natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Afslideligt Al-Si-Polyester
SEE ALSO 2B105.
Aluminiumlegeringer (6)
A process modified for one of the following:
E. Slurrybelægning
a.
Smeltede silicider
Pulsating CVD;
Smeltede aluminider undtagen til modstandsvarmeelementer
b.
F. Sputterbelægning
Controlled nucleation thermal deposition (CNTD); or
Aluminider modificeret med ædle metaller (3)
c.
Platin
Plasma enhanced or plasma assisted CVD; and
Keramiske materialer og glasarter med lav udvidelseskoefficient (14)
a.
Dielektriske lag (15)
Incorporating high vacuum (equal to or less than 0,01 Pa) rotating seals; or
G. Ionimplantering
b.
Lejestål til høje temperaturer
Incorporating in situ coating thickness control;
Cementeret wolframcarbid (16)
Ion implantation production equipment having beam currents of 5 mA or more;
SKEMA - UDFÆLDNINGSTEKNIK - NOTER
c.
'Belægningsprocessen' omfatter reparation og fornyelse af belægningen såvel som oprindelig belægning.
Electron beam physical vapour deposition (EB-PVD) production equipment incorporating power systems rated for over 80 kW and having any of the following:
Udtrykket 'legeret aluminidbelægning' omfatter éttrins- eller flertrinsbelægninger, i hvilke et eller flere grundstoffer pålægges før eller under påføring af aluminidbelægningen, selv om disse grundstoffer pålægges ved en anden belægningsproces.
A liquid pool level "laser" control system which regulates precisely the ingots feed rate; or
Det omfatter imidlertid ikke gentagen anvendelse af éttrinspakcementeringsprocesser for at opnå legerede aluminider.
A computer controlled rate monitor operating on the principle of photo-luminescence of the ionised atoms in the evaporant stream to control the deposition rate of a coating containing two or more elements;
Udtrykket belægning med 'aluminid modificeret med ædle metaller' omfatter flertrinsbelægninger, ved hvilke det eller de ædle metaller pålægges ved en anden belægningsproces før pålægningen af aluminidbelægningen.
d.
Udtrykket 'blandinger heraf' omfatter infiltreret materiale, graderede sammensætninger, samudfældninger og flerlagsudfældninger fremstillet ved en eller flere af de i dette skema specificerede processer.
Plasma spraying production equipment having any of the following:
'MCrAlX' refererer til en belægningslegering, hvor M er cobalt, jern, nikkel eller sammensætninger heraf, og X er hafnium, yttrium, silicium, tantal i enhver mængde eller andre tilsigtede tilsætninger over 0,01 vægtprocent i forskellige forhold og kombinationer undtagen:
Operating at reduced pressure controlled atmosphere (equal to or less than 10 kPa measured above and within 300 mm of the gun nozzle exit) in a vacuum chamber capable of evacuation down to 0,01 Pa prior to the spraying process; or
a. CoCrAlY-belægninger, som indeholder mindre end 22 vægtprocent chrom, mindre end 7 vægtprocent aluminium, og mindre end 2 vægtprocent yttrium
Incorporating in situ coating thickness control;
b. CoCrAlY-belægninger, som indeholder 22-24 vægtprocent chrom, 10-12 vægtprocent aluminium, og 0,5-0,7 vægtprocent yttrium eller
e.
c. NiCrAlY-belægninger, som indeholder 21-23 vægtprocent chrom, 10-12 vægtprocent aluminium, og 0,9-1,1 vægtprocent yttrium
Sputter deposition production equipment capable of current densities of 0,1 mA/mm2 or higher at a deposition rate of 15 μm/h or more;
'Aluminiumslegeringer' er legeringer, der har en trækbrudstyrke på mindst 190 MPa målt ved 293 K (20 °C).
f.
'Korrosionsbestandigt stål' er stål iflg. AISI (American Iron and Steel Institute) 300 rækken eller tilsvarende nationale standarder.
Cathodic arc deposition production equipment incorporating a grid of electromagnets for steering control of the arc spot on the cathode;
'Tungtsmeltelige metaller og legeringer' omfatter følgende metaller og deres legeringer: niobium (columbium), molybdæn, wolfram og tantal.
g.
'Materialer til sensorvinduer' som følger: aluminiumoxid, silicium, germanium, zinksulphid, zinkselenid, galliumarsenid, diamant, galliumfosfid, safir og følgende metalhalider: sensorvinduesmaterialer med en større diameter end 40 mm for zirconiumfluorid og hafniumfluorid.
Ion plating production equipment capable of the in situ measurement of any of the following:
Kategori 2 omfatter ikke "teknologi" til éttrinspakcementering af faste planprofiler.
Coating thickness on the substrate and rate control; or
'Polymerer' som følger: polyimid, polyester, polysulfid, polycarbonater og polyurethaner.
Optical characteristics.
'Modificerede zirconiumoxider' er tilsætning af andre metaloxider, f.eks. calcium-, magnesium-, yttrium- og hafnium-oxider, oxider af sjældne jordarter, osv. til zirconiumoxider for at stabilisere visse krystallografiske faser og fasesammensætninger.
2B005 does not control chemical vapour deposition, cathodic arc, sputter deposition, ion plating or ion implantation equipment, specially designed for cutting or machining tools.
Termiske spærrebelægninger fremstillet af zirconiumoxid modificeret med calcium- eller magnesiumoxider ved blanding eller fusion pålægges ikke eksportkontrol.
Dimensional inspection or measuring systems, equipment and "electronic assemblies", as follows:
'Titanlegeringer' er udelukkende rumfartslegeringer med en trækbrudstyrke på mindst 900 MPa målt ved 293 K (20 °C).
a.
'Glasarter med lav udvidelseskoefficient' refererer til glasarter, som har en termisk udvidelseskoefficient på højst 1 × 10–7 K–1 målt ved 293 K (20 °C).
Computer controlled or "numerically controlled" Coordinate Measuring Machines (CMM), having a three dimensional (volumetric) maximum permissible error of length measurement (E0,MPE) at any point within the operating range of the machine (i.e., within the length of axes) equal to or less (better) than (1,7 + L/1 000) μm (L is the measured length in mm), according to ISO 10360-2 (2009);
'Dielektriske lag' er belægninger, der er konstrueret af flere lag af isolerende materialer, i hvilket interferensegenskaberne ved en konstruktion, der er sammensat af materialer med forskelligt refraktivt indeks, bruges til at reflektere, transmittere eller absorbere forskellige bølgelængdebånd.
The E0,MPE of the most accurate configuration of the CMM specified by the manufacturer (e.g., best of the following: probe, stylus length, motion parameters, environment) and with "all compensations available" shall be compared to the 1,7 + L/1 000 μm threshold.
Dielektriske lag refererer til mere end fire dielektriske lag eller "kompositte" lag af dielektrikametal.
SEE ALSO 2B206.
'Cementeret wolframcarbid' omfatter ikke skære- og formværktøjsmaterialer bestående af wolframcarbid/(cobalt, nikkel), titancarbid/(cobalt, nikkel), chromcarbid/nikkel-chrom og chrom carbid/nikkel.
b.
"Teknologi" til udfældning af diamantlignende carbon på følgende pålægges ikke eksportkontrol:
Linear and angular displacement measuring instruments, as follows:
magnetpladedrev og magnethoveder, udstyr til fremstilling af engangsemballager, ventiler til haner, højttalermembraner, motordele til motorkøretøjer, skære-, lokke- og presseværktøj, kontorautomationsudstyr, mikrofoner eller medicinsk udstyr eller forme til støbning af plast, fremstillet af legeringer indeholdende mindre end 5 % beryllium.
'Linear displacement' measuring instruments having any of the following:
'Siliciumcarbid' omfatter ikke materialer til fremstilling af skære- og formværktøj.
Interferometer and optical-encoder displacement measuring systems containing a "laser" are only controlled in 2B006.b.1.c. and 2B206.c.
Keramiske substrater som omhandlet under dette punkt omfatter ikke keramiske materialer med et indhold af ler eller cement på 5 vægtprocent eller derover enten som separate bestanddele eller i kombination.
For the purpose of 2B006.b.1.
SKEMA - UDFÆLDNINGSTEKNIK - TEKNISK NOTE
'linear displacement' means the change of distance between the measuring probe and the measured object.
Processer der er specificeret i kolonne 1 i skemaet, defineres som følger:
a.
a. Kemisk dampudfældning (CVD) er en overfladebelægnings- eller overflademodificeringsproces, hvorved et metal, en legering, "komposit", dielektrikum eller keramisk materiale udfældes på et opvarmet substrat.
Non-contact type measuring systems with a "resolution" equal to or less (better) than 0,2 μm within a measuring range up to 0,2 mm;
Gasformige reaktanter spaltes eller indgår forbindelse i nærheden af substratet, således af der sker en udfældning af det ønskede grundstof, legering eller forbindelse på substratet.
b.
Energien til denne spaltnings- eller kemiske reaktionsproces kan bringes til veje ved substratets varme, en glødeudladningsplasma, eller ved "laser"stråling.
Linear Variable Differential Transformer (LVDT) systems having all of the following:
CVD omfatter følgende processer: Udfældning ved en ledet gasstrøm uden pakning, pulserende CVD, styret nuklear termisk udfældning (CNTD), plasmaforstærkede eller plasmaassisterede CVD processer.
a.
NB 2:
"Linearity" equal to or less (better) than 0,1 % measured from 0 to the 'full operating range', for LVDTs with a 'full operating range' up to and including ± 5 mm; or
Pakket betyder, at et substrat er nedlagt i en pulverblanding.
b.
NB 3
"Linearity" equal to or less (better) than 0,1 % measured from 0 to 5 mm for LVDTs with a 'full operating range' greater than ± 5 mm; and
De gasformige reaktanter, der anvendes i en ikkepakket proces, frembringes ved brug af de samme grundreaktioner og parametre som i pakkecementeringsprocessen, med undtagelse af at det substrat, der skal belægges, ikke er i kontakt med pulverblandingen.
Drift equal to or less (better) than 0,1 % per day at a standard ambient test room temperature ±1 K;
b. Termisk fordampning-fysisk dampudfældning (TE-PVD) er en overlaybelægningsproces, der foregår i et vakuum med et tryk på mindre end 0,1 Pa, i hvilket der bruges en termisk energikilde til at fordampe belægningsmaterialet.
For the purposes of 2B006.b.1.b., 'full operating range' is half of the total possible linear displacement of the LVDT.
Denne proces resulterer i kondensering eller deponering af det fordampede materiale på passende anbragte substrater.
For example, LVDTs with a 'full operating range' up to and including ± 5 mm can measure a total possible linear displacement of 10 mm.
Tilførsel af gasser til vakuumkammeret under belægningsprocessen til syntetisering af sammensatte belægninger er en normal modificering af processen.
c.
Brugen af ion- eller elektronstråler eller plasma for at aktivere eller assistere belægningens deponering er også en almindelig modifikation i denne teknik.
Measuring systems having all of the following:
Brugen af monitorer til opnåelse af måling af optiske egenskaber og tykkelse under processen kan være en del af disse processer.
Containing a "laser";
Specifikke TE-PVD processer er følgende:
A "resolution" over their full scale of 0,200 nm or less (better); and
Elektronstråle PVD bruger en elektronstråle til opvarmning og fordampning af det materiale, der danner belægningen.
Capable of achieving a "measurement uncertainty" equal to or less (better) than (1,6 + L/2 000) nm (L is the measured length in mm) at any point within a measuring range, when compensated for the refractive index of air and measured over a period of 30 seconds at a temperature of 20 ± 0,01 °C; or
PVD med ionstøttet modstandsopvarmning bruger elektriske resistive varmekilder i kombination med aktiverende ionstråler, så der frembringes en styret og ensartet strøm af fordampede belægningsmaterialer.
d.
"Laser" fordampning bruger enten pulserende eller kontinuert-bølge "laser"-stråler til fordampning af det materiale, der danner belægningen.
"Electronic assemblies" specially designed to provide feedback capability in systems specified in 2B006.b.1.c.;
Katodebuebelægning bruger en smelteelektrode af det materiale, der danner belægningen, og som etablerer en lysbue på overfladen ved en kortvarig kontakt til jord ved en igangsætter.
2B006.b.1. does not control measuring interferometer systems, with an automatic control system that is designed to use no feedback techniques, containing a "laser" to measure slide movement errors of machine-tools, dimensional inspection machines or similar equipment.
Styret bevægelse af buen eroderer katodeoverfladen og skaber en højioniseret plasma.
Angular displacement measuring instruments having an angular position "accuracy" equal to or less (better) than 0,00025o;
Anoden kan enten være en kegle, der er fastgjort til katodens omkreds ved hjælp af en isolator, eller kammeret.
2B006.b.2. does not control optical instruments, such as autocollimators, using collimated light (e.g., "laser" light) to detect angular displacement of a mirror.
"Biasing" af substrater bruges ved belægning uden for sigtelinje.
c.
Denne definition omfatter ikke tilfældig katodelysbuebelægning med substrater, der ikke er "biased".
Equipment for measuring surface roughness (including surface defects), by measuring optical scatter with a sensitivity of 0,5 nm or less (better).
Ionplettering er en speciel modificering af en generel TE-PVD-proces, hvorved en plasma- eller ionkilde bruges til at ionisere de materialer, der skal danne belægningen, og substratet gives negativ "bias" for at lette udtrækningen fra plasmaen af det materiale, der skal pålægges.
2B006 includes machine tools, other than those specified by 2B001, that can be used as measuring machines if they meet or exceed the criteria specified for the measuring machine function.
Indføringen af reaktive materialer, fordampning af faststoffer i proceskammeret, og brugen af monitorer til opnåelse af måling af belægningers optiske egenskaber og tykkelser under processen er normale modifikationer af processen.
"Robots" having any of the following characteristics and specially designed controllers and "end-effectors" therefor:
c. Pakcementering er en overflademodifikationsbelægning eller overlaybelægningsproces, hvor substratet nedlægges i en pulverblanding (en pakning), som består af:
SEE ALSO 2B207.
De metalliske pulvere, der skal danne belægningen (normalt aluminium, chrom, silicium eller kombinationer af disse)
a.
En aktivator (normalt et halidsalt) og
Capable in real time of full three-dimensional image processing or full three-dimensional 'scene analysis' to generate or modify "programs" or to generate or modify numerical program data;
Et inaktivt pulver, hyppigst aluminiumoxid.
The 'scene analysis' limitation does not include approximation of the third dimension by viewing at a given angle, or limited grey scale interpretation for the perception of depth or texture for the approved tasks (2 1/2 D).
Substratet og pulverblandingen indeholdes i en retort, som opvarmes til mellem 1030 K 757 °C) og 1375 K (1102 °C) i tilstrækkelig lang tid til udfældning af belægningen.
b.
d. Plasmasprøjtning er en overlaybelægningsproces, hvor en pistol (sprøjtebrænder), som frembringer og styrer en plasma, modtager pulver- eller trådbelægningsmaterialer, smelter dem og slynger dem mod et substrat, hvor der dannes en integreret, bonded belægning.
Specially designed to comply with national safety standards applicable to potentially explosive munitions environments;
Plasmasprøjtning kan være enten lavtryksplasmasprøjtning eller højhastighedsplasmasprøjtning.
2B007.b. does not control "robots" specially designed for paint-spraying booths.
Høj hastighed refererer til, at gassens udgangshastighed ved dysens munding overstiger 750 m/s udregnet ved 293 K (20 °C) ved 0,1 MPa.
Specially designed or rated as radiation-hardened to withstand a total radiation dose greater than 5 × 103 Gy (silicon) without operational degradation; or
e. Slurrybelægning er en overflademodifikationsbelægnings- eller overlaybelægningsproces, hvor et metallisk eller keramisk pulver med et organisk bindemiddel opslemmes i en væske og påføres et substrat enten ved sprøjtning, dypning eller maling, hvorefter det luft- eller ovntørres, og varmebehandles for at opnå den ønskede belægning.
The term Gy(silicon) refers to the energy in Joules per kilogram absorbed by an unshielded silicon sample when exposed to ionising radiation.
Når ionerne rammer overfladen, er den kinetiske energi tilstrækkelig til at frigøre overfladeatomer på målet og aflejre dem på det passende anbragte substrat.
Specially designed to operate at altitudes exceeding 30000 m.
Skemaet refererer kun til triode-, magnetron- eller reaktiv sputterbelægning, som bruges til at forbedre belægningens vedhængskraft og belægningsprocessens hastighed, og til radiofrekvens-(RF)forbedret sputterbelægning, der bruges til at frembringe fordampning af umetalliske belægningsmaterialer.
Assemblies or units, specially designed for machine tools, or dimensional inspection or measuring systems and equipment, as follows:
Lavenergiionstråler (mindre end 5 keV) kan anvendes til at aktivere belægningsprocessen.
a.
g. Ionimplantering er en overflademodifikationsbelægningsproces, hvor det grundstof, der skal legeres, bliver ioniseret, accelereret gennem en spændingsgradient og implanteret i substratets overfladeområde.
Linear position feedback units having an overall "accuracy" less (better) than (800 + (600 × L/1 000)) nm (L equals the effective length in mm);
Dette omfatter processer, hvor ionimplanteringen sker samtidig med fysisk dampudfældning med elektronstråle eller sputterbelægning.
For "laser" systems see also 2B006.b.1.c., 2B006.b.1.d. and 2B206.c.
KATEGORI 3 - ELEKTRONIK
b.
Eksportkontrolstatus for udstyr og komponenter beskrevet i 3A001 eller 3A002, bortset fra det i 3A001.a.3-10 og 3A001.a.12 eller 3A001.a.14 beskrevne, som er specielt udviklet eller som har samme funktionelle egenskaber som andet udstyr, afgøres ved dette andet udstyrs eksportkontrolstatus.
Rotary position feedback units having an "accuracy" less (better) than 0,00025o;
Eksportkontrolstatus for udstyr for integrerede kredsløb beskrevet i 3A001.a.3-9 og 3A001.a.12 eller 3A001.a.14, som er uforanderligt programmeret eller udviklet til en bestemt funktion i andet udstyr, bestemmes af dette andet udstyrs eksportkontrolstatus.
For "laser" systems see also Note to 2B006.b.2.
Hvis producenten eller ansøgeren ikke kan afgøre det andet udstyrs eksportkontrolstatus, bestemmes eksportkontrolstatus for de integrerede kredsløb i 3A001.a.3-9, 3A001.a.12 og 3A001.a.14.
2B008.a. and 2B008.b. control units, which are designed to determine the positioning information for feedback control, such as inductive type devices, graduated scales, infrared systems or "laser" systems.
Elektronisk udstyr som følger:
c.
a. Integrerede kredsløb til generelle formål som følger:
"Compound rotary tables" and "tilting spindles", capable of upgrading, according to the manufacturer's specifications, machine tools to or above the levels specified in 2B.
Eksportkontrolstatus for wafere (færdigforarbejdede eller uforarbejdede), i hvilke funktionen er fastlagt, skal bedømmes efter parametrene i 3A001.a.
Spin-forming machines and flow-forming machines, which, according to the manufacturer's technical specification, can be equipped with "numerical control" units or a computer control and having all of the following:
Integrerede kredsløb omfatter følgende typer:
SEE ALSO 2B109 AND 2B209.
"Monolitisk integrerede kredsløb"
a.
"Hybride integrerede kredsløb"
Three or more axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control"; and
"Multichip integrerede kredsløb"
b.
"Film-type integrerede kredsløb", inklusive silicium-på-safir integrerede kredsløb
A roller force more than 60 kN.
"Optiske integrerede kredsløb"
For the purpose of 2B009, machines combining the function of spin-forming and flow-forming are regarded as flow-forming machines.
"Tredimensionale integrerede kredsløb"
"Isostatic presses", other than those specified in 2B004, having all of the following:
"Monolitisk integrerede mikrobølgekredsløb (MMIC)"
SEE ALSO 2B204.
Integrerede kredsløb udviklet eller normeret som strålingsbeskyttede, således at de kan modstå en af følgende:
a.
a. En total dosis på mindst 5 × 103 Gy (silicium)
Maximum working pressure of 69 MPa or greater;
b. En dosisændring på mindst 5 × 106 Gy (silicium) eller
b.
c. En neutronfluens (integreret flux) (1 MeV-ækvivalent) på 5 × 1013 n/cm2 eller højere for silicium eller tilsvarende for andre materialer
Designed to achieve and maintain a controlled thermal environment of 873 K (600 °C) or greater; and
3A001.a.1.c. lægger ikke eksportkontrol på metalisolatorhalvledere (MIS).
c.
"Mikroprocessormikrokredsløb", "mikrocomputermikrokredsløb", mikrocontrollermikrokredsløb, integrerede hukommelseskredsløb fremstillet af en sammensat halvleder, integrerede kredsløb til analog-til-digital konvertering, integrerede kredsløb, der indeholder analog-digitale konvertere og lagrer eller behandler de digitaliserede data, integrerede kredsløb til digital-til-analog konvertering, elektrooptiske eller "optisk integrerede kredsløb" til "signalbehandling", logiske anordninger, der er programmerbare på stedet, kundespecificerede integrerede kredsløb, for hvilke enten funktionen er ukendt, eller eksportkontrolstatus for det udstyr, i hvilket de integrerede kredsløb skal anvendes, ukendt, processorer til Fast Fourier-Transformation (FFT), elektrisk sletbare programmerbare read-only-hukommelser (EEPROM), flashhukommelser eller statiske random-access-hukommelser (SRAM) eller magnetiske random-access-hukommelser (MRAM) med en eller flere af følgende egenskaber:
Possessing a chamber cavity with an inside diameter of 254 mm or greater.
a. Normeret til drift ved en omgivelsestemperatur over 398 K (125 °C)
Chemical vapour deposition (CVD) furnaces, other than those specified in 2B005.a., designed or modified for the densification of carbon-carbon composites.
b. Normeret til drift ved en omgivelsestemperatur over 218 K (– 55 °C) eller
Flow-forming machines, other than those specified in 2B009, and specially designed components as follows:
c. Normeret til drift ved alle omgivelsestemperaturer mellem 218 K (– 55 °C) og 398 K (125 °C)
SEE ALSO 2B209.
3A001.a.2 lægger ikke eksportkontrol på integrerede kredsløb til anvendelse i civile motorkøretøjer eller jernbanemateriel.
a.
"Mikroprocessormikrokredsløb", "mikrocomputermikrokredsløb" og mikrocontrollermikrokredsløb fremstillet af en sammensat halvleder og med en taktfrekvens på mere end 40 MHz.
Flow-forming machines having all of the following:
3A001.a.3. omfatter digitale signalprocessorer, digitale arrayprocessorer og digitale co-processorer.
According to the manufacturer's technical specification, can be equipped with "numerical control" units or a computer control, even when not equipped with such units; and
Integrerede kredsløb til analog-til-digital konvertering (ADC) og digital-til-analog konvertering (DAC) som følger:
With more than two axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control".
JF.
Specially designed components for flow-forming machines specified in 2B009 or 2B109.a.
LIGELEDES 3A101.
2B109 does not control machines that are not usable in the production of propulsion components and equipment (e.g. motor cases and interstages) for systems specified in 9A005, 9A007.a. or 9A105.a.
Opløsning på mindst 8 bit, men mindre end 10 bit, med en uddatahastighed på over 3 gigaaftastninger pr. sekund (GSPS)
Machines combining the function of spin-forming and flow-forming are for the purpose of 2B109 regarded as flow-forming machines.
Opløsning på mindst 10 bit, men mindre end 12 bit, med en uddatahastighed på over 600 megaaftastninger pr. sekund (MSPS)
Vibration test systems, equipment and components therefor, as follows:
Opløsning på mindst 12 bit, men mindre end 14 bit, med en uddatahastighed på over 400 megaaftastninger pr. sekund (MSPS)
a.
Opløsning på mindst 14 bit, men mindre end 16 bit, med en uddatahastighed på over 250 megaaftastninger pr. sekund (MSPS) eller
Vibration test systems employing feedback or closed loop techniques and incorporating a digital controller, capable of vibrating a system at an acceleration equal to or greater than 10 g rms between 20 Hz and 2 kHz while imparting forces equal to or greater than 50 kN, measured 'bare table';
Opløsning på mindst 16 bit med en uddatahastighed på over 65 megaaftastninger pr. sekund (MSPS)
b.