natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Οι προδιαγραφές τους είναι για χρήση σε εκτεταμένο φάσμα θερμοκρασιών 223 K (– 50 °C) έως 373 K (100 °C) ή για αεροδιαστημικές εφαρμογές.
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
Το σημείο 3Α229.β. περιλαμβάνει και συσκευές με λυχνίες εκκενώσεως ξένου.
Continuous current greater than 1 A.
γ.
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Μονάδες μικρο-πυροδότησης με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
h. includes:
Καμία από τις διαστάσεις τους δεν είναι μεγαλύτερη από 35 mm,
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
Ονομαστική τάση ίση ή μεγαλύτερη από 1 kV, και
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
Χωρητικότητα ίση ή μεγαλύτερη από 100 nF.
Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)
Παλμογεννήτριες υψηλής ταχύτητας, και οι «κεφαλές παλμού» τους, που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
α.
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Τάση εξόδου ανώτερη από 6 V όταν συνδέονται με φορτίο αντίστασης μικρότερο από 55 Ω, και
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
β.
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
«Χρόνο μετάβασης παλμού» κάτω από 500 πικο-δευτερόλεπτα (ps).
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Στο σημείο 3Α230, ο «χρόνος μετάβασης του παλμού» ορίζεται σαν το χρονικό διάστημα μεταξύ του 10 % και του 90 % του εύρους της τάσης.
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
Οι «κεφαλές παλμού» είναι δίκτυα σχηματισμού ώσεων σχεδιασμένα να δέχονται βηματικές συναρτήσεις τάσης και βηματικής μορφής τάσεις, οι οποίες μπορούν να περιλαμβάνουν ορθογωνικές, τριγωνικές, βηματικές, κρουστικές, εκθετικές ή μονοκυκλικές μορφές.
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
Οι «κεφαλές παλμού» δύνανται να αποτελούν αναπόσπαστο μέρος της γεννήτριας παλμών, να αποτελούν μονάδα που προστίθεται στη συσκευή ή να συνδέονται εξωτερικά με τη συσκευή.
PiN Diodes
Συστήματα παραγωγής νετρονίων, συμπεριλαμβανομένων των σωλήνων, με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Schottky Diodes
α.
h. does not control switches, diodes, or 'modules', incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
Έχουν σχεδιασθεί για λειτουργία χωρίς εξωτερικό σύστημα κενού, και·
For the purposes of 3A001.h., 'modules' contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
β.
General purpose electronic equipment as follows:
Χρησιμοποιούν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
a.
Ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση τριτίου-δευτερίου, ή
Recording equipment and oscilloscopes as follows:
Ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση δευτερίου-δευτερίου, ικανά για παραγωγή 3 × 109 νετρονίων/s ή μεγαλύτερη.
Waveform digitisers and transient recorders, having all of the following:
Συστήματα έναυσης πολλαπλών σημείων, διαφορετικά από τα προδιαγραφόμενα στο σημείο 1A007, ως εξής:
a.
Βλέπε 1A007.β. για τους πυροκροτητές.
Digitising rate equal to or more than200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more;
Συστήματα που χρησιμοποιούν απλούς ή πολλαπλούς πυροκροτητές και έχουν σχεδιασθεί για να προκαλούν σχεδόν ταυτόχρονα την έναυση μιας εκρηκτικής επιφάνειας εμβαδού πάνω από 5000 mm2 από ένα μόνο σήμα πυροδότησης με χρόνο έναυσης όπως εκτείνεται στην επιφάνεια λιγότερο από 2,5 μs.
A 'continuous throughput' of 2 Gbit/s or more; and
Στο σημείο 3Α232 δεν ελέγχονται πυροκροτητές που χρησιμοποιούν μόνο πρωτογενείς εκρηκτικές ύλες, όπως τον αζωτούχο μόλυβδο.
c.
Φασματογράφοι μάζας εκτός από αυτούς που αναφέρονται στο σημείο 0Β002.ζ., που μπορούν να μετρήσουν ιόντα μεγέθους 230 ατομικών μονάδων μάζας ή παραπάνω και οι οποίοι έχουν διακριτική ικανότητα καλύτερη από 2 μέρη στα 230, ως εξής, καθώς επίσης και πηγές ιόντων για τους φασματογράφους αυτούς:
Triggered acquisition of transients or aperiodic signals
α.
For those instruments with a parallel bus architecture, the 'continuous throughput' rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Επαγωγικά συζευγμένοι φασματογράφοι μάζας πλάσματος (ICP/ΜS)·
'Continuous throughput' is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
β.
For the purposes of 3A002.a.5.c., acquisition can be triggered internally or externally.
Φασματογράφοι μάζας εκκένωσης με διαύγεια (GDMS)·
Digital instrumentation data recorder systems using magnetic disk storage technique and having all of the following, and specially designed digital recorders therefor:
Φασματογράφοι μάζας με θερμικό ιοντισμό (TIMS),
Digitised instrumentation data rate equal to or more than 100 million samples per second at a resolution of 8 bit or more; and
δ. Φασματογράφοι μάζας βομβαρδισμού ηλεκτρονίων, με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
b.
Σύστημα εισαγωγής μοριακής δέσμης που εγχέει μια παραλληλισμένη δέσμη μορίων αναλύτη σε μια περιοχή της πηγής ιόντων όπου τα μόρια ιοντίζονται από τη δέσμη ηλεκτρονίων, και
A 'continuous throughput' of 1 Gbit/s or more;
Μία ή περισσότερες «ψυχρές παγίδες» που μπορούν να ψυχθούν στους 193 K (– 80 °C),
Digital instrumentation data recorder systems can be configured either with a digitiser integrated within or outside the digital recorder.
ε.
Real-time oscilloscopes having a vertical root-mean-square (rms) noise voltage of less than 2 % of full-scale at the vertical scale setting that provides the lowest noise value for any input 3dB bandwidth of 60 GHz or greater per channel;
Δεν χρησιμοποιείται,
a.7. does not control equivalent-time sampling oscilloscopes
Φασματογράφοι μάζας εξοπλισμένοι με πηγή ιόντων μικροφθορίωσης που έχουν σχεδιασθεί για ακτινίδες ή φθοριούχες ακτινίδες.
c.
Οι φασματογράφοι μάζας βομβαρδισμού ηλεκτρονίων στο σημείο 3A233.δ. είναι γνωστοί και ως φασματογράφοι μάζας πρόσπτωσης ηλεκτρονίων ή φασματογράφοι μάζας ιοντισμού ηλεκτρονίων.
"Signal analysers" as follows:
Στο σημείο 3A233.δ.2., «ψυχρή παγίδα» είναι μια διάταξη που παγιδεύει μόρια αερίων συμπυκνώνοντας ή ψύχοντάς τα πάνω σε ψυχρές επιφάνειες.
"Signal analysers" having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz;
Για τους σκοπούς του σημείου 3A233.δ.2., μια κρυογενική αντλία κενού αέριου ηλίου κλειστού τύπου δεν είναι «ψυχρή παγίδα».
"Signal analysers" having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than -150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Γυμνές αγώγιμες γραμμές για την παροχή διαδρομής χαμηλής αυτεπαγωγής προς τους πυροκροτητές, με τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
"Signal analysers" having a frequency exceeding 90 GHz;
α.
"Signal analysers" having all of the following:
Ονομαστική τάση άνω των 2 kV, και
a.
β.
"Real-time bandwidth" exceeding 170 MHz; and
Αυτεπαγωγή μικρότερη από 20 nH.
b.
Εξοπλισμός για παραγωγή συσκευών με ημιαγωγούς, ή υλικών ημιαγωγών, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία και εξαρτήματα για τον σκοπό αυτό:
100 % probability of discovery with less than a 3 dB reduction from full amplitude due to gaps or windowing effects of signals having a duration of 15 μs or less;
α.
Probability of discovery in 3A002.c.4.b. is also referred to as probability of intercept or probability of capture.
Εξοπλισμός σχεδιασμένος για επιταξιακή ανάπτυξη, ως εξής:
For the purposes of 3A002.c.4.b., the duration for 100 % probability of discovery is equivalent to the minimum signal duration necessary for the specified level measurement uncertainty.
Εξοπλισμός που μπορεί να παράγει στρώμα οποιουδήποτε άλλου υλικού πλην πυριτίου ομοιογενούς πάχους με διαφορά λιγότερη από ± 2,5 % σε απόσταση 75 mm ή παραπάνω,
c.4. does not control those "signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Το σημείο 3B001.α.1. περιλαμβάνει εξοπλισμό επίταξης ατομικού στρώματος (Atomic Layer Epitaxy - ALE).
"Signal analysers" having a "frequency mask trigger" function with 100 % probability of trigger (capture) for signals having a duration of 15μs or less;
Αντιδραστήρες για χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων (ΜΟCVD), που έχουν σχεδιαστεί για την επιταξιακή ανάπτυξη από σύνθετους ημιαγωγούς υλικών που έχουν δύο ή περισσότερα από τα ακόλουθα στοιχεία: αργίλιο, γάλλιο, ίνδιο, αρσενικό, φωσφόρο, αντιμόνιο ή άζωτο.
d.
Εξοπλισμός επιταξιακής ανάπτυξης μέσω μοριακής δέσμης ο οποίος χρησιμοποιεί αέριες ή στερεές πηγές.
Signal generators having any of the following:
β.
Specified to generate pulse-modulated signals having all of the following, anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz:
Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμφύτευση ιόντων που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
a.
Σχεδιασμένος και βελτιστοποιημένος για λειτουργία με ενέργεια δέσμης 20 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 10 mA και άνω, για εμφύτευση υδρογόνου, δευτερίου ή ηλίου,
'Pulse duration' of less than 25 ns; and
Δυνατότητα απευθείας εγγραφής,
b.
Ενέργεια δέσμης 65 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 45 mA και άνω, για εμφύτευση οξυγόνου υψηλής ενέργειας πάνω σε θερμαινόμενο «υπόστρωμα» ημιαγωγού, ή
On/off ratio equal to or exceeding 65 dB;
Σχεδιασμένος και βελτιστοποιημένος για λειτουργία με ενέργεια δέσμης 20 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 10 mA και άνω, για εμφύτευση πυριτίου πάνω σε «υπόστρωμα» ημιαγωγού θερμασμένου στους 600 °C και άνω,
An output power exceeding 100 mW (20 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
γ.
A "frequency switching time" as specified by any of the following:
Εξοπλισμός για ξερή χάραξη μέσω ανισότροπου πλάσματος με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
a.
Σχεδιασμένος ή βελτιστοποιημένος για να παράγει κρίσιμες διαστάσεις 65 nm ή μικρότερες, και
Not used;
Με ανομοιομορφία εντός του πλακιδίου έως και 10 % 3σ, μετρούμενη με αποκλεισμό άκρων 2 mm και κάτω.
b.
δ. Δεν χρησιμοποιείται,
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2GHz within the frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
Κεντρικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων (wafer), πολλαπλών θαλάμων, αυτόματης φόρτωσης, τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Not used.
Διεπαφές για είσοδο και έξοδο πλακιδίων, στις οποίες μπορούν ως εκ του σχεδιασμού να συνδεθούν περισσότερα από δύο λειτουργικώς διαφορετικά «εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών» προσδιοριζόμενα στο 3B001.α, 3B001.β ή 3B001.γ, και
d.
Είναι σχεδιασμένα για να αποτελέσουν ένα ολοκληρωμένο σύστημα σε περιβάλλον κενού για «σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων».
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz;
Στο σημείο 3Β001.ε. δεν ελέγχονται τα αυτόματα ρομποτικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων τα ειδικά σχεδιασμένα για την παράλληλη επεξεργασία πλακιδίων.
e.
Για τους σκοπούς του σημείου 3B001.ε, ως «εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών» νοούνται τα σπονδυλωτά εργαλεία που επιτελούν λειτουργικά διαφορετικές φυσικές διεργασίες, όπως π.χ. επικάθηση, χάραξη, εμφύτευση ή θερμική επεξεργασία, για την παραγωγή ημιαγωγών.
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the frequency range exceeding 37 GHz but not exceeding 90 GHz; or
Για τους σκοπούς του σημείου 3B001.ε, ως «σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων» νοείται η ικανότητα επεξεργασίας κάθε πλακιδίου με διαφορετικά «εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών», π.χ. με τη μεταφορά κάθε πλακιδίου από ένα εργαλείο σε άλλο και από εκεί σε τρίτο με τη βοήθεια των κεντρικών συστημάτων χειρισμού πλακιδίων πολλαπλών θαλάμων και αυτόματης φόρτωσης.
f.
στ. Εξοπλισμός λιθογραφίας, ως εξής:
Not used
Εξοπλισμός ευθυγράμμισης και έκθεσης step and repeat (με άμεσο βήμα πάνω στο πλακίδιο) ή step and scan (με σάρωση) για την επεξεργασία πλακιδίων με τη χρήση φωτο-οπτικών μεθόδων ή μεθόδων ακτίνων Χ και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, specified as being any of the following:
Μήκος κύματος φωτεινής πηγής βραχύτερο από 193 nm, ή
Less (better) than –(126 + 20log10F - 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz < F < 10 kHz anywhere within the frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 90 GHz; or
Ικανότητα να συνθέτει σχήματα με «ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος» (MRF) 45 nm ή μικρότερο.
Less (better) than –(206- 20log10f) anywhere within the range of 10 kHz < F≤ 100 kHz anywhere within the frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 90 GHz; or
Το «ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος» (MRF) υπολογίζεται με τον εξής τύπο:
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
μήκος κύματος φωτεινής πηγής έκθεσης σε nm
A maximum frequency exceeding 90 GHz;
συντελεστής Κ
Note 1.:
αριθμητικό διάφραγμα
For the purpose of 3A002.d., signal generators include arbitrary waveform and function generators.
όπου ο συντελεστής K = 0,35.
Note 2.:
Εξοπλισμός εντυπωτικής λιθογραφίας ικανός να παράγει λεπτομέρειες διαστάσεων 45 nm και κάτω.
d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Στο σημείο 3Β001.στ.2. περιλαμβάνονται:
The maximum frequency of an arbitrary waveform or function generator is calculated by dividing the sample rate, in samples/second, by a factor of 2,5.
Τα εργαλεία τυπογραφίας μικροεπαφής,
For the purposes of 3A002.d.1.a, 'pulse duration' is defined as the time interval from the point on the leading edge that is 50 % of the pulse amplitude to the point on the trailing edge that is 50 % of the pulse amplitude.
Τα εργαλεία νανοεντυπωτικής λιθογραφίας,
Network analysers having any of the following:
Τα εργαλεία εντυπωτικής λιθογραφίας με βήμα και λάμψη (step-and-flash)
An output power exceeding 31,62 mW (15 dBm) anywhere within the operating frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την παραγωγή μασκών ή για επεξεργασία συσκευών ημιαγωγών με τη χρήση μεθόδων άμεσης εγγραφής και έχει όλα τα ακόλουθα:
An output power exceeding 1 mW (0 dBm) anywhere within the operating frequency range exceeding 90 GHz but not exceeding 110 GHz;
α.
'Nonlinear vector measurement functionality' at frequencies exceeding 50 GHz but not exceeding 110 GHz; or
Χρησιμοποιεί εκτρεπόμενη εστιασμένη δέσμη ηλεκτρονίων, δέσμη ιόντων ή δέσμη «λέιζερ», και και
Technical Note
Εστιακό μέγεθος μικρότερο από 0,2 μm,
'Nonlinear vector measurement functionality' is an instrument's ability to analyse the test results of devices driven into the large-signal domain or the non-linear distortion range.
Είναι ικανός να παράγει σχήμα με χαρακτηριστικό μέγεθος κάτω από 1 μm, ή
A maximum operating frequency exceeding 110 GHz;
Ακρίβεια επικάλυψης καλύτερη από ± 0,20 μm (3 sigma).
f.
ζ.
Microwave test receivers having all of the following:
Μάσκες ή πλεγματίδια που έχουν σχεδιαστεί για ολοκληρωμένα κυκλώματα που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.
A maximum operating frequency exceeding 110 GHz; and
η. Μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης και οι οποίες δεν προσδιορίζονται στο σημείο 3B001.ζ., με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Being capable of measuring amplitude and phase simultaneously;
Κατασκευασμένες πάνω σε «ακατέργαστο υπόστρωμα» μάσκας από ύαλο που προσδιορίζεται ως έχουσα διπλή διάθλαση μικρότερη από 7 nm/cm, ή
g.
Σχεδιασμένες για να χρησιμοποιηθούν σε εξοπλισμό λιθογραφίας που έχει μήκος κύματος πηγής φωτός μικρότερο από 245 nm,
Atomic frequency standards being any of the following:
Στο σημείο 3Β001.η. δεν ελέγχονται οι μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης και έχουν σχεδιαστεί για την κατασκευή συσκευών μνήμης που δεν ελέγχονται στο σημείο 3Α001.
"Space-qualified";
θ. Μακέτες εντυπωτικής λιθογραφίας σχεδιασμένες για τα ηλεκτρονικά κυκλώματα που προσδιορίζονται στο 3Α001.
Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
Εξοπλισμός δοκιμών που έχει ειδικά σχεδιαστεί για να δοκιμάζονται τελειωμένες ή ημιτελείς συσκευές ημιαγωγών, ως εξής, και δομικά στοιχεία και εξαρτήματα που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για τον εξοπλισμό αυτό:
Non-"space-qualified" and having all of the following:
Για να δοκιμάζονται οι παράμετροι S συσκευών τρανζίστορ σε συχνότητες πάνω από 31,8 GHz,
Being a rubidium standard;
Για τη δοκιμή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων προσδιοριζόμενων στο σημείο 3Α001.β.2.
Long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; and
Ετερο-επιταξιακά υλικά, που αποτελούνται από «υπόστρωμα» πάνω στο οποίο έχουν αποτεθεί επιταξιακά ανεπτυγμένα πολλαπλά στρώματα οποιουδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:
c.
α.
Total power consumption of less than 1 W.
Πυρίτιο (Si),
Spray cooling thermal management systems employing closed loop fluid handling and reconditioning equipment in a sealed enclosure where a dielectric fluid is sprayed onto electronic components using specially designed spray nozzles that are designed to maintain electronic components within their operating temperature range, and specially designed components therefor.
β.
Electronic equipment, devices and components, other than those specified in 3A001, as follows:
Γερμάνιο (Ge),
a.
γ.
Analogue-to-digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedized equipment;
Καρβίδιο του πυριτίου (SiC), ή
b.
δ.
Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
«Σύνθετες ενώσεις» γαλλίου ή ινδίου με στοιχεία του πίνακα III/V.
b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
Στο σημείο 3C001.δ. δεν ελέγχεται «υπόστρωμα» που έχει ένα ή περισσότερα επιταξιακά στρώματα τύπου Ρ GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP ή InGaAlP, ανεξάρτητα από την αλληλουχία των στοιχείων, εκτός εάν το επιταξιακό στρώμα τύπου Ρ βρίσκεται μεταξύ στρωμάτων τύπου Ν.
'Thermal batteries' designed or modified for 'missiles'.
Φωτοανθεκτικά υλικά, ως εξής, καθώς και «υποστρώματα» που έχουν επίστρωση των ακόλουθων φωτοανθεκτικών ουσιών:
In 3A102 'thermal batteries' are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
α.
These batteries incorporate a pyrolytic material that, when ignited, melts the electrolyte and activates the battery.
Φωτοανθεκτικά υλικά σχεδιασμένα για λιθογραφία με ημιαγωγούς, ως εξής:
In 3A102 'missile' means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
Θετικά φωτοανθεκτικά υλικά προσαρμοσμένα (αριστοποιημένα) για να χρησιμοποιηθούν σε μήκη κύματος μικρότερα από 245 nm και ίσα ή μεγαλύτερα από 15 nm,
Electronic components, other than those specified in 3A001, as follows;
Φωτοανθεκτικά υλικά προσαρμοσμένα (αριστοποιημένα) για να χρησιμοποιηθούν σε μήκη κύματος μικρότερα από 15 nm και μεγαλύτερα από 1 nm,
a.
β.
Capacitors having either of the following sets of characteristics:
Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με δέσμες ηλεκτρονίων ή ιόντων που έχουν ευαισθησία 0,01 μcoulomb/mm2 ή καλύτερη,
a.
δ. Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά αριστοποιημένα για τεχνολογίες απεικόνισης επιφανειών,
Voltage rating greater than 1,4 kV;
Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά σχεδιασμένα ή αριστοποιημένα για χρήση με τον εξοπλισμό εντυπωτικής λιθογραφίας που καθορίζεται στο 3B001.στ.2. που χρησιμοποιούν είτε θερμική είτε φωτο-στυπωτική διαδικασία.
Energy storage greater than 10 J;
Ενώσεις οργανικού με ανόργανο στοιχείο ως εξής:
c.
α.
Capacitance greater than 0,5 μF; and
Οργανομεταλλικές ενώσεις αργιλίου, γαλλίου ή ινδίου που έχουν καθαρότητα (με βάση το μέταλλο) καλύτερη από 99,999 %,
d.
β.
Series inductance less than 50 nH; or
Οργανικές ενώσεις αρσενικού, αντιμονίου και φωσφόρου που έχουν καθαρότητα (με βάση το ανόργανο στοιχείο) καλύτερη από 99,999 %.
a.
Στο σημείο 3C003 ελέγχονται μόνο οι ενώσεις των οποίων το μεταλλικό, μερικώς μεταλλικό ή μη μεταλλικό στοιχείο συνδέεται άμεσα με άνθρακα στο οργανικό τμήμα του μορίου.
Voltage rating greater than 750 V;
Υδρίδια φωσφόρου, αρσενικού ή αντιμονίου που έχουν καθαρότητα καλύτερη από 99,999 %, ακόμη και αν έχουν διαλυθεί σε αδρανή αέρια ή υδρογόνο.
b.
Στο σημείο 3C004 δεν ελέγχονται υδρίδια που περιέχουν γραμμομοριακό ποσοστό 20 % και άνω αδρανή αέρια ή υδρογόνο.
Capacitance greater than 0,25 μF; and
«Υυποστρώματα» ημιαγωγών από καρβίδιο του πυριτίου (SiC), νιτρίδιο του γαλλίου (GaN), νιτρίδιο του αργιλίου (AlN) ή νιτρίδιο του αργιλίου-γαλλίου (AlGaN) ή πλινθώματα, συνθετικοί κρύσταλλοι, ή άλλα προμορφώματα αυτών των υλικών, που έχουν ειδικές αντιστάσεις μεγαλύτερες από 10000 Ω-cm στους 20 °C.
c.
«Υποστρώματα» που καθορίζονται στο 3C005 με τουλάχιστον ένα επιταξιακό στρώμα καρβιδίου του πυριτίου, νιτριδίου του γαλλίου, νιτριδίου του αργιλίου ή νιτριδίου του αργιλίου-γαλλίου.
Series inductance less than 10 nH;
«Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.β. έως 3Α002.ζ. ή 3Β.
b.
«Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για τη «χρήση» εξοπλισμού προδιαγραφόμενου στα σημεία 3B001.α. έως στ. ή 3B002 ή 3A225.
Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
«Λογισμικό» προσομοίωσης, «βασισμένο στη φυσική», ειδικά σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» διεργασιών λιθογραφίας, χάραξης ή εναπόθεσης ώστε τα σχήματα μάσκας να μεταφράζονται σε επί μέρους τοπογραφικά σχήματα με αγωγούς, διηλεκτρικά ή υλικά ημιαγωγών.
Capable of creating magnetic fields greater than 2 T;
Στο σημείο 3.D003., οι λέξεις «βασισμένο στη φυσική» υποδηλώνουν ότι χρησιμοποιεί υπολογισμούς για να προσδιορίσει μια ακολουθία φυσικών αιτίων/αιτιατών βασισμένων σε φυσικές ιδιότητες (πχ. θερμοκρασία, πίεση, σταθερές διάχυσης και ιδιότητες υλικών ημιαγωγών).
A ratio of length to inner diameter greater than 2;
Οι βιβλιοθήκες, τα χαρακτηριστικά σχεδιασμού ή συναφή δεδομένα για τον σχεδιασμό συσκευών ημιαγωγών ή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων θεωρούνται «τεχνολογία».
Inner diameter greater than 300 mm; and
«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» του εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α003.
Magnetic field uniform to better than 1 % over the central 50 % of the inner volume;
«Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για τη «χρήση» εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α101.β.
b. does not control magnets specially designed for and exported 'as parts of' medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225.
The phrase 'as part of' does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched 'as part of' the imaging systems.
«Τεχνολογία» σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3Α, 3Β ή 3C.
c.
Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για την «παραγωγή» εξοπλισμού ή δομικών στοιχείων που ελέγχονται στο σημείο 3Α003.
Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» ολοκληρωμένων κυκλωμάτων προδιαγραφόμενων στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.12., και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
a.
Χρησιμοποιούν «τεχνολογία» 0,130 μm ή παραπάνω, και
An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
Περιλαμβάνουν δομές με πολλαπλά μεν στρώματα, αλλά με τρία το πολύ μεταλλικά στρώματα.
b.