natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Λειτουργία σε συχνότητα 600 Hz και άνω, και
Real-time oscilloscopes having a vertical root-mean-square (rms) noise voltage of less than 2 % of full-scale at the vertical scale setting that provides the lowest noise value for any input 3 dB bandwidth of 60 GHz or greater per channel;
γ.
3A002.a.7. does not control equivalent-time sampling oscilloscopes.
Έλεγχο συχνότητας καλύτερο (κάτω) από 0,2 %.
c.
Στο σημείο 3A225 δεν ελέγχονται οι μετατροπείς ή γεννήτριες συχνοτήτων αν έχουν περιορισμούς υλισμικού, «λογισμικού» ή «τεχνολογίας» που περιορίζουν τις επιδόσεις σε επίπεδο κατώτερο του ως άνω προσδιοριζόμενου, υπό την προϋπόθεση ότι πληρούν τα εξής:
"Signal analysers" as follows:
Χρειάζεται να επιστραφούν στον αρχικό κατασκευαστή για τη διενέργεια βελτιώσεων ή την αποδέσμευση των περιορισμών,
"Signal analysers" having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz;
Απαιτούν το «λογισμικό» που προσδιορίζεται στο σημείο 3D225 για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3Α225, ή
"Signal analysers" having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than – 150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Απαιτούν την «τεχνολογία» υπό τη μορφή κλειδών που προσδιορίζονται στο σημείο 3E225 για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225.
"Signal analysers" having a frequency exceeding 90 GHz;
Οι κατά το σημείο 3Α225 μετατροπείς συχνότητας είναι γνωστοί και ως μεταλλάκτες ή inverters.
"Signal analysers" having all of the following:
Οι μετατροπείς συχνότητας του σημείου 3A225 δύνανται να κυκλοφορούν στην αγορά ως γεννήτριες, εξοπλισμός ηλεκτρονικών δοκιμών, τροφοδοτικά AC, κινητήρες μετάδοσης μεταβλητής ταχύτητας, συστήματα μετάδοσης μεταβλητής ταχύτητας (VSD), συστήματα μετάδοσης μεταβλητής συχνότητας (VFD), συστήματα μετάδοσης ρυθμιζόμενης συχνότητας (AFD), ή συστήματα μετάδοσης ρυθμιζόμενης ταχύτητας (ASD).
a.
Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής ισχύος, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.6., που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
"Real-time bandwidth" exceeding 170 MHz; and
α. μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 100 V ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 500 Α ή παραπάνω, και
b.
β. εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών.
100 % probability of discovery with less than a 3 dB reduction from full amplitude due to gaps or windowing effects of signals having a duration of 15 μs or less;
Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής τάσης, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.5., που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Probability of discovery in 3A002.c.4.b. is also referred to as probability of intercept or probability of capture.
α. μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 20 kV ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 1 Α ή παραπάνω, και
For the purposes of 3A002.c.4.b., the duration for 100 % probability of discovery is equivalent to the minimum signal duration necessary for the specified level measurement uncertainty.
Συσκευές μεταγωγής ως εξής:
3A002.c.4. does not control those "signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
α.
"Signal analysers" having a "frequency mask trigger" function with 100 % probability of trigger (capture) for signals having a duration of 15 μs or less;
Λυχνίες ψυχρής καθόδου, είτε γεμισμένες με αέριο είτε όχι, που λειτουργούν παρόμοια με διάκενο σπινθηρισμού και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
d.
Περιέχουν τρία ή περισσότερα ηλεκτρόδια·
Signal generators having any of the following:
Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου 2,5 kV ή παραπάνω,
Specified to generate pulse-modulated signals having all of the following, anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz:
Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 10 μs ή λιγότερο.
'Pulse duration' of less than 25 ns; and
το σημείο 3Α228 περιλαμβάνει τις λυχνίες τύπου krytron με αέριο και sprytron με κενό.
b.
β.
On/off ratio equal to or exceeding 65 dB;
Διάκενα σπινθηρισμού με σύστημα έναυσης που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
An output power exceeding 100 mW (20 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 15 μs ή λιγότερο, και
A "frequency switching time" as specified by any of the following:
Ονομαστική ανώτατη τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω.
b.
γ.
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
Μονάδες ή συναρμολογήσεις με ταχεία λειτουργία μεταγωγής, πλην των προσδιοριζόμενων στο σημείο 3Α001.ζ ή 3A001.η, που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
d.
Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου άνω των 2 kV,
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz; or
Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω, και
e.
Χρόνο ενεργοποίησης 1 μs ή λιγότερο.
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the frequency range exceeding 37 GHz but not exceeding 90 GHz;
Γεννήτριες παλμών υψηλού ρεύματος, ως εξής:
f.
α.
Not used;
Συσκευές πυροδότησης για εκρηκτικούς πυροκροτητές (συστήματα έναυσης/πυροδότησης) συμπεριλαμβανομένων συσκευών πυροδότησης που φορτίζονται ηλεκτρονικά, που λειτουργούν εκρηκτικά και οπτικά, εκτός από εκείνες που ορίζονται στο σημείο 1A007.α., που έχουν σχεδιαστεί για να συνδέονται με πολλαπλούς εκρηκτικούς πυροκροτητές του σημείου 1A007.β.
Single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, specified as being any of the following:
Βαθμιδωτές ηλεκτρικές παλμογεννήτριες (pulsers) που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Less (better) than – (126 + 20log10F – 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz anywhere within the frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 90 GHz; or
Έχουν σχεδιαστεί για να είναι φορητές, κινητές ή ανθεκτικές,
b.
Μπορούν να αποδώσουν την ενέργειά τους σε λιγότερο από 15 μs σε φορτία μικρότερα από 40 ohms,
Less (better) than – (206 – 20log10f) anywhere within the range of 10 kHz < F ≤ 100 kHz anywhere within the frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 90 GHz; or
Έχουν ρεύμα εξόδου μεγαλύτερο από 100 Α,
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
Καμία από τις διαστάσεις τους δεν είναι μεγαλύτερη από 30 cm,
A maximum frequency exceeding 90 GHz;
Το βάρος τους είναι μικρότερο από 30 kg, και
Note 1.:
Οι προδιαγραφές τους είναι για χρήση σε εκτεταμένο φάσμα θερμοκρασιών 223 K (– 50 °C) έως 373 K (100 °C) ή για αεροδιαστημικές εφαρμογές.
For the purpose of 3A002.d., signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Το σημείο 3Α229.β. περιλαμβάνει και συσκευές με λυχνίες εκκενώσεως ξένου.
Note 2.:
γ.
3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Μονάδες μικροπυροδότησης με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
The maximum frequency of an arbitrary waveform or function generator is calculated by dividing the sample rate, in samples/second, by a factor of 2,5.
Καμία από τις διαστάσεις τους δεν είναι μεγαλύτερη από 35 mm,
For the purposes of 3A002.d.1.a, 'pulse duration' is defined as the time interval from the point on the leading edge that is 50 % of the pulse amplitude to the point on the trailing edge that is 50 % of the pulse amplitude.
Ονομαστική τάση ίση ή μεγαλύτερη από 1 kV, και
e.
Χωρητικότητα ίση ή μεγαλύτερη από 100 nF.
Network analysers having any of the following:
Παλμογεννήτριες υψηλής ταχύτητας, και οι "κεφαλές παλμού" τους, που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
An output power exceeding 31,62 mW (15 dBm) anywhere within the operating frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
α.
An output power exceeding 1 mW (0 dBm) anywhere within the operating frequency range exceeding 90 GHz but not exceeding 110 GHz;
Τάση εξόδου ανώτερη από 6 V όταν συνδέονται με φορτίο αντίστασης μικρότερο από 55 Ω, και
'Nonlinear vector measurement functionality' at frequencies exceeding 50 GHz but not exceeding 110 GHz; or
"Χρόνο μετάβασης παλμού" κάτω από 500 πικο-δευτερόλεπτα (ps).
'Nonlinear vector measurement functionality' is an instrument's ability to analyse the test results of devices driven into the large-signal domain or the non-linear distortion range.
Στο σημείο 3Α230, ο "χρόνος μετάβασης του παλμού" ορίζεται ως το χρονικό διάστημα μεταξύ του 10 % και του 90 % του εύρους της τάσης.
A maximum operating frequency exceeding 110 GHz;
Οι "κεφαλές παλμού" είναι δίκτυα σχηματισμού ώσεων σχεδιασμένα να δέχονται βηματικές συναρτήσεις τάσης και βηματικής μορφής τάσεις, οι οποίες μπορούν να περιλαμβάνουν ορθογωνικές, τριγωνικές, βηματικές, κρουστικές, εκθετικές ή μονοκυκλικές μορφές.
f.
Οι "κεφαλές παλμού" δύνανται να αποτελούν αναπόσπαστο μέρος της γεννήτριας παλμών, να αποτελούν μονάδα που προστίθεται στη συσκευή ή να συνδέονται εξωτερικά με τη συσκευή.
Microwave test receivers having all of the following:
Συστήματα παραγωγής νετρονίων, συμπεριλαμβανομένων των σωλήνων, με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A maximum operating frequency exceeding 110 GHz; and
α.
Being capable of measuring amplitude and phase simultaneously;
Έχουν σχεδιασθεί για λειτουργία χωρίς εξωτερικό σύστημα κενού, και
g.
β.
Atomic frequency standards being any of the following:
Χρησιμοποιούν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
"Space-qualified";
Ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση τριτίου-δευτερίου, ή
Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10– 11/month; or
Ηλεκτροστατική επιτάχυνση, ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση δευτερίου-δευτερίου, ικανά για παραγωγή 3 × 109 νετρονίων/s ή μεγαλύτερη.
Non-"space-qualified" and having all of the following:
Βλέπε 1A007.β. για τους πυροκροτητές.
Being a rubidium standard;
Συστήματα που χρησιμοποιούν απλούς ή πολλαπλούς πυροκροτητές και έχουν σχεδιαστεί για να προκαλούν σχεδόν ταυτόχρονα την έναυση μιας εκρηκτικής επιφάνειας εμβαδού άνω των 5000 mm2 από ένα μόνο σήμα πυροδότησης με χρόνο έναυσης όπως εκτείνεται στην επιφάνεια λιγότερο από 2,5 μs.
Long-term stability less (better) than 1 × 10– 11/month; and
Φασματογράφοι μάζας εκτός από αυτούς που αναφέρονται στο σημείο 0Β002.ζ., που μπορούν να μετρήσουν ιόντα μεγέθους 230 ατομικών μονάδων μάζας ή παραπάνω και οι οποίοι έχουν διακριτική ικανότητα καλύτερη από 2 μέρη στα 230, ως εξής, καθώς επίσης και πηγές ιόντων για τους φασματογράφους αυτούς:
Total power consumption of less than 1 W;
Επαγωγικά συζευγμένοι φασματογράφοι μάζας πλάσματος (ICP/ΜS)·
"Electronic assemblies", modules, or equipment, specified to perform all of the following:
β.
Analogue-to-digital conversions meeting any of the following:
δ. Φασματογράφοι μάζας βομβαρδισμού ηλεκτρονίων, με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an input sample rate greater than 1000 million samples per second;
Μία ή περισσότερες "ψυχρές παγίδες" που μπορούν να ψυχθούν στους 193 K (– 80 °C),
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with an input sample rate greater than 1000 million samples per second;
Δεν χρησιμοποιείται· στ.
A resolution of 14 bit or more but less than 16 bit, with an input sample rate greater than 400 million samples per second; or
Φασματογράφοι μάζας εξοπλισμένοι με πηγή ιόντων μικροφθορίωσης που έχουν σχεδιασθεί για ακτινίδες ή φθοριούχες ακτινίδες.
e.
Οι φασματογράφοι μάζας βομβαρδισμού ηλεκτρονίων στο σημείο 3A233.δ. είναι γνωστοί και ως φασματογράφοι μάζας πρόσπτωσης ηλεκτρονίων ή φασματογράφοι μάζας ιοντισμού ηλεκτρονίων.
A resolution of 16 bit or more with an input sample rate greater than 180 million samples per second; and
Στο σημείο 3A233.δ.2., "ψυχρή παγίδα" είναι μια διάταξη που παγιδεύει μόρια αερίων συμπυκνώνοντας ή ψύχοντάς τα πάνω σε ψυχρές επιφάνειες.
a.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A233.δ.2., μια κρυογενική αντλία κενού αέριου ηλίου κλειστού τύπου δεν είναι «ψυχρή παγίδα».
Output of digitized data;
Γυμνές αγώγιμες γραμμές για την παροχή διαδρομής χαμηλής αυτεπαγωγής προς τους πυροκροτητές, με τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
b.
α.
Storage of digitized data; or
Ονομαστική τάση πάνω από 2 kV, και
c.
β Αυτεπαγωγή μικρότερη από 20 nH.
Processing of digitized data;
Εξοπλισμός για παραγωγή συσκευών με ημιαγωγούς, ή υλικών ημιαγωγών, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία και εξαρτήματα για τον σκοπό αυτό:
Digital data recorders, oscilloscopes, "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers, are specified in 3A002.a.6., 3A002.a.7., 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
α.
For multiple-channel "electronic assemblies" or modules, control status is determined by the highest single-channel specified performance.
Εξοπλισμός σχεδιασμένος για επιταξιακή ανάπτυξη, ως εξής:
3A002.h. includes ADC cards, waveform digitizers, data acquisition cards, signal acquisition boards and transient recorders.
Εξοπλισμός που μπορεί να παράγει στρώμα οποιουδήποτε άλλου υλικού πλην πυριτίου ομοιογενούς πάχους με διαφορά λιγότερη από ± 2,5 % σε απόσταση 75 mm ή παραπάνω,
Spray cooling thermal management systems employing closed loop fluid handling and reconditioning equipment in a sealed enclosure where a dielectric fluid is sprayed onto electronic components using specially designed spray nozzles that are designed to maintain electronic components within their operating temperature range, and specially designed components therefor.
Το σημείο 3B001.α.1. περιλαμβάνει εξοπλισμό επίταξης ατομικού στρώματος (Atomic Layer Epitaxy — ALE).
Electronic equipment, devices and components, other than those specified in 3A001, as follows:
Αντιδραστήρες για χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων (ΜΟCVD), που έχουν σχεδιαστεί για την επιταξιακή ανάπτυξη από σύνθετους ημιαγωγούς υλικών που έχουν δύο ή περισσότερα από τα ακόλουθα στοιχεία: αργίλιο, γάλλιο, ίνδιο, αρσενικό, φωσφόρο, αντιμόνιο ή άζωτο.
a.
Εξοπλισμός επιταξιακής ανάπτυξης μέσω μοριακής δέσμης ο οποίος χρησιμοποιεί αέριες ή στερεές πηγές.
Analogue-to-digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedized equipment;
Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμφύτευση ιόντων που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
Σχεδιασμένος και βελτιστοποιημένος για λειτουργία με ενέργεια δέσμης 20 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 10 mA και άνω, για εμφύτευση υδρογόνου, δευτερίου ή ηλίου,
3A101.b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
Δυνατότητα απευθείας εγγραφής,
'Thermal batteries' designed or modified for 'missiles'.
Ενέργεια δέσμης 65 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 45 mA και άνω, για εμφύτευση οξυγόνου υψηλής ενέργειας πάνω σε θερμαινόμενο «υπόστρωμα» ημιαγωγού, ή
In 3A102 'thermal batteries' are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
Σχεδιασμένος και βελτιστοποιημένος για λειτουργία με ενέργεια δέσμης 20 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 10 mA και άνω, για εμφύτευση πυριτίου πάνω σε «υπόστρωμα» ημιαγωγού θερμασμένου στους 600 °C και άνω,
These batteries incorporate a pyrolytic material that, when ignited, melts the electrolyte and activates the battery.
δ. Δεν χρησιμοποιείται,
In 3A102 'missile' means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
ε.
Electronic components, other than those specified in 3A001, as follows;
Κεντρικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων (wafer), πολλαπλών θαλάμων, αυτόματης φόρτωσης, τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
a.
Διεπαφές για είσοδο και έξοδο πλακιδίων, στις οποίες μπορούν ως εκ του σχεδιασμού να συνδεθούν περισσότερα από δύο λειτουργικώς διαφορετικά "εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών" προσδιοριζόμενα στο 3B001.α.1, 3B001.α.2, 3Β001.α.3 ή 3B001.β, και
Capacitors having either of the following sets of characteristics:
Είναι σχεδιασμένα για να αποτελέσουν ένα ολοκληρωμένο σύστημα σε περιβάλλον κενού για "σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων".
a.
Στο σημείο 3Β001.ε. δεν ελέγχονται τα αυτόματα ρομποτικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων τα ειδικά σχεδιασμένα για την παράλληλη επεξεργασία πλακιδίων.
Voltage rating greater than 1,4 kV;
Για τους σκοπούς του σημείου 3B001.ε, ως "εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών" νοούνται τα σπονδυλωτά εργαλεία που επιτελούν λειτουργικά διαφορετικές φυσικές διεργασίες, όπως π.χ. επικάθηση, εμφύτευση ή θερμική επεξεργασία, για την παραγωγή ημιαγωγών.
b.
Για τους σκοπούς του σημείου 3B001.ε, ως "σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων" νοείται η ικανότητα επεξεργασίας κάθε πλακιδίου με διαφορετικά "εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών", π.χ. με τη μεταφορά κάθε πλακιδίου από ένα εργαλείο σε άλλο και από εκεί σε τρίτο με τη βοήθεια των κεντρικών συστημάτων χειρισμού πλακιδίων πολλαπλών θαλάμων και αυτόματης φόρτωσης.
Energy storage greater than 10 J;
στ. Εξοπλισμός λιθογραφίας, ως εξής:
c.
Εξοπλισμός ευθυγράμμισης και έκθεσης step and repeat (με άμεσο βήμα πάνω στο πλακίδιο) ή step and scan (με σάρωση) για την επεξεργασία πλακιδίων με τη χρήση φωτο-οπτικών μεθόδων ή μεθόδων ακτίνων Χ και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Capacitance greater than 0,5 μF; and
Μήκος κύματος φωτεινής πηγής βραχύτερο από 193 nm, ή
Series inductance less than 50 nH; or
Ικανότητα να συνθέτει σχήματα με "ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος" (MRF) 45 nm ή μικρότερο.
Voltage rating greater than 750 V;
Το "ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος" (MRF) υπολογίζεται με τον εξής τύπο:
b.
μήκος κύματος φωτεινής πηγής έκθεσης σε nm
Capacitance greater than 0,25 μF; and
συντελεστής Κ
c.
αριθμητικό διάφραγμα
Series inductance less than 10 nH;
όπου ο συντελεστής K = 0,35.
b.
Εξοπλισμός εντυπωτικής λιθογραφίας ικανός να παράγει λεπτομέρειες διαστάσεων 45 nm και κάτω.
Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
Στο σημείο 3Β001.στ.2. περιλαμβάνονται:
Capable of creating magnetic fields greater than 2 T;
Τα εργαλεία τυπογραφίας μικροεπαφής,
A ratio of length to inner diameter greater than 2;
Τα εργαλεία θερμοεντύπωσης,
Inner diameter greater than 300 mm; and
Τα εργαλεία νανοεντυπωτικής λιθογραφίας,
Magnetic field uniform to better than 1 % over the central 50 % of the inner volume;
Τα εργαλεία εντυπωτικής λιθογραφίας με βήμα και λάμψη (step-and-flash)
3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported 'as parts of' medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για την παραγωγή μασκών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
The phrase 'as part of' does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched 'as part of' the imaging systems.
Εκτρεπόμενη εστιασμένη δέσμη ηλεκτρονίων, δέσμη ιόντων ή δέσμη «λέιζερ», και
Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
Μέγεθος κηλίδας μισό του μεγίστου και με πλήρες πλάτος (FWHM) μικρότερο των 65 nm και θέση εικόνας μικρότερη των 17 nm (μέσο σφάλμα + 3 σίγμα)· ή
a.
Σφάλμα επίστρωσης δευτέρου επιπέδου μικρότερο από 23 nm (μέσο σφάλμα + 3 σίγμα) επί της μάσκας·
An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιαστεί για επεξεργασία συσκευών με τη χρήση μεθόδων άμεσης εγγραφής και έχει όλα τα ακόλουθα:
b.
α.
With a 'figure of merit' (K) of 0,25 or greater; or
Εκτρεπόμενη και εστιασμένη δέσμη ηλεκτρονίων· και
a.
Ελάχιστο μέγεθος δέσμης ίσο ή μικρότερο από 15 nm, ή
An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
Σφάλμα επικάλυψης μικρότερο από 27 nm (μέσος όρος + 3 σίγμα)·
b.
ζ.
A 'peak power' greater than 50 MW.
Μάσκες ή πλεγματίδια που έχουν σχεδιαστεί για ολοκληρωμένα κυκλώματα που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.
3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes.
η. Μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης και οι οποίες δεν προσδιορίζονται στο σημείο 3B001.ζ., με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
The 'figure of merit' K is defined as:
Κατασκευασμένες πάνω σε «ακατέργαστο υπόστρωμα» μάσκας από ύαλο που προσδιορίζεται ως έχουσα διπλή διάθλαση μικρότερη από 7 nm/cm, ή
K = 1,7 × 103V2,65Q
Σχεδιασμένες για να χρησιμοποιηθούν σε εξοπλισμό λιθογραφίας που έχει μήκος κύματος πηγής φωτός μικρότερο από 245 nm,
V is the peak electron energy in million electron volts.
Στο σημείο 3Β001.η. δεν ελέγχονται οι μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης και έχουν σχεδιαστεί για την κατασκευή συσκευών μνήμης που δεν ελέγχονται στο σημείο 3Α001.
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 μs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
θ. Μακέτες εντυπωτικής λιθογραφίας σχεδιασμένες για τα ηλεκτρονικά κυκλώματα που προσδιορίζονται στο 3Α001.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 μs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 μs.
Εξοπλισμός δοκιμών που έχει ειδικά σχεδιαστεί για να δοκιμάζονται τελειωμένες ή ημιτελείς συσκευές ημιαγωγών, ως εξής, και δομικά στοιχεία και εξαρτήματα που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για τον εξοπλισμό αυτό:
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
α.
'Peak power' = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
Για να δοκιμάζονται οι παράμετροι S συσκευών τρανζίστορ σε συχνότητες πάνω από 31,8 GHz,
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
γ.
In machines based on microwave accelerating cavities, the peak beam current is the average current in the time duration of a bunched beam packet.
Για τη δοκιμή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων προσδιοριζόμενων στο 3Α001.β.2.
Frequency changers or generators, other than those specified in 0B001.b.13., usable as a variable or fixed frequency motor drive, having all of the following characteristics:
Ετερο-επιταξιακά υλικά, που αποτελούνται από «υπόστρωμα» πάνω στο οποίο έχουν αποτεθεί επιταξιακά ανεπτυγμένα πολλαπλά στρώματα οποιουδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:
"Software" specially designed to enhance or release the performance of a frequency changer or generator to meet the characteristics of 3A225 is specified in 3D225.
α.
"Technology" in the form of codes or keys to enhance or release the performance of a frequency changer or generator to meet the characteristics of 3A225 is specified in 3E225.
Πυρίτιο (Si),
a.
β.
Multiphase output providing a power of 40 VA or greater;
Γερμάνιο (Ge),
b.
γ.
Operating at a frequency of 600 Hz or more; and
Καρβίδιο του πυριτίου (SiC), ή
c.
δ.
Frequency control better (less) than 0,2 %.
"Σύνθετες ενώσεις" γαλλίου ή ινδίου με στοιχεία του πίνακα III/V.
3A225 does not control frequency changers or generators if they have hardware, "software" or "technology" constraints that limit the performance to less than that specified above, provided they meet any of the following:
Στο σημείο 3C001.δ. δεν ελέγχεται «υπόστρωμα» που έχει ένα ή περισσότερα επιταξιακά στρώματα τύπου Ρ GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP ή InGaAlP, ανεξάρτητα από την αλληλουχία των στοιχείων, εκτός εάν το επιταξιακό στρώμα τύπου Ρ βρίσκεται μεταξύ στρωμάτων τύπου Ν.
They need to be returned to the original manufacturer to make the enhancements or release the constraints;