natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Στο σημείο 3Α102, ως ’θερμικές μπαταρίες’ νοούνται οι ηλεκτρικές στήλες μιας χρήσεως που χρησιμοποιούν ως ηλεκτρολύτη στερεό δυσηλεκτραγωγό ανόργανο άλας.
In 3A102 "thermal batteries" are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
Οι μπαταρίες αυτές περιέχουν και κάποιο πυρολυτικό υλικό το οποίο, αναφλεγόμενο, λιώνει τον ηλεκτρολύτη και θέτει σε λειτουργία την ηλεκτρική στήλη.
These batteries incorporate a pyrolytic material that, when ignited, melts the electrolyte and activates the battery.
Στο σημείο 3Α102, ως ’βλήματα’ νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων εναέριων οχημάτων με ακτίνα δράσης άνω των 300 km.
In 3A102 "missile" means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
Χωρητικότητα πάνω από 0,5 μF, και
capacitance greater than 0,5 μF; and
Σημείωση:Το σημείο 3Α201.β. δεν θέτει υπό έλεγχο μαγνήτες που έχουν ειδικά σχεδιασθεί και εξάγονται ’ως μέρος’ ιατρικών συστημάτων απεικόνισης που βασίζονται σε πυρηνικό μαγνητικό συντονισμό (nuclear magnetic resonance).
Note:3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported "as parts of" medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Η φράση ’ως μέρος’ δεν σημαίνει κατ’ ανάγκη ότι αποτελεί υλικό τμήμα της ίδιας αποστολής. Επιτρέπονται ξεχωριστές αποστολές από διαφορετικές πηγές υπό τον όρο τα σχετικά εξαγωγικά έγγραφα να καθορίζουν σαφώς ότι οι αποστολές διακινούνται ’ως μέρος’ των συστημάτων απεικόνισης.
The phrase "as part of" does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched "as part of" the imaging systems.
’Συντελεστή κέρδους’ (Κ) 0,25 ή παραπάνω, ή
with a "figure of merit" (K) of 0,25 or greater; or
’Ανώτατη ισχύ’ μεγαλύτερη από 50 MW.
a "peak power" greater than 50 MW.
Ο ’συντελεστής κέρδους’ Κ ορίζεται ως εξής:
The "figure of merit" K is defined as:
’Ανώτατη ισχύς’ είναι το γινόμενο του μέγιστου δυναμικού (σε βολτ) επί το μέγιστο ρεύμα δέσμης (σε αμπέρ).
"Peak power" = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 100 V ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 500 Α ή παραπάνω, και
capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών.
current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 20 V ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 1 Α ή παραπάνω, και
capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
Διάκενα σπινθηρισμού με σκανδαλισμό που έχουν και τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:
triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
Γεννήτριες παλμών υψηλού ρεύματος, ως εξής:
High-current pulse generators as follows:
ΣΗΜ.:Βλέπε 1A007.α. για τις συσκευές πυροδότησης για εκρηκτικούς πυροκροτητές.
N.B.:See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
Δεν χρησιμοποιείται,
Not used;
Έχουν "χρόνο ανύψωσης" λιγότερο από 10 μικροδευτερόλεπτα όταν συνδέονται με φορτία μικρότερα από 40 Ω,
having a "rise time" of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
’Χρόνο μετάβασης παλμού’ κάτω από 500 πικο-δευτερόλεπτα.
"pulse transition time" less than 500 ps.
Στο σημείο 3Α230, "ο χρόνος μετάβασης του παλμού" ορίζεται σαν το χρονικό διάστημα μεταξύ του 10 % και του 90 % του πλάτους της τάσης.
In 3A230, "pulse transition time" is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Συστήματα έναυσης πολλαπλών σημείων, διαφορετικά από τα προδιαγραφόμενα στο σημείο 1A007, ως εξής:
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
ΣΗΜ:Βλέπε 1A007.β. για τους πυροκροτητές.
N.B.:See 1A007.b. for detonators.
Επαγωγικά συζευγμένοι φασματογράφοι μάζας πλάσματος (ICP/ΜS),
inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
Φασματογράφοι μάζας εκκένωσης με διαύγεια (GDMS),
glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Φασματογράφοι μάζας με θερμικό ιονισμό (TIMS),
thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
Φασματογράφοι μάζας με βομβαρδισμό ηλεκτρονίων που έχουν θάλαμο πηγής κατασκευασμένο ή με επίστρωση, ή κάλυψη από, υλικά που αντέχουν στο UF6,
electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο, με επίστρωση ή με κάλυψη από υλικά που αντέχουν στο UF6· στ.
a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμφύτευση ιόντων που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Εξοπλισμός για ξερή χάραξη μέσω ανισότροπου πλάσματος ως εξής:
anisotropic plasma dry etching equipment, as follows:
Εξοπλισμός με λειτουργία από κασέτα προς κασέτα και κλείδωμα φορτίου και που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
Εξοπλισμός για χημική εναπόθεση με εξάτμιση (CVD) και με την ενίσχυση πλάσματος, ως εξής:
plasma enhanced chemical vapour deposition (CVD) equipment as follows:
Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό που καθορίζεται στο σημείο 3Β001.ε. και σχεδιασμένος σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή ή βελτιστοποιημένος προς χρήση στην παραγωγή συσκευών ημιαγωγών με κρίσιμες διαστάσεις έως και 180 mm.
equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Κεντρικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων (wafer), πολλαπλών θαλάμων, αυτόματης φόρτωσης, τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα:
automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
Εξοπλισμός ευθυγράμμισης και έκθεσης step and repeat (με άμεσο βήμα πάνω στο πλακίδιο) ή step and scan (με σάρωση) για την επεξεργασία πλακιδίων με τη χρήση φωτο-οπτικών μεθόδων ή μεθόδων ακτίνων Χ και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
Ικανότητα να συνθέτει σχήματα με ’ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος’ 180 nm ή μικρότερο.
capable of producing a pattern with a "minimum resolvable feature size" of 180 nm or less;
Το ’ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος’ υπολογίζεται με τον εξής τύπο:
The "minimum resolvable feature size" is calculated by the following formula:
MRF = ’ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος’
MRF = "minimum resolvable feature size"
Σημείωση:Στο σημείο 3Β001.στ.2. περιλαμβάνονται:
Note:3B001.f.2. includes:
Τα εργαλεία τυπογραφίας μικροεπαφής,
micro contact printing tools
Τα εργαλεία θερμοεντύπωσης,
hot embossing tools
Τα εργαλεία νανοεντυπωτικής λιθογραφίας,
nano-imprint lithography tools
Τα εργαλεία εντυπωτικής λιθογραφίας με βήμα και λάμψη (step-and-flash)
step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για την παραγωγή μασκών ή για επεξεργασία συσκευών ημιαγωγών με τη χρήση μεθόδων άμεσης εγγραφής και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
με τη χρήση εκτρεπόμενης εστιασμένης δέσμης ηλεκτρονίων, δέσμης ιόντων ή δέσμης "λέιζερ", και
using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
Εστιακό μέγεθος μικρότερο από 0,2 μm,
a spot size smaller than 0,2 µm;
Είναι ικανός να παράγει σχήμα με χαρακτηριστικό μέγεθος κάτω από 1 μm, ή
being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 µm; or
Ακρίβεια επικάλυψης καλύτερη από ±0,20 μm (3 sigma).
an overlay accuracy of better than ±0,20 µm (3 sigma);
Πυρίτιο (Si),
Silicon (Si);
Γερμάνιο (Ge),
Germanium (Ge);
Καρβίδιο του πυριτίου (SiC), ή
Silicon carbide (SiC); or
"Σύνθετες ενώσεις" γαλλίου ή ινδίου με στοιχεία του πίνακα III/V.
"III/V compounds" of gallium or indium.
Φωτοανθεκτικά υλικά, ως εξής, καθώς και "υποστρώματα" που έχουν επίστρωση των ακόλουθων φωτοανθεκτικών ουσιών:
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά αριστοποιημένα για τεχνολογίες απεικόνισης επιφανειών, συμπεριλαμβανομένων των ’πυριτικοποιημένων’ φωτοανθεκτικών υλικών.
all resists optimised for surface imaging technologies, including "silylated" resists.
Οι τεχνικές μέθοδοι ’πυριτικοποίησης’ ορίζονται ως οι διαδικασίες που περιλαμβάνουν οξείδωση της επιφάνειας του φωτοανθεκτικού υλικού ώστε να ενισχυθεί η απόδοσή του τόσο για υγρή όσο και για ξηρά εμφάνιση.
"Silylation" techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά σχεδιασμένα ή αριστοποιημένα για χρήση με τον εξοπλισμό εντυπωτικής λιθογραφίας που καθορίζεται στο 3B001.στ.2. που χρησιμοποιούν είτε θερμική είτε φωτο-στυπωτική διαδικασία.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified by 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Καρβίδιο του πυριτίου (SiC), νιτρίδιο του γαλλίου (GaN), νιτρίδιο του αργιλίου (AlN) ή νιτρίδιο του αργιλίου-γαλλίου (AlGaN) "υποστρώματα", ή πλινθώματα, συνθετικοί κρύσταλλοι, ή άλλα προμορφώματα αυτών των υλικών, που έχουν ειδικές αντιστάσεις μεγαλύτερες από 10000 Ω-cm στους 20 °C.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
"Υποστρώματα" που καθορίζονται στο 3C005 με τουλάχιστον ένα επιταξιακό στρώμα καρβιδίου του πυριτίου, νιτριδίου του γαλλίου, νιτριδίου του αργιλίου ή νιτριδίου του αργιλίου-γαλλίου.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
"Λογισμικό" ειδικώς σχεδιασμένο για τη "χρήση" εξοπλισμού προδιαγραφόμενου στα σημεία 3B001.α. έως στ. ή 3B002.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
"Λογισμικό" προσομοίωσης, ’βασισμένο στη φυσική’, ειδικά σχεδιασμένο για την "ανάπτυξη" διεργασιών λιθογραφίας, χάραξης ή εναπόθεσης προκειμένου τα σχήματα μάσκας να μεταφράζονται σε επί μέρους τοπογραφικά σχήματα με αγωγούς, διηλεκτρικά ή υλικά ημιαγωγών.
"Physics-based" simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Στο σημείο 3.D003., οι λέξεις ’βασισμένο στη φυσική’ υποδηλώνουν ότι χρησιμοποιεί υπολογισμούς για να προσδιορίσει μια ακολουθία φυσικών αιτίων/αιτιατών βασισμένων σε φυσικές ιδιότητες (πχ. θερμοκρασία, πίεση, σταθερές διάχυσης και ιδιότητες υλικών ημιαγωγών).
"Physics-based" in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Σημείωση:Οι βιβλιοθήκες, τα χαρακτηριστικά σχεδιασμού ή συναφή δεδομένα για το σχεδιασμό συσκευών ημιαγωγών ή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων θεωρούνται σαν "τεχνολογία".
Note:Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Δεν περιλαμβάνουν ’δομές με πολλαπλά στρώματα’
not incorporating "multi-layer structures".
Στις ’δομές με πολλαπλά στρώματα’ δεν περιλαμβάνονται συσκευές που περιλαμβάνουν το πολύ τρία μεταλλικά στρώματα και τρία στρώματα πολυπυριτίου.
"Multi-layer structures" do not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
Περιλαμβάνει ’διανυσματικό επεξεργαστή’ σχεδιασμένον ώστε να εκτελεί ταυτόχρονα περισσότερους από δύο υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit),
a "vector processor unit" designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
’Διανυσματικός επεξεργαστής’ λέγεται ένα στοιχείο επεξεργαστή με ενσωματωμένες εντολές που εκτελεί ταυτόχρονα πολλούς υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit) και έχει τουλάχιστον μία αριθμητική λογική μονάδα.
A "vector processing unit" is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
Είναι σχεδιασμένοι ώστε να εκτελούν περισσότερους από τέσσερις υπολογισμούς εξαγομένων πράξεων πολλαπλασιασμού και σωρευτικής άθροισης σταθερής υποδιαστολής 16 bit ανά κύκλο (π.χ. ψηφιακό χειρισμό αναλογικών πληροφοριών που έχουν προηγουμένως μετατραπεί σε ψηφιακή μορφή, το γνωστό και ως "ψηφιακή επεξεργασία σήματος").
designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g. digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
Σημείωση:Στο σημείο 3E002.γ. δεν εμπίπτει η "τεχνολογία" επεκτάσεων πολυμέσων.
Note:3E002.c. does not control "technology" for multimedia extensions.
Άλλη "τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" των παρακάτω:
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
Σημείωση:Στο σημείο 3Ε003.β. δεν υπάγεται η "τεχνολογία" για τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz και για ετεροδιπολικά τρανζίστορ (ΗΒΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz.
Note:3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Σημείωση 1:Ηλεκτρονικοί υπολογιστές, συναφής εξοπλισμός και "λογισμικό" το οποίο εκτελεί λειτουργίες τηλεπικοινωνιών ή "τοπικού δικτύου" (δίκτυο LAN) θα πρέπει να ελεγχθούν σύμφωνα επίσης με τα χαρακτηριστικά απόδοσης της κατηγορίας 5, Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες).
Note 1:computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Σημείωση 2:Οι μονάδες ελέγχου που διασυνδέουν απ’ ευθείας τους διαδρόμους ή τους διαύλους των μονάδων κεντρικής επεξεργασίας, οι μονάδες ελέγχου της "κυρίως μνήμης" ή των δίσκων δεν θεωρούνται σαν εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών όπως περιγράφεται στην κατηγορία 5, Μέρος 1o (Τηλεπικοινωνίες).
Note 2:control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Ηλεκτρονικοί υπολογιστές και συναφής εξοπλισμός, που έχουν οποιαδήποτε από τα κατωτέρω καθώς και "ηλεκτρονικά συγκροτήματα" και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τα συστήματα αυτά:
Electronic computers and related equipment having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
Που έχουν ειδικά σχεδιασθεί ώστε να έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
specially designed to have any of the following:
Ονομαστική λειτουργία σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω από 228 Κ (–45° C) ή πάνω από 358 Κ (85 °C), ή
rated for operation at an ambient temperature below 228 K (–45 °C) or above 358 K (85 °C); or
Σημείωση:Το σημείο 4Α001.α.1 δεν ελέγχει τους υπολογιστές που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για αυτοκινητικές ή σιδηροδρομικές πολιτικές εφαρμογές.
Note:4A001.a.1. does not control computers specially designed for civil automobile or railway train applications.
Απότομη αλλαγή του ρυθμού ακτινοβολίας 5 × 106 Gy (πυρίτιο)/δευτερόλεπτο· ή
Dose Rate Upset 5 × 106 Gy (silicon)/s; or
Ανυσματικούς επεξεργαστές (vector processors),
’vector processors’;
"Ηλεκτρονικά συγκροτήματα" που έχουν ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί ώστε να ενισχύουν την απόδοση με την συγκέντρωση επεξεργαστών ούτως ώστε η "APP" του συγκροτήματος να υπερβαίνει το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β.,
"electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit specified in 4A003.b.
Σημείωση 1:Το σημείο 4Α003.γ., ελέγχει μόνον "ηλεκτρονικά συγκροτήματα" και προγραμματιζόμενες διασυνδέσεις που δεν υπερβαίνουν το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β., όταν αποστέλλονται σαν μη ενσωματωμένα "ηλεκτρονικά συγκροτήματα".
Note 1:4A003.c. controls only"electronic assemblies" and programmable interconnections not exceeding the limit specified in 4A003.b. when shipped as unintegrated "electronic assemblies".
Το σημείο αυτό δεν ελέγχει τα "ηλεκτρονικά συγκροτήματα" που περιορίζονται εγγενώς ως εκ της φύσεως της σχεδίασης τους να χρησιμοποιούνται σαν συναφής εξοπλισμός όπως αναφέρεται στο σημείο 4Α003.ε.
It does not control "electronic assemblies" inherently limited by nature of their design for use as related equipment specified in 4A003.e.
Σημείωση 2:Στο σημείο 4Α003.γ. δεν υπάγονται τα "ηλεκτρονικά συγκροτήματα" που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για ένα προϊόν ή οικογένεια προϊόντων για τα οποία η μέγιστη διάρθρωση δεν υπερβαίνει το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β..
Note 2:4A003.c. does not control "electronic assemblies" specially designed for a product or family of products whose maximum configuration does not exceed the limit specified in 4A003.b.
Εξοπλισμός που επιτελεί μετατροπές αναλογικών σημάτων προς ψηφιακά υπερβαίνοντας τα όρια που καθορίζεται στο σημείο 3Α001.α.5., στ.
equipment performing analogue-to-digital conversions exceeding the limit specified in 3A001.a.5.;
"Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την "ανάπτυξη", "παραγωγή" ή "χρήση" εξοπλισμού ή "λογισμικού" που καθορίζονται στα σημεία 4Α001 έως 4Α004, ή 4D
"software" specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment or "software" specified in 4A001 to 4A004, or 4D;
"Λογισμικό", εκτός του περιγραφόμενου στο 4D001.α, που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" εξοπλισμού ως εξής:
"software", other than that specified in 4D001.a., specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment as follows:
"Ψηφιακοί υπολογιστές" που έχουν "Προσαρμοσμένη Κορυφαία Απόδοση" ("APP") άνω των 0,04 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT),
"digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 0,04 Weighted TeraFLOPS (WT);
"Τεχνολογία", εκτός του περιγραφόμενου στο 4E001.α, που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" εξοπλισμού ως εξής:
"Technology", other than that specified in 4E001.a., specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment as follows:
"Ψηφιακοί υπολογιστές" που έχουν "Προσαρμοσμένη Κορυφαία Απόδοση" ("APP") άνω των 0,04 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT), ή
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 0,04 Weighted TeraFLOPS (WT);
Για τους επεξεργαστές που δεν είναι ικανοί να εκτελούν υπολογισμούς σε τελεστές 64 bit ή άνω, ο ενεργός ρυθμός υπολογισμού R είναι μηδέν.
For processors not capable of performing calculations on floating point operands of 64-bit or more, the effective calculating rate R is zero.
Σημείωση 1:Για τους επεξεργαστές που εκτελούν σύνθετες πράξεις σε έναν κύκλο, όπως πρόσθεση και πολλαπλασιασμό, λαμβάνεται υπόψη κάθε πράξη.
Note 1:For processors that perform compound operations in a cycle, such as addition and multiplication, each operation is counted.
Σημείωση 2:Για έναν επεξεργαστή συνεχούς διοχέτευσης, o εvεργός ρυθμός υπoλoγισμoύ (R) είvαι o ταχύτερoς από τoυς ρυθμoύς εκτέλεσης, με και χωρίς συvεχή διoχέτευση.
Note 2:For a pipelined processor the effective calculating rate R is the faster of the pipelined rate, once the pipeline is full, or the non-pipelined rate.
Σημείωση 3:Ο ρυθμός υπολογισμού R για κάθε συμμετέχοντα επεξεργαστή υπολογίζεται στη μεγαλύτερη θεωρητικά δυνατή τιμή του πριν υπολογιστεί η "APP" του συνδυασμού.
Note 3:The calculating rate R of each contributing processor is to be calculated at its maximum value theoretically possible before the "APP" of the combination is derived.
Σημείωση 4:Κατά τον υπολογισμό της "APP", δεν λαμβάνονται υπόψη οι επεξεργαστές που χρησιμοποιούνται μόνον για λειτoυργίες εισόδoυ/εξόδoυ και περιφερειακών μoνάδων (π.χ. μηχανισμoύ δίσκoυ, ελεγκτών επικoινωνίας και oθόνης).
Note 4:Do not include processors that are limited to input/output and peripheral functions (e.g., disk drive, communication and video display) when calculating "APP".
Σημείωση 5:Οι τιμές της "APP" δεν υπολογίζονται για συνδυασμούς επεξεργαστών (δια)συνδεόμεvoυς με "τoπικά δίκτυα", δίκτυα ευρείας περιoχής, κατανεμημένες συνδέσεις/συσκευές εισόδoυ/εξόδoυ, ελεγκτές εισόδoυ/εξόδoυ και τυχόv διασύvδεση επικoινωνίας πραγματoπoιoύμεvης μέσω "λoγισμικoύ".
Note 5:"APP" values are not to be calculated for processor combinations (inter)connected by "Local Area Networks", Wide Area Networks, I/O shared connections/devices, I/O controllers and any communication interconnection implemented by "software".
Σημείωση 6:Τιμές "APP" πρέπει να υπολογίζονται για τα εξής:
Note 6:"APP" values must be calculated for:
Λειτoυργoύντες ταυτoχρόνως — συνδυασμoύς πoλλαπλής μνήμης/επεξεργαστή — πoυ χρησιμoπoιoύv ειδικώς σχεδιασμέvo εξoπλισμό.
multiple memory/processor combinations operating simultaneously utilizing specially designed hardware.
Σημείωση 7:Ως ’ανυσματικός επεξεργαστής’ νοείται ένας επεξεργαστής με ενσωματωμένες οδηγίες που εκτελούν ταυτόχρονα πολλαπλούς υπολογισμούς σε ανύσματα κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατες συστοιχίες αριθμών 64 bit ή μεγαλύτερων), ο οποίος έχει τουλάχιστον 2 ανυσματικές λειτουργικές μονάδες και τουλάχιστον 8 ανυσματικά αρχεία τουλάχιστον 64 στοιχείων το καθένα.
Note 7:A "vector processor" is defined as a processor with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 64-bit or larger numbers) simultaneously, having at least 2 vector functional units and at least 8 vector registers of at least 64 elements each.
Τηλεπικοινωνιακά συστήματα, εξοπλισμός, δομικά στοιχεία και εξαρτήματα γι’ αυτά ως εξής:
Telecommunications systems, equipment, components and accessories as follows:
Οποιοσδήποτε τύπος εξοπλισμού τηλεπικοινωνιών που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, λειτουργίες ή γνωρίσματα:
any type of telecommunications equipment having any of the following characteristics, functions or features:
Που είναι υποβρύχια μη προσδεδεμένα συστήματα επικοινωνιών και έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω:
being underwater untethered communications systems having any of the following:
Χρησιμοποιούν ηλεκτρομαγνητική συχνότητα φέρουσας κάτω από 30 kHz,
using an electromagnetic carrier frequency below 30 kHz;
Χρησιμοποιούν τεχνικές οδήγησης ηλεκτρονικής δέσμης, ή
using electronic beam steering techniques; or
Χρησιμοποιούν "λέιζερ" ή διόδους φωτοεκπομπής (LED) με μήκος κύματος εξόδου μεγαλύτερο από 400 nm και μικρότερο από 700 nm, σε "τοπικό δίκτυο"·
using "lasers" or light-emitting diodes (LEDs) with an output wavelength greater than 400 nm and less than 700 nm, in a "local area network";
Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που λειτουργεί στο φάσμα συχνοτήτων 1,5 MHz έως 87,5 MHz και έχει όλα τα παρακάτω:
being radio equipment operating in the 1,5 MHz to 87,5 MHz band and having any of the following: