natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Επιλογή συχνοτήτων σε όλες τις συχνότητες με τη χρήση συντονισμένων κυκλωμάτων με τιμές Q άνω των 10000.
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
ε. Συσκευές υψηλής ενέργειας, ως εξής:
e. High energy devices as follows:
‘Ηλεκτρικά στοιχεία’ ως εξής:
‘Cells’ as follows:
α. ‘Πρωτογενή στοιχεία’ με ‘ενεργειακή πυκνότητα’ άνω των 550 Wh/kg στους 20 °C,
a. ‘Primary cells’ having an ‘energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
β. ‘Δευτερογενή στοιχεία’ με ‘ενεργειακή πυκνότητα’ άνω των 250 Wh/kg στους 20 °C.
b. ‘Secondary cells’ having an ‘energy density’ exceeding 250 Wh/kg at 20 °C;
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1., η ‘ενεργειακή πυκνότητα’ (Wh/kg) υπολογίζεται ως το γινόμενο της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί την ονομαστική χωρητικότητα σε αμπερώρια (Ah) διά τη μάζα σε χιλιόγραμμα.
For the purpose of 3A001.e.1.,‘energy density’ (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1., ως ‘ηλεκτρικό στοιχείο’ νοείται κάθε ηλεκτροχημική διάταξη που διαθέτει θετικό και αρνητικό ηλεκτρόδιο και ηλεκτρολύτη και αποτελεί πηγή ηλεκτρικής ενέργειας.
For the purpose of 3A001.e.1., a ‘cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.α., ως ‘πρωτογενές ηλεκτρικό στοιχείο’ νοείται κάθε ‘ηλεκτρικό στοιχείο’ που δεν είναι σχεδιασμένο για να φορτίζεται από άλλη πηγή.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a ‘primary cell’ is a ‘cell’ that is not designed to be charged by any other source.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.β., ως ‘δευτερογενές ηλεκτρικό στοιχείο’ νοείται κάθε ‘ηλεκτρικό στοιχείο’ σχεδιαζόμενο ώστε να φορτίζεται από εξωτερική πηγή ηλεκτρισμού.
For the purpose of 3A001.e.1.b., a ‘secondary cell’ is a ‘cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
Στο σημείο 3Α001.ε.1. εμπίπτουν οι μπαταρίες, έστω και αν αποτελούνται από ένα μόνο ηλεκτρικό στοιχείο.
e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α201.α.
SEE ALSO 3A201.a.
α. Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης κάτω από 10 Hz (πυκνωτές μιας κρούσης) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
a. Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
β. Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης 10 Hz ή παραπάνω (επαναληπτικοί πυκνωτές) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
b. Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
«Υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν σχεδιασθεί ειδικά ώστε να φορτίζονται πλήρως, ή να εκφορτίζονται, σε λιγότερο από ένα δευτερόλεπτο και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
“Superconductive” electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α201.β.
SEE ALSO 3A201.b.
Στο σημείο 3Α001.ε.3. δεν υπάγονται «υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν κατασκευασθεί ειδικά για ιατρικό εξοπλισμό απεικόνισης με τη βοήθεια Μαγνητικού Συντονισμού (Magnetic Resonance Imaging).
e.3. does not control “superconductive” electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
α. Ενέργεια που αποδίδεται κατά τη διάρκεια της εκφόρτισης η οποία υπερβαίνει τα 10 kJ το πρώτο δευτερόλεπτο,
a. Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
β. Εσωτερική διάμετρο των ρευματοφόρων περιελίξεων ανώτερη από 250 mm, και
b. Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
γ. Ονομαστική μαγνητική επαγωγή άνω των 8 Τ ή «συνολική πυκνότητα ρεύματος» στις περιελίξεις που είναι ανώτερη από 300 A/mm2.
c. Rated for a magnetic induction of more than 8 T or “overall current density” in the winding of more than 300 A/mm2;
Φωτοβολταϊκά στοιχεία, συναρμολογήματα υαλοκαλυπτρών διασυνδεδεμένων στοιχείων (CIC), φωτοβολταϊκοί επίπεδοι συλλέκτες και φωτοβολταϊκές συστοιχίες, «κατάλληλα για διαστημική χρήση», με ελάχιστη μέση απόδοση άνω του 20 % σε θερμοκρασία λειτουργίας 301 K (28 °C) υπό προσομοιωμένο φωτισμό «μηδενικής μάζας αέρα»‘AM0’, με πυκνότητα ακτινοβολίας 1367 (W/m2).
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are “space-qualified”, having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ‘AM0’ illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
Ο όρος «μηδενικής μάζας αέρα» (AM0) αναφέρεται στη φασματική πυκνότητα ακτινοβολίας του ηλιακού φωτός στην εξώτερη ατμόσφαιρα της γης, όταν η απόσταση γης-ηλίου είναι μία αστρονομική μονάδα (ΑU). στ.
’, or ‘Air Mass Zero’, refers to the spectral irradiance of sun light in the earth’s outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Rotary input type absolute position encoders που έχουν ακρίβεια ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από ± 1,0 δευτερόλεπτα τόξου.
f. Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ± 1,0 second of arc;
ζ. Συσκευές και «μονάδες» στερεάς καταστάσεως με θυρίστορες για την παλμική μεταγωγή ηλεκτρισμού, που χρησιμοποιούν μεθόδους μεταγωγής ελεγχόμενες είτε ηλεκτρικώς, είτε οπτικώς, είτε με ακτινοβολία ηλεκτρονίων και έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
g. Solid-state pulsed power switching thyristor devices and ‘thyristor modules’, using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 2000 A/μs και έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having both of the following:
α. Ανώτατη τάση σε κατάσταση σβηστή τουλάχιστον 3000 V, και
a. An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
β. Ρεύμα αιχμής τουλάχιστον 3000 A.
b. A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
Στο 3Α001.ζ. περιλαμβάνονται:
g. includes:
Silicon Controlled Rectifiers (SCR)
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Electrical Triggering Thyristors (ETT)
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
Light Triggering Thyristors (LTT)
Light Triggering Thyristors (LTTs)
Gate Turn-off Thyristors (GTO)
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
Solidtron.
Solidtrons
Στο σημείο 3A001.ζ. δεν εμπίπτουν οι συσκευές και ‘μονάδες με θυρίστορες’ οι ενσωματωμένες σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικούς σιδηροδρόμους και «πολιτικά αεροσκάφη».
g. does not control thyristor devices and ‘thyristor modules’ incorporated into equipment designed for civil railway or “civil aircraft” applications.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ζ., οι ‘μονάδες με θυρίστορες’ περιέχουν μία ή περισσότερες συσκευές με θυρίστορες.
For the purposes of 3A001.g., a ‘thyristor module’ contains one or more thyristor devices.
η. Διακόπτες, δίοδοι ή ‘μονάδες’ ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης, που έχουν όλα τα ακόλουθα:
h. Solid-state power semiconductor switches, diodes, or ‘modules’, having all of the following:
Η επαναληπτική ανώτατη τάση σε κατάσταση σβηστή στο 3Α001.η. περιλαμβάνει τάση από drain προς πηγή, τάση από συλλέκτη προς εκπομπό, επαναληπτική ανώτατη αντίστροφη τάση και ανώτατη επαναληπτική τάση εμπλοκής σε κατάσταση σβηστή.
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Στο 3Α001.η. περιλαμβάνονται:
h. includes:
Στο σημείο 3A001.η. δεν υπάγονται διακόπτες, δίοδοι ή «μονάδες» που ενσωματώνονται σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικούς σιδηροδρόμους και «πολιτικά αεροσκάφη».
h. does not control switches, diodes, or ‘modules’ incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or “civil aircraft” applications.
Για τους σκοπούς του σημείου Α001.η., οι ‘μονάδες’ περιέχουν έναν ή περισσότερους διακόπτες ή διόδους ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης.
For the purposes of 3A001.h., ‘modules’ contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
α. Εξοπλισμός καταγραφής ως εξής και ειδικά σχεδιασμένες μαγνητικές ταινίες δοκιμής γι’ αυτόν:
a. Recording equipment as follows and specially designed test tape therefor:
α. Εύρος ζώνης άνω των 4 MHz ανά ηλεκτρονικό κανάλι ή ζώνη (track).
a. A bandwidth exceeding 4 MHz per electronic channel or track;
β. Εύρος ζώνης άνω των 2 MHz ανά ηλεκτρονικό κανάλι ή ζώνη και τα οποία έχουν πάνω από 42 ζώνες, ή
b. A bandwidth exceeding 2 MHz per electronic channel or track and having more than 42 tracks; or
γ. Χρονικό σφάλμα βάσης χρόνου (time displacement error) το οποίο μετριέται σύμφωνα με τα ισχύοντα έγγραφα κανονισμών IRIG (Inter Range Instrumentation Group) ή ΕΙΑ (Electronic Industries Association), το οποίο είναι μικρότερο από ± 0,1 μs.
c. A time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ± 0,1 μs;
Τα αναλογικά μαγνητόφωνα που είναι ειδικά σχεδιασμένα για μη στρατιωτική χρήση βίντεο δεν θεωρούνται ως μαγνητόφωνα με αναλογικά όργανα.
Analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
Ψηφιακά μαγνητοσκόπια που έχουν μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης άνω των 360 Mbit/s,
Digital video magnetic tape recorders having a maximum digital interface transfer rate exceeding 360 Mbit/s;
Στο σημείο 3Α002.α.2. δεν υπάγονται τα ψηφιακά μαγνητοσκόπια που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για τηλεοπτικές μαγνητοσκοπήσεις και χρησιμοποιούν μορφές σήματος, ενδεχομένως συμπιεσμένες, που έχουν τυποποιηθεί ή συνιστώνται από τους οργανισμούς ITU, IEC, SMPTE, EBU, ETSI ή IEEE για εφαρμογές πολιτικής τηλεόρασης.
a.2. does not control digital video magnetic tape recorders specially designed for television recording using a signal format, which may include a compressed signal format, standardised or recommended by the ITU, the IEC, the SMPTE, the EBU, the ETSI or the IEEE for civil television applications.
Μαγνητόφωνα δεδομένων με ψηφιακά όργανα τα οποία χρησιμοποιούν ελικοειδείς τεχνικές σάρωσης ή τεχνικές σταθερής κεφαλής και έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having either of the following:
α. Μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης άνω των 175 Mbit/s, ή
a. A maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s; or
β. Είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση».
b. Being “space-qualified”;
Στο σημείο 3Α002.α.3. δεν υπάγονται αναλογικά μαγνητόφωνα εξοπλισμένα με ηλεκτρονικό εξοπλισμό μετατροπής ΗDDR τα οποία έχουν σχεδιασθεί για να καταγράφουν μόνο ψηφιακά δεδομένα.
a.3. does not control analogue magnetic tape recorders equipped with HDDR conversion electronics and configured to record only digital data.
Εξοπλισμός με μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης άνω των 175 Mbit/s που έχει σχεδιασθεί για να μετατρέπει ψηφιακά μαγνητοσκόπια ώστε να μπορούν να χρησιμοποιηθούν σαν ψηφιακά όργανα καταγραφής δεδομένων.
Equipment having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s and designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
Μετατροπείς κυματομορφών σε ψηφιακή μορφή και καταγραφείς μεταβατικών φαινομένων, που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Waveform digitisers and transient recorders, having both of the following:
α. Ρυθμό ψηφιακής μετατροπής τουλάχιστον 200 εκατ. δείγματα ανά δευτερόλεπτο και διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit, και
a. Digitising rate equal to or more than 200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more; and
β. ‘Συνεχή διεκπεραίωση’ τουλάχιστον 2 Gbit/s.
b. A ‘continuous throughput’ of 2 Gbit/s or more;
Για όργανα με αρτηρία (bus) παραλλήλου αρχιτεκτονικής, ο ρυθμός ‘συνεχούς διεκπεραίωσης’ είναι ο υψηλότερος ρυθμός λέξεων πολλαπλασιασμένος επί τον αριθμό bits σε μια λέξη.
For those instruments with a parallel bus architecture, the ‘continuous throughput’ rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
‘Συνεχής διεκπεραίωση’ είναι ο ταχύτερος ρυθμός δεδομένων τον οποίο το όργανο μπορεί να προωθήσει στην εκροή προς τη μαζική μνήμη, χωρίς απώλεια πληροφοριών, διατηρώντας παράλληλα τον ρυθμό δειγματοληψίας και τη μετατροπή αναλογικού προς ψηφιακό.
‘Continuous throughput’ is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
Καταγραφείς δεδομένων με ψηφιακά όργανα που χρησιμοποιούν τεχνικές αποθήκευσης με μαγνητικούς δίσκους και έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Digital instrumentation data recorders using magnetic disk storage technique and having both of the following:
α. Ρυθμό ψηφιακής μετατροπής τουλάχιστον 100 εκατ. δείγματα ανά δευτερόλεπτο και διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit, και
a. Digitising rate equal to or more than 100 million samples per second and a resolution of 8 bit or more; and
β. ‘Συνεχή διεκπεραίωση’ τουλάχιστον 1 Gbit/s.
b. A ‘continuous throughput’ of 1 Gbit/s or more;
γ. «Συστήματα ανάλυσης σημάτων» ραδιοσυχνοτήτων ως εξής:
c. Radio-frequency “signal analysers” as follows:
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» και με διακριτική ικανότητα εύρους ζώνης (RBW) 3 dB άνω των 10 MHz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 31,8 GHz αλλά όχι άνω των 37,5 GHz,
“Signal analysers” having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz;
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με αναγραφόμενη μέση στάθμη θορύβου (DANL) κάτω των (καλύτερη από) – 150 dBm/Hz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz αλλά όχι άνω των 70 GHz,
“Signal analysers” having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than - 150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 70 GHz;
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» με συχνότητα άνω των 70 GHz,
“Signal analysers” having a frequency exceeding 70 GHz;
«Συστήματα δυναμικής ανάλυσης σημάτων» με «εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου» ανώτερο από 40 MHz,
“Dynamic signal analysers” having a “real-time bandwidth” exceeding 40 MHz;
Στο σημείο 3Α002.γ.4. δεν υπάγονται τα «συστήματα δυναμικής ανάλυσης σημάτων» που χρησιμοποιούν μόνο φίλτρα σταθερού ποσοστιαίου εύρους ζώνης (γνωστά και σαν φίλτρα οκτάβας ή κλασματικής οκτάβας).
c.4. does not control those “dynamic signal analysers” using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
δ. Γεννήτριες σημάτων με σύνθεση συχνοτήτων που παράγουν συχνότητες εξόδου με ακρίβεια και βραχυπρόθεσμη και μακροπρόθεσμη σταθερότητα που ελέγχεται, παράγεται ή διορθώνεται από τον εσωτερικό ταλαντευτή αναφοράς και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
d. Frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:
Προδιαγεγραμμένες για την παραγωγή ‘παλμών διαρκείας’ < 100 ns οπουδήποτε εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων άνω των 31,8 GHz και μέχρι και 70 GHz,
Specified to generate a ‘pulse duration’ of less than 100 ns anywhere within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 70 GHz;
Ισχύ εξόδου άνω των 100 mW (20) dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz και μέχρι και 70 GHz,
An output power exceeding 100 mW (20 dBm) anywhere within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 70 GHz;
«Χρόνο μεταγωγής συχνότητας» προσδιοριζόμενο από οποιοδήποτε από τα εξής:
A “frequency switching time” as specified by any of the following:
δ. κάτω των 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 31,8 GHz μέχρι και 43,5 GHz,
d. Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz;
ε. κάτω του 1 ms για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 43,5 GHz μέχρι και 56 GHz, ή
e. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 56 GHz; or
στ. κάτω του 1 ms για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 56 GHz μέχρι και 70 GHz,
f. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesised frequency range exceeding 56 GHz but not exceeding 70 GHz;
Συχνότητες που προκύπτουν από σύνθεση άνω των 3,2 GHz και μέχρι και 70 GHz, και έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
At synthesised frequencies exceeding 3,2 GHz but not exceeding 70 GHz, and having both of the following:
α. Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, καλύτερο από –(126 + 20log10F-20log10f) για 10 Hz < F < 10 kHz· και
a. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(126 + 20log10F - 20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
β. Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, καλύτερο από –(114 + 20log10F-20log10f) για 10 kHz < F < 500 kHz, ή
b. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(114 + 20log10F - 20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz; or
Ανώτατη συντιθέμενη συχνότητα άνω των 70 GHz.
A maximum synthesised frequency exceeding 70 GHz;
Σημείωση 1:
Note 1.:
Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.δ., στις γεννήτριες σημάτων με σύνθεση συχνοτήτων περιλαμβάνονται οι γεννήτριες σημάτων τυχούσας κυματομορφής και συνάρτησης.
For the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Σημείωση 2:
Note 2.:
Στο σημείο 3Α002.δ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός στον οποίο η συχνότητα εξόδου παράγεται, είτε μέσω της πρόσθεσης ή αφαίρεσης δύο ή περισσοτέρων συχνοτήτων που παράγει κρυσταλλικός ταλαντωτής, είτε από την πρόσθεση ή αφαίρεση την οποία ακολουθεί πολλαπλασιασμός του αποτελέσματος.
d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Οι γεννήτριες σημάτων τυχούσας κυματομορφής και συνάρτησης προσδιορίζονται συνήθως με τη συχνότητα δειγματισμού των (π.χ. σε γιγαδείγματα ανά δευτερόλεπτο), η οποία μετατρέπεται στον χώρο των ραδιοσυχνοτήτων με τον παράγοντα Nyquist 2.
Arbitrary waveform and function generators are normally specified by sample rate (e.g. GSample/s), which is converted to the RF domain by the Nyquist factor of two.
Για το σημείο 3Α002.δ.1. ως ‘διάρκεια παλμού’ ορίζεται το χρονικό διάστημα μεταξύ του πρότερου άκρου του παλμού που αντιστοιχεί στο 90 % του μεγίστου και του ύστερου άκρου του παλμού που αντιστοιχεί στο 10 % του μεγίστου.
For the purposes of 3A002.d.1., ‘pulse duration’ is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
ε. Αναλυτές δικτύου με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
e. Network analysers having either of the following:
Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 43,5 GHz και ισχύ εξόδου άνω των 31,62 mW (15 dBm), ή
Maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz and output power exceeding 31,62 mW (15 dBm); or
Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 70 GHz. στ.
Maximum operating frequency exceeding 70 GHz;
Δοκιμαστικοί μικροκυματικοί δέκτες που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
f. Microwave test receivers having both of the following:
Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 43,5 GHz, και
A maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz; and
ζ. Πρότυπα ατομικής συχνότητας που έχουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
g. Atomic frequency standards being any of the following:
Είναι «κατάλληλοι για διαστημική χρήση»,
“Space-qualified”;
Δεν βασίζονται σε ρουβιδίο και έχουν μακροπρόθεσμη σταθερότητα (γήρανση) μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10–11/ μήνα, ή
Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
Δεν είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση» και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Non-“space-qualified” and having all of the following:
α. Αποτελούν πρότυπα ρουβιδίου,
a. Being a rubidium standard;
β. Μακροπρόθεσμη σταθερότητα μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10-11/μήνα, και
b. Long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; and
γ. Συνολική κατανάλωση ενέργειας κάτω του 1 W.
c. Total power consumption of less than 1 W.
α. Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε «βλήματα» και που έχουν σχεδιασθεί για να πληρούν στρατιωτικές προδιαγραφές για ανθεκτικό εξοπλισμό,
a. Analogue-to-digital converters, usable in “missiles”, designed to meet military specifications for ruggedised equipment;
β. Επιταχυντές ικανοί να αποδώσουν ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία που παράγεται από ακτινοβολία επιβράδυνσης από επιταχυνόμενα ηλεκτρόνια ύψους 2 MeV ή παραπάνω, και συστήματα που περιέχουν τους επιταχυντές αυτούς.
b. Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
Το παραπάνω σημείο 3Α101.β. δεν περιλαμβάνει εξοπλισμό ο οποίος έχει ειδικά σχεδιασθεί για ιατρικούς σκοπούς.
b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
‘Θερμικές μπαταρίες’ σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για ‘βλήματα’.
‘Thermal batteries’ designed or modified for ‘missiles’.
Στο σημείο 3Α102, ως ‘θερμικές μπαταρίες’ νοούνται οι ηλεκτρικές στήλες μιας χρήσεως που χρησιμοποιούν ως ηλεκτρολύτη στερεό δυσηλεκτραγωγό ανόργανο άλας.
In 3A102 ‘thermal batteries’ are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
Στο σημείο 3A102, ως ‘βλήματα’ νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων εναέριων οχημάτων με ακτίνα δράσης άνω των 300 km.
In 3A102 ‘missile’ means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
Ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία εκτός από όσα καθορίζονται στο σημείο 3Α001, ως εξής:
Electronic components, other than those specified in 3A001, as follows:
α. Πυκνωτές με μία από τις ακόλουθες ομάδες χαρακτηριστικών:
a. Capacitors having either of the following sets of characteristics:
α. Ονομαστική τάση πάνω από 1,4 kV,
a. Voltage rating greater than 1,4 kV;
β. Αποθήκευση ενέργειας ανώτερη από 10 J,
b. Energy storage greater than 10 J;
γ. Χωρητικότητα πάνω από 0,5 μF, και
c. Capacitance greater than 0,5 μF; and
δ. Αυτεπαγωγή σειράς μικρότερη από 50 nH, ή
d. Series inductance less than 50 nH; or
α. Ονομαστική τάση πάνω από 750 V,
a. Voltage rating greater than 750 V;
β. Χωρητικότητα πάνω από 0,25 μF, και
b. Capacitance greater than 0,25 μF; and
γ. Αυτεπαγωγή σειράς μικρότερη από 10 nH.
c. Series inductance less than 10 nH;
β. Υπεραγώγιμοι σωληνοειδείς ηλεκτρομαγνήτες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
b. Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
Ικανότητα να δημιουργούν μαγνητικά πεδία άνω των 2 T,
Capable of creating magnetic fields greater than 2 T;
Εσωτερική διάμετρο άνω των 300 mm, και
Inner diameter greater than 300 mm; and
Το σημείο 3Α201.β. δεν θέτει υπό έλεγχο μαγνήτες που έχουν ειδικά σχεδιασθεί και εξάγονται ‘ως μέρος’ ιατρικών συστημάτων απεικόνισης που βασίζονται σε πυρηνικό μαγνητικό συντονισμό (nuclear magnetic resonance).
b. does not control magnets specially designed for and exported ‘as parts of’ medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.