natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Η διεργασία αυτή έχει ως αποτέλεσμα τη συμπύκνωση ή την εναπόθεση των εξατμισμένων σωματιδίων σε καταλλήλως τοποθετημένα υποστρώματα.
In 2B352.f.2., isolators include flexible isolators, dry boxes, anaerobic chambers, glove boxes and laminar flow hoods (closed with vertical flow).
Η προσθήκη αερίων στο θάλαμο κενού κατά τη διάρκεια της επίχρισης για τη δημιουργία σύνθετων επιχρισμάτων αποτελεί συνήθη παραλλαγή της μεθόδου.
g.
Συνήθης επίσης τροποποίηση αυτής της τεχνικής είναι η χρήση δέσμης ιόντων ή ηλεκτρονίων, ή και πλάσματος, για την ενεργοποίηση ή τη διευκόλυνση της εναπόθεσης του επιχρίσματος.
Chambers designed for aerosol challenge testing with "microorganisms", viruses or "toxins" and having a capacity of 1 m3 or greater;
Ένα επιπλέον γνώρισμα αυτών των διεργασιών μπορεί να είναι η χρήση συσκευών παρακολούθησης (monitor) για την κατά τη διεργασία μέτρηση των οπτικών χαρακτηριστικών και του πάχους του επιχρίσματος.
h.
Ειδικότερα, οι μέθοδοι TE-PVD είναι οι εξής:
Spray drying equipment capable of drying toxins or pathogenic microorganisms having all of the following:
Στην PVD δέσμης ηλεκτρονίων χρησιμοποιείται δέσμη ηλεκτρονίων για τη θέρμανση και την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα,
A water evaporation capacity of ≥ 0,4 kg/h and ≤ 400 kg/h;
Στην υποβοηθούμενη από ιόντα PVD θέρμανση με ηλεκτρική αντίσταση χρησιμοποιούνται πηγές θερμότητας με ηλεκτρική αντίσταση, σε συνδυασμό με μία ή περισσότερες προσπίπτουσες δέσμες ιόντων, ικανές να δημιουργούν ελεγχόμενο και ομοιόμορφο ρεύμα εξατμισμένων επιχριστικών σωματιδίων,
The ability to generate a typical mean product particle size of ≤10 μm with existing fittings or by minimal modification of the spray-dryer with atomization nozzles enabling generation of the required particle size; and
Στην εξάτμιση με «λέιζερ» χρησιμοποιούνται δέσμες «λέιζερ» παλμικού ή συνεχούς κύματος για την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα,
Capable of being sterilised or disinfected in situ.
Στην εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου χρησιμοποιείται αναλώσιμη κάθοδος από το υλικό που σχηματίζει το επίχρισμα, στης οποίας την επιφάνεια προκαλείται μονίμως εκκένωση τόξου με τη στιγμιαία επαφή πολυδονητή (κύκλωμα σκανδάλης).
None.
Η ελεγχόμενη κίνηση του σχηματισμού του τόξου διαβρώνει την επιφάνεια της καθόδου δημιουργώντας εξαιρετικά ιονισμένο πλάσμα.
"Software", other than that specified in 2D002, as follows:
Ως άνοδος χρησιμοποιείται είτε ένας κώνος, συνδεδεμένος με την περιφέρεια της καθόδου μέσω μονωτικού υλικού, είτε ο θάλαμος.
a.
Για εναπόθεση χωρίς σκοπευτικό άξονα χρησιμοποιείται πόλωση του υποστρώματος.
"Software" specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment specified in 2A001 or 2B001
Ο ορισμός αυτός δεν περιλαμβάνει την τυχαία εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου με μη πολωμένα υποστρώματα.
b.
Η ιοντική επιμετάλλωση αποτελεί ειδική τροποποίηση της γενικής τεχνικής ΤΕ-PVD, κατά την οποία χρησιμοποιείται πηγή πλάσματος ή ιόντων για τον ιονισμό των προς εναπόθεση σωματιδίων ενώ στο υπόστρωμα εφαρμόζεται αρνητικό δυναμικό πολώσεως για να διευκολυνθεί η έξοδος των σωματιδίων από το πλάσμα.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2A001.c, 2B001 or 2B003 to 2B009.
Η εισαγωγή δραστικών σωματιδίων, η εξάτμιση στερεών μέσα στο θάλαμο εργασίας καθώς και η χρήση συσκευών παρακολούθησης (monitor) για την κατά τη διεργασία μέτρηση των οπτικών χαρακτηριστικών και του πάχους των επιχρισμάτων, αποτελούν συνήθεις παραλλαγές της τεχνικής.
001 does not control part programming "software" that generates "numerical control" codes for machining various parts.
γ.
"Software" for electronic devices, even when residing in an electronic device or system, enabling such devices or systems to function as a "numerical control" unit, capable of co-ordinating simultaneously more than four axes for "contouring control".
Επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη είναι μέθοδος επίχρισης με μετατροπή επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία το υπόστρωμα βυθίζεται σε μείγμα κόνεων (στήλη) αποτελούμενο από:
002 does not control "software" specially designed or modified for the operation of items not specified in Category 2.
τις κόνεις των μετάλλων που πρόκειται να εναποτεθούν (συνήθως αργίλιο, χρώμιο, πυρίτιο ή συνδυασμοί αυτών),
002 does not control "software" for items specified in 2B002.
έναν ενεργοποιητή (συνήθως αλογονούχο άλας), και
See 2D001 and 2D003 for "software" for items specified in 2B002.
μία αδρανή κόνι, ως επί το πλείστον αλουμίνα.
002 does not control "software" that is exported with, and the minimum necessary for the operation of, items not specified by Category 2.
Το μίγμα υποστρώματος και κόνεων περιέχεται σε κάμινο κέρατος, που θερμαίνεται σε θερμοκρασία μεταξύ 1030 Κ (757 °C) και 1375 (1102 °C) για όσο χρόνο απαιτεί η εναπόθεση του επιχρίσματος.
"Software", designed or modified for the operation of equipment specified in 2B002, that converts optical design, workpiece measurements and material removal functions into "numerical control" commands to achieve the desired workpiece form.
δ. Ψεκασμός πλάσματος είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, κατά την οποία τα επιχριστικά υλικά, σε μορφή κόνεως ή σύρματος, εισάγονται σε πιστόλι (δαυλό ψεκασμού) που παράγει πλάσμα και το ελέγχει, τήκονται και εκσφενδονίζονται από αυτό προς το υπόστρωμα, όπου σχηματίζουν άρρηκτα συνδεδεμένο επίχρισμα.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 or 2B119 to 2B122.
Πρόκειται για ψεκασμό πλάσματος είτε χαμηλής πιέσεως είτε υψηλής ταχύτητας.
SEE ALSO 9D004.
Χαμηλή πίεση σημαίνει χαμηλότερη από την ατμοσφαιρική πίεση περιβάλλοντος.
202 does not control part programming "software" that generates "numerical control" command codes but does not allow direct use of equipment for machining various parts.
Η υψηλή ταχύτητα αναφέρεται σε ταχύτητες αερίου στην έξοδο του ακροφυσίου υψηλότερες από 750 m/s υπολογιζόμενες σε θερμοκρασία 293 Κ (20 °C) και πίεση 0,1 MPa.
"Software", other than that specified in 1D003, specially designed for "use" of equipment specified in 2B351.
ε.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software" specified in 2A, 2B or 2D.
Εναπόθεση πολτού είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία σχηματίζεται εναιώρημα μεταλλικής ή κεραμικής κόνεως με οργανικό συνδετικό υλικό σε υγρό, το εναιώρημα αυτό εφαρμόζεται στο υπόστρωμα με ψεκασμό, εμβάπτιση ή βαφή και ακολουθεί ξήρανση στον αέρα ή σε κλίβανο και θερμική κατεργασία για την επίτευξη του επιθυμητού επιχρίσματος. στ.
001 includes "technology" for the integration of probe systems into coordinate measurement machines specified in 2B006.a.
Εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, που βασίζεται σε ένα φαινόμενο μεταφοράς ορμής και κατά την οποία θετικά ιόντα επιταχύνονται από ηλεκτρικό πεδίο προς την επιφάνεια του στόχου (επιχριστικό υλικό).
"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 2A or 2B.
Η κινητική ενέργεια των προσπιπτόντων ιόντων αρκεί για να προκαλέσει την ελευθέρωση των ατόμων της επιφάνειας του στόχου και την εναπόθεσή τους σε καταλλήλως τοποθετημένο υπόστρωμα.
Other "technology", as follows:
Ο πίνακας αναφέρεται μόνο στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης τριόδου, μαγνήτρου ή χημικής αντίδρασης, που χρησιμοποιείται για την αύξηση της πρόσφυσης του επιχρίσματος και της ταχύτητας εναπόθεσης, και στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης ενισχυμένης με ραδιοσυχνότητες (RF), που χρησιμοποιείται για να επιτρέπει την εξάτμιση μη μεταλλικών επιχριστικών υλικών.
a.
Για την ενεργοποίηση της εναπόθεσης είναι δυνατόν να χρησιμοποιούνται δέσμες ιόντων χαμηλής ενέργειας (κάτω των 5 keV)
"Technology" for the "development" of interactive graphics as an integrated part in "numerical control" units for preparation or modification of part programmes;
Εμφύτευση ιόντων είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία το προς κραματοποίηση στοιχείο ιονίζεται, επιταχύνεται μέσω διαβαθμιζόμενου δυναμικού και εμφυτεύεται στην επιφάνεια του υποστρώματος.
"Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:
ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 3 —
a.
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
"Superplastic forming";
Η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού και των δομικών στοιχείων που περιγράφονται στο σημείο 3Α001 ή 3Α002, εκτός από όσα περιγράφονται στα εδάφια3A001.α.3. έως 3Α001.α.10. ή 3Α001.α.12. ή 3A001.α.13, που έχουν σχεδιασθεί ειδικά, ή έχουν τα ίδια λειτουργικά χαρακτηριστικά όπως ο υπόλοιπος εξοπλισμός, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού.
b.
Η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.9., 3A001.α.12. ή 3Α001.α.13., τα οποία έχουν προγραμματισθεί χωρίς δυνατότητα αλλαγής, ή έχουν σχεδιασθεί για μία επιμέρους λειτουργία άλλου εξοπλισμού, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού.
"Diffusion bonding"; or
Όταν ο κατασκευαστής ή αυτός που υποβάλλει την αίτηση δεν μπορεί να καθορίσει τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού, η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων καθορίζεται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.9. και 3Α001.α.12. και 3Α001.α.13.
c.
Ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:
"Direct-acting hydraulic pressing";
α.
Technical data consisting of process methods or parameters as listed below used to control:
Ολοκληρωμένα κυκλώματα για γενικούς σκοπούς, ως εξής:
a.
Η διαβάθμιση ελέγχου των πλακιδίων (που έχουν υποστεί φινίρισμα ή όχι), στα οποία έχει καθοριστεί η λειτουργία, πρέπει να ελεγχθεί με τις παραμέτρους του σημείου 3Α001.α.
"Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα περιλαμβάνουν τους ακόλουθους τύπους:
Surface preparation;
«Μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα»,
Strain rate;
«Υβριδικά ολοκληρωμένα κυκλώματα»,
Temperature;
«Ολοκληρωμένα κυκλώματα πολλαπλών μικροπλακετών»,
Pressure;
«Ολοκληρωμένα κυκλώματα τύπου φιλμ», που περιλαμβάνουν ολοκληρωμένα κυκλώματα με πυρίτιο πάνω σε σάπφειρο,
b.
«Οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα»,
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
«Τρισδιάστατα ολοκληρωμένα κυκλώματα».
c.
Ολοκληρωμένα κυκλώματα σχεδιασμένα ή καθορισμένα ώστε να αντέχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
"Direct-acting hydraulic pressing" of aluminium alloys or titanium alloys:
α.
Cycle time;
Ακτινοβολία, συνολικής δόσης τουλάχιστον 5 × 103 Gy (πυρίτιο),
d.
β.
"Hot isostatic densification" of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
Διαταραχή ρυθμού ακτινοβολίας τουλάχιστον 5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s ή
c.
γ.
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
Ολοκληρωμένη ροή νετρονίων (ισοδύναμο 1 MeV) τουλάχιστον 5 × 1013 n/cm2 σε πυρίτιο, και το αντίστοιχο σε άλλα υλικά,
d.
Στο σημείο 3A001.α.1.γ δεν ελέγχονται οι μεταλλομονωτικοί ημιαγωγοί (MSI).
"Technology" for the "development" of generators of machine tool instructions (e.g., part programmes) from design data residing inside "numerical control" units;
«Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές», «μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών» και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό, μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό, μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό, ηλεκτρο-οπτικά ή «οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» σχεδιασμένα για «επεξεργασία σημάτων», προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices), ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε αγνοείται η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού, στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (FFT), ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο (EEPROM), στιγμιαίες μνήμες ή στατικές μνήμες RAM (SRAM) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
e.
α.
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος άνω των 398 K (125 °C),
f.
β.
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω των 218 K (– 55 °C), ή
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
γ.
This table should be read to specify the technology of a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
Καθορισμένα να λειτουργούν στο σύνολο της περιοχής θερμοκρασιών περιβάλλοντος από 218 K (– 55 °C) έως 398 K (125 °C).
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
Στο σημείο 3A001.α.2. δεν ελέγχονται τα ολοκληρωμένα κυκλώματα που προορίζονται για πολιτικά αυτοκίνητα ή για σιδηροδρόμους.
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
«Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές», «μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών» και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, που κατασκευάζονται από σύνθετο ημιαγωγό και με λειτουργία σε συχνότητα χρονισμού άνω των 40 MHz.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
Το σημείο 3Α001.α.3. περιλαμβάνει ψηφιακούς επεξεργαστές σημάτων, ψηφιακούς πολυεπεξεργαστές (array processors) και ψηφιακούς συνεπεξεργαστές (digital coprocessors).
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
Ολοκληρωμένα κυκλώματα μετατροπής αναλογικού σε ψηφιακό και ψηφιακού σε αναλογικό, ως εξής:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
α.
Table
Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό (ADC) με οιοδήποτε από τα εξής:
Deposition Techniques
ΣΗΜ.:
Coating Process (1) [3]
ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 3Α101
Substrate
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit αλλά μικρότερη των 10 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 1000 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
Resultant Coating
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit αλλά μικρότερη των 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 300 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
Διακριτική ικανότητα 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 200 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
"Superalloys"
Διακριτική ικανότητα άνω των 12 bit αλλά το πολύ 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 125 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο, ή
Aluminides for internal passages
Διακριτική ικανότητα άνω των 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 20 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
Διακριτική ικανότητα n bit αντιστοιχεί σε κβάντωση 2n σταθμών.
Silicides
Ο αριθμός bit στη λέξη εξόδου ισούται προς τη διακριτική ικανότητα του μετατροπέα ψηφιακού σε αναλογικό.
Carbides
Ο ρυθμός εξόδου είναι ο μέγιστος ρυθμός εξόδου του μετατροπέα, ανεξαρτήτως αρχιτεκτονικής ή υπερδειγματοληψίας.
Dielectric layers (15)
Για τους «ADC πολλαπλών διαύλων», τα εξερχόμενα σήματα δεν αθροίζονται, ως ρυθμός δε εξόδου λαμβάνεται ο μεγαλύτερος ρυθμός εξόδου των επί μέρους διαύλων.
Diamond
Για «αλληλένθετους ADC» ή «ADC πολλαπλών διαύλων» που προσδιορίζονται ως έχοντες αλληλένθετη λειτουργία, τα εξερχόμενα σήματα αθροίζονται, ως ρυθμός δε εξόδου λαμβάνεται ο μέγιστος συνδυασμένος συνολικός ρυθμός εξόδου όλων των εξόδων.
Diamond-like carbon (17)
Οι πωλητές μπορούν επίσης να αναφέρουν το ρυθμό εξόδου ως ρυθμό δειγματοληψίας ή ως ρυθμό διεκπεραίωσης.
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"
Ο ρυθμός αυτός εκφράζεται συχνά ως megahertz (MHz) ή ως μεγαδείγματα ανά δευτερόλεπτο (MSPS).
Refractory metals
Για τη μέτρηση του ρυθμού εξόδου, μια λέξη εξόδου ανά δευτερόλεπτο ισοδυναμεί προς ένα Hertz ή προς ένα δείγμα ανά δευτερόλεπτο.
Mixtures thereof (4)
Ως «ADC πολλαπλών διαύλων» ορίζονται οι συσκευές όπου συνενώνονται δύο ή περισσότεροι ADC, σχεδιασμένες κατά τρόπον ώστε κάθε ADC να έχει ξεχωριστή αναλογική είσοδο.
Aluminides
Ως «αλληλένθετοι ADC» ορίζονται οι συσκευές με πολλαπλές μονάδες ADC που παίρνουν δείγματα από ένα και το αυτό αναλογικό σήμα εισόδου σε διαφορετικές στιγμές, ούτως ώστε η συνομαδοποίηση των εξόδων να οδηγεί στην πράξη σε δειγματοληψία και μετατροπή του σήματος εισόδου με μεγαλύτερο ρυθμό δειγματοληψίας.
Alloyed aluminides (2)
β.
Boron nitride
Μετατροπείς ψηφιακού προς αναλογικό (DAC) με οιοδήποτε από τα εξής:
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
Διακριτική ικανότητα 10 bit και άνω με «προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης» άνω των 3500 MSPS, ή
Tungsten
Διακριτική ικανότητα 12 bit και άνω με «προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης» τουλάχιστον 1250 MSPS και οποιοδήποτε από τα εξής:
Molybdenum and Molybdenum alloys
α.
Beryllium and Beryllium alloys
Χρόνο επανόδου από βήμα πλήρους κλίμακας στο 0,024 % της πλήρους κλίμακας κάτω των 9 ns, ή
Sensor window materials (9)
β.
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
«Ψευδοελεύθερο δυναμικό εύρος» (SFDR) άνω των 68 dBc (φέροντος) κατά τη σύνθεση αναλογικού σήματος πλήρους κλίμακας 100MHz ή της μεγαλύτερης προσδιορισμένης συχνότητας κάτω των 100MHz.
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
Ως «Ψευδοελεύθερο δυναμικό εύρος» (SFDR) ορίζεται ο λόγος της τετραγωνικής μέσης τιμής της συχνότητας του φέροντος (μέγιστη συνιστώσα σήματος) στην είσοδο του DAC προς την τετραγωνική μέση τιμή της αμέσως μεγαλύτερης συνιστώσας θορύβου ή αρμονικής παραμόρφωσης στην έξοδο.
Alloyed silicides
Το SFDR προσδιορίζεται απευθείας από τον πίνακα προδιαγραφών ή από τα γραφήματα χαρακτηρισμού SFDR/συχνότητας.
Modified zirconia (12)
Ως σήμα πλήρους κλίμακας ορίζεται το σήμα που έχει πλάτος άνω των -3 dBfs (fs = full scale = πλήρης κλίμακα).
Corrosion resistant steel (7)
Ως «προσαρμοσμένος ρυθμός ενημέρωσης» για τους DAC ορίζεται:
Borides
Για μεν τους συμβατικούς (μη παρεμβάλλοντες) DAC, η ταχύτητα με την οποία μετατρέπεται σε αναλογικό το ψηφιακό σήμα και μεταβάλλονται από τον DAC οι αναλογικές τιμές εξόδου.
Beryllium
Οι DAC που επιτρέπουν παράκαμψη της λειτουργίας παρεμβολής (παράγοντας παρεμβολής 1) θεωρούνται συμβατικοί (μη παρεμβάλλοντες) DAC.
Titanium alloys (13)
Για δε τους παρεμβάλλοντες (υπερδειγματοληπτικούς) DAC, ο λόγος του ρυθμού ενημέρωσης του DAC προς τον μικρότερο παράγοντα παρεμβολής.
Nitrides
Ο «προσαρμοσμένος ρυθμός ενημέρωσης» των παρεμβαλλόντων DAC μπορεί να αναφέρεται και με άλλες ονομασίες, όπως μεταξύ άλλων:
B.2.
ρυθμός δεδομένων εισόδου,
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
ρυθμός λέξεων εισόδου,
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
ρυθμός δειγματοληψίας,
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
μέγιστη συνολική ταχύτητα bus εισόδου,
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
μέγιστος ρυθμός ρολογιού DAC για την είσοδο του ρολογιού του DAC.
Diamond-like carbon
Ηλεκτρο-οπτικά ή «οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» για «επεξεργασία σημάτων» που έχουν όλα τα ακόλουθα:
B.4.
α.
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
Μία ή περισσότερες εσωτερικές διόδους «λέιζερ»,
Polymers (11) and Organic "matrix" "composites"
β.
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
Ένα ή περισσότερα εσωτερικά δομικά στοιχεία για την ανίχνευση φωτός, και
Refractory metals and alloys (8)
γ.
Oxides
Οπτικούς κυματοδηγούς.
D. Plasma spraying
«Προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου» (field programmable logic devices) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Abradable Nickel-Graphite
α.
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
Μέγιστο αριθμό μονοτερματικών ψηφιακών εισόδων/εξόδων μεγαλύτερο από 700· ή
Abradable Al-Si-Polyester
β.
Aluminium alloys (6)
«Αθροιστικό ρυθμό δεδομένων κορυφής σειριακού πομποδέκτη μονής κατεύθυνσης» ίσο ή μεγαλύτερο από 500 Gb/s,
E. Slurry Deposition
Το σημείο 3Α001.α.7 περιλαμβάνει:
Fused silicides
Τις απλές προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (SPLD)
Fused aluminides except for resistance heating elements
Τις πολύπλοκες προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (CPLD)
F. Sputter Deposition
Τις προγραμματιζόμενες διατάξεις θυρών πεδίου (FPGA)
Noble metal modified aluminides (3)
Τις προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις θυρών πεδίου (FPLA)
Platinum
Τους προγραμματιζόμενους διασυνδέσμους θυρών πεδίου (FPIC)
Ceramics and Low-expansion glasses (14)
Ο μέγιστος αριθμός ψηφιακών εισόδων/εξόδων στο 3Α001.α.7.α. αναφέρεται επίσης ως μέγιστος αριθμός εισόδων/εξόδων χρήστη ή μέγιστος αριθμός διαθέσιμων εισόδων/εξόδων, είτε το ολοκληρωμένο κύκλωμα είναι συσκευασμένο είτε σκέτη ψηφίδα (bare die).
Dielectic layers (15)
«Αθροιστικός ρυθμός δεδομένων κορυφής σειριακού πομποδέκτη μονής κατεύθυνσης» είναι το γινόμενο του ρυθμού δεδομένων κορυφής σειριακού πομποδέκτη μονής κατεύθυνσης επί τον αριθμό των πομποδεκτών στην FPGA.
G. Ion Implantation
Ολοκληρωμένα κυκλώματα νευρωνικών δικτύων.
High temperature bearing steels
Ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε ο κατασκευαστής αγνοεί τη διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα και τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
α.
Cemented tungsten carbide (16)
Πάνω από 1500 τερματικές ακίδες.
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — NOTES
β.
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Χαρακτηριστικό «βασικό χρόνο διαβάσεως πύλης» χαμηλότερο από 0,02 ns, ή
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
γ.
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
Συχνότητα λειτουργίας που ξεπερνά τα 3 GHz.
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα, εκτός αυτών που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.10. και 3Α001.α.12., που έχουν κατασκευασθεί από οποιονδήποτε μεικτό ημιαγωγό και παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
α.
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
Ισοδύναμο χρησιμοποιήσιμο αριθμό θυρών μεγαλύτερο από 3000 (για 2 θύρες εισόδου), ή
a.
β.
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
Συχνότητα αντιστροφής (toggle frequency) άνω των 1,2 GHz.
b.
Επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (Fast Fourier Transform - FFT) με ονομαστικό χρόνο εκτέλεσης για σύνθετη FFT Ν σημείων, κάτω του (N log2N)/20480 ms, όπου N είναι ο αριθμός των σημείων.
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
Όταν Ν = 1 024 σημεία, ο τύπος του σημείου 3Α001.α.12 δίνει χρόνο εκτέλεσης 500 μs.
c.