natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Σημείωση 3: Οι εργαλειομηχανές που έχουν δύο τουλάχιστον από τις παρακάτω αναφερόμενες ικανότητες: τόρνευση, φρεζάρισμα, τρόχισμα (π.χ., τορνευτικές εργαλειομηχανές με ικανότητα φρεζαρίσματος), πρέπει να αξιολογούνται με βάση όλα τα αντίστοιχα υποσημεία α., β. ή/και γ. του σημείου 2Β001.
Note 3: A machine tool having at least two of the three turning, milling or grinding capabilities (e.g., a turning machine with milling capability), must be evaluated against each applicable entry 2B001.a., b. or c.
Ακρίβεια τοποθέτησης για τις μηχανές διάτρησης με πρότυπο-οδηγό, με "διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις" μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 4 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) [1] Οι κατασκευαστές που υπολογίζουν την ακρίβεια τοποθέτησης σύμφωνα με το έγγραφο ISO 230/2 (1997) οφείλουν να συμβουλευθούν τις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένοι.
A positioning accuracy for jig boring machines, with all "compensations available", equal to or less (better) than 4 μm according to ISO 230/2 (1988) [1] Manufacturers calculating positioning accuracy in accordance with ISO 230/2 (1997) should consult the competent authorities of the Member State in which they are established.
Εργαλειομηχανές με "ψηφιακό έλεγχο" που χρησιμοποιούν μαγνητοροολογική διεργασία φινιρίσματος (MRF) εξοπλισμένες για την παραγωγή μη σφαιρικών επιφανειών και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Numerically controlled machine tools using a magnetorheological finishing (MRF) process equipped to produce non-spherical surfaces and having any of the following characteristics:
Φινίρισμα του προϊόντος σε λιγότερο (καλύτερο) από 1,0 μm, ή
Finishing the form to less (better) than 1.0 μm; or
Φινίρισμα με τραχύτητα μικρότερη (καλύτερη) από 100 nm rms.
Finishing to a roughness less (better) than 100 nm rms.
Εξοπλισμός παραγωγής για εμφύτευση ιόντων, με ένταση ρεύματος δέσμης 5 mA ή μεγαλύτερη.
Ion implantation production equipment having beam currents of 5 mA or more;
Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο δέσμης ηλεκτρονίων (EB-PVD), ο οποίος φέρει ενσωματωμένα συστήματα τροφοδότησης ισχύος σχεδιασμένα για ισχύ μεγαλύτερη από 80 kW και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Electron beam physical vapour deposition (EB-PVD) production equipment incorporating power systems rated for over 80 kW, having any of the following:
Εξοπλισμός παραγωγής για ψεκασμό πλάσματος, ο οποίος έχει ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Plasma spraying production equipment having any of the following characteristics:
Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση με καθοδική διασκόρπιση, ικανός να επιτυγχάνει πυκνότητα ρεύματος 0,1 mA/mm2 ή υψηλότερη, με ταχύτητα εναπόθεσης 15 μικρόμετρα/ώρα ή υψηλότερη, στ.
Sputter deposition production equipment capable of current densities of 0,1 mA/mm2 or higher at a deposition rate of 15 μm/h or more;
Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου, ο οποίος φέρει ενσωματωμένο πλέγμα ηλεκτρομαγνητών για την καθοδήγηση της εστίασης του τόξου στην κάθοδο,
Cathodic arc deposition production equipment incorporating a grid of electromagnets for steering control of the arc spot on the cathode;
"Αβεβαιότητα μέτρησης" ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από (0,2 + L/2000) μm (όπου L είναι το μετρούμενο μήκος, σε mm).
A "measurement uncertainty" equal to or less (better) than (0,2 + L/2000) μm (L is the measured length in mm);
Κάμινοι (CΝD) χημικής εναπόθεσης ατμού, εκτός των προσδιοριζομένων στο 2Β005.α, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την πύκνωση συνθέτων υλικών άνθρακα-άνθρακα.
Chemical vapour deposition (CVD) furnaces, other than those specified in 2B005.a., designed or modified for the densification of carbon-carbon composites.
Σημείωση: Στο σημείο 2Β109 δεν υπάγονται μηχανές που δεν χρησιμοποιούνται στην παραγωγή κατασκευαστικών μερών και εξοπλισμού προώθησης (π.χ. περιβλήματα κινητήρων) για συστήματα που καθορίζονται στα σημεία 9Α005, 9Α007.α. ή 9Α105.α.
Note: 2B109 does not control machines that are not usable in the production of propulsion components and equipment (e.g. motor cases) for systems specified in 9A005, 9A007.a. or 9A105.a.
Συστήματα δονητικών δοκιμών, εξοπλισμός και σχετικά κατασκευαστικά μέρη, ως εξής:
Vibration test systems, equipment and components therefor, as follows:
Συστήματα δονητικών δοκιμών με τεχνικές ανάδρασης ή κλειστού βρόχου, που περιέχουν μονάδα ψηφιακού ελέγχου ικανά να δονούν συστήματα με επιτάχυνση τουλάχιστον 10 g RMS σε συχνότητα μεταξύ 20 Hz και 2 kHz και να ασκούν δυνάμεις τουλάχιστον 50 kN, μετρούμενες επί ελευθέρου πάγκου,
Vibration test systems employing feedback or closed loop techniques and incorporating a digital controller, capable of vibrating a system at an acceleration equal to or greater than 10 g rms between 20 Hz and 2 kHz and imparting forces equal to or greater than 50 kN, measured 'bare table';
Σημείωση: Στο σημείο 2Β201.β. δεν υπάγονται οι ακόλουθες μηχανές για τρόχισμα:
Note: 2B201.b. does not control the following grinding machines:
Συστήματα για τον ταυτόχρονο γραμμικό και γωνιακό έλεγχο ημισφαιρικών δομών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Systems for simultaneous linear-angular inspection of hemishells, having both of the following characteristics:
Αντλίες πολλαπλής στεγανότητας και χωρίς σφραγίδες στεγανότητας, των οποίων ο μέγιστος ρυθμός ροής βάσει προδιαγραφών του κατασκευαστή είναι τουλάχιστον 0,6 m3/h ή αντλίες κενού, των οποίων ο μέγιστος ρυθμός ροής βάσει προδιαγραφών του κατασκευαστή είναι τουλάχιστον 5 m3/h (υπό κανονικές συνθήκες θερμοκρασίας [273 K (0° C)] και πίεσης (101,3 kPa)· και περιβλήματα (σώματα αντλιών), προσχηματισμένα χιτώνια περιβλημάτων, πτερωτές, ρότορες ή ακροφύσια αντλιών δι’ εκτοξεύσεως προς χρήση στις αντλίες αυτές, των οποίων όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:
i. Multiple-seal, and seal-less pumps, with manufacturer's specified maximum flow-rate greater than 0,6 m3/hour, or vacuum pumps with manufacturer's specified maximum flow-rate greater than 5 m3/hour (under standard temperature (273 K (0 °C)) and pressure (101,3 kPa) conditions); and casings (pump bodies), preformed casing liners, impellers, rotors or jet pump nozzles designed for such pumps, in which all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:
Τεχνικές εναπόθεσης
Deposition techniques
Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους (PVD): εξάτμιση με "λέιζερ"
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporisation
Ψεκασμός πλάσματος
Plasma spraying
Λειάνσιμα υλικά
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
περιέχοντα Ni-Cr-Al Λειάνσιμος Al-Si-πολυεστέρας Κραματοποημένα αργιλίδια (2)
Abradable Al-Si-Polyester Alloyed aluminides (2)
Κράματα αργιλίου (6)
Aluminium alloys (6)
Πίνακας — τεχνικές εναπόθεσης — σημειώσεις
Table — Deposition techniques — Notes
Στα "επιστοιχειωμένα καρβίδια του βολφραμίου" δεν περιλαμβάνονται τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης από καρβίδιο του βολφραμίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του τιτανίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του χρωμίου/νικελιο-χρώμιο και καρβίδιο του χρωμίου/νικέλιο.
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
Εμφύτευση ιόντων είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία το προς κραματοποίηση στοιχείο ιονίζεται, επιταχύνεται μέσω διαβαθμιζόμενου δυναμικού και εμφυτεύεται στην επιφάνεια του υποστρώματος.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία, ως εξής:
Electronic components, as follows:
Ολοκληρωμένα κυκλώματα για γενικούς σκοπούς, ως εξής:
General purpose integrated circuits, as follows:
Ολοκληρωμένα κυκλώματα σχεδιασμένα ή καθορισμένα ώστε να αντέχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Integrated circuits, designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Ακτινοβολία, συνολικής δόσης τουλάχιστον 5 × 103 Gy (πυρίτιο),
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
Διαταραχή ρυθμού ακτινοβολίας τουλάχιστον 5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s ή υψηλότερη, ή
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
Ολοκληρωμένη ροή νετρονίων (ισοδύναμο 1 MeV) τουλάχιστον 5 × 1013 n/cm2 σε πυρίτιο, και το αντίστοιχο σε άλλα υλικά,
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
"Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές", "μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών" και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό, μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό, μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό, ηλεκτρο-οπτικά ή "οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα" σχεδιασμένα για "επεξεργασία σημάτων", προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices), ολοκληρωμένα κυκλώματα νευρονικών δικτύων, ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε αγνοείται η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού, στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, επεξεργαστές ταχείας μετατροπής Fourier (Fast Fourier Transform — FFT), ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο (EEPROM), στιγμιαίες μνήμες ή στατικές μνήμες RAM (SRAM) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα :
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
"Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές", "μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών" και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, που κατασκευάζονται από σύνθετο ημιαγωγό και με λειτουργία σε συχνότητα χρονισμού πάνω από 40 MHz.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit αλλά μικρότερη των 10 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 500 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit αλλά μικρότερη των 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 200 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
Διακριτική ικανότητα 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 50 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο,
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 50 million words per second;
Διακριτική ικανότητα άνω των 12 bit αλλά το πολύ 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 5 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο, ή
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 5 million words per second; or;
Διακριτική ικανότητα άνω των 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο του 1 εκατομμυρίου, λέξεων ανά δευτερόλεπτο
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 1 million words per second;
Μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό με διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 12 bit και "χρόνο αποκατάστασης" ("settling time") κάτω των 10 ns.
Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
Διακριτική ικανότητα n bit αντιστοιχεί σε κβάντωση 2η σταθμών.
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
Ο ρυθμός εξόδου είναι ο μέγιστος ρυθμός εξόδου του μετατροπέα, ανεξαρτήτως αρχιτεκτονικής ή υπερδειγματοληψίας.
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
Οι πωλητές μπορούν επίσης να αναφέρουν το ρυθμό εξόδου ως ρυθμό δειγματοληψίας ή ως ρυθμό διεκπεραίωσης.
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
Για τη μέτρηση του ρυθμού διεκπεραίωσης, μια λέξη εξόδου ανά δευτερόλεπτο ισοδυναμεί προς ένα Hertz ή προς ένα δείγμα ανά δευτερόλεπτο.
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
Σημείωση: Το 3Α001.α.7 περιλαμβάνει:
Note: 3A001.a.7. includes:
Σημείωση 1: Στο σημείο 3Α001.β.1. δεν υπάγονται οι λυχνίες που έχουν σχεδιασθεί ή καθορίζονται για λειτουργία σε ζώνες συχνοτήτων που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Note 1: 3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
Σημείωση 2: Στο σημείο 3Α001.β.1., δεν υπάγονται οι "ακατάλληλες για διαστημική χρήση" λυχνίες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Note 2: 3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes which meet all of the following characteristics:
Συζευγμένες λυχνίες cavity ή παράγωγά τους, με "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 7 % ή ισχύ αιχμής άνω των 2,5 kW.
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
"Στιγμιαίο εύρος ζώνης" άνω της μιας οκτάβας και γινόμενο μεταξύ της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και της συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) ανώτερο από 0,5,
An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
"Στιγμιαίο εύρος ζώνης" το πολύ μια οκτάβα, και γινόμενο της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) πάνω από 1, ή
An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
Είναι "κατάλληλες για διαστημική χρήση".
Being "space qualified";
Ενισχυτικές λυχνίες διασταυρωμένου πεδίου με απολαβή άνω των 17 dB.
Crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
Εμποτισμένες κάθοδοι (impregnated cathodes) για ηλεκτρονικές λυχνίες που παράγουν σταθερή πυκνότητα ροής ρεύματος σε συνθήκες προκαθορισμένης λειτουργίας η οποία ξεπερνά τα 5 A/cm2.
Impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
Ενισχυτές ισχύος με μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
Microwave monolithic integrated circuits (MMIC) power amplifiers having any of the following:
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6.6 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 4 W (36 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 15 %,
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6 GHz μέχρι και 16 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm) και "κλασματικό εύρος ζώνης" άνω του 10 %,
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Σημείωση 2: Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.2.α έως 3Α001.β.2.στ., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.
Note 2: The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Χωριστά τρανζίστορ μικροκυμάτων με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
Discrete microwave transistors having any of the following:
Σημείωση: Το καθεστώς ελέγχου των τρανζίστορ οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.3α, έως 3Α001β.3.ε., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.
Note: The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
στ. εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3 GHz και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:
Rated for operation at frequencies above 3.2 GHz and having all of the following:
Η συχνότητα 3,2 GHz θα πρέπει να χρησιμοποιείται ως η κατώτατη συχνότητα λειτουργίας (fGHz) στον τύπο του σημείου 3Α001.β.4.στ.3., για τους ενισχυτές με ονομαστικό φάσμα λειτουργίας που εκτίνεται προς τα κάτω μέχρι τα 3,2 GHz και κατωτέρω [d<15cm*GHz/3,2GHz].
GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3.2 GHz and below [d≤ 15 cm*GHz/3.2 GHz].
Σημείωση 2: Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.4.α. έως 3Α001.β.4.ε., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.
Note 2: The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.ε.1. δεν υπάγονται οι μπαταρίες που έχουν όγκο ίσο ή μικρότερο από 27 cm3 (δηλαδή τα τυποποιημένα στοιχεία C ή τις μπαταρίες τύπου R14).
Note: 3A001.e.1. does not control batteries with volumes equal to or less than 27 cm3 (e.g., standard C-cells or R14 batteries).
"Υπεραγώγιμοι" ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν σχεδιασθεί ειδικά ώστε να φορτίζονται πλήρως, ή να εκφορτίζονται, σε λιγότερο από ένα δευτερόλεπτο και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
"Superconductive" electromagnets and solenoids specially designed to be fully charged or discharged in less than one second, having all of the following:
Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.ε.3 δεν υπάγονται "υπεραγώγιμοι" ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν κατασκευασθεί ειδικά για ιατρικό εξοπλισμό απεικόνισης με τη βοήθεια Μαγνητικού Συντονισμού (Magnetic Resonance Imaging).
Note: 3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Σημείωση: Στο σημείο 3Α002.α.2 δεν υπάγονται τα ψηφιακά μαγνητοσκόπια που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για τηλεοπτικές μαγνητοσκοπήσεις και χρησιμοποιούν μορφές σήματος, ενδεχομένως συμπιεσμένες, που έχουν τυποποιηθεί ή συνιστώνται από τους οργανισμούς ITU, IEC, SMPTE, EBU, ETSI ή IEEE για εφαρμογές πολιτικής τηλεόρασης.
Note: 3A002.a.2. does not control digital video magnetic tape recorders specially designed for television recording using a signal format, which may include a compressed signal format, standardised or recommended by the ITU, the IEC, the SMPTE, the EBU, the ETSI or the IEEE for civil television applications.
Σημείωση: Στο σημείο 3Α002.α.3. δεν υπάγονται αναλογικά μαγνητόφωνα εξοπλισμένα με ηλεκτρονικό εξοπλισμό μετατροπής ΗDDR τα οποία έχουν σχεδιασθεί για να καταγράφουν μόνο ψηφιακά δεδομένα.
Note: 3A002.a.3. does not control analogue magnetic tape recorders equipped with HDDR conversion electronics and configured to record only digital data.
"Συστήματα ανάλυσης σημάτων" ικανά να αναλύουν συχνότητες πάνω από 31,8 GHz αλλά όχι άνω των 37,5 GHz και με διακριτική ικανότητα εύρους ζώνης (RBW) 3 dB άνω των 10 MHz,
"Signal analysers"capable of analysing frequencies exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37.5 GHz and having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz;
"Συστήματα ανάλυσης σημάτων" ικανά να αναλύουν συχνότητες άνω των 43,5 GHz,
"Signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 43.5 GHz;
"Συστήματα δυναμικής ανάλυσης σημάτων" με "εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου" ανώτερο από 500 kHz,
"Dynamic signal analysers" having a "real-time bandwidth" exceeding 500 kHz;
Σημείωση: Στο σημείο 3Α002.γ.3. δεν υπάγονται τα "συστήματα δυναμικής ανάλυσης σημάτων" που χρησιμοποιούν μόνο φίλτρα σταθερού ποσοστιαίου εύρους ζώνης (γνωστά και σαν φίλτρα οκτάβας ή κλασματικής οκτάβας). δ. Γεννήτριες σημάτων με σύνθεση συχνοτήτων.
Note: 3A002.c.3. does not control those "dynamic signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Χρόνο μεταγωγής συχνότητας από μία επιλεγμένη συχνότητα στην άλλη μικρότερο από 1 ms, ή
A "frequency switching time" from one selected frequency to another of less than 1 ms; or
Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε "βλήματα" και που έχουν σχεδιασθεί για να πληρούν στρατιωτικές προδιαγραφές για ανθεκτικό εξοπλισμό·
Analogue to digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedised equipment;
Το Q είναι ίσο με το ολοκλήρωμα του i ως προς το t επί το μικρότερο από τους δύο χρόνους, δηλαδή 1 μικροδευτερόλεπτο ή την διάρκεια σε χρόνο της παλμικής δέσμης (Q = idt), όπου i είναι το ρεύμα της δέσμης σε αμπέρ και t είναι ο χρόνος σε δευτερόλεπτα
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
Έχουν σχεδιασθεί για να είναι φορητές, κινητές ή ανθεκτικές,
Designed for portable, mobile, or ruggedised-use;
Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμφύτευση ιόντων και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Equipment designed for ion implantation, having any of the following:
Ενέργεια δέσμης 65 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 45 mA και άνω, για εμφύτευση οξυγόνου υψηλής ενέργειας πάνω σε θερμαινόμενο "υπόστρωμα" ημιαγωγού.
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Μήκος κύματος φωτεινής πηγής βραχύτερο από 245 nm, ή
A light source wavelength shorter than 245 nm; or
MRF = μήκος κύματος της φωτεινής πηγής έκθεσης σε μm
MRF = an exposure light source wavelength in nm
Σημείωση: Στο σημείο 3C003 υπάγονται μόνο οι ενώσεις των οποίων το μεταλλικό, μερικώς μεταλλικό ή μη μεταλλικό στοιχείο συνδέεται άμεσα με άνθρακα στο οργανικό τμήμα του μορίου.
Note: 3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Σημείωση: Στο σημείο 3C004 δεν υπάγονται υδρίδια που περιέχουν γραμμομοριακό ποσοστό 20 % και άνω αδρανή αέρια ή υδρογόνο.
Note: 3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Στο σημείο 3.D003., οι λέξεις "βασισμένο στη φυσική" υποδηλώνουν ότι χρησιμοποιεί υπολογισμούς για να προσδιορίσει μια ακολουθία φυσικών αιτίων/αιτιατών βασισμένων σε φυσικές ιδιότητες (πχ. θερμοκρασία, πίεση, σταθερές διάχυσης και ιδιότητες υλικών ημιαγωγών).
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).