natgillin/translations-raw huggingface dataset:
"MMIC μετάδοσης/λήψης": είναι «MMIC» πολλαπλών λειτουργιών που παρέχει δικατευθυντικό πλάτος και έλεγχο φάσης για μετάδοση και λήψη σημάτων.
Having a gridded electron gun;
"MMIC μετάδοσης": Είναι ένα «MMIC» που παρέχει εύρος και έλεγχο φάσης για μετάδοση σημάτων.
Devices with a "fractional bandwidth" greater than or equal to 10 %, with any of the following:
Η συχνότητα 2,7 GHz θα πρέπει να χρησιμοποιείται ως η κατώτατη συχνότητα λειτουργίας (fGHz) στον τύπο του σημείου 3A001.β.12.γ, για μονάδες μετάδοσης/λήψης ή μονάδες μετάδοσης με ονομαστικό φάσμα λειτουργίας που εκτείνεται προς τα κάτω έως τα 2,7 GHz και παρακάτω [d≤ 15cm*GHz/2,7 GHz].
a.
Το σημείο 3A001.β.12 εφαρμόζεται σε "μονάδες μετάδοσης/λήψης" ή "μονάδες μετάδοσης" με ή χωρίς απαγωγό θερμότητας.
An annular electron beam;
Η τιμή του d στο σημείο 3A001.β.12.γ δεν περιλαμβάνει κάνενα τμήμα της "μονάδας μετάδοσης/λήψης" ή της "μονάδας μετάδοσης" που λειτουργεί ως απαγωγός θερμότητας.
b.
"Μονάδες μετάδοσης/λήψης" ή "μονάδες μετάδοσης", ή "MMIC μετάδοσης/λήψης" ή "MMIC μετάδοσης" μπορεί να ή μπορεί να μη διαθέτουν N ολοκληρωμένα ακτινοβολούνται στοιχεία κεραίας, όπου N είναι ο αριθμός των διαύλων μετάδοσης ή μετάδοσης/λήψης.
A non-axisymmetric electron beam; or
Συσκευές ακουστικών κυμάτων και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τις συσκευές αυτές ως εξής:
Multiple electron beams;
Συσκευές επιφανειακών ακουστικών κυμάτων και συσκευές surface skimming (shallow bulk) ακουστικών κυμάτων και οι οποίες έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
b.
α.
Crossed-field amplifier 'vacuum electronic devices' with a gain of more than 17 dB;
Φέρουσα συχνότητα άνω των 6 GHz,
c.
β.
Thermionic cathodes designed for 'vacuum electronic devices' producing an emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2 or a pulsed (non-continuous) current density at rated operating conditions exceeding 10 A/cm2;
Φέρουσα συχνότητα άνω του 1 GHz αλλά όχι άνω των 6 GHz και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
d.
"Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας" που ξεπερνάει τα 65 dB,
'Vacuum electronic devices' with the capability to operate in a 'dual mode'.
Γινόμενο του μέγιστου χρόνου καθυστέρησης και του εύρους ζώνης (ο χρόνος σε μs και το εύρος ζώνης σε ΜΗz) ανώτερο του 100,
'Dual mode' means the 'vacuum electronic device' beam current can be intentionally changed between continuous-wave and pulsed mode operation by use of a grid and produces a peak pulse output power greater than the continuous-wave output power.
Εύρος ζώνης άνω των 250 MHz, ή
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" (MMIC) amplifiers that are any of the following:
Καθυστέρηση με διασπορά (dispersive delay) άνω των 10 μs, ή
For "MMIC" amplifiers that have an integrated phase shifter see 3A001.b.12.
Συχνότητα φέροντος 1 GHz ή λιγότερο, και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Rated for operation at frequencies exceeding 2,7 GHz up to and including 6,8 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 15 %, and having any of the following:
"Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας" που ξεπερνάει τα 65 dB και εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 100 MHz.
A peak saturated power output greater than 75 W (48,75 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
Η "απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας" είναι η μέγιστη τιμή απόρριψης που προσδιορίζεται στα δελτία δεδομένων.
A peak saturated power output greater than 55 W (47,4 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
Συσκευές ακουστικών κυμάτων όγκου που επιτρέπουν την κατευθείαν επεξεργασία σημάτων σε συχνότητες άνω των 6 GHz.
A peak saturated power output greater than 40 W (46 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
Ακουστικοοπτικές συσκευές «επεξεργασίας σημάτων» που βασίζονται στην αλληλεπίδραση μεταξύ ακουστικών κυμάτων (κυμάτων όγκου ή κυμάτων επιφανείας) και κυμάτων φωτός και οι οποίες επιτρέπουν την άμεση επεξεργασία σημάτων ή εικόνων.
A peak saturated power output greater than 20 W (43 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
Περιλαμβάνουν φασματική ανάλυση, συσχέτιση ή συνέλιξη.
b.
Στο σημείο 3Α001.γ δεν ελέγχονται οι συσκευές ακουστικών κυμάτων που περιορίζονται σε μονοπερατό, χαμηλοπερατό, υψηλοπερατό ή στενό ζωνοφρακτικό φίλτρο, ή λειτουργία συντονισμού.
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 16 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 10 %, and having any of the following:
δ. Ηλεκτρονικές συσκευές και κυκλώματα που περιέχουν δομικά στοιχεία κατασκευασμένα από «υπεραγώγιμα» υλικά και ειδικά σχεδιασμένα για λειτουργία σε θερμοκρασίες κάτω από την «κρίσιμη θερμοκρασία» τουλάχιστον ενός από τα «υπεραγώγιμα» συστατικά υλικά και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
A peak saturated power output greater than 10W (40 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz; or
Μεταγωγή ρεύματος για ψηφιακά κυκλώματα όπου χρησιμοποιούνται «υπεραγώγιμες» πύλες με γινόμενο μεταξύ του χρόνου καθυστέρησης ανά πύλη (που εκφράζεται σε δευτερόλεπτα) και της κατανάλωσης ισχύος ανά πύλη (που εκφράζεται σε W) λιγότερο από 10–14 J ή
A peak saturated power output greater than 5W (37 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 16 GHz;
Επιλογή συχνοτήτων σε όλες τις συχνότητες με τη χρήση συντονισμένων κυκλωμάτων με τιμές Q άνω των 10000,
c.
ε.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 3 W (34,77 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Συσκευές υψηλής ενέργειας, ως εξής:
d.
"Ηλεκτρικά στοιχεία" ως εξής:
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (-70 dBm) at any frequency exceeding 31,8 GHz up to and including 37 GHz;
"Πρωτογενή στοιχεία" με "ενεργειακή πυκνότητα" άνω των 550 Wh/kg στους 20 °C,
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 1 W (30 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
"Δευτερογενή στοιχεία" με "ενεργειακή πυκνότητα" άνω των 350 Wh/kg στους 20 °C.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 31,62 mW (15 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz up to and including 75 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1, η "ενεργειακή πυκνότητα" (Wh/kg) υπολογίζεται ωςτο γινόμενο της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί την ονομαστική χωρητικότητα σε αμπερώρια (Ah) διά τη μάζα σε χιλιόγραμμα.
g.
Αν δεν δηλώνεται η ονομαστική χωρητικότητα, η ενεργειακή πυκνότητα υπολογίζεται ως το γινόμενο του τετραγώνου της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί τη διάρκεια εκφόρτισης σε ώρες διαιρούμενο με το φορτίο εκφόρτισης σε ωμ και με τη μάζα σε χιλιόγραμμα.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 10 mW (10 dBm) at any frequency exceeding 75 GHz up to and including 90 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 5 %; or
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1, ως "ηλεκτρικό στοιχείο" νοείται κάθε ηλεκτροχημική διάταξη που διαθέτει θετικό και αρνητικό ηλεκτρόδιο και ηλεκτρολύτη και αποτελεί πηγή ηλεκτρικής ενέργειας.
h.
Τα ηλεκτρικά στοιχεία αποτελούν τις βασικές μονάδες από τις οποίες συντίθενται οι ηλεκτρικές στήλες.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (-70 dBm) at any frequency exceeding 90 GHz;
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.α, ως "πρωτογενές ηλεκτρικό στοιχείο" νοείται κάθε "ηλεκτρικό στοιχείο" που δεν είναι σχεδιασμένο για να φορτίζεται από άλλη πηγή.
Not used.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.β, ως "δευτερογενές ηλεκτρικό στοιχείο" νοείται κάθε "ηλεκτρικό στοιχείο" σχεδιαζόμενο ώστε να φορτίζεται από εξωτερική πηγή ηλεκτρισμού.
The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.h., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
Στο σημείο 3Α001.ε.1 δεν ελέγχονται οι μπαταρίες, έστω και αν αποτελούνται από ένα μόνο ηλεκτρικό στοιχείο.
Notes 1 and 2 in 3A mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
Πυκνωτές με υψηλή ενεργειακή χωρητικότητα ως εξής:
Discrete microwave transistors that are any of the following:
α.
Rated for operation at frequencies exceeding 2,7 GHz up to and including 6,8 GHz and having any of the following:
Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης κάτω από 10 Hz (πυκνωτές μίας κρούσης) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
A peak saturated power output greater than 400 W (56 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη των 5 kV,
A peak saturated power output greater than 205 W (53,12 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη των 250 J/kg. και
A peak saturated power output greater than 115 W (50,61 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη των 25 kJ.
A peak saturated power output greater than 60 W (47,78 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης 10 Hz ή παραπάνω (επαναληπτικοί πυκνωτές) και με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz and having any of the following:
Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη των 50 J/kg.
A peak saturated power output greater than 50 W (47 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz;
Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη των 100 J. και
A peak saturated power output greater than 15 W (41,76 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 12 GHz;
Κύκλο ζωής για φόρτιση και εκφόρτιση ίσο ή ανώτερο των 10000.
A peak saturated power output greater than 40 W (46 dBm) at any frequency exceeding 12 GHz up to and including 16 GHz; or
«Υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή που έχουν σχεδιαστεί ειδικά ώστε να φορτίζονται πλήρως, ή να εκφορτίζονται, σε λιγότερο από ένα δευτερόλεπτο με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A peak saturated power output greater than 7 W (38,45 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz;
ΒΛ.
c.
ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3A201.β.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,5 W (27 dBm) at any frequency exceeding 31,8 GHz up to and including 37 GHz;
Στο σημείο 3Α001.ε.3 δεν ελέγχονται «υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή που έχουν κατασκευασθεί ειδικά για ιατρικό εξοπλισμό απεικόνισης με τη βοήθεια Μαγνητικού Συντονισμού (Magnetic Resonance Imaging - MRI).
d.
α.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 1 W (30 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz;
Ενέργεια που αποδίδεται κατά τη διάρκεια της εκφόρτισης η οποία υπερβαίνει τα 10 kJ το πρώτο δευτερόλεπτο,
e.
β.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (-70 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz;
Εσωτερική διάμετρο των ρευματοφόρων περιελίξεων ανώτερη των 250 mm, και
The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
γ.
3A001.b.3. includes bare dice, dice mounted on carriers, or dice mounted in packages.
Ονομαστική μαγνητική επαγωγή άνω των 8 Τ ή «συνολική πυκνότητα ρεύματος» στις περιελίξεις που είναι ανώτερη των 300 A/mm2.
Some discrete transistors may also be referred to as power amplifiers, but the status of these discrete transistors is determined by 3A001.b.3.
Φωτοβολταϊκά στοιχεία, συναρμολογήματα υαλοκαλυπτρών διασυνδεδεμένων στοιχείων (CIC), φωτοβολταϊκοί επίπεδοι συλλέκτες και φωτοβολταϊκές συστοιχίες, «κατάλληλα για διαστημική χρήση», με ελάχιστη μέση απόδοση άνω του 20 % σε θερμοκρασία λειτουργίας 301 K (28 °C) υπό προσομοιωμένο φωτισμό μηδενικής μάζας αέρα "AM0", με πυκνότητα ακτινοβολίας 1367 Watts ανά τετραγωνικό μέτρο (W/m2),
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers, that are any of the following:
Ο όρος "μηδενικής μάζας αέρα" ("AM0") αναφέρεται στη φασματική πυκνότητα ακτινοβολίας του ηλιακού φωτός στην εξώτερη ατμόσφαιρα της γης, όταν η απόσταση γης-ηλίου είναι μία αστρονομική μονάδα (ΑU). στ.
A peak saturated power output greater than 500 W (57 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
Περιστροφικοί κωδικοποιητές τιμής απόλυτης θέσης τύπου εισόδου που έχουν ακρίβεια ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από ±1,0 δευτερόλεπτο τόξου και ειδικά σχεδιασμένους δακτυλίους, δίσκους ή κλίμακες κωδικοποίησης.
A peak saturated power output greater than 270 W (54,3 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
ζ.
A peak saturated power output greater than 200 W (53 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
Συσκευές και "μονάδες" στερεάς κατάστασης με θυρίστορες για την παλμική μεταγωγή ηλεκτρισμού, που χρησιμοποιούν μεθόδους μεταγωγής ελεγχόμενες είτε ηλεκτρικώς, είτε οπτικώς, είτε με ακτινοβολία ηλεκτρονίων και έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
A peak saturated power output greater than 90 W (49,54 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 30000 A/s και τάση σε κατάσταση σβηστή άνω των 1100 V, ή
b.
Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 2000 A/s και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 10 %, and having any of the following:
α.
A peak saturated power output greater than 70 W (48,54 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz;
Ανώτατη τάση σε κατάσταση σβηστή τουλάχιστον 3000 V, και και
A peak saturated power output greater than 50 W (47 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 12 GHz;
β.
A peak saturated power output greater than 30 W (44,77 dBm) at any frequency exceeding 12 GHz up to and including 16 GHz; or
Ρεύμα αιχμής τουλάχιστον 3000 A.
A peak saturated power output greater than 20 W (43 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz;
Στο σημείο 3Α001.ζ. περιλαμβάνονται τα ακόλουθα:
d.
Silicon Controlled Rectifiers (SCR)
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 2 W (33 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Electrical Triggering Thyristors (ETT)
e.
Light Triggering Thyristors (LTT)
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz and having any of the following:
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCT)
A peak saturated power output greater than 0,2 W (23 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz up to and including 75 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Gate Turn-off Thyristors (GTO)
A peak saturated power output greater than 20 mW (13 dBm) at any frequency exceeding 75 GHz up to and including 90 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 5 %; or
MOS Controlled Thyristors (MCT)
A peak saturated power output greater than 0,1 nW (-70 dBm) at any frequency exceeding 90 GHz; or
Solidtron.
f.
Στο σημείο 3A001.ζ δεν ελέγχονται οι συσκευές και "μονάδες με θυρίστορες" οι ενσωματωμένες σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικούς σιδηροδρόμους και «πολιτικά αεροσκάφη».
Not used
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ζ, οι "μονάδες με θυρίστορες" περιέχουν μία ή περισσότερες συσκευές με θυρίστορες.
MMIC amplifiers see 3A001.b.2.
η. Διακόπτες, δίοδοι ή "μονάδες" ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης, που έχουν όλα τα ακόλουθα:
For 'transmit/receive modules' and 'transmit modules' see 3A001.b.12.
Ονομαστική λειτουργία σε μέγιστη λειτουργική θερμοκρασία άνω των 488 K (215 °C),
The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
Επαναληπτική ανώτατη τάση αιχμής σε κατάσταση σβηστή (τάση εμπλοκής) που υπερβαίνει τα 300 V, και
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs and having any of the following:
Συνεχή ροή μεγαλύτερη από 1 Α.
a.
Η επαναληπτική ανώτατη τάση σε κατάσταση σβηστή στο 3Α001.η περιλαμβάνει τάση από drain προς πηγή, τάση από συλλέκτη προς εκπομπό, επαναληπτική ανώτατη αντίστροφη τάση και ανώτατη επαναληπτική τάση εμπλοκής σε κατάσταση σβηστή.
A band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
Στο σημείο 3Α001.η. περιλαμβάνονται τα ακόλουθα:
b.
Junction Field Effect Transistors (JFET)
A band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFET)
Converters and harmonic mixers that are any of the following:
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
Designed to extend the frequency range of "signal analysers" beyond 90 GHz;
Διπολικά τρανζίστορ μονωμένης πύλης (IGBT)
b.
High Electron Mobility Transistors (HEMT)
Designed to extend the operating range of signal generators as follows:
Bipolar Junction Transistors (BJT)
Beyond 90 GHz;
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCR)
To an output power greater than 100 mW (20 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Gate Turn-Off Thyristors (GTO)
c.
Emitter Turn-Off Thyristors (ETO)
Designed to extend the operating range of network analysers as follows:
Δίοδοι Schottky
Beyond 110 GHz;
Στο σημείο 3A001.η δεν ελέγχονται διακόπτες, δίοδοι ή "μονάδες" που ενσωματώνονται σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικούς σιδηροδρόμους και «πολιτικά αεροσκάφη».
To an output power greater than 31,62 mW (15 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Για τους σκοπούς του σημείου 3Α001.η, οι "μονάδες" περιέχουν έναν ή περισσότερους διακόπτες ή διόδους ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης.
To an output power greater than 1 mW (0 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 90 GHz but not exceeding 110 GHz; or
«Ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις», μονάδες και εξοπλισμός γενικής χρήσης ως εξής:
d.
α.
Designed to extend the frequency range of microwave test receivers beyond 110 GHz;
Εξοπλισμός καταγραφής και παλμογράφοι ως εξής:
Microwave power amplifiers containing 'vacuum electronic devices' specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Ψηφιακοί καταγραφείς δεδομένων που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
a.
α. διαρκή "συνεχή διεκπεραίωση" τουλάχιστον 6,4 Gbit/s σε δίσκο ή μνήμη στερεάς κατάστασης οδήγησης και
Operating frequencies above 3 GHz;
β. επεξεργαστή που πραγματοποιεί ανάλυση δεδομένων σήματος ραδιοσυχνότητας ενόσω καταγράφεται·
b.
Για καταγραφείς με αρτηρία (bus) παράλληλης αρχιτεκτονικής, ο ρυθμός "συνεχούς διεκπεραίωσης" είναι ο υψηλότερος ρυθμός λέξεων πολλαπλασιασμένος επί τον αριθμό bits σε μια λέξη.
An average output power to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
"Συνεχής διεκπεραίωση" είναι ο ταχύτερος ρυθμός δεδομένων που μπορεί να καταγράψει το όργανο σε μνήμη δίσκου στερεάς κατάστασης οδήγησης χωρίς απώλεια πληροφοριών, διατηρώντας συγχρόνως τον ρυθμό των ψηφιακών δεδομένων εισόδου ή τον ρυθμό μετατροπής του ψηφιοποιητή.
c.
Παλμογράφοι πραγματικού χρόνου που έχουν πραγματική τιμή (rms) τάσης θορύβου μικρότερη από 2% της πλήρους κλίμακας στην κάθετη κλίμακα που ορίζει την ελάχιστη τιμή θορύβου για κάθε εύρος ζώνης εισόδου 3dB των 60 GHz και άνω ανά δίαυλο,
A volume of less than 400 cm3;
Στο σημείο 3A002.α.7 δεν ελέγχονται οι παλμογράφοι δειγματοληψίας ισοδύναμου χρόνου.
3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
γ.
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave 'vacuum electronic device', a "monolithic microwave integrated circuit" ("MMIC") and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» ως εξής:
a.
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με διακριτική ικανότητα εύρους ζώνης (RBW) 3 dB άνω των 10 MHz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 31,8 GHz αλλά όχι άνω των 37 GHz,
A 'turn-on time' from off to fully operational in less than 10 seconds;
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με αναγραφόμενη μέση στάθμη θορύβου (DANL) κάτω των (καλύτερη από) -150dBm/Hz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz αλλά όχι άνω των 90 GHz,
b.
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με συχνότητα άνω των 90 GHz,
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
c.
α.
An "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax > 2fmin) and having any of the following:
«Εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου» που υπερβαίνει τα 170 MHz, και
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
β.
A frequency greater than 18 GHz;
Με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
100 % πιθανότητα ανακάλυψης με μείωση μικρότερη των 3 dB από το πλήρες πλάτος εξαιτίας κενών ή «παραθύρων» (windowing effects) στα σήματα που έχουν διάρκεια 15 μs ή μικρότερη, ή
The' turn-on time' in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» που έχουν λειτουργία «ενεργοποιητή μάσκας συχνότητας» με 100 % πιθανότητα ενεργοποίησης (δέσμευσης) σημάτων διάρκειας 15 μs ή μικρότερη,
Oscillators or oscillator assemblies, specified to operate with a single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, less (better) than -(126 + 20log10F - 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz;
Η πιθανότητα ανακάλυψης στο σημείο 3A002.γ.4.β.1. αναφέρεται και ως πιθανότητα αναχαίτισης ή πιθανότητα δέσμευσης.
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.γ.4.β.1, η διάρκεια για πιθανότητα ανακάλυψης 100 % είναι ισοδύναμη με την ελάχιστη διάρκεια σήματος που απαιτείται για την αβεβαιότητα μετρήσεων της προσδιοριζόμενης στάθμης.
"Frequency synthesiser" "electronic assemblies" having a "frequency switching time" as specified by any of the following:
Στο σημείο 3Α002.γ.4 δεν ελέγχονται τα «συστήματα ανάλυσης σημάτων» που χρησιμοποιούν μόνο φίλτρα σταθερού ποσοστιαίου εύρους ζώνης (γνωστά και σαν φίλτρα οκτάβας ή κλασματικής οκτάβας).
a.
δ. Γεννήτριες σημάτων με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Less than 143 ps;
Προδιαγεγραμμένες για την παραγωγή σημάτων διαμόρφωσης παλμών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 31,8 GHz και έως και 37 GHz,
b.
α.
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesised frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
"Διάρκεια παλμού" κάτω των 25 ns και και
d.
β.
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz;
Αναλογία on/off ίση ή ανώτερη των 65 dB,
e.
Ισχύ εξόδου άνω των 100 mW (20 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz και έως και 90 GHz,
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesised frequency range exceeding 37 GHz but not exceeding 90 GHz;
«Χρόνο μεταγωγής συχνότητας» προσδιοριζόμενο από οποιοδήποτε από τα εξής:
f.
β.
Not used; or
Κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός του φάσματος συχνοτήτων άνω των 4,8 GHz και έως και 31,8 GHz,
g.
δ. Κάτω των 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός του φάσματος συχνοτήτων άνω των 31,8 GHz και έως και 37 GHz, ή
Less than 1 ms within the synthesized frequency range exceeding 90 GHz;