natgillin/translations-raw huggingface dataset:
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
Selle punkti tähenduses on 'andmed kaamera positsiooni kohta' info, mis on vajalik kaamera vaatenurga asetuse määratlemiseks maa suhtes.
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
See hõlmab järgmist: 1) horisontaalne nurk, mis jääb kaamera vaatenurga ja maa magnetvälja suuna vahele ja; 2) vertikaalne nurk, mis jääb kaamera vaatenurga ja maa horisondi vahele.
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
skannerkaamerad ja skannerkaamerasüsteemid, millel on kõik järgmised omadused:
f.
a. tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku üle 10 nm, kuid mitte üle 30000 nm;
Lithography equipment as follows:
b. lineaarsed detektormassiivid üle 8192 elemendiga massiivis ja
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
c. mehaanilise ühesuunalise laotusega;
a.
Punkt 6A003.b.2 ei hõlma skannerkaameraid ja skannerkaamerasüsteeme, mis on spetsiaalselt ette nähtud mis tahes järgmiste seadmete jaoks:
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
tööstus- või tsiviilkasutuses olevad koopiamasinad;
b.
skannerid, mis on spetsiaalselt ette nähtud tsiviilkasutuses, paiksete, lähiskannimisrakenduste jaoks (nt dokumentides, kunstiteostes või fotodes sisalduvate kujutiste või teksti taasesitamiseks), või
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
meditsiiniseadmed.
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
pildinduskaamerad, mis sisaldavad punktis 6A002.a.2.a või 6A002.a.2.b nimetatud kujutisvõimendeid;
an exposure light source wavelength in nm
pildinduskaamerad, mis sisaldavad "fokaaltasandilisi massiive", millel on mis tahes järgmine omadus:
K factor
a. sisaldavad punktides 6A002.a.3.a–6A002.a.3.e nimetatud "fokaaltasandilisi massiive";
numerical aperture
b. sisaldavad punktis 6A002.a.3.f nimetatud "fokaaltasandilisi massiive"; või
where the K factor = 0,35
c. sisaldavad punktis 6A002.a.3.g nimetatud "fokaaltasandilisi massiive";
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
Punktis 6A003.b.4 nimetatud 'pildinduskaamerad' sisaldavad lisaks väljundkiibile piisava "signaali töötlemise" elektroonikaga varustatud "fokaaltasandilisi massiive", mis võimaldavad sisselülitamisel vähemalt analoog- või digitaalväljundsignaali.
3B001.f.2. includes:
Punkt 6A003.b.4.a ei hõlma pildinduskaameraid, mis sisaldavad lineaarseid kaheteistkümne (12) või vähema elemendiga "fokaaltasandilisi massiive" ja mis ei kasuta elemendisisest ajalist viivitust ja integreerimist ning mis on ette nähtud järgmiseks: a.
Micro contact printing tools
tööstus- või tsiviilkasutuses olevad sissemurdmise alarmsüsteemid, liikluses või tööstuses kasutatavad liikumise kontrolli- või loendussüsteemid; b.
Hot embossing tools
tööstusseadmed, mida kasutatakse soojuse voolamise kontrollimiseks või seireks hoonetes, seadmetes või tootmisprotsessides; c.
Nano-imprint lithography tools
tööstusseadmed, mida kasutatakse materjalide omaduste kontrollimiseks, sorteerimiseks või analüüsiks; d.
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
spetsiaalselt laboratoorseks kasutamiseks ette nähtud seadmed või e.
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
meditsiiniseadmed.
a.
Punkt 6A003.b.4.b ei hõlma pildinduskaameraid, millel on mis tahes järgmine omadus:
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
maksimaalne kaadrisagedus kuni 9 Hz;
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
minimaalne horisontaalne või vertikaalne 'hetkeline vaateväli (IFOV)' vähemalt 10 mrad (milliradiaani);
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
sisaldab fikseeritud fookuskaugusega objektiivi, mis ei ole eemaldatav;
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
ei sisalda 'vahetu vaatega' näidikut, ja
a.
ilma aparatuurita, mis võimaldaks kindlaksmääratud vaateväljast saada vaadeldavat kujutist; või
A deflected focused electron beam; and
kaamera on loodud mingi kindla rakenduse tarvis ning selliselt, et kasutaja seda ei muuda, või
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
kaamera on spetsiaalselt ette nähtud paigaldamiseks tsiviilotstarbelistele reisijaid vedavatele sõidukile ja sel on kõik järgmised omadused:
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
kaamera asetus ja konfiguratsioon sõidukis on mõeldud ainult juhi abistamiseks sõiduki ohutul käsitsemisel;
g.
töötab üksnes siis, kui on paigaldatud ühte järgmistest:
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
tsiviilotstarbeline reisijateveo maismaasõiduk, mille jaoks see on ette nähtud, ja mis kaalub vähem kui 4500 kg (täismass), või
h.
spetsiaalselt selleks ette nähtud autoriseeritud ekspluatatsiooni katseseade ja
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
sisaldab aktiivmehhanismi, mis ei võimalda kaameral töötada, kui see eemaldatakse sõidukilt, mille jaoks see on ette nähtud.
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
Punkti 6A003.b.4. märkuses 3.b nimetatud 'hetkeline vaateväli (IFOV)' on 'horisontaalse IFOV-i' või 'vertikaalse IFOV-i' väikseim väärtus.
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
'Horisontaalne IFOV' = horisontaalne hetkeline vaateväli (FOV) / horisontaalsete detektorelementide arv
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
'Vertikaalne IFOV' = vertikaalne hetkeline vaateväli (FOV) / vertikaalsete detektorelementide arv
i.
Punkti 6A003.b.4 märkuses 3.b nimetatud mõiste 'vahetu vaade' viitab pildinduskaamerale, mis töötab infrapunases spektriosas ja esitab vaatlejale nähtava kujundi lähedalt vaadataval ja mis tahes valguskaitsemehhanismi sisaldaval mikroekraanil.
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Punkt 6A003.b.4.c ei hõlma pildinduskaameraid, millel on mis tahes järgmine omadus:
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
kaamera on spetsiaalselt ette nähtud paigaldamiseks sisetingimustes kasutatavatele ja vooluvõrku ühendatud süsteemidele või seadmetele nende lahutamatu komponendina ning kaamera kasutamine on ehitusest tulenevalt piiratud ühega järgmistest rakendustest:
a.
tööstusprotsessi jälgimine, kvaliteedikontroll või materjalide omaduste analüüs;
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
spetsiaalselt teadusuuringuteks ette nähtud laboriseadmed;
c.
finantspettuste avastamise seadmed ja
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
süsteem(id) või seadmed, mille jaoks see oli ette nähtud, või
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
spetsiaalselt selleks ette nähtud autoriseeritud ekspluatatsiooniseade ja
a.
sisaldab aktiivmehhanismi, mis ei võimalda kaameral töötada, kui see eemaldatakse süsteemi(de)st või seadmetest, mille jaoks see on ette nähtud;
Silicon (Si);
kus kaamera on spetsiaalselt ette nähtud paigaldamiseks tsiviilotstarbelistele reisijaid vedavatele maismaasõidukile või reisijaid ja sõidukeid vedavale parvlaevale ja sel on kõik järgmised omadused:
b.
kaamera asetus ja konfiguratsioon sõidukis või parvlaeval on mõeldud ainult juhi või operaatori abistamiseks sõiduki või parvlaeva ohutul juhtimisel;
Germanium (Ge);
tsiviilotstarbeline reisijaid vedav maismaasõiduk, mille jaoks see on ette nähtud, ja mis kaalub vähem kui 4500 kg (täismass);
c.
reisijaid või sõidukeid vedav parvlaev, mille jaoks see on ette nähtud, kogupikkusega 65 m ja üle selle, või või
Silicon carbide (SiC); or
spetsiaalselt selleks ette nähtud autoriseeritud ekspluatatsiooni katseseade ja
d.
sisaldab aktiivmehhanismi, mis ei võimalda kaameral töötada, kui see eemaldatakse sõidukilt, mille jaoks see on ette nähtud;
"III/V compounds" of gallium or indium.
maksimaalne "kiirgustundlikkus" on ehituse tõttu 10 mA/W või vähem lainepikkustel üle 760 nm ja millel on kõik järgmised omadused:
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
sisaldab koste/tundlikkuse piiramise mehhanismi, mida ei saa eemaldada ega modifitseerida;
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
sisaldab aktiivmehhanismi, mis ei võimalda kaameral töötada, kui koste/tundlikkuse piiramise mehhanism eemaldatakse, ja
a.
ei ole spetsiaalselt loodud või kohandatud veealuseks kasutamiseks või
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
d. millel on kõik järgmised omadused:
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
ei sisalda 'vahetu vaate' või elektroonilise kujutise kuvarit;
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
puudub võimalus tuvastatud vaatevälja vaadeldava kujutise väljastamiseks;
b.
"fokaaltasandiline massiiv" töötab üksnes siis, kui see on paigaldatud kaamerale, mille jaoks see on ette nähtud, ja
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
"fokaaltasandiline massiiv" sisaldab aktiivmehhanismi, mis muudab selle püsivalt mittetoimivaks, kui see eemaldatakse kaameralt, mille jaoks see on ette nähtud
d.
pildinduskaamerad, mis sisaldavad punktis 6A002.a.1 nimetatud tahkisdetektoreid.
All resists optimised for surface imaging technologies;
Järgmised optilised seadmed ja komponendid:
e.
a. järgmised optilised peeglid (reflektorid):
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Punkti 6A004.a tähenduses mõõdetakse laseriga põhjustatu kahju piirmäära (Laser Induced Damage Threshold – LIDT) standardi ISO 21254-1:2011 järgi.
Organo-inorganic compounds as follows:
Optilised peeglid, mis on spetsiaalselt ette nähtud litograafiaseadmete jaoks, vt punkt 3B001.
a.
"deformeeritavad peeglid" aktiivse optilise avaga, mis on suurem kui 10 mm, ja millel on mis tahes järgmine omadus, ning nende jaoks ette nähtud komponendid:
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
a. millel on kõik järgmised omadused:
b.
mehaaniline võnkesagedus 750 Hz või rohkem ja
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
rohkem kui 200 ajamit või
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
b. laseriga põhjustatud kahju piirmäär (LIDT) on üks järgmistest:
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
"CW laseriga" rohkem kui 1 kW/cm2; või
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
20 ns "laseri" impulssidega kordumissagedusega 20 Hz rohkem kui 2 J/cm2;
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
kergekaalulised monoliitsed peeglid keskmise "ekvivalenttihedusega" alla 30 kg/m2 ja täismassiga üle 10 kg;
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
6A004.a.2. ei juhi peegleid, mis on konstrueeritud spetsiaalselt päikesevalguse suunamiseks maapealsetele heliostaatrajatistele.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
"komposiit"- või vahtstruktuuriga kergpeeglid, mille keskmine "ekvivalenttihedus" on väiksem kui 30 kg/m2 ja täismass üle 2 kg;
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
6A004.a.3. ei juhi peegleid, mis on konstrueeritud spetsiaalselt päikesevalguse suunamiseks maapealsetele heliostaatrajatistele.
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
punktis 6A004.d.2.a. nimetatud spetsiaalselt kiirejuhtimispeeglite astmetele ette nähtud peeglid, mille tasapindsus on λ/10 või parem (λ võrdub 633 nm), ja millel on mis tahes järgmine omadus:
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
a. diameeter või peatelje pikkus üle 100 mm või või
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
diameeter või peatelje pikkus üle 50 mm ja vähem kui 100 mm ja
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
laseriga põhjustatud kahju piirmäär (LIDT) on üks järgmistest:
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
a.
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
"CW laseriga" rohkem kui 10 kW/cm2; või
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
b.
3E001 does not control "technology" for equipment or components specified in 3A003.
20 ns "laseri" impulssidega kordumissagedusega 20 Hz rohkem kui 20 J/cm2;
3E001 does not control "technology" for integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
b. tsinkseleniidist (ZnSe) või tsinksulfiidist (ZnS) valmistatud optilised komponendid läbilaskvusega lainepikkuste vahemikus üle 3000 nm, kuid mitte üle 25000 nm, millel on mis tahes järgmine omadus:
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
maht üle 100 cm3või
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
diameeter või peatelje pikkus üle 80 mm ja paksus (sügavus) üle 20 mm;
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
c. järgmised "kosmosekindlad" optiliste süsteemide komponendid:
a.
komponendid, mida on kergendatud vähem kui 20 %-ni "ekvivalenttiheduse" väärtusest, võrreldes sama paksuse ja apertuuriga tahkistoorikuga;
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
töötlemata põhimikud, töödeldud põhimikud, millel on pinnakate (ühe- ja mitmekihiliste metalsete, dielektriliste, juhtivate, pooljuhtivate või isoleerivate katetega) või kaitsekiled;
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
peeglite segmendid või koostud, mis on ette nähtud optilise süsteemi montaažiks kosmoses, mille koguv apertuur on võrdväärne või suurem kui 1-meetrilise läbimõõduga üksikul optilisel süsteemil;
b.
komponendid, mis on valmistatud "komposiit"materjalidest, mille lineaarne soojuspaisumistegur mis tahes telje suunas ei ole üle 5 × 10-6;
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
d. järgmised optilised juhtseadmed:
c.
seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 6A004.c.1 või 6A004.c.3 nimetatud "kosmosekindlate" komponentide pinnakuju või orientatsiooni säilitamiseks;
Designed to perform more than eight 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
järgmised juhtimise, jälgimise, stabiliseerimise või resonaatori häälestamise seadmed:
3E002 does not control "technology" for multimedia extensions.
a. kiirejuhtimispeeglite astmed, mis on ette nähtud sellistele peeglitele, mille diameeter või põhitelje pikkus on rohkem kui 50 mm, ja millel on kõik järgmised omadused, ning spetsiaalselt nende juhtimiseks mõeldud elektroonilised seadmed:
3E002 does not control "technology" for micro-processor cores, having all of the following:
maksimaalne nurkliikumine ± 26 mrad või rohkem;
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
mehaaniline võnkesagedus 500 Hz või rohkem ja
3E002 includes "technology" for the "development" or "production" of digital signal processors and digital array processors.
nurk"täpsus" 10 μrad (mikroradiaani) või vähem (parem);
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
b. resonaatori häälestamise seadmed, mille ribalaiused on 100 Hz või rohkem ja "täpsus" 10 μrad või vähem (parem);
a.
kardaanriputid, millel on kõik järgmised omadused:
Vacuum microelectronic devices;
a. maksimaalne pöördenurk üle 5o;
b.
b. ribalaius 100 Hz või rohkem;
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
c. nurga fikseerimise viga 200 μrad (mikroradiaani) või vähem ja ja
3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
d. millel on mõni järgmistest omadustest:
c.
diameetri või peatelje pikkus on üle 0,15 m, kuid vähem kui 1 m, ja võimaldab nurkkiirendust 2 rad/s2, või
"Superconductive" electronic devices;
diameetri või peatelje pikkus on üle 1 m ja võimaldab nurkkiirendust 0,5 rad/s2;
d.
e. 'mittesfäärilised optilised elemendid', millel on kõik järgmised omadused:
Substrates of films of diamond for electronic components.
optilise ava suurim mõõde on üle 400 mm;
e.
pinna ebatasasus on väiksem kui 1 nm (ruutkeskmine, rms) valimi pikkusel, mis on võrdne või suurem kui 1 mm, ja
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
lineaarse soojuspaisumise absoluutsuuruse tegur on väiksem kui 3 × 10–6/K, 25 °C juures.
f.
'Mittesfääriline optiline element' on mis tahes optilises süsteemis kasutatav element, mille kujutispind või pinnad on projekteeritud erinema ideaalse sfääri kujust.
Substrates of silicon carbide for electronic components;
Valmistajatelt ei nõuta punktis 6A004.e.2 nimetatud pinna ebatasasuse mõõtmist, kui optiline element ei ole kavandatud või valmistatud kavatsusega kontrollparameetrile vastata või seda ületada.
g.
Punkt 6A004.e ei hõlma mittesfäärilisi optilisi elemente, millel on mis tahes järgmine omadus:
'Vacuum electronic devices' operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
suurim optilise ava mõõde on väiksem kui 1 m ja fookuskauguse suhe ava suurusesse on võrdne või suurem kui 4,5 : 1;
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
suurim optilise ava mõõde on võrdne või suurem kui 1 m ja fookuskauguse suhe ava suurusesse on võrdne või suurem kui 7 : 1;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software"specified in 3D101.
loodud Fresnel-, flyeye-, vööt-, prisma- või difrakteeriv-tüüpi optilise elemendina;
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
valmistatud boorsilikaatklaasist, mille lineaarse soojuspaisumise tegur on suurem kui 2,5 × 10–6/K 25 °C või
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
on röntgenoptiline element, millel on sisepeegli omadused (nt toru-tüüpi peeglid).
CATEGORY 4 - COMPUTERS
'Mittesfääriliste optiliste elementide' kohta, mis on spetsiaalselt ette nähtud litograafiaseadmetele, vt punkti 3B001.
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Laserid, muud kui punktis 0B001.g.5 või 0B001.h.6 nimetatud, komponendid ning optilised seadmed:
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
VT KA PUNKT 6A205.
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
Impulss"laserite" hulka kuuluvad ka need laserid, mis töötavad impulsistatuna pidevlaine (CW) režiimis.
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
Eksimeer-, pooljuht-, keemilised, CO-, CO2 ja mittekorduvad impulss-neodüümklaas-"laserid" on nimetatud vaid punktis 6A005.d.
SEE ALSO 4A101.
'Mittekorduv impulss' osutab "laseritele", mis tekitavad kas ühe väljundimpulsi või mille impulssidevaheline intervall on üle ühe minuti.
a.
Punkt 6A005 hõlmab kiud"lasereid".
Specially designed to have any of the following:
Muul viisil kui ühe "laseri" poolt teise "laseri" pumpamise teel sageduse muundamist (st lainepikkuse muutmist) kasutavate "laserite" kontrolli alla kuulumine määratakse kindlaks nii lähte"laseri" väljundvõimsuse kui ka sagedusmuunduri optilise võimsuse suhtes rakendatavate kontrolliparameetrite alusel.
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
rubiinlaserid väljundenergiaga alla 20 J;
Total Dose
lämmastik;
5 × 103 Gy (silicon);
krüptoon.
Dose Rate Upset
Punktis 6A005 nimetatud 'pistikupesatõhusus' (kasutegur) (wall-plug efficiency) määratletakse "laseri" väljundvõimsuse või "keskmise väljundvõimsuse" ning "laseri" tööks vajaliku kogu elektrilise sisendvõimsuse (sh toiteallikate/võimsusmuundurite ja konditsioneerimise/soojusvahetite võimsuse) suhtena.
5 × 106 Gy (silicon)/s; or
a. mitte"timmitavad" pidevlaine "laserid", millel on mis tahes järgmine omadus:
Single Event Upset
väljundkiirguse lainepikkus alla 150 nm ja väljundvõimsus üle 1 W;
1 × 10– 8 Error/bit/day;
väljundkiirguse lainepikkus 150 nm või üle selle, kuid mitte üle 510 nm, ja väljundvõimsus üle 30 W;
4A001.a.2. does not control computers specially designed for "civil aircraft" applications.
Punkt 6A005.a.2 ei hõlma argoon"lasereid", mille võimsus on 50 W või vähem.