natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Λοιπές «τεχνολογίες», ως εξής:
Other "technology", as follows:
«Τεχνολογία» για την ανάπτυξη διαλογικών γραφικών (υπολογιστή) ως αναπόσπαστου μέρους μονάδων «ψηφιακού ελέγχου» για την προετοιμασία ή την τροποποίηση υπορουτινών προγράμματος.
"Technology" for the "development" of interactive graphics as an integrated part in "numerical control" units for preparation or modification of part programmes;
«Τεχνολογία» για διεργασίες μεταλλουργικής βιομηχανικής παραγωγής, ως εξής:
"Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:
«Τεχνολογία» για το σχεδιασμό εργαλείων, μητρών ή διατάξεων συγκράτησης ειδικά για τις ακόλουθες διεργασίες:
"Technology" for the design of tools, dies or fixtures specially designed for any of the following processes:
«Μορφοποίηση σε υπερπλαστική κατάσταση»,
"Superplastic forming";
«Συγκόλληση με διάχυση», ή
"Diffusion bonding"; or
«Υδραυλική συμπίεση άμεσης επενέργειας».
"Direct-acting hydraulic pressing";
Της «μορφοποίησης σε υπερπλαστική κατάσταση» κραμάτων αργιλίου, κραμάτων τιτανίου ή «υπερκραμάτων»:
"Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
Της «συγκόλλησης με διάχυση» κραμάτων τιτανίου ή «υπερκραμάτων»:
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
Της «υδραυλικής συμπίεσης άμεσης ενέργειας» κραμάτων αργιλίου ή κραμάτων τιτανίου:
"Direct-acting hydraulic pressing" of aluminium alloys or titanium alloys:
Της «ισοστατικής πύκνωσης εν θερμώ» κραμάτων τιτανίου, κραμάτων αργιλίου ή «υπερκραμάτων»:
"Hot isostatic densification" of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
«Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» ή την «παραγωγή» υδραυλικών μηχανών μορφοποίησης με επιμήκυνση και μητρών για τις μηχανές αυτές για την κατασκευή δομών αεροσκαφών (αεροσκάφη χωρίς το προωθητικό σύστημα).
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
«Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη» γεννητριών εντολών για εργαλειομηχανές (π.χ. υπορουτίνες προγράμματος) από δεδομένα σχεδιασμού, εγκατεστημένων σε μονάδες «ψηφιακού ελέγχου».
"Technology" for the "development" of generators of machine tool instructions (e.g., part programmes) from design data residing inside "numerical control" units;
«Τεχνολογία» για την «ανάπτυξη»«λογισμικού» ολοκλήρωσης με σκοπό την ενσωμάτωση στις μονάδες «ψηφιακού ελέγχου» έμπειρων συστημάτων που εξασφαλίζουν προηγμένη υποστήριξη αποφάσεων για τις εργασίες της αίθουσας παραγωγής. στ.
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
«Τεχνολογία» για την εφαρμογή των ανοργάνων επιχρισμάτων επίστρωσης ή ανοργάνων επιχρισμάτων μετατροπής επιφανειών που προσδιορίζονται στην τρίτη στήλη του παρακάτω πίνακα· στα μη ηλεκτρονικά υποστρώματα που προσδιορίζονται στη δεύτερη στήλη του παρακάτω πίνακα· με τις τεχνικές που αναφέρονται στην πρώτη στήλη του παρακάτω πίνακα και ορίζονται στην Τεχνική Σημείωση.
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
Σημείωση:Ο πίνακας και η Τεχνική Σημείωση εμφανίζονται μετά το σημείο 2E301.
Note:The table and Technical Note appear after entry 2E301.
«Τεχνολογία», κατά την έννοια της Γενικής Σημείωσης περί Τεχνολογίας, για τη «χρήση» του εξοπλισμού ή του «λογισμικού» που προσδιορίζεται στις παραγράφους 2Β004, 2Β009, 2Β104, 2Β109, 2Β116, 2Β119 έως 2Β122 ή 2D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
«Τεχνολογία», κατά την έννοια της Γενικής Σημείωσης περί Τεχνολογίας, για τη «χρήση» του εξοπλισμού ή «λογισμικού» που προσδιορίζεται στις παραγράφους ή στα εδάφια 2Α225, 2Α226, 2Β001, 2Β006, 2Β007.β., 2Β007.γ., 2Β008, 2Β009, 2Β201, 2Β204, 2Β206, 2Β207, 2Β209, 2Β225 έως 2Β232, 2D201 ή 2D202.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B232, 2D201 or 2D202.
«Τεχνολογία», κατά την έννοια της Γενικής Σημείωσης περί Τεχνολογίας, για τη «χρήση» των προϊόντων που προσδιορίζονται στις παραγράφους 2Β350 έως 2Β352.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
Πινακας
Table
Τεχνικες εναποθεσης
Deposition techniques
«Υπερκράματα»
"Superalloys"
Κεραμικά υλικά (19) και γυαλί μικρής διαστολής (14)
Ceramics (19) and Low- expansion glasses (14)
«Σύνθετα υλικά» με «βάση» άνθρακα-άνθρακα, κεραμικό υλικό και μέταλλο
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix""composites"
Πυριτίδια αργιλίδια (2)
Alloyed aluminides (2)
Υλικά παραθύρων αισθητήρων (9)
Sensor window materials (9)
Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους (PVD): εξάτμιση με «λέιζερ»
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
Αδαμαντοειδής άνθρακας
Diamond-like carbon
Πολυμερή (11) και «σύνθετα υλικά» οργανικής «βάσης»
Polymers (11) and
«Σύνθετα υλικά» με «βάση» άνθρακα-άνθρακα, κεραμικό υλικό και μέταλλο
Organic "matrix""composites" Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix""composites"
Λειάνσιμος νικελιο-γραφίτης
Abradable Nickel-Graphite Abradable materials
Λειάνσιμα υλικά περιέχοντα Νi-Cr-Al
containing Ni-Cr-Al
Λειάνσιμος Al-Si-πολυεστέρας Κραματοποημένα αργιλίδια (2)
Abradable Al-Si-Polyester Alloyed aluminides (2)
Συντηγμένα αργιλίδια
Fused silicides
Συντηγμένα πυριτίδια εκτός από τα στοιχεία θερμαντικών ηλεκτρικών αντιστάσεων
Fused aluminides except for resistance heating elements
Κεραμικά υλικά και γυαλί μικρής διαστολής (14)
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
Προσθήκες χρωμίου, τανταλίου ή νιοβίου (κολομβίου)
Additions of Chromium Tantalum orNiobium (Columbium)
Πινακας — Τεχνικες εναποθεσης — Σημειωσεις
Table — Deposition techniques — Notes
Η έννοια του όρου «μέθοδος επίχρισης» περιλαμβάνει τόσο την αρχική επίχριση όσο και την επιδιόρθωση και την ανανέωση των επιχρισμάτων.
The term ’coating process’ includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Η έννοια του όρου ’επίχρισμα κραματοποιημένου αργιλιδίου’ περιλαμβάνει τις απλές ή πολλαπλές επιχρίσεις, κατά τις οποίες ένα ή περισσότερα χημικά στοιχεία εναποτίθενται πριν από την εφαρμογή του επιχρίσματος αργιλιδίου ή κατά τη διάρκειά της, έστω και αν για την εναπόθεση των στοιχείων αυτών χρησιμοποιείται άλλη μέθοδος επίχρισης.
The term ’alloyed aluminide coating’ includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Η έννοια του όρου ’επίχριση αργιλιδίου τροποποιημένου με ευγενή μέταλλα’ περιλαμβάνει τις πολλαπλές επιχρίσεις, κατά τις οποίες το ή τα ευγενή μέταλλα εναποτίθενται με άλλη μέθοδο επίχρισης πριν από την εφαρμογή του επιχρίσματος αργιλιδίου.
The term ’noble metal modified aluminide’ coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
Η έννοια του όρου ’μίγματα αυτών’ περιλαμβάνει διείσδυση υλικών, κλιμακωτές συνθέσεις, συνεναποθέσεις και πολυστρωματικές εναποθέσεις και λαμβάνονται με μία ή περισσότερες από τις μεθόδους επίχρισης που περιλαμβάνονται στον πίνακα.
The term ’mixtures thereof’ includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
Ο τύπος «ΜcrΑlX» αναφέρεται σε κράματα επίχρισης, όπου Μ είναι κοβάλτιο, σίδηρος, νικέλιο ή συνδυασμός αυτών των μετάλλων και X είναι άφνιο, ύττριο, πυρίτιο, ταντάλιο σε οποιαδήποτε ποσότητα ή άλλες σκόπιμες προσθήκες σε ποσοστό μεγαλύτερο από 0,01 % κατά βάρος σε ποικίλες αναλογίες και ποικίλους συνδυασμούς, εκτός από:
’MCrAlX’ refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
τα επιχρίσματα CoCrAlY με κατά βάρος περιεκτικότητα σε χρώμιο 22-24 %, σε αργίλιο 10-12 % και σε ύττριο 0,5-0,7 %, ή
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
Ο όρος ’κράματα αργιλίου’ αναφέρεται σε κράματα με αντοχή στον εφελκυσμό 190 ΜΡa ή μεγαλύτερη, μετρώμενη στους 293 Κ (20 °C).
The term ’aluminium alloys’ refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Ο όρος ’χάλυβας ανθεκτικός στη διάβρωση’ αναφέρεται σε χάλυβες που ανταποκρίνονται στο πρότυπο AISI (American Iron and Steel Institute/Αμερικανικό Ίδρυμα Σιδήρου και χάλυβα) σειρά 300 ή σε ισότιμο εθνικό πρότυπο.
The term ’corrosion resistant steel’ refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
Ο όρος ’πυρίμαχα μέταλλα και κράματα’ περιλαμβάνει τα ακόλουθα μέταλλα και τα κράματά τους: νιόβιο (κολόμβιο), μολυβδαίνιο, βολφράμιο και ταντάλιο.
’Refractory metals and alloys’ include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
’Υλικά παραθύρων αισθητήρων’, ως εξής: αλουμίνα, πυρίτιο, γερμάνιο, θειούχος ψευδάργυρος, σεληνίδιο του ψευδαργύρου, αρσενίδιο του γαλλίου, αδάμας, φωσφίδιο γαλλίου, σάπφειρος και τα ακόλουθα αλογονίδια μετάλλων: υλικά παραθύρων αισθητήρων διαμέτρου άνω των 40 mm, προκειμένου για βρωμιούχο ζιρκόνιο και φθοριούχο άφνιο.
’Sensor window materials’, as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
Η «τεχνολογία» για την απλή επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη συμπαγών αεροτομών δεν περιλαμβάνεται στην κατηγορία 2.
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
’Πολυμερή’ ως εξής: πολυϊμίδια, πολυεστέρες, πολυσουλφίδια, πολυανθρακικά πολυμερή και πολυουρεθάνες.
’Polymers’, as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Η ’τροποποιημένη ζιρκονία’ αναφέρεται στο προϊόν προσθήκης στη ζιρκονία άλλων οξειδίων μετάλλων, (π.χ. ασβέστου, μαγνησίας, υττρίας, αφνίας, οξειδίων των σπανίων γαιών κ.λπ.), για τη σταθεροποίηση ορισμένων κρυσταλλογραφικών φάσεων και συνθέσεων φάσεων.
’Modified zirconia’ refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
Τα ’κράματα τιτανίου’ αναφέρονται μόνον στα κράματα της αεροδιαστημικής τεχνολογίας με αντοχή στον εφελκυσμό 900 MPa ή μεγαλύτερη, μετρώμενη στους 293 Κ (20 °C).
’Titanium alloys’ refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Το ’γυαλί μικρής διαστολής’ αναφέρεται σε γυαλί με συντελεστή θερμικής διαστολής 1 × 10–7 K–1 ή μικρότερο, μετρώμενο στους 293 Κ (20 °C).
’Low-expansion glasses’ refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
Τα ’διηλεκτρικά στρώματα’ είναι επιχρίσματα που συγκροτούνται από πολλαπλές επιστρώσεις μονωτικών υλικών και στα οποία οι ιδιότητες συμβολής μιας διάταξης υλικών με διάφορους δείκτες διαθλάσεως, χρησιμοποιούνται για την ανάκλαση, τη μετάδοση ή την απορρόφηση διαφόρων ζωνών μήκους κύματος.
’Dielectric layers’ are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Τα διηλεκτρικά στρώματα αναφέρονται σε περισσότερες από τέσσερις διηλεκτρικές επιστρώσεις ή «σύνθετες» επιστρώσεις διηλεκτρικού υλικού/μετάλλου.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
Στα ’επιστοιχειωμένα καρβίδια του βολφραμίου’ δεν περιλαμβάνονται τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης από καρβίδιο του βολφραμίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του τιτανίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του χρωμίου/νικελιο-χρώμιο και καρβίδιο του χρωμίου/νικέλιο.
’Cemented tungsten carbide’ does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
Δεν ελέγχεται η «τεχνολογία» που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την εναπόθεση αδαμαντοειδούς άνθρακα στα ακόλουθα:
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
Το ’καρβίδιο του πυριτίου’ δεν περιλαμβάνει τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης.
’Silicon carbide’ does not include cutting and forming tool materials.
Ο όρος «κεραμικά υποστρώματα», όπως χρησιμοποιείται στο σημείο αυτό, δεν περιλαμβάνει τα κεραμικά υλικά με περιεκτικότητα τουλάχιστον 5 % σε άργιλο ή τσιμέντο, είτε χωριστά είτε σε συνδυασμό.
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
Πνακας — Τεχνικες εναποθεσης — Τεχνικη παρατηρηση
Table — Deposition techniques — Technical note
Εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD) είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση ή με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία ένα μέταλλο, κράμα, «σύνθετο υλικό», διηλεκτρικό υλικό ή κεραμικό υλικό εναποτίθεται σε θερμαινόμενο υπόστρωμα.
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Η απαιτούμενη ενέργεια για την παραπάνω διεργασία διάσπασης ή χημικής αντίδρασης παρέχεται από τη θερμότητα του υποστρώματος, από πλάσμα εκκένωσης αίγλης ή με ακτινοβόληση με «λέιζερ».
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
ΣΗΜ. 1:Στην τεχνική CVD περιλαμβάνονται οι ακόλουθες μέθοδοι: εναπόθεση εκτός στήλης με κατευθυνόμενη ροή αερίου, παλμική CVD, θερμική εναπόθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως (CNTD), CVD βελτιωμένη ή υποβοηθούμενη από πλάσμα.
includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
ΣΗΜ. 2:Ο όρος «στήλη» σημαίνει ότι το υπόστρωμα είναι βυθισμένο σε μίγμα κόνεων.
denotes a substrate immersed in a powder mixture.
ΣΗΜ. 3:Τα αέρια αντιδρώντα σώματα που χρησιμοποιούνται στην τεχνική εκτός στήλης σχηματίζονται με τις ίδιες βασικές αντιδράσεις και παραμέτρους όπως και στην τεχνική επιστοιχείωσης (ενανθράκωσης) σε στήλη, εκτός από το ότι το προς επίχριση υπόστρωμα δεν έρχεται σε επαφή με το μίγμα κόνεων.
gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Στην εξάτμιση με «λέιζερ» χρησιμοποιούνται δέσμες «λέιζερ» παλμικού ή συνεχούς κύματος για την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα,
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
ΣΗΜ.:Ο ορισμός αυτός δεν περιλαμβάνει την τυχαία εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου με μη πολωμένα υποστρώματα.
definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
ΣΗΜ. 1:Χαμηλή πίεση σημαίνει χαμηλότερη από την ατμοσφαιρική πίεση περιβάλλοντος.
pressure means less than ambient atmospheric pressure.
ΣΗΜ. 2:Η υψηλή ταχύτητα αναφέρεται σε ταχύτητες αερίου στην έξοδο του ακροφυσίου υψηλότερες από 750 m/s υπολογιζόμενες σε θερμοκρασία 293 Κ (20 °C) και πίεση 0,1 MPa.
velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
ΣΗΜ. 1:Ο πίνακας αναφέρεται μόνο στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης τριόδου, μαγνήτρου ή χημικής αντίδρασης, που χρησιμοποιείται για την αύξηση της πρόσφυσης του επιχρίσματος και της ταχύτητας εναπόθεσης, και στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης ενισχυμένης με ραδιοσυχνότητες (RF), που χρησιμοποιείται για να επιτρέπει την εξάτμιση μη μεταλλικών επιχριστικών υλικών.
Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
ΣΗΜ. 2:Για την ενεργοποίηση της εναπόθεσης είναι δυνατόν να χρησιμοποιούνται δέσμες ιόντων χαμηλής ενέργειας (κάτω των 5 keV).
N.B.2Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Σημείωση 1:Η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού και των δομικών στοιχείων που περιγράφονται στο σημείο 3Α001 ή 3Α002, εκτός από όσα περιγράφονται στα εδάφια 3Α001.a.10. ή 3Α001.a.12., που έχουν σχεδιασθεί ειδικά, ή έχουν τα ίδια λειτουργικά χαρακτηριστικά όπως ο υπόλοιπος εξοπλισμός, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού.
Note 1:The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Σημείωση 2:Η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.a.3. έως 3Α001.a.9. ή 3Α001.a.12., τα οποία έχουν προγραμματισθεί χωρίς δυνατότητα αλλαγής, ή έχουν σχεδιασθεί για μία επί μέρους λειτουργία άλλου εξοπλισμού, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού.
Note 2:The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
ΣΗΜ.:Όταν ο κατασκευαστής ή αυτός που υποβάλλει την αίτηση δεν μπορεί να καθορίσει τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού, η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων καθορίζεται στα σημεία 3Α001.a.3. έως 3Α001.a.9. και 3Α001.a.12.
N.B.:When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Σημείωση 1:Η διαβάθμιση ελέγχου των πλακιδίων (που έχουν υποστεί φινίρισμα ή όχι), στα οποία έχει καθοριστεί η λειτουργία, πρέπει να ελεγχθεί με τις παραμέτρους του σημείου 3Α001.α.
Note 1:The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
«Μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα»,
"Monolithic integrated circuits";
«Υβριδικά ολοκληρωμένα κυκλώματα»,
"Hybrid integrated circuits";
«Ολοκληρωμένα κυκλώματα πολλαπλών μικροπλακετών»,
"Multichip integrated circuits";
«Ολοκληρωμένα κυκλώματα τύπου φιλμ», που περιλαμβάνουν ολοκληρωμένα κυκλώματα με πυρίτιο πάνω σε σάπφειρο,
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
«Οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα».
"Optical integrated circuits".
Ολοκληρωμένα κυκλώματα σχεδιασμένα ή καθορισμένα ώστε να αντέχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
«Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές», «μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών» και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό, μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό, μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό, ηλεκτρο-οπτικά ή «οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» σχεδιασμένα για «επεξεργασία σημάτων», προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices), ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε αγνοείται η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού, στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, επεξεργαστές ταχείας μετατροπής Fourier (Fast Fourier Transform — FFT), ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο (EEPROM), στιγμιαίες μνήμες ή στατικές μνήμες RAM (SRAM) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω των 218 K (–55 °C), ή
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (–55 °C); or
Καθορισμένα να λειτουργούν στο σύνολο της περιοχής θερμοκρασιών περιβάλλοντος από 218 K (–55 °C) έως 398 K (125 °C).
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (–55 °C) to 398 K (125 °C);
«Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές», «μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών» και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, που κατασκευάζονται από σύνθετο ημιαγωγό και με λειτουργία σε συχνότητα χρονισμού πάνω από 40 MHz.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
ΣΗΜ.:ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 3Α101
ALSO 3A101
Διακριτική ικανότητα 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 105 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 105 million words per second;
Διακριτική ικανότητα άνω των 12 bit αλλά το πολύ 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 10 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο, ή
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 10 million words per second; or
Διακριτική ικανότητα άνω των 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο του 2,5 εκατομμυρίου, λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 2,5 million words per second;
Μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό με διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 12 bit και «χρόνο αποκατάστασης» (settling time) κάτω των 10 ns.
Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more and a "settling time" of less than 10 ns;
Ηλεκτρο-οπτικά ή «οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» για «επεξεργασία σημάτων» που έχουν όλα τα ακόλουθα:
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
Μία ή περισσότερες εσωτερικές διόδους «λέιζερ»,
One or more than one internal "laser" diode;
’Προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου’ (field programmable logic devices) που έχουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:
’Field programmable logic devices’ having any of the following:
Μέγιστο αριθμό ψηφιακών εισόδων/εξόδων μεγαλύτερο από 200· ή
A maximum number of digital input/outputs greater than 200; or
Αριθμό θυρών συστήματος μεγαλύτερο από 230000
A system gate count of greater than 230000;
Τις απλές προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (SPLD)
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
Τις πολύπλοκες προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (CPLD)
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
Τις προγραμματιζόμενες διατάξεις θυρών πεδίου (FPGA)
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
Τις προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις θυρών πεδίου (FPLA)
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)