natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Note: 3A002.g.1. does not control non-"space qualified" rubidium standards.
Märkus: Punkt 3A002.g.1 ei hõlma mittekosmosekindlaid rubiidiumistandardeid.
Spray cooling thermal management systems employing closed loop fluid handling and reconditioning equipment in a sealed enclosure where a dielectric fluid is sprayed onto electronic components using specially designed spray nozzles that are designed to maintain electronic components within their operating temperature range, and specially designed components therefor.
Pihustusjahutusega temperatuurikontrollisüsteemid, mis kasutavad hermeetilises korpuses suletud ahelaga vedeliku käitlemise ja uuestikasutuse seadmeid, kus dielektrilist vedelikku pihustatakse elektroonikakomponentidele, kasutades spetsiaalseid elektroonikakomponentide nõutud töötemperatuurivahemiku hoidmiseks mõeldud pihustusdüüse ning nende jaoks spetsiaalselt mõeldud komponente.
Electronic equipment, devices and components, other than those specified in 3A001, as follows:
Elektroonilised seadmed ja komponendid, muud kui punktis 3A001 nimetatud:
Analog to digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedized equipment;
analoog-digitaalmuundurid, mis on kasutatavad rakettmürskudes ja mis on kavandatud vastama robustsetele seadmetele kehtestatud sõjalistele nõuetele;
Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
kiirendid, mis on võimelised lähetama elektromagnetilist kiirgust, mis tekitatakse kuni 2 MeV või suurema energiani kiirendatud elektronide pidurdamisel (bremsstrahlung), ning neid kiirendeid sisaldavad süsteemid.
Note: 3A101.b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
Märkus: Punkt 3A101.b ei hõlma seadmeid, mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks meditsiinis.
Electronic components, other than those specified in 3A001, as follows;
Elektroonilised komponendid, muud kui punktis 3A001 nimetatud;
Capacitors having either of the following sets of characteristics:
kondensaatorid, millel on järgmised omaduste kombinatsioonid:
Voltage rating greater than 1,4 kV;
tööpinge suurem kui 1,4 kV;
Energy storage greater than 10 J;
energiamahutavus suurem kui 10 J;
Capacitance greater than 0,5 μF; and
elektrimahtuvus suurem kui 0,5 μF; ja
Series inductance less than 50 nH; or
jadainduktiivsus väiksem kui 50 nH; või
Voltage rating greater than 750 V;
tööpinge suurem kui 750 V;
Capacitance greater than 0,25 μF; and
elektrimahtuvus suurem kui 0,25 μF; ja
Series inductance less than 10 nH;
jadainduktiivsus väiksem kui 10 nH;
Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
ülijuhtivad solenoid-elektromagnetid, millel on kõik järgmised omadused:
Capable of creating magnetic fields greater than 2 T;
võimaldavad tekitada magnetvälja tugevusega 2 teslat või rohkem;
A ratio of length to inner diameter greater than 2;
pikkuse ja sisediameetri suhe 2 või rohkem;
Inner diameter greater than 300 mm; and
sisediameeter üle 300 mm; ja
Magnetic field uniform to better than 1 % over the central 50 % of the inner volume;
50 % solenoidi südamiku keskses ruumalas on magnetvälja ühetasasus parem kui 1 %;
Note: 3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported 'as parts of' medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Märkus: Punkt 3A201.b. ei hõlma magneteid, mis on spetsiaalselt kavandatud tuumamagnetresonantskuvamise süsteemi jaoks ja eksporditud tuumamagnetresonantskuvamise süsteemi osadena.
The phrase 'as part of' does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched 'as part of' the imaging systems.
Sõna osadena ei tähenda tingimata sama saadetise füüsilist osa; on lubatud erinevad saadetised ka erinevatest allikatest, kusjuures nende saadetiste ekspordidokumentides peab olema selgelt märgitud, et saadetis on saadetud kui kuvamissüsteemiosa.
Flash X ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
impulss röntgenikiirguse generaatorid või impulsselektronkiirendid, millel on mis tahes järgmine omaduste kombinatsioon:
An accelerator peak electron energy of 500 KeV or greater but less than 25 MeV; and
kiirendatud elektronide tippenergia 500 keV või rohkem, kuid vähem kui 25 MeV; ja
With a 'figure of merit' (K) of 0,25 or greater; or
hüvetegur (K) 0,25 või rohkem; või
An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
kiirendatud elektronide tippenergia 25 MeV või rohkem; ja
A 'peak power' greater than 50 MW.
tippvõimsus on suurem kui 50 MW.
Note: 3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes.
Märkus: Punkt 3A201.c ei hõlma kiirendeid, mida kasutatakse muude seadmete komponentidena, mille eesmärgiks ei ole elektronkiire- või röntgenikiirguse tekitamine (nt elektronmikroskoopia) või mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks meditsiinis:
The 'figure of merit' K is defined as:
Hüvetegur on defineeritud järgmiselt:
V is the peak electron energy in million electron volts.
kus V on elektronide tippenergia megaelektronvoltides.
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 μs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
Kui kiirendi impulsi kestus on 1 ìs või vähem, siis Q tähistab kogu kiirendatud laengut kulonites.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 μs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 μs.
Kui aga kiirendi impulsi kestvus on pikem kui 1 μs, siis tähistab Q 1 μs jooksul kiirendatud maksimaalset laengut.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
Q on võrdne elektronkiire voolu i amprites integraaliga aja t suhtes sekundites, üle impulsi kestvuse (Q = ∫ idt). Tippvõimsus = (tipp-pinge voltides) x (elektronkiire tippvool amprites).
'Peak power' = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
Tippvõimsus = (tipp-pinge voltides) x (elektronkiire tippvool amprites).
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
Kiirendites, mis põhinevad mikrolaine õõnesresonaatoritel, loetakse impulsi kestvuseks järgmistest väikseim: kas 1 μs või ühe mikrolaine modulaatoriimpulsi tekitatud kokkusurutud kiirepaketi kestvus.
In machines based on microwave accelerating cavities, the peak beam current is the average current in the time duration of a bunched beam packet.
Kiirendites, mis põhinevad mikrolaine õõnesresonaatoritel, loetakse kiire tippvoolu väärtuseks kokkusurutud kiirepaketi keskmistatud voolu väärtust selle kiirepaketi kestel.
Frequency changers or generators, other than those specified in 0B001.b.13., having all of the following characteristics:
Sagedusmuundurid või generaatorid, muud kui punktis 0B001.b.13 nimetatud, millel on kõik järgmised omadused:
Multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
mitmefaasiline väljund, võimaliku väljundvõimsusega 40 W või rohkem;
Capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
sagedusvahemik 600–2000 Hz;
Total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
täielik harmooniline moonutus alla 10 %; ja
Frequency control better (less) than 0,1 %.
sageduse stabiilsus parem kui 0,1 %.
Frequency changers in 3A225 are also known as converters or inverters.
Sagedusmuundureid 3A225 tähenduses tuntakse ka konverterite või inverteritena.
High power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
Suure võimsusega alalisvooluallikad, muud kui punktis 0B001.j.6 nimetatud, millel on mõlemad järgmised omadused:
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
võimaldavad 8 tunni jooksul saada pidevalt väljundpinget 100 V või rohkem voolutugevusel 500 A või rohkem; ja
Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
voolu ja pinge stabiilsus 8 tunni vältel on parem kui 0,1 %.
High voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
Kõrgepingelised alalisvooluallikad, muud kui punktis 0B001.j.5 nimetatud, millel on mõlemad järgmised omadused:
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
võimaldavad 8 tunni jooksul saada pidevalt väljundpinget 20 kV või rohkem voolutugevusel 1 A või rohkem; ja
Switching devices, as follows:
Lülitusseadmed:
Cold cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
Külmkatoodiga lambid, gaasiga täidetult või mitte, mis töötavad analoogiliselt kaitsesädemikuga ja millel on kõik järgmised omadused:
Containing three or more electrodes;
sisaldavad kolme või enamat elektroodi;
Anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
anoodpinge tippnimiväärtusega 2,5 kV või rohkem;
Anode peak current rating of 100 A or more 100 A; and
anoodvoolu tippnimiväärtus 100 A või rohkem; ja
Anode delay time of 10 μs or less;
anoodi viiteaeg 10 μs või vähem;
Note: 3A228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
Märkus: Punkt 3A228 hõlmab gaastäitega krütrone ja vakuumsprütrone
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
ümberlülitatavad sädevahemikud, millel on mõlemad järgmised omadused:
An anode delay time of 15 μs or less; and
anoodi viiteaeg 15 μs või vähem; ja
Rated for a peak current of 500 A or more;
tippnimivoolatugerus 500 A või rohkem;
Modules or assemblies with a fast switching function having all of the following characteristics:
kiirlülitustoimega moodulid või sõlmed, millel on kõik järgmised tehnilised omadused:
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
anoodpinge tippnimiväärtus üle 2000 V;
Anode peak current rating of 500 A or more; and
anoodvoolu tippnimiväärtus 500 A või rohkem; ja
Turn on time of 1 μs or less.
sisselülitusaeg 1 μs või vähem
Firing sets and equivalent high current pulse generators as follows:
Süütesüsteemid ja vastavad suure voolu impulssgeneraatorid: NB!
N.B.: SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS
VT KA SÕJALISE OTSTARBEGA KAUPADE NIMEKIRJA.
Explosive detonator firing sets designed to drive multiple controlled detonators specified in 3A232;
lõhkeaine detonaatorite süütamise süsteemid, mis on ette nähtud punktis 3A232 nimetatud multidetonaatorite käivitamiseks;
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
moodul-elektriimpulsi generaatorid (pulsarid), millel on kõik järgmised tehnilised omadused:
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
ette nähtud portatiivseks, mobiilseks või karmides tingimustes kasutamiseks;
Enclosed in a dust tight enclosure;
suletud tolmukindlasse pakendisse;
Capable of delivering their energy in less than 15 μs;
võimelised andma energiat vähem kui 15 μs jooksul;
Having an output greater than 100 A;
väljundvool 100 A või rohkem;
Having a 'rise time' of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
tõusuaeg vähem kui 10 μs, koormusel vähem kui 40 oomi;
No dimension greater than 254 mm;
ükski mõõde ei ületa 254 mm;
Weight less than 25 kg; and
raskus on vähem kui 25 kg; ja
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
ette nähtud kasutamiseks laiendatud temperatuurivahemikus 223 K (–50 °C) kuni 373 K (+100 °C) või määratletud kohaseks kasutamiseks kosmoses.
Note: 3A229.b. includes xenon flash lamp drivers.
Märkus: Punkt 3A229.b hõlmab ka ksenoonvälklampide juhtimisseadmeid.
High-speed pulse generators having both of the following characteristics:
Kiired impulssgeneraatorid, millel on mõlemad järgmised omadused:
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
väljundpinge üle 6 V, aktiivkoormusel vähem kui 55 oomi; ja
'Pulse transition time' less than 500 ps.
impulsi siirdeaeg 500 ps või vähem.
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Punktis 3A230 on impulsi siirdeaeg defineeritud kui ajavahemik pinge amplituudi väärtuste 10 % ja 90 % vahel.
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
Neutronite genereerimise süsteemid, kaasa arvatud lambid, millel on mõlemad järgmised omadused:
Designed for operation without an external vacuum system; and
nad on ette nähtud tööoperatsioonide täitmiseks ilma välise vaakumsüsteemita; ja
Utilizing electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
triitium-deuteerium tuumareaktsiooni esilekutsumiseks kasutatakse elektrostaatilist kiirendamist.
Detonators and multipoint initiation systems, as follows:
Detonaatorid ja mitmepunktilised süütesüsteemid: NB!
Electrically driven explosive detonators, as follows:
elektriliselt käivitatavad lõhkeaine detonaatorid:
Exploding bridge (EB);
olahvatav sild (EB);
Exploding bridge wire (EBW);
olahvatav sildtraat (EBW);
Slapper;
lööksütik;
Exploding foil initiators (EFI);
plahvatava fooliumi initsiaatorid (EFI);
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
süsteemid, mis kasutatavad üksik- või mitmikdetonaatoreid, mis on ette nähtud üle 5000 mm2 lõhkeaine pinna peaaegu samaaegseks initsieerimiseks ühe süütesignaaliga nii, et initsieerimise ajaline ulatus üle kogu pinna oleks vähem kui 2,5 μs.
Note: 3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Märkus: Punkt 3A232 ei hõlma detonaatoreid, mis kasutavad ainult initsieerivaid lõhkeaineid, nagu näiteks pliiasiid.
In 3A232 the detonators of concern all utilise a small electrical conductor (bridge, bridge wire or foil) that explosively vapourises when a fast, high-current electrical pulse is passed through it.
Kõigi punktis 3A232 nimetatud detonaatorite puhul kasutatakse väikest elektrijuhti (silda, sildtraati või fooliumi), mis aurustub plahvatuslikult, kui kiire suurevooluline elektriline impulss seda läbib.
In nonslapper types, the exploding conductor starts a chemical detonation in a contacting high-explosive material such as PETN (Pentaerythritoltetranitrate).
Mittelöök-tüüpi detonaatorites vallandab plahvatav voolujuht keemilise detonatsiooni nendega kontaktis olevas kergelt plahvatavas aines, nagu PETN (pentaerütritooltetranitraat).
In slapper detonators, the explosive vapourisation of the electrical conductor drives a flyer or slapper across a gap and the impact of the slapper on an explosive starts a chemical detonation.
Löökdetonaatorites paiskab elektrijuhtide plahvatuslik aurustumine lööknõela üle vahemiku ning lööknõela põrge lõhkeaine pihta vallandab keemilise detonatsiooni.
The slapper in some designs is driven by a magnetic force.
Mõnedes konstruktsioonides paisatakse lööknõela magnetjõudude abil.
The term exploding foil detonator may refer to either an EB or a slapper-type detonator.
Mõiste “plahvatav fooliumdetonaator” võib osutada nii plahvatavale sillale kui ka löök-tüüpi detonaatorile.
Also, the word initiator is sometimes used in place of the word detonator.
Samuti kasutatakse mõnikord sõna “initsiaator” sõna “detonaator” asemel.
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Massispektromeetrid, muud kui punktis 0B002.g nimetatud, mis võimaldavad mõõta ioone massiga 230 aatommassiühikut või rohkem ning mille lahutusvõime on parem kui 2 osa 230-st, ning nende iooniallikad:
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
induktiivselt sidestatud plasma massispektromeetrid (ICP/MS);
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
huumlahendus-massispektromeetrid (GDMS);
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
termilise ionisatsiooni massispektromeetrid (TIMS);
Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
elektronpommitusega massispektromeetrid, mille allikakonteiner on valmistatud, vooderdatud või kaetud UF6 kindlate materjalidega;
Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
molekulaarkimbu massispektromeetrid, millel on üks järgmistest omadustest:
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or
kiirgusallika konteiner on valmistatud, vooderdatud või kaetud roostevaba terasega või molübdeeniga ja varustatud külmalõksuga, mida on võimalik jahutada temperatuurile 193 K (–80 °C) või madalamale; või
A source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
kiirgusallika konteiner on valmistatud, vooderdatud või kaetud UF6 kindlate materjalidega;
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
massispektromeetrid, mis on varustatud mikrofluorimisioonallikaga ja on ette nähtud aktiniididele või aktiniidfluoriididele.
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Seadmed pooljuhtseadmete ja -materjalide tootmiseks ning nende komponendid ja abiseadmed:
Equipment designed for epitaxial growth, as follows:
epitakskasvatamise seadmed:
Equipment capable of producing any of the following:
seadmed, mis on võimelised tootma üht järgmistest:
A silicon layer with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 200 mm or more; or
ühtlast ränikihti 200 mm või pikemal vahemikul, mille ebaühtlus on väiksem kui ± 2,5 %; või
A layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
ühtlast muu materjali kihti, kui räni, 75 mm või pikemal vahemikul, mille ebaühtlus on väiksem kui ± 2,5 %;
Metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
metallorgaanilised keemilise aurustamise-sadestamise reaktorid (MOCVD), mis on spetsiaalselt kavandatud ühendpooljuhtkristallide kasvatamiseks punktis 3C003 või 3C004 nimetatud materjalide vahelise keemilise reaktsiooni abil;
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
molekulaarkimp-epitakskasvatamise seadmed milles kasutatakse gaasilisi või tahkeid allikaid;
Equipment designed for ion implantation, having any of the following:
ioonlegeerimisseadmed, millel on mis tahes järgmine omadus:
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1 MeV;
kimbu energia (kiirenduspinge) on üle 1 MeV;
Being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
spetsiaalselt ette nähtud ja optimeeritud töötamaks kimbu energial (kiirenduspingel), mis on väiksem kui 2 keV;
Direct write capability; or
otsekirje võimega; või
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
kimbu energiaga 65 keV või rohkem ja kimbu vooluga 45 mA või rohkem kõrgenergeetiliseks hapniku istutamiseks kuumutatud pooljuhtmaterjali põhimikku;
Anisotropic plasma dry etching equipment, as follows:
anisotroopsed plasmakuivsöövitusseadmed:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
seadmed kassetist-kassetti tüüpi toimimisviisi ning täitelüüsidega, millel on mis tahes järgmine omadus:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 0,3 μm or less with ± 5 % 3 sigma precision; or
kavandatud või optimeeritud saavutama kriitilist mõõtu 0,3 μm või vähem ± 5 % 3sigmalise täpsusega; või
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 μm in diameter;
kavandatud tekitama vähem kui 0,04 osakest/cm2, mille mõõdetav osakese diameeter on suurem kui 0,1 μm;
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 3B001.e nimetatud seadmetele ja millel on mis tahes järgmine omadus:
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
kavandatud tekitama vähem kui 0,04 osakest/cm2, mille mõõdetav osakese diameeter on suurem kui 0,1 μm;
Plasma enhanced CVD equipment, as follows:
plasmaaktiveeritud keemilise aurustamise-sadestamise (CVD) seadmed:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
seadmed kassetist-kassetti tüüpi toimimisviisi ning täitelüüsidega, mis on tootja spetsifikatsioonide järgi ette nähtud või optimeeritud pooljuhtseadmete tootmises kasutamiseks kriitiliste mõõtmetega 180 nm või vähem;
Equipment specially designed for equipment controlled by 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktiga 3B001.e hõlmatud seadmete jaoks ja mis on tootja spetsifikatsioonide järgi ette nähtud või optimeeritud pooljuhtseadmete tootmises kasutamiseks kriitiliste mõõtmetega 180 nm või vähem;
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
automaatse laadimisega mitmekambrilised kesksed toorikkiipide käsitsemise süsteemid, millel on järgmised omadused:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
liides toorikkiipide sisestamiseks ja väljavõtmiseks, millega võib liita enam kui kaks pooljuhte töötlevat seadet; ja
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;
on arendatud moodustama integreeritud süsteemi kiipide järjestiktöötlemiseks vaakumkeskkonnas;
Note: 3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Märkus: Punkt 3B001.e ei hõlma automaatseid kiipide käsitlemise robotsüsteeme, mis pole ette nähtud toimima vaakumkeskkonnas.
Lithography equipment, as follows:
järgmised litograafiaseadmed:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following:
“paiguta ja särita ning korda sammhaaval” (otsene samm kiibil) või “samm ja skaneeri” (skanner) tüüpi seadmed kiipide töötlemiseks, mis kasutavad valgusoptilist või röntgenikiirte meetodeid ja millel on mis tahes järgmine omadus:
A light source wavelength shorter than 350 nm; or
valgusallika lainepikkus on lühem kui 350 nm; või
Capable of producing a pattern with a'minimum resolvable feature' size of 0,35 μm or less;
on võimelised tekitama mustrit, milles vähimalahutatavaelemendi mõõt on 0,35 μm või vähem;
The "minimum resolvable feature" size is calculated by the following formula:
Vähimalahutatavaelemendi mõõt arvutatakse järgmise valemi põhjal:
numerical aperture
numbriline apertuur
where the K factor = 0,7
kus K tegur = 0,7
MRF = minimum resolvable feature size
MRF = vähima lahutatava elemendi mõõt