natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Specielt konstrueret eller modificeret for at opnå 'ladningsmultiplicering' og med en maksimal "strålingsfølsomhed" på over 10 mA/W for bølgelængder over 760 nm og
Detonator firing sets (initiator systems, firesets), including electronically-charged, explosively-driven and optically-driven firing sets, other than those specified in 1A007.a., designed to drive multiple controlled detonators specified in 1A007.b.;
Flere end 32 elementer.
b.
"Monospektrale og multispektrale billedsensorer", der er konstrueret til fjernfølingsformål, med en eller flere af følgende egenskaber:
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
Instantaneous-Field-Of-View (IFOV) på mindre end 200 mikroradianer eller
Capable of delivering their energy in less than 15 μs into loads of less than 40 ohms;
Specificeret til drift i bølgelængdeområdet på mere end 400 nm, dog højst 30000 nm, og med samtlige følgende egenskaber:
Having an output greater than 100 A;
a. Udgangsbilleddata i digitalt format og
No dimension greater than 30 cm;
"Rumkvalificeret"eller
Weight less than 30 kg; and
Konstrueret til brug i luftfartøjer, udstyret med andet end siliciumdetektorer og med et IFOV på mindre end 2,5 milliradianer
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
6A002.b.1. lægger ikke eksportkontrol på "monospektrale billedsensorer" med en spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 300 nm, dog højst 900 nm, som kun har en eller flere af følgende ikke "rumkvalificerede" detektorer eller ikke "rumkvalificerede""billedplansystemer":
3A229.b. includes xenon flash-lamp drivers.
Ladningskoblede enheder (CCD), som ikke er konstrueret eller modificeret til at opnå 'ladningsmultiplicering' eller
c.
Supplerende MOS-anordninger (Metal Oxide Semiconductor) (CMOS), som ikke er konstrueret eller modificeret til at opnå 'ladningsmultiplicering'.
Micro-firing units having all of the following characteristics:
c. Billedudstyr til 'direkte betragtning' med en eller flere af følgende egenskaber:
No dimension greater than 35 mm;
Billedforstærkerrør som er specificeret i 6A002.a.2.a; eller 6A002.a.2.b.
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
"Billedplansystemer" som er specificeret i 6A002.a.3 eller
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
Faststofdetektorer, jf. 6A002.a.1.
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
'Direkte betragtning' henviser til udstyr, der giver et visuelt billede for en menneskelig observatør uden at omdanne billedet til et elektronisk signal til visning på fjernsyn, og som ikke kan optage eller lagre billedet fotografisk, elektronisk eller på nogen anden måde.
a.
6A002.c. lægger ikke eksportkontrol på følgende udstyr, når det omfatter andet end GaAs eller GaInAs fotokatoder:
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
Industrielle eller civile adgangsalarmer, trafik eller industriovervågnings- eller tællesystemer
b.
Medicinsk udstyr
'Pulse transition time' less than 500 ps.
Industrielt udstyr til brug ved inspektion, sortering eller analyse af materialeegenskaber
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Flammedetektorer til industriovne
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
Udstyr specielt konstrueret til laboratoriebrug.
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
d. Specielle hjælpekomponenter til optiske sensorer som følger:
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
"Rumkvalificerede" kryokølere
a.
Ikke "rumkvalificerede" kryokølere med kølekildetemperatur lavere end 218 K (– 55 °C) som følger:
Designed for operation without an external vacuum system; and
a. Lukkede kredsløb med en specificeret Mean-Time-To-Failure (MTTF), eller Mean-Time-Between-Failures (MTBF), på mere end 2500 timer
b.
b. Joule-Thomson (JT) selvregulerende minikølere med en (udvendig) diameter på mindre end 8 mm
Utilizing any of the following:
Optiske følefibre, der er specielt fremstillede enten ved deres sammensætning eller struktur, eller modificeret med belægning til at være akustisk, termisk, inertimæssigt, elektromagnetisk eller nukleart strålefølsomme
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
6A002.d.3. lægger ikke eksportkontrol på indkapslede optiske følefibre, der er specielt konstrueret til følingsformål i forbindelse med borehuller.
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
e. Ikke anvendt.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
Kameraer, systemer eller udstyr samt komponenter hertil, som følger:
See 1A007.b. for detonators.
LIGELEDES 6A203.
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over an area greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
a. Instrumenteringskameraer og specielt konstruerede komponenter hertil, som følger:
3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Instrumenteringskameraer, der er specificeret i 6A003.a.3.-6A003a.5. med modulær opbygning bør vurderes efter deres maksimale ydeevne ved anvendelse af plugins, der er til rådighed i henhold til kameraproducentens specifikationer.
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Highspeedfilmkameraer med et filmformat fra 8 mm til 16 mm inklusive, i hvilke filmen bliver fremført kontinuerligt under hele optageperioden, og som kan optage ved billedhastigheder på mere end 13150 billeder i sekundet
a.
6A003.a.1. lægger ikke eksportkontrol på filmkameraer til civile formål.
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
Mekaniske highspeedkameraer, i hvilke filmen ikke bevæges, og som kan optage ved hastigheder på mere end 1000000 billeder i sekundet på hele billedhøjden af 35 mm film, eller ved proportionalt højere hastigheder på mindre billedhøjder, eller ved proportionalt lavere hastigheder på større billedhøjder
b.
Mekaniske eller elektroniske streakkameraer, som følger:
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
a. Mekaniske streakkameraer med skrivehastighed på mere end 10 mm pr. μs
c.
b. Elektroniske streakkameraer med tidsopløsning bedre end 50 ns
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
Elektroniske billedkameraer med en hastighed på mere end 1000000 billeder i sekundet
d.
Elektroniske kameraer med samtlige følgende egenskaber:
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
a. Elektronisk lukkerhastighed (gatingfunktion) på mindre end 1 mikrosekund pr. hele billede og
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
b. Udlæsningstid, der tillader en billedhastighed på mere end 125 hele billeder i sekundet.
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
Plugins med samtlige følgende egenskaber:
e.
a. Specielt konstrueret til instrumenteringskameraer med modulær opbygning, der er specificeret i 6A003.a og
Not used;
b. Sætter disse kameraer i stand til at opfylde de egenskaber, der er specificeret i 6A003.a.3., 6A003.a.4. eller 6A003.a.5., i henhold til producentens specifikationer
f.
b. Billedkameraer som følger:
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
6A003.b lægger ikke eksportkontrol på fjernsyns- eller videokameraer, der er specielt konstruerede til fjernsynsudsendelser.
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
Videokameraer, der omfatter faststofsensorer med spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 10 nm, dog højst 30000 nm og med samtlige følgende egenskaber:
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
a. En eller flere af følgende:
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
Mere end 4 × 106 "aktive pixler" pr. faststofsystem for monokrome (sort-hvide) kameraer
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
Mere end 4 × 106 "aktive pixler" pr. faststofsystem for farvekameraer med tre faststofsystemer eller
a.
Mere end 12 × 106 "aktive pixler" pr. faststofsystem for farvekameraer med et faststofsystem og
Voltage rating greater than 2 kV; and
Optiske spejle, der er specificeret i 6A004.a
b Inductance of less than 20 nH.
Optisk kontroludstyr, der er specificeret i 6A004.d eller
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Kan annotere internt frembragte 'kamerasporingsdata'
SEE ALSO 2B226
I dette punkt bør digitale videokameraer vurderes ud fra det maksimale antal "aktive pixler", der bruges til at fastholde bevægelige billeder.
a.
I dette punkt forstås ved 'kamerasporingsdata' de oplysninger, der er nødvendige for at kunne fastslå kameraets sigteretning i forhold til jorden.
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
Dette omfatter: 1) kameraets horisontale vinkel i sigteretningen i forhold til retningen af jordens magnetfelt og 2) kameraets vertikale vinkel i sigteretningen i forhold til jordens horisont.
Equipment designed or modified to produce a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Skanningkameraer og skanningkamerasystemer med samtlige følgende egenskaber:
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
a. Spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 10 nm, men ikke over 30000 nm
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
b. Lineære detektorsystemer med mere end 8192 elementer pr. system og
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
c. Mekanisk skanning i én retning
b.
6A003.b.2. lægger ikke eksportkontrol på skanningkameraer og skanningkamerasystemer, der er specielt konstrueret til et eller flere af følgende:
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Industrielle eller civile fotokopieringsmaskiner
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
Billedskannere, der er specielt konstrueret til civile, stationære applikationer til skanning på kort afstand (f.eks. gengivelse af billeder eller tekst i dokumenter, billedmateriale eller fotografier) eller
Direct write capability;
Medicinsk udstyr.
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
Billedkameraer med billedforstærkerør, der er specificeret i 6A002.a.2.a. eller 6A002.a.2.b.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
Billedkameraer med "billedplansystemer", som har en eller flere af følgende egenskaber:
e.
a. Omfatter "billedplansystemer", der er specificeret i 6A002.a.3.a-6A002.a.3.e.
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
b. Omfatter "billedplansystemer", der er specificeret i 6A002.a.3.f eller
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
c. Omfatter "billedplansystemer", der er specificeret i 6A002.a.3.g
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
Billedkameraer, der er specificeret i 6A003.b.4, omfatter "billedplansystemer" kombineret med tilstrækkelig "signalbehandlingselektronik", ud over det integrerede udlæsningskredsløb, til at der som et minimum kan opnås et analogt eller digitalt signaloutput, når strømmen tilsluttes.
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
6A003.b.4.a. lægger ikke eksportkontrol på kameraer med lineært "billedplansystem" med 12 elementer eller derunder, der ikke anvender tidsforsinkelse og integration i det enkelte element, og som er konstrueret til: a.
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
Industrielt udstyr til brug ved inspektion eller overvågning af varmestrømme i bygninger, udstyr eller industriprocesser c.
f.
Industrielt udstyr til brug ved inspektion, sortering eller analyse af materialeegenskaber d.
Lithography equipment as follows:
Medicinsk udstyr.
a.
6A003.b.4.b. lægger ikke eksportkontrol på billedkameraer med en eller flere af følgende egenskaber:
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
En maksimal billedhastighed på 9 Hz eller derunder
b.
Et mindste horisontalt eller vertikalt 'instantaneous-field-of-view (IFOV)' på mindst 10 mrad (milliradianer)
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
En linse med fast fokallængde, der ikke er konstrueret til at kunne fjernes
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
Uden display til 'direkte betragtning' og
an exposure light source wavelength in nm
Ikke indrettet til at vise et synligt billede af det detekterede field-of-view eller
K factor
Kameraet er konstrueret til én applikationstype og til ikke at kunne modificeres af brugeren eller
numerical aperture
Kameraet er specielt konstrueret til installation i et civilt passagerkøretøj og har alle følgende egenskaber:
where the K factor = 0,35
Kameraets placering og opsætning i køretøjet har udelukkende til formål at bistå føreren med at manøvrere køretøjet sikkert
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
Det kan kun betjenes, hvis det er installeret et af følgende steder:
3B001.f.2. includes:
Det civile passagerkøretøj, som det er beregnet til; og køretøjet vejer under 4500 kg (køretøjets bruttovægt) eller
Micro contact printing tools
Et specielt konstrueret, godkendt anlæg til afprøvning af vedligeholdelse og
Hot embossing tools
Det omfatter en aktiv mekanisme, der forhindrer kameraet i at fungere, når det fjernes fra det køretøj, det var beregnet til.
Nano-imprint lithography tools
'Horisontal IFOV' = horisontal field-of-view (FOV)/antallet af horisontale detektorelementer.
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
'Vertikal IFOV' = vertikal field-of-view (FOV)/antallet af vertikale detektorelementer.
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
6A003.b.4.c. lægger ikke eksportkontrol på billedkameraer med en eller flere af følgende egenskaber:
a.
Kameraet er specielt konstrueret til installation som en integrerende komponent i netsystemer eller -udstyr, der benyttes indendørs, og i kraft af sin konstruktion begrænset til en enkelt applikation, som følger:
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
Overvågning af industrielle processer, kvalitetskontrol eller analyse af materialers egenskaber
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
Laboratorieudstyr, der er specielt konstrueret til videnskabelig forskning
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
Udstyr til opsporing af finanssvig og
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
System(er) eller udstyr, som det er bestemt til, eller
a.
Et specielt konstrueret, autoriseret vedligeholdelsesanlæg og
A deflected focused electron beam; and
En aktiv mekanisme, der forhindrer kameraet i at fungere, når det fjernes fra det system/de systemer eller det udstyr, det var beregnet til
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
Kameraet er specielt konstrueret til installation i et civilt passagerkøretøj eller passager- og bilfærger og har alle følgende egenskaber:
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
Kameraets placering og opsætning i køretøjet eller færgen har udelukkende til formål at bistå føreren eller operatøren med at manøvrere køretøjet eller færgen sikkert
g.
Det civile passagerkøretøj, som det var beregnet til, og køretøjet vejer under 4500 kg (køretøjets bruttovægt)
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Den passager- og bilfærge, som det er beregnet til; og færgen har en længe overalt på 65 m eller derover eller
h.
Et specielt konstrueret, godkendt anlæg til afprøvning af vedligeholdelse og
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
Det omfatter en aktiv mekanisme, der forhindrer kameraet i at fungere, når det fjernes fra det køretøj, det er beregnet til.
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
Kameraet er konstruktionsmæssigt begrænset til en maksimal "strålingsfølsomhed" på højst 10 mA/W for bølgelængder på over 760 nm med alle følgende egenskaber:
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
En responsbegrænsende mekanisme konstrueret til ikke at fjernes eller modificeres
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
En aktiv mekanisme, der forhindrer kameraet i at fungere, når den responsbegrænsende mekanisme fjernes, og
i.
Ikke er specielt konstrueret eller modificeret til undervandsbrug eller
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
d. Har samtlige følgende: 1.
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
Uden display til 'direkte betragtning' eller elektronisk billeddisplay 2.
a.
Ikke indrettet til at vise et synligt billede af det detekterede synsfelt 3.
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
"Billedplansystemet" fungerer kun, når det er installeret i det kamera, det er beregnet til, og 4.
c.
"Billedplansystemet" omfatter en aktiv mekanisme, der gør det definitivt ubrugeligt, når det fjernes fra det kamera, det er beregnet til
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Billedkameraer indeholdende faststofdetektorer som specificeret i 6A002.a.1.
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Optisk udstyr og komponenter som følger:
a.
a. Optiske spejle (reflektorer) som følger:
Silicon (Si);
I 6A004.a. måles tærsklen for laserinduceret skade (Laser Induced Damage Threshold – LIDT) i overensstemmelse med ISO 21254-1:2011.
b.
For optiske spejle, der er specielt beregnet til litografisk udstyr, se 3B001.
Germanium (Ge);
"Deformerbare spejle" med en aktiv apertur på over 10 mm og en eller flere af følgende egenskaber og specielt konstruerede komponenter hertil
c.
a. Som har samtlige følgende egenskaber:
Silicon carbide (SiC); or
Mekanisk resonansfrekvens på 750 Hz eller derover og
d.
Over 200 aktuatorer eller
"III/V compounds" of gallium or indium.
b. En tærskel for laserinduceret skade på et af følgende niveauer:
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Over 1 kW/ cm2 ved brug af "CW-laser" eller
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Over 2 J/cm2 ved brug af "laser"impulser på 20 ns med gentagelseshastighed på 20 Hz
a.
Lette monolitiske spejle med middel "ækvivalent massefylde" på mindre end 30 kg/m2 og totalvægt på mere end 10 kg
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
6A004.a.2. lægger ikke eksportkontrol på spejle, der er specialudformet til styring af solstråling til jordbaserede heliostatinstallationer.
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
Lette "kompositte" eller skumspejlkonstruktioner med middel "ækvivalent massefylde" på mindre end 30 kg/m2 og totalvægt på mere end 2 kg
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
6A004.a.3. lægger ikke eksportkontrol på spejle, der er specialudformet til styring af solstråling til jordbaserede heliostatinstallationer.
b.
Spejle, som er specielt konstrueret til borde til strålestyringsspejle som specificeret i 6A004.d.2.a., med en planhed på λ/10 eller bedre (λ = 633 nm) og med en af følgende:
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
a. Diameter eller storakselængde på 100 mm eller derover eller
d.
Diameter eller storakselængde på over 50 mm, men under 100 mm og
All resists optimised for surface imaging technologies;
En tærskel for laserinduceret skade på et af følgende niveauer:
e.
a. Over 10 kW/ cm2 ved brug af "CW-laser"eller
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
b. Over 20 J/cm2 ved brug af "laser"impulser på 20 ns med gentagelseshastighed på 20 Hz
Organo-inorganic compounds as follows:
b. Optiske komponenter fremstillet af zinkselenid (ZnSe) eller zinksulfid (ZnS) med transmission i bølgelængdeområdet på mere end 3000 nm, men ikke over 25000 nm og en eller flere af følgende egenskaber:
a.
Over 100 cm3 volumen eller
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Over 80 mm i diameter eller storakse og 20 mm tykkelse (dybde)
b.
c.
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
"Rumkvalificerede" komponenter til optiske systemer som følger:
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Komponenter, der er gjort lette til mindre end 20 % "ækvivalent massefylde" sammenlignet med en massiv blanket med samme blænde og tykkelse
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
Ubehandlede substrater, substrater med overfladebelægninger (enkeltlag eller multilag, metalliske eller dielektriske, ledende, halvledende eller isolerende) eller med beskyttelsesfilm
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Segmenter eller samlinger af spejle konstrueret til samling i rummet til et optisk system med en samlet blænde svarende til eller større end en enkelt linse af 1 meter i diameter
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.