natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Αν δεν δηλώνεται η ονομαστική χωρητικότητα, η ενεργειακή πυκνότητα υπολογίζεται ως το γινόμενο του τετραγώνου της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί τη διάρκεια εκφόρτισης σε ώρες διαιρούμενο με το φορτίο εκφόρτισης σε ωμ και με τη μάζα σε χιλιόγραμμα.
a.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1., "ηλεκτρικό στοιχείο" είναι κάθε ηλεκτροχημική διάταξη που διαθέτει θετικό και αρνητικό ηλεκτρόδιο και ηλεκτρολύτη και αποτελεί πηγή ηλεκτρικής ενέργειας.
Rated for operation at frequencies exceeding 2,7 GHz up to and including 6,8 GHz and having any of the following:
Τα ηλεκτρικά στοιχεία αποτελούν τις βασικές μονάδες από τις οποίες συντίθενται οι ηλεκτρικές στήλες.
A peak saturated power output greater than 400 W (56 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.α., "πρωτογενές ηλεκτρικό στοιχείο" είναι κάθε "ηλεκτρικό στοιχείο" που δεν είναι σχεδιασμένο για να φορτίζεται από άλλη πηγή.
A peak saturated power output greater than 205 W (53,12 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.β., "δευτερογενές ηλεκτρικό στοιχείο" είναι κάθε "ηλεκτρικό στοιχείο" σχεδιαζόμενο ώστε να φορτίζεται από εξωτερική πηγή ηλεκτρισμού.
A peak saturated power output greater than 115 W (50,61 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1., η "συνεχής ενεργειακή πυκνότητα" (Wh/kg) υπολογίζεται ως το γινόμενο της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί την προσδιορισμένη μέγιστη τάση εκφόρτισης σε ampere (A) διά τη μάζα σε χιλιόγραμμα.
A peak saturated power output greater than 60 W (47,78 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
Η "συνεχής πυκνότητα ισχύος" αναφέρεται επίσης και ως ειδική ισχύς.
b.
Στο σημείο 3Α001.ε.1 δεν υπάγονται οι μπαταρίες, έστω και αν αποτελούνται από ένα μόνο ηλεκτρικό στοιχείο.
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz and having any of the following:
Πυκνωτές με υψηλή ενεργειακή χωρητικότητα ως εξής:
A peak saturated power output greater than 50 W (47 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz;
ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΤΟ ΣΗΜΕΙΟ 3A201.α και τους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων.
A peak saturated power output greater than 15 W (41,76 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 12 GHz;
α.
A peak saturated power output greater than 40 W (46 dBm) at any frequency exceeding 12 GHz up to and including 16 GHz; or
Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης κάτω από 10 Hz (πυκνωτές μιας κρούσης) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
A peak saturated power output greater than 7 W (38,45 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz;
Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη των 5 kV·
c.
Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη των 250 J/kg· και
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,5 W (27 dBm) at any frequency exceeding 31,8 GHz up to and including 37 GHz;
Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη των 25 kJ·
d.
β.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 1 W (30 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz;
Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης 10 Hz ή παραπάνω (επαναληπτικοί πυκνωτές) και με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
e.
Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη των 50 J/kg·
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (– 70 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz;
Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη των 100 J· και
The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
Κύκλο ζωής για φόρτιση και εκφόρτιση ίσο ή ανώτερο των 10000·
3A001.b.3. includes bare dice, dice mounted on carriers, or dice mounted in packages.
«Υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή που έχουν σχεδιαστεί ειδικά ώστε να φορτίζονται πλήρως, ή να εκφορτίζονται, σε λιγότερο από ένα δευτερόλεπτο με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Some discrete transistors may also be referred to as power amplifiers, but the status of these discrete transistors is determined by 3A001.b.3.
ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3A201.β
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers, that are any of the following:
Στο σημείο 3Α001.ε.3. δεν υπάγονται «υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή που έχουν κατασκευαστεί ειδικά για ιατρικό εξοπλισμό απεικόνισης με τη βοήθεια Μαγνητικού Συντονισμού (Magnetic Resonance Imaging - MRI).
A peak saturated power output greater than 500 W (57 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
α.
A peak saturated power output greater than 270 W (54,3 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
Ενέργεια που αποδίδεται κατά τη διάρκεια της εκφόρτισης η οποία υπερβαίνει τα 10 kJ το πρώτο δευτερόλεπτο·
A peak saturated power output greater than 200 W (53 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
β.
A peak saturated power output greater than 90 W (49,54 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
Εσωτερική διάμετρο των ρευματοφόρων περιελίξεων ανώτερη των 250 mm· και
b.
γ.
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 10 %, and having any of the following:
Ονομαστική μαγνητική επαγωγή άνω των 8 Τ ή «συνολική πυκνότητα ρεύματος» στις περιελίξεις που είναι ανώτερη των 300 A/mm2·
A peak saturated power output greater than 70 W (48,54 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz;
Φωτοβολταϊκά στοιχεία, συναρμολογήματα υαλοκαλυπτρών διασυνδεδεμένων στοιχείων (CIC), φωτοβολταϊκοί επίπεδοι συλλέκτες και φωτοβολταϊκές συστοιχίες, «κατάλληλα για διαστημική χρήση», με ελάχιστη μέση απόδοση άνω του 20 % σε θερμοκρασία λειτουργίας 301 K (28 °C) υπό προσομοιωμένο φωτισμό μηδενικής μάζας αέρα «AM0», με πυκνότητα ακτινοβολίας 1367 watts ανά τετραγωνικό μέτρο (W/m2)·
A peak saturated power output greater than 50 W (47 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 12 GHz;
Ο όρος "μηδενική μάζα αέρα" ("AM0") αναφέρεται στη φασματική πυκνότητα ακτινοβολίας του ηλιακού φωτός στην εξώτερη ατμόσφαιρα της γης, όταν η απόσταση γης-ηλίου είναι μία αστρονομική μονάδα (ΑU). στ. στ.
A peak saturated power output greater than 30 W (44,77 dBm) at any frequency exceeding 12 GHz up to and including 16 GHz; or
Περιστροφικοί κωδικοποιητές τιμής απόλυτης θέσης τύπου εισόδου που έχουν ακρίβεια ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 1,0 δευτερόλεπτο τόξου και ειδικά σχεδιασμένους δακτυλίους, δίσκους ή κλίμακες κωδικοποίησης·
A peak saturated power output greater than 20 W (43 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz;
Συσκευές και «μονάδες» στερεάς κατάστασης με θυρίστορες για την παλμική μεταγωγή ηλεκτρισμού, που χρησιμοποιούν μεθόδους μεταγωγής ελεγχόμενες είτε ηλεκτρικώς, είτε οπτικώς, είτε με ακτινοβολία ηλεκτρονίων και έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 2 W (33 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 30000 A/s και τάση σε κατάσταση σβηστή άνω των 1100 V· ή
e.
Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 2000 A/s και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz and having any of the following:
α.
A peak saturated power output greater than 0,2 W (23 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz up to and including 75 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Ανώτατη τάση σε κατάσταση σβηστή τουλάχιστον 3000 V· και
A peak saturated power output greater than 20 mW (13 dBm) at any frequency exceeding 75 GHz up to and including 90 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 5 %; or
β.
A peak saturated power output greater than 0,1 nW (– 70 dBm) at any frequency exceeding 90 GHz; or
Ρεύμα αιχμής τουλάχιστον 3000 A·
f.
Στο σημείο 3Α001.ζ. περιλαμβάνονται τα ακόλουθα:
Not used
Silicon Controlled Rectifiers (SCR)
For "MMIC" amplifiers see 3A001.b.2.
Electrical Triggering Thyristors (ETT)
For 'transmit/receive modules' and 'transmit modules' see 3A001.b.12.
Light Triggering Thyristors (LTT)
For converters and harmonic mixers, designed to extend the operating or frequency range of signal analysers, signal generators, network analysers or microwave test receivers, see 3A001.b.7.
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCT)
The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
Gate Turn-off Thyristors (GTO)
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs and having any of the following:
MOS Controlled Thyristors (MCT)
a.
Solidtron.
A band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
Στο σημείο 3A001.ζ. δεν υπάγονται οι συσκευές και "μονάδες με θυρίστορες" οι ενσωματωμένες σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικούς σιδηροδρόμους και «πολιτικά αεροσκάφη».
b.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ζ., οι "μονάδες με θυρίστορες" περιέχουν μία ή περισσότερες συσκευές με θυρίστορες.
A band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
η. Διακόπτες, δίοδοι ή «μονάδες» ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης, που έχουν όλα τα ακόλουθα:
Converters and harmonic mixers that are any of the following:
Ονομαστική λειτουργία σε μέγιστη λειτουργική θερμοκρασία άνω των 488 K (215 °C)·
a.
Επαναληπτική ανώτατη τάση αιχμής σε κατάσταση σβηστή (τάση εμπλοκής) που υπερβαίνει τα 300 V· και
Designed to extend the frequency range of "signal analysers" beyond 90 GHz;
Συνεχή ροή μεγαλύτερη από 1 Α.
b.
Η επαναληπτική ανώτατη τάση σε κατάσταση σβηστή στο 3Α001.η περιλαμβάνει τάση υποδοχής-πηγής, τάση από συλλέκτη προς εκπομπό, επαναληπτική ανώτατη αντίστροφη τάση και ανώτατη επαναληπτική τάση εμπλοκής σε κατάσταση σβηστή.
Designed to extend the operating range of signal generators as follows:
Στο σημείο 3Α001.η. περιλαμβάνονται τα ακόλουθα:
Beyond 90 GHz;
Junction Field Effect Transistors (JFET)
To an output power greater than 100 mW (20 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFET)
c.
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFET)
Designed to extend the operating range of network analysers as follows:
Διπολικά τρανζίστορ μονωμένης πύλης (IGBT)
Beyond 110 GHz;
High Electron Mobility Transistors (HEMT)
To an output power greater than 31,62 mW (15 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Bipolar Junction Transistors (BJT)
To an output power greater than 1 mW (0 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 90 GHz but not exceeding 110 GHz; or
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCR)
d.
Gate Turn-Off Thyristors (GTO)
Designed to extend the frequency range of microwave test receivers beyond 110 GHz;
Emitter Turn-Off Thyristors (ETO)
Microwave power amplifiers containing 'vacuum electronic devices' specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Δίοδοι PiN
a.
Δίοδοι Schottky
Operating frequencies above 3 GHz;
Για τους σκοπούς του σημείου 3Α001.η., οι "μονάδες" περιέχουν έναν ή περισσότερους διακόπτες ή διόδους ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης.
b.
θ. Ηλεκτροοπτικοί ρυθμιστές έντασης, εύρους ή φάσης, σχεδιασμένοι για αναλογικά σήματα και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
An average output power to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 10 GHz αλλά κάτω από 20 GHz, οπτική απώλεια παρεμβολής ίση ή μικρότερη των 3 dB και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
c.
α.
A volume of less than 400 cm3;
"Τάση ημίσεως κύματος" ("Vπ") κάτω των 2,7 V, όταν μετράται σε συχνότητα 1 GHz ή χαμηλότερη· ή
3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
β.
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave 'vacuum electronic device', a "monolithic microwave integrated circuit" ("MMIC") and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
"Vπ" κάτω των 4 V, όταν μετράται σε συχνότητα πάνω από 1 GHz· ή
a.
Μέγιστη λειτουργική συχνότητα ίση ή μεγαλύτερη των 20 GHz, οπτική απώλεια παρεμβολής ίση ή μικρότερη των 3 dB και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
A 'turn-on time' from off to fully operational in less than 10 seconds;
"Vπ" κάτω των 3,3 V, όταν μετράται σε συχνότητα 1 GHz ή χαμηλότερη· ή
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
"Vπ" κάτω των 5 V, όταν μετράται σε συχνότητα πάνω από 1 GHz.
An "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax > 2fmin) and having any of the following:
Το σημείο 3Α001.θ. περιλαμβάνει ηλεκτροοπτικούς διαμορφωτές με οπτικές συνδέσεις εισόδου και εξόδου (π.χ. βόστρυχοι οπτικών ινών).
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
Για τους σκοπούς του σημείου 3Α001.θ., "τάση ημίσεως κύματος" ("Vπ") είναι η εφαρμοζόμενη τάση που χρειάζεται για να αλλάξει η τάση κατά 180 μοίρες στο μήκος κύματος του φωτός που διαδίδεται μέσω του οπτικού διαμορφωτή.
A frequency greater than 18 GHz;
«Ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις», μονάδες και εξοπλισμός γενικής χρήσης ως εξής:
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
α.
The' turn-on time' in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
Εξοπλισμός καταγραφής και παλμογράφοι ως εξής:
Oscillators or oscillator assemblies, specified to operate with a single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, less (better) than -(126 + 20log10F - 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz;
Ψηφιακοί καταγραφείς δεδομένων που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
α. διαρκή "συνεχή διεκπεραίωση" τουλάχιστον 6,4 Gbit/s σε δίσκο ή μνήμη στερεάς κατάστασης οδήγησης· και
'Frequency synthesiser' "electronic assemblies" having a "frequency switching time" as specified by any of the following:
β. επεξεργαστή που πραγματοποιεί ανάλυση δεδομένων σήματος ραδιοσυχνότητας ενόσω καταγράφεται·
a.
Για καταγραφείς με αρτηρία (bus) παράλληλης αρχιτεκτονικής, ο ρυθμός "συνεχούς διεκπεραίωσης" είναι ο υψηλότερος ρυθμός λέξεων πολλαπλασιασμένος επί τον αριθμό bits σε μια λέξη.
Less than 143 ps;
«Συνεχής διεκπεραίωση» είναι ο ταχύτερος ρυθμός δεδομένων που μπορεί να καταγράψει το όργανο σε μνήμη δίσκου στερεάς κατάστασης οδήγησης χωρίς απώλεια πληροφοριών, διατηρώντας συγχρόνως τον ρυθμό των ψηφιακών δεδομένων εισόδου ή τον ρυθμό μετατροπής του ψηφιοποιητή.
b.
Παλμογράφοι πραγματικού χρόνου που έχουν πραγματική τιμή (rms) τάσης θορύβου μικρότερη από 2 % της πλήρους κλίμακας στην κάθετη κλίμακα που ορίζει την ελάχιστη τιμή θορύβου για κάθε εύρος ζώνης εισόδου 3dB των 60 GHz και άνω ανά δίαυλο·
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesised frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
Στο σημείο 3A002.α.7. δεν υπάγονται οι παλμογράφοι δειγματοληψίας ισοδύναμου χρόνου.
d.
γ.
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz;
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» ως εξής:
e.
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με διακριτική ικανότητα εύρους ζώνης (RBW) 3 dB άνω των 40 MHz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 31,8 GHz αλλά όχι άνω των 37 GHz·
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesised frequency range exceeding 37 GHz but not exceeding 90 GHz; or
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με αναγραφόμενη μέση στάθμη θορύβου (DANL) κάτω των (καλύτερη από) -150dBm/Hz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz αλλά όχι άνω των 90 GHz·
f.
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με συχνότητα άνω των 90 GHz·
Not used;
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
g.
α.
Less than 1 ms within the synthesized frequency range exceeding 90 GHz;
«Εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου» που υπερβαίνει τα 170 MHz· και
A 'frequency synthesiser' is any kind of frequency source, regardless of the actual technique used, providing a multiplicity of simultaneous or alternative output frequencies, from one or more outputs, controlled by, derived from or disciplined by a lesser number of standard (or master) frequencies.
100 % πιθανότητα ανακάλυψης με μείωση μικρότερη των 3 dB από το πλήρες πλάτος εξαιτίας κενών ή «παραθύρων» (windowing effects) στα σήματα που έχουν διάρκεια 15 μs ή μικρότερη· ή
For general purpose "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» που έχουν λειτουργία «ενεργοποιητή μάσκας συχνότητας» με 100 % πιθανότητα ενεργοποίησης (δέσμευσης) σημάτων διάρκειας 15 μs ή μικρότερη·
'Transmit/receive modules', 'transmit/receive MMICs', 'transmit modules', and 'transmit MMICs', rated for operation at frequencies above 2,7 GHz and having all of the following:
«Εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου» είναι η ευρύτερη περιοχή συχνοτήτων για την οποία ο αναλυτής δύναται να εκτελεί συνεχή πλήρη μετατροπή χρονικών δεδομένων σε αποτελέσματα συχνοτήτων, με τη χρήση μετασχηματισμού διακριτού χρόνου Fourier ή άλλου τύπου χωρίς μείωση της μετρούμενης έντασης μεγαλύτερη των 3 dB κάτω από την πραγματική ένταση του σήματος, η οποία μείωση προκαλείται από κενά ή «παράθυρα» (windowing effects), παράγοντας ή εμφανίζοντας παράλληλα τα μετατρεπόμενα δεδομένα.
a.
Η πιθανότητα ανακάλυψης στο σημείο 3A002.γ.4.β.1. αναφέρεται και ως πιθανότητα αναχαίτισης ή πιθανότητα δέσμευσης.
A peak saturated power output (in watts), Psat, greater than 505,62 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz2] for any channel;
Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.γ.4.β.1, η διάρκεια για πιθανότητα ανακάλυψης 100 % είναι ισοδύναμη με την ελάχιστη διάρκεια σήματος που απαιτείται για την αβεβαιότητα μετρήσεων της προσδιοριζόμενης στάθμης.
b.
«Ενεργοποιητής μάσκας συχνότητας» είναι ο μηχανισμός κατά τον οποίον η λειτουργία ενεργοποίησης δύναται να επιλέγει ένα εύρος συχνοτήτων προκειμένου αυτό να ενεργοποιηθεί ως υποσύνολο του εύρους ζώνης απόκτησης, αγνοώντας παράλληλα άλλα σήματα που ίσως είναι επίσης παρόντα εντός του ιδίου εύρους ζώνης απόκτησης.
A "fractional bandwidth" of 5 % or greater for any channel;
Ο «ενεργοποιητής μάσκας συχνότητας» ίσως περιλαμβάνει περισσότερα του ενός ανεξάρτητα σύνολα ορίων.
c.
Στο σημείο 3Α002.γ.4 δεν υπάγονται τα «συστήματα ανάλυσης σημάτων» που χρησιμοποιούν μόνο φίλτρα σταθερού ποσοστιαίου εύρους ζώνης (γνωστά και σαν φίλτρα οκτάβας ή κλασματικής οκτάβας).
Any planar side with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15cm*GHz*N/fGHz] where N is the number of transmit or transmit/receive channels; and
δ. Γεννήτριες σημάτων με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
d.
Προδιαγεγραμμένες για την παραγωγή σημάτων διαμόρφωσης παλμών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 31,8 GHz και έως και 37 GHz·
An electronically variable phase shifter per channel.
α.
A 'transmit/receive module': is a multifunction "electronic assembly" that provides bi-directional amplitude and phase control for transmission and reception of signals.
«Διάρκεια παλμού» κάτω των 25 ns· και
A 'transmit module': is an "electronic assembly" that provides amplitude and phase control for transmission of signals.
β.
A 'transmit/receive MMIC': is a multifunction "MMIC" that provides bi-directional amplitude and phase control for transmission and reception of signals.
Αναλογία on/off ίση ή ανώτερη των 65 dB·
A 'transmit MMIC': is a "MMIC" that provides amplitude and phase control for transmission of signals.
Ισχύ εξόδου άνω των 100 mW (20 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz και έως και 90 GHz·
2,7 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.12.c. for transmit/receive or transmit modules that have a rated operation range extending downward to 2.7 GHz and below [d≤15cm*GHz*N/2,7 GHz].
«Χρόνο μεταγωγής συχνότητας» προσδιοριζόμενο από οποιοδήποτε από τα εξής:
3A001.b.12. applies to 'transmit/receive modules' or 'transmit modules' with or without a heat sink.
β.
The value of d in 3A001.b.12.c. does not include any portion of the 'transmit/receive module' or 'transmit module' that functions as a heat sink.
Κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός του φάσματος συχνοτήτων άνω των 4,8 GHz και έως και 31,8 GHz·
'Transmit/receive modules', or 'transmit modules', or 'transmit/receive MMICs' or 'transmit MMICs' may or may not have N integrated radiating antenna elements where N is the number of transmit or transmit/receive channels.
δ. Κάτω των 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός του φάσματος συχνοτήτων άνω των 31,8 GHz και έως και 37 GHz· ή
c.
ε.
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
Κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός του φάσματος συχνοτήτων άνω των 37 GHz και έως και 90 GHz· στ.
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, που ορίζεται ως ακολούθως:
a.
α.
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
Κάτω (καλύτερο) των – (126 + 20log10F - 20log10f) οπουδήποτε εντός της ζώνης των 10 Hz < F < 10 kHz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 3,2 GHz αλλά όχι άνω των 90 GHz· ή
b.
β.
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
Κάτω (καλύτερο) των -(206- 20log10f) οπουδήποτε εντός της ζώνης των 10 kHz < F < 100 kHz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 3,2 GHz αλλά όχι άνω των 90 GHz· ή
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB;
Στο 3Α002.δ.4., F είναι η απόκλιση από τη συχνότητα λειτουργίας σε Hz και f είναι η συχνότητα λειτουργίας σε MHz.
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
Μέγιστη συχνότητα αντιστροφής άνω των 90 GHz·
A bandwidth greater than 250 MHz; or
Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.δ., στις γεννήτριες σημάτων περιλαμβάνονται οι γεννήτριες σημάτων τυχούσας κυματομορφής και συνάρτησης.
A dispersive delay of more than 10 μs; or
Στο σημείο 3Α002.δ. δεν υπάγεται ο εξοπλισμός στον οποίο η συχνότητα εξόδου παράγεται, είτε μέσω της πρόσθεσης ή αφαίρεσης δύο ή περισσοτέρων συχνοτήτων που παράγει κρυσταλλικός ταλαντωτής, είτε από την πρόσθεση ή αφαίρεση την οποία ακολουθεί πολλαπλασιασμός του αποτελέσματος.
c.
Η μέγιστη συχνότητα μιας γεννήτριας σημάτων τυχούσας κυματομορφής ή συνάρτησης υπολογίζεται διαιρώντας τον ρυθμό δειγματοληψίας, σε δείγματα ανά δευτερόλεπτο, με συντελεστή 2,5.
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.δ.1.α, η "διάρκεια παλμού" ορίζεται ως το χρονικό διάστημα από το σημείο του πρόσθιου άκρου που αντιστοιχεί στο 50 % του πλάτους του παλμού έως το σημείο του οπίσθιου άκρου που αντιστοιχεί στο 50 % του πλάτους του παλμού.
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
ε.
'Frequency side-lobe rejection' is the maximum rejection value specified in data sheet.
Αναλυτές δικτύου με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;