natgillin/translations-raw huggingface dataset:
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Ränikarbiidist (SiC), galliumnitriidist (GaN), alumiiniumnitriidist (AlN) või alumiiniumgalliumnitriidist (AlGaN) pooljuht „põhimikud” või nende materjalide kangid, toorikkristallid või muud eelvormid, mille eritakistus 20 °C juures on suurem kui 10000 oomi/cm.
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Punktis 3C005 nimetatud „põhimikud”, millel on vähemalt üks epitaksiline ränikarbiidi, galliumnitriidi, alumiiniumnitriidi või alumiinium-galliumnitriidi kiht.
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
„Tarkvara”, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktides 3A001.b–3A002.g või 3B nimetatud seadmete „arendamiseks” või „tootmiseks”.
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
„Tarkvara”, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktides 3B001.a kuni f., 3B002 või punktis 3A225 nimetatud seadmete „kasutamiseks”.
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
3D003 ‘Füüsikalistel alustel põhinev’ simulatsiooni „tarkvara”, mis on spetsiaalselt ette nähtud litograafia-, söövitus- või pinnakatmisprotsesside „arendamiseks” maskide struktuuri üleviimisel spetsiifiliseks juhtide, dielektrikute või pooljuhtide topograafiliseks struktuuriks.
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
Tehniline märkus
a.
Märkus
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
Punkt 3E001 ei hõlma „tehnoloogiat” punktides 3A001.a.3–3A001.a.12 nimetatud integraallülituste „arendamiseks” või „tootmiseks”, millel on kõik järgmised omadused:
b.
on kasutatud 0,130 μm või suurema struktuurielemendi "tehnoloogiat" ja
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
sisaldavad maksimaalselt kolme metallikihiga mitmekihilisi struktuure.
c.
Tehnoloogia üldmärkusele vastav „tehnoloogia”, muu kui punktis 3E001 nimetatud, „mikroprotsessor-mikroskeemide”, „mikroarvuti-mikroskeemide” ja mikrokontrollermikroskeemide südamike „arendamiseks” või „tootmiseks”, mille aritmeetikaloogikaseade juurdepääsu laius on 32 bitti või rohkem, ning millel on mis tahes järgmine omadus või funktsioon;
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
a. ‘vektorprotsessorüksus’, mis on kavandatud tegema üheaegselt rohkem kui kahte arvutust ujukoma vektoritega (vektor – ühedimensionaalne 32-bitiste või suuremate arvude maatriks);
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
‘Vektorprotsessorüksus’ on sisseehitatud juhendiga protsessorelement, mis võimaldab üheaegseid tehteid ujukoma vektoritega (vektor – ühedimensionaalne 32bitiste või suuremate arvude maatriks), milles on vähemalt üks vektoraritmeetika-loogikaseade.
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
b. projekteeritud tegema tsükli jooksul rohkem, kui kaks 64bitist või suuremat ujukoma arvutustehet, või
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
Punkt 3E002 ei hõlma „tehnoloogiat” mikroprotsessorsüdamike „arenduseks” või „tootmiseks”, millel on kõik järgmised omadused:
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
sisaldavad vähem kui viie metallikihiga mitmekihilisi struktuure.
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
Punkt 3E002 hõlmab digitaalsete signaalprotsessorite ja digitaalmaatriksprotsessorite „tehnoloogiat”.
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
Muu „tehnoloogia”, mida kasutatakse järgmise „arendamiseks” või „tootmiseks”:
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
a. vaakummikroelektroonilised seadmed;
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
b. heterostruktuuriga elektroonilised pooljuhtseadmed nt elektronide kõrgliikuvusega transistorid (HEMT), heterobipolaartransistorid (HBT) kvantkaev- ja supervõreseadmed;
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Punkt 3E003.b ei hõlma suure liikuvusega elektronidega transistoride tehnoloogiat, mis töötavad sagedustel alla 31,8 GHz, ja heterosiirdega bipolaarsete transistoride tehnoloogiat, mis töötavad sagedustel alla 31,8 GHz.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
c. „ülijuhtivad” elektroonilised seadmed;
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
d. teemantpõhimikud või -kiled elektroonilistele komponentidele.
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
e. räni-isolaator-põhimikud integraallülitustele, milles isolaatoriks on ränidioksiid;
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
f. ränikarbiidpõhimikud elektroonilistele komponentidele;
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
g. elektroonilised vaakumlambid, mille töösagedus on 31,8 GHz või üle selle.
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
Tehnoloogia üldmärkusele vastav „tehnoloogia”, mis on ette nähtud punktis 3A001.a.1 või 3A001.a.2, 3A101, 3A102 või 3D101 nimetatud seadmete või „tarkvara” „kasutamiseks”.
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — TECHNICAL NOTE
Tehnoloogia üldmärkusele vastav „tehnoloogia”, mis on ettenähtud punktis 3D101 määratletud „tarkvara” „arendamiseks”.
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Tehnoloogia üldmärkusele vastav „tehnoloogia”, mis on vajalik punktides 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.g, 3A201, 3A225–3A234 nimetatud seadmete „kasutamiseks”.
a.
Koodide või võtmete kujul „tehnoloogia” sagedusmuundurite või generaatorite jõudluse suurendamiseks või vabastamiseks, et vastata punktis 3A225 määratletud omadustele.
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
KATEGOORIA –
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
ARVUTID
b.
ette nähtud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur on madalam kui 228 K (– 45 °C) või üle 358 K (85 °C), või
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Punkt 4A001.a.1 ei hõlma spetsiaalselt tsiviilotstarbeliste mootorsõidukite, raudteerongide või „tsiviilõhusõidukite” jaoks ette nähtud arvuteid.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
kiirguskindlad, mis taluvad mis tahes järgmise piirväärtuse ületamist:
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
kogudoos 5 × 103 Gy (räni);
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
doosikiirus 5 × 106 Gy (räni)/s; või
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
ühele tuumasündmusele vastab 1 × 10-8 viga/bit/päev;
Specific TE-PVD processes are as follows:
Punkt 4A001.a.2 ei hõlma spetsiaalselt tsiviilotstarbeliste „tsiviilõhusõidukite” jaoks ette nähtud arvuteid.
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
b. ei kasutata.
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
Digitaalarvutid, elektroonikasõlmed ja nendega seotud seadmed nende jaoks ettenähtud komponentidega:
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Punkt 4A003 hõlmab järgmist:
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
‘vektorprotsessorid’;
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
massiiviprotsessorid;
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
digitaalsed signaaliprotsessorid;
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
loogikaprotsessorid;
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
„pildiväärinduseks” kavandatud seadmed;
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
„signaalitöötluseks” kavandatud seadmed.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Punktis 4A003 nimetatud „digitaalarvutite” ja nendega seotud seadmete kontrolli alla kuulumine määratakse vastavalt muude seadmete või süsteemide osas ette nähtud kontrolli alla kuulumisele, juhul kui:
c.
„digitaalarvutid” või seotud seadmed on olulised teise süsteemi või seadme toimimiseks;
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
„Digitaalarvutite” või telekommunikatsiooniseadmete kontrolli alla kuulumise kohta vaata 5. kategooria 1. osa („Telekommunikatsioon”).
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
„tehnoloogia” „digitaalarvutite” või seotud seadmete jaoks määratakse kindlaks punktis 4E.
An activator (normally a halide salt); and
b. „digitaalarvutid”, mille „korrigeeritud maksimaalne jõudlus” (APP) ületab 8,0 korrigeeritud teraFLOPSi (WT);
An inert powder, most frequently alumina.
c. „elektroonikasõlmed”, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või kohandatud, et suurendada jõudlust protsessorite liitmise teel nii, et selline ühendatud „korrigeeritud maksimaalne jõudlus” ületab punktis 4A003.b. nimetatud piiri;
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Punkt 4A003.c. hõlmab üksnes „elektroonikasõlmi” ja programmeeritavaid omavahelisi ühendusi, mis ei ületa punktis 4A003.b esitatud piire, kui need tarnitakse mitteühendatud „elektroonikasõlmedena”.
d.
See ei hõlma „elektroonikasõlmi”, mille rakendamine loomupäraselt oma konstruktsiooni tõttu punktides 4A003.e nimetatud seadmete vastava osana on piiratud.
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Punkt 4A003.c ei hõlma „elektroonikasõlmi”, mis on spetsiaalselt konstrueeritud toodetele või tooteperekondadele, mille maksimaalne konfiguratsioon ei ületa punktis 4A003.b nimetatud piiri.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
e. seadmed, mis teostavad analoog-digitaalmuundamist, mille parameetrid ületavad punktis 3A001.a.5 nimetatud piiri;
N.B. 1
f. ei kasutata;
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
g. seadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud „digitaalarvutite” jõudluse liitmiseks omavaheliste väliste ühenduste abil, mis tagavad ühesuunalise andmekommunikatsiooni kiirusega üle 2,0 gigabaidi sekundis lingi kohta.
N.B.
Punkt 4A003.g ei hõlma sisemise ühenduse seadmeid (nt põhiplaate, siine), passiivseid ühendusseadmeid, „võrgu juurdepääsu kontrollereid” või „sidekanali kontrollereid”.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Arvutid ja nende jaoks ettenähtud vastavad seadmed, elektroonikasõlmed ja komponendid:
e.
a. „süstoolsed maatriksarvutid”;
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
b. „neuroarvutid”;
f.
c. „optilised arvutid”.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Nende süsteemid, seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud „sissetungimistarkvara” loomiseks, kasutamiseks, edasitoimetamiseks või sellega suhtlemiseks.
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Analoogarvutid, „digitaalarvutid” või digitaalsed diferentsiaalanalüsaatorid, muud kui punktis 4A001.a.1 nimetatud, mis on karmide tingimuste jaoks ning spetsiaalselt ette nähtud või kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettides või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides.
N.B.
„Hübriidarvutid”, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 9A004 nimetatud kanderakettide või punktis 9A104 nimetatud sondrakettide modelleerimiseks, simulatsiooniks või projektide integreerimiseks.
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Nimetatud kontrolli kohaldatakse vaid juhul, kui nimetatud seadmed on varustatud punktis 7D103 või 9D103 nimetatud tarkvaraga.
N.B.
Teistes kategooriates käsitletud seadmetele mõeldud „tarkvara” kontrolli alla kuulumist käsitleb vastav kategooria.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Järgmine „tarkvara”:
g.
a. „tarkvara”, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktides 4A001-4A004 või 4D nimetatud seadmete ja tarkvara „arendamiseks” või „tootmiseks”;
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
b. punktis 4D001.a nimetamata „tarkvara”, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud järgmiste seadmete „arenduseks” või „tootmiseks”:
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
„digitaalarvutid”, mille „korrigeeritud maksimaalne jõudlus” ületab 1,0 korrigeeritud teraFLOPSi (WT);
CATEGORY 3 —
„elektroonikasõlmed”, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või kohandatud, et suurendada jõudlust protsessorite liitmise teel nii, et selline ühendatud „korrigeeritud maksimaalne jõudlus” ületab punktis 4D001.b.1 sätestatud piiri.
ELECTRONICS
„Tarkvara”, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud „sissetungimistarkvara” loomiseks, kasutamiseks, edasitoimetamiseks või sellega suhtlemiseks.
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.13, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
a.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.13 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktis 4A või 4D nimetatud seadmete või tarkvara arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.13.
b. punktis 4E001.a nimetamata „tehnoloogia”, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud järgmiste seadmete „arenduseks” või „tootmiseks”:
Electronic components and specially designed components therefor, as follows:
„elektroonikasõlmed”, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või kohandatud, et suurendada jõudlust protsessorite liitmise teel nii, et sellise ühenduse „korrigeeritud maksimaalne jõudlus” e „APP” ületab punktis 4E001.b.1 sätestatud piiri.
a.
c. „tehnoloogia”, mis on ette nähtud „sissetungimistarkvara” „arenduseks”.
General purpose integrated circuits, as follows:
TEHNILINE MÄRKUS „KORRIGEERITUD MAKSIMAALSE JÕUDLUSE” („APP”) KOHTA
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
„APP” on korrigeeritud maksimaalne kiirus, millega „digitaalarvuti” teeb 64bitiseid või suuremaid ujukomaga liitmis- ja korrutustehteid. „APP” ühikuks on kaalutud teraFLOPS (WT).
Integrated circuits include the following types:
„APP” ühikuks on kaalutud teraFLOPS (WT), mis on 1012 ujukomatehet sekundis.
"Multichip integrated circuits";
i protsessori järjekorranumber (i, … n)
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
protsessori tsükli (takti) aeg (ti = 1/Fi)
"Optical integrated circuits";
protsessori taktsagedus
"Three dimensional integrated circuits".
maksimaalne ujukomatehte arvutuskiirus
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
arhitektuurikoefitsient
a.
„APP” arvutusmeetodi ülevaade
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
Iga protsessori i jaoks leitakse maksimaalne arv 64-bitiseid või suuremaid ujukomatehteid (FPOi), mis tehakse „digitaalarvuti” ühe protsessori ühe takti jooksul.
b.
Märkus
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
Ainult 64bitised või suuremad ujukoma liitmis- ja/või korrutustehted võetakse FPO arvutamisel arvesse, kusjuures tehete arv esitatakse protsessori ühe takti kohta.
c.
Kõik ujuvkomatehted peavad olema esitatud tehete arvuna protsessoritakti kohta; tehted, mis tehakse mitme protsessoritakti jooksul, võib esitada murdarvuna.
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Kui protsessor ei ole suuteline tegema 64-bitiseid või suuremaid ujukomatehteid, on efektiivne arvutuskiirus R null.
a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Arvutatakse iga protsessori ujukomatehte kiirus Ri = FPOi/ti.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
„APP” arvutatakse kujul „APP” = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn.
a.
‘Vektorprotsessorite’ puhul Wi = 0,9.
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Mitte-‘vektorprotsessorite’ puhul Wi = 0,3.
b.
Märkus 1
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
Kui protsessor teeb seotud tehteid (nt liitmine ja korrutamine) ühe takti jooksul, võetakse arvesse iga tehtud tehe.
c.
Märkus 2
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
Konveierprotsessori efektiivseks arvutuskiiruseks R loetakse kiireim järgnevaist: kiirus konveieri maksimaalse komplekteerituse korral või kiirus mittekonveierrežiimi korral.
a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Märkus 3
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
Iga kombinatsioonis oleva protsessori R arvutatakse selle maksimaalse teoreetiliselt võimaliku kiiruse alusel, enne protsessorite kombinatsiooni summaarse „APP” leidmist.
a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Paralleelarvutused võetakse arvesse, kui paralleel- või üheaegsed operatsioonid on loetletud tootjapoolsetes spetsifikatsioonides.
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
Märkus 4
a.
„APP” arvutusse ei kaasata protsessoreid, mis teostavad ainult I/O (sisend/väljund) ja/või lisaseadmetega seotud funktsioone (nt ketta-, kommunikatsiooni või videoseadmed).
ADCs having any of the following:
Märkus 5
N.B.:
„APP”-d ei arvutata protsessorite suhtes, mis on (omavahel) ühendatud „kohtvõrgu” (Local Area Network — LAN), hajusvõrgu (Wide Area Networks), ühendatud või ühiste I/O (sisend/väljund) seadmete või „tarkvaraga” loodud ühenduse abil.
SEE ALSO 3A101
Märkus 6
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 1,000 million words per second;
„APP” väärtused tuleb arvutada protsessorikombinatsioonide suhtes, mis sisaldavad protsessoreid, mis on spetsiaalselt ette nähtud jõudluse suurendamiseks liitmise, üheaegsete operatsioonide ja mälu ühiskasutamise kaudu;