natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Χωριστά τρανζίστορ μικροκυμάτων με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
'Adjusted update rate' for DACs:
α.
For conventional (non-interpolating) DACs, the 'adjusted update rate' is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz έως και 6,8 GHz, και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 400 W (56 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz·
For interpolating DACs (oversampling DACs), the 'adjusted update rate' is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 205 W (53,12 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz·
For interpolating DACs, the 'adjusted update rate' may be referred to by different terms including:
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 115 W (50,61 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz· ή
input data rate
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 60 W (47,78 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz·
input word rate
β.
input sample rate
Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 31,8 GHz, και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
maximum total input bus rate
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 50 W (47 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz·
maximum DAC clock rate for DAC clock input.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 15 W (41,76 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 12 GHz·
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 40 W (46 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 12 GHz έως και 16 GHz· ή
a.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 7 W (38,45 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz·
One or more than one internal "laser" diode;
Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,5 W (27 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 31,8 GHz έως και 37 GHz·
One or more than one internal light detecting element; and
δ. Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 1 W (30 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz,
c.
ε.
Optical waveguides;
Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 nW (–70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz·
Field programmable logic devices having any of the following:
Το σημείο 3A001.β.3 περιλαμβάνει γυμνούς δίσκους, δίσκους στερεωμένους σε φορείς ή δίσκους στερεωμένους σε πακέτα.
A maximum number of single-ended digital input/outputs of greater than 700; or
Ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης και μικροκυματικά συναρμολογήματα ή δομοστοιχεία που περιέχουν ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
An 'aggregate one-way peak serial transceiver data rate' of 500 Gb/s or greater;
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 500 W (57 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz·
3A001.a.7. includes:
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 270 W (54,3 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz·
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 200 W (53 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz· ή
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 90 W (49,54 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz·
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
β.
Field Programmable Interconnects (FPICs)
Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 31,8 GHz, «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
For integrated circuits having field programmable logic devices that are combined with an analogue-to-digital converter, see 3A001.a.14.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 70 W (48,54 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz·
Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 50 W (47 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 12 GHz·
'Aggregate one-way peak serial transceiver data rate' is the product of the peak serial one-way transceiver data rate times the number of transceivers on the FPGA.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 30 W (44,77 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 12 GHz έως και 16 GHz· ή
Neural network integrated circuits;
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 W (43 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz·
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
δ. Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 2 W (33 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %·
a.
ε.
More than 1500 terminals;
Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες που υπερβαίνουν τα 43,5 GHz, και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
b.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,2 W (23 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz έως και 75 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %·
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,02 ns; or
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 mW (13 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 75 GHz έως και 90 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 5 %· ή
c.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 nW (–70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 90 GHz· ή στ.
An operating frequency exceeding 3 GHz;
Δεν χρησιμοποιείται
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Για ενισχυτές MMIC, βλέπε 3A001.β.2
a.
Για "μονάδες μετάδοσης/λήψης" και "μονάδες μετάδοσης" βλέπε 3A001.β.12.
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
Για μετατροπείς και αρμονικούς μίκτες σχεδιασμένους για την επέκταση του φάσματος λειτουργίας ή συχνοτήτων αναλυτών σημάτων, γεννητριών σήματος, αναλυτών δικτύου ή δοκιμαστικών μικροκυματικών δεκτών, βλέπε 3A001.β.7.
b.
Το καθεστώς ελέγχου ενός στοιχείου του οποίου οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.4.α έως 3Α001.β.4.ε, καθορίζεται βάσει του κατωφλίου ελάχιστης κορεσμένης ισχύος εξόδου κορυφής.
A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
Ζωνοπερατά ή ζωνοαπέρατα φίλτρα που μπορούν να συντονιστούν ηλεκτρονικά ή μαγνητικά, που έχουν πάνω από 5 ρυθμιζόμενους συντονιστές και μπορούν να συντονιστούν μέσα σε μία ζώνη συχνοτήτων με λόγο 1,5:1 (fmax/fmin) σε χρόνο λιγότερο από 10 μs και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N) /20 480 ms, where N is the number of points;
α.
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 μs.
Εύρος ζώνης ζωνοπερατού φίλτρου πάνω από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας· ή
Direct Digital Synthesizer (DDS) integrated circuits having any of the following:
Εύρος ζώνης ζωνοαπέρατου φίλτρου λιγότερο από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας·
A Digital-to-Analogue Converter (DAC) clock frequency of 3,5 GHz or more and a DAC resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit; or
α.
A DAC clock frequency of 1,25 GHz or more and a DAC resolution of 12 bit or more;
Σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος συχνοτήτων των «συστημάτων ανάλυσης σημάτων» πέραν των 90 GHz·
The DAC clock frequency may be specified as the master clock frequency or the input clock frequency.
β.
Integrated circuits that perform or are programmable to perform all of the following:
Σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος λειτουργίας των «γεννητριών σημάτων» ως εξής:
a.
Πέραν των 90 GHz·
Analogue-to-digital conversions meeting any of the following:
Με ισχύ εξόδου άνω των 100 mW (20 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 43,5 GHz και έως και 90 GHz·
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with a "sample rate" greater than 1,3 Giga Samples Per Second (GSPS);
γ.
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with a "sample rate" greater than 1,0 GSPS;
Σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος λειτουργίας των αναλυτών δικτύου ως εξής:
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with a "sample rate" greater than 1,0 GSPS;
Πέραν των 110 GHz·
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with a "sample rate" greater than 400 Mega Samples Per Second (MSPS); or
Με ισχύ εξόδου άνω των 31,62 mW (15 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 43,5 GHz και έως και 90 GHz·
A resolution of 16 bit or more with a "sample rate" greater than 180 MSPS; and
Με ισχύ εξόδου άνω των 1 mW (0 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 90 GHz και έως και 110 GHz· ή
b.
δ. Σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος συχνοτήτων των δοκιμαστικών μικροκυματικών δεκτών πέραν των 110 GHz·
Any of the following:
Μικροκυματικοί ενισχυτές ισχύος που περιλαμβάνουν "ηλεκτρονικές διατάξεις κενού" που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.β.1 και έχουν όλα τα ακόλουθα:
Storage of digitised data; or
α.
Processing of digitised data;
Συχνότητες λειτουργίας πάνω από 3 GHz·
For analogue-to-digital converter integrated circuits see 3A001.a.5.a.
β.
For field programmable logic devices see 3A001.a.7.
Λόγο μέσης ισχύος εξόδου προς μάζα άνω των 80 W/kg· και
Technicals Notes:
γ.
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2 n levels.
Όγκο μικρότερο από 400 cm3·
The resolution of the ADC is the number of bits of the digital output of the ADC that represents the measured analogue input.
Στο σημείο 3Α001.β.8 δεν υπάγεται ο εξοπλισμός που έχει σχεδιαστεί ή καθορίζεται να λειτουργεί σε ζώνες συχνοτήτων που έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.
For integrated circuits with non-interleaving "multiple channel ADCs", the "sample rate" is not aggregated and the "sample rate" is the maximum rate of any single channel.
Μικροκυματικές μονάδες ισχύος (MPM), αποτελούμενες τουλάχιστον από μία "ηλεκτρονική διάταξη κενού" οδεύοντος κύματος, ένα μικροκυματικό «μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα» («MMIC») και έναν ολοκληρωμένο ηλεκτρονικό εξομαλυντήρα τάσης, με όλα τα παρακάτω:
For integrated circuits with "interleaved ADCs "or with "multiple channel ADCs" that are specified to have an interleaved mode of operation, the "sample rates" are aggregated and the "sample rate" is the maximum combined total rate of all of the interleaved channels.
Χρόνο ενεργοποίησης από σβηστό σε πλήρη λειτουργία κάτω των 10 δευτερολέπτων·
Microwave or millimetre wave items as follows:
β.
For purposes of 3A001.b., the parameter peak saturated power output may also be referred to on product data sheets as output power, saturated power output, maximum power output, peak power output, or peak envelope power output.
Όγκο μικρότερο από το γινόμενο της μέγιστης ονομαστικής ισχύος σε Watts επί 10 cm3/W· και
For purposes of 3A001.b.1., 'vacuum electronic devices' are electronic devices based on the interaction of an electron beam with an electromagnetic wave propagating in a vacuum circuit or interacting with radio-frequency vacuum cavity resonators.
γ.
'Vacuum electronic devices' include klystrons, travelling-wave tubes, and their derivatives.
«Στιγμιαίο εύρος ζώνης» άνω της μιας οκτάβας (fmax > 2fmin) και με οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
'Vacuum electronic devices' and cathodes, as follows:
Για συχνότητες μέχρι και 18 GHz, ισχύ εξόδου ραδιοσυχνότητας άνω των 100 W· ή
3A001.b.1. does not control 'vacuum electronic devices' designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Συχνότητα άνω των 18 GHz·
Does not exceed 31,8 GHz; and
Ιδού ένα παράδειγμα υπολογισμού του όγκου στο σημείο 3A001.β.9.β: αν η μέγιστη ονομαστική ισχύς είναι 20 W, ο όγκος πρέπει να είναι: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Στο σημείο 3A001.β.9.α, ο χρόνος ενεργοποίησης σημαίνει το διάστημα που χρειάζεται η μονάδα από τελείως σβηστή να τεθεί σε πλήρη λειτουργία, περιλαμβάνει δηλαδή και τον χρόνο προθέρμανσης.
3A001.b.1. does not control non-"space-qualified" 'vacuum electronic devices' having all of the following:
Ταλαντωτές ή συγκροτήματα ταλαντωτών, προσδιορισμένοι να λειτουργούν με θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, λιγότερο (καλύτερο) από -(126 + 20log10F - 20log10f) οπουδήποτε στο εύρος 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz.
An average output power equal to or less than 50 W; and
Στο 3Α001.β.10, F είναι η απόκλιση από τη συχνότητα λειτουργίας σε Hz και f είναι η συχνότητα λειτουργίας σε MHz.
Designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
«Ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις» για "συνθετητές συχνότητας" που έχουν «χρόνο μεταγωγής συχνότητας» προσδιοριζόμενο από οποιοδήποτε από τα εξής:
Exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
α. κάτω των 143 ps·
a.
β. κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός του φάσματος συνθετόμενων συχνοτήτων από 4,8 GHz έως και 31,8 GHz·
Travelling-wave 'vacuum electronic devices', pulsed or continuous wave, as follows:
δ. κάτω των 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός του φάσματος συνθετόμενων συχνοτήτων από 31,8 GHz έως και 37 GHz·
Devices operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
ε. κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός του φάσματος συνθετόμενων συχνοτήτων από 37 GHz έως και 90 GHz· ή στ.
Devices having a cathode heater with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
Δεν χρησιμοποιείται·
Coupled cavity devices, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
ζ. κάτω του 1 ms εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων άνω των 90 GHz·
Devices based on helix, folded waveguide, or serpentine waveguide circuits, or derivatives thereof, having any of the following:
"Συνθετητής συχνότητας" είναι κάθε πηγή συχνότητας, ανεξάρτητα από την τεχνική που χρησιμοποιείται, η οποία παρέχει μια ποικιλία ταυτόχρονων ή εναλλασσόμενων συχνοτήτων εξόδου, από μία ή περισσότερες εξόδους, οι οποίες ελέγχονται, παράγονται ή οδηγούνται από ένα μικρότερο αριθμό βασικών (master) συχνοτήτων ελέγχου.
a.
Για γενικής χρήσης «αναλυτές σήματος», γεννήτριες σήματος, αναλυτές δικτύου και δοκιμαστικούς μικροκυματικούς δέκτες βλ. αντιστοίχως σημεία 3A002.γ, 3A002.δ, 3A002.ε και 3A002.στ.
An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
"Μονάδες μετάδοσης/λήψης", "MMIC μετάδοσης/λήψης", "μονάδες μετάδοσης", και "MMIC μετάδοσης", εγκεκριμένες για λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
b.
α.
An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1;
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής (σε watts), Psat, μεγαλύτερη από 505,62 διά το τετράγωνο της ανώτατης συχνότητας λειτουργίας (σε GHz) [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz2] για κάθε κανάλι·
c.
β.
Being "space-qualified"; or
«Κλασματικό εύρος ζώνης» τουλάχιστον 5 % για κάθε κανάλι·
d.
γ.
Having a gridded electron gun;
Κάθε επίπεδη πλευρά μήκους d (σε cm) το πολύ ίσου προς 15 για την κατώτατη συχνότητα λειτουργίας σε GHz [d ≤ 15cm*GHz*N/fGHz] όπου N είναι ο αριθμός μετάδοσης ή τα κανάλια μετάδοσης/λήψης· και
Devices with a "fractional bandwidth" greater than or equal to 10 %, with any of the following:
δ. Έναν ηλεκτρονικά μεταβλητό μετατοπιστή φάσης ανά κανάλι·
a.
"Μονάδα μετάδοσης/λήψης": είναι μια «ηλεκτρονική συναρμολόγηση» πολλαπλών λειτουργιών που παρέχει δικατευθυντικό εύρος και έλεγχο φάσης για μετάδοση και λήψη σημάτων.
An annular electron beam;
"Μονάδα μετάδοσης": είναι μια «ηλεκτρονική συναρμολόγηση» που παρέχει εύρος και έλεγχο φάσης για μετάδοση σημάτων.
b.
"MMIC μετάδοσης/λήψης": είναι ένα «MMIC» πολλαπλών λειτουργιών που παρέχει δικατευθυντικό πλάτος και έλεγχο φάσης για μετάδοση και λήψη σημάτων.
A non-axisymmetric electron beam; or
"MMIC μετάδοσης": είναι ένα «MMIC» που παρέχει εύρος και έλεγχο φάσης για μετάδοση σημάτων.
c.
Η συχνότητα 2,7 GHz θα πρέπει να χρησιμοποιείται ως η κατώτατη συχνότητα λειτουργίας (fGHz) στον τύπο του σημείου 3A001.β.12.γ, για μονάδες μετάδοσης/λήψης ή μονάδες μετάδοσης με ονομαστικό φάσμα λειτουργίας που εκτείνεται προς τα κάτω έως τα 2,7 GHz και παρακάτω [d≤ 15cm*GHz/2,7 GHz].
Multiple electron beams;
Το σημείο 3A001.β.12 εφαρμόζεται σε "μονάδες μετάδοσης/λήψης" ή "μονάδες μετάδοσης" με ή χωρίς απαγωγό θερμότητας.
b.
Η τιμή του d στο σημείο 3A001.β.12.γ δεν περιλαμβάνει κάνενα τμήμα της "μονάδας μετάδοσης/λήψης" ή της "μονάδας μετάδοσης" που λειτουργεί ως απαγωγός θερμότητας.
Crossed-field amplifier 'vacuum electronic devices' with a gain of more than 17 dB;
"Μονάδες μετάδοσης/λήψης" ή "μονάδες μετάδοσης", ή "MMIC μετάδοσης/λήψης" ή "MMIC μετάδοσης" μπορεί να ή μπορεί να μη διαθέτουν N ολοκληρωμένα ακτινοβολούνται στοιχεία κεραίας, όπου N είναι ο αριθμός των διαύλων μετάδοσης ή μετάδοσης/λήψης.
c.
γ.
Thermionic cathodes designed for 'vacuum electronic devices' producing an emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2 or a pulsed (non-continuous) current density at rated operating conditions exceeding 10 A/cm2;
Συσκευές ακουστικών κυμάτων, και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη για τις συσκευές αυτές ως εξής:
d.
Συσκευές επιφανειακών ακουστικών κυμάτων και συσκευές surface skimming (shallow bulk) ακουστικών κυμάτων και οι οποίες έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
'Vacuum electronic devices' with the capability to operate in a 'dual mode'.
α.
'Dual mode' means the 'vacuum electronic device' beam current can be intentionally changed between continuous-wave and pulsed mode operation by use of a grid and produces a peak pulse output power greater than the continuous-wave output power.
Φέρουσα συχνότητα άνω των 6 GHz·
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" ("MMIC") amplifiers that are any of the following:
β.
For "MMIC" amplifiers that have an integrated phase shifter see 3A001.b.12.
Φέρουσα συχνότητα άνω του 1 GHz αλλά όχι άνω των 6 GHz και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
a.
"Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας" που ξεπερνάει τα 65 dB·
Rated for operation at frequencies exceeding 2,7 GHz up to and including 6,8 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 15 %, and having any of the following:
Γινόμενο του μέγιστου χρόνου καθυστέρησης και του εύρους ζώνης (ο χρόνος σε μs και το εύρος ζώνης σε ΜΗz) ανώτερο του 100·
A peak saturated power output greater than 75 W (48,75 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
Εύρος ζώνης άνω των 250 MHz· ή
A peak saturated power output greater than 55 W (47,4 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
Καθυστέρηση με διασπορά (dispersive delay) άνω των 10 μs· ή
A peak saturated power output greater than 40 W (46 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
γ.
A peak saturated power output greater than 20 W (43 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
Συχνότητα φέροντος 1 GHz ή λιγότερο, και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
b.
"Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας" που ξεπερνάει τα 65 dB και εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 100 MHz·
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 16 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 10 %, and having any of the following:
Η "απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας" είναι η μέγιστη τιμή απόρριψης που προσδιορίζεται στα δελτία δεδομένων.
A peak saturated power output greater than 10W (40 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz; or
Συσκευές ακουστικών κυμάτων όγκου που επιτρέπουν την κατευθείαν επεξεργασία σημάτων σε συχνότητες άνω των 6 GHz·
A peak saturated power output greater than 5W (37 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 16 GHz;
Ακουστικοοπτικές συσκευές «επεξεργασίας σημάτων» που βασίζονται στην αλληλεπίδραση μεταξύ ακουστικών κυμάτων (κυμάτων όγκου ή κυμάτων επιφανείας) και κυμάτων φωτός και οι οποίες επιτρέπουν την άμεση επεξεργασία σημάτων ή εικόνων.
c.
Περιλαμβάνουν φασματική ανάλυση, συσχέτιση ή συνέλιξη·
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 3 W (34,77 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Στο σημείο 3Α001.γ. δεν υπάγονται οι συσκευές ακουστικών κυμάτων που περιορίζονται σε μονοπερατό, χαμηλοπερατό, υψηλοπερατό ή στενό ζωνοφρακτικό φίλτρο, ή λειτουργία συντονισμού.
d.
δ. Ηλεκτρονικές συσκευές και κυκλώματα που περιέχουν κατασκευαστικά μέρη από «υπεραγώγιμα» υλικά και ειδικά σχεδιασμένα για λειτουργία σε θερμοκρασίες κάτω από την «κρίσιμη θερμοκρασία» τουλάχιστον ενός από τα «υπεραγώγιμα» συστατικά υλικά και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (– 70 dBm) at any frequency exceeding 31,8 GHz up to and including 37 GHz;
Μεταγωγή ρεύματος για ψηφιακά κυκλώματα όπου χρησιμοποιούνται «υπεραγώγιμες» πύλες με γινόμενο μεταξύ του χρόνου καθυστέρησης ανά πύλη (που εκφράζεται σε δευτερόλεπτα) και της κατανάλωσης ισχύος ανά πύλη (που εκφράζεται σε W) λιγότερο από 10–14 J· ή
e.
Επιλογή συχνοτήτων σε όλες τις συχνότητες με τη χρήση συντονισμένων κυκλωμάτων με τιμές Q άνω των 10000·
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 1 W (30 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Συσκευές υψηλής ενέργειας, ως εξής:
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 31,62 mW (15 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz up to and including 75 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
"Ηλεκτρικά στοιχεία" ως εξής:
g.
α.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 10 mW (10 dBm) at any frequency exceeding 75 GHz up to and including 90 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 5 %; or
"Πρωτογενή στοιχεία" που έχουν κάποιο από τα ακόλουθα στους 20°C·
h.
"ενεργειακή πυκνότητα" άνω των 550 Wh/kg και "συνεχή πυκνότητα ισχύος" άνω των 50 W/kg· ή
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (– 70 dBm) at any frequency exceeding 90 GHz;
"ενεργειακή πυκνότητα" άνω των 50 Wh/kg και "συνεχή πυκνότητα ισχύος" άνω των 350 W/kg· ή
Not used.
β.
The control status of the "MMIC" whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.h., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
"Δευτερογενή στοιχεία" με "ενεργειακή πυκνότητα" άνω των 350 Wh/kg στους 20 °C·
Notes 1 and 2 in 3A mean that 3A001.b.2. does not control "MMICs" if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1., η "ενεργειακή πυκνότητα" (Wh/kg) υπολογίζεται ως το γινόμενο της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί την ονομαστική χωρητικότητα σε αμπερώρια (Ah) διά τη μάζα σε χιλιόγραμμα.
Discrete microwave transistors that are any of the following: