natgillin/translations-raw huggingface dataset:
I maskiner, der er baseret på mikrobølgeaccelerationshulrum, er stråleimpulsens varighed den mindste af værdierne 1 μs eller varigheden af det strålepakkebundt, der fremkommer ved en mikrobølgemodulatorpuls.
a.
I maskiner, der er baseret på mikrobølgeaccelerationshulrum, er spidsstrålestrømmen middelstrømmen under varigheden af strålepakkebundtet.
"Technology" for the "development" of interactive graphics as an integrated part in "numerical control" units for preparation or modification of part programs;
Frekvensomformere eller generatorer ud over dem, der er specificeret i 0B001.b.13, der kan bruges som drivkraft med variabel eller fast frekvens, med samtlige følgende egenskaber:
b.
"Software", som er specielt designet til at forbedre eller frigive ydelsen i en frekvensomformer eller -generator, således at den opfylder egenskaberne i 3A225, er specificeret i 3D225.
"Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:
"Teknologi", i form af koder eller nøgler til at forbedre eller frigive ydelsen i en frekvensomformer eller -generator, således at den opfylder egenskaberne i 3A225, er specificeret i 3E225.
"Technology" for the design of tools, dies or fixtures specially designed for any of the following processes:
a. Multifaseudgangseffekt på 40 VA eller større
a.
b. Opererer ved en frekvens på 600 Hz eller mere og
"Superplastic forming";
c. Frekvensstyring bedre (mindre) end 0,2 %.
b.
3A225 lægger ikke eksportkontrol på frekvensomformere eller -generatorer, hvis de har hardware-, "software"- eller "teknologi"begrænsninger, der begrænser ydelsen til under det niveau, der er specificeret ovenfor, forudsat at de opfylder følgende:
"Diffusion bonding"; or
De skal returneres til den oprindelige fabrikant med henblik på at forbedre eller frigive begrænsningerne
c.
De kræver "software" som specificeret i 3D225 til at forbedre eller frigive ydelsen, således at de opfylder egenskaberne i 3A225 eller
"Direct-acting hydraulic pressing";
De kræver "teknologi" i form af nøgler eller koder som specificeret i 3E225 til at forbedre eller frigive ydelsen, således at de opfylder egenskaberne i 3A225.
Technical data consisting of process methods or parameters as listed below used to control:
Frekvensomformere i 3A225 er også kendt som konvertere eller invertere.
a.
Frekvensomformere i 3A225 bliver markedsført som generatorer, elektronisk testudstyr, AC-strømforsyninger, Variable Speed Motors Drives, Variable Speed Drives (VSDs), Variable Frequency Drives (VFDs), Adjustable Frequency Drives (AFDs), eller Adjustable Speed Drives (ASDs).
"Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
Stærkstrømsforsyninger med høj effekt bortset fra dem, der er specificeret i 0B001.j.6., som har begge følgende egenskaber:
Surface preparation;
a. Er i stand til kontinuerligt at yde mindst 100 V over en periode på 8 timer med en udgangsstrøm på mindst 500 A og
Strain rate;
b. Med strøm- eller spændingsstabilitet bedre end 0,1 % over en periode på 8 timer.
Temperature;
Stærkstrømsforsyninger med høj effekt bortset fra dem, der er specificeret i 0B001.j.6., som har begge følgende egenskaber:
Pressure;
a. Er i stand til kontinuerligt at yde mindst 20 kV over en periode på 8 timer med en udgangsstrøm på mindst 1 A og
b.
Følgende koblingsindretninger:
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
a. Koldkatoderør, også gasfyldte, som virker på samme måde som ved et gnistgab, og med samtlige følgende egenskaber:
c.
Indeholdende tre eller flere elektroder;
"Direct-acting hydraulic pressing" of aluminium alloys or titanium alloys:
Mærkeanodespidsspænding mindst 2,5 kV;
Cycle time;
Mærkeanodespidsstrøm mindst 100 A; og
d.
Anodeforsinkelse højst 10 μs
"Hot isostatic densification" of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
3A228 omfatter ligeledes gaskrytronrør og vakuumsprytronrør
c.
b. Styrede gnistgab som har begge følgende egenskaber:
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
Anodeforsinkelse højst 15 μs og
d.
En mærkespidsstrøm på mindst 500 A.
"Technology" for the "development" of generators of machine tool instructions (e.g., part programs) from design data residing inside "numerical control" units;
c. Moduler eller samlinger med en hurtig koblingsfunktion bortset fra dem, der er anført i 3A001.g. eller 3A001.h, med samtlige følgende egenskaber:
e.
Mærkeanodespidsspænding større end 2 kV
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
Mærkeanodespidsstrøm mindst 500 A og
f.
Tændtid højst 1 μs
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
Følgende stærkstrømsimpulsgivere:
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
a. Detonatortændapparater (tændsystemer, tændanordninger), herunder elektronisk ladede, eksplosive og optiske tændapparater, bortset fra dem, der er specificeret i 1A007.a, der er konstrueret til at drive flere styrede detonatorer som specificeret i 1A007.b
This table should be read to specify the "technology" for a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
b. Modulære elektriske impulsgeneratorer, der har samtlige følgende egenskaber:
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
Konstrueret til bærbar, mobil eller særlig modstandsdygtig anvendelse
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
I stand til at udlade deres energi på mindre end 15 μs i belastninger på mindre end 40 ohm
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
Med en udgangsstrøm på mere end 100 A
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
Ingen dimension større end 30 cm
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
Vægt mindre end 30 kg og
Table
Specificeret til brug ved et udvidet temperaturområde fra 223 K (– 50 °C) til 373 K (100 °C), eller specificeret som egnet til rumbrug.
Deposition techniques
3A229.b omfatter xenon-udladningslampestyring.
Coating Process (1) [2]
c. Mikrodetonatorenheder, der har samtlige følgende egenskaber:
Substrate
Ingen dimension større end 35 mm
Resultant Coating
Mærkespænding på 1 kV eller derover og
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
Kapacitans på 100 nF eller derover
"Superalloys"
Højhastighedsimpulsgeneratorer og 'impulshoveder' dertil, med begge af følgende egenskaber:
Aluminides for internal passages
a. En udgangsspænding på mere end 6 V ind i en resistiv belastning på mindre end 55 ohm, og
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
b. En 'impulsomkoblingstid' på mindre end 500 ps.
Silicides
'Impulsomkoblingstid' defineres i 3A230 som tidsperioden mellem 10 % og 90 % af spændingsamplituden.
Carbides
'Impulshoveder' er impulsdannende netværk, der er konstrueret til at acceptere en spændingstrinfunktion og omforme den til en række impulsformer, der kan omfatte rektangulære, trekantede, trin, impuls, eksponentielle eller monocykliske typer.
Dielectric layers (15)
'Impulshoveder' kan være en integrerende del af impulsgeneratoren, de kan være et plug-in-modul til apparater eller de kan være tilsluttet et eksternt apparat.
Diamond
Neutrongeneratorsystemer, herunder rør, der har begge følgende egenskaber:
Diamond-like carbon (17)
a. Er konstrueret til drift uden et eksternt vakuumsystem; og
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"
b. Bruger en af følgende:
Refractory metals
Elektrostatisk acceleration til fremkaldelse af en tritium-deuterium kernereaktion eller
Mixtures thereof (4)
Elektrostatisk acceleration til fremkaldelse af en deuterium-deuterium kernereaktion, og i stand til en effekt på 3 × 109 neutroner/s eller derover.
Aluminides
Følgende flerpunktstændsystemer, ud over dem, der er specificeret i 1A007:
Alloyed aluminides (2)
Se 1A007.b. for detonatorer.
Boron nitride
b. Arrangementer, der bruger enkelte eller multiple detonatorer, der er beregnet til næsten simultant at tænde en eksplosiv overflade over et område på mere end 5000 mm2 fra et enkelt tændsignal med en tændtid spredt over overfladen på mindre end 2,5 μs.
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
3A232 lægger ikke eksportkontrol på detonatorer, der kun bruger primære sprængstoffer som f.eks. blyazid.
Tungsten
Følgende massespektrometre ud over dem, der er specificeret i 0B002.g, der er i stand til at måle ioner på mindst 230 atommasseenheder og med en opløsning bedre end 2 dele på 230 samt ionkilder hertil:
Molybdenum and Molybdenum alloys
a. Induktivt koblede plasmamassespektrometre (ICP/MS)
Beryllium and Beryllium alloys
b. Glimudladningsmassespektrometre (GDMS)
Sensor window materials (9)
c. Termiske ioniseringsmassespektrometre (TIMS)
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
d. Elektronbombardementmassespektrometre med begge følgende egenskaber:
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
Et molekylestråleinjektionssystem, der injicerer et kollimeret strålebundt af analytte molekyler til et område i ionkilden, hvor molekylerne ioniseres af en elektronstråle og
Alloyed silicides
En eller flere 'kolde fælder', der kan nedkøles til en temperatur på 193 K (– 80 °C)
Modified zirconia (12)
e. Ikke anvendt
Corrosion resistant steel (7)
f. Massespektrometre, der er udstyret med en mikrofluoreringsionkilde, der er beregnet til actinider eller actinidfluorider.
Borides
Elektronbombardementmassespektrometre i 3A233.d benævnes også elektronimpaktmassespektrometre eller elektronioniseringsmassespektrometre.
Beryllium
I 3A233.d.2., forstås ved 'kold fælde' en anordning, der fanger gasmolekyler ved at kondensere eller fryse dem på kolde overflader.
Titanium alloys (13)
I forbindelse med 3A233.d.2. er en gasholdig heliumkryogenisk vakuumpumpe med lukket sløjfe, ikke en 'kold fælde'.
Nitrides
Striplines, der giver stier med lav induktans til detonatorer med følgende egenskaber:
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
a. Mærkespænding højere end 2 kV og
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
b Induktans mindre end 20 nH.
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
Følgende udstyr til fremstilling af halvlederkomponenter eller halvledermaterialer samt specielt konstruerede komponenter og tilbehør hertil:
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
JF.
Diamond-like carbon
LIGELEDES 2B226
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
a. Følgende udstyr til epitaksial vækst:
Polymers (11) and Organic "matrix" "composites"
Udstyr, som er udviklet eller modificeret til at danne et lag af andet materiale end silicium med en lagtykkelse, der er ensartet til mindre end ± 2,5 % over en længde på mindst 75 mm
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
3B001.a.1. omfatter atomlagsepitaksiudstyr.
Refractory metals and alloys (8)
Metalorganisk kemisk dampudfældnings-(MOCVD)-reaktorer, der er konstrueret til epitaksial vækst af sammensatte halvledere bestående af materiale med to eller flere af følgende grundstoffer: aluminium, gallium, indium, arsen, phosphor, antimon og nitrogen
Oxides
Udstyr til epitaksial vækst med molekylestråle ved brug af gas- eller faststofkilder
D. Plasma spraying
b. Udstyr konstrueret til ionimplantering og med en eller flere af følgende egenskaber:
Abradable Nickel-Graphite
Konstrueret og optimeret til drift ved en stråleenergi på 20 keV eller derover og en strålestrøm på 10 mA eller derover for hydrogen-, deuterium- eller heliumimplantering
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
Direkte skrivekapacitet
Abradable Al-Si-Polyester
En stråleenergi på mindst 65 keV og en strålestrøm på mindst 45 mA beregnet til højenergioxygenimplantering i et opvarmet halvledermateriale "substrat"eller
Aluminium alloys (6)
Konstrueret og optimeret til drift ved en stråleenergi på 20 keV eller derover og en strålestrøm på 10 mA eller derover for implantering af silicium på et halvledermateriale "substrat", der er opvarmet til 600 °C eller derover
E. Slurry Deposition
e. Centrale flerkammerwaferhåndteringssystemer til automatisk ilægning med samtlige følgende egenskaber:
Fused silicides
Interfaces til wafer input og output, til hvilke mere end to funktionelt forskellige 'halvlederbearbejdningsværktøjer' som specificeret i 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3. eller 3B001.b. er beregnet til at kunne forbindes, og
Fused aluminides except for resistance heating elements
Beregnet til frembringelse af et integreret system i et vakuummiljø til 'sekventiel behandling af flere wafere'
F. Sputter Deposition
3B001.e. lægger ikke eksportkontrol på automatiske robotsystemer til waferbehandling, der er specielt beregnet til parallel behandling af wafere.
Noble metal modified aluminides (3)
I forbindelse med 3B001.e. er 'halvlederbearbejdningsværktøjer' modulbaserede værktøjer, som anvendes til funktionelt forskellige fysiske processer i fremstillingen af halvledere, f.eks. udfældning, implantering eller varmebehandling.
Platinum
I forbindelse med 3B001.e. er 'sekventiel behandling af flere wafere' muligheden for at behandle hver enkelt wafer med forskellige 'halvlederbearbejdningsværktøjer', f.eks. ved at den enkelte wafer overføres fra et værktøj til et andet og derfra videre til et tredje værktøj med de centrale flerkammerwaferhåndteringssystemer til automatisk ilægning.
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
f. Følgende litografisk udstyr:
Dielectic layers (15)
Step and repeatudstyr (direkte waferstepper) eller step and scanudstyr (scanner) til positionering og eksponering i forbindelse med waferprocesser ved brug af foto-optiske eller røntgenmetoder og med en eller flere af følgende egenskaber:
G. Ion Implantation
a. Lyskildebølgelængde kortere end 193 nm eller
High temperature bearing steels
b. I stand til at frembringe et mønster med en 'mindste detaljeopløsning' (MRF) på 45 nm eller derunder.
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
'Mindste detaljeopløsning' (MRF) beregnes efter følgende formel:
Cemented tungsten carbide (16)
lyskildens bølgelængde i nm
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - NOTES
K-faktor
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
blændetal
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
hvor K-faktor = 0,35.
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
Litografisk udstyr til prægning, der kan frembringe detaljer på 45 nm eller mindre
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
3B001.f.2. omfatter:
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
Mikrokontakttrykkeredskaber
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
Varmeprægningsredskaber
a.
Litografiske redskaber til nanoprægning
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
Litografiske (S-FIL) redskaber til step-and-flash-prægning
b.
Udstyr, der er specielt konstrueret til maskefremstilling med alle følgende egenskaber:
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
a. En afbøjet fokuseret elektronstråle, ionstråle eller "laser"stråle og
c.
En fuld halvværdibredde (FWHM) pletstørrelse, der er mindre end 65 nm, og en billedplacering på mindre end 17 nm (gennemsnit + 3 sigma) eller
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
Second-layer overlay error på mindre end 23 nm (gennemsnit + 3 sigma) på masken
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Udstyr, der er konstrueret til behandling af indretninger, og som bruger direkte skrivemetoder, med alle følgende egenskaber:
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
a. En afbøjet fokuseret elektronstråle og
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
Stråle med en minimumstørrelse på højst 15 nm eller
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
Overlay error på mindre end 27 nm (gennemsnit + 3 sigma)
Category 2 does not include "technology" for single-step pack cementation of solid airfoils.
g. Masker og okularmikrometre, beregnet til integrerede kredsløb, der er specificeret i 3A001
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
h. Flerlagsmasker med et faseforskydningslag, der ikke er specificeret i 3B001.g., og med en af følgende egenskaber:
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
Lavet på en maske "substratblanket" af glas specificeret med en dobbelt brydning på mindre end 7 nm/cm eller
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
Konstrueret til anvendelse med litografisk udstyr, hvor lyskildens bølgelængde er mindre end 245 nm
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
3B001.h lægger ikke eksportkontrol på flerlagsmasker med et faseforskydningslag, der er beregnet til fremstilling af hukommelsesindretninger, der ikke er pålagt eksportkontrol iflg. 3A001.
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10-7 K-1 or less measured at 293 K (20 °C).
i. Litografiskabeloner til prægning beregnet til integrerede kredsløb som omhandlet i 3A001.
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Følgende prøveudstyr, specielt beregnet til prøvning af færdige eller ufærdige halvlederindretninger, samt særlige komponenter og tilbehørsdele dertil:
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
a. Til afprøvning af transistorers S-parametre ved frekvenser over 31,8 GHz
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
c. Til prøvning af integrerede mikrobølgekredsløb, der er specificeret i 3A001.b.2.
"Technology" for depositing diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
Heteroepitaksiale materialer, der består af et "substrat" med flere, stablede epitaksisk dyrkede lag af:
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
a. Silicium (Si)
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
b. Germanium (Ge)
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
c. Siliciumcarbid (SiC) eller
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - TECHNICAL NOTE
d.
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
3C001.d. lægger ikke eksportkontrol på et "substrat" med et eller flere P-type epitaksiale lag af GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP eller InGaAlP, uanset grundstoffernes sekvens, undtagen hvis det epitaksiale lag af P-type befinder sig mellem N-type-lag.
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Følgende resistmaterialer samt "substrater" belagt med følgende resists:
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
a. Følgende resists konstrueret til halvlederlitografi:
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
Positive resists, som er justeret (optimeret) til brug ved bølgelængder under 245 nm, men lig med eller større end 15 nm
N.B.1.
Resists, som er justeret (optimeret) til brug ved bølgelængder under 15 nm, men større end 1 nm
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
b. Alle resists, til brug med elektronstråler eller ionstråler, med en følsomhed på 0,01 mikrocoulomb/mm2 eller bedre
N.B.2.
d. Alle resists der er optimeret til overfladebilleddannelsesteknologi
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
e. Alle resists, der er udviklet eller optimeret til brug med litografisk udstyr til prægning specificeret i 3B001.f.2., som bruger enten en termisk eller lyshærdende proces.
N.B.3.
Følgende organiske-uorganiske forbindelser:
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
a. Metalorganiske forbindelser af aluminium, gallium eller indium, med en renhed (metalbasis), der er bedre end 99,999 %
b.
b. Organiske arsen-, antimon- og phosphorforbindelser, med en renhed (på basis af det uorganiske grundstof), der er bedre end 99,999 %.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.