natgillin/translations-raw huggingface dataset:
rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
määratud toimima sagedustel üle 3,2 GHz ja millel on kõik järgnevad omadused:
an average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P>150 W*GHz2/fGHz2];
keskmine väljundvõimsus (P, vattides), mis on suurem kui 150 jagatud maksimaalse töösageduse (gigahertsides) ruuduga [P>150 W*GHz2/fGHz2];
a fractional bandwidth of 5 % or greater; and
suhteline ribalaius 5 % või rohkem ja
any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d = 15 cm*GHz/fGHz].
mis tahes kaks teineteisega risti asetsevat külge, mille pikkus (d, sentimeetrites) on võrdne või väiksem kui 15 jagatud väikseima töösagedusega gigahertsides [d 15cm*GHz/ fGHz];
3,2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3,2 GHz and below [d ≤ 15 cm*GHz/3,2 GHz].
3,2 GHz tuleks kasutada kui väikseimat töösagedust gigahertsides (fGHz) punktis 3A001.b.4.f.3 toodud valemis selliste võimendite puhul, mille arvestuslik töörežiim hõlmab ka madalamate sageduste piirkonda kui 3,2 GHz [d≤ 15cm*GHz/3,2 GHz].
N.B.:MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
NB!MMIC võimsusvõimendeid tuleks hinnata punktis 3A001.b.2 määratletud kriteeriumide järgi.
Note 1:3A001.b.4. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 to 42,5 GHz.
Märkus 1:Punkt 3A001.b.4 ei hõlma raadioülekanneteks ettenähtud satelliitseadmeid, mis kavandatud või arvestatud tööks sagedusalas 40,5 kuni 42,5 GHz.
Note 2:the control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Märkus 2:Märkus 2: Osa, mille arvestuslik töösagedus hõlmab rohkem kui üht punktides 3A001.b.4.a kuni 3A01.b.4.e määratletud sagedusvahemikku, kontrolli alla kuulumine määratakse väikseima keskmise väljundvõimsuse kontroll-läve järgi.
electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs having any of the following:
elektrooniliselt või magnetiliselt häälestatavad ribapääsfiltrid (band-pass) või ribatõkkefiltrid (band-stop), mis sisaldavad enam kui 5 timmitavat resonaatorit, mida on võimalik vähem kui 10 mikrosekundi jooksul häälestada sagedusribale, mille fmax/fmin on 1,5:1 ja millel on järgmised omadused:
a band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
ribapääs (band-pass) ribalaiusega, mis on laiem kui 0,5 % kesksagedusest, või
a band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
ribatõke (band-stop) ribalaiusega, mis on kitsam kui 0,5 % kesksagedusest;
mixers and converters designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
segustid ja muundajad, mis on konstrueeritud punktis 3A002.c, 3A002.e või 3A002.f nimetatud seadmete sagedusriba laiendamiseks üle eespool nimetatud punktides kehtestatud piiride;
microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b. and having all of the following:
mikrolaine võimsusvõimendid, mis sisaldavad punktis 3A001.b nimetatud lampe ja millel on kõik järgmised omadused:
operating frequencies above 3 GHz;
töösagedus üle 3 GHz;
an average output power density exceeding 80 W/kg; and
keskmine väljundvõimsuse tihedus üle 80 W/kg; ja
a volume of less than 400 cm3;
maht on väiksem kui 400 cm3;
Note:3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Märkus:Punkt 3A001.b.8 ei hõlma seadmeid, mis on kavandatud või kohandatud töötamiseks igas sagedusribas, mis on "ITU poolt eraldatud" raadioside jaoks ja mitte ette nähtud asukoha määramiseks;
microwave power modules (MPM), consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave monolithic integrated circuit and an integrated electronic power conditioner, having all of the following characteristics:
mikrolainevõimsusmoodulid (MPM), mis koosnevad vähemalt jooksva laine lambist, mikrolaine monoliitsest integraallülitusest ja integreeritud elektroonilisest võimsusmuundurist, millel on kõik järgmised omadused:
a turn-on time from off to fully operational in less than 10 seconds;
sisselülitusaeg väljalülitatud seisundist kuni täieliku toimimiseni on alla 10 sekundi;
a volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
maht on väiksem, kui maksimaalne nimivõimsus vattides korrutatud 10 cm3/W; ja
for frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
sagedus 18 GHz või vähem, üle 100W raadiosagedusliku (RF) väljundvõimsuse juures; või
having a frequency greater than 18 GHz.
sagedus üle 18 GHz.
to calculate the control volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Punktis 3A001.b.9.b. osutatud kontrollmahu arvutamiseks on antud järgmine näide: 20 W suuruse maksimaalse nimivõimsuse korral oleks maht: 20 W x 10 cm3/W = 200 cm3
the turn-on time in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational; i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
Punktis 3A001.b.9.a. nimetatud sisselülitusaeg tähendab aega täielikult väljalülitatud seisundist kuni täieliku toimimiseni; st, et see sisaldab mikrolainemooduli (MPM) soojenemisaega;
acoustic wave devices, as follows, and specially designed components therefor:
järgmised akustilise laine seadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid:
surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves in materials), having any of the following:
akustilise pinnalaine- ja akustilise pinnalähedase ruumlaine seadmed (st signaalitöötlusseadmed, mis kasutavad akustilis-mehhaanilisi võnkumisi aines), millel on mis tahes järgmine omadus:
a carrier frequency exceeding 2,5 GHz;
kandesagedus üle 2,5 GHz;
a carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 2,5 GHz, and having any of the following:
kandesagedus üle 1 GHz, kuid mitte üle 2,5 GHz, ja millel on mis tahes järgmised omadused:
a frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB;
külghõlma summutus üle 55 dB;
a product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
maksimaalse viivise ja ribalaiuse korrutis (aeg mikrosekundites ja ribalaius MHz-des) üle 100;
a bandwidth greater than 250 MHz; or
ribalaius üle 250 MHz või
a dispersive delay of more than 10 μs; or
dispersiivne viivis on suurem kui 10 μs või
a carrier frequency of 1 GHz or less, having any of the following:
kandesagedus on 1 GHz või vähem, ja millel on mis tahes järgmised omadused:
a frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB and a bandwidth greater than 50 MHz;
külghõlma summutus üle 55 dB ja ribalaius on suurem kui 50 MHz;
bulk (volume) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves) which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 1 GHz;
akustilise ruumlaine seadmed (st signaalitöötlusseadmed, mis kasutavad aines akustilis-mehhaanilisi võnkumisi), mis võimaldavad vahetult töödelda signaale sagedustel, mis ületavad 1 GHz;
acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
akustilis-optilised signaalitöötlusseadmed, mis kasutavad akustiliste lainete (ruumlaine või pinnalaine) ja valguslainete vahelist vastasmõju, mis võimaldab vahetult töödelda signaale või kujutisi, kaasa arvatud spektraalanalüüs, korrelatsioon või konvolutsioon;
electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents, with any of the following:
elektroonilised seadmed või skeemid, mis sisaldavad ülijuhtivatest materjalidest valmistatud komponente ja on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks temperatuuril, mis on madalam kui vähemalt ühe ülijuhtivast materjalist komponendi kriitiline temperatuur, ja millel on järgmised omadused:
current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
voolulülitid digitaalskeemidele, milles kasutatakse ülijuhtivaid ventiile, mille ventiili kohta viivise (sekundites) ja ventiilis hajunud võimsuse korrutis ventiili kohta (vattides) on väiksem kui 10– 14 J, või
frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
sageduse selekteerimine kõikidel sagedustel, kasutades resonantsahelaid, mille hüveteguri Q väärtus on üle 10000;
high energy devices, as follows:
suurenergiaseadmed:
’cells’, as follows:
järgmised elemendid:
’primary cells’ having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
primaarelemendid, mille energiatihedus on 20 °C juures üle 550 Wh/kg;
’secondary cells’ having 250 Wh/kg;
sekundaarelemendid, mille energiatihedus on üle 250 Wh/kg.
For the purpose of 3A001.e.1., "energy density" (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere hours divided by the mass in kilograms.
Punktis 3A001.e.1 nimetatud energiatihedus arvutatakse nimipinge korrutamisel nimimahtuvusega ampertundides ja jagamisel massiga kilogrammides.
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
Kui nimimahtuvus ei ole antud, arvutatakse energiatihedus nimipinge ruudu korrutamisel tühjenemise kestusega tundides ja jagamisel tühjenemiskoormusega oomides ja massiga kilogrammides.
for the purpose of 3A001.e.1., a ’cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, and electrolyte, and is a source of electrical energy.
Punktis 3A001.e.1 nimetatud element on elektrokeemiline seade, millele on positiivne ja negatiivne elektrood, elektrolüüt, ning mis on elektrienergia allikas.
It is the basic building block of a battery.
See on patarei peamine osa.
for the purpose of 3A001.e.1.a., a ’primary cell’ is a ’cell’ that is not designed to be charged by any other source.
Punktis 3A001.e.1.a nimetatud primaarelement on element, mis ei ole projekteeritud laadimiseks ühestki muust allikast.
for the purpose of 3A001.e.1.b., a ’secondary cell’ is a ’cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
Punktis 3A001.e.1.b nimetatud sekundaarelement on element, mis on projekteeritud laadimiseks välisest elektrienergia allikast.
Note:3A001.e.1. does not control batteries, including single cell batteries.
Märkus:Punkt 3A001.e.1 ei hõlma patareisid, sealhulgas ühe elemendiga patareid.
high energy storage capacitors, as follows:
järgmised suure energiaga kogumiskondensaatorid:
N.B.:SEE ALSO 3A201.a.
NB!VT KA PUNKTI 3A201.a.
capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) having all of the following:
kondensaatorid, mille kordussagedus on väiksem kui 10 Hz (üksiklahendusega kondensaator) ning millel on kõik järgmised omadused:
a voltage rating equal to or more than 5 kV;
nimipinge 5 kV või rohkem;
an energy density equal to or more than 250 J/kg; and
energiatihedus 250 J/kg või rohkem ja
a total energy equal to or more than 25 kJ;
koguenergia 25 kJ või rohkem;
capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) having all of the following:
kondensaatorid, mille kordussagedus on 10 Hz või rohkem (korduvlahendusega kondensaatorid) ja millel on kõik järgmised omadused:
an energy density equal to or more than 50 J/kg;
energiatihedus 50 J/kg või rohkem;
a total energy equal to or more than 100 J; and
koguenergia 100 J või rohkem ja
a charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
laadimis-/tühjenemistsükleid 10000 või rohkem;
"Superconductive" electromagnets and solenoids specially designed to be fully charged or discharged in less than one second, having all of the following:
ülijuhtivad elektromagnetid või solenoidid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud täieliku laadimis- või tühjenemisajaga alla ühe sekundi ja millel on kõik järgmised omadused:
N.B.:SEE ALSO 3A201.b.
NB!VT KA PUNKTI 3A201.b.
Note:3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Märkus:Punkt 3A001.e.3 ei hõlma "ülijuhtivaid" elektromagneteid või solenoide, mis on spetsiaalselt ette nähtud magnetresonantskuva meditsiiniseadmetele.
energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
tühjenemise esimesel sekundil vabanev energia on üle 10 kJ;
inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
voolu kandva mähise sisediameeter on üle 250 mm ja
rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
magnetilise induktsiooni nimiväärtus on üle 8 T või üldine voolutihedus mähises üle 300 A/mm2;
solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2).
päikeseelemendid, element-kaitseklaas ühendusega (CIC) koostud, päikesepaneelid, päikesepaneelide massiivid, mis on kosmosekindlad, ja mille minimaalne energiatõhusus töötemperatuuril 301 K (28 °C) ja simuleeritud AM0 valgustusel kiirgusega 1367 vatti ruutmeetri kohta (W/m2) on üle 20 %.
’AM0’, or ’Air Mass Zero’, refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
ehk õhumass null (Air Mass Zero) tähendab päikesevalguse spektraalset kiirgusintensiivust väljaspool maakera atmosfääri, kui maa ja päikese vaheline kaugus on üks astronoomiline ühik.
rotary input type shaft absolute position encoders having any of the following:
absoluutse pöördenurga andurid, millel on mis tahes järgmine omadus:
a resolution of better than 1 part in 265000 (18 bit resolution) of full scale; or
lahutusvõime parem kui 1 osa 265000 st (18 bitine lahutus) täisskaala ulatuses või
an accuracy better than ±2,5 seconds of arc.
täpsus parem kui ±2,5 kaaresekundit;
solid-state pulsed power switching thyristor devices and ’thyristor modules’ using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods, having any of the following:
tahkisimpulssjõulülitustüristorseadmed ja türistormoodulid, mis kasutavad kas elektriliselt, optiliselt või elektronkiirgusega juhitavaid lülitusviise, ja millel on mis tahes järgmine omadus:
a maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
maksimaalne voolutugevuse tõusukiirus (di/dt) sisselülitusel on suurem, kui 30000 A/μs ja väljalülitatud asendis on pinge üle 1100 V; või
a maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and all of the following:
maksimaalne voolutugevuse tõusukiirus (di/dt) sisselülitusel on suurem, kui 2000 A/μs ja kõik järgmised omadused:
an off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
väljalülitatud asendis on tipp-pinge 3000 V või rohkem; ja
a peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
tippvoolutugevus on 3000 A või rohkem.
Note 1:3A001.g. includes:
Märkus 1:Punkti 3A001.g. alla kuuluvad:
silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
ränialaldid (SCR);
electrical Triggering Thyristors (ETTs)
elektrilise lülitusega türistorid (ETT);
light Triggering Thyristors (LTTs)
valguslülitusega türistorid (LTT);
integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
integreeritud võrejuhtimisega türistorid (IGCTs);
gate Turn-off Thyristors (GTOs)
suletavad türistorid (GTO);
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
MOS(metalloksiidpooljuht)-juhtimisega türistorid (MCT);
solidtrons
solidtronid.
Note 2:3A001.g. does not control thyristor devices and ’thyristor modules’ incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Märkus 2:Punkt 3A001.g. ei hõlma türistorseadmeid ega türistormooduleid, mis on paigaldatud tsiviilraudtee- või "tsiviilõhusõiduki-"rakenduste jaoks projekteeritud seadmetesse.
For the purposes of 3A001.g., a ’thyristor module’ contains one or more thyristor devices.
Punkti 3A001.g. tähenduses sisaldab türistormoodul ühe või enam kui ühe türistorseadme.
recording equipment, as follows, and specially designed test tape therefor:
järgmised lindistusseadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud testlindid:
analogue instrumentation magnetic tape recorders, including those permitting the recording of digital signals (e.g. using a high density digital recording (HDDR) module), having any of the following:
analoogmagnetofonid, kaasa arvatud seadmed, mis võimaldavad salvestada digitaalsignaale (st kasutatakse kõrgtihedusliku digitaalsalvestuse moodulit (HDDR)) ja millel on mis tahes järgmine omadus:
a bandwidth exceeding 4 MHz per electronic channel or track;
ribalaius üle 4 MHz ühe elektrontrakti või salvestusraja kohta;
a bandwidth exceeding 2 MHz per electronic channel or track and having more than 42 tracks; or
ribalaius üle 2 MHz ühe elektrontrakti või salvestusraja kohta, omades enam kui 42 salvestusrada, või
a time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ±0,1 μs;
ajaline nihe (viga) ajabaasi suhtes (base error), mis on mõõdetud vastavalt salvestusmeetodite normeerimise komisjoni (IRIG) või Elektroonikatööstuste Ühenduse (EIA) nõuetele, on alla ±0,1 μs;
Note:analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
Märkus:Analoogmagnetofone, mis on spetsiaalselt kavandatud tsiviilotstarbelise videoseadmena, ei käsitleta aparatuuri lindistusseadmena.
digital video magnetic tape recorders having a maximum digital interface transfer rate exceeding 360 Mbits/s;
digitaalsed videomagnetofonid, mille digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on üle 360 Mbit/s;
Note:3A002.a.2. does not control digital video magnetic tape recorders specially designed for television recording using a signal format, which may include a compressed signal format, standardised or recommended by the ITU, the IEC, the SMPTE, the EBU, the ETSI or the IEEE for civil television applications.
Märkus:Punkt 3A002.a.2 ei hõlma digitaalset videomagnetofoni, mis on spetsiaalselt ette nähtud televisiooni tarbeks ja milles kasutatava signaali formaat (võib sisaldada ka kokkusurutud signaali formaati) on standardiseeritud või soovitatud Rahvusvahelise Telekommunikatsiooni Liidu (ITU), Rahvusvahelise Elektrotehnikakomisjoni (IEC), Filmi ja Televisiooniinseneride Ühingu (SMPTE), Euroopa Ringhäälinguliidu (EBU), Euroopa Telekommunikatsiooni Standardiinstituudi (ETSI) või Elektri- ja Elektroonikainseneride Instituudi (IEEE) poolt tsiviiltelevisiooni tarbeks.
digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques, having any of the following:
kruvilaotustehnikat või liikumatu magnetpea tehnikat rakendavad digitaalsed magnetofonid, millel on mis tahes järgmine omadus:
a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbits/s; or
digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on üle 175 Mbit/s või
Note:3A002.a.3. does not control analogue magnetic tape recorders equipped with HDDR conversion electronics and configured to record only digital data.
Märkus:Punkt 3A002.a.3 ei hõlma analoogmagnetofone, mis on varustatud HDDRi muundamise elektroonikaga ja ette nähtud ainult digitaalsete andmete salvestamiseks.
equipment, having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbits/s, designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
seadmed, mille digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on üle 17 Mbit/s ja mis on kavandatud digitaalse videomagnetofoni muutmiseks aparatuuri andmete digitaalseks salvestusseadmeks;
waveform digitisers and transient recorders having all of the following:
lainekuju digitaatorid ja ajutised salvestusseadmed, millel on kõik järgmised omadused:
digitising rate equal to or more than 200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more; and
digiteerimisiirus on 200 miljonit või rohkem valimit sekundis ja lahutusvõime 10 bitti või enam ja
a continuous throughput of 2 Gbit/s or more;
pidev jõudlus 2 Gbit/s või rohkem;
digital instrumentation data recorders, using magnetic disk storage technique, having all of the following:
andmete digitaalsed salvestusseadmed, milles kasutatakse magnetkettale salvestamise tehnikat ja millel on mis tahes järgmine omadus:
digitising rate equal to or more than 100 million samples per second and a resolution of 8 bit or more; and
digiteerimisiirus on 100 miljonit või rohkem valimit sekundis ja lahutusvõime 8 bitti või enam ja
a continuous throughput of 1 Gbit/s or more;
pidev jõudlus 1 Gbit/s või rohkem;
"frequency synthesiser""electronic assemblies" having a "frequency switching time" from one selected frequency to another of less than 1 ms;
sagedussüntesaatori elektroonikasõlmed, mille sageduse ümberlülitusaeg ühelt valitud sageduselt teisele on alla 1 ms;
Note:the control status of signal analysers, signal generators, network analysers and microwave test receivers as stand-alone instruments is determined by 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., and 3A002.f., respectively.
Märkus:Signaalianalüsaatorite, signaalgeneraatorite, võrguanalüsaatorite ja mikrolaine testvastuvõtjate eraldi seadmetena kontrolli alla kuulumine on määratud vastavalt punktides 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e, ja 3A002.f.
radio frequency "signal analysers", as follows:
järgmised raadiosageduse signaalianalüsaatorid:
"signal analysers"capable of analysing frequencies exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz and having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz;
signaalianalüsaatorid, mis on võimelised analüüsima sagedusi üle 31,8 GHz, kuid mitte üle 37,5 GHz ja millel on 3 dB eraldusvõimeriba (RBW) üle 10 MHz;
"signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 43,5 GHz;
signaalianalüsaatorid, mis on võimelised analüüsima üle 43,5 GHz sagedusi;
"dynamic signal analysers" having a "real-time bandwidth" exceeding 500 kHz;
dünaamilised signaalianalüsaatorid, mille reaalajaline ribalaius on üle 500 kHz;
Note:3A002.c.3. does not control those "dynamic signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Märkus:Punkt 3A002.c.3 ei hõlma neid "dünaamilisi signaalianalüsaatoreid", milles kasutatakse konstantseid protsentuaalse ribalaiusega filtreid (samuti tuntud kui oktaav- või murdosa-oktaavfiltrid).
frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:
sagedussüntesaator-signaalgeneraatorid, mis toodavad väljundsagedusi, mille täpsus ning lühi- ja pikaajaline stabiilsus on juhitud, tuletatud ja kontrollitud sisemise võrdlusostsillaatori poolt ja millel on mis tahes järgmised omadused:
a maximum synthesised frequency exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz and rated to generate a ’pulse duration’ of less than 100 ns;
maksimaalne sünteesitav sagedus ületab 31,8 GHz, kuid mitte 43,5 GHz ja genereeritava impulsi pikkus on alla 100 ns;