natgillin/translations-raw huggingface dataset:
’Πρωτογενή στοιχεία’ με ’ενεργειακή πυκνότητα’ άνω των 550 Wh/kg στους 20 °C,
’primary cells’ having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
’Δευτερογενή’ στοιχεία με ’ενεργειακή πυκνότητα’ άνω των 250 Wh/kg.
’secondary cells’ having 250 Wh/kg;
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1, η ’ενεργειακή πυκνότητα’ υπολογίζεται ως το γινόμενο της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί την ονομαστική χωρητικότητα σε αμπερώρια διά τη μάζα σε χιλιόγραμμα.
For the purpose of 3A001.e.1., "energy density" (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere hours divided by the mass in kilograms.
Αν δεν δηλώνεται η ονομαστική χωρητικότητα, η ’ενεργειακή πυκνότητα’ υπολογίζεται ως το γινόμενο του τετραγώνου της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί τη διάρκεια εκφόρτισης σε ώρες διαιρούμενο με το φορτίο εκφόρτισης σε ωμ και με τη μάζα σε χιλιόγραμμα.
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1, ως ’ηλεκτρικό στοιχείο’ νοείται κάθε ηλεκτροχημική διάταξη που διαθέτει θετικό και αρνητικό ηλεκτρόδιο και ηλεκτρολύτη και αποτελεί πηγή ηλεκτρικής ενέργειας.
for the purpose of 3A001.e.1., a ’cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, and electrolyte, and is a source of electrical energy.
Τα ηλεκτρικά στοιχεία αποτελούν τις βασικές μονάδες από τις οποίες συντίθενται οι ηλεκτρικές στήλες.
It is the basic building block of a battery.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.α, ως ’πρωτογενές ηλεκτρικό στοιχείο’ νοείται κάθε ’ηλεκτρικό στοιχείο’ που δεν είναι σχεδιασμένο για να φορτίζεται από άλλη πηγή.
for the purpose of 3A001.e.1.a., a ’primary cell’ is a ’cell’ that is not designed to be charged by any other source.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.β, ως ’δευτερογενές ηλεκτρικό στοιχείο’ νοείται κάθε ’ηλεκτρικό στοιχείο’ σχεδιαζόμενο ώστε να φορτίζεται από εξωτερική πηγή ηλεκτρισμού.
for the purpose of 3A001.e.1.b., a ’secondary cell’ is a ’cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
Σημείωση:Στο σημείο 3Α001.ε.1. εμπίπτουν οι μπαταρίες, έστω και αν αποτελούνται από ένα μόνο ηλεκτρικό στοιχείο.
Note:3A001.e.1. does not control batteries, including single cell batteries.
Πυκνωτές με υψηλή ενεργειακή χωρητικότητα ως εξής:
high energy storage capacitors, as follows:
ΣΗΜΕΙΩΣΗ:ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α201.α.
N.B.:SEE ALSO 3A201.a.
Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης κάτω από 10 Hz (πυκνωτές μιας κρούσης) που έχουν όλα τα ακόλουθα:
capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) having all of the following:
Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη από 5 kV.
a voltage rating equal to or more than 5 kV;
Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη από 250 J/kg, και
an energy density equal to or more than 250 J/kg; and
Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη από 25 kJ.
a total energy equal to or more than 25 kJ;
Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης 10 Hz ή παραπάνω (επαναληπτικοί πυκνωτές) που έχουν όλα τα ακόλουθα:
capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) having all of the following:
Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη από 50 J/kg.
an energy density equal to or more than 50 J/kg;
Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη από 100 J, και
a total energy equal to or more than 100 J; and
Κύκλο ζωής για φόρτιση και εκφόρτιση ίσο ή ανώτερο από 10000.
a charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
ΣΗΜΕΙΩΣΗ:ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α201.β.
N.B.:SEE ALSO 3A201.b.
Σημείωση:Στο σημείο 3Α001.ε.3 δεν υπάγονται "υπεραγώγιμοι" ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν κατασκευασθεί ειδικά για ιατρικό εξοπλισμό απεικόνισης με τη βοήθεια Μαγνητικού Συντονισμού (Magnetic Resonance Imaging).
Note:3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Ενέργεια που αποδίδεται κατά τη διάρκεια της εκφόρτισης η οποία υπερβαίνει τα 10 kJ το πρώτο δευτερόλεπτο,
energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
Εσωτερική διάμετρο των ρευματοφόρων περιελίξεων ανώτερη από 250 mm, και
inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
Ονομαστική μαγνητική επαγωγή πάνω από 8 Τ ή "συνολική πυκνότητα ρεύματος" στις περιελίξεις που είναι ανώτερη από 300 A/mm2.
rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
Φωτοβολταϊκά στοιχεία, συναρμολογήματα υαλοκαλυπτρών διασυνδεδεμένων στοιχείων (CIC), φωτοβολταϊκοί επίπεδοι συλλέκτες και φωτοβολταϊκές συστοιχίες, "κατάλληλα για διαστημική χρήση", με ελάχιστη μέση απόδοση άνω του 20 % σε θερμοκρασία λειτουργίας 301 K (28 °C) υπό προσομοιωμένο φωτισμό ’μηδενικής μάζας αέρα’ (AM0), με πυκνότητα ακτινοβολίας 1367 W/m2.
solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2).
Ο όρος ’μηδενικής μάζας αέρα’ (AM0) αναφέρεται στη φασματική πυκνότητα ακτινοβολίας του ηλιακού φωτός στην εξώτερη ατμόσφαιρα της γης, όταν η απόσταση γης-ηλίου είναι μία αστρονομική μονάδα. στ.
’AM0’, or ’Air Mass Zero’, refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Rotary input type shaft absolute position encoders που έχουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
rotary input type shaft absolute position encoders having any of the following:
Διακριτική ικανότητα καλύτερη από 1 μέρος στα 265000 της πλήρους κλίμακας (διακριτική ικανότητα 18 bit), ή
a resolution of better than 1 part in 265000 (18 bit resolution) of full scale; or
Ακρίβεια καλύτερη από ±2,5 δευτερόλεπτα τόξου.
an accuracy better than ±2,5 seconds of arc.
Συσκευές και ’μονάδες’ στερεάς καταστάσεως με θυρίστορες για την παλμική μεταγωγή ηλεκτρισμού, που χρησιμοποιούν μεθόδους μεταγωγής ελεγχόμενες είτε ηλεκτρικώς, είτε οπτικώς, είτε με ακτινοβολία ηλεκτρονίων και έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
solid-state pulsed power switching thyristor devices and ’thyristor modules’ using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods, having any of the following:
Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 30000 A/μs και τάση σε κατάσταση σβηστή άνω των 1100 V, ή
a maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 2000 A/μs και όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
a maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and all of the following:
Ανώτατη τάση σε κατάσταση σβηστή τουλάχιστον 3000 V, και
an off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
Ρεύμα αιχμής τουλάχιστον 3000 A.
a peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
Σημείωση 1:Στο σημείο 3A001.ζ εμπίπτουν:
Note 1:3A001.g. includes:
οι Silicon Controlled Rectifiers (SCR)
silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
οι Electrical Triggering Thyristors (ETT)
electrical Triggering Thyristors (ETTs)
οι Light Triggering Thyristors (LTT)
light Triggering Thyristors (LTTs)
οι Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCT)
integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
οι Gate Turn-off Thyristors (GTO)
gate Turn-off Thyristors (GTOs)
οι MOS Controlled Thyristors (MCT)
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
τα Solidtron.
solidtrons
Σημείωση 2:Στο σημείο 3A001.ζ δεν εμπίπτουν οι συσκευές και ’μονάδες’ με θυρίστορες οι ενσωματωμένες σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικούς σιδηροδρόμους και "πολιτικά αεροσκάφη".
Note 2:3A001.g. does not control thyristor devices and ’thyristor modules’ incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ζ, οι ’μονάδες’ με θυρίστορες περιέχουν μία ή περισσότερες συσκευές με θυρίστορες.
For the purposes of 3A001.g., a ’thyristor module’ contains one or more thyristor devices.
Εξοπλισμός καταγραφής ως εξής και ειδικά σχεδιασμένες μαγνητικές ταινίες δοκιμής γι’ αυτόν:
recording equipment, as follows, and specially designed test tape therefor:
Μαγνητόφωνα με αναλογικά όργανα, που περιλαμβάνουν μαγνητόφωνα που επιτρέπουν την καταγραφή ψηφιακών σημάτων (για παράδειγμα χρησιμοποιώντας μονάδα για ψηφιακή εγγραφή)
analogue instrumentation magnetic tape recorders, including those permitting the recording of digital signals (e.g. using a high density digital recording (HDDR) module), having any of the following:
Εύρος ζώνης πάνω από 4 MHz ανά ηλεκτρονικό κανάλι ή ζώνη (trαck).
a bandwidth exceeding 4 MHz per electronic channel or track;
Εύρος ζώνης πάνω από 2 MHz ανά ηλεκτρονικό κανάλι ή ζώνη και τα οποία έχουν πάνω από 42 ζώνες, ή
a bandwidth exceeding 2 MHz per electronic channel or track and having more than 42 tracks; or
Χρονικό σφάλμα βάσης χρόνου (time displacement error) το οποίο μετριέται σύμφωνα με τα ισχύοντα έγγραφα κανονισμών IRIG (Inter Range Instrumentation Group) ή ΕΙΑ (Electronic Industries Association), το οποίο είναι μικρότερο από ±0,1 μs.
a time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ±0,1 μs;
Σημείωση:Τα αναλογικά μαγνητόφωνα που είναι ειδικά σχεδιασμένα για μη στρατιωτική χρήση βίντεο δεν θεωρούνται ως μαγνητόφωνα με αναλογικά όργανα.
Note:analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
Ψηφιακά μαγνητοσκόπια που έχουν μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης πάνω από 360 Mbit/s,
digital video magnetic tape recorders having a maximum digital interface transfer rate exceeding 360 Mbits/s;
Σημείωση:Στο σημείο 3Α002.α.2 δεν υπάγονται τα ψηφιακά μαγνητοσκόπια που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για τηλεοπτικές μαγνητοσκοπήσεις και χρησιμοποιούν μορφές σήματος, ενδεχομένως συμπιεσμένες, που έχουν τυποποιηθεί ή συνιστώνται από τους οργανισμούς ITU, IEC, SMPTE, EBU, ETSI ή IEEE για εφαρμογές πολιτικής τηλεόρασης.
Note:3A002.a.2. does not control digital video magnetic tape recorders specially designed for television recording using a signal format, which may include a compressed signal format, standardised or recommended by the ITU, the IEC, the SMPTE, the EBU, the ETSI or the IEEE for civil television applications.
Μαγνητόφωνα δεδομένων με ψηφιακά όργανα τα οποία χρησιμοποιούν ελικοειδείς τεχνικές σάρωσης ή τεχνικές σταθερής κεφαλής και τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques, having any of the following:
Μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης πάνω από 175 Mbit/s, ή
a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbits/s; or
Σημείωση:Στο σημείο 3Α002.α.3. δεν υπάγονται αναλογικά μαγνητόφωνα εξοπλισμένα με ηλεκτρονικό εξοπλισμό μετατροπής ΗDDR τα οποία έχουν σχεδιασθεί για να καταγράφουν μόνο ψηφιακά δεδομένα.
Note:3A002.a.3. does not control analogue magnetic tape recorders equipped with HDDR conversion electronics and configured to record only digital data.
Εξοπλισμός με μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης πάνω από 175 Mbit/s που έχει σχεδιασθεί για να μετατρέπει ψηφιακά μαγνητοσκόπια ώστε να μπορούν να χρησιμοποιηθούν σαν ψηφιακά όργανα καταγραφής δεδομένων.
equipment, having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbits/s, designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
Μετατροπείς κυματομορφών σε ψηφιακή μορφή και καταγραφείς μεταβατικών φαινομένων, που έχουν όλα τα ακόλουθα:
waveform digitisers and transient recorders having all of the following:
Ρυθμό ψηφιακής μετατροπής τουλάχιστον 200 εκατ. δείγματα ανά δευτερόλεπτο και διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit, και
digitising rate equal to or more than 200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more; and
Συνεχή διεκπεραίωση τουλάχιστον 2 Gbit/s.
a continuous throughput of 2 Gbit/s or more;
Καταγραφείς δεδομένων με ψηφιακά όργανα που χρησιμοποιούν τεχνικές αποθήκευσης με μαγνητικούς δίσκους και έχουν όλα τα ακόλουθα:
digital instrumentation data recorders, using magnetic disk storage technique, having all of the following:
Ρυθμό ψηφιακής μετατροπής τουλάχιστον 100 εκατ. δείγματα ανά δευτερόλεπτο και διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit, και
digitising rate equal to or more than 100 million samples per second and a resolution of 8 bit or more; and
Συνεχή διεκπεραίωση τουλάχιστον 1 Gbit/s.
a continuous throughput of 1 Gbit/s or more;
"Ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις" για "γεννήτριες σύνθεσης συχνοτήτων" που έχουν "χρόνο μεταγωγής συχνότητας" από μία επιλεγμένη συχνότητα σε άλλη κατώτερο από 1 ms.
"frequency synthesiser""electronic assemblies" having a "frequency switching time" from one selected frequency to another of less than 1 ms;
Σημείωση:Το κατά πόσον υπόκεινται σε έλεγχο του συστήματος ανάλυσης σημάτων, οι γεννήτριες σήματος, οι αναλυτές δικτύου και οι δοκιμαστικοί μικροκυματικοί δέκτες ως αυτοτελή όργανα καθορίζεται αντιστοίχως στα σημεία 3A002.γ., 3A002.δ., 3A002.ε. και 3A002.στ.
Note:the control status of signal analysers, signal generators, network analysers and microwave test receivers as stand-alone instruments is determined by 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., and 3A002.f., respectively.
"Συστήματα ανάλυσης σημάτων" ραδιοσυχνοτήτων ως εξής:
radio frequency "signal analysers", as follows:
"Συστήματα ανάλυσης σημάτων" ικανά να αναλύουν συχνότητες πάνω από 31,8 GHz αλλά όχι άνω των 37,5 GHz και με διακριτική ικανότητα εύρους ζώνης (RBW) 3 dB άνω των 10 MHz,
"signal analysers"capable of analysing frequencies exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz and having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz;
"Συστήματα ανάλυσης σημάτων" ικανά να αναλύουν συχνότητες άνω των 43,5 GHz,
"signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 43,5 GHz;
"Συστήματα δυναμικής ανάλυσης σημάτων" με "εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου" ανώτερο από 500 kHz,
"dynamic signal analysers" having a "real-time bandwidth" exceeding 500 kHz;
Σημείωση:Στο σημείο 3Α002.γ.3. δεν υπάγονται τα "συστήματα δυναμικής ανάλυσης σημάτων" που χρησιμοποιούν μόνο φίλτρα σταθερού ποσοστιαίου εύρους ζώνης (γνωστά και σαν φίλτρα οκτάβας ή κλασματικής οκτάβας).
Note:3A002.c.3. does not control those "dynamic signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Γεννήτριες σημάτων με σύνθεση συχνοτήτων που παράγουν συχνότητες εξόδου με ακρίβεια και βραχυπρόθεσμη και μακροπρόθεσμη σταθερότητα που ελέγχεται, παράγεται ή διορθώνεται από τον εσωτερικό ταλαντευτή αναφοράς και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:
Μέγιστη συχνότητα που προκύπτει από σύνθεση πάνω από 31,8 GHz και μέχρι και 43,5 GHz, και εγκεκριμένες για την παραγωγή "παλμών διαρκείας" < 100 ns,
a maximum synthesised frequency exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz and rated to generate a ’pulse duration’ of less than 100 ns;
Μέγιστη συχνότητα που προκύπτει από σύνθεση άνω των 43,5 GHz,
a maximum synthesised frequency exceeding 43,5 GHz;
"Χρόνο μεταγωγής συχνότητας" από μία επιλεγμένη συχνότητα στην άλλη προσδιοριζόμενο από οποιοδήποτε από τα εξής:
a "frequency switching time" from one selected frequency to another as specified by any of the following:
κάτω των 10 ns,
less than 10 ns;
κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 1,6 GHz εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων από 3,2 GHz μέχρι και 10,6 GHz,
less than 100 µs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
κάτω των 250 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων από 10,6 GHz μέχρι και 31,8 GHz,
less than 250 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
κάτω των 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων από 31,8 GHz μέχρι και 43,5 GHz,
less than 500 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
κάτω του 1 ms εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz.
less than 1 ms within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz; or
Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB) καλύτερο από — (126 + 20 log10F — 20 log10f), εκφρασμένο σε dBc/Hz, όπου F είναι η απόκλιση από τη συχνότητα λειτουργίας σε Hz και f είναι η συχνότητα λειτουργίας σε MHz.
a single sideband (SSB) phase noise better than — (126 + 20 log10F — 20 log10f) in dBc/Hz, where F is the off-set from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
Σημείωση 1:Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.δ., στις γεννήτριες σημάτων με σύνθεση συχνοτήτων περιλαμβάνονται οι γεννήτριες σημάτων τυχούσας κυματομορφής και συνάρτησης.
Note 1:for the purpose of 3A002.d., the term frequency synthesised signal generators includes arbitrary waveform and function generators.
Σημείωση 2:Στο σημείο 3Α002.δ. δεν εμπίπτει ο εξοπλισμός στον οποίο η συχνότητα εξόδου παράγεται, είτε μέσω της πρόσθεσης ή αφαίρεσης δύο ή περισσοτέρων συχνοτήτων που παράγει κρυσταλλικός ταλαντωτής, είτε από την πρόσθεση ή αφαίρεση την οποία ακολουθεί πολλαπλασιασμός του αποτελέσματος.
Note 2:3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Οι γεννήτριες σημάτων τυχούσας κυματομορφής και συνάρτησης προσδιορίζονται συνήθως με τη συχνότητα δειγματισμού των (π.χ. σε γιγαδείγματα ανά δευτερόλεπτο), η οποία μετατρέπεται στο χώρο των ραδιοσυχνοτήτων με τον παράγοντα Nyquist 2.
arbitrary waveform and function generators are normally specified by sample rate (e.g. GSample/s), which is converted to the RF domain by the Nyquist factor of two.
Έτσι π.χ. μια τυχούσα κυματομορφή 1 γιγαδείγματος ανά δευτερόλεπτο έχει άμεση ικανότητα εξόδου 500 MHz. Αν πάλι χρησιμοποιείται υπερδειγματισμός, η μέγιστη άμεση ικανότητα εξόδου είναι αναλόγως μικρότερη.
Thus, a 1 GSample/s arbitrary waveform has a direct output capability of 500 MHz or, when oversampling is used, the maximum direct output capability is proportionately lower.
Για το σημείο 3Α002.δ. ως "διάρκεια παλμού" ορίζεται το χρονικό διάστημα μεταξύ του πρότερου άκρου του παλμού που αντιστοιχεί στο 90 % του μεγίστου και του ύστερου άκρου του παλμού που αντιστοιχεί στο 10 % του μεγίστου.
for the purposes of 3A002.d.1., "pulse duration" is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
Αναλυτές δικτύου με μέγιστη λειτουργική συχνότητα πάνω από 43,5 GHz. στ.
network analysers with a maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz;
Δοκιμαστικοί μικροκυματικοί δέκτες που έχουν όλα τα ακόλουθα:
microwave test receivers having all of the following:
Μέγιστη λειτουργική συχνότητα πάνω από 43,5 GHz, και
a maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz; and
Μπορούν να μετρήσουν συγχρόνως το πλάτος και τη φάση.
being capable of measuring amplitude and phase simultaneously;
Πρότυπα ατομικής συχνότητας που έχουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
atomic frequency standards having any of the following:
Μακροπρόθεσμη σταθερότητα (γήρανση) μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10–11/μήνα, ή
long-term stability (aging) less (better) than 1 × 10–11/month; or
Είναι "κατάλληλα για διαστημική χρήση".
being "space qualified".
Σημείωση:Στο σημείο 3Α002.ζ.1. δεν υπάγονται τα πρότυπα ρουβιδίου που δεν είναι "κατάλληλα για διαστημική χρήση".
Note:3A002.g.1. does not control non-"space qualified" rubidium standards.
Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε "βλήματα" και που έχουν σχεδιασθεί για να πληρούν στρατιωτικές προδιαγραφές για ανθεκτικό εξοπλισμό·
analogue to digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedised equipment;
Επιταχυντές ικανοί να αποδώσουν ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία που παράγεται από ακτινοβολία επιβράδυνσης από επιταχυνόμενα ηλεκτρόνια ύψους 2 MeV ή παραπάνω, και συστήματα που περιέχουν τους επιταχυντές αυτούς.
accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
Σημείωση:Το παραπάνω σημείο 3Α101.β. δεν περιλαμβάνει εξοπλισμό ο οποίος έχει ειδικά σχεδιασθεί για ιατρικούς σκοπούς.
Note:3A101.b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
"Θερμικές μπαταρίες" σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για "βλήματα".
’Thermal batteries’ designed or modified for ’missiles’.
Στο σημείο 3Α102, ως "βλήματα" νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων εναέριων οχημάτων με ακτίνα δράσης άνω των 300 km.
In 3A102 ’missile’ means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
Πυκνωτές με μία από τις ακόλουθες ομάδες χαρακτηριστικών:
capacitors having either of the following sets of characteristics:
Ονομαστική τάση πάνω από 1,4 kV,
voltage rating greater than 1,4 kV;
Αποθήκευση ενέργειας ανώτερη από 10 J,
energy storage greater than 10 J;
Χωρητικότητα πάνω από 0,5 μF και
capacitance greater than 0,5 μF; and
iΑυτεπαγωγή σειράς μικρότερη από 50 nH, ή
series inductance less than 50 nH; or
Ονομαστική τάση πάνω από 750 V,
voltage rating greater than 750 V;
Χωρητικότητα πάνω από 0,25 μF, και
capacitance greater than 0,25 μF; and
Αυτεπαγωγή σειράς μικρότερη από 10 nH.
series inductance less than 10 nH;
Υπεραγώγιμοι σωληνοειδείς ηλεκτρομαγνήτες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
Ικανότητα να δημιουργούν μαγνητικά πεδία πάνω από 2 T,
capable of creating magnetic fields greater than 2 T;
Λόγο μήκους προς εσωτερική διάμετρο μεγαλύτερο από 2,
a ratio of length to inner diameter greater than 2;
Εσωτερική διάμετρο πάνω από 300 mm, και
inner diameter greater than 300 mm; and
Ομοιογένεια μαγνητικού πεδίου καλύτερη από 1 % όταν μετριέται στο κεντρικό 50 % του εσωτερικού όγκου.
magnetic field uniform to better than 1 % over the central 50 % of the inner volume;
Σημείωση:Το σημείο 3Α201.β. δεν θέτει υπό έλεγχο μαγνήτες που έχουν ειδικά σχεδιασθεί και εξάγονται ως μέρος ιατρικών συστημάτων απεικόνισης που βασίζονται σε πυρηνικό μαγνητικό συντονισμό (nuclear magnetic resonance).
Note:3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported "as parts of" medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Η φράση "ως μέρος" δεν σημαίνει κατ’ ανάγκη ότι αποτελεί υλικό τμήμα της ίδιας αποστολής. Επιτρέπονται ξεχωριστές αποστολές από διαφορετικές πηγές υπό τον όρο τα σχετικά εξαγωγικά έγγραφα να καθορίζουν σαφώς ότι οι αποστολές διακινούνται "ως μέρος" των συστημάτων απεικόνισης.
The phrase "as part of" does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched "as part of" the imaging systems.
Γεννήτριες ακτίνων Χ στιγμιαίας λειτουργίας, ή παλμικοί επιταχυντές ηλεκτρονίων με ένα από τα ακόλουθα σύνολα χαρακτηριστικών:
flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 500 keV και άνω, αλλά κάτω των 25 MeV, και
an accelerator peak electron energy of 500 KeV or greater but less than 25 MeV; and
"Συντελεστή κέρδους" (Κ) 0,25 ή παραπάνω, ή
with a ’figure of merit’ (K) of 0,25 or greater; or