natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Ως ‘προσαρμοσμένος ρυθμός ενημέρωσης’ για τους DAC ορίζεται:
‘Adjusted update rate’ for DACs:
Για μεν τους συμβατικούς (μη παρεμβάλλοντες) DAC, η ταχύτητα με την οποία μετατρέπεται σε αναλογικό το ψηφιακό σήμα και μεταβάλλονται από τον DAC οι αναλογικές τιμές εξόδου.
For conventional (non-interpolating) DACs, the ‘adjusted update rate’ is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
Οι DAC που επιτρέπουν παράκαμψη της λειτουργίας παρεμβολής (παράγοντας παρεμβολής 1) θεωρούνται συμβατικοί (μη παρεμβάλλοντες) DAC.
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
Για δε τους παρεμβάλλοντες (υπερδειγματοληπτικούς) DAC, ο λόγος του ρυθμού ενημέρωσης του DAC προς το μικρότερο παράγοντα παρεμβολής.
For interpolating DACs (oversampling DACs), the ‘adjusted update rate’ is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
Ο ‘προσαρμοσμένος ρυθμός ενημέρωσης’ των παρεμβαλλόντων DAC μπορεί να αναφέρεται και με άλλες ονομασίες, όπως μεταξύ άλλων:
For interpolating DACs, the ‘adjusted update rate’ may be referred to by different terms including:
ρυθμός δεδομένων εισόδου,
input data rate
ρυθμός λέξεων εισόδου,
input word rate
ρυθμός δειγματοληψίας,
input sample rate
μέγιστη συνολική ταχύτητα bus εισόδου,
maximum total input bus rate
μέγιστος ρυθμός ρολογιού DAC για την είσοδο του ρολογιού του DAC.
maximum DAC clock rate for DAC clock input.
Ηλεκτρο-οπτικά ή «οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» για «επεξεργασία σημάτων» που έχουν όλα τα ακόλουθα:
Electro-optical and “optical integrated circuits”, designed for “signal processing” and having all of the following:
α. Μία ή περισσότερες εσωτερικές διόδους «λέιζερ»,
a. One or more than one internal “laser” diode;
β. Ένα ή περισσότερα εσωτερικά δομικά στοιχεία για την ανίχνευση φωτός, και
b. One or more than one internal light detecting element; and
γ. Οπτικούς κυματοδηγούς.
c. Optical waveguides;
‘Προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου’ (field programmable logic devices) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
‘Field programmable logic devices’ having either of the following:
α. Μέγιστο αριθμό ψηφιακών εισόδων/εξόδων μεγαλύτερο από 200· ή
a. A maximum number of digital input/outputs greater than 200; or
β. Αριθμό θυρών συστήματος μεγαλύτερο από 230000
b. A system gate count of greater than 230000;
Το 3Α001.α.7. περιλαμβάνει:
a.7. includes:
Ο τρίτος και τέταρτος όρος είναι άλλες ονομασίες των ‘προγραμματιζόμενων λογικών διατάξεων πεδίου’.
‘Field programmable logic devices’ are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
Ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε ο κατασκευαστής αγνοεί τη διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα και τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
α. Πάνω από 1500 τερματικές ακίδες.
a. More than 1500 terminals;
β. Χαρακτηριστικό «βασικό χρόνο διαβάσεως πύλης» χαμηλότερο από 0,02 ns, ή
b. A typical “basic gate propagation delay time” of less than 0,02 ns; or
γ. Συχνότητα λειτουργίας που ξεπερνά τα 3 GHz.
c. An operating frequency exceeding 3 GHz;
Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα, εκτός αυτών που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.10. και 3Α001.α.12., που έχουν κατασκευασθεί από οποιονδήποτε μεικτό ημιαγωγό και παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having either of the following:
α. Ισοδύναμο χρησιμοποιήσιμο αριθμό θυρών μεγαλύτερο από 3000 (για 2 θύρες εισόδου), ή
a. An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
β. Συχνότητα αντιστροφής άνω των 1,2 GHz.
b. A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
Επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (Fast Fourier Transform — FFT) με ονομαστικό χρόνο εκτέλεσης για σύνθετη FFT Ν σημείων, κάτω του (N log2N)/20480 ms, όπου N είναι ο αριθμός των σημείων.
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N) /20480 ms, where N is the number of points;
Όταν Ν = 1024 σημεία, ο τύπος του σημείου 3Α001.α.12. δίνει χρόνο εκτέλεσης 500 μs.
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 μs.
β. Δομικά στοιχεία μικροκυμάτων ή χιλιοστομετρικών κυμάτων, ως εξής:
b. Microwave or millimetre wave components, as follows:
Στο σημείο 3Α001.β.1. δεν υπάγονται οι λυχνίες που έχουν σχεδιασθεί ή καθορίζονται για λειτουργία σε ζώνες συχνοτήτων και έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band and having both of the following:
Έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.
Is “allocated by the ITU” for radio-communications services, but not for radio-determination.
Στο σημείο 3Α001.β.1., δεν υπάγονται οι «ακατάλληλες για διαστημική χρήση» λυχνίες που έχουν όλα τα παρακάτω:
b.1. does not control non-“space-qualified” tubes having all of the following:
α. Λυχνίες οδεύοντος κύματος, παλμικού ή συνεχούς κύματος, ως εξής:
a. Travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
Λυχνίες που λειτουργούν σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz.
Tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Συζευγμένες λυχνίες cavity ή παράγωγά τους, με «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 7 % ή ισχύ αιχμής άνω των 2,5 kW.
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a “fractional bandwidth” of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
α. «Στιγμιαίο εύρος ζώνης» άνω της μιας οκτάβας και γινόμενο μεταξύ της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και της συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) ανώτερο από 0,5,
a. An “instantaneous bandwidth” of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
β. «Στιγμιαίο εύρος ζώνης» το πολύ μια οκτάβα, και γινόμενο της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kW) και συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) πάνω από 1, ή
b. An “instantaneous bandwidth” of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
γ. Είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση».
c. Being “space-qualified”;
β. Ενισχυτικές λυχνίες διασταυρωμένου πεδίου με απολαβή άνω των 17 dB.
b. Crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
γ. Εμποτισμένες κάθοδοι (impregnated cathodes) για ηλεκτρονικές λυχνίες που παράγουν σταθερή πυκνότητα ροής ρεύματος σε συνθήκες προκαθορισμένης λειτουργίας η οποία ξεπερνά τα 5 A/cm2.
c. Impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
Ενισχυτές ισχύος με «μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» μικροκυμάτων, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
Microwave “Monolithic Integrated Circuits” (MMIC) power amplifiers having any of the following:
α. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 4 W (36 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 15 %,
a. Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6,8 GHz and with an average output power greater than 4 W (36 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 15 %;
β. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz μέχρι και 16 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,
b. Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1 W (30 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 10 %;
γ. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 16 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,8 W (29 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,
c. Rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8 W (29 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 10 %;
δ. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz μέχρι και 37,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,1 nW,
d. Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and with an average output power greater than 0,1 nW;
ε. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,25 W (24 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %, ή
e. Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25 W (24 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 10 %; or
στ. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,1 nW.
f. Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,1 nW;
Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.2.α. έως 3Α001.β.2.στ., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.
The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Οι σημειώσεις 1 και 2 στο κεφάλαιο 3A σημαίνουν ότι με το σημείο 3A001.β.2. δεν τίθενται υπό έλεγχο τα μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων όταν είναι ειδικά σχεδιασμένα για άλλες εφαρμογές, όπως π.χ. τηλεπικοινωνίες, ραντάρ, αυτοκίνητα.
Notes 1 and 2 in 3A mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g. telecommunications, radar, automobiles.
α. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 60 W (47,8 dBm),
a. Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6,8 GHz and having an average output power greater than 60 W (47,8 dBm);
β. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 20 W (43 dBm),
b. Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz and having an average output power greater than 20 W (43 dBm);
γ. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz μέχρι και 37,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,5 W (27 dBm),
c. Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and having an average output power greater than 0,5 W (27 dBm);
δ. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm), ή
d. Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1 W (30 dBm); or
ε. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,1 nW.
e. Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz and having an average output power greater than 0,1 nW;
Το καθεστώς ελέγχου των τρανζίστορ οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.3.α., έως 3Α001β.3.ε., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.
The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
α. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 60 W (47,8 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 15 %,
a. Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6,8 GHz and with an average output power greater than 60 W (47,8 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 15 %;
β. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 15 W (42 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,
b. Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15 W (42 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 10 %;
γ. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz μέχρι και 37,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,1 nW,
c. Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and with an average output power greater than 0,1 nW;
δ. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,
d. Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1 W (30 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 10 %;
ε. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,1 nW, ή
e. Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,1 nW; or
στ. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
f. Rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
μέση ισχύ εξόδου P, σε βαττ, μεγαλύτερη από 150 διά το τετράγωνο της ανώτατης συχνότητας λειτουργίας σε GHz [P > 150 W*GHz2/fGHz2],
An average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P > 150 W*GHz2/fGHz2];
«Κλασματικό εύρος ζώνης» τουλάχιστον 5 %, και
A “fractional bandwidth” of 5 % or greater; and
δύο κάθετες πλευρές μήκους d (σε cm) το πολύ ίσου προς 15 διά την κατώτατη συχνότητα λειτουργίας σε GHz [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz],
Any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15 cm*GHz/ fGHz];
Οι ενισχυτές ισχύος με μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων πρέπει να αξιολογούνται βάσει των κριτηρίων του σημείου 3A001.β.2.
MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.4.α. έως 3Α001.β.4.ε., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.
The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Ζωνοπερατά ή ζωνοαπέρατα φίλτρα που μπορούν να συντονισθούν ηλεκτρονικά ή μαγνητικά, που έχουν πάνω από 5 ρυθμιζόμενους συντονιστές και μπορούν να συντονισθούν μέσα σε μία ζώνη συχνοτήτων με λόγο 1,5:1 (fmax/fmin) σε χρόνο λιγότερο από 10 μs και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs and having either of the following:
α. Εύρος ζώνης ζωνοπερατού φίλτρου πάνω από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας, ή
a. A band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
β. Εύρος ζώνης ζωνοαπέρατου φίλτρου λιγότερο από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας.
b. A band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
Μετατροπείς και αρμονικοί μίκτες σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος συχνοτήτων του εξοπλισμού που περιγράφεται στα σημεία 3Α002.γ., 3Α002.δ., 3Α002.ε. ή 3Α002.στ. πέραν των εκεί αναφερομένων ορίων.
Converters and harmonic mixers, designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
Μικροκυματικοί ενισχυτές ισχύος που περιλαμβάνουν λυχνίες που καθορίζονταιστο σημείο 3Α001.β.1. και έχουν όλα τα ακόλουθα:
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
α. Συχνότητες λειτουργίας άνω των 3 GHz,
a. Operating frequencies above 3 GHz;
β. Λόγος μέσης ισχύος εξόδου προς μάζα άνω των 80 W/kg, και
b. An average output power to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
γ. Όγκο μικρότερο από 400 cm3.
c. A volume of less than 400 cm3;
Στο σημείο 3Α001.β.8. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός που έχει σχεδιασθεί για, ή καθορίζεται να λειτουργεί σε ζώνες συχνοτήτων που έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.
b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is “allocated by the ITU” for radio-communications services, but not for radio-determination.
Μικροκυματικές μονάδες ισχύος (MPM), αποτελούμενες τουλάχιστον από μία λυχνία οδεύοντος κύματος, ένα μικροκυματικό «μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα», και έναν ολοκληρωμένο ηλεκτρονικό εξομαλυντήρα τάσης, με όλα τα παρακάτω:
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave “monolithic integrated circuit” and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
α. Χρόνο ενεργοποίησης από σβηστό σε πλήρη λειτουργία κάτω των 10 δευτερολέπτων,
a. A ‘turn-on time’ from off to fully operational in less than 10 seconds;
β. Όγκο μικρότερο από το γινόμενο της μέγιστης ονομαστικής ισχύος σε W επί 10 cm3/W, και
b. A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
γ. «Στιγμιαίο εύρος ζώνης» άνω της μιας οκτάβας (fmax. > 2fmin.) και με οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
c. An “instantaneous bandwidth” greater than 1 octave (fmax. > 2fmin.) and having either of the following:
Ιδού ένα παράδειγμα υπολογισμού του όγκου στο σημείο 3A001.β.9.β.: αν η μέγιστη ονομαστική ισχύς είναι 20 W, ο όγκος πρέπει να είναι μέχρι 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Στο σημείο 3A001.β.9.α., ο χρόνος ενεργοποίησης σημαίνει το διάστημα που χρειάζεται η μονάδα από τελείως σβηστή να τεθεί σε πλήρη λειτουργία, περιλαμβάνει δηλαδή και το χρόνο προθέρμανσης.
The ‘turn-on time’ in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e. it includes the warm-up time of the MPM.
α. Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, καλύτερο από –(126 + 20log10F-20log10f) για 10 Hz < F < 10 kHz· και
a. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(126 + 20log10F-20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
β. Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, καλύτερο από –(114 + 20log10F-20log10f) για 10 kHz ≤ F < 500 kHz·
b. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(114 + 20log10F-20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
«Ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις» για «γεννήτριες σύνθεσης συχνοτήτων» που έχουν «χρόνο μεταγωγής συχνότητας» ως εξής (διαζευκτικά):
“Frequency synthesiser” “electronic assemblies” having a “frequency switching time” as specified by any of the following:
α. κάτω των 312 ps,
a. Less than 312 ps;
β. κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 1,6 GHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 3,2 GHz μέχρι και 10,6 GHz,
b. Less than 100 μs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
γ. κάτω των 250 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 10,6 GHz μέχρι και 31,8 GHz,
c. Less than 250 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
δ. κατώτερο από 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός του φάσματος συνθετόμενων συχνοτήτων από 31,8 GHz έως και 43,5 GHz, ή
d. Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
ε. κατώτερο από 1 ms εντός του φάσματος συνθετόμενων συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz.
e. Less than 1 ms within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz.
Για γενικής χρήσης «αναλυτές σήματος», γεννήτριες σήματος, αναλυτές δικτύου και δοκιμαστικούς μικροκυματικούς δέκτες βλέπε αντιστοίχως σημεία 3A002.γ., 3A002.δ., 3A002.ε. και 3A002.στ.
For general purpose “signal analysers”, signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
γ. Συσκευές ακουστικών κυμάτων, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τιςσυσκευές αυτές ως εξής:
c. Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
α. Φέρουσα συχνότητα άνω των 6 GHz,
a. A carrier frequency exceeding 6 GHz;
β. Φέρουσα συχνότητα άνω των 1 GHz αλλά όχι άνω των 6 GHz και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
b. A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
‘Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας’ που ξεπερνάει τα 65 dB,
A ‘frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB;
γ. Συχνότητα φέροντος 1 GHz ή λιγότερο, και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
c. A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
‘Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας’ που ξεπερνάει τα 65 dB και εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 100 MHz.
A ‘frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
Η ‘απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας’ είναι η μέγιστη τιμή απόρριψης που προσδιορίζεται στα δελτία δεδομένων.
‘Frequency side-lobe rejection’ is the maximum rejection value specified in data sheet.
Συσκευές ακουστικών κυμάτων όγκου που επιτρέπουν την κατευθείαν επεξεργασία σημάτων σε συχνότητες άνω των 6 GHz.
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
Ακουστικο-οπτικές συσκευές «επεξεργασίας σημάτων» που βασίζονται στην αλληλεπίδραση μεταξύ ακουστικών κυμάτων (κυμάτων όγκου ή κυμάτων επιφανείας) και κυμάτων φωτός και οι οποίες επιτρέπουν την άμεση επεξεργασία σημάτων ή εικόνων. Περιλαμβάνουν φασματική ανάλυση, συσχέτιση ή συνέλιξη.
Acoustic-optic “signal processing” devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Στο σημείο 3Α001.γ. δεν υπάγονται οι συσκευές ακουστικών κυμάτων που περιορίζονται σε μονοπερατό, χαμηλοπερατό, υψηλοπερατό ή στενό ζωνοφρακτικό φίλτρο, ή λειτουργία συντονισμού.
c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
δ. Ηλεκτρονικές συσκευές και κυκλώματα που περιέχουν δομικά στοιχεία κατασκευασμένα από «υπεραγώγιμα» υλικά και ειδικά σχεδιασμένα για λειτουργία σε θερμοκρασίες κάτω από την «κρίσιμη θερμοκρασία» τουλάχιστον ενός από τα «υπεραγώγιμα» συστατικά υλικά και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
d. Electronic devices and circuits containing components, manufactured from “superconductive” materials, specially designed for operation at temperatures below the “critical temperature” of at least one of the “superconductive” constituents and having either of the following:
Μεταγωγή ρεύματος για ψηφιακά κυκλώματα όπου χρησιμοποιούνται «υπεραγώγιμες» πύλες με γινόμενο μεταξύ του χρόνου καθυστέρησης ανά πύλη (που εκφράζεται σε δευτερόλεπτα) και της κατανάλωσης ισχύος ανά πύλη (που εκφράζεται σε W) και το οποίο είναι λιγότερο από 10–14 J, ή
Current switching for digital circuits using “superconductive” gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or