natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Συσκευές και «μονάδες» στερεάς καταστάσεως με θυρίστορες για την παλμική μεταγωγή ηλεκτρισμού, που χρησιμοποιούν μεθόδους μεταγωγής ελεγχόμενες είτε ηλεκτρικώς, είτε οπτικώς, είτε με ακτινοβολία ηλεκτρονίων και έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and ’thyristor modules’, using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 30000 A/μs και τάση σε κατάσταση σβηστή άνω των 1100 V, ή
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 2000 A/μs και όλα τα παρακάτω:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
Ανώτατη τάση σε κατάσταση σβηστή τουλάχιστον 3000 V, και
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
Ρεύμα αιχμής τουλάχιστον 3000 A.
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
Σημείωση 1:Στο 3Α001.ζ. περιλαμβάνονται:
Note 1:3A001.g. includes:
οι Silicon Controlled Rectifiers (SCR)
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
οι Electrical Triggering Thyristors (ETT)
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
οι Light Triggering Thyristors (LTT)
Light Triggering Thyristors (LTTs)
οι Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCT)
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
οι Gate Turn-off Thyristors (GTO)
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
τα Solidtron.
Solidtrons
Σημείωση 2:Στο σημείο 3A001.ζ δεν εμπίπτουν οι συσκευές και ’μονάδες με θυρίστορες’ οι ενσωματωμένες σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικούς σιδηροδρόμους και «πολιτικά αεροσκάφη».
Note 2:3A001.g. does not control thyristor devices and ’thyristor modules’ incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ζ, οι ’μονάδες με θυρίστορες’ περιέχουν μία ή περισσότερες συσκευές με θυρίστορες.
For the purposes of 3A001.g., a ’thyristor module’ contains one or more thyristor devices.
Διακόπτες, δίοδοι ή ’μονάδες’ ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης, που έχουν όλα τα ακόλουθα:
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or ’modules’, having all of the following:
Ονομαστική λειτουργία σε μέγιστη λειτουργική θερμοκρασία άνω των 488 K (215 °C),
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
Επαναληπτική ανώτατη τάση αιχμής σε κατάσταση σβηστή (τάση εμπλοκής) που υπερβαίνει τα 300 V, και
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
Συνεχή ροή μεγαλύτερη από 1 Α.
Continuous current greater than 1 A.
Σημείωση 1:Η επαναληπτική ανώτατη τάση σε κατάσταση σβηστή στο 3Α001.η. περιλαμβάνει τάση από drain προς πηγή, τάση από συλλέκτη προς εκπομπό, επαναληπτική ανώτατη αντίστροφη τάση και ανώτατη επαναληπτική τάση εμπλοκής σε κατάσταση σβηστή.
Note 1:Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Σημείωση 2:Στο 3Α001.η. περιλαμβάνονται:
Note 2:3A001.h. includes:
Σημείωση 3:Στο σημείο 3A001.η. δεν υπάγονται διακόπτες, δίοδοι ή «μονάδες» που ενσωματώνονται σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικούς σιδηροδρόμους και «πολιτικά αεροσκάφη».
Note 3:3A001.h. does not control switches, diodes, or ’modules’ incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
Για τους σκοπούς του σημείου Α001.η., οι ’μονάδες’ περιέχουν έναν ή περισσότερους διακόπτες ή διόδους ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης.
For the purposes of 3A001.h., ’modules’ contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
Ηλεκτρονικός εξοπλισμός γενικής χρήσεως και εξαρτήματα γι' αυτόν, ως εξής:
General purpose electronic equipment and accessories therefor, as follows:
Εξοπλισμός καταγραφής ως εξής και ειδικά σχεδιασμένες μαγνητικές ταινίες δοκιμής γι’ αυτόν:
Recording equipment as follows and specially designed test tape therefor:
Μαγνητόφωνα με αναλογικά όργανα, που περιλαμβάνουν μαγνητόφωνα που επιτρέπουν την καταγραφή ψηφιακών σημάτων (για παράδειγμα χρησιμοποιώντας μονάδα για ψηφιακή εγγραφή), με τα παρακάτω:
Analogue instrumentation magnetic tape recorders, including those permitting the recording of digital signals (e.g. using a high density digital recording (HDDR) module), having any of the following:
Εύρος ζώνης πάνω από 4 MHz ανά ηλεκτρονικό κανάλι ή ζώνη (track).
A bandwidth exceeding 4 MHz per electronic channel or track;
Χρονικό σφάλμα βάσης χρόνου (time displacement error) το οποίο μετριέται σύμφωνα με τα ισχύοντα έγγραφα κανονισμών IRIG (Inter Range Instrumentation Group) ή ΕΙΑ (Electronic Industries Association), το οποίο είναι μικρότερο από ±0,1 μs.
A time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ±0,1 µs;
Σημείωση:Τα αναλογικά μαγνητόφωνα που είναι ειδικά σχεδιασμένα για μη στρατιωτική χρήση βίντεο δεν θεωρούνται ως μαγνητόφωνα με αναλογικά όργανα.
Note:Analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
Ψηφιακά μαγνητοσκόπια που έχουν μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης πάνω από 360 Mbit/s,
Digital video magnetic tape recorders having a maximum digital interface transfer rate exceeding 360 Mbit/s;
Μαγνητόφωνα δεδομένων με ψηφιακά όργανα τα οποία χρησιμοποιούν ελικοειδείς τεχνικές σάρωσης ή τεχνικές σταθερής κεφαλής και τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having any of the following:
Μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης πάνω από 175 Mbit/s, ή
A maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s; or
Εξοπλισμός με μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης πάνω από 175 Mbit/s που έχει σχεδιασθεί για να μετατρέπει ψηφιακά μαγνητοσκόπια ώστε να μπορούν να χρησιμοποιηθούν σαν ψηφιακά όργανα καταγραφής δεδομένων.
Equipment having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s and designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
Μετατροπείς κυματομορφών σε ψηφιακή μορφή και καταγραφείς μεταβατικών φαινομένων, που έχουν όλα τα ακόλουθα:
Waveform digitisers and transient recorders, having all of the following:
’Συνεχή διεκπεραίωση’ τουλάχιστον 2 Gbit/s.
A ’continuous throughput’ of 2 Gbit/s or more;
Για όργανα με αρτηρία (bus) παραλλήλου αρχιτεκτονικής, ο ρυθμός ’συνεχούς διεκπεραίωσης’ είναι ο υψηλότερος ρυθμός λέξεων πολλαπλασιασμένος επί τον αριθμό bits σε μια λέξη.
For those instruments with a parallel bus architecture, the ’continuous throughput’ rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
’Συνεχής διεκπεραίωση’ είναι ο ταχύτερος ρυθμός δεδομένων τον οποίο το όργανο μπορεί να προωθήσει στην εκροή προς τη μαζική μνήμη, χωρίς απώλεια πληροφοριών, διατηρώντας παράλληλα το ρυθμό δειγματοληψίας και τη μετατροπή αναλογικού προς ψηφιακό.
’Continuous throughput’ is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
Καταγραφείς δεδομένων με ψηφιακά όργανα που χρησιμοποιούν τεχνικές αποθήκευσης με μαγνητικούς δίσκους και έχουν όλα τα ακόλουθα:
Digital instrumentation data recorders using magnetic disk storage technique and having all of the following:
’Συνεχή διεκπεραίωση’ τουλάχιστον 1 Gbit/s.
A ’continuous throughput’ of 1 Gbit/s or more;
«Ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις» για «γεννήτριες σύνθεσης συχνοτήτων» που έχουν «χρόνο μεταγωγής συχνότητας» από μία επιλεγμένη συχνότητα σε άλλη κατώτερο από 1 ms.
"Frequency synthesiser""electronic assemblies" having a "frequency switching time" from one selected frequency to another of less than 1 ms;
Σημείωση:Το κατά πόσον υπόκεινται σε έλεγχο του συστήματος ανάλυσης σημάτων, οι γεννήτριες σήματος, οι αναλυτές δικτύου και οι δοκιμαστικοί μικροκυματικοί δέκτες ως αυτοτελή όργανα καθορίζεται αντιστοίχως στα σημεία 3A002.γ., 3A002.δ., 3A002.ε. και 3A002.στ.
Note:The control status of "signal analysers", signal generators, network analysers, and microwave test receivers as stand-alone instruments is determined by 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., and 3A002.f., respectively.
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» ραδιοσυχνοτήτων ως εξής:
Radio-frequency "signal analysers" as follows:
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» ικανά να αναλύουν συχνότητες πάνω από 31,8 GHz αλλά όχι άνω των 37,5 GHz και με διακριτική ικανότητα εύρους ζώνης (RBW) 3 dB άνω των 10 MHz,
"Signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz and having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz;
«Συστήματα ανάλυσης σημάτων» ικανά να αναλύουν συχνότητες άνω των 43,5 GHz,
"Signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 43,5 GHz;
«Συστήματα δυναμικής ανάλυσης σημάτων» με «εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου» ανώτερο από 500 kHz,
"Dynamic signal analysers" having a "real-time bandwidth" exceeding 500 kHz;
Σημείωση:Στο σημείο 3Α002.γ.3. δεν υπάγονται τα «συστήματα δυναμικής ανάλυσης σημάτων» που χρησιμοποιούν μόνο φίλτρα σταθερού ποσοστιαίου εύρους ζώνης (γνωστά και σαν φίλτρα οκτάβας ή κλασματικής οκτάβας).
Note:3A002.c.3. does not control those "dynamic signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Γεννήτριες σημάτων με σύνθεση συχνοτήτων που παράγουν συχνότητες εξόδου με ακρίβεια και βραχυπρόθεσμη και μακροπρόθεσμη σταθερότητα που ελέγχεται, παράγεται ή διορθώνεται από τον εσωτερικό ταλαντευτή αναφοράς και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:
Μέγιστη συχνότητα που προκύπτει από σύνθεση πάνω από 31,8 GHz και μέχρι και 43,5 GHz, και εγκεκριμένες για την παραγωγή «παλμών διαρκείας» < 100 ns,
A maximum synthesised frequency exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz and rated to generate a ’pulse duration’ of less than 100 ns;
«Χρόνο μεταγωγής συχνότητας» από μία επιλεγμένη συχνότητα στην άλλη προσδιοριζόμενο από οποιοδήποτε από τα εξής:
A "frequency switching time" from one selected frequency to another as specified by any of the following:
κάτω των 312 ps,
Less than 312 ps;
κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 1,6 GHz εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων από 3,2 GHz μέχρι και 10,6 GHz,
Less than 100 µs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
κάτω των 250 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων από 10,6 GHz μέχρι και 31,8 GHz,
Less than 250 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
κάτω των 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων από 31,8 GHz μέχρι και 43,5 GHz, ή
Less than 500 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
κάτω του 1 ms εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz, ή
Less than 1 ms within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz; or
Μέγιστη συχνότητα που προκύπτει από σύνθεση άνω των 3,2 GHz και με όλά τα ακόλουθα:
A maximum synthesised frequency exceeding 3,2 GHz and having all of the following:
Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, καλύτερο από -(126 + 20log10F — 20log10f) για 10 Hz < F < 10 kHz· και
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(126 + 20log10F — 20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, καλύτερο από -(114 + 20log10F — 20log10f) για 10 kHz ≤ F < 500 kHz·
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(114 + 20log10F — 20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
Στο 3Α002.δ.4., F είναι η απόκλιση από τη συχνότητα λειτουργίας σε Hz και f είναι η συχνότητα λειτουργίας σε MHz.
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
Σημ. 1:Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.δ., στις γεννήτριες σημάτων με σύνθεση συχνοτήτων περιλαμβάνονται οι γεννήτριες σημάτων τυχούσας κυματομορφής και συνάρτησης.
Note 1.:For the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Σημ. 2:Στο σημείο 3Α002.δ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός στον οποίο η συχνότητα εξόδου παράγεται, είτε μέσω της πρόσθεσης ή αφαίρεσης δύο ή περισσοτέρων συχνοτήτων που παράγει κρυσταλλικός ταλαντωτής, είτε από την πρόσθεση ή αφαίρεση την οποία ακολουθεί πολλαπλασιασμός του αποτελέσματος.
Note 2.:3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Οι γεννήτριες σημάτων τυχούσας κυματομορφής και συνάρτησης προσδιορίζονται συνήθως με τη συχνότητα δειγματισμού των (π.χ. σε γιγαδείγματα ανά δευτερόλεπτο), η οποία μετατρέπεται στο χώρο των ραδιοσυχνοτήτων με τον παράγοντα Nyquist 2.
Arbitrary waveform and function generators are normally specified by sample rate (e.g., GSample/s), which is converted to the RF domain by the Nyquist factor of two.
Έτσι π.χ. μια τυχούσα κυματομορφή 1 γιγαδείγματος ανά δευτερόλεπτο έχει άμεση ικανότητα εξόδου 500 MHz.
Thus, a 1 GSample/s arbitrary waveform has a direct output capability of 500 MHz.
Αν πάλι χρησιμοποιείται υπερδειγματισμός, η μέγιστη άμεση ικανότητα εξόδου είναι αναλόγως μικρότερη.
Or, when oversampling is used, the maximum direct output capability is proportionately lower.
Για το σημείο 3Α002.δ. ως ’διάρκεια παλμού’ ορίζεται το χρονικό διάστημα μεταξύ του πρότερου άκρου του παλμού που αντιστοιχεί στο 90 % του μεγίστου και του ύστερου άκρου του παλμού που αντιστοιχεί στο 10 % του μεγίστου.
For the purposes of 3A002.d.1., ’pulse duration’ is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
Πρότυπα ατομικής συχνότητας που έχουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Atomic frequency standards being any of the following:
Είναι «κατάλληλοι για διαστημική χρήση»,
"Space-qualified";
Δεν βασίζονται σε ρουβιδίο και έχουν μακροπρόθεσμη σταθερότητα (γήρανση) μικρότερη (καλύτερη) από 1×10–11/ μήνα, ή
Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10-11/month; or
Δεν είναι «κατάλληλα για διαστημική χρήση» και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Non-"space-qualified" and having all of the following:
Αποτελούν πρότυπα ρουβιδίου,
Being a rubidium standard;
Μακροπρόθεσμη σταθερότητα μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10–11/μήνα, και
Long-term stability less (better) than 1 × 10-11/month; and
Συνολική κατανάλωση ενέργειας κάτω του 1 W.
Total power consumption of less than 1 W.
Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε «βλήματα» και που έχουν σχεδιασθεί για να πληρούν στρατιωτικές προδιαγραφές για ανθεκτικό εξοπλισμό·
Analogue-to-digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedized equipment;
’Θερμικές μπαταρίες’ σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για ’βλήματα’.
’Thermal batteries’ designed or modified for ’missiles’.
Στο σημείο 3Α102, ως ’θερμικές μπαταρίες’ νοούνται οι ηλεκτρικές στήλες μιας χρήσεως που χρησιμοποιούν ως ηλεκτρολύτη στερεό δυσηλεκτραγωγό ανόργανο άλας.
In 3A102 ’thermal batteries’ are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
Στο σημείο 3A102, ως ’βλήματα’ νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων εναέριων οχημάτων με ακτίνα δράσης άνω των 300 km.
In 3A102 ’missile’ means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
Χωρητικότητα πάνω από 0,5 μF, και
Capacitance greater than 0,5 µF; and
Αυτεπαγωγή σειράς μικρότερη από 50 nH. ή
Series inductance less than 50 nH; or
Χωρητικότητα πάνω από 0,25 μF, και
Capacitance greater than 0,25 µF; and
Σημείωση:Το σημείο 3Α201.β. δεν θέτει υπό έλεγχο μαγνήτες που έχουν ειδικά σχεδιασθεί και εξάγονται ’ως μέρος’ ιατρικών συστημάτων απεικόνισης που βασίζονται σε πυρηνικό μαγνητικό συντονισμό (nuclear magnetic resonance).
Note:3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported ’as parts of’ medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Η φράση ’ως μέρος’ δεν σημαίνει κατ’ ανάγκη ότι αποτελεί υλικό τμήμα της ίδιας αποστολής. Επιτρέπονται ξεχωριστές αποστολές από διαφορετικές πηγές υπό τον όρο τα σχετικά εξαγωγικά έγγραφα να καθορίζουν σαφώς ότι οι αποστολές διακινούνται ’ως μέρος’ των συστημάτων απεικόνισης.
The phrase ’as part of’ does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched ’as part of’ the imaging systems.
Γεννήτριες ακτίνων Χ στιγμιαίας λειτουργίας, ή παλμικοί επιταχυντές ηλεκτρονίων με ένα από τα ακόλουθα σύνολα χαρακτηριστικών:
Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 500 keV και άνω, αλλά κάτω των 25 MeV, και
An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
’Συντελεστή κέρδους’ (Κ) 0,25 ή παραπάνω, ή
With a ’figure of merit’ (K) of 0,25 or greater; or
’Ανώτατη ισχύ’ μεγαλύτερη από 50 MW.
A ’peak power’ greater than 50 MW.
Σημείωση:Το σημείο 3Α201.γ. δεν καλύπτει τους επιταχυντές που αποτελούν δομικά στοιχεία συσκευών που έχουν σχεδιασθεί για σκοπούς άλλους εκτός από την ακτινοβολία με ακτίνες Χ ή με ηλεκτρονική δέσμη (για παράδειγμα ηλεκτρονικά μικροσκόπια), καθώς και συσκευών που έχουν σχεδιασθεί για ιατρικούς σκοπούς.
Note:3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes:
Ο ’συντελεστής κέρδους’ Κ ορίζεται ως εξής:
The ’figure of merit’ K is defined as:
Q είναι το συνολικό φορτίο σε Coulomb που έχει επιταχυνθεί, αν η διάρκεια της παλμικής δέσμης του επιταχυντή είναι μικρότερη από ή ίση προς 1 μικροδευτερόλεπτο.
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 µs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
Αν η διάρκεια της παλμικής δέσμης του επιταχυντή είναι μεγαλύτερη από 1 μικροδευτερόλεπτο, τότε το Q είναι το μέγιστο φορτίο που επιταχύνεται σε 1 μικροδευτερόλεπτο.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 µs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 µs.
Το Q είναι ίσο με το ολοκλήρωμα του i ως προς το t επί το μικρότερο από τους δύο χρόνους, δηλαδή 1 μικροδευτερόλεπτο ή την διάρκεια σε χρόνο της παλμικής δέσμης (Q = ∫ idt), όπου i είναι το ρεύμα της δέσμης σε αμπέρ και t είναι ο χρόνος σε δευτερόλεπτα
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 µs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
’Ανώτατη ισχύς’ είναι το γινόμενο του μέγιστου δυναμικού (σε βολτ) επί το μέγιστο ρεύμα δέσμης (σε αμπέρ).
’Peak power’ = (peak potential in volts) x (peak beam current in amperes).
Στις μηχανές που βασίζονται σε κοιλότητες επιταχύνσεως μικροκυμάτων, ο χρόνος διάρκειας της παλμικής δέσμης είναι το μικρότερο από τις δύο ποσότητες, δηλαδή 1 μs ή τη διάρκεια του συμπιεσμένου πακέτου δέσμης που προκύπτει από έναν παλμό μικροκυματικού διαμορφωτή.
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 µs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής ισχύος, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.6., που έχουν και τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:
High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής τάσης, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.5., που έχουν και τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:
High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 20 V ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 1 Α ή παραπάνω, και
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
Λυχνίες κρύας καθόδου, είτε γεμισμένες με αέριο είτε όχι, που λειτουργούν παρόμοια με διάκενο σπινθηρισμού και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 10 μικροδευτερόλεπτα ή λιγότερο.
Anode delay time of 10 µs or less;
Διάκενα σπινθηρισμού με σκανδαλισμό που έχουν και τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά.
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 15 μικροδευτερόλεπτα ή λιγότερο, και
An anode delay time of 15 µs or less; and
Μονάδες ή συναρμολογήσεις με ταχεία λειτουργία μεταγωγής, πλην των προσδιοριζόμενων στο σημείο 3Α001.ζ, που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g., having all of the following characteristics:
Χρόνο ενεργοποίησης 1 μικροδευτερολέπτου ή λιγότερο.
Turn-on time of 1 µs or less.
ΣΗΜ.:Βλ. 1A007.a. για τις συσκευές πυροδότησης για εκρηκτικούς πυροκροτητές.
1A007.a. for explosive detonator firing sets.
Είναι τοποθετημένες μέσα σε περίβλημα στο οποίο δεν μπορεί να μπει σκόνη,
Enclosed in a dust-tight enclosure;
Μπορούν να αποδώσουν την ενέργειά τους σε λιγότερο από 15 μικροδευτερόλεπτα,
Capable of delivering their energy in less than 15 µs;
Έχουν ’χρόνο ανύψωσης’ λιγότερο από 10 μικροδευτερόλεπτα όταν συνδέονται με φορτία μικρότερα από 40 Ω,
Having a ’rise time’ of less than 10 µs into loads of less than 40 ohms;
Οι προδιαγραφές τους είναι για χρήση σε εκτεταμένο φάσμα θερμοκρασιών 223 K (–50 °C) έως 373 K (100 °C) ή για αεροδιαστημικές εφαρμογές.
Specified for use over an extended temperature range 223 K (–50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Σημείωση:Το σημείο 3Α229.β. περιλαμβάνει και συσκευές με λυχνίες εκκενώσεως ξένου.
Note:3A229.b. includes xenon flash-lamp drivers.
’Χρόνο μετάβασης παλμού’ κάτω από 500 πικο-δευτερόλεπτα.
’Pulse transition time’ less than 500 ps.
Στο σημείο 3Α230, ο ’χρόνος μετάβασης του παλμού’ ορίζεται σαν το χρονικό διάστημα μεταξύ του 10 % και του 90 % του εύρους της τάσης.
In 3A230, ’pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
ΣΗΜ.:Βλ. 1A007.β. για τους πυροκροτητές.
N.B.:See 1A007.b. for detonators.
Συστήματα που χρησιμοποιούν απλούς ή πολλαπλούς πυροκροτητές και έχουν σχεδιασθεί για να προκαλούν σχεδόν ταυτόχρονα την έναυση μιας εκρηκτικής επιφάνειας εμβαδού πάνω από 5000 mm2 από ένα μόνο σήμα πυροδότησης με χρόνο έναυσης όπως εκτείνεται στην επιφάνεια λιγότερο από 2,5 μικροδευτερόλεπτα.
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 µs.
Φασματογράφοι μάζας με θερμικό ιονισμό (TIMS),
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
Φασματογράφοι μάζας με βομβαρδισμό ηλεκτρονίων που έχουν θάλαμο πηγής κατασκευασμένο ή με επίστρωση ή κάλυψη από υλικά που αντέχουν στο UF6,
Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;