natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Οι ενισχυτές ισχύος με μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων πρέπει να αξιολογούνται βάσει των κριτηρίων του σημείου 3A001.β.2.
One or more than one internal "laser" diode;
Το καθεστώς ελέγχου ενός στοιχείου του οποίου οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.4.α έως 3Α001.β.4.ε., καθορίζεται βάσει του κατωφλίου ελάχιστης κορεσμένης ισχύος εξόδου κορυφής.
b.
Το σημείο 3A001.β.4. περιλαμβάνει μονάδες εκπομπής/λήψης και μονάδες μετάδοσης.
One or more than one internal light detecting element; and
Ζωνοπερατά ή ζωνοαπέρατα φίλτρα που μπορούν να συντονισθούν ηλεκτρονικά ή μαγνητικά, που έχουν πάνω από 5 ρυθμιζόμενους συντονιστές και μπορούν να συντονισθούν μέσα σε μία ζώνη συχνοτήτων με λόγο 1,5:1 (fmax/fmin) σε χρόνο λιγότερο από 10 μs και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
c.
Εύρος ζώνης ζωνοπερατού φίλτρου πάνω από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας, ή
Field programmable logic devices having any of the following:
Εύρος ζώνης ζωνοαπέρατου φίλτρου λιγότερο από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας.
A maximum number of single-ended digital input/outputs of greater than 700; or
Μετατροπείς και αρμονικοί μείκτες με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
b.
α.
An 'aggregate one-way peak serial transceiver data rate' of 500 Gb/s or greater;
Σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος συχνοτήτων των «συστημάτων ανάλυσης σημάτων» πέραν των 90 GHz,
3A001.a.7. includes:
β.
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
Σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος λειτουργίας των «γεννητριών σημάτων» ως εξής:
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
Πέραν των 90 GHz,
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
Με ισχύ εξόδου άνω των 100 mW (20 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 43,5 GHz και έως και 90 GHz,
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
γ.
Field Programmable Interconnects (FPICs)
Σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος λειτουργίας των αναλυτών δικτύου ως εξής:
Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
Πέραν των 110 GHz,
'Aggregate one-way peak serial transceiver data rate' is the product of the peak serial one-way transceiver data rate times the number of transceivers on the FPGA.
Με ισχύ εξόδου άνω των 31,62 mW (15 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 43,5 GHz και έως και 90 GHz,
Neural network integrated circuits;
Με ισχύ εξόδου άνω των 1 mW (0 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 90 GHz και έως και 110 GHz, ή
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
δ. Σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος συχνοτήτων των δοκιμαστικών μικροκυματικών δεκτών πέραν των 110 GHz,
a.
Μικροκυματικοί ενισχυτές ισχύος που περιλαμβάνουν λυχνίες που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.β.1. και έχουν όλα τα ακόλουθα:
More than 1500 terminals;
Συχνότητες λειτουργίας πάνω από 3 GHz,
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,02 ns; or
Λόγο μέσης ισχύος εξόδου προς μάζα άνω των 80 W/kg, και
An operating frequency exceeding 3 GHz;
γ.
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Όγκο μικρότερο από 400 cm3.
a.
Στο σημείο 3Α001.β.8. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός που έχει σχεδιασθεί ή καθορίζεται να λειτουργεί σε ζώνες συχνοτήτων που έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
Μικροκυματικές μονάδες ισχύος (MPM), αποτελούμενες τουλάχιστον από μία λυχνία οδεύοντος κύματος, ένα μικροκυματικό «μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα», και έναν ολοκληρωμένο ηλεκτρονικό εξομαλυντήρα τάσης, με όλα τα παρακάτω:
b.
α.
A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
"Χρόνο ενεργοποίησης" από σβηστό σε πλήρη λειτουργία κάτω των 10 δευτερολέπτων,
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N)/20480 ms, where N is the number of points;
β.
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 μs.
Όγκο μικρότερο από το γινόμενο της μέγιστης ονομαστικής ισχύος σε Watts επί 10 cm3/W, και
Direct Digital Synthesizer (DDS) integrated circuits having any of the following:
«Στιγμιαίο εύρος ζώνης» άνω της μίας οκτάβας (fmax > 2fmin) και με οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
A Digital-to-Analogue Converter (DAC) clock frequency of 3,5 GHz or more and a DAC resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit; or
Για συχνότητες μέχρι και 18 GHz, ισχύ εξόδου ραδιοσυχνότητας άνω των 100 W, ή
b.
Συχνότητα άνω των 18 GHz.
A DAC clock frequency of 1,25 GHz or more and a DAC resolution of 12 bit or more;
Ιδού ένα παράδειγμα υπολογισμού του όγκου στο σημείο 3A001.β.9.β: αν η μέγιστη ονομαστική ισχύς είναι 20 W, ο όγκος πρέπει να είναι: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
The DAC clock frequency may be specified as the master clock frequency or the input clock frequency
Στο σημείο 3A001.β.9.α, ο χρόνος ενεργοποίησης σημαίνει το διάστημα που χρειάζεται η μονάδα από τελείως σβηστή να τεθεί σε πλήρη λειτουργία, περιλαμβάνει δηλαδή και τον χρόνο προθέρμανσης.
b.
Ταλαντωτές ή συγκροτήματα ταλαντωτών, προσδιορισμένοι να λειτουργούν με θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, λιγότερο (καλύτερο) από – (126 + 20log10F – 20log10f) οπουδήποτε σε εύρος 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz.
Microwave or millimetre wave items as follows:
Στο 3Α001.β.10., F είναι η απόκλιση από τη συχνότητα λειτουργίας σε Hz και f είναι η συχνότητα λειτουργίας σε MHz.
For purposes of 3A001.b., the parameter peak saturated power output may also be referred to on product data sheets as output power, saturated power output, maximum power output, peak power output, or peak envelope power output.
«Ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις» για «γεννήτριες σύνθεσης συχνοτήτων» που έχουν «χρόνο μεταγωγής συχνότητας» προσδιοριζόμενο από οποιοδήποτε από τα εξής:
Electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:
α. κάτω των 156 ps,
3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
β.
Does not exceed 31,8 GHz; and
Κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 1,6 GHz εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων από 4,8 GHz μέχρι και 10,6 GHz,
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
γ.
3A001.b.1. does not control non-"space-qualified" tubes having all of the following:
Κάτω των 250 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων από 10,6 GHz μέχρι και 31,8 GHz,
An average output power equal to or less than 50 W; and
δ. Κάτω των 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων από 31,8 GHz μέχρι και 43,5 GHz,
Designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
ε.
Exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
Κάτω του 1 ms για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 43,5 GHz έως και 56 GHz,
a.
στ. κάτω του 1 ms για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 56 GHz έως και 90 GHz, ή
Travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
ζ.
Tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Κάτω του 1 ms εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων άνω των 90 GHz.
Tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
Για γενικής χρήσης «αναλυτές σήματος», γεννήτριες σήματος, αναλυτές δικτύου και δοκιμαστικούς μικροκυματικούς δέκτες βλ. αντιστοίχως σημεία 3A002.γ., 3A002.δ., 3A002.ε. και 3A002.στ.
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
γ.
Helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
Συσκευές ακουστικών κυμάτων, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τις συσκευές αυτές ως εξής:
a.
Συσκευές επιφανειακών ακουστικών κυμάτων και συσκευές surface skimming (shallow bulk) ακουστικών κυμάτων και οι οποίες έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
Φέρουσα συχνότητα άνω των 6 GHz,
An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
Φέρουσα συχνότητα άνω των 1 GHz αλλά όχι άνω των 6 GHz και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Being "space-qualified";
"Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότηταςf" που ξεπερνάει τα 65 dB,
b.
Το γινόμενο του μέγιστου χρόνου καθυστέρησης και του εύρους ζώνης (ο χρόνος σε μs και το εύρος ζώνης σε ΜΗz) το οποίο είναι ανώτερο του 100,
Crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
Εύρος ζώνης άνω των 250 MHz, ή
c.
Καθυστέρηση με διασπορά (dispersive delay) άνω των 10 μs, ή
Impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
γ.
Microwave "Monolithic Integrated Circuits" (MMIC) power amplifiers that are any of the following:
Συχνότητα φέροντος 1 GHz ή λιγότερο, και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
a.
"Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας" που ξεπερνάει τα 65 dB και εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 100 MHz.
Rated for operation at frequencies exceeding 2,7 GHz up to and including 6,8 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 15 %, and having any of the following:
Η "απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας" είναι η μέγιστη τιμή απόρριψης που προσδιορίζεται στα δελτία δεδομένων.
A peak saturated power output greater than 75 W (48,75 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
Συσκευές ακουστικών κυμάτων όγκου που επιτρέπουν την κατευθείαν επεξεργασία σημάτων σε συχνότητες άνω των 6 GHz.
A peak saturated power output greater than 55 W (47,4 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
Ακουστικο-οπτικές συσκευές «επεξεργασίας σημάτων» που βασίζονται στην αλληλεπίδραση μεταξύ ακουστικών κυμάτων (κυμάτων όγκου ή κυμάτων επιφανείας) και κυμάτων φωτός και οι οποίες επιτρέπουν την άμεση επεξεργασία σημάτων ή εικόνων.
A peak saturated power output greater than 40 W (46 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
Περιλαμβάνουν φασματική ανάλυση, συσχέτιση ή συνέλιξη.
A peak saturated power output greater than 20 W (43 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
Στο σημείο 3Α001.γ. δεν ελέγχονται οι συσκευές ακουστικών κυμάτων που περιορίζονται σε μονοπερατό, χαμηλοπερατό, υψηλοπερατό ή στενό ζωνοφρακτικό φίλτρο, ή λειτουργία συντονισμού.
b.
δ. Ηλεκτρονικές συσκευές και κυκλώματα που περιέχουν δομικά στοιχεία κατασκευασμένα από «υπεραγώγιμα» υλικά και ειδικά σχεδιασμένα για λειτουργία σε θερμοκρασίες κάτω από την «κρίσιμη θερμοκρασία» τουλάχιστον ενός από τα «υπεραγώγιμα» συστατικά υλικά και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 16 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 10 %, and having any of the following:
Μεταγωγή ρεύματος για ψηφιακά κυκλώματα όπου χρησιμοποιούνται «υπεραγώγιμες» πύλες με γινόμενο μεταξύ του χρόνου καθυστέρησης ανά πύλη (που εκφράζεται σε δευτερόλεπτα) και της κατανάλωσης ισχύος ανά πύλη (που εκφράζεται σε W) λιγότερο από 10– 14 J· ή
A peak saturated power output greater than 10W (40 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz; or
Επιλογή συχνοτήτων σε όλες τις συχνότητες με τη χρήση συντονισμένων κυκλωμάτων με τιμές Q άνω των 10000,
A peak saturated power output greater than 5W (37 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 16 GHz;
Συσκευές υψηλής ενέργειας, ως εξής:
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 3 W (34,77 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
«Ηλεκτρικά στοιχεία» ως εξής:
d.
α.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (-70 dBm) at any frequency exceeding 31,8 GHz up to and including 37 GHz;
"Πρωτογενή στοιχεία" με "ενεργειακή πυκνότητα" άνω των 550 Wh/kg στους 20 °C,
e.
β.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 1 W (30 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
"Δευτερογενή στοιχεία" με "ενεργειακή πυκνότητα" άνω των 350 Wh/kg στους 20 °C.
f.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1, η "ενεργειακή πυκνότητα" (Wh/kg) υπολογίζεται ως το γινόμενο της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί την ονομαστική χωρητικότητα σε αμπερώρια (Ah) διά τη μάζα σε χιλιόγραμμα.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 31,62 mW (15 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz up to and including 75 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Αν δεν δηλώνεται η ονομαστική χωρητικότητα, η ενεργειακή πυκνότητα υπολογίζεται ως το γινόμενο του τετραγώνου της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί τη διάρκεια εκφόρτισης σε ώρες διαιρούμενο με το φορτίο εκφόρτισης σε ωμ και με τη μάζα σε χιλιόγραμμα.
g.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1, ως "ηλεκτρικό στοιχείο" νοείται κάθε ηλεκτροχημική διάταξη που διαθέτει θετικό και αρνητικό ηλεκτρόδιο και ηλεκτρολύτη και αποτελεί πηγή ηλεκτρικής ενέργειας.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 10 mW (10 dBm) at any frequency exceeding 75 GHz up to and including 90 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 5 %; or
Τα ηλεκτρικά στοιχεία αποτελούν τις βασικές μονάδες από τις οποίες συντίθενται οι ηλεκτρικές στήλες.
h.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.α, ως "πρωτογενές ηλεκτρικό στοιχείο" νοείται κάθε "ηλεκτρικό στοιχείο" που δεν είναι σχεδιασμένο για να φορτίζεται από άλλη πηγή.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (– 70 dBm) at any frequency exceeding 90 GHz;
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.β, ως "δευτερογενές ηλεκτρικό στοιχείο" νοείται κάθε "ηλεκτρικό στοιχείο" σχεδιαζόμενο ώστε να φορτίζεται από εξωτερική πηγή ηλεκτρισμού.
Not used.
Στο σημείο 3Α001.ε.1. δεν ελέγχονται οι μπαταρίες, έστω και αν αποτελούνται από ένα μόνο ηλεκτρικό στοιχείο.
The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.h., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
Πυκνωτές με υψηλή ενεργειακή χωρητικότητα ως εξής:
Notes 1 and 2 in 3A mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
ΣΗΜ:
Discrete microwave transistors that are any of the following:
ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΤΟ ΣΗΜΕΙΟ 3A201.α και τους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων.
a.
α.
Rated for operation at frequencies exceeding 2,7 GHz up to and including 6,8 GHz and having any of the following:
Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης κάτω από 10 Hz (πυκνωτές μιας κρούσης) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
A peak saturated power output greater than 400 W (56 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη από 5 kV,
A peak saturated power output greater than 205 W (53,12 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη των 250 J/kg. και
A peak saturated power output greater than 115 W (50,61 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη από 25 kJ.
A peak saturated power output greater than 60 W (47,78 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης 10 Hz ή παραπάνω (επαναληπτικοί πυκνωτές) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz and having any of the following:
Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη των 50 J/kg.
A peak saturated power output greater than 50 W (47 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz;
Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη από 100 J. και
A peak saturated power output greater than 15 W (41,76 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 12 GHz;
Κύκλο ζωής για φόρτιση και εκφόρτιση ίσο ή ανώτερο των 10000.
A peak saturated power output greater than 40 W (46 dBm) at any frequency exceeding 12 GHz up to and including 16 GHz; or
«Υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή που έχουν σχεδιαστεί ειδικά ώστε να φορτίζονται πλήρως, ή να εκφορτίζονται, σε λιγότερο από ένα δευτερόλεπτο με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A peak saturated power output greater than 7 W (38,45 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz;
ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α201.β.
c.
Στο σημείο 3Α001.ε.3 δεν ελέγχονται «υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή που έχουν κατασκευασθεί ειδικά για ιατρικό εξοπλισμό απεικόνισης με τη βοήθεια Μαγνητικού Συντονισμού (Magnetic Resonance Imaging- MRI).
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,5 W (27 dBm) at any frequency exceeding 31,8 GHz up to and including 37 GHz;
Ενέργεια που αποδίδεται κατά τη διάρκεια της εκφόρτισης η οποία υπερβαίνει τα 10 kJ το πρώτο δευτερόλεπτο,
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 1 W (30 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz;
Εσωτερική διάμετρο των ρευματοφόρων περιελίξεων ανώτερη από 250 mm, και
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (– 70 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz;
γ.
The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
Ονομαστική μαγνητική επαγωγή άνω των 8 Τ ή «συνολική πυκνότητα ρεύματος» στις περιελίξεις που είναι ανώτερη των 300 A/mm2.
3A001.b.3. includes bare dice, dice mounted on carriers, or dice mounted in packages.
Φωτοβολταϊκά στοιχεία, συναρμολογήματα υαλοκαλυπτρών διασυνδεδεμένων στοιχείων (CIC), φωτοβολταϊκοί επίπεδοι συλλέκτες και φωτοβολταϊκές συστοιχίες, «κατάλληλα για διαστημική χρήση», με ελάχιστη μέση απόδοση άνω του 20 % σε θερμοκρασία λειτουργίας 301 K (28 °C) υπό προσομοιωμένο φωτισμό μηδενικής μάζας αέρα «AM0», με πυκνότητα ακτινοβολίας 1367 watts ανά τετραγωνικό μέτρο (W/m2),
Some discrete transistors may also be referred to as power amplifiers, but the status of these discrete transistors is determined by 3A001.b.3.
Ο όρος "μηδενικής μάζας αέρα" ("AM0") αναφέρεται στη φασματική πυκνότητα ακτινοβολίας του ηλιακού φωτός στην εξώτερη ατμόσφαιρα της γης, όταν η απόσταση γης-ηλίου είναι μία αστρονομική μονάδα (ΑU). στ.
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers, that are any of the following:
Περιστροφικοί κωδικοποιητές τιμής απόλυτης θέσης τύπου εισόδου που έχουν «ακρίβεια» ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 1,0 δευτερόλεπτο τόξου.
A peak saturated power output greater than 500 W (57 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
ζ.
A peak saturated power output greater than 270 W (54,3 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
Συσκευές και "μονάδες" στερεάς κατάστασης με θυρίστορες για την παλμική μεταγωγή ηλεκτρισμού, που χρησιμοποιούν μεθόδους μεταγωγής ελεγχόμενες είτε ηλεκτρικώς, είτε οπτικώς, είτε με ακτινοβολία ηλεκτρονίων και έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
A peak saturated power output greater than 200 W (53 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 30000 A/ms και τάση σε κατάσταση σβηστή άνω των 1100 V, ή
A peak saturated power output greater than 90 W (49,54 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 2000 A/ms και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
b.
α.
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 10 %, and having any of the following:
Ανώτατη τάση σε κατάσταση σβηστή τουλάχιστον 3000 V, και
A peak saturated power output greater than 70 W (48,54 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz;
β.
A peak saturated power output greater than 50 W (47 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 12 GHz;
Ρεύμα αιχμής τουλάχιστον 3000 A.
A peak saturated power output greater than 30 W (44,77 dBm) at any frequency exceeding 12 GHz up to and including 16 GHz; or
Στο σημείο 3Α001.ζ. περιλαμβάνονται τα ακόλουθα:
A peak saturated power output greater than 20 W (43 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz;
Silicon Controlled Rectifiers (SCR)
d.
Electrical Triggering Thyristors (ETT)
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 2 W (33 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Light Triggering Thyristors (LTT)
e.
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCT)
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz and having any of the following:
Gate Turn-off Thyristors (GTO)
A peak saturated power output greater than 0,2 W (23 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz up to and including 75 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
MOS Controlled Thyristors (MCT)
A peak saturated power output greater than 20 mW (13 dBm) at any frequency exceeding 75 GHz up to and including 90 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 5 %; or
Solidtron.
A peak saturated power output greater than 0,1 nW (– 70 dBm) at any frequency exceeding 90 GHz; or
Στο σημείο 3A001.ζ δεν ελέγχονται οι συσκευές και "μονάδες με θυρίστορες" οι ενσωματωμένες σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικούς σιδηροδρόμους και «πολιτικά αεροσκάφη».
f.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ζ, οι "μονάδες με θυρίστορες" περιέχουν μία ή περισσότερες συσκευές με θυρίστορες.
Rated for operation at frequencies above 2,7 GHz and having all of the following:
η. Διακόπτες, δίοδοι ή "μονάδες" ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης, που έχουν όλα τα ακόλουθα:
A peak saturated power output (in watts), Psat, greater than 400 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [Psat > 400 W*GHz2/fGHz2];
Ονομαστική λειτουργία σε μέγιστη λειτουργική θερμοκρασία άνω των 488 K (215 °C),
A "fractional bandwidth" of 5 % or greater; and
Επαναληπτική ανώτατη τάση αιχμής σε κατάσταση σβηστή (τάση εμπλοκής) που υπερβαίνει τα 300 V, και
Any two sides perpendicular to one another with either length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15cm*GHz/fGHz];
Συνεχή ροή μεγαλύτερη από 1 Α.
2,7 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 2,7 GHz and below [d≤ 15cm*GHz/2,7 GHz].
Η επαναληπτική ανώτατη τάση σε κατάσταση σβηστή στο 3Α001.η. περιλαμβάνει τάση από drain προς πηγή, τάση από συλλέκτη προς εκπομπό, επαναληπτική ανώτατη αντίστροφη τάση και ανώτατη επαναληπτική τάση εμπλοκής σε κατάσταση σβηστή.
MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
Στο σημείο 3Α001.η. περιλαμβάνονται τα ακόλουθα:
The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
Junction Field Effect Transistors (JFET)
3A001.b.4. includes transmit/receive modules and transmit modules.