natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:
seadmed pooljuhtide maskide valmistamiseks või pooljuhtseadiste töötlemiseks, rakendades hälvitatud-fokuseeritud elektronkimpu, ioonkimpu või laserkiirt, millel on mis tahes järgmine omadus:
A spot size smaller than 0,2 μm;
laotuspunkti suurus väiksem kui 0,2 μm;
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
on võimelised tekitama mustreid, milles vähima lahutatava elemendi mõõt on väiksem kui 1 μm; või
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
paigutustäpsus parem kui ± 0,20 μm (3 sigmat);
Masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
maskid ja niitvörgustikud, mis on ette nähtud punktis 3A001 nimetatud integraallülitustele;
Multi-layer masks with a phase shift layer.
mitmekihilised maskid faasinihke kihiga.
Note: 3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Märkus: Punkt 3B001.h ei hõlma mitmekihilisi maske faasinihke kihiga, mis on ette nähtud punktis 3A001 mitte hõlmatud mäluseadmete tootmiseks.
"Stored programme controlled" test equipment, specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Programmeeritavad testimisseadmed ning spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid ja lisavarustus järgmiste lõpetatud või lõpetamata pooljuhtseadmete testimiseks:
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
transistoride S parameetrite testimiseks sagedustel üle 31,8 GHz;
For testing integrated circuits capable of performing functional (truth table) testing at a 'pattern rate' of more than 667 MHz;
integraallülituste testimiseks, mis on võimelised sooritama funktsionaalset testimist tõeväärtustabelitega, näidisteesitamisekiirusega üle 667 MHz;
Note: 3B002.b. does not control test equipment specially designed for testing:
Märkus: Punkt 3B002.b. ei hõlma testimisseadmeid, mis on spetsiaalselt ette nähtud järgmiseks testimiseks:
"Electronic assemblies" or a class of "electronic assemblies" for home or entertainment applications;
Elektroonikasõlmed või elektroonikasõlmede klass;
Uncontrolled electronic components, "electronic assemblies" or integrated circuits;
Kontrollimatud elektroonilised komponendid, elektroonikasõlmed või integraallülitused;
Memories.
Mälud.
For the purpose of this entry,' pattern rate' is defined as the maximum frequency of digital operation of a tester.
Käesolevas punktis tähendab näidiste esitamise kiirus testimisseadme digitaaloperatsioonide maksimaalset sagedust.
It is therefore equivalent to the highest data rate that a tester can provide in non-multiplexed mode.
See vastab kõrgeimale edastuskiirusele, mida testimisseade tagab mittemultiplekssel režiimil.
It is also referred to as test speed, maximum digital frequency or maximum digital speed.
Seda kutsutakse ka testkiiruseks, maksimaalseks digitaalseks sageduseks või maksimaalseks digitaalseks kiiruseks.
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
punktis 3A001.b.2 nimetatud mikrolaine integraallülituste testimiseks.
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Hetero-epitaksiaalsed materjalid, mis koosnevad järgmiste materjalide epitakskasvatamisel saadud põhimikest:
Silicon;
räni;
Germanium;
germaanium
III/V compounds of gallium or indium.
galliumi või indiumi III/V ühendid.
III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide).
III/V ühendid on polükristallilised, binaarsed või kompleksmonokristallilised tooted, mis koosnevad Mendelejevi perioodilisussüsteemi tabeli IIIA ja VA grupi elementidest (nt gallium-alumiiniumarseniid, indiumfosfiid).
Resist materials, as follows, and "substrates" coated with controlled resists:
Resistmaterjalid ja põhimikud, mis on kaetud kontrolli alla kuuluvate resistmaterjalidega:
Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 350 nm;
positiivsed resistid, mis on ette nähtud pooljuhtide litograafiaks ning spetsiaalselt kohandatud (optimeeritud) kasutamiseks lainepikkustel alla 350 nm;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
kõik resistid, mis on ette nähtud kasutamiseks elektron- või ioonkimpudega, tundlikkusega 0,01 μC/mm2 või parem;
All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
kõik resistid, mis on ette nähtud kasutamiseks röntgenikiirtega, tundlikkusega 2,5 mJ/mm2 või parem;
All resists optimised for surface imaging technologies, including 'silylated' resists.
kõik resistid, mis on optimeeritud pinnakujundamise tehnoloogiate jaoks, sealhulgas ka silüleeritud resistid.
'Silylation' techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Silüleerimistehnika tähendab protsesse, mis sisaldavad resisti pinna oksüdeerimist, et parandada selle omadusi nii märg- kui ka kuivilmutamisel.
Organo-inorganic compounds, as follows:
Orgaanilis-anorgaanilised ühendid:
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
alumiiniumi, galliumi või indiumi metallorgaanilised ühendid puhtusega (metalli baasil) üle 99,999 %;
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
arseeni, antimoni või fosfori orgaanilised ühendid puhtusega üle 99,999 % (anorgaaniliste elementide baasil).
Note: 3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Märkus: Punkt 3C003 hõlmab üksnes neid ühendeid, milles metalliline, poolmetalliline või mittemetalliline element on molekuli orgaanilises osas oleva süsinikuga otseses sidemes.
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
Fosfori, arseeni või antimoni hüdriidid puhtusega üle 99,999 %, ka inertgaasides või vesinikus lahjendatuna.
Note: 3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Märkus: Punkt 3C004 ei hõlma hüdriide, mis sisaldavad 20 moolprotsenti või enam inertgaase või vesinikku.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
Tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktides 3A001.b–3A002.g või 3B nimetatud seadmete arendamiseks või tootmiseks.
"Software" specially designed for the "use" of any of the following:
Tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud mis tahes järgmiste seadmete kasutamiseks:
Equipment specified in 3B001.a. to f.; or
punktides 3B001.a kuni 3B001.f nimetatud seadmed; või
Equipment specified in 3B002.
punktis 3B002 nimetatud seadmed.
Physics-based simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Füüsikalistel alustel põhinev simulatsioonitarkvara, mis on ette nähtud litograafia-, söövitus- või pinnakatmisprotsesside arendamiseks maskide struktuuri üleviimisel spetsiifiliseks juhtide, dielektrikute või pooljuhtide topograafiliseks struktuuriks.
'Physics-based' in 3.D.3. means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Füüsikalistel alustel põhinev tähendab punktis 3.D.3 arvutuste kasutamist füüsikalistel omadustel (nt temperatuur, rõhk, difusioonikonstandid ja pooljuhtmaterjalide omadused) põhinevate füüsikaliste põhjus-tagajärg sündmuste järjestuse kindlakstegemiseks.
Note: Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Märkus: Pooljuhtseadmete või integraallülituste projekteerimise raamatukogud, olulised tunnused ja projekteerimisega seotud andmed loetakse tehnoloogiaks.
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
Tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 3A003 nimetatud seadmete arendamiseks.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 3A101.b nimetatud seadmete kasutamiseks.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 3A, 3B või 3C nimetatud seadmete või materjalide arendamiseks või tootmiseks;
Note 1: 3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Märkus 1: Punkt 3E001 ei hõlma tehnoloogiat seadmete või komponentide tootmiseks, mis on hõlmatud punktiga 3A003.
Note 2: 3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Märkus 2: Punkt 3E001 ei hõlma tehnoloogiat punktides 3A001.a.3–3A001.a.12 nimetatud integraallülituste arendamiseks või tootmiseks, millel on kõik järgmised omadused:
Using "technology" of 0,5 μm or more, and
on kasutatud 0,5 μm või suurema struktuurielemendi tehnoloogiat; ja
Not incorporating 'multi-layer structures'.
ei sisalda mitmekihilisistruktuure.
The term "multi-layer structures" does not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
Väljend mitmekihilisedstruktuurid ei hõlma seadmeid, mis sisaldavad maksimaalselt kaht metallikihti ja kolme polükristalset ränikihti.
"Technology" according to the General Technology Note other than that specified in 3E001 for the "development" or "production" of "microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits having a "composite theoretical performance" ("CTP") of 530 million theoretical operations per second (Mtops) or more and an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more.
Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, muu kui punktis 3E001 nimetatud, mikroprotsessor-mikroskeemide, mikroarvuti-mikroskeemide ja mikrokontroller-mikroskeemide arendamiseks või tootmiseks, mille ühendatud teoreetiline suutlikkus (CTP) on 530 miljonit teoreetilist operatsiooni sekundis (Mtops) või rohkem ja aritmeetika-loogikaseade juurdepääsu laius 32 bitti või rohkem;
Note: Decontrol note 2 to 3E001 also applies to 3E002.
Märkus: Punktile 3E001 lisatud kontrolli alla mittekuulumise märkus 2 kehtib ka punkti 3E002 kohta.
Other "technology" for the "development" or "production" of:
Muu tehnoloogia, mida kasutatakse järgmiste seadmete ja komponentide arendamiseks või tootmiseks:
Vacuum microelectronic devices;
vaakummikroelektroonilised seadmed;
Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
heterostruktuuriga pooljuhtseadmed (nt elektronide kõrgliikuvusega transistorid (HEMT), heterobipolaartransistorid (HBT) kvantkaev- ja supervõreseadmed;
Note: 3E003.b. does not control technology for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Märkus: Punkt 3E003.b ei hõlma suure liikuvusega elektronidega transistoride tehnoloogiat, mis töötavad sagedustel alla 31,8 GHz ja heterosiirdega bipolaarsete transistoride tehnoloogiat, mis töötavad sagedustel alla 31,8 GHz.
"Superconductive" electronic devices;
ülijuhtivad elektroonilised seadmed;
Substrates of films of diamond for electronic components;
teemantpõhimikud või -kiled elektroonilistele komponentidele.
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
räni-isolaator-põhimikud integraallülitustele, milles isolaatoriks on ränidioksiid;
Substrates of silicon carbide for electronic components;
ränikarbiidpõhimikud elektroonilistele komponentidele;
Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
elektroonilised vaakumlambid, mille töösagedus on üle 31,8 GHz.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101 or 3D101.
Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktis 3A001.a.1 või 3A001.a.2, 3A101.a või 3D101 nimetatud seadmete või tarkvara kasutamiseks.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
Tehnoloogiaüldmärkusele vastav tehnoloogia punktis 3D101 nimetatud tarkvara arendamiseks.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A201, 3A225 to 3A233.
Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on vajalik punktides 3A00l.e.2, 3A001.e.3, 3A201, 3A225–3A233 nimetatud seadmete kasutamiseks.
CATEGORY 4
KATEGOORIA
COMPUTERS
ARVUTID
Note 1: Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Märkus 1: Arvuteid, vastavaid seadmeid ja tarkvara, mis täidavad telekommunikatsiooni- või kohtvõrgu ülesandeid, tuleb hinnata samuti 5. kategooria 1. osa jõudlusparameetrite järgi (Telekommunikatsioon).
Note 2: Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Märkus 2: Juhtimismoodulid, mis ühendavad otseselt keskseadet, põhimälu või ketta juhtseadet siinide või kanalitega, ei loeta 5. kategooria 1. osas (Telekommunikatsioon) nimetatud telekommunikatsiooniseadmeteks. NB!
N.B.: For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
Pakettkommuteerimise jaoks spetsiaalselt loodud tarkvara kontrolli alla kuulumise kohta vaata punkti 5D001.
Note 3: Computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").
Märkus 3: Arvuteid, vastavaid seadmeid ja tarkvara, mis täidavad krüptograafilisi, krüptoanalüüsi, tunnistavaid mitmeastmelisi turva- või tunnistavaid kasutajate eraldamisülesandeid või mis piiravad elektromagnetilist ühilduvust, tuleb hinnata samuti 5. kategooria 2. osa jõudlusparameetrite järgi (Infoturve).
Electronic computers and related equipment, as follows, and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
Elektronarvutid ja nendega seotud seadmed, elektroonikasõlmed ja spetsiaalselt neile ette nähtud komponendid: NB!
N.B.: SEE ALSO 4A101.
VT KA PUNKTI 4A101.
Specially designed to have any of the following characteristics:
mis on konstrueeritud nii, et neil oleks mis tahes järgmine omadus:
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C);
ette nähtud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur on madalam kui 228 K (– 45 °C) või üle 358 K (+85 °C);
Note: 4A001.a.1. does not apply to computers specially designed for civil automobile or railway train applications.
Märkus: Punkti 4A001.a.1 ei kohaldata tsiviilotstarbeliste mootorsõidukites ja raudteerongides kasutamiseks ettenähtud arvutite suhtes.
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
kiirguskindlad, mis taluvad mis tahes järgmise piirväärtuse ületamist:
Total Dose 5 × 103 Gy (silicon);
kogudoos 5 × 103 Gy (räni);
Dose Rate Upset 5 × 106 Gy (silicon)/s; or
doosikiirus 5 × 106 Gy (räni)/s; või
Single Event Upset 1 × 10–7 Error/bit/day;
ühele tuumasündmusele vastab 5 × 10–7 viga/bit/päev;
Having characteristics or performing functions exceeding the limits in Category 5, Part 2 ("Information Security").
mille tehnilised omadused ja jõudlus ületavad 5. kategooria 2. osas (Infoturve) kirjeldatud piire.
Note: 4A001.b. does not control electronic computers and related equipment when accompanying their user for the user's personal use.
Märkus: Punkt 4A001.b ei hõlma elektronarvuteid ja vastavaid seadmeid, kui need on kasutajal kaasas isiklikuks kasutamiseks.
"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows, and specially designed components therefor:
Digitaalarvutid, elektroonikasõlmed ja nendega seotud seadmed nende jaoks ettenähtud komponentidega:
Note 1: 4A003 includes the following:
Märkus 1: Punkt 4A003 hõlmab järgmist:
Vector processors;
vektorprotsessorid;
Array processors;
massiiviprotsessorid;
Digital signal processors;
digitaalsed signaaliprotsessorid;
Logic processors;
loogikaprotsessorid;
Equipment designed for "image enhancement";
pildiväärinduseks kavandatud seadmed;
Equipment designed for "signal processing".
signaalitöötluseks kavandatud seadmed.
Note 2: The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
Märkus 2: Punktis 4A003 nimetatud digitaalarvutite ja nendega seotud seadmete kontrolli alla kuulumine määratakse vastavalt nende seadmete või süsteemi kontrolli alla kuulumisele, mille jaoks nad on ette nähtud:
The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
digitaalarvutid või seotud seadmed on olulised teise süsteemi või seadme toimimiseks;
The "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
digitaalarvutid või seotud seadmed ei ole muu süsteemi või seadme oluliseks osaks; ja
The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
NB 1! Muudele seadmetele spetsiaalselt ettenähtud signaalitöötlus- või pildiväärindusseadmete kontrolli alla kuulumine määratakse vastavalt muude seadmete kontrolli alla kuulumisele isegi siis, kui nad ei täida olulise osa kriteeriumit.
For the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
NB 2! Digitaalarvutite või telekommunikatsiooniseadmete kontrolli alla kuulumise kohta vaata 5. kategooria 1. osa (Telekommunikatsioon).
The "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E.
Tehnoloogia digitaalarvutite või seotud seadmete jaoks määratakse kindlaks punktis 4E.
Designed or modified for "fault tolerance";
kavandatud või kohandatud tõrketaluvusega süsteemi jaoks;
Note: For the purposes of 4A003.a., "digital computers" and related equipment are not considered to be designed or modified for "fault tolerance" if they utilise any of the following:
Märkus: Punkt 4A003.a tähenduses ei käsitleta digitaalarvuteid ja nendega seotud seadmeid kavandatuna või kohandatuna tõrketaluvusega süsteemide jaoks, kui nendes on kasutatud järgmist:
Error detection or correction algorithms in "main storage";
arvuti põhimälu sisaldab vigade avastamise ja korrigeerimise algoritme;
The interconnection of two "digital computers" so that, if the active central processing unit fails, an idling but mirroring central processing unit can continue the system's functioning;
Kaks digitaalarvutit on omavahel ühendatud selliselt, et aktiivse keskseadme tõrke korral jätkab süsteemi toimimist seni tühikäigul jooksnud ja aktiivset keskseadet peegeldav keskseade;
The interconnection of two central processing units by data channels or by use of shared storage to permit one central processing unit to perform other work until the second central processing unit fails, at which time the first central processing unit takes over in order to continue the system's functioning; or
kahe keskseadme omavaheline side andmekanalite või ühismälu kaudu, mis võimaldab ühel keskseadmel sooritada muid ülesandeid kuni teise keskseadme tõrkeni, millisest hetkest alates esimene keskseade võtab üle süsteemi toimimise tagamise; või
The synchronisation of two central processing units by "software" so that one central processing unit recognises when the other central processing unit fails and recovers tasks from the failing unit.
kahe keskseadme sünkroniseerimine tarkvara abil nii, et üks keskseade on võimeline avastama teises keskseadmes tekkinud tõrke ning taastama ja võtma üle selle seadme töö.
"Digital computers" having a "composite theoretical performance" ("CTP") exceeding 190000 million theoretical operations per second (Mtops);
Digitaalarvutid ühendatud teoreetilise jõudlusega (CTP) üle 190000 miljoni teoreetilise operatsiooni sekundis (Mtops);
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of "computing elements" ("CEs") so that the "CTP" of the aggregation exceeds the limit in 4A003.b.;
elektroonikasõlmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või kohandatud, et suurendada jõudlust arvutuselementide liitmise teel nii, et sellise ühenduse ühendatud teoreetiline jõudlus (CTP) ületab punktis 4A003.b sätestatud piiri;
Note 1: 4A003.c. applies only to "electronic assemblies" and programmable interconnections not exceeding the limit in 4A003.b. when shipped as unintegrated "electronic assemblies".
Märkus 1: Punkti 4A003.c kohaldatakse üksnes elektroonikasõlmedele ja programmeeritavatele omavahelistele ühendustele, mis ei ületa punktis 4A003.b esitatud piire, kui neid toimetatakse kohale mitteühendatud elektroonikasõlmedena.
It does not apply to "electronic assemblies" inherently limited by nature of their design for use as related equipment specified in 4A003.d. or 4A003.e.
Seda ei kohaldata elektroonikasõlmedele, mille rakendamine loomupäraselt oma konstruktsiooni tõttu punktides 4A003.d või 4A003.e nimetatud seadmete vastava osana on piiratud.
Note 2: 4A003.c. does not control "electronic assemblies" specially designed for a product or family of products whose maximum configuration does not exceed the limit of 4A003.b.
Märkus 2: Punkt 4A003.c ei hõlma elektroonikasõlmi, mis on spetsiaalselt konstrueeritud toodetele või tooteperekondadele, mille maksimaalne konfiguratsioon ei ületa punktis 4A003.b sätestatud piiri.
Equipment performing analogue-to-digital conversions exceeding the limits in 3A001.a.5.;
seadmed, mis teostavad analoog-digitaalmuundamist, mille parameetrid ületavad punktis 3A001.a.5 sätestatud piirid;
Equipment specially designed to provide external interconnection of "digital computers" or associated equipment which allows communications at data rates exceeding 1.25 Gbyte/s.
seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud võimaldama digitaalarvutite või nende juurde kuuluvate seadmete omavahelist välist ühendust ja võimaldavad andmevahetust kiirusega üle 1,25 gigabaidi sekundis.
Note: 4A003.g. does not control internal interconnection equipment (e.g. backplanes, buses), passive interconnection equipment, "network access controllers" or "communications channel controllers".
Märkus: Punkt 4A003.g ei hõlma sisemise ühenduse seadmeid (nt põhiplaate, siine), passiivseid ühendusseadmeid, võrgu ligipääsu kontrollereid või sidekanali kontrollereid.