natgillin/translations-raw huggingface dataset:
α.
A resolution of 12 bit or more with an 'adjusted update rate' of equal to or greater than 1250 MSPS and having any of the following:
Χρόνο ενεργοποίησης από σβηστό σε πλήρη λειτουργία κάτω των 10 δευτερολέπτων,
a.
β.
A settling time less than 9 ns to 0,024 % of full scale from a full scale step; or
Όγκο μικρότερο από το γινόμενο της μέγιστης ονομαστικής ισχύος σε Watts επί 10 cm3/W, και
b.
γ.
A 'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
«Στιγμιαίο εύρος ζώνης» άνω της μιας οκτάβας (fmax > 2fmin) και με οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
Για συχνότητες μέχρι και 18 GHz, ισχύ εξόδου ραδιοσυχνότητας άνω των 100 W, ή
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
Συχνότητα άνω των 18 GHz.
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than – 3 dBfs (full scale).
Ιδού ένα παράδειγμα υπολογισμού του όγκου στο σημείο 3A001.β.9.β: αν η μέγιστη ονομαστική ισχύς είναι 20 W, ο όγκος πρέπει να είναι: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
'Adjusted update rate' for DACs:
Στο σημείο 3A001.β.9.α, ο χρόνος ενεργοποίησης σημαίνει το διάστημα που χρειάζεται η μονάδα από τελείως σβηστή να τεθεί σε πλήρη λειτουργία, περιλαμβάνει δηλαδή και τον χρόνο προθέρμανσης.
For conventional (non-interpolating) DACs, the 'adjusted update rate' is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
Ταλαντωτές ή συγκροτήματα ταλαντωτών, προσδιορισμένοι να λειτουργούν με θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, λιγότερο (καλύτερο) από -(126 + 20log10F - 20log10f) οπουδήποτε σε εύρος 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz.
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
Στο 3Α001.β.10., F είναι η απόκλιση από τη συχνότητα λειτουργίας σε Hz και f είναι η συχνότητα λειτουργίας σε MHz.
For interpolating DACs (oversampling DACs), the 'adjusted update rate' is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
«Ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις» για «γεννήτριες σύνθεσης συχνοτήτων» που έχουν «χρόνο μεταγωγής συχνότητας» προσδιοριζόμενο από οποιοδήποτε από τα εξής:
For interpolating DACs, the 'adjusted update rate' may be referred to by different terms including:
α. κάτω των 156 ps,
input data rate
β. κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 1,6 GHz εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων από 4,8 GHz μέχρι και 10,6 GHz,
input word rate
γ. κάτω των 250 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων από 10,6 GHz μέχρι και 31,8 GHz,
input sample rate
δ. κάτω των 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων από 31,8 GHz μέχρι και 43,5 GHz,
maximum total input bus rate
ε. κάτω του 1 ms για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 43,5 GHz έως και 56 GHz,
maximum DAC clock rate for DAC clock input.
στ. κάτω του 1 ms για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 56 GHz έως και 90 GHz, ή
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
ζ. κάτω του 1 ms εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων άνω των 90 GHz.
a.
Για γενικής χρήσης «αναλυτές σήματος», γεννήτριες σήματος, αναλυτές δικτύου και δοκιμαστικούς μικροκυματικούς δέκτες βλ. αντιστοίχως σημεία 3A002.γ., 3A002.δ., 3A002.ε. και 3A002.στ.
One or more than one internal "laser" diode;
Συσκευές ακουστικών κυμάτων, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τις συσκευές αυτές ως εξής:
One or more than one internal light detecting element; and
Συσκευές επιφανειακών ακουστικών κυμάτων και συσκευές surface skimming (shallow bulk) ακουστικών κυμάτων και οι οποίες έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
c.
α.
Optical waveguides;
Φέρουσα συχνότητα άνω των 6 GHz,
'Field programmable logic devices' having any of the following:
Φέρουσα συχνότητα άνω του 1 GHz αλλά όχι άνω των 6 GHz και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
A maximum number of single-ended digital input/outputs of greater than 700; or
«Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας» που ξεπερνάει τα 65 dB,
b.
Γινόμενο του μέγιστου χρόνου καθυστέρησης και του εύρους ζώνης (ο χρόνος σε μs και το εύρος ζώνης σε ΜΗz) ανώτερο του 100,
An 'aggregate one-way peak serial transceiver data rate' of 500 Gb/s or greater;
Εύρος ζώνης άνω των 250 MHz, ή
a.7. includes:
Καθυστέρηση με διασπορά (dispersive delay) άνω των 10 μs, ή
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
γ.
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
Συχνότητα φέροντος 1 GHz ή λιγότερο, και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
«Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας» που ξεπερνάει τα 65 dB και εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 100MHz.
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
Η «απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας» είναι η μέγιστη τιμή απόρριψης που προσδιορίζεται στα δελτία δεδομένων.
Field Programmable Interconnects (FPICs)
Συσκευές ακουστικών κυμάτων όγκου που επιτρέπουν την κατευθείαν επεξεργασία σημάτων σε συχνότητες άνω των 6 GHz.
Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
Ακουστικο-οπτικές συσκευές «επεξεργασίας σημάτων» που βασίζονται στην αλληλεπίδραση μεταξύ ακουστικών κυμάτων (κυμάτων όγκου ή κυμάτων επιφανείας) και κυμάτων φωτός και οι οποίες επιτρέπουν την άμεση επεξεργασία σημάτων ή εικόνων.
'Aggregate one-way peak serial transceiver data rate' is the product of the peak serial one-way transceiver data rate times the number of transceivers on the FPGA.
Περιλαμβάνουν φασματική ανάλυση, συσχέτιση ή συνέλιξη.
Neural network integrated circuits;
Στο σημείο 3Α001.γ. δεν ελέγχονται οι συσκευές ακουστικών κυμάτων που περιορίζονται σε μονοπερατό, χαμηλοπερατό, υψηλοπερατό ή στενό ζωνοφρακτικό φίλτρο, ή λειτουργία συντονισμού.
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
δ. Ηλεκτρονικές συσκευές και κυκλώματα που περιέχουν δομικά στοιχεία κατασκευασμένα από «υπεραγώγιμα» υλικά και ειδικά σχεδιασμένα για λειτουργία σε θερμοκρασίες κάτω από την «κρίσιμη θερμοκρασία» τουλάχιστον ενός από τα «υπεραγώγιμα» συστατικά υλικά και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
a.
Μεταγωγή ρεύματος για ψηφιακά κυκλώματα όπου χρησιμοποιούνται «υπεραγώγιμες» πύλες με γινόμενο μεταξύ του χρόνου καθυστέρησης ανά πύλη (που εκφράζεται σε δευτερόλεπτα) και της κατανάλωσης ισχύος ανά πύλη (που εκφράζεται σε W) λιγότερο από 10-14 J, ή
More than 1500 terminals;
Επιλογή συχνοτήτων σε όλες τις συχνότητες με τη χρήση συντονισμένων κυκλωμάτων με τιμές Q άνω των 10000‚
b.
ε.
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,02 ns; or
Συσκευές υψηλής ενέργειας, ως εξής:
c.
«Ηλεκτρικά στοιχεία» ως εξής:
An operating frequency exceeding 3 GHz;
α.
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
«Πρωτογενή στοιχεία» με «ενεργειακή πυκνότητα» άνω των 550 Wh/kg στους 20 °C,
a.
β.
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
«Δευτερογενή στοιχεία» με «ενεργειακή πυκνότητα» άνω των 300 Wh/kg στους 20 °C.
b.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1, η «ενεργειακή πυκνότητα» (Wh/kg) υπολογίζεται ως το γινόμενο της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί την ονομαστική χωρητικότητα σε αμπερώρια (Ah) διά τη μάζα σε χιλιόγραμμα.
A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
Αν δεν δηλώνεται η ονομαστική χωρητικότητα, η ενεργειακή πυκνότητα υπολογίζεται ως το γινόμενο του τετραγώνου της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί τη διάρκεια εκφόρτισης σε ώρες διαιρούμενο με το φορτίο εκφόρτισης σε ωμ και με τη μάζα σε χιλιόγραμμα.
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N) /20480 ms, where N is the number of points;
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1, ως «ηλεκτρικό στοιχείο» νοείται κάθε ηλεκτροχημική διάταξη που διαθέτει θετικό και αρνητικό ηλεκτρόδιο και ηλεκτρολύτη και αποτελεί πηγή ηλεκτρικής ενέργειας.
When N is equal to 1,024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 μs.
Τα ηλεκτρικά στοιχεία αποτελούν τις βασικές μονάδες από τις οποίες συντίθενται οι ηλεκτρικές στήλες.
Direct Digital Synthesizer (DDS) integrated circuits having any of the following:
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.α, ως «πρωτογενές ηλεκτρικό στοιχείο» νοείται κάθε «ηλεκτρικό στοιχείο» που δεν είναι σχεδιασμένο για να φορτίζεται από άλλη πηγή.
a.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.β, ως «δευτερογενές ηλεκτρικό στοιχείο» νοείται κάθε «ηλεκτρικό στοιχείο» σχεδιαζόμενο ώστε να φορτίζεται από εξωτερική πηγή ηλεκτρισμού.
A Digital-to-Analogue Converter (DAC) clock frequency of 3,5 GHz or more and a DAC resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit; or
Στο σημείο 3Α001.ε.1. δεν ελέγχονται οι μπαταρίες, έστω και αν αποτελούνται από ένα μόνο ηλεκτρικό στοιχείο.
b.
Πυκνωτές με υψηλή ενεργειακή χωρητικότητα ως εξής:
A DAC clock frequency of 1,25 GHz or more and a DAC resolution of 12 bit or more;
ΣΗΜ:
The DAC clock frequency may be specified as the master clock frequency or the input clock frequency
ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΤΟ ΣΗΜΕΙΟ 3A201.α και τους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων.
b.
α.
Microwave or millimetre wave components, as follows:
Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης κάτω από 10 Hz (πυκνωτές μιας κρούσης) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
For purposes of 3A001.b., the parameter peak saturated power output may also be referred to on product data sheets as output power, saturated power output, maximum power output, peak power output, or peak envelope power output.
Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη των 5 kV,
Electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:
Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη των 250 J/kg. και
b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη των 25 kJ.
Does not exceed 31,8 GHz; and
β.
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης 10 Hz ή παραπάνω (επαναληπτικοί πυκνωτές) και με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
b.1. does not control non-"space-qualified" tubes having all of the following:
Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη των 50 J/kg.
An average output power equal to or less than 50 W; and
Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη των 100 J. και
Designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Κύκλο ζωής για φόρτιση και εκφόρτιση ίσο ή ανώτερο των 10000.
Exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
«Υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή που έχουν σχεδιαστεί ειδικά ώστε να φορτίζονται πλήρως, ή να εκφορτίζονται, σε λιγότερο από ένα δευτερόλεπτο με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
a.
ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α201.β.
Travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
Στο σημείο 3Α001.ε.3 δεν ελέγχονται «υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή που έχουν κατασκευασθεί ειδικά για ιατρικό εξοπλισμό απεικόνισης με τη βοήθεια Μαγνητικού Συντονισμού (Magnetic Resonance Imaging).
Tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
α.
Tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
Ενέργεια που αποδίδεται κατά τη διάρκεια της εκφόρτισης η οποία υπερβαίνει τα 10 kJ το πρώτο δευτερόλεπτο,
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
β.
Helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
Εσωτερική διάμετρο των ρευματοφόρων περιελίξεων ανώτερη των 250 mm, και
a.
γ.
An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
Ονομαστική μαγνητική επαγωγή άνω των 8 Τ ή «συνολική πυκνότητα ρεύματος» στις περιελίξεις που είναι ανώτερη των 300 A/mm2.
b.
Φωτοβολταϊκά στοιχεία, συναρμολογήματα υαλοκαλυπτρών διασυνδεδεμένων στοιχείων (CIC), φωτοβολταϊκοί επίπεδοι συλλέκτες και φωτοβολταϊκές συστοιχίες, «κατάλληλα για διαστημική χρήση», με ελάχιστη μέση απόδοση άνω του 20 % σε θερμοκρασία λειτουργίας 301 K (28 °C) υπό προσομοιωμένο φωτισμό μηδενικής μάζας αέρα «AM0», με πυκνότητα ακτινοβολίας 1367 watts ανά τετραγωνικό μέτρο (W/m2),
An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
Ο όρος «μηδενικής μάζας αέρα» (AM0) αναφέρεται στη φασματική πυκνότητα ακτινοβολίας του ηλιακού φωτός στην εξώτερη ατμόσφαιρα της γης, όταν η απόσταση γης-ηλίου είναι μία αστρονομική μονάδα (ΑU). στ.
c.
Περιστροφικοί κωδικοποιητές τιμής απόλυτης θέσης τύπου εισόδου που έχουν ακρίβεια ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από ± 1,0 δευτερόλεπτο τόξου.
Being "space-qualified";
Συσκευές και «μονάδες» στερεάς κατάστασης με θυρίστορες για την παλμική μεταγωγή ηλεκτρισμού, που χρησιμοποιούν μεθόδους μεταγωγής ελεγχόμενες είτε ηλεκτρικώς, είτε οπτικώς, είτε με ακτινοβολία ηλεκτρονίων και έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
Crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 30000 A/μs και τάση σε κατάσταση σβηστή άνω των 1100 V, ή
c.
Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 2000 A/μs και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
α.
Microwave "Monolithic Integrated Circuits" (MMIC) power amplifiers that are any of the following:
Ανώτατη τάση σε κατάσταση σβηστή τουλάχιστον 3000 V, και
a.
β.
Rated for operation at frequencies exceeding 2,7 GHz up to and including 6,8 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 15 %, and having any of the following:
Ρεύμα αιχμής τουλάχιστον 3000 A.
A peak saturated power output greater than 75 W (48,75 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
Στο σημείο 3Α001.ζ. περιλαμβάνονται τα ακόλουθα:
A peak saturated power output greater than 55 W (47,4 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
Silicon Controlled Rectifiers (SCR)
A peak saturated power output greater than 40 W (46 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
Electrical Triggering Thyristors (ETT)
A peak saturated power output greater than 20 W (43 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
Light Triggering Thyristors (LTT)
b.
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCT)
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 16 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 10 %, and having any of the following:
Gate Turn-off Thyristors (GTO)
A peak saturated power output greater than 10 W (40 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz; or
MOS Controlled Thyristors (MCT)
A peak saturated power output greater than 5 W (37 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 16 GHz;
Solidtron.
c.
Στο σημείο 3A001.ζ δεν ελέγχονται οι συσκευές και «μονάδες με θυρίστορες» οι ενσωματωμένες σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικούς σιδηροδρόμους και «πολιτικά αεροσκάφη».
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 3 W (34,77 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ζ, οι «μονάδες με θυρίστορες» περιέχουν μία ή περισσότερες συσκευές με θυρίστορες.
d.
η. Διακόπτες, δίοδοι ή «μονάδες» ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης, που έχουν όλα τα ακόλουθα:
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (-70 dBm) at any frequency exceeding 31,8 GHz up to and including 37 GHz;
Ονομαστική λειτουργία σε μέγιστη λειτουργική θερμοκρασία άνω των 488 K (215 °C),
e.
Επαναληπτική ανώτατη τάση αιχμής σε κατάσταση σβηστή (τάση εμπλοκής) που υπερβαίνει τα 300 V, και
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 1 W (30 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Συνεχή ροή μεγαλύτερη από 1 Α.
f.
Η επαναληπτική ανώτατη τάση σε κατάσταση σβηστή στο 3Α001.η. περιλαμβάνει τάση από drain προς πηγή, τάση από συλλέκτη προς εκπομπό, επαναληπτική ανώτατη αντίστροφη τάση και ανώτατη επαναληπτική τάση εμπλοκής σε κατάσταση σβηστή.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 31,62 mW (15 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz up to and including 75 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Στο σημείο 3Α001.η. περιλαμβάνονται τα ακόλουθα:
g.
Junction Field Effect Transistors (JFET)
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 10 mW (10 dBm) at any frequency exceeding 75 GHz up to and including 90 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 5 %; or
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFET)
h.
Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFET)
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (-70 dBm) at any frequency exceeding 90 GHz;
High Electron Mobility Transistors (HEMT)
Not used.
Bipolar Junction Transistors (BJT)
The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.h., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCR)
Notes 1 and 2 in 3A mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
Gate Turn-Off Thyristors (GTO)
Discrete microwave transistors that are any of the following:
Emitter Turn-Off Thyristors (ETO)
a.
Στο σημείο 3A001.η. δεν ελέγχονται διακόπτες, δίοδοι ή «μονάδες» που ενσωματώνονται σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικούς σιδηροδρόμους και «πολιτικά αεροσκάφη».
Rated for operation at frequencies exceeding 2,7 GHz up to and including 6,8 GHz and having any of the following:
Για τους σκοπούς του σημείου 3Α001.η., οι «μονάδες» περιέχουν έναν ή περισσότερους διακόπτες ή διόδους ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης.
A peak saturated power output greater than 400 W (56 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
Ηλεκτρονικός εξοπλισμός γενικής χρήσης ως εξής:
A peak saturated power output greater than 205 W (53,12 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
α.
A peak saturated power output greater than 115 W (50,61 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
Εξοπλισμός καταγραφής και παλμογράφοι ως εξής:
A peak saturated power output greater than 60 W (47,78 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
Μετατροπείς κυματομορφών σε ψηφιακή μορφή και καταγραφείς μεταβατικών φαινομένων, που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
b.
α.
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz and having any of the following:
Ρυθμό ψηφιακής μετατροπής τουλάχιστον 200 εκατ. δείγματα ανά δευτερόλεπτο και διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit,
A peak saturated power output greater than 50 W (47 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz;
β.
A peak saturated power output greater than 15 W (41,76 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 12 GHz;
«Συνεχή διεκπεραίωση» τουλάχιστον 2 Gbit/s. και
A peak saturated power output greater than 40 W (46 dBm) at any frequency exceeding 12 GHz up to and including 16 GHz; or
γ.
A peak saturated power output greater than 7 W (38,45 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz;
Ανάκτηση κατόπιν ενεργοποίησης μεταβατικών ή απεριοδικών σημάτων
c.
Για όργανα με αρτηρία (bus) παράλληλης αρχιτεκτονικής, ο ρυθμός «συνεχούς διεκπεραίωσης» είναι ο υψηλότερος ρυθμός λέξεων πολλαπλασιασμένος επί τον αριθμό bits σε μια λέξη.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,5 W (27 dBm) at any frequency exceeding 31,8 GHz up to and including 37 GHz;
«Συνεχής διεκπεραίωση» είναι ο ταχύτερος ρυθμός δεδομένων τον οποίο το όργανο μπορεί να προωθήσει στην εκροή προς τη μαζική μνήμη, χωρίς απώλεια πληροφοριών, διατηρώντας παράλληλα τον ρυθμό δειγματοληψίας και τη μετατροπή αναλογικού προς ψηφιακό.
d.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.a.5.γ., η απόκτηση μπορεί να ενεργοποιηθεί εσωτερικά ή εξωτερικά.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 1 W (30 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz;
Συστήματα καταγραφής δεδομένων με ψηφιακά όργανα που χρησιμοποιούν τεχνικές αποθήκευσης με μαγνητικούς δίσκους και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά και ειδικά σχεδιασμένοι ψηφιακοί καταγραφείς για αυτά:
e.
α.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (-70 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz;
Ρυθμό ψηφιοποιημένων δεδομένων οργάνων τουλάχιστον 100 εκατ. δείγματα ανά δευτερόλεπτο με διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit, και
The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
β.
b.3. includes bare dice, dice mounted on carriers, or dice mounted in packages.
«Συνεχή διεκπεραίωση» τουλάχιστον 1 Gbit/s.
Some discrete transistors may also be referred to as power amplifiers, but the status of these discrete transistors is determined by 3A001.b.3.
Τα συστήματα καταγραφής δεδομένων με ψηφιακά όργανα μπορούν να διαμορφωθούν με ψηφιοποιητή είτε ενσωματωμένο εσωτερικά είτε εκτός του ψηφιακού καταγραφέα.
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers, that are any of the following:
Παλμογράφοι πραγματικού χρόνου που έχουν πραγματική τιμή (rms) τάσης θορύβου μικρότερη από 2 % της πλήρους κλίμακας στην κάθετη κλίμακα που ορίζει την ελάχιστη τιμή θορύβου για κάθε εύρος ζώνης εισόδου 3dB των 60 GHz και άνω ανά δίαυλο,
A peak saturated power output greater than 500 W (57 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
Στο σημείο 3A002.α.7. δεν ελέγχονται οι παλμογράφοι δειγματοληψίας ισοδύναμου χρόνου.
A peak saturated power output greater than 270 W (54,3 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
γ.
A peak saturated power output greater than 200 W (53 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» ως εξής:
A peak saturated power output greater than 90 W (49,54 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με διακριτική ικανότητα εύρους ζώνης (RBW) 3 dB άνω των 10 MHz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 31,8 GHz αλλά όχι άνω των 37 GHz,
b.
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με αναγραφόμενη μέση στάθμη θορύβου (DANL) κάτω των (καλύτερη από) -150dBm/Hz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz αλλά όχι άνω των 90 GHz,
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 10 %, and having any of the following:
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με συχνότητα άνω των 90 GHz,
A peak saturated power output greater than 70 W (48,54 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz;
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A peak saturated power output greater than 50 W (47 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 12 GHz;