natgillin/translations-raw huggingface dataset:
A bandwidth greater than 250 MHz; or
(5. kategooria 2. osa märkus 3), mis on kohandatud konkreetsele tsiviilvaldkonna rakendusele, täiendades neid funktsioonidega, mis ei mõjuta kohandamata originaalseadmete krüptograafilisi omadusi.
A dispersive delay of more than 10 μs; or
traadita „personaalvõrgu” seadmed, mis rakendavad üksnes avaldatud või äriotstarbel turustatavaid krüpteerimisstandardeid ning mille krüpteerimisvõime on piiratud nominaalse tööulatusega mitte üle 30 m kooskõlas tootja spetsifikatsioonidega, või mitte üle 100 m kooskõlas tootja spetsifikatsioonidega seadmete koha, mida ei saa siduda rohkem kui seitsme seadmega;
c.
seadmed, millel ei ole punktides 5A002.a.2, 5A002.a.4, 5A002.a.7, 5A002.a.8 või 5A002.b. nimetatud funktsionaalsust ja on kõik järgmised omadused:
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
punktis 5A002.a nimetatud kogu krüpteerimisvõimel on mis tahes järgmised omadused:
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
seda ei saa kasutada või
'Frequency side-lobe rejection' is the maximum rejection value specified in data sheet.
seda saab teha kasutatavaks ainult „krüptograafilise aktiveerimise” abil ja
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
vajaduse korral, nagu määravad eksportija asukohaliikmesriigi pädevad asutused, on üksikasjalikud andmed seadmete kohta kättesaadavad ja need esitatakse taotluse alusel pädevale asutusele, et tagada vastavus eespool kirjeldatud tingimustele.
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Vt ka punktid 5A002.b, 5D002.d ja 5E002.b.
c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
mobiiltelekommunikatsiooni raadiosidevõrgu (RAN) seadmed, mis on projekteeritud tsiviilkasutuseks ja mis samuti vastavad krüptograafiamärkuse (5. kategooria 2. osa märkus 3) punktide a.2.–a.4. sätetele ning mille raadiosageduse väljundvõimsus on kuni 0,1 W (20 dBm) või väiksem ning mis toetab 16 või vähem samaaegset kasutajat.
d.
ruuterid, kommutaatorid või releed, kus „infoturbe” funktsionaalsus on piiratud „toimingute, halduse või hoolduse” (Operations, Administration or Maintenance, OAM) ülesannetega, mis rakendavad üksnes avaldatud või äriotstarbel turustatavaid krüpteerimisstandardeid või
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
üldkasutatavad arvutiseadmed või serverid, kus „infoturbe” funktsionaalsus vastab kõigile järgnevatele tingimustele:
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
rakendab üksnes avaldatud või äriotstarbel turustatavaid krüpteerimisstandardeid ja
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
millel on mis tahes järgmine omadus:
e.
kategooria 2. osa märkuse 3 sätetele vastava CPU lahutamatu osa;
High energy devices as follows:
punktis 5D002 mitte määratletud operatsioonisüsteemi lahutamatu osa; või
'Cells' as follows:
piiratud seadmete „OAM-iga”.
a.
Järgmised „infoturbe” testimis-, kontrolli- ja „tootmis” seadmed:
'Primary cells' having an 'energy density' exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
a. seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 5A002 või 5B002.b nimetatud seadmete „arenduseks” või „tootmiseks”;
b.
b. mõõteseadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 5A002 nimetatud seadmete või punktis 5D002.a või 5D002.c nimetatud „tarkvara” „infoturbe” funktsioonide hindamiseks või valideerimiseks.
'Secondary cells' having an 'energy density' exceeding 300 Wh/kg at 20 °C;
a. „tarkvara”, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 5A002 nimetatud seadmete või punktis 5D002.c nimetatud „tarkvara” „arenduseks”, „tootmiseks” või „kasutamiseks”;
For the purpose of 3A001.e.1.,'energy density' (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
b. „tarkvara”, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 5E002 nimetatud „tehnoloogia” toetamiseks;
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
c. järgmine spetsiifiline „tarkvara”:
For the purpose of 3A001.e.1., a 'cell' is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
„tarkvara”, millel on punktis 5A002 nimetatud seadmete tunnused või mis täidab või simuleerib nende funktsioone;
It is the basic building block of a battery.
„tarkvara”, mis sertifitseerib punktis 5D002.c.1 nimetatud „tarkvara”.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a 'primary cell' is a 'cell' that is not designed to be charged by any other source.
Punkt 5D002.c. ei hõlma „tarkvara”, mis on piiratud „OAM-i” ülesannetega, mis rakendab üksnes avaldatud või äriotstarbel turustatavaid krüpteerimisstandardeid.
For the purpose of 3A001.e.1.b., a 'secondary cell' is a 'cell' that is designed to be charged by an external electrical source.
d. „tarkvara”, mis on „krüptograafilise aktiveerimise” abil loodud või kohandatud selleks, et võimaldada kaubal saavutada või ületada punktis 5A002.a nimetatud funktsionaalsuse juhitavat toimimistaset, mis ei oleks teisiti võimalik.
e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
a. tehnoloogia üldmärkusele vastav „tehnoloogia” punktides 5A002 ja 5B002 nimetatud seadmete või punktis 5D002.a või 5D002.c nimetatud „tarkvara” „arenduseks”, „tootmiseks” või „kasutamiseks”;
High energy storage capacitors as follows:
b. „tehnoloogia”, mis on loodud või kohandatud selleks, et „krüptograafilise aktiveerimise” abil võimaldada kaubal saavutada või ületada punktis 5A002.a nimetatud funktsionaalsuse juhitavat toimimistaset, mis ei oleks teisiti võimalik.
N.B
Punkt 5E002 hõlmab „infoturbe” tehnilisi andmeid, mis saadakse 5. kategooria 2. osas määratletud funktsioonide, omaduste või tehnikate rakendamise hindamiseks või kindlaks määramiseks läbi viidud protseduuridest.
SEE ALSO 3A201.a. and the Military Goods Controls.
KATEGOORIA –
a.
ANDURID JA LASERID
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Järgmised akustikasüsteemid, -seadmed ja komponendid:
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
a. mereakustikasüsteemid, -seadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ette nähtud komponendid:
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
aktiivsüsteemid (saate- või saate- ja vastuvõtusüsteemid), seadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ette nähtud komponendid:
A total energy equal to or more than 25 kJ;
Punkt 6A001.a.1 ei hõlma järgmisi seadmeid:
b.
akustilised sügavusloodid, mis töötavad vertikaalselt aparatuuri all ja mis ei skaneeri üle ± 20 ° ning mille ülesanded piirduvad vee sügavuse mõõtmisega, kauguse mõõtmisega uppunud või maetud objektideni või kalaparvede leidmisega;
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
akustilised paakpoid:
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
akustilised avariipoid;
A total energy equal to or more than 100 J; and
erilised veealuste lühikeste akustiliste signaalide saatjad (pinger), mis on spetsiaalselt kavandatud veealuse asukoha taasleidmiseks või sinna tagasipöördumiseks.
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
a.
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
Järgmised akustilised merepõhja mõõdistamise seadmed:
SEE ALSO 3A201.b.
pealveesõidukitel asuvad mõõdistusseadmed, mis on ette nähtud merepõhja topograafiliseks kaardistamiseks ning millel on kõik järgmised omadused:
e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
a. kavandatud mõõtmiseks vertikaali suhtes üle 20 ° nurga all;
a.
b. kavandatud enam kui 600 m sügavusel oleva merepõhja topograafiliseks mõõdistamiseks;
b.
d. sügavuse täpsuse ‘parandamine’ järgmiste näitajate kompenseerimise kaudu:
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
akustilise anduri liikumine,
c.
heli levimine vees andurist merepõhjani ja tagasi;
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
heli kiirus anduri juures;
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated 'AM0' illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
‘Loodimise resolutsioon’ on mõõtelehviku laius (kraadi) jagatud maksimaalse loodimiste arvuga mõõtelehviku kohta.
'AM0', or 'Air Mass Zero', refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
‘Parandamine’ hõlmab võimet kompenseerida väliste vahenditega.
f.
allveemõõteseadmed, mis on kavandatud merepõhja topograafiliseks kaardistamiseks ning millel on mõni järgmistest omadustest:
Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ± 1,0 second of arc;
Akustilise anduri rõhu nimiväärtus määrab punktis 6A001.a.1.a.2 määratletud seadmete sügavuse nimiväärtuse.
g.
a. millel on kõik järgmised omadused:
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and 'thyristor modules', using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
kavandatud või kohandatud toimima sügavamal kui 300 m ja
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
‘loodimise sagedus’ on suurem kui 3800 m/s või
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
‘Loodimise sagedus’ (‘sounding rate’) on anduri suurima töökiiruse (m/s) korrutis maksimaalse mõõtmiste arvuga mõõtelehviku kohta, eeldades 100 %-list katvust.
a.
Kahes suunas loodimisi teostavate süsteemide (3D-hüdrolokaatorite) puhul tuleks mõlemas suunas loodimisel kasutada maksimaalset ‘loodimise sagedust’.
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
b.
b.
Punktis 6A001.a.1.a.2.a nimetamata mõõtmisseadmed, millel on kõik järgmised omadused:
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
kavandatud või kohandatud toimima sügavamal kui 100 m ja
g. includes:
kavandatud mõõtmiseks vertikaali suhtes üle 20 ° nurga all;
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
a. töösagedus alla 350 kHz, või
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
b. kavandatud akustilisest andurist rohkem kui 200 m kaugusel oleva merepõhja topograafiliseks mõõdistamiseks, ja
Light Triggering Thyristors (LTTs)
sügavuse täpsuse ‘parandamine’ kõikide järgmiste näitajate kompenseerimise teel:
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
a. akustilise anduri liikumine,
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
b. heli levimine vees andurist merepõhjani ja tagasi ja
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
c. heli kiirus anduri juures;
Solidtrons
kaldskaneerimissonar (Side Scan Sonar, SSS) või sünteetilise apertuuri sonar (Synthetic Aperture Sonar, SAS), mis on projekteeritud merepõhja pildistamiseks ja millel on kõik järgmised omadused ning nende jaoks spetsiaalselt projekteeritud akustilised edastus- ja vastuvõtumaatriksid:
g. does not control thyristor devices and 'thyristor modules' incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
a. kavandatud või kohandatud toimima sügavamal kui 500 m,
For the purposes of 3A001.g., a 'thyristor module' contains one or more thyristor devices.
b. ‘ala katvuse määr’ suurem kui 570 m2/s töötamisel maksimaalkiirusel, millel ta saab töötada väiksema kui 15 cm ‘pikiresolutsiooniga’, ja
h.
c. ‘ristiresolutsioon’ väiksem kui 15 cm;
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or 'modules', having all of the following:
‘Ala katvuse määr’ (m2/s) on kahekordne sonari maksimaalse tööpiirkonna (m) ja sonari selles ulatuses võimaliku maksimaalkiiruse (m/s) korrutis.
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
‘Pikiresolutsioon’ (‘along track resolution’) (cm) (ainult SSS jaoks) on asimuudi (horisontaalne) kimbu laiuse (kraadi) ja sonari tööpiirkonna (m) ja 0,873 korrutis.
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
‘Ristiresolutsioon’ (‘across track resolution’) (cm) on 75 jagatud signaali ribalaiusega (kHz).
Continuous current greater than 1 A.
b.
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Süsteemid või edastus- ja vastuvõtumaatriksid, mis on projekteeritud objektide tuvastamiseks või nende asukoha määramiseks ja millel on mis tahes järgmised omadused:
h. includes:
saatesagedus alla 10 kHz;
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
sagedusribas 10 kHz kuni 24 kHz (kaasa arvatud) töötavate seadmete helirõhk on üle 224 dB (arvestatud 1 μPa kohta 1 m kaugusel);
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
sagedusribas 24–30 kHz töötavate seadmete helirõhk ületab 235 dB (arvestatud 1 μPa kohta 1 m kaugusel);
Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)
moodustab mis tahes telje suunas kitsamaid kui 1 ° kimpe ning mille töösagedus on väiksem kui 100 kHz;
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
kavandatud töötama üheselt mõistetava näidikuga, mille näitepiirkond ületab 5120 m, või
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
kavandatud normaalse töö käigus taluma sügavamal kui 1000 m valitsevat rõhku ning millel on muundurid ühega järgmistest:
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
a. rõhu dünaamilise kompenseerimine; või
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
b. muundurelemendina kasutatakse muud kui pliitsirkonaattitanaati;
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
c. akustilised projektorid, kaasa arvatud muundurid, mis sisaldavad piesoelektrilisi, magnetostriktsioon-, elektrostriktsioon-, elektrodünaamilisi või hüdraulilisi elemente, mis toimivad individuaalselt või kavandatud kombinatsioonis ja millel on mis tahes järgmine omadus:
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
Akustiliste projektorite, kaasa arvatud muundurite, mis on spetsiaalselt kavandatud muude seadmete jaoks ega ole välja toodud punktis 6A001, kontrolli alla kuulumine määratakse vastavalt muude seadmete kontrolli alla kuulumisega.
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
Punkt 6A001.a.1.c ei hõlma elektroonilisi heliallikaid, mis suunavad heli ainult vertikaalses suunas, või mehaanilisi heliallikaid (nt õhkkahur või aurulöökkahur) või keemilisi heliallikaid (nt lõhkeained).
PiN Diodes
Punktis 6A001.a.1.c. määratletud piesoelektrilised elemendid hõlmavad elemente, mis on valmistatud tahkest lahusest kasvatatud plii-magneesium-niobaadi/pliititanaadi (Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3, või PMN-PT) monokristallidest või tahkest lahusest kasvatatud plii-indium-niobaadi/plii-magneesium-niobaadi/plii-titanaadi (Pb(In1/2Nb1/2)O3–Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–PbTiO3, või PIN-PMN-PT) monokristallidest.
Schottky Diodes
toimivad sagedustel alla 10 kHz ja on mis tahes järgmise omadusega:
h. does not control switches, diodes, or 'modules', incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
a. ei ole mõeldud 100 %-lise töötsükliga pidevaks töötamiseks ja mille eraldatud kiirguse ‘vaba välja algtase (SLRMS)’ ületab (10log(f) + 169,77) dB (arvestatud 1 μPa kaugusel 1 m), kus f on maksimaalse saatepinge koste sagedus hertsides ja vähem kui 10 kHz, või
For the purposes of 3A001.h., 'modules' contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
b. on mõeldud 100 %-lise töötsükliga pidevaks töötamiseks ja mille eraldatud kiirguse ‘vaba välja algtase (SLRMS)’ ületab 100 %-se töötsükliga (10log(f) + 159,77) dB (arvestatud 1 μPa kaugusel 1 m), kus f on maksimaalse saatepinge koste (TVR) sagedus hertsides ja vähem kui 10 kHz, või
General purpose electronic equipment as follows:
Vaba välja algtase (SLRMS) määratakse maksimaalsel kosteteljel ja akustilise projitseerija kaugväljal.
a.
See leitakse saatepinge koste järgi järgmise võrrandi alusel: SLRMS = (TVR + 20log VRMS) dB (arvestatud 1 μPa kaugusel 1 m), kus SLRMS on algtase, TVR on saatepinge koste (Transmitting Voltage Response) ja VRMS on projitseerija vedav pinge.
Recording equipment and oscilloscopes as follows:
karakteristiku külghõlma summutus on üle 22 dB;
Waveform digitisers and transient recorders, having all of the following:
d. akustilised süsteemid ja seadmed peal- või allveesõidukite asukoha kindlaksmääramiseks, millel on kõik järgmised omadused, ja spetsiaalselt nende jaoks ette nähtud osad:
a.
avastamispiirkond ületab 1000 m ja
Digitising rate equal to or more than200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more;
asukoha kindlaksmääramise ruutkeskmine täpsus on väiksem kui 10 m mõõdetuna 1000 m piirkonnas,
b.
Punkt 6A001.a.1.d hõlmab järgmist:
A 'continuous throughput' of 2 Gbit/s or more; and
seadmed, mis kasutavad koherentset „signaalitöötlust” kahe või enama akustilise majaka vahel ja hüdrofonmoodulit, mis asub kas peal- või allveesõidukis;
c.
seadmed, mis võimaldavad automaatselt korrigeerida heli levimise kiiruse vigu mingi punkti asukoha arvutamisel.
Triggered acquisition of transients or aperiodic signals
e. aktiivhüdrolokaatorid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või kohandatud ujujate või sukeldujate tuvastamiseks, asukoha määramiseks ja automaatseks liigitamiseks ning millel on kõik järgmised omadused ja mis on spetsiaalselt projekteeritud nende jaoks akustiliste maatriksite edastamiseks ja vastuvõtmiseks:
For those instruments with a parallel bus architecture, the 'continuous throughput' rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
avastamispiirkond ületab 530 m,
'Continuous throughput' is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
asukoha kindlaksmääramise ruutkeskmine täpsus on väiksem kui 15 m mõõdetuna 530 m piirkonnas ja
For the purposes of 3A002.a.5.c., acquisition can be triggered internally or externally.
edastatava impulsi ribalaius on üle 3 kHz.
Digital instrumentation data recorder systems using magnetic disk storage technique and having all of the following, and specially designed digital recorders therefor:
Spetsiaalselt sõjaliseks kasutamiseks loodud või kohandatud sukeldujate avastamise süsteemide kohta vt sõjaliste kaupade nimekirja.
a.
Kui punkti 6A001.a.1.e kohta on erinevate keskkondade suhtes kindlaks määratud mitu avastamispiirkonda, kasutatakse suurimat avastamispiirkonda.
Digitised instrumentation data rate equal to or more than 100 million samples per second at a resolution of 8 bit or more; and
passiivsed süsteemid, -seadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ette nähtud komponendid:
b.
a. hüdrofonid, millel on mis tahes järgmine omadus:
A 'continuous throughput' of 1 Gbit/s or more;
Muu seadmestiku jaoks spetsiaalselt kavandatud hüdrofonide kontrolli alla kuulumine määratakse muu seadmestiku kontrolli alla kuulumisega.
Digital instrumentation data recorder systems can be configured either with a digitiser integrated within or outside the digital recorder.
Hüdrofonid koosnevad ühest või enamast üksiku akustilise väljundkanaliga tajurist.
Real-time oscilloscopes having a vertical root-mean-square (rms) noise voltage of less than 2 % of full-scale at the vertical scale setting that provides the lowest noise value for any input 3dB bandwidth of 60 GHz or greater per channel;
Mitmest elemendist koosnevat hüdrofoni võib nimetada hüdrofonigrupiks.
a.7. does not control equivalent-time sampling oscilloscopes
sisaldavad ühtselt pidevaid paindlikke tundlikke elemente;
c.
sisaldavad paindlikke diskreetsete tundlike elementide gruppe, mille diameeter või pikkus on alla 20 mm ning elementidevaheline eraldatus on alla 20 mm;
"Signal analysers" as follows:
omavad mis tahes järgmisi tundlikke elemente:
"Signal analysers" having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz;
a. optilised kiud,
"Signal analysers" having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than -150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
b. ‘piesoelektrilised polümeerkiled’, v.a polüvinüülideenfluoriid (PVDF) ja selle kopolümeerid (P(VDF-TrFE) ja P(VDF-TFE),
"Signal analysers" having a frequency exceeding 90 GHz;
c. ‘paindlikud piesoelektrilised komposiidid’;
"Signal analysers" having all of the following:
d. piesoelektrilised tahkest lahusest kasvatatud plii-magneesium-niobaadi/plii-titanaadi (s.o Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 või PMN-PT) monokristallid, või
a.
e. tahkest lahusest kasvatatud piesoelektrilised plii-indium-niobaadi/plii-magneesium-niobaadi/plii-titanaadi (s.o Pb(In1/2Nb1/2)O3–Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–PbTiO3 või PIN-PMN-PT) monokristallid;
"Real-time bandwidth" exceeding 170 MHz; and
‘hüdrofoni tundlikkus’ on parem kui –180 dB igal sügavusel ilma kiirenduse kompensatsioonita;
b.
loodud tööks sügavamal kui 35 m kiirenduse kompenseerimisega, või
100 % probability of discovery with less than a 3 dB reduction from full amplitude due to gaps or windowing effects of signals having a duration of 15 μs or less;
ette nähtud tööks sügavamal kui 1000 m;
Probability of discovery in 3A002.c.4.b. is also referred to as probability of intercept or probability of capture.
‘Piesoelektrilisest polümeerkilest’ tundlikud elemendid koosnevad polariseeritud polümeerkilest, mis on tõmmatud üle tugiraami või pooli (südamiku) ja selle külge kinnitatud.
For the purposes of 3A002.c.4.b., the duration for 100 % probability of discovery is equivalent to the minimum signal duration necessary for the specified level measurement uncertainty.
‘Paindlikest piesoelektrilistest komposiitidest’ tundlikud elemendid koosnevad piesoelektrilistest keraamilistest osakestest või kiududest, mis on seotud elektrit isoleeriva, akustiliselt läbipaistva kummi, polümeeri või epoksü ühendiga, kusjuures nimetatud ühend on tundliku elemendi lahutamatu osa
c.4. does not control those "signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
‘Hüdrofoni tundlikkus’ on kahekümnekordne kümnendlogaritm väljundpinge ruutkeskmise väärtuse suhtest 1 V võrdluspingesse, kusjuures ilma eelvõimendajata hüdrofoni andur on asetatud akustilise tasalainete välja, milles ruutkeskmine helirõhu väärtus on 1 μPa.
"Signal analysers" having a "frequency mask trigger" function with 100 % probability of trigger (capture) for signals having a duration of 15μs or less;
b. järelveetavad akustiliste hüdrofonide võresüsteemid, millel on mis tahes järgmine omadus:
d.
Hüdrofonide võresüsteemid koosnevad hulgast hüdrofonidest, mis annavad mitu akustilise sisendi kanalit.
Signal generators having any of the following:
üksikute hüdrofonigruppide vaheline kaugus on väiksem kui 12,5 m või ‘kohandatav’, et hüdrofonigruppide vaheline kaugus oleks väiksem kui 12,5 m;
Specified to generate pulse-modulated signals having all of the following, anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz:
kavandatud või ‘kohandatav’ tööks sügavamal kui 35 m;