natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Αλουμίνιο και τα κράματά του, εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο σημείο 1C002.β.4 ή στο σημείο1C202.α, σε ακατέργαστη ή μη κατεργασμένη μορφή με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
Aluminium and its alloys, other than those specified in 1C002.b.4 or 1C202.a, in crude or semi-fabricated form having either of the following characteristics:
μέγιστη αντοχή εφελκυσμού 460 Mpa και άνω σε 293 K (20 °C)· ή
Capable of an ultimate tensile strength of 460 MPa or more at 293 K (20 °C); or
μέγιστη αντοχή εφελκυσμού 415 Mpa και άνω σε 298 K (25 °C).
Having a tensile strength of 415 MPa or more at 298 K (25 °C).
«Ινώδη ή νηματώδη υλικά» ή προεμποτίσματα, ως εξής:
‘Fibrous or filamentary materials’ or prepregs, as follows:
«Ινώδη ή νηματώδη υλικά» από άνθρακα ή αραμίδια με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά:
Carbon or aramid ‘fibrous or filamentary materials’ having either of the following characteristics:
Με «ειδικό συντελεστή» ανώτερο του 10 × 106 m, ή
A ‘specific modulus’ exceeding 10 × 106 m; or
Με «ειδική αντίσταση εφελκυσμού» ανώτερη του 17 × 104 m,
A ‘specific tensile strength’ exceeding 17 × 104 m;
Υαλώδη «ινώδη ή νηματώδη υλικά» με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά:
Glass ‘fibrous or filamentary materials’ having either of the following characteristics:
Με «ειδικό συντελεστή» ανώτερο του 3,18 × 106 m, ή
A ‘specific modulus’ exceeding 3,18 × 106 m; or
Με «ειδική αντίσταση εφελκυσμού» ανώτερη του 76,2 × 103 m,
A ‘specific tensile strength’ exceeding 76,2 × 103 m;
Συνεχή «στημόνια», «πιλήματα», «τέλματα» ή «ταινίες» εμποτισμένα με θερμοσκληραινόμενη ρητίνη, πλάτους 15 mm το πολύ (προεμποτίσματα), από ανθρακούχα ή υαλώδη «ινώδη ή νηματώδη υλικά», εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο σημείο IA.Α1.010.α ή β.
Thermoset resin-impregnated continuous ‘yarns’, ‘rovings’, ‘tows’ or ‘tapes’ with a width of 15 mm or less (once prepregs), made from carbon or glass ‘fibrous or filamentary materials’ other than those specified in II.A1.010.a. or b.
«ινώδη ή νηματώδη υλικά» (προεμποτίσματα) με μήτρα εποξεικής ρητίνης εμποτισμένης με άνθρακα που προσδιορίζονται στα σημεία 1C010.α, 1C010. β ή 1C010.γ., για την επισκευή τμημάτων αεροσκαφών ή ελασμάτων, στα οποία το μέγεθος των επιμέρους φύλλων του προεμποτίσματος δεν υπερβαίνει τα 50 cm × 90 cm,
Epoxy resin ‘matrix’ impregnated carbon ‘fibrous or filamentary materials’ (prepregs), specified in 1C010.a, 1C010.b or 1C010.c, for the repair of aircraft structures or laminates, of which the size of individual sheets does not exceed 50 cm × 90 cm;
προεμποτίσματα που προσδιορίζονται στα σημεία 1C010.α, 1C010.β ή 1C010.γ, εμποτισμένα με φαινολικές ή εποξεικές ρητίνες και σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Τg) κάτω των 433 Κ (160 °C) και θερμοκρασία ωρίμανσης κάτω του σημείου υαλώδους μετάπτωσης.
Prepregs specified in 1C010.a, 1C010.b or 1C010.c, when impregnated with phenolic or epoxy resins having a glass transition temperature (Tg) less than 433 K (160 °C) and a cure temperature lower than the glass transition temperature.
Χάλυβες μαρτενσικής γήρανσης, εκτός εκείνων που αναφέρονται στα σημεία 1C116 ή 1C216, «εμφανίζοντες» τελική αντίσταση εφελκυσμού 2050 MPa και άνω, σε 293 Κ (20 °C).
Maraging steels, other than those specified in 1C116 or 1C216, ‘capable of’ an ultimate tensile strength of 2050 MPa or more, at 293 K (20 °C).
Η φράση «χάλυβες μαρτενσικής γήρανσης εμφανίζοντες» καλύπτει τους χάλυβες μαρτενσικής γήρανσης πριν ή μετά από τη θερμική επεξεργασία.
The phrase ‘maraging steel capable of’ encompasses maraging steel before or after heat treatment.
Σημείωση: Το σημείο αυτό δεν καλύπτει το βολφράμιο, το καρβίδιο του βολφραμίου και τα κράματα που καθορίζονται στο σημείο 1C226
Note: This item does not cover tungsten, tungsten carbide and alloys defined in item 1C226.
Καθαρό φωσφορικό τριβουτύλιο (ΤΒΠ) [αριθ.
II.A1.015
Βολφράμιο και κράματα βολφραμίου, εκτός εκείνων που απαγορεύονται στο σημείο 1C117, υπό μορφή ομοιόμορφων σφαιρικών ή κονιορτοποιημένων σωματιδίων με διάμετρο ίση με 500μm ή μικρότερη, με κατά βάρος περιεκτικότητα σε βολφράμιο 97 % ή μεγαλύτερη,
Tungsten and tungsten alloys, other than those prohibited by 1C117, in the form of uniform spherical or atomized particles of 500 μm diameter or less with a tungsten content of 97 % by weight or more;
Μολυβδαίνιο και κράματα μολυβδαινίου, εκτός εκείνων που απαγορεύονται στο σημείο 1C117, υπό μορφή ομοιόμορφων σφαιρικών ή κονιορτοποιημένων σωματιδίων με διάμετρο ίση με 500 μm ή μικρότερη, με κατά βάρος περιεκτικότητα σε βολφράμιο 97 % ή μεγαλύτερη,
Molybdenum and molybdenum alloys, other than those prohibited by 1C117, in the form of uniform spherical or atomized particles of 500 μm diameter or less with a molybdenum content of 97 % by weight or more;
Υλικά βολφραμίου υπό μορφή στερεού σώματος, εκτός εκείνων που απαγορεύονται στα σημεία 1C226 ή II.A1.013, αποτελούμενα από τα ακόλουθα υλικά:
Tungsten materials in the solid form, other than those prohibited by 1C226, or II.A1.013 having material compositions as follows:
Βολφράμιο στο οποίο έχει διεισδύσει χαλκός, με κατά βάρος περιεκτικότητα σε βολφράμιο 80 % ή περισσότερο ή
Copper infiltrated tungsten containing 80 % by weight or more of tungsten; or
Βολφράμιο στο οποίο έχει διεισδύσει άργυρος με κατά βάρος περιεκτικότητα σε βολφράμιο 80 % ή περισσότερο.
Silver infiltrated tungsten containing 80 % by weight or more of tungsten.
με περιεκτικότητα σε κοβάλτιο μεταξύ 40% και 60%.
Cobalt content between 40 % and 60 %.
«Ινώδη ή νηματώδη υλικά» ή προεμποτίσματα, που δεν απαγορεύονται στο παράρτημα Ι ή στο παράρτημα ΙΙ (στα σημεία II.A1.009, II.A1.010) του παρόντος κανονισμού ή που δεν προσδιορίζονται στο παράρτημα Ι του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 428/2009, ως εξής:
‘Fibrous or filamentary materials’ or prepregs, not prohibited by Annex I or by Annex II (under II.A1.009, II.A1.010) of this Regulation, or not specified by Annex I of Regulation (EC) No 428/2009, as follows:
Ανθρακούχα «ινώδη ή νηματώδη υλικά»:
Carbon ‘fibrous or filamentary materials’;
Μονάδες ψηφιακού ελέγχου, σε συνδυασμό με ειδικά σχεδιασμένο «λογισμικό» δονητικών δοκιμών, με «εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου» άνω των 5 kHz, σχεδιασμένοι για χρήση με τα συστήματα δονητικών δοκιμών που προσδιορίζονται στο σημείο α,
Digital controllers, combined with specially designed vibration test ‘software’, with a real-time bandwidth greater than 5 kHz designed for use with vibration test systems specified in a.;
Δονητές (μονάδες ταλάντωσης), με ή χωρίς συνδεδεμένο ενισχυτή, ικανοί να εξασκούν δυνάμεις τουλάχιστον 50 kN, μετρούμενες επί «ελευθέρου πάγκου», και χρησιμοποιούμενοι σε συστήματα δονητικών δοκιμών που προσδιορίζονται στο σημείο α,
Vibration thrusters (shaker units), with or without associated amplifiers, capable of imparting a force equal to or greater than 50 kN, measured ‘bare table’, and usable in vibration test systems specified in a.;
Βοηθητικές κατασκευές διατάξεων δοκιμής και ηλεκτρονικές μονάδες, σχεδιασμένες να συνδυάζουν πολλαπλούς δονητές, σε σύστημα ικανό να εξασκεί πραγματική συνδυασμένη δύναμη τουλάχιστον 50 kN, μετρούμενη επί «ελευθέρου πάγκου», που χρησιμοποιούνται σε συστήματα δονητικών δοκιμών που προσδιορίζονται στο σημείο α.
Test piece support structures and electronic units designed to combine multiple shaker units in a system capable of providing an effective combined force equal to or greater than 50 kN, measured ‘bare table’, and usable in vibration systems specified in a.
Ως «ελεύθερος πάγκος» νοείται επίπεδος πάγκος ή επιφάνεια, που δεν φέρει κατασκευές ή εξαρτήματα.
‘Bare table’ means a flat table, or surface, with no fixture or fittings.
Εργαλειομηχανές και δομικά μέρη και διατάξεις για ψηφιακό έλεγχο, ως εξής:
Machine tools and components and numerical controls for machine tools, as follows:
Εργαλειομηχανές για τρόχισμα που έχουν ακρίβεια τοποθέτησης με «διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις» ίση με 15 μm ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) (1) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα.
Machine tools for grinding having positioning accuracies with ‘all compensations available’ equal to or less (better) than 15 μm according to ISO 230/2 (1988) (1) or national equivalents along any linear axis;
Σημείωση: Το σημείο αυτό δεν καλύπτει τις εργαλειομηχανές για τρόχισμα που καθορίζονται στα σημεία 2B201.β και 2B001.γ
Note: This item does not cover machine tools for grinding defined in items 2B201.b and 2B001.c.
Δομικά μέρη και διατάξεις για ψηφιακό έλεγχο, ειδικά κατασκευασμένα για τις εργαλειομηχανές που προσδιορίζονται στα σημεία 2B001, 2B201, ή στο σημείο α. ανωτέρω.
Components and numerical controls, specially designed for machine tools specified in 2B001, 2B201, or under a.
Μη δυνάμενες να ζυγοσταθμίζουν στροφείς/συγκροτήματα με μάζα άνω των 3 kg,
Not capable of balancing rotors/assemblies having a mass greater than 3 kg;
Πλήρη κλίμακα κάτω των 200 kPa και «ακρίβεια» μεγαλύτερη από ± 1 % της πλήρους κλίμακας, ή
A full scale of less than 200 kPa and an ‘accuracy’ of better than ± 1 % of full scale; or
πλήρη κλίμακα 200 kPa ή μεγαλύτερη και «ακρίβεια» μεγαλύτερη από 2 kPa.
A full scale of 200 kPa or greater and an ‘accuracy’ of better than 2 kPa.
ύαλο (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υάλινων επενδύσεων),
Glass (including vitrified or enamelled coating or glass lining);
τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή
Titanium or titanium alloys; or
Σημείωση: Το σημείο αυτό δεν καλύπτει τους φυγοκεντρικούς διαχωριστές που καθορίζονται στο σημείο 2B352.γ
Note: This item does not cover centrifugal separators defined in item 2B352.c.
Σημείωση: Το σημείο αυτό δεν καλύπτει τα φίλτρα που καθορίζονται στο σημείο 2B352.δ.
Note: This item does not cover filters defined in item 2B352.d.
Μηχανές περιδινητικής μορφοποίησης και μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης, εκτός εκείνων που αναφέρονται στα σημεία 2B009, 2B109 ή 2B209, με δύναμη κυλίνδρου άνω των 60 kN και ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη αυτών.
Spin-forming machines and flow-forming machines, other than those controlled by 2B009, 2B109 or 2B209, having a roller force of more than 60 kN and specially designed components therefor.
Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής τάσης που έχουν και τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:
High voltage direct current power supplies having both of the following characteristics:
μπορούν να παράγουν συνεχώς, επί οκτώ ώρες, 10 kV ή παραπάνω με ρεύμα εξόδου 5 kW ή παραπάνω, με ή χωρίς σάρωση, και
Capable of continuously producing, over a time period of eight hours, 10 kV or more, with output power of 5 kW or more with or without sweeping; and
Σημείωση: Το σημείο αυτό δεν καλύπτει τα τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος που καθορίζονται στα σημεία 0B001.ι.5 και 3A227
Note: This item does not cover power supplies defined in items 0B001.j.5 and 3A227.
Οι ακόλουθοι φασματογράφοι μάζας εκτός από τους αναφερόμενους στα σημεία 3A233 ή 0Β002.ζ., που μπορούν να μετρήσουν ιόντα μεγέθους 200 ατομικών μονάδων μάζας ή παραπάνω και οι οποίοι έχουν διακριτική ικανότητα καλύτερη από 2 μέρη στα 200, καθώς επίσης και πηγές ιόντων για τους φασματογράφους αυτούς:
Mass spectrometers, other than those specified in 3A233 or 0B002.g, capable of measuring ions of 200 atomic mass units or more and having a resolution of better than 2 parts in 200, as follows, and ion sources thereof:
Φασματογράφοι μάζας με βομβαρδισμό ηλεκτρονίων που έχουν θάλαμο πηγής κατασκευασμένο ή με επίστρωση ή κάλυψη από «υλικά που αντέχουν στο UF6»,
Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with ‘materials resistant to corrosion by uranium hexafluoride UF6’;
Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση ή με κάλυψη από, ανοξείδωτο χάλυβα ή μολυβδαίνιο και εξοπλισμοί με ψυχρή παγίδα που μπορεί να ψυχθεί σε θερμοκρασία 193 K (– 80°C) ή χαμηλότερη, ή
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or
Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο, με επίστρωση ή με κάλυψη από «υλικά που αντέχουν στη διάβρωση από το UF6», στ.
A source chamber constructed from, lined with or plated with ‘materials resistant to corrosion by uranium hexafluoride (UF6)’;
Εναλλάκτες συχνότητας ή γεννήτριες, εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στα σημεία 0B001 ή 3A225, με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, καθώς και τα κατασκευαστικά στοιχεία και λογισμικά που έχουν κατασκευαστεί ειδικά για τους μετατροπείς αυτούς:
Frequency changers or generators, other than those prohibited by 0B001 or 3A225, having all of the following characteristics, and specially designed components and software therefor:
Υπέρυθρα οπτικά συστήματα με μήκος κύματος μεταξύ 9000 nm – 17000 nm και δομικά μέρη αυτών, συμπεριλαμβανομένων των δομικών μερών από τελλουριούχο κάδμιο (CdTe).
Infrared optics in the wavelength range 9000 nm – 17000 nm and components thereof, including cadmium telluride (CdTe) components.
Συστήματα διόρθωσης μετώπου κύματος για χρήση με ακτίνα λέιζερ διαμέτρου άνω των 4 mm και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, μεταξύ αυτών συστήματα ελέγχου, αισθητήρες μετώπου φάσης για «παραμορφώσιμα κάτοπτρα» συμπεριλαμβανομένων των δίμορφων κατόπτρων.
Wave front corrector systems for use with a laser beam having a diameter exceeding 4 mm, and specially designed components thereof, including control systems, phase front sensors and ‘deformable mirrors’ including bimorph mirrors.
Σημείωση: Το σημείο αυτό δεν καλύπτει τα οπτικά κάτοπτρα που καθορίζονται στα σημεία 6A004.α, 6A005.ε και 6A005.στ
Note: This item does not cover mirrors defined in 6A004.a, 6A005.e and 6A005.f.
«Λέιζερ» ιόντων αργού με μέση ισχύ εξόδου τουλάχιστον 5 W.
Argon ion ‘lasers’ having an average output power equal to or greater than 5 W.
Μεμονωμένα «λέιζερ» ημιαγωγών με ισχύ εξόδου άνω των 200 mW έκαστο, σε ποσότητες άνω των 100,
Individual semiconductor ‘lasers’ with an output power greater than 200 mW each, in quantities larger than 100;
Δίκτυα «λέιζερ» ημιαγωγών με ισχύ εξόδου άνω των 20 W.
Semiconductor ‘laser’ arrays having an output power greater than 20 W.
Τα «λέιζερ» ημιαγωγών συνήθως αποκαλούνται δίοδοι «λέιζερ».
Semiconductor ‘lasers’ are commonly called ‘laser’ diodes.
Το σημείο αυτό δεν καλύπτει τα «λέιζερ» που καθορίζονται στα σημεία 0B001.ζ.5, 0B001.η.6 και 6A005.β.
This item does not cover ‘lasers’ defined in items 0B001.g.5, 0B001.h.6 and 6A005.b.
Το σημείο αυτό δεν καλύπτει τις διόδους «λέιζερ» με μήκος κύματος 1200 nm – 2000 nm.
This item does not cover ‘laser’ diodes with a wavelength in the range 1200 nm – 2000 nm.
Συντονίσιμα «λέιζερ» ημιαγωγών και συντονίσιμες συστοιχίες «λέιζερ» ημιαγωγών, μήκους κύματος μεταξύ 9 μm και 17 μm, καθώς και σειρές συστοιχιών «λέιζερ» ημιαγωγών με τουλάχιστον μια συντονίσιμη συστοιχία «λέιζερ» τέτοιου μήκους κύματος.
Tunable semiconductor ‘lasers’ and tunable semiconductor ‘laser’ arrays, of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array stacks of semiconductor ‘lasers’ containing at least one tunable semiconductor ‘laser’ array of such wavelength.
Το σημείο αυτό δεν καλύπτει τα «λέιζερ» ημιαγωγών ελέγχου που καθορίζονται στα σημεία 0B001.η.6 και 6A005.β.
This item does not cover semiconductor ‘lasers’ defined in items 0B001.h.6 and 6A005.b
«Συντονίσιμα»«λέιζερ» στερεάς κατάστασης και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:
Solid state ‘tunable’‘lasers’ and specially designed components thereof as follows:
Σημείωση: Το σημείο αυτό δεν καλύπτει τα λέιζερ ελέγχου τιτανίου-σαπφείρου και τα λέιζερ αλεξανδρίτη που καθορίζονται στα σημεία 0B001.ζ.5, 0B001.η.6 και 6A005.γ.1.
Note: This item does not cover titanium-sapphire and alexandrite lasers defined in items 0B001.g.5, 0B001.h.6 and 6A005.c.1.
«Λέιζερ» με προσμείξεις νεοδυμίου (διαφορετικά από υάλου), που έχουν μήκος κύματος εξόδου άνω των 1000 nm και μέχρι 1100 nm, και ενέργεια εξόδου άνω των 10 J ανά παλμό.
Neodymium-doped (other than glass) ‘lasers’, having an output wavelength greater than 1000 nm but not exceeding 1100 nm and output energy exceeding 10 J per pulse.
Σημείωση: Το σημείο αυτό δεν καλύπτει τα «λέιζερ» με προσμείξεις νεοδυμίου (διαφορετικά από υάλου) που καθορίζονται στο σημείο 6A005.γ.2.β.
Note: This item does not cover neodymium-doped (other than glass) ‘lasers’ defined in item 6A005.c.2.b.
λυχνίες αποτύπωσης εικόνων και συσκευές απεικόνισης στερεάς κατάστασης με ρυθμό επανάληψης ίσο ή ανώτερο από 1kHz,
Framing tubes and solid-state imaging devices having a recurrence frequency equal to or exceeding 1 kHz;
Μηχανές λήψης ανθεκτικές στις ακτινοβολίες, εκτός από τις προσδιοριζόμενες στο σημείο 6A203.γ, ειδικώς σχεδιασμένες ή βαθμολογημένες για να αντέχουν ολική δόση ακτινοβολίας μεγαλύτερη από 50 × 103 Gy (silicon) [5 × 106 rad (silicon)] χωρίς υποβάθμιση της λειτουργίας.
Radiation-hardened cameras, or lenses thereof, other than those specified in 6A203.c., specially designed, or rated as radiation-hardened, to withstand a total radiation dose greater than 50 × 103 Gy(silicon) (5 × 106 rad (silicon)) without operational degradation.
Ο όρος Gy(πυρίτιο) αναφέρεται στην ενέργεια, σε joule ανά χιλιόγραμμο, που απορροφάται από αθωράκιστο δείγμα πυριτίου όταν αυτό εκτίθεται σε ιοντίζουσα ακτινοβολία.
The term Gy(silicon) refers to the energy in Joules per kilogram absorbed by an unshielded silicon sample when exposed to ionising radiation.
Μέση ισχύ εξόδου άνω των 10 W αλλά που δεν υπερβαίνει τα 30 W,
An average output power greater than 10 W but not exceeding 30 W;
Σε αυτό το σημείο δεν υπάγονται οι μονότροποι ταλαντωτές.
This item does not cover single mode oscillators.
Το σημείο αυτό δεν καλύπτει τους συντονίσιμους ενισχυτές και ταλαντωτές παλμικού λέιζερ χρωστικής ουσίας που προσδιορίζονται στα σημεία 6A205.γ, 0B001.ζ.5 και 6A005
This item does not cover tunable pulsed dye laser amplifiers and oscillators defined in item 6A205.c, 0B001.g.5 and 6A005.
Παλμικά «λέιζερ» διοξειδίου του άνθρακα με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Pulsed carbon dioxide ‘lasers’ having all of the following characteristics:
Μέση ισχύ εξόδου άνω των 100 W αλλά που δεν υπερβαίνει τα 500 W, και
An average output power greater than 100 W but not exceeding 500 W; and
Σημείωση: Το σημείο αυτό δεν καλύπτει τους ενισχυτές και ταλαντωτές παλμικού λέιζερ διοξειδίου του άνθρακα που καθορίζονται στα σημεία 6A205.δ, 0B001.η.6 και 6A005. δ
Note: This item does not cover pulsed carbon dioxide laser amplifiers and oscillators defined in item 6A205.d., 0B001.h.6. and 6A005.d.
Σχετικό είδος από το παράρτημα Ι του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 428/2009
item from Annex I to Regulation (EC) No 428/2009
Συστήματα αδρανειακής πλοήγησης (INS) και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία αυτών, ως εξής:
Inertial navigation systems and specially designed components thereof, as follows:
I. Συστήματα αδρανειακής πλοήγησης που έχουν εγκριθεί για χρήση στα αεροσκάφη «πολιτικής αεροπορίας» από τις αρχές πολιτικής αεροπορίας κράτους συμμετέχοντος στον διακανονισμό του Wassenaar, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:
I. Inertial navigation systems which are certified for use on ‘civil aircraft’ by civil authorities of a State participating in the Wassenaar Arrangement, and specially designed components thereof, as follows:
Συστήματα αδρανειακής πλοήγησης (INS) (με καρδανική ανάρτηση ή συνδέσμους strapdown) καθώς και αδρανειακός εξοπλισμός σχεδιασμένος για «αεροσκάφη», επίγεια οχήματα, σκάφη (επιφανείας ή υποβρύχια) ή «διαστημικά οχήματα», για τον προσανατολισμό, την καθοδήγηση, τον χειρισμό, που παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, καθώς και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία τους:
Inertial navigation systems (INS) (gimballed or strapdown) and inertial equipment designed for ‘aircraft’, land vehicle, vessels (surface or underwater) or ‘spacecraft’ for attitude, guidance or control, having any of the following characteristics, and specially designed components thereof:
σφάλμα πλοήγησης (απηλλαγμένο αδρανείας) κατόπιν κανονικής ευθυγράμμισης 0,8 ναυτικών μιλίων ανά ώρα (nm/hr) «Πιθανότητα κυκλικού λάθους» (CEP) ή λιγότερο (καλύτερα)· ή
Navigation error (free inertial) subsequent to normal alignment of 0,8 nautical mile per hour (nm/hr) ‘Circular Error Probable’ (CEP) or less (better); or
Προδιαγεγραμμένα για να λειτουργούν σε μεγέθη γραμμικής επιτάχυνσης άνω των 10g.,
Specified to function at linear acceleration levels exceeding 10 g;
Υβριδικά συστήματα αδρανειακής πλοήγησης με ενσωματωμένο(-α) Παγκόσμιο Δορυφορικό Σύστημα Πλοήγησης (GNSS) ή «Σύστημα(τα) Πλοήγησης βάσει Καταχωρημένων Δεδομένων» («DBRN») για τον προσανατολισμό, την καθοδήγηση ή τον χειρισμό, κατόπιν κανονικής ευθυγράμμισης, με ακρίβεια στίγματος INS, μετά την απώλεια του GNSS ή του «DBRN» επί χρονικό διάστημα έως τέσσερα λεπτά, μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 10 μέτρα «πιθανότητας κυκλικού σφάλματος» (CEP).
Hybrid Inertial Navigation Systems embedded with Global Navigation Satellite Systems(s) (GNSS) or with ‘Data-Based Referenced Navigation’ (‘DBRN’) System(s) for attitude, guidance or control, subsequent to normal alignment, having an INS navigation position accuracy, after loss of GNSS or ‘DBRN’ for a period of up to four minutes, of less (better) than 10 metres ‘Circular Error Probable’ (CEP);
σχεδιασμένος ώστε να έχει ακρίβεια προσδιορισμού αζιμούθ, κατεύθυνσης ή στίγματος του Βορρά μικρότερη (καλύτερη επίδοση) ή ίση με 6 λεπτά τόξου RMS σε πλάτος 45 μοιρών ή
Designed to have an Azimuth, Heading, or North Pointing accuracy equal to, or less (better) than 6 arc/minutes RMS at 45 degrees latitude; or
Σημείωση: Οι παράμετροι που αναφέρονται στα σημεία Ι.α. και Ι.β. εφαρμόζονται σε οιαδήποτε από τις ακόλουθες συνθήκες περιβάλλοντος:
Note: The parameters of I.a. and I.b. are applicable with any of the following environmental conditions:
Σταθερή τιμή της PSD 0,04 g2/Hz σε διάστημα συχνότητας 15 έως 1000 Hz, και και
A constant power spectral density (PSD) value of 0,04 g2/Hz over a frequency interval of 15 to 1000 Hz; and
Η PSD μειούται με συχνότητα από 0,04 g2/Hz έως 0,01 g2/Hz σε διάστημα συχνότητας από 1000 έως 2000 Hz.
The PSD attenuates with a frequency from 0,04 g2/Hz to 0,01 g2/Hz over a frequency interval from 1000 to 2000 Hz;
Ταχύτητα εγκάρσιας περιστροφής και εκτροπής τουλάχιστον +2,62 ακτίνια ανά δευτερόλεπτο (150 deg/s), ή
A roll and yaw rate equal to or greater than + 2,62 radian/s (150 deg/s); or
Το σημείο 1.β. αφορά συστήματα στα οποία το INS και άλλα ανεξάρτητα βοηθήματα πλοήγησης είναι ενσωματωμένα σε μία μόνον μονάδα ώστε να επιτυγχάνονται καλύτερες επιδόσεις.
refers to systems in which an INS and other independent navigation aids are built into a single unit (embedded) in order to achieve improved performance.
«Πιθανότητα κυκλικού σφάλματος» (CEP) – Σε μια κυκλική κανονική κατανομή, η ακτίνα του κύκλου που περιέχει το 50 % των πραγματοποιούμενων μετρήσεων, ή η ακτίνα του κύκλου εντός του οποίου υπάρχει 50 % πιθανότητα να βρίσκεται η πραγματική θέση.
‘Circular Error Probable’ (CEP) – In a circular normal distribution, the radius of the circle containing 50 percent of the individual measurements being made, or the radius of the circle within which there is a 50 percent probability of being located.
Τεχνολογία που απαιτείται για την ανάπτυξη ή την παραγωγή ή τη χρήση των ειδών του τμήματος IV A. (αγαθά) του Παραρτήματος IV.
Technology required for the development or production of the items in Part IV A. (Goods) of Annex IV.
Ο όρος «τεχνολογία» περιλαμβάνει και το λογισμικό.
The term ‘technology’ includes software.
Κατάλογος του εξοπλισμού που ενδέχεται να χρησιμοποιηθεί για εσωτερική καταστολή, όπως αναφέρεται στο άρθρο 2 παράγραφος 1 στοιχείο β) και στο άρθρο 5 παράγραφος 1 στοιχεία γ) και ε)
List of equipment which might be used for internal repression as referred to in point (b) of Article 2(1), point (c) of Article 5(1) and point (e) of Article 5(1)
Πυροβόλα όπλα, πυρομαχικά και σχετικά εξαρτήματα, ως ακολούθως:
Fire-arms, ammunition and related accessories therefor, as follows:
Πυροβόλα όπλα μη περιλαμβανόμενα στα σημεία ΣΚ 1 και ΣΚ 2 του Κοινού Στρατιωτικού Καταλόγου της Ευρωπαϊκής Ένωσης («Κοινός Στρατιωτικός Κατάλογος») [1]·
Firearms not controlled by ML 1 and ML 2 of the Common Military List of the European Union (‘Common Military List’) [1];
Σκόπευτρα μη περιλαμβανόμενα στον Κοινό Στρατιωτικό Κατάλογο.
Weapon-sights not controlled by the Common Military List.