natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Χωρητικότητα ίση ή μεγαλύτερη από 100 nF.
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
Παλμογεννήτριες υψηλής ταχύτητας, και οι «κεφαλές παλμού» τους, που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A maximum frequency exceeding 90 GHz;
α.
For the purpose of 3A002.d., signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Τάση εξόδου ανώτερη από 6 V όταν συνδέονται με φορτίο αντίστασης μικρότερο από 55 Ω· και
3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
β.
The maximum frequency of an arbitrary waveform or function generator is calculated by dividing the sample rate, in samples/second, by a factor of 2,5.
«Χρόνο μετάβασης παλμού» κάτω από 500 πικο-δευτερόλεπτα.
For the purposes of 3A002.d.1.a, 'pulse duration' is defined as the time interval from the point on the leading edge that is 50 % of the pulse amplitude to the point on the trailing edge that is 50 % of the pulse amplitude.
Στο σημείο 3Α230, ο "χρόνος μετάβασης του παλμού" ορίζεται ως το χρονικό διάστημα μεταξύ του 10 % και του 90 % του εύρους της τάσης.
e.
Οι «κεφαλές παλμού» είναι δίκτυα σχηματισμού ώσεων σχεδιασμένα να δέχονται βηματικές συναρτήσεις τάσης και βηματικής μορφής τάσεις, οι οποίες μπορούν να περιλαμβάνουν ορθογωνικές, τριγωνικές, βηματικές, κρουστικές, εκθετικές ή μονοκυκλικές μορφές.
Network analysers having any of the following:
Οι «κεφαλές παλμού» δύνανται να αποτελούν αναπόσπαστο μέρος της γεννήτριας παλμών, να αποτελούν μονάδα που προστίθεται στη συσκευή ή να συνδέονται εξωτερικά με τη συσκευή.
An output power exceeding 31,62 mW (15 dBm) anywhere within the operating frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Συστήματα παραγωγής νετρονίων, συμπεριλαμβανομένων των σωλήνων, με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
An output power exceeding 1 mW (0 dBm) anywhere within the operating frequency range exceeding 90 GHz but not exceeding 110 GHz;
α.
'Nonlinear vector measurement functionality' at frequencies exceeding 50 GHz but not exceeding 110 GHz; or
Έχουν σχεδιαστεί για λειτουργία χωρίς εξωτερικό σύστημα κενού· και
'Nonlinear vector measurement functionality' is an instrument’s ability to analyse the test results of devices driven into the large-signal domain or the non-linear distortion range.
β.
A maximum operating frequency exceeding 110 GHz;
Χρησιμοποιούν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
f.
Ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση τριτίου-δευτερίου· ή
Microwave test receivers having all of the following:
Ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση δευτερίου-δευτερίου, ικανά για παραγωγή 3 × 109 νετρονίων/s ή μεγαλύτερη.
A maximum operating frequency exceeding 110 GHz; and
Συστήματα έναυσης πολλαπλών σημείων, διαφορετικά από τα προδιαγραφόμενα στο σημείο 1A007, ως εξής:
Being capable of measuring amplitude and phase simultaneously;
Βλέπε 1A007.β. για τους πυροκροτητές.
g.
Συστήματα που χρησιμοποιούν απλούς ή πολλαπλούς πυροκροτητές και έχουν σχεδιαστεί για να προκαλούν σχεδόν ταυτόχρονα την έναυση μιας εκρηκτικής επιφάνειας εμβαδού άνω των 5000 mm2 από ένα μόνο σήμα πυροδότησης με χρόνο έναυσης όπως εκτείνεται στην επιφάνεια λιγότερο από 2,5 μs.
"Space-qualified";
Στο σημείο 3Α232 δεν υπάγονται πυροκροτητές που χρησιμοποιούν μόνο πρωτογενείς εκρηκτικές ύλες, όπως τον αζωτούχο μόλυβδο.
Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
Φασματογράφοι μάζας, εκτός από αυτούς που αναφέρονται στο σημείο 0Β002.ζ, που μπορούν να μετρήσουν ιόντα μεγέθους 230 ατομικών μονάδων μάζας u ή παραπάνω και οι οποίοι έχουν διακριτική ικανότητα καλύτερη από 2 μέρη στα 230, ως εξής, καθώς επίσης και πηγές ιόντων για τους φασματογράφους αυτούς:
Non-"space-qualified" and having all of the following:
Επαγωγικά συζευγμένοι φασματογράφοι μάζας πλάσματος (ICP/ΜS)·
Being a rubidium standard;
Φασματογράφοι μάζας εκκένωσης με διαύγεια (GDMS)·
Long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; and
Φασματογράφοι μάζας με θερμικό ιονισμό (TIMS)·
Total power consumption of less than 1 W;
δ. Φασματογράφοι μάζας βομβαρδισμού ηλεκτρονίων, με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
h.
Σύστημα εισαγωγής μοριακής δέσμης που εγχέει μια παραλληλισμένη δέσμη μορίων αναλύτη σε μια περιοχή της πηγής ιόντων όπου τα μόρια ιοντίζονται από τη δέσμη ηλεκτρονίων· και
"Electronic assemblies", modules, or equipment, specified to perform all of the following:
Δεν χρησιμοποιείται· στ.
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with a "sample rate" greater than 1,3 Giga Samples Per Second (GSPS);
Φασματογράφοι μάζας εξοπλισμένοι με πηγή ιόντων μικροφθορίωσης που έχουν σχεδιαστεί για ακτινίδες ή φθοριούχες ακτινίδες.
b.
Οι φασματογράφοι μάζας βομβαρδισμού ηλεκτρονίων στο σημείο 3A233.δ. είναι γνωστοί και ως φασματογράφοι μάζας πρόσπτωσης ηλεκτρονίων ή φασματογράφοι μάζας ιοντισμού ηλεκτρονίων.
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with a "sample rate" greater than 1,0 GSPS;
Στο σημείο 3A233.δ.2, "ψυχρή παγίδα" είναι μια διάταξη που παγιδεύει μόρια αερίων συμπυκνώνοντας ή ψύχοντάς τα πάνω σε ψυχρές επιφάνειες.
c.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A233.δ.2., μια κρυογενική αντλία κενού αέριου ηλίου κλειστού τύπου δεν είναι "ψυχρή παγίδα".
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with a "sample rate" greater than 1,0 GSPS;
Γυμνές αγώγιμες γραμμές για την παροχή διαδρομής χαμηλής αυτεπαγωγής προς τους πυροκροτητές, με τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
d.
α.
A resolution of 14 bit or more but less than 16 bit, with a "sample rate" greater than 400 Mega Samples Per Second (MSPS); or
Ονομαστική τάση μεγαλύτερη από 2 kV· και
e.
β.
A resolution of 16 bit or more with a "sample rate" greater than 180 MSPS; and
Αυτεπαγωγή μικρότερη από 20 nH.
a.
Εξοπλισμός για την παραγωγή συσκευών με ημιαγωγούς ή υλικών ημιαγωγών, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη και εξαρτήματα για τον σκοπό αυτό:
Output of digitized data;
ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 2B226.
Storage of digitized data; or
Εξοπλισμός σχεδιασμένος για επιταξιακή ανάπτυξη, ως εξής:
Processing of digitized data;
Εξοπλισμός που μπορεί να παράγει στρώμα οποιουδήποτε άλλου υλικού πλην πυριτίου ομοιογενούς πάχους με διαφορά λιγότερη από ± 2,5 % σε απόσταση 75 mm ή παραπάνω·
Digital data recorders, oscilloscopes, "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers, are specified in 3A002.a.6., 3A002.a.7., 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
Το σημείο 3B001.α.1. περιλαμβάνει εξοπλισμό επίταξης ατομικού στρώματος (Atomic Layer Epitaxy — ALE).
For non-interleaved multiple-channel "electronic assemblies", modules, or equipment, the "sample rate" is not aggregated and the "sample rate" is the maximum rate of any single-channel.
Αντιδραστήρες για χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων (ΜΟCVD), που έχουν σχεδιαστεί για την επιταξιακή ανάπτυξη από σύνθετους ημιαγωγούς υλικών που έχουν δύο ή περισσότερα από τα ακόλουθα στοιχεία: αργίλιο, γάλλιο, ίνδιο, αρσενικό, φωσφόρο, αντιμόνιο ή άζωτο·
For interleaved channels on multiple-channel "electronic assemblies", modules, or equipment, the "sample rates" are aggregated and the "sample rate" is the maximum combined total rate of all the interleaved channels.
Εξοπλισμός επιταξιακής ανάπτυξης μέσω μοριακής δέσμης ο οποίος χρησιμοποιεί αέριες ή στερεές πηγές·
3A002.h. includes ADC cards, waveform digitizers, data acquisition cards, signal acquisition boards and transient recorders.
β.
Spray cooling thermal management systems employing closed loop fluid handling and reconditioning equipment in a sealed enclosure where a dielectric fluid is sprayed onto electronic components using specially designed spray nozzles that are designed to maintain electronic components within their operating temperature range, and specially designed components therefor.
Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμφύτευση ιόντων που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Electronic equipment, devices and components, other than those specified in 3A001, as follows:
Σχεδιασμένος και βελτιστοποιημένος για λειτουργία με ενέργεια δέσμης 20 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 10 mA και άνω, για εμφύτευση υδρογόνου, δευτερίου ή ηλίου·
a.
Δυνατότητα απευθείας εγγραφής·
Analogue-to-digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedized equipment;
Ενέργεια δέσμης 65 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 45 mA και άνω, για εμφύτευση οξυγόνου υψηλής ενέργειας πάνω σε θερμαινόμενο «υπόστρωμα» ημιαγωγού· ή
b.
Σχεδιασμένος και βελτιστοποιημένος για λειτουργία με ενέργεια δέσμης 20 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 10 mA και άνω, για εμφύτευση πυριτίου πάνω σε «υπόστρωμα» ημιαγωγού θερμασμένου στους 600°C και άνω·
Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
ε.
3A101.b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
Κεντρικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων (wafer), πολλαπλών θαλάμων, αυτόματης φόρτωσης, τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
'Thermal batteries' designed or modified for 'missiles'.
Διεπαφές για είσοδο και έξοδο πλακιδίων, στις οποίες μπορούν ως εκ του σχεδιασμού να συνδεθούν περισσότερα από δύο λειτουργικώς διαφορετικά "εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών" προσδιοριζόμενα στο 3B001.α.1., 3B001.α.2., 3Β001.α.3. ή 3B001.β.· και
In 3A102 'thermal batteries' are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
Είναι σχεδιασμένα για να αποτελέσουν ένα ολοκληρωμένο σύστημα σε περιβάλλον κενού για "σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων"·
These batteries incorporate a pyrolytic material that, when ignited, melts the electrolyte and activates the battery.
Στο σημείο 3Β001.ε. δεν υπάγονται τα αυτόματα ρομποτικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων τα ειδικά σχεδιασμένα για την παράλληλη επεξεργασία πλακιδίων.
In 3A102 'missile' means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
Για τους σκοπούς του σημείου 3B001.ε., ως "εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών" νοούνται τα σπονδυλωτά εργαλεία που επιτελούν λειτουργικά διαφορετικές φυσικές διεργασίες, όπως π.χ. επικάθηση, εμφύτευση ή θερμική επεξεργασία, για την παραγωγή ημιαγωγών.
Electronic components, other than those specified in 3A001, as follows;
Για τους σκοπούς του σημείου 3B001.ε., ως "σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων" νοείται η ικανότητα επεξεργασίας κάθε πλακιδίου με διαφορετικά "εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών", π.χ. με τη μεταφορά κάθε πλακιδίου από ένα εργαλείο σε άλλο και από εκεί σε τρίτο με τη βοήθεια των κεντρικών συστημάτων χειρισμού πλακιδίων πολλαπλών θαλάμων και αυτόματης φόρτωσης.
a.
στ. Εξοπλισμός λιθογραφίας, ως εξής:
Capacitors having either of the following sets of characteristics:
Εξοπλισμός ευθυγράμμισης και έκθεσης step and repeat (με άμεσο βήμα πάνω στο πλακίδιο) ή step and scan (με σάρωση) για την επεξεργασία πλακιδίων με τη χρήση φωτο-οπτικών μεθόδων ή μεθόδων ακτίνων Χ και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
a.
α.
Voltage rating greater than 1,4 kV;
Μήκος κύματος φωτεινής πηγής βραχύτερο από 193 nm· ή
b.
β.
Energy storage greater than 10 J;
Ικανότητα να συνθέτει σχήματα με «ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος» (MRF) 45 nm ή μικρότερο·
c.
Το "ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος" (MRF) υπολογίζεται με τον εξής τύπο:
Capacitance greater than 0,5 μF; and
Εξοπλισμός εντυπωτικής λιθογραφίας ικανός να παράγει λεπτομέρειες διαστάσεων 45 nm και κάτω·
Series inductance less than 50 nH; or
Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την παραγωγή μασκών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Series inductance less than 10 nH;
Εκτρεπόμενη εστιασμένη δέσμη ηλεκτρονίων, δέσμη ιόντων ή δέσμη «λέιζερ»· και
Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
Μέγεθος κηλίδας μισό του μεγίστου και με πλήρες πλάτος (FWHM) μικρότερο των 65 nm και θέση εικόνας μικρότερη των 17 nm (μέσο σφάλμα + 3 σίγμα)· ή
Capable of creating magnetic fields greater than 2 T;
Σφάλμα επίστρωσης δεύτερου επιπέδου μικρότερο από 23 nm (μέσο σφάλμα + 3 σίγμα) επί της μάσκας·
A ratio of length to inner diameter greater than 2;
Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιαστεί για επεξεργασία συσκευών με τη χρήση μεθόδων άμεσης εγγραφής και έχει όλα τα ακόλουθα:
Inner diameter greater than 300 mm; and
α.
Magnetic field uniform to better than 1 % over the central 50 % of the inner volume;
Εκτρεπόμενη και εστιασμένη δέσμη ηλεκτρονίων· και
3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported 'as parts of' medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Ελάχιστο μέγεθος δέσμης ίσο ή μικρότερο από 15 nm· ή
The phrase 'as part of' does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched 'as part of' the imaging systems.
Σφάλμα επικάλυψης μικρότερο από 27 nm (μέσος όρος + 3 σίγμα)·
c.
ζ.
Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
Μάσκες ή πλεγματίδια που έχουν σχεδιαστεί για ολοκληρωμένα κυκλώματα που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.
a.
η. Μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης και οι οποίες δεν προσδιορίζονται στο σημείο 3B001.ζ., με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
Κατασκευασμένες πάνω σε «ακατέργαστο υπόστρωμα» μάσκας από ύαλο που προσδιορίζεται ως έχουσα διπλή διάθλαση μικρότερη από 7 nm/cm· ή
b.
Σχεδιασμένες για να χρησιμοποιηθούν σε εξοπλισμό λιθογραφίας που έχει μήκος κύματος πηγής φωτός μικρότερο από 245 nm·
With a 'figure of merit' (K) of 0,25 or greater; or
Στο σημείο 3Β001.η δεν υπάγονται οι μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης και έχουν σχεδιαστεί για την κατασκευή συσκευών μνήμης που δεν ελέγχονται στο σημείο 3Α001.
a.
θ. Μακέτες εντυπωτικής λιθογραφίας σχεδιασμένες για τα ηλεκτρονικά κυκλώματα που προσδιορίζονται στο 3Α001.
An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
Μάσκα «ακατέργαστα υπόστρωμα» με πολυστρωματική δομή ανακλαστήρα αποτελούμενη από μολυβδαίνιο και πυρίτιο, και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A 'peak power' greater than 50 MW.
Είναι ειδικά σχεδιασμένα για λιθογραφία "ακραίας υπεριώδους ακτονοβολίας" ("EUV")· και
3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes.
Συμμορφώνονται με το πρότυπο SEMI P37.
The 'figure of merit' K is defined as:
Η "ακραία υπεριώδης ακτινοβολία" ("EUV") αναφέρεται σε μήκη κύματος ηλεκτρομαγνητικού φάσματος άνω των 5 nm και μικρότερα των 124 nm.
K = 1,7 × 103V2,65Q
Εξοπλισμός δοκιμών που έχει ειδικά σχεδιαστεί για να δοκιμάζονται τελειωμένες ή ημιτελείς συσκευές ημιαγωγών, ως εξής, και κατασκευαστικά μέρη και εξαρτήματα που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για τον εξοπλισμό αυτό:
V is the peak electron energy in million electron volts.
α.
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 μs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
Για να δοκιμάζονται οι παράμετροι S των ειδών που προσδιορίζονται στο σημείο 3A001.β.3.·
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 μs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 μs.
γ.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
Για να δοκιμάζονται τα είδη που προσδιορίζονται στο σημείο 3A001.β.2.·
'Peak power' = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
Ετερο-επιταξιακά υλικά, που αποτελούνται από «υπόστρωμα» πάνω στο οποίο έχουν αποτεθεί επιταξιακά ανεπτυγμένα πολλαπλά στρώματα οποιουδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
α.
In machines based on microwave accelerating cavities, the peak beam current is the average current in the time duration of a bunched beam packet.
Πυρίτιο (Si)·
Frequency changers or generators, other than those specified in 0B001.b.13., usable as a variable or fixed frequency motor drive, having all of the following characteristics:
β.
"Software" specially designed to enhance or release the performance of a frequency changer or generator to meet the characteristics of 3A225 is specified in 3D225.
Γερμάνιο (Ge)·
"Technology" in the form of codes or keys to enhance or release the performance of a frequency changer or generator to meet the characteristics of 3A225 is specified in 3E225.
Καρβίδιο του πυριτίου (SiC)· ή
Multiphase output providing a power of 40 VA or greater;
«Σύνθετες ενώσεις» γαλλίου ή ινδίου με στοιχεία του πίνακα III/V.
Operating at a frequency of 600 Hz or more; and
Στο σημείο 3C001.δ. δεν υπάγεται «υπόστρωμα» που έχει ένα ή περισσότερα επιταξιακά στρώματα τύπου Ρ GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP ή InGaAlP, ανεξάρτητα από την αλληλουχία των στοιχείων, εκτός εάν το επιταξιακό στρώμα τύπου Ρ βρίσκεται μεταξύ στρωμάτων τύπου Ν.
c.
Φωτοανθεκτικά υλικά, ως εξής, καθώς και «υποστρώματα» που έχουν επίστρωση των ακόλουθων φωτοανθεκτικών ουσιών:
Frequency control better (less) than 0,2 %.
α.
3A225 does not control frequency changers or generators if they have hardware, "software" or "technology" constraints that limit the performance to less than that specified above, provided they meet any of the following:
Φωτοανθεκτικά υλικά σχεδιασμένα για λιθογραφία με ημιαγωγούς, ως εξής:
They need to be returned to the original manufacturer to make the enhancements or release the constraints;
Θετικά φωτοανθεκτικά υλικά προσαρμοσμένα (αριστοποιημένα) για να χρησιμοποιηθούν σε μήκη κύματος μικρότερα από 193 nm και ίσα ή μεγαλύτερα από 15 nm·
They require "software" as specified in 3D225 to enhance or release the performance to meet the characteristics of 3A225; or
Φωτοανθεκτικά υλικά προσαρμοσμένα (αριστοποιημένα) για να χρησιμοποιηθούν σε μήκη κύματος μικρότερα από 15 nm και μεγαλύτερα από 1 nm·
They require "technology" in the form of keys or codes as specified in 3E225 to enhance or release the performance to meet the characteristics of 3A225.
β.
Frequency changers in 3A225 are also known as converters or inverters.
Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με δέσμες ηλεκτρονίων ή ιόντων που έχουν ευαισθησία 0,01 μcoulomb/mm2 ή καλύτερη·
Frequency changers in 3A225 may be marketed as Generators, Electronic Test Equipment, AC Power Supplies, Variable Speed Motors Drives, Variable Speed Drives (VSDs), Variable Frequency Drives (VFDs), Adjustable Frequency Drives (AFDs), or Adjustable Speed Drives (ASDs).
δ. Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά αριστοποιημένα για τεχνολογίες απεικόνισης επιφανειών·
High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά σχεδιασμένα ή αριστοποιημένα για χρήση με τον εξοπλισμό εντυπωτικής λιθογραφίας που καθορίζεται στο 3B001.στ.2. που χρησιμοποιούν είτε θερμική είτε φωτο-στυπωτική διαδικασία.
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
Ενώσεις οργανικού με ανόργανο στοιχείο ως εξής:
b.
α.
Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
Οργανομεταλλικές ενώσεις αργιλίου, γαλλίου ή ινδίου που έχουν καθαρότητα (με βάση το μέταλλο) καλύτερη από 99,999 %·
High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
Οργανικές ενώσεις αρσενικού, αντιμονίου και φωσφόρου που έχουν καθαρότητα (με βάση το ανόργανο στοιχείο) καλύτερη από 99,999 %.
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
Στο σημείο 3C003 ελέγχονται μόνο οι ενώσεις των οποίων το μεταλλικό, μερικώς μεταλλικό ή μη μεταλλικό στοιχείο συνδέεται άμεσα με άνθρακα στο οργανικό τμήμα του μορίου.
Switching devices, as follows:
Υδρίδια φωσφόρου, αρσενικού ή αντιμονίου που έχουν καθαρότητα καλύτερη από 99,999 %, ακόμη και αν έχουν διαλυθεί σε αδρανή αέρια ή υδρογόνο.
a.
Στο σημείο 3C004 δεν υπάγονται υδρίδια που περιέχουν γραμμομοριακό ποσοστό 20 % και άνω αδρανή αέρια ή υδρογόνο.
Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
Υλικά υψηλής ανθεκτικότητας ως εξής:
Containing three or more electrodes;
«Υυποστρώματα» ημιαγωγών από καρβίδιο του πυριτίου (SiC), νιτρίδιο του γαλλίου (GaN), νιτρίδιο του αργιλίου (AlN) ή νιτρίδιο του αργιλίου-γαλλίου (AlGaN) ή πλινθώματα, συνθετικοί κρύσταλλοι, ή άλλα προμορφώματα αυτών των υλικών, που έχουν ειδικές αντιστάσεις μεγαλύτερες από 10000 Ω-cm στους 20 °C·
Anode peak current rating of 100 A or more; and
β.
Anode delay time of 10 μs or less;
Πολυκρυσταλλικά «υποστρώματα» ή πολυκρυσταλλικά κεραμικά «υποστρώματα», που έχουν ειδικές αντιστάσεις μεγαλύτερες από 10000 ωμ-cm στους 20 °C και έχουν τουλάχιστον ένα μη επιταξιακό μονοκρυσταλλικό στρώμα πυριτίου (Si), καρβιδίου του πυριτίου (SiC), νιτριδίου του γαλλίου (GaN), νιτριδίου του αργιλίου (AlN) ή νιτριδίου του αργιλίου-γαλλίου (AlGaN) στην επιφάνεια του «υποστρώματος».
3A228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
Υλικά που δεν προσδιορίζονται στο 3C001 και αποτελούνται από ένα «υπόστρωμα» που καθορίζεται στο 3C005 με τουλάχιστον ένα επιταξιακό στρώμα καρβιδίου του πυριτίου, νιτριδίου του γαλλίου, νιτριδίου του αργιλίου ή νιτριδίου του αργιλίου-γαλλίου.
b.
«Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.β. έως 3Α002.η ή 3Β.
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
«Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για τη «χρήση» εξοπλισμού προδιαγραφόμενου στα σημεία 3B001.α. έως στ. ή 3B002 ή 3A225.
An anode delay time of 15 μs or less; and
«Λογισμικό» προσομοίωσης, «βασισμένο στη φυσική», ειδικά σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» διεργασιών λιθογραφίας, χάραξης ή εναπόθεσης ώστε τα σχήματα μάσκας να μεταφράζονται σε επί μέρους τοπογραφικά σχήματα με αγωγούς, διηλεκτρικά ή υλικά ημιαγωγών.
Rated for a peak current of 500 A or more;
Στο σημείο 3D003., οι λέξεις «βασισμένο στη φυσική» υποδηλώνουν ότι χρησιμοποιεί υπολογισμούς για να προσδιορίσει μια ακολουθία φυσικών αιτίων/αιτιατών βασισμένων σε φυσικές ιδιότητες (π.χ. θερμοκρασία, πίεση, σταθερές διάχυσης και ιδιότητες υλικών ημιαγωγών).
c.
Οι βιβλιοθήκες, τα χαρακτηριστικά σχεδιασμού ή συναφή δεδομένα για τον σχεδιασμό συσκευών ημιαγωγών ή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων θεωρούνται «τεχνολογία».
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» του εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α003.
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
«Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για τη «χρήση» εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α101.β.
Anode peak current rating of 500 A or more; and
«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων, ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225.
Turn-on time of 1 μs or less.
«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3Α, 3Β ή 3C.
High-current pulse generators as follows:
Στο σημείο 3Ε001 δεν υπάγονται η «τεχνολογία» για την «παραγωγή» εξοπλισμού ή κατασκευαστικών μερών ν που καθορίζονται στο σημείο 3Α003.
a.