natgillin/translations-raw huggingface dataset:
One or more sealing joints within the steam containment area; and
b. ülijuhtivad solenoid-elektromagnetid, millel on kõik järgmised omadused:
Capable of in-situ steam sterilisation in a closed state;
võimaldavad tekitada magnetvälja tugevusega üle 2 tesla;
Centrifugal separators include decanters.
pikkuse ja sisediameetri suhe 2 või rohkem;
d.
sisediameeter üle 300 mm ja
Cross (tangential) flow filtration equipment and components as follows:
1 % solenoidi südamiku keskses ruumalas on magnetvälja ühetasasus parem kui 50 %;
Cross (tangential) flow filtration equipment capable of separation of pathogenic micro-organisms, viruses, toxins or cell cultures having all of the following characteristics:
Punkt 3A201.b ei hõlma magneteid, mis on spetsiaalselt projekteeritud tuumamagnetresonantskuvamise süsteemi jaoks ja eksporditud tuumamagnetresonantskuvamise süsteemi ‘osadena’.
a.
Sõna ‘osadena’ ei tähenda tingimata sama saadetise füüsilist osa; on lubatud erinevad saadetised ka erinevatest allikatest, kusjuures nende saadetiste ekspordidokumentides peab olema selgelt märgitud, et saadetis on saadetud kui kuvamissüsteemi ‘osa’.
A total filtration area equal to or greater than 1 m2; and
c. impulssröntgenikiirguse generaatorid või impulsselektronkiirendid, millel on mis tahes järgmine omaduste kombinatsioon:
b.
a. kiirendatud elektronide tippenergia 500 keV või rohkem, kuid vähem kui 25 MeV, ja
Having any of the following characteristics:
b. ‘hüvetegur’ (K), 0,25 või rohkem või
Capable of being sterilised or disinfected in-situ; or
a. kiirendatud elektronide tippenergia 25 MeV või rohkem ja
Using disposable or single-use filtration components;
b. ‘tippvõimsus’ suurem kui 50 MW.
In 2B352.d.1.b. sterlised denotes the elimination of all viable microbes from the equipment through the use of either physical (e.g. steam) or chemical agents.
Punkt 3A201.c ei hõlma kiirendeid, mida kasutatakse muude seadmete komponentidena, mille eesmärgiks ei ole elektronkiire- või röntgenikiirguse tekitamine (nt elektronmikroskoopia) või mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks meditsiinis:
Disinfected denotes the destruction of potential microbial infectivity in the equipment through the use of chemical agents with a germicidal effect.
‘Hüvetegur’ K on defineeritud järgmiselt:
Disinfection and sterilisation are distinct from sanitisation, the latter referring to cleaning procedures designed to lower the microbial content of equipment without necessarily achieving elimination of all microbial infectivity or viability.
K = 1,7 × 103V2.65Q
d. does not control reverse osmosis equipment, as specified by the manufacturer.
V on elektronide tippenergia megaelektronvoltides.
Cross (tangential) flow filtration components (e.g. modules, elements, cassettes, cartridges, units or plates) with filtration area equal to or greater than 0,2 m2 for each component and designed for use in cross (tangential) flow filtration equipment specified in 2B352.d.;
Kui kiirendi impulsi kestus on 1 s või vähem, siis Q tähistab kogu kiirendatud laengut kulonites.
e.
Kui aga kiirendi impulsi kestvus on pikem kui 1 μs, siis tähistab Q 1 μs jooksul kiirendatud maksimaalset laengut.
Steam sterilisable freeze drying equipment with a condenser capacity exceeding 10 kg of ice in 24 hours and less than 1000 kg of ice in 24 hours;
Q on võrdne i integraaliga t suhtes kas 1 μs jooksul või kiireimpulsi kestvuse (Q = STARTSYMBOLFONTF0F2ENDSYMBOLFONT idt) jooksul sõltuvalt sellest, kumb on väiksem, kus i on kiirevool amprites ja t aeg sekundites.
f.
‘Tippvõimsus’ = (tipp-pinge voltides) × (elektronkiire tippvool amprites).
Protective and containment equipment, as follows:
Kiirendites, mis põhinevad mikrolaine õõnesresonaatoritel, loetakse impulsi kestuseks järgmistest väikseim: kas 1 μs või ühe mikrolaine modulaatoriimpulsi tekitatud kokkusurutud kiirepaketi kestus.
Protective full or half suits, or hoods dependent upon a tethered external air supply and operating under positive pressure;
Kiirendites, mis põhinevad mikrolaine õõnesresonaatoritel, loetakse kiire tippvoolu väärtuseks kokkusurutud kiirepaketi keskmistatud voolu väärtust selle kiirepaketi kestel.
f.1. does not control suits designed to be worn with self-contained breathing apparatus.
„Tehnoloogia” koodide või võtmete kujul, et suurendada või vabastada sagedusmuunduri või generaatori jõudlust, et vastata punktis 3A225 määratletud omadustele, on määratletud punktis 3E225.
Class III biological safety cabinets or isolators with similar performance standards;
a. mitmefaasiline väljund, mis annab 40 VA või suurema võimsuse;
In 2B352.f.2., isolators include flexible isolators, dry boxes, anaerobic chambers, glove boxes and laminar flow hoods (closed with vertical flow).
b. töötab sagedusel 600 Hz või rohkem ja
g.
c. sageduse stabiilsus parem (väiksem) kui 0,2 %.
Chambers designed for aerosol challenge testing with "microorganisms", viruses or "toxins" and having a capacity of 1 m3 or greater;
Punkt 3A225 ei hõlma sagedusmuundureid või generaatoreid, kui neil on riistvara, „tarkvara” või „tehnoloogia” piirangud, mis piiravad jõudlust eespool määratletust madalamale tasemele, tingimusel et need vastavad ühele järgmistest tingimustest:
h.
need tuleb tagastada originaaltootjale, et teha täiendusi või kaotada piirangud;
Spray drying equipment capable of drying toxins or pathogenic microorganisms having all of the following:
need vajavad punktis 3D225 määratletud „tarkvara”, et suurendada või vabastada jõudlust selleks, et vastata punktis 3A225 määratletud omadustele, või
A water evaporation capacity of ≥ 0,4 kg/h and ≤ 400 kg/h;
need vajavad „tehnoloogiat” punktis 3E225 määratletud võtmete või koodide kujul, et suurendada või vabastada jõudlust, et vastata punktis 3A225 määratletud omadustele.
The ability to generate a typical mean product particle size of ≤10 μm with existing fittings or by minimal modification of the spray-dryer with atomization nozzles enabling generation of the required particle size; and
Sagedusmuundureid 3A225 tähenduses tuntakse ka konverterite või inverteritena.
Capable of being sterilised or disinfected in situ.
Punktis 3A225 määratletud sagedusmuundureid võidakse turustada generaatoritena, elektrooniliste katseseadmetena, vahelduvvooluallikatena, reguleeritava kiirusega mootorajamitena, sagedusmuunduritena, muutuvsagedusega ajamitena, reguleeritava sagedusega ajamitena või reguleeritava kiirusega elektriajamitena.
None.
b. voolu ja pinge stabiilsus 8 tunni vältel on parem kui 0,1 %.
"Software", other than that specified in 2D002, as follows:
Järgmised lülitusseadmed:
a.
a. külmkatoodiga lambid, gaasiga täidetult või mitte, mis töötavad analoogiliselt kaitsesädemikuga ja millel on kõik järgmised omadused:
"Software" specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment specified in 2A001 or 2B001
sisaldavad kolme või enamat elektroodi;
b.
anoodpinge tippnimiväärtusega 2,5 kV või rohkem;
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2A001.c, 2B001 or 2B003 to 2B009.
anoodvoolu tippnimiväärtus 100 A või rohkem ja
001 does not control part programming "software" that generates "numerical control" codes for machining various parts.
anoodi viiteaeg 10 μs või vähem;
"Software" for electronic devices, even when residing in an electronic device or system, enabling such devices or systems to function as a "numerical control" unit, capable of co-ordinating simultaneously more than four axes for "contouring control".
punkt 3A228 hõlmab gaastäitega krütrone ja vaakumsprütrone.
002 does not control "software" specially designed or modified for the operation of items not specified in Category 2.
b. ümberlülitatavad sädevahemikud, millel on mõlemad järgmised omadused:
002 does not control "software" for items specified in 2B002.
anoodi viiteaeg 15 μs või vähem ning
See 2D001 and 2D003 for "software" for items specified in 2B002.
tippnimivoolutugevus 500 A või rohkem;
002 does not control "software" that is exported with, and the minimum necessary for the operation of, items not specified by Category 2.
c. kiirlülitustoimega moodulid või sõlmed, muud kui punktis 3A001.g või 3A001.h nimetatud, millel on kõik järgmised omadused:
"Software", designed or modified for the operation of equipment specified in 2B002, that converts optical design, workpiece measurements and material removal functions into "numerical control" commands to achieve the desired workpiece form.
anoodpinge tippnimiväärtus üle 2 kV;
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 or 2B119 to 2B122.
anoodvoolu tippnimiväärtus 500 A või rohkem ja
SEE ALSO 9D004.
sisselülitusaeg 1 μs või vähem.
202 does not control part programming "software" that generates "numerical control" command codes but does not allow direct use of equipment for machining various parts.
b. moodul-elektriimpulsi generaatorid (pulsarid), millel on kõik järgmised tehnilised omadused:
"Software", other than that specified in 1D003, specially designed for "use" of equipment specified in 2B351.
ette nähtud portatiivseks, mobiilseks või karmides tingimustes kasutamiseks;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software" specified in 2A, 2B or 2D.
võimelised andma energiat vähem kui 15 μs jooksul koormustel vähem kui 40 oomi;
001 includes "technology" for the integration of probe systems into coordinate measurement machines specified in 2B006.a.
väljundvool üle 100 A;
"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 2A or 2B.
ükski mõõde ei ületa 30 cm;
Other "technology", as follows:
raskus vähem kui 30 kg ja
a.
ette nähtud kasutamiseks laiendatud temperatuurivahemikus 223 K (– 50 °C) kuni 373 K (+ 100 °C) või määratletud kohaseks kasutamiseks kosmoses;
"Technology" for the "development" of interactive graphics as an integrated part in "numerical control" units for preparation or modification of part programmes;
Punkt 3A229.b hõlmab ka ksenoonvälklampide juhtimisseadmeid.
b.
c. mikrodünamod (micro-firing units), millel on kõik järgmised omadused:
"Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:
ükski mõõde ei ületa 35 mm;
a.
mahtuvus võrdne või suurem kui 100 nF.
"Superplastic forming";
Kiired impulssgeneraatorid ja nende impulssliidesed ning millel on mõlemad järgmised omadused:
b.
a. väljundpinge üle 6 V aktiivkoormusel vähem kui 55 oomi ja
"Diffusion bonding"; or
b. ‘impulsi siirdeaeg’ 500 ps või vähem.
c.
Punktis 3A230 on ‘impulsi siirdeaeg’ defineeritud kui ajavahemik pinge amplituudi väärtuste 10 % ja 90 % vahel.
"Direct-acting hydraulic pressing";
‘Impulssliidesed’ on impulsside formeerimise lülitused, mis on mõeldud võtma vastu pinge hüppefunktsiooni ja seda kujundama mitmesuguste kujudega impulssideks, sealhulgas nelinurkseteks, kolmnurkseteks, hüppelisteks, eksponentsiaalseteks või üksiktsükliliseks.
Technical data consisting of process methods or parameters as listed below used to control:
‘Impulssliidesed’ võivad olla impulssgeneraatorisse sisse ehitatud, seadme pistikmooduliks või väliselt ühendatavaks seadmeks.
a.
Neutronite genereerimise süsteemid, kaasa arvatud lambid, millel on mõlemad järgmised omadused:
"Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
a. need on ette nähtud tööoperatsioonide täitmiseks ilma välise vaakumsüsteemita ning
Surface preparation;
b. mis tahes järgmiste kasutamine:
Strain rate;
elektrostaatiline kiirendamine triitium-deuteerium tuumareaktsiooni esilekutsumiseks või
Temperature;
elektrostaatiline kiirendamine deuteerium-deuteerium tuumareaktsiooni esilekutsumiseks, mis on võimeline saavutama väljundit 3 × 109 neutronit/s või enam.
Pressure;
Järgmised punktis 1A007 nimetamata mitmepunktilised initsieerimissüsteemid:
b.
Detonaatorite kohta vt punkt 1A007.b.
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
b. süsteemid, mis kasutatavad üksik- või mitmikdetonaatoreid, mis on ette nähtud üle 5000 mm2 lõhkeainepinna peaaegu samaaegseks initsieerimiseks ühe süütesignaaliga nii, et initsieerimise ajaline ulatus üle kogu pinna oleks vähem kui 2,5 μs.
c.
Punkt 3A232 ei hõlma detonaatoreid, mis kasutavad ainult initsieerivaid lõhkeaineid, nagu näiteks pliiasiid.
"Direct-acting hydraulic pressing" of aluminium alloys or titanium alloys:
Massispektromeetrid, muud kui punktis 0B002.g nimetatud, mis võimaldavad mõõta ioone massiga 230 aatommassiühikut või rohkem ning mille lahutusvõime on parem kui 2 osa 230-st, ning nende iooniallikad:
Cycle time;
a. induktiivselt sidestatud plasma massispektromeetrid (ICP/MS);
d.
b. huumlahendus-massispektromeetrid (GDMS);
"Hot isostatic densification" of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
c. termilise ionisatsiooni massispektromeetrid (TIMS);
c.
d. elektronpommitusega massispektromeetrid, millel on mõlemad järgmised omadused:
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
molekulaarkimbu sisselaskesüsteem, mis suunavad kollimeeritud kimbu analüüsi tulemusel saadud molekule ioonallika piirkonda, kus molekulid ioniseeritakse elektronkiirega, ja
d.
üks või rohkem ‘külmalõksu’, mida saab jahutada temperatuurini 193 K (– 80 °C);
"Technology" for the "development" of generators of machine tool instructions (e.g., part programmes) from design data residing inside "numerical control" units;
e. ei kasutata;
e.
f. massispektromeetrid, mis on varustatud mikrofluorimisioonallikaga ja on ette nähtud aktiniididele või aktiniidfluoriididele.
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
Punktis 3A233.d nimetatud elektronpommitusega massispektromeetreid tuntakse ka elektronlöök-massispektromeetritena või elektronionisatsiooni massispektromeetritena.
f.
‘Külmalõks’ punktis 3A233.d.2 on seade, mis püüab gaasimolekulid lõksu nende külmadele pindadele kondenseerimise või külmutamise teel.
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
Punkti 3A233.d.2 tähenduses suletud ahelaga gaasilise heeliumi krüogeenne vaakumpump ei ole ‘külmalõks’.
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
Liistakujooned, mis annavad madalinduktiivsuse raja detonaatoritele järgmiste omadustega:
This table should be read to specify the technology of a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
a. nimipinge suurem kui 2 kV ja
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
b. induktiivsus väiksem kui 20 nH.
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
Järgmised seadmed pooljuhtseadmete ja -materjalide tootmiseks ning nende komponendid ja abiseadmed:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
a. epitakskasvatamise seadmed:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
seadmed, mis on võimelised tootma ühtlast mis tahes materjali, v.a räni, kihti, mille ebaühtlus 75 mm või pikemal vahemikul on väiksem kui ± 2,5 %;
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
Punkt 3B001.a.1 hõlmab aatomkihtepitaksia (ALE) seadmeid.
Table
metallorgaanilised keemilised aurustussadestusreaktorid, mis on ette nähtud epitaksiaalselt kasvatama liitpooljuhte, mis koosnevad kahest või enamast järgmisest keemilisest elemendist: alumiinium, gallium, indium, arseen, fosfor, antimon või lämmastik;
Deposition Techniques
molekulaarkimp-epitakskasvatamise seadmed, milles kasutatakse gaasilisi või tahkeid allikaid;
Coating Process (1) [3]
b. ioonlegeerimisseadmed, millel on mis tahes järgmine omadus:
Substrate
mis on projekteeritud ja optimeeritud töötama kimbu energial 20 keV või rohkem ja kimbu voolul 10 mA või rohkem vesiniku, deuteeriumi või heeliumi implanteerimiseks;
Resultant Coating
otsekirje võimega;
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
kimbu energiaga 65 keV või rohkem ja kimbu vooluga 45 mA või rohkem kõrgenergeetiliseks hapniku istutamiseks kuumutatud pooljuhtmaterjali põhimikku või
"Superalloys"
mis on projekteeritud ja optimeeritud töötama kimbu energial 20 keV või rohkem ja kimbu voolul 10 mA või rohkem räni implanteerimiseks temperatuurini 600 °C või rohkem kuumutatud pooljuhtmaterjali „põhimikku”;
Aluminides for internal passages
c. anisotroopsed plasmakuivsöövitusseadmed, millel on kõik järgmised omadused:
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
kavandatud või optimeeritud saavutama kriitilist mõõtu 65 nm või vähem ja
Silicides
toorikkiipide ebaühtlus on 10 % 3σ või väiksem, mõõdetuna 2 mm serva arvestamata;
Carbides
d. ei kasutata;
Dielectric layers (15)
e. automaatse laadimisega mitmekambrilised kesksed toorikkiipide käsitsemise süsteemid, millel on kõik järgmised omadused:
Diamond
liides toorikkiipide sisestamiseks ja väljavõtmiseks, millega võib liita enam kui kaks funktsionaalselt erinevat pooljuhte töötlevat seadet, mis on nimetatud punktis 3B001.a, 3B001.b või 3B001.c ja
Diamond-like carbon (17)
on arendatud moodustama integreeritud süsteemi ‘kiipide järjestiktöötlemiseks’ vaakumkeskkonnas;
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"
Punkt 3B001.e ei hõlma automaatseid kiipide käsitlemise robotsüsteeme, mis on spetsiaalselt projekteeritud kiipide paralleeltöötlemiseks
Refractory metals
Punkti 3B001.e kohaldamisel tähendab ‘pooljuhte töötlev seade’ moodulseadet, mis rakendab pooljuhtide tootmiseks funktsionaalselt erinevaid füüsikalisi protsesse, näiteks sadestamist, söövitamist, implanteerimist või termilist töötlemist.
Mixtures thereof (4)
Punkti 3B001.e kohaldamisel tähendab ‘kiipide järjestiktöötlemine’ võimet töödelda igat kiipi erinevas pooljuhte töötlevas seadmes, näiteks paigutades igat kiipi ühest seadmest teise seadmesse ja edasi kolmandasse seadmesse automaatse laadimisega mitmekambriliste kesksete toorikkiipide käsitsemise süsteemidega.
Aluminides
f. järgmised litograafiaseadmed:
Alloyed aluminides (2)
„paiguta ja särita ning korda sammhaaval” (otsene samm kiibil) või „samm ja skaneeri” (skanner) tüüpi seadmed kiipide töötlemiseks, mis kasutavad valgusoptilist või röntgenikiirte meetodeid ja millel on mis tahes järgmine omadus:
Boron nitride
a. valgusallika lainepikkus on lühem kui 193 nm või
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
b. on võimelised tekitama mustrit, milles ‘vähima lahutatava elemendi mõõt’ (MRF) on 45 nm või vähem;
Tungsten
‘Vähima lahutatava elemendi mõõt’ (MRF) arvutatakse järgmise valemi põhjal:
Molybdenum and Molybdenum alloys
valgusallika lainepikkus, nm
Beryllium and Beryllium alloys
K-tegur
Sensor window materials (9)
numbriline apertuur
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
kus K-tegur = 0,35
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
Jäljendi litograafiaseadmed, mis on võimelised tekitama kujutisi mõõtmetega 45 nm või vähem;
Alloyed silicides
Punkt 3B001.f.2 hõlmab järgmist:
Modified zirconia (12)
mikrokontakttrükiseadmed,
Corrosion resistant steel (7)
kuumreljeeftrükiseadmed (hot embossing tools),
Borides
nanojäljendi litograafiaseadmed (nano-imprint lithography tools),
Beryllium
samm-ja-särita-jäljendi litograafiaseadmed (step and flash imprint lithography (S-FIL) tools).
Titanium alloys (13)
seadmed pooljuhtide maskide valmistamiseks või pooljuhtseadiste töötlemiseks otsekirjutusmeetodeid kasutades, millel on kõik järgmised omadused:
Nitrides
a. kasutatakse hälvitatud-fokuseeritud elektronkimpu, ioonkimpu või „laser” kiirt ja
B.2.
laotuspunkti suurus väiksem kui 0,2 μm;
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
võimelised tekitama mustreid, milles vähima lahutatava elemendi mõõt on väiksem kui 1 μm, või
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
paigutustäpsus parem kui ± 0,20 μm (3 sigmat);
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
g. maskid ja niitvõrgustikud, mis on ette nähtud punktis 3A001 nimetatud integraallülitustele;
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
h. mitmekihilised maskid faasinihkekihiga, mis ei ole täpsustatud punktis 3B001.g ja millel on mõni järgmistest omadustest:
Diamond-like carbon
tehtud maski „põhimikuplangile” klaasist, mille määratletud kaksikmurdumine on väiksem kui 7 nm/cm, või
B.4.
ettenähtud kasutamiseks litograafiaseadmetes, mille valgusallika lainepikkus on väiksem kui 245 nm;
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
Punkt 3B001.h ei hõlma mitmekihilisi maske faasinihkekihiga, mis on ette nähtud punktis 3A001 mitte hõlmatud mäluseadmete tootmiseks.
Polymers (11) and Organic "matrix" "composites"
i. jäljendi litograafiašabloonid, mis on ette nähtud punktis 3A001 nimetatud integraallülitustele.
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
Testimisseadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud järgmiste lõpetatud või lõpetamata pooljuhtseadiste testimiseks, ning spetsiaalselt nende jaoks ette nähtud komponendid ja lisavarustus:
Refractory metals and alloys (8)
a. transistoride S-parameetrite testimiseks sagedustel üle 31,8 GHz;
Oxides
c. punktis 3A001.b.2 nimetatud mikrolaine integraallülituste testimiseks.
D. Plasma spraying
Hetero-epitaksiaalsed materjalid, mis koosnevad järgmiste materjalide epitakskasvatamisel saadud „põhimikest”: a. räni (Si),
Abradable Nickel-Graphite
b. germaanium (Ge),
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
c. ränikarbiid (SiC) või
Abradable Al-Si-Polyester
d. galliumi või indiumi „III/V ühendid”.
Aluminium alloys (6)
Märkus
E. Slurry Deposition
Resistmaterjalid ja „põhimikud”, mis on kaetud järgmiste resistmaterjalidega:
Fused silicides
a. järgmised pooljuhtlitograafia jaoks projekteeritud resistmaterjalid:
Fused aluminides except for resistance heating elements
positiivsed resistid, mis on kohandatud (optimeeritud) kasutamiseks lainepikkustel alla 245 nm, kuid vähemalt või üle 15 nm;
F. Sputter Deposition
positiivsed resistid, mis on kohandatud (optimeeritud) kasutamiseks lainepikkustel alla 15 nm, kuid vähemalt või üle 1 nm;
Noble metal modified aluminides (3)
b. kõik resistid, mis on ette nähtud kasutamiseks elektron- või ioonkimpudega, tundlikkusega 0,01 μC/mm2 või parem;
Platinum
d. kõik resistid, mis on optimeeritud pinnakujundamise tehnoloogiate jaoks;
Ceramics and Low-expansion glasses (14)
e. kõik resistid, mis on ette nähtud või optimeeritud kasutamiseks punktis 3B001.f.2 nimetatud jäljendi litograafiaseadmetega, mis kasutavad kas termilist või fototöötlust.
Dielectic layers (15)
Orgaanilis-anorgaanilised ühendid:
G. Ion Implantation
a. alumiiniumi, galliumi või indiumi metallorgaanilised ühendid puhtusega (metalli baasil) üle 99,999 %;
High temperature bearing steels
b. arseeni, antimoni või fosfori orgaanilised ühendid puhtusega üle 99,999 % (anorgaaniliste elementide baasil).
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
Punkt 3C003 hõlmab üksnes neid ühendeid, milles metalliline, poolmetalliline või mittemetalliline element on molekuli orgaanilises osas oleva süsinikuga otseses sidemes.
Cemented tungsten carbide (16)
Fosfori, arseeni või antimoni hüdriidid puhtusega üle 99,999 %, ka inertgaasides või vesinikus lahjendatuna.
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — NOTES
Punkt 3C004 ei hõlma hüdriide, mis sisaldavad 20 moolprotsenti või enam inertgaase või vesinikku.