natgillin/translations-raw huggingface dataset:
c.
Telekommunikatsiooni kommutatsiooniseadmete puhul on "täielik digitaalne edastuskiirus" kiireimas pordis või kiireimal liinil mõõdetav üksikliidese ühesuunaline kiirus.
A volume of less than 400 cm3;
c. kasutatakse koherentset optilist ülekannet või koherentse optilise detekteerimise tehnikat;
3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Punkt 5E001.c.2.c hõlmab "tehnoloogiat" selliste süsteemide "arendamiseks" või "tootmiseks", milles kasutatakse vastuvõtupoolel kandja "laseriga" sünkroniseerimiseks kohalikku optilist ostsillaatorit.
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
Punkti 5E001.c.2.c tähenduses hõlmavad need tehnikad optilisi heterodüün-, homodüün- või intradüüntehnikaid.
a.
d. kasutatakse lainepikkuste jaotamise multipleksimise tehnikat optiliste sideliinide puhul, kus kanali laius on väiksem kui 100 GHz, või
A 'turn-on time' from off to fully operational in less than 10 seconds;
e. kasutatakse analoogtehnikat ribalaiusel üle 2,5 GHz;
b.
Punkt 5E001.c.2.e ei hõlma kommertstelevisioonisüsteemide arendamiseks või "tootmiseks" ettenähtud "tehnoloogiat".
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
"Laserit" kasutavate mitte-telekommunikatsiooniseadmete "arendamiseks" või "tootmiseks" ette nähtud "tehnoloogia" kohta vt punkt 6E.
c.
seadmed, mis kasutavad "optilist kommuteerimist" ja mille ümberlülitusaeg on alla 1 ms;
An "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax > 2fmin) and having any of the following:
raadioseadmed, millel on järgmised omadused:
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
a. kasutavad kvadratuur-amplituudmodulatsiooni (QAM) tehnikat kõrgemal kui 1024. nivool;
A frequency greater than 18 GHz;
b. töötavad sisend- ja väljundsagedustel üle 31,8 GHz või
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Punkt 5E001.c.4.b ei hõlma selliste seadmete "arendamiseks" või "tootmiseks" ettenähtud "tehnoloogiat", mis on kavandatud või kohandatud töötamiseks igas sagedusribas, mis on "ITU poolt eraldatud" raadioside jaoks ja mitte ette nähtud asukoha määramiseks.
The 'turn-on time' in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
c. töötab sagedusribas 1,5–87,5 MHz ja sisaldab adaptiivtehnikat, mis võimaldab häiresignaalide enam kui 15 dB allasurumist või
Oscillators or oscillator assemblies, specified to operate with a single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, less (better) than – (126 + 20log10F – 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz;
mobiilseadmed, millel on kõik järgmised omadused:
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
a. töötavad optilisel lainepikkusel 200 nm või rohkem ja 400 nm või vähem ja
"Frequency synthesiser" "electronic assemblies" having a "frequency switching time" as specified by any of the following:
b. töötavad "kohtvõrguna";
a.
d. tehnoloogia üldmärkusele vastav "tehnoloogia", mis on ette nähtud spetsiaalselt telekommunikatsiooni jaoks loodud mikrolaine monoliitsete integraallülituste (MMIC) võimsusvõimendite "arenduseks" või "tootmiseks" ning millel on mis tahes järgmine omadus:
Less than 156 ps;
Punkti 5E001.d tähenduses võib parameetrit 'tipp-küllastusvõimsus väljundis' toote andmelehtedel nimetada: väljundvõimsus, küllastus-väljundvõimsus, maksimaalne võimsusväljund, tipp-küllastusvõimsus väljundis või tipp-mähisvõimsus väljundis.
b.
määratud töötamiseks sagedustel üle 2,7 GHz kuni ja kaasa arvatud 6,8 GHz "osaribalaiusega", mis on suurem kui 15 %, ja millel on mis tahes järgmised omadused:
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
a. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 75 W (48,75 dBm) igal sagedusel üle 2,7 GHz kuni ja kaasa arvatud 2,9 GHz;
c.
b. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 55 W (47,4 dBm) igal sagedusel üle 2,9 GHz kuni ja kaasa arvatud 3,2 GHz;
Less than 250 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
c. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 40 W (46 dBm) igal sagedusel üle 3,2 GHz kuni ja kaasa arvatud 3,7 GHz; või
d.
d. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 20 W (43 dBm) igal sagedusel üle 3,7 GHz kuni ja kaasa arvatud 6,8 GHz;
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz;
määratud töötamiseks sagedustel üle 6,8 GHz kuni ja kaasa arvatud 16 GHz "osaribalaiusega", mis on suurem kui 10 %, ja millel on mis tahes järgmised omadused:
e.
a. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 10 W (40 dBm) igal sagedusel üle 6,8 GHz kuni ja kaasa arvatud 8,5 GHz; või
Less than 1 ms for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 56 GHz;
b. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 5 W (37 dBm) igal sagedusel üle 8,5 GHz kuni ja kaasa arvatud 16 GHz;
f.
määratud töötamiseks tipp-küllastusvõimsusega väljundis üle 3 W (34,77 dBm) igal sagedusel üle 16 GHz kuni ja kaasa arvatud 31,8 GHz ja "osaribalaiusega", mis on suurem kui 10 %;
Less than 1 ms for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesized frequency range exceeding 56 GHz but not exceeding 90 GHz; or
määratud töötamiseks tipp-küllastusvõimsusega väljundis üle 0,1 nW (– 70 dBm) igal sagedusel üle 31,8 GHz kuni ja kaasa arvatud 37 GHz;
g.
määratud töötamiseks tipp-küllastusvõimsusega väljundis üle 1 W (30 dBm) igal sagedusel üle 37 GHz kuni ja kaasa arvatud 43,5 GHz ja "osaribalaiusega", mis on suurem kui 10 %;
Less than 1 ms within the synthesized frequency range exceeding 90 GHz;
määratud töötamiseks tipp-küllastusvõimsusega väljundis üle 31,62 mW (15 dBm) igal sagedusel üle 43,5 GHz kuni ja kaasa arvatud 75 GHz ja "osaribalaiusega", mis on suurem kui 10 %;
For general purpose "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
määratud töötamiseks tipp-küllastusvõimsusega väljundis üle 10 mW (10 dBm) igal sagedusel üle 75 GHz kuni ja kaasa arvatud 90 GHz ja "osaribalaiusega", mis on suurem kui 5 %; või
c.
määratud töötamiseks tipp-küllastusvõimsusega väljundis üle 0,1 nW (– 70 dBm) igal sagedusel üle 90 GHz;
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
e. tehnoloogia üldmärkusele vastav "tehnoloogia", mis on ette nähtud spetsiaalselt telekommunikatsiooni jaoks loodud selliste elektrooniliste seadmete ja lülituste "arendamiseks" või "tootmiseks", mis sisaldavad "ülijuhtivatest" materjalidest valmistatud komponente, mis on spetsiaalselt loodud töötama temperatuuridel, mis jäävad allapoole vähemalt ühe "ülijuhtiva" koostisosa "kriitilist temperatuuri", ning millel on mis tahes järgmine:
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
sagedusselektiivsus kõigil sagedustel, kasutades võnkeringe, mille hüveteguri Q väärtus on üle 10000.
a.
Tehnoloogia üldmärkusele vastav "tehnoloogia" punktis 5A101 nimetatud seadmete "arendamiseks", "tootmiseks" või "kasutamiseks".
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
osa – "INFOTURVE"
b.
kategooria 2. osa ei hõlma tooteid, mis on kasutajal kaasas isiklikuks kasutamiseks.
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
Krüptograafiamärkus punktid 5A002, 5A003, 5A004 ja 5D002 ei hõlma järgmisi kaupu:
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB;
kaubad, mis vastavad kõikidele järgmistele tingimustele:
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
need on avalikult ja kitsendusteta saadaval jaemüügikohtades mis tahes järgmisel viisil:
A bandwidth greater than 250 MHz; or
käsimüük;
A dispersive delay of more than 10 μs; or
postimüük;
c.
elektrooniliste tehingute teel või
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
telefonimüük;
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
nende krüptograafilist funktsionaalsust ei saa kasutaja kergesti muuta;
'Frequency side-lobe rejection' is the maximum rejection value specified in data sheet.
need on ette nähtud paigaldamiseks kasutaja oma jõududega, ilma tarnija olulise abita, ja
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
nende tehnilised üksikasjad on kättesaadavad ja need tehakse nõudmise korral teatavaks eksportija liikmesriigi pädevale asutusele nende vastavuse määramiseks käesoleva märkuse punktides 1–3 kirjeldatud nõuetele;
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Selle märkuse punktis a kirjeldatud olemasolevate kaupade riistvarakomponendid või 'täitmistarkvara', mis on projekteeritud nende olemasolevate kaupade jaoks ja mis vastavad kõikidele järgmistele tingimustele:
3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
"infoturve" ei ole komponendi või 'täitmistarkvara' peamine funktsioon või funktsioonide kogum;
d.
komponent või 'täitmistarkvara' ei muuda olemasolevate kaupade mis tahes krüptograafilist funktsionaalsust ega lisa olemasolevatele kaupadele uusi krüptograafilisi funktsionaalsusi;
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
komponendi või 'täitmistarkvara' omadused on kindlaks määratud ning need ei ole projekteeritud või kohandatud kliendi spetsifikatsioonidele ja
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10– 14 J; or
vajaduse korral, nagu määravad eksportija asukohaliikmesriigi pädevad asutused, on üksikasjalikud andmed komponendi või 'täitmistarkvara' kohta ja asjaomaste lõppkaupade üksikasjalikud andmed kättesaadavad ja need esitatakse taotluse alusel pädevale asutusele, et tagada vastavus eespool kirjeldatud tingimustele.
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
Krüptograafiamärkuse tähenduses tähendab 'täitmistarkvara' täidetaval kujul "tarkvara" olemasolevast riistvarakomponendist, mis on krüptograafiamärkuses punktist 5A002, 5A003 ja 5A004 välja jäetud.
e.
'Täitmistarkvara' ei hõlma lõppkaubal töötava "tarkvara" täielikke binaarkujutisi.
High energy devices as follows:
Märkus krüptograafiamärkuse kohta
'Cells' as follows:
Selleks et täita märkuse 3 punkti a nõudeid, peavad olema kohaldatavad kõik järgmised tingimused:
a.
kaup on potentsiaalselt huvipakkuv laiale hulgale üksikisikutele ja ettevõtetele, ja
'Primary cells' having an 'energy density' exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
kauba hind ja teave selle põhifunktsioonide kohta on kättesaadavad enne ostmist, ilma et oleks vaja konsulteerida müüja või tarnijaga.
b.
Lihtsat hinnapäringut ei peeta konsultatsiooniks.
'Secondary cells' having an 'energy density' exceeding 350 Wh/kg at 20 °C;
Märkuse 3 punkti a kõlblikkuse kindlaksmääramisel võivad pädevad asutused arvesse võtta selliseid asjaomaseid tegureid nagu kogus, hind, nõutavad tehnilised oskused, olemasolevad müügikanalid, tüüpilised kliendid, tüüpiline kasutus või tarnija mis tahes tõrjuvad võtted.
For the purpose of 3A001.e.1.,'energy density' (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
kategooria 2. osa ei hõlma kaupu, mis sisaldavad või kasutavad krüptograafiat ja millel on kõik järgmised omadused:
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
peamise funktsiooni või peamiste funktsioonide hulka ei kuulu:
For the purpose of 3A001.e.1., a 'cell' is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
"infoturve";
It is the basic building block of a battery.
arvuti, sealhulgas selle operatsioonisüsteemid, osad ega komponendid;
For the purpose of 3A001.e.1.a., a 'primary cell' is a 'cell' that is not designed to be charged by any other source.
informatsiooni saatmine, vastuvõtmine või salvestamine (välja arvatud meelelahutustööstuse, kommertsringhäälingu, digitaalõiguste haldamise või terviseandmete haldamise toetamisel) või
For the purpose of 3A001.e.1.b., a 'secondary cell' is a 'cell' that is designed to be charged by an external electrical source.
võrkude loomine (sealhulgas nende toimimine, haldamine, juhtimine ja varustamine;
3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
krüptograafiline funktsionaalsus on piiratud nende peamise ülesande või peamiste ülesannete toetamisega ja
High energy storage capacitors as follows:
nende tehnilised üksikasjad on kättesaadavad ja need tehakse nõudmise korral teatavaks eksportija liikmesriigi pädevale asutusele nende vastavuse määramiseks selle märkuse punktides a ja b kirjeldatud nõuetele.
N.B
Järgmised "infoturbe" süsteemid, -seadmed ja nende osad:
SEE ALSO 3A201.a. and the Military Goods Controls.
a. "infoturbeks" projekteeritud süsteemid, seadmed ning nende komponendid vastavalt järgnevale:
a.
Dekrüpteerimist sisaldavate või kasutavate globaalsete navigatsioonisatelliitide süsteemide (GNSS) vastuvõtuseadmete kontrolli alla kuulumise kohta vt punkt 7A005 ning vastava dekrüpteerimis"tarkvara" ja -"tehnoloogia" kohta vt punktid 7D005 ja 7E001.
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
projekteeritud või kohandatud kasutama "krüptograafiat", rakendades digitaalmeetodeid, mis täidavad mingeid krüptograafilisi funktsioone peale autentimise, digiallkirjastamise või kopeerimiskaitsega "tarkvara" käivitamise ning millel on mis tahes järgmine omadus:
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
Autentimise, digiallkirjastamise ja kopeerimiskaitsega "tarkvara" käivitamise funktsioonid hõlmavad nende juurdekuuluvaid põhilist juhtimisfunktsiooni.
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
Autentimine hõlmab kõiki juurdepääsu reguleerimise aspekte, mille puhul ei ole tegemist failide või teksti krüpteerimisega, välja arvatud ilma loata juurdepääsu vältimiseks otseselt paroolide, isiklike tunnusnumbrite (PIN-kood) või muude samalaadsete andmete kaitsega seotud otstarbel.
A total energy equal to or more than 25 kJ;
a. "sümmeetriline algoritm" võtmepikkusega üle 56 biti või
b.
kategooria 2. osas ei arvestata paarsusbitte võtmepikkuse määramisel.
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
b. "asümmeetriline algoritm", kus algoritmi turvalisus põhineb mis tahes järgmisel omadusel:
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
512 bitti ületavate täisarvude faktoriseerimine (nt RSA);
A total energy equal to or more than 100 J; and
diskreetsete logaritmide arvutamine suurema kui 512bitise lõpliku väljaga multiplikatiivses rühmas (nt Diffie-Hellmani algoritm üle Z/pZ) või
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
diskreetsed logaritmid muudes kui punktis 5A002.a.1.b.2 nimetatud rühmades, mis on suuremad kui 112 bitti (nt Diffie-Hellmani meetod üle elliptilise kõvera);
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
Punkt 5A002.a ei hõlma järgmist:
SEE ALSO 3A201.b.
järgmised kiipkaardid ja kiipkaardilugejad ja -kirjutajad:
Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
mis on spetsiaalselt kavandatud ja piiratud kaitsma nendele salvestatud isikuandmeid;
b.
millel on või millele saab kanda isikuandmeid vaid avalike või äritehingute tegemiseks või isikutuvastamiseks ja
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
mille krüpteerimisvõimet pole kasutajal võimalik mõjutada;
c.
'Isikuandmed' hõlmavad kõiki andmeid konkreetse isiku või asutuse kohta, näiteks salvestatud raha hulk ja isiku tuvastamiseks vajalikud andmed.
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
Lugejad/kirjutajad, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud käesoleva märkuse punktis a.1 nimetatud kaupadele.
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated 'AM0' illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
'Lugejad/kirjutajad' hõlmavad seadmeid, mis suhtlevad võrkude kaudu kiipkaartide või elektrooniliselt loetavate dokumentidega.
'AM0', or 'Air Mass Zero', refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
b. krüpteerimisseadmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud ning ette nähtud üksnes kasutamiseks panganduses või 'rahalisteks tehinguteks';
f.
Punkti 5A002.a. märkuses b hõlmab mõiste 'rahalised tehingud' nii tasude käsitlemist ja kogumist kui ka krediidifunktsioone.
Rotary input type absolute position encoders having an "accuracy" equal to or less (better) than 1,0 second of arc;
portatiivsed või mobiilsed tsiviilkasutuseks mõeldud raadiotelefonid (nt kasutamiseks kommertsliku tsiviilkasutusega kärgsidesüsteemides), mis ei ole võimelised edastama krüpteeritud andmeid otse teisele raadiotelefonile või -seadmele (välja arvatud raadiosidevõrgu (Radio Access Network – RAN) seadmed) ega saatma krüpteeritud andmeid RAN-seadmete (nt raadiovõrgu kontroller (RNC) või tugijaama kontroller (BSC)) kaudu;
g.
traadita telefoniseadmed, mis pole võimelised otspunktkrüpteerimiseks, kui võimendamata, juhtmeta maksimaalselt efektiivne tööulatus (st ühekordne releetu hüpe terminali ja tugijaama vahel) on vastavalt valmistaja kirjeldusele vähem kui 400 meetrit
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and 'thyristor modules', using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
tsiviilkasutuseks mõeldud portatiivsed või mobiilsed raadiotelefonid või samalaadsed traadita klientseadmed, mis kasutavad üksnes avaldatud või kaubanduslikke krüpteerimisstandardeid (välja arvatud piraatlusevastase funktsiooni puhul, mis ei pruugi olla avaldatud) ning vastavad samuti krüptograafiat käsitleva märkuse punktidele a.2–a.5.
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/ms and off-state voltage greater than 1100 V; or
(5. kategooria 2. osa märkus 3), mis on kohandatud konkreetsele tsiviilvaldkonna rakendusele, täiendades neid funktsioonidega, mis ei mõjuta kohandamata originaalseadmete krüptograafilisi omadusi.
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/ms and having all of the following:
traadita "personaalvõrgu" seadmed, mis rakendavad üksnes avaldatud või äriotstarbel turustatavaid krüpteerimisstandardeid ning mille krüpteerimisvõime on piiratud nominaalse tööulatusega mitte üle 30 m kooskõlas tootja spetsifikatsioonidega, või mitte üle 100 m kooskõlas tootja spetsifikatsioonidega seadmete koha, mida ei saa siduda rohkem kui seitsme seadmega;
a.
kaubad, mis vastavad kõikidele järgmistele tingimustele:
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
punktis 5A002.a nimetatud kogu krüpteerimisvõimel on mis tahes järgmised omadused:
b.
seda ei saa kasutada või
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
seda saab teha kasutatavaks ainult "krüptograafilise aktiveerimise" abil ja
3A001.g. includes:
Vt ka punktid 5A002.b, 5D002.d ja 5E002.b.
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
mobiiltelekommunikatsiooni raadiosidevõrgu (RAN) seadmed, mis on projekteeritud tsiviilkasutuseks ja mis samuti vastavad krüptograafiamärkuse (5. kategooria 2. osa märkus 3) punktide a.2.–a.5. sätetele ning mille raadiosageduse väljundvõimsus on kuni 0,1 W (20 dBm) või väiksem ning mis toetab 16 või vähem samaaegset kasutajat.
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
ruuterid, kommutaatorid või releed, kus "infoturbe" funktsionaalsus on piiratud "toimingute, halduse või hoolduse" (Operations, Administration or Maintenance, OAM) ülesannetega, mis rakendavad üksnes avaldatud või äriotstarbel turustatavaid krüpteerimisstandardeid või
Light Triggering Thyristors (LTTs)
üldkasutatavad arvutiseadmed või serverid, kus "infoturbe" funktsionaalsus vastab kõigile järgnevatele tingimustele:
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
rakendab üksnes avaldatud või äriotstarbel turustatavaid krüpteerimisstandardeid ja
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
millel on mis tahes järgmine omadus:
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
kategooria 2. osa märkuse 3 sätetele vastava CPU lahutamatu osa;
Solidtrons
punktis 5D002 mitte määratletud operatsioonisüsteemi lahutamatu osa; või
3A001.g. does not control thyristor devices and 'thyristor modules' incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
piiratud seadmete "OAM-iga".
For the purposes of 3A001.g., a 'thyristor module' contains one or more thyristor devices.
b. "krüptograafilise aktiveerimise" abil loodud või kohandatud selleks, et võimaldada kaubal saavutada või ületada punktis 5A002.a nimetatud funktsionaalsuse juhitavat toimimistaset, mis ei oleks teisiti võimalik.
h.
c. konstrueeritud või modifitseeritud "kvantkrüptograafia" kasutamiseks või teostamiseks.
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or 'modules', having all of the following:
"Kvantkrüptograafiat" tuntakse samuti kvantmehaanilise kodeerimise/dekodeerimise (quantum key distribution – QKD) nime all.
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
d. kavandatud või kohandatud kasutama krüptograafiatehnikat kanalistamise koodide, skrambleerimise koodide või võrgu identifitseerimise koodide genereerimiseks süsteemidele, mis kasutavad ultralairiba modulatsioonitehnikaid ja millel on üks järgmistest omadustest:
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
ribalaius üle 500 MHz või
Continuous current greater than 1 A.
"osaribalaius" 20 % või rohkem;
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
e. kavandatud või kohandatud kasutama krüptograafiatehnikat hajutamiskoodi genereerimiseks "hajaspektri" süsteemidele, muud kui punktis 5A002.d. nimetatud, kaasa arvatud "sagedushüplemise" koodi genereerimiseks sagedushüplemise süsteemidele;
3A001.h. includes:
krüpteerimata "infoturbeks" projekteeritud süsteemid, seadmed ning nende komponendid vastavalt järgnevale:
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
a. andmesidekaablisüsteemid, mis on kavandatud või kohandatud avastama mehaaniliste, elektriliste või elektrooniliste vahenditega kõrvalist (illegaalset) sisenemist süsteemi;
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
Punkt 5A003.a. hõlmab ainult füüsilise kihi turvalisust.