natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Συσκευές πυροδότησης για εκρηκτικούς πυροκροτητές (συστήματα έναυσης/πυροδότησης) συμπεριλαμβανομένων συσκευών πυροδότησης που φορτίζονται ηλεκτρονικά, που λειτουργούν εκρηκτικά και οπτικά, εκτός από εκείνες που ορίζονται στο σημείο 1A007.α., που έχουν σχεδιαστεί για να συνδέονται με πολλαπλούς εκρηκτικούς πυροκροτητές του σημείου 1A007.β.
b.
β.
On/off ratio equal to or exceeding 65 dB;
Βαθμιδωτές ηλεκτρικές παλμογεννήτριες (pulsers) που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
An output power exceeding 100 mW (20 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Έχουν σχεδιαστεί για να είναι φορητές, κινητές ή ανθεκτικές,
A "frequency switching time" as specified by any of the following:
Μπορούν να αποδώσουν την ενέργειά τους σε λιγότερο από 15 μs σε φορτία μικρότερα από 40 ohms,
b.
Έχουν ρεύμα εξόδου μεγαλύτερο από 100 Α,
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
Καμία από τις διαστάσεις τους δεν είναι μεγαλύτερη από 30 cm,
d.
Το βάρος τους είναι μικρότερο από 30 kg, και
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz; or
Οι προδιαγραφές τους είναι για χρήση σε εκτεταμένο φάσμα θερμοκρασιών 223 K (– 50 °C) έως 373 K (100 °C) ή για αεροδιαστημικές εφαρμογές.
e.
Το σημείο 3Α229.β περιλαμβάνει και συσκευές με λυχνίες εκκενώσεως ξένου.
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the frequency range exceeding 37 GHz but not exceeding 90 GHz;
Μονάδες μικρο-πυροδότησης με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Not used;
Καμία από τις διαστάσεις τους δεν είναι μεγαλύτερη από 35 mm,
Single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, specified as being any of the following:
Ονομαστική τάση ίση ή μεγαλύτερη από 1 kV, και
a.
Χωρητικότητα ίση ή μεγαλύτερη από 100 nF.
Less (better) than – (126 + 20log10F – 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz anywhere within the frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 90 GHz; or
Παλμογεννήτριες υψηλής ταχύτητας, και οι «κεφαλές παλμού» τους, που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
b.
α.
Less (better) than – (206 – 20log10f) anywhere within the range of 10 kHz< F≤ 100 kHz anywhere within the frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 90 GHz; or
Τάση εξόδου ανώτερη από 6 V όταν συνδέονται με φορτίο αντίστασης μικρότερο από 55 Ω, και
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
β.
A maximum frequency exceeding 90 GHz;
"Χρόνο μετάβασης παλμού" κάτω από 500 πικο-δευτερόλεπτα.
For the purpose of 3A002.d., signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Στο σημείο 3Α230, ο "χρόνος μετάβασης του παλμού" ορίζεται ως το χρονικό διάστημα μεταξύ του 10 % και του 90 % του εύρους της τάσης.
3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Οι "κεφαλές παλμού" είναι δίκτυα σχηματισμού ώσεων σχεδιασμένα να δέχονται βηματικές συναρτήσεις τάσης και βηματικής μορφής τάσεις, οι οποίες μπορούν να περιλαμβάνουν ορθογωνικές, τριγωνικές, βηματικές, κρουστικές, εκθετικές ή μονοκυκλικές μορφές.
The maximum frequency of an arbitrary waveform or function generator is calculated by dividing the sample rate, in samples/second, by a factor of 2,5.
Οι "κεφαλές παλμού" δύνανται να αποτελούν αναπόσπαστο μέρος της γεννήτριας παλμών, να αποτελούν μονάδα που προστίθεται στη συσκευή ή να συνδέονται εξωτερικά με τη συσκευή.
For the purposes of 3A002.d.1.a, 'pulse duration' is defined as the time interval from the point on the leading edge that is 50 % of the pulse amplitude to the point on the trailing edge that is 50 % of the pulse amplitude.
Συστήματα παραγωγής νετρονίων, συμπεριλαμβανομένων των σωλήνων, με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
e.
α.
Network analysers having any of the following:
Έχουν σχεδιασθεί για λειτουργία χωρίς εξωτερικό σύστημα κενού, και
An output power exceeding 31,62 mW (15 dBm) anywhere within the operating frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
β.
An output power exceeding 1 mW (0 dBm) anywhere within the operating frequency range exceeding 90 GHz but not exceeding 110 GHz;
Χρησιμοποιούν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
'Nonlinear vector measurement functionality' at frequencies exceeding 50 GHz but not exceeding 110 GHz; or
Ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση τριτίου-δευτερίου, ή
'Nonlinear vector measurement functionality' is an instrument’s ability to analyse the test results of devices driven into the large-signal domain or the non-linear distortion range.
Ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση δευτερίου-δευτερίου, ικανά για παραγωγή 3 × 109 νετρονίων/s ή μεγαλύτερη.
A maximum operating frequency exceeding 110 GHz;
Συστήματα έναυσης πολλαπλών σημείων, διαφορετικά από τα προδιαγραφόμενα στο σημείο 1A007, ως εξής:
f.
β.
A maximum operating frequency exceeding 110 GHz; and
Συστήματα που χρησιμοποιούν απλούς ή πολλαπλούς πυροκροτητές και έχουν σχεδιαστεί για να προκαλούν σχεδόν ταυτόχρονα την έναυση μιας εκρηκτικής επιφάνειας εμβαδού άνω των 5000 mm2 από ένα μόνο σήμα πυροδότησης με χρόνο έναυσης όπως εκτείνεται στην επιφάνεια λιγότερο από 2,5 μs.
Being capable of measuring amplitude and phase simultaneously;
Το σημείο 3Α232 δεν θέτει υπό έλεγχο πυροκροτητές που χρησιμοποιούν μόνο πρωτογενείς εκρηκτικές ύλες, όπως τον αζωτούχο μόλυβδο.
g.
Φασματογράφοι μάζας, εκτός από αυτούς που αναφέρονται στο σημείο 0Β002.ζ, που μπορούν να μετρήσουν ιόντα μεγέθους 230 ατομικών μονάδων μάζας ή παραπάνω και οι οποίοι έχουν διακριτική ικανότητα καλύτερη από 2 μέρη στα 230, ως εξής, καθώς επίσης και πηγές ιόντων για τους φασματογράφους αυτούς:
Atomic frequency standards being any of the following:
α.
"Space-qualified";
Επαγωγικά συζευγμένοι φασματογράφοι μάζας πλάσματος (ICP/ΜS)·
Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
β.
Non-"space-qualified" and having all of the following:
γ.
Being a rubidium standard;
δ. Φασματογράφοι μάζας βομβαρδισμού ηλεκτρονίων, με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; and
Μία ή περισσότερες "ψυχρές παγίδες" που μπορούν να ψυχθούν στους 193 K (– 80 °C),
Total power consumption of less than 1 W;
ε.
h.
Δεν χρησιμοποιείται· στ.
"Electronic assemblies", modules, or equipment, specified to perform all of the following:
Φασματογράφοι μάζας εξοπλισμένοι με πηγή ιόντων μικροφθορίωσης που έχουν σχεδιαστεί για ακτινίδες ή φθοριούχες ακτινίδες.
Analogue-to-digital conversions meeting any of the following:
Οι φασματογράφοι μάζας βομβαρδισμού ηλεκτρονίων στο σημείο 3A233.δ. είναι γνωστοί και ως φασματογράφοι μάζας πρόσπτωσης ηλεκτρονίων ή φασματογράφοι μάζας ιοντισμού ηλεκτρονίων.
a.
Στο σημείο 3A233.δ.2, "ψυχρή παγίδα" είναι μια διάταξη που παγιδεύει μόρια αερίων συμπυκνώνοντας ή ψύχοντάς τα πάνω σε ψυχρές επιφάνειες.
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an input sample rate greater than 1300 million samples per second;
Για τους σκοπούς του σημείου 3A233.δ.2., μια κρυογενική αντλία κενού αέριου ηλίου κλειστού τύπου δεν είναι "ψυχρή παγίδα".
b.
Γυμνές αγώγιμες γραμμές για την παροχή διαδρομής χαμηλής αυτεπαγωγής προς τους πυροκροτητές, με τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an input sample rate greater than 1000 million samples per second;
Ονομαστική τάση μεγαλύτερη από 2 kV, και
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with an input sample rate greater than 1000 million samples per second;
β Αυτεπαγωγή μικρότερη από 20 nH.
d.
Εξοπλισμός για την παραγωγή συσκευών με ημιαγωγούς ή υλικών ημιαγωγών, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία και εξαρτήματα για τον σκοπό αυτό:
A resolution of 14 bit or more but less than 16 bit, with an input sample rate greater than 400 million samples per second; or
ΒΛ.
e.
ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 2B226
A resolution of 16 bit or more with an input sample rate greater than 180 million samples per second; and
Εξοπλισμός σχεδιασμένος για επιταξιακή ανάπτυξη, ως εξής:
Output of digitized data;
Εξοπλισμός που μπορεί να παράγει στρώμα οποιουδήποτε άλλου υλικού πλην πυριτίου ομοιογενούς πάχους με διαφορά λιγότερη από ± 2,5 % σε απόσταση 75 mm ή παραπάνω,
b.
Το σημείο 3B001.α.1. περιλαμβάνει εξοπλισμό επίταξης ατομικού στρώματος (Atomic Layer Epitaxy — ALE).
Storage of digitized data; or
Αντιδραστήρες για χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων (ΜΟCVD), που έχουν σχεδιαστεί για την επιταξιακή ανάπτυξη από σύνθετους ημιαγωγούς υλικών που έχουν δύο ή περισσότερα από τα ακόλουθα στοιχεία: αργίλιο, γάλλιο, ίνδιο, αρσενικό, φωσφόρο, αντιμόνιο ή άζωτο.
c.
Εξοπλισμός επιταξιακής ανάπτυξης μέσω μοριακής δέσμης ο οποίος χρησιμοποιεί αέριες ή στερεές πηγές.
Processing of digitized data;
β.
Digital data recorders, oscilloscopes, "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers, are specified in 3A002.a.6., 3A002.a.7., 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμφύτευση ιόντων που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
For multiple-channel "electronic assemblies" or modules, control status is determined by the highest single-channel specified performance.
Σχεδιασμένος και βελτιστοποιημένος για λειτουργία με ενέργεια δέσμης 20 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 10 mA και άνω, για εμφύτευση υδρογόνου, δευτερίου ή ηλίου,
3A002.h. includes ADC cards, waveform digitizers, data acquisition cards, signal acquisition boards and transient recorders.
Δυνατότητα απευθείας εγγραφής,
Spray cooling thermal management systems employing closed loop fluid handling and reconditioning equipment in a sealed enclosure where a dielectric fluid is sprayed onto electronic components using specially designed spray nozzles that are designed to maintain electronic components within their operating temperature range, and specially designed components therefor.
Ενέργεια δέσμης 65 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 45 mA και άνω, για εμφύτευση οξυγόνου υψηλής ενέργειας πάνω σε θερμαινόμενο «υπόστρωμα» ημιαγωγού, ή
Electronic equipment, devices and components, other than those specified in 3A001, as follows:
Σχεδιασμένος και βελτιστοποιημένος για λειτουργία με ενέργεια δέσμης 20 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 10 mA και άνω, για εμφύτευση πυριτίου πάνω σε «υπόστρωμα» ημιαγωγού θερμασμένου στους 600 °C και άνω,
a.
ε.
Analogue-to-digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedized equipment;
Κεντρικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων (wafer), πολλαπλών θαλάμων, αυτόματης φόρτωσης, τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
b.
Διεπαφές για είσοδο και έξοδο πλακιδίων, στις οποίες μπορούν ως εκ του σχεδιασμού να συνδεθούν περισσότερα από δύο λειτουργικώς διαφορετικά "εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών" προσδιοριζόμενα στο 3B001.α.1, 3B001.α.2, 3Β001.α.3 ή 3B001.β, και και
Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
Είναι σχεδιασμένα για να αποτελέσουν ένα ολοκληρωμένο σύστημα σε περιβάλλον κενού για "σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων".
3A101.b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
Στο σημείο 3Β001.ε. δεν ελέγχονται τα αυτόματα ρομποτικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων τα ειδικά σχεδιασμένα για την παράλληλη επεξεργασία πλακιδίων.
'Thermal batteries' designed or modified for 'missiles'.
Για τους σκοπούς του σημείου 3B001.ε, ως "εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών" νοούνται τα σπονδυλωτά εργαλεία που επιτελούν λειτουργικά διαφορετικές φυσικές διεργασίες, όπως π.χ. επικάθηση, εμφύτευση ή θερμική επεξεργασία, για την παραγωγή ημιαγωγών.
In 3A102 'thermal batteries' are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
Για τους σκοπούς του σημείου 3B001.ε, ως "σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων" νοείται η ικανότητα επεξεργασίας κάθε πλακιδίου με διαφορετικά "εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών", π.χ. με τη μεταφορά κάθε πλακιδίου από ένα εργαλείο σε άλλο και από εκεί σε τρίτο με τη βοήθεια των κεντρικών συστημάτων χειρισμού πλακιδίων πολλαπλών θαλάμων και αυτόματης φόρτωσης.
These batteries incorporate a pyrolytic material that, when ignited, melts the electrolyte and activates the battery.
στ. Εξοπλισμός λιθογραφίας, ως εξής:
In 3A102 'missile' means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
Εξοπλισμός ευθυγράμμισης και έκθεσης step and repeat (με άμεσο βήμα πάνω στο πλακίδιο) ή step and scan (με σάρωση) για την επεξεργασία πλακιδίων με τη χρήση φωτο-οπτικών μεθόδων ή μεθόδων ακτίνων Χ και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Electronic components, other than those specified in 3A001, as follows;
Μήκος κύματος φωτεινής πηγής βραχύτερο από 193 nm, ή
Capacitors having either of the following sets of characteristics:
Ικανότητα να συνθέτει σχήματα με «ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος» (MRF) 45 nm ή μικρότερο.
Voltage rating greater than 1,4 kV;
μήκος κύματος φωτεινής πηγής έκθεσης σε nm
Energy storage greater than 10 J;
αριθμητικό διάφραγμα
Capacitance greater than 0,5 μF; and
όπου ο συντελεστής K = 0,35.
d.
Εξοπλισμός εντυπωτικής λιθογραφίας ικανός να παράγει λεπτομέρειες διαστάσεων 45 nm και κάτω.
Series inductance less than 50 nH; or
Στο σημείο 3Β001.στ.2. περιλαμβάνονται:
a.
Τα εργαλεία τυπογραφίας μικροεπαφής,
Voltage rating greater than 750 V;
Τα εργαλεία θερμοεντύπωσης,
b.
Τα εργαλεία νανοεντυπωτικής λιθογραφίας,
Capacitance greater than 0,25 μF; and
Τα εργαλεία εντυπωτικής λιθογραφίας με βήμα και λάμψη (step-and-flash)
c.
Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για την παραγωγή μασκών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Series inductance less than 10 nH;
Εκτρεπόμενη εστιασμένη δέσμη ηλεκτρονίων, δέσμη ιόντων ή δέσμη «λέιζερ», και
Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
Μέγεθος κηλίδας μισό του μεγίστου και με πλήρες πλάτος (FWHM) μικρότερο των 65 nm και θέση εικόνας μικρότερη των 17 nm (μέσο σφάλμα + 3 σίγμα) ή
Capable of creating magnetic fields greater than 2 T;
Σφάλμα επίστρωσης δεύτερου επιπέδου μικρότερο από 23 nm (μέσο σφάλμα + 3 σίγμα) επί της μάσκας· 3B001.στ.
A ratio of length to inner diameter greater than 2;
(συνέχεια) 4.
Inner diameter greater than 300 mm; and
Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιαστεί για επεξεργασία συσκευών με τη χρήση μεθόδων άμεσης εγγραφής και έχει όλα τα ακόλουθα:
Magnetic field uniform to better than 1 % over the central 50 % of the inner volume;
α.
3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported 'as parts of' medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Εκτρεπόμενη και εστιασμένη δέσμη ηλεκτρονίων και
The phrase 'as part of' does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched 'as part of' the imaging systems.
Ελάχιστο μέγεθος δέσμης ίσο ή μικρότερο από 15 nm, ή
c.
Σφάλμα επικάλυψης μικρότερο από 27 nm (μέσος όρος + 3 σίγμα)·
Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
Μάσκες ή πλεγματίδια που έχουν σχεδιαστεί για ολοκληρωμένα κυκλώματα που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.
An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
η. Μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης και οι οποίες δεν προσδιορίζονται στο σημείο 3B001.ζ., με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
b.
Κατασκευασμένες πάνω σε «ακατέργαστο υπόστρωμα» μάσκας από ύαλο που προσδιορίζεται ως έχουσα διπλή διάθλαση μικρότερη από 7 nm/cm, ή
With a 'figure of merit' (K) of 0,25 or greater; or
Σχεδιασμένες για να χρησιμοποιηθούν σε εξοπλισμό λιθογραφίας που έχει μήκος κύματος πηγής φωτός μικρότερο από 245 nm,
a.
Στο σημείο 3Β001.η δεν ελέγχονται οι μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης και έχουν σχεδιαστεί για την κατασκευή συσκευών μνήμης που δεν ελέγχονται στο σημείο 3Α001.
An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
θ. Μακέτες εντυπωτικής λιθογραφίας σχεδιασμένες για τα ηλεκτρονικά κυκλώματα που προσδιορίζονται στο 3Α001.
b.
Εξοπλισμός δοκιμών που έχει ειδικά σχεδιαστεί για να δοκιμάζονται τελειωμένες ή ημιτελείς συσκευές ημιαγωγών, ως εξής, και δομικά στοιχεία και εξαρτήματα που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για τον εξοπλισμό αυτό:
A 'peak power' greater than 50 MW.
α.
3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes.
Για να δοκιμάζονται οι παράμετροι S συσκευών τρανζίστορ σε συχνότητες πάνω από 31,8 GHz,
The 'figure of merit' K is defined as:
γ.
K = 1,7 × 103V2,65 Q
Για τη δοκιμή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων προσδιοριζόμενων στο σημείο 3Α001.β.2.
V is the peak electron energy in million electron volts.
Ετερο-επιταξιακά υλικά, που αποτελούνται από «υπόστρωμα» πάνω στο οποίο έχουν αποτεθεί επιταξιακά ανεπτυγμένα πολλαπλά στρώματα οποιουδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 μs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
α.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 μs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 μs.
Πυρίτιο (Si),
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q =∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
β.
'Peak power' = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
Γερμάνιο (Ge),
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
Καρβίδιο του πυριτίου (SiC), ή
Frequency changers or generators, other than those specified in 0B001.b.13., usable as a variable or fixed frequency motor drive, having all of the following characteristics:
δ.
"Software" specially designed to enhance or release the performance of a frequency changer or generator to meet the characteristics of 3A225 is specified in 3D225.
«Σύνθετες ενώσεις» γαλλίου ή ινδίου με στοιχεία του πίνακα III/V.
"Technology" in the form of codes or keys to enhance or release the performance of a frequency changer or generator to meet the characteristics of 3A225 is specified in 3E225.
Στο σημείο 3C001.δ. δεν ελέγχεται «υπόστρωμα» που έχει ένα ή περισσότερα επιταξιακά στρώματα τύπου Ρ GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP ή InGaAlP, ανεξάρτητα από την αλληλουχία των στοιχείων, εκτός εάν το επιταξιακό στρώμα τύπου Ρ βρίσκεται μεταξύ στρωμάτων τύπου Ν.
a.
Φωτοανθεκτικά υλικά, ως εξής, καθώς και «υποστρώματα» που έχουν επίστρωση των ακόλουθων φωτοανθεκτικών ουσιών:
Multiphase output providing a power of 40 VA or greater;
Φωτοανθεκτικά υλικά σχεδιασμένα για λιθογραφία με ημιαγωγούς, ως εξής:
Operating at a frequency of 600 Hz or more; and
Θετικά φωτοανθεκτικά υλικά προσαρμοσμένα (αριστοποιημένα) για να χρησιμοποιηθούν σε μήκη κύματος μικρότερα από 245 nm και ίσα ή μεγαλύτερα από 15 nm,
c.
Φωτοανθεκτικά υλικά προσαρμοσμένα (αριστοποιημένα) για να χρησιμοποιηθούν σε μήκη κύματος μικρότερα από 15 nm και μεγαλύτερα από 1 nm,
Frequency control better (less) than 0,2 %.
β.
3A225 does not control frequency changers or generators if they have hardware, "software" or "technology" constraints that limit the performance to less than that specified above, provided they meet any of the following:
Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με δέσμες ηλεκτρονίων ή ιόντων που έχουν ευαισθησία 0,01 μcoulomb/mm2 ή καλύτερη,
They need to be returned to the original manufacturer to make the enhancements or release the constraints;
δ. Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά αριστοποιημένα για τεχνολογίες απεικόνισης επιφανειών,
They require "software" as specified in 3D225 to enhance or release the performance to meet the characteristics of 3A225; or
ε.
They require "technology" in the form of keys or codes as specified in 3E225 to enhance or release the performance to meet the characteristics of 3A225.
Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά σχεδιασμένα ή αριστοποιημένα για χρήση με τον εξοπλισμό εντυπωτικής λιθογραφίας που καθορίζεται στο 3B001.στ.2. που χρησιμοποιούν είτε θερμική είτε φωτο-στυπωτική διαδικασία.
Frequency changers in 3A225 are also known as converters or inverters.
Ενώσεις οργανικού με ανόργανο στοιχείο ως εξής:
Frequency changers in 3A225 may be marketed as Generators, Electronic Test Equipment, AC Power Supplies, Variable Speed Motors Drives, Variable Speed Drives (VSDs), Variable Frequency Drives (VFDs), Adjustable Frequency Drives (AFDs), or Adjustable Speed Drives (ASDs).
α.
High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
Οργανομεταλλικές ενώσεις αργιλίου, γαλλίου ή ινδίου που έχουν καθαρότητα (με βάση το μέταλλο) καλύτερη από 99,999 %,
a.
β.
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
Οργανικές ενώσεις αρσενικού, αντιμονίου και φωσφόρου που έχουν καθαρότητα (με βάση το ανόργανο στοιχείο) καλύτερη από 99,999 %.
b.
Στο σημείο 3C003 ελέγχονται μόνο οι ενώσεις των οποίων το μεταλλικό, μερικώς μεταλλικό ή μη μεταλλικό στοιχείο συνδέεται άμεσα με άνθρακα στο οργανικό τμήμα του μορίου.
Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
Υδρίδια φωσφόρου, αρσενικού ή αντιμονίου που έχουν καθαρότητα καλύτερη από 99,999 %, ακόμη και αν έχουν διαλυθεί σε αδρανή αέρια ή υδρογόνο.
High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
Στο σημείο 3C004 δεν ελέγχονται υδρίδια που περιέχουν γραμμομοριακό ποσοστό 20 % και άνω αδρανή αέρια ή υδρογόνο.
a.
«Υυποστρώματα» ημιαγωγών από καρβίδιο του πυριτίου (SiC), νιτρίδιο του γαλλίου (GaN), νιτρίδιο του αργιλίου (AlN) ή νιτρίδιο του αργιλίου-γαλλίου (AlGaN) ή πλινθώματα, συνθετικοί κρύσταλλοι, ή άλλα προμορφώματα αυτών των υλικών, που έχουν ειδικές αντιστάσεις μεγαλύτερες από 10000 Ω-cm στους 20 °C.
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
«Υποστρώματα» που καθορίζονται στο 3C005 με τουλάχιστον ένα επιταξιακό στρώμα καρβιδίου του πυριτίου, νιτριδίου του γαλλίου, νιτριδίου του αργιλίου ή νιτριδίου του αργιλίου-γαλλίου.
Switching devices, as follows:
«Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.β. έως 3Α002.η ή 3Β.
a.
«Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για τη «χρήση» εξοπλισμού προδιαγραφόμενου στα σημεία 3B001.α. έως στ. ή 3B002 ή 3A225.
Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
«Λογισμικό» προσομοίωσης, «βασισμένο στη φυσική», ειδικά σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» διεργασιών λιθογραφίας, χάραξης ή εναπόθεσης ώστε τα σχήματα μάσκας να μεταφράζονται σε επί μέρους τοπογραφικά σχήματα με αγωγούς, διηλεκτρικά ή υλικά ημιαγωγών.
Containing three or more electrodes;
Στο σημείο 3D003., οι λέξεις «βασισμένο στη φυσική» υποδηλώνουν ότι χρησιμοποιεί υπολογισμούς για να προσδιορίσει μια ακολουθία φυσικών αιτίων/αιτιατών βασισμένων σε φυσικές ιδιότητες (π.χ. θερμοκρασία, πίεση, σταθερές διάχυσης και ιδιότητες υλικών ημιαγωγών).
Anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
Οι βιβλιοθήκες, τα χαρακτηριστικά σχεδιασμού ή συναφή δεδομένα για τον σχεδιασμό συσκευών ημιαγωγών ή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων θεωρούνται «τεχνολογία».
Anode peak current rating of 100 A or more; and
«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» του εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α003.
Anode delay time of 10 μs or less;