natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
b. süsteemid, mis kasutatavad üksik- või mitmikdetonaatoreid, mis on ette nähtud üle 5000 mm2 lõhkeainepinna peaaegu samaaegseks initsieerimiseks ühe süütesignaaliga nii, et initsieerimise ajaline ulatus üle kogu pinna oleks vähem kui 2,5 μs.
Cemented tungsten carbide (16)
Punkt 3A232 ei hõlma detonaatoreid, mis kasutavad ainult initsieerivaid lõhkeaineid, nagu näiteks pliiasiid.
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - NOTES
Massispektromeetrid, muud kui punktis 0B002.g nimetatud, mis võimaldavad mõõta ioone massiga 230 aatommassiühikut või rohkem ning mille lahutusvõime on parem kui 2 osa 230-st, ning nende iooniallikad:
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
a. induktiivselt sidestatud plasma massispektromeetrid (ICP/MS);
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
b. huumlahendus-massispektromeetrid (GDMS);
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
c. termilise ionisatsiooni massispektromeetrid (TIMS);
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
d. elektronpommitusega massispektromeetrid, millel on mõlemad järgmised omadused:
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
molekulaarkimbu sisselaskesüsteem, mis suunavad kollimeeritud kimbu analüüsi tulemusel saadud molekule ioonallika piirkonda, kus molekulid ioniseeritakse elektronkiirega, ja
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
üks või rohkem 'külmalõksu', mida saab jahutada temperatuurini 193 K (– 80 °C);
a.
e. ei kasutata;
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
f. massispektromeetrid, mis on varustatud mikrofluorimisioonallikaga ja on ette nähtud aktiniididele või aktiniidfluoriididele.
b.
Punktis 3A233.d nimetatud elektronpommitusega massispektromeetreid tuntakse ka elektronlöök-massispektromeetritena või elektronionisatsiooni massispektromeetritena.
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
'Külmalõks' punktis 3A233.d.2 on seade, mis püüab gaasimolekulid lõksu nende külmadele pindadele kondenseerimise või külmutamise teel.
c.
Punkti 3A233.d.2 tähenduses suletud ahelaga gaasilise heeliumi krüogeenne vaakumpump ei ole 'külmalõks'.
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
Liistakujooned, mis annavad madalinduktiivsuse raja detonaatoritele järgmiste omadustega:
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
a. tööpinge suurem kui 2 kV, ja
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
b. induktiivsus väiksem kui 20 nH.
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
Järgmised seadmed pooljuhtseadmete ja -materjalide tootmiseks ning nende komponendid ja abiseadmed:
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
VT KA 2B226.
Category 2 does not include "technology" for single-step pack cementation of solid airfoils.
a. epitakskasvatamise seadmed:
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
seadmed, mis on konstrueeritud või modifitseeritud tootma ühtlast mis tahes materjali, v.a räni, kihti, mille ebaühtlus 75 mm või pikemal vahemikul on väiksem kui ± 2,5 %;
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
Punkt 3B001.a.1 hõlmab aatomkihtepitaksia (ALE) seadmeid.
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
metallorgaanilised keemilised aurustussadestusreaktorid, mis on ette nähtud epitaksiaalselt kasvatama liitpooljuhte, mis koosnevad kahest või enamast järgmisest keemilisest elemendist: alumiinium, gallium, indium, arseen, fosfor, antimon või lämmastik;
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
molekulaarkimp-epitakskasvatamise seadmed, milles kasutatakse gaasilisi või tahkeid allikaid;
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10-7 K-1 or less measured at 293 K (20 °C).
b. ioonlegeerimisseadmed, millel on mis tahes järgmine omadus:
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
mis on projekteeritud ja optimeeritud töötama kimbu energial 20 keV või rohkem ja kimbu voolul 10 mA või rohkem vesiniku, deuteeriumi või heeliumi implanteerimiseks;
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
otsekirje võimega;
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
kimbu energiaga 65 keV või rohkem ja kimbu vooluga 45 mA või rohkem kõrgenergeetiliseks hapniku istutamiseks kuumutatud pooljuhtmaterjali "põhimikku" või
"Technology" for depositing diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
mis on projekteeritud ja optimeeritud töötama kimbu energial 20 keV või rohkem ja kimbu voolul 10 mA või rohkem räni implanteerimiseks temperatuurini 600 °C või rohkem kuumutatud pooljuhtmaterjali "põhimikku";
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
e. automaatse laadimisega mitmekambrilised kesksed toorikkiipide käsitsemise süsteemid, millel on kõik järgmised omadused:
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
liides toorikkiipide sisestamiseks ja väljavõtmiseks, millega võib liita enam kui kaks funktsionaalselt erinevat pooljuhte töötlevat seadet, mis on nimetatud punktis 3B001.a.1, 3B001.a.2, 3B001.a.3 või 3B001.b ja
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
on arendatud moodustama integreeritud süsteemi 'kiipide järjestiktöötlemiseks' vaakumkeskkonnas;
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - TECHNICAL NOTE
Punkt 3B001.e ei hõlma automaatseid kiipide käsitlemise robotsüsteeme, mis on spetsiaalselt projekteeritud kiipide paralleeltöötlemiseks
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Punkti 3B001.e kohaldamisel tähendab 'pooljuhte töötlev seade' moodulseadet, mis rakendab pooljuhtide tootmiseks funktsionaalselt erinevaid füüsikalisi protsesse, näiteks sadestamist, implanteerimist või termilist töötlemist.
a.
Punkti 3B001.e kohaldamisel tähendab 'kiipide järjestiktöötlemine' võimet töödelda igat kiipi erinevas pooljuhte töötlevas seadmes, näiteks paigutades igat kiipi ühest seadmest teise seadmesse ja edasi kolmandasse seadmesse automaatse laadimisega mitmekambriliste kesksete toorikkiipide käsitsemise süsteemidega.
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
f. järgmised litograafiaseadmed:
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
"paiguta ja särita ning korda sammhaaval" (otsene samm kiibil) või "samm ja skaneeri" (skanner) tüüpi seadmed kiipide töötlemiseks, mis kasutavad valgusoptilist või röntgenikiirte meetodeid ja millel on mis tahes järgmine omadus:
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
a. valgusallika lainepikkus on lühem kui 193 nm või
N.B.1.
b. on võimelised tekitama mustrit, milles 'vähima lahutatava elemendi mõõt' (MRF) on 45 nm või vähem;
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
'Vähima lahutatava elemendi mõõt' (MRF) arvutatakse järgmise valemi põhjal:
N.B.2.
valgusallika lainepikkus, nm
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
K-tegur
N.B.3.
numbriline apertuur
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
kus K-tegur = 0,35
b.
Jäljendi litograafiaseadmed, mis on võimelised tekitama kujutisi mõõtmetega 45 nm või vähem;
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Punkt 3B001.f.2 hõlmab järgmist:
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
mikrokontakttrükiseadmed,
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
kuumreljeeftrükiseadmed (hot embossing tools),
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
nanojäljendi litograafiaseadmed (nano-imprint lithography tools),
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
samm-ja-särita-jäljendi litograafiaseadmed (step and flash imprint lithography (S-FIL) tools).
Specific TE-PVD processes are as follows:
seadmed pooljuhtide maskide valmistamiseks, millel on kõik järgmised omadused:
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
a. kasutatakse hälvitatud-fokuseeritud elektronkimpu, ioonkimpu või "laser"kiirt; ja
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
FWHM laotuspunkti suurus väiksem kui 65 nm ja kujundi paigutus väiksem kui 17 nm (keskmine + 3 sigma); või
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Teise kihi katteviga väiksem kui 23 nm (keskmine + 3 sigma) maskil; 3B001.f. jätkub
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
seadmed seadiste töötlemiseks otsekirjutusmeetodeid kasutades, millel on kõik järgmised omadused:
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
a. hälvitatud-fokuseeritud elektronkimp; ja
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
väikseim kimbu suurus 15 nm või väiksem; või
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
katteviga väiksem kui 27 nm (keskmine + 3 sigma);
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
g. maskid ja niitvõrgustikud, mis on ette nähtud punktis 3A001 nimetatud integraallülitustele;
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
h. mitmekihilised maskid faasinihkekihiga, mis ei ole täpsustatud punktis 3B001.g ja millel on mõni järgmistest omadustest:
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
tehtud maski "põhimikuplangile" klaasist, mille määratletud kaksikmurdumine on väiksem kui 7 nm/cm, või
c.
ettenähtud kasutamiseks litograafiaseadmetes, mille valgusallika lainepikkus on väiksem kui 245 nm;
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Punkt 3B001.h ei hõlma mitmekihilisi maske faasinihkekihiga, mis on ette nähtud punktis 3A001 mitte hõlmatud mäluseadmete tootmiseks.
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
i. jäljendi litograafiašabloonid, mis on ette nähtud punktis 3A001 nimetatud integraallülitustele.
An activator (normally a halide salt); and
Testimisseadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud järgmiste lõpetatud või lõpetamata pooljuhtseadiste testimiseks, ning spetsiaalselt nende jaoks ette nähtud komponendid ja lisavarustus:
An inert powder, most frequently alumina.
a. transistoride S-parameetrite testimiseks sagedustel üle 31,8 GHz;
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
c. punktis 3A001.b.2 nimetatud mikrolaine integraallülituste testimiseks.
d.
Hetero-epitaksiaalsed materjalid, mis koosnevad järgmiste materjalide epitakskasvatamisel saadud "põhimikest":
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
a. räni (Si),
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
b. germaanium (Ge),
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
c. ränikarbiid (SiC) või
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
d. galliumi või indiumi "III/V ühendid".
e.
Punkt 3C001.d. ei hõlma "põhimikke", millel on üks või mitu P-tüüpi epitaksiaalkihti GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP või InGaAlP, olenemata elementide järjestusest, välja arvatud juhul, kui P-tüüpi epitaksiaalkiht on N-tüüpi kihtide vahel.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Resistmaterjalid ja "põhimikud", mis on kaetud järgmiste resistmaterjalidega:
f.
a. järgmised pooljuhtlitograafia jaoks projekteeritud resistmaterjalid:
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
positiivsed resistid, mis on kohandatud (optimeeritud) kasutamiseks lainepikkustel alla 245 nm, kuid vähemalt või üle 15 nm;
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
positiivsed resistid, mis on kohandatud (optimeeritud) kasutamiseks lainepikkustel alla 15 nm, kuid vähemalt või üle 1 nm;
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
b. kõik resistid, mis on ette nähtud kasutamiseks elektron- või ioonkimpudega, tundlikkusega 0,01 μC/mm2 või parem;
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
d. kõik resistid, mis on optimeeritud pinnakujundamise tehnoloogiate jaoks;
g.
e. kõik resistid, mis on ette nähtud või optimeeritud kasutamiseks punktis 3B001.f.2 nimetatud jäljendi litograafiaseadmetega, mis kasutavad kas termilist või fototöötlust.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Orgaanilis-anorgaanilised ühendid:
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
a. alumiiniumi, galliumi või indiumi metallorgaanilised ühendid puhtusega (metalli baasil) üle 99,999 %;
CATEGORY 3 - ELECTRONICS
b. arseeni, antimoni või fosfori orgaanilised ühendid puhtusega üle 99,999 % (anorgaaniliste elementide baasil).
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.14, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Punkt 3C003 hõlmab üksnes neid ühendeid, milles metalliline, poolmetalliline või mittemetalliline element on molekuli orgaanilises osas oleva süsinikuga otseses sidemes.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.14 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Fosfori, arseeni või antimoni hüdriidid puhtusega üle 99,999 %, ka inertgaasides või vesinikus lahjendatuna.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.14.
Punkt 3C004 ei hõlma hüdriide, mis sisaldavad 20 moolprotsenti või enam inertgaase või vesinikku.
Electronic items as follows:
Ränikarbiidist (SiC), galliumnitriidist (GaN), alumiiniumnitriidist (AlN) või alumiiniumgalliumnitriidist (AlGaN) pooljuht "põhimikud" või nende materjalide kangid, toorikkristallid või muud eelvormid, mille eritakistus 20 °C juures on suurem kui 10000 oomi/cm.
a.
Punktis 3C005 nimetatud "põhimikud", millel on vähemalt üks epitaksiline ränikarbiidi, galliumnitriidi, alumiiniumnitriidi või alumiinium-galliumnitriidi kiht.
General purpose integrated circuits, as follows:
"Tarkvara", mis on spetsiaalselt ette nähtud punktides 3A001.b–3A002.h või 3B nimetatud seadmete "arendamiseks" või "tootmiseks".
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
"Tarkvara", mis on spetsiaalselt ette nähtud punktides 3B001.a kuni f., 3B002 või punktis 3A225 nimetatud seadmete "kasutamiseks".
Integrated circuits include the following types:
'Füüsikalistel alustel põhinev' simulatsiooni"tarkvara", mis on spetsiaalselt ette nähtud litograafia-, söövitus- või pinnakatmisprotsesside "arendamiseks" maskide struktuuri üleviimisel spetsiifiliseks juhtide, dielektrikute või pooljuhtide topograafiliseks struktuuriks.
"Monolithic integrated circuits";
'Füüsikalistel alustel põhinev' tähendab punktis 3D003 arvutuste kasutamist füüsikalistel omadustel (nt temperatuur, rõhk, difusioonikonstandid ja pooljuhtmaterjalide omadused) põhinevate füüsikaliste põhjus-tagajärg sündmuste järjestuse kindlakstegemiseks.
"Hybrid integrated circuits";
Pooljuhtseadmete või integraallülituste projekteerimise andmebaasid, olulised tunnused ja projekteerimisega seotud andmed loetakse "tehnoloogiaks".
"Multichip integrated circuits";
"Tarkvara", mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 3A003 nimetatud seadmete "arendamiseks".
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
"Tarkvara", mis on spetsiaalselt projekteeritud või kohandatud punktis 3A101.b nimetatud seadmete "kasutamiseks".
"Optical integrated circuits";
"Tarkvara", mis on spetsiaalselt projekteeritud sagedusmuundurite või generaatorite jõudluse suurendamiseks või vabastamiseks, et vastata punktis 3A225 määratletud omadustele.
"Three dimensional integrated circuits";
Tehnoloogia üldmärkusele vastav "tehnoloogia", mis on ette nähtud punktides 3A, 3B või 3C nimetatud seadmete või materjalide "arendamiseks" või "tootmiseks";
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" ("MMICs").
Punkt 3E001 ei hõlma "tehnoloogiat" seadmetele või komponentidele, mis on hõlmatud punktiga 3A003.
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Punkt 3E001 ei hõlma "tehnoloogiat" punktides 3A001.a.3–3A001.a.12 nimetatud integraallülitustele, millel on kõik järgmised omadused:
a.
on kasutatud 0,130 μm või suurema struktuurielemendi "tehnoloogiat"ja
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
sisaldavad maksimaalselt kolme metallikihiga mitmekihilisi struktuure.
b.
Tehnoloogia üldmärkusele vastav "tehnoloogia", muu kui punktis 3E001 nimetatud, "mikroprotsessor-mikroskeemide", "mikroarvuti-mikroskeemide" ja mikrokontrollermikroskeemide südamike "arendamiseks" või "tootmiseks", mille aritmeetikaloogikaseade juurdepääsu laius on 32 bitti või rohkem, ning millel on mis tahes järgmine omadus või funktsioon;
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
a. 'vektorprotsessorüksus', mis on kavandatud tegema üheaegselt rohkem kui kahte arvutust ujukoma vektoritega (vektor – ühedimensionaalne 32-bitiste või suuremate arvude maatriks);
c.
'Vektorprotsessorüksus' on sisseehitatud juhendiga protsessorelement, mis võimaldab üheaegseid tehteid ujukoma vektoritega (vektor – ühedimensionaalne 32bitiste või suuremate arvude maatriks), milles on vähemalt üks vektoraritmeetika-loogikaseade ja vähemalt 32 elemendist koosnevad vektorregistrid.
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
b. projekteeritud tegema tsükli jooksul rohkem, kui kaks 64bitist või suuremat ujukoma arvutustehet, või
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
c. projekteeritud tegema tsükli jooksul rohkem kui kaheksa 16bitist püsikoma korrutus- või liitmistehet (nt varem digitaalseks muundatud analooginformatsiooni digitaalne manipuleerimine, mida tuntakse ka digitaal"signaali töötlemisena").