natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Στο σημείο 3Ε001 δεν υπάγονται η "τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" ολοκληρωμένων κυκλωμάτων προδιαγραφόμενων στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.12., και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
Detonator firing sets (initiator systems, firesets), including electronically-charged, explosively-driven and optically-driven firing sets, other than those specified in 1A007.a., designed to drive multiple controlled detonators specified in 1A007.b.;
Χρησιμοποιούν «τεχνολογία» 0.130 μm ή παραπάνω, και
b.
Περιλαμβάνουν δομές με πολλαπλά μεν στρώματα, αλλά με τρία το πολύ μεταλλικά στρώματα.
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Στο σημείο 3Ε001 δεν υπάγονται οι "συλλογές διαδικασίας σχεδίασης" ("PDK"), εκτός εάν συμπεριλαμβάνονται εκτελεστικά καθήκοντα βιβλιοθηκών ή τεχνολογίες για τα είδη που προσδιορίζονται στο σημείο 3Α001.
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
Η "συλλογή διαδικασίας σχεδίασης" ("PDK") είναι ένα εργαλείο λογισμικού που παρέχεται από έναν κατασκευαστή ημιαγωγών προκειμένου να εξασφαλίσει ότι οι απαιτούμενες πρακτικές και οι κανόνες σχεδιασμού λαμβάνονται υπόψη για την επιτυχή παραγωγή συγκεκριμένης σχεδίασης ολοκληρωμένου κυκλώματος ημιαγωγού σε μια συγκεκριμένη διαδικασία ημιαγωγού, σύμφωνα με τους τεχνολογικούς και κατασκευαστικούς περιορισμούς (κάθε διαδικασία κατασκευής ημιαγωγών έχει τη δική της συγκεκριμένη «PDK»).
Capable of delivering their energy in less than 15 μs into loads of less than 40 ohms;
«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, άλλη από την προσδιοριζόμενη στο 3Ε001, για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» «μικροκυκλωμάτων μικροεπεξεργαστών», «μικροκυκλωμάτων μικροϋπολογιστών» και πυρήνων μικροκυκλωμάτων μικροσυσκευών ελέγχου, με αριθμητική λογική μονάδα με εύρος προσπέλασης 32 bit και άνω και οποιοδήποτε από τα παρακάτω γνωρίσματα ή χαρακτηριστικά:
Having an output greater than 100 A;
α.
No dimension greater than 30 cm;
Περιλαμβάνει «διανυσματικό επεξεργαστή» σχεδιασμένο έτσι ώστε να εκτελεί ταυτόχρονα περισσότερους από δύο υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit)·
Weight less than 30 kg; and
"Διανυσματικός επεξεργαστής" λέγεται ένα στοιχείο επεξεργαστή με ενσωματωμένες εντολές που εκτελεί ταυτόχρονα πολλούς υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit) και έχει τουλάχιστον μία αριθμητική λογική μονάδα και ανυσματικά αρχεία τουλάχιστον 32 στοιχείων το καθένα.
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
β.
3A229.b. includes xenon flash-lamp drivers.
Είναι σχεδιασμένοι ώστε να εκτελούν περισσότερους από τέσσερις υπολογισμούς εξαγομένων πράξεων κινητής υποδιαστολής 64 ή περισσότερων bit ανά κύκλο· ή
c.
Είναι σχεδιασμένοι ώστε να εκτελούν περισσότερους από οκτώ υπολογισμούς εξαγομένων πράξεων πολλαπλασιασμού και σωρευτικής άθροισης σταθερής υποδιαστολής 16 bit ανά κύκλο (π.χ. ψηφιακό χειρισμό αναλογικών πληροφοριών που έχουν προηγουμένως μετατραπεί σε ψηφιακή μορφή, το γνωστό και ως «ψηφιακή επεξεργασία σήματος»).
No dimension greater than 35 mm;
Στο σημείο 3E002 δεν υπάγεται η «τεχνολογία» επεκτάσεων πολυμέσων.
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
Στο σημείο 3E002 δεν υπάγεται η «τεχνολογία» για πυρήνες μικροεπεξεργαστών με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
Ενσωμάτωση πολυστιβαδικών δομών με έως και πέντε μεταλλικές στιβάδες.
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
Στο σημείο 3E002 ελέγχεται η «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» ψηφιακών επεξεργαστών σήματος και συστοιχίες ψηφιακών επεξεργαστών.
a.
Άλλη «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» των παρακάτω:
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
Μικροηλεκτρονικών συσκευών κενού·
'Pulse transition time' less than 500 ps.
β.
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Ετερο-δομικών ηλεκτρονικών συσκευών ημιαγωγών, όπως τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ), ετεροδιπολικών τρανζίστορ (ΗΒΤ), συσκευών κβαντικού πηγαδιού και υπέρ πλέγματος (super lattice devices)·
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
Στο σημείο 3Ε003.β. δεν υπάγεται η «τεχνολογία» για τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz και για ετεροδιπολικά τρανζίστορ (ΗΒΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz.
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
γ.
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
«Υπεραγώγιμων» ηλεκτρονικών συσκευών·
a.
δ. Υποστρωμάτων υμενίων αδάμαντος για ηλεκτρονικά κατασκευαστικά μέρη·
Designed for operation without an external vacuum system; and
Υποστρωμάτων πυριτίου επί μονωτικού (SOI) για ολοκληρωμένα κυκλώματα, όπου το μονωτικό υλικό είναι διοξείδιο του πυριτίου· στ.
Utilizing any of the following:
Υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου για ηλεκτρονικά κατασκευαστικά μέρη·
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
ζ.
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
«Ηλεκτρονικές διατάξεις κενού» που λειτουργούν σε συχνότητες τουλάχιστον 31,8 GHz.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη «χρήση» εξοπλισμού ή «λογισμικού» που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.α.1 ή 2, 3Α101, 3Α102 ή 3D101.
See 1A007.b. for detonators.
«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» λογισμικού που καθορίζεται στο σημείο 3D101.
b.
«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη «χρήση» εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.ε.2, 3Α001.ε.3., 3Α001.ζ., 3Α201, 3Α225 έως 3Α234.
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over an area greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
«Τεχνολογία» υπό τη μορφή κωδικών ή κλειδών για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225.
3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 4 — ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΕΣ
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 u or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Οι ηλεκτρονικοί υπολογιστές, ο συναφής εξοπλισμός και το «λογισμικό» που εκτελούν λειτουργίες τηλεπικοινωνιών ή «τοπικού δικτύου» (δίκτυο LAN) πρέπει επίσης να ελέγχονται σύμφωνα με τα χαρακτηριστικά απόδοσης της κατηγορίας 5 μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες).
a.
Οι μονάδες ελέγχου που διασυνδέουν απευθείας τους διαδρόμους ή τους διαύλους των μονάδων κεντρικής επεξεργασίας και οι μονάδες ελέγχου της «κυρίως μνήμης» ή των δίσκων δεν θεωρούνται εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που περιγράφεται στην κατηγορία 5 Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες).
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
Όσον αφορά τη διαβάθμιση ελέγχου του «λογισμικού» που έχει σχεδιαστεί ειδικά για μεταγωγή πακέτων, βλέπε την κατηγορία 5D001.
b.
«Κύρια μνήμη» είναι η κύρια μνήμη δεδομένων ή εντολών η οποία είναι ταχέως προσπελάσιμη από μια κεντρική μονάδα επεξεργασίας.
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Αποτελείται από την εσωτερική μνήμη ενός «ψηφιακού υπολογιστή» και την ιεραρχική επέκταση της μνήμης αυτής, όπως είναι μια κρυφή μνήμη ή εκτεταμένη μνήμη τυχαίας προσπελάσεως.
c.
Ηλεκτρονικοί υπολογιστές και συναφής εξοπλισμός που έχουν οποιαδήποτε από τα κατωτέρω, καθώς και «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη για τα συστήματα αυτά:
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 4A101.
d.
Που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ώστε να έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
Ονομαστική λειτουργία σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω από 228 Κ (–45°C) ή πάνω από 358 Κ (85°C), ή
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
Στο σημείο 4Α001.α.1 δεν υπάγονται οι υπολογιστές που έχουν σχεδιαστεί ειδικά για εφαρμογές πολιτικών αυτοκινήτων ή σιδηροδρομικών συρμών ή «πολιτικών αεροσκαφών».
e.
Που έχουν υποστεί ειδική επεξεργασία για να αντέχουν σε ακτινοβολία που μπορεί να ξεπεράσει οποιαδήποτε από τις ακόλουθες προδιαγραφές:
Not used;
Συνολική δόση
f.
5 × 103 Gy (πυρίτιο)·
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
Απότομη αλλαγή του ρυθμού ακτινοβολίας
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s· ή
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
Απότομη αλλαγή από ένα και μόνο γεγονός
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
1 × 10–8 Λάθη/bit/ημέρα·
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
Στο σημείο 4Α001.α.2 δεν υπάγονται οι υπολογιστές που έχουν σχεδιαστεί ειδικά για εφαρμογές «πολιτικών αεροσκαφών».
a.
β.
Voltage rating greater than 2 kV; and
Δεν χρησιμοποιείται.
b Inductance of less than 20 nH.
«Ψηφιακοί υπολογιστές», «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και συναφής εξοπλισμός γι’ αυτούς, ως εξής, καθώς επίσης και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη γι’ αυτά:
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Το σημείο 4Α003 περιλαμβάνει τα ακόλουθα:
SEE ALSO 2B226
"ανυσματικούς επεξεργαστές" (vector processors)·
a.
Πολυεπεξεργαστές (array processors)·
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
Επεξεργαστές ψηφιακού σήματος·
Equipment designed or modified to produce a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Λογικούς επεξεργαστές·
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Εξοπλισμό σχεδιασμένο για «βελτίωση εικόνων».
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
Η διαβάθμιση ελέγχου των «ψηφιακών υπολογιστών» και του συναφούς εξοπλισμού που περιγράφεται στο σημείο 4Α003 καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του άλλου εξοπλισμού ή των άλλων συστημάτων υπό τον όρο ότι:
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Οι «ψηφιακοί υπολογιστές» ή ο συναφής εξοπλισμός είναι απολύτως απαραίτητοι για την λειτουργία του λοιπού εξοπλισμού ή των λοιπών συστημάτων·
b.
Οι «ψηφιακοί υπολογιστές» ή ο συναφής εξοπλισμός δεν αποτελούν «βασικό στοιχείο» του έτερου εξοπλισμού ή συστημάτων και
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Η διαβάθμιση ελέγχου εξοπλισμού για «επεξεργασία σημάτων» ή «βελτίωση εικόνων» που έχει ειδικά σχεδιαστεί για έτερο εξοπλισμό με λειτουργίες που περιορίζονται σε αυτές που απαιτούνται για τον έτερο εξοπλισμό, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του έτερου εξοπλισμού ακόμη κι αν υπερβαίνει το κριτήριο του «βασικού στοιχείου».
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
Για διαβάθμιση ελέγχου των «ψηφιακών υπολογιστών» ή συναφούς εξοπλισμού για εξοπλισμό τηλεπικοινωνιών βλέπε την κατηγορία 5, Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες).
Direct write capability;
Η «τεχνολογία» για τους «ψηφιακούς υπολογιστές» και τον συναφή εξοπλισμό καθορίζεται στο σημείο 4Ε.
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
β.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
«Ψηφιακοί υπολογιστές» που έχουν «προσαρμοσμένη κορυφαία απόδοση» («APP») άνω των 29 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT)·
e.
γ.
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
«Ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί ώστε να ενισχύουν την απόδοση με τη συγκέντρωση επεξεργαστών, ούτως ώστε η «APP» του συγκροτήματος να υπερβαίνει το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β.·
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
Το σημείο 4Α003.γ. ελέγχει μόνο «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και προγραμματιζόμενες διασυνδέσεις που δεν υπερβαίνουν το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β., όταν αποστέλλονται ως μη ενσωματωμένα «ηλεκτρονικά συγκροτήματα».
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
Στο σημείο4Α 003.γ. δεν υπάγονται τα «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για ένα προϊόν ή οικογένεια προϊόντων για τα οποία η μέγιστη διάρθρωση δεν υπερβαίνει το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β.
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
ζ.
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
Ειδικά σχεδιασμένος εξοπλισμός για τη συνάθροιση των επιδόσεων «ψηφιακών υπολογιστών» με την παροχή εξωτερικών διασυνδέσεων, που επιτρέπει την επικοινωνία με μονόδρομες ταχύτητες μεταβίβασης δεδομένων υπερβαίνουσες τα 2,0 Gbyte/s ανά σύνδεσμο.
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
Στο σημείο 4Α003.ζ. δεν υπάγεται ο εξοπλισμός εσωτερικής διασύνδεσης (π.χ. βασική πλακέτα, ζυγοί), ο εξοπλισμός παθητικής διασύνδεσης, οι «ελεγκτές πρόσβασης δικτύου» ή οι «ελεγκτές διαύλων επικοινωνίας».
f.
Υπολογιστές ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένος συναφής εξοπλισμός, «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και κατασκευαστικά μέρη αυτών:
Lithography equipment as follows:
α.
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
«Υπολογιστές συστολικής συστοιχίας»·
a.
β.
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
«Νευρωνικοί υπολογιστές»·
b.
γ.
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
«Οπτικοί υπολογιστές».
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
«Συστολικός σύστοιχος υπολογιστής» είναι υπολογιστές όπου η ροή και η μετατροπή των δεδομένων ελέγχεται δυναμικά από τον χρήστη σε επίπεδο λογικής πύλης.
where the K factor = 0,35
«Νευρωνικός υπολογιστής» είναι μια υπολογιστική διάταξη που έχει σχεδιαστεί ή μετασκευαστεί ώστε να μιμείται τη συμπεριφορά ενός νευρώνα ή ενός συνόλου νευρώνων, δηλαδή μια υπολογιστική διάταξη η οποία διακρίνεται λόγω της ικανότητας του υλικού να διαμορφώνει το βάρος και τις διασυνδέσεις μιας πληθώρας υπολογιστικών μερών που βασίζονται σε προηγούμενα δεδομένα.
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
«Οπτικός υπολογιστής» είναι υπολογιστές που έχουν σχεδιαστεί ή μετασκευαστεί ώστε να χρησιμοποιούν φωτεινά σήματα για τον συμβολισμό δεδομένων και των οποίων τα στοιχεία λογικής επεξεργασίας βασίζονται σε απευθείας συνδεδεμένες οπτικές διατάξεις.
3B001.f.2. includes:
Συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη τους, ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για την παραγωγή, τον χειρισμό και τον έλεγχο ή την απόδοση «λογισμικού εισβολής».
Micro contact printing tools
Αναλογικοί υπολογιστές, «ψηφιακοί υπολογιστές» ή ψηφιακοί διαφορικοί αναλυτές διαφορετικοί από εκείνους του σημείου 4Α001.α.1., που είναι ανθεκτικοί και έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούνται σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.
Hot embossing tools
«Υβριδικοί υπολογιστές» που έχουν σχεδιαστεί ειδικά για την εκπόνηση μοντέλων, τη διενέργεια προσομοίωσης ή τη σχεδιαστική ενσωμάτωση οχημάτων εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδων που ορίζονται στο σημείο 9Α104.
Nano-imprint lithography tools
Ο έλεγχος ισχύει μόνο για τον εξοπλισμό που παρέχεται μαζί με το λογισμικό το οποίο καθορίζεται στο σημείο 7D103 ή 9D103.
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Η διαβάθμιση ελέγχου του «λογισμικού» για εξοπλισμό που περιγράφεται σε άλλες κατηγορίες περιέχεται στην αντίστοιχη κατηγορία.
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
«Λογισμικό», ως ακολούθως:
a.
α.
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
«Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» εξοπλισμού ή «λογισμικού» που καθορίζονται στα σημεία 4Α001 έως 4Α004, ή 4D.
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
β.
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
«Λογισμικό», εκτός του περιγραφόμενου στο σημείο 4D001.α, που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού ως εξής:
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
«Ψηφιακοί υπολογιστές» που έχουν «προσαρμοσμένη κορυφαία απόδοση» («APP») άνω των 15 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT)·
a.
«Ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την αύξηση της απόδοσης με τη συνάθροιση επεξεργαστών, ούτως ώστε η «APP» του συνόλου να υπερβαίνει το όριο του 4D001.β.1.
A deflected focused electron beam; and
Δεν χρησιμοποιείται·
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
«Λογισμικό» που είναι ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την παραγωγή, τον χειρισμό και τον έλεγχο ή την απόδοση «λογισμικού εισβολής».
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
Στο σημείο 4D004 δεν υπάγεται το «λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί και περιοριστεί ώστε να παράσχει επικαιροποιήσεις ή αναβαθμίσεις «λογισμικού» που πληρούν όλα τα ακόλουθα:
g.
Η επικαιροποίηση ή αναβάθμιση λειτουργεί μόνο με την άδεια του ιδιοκτήτη ή διαχειριστή του συστήματος που τις λαμβάνει· και
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Ύστερα από την επικαιροποίηση ή αναβάθμιση, το επικαιροποιημένο ή αναβαθμισμένο «λογισμικό» δεν είναι τίποτα από τα ακόλουθα:
h.
«Λογισμικό» που καθορίζεται στο σημείο 4D004· ή
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified in 3B001.g. and having any of the following:
«Λογισμικό εισβολής».
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
α.
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
«Τεχνολογία», σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» εξοπλισμού ή «λογισμικού» που καθορίζονται στα σημεία 4Α ή 4D.
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not specified in 3A001.
«Τεχνολογία», σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, εκτός της περιγραφόμενης στο 4E001.α, για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού ως εξής:
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
«Ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την αύξηση της απόδοσης με τη συνάθροιση επεξεργαστών, ούτως ώστε η «APP» του συνόλου να υπερβαίνει το όριο του 4D001.β.1.
j.
γ.
Mask "substrate blanks" with multilayer reflector structure consisting of molybdenum and silicon, and having all of the following:
«Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» «λογισμικού εισβολής».
Specially designed for 'Extreme Ultraviolet' ('EUV') lithography; and
Στα σημεία 4Ε001.α και 4E001.γ. δεν υπάγεται η «δημοσιοποίηση τρωτών σημείων» ή η «αντιμετώπιση συμβάντων στον κυβερνοχώρο».
Compliant with SEMI Standard P37.
Η σημείωση 1 δεν μειώνει τα δικαιώματα της αρμόδιας αρχής του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένος ο εξαγωγέας ώστε να εξακριβωθεί η συμμόρφωση με 4Ε001.α. και 4E001.γ.
'Extreme Ultraviolet' ('EUV') refers to electromagnetic spectrum wavelengths greater than 5 nm and less than 124 nm.
«Δημοσιοποίηση τρωτών σημείων»: η διαδικασία για τον εντοπισμό, την υποβολή εκθέσεων ή τη γνωστοποίηση ενός τρωτού σημείου ή για την ανάλυση ενός τρωτού σημείου με άτομα ή οι οργανισμούς που είναι υπεύθυνοι για τη διεξαγωγή ή τον συντονισμό της αποκατάστασης, για την αντιμετώπιση των τρωτών σημείων.
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
«Αντιμετώπιση συμβάντων στον κυβερνοχώρο»: η διαδικασία ανταλλαγής των αναγκαίων πληροφοριών σχετικά με ένα συμβάν ασφάλειας στον κυβερνοχώρο με άτομα ή οργανισμούς που είναι αρμόδια για τη διενέργεια και τον συντονισμό της αποκατάστασης για την αντιμετώπιση συμβάντος στον κυβερνοχώρο.
a.
ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΣΧΕΤΙΚΑ ΜΕ ΤΗΝ «ΠΡΟΣΑΡΜΟΣΜΕΝΗ ΚΟΡΥΦΑΙΑ ΑΠΟΔΟΣΗ» («APP»)
For testing S-parameters of items specified in 3A001.b.3.;
Η «APP» είναι ένας προσαρμοσμένος ρυθμός με τον οποίο οι «ψηφιακοί υπολογιστές» εκτελούν προσθέσεις και πολλαπλασιασμούς κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω.
c.
Η «APP» εκφράζεται ως σταθμισμένα TeraFLOPS (WT), σε μονάδες 1012 πράξεων κινητής υποδιαστολής ανά δευτερόλεπτο.
For testing items specified in 3A001.b.2.
Συντμήσεις που χρησιμοποιούνται στην παρούσα Τεχνική Σημείωση
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
n αριθμός επεξεργαστών του «ψηφιακού υπολογιστή»
a.
i αριθμός επεξεργαστή (i,… n)
Silicon (Si);
χρόνος κύκλου επεξεργαστή (ti = 1/Fi)
b.
συχνότητα επεξεργαστή
Germanium (Ge);
κορυφαίος ρυθμός υπολογισμού κινητής υποδιαστολής
c.
συντελεστής προσαρμογής αρχιτεκτονικής
Silicon carbide (SiC); or
Η μέθοδος υπολογισμού της «APP» σε αδρές γραμμές
d.
Για κάθε επεξεργαστή i, προσδιορίζεται ο κορυφαίος αριθμός πράξεων κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω, FPOi, που εκτελούνται ανά κύκλο για κάθε επεξεργαστή του «ψηφιακού υπολογιστή».
"III/V compounds" of gallium or indium.
Σημείωση
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Κατά τον προσδιορισμό του FPO, λαμβάνονται υπόψη μόνο οι προσθέσεις και/ή οι πολλαπλασιασμοί κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω.
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Για τους επεξεργαστές που δεν είναι ικανοί να εκτελούν υπολογισμούς σε τελεστές 64 bit ή άνω, ο ενεργός ρυθμός υπολογισμού R είναι μηδέν.
Resists designed for semiconductor lithography as follows: