natgillin/translations-raw huggingface dataset:
β.
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
Ένα ή περισσότερα εσωτερικά δομικά στοιχεία για την ανίχνευση φωτός· και
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
γ.
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
Οπτικούς κυματοδηγούς·
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices) που έχουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
α.
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
Μέγιστο αριθμό μονοτερματικών ψηφιακών εισόδων/εξόδων μεγαλύτερο από 700· ή
"Technology" for depositing diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
β.
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
«Αθροιστικό ρυθμό δεδομένων κορυφής σειριακού πομποδέκτη μονής κατεύθυνσης» ίσο ή μεγαλύτερο από 500 Gb/s·
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
Το σημείο 3Α001.α.7 περιλαμβάνει:
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
Τις πολύπλοκες προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (CPLD)
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - TECHNICAL NOTE
Τις προγραμματιζόμενες διατάξεις θυρών πεδίου (FPGA)
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Τις προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις θυρών πεδίου (FPLA)
a.
Τους προγραμματιζόμενους διασυνδέσμους θυρών πεδίου (FPIC)
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Για ολοκληρωμένα κυκλώματα που περιέχουν προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου που συνδυάζονται με μετατροπέα αναλογικού σε ψηφιακό, βλέπε 3A001.a.14.
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
Ο μέγιστος αριθμός ψηφιακών εισόδων/εξόδων στο 3Α001.α.7.α αναφέρεται επίσης ως μέγιστος αριθμός εισόδων/εξόδων χρήστη ή μέγιστος αριθμός διαθέσιμων εισόδων/εξόδων, είτε το ολοκληρωμένο κύκλωμα είναι συσκευασμένο είτε σκέτη ψηφίδα (bare die).
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
«Αθροιστικός ρυθμός δεδομένων κορυφής σειριακού πομποδέκτη μονής κατεύθυνσης» είναι το γινόμενο του ρυθμού δεδομένων κορυφής σειριακού πομποδέκτη μονής κατεύθυνσης επί τον αριθμό των πομποδεκτών στην FPGA.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Ολοκληρωμένα κυκλώματα νευρωνικών δικτύων·
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε ο κατασκευαστής αγνοεί τη διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα και τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Πάνω από 1500 τερματικές ακίδες·
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
β.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
Χαρακτηριστικό «βασικό χρόνο διαβάσεως πύλης» χαμηλότερο από 0,02 ns· ή
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
γ.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
Συχνότητα λειτουργίας που ξεπερνά τα 3 GHz·
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα, εκτός αυτών που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3 έως 3Α001.α.10 και 3Α001.α.12, που έχουν κατασκευαστεί από οποιονδήποτε μικτό ημιαγωγό και παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Specific TE-PVD processes are as follows:
α.
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
Ισοδύναμο χρησιμοποιήσιμο αριθμό θυρών μεγαλύτερο από 3000 (για 2 θύρες εισόδου)· ή
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
β.
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Συχνότητα αντιστροφής (toggle frequency) άνω των 1,2 GHz·
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
Επεξεργαστές ταχέως μετασχηματισμού Fourier (Fast Fourier Transform - FFT) με ονομαστικό χρόνο εκτέλεσης για σύνθετο FFT Ν σημείων, κάτω του (N log2 N)/20 480 ms, όπου N είναι ο αριθμός των σημείων·
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
Όταν Ν = 1024 σημεία, ο τύπος του σημείου 3Α001.α.12 δίνει χρόνο εκτέλεσης 500 μs.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Ολοκληρωμένα κυκλώματα άμεσου ψηφιακού συνθεσιοποιητή (Direct Digital Synthesizer – DDS), με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
α.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Συχνότητα χρονισμού μετατροπέα ψηφιακού σε αναλογικό (DAC) ίση ή μεγαλύτερη από 3,5 GHz και διακριτική ικανότητα DAC ίση ή μεγαλύτερη από 10 bit, αλλά μικρότερη από 12 bit· ή
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
β.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Συχνότητα χρονισμού DAC ίση ή μεγαλύτερη από 1,25 GHz και διακριτική ικανότητα DAC ίση ή μεγαλύτερη από 12 bit·
c.
Η συχνότητα χρονισμού DAC μπορεί να προσδιοριστεί ως η κύρια συχνότητα χρονισμού ή η συχνότητα χρονισμού εισαγωγής.
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Ολοκληρωμένα κυκλώματα που εκτελούν ή είναι προγραμματισμένα να εκτελούν όλα τα ακόλουθα:
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
α.
An activator (normally a halide salt); and
Μετατροπές αναλογικού σε ψηφιακό που πληρούν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:
An inert powder, most frequently alumina.
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit αλλά μικρότερη των 10 bit, με «ρυθμό δείγματος» μεγαλύτερο των 1,3 γιγαδειγμάτων ανά δευτερόλεπτο (GSPS)·
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit αλλά μικρότερη των 12 bit, με «ρυθμό δείγματος» μεγαλύτερο του 1,0 ΜSPS·
d.
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 12 bit αλλά μικρότερη των 14 bit, με «ρυθμό δείγματος» μεγαλύτερο του 1,0 ΜSPS·
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 14 bit αλλά μικρότερη των 16 bit, με «ρυθμό δείγματος» μεγαλύτερο των 400 μεγαδειγμάτων ανά δευτερόλεπτο (ΜSPS)· ή
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Διακριτική ικανότητα 16 bit και άνω με «προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης» άνω των 180 MSPS· και
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
β.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Οποιοδήποτε από τα εξής:
e.
Αποθήκευση ψηφιοποιημένων δεδομένων· ή
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Επεξεργασία ψηφιοποιημένων δεδομένων·
f.
Για ολοκληρωμένα κυκλώματα μετατροπέα αναλογικού σε ψηφιακό βλέπε 3A001.a.5.a.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Για προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου βλέπε 3A001.a.7.
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Τεχνικές σημειώσεις:
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Διακριτική ικανότητα n bit αντιστοιχεί σε κβάντωση 2n σταθμών.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Η διακριτική ικανότητα του ADC είναι ο αριθμός των bit της ψηφιακής εξόδου του ADC που αντιπροσωπεύει τη μετρούμενη αναλογική είσοδο.
g.
Για ολοκληρωμένα κυκλώματα με μη αλληλένθετους «ADC πολλαπλών διαύλων», ο «ρυθμός δείγματος» δεν αθροίζεται και ο «ρυθμός δείγματος» αποτελεί τον μεγαλύτερο ρυθμό των επί μέρους διαύλων.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Για ολοκληρωμένα κυκλώματα με «αλληλένθετους ADC» ή με «ADC πολλαπλών διαύλων» που προσδιορίζονται ως έχοντες αλληλένθετη λειτουργία, ο «ρυθμός δείγματος» αθροίζεται και ο «ρυθμός δείγματος» αποτελεί τον μέγιστο συνδυασμένο συνολικό ρυθμό όλων των αλληλένθετων διαύλων.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
β.
CATEGORY 3 — ELECTRONICS
Στοιχεία μικροκυμάτων ή χιλιοστομετρικών κυμάτων, ως εξής:
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., or 3A001.a.12. to 3A001.a.14., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.β, η κορεσμένη ισχύς εξόδου κορυφής παραμέτρων μπορεί να αναφερθεί επίσης στα φύλλα δεδομένων των προϊόντων ως ισχύς εξόδου, κορεσμένη ισχύς εξόδου, μέγιστη κορεσμένη ισχύς εξόδου, ισχύς εξόδου κορυφής, ή ισχύς εξόδου περιβάλλουσας κορυφής.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., or 3A001.a.12. to 3A001.a.14. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Για τον σκοπό (προς εφαρμογή) της 3Α001.β.1, "ηλεκτρονικές διατάξεις κενού" είναι ηλεκτρονικές διατάξεις που βασίζονται στην αλληλεπίδραση δέσμης ηλεκτρονίων με ηλεκτρομαγνητικό κύμα το οποίο διαδίδεται σε ένα κύκλωμα κενού ή αλληλεπιδρά με συντονιστές κοιλότητας κενού που λειτουργούν στην περιοχή των ραδιο-συχνοτήτων.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., and 3A001.a.12. to 3A001.a.14.
Οι "ηλεκτρονικές διατάξεις κενού" περιλαμβάνουν διατάξεις κλείστρον, σωλήνες μετάδοσης κύματος και τα παράγωγά τους.
Electronic items as follows:
"Ηλεκτρονικές συσκευές κενού" και καθοδικές λυχνίες, ως εξής:
a.
Στο σημείο 3Α001.β.1. δεν υπάγονται οι "ηλεκτρονικές συσκευές κενού" που έχουν σχεδιαστεί ή καθορίζονται για λειτουργία σε ζώνες συχνοτήτων και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
General purpose integrated circuits, as follows:
Δεν υπερβαίνουν τα 31,8 GHz, και
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.
Integrated circuits include the following types:
Στο σημείο 3Α001.β.1, δεν υπάγονται οι «ακατάλληλες για διαστημική χρήση» "ηλεκτρονικές συσκευές κενού" που έχουν όλα τα παρακάτω:
"Monolithic integrated circuits";
Μέση ισχύ εξόδου το πολύ 50 W, και και
"Hybrid integrated circuits";
Σχεδιασμένες ή καθορισμένες για λειτουργία σε οποιαδήποτε ζώνη συχνοτήτων που έχει όλα τα παρακάτω:
"Multichip integrated circuits";
Υπερβαίνει τα 31,8 GHz αλλά δεν υπερβαίνει τα 43,5 GHz, και
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
α.
"Optical integrated circuits";
"Ηλεκτρονικές συσκευές κενού" οδεύοντος κύματος, παλμικές ή συνεχούς κύματος, ως εξής:
"Three dimensional integrated circuits";
Συσκευές που λειτουργούν σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz·
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" ("MMICs").
Συσκευές που έχουν στοιχείο θέρμανσης καθόδου με χρόνο ανύψωσης ισχύος έως την καθορισμένη ισχύ ραδιοσυχνότητας μικρότερο από 3 δευτερόλεπτα·
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Συζευγμένες συσκευές κοιλοτήτων ή παράγωγά τους, με «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 7 % ή ισχύ αιχμής άνω των 2,5 kW·
a.
Διατάξεις βασισμένες σε κυκλώματα κυματοδηγών ελικοειδούς μορφής, μορφής διπλωμένου κυματοδηγού, μορφής σερπαντίνας ή και παραγώγων των μορφών αυτών, τα οποία διαθέτουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
«Στιγμιαίο εύρος ζώνης» άνω της μιας οκτάβας και γινόμενο μεταξύ της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και της συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) ανώτερο από 0,5·
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
«Στιγμιαίο εύρος ζώνης» το πολύ μια οκτάβα, και γινόμενο της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kW) και συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) πάνω από 1·
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
γ.
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Είναι «κατάλληλες για διαστημική χρήση»· ή
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitised data, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, Static Random-Access Memories (SRAMs), or 'non-volatile memories', having any of the following:
δ. Διαθέτουν εκπομπούς ηλεκτρονίων με πλέγματα·
a.
Συσκευές με «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
α. δακτυλιοειδή δέσμη ηλεκτρονίων·
b.
β. μη συμμετρική προς άξονα δέσμη ηλεκτρονίων· ή
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
γ. πολλαπλές δέσμες ηλεκτρονίων
c.
β.
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
Ενισχυτικές "ηλεκτρονικές συσκευές κενού" διασταυρωμένου πεδίου με απολαβή άνω των 17 dB.
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
γ.
'Non-volatile memories' are memories with data retention over a period of time after a power shutdown.
Θερμιονικές κάθοδοι (impregnated cathodes) για "ηλεκτρονικές συσκευές κενού" που παράγουν σταθερή πυκνότητα ροής ρεύματος σε συνθήκες προκαθορισμένης λειτουργίας η οποία ξεπερνά τα 5 A/cm2 ή παλμική (μη συνεχή) πυκνότητα ροής ρεύματος σε ονομαστικές συνθήκες λειτουργίας που ξεπερνούν τα 10 A/cm2·
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
δ.
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
"Ηλεκτρονικές συσκευές κενού" με την ικανότητα να λειτουργούν σε "διπλό ρυθμό".
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
"Διπλού ρυθμού" σημαίνει ότι το ρεύμα της "ηλεκτρονικής διάταξης κενού" μπορεί να αλλάξει κατά βούληση μεταξύ της λειτουργίας συνεχούς κύματος και της παλμικής λειτουργίας με τη χρήση ενός πλέγματος και ότι παράγει έναν παλμό εξόδου κορυφής μεγαλύτερης ισχύος από την ισχύ εξόδου του συνεχούς κύματος.
a.
Ενισχυτές με «μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» μικροκυμάτων (MMIC), με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
ADCs having any of the following:
Για ενισχυτές «MMIC» με ολοκληρωμένο μετατοπιστή φάσης, βλέπε 3A001.β.12.
SEE ALSO 3A101
α.
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with a "sample rate" greater than 1,3 Giga Samples Per Second (GSPS);
Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz έως και 6,8 GHz, «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 15 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with a "sample rate" greater than 600 Mega Samples Per Second (MSPS);
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 75 W (48,75 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz·
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with a "sample rate" greater than 400 MSPS;
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 55 W (47,4 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz·
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with a "sample rate" greater than 250 MSPS; or
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 40 W (46 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz· ή
A resolution of 16 bit or more with a "sample rate" greater than 65 MSPS;
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 W (43 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz·
For integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitized data, see 3A001.a.14.
β.
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 16 GHz, «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
The resolution of the ADC is the number of bits of the digital output that represents the measured analogue input.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 10 W (40 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz· ή
Effective Number of Bits (ENOB) is not used to determine the resolution of the ADC.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 5 W (37 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 16 GHz·
For "multiple channel ADCs", the "sample rate" is not aggregated and the "sample rate" is the maximum rate of any single channel.
γ.
For "interleaved ADCs" or for "multiple channel ADCs" that are specified to have an interleaved mode of operation, the "sample rates" are aggregated and the "sample rate" is the maximum combined total rate of all of the interleaved channels.
Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 3 W (34,77 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %·
b.
δ. Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 nW (–70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 31,8 GHz έως και 37 GHz·
Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
ε.
A resolution of 10 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 3500 MSPS; or
Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 1 W (30 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %· στ.
A resolution of 12 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 1250 MSPS and having any of the following:
Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 31,62 mW (15 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz έως και 75 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %·
a.
ζ.
A settling time less than 9 ns to arrive at or within 0,024 % of full scale from a full scale step; or
Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 10 mW (10 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 75 GHz έως και 90 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 5 %· ή
b.
η. Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 nW (–70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 90 GHz·
A 'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
Δεν χρησιμοποιείται.
'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.2.α έως 3Α001.β.2.η, καθορίζεται βάσει του κατωφλίου ελάχιστης κορεσμένης ισχύος εξόδου κορυφής.
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
Οι σημειώσεις 1 και 2 στο κεφάλαιο 3A σημαίνουν ότι στο σημείο 3A001.β.2 δεν υπάγονται τα μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων όταν είναι ειδικά σχεδιασμένα για άλλες εφαρμογές, όπως π.χ. τηλεπικοινωνίες, ραντάρ, αυτοκίνητα.
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than -3 dBfs (full scale).