natgillin/translations-raw huggingface dataset:
«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, άλλη από την προσδιοριζόμενη στο 3Ε001, για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» «μικροκυκλωμάτων μικροεπεξεργαστών», «μικροκυκλωμάτων μικροϋπολογιστών» και πυρήνων μικροκυκλωμάτων μικροσυσκευών ελέγχου, με αριθμητική λογική μονάδα με εύρος προσπέλασης 32 bit και άνω και οποιοδήποτε από τα παρακάτω γνωρίσματα ή χαρακτηριστικά:
With a 'figure of merit' (K) of 0,25 or greater; or
Περιλαμβάνει «διανυσματικό επεξεργαστή» σχεδιασμένο έτσι ώστε να εκτελεί ταυτόχρονα περισσότερους από δύο υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit),
An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
«Διανυσματικός επεξεργαστής» λέγεται ένα στοιχείο επεξεργαστή με ενσωματωμένες εντολές που εκτελεί ταυτόχρονα πολλούς υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit) και έχει τουλάχιστον μία αριθμητική λογική μονάδα.
b.
β.
A 'peak power' greater than 50 MW.
Είναι σχεδιασμένοι ώστε να εκτελούν περισσότερους από τέσσερις υπολογισμούς εξαγομένων πράξεων κινητής υποδιαστολής 64 ή περισσότερων bit ανά κύκλο, ή
c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes:
γ.
The 'figure of merit' K is defined as:
Είναι σχεδιασμένοι ώστε να εκτελούν περισσότερους από τέσσερις υπολογισμούς πράξεων πολλαπλασιασμού και άθροισης σταθερής υποδιαστολής 16 bit ανά κύκλο (π.χ. ψηφιακό χειρισμό αναλογικών πληροφοριών που έχουν προηγουμένως μετατραπεί σε ψηφιακή μορφή, το γνωστό και ως «ψηφιακή επεξεργασία σήματος»).
K = 1,7 × 103V2.65Q
Στο σημείο 3E002.γ. δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» επεκτάσεων πολυμέσων.
V is the peak electron energy in million electron volts.
Στο σημείο 3E002 δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» πυρήνων μικροεπεξεργαστών με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 μs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
Ενσωμάτωση πολυστιβαδικών δομών με έως και πέντε μεταλλικές στιβάδες.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 μs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 μs.
Στο σημείο 3E002 ελέγχεται η «τεχνολογία» για ψηφιακούς επεξεργαστές σήματος και συστοιχίες ψηφιακών επεξεργαστών.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
Άλλη «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» των παρακάτω:
'Peak power' = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
α.
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
Μικροηλεκτρονικών συσκευών κενού,
In machines based on microwave accelerating cavities, the peak beam current is the average current in the time duration of a bunched beam packet.
β.
Frequency changers or generators, other than those specified in 0B001.b.13., usable as a variable or fixed frequency motor drive, having all of the following characteristics:
Ετερο-δομικών ηλεκτρονικών συσκευών ημιαγωγών, όπως τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ), ετεροδιπολικών τρανζίστορ (ΗΒΤ), συσκευών κβαντικού πηγαδιού και υπέρ πλέγματος (super lattice devices).
"Software" specially designed to enhance or release the performance of a frequency changer or generator to meet the characteristics of 3A225 is specified in 3D225.
Στο σημείο 3Ε003.β. δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz και για ετεροδιπολικά τρανζίστορ (ΗΒΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz.
"Technology" in the form of codes or keys to enhance or release the performance of a frequency changer or generator to meet the characteristics of 3A225 is specified in 3E225.
«Υπεραγώγιμων» ηλεκτρονικών συσκευών,
Multiphase output providing a power of 40 VA or greater;
δ. Υποστρωμάτων υμενίων αδάμαντος για ηλεκτρονικά δομοστοιχεία,
b.
ε.
Operating at a frequency of 600 Hz or more; and
Υποστρωμάτων πυριτίου επί μονωτικού (SOI) για ολοκληρωμένα κυκλώματα, όπου το μονωτικό υλικό είναι διοξείδιο του πυριτίου, στ.
c.
Υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου για ηλεκτρονικά δομοστοιχεία,
Frequency control better (less) than 0,2 %.
ζ.
225 does not control frequency changers or generators if they have hardware, "software" or "technology" constraints that limit the performance to less than that specified above, provided they meet any of the following:
Ηλεκτρονικές λυχνίες που λειτουργούν σε συχνότητες τουλάχιστον 31,8 GHz.
They need to be returned to the original manufacturer to make the enhancements or release the constraints;
«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη «χρήση» εξοπλισμού ή «λογισμικού» που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.α.1 ή 2, 3Α101, 3Α102 ή 3D101.
They require "software" as specified in 3D225 to enhance or release the performance to meet the characteristics of 3A225; or
«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την «ανάπτυξη» λογισμικού που καθορίζεται στο σημείο 3D101.
They require "technology" in the form of keys or codes as specified in 3E225 to enhance or release the performance to meet the characteristics of 3A225.
«Τεχνολογία» σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη «χρήση» εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.ε.2, 3Α001.ε.3., 3Α001.ζ., 3Α201, 3Α225 έως 3Α234.
Frequency changers in 3A225 are also known as converters or inverters.
«Τεχνολογία» υπό τη μορφή κωδικών ή κλειδών για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225.
Frequency changers in 3A225 may be marketed as Generators, Electronic Test Equipment, AC Power Supplies, Variable Speed Motors Drives, Variable Speed Drives (VSDs), Variable Frequency Drives (VFDs), Adjustable Frequency Drives (AFDs), or Adjustable Speed Drives (ASDs).
ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 4 —
High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics: a.
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΕΣ
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
Οι ηλεκτρονικοί υπολογιστές, ο συναφής εξοπλισμός και το «λογισμικό» που εκτελούν λειτουργίες τηλεπικοινωνιών ή «τοπικού δικτύου» (δίκτυο LAN) πρέπει επίσης να ελέγχονται σύμφωνα με τα χαρακτηριστικά απόδοσης της κατηγορίας 5 μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες).
b.
Οι μονάδες ελέγχου που διασυνδέουν απευθείας τους διαδρόμους ή τους διαύλους των μονάδων κεντρικής επεξεργασίας και οι μονάδες ελέγχου της «κυρίως μνήμης» ή των δίσκων δεν θεωρούνται εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που περιγράφεται στην κατηγορία 5 Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες).
Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
Όσον αφορά τη διαβάθμιση ελέγχου του «λογισμικού» που έχει σχεδιαστεί ειδικά για μεταγωγή πακέτων, βλέπε την κατηγορία 5D001.
Switching devices, as follows:
Οι ηλεκτρονικοί υπολογιστές, ο συναφής εξοπλισμός και το «λογισμικό» που εκτελούν λειτουργίες κρυπτογράφησης, κρυπτανάλυσης, ασφάλειας πολλαπλών βαθμίδων που μπορεί να επιβεβαιωθεί, ή απομόνωσης χρηστών που επίσης μπορεί να επιβεβαιωθεί, ή που περιορίζουν την ηλεκτρομαγνητική συμβατότητα, πρέπει επίσης να ελέγχονται σύμφωνα με τα χαρακτηριστικά απόδοσης της κατηγορίας 5 Μέρος 2 («Ασφάλεια πληροφοριών»).
a.
Ηλεκτρονικοί υπολογιστές και συναφής εξοπλισμός που έχουν οποιαδήποτε από τα κατωτέρω, καθώς και «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τα συστήματα αυτά:
Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 4A101.
Containing three or more electrodes;
α.
Anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
Που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ώστε να έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
Anode peak current rating of 100 A or more; and
Ονομαστική λειτουργία σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω από 228 Κ (– 45 °C) ή πάνω από 358 Κ (85 °C)· ή
Anode delay time of 10 μs or less;
Το σημείο 4Α001.α.1 δεν ελέγχει τους υπολογιστές που έχουν σχεδιαστεί ειδικά για εφαρμογές πολιτικών αυτοκινήτων ή σιδηροδρομικών συρμών ή «πολιτικών αεροσκαφών».
228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
Που έχουν υποστεί ειδική επεξεργασία για να αντέχουν σε ακτινοβολία που μπορεί να ξεπεράσει οποιαδήποτε από τις ακόλουθες προδιαγραφές:
b.
Συνολική δόση 5 × 103 Gy (πυρίτιο)·
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
Απότομη αλλαγή του ρυθμού ακτινοβολίας 5 x 106 Gy (πυρίτιο)/s· ή
An anode delay time of 15 μs or less; and
Απότομη αλλαγή από ένα και μόνο γεγονός 1 × 10-8 λάθη/bit/ημέρα.
Rated for a peak current of 500 A or more;
Το σημείο 4Α001.α.2 δεν ελέγχει τους υπολογιστές που έχουν σχεδιαστεί ειδικά για εφαρμογές «πολιτικών αεροσκαφών».
c.
β.
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
Δεν χρησιμοποιείται.
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
«Ψηφιακοί υπολογιστές», «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και συναφής εξοπλισμός γι’ αυτούς, ως εξής, καθώς επίσης και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία γι’ αυτά:
Anode peak current rating of 500 A or more; and
Η διαβάθμιση ελέγχου των «ψηφιακών υπολογιστών» και του συναφούς εξοπλισμού που περιγράφεται στο σημείο 4Α003 καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του άλλου εξοπλισμού ή των άλλων συστημάτων υπό τον όρο ότι: α.
Turn-on time of 1 μs or less.
Οι «ψηφιακοί υπολογιστές» ή ο συναφής εξοπλισμός δεν αποτελούν «βασικό στοιχείο» του άλλου εξοπλισμού ή των άλλων συστημάτων· και ΣΗΜ.
High-current pulse generators as follows:
1: Η διαβάθμιση ελέγχου εξοπλισμού για «επεξεργασία σημάτων» ή «βελτίωση εικόνων» που έχει ειδικά σχεδιαστεί για άλλο εξοπλισμό με λειτουργίες που περιορίζονται σε αυτές που απαιτούνται για τον άλλο εξοπλισμό καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του άλλου εξοπλισμού, ακόμη και αν υπερβαίνει το κριτήριο του «βασικού στοιχείου».
a.
ΣΗΜ.
Detonator firing sets (initiator systems, firesets), including electronically-charged, explosively-driven and optically-driven firing sets, other than those specified in 1A007.a., designed to drive multiple controlled detonators specified in 1A007.b.;
2: Για τη διαβάθμιση ελέγχου των «ψηφιακών υπολογιστών» ή συναφούς εξοπλισμού για εξοπλισμό τηλεπικοινωνιών, βλέπε την κατηγορία 5 μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες). γ.
b.
Η «Τεχνολογία» για τους «ψηφιακούς υπολογιστές» και τον συναφή εξοπλισμό καθορίζεται στο σημείο 4Ε. α.
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Δεν χρησιμοποιείται·
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
γ.
Capable of delivering their energy in less than 15 μs into loads of less than 40 ohms;
«Ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί ώστε να ενισχύουν την απόδοση με τη συγκέντρωση επεξεργαστών, ούτως ώστε η «APP» του συγκροτήματος να υπερβαίνει το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β.· Σημείωση 1:
Having an output greater than 100 A;
Το σημείο 4Α003.γ., ελέγχει μόνο «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και προγραμματιζόμενες διασυνδέσεις που δεν υπερβαίνουν το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β., όταν αποστέλλονται ως μη ενσωματωμένα «ηλεκτρονικά συγκροτήματα».
No dimension greater than 30 cm;
Το σημείο αυτό δεν ελέγχει τα «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που περιορίζονται εγγενώς ως εκ της φύσεως της σχεδίασής τους να χρησιμοποιούνται ως συναφής εξοπλισμός όπως αναφέρεται στο σημείο 4Α003.ε.
Weight less than 30 kg; and
Στο σημείο4Α 003.γ. δεν υπάγονται τα «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για ένα προϊόν ή οικογένεια προϊόντων για τα οποία η μέγιστη διάρθρωση δεν υπερβαίνει το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β.
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
ε.
b. includes xenon flash-lamp drivers.
Εξοπλισμός που επιτελεί μετατροπές αναλογικών σημάτων προς ψηφιακά υπερβαίνοντας τα όρια που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.α.5.· στ.
c.
Δεν χρησιμοποιείται·
Micro-firing units having all of the following characteristics:
ζ.
No dimension greater than 35 mm;
Ειδικώς σχεδιασμένος εξοπλισμός για τη συνάθροιση των επιδόσεων «ψηφιακών υπολογιστών» με την παροχή εξωτερικών διασυνδέσεων, που επιτρέπει την επικοινωνία με μονόδρομες ταχύτητες μεταβίβασης δεδομένων υπερβαίνουσες τα 2,0 Gbyte/s ανά σύνδεσμο.
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
Στο σημείο 4Α003.ζ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός εσωτερικής διασύνδεσης (π.χ. βασική πλακέτα, ζυγοί), ο εξοπλισμός παθητικής διασύνδεσης, οι «ελεγκτές πρόσβασης δικτύου» ή οι «ελεγκτές διαύλων επικοινωνίας».
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
Υπολογιστές ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένος συναφής εξοπλισμός, «ηλεκτρονικά συγκροτήματα» και δομικά στοιχεία αυτών:
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
«Υπολογιστές συστολικής συστοιχίας»·
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
«Νευρωνικοί υπολογιστές»·
'Pulse transition time' less than 500 ps.
γ.
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
«Οπτικοί υπολογιστές».
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
Συστήματα, εξοπλισμός και δομικά στοιχεία τους, ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για την παραγωγή, λειτουργία ή απόδοση «λογισμικού εισβολής» ή για την επικοινωνία με το λογισμικό αυτό.
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
Αναλογικοί υπολογιστές, «ψηφιακοί υπολογιστές» ή ψηφιακοί διαφορικοί αναλυτές διαφορετικοί από εκείνους του σημείου 4Α001.α.1., που είναι ανθεκτικοί και έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούνται σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104.
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
«Υβριδικοί υπολογιστές» που έχουν σχεδιαστεί ειδικά για την εκπόνηση μοντέλων, τη διενέργεια προσομοίωσης ή τη σχεδιαστική ενσωμάτωση οχημάτων εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδων που ορίζονται στο σημείο 9Α104.
a.
Ο έλεγχος ισχύει μόνο για τον εξοπλισμό που παρέχεται μαζί με το λογισμικό το οποίο καθορίζεται στο σημείο 7D103 ή 9D103.
Designed for operation without an external vacuum system; and
Η διαβάθμιση ελέγχου του «λογισμικού» για εξοπλισμό που περιγράφεται σε άλλες κατηγορίες περιέχεται στην αντίστοιχη κατηγορία.
b.
«Λογισμικό» ως εξής:
Utilizing any of the following:
α.
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
«Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» εξοπλισμού ή «λογισμικού» που καθορίζονται στα σημεία 4Α001 έως 4Α004, ή 4D.
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
β.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
«Λογισμικό», εκτός του περιγραφόμενου στο σημείο 4D001.α, που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού ως εξής:
See 1A007.b. for detonators.
«Ψηφιακοί υπολογιστές» που έχουν «προσαρμοσμένη κορυφαία απόδοση» («APP») άνω των 1,0 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT)·
b.
«Ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την αύξηση της απόδοσης με τη συνάθροιση επεξεργαστών, ούτως ώστε η «APP» του συνόλου να υπερβαίνει το όριο του 4D001.β.1.
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5,000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
004 «Λογισμικό» που είναι ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την παραγωγή, λειτουργία ή απόδοση «λογισμικού εισβολής» ή για την επικοινωνία με το λογισμικό αυτό.
232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
4E Τεχνολογία
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
«Τεχνολογία» σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την «ανάπτυξη», «παραγωγή» ή «χρήση» εξοπλισμού ή «λογισμικού» που καθορίζονται στα σημεία 4Α ή 4D. β.
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
«Τεχνολογία», εκτός της περιγραφόμενης στο 4E001.α, που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού ως εξής:
b.
«Ψηφιακοί υπολογιστές» που έχουν «προσαρμοσμένη κορυφαία απόδοση» («APP») άνω των 1,0 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT)· 2.
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
«Ηλεκτρονικά συγκροτήματα» που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την αύξηση της απόδοσης με τη συνάθροιση επεξεργαστών, ούτως ώστε η «APP» του συνόλου να υπερβαίνει το όριο του 4Ε001.β.1.
c.
«Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» «λογισμικού εισβολής».
d.
ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΣΧΕΤΙΚΑ ΜΕ ΤΗΝ «ΠΡΟΣΑΡΜΟΣΜΕΝΗ ΚΟΡΥΦΑΙΑ ΑΠΟΔΟΣΗ» («APP»)
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
Η «APP» είναι ένας προσαρμοσμένος ρυθμός με τον οποίο οι «ψηφιακοί υπολογιστές» εκτελούν προσθέσεις και πολλαπλασιασμούς κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω.
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
Η «APP» εκφράζεται ως σταθμισμένα TeraFLOPS (WT), σε μονάδες 1012 πράξεων κινητής υποδιαστολής ανά δευτερόλεπτο.
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
Συντμήσεις που χρησιμοποιούνται στην παρούσα Τεχνική Σημείωση
e.
n αριθμός επεξεργαστών του «ψηφιακού υπολογιστή»
Not used;
Ως «ανυσματικός επεξεργαστής» νοείται ένας επεξεργαστής με ενσωματωμένες οδηγίες που εκτελούν ταυτόχρονα πολλαπλούς υπολογισμούς σε ανύσματα κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατες συστοιχίες αριθμών 64 bit ή μεγαλύτερων), ο οποίος έχει τουλάχιστον 2 ανυσματικές λειτουργικές μονάδες και τουλάχιστον 8 ανυσματικούς καταχωρητές τουλάχιστον 64 στοιχείων το καθένα.
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a., 3B001.b. or 3B001.c. are designed to be connected; and
ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΚΑΙ «ΑΣΦΑΛΕΙΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ»
e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
Μέρος 1 -
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.
Για τον εξοπλισμό, τα συστατικά μέρη και το «λογισμικό» που επιτελούν ή έχουν ενσωματωμένες λειτουργίες «ασφάλειας πληροφοριών» βλέπε επίσης Κατηγορία 5, Μέρος 2.
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
«Ψηφιακοί υπολογιστές», συναφής εξοπλισμός ή «λογισμικό», όταν είναι απαραίτητα για την λειτουργία και υποστήριξη τηλεπικοινωνιακού εξοπλισμού που περιγράφεται στην παρούσα κατηγορία θεωρούνται ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία υπό τον όρο ότι είναι τα τυποποιημένα μοντέλα που συνήθως προμηθεύει ο κατασκευαστής.
a.
Εδώ περιλαμβάνονται συστήματα υπολογιστών για λειτουργία, διαχείριση, συντήρηση, μηχανολογικές ή λογιστικές εφαρμογές.
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
Τηλεπικοινωνιακά συστήματα, εξοπλισμός, δομικά στοιχεία και εξαρτήματα γι’ αυτά ως εξής:
b.
α.
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
Οποιοσδήποτε τύπος εξοπλισμού τηλεπικοινωνιών που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, λειτουργίες ή γνωρίσματα:
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
Τα σημεία 5Α001.α.2. και 5Α001.α.3 δεν αφορούν εξοπλισμό που είναι εγκατεστημένος σε δορυφόρους.
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
β.
f.2. includes:
Τηλεπικοινωνιακά συστήματα και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία και εξαρτήματα γι’ αυτά, που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, λειτουργίες ή γνωρίσματα:
Micro contact printing tools
Που είναι υποβρύχια μη προσδεδεμένα συστήματα επικοινωνιών και έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
Hot embossing tools
α.
Nano-imprint lithography tools
Ακουστική συχνότητα φέρουσας εκτός του φάσματος από 20 kHz έως 60 kHz,
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
β.
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
Χρησιμοποιούν ηλεκτρομαγνητική συχνότητα φέρουσας κάτω από 30 kHz,
a.
γ.
Using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
Χρησιμοποιούν τεχνικές οδήγησης ηλεκτρονικής δέσμης, ή
A spot size smaller than 0,2 μm;
δ. Χρησιμοποιούν «λέιζερ» ή διόδους φωτοεκπομπής (LED) με μήκος κύματος εξόδου μεγαλύτερο από 400 nm και μικρότερο από 700 nm, σε «τοπικό δίκτυο»·
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που λειτουργεί στο φάσμα συχνοτήτων 1,5 MHz έως 87,5 MHz και έχει όλα τα παρακάτω:
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
Προβλέπει και επιλέγει αυτόματα συχνότητες και «συνολικούς ρυθμούς ψηφιακής μεταφοράς» ανά κανάλι για να βελτιστοποιήσει τη μετάδοση, και
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
β.
h.
Έχει ενσωματωμένη μια διάταξη γραμμικού ενισχυτή ισχύος, με δυνατότητα να υποστηρίζει πολλαπλά σήματα συγχρόνως με ισχύ εξόδου 1 kW ή παραπάνω στο φάσμα συχνοτήτων 1,5 MHz έως 30 MHz ή με έξοδο ισχύος 250 W ή παραπάνω στο φάσμα συχνοτήτων 30 MHz έως 87,5 MHz, σε «στιγμιαίο εύρος ζώνης» μίας οκτάβας ή παραπάνω και με παραμόρφωση και αρμονικές εξόδους καλύτερες από -80 dB.
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που χρησιμοποιεί τεχνικές μεθόδους «διασκορπισμένου φάσματος» όπως π.χ. τεχνικές μεταπήδησης συχνοτήτων, πλην των οριζόμενων στο σημείο 5Α001.β.4., και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
α.
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
Χρησιμοποιεί κωδικούς διασκορπισμού του φάσματος που προγραμματίζονται, ή
h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Ένα συνολικό εύρος ζώνης που μεταδίδεται που είναι 100 ή παραπάνω φορές το εύρος ζώνης ενός οποιουδήποτε καναλιού πληροφορίας και παραπάνω των 50 kHz.
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Στο σημείο 5Α001.β.3.β. δεν ελέγχεται ο ασύρματος εξοπλισμός ο ειδικά σχεδιασμένος για χρήση σε οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
Συστήματα κυψελωτών επικοινωνιών για μη στρατιωτική χρήση, ή
a.
Σταθεροί ή κινητοί επίγειοι δορυφορικοί σταθμοί για εμπορικές τηλεπικοινωνίες για μη στρατιωτική χρήση.
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Στο σημείο 5Α001.β.3. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός που έχει σχεδιαστεί για να λειτουργεί με ισχύ εξόδου 1 W ή λιγότερο.
c.