natgillin/translations-raw huggingface dataset:
This table should be read to specify the technology of a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
a. külmkatoodiga lambid, gaasiga täidetult või mitte, mis töötavad analoogiliselt kaitsesädemikuga ja millel on kõik järgmised omadused:
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
sisaldavad kolme või enamat elektroodi;
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
anoodpinge tippnimiväärtusega 2,5 kV või rohkem;
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
anoodvoolu tippnimiväärtus 100 A või rohkem ja
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
anoodi viiteaeg 10 μs või vähem;
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
punkt 3A228 hõlmab gaastäitega krütrone ja vaakumsprütrone.
Table
b. ümberlülitatavad sädevahemikud, millel on mõlemad järgmised omadused:
Deposition techniques
anoodi viiteaeg 15 μs või vähem; ja
Coating Process (1) [3]
tippnimivoolutugevus 500 A või rohkem.
Substrate
c. kiirlülitustoimega moodulid või sõlmed, muud kui punktis 3A001.g või 3A001.h nimetatud, millel on kõik järgmised omadused:
Resultant Coating
anoodpinge tippnimiväärtus üle 2 kV;
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
anoodvoolu tippnimiväärtus 500 A või rohkem ja
"Superalloys"
anoodi viiteaeg 1 μs või vähem;
Aluminides for internal passages
Kõrgvoolu impulssgeneraatorid:
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
a. lõhkeainete detonaatorite initsieerimissüsteemid, kaasa arvatud elektrooniliselt laetud ja optiliselt juhitavad detonaatorite süsteemis, muud kui punktis 1A007.a nimetatud, mis on projekteeritud juhtima punktis 1A007.b nimetatud mitmikkontrolli detonaatoreid;
Silicides
b. moodul-elektriimpulsi generaatorid (pulsarid), millel on kõik järgmised tehnilised omadused:
Carbides
ette nähtud portatiivseks, mobiilseks või karmides tingimustes kasutamiseks;
Dielectric layers (15)
võimelised andma energiat vähem kui 15 μs jooksul koormustel vähem kui 40 oomi;
Diamond
väljundvool üle 100 A;
Diamond-like carbon (17)
ükski mõõde ei ületa 30 cm;
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix""composites"
raskus vähem kui 30 kg ja
Refractory metals
ette nähtud kasutamiseks laiendatud temperatuurivahemikus 223 K (– 50 °C) kuni 373 K (+ 100 °C) või määratletud kohaseks kasutamiseks kosmoses;
Mixtures thereof (4)
Punkt 3A229.b hõlmab ka ksenoonvälklampide juhtimisseadmeid.
Aluminides
c. mikrodünamod (micro-firing units), millel on kõik järgmised omadused:
Alloyed aluminides (2)
ükski mõõde ei ületa 35 mm;
Boron nitride
tööpinge võrdne või suurem kui 1 kV ja
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
mahtuvus võrdne või suurem kui 100 nF.
Tungsten
Kiired impulssgeneraatorid ja nende impulssliidesed ning millel on mõlemad järgmised omadused:
Molybdenum and Molybdenum alloys
a. väljundpinge üle 6 V aktiivkoormusel vähem kui 55 oomi ja
Beryllium and Beryllium alloys
b. 'impulsi siirdeaeg' 500 ps või vähem.
Sensor window materials (9)
Punktis 3A230 on 'impulsi siirdeaeg' defineeritud kui ajavahemik pinge amplituudi väärtuste 10 % ja 90 % vahel.
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
'Impulssliidesed' on impulsside formeerimise lülitused, mis on mõeldud võtma vastu pinge hüppefunktsiooni ja seda kujundama mitmesuguste kujudega impulssideks, sealhulgas nelinurkseteks, kolmnurkseteks, hüppelisteks, eksponentsiaalseteks või üksiktsükliliseks.
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
'Impulssliidesed' võivad olla impulssgeneraatorisse sisse ehitatud, seadme pistikmooduliks või väliselt ühendatavaks seadmeks.
Alloyed silicides
Neutronite genereerimise süsteemid, kaasa arvatud lambid, millel on mõlemad järgmised omadused:
Modified zirconia (12)
a. need on ette nähtud tööoperatsioonide täitmiseks ilma välise vaakumsüsteemita ning
Corrosion resistant steel (7)
b. mis tahes järgmiste kasutamine:
Borides
elektrostaatiline kiirendamine triitium-deuteerium tuumareaktsiooni esilekutsumiseks või
Beryllium
elektrostaatiline kiirendamine deuteerium-deuteerium tuumareaktsiooni esilekutsumiseks, mis on võimeline saavutama väljundit 3 × 109 neutronit/s või enam.
Titanium alloys (13)
Järgmised punktis 1A007 nimetamata mitmepunktilised initsieerimissüsteemid:
Nitrides
Detonaatorite kohta vt punkt 1A007.b.
B.2.
b. süsteemid, mis kasutatavad üksik- või mitmikdetonaatoreid, mis on ette nähtud üle 5000 mm2 lõhkeainepinna peaaegu samaaegseks initsieerimiseks ühe süütesignaaliga nii, et initsieerimise ajaline ulatus üle kogu pinna oleks vähem kui 2,5 μs.
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
Punkt 3A232 ei hõlma detonaatoreid, mis kasutavad ainult initsieerivaid lõhkeaineid, nagu näiteks pliiasiid.
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
Massispektromeetrid, muud kui punktis 0B002.g nimetatud, mis võimaldavad mõõta ioone massiga 230 aatommassiühikut või rohkem ning mille lahutusvõime on parem kui 2 osa 230-st, ning nende iooniallikad:
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
a. induktiivselt sidestatud plasma massispektromeetrid (ICP/MS);
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
b. huumlahendus-massispektromeetrid (GDMS);
Diamond-like carbon
c. termilise ionisatsiooni massispektromeetrid (TIMS);
B.4.
d. elektronpommitusega massispektromeetrid, millel on mõlemad järgmised omadused:
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
molekulaarkimbu sisselaskesüsteem, mis suunavad kollimeeritud kimbu analüüsi tulemusel saadud molekule ioonallika piirkonda, kus molekulid ioniseeritakse elektronkiirega, ja
Polymers (11) and Organic "matrix""composites"
üks või rohkem 'külmalõksu', mida saab jahutada temperatuurini 193 K (– 80 °C);
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
e. ei kasutata;
Refractory metals and alloys (8)
f. massispektromeetrid, mis on varustatud mikrofluorimisioonallikaga ja on ette nähtud aktiniididele või aktiniidfluoriididele.
Oxides
Punktis 3A233.d nimetatud elektronpommitusega massispektromeetreid tuntakse ka elektronlöök-massispektromeetritena või elektronionisatsiooni massispektromeetritena.
D. Plasma spraying
'Külmalõks' punktis 3A233.d.2 on seade, mis püüab gaasimolekulid lõksu nende külmadele pindadele kondenseerimise või külmutamise teel.
Abradable Nickel-Graphite
Punkti 3A233.d.2 tähenduses suletud ahelaga gaasilise heeliumi krüogeenne vaakumpump ei ole 'külmalõks'.
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
Liistakujooned, mis annavad madalinduktiivsuse raja detonaatoritele järgmiste omadustega:
Abradable Al-Si-Polyester
a. tööpinge suurem kui 2 kV, ja
Aluminium alloys (6)
b. induktiivsus väiksem kui 20 nH.
E. Slurry Deposition
Järgmised seadmed pooljuhtseadmete ja -materjalide tootmiseks ning nende komponendid ja abiseadmed:
Fused silicides
a. epitakskasvatamise seadmed:
Fused aluminides except for resistance heating elements
seadmed, mis on võimelised tootma ühtlast mis tahes materjali, v.a räni, kihti, mille ebaühtlus 75 mm või pikemal vahemikul on väiksem kui ± 2,5 %;
F. Sputter Deposition
Punkt 3B001.a.1 hõlmab aatomkihtepitaksia (ALE) seadmeid.
Noble metal modified aluminides (3)
metallorgaanilised keemilised aurustussadestusreaktorid, mis on ette nähtud epitaksiaalselt kasvatama liitpooljuhte, mis koosnevad kahest või enamast järgmisest keemilisest elemendist: alumiinium, gallium, indium, arseen, fosfor, antimon või lämmastik;
Platinum
molekulaarkimp-epitakskasvatamise seadmed, milles kasutatakse gaasilisi või tahkeid allikaid;
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
b. ioonlegeerimisseadmed, millel on mis tahes järgmine omadus:
Dielectic layers (15)
mis on projekteeritud ja optimeeritud töötama kimbu energial 20 keV või rohkem ja kimbu voolul 10 mA või rohkem vesiniku, deuteeriumi või heeliumi implanteerimiseks;
G. Ion Implantation
otsekirje võimega;
High temperature bearing steels
kimbu energiaga 65 keV või rohkem ja kimbu vooluga 45 mA või rohkem kõrgenergeetiliseks hapniku istutamiseks kuumutatud pooljuhtmaterjali "põhimikku" või
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
mis on projekteeritud ja optimeeritud töötama kimbu energial 20 keV või rohkem ja kimbu voolul 10 mA või rohkem räni implanteerimiseks temperatuurini 600 °C või rohkem kuumutatud pooljuhtmaterjali "põhimikku";
Cemented tungsten carbide (16)
d. ei kasutata;
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — NOTES
e. automaatse laadimisega mitmekambrilised kesksed toorikkiipide käsitsemise süsteemid, millel on kõik järgmised omadused:
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
liides toorikkiipide sisestamiseks ja väljavõtmiseks, millega võib liita enam kui kaks funktsionaalselt erinevat pooljuhte töötlevat seadet, mis on nimetatud punktis 3B001.a.1, 3B001.a.2, 3B001.a.3 või 3B001.b ja
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
on arendatud moodustama integreeritud süsteemi 'kiipide järjestiktöötlemiseks' vaakumkeskkonnas;
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
Punkt 3B001.e ei hõlma automaatseid kiipide käsitlemise robotsüsteeme, mis on spetsiaalselt projekteeritud kiipide paralleeltöötlemiseks
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
Punkti 3B001.e kohaldamisel tähendab 'pooljuhte töötlev seade' moodulseadet, mis rakendab pooljuhtide tootmiseks funktsionaalselt erinevaid füüsikalisi protsesse, näiteks sadestamist, implanteerimist või termilist töötlemist.
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
Punkti 3B001.e kohaldamisel tähendab 'kiipide järjestiktöötlemine' võimet töödelda igat kiipi erinevas pooljuhte töötlevas seadmes, näiteks paigutades igat kiipi ühest seadmest teise seadmesse ja edasi kolmandasse seadmesse automaatse laadimisega mitmekambriliste kesksete toorikkiipide käsitsemise süsteemidega.
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
f. järgmised litograafiaseadmed:
a.
"paiguta ja särita ning korda sammhaaval" (otsene samm kiibil) või "samm ja skaneeri" (skanner) tüüpi seadmed kiipide töötlemiseks, mis kasutavad valgusoptilist või röntgenikiirte meetodeid ja millel on mis tahes järgmine omadus:
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
a. valgusallika lainepikkus on lühem kui 193 nm või
b.
b. on võimelised tekitama mustrit, milles 'vähima lahutatava elemendi mõõt' (MRF) on 45 nm või vähem;
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
'Vähima lahutatava elemendi mõõt' (MRF) arvutatakse järgmise valemi põhjal:
c.
valgusallika lainepikkus, nm
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
K-tegur
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
numbriline apertuur
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
kus K-tegur = 0,35
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
Jäljendi litograafiaseadmed, mis on võimelised tekitama kujutisi mõõtmetega 45 nm või vähem;
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
Punkt 3B001.f.2 hõlmab järgmist:
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
mikrokontakttrükiseadmed,
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
kuumreljeeftrükiseadmed (hot embossing tools),
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
nanojäljendi litograafiaseadmed (nano-imprint lithography tools),
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
samm-ja-särita-jäljendi litograafiaseadmed (step and flash imprint lithography (S-FIL) tools).
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
seadmed pooljuhtide maskide valmistamiseks, millel on kõik järgmised omadused:
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10– 7 K– 1 or less measured at 293 K (20 °C).
a. kasutatakse hälvitatud-fokuseeritud elektronkimpu, ioonkimpu või "laser"kiirt ja
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
FWHM laotuspunkti suurus väiksem kui 65 nm ja kujundi paigutus väiksem kui 17 nm (keskmine + 3 sigma); või
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
Teise kihi katteviga väiksem kui 23 nm (keskmine + 3 sigma) maskil;
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
seadmed seadiste töötlemiseks otsekirjutusmeetodeid kasutades, millel on kõik järgmised omadused:
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
a. hälvitatud-fokuseeritud elektronkimp; ja
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
väikseim kimbu suurus 15 nm või väiksem; või
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
katteviga väiksem kui 27 nm (keskmine + 3 sigma);
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
g. maskid ja niitvõrgustikud, mis on ette nähtud punktis 3A001 nimetatud integraallülitustele;
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — TECHNICAL NOTE
h. mitmekihilised maskid faasinihkekihiga, mis ei ole täpsustatud punktis 3B001.g ja millel on mõni järgmistest omadustest:
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
tehtud maski "põhimikuplangile" klaasist, mille määratletud kaksikmurdumine on väiksem kui 7 nm/cm, või
a.
ettenähtud kasutamiseks litograafiaseadmetes, mille valgusallika lainepikkus on väiksem kui 245 nm;
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Punkt 3B001.h ei hõlma mitmekihilisi maske faasinihkekihiga, mis on ette nähtud punktis 3A001 mitte hõlmatud mäluseadmete tootmiseks.
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
i. jäljendi litograafiašabloonid, mis on ette nähtud punktis 3A001 nimetatud integraallülitustele.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
Testimisseadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud järgmiste lõpetatud või lõpetamata pooljuhtseadiste testimiseks, ning spetsiaalselt nende jaoks ette nähtud komponendid ja lisavarustus:
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
a. transistoride S-parameetrite testimiseks sagedustel üle 31,8 GHz;
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
c. punktis 3A001.b.2 nimetatud mikrolaine integraallülituste testimiseks.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Hetero-epitaksiaalsed materjalid, mis koosnevad järgmiste materjalide epitakskasvatamisel saadud "põhimikest":
b.
a. räni (Si),
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
b. germaanium (Ge),
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
c. ränikarbiid (SiC) või
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
d. galliumi või indiumi "III/V ühendid".
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
Punkt 3C001.d. ei hõlma "põhimikke", millel on üks või mitu P-tüüpi epitaksiaalkihti GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP või InGaAlP, olenemata elementide järjestusest, välja arvatud juhul, kui P-tüüpi epitaksiaalkiht on N-tüüpi kihtide vahel.
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
Resistmaterjalid ja "põhimikud", mis on kaetud järgmiste resistmaterjalidega:
Specific TE-PVD processes are as follows:
a. järgmised pooljuhtlitograafia jaoks projekteeritud resistmaterjalid:
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
positiivsed resistid, mis on kohandatud (optimeeritud) kasutamiseks lainepikkustel alla 245 nm, kuid vähemalt või üle 15 nm;
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
positiivsed resistid, mis on kohandatud (optimeeritud) kasutamiseks lainepikkustel alla 15 nm, kuid vähemalt või üle 1 nm;
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
b. kõik resistid, mis on ette nähtud kasutamiseks elektron- või ioonkimpudega, tundlikkusega 0,01 μC/mm2 või parem;
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
d. kõik resistid, mis on optimeeritud pinnakujundamise tehnoloogiate jaoks;
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
e. kõik resistid, mis on ette nähtud või optimeeritud kasutamiseks punktis 3B001.f.2 nimetatud jäljendi litograafiaseadmetega, mis kasutavad kas termilist või fototöötlust.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Orgaanilis-anorgaanilised ühendid:
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
a. alumiiniumi, galliumi või indiumi metallorgaanilised ühendid puhtusega (metalli baasil) üle 99,999 %;
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
b. arseeni, antimoni või fosfori orgaanilised ühendid puhtusega üle 99,999 % (anorgaaniliste elementide baasil).
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Punkt 3C003 hõlmab üksnes neid ühendeid, milles metalliline, poolmetalliline või mittemetalliline element on molekuli orgaanilises osas oleva süsinikuga otseses sidemes.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Fosfori, arseeni või antimoni hüdriidid puhtusega üle 99,999 %, ka inertgaasides või vesinikus lahjendatuna.
c.
Punkt 3C004 ei hõlma hüdriide, mis sisaldavad 20 moolprotsenti või enam inertgaase või vesinikku.
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Ränikarbiidist (SiC), galliumnitriidist (GaN), alumiiniumnitriidist (AlN) või alumiiniumgalliumnitriidist (AlGaN) pooljuht "põhimikud" või nende materjalide kangid, toorikkristallid või muud eelvormid, mille eritakistus 20 °C juures on suurem kui 10000 oomi/cm.
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
Punktis 3C005 nimetatud "põhimikud", millel on vähemalt üks epitaksiline ränikarbiidi, galliumnitriidi, alumiiniumnitriidi või alumiinium-galliumnitriidi kiht.
An activator (normally a halide salt); and
"Tarkvara", mis on spetsiaalselt ette nähtud punktides 3A001.b–3A002.h või 3B nimetatud seadmete "arendamiseks" või "tootmiseks".
An inert powder, most frequently alumina.
"Tarkvara", mis on spetsiaalselt ette nähtud punktides 3B001.a kuni f., 3B002 või punktis 3A225 nimetatud seadmete "kasutamiseks".
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
'Füüsikalistel alustel põhinev' simulatsiooni"tarkvara", mis on spetsiaalselt ette nähtud litograafia-, söövitus- või pinnakatmisprotsesside "arendamiseks" maskide struktuuri üleviimisel spetsiifiliseks juhtide, dielektrikute või pooljuhtide topograafiliseks struktuuriks.
d.
'Füüsikalistel alustel põhinev' tähendab punktis 3D003 arvutuste kasutamist füüsikalistel omadustel (nt temperatuur, rõhk, difusioonikonstandid ja pooljuhtmaterjalide omadused) põhinevate füüsikaliste põhjus-tagajärg sündmuste järjestuse kindlakstegemiseks.