natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Φασματογράφοι μάζας με βομβαρδισμό ηλεκτρονίων που έχουν θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση, ή κάλυψη από, υλικά που αντέχουν στο UF6.
Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Φασματογράφοι μάζας δέσμης μορίων, με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά:
Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση ή με κάλυψη από, ανοξείδωτο χάλυβα ή μολυβδαίνιο και εξοπλισμοί με ψυχρή παγίδα που μπορεί να ψυχθεί σε θερμοκρασία 193 K (– 80 °C) ή χαμηλότερη, ή
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or
Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση ή με κάλυψη από υλικά που αντέχουν στο UF6. στ.
A source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Φασματογράφοι μάζας εξοπλισμένοι με πηγή ιόντων μικροφθορίωσης που έχουν σχεδιασθεί για ακτινίδες ή φθοριούχες ακτινίδες.
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
Εξοπλισμός για παραγωγή συσκευών με ημιαγωγούς, ή υλικών ημιαγωγών, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία και εξαρτήματα για το σκοπό αυτό:
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Εξοπλισμός σχεδιασμένος για επιταξιακή ανάπτυξη, ως εξής:
Equipment designed for epitaxial growth, as follows:
Εξοπλισμός που μπορεί να παράγει κάτι από εξής:
Equipment capable of producing any of the following:
στρώμα πυριτίου ομοιογενούς πάχους με διαφορά λιγότερη από ± 2,5 % σε απόσταση 200 mm ή παραπάνω, ή
A silicon layer with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 200 mm or more; or
στρώμα οποιουδήποτε άλλου υλικού πλην πυριτίου ομοιογενούς πάχους με διαφορά λιγότερη από ± 2,5 % σε απόσταση 75 mm ή παραπάνω.
A layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Αντιδραστήρες για χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων (ΜΟCVD), που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για την παραγωγή κρυστάλλων από σύνθετους ημιαγωγούς μέσω της χημικής αντίδρασης μεταξύ υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3C003 ή 3C004.
Metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
Εξοπλισμός επιταξιακής ανάπτυξης μέσω μοριακής δέσμης ο οποίος χρησιμοποιεί αέριες ή στερεές πηγές.
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
β Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμφύτευση ιόντων και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Equipment designed for ion implantation, having any of the following:
Ενέργεια δέσμης (τάση επιτάχυνσης) ανώτερη από 1 MeV,
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1 MeV;
Ειδικό σχεδιασμό και βελτιστοποίηση για να λειτουργεί με ενέργεια δέσμης (τάση επιτάχυνσης) λιγότερη από 2 keV,
Being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
Δυνατότητα απ’ ευθείας εγγραφής, ή
Direct write capability; or
Ενέργεια δέσμης 65 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 45 mA και άνω, για εμφύτευση οξυγόνου υψηλής ενέργειας πάνω σε θερμαινόμενο «υπόστρωμα» ημιαγωγού.
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Εξοπλισμός για ξερή χάραξη μέσω ανισότροπου πλάσματος, ως εξής:
Anisotropic plasma dry etching equipment, as follows:
Εξοπλισμός με λειτουργία από κασέτα προς κασέτα και κλείδωμα φορτίου, και που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
Σχεδιασμένος ή βελτιστοποιημένος για να παράγει κρίσιμες διαστάσεις 0,3 μm ή μικρότερες, με ακρίβεια 3 σ ± 5 % ή
Designed or optimised to produce critical dimensions of 0,3 μm or less with ± 5 % 3 sigma precision; or
Σχεδιασμένος για να παράγει λιγότερα από 0,04 σωματίδια/cm2 με μετρήσιμη διάμετρο σωματιδίου άνω του 0,1 μm.
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 μm in diameter;
Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό που καθορίζεται στο σημείο 3Β001.ε. και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
Σχεδιασμένος για να παράγει λιγότερα από 0,04 σωματίδια/cm2 με μετρήσιμη διάμετρο σωματιδίου άνω του 0,1 μm.
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
Εξοπλισμός για χημική εναπόθεση με εξάτμιση (CVD) και με την ενίσχυση πλάσματος, ως εξής:
Plasma enhanced CVD equipment, as follows:
Εξοπλισμός με λειτουργία από κασέτα προς κασέτα και κλείδωμα φορτίου, σχεδιασμένος σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή ή βελτιστοποιημένος προς χρήση στην παραγωγή συσκευών ημιαγωγών με κρίσιμες διαστάσεις έως και 180 mm.
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό που καθορίζεται στο σημείο 3Β001.ε. και σχεδιασμένος σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή ή βελτιστοποιημένος προς χρήση στην παραγωγή συσκευών ημιαγωγών με κρίσιμες διαστάσεις έως και 180 mm.
Equipment specially designed for equipment controlled by 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
"Κεντρικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων (wafer)", πολλαπλών θαλάμων, αυτόματης φόρτωσης, τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα:
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
Διεπαφές για είσοδο και έξοδο πλακιδίων, στις οποίες μπορούν να συνδεθούν περισσότερα από δύο τμήματα εξοπλισμού επεξεργασίας ημιαγωγών, και
Interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
Είναι σχεδιασμένα για να αποτελέσουν ένα ολοκληρωμένο σύστημα σε περιβάλλον κενού για σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων.
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;
Σημείωση: Στο σημείο 3Β001.ε. δεν ελέγχονται τα αυτόματα ρομποτικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων τα οποία δεν έχουν σχεδιασθεί για να λειτουργούν σε περιβάλλον κενού.
Note: 3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Εξοπλισμός λιθογραφίας, ως εξής:
Lithography equipment, as follows:
Εξοπλισμός ευθυγράμμισης και έκθεσης step and repeat (με άμεσο βήμα πάνω στο πλακίδιο) ή step and scan (με σάρωση) για την επεξεργασία πλακιδίων με τη χρήση φωτο-οπτικών μεθόδων ή μεθόδων ακτίνων Χ, ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following:
Μήκος κύματος φωτεινής πηγής βραχύτερο από 350 nm, ή
A light source wavelength shorter than 350 nm; or
Ικανότητα να συνθέτει σχήματα με ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος 0,35 μm ή μικρότερο.
Capable of producing a pattern with a'minimum resolvable feature' size of 0,35 μm or less;
Το "ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος" υπολογίζεται με τον εξής τύπο:
The "minimum resolvable feature" size is calculated by the following formula:
αριθμητικό διάφραγμα
numerical aperture
όπου ο συντελεστής K ισούται προς 0,7
where the K factor = 0,7
MRF = ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος
MRF = minimum resolvable feature size
Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για την παραγωγή μασκών ή για επεξεργασία συσκευών ημιαγωγών με τη χρήση εκτρεπόμενης εστιασμένης δέσμης ηλεκτρονίων, δέσμης ιόντων ή δέσμης "λέιζερ", που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:
Εστιακό μέγεθος μικρότερο από 0,2 μm,
A spot size smaller than 0,2 μm;
Είναι ικανός να παράγει σχήμα με χαρακτηριστικό μέγεθος κάτω από 1 μm, ή
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
Ακρίβεια επικάλυψης καλύτερη από ± 0,20 μm (3 sigma).
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
Μάσκες ή reticles που έχουν σχεδιαστεί για ολοκληρωμένα κυκλώματα που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.
Masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
Μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης.
Multi-layer masks with a phase shift layer.
Σημείωση: Στο σημείο 3Β001.η. δεν ελέγχονται οι μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης οι σχεδιασμένες για την κατασκευή συσκευών μνήμης που δεν ελέγχονται στο σημείο 3Α001.
Note: 3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
"Εξοπλισμός δοκιμών ελεγχόμενος με ενταμιευμένο πρόγραμμα", που έχει ειδικά σχεδιασθεί για να δοκιμάζονται τελειωμένες ή ημιτελείς συσκευές ημιαγωγών, ως εξής, και δομικά στοιχεία και εξαρτήματα που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για τον εξοπλισμό αυτό:
"Stored programme controlled" test equipment, specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Για να δοκιμάζονται οι παράμετροι S συσκευών τρανζίστορ σε συχνότητες πάνω από 31,8 GHz
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Για να δοκιμάζονται ολοκληρωμένα κυκλώματα ικανά να εκτελούν λειτουργικές δοκιμές (πίνακας αλήθειας) με "ρυθμό σχημάτων" πάνω από 667 MHz.
For testing integrated circuits capable of performing functional (truth table) testing at a 'pattern rate' of more than 667 MHz;
Σημείωση: Στο σημείο 3Β002.β. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός δοκιμών που έχει ειδικά σχεδιασθεί για να δοκιμάζονται:
Note: 3B002.b. does not control test equipment specially designed for testing:
"Ηλεκτρονικά συγκροτήματα" ή μία τάξη "ηλεκτρονικών συγκροτημάτων" για ιδιωτικές ή ψυχαγωγικές εφαρμογές,
"Electronic assemblies" or a class of "electronic assemblies" for home or entertainment applications;
Μη ελεγμένα ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία, "ηλεκτρονικά συγκροτήματα" ή ολοκληρωμένα κυκλώματα,
Uncontrolled electronic components, "electronic assemblies" or integrated circuits;
Μνήμες.
Memories.
Για τους σκοπούς αυτού του σημείου, ο "ρυθμός σχημάτων" ορίζεται ως η ανώτατη συχνότητα ψηφιακής λειτουργίας του δοκιμαστήρα.
For the purpose of this entry,' pattern rate' is defined as the maximum frequency of digital operation of a tester.
Ισοδυναμεί επομένως με το μέγιστο ρυθμό δεδομένων που μπορεί να παρέχει ο δοκιμαστήρας όταν λειτουργεί χωρίς πολυπλεξία.
It is therefore equivalent to the highest data rate that a tester can provide in non-multiplexed mode.
Αναφέρεται και ως ταχύτητα δοκιμής, με ανώτατη ψηφιακή συχνότητα ή μέγιστη ψηφιακή ταχύτητα.
It is also referred to as test speed, maximum digital frequency or maximum digital speed.
Για την δοκιμή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων προσδιοριζόμενων στο 3Α001.β.2.
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Ετερο-επιταξιακά υλικά, που αποτελούνται από "υπόστρωμα" πάνω στο οποίο έχουν αποτεθεί επιταξιακά ανεπτυγμένα πολλαπλά στρώματα οποιουδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Πυρίτιο.
Silicon;
Γερμάνιο, ή
Germanium;
dΣύνθετες ενώσεις γαλλίου ή ινδίου με στοιχεία του πίνακα III/V.
III/V compounds of gallium or indium.
Οι σύνθετες ενώσεις του πίνακα III/V είναι πολυκρυσταλλικά ή δυαδικά ή σύνθετα μονοκρυσταλλικά προϊόντα που περιλαμβάνουν στοιχεία των ομάδων ΙΙΙΑ και VΑ του περιοδικού πίνακα του Μεντελέγιεφ (π.χ. αρσενικούχο γάλλιο, αρσενικούχο γάλλιο-αργίλιο, φωσφορούχο ίνδιο).
III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide).
Φωτοανθεκτικά υλικά, ως εξής, καθώς και "υποστρώματα" που έχουν επίστρωση ελεγμένων φωτοανθεκτικών ουσιών:
Resist materials, as follows, and "substrates" coated with controlled resists:
Θετικά φωτοανθεκτικά υλικά για λιθογραφικές εργασίες με ημιαγωγούς, ειδικώς ρυθμισμένα (αριστοποιημένα) για χρήση σε μήκη κύματος κάτω από 350 nm,
Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 350 nm;
Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με δέσμες ηλεκτρονίων ή ιόντων που έχουν ευαισθησία 0,01 μcoulomb/mm2 ή καλύτερη,
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με ακτίνες Χ, με ευαισθησία 2,5 mJ/mm2 ή καλύτερη,
All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά αριστοποιημένα για τεχνολογίες απεικόνισης επιφανειών, συμπεριλαμβανομένων των πυριτικοποιημένων φωτοανθεκτικών υλικών.
All resists optimised for surface imaging technologies, including 'silylated' resists.
Οι τεχνικές μέθοδοι πυριτικοποίησης ορίζονται ως οι διαδικασίες που περιλαμβάνουν οξείδωση της επιφάνειας του φωτοανθεκτικού υλικού ώστε να ενισχυθεί η απόδοσή του τόσο για υγρή όσο και για ξηρά εμφάνιση.
'Silylation' techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Ενώσεις οργανικού με ανόργανο στοιχείο ως εξής:
Organo-inorganic compounds, as follows:
Οργανομεταλλικές ενώσεις αργιλίου, γαλλίου ή ινδίου που έχουν καθαρότητα (με βάση το μέταλλο) καλύτερη από 99,999 %,
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Οργανικές ενώσεις αρσενικού, αντιμονίου και φωσφόρου που έχουν καθαρότητα (με βάση το ανόργανο στοιχείο) καλύτερη από 99,999 %.
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Σημείωση: Στο σημείο 3C003 ελέγχονται μόνο οι ενώσεις των οποίων το μεταλλικό, μερικώς μεταλλικό ή μη μεταλλικό στοιχείο συνδέεται άμεσα με άνθρακα στο οργανικό τμήμα του μορίου.
Note: 3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Υδρίδια φωσφόρου, αρσενικού ή αντιμονίου που έχουν καθαρότητα καλύτερη από 99,999 %, ακόμη και αν έχουν διαλυθεί σε αδρανή αέρια ή υδρογόνο.
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
Σημείωση: Στο σημείο 3C004 δεν ελέγχονται υδρίδια που περιέχουν γραμμομοριακό ποσοστό 20 % και άνω αδρανή αέρια ή υδρογόνο.
Note: 3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
"Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.β. έως 3Α002.ζ. ή 3Β.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
"Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί για τη "χρήση" εξοπλισμού που προσδιορίζεται
"Software" specially designed for the "use" of any of the following:
στα σημεία 3Β001.α. έως στ., ή
Equipment specified in 3B001.a. to f.; or
στο σημείο 3Β002.
Equipment specified in 3B002.
"Λογισμικό" προσομοίωσης, βασισμένο στη φυσική, ειδικά σχεδιασμένο για την "ανάπτυξη" διεργασιών λιθογραφίας, χάραξης ή εναπόθεσης προκειμένου τα σχήματα μάσκας να μεταφράζονται σε επί μέρους τοπογραφικά σχήματα με αγωγούς, διηλεκτρικά ή υλικά ημιαγωγών.
Physics-based simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Στο σημείο 3.D.3., οι λέξεις "βασισμένο στη φυσική" υποδηλώνουν ότι χρησιμοποιεί υπολογισμούς για να προσδιορίσει μια ακολουθία φυσικών αιτίων/αιτιατών βασισμένων σε φυσικές ιδιότητες (πχ. θερμοκρασία, πίεση, σταθερές διάχυσης και ιδιότητες υλικών ημιαγωγών).
'Physics-based' in 3.D.3. means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Σημεiωση: Οι βιβλιοθήκες, τα χαρακτηριστικά σχεδιασμού ή συναφή δεδομένα για το σχεδιασμό συσκευών ημιαγωγών ή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων θεωρούνται σαν "τεχνολογία".
Note: Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
"Λογισμικό" ειδικά σχεδιασμένο για την "ανάπτυξη" του εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α003.
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
"Λογισμικό" που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για τη "χρήση" εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α101.β.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
"Τεχνολογία" σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3Α, 3Β ή 3C.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Σημείωση 1: Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η "τεχνολογία" για την "παραγωγή" εξοπλισμού ή δομικών στοιχείων που ελέγχονται σύμφωνα με το σημείο 3Α003.
Note 1: 3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Σημείωση 2: Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η "τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή" ολοκληρωμένων κυκλωμάτων προδιαγραφόμενων στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.12., και που έχουν όλα τα ακόλουθα:
Note 2: 3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Χρησιμοποιούν "τεχνολογία" 0,5 μm ή παραπάνω, και
Using "technology" of 0,5 μm or more, and
Δεν περιλαμβάνουν δομές με πολλαπλά στρώματα.
Not incorporating 'multi-layer structures'.
Ο όρος "δομές με πολλαπλά στρώματα" δεν περιλαμβάνει συσκευές που περιλαμβάνουν το πολύ τρία μεταλλικά στρώματα και τρία στρώματα πολυπυριτίου.
The term "multi-layer structures" does not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
"Τεχνολογία" σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, άλλη από την προσδιοριζόμενη στο 3Ε001, για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή μικροκυκλωμάτων μικροεπεξεργαστών", "μικροκυκλωμάτων μικροϋπολογιστών" και μικροκυκλωμάτων μικροσυσκευών ελέγχου με "σύνθετη θεωρητική επίδοση" (CTP) 530000000 θεωρητικών πράξεων ανά δευτερόλεπτο (530 Μtpos) και άνω και αριθμητική λογική μονάδα με εύρος προσπέλασης 32 bit και άνω.
"Technology" according to the General Technology Note other than that specified in 3E001 for the "development" or "production" of "microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits having a "composite theoretical performance" ("CTP") of 530 million theoretical operations per second (Mtops) or more and an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more.
Σημείωση: Η περί μη ελέγχου σημείωση 2 του 3Ε001 ισχύει και για το 3Ε00.2.
Note: Decontrol note 2 to 3E001 also applies to 3E002.
Άλλη "τεχνολογία" για την "ανάπτυξη" ή "παραγωγή":
Other "technology" for the "development" or "production" of:
Μικροηλεκτρονικών συσκευών κενού,
Vacuum microelectronic devices;
Ετερο-δομικών συσκευών ημιαγωγών, όπως τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ), ετεροδιπολικών τρανζίστορ (ΗΒΤ), συσκευών κβαντικού πηγαδιού και υπέρ πλέγματος (super lattice devices).
Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
Σημείωση: Το σημείο 3Ε003.β. δεν ελέγχει την τεχνολογία για τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz και για ετεροδιπολικά τρανζίστορ (ΗΒΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτων των 31,8 GHz.
Note: 3E003.b. does not control technology for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
"Υπεραγώγιμων" ηλεκτρονικών συσκευών,
"Superconductive" electronic devices;
Υποστρωμάτων υμενίων αδάμαντος για ηλεκτρονικά δομοστοιχεία,
Substrates of films of diamond for electronic components;
Υποστρωμάτων πυριτίου επί μονωτικού (SOI) για ολοκληρωμένα κυκλώματα, όπου το μονωτικό υλικό είναι διοξείδιο του πυριτίου, στ.
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
Υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου για ηλεκτρονικά δομοστοιχεία,
Substrates of silicon carbide for electronic components;
Ηλεκτρονικές λυχνίες που λειτουργούν σε συχνότητες τουλάχιστον 31,8 GHz.
Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
"Τεχνολογία" σύμφωνα με την Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη "χρήση" εξοπλισμού ή "λογισμικού" που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.α.1 ή 2, 3Α101 ή 3D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101 or 3D101.
"Τεχνολογία" σύμφωνα με την Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την "ανάπτυξη" λογισμικού που καθορίζεται στο σημείο 3D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
"Τεχνολογία" σύμφωνα με την Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη "χρήση" εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.ε.2, 3Α001.ε.3., 3Α201, 3Α225 έως 3Α233.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A201, 3A225 to 3A233.
ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 4
CATEGORY 4
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΕΣ
COMPUTERS
Σημείωση 1: Ηλεκτρονικοί υπολογιστές, συναφής εξοπλισμός και "λογισμικό" το οποίο εκτελεί λειτουργίες τηλεπικοινωνιών ή τοπικού δικτύου (δίκτυο LAN) θα πρέπει να ελεγχθούν σύμφωνα επίσης με τα χαρακτηριστικά απόδοσης της κατηγορίας 5, Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες).
Note 1: Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Σημείωση 2: Οι μονάδες ελέγχου που διασυνδέουν απ 'ευθείας τους διαδρόμους ή τους διαύλους των μονάδων κεντρικής επεξεργασίας, οι μονάδες ελέγχου της "κυρίως μνήμης" ή των δίσκων δεν θεωρούνται σαν εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών όπως περιγράφεται στην κατηγορία 5, Μέρος 1o (Τηλεπικοινωνίες).
Note 2: Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
ΣΗΜ.: Όσον αφορά τη διαβάθμιση ελέγχου του "λογισμικού" που έχει ειδικά σχεδιασθεί για μεταγωγή πακέτων βλέπε την κατηγορία 5D001.
N.B.: For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.