natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
optiliselt tundlikud kiud, mis on spetsiaalselt valmistatud kas koostiseliselt või struktuurselt või kohandatud katmise teel olema akustiliselt, termiliselt, inertsiaalselt, elektromagnetiliselt või tuumakiirguse suhtes tundlikud;
Anode peak current rating of 500 A or more; and
Punkt 6A002.d.3 ei hõlma kapseldatud optiliselt tundlikke kiude, mis on spetsiaalselt loodud puuraukude seire rakenduste jaoks.
Turn-on time of 1 μs or less.
e. ei kasutata.
High-current pulse generators as follows:
Järgmised kaamerad, süsteemid või seadmed ja nende komponendid:
a.
VT KA PUNKT 6A203.
Detonator firing sets (initiator systems, firesets), including electronically-charged, explosively-driven and optically-driven firing sets, other than those specified in 1A007.a., designed to drive multiple controlled detonators specified in 1A007.b.;
Televisiooni- ja filmipõhiste fotokaamerate kohta, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud veealuseks kasutamiseks, vt ka punktid 8A002.d.1 ja 8A002.e.
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Seadistuskaamerad ja spetsiaalselt nende jaoks kavandatud komponendid:
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
Punktides 6A003.a.3–6A003.a.5 nimetatud modulaarse ehitusega seadistuskaameraid tuleks hinnata nende maksimaalse suutlikkuse alusel, kasutades olemasolevaid lisandprogramme vastavalt kaameratootja spetsifikatsioonile.
Capable of delivering their energy in less than 15 μs into loads of less than 40 ohms;
suurekiiruselised kinokaamerad, mis kasutavad mis tahes laiusega filmi vahemikus 8–16 mm ja milles film filmimise ajal pidevalt liigub ning mis on võimelised filmima kaadrikiirusega üle 13150 kaadri sekundis;
Having an output greater than 100 A;
Punkt 6A003.a.1 ei hõlma tsiviilotstarbeliseks kasutamiseks kavandatud kinokaameraid.
No dimension greater than 30 cm;
mehaanilised kiirkaamerad, milles film ei liigu ja mis on võimelised filmima kiirusega üle 1000000 kaadri sekundis 35 mm filmi kaadri täiskõrguse korral või proportsionaalselt suurema kiirusega väiksema kaadrikõrguse korral või proportsionaalselt aeglasemalt suuremate kaadrikõrguste korral;
Weight less than 30 kg; and
järgmised mehaanilised või elektroonsed vöötkaamerad:
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
a. mehaanilised vöötkaamerad, mille kirjutuskiirus on üle 10 mm/μs;
b. includes xenon flash-lamp drivers.
b. elektroonilised vöötkaamerad, mille ajaline täpsus on parem kui 50 ns;
c.
elektroonilised kaaderkaamerad, mille kiirus on üle 1000000 kaadri sekundis;
Micro-firing units having all of the following characteristics:
elektroonilised kaamerad, millel on kõik järgmised omadused:
No dimension greater than 35 mm;
a. elektroonilise katiku kiirus (strobeerimisvõime) on lühem kui 1 μs ühe täiskaadri kohta ja
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
b. lugemisaeg võimaldab kaadrijoondamiskiirust üle 125 täiskaadri sekundis;
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
lisandprogrammid, millel on kõik järgmised omadused:
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
a. mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 6A003.a nimetatud modulaarse ehitusega seadistuskaamerate jaoks ja
a.
b. mis võimaldavad nendel kaameratel täita valmistaja kirjeldusele vastavad ja punktis 6A003.a.3, 6A003.a.4 või 6A003.a.5 nimetatud omadused;
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
b.
b.
Järgmised pildinduskaamerad:
'Pulse transition time' less than 500 ps.
Punkt 6A003.b ei hõlma spetsiaalselt televisioonisaadete jaoks konstrueeritud televisiooni- ja videokaameraid.
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Videokaamerad, mis sisaldavad pooljuhtandureid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku üle 10 nm, kuid mitte üle 30000 nm, ja millel on kõik järgmised omadused:
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
a. millel on mõni järgmistest omadustest:
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
monokroomkaamerad (must-valge) rohkem kui 4 × 106 „aktiivpiksliga” tahkismassiivi kohta;
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
kolme tahkismassiiviga värvikaamerad rohkem kui 4 × 106 „aktiivpiksliga” tahkismassiivi kohta või
a.
ühe tahkismassiiviga värvikaamerad rohkem kui 12 × 106 „aktiivpiksliga” tahkismassiivi kohta ja
Designed for operation without an external vacuum system; and
punktis 6A004.a nimetatud optilised peeglid,
b.
punktis 6A004.d nimetatud optilised juhtseadmed või
Utilizing any of the following:
võime salvestada sisemiselt genereeritud ‘andmeid kaamera positsiooni kohta’;
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
Selle punkti tähenduses tuleks digitaalkaameraid hinnata liikuvate kujutiste salvestamiseks kasutatud „aktiivpikslite” maksimaalse arvu alusel.
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
Selle punkti tähenduses on ‘andmed kaamera positsiooni kohta’ info, mis on vajalik kaamera vaatenurga asetuse määratlemiseks maa suhtes.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
See hõlmab järgmist: 1) horisontaalne nurk, mis jääb kaamera vaatenurga ja maa magnetvälja suuna vahele ja; 2) vertikaalne nurk, mis jääb kaamera vaatenurga ja maa horisondi vahele.
See 1A007.b. for detonators.
skannerkaamerad ja skannerkaamerasüsteemid, millel on kõik järgmised omadused:
b.
a. tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku üle 10 nm, kuid mitte üle 30000 nm;
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5,000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
b. lineaarsed detektormassiivid üle 8192 elemendiga massiivis ja
232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
c. mehaanilise ühesuunalise laotusega;
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Punkt 6A003.b.2 ei hõlma skannerkaameraid ja skannerkaamerasüsteeme, mis on spetsiaalselt kavandatud mis tahes järgmiste seadmete jaoks:
a.
tööstus- või tsiviilkasutuses olevad koopiamasinad;
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
skannerid, mis on spetsiaalselt kavandatud tsiviilkasutuses, paiksete, lähiskannimisrakenduste jaoks (nt dokumentides, kunstiteostes või fotodes sisalduvate kujutiste või teksti taasesitamiseks), või
b.
meditsiiniseadmed.
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
pildinduskaamerad, mis sisaldavad punktis 6A002.a.2.a või 6A002.a.2.b nimetatud kujutisvõimendeid;
c.
pildinduskaamerad, mis sisaldavad „fokaaltasandilisi massiive”, millel on mis tahes järgmine omadus:
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
a. sisaldavad punktides 6A002.a.3.a–6A002.a.3.e nimetatud „fokaaltasandilisi massiive”;
d.
b. sisaldavad punktis 6A002.a.3.f nimetatud „fokaaltasandilisi massiive”; või
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
c. sisaldavad punktis 6A002.a.3.g nimetatud „fokaaltasandilisi massiive”;
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
Punktis 6A003.b.4 nimetatud ‘pildinduskaamerad’ sisaldavad lisaks väljundkiibile piisava „signaali töötlemise” elektroonikaga varustatud „fokaaltasandilisi massiive”, mis võimaldavad sisselülitamisel vähemalt analoog- või digitaalväljundsignaali.
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
Punkt 6A003.b.4.a ei hõlma pildinduskaameraid, mis sisaldavad lineaarseid kaheteistkümne (12) või vähema elemendiga „fokaaltasandilisi massiive” ja mis ei kasuta elemendisisest ajalist viivitust ja integreerimist ning mis on kavandatud järgmiseks:
e.
tööstusseadmed, mida kasutatakse soojuse voolamise kontrollimiseks või seireks hoonetes, seadmetes või tootmisprotsessides;
Not used;
laboratoorseks kasutamiseks kavandatud seadmed või
f.
Punkt 6A003.b.4.b ei hõlma pildinduskaameraid, millel on mis tahes järgmine omadus:
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
maksimaalne kaadrisagedus kuni 9 Hz;
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
minimaalne horisontaalne või vertikaalne ‘hetkeline vaateväli (IFOV)’ vähemalt 10 mrad/piksel (milliradiaani piksli kohta);
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
sisaldab fikseeritud fookuskaugusega objektiivi, mis ei ole eemaldatav;
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
ei sisalda ‘vahetu vaatega’ näidikut, ja
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
ilma aparatuurita, mis võimaldaks kindlaksmääratud vaateväljast saada vaadeldavat kujutist;
a.
kaamera on kavandatud mingi kindla rakenduse tarvis ning selliselt, et kasutaja seda ei muuda, või
Voltage rating greater than 2 kV; and
kaamera on spetsiaalselt ette nähtud paigaldamiseks tsiviilotstarbelistele reisijaid vedavatele sõidukile ja sel on kõik järgmised omadused:
b.
kaamera asetus ja konfiguratsioon sõidukis on mõeldud ainult juhi abistamiseks sõiduki ohutul käsitsemisel;
Inductance of less than 20 nH.
töötab üksnes siis, kui on paigaldatud ühte järgmistest:
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
tsiviilotstarbeline reisijateveo maismaasõiduk, mille jaoks see on ette nähtud, ja mis kaalub vähem kui 4500 kg (täismass), või
a.
spetsiaalselt selleks ette nähtud autoriseeritud ekspluatatsiooni katseseade ja
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
sisaldab aktiivmehhanismi, mis ei võimalda kaameral töötada, kui see eemaldatakse sõidukilt, mille jaoks kaamera on ette nähtud.
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Punkti 6A003.b.4. märkuses 3.b nimetatud ‘hetkeline vaateväli (IFOV)’ on ‘horisontaalse IFOV-i’ või ‘vertikaalse IFOV-i’ väikseim väärtus.
a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
‘Horisontaalne IFOV’ = horisontaalne hetkeline vaateväli (FOV) / horisontaalsete detektorelementide arv
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
‘Vertikaalne IFOV’ = vertikaalne hetkeline vaateväli (FOV) / vertikaalsete detektorelementide arv
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Punkti 6A003.b.4 märkuses 3.b nimetatud mõiste ‘vahetu vaade’ viitab pildinduskaamerale, mis töötab infrapunases spektriosas ja esitab vaatlejale nähtava kujundi lähedalt vaadataval ja mis tahes valguskaitsemehhanismi sisaldaval mikroekraanil.
b.
Punkt 6A003.b.4.c. ei hõlma pildinduskaameraid, millel on mis tahes järgmine omadus:
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
kaamera on spetsiaalselt ette nähtud paigaldamiseks sisetingimustes kasutatavatele ja vooluvõrku ühendatud süsteemidele või seadmetele nende lahutamatu komponendina ning kaamera kasutamine on ehitusest tulenevalt piiratud ühega järgmistest rakendustest:
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
tööstusprotsessi jälgimine, kvaliteedikontroll või materjalide omaduste analüüs;
Direct write capability;
spetsiaalselt teadusuuringuteks ette nähtud laboriseadmed;
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
finantspettuste avastamise seadmed ja
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
süsteem(id) või seadmed, mille jaoks see oli ette nähtud, või
c.
spetsiaalselt selleks ette nähtud autoriseeritud ekspluatatsiooniseade ja
Anisotropic plasma dry etching equipment having all of the following:
sisaldab aktiivmehhanismi, mis ei võimalda kaameral töötada, kui see eemaldatakse süsteemi(de)st või seadmetest, mille jaoks see on ette nähtud;
Designed or optimised to produce critical dimensions of 65 nm or less; and
kus kaamera on spetsiaalselt ette nähtud paigaldamiseks tsiviilotstarbelistele reisijaid vedavatele maismaasõidukile või reisijaid ja sõidukeid vedavale parvlaevale ja sel on kõik järgmised omadused:
Within-wafer non-uniformity equal to or less than 10 % 3σ measured with an edge exclusion of 2 mm or less;
kaamera asetus ja konfiguratsioon sõidukis või parvlaeval on mõeldud ainult juhi või operaatori abistamiseks sõiduki või parvlaeva ohutul juhtimisel;
d.
tsiviilotstarbeline reisijaid vedav maismaasõiduk, mille jaoks see on ette nähtud, ja mis kaalub vähem kui 4500 kg (täismass),
Not used;
reisijaid või sõidukeid vedav parvlaev, mille jaoks see on ette nähtud, kogupikkusega 65 m ja üle selle, või
e.
spetsiaalselt selleks ette nähtud autoriseeritud ekspluatatsiooni katseseade ja
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
sisaldab aktiivmehhanismi, mis ei võimalda kaameral töötada, kui see eemaldatakse sõidukilt, mille jaoks see on ette nähtud;
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a., 3B001.b. or 3B001.c. are designed to be connected; and
maksimaalne „kiirgustundlikkus” on ehituse tõttu 10 mA/W või vähem lainepikkustel üle 760 nm ja millel on kõik järgmised omadused:
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
sisaldab koste/tundlikkuse piiramise mehhanismi, mida ei saa eemaldada ega modifitseerida;
e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
sisaldab aktiivmehhanismi, mis ei võimalda kaameral töötada, kui koste/tundlikkuse piiramise mehhanism eemaldatakse, ja
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.
ei ole spetsiaalselt kavandatud või kohandatud veealuseks kasutamiseks või
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
ei sisalda ‘vahetu vaate’ või elektroonilise kujutise kuvarit;
f.
puudub võimalus tuvastatud vaatevälja vaadeldava kujutise väljastamiseks;
Lithography equipment as follows:
„fokaaltasandiline massiiv” töötab üksnes siis, kui see on paigaldatud kaamerale, mille jaoks see on ette nähtud, ja
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
„fokaaltasandiline massiiv” sisaldab aktiivmehhanismi, mis muudab selle püsivalt mittetoimivaks, kui see eemaldatakse kaameralt, mille jaoks see on ette nähtud
a.
pildinduskaamerad, mis sisaldavad punktis 6A002.a.1 nimetatud tahkisdetektoreid.
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
Järgmised optilised seadmed ja komponendid:
b.
a. järgmised optilised peeglid (reflektorid):
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
Punkti 6A004.a tähenduses mõõdetakse laseriga põhjustatu kahju piirmäära (Laser Induced Damage Threshold – LIDT) standardi ISO 21254-1:2011 järgi.
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
Optilised peeglid, mis on spetsiaalselt kavandatud litograafiaseadmete jaoks, vt punkt 3B001.
an exposure light source wavelength in nm
„deformeeritavad peeglid” aktiivse optilise avaga, mis on suurem kui 10 mm, ja millel on mis tahes järgmine omadus, ning nende jaoks ette nähtud komponendid:
× K factor
a. millel on kõik järgmised omadused:
numerical aperture
mehaaniline võnkesagedus 750 Hz või rohkem ja
where the K factor = 0,35
rohkem kui 200 ajamit või
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
b. laseriga põhjustatud kahju piirmäär (LIDT) on üks järgmistest:
f.2. includes:
„CW laseriga” rohkem kui 1 kW/cm2; või
Micro contact printing tools
20 ns „laseri” impulssidega kordumissagedusega 20 Hz rohkem kui 2 J/cm2;
Hot embossing tools
kergekaalulised monoliitsed peeglid keskmise „ekvivalenttihedusega” alla 30 kg/m2 ja täismassiga üle 10 kg;
Nano-imprint lithography tools
„komposiit”- või vahtstruktuuriga kergpeeglid, mille keskmine „ekvivalenttihedus” on väiksem kui 30 kg/m2 ja täismass üle 2 kg;
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
punktis 6A004.d.2.a. nimetatud spetsiaalselt kiirejuhtimispeeglite astmetele kavandatud peeglid, mille tasapindsus on λ/10 või parem (λ võrdub 633 nm), ja millel on mis tahes järgmine omadus:
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
a. diameeter või peatelje pikkus üle 100 mm või
a.
b. millel on kõik järgmised omadused:
Using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
diameeter või peatelje pikkus üle 50 mm ja vähem kui 100 mm ja
A spot size smaller than 0,2 μm;
laseriga põhjustatud kahju piirmäär (LIDT) on üks järgmistest:
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
a. „CW laseriga” rohkem kui 10 kW/cm2; või
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
b.
g.
20 ns „laseri” impulssidega kordumissagedusega 20 Hz rohkem kui 20 J/cm2;
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
b. tsinkseleniidist (ZnSe) või tsinksulfiidist (ZnS) valmistatud optilised komponendid läbilaskvusega lainepikkuste vahemikus üle 3000 nm, kuid mitte üle 25000 nm, millel on mis tahes järgmine omadus:
h.
maht üle 100 cm3 või
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
diameeter või peatelje pikkus üle 80 mm ja paksus (sügavus) üle 20 mm;
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
c. järgmised „kosmosekindlad” optiliste süsteemide komponendid:
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
komponendid, mida on kergendatud vähem kui 20 %-ni „ekvivalenttiheduse” väärtusest, võrreldes sama paksuse ja apertuuriga tahkistoorikuga;
h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
töötlemata põhimikud, töödeldud põhimikud, millel on pinnakate (ühe- ja mitmekihiliste metalsete, dielektriliste, juhtivate, pooljuhtivate või isoleerivate katetega) või kaitsekiled;
i.
peeglite segmendid või koostud, mis on kavandatud optilise süsteemi montaažiks kosmoses, mille koguv apertuur on võrdväärne või suurem kui 1-meetrilise läbimõõduga üksikul optilisel süsteemil;
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
komponendid, mis on valmistatud „komposiit” materjalidest, mille lineaarne soojuspaisumistegur mis tahes telje suunas ei ole üle 5 × 10-6;
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
d. järgmised optilised juhtseadmed:
a.
seadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 6A004.c.1 või 6A004.c.3 nimetatud „kosmosekindlate” komponentide pinnakuju või orientatsiooni säilitamiseks;
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
järgmised juhtimise, jälgimise, stabiliseerimise või resonaatori häälestamise seadmed
c.
a. kiirejuhtimispeeglite astmed, mis on kavandatud sellistele peeglitele, mille diameeter või põhitelje pikkus on rohkem kui 50 mm, ja millel on kõik järgmised omadused, ning spetsiaalselt nende juhtimiseks kavandatud elektroonilised seadmed:
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
maksimaalne nurkliikumine ± 26 mrad või rohkem;
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
mehaaniline võnkesagedus 500 Hz või rohkem ja
a.
nurktäpsus 10 μrad (mikroradiaani) või vähem;
Silicon (Si);
b. resonaatori häälestamise seadmed, mille ribalaiused on 100 Hz või rohkem ja täpsus 10 μrad või vähem;
b.
kardaanriputid, millel on kõik järgmised omadused:
Germanium (Ge);
a. maksimaalne pöördenurk üle 5 °;
c.
b. ribalaius 100 Hz või rohkem;
Silicon carbide (SiC); or
c. nurga fikseerimise viga 200 μrad (mikroradiaani) või vähem ja
d.
d. millel on mõni järgmistest omadustest:
"III/V compounds" of gallium or indium.
diameetri või peatelje pikkus on üle 0,15 m, kuid vähem kui 1 m, ja võimaldab nurkkiirendust 2 rad/s2, või
d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
diameetri või peatelje pikkus on üle 1 m ja võimaldab nurkkiirendust 0,5 rad/s2;
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
e. ‘mittesfäärilised optilised elemendid’, millel on kõik järgmised omadused:
a.
optilise ava suurim mõõde on üle 400 mm;
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
pinna ebatasasus on väiksem kui 1 nm (ruutkeskmine, rms) valimi pikkusel, mis on võrdne või suurem kui 1 mm, ja
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
lineaarse soojuspaisumise absoluutsuuruse tegur on väiksem kui 3 × 10–6/K, 25 °C juures.
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
‘Mittesfääriline optiline element’ on mis tahes optilises süsteemis kasutatav element, mille kujutispind või pinnad on projekteeritud erinema ideaalse sfääri kujust.
b.
Valmistajatelt ei nõuta punktis 6A004.e.2 nimetatud pinna ebatasasuse mõõtmist, kui optiline element ei ole kavandatud või valmistatud kavatsusega kontrollparameetrile vastata või seda ületada.
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Punkt 6A004.e ei hõlma mittesfäärilisi optilisi elemente, millel on mis tahes järgmine omadus:
d.
suurim optilise ava mõõde on väiksem kui 1 m ja fookuskauguse suhe ava suurusesse on võrdne või suurem kui 4,5: 1;
All resists optimised for surface imaging technologies;
suurim optilise ava mõõde on võrdne või suurem kui 1 m ja fookuskauguse suhe ava suurusesse on võrdne või suurem kui 7: 1;
e.
kavandatud Fresnel-, flyeye-, vööt-, prisma- või difrakteeriv-tüüpi optilise elemendina;