natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
ioonpindamine on üks erijuht üldisest termoaurustamise – füüsikalise aurustamise-sadestamise (TE-PVD) menetlusest, mille käigus kasutatakse plasmat või iooniallikat sadestatava aine ioniseerimiseks ning sadestatava aine eraldamiseks plasmast rakendatakse põhimikule negatiivset eelpinget.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Reageerivate ainete protsessi kaasamine, tahkiste aurustamine protsessikambris ning protsessi käigus monitoride kasutamine katete paksuse ja optiliste parameetrite mõõtmiseks on selle menetluse tavalised modifikatsioonid.
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
tahke tsementiitimine on pinna muundamis- või katmismenetlus, milles põhimik on asetatud pulbrisegusse (pakend), mis koosneb järgmisest:
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
sadestatavad metallipulbrid (tavaliselt alumiinium, kroom, räni või nende segud);
An activator (normally a halide salt); and
aktivaator (tavaliselt halogeniidisool); ja
An inert powder, most frequently alumina.
inertne pulber, tavaliselt alumiiniumoksiid.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Põhimik ja pulbrisegu asetatakse retorti, mida kuumutatakse katte sadestamiseks piisava aja jooksul temperatuurivahemikus 1030 K (757 °C) kuni 1375 K (1102 °C).
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
plasmapihustus on üks pinnakatmismenetlus, milles plasmat tekitav ja juhtiv plasmakahur võtab vastu kattematerjali pulbrit või traati, sulatab selle ning paiskab põhimikule, millel moodustubki homogeenne seotud kiht.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Plasmapihustus on kas madalrõhu plasma pihustus või ülikiire plasma pihustus.
1 Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Madal rõhk tähendab siin ümbritsevast rõhust madalamat rõhku.
2 High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Ülikiire tähendab düüsist väljuva gaasi kiirust, mis on suurem kui 750 m/s, arvutatuna 293 K (20 °C) juures rõhul 0,1 MPa.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
mudasadestus on üks pinna muundamis- või katmismenetlus, milles orgaanilise sideainega vedelikus suspenseeritud metalli- või keraamikapulber kantakse põhimikule kas pihustamise, sukeldamise või pintsli abil, millele järgneb õhus või ahjus kuivatamine ning termotöötlemine, saavutamaks soovitud pinnakatet.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
atomisatsioonsadestus on pinnakatmismenetlus, mis põhineb impulsi ülekande nähtusel, milles positiivsed ioonid kiirendatakse elektriväljas märklaua (kattev aine) pinna suunas.
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Põrkuvate ioonide kineetiline energia on piisav, et aatomeid märklauast välja lüüa ning sadestada sobivalt asetatud põhimikule.
1 The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Tabelis on viidatud vaid triood-, magnetron- või reaktiiv- atomisatsioonsadestamisele, mida kasutatakse katte nakkuvuse ja sadestuskiiruse suurendamiseks ning raadiosageduslikult suurendatud atomisatsioonsadestamisel, mis võimaldab aurustada ka mittemetallilisi kattematerjale.
2 Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Sadestumise aktiveerimiseks kasutatakse madalaenergeetilisi (alla 5 keV) ioonkiiri.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
ioonlegeerimine on üks pinna muundamis- või katmismenetlus, milles sulandatav element ioniseeritakse, kiirendatakse potentsiaali gradiendi abil ning implanteeritakse põhimiku pinna piirkonnas.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
See hõlmab ka menetlusi, milles ioonlegeerimine teostatakse samaaegselt elektronkiire abil toimuva aurustamise-sadestamise või atomisatsioonsadestamisega.
CATEGORY 3
KATEGOORIA
ELECTRONICS
ELEKTROONIKA
Note 1: The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Märkus 1: Punktis 3A001 või 3A002 nimetatud selliste seadmete ja komponentide kontrolli alla kuulumine (v.a punktides 3A001.a.3–3A001.a.10 või punktis 3A001.a.12 nimetatud), mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks muudes seadmetes või millel on muudele seadmetele iseloomulikud tunnused, määratakse nende muude seadmete kontrolli alla kuulumisega.
Note 2: The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Märkus 2: Punktides 3A001.a.3–3A001.a.9 või punktis 3A001.a.12 nimetatud selliste integraallülituste kontrolli alla kuulumine, mis on püsiprogrammeeritud või kavandatud muude seadmete spetsiifiliste funktsioonide täitmiseks, määratakse nende seadmete kontrolli alla kuulumise alusel, milles neid kasutatakse. NB! Kui tootja või loataotleja ei suuda kindlaks määrata nende muude seadmete kontrolli alla kuulumist, määratakse nende integraallülituste kontrolli alla kuulumine
N.B.: When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
punktides 3A001.a.3–3A001.a.9 ja 3A001.a.12.
If the integrated circuit is a silicon-based "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit described in 3A001.a.3. having an operand (data) word length of 8 bit or less, the control status of the integrated circuit is determined in 3A001.a.3.
Kui integraallülitus on punktis 3A001.a.3 nimetatud, ränist valmistatud mikroarvuti mikroskeem või mikrokontrolleri mikroskeem, mille operandi (andmed) sõna pikkuseks on 8 bitti või vähem, on selle integraallülituse kontrolli alla kuulumine määratud punktis 3A001.a.3.
Electronic components, as follows:
Elektroonilised komponendid:
General purpose integrated circuits, as follows:
üldise kasutusega integraallülitused:
Note 1: The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Märkus 1: Selliste (valmis või poolvalmis) pooljuhtplaatide kontrolli alla kuulumist, mille otstarve on kindlaks määratud, hinnatakse punkti 3A001.a parameetrite põhjal.
Note 2: Integrated circuits include the following types:
Märkus 2: Integraallülituste tüübid:
"Monolithic integrated circuits";
Monoliit-integraallülitused;
"Hybrid integrated circuits";
Hübriidintegraallülitused;
"Multichip integrated circuits";
Mitmekiibilised integraallülitused;
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
Kile-tüüpi integraallülitused, kaasa arvatud räni-safiir-tüüpi integraallülitused;
"Optical integrated circuits".
Optilised integraallülitused.
Integrated circuits, designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Integraallülitused, mis on planeeritud või arvestatud taluma kiirgust järgmiselt:
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
kogudoos, mille väärtus on 5×103 Gy (räni) või rohkem;
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
doosikiirus, mille väärtus on 5×106 (räni)/s või rohkem; või
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
neutronite (1 MeV ekvivalent) integreeritud vootihedus 5 × 1013 n/cm2 või suurem räni korral või selle ekvivalent muude ainete korral;
Note: 3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Märkus: Punkti 3A001.a.1.c ei kohaldata metall-isolaator-pooljuht- (MIS) struktuuride suhtes.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
Mikroprotsessor-mikroskeemid, mikroarvuti-mikroskeemid, mikrokontroller-mikroskeemid, liitpooljuhtidest valmistatud mäluintegraallülitused, analoog-digitaal muundajad, digitaal-analoog muundajad, signaalitöötluseks ettenähtud elektrooptilised või optilised integraallülitused, kasutaja-programmeeritavad loogilised seadmed, neurovõrgu integraallülitused, tundmatu otstarbega tavaintegraallülitused või integraallülitused, mis on ette nähtud kasutamiseks teadmata kontrollitavusega seadmes, Fourier’ kiirteisenduse (FFT) protsessorid, programmeeritavad elekterkustutusega püsimälud (EEPROM), välkmälud või staatilised muutmälud, millel on mis tahes järgmine omadus:
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
määratud toimima keskkonnatemperatuuril üle 398 K (+125 °C);
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
määratud toimima keskkonnatemperatuuril alla 218 K (–55 °C); või
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) et 398 K (125 °C);
määratud toimima keskkonnatemperatuuril 218 K (–55 °C) kuni 398 K (+125 °C);
Note: 3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Märkus: Punkti 3A001.a.2 ei kohaldata integraallülituste suhtes, mida kasutatakse tsiviilotstarbelistes autodes või rongides.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, having any of the following characteristics:
Mikroprotsessorite mikroskeemid, mikroarvutite mikroskeemid ja mikrokontrollerite mikroskeemid, millel on mis tahes järgmine omadus:
Note: 3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Märkus: Punkt 3A001.a.3 hõlmab digitaalseid signaalprotsessoreid, digitaalmaatriksprotsessoreid ja digitaalseid kaasprotsessoreid.
Not used;
ei kasutata;
Manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz; or
valmistatud liitpooljuhist ja toimib taktsagedusel üle 40 MHz; või
More than one data or instruction bus or serial communication port that provides a direct external interconnection between parallel "microprocessor microcircuits" with a transfer rate exceeding 150 Mbyte/s;
rohkem kui üks andme- või käsusiin või järjestikuline järjestikport väliseks ühenduseks paralleelprotsessoris, edastuskiirusega üle 150 megabaidi sekundis;
Storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor;
Liitpooljuhist valmistatud mälu integraallülitused;
Analogue-to-digital and digital-to-analogue converter integrated circuits, as follows:
Analoog-digitaalmuundur ja digitaal-analoogmuundur integraallülitused:
Analogue-to-digital converters having any of the following:
Analoog-digitaalmuundurid, millel on mis tahes järgmine omadus: NB!
SEE ALSO 3A101
VT KA PUNKTI 3A101
A resolution of 8 bit or more, but less than 12 bit, with a 'total conversion time' of less than 5 ns;
eraldusvõime üle 8 biti, kuid vähem kui 12 bitti, täieliku muundamise ajaga vähem kui 5 ns;
A resolution of 12 bit with a 'total conversion time' of less than 20 ns;
eraldusvõime 12 bitti, täieliku muundamise ajaga vähem kui 20 ns;
A resolution of more than 12 bit but equal to or less than 14 bit with a 'total conversion time' of less than 200 ns; or
eraldusvõime üle 12 biti, kuid võrdne või vähem kui 14 bitti, täieliku muundamise ajaga vähem kui 200 ns; või
A resolution of more than 14 bit with a 'total conversion time' of less than 1 μs;
eraldusvõime üle 14 biti, täieliku muundamise ajaga vähem kui 1 μs;
Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
digitaal-analoogmuundurid, mille eraldusvõime on 12 bitti või rohkem ning seadumisaeg on vähem kui 10 ns;
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
Eraldusvõime n bitti vastab signaali amplituudi "kvantimisele" 2n tasemeks.
'Total conversion time' is the inverse of sample rate.
Täieliku muundamise aeg on pöördvõrdeline valimi väljavõtukiirusega.
Electro-optical and "optical integrated circuits" designed for "signal processing" having all of the following:
Signaalide töötlemiseks arendatud elektro-optilised ja optilised integraallülitused, milles on:
One or more than one internal "laser" diode;
üks või enam kui üks sisemine laserdiood;
One or more than one internal light detecting element; and
üks või enam kui üks sisemine valgust detekteeriv element; ja
Optical waveguides;
optilised lainejuhid;
Field programmable logic devices having any of the following:
Väljaga programmeeritav loogikaseade, milles:
An equivalent usable gate count of more than 30000 (2 input gates);
ekvivalentselt kasutatavate ventiilide arv on üle 30000 (kahe sisendiga ventiilid);
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
tüüpiline hilistus põhiventiilis levimisel on alla 0,1 ns; või
A toggle frequency exceeding 133 MHz;
ümberlülitamissagedus on üle 133 MHz;
Note: 3A001.a.7. includes:
Märkus: Punkti 3A001.a.7 alla kuuluvad:
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
Lihtsad programmeeritavad loogikaseadmed (SPLD)
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
Keerulised programmeeritavad loogikaseadmed (CPLD)
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
Väljaga programmeeritavad ventiilmaatriksid (FPGA)
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
Väljaga programmeeritavad loogikamaatriksid (FPLA)
Field Programmable Interconnects (FPICs)
Väljaga programmeeritavad ühendused (FPIC) NB!
N.B.: Field programmable logic devices are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
Väljaga programmeeritavad loogikaseadmed on tuntud ka kui väljaga programmeeritav ventiil või väljaga programmeeritavad loogikamaatriksid.
Neural network integrated circuits;
Neurovõrkude integraallülitused;
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
Tundmatu otstarbega tavaintegraallülitused või integraallülitused, mis on ette nähtud kasutamiseks seadmes, mille kontrolli alla kuulumine ei ole tootjale teada ja millel on järgmised omadused:
More than 1000 terminals;
rohkem kui 1000 klemmi;
An operating frequency exceeding 3 GHz;
töösagedus on üle 3 GHz;
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Digitaalintegraallülitused, muud kui punktides 3A001.a.3–3A001.a.10 või punktis 3A001.a.12 nimetatud, mis on valmistatud liitpooljuhtide baasil ning millel on järgmised omadused:
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
ekvivalentsete ventiilide arv on üle 3000 (kahe sisendiga ventiilid);või
A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
ümberlülitussagedus on üle 1,2 GHz;
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2N)/20480 ms, where N is the number of points;
Fourier’ kiirteisenduse (FFT) protsessorid, mille arvestuslik N-punktilise kompleksse Fourier’ kiirteisenduse tegemise aeg on lühem kui (N log2 N)/20480 ms, kus N on punktide arv;
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 μs.
Kui N võrdub 1024 punktiga, siis on punktis 3A001.a.12 valemi järgi teisenduse tegemise aeg 500 μs.
Microwave or millimetre wave components, as follows:
mikro- ja millimeeterlaine seadmete komponendid:
Electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:
Elektroonilised vaakumlambid ja katoodid:
Note 1: 3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
Märkus 1: Punkt 3A001.b.1 ei hõlma ei hõlma lampe, mis on kavandatud või arvestatud tööks sagedusribades, mis vastavad järgmistele omadustele:
Does not exceed 31,8 GHz; and
ei ole üle 31,8 GHz; ja
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
ITU poolt raadioside jaoks määratletud ja mitte asukoha määramiseks ette nähtud.
Note 2: 3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes which meet all of the following characteristics:
Märkus 2: Punkt 3A001.b.1 ei hõlma mittekosmosekindlaid lampe, millel on kõik järgmised omadused:
An average output power equal to or less than 50 W; and
keskmine väljundvõimsus 50 W või vähem;ja
Designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
mis on kavandatud või arvestatud tööks sagedusribades, mis vastavad järgmistele omadustele:
Exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
on üle 31,8 GHz, kuid mitte üle 43,5 GHz; ja
Travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
järgmised jooksva laine lambid, impulss- või pidevlainele:
Operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
mille töösagedus on üle 31,8 GHz;
Having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
mis on varustatud katoodi kütteelemendiga, mille käivitumisaeg raadiosagedusliku (RF) nimivõimsuse saavutamiseks on lühem kui 3 sekundit;
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
sidestatud õõnestorud või nende modifikatsioonid, fraktsionaalse ribalaiusega üle 7 % või tippvõimsusega üle 2,5 kW;
Helix tubes, or derivatives thereof, with any of the following characteristics:
spiraallaine torud või nende modifikatsioonid, millel on järgmised omadused:
An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
hetkeline ribalaius on üle ühe oktaavi ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on üle 0,5;
An "instantaneous bandwidth"of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
hetkeline ribalaius on üks oktaav või vähem ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on suurem kui 1; või
Being "space qualified";
on kosmosekindel;
Crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
ristväli võimenduslambid võimendusega üle 17 dB;
Impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
elektronlampidele määratud impregneeritud katoodid, mis tagavad pideva emissioonivoolu tiheduse, mis on arvestuslikes nimitingimustes üle 5 A/cm2;
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 4 W (36 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 15 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 16 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 16 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,8 W (29 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 31,8 GHz ja ulatuvad kuni 37,5 GHz (kaasa arvatud);
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,25 W (24 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %; või
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz.
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 43,5 GHz.
Note 1: 3A001.b.2. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 GHz to 42,5 GHz.
Märkus 1: Punkt 3A001.b.2 ei hõlma raadioülekanneteks ettenähtud satelliitseadmeid, mis kavandatud või arvestatud tööks sagedusalas 40,5 GHz kuni 42,5 GHz.
Note 2: The control status of the MMIC whose operating frequency spans more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2., is determined by the lowest average output power control threshold.
Märkus 2: MMIC kontrolli alla kuulumine, mille töösagedus hõlmab rohkem kui üht punktis 3A001.b.2 määratletud sagedusvahemikku, määratakse väikseima keskmise väljundvõimsuse kontroll-läve järgi.
Note 3: Notes 1 and 2 in the chapeau to Category 3 mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
Märkus 3: Märkused 1 ja 2 3. kategooria sissejuhatavas lõigus tähendavad, et punkt 3A001.b.2 ei hõlma MMIC-e, kui nad on ette nähtud spetsiaalselt muudeks kasutuseesmärkideks, näiteks telekommunikatsioonis, radarites, autodes.
Microwave transistors having any of the following:
Mikrolainetransistorid, millel on mis tahes järgmine omadus:
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and having an average output power greater than 60W (47,8 dBm);
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 60 W (47,8 dBm);