natgillin/translations-raw huggingface dataset:
ε.
For general purpose "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
Κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός του φάσματος συχνοτήτων άνω των 37 GHz και έως και 90 GHz, στ.
'Transmit/receive modules', 'transmit/receive MMICs', 'transmit modules', and 'transmit MMICs', rated for operation at frequencies above 2,7 GHz and having all of the following:
Δεν χρησιμοποιείται·
a.
Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, που ορίζεται ως ακολούθως:
A peak saturated power output (in watts), Psat, greater than 505,62 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz2] for any channel;
Κάτω (καλύτερο) των -(126 + 20log10 - 20log10) οπουδήποτε εντός της ζώνης των 10 Hz < F < 10 kHz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 3,2 GHz αλλά όχι άνω των 90 GHz, ή
A "fractional bandwidth" of 5 % or greater for any channel;
Κάτω (καλύτερο) των -(206 - 20log10f ) οπουδήποτε εντός της ζώνης των 10 kHz < F < 100 kHz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 3,2 GHz αλλά όχι άνω των 90 GHz, ή
Any planar side with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15cm*GHz*N/fGHz] where N is the number of transmit or transmit/receive channels; and
Στο 3Α002.δ.4., F είναι η απόκλιση από τη συχνότητα λειτουργίας σε Hz και f είναι η συχνότητα λειτουργίας σε MHz.
d.
Μέγιστη συχνότητα αντιστροφής άνω των 90 GHz.
An electronically variable phase shifter per channel.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.δ., στις γεννήτριες σημάτων περιλαμβάνονται οι γεννήτριες σημάτων τυχούσας κυματομορφής και συνάρτησης.
A 'transmit/receive module': is a multifunction "electronic assembly" that provides bi-directional amplitude and phase control for transmission and reception of signals.
Στο σημείο 3Α002.δ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός στον οποίο η συχνότητα εξόδου παράγεται, είτε μέσω της πρόσθεσης ή αφαίρεσης δύο ή περισσοτέρων συχνοτήτων που παράγει κρυσταλλικός ταλαντωτής, είτε από την πρόσθεση ή αφαίρεση την οποία ακολουθεί πολλαπλασιασμός του αποτελέσματος.
A 'transmit module': is an "electronic assembly" that provides amplitude and phase control for transmission of signals.
Η μέγιστη συχνότητα μιας γεννήτριας σημάτων τυχούσας κυματομορφής ή συνάρτησης υπολογίζεται διαιρώντας τον ρυθμό δειγματοληψίας, σε δείγματα ανά δευτερόλεπτο, με συντελεστή 2,5.
A 'transmit/receive MMIC': is a multifunction "MMIC" that provides bi-directional amplitude and phase control for transmission and reception of signals.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.δ.1.α, η «διάρκεια παλμού» ορίζεται ως το χρονικό διάστημα από το σημείο του πρόσθιου άκρου που αντιστοιχεί στο 50 % του πλάτους του παλμού έως το σημείο του οπίσθιου άκρου που αντιστοιχεί στο 50 % του πλάτους του παλμού.
A 'transmit MMIC': is a "MMIC" that provides amplitude and phase control for transmission of signals.
ε.
2,7 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.12.c. for transmit/receive or transmit modules that have a rated operation range extending downward to 2,7 GHz and below [d≤15cm*GHz*N/2,7 GHz].
Αναλυτές δικτύου με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
3A001.b.12. applies to 'transmit/receive modules' or 'transmit modules' with or without a heat sink.
Ισχύ εξόδου άνω των 31,62 mW (15 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 43,5 GHz και έως και 90 GHz,
The value of d in 3A001.b.12.c. does not include any portion of the 'transmit/receive module' or 'transmit module' that functions as a heat sink.
Ισχύ εξόδου άνω των 1 mW (0 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 90 GHz και έως και 110 GHz,
'Transmit/receive modules', or 'transmit modules', or 'transmit/receive MMICs' or 'transmit MMICs' may or may not have N integrated radiating antenna elements where N is the number of transmit or transmit/receive channels.
«Λειτουργία μέτρησης μη γραμμικού διανύσματος» σε συχνότητες άνω των 50 GHz και έως και 110 GHz, ή
c.
"Λειτουργία μέτρησης μη γραμμικού διανύσματος" είναι η ικανότητα ενός οργάνου να αναλύει τα αποτελέσματα δοκιμών συσκευών που οδηγούνται στη περιοχή του μεγάλου σήματος ή στο εύρος της μη γραμμικής παραμόρφωσης.
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 110 GHz. στ.
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 110 GHz. και
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
ζ.
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
Πρότυπα ατομικής συχνότητας που έχουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB;
Είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση»,
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
Δεν βασίζονται στο ρουβίδιο και έχουν μακροπρόθεσμη σταθερότητα (γήρανση) μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10–11/μήνα, ή
A bandwidth greater than 250 MHz; or
Δεν είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση» και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A dispersive delay of more than 10 μs; or
Αποτελούν πρότυπα ρουβιδίου,
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
β.
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
Μακροπρόθεσμη σταθερότητα μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10–11/μήνα, και
'Frequency side-lobe rejection' is the maximum rejection value specified in data sheet.
γ.
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
Συνολική κατανάλωση ενέργειας κάτω του 1 W.
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
η.
3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
«Ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις», μονάδες ή εξοπλισμός, που προορίζονται να εκτελούν όλα τα ακόλουθα:
d.
Μετατροπές αναλογικού σε ψηφιακό που πληρούν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
α.
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10-14 J; or
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit αλλά μικρότερη των 10 bit, με ρυθμό δειγματοληψίας εισόδου μεγαλύτερο των 1300 εκατ. δειγμάτων ανά δευτερόλεπτο,
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit αλλά μικρότερη των 12 bit, με ρυθμό δειγματοληψίας εισόδου μεγαλύτερο των 1000 εκατ. δειγμάτων ανά δευτερόλεπτο,
High energy devices as follows:
γ.
'Cells' as follows:
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 12 bit αλλά μικρότερη των 14 bit, με ρυθμό δειγματοληψίας εισόδου μεγαλύτερο των 1000 εκατ. δειγμάτων ανά δευτερόλεπτο,
a.
δ. Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 14 bit αλλά μικρότερη των 16 bit, με ρυθμό δειγματοληψίας εισόδου μεγαλύτερο των 1400 εκατ. δειγμάτων ανά δευτερόλεπτο, ή
'Primary cells' having an 'energy density' exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 16 bit, με ρυθμό δειγματοληψίας εισόδου μεγαλύτερο των 180 εκατομμυρίων δειγμάτων ανά δευτερόλεπτο, και
'Secondary cells' having an 'energy density' exceeding 350 Wh/kg at 20 °C;
α.
For the purpose of 3A001.e.1.,'energy density' (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Έξοδος ψηφιοποιημένων δεδομένων
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
β.
For the purpose of 3A001.e.1., a 'cell' is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Αποθήκευση ψηφιοποιημένων δεδομένων ή
It is the basic building block of a battery.
γ.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a 'primary cell' is a 'cell' that is not designed to be charged by any other source.
Επεξεργασία ψηφιοποιημένων δεδομένων
For the purpose of 3A001.e.1.b., a 'secondary cell' is a 'cell' that is designed to be charged by an external electrical source.
Καταγραφείς ψηφιακών δεδομένων, παλμογράφοι, «αναλυτές σήματος», γεννήτριες σήματος, αναλυτές δικτύου και δοκιμαστικοί μικροκυματικοί δέκτες, όπως καθορίζονται στα σημεία 3A002.γ, 3A002.δ, 3A002.ε και 3A002.στ, αντίστοιχα.
3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
Για πολυκαναλικές «ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις» ή μονάδες, το καθεστώς ελέγχου προσδιορίζεται με βάση την ανώτατη μονοκαναλική καθορισμένη επίδοση.
High energy storage capacitors as follows:
Στο σημείο 3Α002.η περιλαμβάνονται κάρτες ADC, ψηφιοποιητές κυματομορφών, κάρτες ανάκτησης δεδομένων, πλακέτες ανάκτησης σημάτων και καταγραφείς μεταβατικών σημάτων.
SEE ALSO 3A201.a. and the Military Goods Controls.
Συστήματα θερμοδιαχείρισης με ψύξη διά ψεκασμού, που χρησιμοποιούν εξοπλισμό χειρισμού και επαναχρησιμοποίησης ρευστών σε κλειστό βρόχο μέσα σε σφραγισμένο περιβάλλον, όπου ψεκάζεται διηλεκτρικό ρευστό πάνω σε ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία με χρήση ειδικά σχεδιασμένων ψεκαστικών ακροφυσίων σχεδιασμένων να διατηρούν τα ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία εντός του αντίστοιχου φάσματος θερμοκρασιών λειτουργίας, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τον εξοπλισμό αυτό.
a.
Ηλεκτρονικός εξοπλισμός, συσκευές και δομικά στοιχεία εκτός από αυτά που ορίζονται στο σημείο 3Α001, ως εξής:
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
α.
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε «βλήματα» και που έχουν σχεδιαστεί για να πληρούν στρατιωτικές προδιαγραφές για ανθεκτικό εξοπλισμό,
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
β.
A total energy equal to or more than 25 kJ;
Επιταχυντές ικανοί να αποδώσουν ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία που παράγεται από ακτινοβολία επιβράδυνσης από επιταχυνόμενα ηλεκτρόνια ύψους 2 MeV ή παραπάνω, και συστήματα που περιέχουν τους επιταχυντές αυτούς.
b.
Το παραπάνω σημείο 3Α101.β. δεν περιλαμβάνει εξοπλισμό ο οποίος έχει ειδικά σχεδιασθεί για ιατρικούς σκοπούς.
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
"Θερμικές μπαταρίες" σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για "βλήματα".
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
Στο σημείο 3Α102, ως "θερμικές μπαταρίες" νοούνται οι ηλεκτρικές στήλες μιας χρήσης που χρησιμοποιούν ως ηλεκτρολύτη στερεό δυσηλεκτραγωγό ανόργανο άλας.
A total energy equal to or more than 100 J; and
Οι μπαταρίες αυτές περιέχουν και κάποιο πυρολυτικό υλικό το οποίο, αναφλεγόμενο, λιώνει τον ηλεκτρολύτη και θέτει σε λειτουργία την ηλεκτρική στήλη.
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
Στην παράγραφο 9B105, ως "βλήματα" νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα μη επανδρωμένα συστήματα εναέριων οχημάτων με ακτίνα δράσης άνω των 300 km.
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
3A201 Ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία εκτός από όσα καθορίζονται στο σημείο 3Α001, ως εξής:
SEE ALSO 3A201.b.
α.
3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Πυκνωτές με μία από τις ακόλουθες ομάδες χαρακτηριστικών:
a.
Ονομαστική τάση μεγαλύτερη από 1,4 kV,
b.
Αποθήκευση ενέργειας μεγαλύτερη από 10 J,
c.
γ.
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
Χωρητικότητα άνω των 0,5 μF, και
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated 'AM0' illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
δ. Αυτεπαγωγή σειράς μικρότερη από 50 nH, ή
'AM0', or 'Air Mass Zero', refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Ονομαστική τάση μεγαλύτερη από 750 V,
Rotary input type absolute position encoders having an "accuracy" equal to or less (better) than 1,0 second of arc and specially designed encoder rings, discs or scales therefor;
Χωρητικότητα άνω των 0,25 μF, και
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and 'thyristor modules', using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
γ.
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
Αυτεπαγωγή σειράς μικρότερη από 10 nH,
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
Υπεραγώγιμοι σωληνοειδείς ηλεκτρομαγνήτες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
Ικανότητα να δημιουργούν μαγνητικά πεδία άνω των 2 T,
b.
Λόγο μήκους προς εσωτερική διάμετρο μεγαλύτερο από 2,
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
Εσωτερική διάμετρο πάνω από 300 mm, και
3A001.g. includes:
Ομοιογένεια μαγνητικού πεδίου καλύτερη από 1 % όταν μετριέται στο κεντρικό 50 % του εσωτερικού όγκου.
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Στο σημείο 3Α201.β δεν ελέγχονται μαγνήτες που έχουν ειδικά σχεδιαστεί και εξάγονται "ως μέρος" ιατρικών συστημάτων απεικόνισης που βασίζονται σε πυρηνικό μαγνητικό συντονισμό (nuclear magnetic resonance).
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
Η φράση "ως μέρος" δεν σημαίνει κατ’ ανάγκη ότι αποτελεί υλικό τμήμα της ίδιας αποστολής.
Light Triggering Thyristors (LTTs)
Επιτρέπονται ξεχωριστές αποστολές από διαφορετικές πηγές υπό τον όρο ότι τα σχετικά εξαγωγικά έγγραφα καθορίζουν σαφώς ότι οι αποστολές διακινούνται "ως μέρος" των συστημάτων απεικόνισης.
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
γ.
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
Γεννήτριες ακτίνων Χ στιγμιαίας λειτουργίας ή παλμικοί επιταχυντές ηλεκτρονίων με ένα από τα ακόλουθα σύνολα χαρακτηριστικών:
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
α.
Solidtrons
Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 500 keV και άνω, αλλά κάτω των 25 MeV, και
3A001.g. does not control thyristor devices and 'thyristor modules' incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
β. με "συντελεστή κέρδους" (Κ) 0,25 ή παραπάνω, ή
For the purposes of 3A001.g., a 'thyristor module' contains one or more thyristor devices.
Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 25 MeV και άνω, και
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or 'modules', having all of the following:
β.
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
"Ανώτατη ισχύ" μεγαλύτερη από 50 MW.
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
Το σημείο 3Α201.γ δεν καλύπτει τους επιταχυντές που αποτελούν δομικά στοιχεία συσκευών που έχουν σχεδιαστεί για σκοπούς άλλους εκτός από την ακτινοβολία με ακτίνες Χ ή με ηλεκτρονική δέσμη (για παράδειγμα ηλεκτρονικά μικροσκόπια), καθώς και συσκευών που έχουν σχεδιαστεί για ιατρικούς σκοπούς.
Continuous current greater than 1 A.
Ο "συντελεστής κέρδους" Κ ορίζεται ως εξής:
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
K = 1,7 × 103V2,65Q
3A001.h. includes:
όπου V είναι η ανώτατη ενέργεια των ηλεκτρονίων σε MeV.
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
Q είναι το συνολικό φορτίο σε Coulomb που έχει επιταχυνθεί, αν η διάρκεια της παλμικής δέσμης του επιταχυντή είναι μικρότερη από ή ίση προς 1 μs.
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
Αν η διάρκεια της παλμικής δέσμης του επιταχυντή είναι μεγαλύτερη από 1 μs, τότε το Q είναι το μέγιστο φορτίο που επιταχύνεται σε 1 μs.
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs)
Το Q είναι ίσο με το ολοκλήρωμα του i ως προς το t επί το μικρότερο από τους δύο χρόνους, δηλαδή 1 μικροδευτερόλεπτο ή την διάρκεια σε χρόνο της παλμικής δέσμης (Q = ò idt), όπου i είναι το ρεύμα της δέσμης σε αμπέρ και t είναι ο χρόνος σε δευτερόλεπτα
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
"Ανώτατη ισχύς" είναι το γινόμενο του μέγιστου δυναμικού (σε βολτ) επί το μέγιστο ρεύμα δέσμης (σε αμπέρ).
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Στις μηχανές που βασίζονται σε κοιλότητες επιτάχυνσης μικροκυμάτων, ο χρόνος διάρκειας της παλμικής δέσμης είναι η μικρότερη τιμή, δηλαδή ή 1 μs, ή η διάρκεια του συμπιεσμένου πακέτου δέσμης που προκύπτει από έναν παλμό μικροκυματικού διαμορφωτή, αν αυτή είναι μικρότερη από 1 μs.
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
Στις μηχανές που βασίζονται σε κοιλότητες επιτάχυνσης μικροκυμάτων το μέγιστο ρεύμα δέσμης ισούται με το μέσο ρεύμα κατά τη διάρκεια σε χρόνο ενός συμπιεσμένου πακέτου δέσμης.
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
Μετατροπείς συχνότητας ή γεννήτριες, εκτός από τις συσκευές που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.β.13., που δύνανται να χρησιμοποιηθούν ως κινητήρες μετάδοσης μεταβλητής ή σταθερής συχνότητας και που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Το «λογισμικό» που είναι ειδικά σχεδιασμένο για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225 προσδιορίζεται στο σημείο 3D225.
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
Η «τεχνολογία» υπό τη μορφή κωδικών ή κλειδών για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων, ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225 προσδιορίζεται στο σημείο 3E225.
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
α.
PiN Diodes
Πολυφασική έξοδο που αποδίδει ισχύ 40 VA ή μεγαλύτερη,
Schottky Diodes
β.
3A001.h. does not control switches, diodes, or 'modules', incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
Λειτουργία σε συχνότητα 600 Hz και άνω, και
For the purposes of 3A001.h., 'modules' contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
γ.
General purpose "electronic assemblies", modules and equipment, as follows:
Έλεγχο συχνότητας καλύτερο (χαμηλότερο) από 0,2 %.
a.
Στο σημείο 3A225 δεν ελέγχονται οι μετατροπείς ή γεννήτριες συχνοτήτων αν έχουν περιορισμούς υλισμικού, «λογισμικού» ή «τεχνολογίας» που περιορίζουν τις επιδόσεις σε επίπεδο κατώτερο του ως άνω προσδιοριζόμενου, υπό την προϋπόθεση ότι πληρούν τα εξής:
Recording equipment and oscilloscopes as follows:
Χρειάζεται να επιστραφούν στον αρχικό κατασκευαστή για τη διενέργεια βελτιώσεων ή την αποδέσμευση των περιορισμών,
Digital data recorders having all of the following:
Απαιτούν το «λογισμικό» που προσδιορίζεται στο σημείο 3D225 για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A203, ή
a.
Απαιτούν την «τεχνολογία» υπό τη μορφή κλειδών ή κωδικών που προσδιορίζονται στο σημείο 3E225 για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225.
A sustained 'continuous throughput' of more than 6,4 Gbit/s to disk or solid-state drive memory; and
Οι κατά το σημείο 3Α225 μετατροπείς συχνότητας είναι γνωστοί και ως μεταλλάκτες ή inverters.
b.
Οι μετατροπείς συχνότητας του σημείου 3A225 δύνανται να κυκλοφορούν στην αγορά ως γεννήτριες, εξοπλισμός ηλεκτρονικών δοκιμών, τροφοδοτικά AC, κινητήρες μετάδοσης μεταβλητής ταχύτητας, συστήματα μετάδοσης μεταβλητής ταχύτητας (VSD), συστήματα μετάδοσης μεταβλητής συχνότητας (VFD), συστήματα μετάδοσης ρυθμιζόμενης συχνότητας (AFD), ή συστήματα μετάδοσης ρυθμιζόμενης ταχύτητας (ASD).
A processor that performs analysis of radio frequency signal data while it is being recorded;
Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής ισχύος, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.6., που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
For recorders with a parallel bus architecture, the 'continuous throughput' rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
α. μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 100 V ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 500 Α ή παραπάνω, και
'Continuous throughput' is the fastest data rate the instrument can record to disk or solid-state drive memory without the loss of any information while sustaining the input digital data rate or digitizer conversion rate.
β. εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών.
Real-time oscilloscopes having a vertical root-mean-square (rms) noise voltage of less than 2 % of full-scale at the vertical scale setting that provides the lowest noise value for any input 3dB bandwidth of 60 GHz or greater per channel;
Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής τάσης, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.5, που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
3A002.a.7. does not control equivalent-time sampling oscilloscopes.
α. μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 20 kV ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 1 Α ή παραπάνω, και
c.
Συσκευές μεταγωγής ως εξής:
"Signal analysers" as follows:
α.
"Signal analysers" having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz;
Λυχνίες ψυχρής καθόδου, είτε γεμισμένες με αέριο είτε όχι, που λειτουργούν παρόμοια με διάκενο σπινθηρισμού και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
"Signal analysers" having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than -150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Περιέχουν τρία ή περισσότερα ηλεκτρόδια
"Signal analysers" having a frequency exceeding 90 GHz;
Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου 2,5 kV ή παραπάνω,
"Signal analysers" having all of the following:
Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 100 Α ή παραπάνω, και
a.
Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 10 μs ή λιγότερο.
"Real-time bandwidth" exceeding 170 MHz; and
β.
Having any of the following;
Διάκενα σπινθηρισμού με σύστημα έναυσης που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
100 % probability of discovery with less than a 3 dB reduction from full amplitude due to gaps or windowing effects of signals having a duration of 15 μs or less; or
Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 15 μs ή λιγότερο, και
A "frequency mask trigger" function with 100 % probability of trigger (capture) for signals having a duration of 15 μs or less;
Ονομαστική ανώτατη τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω.
Probability of discovery in 3A002.c.4.b.1. is also referred to as probability of intercept or probability of capture.
γ.
For the purposes of 3A002.c.4.b.1., the duration for 100 % probability of discovery is equivalent to the minimum signal duration necessary for the specified level measurement uncertainty.
Μονάδες ή συναρμολογήσεις με ταχεία λειτουργία μεταγωγής, πλην των προσδιοριζόμενων στο σημείο 3Α001.ζ ή 3A001.η, που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
3A002.c.4. does not control those "signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου άνω των 2 kV,
d.
Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω, και
Signal generators having any of the following:
Χρόνο ενεργοποίησης 1 μs ή λιγότερο.
Specified to generate pulse-modulated signals having all of the following, anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz:
Γεννήτριες παλμών υψηλού ρεύματος, ως εξής:
a.
α.
'Pulse duration' of less than 25 ns; and