natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 25 MeV και άνω, και
an accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
Ανώτατη ισχύ μεγαλύτερη από 50 MW.
a ’peak power’ greater than 50 MW.
Σημείωση:Το σημείο 3Α201.γ. δεν καλύπτει τους επιταχυντές που αποτελούν δομικά στοιχεία συσκευών που έχουν σχεδιασθεί για σκοπούς άλλους εκτός από την ακτινοβολία με ακτίνες Χ ή με ηλεκτρονική δέσμη (για παράδειγμα ηλεκτρονικά μικροσκόπια), καθώς και συσκευών που έχουν σχεδιασθεί για ιατρικούς σκοπούς.
Note:3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes.
Ο "συντελεστής κέρδους" Κ ορίζεται ως εξής:
The ’figure of merit’ K is defined as:
"Ανώτατη ισχύς" είναι το γινόμενο του μέγιστου δυναμικού (σε βολτ) επί το μέγιστο ρεύμα δέσμης (σε αμπέρ).
’Peak power’ = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
Πολυφασική έξοδο που μπορεί να αποδώσει ισχύ 40 W ή παραπάνω,
multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
Ικανότητα λειτουργίας στο φάσμα συχνοτήτων μεταξύ 600 και 2000 Hz,
capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
Συνολική αρμονική παραμόρφωση καλύτερη (κάτω) από 10 %, και
total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
Έλεγχο συχνότητας καλύτερο (κάτω) από 0,1 %.
frequency control better (less) than 0,1 %.
μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 20 kV ή παραπάνω με ρεύμα εξόδου 1 Α ή παραπάνω, και β. εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών.
current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών. 3A227 Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής τάσης, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.5, που έχουν και τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:
capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
Λυχνίες κρύας καθόδου, είτε γεμισμένες με αέριο είτε όχι, που λειτουργούν παρόμοια με διάκενο σπινθηρισμού και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
cold cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
Τρία ή περισσότερα ηλεκτρόδια,
containing three or more electrodes;
Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου 2,5 kV ή παραπάνω,
anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 100 Α ή παραπάνω, και
anode peak current rating of 100 A or more 100 A; and
Σημείωση:το σημείο 3Α228 περιλαμβάνει τις λυχνίες τύπου krytron με αέριο και sprytron με κενό.
Note:3A228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
Διάκενα σπινθηρισμού με σκανδαλισμό που έχουν και τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά
triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 15 μικροδευτερόλεπτα ή λιγότερο, και
an anode delay time of 15 μs or less; and
Ονομαστική ανώτατη τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω.
rated for a peak current of 500 A or more;
Μονάδες ή συναρμολογήσεις με ταχεία λειτουργία μεταγωγής, πλην των προσδιοριζόμενων στο σημείο 3Α001.ζ, που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g., having all of the following characteristics:
Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου παραπάνω από 2 kV,
anode peak voltage rating greater than 2 kV;
Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω, και
anode peak current rating of 500 A or more; and
Χρόνο ενεργοποίησης 1 μικροδευτερολέπτου ή λιγότερο.
turn on time of 1 μs or less.
ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ
N.B.:SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS
Συσκευές πυροδότησης για εκρηκτικούς πυροκροτητές που έχουν σχεδιασθεί για να συνδέονται με πολλαπλούς ελεγχόμενους πυροκροτητές του σημείου 3Α232.
explosive detonator firing sets designed to drive multiple controlled detonators specified in 3A232;
Βαθμιδωτές ηλεκτρικές παλμογεννήτριες (pulsers) που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Έχουν σχεδιασθεί για να είναι φορητές, κινητές ή ανθεκτικές,
designed for portable, mobile, or ruggedised-use;
Είναι τοποθετημένες μέσα σε περίβλημα στο οποίο δεν μπορεί να μπει σκόνη,
enclosed in a dust tight enclosure;
Μπορούν να αποδώσουν την ενέργειά τους σε λιγότερο από 15 μικροδευτερόλεπτα,
capable of delivering their energy in less than 15 μs;
Έχουν ρεύμα εξόδου μεγαλύτερο από 100 Α,
having an output greater than 100 A;
Έχουν "χρόνο ανύψωσης" λιγότερο από 10 μικροδευτερόλεπτα όταν συνδέονται με φορτία μικρότερα από 40 Ω,
having a ’rise time’ of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
Καμία από τις διαστάσεις τους δεν είναι μεγαλύτερη από 254 mm,
no dimension greater than 254 mm;
Το βάρος τους είναι μικρότερο από 25 kg, και
weight less than 25 kg; and
Οι προδιαγραφές τους είναι για χρήση σε εκτεταμένο φάσμα θερμοκρασιών 223 K (–50 °C) έως 373 K (100 °C) ή για αεροδιαστημικές εφαρμογές.
specified for use over an extended temperature range 223 K (–50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Τάση εξόδου ανώτερη από 6 V όταν συνδέονται με φορτίο αντίστασης μικρότερο από 55 Ω, και
output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
"Χρόνο μετάβασης παλμού" κάτω από 500 πικο-δευτερόλεπτα.
’pulse transition time’ less than 500 ps.
Στο σημείο 3Α230, "ο χρόνος μετάβασης του παλμού" ορίζεται σαν το χρονικό διάστημα μεταξύ του 10 % και του 90 % του πλάτους της τάσης.
In 3A230, ’pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Έχουν σχεδιασθεί για λειτουργία χωρίς εξωτερικό σύστημα κενού, και
designed for operation without an external vacuum system; and
Χρησιμοποιούν ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση τριτίου-δευτερίου.
utilising electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
Εκρηκτικοί πυροκροτητές που λειτουργούν ηλεκτρικά, ως εξής:
electrically driven explosive detonators, as follows:
Εκρηγνυόμενη γέφυρα (exploding bridge — ΕΒ).
exploding bridge (EB);
Σύρμα εκρηγνυόμενης γέφυρας (exploding bridge wire — EBW).
exploding bridge wire (EBW);
Κολαφιστήρας (slapper).
slapper;
Συστήματα έναυσης εκρηγνυόμενου μεταλλικού φύλλου (exploding foil initiators — EFI).
exploding foil initiators (EFI);
Συστήματα που χρησιμοποιούν απλούς ή πολλαπλούς πυροκροτητές και έχουν σχεδιασθεί για να προκαλούν σχεδόν ταυτόχρονα την έναυση μιας εκρηκτικής επιφάνειας εμβαδού πάνω από 5000 mm2 από ένα μόνο σήμα πυροδότησης με χρόνο έναυσης όπως εκτείνεται στην επιφάνεια λιγότερο από 2,5 μικροδευτερόλεπτα.
arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
Σημείωση:Το σημείο 3Α232 δεν θέτει υπό έλεγχο πυροκροτητές που χρησιμοποιούν μόνο πρωτογενείς εκρηκτικές ύλες, όπως τον αζωτούχο μόλυβδο.
Note:3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Ο όρος πυροκροτητής με εκρηγνυόμενο μεταλλικό φύλλο μπορεί να αναφέρεται είτε σε πυροκροτητή τύπου εκρηγνυόμενης γέφυρας είτε σε πυροκροτητή τύπου κολαφιστήρα.
The term exploding foil detonator may refer to either an EB or a slapper-type detonator.
Επίσης, η λέξη initiator χρησιμοποιείται μερικές φορές αντί της λέξεως detonator (πυροκροτητής).
Also, the word initiator is sometimes used in place of the word detonator.
Επαγωγικά συζευγμένοι φασματογράφοι μάζας πλάσματος (ICP/ΜS).
inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
Φασματογράφοι μάζας εκκένωσης με διαύγεια (GDMS).
glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Φασματογράφοι μάζας με θερμικό ιονισμό (TIMS).
thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
Φασματογράφοι μάζας με βομβαρδισμό ηλεκτρονίων που έχουν θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση, ή κάλυψη από, υλικά που αντέχουν στο UF6.
electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Φασματογράφοι μάζας δέσμης μορίων, με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά:
molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση ή με κάλυψη από, ανοξείδωτο χάλυβα ή μολυβδαίνιο και εξοπλισμοί με ψυχρή παγίδα που μπορεί να ψυχθεί σε θερμοκρασία 193 K (–80 °C) ή χαμηλότερη, ή
a source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (–80 °C) or less; or
Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση ή με κάλυψη από υλικά που αντέχουν στο UF6. στ.
a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Φασματογράφοι μάζας εξοπλισμένοι με πηγή ιόντων μικροφθορίωσης που έχουν σχεδιασθεί για ακτινίδες ή φθοριούχες ακτινίδες.
mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
Εξοπλισμός σχεδιασμένος για επιταξιακή ανάπτυξη, ως εξής:
equipment designed for epitaxial growth, as follows:
Εξοπλισμός που μπορεί να παράγει στρώμα οποιουδήποτε άλλου υλικού πλην πυριτίου ομοιογενούς πάχους με διαφορά λιγότερη από ±2,5 % σε απόσταση 75 mm ή παραπάνω,
equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ±2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Αντιδραστήρες για χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων (ΜΟCVD), που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για την παραγωγή κρυστάλλων από σύνθετους ημιαγωγούς μέσω της χημικής αντίδρασης μεταξύ υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3C003 ή 3C004.
metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
Εξοπλισμός επιταξιακής ανάπτυξης μέσω μοριακής δέσμης ο οποίος χρησιμοποιεί αέριες ή στερεές πηγές.
molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμφύτευση ιόντων και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
equipment designed for ion implantation, having any of the following:
Ενέργεια δέσμης (τάση επιτάχυνσης) ανώτερη από 1 MeV,
a beam energy (accelerating voltage) exceeding 1 MeV;
Ειδικό σχεδιασμό και βελτιστοποίηση για να λειτουργεί με ενέργεια δέσμης (τάση επιτάχυνσης) λιγότερη από 2 keV,
being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
Δυνατότητα απ’ ευθείας εγγραφής, ή
direct write capability; or
Ενέργεια δέσμης 65 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 45 mA και άνω, για εμφύτευση οξυγόνου υψηλής ενέργειας πάνω σε θερμαινόμενο "υπόστρωμα" ημιαγωγού.
a beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Εξοπλισμός για ξερή χάραξη μέσω ανισότροπου πλάσματος, ως εξής:
anisotropic plasma dry etching equipment, as follows:
Εξοπλισμός με λειτουργία από κασέτα προς κασέτα και κλείδωμα φορτίου, και που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
Σχεδιασμένος ή βελτιστοποιημένος για να παράγει κρίσιμες διαστάσεις 180 nm ή μικρότερες, με ακρίβεια 3 σ ±5 % ή
designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ±5 % 3 sigma precision; or
Σχεδιασμένος για να παράγει λιγότερα από 0,04 σωματίδια/cm2 με μετρήσιμη διάμετρο σωματιδίου άνω του 0,1 μm.
designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 μm in diameter;
Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό που καθορίζεται στο σημείο 3Β001.ε. και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
Σχεδιασμένος για να παράγει λιγότερα από 0,04 σωματίδια/cm2 με μετρήσιμη διάμετρο σωματιδίου άνω του 0,12 μm.
designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
Εξοπλισμός για χημική εναπόθεση με εξάτμιση (CVD) και με την ενίσχυση πλάσματος, ως εξής:
plasma enhanced CVD equipment, as follows:
Εξοπλισμός με λειτουργία από κασέτα προς κασέτα και κλείδωμα φορτίου, σχεδιασμένος σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή ή βελτιστοποιημένος προς χρήση στην παραγωγή συσκευών ημιαγωγών με κρίσιμες διαστάσεις έως και 180 mm.
equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό που καθορίζεται στο σημείο 3Β001.ε. και σχεδιασμένος σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή ή βελτιστοποιημένος προς χρήση στην παραγωγή συσκευών ημιαγωγών με κρίσιμες διαστάσεις έως και 180 mm.
equipment specially designed for equipment controlled by 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
"Κεντρικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων (wafer)", πολλαπλών θαλάμων, αυτόματης φόρτωσης, τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα:
automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
Διεπαφές για είσοδο και έξοδο πλακιδίων, στις οποίες μπορούν να συνδεθούν περισσότερα από δύο τμήματα εξοπλισμού επεξεργασίας ημιαγωγών, και
interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
Είναι σχεδιασμένα για να αποτελέσουν ένα ολοκληρωμένο σύστημα σε περιβάλλον κενού για σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων.
designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;
Σημείωση:Στο σημείο 3Β001.ε. δεν υπάγονται τα αυτόματα ρομποτικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων τα οποία δεν έχουν σχεδιασθεί για να λειτουργούν σε περιβάλλον κενού.
Note:3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Εξοπλισμός λιθογραφίας, ως εξής:
lithography equipment, as follows:
Εξοπλισμός ευθυγράμμισης και έκθεσης step and repeat (με άμεσο βήμα πάνω στο πλακίδιο) ή step and scan (με σάρωση) για την επεξεργασία πλακιδίων με τη χρήση φωτο-οπτικών μεθόδων ή μεθόδων ακτίνων Χ, ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following:
Μήκος κύματος φωτεινής πηγής βραχύτερο από 245 nm, ή
a light source wavelength shorter than 245 nm; or
Ικανότητα να συνθέτει σχήματα με ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος 180 nm ή μικρότερο.
capable of producing a pattern with a ’minimum resolvable feature’ size of 180 nm or less;
Το "ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος" υπολογίζεται με τον εξής τύπο:
The ’minimum resolvable feature’ size is calculated by the following formula:
MRF = μήκος κύματος της φωτεινής πηγής έκθεσης σε nm
MRF = an exposure light source wavelength in nm
× συντελεστής Κ
× K factor
όπου ο συντελεστής K = 0,45
where the K factor = 0,45
Εξοπλισμός εντυπωτικής λιθογραφίας ικανός να παράγει λεπτομέρειες διαστάσεων 180 nm και κάτω.
imprint lithography equipment capable of producing features of 180 nm or less;
Σημείωση:Στο σημείο 3Β001.στ.2. περιλαμβάνονται τα εργαλεία:
Note:3B001.f.2. includes:
τυπογραφίας μικροεπαφής,
micro contact printing tools
θερμοεντύπωσης,
hot embossing tools
νανοεντυπωτικής λιθογραφίας,
nano-imprint lithography tools
εντυπωτικής λιθογραφίας με βήμα και λάμψη (step-and-flash)
step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για την παραγωγή μασκών ή για επεξεργασία συσκευών ημιαγωγών με τη χρήση εκτρεπόμενης εστιασμένης δέσμης ηλεκτρονίων, δέσμης ιόντων ή δέσμης "λέιζερ", που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:
Εστιακό μέγεθος μικρότερο από 0,2 μm,
a spot size smaller than 0,2 μm;
Είναι ικανός να παράγει σχήμα με χαρακτηριστικό μέγεθος κάτω από 1 μm, ή
being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
Ακρίβεια επικάλυψης καλύτερη από ±0,20 μm (3 sigma).
an overlay accuracy of better than ±0,20 μm (3 sigma);
Μάσκες ή reticles που έχουν σχεδιαστεί για ολοκληρωμένα κυκλώματα που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.
masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
Μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης.
multi-layer masks with a phase shift layer.
Σημείωση:Στο σημείο 3Β001.η. δεν υπάγονται οι μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης οι σχεδιασμένες για την κατασκευή συσκευών μνήμης που δεν υπάγονται στο σημείο 3Α001.
Note:3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Μακέτες εντυπωτικής λιθογραφίας σχεδιασμένες για τα ηλεκτρονικά κυκλώματα που προσδιορίζονται στο 3Α001.
i. Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Για να δοκιμάζονται οι παράμετροι S συσκευών τρανζίστορ σε συχνότητες πάνω από 31,8 GHz,
for testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Για την δοκιμή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων προσδιοριζόμενων στο 3Α001.β.2.
for testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Πυρίτιο,
silicon;
Γερμάνιο, ή
germanium;
Καρβίδιο του πυριτίου, ή
silicon carbide; or
Σύνθετες ενώσεις γαλλίου ή ινδίου με στοιχεία του πίνακα III/V.
III/V compounds of gallium or indium.
Θετικά φωτοανθεκτικά υλικά για λιθογραφικές εργασίες με ημιαγωγούς, ειδικώς ρυθμισμένα (αριστοποιημένα) για χρήση σε μήκη κύματος κάτω από 245 nm,
positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με δέσμες ηλεκτρονίων ή ιόντων που έχουν ευαισθησία 0,01 μcoulomb/mm2 ή καλύτερη,
all resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με ακτίνες Χ, με ευαισθησία 2,5 mJ/mm2 ή καλύτερη,
all resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά αριστοποιημένα για τεχνολογίες απεικόνισης επιφανειών, συμπεριλαμβανομένων των πυριτικοποιημένων φωτοανθεκτικών υλικών.
all resists optimised for surface imaging technologies, including ’silylated’ resists.
Οι τεχνικές μέθοδοι πυριτικοποίησης ορίζονται ως οι διαδικασίες που περιλαμβάνουν οξείδωση της επιφάνειας του φωτοανθεκτικού υλικού ώστε να ενισχυθεί η απόδοσή του τόσο για υγρή όσο και για ξηρά εμφάνιση.
’Silylation’ techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Οργανομεταλλικές ενώσεις αργιλίου, γαλλίου ή ινδίου που έχουν καθαρότητα (με βάση το μέταλλο) καλύτερη από 99,999 %,
organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Οργανικές ενώσεις αρσενικού, αντιμονίου και φωσφόρου που έχουν καθαρότητα (με βάση το ανόργανο στοιχείο) καλύτερη από 99,999 %.
organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Σημείωση:Στο σημείο 3C003 υπάγονται μόνο οι ενώσεις των οποίων το μεταλλικό, μερικώς μεταλλικό ή μη μεταλλικό στοιχείο συνδέεται άμεσα με άνθρακα στο οργανικό τμήμα του μορίου.
Note:3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Σημείωση:Στο σημείο 3C004 δεν υπάγονται υδρίδια που περιέχουν γραμμομοριακό ποσοστό 20 % και άνω αδρανή αέρια ή υδρογόνο.
Note:3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Δισκία από καρβίδιο του πυριτίου (SiC) με ειδική αντίσταση άνω των 10000 Ω. cm.
Silicon carbide (SiC) wafers having a resistivity of more than 10000 ohm-cm.
στα σημεία 3Β001.α. έως στ., ή
equipment specified in 3B001.a. to f.; or
στο σημείο 3Β002.
equipment specified in 3B002.
"Λογισμικό" προσομοίωσης, βασισμένο στη φυσική, ειδικά σχεδιασμένο για την "ανάπτυξη" διεργασιών λιθογραφίας, χάραξης ή εναπόθεσης προκειμένου τα σχήματα μάσκας να μεταφράζονται σε επί μέρους τοπογραφικά σχήματα με αγωγούς, διηλεκτρικά ή υλικά ημιαγωγών.
’Physics-based’ simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Στο σημείο 3.D003., οι λέξεις "βασισμένο στη φυσική" υποδηλώνουν ότι χρησιμοποιεί υπολογισμούς για να προσδιορίσει μια ακολουθία φυσικών αιτίων/αιτιατών βασισμένων σε φυσικές ιδιότητες (πχ. θερμοκρασία, πίεση, σταθερές διάχυσης και ιδιότητες υλικών ημιαγωγών).
’Physics-based’ in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Σημεiωση:Οι βιβλιοθήκες, τα χαρακτηριστικά σχεδιασμού ή συναφή δεδομένα για το σχεδιασμό συσκευών ημιαγωγών ή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων θεωρούνται σαν "τεχνολογία".
Note:Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Σημείωση 1:Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η "τεχνολογία" για την "παραγωγή" εξοπλισμού ή δομικών στοιχείων που ελέγχονται σύμφωνα με το σημείο 3Α003.
Note 1:3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Σημείωση 2:Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η "τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" ολοκληρωμένων κυκλωμάτων προδιαγραφόμενων στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.12., και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
Note 2:3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Χρησιμοποιούν "τεχνολογία" 0,5 μm ή παραπάνω, και
using "technology" of 0,5 μm or more; and
Δεν περιλαμβάνουν δομές με πολλαπλά στρώματα.
not incorporating ’multi-layer structures’.
Ο όρος "δομές με πολλαπλά στρώματα" δεν περιλαμβάνει συσκευές που περιλαμβάνουν το πολύ τρία μεταλλικά στρώματα και τρία στρώματα πολυπυριτίου.
The term ’multi-layer structures’ does not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, άλλη από την προσδιοριζόμενη στο 3Ε001, για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή""μικροκυκλωμάτων μικροεπεξεργαστών", "μικροκυκλωμάτων μικροϋπολογιστών" και πυρήνων μικροκυκλωμάτων μικροσυσκευών ελέγχου, με αριθμητική λογική μονάδα με εύρος προσπέλασης 32 bit και άνω και οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", or "microcomputer microcircuit" and microcontroller microcircuit core having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
Περιλαμβάνει διανυσματικό επεξεργαστή σχεδιασμένον ώστε να εκτελεί ταυτόχρονα περισσότερους από δύο υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit),
a vector processor unit designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;