natgillin/translations-raw huggingface dataset:
συντελεστής προσαρμογής αρχιτεκτονικής
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
Η μέθοδος υπολογισμού της «APP» σε αδρές γραμμές
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Για κάθε επεξεργαστή i, προσδιορίζεται ο κορυφαίος αριθμός πράξεων κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω, FPOi, που εκτελούνται ανά κύκλο για κάθε επεξεργαστή του «ψηφιακού υπολογιστή».
i.
Σημείωση
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Κατά τον προσδιορισμό του FPO, λαμβάνονται υπόψη μόνο οι προσθέσεις και/ή οι πολλαπλασιασμοί κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω.
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
Όλες οι πράξεις κινητής υποδιαστολής πρέπει να εκφράζονται ως πράξεις ανά κύκλο επεξεργαστή· οι πράξεις για τις οποίες απαιτούνται περισσότεροι του ενός κύκλοι μπορούν να εκφράζονται ως κλασματικά αποτελέσματα ανά κύκλο.
a.
Για τους επεξεργαστές που δεν είναι ικανοί να εκτελούν υπολογισμούς σε τελεστές 64 bit ή άνω, ο ενεργός ρυθμός υπολογισμού R είναι μηδέν.
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Υπολογίζεται ο ρυθμός κινητής υποδιαστολής R για κάθε επεξεργαστή Ri = FPOi/ti.
c.
Υπολογίζεται η «APP» ως «APP» = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn.
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Για τους «ανυσματικούς επεξεργαστές», Wi = 0,9.
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Για τους μη «ανυσματικούς επεξεργαστές», Wi = 0,3.
a.
Σημείωση 1
Silicon (Si);
Για τους επεξεργαστές που εκτελούν σύνθετες πράξεις σε έναν κύκλο, όπως πρόσθεση και πολλαπλασιασμό, λαμβάνεται υπόψη κάθε πράξη.
b.
Σημείωση 2
Germanium (Ge);
Για έναν επεξεργαστή συνεχούς διοχέτευσης, o ενεργός ρυθμός υπολογισμού (R) είναι o ταχύτερος από τους ρυθμούς εκτέλεσης, με και χωρίς συνεχή διοχέτευση.
c.
Σημείωση 3
Silicon carbide (SiC); or
Ο ρυθμός υπολογισμού R για κάθε συμμετέχοντα επεξεργαστή υπολογίζεται στη μεγαλύτερη θεωρητικά δυνατή τιμή του πριν υπολογιστεί η «APP» του συνδυασμού.
d.
Θεωρείται ότι υπάρχουν ταυτόχρονες λειτουργίες και πράξεις όταν o κατασκευαστής του υπολογιστή αναφέρει παράλληλες, σύγχρονες ή ταυτόχρονες πράξεις ή εκτελέσεις σε εγχειρίδιο ή φυλλάδιο που αφορά τον υπολογιστή.
"III/V compounds" of gallium or indium.
Σημείωση 4
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Κατά τον υπολογισμό της «APP» δεν λαμβάνονται υπόψη οι επεξεργαστές που χρησιμοποιούνται μόνο για λειτουργίες εισόδου/εξόδου και περιφερειακών μονάδων (π.χ. μηχανισμού δίσκου, ελεγκτών επικοινωνίας και οθόνης).
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Σημείωση 5
a.
Οι τιμές της «APP» δεν υπολογίζονται για συνδυασμούς επεξεργαστών (δια)συνδεόμενους με «τοπικά δίκτυα», δίκτυα ευρείας περιοχής, κατανεμημένες συνδέσεις/συσκευές εισόδου/εξόδου, ελεγκτές εισόδου/εξόδου και τυχόν διασύνδεση επικοινωνίας πραγματοποιούμενης μέσω «λογισμικού».
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
Σημείωση 6
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
Οι τιμές της «APP» πρέπει να υπολογίζονται για συνδυασμούς επεξεργαστών που περιέχουν επεξεργαστές ειδικά σχεδιασμένους για τη βελτίωση των επιδόσεων με τη συγκέντρωση, οι οποίοι λειτουργούν ταυτοχρόνως και μοιράζονται μνήμη·
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
Αθροιστικά όλοι οι επεξεργαστές και επιταχυντές που λειτουργούν ταυτόχρονα και βρίσκονται στην ίδια ψηφίδα.
b.
Οι συνδυασμοί επεξεργαστών μοιράζονται μνήμη όταν κάθε επεξεργαστής είναι σε θέση να έχει πρόσβαση σε κάθε θέση μνήμης στο σύστημα μέσω του υλικού μετάδοσης κρυφών πλοκάδων ή λέξεων μνήμης, χωρίς τη συμμετοχή οποιουδήποτε μηχανισμού λογισμικού, που μπορεί να επιτευχθεί με τη χρήση «ηλεκτρονικών συγκροτημάτων» που ορίζονται στο σημείο 4Α003.γ.
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Σημείωση 7
d.
Ως «ανυσματικός επεξεργαστής» νοείται ένας επεξεργαστής με ενσωματωμένες οδηγίες που εκτελούν ταυτόχρονα πολλαπλούς υπολογισμούς σε ανύσματα κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατες συστοιχίες αριθμών 64 bit ή μεγαλύτερων), ο οποίος έχει τουλάχιστον 2 ανυσματικές λειτουργικές μονάδες και τουλάχιστον 8 ανυσματικούς καταχωρητές τουλάχιστον 64 στοιχείων το καθένα.
All resists optimised for surface imaging technologies;
ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 5 — ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΚΑΙ «ΑΣΦΑΛΕΙΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ»
e.
Μέρος 1 — ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Η διαβάθμιση ελέγχου των δομικών στοιχείων, εξοπλισμού δοκιμών και «παραγωγής» καθώς και «λογισμικού» που προορίζεται γι' αυτά, τα οποία είναι ειδικά σχεδιασμένα για τηλεπικοινωνιακό εξοπλισμό ή συστήματα καθορίζεται στην Κατηγορία 5, Μέρος 1.
Organo-inorganic compounds as follows:
Για τα «λέιζερ» τα ειδικά σχεδιασμένα για εξοπλισμό ή συστήματα τηλεπικοινωνιών, βλ. 6A005.
a.
«Ψηφιακοί υπολογιστές», συναφής εξοπλισμός ή «λογισμικό», όταν είναι απαραίτητα για τη λειτουργία και υποστήριξη τηλεπικοινωνιακού εξοπλισμού που περιγράφεται στην παρούσα κατηγορία θεωρούνται ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία υπό τον όρο ότι είναι τα τυποποιημένα μοντέλα που συνήθως προμηθεύει ο κατασκευαστής.
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Εδώ περιλαμβάνονται συστήματα υπολογιστών για λειτουργία, διαχείριση, συντήρηση, μηχανολογικές ή λογιστικές εφαρμογές.
b.
Τηλεπικοινωνιακά συστήματα, εξοπλισμός, δομικά στοιχεία και εξαρτήματα γι' αυτά ως εξής:
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
α.
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Οποιοσδήποτε τύπος εξοπλισμού τηλεπικοινωνιών που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, λειτουργίες ή γνωρίσματα:
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
Που είναι ειδικά σχεδιασμένος για να αντέχει σε μεταβατικά ηλεκτρονικά φαινόμενα ή ηλεκτρομαγνητικούς παλμούς που προκύπτουν από μία πυρηνική έκρηξη.
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Που έχει υποστεί ειδική επεξεργασία για να αντέχει σε ακτινοβολία σωματιδίων γάμα, νετρονίων ή ιόντων. ή
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
Που είναι ειδικά σχεδιασμένος για να λειτουργεί εκτός της περιοχής θερμοκρασιών περιβάλλοντος από 218 K (– 55 °C) έως 397 K (124 °C).
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
Το σημείο 5Α001.α.3. αφορά μόνο ηλεκτρονικό εξοπλισμό.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
Τα σημεία 5Α001.α.2. και 5Α001.α.3 δεν αφορούν εξοπλισμό που είναι εγκατεστημένος σε δορυφόρους.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
β.
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Τηλεπικοινωνιακά συστήματα και εξοπλισμός, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία και εξαρτήματα γι' αυτά, που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, λειτουργίες ή γνωρίσματα:
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Που είναι υποβρύχια μη προσδεδεμένα συστήματα επικοινωνιών και έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
α. ακουστική συχνότητα φέρουσας εκτός του φάσματος από 20 kHz έως 60 kHz·
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
β. χρησιμοποιούν ηλεκτρομαγνητική συχνότητα φέρουσας κάτω από 30 kHz·
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
γ. χρησιμοποιούν τεχνικές οδήγησης ηλεκτρονικής δέσμης· ή
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
δ. χρησιμοποιούν «λέιζερ» ή διόδους φωτοεκπομπής (LED) με μήκος κύματος εξόδου μεγαλύτερο από 400 nm και μικρότερο από 700 nm, σε «τοπικό δίκτυο».
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που λειτουργεί στο φάσμα συχνοτήτων 1,5 MHz έως 87,5 MHz και έχει όλα τα παρακάτω:
3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components specified in 3A003.
α. προβλέπει και επιλέγει αυτόματα συχνότητες και «συνολικούς ρυθμούς ψηφιακής μεταφοράς» ανά κανάλι για να βελτιστοποιήσει τη μετάδοση· και
3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
β. έχει ενσωματωμένη μια διάταξη γραμμικού ενισχυτή ισχύος, με δυνατότητα να υποστηρίζει πολλαπλά σήματα συγχρόνως με ισχύ εξόδου 1 kW ή παραπάνω στο φάσμα συχνοτήτων 1,5 MHz έως 30 MHz ή με έξοδο ισχύος 250 W ή παραπάνω στο φάσμα συχνοτήτων 30 MHz έως 87,5 MHz, σε «στιγμιαίο εύρος ζώνης» μίας οκτάβας ή παραπάνω και με παραμόρφωση και αρμονικές εξόδους καλύτερες από -80 dB.
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που χρησιμοποιεί τεχνικές μεθόδους «διασκορπισμένου φάσματος» όπως π.χ. τεχνικές, μεταπήδησης συχνοτήτων, πλην των οριζόμενων στο σημείο 5Α001.β.4., και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
α. χρησιμοποιεί κωδικούς διασκορπισμού του φάσματος που προγραμματίζονται· ή
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
β. ένα συνολικό εύρος ζώνης που μεταδίδεται που είναι 100 ή παραπάνω φορές το εύρος ζώνης ενός οποιουδήποτε καναλιού πληροφορίας και παραπάνω από 50 kHz.
a.
Στο σημείο 5Α001.β.3.β. δεν ελέγχεται ο ασύρματος εξοπλισμός ο ειδικά σχεδιασμένος για χρήση σε οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
Συστήματα κυψελωτών επικοινωνιών για μη στρατιωτική χρήση, ή
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
Σταθεροί ή κινητοί επίγειοι δορυφορικοί σταθμοί για εμπορικές τηλεπικοινωνίες για μη στρατιωτική χρήση.
b.
Στο σημείο 5Α001.β.3. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός που έχει σχεδιαστεί για να λειτουργεί με ισχύ εξόδου 1 W ή λιγότερο.
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που χρησιμοποιεί τεχνικές υπερευρείας διαμορφωμένης ζώνης και έχει κωδικούς κατανομής σε διαύλους που είναι δυνατόν να προγραμματίζονται από το χρήστη, ή κρυπτογράφησης ή κωδικούς αναγνώρισης δικτύου, και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
c.
α. εύρος ζώνης άνω των 500 MHz· ή
Designed to perform more than eight 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
β. «κλασματικό εύρος ζώνης» τουλάχιστον 20 %.
3E002 does not control "technology" for multimedia extensions.
Που είναι ψηφιακά ελεγχόμενοι ραδιοφωνικοί δέκτες οι οποίοι έχουν όλα τα ακόλουθα:
3E002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
α. περισσότερα από 1000 κανάλια·
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
β. 'χρόνο μεταγωγής διαύλων' μικρότερο από 1 ms·
3E002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
γ. μπορούν να ψάξουν ή να σαρώσουν αυτόματα ένα τμήμα του ηλεκτρομαγνητικού φάσματος· και
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
δ. μπορούν να εξακριβώσουν από πού προέρχονται τα σήματα που γίνονται δεκτά ή τον τύπο του πομπού. ή
a.
Στο σημείο 5Α001.β.5. δεν ελέγχεται ο ασύρματος εξοπλισμός ο ειδικά σχεδιασμένος για χρήση σε μη στρατιωτικά συστήματα κυψελωτών ραδιοεπικοινωνιών.
Vacuum microelectronic devices;
'Χρόνος μεταγωγής συχνοτήτων' σημαίνει τον χρόνο (δηλ. την καθυστέρηση) για την αλλαγή από τη μία συχνότητα λήψης στην άλλη ώστε να επιτευχθεί η τελική προσδιορισμένη συχνότητα λήψης είτε ακριβώς είτε με απόκλιση ± 0,05 %.
b.
Είδη με προσδιορισμένο εύρος φάσματος συχνοτήτων στενότερο από ± 0,05 % γύρω από την κεντρική τους συχνότητα ορίζονται ως στερούμενα δυνατότητας αλλαγής συχνότητας διαύλου.
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
Που χρησιμοποιούν λειτουργίες ψηφιακής «επεξεργασίας σημάτων» για την παροχή εξόδου «κωδικοποίησης φωνής» με ρυθμό χαμηλότερο από 2400 bits/s.
3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Για 'κωδικοποίηση φωνής' μεταβλητού ρυθμού, το 5A001.β.6 εφαρμόζεται στην έξοδο 'κωδικοποίησης φωνής' συνεχούς ομιλίας.
c.
Για τους σκοπούς του σημείου 5Α001.β.6., η 'κωδικοποίηση φωνής' ορίζεται ως η τεχνική δειγματοληψίας της ανθρώπινης φωνής και η μετατροπή των δειγμάτων αυτών σε ψηφιακό σήμα, λαμβάνοντας υπόψη συγκεκριμένα χαρακτηριστικά της ανθρώπινης ομιλίας.
"Superconductive" electronic devices;
Οπτικές ίνες μήκους άνω των 500 m που μπορούν σύμφωνα με τα στοιχεία του κατασκευαστή να αντέξουν «δοκιμές αντοχής» (tensile stress) της τάξεως των 2 × 109 N/m2 ή παραπάνω.
Substrates of films of diamond for electronic components.
Για υποβρύχια καλώδια τροφοδοσίας, βλέπε σημείο 8A002.α.3.
e.
Τεχνική παρατήρηση:
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
δοκιμή επί της γραμμής παραγωγής, ή εκτός της γραμμής παραγωγής, όπου εφαρμόζεται μία προκαθορισμένη τάση επί ενός μήκους ίνας από 0,5 έως 3 m που κινείται με ταχύτητα 2 έως 5 m/s ενώ η ίνα περνάει ανάμεσα από άξονες περιστροφής της ίνας που έχουν περίπου 150 mm διάμετρο.
f.
Η θερμοκρασία περιβάλλοντος είναι ονομαστικά 293 K (20 °C) και η σχετική υγρασία είναι 40 %.
Substrates of silicon carbide for electronic components;
Για την εκτέλεση της δοκιμής αντοχής μπορεί να χρησιμοποιηθούν ισοδύναμα εθνικά πρότυπα.
g.
δ.
Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
«Ηλεκτρονικά οδηγούμενες φασικά ελεγχόμενες στοιχειοκεραίες» ως εξής:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
Εγκεκριμένες προς λειτουργία σε συχνότητες πάνω από 31,8 GHz, αλλά όχι πάνω από 57 GHz, και με ενεργή ακτινοβολούμενη ισχύ (ERP) ίση ή μεγαλύτερη από + 20 dBm [22,15 dBm ενεργή ισοτροπικά ακτινοβολούμενη ισχύς (EIRP)]·
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software"specified in 3D101.
Εγκεκριμένες προς λειτουργία σε συχνότητες πάνω από 57 GHz, αλλά όχι πάνω από 66 GHz, και με ERP ίση με ή μεγαλύτερη από + 24 dBm (26,15 dBm EIRP)·
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
Εγκεκριμένες προς λειτουργία σε συχνότητες πάνω από 66 GHz αλλά όχι πάνω από 90 GHz, και με ERP ίση με ή μεγαλύτερη από + 20 dBm (22,15 dBm EIRP)·
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
Εγκεκριμένες προς λειτουργία σε συχνότητες πάνω από 90 GHz.
CATEGORY 4 — COMPUTERS
Στο σημείο 5Α001.δ. δεν ελέγχονται οι «ηλεκτρονικά διευθυνόμενες φασικά ελεγχόμενες στοιχειοκεραίες» για συστήματα προσγείωσης που περιλαμβάνουν όργανα που συμμορφώνονται με τα πρότυπα του Διεθνούς Οργανισμού Πολιτικής Αεροπορίας (ICAO) που καλύπτουν μικροκυματικά συστήματα προσγείωσης (ΜLS).
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
ε.
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Εξοπλισμός ραδιοκαθορισμού κατεύθυνσης που λειτουργεί σε συχνότητες άνω των 30 MHz και παρουσιάζει όλα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, και ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη του:
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
«Στιγμιαίο εύρος ζώνης» τουλάχιστον 10 MHz, και
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
Ικανός να εντοπίζει προσανατολισμό (LOB) μη συνεργαζόμενων ραδιοπομπών με διάρκεια σήματος μικρότερη του 1 ms· στ.
SEE ALSO 4A101.
Εξοπλισμός υποκλοπών ή ηλεκτρονικών παρεμβολών κινητών τηλεπικοινωνιών και εξοπλισμός παρακολούθησής τους, ως ακολούθως, και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη αυτών:
a.
Εξοπλισμός υποκλοπών σχεδιασμένος για την εξαγωγή φωνής ή δεδομένων, που μεταδίδονται διαμέσου της ραδιοδιεπαφής,
Specially designed to have any of the following:
Εξοπλισμός υποκλοπών που δεν προσδιορίζεται στο σημείο 5A001.στ.1., σχεδιασμένος για την εξαγωγή κωδικών ταυτότητας συσκευών πελατών ή συνδρομητών (π.χ. IMSI, TIMSI ή IMEI), σηματοδότησης, ή άλλων μεταδεδομένων που μεταδίδονται διαμέσου της ραδιοδιεπαφής,
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C); or
Εξοπλισμός ηλεκτρονικών παρεμβολών ειδικά σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για τη σκόπιμη και επιλεκτική παρεμβολή, απαγόρευση, παρεμπόδιση, υποβάθμιση ή προσέλκυση κινητών τηλεπικοινωνιακών υπηρεσιών, που εκτελεί όλα τα ακόλουθα:
4A001.a.1. does not control computers specially designed for civil automobile, railway train or "civil aircraft" applications.
α.
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
Προσομοίωση των λειτουργιών εξοπλισμού Δικτύου Ραδιοπρόσβασης (RAN),
a.
β.
Total Dose
Ανίχνευση και εκμετάλλευση συγκεκριμένων χαρακτηριστικών του χρησιμοποιούμενου πρωτοκόλλου κινητής τηλεπικοινωνίας (π.χ. GSM), ή
5 × 103 Gy (silicon);
Εκμετάλλευση συγκεκριμένων χαρακτηριστικών του χρησιμοποιούμενου πρωτοκόλλου κινητής τηλεπικοινωνίας (π.χ. GSM).
Dose Rate Upset
Εξοπλισμός παρακολούθησης ραδιοσυχνοτήτων σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για να αναγνωρίζει τη λειτουργία ειδών που προσδιορίζονται στα σημεία 5A001.στ.1., 5A001.στ.2. ή 5A001.στ.3.,
5 × 106 Gy (silicon)/s; or
Στα σημεία 5Α001.στ.1. και 5Α001.στ.2.δεν ελέγχονται τα εξής:
c.
Εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος για την υποκλοπή αναλογικών ιδιωτικών κινητών ραδιοεπικοινωνιών (PMR), IEEE 802.11 WLAN,
Single Event Upset
Εξοπλισμός σχεδιασμένος για φορείς εκμετάλλευσης δικτύων κινητών τηλεπικοινωνιών, ή
1 × 10– 8 Error/bit/day;
Εξοπλισμός σχεδιασμένος για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» εξοπλισμού ή συστημάτων κινητών τηλεπικοινωνιών.
4A001.a.2. does not control computers specially designed for "civil aircraft" applications.
ζ.
"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows and specially designed components therefor:
Παθητικά συνεκτικά συστήματα (PCL) ή εξοπλισμός εντοπισμού, ειδικά σχεδιασμένος για την ανίχνευση και παρακολούθηση κινητών αντικειμένων με τη μέτρηση των ανακλάσεων εκπομπών ραδιοσυχνοτήτων του περιβάλλοντος, παραγόμενων από πομπούς άλλους πλην ραντάρ.
4A003 includes the following:
Στους άλλους πομπούς πλην ραντάρ περιλαμβάνονται οι πομποί ραδιοφωνίας και τηλεόρασης και οι σταθμοί βάσης κινητής τηλεφωνίας.
'Vector processors';
Στο σημείο 5Α001.ζ. δεν ελέγχονται τα εξής:
Array processors;
Ο ραδιοαστρονομικός εξοπλισμός, ή
Digital signal processors;
Τα συστήματα και ο εξοπλισμός που χρειάζονται εκπομπές ραδιοκυμάτων από τον στόχο.
Logic processors;
η. Εξοπλισμός αντιμετώπισης αυτοσχέδιων εκρηκτικών μηχανισμών (IED) και σχετικός εξοπλισμός, ως ακολούθως:
Equipment designed for "image enhancement".
Ηλεκτρονικός εξοπλισμός εκπομπής ραδιοσυχνοτήτων, που δεν προσδιορίζεται στο σημείο 5A001.στ., σχεδιασμένος ή τροποποιημένος με στόχο την πρόωρη ενεργοποίηση ή αποτροπή της ανάφλεξης αυτοσχέδιων εκρηκτικών μηχανισμών.
The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί τεχνικές σχεδιασμένες για να επιτρέπουν τη διενέργεια ραδιοεπικοινωνιών στους ίδιους διαύλους συχνοτήτων στους οποίους εκπέμπει συνεγκατεστημένος εξοπλισμός που προσδιορίζεται στο σημείο 5A001.η.1.
The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
θ. Δεν χρησιμοποιείται.
The "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
ι.
The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
Συστήματα ή εξοπλισμός επιτήρησης επικοινωνιών δικτύων στο Πρωτόκολλο Διαδικτύου (IP), και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη τους, με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
For the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Που εκτελούν όλα τα ακόλουθα σε ένα δίκτυο κατηγορίας φορέων Πρωτοκόλλου Διαδικτύου (IP) (π.χ. δίκτυο κορμού IP εθνικού επιπέδου):
The "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E.
Ανάλυση στο επίπεδο εφαρμογών [π.χ. επίπεδο 7 του μοντέλου διασύνδεσης ανοιχτών συστημάτων (OSI) (ISO/IEC 7498-1)],
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 12,5 Weighted TeraFLOPS (WT);
Εξαγωγή επιλεγμένων μεταδεδομένων και περιεχομένου εφαρμογών (π.χ. φωνή, βίντεο, μηνύματα, συνημμένα), και
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit specified in 4A003.b.;