natgillin/translations-raw huggingface dataset:
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
tehnoloogia mitteelektroonsete põhimike (substraatide) (määratletud alljärgneva tabeli 2. veerus) anorgaaniliste pinnakatetega või anorgaanilise muundatud pinnakattega (määratletud alljärgneva tabeli 3. veerus) katmiseks protsessides, mis on määratletud alljärgneva tabeli 1. veerus ning on defineeritud tehnilises märkuses.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119–2B122 või 2D101 nimetatud seadmete või tarkvara kasutamiseks.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or"software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B232, 2D201 or 2D202.
Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b, 2B007.c, 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225–2B232, 2D201 või 2D202 nimetatud seadmete või tarkvara kasutamiseks.
Deposition techniques
Pinnakatmise tehnikad
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix""composites"
Süsinik-süsinik, keraamiliste ja metallpõhiainete komposiidid
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporisation
Füüsikaline aurustamine-sadestamine (PVD): laseraurustamine
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
Füüsikaline aurustamine-sadestamine (PVD): katoodkaarlahendus
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
Kulutatavad materjalid, mis sisaldavad Ni-Cr-Al Kulutatav Al-Si-polüester
Aluminium alloys (6)
Alumiiniumisulamid (6)
containing Ni-Cr-Al
mis sisaldavad Ni-Cr-Al
Table — Deposition techniques — Notes
Tabel – pinnakatmise tehnikad – märkused
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
Mõiste väärismetallidega muundatud aluminiidkate hõlmab mitmeastmelisi kihte, milles väärismetall või väärismetallid on kantud põhimikule enne aluminiidiga katmist mõne muu pindamismenetluse abil.
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
Mõiste nende segud sisaldab infiltreeritud aineid, nende astmelisi segusid, samaegseid kaassadestamisi ja mitmekihilisi sadestamisi ning on saadud ühe või enama tabelis nimetatud pindamismenetluse teel.
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 weight percent in various proportions and combinations, except:
McrAlX tähistab pindamissulamit, kus "M" tähistab koobaltit, rauda, niklit või nende kombinatsioone ning "X" tähistab hafniumit, ütriumit, räni, tantaali mis tahes koguses või teisi tahtlikke lisandeid üle 0,01 massiprotsendi mitmesugustes kombinatsioonides ning suhetes, välja arvatud:
CoCrAlY coatings which contain less than 22 weight percent of chromium, less than 7 weight percent of aluminium and less than 2 weight percent of yttrium;
CoCrAlY-katted, mis sisaldavad vähem kui 22 massiprotsenti kroomi, vähem kui 7 massiprotsenti alumiiniumi ja vähem kui 2 massiprotsenti ütriumi;
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 weight percent of chromium, 10 to 12 weight percent of aluminium and 0,5 to 0,7 weight percent of yttrium; or
CoCrAlY-katted, mis sisaldavad 22–24 massiprotsenti kroomi, 10–12 massiprotsenti alumiiniumi ja 0,5–0,7 massiprotsenti ütriumi; või
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 weight percent of chromium, 10 to 12 weight percent of aluminium and 0,9 to 1.1 weight percent of yttrium.
NiCrAlY-katted, mis sisaldavad 21–23 massiprotsenti kroomi, 10–12 massiprotsenti alumiiniumi ja 0,9–1,1 massiprotsenti ütriumi.
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
Mõiste korrosioonikindel teras tähendab AISI (American Iron and Steel Institute (Ameerika Raua ja Terase Instituut) 300 seeria või vastavale siseriiklikule standardile vastavaid terasesorte.
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
kategooria ei hõlma üheastmelist massiivsete turbiinilabade tahke tsementiitimise tehnoloogiat.
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Järgmised polümeerid: polüimiid, polüester, polüsulfiid, polükarbonaadid ja polüuretaanid.
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10 –7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
Vähepaisuvad klaasid tähendavad klaase, mille temperatuuril 293 K (20 °C) mõõdetud soojusliku paisumise tegur on 1 × 10-7 K-1 või vähem.
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
Kõvasulamvolframkarbiid ei hõlma lõike- ja vormimisinstrumentide materjale, mis koosnevad volframkarbiidist/(koobalt, nikkel), titaankarbiidist/(koobalt, nikkel), kroomkarbiidist/nikkel-kroom ja kroomkarbiidist/nikkel.
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
magnetketta ajurid ja magnetpead, ühekordse kasutusega kaupade tootmisseadmed, kraanide klapid, valjuhääldite akustilised membraanid, autode mootoriosad, lõiketerad, stantsimise-pressimise matriitsid, kontorite automatiseerimisseadmed, mikrofonid ning meditsiinitehnika või vormid vähem kui 5 %lise berülliumi sisaldusega sulamitest toodetud plastide valamiseks või vormimiseks.
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
Keraamilised põhimikud ei hõlma käesolevas tähenduses keraamilisi materjale, mis sisaldavad 5 massiprotsenti või rohkem savi või tsementi kas eraldi komponentidena või kombinatsioonis.
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Tabeli 1. veerus määratud menetlused on järgmised
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Keemiline aurustamine-sadestamine (CVD) on pinnakatmise või pinna muundamise protsess, mille kestel metall, sulam, dielektriline või keraamiline komposiit, sadestatakse kuumutatud põhimikule.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Termoaurustamine – füüsikaline aurustamine-sadestamine (TE-PVD) on pinnakatmise menetlus, mis viiakse läbi vaakumis rõhul vähem kui 0,1 Pa ja milles kasutatakse kattematerjali aurustamiseks soojusallikat.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Mittesirgjoonelise sadestamise korral kasutatakse põhimiku eelpingestamist;
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Tahke tsementiitimine on pinna muundamis- või katmismenetlus, milles põhimik on asetatud pulbrisegusse (pakend), mis koosneb järgmisest:
An activator (normally a halide salt); and
aktivaator (tavaliselt halogeniidisool) ja
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Plasmapihustus on üks pinnakatmismenetlus, milles plasmat tekitav ja juhtiv plasmakahur võtab vastu kattematerjali pulbrit või traati, sulatab selle ning paiskab põhimikule, millel moodustubki homogeenne seotud kiht.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Mudasadestus on üks pinna muundamis- või katmismenetlus, milles orgaanilise sideainega vedelikus suspenseeritud metalli- või keraamikapulber kantakse põhimikule kas pihustamise, sukeldamise või pintsli abil, millele järgneb õhus või ahjus kuivatamine ning termotöötlemine, saavutamaks soovitud pinnakatet.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Atomisatsioonsadestus on pinnakatmismenetlus, mis põhineb impulsi ülekande nähtusel, milles positiivsed ioonid kiirendatakse elektriväljas märklaua (kattev aine) pinna suunas.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Ioonlegeerimine on üks pinna muundamis- või katmismenetlus, milles sulandatav element ioniseeritakse, kiirendatakse potentsiaali gradiendi abil ning implanteeritakse põhimiku pinna piirkonnas.
Note 2: The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Märkus 2: Punktides 3A001.a.3–3A001.a.9 või punktis 3A001.a.12 nimetatud selliste integraallülituste kontrolli alla kuulumine, mis on püsiprogrammeeritud või kavandatud muude seadmete spetsiifiliste funktsioonide täitmiseks, määratakse nende seadmete kontrolli alla kuulumise alusel, milles neid kasutatakse. NB!
N.B.: When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Kui tootja või loataotleja ei suuda kindlaks määrata nende muude seadmete kontrolli alla kuulumist, määratakse nende integraallülituste kontrolli alla kuulumine punktides 3A001.a.3–3A001.a.9 ja 3A001.a.12.
If the integrated circuit is a silicon-based "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit described in 3A001.a.3. having an operand (data) word length of 8 bit or less, the control status of the integrated circuit is determined in 3A001.a.3.
Kui integraallülitus on punktis 3A001.a.3 nimetatud, ränist valmistatud "mikroarvuti mikroskeem" või mikrokontrolleri mikroskeem, mille operandi (andmed) sõna pikkuseks on 8 bitti või vähem, on selle integraallülituse kontrolli alla kuulumine määratud punktis 3A001.a.3.
"Monolithic integrated circuits";
monoliit-integraallülitused;
"Hybrid integrated circuits";
hübriidintegraallülitused;
"Multichip integrated circuits";
mitmekiibilised integraallülitused;
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
kile-tüüpi integraallülitused, kaasa arvatud räni-safiir-tüüpi integraallülitused;
"Optical integrated circuits".
optilised integraallülitused.
Integrated circuits, designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
integraallülitused, mis on planeeritud või arvestatud taluma kiirgust järgmiselt:
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
kogudoos, mille väärtus on 5 × 103 Gy (räni) või rohkem;
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
doosikiirus, mille väärtus on 5 × 106 (räni)/s või rohkem, või
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
mikroprotsessor-mikroskeemid, mikroarvuti-mikroskeemid, mikrokontroller-mikroskeemid, liitpooljuhtidest valmistatud mäluintegraallülitused, analoog-digitaal muundajad, digitaal-analoog muundajad, signaalitöötluseks ettenähtud elektrooptilised või optilised integraallülitused, kasutaja-programmeeritavad loogilised seadmed, neurovõrgu integraallülitused, tundmatu otstarbega tavaintegraallülitused või integraallülitused, mis on ette nähtud kasutamiseks teadmata kontrollitavusega seadmes, Fourier’ kiirteisenduse (FFT) protsessorid, programmeeritavad elekterkustutusega püsimälud (EEPROM), välkmälud või staatilised muutmälud (SRAM), millel on mis tahes järgmine omadus:
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
määratud toimima keskkonnatemperatuuril alla 218 K (–55 °C) või
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
mikroprotsessorite mikroskeemid, mikroarvutite mikroskeemid ja mikrokontrollerite mikroskeemid, mis on valmistatud liitpooljuhist ja toimivad taktsagedusel üle 40 MHz;
Storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor;
liitpooljuhist valmistatud mälu integraallülitused;
Analogue-to-digital and digital-to-analogue converter integrated circuits, as follows:
analoog-digitaalmuundur ja digitaal-analoogmuundur integraallülitused:
Analogue-to-digital converters having any of the following:
analoog-digitaalmuundurid, millel on mis tahes järgmine omadus: NB!
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
eraldusvõime üle 8 biti, kuid vähem kui 10 bitti, väljundsagedusega rohkem kui 500 miljonit sõna sekundis;
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
eraldusvõime 10 bitti või rohkem, kuid vähem kui 12 bitti, väljundsagedusega rohkem kui 200 miljonit sõna sekundis;
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 50 million words per second;
eraldusvõime 12 bitti, väljundsagedusega rohkem kui 50 miljonit sõna sekundis;
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 5 million words per second; or;
eraldusvõime üle 12 biti, kuid võrdne või vähem kui 14 bitti, väljundsagedusega rohkem kui 5 miljonit sõna sekundis või
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 1 million words per second;
eraldusvõime üle 14 biti, väljundsagedusega rohkem kui 1 miljon sõna sekundis;
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
Väljundsagedus on muunduri maksimaalne väljundsagedus, sõltumata muunduri arhitektuurist ja ülediskreetimisest.
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
Tarnijad võivad väljundsagedust nimetada ka diskreetimissageduseks, muundussageduseks või läbilaskevõimeks.
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
Väljundsageduse mõõtmise seisukohalt vastab ühele väljundsõnale sekundis üks herts või üks diskreet sekundis.
Electro-optical and "optical integrated circuits" designed for "signal processing" having all of the following:
signaalitöötluseks arendatud elektro-optilised ja optilised integraallülitused, milles on:
One or more than one internal light detecting element; and
üks või enam kui üks sisemine valgust detekteeriv element ja
Field programmable logic devices having any of the following:
väljaga programmeeritav loogikaseade, milles:
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
tüüpiline hilistus põhiventiilis levimisel on alla 0,1 ns või
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
lihtsad programmeeritavad loogikaseadmed (SPLD),
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
keerulised programmeeritavad loogikaseadmed (CPLD),
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
väljaga programmeeritavad ventiilmaatriksid (FPGA),
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
väljaga programmeeritavad loogikamaatriksid (FPLA),
Field Programmable Interconnects (FPICs)
väljaga programmeeritavad ühendused (FPIC). NB!
Neural network integrated circuits;
neurovõrkude integraallülitused;
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
tundmatu otstarbega tavaintegraallülitused või integraallülitused, mis on ette nähtud kasutamiseks seadmes, mille kontrolli alla kuulumine ei ole tootjale teada ja millel on järgmised omadused:
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
digitaalintegraallülitused, muud kui punktides 3A001.a.3–3A001.a.10 või punktis 3A001.a.12 nimetatud, mis on valmistatud liitpooljuhtide baasil ning millel on järgmised omadused:
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
ekvivalentsete ventiilide arv on üle 3000 (kahe sisendiga ventiilid) või
Electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:
elektroonilised vaakumlambid ja katoodid:
Note 1: 3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
Märkus 1: Punkt 3A001.b.1 ei hõlma lampe, mis on kavandatud või arvestatud tööks sagedusribades, mis vastavad järgmistele omadustele:
Does not exceed 31,8 GHz; and
ei ole üle 31,8 GHz ja
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
"ITU poolt eraldatud" raadioside jaoks ja mitte ette nähtud asukoha määramiseks.
Note 2: 3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes which meet all of the following characteristics:
Märkus 2: Punkt 3A001.b.1 ei hõlma mitte "kosmosekindlaid" lampe, millel on kõik järgmised omadused:
An average output power equal to or less than 50 W; and
keskmine väljundvõimsus 50 W või vähem ja
Exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
on üle 31,8 GHz, kuid mitte üle 43,5 GHz ja
Impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
on kosmosekindel: b. ristväli võimenduslambid võimendusega üle 17 dB; c. elektronlampidele määratud impregneeritud katoodid, mis tagavad pideva emissioonivoolu tiheduse, mis on arvestuslikes nimitingimustes üle 5 A/cm2;
Microwave monolithic integrated circuits (MMIC) power amplifiers having any of the following:
mikrolaine monoliitsete integraallülituste (MMIC) võimsusvõimendid, millel on mis tahes järgmine omadus:
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,25 W (24 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %, või
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz.
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 43,5 GHz;
Note 1: 3A001.b.2. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 GHz to 42,5 GHz.
Märkus 1: Punkt 3A001.b.2 ei hõlma raadioülekanneteks ettenähtud satelliitseadmeid, mis on kavandatud või arvestatud tööks sagedusalas 40,5 GHz kuni 42,5 GHz.
Note 2: The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Märkus 2: MMIC, mille arvestuslik töösagedus hõlmab rohkem kui üht punktides 3A001.b.2.a kuni 3A001.b.2.f. määratletud sagedusvahemikku, kontrolli alla kuulumine määratakse väikseima keskmise väljundvõimsuse kontroll-läve järgi.
Note 3: Notes 1 and 2 in the chapeau to Category 3 mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
Märkus 3: 3. kategooria sissejuhatavas lõigus sisalduvad märkused 1 ja 2 tähendavad, et punkt 3A001.b.2 ei hõlma MMIC-e, kui nad on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks muudeks eesmärkideks, näiteks telekommunikatsioonis, radarites, autodes.
Discrete microwave transistors having any of the following:
Diskreetsed mikrolainetransistorid, millel on mis tahes järgmine omadus:
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) või
Note: The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Märkus: Punktides 3A001.b.3.a. kuni 3A001b.3. määratletud rohkem kui üht sagedusvahemikku hõlmava arvestusliku töösagedusega transistori kontrolli alla kuulumine määratakse väikseima keskmise väljundvõimsuse kontroll-läve järgi.
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave amplifiers having any of the following:
mikrolaine pooljuhtvõimendid ja mikrolainevõimendeid sisaldavad mikrolainesõlmed/moodulid, millel on mis tahes järgmine omadus:
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz; or
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 43,5 GHz või
Rated for operation at frequencies above 3.2 GHz and having all of the following:
määratud toimima sagedustel üle 3,2 GHz ja millel on kõik järgnevad omadused:
A fractional bandwidth of 5 % or greater; and
fraktsionaalne ribalaius 5 % või rohkem ja
Any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d=15cm*GHz/ fGHz].
mis tahes kaks teineteisega risti asetsevat külge, mille pikkus (d, sentimeetrites) on võrdne või väiksem kui 15 jagatud väikseima töösagedusega gigahertsides [d 15cm*GHz/ fGHz];
GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3.2 GHz and below [d≤ 15 cm*GHz/3.2 GHz].
3,2 GHz tuleks kasutada kui väikseimat töösagedust gigahertsides (fGHz) punktis 3A001.b.4.f.3 toodud valemis selliste võimendite puhul, mille arvestuslik töörežiim hõlmab ka madalamate sageduste piirkonda kui 3,2 GHz [d≤ 15cm*GHz/3,2 GHz]. NB!