natgillin/translations-raw huggingface dataset:
β. μη συμμετρική προς άξονα δέσμη ηλεκτρονίων, ή
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitised data, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, Electrical Erasable Programmable Read-Only Memories (EEPROMs), flash memories, Static Random-Access Memories (SRAMs), or Magnetic Random Access Memories (MRAMs), having any of the following:
Πολλαπλές δέσμες ηλεκτρονίων
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Ενισχυτικές "ηλεκτρονικές συσκευές κενού" διασταυρωμένου πεδίου με απολαβή άνω των 17 dB.
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (-55 °C); or
Θερμιονικές κάθοδοι (impregnated cathodes) για "ηλεκτρονικές συσκευές κενού" που παράγουν σταθερή πυκνότητα ροής ρεύματος σε συνθήκες προκαθορισμένης λειτουργίας η οποία ξεπερνά τα 5 A/cm2 ή παλμική (μη συνεχή) πυκνότητα ροής ρεύματος σε ονομαστικές συνθήκες λειτουργίας που ξεπερνούν τα 10 A/cm2.
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (-55 °C) to 398 K (125 °C);
δ.
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
"Ηλεκτρονικές συσκευές κενού" με την ικανότητα να λειτουργούν σε "διπλό ρυθμό".
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
"Διπλού ρυθμού" σημαίνει ότι το ρεύμα της "ηλεκτρονικής διάταξης κενού" μπορεί να αλλάξει κατά βούληση μεταξύ της λειτουργίας συνεχούς κύματος και της παλμικής λειτουργίας με τη χρήση ενός πλέγματος και ότι παράγει έναν παλμό εξόδου κορυφής μεγαλύτερης ισχύος από την ισχύ εξόδου του συνεχούς κύματος.
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Ενισχυτές με «μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» μικροκυμάτων (MMIC), με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
Για ενισχυτές «MMIC» με ολοκληρωμένο μετατοπιστή φάσης, βλέπε 3A001.β.12.
a.
Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz έως και 6,8 GHz, «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 15 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
SEE ALSO 3A101
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 75 W (48,75 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz·
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 1.3 giga samples per second (GSPS);
ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 55 W (47,4 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz·
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 600 mega samples per second (MSPS);
ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 40 W (46 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz ή
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with an output rate greater than 400 mega samples per second (MSPS);
ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 W (43 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz·
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with an output rate greater than 250 mega samples per second (MSPS); or
β.
A resolution of 16 bit or more with an output rate greater than 65 mega samples per second (MSPS);
Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 16 GHz, «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10% και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
For integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitized data, see 3A001.a.14.
ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 10 W (40 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz ή
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 5 W (37 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 16 GHz·
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
γ.
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 3 W (34,77 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10%,
For 'multiple channel ADCs', the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
δ. Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 nW (– 70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 31,8 GHz έως και 37 GHz·
For 'interleaved ADCs' or for 'multiple channel ADCs' that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
ε.
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 1 W (30 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %·
It is often specified in megahertz (MHz), mega words per second or mega samples per second (MSPS).
στ. Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 31,62 mW (15 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz έως και 75 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %·
For the purpose of measuring output rate, one sample per second is equivalent to one Hertz or one output word per second.
ζ.
'Multiple channel ADCs' are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 10 mW (10 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 75 GHz έως και 90 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 5 % ή
'Interleaved ADCs' are defined as devices which have multiple ADC units that sample the same analogue input at different times such that when the outputs are aggregated, the analogue input has been effectively sampled and converted at a higher sampling rate.
η. Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 nW (– 70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 90 GHz·
b.
Δεν χρησιμοποιείται.
Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.2.α έως 3Α001.β.2.η, καθορίζεται βάσει του κατωφλίου ελάχιστης κορεσμένης ισχύος εξόδου κορυφής.
A resolution of 10 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 3500 MSPS; or
Οι σημειώσεις 1 και 2 στο κεφάλαιο 3A σημαίνουν ότι στο σημείο 3A001.β.2 δεν ελέγχονται τα μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων όταν είναι ειδικά σχεδιασμένα για άλλες εφαρμογές, όπως π.χ. τηλεπικοινωνίες, ραντάρ, αυτοκίνητα.
A resolution of 12 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 1250 MSPS and having any of the following:
Χωριστά τρανζίστορ μικροκυμάτων με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
a.
α.
A settling time less than 9 ns to 0,024 % of full scale from a full scale step; or
Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz έως και 6,8 GHz, και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
b.
ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 400 W (56 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz·
A 'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 205 W (53,12 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz·
'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 115 W (50,61 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz ή
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 60 W (47,78 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz·
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than -3 dBfs (full scale).
β.
'Adjusted update rate' for DACs:
Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 31,8 GHz, και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
For conventional (non-interpolating) DACs, the 'adjusted update rate' is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 50 W (47 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz·
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 15 W (41,76 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 12 GHz·
For interpolating DACs (oversampling DACs), the 'adjusted update rate' is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 40 W (46 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 12 GHz έως και 16 GHz ή
For interpolating DACs, the 'adjusted update rate' may be referred to by different terms including:
ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 7 W (38,45 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz·
input data rate
γ.
input word rate
Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,5 W (27 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 31,8 GHz έως και 37 GHz,
input sample rate
δ. Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 1 W (30 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz,
maximum total input bus rate
ε.
maximum DAC clock rate for DAC clock input.
Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 nW (– 70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz·
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
Το καθεστώς ελέγχου ενός τρανζίστορ του οποίου οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.3.α έως 3Α001.β.3.ε, καθορίζεται βάσει του κατωφλίου ελάχιστης κορεσμένης ισχύος εξόδου κορυφής.
a.
Το σημείο 3A001.β.3 περιλαμβάνει γυμνούς δίσκους, δίσκους στερεωμένους σε φορείς ή δίσκους στερεωμένους σε πακέτα.
One or more than one internal "laser" diode;
Ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης και μικροκυματικά συναρμολογήματα ή δομοστοιχεία που περιέχουν ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
One or more than one internal light detecting element; and
ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 500 W (57 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz·
c.
ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 270 W (54,3 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz·
Optical waveguides;
ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 200 W (53 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz ή
Field programmable logic devices having any of the following:
ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 90 W (49,54 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz·
a.
β.
A maximum number of single-ended digital input/outputs of greater than 700; or
Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 31,8 GHz, «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
b.
ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 70 W (48,54 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz·
An 'aggregate one-way peak serial transceiver data rate' of 500 Gb/s or greater;
ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 50 W (47 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 12 GHz·
3A001.a.7. includes:
ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 30 W (44,77 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 12 GHz έως και 16 GHz ή
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 W (43 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz·
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
δ. Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 2 W (33 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10%,
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
ε.
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες που υπερβαίνουν τα 43,5 GHz, και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Field Programmable Interconnects (FPICs)
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,2 W (23 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz έως και 75 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10%,
For integrated circuits having field programmable logic devices that are combined with an analogue-to-digital converter, see 3A001.a.14.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 mW (13 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 75 GHz έως και 90 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 5 %, ή
Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 nW (– 70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 90 GHz, ή στ.
'Aggregate one-way peak serial transceiver data rate' is the product of the peak serial one-way transceiver data rate times the number of transceivers on the FPGA.
Δεν χρησιμοποιείται
Neural network integrated circuits;
Για ενισχυτές MMIC, βλέπε 3A001.β.2
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
Για "μονάδες μετάδοσης/λήψης" και "μονάδες μετάδοσης" βλέπε 3A001.β.12.
a.
Το καθεστώς ελέγχου ενός στοιχείου του οποίου οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.4.α έως 3Α001.β.4.ε, καθορίζεται βάσει του κατωφλίου ελάχιστης κορεσμένης ισχύος εξόδου κορυφής.
More than 1500 terminals;
Ζωνοπερατά ή ζωνοαπέρατα φίλτρα που μπορούν να συντονιστούν ηλεκτρονικά ή μαγνητικά, που έχουν πάνω από 5 ρυθμιζόμενους συντονιστές και μπορούν να συντονισθούν μέσα σε μία ζώνη συχνοτήτων με λόγο 1,5:1 (fmax/fmin) σε χρόνο λιγότερο από 10 μs και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
b.
α.
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,02 ns; or
Εύρος ζώνης ζωνοπερατού φίλτρου πάνω από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας, ή
c.
β.
An operating frequency exceeding 3 GHz;
Εύρος ζώνης ζωνοαπέρατου φίλτρου λιγότερο από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας,
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
α.
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
Σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος συχνοτήτων των «συστημάτων ανάλυσης σημάτων» πέραν των 90 GHz,
b.
β.
A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
Σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος λειτουργίας των γεννητριών σημάτων ως εξής:
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N) /20 480 ms, where N is the number of points;
Πέραν των 90 GHz,
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 μs.
Με ισχύ εξόδου άνω των 100 mW (20 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 43,5 GHz και έως και 90 GHz,
Direct Digital Synthesizer (DDS) integrated circuits having any of the following:
Σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος λειτουργίας των αναλυτών δικτύου ως εξής:
A Digital-to-Analogue Converter (DAC) clock frequency of 3,5 GHz or more and a DAC resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit; or
Πέραν των 110 GHz,
b.
Με ισχύ εξόδου άνω των 31,62 mW (15 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 43,5 GHz και έως και 90 GHz,
A DAC clock frequency of 1,25 GHz or more and a DAC resolution of 12 bit or more;
Με ισχύ εξόδου άνω των 1 mW (0 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 90 GHz και έως και 110 GHz, ή
The DAC clock frequency may be specified as the master clock frequency or the input clock frequency.
δ. Σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος συχνοτήτων των δοκιμαστικών μικροκυματικών δεκτών πέραν των 110 GHz,
Integrated circuits that perform all of the following:
Μικροκυματικοί ενισχυτές ισχύος που περιλαμβάνουν "ηλεκτρονικές διατάξεις κενού" που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.β.1 και έχουν όλα τα ακόλουθα:
a.
α.
Analogue-to-digital conversions meeting any of the following:
Συχνότητες λειτουργίας πάνω από 3 GHz,
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an input sample rate greater than 1,3 giga samples per second (GSPS);
β.
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an input sample rate greater than 1,0 giga samples per second (GSPS);
Λόγο μέσης ισχύος εξόδου προς μάζα άνω των 80 W/kg, και και
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with an input sample rate greater than 1,0 giga samples per second (GSPS);
γ.
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with an input sample rate greater than 400 mega samples per second (MSPS); or
Όγκο μικρότερο από 400 cm3.
A resolution of 16 bit or more with an input sample rate greater than 180 mega samples per second (MSPS); and
Στο σημείο 3Α001.β.8 δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός που έχει σχεδιαστεί ή καθορίζεται να λειτουργεί σε ζώνες συχνοτήτων που έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.
b.
Μικροκυματικές μονάδες ισχύος (MPM), αποτελούμενες τουλάχιστον από μία "ηλεκτρονική διάταξη κενού" οδεύοντος κύματος, ένα μικροκυματικό «μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα» («MMIC») και έναν ολοκληρωμένο ηλεκτρονικό εξομαλυντήρα τάσης, με όλα τα παρακάτω:
Any of the following:
α.
Storage of digitised data; or
"Χρόνο ενεργοποίησης" από σβηστό σε πλήρη λειτουργία κάτω των 10 δευτερολέπτων,
Processing of digitised data;
β.
For analogue-to-digital converter integrated circuits see 3A001.a.5.a.
Όγκο μικρότερο από το γινόμενο της μέγιστης ονομαστικής ισχύος σε Watts επί 10 cm3/W, και
For field programmable logic devices see 3A001.a.7.
«Στιγμιαίο εύρος ζώνης» άνω της 1 οκτάβας (fmax > 2fmin) και με οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
Microwave or millimetre wave items as follows:
Για συχνότητες μέχρι και 18 GHz, ισχύ εξόδου ραδιοσυχνότητας άνω των 100 W, ή
For purposes of 3A001.b., the parameter peak saturated power output may also be referred to on product data sheets as output power, saturated power output, maximum power output, peak power output, or peak envelope power output.
Συχνότητα άνω των 18 GHz.
For purposes of 3A001.b.1., 'vacuum electronic devices' are electronic devices based on the interaction of an electron beam with an electromagnetic wave propagating in a vacuum circuit or interacting with radio-frequency vacuum cavity resonators.
Ιδού ένα παράδειγμα υπολογισμού του όγκου στο σημείο 3A001.β.9.β: αν η μέγιστη ονομαστική ισχύς είναι 20 W, ο όγκος πρέπει να είναι:
'Vacuum electronic devices' include klystrons, travelling-wave tubes, and their derivatives.
Στο σημείο 3A001.β.9.α, ο χρόνος ενεργοποίησης σημαίνει το διάστημα που χρειάζεται η μονάδα από τελείως σβηστή να τεθεί σε πλήρη λειτουργία, περιλαμβάνει δηλαδή και τον χρόνο προθέρμανσης.
'Vacuum electronic devices' and cathodes, as follows:
Ταλαντωτές ή συγκροτήματα ταλαντωτών, προσδιορισμένοι να λειτουργούν με θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, λιγότερο (καλύτερο) από -(126 + 20log10F - 20log10f) οπουδήποτε στο εύρος 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz.
3A001.b.1. does not control 'vacuum electronic devices' designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Στο 3Α001.β.10, F είναι η απόκλιση από τη συχνότητα λειτουργίας σε Hz και f είναι η συχνότητα λειτουργίας σε MHz.
Does not exceed 31,8 GHz; and
«Ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις» για «γεννήτριες σύνθεσης συχνοτήτων» που έχουν «χρόνο μεταγωγής συχνότητας» προσδιοριζόμενο από οποιοδήποτε από τα εξής:
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
α. κάτω των 143 ps,
3A001.b.1. does not control non-"space-qualified" 'vacuum electronic devices' having all of the following:
β. κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός του φάσματος συνθετόμενων συχνοτήτων από 4,8 GHz έως και 31,8 GHz,
An average output power equal to or less than 50 W; and
δ. κάτω των 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός του φάσματος συνθετόμενων συχνοτήτων από 31,8 GHz έως και 37 GHz,
Designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
ε. κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός του φάσματος συνθετόμενων συχνοτήτων από 37 GHz έως και 90 GHz, στ.
Exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
Δεν χρησιμοποιείται. ή
a.
ζ. κάτω του 1 ms εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων άνω των 90 GHz.
Travelling-wave 'vacuum electronic devices', pulsed or continuous wave, as follows:
Για γενικής χρήσης «αναλυτές σήματος», γεννήτριες σήματος, αναλυτές δικτύου και δοκιμαστικούς μικροκυματικούς δέκτες βλ. αντιστοίχως σημεία 3A002.γ, 3A002.δ, 3A002.ε και 3A002.στ.
Devices operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
"Μονάδες μετάδοσης/λήψης", "MMIC μετάδοσης/λήψης", "μονάδες μετάδοσης", και "MMIC μετάδοσης", εγκεκριμένες για λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
Devices having a cathode heater with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
α.
Coupled cavity devices, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής (σε watts), Psat, μεγαλύτερη από 505,62 διά το τετράγωνο της ανώτατης συχνότητας λειτουργίας (σε GHz) [Psat > 505,62 W*GHz2/fGHz2] για κάθε κανάλι,
Devices based on helix, folded waveguide, or serpentine waveguide circuits, or derivatives thereof, having any of the following:
«Κλασματικό εύρος ζώνης» τουλάχιστον 5 % για κάθε κανάλι,
An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
Κάθε επίπεδη πλευρά μήκους d (σε cm) το πολύ ίσου προς 15 για την κατώτατη συχνότητα λειτουργίας σε GHz [d ≤ 15cm*GHz*N/fGHz] όπου N είναι ο αριθμός μετάδοσης ή τα κανάλια μετάδοσης/λήψης, και
An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1;
δ. Έναν ηλεκτρονικά μεταβλητό μετατοπιστή φάσης ανά κανάλι.
c.
"Μονάδα μετάδοσης/λήψης": είναι μια «ηλεκτρονική συναρμολόγηση» πολλαπλών λειτουργιών που παρέχει δικατευθυντικό εύρος και έλεγχο φάσης για μετάδοση και λήψη σημάτων.
Being "space-qualified"; or
"Μονάδα μετάδοσης": είναι μια «ηλεκτρονική συναρμολόγηση» που παρέχει εύρος και έλεγχο φάσης για μετάδοση σημάτων.
d.