natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Η φράση ‘ως μέρος’ δεν σημαίνει κατ’ ανάγκη ότι αποτελεί υλικό τμήμα της ίδιας αποστολής. Επιτρέπονται ξεχωριστές αποστολές από διαφορετικές πηγές υπό τον όρο τα σχετικά εξαγωγικά έγγραφα να καθορίζουν σαφώς ότι οι αποστολές διακινούνται ‘ως μέρος’ των συστημάτων απεικόνισης.
The phrase ‘as part of’ does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched ‘as part of’ the imaging systems.
γ. Γεννήτριες ακτίνων Χ στιγμιαίας λειτουργίας, ή παλμικοί επιταχυντές ηλεκτρονίων με ένα από τα ακόλουθα σύνολα χαρακτηριστικών:
c. Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
α. Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 500 keV και άνω, αλλά κάτω των 25 MeV, και
a. An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
β. ‘Συντελεστή κέρδους’ (Κ) 0,25 ή παραπάνω, ή
b. With a ‘figure of merit’ (K) of 0,25 or greater; or
α. Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 25 MeV και άνω, και
a. An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
β. ‘Ανώτατη ισχύ’ μεγαλύτερη από 50 MW.
b. A ‘peak power’ greater than 50 MW.
Το σημείο 3Α201.γ. δεν καλύπτει τους επιταχυντές που αποτελούν δομικά στοιχεία συσκευών που έχουν σχεδιασθεί για σκοπούς άλλους εκτός από την ακτινοβολία με ακτίνες Χ ή με ηλεκτρονική δέσμη (για παράδειγμα ηλεκτρονικά μικροσκόπια), καθώς και συσκευών που έχουν σχεδιασθεί για ιατρικούς σκοπούς.
c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes:
Ο ‘συντελεστής κέρδους’ Κ ορίζεται ως εξής:
The ‘figure of merit’ K is defined as:
Το Q είναι ίσο με το ολοκλήρωμα του i ως προς το t επί το μικρότερο από τους δύο χρόνους, δηλαδή 1 μικροδευτερόλεπτο ή τη διάρκεια σε χρόνο της παλμικής δέσμης (Q = ∫ idt), όπου i είναι το ρεύμα της δέσμης σε αμπέρ και t είναι ο χρόνος σε δευτερόλεπτα
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
‘Ανώτατη ισχύς’ είναι το γινόμενο του μέγιστου δυναμικού (σε βολτ) επί το μέγιστο ρεύμα δέσμης (σε αμπέρ).
‘Peak power’ = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
α. Πολυφασική έξοδο που μπορεί να αποδώσει ισχύ 40 W ή παραπάνω,
a. Multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
β. Ικανότητα λειτουργίας στο φάσμα συχνοτήτων μεταξύ 600 και 2000 Hz,
b. Capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
γ. Συνολική αρμονική παραμόρφωση καλύτερη (κάτω) από 10 %, και
c. Total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
δ. Έλεγχο συχνότητας καλύτερο (κάτω) από 0,1 %.
d. Frequency control better (less) than 0,1 %.
Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής ισχύος, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.6., που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
α. μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 100 V ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 500 Α ή παραπάνω και
a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
β. εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών.
b. Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής τάσης, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.5., που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
α. μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 20 kV ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 1 Α ή παραπάνω, και
a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
α. Λυχνίες κρύας καθόδου, είτε γεμισμένες με αέριο είτε όχι, που λειτουργούν παρόμοια με διάκενο σπινθηρισμού και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
a. Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
το σημείο 3Α228 περιλαμβάνει τις λυχνίες τύπου krytron με αέριο και sprytron με κενό.
228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
β. Διάκενα σπινθηρισμού με σκανδαλισμό που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
b. Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
γ. Μονάδες ή συναρμολογήσεις με ταχεία λειτουργία μεταγωγής, πλην των προσδιοριζόμενων στο σημείο 3Α001.ζ. ή 3A001.η., που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
c. Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου άνω των 2 kV,
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
Χρόνο ενεργοποίησης 1 μικροδευτερολέπτου ή λιγότερο.
Turn-on time of 1 μs or less.
Βλέπε 1A007.a. για τις συσκευές πυροδότησης για εκρηκτικούς πυροκροτητές.
See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
α. Δεν χρησιμοποιείται.
a. Not used;
β. Βαθμιδωτές ηλεκτρικές παλμογεννήτριες (pulsers) που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
b. Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Έχουν ‘χρόνο ανύψωσης’ λιγότερο από 10 μικροδευτερόλεπτα όταν συνδέονται με φορτία μικρότερα από 40 Ω,
Having a ‘rise time’ of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
Το σημείο 3Α229.β. περιλαμβάνει και συσκευές με λυχνίες εκκενώσεως ξένου.
b. includes xenon flash-lamp drivers.
Παλμογεννήτριες υψηλής ταχύτητας με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
High-speed pulse generators having both of the following characteristics:
α. Τάση εξόδου ανώτερη από 6 V όταν συνδέονται με φορτίο αντίστασης μικρότερο από 55 Ω, και
a. Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms; and
β. ‘Χρόνο μετάβασης παλμού’ κάτω από 500 πικο-δευτερόλεπτα.
b. ‘Pulse transition time’ less than 500 ps.
Στο σημείο 3Α230, ο ‘χρόνος μετάβασης του παλμού’ ορίζεται σαν το χρονικό διάστημα μεταξύ του 10 % και του 90 % του εύρους της τάσης.
In 3A230, ‘pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Συστήματα παραγωγής νετρονίων, συμπεριλαμβανομένων των σωλήνων, με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
α. Έχουν σχεδιασθεί για λειτουργία χωρίς εξωτερικό σύστημα κενού, και
a. Designed for operation without an external vacuum system; and
β. Χρησιμοποιούν ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση τριτίου-δευτερίου.
b. Utilising electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
Βλέπε 1A007.β. για τους πυροκροτητές.
See 1A007.b. for detonators.
β. Συστήματα που χρησιμοποιούν απλούς ή πολλαπλούς πυροκροτητές και έχουν σχεδιασθεί για να προκαλούν σχεδόν ταυτόχρονα την έναυση μιας εκρηκτικής επιφάνειας εμβαδού άνω των 5000 mm2 από ένα μόνο σήμα πυροδότησης με χρόνο έναυσης όπως εκτείνεται στην επιφάνεια λιγότερο από 2,5 μικροδευτερόλεπτα.
b. Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
Το σημείο 3Α232 δεν θέτει υπό έλεγχο πυροκροτητές που χρησιμοποιούν μόνο πρωτογενείς εκρηκτικές ύλες, όπως τον αζωτούχο μόλυβδο.
232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
α. Επαγωγικά συζευγμένοι φασματογράφοι μάζας πλάσματος (ICP/ΜS).
a. Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
β. Φασματογράφοι μάζας εκκένωσης με διαύγεια (GDMS).
b. Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
γ. Φασματογράφοι μάζας με θερμικό ιονισμό (TIMS).
c. Thermal ionisation mass spectrometers (TIMS);
δ. Φασματογράφοι μάζας με βομβαρδισμό ηλεκτρονίων που έχουν θάλαμο πηγής κατασκευασμένο ή με επίστρωση ή κάλυψη από υλικά που αντέχουν στο UF6.
d. Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
ε. Φασματογράφοι μάζας δέσμης μορίων, με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά:
e. Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο, με επίστρωση ή με κάλυψη από υλικά που αντέχουν στο UF6· στ.
A source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Εξοπλισμός για παραγωγή συσκευών με ημιαγωγούς, ή υλικών ημιαγωγών, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία και εξαρτήματα για τον σκοπό αυτό:
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
α. Εξοπλισμός σχεδιασμένος για επιταξιακή ανάπτυξη, ως εξής:
a. Equipment designed for epitaxial growth as follows:
Το σημείο 3B001.α.1. περιλαμβάνει εξοπλισμό επίταξης ατομικού στρώματος (Atomic Layer Epitaxy — ALE).
a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
β. Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμφύτευση ιόντων που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
b. Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Δυνατότητα απευθείας εγγραφής, ή
Direct write capability; or
Ενέργεια δέσμης 65 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 45 mA και άνω, για εμφύτευση οξυγόνου υψηλής ενέργειας πάνω σε θερμαινόμενο «υπόστρωμα» ημιαγωγού.
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material “substrate”;
γ. Εξοπλισμός για ξερή χάραξη μέσω ανισότροπου πλάσματος με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
c. Anisotropic plasma dry etching equipment having both of the following:
Σχεδιασμένος ή βελτιστοποιημένος για να παράγει κρίσιμες διαστάσεις 65 nm ή μικρότερες, ή
Designed or optimised to produce critical dimensions of 65 nm or less; and
Με ανομοιομορφία εντός του πλακιδίου έως και 10 % 3σ, μετρούμενη με αποκλεισμό άκρων 2 mm και κάτω.
Within-wafer non-uniformity equal to or less than 10 % 3σ measured with an edge exclusion of 2 mm or less;
δ. Εξοπλισμός για χημική εναπόθεση με εξάτμιση (CVD) και με την ενίσχυση πλάσματος, ως εξής:
d. Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition (CVD) equipment as follows:
Εξοπλισμός με λειτουργία από κασέτα προς κασέτα και κλείδωμα φορτίου, σχεδιασμένος σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή ή βελτιστοποιημένος προς χρήση στην παραγωγή συσκευών ημιαγωγών με κρίσιμες διαστάσεις έως και 65 nm.
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό που καθορίζεται στο σημείο 3Β001.ε. και σχεδιασμένος σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή ή βελτιστοποιημένος προς χρήση στην παραγωγή συσκευών ημιαγωγών με κρίσιμες διαστάσεις έως και 65 nm.
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
ε. Κεντρικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων (wafer), πολλαπλών θαλάμων, αυτόματης φόρτωσης, τα οποία έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
e. Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having both of the following:
Διεπαφές για είσοδο και έξοδο πλακιδίων, στις οποίες μπορούν ως εκ του σχεδιασμού να συνδεθούν περισσότερα από δύο λειτουργικώς διαφορετικά ‘εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών’ προσδιοριζόμενα στο 3B001.α., 3B001.β., 3B001.γ. ή 3B001.δ., και
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different ‘semiconductor process tools’ specified in 3B001.a., 3B001.b., 3B001.c. or 3B001.d. are designed to be connected; and
Είναι σχεδιασμένα για να αποτελέσουν ένα ολοκληρωμένο σύστημα σε περιβάλλον κενού για ‘σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων’.
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for ‘sequential multiple wafer processing’;
Στο σημείο 3Β001.ε. δεν υπάγονται τα αυτόματα ρομποτικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων τα ειδικά σχεδιασμένα για την παράλληλη επεξεργασία πλακιδίων.
e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
Για τους σκοπούς του σημείου 3B001.ε., ως ‘εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών’ νοούνται τα σπονδυλωτά εργαλεία που επιτελούν λειτουργικά διαφορετικές φυσικές διεργασίες, όπως π.χ. επικάθηση, χάραξη, εμφύτευση ή θερμική επεξεργασία, για την παραγωγή ημιαγωγών
For the purpose of 3B001.e., ‘semiconductor process tools’ refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.
Για τους σκοπούς του σημείου 3B001.ε., ως ‘σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων’ νοείται η ικανότητα επεξεργασίας κάθε πλακιδίου με διαφορετικά ‘εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών’, π.χ. με τη μεταφορά κάθε πλακιδίου από ένα εργαλείο σε άλλο και από εκεί σε τρίτο με τη βοήθεια των κεντρικών συστημάτων χειρισμού πλακιδίων πολλαπλών θαλάμων και αυτόματης φόρτωσης.
For the purpose of 3B001.e., ‘sequential multiple wafer processing’ means the capability to process each wafer in different ‘semiconductor process tools’, such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
Εξοπλισμός λιθογραφίας, ως εξής:
f. Lithography equipment as follows:
Εξοπλισμός ευθυγράμμισης και έκθεσης step and repeat (με άμεσο βήμα πάνω στο πλακίδιο) ή step and scan (με σάρωση) για την επεξεργασία πλακιδίων με τη χρήση φωτο-οπτικών μεθόδων ή μεθόδων ακτίνων Χ και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having either of the following:
α. Μήκος κύματος φωτεινής πηγής βραχύτερο από 245 nm, ή
a. A light source wavelength shorter than 245 nm; or
β. Ικανότητα να συνθέτει σχήματα με ‘ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος’ (MRF) 95 nm ή μικρότερο.
b. Capable of producing a pattern with a ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) of 95 nm or less;
Το ‘ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος’ (MRF) υπολογίζεται με τον εξής τύπο:
The ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) is calculated by the following formula:
MRF =μήκος κύματος φωτεινής πηγής έκθεσης σε nm
MRF =an exposure light source wavelength in nm
όπου ο συντελεστής K = 0,35.
where the K factor = 0,35
Εξοπλισμός εντυπωτικής λιθογραφίας ικανός να παράγει λεπτομέρειες διαστάσεων 95 nm και κάτω.
Imprint lithography equipment capable of producing features of 95 nm or less;
Στο σημείο 3Β001.στ.2. περιλαμβάνονται:
f.2. includes:
α. με τη χρήση εκτρεπόμενης εστιασμένης δέσμης ηλεκτρονίων, δέσμης ιόντων ή δέσμης «λέιζερ», και
a. Using deflected focussed electron beam, ion beam or “laser” beam; and
ζ. Μάσκες ή πλεγματίδια που έχουν σχεδιαστεί για ολοκληρωμένα κυκλώματα που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.
g. Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
η. Μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης.
h. Multi-layer masks with a phase shift layer;
Στο σημείο 3Β001.η. δεν υπάγονται οι μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης οι σχεδιασμένες για την κατασκευή συσκευών μνήμης που δεν υπάγονται στο σημείο 3Α001.
h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
θ. Μακέτες εντυπωτικής λιθογραφίας σχεδιασμένες για τα ηλεκτρονικά κυκλώματα που προσδιορίζονται στο 3Α001.
i. Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
α. Για να δοκιμάζονται οι παράμετροι S συσκευών τρανζίστορ σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz.
a. For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
γ. Για τη δοκιμή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων προσδιοριζόμενων στο 3Α001.β.2.
c. For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Ετερο-επιταξιακά υλικά, που αποτελούνται από «υπόστρωμα» πάνω στο οποίο έχουν αποτεθεί επιταξιακά ανεπτυγμένα πολλαπλά στρώματα οποιουδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:
Hetero-epitaxial materials consisting of a “substrate” having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
α. Πυρίτιο (Si),
a. Silicon (Si);
β. Γερμάνιο (Ge),
b. Germanium (Ge);
γ. Καρβίδιο του πυριτίου (SiC), ή
c. Silicon carbide (SiC); or
δ. «Σύνθετες ενώσεις των ομάδων III/V» περιέχουσες γάλλιο ή ίνδιο.
d. “III/V compounds” of gallium or indium.
Φωτοανθεκτικά υλικά, ως εξής, καθώς και «υποστρώματα» που έχουν επίστρωση των ακόλουθων φωτοανθεκτικών ουσιών:
Resist materials as follows and “substrates” coated with the following resists:
α. Θετικά φωτοανθεκτικά υλικά για λιθογραφικές εργασίες με ημιαγωγούς, ειδικώς ρυθμισμένα (αριστοποιημένα) για χρήση σε μήκη κύματος κάτω από 245 nm,
a. Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
β. Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με δέσμες ηλεκτρονίων ή ιόντων που έχουν ευαισθησία 0,01 μcoulomb/mm2 ή καλύτερη,
b. All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
γ. Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με ακτίνες Χ, με ευαισθησία 2,5 mJ/mm2 ή καλύτερη,
c. All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
δ. Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά αριστοποιημένα για τεχνολογίες απεικόνισης επιφανειών, συμπεριλαμβανομένων των ‘πυριτικοποιημένων’ φωτοανθεκτικών υλικών.
d. All resists optimised for surface imaging technologies, including ‘silylated’ resists;
Οι τεχνικές μέθοδοι ‘πυριτικοποίησης’ ορίζονται ως οι διαδικασίες που περιλαμβάνουν οξείδωση της επιφάνειας του φωτοανθεκτικού υλικού ώστε να ενισχυθεί η απόδοσή του τόσο για υγρή όσο και για ξηρά εμφάνιση.
‘Silylation’ techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
ε. Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά σχεδιασμένα ή αριστοποιημένα για χρήση με τον εξοπλισμό εντυπωτικής λιθογραφίας που καθορίζεται στο 3B001.στ.2. που χρησιμοποιούν είτε θερμική είτε φωτο-στυπωτική διαδικασία.
e. All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
α. Οργανομεταλλικές ενώσεις αργιλίου, γαλλίου ή ινδίου που έχουν καθαρότητα (με βάση το μέταλλο) καλύτερη από 99,999 %,
a. Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
β. Οργανικές ενώσεις αρσενικού, αντιμονίου και φωσφόρου που έχουν καθαρότητα (με βάση το ανόργανο στοιχείο) καλύτερη από 99,999 %.
b. Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Στο σημείο 3C003 υπάγονται μόνο οι ενώσεις των οποίων το μεταλλικό, μερικώς μεταλλικό ή μη μεταλλικό στοιχείο συνδέεται άμεσα με άνθρακα στο οργανικό τμήμα του μορίου.
003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Στο σημείο 3C004 δεν υπάγονται υδρίδια που περιέχουν γραμμομοριακό ποσοστό 20 % και άνω αδρανή αέρια ή υδρογόνο.
004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Καρβίδιο του πυριτίου (SiC), νιτρίδιο του γαλλίου (GaN), νιτρίδιο του αργιλίου (AlN) ή νιτρίδιο του αργιλίου-γαλλίου (AlGaN) «υποστρώματα», ή πλινθώματα, συνθετικοί κρύσταλλοι, ή άλλα προμορφώματα αυτών των υλικών, που έχουν ειδικές αντιστάσεις μεγαλύτερες από 10000 ωμ-cm στους 20 °C.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) “substrates”, or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
«Υποστρώματα» που καθορίζονται στο 3C005 με τουλάχιστον ένα επιταξιακό στρώμα καρβιδίου του πυριτίου, νιτριδίου του γαλλίου, νιτριδίου του αργιλίου ή νιτριδίου του αργιλίου-γαλλίου.
“Substrates” specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
«Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιασθεί για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.β. έως 3Α002.ζ. ή 3Β.
“Software” specially designed for the “development” or “production” of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
«Λογισμικό» ειδικώς σχεδιασμένο για τη «χρήση» εξοπλισμού προδιαγραφόμενου στα σημεία 3B001.α. έως στ. ή 3B002.
“Software” specially designed for the “use” of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
«Λογισμικό» προσομοίωσης, «βασισμένο στη φυσική», ειδικά σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» διεργασιών λιθογραφίας, χάραξης ή εναπόθεσης προκειμένου τα σχήματα μάσκας να μεταφράζονται σε επιμέρους τοπογραφικά σχήματα με αγωγούς, διηλεκτρικά ή υλικά ημιαγωγών.
‘Physics-based’ simulation “software” specially designed for the “development” of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Στο σημείο 3.D003., οι λέξεις ‘βασισμένο στη φυσική’ υποδηλώνουν ότι χρησιμοποιεί υπολογισμούς για να προσδιορίσει μια ακολουθία φυσικών αιτίων/αιτιατών βασισμένων σε φυσικές ιδιότητες (π.χ. θερμοκρασία, πίεση, σταθερές διάχυσης και ιδιότητες υλικών ημιαγωγών).
‘Physics-based’ in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g. temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Οι βιβλιοθήκες, τα χαρακτηριστικά σχεδιασμού ή συναφή δεδομένα για τον σχεδιασμό συσκευών ημιαγωγών ή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων θεωρούνται «τεχνολογία».
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as “technology”.
«Λογισμικό» ειδικά σχεδιασμένο για την «ανάπτυξη» του εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α003.
“Software” specially designed for the “development” of the equipment specified in 3A003.
«Λογισμικό» που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για τη «χρήση» εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α101.β.
“Software” specially designed or modified for the “use” of equipment specified in 3A101.b.
«Τεχνολογία» σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3Α, 3Β ή 3C.
“Technology” according to the General Technology Note for the “development” or “production” of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για την «παραγωγή» εξοπλισμού ή δομικών στοιχείων που ελέγχονται σύμφωνα με το σημείο 3Α003.
001 does not control “technology” for the “production” of equipment or components controlled by 3A003.
Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή «παραγωγή» ολοκληρωμένων κυκλωμάτων προδιαγραφόμενων στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.12., και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
001 does not control “technology” for the “development” or “production” of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Χρησιμοποίηση «τεχνολογίας» 0,130 μm και άνω, και
Using “technology” at or above 0,130 μm; and
Περιλαμβάνουν δομές με πολλαπλά μεν στρώματα, αλλά με τρία το πολύ μεταλλικά στρώματα.
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.