natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit αλλά μικρότερη των 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 200 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
a resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
Διακριτική ικανότητα 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 105 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
a resolution of 12 bit with an output rate greater than 105 million words per second;
Διακριτική ικανότητα άνω των 12 bit αλλά το πολύ 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 10 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο, ή
a resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 10 million words per second; or
Διακριτική ικανότητα άνω των 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 2,5 εκατομμυρίων, λέξεων ανά δευτερόλεπτο.
a resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 2,5 million words per second;
Μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό με διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 12 bit και "χρόνο αποκατάστασης" ("settling time") κάτω των 10 ns.
digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
Ο ρυθμός αυτός εκφράζεται συνήθως ως megahertz (MHz) ή ως μεγαδείγματα ανά δευτερόλεπτο (MSPS).
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Ηλεκτρο-οπτικά ή "οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα" για "επεξεργασία σημάτων" που έχουν όλα τα ακόλουθα:
electro-optical and "optical integrated circuits" designed for "signal processing" having all of the following:
Μία ή περισσότερες εσωτερικές διόδους "λέιζερ",
one or more than one internal "laser" diode;
Ένα ή περισσότερα εσωτερικά δομικά στοιχεία για την ανίχνευση φωτός, και
one or more than one internal light detecting element; and
Οπτικούς κυματοδηγούς.
optical waveguides;
Προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices) που έχουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:
field programmable logic devices having any of the following:
Ισοδύναμο χρησιμοποιήσιμο αριθμό θυρών μεγαλύτερο από 30000 (για 2 θύρες εισόδου), ή
an equivalent usable gate count of more than 30000 (2 input gates);
Χαρακτηριστικό "βασικό χρόνο διαβάσεως πύλης" χαμηλότερο από 0,1 ns, ή
a typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
Συχνότητα αντιστροφής (toggle frequency) άνω των 133 MHz.
a toggle frequency exceeding 133 MHz;
Σημείωση:Το 3Α001.α.7 περιλαμβάνει:
Note:3A001.a.7. includes:
τις απλές προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (SPLD)
simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
τις πολύπλοκες προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (CPLD)
complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
τις προγραμματιζόμενες διατάξεις θυρών πεδίου (FPGA)
field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
τους προγραμματιζόμενους διασυνδέσμους θυρών πεδίου (FPIC) Σημ.:Ο τρίτος και τέταρτος όρος είναι συνώνυμοι.
N.B.:field programmable logic devices are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
Ολοκληρωμένα κυκλώματα νευρονικών δικτύων.
neural network integrated circuits;
Ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε ο κατασκευαστής αγνοεί την διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα και τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
Πάνω από 1000 τερματικές ακίδες.
more than 1000 terminals;
Συχνότητα λειτουργίας που ξεπερνά τα 3 GHz.
an operating frequency exceeding 3 GHz;
Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα, εκτός αυτών που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.10. και 3Α001.α.12., που έχουν κατασκευασθεί από οποιοδήποτε μικτό ημιαγωγό και παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Ισοδύναμο αριθμό θυρών πάνω από 3000 (για 2 θύρες εισόδου), ή
an equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
Συχνότητα αντιστροφής πάνω από 1,2 GHz.
a toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
Δομικά στοιχεία μικροκυμάτων ή χιλιοστομετρικών κυμάτων, ως εξής:
microwave or millimetre wave components, as follows:
Ηλεκτρονικές λυχνίες κενού και κάθοδοι ως εξής:
electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:
Σημείωση 1:Στο σημείο 3Α001.β.1. δεν υπάγονται οι λυχνίες που έχουν σχεδιασθεί ή καθορίζονται για λειτουργία σε ζώνες συχνοτήτων που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
Δεν υπερβαίνουν τα 31,8 GHz, και
does not exceed 31,8 GHz; and
Έχουν "διατεθεί από την ITU" για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.
is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Σημείωση 2:Στο σημείο 3Α001.β.1., δεν υπάγονται οι "ακατάλληλες για διαστημική χρήση" λυχνίες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Note 2:3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes which meet all of the following characteristics:
Μέση ισχύ εξόδου το πολύ 50 W, και
an average output power equal to or less than 50 W; and
Σχεδιασμένες ή καθορισμένες για λειτουργία σε οποιαδήποτε ζώνη συχνοτήτων που έχει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
Υπερβαίνει τα 31,8 GHz αλλά δεν υπερβαίνει τα 43,5 GHz, και
exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
Λυχνίες οδεύοντος κύματος, παλμικού ή συνεχούς κύματος, ως εξής:
travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
Που λειτουργούν σε συχνότητες πάνω από 31,8 GHz.
operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Που έχουν στοιχείο θέρμανσης καθόδου με χρόνο ανύψωσης ισχύος μέχρι την καθορισμένη ισχύ ραδιοσυχνότητας ο οποίος είναι μικρότερος από 3 δευτερόλεπτα.
having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
Συζευγμένες λυχνίες cavity ή παράγωγά τους, με "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 7 % ή ισχύ αιχμής άνω των 2,5 kW.
coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
Ελικοειδείς λυχνίες ή παράγωγά τους με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
helix tubes, or derivatives thereof, with any of the following characteristics:
"Στιγμιαίο εύρος ζώνης" άνω της μιας οκτάβας και γινόμενο μεταξύ της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kW) και της συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) ανώτερο από 0,5,
an "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
"Στιγμιαίο εύρος ζώνης" το πολύ μια οκτάβα, και γινόμενο της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kW) και συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) πάνω από 1, ή
an "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
Είναι "κατάλληλες για διαστημική χρήση".
being "space qualified";
Ενισχυτικές λυχνίες διασταυρωμένου πεδίου με απολαβή άνω των 17 dB.
crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
Εμποτισμένες κάθοδοι (impregnated cathodes) για ηλεκτρονικές λυχνίες που παράγουν σταθερή πυκνότητα ροής ρεύματος σε συνθήκες προκαθορισμένης λειτουργίας η οποία ξεπερνά τα 5 A/cm2.
impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
Ενισχυτές ισχύος με μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
microwave monolithic integrated circuits (MMIC) power amplifiers having any of the following:
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6.6 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 4 W (36 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 15 %,
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6 GHz μέχρι και 16 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 10 %,
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 16 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,8 W (29 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 10 %,
rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz μέχρι και 37,5 GHz,
rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz;
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,25 W (24 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 10 %, ή
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 43,5 GHz.
rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz.
Σημείωση 1:Στο σημείο 3A001.β.2 δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός δορυφορικών ραδιοτηλεοπτικών μεταδόσεων που έχει σχεδιαστεί ή εγκριθεί για να λειτουργεί στη ζώνη συχνοτήτων 40,5 έως 42,5 GHz.
Note 1:3A001.b.2. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 GHz to 42,5 GHz.
Σημείωση 2:Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.2.α έως 3Α001.β.2.στ., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.
Note 2:the control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Σημείωση 3:Οι εισαγωγικές σημειώσεις 1 και 2 στην αρχή της κατηγορίας 3 σημαίνουν ότι με το σημείο 3A001.β.2 δεν τίθενται υπό έλεγχο τα μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων όταν είναι ειδικά σχεδιασμένα για άλλες εφαρμογές, όπως π.χ. τηλεπικοινωνίες, ραντάρ, αυτοκίνητα
Note 3:Notes 1 and 2 in the chapeau to Category 3 mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
Χωριστά τρανζίστορ μικροκυμάτων με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
discrete microwave transistors having any of the following:
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6,6 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 60 W (47,8 dBm),
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and having an average output power greater than 60W (47,8 dBm);
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 20 W (43 dBm),
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and having an average output power greater than 20W (43 dBm);
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz μέχρι και 37,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,5 W (27 dBm),
rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and having an average output power greater than 0,5W (27 dBm);
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm), ή
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
Σημείωση:Το καθεστώς ελέγχου των τρανζίστορ οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.3α, έως 3Α001β.3.ε., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.
Note:the control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης και μικροκυματικά συναρμολογήματα ή δομοστοιχεία που περιέχουν ενισχυτές μικροκυμάτων με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave amplifiers having any of the following:
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 60 W (47,8 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 15 %,
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 60W (47,8 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 15 W (42 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 10 %,
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15W (42 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 10 %,
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 43,5 GHz, ή
rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz; or
στ. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3 GHz και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
μέση ισχύ εξόδου P, σε Watt, μεγαλύτερη από 150 διά το τετράγωνο της ανώτατης συχνότητας λειτουργίας σε GHz (P>150 W*GHz2/fGHz2),
an average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P>150 W*GHz2/fGHz2];
"κλασματικό εύρος ζώνης" 5 % και άνω, και
a fractional bandwidth of 5 % or greater; and
δύο κάθετες πλευρές μήκους d (σε cm) το πολύ ίσου προς 15 διά την κατώτατη συχνότητα λειτουργίας σε GHz (d = 15 cm*GHz/fGHz),
any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d = 15 cm*GHz/fGHz].
Η συχνότητα 3,2 GHz θα πρέπει να χρησιμοποιείται ως η κατώτατη συχνότητα λειτουργίας (fGHz) στον τύπο του σημείου 3Α001.β.4.στ.3., για τους ενισχυτές με ονομαστικό φάσμα λειτουργίας που εκτείνεται προς τα κάτω μέχρι τα 3,2 GHz και κατωτέρω [d ≤ 15 cm*GHz/3,2GHz].
3,2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3,2 GHz and below [d ≤ 15 cm*GHz/3,2 GHz].
Σημείωση:Οι ενισχυτές ισχύος με μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων πρέπει να αξιολογούνται βάσει των κριτηρίων του σημείου 3A001.β.2
N.B.:MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
Σημείωση 1:Στο σημείο 3A001.β.4 δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός δορυφορικών ραδιοτηλεοπτικών μεταδόσεων που έχει σχεδιαστεί ή εγκριθεί για να λειτουργεί στη ζώνη συχνοτήτων 40,5 έως 42,5 GHz.
Note 1:3A001.b.4. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 to 42,5 GHz.
Σημείωση 2:Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.4.α. έως 3Α001.β.4.ε., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.
Note 2:the control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Ζωνοπερατά ή ζωνοαπέρατα φίλτρα που μπορούν να συντονισθούν ηλεκτρονικά ή μαγνητικά, που έχουν πάνω από 5 ρυθμιζόμενους συντονιστές και μπορούν να συντονισθούν μέσα σε μία ζώνη συχνοτήτων με λόγο 1,5:1 (fmax/fmin) σε χρόνο λιγότερο από 10 μs που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs having any of the following:
Εύρος ζώνης ζωνοπερατού φίλτρου πάνω από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας, ή
a band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
Εύρος ζώνης ζωνοαπέρατου φίλτρου λιγότερο από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας.
a band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
Μίκτες και μετατροπείς σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος συχνοτήτων του εξοπλισμού που περιγράφεται στα σημεία 3Α002.γ., 3Α002.ε. ή 3Α002.στ. πέραν των εκεί αναφερομένων ορίων.
mixers and converters designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
Μικροκυματικοί ενισχυτές ισχύος που περιλαμβάνουν λυχνίες που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.β. και έχουν όλα τα ακόλουθα:
microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b. and having all of the following:
Συχνότητες λειτουργίας πάνω από 3 GHz,
operating frequencies above 3 GHz;
Μέση πυκνότητα ισχύος εξόδου άνω των 80 W/kg, και
an average output power density exceeding 80 W/kg; and
Όγκο μικρότερο από 400 cm3.
a volume of less than 400 cm3;
Σημείωση:Στο σημείο 3Α001.β.8. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός που έχει σχεδιασθεί για, ή καθορίζεται να λειτουργεί σε ζώνες συχνοτήτων που έχουν "διατεθεί από την ITU" για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.
Note:3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Μικροκυματικές μονάδες ισχύος (MPM), αποτελούμενες τουλάχιστον από μία λυχνία οδεύοντος κύματος, ένα μικροκυματικό μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα, και έναν ολοκληρωμένο ηλεκτρονικό εξομαλυντήρα τάσης, με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:
microwave power modules (MPM), consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave monolithic integrated circuit and an integrated electronic power conditioner, having all of the following characteristics:
Χρόνο ενεργοποίησης από σβηστό σε πλήρη λειτουργία κάτω των 10 δευτερολέπτων,
a turn-on time from off to fully operational in less than 10 seconds;
Όγκο μικρότερο από το γινόμενο της μέγιστης ονομαστικής ισχύος σε W επί 10 cm3/W, και
a volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
Για συχνότητες μέχρι και 18 GHz, ισχύ εξόδου ραδιοσυχνότητας άνω των 100 W, ή
for frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
Συχνότητα άνω των 18 GHz.
having a frequency greater than 18 GHz.
Ιδού ένα παράδειγμα υπολογισμού του όγκου ελέγχου στο σημείο 3A00.β.9.β: αν η μέγιστη ονομαστική ισχύς είναι 20 W, ο όγκος πρέπει να είναι μέχρι 20 W x 10 cm3/W = 200 cm3.
to calculate the control volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Στο σημείο 3A00.β.9.α, ο χρόνος ενεργοποίησης σημαίνει το διάστημα που χρειάζεται η μονάδα από τελείως σβηστή να τεθεί σε πλήρη λειτουργία, περιλαμβάνει δηλαδή και το χρόνο προθέρμανσης.
the turn-on time in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational; i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
Συσκευές ακουστικών κυμάτων, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τις συσκευές αυτές ως εξής:
acoustic wave devices, as follows, and specially designed components therefor:
Συσκευές επιφανειακών ακουστικών κυμάτων και συσκευές surface skimming (shallow bulk) ακουστικών κυμάτων (δηλαδή συσκευές για "επεξεργασία σημάτων" που χρησιμοποιούν ελαστικά κύματα σε υλικά) και οι οποίες έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves in materials), having any of the following:
Φέρουσα συχνότητα πάνω από 2,5 GHz,
a carrier frequency exceeding 2,5 GHz;
Φέρουσα συχνότητα πάνω από 1 GHz αλλά όχι πάνω από 2,5 GHz και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
a carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 2,5 GHz, and having any of the following:
Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας που ξεπερνάει τα 55 dB,
a frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB;
Το γινόμενο του μέγιστου χρόνου καθυστέρησης και του εύρους ζώνης (ο χρόνος σε μs και το εύρος ζώνης σε ΜΗz) το οποίο είναι ανώτερο του 100,
a product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
Εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 250 MHz, ή
a bandwidth greater than 250 MHz; or
Καθυστέρηση με διασπορά (dispersive delay) περισσότερη από 10 μs, ή
a dispersive delay of more than 10 μs; or
Συχνότητα φέροντος 1 GHz ή λιγότερο, και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
a carrier frequency of 1 GHz or less, having any of the following:
Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας που ξεπερνάει τα 55 dB και εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 50 MHz.
a frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB and a bandwidth greater than 50 MHz;
Συσκευές ακουστικών κυμάτων όγκου (δηλαδή συσκευές για "επεξεργασία σημάτων" που χρησιμοποιούν ελαστικά κύματα) που επιτρέπουν την κατ’ ευθείαν επεξεργασία σημάτων σε συχνότητες πάνω από 1 GHz.
bulk (volume) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves) which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 1 GHz;
Ακουστικο-οπτικές συσκευές "επεξεργασίας σημάτων" που βασίζονται στην αλληλεπίδραση μεταξύ ακουστικών κυμάτων (κυμάτων όγκου ή κυμάτων επιφανείας) και κυμάτων φωτός και οι οποίες επιτρέπουν την άμεση επεξεργασία σημάτων ή εικόνων. Περιλαμβάνουν φασματική ανάλυση, συσχέτιση ή συνέλιξη.
acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Ηλεκτρονικές συσκευές και κυκλώματα που περιέχουν δομικά στοιχεία κατασκευασμένα από "υπεραγώγιμα" υλικά και ειδικά σχεδιασμένα για λειτουργία σε θερμοκρασίες κάτω από την "κρίσιμη θερμοκρασία" τουλάχιστον ενός από τα "υπεραγώγιμα" συστατικά υλικά με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents, with any of the following:
Μεταγωγή ρεύματος για ψηφιακά κυκλώματα όπου χρησιμοποιούνται "υπεραγώγιμες" πύλες με γινόμενο μεταξύ του χρόνου καθυστέρησης ανά πύλη (που εκφράζεται σε δευτερόλεπτα) και της κατανάλωσης ισχύος ανά πύλη (που εκφράζεται σε W) και το οποίο είναι λιγότερο από 10–14 J, ή
current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
Επιλογή συχνοτήτων σε όλες τις συχνότητες με τη χρήση συντονισμένων κυκλωμάτων με τιμές Q πάνω από 10000.
frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
Συσκευές υψηλής ενέργειας, ως εξής:
high energy devices, as follows:
’Ηλεκτρικά στοιχεία’ ως εξής:
’cells’, as follows: