natgillin/translations-raw huggingface dataset:
The ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) is calculated by the following formula:
‘Vähima lahutatava elemendi mõõt’ (MRF) arvutatakse järgmise valemi põhjal:
MRF =an exposure light source wavelength in nm
MRF =valgusallika lainepikkus, nm
where the K factor = 0,35
kus K tegur = 0,35
Imprint lithography equipment capable of producing features of 95 nm or less;
Jäljendi litograafiaseadmed, mis on võimelised tekitama kujutisi mõõtmetega 95 nm või vähem;
f.2. includes:
punkt 3B001.f.2 hõlmab:
Micro contact printing tools
mikrokontakttrükiseadmed,
Hot embossing tools
kuumreljeeftrükiseadmed (hot embossing tools),
Nano-imprint lithography tools
nanojäljendi litograafiaseadmed (nano-imprint lithography tools),
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
step and flash imprint-litograafiaseadmed (step and flash imprint lithography (S-FIL) tools).
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud pooljuhtide maskide valmistamiseks või pooljuhtseadiste töötlemiseks otsekirjutusmeetodeid kasutades ja millel on kõik järgmised omadused:
a. Using deflected focussed electron beam, ion beam or “laser” beam; and
a. kasutatatakse hälvitatud-fokuseeritud elektronkimpu, ioonkimpu või „laser” kiirt ja
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
võimelised tekitama mustreid, milles vähima lahutatava elemendi mõõt on väiksem kui 1 μm, või
g. Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
g. maskid ja niitvõrgustikud, mis on ette nähtud punktis 3A001 nimetatud integraallülitustele;
h. Multi-layer masks with a phase shift layer;
h. mitmekihilised maskid faasinihke kihiga;
h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
punkt 3B001.h ei hõlma mitmekihilisi maske faasinihke kihiga, mis on ette nähtud punktis 3A001 mitte hõlmatud mäluseadmete tootmiseks.
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
Testimisseadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud järgmiste lõpetatud või lõpetamata pooljuhtseadiste testimiseks, ning spetsiaalselt nende jaoks ette nähtud komponendid ja lisavarustus:
a. For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
a. transistoride S-parameetrite testimiseks sagedustel üle 31,8 GHz;
c. For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
c. punktis 3A001.b.2 nimetatud mikrolaine integraallülituste testimiseks.
Hetero-epitaxial materials consisting of a “substrate” having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Hetero-epitaksiaalsed materjalid, mis koosnevad järgmiste materjalide epitakskasvatamisel saadud „põhimikest”:
a. Silicon (Si);
a. räni (Si),
b. Germanium (Ge);
b. germaanium (Ge),
c. Silicon carbide (SiC); or
c. ränikarbiid (SiC) või
d. “III/V compounds” of gallium or indium.
d. galliumi või indiumi „III/V ühendid”.
Resist materials as follows and “substrates” coated with the following resists:
Resistmaterjalid ja „põhimikud”, mis on kaetud järgmiste resistmaterjalidega:
a. Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
a. positiivsed resistid, mis on ette nähtud pooljuhtide litograafiaks ning spetsiaalselt kohandatud (optimeeritud) kasutamiseks lainepikkustel alla 245 nm;
b. All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
b. kõik resistid, mis on ette nähtud kasutamiseks elektron- või ioonkimpudega, tundlikkusega 0,01 μC/mm2 või parem;
c. All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
c. kõik resistid, mis on ette nähtud kasutamiseks röntgenikiirtega, tundlikkusega 2,5 mJ/mm2 või parem;
d. All resists optimised for surface imaging technologies, including ‘silylated’ resists;
d. kõik resistid, mis on optimeeritud pinnakujundamise tehnoloogiate jaoks, sealhulgas ka ‘silüleeritud’ resistid;
‘Silylation’ techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
‘Silüleerimis’ tehnika tähendab protsesse, mis sisaldavad resisti pinna oksüdeerimist, et parandada selle omadusi nii märg- kui ka kuivilmutamisel.
e. All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
e. kõik resistid, mis on ette nähtud või optimeeritud kasutamiseks punktis 3B001.f.2 nimetatud jäljendi litograafiaseadmetega, mis kasutavad kas termilist või fototöötlust.
a. Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
a. alumiiniumi, galliumi või indiumi metallorgaanilised ühendid puhtusega (metalli baasil) üle 99,999 %;
b. Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
b. arseeni, antimoni või fosfori orgaanilised ühendid puhtusega üle 99,999 % (anorgaaniliste elementide baasil).
003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
punkt 3C003 hõlmab üksnes neid ühendeid, milles metalliline, poolmetalliline või mittemetalliline element on molekuli orgaanilises osas oleva süsinikuga otseses sidemes.
004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
punkt 3C004 ei hõlma hüdriide, mis sisaldavad 20 moolprotsenti või enam inertgaase või vesinikku.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) “substrates”, or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
Ränikarbiidist (SiC), galliumnitriidist (GaN), alumiiniumnitriidist (AlN) või alumiinium-galliumnitriidist (AlGaN) „põhimikud” või nende materjalide kangid, toorikkristallid või muud eelvormid, mille eritakistus 20 °C juures on suurem kui 10000 oomi/cm.
“Substrates” specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
Punktis 3C005 nimetatud „põhimikud”, millel on vähemalt üks epitaksiline ränikarbiidi, galliumnitriidi, alumiiniumnitriidi või alumiinium-galliumnitriidi kiht.
“Software” specially designed for the “development” or “production” of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
„Tarkvara”, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktides 3A001.b–3A002.g või 3B nimetatud seadmete „arenduseks” või „tootmiseks”.
“Software” specially designed for the “use” of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
„Tarkvara”, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktides 3B001.a kuni 3B001.f või punktis 3B002 nimetatud seadmete „kasutamiseks”.
‘Physics-based’ simulation “software” specially designed for the “development” of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
‘Füüsikalistel alustel põhinev’ simulatsiooni „tarkvara”, mis on spetsiaalselt ette nähtud litograafia-, söövitus- või pinnakatmisprotsesside „arenduseks” maskide struktuuri üleviimisel spetsiifiliseks juhtide, dielektrikute või pooljuhtide topograafiliseks struktuuriks.
‘Physics-based’ in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g. temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
‘Füüsikalistel alustel põhinev’ tähendab punktis 3D003 arvutuste kasutamist füüsikalistel omadustel (nt temperatuur, rõhk, difusioonikonstandid ja pooljuhtmaterjalide omadused) põhinevate füüsikaliste põhjus-tagajärg-sündmuste järjestuse kindlakstegemiseks.
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as “technology”.
pooljuhtseadiste või integraallülituste projekteerimise raamatukogud, olulised tunnused ja projekteerimisega seotud andmed loetakse „tehnoloogiaks”.
“Software” specially designed for the “development” of the equipment specified in 3A003.
„Tarkvara”, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 3A003 nimetatud seadmete „arenduseks”.
“Software” specially designed or modified for the “use” of equipment specified in 3A101.b.
„Tarkvara”, mis on spetsiaalselt ette nähtud või kohandatud punktis 3A101.b nimetatud seadmete „kasutamiseks”.
“Technology” according to the General Technology Note for the “development” or “production” of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Tehnoloogia üldmärkusele vastav „tehnoloogia”, mis on ette nähtud punktides 3A, 3B või 3C nimetatud seadmete või materjalide „arenduseks” või „tootmiseks”;
001 does not control “technology” for the “production” of equipment or components controlled by 3A003.
punkt 3E001 ei hõlma „tehnoloogiat” seadmete või komponentide „tootmiseks”, mis on hõlmatud punktiga 3A003.
001 does not control “technology” for the “development” or “production” of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
punkt 3E001 ei hõlma „tehnoloogiat” punktides 3A001.a.3–3A001.a.12 nimetatud integraallülituste „arenduseks” või „tootmiseks”, millel on kõik järgmised omadused:
Using “technology” at or above 0,130 μm; and
on kasutatud 0,130 μm või suurema struktuurielemendi „tehnoloogiat” ja
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
sisaldavad maksimaalselt kolme metallikihiga mitmekihilisi struktuure.
“Technology” according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the “development” or “production” of a “microprocessor microcircuit”, “microcomputer microcircuit” or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
Tehnoloogia üldmärkusele vastav „tehnoloogia”, muu kui punktis 3E001 nimetatud, „mikroprotsessor-mikroskeemide”, „mikroarvuti-mikroskeemide” ja mikrokontroller-mikroskeemide südamike „arenduseks” või „tootmiseks”, mille aritmeetika-loogikaseade juurdepääsu laius on 32 bitti või rohkem ning millel on mis tahes järgmine omadus või funktsioon;
a. A ‘vector processor unit’ designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
a. ‘vektorprotsessorüksus’, mis on kavandatud tegema üheaegselt rohkem kui kahte arvutust ujukoma vektoritega (vektor – ühedimensionaalne 32-bitiste või suuremate arvude maatriks);
A ‘vector processor unit’ is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
‘Vektorprotsessorüksus’ on sisseehitatud juhendiga protsessorelement, mis võimaldab üheaegseid tehteid ujukoma vektoritega (vektor – ühedimensionaalne 32-bitiste või suuremate arvude maatriks), milles on vähemalt üks vektoraritmeetika-loogikaseade.
b. Designed to perform more than two 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
b. kavandatud tegema tsükli jooksul rohkem kui kaks 64-bitist või suuremat ujukoma arvutustehet või
c. Designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g. digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital “signal processing”).
c. kavandatud tegema tsükli jooksul rohkem kui neli 16-bitist püsikoma korrutus- või liitmistehet (nt varem digitaalseks muundatud analooginformatsiooni digitaalne manipuleerimine, mida tuntakse ka digitaal „signaali töötlemisena”).
c. does not control “technology” for multimedia extensions.
punkt 3E002.c ei hõlma multimeediarakenduste „tehnoloogiat”.
002 does not control “technology” for the “development” or “production” of micro-processor cores, having all of the following:
punkt 3E002 ei hõlma „tehnoloogiat” mikroprotsessorsüdamike „arenduseks” või „tootmiseks”, millel on kõik järgmised omadused:
002 includes “technology” for digital signal processors and digital array processors.
Punkt 3E002 hõlmab digitaalsete signaalprotsessorite ja digitaalmaatriksprotsessorite „tehnoloogiat”.
Other “technology” for the “development” or “production” of the following:
Muu „tehnoloogia”, mida kasutatakse järgmise „arenduseks” või „tootmiseks”:
a. Vacuum microelectronic devices;
a. vaakummikroelektroonilised seadmed;
b. Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
b. heterostruktuuriga pooljuhtseadised, nt elektronide kõrgliikuvusega transistorid (HEMT), heterobipolaartransistorid (HBT), kvantkaev- ja supervõreseadmed;
b. does not control “technology” for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
punkt 3E003.b ei hõlma suure liikuvusega elektronidega transistoride „tehnoloogiat”, mis töötavad sagedustel alla 31,8 GHz, ja heterosiirdega bipolaarsete transistoride tehnoloogiat, mis töötavad sagedustel alla 31,8 GHz.
c. “Superconductive” electronic devices;
c. „ülijuhtivad” elektroonilised seadmed;
d. Substrates of films of diamond for electronic components.
d. teemantpõhimikud või -kiled elektroonilistele komponentidele;
e. Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
e. räni-isolaator-põhimikud integraallülitustele, milles isolaatoriks on ränidioksiid;
f. Substrates of silicon carbide for electronic components;
f. ränikarbiidpõhimikud elektroonilistele komponentidele;
g. Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
g. elektroonilised vaakumlambid, mille töösagedus on 31,8 GHz või üle selle.
Computers, related equipment and “software” performing telecommunications or “local area network” functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
arvuteid, vastavaid seadmeid ja „tarkvara”, mis täidavad krüptograafilisi, krüptoanalüüsi, tunnistavaid mitmeastmelisi turva- või tunnistavaid kasutajate eraldamise ülesandeid või mis piiravad elektromagnetilist ühilduvust (EMC), tuleb hinnata samuti 5. kategooria 2. osa („Infoturve”) jõudlusparameetrite järgi.
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C); or
ette nähtud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur on madalam kui 228 K (–45 °C) või üle 358 K (85 °C), või
a.1. does not control computers specially designed for civil automobile, railway train or “civil aircraft” applications.
punkt 4A001.a.1 ei hõlma spetsiaalselt tsiviilotstarbeliste mootorsõidukite, raudteerongide või „tsiviilõhusõidukite” jaoks ette nähtud arvuteid.
Total Dose 5 × 103 Gy (silicon);
Total Dose 5 × 103 Gy (silicon)/s või
Dose Rate Upset 5 × 106 Gy (silicon)/s; or
Dose Rate Upset 5 × 106 Gy (silicon)/s või c. Single Event Upset 1 × 10–8 Error/bit/day; Märkus: punkt 4A001.a.2 ei hõlma spetsiaalselt „tsiviilõhusõidukite” jaoks ette nähtud arvuteid. b. ei kasutata. 4A003 Järgmised „digitaalarvutid”, „elektroonikasõlmed” ja nendega seotud seadmed ning spetsiaalselt nende jaoks ette nähtud komponendid: Märkus 1: punkt 4A003 hõlmab järgmist: ‘vektorprotsessorid’, massiiviprotsessorid, digitaalsed signaaliprotsessorid, loogikaprotsessorid, „pildiväärinduseks” kavandatud seadmed, „signaalitöötluseks” kavandatud seadmed.
Digital signal processors;
a. kavandatud või kohandatud „tõrketaluvusega” süsteemi jaoks; Märkus:
Equipment designed for “signal processing”.
arvuti „põhimälu” sisaldab vigade avastamise ja korrigeerimise algoritme;
The control status of the “digital computers” and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
kaks „digitaalarvutit” on omavahel ühendatud selliselt, et aktiivse keskseadme tõrke korral jätkab süsteemi toimimist seni tühikäigul jooksnud ja aktiivset keskseadet peegeldav keskseade;
The “digital computers” or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
kahe keskseadme omavaheline side andmekanalite või ühismälu kaudu, mis võimaldab ühel keskseadmel sooritada muid ülesandeid kuni teise keskseadme tõrkeni, millisest hetkest alates esimene keskseade võtab üle süsteemi toimimise tagamise, või
The “digital computers” or related equipment are not a “principal element” of the other equipment or systems; and
kahe keskseadme sünkroniseerimine „tarkvara” abil nii, et üks keskseade on võimeline avastama teises keskseadmes tekkinud tõrke ning taastama ja võtma üle selle seadme töö.
For the purposes of 4A003.a., “digital computers” and related equipment are not considered to be designed or modified for “fault tolerance” if they utilise any of the following:
punkt 4A003.c ei hõlma „elektroonikasõlmi”, mis on spetsiaalselt konstrueeritud toodetele või tooteperekondadele, mille maksimaalne konfiguratsioon ei ületa punktis 4A003.b nimetatud piiri.
Error detection or correction algorithms in “main storage”;
e. seadmed, mis teostavad analoog-digitaalmuundamist, mille parameetrid ületavad punktis 3A001.a.5 nimetatud piiri;
The interconnection of two “digital computers” so that, if the active central processing unit fails, an idling but mirroring central processing unit can continue the system's functioning;
g. seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud „digitaalarvutite” jõudluste liitmiseks, võimaldades omavahelist välist ühendust, mis võimaldab ühesuunalist andmevahetust kiirusega üle 2,0 gigabaidi sekundis lingi kohta.
The interconnection of two central processing units by data channels or by using shared storage to permit one central processing unit to perform other work until the second central processing unit fails, at which time the first central processing unit takes over in order to continue the system's functioning; or
punkt 4A003.g ei hõlma sisemise ühenduse seadmeid (nt põhiplaate, siine), passiivseid ühendusseadmeid, „võrgu juurdepääsu kontrollereid” või „sidekanali kontrollereid”.
The synchronisation of two central processing units by “software” so that one central processing unit recognises when the other central processing unit fails and recovers tasks from the failing unit.
Järgmised arvutid ja spetsiaalselt nende jaoks ette nähtud vastavad seadmed, „elektroonikasõlmed” ja komponendid: a. „süstoolsed maatriksarvutid”, b. „neuroarvutid”, c. „optilised arvutid”. 4A101
d. Not used;
d. ei kasutata;
f. Not used;
f. ei kasutata;
“Hybrid computers” specially designed for modelling, simulation or design integration of space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.
„Hübriidarvutid”, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 9A004 nimetatud kanderakettide või punktis 9A104 nimetatud sondrakettide modelleerimiseks, simulatsiooniks või projektide integreerimiseks.
This control only applies when the equipment is supplied with “software” specified in 7D103 or 9D103.
nimetatud kontrolli kohaldatakse vaid juhul, kui nimetatud seadmed on varustatud punktis 7D103 või 9D103 nimetatud „tarkvaraga”.
The control status of “software” for the “development”, “production”, or “use” of equipment described in other Categories is dealt with in the appropriate Category.
„tarkvara”, mis on mõeldud teistes kategooriates nimetatud seadmete „arenduseks”, „tootmiseks” või „kasutustamiseks”, kontrolli alla kuulumine määratakse vastavates kategooriates.
“Software” as follows:
Järgmine „tarkvara”:
a. “Software” specially designed or modified for the “development”, “production” or “use” of equipment or “software” specified in 4A001 to 4A004, or 4D.
a. „tarkvara”, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktides 4A001–4A004 või 4D nimetatud seadmete ja tarkvara „arenduseks”, „tootmiseks” või „kasutamiseks”;
b. “Software”, other than that specified in 4D001.a., specially designed or modified for the “development” or “production” of equipment as follows:
b. punktis 4D001.a nimetamata „tarkvara”, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud järgmiste seadmete „arenduseks” või „tootmiseks”:
“Digital computers” having an “Adjusted Peak Performance” (“APP”) exceeding 0,25 Weighted TeraFLOPS (WT);
„digitaalarvutid”, mille „korrigeeritud maksimaalne jõudlus” ületab 0,25 korrigeeritud teraFLOPSi (WT);
“Electronic assemblies” specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the “APP” of the aggregation exceeds the limit in 4D001.b.1.;
„elektroonikasõlmed”, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või kohandatud, et suurendada jõudlust protsessorite liitmise teel nii, et selline ühendatud „korrigeeritud maksimaalne jõudlus” ületab punktis 4D001.b.1 sätestatud piiri;
“Software” specially designed or modified to support “technology” specified in 4E.
„Tarkvara”, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 4E nimetatud „tehnoloogia” toetamiseks.
a. “Technology” according to the General Technology Note, for the “development” “production” or “use” of equipment or “software” specified in 4A or 4D.
a. Tehnoloogia üldmärkusele vastav „tehnoloogia”, mis on ette nähtud punktides 4A või 4D nimetatud seadmete või „tarkvara”„arenduseks”, „tootmiseks” või „kasutamiseks”:
b. “Technology”, other than that specified in 4E001.a., specially designed or modified for the “development” or “production” of equipment as follows:
b. Punktis 4E001.a nimetamata „tehnoloogia”, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud järgmiste seadmete „arenduseks” või „tootmiseks”:
“Electronic assemblies” specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the “APP” of the aggregation exceeds the limit in 4E001.b.1.
„elektroonikasõlmed”, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või kohandatud, et suurendada jõudlust protsessorite liitmise teel nii, et sellise ühenduse „korrigeeritud maksimaalne jõudlus” e „APP” ületab punktis 4E001.b.1 sätestatud piiri.
TECHNICAL NOTE ON “ADJUSTED PEAK PERFORMANCE” (“APP”)
TEHNILINE MÄRKUS „KORRIGEERITUD MAKSIMAALSE JÕUDLUSE” („APP”) KOHTA
“APP” is an adjusted peak rate at which “digital computers” perform 64-bit or larger floating point additions and multiplications.
„APP” on korrigeeritud maksimaalne kiirus, millega „digitaalarvuti” teeb 64-bitiseid või suuremaid ujukomaga liitmis- ja korrutustehteid. „APP” ühikuks on kaalutud teraFLOPS (WT).
“APP” is expressed in Weighted TeraFLOPS (WT), in units of 1012 adjusted floating point operations per second.
(1 teraFLOPS = 1012 korrigeeritud ujukomatehet sekundis)
n number of processors in the “digital computer”
n protsessorite arv „digitaalarvutis”
i processor number (i = 1,…,n)
i protsessori järjekorranumber (i=1,…,n)
processor cycle time (ti = 1/Fi)
protsessori tsükli (takti) aeg (ti=1/Fi)
peak floating point calculating rate
maksimaalne ujukomatehte arvutamise kiirus
Outline of “APP” calculation method
„APP” arvutusmeetodi ülevaade
For each processor i, determine the peak number of 64-bit or larger floating point operations, FPOi, performed per cycle for each processor in the “digital computer”.
Iga protsessori i jaoks leitakse maksimaalne arv 64-bitiseid või suuremaid ujukomatehteid (FPOi), mis tehakse „digitaalarvuti” ühe protsessori ühe takti jooksul.
In determining FPO, include only 64-bit or larger floating point additions and/or multiplications.
ainult 64-bitised või suuremad ujukoma liitmis- ja/või korrutustehted võetakse FPO arvutamisel arvesse, kusjuures tehete arv esitatakse protsessori ühe takti kohta.
All floating point operations must be expressed in operations per processor cycle; operations requiring multiple cycles may be expressed in fractional results per cycle.
Ujukomatehete arv esitatakse protsessori ühe takti kohta; tehted, mis tehakse mitme protsessoritakti jooksul, võib esitada murdarvuna.