natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Multiple transverse mode output and any of the following:
seadmed kuumutatud kiudsubstraatide katmiseks elementide või ühenditega keemilise aursadestamise abil ränikarbiidkiudude tootmiseks;
a.
kuumutatud kiudsubstraatidele elementide või ühendite aursadestamise seadmed;
“Peak power” exceeding 400 MW;
seadmed kuumuskindla portselani (nt alumiiniumoksiid) märgketruseks;
b.
seadmed kuumuskindla portselani (nt alumiiniumoksiid) märgketruseks;
‘Wall-plug efficiency’ exceeding 18 % and “average output power” exceeding 500 W;
seadmed lähteaineks olevate alumiiniumisisaldusega kiudude muutmiseks termotöötlemisel alumiiniumoksiidkiududeks;
c.
e. seadmed punktis 1C010.e nimetatud prepregmaterjalide tootmiseks kuumsulatusmeetodil;
“Average output power” exceeding 2 kW; or
f. spetsiaalsed „komposiit“materjalide jaoks loodud mittepurustavad kontrollseadmed:
d.
röntgentomograafiasüsteemid defektide kolmemõõtmeliseks otsinguks;
Output energy exceeding 4 J per pulse; or
arvjuhitavad ultrahelikatseseadmed, mille positsioneerimissaatjate või -vastuvõtjate liikumisi koordineeritakse ja programmeeritakse samaaegselt nelja või enama telje suhtes, et jälgida kontrollitava komponendi kolmemõõtmelisi kontuure;
d.
g. „köisikupaigalduspingid“, mille liikumine köisiku positsioneerimiseks ja paigaldamiseks on koordineeritud ja programmeeritud kahe või enama „primaar-servopositsioneerimis“telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nähtud „komposiitsete“ õhusõidukite või „rakettmürskude“ tarindite tootmiseks.
“Pulse duration” exceeding 1 μs and any of the following:
Punkti 1B001.g. tähenduses on ‘köisikupaigalduspinkide’ abil võimalik paigutada üht või enamat ‘kiuriba’, mille laius on võrdne või väiksem kui 25 mm, ja lõigata ja taasalustada paigaldamise ajal individuaalsete ‘kiuribade’ kihtide paigaldamist.
a.
Punkti 1B001.c tähenduses hoiavad ‘primaar-servopositsioneerimis’ teljed arvutiprogrammi juhtimisel tööorgani (nn pea) ruumilist asendit töödeldava detaili suhtes õiges asendis ja suunas, et saavutada soovitud protsess.
“Peak power” exceeding 500 kW;
Punktis 1B001 tähenduses on „kiuriba“ üks pideva laiusega täielikult või osaliselt vaiguga immutatud lint, köis või kiud.
b.
seadmed, mis on projekteeritud või kohandatud spetsiaalseks kiudude pinnatöötluseks või prepregmaterjalide ja eelvormide tootmiseks, sealhulgas rullid, venitus-, pindamis- ja lõikeseadmed ning matriitsid.
‘Wall-plug efficiency’ exceeding 12 % and “average output power” exceeding 100 W; or
Punktis 6.B.1 nimetatud komponendid ja lisaseadmed on näiteks valuvormid, tornid, stantsid, rakised ning tööriistad komposiitstruktuuride, -laminaatide ja nende toodete eelvormi pressimiseks, tahkestamiseks, valamiseks, paagutamiseks või kleepimiseks.
c.
Seadmed, mis on ette nähtud metallisulamite, metallisulamipulbrite või legeeritud materjalide tootmiseks ja saastumise vältimiseks ning loodud punktis 1C002.c.2 nimetatud protsessides kasutamiseks.
“Average output power” exceeding 150 W; or
VT KA PUNKT 1B102.
a.
metallipulbri „tootmisseadmed“, mida saab kasutada punktides 4.C.2.c, 4.C.2.d või 4.C.2.e nimetatud sfääriliste või atomiseeritud materjalide „tootmiseks“ kontrollitavas keskkonnas.
“Peak power” exceeding 1 MW;
Märkus: Punkt 4.B.3.d hõlmab järgmist: plasmageneraatorid (kõrgsageduslik kaarleek), mida saab kasutada pihustatud või sfääriliste metallipulbrite saamiseks argoon-vesi keskkonnas teostatava menetlusega; elektrilahendusseadmed, mida saab kasutada pihustatud või sfääriliste metallipulbrite saamiseks argoon-vesi keskkonnas teostatava menetlusega; seadmed, mida saab kasutada sfääriliste alumiiniumipulbrite „tootmiseks“, pihustades sulametalli inertsesse keskkonda (nt lämmastik).
b.
Punktis 4.B.3 on nimetatud üksnes perioodilised segistid ja pidevsegistid, mida saab kasutada punktis 4.C nimetatud tahkete raketikütuste või raketikütuse koostisosade tootmiseks, ning punktis 4.B nimetatud paiskveskid.
‘Wall-plug efficiency’ exceeding 18 % and “average output power” exceeding 500 W; or
Punktis 4.B.3.d nimetamata metallipulbri „tootmisseadmeid“ tuleb hinnata vastavalt punktile 4.B.2.
c.
Muud kui punktis 1B001 nimetatud seadmed, mis on ette nähtud järgmiste struktuurkomposiitide „tootmiseks“, ja nende jaoks ettenähtud komponendid ja lisaseadmed:
“Average output power” exceeding 2 kW;
VT KA PUNKT 1B201.
Output wavelength exceeding 1150 nm but not exceeding 1555 nm, and any of the following:
Märkus: Punktis 1B101 määratletud komponendid ja lisaseadmed hõlmavad valuvorme, torne, stantse, rakiseid ning tööriistasid komposiitstruktuuride, -laminaatide ja nende toodete eelvormi pressimiseks, tahkestamiseks, valamiseks, paagutamiseks või kleepimiseks.
a.
a. elementaarkiu poolimispingid või kiupaigaldusseadmed, mille liikumine positsioneerimiseks, kiudude poolimiseks ja mähkimiseks on koordineeritud ja programmeeritud kolme või enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nähtud komposiitstruktuuride või -laminaatide tootmiseks kiud- või niitmaterjalidest, ning koordineerimise ja programmeerimise juhtseadmed;
“Pulse duration” not exceeding 1 μs and any of the following:
elementaarkiu poolimispingid või „kiupaigaldusseadmed“, mille liikumine positsioneerimiseks, kiudude poolimiseks ja mähkimiseks on koordineeritud ja programmeeritud kolme või enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nähtud komposiitstruktuuride või -laminaatide tootmiseks kiud- või niitmaterjalidest, ning koordineerimise ja programmeerimise juhtseadmed;
Output energy exceeding 0,5 J per pulse and “peak power” exceeding 50 W;
b. lintimispingid, mille liikumine lindi või lehtede positsioneerimiseks ja paigaldamiseks on koordineeritavad ja programmeeritavad kahe või enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nähtud komposiitsete õhusõiduki plaanerite või „rakettmürskude“ tarindite tootmiseks;
Single transverse mode output and “average output power” exceeding 20 W; or
c. järgmised „kiud- või niitmaterjalide“ „tootmiseks“ projekteeritud või kohandatud seadmed:
Multiple transverse mode output and “average output power” exceeding 50 W; or
seadmed polümeerkiudude (nt polüakrüülnitriil, raion või polükarbosilaan) muutmiseks, kaasa arvatud spetsiaalne varustus kiudude pingutamiseks kuumutamise jooksul;
b.
d. seadmed, mis on spetsiaalselt projekteeritud või kohandatud kiudude pinnatöötluseks või punktis 9C110 nimetatud prepregmaterjalide ja eelvormide tootmiseks.
“Pulse duration” exceeding 1 μs and any of the following:
Punktis 1B101.d nimetatud seadmete hulka kuuluvad rullid, venitus-, pindamis- ja lõikeseadmed ning matriitsid.
Output energy exceeding 2 J per pulse and “peak power” exceeding 50 W;
Muud kui punktis 1B002 nimetatud metallipulbri „tootmisseadmed“ ja järgmised komponendid:
Single transverse mode output and “average output power” exceeding 50 W; or
VT KA PUNKT 1B115.b.
Multiple transverse mode output and “average output power” exceeding 80 W; or
a.
Output wavelength exceeding 1555 nm and any of the following:
Metallipulbri „tootmisseadmed“, mida saab kasutada punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.a.2 või sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud sfääriliste, kerajate või atomiseeritud materjalide „tootmiseks“ kontrollitavas keskkonnas;
a.
b. spetsiaalselt loodud punktis 1B002 või 1B102.a nimetatud „tootmisseadmed“.
Output energy exceeding 100 mJ per pulse and “peak power” exceeding 1 W; or
Punkt 1B102 hõlmab järgmist:
c.
plasmageneraatorid (kõrgsageduslik kaarleek), mida kasutatakse pihustatud või sfääriliste metallipulbrite saamiseks argoon-vesi keskkonnas teostatava menetlusega;
“Tunable” “lasers” having any of the following:
elektrilahendusseadmed, mida kasutatakse pihustatud või sfääriliste metallipulbrite saamiseks argoon-vesi keskkonnas teostatava menetlusega;
Output wavelength less than 600 nm and any of the following:
seadmed, mida kasutatakse sfääriliste alumiiniumipulbrite „tootmiseks“, pihustades sulametalli inertsesse keskkonda (nt lämmastik).
a.
Punkt 4.B.3.d hõlmab järgmist:
Output energy exceeding 50 mJ per pulse and “peak power” exceeding 1 W; or
Muud kui punktis 1B002 või 1B102 nimetatud seadmed raketikütuse ja raketikütuse koostisosade tootmiseks ja nende jaoks ettenähtud komponendid:
b.
a. „tootmisseadmed“ punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111 või sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud vedelate raketikütuste või raketikütuse koostisosade „tootmiseks“, käitlemiseks või heakskiidukatseteks;
Average or CW output power exceeding 1 W;
„Tootmisseadmed“ ja spetsiaalselt nende jaoks projekteeritud komponendid punktis 4.C nimetatud vedelate raketikütuste või raketikütuse koostisosade „tootmiseks“, käitlemiseks või heakskiidukatseteks.
6A005.c.1. does not control dye lasers or other liquid lasers, having a multimode output and a wavelength of 150 nm or more but not exceeding 600 nm and all of the following:
b. „tootmisseadmed“ punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111 või sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud tahkete raketikütuste või raketikütuse koostisosade „tootmiseks“, käitlemiseks, segamiseks, tahkestamiseks, valuks, pressimiseks, töötlemiseks, ekstrusiooniks või heakskiidukatseteks.
Output energy less than 1,5 J per pulse or a “peak power” less than 20 W; and
Punkt 1B115.b ei hõlma perioodilisi segisteid, pidevsegisteid ega paiskveskeid.
Average or CW output power less than 20 W.
Perioodiliste segistite, pidevsegistite ja paiskveskite kontrolli kohta vt punktid 1B117, 1B118 ja 1B119.
Output wavelength of 600 nm or more but not exceeding 1400 nm, and any of the following:
Sõjaliste kaupade tootmiseks spetsiaalselt projekteeritud seadmete kohta vaata sõjaliste kaupade nimekirja.
a.
Punkt 1B115 ei hõlma boorkarbiidi tootmise, käitlemise ja heakskiidukatsete seadmeid.
Output energy exceeding 1 J per pulse and “peak power” exceeding 20 W; or
Punktis 4.B.3 mitte kirjeldatud „tootmisseadmed“ ja spetsiaalselt nende jaoks projekteeritud komponendid punktis 4.C. nimetatud tahkete raketikütuste või raketikütuse koostisosade tootmiseks, käitlemiseks, segamiseks, tahkestamiseks, valuks, pressimiseks, töötlemiseks, ekstrusiooniks või heakskiidukatseteks.
b.
Düüsid, mis on spetsiaalselt projekteeritud pürolüütiliselt saadud materjalide tootmiseks, mis on moodustunud valuvormil, spindlil või muul alusel lähtegaasidest, mis lagunevad temperatuurivahemikus 1573 K (1300 °C) kuni 3173 K (2900 °C), rõhul 130 Pa – 20 kPa.
Average or CW output power exceeding 20 W; or
Düüsid, mis on spetsiaalselt projekteeritud punktis 6.E.3 osutatud protsesside jaoks.
Output wavelength exceeding 1400 nm and any of the following:
Perioodilised segistid segamiseks vaakumis rõhuvahemikus 0–13326 kPa võimalusega reguleerida segamiskambri temperatuuri, millel on kõik järgmised omadused:
d.
a. kogumaht 110 liitrit ja rohkem; ning
Other “lasers”, not specified in 6A005.a., 6A005.b. or 6A005.c. as follows:
b. vähemalt üks ekstsentriline „segamis-/sõtkumisvõll“.
Semiconductor “lasers” as follows:
Punktis 1B117.b ei viidata mõistega „segamis-/sõtkumisvõll“ deaglomeraatoritele ega nugaspindlitele.
6A005.d.1. includes semiconductor “lasers” having optical output connectors (e.g., fibre optic pigtails).
perioodilised segistid, mis suudavad segada vaakumis rõhuvahemikus 0–13,326 kPa ja mille segamiskambri temperatuuri saab reguleerida ning millel on kõik järgmised omadused:
The control status of semiconductor “lasers” specially designed for other equipment is determined by the control status of the other equipment.
kogumaht 110 liitrit ja rohkem; ning
a.
vähemalt üks ekstsentriline „segamis-/sõtkumisvõll“.
Individual single-transverse mode semiconductor “lasers” having any of the following:
Punktis 4.B.3.a.2 nimetatud „segamis-/sõtkumisvõll“ ei osuta deaglomeraatoritele ega nugavõllidele.
Wavelength equal to or less than 1510 nm and average or CW output power, exceeding 1,5 W; or
Pidevsegistid segamiseks vaakumis rõhuvahemikus 0–13326 kPa reguleeritava temperatuuriga segamiskambris, millel on mis tahes järgmine omadus, ja spetsiaalselt nende jaoks projekteeritud komponendid:
Wavelength greater than 1510 nm and average or CW output power, exceeding 500 mW;
a. kaks või rohkem segamis-/sõtkumisvõlli: või
b.
b. üks pöörlev võnkliikuv võll, millel on sõtkumishambad/-sõrmed nii võllil kui ka segamiskambri seinte siseküljel.
Individual, multiple-transverse mode semiconductor “lasers” having any of the following:
pidevsegistid, mis suudavad segada vaakumis rõhuvahemikus 0 – 13,326 kPa ja mille segamiskambri temperatuuri saab reguleerida ning millel on mis tahes järgmine omadus:
Wavelength of less than 1400 nm and average or CW output power, exceeding 15W;
kaks või rohkem segamis-/sõtkumisvõlli; või
Wavelength equal to or greater than 1400 nm and less than 1900 nm and average or CW output power, exceeding 2,5 W; or
üks pöörlev võnkliikuv võll, millel on sõtkumishambad/-sõrmed nii võllil kui ka segamiskambri seinte siseküljel;
Wavelength equal to or greater than 1900 nm and average or CW output power, exceeding 1 W;
Paiskveskid punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111 või sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud ainete peenestamiseks või jahvatamiseks ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud osad.
c.
paiskveskid punktis 4.C nimetatud ainete peenestamiseks või jahvatamiseks;
Individual semiconductor “laser” ‘bars’, having any of the following:
Materjalid, mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks elektromagnetlainete neelajatena, või omajuhtivuslikud polümeerid:
Wavelength of less than 1400 nm and average or CW output power, exceeding 100 W;
Märkus: VT KA PUNKT 1C101.
Wavelength equal to or greater than 1400 nm and less than 1900 nm and average or CW output power, exceeding 25 W; or
a.
Wavelength equal to or greater than 1900 nm and average or CW output power, exceeding 10 W;
Materjalid, mis neelavad sagedusi vahemikus 2 × 108 Hz kuni 3 × 1012 Hz;
d.
Punkt 1C001.a. ei hõlma järgmist:
Semiconductor “laser” ‘stacked arrays’ (two-dimensional arrays) having any of the following:
naturaalsetest või sünteetilistest kiududest kokkuseatud karvtüüpi neelajad, mittemagnetilise koormusega neeldumise tekitamiseks;
Wavelength less than 1400 nm and having any of the following:
neelajad, milles ei esine magnetilisi kadusid ning mille kohtamispind ei ole kujult tasane, hõlmates püramiide, koonuseid, kiile ning keerdunud pindu;
a.
tasapinnalised neelajad, millel on kõik järgmised omadused:
Average or CW total output power less than 3 kW and having average or CW output ‘power density’ greater than 500 W/cm2;
valmistatud järgmistest materjalidest:
b.
süsiniktäitega (painduvad või paindumatud) vahtplastikud, või orgaanilised materjalid, sh sideained, mis annavad metalliga võrreldes enam kui 5 %-lise kaja sagedusribas, mis ulatub üle ± 15 % pealelangeva energia kesksagedusest ning mis ei talu temperatuuri üle 450 K (177 °C); või
Average or CW total output power equal to or exceeding 3 kW but less than or equal to 5 kW, and having average or CW output ‘power density’ greater than 350 W/cm2;
keraamilised materjalid, mis annavad metalliga võrreldes enam kui 20 %-lise kaja sagedusribas, mis ulatub üle ± 15 % pealelangeva energia kesksagedusest ning mis ei talu temperatuuri üle 800 K (527 °C);
c.
Neeldumiskatse proovid punkti 1C001.a. kohta.
Average or CW total output power exceeding 5 kW;
Märkus: märkuse 1.c.1 puhul peavad neeldumise proovikehad olema ruudukujulised, küljepikkusega vähemalt viis kesksageduse lainepikkust, ning asetatud kiirgava elemendi kaugvälja.
d.
tõmbetugevus väiksem kui 7 × 106 N/m2; ning
Peak pulsed ‘power density’ exceeding 2500 W/cm2; or
survetugevus väiksem kui 14 × 106 N/m2;
e.
paagutatud ferriidist valmistatud tasapinnalised neelajad, millel on kõik järgmised omadused:
Spatially coherent average or CW total output power, greater than 150 W;
erikaal on üle 4,4; ning
Wavelength greater than or equal to 1400 nm but less than 1900 nm, and having any of the following:
maksimaalne töötemperatuur on 548 K (275 °C);
a.
Mitte miski punkti 1C001.a märkuses 1 ei vabasta värvis sisalduvaid neeldumisotstarbelisi magnetilisi materjale.
Average or CW total output power less than 250 W and average or CW output ‘power density’ greater than 150 W/cm2;
b.
b.
Materjalid, mis neelavad sagedusi vahemikus 1,5 × 1014 Hz kuni 3,7 × 1014 Hz ega ole läbipaistvad nähtavale valgusele;
Average or CW total output power equal to or exceeding 250 W but less than or equal to 500 W, and having average or CW output ‘power density’ greater than 50 W/cm2;
Punkt 1C001.b. ei hõlma materjale, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud rakendamiseks järgmisel viisil:
c.
polümeeride lasermärgistamine; või
Average or CW total output power exceeding 500 W;
polümeeride laserkeevitamine.
Peak pulsed ‘power density’ exceeding 500 W/cm2; or
Omajuhtivusega polümeersed materjalid, mille ‘elektriline mahtjuhtivus’ ületab 10000 S/m (siimensit meetri kohta) või mille ‘kiht-/pindtakistus’ on vähem kui 100 oomi/m2 ning mis põhinevad mis tahes järgmisel polümeeril:
e.
polüaniliin;
Spatially coherent average or CW total output power, exceeding 15 W;
polüpürrool;
Wavelength greater than or equal to 1900 nm and having any of the following:
polütiofeen;
a.
polüfenüleenvinüleen; või
Average or CW output ‘power density’ greater than 50 W/cm2;
polütienüleenvinüleen.
b.
Punkt 1C001.c. ei hõlma vedelal kujul olevaid materjale.
Average or CW output power greater than 10 W; or
„Elektriline mahtjuhtivus“ ning „kiht-/pindjuhtivus“ tuleb määrata kas ASTM D-257 või vastava riigisisese standardi alusel.
c.
Materjalid, mis vähendavad märgatavust, näiteks radarikiirte tagasipeegeldumist, ultraviolett-/infrapuna-ja akustilisi tunnusmärke (sealhulgas varjamistehnoloogia hulka kuuluvad kaubad), ning mida saab kasutada punktis 1.A või 19.A nimetatud süsteemide või punktis 2.A nimetatud alamsüsteemide jaoks.
Spatially coherent average or CW total output power, exceeding 1,5 W; or
Punkt 17.C.1 hõlmab konstruktsioonimaterjale ja pinnakatteid (sh värvid), mis on spetsiaalselt projekteeritud vähendama või muundama peegeldavust või kiiratavust mikrolaine, infrapuna või ultravioleti spektris.
At least one “laser” ‘bar’ specified in 6A005.d.1.c.;
Punkt 17.C.1 ei hõlma pinnakatteid (sh värve), mida kasutatakse spetsiaalselt satelliitide soojuse reguleerimiseks.
For the purposes of 6A005.d.1.d., ‘power density’ means the total “laser” output power divided by the emitter surface area of the ‘stacked array’.
Keraamilised pulbrid, mitte„komposiitsed“ keraamilised materjalid, keraamilised „põhiaine“ „komposiit“materjalid ja nende lähteained:
e.
VT KA PUNKT 1C107.
Semiconductor “laser” ‘stacked arrays’, other than those specified in 6A005.d.1.d., having all of the following:
Keraamilised komposiitmaterjalid (dielektrilise läbitavuse konstandiga 6 ja vähem, sagedusvahemikus 100 Hz kuni 100 GHz) punktis 1.A või 19.A.1 nimetatud süsteemides kasutatavates rakettmürskude radoomides kasutamiseks.
Specially designed or modified to be combined with other ‘stacked arrays’ to form a larger ‘stacked array’; and
a. titaani liht- või kompleksboriidide keraamilised pulbrid, mille metalliliste lisandite hulk (v.a kavatsetult lisatud lisandid) on väiksem kui 5000 ppm ning osakeste keskmine suurus ei ületa 5 μm ja kuni 10 % osakeste suurus ei ületa 10 μm;
Integrated connections, common for both electronics and cooling;
b. mitte„komposiitsed“ keraamilised materjalid töötlemata või pooltöödeldud kujul, mis koosnevad titaanboriididest tihedusega 98 % või rohkem teoreetilisest tihedusest;
‘Stacked arrays’, formed by combining semiconductor “laser” ‘stacked arrays’ specified by 6A005.d.1.e., that are not designed to be further combined or modified are specified by 6A005.d.1.d.
Punkt 1C007.b ei hõlma abrasiive.
‘Stacked arrays’, formed by combining semiconductor “laser” ‘stacked arrays’ specified by 6A005.d.1.e., that are designed to be further combined or modified are specified by 6A005.d.1.e.
c. keraamika-keraamika-„komposiit“ materjalid klaas- või oksiid-„põhiainega“, mis on armeeritud kiududega, millel on kõik järgmised omadused:
6A005.d.1.e. does not control modular assemblies of single ‘bars’ designed to be fabricated into end-to-end stacked linear arrays.
valmistatud mõnest järgmistest materjalidest:
Semiconductor “lasers” are commonly called “laser” diodes.
c.
A ‘bar’ (also called a semiconductor “laser” ‘bar’, a “laser” diode ‘bar’ or diode ‘bar’) consists of multiple semiconductor “lasers” in a one-dimensional array.
Si-Al-O-N; või
A ‘stacked array’ consists of multiple ‘bars’ forming a two-dimensional array of semiconductor “lasers”.
d.
Carbon monoxide (CO) “lasers” having any of the following:
Si-O-N; ning
a.
„eritõmbetugevusega“ üle 12,7 × 103 m;
Output energy exceeding 2 J per pulse and “peak power” exceeding 5 kW; or
d. keraamika-keraamika-„komposiit“materjalid, pideva metallfaasiga või mitte, mis liidavad osakesi, niitkristalle või kiude, milles räni, tsirkooniumi või boori karbiidid või nitriidid moodustavad „põhiaine“;
b.
e. lähteained (nt spetsiaalsed polümeersed või metallorgaanilised ühendid) punktis 1C007.c nimetatud materjalide mõne faasi või faaside tootmiseks:
Average or CW output power exceeding 5 kW;
polüdiorganosilaanid (ränikarbiidi tootmiseks);
Carbon dioxide (CO2) “lasers” having any of the following:
polüsilatsaanid (räninitriidi tootmiseks);
a.
polükarbosilatsaanid (räni-, süsinik- ja lämmastikkomponentidega keraamika tootmiseks);
CW output power exceeding 15 kW;
f. keraamika-keraamika „komposiit“materjalid oksiid- või klaas-„põhiainega“, mis on armeeritud mis tahes järgmistest süsteemidest saadud pidevkiududega:
b.
O3 (CAS 1344-28-1); või
Pulsed output with a “pulse duration” exceeding 10 μs and any of the following:
Punkt 1C007.f ei hõlma „komposiite“, mis sisaldavad nendest süsteemidest kiude kiu tõmbetugevusega alla 700 MPa temperatuuril 1273 K (1000 °C) või kiudu tõmbe-roome-vastupanuga rohkem kui 1 % roomedeformatsiooni 100 MPa koormisel, 1273 K (1000 °C) temperatuuril 100 tunni kestel.
“Average output power” exceeding 10 kW; or
Järgmised ränikarbiidmaterjalid:
“Peak power” exceeding 100 kW; or
a. masintöödeldavad ränikarbiidiga tugevdatud põletamata keraamilised materjalid, mida saab kasutada punktis 1.A või 19.A.1 nimetatud süsteemides kasutatavate ninamike otstes;
c.
ränikarbiidiga tugevdatud keraamilised komposiidid, mida saab kasutada punktis 1.A või 19.A.1 nimetatud süsteemides kasutatavate ninamike otstes, kosmonaasikutes ja düüside labades.
Pulsed output with a “pulse duration” equal to or less than 10 μs and any of the following:
Järgmised „kiud- või niitmaterjalid“:
Pulse energy exceeding 5 J per pulse; or
VT KA PUNKTID 1C210 JA 9C110.
“Average output power” exceeding 2,5 kW;
a.
a.
Orgaanilised „kiud- või niitmaterjalid“, millel on kõik järgmised omadused:
Copper vapor lasers having both of the following characteristics:
„erimoodul“ üle 12,7 × 106 m; ning
Operating at wavelengths between 500 and 600 nm; and
„eritõmbetugevus“ üle 23,5 × 104 m;
An average output power equal to or greater than 30 W;
Punkt 1C010.a ei hõlma polüetüleeni.
Excimer “lasers” having any of the following:
b. süsinik-„kiud- või niitmaterjalid“, millel on kõik järgmised omadused:
a.
„erimoodul“ üle 14,65 × 106 m; ning
Output wavelength not exceeding 150 nm and any of the following:
„eritõmbetugevus“ üle 26,82 × 104 m;
Output energy exceeding 50 mJ per pulse; or
Punkt 1A004 ei hõlma järgmist:
“Average output power” exceeding 1 W;
„kiud- või niitmaterjalid“, mis on ette nähtud „tsiviilõhusõiduki“ tarindite või laminaatide parandamiseks ja millel on kõik järgmised omadused:
b.
mehaaniliselt tükeldatud, jahvatatud või lõigatud süsinik-„kiud- või niitmaterjalid“ pikkusega 25,0 mm või vähem.
Output wavelength exceeding 150 nm but not exceeding 190 nm and any of the following:
c.
Output energy exceeding 1,5 J per pulse; or
Anorgaanilised „kiud- või niitmaterjalid“, millel on kõik järgmised omadused:
“Average output power” exceeding 120 W;
„erimoodul“ üle 2,54 × 106 m; ning
c.
sulamis-, pehmenemis-, lagunemis- või sublimatsioonipunkt on inertses keskkonnas üle 1922 K (1649 °C);
Output wavelength exceeding 190 nm but not exceeding 360 nm and any of the following:
Punkt 1C010.c. ei hõlma järgmist:
Output energy exceeding 10 J per pulse; or
katkendlikud, mitmefaasilised, polükristallilised alumiiniumoksiidkiud tükeldatud kiudude või reeglipäratu mati kujul, mille ränisisaldus on 3 massiprotsenti või rohkem ning mille „erimoodul“ on väiksem kui 10 × 106 m;
“Average output power” exceeding 500 W; or
molübdeen- ja molübdeenisulamkiud;
d.
boorkiud;