natgillin/translations-raw huggingface dataset:
b. Being “space-qualified”;
b. on „kosmosekindel”;
a.3. does not control analogue magnetic tape recorders equipped with HDDR conversion electronics and configured to record only digital data.
punkt 3A002.a.3 ei hõlma analoogmagnetofone, mis on varustatud HDDRi muundamise elektroonikaga ja ette nähtud ainult digitaalsete andmete salvestamiseks.
Waveform digitisers and transient recorders, having both of the following:
lainekuju digitaatorid ja ajutised salvestusseadmed, millel on kõik järgmised omadused:
a. Digitising rate equal to or more than 200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more; and
a. digiteerimikiirus on 200 miljonit või rohkem valimit sekundis ja lahutusvõime 10 bitti või enam ja
b. A ‘continuous throughput’ of 2 Gbit/s or more;
b. ‘pidev jõudlus’ 2 Gbit/s või rohkem;
For those instruments with a parallel bus architecture, the ‘continuous throughput’ rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Paralleelsiinidega arhitektuuriga seadmete korral on ‘pidev jõudlus’ suurim sõnakiirus, mis on korrutatud bittide arvuga sõnas.
‘Continuous throughput’ is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
‘Pidevaks jõudluseks’ nimetatakse andmete suurimat massmälusse väljastamise kiirust, mida seade võib arendada ilma mingisuguse informatsiooni kaota, säilitades võendamissageduse ja selle analoog-digitaalse muundamise.
Digital instrumentation data recorders using magnetic disk storage technique and having both of the following:
andmete digitaalsed salvestusseadmed, milles kasutatakse magnetkettale salvestamise tehnikat ja millel on kõik järgmised omadused:
a. Digitising rate equal to or more than 100 million samples per second and a resolution of 8 bit or more; and
a. digiteerimikiirus on 100 miljonit või rohkem valimit sekundis ja lahutusvõime 8 bitti või enam ja
b. A ‘continuous throughput’ of 1 Gbit/s or more;
b. ‘pidev jõudlus’ 1 Gbit/s või rohkem;
c. Radio-frequency “signal analysers” as follows:
c. järgmised raadiosageduse „signaalianalüsaatorid”:
“Signal analysers” having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz;
„signaalianalüsaatorid”, millel on üle 10 MHz 3 dB eraldusvõimeriba (RBW) sagedusvahemikus üle 31,8 GHz, kuid mitte üle 37, 5 GHz;
“Signal analysers” having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than - 150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 70 GHz;
„signaalianalüsaatorid”, mille väljuva signaali keskmine müratase (DANL) on väiksem (parem) kui – 150 dBm/Hz sagedusvahemikus üle 43,5 GHz, kuid mitte üle 70 GHz;
“Signal analysers” having a frequency exceeding 70 GHz;
„signaalianalüsaatorid” sagedusega üle 70 GHz;
“Dynamic signal analysers” having a “real-time bandwidth” exceeding 40 MHz;
„dünaamilised signaalianalüsaatorid”, mille „reaalajaline ribalaius” on üle 40 MHz;
c.4. does not control those “dynamic signal analysers” using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
punkt 3A002.c.4 ei hõlma neid „dünaamilisi signaalianalüsaatoreid”, milles kasutatakse konstantseid protsentuaalse ribalaiusega filtreid (samuti tuntud kui oktaav- või murdosa-oktaavfiltrid).
d. Frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:
d. sagedussüntesaator-signaalgeneraatorid, mis toodavad väljundsagedusi, mille täpsus ning lühi- ja pikaajaline stabiilsus on juhitud, tuletatud ja kontrollitud sisemise võrdlusostsillaatori poolt ja millel on mis tahes järgmine omadus:
Specified to generate a ‘pulse duration’ of less than 100 ns anywhere within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 70 GHz;
ette nähtud genereeritava ‘impulsi pikkus’ on alla 100 ns, kui sünteesitav sagedusvahemik on üle 31,8 GHz ja mitte üle 70 GHz;
An output power exceeding 100 mW (20 dBm) anywhere within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 70 GHz;
väljundvõimsus üle 100 mW (20 dBm), kui sünteesitav sagedusvahemik on üle 43,5 GHz ja mitte üle 70 GHz;
A “frequency switching time” as specified by any of the following:
„sageduste ümberlülitusajal” on mis tahes järgmine omadus:
d. Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz;
d. vähem kui 500 μs suurema kui 550 MHz sagedusemuutuse korral sünteesitava sageduse vahemikus üle 31,8 GHz, kuid mitte üle 43,5 GHz;
e. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 56 GHz; or
e. vähem kui 1 ms suurema kui 550 MHz sagedusemuutuse korral sünteesitava sageduse vahemikus üle 43,5 GHz, kuid mitte üle 56 GHz, või
f. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesised frequency range exceeding 56 GHz but not exceeding 70 GHz;
f. vähem kui 1 ms suurema kui 2,2 GHz sagedusemuutuse korral sünteesitava sageduse vahemikus üle 56 GHz, kuid mitte üle 70 GHz;
At synthesised frequencies exceeding 3,2 GHz but not exceeding 70 GHz, and having both of the following:
sünteesitav sagedus on üle 3,2 GHz, kuid mitte üle 70 GHz ja millel on kõik järgmised omadused:
a. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(126 + 20log10F - 20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
a. ühe külgriba (SSB) faasimüra (dBc/Hz) on parem kui –(126 + 20 log10F – 20 log10f) 10 Hz < F < 10 kHz kohta ja
b. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(114 + 20log10F - 20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz; or
b. ühe külgriba (SSB) faasimüra (dBc/Hz) on parem kui –(114 + 20 log10F – 20 log10f) 10 kHz ≤ F < 500 kHz kohta; või
A maximum synthesised frequency exceeding 70 GHz;
maksimaalne sünteesitav sagedus on üle 70 GHz; Märkus 1: punkti 3A002.d tähenduses hõlmab „sagedussüntesaator-signaalgeneraatorid” suvalisi lainekuju ja funktsiooni generaatoreid. Märkus 2: punkt 3A002.d ei hõlma seadmeid, milles väljundsagedus saadakse kahe või enama kvartsostsillaatori sageduste lisamisel või mahaarvamisel või tulemuse korrutise lisamisel või mahaarvamisel. Tehnilised märkused 1. Suvalised lainekuju ja funktsiooni generaatorid on tavaliselt spetsifitseeritud diskreetkiiruse järgi (nt Gdiskreeti sekundis), mis teisendatakse raadiosageduslikuks Nyquisti teguri kaks abil.
Note 1.:
Seega on 1 Gdiskreeti sekundis suvalise lainekuju otsene väljundsagedus 500 MHz.
Maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz and output power exceeding 31,62 mW (15 dBm); or
maksimaalne töösagedus on üle 43,5 GHz ja väljundvõimsus üle 31,62 mW (15 dBm) või
Maximum operating frequency exceeding 70 GHz;
maksimaalne töösagedus on üle 70 GHz;
f. Microwave test receivers having both of the following:
f. mikrolaine testvastuvõtjad, millel on kõik järgmised omadused:
g. Atomic frequency standards being any of the following:
g. aatomi võnkesageduse standardid, millel on mis tahes järgmine omadus:
“Space-qualified”;
„kosmosekindel”;
Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
mitte-rubiidium ja pikaajaline stabiilsus vähem (parem) kui 1 × 10–11/kuu või
Non-“space-qualified” and having all of the following:
mitte-„kosmosekindel” ja kõigi järgmiste omadustega: a. rubiidiumstandard;
a. Being a rubidium standard;
b. pikaajaline stabiilsus vähem (parem) kui 1 × 10–11/kuu ja
a. Analogue-to-digital converters, usable in “missiles”, designed to meet military specifications for ruggedised equipment;
a. analoog-digitaalmuundurid, mis on kasutatavad „rakettmürskudes” ja mis on kavandatud vastama robustsetele seadmetele kehtestatud sõjalistele nõuetele;
b. Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
b. kiirendid, mis on võimelised lähetama elektromagnetilist kiirgust, mis tekitatakse kuni 2 MeV või suurema energiani kiirendatud elektronide pidurdamisel (bremsstrahlung), ning neid kiirendeid sisaldavad süsteemid.
b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
punkt 3A101.b ei hõlma seadmeid, mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks meditsiinis.
‘Thermal batteries’ designed or modified for ‘missiles’.
‘Termopatareid’, loodud või kohandatud ‘rakettmürskude’ jaoks.
In 3A102 ‘thermal batteries’ are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
Punktis 3A102 nimetatud ‘termopatareid’ on ühekorrapatareid, mis elektrolüüdina sisaldavad tahket mittejuhtivat anorgaanilist soola.
In 3A102 ‘missile’ means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
Punktis 3A102 tähendab ‘rakettmürsk’ terviklikke raketisüsteeme ja mehitamata õhusõidukisüsteeme, mille lennuulatus ületab 300 km.
Electronic components, other than those specified in 3A001, as follows:
Elektroonilised komponendid, muud kui punktis 3A001 nimetatud:
a. Capacitors having either of the following sets of characteristics:
a. kondensaatorid, millel on järgmised omaduste kombinatsioonid:
a. Voltage rating greater than 1,4 kV;
a. tööpinge suurem kui 1,4 kV,
b. Energy storage greater than 10 J;
b. energiamahutavus suurem kui 10 J,
c. Capacitance greater than 0,5 μF; and
c. elektrimahtuvus suurem kui 0,5 μF ja
d. Series inductance less than 50 nH; or
d. jadainduktiivsus väiksem kui 50 nH; või
a. Voltage rating greater than 750 V;
a. tööpinge suurem kui 750 V,
b. Capacitance greater than 0,25 μF; and
b. elektrimahtuvus suurem kui 0,25 μF ja
c. Series inductance less than 10 nH;
c. jadainduktiivsus väiksem kui 10 nH;
b. Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
b. ülijuhtivad solenoid-elektromagnetid, millel on kõik järgmised omadused:
Capable of creating magnetic fields greater than 2 T;
võimaldavad tekitada magnetvälja tugevusega üle 2 tesla,
A ratio of length to inner diameter greater than 2;
pikkuse ja sisediameetri suhe 2 või rohkem,
b. does not control magnets specially designed for and exported ‘as parts of’ medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
punkt 3A201.b ei hõlma magneteid, mis on spetsiaalselt kavandatud tuumamagnetresonantskuvamise süsteemi jaoks ja eksporditud tuumamagnetresonantskuvamise süsteemi ‘osadena’.
The phrase ‘as part of’ does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched ‘as part of’ the imaging systems.
Sõna ‘osadena’ ei tähenda tingimata sama saadetise füüsilist osa; on lubatud erinevad saadetised ka erinevatest allikatest, kusjuures nende saadetiste ekspordidokumentides peab olema selgelt märgitud, et saadetis on saadetud kui kuvamissüsteemi ‘osa’.
c. Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
c. impulss röntgenikiirguse generaatorid või impulsselektronkiirendid, millel on mis tahes järgmine omaduste kombinatsioon:
a. An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
a. kiirendatud elektronide tippenergia 500 keV või rohkem, kuid vähem kui 25 MeV ja
b. With a ‘figure of merit’ (K) of 0,25 or greater; or
b. ‘hüvetegur’ (K) 0,25 või rohkem või
a. An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
a. kiirendatud elektronide tippenergia 25 MeV või rohkem ja
b. A ‘peak power’ greater than 50 MW.
b. ‘tippvõimsus’ on suurem kui 50 MW.
c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes:
punkt 3A201.c ei hõlma kiirendeid, mida kasutatakse muude seadmete komponentidena, mille eesmärgiks ei ole elektronkiire- või röntgenikiirguse tekitamine (nt elektronmikroskoopia) või mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks meditsiinis. Tehnilised märkused 1.
The ‘figure of merit’ K is defined as:
kus V on elektronide tippenergia megaelektronvoltides.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
Q on võrdne elektronkiire voolu i amprites integraaliga aja t suhtes sekundites, üle impulsi kestuse (Q = ∫ idt).
‘Peak power’ = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
‘Tippvõimsus’ = (tipp-pinge voltides) × (elektronkiire tippvool amprites).
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
Kiirendites, mis põhinevad mikrolaine õõnesresonaatoritel, loetakse impulsi kestuseks järgmistest väikseim: kas 1 μs või ühe mikrolaine modulaatoriimpulsi tekitatud kokkusurutud kiirepaketi kestus.
b. Capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
b. sagedusvahemik 600 – 2000 Hz;
c. Total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
c. täielik harmooniline moonutus alla 10 % ja
d. Frequency control better (less) than 0,1 %.
d. sageduse stabiilsus parem kui 0,1 %.
a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
a. võimaldavad 8 tunni jooksul saada pidevalt väljundpinget 100 V või rohkem voolutugevusel 500 A või rohkem ja
b. Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
b. voolu ja pinge stabiilsus 8 tunni vältel on parem kui 0,1 %.
High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
Kõrgepingelised alalisvooluallikad, muud kui punktis 0B001.j.5 nimetatud, millel on mõlemad järgmised omadused:
a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
a. võimaldavad 8 tunni jooksul saada pidevalt väljundpinget 20 kV või rohkem voolutugevusel 1 A või rohkem ja
a. Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
a. külmkatoodiga lambid, gaasiga täidetult või mitte, mis töötavad analoogiliselt kaitsesädemikuga ja millel on kõik järgmised omadused:
228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
punkt 3A228 hõlmab gaastäitega krütrone ja vakuumsprütrone.
b. Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
b. ümberlülitatavad sädevahemikud, millel on mõlemad järgmised omadused:
c. Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
c. kiirlülitustoimega moodulid või sõlmed, muud kui punktis 3A001.g või 3A001.h nimetatud, millel on kõik järgmised omadused:
Turn-on time of 1 μs or less.
sisselülitusaeg 1 μs või vähem.
See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
Lõhkeaine detonaatorite initsieerimise süsteemide kohta vt punkti 1A007.a.
a. Not used;
a. ei kasutata;
b. Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
b. moodul-elektriimpulsi generaatorid (pulsarid), millel on kõik järgmised tehnilised omadused:
Having a ‘rise time’ of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
‘tõusuaeg’ vähem kui 10 μs koormusel vähem kui 40 oomi;
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
ette nähtud kasutamiseks laiendatud temperatuurivahemikus 223 K (–50 °C) kuni 373 K (100 °C) või määratletud kohaseks kasutamiseks kosmoses.
b. includes xenon flash-lamp drivers.
punkt 3A229.b hõlmab ka ksenoonvälklampide juhtimisseadmeid.
a. Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms; and
a. väljundpinge üle 6 V aktiivkoormusel vähem kui 55 oomi ja
b. ‘Pulse transition time’ less than 500 ps.
b. ‘impulsi siirdeaeg’ 500 ps või vähem.
In 3A230, ‘pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Punktis 3A230 on ‘impulsi siirdeaeg’ defineeritud kui ajavahemik pinge amplituudi väärtuste 10 % ja 90 % vahel.
a. Designed for operation without an external vacuum system; and
a. nad on ette nähtud tööoperatsioonide täitmiseks ilma välise vaakumsüsteemita ja
b. Utilising electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
b. triitium-deuteerium-tuumareaktsiooni esilekutsumiseks kasutatakse elektrostaatilist kiirendamist.
See 1A007.b. for detonators.
Detonaatorite kohta vt punkti 1A007.b.
b. Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
b. süsteemid, mis kasutatavad üksik- või mitmikdetonaatoreid, mis on ette nähtud üle 5000 mm2 lõhkeainepinna peaaegu samaaegseks initsieerimiseks ühe süütesignaaliga nii, et initsieerimise ajaline ulatus üle kogu pinna oleks vähem kui 2,5 μs.
232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
punkt 3A232 ei hõlma detonaatoreid, mis kasutavad ainult initsieerivaid lõhkeaineid, nagu näiteks pliiasiid.
d. Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
d. elektronpommitusega massispektromeetrid, mille allikakonteiner on valmistatud, vooderdatud või kaetud UF6-kindlate materjalidega;
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or
kiirgusallika konteiner on valmistatud, vooderdatud või kaetud roostevaba terasega või molübdeeniga ja varustatud külmalõksuga, mida on võimalik jahutada temperatuurile 193 K (–80 °C) või madalamale, või
A source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
kiirgusallika konteiner on valmistatud, vooderdatud või kaetud UF6-kindlate materjalidega;
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Järgmised seadmed pooljuhtseadiste ja -materjalide tootmiseks ning spetsiaalselt nende jaoks ette nähtud komponendid ja abiseadmed:
a. Equipment designed for epitaxial growth as follows:
a. epitakskasvatamise seadmed:
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
seadmed, mis on võimelised tootma ühtlast mis tahes materjali, v.a räni, kihti, mille ebaühtlus 75 mm või pikemal vahemikul on väiksem kui ± 2,5 %;
a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
punkt 3B001.a.1 hõlmab aatomkihtepitaksia (ALE) seadmeid.
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
molekulaarkimp-epitakskasvatamise seadmed, milles kasutatakse gaasilisi või tahkeid allikaid;
b. Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
b. ioonlegeerimisseadmed, millel on mis tahes järgmine omadus:
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material “substrate”;
kimbu energiaga 65 keV või rohkem ja kimbu vooluga 45 mA või rohkem kõrgenergeetiliseks hapniku istutamiseks kuumutatud pooljuhtmaterjali „põhimikku”;
c. Anisotropic plasma dry etching equipment having both of the following:
c. anisotroopsed plasmakuivsöövitusseadmed, millel on kõik järgmised omadused:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 65 nm or less; and
kavandatud või optimeeritud saavutama kriitilist mõõtu 65 nm või vähem ja
Within-wafer non-uniformity equal to or less than 10 % 3σ measured with an edge exclusion of 2 mm or less;
toorikkiipide ebaühtlus on 10 % 3σ või väiksem, mõõdetuna 2 mm serva arvestamata;
d. Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition (CVD) equipment as follows:
d. plasmaaktiveeritud keemilise aurustamise-sadestamise (CVD) seadmed:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
seadmed kassetist-kassetti tüüpi toimimisviisi ning täitelüüsidega, mis on tootja spetsifikatsioonide järgi ette nähtud või optimeeritud pooljuhtseadiste tootmises kasutamiseks kriitiliste mõõtmetega 65 nm või vähem;
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktiga 3B001.e hõlmatud seadmete jaoks ja mis on tootja spetsifikatsioonide järgi ette nähtud või optimeeritud pooljuhtseadiste tootmises kasutamiseks kriitiliste mõõtmetega 65 nm või vähem;
e. Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having both of the following:
e. automaatse laadimisega mitmekambrilised kesksed toorikkiipide käsitsemise süsteemid, millel on järgmised omadused:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different ‘semiconductor process tools’ specified in 3B001.a., 3B001.b., 3B001.c. or 3B001.d. are designed to be connected; and
liides toorikkiipide sisestamiseks ja väljavõtmiseks, millega võib liita enam kui kaks funktsionaalselt erinevat pooljuhte töötlevat seadet, mis on nimetatud punktis 3B001.a, 3B001.b, 3B001.c või 3B001.d, ja
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for ‘sequential multiple wafer processing’;
on arendatud moodustama integreeritud süsteemi kiipide järjestiktöötlemiseks vaakumkeskkonnas;
e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
punkt 3B001.e ei hõlma automaatseid kiipide käsitsemise robotsüsteeme, mis on spetsiaalselt kavandatud kiipide paralleeltöötlemiseks.
For the purpose of 3B001.e., ‘semiconductor process tools’ refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.
Punkti 3B001.e kohaldamisel tähendab „pooljuhte töötlev seade” moodulseadet, mis rakendab pooljuhtide tootmiseks funktsionaalselt erinevaid füüsikalisi protsesse, näiteks sadestamist, söövitamist, implanteerimist või termilist töötlemist.
For the purpose of 3B001.e., ‘sequential multiple wafer processing’ means the capability to process each wafer in different ‘semiconductor process tools’, such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
Punkti 3B001.e kohaldamisel tähendab „kiipide järjestiktöötlemine” võimet töödelda igat kiipi erinevas „pooljuhte töötlevas seadmes”, näiteks paigutades igat kiipi ühest seadmest teise seadmesse ja edasi kolmandasse seadmesse automaatse laadimisega mitmekambriliste kesksete toorikkiipide käsitsemise süsteemidega.
f. Lithography equipment as follows:
f. järgmised litograafiaseadmed:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having either of the following:
„paiguta ja särita ning korda sammhaaval” (otsene samm kiibil) või „samm ja skaneeri” (skanner) tüüpi seadmed kiipide töötlemiseks, mis kasutavad valgusoptilist või röntgenikiirte meetodeid ja millel on mis tahes järgmine omadus:
a. A light source wavelength shorter than 245 nm; or
a. valgusallika lainepikkus on lühem kui 245 nm või
b. Capable of producing a pattern with a ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) of 95 nm or less;
b. on võimelised tekitama mustrit, milles ‘vähima lahutatava elemendi mõõt’ (MRF) on 95 nm või vähem;