natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Microwave or millimetre wave components, as follows:
mikro- ja millimeeterlaineseadmete komponendid:
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Märkus 1:Punkt 3A001.b.1 ei hõlma lampe, mis on kavandatud või arvestatud tööks sagedusribades, millel on kõik järgmised omadused:
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
„ITU poolt eraldatud” raadioside jaoks, aga mitte ette nähtud asukoha määramiseks.
Note 2:3A001.b.1. does not control non-"space-qualified" tubes having all of the following:
Märkus 2:Punkt 3A001.b.1 ei hõlma mitte-„kosmosekindlaid” lampe, millel on kõik järgmised omadused:
Designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
mis on kavandatud või arvestatud tööks sagedusribades, millel on kõik järgmised omadused:
Tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
lambi töösagedus on üle 31,8 GHz;
Tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
lambid on varustatud katoodi kütteelemendiga, mille käivitumisaeg raadiosagedusliku (RF) nimivõimsuse saavutamiseks on lühem kui 3 sekundit;
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
sidestatud õõnestorud või nende modifikatsioonid, „osaribalaiusega” üle 7 % või tippvõimsusega üle 2,5 kW;
Helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
spiraallaine torud või nende modifikatsioonid, millel on mis tahes järgmised omadused:
An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
„hetkribalaius” on üle ühe oktaavi ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on üle 0,5;
An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
„hetkribalaius” on üks oktaav või vähem ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on suurem kui 1 või
Being "space-qualified";
on „kosmosekindel”;
Microwave "Monolithic Integrated Circuits" (MMIC) power amplifiers having any of the following:
Mikrolaine „monoliitsete integraallülituste” (MMIC) võimsusvõimendid, millel on mistahes järgmine omadus:
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 4W (36 dBm) ja nende „osaribalaius” on üle 15 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 16 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1W (30 dBm) ja nende „osaribalaius” on üle 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 16 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,8W (29 dBm) ja nende „osaribalaius” on üle 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz;
sobib töötama sagedustel üle 31,8 GHz kuni 37,5 GHz (kaasa arvatud);
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,25W (24 dBm) ja nende „osaribalaius” on üle 10 %, või
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz;
sobib töötama sagedustel üle 43,5 GHz;
Note 2:The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Märkus 2:MMIC, mille arvestuslik töösagedus hõlmab rohkem kui üht punktides 3A001.b.2.a kuni 3A001.b.2.f. määratletud sagedusvahemikku, kontrolli alla kuulumine määratakse väikseima keskmise väljundvõimsuse kontroll-läve järgi.
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and having an average output power greater than 60W (47,8 dBm);
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 60W (47,8 dBm);
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and having an average output power greater than 20W (43 dBm);
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 20W (43 dBm);
Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and having an average output power greater than 0,5W (27 dBm);
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 31,8 GHz ja ulatuvad kuni 37,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,5W (27 dBm);
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1W (30 dBm), või
Note:The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Märkus:Punktides 3A001.b.3.a. kuni 3A001.b.3.e määratletud rohkem kui üht sagedusvahemikku hõlmava arvestusliku töösagedusega transistori kontrolli alla kuulumine määratakse väikseima keskmise väljundvõimsuse kontroll-läve järgi.
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers, having any of the following:
Mikrolaine pooljuhtvõimendid ja mikrolaine pooljuhtvõimendeid sisaldavad mikrolainesõlmed/moodulid, millel on mis tahes järgmine omadus:
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 60W (47,8 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 60W (47,8 dBm) „osaribalaiusega” üle 15 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15W (42 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 15W (42 dBm) „osaribalaiusega” üle 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1W (30 dBm) „osaribalaiusega” üle 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz; or
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 43,5 GHz, või
Rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
määratud toimima sagedustel üle 3,2 GHz ja millel on kõik järgnevad omadused:
A "fractional bandwidth" of 5 % or greater; and
„osaribalaius” 5 % või rohkem ja
Any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15cm × GHz/fGHz];
mis tahes kaks teineteisega risti asetsevat külge, mille pikkus (d, sentimeetrites) on võrdne või väiksem kui 15 jagatud väikseima töösagedusega gigahertsides [d 15cm*GHz/fGHz];
3,2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3.2 GHz and below [d≤ 15cm × GHz/3.2 GHz].
3,2 GHz tuleks kasutada kui väikseimat töösagedust gigahertsides (fGHz) punktis 3A001.b.4.f.3 toodud valemis selliste võimendite puhul, mille arvestuslik töörežiim hõlmab ka madalamate sageduste piirkonda kui 3,2 GHz [d≤ 15cm*GHz/3.2 GHz].
Note 2:The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Märkus 2:Osa, mille arvestuslik töösagedus hõlmab rohkem kui üht punktides 3A001.b.4.a kuni 3A01.b.4.e määratletud sagedusvahemikku, kontrolli alla kuulumine määratakse väikseima keskmise väljundvõimsuse kontroll-läve järgi.
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1.5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 µs and having any of the following:
Elektrooniliselt või magnetiliselt häälestatavad ribapääsfiltrid (band-pass) või ribatõkkefiltrid (band-stop), mis sisaldavad enam kui 5 timmitavat resonaatorit, mida on võimalik vähem kui 10 mikrosekundi jooksul häälestada sagedusribale, mille fmax/fmin on 1,5:1 ja millel on järgmised omadused:
A band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
ribapääs (band-pass) ribalaiusega, mis on laiem kui 0,5 % kesksagedusest, või
Converters and harmonic mixers, designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
Muundajad ja harmooniliste segustid/mikserid, mis on konstrueeritud punktis 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e või 3A002.f nimetatud seadmete sagedusriba laiendamiseks üle eespool nimetatud punktides kehtestatud piiride.
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Mikrolaine võimsusvõimendid, mis sisaldavad punktis 3A001.b.1 nimetatud lampe ja millel on kõik järgmised omadused:
An average output power density to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
keskmine väljundvõimsuse tihedus massi suhtes on üle 80 W/kg ja
Note:3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Märkus:Punkt 3A001.b.8 ei hõlma seadmeid, mis on kavandatud või kohandatud töötamiseks igas sagedusribas, mis on „ITU poolt eraldatud” raadioside jaoks ja mitte etteähtud asukoha määramiseks ettenähtud.
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
Mikrolainevõimsusmoodulid (MPM), mis koosnevad vähemalt jooksva laine lambist, mikrolaine „monoliitsest integraallülitusest” ja integreeritud elektroonilisest võimsusmuundurist ja millel on kõik järgmised omadused:
A ’turn-on time’ from off to fully operational in less than 10 seconds;
’Sisselülitusaeg’ väljalülitatud seisundist kuni täieliku toimimiseni on alla 10 sekundi;
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
Maht on väiksem, kui maksimaalne nimivõimsus vattides korrutatud 10 cm3/W ja
An "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax.
„Hetkribalaius” on üle ühe oktaavi (fmax.
> 2fmin.) and having any of the following:
> 2fmin.) ja mis tahes järgmine omadus:
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
sagedus 18 GHz või vähem, üle 100W raadiosagedusliku (RF) väljundvõimsuse juures või
A frequency greater than 18 GHz;
sagedus üle 18 GHz;
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Punktis 3A001.b.9.b. osutatud mahu arvutamiseks on antud järgmine näide: 20 W suuruse maksimaalse nimivõimsuse korral oleks maht: 20 W x 10 cm3/W = 200 cm3
The’turn-on time’ in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
Punktis 3A001.b.9.a. nimetatud ’sisselülitusaeg’ tähendab aega täielikult väljalülitatud seisundist kuni täieliku toimimiseni; st, et see sisaldab mikrolainemooduli (MPM) soojenemisaega.
Oscillators or oscillator assemblies, designed to operate with all of the following:
Ostsillaatorid või ostsillaatori koostud, mis on loodud töötama kõigi järgmiste omadustega:
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(126+20log10F-20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
ühe külgriba (SSB) faasimüra (dBc/Hz) on parem kui -(126+20log10F-20log10f) 10 Hz < F < 10 kHz kohta; ning
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(114+20log10F-20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
ühe külgriba (SSB) faasimüra (dBc/Hz) on parem kui -(114+20log10F-20log10f) 10 kHz ≤ F < 500 kHz kohta;
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
Punktis 3A001.b.10 on F külgriba sageduse erinevus põhisagedusest hertsides ja f on põhisagedus megahertsides.
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
järgmised akustilise laine seadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid:
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
akustilise pinnalaine ja akustilise pinnalähedase ruumlaine seadmed, millel on mis tahes järgmine omadus:
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
kandesagedus üle 6 GHz;
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
kandesagedus üle 1 GHz, kuid mitte üle 6 GHz ja millel on mis tahes järgmised omadused:
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB;
’külghõlma summutus’ üle 65 dB;
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in µs and bandwidth in MHz) of more than 100;
maksimaalse viivise ja ribalaiuse korrutis (aeg mikrosekundites ja ribalaius MHz-des) üle 100;
A dispersive delay of more than 10 µs; or
dispersiivne viivis on suurem kui 10 µs või
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
kandesagedus on 1 GHz või vähem ja millel on mis tahes järgmised omadused:
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
’külghõlma summutus’ üle 65 dB ja ribalaius on suurem kui 100 MHz;
Technical Note:’Frequency side-lobe rejection’ is the maximum rejection value specified in data sheet.
Tehniline märkus:’Külghõlma summutus’ on andmelehel täpsustatud summutuse maksimumväärtus.
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
akustilise ruumlaine seadmed, mis võimaldavad vahetult töödelda signaale sagedustel, mis ületavad 6 GHz;
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
akustilis-optilised „signaalitöötlus”seadmed, mis kasutavad akustiliste lainete (ruumlaine või pinnalaine) ja valguslainete vahelist vastasmõju, mis võimaldab vahetult töödelda signaale või kujutisi, kaasa arvatud spektraalanalüüs, korrelatsioon või konvolutsioon;
Note:3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Märkus:Punkt 3A001.c ei hõlma akustilise laine seadmeid, mis on piiratud ühe ribapääsu-, madalpääsu-, kõrgpääsu- või tõkkefiltriga või ühe resonantsiga.
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
elektroonilised seadmed või skeemid, mis sisaldavad „ülijuhtivatest” materjalidest valmistatud komponente ja on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks temperatuuril, mis on madalam kui vähemalt ühe „ülijuhtivast” materjalist komponendi „kriitiline temperatuur”, ja millel on mis tahes järgmised omadused:
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10-14 J; or
voolulülitid digitaalskeemidele, milles kasutatakse „ülijuhtivaid” ventiile, mille viivise (sekundites) ventiili kohta ja kaovõimsuse (vattides) ventiili kohta korrutis on väiksem kui 10–14 J; või
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
sagedusselektiivsus kõikidel sagedustel, kasutades võnkeringe, mille hüveteguri Q väärtus on üle 10000;
High energy devices as follows:
suurenergiaseadmed:
’Cells’ as follows:
järgmised ’elemendid’:
’Primary cells’ having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 oC;
’primaarelemendid’, mille ’energiatihedus’ on 20 oC juures üle 550 Wh/kg;
’Secondary cells’ having an ’energy density’ exceeding 250 Wh/kg
’sekundaarelemendid’, mille ’energiatihedus’ on üle 250 Wh/kg;
For the purpose of 3A001.e.1.,’energy density’ (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Punktis 3A001.e.1. nimetatud ’energiatihedus’ arvutatakse nimipinge korrutamisel nimimahtuvusega ampertundides (Ah) ja jagamisel massiga kilogrammides.
For the purpose of 3A001.e.1., a ’cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Punktis 3A001.e.1. nimetatud ’element’ on elektrokeemiline seade, millele on positiivne ja negatiivne elektrood, elektrolüüt, ning mis on elektrienergia allikas.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a ’primary cell’ is a ’cell’ that is not designed to be charged by any other source.
Punktis 3A001.e.1.a. nimetatud ’primaarelement’ on ’element’, mis ei ole projekteeritud laadimiseks ühestki muust allikast.
For the purpose of 3A001.e.1.b., a ’secondary cell’ is a ’cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
Punktis 3A001.e.1.b. nimetatud ’sekundaarelement’ on ’element’, mis on projekteeritud laadimiseks välisest elektrienergia allikast.
High energy storage capacitors as follows:
järgmised suure energiaga kogumiskondensaatorid:
N.B.:SEE ALSO 3A201.a.
NB!T KA PUNKTI 3A201.a.
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
kondensaatorid, mille kordussagedus on väiksem kui 10 Hz (üksiklahendusega kondensaator) ning millel on kõik järgmised omadused:
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
kondensaatorid, mille kordussagedus on 10 Hz või rohkem (korduvlahendusega kondensaatorid) ja millel on kõik järgmised omadused:
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
„ülijuhtivad” elektromagnetid või solenoidid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud täieliku laadimis- või tühjenemisajaga alla ühe sekundi ja millel on kõik järgmised omadused:
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
magnetilise induktsiooni nimiväärtus on üle 8 T või „üldine voolutihedus” mähises üle 300 A/mm2;
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1,367 watts per square metre (W/m2);
päikeseelemendid, element-kaitseklaas ühendusega (CIC) koostud, päikesepaneelid, päikesepaneelide massiivid, mis on „kosmosekindlad”, ja mille minimaalne energiatõhusus töötemperatuuril 301 K (28 °C) ja simuleeritud ’AM0’ valgustusel kiirgusega 1367 vatti ruutmeetri kohta (W/m2) on üle 20 %;
’AM0’, or ’Air Mass Zero’, refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
’AM0’ ehk ’õhumass null’ (Air Mass Zero) tähendab päikesevalguse spektraalset kiirgusintensiivust väljaspool maakera atmosfääri, kui maa ja päikese vaheline kaugus on üks astronoomiline ühik.
Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ±1,0 second of arc;
absoluutse pöördenurga andurid, mille täpsus on ±1,0 kaaresekundit või sellest vähem (parem);
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and ’thyristor modules’, using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Tahkisimpulssjõulülitustüristorseadmed ja ’türistormoodulid’, mis kasutavad kas elektriliselt, optiliselt või elektronkiirgusega juhitavaid lülitusviise, ja millel on mis tahes järgmine omadus:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
maksimaalne voolutugevuse tõusukiirus (di/dt) sisselülitusel on suurem, kui 30000 A/μs ja väljalülitatud asendis on pinge üle 1100 V või
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
maksimaalne voolutugevuse tõusukiirus (di/dt) sisselülitusel on suurem, kui 2000 A/μs ja kõik järgmised omadused:
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
väljalülitatud asendis on tipp-pinge 3000 V või rohkem ja
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
tippvoolutugevus on 3000 A või rohkem.
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
ränialaldid (SCR)
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
elektrilise lülitusega türistorid (ETT)
Light Triggering Thyristors (LTTs)
valguslülitusega türistorid (LTT)
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
integreeritud võrejuhtimisega türistorid (IGCTs)
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
suletavad türistorid (GTO)
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
MOS(metall-oksiid-pooljuht)-juhtimisega türistorid (MCT)
Solidtrons
solidtronid
Note 2:3A001.g. does not control thyristor devices and ’thyristor modules’ incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Märkus 2:Punkt 3A001.g. ei hõlma türistorseadmeid ega ’türistormooduleid’, mis on paigaldatud tsiviilraudtee- või „tsiviilõhusõiduki-”rakenduste jaoks projekteeritud seadmetesse.
For the purposes of 3A001.g., a ’thyristor module’ contains one or more thyristor devices.
Punkti 3A001.g. tähenduses sisaldab ’türistormoodul’ ühte või enam kui ühte türistorseadet.
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or ’modules’, having all of the following:
Tahkisjõu pooljuhtlülitid, dioodid või ’moodulid’, millel on kõik järgmised omadused:
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
ühenduse maksimaalne lubatud töötemperatuur on suurem kui 488 K (215 °C);
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
väljalülitatud olekus korduv tipp-pinge (repetitive peak off-state voltage) e tõkestav (blokeeriv) pinge (blocking voltage) on üle 300 V; ning
Continuous current greater than 1 A.
alalisvool üle 1 A.
Note 1:Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Märkus 1:Punktis 3A001.h nimetatud väljalülitatud olekus korduv tipp-pinge hõlmab pinget lättest ja neeldu, pinget kollektorist ja emitterisse, korduvat maksimaalset vastupinget (repetitive peak reverse voltage) ja väljalülitatud olekus korduvat blokeerivat tipp-pinget (peak repetitive off-state blocking voltage).
Note 2:3A001.h. includes:
Märkus 2:Punkt 3A001.h hõlmab järgmist: