natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Τους προγραμματιζόμενους διασυνδέσμους θυρών πεδίου (FPIC)
Field Programmable Interconnects (FPICs)
Ο τρίτος και τέταρτος όρος είναι συνώνυμοι.
’Field programmable logic devices’ are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
Ο μέγιστος αριθμός ψηφιακών εισόδων/εξόδων στο Α001.α.7.α. αναφέρεται επίσης ως μέγιστος αριθμός εισόδων/εξόδων χρήστη ή μέγιστος αριθμός διαθέσιμων εισόδων/εξόδων, είτε το ολοκληρωμένο κύκλωμα είναι συσκευασμένο είτε σκέτη ψηφίδα (bare die).
Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
Πάνω από 1500 τερματικές ακίδες.
More than 1500 terminals;
Χαρακτηριστικό «βασικό χρόνο διαβάσεως πύλης» χαμηλότερο από 0,02 ns, ή
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,02 ns; or
Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα, εκτός αυτών που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.10. και 3Α001.α.12., που έχουν κατασκευασθεί από οποιοδήποτε μικτό ημιαγωγό και παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Ισοδύναμο χρησιμοποιήσιμο αριθμό θυρών μεγαλύτερο από 3000 (για 2 θύρες εισόδου), ή
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
Επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (Fast Fourier Transform — FFT) με ονομαστικό χρόνο εκτέλεσης για σύνθετη FFT Ν σημείων, κάτω του (N log2 N)/20480 ms, όπου N είναι ο αριθμός των σημείων.
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N) /20480 ms, where N is the number of points;
Όταν Ν = 1024 σημεία, ο τύπος του σημείου 3Α001.α.12 δίνει χρόνο εκτέλεσης 500 μs.
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 µs.
Σημείωση 1:Στο σημείο 3Α001.β.1. δεν υπάγονται οι λυχνίες που έχουν σχεδιασθεί ή καθορίζονται για λειτουργία σε ζώνες συχνοτήτων και έχουν όλα τα παρακάτω:
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Σημείωση 2:Στο σημείο 3Α001.β.1., δεν υπάγονται οι «ακατάλληλες για διαστημική χρήση» λυχνίες που έχουν όλα τα παρακάτω:
Note 2:3A001.b.1. does not control non-"space-qualified" tubes having all of the following:
Σχεδιασμένες ή καθορισμένες για λειτουργία σε οποιαδήποτε ζώνη συχνοτήτων που έχει όλα τα παρακάτω:
Designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Λυχνίες που λειτουργούν σε συχνότητες πάνω από 31,8 GHz.
Tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Λυχνίες που έχουν στοιχείο θέρμανσης καθόδου με χρόνο ανύψωσης ισχύος μέχρι την καθορισμένη ισχύ ραδιοσυχνότητας ο οποίος είναι μικρότερος από 3 δευτερόλεπτα.
Tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
Συζευγμένες λυχνίες cavity ή παράγωγά τους, με «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 7 % ή ισχύ αιχμής άνω των 2,5 kW.
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
Ελικοειδείς λυχνίες ή παράγωγά τους με οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
Helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
«Στιγμιαίο εύρος ζώνης» άνω της μιας οκτάβας και γινόμενο μεταξύ της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και της συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) ανώτερο από 0,5,
An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
«Στιγμιαίο εύρος ζώνης» το πολύ μια οκτάβα, και γινόμενο της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) πάνω από 1, ή
An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
Είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση».
Being "space-qualified";
Ενισχυτές ισχύος με «μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» μικροκυμάτων, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
Microwave "Monolithic Integrated Circuits" (MMIC) power amplifiers having any of the following:
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6.6 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 4 W (36 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 15 %,
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6 GHz μέχρι και 16 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 16 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,8 W (29 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,
Rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,25 W (24 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %, ή
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 43,5 GHz.
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz;
Σημείωση 2:Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.2.α έως 3Α001.β.2.στ., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.
Note 2:The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 6,6 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 60 W (30 dBm), ή
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
Σημείωση:Το καθεστώς ελέγχου των τρανζίστορ οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.3α, έως 3Α001β.3.ε., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.
Note:The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης και μικροκυματικά συναρμολογήματα ή δομοστοιχεία που περιέχουν ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers, having any of the following:
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 60 W (47,8 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 15 %,
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 60W (47,8 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 15 W (42 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15W (42 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm) και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %,
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 43,5 GHz. ή
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz; or
στ. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3 GHz και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
Rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
«Κλασματικό εύρος ζώνης» τουλάχιστον 5 %, και
A "fractional bandwidth" of 5 % or greater; and
δύο κάθετες πλευρές μήκους d (σε cm) το πολύ ίσου προς 15 διά την κατώτατη συχνότητα λειτουργίας σε GHz [d≤ 15 cm × GHz/fGHz],
Any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15cm × GHz/fGHz];
Η συχνότητα 3,2 GHz θα πρέπει να χρησιμοποιείται ως η κατώτατη συχνότητα λειτουργίας (fGHz) στον τύπο του σημείου 3Α001.β.4.στ.3., για τους ενισχυτές με ονομαστικό φάσμα λειτουργίας που εκτείνεται προς τα κάτω μέχρι τα 3,2 GHz και κατωτέρω [d ≤ 15cm × GHz/3,2GHz].
3,2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3.2 GHz and below [d≤ 15cm × GHz/3.2 GHz].
ΣΗΜ.:Οι ενισχυτές ισχύος με μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων πρέπει να αξιολογούνται βάσει των κριτηρίων του σημείου 3A001.β.2
N.B.:MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
Σημ. 1:Στο σημείο 3A001.β.4 δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός δορυφορικών ραδιοτηλεοπτικών μεταδόσεων που έχει σχεδιαστεί ή εγκριθεί για να λειτουργεί στη ζώνη συχνοτήτων 40,5 έως 42,5 GHz.
Note 1:3A001.b.4. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 to 42,5 GHz.
Σημ. 2:Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.4.α. έως 3Α001.β.4.ε., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.
Note 2:The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Ζωνοπερατά ή ζωνοαπέρατα φίλτρα που μπορούν να συντονισθούν ηλεκτρονικά ή μαγνητικά, που έχουν πάνω από 5 ρυθμιζόμενους συντονιστές και μπορούν να συντονισθούν μέσα σε μία ζώνη συχνοτήτων με λόγο 1,5:1 (fmax/fmin) σε χρόνο λιγότερο από 10 μs και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1.5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 µs and having any of the following:
Μετατροπείς και αρμονικοί μίκτες σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος συχνοτήτων του εξοπλισμού που περιγράφεται στα σημεία 3Α002.γ., 3Α002.ε. ή 3Α002.στ. πέραν των εκεί αναφερομένων ορίων.
Converters and harmonic mixers, designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
Μικροκυματικοί ενισχυτές ισχύος που περιλαμβάνουν λυχνίες που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.β.1. και έχουν όλα τα ακόλουθα:
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Λόγος μέσης πυκνότητας ισχύος εξόδου προς μάζα άνω των 80 W/kg, και
An average output power density to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
Σημείωση:Στο σημείο 3Α001.β.8. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός που έχει σχεδιασθεί για, ή καθορίζεται να λειτουργεί σε ζώνες συχνοτήτων που έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.
Note:3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Μικροκυματικές μονάδες ισχύος (MPM), αποτελούμενες τουλάχιστον από μία λυχνία οδεύοντος κύματος, ένα μικροκυματικό «μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα», και έναν ολοκληρωμένο ηλεκτρονικό εξομαλυντήρα τάσης, με όλα τα παρακάτω:
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
Χρόνο ενεργοποίησης από σβηστό σε πλήρη λειτουργία κάτω των 10 δευτερολέπτων,
A ’turn-on time’ from off to fully operational in less than 10 seconds;
Όγκο μικρότερο από το γινόμενο της μέγιστης ονομαστικής ισχύος σε W επί 10 cm3/W, και
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
«Στιγμιαίο εύρος ζώνης» άνω της μιας οκτάβας (fmax.
An "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax.
> 2fmin.) και με οποιόδήποτε από τα παρακάτω:
> 2fmin.) and having any of the following:
Για συχνότητες μέχρι και 18 GHz, ισχύ εξόδου ραδιοσυχνότητας άνω των 100 W, ή
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
Συχνότητα άνω των 18 GHz.
A frequency greater than 18 GHz;
Ιδού ένα παράδειγμα υπολογισμού του όγκου στο σημείο 3A00.β.9.β: αν η μέγιστη ονομαστική ισχύς είναι 20 W, ο όγκος πρέπει να είναι μέχρι 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Στο σημείο 3A00.β.9.α, ο χρόνος ενεργοποίησης σημαίνει το διάστημα που χρειάζεται η μονάδα από τελείως σβηστή να τεθεί σε πλήρη λειτουργία, περιλαμβάνει δηλαδή και το χρόνο προθέρμανσης.
The’turn-on time’ in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
Ταλαντωτές ή συγκροτήματα ταλαντωτών, σχεδιασμένοι να λειτουργούν με όλα τα ακόλουθα:
Oscillators or oscillator assemblies, designed to operate with all of the following:
Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, καλύτερο από -(126+20log10F-20log10f) για 10 Hz < F < 10 kHz· και
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(126+20log10F-20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, καλύτερο από -(114+20log10F-20log10f) για 10 kHz ≤ F < 500 kHz·
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(114+20log10F-20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
Στο 3Α001.β.10., F είναι η απόκλιση από τη συχνότητα λειτουργίας σε Hz και f είναι η συχνότητα λειτουργίας σε MHz.
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
Συσκευές ακουστικών κυμάτων, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τις συσκευές αυτές ως εξής:
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
Συσκευές επιφανειακών ακουστικών κυμάτων και συσκευές surface skimming (shallow bulk) ακουστικών κυμάτων και οι οποίες έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
Φέρουσα συχνότητα πάνω από 6 GHz,
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
Φέρουσα συχνότητα πάνω από 1 GHz αλλά όχι πάνω από 6 GHz και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
’Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας’ που ξεπερνάει τα 65 dB,
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB;
Το γινόμενο του μέγιστου χρόνου καθυστέρησης και του εύρους ζώνης (ο χρόνος σε μs και το εύρος ζώνης σε ΜΗz) το οποίο είναι ανώτερο του 100,
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in µs and bandwidth in MHz) of more than 100;
Καθυστέρηση με διασπορά (dispersive delay) περισσότερη από 10 μs, ή
A dispersive delay of more than 10 µs; or
Συχνότητα φέροντος 1 GHz ή λιγότερο, και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
’Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας’ που ξεπερνάει τα 65 dB και εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 100 MHz.
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
Τεχνική παρατήρηση:Η ’απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας’ είναι η μέγιστη τιμή απόρριψης που προσδιορίζεται στα δελτία δεδομένων.
Technical Note:’Frequency side-lobe rejection’ is the maximum rejection value specified in data sheet.
Συσκευές ακουστικών κυμάτων όγκου που επιτρέπουν την κατ’ ευθείαν επεξεργασία σημάτων σε συχνότητες πάνω από 6 GHz.
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
Ακουστικο-οπτικές συσκευές «επεξεργασίας σημάτων» που βασίζονται στην αλληλεπίδραση μεταξύ ακουστικών κυμάτων (κυμάτων όγκου ή κυμάτων επιφανείας) και κυμάτων φωτός και οι οποίες επιτρέπουν την άμεση επεξεργασία σημάτων ή εικόνων. Περιλαμβάνουν φασματική ανάλυση, συσχέτιση ή συνέλιξη.
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Σημείωση:Στο σημείο 3Α001.γ. δεν υπάγονται οι συσκευές ακουστικών κυμάτων που περιορίζονται σε μονοπερατό, χαμηλοπερατό, υψηλοπερατό ή στενό ζωνοφρακτικό φίλτρο, ή λειτουργία συντονισμού.
Note:3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Ηλεκτρονικές συσκευές και κυκλώματα που περιέχουν δομικά στοιχεία κατασκευασμένα από «υπεραγώγιμα» υλικά και ειδικά σχεδιασμένα για λειτουργία σε θερμοκρασίες κάτω από την «κρίσιμη θερμοκρασία» τουλάχιστον ενός από τα «υπεραγώγιμα» συστατικά υλικά και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
Μεταγωγή ρεύματος για ψηφιακά κυκλώματα όπου χρησιμοποιούνται «υπεραγώγιμες» πύλες με γινόμενο μεταξύ του χρόνου καθυστέρησης ανά πύλη (που εκφράζεται σε δευτερόλεπτα) και της κατανάλωσης ισχύος ανά πύλη (που εκφράζεται σε W) και το οποίο είναι λιγότερο από 10–14 J, ή
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10-14 J; or
Συσκευές υψηλής ενέργειας, ως εξής:
High energy devices as follows:
’Ηλεκτρικά στοιχεία’ ως εξής:
’Cells’ as follows:
’Πρωτογενή στοιχεία’ με ’ενεργειακή πυκνότητα’ άνω των 550 Wh/kg στους 20 °C,
’Primary cells’ having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 oC;
’Δευτερογενή στοιχεία’ με ’ενεργειακή πυκνότητα’ άνω των 250 Wh/kg.
’Secondary cells’ having an ’energy density’ exceeding 250 Wh/kg
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1, η ’ενεργειακή πυκνότητα’ υπολογίζεται ως το γινόμενο της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί την ονομαστική χωρητικότητα σε αμπερώρια (Ah) διά τη μάζα σε χιλιόγραμμα.
For the purpose of 3A001.e.1.,’energy density’ (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1, ως ’ηλεκτρικό στοιχείο’ νοείται κάθε ηλεκτροχημική διάταξη που διαθέτει θετικό και αρνητικό ηλεκτρόδιο και ηλεκτρολύτη και αποτελεί πηγή ηλεκτρικής ενέργειας.
For the purpose of 3A001.e.1., a ’cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.α, ως ’πρωτογενές ηλεκτρικό στοιχείο’ νοείται κάθε ’ηλεκτρικό στοιχείο’ που δεν είναι σχεδιασμένο για να φορτίζεται από άλλη πηγή.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a ’primary cell’ is a ’cell’ that is not designed to be charged by any other source.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.β, ως ’δευτερογενές ηλεκτρικό στοιχείο’ νοείται κάθε ’ηλεκτρικό στοιχείο’ σχεδιαζόμενο ώστε να φορτίζεται από εξωτερική πηγή ηλεκτρισμού.
For the purpose of 3A001.e.1.b., a ’secondary cell’ is a ’cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
Πυκνωτές με υψηλή ενεργειακή χωρητικότητα ως εξής:
High energy storage capacitors as follows:
Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης κάτω από 10 Hz (πυκνωτές μιας κρούσης) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη από 5 kV,
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη από 250 J/kg. και
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης 10 Hz ή παραπάνω (επαναληπτικοί πυκνωτές) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη από 100 kJ, και
A total energy equal to or more than 100 J; and
«Υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν σχεδιασθεί ειδικά ώστε να φορτίζονται πλήρως, ή να εκφορτίζονται, σε λιγότερο από ένα δευτερόλεπτο και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
Σημείωση:Στο σημείο 3Α001.ε.3 δεν υπάγονται «υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν κατασκευασθεί ειδικά για ιατρικό εξοπλισμό απεικόνισης με τη βοήθεια Μαγνητικού Συντονισμού (Magnetic Resonance Imaging).
Note:3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Ονομαστική μαγνητική επαγωγή πάνω από 8 Τ ή «συνολική πυκνότητα ρεύματος» στις περιελίξεις που είναι ανώτερη από 300 A/mm2.
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
Φωτοβολταϊκά στοιχεία, συναρμολογήματα υαλοκαλυπτρών διασυνδεδεμένων στοιχείων (CIC), φωτοβολταϊκοί επίπεδοι συλλέκτες και φωτοβολταϊκές συστοιχίες, «κατάλληλα για διαστημική χρήση», με ελάχιστη μέση απόδοση άνω του 20 % σε θερμοκρασία λειτουργίας 301 K (28 °C) υπό προσομοιωμένο φωτισμό «μηδενικής μάζας αέρα»’AM0’, με πυκνότητα ακτινοβολίας 1,367 (W/m2).
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1,367 watts per square metre (W/m2);
Ο όρος «μηδενικής μάζας αέρα» (AM0) αναφέρεται στη φασματική πυκνότητα ακτινοβολίας του ηλιακού φωτός στην εξώτερη ατμόσφαιρα της γης, όταν η απόσταση γης-ηλίου είναι μία αστρονομική μονάδα. στ.
’AM0’, or ’Air Mass Zero’, refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Rotary input type absolute position encoders που έχουν ακρίβεια ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 1,1 δευτερόλεπτα τόξου.
Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ±1,0 second of arc;