natgillin/translations-raw huggingface dataset:
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
valmistatud boorsilikaatklaasist, mille lineaarse soojuspaisumise tegur on suurem kui 2,5 × 10–6/K 25 °C või
Organo-inorganic compounds as follows:
on röntgenoptiline element, millel on sisepeegli omadused (nt toru-tüüpi peeglid).
a.
‘Mittesfääriliste optiliste elementide’ kohta, mis on spetsiaalselt kavandatud litograafiaseadmetele, vt punkti 3B001.
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Laserid, muud kui punktis 0B001.g.5 või 0B001.h.6 nimetatud, komponendid ning optilised seadmed:
b.
VT KA PUNKT 6A205.
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Impulss „laserite” hulka kuuluvad ka need laserid, mis töötavad impulsistatuna pidevlaine (CW) režiimis.
003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Eksimeer-, pooljuht-, keemilised, CO-, CO2 ja mittekorduvad impulss-neodüümklaas-„laserid” on nimetatud vaid punktis 6A005.d.
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
‘Mittekorduv impulss’ osutab „laseritele”, mis tekitavad kas ühe väljundimpulsi või mille impulssidevaheline intervall on üle ühe minuti.
004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Punkt 6A005 hõlmab kiud „lasereid”.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
Muul viisil kui ühe „laseri” poolt teise „laseri” pumpamise teel sageduse muundamist (st lainepikkuse muutmist) kasutavate „laserite” kontrolli alla kuulumine määratakse kindlaks nii lähte „laseri” väljundvõimsuse kui ka sagedusmuunduri optilise võimsuse suhtes rakendatavate kontrolliparameetrite alusel.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
Märkus 5
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
Punkt 6A005 ei hõlma järgmisi „lasereid”:
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
rubiinlaserid väljundenergiaga alla 20 J;
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
lämmastik;
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
krüptoon.
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Punktis 6A005 nimetatud ‘pistikupesatõhusus’ (kasutegur) (wall-plug efficiency) määratletakse „laseri” väljundvõimsuse või „keskmise väljundvõimsuse” ning „laseri” tööks vajaliku kogu elektrilise sisendvõimsuse (sh toiteallikate/võimsusmuundurite ja konditsioneerimise/soojusvahetite võimsuse) suhtena.
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
a. mitte „timmitavad” pidevlaine „laserid”, millel on mis tahes järgmine omadus:
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
väljundkiirguse lainepikkus alla 150 nm ja väljundvõimsus üle 1 W;
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
väljundkiirguse lainepikkus 150 nm või üle selle, kuid mitte üle 510 nm, ja väljundvõimsus üle 30 W;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Punkt 6A005.a.2 ei hõlma argoon „lasereid”, mille võimsus on 50 W või vähem.
001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
väljundkiirguse lainepikkus üle 510 nm, kuid mitte üle 540 nm, ja mis tahes järgmise omadusega:
001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
a. ristimoodiga, ühemoodilise väljundkiirgusega, ja väljundvõimsus on üle 50 W või
Using "technology" at or above 0.130 μm; and
b. ristimoodiga, mitmemoodilise väljundkiirgusega, ja väljundvõimsus on üle 150 W;
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
väljundkiirguse lainepikkus üle 540 nm, kuid mitte üle 800 nm, ja väljundvõimsus üle 30 W;
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
väljundkiirguse lainepikkus üle 800 nm, kuid mitte üle 975 nm, ja mis tahes järgmise omadusega:
a.
b. ristimoodiga, mitmemoodilise väljundkiirgusega, ja väljundvõimsus on üle 80 W;
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
väljundkiirguse lainepikkus üle 975 nm, kuid mitte üle 1150 nm, ja mis tahes järgmise omadusega:
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
a. ristimoodiga, ühemoodiline, ja väljundvõimsusega üle 200 W, või
b.
b. ristimoodiga, mitmemoodilise väljundkiirgusega, ja mis tahes järgmise omadusega:
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
‘pistikupesatõhusus’ on üle 18 % ja väljundvõimsus on üle 500 W või
c.
väljundvõimsus on üle 2 kW;
Designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
Punkt 6A005.a.6.b ei hõlma ristimoodiga, mitmemoodilisi, tööstuslikke „lasereid”, mille väljundvõimsus on üle 2 kW, kuid mitte üle 6 kW, ja mille kogumass on üle 1200 kg.
c. does not control "technology" for multimedia extensions.
Selle punkti tähenduses sisaldab kogumass kõiki „laseri” toimimiseks vajalikke komponente, nt „laser”, toiteallikas, soojusvaheti, kuid ei sisalda välisoptikat laserkiire muundamiseks ja/või edasitoimetamiseks.
002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
Punkt 6A005.a.6.b. ei hõlma ristimoodiga, mitmemoodilisi, tööstuslikke „lasereid”, millel on mis tahes järgmised omadused:
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
väljundvõimsus on üle 500 W, kuid mitte üle 1 kW, ja millel on kõik järgmised omadused:
002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
kiireparameetrite korrutis on üle 0,7 mm•mrad, ja
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
‘heledus’ mitte üle 1024 W/(mm•mrad)2;
a.
väljundvõimsus on üle 1 kW, kuid mitte üle 1,6 kW, ja mille kiireparameetrite korrutis on üle 1,25 mm•mrad;
Vacuum microelectronic devices;
väljundvõimsus on üle 1,6 kW, kuid mitte üle 2,5 kW, ja mille kiireparameetrite korrutis on üle 1,7 mm•mrad;
b.
väljundvõimsus on üle 2,5 kW, kuid mitte üle 3,3 kW, ja mille kiireparameetrite korrutis on üle 2,5 mm•mrad;
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
väljundvõimsus on üle 3,3 kW, kuid mitte üle 4 kW, ja mille kiireparameetrite korrutis on üle 3,5 mm•mrad;
b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
väljundvõimsus on üle 4 kW, kuid mitte üle 5 kW, ja mille kiireparameetrite korrutis on üle 5 mm•mrad;
c.
väljundvõimsus on üle 5 kW, kuid mitte üle 6 kW, ja mille kiireparameetrite korrutis on üle 7,2 mm•mrad;
"Superconductive" electronic devices;
väljundvõimsus on üle 6 kW, kuid mitte üle 8 kW, ja mille kiireparameetrite korrutis on üle 12 mm•mrad;
d.
väljundvõimsus on üle 8 kW, kuid mitte üle 10 kW, ja mille kiireparameetrite korrutis on üle 24 mm•mrad;
Substrates of films of diamond for electronic components.
väljundkiirguse lainepikkus üle 1150 nm, kuid mitte üle 1555 nm, ja mis tahes järgmise omadusega:
e.
a. ristimoodiga, ühemoodiline, ja väljundvõimsusega üle 50 W, või
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
b. ristimoodiga, mitmemoodiline, ja väljundvõimsusega üle 80 W, või
f.
väljundkiirguse lainepikkus üle 1555 nm ja väljundvõimsus üle 1 W;
Substrates of silicon carbide for electronic components;
b. mitte „timmitavad” „impulsslaserid”, millel on mis tahes järgmine omadus:
g.
laseri väljundkiirguse lainepikkus lühem kui 150 nm ja mis tahes järgmine omadus:
Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
a. väljundenergia üle 50 mJ impulsi kohta ja impulsi „tippvõimsus” üle 1 W või
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
b. „keskmine väljundvõimsus” üle 1 W;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
väljundkiirguse lainepikkus on üle 150 nm, kuid mitte üle 510 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
a. väljundenergia üle 1,5 J impulsi kohta ja „tippvõimsus” üle 30 W või
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
b. „keskmine väljundvõimsus” üle 30 W;
CATEGORY 4 —
Punkt 6A005.b.2.b ei hõlma argoon „lasereid”, mille „keskmine väljundvõimsus” on 50 W või vähem.
COMPUTERS
a. ristimoodiga, ühemoodilise väljundkiirgusega, millel on mis tahes järgmine omadus:
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
väljundenergia üle 1,5 J impulsi kohta ja „tippvõimsus” üle 50 W või
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
„keskmine väljundvõimsus” üle 50 W või
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
väljundenergia üle 1,5 J impulsi kohta ja „tippvõimsus” üle 150 W või
Computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").
„keskmine väljundvõimsus” üle 150 W;
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
väljundkiirguse lainepikkus üle 540 nm, kuid mitte üle 800 nm, ja mis tahes järgmise omadusega:
SEE ALSO 4A101.
a. „impulsi kestusega” alla 1 ps ja mis tahes järgmise omadusega:
a.
väljundenergia üle 0,005 J impulsi kohta ja „tippvõimsus” üle 5 GW või
Specially designed to have any of the following:
„keskmine väljundvõimsus” üle 20 W või
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C); or
b. „impulsi kestus” 1 ps või üle selle ja mis tahes järgmise omadusega:
a.1. does not control computers specially designed for civil automobile, railway train or "civil aircraft" applications.
väljundenergia üle 1,5 J impulsi kohta ja „tippvõimsus” üle 30 W või
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
„keskmine väljundvõimsus” üle 30 W;
Total Dose 5 × 103 Gy (silicon);
ristimoodiga, ühemoodilise väljundkiirgusega, ja „keskmine väljundvõimsus” üle 20 W;
Dose Rate Upset 5 × 106 Gy (silicon)/s; or
b. „impulsi kestus” 1 ps või üle selle, kuid mitte üle 1 μs ja mis tahes järgmise omadusega:
Single Event Upset 1 × 10–8 Error/bit/day;
väljundenergia üle 0,5 J impulsi kohta ja „tippvõimsus” üle 50 W;
a.2. does not control computers specially designed for "civil aircraft" applications.
ristimoodiga, ühemoodilise väljundkiirgusega, ja „keskmine väljundvõimsus” üle 20 W või
b.
ristimoodiga, mitmemoodilise väljundkiirgusega, ja „keskmine väljundvõimsus” üle 50 W või
Not used.
c. „impulsi kestus” üle 1 μs ja mis tahes järgmise omadusega:
'Vector processors';
ristimoodiga, mitmemoodilise väljundkiirgusega, ja „keskmine väljundvõimsus” üle 80 W;
Array processors;
väljundkiirguse lainepikkus üle 975 nm, kuid mitte üle 1150 nm, ja mis tahes järgmise omadusega:
Digital signal processors;
a. „impulsi kestus” alla 1 ps ja mis tahes järgmise omadusega:
Logic processors;
väljundi „tippvõimsus” üle 2 GW impulsi kohta;
Equipment designed for "image enhancement";
„keskmine väljundvõimsus” üle 10 W või
Equipment designed for "signal processing".
väljundenergia üle 0,002 J impulsi kohta;
The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
b. „impulsi kestus” 1 ps või üle selle, kuid mitte üle 1 ns, ja mis tahes järgmise omadusega:
The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
väljundi „tippvõimsus” üle 5 GW impulsi kohta;
The "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
väljundenergia üle 0,1 J impulsi kohta;
The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
c. „impulsi kestus” 1 ns või üle selle, kuid mitte üle 1 μs, ja mis tahes järgmise omadusega:
For the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
ristimoodiga, ühemoodilise väljundkiirgusega, millel on mis tahes järgmine omadus:
The "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E.
a. „tippvõimsus” üle 100 MW;
b.
b. „keskmine väljundvõimsus” üle 20 W ja kavandatud impulsside maksimaalne kordussagedus 1 kHz või väiksem;
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 8.0 Weighted TeraFLOPS (WT);
c. ‘pistikupesatõhusus’ üle 12 % ja „keskmine väljundvõimsus” üle 100 W ning suuteline töötama impulsside kordussagedusega üle 1 kHz;
c.
d. „keskmine väljundvõimsus” üle 150 W ning suuteline töötama impulsside kordussagedusega üle 1 kHz või
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit specified in 4A003.b.;
e. väljundenergia üle 2 J impulsi kohta või
c. controls only "electronic assemblies" and programmable interconnections not exceeding the limit specified in 4A003.b. when shipped as unintegrated "electronic assemblies".
ristimoodiga, mitmemoodilise väljundkiirgusega, ja mis tahes järgmise omadusega:
It does not control "electronic assemblies" inherently limited by nature of their design for use as related equipment specified in 4A003.e.
a. „tippvõimsus” üle 400 MW;
c. does not control "electronic assemblies" specially designed for a product or family of products whose maximum configuration does not exceed the limit specified in 4A003.b.
b. ‘pistikupesatõhusus’ üle 18 % ja „keskmine väljundvõimsus” üle 500 W;
e.
c. „keskmine väljundvõimsus” üle 2 kW või
Equipment performing analogue-to-digital conversions exceeding the limits specified in 3A001.a.5.;
d. väljundenergia üle 4 J impulsi kohta või
f.
d. „impulsi kestus” üle 1 μs ja mis tahes järgmise omadusega:
Not used;
a. „tippvõimsus” üle 500 kW;
g.
b. ‘pistikupesatõhusus’ üle 12 % ja „keskmine väljundvõimsus” üle 100 W või
Equipment specially designed for aggregating the performance of "digital computers" by providing external interconnections which allows communications at unidirectional data rates exceeding 2,0 Gbyte/s per link.
c. „keskmine väljundvõimsus” üle 150 W või
g. does not control internal interconnection equipment (e.g. backplanes, buses), passive interconnection equipment, "network access controllers" or "communications channel controllers".
a. „tippvõimsus” üle 1 MW;
Computers as follows and specially designed related equipment, "electronic assemblies" and components therefor:
b. ‘pistikupesatõhusus’ üle 18 % ja „keskmine väljundvõimsus” üle 500 W või
a.
c. "keskmine väljundvõimsus" üle 2 kW;
"Systolic array computers";
väljundkiirguse lainepikkus üle 1150 nm, kuid mitte üle 1555 nm, ja mis tahes järgmise omadusega:
b.
a. „impulsi kestus” alla 1 μs ja mis tahes järgmise omadusega:
"Neural computers";
b. „impulsi kestus” üle 1 μs ja mis tahes järgmise omadusega:
c.
ristimoodiga, mitmemoodilise väljundkiirgusega, ja „keskmine väljundvõimsus” üle 80 W või
"Optical computers".
väljundkiirguse lainepikkus üle 1555 nm, ja mis tahes järgmise omadusega:
Systems, equipment, and components therefor, specially designed or modified for the generation, operation or delivery of, or communication with, "intrusion software".
a. väljundenergia üle 100 mJ impulsi kohta ja impulsi „tippvõimsus” üle 1 W või
Analogue computers, "digital computers" or digital differential analysers, other than those specified in 4A001.a.1., which are ruggedized and designed or modified for use in space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.
c. „timmitavad” „laserid”, millel on mis tahes järgmine omadus:
"Hybrid computers" specially designed for modelling, simulation or design integration of space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.
laseri väljundkiirguse lainepikkus lühem kui 600 nm ja mis tahes järgmine omadus:
This control only applies when the equipment is supplied with "software" specified in 7D103 or 9D103.
b. keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 1 W;
The control status of "software" for equipment described in other Categories is dealt with in the appropriate Category.
Punkt 6A005.c.1 ei hõlma värvlasereid ja muid vedeliklasereid, millel on mitmemoodiline väljund ja lainepikkus 150 nm või üle selle, kuid mitte üle 600 nm, ja millel on kõik järgmised omadused:
"Software" as follows:
väljundenergia vähem kui 1,5 J impulsi kohta või „tippvõimsus” üle 20 W ja
a.
keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus alla 20 W.
"Software" specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment or "software" specified in 4A001 to 4A004, or 4D.
väljundkiirguse lainepikkus on üle 600 nm, kuid mitte üle 1400 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:
b.
a. väljundenergia üle 1 J impulsi kohta ja impulsi „tippvõimsus” üle 20 W või
"Software", other than that specified in 4D001.a., specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment as follows:
b. keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 20 W või
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 1,0 Weighted TeraFLOPS (WT);
väljundkiirguse lainepikkus üle 1400 nm ja mis tahes järgmise omadusega:
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit in 4D001.b.1.
d. muud „laserid”, mis ei ole määratletud punktides 6A005.a, 6A005.b või 6A005.c:
"Software" specially designed or modified for the generation, operation or delivery of, or communication with, "intrusion software".
pooljuht „laserid”:
a.
Punkt 6A005.d.1 hõlmab ka pooljuht „lasereid”, millel on optilised väljundliitmikud (nt kiudoptilised „patsid”).
"Technology" according to the General Technology Note, for the "development", "production" or "use" of equipment or "software" specified in 4A or 4D.
Nende pooljuht „laserite” kontrolli alla kuulumine, mis on spetsiaalselt kavandatud muude seadmete jaoks, määratakse muude seadmete kontrolli alla kuulumisega.
b.
a. üksikud ristimoodiga, ühemoodilised pooljuht „laserid”, millel on mis tahes järgmised omadused:
"Technology", other than that specified in 4E001.a., specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment as follows:
laseri väljundkiirguse lainepikkus 1510 nm või alla selle ning keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 1,5 W või
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit in 4E001.b.1.
laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1510 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 500 mW;
c.
b. üksikud ristimoodiga, mitmemoodilised pooljuht „laserid”, millel on mis tahes järgmine omadus:
"Technology" for the "development" of "intrusion software".
laseri väljundkiirguse lainepikkus alla 1400 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 15 W;
TECHNICAL NOTE ON "ADJUSTED PEAK PERFORMANCE" ("APP")
laseri väljundkiirguse lainepikkus 1400 nm või üle selle ja alla 1900 nm ning keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 2,5 W või
"APP" is an adjusted peak rate at which "digital computers" perform 64-bit or larger floating point additions and multiplications.
laseri väljundkiirguse lainepikkus 1900 nm või üle selle ja keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 1 W;
"APP" is expressed in Weighted TeraFLOPS (WT), in units of 1012 adjusted floating point operations per second
c. üksikute pooljuhtlaserite massiivid, millel on mis tahes järgmine omadus:
Abbreviations used in this Technical Note
laseri väljundkiirguse lainepikkus alla 1400 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 100 W;
n number of processors in the "digital computer"
laseri väljundkiirguse lainepikkus 1400 nm või üle selle ja alla 1900 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 25 W või
i processor number (i,…n)
laseri väljundkiirguse lainepikkus 1900 nm või üle selle ja keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 10 W;
processor cycle time (ti = 1/Fi)
d. pooljuht „laserite” ‘liitmaatriksid’ (kahemõõtmelised massiivid), millel on mis tahes järgmine omadus:
processor frequency
laseri väljundkiirguse lainepikkus alla 1400 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:
peak floating point calculating rate
a. keskmine või pidevlaine (CW) koguväljundvõimsus alla 3 kW ning keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsustihedus üle 500 W/cm2;
architecture adjustment factor
b. keskmine või pidevlaine (CW) koguväljundvõimsus 3 kW või suurem, kuid mitte üle 5 kW, ning keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsustihedus üle 350 W/cm2;
Outline of "APP" calculation method
c. keskmine või pidevlaine (CW) koguväljundvõimsus üle 5 kW;
For each processor i, determine the peak number of 64-bit or larger floating point operations, FPOi, performed per cycle for each processor in the "digital computer".
d. impulsi tippvõimsustihedus üle 2500 W/cm2 või