natgillin/translations-raw huggingface dataset:
‘Υλικά παραθύρων αισθητήρων’, ως εξής: αλουμίνα, πυρίτιο, γερμάνιο, θειούχος ψευδάργυρος, σεληνίδιο του ψευδαργύρου, αρσενίδιο του γαλλίου, αδάμας, φωσφίδιο γαλλίου, σάπφειρος και τα ακόλουθα αλογονίδια μετάλλων: υλικά παραθύρων αισθητήρων διαμέτρου άνω των 40 mm, προκειμένου για βρωμιούχο ζιρκόνιο και φθοριούχο άφνιο.
‘Sensor window materials’, as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
Η «τεχνολογία» για την απλή επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη συμπαγών αεροτομών δεν περιλαμβάνεται στην κατηγορία 2.
“Technology” for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
‘Πολυμερή’ ως εξής: πολυϊμίδια, πολυεστέρες, πολυσουλφίδια, πολυανθρακικά πολυμερή και πολυουρεθάνες.
‘Polymers’, as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Η ‘τροποποιημένη ζιρκονία’ αναφέρεται στο προϊόν προσθήκης στη ζιρκονία άλλων οξειδίων μετάλλων, (π.χ. ασβέστου, μαγνησίας, υττρίας, αφνίας, οξειδίων των σπανίων γαιών κ.λπ.), για τη σταθεροποίηση ορισμένων κρυσταλλογραφικών φάσεων και συνθέσεων φάσεων.
‘Modified zirconia’ refers to additions of other metal oxides (e.g. calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
Τα επιχρίσματα θερμικού φράγματος από ζιρκονία που τροποποιείται με ανάμειξη ή σύντηξη με άσβεστο ή μαγνησία, δεν υπόκεινται στον έλεγχο.
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
Τα ‘κράματα τιτανίου’ αναφέρονται μόνον στα κράματα της αεροδιαστημικής τεχνολογίας με αντοχή στον εφελκυσμό 900 MPa ή μεγαλύτερη, μετρώμενη στους 293 Κ (20 °C).
‘Titanium alloys’ refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Το ‘γυαλί μικρής διαστολής’ αναφέρεται σε γυαλί με συντελεστή θερμικής διαστολής 1 × 10–7 K–1 ή μικρότερο, μετρώμενο στους 293 Κ (20 °C).
‘Low-expansion glasses’ refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
Τα ‘διηλεκτρικά στρώματα’ είναι επιχρίσματα που συγκροτούνται από πολλαπλές επιστρώσεις μονωτικών υλικών και στα οποία οι ιδιότητες συμβολής μιας διάταξης υλικών με διάφορους δείκτες διαθλάσεως, χρησιμοποιούνται για την ανάκλαση, τη μετάδοση ή την απορρόφηση διαφόρων ζωνών μήκους κύματος.
‘Dielectric layers’ are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Τα διηλεκτρικά στρώματα αναφέρονται σε περισσότερες από τέσσερις διηλεκτρικές επιστρώσεις ή «σύνθετες» επιστρώσεις διηλεκτρικού υλικού/μετάλλου.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal “composite” layers.
Στα ‘επιστοιχειωμένα καρβίδια του βολφραμίου’ δεν περιλαμβάνονται τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης από καρβίδιο του βολφραμίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του τιτανίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του χρωμίου/νικελιο-χρώμιο και καρβίδιο του χρωμίου/νικέλιο.
‘Cemented tungsten carbide’ does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
Δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την εναπόθεση αδαμαντοειδούς άνθρακα στα ακόλουθα:
“Technology” specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
Το ‘καρβίδιο του πυριτίου’ δεν περιλαμβάνει τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης.
‘Silicon carbide’ does not include cutting and forming tool materials.
Πίνακας — Τεχνικές Εναπόθεσης — Τεχνική Παρατήρηση
Table — Deposition Techniques — Technical Note
α. Εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD) είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση ή με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία ένα μέταλλο, κράμα, «σύνθετο υλικό», διηλεκτρικό υλικό ή κεραμικό υλικό εναποτίθεται σε θερμαινόμενο υπόστρωμα.
a. Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, “composite”, dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Η απαιτούμενη ενέργεια για την παραπάνω διεργασία διάσπασης ή χημικής αντίδρασης παρέχεται από τη θερμότητα του υποστρώματος, από πλάσμα εκκένωσης αίγλης ή με ακτινοβόληση με «λέιζερ».
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or “laser” irradiation.
Στην τεχνική CVD περιλαμβάνονται οι ακόλουθες μέθοδοι: εναπόθεση εκτός στήλης με κατευθυνόμενη ροή αερίου, παλμική CVD, θερμική εναπόθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως (CNTD), CVD βελτιωμένη ή υποβοηθούμενη από πλάσμα.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Ο όρος «στήλη» σημαίνει ότι το υπόστρωμα είναι βυθισμένο σε μείγμα κόνεων.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Τα αέρια αντιδρώντα σώματα που χρησιμοποιούνται στην τεχνική εκτός στήλης σχηματίζονται με τις ίδιες βασικές αντιδράσεις και παραμέτρους όπως και στην τεχνική επιστοιχείωσης (ενανθράκωσης) σε στήλη, εκτός από το ότι το προς επίχριση υπόστρωμα δεν έρχεται σε επαφή με το μείγμα κόνεων.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
β. Εναπόθεση ατμών με φυσικές μεθόδους θερμικής εξάτμισης (ΤΕ-PVD) είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, η οποία πραγματοποιείται σε θάλαμο κενού με πίεση μικρότερη από 0,1 Pa και κατά την οποία χρησιμοποιείται πηγή θερμικής ενέργειας για την εξάτμιση του επιχριστικού υλικού.
b. Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporise the coating material.
Η προσθήκη αερίων στο θάλαμο κενού κατά τη διάρκεια της επίχρισης για τη δημιουργία σύνθετων επιχρισμάτων αποτελεί συνήθη παραλλαγή της μεθόδου.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesise compound coatings is an ordinary modification of the process.
Συνήθης επίσης τροποποίηση αυτής της τεχνικής είναι η χρήση δέσμης ιόντων ή ηλεκτρονίων, ή και πλάσματος, για την ενεργοποίηση ή τη διευκόλυνση της εναπόθεσης του επιχρίσματος.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating’s deposition is also a common modification in this technique.
Στην εξάτμιση με «λέιζερ» χρησιμοποιούνται δέσμες «λέιζερ» παλμικού ή συνεχούς κύματος για την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα,
“Laser” Vaporisation uses either pulsed or continuous wave “laser” beams to vaporise the material which forms the coating;
Η ελεγχόμενη κίνηση του σχηματισμού του τόξου διαβρώνει την επιφάνεια της καθόδου δημιουργώντας εξαιρετικά ιονισμένο πλάσμα.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionised plasma.
Για εναπόθεση χωρίς σκοπευτικό άξονα χρησιμοποιείται πόλωση του υποστρώματος.
Substrate biasing is used for non-line-of-sight deposition.
Ο ορισμός αυτός δεν περιλαμβάνει την τυχαία εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου με μη πολωμένα υποστρώματα.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Η ιοντική επιμετάλλωση αποτελεί ειδική τροποποίηση της γενικής τεχνικής ΤΕ-PVD, κατά την οποία χρησιμοποιείται πηγή πλάσματος ή ιόντων για τον ιονισμό των προς εναπόθεση σωματιδίων ενώ στο υπόστρωμα εφαρμόζεται αρνητικό δυναμικό πολώσεως για να διευκολυνθεί η έξοδος των σωματιδίων από το πλάσμα.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionise the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
γ. Επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη είναι μέθοδος επίχρισης με μετατροπή επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία το υπόστρωμα βυθίζεται σε μείγμα κόνεων (στήλη) αποτελούμενο από:
c. Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
δ. Ψεκασμός πλάσματος είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, κατά την οποία τα επιχριστικά υλικά, σε μορφή κόνεως ή σύρματος, εισάγονται σε πιστόλι (δαυλό ψεκασμού) που παράγει πλάσμα και το ελέγχει, τήκονται και εκσφενδονίζονται από αυτό προς το υπόστρωμα, όπου σχηματίζουν άρρηκτα συνδεδεμένο επίχρισμα.
d. Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Χαμηλή πίεση σημαίνει χαμηλότερη από την ατμοσφαιρική πίεση περιβάλλοντος.
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Η υψηλή ταχύτητα αναφέρεται σε ταχύτητες αερίου στην έξοδο του ακροφυσίου υψηλότερες από 750 m/s υπολογιζόμενες σε θερμοκρασία 293 Κ (20 °C) και πίεση 0,1 MPa.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
ε. Εναπόθεση πολτού είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία σχηματίζεται εναιώρημα μεταλλικής ή κεραμικής κόνεως με οργανικό συνδετικό υλικό σε υγρό, το εναιώρημα αυτό εφαρμόζεται στο υπόστρωμα με ψεκασμό, εμβάπτιση ή βαφή και ακολουθεί ξήρανση στον αέρα ή σε κλίβανο και θερμική κατεργασία για την επίτευξη του επιθυμητού επιχρίσματος. στ.
e. Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, που βασίζεται σε ένα φαινόμενο μεταφοράς ορμής και κατά την οποία θετικά ιόντα επιταχύνονται από ηλεκτρικό πεδίο προς την επιφάνεια του στόχου (επιχριστικό υλικό).
f. Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Ο πίνακας αναφέρεται μόνο στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης τριόδου, μαγνήτρου ή χημικής αντίδρασης, που χρησιμοποιείται για την αύξηση της πρόσφυσης του επιχρίσματος και της ταχύτητας εναπόθεσης, και στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης ενισχυμένης με ραδιοσυχνότητες (RF), που χρησιμοποιείται για να επιτρέπει την εξάτμιση μη μεταλλικών επιχριστικών υλικών.
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Για την ενεργοποίηση της εναπόθεσης είναι δυνατόν να χρησιμοποιούνται δέσμες ιόντων χαμηλής ενέργειας (κάτω των 5 keV)
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
ζ. Εμφύτευση ιόντων είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία το προς κραματοποίηση στοιχείο ιονίζεται, επιταχύνεται μέσω διαβαθμιζόμενου δυναμικού και εμφυτεύεται στην επιφάνεια του υποστρώματος.
g. Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού και των δομικών στοιχείων που περιγράφονται στο σημείο 3Α001 ή 3Α002, εκτός από όσα περιγράφονται στα εδάφια3A001.α.3. έως 3Α001.a.10. ή 3Α001.a.12., που έχουν σχεδιασθεί ειδικά, ή έχουν τα ίδια λειτουργικά χαρακτηριστικά όπως ο υπόλοιπος εξοπλισμός, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού.
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.a.3. έως 3Α001.a.9. ή 3Α001.a.12., τα οποία έχουν προγραμματισθεί χωρίς δυνατότητα αλλαγής, ή έχουν σχεδιασθεί για μία επιμέρους λειτουργία άλλου εξοπλισμού, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Όταν ο κατασκευαστής ή αυτός που υποβάλλει την αίτηση δεν μπορεί να καθορίσει τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού, η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων καθορίζεται στα σημεία 3Α001.a.3. έως 3Α001.a.9. και 3Α001.a.12.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
α. Ολοκληρωμένα κυκλώματα για γενικούς σκοπούς, ως εξής:
a. General purpose integrated circuits, as follows:
Η διαβάθμιση ελέγχου των πλακιδίων (που έχουν υποστεί φινίρισμα ή όχι), στα οποία έχει καθοριστεί η λειτουργία, πρέπει να ελεγχθεί με τις παραμέτρους του σημείου 3Α001.α.
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα περιλαμβάνουν τους ακόλουθους τύπους:
Integrated circuits include the following types:
«Μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα»,
“Monolithic integrated circuits”;
«Υβριδικά ολοκληρωμένα κυκλώματα»,
“Hybrid integrated circuits”;
«Ολοκληρωμένα κυκλώματα πολλαπλών μικροπλακετών»,
“Multichip integrated circuits”;
«Ολοκληρωμένα κυκλώματα τύπου φιλμ», που περιλαμβάνουν ολοκληρωμένα κυκλώματα με πυρίτιο πάνω σε σάπφειρο,
“Film type integrated circuits”, including silicon-on-sapphire integrated circuits;
«Οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα».
“Optical integrated circuits”.
α. Ακτινοβολία, συνολικής δόσης τουλάχιστον 5 × 103 Gy (πυρίτιο),
a. A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
β. Διαταραχή ρυθμού ακτινοβολίας τουλάχιστον 5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s ή υψηλότερη, ή
b. A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
γ. Ολοκληρωμένη ροή νετρονίων (ισοδύναμο 1 MeV) τουλάχιστον 5 × 1013 n/cm2 σε πυρίτιο, και το αντίστοιχο σε άλλα υλικά,
c. A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
το 3A001.α.1.γ. δεν έχει εφαρμογή στους μεταλλομονωτικούς ημιαγωγούς (MSI).
a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
«Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές», «μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών» και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό, μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό, μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό, ηλεκτρο-οπτικά ή «οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» σχεδιασμένα για «επεξεργασία σημάτων», προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices), ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε αγνοείται η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού, στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (FFT), ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο (EEPROM), στιγμιαίες μνήμες ή στατικές μνήμες RAM (SRAM) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
“Microprocessor microcircuits”, “microcomputer microcircuits”, microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or “optical integrated circuits” designed for “signal processing”, field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
α. Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος άνω των 398 K (125 °C),
a. Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
β. Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω των 218 K (– 55 °C), ή
b. Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
γ. Καθορισμένα να λειτουργούν στο σύνολο της περιοχής θερμοκρασιών περιβάλλοντος από 218 K (– 55 °C) έως 398 K (125 °C).
c. Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
Το σημείο 3Α001.α.2. δεν εφαρμόζεται στα ολοκληρωμένα κυκλώματα που προορίζονται για πολιτικά αυτοκίνητα ή για σιδηροδρόμους.
a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
«Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές», «μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών» και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, που κατασκευάζονται από σύνθετο ημιαγωγό και με λειτουργία σε συχνότητα χρονισμού άνω των 40 MHz.
“Microprocessor microcircuits”, “microcomputer microcircuits” and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
Το σημείο 3Α001.α.3. περιλαμβάνει ψηφιακούς επεξεργαστές σημάτων, ψηφιακούς πολυεπεξεργαστές (array processors) και ψηφιακούς συνεπεξεργαστές (digital coprocessors).
a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Ολοκληρωμένα κυκλώματα μετατροπής αναλογικού σε ψηφιακό και ψηφιακού σε αναλογικό, ως εξής:
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
α. Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό (ADC) με οιοδήποτε από τα εξής:
a. ADCs having any of the following:
ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 3Α101.
SEE ALSO 3A101
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit αλλά μικρότερη των 10 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 500 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit αλλά μικρότερη των 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 300 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 300 million words per second;
Διακριτική ικανότητα 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 200 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 200 million words per second;
Διακριτική ικανότητα άνω των 12 bit αλλά το πολύ 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 125 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο, ή
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 125 million words per second; or
Διακριτική ικανότητα άνω των 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 20 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 20 million words per second;
Ο αριθμός bit στη λέξη εξόδου ισούται προς τη διακριτική ικανότητα του μετατροπέα ψηφιακού σε αναλογικό.
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
Για τους ‘ADC πολλαπλών διαύλων’, τα εξερχόμενα σήματα δεν αθροίζονται, ως ρυθμός δε εξόδου λαμβάνεται ο μεγαλύτερος ρυθμός εξόδου των επιμέρους διαύλων.
For ‘multiple channel ADCs’, the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
Για ‘αλληλένθετους ADC’ ή ‘ADC πολλαπλών διαύλων’ που προσδιορίζονται ως έχοντες αλληλένθετη λειτουργία, τα εξερχόμενα σήματα αθροίζονται, ως ρυθμός δε εξόδου λαμβάνεται ο μέγιστος συνδυασμένος συνολικός ρυθμός εξόδου όλων των εξόδων.
For ‘interleaved ADCs’ or for ‘multiple channel ADCs’ that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
Οι πωλητές μπορούν επίσης να αναφέρουν τον ρυθμό εξόδου ως ρυθμό δειγματοληψίας ή ως ρυθμό διεκπεραίωσης.
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
Ο ρυθμός αυτός εκφράζεται συχνά ως megahertz (MHz) ή ως μεγαδείγματα ανά δευτερόλεπτο (MSPS).
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Για τη μέτρηση του ρυθμού εξόδου, μια λέξη εξόδου ανά δευτερόλεπτο ισοδυναμεί προς ένα Hertz ή προς ένα δείγμα ανά δευτερόλεπτο.
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
Ως ‘ADC πολλαπλών διαύλων’ ορίζονται οι συσκευές όπου συνενώνονται δύο ή περισσότεροι ADC, σχεδιασμένες κατά τρόπον ώστε κάθε ADC να έχει ξεχωριστή αναλογική είσοδο.
‘Multiple channel ADCs’ are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
Ως ‘αλληλένθετοι ADC’ ορίζονται οι συσκευές με πολλαπλές μονάδες ADC που παίρνουν δείγματα από ένα και το αυτό αναλογικό σήμα εισόδου σε διαφορετικές στιγμές, ούτως ώστε η συνομαδοποίηση των εξόδων να οδηγεί στην πράξη σε δειγματοληψία και μετατροπή του σήματος εισόδου με μεγαλύτερο ρυθμό δειγματοληψίας.
‘Interleaved ADCs’ are defined as devices which have multiple ADC units that sample the same analogue input at different times such that when the outputs are aggregated, the analogue input has been effectively sampled and converted at a higher sampling rate.
β. Μετατροπείς ψηφιακού προς αναλογικό (DAC) με οιοδήποτε από τα εξής:
b. Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
Διακριτική ικανότητα 10 bit και άνω με ‘προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης’3500 MSPS και άνω,
A resolution of 10 bit or more with an ‘adjusted update rate’ of 3500 MSPS or greater; or
Διακριτική ικανότητα 12 bit και άνω με ‘προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης’1250 MSPS και άνω και οποιοδήποτε από τα εξής:
A resolution of 12 bit or more with an ‘adjusted update rate’ of equal to or greater than 1250 MSPS and having any of the following:
α. Χρόνο επανόδου από βήμα πλήρους κλίμακας στο 0,024 % της πλήρους κλίμακας κάτω των 9 ns, ή
a. A settling time less than 9 ns to 0,024 % of full scale from a full scale step; or
β. ‘Ψευδοελεύθερο δυναμικό εύρος’ (SFDR) άνω των 68 dBc (φέροντος) κατά τη σύνθεση αναλογικού σήματος πλήρους κλίμακας 100 MHz ή της μαγαλύτερης προσδιορισμένης συχνότητας κάτω των 100 MHz.
b. A ‘Spurious Free Dynamic Range’ (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
Ως ‘Ψευδοελεύθερο δυναμικό εύρος’ (SFDR) ορίζεται ο λόγος της τετραγωνικής μέσης τιμής της συχνότητας του φέροντος (μέγιστη συνιστώσα σήματος) στην είσοδο του DAC προς την τετραγωνική μέση τιμή της αμέσως μεγαλύτερης συνιστώσας θορύβου ή αρμονικής παραμόρφωσης στην έξοδο.
‘Spurious Free Dynamic Range’ (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
Το SFDR προσδιορίζεται απευθείας από τον πίνακα προδιαγραφών ή από τα γραφήματα χαρακτηρισμού SFDR/συχνότητας.
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
Ως σήμα πλήρους κλίμακας ορίζεται το σήμα που έχει πλάτος άνω των – 3 dBfs (fs = full scale = πλήρης κλίμακα).
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than – 3 dBfs (full scale).