natgillin/translations-raw huggingface dataset:
α.
A peak saturated power output greater than 30 W (44,77 dBm) at any frequency exceeding 12 GHz up to and including 16 GHz; or
«Εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου» που υπερβαίνει τα 170 MHz, και
A peak saturated power output greater than 20 W (43 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz;
100 % πιθανότητα ανακάλυψης με μείωση μικρότερη των 3 dB από το πλήρες πλάτος εξαιτίας κενών ή «παραθύρων» (windowing effects) στα σήματα που έχουν διάρκεια 15 μs ή μικρότερη,
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 2 W (33 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43.5 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.γ.4.β., η διάρκεια για πιθανότητα ανακάλυψης 100 % είναι ισοδύναμη με την ελάχιστη διάρκεια σήματος που απαιτείται για την αβεβαιότητα μετρήσεων της προσδιοριζόμενης στάθμης.
e.
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» που έχουν λειτουργία «ενεργοποιητή μάσκας συχνότητας» με 100 % πιθανότητα ενεργοποίησης (δέσμευσης) σημάτων διάρκειας 15μs ή μικρότερης,
Rated for operation at frequencies exceeding 43.5 GHz and having any of the following:
δ. Γεννήτριες σημάτων με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A peak saturated power output greater than 0,2 W (23 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz up to and including 75 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Προδιαγεγραμμένες για την παραγωγή σημάτων διαμόρφωσης παλμών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 31,8 GHz και έως και 37 GHz,
A peak saturated power output greater than 20 mW (13 dBm) at any frequency exceeding 75 GHz up to and including 90 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 5 %; or
α.
A peak saturated power output greater than 0,1 nW (-70 dBm) at any frequency exceeding 90 GHz; or
«Διάρκεια παλμού» κάτω των 25 ns, και
f.
β.
Rated for operation at frequencies above 2,7 GHz and having all of the following:
Αναλογία on/off ίση ή ανώτερη των 65 dB,
A peak saturation power (in watts), Psat, greater than 400 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [Psat >400 W*GHz2/fGHz2];
Ισχύ εξόδου άνω των 100 mW (20 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz και έως και 90 GHz,
A "fractional bandwidth" of 5 % or greater; and
«Χρόνο μεταγωγής συχνότητας» προσδιοριζόμενο από οποιοδήποτε από τα εξής:
Any two sides perpendicular to one another with either length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15 cm*GHz/ fGHz];
Οι «ψηφιακοί υπολογιστές» ή ο συναφής εξοπλισμός είναι απολύτως απαραίτητοι για την λειτουργία του άλλου εξοπλισμού ή των άλλων συστημάτων· β.
GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 2.7 GHz and below [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz].
β.
MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
Κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός του φάσματος συχνοτήτων άνω των 4,8 GHz και έως και 31,8 GHz,
The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest peak saturation output threshold.
γ.
b.4. includes transmit/receive modules and transmit modules.
Δεν χρησιμοποιείται.
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs and having any of the following:
δ. Κάτω των 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός του φάσματος συχνοτήτων άνω των 31,8 GHz και έως και 37 GHz,
a.
ε.
A band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
Κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός του φάσματος συχνοτήτων άνω των 37 GHz και έως και 90 GHz, ή στ.
b.
Δεν χρησιμοποιείται·
A band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, που ορίζεται ως ακολούθως:
Converters and harmonic mixers that are any of the following:
Κάτω (καλύτερο) των -(126 + 20log10F - 20log10f) οπουδήποτε εντός της ζώνης των 10 Hz < F < 10 kHz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 3,2 GHz αλλά όχι άνω των 90 GHz, ή
Designed to extend the frequency range of "signal analysers" beyond 90 GHz;
Κάτω (καλύτερο) των –(206- 20log10f) οπουδήποτε εντός της ζώνης των 10 kHz< F≤ 100 kHz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 3,2 GHz αλλά όχι άνω των 90 GHz, ή
Designed to extend the operating range of signal generators as follows:
Στο 3Α002.δ.4., F είναι η απόκλιση από τη συχνότητα λειτουργίας σε Hz και f είναι η συχνότητα λειτουργίας σε MHz.
Beyond 90 GHz;
Μέγιστη συχνότητα αντιστροφής άνω των 90 GHz.
To an output power greater than 100 mW (20 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43.5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Σημ.
c.
1:
Designed to extend the operating range of network analysers as follows:
Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.δ., στις γεννήτριες σημάτων περιλαμβάνονται οι γεννήτριες σημάτων τυχούσας κυματομορφής και συνάρτησης.
Beyond 110 GHz;
Σημ.
To an output power greater than 31.62 mW (15 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43.5 GHz but not exceeding 90 GHz;
2:
To an output power greater than 1 mW (0 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 90 GHz but not exceeding 110 GHz; or
Στο σημείο 3Α002.δ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός στον οποίο παράγεται η συχνότητα εξόδου, είτε μέσω της πρόσθεσης ή αφαίρεσης δύο ή περισσότερων συχνοτήτων που παράγει κρυσταλλικός ταλαντωτής, είτε μέσω πρόσθεσης ή αφαίρεσης την οποία ακολουθεί πολλαπλασιασμός του αποτελέσματος.
d.
Η μέγιστη συχνότητα μιας γεννήτριας σημάτων τυχούσας κυματομορφής ή συνάρτησης υπολογίζεται διαιρώντας τον ρυθμό δειγματοληψίας, σε δείγματα ανά δευτερόλεπτο, με συντελεστή 2,5.
Designed to extend the frequency range of microwave test receivers beyond 110 GHz;
Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.δ.1.α, η «διάρκεια παλμού» ορίζεται ως το χρονικό διάστημα από το σημείο του πρόσθιου άκρου που αντιστοιχεί στο 50 % του πλάτους του παλμού έως το σημείο του οπίσθιου άκρου που αντιστοιχεί στο 50 % του πλάτους του παλμού.
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Αναλυτές δικτύου με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Operating frequencies above 3 GHz;
Ισχύ εξόδου άνω των 31,62 mW (15 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 43,5 GHz και έως και 90 GHz,
b.
Ισχύ εξόδου άνω του 1 mW (0 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 90 GHz και έως και 110 GHz,
An average output power to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
«Λειτουργία μέτρησης μη γραμμικού διανύσματος» σε συχνότητες άνω των 50 GHz και έως και 110 GHz, ή
c.
Τεχνική Σημείωση:
A volume of less than 400 cm3;
«Λειτουργία μέτρησης μη γραμμικού διανύσματος» είναι η ικανότητα ενός οργάνου να αναλύει τα αποτελέσματα δοκιμών συσκευών που οδηγούνται στη περιοχή του μεγάλου σήματος ή στο εύρος της μη γραμμικής παραμόρφωσης.
b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 110 GHz. στ.
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
Δοκιμαστικοί μικροκυματικοί δέκτες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
a.
Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 110 GHz, και
A 'turn-on time' from off to fully operational in less than 10 seconds;
Μπορούν να μετρήσουν συγχρόνως το πλάτος και τη φάση.
b.
ζ.
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
Πρότυπα ατομικής συχνότητας που έχουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
c.
Είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση»,
An "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax > 2fmin) and having any of the following:
Δεν βασίζονται στο ρουβίδιο και έχουν μακροπρόθεσμη σταθερότητα (γήρανση) μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10–11/μήνα, ή
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
Δεν είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση» και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A frequency greater than 18 GHz;
α.
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Αποτελούν πρότυπα ρουβιδίου,
The 'turn-on time' in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
β.
Oscillators or oscillator assemblies, specified to operate with a single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, less (better) than – (126 + 20log10F - 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz;
Μακροπρόθεσμη σταθερότητα μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10–11/μήνα, και
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
γ.
"Frequency synthesiser" "electronic assemblies" having a "frequency switching time" as specified by any of the following:
Συνολική κατανάλωση ενέργειας κάτω του 1 W.
a.
Συστήματα θερμοδιαχείρισης με ψύξη διά ψεκασμού, που χρησιμοποιούν εξοπλισμό χειρισμού και επαναχρησιμοποίησης ρευστών σε κλειστό βρόχο μέσα σε σφραγισμένο περιβάλλον, όπου ψεκάζεται διηλεκτρικό ρευστό πάνω σε ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία με χρήση ειδικά σχεδιασμένων ψεκαστικών ακροφυσίων σχεδιασμένων να διατηρούν τα ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία εντός του αντίστοιχου φάσματος θερμοκρασιών λειτουργίας, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τον εξοπλισμό αυτό.
Less than 156 ps;
Ηλεκτρονικός εξοπλισμός, συσκευές και δομικά στοιχεία εκτός από αυτά που ορίζονται στο σημείο 3Α001, ως εξής:
b.
α.
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε «βλήματα» και που έχουν σχεδιαστεί για να πληρούν στρατιωτικές προδιαγραφές για ανθεκτικό εξοπλισμό,
c.
β.
Less than 250 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
Επιταχυντές ικανοί να αποδώσουν ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία που παράγεται από ακτινοβολία επιβράδυνσης από επιταχυνόμενα ηλεκτρόνια ύψους 2 MeV ή παραπάνω, και συστήματα που περιέχουν τους επιταχυντές αυτούς.
d.
Το παραπάνω σημείο 3Α101.β. δεν περιλαμβάνει εξοπλισμό ο οποίος έχει ειδικά σχεδιαστεί για ιατρικούς σκοπούς.
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz;
«Θερμικές μπαταρίες» σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για «βλήματα».
e.
Στο σημείο 3Α102, ως «θερμικές μπαταρίες» νοούνται οι ηλεκτρικές στήλες μιας χρήσης που χρησιμοποιούν ως ηλεκτρολύτη στερεό δυσηλεκτραγωγό ανόργανο άλας.
Less than 1 ms for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 56 GHz;
Οι μπαταρίες αυτές περιέχουν και κάποιο πυρολυτικό υλικό το οποίο, αναφλεγόμενο, λιώνει τον ηλεκτρολύτη και θέτει σε λειτουργία την ηλεκτρική στήλη.
f.
Στο σημείο 3A102, ως «βλήματα» νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων εναέριων οχημάτων με ακτίνα δράσης άνω των 300 km.
Less than 1 ms for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesized frequency range exceeding 56 GHz but not exceeding 90 GHz; or
Ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία εκτός από όσα καθορίζονται στο σημείο 3Α001, ως εξής:
g.
α.
Less than 1 ms within the synthesized frequency range exceeding 90 GHz;
Πυκνωτές με μία από τις ακόλουθες ομάδες χαρακτηριστικών:
For general purpose "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
Ονομαστική τάση άνω των 1,4 kV,
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
β.
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
Αποθήκευση ενέργειας άνω των 10 J,
a.
γ.
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
Χωρητικότητα άνω των 0,5 μF, και
b.
δ. Αυτεπαγωγή σειράς κάτω των 50 nH. ή
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
α.
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB;
Ονομαστική τάση άνω των 750 V,
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
β.
A bandwidth greater than 250 MHz; or
Χωρητικότητα άνω των 0,25 μF, και
A dispersive delay of more than 10 μs; or
Αυτεπαγωγή σειράς κάτω των 10 nH.
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
β.
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
Υπεραγώγιμοι σωληνοειδείς ηλεκτρομαγνήτες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
'Frequency side-lobe rejection' is the maximum rejection value specified in data sheet.
Ικανότητα να δημιουργούν μαγνητικά πεδία άνω των 2 T,
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
Λόγο μήκους προς εσωτερική διάμετρο μεγαλύτερο από 2,
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Εσωτερική διάμετρο άνω των 300 mm, και
c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Ομοιογένεια μαγνητικού πεδίου καλύτερη από 1 % όταν μετριέται στο κεντρικό 50 % του εσωτερικού όγκου.
d.
Στο σημείο 3Α201.β. δεν ελέγχονται μαγνήτες που έχουν ειδικά σχεδιαστεί και εξάγονται «ως μέρος» ιατρικών συστημάτων απεικόνισης που βασίζονται σε πυρηνικό μαγνητικό συντονισμό (nuclear magnetic resonance).
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
Η φράση «ως μέρος» δεν σημαίνει κατ’ ανάγκη ότι αποτελεί υλικό τμήμα της ίδιας αποστολής.
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
Επιτρέπονται ξεχωριστές αποστολές από διαφορετικές πηγές υπό τον όρο τα σχετικά εξαγωγικά έγγραφα καθορίζουν σαφώς ότι οι αποστολές διακινούνται «ως μέρος» των συστημάτων απεικόνισης.
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
Γεννήτριες ακτίνων Χ στιγμιαίας λειτουργίας ή παλμικοί επιταχυντές ηλεκτρονίων με ένα από τα ακόλουθα σύνολα χαρακτηριστικών:
High energy devices as follows:
α.
'Cells' as follows:
Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 500 keV και άνω, αλλά κάτω των 25 MeV, και
a.
β.
'Primary cells' having an 'energy density' exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
«Συντελεστή κέρδους» (Κ) 0,25 ή παραπάνω, ή
b.
α.
'Secondary cells' having an 'energy density' exceeding 300 Wh/kg at 20 °C;
Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 25 MeV και άνω, και
For the purpose of 3A001.e.1.,'energy density' (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
β.
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
«Ανώτατη ισχύ» μεγαλύτερη από 50 MW.
For the purpose of 3A001.e.1., a 'cell' is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Το σημείο 3Α201.γ. δεν καλύπτει τους επιταχυντές που αποτελούν δομικά στοιχεία συσκευών που έχουν σχεδιαστεί για σκοπούς άλλους εκτός από την ακτινοβολία με ακτίνες Χ ή με δέσμη ηλεκτρονίων (για παράδειγμα ηλεκτρονικά μικροσκόπια), καθώς και συσκευών που έχουν σχεδιαστεί για ιατρικούς σκοπούς.
It is the basic building block of a battery.
Ο «συντελεστής κέρδους» Κ ορίζεται ως εξής:
For the purpose of 3A001.e.1.a., a 'primary cell' is a 'cell' that is not designed to be charged by any other source.
K = 1,7 × 103V2.65Q
For the purpose of 3A001.e.1.b., a 'secondary cell' is a 'cell' that is designed to be charged by an external electrical source.
όπου V είναι η ανώτατη ενέργεια των ηλεκτρονίων σε MeV.
e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
Q είναι το συνολικό φορτίο σε Coulomb που έχει επιταχυνθεί, αν η διάρκεια της παλμικής δέσμης του επιταχυντή είναι μικρότερη από ή ίση προς 1 μs.
High energy storage capacitors as follows:
Αν η διάρκεια της παλμικής δέσμης του επιταχυντή είναι μεγαλύτερη από 1 μs, τότε το Q είναι το μέγιστο φορτίο που επιταχύνεται σε 1 μs.
N.B
Το Q είναι ίσο με το ολοκλήρωμα του i ως προς το t επί τον μικρότερο από τους δύο χρόνους, δηλαδή 1 μs ή τη διάρκεια σε χρόνο της παλμικής δέσμης (Q = ∫ idt), όπου i είναι το ρεύμα της δέσμης σε αμπέρ και t είναι ο χρόνος σε δευτερόλεπτα
SEE ALSO 3A201.a. and the Military Goods Controls.
«Ανώτατη ισχύς» είναι το γινόμενο του μέγιστου δυναμικού (σε βολτ) επί το μέγιστο ρεύμα δέσμης (σε αμπέρ).
a.
Στις μηχανές που βασίζονται σε κοιλότητες επιτάχυνσης μικροκυμάτων, ο χρόνος διάρκειας της παλμικής δέσμης είναι η μικρότερη τιμή, δηλαδή ή 1 μs, ή η διάρκεια του συμπιεσμένου πακέτου δέσμης που προκύπτει από έναν παλμό μικροκυματικού διαμορφωτή, αν αυτή είναι μικρότερη από 1 μs.
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Στις μηχανές που βασίζονται σε κοιλότητες επιτάχυνσης μικροκυμάτων το μέγιστο ρεύμα δέσμης ισούται με το μέσο ρεύμα κατά τη διάρκεια σε χρόνο ενός συμπιεσμένου πακέτου δέσμης.
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
Η «τεχνολογία» υπό τη μορφή κωδικών ή κλειδών για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225 προσδιορίζεται στο σημείο 3E225.
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
α.
A total energy equal to or more than 25 kJ;
Πολυφασική έξοδο που αποδίδει ισχύ 40 VA ή μεγαλύτερη,
b.
β.
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Λειτουργία σε συχνότητα 600 Hz και άνω, και
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
γ.
A total energy equal to or more than 100 J; and
Έλεγχο συχνότητας καλύτερο (χαμηλότερο) από 0,2 %.
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
Στο σημείο 3A225 δεν ελέγχονται οι μετατροπείς ή γεννήτριες συχνοτήτων αν έχουν περιορισμούς υλισμικού, «λογισμικού» ή «τεχνολογίας» που περιορίζουν τις επιδόσεις σε επίπεδο κατώτερο του ως άνω προσδιοριζόμενου, υπό την προϋπόθεση ότι πληρούν τα εξής:
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
Χρειάζεται να επιστραφούν στον αρχικό κατασκευαστή για τη διενέργεια βελτιώσεων ή την αποδέσμευση των περιορισμών,
SEE ALSO 3A201.b.
Απαιτούν το «λογισμικό» που προσδιορίζεται στο σημείο 3D225 για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3Α225, ή
e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Απαιτούν την «τεχνολογία» υπό τη μορφή κλειδών που προσδιορίζονται στο σημείο 3E225 για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225.
a.
Οι μετατροπείς συχνότητας του σημείου 3A225 δύνανται να κυκλοφορούν στην αγορά ως γεννήτριες, εξοπλισμός ηλεκτρονικών δοκιμών, τροφοδοτικά AC, κινητήρες μετάδοσης μεταβλητής ταχύτητας, συστήματα μετάδοσης μεταβλητής ταχύτητας (VSD), συστήματα μετάδοσης μεταβλητής συχνότητας (VFD), συστήματα μετάδοσης ρυθμιζόμενης συχνότητας (AFD), ή συστήματα μετάδοσης ρυθμιζόμενης ταχύτητας (ASD).
b.
β. εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών.
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
Συσκευές μεταγωγής ως εξής:
c.
α.
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
Λυχνίες ψυχρής καθόδου, είτε γεμισμένες με αέριο είτε όχι, που λειτουργούν παρόμοια με διάκενο σπινθηρισμού και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated 'AM0' illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
Περιέχουν τρία ή περισσότερα ηλεκτρόδια·
'AM0', or 'Air Mass Zero', refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου 2,5 kV ή παραπάνω,
f.
Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 100 Α ή παραπάνω·και·
Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ± 1,0 second of arc;
Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 10 μs ή λιγότερο.
g.
το σημείο 3Α228 περιλαμβάνει τις λυχνίες τύπου krytron με αέριο και sprytron με κενό.
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and 'thyristor modules', using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
β.
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
Διάκενα σπινθηρισμού με σύστημα έναυσης που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 15 μs ή λιγότερο, και
a.
Ονομαστική ανώτατη τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω.
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
Μονάδες ή συναρμολογήσεις με ταχεία λειτουργία μεταγωγής, πλην των προσδιοριζόμενων στο σημείο 3Α001.ζ ή 3A001.η, που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου άνω των 2 kV,
g. includes:
Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω, και
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Χρόνο ενεργοποίησης 1 μs ή λιγότερο.
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
Γεννήτριες παλμών υψηλού ρεύματος, ως εξής:
Light Triggering Thyristors (LTTs)
α.
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
Συσκευές πυροδότησης για εκρηκτικούς πυροκροτητές (συστήματα έναυσης/πυροδότησης) συμπεριλαμβανομένων συσκευών πυροδότησης που φορτίζονται ηλεκτρονικά, που λειτουργούν εκρηκτικά και οπτικά, εκτός από εκείνες που ορίζονται στο σημείο 1A007.α., που έχουν σχεδιαστεί για να συνδέονται με πολλαπλούς εκρηκτικούς πυροκροτητές του σημείου 1A007.β.
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
β.
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
Βαθμιδωτές ηλεκτρικές παλμογεννήτριες (pulsers) που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Solidtrons
Έχουν σχεδιαστεί για να είναι φορητές, κινητές ή ανθεκτικές,
g. does not control thyristor devices and 'thyristor modules' incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Μπορούν να αποδώσουν την ενέργειά τους σε λιγότερο από 15 μs σε φορτία μικρότερα από 40 ohms,
For the purposes of 3A001.g., a 'thyristor module' contains one or more thyristor devices.
Έχουν ρεύμα εξόδου μεγαλύτερο από 100 Α,
h.
Καμία από τις διαστάσεις τους δεν είναι μεγαλύτερη από 30 cm,
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or 'modules', having all of the following:
Το βάρος τους είναι μικρότερο από 30 kg, και
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);