natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Ηλεκτρονικές μονάδες συντονισμού, συγκροτήματα δρομέα που αποτελούνται από στροβίλους, κάτοπτρα και έδρανα ειδικά σχεδιασμένα για μηχανές λήψης που ορίζονται στο σημείο 6A203.α.1.,
Average or CW output power less than 20 W.
β.
Output wavelength of 600 nm or more but not exceeding 1400 nm, and any of the following:
Μηχανές αποτύπωσης εικόνων και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη τους, ως εξής:
a.
Μηχανές μηχανικής αποτύπωσης εικόνων με ταχύτητες λήψης μεγαλύτερες των 225000 εικόνων ανά δευτερόλεπτο·
Output energy exceeding 1 J per pulse and "peak power" exceeding 20 W; or
Μηχανές αποτύπωσης εικόνων ικανές για διάρκεια ανοικτού πετάσματος το πολύ 50 ns,
b.
Λυχνίες αποτύπωσης εικόνων και συσκευές απεικόνισης στερεάς κατάστασης με χρόνους διόδου από την πύλη ταχέως λαμβανόμενων εικόνων ίσους ή μικρότερους από 50 ns, ειδικά σχεδιασμένες για τις μηχανές λήψης που ορίζονται στο σημείο 6Α203.β.1. ή 6Α203.β.2.,
Average or CW output power exceeding 20 W; or
Ηλεκτρονικά συγκροτήματα ειδικά σχεδιασμένα για χρήση με μηχανές αποτύπωσης εικόνων που διαθέτουν σπονδυλωτές δομές και επιτρέπουν την εκπλήρωση των προδιαγραφών επιδόσεων που ορίζονται στο σημείο 6A203.β.1 ή 6A203.β.2.,
Output wavelength exceeding 1400 nm and any of the following:
Ηλεκτρονικές μονάδες συντονισμού, συγκροτήματα δρομέα που αποτελούνται από στροβίλους, κάτοπτρα και έδρανα ειδικά σχεδιασμένα για μηχανές λήψης που ορίζονται στο σημείο 6A203.β.1. ή 6A203.β.2.,
d.
Στο σημείο 6A203.β., οι υψηλής ταχύτητας μηχανές λήψης μεμονωμένης εικόνας μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την παραγωγή μιας μεμονωμένης εικόνας ενός δυναμικού γεγονότος, ή μπορούν να συνδυαστούν αρκετές τέτοιες μηχανές λήψης σε ένα σύστημα ενεργοποιούμενο κατ’ αλληλουχία για την παραγωγή πολλαπλών εικόνων ενός γεγονότος.
Other "lasers", not specified in 6A005.a., 6A005.b. or 6A005.c. as follows:
γ.
Semiconductor "lasers" as follows:
Μηχανές λήψης στερεάς κατάστασης ή λυχνίας ηλεκτρονίων και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη τους, ως εξής:
d.1. includes semiconductor "lasers" having optical output connectors (e.g., fibre optic pigtails).
Μηχανές λήψης στερεάς κατάστασης ή λυχνίας ηλεκτρονίων με χρόνους διόδου από την πύλη ταχέως λαμβανόμενων εικόνων ίσους ή μικρότερους από 50 ns,
The control status of semiconductor "lasers" specially designed for other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Συσκευές απεικόνισης στερεάς κατάστασης και λυχνίες προβολής εντονότερων εικόνων με χρόνους διόδου από την πύλη ταχέως λαμβανόμενων εικόνων ίσους ή μικρότερους από 50 ns, ειδικά σχεδιασμένες για τις μηχανές λήψης που ορίζονται στο σημείο 6A203.γ.1.,
a.
Συσκευές ηλεκτροοπτικού διαφράγματος (κυψέλες Kerr ή Pockels) με χρόνους διόδου από την πύλη ταχέως λαμβανόμενων εικόνων ίσους ή μικρότερους από 50 ns,
Individual single-transverse mode semiconductor "lasers" having any of the following:
Ηλεκτρονικά συγκροτήματα ειδικά σχεδιασμένα για χρήση με μηχανές που διαθέτουν σπονδυλωτές δομές και επιτρέπουν την εκπλήρωση των προδιαγραφών επιδόσεων που ορίζονται στο σημείο 6A203.γ.1.
Wavelength equal to or less than 1510 nm and average or CW output power, exceeding 1,5 W; or
δ. Μηχανές τηλεοπτικής λήψης ανθεκτικές στις ακτινοβολίες ειδικά σχεδιασμένες ή βαθμολογημένες για να αντέχουν ολική δόση ακτινοβολίας μεγαλύτερη από 50 × 103 Gy(πυρίτιο) [5 × 106 rad (πυρίτιο)] χωρίς υποβάθμιση της λειτουργίας.
Wavelength greater than 1510 nm and average or CW output power, exceeding 500 mW;
«Λέιζερ», ενισχυτές και ταλαντωτές με «λέιζερ», άλλα από εκείνα που καθορίζονται στα σημεία 0Β001.ζ.5., 0Β001.η.6. και 6Α005, ως εξής:
b.
Για λέιζερ ατμών χαλκού βλέπε 6A005.β.
Individual, multiple-transverse mode semiconductor "lasers" having any of the following:
α.
Wavelength of less than 1400 nm and average or CW output power, exceeding 15 W;
«Λέιζερ» ιόντων αργού με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Wavelength equal to or greater than 1400 nm and less than 1900 nm and average or CW output power, exceeding 2,5 W; or
Λειτουργία σε μήκος κύματος μεταξύ 400 nm και 515 nm, και
Wavelength equal to or greater than 1900 nm and average or CW output power, exceeding 1 W;
Μέση ισχύ εξόδου ανώτερη από 40 W,
c.
β.
Individual semiconductor "laser" 'bars', having any of the following:
Συντονίσιμοι παλμικοί μονότροποι ταλαντωτές λέιζερ χρωστικής ουσίας με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Wavelength of less than 1400 nm and average or CW output power, exceeding 100 W;
Λειτουργία σε μήκος κύματος μεταξύ 300 nm και 800 nm,
Wavelength equal to or greater than 1400 nm and less than 1900 nm and average or CW output power, exceeding 25 W; or
Μέση ισχύ εξόδου ανώτερη από 1 W,
Wavelength equal to or greater than 1900 nm and average or CW output power, exceeding 10 W;
Ρυθμό επανάληψης μεγαλύτερο των 1 kHz, και
d.
Πλάτος παλμού μικρότερο από 100 ns.
Semiconductor "laser" 'stacked arrays' (two-dimensional arrays) having any of the following:
γ.
Wavelength less than 1400 nm and having any of the following:
Συντονίσιμοι ενισχυτές και ταλαντωτές παλμικού λέιζερ χρωστικής ουσίας με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
a.
Μέση ισχύ εξόδου ανώτερη από 30 W,
Average or CW total output power less than 3 kW and having average or CW output 'power density' greater than 500 W/cm2;
Στο σημείο 6A205.γ. δεν υπάγονται οι μονότροποι ταλαντωτές.
b.
δ. Παλμικά «λέιζερ» διοξειδίου του άνθρακα με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Average or CW total output power equal to or exceeding 3 kW but less than or equal to 5 kW, and having average or CW output 'power density' greater than 350 W/cm2;
Λειτουργία σε μήκος κύματος μεταξύ 9000 nm και 11000 nm,
c.
Ρυθμό επανάληψης μεγαλύτερο των 250 kHz,
Average or CW total output power exceeding 5 kW;
Μέση ισχύ εξόδου ανώτερη από 500 W, και
d.
Πλάτος παλμού μικρότερο από 200 ns.
Peak pulsed 'power density' exceeding 2500 W/cm2; or
Μετατοπιστές παρα-υδρογόνου κατά Raman, σχεδιασμένοι να λειτουργούν σε μήκος κύματος εξόδου 16 μm και με ρυθμό επανάληψης άνω των 250 Hz. στ.
Spatially coherent average or CW total output power, greater than 150 W;
«Λέιζερ» με προσμίξεις νεοδυμίου (όχι γυαλιού/νεοδυμίου) με μήκος κύματος εξόδου μεταξύ 1000 και 1100 nm, μιας από τις εξής δύο κατηγορίες:
Wavelength greater than or equal to 1400 nm but less than 1900 nm, and having any of the following:
Διεγειρόμενα με παλμούς και με μεταγωγή Q, με διάρκεια παλμών τουλάχιστον 1ns, και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
a.
α. έξοδο απλού-εγκάρσιου τρόπου λειτουργίας με μέση ισχύ εξόδου άνω των 40 W, ή
Average or CW total output power less than 250 W and average or CW output 'power density' greater than 150 W/cm2;
β. έξοδο πολλαπλού-εγκάρσιου τρόπου λειτουργίας με μέση ισχύ άνω των 50 W, ή
b.
Με ενσωματωμένο διπλασιασμό συχνότητας ώστε να έχουν μήκος κύματος εξόδου μεταξύ 500 και 550 nm με μέση ισχύ εξόδου άνω των 40 W.
Average or CW total output power equal to or exceeding 250 W but less than or equal to 500 W, and having average or CW output 'power density' greater than 50 W/cm2;
Παλμικά λέιζερ μονοξειδίου του άνθρακα, πλην των προσδιοριζόμενων στο 6A005.δ.2., με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
Average or CW total output power exceeding 500 W;
Λειτουργία σε μήκος κύματος μεταξύ 5000 nm και 6000 nm,
d.
Μέση ισχύ εξόδου ανώτερη από 200 W, και
Peak pulsed 'power density' exceeding 500 W/cm2; or
Πλάτος παλμού μικρότερο από 200 ns.
e.
Συμβολόμετρα ταχύτητας για μέτρηση ταχυτήτων άνω του 1 km/s σε χρονικά διαστήματα μικρότερα από 10 μικροδευτερόλεπτα.
Spatially coherent average or CW total output power, exceeding 15 W
Το σημείο 6A225 περιλαμβάνει συμβολόμετρα ταχύτητας όπως τα VISAR (συστήματα συμβολομέτρων ταχύτητας για κάθε ανακλαστήρα), τα DLI (συμβολόμετρα λέιζερ με φαινόμενο Doppler) και τα PDV (φωτονικά ταχόμετρα ντόπλερ) που είναι γνωστά και ως Het-V (ετερόδυνα ταχύμετρα).
Wavelength greater than or equal to 1900 nm and having any of the following:
Αισθητήρες πίεσης, ως εξής:
a.
α.
Average or CW output 'power density' greater than 50 W/cm2;
Μανόμετρα κρούσεως ικανά για μετρήσεις πιέσεων άνω των 10 GPa, συμπεριλαμβανομένων μανομέτρων κατασκευασμένων από μαγκανίνη, υττέρβιο και διφθοριούχο βινυλιδένιο (PVBF, PVF2),
b.
β.
Average or CW output power greater than 10 W; or
Μορφοτροπείς πίεσης με χαλαζία για πιέσεις μεγαλύτερες από 10 GPa.
c.
Οπτικός εξοπλισμός, ως εξής:
Spatially coherent average or CW total output power, exceeding 1,5 W; or
α.
At least one "laser" 'bar' specified in 6A005.d.1.c.;
Εξοπλισμός για τη μέτρηση της απόλυτης ανάκλασης με ακρίβεια ± 0,1 % της τιμής της ανάκλασης.
For the purposes of 6A005.d.1.d., 'power density' means the total "laser" output power divided by the emitter surface area of the 'stacked array'.
Εξοπλισμός εκτός του εξοπλισμού μέτρησης της επιφανειακής σκέδασης, με ενεργό άνοιγμα διαφράγματος άνω των 10 cm, ειδικά μελετημένος για οπτικές μετρήσεις εξ αποστάσεως ενός σχήματος επί μιας μη επίπεδης οπτικής επιφάνειας (προφίλ), με ακρίβεια 2 nm ή μεγαλύτερη σε σύγκριση με το απαιτούμενο προφίλ.
Semiconductor "laser" 'stacked arrays', other than those specified in 6A005.d.1.d., having all of the following:
Στο σημείο 6Β004 δεν υπάγονται τα μικροσκόπια.
Specially designed or modified to be combined with other 'stacked arrays' to form a larger 'stacked array'; and
Εξοπλισμός για την παραγωγή, ευθυγράμμιση και βαθμονόμηση χερσαίων βαρυτομέτρων με στατική ακρίβεια καλύτερη από 0,1 mGal.
Integrated connections, common for both electronics and cooling;
Συστήματα μέτρησης διατομών με παλμικό ραδιοεντοπιστή, εύρους παλμού εκπομπής το πολύ ίσου προς 100 ns και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη τους.
'Stacked arrays', formed by combining semiconductor "laser" 'stacked arrays' specified by 6A005.d.1.e., that are not designed to be further combined or modified are specified by 6A005.d.1.d.
ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 6Β108.
'Stacked arrays', formed by combining semiconductor "laser" 'stacked arrays' specified by 6A005.d.1.e., that are designed to be further combined or modified are specified by 6A005.d.1.e.
Συστήματα, εκτός των καθοριζομένων στο 6Β008, ειδικά σχεδιασμένα για μέτρηση διατομής σε ραδιοεντοπιστή, χρησιμοποιήσιμα για «βλήματα» και υποσυστήματα αυτών.
d.1.e. does not control modular assemblies of single 'bars' designed to be fabricated into end-to-end stacked linear arrays.
Στο σημείο 6B108, «βλήματα» είναι τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα μη επανδρωμένα συστήματα εναέριων οχημάτων με ακτίνα δράσης άνω των 300 km.
Semiconductor "lasers" are commonly called "laser" diodes.
Υλικά οπτικών αισθητήρων, ως εξής:
A 'bar' (also called a semiconductor "laser" 'bar', a "laser" diode 'bar' or diode 'bar') consists of multiple semiconductor "lasers" in a one-dimensional array.
α.
A 'stacked array' consists of multiple 'bars' forming a two-dimensional array of semiconductor "lasers".
Στοιχειακό τελλούριο (Te) επιπέδων καθαρότητας ίσων ή ανώτερων του 99,9995 %,
Carbon monoxide (CO) "lasers" having any of the following:
Μονοκρύσταλλοι (συμπεριλαμβανομένων των επιταξιακών δισκίων) οποιουδήποτε από τα εξής:
Output energy exceeding 2 J per pulse and "peak power" exceeding 5 kW; or
Τελλουριούχου καδμίου-ψευδαργύρου (CdZnTe), με περιεκτικότητα σε ψευδάργυρο κάτω του 6 % κατά «γραμμομοριακό κλάσμα»,
b.
Τελλουριούχου καδμίου (CdTe) οποιουδήποτε επιπέδου καθαρότητας, ή
Average or CW output power exceeding 5 kW;
Τελλουριούχου υδραργύρου-καδμίου (HgCdTe) οποιουδήποτε επιπέδου καθαρότητας.
Carbon dioxide (CO2) "lasers" having any of the following:
Το «γραμμομοριακό κλάσμα» ορίζεται ως ο λόγος γραμμομορίων ZnTe προς το άθροισμα των γραμμομορίων CdTe και ZnTe που υπάρχουν στον κρύσταλλο.
a.
Οπτικά υλικά, ως εξής:
CW output power exceeding 15 kW;
«Ακατέργαστα υποστρώματα» σεληνιούχου ψευδαργύρου (ZnSe) και θειούχου ψευδαργύρου (ZnS) παραγόμενα με τη χημική διεργασία εναπόθεσης ατμών, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Pulsed output with a "pulse duration" exceeding 10 μs and any of the following:
Όγκο μεγαλύτερο των 100 cm3, ή
"Average output power" exceeding 10 kW; or
Διάμετρο μεγαλύτερη των 80 mm με πάχος ίσο ή μεγαλύτερο των 20 mm,
"Peak power" exceeding 100 kW; or
Ηλεκτροοπτικά υλικά και μη γραμμικά οπτικά υλικά, ως εξής:
Pulsed output with a "pulse duration" equal to or less than 10 μs and any of the following:
Αρσενικικό καλιοτιτανύλιο (KTA) (CAS 59400-80-5),
Pulse energy exceeding 5 J per pulse; or
Σεληνιούχο αργυρογάλλιο (AgGaSe2, γνωστό και ως AGSE) (CAS 12002-67-4),
"Average output power" exceeding 2,5 kW;
Σεληνιούχο θαλιοαρσενικό (Tl3AsSe3, γνωστό επίσης ως TAS) (CAS 16142-89-5),
Excimer "lasers" having any of the following:
Φωσφορούχο ψευδαργυρογερμάνιο (ZnGeP2, γνωστό επίσης ως ZGP, διφωσφορούχο ψευδαργυρογερμάνιο), ή
a.
Σεληνιούχο γάλλιο (GaSe) (CAS 12024-11-2),
Output wavelength not exceeding 150 nm and any of the following:
γ.
Output energy exceeding 50 mJ per pulse; or
Μη γραμμικά οπτικά υλικά, εκτός από τα προσδιοριζόμενα στο σημείο 6Γ004.β., με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
"Average output power" exceeding 1 W;
Δυναμική (γνωστή και ως μη στατική) μη γραμμική επιδεκτικότητα τρίτης τάξης [χ(3)]) των 10-6 m2/V2 και άνω, και
Output wavelength exceeding 150 nm but not exceeding 190 nm and any of the following:
Χρόνο απόκρισης μικρότερο από 1 ms, ή
"Average output power" exceeding 120 W;
Μη γραμμική επιδεκτικότητα δεύτερης τάξης [χ(2)] των 3,3x10-11 m/V και άνω,
c.
δ.
Output wavelength exceeding 190 nm but not exceeding 360 nm and any of the following:
«Ακατέργαστα υποστρώματα» πυριτοκαρβιδίου ή υλικά με εναπόθεση βηρυλλίου βηρυλλίου (Be/Be) με διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονα άνω των 300 mm,
Output energy exceeding 10 J per pulse; or
ε.
"Average output power" exceeding 500 W; or
Ύαλος, περιλαμβανομένων τηγμένου διοξειδίου του πυριτίου, φωσφορικής υάλου, φθοριο-φωσφορικής υάλου, φθοριούχου ζιρκονίου (ZrF4) (CAS 7783-64-4) και φθοριούχου αφνίου (HfF4) (CAS 13709-52-9), με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
d.
Συγκέντρωση ιόντων υδροξυλίου (ΟΗ-) μικρότερη από 5 ppm,
Output wavelength exceeding 360 nm and any of the following:
Ενοποιημένα επίπεδα μεταλλικής καθαρότητας κάτω του 1 ppm, και
For excimer "lasers" specially designed for lithography equipment, see 3B001.
Υψηλή ομοιογένεια (δείκτης διαθλαστικής διακύμανσης) κάτω των 5 × 10-6, στ.
"Chemical lasers" as follows:
Υλικό συνθετικώς παραγόμενων αδαμάντων με απορρόφηση κάτω του 10-5 cm-1 για μήκη κύματος άνω των 200 nm και μέχρι 14000 nm,
a.
Υλικά «λέιζερ», ως εξής:
Hydrogen Fluoride (HF) "lasers";
Συνθετικό υλικό ξενιστή «λέιζερ» σε ημιτελή μορφή, ως εξής:
Deuterium Fluoride (DF) "lasers";
Σάπφειροι με προσμίξεις τιτανίου,
c.
β.
"Transfer lasers" as follows:
Οπτικές ίνες διπλού μανδύα με μεταλλικές προσμείξεις σπάνιων γαιών με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Oxygen Iodine (O2-I) "lasers";
Ονομαστικό μήκος κύματος λέιζερ από 975 nm έως 1150 nm και με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Deuterium Fluoride-Carbon dioxide (DF-CO2) "lasers";
α.
'Non-repetitive pulsed' Nd: glass "lasers" having any of the following:
Μέση διάμετρο πυρήνα ίση ή μεγαλύτερη των 25 μm· και
a.
β.
"Pulse duration" not exceeding 1 μs and output energy exceeding 50 J per pulse; or
«Αριθμητικό άνοιγμα» πυρήνα («NA») μικρότερο από 0,065, ή
b.
Στο σημείο 6C005.β.1. δεν υπάγονται οι οπτικές ίνες διπλού μανδύα που έχουν εσωτερική διάμετρο υάλινου μανδύα που υπερβαίνει τα 150 μm και δεν υπερβαίνει τα 300 μm.
"Pulse duration" exceeding 1 μs and output energy exceeding 100 J per pulse;
Ονομαστικό μήκος κύματος λέιζερ άνω των 1530 nm και με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
e.
α.
Components as follows:
Μέση διάμετρο πυρήνα ίση ή μεγαλύτερη των 20 μm· και
Mirrors cooled either by 'active cooling' or by heat pipe cooling;
β.
'Active cooling' is a cooling technique for optical components using flowing fluids within the subsurface (nominally less than 1 mm below the optical surface) of the optical component to remove heat from the optic.
«Αριθμητικό άνοιγμα» πυρήνα («NA») μικρότερο από 0,1.
Optical mirrors or transmissive or partially transmissive optical or electro-optical components, other than fused tapered fibre combiners and Multi-Layer Dielectric gratings (MLDs), specially designed for use with specified "lasers";
Για τους σκοπούς του σημείου 6C005, το «αριθμητικό άνοιγμα» πυρήνα («NA») μετρείται στα μήκη κύματος εκπομπής της οπτικής ίνας.
Note: Fibre combiners and MLDs are specified in 6A005.e.3.
Στο σημείο 2.6Γ005.β. περιλαμβάνονται ίνες που συναρμολογούνται με τερματικά πώματα.
Fibre laser components as follows:
«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 6Α004, 6Α005, 6Α008 ή 6Β008.
a.
«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για τη «χρήση» εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 6A002.β., 6A008 ή 6B008.
Multimode to multimode fused tapered fibre combiners having all of the following:
Άλλα «λογισμικά», ως εξής:
An insertion loss better (less) than or equal to 0,3 dB maintained at a rated total average or CW output power (excluding output power transmitted through the single mode core if present) exceeding 1000 W; and
α.
Number of input fibres equal to or greater than 3;
«Λογισμικό» ως εξής:
b.
«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για διαμόρφωση ηχητικών δεσμών για την επεξεργασία σε κλίμακα «πραγματικού χρόνου» ηχητικών δεδομένων για παθητική λήψη με τη χρήση ρυμουλκούμενων συστοιχιών υδροφώνων,
Single mode to multimode fused tapered fibre combiners having all of the following:
«Πηγαίος κώδικας» για την «επεξεργασία σε κλίμακα πραγματικού χρόνου» ηχητικών δεδομένων για παθητική λήψη με τη χρήση ρυμουλκούμενων συστοιχιών υδροφώνων,
An insertion loss better (less) than 0,5 dB maintained at a rated total average or CW output power exceeding 4600 W;
«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για διαμόρφωση ηχητικών δεσμών για την επεξεργασία σε κλίμακα «πραγματικού χρόνου» ηχητικών δεδομένων για παθητική λήψη με τη χρήση συστήματος καλωδίων βυθού ή κόλπων,
Number of input fibres equal to or greater than 3; and
«Πηγαίος κώδικας» για την «επεξεργασία σε κλίμακα πραγματικού χρόνου» ηχητικών δεδομένων για παθητική λήψη με τη χρήση συστήματος καλωδίων βυθού ή κόλπων,
a.
«Λογισμικό» ή «πηγαίος κώδικας» ειδικά σχεδιασμένα για όλα τα ακόλουθα:
A Beam Parameter Product (BPP) measured at the output not exceeding 1,5 mm mrad for a number of input fibres less than or equal to 5; or
«Επεξεργασία σε πραγματικό χρόνο» ηχητικών δεδομένων από συστήματα ηχοεντοπισμού (σονάρ) προσδιοριζόμενα στο 6Α001.α.1.ε, και
A BPP measured at the output not exceeding 2,5 mm mrad for a number of input fibres greater than 5;
Αυτόματη ανίχνευση, ταξινόμηση και προσδιορισμός θέσης δυτών ή κολυμβητών.
MLDs having all of the following:
Για «λογισμικό» ή «πηγαίο κώδικα» ανίχνευσης δυτών, ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για στρατιωτική χρήση, βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.
Designed for spectral or coherent beam combination of 5 or more fibre lasers; and
γ.
CW Laser Induced Damage Threshold (LIDT) greater than or equal to 10 kW/cm2.
«Λογισμικό» σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για κινηματογραφικές μηχανές με ενσωματωμένες «συστοιχίες εστιακού επιπέδου» που καθορίζονται στο σημείο 6A002.α.3.στ. και σχεδιασμένο ή τροποποιημένο ώστε να αφαιρεί τον περιορισμό συχνότητας λήψεων και να επιτρέπει στην κινηματογραφική μηχανή να υπερβαίνει τη συχνότητα λήψεως που καθορίζεται στο σημείο 6A003.β.4.
f.
Σημείωση 3.α.
Optical equipment as follows:
δ. Λογισμικό ειδικά σχεδιασμένο για να διατηρεί την ευθυγράμμιση και τον συγχρονισμό τμημάτων κατοπτρικών συστημάτων που αποτελούνται από τμήματα κατόπτρου με διάμετρο ή μήκος μείζονος άξονα ίσο ή μεγαλύτερο του 1 m.
For shared aperture optical elements, capable of operating in "Super-High Power Laser" ("SHPL") applications, see the Military Goods Controls.
στ.
Dynamic wavefront (phase) measuring equipment capable of mapping at least 50 positions on a beam wavefront and any of the following:
«Λογισμικό» ως εξής:
a.
«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για «συστήματα αντιστάθμισης» μαγνητικού και αντιστάθμισης ηλεκτρικού πεδίου για μαγνητικούς αισθητήρες μελετημένους ώστε να λειτουργούν σε κινητές εξέδρες,
Frame rates equal to or more than 100 Hz and phase discrimination of at least 5 % of the beam's wavelength; or
«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για ανίχνευση μαγνητικών ανωμαλιών και ανωμαλιών ηλεκτρικού πεδίου σε κινητές εξέδρες.
b.
«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για «επεξεργασία ηλεκτρομαγνητικών δεδομένων σε πραγματικό χρόνο» με τη χρήση υποβρύχιων ηλεκτρομαγνητικών ληπτών όπως ορίζονται στο 6Α006.ε.
Frame rates equal to or more than 1000 Hz and phase discrimination of at least 20 % of the beam's wavelength;
«Πηγαίος κώδικας» για «επεξεργασία ηλεκτρομαγνητικών δεδομένων σε πραγματικό χρόνο» με τη χρήση υποβρύχιων ηλεκτρομαγνητικών ληπτών όπως ορίζονται στο 6Α006.ε.
"Laser" diagnostic equipment capable of measuring "SHPL" system angular beam steering errors of equal to or less than 10 μrad;
ζ.
Optical equipment and components, specially designed for a phased-array "SHPL" system for coherent beam combination to an accuracy of λ/10 at the designed wavelength, or 0,1 μm, whichever is the smaller;
«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για τη διόρθωση κινησιακών επιδράσεων βαρυτομέτρων ή βαρυτικών κλισιμέτρων.
Projection telescopes specially designed for use with "SHPL" systems;
η.
g.
«Λογισμικό» ως εξής:
'Laser acoustic detection equipment' having all of the following:
«Προγράμματα» εφαρμογών «λογισμικού» ελέγχου εναέριας κυκλοφορίας (ΑΤC), σχεδιασμένα ώστε να φιλοξενούνται σε ηλεκτρονικούς υπολογιστές γενικής χρήσης και ευρισκόμενα σε κέντρα ελέγχου εναέριας κυκλοφορίας και ικανά να δέχονται δεδομένα στόχων ραδιοεντοπισμού από άνω των τεσσάρων πρωτεύοντες ραδιοεντοπιστές.
CW laser output power equal to or exceeding 20 mW;
«Λογισμικό» για τη μελέτη ή «παραγωγή» θόλων τοποθέτησης κεραιών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Laser frequency stability equal to or better (less) than 10 MHz;
α.
Laser wavelengths equal to or exceeding 1000 nm but not exceeding 2000 nm;
Ειδικά σχεδιασμένο για να προστατεύει τις «ηλεκτρονικώς οδηγούμενες φασικώς συγχρονισμένες συστοιχιοκεραίες» που καθορίζονται στο σημείο 6Α008.ε., και
Optical system resolution better (less) than 1 nm; and
β.
Optical Signal to Noise ratio equal to or exceeding 103.
Καταλήγει σε διάγραμμα κεραίας με «μέση στάθμη του πλευρικού λωβού» άνω των 40 dB κάτω από την κορυφή της στάθμης της κύριας δέσμης.
'Laser acoustic detection equipment' is sometimes referred to as a LaserMicrophone or Particle Flow Detection Microphone.
Η «μέση στάθμη του πλευρικού λωβού» του σημείου 6Δ003.η.2.β μετρείται επί ολόκληρης της συστοιχίας εκτός της γωνίας της κύριας δέσμης και των πρώτων δύο πλευρικών λωβών εκατέρωθεν της κύριας δέσμης.
"Magnetometers", "magnetic gradiometers", "intrinsic magnetic gradiometers", underwater electric field sensors, "compensation systems", and specially designed components therefor, as follows:
«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τη «χρήση» των προδιαγραφόμενων στο 6Α108 ειδών.
SEE ALSO 7A103.d.
«Λογισμικό» που επεξεργάζεται καταγεγραμμένα δεδομένα μετά την πτήση, επιτρέπει δε τον προσδιορισμό της θέσης οχημάτων σε όλη την τροχιά πτήσεώς τους, ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για «βλήματα».
006 does not control instruments specially designed for fishery applications or biomagnetic measurements for medical diagnostics.
Στο σημείο 6Δ103, «βλήματα» είναι τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος με βεληνεκές άνω των 300 km.
a.
«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων μηχανών λήψης ή συσκευών απεικόνισης ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 6A203.α. έως 6A203.γ.
"Magnetometers" and subsystems as follows:
«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» εξοπλισμού, υλικών ή «λογισμικού» που καθορίζονται στα 6Α, 6Β, 6Γ ή 6Δ.
"Magnetometers" using "superconductive" (SQUID) "technology" and having any of the following:
«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «παραγωγή» εξοπλισμού ή υλικών προδιαγραφόμενων στα 6Α, 6Β ή 6Γ.
a.
α.
SQUID systems designed for stationary operation, without specially designed subsystems designed to reduce in-motion noise, and having a 'sensitivity' equal to or lower (better) than 50 fT (rms) per square root Hz at a frequency of 1 Hz; or
«Τεχνολογία» ως εξής:
b.