natgillin/translations-raw huggingface dataset:
«Υβριδικά ολοκληρωμένα κυκλώματα»,
Refractory metals
«Ολοκληρωμένα κυκλώματα πολλαπλών μικροπλακετών»,
Mixtures thereof (4)
«Ολοκληρωμένα κυκλώματα τύπου φιλμ», που περιλαμβάνουν ολοκληρωμένα κυκλώματα με πυρίτιο πάνω σε σάπφειρο,
Aluminides
«Οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα»,
Alloyed aluminides (2)
«Τρισδιάστατα ολοκληρωμένα κυκλώματα»,
Boron nitride
«Μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων» («MMIC»).
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
Ολοκληρωμένα κυκλώματα σχεδιασμένα ή καθορισμένα, ώστε να αντέχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Tungsten
α.
Molybdenum and Molybdenum alloys
Ακτινοβολία, συνολικής δόσης τουλάχιστον 5 × 103 Gy (πυρίτιο),
Beryllium and Beryllium alloys
β.
Sensor window materials (9)
Διαταραχή ρυθμού ακτινοβολίας τουλάχιστον 5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s ή
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
γ.
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
Ολοκληρωμένη ροή νετρονίων (ισοδύναμο 1 MeV) τουλάχιστον 5 × 1013 n/cm2 σε πυρίτιο, και το αντίστοιχο σε άλλα υλικά,
Alloyed silicides
Στο σημείο 3A001.α.1.γ δεν ελέγχονται οι μεταλλομονωτικοί ημιαγωγοί (MSI).
Modified zirconia (12)
«Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές», «μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών» και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό, μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό, ολοκληρωμένα κυκλώματα που περιέχουν μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό και αποθηκεύουν ή επεξεργάζονται τα ψηφιοποιημένα στοιχεία, μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό, ηλεκτρο-οπτικά ή «οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» σχεδιασμένα για «επεξεργασία σημάτων», προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices), ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε αγνοείται η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού, στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (FFT), ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο (EEPROM), στιγμιαίες μνήμες, στατικές μνήμες RAM (SRAM) ή μαγνητικές μνήμες RAM (MRAMs), που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Corrosion resistant steel (7)
α.
Borides
Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε θερμοκρασία περιβάλλοντος άνω των 398 K (125 °C),
Beryllium
β.
Titanium alloys (13)
Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω των 218 K (– 55 °C), ή
Nitrides
γ.
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
Εγκεκριμένα προς λειτουργία στο σύνολο της περιοχής θερμοκρασιών περιβάλλοντος από 218 K (– 55 °C) έως 398 K (125 °C).
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
Στο σημείο 3A001.α.2 δεν ελέγχονται τα ολοκληρωμένα κυκλώματα που προορίζονται για πολιτικά αυτοκίνητα ή για σιδηροδρόμους.
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
«Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές», «μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών» και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, που κατασκευάζονται από σύνθετο ημιαγωγό και με λειτουργία σε συχνότητα χρονισμού άνω των 40 MHz.
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
Το σημείο 3Α001.α.3 περιλαμβάνει ψηφιακούς επεξεργαστές σημάτων, ψηφιακούς πολυεπεξεργαστές (array processors) και ψηφιακούς συνεπεξεργαστές (digital coprocessors).
Diamond-like carbon
α.
Polymers (11) and Organic "matrix" "composites"
ΒΛ.
Refractory metals and alloys (8)
ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3A101
Oxides
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit αλλά μικρότερη των 10 bit, με ρυθμό εξόδου μεγαλύτερο των 1,3 γιγαδειγμάτων ανά δευτερόλεπτο (GSPS),
D. Plasma spraying
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit αλλά μικρότερη των 12 bit, με ρυθμό εξόδου μεγαλύτερο των 600 μεγαδειγμάτων ανά δευτερόλεπτο (MSPS),
Abradable Nickel-Graphite
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 12 bit αλλά μικρότερη των 14 bit, με ρυθμό εξόδου μεγαλύτερο των 400 μεγαδειγμάτων ανά δευτερόλεπτο (MSPS),
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 14 bit αλλά μικρότερη των 16 bit, με ρυθμό εξόδου μεγαλύτερο των 250 μεγαδειγμάτων ανά δευτερόλεπτο (MSPS), ή
Abradable Al-Si-Polyester
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 16 bit, με ρυθμό εξόδου μεγαλύτερο των 65 μεγαδειγμάτων ανά δευτερόλεπτο,
Aluminium alloys (6)
Για ολοκληρωμένα κυκλώματα που περιέχουν μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό και αποθηκεύουν ή επεξεργάζονται τα ψηφιοποιημένα στοιχεία, βλέπε 3A001.a.14.
E. Slurry Deposition
Διακριτική ικανότητα n bit αντιστοιχεί σε κβάντωση 2n σταθμών.
Fused silicides
Ο αριθμός των bit στη λέξη εξόδου ισούται προς τη διακριτική ικανότητα του μετατροπέα ψηφιακού σε αναλογικό.
Fused aluminides except for resistance heating elements
Ο ρυθμός εξόδου είναι ο μέγιστος ρυθμός εξόδου του μετατροπέα, ανεξαρτήτως αρχιτεκτονικής ή υπερδειγματοληψίας.
F. Sputter Deposition
Για τους "ADC πολλαπλών διαύλων", τα εξερχόμενα σήματα δεν αθροίζονται, ως ρυθμός δε εξόδου λαμβάνεται ο μεγαλύτερος ρυθμός εξόδου των επί μέρους διαύλων.
Noble metal modified aluminides (3)
Για "αλληλένθετους ADC" ή "ADC πολλαπλών διαύλων" που προσδιορίζονται ως έχοντες αλληλένθετη λειτουργία, τα εξερχόμενα σήματα αθροίζονται, ως ρυθμός δε εξόδου λαμβάνεται ο μέγιστος συνδυασμένος συνολικός ρυθμός εξόδου όλων των εξόδων.
Platinum
Οι πωλητές μπορούν επίσης να αναφέρουν τον ρυθμό εξόδου ως ρυθμό δειγματοληψίας ή ως ρυθμό διεκπεραίωσης.
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
Ο ρυθμός αυτός εκφράζεται συχνά σε megahertz (MHz) ή ως μεγαλέξεις ανά δευτερόλεπτο ή μεγαδείγματα ανά δευτερόλεπτο (MSPS).
Dielectic layers (15)
Για τη μέτρηση του ρυθμού εξόδου, ένα δείγμα ανά δευτερόλεπτο ισοδυναμεί προς ένα Hertz ή προς μία λέξη ανά δευτερόλεπτο.
G. Ion Implantation
Ως "ADC πολλαπλών διαύλων" ορίζονται οι συσκευές όπου συνενώνονται δύο ή περισσότεροι ADC, σχεδιασμένες κατά τρόπον ώστε κάθε ADC να έχει ξεχωριστή αναλογική είσοδο.
High temperature bearing steels
Ως "αλληλένθετοι ADC" ορίζονται οι συσκευές με πολλαπλές μονάδες ADC που παίρνουν δείγματα από ένα και το αυτό αναλογικό σήμα εισόδου σε διαφορετικές στιγμές, ούτως ώστε η συνομαδοποίηση των εξόδων να οδηγεί στην πράξη σε δειγματοληψία και μετατροπή του σήματος εισόδου με μεγαλύτερο ρυθμό δειγματοληψίας.
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
β.
Cemented tungsten carbide (16)
Μετατροπείς ψηφιακού προς αναλογικό (DAC) με οιοδήποτε από τα εξής:
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - NOTES
Διακριτική ικανότητα 10 bit και άνω με "προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης" άνω των 3500 MSPS, ή
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Διακριτική ικανότητα 12 bit και άνω με "προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης" άνω των 1250 MSPS και οποιοδήποτε από τα εξής:
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
α.
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
Χρόνο επανόδου από βήμα πλήρους κλίμακας στο 0,024% της πλήρους κλίμακας κάτω των 9 ns, ή
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
β.
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
"Ψευδοελεύθερο δυναμικό εύρος" (SFDR) άνω των 68 dBc (φέροντος) κατά τη σύνθεση αναλογικού σήματος πλήρους κλίμακας 100 MHz ή της μεγαλύτερης προσδιορισμένης συχνότητας κάτω των 100 MHz.
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
Ως "Ψευδοελεύθερο δυναμικό εύρος" (SFDR) ορίζεται ο λόγος της τετραγωνικής μέσης τιμής της συχνότητας του φέροντος (μέγιστη συνιστώσα σήματος) στην είσοδο του DAC προς την τετραγωνική μέση τιμή της αμέσως μεγαλύτερης συνιστώσας θορύβου ή αρμονικής παραμόρφωσης στην έξοδο.
a.
Το SFDR προσδιορίζεται απευθείας από τον πίνακα προδιαγραφών ή από τα γραφήματα χαρακτηρισμού SFDR/συχνότητας.
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
Ως σήμα πλήρους κλίμακας ορίζεται το σήμα που έχει πλάτος άνω των -3 dBfs (fs = full scale = πλήρης κλίμακα).
b.
Ως "προσαρμοσμένος ρυθμός ενημέρωσης" για τους DAC ορίζεται:
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
Για μεν τους συμβατικούς (μη παρεμβάλλοντες) DAC, η ταχύτητα με την οποία μετατρέπεται σε αναλογικό το ψηφιακό σήμα και μεταβάλλονται από τον DAC οι αναλογικές τιμές εξόδου.
c.
Οι DAC που επιτρέπουν παράκαμψη της λειτουργίας παρεμβολής (παράγοντας παρεμβολής 1) θεωρούνται συμβατικοί (μη παρεμβάλλοντες) DAC.
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
Για δε τους παρεμβάλλοντες (υπερδειγματοληπτικούς) DAC, ο "λόγος του ρυθμού ενημέρωσης" του DAC προς τον μικρότερο παράγοντα παρεμβολής.
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Ο "προσαρμοσμένος ρυθμός ενημέρωσης" των παρεμβαλλόντων DAC μπορεί να αναφέρεται και με άλλες ονομασίες, όπως μεταξύ άλλων:
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
ρυθμός δεδομένων εισόδου,
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
ρυθμός λέξεων εισόδου,
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
ρυθμός δειγματοληψίας,
Category 2 does not include "technology" for single-step pack cementation of solid airfoils.
μέγιστη συνολική ταχύτητα bus εισόδου,
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
μέγιστος ρυθμός ρολογιού DAC για την είσοδο του ρολογιού του DAC.
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
Ηλεκτρο-οπτικά ή «οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» για «επεξεργασία σημάτων» που έχουν όλα τα ακόλουθα:
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
α.
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Μία ή περισσότερες εσωτερικές διόδους «λέιζερ»,
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10-7 K-1 or less measured at 293 K (20 °C).
β.
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Ένα ή περισσότερα εσωτερικά δομικά στοιχεία για την ανίχνευση φωτός, και
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
γ.
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
Οπτικούς κυματοδηγούς.
"Technology" for depositing diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
Προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices) που έχουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
α.
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
Μέγιστο αριθμό μονοτερματικών ψηφιακών εισόδων/εξόδων μεγαλύτερο από 700 ή
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
β.
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - TECHNICAL NOTE
"Αθροιστικό ρυθμό δεδομένων κορυφής σειριακού πομποδέκτη μονής κατεύθυνσης" ίσο ή μεγαλύτερο από 500 Gb/s,
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Το σημείο 3Α001.α.7 περιλαμβάνει:
a.
Τις απλές προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (SPLD)
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Τις πολύπλοκες προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (CPLD)
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
Τις προγραμματιζόμενες διατάξεις θυρών πεδίου (FPGA)
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
Τις προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις θυρών πεδίου (FPLA)
N.B.1.
Τους προγραμματιζόμενους διασυνδέσμους θυρών πεδίου (FPIC)
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Για ολοκληρωμένα κυκλώματα που περιέχουν προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου που συνδυάζονται με μετατροπέα αναλογικού σε ψηφιακό, βλέπε 3A001.a.14.
N.B.2.
Ο μέγιστος αριθμός ψηφιακών εισόδων/εξόδων στο 3Α001.α.7.α αναφέρεται επίσης ως μέγιστος αριθμός εισόδων/εξόδων χρήστη ή μέγιστος αριθμός διαθέσιμων εισόδων/εξόδων, είτε το ολοκληρωμένο κύκλωμα είναι συσκευασμένο είτε σκέτη ψηφίδα (bare die).
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
"Αθροιστικός ρυθμός δεδομένων κορυφής σειριακού πομποδέκτη μονής κατεύθυνσης" είναι το γινόμενο του ρυθμού δεδομένων κορυφής σειριακού πομποδέκτη μονής κατεύθυνσης επί τον αριθμό των πομποδεκτών στην FPGA.
N.B.3.
Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα, εκτός αυτών που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3 έως 3Α001.α.10 και 3Α001.α.12, που έχουν κατασκευασθεί από οποιονδήποτε μεικτό ημιαγωγό και παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
Συχνότητα αντιστροφής (toggle frequency) άνω των 1,2 GHz.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
Επεξεργαστές ταχέως μετασχηματισμού Fourier (Fast Fourier Transform - FFT) με ονομα στικό χρόνο εκτέλεσης για σύνθετο FFT Ν σημείων, κάτω του (N log2N)/20 480 ms, όπου N είναι ο αριθμός των σημείων.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Συχνότητα χρονισμού μετατροπέα ψηφιακού σε αναλογικό (DAC) ίση ή μεγαλύτερη από 3,5 GHz και διακριτική ικανότητα DAC ίση ή μεγαλύτερη από 10 bit, αλλά μικρότερη από 12 bit, ή
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Συχνότητα χρονισμού DAC ίση ή μεγαλύτερη από 1,25 GHz και διακριτική ικανότητα DAC ίση ή μεγαλύτερη από 12 bit,
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Ολοκληρωμένα κυκλώματα που πληρούν όλα τα ακόλουθα:
An activator (normally a halide salt); and
α.
An inert powder, most frequently alumina.
Μετατροπές αναλογικού σε ψηφιακό που πληρούν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit αλλά μικρότερη των 10 bit, με ρυθμό δειγματοληψίας εισόδου μεγαλύτερο από 1,3 γιγαδείγματα το δευτερόλεπτο (GSPS),
d.
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit αλλά μικρότερη των 12 bit, με ρυθμό δειγματοληψίας εισόδου μεγαλύτερο από 1,0 γιγαδείγμα το δευτερόλεπτο (GSPS),
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 12 bit αλλά μικρότερη των 14 bit, με ρυθμό δειγματοληψίας εισόδου μεγαλύτερο από 1,0 γιγαδείγμα το δευτερόλεπτο (GSPS),
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 14 bit αλλά μικρότερη των 16 bit, με ρυθμό δειγματοληψίας εισόδου μεγαλύτερο από 400 μεγαδείγματα το δευτερόλεπτο (MSPS), ή
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 16 bit, με ρυθμό δειγματοληψίας εισόδου μεγαλύτερο από 180 μεγαδείγματα το δευτερόλεπτο (MSPS), και
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Οποιοδήποτε από τα εξής:
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Αποθήκευση ψηφιοποιημένων δεδομένων ή
f.
Επεξεργασία ψηφιοποιημένων δεδομένων
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Για ολοκληρωμένα κυκλώματα μετατροπέα αναλογικού σε ψηφιακό βλέπε 3A001.a.5.a.
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Για προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου βλέπε 3A001.a.7.
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
β.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Στοιχεία μικροκυμάτων ή χιλιοστομετρικών κυμάτων, ως εξής:
g.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.β, η κορεσμένη ισχύς εξόδου κορυφής παραμέτρων μπορεί να αναφερθεί επίσης στα φύλλα δεδομένων των προϊόντων ως ισχύς εξόδου, κορεσμένη ισχύς εξόδου, μέγιστη κορεσμένη ισχύς εξόδου, ισχύς εξόδου κορυφής, ή ισχύς εξόδου περιβάλλουσας κορυφής.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Για τον σκοπό (προς εφαρμογή) της 3Α001.β.1, "ηλεκτρονικές διατάξεις κενού" είναι ηλεκτρονικές διατάξεις που βασίζονται στην αλληλεπίδραση δέσμης ηλεκτρονίων με ηλεκτρομαγνητικό κύμα το οποίο διαδίδεται σε ένα κύκλωμα κενού ή αλληλεπιδρά με συντονιστές κοιλότητας κενού που λειτουργούν στην περιοχή των ραδιο-συχνοτήτων.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
Οι "ηλεκτρονικές διατάξεις κενού" περιλαμβάνουν διατάξεις κλείστρον, σωλήνες μετάδοσης κύματος και τα παράγωγά τους.
CATEGORY 3 - ELECTRONICS
"Ηλεκτρονικές συσκευές κενού" και καθοδικές λυχνίες, ως εξής:
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.14, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Στο σημείο 3Α001.β.1. δεν ελέγχονται οι "ηλεκτρονικές συσκευές κενού" που έχουν σχεδιαστεί ή καθορίζονται για λειτουργία σε ζώνες συχνοτήτων και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.14 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Δεν υπερβαίνουν τα 31,8 GHz, και
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.14.
Έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.
Electronic items as follows:
Στο σημείο 3Α001.β.1, δεν ελέγχονται οι «ακατάλληλες για διαστημική χρήση»"ηλεκτρονικές συσκευές κενού" που έχουν όλα τα παρακάτω:
a.
Μέση ισχύ εξόδου το πολύ 50 W, και
General purpose integrated circuits, as follows:
Σχεδιασμένες ή καθορισμένες για λειτουργία σε οποιαδήποτε ζώνη συχνοτήτων που έχει όλα τα παρακάτω:
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Υπερβαίνει τα 31,8 GHz, αλλά δεν υπερβαίνει τα 43,5 GHz, και
Integrated circuits include the following types:
α.
"Monolithic integrated circuits";
"Ηλεκτρονικές συσκευές κενού" οδεύοντος κύματος, παλμικές ή συνεχούς κύματος, ως εξής:
"Hybrid integrated circuits";
Συσκευές που λειτουργούν σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz.
"Multichip integrated circuits";
Συσκευές που έχουν στοιχείο θέρμανσης καθόδου με χρόνο ανύψωσης ισχύος έως την καθορισμένη ισχύ ραδιοσυχνότητας μικρότερο από 3 δευτερόλεπτα.
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
Συζευγμένες συσκευές κοιλοτήτων ή παράγωγά τους, με «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 7 % ή ισχύ αιχμής άνω των 2,5 kW.
"Optical integrated circuits";
Διατάξεις βασισμένες σε κυκλώματα κυματοδηγών ελικοειδούς μορφής, μορφής διπλωμένου κυματοδηγού, μορφής σερπαντίνας ή και παραγώγων των μορφών αυτών, τα οποία διαθέτουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
"Three dimensional integrated circuits";
α.
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" ("MMICs").
«Στιγμιαίο εύρος ζώνης» άνω της μίας οκτάβας και γινόμενο μεταξύ της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και της συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) ανώτερο από 0,5,
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
«Στιγμιαίο εύρος ζώνης» το πολύ μία οκτάβα και γινόμενο της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kW) και συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) πάνω από 1,
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
Είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση». ή
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
δ. Διαθέτουν εκπομπούς ηλεκτρονίων με πλέγματα
c.
Συσκευές με «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10% και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
α. δακτυλιοειδή δέσμη ηλεκτρονίων,
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).