natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves in materials), having any of the following:
järgmised akustilise laine seadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid: 1. akustilise pinnalaine- ja akustilise pinnalähedase ruumlaine seadmed (st signaalitöötlusseadmed, mis kasutavad akustilis-mehhaanilisi võnkumisi aines), millel on mis tahes järgmine omadus:
A frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB;
külghõlma summutus üle 55 dB;
A bandwidth greater than 250 MHz; or
ribalaius üle 250 MHz või
Bulk (volume) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves) which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 1 GHz;
akustilise ruumlaine seadmed (st signaalitöötlusseadmed, mis kasutavad aines akustilis-mehhaanilisi võnkumisi), mis võimaldavad vahetult töödelda signaale sagedustel, mis ületavad 1 GHz;
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
akustilis-optilised signaalitöötlusseadmed, mis kasutavad akustiliste lainete (ruumlaine või pinnalaine) ja valguslainete vahelist vastasmõju, mis võimaldab vahetult töödelda signaale või kujutisi, kaasa arvatud spektraalanalüüs, korrelatsioon või konvolutsioon;
"Space qualified" and radiation hardened photovoltaic arrays with a specific power exceeding 160 W/m2 at an operating temperature of 301 K (28 °C) under a tungsten illumination of 1 kW/m2 at 2800 K (2527 °C);
kosmosekindlad ja kiirguskindlad fotoelektrilised paneelid, mille erivõimsus töötemperatuuril 301 K (+28 °C) on üle 160 W/m2, valgustades neid temperatuuril 2800 K (+2527 °C) hõõguva volframi kiirgusega 1 kW/m2;
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
energiatihedus 250 J/kg või rohkem ja
A resolution of better than 1 part in 265000 (18 bit resolution) of full scale; or
lahutusvõime parem kui 1 osa 265000 st (18 bitine lahutus) täisskaala ulatuses või
Digitising rate equal to or more than 100 million samples per second and a resolution of 8 bit or more; and
digiteerimisiirus on 100 miljonit või rohkem valimit sekundis ja lahutusvõime 8 bitti või enam ja
Long-term stability (aging) less (better) than 1 × 10– 11/month; or
pikaajalise stabiilsusega (vananemine), mis on vähem (parem) kui 1 × 10– 11/kuu või
An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
pikkuse ja sisediameetri suhe 2 või rohkem; 3. sisediameeter üle 300 mm ja
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
kiirendatud elektronide tippenergia 25 MeV või rohkem ja
Switching devices, as follows:
Tippvõimsus = (tipp-pinge voltides) × (elektronkiire tippvool amprites). 3. Kiirendites, mis põhinevad mikrolaine õõnesresonaatoritel, loetakse impulsi kestvuseks järgmistest väikseim: kas 1 μs või ühe mikrolaine modulaatoriimpulsi tekitatud kokkusurutud kiirepaketi kestvus. 4. Kiirendites, mis põhinevad mikrolaine õõnesresonaatoritel, loetakse kiire tippvoolu väärtuseks kokkusurutud kiirepaketi keskmistatud voolu väärtust selle kiirepaketi kestel. 3A225 Sagedusmuundurid või generaatorid, muud kui punktis 0B001.b.13 nimetatud, millel on kõik järgmised omadused:
Modules or assemblies with a fast switching function having all of the following characteristics:
täielik harmooniline moonutus alla 10 % ja d. sageduse stabiilsus parem kui 0,1 %. Tehniline märkus: Sagedusmuundureid 3A225 tähenduses tuntakse ka konverterite või inverteritena. 3A226 Suure võimsusega alalisvooluallikad, muud kui punktis 0B001.j.6 nimetatud, millel on mõlemad järgmised omadused: a. võimaldavad 8 tunni jooksul saada pidevalt väljundpinget 100 V või rohkem voolutugevusel 500 A või rohkem ja b. voolu ja pinge stabiilsus 8 tunni vältel on parem kui 0,1 %. 3A227 Kõrgepingelised alalisvooluallikad, muud kui punktis 0B001.j.5 nimetatud, millel on mõlemad järgmised omadused: a. võimaldavad 8 tunni jooksul saada pidevalt väljundpinget 20 kV või rohkem voolutugevusel 1 A või rohkem ja b. voolu ja pinge stabiilsus 8 tunni vältel on parem kui 0,1 %. 3A228 Lülitusseadmed: a. külmkatoodiga lambid, gaasiga täidetult või mitte, mis töötavad analoogiliselt kaitsesädemikuga ja millel on kõik järgmised omadused:
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
sisaldavad kolme või enamat elektroodi; 2. anoodpinge tippnimiväärtusega 2,5 kV või rohkem; 3. anoodvoolu tippnimiväärtus 100 A või rohkem ja 4. anoodi viiteaeg 10 μs või vähem;
Anode peak current rating of 500 A or more; and
Märkus: Punkt 3A228 hõlmab gaastäitega krütrone ja vaakumsprütrone. b. ümberlülitatavad sädevahemikud, millel on mõlemad järgmised omadused: 1. anoodi viiteaeg 15 μs või vähem ja 2. tippnimivoolatugerus 500 A või rohkem; c. kiirlülitustoimega moodulid või sõlmed, millel on kõik järgmised tehnilised omadused: 1. anoodpinge tippnimiväärtus üle 2000 V; 2. anoodvoolu tippnimiväärtus 500 A või rohkem ja
Turn on time of 1 μs or less.
sisselülitusaeg 1 μs või vähem.
N.B.: SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS
VT KA SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJA.
In 3A229.b.5. "rise time" is defined as the time interval from 10 % to 90 % current amplitude when driving a resistive load.
Punktis 3A229.b.5 on tõusuaeg defineeritud kui ajavahemik, mis on vajalik voolu amplituudi kasvamiseks aktiivkoormusel 10 %st kuni 90 %ni.
Utilising electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
triitium-deuteerium tuumareaktsiooni esilekutsumiseks kasutatakse elektrostaatilist kiirendamist.
Exploding bridge (EB);
plahvatav sild (EB);
Exploding bridge wire (EBW);
plahvatav sildtraat (EBW);
The term exploding foil detonator may refer to either an EB or a slapper-type detonator.
Mõiste "plahvatav fooliumdetonaator" võib osutada nii plahvatavale sillale kui ka löök-tüüpi detonaatorile.
Also, the word initiator is sometimes used in place of the word detonator.
Samuti kasutatakse mõnikord sõna "initsiaator" sõna "detonaator" asemel.
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or
kiirgusallika konteiner on valmistatud, vooderdatud või kaetud roostevaba terasega või molübdeeniga ja varustatud külmalõksuga, mida on võimalik jahutada temperatuurini 193 K (–80 °C) või madalamale, või
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
seadmed, mis on võimelised tootma ühtlast muu materjali kihti kui räni 75 mm või pikemal vahemikul, mille ebaühtlus on väiksem kui ±2,5%;
Designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ± 5 % 3 sigma precision; or
kavandatud või optimeeritud saavutama kriitilist mõõtu 180 nm või vähem ±5 % 3sigmalise täpsusega või
Designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ± 5 % 3 sigma precision; or
kavandatud või optimeeritud saavutama kriitilist mõõtu 180 nm või vähem ± 5 % 3sigmalise täpsusega või
Interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
liides toorikkiipide sisestamiseks ja väljavõtmiseks, millega võib liita enam kui kaks pooljuhte töötlevat seadet, ja
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following:
"paiguta ja särita ning korda sammhaaval" (otsene samm kiibil) või "samm ja skaneeri" (skanner) tüüpi seadmed kiipide töötlemiseks, mis kasutavad valgusoptilist või röntgenikiirte meetodeid ja millel on mis tahes järgmine omadus:
Capable of producing a pattern with a'minimum resolvable feature' size of 180 nm or less;
on võimelised tekitama mustrit, milles vähimalahutatavaelemendi mõõt on 180 nm või vähem;
where the K factor = 0,45
kus K tegur = 0,45
Test equipment, specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Testimisseadmed ning spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid ja lisavarustus järgmiste lõpetatud või lõpetamata pooljuhtseadmete testimiseks:
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 0.04 Weighted TeraFLOPS (WT ); or
ei kasutata;
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit in 4D001.b.1.
seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud võimaldama digitaalarvutite või nende juurde kuuluvate seadmete omavahelist välist ühendust ja võimaldavad andmevahetust kiirusega üle 1,25 gigabaidi sekundis.
Operating system "software", "software" development tools and compilers specially designed for "multi-data-stream processing" equipment, in "source code";
süstoolsed massiiviarvutid;
multiply
WL sõnapikkus L sõnapikkuse normeerimine
Execution time 't' is expressed in microseconds, TP and "CTP" are expressed in millions of theoretical operations per second (Mtops) and WL is expressed in bits.
x korrutusmärk
Each XP-only "CE" (Rxp);
igale ainult XP arvutuselemendile – Rxp;
Each FP-only "CE" (Rfp);
igale ainult FP arvutuselemendile – Rfp;
where the TPs are ordered by value, with TP1 being the highest, TP2 being the second highest, …, and TPn being the lowest.
kus TPd on järjestatud väärtuste järgi nii, et TP1 on suurim, TP2 on suuruselt järgmine, … ning TPn on väikseim.
Jamming equipment specially designed or modified to intentionally and selectively interfere with, deny, inhibit, degrade or seduce cellular mobile telecommunications services, having any of the following characteristics, and specially designed components therefor:
Raadiolainete segajad, mis on spetsiaalselt ette nähtud omadustega mobiilside teenuste tahtlikuks ja valikuliseks segamiseks, tõkestamiseks, blokeerimiseks, halvendamiseks vms:
Simulating the functions of Radio Access Network (RAN) equipment; or
raadiokommunikatsioonivõrgu (Radio Access Network –RAN) funktsioonide simuleerimine või
Detecting and exploiting specific characteristics of the mobile telecommunications protocol employed (e.g., GSM).
kasutatava mobiilsideprotokolli eriomaduste avastamine ja kasutamine (nt GSM). NB!
N.B.: For GNSS jamming equipment see Military Goods Controls.
GNSS segamise seadmete kohta vaata sõjaliste kaupade nimekirja.
Equipment designed for commercial, civil or 'Safety of Life' (e.g. data integrity, flight safety) GNSS services;
seadmed, mis on ette nähtud kaubanduslike, tsiviilotstarbeliste või inimelude ohutusega (nt andmete terviklikkus, lennuohutus) seotud GNSS teenuste jaoks.
Equipment and specially designed components or accessories therefor, specially designed for the "development" of any of the following telecommunication transmission or switching equipment:
Seadmed ning nende jaoks ettenähtud komponendid ja tarvikud, mis on spetsiaalselt kavandatud mis tahes järgmite telekommunikatsiooni ülekandeseadmete või kommutatsiooniseadmete arendamiseks:
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 5A101.
Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 3A101.b nimetatud seadmete kasutamiseks.
"Technology" for the "development" of "spread spectrum" techniques, including "frequency hopping" techniques.
tehnoloogia hajaspektri tehnika, sh sagedushüplemise tehnika arendamiseks.
Employing wavelength division multiplexing techniques exceeding 8 optical carriers in a single optical window; or
kasutatakse lainepikkuste jaotamise-multipleksimise tehnikat selliselt, et ühte optilisse aknasse mahub üle 8 kandelaine, või
Quadrature-amplitude-modulation (QAM) techniques above level 256; or
kasutavad kvadratuur-amplituudmodulatsiooni (QAM) tehnikat kõrgemal kui 256. nivool või
Operating at input or output frequencies exceeding 31,8 GHz; or
töötavad sisend- ja väljundsagedustel üle 31,8 GHz või
Note: 5E001.c.4.b. does not control "technology" for the "development" or "production" of equipment designed or modified for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Märkus: Punkt 5E001.c.4.b ei hõlma selliste seadmete arendamiseks või tootmiseks ettenähtud tehnoloogiat, mis on kavandatud või kohandatud töötamiseks igas sagedusribas, mis on "ITU poolt eraldatud" raadioside jaoks ja mitte ette nähtud asukoha määramiseks.
Note 1: The control status of "information security" equipment, "software", systems, application specific "electronic assemblies", modules, integrated circuits, components or functions is determined in Category 5, Part 2 even if they are components or "electronic assemblies" of other equipment.
Märkus 1:"Infoturbe" seadmete, "tarkvara", süsteemide, rakendusspetsiifiliste "elektroonikasõlmede", moodulite, integraallülituste, komponentide või funktsioonide kontrolli alla kuulumine on määratud 5. kategooria 2. osas isegi juhul, kui nad on teiste seadmete komponendid või "elektroonikasõlmed".
Designed for installation by the user without further substantial support by the supplier; and
nad on ette nähtud paigaldamiseks kasutaja oma jõududega, ilma tarnija olulise abita, ja
Execution of copy-protected "software";
kopeerimiskaitsega "tarkvara" käivitamine;
Copying control of copyright protected audio/video data; or
autoriõigusega kaitstud audio-/videoandmete kopeerimise kontrollimine; 4.
Encryption and/or decryption for protection of libraries, design attributes, or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits;
pooljuhtseadiste või integraallülituste projekteerimiseks kasutatavate andmekogude, projekteerimisatribuutide või nendega seotud andmete krüpteerimine ja/või dekrüpteerimine nende kaitsmiseks;
The "development" of equipment or functions specified in 5A002, 5B002, 5D002 or 5E002 including measuring or test equipment;
punktides 5A002, 5B002, 5D002 või 5E002 nimetatud seadmete või funktsioonide arendamiseks, kaasa arvatud mõõte- või katseseadmed.
The "production" of equipment or functions specified in 5A002, 5B002, 5D002 or 5E002, including measuring, test, repair or production equipment;
punktis 5A002, 5B002, 5D002 või 5E002 nimetatud seadmete või funktsioonide tootmine, kaasa arvatud mõõte-, katse-, parandus- ja tootmisseadmed.
"Software" specially designed or modified to support "technology" specified in 5E002;
Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 5E002 nimetatud tehnoloogia toetamiseks.
"Software" providing any of the functions of equipment excluded from control under the Note to 5A002.
"tarkvara", mis võimaldab punkti 5A002 märkuse alusel kontrolli alt välja arvatud seadmete funktsioneerimise.
Marine acoustic systems, equipment and specially designed components therefor, as follows:
mereakustikasüsteemid, -seadmed ja nende jaoks ettenähtud komponendid:
Being designed to measure depths exceeding 600 m below the water surface; and
kavandatud enam kui 600 m allpool veepinda olevate sügavuste mõõtmiseks ja
Designed to operate with an unambiguous display range exceeding 5120 m; or
kavandatud töötama üheselt mõistetava näidikuga, mille näitepiirkond ületab 5120 m, või
Dynamic compensation for pressure; or
rõhu dünaamilise kompenseerimine või
A continuously radiated 'acoustic power density' exceeding 0,001 mW/mm2/Hz for devices operating at frequencies below 10 kHz; or
sagedustel alla 10 kHz töötavate seadmete pidevalt kiiratav helivõimsuse tihedus ületab 0,001 mW/mm2/Hz või
Equipment using coherent "signal processing" between two or more beacons and the hydrophone unit carried by the surface vessel or underwater vehicle;
seadmed, mis kasutavad koherentset "signaalitöötlust" kahe või enama akustilise majaka vahel ja hüdrofonmoodulit, mis asub kas peal- või allveesõidukis;
Incorporating continuous flexible sensing elements;
sisaldavad ühtselt pidevaid paindlikke tundlikke elemente;
'Piezoelectric polymer films' other than polyvinylidene-fluoride (PVDF) and its copolymers P(VDF-TrFE) and P(VDF-TFE); or
piesoelektrilised polümeerkiled, v.a polüvinüülideenfluoriid (PVDF) ja selle kopolümeerid (P(VDF-TrFE) ja P(VDF-TFE), või
For example, a hydrophone of – 160 dB (reference 1 V per μPa) would yield an output voltage of 10-8 V in such a field, while one of – 180 dB sensitivity would yield only 10-9 V output.
Näiteks –160 dB (võrdlusväärtus 1 V 1 μPa kohta) tundlikkusega hüdrofon tekitab sellises väljas väljundpinge 10-8 V, kuna –180 dB tundlikkuse juures tekiks sellises väljas ainult 10– 9 V väljundpinge.
A peak response in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 1050 nm;
tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku üle 400 nm, kuid mitte üle 1050 nm;
A microchannel plate for electron image amplification with a hole pitch (centre-to-centre spacing) of 12 μm or less; and
mikrokanalplaat elektroonseks kujutise võimendamiseks, mille maskis augu samm (tsentritevaheline kaugus) on 12 μm või vähem, ja
GaAs or GaInAs photocathodes; or
GaAs- või GaInAs-fotokatoodid või
Non-"space-qualified""focal plane arrays", as follows:
mittekosmosekindlad fokaaltasandilised massiivid: NB!
Linear or two-dimensional multi-element detector arrays are referred to as "focal plane arrays";
Lineaarseid või kahemõõtmelisi mitmeelemendilisi detektormassiive käsitatakse "fokaaltasandiliste massiividena".
Pyroelectric detectors using any of the following:
püroelektrilised detektorid, milles kasutatakse mis tahes järgmisi materjale: 1.
Lead-lanthanum-zirconium titanate and variants;
pliilantaantsirkooniumtitanaat ja derivaadid; 3.
Lithium tantalate;
liitiumtantalaat; 4.
Polyvinylidene fluoride and variants; or
polüvinülideenfluoriid ja derivaadid või 5.
Strontium barium niobate and variants.
strontsiumbaariumniobaat ja derivaadid;
Individual elements with a peak response within the wavelength range exceeding 900 nm but not exceeding 1050 nm; and
üksikelemendid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku üle 900 nm, kuid mitte üle 1050 nm, ja
Individual elements with a peak response in the wavelength range exceeding 1050 nm but not exceeding 1200 nm; and
üksikelemendid, mille tippkoste lainepikkuse väärtus jääb lainepikkuste vahemikku üle 1050 nm, kuid mitte üle 1200 nm, ja
N.B.: Silicon and other material based microbolometer non "space-qualified""focal plane arrays" are only specified in 6A.002.a.3.f.
Ränist ja muust materjalist mikrobolomeetri mittekosmosekindlad "fokaaltasandilised massiivid" on määratletud ainult punktis 6A002.a.3.f.
For the purposes of 6A002.a.3.f. 'micro-bolometer' is defined as a thermal imaging detector that, as a result of a temperature change in the detector caused by the absorption of infrared radiation, is used to generate any usable signal.
Punkti 6A002.a.3.f tähenduses on mikrobolomeeter soojuskiirguse detektor, kus kasuliku signaali tekitamiseks kasutatakse infrapunakiirguse neeldumisel detektoris tekkivat temperatuuri muudatust.
An electronic shutter speed (gating capability) of less than 1 μs per full frame; and
elektroonilise katiku kiirus (strobeerimisvõime) on lühem kui 1 μs ühe täiskaadri kohta ja
A read out time allowing a framing rate of more than 125 full frames per second.
lugemisaeg võimaldab kaadrijoondamiskiirust üle 125 täiskaadri sekundis;
Specially designed for instrumentation cameras which have modular structures and which are specified in 6A003.a.; and
mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 6A003.a nimetatud modulaarse ehitusega seadistuskaamerate jaoks, ja
More than 4 × 106"active pixels" per solid state array for monochrome (black and white) cameras;
monokroomkaamerad (must-valge) rohkem kui 4 × 106aktiivpiksliga tahkismassiivi kohta;
More than 4 × 106"active pixels" per solid state array for colour cameras incorporating three solid state arrays; or
kolme tahkismassiiviga värvikaamerad rohkem kui 4 × 106aktiivpiksliga tahkismassiivi kohta või
More than 12 × 106"active pixels" for solid state array colour cameras incorporating one solid state array; and
ühe tahkismassiiviga värvikaamerad rohkem kui 12 × 106aktiivpiksliga tahkismassiivi kohta ja
Horizontal IFOV = horizontal Field of View (FOV)/number of horizontal detector elements
Horisontaalne IFOV = horisontaalne hetkeline vaateväli (FOV)/horisontaalsete detektorelementide arv.
Vertical IFOV = vertical Field of View (FOV)/number of vertical detector elements.
Vertikaalne IFOV = vertikaalne hetkeline vaateväli (FOV)/vertikaalsete detektorelementide arv
Lightweighted to less than 20 % "equivalent density" compared with a solid blank of the same aperture and thickness;
mida on kergendatud vähem kui 20 %ni ekvivalenttiheduse väärtusest, võrreldes sama paksuse ja apertuuriga tahkistoorikuga;
Segments or assemblies of mirrors designed to be assembled in space into an optical system with a collecting aperture equivalent to or larger than a single optic 1 m in diameter;
peeglite segmendid või koostad, mis on kavandatud optilise süsteemi montaažiks kosmoses, mille koguv apertuur on võrdväärne või suurem kui ühemeetrise läbimõõduga üksikul optilisel süsteemil;
The surface roughness is less than 1 nm (rms) for sampling lengths equal to or greater than 1 mm; and
pinna ebatasasus on väiksem kui 1 nm (ruutkeskmine) valimi pikkusel, mis on võrdne või suurem kui 1 mm ja
Note: 6A004.e. does not control aspheric optical elements having any of the following:
Märkus: Punkt 600A4.e ei hõlma mittesfäärilisi optilisi elemente, millel on mis tahes järgmine omadus:
Being fabricated from borosilicate glass having a coefficient of linear thermal expansion greater than 2,5 × 10-6/K at 25 °C; or
valmistatud boorsilikaatklaasist, mille lineaarse soojuspaisumise tegur on suurem kui 2,5×10-6/K 25 °C või
"Lasers", other than those specified in 0B001.g.5. or 0B001.h.6., components and optical equipment, as follows:
Laserid, muud kui punktis 0B001.g.5 või 0B001.h.6 nimetatud, komponendid ning optilised seadmed. NB!
Note 2: Pulse-excited "lasers" include those that run in a continuously excited mode with pulse excitation superimposed.
Märkus 2: Impulssergastusega "laserite" hulka kuuluvad ka need laserid, mis töötavad pidevergastusmoodis, kui neile on rakendatud impulssergastus.
Note 3: The control status of Raman "lasers" is determined by the parameters of the pumping source "lasers".
Märkus 3: Raman-"laserite" kontrolli alla kuulumine määratakse pumpava "laseri" parameetrite alusel.
The pumping source "lasers" can be any of the "lasers" described below.
Pumpavaks "laseriks" võib olla mis tahes allpool kirjeldatud "laser".
An output energy exceeding 0,25 J per pulse and a pulsed "peak power" exceeding 10 W; or
väljundenergia üle 0,25 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 10 W või
An average or CW output power exceeding 10 W; or
keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 10 W või
Semiconductor "lasers", as follows:
Pooljuhtlaserid:
An 'array stack' is fabricated by stacking, or otherwise assembling, 'arrays' so that the centres of the emitted light beams are on parallel paths.
Liitmassiiv valmistatakse massiivide liitmise või muud moodi ühendamise teel, nii et nende kiiratavate valguskiirte keskpunktid on paralleelsed.
An output energy exceeding 1 J per pulse and a pulsed "peak power" exceeding 20 W; or
väljundenergia üle 1 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 20 W või
Note: 6A005.c.2. includes atomic transition solid state "lasers".
Märkus: Punkt 6A005.c.2 hõlmab ka aatomsiirdetahkislasereid.
An average output power exceeding 10 W; or
keskmise väljundvõimsusega üle 10 W või
Pulse-excited, "Q-switched lasers" having a "pulse duration" equal to or more than 1 ns, and having any of the following:
impulssergastusega hiidvälkelaserid laserkiirguse impulsi kestusega 1 ns või üle selle, millel on mis tahes järgmine omadus:
An average output power exceeding 20 W; or
keskmise väljundvõimsusega üle 20 W või
A pulsed energy exceeding 2 J; or
impulsienergiaga üle 2 J või
An average output power exceeding 2 kW; or
keskmise väljundvõimsusega üle 2 kW või
An average output power exceeding 150 W; or
keskmise väljundvõimsusega üle 150 W või