuni 373 K (+100 °C) või määratletud kohaseks kasutamiseks kosmoses;
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Punkt 3A229.b hõlmab ka ksenoonvälklampide juhtimisseadmeid.
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
c. mikrodünamod (micro-firing units), millel on kõik järgmised omadused:
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
ükski mõõde ei ületa 35 mm;
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
tööpinge võrdne või suurem kui 1 kV ja
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
mahtuvus võrdne või suurem kui 100 nF.
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
Kiired impulssgeneraatorid ja nende impulssliidesed ning millel on mõlemad järgmised omadused:
a.
a. väljundpinge üle 6 V aktiivkoormusel vähem kui 55 oomi ja
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
b. 'impulsi siirdeaeg' 500 ps või vähem.
b.
Punktis 3A230 on 'impulsi siirdeaeg' defineeritud kui ajavahemik pinge amplituudi väärtuste 10 % ja 90 % vahel.
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
'Impulssliidesed' on impulsside formeerimise lülitused, mis on mõeldud võtma vastu pinge hüppefunktsiooni ja seda kujundama mitmesuguste kujudega impulssideks, sealhulgas nelinurkseteks, kolmnurkseteks, hüppelisteks, eksponentsiaalseteks või üksiktsükliliseks.
c.
'Impulssliidesed' võivad olla impulssgeneraatorisse sisse ehitatud, seadme pistikmooduliks või väliselt ühendatavaks seadmeks.
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
Neutronite genereerimise süsteemid, kaasa arvatud lambid, millel on mõlemad järgmised omadused:
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
a. need on ette nähtud tööoperatsioonide täitmiseks ilma välise vaakumsüsteemita ning
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
b. mis tahes järgmiste kasutamine:
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
elektrostaatiline kiirendamine triitium-deuteerium tuumareaktsiooni esilekutsumiseks või
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
elektrostaatiline kiirendamine deuteerium-deuteerium tuumareaktsiooni esilekutsumiseks, mis on võimeline saavutama väljundit 3 × 109 neutronit/s või enam.
Category 2 does not include "technology" for single-step pack cementation of solid airfoils.
Järgmised punktis 1A007 nimetamata mitmepunktilised initsieerimissüsteemid:
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Detonaatorite kohta vt punkt 1A007.b.
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
b. süsteemid, mis kasutatavad üksik- või mitmikdetonaatoreid, mis on ette nähtud üle 5000 mm2 lõhkeainepinna peaaegu samaaegseks initsieerimiseks ühe süütesignaaliga nii, et initsieerimise ajaline ulatus üle kogu pinna oleks vähem kui 2,5 μs.
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
Punkt 3A232 ei hõlma detonaatoreid, mis kasutavad ainult initsieerivaid lõhkeaineid, nagu näiteks pliiasiid.
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Massispektromeetrid, muud kui punktis 0B002.g nimetatud, mis võimaldavad mõõta ioone massiga 230 u või rohkem ning mille lahutusvõime on parem kui 2 osa 230-st, ning nende iooniallikad:
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
a. induktiivselt sidestatud plasma massispektromeetrid (ICP/MS);
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
b. huumlahendus-massispektromeetrid (GDMS);
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
c. termilise ionisatsiooni massispektromeetrid (TIMS);
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
d. elektronpommitusega massispektromeetrid, millel on mõlemad järgmised omadused:
"Technology" for depositing diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
molekulaarkimbu sisselaskesüsteem, mis suunavad kollimeeritud kimbu analüüsi tulemusel saadud molekule ioonallika piirkonda, kus molekulid ioniseeritakse elektronkiirega, ja
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
üks või rohkem 'külmalõksu', mida saab jahutada temperatuurini 193 K (–80 °C);
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
e. ei kasutata;
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
f. massispektromeetrid, mis on varustatud mikrofluorimisioonallikaga ja on ette nähtud aktiniididele või aktiniidfluoriididele.
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - TECHNICAL NOTE
Punktis 3A233.d nimetatud elektronpommitusega massispektromeetreid tuntakse ka elektronlöök-massispektromeetritena või elektronionisatsiooni massispektromeetritena.
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
'Külmalõks' punktis 3A233.d.2 on seade, mis püüab gaasimolekulid lõksu nende külmadele pindadele kondenseerimise või külmutamise teel.
a.
Punkti 3A233.d.2 tähenduses suletud ahelaga gaasilise heeliumi krüogeenne vaakumpump ei ole 'külmalõks'.
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Liistakujooned, mis annavad madalinduktiivsuse raja detonaatoritele järgmiste omadustega:
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
a. tööpinge suurem kui 2 kV, ja
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
b. induktiivsus väiksem kui 20 nH.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Järgmised seadmed pooljuhtseadmete ja -materjalide tootmiseks ning nende komponendid ja abiseadmed:
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
VT KA 2B226.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
a. epitakskasvatamise seadmed:
b.
seadmed, mis on konstrueeritud või modifitseeritud tootma ühtlast mis tahes materjali, v.a räni, kihti, mille ebaühtlus 75 mm või pikemal vahemikul on väiksem kui ± 2,5 %;
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Punkt 3B001.a.1 hõlmab aatomkihtepitaksia (ALE) seadmeid.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
metallorgaanilised keemilised aurustussadestusreaktorid, mis on ette nähtud epitaksiaalselt kasvatama liitpooljuhte, mis koosnevad kahest või enamast järgmisest keemilisest elemendist: alumiinium, gallium, indium, arseen, fosfor, antimon või lämmastik;
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
molekulaarkimp-epitakskasvatamise seadmed, milles kasutatakse gaasilisi või tahkeid allikaid;
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
b. ioonlegeerimisseadmed, millel on mis tahes järgmine omadus:
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
mis on projekteeritud ja optimeeritud töötama kimbu energial 20 keV või rohkem ja kimbu voolul 10 mA või rohkem vesiniku, deuteeriumi või heeliumi implanteerimiseks;
Specific TE-PVD processes are as follows:
otsekirje võimega;
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
kimbu energiaga 65 keV või rohkem ja kimbu vooluga 45 mA või rohkem kõrgenergeetiliseks hapniku istutamiseks kuumutatud pooljuhtmaterjali "põhimikku" või
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
mis on projekteeritud ja optimeeritud töötama kimbu energial 20 keV või rohkem ja kimbu voolul 10 mA või rohkem räni implanteerimiseks temperatuurini 600 °C või rohkem kuumutatud pooljuhtmaterjali "põhimikku";
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
e. automaatse laadimisega mitmekambrilised kesksed toorikkiipide käsitsemise süsteemid, millel on kõik järgmised omadused:
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
liides toorikkiipide sisestamiseks ja väljavõtmiseks, millega võib liita enam kui kaks funktsionaalselt erinevat pooljuhte töötlevat seadet, mis on nimetatud punktis 3B001.a.1, 3B001.a.2, 3B001.a.3 või 3B001.b ja
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
on arendatud moodustama integreeritud süsteemi 'kiipide järjestiktöötlemiseks' vaakumkeskkonnas;
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Punkt 3B001.e ei hõlma automaatseid kiipide käsitlemise robotsüsteeme, mis on spetsiaalselt projekteeritud kiipide paralleeltöötlemiseks
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Punkti 3B001.e kohaldamisel tähendab 'pooljuhte töötlev seade' moodulseadet, mis rakendab pooljuhtide tootmiseks funktsionaalselt erinevaid füüsikalisi protsesse, näiteks sadestamist, implanteerimist või termilist töötlemist.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Punkti 3B001.e kohaldamisel tähendab 'kiipide järjestiktöötlemine' võimet töödelda igat kiipi erinevas pooljuhte töötlevas seadmes, näiteks paigutades igat kiipi ühest seadmest teise seadmesse ja edasi kolmandasse seadmesse automaatse laadimisega mitmekambriliste kesksete toorikkiipide käsitsemise süsteemidega.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
f. järgmised litograafiaseadmed:
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
"paiguta ja särita ning korda sammhaaval" (otsene samm kiibil) või "samm ja skaneeri" (skanner) tüüpi seadmed kiipide töötlemiseks, mis kasutavad valgusoptilist või röntgenikiirte meetodeid ja millel on mis tahes järgmine omadus:
c.
a. valgusallika lainepikkus on lühem kui 193 nm või
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
b. on võimelised tekitama mustrit, milles 'vähima lahutatava elemendi mõõt' (MRF) on 45 nm või vähem;
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
'Vähima lahutatava elemendi mõõt' (MRF) arvutatakse järgmise valemi põhjal:
An activator (normally a halide salt); and
kus K-tegur = 0,35
An inert powder, most frequently alumina.
Jäljendi litograafiaseadmed, mis on võimelised tekitama kujutisi mõõtmetega 45 nm või vähem;
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Punkt 3B001.f.2 hõlmab järgmist:
d.
mikrokontakttrükiseadmed,
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
kuumreljeeftrükiseadmed (hot embossing tools),
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
nanojäljendi litograafiaseadmed (nano-imprint lithography tools),
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
samm-ja-särita-jäljendi litograafiaseadmed (step and flash imprint lithography (S-FIL) tools).
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
seadmed pooljuhtide maskide valmistamiseks, millel on kõik järgmised omadused:
e.
a. kasutatakse hälvitatud-fokuseeritud elektronkimpu, ioonkimpu või "laser"kiirt; ja
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
FWHM laotuspunkti suurus väiksem kui 65 nm ja kujundi paigutus väiksem kui 17 nm (keskmine + 3 sigma); või
f.
Teise kihi katteviga väiksem kui 23 nm (keskmine + 3 sigma) maskil;
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
seadmed seadiste töötlemiseks otsekirjutusmeetodeid kasutades, millel on kõik järgmised omadused:
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
a. hälvitatud-fokuseeritud elektronkimp; ja
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
väikseim kimbu suurus 15 nm või väiksem; või
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
katteviga väiksem kui 27 nm (keskmine + 3 sigma);
g.
g. maskid ja niitvõrgustikud, mis on ette nähtud punktis 3A001 nimetatud integraallülitustele;
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
h. mitmekihilised maskid faasinihkekihiga, mis ei ole täpsustatud punktis 3B001.g ja millel on mõni järgmistest omadustest:
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
tehtud maski "põhimikuplangile" klaasist, mille määratletud kaksikmurdumine on väiksem kui 7 nm/cm, või
CATEGORY 3 — ELECTRONICS
ettenähtud kasutamiseks litograafiaseadmetes, mille valgusallika lainepikkus on väiksem kui 245 nm;
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., or 3A001.a.12. to 3A001.a.14., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Punkt 3B001.h ei hõlma mitmekihilisi maske faasinihkekihiga, mis ei ole täpsustatud punktis 3A001 mitte hõlmatud mäluseadmete tootmiseks.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., or 3A001.a.12. to 3A001.a.14. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
i. jäljendi litograafiašabloonid, mis on ette nähtud punktis 3A001 nimetatud integraallülitustele.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., and 3A001.a.12. to 3A001.a.14.
j.
Electronic items as follows:
Molübdeenist ja ränist koosneva mitmekihilise reflektorstruktuuriga maski "põhimikutoorikud", millel on kõik järgmised omadused:
a.
spetsiaalselt loodud 'ekstraultraviolett' ('EUV')-litograafia jaoks; ja
General purpose integrated circuits, as follows:
vastab SEMI standardile P37.
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
'Ekstraultraviolettkiirgus' ('EUV') on elektromagnetspektri lainepikkusega üle 5 nm ja alla 124 nm.
Integrated circuits include the following types:
Testimisseadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud järgmiste lõpetatud või lõpetamata pooljuhtseadiste testimiseks, ning spetsiaalselt nende jaoks ette nähtud komponendid ja lisavarustus:
"Monolithic integrated circuits";
a. punktis 3A001.b.3 nimetatud kaupade S-parameetrite testimiseks;
"Hybrid integrated circuits";
c. punktis 3A001.b.2. nimetatud kaupade testimiseks.
"Multichip integrated circuits";
Hetero-epitaksiaalsed materjalid, mis koosnevad järgmiste materjalide epitakskasvatamisel saadud "põhimikest":
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
a. räni (Si),
"Optical integrated circuits";
b. germaanium (Ge),
"Three dimensional integrated circuits";
c. ränikarbiid (SiC) või
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" ("MMICs").
d. galliumi või indiumi "III/V ühendid".
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Punkt 3C001.d. ei hõlma "põhimikke", millel on üks või mitu P-tüüpi epitaksiaalkihti GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP või InGaAlP, olenemata elementide järjestusest, välja arvatud juhul, kui P-tüüpi epitaksiaalkiht on N-tüüpi kihtide vahel.
a.
Resistmaterjalid ja "põhimikud", mis on kaetud järgmiste resistmaterjalidega:
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
a. järgmised pooljuhtlitograafia jaoks projekteeritud resistmaterjalid:
b.
positiivsed resistid, mis on kohandatud (optimeeritud) kasutamiseks lainepikkustel alla 193 nm, kuid vähemalt või üle 15 nm;