natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη είναι μέθοδος επίχρισης με μετατροπή επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία το υπόστρωμα βυθίζεται σε μείγμα κόνεων (στήλη) αποτελούμενο από:
pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Το μείγμα υποστρώματος και κόνεων περιέχεται σε κάμινο κέρατος, που θερμαίνεται σε θερμοκρασία μεταξύ 1030 Κ (757 °C) και 1375 (1102 °C) για όσο χρόνο απαιτεί η εναπόθεση του επιχρίσματος.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Σημείωση 1:Χαμηλή πίεση σημαίνει χαμηλότερη από την ατμοσφαιρική πίεση περιβάλλοντος.
1:Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Σημείωση 2:Η υψηλή ταχύτητα αναφέρεται σε ταχύτητες αερίου στην έξοδο του ακροφυσίου υψηλότερες από 750 m/s υπολογιζόμενες σε θερμοκρασία 293 Κ (20 °C) και πίεση 0,1 MPa.
2:High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Σημείωση 1:Ο πίνακας αναφέρεται μόνο στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης τριόδου, μαγνήτρου ή χημικής αντίδρασης, που χρησιμοποιείται για την αύξηση της πρόσφυσης του επιχρίσματος και της ταχύτητας εναπόθεσης, και στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης ενισχυμένης με ραδιοσυχνότητες (RF), που χρησιμοποιείται για να επιτρέπει την εξάτμιση μη μεταλλικών επιχριστικών υλικών.
1:The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Σημείωση 2:Για την ενεργοποίηση της εναπόθεσης είναι δυνατόν να χρησιμοποιούνται δέσμες ιόντων χαμηλής ενέργειας (κάτω των 5 keV)
2:Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
ΣΗΜ.Όταν ο κατασκευαστής ή αυτός που υποβάλλει την αίτηση δεν μπορεί να καθορίσει τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού, η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων καθορίζεται στα σημεία 3Α001.a.3. έως 3Α001.a.9. και 3Α001.a.12.
N.B.:when the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής:
Electronic components and specially designed components therefor, as follows:
Σημείωση:το 3A001.α.1.γ δεν έχει εφαρμογή στους μεταλλομονωτικούς ημιαγωγούς (MSI).
Note:3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
"Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές", "μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών" και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό, μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό, μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό, ηλεκτρο-οπτικά ή "οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα" σχεδιασμένα για "επεξεργασία σημάτων", προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices), ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε αγνοείται η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού, στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, επεξεργαστές ταχείας μετατροπής Fourier (Fast Fourier Transform — FFT), ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο (EEPROM), στιγμιαίες μνήμες ή στατικές μνήμες RAM (SRAM) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
ΣΗΜ.:ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 3Α101.
N.B.:SEE ALSO 3A101.
Μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό με διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 12 bit και "χρόνο αποκατάστασης" (settling time) κάτω των 10 ns.
digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
Διακριτική ικανότητα n bit αντιστοιχεί σε κβάντωση 2n σταθμών.
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
Ηλεκτρο-οπτικά ή "οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα" για "επεξεργασία σημάτων" που έχουν όλα τα ακόλουθα:
electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
’Προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου’ (field programmable logic devices) που έχουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:
"field programmable logic devices" having any of the following:
Ισοδύναμο χρησιμοποιήσιμο αριθμό θυρών μεγαλύτερο από 30000 (για 2 θύρες εισόδου),
an equivalent usable gate count of more than 30000 (2 input gates);
τις προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις θυρών πεδίου (FPLA)
field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
Τενική παρατήρηση: Ο τρίτος και τέταρτος όρος είναι συνώνυμοι.
"Field programmable logic devices" are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
Ισοδύναμο χρησιμοποιήσιμο αριθμό θυρών μεγαλύτερο από 3000 (για 2 θύρες εισόδου), ή
an equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
Σημείωση 1:Στο σημείο 3Α001.β.1. δεν υπάγονται οι λυχνίες που έχουν σχεδιασθεί ή καθορίζονται για λειτουργία σε ζώνες συχνοτήτων και έχουν όλα τα παρακάτω:
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band having all of the following:
Σημείωση 2:Στο σημείο 3Α001.β.1., δεν υπάγονται οι "ακατάλληλες για διαστημική χρήση" λυχνίες που έχουν όλα τα παρακάτω:
Note 2:3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes having all of the following:
Σχεδιασμένες ή καθορισμένες για λειτουργία σε οποιαδήποτε ζώνη συχνοτήτων που έχει όλα τα παρακάτω:
designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
Λυχνίες που λειτουργούν σε συχνότητες πάνω από 31,8 GHz.
tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Λυχνίες που έχουν στοιχείο θέρμανσης καθόδου με χρόνο ανύψωσης ισχύος μέχρι την καθορισμένη ισχύ ραδιοσυχνότητας ο οποίος είναι μικρότερος από 3 δευτερόλεπτα.
tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
Ελικοειδείς λυχνίες ή παράγωγά τους με οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
Ενισχυτές ισχύος με "μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα" μικροκυμάτων, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
microwave "monolithic integrated circuits" (MMIC) power amplifiers having any of the following:
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6,6 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 4 W (36 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 15 %,
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
Σημείωση:Το καθεστώς ελέγχου των τρανζίστορ οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.3α, έως 3Α001β.3.ε., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.
Note:the control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης και μικροκυματικά συναρμολογήματα ή δομοστοιχεία που περιέχουν ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers having any of the following:
μέση ισχύ εξόδου P, σε Watt, μεγαλύτερη από 150 διά το τετράγωνο της ανώτατης συχνότητας λειτουργίας σε GHz (P>150 W*GHz2/fGHz2),
an average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P > 150 W*GHz2/fGHz2];
"Κλασματικό εύρος ζώνης" τουλάχιστον 5 %, και
a "fractional bandwidth" of 5 % or greater; and
δύο κάθετες πλευρές μήκους d (σε cm) το πολύ ίσου προς 15 διά την κατώτατη συχνότητα λειτουργίας σε GHz [d = 15 cm*GHz/fGHz],
any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d = 15 cm*GHz/fGHz].
Η συχνότητα 3,2 GHz θα πρέπει να χρησιμοποιείται ως η κατώτατη συχνότητα λειτουργίας (fGHz) στον τύπο του σημείου 3Α001.β.4.στ.3., για τους ενισχυτές με ονομαστικό φάσμα λειτουργίας που εκτείνεται προς τα κάτω μέχρι τα 3,2 GHz και κατωτέρω [d ≤ 15 cm*GHz/3,2 GHz].
3,2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3,2 GHz and below [d ≤ 15 cm*GHz/3,2 GHz].
Ζωνοπερατά ή ζωνοαπέρατα φίλτρα που μπορούν να συντονισθούν ηλεκτρονικά ή μαγνητικά, που έχουν πάνω από 5 ρυθμιζόμενους συντονιστές και μπορούν να συντονισθούν μέσα σε μία ζώνη συχνοτήτων με λόγο 1,5:1 (fmax/fmin) σε χρόνο λιγότερο από 10 μs και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs and having any of the following:
Μετατροπείς και αρμονικοί μίκτες σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος συχνοτήτων του εξοπλισμού που περιγράφεται στα σημεία 3Α002.γ., 3Α002.ε. ή 3Α002.στ. πέραν των εκεί αναφερομένων ορίων.
converters and harmonic mixers designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d, 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
Μικροκυματικοί ενισχυτές ισχύος που περιλαμβάνουν λυχνίες που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.β.1. και έχουν όλα τα ακόλουθα:
microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Μικροκυματικές μονάδες ισχύος (MPM), αποτελούμενες τουλάχιστον από μία λυχνία οδεύοντος κύματος, ένα μικροκυματικό "μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα", και έναν ολοκληρωμένο ηλεκτρονικό εξομαλυντήρα τάσης, με όλα τα παρακάτω:
microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
Χρόνο ενεργοποίησης από σβηστό σε πλήρη λειτουργία κάτω των 10 δευτερολέπτων,
a "turn-on time" from off to fully operational in less than 10 seconds;
Συχνότητα άνω των 18 GHz.
a frequency greater than 18 GHz.
Ιδού ένα παράδειγμα υπολογισμού του όγκου στο σημείο 3A00.β.9.β: αν η μέγιστη ονομαστική ισχύς είναι 20 W, ο όγκος πρέπει να είναι μέχρι 20 W x 10 cm3/W = 200 cm3.
to calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Στο σημείο 3A00.β.9.α, ο χρόνος ενεργοποίησης σημαίνει το διάστημα που χρειάζεται η μονάδα από τελείως σβηστή να τεθεί σε πλήρη λειτουργία, περιλαμβάνει δηλαδή και το χρόνο προθέρμανσης.
the "turn-on time" in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational; i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
Φέρουσα συχνότητα πάνω από 6 GHz,
a carrier frequency exceeding 6 GHz;
Φέρουσα συχνότητα πάνω από 1 GHz αλλά όχι πάνω από 6 GHz και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
a carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
Συχνότητα φέροντος 1 GHz ή λιγότερο, και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
a carrier frequency of 1 GHz or less, having any of the following:
Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας που ξεπερνάει τα 55 dB και εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 100 MHz.
a frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
Συσκευές ακουστικών κυμάτων όγκου (δηλαδή συσκευές για "επεξεργασία σημάτων" που χρησιμοποιούν ελαστικά κύματα) που επιτρέπουν την κατ’ ευθείαν επεξεργασία σημάτων σε συχνότητες πάνω από 2,5 GHz.
bulk (volume) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves) which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 2,5 GHz;
Ηλεκτρονικές συσκευές και κυκλώματα που περιέχουν δομικά στοιχεία κατασκευασμένα από "υπεραγώγιμα" υλικά και ειδικά σχεδιασμένα για λειτουργία σε θερμοκρασίες κάτω από την "κρίσιμη θερμοκρασία" τουλάχιστον ενός από τα "υπεραγώγιμα" συστατικά υλικά και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents having any of the following:
’Ηλεκτρικά στοιχεία’ ως εξής:
"cells", as follows:
’Πρωτογενή στοιχεία’ με ’ενεργειακή πυκνότητα’ άνω των 550 Wh/kg στους 20 °C,
"primary cells" having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
’Δευτερογενή στοιχεία’ με ’ενεργειακή πυκνότητα’ άνω των 250 Wh/kg.
"secondary cells" having 250 Wh/kg;
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1, η ’ενεργειακή πυκνότητα’ υπολογίζεται ως το γινόμενο της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί την ονομαστική χωρητικότητα σε αμπερώρια (Ah) διά τη μάζα σε χιλιόγραμμα.
For the purpose of 3A001.e.1., "energy density" (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Αν δεν δηλώνεται η ονομαστική χωρητικότητα, η ενεργειακή πυκνότητα υπολογίζεται ως το γινόμενο του τετραγώνου της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί τη διάρκεια εκφόρτισης σε ώρες διαιρούμενο με το φορτίο εκφόρτισης σε ωμ και με τη μάζα σε χιλιόγραμμα.
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1, ως ’ηλεκτρικό στοιχείο’ νοείται κάθε ηλεκτροχημική διάταξη που διαθέτει θετικό και αρνητικό ηλεκτρόδιο και ηλεκτρολύτη και αποτελεί πηγή ηλεκτρικής ενέργειας.
for the purpose of 3A001.e.1., a "cell" is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.α, ως ’πρωτογενές ηλεκτρικό στοιχείο’ νοείται κάθε ’ηλεκτρικό στοιχείο’ που δεν είναι σχεδιασμένο για να φορτίζεται από άλλη πηγή.
for the purpose of 3A001.e.1.a., a "primary cell" is a "cell" that is not designed to be charged by any other source.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.β, ως ’δευτερογενές ηλεκτρικό στοιχείο’ νοείται κάθε ’ηλεκτρικό στοιχείο’ σχεδιαζόμενο ώστε να φορτίζεται από εξωτερική πηγή ηλεκτρισμού.
for the purpose of 3A001.e.1.b., a "secondary cell" is a "cell" that is designed to be charged by an external electrical source.
Σημείωση:Στο σημείο 3Α001.ε.1. εμπίπτουν οι μπαταρίες, έστω και αν αποτελούνται από ένα μόνο ηλεκτρικό στοιχείο.
Note:3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
ΣΗΜ.:ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α201.α.
N.B.:SEE ALSO 3A201.a.
Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης κάτω από 10 Hz (πυκνωτές μιας κρούσης) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη από 5 kV,
a voltage rating equal to or more than 5 kV;
Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης 10 Hz ή παραπάνω (επαναληπτικοί πυκνωτές) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη από 50 J/kg,
an energy density equal to or more than 50 J/kg;
Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη από 100 kJ, και
a total energy equal to or more than 100 J; and
"Υπεραγώγιμοι" ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν σχεδιασθεί ειδικά ώστε να φορτίζονται πλήρως, ή να εκφορτίζονται, σε λιγότερο από ένα δευτερόλεπτο και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
"Superconductive" electromagnets and solenoids specially designed to be fully charged or discharged in less than one second andhaving all of the following:
ΣΗΜ.:ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α201.β.
N.B.:SEE ALSO 3A201.b.
Φωτοβολταϊκά στοιχεία, συναρμολογήματα υαλοκαλυπτρών διασυνδεδεμένων στοιχείων (CIC), φωτοβολταϊκοί επίπεδοι συλλέκτες και φωτοβολταϊκές συστοιχίες, "κατάλληλα για διαστημική χρήση", με ελάχιστη μέση απόδοση άνω του 20 % σε θερμοκρασία λειτουργίας 301 K (28 °C) υπό προσομοιωμένο φωτισμό "μηδενικής μάζας αέρα" (AM0), με πυκνότητα ακτινοβολίας 1367 W/m2.
solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2).
Ο όρος "μηδενικής μάζας αέρα" (AM0) αναφέρεται στη φασματική πυκνότητα ακτινοβολίας του ηλιακού φωτός στην εξώτερη ατμόσφαιρα της γης, όταν η απόσταση γης-ηλίου είναι μία αστρονομική μονάδα. στ.
"AM0", or "Air Mass Zero", refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Συσκευές και "μονάδες" στερεάς καταστάσεως με θυρίστορες για την παλμική μεταγωγή ηλεκτρισμού, που χρησιμοποιούν μεθόδους μεταγωγής ελεγχόμενες είτε ηλεκτρικώς, είτε οπτικώς, είτε με ακτινοβολία ηλεκτρονίων και έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
solid-state pulsed power switching thyristor devices and "thyristor modules" using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 2000 A/μs και όλα τα παρακάτω:
a maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
Σημείωση 1:Στο σημείο 3A001.ζ περιλαμβάνονται:
Note 1:3A001.g. includes:
Σημείωση 2:Στο σημείο 3A001.ζ δεν εμπίπτουν οι συσκευές και ’μονάδες με θυρίστορες’ οι ενσωματωμένες σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικούς σιδηροδρόμους και "πολιτικά αεροσκάφη".
Note 2:3A001.g. does not control thyristor devices and "thyristor modules" incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ζ, οι ’μονάδες με θυρίστορες’ περιέχουν μία ή περισσότερες συσκευές με θυρίστορες.
For the purposes of 3A001.g., a "thyristor module" contains one or more thyristor devices.
Ηλεκτρονικός εξοπλισμός γενικής χρήσεως και εξαρτήματα γι’ αυτόν, ως εξής:
General purpose electronic equipment and accessories therefor, as follows:
Μαγνητόφωνα με αναλογικά όργανα, που περιλαμβάνουν μαγνητόφωνα που επιτρέπουν την καταγραφή ψηφιακών σημάτων (για παράδειγμα χρησιμοποιώντας μονάδα για ψηφιακή εγγραφή), με τα παρακάτω:
analogue instrumentation magnetic tape recorders, including those permitting the recording of digital signals (e.g. using a high density digital recording (HDDR) module), having any of the following:
Μαγνητόφωνα δεδομένων με ψηφιακά όργανα τα οποία χρησιμοποιούν ελικοειδείς τεχνικές σάρωσης ή τεχνικές σταθερής κεφαλής και τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having any of the following:
Εξοπλισμός με μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης πάνω από 175 Mbit/s που έχει σχεδιασθεί για να μετατρέπει ψηφιακά μαγνητοσκόπια ώστε να μπορούν να χρησιμοποιηθούν σαν ψηφιακά όργανα καταγραφής δεδομένων.
equipment, having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbits/s and designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
’Συνεχή διεκπεραίωση’ τουλάχιστον 2 Gbit/s.
a "continuous throughput" of 2 Gbit/s or more;
Για όργανα με αρτηρία (bus) παραλλήλου αρχιτεκτονικής, ο ρυθμός ’συνεχούς διεκπεραίωσης’ είναι ο υψηλότερος ρυθμός λέξεων πολλαπλασιασμένος επί τον αριθμό bits σε μια λέξη.
For those instruments with a parallel bus architecture, the "continuous throughput" rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
’Συνεχής διεκπεραίωση’ είναι ο ταχύτερος ρυθμός δεδομένων τον οποίο το όργανο μπορεί να προωθήσει στην εκροή προς τη μαζική μνήμη, χωρίς απώλεια πληροφοριών, διατηρώντας παράλληλα το ρυθμό δειγματοληψίας και τη μετατροπή αναλογικού προς ψηφιακό.
"Continuous throughput" is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
Καταγραφείς δεδομένων με ψηφιακά όργανα που χρησιμοποιούν τεχνικές αποθήκευσης με μαγνητικούς δίσκους και έχουν όλα τα ακόλουθα:
digital instrumentation data recorders, using magnetic disk storage technique and having all of the following:
’Συνεχή διεκπεραίωση’ τουλάχιστον 1 Gbit/s.
a "continuous throughput" of 1 Gbit/s or more;
Σημείωση:Το κατά πόσον υπόκεινται σε έλεγχο του συστήματος ανάλυσης σημάτων, οι γεννήτριες σήματος, οι αναλυτές δικτύου και οι δοκιμαστικοί μικροκυματικοί δέκτες ως αυτοτελή όργανα καθορίζεται αντιστοίχως στα σημεία 3A002.γ., 3A002.δ., 3A002.ε. και 3A002.στ.
Note:the control status of "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers as stand-alone instruments is determined by 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., and 3A002.f., respectively.
"Συστήματα ανάλυσης σημάτων" ραδιοσυχνοτήτων ως εξής:
radio frequency "signal analysers" as follows:
κάτω των 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων από 31,8 GHz μέχρι και 43,5 GHz, ή
less than 500 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
κάτω του 1 ms εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz, ή
less than 1 ms within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz; or
Σημείωση 1:Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.δ., στις γεννήτριες σημάτων με σύνθεση συχνοτήτων περιλαμβάνονται οι γεννήτριες σημάτων τυχούσας κυματομορφής και συνάρτησης.
Note 1:for the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Σημείωση 2:Στο σημείο 3Α002.δ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός στον οποίο η συχνότητα εξόδου παράγεται, είτε μέσω της πρόσθεσης ή αφαίρεσης δύο ή περισσοτέρων συχνοτήτων που παράγει κρυσταλλικός ταλαντωτής, είτε από την πρόσθεση ή αφαίρεση την οποία ακολουθεί πολλαπλασιασμός του αποτελέσματος.
Note 2:3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Πρότυπα ατομικής συχνότητας που έχουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
atomic frequency standards being any of the following:
Είναι "κατάλληλα για διαστημική χρήση",
"space qualified";
Δεν βασίζονται σε ρουβιδίο και έχουν μακροπρόθεσμη σταθερότητα (γήρανση) μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10–11/μήνα, ή
non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
Δεν είναι "κατάλληλα για διαστημική χρήση" και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
non-"space qualified" and having all of the following:
Αποτελούν πρότυπα ρουβιδίου,
being a rubidium standard;
Μακροπρόθεσμη σταθερότητα μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10–11/μήνα, και
long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; and
Συνολική κατανάλωση ενέργειας κάτω του 1 W.
total power consumption of less than 1 W.
’Θερμικές μπαταρίες’ σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για ’βλήματα’.
"Thermal batteries" designed or modified for "missiles".