natgillin/translations-raw huggingface dataset:
helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
spiraallaine torud või nende modifikatsioonid, millel on mis tahes järgmised omadused:
an "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
„hetkribalaius” on üle ühe oktaavi ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on üle 0,5;
an "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
„hetkribalaius” on üks oktaav või vähem ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on suurem kui 1 või
being "space qualified";
on „kosmosekindel”;
microwave "monolithic integrated circuits" (MMIC) power amplifiers having any of the following:
mikrolaine „monoliitsete integraallülituste” (MMIC) võimsusvõimendid, millel on mis tahes järgmine omadus:
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 4 W (36 dBm) ja nende „osaribalaius” on üle 15 %;
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 16 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) ja nende „osaribalaius” on üle 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 16 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,8 W (29 dBm) ja nende „osaribalaius” on üle 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,25 W (24 dBm) ja nende „osaribalaius” on üle 10 %, või
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm), või
Note:the control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Märkus:Punktides 3A001.b.3.a. kuni 3A001.b.3.e määratletud rohkem kui üht sagedusvahemikku hõlmava arvestusliku töösagedusega transistori kontrolli alla kuulumine määratakse väikseima keskmise väljundvõimsuse kontroll-läve järgi.
microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers having any of the following:
mikrolaine pooljuhtvõimendid ja mikrolaine pooljuhtvõimendeid sisaldavad mikrolainesõlmed/moodulid, millel on mis tahes järgmine omadus:
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 60W (47,8 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 60 W (47,8 dBm) „osaribalaiusega” üle 15 %;
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15W (42 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 15 W (42 dBm) „osaribalaiusega” üle 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) „osaribalaiusega” üle 10 %;
an average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P > 150 W*GHz2/fGHz2];
keskmine väljundvõimsus (P, vattides), mis on suurem kui 150 jagatud maksimaalse töösageduse (gigahertsides) ruuduga [P>150 W*GHz2/fGHz2];
a "fractional bandwidth" of 5 % or greater; and
„osaribalaius” 5 % või rohkem ja
any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d = 15 cm*GHz/fGHz].
mis tahes kaks teineteisega risti asetsevat külge, mille pikkus (d, sentimeetrites) on võrdne või väiksem kui 15 jagatud väikseima töösagedusega gigahertsides [d ≤ 15cm*GHz/fGHz];
electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs and having any of the following:
elektrooniliselt või magnetiliselt häälestatavad ribapääsfiltrid (band-pass) või ribatõkkefiltrid (band-stop), mis sisaldavad enam kui 5 timmitavat resonaatorit, mida on võimalik vähem kui 10 mikrosekundi jooksul häälestada sagedusribale, mille fmax/fmin on 1,5:1 ja millel on järgmised omadused:
converters and harmonic mixers designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d, 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
muundajad ja harmoonilised segustid/mikserid, mis on konstrueeritud punktis 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e või 3A002.f nimetatud seadmete sagedusriba laiendamiseks üle eespool nimetatud punktides kehtestatud piiride;
microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
mikrolaine võimsusvõimendid, mis sisaldavad punktis 3A001.b.1 nimetatud lampe ja millel on kõik järgmised omadused:
an average output power density exceeding 80 W/kg; and
keskmine väljundvõimsuse tihedus üle 80 W/kg ja
Note:3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Märkus:Punkt 3A001.b.8 ei hõlma seadmeid, mis on kavandatud või kohandatud töötamiseks igas sagedusribas, mis on „ITU poolt eraldatud” raadioside jaoks ja mitte ette nähtud asukoha määramiseks;
microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
mikrolainevõimsusmoodulid (MPM), mis koosnevad vähemalt jooksva laine lambist, mikrolaine „monoliitsest integraallülitusest” ja integreeritud elektroonilisest võimsusmuundurist ning millel on kõik järgmised omadused:
a "turn-on time" from off to fully operational in less than 10 seconds;
’sisselülitusaeg’ väljalülitatud seisundist kuni täieliku toimimiseni on alla 10 sekundi;
a volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
maht on väiksem kui maksimaalne nimivõimsus vattides korrutatud 10 cm3/W ja
for frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
sagedus 18 GHz või vähem, üle 100 W raadiosagedusliku (RF) väljundvõimsuse juures, või
a frequency greater than 18 GHz.
sagedus üle 18 GHz.
to calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Punktis 3A001.b.9.b. osutatud mahu arvutamiseks on antud järgmine näide: 20 W suuruse maksimaalse nimivõimsuse korral oleks maht: 20 W x 10 cm3/W = 200 cm3
the "turn-on time" in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational; i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
Punktis 3A001.b.9.a. nimetatud ’sisselülitusaeg’ tähendab aega täielikult väljalülitatud seisundist kuni täieliku toimimiseni; st, et see sisaldab mikrolainemooduli (MPM) soojenemisaega;
surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves in materials), having any of the following:
akustilise pinnalaine- ja akustilise pinnalähedase ruumlaine seadmed (st „signaalitöötluss”eadmed, mis kasutavad akustilis-mehhaanilisi võnkumisi aines), millel on mis tahes järgmine omadus:
a carrier frequency exceeding 6 GHz;
kandesagedus üle 6 GHz;
a carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
kandesagedus üle 1 GHz, kuid mitte üle 6 GHz, ja mis tahes järgmised omadused:
a carrier frequency of 1 GHz or less, having any of the following:
kandesagedus on 1 GHz või vähem ja mis tahes järgmised omadused:
a frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
külghõlma summutus üle 55 dB ja ribalaius on suurem kui 100 MHz;
bulk (volume) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves) which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 2,5 GHz;
akustilise ruumlaine seadmed (st „signaalitöötluss”eadmed, mis kasutavad aines akustilis-mehhaanilisi võnkumisi), mis võimaldavad vahetult töödelda signaale sagedustel, mis ületavad 2,5 GHz;
acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
akustilis-optilised „signaalitöötluss”eadmed, mis kasutavad akustiliste lainete (ruumlaine või pinnalaine) ja valguslainete vahelist vastasmõju, mis võimaldab vahetult töödelda signaale või kujutisi, kaasa arvatud spektraalanalüüs, korrelatsioon või konvolutsioon;
electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents having any of the following:
elektroonilised seadmed või skeemid, mis sisaldavad „ülijuhtivatest” materjalidest valmistatud komponente ja on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks temperatuuril, mis on madalam kui vähemalt ühe „ülijuhtivast” materjalist komponendi „kriitiline temperatuur”, ja millel on mis tahes järgmised omadused:
current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
voolulülitid digitaalskeemidele, milles kasutatakse „ülijuhtivaid” ventiile, mille ventiili kohta viivise (sekundites) ja ventiilis hajunud võimsuse korrutis ventiili kohta (vattides) on väiksem kui 10–14 J, või
"cells", as follows:
järgmised ’elemendid’:
"primary cells" having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
’primaarelemendid’, mille ’energiatihedus’ on 20 °C juures üle 550 Wh/kg;
"secondary cells" having 250 Wh/kg;
’sekundaarelemendid’, mille ’energiatihedus’ on üle 250 Wh/kg.
For the purpose of 3A001.e.1., "energy density" (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Punktis 3A001.e.1 nimetatud ’energiatihedus’ arvutatakse nimipinge korrutamisel nimimahtuvusega ampertundides (Ah) ja jagamisel massiga kilogrammides.
for the purpose of 3A001.e.1., a "cell" is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Punktis 3A001.e.1 nimetatud ’element’ on elektrokeemiline seade, millele on positiivne ja negatiivne elektrood, elektrolüüt, ning mis on elektrienergia allikas.
for the purpose of 3A001.e.1.a., a "primary cell" is a "cell" that is not designed to be charged by any other source.
Punktis 3A001.e.1.a nimetatud ’primaarelement’ on ’element’, mis ei ole projekteeritud laadimiseks ühestki muust allikast.
for the purpose of 3A001.e.1.b., a "secondary cell" is a "cell" that is designed to be charged by an external electrical source.
Punktis 3A001.e.1.b nimetatud ’sekundaarelement’ on ’element’, mis on projekteeritud laadimiseks välisest elektrienergia allikast.
Note:3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
Märkus:Punkt 3A001.e.1 ei hõlma patareisid, sealhulgas ühe elemendiga patareid.
capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
kondensaatorid, mille kordussagedus on väiksem kui 10 Hz (üksiklahendusega kondensaator) ning millel on kõik järgmised omadused:
capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
kondensaatorid, mille kordussagedus on 10 Hz või rohkem (korduvlahendusega kondensaatorid) ja millel on kõik järgmised omadused:
"Superconductive" electromagnets and solenoids specially designed to be fully charged or discharged in less than one second andhaving all of the following:
„ülijuhtivad” elektromagnetid või solenoidid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud täieliku laadimis- või tühjenemisajaga alla ühe sekundi ja millel on kõik järgmised omadused:
Note:3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Märkus:Punkt 3A001.e.3 ei hõlma „ülijuhtivaid” elektromagneteid või solenoide, mis on spetsiaalselt ette nähtud magnetresonantskuva meditsiiniseadmetele.
rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
magnetilise induktsiooni nimiväärtus on üle 8 T või „üldine voolutihedus” mähises üle 300 A/mm2;
solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2).
päikeseelemendid, element-kaitseklaas ühendusega (CIC) koostud, päikesepaneelid, päikesepaneelide massiivid, mis on „kosmosekindlad”, ja mille minimaalne energiatõhusus töötemperatuuril 301 K (28 °C) ja simuleeritud ’AM0’ valgustusel kiirgusega 1367 vatti ruutmeetri kohta (W/m2) on üle 20 %.
"AM0", or "Air Mass Zero", refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
’AM0’ ehk ’õhumass null’ (Air Mass Zero) tähendab päikesevalguse spektraalset kiirgusintensiivust väljaspool maakera atmosfääri, kui maa ja päikese vaheline kaugus on üks astronoomiline ühik.
a resolution of better than 1 part in 265000 (18 bit resolution) of full scale; or
lahutusvõime parem kui 1 osa 265000st (18bitine lahutus) täisskaala ulatuses või
solid-state pulsed power switching thyristor devices and "thyristor modules" using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
tahkisimpulssjõulülitustüristorseadmed ja ’türistormoodulid’, mis kasutavad kas elektriliselt, optiliselt või elektronkiirgusega juhitavaid lülitusviise, ja millel on mis tahes järgmine omadus:
a maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
maksimaalne voolutugevuse tõusukiirus (di/dt) sisselülitusel on suurem kui 30000 A/μs ja väljalülitatud asendis on pinge üle 1100 V või
a maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
maksimaalne voolutugevuse tõusukiirus (di/dt) sisselülitusel on suurem, kui 2000 A/μs ja kõik järgmised omadused:
an off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
väljalülitatud asendis on tipp-pinge 3000 V või rohkem ja
Note 1:3A001.g. includes:
Märkus 1:Punkti 3A001.g alla kuuluvad:
Note 2:3A001.g. does not control thyristor devices and "thyristor modules" incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Märkus 2:Punkt 3A001.g ei hõlma türistorseadmeid ega ’türistormooduleid’, mis on paigaldatud tsiviilraudtee või „tsiviilõhusõidukite” rakenduste jaoks projekteeritud seadmetesse.
For the purposes of 3A001.g., a "thyristor module" contains one or more thyristor devices.
Punkti 3A001.g tähenduses sisaldab ’türistormoodul’ ühte või enam kui ühte türistorseadet.
General purpose electronic equipment and accessories therefor, as follows:
Järgmised üldotstarbelised elektroonilised seadmed ja nende lisaseadmed:
digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having any of the following:
kruvilaotustehnikat või liikumatu magnetpea tehnikat rakendavad digitaalsed magnetofonid, millel on mis tahes järgmine omadus:
equipment, having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbits/s and designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
seadmed, mille digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on üle 17 Mbit/s ja mis on kavandatud digitaalse videomagnetofoni muutmiseks aparatuuri andmete digitaalseks salvestusseadmeks;
a "continuous throughput" of 2 Gbit/s or more;
’pidev jõudlus’ 2 Gbit/s või rohkem;
For those instruments with a parallel bus architecture, the "continuous throughput" rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Paralleelsiinidega arhitektuuriga seadmete korral on ’pidev jõudlus’ suurim sõnakiirus, mis on korrutatud bittide arvuga sõnas.
"Continuous throughput" is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
’Pidevaks jõudluseks’ nimetatakse andmete suurimat väljastuskiirust massmälusse, mida seade võib arendada ilma mingisuguse informatsiooni kaota, säilitades valimi võtmise kiiruse ja selle analoog-digitaalse muundamise.
digital instrumentation data recorders, using magnetic disk storage technique and having all of the following:
andmete digitaalsed salvestusseadmed, milles kasutatakse magnetkettale salvestamise tehnikat ja millel on kõik järgmised omadused:
a "continuous throughput" of 1 Gbit/s or more;
’pidev jõudlus’ 1 Gbit/s või rohkem;
"frequency synthesiser""electronic assemblies" having a "frequency switching time" from one selected frequency to another of less than 1 ms;
„sagedussüntesaatori”„elektroonikasõlmed”, mille „sageduse ümberlülitusaeg” ühelt valitud sageduselt teisele on alla 1 ms;
Note:the control status of "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers as stand-alone instruments is determined by 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., and 3A002.f., respectively.
Märkus:„Signaalianalüsaatorite”, signaalgeneraatorite, võrguanalüsaatorite ja mikrolaine testvastuvõtjate eraldi seadmetena kontrolli alla kuulumine on määratud vastavalt punktides 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e, ja 3A002.f.
radio frequency "signal analysers" as follows:
järgmised raadiosageduse „signaalianalüsaatorid”:
"signal analysers"capable of analysing frequencies exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz and having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz;
„signaalianalüsaatorid”, mis on võimelised analüüsima sagedusi üle 31,8 GHz, kuid mitte üle 37,5 GHz ja millel on 3 dB eraldusvõimeriba (RBW) üle 10 MHz;
"signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 43,5 GHz;
„signaalianalüsaatorid”, mis on võimelised analüüsima üle 43,5 GHz sagedusi;
"dynamic signal analysers" having a "real-time bandwidth" exceeding 500 kHz;
„dünaamilised signaalianalüsaatorid”, mille „reaalajaline ribalaius” on üle 500 kHz;
Note:3A002.c.3. does not control those "dynamic signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Märkus:Punkt 3A002.c.3 ei hõlma neid „dünaamilisi signaalianalüsaatoreid”, milles kasutatakse konstantseid protsentuaalse ribalaiusega filtreid (samuti tuntud kui oktaav- või murdosa-oktaavfiltrid).
a maximum synthesised frequency exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz and rated to generate a ’pulse duration’ of less than 100 ns;
maksimaalne sünteesitav sagedus ületab 31,8 GHz, kuid mitte 43,5 GHz ja genereeritava ’impulsi kestus’ on alla 100 ns;
a "frequency switching time" from one selected frequency to another as specified by any of the following:
„sageduste ümberlülitusaeg” ühelt valitud sageduselt teisele on määratletud ühena järgmistest:
less than 500 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
vähem kui 500 µs, suurema kui 550 MHz sagedusemuutuse korral sünteesitava sageduse vahemikus üle 31,8 GHz, kuid mitte üle 43,5 GHz, või
less than 1 ms within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz; or
vähem kui 1 ms, kui sünteesitav sagedus on üle 43,5 GHz, või
Note 1:for the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Märkus 1:Punkti 3A002.d tähenduses hõlmab termin „sagedussüntesaator-signaalgeneraatorid” suvalisi lainekuju ja funktsiooni generaatoreid.
for the purposes of 3A002.d.1., "pulse duration" is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
Punkti 3A002.d.1 tähenduses määratletakse ’impulsi kestust’ ajavahemikuna, mis jääb impulsi esifrondi, mis saavutab 90 % maksimumist, ja impulsi tagafrondi vahele, mis saavutab 10 % maksimumist.
atomic frequency standards being any of the following:
aatomi võnkesageduse standardid, millel on mis tahes järgmine omadus:
"space qualified";
„kosmosekindel”;
non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
mitte-rubiidium ja pikaajaline stabiilsus vähem (parem) kui 1 × 10–11/kuu või
non-"space qualified" and having all of the following:
mitte-„kosmosekindel” ja kõigi järgmiste omadustega:
being a rubidium standard;
rubiidiumstandard;
long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; and
pikaajaline stabiilsus vähem (parem) kui 1 × 10–11/kuu ja
total power consumption of less than 1 W.
tarbimisvõimsus vähem kui 1 W.
analogue to digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedised equipment;
analoog-digitaalmuundurid, mis on kasutatavad „rakettmürskudes” ja mis on kavandatud vastama robustsetele seadmetele kehtestatud sõjalistele nõuetele;
"Thermal batteries" designed or modified for "missiles".
’Termopatareid’, loodud või kohandatud ’rakettmürskude’ jaoks.
In 3A102 "thermal batteries" are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
Punktis 3A102. nimetatud ’termopatareid’ on ühekorrapatareid, mis elektrolüüdina sisaldavad tahket mittejuhtivat anorgaanilist soola.
In 3A102 "missile" means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
Punktis 3A102 tähendab ’rakettmürsk’ terviklikke raketisüsteeme ja mehitamata õhusõidukisüsteeme, mille lennuulatus ületab 300 km.
Note:3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported "as parts of" medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Märkus:Punkt 3A201.b ei hõlma magneteid, mis on spetsiaalselt kavandatud tuumamagnetresonantskuvamise süsteemi jaoks ja eksporditud tuumamagnetresonantskuvamise süsteemi ’osadena’.