natgillin/translations-raw huggingface dataset:
3C003 lægger kun eksportkontrol på forbindelser, hvis metal-, halvmetal- eller ikkemetalgrundstof er bundet direkte til kulstof i molekylets organiske del.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
Hydrider af phosphor, arsen eller antimon, med en renhed der er bedre end 99,999 %, selv i fortynding med inaktive luftarter eller hydrogen.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
3C004 lægger ikke eksportkontrol på hydrider, der indeholder mindst 20 molprocent inaktive luftarter eller hydrogen.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
Halvleder "substrater" af siliciumkarbid (SiC), galliumnitrid (GaN), aluminiumnitrid (AlN) eller aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) eller ingots, boules eller andre preforms af disse materialer, med resistiviteter større end 10000 ohm-cm ved 20 °C
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
"Substrater" specificeret i 3C005 med mindst ét epitaksialt lag af siliciumcarbid, galliumnitrid, aluminiumnitrid eller aluminiumgalliumnitrid.
Specific TE-PVD processes are as follows:
"Software", der er specielt udviklet til "udvikling" eller "produktion" af udstyr, der er specificeret i 3A001.b. til 3A002.h. eller 3B.
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
"Software", der er specielt udviklet til "brug" af udstyr specificeret i 3B001.a.-f., 3B002 eller 3A225
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
'Fysikbaseret' simulations"software", der er specielt beregnet til "udvikling" af litografiske, ætsnings- eller udfældningsprocesser til overføring af maskemønstre til specifikke topografiske mønstre i ledere, dielektrika eller halvledere.
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Ved 'fysikbaseret' i 3D003 forstås brug af beregninger til at fastlægge en række af fysiske årsags- og virkningssammenhænge på grundlag af fysiske egenskaber (f.eks. temperatur, tryk, diffusionskonstanter og halvlederegenskaber).
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
Biblioteker, konstruktionsattributter eller tilknyttede data til konstruktion af halvlederindretninger eller integrerede kredsløb betragtes som "teknologi".
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
"Software" der er specielt beregnet til "udvikling" af udstyr, der er specificeret i 3A003.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
"Software", der er specielt udviklet eller ændret til "brug" af udstyr, der er specificeret i 3A101.b.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
"Software", som er specielt udviklet til at forbedre eller frigive ydelsen i frekvensomformere eller -generatorer, således at de opfylder egenskaberne i 3A225.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
"Teknologi", iflg. den generelle teknologinote, til "udvikling" eller "produktion" af udstyr eller materialer, der er specificeret i 3A, 3B eller 3C.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
3E001 lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til udstyr eller komponenter, der er specificeret i 3A003.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
3E001 lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til integrerede kredsløb, der er specificeret i 3A001.a.3-12, med samtlige følgende egenskaber:
c.
Anvender "teknologi" på mindst 0,130 μm og
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Indeholder flerlagsstrukturer med højst tre metallag.
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
Anden "teknologi", iflg. den generelle teknologinote, end den, der er pålagt eksportkontrol iflg. 3E001, til "udvikling" eller "produktion" af et "mikroprocessormikrokredsløb", "mikrocomputermikrokredsløb" eller en mikrocontroller mikrokredsløbskerne med en aritmetisk logikenhed med en accessbredde på mindst 32 bit og et eller flere af følgende træk eller karakteristika:
An activator (normally a halide salt); and
a. En 'vektorprocessorenhed' beregnet til at foretage mere end to beregninger på flydende-komma-vektorer (endimensionelle arrays på 32-bit-tal eller større tal) samtidig
An inert powder, most frequently alumina.
En 'vektorprocessorenhed' er et processorelement med indbyggede instruktioner, der udfører multiple beregninger på flydende-komma-vektorer (endimensionelle arrays på 32-bit-tal eller større tal) samtidig og har mindst én aritmetisk logisk vektorenhed og vektorregistre på mindst 32 elementer hvert.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
b. Beregnet til at give mere end fire flydende-komma-driftsresultater på 64 bit eller derover pr. cyklus eller
d.
c. Beregnet til at give mere end otte multiplicere-akkumulere fast-komma-resultater på 16 bit pr. cyklus (f.eks. digital behandling af analog information, der tidligere er omsat til digital form, også kaldet digital "signalbehandling").
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
3E002 lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til multimedieudvidelser.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
3E002 lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til mikroprocessorkerner, der har alle de følgende egenskaber:
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Indeholder flerlagsstrukturer med højst fem metallag.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
3E002 omfatter "teknologi" til "udvikling" eller "produktion" af digitale signalprocessorer og digitale arrayprocessorer.
e.
Anden "teknologi" til "udvikling" eller "produktion" af følgende:
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
a. Vakuum mikroelektroniske indretninger
f.
b. Heterostrukturelle elektroniske halvlederindretninger som f.eks. transistorer med høj elektronmobilitet (HEMT), heterobipolære transistorer (HBT), quantum well eller superlatticeindretninger
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
3E003.b lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til transistorer med høj elektronmobilitet (HEMT), der opererer ved frekvenser på under 31,8 GHz, og heterobipolære transistorer (HBT), der opererer ved frekvenser på under 31,8 GHz.
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
c.
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
"Superledende" elektroniske indretninger
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
d. Substrater af diamantfilm til elektronikkomponenter
g.
e. Substrater af silicon-on-insulator (SOI) til integrerede kredsløb, hvor isolatoren er siliciumdioxid
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
f. Substrater af siliciumcarbid til elektronikkomponenter
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
g.
CATEGORY 3 - ELECTRONICS
'Elektroniske vakuumenheder', der opererer ved frekvenser på 31,8 GHz eller derover.
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.14, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
"Teknologi", iflg. den generelle teknologinote, til "brug" af udstyr eller "software", der er specificeret i 3A001.a.1 eller 2, 3A101, 3A102 eller 3D101.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.14 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
"Teknologi", iflg. den generelle teknologinote, til "udvikling" af "software", der er specificeret i 3D101.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.14.
"Teknologi", iflg. den generelle teknologinote, til "brug" af udstyr, der er specificeret i 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.g., 3A201, 3A225-3A234.
Electronic items as follows:
"Teknologi", i form af koder eller nøgler til at forbedre eller frigive ydelsen i en frekvensomformer eller -generator, således at den opfylder egenskaberne i 3A225.
a.
KATEGORI 4 - COMPUTERE
General purpose integrated circuits, as follows:
Computere, beslægtet udstyr og "software", der udfører funktioner i forbindelse med telekommunikation eller "lokalnet", skal også bedømmes på baggrund af de i kategori 5, del 1 (Telekommunikation) specificerede ydeevnekarakteristika.
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Styreenheder, der direkte forbinder busser eller kanaler i centralenheder, controllere til "hovedlager" eller diske, betragtes ikke som det i kategori 5, del 1 (Telekommunikation) beskrevne telekommunikationsudstyr.
Integrated circuits include the following types:
For så vidt angår eksportkontrolstatus for "software", der er specielt beregnet til pakkekobling, se kategori 5D001.
"Monolithic integrated circuits";
Elektroniske computere og beslægtet udstyr, med en eller flere af følgende egenskaber, herunder "elektroniske samlinger" og specielt konstruerede komponenter hertil:
"Hybrid integrated circuits";
JF.
"Multichip integrated circuits";
LIGELEDES 4A101.
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
a. Specielt udviklet til at have en eller flere af følgende egenskaber:
"Optical integrated circuits";
Normeret til drift ved en omgivelsestemperatur under 228 K (– 45 °C) eller over 358 K (85 °C) eller
"Three dimensional integrated circuits";
4A001.a.1 lægger ikke eksportkontrol på computere, der er specielt konstrueret til anvendelse i civile motorkøretøjer, civile jernbaner eller "civile fly".
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" ("MMICs").
Bedre strålebeskyttelse end svarende til en eller flere af følgende specifikationer:
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Total dosis
a.
5 × 103 Gy (silicium)
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
Dosisændring ved forstyrrelse
b.
5 × 106 Gy (silicium)/s eller
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
Enkelt forstyrrelse
c.
1 × 10–8 Fejl/bit/dag
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
4A001.a.2 lægger ikke eksportkontrol på computere, der er specielt konstrueret til anvendelse i "civile fly".
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
b. Ikke anvendt.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitised data, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, Electrical Erasable Programmable Read-Only Memories (EEPROMs), flash memories, Static Random-Access Memories (SRAMs), or Magnetic Random Access Memories (MRAMs), having any of the following:
Følgende "digitale computere", "elektroniske samlinger" og beslægtet udstyr hertil samt specielt konstruerede komponenter hertil:
a.
4A003 omfatter følgende:
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
'Vektorprocessorer'
b.
Arrayprocessorer
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (-55 °C); or
Digitale signalprocessorer (DSP)
c.
Logikprocessorer
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (-55 °C) to 398 K (125 °C);
Udstyr til "billedforbedring".
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Eksportkontrolstatus for de "digitale computere" eller beslægtet udstyr, der beskrives i 4A003, afhænger af eksportkontrolstatus for andet udstyr eller systemer, såfremt:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
De "digitale computere" eller det beslægtede udstyr er væsentligt for driften af andet udstyr eller systemer
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
De "digitale computere" eller det beslægtede udstyr ikke er et "hovedelement" i andet udstyr eller systemer og
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
Eksportkontrolstatus for "signalbehandlings"- eller "billedforbedrings"-udstyr, som er specielt konstrueret til andet udstyr, med funktioner, der er begrænset til dem, der kræves for det andet udstyr, afhænger af det andet udstyrs eksportkontrolstatus, selv om det overstiger "hovedelement"-kriteriet.
a.
For så vidt angår eksportkontrolstatus for "digitale computere" eller beslægtet udstyr til telekommunikationsudstyr, se kategori 5, del 1 (Telekommunikation). c.
ADCs having any of the following:
"Teknologi" til "digitale computere" og beslægtet udstyr er omfattet af 4E.
SEE ALSO 3A101
b.
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 1.3 giga samples per second (GSPS);
"Digitale computere" med en "justeret spidsydeevne" ("APP") på mere end 16 vægtede teraflops (WT)
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 600 mega samples per second (MSPS);
c.
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with an output rate greater than 400 mega samples per second (MSPS);
"Elektroniske samlinger", der er specielt konstrueret eller modificeret for at kunne forbedre processorers ydelse ved sammenlægning, således at de efter sammenlægningen har en "APP", der er større end den i 4A003.b. specificerede grænse
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with an output rate greater than 250 mega samples per second (MSPS); or
4A003.c. lægger kun eksportkontrol på "elektroniske samlinger" og programmerbare forbindelser, der ikke overstiger de grænser, der er specificeret i 4A003.b., hvis de afsendes som ikke integrerede "elektroniske samlinger".
A resolution of 16 bit or more with an output rate greater than 65 mega samples per second (MSPS);
4A003.c. lægger ikke eksportkontrol på "elektroniske samlinger", der er specielt konstrueret til et produkt eller en familie af produkter, hvis maksimale konfiguration ikke overstiger de grænser, der er specificeret i 4A003.b.
For integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitized data, see 3A001.a.14.
g. Udstyr, der er specielt konstrueret til at aggregere "digitale computeres" ydeevne ved at give mulighed for eksterne forbindelser, hvilket muliggør kommunikation med envejsdatahastigheder over 2,0 Gbyte/s pr. link.
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
4A003.g. lægger ikke eksportkontrol på udstyr til intern forbindelse (såsom backplane og bus), passivt forbindelsesudstyr, "network access controller" eller "kommunikationskanalcontrollere".
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
Følgende computere samt specielt konstrueret, beslægtet udstyr, "elektroniske samlinger" og komponenter hertil:
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
"Systoliske array computere"
For 'interleaved ADCs' or for 'multiple channel ADCs' that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
"Neurale computere"
It is often specified in megahertz (MHz), mega words per second or mega samples per second (MSPS).
c.
For the purpose of measuring output rate, one sample per second is equivalent to one Hertz or one output word per second.
"Optiske computere".
'Multiple channel ADCs' are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
Systemer, udstyr og komponenter hertil, som er specielt udviklet eller modificeret til generering, kommando og kontrol eller levering af"intrusionsoftware"
'Interleaved ADCs' are defined as devices which have multiple ADC units that sample the same analogue input at different times such that when the outputs are aggregated, the analogue input has been effectively sampled and converted at a higher sampling rate.
"Hybride computere", der er specielt konstrueret til modelforsøg, simulering eller konstruktionsintegrering af løftefartøjer til "rumfartøjer", der er specificeret i 9A004, eller raketsonder, der er specificeret i 9A104.
Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
Denne bestemmelse gælder kun, hvis udstyret leveres sammen med software, der er specificeret i 7D103 eller 9D103.
A resolution of 10 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 3500 MSPS; or
Eksportkontrolstatus for "software" til det udstyr, der er beskrevet i andre kategorier, behandles i pågældende kategori.
A resolution of 12 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 1250 MSPS and having any of the following:
"Software" som følger:
a.
a.
A settling time less than 9 ns to 0,024 % of full scale from a full scale step; or
"Software", der er specielt beregnet eller modificeret til "udvikling" eller "produktion" af udstyr, eller "software", der er specificeret i 4A001-4A004 eller 4D.
b.
"Software", bortset fra den, der er specificeret i 4D001.a, der er specielt beregnet eller modificeret til "udvikling" eller "produktion" af følgende udstyr:
'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
"Digitale computere" med en "justeret spidsydeevne" ("APP") på mere end 8,0 vægtede teraflops (WT)
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
"Elektroniske samlinger", der er specielt konstrueret eller modificeret for at kunne forbedre deres ydelse ved sammenlægning af processorer, således at de efter sammenlægningen har en "APP", der er større end den i 4D001.b.1 specificerede grænse.
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than -3 dBfs (full scale).
"Software" specielt beregnet eller modificeret til generering, kommando og kontrol eller levering af "intrusionsoftware".
'Adjusted update rate' for DACs:
"Teknologi", iflg. den generelle teknologinote, til "udvikling", "produktion" eller "brug" af udstyr eller "software", der er specificeret i 4A eller 4D
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
b.
For interpolating DACs (oversampling DACs), the 'adjusted update rate' is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
"Teknologi", iflg. den generelle teknologinote, bortset fra den, der er specificeret i 4E001.a, til "udvikling" eller "produktion" af følgende udstyr:
For interpolating DACs, the 'adjusted update rate' may be referred to by different terms including:
"Elektroniske samlinger", der er specielt konstrueret eller modificeret for at kunne forbedre deres ydelse ved sammenlægning af processorer, således at de efter sammenlægningen har en "APP", der er større end den i 4E001.b.1 specificerede grænse.
input data rate
c.
input word rate
"Teknologi" til "udvikling" af "intrusionsoftware".
input sample rate
TEKNISK NOTE VEDRØRENDE "JUSTERET SPIDSYDEEVNE" ("APP")
maximum total input bus rate
"APP" er en justeret maksimal hastighed, hvormed "digitale computere" udfører additioner og multiplikationer med flydende komma på 64 bits eller mere.
maximum DAC clock rate for DAC clock input.
"APP" udtrykkes i vægtede teraflops (WT), i enheder af 1012 justerede operationer med flydende komma pr. sekund.
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
Forkortelser i denne tekniske note
a.
n antal processorer i den "digitale computer"
One or more than one internal "laser" diode;
i processornummer (i,...n)
b.
processorcyklustid (ti = 1/Fi)
One or more than one internal light detecting element; and
processorfrekvens
c.
maksimal regnehastighed med flydende komma
Optical waveguides;
arkitekturjusteringsfaktor
Field programmable logic devices having any of the following:
"APP"-beregningsmetoden i korte træk
a.
Beregn for hver processor i det maksimale antal 64 bit- eller større operationer med flydende komma (FPOi), der ydes pr. cyklus for hver processor i den "digitale computer".
A maximum number of single-ended digital input/outputs of greater than 700; or
Ved beregningen af FPO medtages kun additioner og multiplikationer med flydende komma på 64 bits eller mere.
An 'aggregate one-way peak serial transceiver data rate' of 500 Gb/s or greater;
Alle operationer med flydende komma skal udtrykkes i operationer pr. processorcyklus; operationer, der kræver flere cyklusser, kan udtrykkes i fraktionerede resultater pr. cyklus.
3A001.a.7. includes: