natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Τους προγραμματιζόμενους διασυνδέσμους θυρών πεδίου (FPIC)
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
Ο μέγιστος αριθμός ψηφιακών εισόδων/εξόδων στο 3Α001.α.7.α. αναφέρεται επίσης ως μέγιστος αριθμός εισόδων/εξόδων χρήστη ή μέγιστος αριθμός διαθέσιμων εισόδων/εξόδων, είτε το ολοκληρωμένο κύκλωμα είναι συσκευασμένο είτε σκέτη ψηφίδα (bare die).
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
"Αθροιστικός ρυθμός δεδομένων κορυφής σειριακού πομποδέκτη μονής κατεύθυνσης" είναι το γινόμενο του ρυθμού δεδομένων κορυφής σειριακού πομποδέκτη μονής κατεύθυνσης επί τον αριθμό των πομποδεκτών στην FPGA.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Ολοκληρωμένα κυκλώματα νευρωνικών δικτύων.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε ο κατασκευαστής αγνοεί τη διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα και τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
b.
α.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Πάνω από 1500 τερματικές ακίδες.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
β.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
Χαρακτηριστικό «βασικό χρόνο διαβάσεως πύλης» χαμηλότερο από 0,02 ns, ή
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
γ.
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
Συχνότητα λειτουργίας που ξεπερνά τα 3 GHz.
Specific TE-PVD processes are as follows:
Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα, εκτός αυτών που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.10. και 3Α001.α.12., που έχουν κατασκευασθεί από οποιονδήποτε μεικτό ημιαγωγό και παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
α.
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
Ισοδύναμο χρησιμοποιήσιμο αριθμό θυρών μεγαλύτερο από 3000 (για 2 θύρες εισόδου), ή
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Συχνότητα αντιστροφής πάνω από 1,2 GHz.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
Επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (Fast Fourier Transform — FFT) με ονομαστικό χρόνο εκτέλεσης για σύνθετη FFT Ν σημείων, κάτω του (N log2N)/20480 ms, όπου N είναι ο αριθμός των σημείων.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Όταν Ν = 1024 σημεία, ο τύπος του σημείου 3Α001.α.12 δίνει χρόνο εκτέλεσης 500 μs.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Ολοκληρωμένα κυκλώματα άμεσου ψηφιακού συνθεσιοποιητή (Direct Digital Synthesizer — DDS), με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
α.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Συχνότητα χρονισμού μετατροπέα ψηφιακού σε αναλογικό (DAC) ίση ή μεγαλύτερη από 3,5 GHz και διακριτική ικανότητα DAC ίση ή μεγαλύτερη από 10 bit, αλλά μικρότερη από 12 bit, ή
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Συχνότητα χρονισμού DAC ίση ή μεγαλύτερη από 1,25 GHz και διακριτική ικανότητα DAC ίση ή μεγαλύτερη από 12 bit,
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Η συχνότητα χρονισμού DAC μπορεί να προσδιοριστεί ως η κύρια συχνότητα χρονισμού ή η συχνότητα χρονισμού εισαγωγής.
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
β.
An activator (normally a halide salt); and
Στοιχεία μικροκυμάτων ή χιλιοστομετρικών κυμάτων, ως εξής:
An inert powder, most frequently alumina.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.β., η κορεσμένη ισχύς εξόδου κορυφής παραμέτρων μπορεί να αναφερθεί επίσης στα φύλλα δεδομένων των προϊόντων ως ισχύς εξόδου, κορεσμένη ισχύς εξόδου, μέγιστη κορεσμένη ισχύς εξόδου, ισχύς εξόδου κορυφής, ή ισχύς εξόδου περιβάλλουσας κορυφής.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Ηλεκτρονικές λυχνίες κενού και κάθοδοι ως εξής:
d.
Στο σημείο 3Α001.β.1. δεν ελέγχονται οι λυχνίες που έχουν σχεδιαστεί ή καθορίζονται για λειτουργία σε ζώνες συχνοτήτων και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Δεν υπερβαίνουν τα 31,8 GHz, και
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Στο σημείο 3Α001.β.1., δεν ελέγχονται οι «ακατάλληλες για διαστημική χρήση» λυχνίες που έχουν όλα τα παρακάτω:
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Μέση ισχύ εξόδου το πολύ 50 W, και
e.
Σχεδιασμένες ή καθορισμένες για λειτουργία σε οποιαδήποτε ζώνη συχνοτήτων που έχει όλα τα παρακάτω:
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Υπερβαίνει τα 31,8 GHz, αλλά δεν υπερβαίνει τα 43,5 GHz, και
f.
α.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Λυχνίες οδεύοντος κύματος, παλμικού ή συνεχούς κύματος, ως εξής:
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Λυχνίες που λειτουργούν σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz.
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Λυχνίες που έχουν στοιχείο θέρμανσης καθόδου με χρόνο ανύψωσης ισχύος έως την καθορισμένη ισχύ ραδιοσυχνότητας μικρότερο από 3 δευτερόλεπτα.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Συζευγμένες λυχνίες cavity ή παράγωγά τους, με «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 7 % ή ισχύ αιχμής άνω των 2,5 kW.
g.
Ελικοειδείς λυχνίες ή παράγωγά τους με οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
α.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
«Στιγμιαίο εύρος ζώνης» άνω της μιας οκτάβας και γινόμενο μεταξύ της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και της συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) ανώτερο από 0,5,
CATEGORY 3 — ELECTRONICS
β.
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.13, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
«Στιγμιαίο εύρος ζώνης» το πολύ μια οκτάβα, και γινόμενο της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kW) και συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) πάνω από 1, ή ή
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.13 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
γ.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.13.
Είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση».
Electronic items as follows:
Ενισχυτικές λυχνίες διασταυρωμένου πεδίου με απολαβή άνω των 17 dB.
General purpose integrated circuits, as follows:
γ.
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Εμποτισμένες κάθοδοι (impregnated cathodes) για ηλεκτρονικές λυχνίες που παράγουν σταθερή πυκνότητα ροής ρεύματος σε συνθήκες προκαθορισμένης λειτουργίας η οποία ξεπερνά τα 5 A/cm2.
Integrated circuits include the following types:
Ενισχυτές ισχύος με «μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» μικροκυμάτων, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
"Monolithic integrated circuits";
α.
"Hybrid integrated circuits";
Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz έως και 6,8 GHz, «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 15 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
"Multichip integrated circuits";
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 75 W (48,75 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz,
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 55 W (47,4 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz,
"Optical integrated circuits";
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 40 W (46 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz, ή
"Three dimensional integrated circuits".
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 W (43 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz,
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 16 GHz, «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 10 W (40 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz, ή
b.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 5 W (37 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 16 GHz,
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 3 W (34,77 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
δ. Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 nW (– 70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 31,8 GHz έως και 37 GHz,
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
ε.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 1 W (30 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %, στ.
a.
Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 10 mW (10 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 75 GHz έως και 90 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 5 %, ή
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
η. Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 nW (– 70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 90 GHz,
c.
Δεν χρησιμοποιείται.
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.2.α έως3Α001.β.2.η., καθορίζεται βάσει του κατωφλίου ελάχιστης κορεσμένης ισχύος εξόδου κορυφής.
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Οι σημειώσεις 1 και 2 στο κεφάλαιο 3A σημαίνουν ότι στο σημείο 3A001.β.2 δεν ελέγχονται τα μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων όταν είναι ειδικά σχεδιασμένα για άλλες εφαρμογές, όπως π.χ. τηλεπικοινωνίες, ραντάρ, αυτοκίνητα.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
Χωριστά τρανζίστορ μικροκυμάτων με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
α.
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz έως και 6,8 GHz, και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
a.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 400 W (56 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz,
ADCs having any of the following:
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 205 W (53,12 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz,
SEE ALSO 3A101
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 115 W (50,61 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz, ή
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 1000 million words per second;
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 60 W (47,78 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz,
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
β.
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 31,8 GHz, και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with an output rate greater than 250 million words per second; or
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 50 W (47 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz,
A resolution of 16 bit or more with an output rate greater than 65 million words per second;
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 15 W (41,76 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 12 GHz,
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 40 W (46 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 12 GHz έως και 16 GHz, ή
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 7 W (38,45 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz,
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
γ.
For 'multiple channel ADCs', the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,5 W (27 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 31,8 GHz έως και 37 GHz,
For 'interleaved ADCs' or for 'multiple channel ADCs' that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
δ. Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 1 W (30 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz,
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
ε.
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 nW (– 70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz,
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
Το καθεστώς ελέγχου ενός τρανζίστορ του οποίου οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.3.α έως 3Α001.β.3.ε., καθορίζεται βάσει του κατωφλίου ελάχιστης κορεσμένης ισχύος εξόδου κορυφής.
'Multiple channel ADCs' are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
Το σημείο 3A001.β.3. περιλαμβάνει γυμνούς δίσκους, δίσκους στερεωμένους σε φορείς ή δίσκους στερεωμένους σε πακέτα.
'Interleaved ADCs' are defined as devices which have multiple ADC units that sample the same analogue input at different times such that when the outputs are aggregated, the analogue input has been effectively sampled and converted at a higher sampling rate.
Ορισμένα διακριτά τρανζίστορ ίσως αναφέρονται και ως ενισχυτές ισχύος, αλλά η κατάσταση των εν λόγω διακριτών τρανζίστορ προσδιορίζεται στο σημείο 3A001.β.3.
b.
Ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης και μικροκυματικά συναρμολογήματα ή δομοστοιχεία που περιέχουν ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 500 W (57 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz,
A resolution of 10 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 3500 MSPS; or
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 270 W (54,3 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz,
A resolution of 12 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 1250 MSPS and having any of the following:
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 200 W (53 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz, ή
a.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 90 W (49,54 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz,
A settling time less than 9 ns to 0,024 % of full scale from a full scale step; or
Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 31,8 GHz, «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A 'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 70 W (48,54 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz,
'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 50 W (47 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 12 GHz,
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 30 W (44,77 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 12 GHz έως και 16 GHz, ή
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than – 3 dBfs (full scale).
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 W (43 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz,
'Adjusted update rate' for DACs:
δ. Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 2 W (33 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,
For conventional (non-interpolating) DACs, the 'adjusted update rate' is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
ε.
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες που υπερβαίνουν τα 43,5 GHz, και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
For interpolating DACs (oversampling DACs), the 'adjusted update rate' is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,2 W (23 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz έως και 75 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,
For interpolating DACs, the 'adjusted update rate' may be referred to by different terms including:
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 mW (13 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 75 GHz έως και 90 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 5 %, ή
input data rate
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 nW (-70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 90 GHz, ή στ.
input word rate
Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες που υπερβαίνουν τα 2,7 GHz, και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
input sample rate
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής (σε βαττ), Psat, μεγαλύτερη από 400 διά το τετράγωνο της ανώτατης συχνότητας λειτουργίας (σε GHz) [Psat > 400 W * GHz2/fGHz2],
maximum total input bus rate
«Κλασματικό εύρος ζώνης» τουλάχιστον 5 %, και
maximum DAC clock rate for DAC clock input.
Δύο οποιεσδήποτε κάθετες μεταξύ τους πλευρές μήκους d (σε cm) το πολύ ίσου προς 15 διά την κατώτατη συχνότητα λειτουργίας σε GHz [d ≤ 15cm * GHz/fGHz],
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
Η συχνότητα 2,7 GHz θα πρέπει να χρησιμοποιείται ως η κατώτατη συχνότητα λειτουργίας (fGHz) στον τύπο του σημείου 3Α001.β.4.στ.3., για τους ενισχυτές με ονομαστικό φάσμα λειτουργίας που εκτείνεται προς τα κάτω έως τα 2,7 GHz και κατωτέρω [d ≤ 15cm * GHz/2,7 GHz].
a.