natgillin/translations-raw huggingface dataset:
a. Lukkede kredsløb med en specificeret Mean-Time-To-Failure (MTTF), eller Mean-Time-Between-Failures (MTBF), på mere end 2500 timer
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
b. Joule-Thomson (JT) selvregulerende minikølere med en (udvendig) diameter på mindre end 8 mm
a.
Optiske følefibre, der er specielt fremstillede enten ved deres sammensætning eller struktur, eller modificeret med belægning til at være akustisk, termisk, inertimæssigt, elektromagnetisk eller nukleart strålefølsomme
Designed for operation without an external vacuum system; and
6A002.d.3. lægger ikke eksportkontrol på indkapslede optiske følefibre, der er specielt konstrueret til følingsformål i forbindelse med borehuller.
b.
e. Ikke anvendt
Utilizing any of the following:
f.
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
'Integrerede kredsløb til udlæsning' ('ROIC'), der er specielt konstrueret til de "billedplansystemer", der er specificeret i 6A002.a.3.
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
6A002.f. lægger ikke eksportkontrol på 'integrerede kredsløb til udlæsning', der er specielt konstrueret til anvendelse i civile biler.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
Instrumenteringskameraer, der er specificeret i 6A003.a.3.-6A003a.5. med modulær opbygning bør vurderes efter deres maksimale ydeevne ved anvendelse af plugins, der er til rådighed i henhold til kameraproducentens specifikationer.
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 u or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Elektroniske billedkameraer med en hastighed på mere end 1000000 billeder i sekundet
a.
b. Udlæsningstid, der tillader en billedhastighed på mere end 125 hele billeder i sekundet.
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Plugins med samtlige følgende egenskaber:
c.
a. Specielt konstrueret til instrumenteringskameraer med modulær opbygning, der er specificeret i 6A003.a og
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
b. Sætter disse kameraer i stand til at opfylde de egenskaber, der er specificeret i 6A003.a.3., 6A003.a.4. eller 6A003.a.5., i henhold til producentens specifikationer
d.
b. Billedkameraer som følger:
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
6A003.b lægger ikke eksportkontrol på fjernsyns- eller videokameraer, der er specielt konstruerede til fjernsynsudsendelser.
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
Videokameraer, der omfatter faststofsensorer med spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 10 nm, dog højst 30000 nm og med samtlige følgende egenskaber:
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
a. En eller flere af følgende:
e.
Mere end 4 × 106"aktive pixler" pr. faststofsystem for monokrome (sort-hvide) kameraer
Not used;
Mere end 4 × 106"aktive pixler" pr. faststofsystem for farvekameraer med tre faststofsystemer eller
f.
Mere end 12 × 106"aktive pixler" pr. faststofsystem for farvekameraer med et faststofsystem og
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
Optiske spejle, der er specificeret i 6A004.a
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
Optisk kontroludstyr, der er specificeret i 6A004.d eller
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
Kan annotere internt frembragte 'kamerasporingsdata'
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
I dette punkt bør digitale videokameraer vurderes ud fra det maksimale antal "aktive pixler", der bruges til at fastholde bevægelige billeder.
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
Dette omfatter: 1) kameraets horisontale vinkel i sigteretningen i forhold til retningen af jordens magnetfelt og 2) kameraets vertikale vinkel i sigteretningen i forhold til jordens horisont.
Voltage rating greater than 2 kV; and
Skanningkameraer og skanningkamerasystemer med samtlige følgende egenskaber:
b Inductance of less than 20 nH.
a. Spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 10 nm, men ikke over 30000 nm
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
b. Lineære detektorsystemer med mere end 8192 elementer pr. system og
SEE ALSO 2B226
6A003.b.2. lægger ikke eksportkontrol på skanningkameraer og skanningkamerasystemer, der er specielt konstrueret til et eller flere af følgende:
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
Industrielle eller civile fotokopieringsmaskiner
Equipment designed or modified to produce a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Billedskannere, der er specielt konstrueret til civile, stationære applikationer til skanning på kort afstand (f.eks. gengivelse af billeder eller tekst i dokumenter, billedmateriale eller fotografier) eller
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Medicinsk udstyr.
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
Billedkameraer med billedforstærkerør, der er specificeret i 6A002.a.2.a. eller 6A002.a.2.b.
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Billedkameraer med "billedplansystemer", som har en eller flere af følgende egenskaber:
b.
a. Omfatter "billedplansystemer", der er specificeret i 6A002.a.3.a-6A002.a.3.e.
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
b. Omfatter "billedplansystemer", der er specificeret i 6A002.a.3.f eller
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
c. Omfatter "billedplansystemer", der er specificeret i 6A002.a.3.g
Direct write capability;
Billedkameraer, der er specificeret i 6A003.b.4, omfatter "billedplansystemer" kombineret med tilstrækkelig "signalbehandlingselektronik", ud over det integrerede udlæsningskredsløb, til at der som et minimum kan opnås et analogt eller digitalt signaloutput, når strømmen tilsluttes.
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
6A003.b.4.a. lægger ikke eksportkontrol på kameraer med lineært "billedplansystem" med 12 elementer eller derunder, der ikke anvender tidsforsinkelse og integration i det enkelte element, og som er konstrueret til:
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
Industrielt udstyr til brug ved inspektion eller overvågning af varmestrømme i bygninger, udstyr eller industriprocesser
e.
Udstyr specielt konstrueret til laboratoriebrug. eller
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
6A003.b.4.b. lægger ikke eksportkontrol på billedkameraer med en eller flere af følgende egenskaber:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
En maksimal billedhastighed på 9 Hz eller derunder
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
Et mindste horisontalt eller vertikalt 'instantaneous-field-of-view (IFOV)' på mindst 10 mrad (milliradianer)
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
En linse med fast fokallængde, der ikke er konstrueret til at kunne fjernes
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
Uden display til 'direkte betragtning' og
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
Ikke indrettet til at vise et synligt billede af det detekterede field-of-view eller
f.
Kameraet er konstrueret til én applikationstype og til ikke at kunne modificeres af brugeren eller
Lithography equipment as follows:
Kameraet er specielt konstrueret til installation i et civilt passagerkøretøj og har alle følgende egenskaber:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
Kameraets placering og opsætning i køretøjet har udelukkende til formål at bistå føreren med at manøvrere køretøjet sikkert
a.
Det kan kun betjenes, hvis det er installeret et af følgende steder:
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
Det civile passagerkøretøj, som det er beregnet til; og køretøjet vejer under 4500 kg (køretøjets bruttovægt) eller
b.
Et specielt konstrueret, godkendt anlæg til afprøvning af vedligeholdelse og
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
Det omfatter en aktiv mekanisme, der forhindrer kameraet i at fungere, når det fjernes fra det køretøj, det var beregnet til.
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
'Horisontal IFOV' = horisontal field-of-view (FOV)/antallet af horisontale detektorelementer.
where the K factor = 0,35
'Vertikal IFOV' = vertikal field-of-view (FOV)/antallet af vertikale detektorelementer.
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
Kameraet er specielt konstrueret til installation som en integrerende komponent i netsystemer eller -udstyr, der benyttes indendørs, og i kraft af sin konstruktion begrænset til en enkelt applikation, som følger:
Micro contact printing tools
Overvågning af industrielle processer, kvalitetskontrol eller analyse af materialers egenskaber
Hot embossing tools
Udstyr til opsporing af finanssvig og
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
System(er) eller udstyr, som det er bestemt til, eller
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
Et specielt konstrueret, autoriseret vedligeholdelsesanlæg og
a.
En aktiv mekanisme, der forhindrer kameraet i at fungere, når det fjernes fra det system/de systemer eller det udstyr, det var beregnet til
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
Kameraet er specielt konstrueret til installation i et civilt passagerkøretøj eller passager- og bilfærger og har alle følgende egenskaber:
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
Kameraets placering og opsætning i køretøjet eller færgen har udelukkende til formål at bistå føreren eller operatøren med at manøvrere køretøjet eller færgen sikkert
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
Det civile passagerkøretøj, som det var beregnet til, og køretøjet vejer under 4500 kg (køretøjets bruttovægt)
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
Den passager- og bilfærge, som det er beregnet til; og færgen har en længe overalt på 65 m eller derover eller
a.
Et specielt konstrueret, godkendt anlæg til afprøvning af vedligeholdelse og
A deflected focused electron beam; and
Det omfatter en aktiv mekanisme, der forhindrer kameraet i at fungere, når det fjernes fra det køretøj, det er beregnet til.
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
Kameraet er konstruktionsmæssigt begrænset til en maksimal "strålingsfølsomhed" på højst 10 mA/W for bølgelængder på over 760 nm med alle følgende egenskaber:
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
En responsbegrænsende mekanisme konstrueret til ikke at fjernes eller modificeres
g.
En aktiv mekanisme, der forhindrer kameraet i at fungere, når den responsbegrænsende mekanisme fjernes, og
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Ikke er specielt konstrueret eller modificeret til undervandsbrug eller
h.
d. Har samtlige følgende:
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified in 3B001.g. and having any of the following:
Uden display til 'direkte betragtning' eller elektronisk billeddisplay
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
Ikke indrettet til at vise et synligt billede af det detekterede synsfelt
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
"Billedplansystemet" fungerer kun, når det er installeret i det kamera, det er beregnet til, og
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not specified in 3A001.
"Billedplansystemet" omfatter en aktiv mekanisme, der gør det definitivt ubrugeligt, når det fjernes fra det kamera, det er beregnet til
i.
Billedkameraer indeholdende faststofdetektorer som specificeret i 6A002.a.1.
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Optisk udstyr og komponenter som følger:
j.
a. Optiske spejle (reflektorer) som følger:
Mask "substrate blanks" with multilayer reflector structure consisting of molybdenum and silicon, and having all of the following:
I 6A004.a. måles tærsklen for laserinduceret skade (Laser Induced Damage Threshold – LIDT) i overensstemmelse med ISO 21254-1:2011.
Specially designed for 'Extreme Ultraviolet' ('EUV') lithography; and
For optiske spejle, der er specielt beregnet til litografisk udstyr, se 3B001.
Compliant with SEMI Standard P37.
'Deformerbare spejle' med en aktiv apertur på over 10 mm og en eller flere af følgende egenskaber og specielt konstruerede komponenter hertil
'Extreme Ultraviolet' ('EUV') refers to electromagnetic spectrum wavelengths greater than 5 nm and less than 124 nm.
a. Som har samtlige følgende egenskaber:
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
Mekanisk resonansfrekvens på 750 Hz eller derover og
a.
Over 200 aktuatorer eller
For testing S-parameters of items specified in 3A001.b.3.;
b. En tærskel for laserinduceret skade på et af følgende niveauer:
c.
Over 1 kW/ cm2 ved brug af "CW-laser" eller
For testing items specified in 3A001.b.2.
Over 2 J/cm2 ved brug af "laser"impulser på 20 ns med gentagelseshastighed på 20 Hz
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
'Deformerbare spejle' er spejle med en eller flere af følgende egenskaber:
a.
Én enkelt kontinuerlig optisk reflekterende overflade, som deformeres dynamisk ved individuelle momenter eller kræfter, så der kompenseres for forvrængninger i det optiske bølgesignal, der rammer spejlet eller
Silicon (Si);
Flere optisk reflekterende elementer, som kan justeres individuelt og dynamisk ved hjælp af momenter eller kræfter, så der kompenseres for forvrængninger i det optiske bølgesignal, der rammer spejlet.
b.
'Deformerbare spejle' benævnes tillige spejle med adaptiv optik.
Germanium (Ge);
Lette monolitiske spejle med middel "ækvivalent massefylde" på mindre end 30 kg/m2 og totalvægt på mere end 10 kg
c.
6A004.a.2. lægger ikke eksportkontrol på spejle, der er specialudformet til styring af solstråling til jordbaserede heliostatinstallationer.
Silicon carbide (SiC); or
Lette "kompositte" eller skumspejlkonstruktioner med middel "ækvivalent massefylde" på mindre end 30 kg/m2 og totalvægt på mere end 2 kg
d.
6A004.a.3. lægger ikke eksportkontrol på spejle, der er specialudformet til styring af solstråling til jordbaserede heliostatinstallationer.
"III/V compounds" of gallium or indium.
Spejle, som er specielt konstrueret til borde til strålestyringsspejle som specificeret i 6A004.d.2.a., med en planhed på λ/10 eller bedre (λ = 633 nm) og med en af følgende:
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
a. Diameter eller storakselængde på 100 mm eller derover eller
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
b. Med samtlige følgende:
a.
Diameter eller storakselængde på over 50 mm, men under 100 mm og
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
En tærskel for laserinduceret skade på et af følgende niveauer:
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 193 nm but equal to or greater than 15 nm;
a. Over 10 kW/ cm2 ved brug af "CW-laser" eller
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
b. Over 20 J/cm2 ved brug af "laser"impulser på 20 ns med gentagelseshastighed på 20 Hz
b.
b. Optiske komponenter fremstillet af zinkselenid (ZnSe) eller zinksulfid (ZnS) med transmission i bølgelængdeområdet på mere end 3000 nm, men ikke over 25000 nm og en eller flere af følgende egenskaber:
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Over 100 cm3 volumen eller
d.
Over 80 mm i diameter eller storakse og 20 mm tykkelse (dybde)
All resists optimised for surface imaging technologies;
"Rumkvalificerede" komponenter til optiske systemer som følger:
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Komponenter, der er gjort lette til mindre end 20 % "ækvivalent massefylde" sammenlignet med en massiv blanket med samme blænde og tykkelse
Organo-inorganic compounds as follows:
Ubehandlede substrater, substrater med overfladebelægninger (enkeltlag eller multilag, metalliske eller dielektriske, ledende, halvledende eller isolerende) eller med beskyttelsesfilm
a.
Segmenter eller samlinger af spejle konstrueret til samling i rummet til et optisk system med en samlet blænde svarende til eller større end en enkelt linse af 1 meter i diameter
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Komponenter, der er fremstillet af "kompositte" materialer med lineær termisk udvidelseskoefficient lig med eller mindre end 5 × 10–6 i en hvilken som helst koordinatretning
b.
d. Optisk kontroludstyr som følger:
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Udstyr, der er specielt konstrueret til at holde overfladeværdi eller orientering af "rumkvalificerede" komponenter, som er specificeret i 6A004.c.1 eller 6A004.c.3
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Styrings-, sporings-, stabiliserings- og resonatorindstillingsudstyr som følger:
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
a. Borde til strålestyringsspejle konstrueret til at bære spejle med en diameter eller storakselængde på over 50 mm og med alle følgende egenskaber og specielt konstrueret elektronisk kontroludstyr hertil:
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Maksimal vinkelbevægelse på ±26 mrad eller derover
High resistivity materials as follows:
Mekanisk resonansfrekvens på 500 Hz eller derover og
a.
Vinkel"præcision" på 10 mikroradianer eller derunder (bedre)
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C;
b. Resonatorindstillingsudstyr med båndbredder på 100 Hz eller derover og "præcision" på 10 mikroradianer eller derunder (bedre)
b.
Kardanophæng med samtlige følgende egenskaber:
Polycrystalline "substrates" or polycrystalline ceramic "substrates", having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C and having at least one non-epitaxial single-crystal layer of silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN), or aluminium gallium nitride (AlGaN) on the surface of the "substrate".
a. Maksimal drejning på mere end 5o
Materials, not specified in 3C001, consisting of a "substrate" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
b. Båndbredde på mindst 100 Hz
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
c. Vinkelsigtefejl på højst 200 mikroradianer og
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
d. En eller flere af følgende:
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Mere end 0,15 m men ikke over 1 m i diameter eller storakselængde og i stand til vinkelaccelerationer på mere end 2 radianer/s2 eller
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Mere end 1 m i diameter eller storakselængde og i stand til vinkelaccelerationer på mere end 0,5 radian/s2
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
e.
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
'Asfæriske optiske elementer', der har samtlige følgende egenskaber:
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
Største optiske blændedimension større end 400 mm
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
Overfladeujævnhed på mindre end 1 nm (rms) for samplinglængder, der er lig med eller større end 1 mm og
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Den lineære termiske udvidelseskoefficients absolutte størrelse mindre end 3 × 10-6/K ved 25 °C.
3E001 does not control "technology" for equipment or components specified in 3A003.
Et 'asfærisk optisk element' er et hvilket som helst element, der anvendes i et optisk system, hvis billeddannelsesoverflade eller -overflader er konstrueret til at afvige fra den ideelle sfæres form.
3E001 does not control "technology" for integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Producenter skal ikke måle overfladeujævnheden som nævnt i 6A004.e.2., medmindre det optiske element er konstrueret eller fremstillet med sigte på at overholde eller overstige kontrolparameteren.
Using "technology" at or above 0,130 μm; and