natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Specially designed to maintain the alignment of phased array or phased segment mirror systems consisting of mirrors with a segment diameter or major axis length of 1 m or more.
seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud häälestuse hoidmiseks faseeritud maatriksile või segmentpeeglite süsteemidele, mis koosnevad peeglitest, mille segmendi diameeter või peatelje pikkus on 1 m või rohkem.
'Aspheric optical elements' having all of the following characteristics:
Mittesfäärilised optilised elemendid, millel on kõik järgmised omadused:
The largest dimension of the optical-aperture is greater than 400 mm;
optilise ava suurim mõõde on üle 400 mm;
The surface roughness is less than 1 nm (rms) for sampling lengths equal to or greater than 1 mm; and
pinna ebatasasus on väiksem kui 1 nm (ruutkeskmine) valimi pikkusel, mis on võrdne või suurem kui 1 mm; ja
The coefficient of linear thermal expansion's absolute magnitude is less than 3 × 10-6/K at 25 °C.
lineaarse soojuspaisumise absoluutsuuruse tegur on väiksem kui 3×10-6/K, 25 °C juures.
An 'aspheric optical element' is any element used in an optical system whose imaging surface or surfaces are designed to depart from the shape of an ideal sphere.
Mittesfääriline optiline element on mis tahes optilises süsteemis kasutatav element, mille kujutispind või pinnad on projekteeritud erinema ideaalse sfääri kujust.
Manufacturers are not required to measure the surface roughness listed in 6A004.e.2. unless the optical element was designed or manufactured with the intent to meet, or exceed, the control parameter.
Valmistajatelt ei nõuta punktis 6A004.e.2 nimetatud pinna ebatasasuse mõõtmist, kui optiline element ei ole kavandatud või valmistatud kavatsusega kontrollparameetrile vastata või seda ületada.
Note: 6A004.e. does not control aspheric optical elements having any of the following:
Märkus Punkt 600A4.e ei hõlma mittesfäärilisi optilisi elemente, millel on mis tahes järgmine omadus:
A largest optical-aperture dimension less than 1 m and a focal length to aperture ratio equal to or greater than 4,5:1;
suurim optilise ava mõõde on väiksem kui 1 m ja fookuskauguse suhe ava suurusesse on võrdne või suurem kui 4,5:1;
A largest optical-aperture dimension equal to or greater than 1 m and a focal length to aperture ratio equal to or greater than 7:1;
suurim optilise ava mõõde on võrdne või suurem kui 1 m ja fookuskauguse suhe ava suurusesse on võrdne või suurem kui 7:1;
Being designed as Fresnel, flyeye, stripe, prism or diffractive optical elements;
kavandatud Fresnel-, flyeye-, vööt-, prisma- või difrakteeriv-tüüpi optilise elemendina;
Being fabricated from borosilicate glass having a coefficient of linear thermal expansion greater than 2,5 × 10-6/K at 25 °C; or
valmistatud boorsilikaatklaasist, mille lineaarse soojuspaisumise tegur on suurem kui 2,5×10-6/K 25 °C; või
Being an x-ray optical element having inner mirror capabilities (e.g. tube-type mirrors).
on röntgenoptiline element, millel on sisepeegli omadused (nt toru-tüüpi peeglid). NB!
N.B.: For aspheric optical elements specially designed for lithography equipment, see 3B001.
Mittesfääriliste optiliste elementide kohta, mis on spetsiaalselt kavandatud litograafiaseadmetele, vaata punkti 3B001.
"Lasers", other than those specified in 0B001.g.5. or 0B001.h.6., components and optical equipment, as follows:
Laserid, muud kui punktis 0B001.g.5 või 0B001.h.6 nimetatud, komponendid ning optilised seadmed: NB!
N.B.: SEE ALSO 6A205.
VT KA PUNKTI 6A205.
Note 1: Pulsed "lasers" include those that run in a continuous wave (CW) mode with pulses superimposed.
Märkus 1: Impulsslaserite hulka kuuluvad ka need laserid, mis töötavad impulsistatuna pidevlaine (CW) moodis.
Note 2: Pulse-excited "lasers" include those that run in a continuously excited mode with pulse excitation superimposed.
Märkus 2: Impulssergastusega laserite hulka kuuluvad ka need laserid, mis töötavad pidevergastusmoodis, kui neile on rakendatud impulssergastus.
Note 3: The control status of Raman "lasers" is determined by the parameters of the pumping source "lasers".
Märkus 3: Raman-laserite kontrolli alla kuulumine määratakse pumpava laseri parameetrite alusel.
The pumping source "lasers" can be any of the "lasers" described below.
Pumpavaks laseriks võib olla mis tahes allpool kirjeldatud laser.
Gas "lasers", as follows:
Gaaslaserid:
Excimer "lasers", having any of the following:
eksimeerlaserid, millel on mis tahes järgmine omadus:
An output wavelength not exceeding 150 nm and having any of the following:
laserkiirguse lainepikkus ei ole üle 150 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:
An output energy exceeding 50 mJ per pulse; or
väljundenergia üle 50 mJ impulsi kohta; või
An average output power exceeding 1 W;
keskmise väljundvõimsusega üle 1 W;
An output wavelength exceeding 150 nm but not exceeding 190 nm and having any of the following:
väljundkiirguse lainepikkus üle 150 nm, kuid mitte üle 190 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:
An output energy exceeding 1,5 J per pulse; or
väljundenergia üle 1,5 J impulsi kohta; või
An average output power exceeding 120 W;
keskmise väljundvõimsusega üle 120 W;
An output wavelength exceeding 190 nm but not exceeding 360 nm and having any of the following:
väljundkiirguse lainepikkus üle 190 nm, kuid mitte üle 360 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:
An output energy exceeding 10 J per pulse; or
väljundenergia üle 10 J impulsi kohta; või
An average output power exceeding 500 W; or
keskmise väljundvõimsusega üle 500 W; või
An output wavelength exceeding 360 nm and having any of the following:
laseri väljundkiirguse lainepikkus on üle 360 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:
An average output power exceeding 30 W;
keskmise väljundvõimsusega üle 30 W; NB!
N.B.: For excimer "lasers" specially designed for lithography equipment, see 3B001
Eksimeerlaserite kohta, mis on spetsiaalselt kavandatud litograafiaseadmete jaoks, vt punkti 3B001.
Metal vapour "lasers", as follows:
Metalliaurudel töötavad laserid:
Copper (Cu) "lasers" having an average output power exceeding 20 W;
vask(Cu)laserid, mille keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus on üle 20 W;
Gold (Au) "lasers" having an average output power exceeding 5 W;
kuld(Au)laserid, mille keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus on üle 5 W;
Sodium (Na) "lasers" having an output power exceeding 5 W;
naatrium(Na)laserid, mille väljundvõimsus on üle 5 W;
Barium (Ba) "lasers" having an average output power exceeding 2 W;
baarium(Ba)laserid, mille keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus on üle 2 W;
Carbon monoxide (CO) "lasers" having any of the following:
süsinikoksiid(CO)laserid, millel on mis tahes järgmine omadus:
An output energy exceeding 2 J per pulse and a pulsed "peak power" exceeding 5 kW; or
väljundenergia üle 2 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 5 kW; või
An average or CW output power exceeding 5 kW;
keskmise võimsuse või pidevlaine (CW) väljundvõimsusega üle 5 kW;
Carbon dioxide (CO2) "lasers" having any of the following:
süsinikdioksiid(CO2) laserid, millel on mis tahes järgmine omadus:
A CW output power exceeding 15 kW;
pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 15 kW;
A pulsed output having a "pulse duration" exceeding 10 μs and having any of the following:
laserkiirguse impulsi kestusega üle 10 μs ja millel on mis tahes järgmine omadus:
An average output power exceeding 10 kW; or
keskmise väljundvõimsusega üle 10 kW; või
A pulsed "peak power" exceeding 100 kW; or
impulsi tippvõimsus üle 100 kW; või
A pulsed output having a "pulse duration" equal to or less than 10 μs; and having any of the following:
laserkiirguse impulsi kestusega 10 μs või rohkem; ja millel on mis tahes järgmine omadus:
A pulse energy exceeding 5 J per pulse; or
Väljundenergia üle 5 J impulsi kohta; või
An average output power exceeding 2,5 kW;
Keskmise väljundvõimsusega üle 2,5 kW;
"Chemical lasers", as follows:
kemolaserid:
Hydrogen Fluoride (HF) "lasers";
vesinikfluoriid(HF)laserid;
Deuterium Fluoride (DF) "lasers";
deuteeriumfluoriid(DF)laserid;
"Transfer lasers", as follows:
siirdelaserid:
Oxygen Iodine (O2-I) "lasers";
hapnikjood(O2I)laserid;
Deuterium Fluoride-Carbon dioxide (DF-CO2) "lasers";
deuteeriumfluoriidsüsinikdioksiid(DF-CO2) laserid;
Krypton ion or argon ion "lasers" having any of the following:
krüptoonioon- või argoonioonlaserid, millel on mis tahes järgmine omadus:
An output energy exceeding 1,5 J per pulse and a pulsed "peak power" exceeding 50 W; or
väljundenergia üle 1,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 50 W; või
An average or CW output power exceeding 50 W;
keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 50 W;
Other gas "lasers", having any of the following:
Muud gaaslaserid, millel on mis tahes järgmine omadus:
Note: 6A005.a.7. does not control nitrogen "lasers".
Märkus: Punkt 6A001 ei hõlma lämmastiklasereid.
An output energy exceeding 50 mJ per pulse and a pulsed "peak power" exceeding 1 W; or
väljundenergia üle 50 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 1 W; või
An average or CW output power exceeding 1 W;
keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 1 W;
An output wavelength exceeding 150 nm but not exceeding 800 nm and having any of the following:
väljundkiirguse lainepikkus üle 150 nm, kuid mitte üle 800 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:
An output energy exceeding 1,5 J per pulse and a pulsed "peak power" exceeding 30 W; or
väljundenergia üle 1,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 30 W; või
An average or CW output power exceeding 30 W;
keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 30 W;
An output wavelength exceeding 800 nm but not exceeding 1400 nm and having any of the following:
väljundkiirguse lainepikkus üle 800 nm, kuid mitte üle 1400 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:
An output energy exceeding 0,25 J per pulse and a pulsed "peak power" exceeding 10 W; or
väljundenergia üle 0,25 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 10 W; või
An average or CW output power exceeding 10 W; or
keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 10 W; või
An output wavelength exceeding 1400 nm and an average or CW output power exceeding 1 W.
laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1400 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 1 W.
Semiconductor "lasers", as follows:
Kemolaserid:
Individual single-transverse mode semiconductor "lasers", having any of the following:
üksikud ristimoodiga, ühemoodilised pooljuhtlaserid, millel on mis tahes järgmised omadused:
A wavelength equal to or less than 1510 nm, and having an average or CW output power exceeding 1,5 W; or
laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1510 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 1,5 W; või
A wavelength greater than 1510 nm, and having an average or CW output power exceeding 500 mW;
laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1510 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 500 mW;
Individual, multiple-transverse mode semiconductor "lasers", having any of the following:
üksikud ristimoodiga, mitmikmoodilised pooljuhtlaserid, millel on mis tahes järgmine omadus:
A wavelength of less than 1400 nm, and having an average or CW output power exceeding 10 W;
laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1400 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 10 W;
A wavelength equal to or greater than 1400 nm and less than 1900 nm, and having an average or CW output power exceeding 2,5 W; or
laseri väljundkiirguse lainepikkus 1400 nm või suurem ja väiksem kui 1900 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 2,5 W; või
A wavelength equal to or greater than 1900 nm and having an average or CW output power exceeding 1 W.
laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1900 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 1 W;
Individual semiconductor "laser" arrays, having any of the following:
üksikute pooljuhtlaserite massiivid, millel on mis tahes järgmine omadus:
A wavelength of less than 1400 nm, and having an average or CW output power exceeding 80 W;
laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1400 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 80 W;
A wavelength equal to or greater than 1400 nm and less than 1900 nm, and having an average or CW output power exceeding 25 W; or
laseri väljundkiirguse lainepikkus 1400 nm või suurem ja väiksem kui 1900 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 25 W; või
A wavelength equal to or greater than 1900 nm, and having an average or CW output power exceeding 10 W.
laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1900 nm ja keskmine või pidevlaine (CW) üle 10 W;
Array stacks of semiconductor "lasers" containing at least one array that is controlled under 6A005.b.3.
pooljuhtlaserite liitmassiivid, mis sisaldavad vähemalt üht punktiga 6A005.b.3 hõlmatud massiivi.
Semiconductor "lasers" are commonly called "laser" diodes.
Pooljuhtlasereid nimetatakse sageli laserdioodideks.
An 'array' consists of multiple semiconductor "laser" emitters fabricated as a single chip so that the centres of the emitted light beams are on parallel paths.
Massiiv koosneb mitmest pooljuhtlaserist, mis on toodetud ühe kiibina, nii et nende kiiratavate valguskiirte keskpunktid on paralleelsed.
An 'array stack' is fabricated by stacking, or otherwise assembling, 'arrays' so that the centres of the emitted light beams are on parallel paths.
Liitmassiiv valmistatakse massiivide liitmise või muudmoodi ühendamise teel, nii et nende kiiratavate valguskiirte keskpunktid on paralleelsed.
Note 1: 6A005.b. includes semiconductor "lasers" having optical output connectors (e.g. fibre optic pigtails).
Märkus 1: Punkt 6A005.b hõlmab ka pooljuhtlasereid, millel on optilised väljundliitmikud (nt kiudoptilised "patsid").
Note 2: The control status of semiconductor "lasers" specially designed for other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Märkus 2: Nende pooljuhtlaserite kontrolli alla kuulumine, mis on spetsiaalselt kavandatud muude seadmete jaoks, määratakse muude seadmete kontrolli alla kuulumisega.
Solid state "lasers", as follows:
Tahkislaserid:
"Tunable""lasers" having any of the following:
timmitavad laserid, millel on mis tahes järgmine omadus:
Note: 6A005.c.1. includes titanium — sapphire (Ti: Al2O3), thulium — YAG (Tm: YAG), thulium — YSGG (Tm: YSGG), alexandrite (Cr: BeAl2O4) and colour centre "lasers".
Märkus: Punkt 6A005.c.1 hõlmab titaan-safiir (Ti: Al2O3)-, tuulium-YAG (Tm: YAG)-, tuulium-YSGG (Tm: YSGG), aleksandriit (Cr: BeAl2O4)- ja värvustsenterlasereid.
An output wavelength less than 600 nm and having any of the following:
laseri väljundkiirguse lainepikkus on lühem kui 600 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:
An output wavelength of 600 nm or more but not exceeding 1400 nm and having any of the following:
laseri väljundkiirguse lainepikkus on üle 600 nm, kuid mitte üle 1400 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:
An output energy exceeding 1 J per pulse and a pulsed "peak power" exceeding 20 W; or
väljundenergia üle 1 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 20 W; või
An average or CW output power exceeding 20 W; or
keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 20 W; või
An output wavelength exceeding 1400 nm and having any of the following:
laseri väljundkiirguse lainepikkus on üle 1400 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:
Non-"tunable""lasers", as follows:
mittetimmitavad laserid:
Note: 6A005.c.2. includes atomic transition solid state "lasers".
Märkus: Punkt 6A005.c.2 hõlmab ka aatomsiirdetahkislasereid
Neodymium glass "lasers", as follows:
neodüümklaaslaserid:
"Q-switched lasers" having any of the following:
hiidvälkelaserid, millel on mis tahes järgmine omadus:
An output energy exceeding 20 J but not exceeding 50 J per pulse and an average output power exceeding 10 W; or
väljundenergia üle 20 J, kuid mitte üle 50 J impulsi kohta, ja keskmine väljundvõimsus üle 10 W; või
An output energy exceeding 50 J per pulse;
väljundenergia üle 50 J impulsi kohta;
Non-"Q-switched lasers" having any of the following:
mittehiidvälkelaserid, millel on mis tahes järgmine omadus:
An output energy exceeding 50 J but not exceeding 100 J per pulse and an average output power exceeding 20 W; or
väljundenergia üle 50 J, kuid mitte üle 100 J impulsi kohta, ja keskmine väljundvõimsus üle 20 W; või
An output energy exceeding 100 J per pulse;
väljundenergia üle 100 J impulsi kohta;
Neodymium-doped (other than glass) "lasers", having an output wavelength exceeding 1000 nm but not exceeding 1100 nm, as follows:
neodüümlisandiga laserid (v.a neodüümklaaslaserid), mille väljundkiirguse lainepikkus on üle 1000 nm, kuid mitte üle 1100 nm: NB!
N.B.: For neodymium-doped (other than glass) "lasers" having an output wavelength not exceeding 1000 nm or exceeding 1100 nm, see 6A005.c.2.c.
Neodüümlisandiga laserite (v.a neodüümklaaslaserid) kohta, mille väljundkiirguse lainepikkus ei ole üle 1000 nm või on üle 1100 nm, vaata punkti 6A005.c.2.c.
Pulse-excited, mode-locked, "Q-switched lasers" having a "pulse duration" of less than 1 ns and having any of the following:
impulssergastusega sünkroniseeritud moodiga hiidvälkelaserid, mille laserkiirguse impulsi kestus on vähem kui 1 ns ja millel on mis tahes järgmine omadus:
A "peak power" exceeding 5 GW;
tippvõimsus üle 5 GW;
An average output power exceeding 10 W; or
keskmise väljundvõimsusega üle 10 W; või
A pulsed energy exceeding 0,1 J;
impulsienergiaga üle 0,1 J;
Pulse-excited, "Q-switched lasers" having a "pulse duration" equal to or more than 1 ns, and having any of the following:
impulssergastusega hiidvälkelaserid laserkiirguse impulsi kestusega 1 ns või rohkem, millel on mis tahes järgmine omadus:
A single-transverse mode output having:
ristimoodiga, ühemoodiline väljundkiirgus:
A "peak power" exceeding 100 MW;
tippvõimsusega üle 100 MW;
An average output power exceeding 20 W; or
keskmise väljundvõimsusega üle 20 W; või
A pulsed energy exceeding 2 J; or
impulsienergiaga üle 2 J; või
A multiple-transverse mode output having:
ristimoodiga, mitmikmoodiline väljundkiirgus:
A "peak power" exceeding 400 MW;
tippvõimsusega üle 400 MW;
An average output power exceeding 2 kW; or
keskmise väljundvõimsusega üle 2 kW; või
A pulsed energy exceeding 2 J;
impulsienergiaga üle 2 J;
Pulse-excited, non-"Q-switched lasers", having:
impulssergastusega mittehiidvälkelaserid, millel on:
A "peak power" exceeding 500 kW; or
tippvõimsusega üle 500 kW; või
An average output power exceeding 150 W; or
keskmise väljundvõimsusega üle 150 W; või
A "peak power" exceeding 1 MW; or
tippvõimsusega üle 1 MW; või
An average power exceeding 2 kW;
keskmise võimsusega üle 2 kW;
Continuously excited "lasers" having:
pidevergastamisega laserid, millel on:
An average or CW output power exceeding 150 W; or
keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 150 W; või
An average or CW output power exceeding 2 kW;
keskmise võimsuse või pidevlaine (CW) väljundvõimsusega üle 2 kW;
Other non-"tunable""lasers", having any of the following:
muud mittetimmitavad laserid, millel on mis tahes järgmine omadus:
A wavelength less than 150 nm and having any of the following:
laseri väljundkiirguse lainepikkus on vähem kui 150 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:
A wavelength of 150 nm or more but not exceeding 800 nm and having any of the following:
laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 150 nm, kuid mitte üle 800 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:
A wavelength exceeding 800 nm but not exceeding 1400 nm, as follows:
laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 800 nm, kuid mitte üle 1400 nm:
"Q-switched lasers" having:
hiidvälkelaserid:
An output energy exceeding 0,5 J per pulse and a pulsed "peak power" exceeding 50 W; or
väljundenergia üle 0,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 50 W; või
An average output power exceeding:
keskmine väljundvõimsus üle:
10 W for single-transverse mode "lasers";
10 W ristimoodiga, ühemoodilistel laseritel;
30 W for multiple-transverse mode "lasers";
30 W ristimoodiga, mitmikmoodilistel laseritel;
Non-"Q-switched lasers" having:
mittehiidvälkelaserid:
An output energy exceeding 2 J per pulse and a pulsed "peak power" exceeding 50 W; or
väljundenergia üle 2 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 50 W; või
An average or CW output power exceeding 50 W; or
keskmine või pidevlaine (CW) väljundvõimsus üle 50 W; või
A wavelength exceeding 1400 nm and having any of the following:
laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 1400 nm ja millel on mis tahes järgmine omadus:
An output energy exceeding 100 mJ per pulse and a pulsed "peak power" exceeding 1 W; or
väljundenergia üle 100 mJ impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 1 W; või
Dye and other liquid "lasers", having any of the following:
Värvlaserid ja muud vedeliklaserid, millel on mis tahes järgmine omadus:
A wavelength less than 150 nm and:
laseri väljundkiirguse lainepikkus on vähem kui 150 nm:
An output energy exceeding 1,5 J per pulse and a pulsed "peak power" exceeding 20 W;
väljundenergia üle 1,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 20 W;
A pulsed single longitudinal mode oscillator having an average output power exceeding 1 W and a repetition rate exceeding 1 kHz if the "pulse duration" is less than 100 ns;
pulseeriv ühe pikimoodiline ostsillaator keskmise väljundvõimsusega üle 1 W ja impulsside kordussagedusega üle 1 kHz, kui impulsi kestus on lühem kui 100 ns;
A wavelength exceeding 800 nm but not exceeding 1400 nm and having any of the following:
laseri väljundkiirguse lainepikkus üle 800 nm, kuid mitte üle 1400 nm, ja millel on mis tahes järgmine omadus:
An output energy exceeding 0,5 J per pulse and a pulsed "peak power" exceeding 10 W; or
väljundenergia üle 0,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus üle 10 W; või
Components, as follows:
Järgmised komponendid:
Mirrors cooled either by 'active cooling' or by heat pipe cooling;
aktiivjahutusega või soojusjuhtiva toru abil jahutatavad peeglid;
'Active cooling' is a cooling technique for optical components using flowing fluids within the subsurface (nominally less than 1 mm below the optical surface) of the optical component to remove heat from the optic.
Aktiivjahutus on jahutustehnika optiliste detailide jahutamiseks, milleks kasutatakse detaili optilise pinna all voolavat vedelikku (tavaliselt vähem kui 1 mm kaugusel optilisest pinnast), et kõrvaldada optilise detaili pinnal tekkiv soojus.
Optical mirrors or transmissive or partially transmissive optical or electro-optical components specially designed for use with controlled "lasers";
optilised peeglid või täielikult või osaliselt valgust läbilaskvad optilised või elektro-optilised komponendid, mis on spetsiaalselt kavandatud kasutamiseks kontrolli alla kuuluvates laserites;
Optical equipment, as follows:
Optilised seadmed:
N.B.: For shared aperture optical elements, capable of operating in "Super-High Power Laser" ("SHPL") applications, see the Military Goods Lists.
NB! Ühise avaga optiliste elementide kohta, mida on võimalik kasutada hiidvälkelaseris (SHPL), vaata sõjalise otstarbega kaupade nimekirja.
Dynamic wavefront (phase) measuring equipment capable of mapping at least 50 positions on a beam wavefront having any of the following:
dünaamilist lainefronti (faasi) mõõtvad seadmed, mis võimaldavad kiire lainefrondil eristada vähemalt 50 positsiooni ja millel on mis tahes järgmine omadus:
Frame rates equal to or more than 100 Hz and phase discrimination of at least 5 % of the beam's wavelength; or
kaadri sagedus on 100 Hz või rohkem ja faasi väljaeraldamise võime vähemalt 5 % kiire lainepikkusest; või
Frame rates equal to or more than 1000 Hz and phase discrimination of at least 20 % of the beam's wavelength;
kaadri sagedus on 1000 Hz või rohkem ja faasi väljaeraldamise võime vähemalt 20 % kiire lainepikkusest;
"Laser" diagnostic equipment capable of measuring "SHPL" system angular beam steering errors of equal to or less than 10 μrad;
laserdiagnostika seadmed, mis võimaldavad mõõta hiidvälkelaseri (SHPL) süsteemi kiire nurgajuhtimise vigu, mis on 10 μrad või vähem;
Optical equipment and components specially designed for a phased-array "SHPL" system for coherent beam combination to an accuracy of lambda/10 at the designed wavelength, or 0,1 μm, whichever is the smaller;
optilised seadmed ning komponendid, mis on spetsiaalselt kavandatud faseeritud hiidvälkelasersüsteemide rühmale selle kiirte kombinatsiooni koherentsuse saavutamiseks täpsusega 1/10 kavandatud lainepikkusest või 0,1 μm, olenevalt sellest, kumb on väiksem;