natgillin/translations-raw huggingface dataset:
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 or 2B227.
„Tarkvara”, mis on spetsiaalselt loodud punktis 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 või 2B227 nimetatud seadmete „kasutamiseks”.
"Software", other than that specified in 1D003, specially designed for "use" of equipment specified in 2B351.
Punktiga 1D003 hõlmamata „tarkvara”, mis on spetsiaalselt loodud punktis 2B351 nimetatud seadmete „kasutamiseks”.
"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 2A or 2B.
Tehnoloogia üldmärkusele vastav „tehnoloogia”, mis on ette nähtud punktis 2A või 2B nimetatud seadmete „tootmiseks”.
Other "technology", as follows:
Muu järgmine „tehnoloogia”:
"Technology" for the "development" of interactive graphics as an integrated part in "numerical control" units for preparation or modification of part programmes;
„tehnoloogia” töötlemisprogrammide ettevalmistamiseks või muutmiseks vajaliku interaktiivgraafika „arendamiseks”„arvjuhtimis”moodulite integreeritud osana;
"Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:
metallitöötlemise tootmisprotsesside „tehnoloogia”:
"Technology" for the design of tools, dies or fixtures specially designed for any of the following processes:
spetsiaalselt järgnevalt loetletud protsesside jaoks loodud tööriistade, matriitside ja rakiste konstrueerimise „tehnoloogia”:
"Superplastic forming";
„üliplastne vormimine”;
"Diffusion bonding"; or
„difusioonkeevitus”või
"Direct-acting hydraulic pressing";
„otsetoimehüdropressimine”;
"Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
Alumiiniumi-, titaani- või „supersulamite”„üliplastne vormimine”:
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
titaani- või „supersulamite”„difusioonkeevitus”:
"Direct-acting hydraulic pressing" of aluminium alloys or titanium alloys:
alumiiniumi- või titaanisulamite „otsetoimehüdropressimine”:
"Hot isostatic densification" of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
titaani-, alumiiniumi- või „supersulamite”„kuumisostaattihendamine”:
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
õhusõidukite tarindite tootmiseks hüdraulilise venitamisega vormimismasinate ja nende juurde kuuluvate matriitside „arendamise” või „tootmise”„tehnoloogia”;
"Technology" for the "development" of generators of machine tool instructions (e.g., part programmes) from design data residing inside "numerical control" units;
tööpingi „arvjuhtimis”moodulis olevatest projekteerimisandmetest juhtimiskäskude moodustamise generaatori (nt töötlemisprogrammid) „arendamise”„tehnoloogia”;
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
„tehnoloogia” integratsiooni „tarkvara”„arendamiseks” ekspertsüsteemide sisseviimiseks „arvjuhitavatesse” moodulitesse, tootmispindadel toiminguotsuste edendatud toetamiseks;
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
„tehnoloogia” mitteelektroonsete põhimike (substraatide) (määratletud alljärgneva tabeli 2. veerus) anorgaaniliste pinnakatetega või anorgaaniliste muundatud pinnakatetega (määratletud alljärgneva tabeli 3. veerus) katmiseks protsessides, mis on määratletud alljärgneva tabeli 1. veerus ning on defineeritud tehnilises märkuses.
Note:The table and Technical Note appear after entry 2E301.
Märkus:Tabel ning tehniline märkus on esitatud punkti 2E301 järel.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
Tehnoloogia üldmärkusele vastav „tehnoloogia”, mis on ette nähtud punktis 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119–2B122 või 2D101 nimetatud seadmete või „tarkvara”„kasutamiseks”.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B232, 2D201 or 2D202.
Tehnoloogia üldmärkusele vastav „tehnoloogia”, mis on ette nähtud punktis 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b, 2B007.c, 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225–2B232, 2D201 või 2D202 nimetatud seadmete või „tarkvara”„kasutamiseks”.
Chemical Vapour Deposition (CVD)
Keemiline aurustamine- sadestamine (CVD)
Ceramics (19) and Low- expansion glasses (14)
Keraamika (19) ja vähepaisuvad klaasid (14)
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix""composites"
Süsinik-süsinik-, keraamiliste ja metall „põhiainete”„komposiidid”
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
Kõvasulamvolframkarbiid (16), ränikarbiid (18)
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
Füüsikaline aurustamine-sadestamine (PVD): Elektronkiire abil toimuv aurustamine-sadestamine (EB-PVD)
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
Ioonide abil toimuv takistusliku kuumutamisega tekitatud aurustamine- sadestamine (PVD): (ioonpindamine)
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
Kõvasulamvolframkarbiid (16), ränikarbiid
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
Füüsikaline aurustamine-sadestamine (PVD): „Laser” aurustamine
Diamond-like carbon
Teemandilaadne süsinik
Polymers (11) and
Polümeerid (11) ja orgaaniliste „põhiainete”„komposiidid”
Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
Tahke tsementiitimine (vt A ülal pulber-kontaktita (out-of-pack) tsementiitimine) (10)
Organic "matrix""composites" Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix""composites"
Süsinik-süsinik, keraamiliste ja metall- „põhiainete”„komposiidid”
Abradable Nickel-Graphite Abradable materials
Kulutatav nikkelgrafiit Kulutatavad materjalid,
Fused silicides
Klaasistatud silitsiididKlaasistatud aluminiidid,
Fused aluminides except for resistance heating elements
takistus-kütteelemendid
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
Keraamika ja vähepaisuvad klaasid (14)
Additions of Chromium Tantalum orNiobium (Columbium)
Lisandid: kroom, tantaal või nioobium (kolumbium)
Cemented tungsten carbide (16)
Kõvasulamvolfram-karbiid (16)
Table — Deposition techniques — Notes
Tabel – Pinnakatmise tehnikad – Märkused
The term ’coating process’ includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Mõiste ’pindamismenetlus’ hõlmab nii pinnakatte parandamist ja uuendamist kui ka originaalpinnakatmist.
The term ’alloyed aluminide coating’ includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Mõiste ’legeeritud aluminiidkate’ sisaldab ühe- või mitmeastmelise katmise, mille kestel element või elemendid on sadestatud enne või ka samaaegselt aluminiidiga, ka siis, kui need elemendid sadestatakse erineva pindamismenetluse abil.
The term ’noble metal modified aluminide’ coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
Mõiste ’väärismetallidega muundatud aluminiidkate’ hõlmab mitmeastmelisi kihte, milles väärismetall või väärismetallid on kantud põhimikule enne aluminiidiga katmist mõne muu pindamismenetluse abil.
The term ’mixtures thereof’ includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
Mõiste ’nende segud’ sisaldab infiltreeritud aineid, nende astmelisi segusid, samaegseid kaassadestamisi ja mitmekihilisi sadestamisi ning on saadud ühe või enama tabelis nimetatud pindamismenetluse teel.
’MCrAlX’ refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
’MCrAlX’ tähistab pindamissulamit, kus „M” tähistab koobaldit, rauda, niklit või nende kombinatsioone ning „X” tähistab hafniumit, ütriumit, räni, tantaali mis tahes koguses või teisi tahtlikke lisandeid üle 0,01 massi% mitmesugustes kombinatsioonides ning suhetes, välja arvatud:
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
CoCrAlY-katted, mis sisaldavad vähem kui 22 massi% kroomi, vähem kui 7 massi% alumiiniumi ja vähem kui 2 massi% ütriumi;
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
CoCrAlY-katted, mis sisaldavad 22–24 massi% kroomi, 10–12 massi% alumiiniumi ja 0,5–0,7 massi% ütriumi, või
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
NiCrAlY-katted, mis sisaldavad 21–23 massi% kroomi, 10–12 massi% alumiiniumi ja 0,9–1,1 massi% ütriumi.
The term ’aluminium alloys’ refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Mõiste ’alumiiniumisulam’ tähendab sulameid, mille tõmbetugevus on 190 MPa või rohkem, mõõdetuna temperatuuril 293 K (20 °C).
The term ’corrosion resistant steel’ refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
Mõiste ’korrosioonikindel teras’ tähendab AISI (American Iron and Steel Institute (Ameerika Raua ja Terase Instituut))300 seeria või vastavale siseriiklikule standardile vastavaid terasesorte.
’Refractory metals and alloys’ include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
’Rasksulavad metallid ja sulamid’ hõlmavad järgmisi metalle ja nende sulameid: nioobium (kolumbium), molübdeen, volfram ja tantaal.
’Sensor window materials’, as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
’Andur-aknamaterjalid’ on järgmised: alumiiniumoksiid, räni, germaanium, tsinksulfiid, tsinkseleniid, galliumarseniid, teemant, galliumfosfiid, safiir ning järgmiste metallide halogeniidid: tsirkooniumfluoriididst ja hafniumfluoriidist koosnevad andur-aknamaterjalid, mille läbimõõt on üle 40 mm.
’Polymers’, as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Järgmised ’polümeerid’: polüimiid, polüester, polüsulfiid, polükarbonaadid ja polüuretaanid.
’Modified zirconia’ refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
’Muundatud tsirkooniumoksiid’ tähendab, et tsirkooniumis on lisandina muude metallide oksiide (nt kaltsiumoksiid, magneesiumoksiid, ütriumoksiid, hafniumoksiid, haruldaste muldmetallide oksiidid), et stabiliseerida kindlaid kristallograafilisi faase ja faaside ühendeid.
’Titanium alloys’ refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
’Titaanisulamid’ tähendavad ainult kosmoselendude jaoks kasutatavaid sulameid, mille temperatuuril 293 K (20 °C) mõõdetud tõmbetugevus on 900 MPa või rohkem.
’Low-expansion glasses’ refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
’Vähepaisuvad klaasid’ tähendavad klaase, mille temperatuuril 293 K (20 °C) mõõdetud soojusliku paisumise tegur on 1 × 10–7 K–1 või vähem.
’Dielectric layers’ are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
’Dielektrilised kihid’ on pinnakatted, mis koosnevad paljudest dielektrilise materjali kihtidest, mille erinevate murdumisnäitajatega ainete kombinatsioonide planeeritud interferentsiomadused on kasutatud erinevate lainepikkusvahemike peegeldamiseks, ülekandmiseks või neelamiseks.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
Dielektrilised kihid tähendavad rohkem kui nelja dielektrilist kihti või dielektrik/metall „komposiit”kihti.
’Cemented tungsten carbide’ does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
’Kõvasulam volframkarbiid’ ei hõlma lõike- ja vormimisinstrumentide materjale, mis koosnevad volframkarbiidist/(koobalt, nikkel), titaankarbiidist/(koobalt, nikkel), kroomkarbiidist/nikkel-kroom ja kroomkarbiidist/nikkel.
’Silicon carbide’ does not include cutting and forming tool materials.
’Ränikarbiid’ ei hõlma lõike- ning vormimisinstrumentide materjale.
Table — Deposition techniques — Technical note
Tabel – Pinnakatmise tehnikad – Tehniline Märkus
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
keemiline aurustamine-sadestamine (CVD) on pinnakatmise või pinna muundamise protsess, mille kestel metall, sulam, dielektriline või keraamiline „komposiit”, sadestatakse kuumutatud põhimikule.
includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
NB 1!CVD sisaldab järgmisi menetlusi: sadestamine suunatud gaasivoo abil, ilma otsese põhimiku pulberkontaktita (out-of-pack), CVD-katmine pulseeriva rõhu juures, kontrollitud idustamisega termiline sadestamine (CNTD), plasmaaktiveeritud või plasma osalusel CVD menetlused.
denotes a substrate immersed in a powder mixture.
NB 2!Pulberkontakt tähendab, et põhimik on pulbrisegusse uputatud.
gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
NB 3!Gaasilisi reageerivaid aineid, mida kasutatakse pulberkontaktita menetlustes, toodetakse samu põhireaktsioone ja parameetreid kasutades nagu tahke tsementiitimise protsessiski, välja arvatud see, et kaetav põhimik pole otseses kokkupuutes pulbriseguga.
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
„laser”aurustamisel kasutatakse kas impulss- või pidevlaine „laser”kiiri katet moodustava aine aurustamiseks;
definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
NB!See definitsioon ei hõlma juhuslikku katoodsadestamist eelpingestamata põhimikele.
pressure means less than ambient atmospheric pressure.
NB 1!Madal rõhk tähendab siin ümbritsevast rõhust madalamat rõhku.
velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
NB 2!Ülikiire tähendab düüsist väljuva gaasi kiirust, mis on suurem kui 750 m/s, arvutatuna 293 K (20 °C) juures rõhul 0,1 MPa.
Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
NB 1!Tabelis on viidatud vaid triood-, magnetron- või reaktiiv- atomisatsioonsadestamisele, mida kasutatakse katte nakkuvuse ja sadestuskiiruse suurendamiseks ning raadiosageduslikult suurendatud atomisatsioonsadestamisel, mis võimaldab aurustada ka mittemetallilisi kattematerjale.
N.B.2Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
NB 2!Sadestumise aktiveerimiseks kasutatakse madalaenergeetilisi (alla 5 keV) ioonkiiri.
Note 1:The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Märkus 1:Punktis 3A001 või 3A002 nimetatud selliste seadmete ja komponentide kontrolli alla kuulumine (v.a punktides 3A001.a.3–3A001.a.10 või punktis 3A001.a.12 nimetatud), mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks muudes seadmetes või millel on muudele seadmetele iseloomulikud tunnused, määratakse nende muude seadmete kontrolli alla kuulumisega.
Note 2:The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Märkus 2:Punktides 3A001.a.3–3A001.a.9 või punktis 3A001.a.12 nimetatud selliste integraallülituste kontrolli alla kuulumine, mis on püsiprogrammeeritud või kavandatud muude seadmete spetsiifiliste funktsioonide täitmiseks, määratakse nende seadmete kontrolli alla kuulumise alusel, milles neid kasutatakse.
N.B.:When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
NB!Kui tootja või loataotleja ei suuda kindlaks määrata nende muude seadmete kontrolli alla kuulumist, määratakse nende integraallülituste kontrolli alla kuulumine punktides 3A001.a.3–3A001.a.9 ja 3A001.a.12.
General purpose integrated circuits, as follows:
järgmised üldise kasutusega integraallülitused:
Note 1:The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Märkus 1:Selliste (valmis või poolvalmis) pooljuhtplaatide kontrolli alla kuulumist, mille otstarve on kindlaks määratud, hinnatakse punkti 3A001.a parameetrite põhjal.
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Integraallülitused, mis on planeeritud või arvestatud taluma kiirgust järgmiselt:
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
doosikiirus, mille väärtus on 5×106 Gy (räni)/s või rohkem või
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
„Mikroprotsessori mikroskeemid”, „mikroarvuti mikroskeemid”, mikrokontrolleri mikroskeemid, liitpooljuhtidest valmistatud mäluintegraallülitused, analoog-digitaal muundajad, digitaal-analoog muundajad, „signaalitöötluseks” ettenähtud elektrooptilised või „optilised integraallülitused”, kasutaja poolt programmeeritavad loogikaseadmed, tundmatu otstarbega tavaintegraallülitused või integraallülitused, mis on ette nähtud kasutamiseks teadmata kontrollitavusega seadmes, Fourier kiirteisenduse (FFT) protsessorid, programmeeritavad elekterkustutusega püsimälud (EEPROM), välkmälud või staatilised muutmälud (SRAM), millel on mis tahes järgmine omadus:
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (–55 °C); or
määratud toimima keskkonnatemperatuuril alla 218 K (–55 °C) või
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (–55 °C) to 398 K (125 °C);
määratud toimima keskkonnatemperatuuril 218 K (–55 °C) kuni 398 K (+125 °C);
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
„Mikroprotsessori mikroskeemid”, „mikroarvuti mikroskeemid” ja mikrokontrolleri mikroskeemid, mis on valmistatud liitpooljuhist ja toimib taktsagedusel üle 40 MHz;
Analogue-to-digital converters having any of the following:
analoog-digitaalmuundurid, millel on mis tahes järgmine omadus:
ALSO 3A101
NB!VT KA PUNKTI 3A101
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
eraldusvõime üle 10 biti, kuid vähem kui 12 bitti, väljundsagedusega rohkem kui 200 miljonit sõna sekundis;
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 105 million words per second;
eraldusvõime 12 bitti, väljundsagedusega rohkem kui 105 miljonit sõna sekundis;
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 10 million words per second; or
eraldusvõime üle 12 biti, kuid võrdne või vähem kui 14 bitti, väljundsagedusega rohkem kui 10 miljonit sõna sekundis või
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 2,5 million words per second;
eraldusvõime üle 14 biti, väljundsagedusega rohkem kui 2,5 miljon sõna sekundis;
Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more and a "settling time" of less than 10 ns;
digitaal-analoogmuundurid, mille eraldusvõime on 12 bitti või rohkem ning „seadumisaeg” on vähem kui 10 ns;
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
Eraldusvõime n bitti vastab signaali amplituudi kvantimisele 2n tasemeks.
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
„Signaalitöötluseks” arendatud elektro-optilised ja „optilised integraallülitused”, milles on kõik järgmised:
One or more than one internal "laser" diode;
üks või enam kui üks sisemine „laser”diood;
’Field programmable logic devices’ having any of the following:
’Kasutaja poolt programmeeritav loogikaseade’, millel on mis tahes järgmised omadused:
A maximum number of digital input/outputs greater than 200; or
digitaalsete sisendite/väljundite maksimaalne arv on suurem kui 200; või
A system gate count of greater than 230000;
süsteemi loogikaventiilide arv on suurem kui 230000;
Field Programmable Interconnects (FPICs)
Väljaga programmeeritavad ühendused (FPIC)
’Field programmable logic devices’ are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
’Kasutaja poolt programmeeritavad loogikaseadmed’ on tuntud ka kui kasutaja programmeeritav ventiil või kasutaja programmeeritavad loogikamaatriksid.
Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
Punktis 3A001.a.7.a nimetatud digitaalsete sisendite/väljundite maksimaalset arvu nimetatakse ka maksimaalseteks kasutajasisenditeks/-väljunditeks või maksimaalseteks kasutada olevateks sisenditeks/väljunditeks, olenevalt sellest, kas integraallülitus on korpusega või korpuseta.
More than 1500 terminals;
rohkem kui 1500 klemmi;
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,02 ns; or
tüüpiline „hilistus põhiventiilis levimisel” on alla 0,02 ns või
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N) /20480 ms, where N is the number of points;
Fourier’ kiirteisenduse (FFT) protsessorid, mille arvestuslik N-punktilise kompleksse Fourier’ kiirteisenduse tegemise aeg on lühem kui (N log2 N)/20480 ms, kus N on punktide arv;
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 µs.
Kui N võrdub 1024 punktiga, siis on punktis 3A001.a.12 valemi järgi teisenduse tegemise aeg 500 µs.