natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Η προσθήκη αερίων στο θάλαμο κενού κατά τη διάρκεια της επίχρισης για τη δημιουργία σύνθετων επιχρισμάτων αποτελεί συνήθη παραλλαγή της μεθόδου.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
Συνήθης επίσης τροποποίηση αυτής της τεχνικής είναι η χρήση δέσμης ιόντων ή ηλεκτρονίων, ή και πλάσματος, για την ενεργοποίηση ή τη διευκόλυνση της εναπόθεσης του επιχρίσματος.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
Ένα επιπλέον γνώρισμα αυτών των διεργασιών μπορεί να είναι η χρήση συσκευών παρακολούθησης (monitor) για την κατά τη διεργασία μέτρηση των οπτικών χαρακτηριστικών και του πάχους του επιχρίσματος.
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
Ειδικότερα, οι μέθοδοι TE-PVD είναι οι εξής:
Specific TE-PVD processes are as follows:
Στην PVD δέσμης ηλεκτρονίων χρησιμοποιείται δέσμη ηλεκτρονίων για τη θέρμανση και την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα,
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
Στην υποβοηθούμενη από ιόντα PVD θέρμανση με ηλεκτρική αντίσταση χρησιμοποιούνται πηγές θερμότητας με ηλεκτρική αντίσταση, σε συνδυασμό με μία ή περισσότερες προσπίπτουσες δέσμες ιόντων, ικανές να δημιουργούν ελεγχόμενο και ομοιόμορφο ρεύμα εξατμισμένων επιχριστικών σωματιδίων,
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
Στην εξάτμιση με "λέιζερ" χρησιμοποιούνται δέσμες "λέιζερ" παλμικού ή συνεχούς κύματος για την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα,
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Στην εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου χρησιμοποιείται αναλώσιμη κάθοδος από το υλικό που σχηματίζει το επίχρισμα, στης οποίας την επιφάνεια προκαλείται μονίμως εκκένωση τόξου με τη στιγμιαία επαφή πολυδονητή (κύκλωμα σκανδάλης).
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
Η ελεγχόμενη κίνηση του σχηματισμού του τόξου διαβρώνει την επιφάνεια της καθόδου δημιουργώντας εξαιρετικά ιονισμένο πλάσμα.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
Ως άνοδος χρησιμοποιείται είτε ένας κώνος, συνδεδεμένος με την περιφέρεια της καθόδου μέσω μονωτικού υλικού, είτε ο θάλαμος.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Για εναπόθεση χωρίς σκοπευτικό άξονα χρησιμοποιείται πόλωση του υποστρώματος.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Σημ.: Ο ορισμός αυτός δεν περιλαμβάνει την τυχαία εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου με μη πολωμένα υποστρώματα.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Η ιοντική επιμετάλλωση αποτελεί ειδική τροποποίηση της γενικής τεχνικής ΤΕ-PVD, κατά την οποία χρησιμοποιείται πηγή πλάσματος ή ιόντων για τον ιονισμό των προς εναπόθεση σωματιδίων ενώ στο υπόστρωμα εφαρμόζεται αρνητικό δυναμικό πολώσεως για να διευκολυνθεί η έξοδος των σωματιδίων από το πλάσμα.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Η εισαγωγή δραστικών σωματιδίων, η εξάτμιση στερεών μέσα στο θάλαμο εργασίας καθώς και η χρήση συσκευών παρακολούθησης (monitor) για την κατά τη διεργασία μέτρηση των οπτικών χαρακτηριστικών και του πάχους των επιχρισμάτων, αποτελούν συνήθεις παραλλαγές της τεχνικής.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη είναι μέθοδος επίχρισης με μετατροπή επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία το υπόστρωμα βυθίζεται σε μίγμα κόνεων (στήλη) αποτελούμενο από:
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
τις κόνεις των μετάλλων που πρόκειται να εναποτεθούν (συνήθως αργίλιο, χρώμιο, πυρίτιο ή συνδυασμοί αυτών),
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
έναν ενεργοποιητή (συνήθως αλογονούχο άλας), και
An activator (normally a halide salt); and
μία αδρανή κόνι, ως επί το πλείστον αλουμίνα.
An inert powder, most frequently alumina.
Το μίγμα υποστρώματος και κόνεων περιέχεται σε κάμινο κέρατος, που θερμαίνεται σε θερμοκρασία μεταξύ 1030 Κ (757 °C) και 1375 (1102 °C) για όσο χρόνο απαιτεί η εναπόθεση του επιχρίσματος.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Ψεκασμός πλάσματος είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, κατά την οποία τα επιχριστικά υλικά, σε μορφή κόνεως ή σύρματος, εισάγονται σε πιστόλι (δαυλό ψεκασμού) που παράγει πλάσμα και το ελέγχει, τήκονται και εκσφενδονίζονται από αυτό προς το υπόστρωμα, όπου σχηματίζουν άρρηκτα συνδεδεμένο επίχρισμα.
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Πρόκειται για ψεκασμό πλάσματος είτε χαμηλής πιέσεως είτε υψηλής ταχύτητας.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Σημ. 1: Χαμηλή πίεση σημαίνει χαμηλότερη από την ατμοσφαιρική πίεση περιβάλλοντος.
1 Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Σημ. 2: Η υψηλή ταχύτητα αναφέρεται σε ταχύτητες αερίου στην έξοδο του ακροφυσίου υψηλότερες από 750 m/s υπολογιζόμενες σε θερμοκρασία 293 Κ (20 °C) και πίεση 0,1 MPa.
2 High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Εναπόθεση πολτού είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία σχηματίζεται εναιώρημα μεταλλικής ή κεραμικής κόνεως με οργανικό συνδετικό υλικό σε υγρό, το εναιώρημα αυτό εφαρμόζεται στο υπόστρωμα με ψεκασμό, εμβάπτιση ή βαφή και ακολουθεί ξήρανση στον αέρα ή σε κλίβανο και θερμική κατεργασία για την επίτευξη του επιθυμητού επιχρίσματος. στ.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, που βασίζεται σε ένα φαινόμενο μεταφοράς ορμής και κατά την οποία θετικά ιόντα επιταχύνονται από ηλεκτρικό πεδίο προς την επιφάνεια του στόχου (επιχριστικό υλικό).
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Η κινητική ενέργεια των προσπιπτόντων ιόντων αρκεί για να προκαλέσει την ελευθέρωση των ατόμων της επιφάνειας του στόχου και την εναπόθεσή τους σε καταλλήλως τοποθετημένο υπόστρωμα.
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Σημ. 1: Ο πίνακας αναφέρεται μόνο στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης τριόδου, μαγνήτρου ή χημικής αντίδρασης, που χρησιμοποιείται για την αύξηση της πρόσφυσης του επιχρίσματος και της ταχύτητας εναπόθεσης, και στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης ενισχυμένης με ραδιοσυχνότητες (RF), που χρησιμοποιείται για να επιτρέπει την εξάτμιση μη μεταλλικών επιχριστικών υλικών.
1 The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Σημ. 2: Για την ενεργοποίηση της εναπόθεσης είναι δυνατόν να χρησιμοποιούνται δέσμες ιόντων χαμηλής ενέργειας (κάτω των 5 keV)
2 Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Εμφύτευση ιόντων είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία το προς κραματοποίηση στοιχείο ιονίζεται, επιταχύνεται μέσω διαβαθμιζόμενου δυναμικού και εμφυτεύεται στην επιφάνεια του υποστρώματος.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Ο ορισμός αυτός περιλαμβάνει τις μεθόδους, στις οποίες η εμφύτευση ιόντων πραγματοποιείται ταυτόχρονα με εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο δέσμης ηλεκτρονίων ή εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 3
CATEGORY 3
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
ELECTRONICS
Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού και των δομικών στοιχείων που περιγράφονται στο σημείο 3Α001 ή 3Α002, εκτός από όσα περιγράφονται στα εδάφια 3Α001.a.10. ή 3Α001.a.12., που έχουν σχεδιασθεί ειδικά, ή έχουν τα ίδια λειτουργικά χαρακτηριστικά όπως ο υπόλοιπος εξοπλισμός, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού.
Note 1: The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Σημείωση 2: Η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.a.3. έως 3Α001.a.9. ή 3Α001.a.12., τα οποία έχουν προγραμματισθεί χωρίς δυνατότητα αλλαγής, ή έχουν σχεδιασθεί για μία επί μέρους λειτουργία άλλου εξοπλισμού, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού.
Note 2: The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Υποσημείωση: Όταν ο κατασκευαστής ή αυτός που υποβάλλει την αίτηση δεν μπορεί να καθορίσει τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού, η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων καθορίζεται στα σημεία 3Α001.a.3. έως 3Α001.a.9. και 3Α001.a.12.
N.B.: When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Εάν το ολοκληρωμένο κύκλωμα είναι τύπου "μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών" ή μικροκύκλωμα μικρομονάδας ελέγχου με βάση το πυρίτιο, όπως περιγράφεται στο σημείο 3Α001.a.3., με μήκος λέξεως τελεστού (δεδομένων) το πολύ 8 bit, η διαβάθμιση ελέγχου του ολοκληρωμένου κυκλώματος καθορίζεται στο 3Α001.a.3.
If the integrated circuit is a silicon-based "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit described in 3A001.a.3. having an operand (data) word length of 8 bit or less, the control status of the integrated circuit is determined in 3A001.a.3.
Ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία, ως εξής :
Electronic components, as follows:
Ολοκληρωμένα κυκλώματα για γενικούς σκοπούς, ως εξής :
General purpose integrated circuits, as follows:
Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου των πλακιδίων (που έχουν υποστεί φινίρισμα ή όχι), στα οποία έχει καθοριστεί η λειτουργία, πρέπει να ελεγχθεί με τις παραμέτρους του σημείου 3Α001.α.
Note 1: The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Σημείωση 2: Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα περιλαμβάνουν τους ακόλουθους τύπους:
Note 2: Integrated circuits include the following types:
"Μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα",
"Monolithic integrated circuits";
"Υβριδικά ολοκληρωμένα κυκλώματα",
"Hybrid integrated circuits";
"Ολοκληρωμένα κυκλώματα πολλαπλών μικροπλακετών",
"Multichip integrated circuits";
"Ολοκληρωμένα κυκλώματα τύπου φιλμ", που περιλαμβάνουν ολοκληρωμένα κυκλώματα με πυρίτιο πάνω σε σάπφειρο,
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
"Οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα".
"Optical integrated circuits".
Ολοκληρωμένα κυκλώματα σχεδιασμένα ή καθορισμένα ώστε να αντέχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα : α. Ακτινοβολία, συνολικής δόσης τουλάχιστον 5 × 103 Gy (πυρίτιο),
Integrated circuits, designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Διαταραχή ρυθμού ακτινοβολίας τουλάχιστον 5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s ή υψηλότερη, ή
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
Σημ: το 3A001.α.1.γ δεν έχει εφαρμογή στους μεταλλομονωτικούς ημιαγωγούς (MSI).
Note: 3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
"Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές", "μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών" και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό, μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό, μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό, ηλεκτρο-οπτικά ή "οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα" σχεδιασμένα για "επεξεργασία σημάτων", προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices), ολοκληρωμένα κυκλώματα νευρονικών δικτύων, ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε αγνοείται η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού, στον οποίο θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, επεξεργαστές ταχείας μετατροπής Fourier (Fast Fourier Transform - FFT), ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο (EEPROM), στιγμιαίες μνήμες ή στατικές μνήμες RAM (SRAM) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα :
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος άνω των 398 K (125 °C),
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω των 218 K (– 55 °C), ή
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
Καθορισμένα να λειτουργούν στο σύνολο της περιοχής θερμοκρασιών περιβάλλοντος από 218 K (– 55 °C) έως 398 K (125 °C).
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) et 398 K (125 °C);
Σημείωση: Το σημείο 3Α001.α.2. δεν εφαρμόζεται στα ολοκληρωμένα κυκλώματα που προορίζονται για πολιτικά αυτοκίνητα/οχήματα ή για μηχανές σιδηροδρόμων.
Note: 3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
"Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές", "μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών" και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου που έχουν οιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, having any of the following characteristics:
Σημείωση: Το σημείο 3Α001.α.3. περιλαμβάνει ψηφιακούς επεξεργαστές σημάτων, ψηφιακούς πολυεπεξεργαστές (array processors) και ψηφιακούς συνεπεξεργαστές (digital coprocessors).
Note: 3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
(Δεν χρησιμοποιείται).
Not used;
Κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό και με λειτουργία σε συχνότητα χρονισμού πάνω από 40 MHz, ή
Manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz; or
Πάνω από μια αρτηρία δεδομένων ή εντολών, ή πάνω από μια σειριακή θύρα επικοινωνιών η οποία παρέχει άμεση εξωτερική διασύνδεση μεταξύ παράλληλων "μικροκυκλωμάτων μικροεπεξεργαστών" με ρυθμό μεταδόσεως δεδομένων που ξεπερνά τα 150 Μbyte/s.
More than one data or instruction bus or serial communication port that provides a direct external interconnection between parallel "microprocessor microcircuits" with a transfer rate exceeding 150 Mbyte/s;
Ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό.
Storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor;
Ολοκληρωμένα κυκλώματα μετατροπής αναλογικού σε ψηφιακό και ψηφιακού σε αναλογικό, ως εξής :
Analogue-to-digital and digital-to-analogue converter integrated circuits, as follows:
Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό που έχουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Analogue-to-digital converters having any of the following:
ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 3Α101
SEE ALSO 3A101
Διακριτική ικανότητα μεταξύ 8 και 12 bit, με "συνολικό χρόνο μετατροπής" κάτω από 5 ns,
A resolution of 8 bit or more, but less than 12 bit, with a 'total conversion time' of less than 5 ns;
Διακριτική ικανότητα 12 bit, με "συνολικό χρόνο μετατροπής" κάτω από 20 ns,
A resolution of 12 bit with a 'total conversion time' of less than 20 ns;
Διακριτική ικανότητα πάνω από 12 bit και μέχρι 14 bit, με "συνολικό χρόνο μετατροπής" κάτω από 200 ns, ή
A resolution of more than 12 bit but equal to or less than 14 bit with a 'total conversion time' of less than 200 ns; or
Διακριτική ικανότητα πάνω από 14 bit, με "συνολικό χρόνο μετατροπής" πάνω από 1 μs.
A resolution of more than 14 bit with a 'total conversion time' of less than 1 μs;
Μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό με διακριτική ικανότητα 12 bit ή παραπάνω και "χρόνο αποκατάστασης" ("settling time") κάτω από 10 ns.
Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
Διακριτική ικανότητα η bit αντιστοιχεί σε κβάντωση 2η σταθμών.
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
Ο "συνολικός χρόνος μετατροπής" είναι το αντίστροφο της συχνότητας δειγματοληψίας.
'Total conversion time' is the inverse of sample rate.
Ηλεκτρο-οπτικά ή "οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα" για "επεξεργασία σημάτων" που έχουν όλα τα ακόλουθα:
Electro-optical and "optical integrated circuits" designed for "signal processing" having all of the following:
Μία ή περισσότερες εσωτερικές διόδους "λέιζερ",
One or more than one internal "laser" diode;
Ένα ή περισσότερα εσωτερικά δομικά στοιχεία για την ανίχνευση φωτός, και
One or more than one internal light detecting element; and
Οπτικούς κυματοδηγούς.
Optical waveguides;
Προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices) που έχουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Field programmable logic devices having any of the following:
Ισοδύναμο χρησιμοποιήσιμο αριθμό θυρών μεγαλύτερο από 30000 (για 2 θύρες εισόδου), ή
An equivalent usable gate count of more than 30000 (2 input gates);
Χαρακτηριστικό "βασικό χρόνο διαβάσεως πύλης" χαμηλότερο από 0,1 ns, ή
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
Συχνότητα αντιστροφής (toggle frequency) άνω των 133 MHz.
A toggle frequency exceeding 133 MHz;
Σημείωση: Το 3Α001.α.7 περιλαμβάνει :
Note: 3A001.a.7. includes:
τις απλές προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (SPLD)
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
τις πολύπλοκες προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (CPLD)
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
τις προγραμματιζόμενες διατάξεις θυρών πεδίου (FPGA)
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
τους προγραμματιζόμενους διασυνδέσμους θυρών πεδίου (FPIC) Σημ.: Ο τρίτος και τέταρτος όρος είναι συνώνυμοι.
N.B.: Field programmable logic devices are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
Ολοκληρωμένα κυκλώματα νευρονικών δικτύων.
Neural network integrated circuits;
Ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε ο κατασκευαστής αγνοεί την διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα και τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
Πάνω από 1000 τερματικές ακίδες.
More than 1000 terminals;
Συχνότητα λειτουργίας που ξεπερνά τα 3 GHz.
An operating frequency exceeding 3 GHz;
Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα, εκτός αυτών που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.10. και 3Α001.α.12., που έχουν κατασκευασθεί από οποιοδήποτε μικτό ημιαγωγό και παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα :
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Ισοδύναμο αριθμό θυρών πάνω από 3000 (για 2 θύρες εισόδου), ή
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
Συχνότητα αντιστροφής πάνω από 1,2 GHz.
A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
Επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (Fast Fourier Transform — FFT) με ονομαστικό χρόνο εκτέλεσης για σύνθετη FFT Ν σημείων, κάτω του (N log2N)/20480 ms, όπου N είναι ο αριθμός των σημείων.
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2N)/20480 ms, where N is the number of points;
Όταν Ν = 1024 σημεία, ο τύπος του σημείου 3Α001.α.12 δίνει χρόνο εκτέλεσης 500 μs.
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 μs.
Δομικά στοιχεία μικροκυμάτων ή χιλιοστομετρικών κυμάτων, ως εξής:
Microwave or millimetre wave components, as follows:
Ηλεκτρονικές λυχνίες κενού και κάθοδοι ως εξής:
Electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:
Σημείωση 1: Στο σημείο 3Α001.β.1. δεν ελέγχονται οι λυχνίες που έχουν σχεδιασθεί ή καθορίζονται για λειτουργία σε ζώνες συχνοτήτων που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Note 1: 3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
Δεν υπερβαίνουν τα 31,8 GHz, και
Does not exceed 31,8 GHz; and
Έχουν "διατεθεί από την ITU" για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Σημείωση 2: Στο σημείο 3Α001.β.1., δεν ελέγχονται οι "ακατάλληλες για διαστημική χρήση" λυχνίες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Note 2: 3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes which meet all of the following characteristics:
Μέση ισχύ εξόδου το πολύ 50 W, και
An average output power equal to or less than 50 W; and
Σχεδιασμένες ή καθορισμένες για λειτουργία σε οποιαδήποτε ζώνη συχνοτήτων που έχει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
Υπερβαίνει τα 31,8 GHz αλλά δεν υπερβαίνει τα 43,5 GHz, και
Exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
Λυχνίες οδεύοντος κύματος, παλμικού ή συνεχούς κύματος, ως εξής:
Travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
Που λειτουργούν σε συχνότητες πάνω από 31,8 GHz.
Operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Που έχουν στοιχείο θέρμανσης καθόδου με χρόνο ανύψωσης ισχύος μέχρι την καθορισμένη ισχύ ραδιοσυχνότητας ο οποίος είναι μικρότερος από 3 δευτερόλεπτα.
Having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;