natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
p–n-siirdega väljatransistorid (JFET)
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
vertikaalsed p–n-siirdega väljatransistorid (VJFET)
Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)
metall-oksiid-pooljuht väljatransistorid (MOSFET)
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
topelt hajutusega metall-oksiid-pooljuht väljatransistorid (DMOSFET)
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
isoleeritud paisuga bipolaartransistorid (IGBT)
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
elektronide kõrgliikuvusega transistorid (HEMT)
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
bipolaartransistorid (BJT)
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
türistorid ja reguleeritavad ränialaldid (SCR)
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
suletavad türistorid (GTO)
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
emitteriga suletavad türistorid (ETO)
PiN Diodes
PiN-dioodid
Schottky Diodes
Schottky dioodid
Note 3:3A001.h. does not control switches, diodes, or ’modules’ incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
Märkus 3:Punkt 3A001.h ei hõlma lüliteid, dioode või ’mooduleid’, mis on osaks tsiviilotstarbelistes mootorsõidukites, tsiviilotstarbelistes raudteesõidukites või „tsiviilõhusõidukites” kasutatavate rakenduste jaoks loodud seadmetest.
For the purposes of 3A001.h., ’modules’ contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
Punkti 3A001.h mõistes hõlmab ’moodul’ ühte või mitut tahkisjõu pooljuhtlülitit või dioodi.
Recording equipment as follows and specially designed test tape therefor:
järgmised lindistusseadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud testlindid:
A bandwidth exceeding 2 MHz per electronic channel or track and having more than 42 tracks; or
ribalaius üle 2 MHz ühe elektrontrakti või salvestusraja kohta, omades enam kui 42 salvestusrada, või
A time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ±0,1 µs;
ajaline nihe (viga) ajabaasi suhtes (base error), mis on mõõdetud vastavalt salvestusmeetodite normeerimise komisjoni (IRIG) või Elektroonikatööstuste Ühenduse (EIA) nõuetele, on alla ±0,1 µs;
Note:Analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
Märkus:Analoogmagnetofone, mis on spetsiaalselt kavandatud tsiviilotstarbelise videoseadmena, ei käsitleta aparatuuri lindistusseadmena.
Digital video magnetic tape recorders having a maximum digital interface transfer rate exceeding 360 Mbit/s;
digitaalsed videomagnetofonid, mille digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on üle 360 Mbit/s;
Digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having any of the following:
kruvilaotustehnikat või liikumatu magnetpeatehnikat rakendavad digitaalsed magnetofonid, millel on mis tahes järgmine omadus:
A maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s; or
digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on üle 175 Mbit/s või
Note:3A002.a.3. does not control analogue magnetic tape recorders equipped with HDDR conversion electronics and configured to record only digital data.
Märkus:Punkt 3A002.a.3 ei hõlma analoogmagnetofone, mis on varustatud HDDR-i muundamise elektroonikaga ja ette nähtud ainult digitaalsete andmete salvestamiseks.
Equipment having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s and designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
seadmed, mille digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on üle 175 Mbit/s ja mis on kavandatud digitaalse videomagnetofoni muutmiseks aparatuuri andmete digitaalseks salvestusseadmeks;
Waveform digitisers and transient recorders, having all of the following:
lainekuju digitaatorid ja ajutised salvestusseadmed, millel on kõik järgmised omadused:
Digitising rate equal to or more than 200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more; and
digiteerimikiirus on 200 miljonit või rohkem valimit sekundis ja lahutusvõime 10 bitti või enam ja
A ’continuous throughput’ of 2 Gbit/s or more;
’pidev jõudlus’ 2 Gbit/s või rohkem;
For those instruments with a parallel bus architecture, the ’continuous throughput’ rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Paralleelsiinidega arhitektuuriga seadmete korral on ’pidev jõudlus’ suurim sõnakiirus, mis on korrutatud bittide arvuga sõnas.
’Continuous throughput’ is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
’Pidevaks jõudluseks’ nimetatakse andmete suurimat väljastuskiirust massmälusse, mida seade võib arendada ilma mingisuguse informatsiooni kaota, säilitades valimi võtmise kiiruse ja selle analoog-digitaalse muundamise.
Digital instrumentation data recorders using magnetic disk storage technique and having all of the following:
andmete digitaalsed salvestusseadmed, milles kasutatakse magnetkettale salvestamise tehnikat ja millel on kõik järgmised omadused:
Digitising rate equal to or more than 100 million samples per second and a resolution of 8 bit or more; and
digiteerimikiirus on 100 miljonit või rohkem valimit sekundis ja lahutusvõime 8 bitti või enam ja
A ’continuous throughput’ of 1 Gbit/s or more;
’pidev jõudlus’ 1 Gbit/s või rohkem;
"Frequency synthesiser""electronic assemblies" having a "frequency switching time" from one selected frequency to another of less than 1 ms;
„sagedussüntesaatori”„elektroonikasõlmed”, mille „sageduse ümberlülitusaeg” ühelt valitud sageduselt teisele on alla 1 ms;
Note:The control status of "signal analysers", signal generators, network analysers, and microwave test receivers as stand-alone instruments is determined by 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., and 3A002.f., respectively.
Märkus:„Signaalianalüsaatorite”, signaalgeneraatorite, võrguanalüsaatorite ja mikrolaine testvastuvõtjate eraldi seadmetena kontrolli alla kuulumine on määratud vastavalt punktides 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., ja 3A002.f.
Radio-frequency "signal analysers" as follows:
järgmised raadiosageduse „signaalianalüsaatorid”:
"Signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz and having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz;
„signaalianalüsaatorid”, mis on võimelised analüüsima sagedusi üle 31,8 GHz, kuid mitte üle 37, 5 GHz ja millel on 3 dB eraldusvõimeriba (RBW) üle 10 MHz;
"Signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 43,5 GHz;
„signaalianalüsaatorid”, mis on võimelised analüüsima üle 43,5 GHz sagedusi;
"Dynamic signal analysers" having a "real-time bandwidth" exceeding 500 kHz;
„dünaamilised signaalianalüsaatorid”, mille „reaalajaline ribalaius” on üle 500 kHz;
Frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:
sagedussüntesaator-signaalgeneraatorid, mis toodavad väljundsagedusi, mille täpsus ning lühi- ja pikaajaline stabiilsus on juhitud, tuletatud ja kontrollitud sisemise võrdlusostsillaatori poolt ja millel on mis tahes järgmised omadused:
A maximum synthesised frequency exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz and rated to generate a ’pulse duration’ of less than 100 ns;
maksimaalne sünteesitav sagedus ületab 31,8 GHz, kuid mitte 43,5 GHz ja genereeritava ’impulsi kestus’ on alla 100 ns;
A "frequency switching time" from one selected frequency to another as specified by any of the following:
„sageduste ümberlülitusaeg” ühelt valitud sageduselt teisele on määratletud ühena järgmistest:
Less than 312 ps;
vähem kui 312 ps;
Less than 100 µs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
vähem kui 100 µs, suurema kui 1,6 GHz sagedusemuutuse korral sünteesitava sageduse vahemikus üle 3,2 GHz, kuid mitte üle 10,6 GHz;
Less than 250 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
vähem kui 250 µs, suurema kui 550 MHz sagedusemuutuse korral sünteesitava sageduse vahemikus üle 10,6 GHz, kuid mitte üle 31,8 GHz;
Less than 500 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
vähem kui 500 µs, suurema kui 550 MHz sagedusemuutuse korral sünteesitava sageduse vahemikus üle 31,8 GHz, kuid mitte üle 43,5 GHz, või
Less than 1 ms within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz; or
vähem kui 1 ms, kui sünteesitav sagedus on üle 43,5 GHz, või
A maximum synthesised frequency exceeding 3,2 GHz and having all of the following:
maksimaalne sünteesitav sagedus ületab 3,2 GHz ning millel on kõik järgmised omadused:
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(126 + 20log10F — 20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
ühe külgriba (SSB) faasimüra (dBc/Hz) on parem kui -(126 + 20 log10F – 20 log10f) 10 Hz < F < 10 kHz kohta; ning
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(114 + 20log10F — 20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
ühe külgriba (SSB) faasimüra (dBc/Hz) on parem kui -(114 + 20log10F – 20log10f) 10 kHz ≤ F < 500 kHz kohta;
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
Punktis 3A002.d.4 on F külgriba sageduse erinevus põhisagedusest hertsides ja f on põhisagedus megahertsides.
Note 1.:For the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Märkus 1:Punkti 3A002.d. tähenduses hõlmab „sagedussüntesaator-signaalgeneraatorid” suvalisi lainekuju ja funktsiooni generaatoreid.
Note 2.:3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Märkus 2:Punkt 3A002.d ei hõlma seadmeid, milles väljundsagedus saadakse kahe või enama kvartsostsillaatori sageduste lisamisel või mahaarvamisel või tulemuse korrutise lisamisel või mahaarvamisel.
Arbitrary waveform and function generators are normally specified by sample rate (e.g., GSample/s), which is converted to the RF domain by the Nyquist factor of two.
Suvalised lainekuju ja funktsiooni generaatorid on tavaliselt spetsifitseeritud diskreetkiiruse järgi (nt Gdiskreeti sekundis), mis teisendatakse raadiosageduslikuks Nyquist teguri kaks abil.
Thus, a 1 GSample/s arbitrary waveform has a direct output capability of 500 MHz.
Seega on 1 Gdiskreeti sekundis suvalise lainekuju otsene väljundsagedus 500 MHz.
Or, when oversampling is used, the maximum direct output capability is proportionately lower.
Või, ülediskreetimise kasutamisel, on maksimaalne väljundsagedus proportsionaalselt madalam.
For the purposes of 3A002.d.1., ’pulse duration’ is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
Punkti 3A002.d.1 tähenduses määratletakse ’impulsi kestust’ ajavahemikuna, mis jääb impulsi esifrondi, mis saavutab 90 % maksimumist, ja impulsi tagafrondi vahele, mis saavutab 10 % maksimumist.
Atomic frequency standards being any of the following:
aatomi võnkesageduse standardid, millel on mis tahes järgmine omadus:
"Space-qualified";
„kosmosekindel”;
Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10-11/month; or
mitte-rubiidium ja pikaajaline stabiilsus vähem (parem) kui 1 × 10–11/ kuu või
Non-"space-qualified" and having all of the following:
mitte-„kosmosekindel” ja kõigi järgmiste omadustega:
Being a rubidium standard;
rubiidiumstandard;
Long-term stability less (better) than 1 × 10-11/month; and
pikaajaline stabiilsus vähem (parem) kui 1 × 10–11/ kuu ja
Total power consumption of less than 1 W.
tarbimisvõimsus vähem kui 1 W.
Analogue-to-digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedized equipment;
analoog-digitaalmuundurid, mis on kasutatavad „rakettmürskudes” ja mis on kavandatud vastama robustsetele seadmetele kehtestatud sõjalistele nõuetele;
’Thermal batteries’ designed or modified for ’missiles’.
’Termopatareid’, loodud või kohandatud ’rakettmürskude’ jaoks.
In 3A102 ’thermal batteries’ are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
Punktis 3A102. nimetatud ’termopatareid’ on ühekorrapatareid, mis elektrolüüdina sisaldavad tahket mittejuhtivat anorgaanilist soola.
In 3A102 ’missile’ means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
Punktis 3A102 tähendab ’rakettmürsk’ terviklikke raketisüsteeme ja mehitamata õhusõidukisüsteeme, mille lennuulatus ületab 300 km.
Capacitance greater than 0,5 µF; and
elektrimahtuvus suurem kui 0,5 µF ja
Capacitance greater than 0,25 µF; and
elektrimahtuvus suurem kui 0,25 µF ja
Capable of creating magnetic fields greater than 2 T;
võimaldavad tekitada magnetvälja tugevusega üle 2 tesla;
Inner diameter greater than 300 mm; and
sisediameeter üle 300 mm ja
Note:3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported ’as parts of’ medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Märkus:Punkt 3A201.b. ei hõlma magneteid, mis on spetsiaalselt kavandatud tuumamagnetresonantskuvamise süsteemi jaoks ja eksporditud tuumamagnetresonantskuvamise süsteemi ’osadena’.
The phrase ’as part of’ does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched ’as part of’ the imaging systems.
Sõna ’osadena’ ei tähenda tingimata sama saadetise füüsilist osa; on lubatud erinevad saadetised ka erinevatest allikatest, kusjuures nende saadetiste ekspordidokumentides peab olema selgelt märgitud, et saadetis on saadetud kui kuvamissüsteemi ’osa’.
Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
impulss röntgenikiirguse generaatorid või impulsselektronkiirendid, millel on mis tahes järgmine omaduste kombinatsioon:
An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
kiirendatud elektronide tippenergia 500 keV või rohkem, kuid vähem kui 25 MeV;ja
With a ’figure of merit’ (K) of 0,25 or greater; or
’hüvetegur’ (K), 0,25 või rohkem või
An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
kiirendatud elektronide tippenergia 25 MeV või rohkem ja
A ’peak power’ greater than 50 MW.
’tippvõimsus’ on suurem kui 50 MW.
Note:3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes:
Märkus:Punkt 3A201.c ei hõlma kiirendeid, mida kasutatakse muude seadmete komponentidena, mille eesmärgiks ei ole elektronkiire- või röntgenikiirguse tekitamine (nt elektronmikroskoopia) või mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks meditsiinis:
The ’figure of merit’ K is defined as:
’Hüvetegur’ on defineeritud järgmiselt:
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 µs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
Kui kiirendi impulsi kestus on 1 s või vähem, siis Q tähistab kogu kiirendatud laengut kulonites.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 µs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 µs.
Kui aga kiirendi impulsi kestvus on pikem kui 1 µs, siis tähistab Q 1 µs jooksul kiirendatud maksimaalset laengut.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 µs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
Q on võrdne elektronkiire voolu i amprites integraaliga aja t suhtes sekundites, üle impulsi kestvuse (Q = ∫ idt).
’Peak power’ = (peak potential in volts) x (peak beam current in amperes).
’Tippvõimsus’ = (tipp-pinge voltides) x (elektronkiire tippvool amprites).
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 µs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
Kiirendites, mis põhinevad mikrolaine õõnesresonaatoritel, loetakse impulsi kestvuseks järgmistest väikseim: kas 1 µs või ühe mikrolaine modulaatoriimpulsi tekitatud kokkusurutud kiirepaketi kestvus.
Total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
täielik harmooniline moonutus alla 10 % ja
High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
Suure võimsusega alalisvooluallikad, muud kui punktis 0B001.j.6 nimetatud, millel on mõlemad järgmised omadused:
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
võimaldavad 8 tunni jooksul saada pidevalt väljundpinget 100 V või rohkem voolutugevusel 500 A või rohkem ja
High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., millel on mõlemad järgmised omadused:
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
võimaldavad 8 tunni jooksul saada pidevalt väljundpinget 20 kV või rohkem voolutugevusel 1A või rohkem ja
Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
külmkatoodiga lambid, gaasiga täidetult või mitte, mis töötavad analoogiliselt kaitsesädemikuga ja millel on kõik järgmised omadused:
Anode peak current rating of 100 A or more; and
anoodvoolu tippnimiväärtus 100 A või rohkem ja ning
Anode delay time of 10 µs or less;
anoodi viiteaeg 10 μs või vähem;
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
Ümberlülitatavad sädevahemikud, millel on mõlemad järgmised omadused:
An anode delay time of 15 µs or less; and
anoodi viiteaeg 15 μs või vähem; ning
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g., having all of the following characteristics:
kiirlülitustoimega moodulid või sõlmed, muud kui punktis 3A001.g. nimetatud, millel on kõik järgmised tehnilised omadused:
Anode peak current rating of 500 A or more; and
anoodvoolu tippnimiväärtus 500 A või rohkem ja
Turn-on time of 1 µs or less.
sisselülitusaeg 1 µs või vähem.
1A007.a. for explosive detonator firing sets.
NB!Lõhkeaine detonaatorite süütamise süsteemide kohta vt punkti 1A007.a.
Enclosed in a dust-tight enclosure;
suletud tolmukindlasse pakendisse;
Capable of delivering their energy in less than 15 µs;
võimelised andma energiat vähem kui 15 µs jooksul;
Having a ’rise time’ of less than 10 µs into loads of less than 40 ohms;
’tõusuaeg’ vähem kui 10 µs, koormusel vähem kui 40 oomi;
Specified for use over an extended temperature range 223 K (–50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
ette nähtud kasutamiseks laiendatud temperatuurivahemikus 223 K (–50 °C) kuni 373 K (+100 °C) või määratletud kohaseks kasutamiseks kosmoses.
Note:3A229.b. includes xenon flash-lamp drivers.
Märkus:Punkt 3A229.b hõlmab ka ksenoonvälklampide juhtimisseadmeid.
’Pulse transition time’ less than 500 ps.
’impulsi siirdeaeg’ 500 ps või vähem.
In 3A230, ’pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Punktis 3A230 on ’impulsi siirdeaeg’ defineeritud kui ajavahemik pinge amplituudi väärtuste 10 % ja 90 % vahel.
Designed for operation without an external vacuum system; and
nad on ette nähtud tööoperatsioonide täitmiseks ilma välise vaakumsüsteemita ning
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 µs.
süsteemid, mis kasutatavad üksik- või mitmikdetonaatoreid, mis on ette nähtud üle 5000 mm2 lõhkeainepinna peaaegu samaaegseks initsieerimiseks ühe süütesignaaliga nii, et initsieerimise ajaline ulatus üle kogu pinna oleks vähem kui 2,5 µs.
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (–80 °C) or less; or
kiirgusallika konteiner on valmistatud, vooderdatud või kaetud roostevaba terasega või molübdeeniga ja varustatud külmalõksuga, mida on võimalik jahutada temperatuurile 193 K (–80 °C) või madalamale, või
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Seadmed pooljuhtseadmete ja -materjalide tootmiseks ning nende komponendid ja abiseadmed:
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
epitakskasvatamise seadmed:
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ±2,5 % across a distance of 75 mm or more;
seadmed, mis on võimelised tootma ühtlast mis tahes materjali, v.a räni, kihti, mille ebaühtlus 75 mm või pikemal vahemikul on väiksem kui ±2,5 %;
Note:3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Märkus:Punkt 3B001.a.1 hõlmab aatomkihtepitaksia (ALE) seadmeid.
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
metallorgaanilised keemilise aurustamise-sadestamise reaktorid (MOCVD), mis on spetsiaalselt kavandatud ühendpooljuhtkristallide kasvatamiseks punktis 3C003 või 3C004 nimetatud materjalide vahelise keemilise reaktsiooni abil;
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
ioonlegeerimisseadmed, millel on mis tahes järgmine omadus:
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1MeV;
kimbu energia (kiirenduspinge) on üle 1 MeV;
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
kimbu energiaga 65 keV või rohkem ja kimbu vooluga 45 mA või rohkem kõrgenergeetiliseks hapniku istutamiseks kuumutatud pooljuhtmaterjali „põhimikku”;
Anisotropic plasma dry etching equipment as follows:
anisotroopsed plasmakuivsöövitusseadmed:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ±5 % 3 sigma precision; or
kavandatud või optimeeritud saavutama kriitilist mõõtu 180 nm või vähem ±5 % 3sigmalise täpsusega või
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 µm in diameter;
kavandatud tekitama vähem kui 0,04 osakest/cm2, mille mõõdetav osakese diameeter on suurem kui 0,1 µm;
Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition (CVD) equipment as follows:
plasmaaktiveeritud keemilise aurustamise-sadestamise (CVD) seadmed:
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktiga 3B001.e hõlmatud seadmete jaoks ja mis on tootja spetsifikatsioonide järgi ette nähtud või optimeeritud pooljuhtseadmete tootmises kasutamiseks kriitiliste mõõtmetega 180 nm või vähem;
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
automaatse laadimisega mitmekambrilised kesksed toorikkiipide käsitsemise süsteemid, millel on järgmised omadused:
Lithography equipment as follows:
järgmised litograafiaseadmed: