natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and having an average output power greater than 20W (43 dBm);
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 20 W (43 dBm);
Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and having an average output power greater than 0,5W (27 dBm);
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 31,8 GHz ja ulatuvad kuni 37,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,5 W (27 dBm);
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm); või
Note: The control status of an item whose operating frequency spans more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3., is determined by the lowest average output power control threshold.
Märkus: Punktis 3A001.b.3 määratletud rohkem kui üht sagedusvahemikku hõlmava töösagedusega osa kontrolli alla kuulumine määratakse väikseima keskmise väljundvõimsuse kontroll-läve järgi.
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave amplifiers having any of the following:
Mikrolaine pooljuhtvõimendid ja mikrolainevõimendeid sisaldavad mikrolainesõlmed/moodulid, millel on mis tahes järgmine omadus:
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 60W (47,8 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 60 W (47,8 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 15 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15W (42 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 15 W (42 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 37,.5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz; or
määratud toimima sagedustel, mis ületavad 43,5 GHz; või
Rated for operation at frequencies above 3 GHz and having all of the following:
määratud toimima sagedustel üle 3 GHz ja millel on kõik järgnevad omadused:
An average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P>150 W*GHz2/fGHz2];
keskmine väljundvõimsus (P, vattides), mis on suurem kui 150 jagatud maksimaalse töösageduse (gigahertsides) ruuduga [P>150 W*GHz2/fGHz2];
A fractional bandwidth of 5 % or greater; and
fraktsionaalne ribalaius 5 % või rohkem; ja
Any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d=15cm*GHz/ fGHz].
mis tahes kaks teineteisega risti asetsevat külge, mille pikkus (d, sentimeetrites) on võrdne või väiksem kui 15 jagatud väikseima töösagedusega gigahertsides [d=15cm*GHz/ fGHz]. NB!
N.B.: MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
MMIC võimsusvõimendeid tuleks hinnata punktis 3A001.b.2 määratletud kriteeriumide järgi.
Note 1: 3A001.b.4. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 to 42,5 GHz.
Märkus 1: Punkt 3A001.b.4 ei hõlma raadioülekanneteks ettenähtud satelliitseadmeid, mis kavandatud või arvestatud tööks sagedusalas 40,5 kuni 42,5 GHz.
Note 2: The control status of an item whose operating frequency spans more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4, is determined by the lowest average output power control threshold.
Märkus 2: Osa kontrolli alla kuulumine, mille töösagedus hõlmab rohkem kui üht punktis 3A001.b.4 määratletud sagedusvahemikku, määratakse väikseima keskmise väljundvõimsuse kontroll-läve järgi.
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs having any of the following:
Elektrooniliselt või magnetiliselt häälestatavad ribapääsfiltrid (band-pass) või ribatõkkefiltrid (band-stop), mis sisaldavad enam kui 5 timmitavat resonaatorit, mida on võimalik vähem kui 10 mikrosekundi jooksul häälestada sagedusribale, mille fmax/fmin on 1,5:1 ja millel on järgmised omadused:
A band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
ribapääs (band-pass) ribalaiusega, mis on laiem kui 0,5 % kesksagedusest; või
A band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
ribatõke (band-stop) ribalaiusega, mis on kitsam kui 0,5 % kesksagedusest;
Mixers and converters designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
Segustid ja muundajad, mis on konstrueeritud punktis 3A002.c, 3A002.e või 3A002.f nimetatud seadmete sagedusriba laiendamiseks üle eespool nimetatud punktides kehtestatud piiride.
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b. and having all of the following:
Mikrolaine võimsusvõimendid, mis sisaldavad punktis 3A001.b nimetatud lampe ja millel on kõik järgmised omadused:
Operating frequencies above 3 GHz;
töösagedus üle 3 GHz;
An average output power density exceeding 80 W/kg; and
keskmine väljundvõimsuse tihedus üle 80 W/kg; ja
A volume of less than 400 cm3;
maht on väiksem kui 400 cm3;
Note: 3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Märkus: Punkt 3A001.b.8 ei hõlma seadmeid, mis on kavandatud või kohandatud töötamiseks igas ITU poolt raadioside jaoks määratletud ja mitte asukoha määramiseks ettenähtud sagedusribas.
Acoustic wave devices, as follows, and specially designed components therefor:
järgmised akustilise laine seadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid:
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves in materials), having any of the following:
akustilise pinnalaine- ja akustilise pinnalähedase ruumlaine seadmed (st signaalitöötlusseadmed, mis akustilis-mehhaanilisi võnkumisi aines kasutavad), millel on mis tahes järgmine omadus:
A carrier frequency exceeding 2,5 GHz;
kandesagedus üle 2,5 GHz;
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 2,5 GHz, and having any of the following:
kandesagedus üle 1 GHz, kuid vähem kui 2,5 GHz, ja millel on mis tahes järgmised omadused:
A frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB;
külghõlma allasurumine üle 55 dB;
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
maksimaalse viivise ja ribalaiuse korrutis (aeg mikrosekundites ja ribalaius MHz-des) üle 100;
A bandwidth greater than 250 MHz; or
ribalaius üle 250 MHz; või
A dispersive delay of more than 10 μs; or
dispersiivne viivis on suurem kui 10 μs; või
A carrier frequency of 1 GHz or less, having any of the following:
kandesagedus on 1 GHz või vähem, ja millel on mis tahes järgmised omadused:
A frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB and a bandwidth greater than 50 MHz;
külghõlma allasurumine üle 55 dB ja ribalaius on suurem kui 50 MHz;
Bulk (volume) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves) which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 1 GHz;
akustilise ruumlaine seadmed (st signaali töötlemise seadmed, mis kasutavad aines akustilis-mehhaanilisi võnkumisi), mis võimaldavad vahetult töödelda signaale sagedustel, mis ületavad 1 GHz;
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
akustilis-optilised signaali töötlemise seadmed, mis kasutavad akustiliste lainete (ruumlaine või pinnalaine) ja valguslainete vahelist vastasmõju, mis võimaldab vahetult töödelda signaale või kujutisi, kaasa arvatud spektraalanalüüs, korrelatsioon või konvolutsioon;
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents, with any of the following:
elektroonilised seadmed või skeemid, mis sisaldavad ülijuhtivatest materjalidest valmistatud komponente ja on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks temperatuuril, mis on madalam kui vähemalt ühe ülijuhtivast materjalist komponendi kriitiline temperatuur, ja millel on järgmised omadused:
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10– 14 J; or
voolulülitid digitaalskeemidele, milles kasutatakse ülijuhtivaid ventiile, mille ventiili kohta viivise (sekundites) ja ventiilis hajunud võimsuse korrutis ventiili kohta (vattides) on väiksem kui 10– 14 J; või
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
sageduse selekteerimine kõikidel sagedustel, kasutades resonantsahelaid, mille hüveteguri Q väärtus on üle 10000;
High energy devices, as follows:
suurenergiaseadmed:
Batteries and photovoltaic arrays, as follows:
patareid ja fotoelektrilised paneelid:
Note: 3A001.e.1. does not control batteries with volumes equal to or less than 27 cm3 (e.g., standard C-cells or R14 batteries).
Märkus: Punkt 3A001.e.1 ei hõlma patareisid ruumalaga 27 cm3 ja alla selle (nt standardsed C- elemendid või R14 patareid).
Primary cells and batteries having an 'energy density' exceeding 480 Wh/kg and rated for operation in the temperature range from below 243 K (– 30 °C) to above de 343 K (70 °C);
primaarelemendid ja patareid, mille energiatihedus on üle 480 Wh/kg, mis on ette nähtud kasutamiseks temperatuurivahemikus 243 K (–30 °C) kuni 343 K (+70 °C);
Rechargeable cells and batteries having an 'energy density' exceeding 150 Wh/kg after 75 charge/discharge cycles at a discharge current equal to C/5 hours (C being the nominal capacity in ampere hours) when operating in the temperature range from below 253 K (– 20 °C) to above 333 K (60 °C);
korduvlaetavad elemendid ja patareid, mille energiatihedus on üle 150 Wh/kg pärast 75 laadimis-/tühjendamistsüklit, tühjendamisel vooluga, mis on võrdne suurusega C/5 tundi (C – nimimahtuvuse väärtus ampertundides), nende kasutamisel temperatuurivahemikus 253 K (–20 °C) kuni 333 K (+60 °C)
"Energy density" is obtained by multiplying the average power in watts (average voltage in volts times average current in amperes) by the duration of the discharge in hours to 75 % of the open circuit voltage divided by the total mass of the cell (or battery) in kg.
Energiatihedus saadakse, kui korrutatakse omavahel keskmise võimsuse vattides (keskmine pinge voltides korrutatud keskmise voolutugevusega amprites) tühjenemise kestusega tundides 75 % väärtuseni avatud vooluringi pingest jagatuna elemendi (või patarei) kogumassiga kg-des.
"Space qualified" and radiation hardened photovoltaic arrays with a specific power exceeding 160 W/m2 at an operating temperature of 301 K (28 °C) under a tungsten illumination of 1 kW/m2 at 2800 K (2527 °C);
kosmosekindlad ja kiirguskindlad fotoelektrilised paneelid, mille erivõimsus töötemperatuuril 301 K (28 °C) on üle 160 W/m2, valgustades neid temperatuuril 2800 K (+2527 °C) hõõguva volframi kiirgusega 1 kW/m2;
High energy storage capacitors, as follows:
järgmised suure energiaga kogumiskondensaatorid: NB!
N.B.: SEE ALSO 3A201.a.
VT KA PUNKTI 3A201.a.
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) having all of the following:
kondensaatorid, mille kordussagedus on väiksem kui 10 Hz (üksiklahendusega kondensaator) ning millel on kõik järgmised omadused:
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
nimipinge 5 kV või rohkem;
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
energiatihedus 250 J/kg või rohkem; ja
A total energy equal to or more than 25 kJ;
koguenergia 25 kJ või rohkem;
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) having all of the following:
kondensaatorid, mille kordussagedus on 10 Hz või rohkem (korduvlahendusega kondensaatorid) ja millel on kõik järgmised omadused:
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
energiatihedus 50 J/kg või rohkem;
A total energy equal to or more than 100 J; and
koguenergia 100 J või rohkem; ja
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
laadimis-/tühjenemistsükleid 10000 või rohkem;
"Superconductive" electromagnets and solenoids specially designed to be fully charged or discharged in less than one second, having all of the following:
ülijuhtivad elektromagnetid või solenoidid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud täieliku laadimis- või tühjenemisajaga alla ühe sekundi ja millel on kõik järgmised omadused: NB!
N.B.: SEE ALSO 3A201.b.
VT KA PUNKTI 3A201.b.
Note: 3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Märkus:Punkt 3A001.e.3 ei hõlma ülijuhtivaid elektromagneteid või solenoide, mis on spetsiaalselt ette nähtud magnetresonantskuva meditsiiniseadmetele.
Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
tühjenemise esimesel sekundil vabanev energia on üle 10 kJ;
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
voolu kandva mähise sisediameeter on üle 250 mm; ja
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
magnetilise induktsiooni nimiväärtus on üle 8 T või üldine voolutihedus mähises üle 300 A/mm2;
Rotary input type shaft absolute position encoders having any of the following:
absoluutse pöördenurga andurid, millel on mis tahes järgmine omadus:
A resolution of better than 1 part in 265000 (18 bit resolution) of full scale; or
lahutusvõime parem kui 1 osa 265000-st (18 bitine lahutus) täisskaala ulatuses; või
An accuracy better than ± 2,5 seconds of arc.
täpsus parem kui ±2,5 kaaresekundit.
General purpose electronic equipment, as follows:
Järgmised üldotstarbelised elektroonilised seadmed:
Recording equipment, as follows, and specially designed test tape therefor:
järgmised lindistusseadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud testlindid:
Analogue instrumentation magnetic tape recorders, including those permitting the recording of digital signals (e.g. using a high density digital recording (HDDR) module), having any of the following:
analoogmagnetofonid, kaasa arvatud seadmed, mis võimaldavad salvestada digitaalsignaale (st kasutatakse kõrgtihedusliku digitaalsalvestuse moodulit (HDDR)) ja millel on mis tahes järgmine omadus:
A bandwidth exceeding 4 MHz per electronic channel or track;
ribalaius üle 4 MHz ühe elektrontrakti või salvestusraja kohta;
A bandwidth exceeding 2 MHz per electronic channel or track and having more than 42 tracks; or
ribalaius üle 2 MHz ühe elektrontrakti või salvestusraja kohta, omades enam kui 42 salvestusrada; või
A time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ± 0,1 μs;
ajaline nihe (viga) ajabaasi suhtes (base error), mis on mõõdetud vastavalt salvestusmeetodite normeerimise komisjoni (IRIG) või Elektroonikatööstuste Ühenduse (EIA) nõuetele, ei ületa ± 0,1 μs;
Note: Analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
Märkus: Analoogmagnetofone, mis on spetsiaalselt kavandatud tsiviilotstarbelise videoseadmena, ei käsitleta aparatuuri lindistusseadmena.
Digital video magnetic tape recorders having a maximum digital interface transfer rate exceeding 360 Mbits/s;
digitaalsed videomagnetofonid, mille digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on üle 360 Mbit/s;
Note: 3A002.a.2. does not control digital video magnetic tape recorders specially designed for television recording using a signal format, which may include a compressed signal format, standardised or recommended by the ITU, the IEC, the SMPTE, the EBU, the ETSI or the IEEE for civil television applications.
Märkus: Punkt 3A002.a.2 ei hõlma digitaalset videomagnetofoni, mis on spetsiaalselt ette nähtud televisiooni tarbeks ja milles kasutatava signaali formaat (võib sisaldada ka kokkusurutud signaali formaati) on standardiseeritud või soovitatud Rahvusvahelise Telekommunikatsiooni Liidu (ITU), Rahvusvahelise Elektrotehnikakomisjoni (IEC), Filmi ja Televisiooniinseneride Ühingu (SMPTE), Euroopa Ringhäälinguliidu (EBU), Euroopa Telekommunikatsiooni Standardiinstituudi (ETSI) või Elektri- ja Elektroonikainseneride Instituudi (IEEE) poolt tsiviiltelevisiooni tarbeks.
Digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques, having any of the following:
kruvilaotustehnikat või liikumatu magnetpeatehnikat rakendavad digitaalsed magnetofonid, millel on mis tahes järgmine omadus:
A maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbits/s; or
digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on üle 175 Mbit/s; või
Note: 3A002.a.3. does not control analogue magnetic tape recorders equipped with HDDR conversion electronics and configured to record only digital data.
Märkus: Punkt 3A002.a.3 ei hõlma analoogmagnetofone, mis on varustatud HDDR-i muundamise elektroonikaga ja ette nähtud ainult digitaalsete andmete salvestamiseks.
Equipment, having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbits/s, designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
seadmed, mille digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on üle 17 Mbit/s ja mis on kavandatud digitaalse videomagnetofoni muutmiseks aparatuuri andmete digitaalseks salvestusseadmeks;
Waveform digitisers and transient recorders having all of the following:
lainekuju digitaatorid ja ajutised salvestusseadmed, millel on kõik järgmised omadused:
Digitising rate equal to or more than 200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more; and
digiteerimikiirus on 200 miljonit või rohkem valimit sekundis ja lahutusvõime 10 bitti või enam; ja
A continuous throughput of 2 Gbit/s or more;
pidev jõudlus 2 Gbit/s või rohkem;
For those instruments with a parallel bus architecture, the continuous throughput rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Seadmete korral on pidev jõudlus suurim sõnakiirus, mis on korrutatud bittide arvuga sõnas.
Continuous throughput is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
Pidevaks jõudluseks nimetatakse andmete suurimat väljastuskiirust massmälusse, mida seade võib arendada ilma mingisuguse informatsiooni kaota, säilitades valimi võtmise kiiruse ja selle analoog-digitaalse muundamise.
Digital instrumentation data recorders, using magnetic disk storage technique, having all of the following:
andmete digitaalsed salvestusseadmed, milles kasutatakse magnetkettale salvestamise tehnikat ja millel on mis tahes järgmine omadus:
Digitising rate equal to or more than 100 million samples per second and a resolution of 8 bit or more; and
digiteerimikiirus on 100 miljonit või rohkem valimit sekundis ja lahutusvõime 8 bitti või enam; ja
A continuous throughput of 1 Gbit/s or more;
pidev jõudlus 1 Gbit/s või rohkem;
"Frequency synthesiser""electronic assemblies" having a "frequency switching time" from one selected frequency to another of less than 1 ms;
sagedussüntesaatori elektroonikasõlmed, mille sageduse ümberlülitusaeg ühelt valitud sageduselt teisele on alla 1 ms;
Radio frequency "signal analysers", as follows:
järgmised raadiosageduse signaalianalüsaatorid:
"Signal analysers"capable of analysing frequencies exceeding 31,8 GHz but less than 37,5 GHz or exceeding 43,5 GHz;
signaalianalüsaatorid, mis on võimelised analüüsima üle 31,8 GHz, kuid alla 37,5 GHz või üle 43,5 GHz sagedusi;
"Dynamic signal analysers" having a"real-time bandwidth" exceeding 500 kHz;
dünaamilised signaalianalüsaatorid, mille reaalajaline ribalaius on üle 500 kHz;
Note: 3A002.c.2. does not control those "dynamic signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Märkus: Punkt 3A002.c.2 ei hõlma neid dünaamilisi signaalianalüsaatoreid, milles kasutatakse konstantseid protsentuaalse ribalaiusega filtreid (samuti tuntud kui oktaav- või murdosa-oktaavfiltrid).
Frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master frequency, and having any of the following:
sagedussüntesaator-signaalgeneraatorid, mis toodavad väljundsagedusi, mille täpsus ning lühi- ja pikaajaline stabiilsus on juhitud, tuletatud ja kontrollitud sisemise etalonsageduse poolt ja millel on mis tahes järgmised omadused:
A maximum synthesised frequency exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz and rated to generate a pulse duration of less than 100 ns;
maksimaalne sünteesitav sagedus ületab 31,8 GHz, kuid mitte 43,5 GHz ja genereeritava impulsi pikkus on alla 100 ns;
A maximum synthesised frequency exceeding 43,5 GHz;
maksimaalne sünteesitav sagedus on üle 43,5 GHz;
A "frequency switching time" from one selected frequency to another of less than 1 ms; or
sageduste ümberlülitusaeg ühelt valitud sageduselt teisele on lühem kui 1 ms; või
A single sideband (SSB) phase noise better than – (126 + 20 log10F – 20 log10f) in dBc/Hz, where F is the off-set from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
ühe külgriba (SSB) faasimüra on parem kui –(126 + 20 log10F – 20 log10f), dBc/Hz, kus F on külgriba sageduse erinevus põhisagedusest hertsides ja f on põhisagedus megahertsides;
For the purposes of 3A002.d.1., "pulse duration" is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
Punkti 3A002.d.1 tähenduses määratletakse impulsikestust ajavahemikuna, mis jääb impulsi esifrondi, mis saavutab 90 % maksimumist, ja impulsi tagafrondi vahele, mis saavutab 10 % maksimumist.
Note: 3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Märkus: Punkt 3A002.d ei hõlma seadmeid, milles väljundsagedus saadakse kahe või enama kvartsostsillaatori sageduste lisamisel või mahaarvamisel või tulemuse korrutise lisamisel või mahaarvamisel.
Network analysers with a maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz;
võrguanalüsaatorid, mille maksimaalne töösagedus on üle 43,5 GHz;
Microwave test receivers having all of the following:
mikrolaine testvastuvõtjad, millel on kõik järgmised omadused:
A maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz; and
maksimaalne töösagedus on üle 43,5 GHz; ja
Being capable of measuring amplitude and phase simultaneously;
võimaldavad amplituudi ja faasi üheaegset mõõtmist;
Atomic frequency standards having any of the following:
aatomi võnkesageduse standardid, millel on mis tahes järgmine omadus:
Long-term stability (aging) less (better) than 1 × 10– 11/month; or
pikaajalise stabiilsusega (vananemine), mis on vähem (parem) kui 1 × 10– 11/kuu; või
Being "space qualified".
on kosmosekindel.