natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Ισχύ εξόδου άνω των 31,62 mW (15 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 43,5 GHz και έως και 90 GHz·
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Ισχύ εξόδου άνω των 1 mW (0 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 90 GHz και έως και 110 GHz·
3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
«Λειτουργία μέτρησης μη γραμμικού διανύσματος» σε συχνότητες άνω των 50 GHz και έως και 110 GHz· ή
d.
"Λειτουργία μέτρησης μη γραμμικού διανύσματος" είναι η ικανότητα ενός οργάνου να αναλύει τα αποτελέσματα δοκιμών συσκευών που οδηγούνται στη περιοχή του μεγάλου σήματος ή στο εύρος της μη γραμμικής παραμόρφωσης.
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 110 GHz· στ.
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
Δοκιμαστικοί μικροκυματικοί δέκτες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 110 GHz· και
e.
Μπορούν να μετρήσουν συγχρόνως το πλάτος και τη φάση·
High energy devices as follows:
ζ.
'Cells' as follows:
Πρότυπα ατομικής συχνότητας που έχουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
a.
Είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση»,
'Primary cells' having any of the following at 20 °C;
Δεν βασίζονται στο ρουβίδιο και έχουν μακροπρόθεσμη σταθερότητα (γήρανση) μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10–11/μήνα· ή
'Energy density' exceeding 550 Wh/kg and a 'continuous power density' exceeding 50 W/kg; or
Δεν είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση» και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
'Energy density' exceeding 50 Wh/kg and a 'continuous power density' exceeding 350 W/kg; or
Αποτελούν πρότυπα ρουβιδίου·
'Secondary cells' having an 'energy density' exceeding 350 Wh/kg at 20 °C;
β.
For the purpose of 3A001.e.1., 'energy density' (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Μακροπρόθεσμη σταθερότητα μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10–11/μήνα· και
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
γ.
For the purpose of 3A001.e.1., a 'cell' is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Συνολική κατανάλωση ενέργειας κάτω του 1 W·
It is the basic building block of a battery.
η.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a 'primary cell' is a 'cell' that is not designed to be charged by any other source.
«Ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις», μονάδες ή εξοπλισμός, που προορίζονται να εκτελούν όλα τα ακόλουθα:
For the purpose of 3A001.e.1.b., a 'secondary cell' is a 'cell' that is designed to be charged by an external electrical source.
Μετατροπές αναλογικού σε ψηφιακό που πληρούν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:
For the purpose of 3A001.e.1.a., 'continuous power density' (W/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the specified maximum continuous discharge current in ampere (A) divided by the mass in kilograms.
α.
'Continuous power density' is also referred to as specific power.
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit αλλά μικρότερη των 10 bit, με «ρυθμό δείγματος» μεγαλύτερο των 1,3 γιγαδειγμάτων ανά δευτερόλεπτο (GSPS)·
3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
β.
High energy storage capacitors as follows:
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit αλλά μικρότερη των 12 bit, με «ρυθμό δείγματος» μεγαλύτερο του 1,0 ΜSPS·
SEE ALSO 3A201.a. and the Military Goods Controls.
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 12 bit αλλά μικρότερη των 14 bit, με «ρυθμό δείγματος» μεγαλύτερο του 1,0 ΜSPS·
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
δ. Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 14 bit αλλά μικρότερη των 16 bit, με «ρυθμό δείγματος» μεγαλύτερο των 400 μεγαδειγμάτων ανά δευτερόλεπτο (ΜSPS)· ή
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
ε.
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
Διακριτική ικανότητα 16 bit και άνω με «προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης» άνω των 180 MSPS· και
A total energy equal to or more than 25 kJ;
Έξοδος ψηφιοποιημένων δεδομένων·
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
β.
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
Αποθήκευση ψηφιοποιημένων δεδομένων· ή
A total energy equal to or more than 100 J; and
γ.
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
Επεξεργασία ψηφιοποιημένων δεδομένων·
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
Καταγραφείς ψηφιακών δεδομένων, παλμογράφοι, «αναλυτές σήματος», γεννήτριες σήματος, αναλυτές δικτύου και δοκιμαστικοί μικροκυματικοί δέκτες, όπως καθορίζονται στα σημεία 3A002.a.6, 3A002.a.7, 3A002.γ., 3A002.δ., 3A002.ε. και 3A002.στ., αντίστοιχα.
SEE ALSO 3A201.b.
Για μη αλληλένθετες ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις, μονάδες ή εξοπλισμό πολλαπλών διαύλων, ο «ρυθμός δείγματος» δεν αθροίζεται και ο «ρυθμός δείγματος» αποτελεί τον μεγαλύτερο ρυθμό των επί μέρους διαύλων.
3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Για αλληλένθετες ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις, μονάδες ή εξοπλισμό πολλαπλών διαύλων, οι «ρυθμοί δείγματος» αθροίζονται και ο «ρυθμός δείγματος» αποτελεί τον μέγιστο συνολικό ρυθμό όλων των αλληλένθετων διαύλων.
a.
Συστήματα θερμοδιαχείρισης με ψύξη διά ψεκασμού, που χρησιμοποιούν εξοπλισμό χειρισμού και επαναχρησιμοποίησης ρευστών σε κλειστό βρόχο μέσα σε σφραγισμένο περιβάλλον, όπου ψεκάζεται διηλεκτρικό ρευστό πάνω σε ηλεκτρονικά κατασκευαστικά μέρη με χρήση ειδικά σχεδιασμένων ψεκαστικών ακροφυσίων σχεδιασμένων να διατηρούν τα ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία εντός του αντίστοιχου φάσματος θερμοκρασιών λειτουργίας, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τον εξοπλισμό αυτό.
b.
Ηλεκτρονικός εξοπλισμός, συσκευές και κατασκευαστικά μέρη εκτός από αυτά που ορίζονται στο σημείο 3Α001, ως εξής:
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε «βλήματα» και που έχουν σχεδιαστεί για να πληρούν στρατιωτικές προδιαγραφές για ανθεκτικό εξοπλισμό·
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
β.
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated 'AM0' illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
Επιταχυντές ικανοί να αποδώσουν ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία που παράγεται από ακτινοβολία επιβράδυνσης από επιταχυνόμενα ηλεκτρόνια ύψους 2 MeV ή παραπάνω, και συστήματα που περιέχουν τους επιταχυντές αυτούς.
'AM0', or 'Air Mass Zero', refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Το παραπάνω σημείο 3Α101.β. δεν περιλαμβάνει εξοπλισμό ο οποίος έχει ειδικά σχεδιαστεί για ιατρικούς σκοπούς.
f.
"Θερμικές μπαταρίες" σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για "βλήματα".
Rotary input type absolute position encoders having an "accuracy" equal to or less (better) than 1,0 second of arc and specially designed encoder rings, discs or scales therefor;
Στο σημείο 3Α102, ως "θερμικές μπαταρίες" νοούνται οι ηλεκτρικές στήλες μιας χρήσης που χρησιμοποιούν ως ηλεκτρολύτη στερεό δυσηλεκτραγωγό ανόργανο άλας.
g.
Οι μπαταρίες αυτές περιέχουν και κάποιο πυρολυτικό υλικό το οποίο, αναφλεγόμενο, λιώνει τον ηλεκτρολύτη και θέτει σε λειτουργία την ηλεκτρική στήλη.
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and 'thyristor modules', using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Στο σημείο 3A102, ως «βλήματα» νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων εναέριων οχημάτων με ακτίνα δράσης άνω των 300 km.
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
3A201 Ηλεκτρονικά κατασκευαστικά μέρη εκτός από όσα καθορίζονται στο σημείο 3Α001, ως εξής:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
Πυκνωτές με μία από τις ακόλουθες ομάδες χαρακτηριστικών:
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
Ονομαστική τάση μεγαλύτερη από 1,4 kV·
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
β.
3A001.g. includes:
Αποθήκευση ενέργειας μεγαλύτερη από 10 J·
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
γ.
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
Χωρητικότητα άνω των 0,5 μF· και
Light Triggering Thyristors (LTTs)
δ. Αυτεπαγωγή σειράς μικρότερη από 50 nH· ή
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
α.
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
Ονομαστική τάση μεγαλύτερη από 750 V·
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
β.
Solidtrons
Χωρητικότητα άνω των 0,25 μF· και
3A001.g. does not control thyristor devices and 'thyristor modules' incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
γ.
For the purposes of 3A001.g., a 'thyristor module' contains one or more thyristor devices.
Αυτεπαγωγή σειράς μικρότερη από 10 nH·
h.
β.
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or 'modules', having all of the following:
Υπεραγώγιμοι σωληνοειδείς ηλεκτρομαγνήτες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
Ικανότητα να δημιουργούν μαγνητικά πεδία άνω των 2 T·
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
Λόγο μήκους προς εσωτερική διάμετρο μεγαλύτερο από 2·
Continuous current greater than 1 A.
Εσωτερική διάμετρο πάνω από 300 mm· και
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Ομοιογένεια μαγνητικού πεδίου καλύτερη από 1 % όταν μετριέται στο κεντρικό 50 % του εσωτερικού όγκου·
3A001.h. includes:
Στο σημείο 3Α201.β. δεν υπάγονται μαγνήτες που έχουν ειδικά σχεδιαστεί και εξάγονται "ως μέρος" ιατρικών συστημάτων απεικόνισης που βασίζονται σε πυρηνικό μαγνητικό συντονισμό (nuclear magnetic resonance, NMR).
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
Η φράση «ως μέρος» δεν σημαίνει κατ’ ανάγκη ότι αποτελεί υλικό τμήμα της ίδιας αποστολής.
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
Επιτρέπονται ξεχωριστές αποστολές από διαφορετικές πηγές υπό τον όρο τα σχετικά εξαγωγικά έγγραφα καθορίζουν σαφώς ότι οι αποστολές διακινούνται «ως μέρος» των συστημάτων απεικόνισης.
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs)
γ.
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
Γεννήτριες ακτίνων Χ στιγμιαίας λειτουργίας, ή παλμικοί επιταχυντές ηλεκτρονίων με ένα από τα ακόλουθα σύνολα χαρακτηριστικών:
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
α.
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 500 keV και άνω, αλλά κάτω των 25 MeV· και
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
β.
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
«Συντελεστή κέρδους» (Κ) 0,25 ή παραπάνω· ή
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
α.
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 25 MeV και άνω· και
PiN Diodes
β.
Schottky Diodes
«Ανώτατη ισχύ» μεγαλύτερη από 50 MW.
3A001.h. does not control switches, diodes, or 'modules', incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
Στο σημείο 3Α201.γ. δεν υπάγονται οι επιταχυντές που αποτελούν κατασκευαστικά μέρη συσκευών που έχουν σχεδιαστεί για σκοπούς άλλους εκτός από την ακτινοβολία με ακτίνες Χ ή με ηλεκτρονική δέσμη (για παράδειγμα ηλεκτρονικά μικροσκόπια), καθώς και συσκευών που έχουν σχεδιαστεί για ιατρικούς σκοπούς.
For the purposes of 3A001.h., 'modules' contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
Ο "συντελεστής κέρδους" Κ ορίζεται ως εξής:
i.
K = 1,7 × 103V2,65Q
Intensity, amplitude, or phase electro-optic modulators, designed for analogue signals and having any of the following:
όπου V είναι η ανώτατη ενέργεια των ηλεκτρονίων σε MeV.
A maximum operating frequency of more than 10 GHz but less than 20 GHz, an optical insertion loss equal to or less than 3 dB and having any of the following:
Q είναι το συνολικό φορτίο σε Coulomb που έχει επιταχυνθεί, αν η διάρκεια της παλμικής δέσμης του επιταχυντή είναι μικρότερη από ή ίση προς 1 μs.
a.
Αν η διάρκεια της παλμικής δέσμης του επιταχυντή είναι μεγαλύτερη από 1 μs, τότε το Q είναι το μέγιστο φορτίο που επιταχύνεται σε 1 μs.
A 'half-wave voltage' ('Vπ') less than 2,7 V when measured at a frequency of 1 GHz or below; or
Το Q είναι ίσο με το ολοκλήρωμα του i ως προς το t επί το μικρότερο από τους δύο χρόνους, δηλαδή 1 μικροδευτερόλεπτο ή την διάρκεια σε χρόνο της παλμικής δέσμης (Q = ∫ idt), όπου i είναι το ρεύμα της δέσμης σε αμπέρ και t είναι ο χρόνος σε δευτερόλεπτα
b.
«Ανώτατη ισχύς» είναι το γινόμενο του μέγιστου δυναμικού (σε βολτ) επί το μέγιστο ρεύμα δέσμης (σε αμπέρ).
A 'Vπ' of less than 4 V when measured at a frequency of more than 1 GHz; or
Στις μηχανές που βασίζονται σε κοιλότητες επιτάχυνσης μικροκυμάτων, ο χρόνος διάρκειας της παλμικής δέσμης είναι η μικρότερη τιμή, δηλαδή ή 1 μs, ή η διάρκεια του συμπιεσμένου πακέτου δέσμης που προκύπτει από έναν παλμό μικροκυματικού διαμορφωτή, αν αυτή είναι μικρότερη από 1 μs.
A maximum operating frequency equal to or greater than 20 GHz, an optical insertion loss equal to or less than 3 dB and having any of the following:
Στις μηχανές που βασίζονται σε κοιλότητες επιτάχυνσης μικροκυμάτων το μέγιστο ρεύμα δέσμης ισούται με το μέσο ρεύμα κατά τη διάρκεια σε χρόνο ενός συμπιεσμένου πακέτου δέσμης.
a.
Μετατροπείς συχνότητας ή γεννήτριες, εκτός από τις συσκευές που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.β.13., που δύνανται να χρησιμοποιηθούν ως κινητήρες μετάδοσης μεταβλητής ή σταθερής συχνότητας και που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A 'Vπ' less than 3,3 V when measured at a frequency of 1 GHz or below; or
Το «λογισμικό» που είναι ειδικά σχεδιασμένο για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225 προσδιορίζεται στο σημείο 3Δ225.
b.
Η «τεχνολογία» υπό τη μορφή κωδικών ή κλειδών για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων, ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225 προσδιορίζεται στο σημείο 3E225.
A 'Vπ' less than 5 V when measured at a frequency of more than 1 GHz.
α.
3A001.i. includes electro-optic modulators having optical input and output connectors (e.g., fibre-optic pigtails).
Πολυφασική έξοδο που αποδίδει ισχύ 40 VA ή μεγαλύτερη·
For the purposes of 3A001.i., a 'half-wave voltage' ('Vπ') is the applied voltage necessary to make a phase change of 180 degrees in the wavelength of light propagating through the optical modulator.
β.
General purpose "electronic assemblies", modules and equipment, as follows:
Λειτουργία σε συχνότητα 600 Hz και άνω· και
a.
γ.
Recording equipment and oscilloscopes as follows:
Έλεγχο συχνότητας καλύτερο (χαμηλότερο) από 0,2 %.
Digital data recorders having all of the following:
Στο σημείο 3A225 δεν υπάγονται οι μετατροπείς ή γεννήτριες συχνοτήτων αν έχουν περιορισμούς υλισμικού, «λογισμικού» ή «τεχνολογίας» που περιορίζουν τις επιδόσεις σε επίπεδο κατώτερο του ως άνω προσδιοριζόμενου, υπό την προϋπόθεση ότι πληρούν τα εξής:
a.
Χρειάζεται να επιστραφούν στον αρχικό κατασκευαστή για τη διενέργεια βελτιώσεων ή την αποδέσμευση των περιορισμών,
A sustained 'continuous throughput' of more than 6,4 Gbit/s to disk or solid-state drive memory; and
Απαιτούν το «λογισμικό» που προσδιορίζεται στο σημείο 6Δ203 για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225, ή
b.
Απαιτούν την «τεχνολογία» υπό τη μορφή κλειδών ή κωδικών που προσδιορίζονται στο σημείο 3E225 για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225.
A processor that performs analysis of radio frequency signal data while it is being recorded;
Οι κατά το σημείο 3Α225 μετατροπείς συχνότητας είναι γνωστοί και ως μεταλλάκτες ή inverters.
For recorders with a parallel bus architecture, the 'continuous throughput' rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Οι μετατροπείς συχνότητας του σημείου 3A225 δύνανται να κυκλοφορούν στην αγορά ως γεννήτριες, εξοπλισμός ηλεκτρονικών δοκιμών, τροφοδοτικά AC, κινητήρες μετάδοσης μεταβλητής ταχύτητας, συστήματα μετάδοσης μεταβλητής ταχύτητας (VSD), συστήματα μετάδοσης μεταβλητής συχνότητας (VFD), συστήματα μετάδοσης ρυθμιζόμενης συχνότητας (AFD), ή συστήματα μετάδοσης ρυθμιζόμενης ταχύτητας (ASD).
'Continuous throughput' is the fastest data rate the instrument can record to disk or solid-state drive memory without the loss of any information while sustaining the input digital data rate or digitizer conversion rate.
Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής ισχύος, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.6., που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Real-time oscilloscopes having a vertical root-mean-square (rms) noise voltage of less than 2 % of full-scale at the vertical scale setting that provides the lowest noise value for any input 3dB bandwidth of 60 GHz or greater per channel;
α. μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 100 V ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 500 Α ή παραπάνω· και
3A002.a.7. does not control equivalent-time sampling oscilloscopes.
β. εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών.
c.
Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής τάσης, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.5, που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
"Signal analysers" as follows:
α. μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 20 kV ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 1 Α ή παραπάνω· και
"Signal analysers" having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 40 MHz anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz;
Συσκευές μεταγωγής ως εξής:
"Signal analysers" having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than -150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
α.
"Signal analysers" having a frequency exceeding 90 GHz;
Λυχνίες ψυχρής καθόδου, είτε γεμισμένες με αέριο είτε όχι, που λειτουργούν παρόμοια με διάκενο σπινθηρισμού και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
"Signal analysers" having all of the following:
Περιέχουν τρία ή περισσότερα ηλεκτρόδια·
a.
Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου 2,5 kV ή παραπάνω,
'Real-time bandwidth' exceeding 170 MHz; and
Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 100 Α ή παραπάνω, και
100 % probability of discovery with less than a 3 dB reduction from full amplitude due to gaps or windowing effects of signals having a duration of 15 μs or less; or
Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 10 μs ή λιγότερο·
A 'frequency mask trigger' function with 100 % probability of trigger (capture) for signals having a duration of 15 μs or less;
το σημείο 3Α228 περιλαμβάνει τις λυχνίες τύπου krytron με αέριο και sprytron με κενό.
'Real-time bandwidth' is the widest frequency range for which the analyser can continuously transform time-domain data entirely into frequency-domain results, using a Fourier or other discrete time transform that processes every incoming time point, without a reduction of measured amplitude of more than 3 dB below the actual signal amplitude caused by gaps or windowing effects, while outputting or displaying the transformed data.
β.
Probability of discovery in 3A002.c.4.b.1. is also referred to as probability of intercept or probability of capture.
Διάκενα σπινθηρισμού με σύστημα έναυσης που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
For the purposes of 3A002.c.4.b.1., the duration for 100 % probability of discovery is equivalent to the minimum signal duration necessary for the specified level measurement uncertainty.
Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 15 μs ή λιγότερο· και
A 'frequency mask trigger' is a mechanism where the trigger function is able to select a frequency range to be triggered on as a subset of the acquisition bandwidth while ignoring other signals that may also be present within the same acquisition bandwidth.
Ονομαστική ανώτατη τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω·
A 'frequency mask trigger' may contain more than one independent set of limits.
γ.
3A002.c.4. does not control those "signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου άνω των 2 kV·
Signal generators having any of the following:
Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω· και
Specified to generate pulse-modulated signals having all of the following, anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz:
Χρόνο ενεργοποίησης 1 μs ή λιγότερο.
a.
Γεννήτριες παλμών υψηλού ρεύματος, ως εξής:
'Pulse duration' of less than 25 ns; and
Συσκευές πυροδότησης για εκρηκτικούς πυροκροτητές (συστήματα έναυσης/πυροδότησης) συμπεριλαμβανομένων συσκευών πυροδότησης που φορτίζονται ηλεκτρονικά, που λειτουργούν εκρηκτικά και οπτικά, εκτός από εκείνες που ορίζονται στο σημείο 1A007.α., που έχουν σχεδιαστεί για να συνδέονται με πολλαπλούς εκρηκτικούς πυροκροτητές του σημείου 1A007.β.·
On/off ratio equal to or exceeding 65 dB;
β.
An output power exceeding 100 mW (20 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Βαθμιδωτές ηλεκτρικές παλμογεννήτριες (pulsers) που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A "frequency switching time" as specified by any of the following:
Έχουν σχεδιαστεί για να είναι φορητές, κινητές ή ανθεκτικές·
b.
Μπορούν να αποδώσουν την ενέργειά τους σε λιγότερο από 15 μs σε φορτία μικρότερα από 40 ohm·
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
Έχουν ρεύμα εξόδου μεγαλύτερο από 100 Α·
d.
Καμία από τις διαστάσεις τους δεν είναι μεγαλύτερη από 30 cm·
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz; or
Το βάρος τους είναι μικρότερο από 30 kg· και
e.
Οι προδιαγραφές τους είναι για χρήση σε εκτεταμένο φάσμα θερμοκρασιών 223 K (–50°C) έως 373 K (100°C) ή για αεροδιαστημικές εφαρμογές·
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the frequency range exceeding 37 GHz but not exceeding 90 GHz;
Το σημείο 3Α229.β. περιλαμβάνει και συσκευές με λυχνίες εκκενώσεως ξένου.
Single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, specified as being any of the following:
Μονάδες μικρο-πυροδότησης με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Less (better) than -(126 + 20log10F - 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz anywhere within the frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 90 GHz; or
Καμία από τις διαστάσεις τους δεν είναι μεγαλύτερη από 35 mm·
b.
Ονομαστική τάση ίση ή μεγαλύτερη από 1 kV· και
Less (better) than -(206- 20log10f) anywhere within the range of 10 kHz< F≤ 100 kHz anywhere within the frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 90 GHz; or