natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Φωτοανθεκτικά υλικά, ως εξής, καθώς και «υποστρώματα» που έχουν επίστρωση των ακόλουθων φωτοανθεκτικών ουσιών:
They require "software" as specified in 3D225 to enhance or release the performance to meet the characteristics of 3A225; or
α.
They require "technology" in the form of keys or codes as specified in 3E225 to enhance or release the performance to meet the characteristics of 3A225.
Φωτοανθεκτικά υλικά σχεδιασμένα για λιθογραφία με ημιαγωγούς, ως εξής:
Frequency changers in 3A225 are also known as converters or inverters.
Θετικά φωτοανθεκτικά υλικά προσαρμοσμένα (αριστοποιημένα) για να χρησιμοποιηθούν σε μήκη κύματος μικρότερα από 245 nm και ίσα ή μεγαλύτερα από 15 nm,
Frequency changers in 3A225 may be marketed as Generators, Electronic Test Equipment, AC Power Supplies, Variable Speed Motors Drives, Variable Speed Drives (VSDs), Variable Frequency Drives (VFDs), Adjustable Frequency Drives (AFDs), or Adjustable Speed Drives (ASDs).
Φωτοανθεκτικά υλικά προσαρμοσμένα (αριστοποιημένα) για να χρησιμοποιηθούν σε μήκη κύματος μικρότερα από 15 nm και μεγαλύτερα από 1 nm,
High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με δέσμες ηλεκτρονίων ή ιόντων που έχουν ευαισθησία 0,01 μcoulomb/mm2 ή καλύτερη,
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
δ. Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά αριστοποιημένα για τεχνολογίες απεικόνισης επιφανειών,
b.
ε.
Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά σχεδιασμένα ή αριστοποιημένα για χρήση με τον εξοπλισμό εντυπωτικής λιθογραφίας που καθορίζεται στο 3B001.στ.2. που χρησιμοποιούν είτε θερμική είτε φωτο-στυπωτική διαδικασία.
High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
Ενώσεις οργανικού με ανόργανο στοιχείο ως εξής:
a.
α.
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
Οργανομεταλλικές ενώσεις αργιλίου, γαλλίου ή ινδίου που έχουν καθαρότητα (με βάση το μέταλλο) καλύτερη από 99,999 %,
Switching devices, as follows:
Οργανικές ενώσεις αρσενικού, αντιμονίου και φωσφόρου που έχουν καθαρότητα (με βάση το ανόργανο στοιχείο) καλύτερη από 99,999 %.
Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
Στο σημείο 3C003 ελέγχονται μόνο οι ενώσεις των οποίων το μεταλλικό, μερικώς μεταλλικό ή μη μεταλλικό στοιχείο συνδέεται άμεσα με άνθρακα στο οργανικό τμήμα του μορίου.
Containing three or more electrodes;
Υδρίδια φωσφόρου, αρσενικού ή αντιμονίου που έχουν καθαρότητα καλύτερη από 99,999 %, ακόμη και αν έχουν διαλυθεί σε αδρανή αέρια ή υδρογόνο.
Anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
Στο σημείο 3C004 δεν ελέγχονται υδρίδια που περιέχουν γραμμομοριακό ποσοστό 20 % και άνω αδρανή αέρια ή υδρογόνο.
Anode peak current rating of 100 A or more; and
«Υυποστρώματα» ημιαγωγών από καρβίδιο του πυριτίου (SiC), νιτρίδιο του γαλλίου (GaN), νιτρίδιο του αργιλίου (AlN) ή νιτρίδιο του αργιλίου-γαλλίου (AlGaN) ή πλινθώματα, συνθετικοί κρύσταλλοι, ή άλλα προμορφώματα αυτών των υλικών, που έχουν ειδικές αντιστάσεις μεγαλύτερες από 10000 Ω-cm στους 20 °C.
Anode delay time of 10 μs or less;
«Υποστρώματα» που καθορίζονται στο 3C005 με τουλάχιστον ένα επιταξιακό στρώμα καρβιδίου του πυριτίου, νιτριδίου του γαλλίου, νιτριδίου του αργιλίου ή νιτριδίου του αργιλίου-γαλλίου.
3A228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
«Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.β. έως 3Α002.η ή 3Β.
b.
«Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για τη «χρήση» εξοπλισμού προδιαγραφόμενου στα σημεία 3B001.α. έως στ. ή 3B002 ή 3A225.
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
«Λογισμικό» προσομοίωσης, «βασισμένο στη φυσική», ειδικά σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» διεργασιών λιθογραφίας, χάραξης ή εναπόθεσης ώστε τα σχήματα μάσκας να μεταφράζονται σε επί μέρους τοπογραφικά σχήματα με αγωγούς, διηλεκτρικά ή υλικά ημιαγωγών.
An anode delay time of 15 μs or less; and
Στο σημείο 3.D003., οι λέξεις "βασισμένο στη φυσική" υποδηλώνουν ότι χρησιμοποιεί υπολογισμούς για να προσδιορίσει μια ακολουθία φυσικών αιτίων/αιτιατών βασισμένων σε φυσικές ιδιότητες (πχ. θερμοκρασία, πίεση, σταθερές διάχυσης και ιδιότητες υλικών ημιαγωγών).
Rated for a peak current of 500 A or more;
Οι βιβλιοθήκες, τα χαρακτηριστικά σχεδιασμού ή συναφή δεδομένα για τον σχεδιασμό συσκευών ημιαγωγών ή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων θεωρούνται «τεχνολογία».
c.
«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» του εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α003.
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
«Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για τη «χρήση» εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α101.β.
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων, ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225.
Anode peak current rating of 500 A or more; and
«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3Α, 3Β ή 3C.
Turn-on time of 1 μs or less.
Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για την «παραγωγή» εξοπλισμού ή δομικών στοιχείων που καθορίζονται στο σημείο 3Α003.
High-current pulse generators as follows:
Χρησιμοποιούν «τεχνολογία» 0,130 μm ή παραπάνω, και
Detonator firing sets (initiator systems, firesets), including electronically-charged, explosively-driven and optically-driven firing sets, other than those specified in 1A007.a., designed to drive multiple controlled detonators specified in 1A007.b.;
«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, άλλη από την προσδιοριζόμενη στο 3Ε001, για την «ανάπτυξη» ή«παραγωγή» «μικροκυκλωμάτων μικροεπεξεργαστών», «μικροκυκλωμάτων μικροϋπολογιστών» και πυρήνων μικροκυκλωμάτων μικροσυσκευών ελέγχου, με αριθμητική λογική μονάδα με εύρος προσπέλασης 32 bit και άνω και οποιοδήποτε από τα παρακάτω γνωρίσματα ή χαρακτηριστικά:
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
α.
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
Περιλαμβάνει "διανυσματικό επεξεργαστή" σχεδιασμένο έτσι ώστε να εκτελεί ταυτόχρονα περισσότερους από δύο υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit),
Capable of delivering their energy in less than 15 μs into loads of less than 40 ohms;
"Διανυσματικός επεξεργαστής" λέγεται ένα στοιχείο επεξεργαστή με ενσωματωμένες εντολές που εκτελεί ταυτόχρονα πολλούς υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit) και έχει τουλάχιστον μία αριθμητική λογική μονάδα και ανυσματικά αρχεία τουλάχιστον 32 στοιχείων το καθένα.
Having an output greater than 100 A;
β.
No dimension greater than 30 cm;
Είναι σχεδιασμένοι ώστε να εκτελούν περισσότερους από τέσσερις υπολογισμούς εξαγομένων πράξεων κινητής υποδιαστολής 64 ή περισσότερων bit ανά κύκλο, ή
Weight less than 30 kg; and
γ.
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Είναι σχεδιασμένοι ώστε να εκτελούν περισσότερους από οκτώ υπολογισμούς εξαγομένων πράξεων πολλαπλασιασμού και σωρευτικής άθροισης σταθερής υποδιαστολής 16 bit ανά κύκλο (π.χ. ψηφιακό χειρισμό αναλογικών πληροφοριών που έχουν προηγουμένως μετατραπεί σε ψηφιακή μορφή, το γνωστό και ως «ψηφιακή επεξεργασία σήματος»).
3A229.b. includes xenon flash-lamp drivers.
Στο σημείο 3E002 δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» επεκτάσεων πολυμέσων.
c.
Στο σημείο 3E002 δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» πυρήνων μικροεπεξεργαστών με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
Micro-firing units having all of the following characteristics:
Ενσωμάτωση πολυστιβαδικών δομών με έως και πέντε μεταλλικές στιβάδες.
No dimension greater than 35 mm;
Στο σημείο 3E002 ελέγχεται η «τεχνολογία» για ψηφιακούς επεξεργαστές σήματος και συστοιχίες ψηφιακών επεξεργαστών.
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
Άλλη «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» των παρακάτω:
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
α.
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
Μικροηλεκτρονικών συσκευών κενού,
a.
β.
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
Ετερο-δομικών ηλεκτρονικών συσκευών ημιαγωγών, όπως τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ), ετεροδιπολικών τρανζίστορ (ΗΒΤ), συσκευών κβαντικού πηγαδιού και υπέρ πλέγματος (super lattice devices).
b.
Στο σημείο 3Ε003.β. δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz και για ετεροδιπολικά τρανζίστορ (ΗΒΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz.
'Pulse transition time' less than 500 ps.
γ.
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
«Υπεραγώγιμων» ηλεκτρονικών συσκευών,
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
δ. Υποστρωμάτων υμενίων αδάμαντος για ηλεκτρονικά δομοστοιχεία,
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
ε.
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
Υποστρωμάτων πυριτίου επί μονωτικού (SOI) για ολοκληρωμένα κυκλώματα, όπου το μονωτικό υλικό είναι διοξείδιο του πυριτίου, στ.
a.
Υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου για ηλεκτρονικά δομοστοιχεία,
Designed for operation without an external vacuum system; and
Ηλεκτρονικές λυχνίες που λειτουργούν σε συχνότητες τουλάχιστον 31,8 GHz.
Utilizing any of the following:
«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη «χρήση» εξοπλισμού ή «λογισμικού» που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.α.1 ή 2, 3Α101, 3Α102 ή 3D101.
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» λογισμικού που καθορίζεται στο σημείο 3D101.
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη «χρήση» εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.ε.2, 3Α001.ε.3., 3Α001.ζ., 3Α201, 3Α225 έως 3Α234.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
«Τεχνολογία» υπό τη μορφή κωδικών ή κλειδών για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225.
See 1A007.b. for detonators.
ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 4 — ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΕΣ
b.
Οι ηλεκτρονικοί υπολογιστές, ο συναφής εξοπλισμός και το «λογισμικό» που εκτελούν λειτουργίες τηλεπικοινωνιών ή «τοπικού δικτύου» (δίκτυο LAN) πρέπει επίσης να ελέγχονται σύμφωνα με τα χαρακτηριστικά απόδοσης της κατηγορίας 5 μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες).
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over an area greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
Οι μονάδες ελέγχου που διασυνδέουν απευθείας τους διαδρόμους ή τους διαύλους των μονάδων κεντρικής επεξεργασίας και οι μονάδες ελέγχου της «κυρίως μνήμης» ή των δίσκων δεν θεωρούνται εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που περιγράφεται στην κατηγορία 5 Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες).
3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Όσον αφορά τη διαβάθμιση ελέγχου του «λογισμικού» που έχει σχεδιαστεί ειδικά για μεταγωγή πακέτων, βλέπε την κατηγορία 5D001.
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Ηλεκτρονικοί υπολογιστές και συναφής εξοπλισμός που έχουν οποιαδήποτε από τα κατωτέρω, καθώς και «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τα συστήματα αυτά:
a.
ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 4A101.
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
Που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ώστε να έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Ονομαστική λειτουργία σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω από 228 Κ (– 45°C) ή πάνω από 358 Κ (85°C), ή
c.
Το σημείο 4Α001.α.1 δεν ελέγχει τους υπολογιστές που έχουν σχεδιαστεί ειδικά για εφαρμογές πολιτικών αυτοκινήτων ή σιδηροδρομικών συρμών ή «πολιτικών αεροσκαφών».
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
Που έχουν υποστεί ειδική επεξεργασία για να αντέχουν σε ακτινοβολία που μπορεί να ξεπεράσει οποιαδήποτε από τις ακόλουθες προδιαγραφές:
d.
α.
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
Συνολική δόση
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
5 × 103 Gy (πυρίτιο)·
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
Απότομη αλλαγή του ρυθμού ακτινοβολίας
Not used;
5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s· ή
f.
γ.
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
Απότομη αλλαγή από ένα και μόνο γεγονός
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
1 × 10– 8 Λάθη/bit/ημέρα·
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
Το σημείο 4Α001.α.2 δεν ελέγχει τους υπολογιστές που έχουν σχεδιαστεί ειδικά για εφαρμογές «πολιτικών αεροσκαφών».
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
β.
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
Δεν χρησιμοποιείται.
a.
«Ψηφιακοί υπολογιστές», «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και συναφής εξοπλισμός γι' αυτούς, ως εξής, καθώς επίσης και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία γι' αυτά:
Voltage rating greater than 2 kV; and
Το σημείο 4Α003 περιλαμβάνει τα ακόλουθα:
b Inductance of less than 20 nH.
"ανυσματικούς επεξεργαστές" (vector processors)·
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Πολυεπεξεργαστές (array processors)·
a.
Επεξεργαστές ψηφιακού σήματος·
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
Λογικούς επεξεργαστές·
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Εξοπλισμό σχεδιασμένο για «βελτίωση εικόνων».
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Η διαβάθμιση ελέγχου των «ψηφιακών υπολογιστών» και του συναφούς εξοπλισμού που περιγράφεται στο σημείο 4Α003 καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του άλλου εξοπλισμού ή των άλλων συστημάτων υπό τον όρο ότι:
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
Οι «ψηφιακοί υπολογιστές» ή ο συναφής εξοπλισμός είναι απολύτως απαραίτητοι για την λειτουργία του λοιπού εξοπλισμού ή των λοιπών συστημάτων·
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Για διαβάθμιση ελέγχου των «ψηφιακών υπολογιστών» ή συναφούς εξοπλισμού για εξοπλισμό τηλεπικοινωνιών βλέπε την κατηγορία 5, Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες).
b.
Η «τεχνολογία» για τους «ψηφιακούς υπολογιστές» και τον συναφή εξοπλισμό καθορίζεται στο σημείο 4Ε.
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
β.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
«Ψηφιακοί υπολογιστές» που έχουν «προσαρμοσμένη κορυφαία απόδοση» («APP») άνω των 12,5 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT)·
Direct write capability;
γ.
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
«Ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί ώστε να ενισχύουν την απόδοση με τη συγκέντρωση επεξεργαστών, ούτως ώστε η «APP» του συγκροτήματος να υπερβαίνει το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β.·
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
Το σημείο 4Α003.γ. ελέγχει μόνο «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και προγραμματιζόμενες διασυνδέσεις που δεν υπερβαίνουν το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β., όταν αποστέλλονται ως μη ενσωματωμένα «ηλεκτρονικά συγκροτήματα».
d.
Στο σημείο4Α 003.γ. δεν υπάγονται τα «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για ένα προϊόν ή οικογένεια προϊόντων για τα οποία η μέγιστη διάρθρωση δεν υπερβαίνει το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β.
Not used;
Για «ηλεκτρονικά συγκροτήματα», ενότητες ή εξοπλισμό που επιτελούν μετατροπές αναλογικών σημάτων προς ψηφιακά, βλέπε 3A002.η. στ.
e.
ζ.
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
Ειδικώς σχεδιασμένος εξοπλισμός για τη συνάθροιση των επιδόσεων «ψηφιακών υπολογιστών» με την παροχή εξωτερικών διασυνδέσεων, που επιτρέπει την επικοινωνία με μονόδρομες ταχύτητες μεταβίβασης δεδομένων υπερβαίνουσες τα 2,0 Gbyte/s ανά σύνδεσμο.
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
Στο σημείο 4Α003.ζ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός εσωτερικής διασύνδεσης (π.χ. βασική πλακέτα, ζυγοί), ο εξοπλισμός παθητικής διασύνδεσης, οι «ελεγκτές πρόσβασης δικτύου» ή οι «ελεγκτές διαύλων επικοινωνίας».
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
Υπολογιστές ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένος συναφής εξοπλισμός, «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και δομικά στοιχεία αυτών:
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
α.
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
«Υπολογιστές συστολικής συστοιχίας»·
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
«Νευρωνικοί υπολογιστές»·
Lithography equipment as follows:
γ.
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
«Οπτικοί υπολογιστές».
a.
Συστήματα, εξοπλισμός και δομικά στοιχεία τους, ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για την παραγωγή, λειτουργία ή απόδοση «λογισμικού εισβολής» ή για την επικοινωνία με το λογισμικό αυτό.
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
Αναλογικοί υπολογιστές, «ψηφιακοί υπολογιστές» ή ψηφιακοί διαφορικοί αναλυτές διαφορετικοί από εκείνους του σημείου 4Α001.α.1., που είναι ανθεκτικοί και έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούνται σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.
b.
«Υβριδικοί υπολογιστές» που έχουν σχεδιαστεί ειδικά για την εκπόνηση μοντέλων, τη διενέργεια προσομοίωσης ή τη σχεδιαστική ενσωμάτωση οχημάτων εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδων που ορίζονται στο σημείο 9Α104.
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
Ο έλεγχος ισχύει μόνο για τον εξοπλισμό που παρέχεται μαζί με το λογισμικό το οποίο καθορίζεται στο σημείο 7D103 ή 9D103.
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
Η διαβάθμιση ελέγχου του «λογισμικού» για εξοπλισμό που περιγράφεται σε άλλες κατηγορίες περιέχεται στην αντίστοιχη κατηγορία.
an exposure light source wavelength in nm
«Λογισμικό», ως εξής:
K factor
α.
numerical aperture
«Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» εξοπλισμού ή «λογισμικού» που καθορίζονται στα σημεία 4Α001 έως 4Α004, ή 4D.
where the K factor = 0,35
β.
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
«Λογισμικό», εκτός του περιγραφόμενου στο σημείο 4D001.α, που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού ως εξής:
3B001.f.2. includes:
«Ψηφιακοί υπολογιστές» που έχουν «προσαρμοσμένη κορυφαία απόδοση» («APP») άνω των 6,0 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT)·
Micro contact printing tools
«Ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την αύξηση της απόδοσης με τη συνάθροιση επεξεργαστών, ούτως ώστε η «APP» του συνόλου να υπερβαίνει το όριο του 4D001.β.1.
Hot embossing tools
«Λογισμικό» που είναι ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την παραγωγή, λειτουργία ή απόδοση «λογισμικού εισβολής» ή για την επικοινωνία με το λογισμικό αυτό.
Nano-imprint lithography tools
α.
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
«Τεχνολογία» σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» εξοπλισμού ή «λογισμικού» που καθορίζονται στα σημεία 4Α ή 4D.
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
«Τεχνολογία», εκτός της περιγραφόμενης στο 4E001.α, που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού ως εξής:
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
«Ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την αύξηση της απόδοσης με τη συνάθροιση επεξεργαστών, ούτως ώστε η «APP» του συνόλου να υπερβαίνει το όριο του 4D001.β.1.
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
γ.
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
«Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» «λογισμικού εισβολής».
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΣΧΕΤΙΚΑ ΜΕ ΤΗΝ «ΠΡΟΣΑΡΜΟΣΜΕΝΗ ΚΟΡΥΦΑΙΑ ΑΠΟΔΟΣΗ» («APP»)
a.
Η «APP» είναι ένας προσαρμοσμένος ρυθμός με τον οποίο οι «ψηφιακοί υπολογιστές» εκτελούν προσθέσεις και πολλαπλασιασμούς κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω.
A deflected focused electron beam; and
Η «APP» εκφράζεται ως σταθμισμένα TeraFLOPS (WT), σε μονάδες 1012 πράξεων κινητής υποδιαστολής ανά δευτερόλεπτο.
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
Συντμήσεις που χρησιμοποιούνται στην παρούσα Τεχνική Σημείωση
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
n αριθμός επεξεργαστών του «ψηφιακού υπολογιστή»
g.
i αριθμός επεξεργαστή (i,… n)
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
χρόνος κύκλου επεξεργαστή (ti = 1/Fi)
h.
συχνότητα επεξεργαστή
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
κορυφαίος ρυθμός υπολογισμού κινητής υποδιαστολής
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or