natgillin/translations-raw huggingface dataset:
«Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για τη «χρήση» εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α101.β.
3A228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων, ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225.
b.
«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3Α, 3Β ή 3C.
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για την «παραγωγή» εξοπλισμού ή δομικών στοιχείων που καθορίζονται στο σημείο 3Α003.
An anode delay time of 15 μs or less; and
Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η "τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" ολοκληρωμένων κυκλωμάτων προδιαγραφόμενων στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.12., και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
Rated for a peak current of 500 A or more;
Χρησιμοποιούν «τεχνολογία» 0,130 μm ή παραπάνω, και
c.
Περιλαμβάνουν δομές με πολλαπλά μεν στρώματα, αλλά με τρία το πολύ μεταλλικά στρώματα.
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, άλλη από την προσδιοριζόμενη στο 3Ε001, για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή»«μικροκυκλωμάτων μικροεπεξεργαστών», «μικροκυκλωμάτων μικροϋπολογιστών» και πυρήνων μικροκυκλωμάτων μικροσυσκευών ελέγχου, με αριθμητική λογική μονάδα με εύρος προσπέλασης 32 bit και άνω και οποιοδήποτε από τα παρακάτω γνωρίσματα ή χαρακτηριστικά:
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
α.
Anode peak current rating of 500 A or more; and
Περιλαμβάνει «διανυσματικό επεξεργαστή» σχεδιασμένο έτσι ώστε να εκτελεί ταυτόχρονα περισσότερους από δύο υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit),
Turn-on time of 1 μs or less.
"Διανυσματικός επεξεργαστής" λέγεται ένα στοιχείο επεξεργαστή με ενσωματωμένες εντολές που εκτελεί ταυτόχρονα πολλούς υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit) και έχει τουλάχιστον μία αριθμητική λογική μονάδα και ανυσματικά αρχεία τουλάχιστον 32 στοιχείων το καθένα.
High-current pulse generators as follows:
Είναι σχεδιασμένοι ώστε να εκτελούν περισσότερους από τέσσερις υπολογισμούς εξαγομένων πράξεων κινητής υποδιαστολής 64 ή περισσότερων bit ανά κύκλο, ή
Detonator firing sets (initiator systems, firesets), including electronically-charged, explosively-driven and optically-driven firing sets, other than those specified in 1A007.a., designed to drive multiple controlled detonators specified in 1A007.b.;
Είναι σχεδιασμένοι ώστε να εκτελούν περισσότερους από οκτώ υπολογισμούς εξαγομένων πράξεων πολλαπλασιασμού και σωρευτικής άθροισης σταθερής υποδιαστολής 16 bit ανά κύκλο (π.χ. ψηφιακό χειρισμό αναλογικών πληροφοριών που έχουν προηγουμένως μετατραπεί σε ψηφιακή μορφή, το γνωστό και ως «ψηφιακή επεξεργασία σήματος»).
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Ενσωμάτωση πολυστιβαδικών δομών με έως και πέντε μεταλλικές στιβάδες.
Having an output greater than 100 A;
Στο σημείο 3E002 ελέγχεται η «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» ψηφιακών επεξεργαστών σήματος και συστοιχίες ψηφιακών επεξεργαστών.
No dimension greater than 30 cm;
Άλλη «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» των παρακάτω:
Weight less than 30 kg; and
α.
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Μικροηλεκτρονικών συσκευών κενού,
3A229.b. includes xenon flash-lamp drivers.
Ετερο-δομικών ηλεκτρονικών συσκευών ημιαγωγών, όπως τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ), ετεροδιπολικών τρανζίστορ (ΗΒΤ), συσκευών κβαντικού πηγαδιού και υπέρ πλέγματος (super lattice devices).
Micro-firing units having all of the following characteristics:
Στο σημείο 3Ε003.β. δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz και για ετεροδιπολικά τρανζίστορ (ΗΒΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz.
No dimension greater than 35 mm;
γ.
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
«Υπεραγώγιμων» ηλεκτρονικών συσκευών,
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
δ. Υποστρωμάτων υμενίων αδάμαντος για ηλεκτρονικά δομοστοιχεία,
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
Υποστρωμάτων πυριτίου επί μονωτικού (SOI) για ολοκληρωμένα κυκλώματα, όπου το μονωτικό υλικό είναι διοξείδιο του πυριτίου, στ.
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
Υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου για ηλεκτρονικά δομοστοιχεία,
b.
ζ.
'Pulse transition time' less than 500 ps.
«Ηλεκτρονικές διατάξεις κενού» που λειτουργούν σε συχνότητες τουλάχιστον 31,8 GHz.
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη «χρήση» εξοπλισμού ή «λογισμικού» που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.α.1 ή 2, 3Α101, 3Α102 ή 3D101.
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» λογισμικού που καθορίζεται στο σημείο 3D101.
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη «χρήση» εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.ε.2, 3Α001.ε.3., 3Α001.ζ., 3Α201, 3Α225 έως 3Α234.
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
«Τεχνολογία» υπό τη μορφή κωδικών ή κλειδών για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225.
a.
ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 4 — ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΕΣ
Designed for operation without an external vacuum system; and
Οι μονάδες ελέγχου που διασυνδέουν απευθείας τους διαδρόμους ή τους διαύλους των μονάδων κεντρικής επεξεργασίας και οι μονάδες ελέγχου της «κυρίως μνήμης» ή των δίσκων δεν θεωρούνται εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που περιγράφεται στην κατηγορία 5 Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες).
Utilizing any of the following:
Όσον αφορά τη διαβάθμιση ελέγχου του «λογισμικού» που έχει σχεδιαστεί ειδικά για μεταγωγή πακέτων, βλέπε την κατηγορία 5D001.
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
Ηλεκτρονικοί υπολογιστές και συναφής εξοπλισμός που έχουν οποιαδήποτε από τα κατωτέρω, καθώς και «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τα συστήματα αυτά:
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 4A101.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
α.
See 1A007.b. for detonators.
Που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ώστε να έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
b.
Ονομαστική λειτουργία σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω από 228 Κ (– 45 °C) ή πάνω από 358 Κ (85 °C), ή
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over an area greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
Το σημείο 4Α001.α.1 δεν ελέγχει τους υπολογιστές που έχουν σχεδιαστεί ειδικά για εφαρμογές πολιτικών αυτοκινήτων ή σιδηροδρομικών συρμών ή «πολιτικών αεροσκαφών».
3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Που έχουν υποστεί ειδική επεξεργασία για να αντέχουν σε ακτινοβολία που μπορεί να ξεπεράσει οποιαδήποτε από τις ακόλουθες προδιαγραφές:
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Συνολική δόση
a.
5 × 103 Gy (πυρίτιο)·
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
Απότομη αλλαγή του ρυθμού ακτινοβολίας
b.
5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s ή
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Απότομη αλλαγή από ένα και μόνο γεγονός
c.
1 × 10–8 Λάθη/bit/ημέρα·
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
Το σημείο 4Α001.α.2 δεν ελέγχει τους υπολογιστές που έχουν σχεδιαστεί ειδικά για εφαρμογές «πολιτικών αεροσκαφών».
d.
β.
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
Δεν χρησιμοποιείται.
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
«Ψηφιακοί υπολογιστές», «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και συναφής εξοπλισμός γι’ αυτούς, ως εξής, καθώς επίσης και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία γι’ αυτά:
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
Το σημείο 4Α003 περιλαμβάνει τα ακόλουθα:
e.
"ανυσματικούς επεξεργαστές" (vector processors)·
Not used;
Πολυεπεξεργαστές (array processors)·
f.
Επεξεργαστές ψηφιακού σήματος·
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
Λογικούς επεξεργαστές·
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
Εξοπλισμό σχεδιασμένο για «βελτίωση εικόνων».
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
Η διαβάθμιση ελέγχου των «ψηφιακών υπολογιστών» και του συναφούς εξοπλισμού που περιγράφεται στο σημείο 4Α003 καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του άλλου εξοπλισμού ή των άλλων συστημάτων υπό τον όρο ότι:
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
Οι «ψηφιακοί υπολογιστές» ή ο συναφής εξοπλισμός είναι απολύτως απαραίτητοι για την λειτουργία του λοιπού εξοπλισμού ή των λοιπών συστημάτων·
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
Οι «ψηφιακοί υπολογιστές» ή ο συναφής εξοπλισμός δεν αποτελούν «βασικό στοιχείο» του έτερου εξοπλισμού ή συστημάτων και
a.
Η διαβάθμιση ελέγχου εξοπλισμού για «επεξεργασία σημάτων» ή «βελτίωση εικόνων» που έχει ειδικά σχεδιασθεί για έτερο εξοπλισμό με λειτουργίες που περιορίζονται σε αυτές που απαιτούνται για τον έτερο εξοπλισμό, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του έτερου εξοπλισμού ακόμη κι αν υπερβαίνει το κριτήριο του «βασικού στοιχείου».
Voltage rating greater than 2 kV; and
Για διαβάθμιση ελέγχου των «ψηφιακών υπολογιστών» ή συναφούς εξοπλισμού για εξοπλισμό τηλεπικοινωνιών βλέπε την κατηγορία 5, Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες).
b Inductance of less than 20 nH.
γ.
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Η «τεχνολογία» για τους «ψηφιακούς υπολογιστές» και τον συναφή εξοπλισμό καθορίζεται στο σημείο 4Ε.
SEE ALSO 2B226
«Ψηφιακοί υπολογιστές» που έχουν «προσαρμοσμένη κορυφαία απόδοση» («APP») άνω των 16 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT)·
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
γ.
Equipment designed or modified to produce a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
«Ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί ώστε να ενισχύουν την απόδοση με τη συγκέντρωση επεξεργαστών, ούτως ώστε η «APP» του συγκροτήματος να υπερβαίνει το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β.·
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Το σημείο 4Α003.γ. ελέγχει μόνο «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και προγραμματιζόμενες διασυνδέσεις που δεν υπερβαίνουν το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β., όταν αποστέλλονται ως μη ενσωματωμένα «ηλεκτρονικά συγκροτήματα».
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
Στο σημείο4Α 003.γ. δεν υπάγονται τα «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για ένα προϊόν ή οικογένεια προϊόντων για τα οποία η μέγιστη διάρθρωση δεν υπερβαίνει το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β.
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Ειδικά σχεδιασμένος εξοπλισμός για τη συνάθροιση των επιδόσεων «ψηφιακών υπολογιστών» με την παροχή εξωτερικών διασυνδέσεων, που επιτρέπει την επικοινωνία με μονόδρομες ταχύτητες μεταβίβασης δεδομένων υπερβαίνουσες τα 2,0 Gbyte/s ανά σύνδεσμο.
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Στο σημείο 4Α003.ζ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός εσωτερικής διασύνδεσης (π.χ. βασική πλακέτα, ζυγοί), ο εξοπλισμός παθητικής διασύνδεσης, οι «ελεγκτές πρόσβασης δικτύου» ή οι «ελεγκτές διαύλων επικοινωνίας».
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
Υπολογιστές ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένος συναφής εξοπλισμός, «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και δομικά στοιχεία αυτών:
Direct write capability;
α.
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
«Υπολογιστές συστολικής συστοιχίας»·
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
«Νευρωνικοί υπολογιστές»·
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
γ.
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
«Οπτικοί υπολογιστές».
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
Συστήματα, εξοπλισμός και δομικά στοιχεία τους, ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για την παραγωγή, τον χειρισμό και τον έλεγχο ή την απόδοση «λογισμικού εισβολής».
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
Αναλογικοί υπολογιστές, «ψηφιακοί υπολογιστές» ή ψηφιακοί διαφορικοί αναλυτές διαφορετικοί από εκείνους του σημείου 4Α001.α.1., που είναι ανθεκτικοί και έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούνται σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
«Υβριδικοί υπολογιστές» που έχουν σχεδιαστεί ειδικά για την εκπόνηση μοντέλων, τη διενέργεια προσομοίωσης ή τη σχεδιαστική ενσωμάτωση οχημάτων εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδων που ορίζονται στο σημείο 9Α104.
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
Ο έλεγχος ισχύει μόνο για τον εξοπλισμό που παρέχεται μαζί με το λογισμικό το οποίο καθορίζεται στο σημείο 7D103 ή 9D103.
f.
Η διαβάθμιση ελέγχου του «λογισμικού» για εξοπλισμό που περιγράφεται σε άλλες κατηγορίες περιέχεται στην αντίστοιχη κατηγορία.
Lithography equipment as follows:
«Λογισμικό», ως εξής:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
«Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» εξοπλισμού ή «λογισμικού» που καθορίζονται στα σημεία 4Α001 έως 4Α004, ή 4D.
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
«Λογισμικό», εκτός του περιγραφόμενου στο σημείο 4D001.α, που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού ως εξής:
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
«Ψηφιακοί υπολογιστές» που έχουν «προσαρμοσμένη κορυφαία απόδοση» («APP») άνω των 8,0 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT)·
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
«Ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την αύξηση της απόδοσης με τη συνάθροιση επεξεργαστών, ούτως ώστε η «APP» του συνόλου να υπερβαίνει το όριο του 4D001.β.1.
an exposure light source wavelength in nm
«Λογισμικό» που είναι ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την παραγωγή, τον χειρισμό και τον έλεγχο ή την απόδοση «λογισμικού εισβολής».
K factor
«Τεχνολογία», σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση, για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» εξοπλισμού ή «λογισμικού» που καθορίζονται στα σημεία 4Α ή 4D.
where the K factor = 0,35
«Τεχνολογία», σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση, εκτός της περιγραφόμενης στο 4E001.α, για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού ως εξής:
3B001.f.2. includes:
«Ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την αύξηση της απόδοσης με τη συνάθροιση επεξεργαστών, ούτως ώστε η «APP» του συνόλου να υπερβαίνει το όριο του 4D001.β.1.
Micro contact printing tools
γ.
Hot embossing tools
«Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη»«λογισμικού εισβολής».
Nano-imprint lithography tools
ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΣΧΕΤΙΚΑ ΜΕ ΤΗΝ «ΠΡΟΣΑΡΜΟΣΜΕΝΗ ΚΟΡΥΦΑΙΑ ΑΠΟΔΟΣΗ» («APP»)
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Η «APP» είναι ένας προσαρμοσμένος ρυθμός με τον οποίο οι «ψηφιακοί υπολογιστές» εκτελούν προσθέσεις και πολλαπλασιασμούς κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω.
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
Η «APP» εκφράζεται ως σταθμισμένα TeraFLOPS (WT), σε μονάδες 1012 πράξεων κινητής υποδιαστολής ανά δευτερόλεπτο.
a.
Συντμήσεις που χρησιμοποιούνται στην παρούσα Τεχνική Σημείωση
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
n αριθμός επεξεργαστών του «ψηφιακού υπολογιστή»
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
i αριθμός επεξεργαστή (i,.. n)
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
χρόνος κύκλου επεξεργαστή (ti = 1/Fi)
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
συχνότητα επεξεργαστή
a.
κορυφαίος ρυθμός υπολογισμού κινητής υποδιαστολής
A deflected focused electron beam; and
συντελεστής προσαρμογής αρχιτεκτονικής
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
Η μέθοδος υπολογισμού της «APP» σε αδρές γραμμές
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
Για κάθε επεξεργαστή i, προσδιορίζεται ο κορυφαίος αριθμός πράξεων κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω, FPOi, που εκτελούνται ανά κύκλο για κάθε επεξεργαστή του «ψηφιακού υπολογιστή».
g.
Σημείωση
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Σημείωση Κατά τον προσδιορισμό του FPO, λαμβάνονται υπόψη μόνο οι προσθέσεις και/ή οι πολλαπλασιασμοί κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω.
h.
Όλες οι πράξεις κινητής υποδιαστολής πρέπει να εκφράζονται ως πράξεις ανά κύκλο επεξεργαστή οι πράξεις για τις οποίες απαιτούνται περισσότεροι του ενός κύκλοι μπορούν να εκφράζονται ως κλασματικά αποτελέσματα ανά κύκλο.
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
Για τους επεξεργαστές που δεν είναι ικανοί να εκτελούν υπολογισμούς σε τελεστές 64 bit ή άνω, ο ενεργός ρυθμός υπολογισμού R είναι μηδέν.
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
Υπολογίζεται ο ρυθμός κινητής υποδιαστολής R για κάθε επεξεργαστή Ri = FPOi/ti.
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
Υπολογίζεται η «APP» ως «APP» = W1 × R1 + W2 x R2 + … + Wn x Rn.
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Για τους «ανυσματικούς επεξεργαστές», Wi = 0,9.
i.
Για τους μη «ανυσματικούς επεξεργαστές», Wi = 0,3.
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Σημείωση1
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
Για τους επεξεργαστές που εκτελούν σύνθετες πράξεις σε έναν κύκλο, όπως πρόσθεση και πολλαπλασιασμό, λαμβάνεται υπόψη κάθε πράξη.
a.
Σημείωση2
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Σημείωση3
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Ο ρυθμός υπολογισμού R για κάθε συμμετέχοντα επεξεργαστή υπολογίζεται στη μεγαλύτερη θεωρητικά δυνατή τιμή του πριν υπολογιστεί η «APP» του συνδυασμού.
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Θεωρείται ότι υπάρχουν ταυτόχρονες λειτουργίες και πράξεις όταν o κατασκευαστής του υπολογιστή αναφέρει παράλληλες, σύγχρονες ή ταυτόχρονες πράξεις ή εκτελέσεις σε εγχειρίδιο ή φυλλάδιο που αφορά τον υπολογιστή.
a.
Σημείωση4
Silicon (Si);
Κατά τον υπολογισμό της «APP» δεν λαμβάνονται υπόψη οι επεξεργαστές που χρησιμοποιούνται μόνο για λειτουργίες εισόδου/εξόδου και περιφερειακών μονάδων (π.χ. μηχανισμού δίσκου, ελεγκτών επικοινωνίας και οθόνης).
b.
Σημείωση5
Germanium (Ge);
Οι τιμές της «APP» δεν υπολογίζονται για συνδυασμούς επεξεργαστών (δια)συνδεόμενους με «τοπικά δίκτυα», δίκτυα ευρείας περιοχής, κατανεμημένες συνδέσεις/συσκευές εισόδου/εξόδου, ελεγκτές εισόδου/εξόδου και τυχόν διασύνδεση επικοινωνίας πραγματοποιούμενης μέσω «λογισμικού».
c.
Σημείωση6
Silicon carbide (SiC); or
Οι τιμές της «APP» πρέπει να υπολογίζονται για συνδυασμούς επεξεργαστών που περιέχουν επεξεργαστές ειδικά σχεδιασμένους για τη βελτίωση των επιδόσεων με τη συγκέντρωση, οι οποίοι λειτουργούν ταυτοχρόνως και μοιράζονται μνήμη·
d.
Αθροιστικά όλοι οι επεξεργαστές και επιταχυντές που λειτουργούν ταυτόχρονα και βρίσκονται στην ίδια ψηφίδα.
"III/V compounds" of gallium or indium.
Οι συνδυασμοί επεξεργαστών μοιράζονται μνήμη όταν κάθε επεξεργαστής είναι σε θέση να έχει πρόσβαση σε κάθε θέση μνήμης στο σύστημα μέσω του υλικού μετάδοσης κρυφών πλοκάδων ή λέξεων μνήμης, χωρίς τη συμμετοχή οποιουδήποτε μηχανισμού λογισμικού, που μπορεί να επιτευχθεί με τη χρήση «ηλεκτρονικών συγκροτημάτων» που ορίζονται στο σημείο 4Α003.γ.
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Σημείωση7
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Ως «ανυσματικός επεξεργαστής» νοείται ένας επεξεργαστής με ενσωματωμένες οδηγίες που εκτελούν ταυτόχρονα πολλαπλούς υπολογισμούς σε ανύσματα κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατες συστοιχίες αριθμών 64 bit ή μεγαλύτερων), ο οποίος έχει τουλάχιστον 2 ανυσματικές λειτουργικές μονάδες και τουλάχιστον 8 ανυσματικούς καταχωρητές τουλάχιστον 64 στοιχείων το καθένα.
a.
ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 5 - ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΚΑΙ «ΑΣΦΑΛΕΙΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ»
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
Μέρος 1 — ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;