natgillin/translations-raw huggingface dataset:
The phrase "as part of" does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched "as part of" the imaging systems.
Sõna ’osadena’ ei tähenda tingimata sama saadetise füüsilist osa; on lubatud erinevad saadetised ka erinevatest allikatest, kusjuures nende saadetiste ekspordidokumentides peab olema selgelt märgitud, et saadetis on saadetud kui kuvamissüsteemi ’osa’;
with a "figure of merit" (K) of 0,25 or greater; or
’hüvetegur’ (K), 0,25 või rohkem, või
a "peak power" greater than 50 MW.
’tippvõimsus’ on suurem kui 50 MW.
The "figure of merit" K is defined as:
’Hüvetegur’ on defineeritud järgmiselt:
"Peak power" = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
’Tippvõimsus’ = (tipp-pinge voltides) × (elektronkiire tippvool amprites).
capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
sagedusvahemik 600 – 2000 Hz;
High-current pulse generators as follows:
Kõrgvoolu impulssgeneraatorid:
N.B.:See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
NB!Lõhkeaine detonaatorite süütamise süsteemide kohta vt punkti 1A007.a.
having a "rise time" of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
’tõusuaeg’ vähem kui 10 μs, koormusel vähem kui 40 oomi;
"pulse transition time" less than 500 ps.
’impulsi siirdeaeg’ 500 ps või vähem.
In 3A230, "pulse transition time" is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Punktis 3A230 on ’impulsi siirdeaeg’ defineeritud kui ajavahemik pinge amplituudi väärtuste 10 % ja 90 % vahel.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
Järgmised punktis 1A007 nimetamata mitmepunktilised initsieerimissüsteemid:
N.B.:See 1A007.b. for detonators.
NB!Detonaatorite kohta vt punkti 1A007.b.
equipment designed for ion implantation and having any of the following:
ioonlegeerimisseadmed, millel on mis tahes järgmine omadus:
a beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
kimbu energiaga 65 keV või rohkem ja kimbu vooluga 45 mA või rohkem kõrgenergeetiliseks hapniku istutamiseks kuumutatud pooljuhtmaterjali „põhimikku”;
plasma enhanced chemical vapour deposition (CVD) equipment as follows:
plasmaaktiveeritud keemilise aurustamise-sadestamise (CVD) seadmed:
equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktiga 3B001.e hõlmatud seadmete jaoks ja mis on tootja spetsifikatsioonide järgi ette nähtud või optimeeritud pooljuhtseadmete tootmises kasutamiseks kriitiliste mõõtmetega 180 nm või vähem;
align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
„paiguta ja särita ning korda sammhaaval” (otsene samm kiibil) või „samm ja skaneeri” (skanner) tüüpi seadmed kiipide töötlemiseks, mis kasutavad valgusoptilist või röntgenikiirte meetodeid ja millel on mis tahes järgmine omadus:
a light source wavelength shorter than 245 nm; or
valgusallika lainepikkus on lühem kui 245 nm või
capable of producing a pattern with a "minimum resolvable feature size" of 180 nm or less;
on võimelised tekitama mustrit, milles ’vähima lahutatava elemendi mõõt’ on 180 nm või vähem;
The "minimum resolvable feature size" is calculated by the following formula:
’Vähima lahutatava elemendi mõõt’ arvutatakse järgmise valemi põhjal:
MRF = "minimum resolvable feature size"
MRF = ’vähima lahutatava elemendi mõõt’
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
seadmed pooljuhtide maskide valmistamiseks või pooljuhtseadiste töötlemiseks otsekirjutusmeetodeid kasutades, milllel on kõik järgmised omadused:
using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
kasutatakse hälvitatud-fokuseeritud elektronkimpu, ioonkimpu või „laser”kiirt, ja
a spot size smaller than 0,2 µm;
laotuspunkti suurus väiksem kui 0,2 µm;
being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 µm; or
võimelised tekitama mustreid, milles vähima lahutatava elemendi mõõt on väiksem kui 1 µm, või
an overlay accuracy of better than ±0,20 µm (3 sigma);
paigutustäpsus parem kui ±0,20 µm (3 sigmat);
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Hetero-epitaksiaalsed materjalid, mis koosnevad järgmiste materjalide epitakskasvatamisel saadud „põhimikest”:
Silicon (Si);
räni (Si);
Germanium (Ge);
germaanium (Ge);
Silicon carbide (SiC); or
ränikarbiid (SiC) või
"III/V compounds" of gallium or indium.
galliumi või indiumi „III/V ühendid”.
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Resistmaterjalid ja „põhimikud”, mis on kaetud järgmiste resistmaterjalidega:
all resists optimised for surface imaging technologies, including "silylated" resists.
kõik resistid, mis on optimeeritud pinnakujundamise tehnoloogiate jaoks, sealhulgas ka ’silüleeritud’ resistid.
"Silylation" techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
’Silüleerimistehnika’ tähendab protsesse, mis sisaldavad resisti pinna oksüdeerimist, et parandada selle omadusi nii märg- kui ka kuivilmutamisel.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified by 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
kõik resistid, mis on ette nähtud või optimeeritud kasutamiseks punktis 3B001.f.2 nimetatud jäljendi litograafiaseadmetega, mis kasutavad kas termilist või fototöötlust.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
Ränikarbiidist (SiC), galliumnitriidist (GaN), alumiiniumnitriidist (AlN) või alumiinium-galliumnitriidist (AlGaN) „põhimikud” või nende materjalide kangid, toorikkristallid või muud eelvormid, mille eritakistus 20 °C juures on suurem kui 10000 oomi/cm.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
Punktis 3C005 nimetatud „põhimikud”, millel on vähemalt üks epitaksiline ränikarbiidi, galliumnitriidi, alumiiniumnitriidi või alumiinium-galliumnitriidi kiht.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
„Tarkvara”, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktides 3A001.b–3A002.g või 3B nimetatud seadmete „arendamiseks” või „tootmiseks”.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
„Tarkvara”, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktides 3B001.a kuni 3B001.f või punktis 3B002 nimetatud seadmete „kasutamiseks”.
"Physics-based" simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
’Füüsikalistel alustel põhinev’ simulatsiooni„tarkvara”, mis on spetsiaalselt ette nähtud litograafia-, söövitus- või pinnakatmisprotsesside „arendamiseks” maskide struktuuri üleviimisel spetsiifiliseks juhtide, dielektrikute või pooljuhtide topograafiliseks struktuuriks.
"Physics-based" in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
’Füüsikalistel alustel põhinev’ tähendab punktis 3D003 arvutuste kasutamist füüsikalistel omadustel (nt temperatuur, rõhk, difusioonikonstandid ja pooljuhtmaterjalide omadused) põhinevate füüsikaliste põhjus-tagajärg sündmuste järjestuse kindlakstegemiseks.
Note:Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Märkus:Pooljuhtseadmete või integraallülituste projekteerimise raamatukogud, olulised tunnused ja projekteerimisega seotud andmed loetakse „tehnoloogiaks”.
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
„Tarkvara”, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 3A003 nimetatud seadmete „arendamiseks”.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
„Tarkvara”, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 3A101.b nimetatud seadmete „kasutamiseks”.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Tehnoloogia üldmärkusele vastav „tehnoloogia”, mis on ette nähtud punktides 3A, 3B või 3C nimetatud seadmete või materjalide „arendamiseks” või „tootmiseks”.
Note 1:3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Märkus 1:Punkt 3E001 ei hõlma „tehnoloogiat” seadmete või komponentide „tootmiseks”, mis on hõlmatud punktiga 3A003.
Note 2:3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Märkus 2:Punkt 3E001 ei hõlma „tehnoloogiat” punktides 3A001.a.3–3A001.a.12 nimetatud integraallülituste „arendamiseks” või „tootmiseks”, millel on kõik järgmised omadused:
using "technology" of 0,5 μm or more; and
on kasutatud 0,5 μm või suurema struktuurielemendi „tehnoloogiat”ja
not incorporating "multi-layer structures".
ei sisalda mitmekihilisistruktuure.
"Multi-layer structures" do not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
’Mitmekihilised struktuurid’ ei hõlma seadmeid, mis sisaldavad maksimaalselt kaht metallikihti ja kolme polükristalset ränikihti.
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", or "microcomputer microcircuit" and microcontroller microcircuit core having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
Tehnoloogia üldmärkusele vastav „tehnoloogia”, muu kui punktis 3E001 nimetatud, „mikroprotsessor-mikroskeemide”, „mikroarvuti-mikroskeemide” ja mikrokontroller-mikroskeemide südamike „arendamiseks” või „tootmiseks”, mille aritmeetika-loogikaseade juurdepääsu laius on 32 bitti või rohkem, ning millel on mis tahes järgmine omadus või funktsioon;
a "vector processor unit" designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
’vektorprotsessorüksus’, mis on kavandatud tegema üheaegselt rohkem kui kahte arvutust ujukoma vektoritega (vektor — ühedimensionaalne 32bitiste või suuremate arvude maatriks).
A "vector processing unit" is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
’Vektorprotsessorüksus’ on sisseehitatud juhendiga protsessorelement, mis võimaldab üheaegseid tehteid ujukoma vektoritega (vektor — ühedimensionaalne 32bitiste või suuremate arvude maatriks), milles on vähemalt üks vektoraritmeetika-loogikaseade;
designed to perform more than two 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
kavandatud tegema tsükli jooksul rohkem kui kaks 64bitist või suuremat ujukoma arvutustehet või
designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g. digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
kavandatud tegema tsükli jooksul rohkem kui neli 16bitist püsikoma korrutus- või liitmistehet (nt varem digitaalseks muundatud analooginformatsiooni digitaalne manipuleerimine, mida tuntakse ka digitaal„signaali töötlemisena”).
Note:3E002.c. does not control "technology" for multimedia extensions.
Märkus:Punkt 3E002.c. ei hõlma multimeediarakenduste „tehnoloogiat”.
Note 1:3E002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
Märkus 1:Punkt 3E002 ei hõlma „tehnoloogiat” mikroprotsessorsüdamike „arendamiseks” või „tootmiseks”, millel on kõik järgmised omadused:
using "technology" at or above 0,130 µm; and
on kasutatud 0,130 µm või suurema struktuurielemendi „tehnoloogiat”ja
Note 2:3E002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
Märkus 2:Punkt 3E002 hõlmab digitaalsete signaalprotsessorite ja digitaalmaatriksprotsessorite „tehnoloogiat”.
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
Muu „tehnoloogia”, mida kasutatakse järgmise „arendamiseks” või „tootmiseks”:
Note:3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Märkus:Punkt 3E003.b ei hõlma selliste suure liikuvusega elektronidega transistoride „tehnoloogiat”, mis töötavad sagedustel alla 31,8 GHz, ja selliste heterosiirdega bipolaarsete transistoride tehnoloogiat, mis töötavad sagedustel alla 31,8 GHz.
"superconductive" electronic devices;
„ülijuhtivad” elektroonilised seadmed;
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
Tehnoloogia üldmärkusele vastav „tehnoloogia”, mis on ette nähtud punktis 3A001.a.1 või 3A001.a.2, 3A101, 3A102 või 3D101 nimetatud seadmete või „tarkvara”„kasutamiseks”.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
Tehnoloogia üldmärkusele vastav „tehnoloogia” punktis 3D101 nimetatud „tarkvara”„arendamiseks”.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A233.
Tehnoloogia üldmärkusele vastav „tehnoloogia”, mis on vajalik punktides 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A201, 3A225–3A233 nimetatud seadmete „kasutamiseks”.
Note 1:computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Märkus 1:Arvuteid, vastavaid seadmeid ja „tarkvara”, mis täidavad telekommunikatsiooni- või „kohtvõrgu” ülesandeid, tuleb hinnata samuti 5. kategooria 1. osa jõudlusparameetrite järgi („Telekommunikatsioon”).
Note 2:control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Märkus 2:Juhtimismoodulid, mis ühendavad otseselt keskseadet, „põhimälu” või ketta juhtseadet siinide või kanalitega, ei loeta 5. kategooria 1. osas („Telekommunikatsioon”) nimetatud telekommunikatsiooniseadmeteks.
N.B.:for the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
NB!Pakettkommuteerimise jaoks spetsiaalselt loodud „tarkvara” kontrolli alla kuulumise kohta vaata punkti 5D001.
Note 3:computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").
Märkus 3:Arvuteid, vastavaid seadmeid ja „tarkvara”, mis täidavad krüptograafilisi, krüptoanalüüsi, tunnistavad mitmeastmelisi turva- või tunnistavaid kasutajate eraldamisülesandeid või mis piiravad elektromagnetilist ühilduvust (EMC), tuleb hinnata samuti 5. kategooria 2. osa jõudlusparameetrite järgi („Infoturve”).
Electronic computers and related equipment having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
Elektronarvutid ja nendega seotud seadmed, millel on mis tahes järgmised omadused, ning „elektroonikasõlmed” ja spetsiaalselt neile ette nähtud komponendid:
specially designed to have any of the following:
mis on spetsiaalselt konstrueeritud nii, et neil oleks mis tahes järgmine omadus:
rated for operation at an ambient temperature below 228 K (–45 °C) or above 358 K (85 °C); or
ette nähtud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur on madalam kui 228 K (–45 °C) või üle 358 K (+85 °C) või
Note:4A001.a.1. does not control computers specially designed for civil automobile or railway train applications.
Märkus:Punkt 4A001.a.1 ei hõlma tsiviilotstarbeliste mootorsõidukites ja raudteerongides kasutamiseks ettenähtud arvuteid.
having characteristics or performing functions exceeding the limits in Category 5, Part 2 ("Information Security").
mille tehnilised omadused ja jõudlus ületavad 5. kategooria 2. osas („Infoturve”) kirjeldatud piire.
"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows, and specially designed components therefor:
„Digitaalarvutid”, „elektroonikasõlmed” ja nendega seotud seadmed nende jaoks ette nähtud komponentidega:
’vector processors’;
’vektorprotsessorid’;
equipment designed for "image enhancement";
„pildiväärinduseks” kavandatud seadmed;
equipment designed for "signal processing".
„signaalitöötluseks” kavandatud seadmed.
Note 2:the control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
Märkus:Punktis 4A003 nimetatud „digitaalarvutite” ja nendega seotud seadmete kontrolli alla kuulumine määratakse vastavalt muude seadmete või süsteemide osas ette nähtud kontrolli alla kuulumisele, juhul kui:
the "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
„digitaalarvutid” või seotud seadmed on olulised teise süsteemi või seadme toimimiseks;
the "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
„digitaalarvutid” või seotud seadmed ei ole muu süsteemi või seadme „oluliseks osaks”ja
1:the control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
NB 1!Muudele seadmetele spetsiaalselt ettenähtud „signaalitöötluse” või „pildiväärinduse” seadmete kontrolli alla kuulumine määratakse vastavalt muude seadmete kontrolli alla kuulumisele isegi siis, kui nad ei täida olulise osa kriteeriumit.
2:for the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
NB 2!„Digitaalarvutite” või telekommunikatsiooniseadmete kontrolli alla kuulumise kohta vaata 5. kategooria 1. osa („Telekommunikatsioon”).
the "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E.
„Tehnoloogia”„digitaalarvutite” või seotud seadmete jaoks määratakse kindlaks punktis 4E.
Designed or modified for "fault tolerance";
kavandatud või kohandatud „tõrketaluvusega” süsteemi jaoks;
Note:for the purposes of 4A003.a., "digital computers" and related equipment are not considered to be designed or modified for "fault tolerance" if they utilise any of the following:
Märkus:Punkt 4A003.a tähenduses ei käsitleta „digitaalarvuteid” ja nendega seotud seadmeid kavandatuna või kohandatuna „tõrketaluvusega” süsteemide jaoks, kui nendes on kasutatud järgmist:
error detection or correction algorithms in "main storage";
arvuti „põhimälu” sisaldab vigade avastamise ja korrigeerimise algoritme;
the interconnection of two "digital computers" so that, if the active central processing unit fails, an idling but mirroring central processing unit can continue the system's functioning;
kaks „digitaalarvutit” on omavahel ühendatud selliselt, et aktiivse keskseadme tõrke korral jätkab süsteemi toimimist seni tühikäigul jooksnud ja aktiivset keskseadet peegeldav keskseade;
The synchronisation of two central processing units by "software" so that one central processing unit recognises when the other central processing unit fails and recovers tasks from the failing unit.
kahe keskseadme sünkroniseerimine „tarkvara” abil nii, et üks keskseade on võimeline avastama teises keskseadmes tekkinud tõrke ning taastama ja võtma üle selle seadme töö.
"digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 0,75 Weighted TeraFLOPS (WT);
„digitaalarvutid”, mille „korrigeeritud maksimaalne jõudlus” ületab 0,75 korrigeeritud teraFLOPSi (WT);
"electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit specified in 4A003.b.
„elektroonikasõlmed”, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või kohandatud, et selline suurendada jõudlust protsessorite liitmise teel nii, et selline ühendatud „korrigeeritud maksimaalne jõudlus” ületab punktis 4A003.b. nimetatud piiri;
Note 1:4A003.c. controls only"electronic assemblies" and programmable interconnections not exceeding the limit specified in 4A003.b. when shipped as unintegrated "electronic assemblies".
Märkus 1:Punkt 4A003.c hõlmab üksnes „elektroonikasõlmi” ja programmeeritavaid omavahelisi ühendusi, mis ei ületa punktis 4A003.b esitatud piire, kui neid toimetatakse kohale mitteühendatud „elektroonikasõlmedena”.
It does not control "electronic assemblies" inherently limited by nature of their design for use as related equipment specified in 4A003.e.
See ei hõlma „elektroonikasõlmi”, mille rakendamine loomupäraselt oma konstruktsiooni tõttu punktides 4A003.e nimetatud seadmete vastava osana on piiratud.
Note 2:4A003.c. does not control "electronic assemblies" specially designed for a product or family of products whose maximum configuration does not exceed the limit specified in 4A003.b.
Märkus 2:Punkt 4A003.c ei hõlma „elektroonikasõlmi”, mis on spetsiaalselt konstrueeritud toodetele või tooteperekondadele, mille maksimaalne konfiguratsioon ei ületa punktis 4A003.b nimetatud piiri;
equipment performing analogue-to-digital conversions exceeding the limit specified in 3A001.a.5.;
seadmed, mis teostavad analoog-digitaalmuundamist, mille parameetrid ületavad punktis 3A001.a.5 nimetatud piiri;
equipment specially designed to provide external interconnection of "digital computers" or associated equipment which allows communications at data rates exceeding 1,25 Gbyte/s.
seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud võimaldama „digitaalarvutite” või nende juurde kuuluvate seadmete omavahelist välist ühendust ja võimaldavad andmevahetust kiirusega üle 1,25 gigabaidi sekundis.
Note:4A003.g. does not control internal interconnection equipment (e.g. backplanes, buses), passive interconnection equipment, "network access controllers" or "communications channel controllers".
Märkus:Punkt 4A003.g ei hõlma sisemise ühenduse seadmeid (nt põhiplaate, siine), passiivseid ühendusseadmeid, „võrgu juurdepääsu kontrollereid” või „sidekanali kontrollereid”.
Computers, as follows, and specially designed related equipment, "electronic assemblies" and components therefor:
Arvutid ja nende jaoks ettenähtud vastavad seadmed, „elektroonikasõlmed” ja komponendid:
"systolic array computers";
„süstoolsed maatriksarvutid”;
"neural computers";
„neuroarvutid”;
"optical computers".
„optilised arvutid”.