natgillin/translations-raw huggingface dataset:
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesise compound coatings is an ordinary modification of the process.
b. Termoaurustamine / füüsikaline aurustamine-sadestamine (TE-PVD) on pinnakatmise menetlus, mis viiakse läbi vaakumis rõhul vähem kui 0,1 Pa ja milles kasutatakse kattematerjali aurustamiseks soojusallikat.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating’s deposition is also a common modification in this technique.
Selle menetluse käigus kondenseerub või sadestub aurustunud aine sobivalt asetatud põhimiku pinnale. Lisagaaside juhtimine vaakumkambrisse pinnakatmise protsessi ajal sünteesimaks ühendkatteid on tavaline menetluse modifikatsioon.
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
Ioon- või elektronkiirte või plasma kasutamine pinnakatte sadestumise aktiveerimiseks või aitamiseks on samuti selle tehnika tavaline modifikatsioon. Menetluse üheks iseloomulikuks jooneks võib olla protsessi käigus monitoride kasutamine katete paksuse ja optiliste parameetrite mõõtmiseks.
Specific TE-PVD processes are as follows:
Järgmised protsessid on iseloomulikud TE-PVD-protsessid.
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
Elektronkiire abil toimuval aurustamisel-sadestamisel (PVD) kasutatakse elektronkiirt katet moodustava aine soojendamiseks ning aurustamiseks.
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
Ioonide abil toimuva takistusliku kuumutamisega tekitatud aurustamisel-sadestamisel kasutatakse takistuslikke elektrilisi soojusallikaid kombinatsioonis põrkuvate ioonkiirtega, et saavutada reguleeritud ühtlast aurustatud katteaine voogu.
“Laser” Vaporisation uses either pulsed or continuous wave “laser” beams to vaporise the material which forms the coating;
„Laser” aurustamisel kasutatakse kas impulss- või pidevlaine „laser” kiiri katet moodustava aine aurustamiseks.
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
Katoodsadestamisel kasutatakse pinnakatet moodustavast ainest kuluvat katoodi ja kaarlahendust, mis süüdatakse hetkelisel katoodi ja pinna kokkupuutel.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionised plasma.
Kaare kontrollitav liikumine kulutab katoodi pinda, moodustades üliioniseeritud plasma.
Substrate biasing is used for non-line-of-sight deposition.
Mittesirgjoonelise sadestamise korral kasutatakse põhimiku eelpingestamist.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionise the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Ioonpindamine on üks erijuht üldisest termoaurustamise / füüsikalise aurustamise-sadestamise (TE-PVD) menetlusest, mille käigus kasutatakse plasmat või iooniallikat sadestatava aine ioniseerimiseks ning sadestatava aine eraldamiseks plasmast rakendatakse põhimikule negatiivset eelpinget.
c. Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
c. Tahke tsementiitimine on pinna muundamise või katmise menetlus, milles põhimik on asetatud pulbrisegusse (pakend), mis koosneb järgmisest:
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Tabelis on viidatud vaid triood-, magnetron- või reaktiiv- atomisatsioonsadestamisele, mida kasutatakse katte nakkuvuse ja sadestuskiiruse suurendamiseks ning raadiosageduslikult suurendatud atomisatsioonsadestamisel, mis võimaldab aurustada ka mittemetallilisi kattematerjale.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
See hõlmab ka menetlusi, milles ioonlegeerimine teostatakse samaaegselt elektronkiire abil toimuva aurustamise-sadestamise või atomisatsioonsadestamisega. 3. KATEGOORIA ELEKTROONIKA 3 A Süsteemid, seadmed ja komponendid
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Märkus 1: selliste (valmis või poolvalmis) pooljuhtplaatide kontrolli alla kuulumist, mille otstarve on kindlaks määratud, hinnatakse punkti 3A001.a parameetrite põhjal.
Integrated circuits include the following types:
integraallülituste tüübid:
“Monolithic integrated circuits”;
„monoliit-integraallülitused”;
“Hybrid integrated circuits”;
„hübriidintegraallülitused”;
“Multichip integrated circuits”;
„mitmekiibilised integraallülitused”;
“Film type integrated circuits”, including silicon-on-sapphire integrated circuits;
„kile-tüüpi integraallülitused”, kaasa arvatud räni-safiir-tüüpi integraallülitused;
“Optical integrated circuits”.
„optilised integraallülitused”.
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
integraallülitused, mis on planeeritud või arvestatud taluma kiirgust järgmiselt:
a. A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
a. kogudoos, mille väärtus on 5 × 103 Gy (räni) või rohkem;
a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
c. neutronite (1 MeV ekvivalent) integreeritud vootihedus 5 × 1013 n/cm2 või suurem räni korral või selle ekvivalent muude ainete korral; Märkus: punkti 3A001.a.1.c ei kohaldata metall-isolaator-pooljuht- (MIS) struktuuride suhtes.
“Microprocessor microcircuits”, “microcomputer microcircuits”, microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or “optical integrated circuits” designed for “signal processing”, field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
„mikroprotsessori mikroskeemid”, „mikroarvuti mikroskeemid”, mikrokontrolleri mikroskeemid, liitpooljuhtidest valmistatud mäluintegraallülitused, analoog-digitaal-muundajad, digitaal-analoog-muundajad, „signaalitöötluseks” ettenähtud elektrooptilised või „optilised integraallülitused”, kasutaja poolt programmeeritavad loogikaseadmed, tundmatu otstarbega tavaintegraallülitused või integraallülitused, mis on ette nähtud kasutamiseks teadmata kontrollitavusega seadmes, Fourier’ kiirteisenduse (FFT) protsessorid, programmeeritavad elekterkustutusega püsimälud (EEPROM), välkmälud või staatilised muutmälud (SRAM), millel on mis tahes järgmine omadus:
a. Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
a. määratud toimima keskkonnatemperatuuril üle 398 K (125 °C);
b. Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
b. määratud toimima keskkonnatemperatuuril alla 218 K (–55 °C) või
c. Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
c. määratud toimima keskkonnatemperatuuril 218 K (–55 °C) kuni 398 K (125 °C);
a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
punkti 3A001.a.2 ei kohaldata integraallülituste suhtes, mida kasutatakse tsiviilotstarbelistes autodes või rongides.
“Microprocessor microcircuits”, “microcomputer microcircuits” and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
„mikroprotsessori mikroskeemid”, „mikroarvuti mikroskeemid” ja mikrokontrolleri mikroskeemid, mis on valmistatud liitpooljuhist ja toimib taktsagedusel üle 40 MHz;
a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
punkt 3A001.a.3 hõlmab digitaalseid signaalprotsessoreid, digitaalmaatriksprotsessoreid ja digitaalseid kaasprotsessoreid.
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
analoog-digitaalmuunduri (ADC) ja digitaal-analoogmuunduri (DAC) integraallülitused:
a. ADCs having any of the following:
a. analoog-digitaalmuundurid, millel on mis tahes järgmine omadus:
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 300 million words per second;
eraldusvõime üle 10 biti, kuid vähem kui 12 bitti, väljundsagedusega rohkem kui 300 miljonit sõna sekundis;
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 200 million words per second;
eraldusvõime 12 bitti, väljundsagedusega rohkem kui 200 miljonit sõna sekundis;
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 125 million words per second; or
eraldusvõime üle 12 biti, kuid võrdne või vähem kui 14 bitti, väljundsagedusega rohkem kui 125 miljonit sõna sekundis või
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 20 million words per second;
eraldusvõime üle 14 biti, väljundsagedusega rohkem kui 20 miljon sõna sekundis;
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
Bittide arv väljundsõnas vastab ADC eraldusvõimele.
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
Väljundsagedus on muunduri maksimaalne väljundsagedus, sõltumata muunduri arhitektuurist ja ülevõendamisest.
For ‘multiple channel ADCs’, the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
‘Mitmekanaliliste ADCde’ puhul väljundeid ei liideta ja väljundsagedus on iga kanali maksimaalne väljundsagedus.
For ‘interleaved ADCs’ or for ‘multiple channel ADCs’ that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
‘Kombineeritud ADCde’ puhul või selliste ‘mitmekanaliliste ADCde’ puhul, millel on kirjelduse kohaselt kombineeritud töörežiim, väljundid liidetakse ja väljundsagedus on kõikide väljundite maksimaalne summaarne väljundsagedus.
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
Tarnijad võivad väljundsagedust nimetada ka võendamissageduseks, muundussageduseks või läbilaskevõimeks.
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Sageli spetsifitseeritakse ta megahertsides (MHz) või megavõenditena sekundis (MSPS).
‘Multiple channel ADCs’ are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
‘Mitmekanalilised ADCd’ määratletakse kui seadmed, mis ühendavad rohkem kui ühe ADC, ja need on kavandatud nii, et igal ADC-l on eraldi analoogsisend.
‘Interleaved ADCs’ are defined as devices which have multiple ADC units that sample the same analogue input at different times such that when the outputs are aggregated, the analogue input has been effectively sampled and converted at a higher sampling rate.
‘Kombineeritud ADCd’ määratletakse kui seadmed, millel on mitu ADC ühikut, mis koguvad sama analoogsisendit erinevatel aegadel, nii et kui väljundeid liidetakse, kogutakse analoogsisend tegelikult ja konverteeritakse kõrgemal võendamissagedusel.
b. Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
b. digitaal-analoogmuundurid (DAC), millel on mis tahes järgmine omadus:
A resolution of 10 bit or more with an ‘adjusted update rate’ of 3500 MSPS or greater; or
eraldusvõime 10 bitti või enam koos ‘sobitatud uuendussagedusega’ (adjusted update rate) 3500 megavõendit või enam sekundis (MSPS) või
A resolution of 12 bit or more with an ‘adjusted update rate’ of equal to or greater than 1250 MSPS and having any of the following:
eraldusvõime 12 bitti või enam koos ‘sobitatud uuendussagedusega’ (adjusted update rate) 1250 megavõendit või enam sekundis (MSPS) ja millel on mis tahes järgmine omadus:
a. A settling time less than 9 ns to 0,024 % of full scale from a full scale step; or
a. siirdeaeg on vähem kui 9 ns 0,024 %-ni täisskaalast täisskaala astmest või
b. A ‘Spurious Free Dynamic Range’ (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
b. ‘häiringuvaba dünaamiline diapasoon’ on suurem, kui 68 dBc (carrier), kui sünteesitakse 100 MHz maksimaalse amplituudiga analoogsignaali või maksimaalse ampliituudiga analoogsignaali, mille määratud sagedus alla 100 MHz.
‘Spurious Free Dynamic Range’ (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
‘Häiringuvaba dünaamiline diapasoon’ (SFDR) on määratletud kui DAC sisendi kandesageduse (maksimaalse signaali) RMSi (ruutkeskmise väärtuse) ning DAC väljundi järgmise suurima müraga või harmooniliste moonutustega komponendi RMSi (ruutkeskmise väärtuse) suhe.
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
SFDR määratakse otse spetsifikatsioonitabeli abil või SFDRi ja sageduse vastavusdiagrammide abil.
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than – 3 dBfs (full scale).
Signaal on täisskaalas, kui selle amplituud on suurem, kui –3 dBfs (maksimaalselt vōimalikust vähem kui 3 dB võrra väiksem).
‘Adjusted update rate’ for DACs:
‘Sobitatud uuendussagedus’ DACde jaoks:
For conventional (non-interpolating) DACs, the ‘adjusted update rate’ is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
tavapäraste (mitte-interpoleerivate) DACde puhul on ‘sobitatud uuendussagedus’ määr, mille ulatuses on DACs muundatud digitaalsignaal analoogsignaaliks ning muudetud DAC väljundi analoogväärtused.
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
DACsid, mille interpoleerimisrežiimist saab mööda minna (interpoleerimistegur on üks) tuleks pidada tavapäraseks (mitteinterpoleerivaks) DACdeks.
For interpolating DACs (oversampling DACs), the ‘adjusted update rate’ is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
interpoleerimise (DAC ülevõendamise) puhul on ‘sobitatud uuendussagedus’ DAC uuendussagedus jagatuna väikseima interpoleerimisteguriga.
For interpolating DACs, the ‘adjusted update rate’ may be referred to by different terms including:
Interpoleerimise puhul võib ‘sobitatud uuendussagedus’ kanda erinevaid nimetusi, sealhulgas
input data rate
sisendi andmeuuendussagedus,
input word rate
sisendi sõnauuendussagedus,
input sample rate
sisendi võendisagedus,
maximum total input bus rate
sisendi maksimaalne siini- (bus) sagedus,
maximum DAC clock rate for DAC clock input.
DAC maksimaalne sünkroniseerimis- (clock) sagedus sünkrosisenidil.
Electro-optical and “optical integrated circuits”, designed for “signal processing” and having all of the following:
„Signaalitöötluseks” arendatud elektro-optilised ja „optilised integraallülitused”, milles on kõik järgmine:
a. One or more than one internal “laser” diode;
a. üks või enam kui üks sisemine „laser” diood,
b. One or more than one internal light detecting element; and
b. üks või enam kui üks sisemine valgust detekteeriv element ja
c. Optical waveguides;
c. optilised lainejuhid;
‘Field programmable logic devices’ having either of the following:
‘kasutaja poolt programmeeritav loogikaseade’, millel on mis tahes järgmistest omadustest:
a. A maximum number of digital input/outputs greater than 200; or
a. digitaalsete sisendite/väljundite maksimaalne arv on suurem kui 200 või
b. A system gate count of greater than 230000;
b. süsteemi loogikaventiilide arv on suurem kui 230000;
a.7. includes:
punkti 3A001.a.7 alla kuuluvad:
Field Programmable Interconnects (FPICs)
väljaga programmeeritavad ühendused (FPIC).
‘Field programmable logic devices’ are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
‘Kasutaja poolt programmeeritavad loogikaseadmed’ on tuntud ka kui kasutaja programmeeritav ventiil või kasutaja programmeeritavad loogikamaatriksid.
a. More than 1500 terminals;
a. rohkem kui 1500 klemmi,
b. A typical “basic gate propagation delay time” of less than 0,02 ns; or
b. tüüpiline „hilistus põhiventiilis levimisel” on alla 0,02 ns või
c. An operating frequency exceeding 3 GHz;
c. töösagedus on üle 3 GHz;
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having either of the following:
digitaalintegraallülitused, muud kui punktides 3A001.a.3–3A001.a.10 või punktis 3A001.a.12 nimetatud, mis on valmistatud liitpooljuhtide baasil ning millel on järgmised omadused:
a. An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
a. ekvivalentsete ventiilide arv on üle 3000 (kahe sisendiga ventiilid) või
b. A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
b. ümberlülitussagedus on üle 1,2 GHz;
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N) /20480 ms, where N is the number of points;
Fourier’ kiirteisenduse (FFT) protsessorid, mille arvestuslik N-punktilise kompleksse Fourier’ kiirteisenduse tegemise aeg on lühem kui (N log2 N) / 20480 ms, kus N on punktide arv;
b. Microwave or millimetre wave components, as follows:
b. mikro- ja millimeeterlaineseadmete komponendid:
b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band and having both of the following:
Märkus 1: punkt 3A001.b.1 ei hõlma lampe, mis on kavandatud või arvestatud tööks sagedusribades, millel on kõik järgmised omadused:
Is “allocated by the ITU” for radio-communications services, but not for radio-determination.
„ITU poolt eraldatud” raadioside jaoks, aga mitte ette nähtud asukoha määramiseks.
b.1. does not control non-“space-qualified” tubes having all of the following:
punkt 3A001.b.1 ei hõlma mitte-„kosmosekindlaid” lampe, millel on kõik järgmised omadused:
a. Travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
a. järgmised jooksva laine lambid, impulss- või pidevlainele:
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a “fractional bandwidth” of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
sidestatud õõnestorud või nende modifikatsioonid, „osaribalaiusega” üle 7 % või tippvõimsusega üle 2,5 kW;
Helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
spiraallaine torud või nende modifikatsioonid, millel on mis tahes järgmine omadus:
a. An “instantaneous bandwidth” of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
a. „hetkribalaius” on üle ühe oktaavi ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on üle 0,5;
b. An “instantaneous bandwidth” of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
b. „hetkribalaius” on üks oktaav või vähem ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on suurem kui 1 või
c. Being “space-qualified”;
c. on „kosmosekindel”;
b. Crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
b. ristväli võimenduslambid võimendusega üle 17 dB;
c. Impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
c. elektronlampidele määratud impregneeritud katoodid, mis tagavad pideva emissioonivoolu tiheduse, mis on arvestuslikes nimitingimustes üle 5 A/cm2;
Microwave “Monolithic Integrated Circuits” (MMIC) power amplifiers having any of the following:
Mikrolaine „monoliitsete integraallülituste” (MMIC) võimsusvõimendid, millel on mis tahes järgmine omadus:
a. Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6,8 GHz and with an average output power greater than 4 W (36 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 15 %;
a. määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6,8 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 4 W (36 dBm) ja nende „osaribalaius” on üle 15 %;
b. Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1 W (30 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 10 %;
b. määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6,8 GHz ja ulatuvad kuni 16 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) „osaribalaiusega” üle 10 %;
c. Rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8 W (29 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 10 %;
c. määratud toimima sagedustel, mis ületavad 16 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,8 W (29 dBm) ja nende „osaribalaius” on üle 10 %;
d. Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and with an average output power greater than 0,1 nW;
d. määratud toimima sagedustel, mis ületavad 31,8 GHz ja ulatuvad kuni 37,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,1 nW;
e. Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25 W (24 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 10 %; or
e. määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,25 W (24 dBm) ja nende „osaribalaius” on üle 10 %, või
Not used.
ei kasutata.
Notes 1 and 2 in 3A mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g. telecommunications, radar, automobiles.
Märkus 1: ei kasutata. Märkus 2: MMIC, mille arvestuslik töösagedus hõlmab rohkem kui üht punktides 3A001.b.2.a kuni 3A001.b.2.f määratletud sagedusvahemikku, kontrolli alla kuulumine määratakse väikseima keskmise väljundvõimsuse kontroll-läve järgi. Märkus 3: punkti 3A märkused 1 ja 2 tähendavad, et punkt 3A001.b.2 ei hõlma MMICsid, kui nad on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks muudeks eesmärkideks, näiteks telekommunikatsioonis, radarites, autodes.
a. Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6,8 GHz and having an average output power greater than 60 W (47,8 dBm);
a. määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6,8 GHz (kaasa arvatud), ja keskmise väljundvõimsusega üle 60 W (47,8 dBm);
b. Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz and having an average output power greater than 20 W (43 dBm);
b. määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6,8 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz (kaasa arvatud), ja keskmise väljundvõimsusega üle 20 W (43 dBm);
c. Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and having an average output power greater than 0,5 W (27 dBm);
c. määratud toimima sagedustel, mis ületavad 31,8 GHz ja ulatuvad kuni 37,5 GHz (kaasa arvatud), ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,5 W (27 dBm);
d. Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1 W (30 dBm); or
d. määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz (kaasa arvatud), ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm), või