natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Τα "διηλεκτρικά στρώματα" είναι επιχρίσματα που συγκροτούνται από πολλαπλές επιστρώσεις μονωτικών υλικών και στα οποία οι ιδιότητες συμβολής μιας διάταξης υλικών με διάφορους δείκτες διαθλάσεως, χρησιμοποιούνται για την ανάκλαση, τη μετάδοση ή την απορρόφηση διαφόρων ζωνών μήκους κύματος.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 or 2B227.
Τα διηλεκτρικά στρώματα αναφέρονται σε περισσότερες από τέσσερις διηλεκτρικές επιστρώσεις ή «σύνθετες» επιστρώσεις διηλεκτρικού υλικού/μετάλλου.
"Software" specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 2B201.
Στα "επιστοιχειωμένα καρβίδια του βολφραμίου" δεν περιλαμβάνονται τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης από καρβίδιο του βολφραμίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του τιτανίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του χρωμίου/νικελιοχρώμιο και καρβίδιο του χρωμίου/νικέλιο.
2D202 does not control part programming "software" that generates "numerical control" command codes but does not allow direct use of equipment for machining various parts.
Δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για την εναπόθεση αδαμαντοειδούς άνθρακα σε οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
"Software", other than that specified in 1D003, specially designed for "use" of equipment specified in 2B351.
οδηγοί και κεφαλές μαγνητικών δίσκων, εξοπλισμός για την κατασκευή ειδών μιας χρήσης, βαλβίδες στροφίγγων, ακουστικά διαφράγματα μεγαφώνων, εξαρτήματα κινητήρων αυτοκινήτων, κοπτικά εργαλεία, διατμητικές και κοιλαντικές μήτρες, εξοπλισμός πληρογραφικής, μικρόφωνα ή ιατροτεχνολογικά βοηθήματα, ή καλούπια, για τη χύτευση ή το καλούπωμα πλαστικών, κατασκευασμένα από κράματα με περιεκτικότητα σε βηρύλλιο κάτω του 5 %.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software" specified in 2A, 2B or 2D.
Το "καρβίδιο του πυριτίου" δεν περιλαμβάνει τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης.
2E001 includes "technology" for the integration of probe systems into coordinate measurement machines specified in 2B006.a.
Ο όρος «κεραμικά υποστρώματα», όπως χρησιμοποιείται στο σημείο αυτό, δεν περιλαμβάνει τα κεραμικά υλικά με περιεκτικότητα τουλάχιστον 5 % σε άργιλο ή τσιμέντο, είτε χωριστά είτε σε συνδυασμό.
"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 2A or 2B.
ΠΙΝΑΚΑΣ — ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΕΝΑΠΟΘΕΣΗΣ — ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΗΜΕΙΩΣΗ
Other "technology", as follows:
Οι ορισμοί των μεθόδων που καθορίζονται στη στήλη 1 του πίνακα είναι οι εξής:
b.
α.
"Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:
Η εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD) είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση ή με τροποποίηση επιφανειών, κατά την οποία ένα μέταλλο, κράμα, «σύνθετο υλικό», διηλεκτρικό υλικό ή κεραμικό υλικό εναποτίθεται σε θερμαινόμενο υπόστρωμα.
"Technology" for the design of tools, dies or fixtures specially designed for any of the following processes:
Τα αέρια αντιδρώντα στρώματα διασπώνται ή ενώνονται κοντά στο υπόστρωμα, με αποτέλεσμα την εναπόθεση σε αυτό του επιθυμητού υλικού — χημικού στοιχείου, κράματος ή ένωσης.
a.
Η απαιτούμενη ενέργεια για την παραπάνω διεργασία διάσπασης ή χημικής αντίδρασης παρέχεται από τη θερμότητα του υποστρώματος, από πλάσμα εκκένωσης αίγλης ή με ακτινοβόληση με «λέιζερ».
"Superplastic forming";
Στην τεχνική CVD περιλαμβάνονται οι ακόλουθες μέθοδοι: εναπόθεση εκτός στήλης με κατευθυνόμενη ροή αερίου, παλμική CVD, θερμική εναπόθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως (CNTD), CVD βελτιωμένη ή υποβοηθούμενη από πλάσμα.
b.
Ο όρος «στήλη» σημαίνει ότι το υπόστρωμα είναι βυθισμένο σε μείγμα κόνεων.
"Diffusion bonding"; or
Τα αέρια αντιδρώντα σώματα που χρησιμοποιούνται στην τεχνική εκτός στήλης σχηματίζονται με τις ίδιες βασικές αντιδράσεις και παραμέτρους όπως και στην τεχνική επιστοιχείωσης (ενανθράκωσης) σε στήλη, εκτός από το ότι το προς επίχριση υπόστρωμα δεν έρχεται σε επαφή με το μείγμα κόνεων.
c.
β.
'Direct-acting hydraulic pressing';
Η εναπόθεση ατμών με φυσικές μεθόδους θερμικής εξάτμισης (ΤΕ-PVD) είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, η οποία πραγματοποιείται σε θάλαμο κενού με πίεση μικρότερη από 0,1 Pa και κατά την οποία χρησιμοποιείται πηγή θερμικής ενέργειας για την εξάτμιση του επιχριστικού υλικού.
Technical data consisting of process methods or parameters as listed below used to control:
Η διεργασία αυτή έχει ως αποτέλεσμα τη συμπύκνωση ή την εναπόθεση των εξατμισμένων σωματιδίων σε καταλλήλως τοποθετημένα υποστρώματα.
a.
Η προσθήκη αερίων στον θάλαμο κενού κατά τη διάρκεια της επίχρισης για τη δημιουργία σύνθετων επιχρισμάτων αποτελεί συνήθη παραλλαγή της μεθόδου.
"Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
Συνήθης επίσης τροποποίηση αυτής της τεχνικής είναι η χρήση δέσμης ιόντων ή ηλεκτρονίων, ή και πλάσματος, για την ενεργοποίηση ή τη διευκόλυνση της εναπόθεσης του επιχρίσματος.
Surface preparation;
Ένα επιπλέον γνώρισμα αυτών των διεργασιών μπορεί να είναι η χρήση συσκευών παρακολούθησης (monitor) για την κατά τη διεργασία μέτρηση των οπτικών χαρακτηριστικών και του πάχους του επιχρίσματος.
Strain rate;
Ειδικότερα, οι μέθοδοι TE-PVD είναι οι εξής:
Temperature;
Στην PVD δέσμης ηλεκτρονίων χρησιμοποιείται δέσμη ηλεκτρονίων για τη θέρμανση και την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα·
Pressure;
Στην υποβοηθούμενη από ιόντα PVD θέρμανση με ηλεκτρική αντίσταση χρησιμοποιούνται πηγές θερμότητας με ηλεκτρική αντίσταση, σε συνδυασμό με μία ή περισσότερες προσπίπτουσες δέσμες ιόντων, ικανές να δημιουργούν ελεγχόμενο και ομοιόμορφο ρεύμα εξατμισμένων επιχριστικών σωματιδίων·
b.
Στην εξάτμιση με «λέιζερ» χρησιμοποιούνται δέσμες «λέιζερ» παλμικού ή συνεχούς κύματος για την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα·
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
Στην εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου χρησιμοποιείται αναλώσιμη κάθοδος από το υλικό που σχηματίζει το επίχρισμα, στης οποίας την επιφάνεια προκαλείται μονίμως εκκένωση τόξου με τη στιγμιαία επαφή πολυδονητή (κύκλωμα σκανδάλης).
c.
Η ελεγχόμενη κίνηση του σχηματισμού του τόξου διαβρώνει την επιφάνεια της καθόδου δημιουργώντας εξαιρετικά ιονισμένο πλάσμα.
'Direct-acting hydraulic pressing'of aluminium alloys or titanium alloys:
Ως άνοδος χρησιμοποιείται είτε ένας κώνος, συνδεδεμένος με την περιφέρεια της καθόδου μέσω μονωτικού υλικού, είτε ο θάλαμος.
Cycle time;
Για εναπόθεση χωρίς σκοπευτικό άξονα χρησιμοποιείται πόλωση του υποστρώματος.
d.
Ο ορισμός αυτός δεν περιλαμβάνει την τυχαία εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου με μη πολωμένα υποστρώματα.
'Hot isostatic densification' of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
Η ιοντική επιμετάλλωση αποτελεί ειδική τροποποίηση της γενικής τεχνικής ΤΕ-PVD, κατά την οποία χρησιμοποιείται πηγή πλάσματος ή ιόντων για τον ιονισμό των προς εναπόθεση σωματιδίων ενώ στο υπόστρωμα εφαρμόζεται αρνητικό δυναμικό πολώσεως για να διευκολυνθεί η έξοδος των σωματιδίων από το πλάσμα.
'Direct-acting hydraulic pressing' is a deformation process which uses a fluid-filled flexible bladder in direct contact with the workpiece.
Η εισαγωγή δραστικών σωματιδίων, η εξάτμιση στερεών μέσα στο θάλαμο εργασίας, καθώς και η χρήση συσκευών παρακολούθησης (monitor) για την κατά τη διεργασία μέτρηση των οπτικών χαρακτηριστικών και του πάχους των επιχρισμάτων, αποτελούν συνήθεις παραλλαγές της τεχνικής.
'Hot isostatic densification' is a process of pressurising a casting at temperatures exceeding 375 K (102 °C) in a closed cavity through various media (gas, liquid, solid particles, etc.) to create equal force in all directions to reduce or eliminate internal voids in the casting
Η επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη είναι μέθοδος επίχρισης με τροποποίηση επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία το υπόστρωμα βυθίζεται σε μίγμα κόνεων (στήλη) αποτελούμενο από:
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
τις κόνεις των μετάλλων που πρόκειται να εναποτεθούν (συνήθως αργίλιο, χρώμιο, πυρίτιο ή συνδυασμοί αυτών)·
e.
έναν ενεργοποιητή (συνήθως αλογονούχο άλας)· και
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
μία αδρανή κόνι, ως επί το πλείστον αλουμίνα.
f.
Το μίγμα υποστρώματος και κόνεων περιέχεται σε κάμινο κέρατος, που θερμαίνεται σε θερμοκρασία μεταξύ 1030 Κ (757 °C) και 1375 K (1102 °C) για όσο χρόνο απαιτεί η εναπόθεση του επιχρίσματος.
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
δ. Ψεκασμός πλάσματος είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, κατά την οποία τα επιχριστικά υλικά, σε μορφή κόνεως ή σύρματος, εισάγονται σε πιστόλι (δαυλό ψεκασμού) που παράγει πλάσμα και το ελέγχει, τήκονται και εκσφενδονίζονται από αυτό προς το υπόστρωμα, όπου σχηματίζουν άρρηκτα συνδεδεμένο επίχρισμα.
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
Πρόκειται για ψεκασμό πλάσματος είτε χαμηλής πιέσεως είτε υψηλής ταχύτητας.
This table should be read to specify the "technology" for a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
Χαμηλή πίεση σημαίνει χαμηλότερη από την ατμοσφαιρική πίεση περιβάλλοντος.
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
Η υψηλή ταχύτητα αναφέρεται σε ταχύτητες αερίου στην έξοδο του ακροφυσίου υψηλότερες από 750 m/s υπολογιζόμενες σε θερμοκρασία 293 Κ (20 °C) και πίεση 0,1 MPa.
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
ε.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
Εναπόθεση πολτού είναι τεχνική επίχρισης με τροποποίηση επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία σχηματίζεται εναιώρημα μεταλλικής ή κεραμικής κόνεως με οργανικό συνδετικό υλικό σε υγρό, το εναιώρημα αυτό εφαρμόζεται στο υπόστρωμα με ψεκασμό, εμβάπτιση ή βαφή και ακολουθεί ξήρανση στον αέρα ή σε κλίβανο και θερμική κατεργασία για την επίτευξη του επιθυμητού επιχρίσματος. στ.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
Εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, που βασίζεται σε ένα φαινόμενο μεταφοράς ορμής και κατά την οποία θετικά ιόντα επιταχύνονται από ηλεκτρικό πεδίο προς την επιφάνεια του στόχου (επιχριστικό υλικό).
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
Η κινητική ενέργεια των προσπιπτόντων ιόντων αρκεί για να προκαλέσει την ελευθέρωση των ατόμων της επιφάνειας του στόχου και την εναπόθεσή τους σε καταλλήλως τοποθετημένο υπόστρωμα.
Table
Ο πίνακας αναφέρεται μόνο στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης τριόδου, μαγνήτρου ή χημικής αντίδρασης, που χρησιμοποιείται για την αύξηση της πρόσφυσης του επιχρίσματος και της ταχύτητας εναπόθεσης, και στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης ενισχυμένης με ραδιοσυχνότητες (RF), που χρησιμοποιείται για να επιτρέπει την εξάτμιση μη μεταλλικών επιχριστικών υλικών.
Deposition techniques
Για την ενεργοποίηση της εναπόθεσης είναι δυνατόν να χρησιμοποιούνται δέσμες ιόντων χαμηλής ενέργειας (κάτω των 5 keV)
Coating Process (1)
ζ.
Substrate
Εμφύτευση ιόντων είναι τεχνική επίχρισης με τροποποίηση επιφανειών, κατά την οποία το προς κραματοποίηση στοιχείο ιονίζεται, επιταχύνεται μέσω διαβαθμιζόμενου δυναμικού και εμφυτεύεται στην επιφάνεια του υποστρώματος.
Resultant Coating
Ο ορισμός αυτός περιλαμβάνει μεθόδους στις οποίες η εμφύτευση ιόντων πραγματοποιείται ταυτόχρονα με εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο δέσμης ηλεκτρονίων ή εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης.
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 3 — ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
"Superalloys"
Η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού και των κατασκευαστικών μερών που περιγράφονται στο σημείο 3Α001 ή 3Α002, εκτός από όσα περιγράφονται στα σημεία 3A001.α.3 έως 3Α001.α.10 ή 3Α001.α.12 έως 3A001.a.14, που έχουν σχεδιαστεί ειδικά, ή έχουν τα ίδια λειτουργικά χαρακτηριστικά όπως ο υπόλοιπος εξοπλισμός, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού.
Aluminides for internal passages
Η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.9, ή 3A001.α.12 έως 3A001.a.14, τα οποία έχουν προγραμματιστεί χωρίς δυνατότητα αλλαγής ή έχουν σχεδιαστεί για μια επιμέρους λειτουργία άλλου εξοπλισμού, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού.
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
Όταν ο κατασκευαστής ή αυτός που υποβάλλει την αίτηση δεν μπορεί να καθορίσει τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού, η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων καθορίζεται στα σημεία 3Α001.a.3. έως 3Α001.a.9. και 3Α001.a.12 έως 3A001.a.14.
Silicides
Ηλεκτρονικά στοιχεία ως εξής:
Carbides
α.
Dielectric layers (15)
Ολοκληρωμένα κυκλώματα για γενικούς σκοπούς, ως εξής:
Diamond
Η διαβάθμιση ελέγχου των πλακιδίων (που έχουν υποστεί φινίρισμα ή όχι), στα οποία έχει καθοριστεί η λειτουργία, πρέπει να ελεγχθεί με τις παραμέτρους του σημείου 3Α001.α.
Diamond-like carbon (17)
Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα περιλαμβάνουν τους ακόλουθους τύπους:
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"
«Μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα»·
Refractory metals
«Υβριδικά ολοκληρωμένα κυκλώματα»·
Mixtures thereof (4)
«Ολοκληρωμένα κυκλώματα πολλαπλών μικροπλακετών»·
Aluminides
«Ολοκληρωμένα κυκλώματα τύπου φιλμ», που περιλαμβάνουν ολοκληρωμένα κυκλώματα με πυρίτιο πάνω σε σάπφειρο·
Alloyed aluminides (2)
«Οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα»·
Boron nitride
«Τρισδιάστατα ολοκληρωμένα κυκλώματα»·
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
«Μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων» («MMIC»).
Tungsten
Ολοκληρωμένα κυκλώματα σχεδιασμένα ή καθορισμένα, ώστε να αντέχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Molybdenum and Molybdenum alloys
Ακτινοβολία, συνολικής δόσης τουλάχιστον 5 × 103 Gy (πυρίτιο)·
Sensor window materials (9)
Διαταραχή ρυθμού ακτινοβολίας τουλάχιστον 5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s· ή
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
γ.
Alloyed silicides
Ολοκληρωμένη ροή νετρονίων (ισοδύναμο 1 MeV) τουλάχιστον 5 × 1313 n/cm2 σε πυρίτιο, και το αντίστοιχο σε άλλα υλικά·
Modified zirconia (12)
Στο σημείο 3A001.α.1.γ δεν υπάγονται οι μεταλλομονωτικοί ημιαγωγοί (MSI).
Corrosion resistant steel (7)
«Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές», «μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών» και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό, μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό, ολοκληρωμένα κυκλώματα που περιέχουν μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό και αποθηκεύουν ή επεξεργάζονται τα ψηφιοποιημένα στοιχεία, μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό, ηλεκτρο-οπτικά ή «οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» σχεδιασμένα για «επεξεργασία σημάτων», προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices), ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε αγνοείται η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού, στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (FFT), στατικές μνήμες RAM (SRAM) ή διατηρήσιμες μνήμες, που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Borides
α.
Beryllium
Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος άνω των 398 K (125 °C)·
Titanium alloys (13)
β.
Nitrides
Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω των 218 K (–55 °C)· ή
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
Καθορισμένα να λειτουργούν στο σύνολο της περιοχής θερμοκρασιών περιβάλλοντος από 218 K (–55°C) έως 398 K (125°C)·
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
Στο σημείο 3A001.α.2 δεν υπάγονται τα ολοκληρωμένα κυκλώματα που προορίζονται για πολιτικά αυτοκίνητα ή για σιδηροδρόμους.
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
Οι «διατηρήσιμες μνήμες» είναι μνήμες με διατήρηση δεδομένων για ένα χρονικό διάστημα μετά από κάποια διακοπή λειτουργίας.
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
«Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές», «μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών» και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, που κατασκευάζονται από σύνθετο ημιαγωγό και με λειτουργία σε συχνότητα χρονισμού άνω των 40 MHz·
Polymers (11) and Organic "matrix" "composites"
Το σημείο 3Α001.α.3 περιλαμβάνει ψηφιακούς επεξεργαστές σημάτων, ψηφιακούς πολυεπεξεργαστές (array processors) και ψηφιακούς συνεπεξεργαστές (digital coprocessors).
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
Ολοκληρωμένα κυκλώματα μετατροπής αναλογικού σε ψηφιακό (ADC) και ψηφιακού σε αναλογικό (DAC), ως εξής:
Refractory metals and alloys (8)
α.
Oxides
Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό (ADC) με οιοδήποτε από τα εξής:
D. Plasma spraying
ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3A101
Abradable Nickel-Graphite
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit αλλά μικρότερη των 10 bit, με «ρυθμό δείγματος» μεγαλύτερο των 1,3 γιγαδειγμάτων ανά δευτερόλεπτο (GSPS)·
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit αλλά μικρότερη των 12 bit, με «ρυθμό δείγματος» μεγαλύτερο των 600 μεγαδειγμάτων ανά δευτερόλεπτο (ΜSPS)·
Abradable Al-Si-Polyester
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 12 bit αλλά μικρότερη των 14 bit, με «ρυθμό δείγματος» μεγαλύτερο των 400 ΜSPS·
Aluminium alloys (6)
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 14 bit αλλά μικρότερη των 16 bit, με «ρυθμό δείγματος» μεγαλύτερο των 250 ΜSPS· ή
E. Slurry Deposition
Διακριτική ικανότητα 16 bit και άνω με «προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης» άνω των 65 MSPS·
Fused silicides
Για ολοκληρωμένα κυκλώματα που περιέχουν μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό και αποθηκεύουν ή επεξεργάζονται τα ψηφιοποιημένα στοιχεία, βλέπε 3A001.a.14.
Fused aluminides except for resistance heating elements
Διακριτική ικανότητα n bit αντιστοιχεί σε κβάντωση 2n σταθμών.
F. Sputter Deposition
H διακριτική ικανότητα του ADC είναι ο αριθμός των bit της ψηφιακής εξόδου που αντιπροσωπεύει τη μετρούμενη αναλογική είσοδο.
Noble metal modified aluminides (3)
Ο αποτελεσματικός αριθμός bits (ENOB) δεν χρησιμοποιείται για να καθοριστεί η διακριτική ικανότητα του ADC.
Platinum
Για τους «ADC πολλαπλών διαύλων», ο «ρυθμός δείγματος» δεν αθροίζεται και ο «ρυθμός δείγματος» αποτελεί τον μεγαλύτερο ρυθμό των επί μέρους διαύλων.
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
Για «αλληλένθετους ADC» ή «ADC πολλαπλών διαύλων» που προσδιορίζονται ως έχοντες αλληλένθετη λειτουργία, ο «ρυθμός δείγματος» αθροίζεται και ο «ρυθμός δείγματος» αποτελεί τον μέγιστο συνδυασμένο συνολικό ρυθμό όλων των αλληλένθετων διαύλων.
Dielectic layers (15)
β.
G. Ion Implantation
Μετατροπείς ψηφιακού προς αναλογικό (DAC) με οιοδήποτε από τα εξής:
High temperature bearing steels
Διακριτική ικανότητα 10 bit και άνω με «προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης» άνω των 3500 MSPS· ή
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
«Διακριτική ικανότητα 12 bit και άνω με «προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης» άνω των 1250 MSPS και οποιοδήποτε από τα εξής:
Cemented tungsten carbide (16)
α.
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - NOTES
Χρόνο κάτω των 9 ns για την επάνοδο από βήμα πλήρους κλίμακας στο 0,024 % της πλήρους κλίμακας· ή
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
β.
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
«Ψευδοελεύθερο δυναμικό εύρος» (SFDR) άνω των 68 dBc (φέροντος) κατά τη σύνθεση αναλογικού σήματος πλήρους κλίμακας 100 MHz ή της μεγαλύτερης προσδιορισμένης συχνότητας κάτω των 100 MHz.
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
Ως «ψευδοελεύθερο δυναμικό εύρος» (SFDR) ορίζεται ο λόγος της τετραγωνικής μέσης τιμής της συχνότητας του φέροντος (μέγιστη συνιστώσα σήματος) στην είσοδο του DAC προς την τετραγωνική μέση τιμή της αμέσως μεγαλύτερης συνιστώσας θορύβου ή αρμονικής παραμόρφωσης στην έξοδο.
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
Το SFDR προσδιορίζεται απευθείας από τον πίνακα προδιαγραφών ή από τα γραφήματα χαρακτηρισμού SFDR/συχνότητας.
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
Ως σήμα πλήρους κλίμακας ορίζεται το σήμα που έχει πλάτος άνω των -3 dBfs (fs = full scale = πλήρης κλίμακα).
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
Ως «προσαρμοσμένος ρυθμός ενημέρωσης» για τους DAC ορίζεται:
a.
Για μεν τους συμβατικούς (μη παρεμβάλλοντες) DAC, ο «προσαρμοσμένος ρυθμός ενημέρωσης» είναι η ταχύτητα με την οποία μετατρέπεται σε αναλογικό το ψηφιακό σήμα και μεταβάλλονται από τον DAC οι αναλογικές τιμές εξόδου.
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
Οι DAC που επιτρέπουν παράκαμψη της λειτουργίας παρεμβολής (παράγοντας παρεμβολής 1) θεωρούνται συμβατικοί (μη παρεμβάλλοντες) DAC.
b.
Για δε τους παρεμβάλλοντες (υπερδειγματοληπτικούς) DAC, ο «προσαρμοσμένος ρυθμός ενημέρωσης» είναι ο ρυθμός ενημέρωσης του DAC προς τον μικρότερο παράγοντα παρεμβολής.
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
Ο «προσαρμοσμένος ρυθμός ενημέρωσης» των παρεμβαλλόντων DAC μπορεί να αναφέρεται και με άλλες ονομασίες, όπως μεταξύ άλλων:
c.
ρυθμός δεδομένων εισόδου,
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
ρυθμός λέξεων εισόδου,
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
ρυθμός δειγματοληψίας,
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
μέγιστη συνολική ταχύτητα bus εισόδου,
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
μέγιστος ρυθμός ρολογιού DAC για την είσοδο του ρολογιού του DAC.
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
Ηλεκτρο-οπτικά ή «οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» για «επεξεργασία σημάτων» που έχουν όλα τα ακόλουθα:
Category 2 does not include "technology" for single-step pack cementation of solid airfoils.
α.
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Μία ή περισσότερες εσωτερικές διόδους «λέιζερ»·
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.