natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Direct write capability;
b. lugemisaeg võimaldab kaadrijoondamiskiirust üle 125 täiskaadri sekundis;
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
lisandprogrammid, millel on kõik järgmised omadused:
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
a. mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 6A003.a nimetatud modulaarse ehitusega seadistuskaamerate jaoks ja
d.
b. mis võimaldavad nendel kaameratel täita valmistaja kirjeldusele vastavad ja punktis 6A003.a.3, 6A003.a.4 või 6A003.a.5 nimetatud omadused;
Not used;
b.
e.
Järgmised pildinduskaamerad:
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
Punkt 6A003.b ei hõlma spetsiaalselt televisioonisaadete jaoks konstrueeritud televisiooni- ja videokaameraid.
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
Videokaamerad, mis sisaldavad pooljuhtandureid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku üle 10 nm, kuid mitte üle 30000 nm, ja millel on kõik järgmised omadused:
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
a. millel on mõni järgmistest omadustest:
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
monokroomkaamerad (must-valge) rohkem kui 4 × 106 "aktiivpiksliga" tahkismassiivi kohta;
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
kolme tahkismassiiviga värvikaamerad rohkem kui 4 × 106 "aktiivpiksliga" tahkismassiivi kohta või
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
ühe tahkismassiiviga värvikaamerad rohkem kui 12 × 106 "aktiivpiksliga" tahkismassiivi kohta ja
f.
punktis 6A004.a nimetatud optilised peeglid,
Lithography equipment as follows:
punktis 6A004.d nimetatud optilised juhtseadmed või
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
võime salvestada sisemiselt genereeritud 'andmeid kaamera positsiooni kohta';
a.
Selle punkti tähenduses tuleks digitaalkaameraid hinnata liikuvate kujutiste salvestamiseks kasutatud "aktiivpikslite" maksimaalse arvu alusel.
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
Selle punkti tähenduses on 'andmed kaamera positsiooni kohta' info, mis on vajalik kaamera vaatenurga asetuse määratlemiseks maa suhtes.
b.
See hõlmab järgmist: 1) horisontaalne nurk, mis jääb kaamera vaatenurga ja maa magnetvälja suuna vahele ja; 2) vertikaalne nurk, mis jääb kaamera vaatenurga ja maa horisondi vahele.
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
skannerkaamerad ja skannerkaamerasüsteemid, millel on kõik järgmised omadused:
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
a. tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku üle 10 nm, kuid mitte üle 30000 nm;
an exposure light source wavelength in nm
b. lineaarsed detektormassiivid üle 8192 elemendiga massiivis ja
K factor
c. mehaanilise ühesuunalise laotusega;
numerical aperture
Punkt 6A003.b.2 ei hõlma skannerkaameraid ja skannerkaamerasüsteeme, mis on spetsiaalselt kavandatud mis tahes järgmiste seadmete jaoks:
where the K factor = 0,35
tööstus- või tsiviilkasutuses olevad koopiamasinad;
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
skannerid, mis on spetsiaalselt kavandatud tsiviilkasutuses, paiksete, lähiskannimisrakenduste jaoks (nt dokumentides, kunstiteostes või fotodes sisalduvate kujutiste või teksti taasesitamiseks), või
3B001.f.2. includes:
meditsiiniseadmed.
Micro contact printing tools
pildinduskaamerad, mis sisaldavad punktis 6A002.a.2.a või 6A002.a.2.b nimetatud kujutisvõimendeid;
Hot embossing tools
pildinduskaamerad, mis sisaldavad "fokaaltasandilisi massiive", millel on mis tahes järgmine omadus:
Nano-imprint lithography tools
a. sisaldavad punktides 6A002.a.3.a–6A002.a.3.e nimetatud "fokaaltasandilisi massiive";
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
b. sisaldavad punktis 6A002.a.3.f nimetatud "fokaaltasandilisi massiive"; või
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
c. sisaldavad punktis 6A002.a.3.g nimetatud "fokaaltasandilisi massiive";
a.
Punktis 6A003.b.4 nimetatud 'pildinduskaamerad' sisaldavad lisaks väljundkiibile piisava "signaali töötlemise" elektroonikaga varustatud "fokaaltasandilisi massiive", mis võimaldavad sisselülitamisel vähemalt analoog- või digitaalväljundsignaali.
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
Punkt 6A003.b.4.a ei hõlma pildinduskaameraid, mis sisaldavad lineaarseid kaheteistkümne (12) või vähema elemendiga "fokaaltasandilisi massiive" ja mis ei kasuta elemendisisest ajalist viivitust ja integreerimist ning mis on kavandatud järgmiseks:
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
tööstusseadmed, mida kasutatakse soojuse voolamise kontrollimiseks või seireks hoonetes, seadmetes või tootmisprotsessides;
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
laboratoorseks kasutamiseks kavandatud seadmed või
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
Punkt 6A003.b.4.b ei hõlma pildinduskaameraid, millel on mis tahes järgmine omadus:
a.
maksimaalne kaadrisagedus kuni 9 Hz;
A deflected focused electron beam; and
minimaalne horisontaalne või vertikaalne 'hetkeline vaateväli (IFOV)' vähemalt 10 mrad/piksel (milliradiaani piksli kohta);
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
sisaldab fikseeritud fookuskaugusega objektiivi, mis ei ole eemaldatav;
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
ei sisalda 'vahetu vaatega' näidikut, ja
g.
ilma aparatuurita, mis võimaldaks kindlaksmääratud vaateväljast saada vaadeldavat kujutist;
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
kaamera on kavandatud mingi kindla rakenduse tarvis ning selliselt, et kasutaja seda ei muuda, või
h.
kaamera on spetsiaalselt ette nähtud paigaldamiseks tsiviilotstarbelistele reisijaid vedavatele sõidukile ja sel on kõik järgmised omadused:
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
kaamera asetus ja konfiguratsioon sõidukis on mõeldud ainult juhi abistamiseks sõiduki ohutul käsitsemisel;
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
töötab üksnes siis, kui on paigaldatud ühte järgmistest:
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
tsiviilotstarbeline reisijateveo maismaasõiduk, mille jaoks see on ette nähtud, ja mis kaalub vähem kui 4500 kg (täismass), või
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
spetsiaalselt selleks ette nähtud autoriseeritud ekspluatatsiooni katseseade ja
i.
sisaldab aktiivmehhanismi, mis ei võimalda kaameral töötada, kui see eemaldatakse sõidukilt, mille jaoks kaamera on ette nähtud.
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Punkti 6A003.b.4. märkuses 3.b nimetatud 'hetkeline vaateväli (IFOV)' on 'horisontaalse IFOV-i' või 'vertikaalse IFOV-i' väikseim väärtus.
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
'Horisontaalne IFOV' = horisontaalne hetkeline vaateväli (FOV) / horisontaalsete detektorelementide arv
a.
'Vertikaalne IFOV' = vertikaalne hetkeline vaateväli (FOV) / vertikaalsete detektorelementide arv
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Punkti 6A003.b.4 märkuses 3.b nimetatud mõiste 'vahetu vaade' viitab pildinduskaamerale, mis töötab infrapunases spektriosas ja esitab vaatlejale nähtava kujundi lähedalt vaadataval ja mis tahes valguskaitsemehhanismi sisaldaval mikroekraanil.
c.
Punkt 6A003.b.4.c. ei hõlma pildinduskaameraid, millel on mis tahes järgmine omadus:
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
kaamera on spetsiaalselt ette nähtud paigaldamiseks sisetingimustes kasutatavatele ja vooluvõrku ühendatud süsteemidele või seadmetele nende lahutamatu komponendina ning kaamera kasutamine on ehitusest tulenevalt piiratud ühega järgmistest rakendustest:
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
tööstusprotsessi jälgimine, kvaliteedikontroll või materjalide omaduste analüüs;
a.
spetsiaalselt teadusuuringuteks ette nähtud laboriseadmed;
Silicon (Si);
finantspettuste avastamise seadmed ja
b.
süsteem(id) või seadmed, mille jaoks see oli ette nähtud, või
Germanium (Ge);
spetsiaalselt selleks ette nähtud autoriseeritud ekspluatatsiooniseade ja
c.
sisaldab aktiivmehhanismi, mis ei võimalda kaameral töötada, kui see eemaldatakse süsteemi(de)st või seadmetest, mille jaoks see on ette nähtud;
Silicon carbide (SiC); or
kus kaamera on spetsiaalselt ette nähtud paigaldamiseks tsiviilotstarbelistele reisijaid vedavatele maismaasõidukile või reisijaid ja sõidukeid vedavale parvlaevale ja sel on kõik järgmised omadused:
d.
kaamera asetus ja konfiguratsioon sõidukis või parvlaeval on mõeldud ainult juhi või operaatori abistamiseks sõiduki või parvlaeva ohutul juhtimisel;
"III/V compounds" of gallium or indium.
tsiviilotstarbeline reisijaid vedav maismaasõiduk, mille jaoks see on ette nähtud, ja mis kaalub vähem kui 4500 kg (täismass);
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
reisijaid või sõidukeid vedav parvlaev, mille jaoks see on ette nähtud, kogupikkusega 65 m ja üle selle, või
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
spetsiaalselt selleks ette nähtud autoriseeritud ekspluatatsiooni katseseade ja
a.
sisaldab aktiivmehhanismi, mis ei võimalda kaameral töötada, kui see eemaldatakse sõidukilt, mille jaoks see on ette nähtud;
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
maksimaalne "kiirgustundlikkus" on ehituse tõttu 10 mA/W või vähem lainepikkustel üle 760 nm ja millel on kõik järgmised omadused:
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
sisaldab koste/tundlikkuse piiramise mehhanismi, mida ei saa eemaldada ega modifitseerida;
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
sisaldab aktiivmehhanismi, mis ei võimalda kaameral töötada, kui koste/tundlikkuse piiramise mehhanism eemaldatakse, ja
b.
ei ole spetsiaalselt kavandatud või kohandatud veealuseks kasutamiseks või
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
ei sisalda 'vahetu vaate' või elektroonilise kujutise kuvarit;
d.
puudub võimalus tuvastatud vaatevälja vaadeldava kujutise väljastamiseks;
All resists optimised for surface imaging technologies;
"fokaaltasandiline massiiv" töötab üksnes siis, kui see on paigaldatud kaamerale, mille jaoks see on ette nähtud, ja
e.
"fokaaltasandiline massiiv" sisaldab aktiivmehhanismi, mis muudab selle püsivalt mittetoimivaks, kui see eemaldatakse kaameralt, mille jaoks see on ette nähtud
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
pildinduskaamerad, mis sisaldavad punktis 6A002.a.1 nimetatud tahkisdetektoreid.
Organo-inorganic compounds as follows:
Järgmised optilised seadmed ja komponendid:
a.
a. järgmised optilised peeglid (reflektorid):
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Punkti 6A004.a tähenduses mõõdetakse laseriga põhjustatu kahju piirmäära (Laser Induced Damage Threshold – LIDT) standardi ISO 21254-1:2011 järgi.
b.
Optilised peeglid, mis on spetsiaalselt kavandatud litograafiaseadmete jaoks, vt punkt 3B001.
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
"deformeeritavad peeglid" aktiivse optilise avaga, mis on suurem kui 10 mm, ja millel on mis tahes järgmine omadus, ning nende jaoks ette nähtud komponendid:
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
a. millel on kõik järgmised omadused:
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
mehaaniline võnkesagedus 750 Hz või rohkem ja
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
rohkem kui 200 ajamit või
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
b. laseriga põhjustatud kahju piirmäär (LIDT) on üks järgmistest:
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
"CW laseriga" rohkem kui 1 kW/cm2; või
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
20 ns "laseri" impulssidega kordumissagedusega 20 Hz rohkem kui 2 J/cm2;
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
kergekaalulised monoliitsed peeglid keskmise "ekvivalenttihedusega" alla 30 kg/m2 ja täismassiga üle 10 kg;
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
6A004.a.2. ei juhi peegleid, mis on konstrueeritud spetsiaalselt päikesevalguse suunamiseks maapealsetele heliostaatrajatistele.
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
"komposiit"- või vahtstruktuuriga kergpeeglid, mille keskmine "ekvivalenttihedus" on väiksem kui 30 kg/m2 ja täismass üle 2 kg;
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
6A004.a.3. ei juhi peegleid, mis on konstrueeritud spetsiaalselt päikesevalguse suunamiseks maapealsetele heliostaatrajatistele.
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
punktis 6A004.d.2.a. nimetatud spetsiaalselt kiirejuhtimispeeglite astmetele kavandatud peeglid, mille tasapindsus on λ/10 või parem (λ võrdub 633 nm), ja millel on mis tahes järgmine omadus:
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
a. diameeter või peatelje pikkus üle 100 mm või
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
b. millel on kõik järgmised omadused:
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
diameeter või peatelje pikkus üle 50 mm ja vähem kui 100 mm ja
3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components specified in 3A003.
laseriga põhjustatud kahju piirmäär (LIDT) on üks järgmistest:
3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
a.
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
"CW laseriga" rohkem kui 10 kW/cm2; või
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
b.
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
20 ns "laseri" impulssidega kordumissagedusega 20 Hz rohkem kui 20 J/cm2;
a.
b. tsinkseleniidist (ZnSe) või tsinksulfiidist (ZnS) valmistatud optilised komponendid läbilaskvusega lainepikkuste vahemikus üle 3000 nm, kuid mitte üle 25000 nm, millel on mis tahes järgmine omadus:
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
maht üle 100 cm3 või
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
diameeter või peatelje pikkus üle 80 mm ja paksus (sügavus) üle 20 mm;
b.
c. järgmised "kosmosekindlad" optiliste süsteemide komponendid:
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
komponendid, mida on kergendatud vähem kui 20 %-ni "ekvivalenttiheduse" väärtusest, võrreldes sama paksuse ja apertuuriga tahkistoorikuga;
c.
töötlemata põhimikud, töödeldud põhimikud, millel on pinnakate (ühe- ja mitmekihiliste metalsete, dielektriliste, juhtivate, pooljuhtivate või isoleerivate katetega) või kaitsekiled;
Designed to perform more than eight 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
peeglite segmendid või koostud, mis on kavandatud optilise süsteemi montaažiks kosmoses, mille koguv apertuur on võrdväärne või suurem kui 1-meetrilise läbimõõduga üksikul optilisel süsteemil;
3E002 does not control "technology" for multimedia extensions.
komponendid, mis on valmistatud "komposiit"materjalidest, mille lineaarne soojuspaisumistegur mis tahes telje suunas ei ole üle 5 × 10– 6;
3E002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
d. järgmised optilised juhtseadmed:
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
seadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 6A004.c.1 või 6A004.c.3 nimetatud "kosmosekindlate" komponentide pinnakuju või orientatsiooni säilitamiseks;
3E002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
järgmised juhtimise, jälgimise, stabiliseerimise või resonaatori häälestamise seadmed
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
a. kiirejuhtimispeeglite astmed, mis on kavandatud sellistele peeglitele, mille diameeter või põhitelje pikkus on rohkem kui 50 mm, ja millel on kõik järgmised omadused, ning spetsiaalselt nende juhtimiseks kavandatud elektroonilised seadmed:
a.
maksimaalne nurkliikumine ± 26 mrad või rohkem;
Vacuum microelectronic devices;
mehaaniline võnkesagedus 500 Hz või rohkem ja
b.
nurk"täpsus" 10 μrad (mikroradiaani) või vähem (parem);
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
b. resonaatori häälestamise seadmed, mille ribalaiused on 100 Hz või rohkem ja "täpsus" 10 μrad või vähem (parem);
3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
kardaanriputid, millel on kõik järgmised omadused:
c.
a. maksimaalne pöördenurk üle 5°;
"Superconductive" electronic devices;
b. ribalaius 100 Hz või rohkem;
d.
c. nurga fikseerimise viga 200 μrad (mikroradiaani) või vähem ja
Substrates of films of diamond for electronic components.
d. millel on mõni järgmistest omadustest:
e.
diameetri või peatelje pikkus on üle 0,15 m, kuid vähem kui 1 m, ja võimaldab nurkkiirendust 2 rad/s2, või
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
diameetri või peatelje pikkus on üle 1 m ja võimaldab nurkkiirendust 0,5 rad/s2;
f.
e. 'mittesfäärilised optilised elemendid', millel on kõik järgmised omadused:
Substrates of silicon carbide for electronic components;
optilise ava suurim mõõde on üle 400 mm;
g.
pinna ebatasasus on väiksem kui 1 nm (ruutkeskmine, rms) valimi pikkusel, mis on võrdne või suurem kui 1 mm, ja
Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
lineaarse soojuspaisumise absoluutsuuruse tegur on väiksem kui 3 × 10– 6/K, 25 °C juures.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
'Mittesfääriline optiline element' on mis tahes optilises süsteemis kasutatav element, mille kujutispind või pinnad on projekteeritud erinema ideaalse sfääri kujust.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software"specified in 3D101.
Valmistajatelt ei nõuta punktis 6A004.e.2 nimetatud pinna ebatasasuse mõõtmist, kui optiline element ei ole kavandatud või valmistatud kavatsusega kontrollparameetrile vastata või seda ületada.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
Punkt 6A004.e ei hõlma mittesfäärilisi optilisi elemente, millel on mis tahes järgmine omadus:
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
suurim optilise ava mõõde on väiksem kui 1 m ja fookuskauguse suhe ava suurusesse on võrdne või suurem kui 4,5: 1;
CATEGORY 4 — COMPUTERS
suurim optilise ava mõõde on võrdne või suurem kui 1 m ja fookuskauguse suhe ava suurusesse on võrdne või suurem kui 7: 1;
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
kavandatud Fresnel-, flyeye-, vööt-, prisma- või difrakteeriv-tüüpi optilise elemendina;
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
valmistatud boorsilikaatklaasist, mille lineaarse soojuspaisumise tegur on suurem kui 2,5 × 10– 6/K 25 °C või
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
on röntgenoptiline element, millel on sisepeegli omadused (nt toru-tüüpi peeglid).