natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFET)
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs and having any of the following:
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFET)
a.
Διπολικά τρανζίστορ μονωμένης πύλης (IGBT)
A band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
High Electron Mobility Transistors (HEMT)
b.
Bipolar Junction Transistors (BJT)
A band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCR)
Converters and harmonic mixers that are any of the following:
Gate Turn-Off Thyristors (GTO)
a.
Emitter Turn-Off Thyristors (ETO)
Designed to extend the frequency range of "signal analysers" beyond 90 GHz;
Δίοδοι Schottky
b.
Στο σημείο 3A001.η. δεν ελέγχονται διακόπτες, δίοδοι ή «μονάδες» που ενσωματώνονται σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικούς σιδηροδρόμους και «πολιτικά αεροσκάφη».
Designed to extend the operating range of signal generators as follows:
Για τους σκοπούς του σημείου 3Α001.η., οι "μονάδες" περιέχουν έναν ή περισσότερους διακόπτες ή διόδους ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης.
Beyond 90 GHz;
Ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις, ενότητες και εξοπλισμός γενικής χρήσης ως εξής:
To an output power greater than 100 mW (20 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Εξοπλισμός καταγραφής και παλμογράφοι ως εξής:
Designed to extend the operating range of network analysers as follows:
Ψηφιακοί καταγραφείς δεδομένων που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Beyond 110 GHz;
α. διαρκή "συνεχή διεκπεραίωση" τουλάχιστον 6,4 Gbit/s σε δίσκο ή μνήμη στερεάς κατάστασης οδήγησης· και
To an output power greater than 31,62 mW (15 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
β. επεξεργαστή που πραγματοποιεί ανάλυση δεδομένων σήματος ραδιοσυχνότητας ενόσω καταγράφεται·
To an output power greater than 1 mW (0 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 90 GHz but not exceeding 110 GHz; or
Για καταγραφείς με αρτηρία (bus) παράλληλης αρχιτεκτονικής, ο ρυθμός "συνεχούς διεκπεραίωσης" είναι ο υψηλότερος ρυθμός λέξεων πολλαπλασιασμένος επί τον αριθμό bits σε μια λέξη.
d.
"Συνεχής διεκπεραίωση" είναι ο ταχύτερος ρυθμός δεδομένων που μπορεί να καταγράψει το όργανο σε μνήμη δίσκου στερεάς κατάστασης οδήγησης χωρίς απώλεια πληροφοριών, διατηρώντας συγχρόνως τον ρυθμό των ψηφιακών δεδομένων εισόδου ή τον ρυθμό μετατροπής του ψηφιοποιητή.
Designed to extend the frequency range of microwave test receivers beyond 110 GHz;
Παλμογράφοι πραγματικού χρόνου που έχουν πραγματική τιμή (rms) τάσης θορύβου μικρότερη από 2 % της πλήρους κλίμακας στην κάθετη κλίμακα που ορίζει την ελάχιστη τιμή θορύβου για κάθε εύρος ζώνης εισόδου 3dB των 60 GHz και άνω ανά δίαυλο,
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Στο σημείο 3A002.α.7. δεν ελέγχονται οι παλμογράφοι δειγματοληψίας ισοδύναμου χρόνου.
a.
γ.
Operating frequencies above 3 GHz;
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» ως εξής:
b.
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με διακριτική ικανότητα εύρους ζώνης (RBW) 3 dB άνω των 10 MHz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 31,8 GHz αλλά όχι άνω των 37 GHz,
An average output power to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με αναγραφόμενη μέση στάθμη θορύβου (DANL) κάτω των (καλύτερη από) -150dBm/Hz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz αλλά όχι άνω των 90 GHz,
c.
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με συχνότητα άνω των 90 GHz,
A volume of less than 400 cm3;
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
α.
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
«Εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου» που υπερβαίνει τα 170 MHz, και
a.
β.
A 'turn-on time' from off to fully operational in less than 10 seconds;
100 % πιθανότητα ανακάλυψης με μείωση μικρότερη των 3 dB από το πλήρες πλάτος εξαιτίας κενών ή «παραθύρων» (windowing effects) στα σήματα που έχουν διάρκεια 15 μs ή μικρότερη,
b.
Η πιθανότητα ανακάλυψης στο σημείο 3A002.γ.4.β. αναφέρεται και ως πιθανότητα αναχαίτισης ή πιθανότητα δέσμευσης.
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.γ.4.β., η διάρκεια για πιθανότητα ανακάλυψης 100 % είναι ισοδύναμη με την ελάχιστη διάρκεια σήματος που απαιτείται για την αβεβαιότητα μετρήσεων της προσδιοριζόμενης στάθμης.
c.
Στο σημείο 3Α002.γ.4. δεν ελέγχονται τα «συστήματα ανάλυσης σημάτων» που χρησιμοποιούν μόνο φίλτρα σταθερού ποσοστιαίου εύρους ζώνης (γνωστά και σαν φίλτρα οκτάβας ή κλασματικής οκτάβας).
An "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax > 2fmin) and having any of the following:
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» που έχουν λειτουργία «ενεργοποιητή μάσκας συχνότητας» με 100 % πιθανότητα ενεργοποίησης (δέσμευσης) σημάτων διάρκειας 15 μs ή μικρότερη,
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
δ. Γεννήτριες σημάτων με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A frequency greater than 18 GHz;
Προδιαγεγραμμένες για την παραγωγή σημάτων διαμόρφωσης παλμών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 31,8 GHz και έως και 37 GHz,
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
α.
The 'turn-on time' in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
"Διάρκεια παλμού" κάτω των 25 ns, και και
Oscillators or oscillator assemblies, specified to operate with a single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, less (better) than – (126 + 20log10F – 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz;
β.
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
Αναλογία on/off ίση ή ανώτερη των 65 dB,
"Frequency synthesiser" "electronic assemblies" having a "frequency switching time" as specified by any of the following:
Ισχύ εξόδου άνω των 100 mW (20 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz και έως και 90 GHz,
a.
«Χρόνο μεταγωγής συχνότητας» προσδιοριζόμενο από οποιοδήποτε από τα εξής:
Less than 156 ps;
Κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός του φάσματος συχνοτήτων άνω των 4,8 GHz και έως και 31,8 GHz,
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
δ. Κάτω των 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός του φάσματος συχνοτήτων άνω των 31,8 GHz και έως και 37 GHz, ή
c.
ε.
Less than 250 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
Κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός του φάσματος συχνοτήτων άνω των 37 GHz και έως και 90 GHz, στ.
d.
Δεν χρησιμοποιείται·
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz;
Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, που ορίζεται ως ακολούθως:
e.
α.
Less than 1 ms for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 56 GHz;
Κάτω (καλύτερο) των – (126 + 20log10F – 20log10f) οπουδήποτε εντός της ζώνης των 10 Hz < F < 10 kHz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 3,2 GHz αλλά όχι άνω των 90 GHz, ή
f.
β.
Less than 1 ms for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesized frequency range exceeding 56 GHz but not exceeding 90 GHz; or
Κάτω (καλύτερο) των – (206 + 20log10F – 20log10f) οπουδήποτε εντός της ζώνης των 10 kHz < F < 100 kHz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 3,2 GHz αλλά όχι άνω των 90 GHz, ή
g.
Στο 3Α002.δ.4., F είναι η απόκλιση από τη συχνότητα λειτουργίας σε Hz και f είναι η συχνότητα λειτουργίας σε MHz.
Less than 1 ms within the synthesized frequency range exceeding 90 GHz;
Μέγιστη συχνότητα αντιστροφής άνω των 90 GHz.
For general purpose "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
1:
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.δ., στις γεννήτριες σημάτων περιλαμβάνονται οι γεννήτριες σημάτων τυχούσας κυματομορφής και συνάρτησης.
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
2:
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
Στο σημείο 3Α002.δ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός στον οποίο η συχνότητα εξόδου παράγεται, είτε μέσω της πρόσθεσης ή αφαίρεσης δύο ή περισσοτέρων συχνοτήτων που παράγει κρυσταλλικός ταλαντωτής, είτε από την πρόσθεση ή αφαίρεση την οποία ακολουθεί πολλαπλασιασμός του αποτελέσματος.
b.
Η μέγιστη συχνότητα μιας γεννήτριας σημάτων τυχούσας κυματομορφής ή συνάρτησης υπολογίζεται διαιρώντας τον ρυθμό δειγματοληψίας, σε δείγματα ανά δευτερόλεπτο, με συντελεστή 2,5.
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.δ.1.α, η "διάρκεια παλμού" ορίζεται ως το χρονικό διάστημα από το σημείο του πρόσθιου άκρου που αντιστοιχεί στο 50 % του πλάτους του παλμού έως το σημείο του οπίσθιου άκρου που αντιστοιχεί στο 50 % του πλάτους του παλμού.
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB;
ε.
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
Αναλυτές δικτύου με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A bandwidth greater than 250 MHz; or
Ισχύ εξόδου άνω του 31,62 mW (15 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 43,5 GHz και έως και 90 GHz,
A dispersive delay of more than 10 μs; or
Ισχύ εξόδου άνω του 1 mW (0 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 90 GHz και έως και 110 GHz,
c.
"Λειτουργία μέτρησης μη γραμμικού διανύσματος" σε συχνότητες άνω των 50 GHz και έως και 110 GHz, ή
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
Τεχνική Σημείωση:
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
"Λειτουργία μέτρησης μη γραμμικού διανύσματος" είναι η ικανότητα ενός οργάνου να αναλύει τα αποτελέσματα δοκιμών συσκευών που οδηγούνται στη περιοχή του μεγάλου σήματος ή στο εύρος της μη γραμμικής παραμόρφωσης.
'Frequency side-lobe rejection' is the maximum rejection value specified in data sheet.
Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 110 GHz. στ.
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
Δοκιμαστικοί μικροκυματικοί δέκτες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 110 GHz. και
3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Μπορούν να μετρήσουν συγχρόνως το πλάτος και τη φάση.
d.
ζ.
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
Πρότυπα ατομικής συχνότητας που έχουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10– 14 J; or
Είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση»,
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
Δεν βασίζονται στο ρουβίδιο και έχουν μακροπρόθεσμη σταθερότητα (γήρανση) μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10– 11/μήνα, ή
e.
Δεν είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση» και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
High energy devices as follows:
Αποτελούν πρότυπα ρουβιδίου,
a.
Μακροπρόθεσμη σταθερότητα μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10– 11/μήνα, και
b.
γ.
'Secondary cells' having an 'energy density' exceeding 350 Wh/kg at 20 °C;
Συνολική κατανάλωση ενέργειας κάτω του 1 W.
For the purpose of 3A001.e.1.,'energy density' (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
η.
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
«Ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις», ενότητες ή εξοπλισμός, που προορίζονται να εκτελούν όλα τα ακόλουθα:
For the purpose of 3A001.e.1., a 'cell' is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Μετατροπές αναλογικού σε ψηφιακό που πληρούν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:
It is the basic building block of a battery.
α.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a 'primary cell' is a 'cell' that is not designed to be charged by any other source.
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit αλλά μικρότερη των 10 bit, με ρυθμό δειγματοληψίας ανώτερο των 1300 εκατ. δειγμάτων ανά δευτερόλεπτο,
For the purpose of 3A001.e.1.b., a 'secondary cell' is a 'cell' that is designed to be charged by an external electrical source.
β.
3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit αλλά μικρότερη των 12 bit, με ρυθμό δειγματοληψίας ανώτερο των 1000 εκατ. δειγμάτων ανά δευτερόλεπτο,
High energy storage capacitors as follows:
γ.
N.B
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 12 bit αλλά μικρότερη των 14 bit, με ρυθμό δειγματοληψίας ανώτερο των 1000 εκατ. δειγμάτων ανά δευτερόλεπτο,
SEE ALSO 3A201.a. and the Military Goods Controls.
δ. Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 14 bit αλλά μικρότερη των 16 bit, με ρυθμό δειγματοληψίας ανώτερο των 1400 εκατ. δειγμάτων ανά δευτερόλεπτο, ή
a.
ε.
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 16 bit, με ρυθμό δειγματοληψίας ανώτερο των 180 εκατομμυρίων δειγμάτων ανά δευτερόλεπτο, και
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
Έξοδος ψηφιακοποιημένων δεδομένων
A total energy equal to or more than 25 kJ;
Αποθήκευση ψηφιακοποιημένων δεδομένων ή
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
γ.
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
Επεξεργασία ψηφιακοποιημένων δεδομένων
A total energy equal to or more than 100 J; and
Καταγραφείς ψηφιακών δεδομένων, παλμογράφοι, «αναλυτές σήματος», γεννήτριες σήματος, αναλυτές δικτύου και δοκιμαστικοί μικροκυματικοί δέκτες, όπως καθορίζονται στα σημεία 3A002.γ., 3A002.δ., 3A002.ε. και 3A002.στ.
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
Για πολυκαναλικές ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις ή ενότητες, το καθεστώς ελέγχου προσδιορίζεται με βάση την ανώτατη μονοκαναλική καθορισμένη επίδοση.
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
Στο σημείο 3Α002.η περιλαμβάνονται κάρτες ADC, ψηφιοποιητές κυματομορφών, κάρτες ανάκτησης δεδομένων, πλακέτες ανάκτησης σημάτων και καταγραφείς μεταβατικών σημάτων.
SEE ALSO 3A201.b.
α.
Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε «βλήματα» και που έχουν σχεδιαστεί για να πληρούν στρατιωτικές προδιαγραφές για ανθεκτικό εξοπλισμό,
b.
β.
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
Επιταχυντές ικανοί να αποδώσουν ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία που παράγεται από ακτινοβολία επιβράδυνσης από επιταχυνόμενα ηλεκτρόνια ύψους 2 MeV ή παραπάνω, και συστήματα που περιέχουν τους επιταχυντές αυτούς.
c.
Το παραπάνω σημείο 3Α101.β. δεν περιλαμβάνει εξοπλισμό ο οποίος έχει ειδικά σχεδιαστεί για ιατρικούς σκοπούς.
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
«Θερμικές μπαταρίες» σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για «βλήματα».
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated 'AM0' illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
Στο σημείο 3Α102, ως«θερμικές μπαταρίες» νοούνται οι ηλεκτρικές στήλες μιας χρήσης που χρησιμοποιούν ως ηλεκτρολύτη στερεό δυσηλεκτραγωγό ανόργανο άλας.
'AM0', or 'Air Mass Zero', refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Στο σημείο 3A102, ως «βλήματα» νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων εναέριων οχημάτων με ακτίνα δράσης άνω των 300 km.
Rotary input type absolute position encoders having an "accuracy" equal to or less (better) than 1,0 second of arc;
α.
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and 'thyristor modules', using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Πυκνωτές με μία από τις ακόλουθες ομάδες χαρακτηριστικών:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/ms and off-state voltage greater than 1100 V; or
α.
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/ms and having all of the following:
Ονομαστική τάση πάνω από 1,4 kV,
a.
β.
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
Αποθήκευση ενέργειας ανώτερη από 10 J,
b.
γ.
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
Χωρητικότητα άνω των 0,5 μF, και και
3A001.g. includes:
δ. Αυτεπαγωγή σειράς κάτω των 50 nH. ή
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
α.
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
Ονομαστική τάση πάνω από 750 V,
Light Triggering Thyristors (LTTs)
β.
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
Χωρητικότητα άνω των 0,25 μF, και και
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
γ.
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
Αυτεπαγωγή σειράς κάτω των 10 nH.
Solidtrons
β.
3A001.g. does not control thyristor devices and 'thyristor modules' incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Υπεραγώγιμοι σωληνοειδείς ηλεκτρομαγνήτες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
For the purposes of 3A001.g., a 'thyristor module' contains one or more thyristor devices.
Ικανότητα να δημιουργούν μαγνητικά πεδία άνω των 2 T,
h.
Λόγο μήκους προς εσωτερική διάμετρο μεγαλύτερο από 2,
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or 'modules', having all of the following:
Εσωτερική διάμετρο άνω των 300 mm, και
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
Ομοιογένεια μαγνητικού πεδίου καλύτερη από 1 % όταν μετριέται στο κεντρικό 50 % του εσωτερικού όγκου.
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
Στο σημείο 3Α201.β. δεν ελέγχονται μαγνήτες που έχουν ειδικά σχεδιαστεί και εξάγονται "ως μέρος" ιατρικών συστημάτων απεικόνισης που βασίζονται σε πυρηνικό μαγνητικό συντονισμό (nuclear magnetic resonance).
Continuous current greater than 1 A.
Η φράση "ως μέρος" δεν σημαίνει κατ' ανάγκη ότι αποτελεί υλικό τμήμα της ίδιας αποστολής.
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Επιτρέπονται ξεχωριστές αποστολές από διαφορετικές πηγές υπό τον όρο τα σχετικά εξαγωγικά έγγραφα καθορίζουν σαφώς ότι οι αποστολές διακινούνται «ως μέρος» των συστημάτων απεικόνισης.
3A001.h. includes:
γ.
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
Γεννήτριες ακτίνων Χ στιγμιαίας λειτουργίας, ή παλμικοί επιταχυντές ηλεκτρονίων με ένα από τα ακόλουθα σύνολα χαρακτηριστικών:
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
α.
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs)
Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 500 keV και άνω, αλλά κάτω των 25 MeV, και
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
β.
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
"Συντελεστή κέρδους" (Κ) 0,25 ή παραπάνω, ή
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
α.
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 25 MeV και άνω, και
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
β.
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
"Ανώτατη ισχύ" μεγαλύτερη από 50 MW.
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
Το σημείο 3Α201.γ. δεν καλύπτει τους επιταχυντές που αποτελούν δομικά στοιχεία συσκευών που έχουν σχεδιασθεί για σκοπούς άλλους εκτός από την ακτινοβολία με ακτίνες Χ ή με ηλεκτρονική δέσμη (για παράδειγμα ηλεκτρονικά μικροσκόπια), καθώς και συσκευών που έχουν σχεδιασθεί για ιατρικούς σκοπούς.
PiN Diodes
Ο "συντελεστής κέρδους" Κ ορίζεται ως εξής:
Schottky Diodes
K = 1,7 × 103V2,65Q
3A001.h. does not control switches, diodes, or 'modules', incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
όπου V είναι η ανώτατη ενέργεια των ηλεκτρονίων σε MeV.
For the purposes of 3A001.h., 'modules' contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
Q είναι το συνολικό φορτίο σε Coulomb που έχει επιταχυνθεί, αν η διάρκεια της παλμικής δέσμης του επιταχυντή είναι μικρότερη από ή ίση προς 1 μs.
General purpose "electronic assemblies", modules and equipment, as follows:
Αν η διάρκεια της παλμικής δέσμης του επιταχυντή είναι μεγαλύτερη από 1 μικροδευτερόλεπτο, τότε το Q είναι το μέγιστο φορτίο που επιταχύνεται σε 1 μικροδευτερόλεπτο.
a.
Το Q είναι ίσο με το ολοκλήρωμα του i ως προς το t επί τον μικρότερο από τους δύο χρόνους, δηλαδή 1 μs ή τη διάρκεια σε χρόνο της παλμικής δέσμης (Q = ∫ idt), όπου i είναι το ρεύμα της δέσμης σε αμπέρ και t είναι ο χρόνος σε δευτερόλεπτα
Recording equipment and oscilloscopes as follows:
"Ανώτατη ισχύς" είναι το γινόμενο του μέγιστου δυναμικού (σε βολτ) επί το μέγιστο ρεύμα δέσμης (σε αμπέρ).
Digital data recorders having all of the following:
Στις μηχανές που βασίζονται σε κοιλότητες επιτάχυνσης μικροκυμάτων, ο χρόνος διάρκειας της παλμικής δέσμης είναι η μικρότερη τιμή, δηλαδή ή 1 μs, ή η διάρκεια του συμπιεσμένου πακέτου δέσμης που προκύπτει από έναν παλμό μικροκυματικού διαμορφωτή, αν αυτή είναι μικρότερη από 1 μs.
a.
Στις μηχανές που βασίζονται σε κοιλότητες επιτάχυνσης μικροκυμάτων το μέγιστο ρεύμα δέσμης ισούται με το μέσο ρεύμα κατά τη διάρκεια σε χρόνο ενός συμπιεσμένου πακέτου δέσμης.
A sustained 'continuous throughput' of more than 6,4 Gbit/s to disk or solid-state drive memory; and
Η «τεχνολογία» υπό τη μορφή κωδικών ή κλειδών για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225 προσδιορίζεται στο σημείο 3E225.
b.
α.
A processor that performs analysis of radio frequency signal data while it is being recorded;
Πολυφασική έξοδο που αποδίδει ισχύ 40 VA ή μεγαλύτερη,
For recorders with a parallel bus architecture, the 'continuous throughput' rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
β.
'Continuous throughput' is the fastest data rate the instrument can record to disk or solid-state drive memory without the loss of any information while sustaining the input digital data rate or digitizer conversion rate.