natgillin/translations-raw huggingface dataset:
e. Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz and having an average output power greater than 0,1 nW;
e. määratud toimima sagedustel, mis ületavad 43,5 GHz, ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,1 nW;
The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
punktides 3A001.b.3.a kuni 3A001.b.3.e määratletud rohkem kui üht sagedusvahemikku hõlmava arvestusliku töösagedusega transistori kontrolli alla kuulumine määratakse väikseima keskmise väljundvõimsuse kontroll-läve järgi.
a. Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6,8 GHz and with an average output power greater than 60 W (47,8 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 15 %;
a. määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6,8 GHz (kaasa arvatud), ja keskmise väljundvõimsusega üle 60 W (47,8 dBm) „osaribalaiusega” üle 15 %;
b. Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15 W (42 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 10 %;
b. määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6,8 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz (kaasa arvatud), ja keskmise väljundvõimsusega üle 15 W (42 dBm) „osaribalaiusega” üle 10 %;
c. Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and with an average output power greater than 0,1 nW;
c. määratud toimima sagedustel, mis ületavad 31,8 GHz ja ulatuvad kuni 37,5 GHz (kaasa arvatud), ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,1 nW;
d. Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1 W (30 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 10 %;
d. määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz (kaasa arvatud), ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) „osaribalaiusega” üle 10 %;
e. Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,1 nW; or
e. määratud toimima sagedustel, mis ületavad 43,5 GHz, ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,1 nW või
f. Rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
f. määratud toimima sagedustel üle 3,2 GHz ja millel on kõik järgmised omadused:
An average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P > 150 W*GHz2/fGHz2];
keskmine väljundvõimsus (P, vattides), mis on suurem kui 150 jagatud maksimaalse töösageduse (gigahertsides) ruuduga [P > 150 W * GHz2/fGHz2];
A “fractional bandwidth” of 5 % or greater; and
„osaribalaius” 5 % või rohkem ja
Any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15 cm*GHz/ fGHz];
mis tahes kaks teineteisega risti asetsevat külge, mille pikkus (d, sentimeetrites) on võrdne või väiksem kui 15 jagatud väikseima töösagedusega gigahertsides GHz [d ≤ 15 cm*GHz/ fGHz];
3,2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3,2 GHz and below [d ≤ 15 cm*GHz/3,2 GHz].
3,2 GHz tuleks kasutada kui väikseimat töösagedust gigahertsides (fGHz) punktis 3A001.b.4.f.3 toodud valemis selliste võimendite puhul, mille arvestuslik töörežiim hõlmab ka madalamate sageduste piirkonda kui 3,2 GHz [d ≤ 15 cm*GHz/3,2 GHz].
MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
MMIC võimsusvõimendeid tuleks hinnata punktis 3A001.b.2 määratletud kriteeriumide järgi.
The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
osa, mille arvestuslik töösagedus hõlmab rohkem kui üht punktides 3A001.b.4.a kuni 3A01.b.4.e määratletud sagedusvahemikku, kontrolli alla kuulumine määratakse väikseima keskmise väljundvõimsuse kontroll-läve järgi.
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs and having either of the following:
Elektrooniliselt või magnetiliselt häälestatavad ribapääsfiltrid (band-pass) või ribatõkkefiltrid (band-stop), mis sisaldavad enam kui 5 timmitavat resonaatorit, mida on võimalik vähem kui 10 mikrosekundi jooksul häälestada sagedusribale, mille fmax/fmin on 1,5:1 ja millel on järgmised omadused:
a. A band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
a. ribapääs (band-pass) ribalaiusega, mis on laiem kui 0,5 % kesksagedusest, või
b. A band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
b. ribatõke (band-stop) ribalaiusega, mis on kitsam kui 0,5 % kesksagedusest;
Converters and harmonic mixers, designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
muundajad ja harmoonilised segustid/mikserid, mis on konstrueeritud punktis 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e või 3A002.f nimetatud seadmete sagedusriba laiendamiseks üle eespool nimetatud punktides kehtestatud piiride;
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
mikrolaine võimsusvõimendid, mis sisaldavad punktis 3A001.b.1 nimetatud lampe ja millel on kõik järgmised omadused:
a. Operating frequencies above 3 GHz;
a. töösagedus üle 3 GHz,
b. An average output power to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
b. keskmine väljundvõimsus massi suhtes on üle 80 W/kg ja
c. A volume of less than 400 cm3;
c. maht on väiksem kui 400 cm3;
b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is “allocated by the ITU” for radio-communications services, but not for radio-determination.
punkt 3A001.b.8 ei hõlma seadmeid, mis on kavandatud või kohandatud töötamiseks igas sagedusribas, mis on „ITU poolt eraldatud” raadioside jaoks ja mitte etteähtud asukoha määramiseks ette nähtud.
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave “monolithic integrated circuit” and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
Mikrolainevõimsusmoodulid (MPM), mis koosnevad vähemalt jooksva laine lambist, mikrolaine „monoliitsest integraallülitusest” ja integreeritud elektroonilisest võimsusmuundurist ja millel on kõik järgmised omadused:
a. A ‘turn-on time’ from off to fully operational in less than 10 seconds;
a. ‘sisselülitusaeg’ väljalülitatud seisundist kuni täieliku toimimiseni on alla 10 sekundi;
b. A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
b. maht on väiksem kui maksimaalne nimivõimsus vattides korrutatud 10 cm3/W ja
c. An “instantaneous bandwidth” greater than 1 octave (fmax. > 2fmin.) and having either of the following:
c. hetkeline ribalaius on üle ühe oktaavi (fmax > 2fmin), ja millel on mis tahes järgmine omadus:
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
sagedus 18 GHz või vähem üle 100 W raadiosagedusliku (RF) väljundvõimsuse juures või
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Punktis 3A001.b.9.b osutatud mahu arvutamiseks on antud järgmine näide: 20 W suuruse maksimaalse nimivõimsuse korral oleks maht: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3
The ‘turn-on time’ in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e. it includes the warm-up time of the MPM.
Punktis 3A001.b.9.a nimetatud ‘sisselülitusaeg’ tähendab aega täielikult väljalülitatud seisundist kuni täieliku toimimiseni; st, et see sisaldab mikrolainemooduli (MPM) soojenemisaega.
a. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(126 + 20log10F-20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
a. ühe külgriba (SSB) faasimüra (dBc/Hz) on parem kui –(126 + 20log10F-20log10f) 10 Hz < F < 10 kHz kohta ja
b. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(114 + 20log10F-20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
b. ühe külgriba (SSB) faasimüra (dBc/Hz) on parem kui –(114 + 20log10F-20log10f) 10 kHz ≤ F < 500 kHz kohta;
“Frequency synthesiser” “electronic assemblies” having a “frequency switching time” as specified by any of the following:
„sagedussüntesaatori”„elektroonikasõlmed”, mille „sageduse ümberlülitusajal” on mis tahes järgmine omadus:
a. Less than 312 ps;
a. vähem kui 312 ps;
b. Less than 100 μs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
b. vähem kui 100 μs suurema kui 1,6 GHz sagedusemuutuse korral sünteesitava sageduse vahemikus üle 3,2 GHz, kuid mitte üle 10,6 GHz;
c. Less than 250 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
c. vähem kui 250 μs suurema kui 550 MHz sagedusemuutuse korral sünteesitava sageduse vahemikus üle 10,6 GHz, kuid mitte üle 31,8 GHz;
d. Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
d. vähem kui 500 μs suurema kui 550 MHz sagedusemuutuse korral sünteesitava sageduse vahemikus üle 31,8 GHz, kuid mitte üle 43,5 GHz või
e. Less than 1 ms within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz.
e. vähem kui 1 ms, kui sünteesitav sagedusvahemik on üle 43,5 GHz.
For general purpose “signal analysers”, signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
Üldotstarbeliste „signaalianalüsaatorite”, signaalgeneraatorite, võrguanalüsaatorite ja mikrolaine testvastuvõtjate kohta vaata vastavalt punkte 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e, ja 3A002.f.
c. Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
c. järgmised akustilise laine seadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ette nähtud komponendid:
a. A carrier frequency exceeding 6 GHz;
a. kandesagedus üle 6 GHz;
b. A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
b. kandesagedus üle 1 GHz, kuid mitte üle 6 GHz, ja millel on mis tahes järgmine omadus:
A ‘frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB;
‘külghõlma summutus’ üle 65 dB;
c. A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
c. kandesagedus on 1 GHz või vähem ja millel on mis tahes järgmine omadus:
A ‘frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
‘külghõlma summutus’ üle 65 dB ja ribalaius on suurem kui 100 MHz;
‘Frequency side-lobe rejection’ is the maximum rejection value specified in data sheet.
‘Külghõlma summutus’ on andmelehel täpsustatud summutuse maksimumväärtus.
Acoustic-optic “signal processing” devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
akustilis-optilised „signaalitöötlus” seadmed, mis kasutavad akustiliste lainete (ruumlaine või pinnalaine) ja valguslainete vahelist vastasmõju, mis võimaldab vahetult töödelda signaale või kujutisi, kaasa arvatud spektraalanalüüs, korrelatsioon või konvolutsioon;
c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
punkt 3A001.c ei hõlma akustilise laine seadmeid, mis on piiratud ühe ribapääsu-, madalpääsu-, kõrgpääsu- või tõkkefiltriga või ühe resonantsiga.
d. Electronic devices and circuits containing components, manufactured from “superconductive” materials, specially designed for operation at temperatures below the “critical temperature” of at least one of the “superconductive” constituents and having either of the following:
d. elektroonilised seadmed või skeemid, mis sisaldavad „ülijuhtivatest” materjalidest valmistatud komponente ja on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks temperatuuril, mis on madalam kui vähemalt ühe „ülijuhtivast” materjalist komponendi „kriitiline temperatuur”, ja millel on mis tahes järgmine omadus:
Current switching for digital circuits using “superconductive” gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
voolulülitid digitaalskeemidele, milles kasutatakse „ülijuhtivaid” ventiile, mille viivise (sekundites) ventiili kohta ja kaovõimsuse (vattides) ventiili kohta korrutis on väiksem kui 10–14 J, või
e. High energy devices as follows:
e. suurenergiaseadmed:
‘Cells’ as follows:
järgmised ‘elemendid’:
a. ‘Primary cells’ having an ‘energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
a. ‘primaarelemendid’, mille ‘energiatihedus’ on 20 °C juures üle 550 Wh/kg;
b. ‘Secondary cells’ having an ‘energy density’ exceeding 250 Wh/kg at 20 °C;
b. ‘sekundaarelemendid’, mille ‘energiatihedus’ on 20 °C juures üle 250 Wh/kg;
For the purpose of 3A001.e.1.,‘energy density’ (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Punktis 3A001.e.1 nimetatud ‘energiatihedus’ arvutatakse nimipinge korrutamisel nimimahtuvusega ampertundides (Ah) ja jagamisel massiga kilogrammides.
For the purpose of 3A001.e.1., a ‘cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Punktis 3A001.e.1 nimetatud ‘element’ on elektrokeemiline seade, millele on positiivne ja negatiivne elektrood, elektrolüüt, ning mis on elektrienergia allikas.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a ‘primary cell’ is a ‘cell’ that is not designed to be charged by any other source.
Punktis 3A001.e.1.a nimetatud ‘primaarelement’ on ‘element’, mis ei ole projekteeritud laadimiseks ühestki muust allikast.
For the purpose of 3A001.e.1.b., a ‘secondary cell’ is a ‘cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
Punktis 3A001.e.1.b nimetatud ‘sekundaarelement’ on ‘element’, mis on projekteeritud laadimiseks välisest elektrienergia allikast.
e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
punkt 3A001.e.1 ei hõlma patareisid, sealhulgas ühe elemendiga patareid.
SEE ALSO 3A201.a.
VT KA PUNKTI 3A201.a.
a. Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
a. kondensaatorid, mille kordussagedus on väiksem kui 10 Hz (üksiklahendusega kondensaator) ning millel on kõik järgmised omadused:
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
nimipinge 5 kV või rohkem,
A total energy equal to or more than 25 kJ;
koguenergia 25 kJ või rohkem,
b. Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
b. kondensaatorid, mille kordussagedus on 10 Hz või rohkem (korduvlahendusega kondensaatorid) ja millel on kõik järgmised omadused:
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
energiatihedus 50 J/kg või rohkem,
“Superconductive” electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
„ülijuhtivad” elektromagnetid või solenoidid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud täieliku laadimis- või tühjenemisajaga alla ühe sekundi ja millel on kõik järgmised omadused:
SEE ALSO 3A201.b.
VT KA PUNKTI 3A201.b.
e.3. does not control “superconductive” electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
punkt 3A001.e.3 ei hõlma „ülijuhtivaid” elektromagneteid või solenoide, mis on spetsiaalselt ette nähtud magnetresonantskuva-meditsiiniseadmetele.
a. Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
a. tühjenemise esimesel sekundil vabanev energia on üle 10 kJ,
b. Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
b. voolu kandva mähise sisediameeter on üle 250 mm ja
c. Rated for a magnetic induction of more than 8 T or “overall current density” in the winding of more than 300 A/mm2;
c. magnetilise induktsiooni nimiväärtus on üle 8 T või „üldine voolutihedus” mähises üle 300 A/mm2;
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are “space-qualified”, having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ‘AM0’ illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
päikeseelemendid, element-kaitseklaas-ühendusega (CIC) koostud, päikesepaneelid, päikesepaneelide massiivid, mis on „kosmosekindlad” ja mille minimaalne energiatõhusus töötemperatuuril 301 K (28 °C) ja simuleeritud ‘AM0’ valgustusel kiirgusega 1367 vatti ruutmeetri kohta (W/m2) on üle 20 %;
’, or ‘Air Mass Zero’, refers to the spectral irradiance of sun light in the earth’s outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
’ ehk ‘õhumass null’ (Air Mass Zero) tähendab päikesevalguse spektraalset kiirgusintensiivust väljaspool maakera atmosfääri, kui maa ja päikese vaheline kaugus on üks astronoomiline ühik.
f. Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ± 1,0 second of arc;
f. absoluutse pöördenurga andurid, mille täpsus on ±1,0 kaaresekundit või sellest vähem (parem);
g. Solid-state pulsed power switching thyristor devices and ‘thyristor modules’, using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
g. tahkisimpulssjõulülitustüristorseadmed ja ‘türistormoodulid’, mis kasutavad kas elektriliselt, optiliselt või elektronkiirgusega juhitavaid lülitusviise ja millel on mis tahes järgmine omadus:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
maksimaalne voolutugevuse tõusu kiirus (di/dt) sisselülitusel on suurem kui 30000 A/μs ja väljalülitatud asendis on pinge üle 1100 V või
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having both of the following:
maksimaalne voolutugevuse tõusu kiirus (di/dt) sisselülitusel on suurem kui 2000 A/μs ja kõik järgmised omadused:
a. An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
a. väljalülitatud asendis on tipp-pinge 3000 V või rohkem ja
b. A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
b. tippvoolutugevus on 3000 A või rohkem.
g. includes:
punkti 3A001.g alla kuuluvad:
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
ränialaldid (SCR),
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
elektrilise lülitusega türistorid (ETT),
Light Triggering Thyristors (LTTs)
valguslülitusega türistorid (LTT),
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
suletavad türistorid (GTO),
Solidtrons
solidtronid.
g. does not control thyristor devices and ‘thyristor modules’ incorporated into equipment designed for civil railway or “civil aircraft” applications.
punkt 3A001.g ei hõlma türistorseadmeid ega ‘türistormooduleid’, mis on paigaldatud tsiviilraudtee- või „tsiviilõhusõiduki”-rakenduste jaoks projekteeritud seadmetesse.
For the purposes of 3A001.g., a ‘thyristor module’ contains one or more thyristor devices.
Punkti 3A001.g tähenduses sisaldab ‘türistormoodul’ ühte või enam kui ühte türistorseadet.
h. Solid-state power semiconductor switches, diodes, or ‘modules’, having all of the following:
h. Tahkisjõu pooljuhtlülitid, dioodid või ‘moodulid’, millel on kõik järgmised omadused:
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
väljalülitatud olekus korduv tipp-pinge (repetitive peak off-state voltage) e tõkestav (blokeeriv) pinge (blocking voltage) on üle 300 V ja
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
punktis 3A001.h nimetatud väljalülitatud olekus korduv tipp-pinge hõlmab pinget lättest ja neeldu, pinget kollektorist ja emitterisse, korduvat maksimaalset vastupinget (repetitive peak reverse voltage) ja väljalülitatud olekus korduvat blokeerivat tipp-pinget (peak repetitive off-state blocking voltage).
h. includes:
Punkt 3A001.h hõlmab järgmist:
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
p-n-siirdega väljatransistorid (JFET),
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
vertikaalsed p-n-siirdega väljatransistorid (VJFET),
Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)
metall-oksiid-pooljuht-väljatransistorid (MOSFET),
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
topelt hajutusega metall-oksiid-pooljuht-väljatransistorid (DMOSFET),
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
isoleeritud paisuga bipolaartransistorid (IGBT),
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
elektronide kõrgliikuvusega transistorid (HEMT),
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
bipolaartransistorid (BJT),
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
türistorid ja reguleeritavad ränialaldid (SCR),
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
suletavad türistorid (GTO),
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
emitteriga suletavad türistorid (ETO),
PiN Diodes
PiN-dioodid,
Schottky Diodes
Schottky dioodid.
h. does not control switches, diodes, or ‘modules’ incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or “civil aircraft” applications.
punkt 3A001.h ei hõlma lüliteid, dioode või ‘mooduleid’, mis on osaks tsiviilotstarbelistes mootorsõidukites, tsiviilotstarbelistes raudteesõidukites või „tsiviilõhusõidukites” kasutatavate rakenduste jaoks loodud seadmetest.
For the purposes of 3A001.h., ‘modules’ contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
Punkti 3A001.h mõistes hõlmab ‘moodul’ ühte või mitut tahkisjõu pooljuhtlülitit või dioodi.
a. Recording equipment as follows and specially designed test tape therefor:
a. järgmised lindistusseadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ette nähtud testlindid:
a. A bandwidth exceeding 4 MHz per electronic channel or track;
a. ribalaius üle 4 MHz ühe elektrontrakti või salvestusraja kohta;
b. A bandwidth exceeding 2 MHz per electronic channel or track and having more than 42 tracks; or
b. ribalaius üle 2 MHz ühe elektrontrakti või salvestusraja kohta, omades enam kui 42 salvestusrada, või
c. A time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ± 0,1 μs;
c. ajaline nihe (viga) ajabaasi suhtes (base error), mis on mõõdetud vastavalt salvestusmeetodite normeerimise komisjoni (IRIG) või Elektroonikatööstuste Ühenduse (EIA) nõuetele, on alla ± 0,1 μs;
Analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
analoogmagnetofone, mis on spetsiaalselt kavandatud tsiviilotstarbelise videoseadmena, ei käsitata aparatuuri lindistusseadmena.
a.2. does not control digital video magnetic tape recorders specially designed for television recording using a signal format, which may include a compressed signal format, standardised or recommended by the ITU, the IEC, the SMPTE, the EBU, the ETSI or the IEEE for civil television applications.
punkt 3A002.a.2 ei hõlma digitaalset videomagnetofoni, mis on spetsiaalselt ette nähtud televisiooni tarbeks ja milles kasutatava signaali formaat (võib sisaldada ka kokkusurutud signaali formaati) on standardiseeritud või soovitatud Rahvusvahelise Telekommunikatsiooni Liidu (ITU), Rahvusvahelise Elektrotehnikakomisjoni (IEC), Filmi- ja Televisiooniinseneride Ühingu (SMPTE), Euroopa Ringhäälinguliidu (EBU), Euroopa Telekommunikatsiooni Standardiinstituudi (ETSI) või Elektri- ja Elektroonikainseneride Instituudi (IEEE) poolt tsiviiltelevisiooni tarbeks.
Digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having either of the following:
kruvilaotustehnikat või liikumatu magnetpea tehnikat rakendavad digitaalsed magnetofonid, millel on mis tahes järgmine omadus:
a. A maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s; or
a. digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on üle 175 Mbit/s või