natgillin/translations-raw huggingface dataset:
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Reageerivate ainete protsessi kaasamine, tahkiste aurustamine protsessikambris ning protsessi käigus monitoride kasutamine katete paksuse ja optiliste parameetrite mõõtmiseks on selle menetluse tavalised modifikatsioonid;
pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
tahke tsementiitimine on pinna muundamis- või katmismenetlus, milles põhimik on asetatud pulbrisegusse (pakend), mis koosneb järgmisest:
the metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
sadestatavad metallipulbrid (tavaliselt alumiinium, kroom, räni või nende segud);
an activator (normally a halide salt); and
aktivaator (tavaliselt halogeniidisool) ja
an inert powder, most frequently alumina.
inertne pulber, tavaliselt alumiiniumoksiid.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Põhimik ja pulbrisegu asetatakse retorti, mida kuumutatakse katte sadestamiseks piisava aja jooksul temperatuurivahemikus 1030 K (757 °C) kuni 1375 K (1102 °C).
plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Plasmapihustus on üks pinnakatmismenetlus, milles plasmat tekitav ja juhtiv plasmakahur võtab vastu kattematerjali pulbrit või traati, sulatab selle ning paiskab põhimikule, millel moodustubki homogeenne seotud kiht.
1:Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
NB 1!Madal rõhk tähendab siin ümbritsevast rõhust madalamat rõhku.
2:High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
NB 2!Ülikiire tähendab düüsist väljuva gaasi kiirust, mis on suurem kui 750 m/s, arvutatuna 293 K (20 °C) juures rõhul 0,1 MPa.
slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Mudasadestus on üks pinna muundamis- või katmismenetlus, milles orgaanilise sideainega vedelikus suspenseeritud metalli- või keraamikapulber kantakse põhimikule kas pihustamise, sukeldamise või pintsli abil, millele järgneb õhus või ahjus kuivatamine ning termotöötlemine, saavutamaks soovitud pinnakatet.
sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Atomisatsioonsadestus on pinnakatmismenetlus, mis põhineb impulsi ülekande nähtusel, milles positiivsed ioonid kiirendatakse elektriväljas märklaua (kattev aine) pinna suunas.
1:The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
NB 1!Tabelis on viidatud vaid triood-, magnetron- või reaktiiv- atomisatsioonsadestamisele, mida kasutatakse katte nakkuvuse ja sadestuskiiruse suurendamiseks ning raadiosageduslikult suurendatud atomisatsioonsadestamisel, mis võimaldab aurustada ka mittemetallilisi kattematerjale.
2:Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
NB 2!Sadestumise aktiveerimiseks kasutatakse madalaenergeetilisi (alla 5 keV) ioonkiiri.
ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Ioonlegeerimine on üks pinna muundamis- või katmismenetlus, milles sulandatav element ioniseeritakse, kiirendatakse potentsiaali gradiendi abil ning implanteeritakse põhimiku pinna piirkonnas.
Note 1:the control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Märkus 1:Punktis 3A001 või 3A002 nimetatud selliste seadmete ja komponentide kontrolli alla kuulumine (v.a punktides 3A001.a.3–3A001.a.10 või punktis 3A001.a.12 nimetatud), mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks muudes seadmetes või millel on muudele seadmetele iseloomulikud tunnused, määratakse nende muude seadmete kontrolli alla kuulumisega.
Note 2:the control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Märkus 2:Punktides 3A001.a.3–3A001.a.9 või punktis 3A001.a.12 nimetatud selliste integraallülituste kontrolli alla kuulumine, mis on püsiprogrammeeritud või kavandatud muude seadmete spetsiifiliste funktsioonide täitmiseks, määratakse nende seadmete kontrolli alla kuulumise alusel, milles neid kasutatakse.
N.B.:when the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
NB!Kui tootja või loataotleja ei suuda kindlaks määrata nende muude seadmete kontrolli alla kuulumist, määratakse nende integraallülituste kontrolli alla kuulumine punktides 3A001.a.3–3A001.a.9 ja 3A001.a.12.
If the integrated circuit is a silicon-based "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit described in 3A001.a.3. having an operand (data) word length of 8 bit or less, the control status of the integrated circuit is determined in 3A001.a.3.
Kui integraallülitus on punktis 3A001.a.3 nimetatud, ränist valmistatud "mikroarvuti mikroskeem-"või mikrokontrolleri mikroskeem, mille operandi (andmed) sõna pikkuseks on 8 bitti või vähem, on selle integraallülituse kontrolli alla kuulumine määratud punktis 3A001.a.3.
general purpose integrated circuits, as follows:
üldise kasutusega integraallülitused:
Note 1:the control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Märkus 1:Selliste (valmis või poolvalmis) pooljuhtplaatide kontrolli alla kuulumist, mille otstarve on kindlaks määratud, hinnatakse punkti 3A001.a parameetrite põhjal.
Note 2:Integrated circuits include the following types:
Märkus 2:Integraallülituste tüübid:
"Multichip integrated circuits";
"mitmekiibilised integraallülitused";
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
"kile-tüüpi integraallülitused", kaasa arvatud räni-safiir-tüüpi integraallülitused;
"Optical integrated circuits".
"optilised integraallülitused".
a total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
kogudoos, mille väärtus on 5 × 103 Gy (räni) või rohkem;
a dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
doosikiirus, mille väärtus on 5 × 106 (räni)/s või rohkem, või
a fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
neutronite (1 MeV ekvivalent) integreeritud vootihedus 5 × 1013 n/cm2 või suurem räni korral või selle ekvivalent muude ainete korral;
Note:3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Märkus:Punkti 3A001.a.1.c ei kohaldata metall-isolaator-pooljuht- (MIS) struktuuride suhtes.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
mikroprotsessor-mikroskeemid, mikroarvuti-mikroskeemid, mikrokontroller-mikroskeemid, liitpooljuhtidest valmistatud mäluintegraallülitused, analoog-digitaal muundajad, digitaal-analoog muundajad, signaalitöötluseks ettenähtud elektrooptilised või optilised integraallülitused, kasutaja-programmeeritavad loogilised seadmed, neurovõrgu integraallülitused, tundmatu otstarbega tavaintegraallülitused või integraallülitused, mis on ette nähtud kasutamiseks teadmata kontrollitavusega seadmes, Fourier' kiirteisenduse (FFT) protsessorid, programmeeritavad elekterkustutusega püsimälud (EEPROM), välkmälud või staatilised muutmälud (SRAM), millel on mis tahes järgmine omadus:
rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
määratud toimima keskkonnatemperatuuril üle 398 K (+125 °C);
rated for operation at an ambient temperature below 218 K (–55 °C); or
määratud toimima keskkonnatemperatuuril alla 218 K (–55 °C) või
rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (–55 °C) et 398 K (125 °C);
määratud toimima keskkonnatemperatuuril 218 K (–55 °C) kuni 398 K (+125 °C);
Note:3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Märkus:Punkti 3A001.a.2 ei kohaldata integraallülituste suhtes, mida kasutatakse tsiviilotstarbelistes autodes või rongides.
Note:3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Märkus:Punkt 3A001.a.3 hõlmab digitaalseid signaalprotsessoreid, digitaalmaatriksprotsessoreid ja digitaalseid kaasprotsessoreid.
analogue-to-digital converters having any of the following:
analoog-digitaalmuundurid, millel on mis tahes järgmine omadus:
N.B.:SEE ALSO 3A101
NB!VT KA PUNKTI 3A101.
a resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
eraldusvõime üle 8 biti, kuid vähem kui 10 bitti, väljundsagedusega rohkem kui 500 miljonit sõna sekundis;
a resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
eraldusvõime üle 10 biti, kuid vähem kui 12 bitti, väljundsagedusega rohkem kui 200 miljonit sõna sekundis;
a resolution of 12 bit with an output rate greater than 105 million words per second;
eraldusvõime 12 bitti, väljundsagedusega rohkem kui 105 miljonit sõna sekundis;
a resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 10 million words per second; or
eraldusvõime üle 12 biti, kuid võrdne või vähem kui 14 bitti, väljundsagedusega rohkem kui 50 miljonit sõna sekundis või
a resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 2,5 million words per second;
eraldusvõime üle 14 biti, väljundsagedusega rohkem kui 2,5 miljon sõna sekundis;
digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
digitaal-analoogmuundurid, mille eraldusvõime on 12 bitti või rohkem ning seadumisaeg on vähem kui 10 ns;
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Sageli spetsifitseeritakse ta megahertsides (MHz) või megadiskreetidena sekundis (MSPS).
electro-optical and "optical integrated circuits" designed for "signal processing" having all of the following:
signaalitöötluseks arendatud elektro-optilised ja optilised integraallülitused, milles on:
one or more than one internal "laser" diode;
üks või enam kui üks sisemine laser diood;
one or more than one internal light detecting element; and
üks või enam kui üks sisemine valgust detekteeriv element ja
optical waveguides;
optilised lainejuhid;
field programmable logic devices having any of the following:
väljaga programmeeritav loogikaseade, milles:
an equivalent usable gate count of more than 30000 (2 input gates);
ekvivalentselt kasutatavate ventiilide arv on üle 30000 (kahe sisendiga ventiilid);
a typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
tüüpiline hilistus põhiventiilis levimisel on alla 0,1 ns või
a toggle frequency exceeding 133 MHz;
ümberlülitamissagedus on üle 133 MHz;
Note:3A001.a.7. includes:
Märkus:Punkti 3A001.a.7 alla kuuluvad:
simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
lihtsad programmeeritavad loogikaseadmed (SPLD),
complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
keerulised programmeeritavad loogikaseadmed (CPLD),
field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
väljaga programmeeritavad ventiilmaatriksid (FPGA),
field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
väljaga programmeeritavad loogikamaatriksid (FPLA),
field Programmable Interconnects (FPICs)
väljaga programmeeritavad ühendused (FPIC).
N.B.:field programmable logic devices are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
NB!Väljaga programmeeritavad loogikaseadmed on tuntud ka kui väljaga programmeeritav ventiil või väljaga programmeeritavad loogikamaatriksid.
neural network integrated circuits;
neurovõrkude integraallülitused;
custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
tundmatu otstarbega tavaintegraallülitused või integraallülitused, mis on ette nähtud kasutamiseks seadmes, mille kontrolli alla kuulumine ei ole tootjale teada ja millel on järgmised omadused:
more than 1000 terminals;
rohkem kui 1000 klemmi;
an operating frequency exceeding 3 GHz;
töösagedus on üle 3 GHz;
digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
digitaalintegraallülitused, muud kui punktides 3A001.a.3–3A001.a.10 või punktis 3A001.a.12 nimetatud, mis on valmistatud liitpooljuhtide baasil ning millel on järgmised omadused:
an equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
ekvivalentsete ventiilide arv on üle 3000 (kahe sisendiga ventiilid) või
a toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
ümberlülitussagedus on üle 1,2 GHz;
microwave or millimetre wave components, as follows:
mikro- ja millimeeterlaineseadmete komponendid:
electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:
elektroonilised vaakumlambid ja katoodid:
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
Märkus 1:Punkt 3A001.b.1 ei hõlma lampe, mis on kavandatud või arvestatud tööks sagedusribades, mis vastavad järgmistele omadustele:
does not exceed 31,8 GHz; and
ei ole üle 31,8 GHz ja
is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
"ITU poolt eraldatud" raadioside jaoks, aga mitte ette nähtud asukoha määramiseks.
Note 2:3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes which meet all of the following characteristics:
Märkus 2:Punkt 3A001.b.1 ei hõlma mitte-"kosmosekindlaid" lampe, millel on kõik järgmised omadused:
an average output power equal to or less than 50 W; and
keskmine väljundvõimsus 50 W või vähem ja
designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
mis on kavandatud või arvestatud tööks sagedusribades, mis vastavad järgmistele omadustele:
exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
on üle 31,8 GHz, kuid mitte üle 43,5 GHz, ja
travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
järgmised jooksva laine lambid, impulss- või pidevlainele:
operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
mille töösagedus on üle 31,8 GHz;
having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
mis on varustatud katoodi kütteelemendiga, mille käivitumisaeg raadiosagedusliku (RF) nimivõimsuse saavutamiseks on lühem kui 3 sekundit;
coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
sidestatud õõnestorud või nende modifikatsioonid, fraktsionaalse ribalaiusega üle 7 % või tippvõimsusega üle 2,5 kW;
helix tubes, or derivatives thereof, with any of the following characteristics:
spiraallaine torud või nende modifikatsioonid, millel on järgmised omadused:
an "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
hetkeline ribalaius on üle ühe oktaavi ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on üle 0,5;
an "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
hetkeline ribalaius on üks oktaav või vähem ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on suurem kui 1 või
being "space qualified";
on kosmosekindel;
crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
ristväli võimenduslambid võimendusega üle 17 dB;
impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
elektronlampidele määratud impregneeritud katoodid, mis tagavad pideva emissioonivoolu tiheduse, mis on arvestuslikes nimitingimustes üle 5 A/cm2;
microwave monolithic integrated circuits (MMIC) power amplifiers having any of the following:
mikrolaine monoliitsete integraallülituste (MMIC) võimsusvõimendid, millel on mis tahes järgmine omadus:
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 4 W (36 dBm) ja nende suhteline ribalaius on üle 15 %;
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 16 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) ja nende suhteline ribalaius on üle 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 16 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,8 W (29 dBm) ja nende suhteline ribalaius on üle 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 31,8 GHz ja ulatuvad kuni 37,5 GHz (kaasa arvatud);
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,25 W (24 dBm) ja nende suhteline ribalaius on üle 10 %, või
rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz.
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 43,5 GHz;
Note 1:3A001.b.2. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 GHz to 42,5 GHz.
Märkus 1:Punkt 3A001.b.2 ei hõlma raadioülekanneteks ettenähtud satelliitseadmeid, mis on kavandatud või arvestatud tööks sagedusalas 40,5 GHz kuni 42,5 GHz.
Note 2:the control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Märkus 2:MMIC, mille arvestuslik töösagedus hõlmab rohkem kui üht punktides 3A001.b.2.a kuni 3A001.b.2.f. määratletud sagedusvahemikku, kontrolli alla kuulumine määratakse väikseima keskmise väljundvõimsuse kontroll-läve järgi.
Note 3:Notes 1 and 2 in the chapeau to Category 3 mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
Märkus 3:3. kategooria sissejuhatavas lõigus sisalduvad märkused 1 ja 2 tähendavad, et punkt 3A001.b.2 ei hõlma MMIC-e, kui nad on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks muudeks eesmärkideks, näiteks telekommunikatsioonis, radarites, autodes.
discrete microwave transistors having any of the following:
Diskreetsed mikrolainetransistorid, millel on mis tahes järgmine omadus:
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and having an average output power greater than 60W (47,8 dBm);
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 60 W (47,8 dBm);
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and having an average output power greater than 20W (43 dBm);
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 20 W (43 dBm);
rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and having an average output power greater than 0,5W (27 dBm);
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 31,8 GHz ja ulatuvad kuni 37,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,5 W (27 dBm);
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) või
Note:the control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Märkus:Punktides 3A001.b.3.a. kuni 3A001b.3. määratletud rohkem kui üht sagedusvahemikku hõlmava arvestusliku töösagedusega transistori kontrolli alla kuulumine määratakse väikseima keskmise väljundvõimsuse kontroll-läve järgi.
microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave amplifiers having any of the following:
mikrolaine pooljuhtvõimendid ja mikrolainevõimendeid sisaldavad mikrolainesõlmed/moodulid, millel on mis tahes järgmine omadus:
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 60W (47,8 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 60 W (47,8 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 15 %;
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15W (42 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 15 W (42 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz; or
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 43,5 GHz või