natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Equipment specially designed for the deposition, processing and in-process control of inorganic overlays, coatings and surface modifications, as follows, for non-electronic substrates, by processes shown in the Table and associated Notes following 2E003.f., and specially designed automated handling, positioning, manipulation and control components therefor:
Nende segud (4)
a.
Aluminiidid
Chemical vapour deposition (CVD) production equipment having all of the following:
Legeeritud aluminiidid (2)
SEE ALSO 2B105.
Boornitriid
A process modified for one of the following:
Kõvasulamvolframkarbiid (16), ränikarbiid (18)
Pulsating CVD;
Molübdeen ja molübdeenisulamid
Controlled nucleation thermal deposition (CNTD); or
Andur-akna materjalid (9)
Plasma enhanced or plasma assisted CVD; and
Füüsikaline aurustamine-sadestamine (PVD): Elektronkiire abil toimuv aurustamine-sadestamine (EB-PVD)
a.
Legeeritud silitsiidid
Incorporating high vacuum (equal to or less than 0,01 Pa) rotating seals; or
Muundatud tsirkooniumoksiid (12)
b.
Korrosioonikindel teras (7)
Incorporating in situ coating thickness control;
Boriidid
Ion implantation production equipment having beam currents of 5 mA or more;
Titaanisulamid (13)
c.
Nitriidid
Electron beam physical vapour deposition (EB-PVD) production equipment incorporating power systems rated for over 80 kW and having any of the following:
Ioonide takistikuumutuse füüsikaline auru sadestamine (PVD) (ioonpindamine)
A liquid pool level "laser" control system which regulates precisely the ingots feed rate; or
Keraamika (19) ja vähepaisuvad klaasid
A computer controlled rate monitor operating on the principle of photo-luminescence of the ionised atoms in the evaporant stream to control the deposition rate of a coating containing two or more elements;
Kõvasulam volframkarbiid (16), ränikarbiid
d.
Füüsikaline aurustamine-sadestamine (PVD): "laser"aurustamine
Plasma spraying production equipment having any of the following:
Teemandilaadne süsinik
Operating at reduced pressure controlled atmosphere (equal to or less than 10 kPa measured above and within 300 mm of the gun nozzle exit) in a vacuum chamber capable of evacuation down to 0,01 Pa prior to the spraying process; or
Füüsikaline aurustamine-sadestamine (PVD): Katoodkaarlahendus
Incorporating in situ coating thickness control;
Polümeerid (11) ja orgaaniliste "põhiainete""komposiidid"
e.
C. Tahke tsementiitimine (vt A ülal pulber-kontaktita (out-of-pack) tsementimine) (10)
Sputter deposition production equipment capable of current densities of 0,1 mA/mm2 or higher at a deposition rate of 15 μm/h or more;
Rasksulavad metallid ja sulamid (8)
f.
Oksiidid
Cathodic arc deposition production equipment incorporating a grid of electromagnets for steering control of the arc spot on the cathode;
D. Plasmapihustus
g.
Kulutatav nikkelgrafiit
Ion plating production equipment capable of the in situ measurement of any of the following:
Kulutatavad materjalid, mis sisaldavad Ni-Cr-Al
Coating thickness on the substrate and rate control; or
Kulutatav Al-Si-polüester
Optical characteristics.
Alumiiniumsulamid (6)
2B005 does not control chemical vapour deposition, cathodic arc, sputter deposition, ion plating or ion implantation equipment, specially designed for cutting or machining tools.
E. Mudasadestus
Dimensional inspection or measuring systems, equipment and "electronic assemblies", as follows:
Klaasistatud silitsiidid
a.
Klaasistatud aluminiidid, v.a takistus- kütteelemendid
Computer controlled or "numerically controlled" Coordinate Measuring Machines (CMM), having a three dimensional (volumetric) maximum permissible error of length measurement (E0,MPE) at any point within the operating range of the machine (i.e., within the length of axes) equal to or less (better) than (1,7 + L/1000) μm (L is the measured length in mm), according to ISO 10360-2 (2009);
F. Atomisatsioonsadestamine
The E0,MPE of the most accurate configuration of the CMM specified by the manufacturer (e.g., best of the following: probe, stylus length, motion parameters, environment) and with "all compensations available" shall be compared to the 1,7 + L/1000 μm threshold.
Väärismetallidega muundatud aluminiidid (3)
SEE ALSO 2B206.
Plaatina
b.
Keraamika ja vähepaisuvad klaasid (14)
Linear and angular displacement measuring instruments, as follows:
Dielektrilised kihid (15)
'Linear displacement' measuring instruments having any of the following:
G. Ioonlegeerimine
Interferometer and optical-encoder displacement measuring systems containing a "laser" are only controlled in 2B006.b.1.c. and 2B206.c.
Kõrgtemperatuursed laagriterased
For the purpose of 2B006.b.1.
Lisandid: kroom, tantaal või nioobium (kolumbium)
'linear displacement' means the change of distance between the measuring probe and the measured object.
Kõvasulam volframkarbiid (16)
a.
TABEL – PINNAKATMISE TEHNIKAD – MÄRKUSED
Non-contact type measuring systems with a "resolution" equal to or less (better) than 0,2 μm within a measuring range up to 0,2 mm;
Mõiste 'pindamismenetlus' hõlmab nii pinnakatte parandamist ja uuendamist kui ka originaalpinnakatmist.
b.
Mõiste 'legeeritud aluminiidkate' sisaldab ühe- või mitmeastmelist katmist, mille kestel element või elemendid on sadestatud enne või ka samaaegselt aluminiidiga, ka siis, kui need elemendid sadestatakse erineva pindamismenetluse abil.
Linear Variable Differential Transformer (LVDT) systems having all of the following:
See ei sisalda aga mitmekordset üheastmelist tahke tsementiitimise menetluse kasutamist legeeritud aluminiidikihi saamiseks.
a.
Mõiste 'väärismetallidega muundatud aluminiidkate' hõlmab mitmeastmelisi kihte, milles väärismetall või väärismetallid on kantud põhimikule enne aluminiidiga katmist mõne muu pindamismenetluse abil.
"Linearity" equal to or less (better) than 0,1 % measured from 0 to the 'full operating range', for LVDTs with a 'full operating range' up to and including ± 5 mm; or
Mõiste 'nende segud' sisaldab infiltreeritud aineid, nende astmelisi segusid, samaaegseid kaassadestamisi ja mitmekihilisi sadestamisi ning on saadud ühe või enama tabelis nimetatud pindamismenetluse teel.
b.
'MCrAlX' tähistab pindamissulamit, kus "M" tähistab koobaltit, rauda, niklit või nende kombinatsioone ning "X" tähistab hafniumi, ütriumi, räni, tantaali mis tahes koguses või teisi tahtlikke lisandeid üle 0,01 massiprotsendi mitmesugustes kombinatsioonides ning suhetes, välja arvatud
"Linearity" equal to or less (better) than 0,1 % measured from 0 to 5 mm for LVDTs with a 'full operating range' greater than ± 5 mm; and
a.
Drift equal to or less (better) than 0,1 % per day at a standard ambient test room temperature ± 1 K;
CoCrAlY-katted, mis sisaldavad vähem kui 22 massiprotsenti kroomi, vähem kui 7 massiprotsenti alumiiniumi ja vähem kui 2 massiprotsenti ütriumi;
For the purposes of 2B006.b.1.b., 'full operating range' is half of the total possible linear displacement of the LVDT.
b.
For example, LVDTs with a 'full operating range' up to and including ± 5 mm can measure a total possible linear displacement of 10 mm.
CoCrAlY-katted, mis sisaldavad 22–24 massiprotsenti kroomi, 10–12 massiprotsenti alumiiniumi ja 0,5–0,7 massiprotsenti ütriumi, või
Measuring systems having all of the following:
NiCrAlY-katted, mis sisaldavad 21–23 massiprotsenti kroomi, 10–12 massiprotsenti alumiiniumi ja 0,9–1,1 massiprotsenti ütriumi.
Containing a "laser";
Mõiste 'alumiiniumisulam' tähendab sulameid, mille tõmbetugevus on 190 MPa või rohkem, mõõdetuna temperatuuril 293 K (20 °C).
A "resolution" over their full scale of 0,200 nm or less (better); and
Mõiste 'korrosioonikindel teras' tähendab AISI (American Iron and Steel Institute (Ameerika raua ja terase instituut)) 300 seeria või vastavale riigisisesele standardile vastavaid terasesorte.
Capable of achieving a "measurement uncertainty" equal to or less (better) than (1,6 + L/2000) nm (L is the measured length in mm) at any point within a measuring range, when compensated for the refractive index of air and measured over a period of 30 seconds at a temperature of 20 ± 0,01 °C; or
'Rasksulavad metallid ja sulamid' hõlmavad järgmisi metalle ja nende sulameid: nioobium (kolumbium), molübdeen, volfram ja tantaal.
d.
'Andur-aknamaterjalid' on järgmised: alumiiniumoksiid, räni, germaanium, tsinksulfiid, tsinkseleniid, galliumarseniid, teemant, galliumfosfiid, safiir ning järgmiste metallide halogeniidid: tsirkooniumfluoriidist ja hafniumfluoriidist koosnevad andur-aknamaterjalid, mille läbimõõt on üle 40 mm.
"Electronic assemblies" specially designed to provide feedback capability in systems specified in 2B006.b.1.c.;
kategooria ei hõlma üheastmelist massiivsete turbiinilabade tahke tsementiitimise "tehnoloogiat".
2B006.b.1. does not control measuring interferometer systems, with an automatic control system that is designed to use no feedback techniques, containing a "laser" to measure slide movement errors of machine-tools, dimensional inspection machines or similar equipment.
Järgmised polümeerid: polüimiid, polüester, polüsulfiid, polükarbonaadid ja polüuretaanid.
Angular displacement measuring instruments having an angular position "accuracy" equal to or less (better) than 0,00025°;
'Muundatud tsirkooniumoksiid' tähendab, et tsirkooniumis on lisandina muude metallide oksiide (nt kaltsiumoksiid, magneesiumoksiid, ütriumoksiid, hafniumoksiid, haruldaste muldmetallide oksiidid), et stabiliseerida kindlaid kristallograafilisi faase ja faaside ühendeid.
2B006.b.2. does not control optical instruments, such as autocollimators, using collimated light (e.g., "laser" light) to detect angular displacement of a mirror.
Termobarjäärpinne tsirkooniumoksiidist, mis on kaltsiumoksiidiga või magneesiumoksiidiga muundatud segamise või kokkusulatamise teel, ei kuulu kontrolli alla.
c.
'Titaanisulamid' tähendavad ainult kosmoselendude jaoks kasutatavaid sulameid, mille temperatuuril 293 K (20 °C) mõõdetud tõmbetugevus on 900 MPa või rohkem.
Equipment for measuring surface roughness (including surface defects), by measuring optical scatter with a sensitivity of 0,5 nm or less (better).
'Vähepaisuvad klaasid' tähendavad klaase, mille temperatuuril 293 K (20 °C) mõõdetud soojusliku paisumise tegur on 1 × 10– 7 K-1 või vähem.
2B006 includes machine tools, other than those specified by 2B001, that can be used as measuring machines if they meet or exceed the criteria specified for the measuring machine function.
'Dielektrilised kihid' on pinnakatted, mis koosnevad paljudest dielektrilise materjali kihtidest, mille erinevate murdumisnäitajatega ainete kombinatsioonide planeeritud interferentsiomadused on kasutatud erinevate lainepikkusvahemike peegeldamiseks, ülekandmiseks või neelamiseks.
"Robots" having any of the following characteristics and specially designed controllers and "end-effectors" therefor:
Dielektrilised kihid tähendavad rohkem kui nelja dielektrilist kihti või dielektrik/metall "komposiit"kihti.
SEE ALSO 2B207.
'Kõvasulamvolframkarbiid' ei hõlma lõike- ja vormimisinstrumentide materjale, mis koosnevad volframkarbiidist/(koobalt, nikkel), titaankarbiidist/(koobalt, nikkel), kroomkarbiidist/nikkel-kroom ja kroomkarbiidist/nikkel.
a.
Hõlmatud ei ole "tehnoloogia", mis on spetsiaalselt kavandatud teemandilaadse süsiniku sadestamiseks järgmistele materjalidele:
Capable in real time of full three-dimensional image processing or full three-dimensional 'scene analysis' to generate or modify "programmes" or to generate or modify numerical programme data;
magnetketta ajurid ja magnetpead, ühekordse kasutusega kaupade tootmise seadmed, kraanide klapid, valjuhääldite akustilised membraanid, autode mootoriosad, lõiketerad, stantsimise-pressimise matriitsid, kontorite automatiseerimise seadmed, mikrofonid ning meditsiinitehnika või vormid vähem kui 5 %-lise berülliumi sisaldusega sulamitest toodetud plastide valamiseks või vormimiseks.
The 'scene analysis' limitation does not include approximation of the third dimension by viewing at a given angle, or limited grey scale interpretation for the perception of depth or texture for the approved tasks (2 1/2 D).
'Ränikarbiid' ei hõlma lõike- ning vormimisinstrumentide materjale.
b.
Keraamilised põhimikud ei hõlma käesolevas tähenduses keraamilisi materjale, mis sisaldavad 5 massiprotsenti või rohkem savi või tsementi kas eraldi komponentidena või kombinatsioonis.
Specially designed to comply with national safety standards applicable to potentially explosive munitions environments;
TABEL – PINNAKATMISE TEHNIKAD – TEHNILINE MÄRKUS
2B007.b. does not control "robots" specially designed for paint-spraying booths.
Tabeli 1. veerus määratud menetlused on järgmised:
c.
a. keemiline aurustamine-sadestamine (CVD) on pinnakatmise või pinna muundamise protsess, mille kestel metall, sulam, dielektriline või keraamiline "komposiit" sadestatakse kuumutatud põhimikule.
Specially designed or rated as radiation-hardened to withstand a total radiation dose greater than 5 × 103 Gy (silicon) without operational degradation; or
Gaasilised reageerivad ained lagunevad või ühinevad põhimiku läheduses, põhjustades soovitud elemendi, sulami või ühendi sadestumise põhimikule.
The term Gy(silicon) refers to the energy in Joules per kilogram absorbed by an unshielded silicon sample when exposed to ionising radiation.
Energiat sellise lagunemise või keemilise reaktsiooni läbiviimiseks saab juurde anda põhimiku kuumutamisega, huumlahendusplasma või "laser"kiirguse abil.
d.
CVD sisaldab järgmisi menetlusi: sadestamine suunatud gaasivoo abil, ilma otsese põhimiku pulberkontaktita (out-of-pack), CVD-katmine pulseeriva rõhu juures, kontrollitud idustamisega termiline sadestamine (CNTD), plasmaaktiveeritud või plasma osalusel CVD menetlused.
Specially designed to operate at altitudes exceeding 30000 m.
Pulberkontakt tähendab, et põhimik on pulbrisegusse uputatud.
Assemblies or units, specially designed for machine tools, or dimensional inspection or measuring systems and equipment, as follows:
Gaasilisi reageerivaid aineid, mida kasutatakse pulberkontaktita menetlustes, toodetakse samu põhireaktsioone ja parameetreid kasutades nagu tahke tsementiitimise protsessiski, välja arvatud see, et kaetav põhimik pole otseses kokkupuutes pulbriseguga.
a.
b. termoaurustamine / füüsikaline aurustamine-sadestamine (TE-PVD) on pinnakatmise menetlus, mis viiakse läbi vaakumis rõhul vähem kui 0,1 Pa ja milles kasutatakse kattematerjali aurustamiseks soojusallikat.
Linear position feedback units having an overall "accuracy" less (better) than (800 + (600 × L/1000)) nm (L equals the effective length in mm);
Selle menetluse käigus kondenseerub või sadestub aurustunud aine sobivalt asetatud põhimiku pinnale.
For "laser" systems see also 2B006.b.1.c., 2B006.b.1.d. and 2B206.c.
Lisagaaside juhtimine vaakumkambrisse pinnakatmise protsessi ajal sünteesimaks ühendkatteid on tavaline menetluse modifikatsioon.
b.
Ioon- või elektronkiirte või plasma kasutamine pinnakatte sadestumise aktiveerimiseks või aitamiseks on samuti selle tehnika tavaline modifikatsioon.
Rotary position feedback units having an "accuracy" less (better) than 0,00025°;
Menetluse üheks iseloomulikuks jooneks võib olla protsessi käigus monitoride kasutamine katete paksuse ja optiliste parameetrite mõõtmiseks.
For "laser" systems see also Note to 2B006.b.2.
Järgmised protsessid on iseloomulikud TE-PVD-protsessid.
2B008.a. and 2B008.b. control units, which are designed to determine the positioning information for feedback control, such as inductive type devices, graduated scales, infrared systems or "laser" systems.
Elektronkiire abil toimuval aurustamisel-sadestamisel (PVD) kasutatakse elektronkiirt katet moodustava aine soojendamiseks ning aurustamiseks.
c.
Ioonide abil toimuva takistusliku kuumutamisega tekitatud aurustamisel-sadestamisel kasutatakse takistuslikke elektrilisi soojusallikaid kombinatsioonis põrkuvate ioonkiirtega, et saavutada reguleeritud ühtlast aurustatud katteaine voogu.
"Compound rotary tables" and "tilting spindles", capable of upgrading, according to the manufacturer's specifications, machine tools to or above the levels specified in 2B.
"Laser"aurustamisel kasutatakse kas impulss- või pidevlaine "laser"kiiri katet moodustava aine aurustamiseks.
Spin-forming machines and flow-forming machines, which, according to the manufacturer's technical specification, can be equipped with "numerical control" units or a computer control and having all of the following:
Katoodsadestamisel kasutatakse pinnakatet moodustavast ainest kuluvat katoodi ja kaarlahendust, mis süüdatakse hetkelisel katoodi ja pinna kokkupuutel.
SEE ALSO 2B109 AND 2B209.
Kaare kontrollitav liikumine kulutab katoodi pinda, moodustades üliioniseeritud plasma.
a.
Anoodiks võib kasutada kas katoodi lähedusse isolaatori kaudu kinnitatud koonust või kambrit.
Three or more axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control"; and
Mittesirgjoonelise sadestamise korral kasutatakse põhimiku eelpingestamist.
b.
See definitsioon ei hõlma juhuslikku katoodsadestamist eelpingestamata põhimikele.
A roller force more than 60 kN.
Ioonpindamine on üks erijuht üldisest termoaurustamise / füüsikalise aurustamise-sadestamise (TE-PVD) menetlusest, mille käigus kasutatakse plasmat või iooniallikat sadestatava aine ioniseerimiseks ning sadestatava aine eraldamiseks plasmast rakendatakse põhimikule negatiivset eelpinget.
For the purpose of 2B009, machines combining the function of spin-forming and flow-forming are regarded as flow-forming machines.
Reageerivate ainete protsessi kaasamine, tahkiste aurustamine protsessikambris ning protsessi käigus monitoride kasutamine katete paksuse ja optiliste parameetrite mõõtmiseks on selle menetluse tavalised modifikatsioonid.
"Isostatic presses", other than those specified in 2B004, having all of the following:
c.
SEE ALSO 2B204.
Tahke tsementiitimine on pinna muundamis- või katmismenetlus, milles põhimik on asetatud pulbrisegusse (pakend), mis koosneb järgmisest:
a.
sadestatavad metallipulbrid (tavaliselt alumiinium, kroom, räni või nende segud);
Maximum working pressure of 69 MPa or greater;
aktivaator (tavaliselt halogeniidisool) ja
b.
inertne pulber, tavaliselt alumiiniumoksiid.
Designed to achieve and maintain a controlled thermal environment of 873 K (600 °C) or greater; and
Põhimik ja pulbrisegu asetatakse retorti, mida kuumutatakse katte sadestamiseks piisava aja jooksul temperatuurivahemikus 1030 K (757 °C) kuni 1375 K (1102 °C).
Possessing a chamber cavity with an inside diameter of 254 mm or greater.
Plasmapihustus on üks pinnakatmismenetlus, milles plasmat tekitav ja juhtiv plasmakahur võtab vastu kattematerjali pulbrit või traati, sulatab selle ning paiskab põhimikule, millel moodustubki homogeenne seotud kiht.
Chemical vapour deposition (CVD) furnaces, other than those specified in 2B005.a., designed or modified for the densification of carbon-carbon composites.
Plasmapihustus on kas madalrõhu plasma pihustus või ülikiire plasma pihustus.
Flow-forming machines, other than those specified in 2B009, and specially designed components as follows:
Madal rõhk tähendab siin ümbritsevast rõhust madalamat rõhku.
SEE ALSO 2B209.
Ülikiire tähendab düüsist väljuva gaasi kiirust, mis on suurem kui 750 m/s, arvutatuna 293 K (20 °C) juures rõhul 0,1 MPa.
Flow-forming machines having all of the following:
Mudasadestus on üks pinna muundamis- või katmismenetlus, milles orgaanilise sideainega vedelikus suspenseeritud metalli- või keraamikapulber kantakse põhimikule kas pihustamise, sukeldamise või pintsli abil, millele järgneb õhus või ahjus kuivatamine ning termotöötlemine, saavutamaks soovitud pinnakatet.
According to the manufacturer's technical specification, can be equipped with "numerical control" units or a computer control, even when not equipped with such units; and
f.
With more than two axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control".
Atomisatsioonsadestus on pinnakatmismenetlus, mis põhineb impulsi ülekande nähtusel, milles positiivsed ioonid kiirendatakse elektriväljas märklaua (kattev aine) pinna suunas.
b.
Põrkuvate ioonide kineetiline energia on piisav, et aatomeid märklauast välja lüüa ning sadestada sobivalt asetatud põhimikule.
Specially designed components for flow-forming machines specified in 2B009 or 2B109.a.
Tabelis on viidatud vaid triood-, magnetron- või reaktiiv-atomisatsioonsadestamisele, mida kasutatakse katte nakkuvuse ja sadestuskiiruse suurendamiseks ning raadiosageduslikult suurendatud atomisatsioonsadestamisel, mis võimaldab aurustada ka mittemetallilisi kattematerjale.
2B109 does not control machines that are not usable in the production of propulsion components and equipment (e.g. motor cases) for systems specified in 9A005, 9A007.a. or 9A105.a.
Sadestumise aktiveerimiseks kasutatakse madalaenergeetilisi (alla 5 keV) ioonkiiri.
Machines combining the function of spin-forming and flow-forming are for the purpose of 2B109 regarded as flow-forming machines.
g.
Vibration test systems, equipment and components therefor, as follows:
Ioonlegeerimine on üks pinna muundamis- või katmismenetlus, milles sulandatav element ioniseeritakse, kiirendatakse potentsiaali gradiendi abil ning implanteeritakse põhimiku pinna piirkonnas.
a.
See hõlmab ka menetlusi, milles ioonlegeerimine teostatakse samaaegselt elektronkiire abil toimuva aurustamise-sadestamise või atomisatsioonsadestamisega.
Vibration test systems employing feedback or closed loop techniques and incorporating a digital controller, capable of vibrating a system at an acceleration equal to or greater than 10 g rms between 20 Hz and 2 kHz while imparting forces equal to or greater than 50 kN, measured 'bare table';
KATEGOORIA – ELEKTROONIKA
b.
Punktis 3A001 või 3A002 (v.a punktides 3A001.a.3.–3A001.a.10., 3A001.a.12. või 3A001.a.13) nimetatud selliste seadmete ja komponentide kontrolli alla kuulumine, mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks muudes seadmetes või millel on samad funktsionaalsed omadused mis muudel seadmetel, määratakse nende muude seadmete kontrolli alla kuulumisega.
Digital controllers, combined with specially designed vibration test software, with a 'real-time control bandwidth' greater than 5 kHz designed for use with vibration test systems specified in 2B116.a.;
Punktides 3A001.a.3–3A001.a.9., 3A001.a.12. või punktis 3A001.a.13 nimetatud selliste integraallülituste kontrolli alla kuulumine, mis on püsiprogrammeeritud või projekteeritud muude seadmete spetsiifiliste funktsioonide täitmiseks, määratakse nende seadmete kontrolli alla kuulumise alusel, milles neid kasutatakse.
In 2B116.b., 'real-time control bandwidth' means the maximum rate at which a controller can execute complete cycles of sampling, processing data and transmitting control signals.
Kui tootja või loataotleja ei suuda kindlaks määrata nende muude seadmete kontrolli alla kuulumist, määratakse nende integraallülituste kontrolli alla kuulumine punktides 3A001.a.3–3A001.a.9, 3A001.a.12 ja 3A001.a.13.
c.
Järgmised elektroonilised kaubad:
Vibration thrusters (shaker units), with or without associated amplifiers, capable of imparting a force equal to or greater than 50 kN, measured 'bare table', and usable in vibration test systems specified in 2B116.a.;
a. järgmised üldise kasutusega integraallülitused:
Test piece support structures and electronic units designed to combine multiple shaker units in a system capable of providing an effective combined force equal to or greater than 50 kN, measured 'bare table', and usable in vibration systems specified in 2B116.a.
Integraallülituste tüübid:
In 2B116, 'bare table' means a flat table, or surface, with no fixture or fittings.
"monoliit-integraallülitused";
Equipment and process controls, other than those specified in 2B004, 2B005.a., 2B104 or 2B105, designed or modified for densification and pyrolysis of structural composite rocket nozzles and reentry vehicle nose tips.
"hübriidintegraallülitused";
Balancing machines and related equipment, as follows:
"mitmekiibilised integraallülitused";
SEE ALSO 2B219.
"kile-tüüpi integraallülitused", kaasa arvatud räni-safiir-tüüpi integraallülitused;
a.
"optilised integraallülitused";
Balancing machines having all the following characteristics:
"kolmemõõtmelised integraallülitused".
Not capable of balancing rotors/assemblies having a mass greater than 3 kg;
Integraallülitused, mis on planeeritud või arvestatud taluma kiirgust järgmiselt: