natgillin/translations-raw huggingface dataset:
a. Er konstrueret til drift uden et eksternt vakuumsystem; og
Resultant Coating
b. Bruger en af følgende:
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
Elektrostatisk acceleration til fremkaldelse af en tritium-deuterium kernereaktion eller
"Superalloys"
Elektrostatisk acceleration til fremkaldelse af en deuterium-deuterium kernereaktion, og i stand til en effekt på 3 × 109 neutroner/s eller derover.
Aluminides for internal passages
Følgende flerpunktstændsystemer, ud over dem, der er specificeret i 1A007:
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
Se 1A007.b. for detonatorer.
Silicides
b. Arrangementer, der bruger enkelte eller multiple detonatorer, der er beregnet til næsten simultant at tænde en eksplosiv overflade over et område på mere end 5000 mm2 fra et enkelt tændsignal med en tændtid spredt over overfladen på mindre end 2,5 μs.
Carbides
3A232 lægger ikke eksportkontrol på detonatorer, der kun bruger primære sprængstoffer som f.eks. blyazid.
Dielectric layers (15)
Følgende massespektrometre ud over dem, der er specificeret i 0B002.g, der er i stand til at måle ioner på mindst 230 atommasseenheder og med en opløsning bedre end 2 dele på 230 samt ionkilder hertil:
Diamond
a. Induktivt koblede plasmamassespektrometre (ICP/MS)
Diamond-like carbon (17)
b. Glimudladningsmassespektrometre (GDMS)
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"
c. Termiske ioniseringsmassespektrometre (TIMS)
Refractory metals
d. Elektronbombardementmassespektrometre med begge følgende egenskaber:
Mixtures thereof (4)
Et molekylestråleinjektionssystem, der injicerer et kollimeret strålebundt af analytte molekyler til et område i ionkilden, hvor molekylerne ioniseres af en elektronstråle og
Aluminides
En eller flere 'kolde fælder', der kan nedkøles til en temperatur på 193 K (– 80 °C)
Alloyed aluminides (2)
e. Ikke anvendt
Boron nitride
f. Massespektrometre, der er udstyret med en mikrofluoreringsionkilde, der er beregnet til actinider eller actinidfluorider.
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
Elektronbombardementmassespektrometre i 3A233.d benævnes også elektronimpaktmassespektrometre eller elektronioniseringsmassespektrometre.
Tungsten
I 3A233.d.2., forstås ved 'kold fælde' en anordning, der fanger gasmolekyler ved at kondensere eller fryse dem på kolde overflader.
Molybdenum and Molybdenum alloys
I forbindelse med 3A233.d.2. er en gasholdig heliumkryogenisk vakuumpumpe med lukket sløjfe, ikke en 'kold fælde'.
Beryllium and Beryllium alloys
Striplines, der giver stier med lav induktans til detonatorer med følgende egenskaber:
Sensor window materials (9)
a. Mærkespænding højere end 2 kV og
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
b Induktans mindre end 20 nH.
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
Følgende udstyr til fremstilling af halvlederkomponenter eller halvledermaterialer samt specielt konstruerede komponenter og tilbehør hertil:
Alloyed silicides
JF.
Modified zirconia (12)
LIGELEDES 2B226
Corrosion resistant steel (7)
a. Følgende udstyr til epitaksial vækst:
Borides
Udstyr, som er udviklet eller modificeret til at danne et lag af andet materiale end silicium med en lagtykkelse, der er ensartet til mindre end ± 2,5 % over en længde på mindst 75 mm
Beryllium
3B001.a.1. omfatter atomlagsepitaksiudstyr.
Titanium alloys (13)
Metalorganisk kemisk dampudfældnings-(MOCVD)-reaktorer, der er konstrueret til epitaksial vækst af sammensatte halvledere bestående af materiale med to eller flere af følgende grundstoffer: aluminium, gallium, indium, arsen, phosphor, antimon og nitrogen
Nitrides
Udstyr til epitaksial vækst med molekylestråle ved brug af gas- eller faststofkilder
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
b. Udstyr konstrueret til ionimplantering og med en eller flere af følgende egenskaber:
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
Konstrueret og optimeret til drift ved en stråleenergi på 20 keV eller derover og en strålestrøm på 10 mA eller derover for hydrogen-, deuterium- eller heliumimplantering
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
Direkte skrivekapacitet
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
En stråleenergi på mindst 65 keV og en strålestrøm på mindst 45 mA beregnet til højenergioxygenimplantering i et opvarmet halvledermateriale "substrat" eller
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
Konstrueret og optimeret til drift ved en stråleenergi på 20 keV eller derover og en strålestrøm på 10 mA eller derover for implantering af silicium på et halvledermateriale "substrat", der er opvarmet til 600 °C eller derover
Polymers (11) and Organic "matrix" "composites"
e. Centrale flerkammerwaferhåndteringssystemer til automatisk ilægning med samtlige følgende egenskaber:
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
Interfaces til wafer input og output, til hvilke mere end to funktionelt forskellige 'halvlederbearbejdningsværktøjer' som specificeret i 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3. eller 3B001.b. er beregnet til at kunne forbindes, og
Refractory metals and alloys (8)
Beregnet til frembringelse af et integreret system i et vakuummiljø til 'sekventiel behandling af flere wafere'
Oxides
3B001.e. lægger ikke eksportkontrol på automatiske robotsystemer til waferbehandling, der er specielt beregnet til parallel behandling af wafere.
D. Plasma spraying
I forbindelse med 3B001.e. er 'halvlederbearbejdningsværktøjer' modulbaserede værktøjer, som anvendes til funktionelt forskellige fysiske processer i fremstillingen af halvledere, f.eks. udfældning, implantering eller varmebehandling.
Abradable Nickel-Graphite
I forbindelse med 3B001.e. er 'sekventiel behandling af flere wafere' muligheden for at behandle hver enkelt wafer med forskellige 'halvlederbearbejdningsværktøjer', f.eks. ved at den enkelte wafer overføres fra et værktøj til et andet og derfra videre til et tredje værktøj med de centrale flerkammerwaferhåndteringssystemer til automatisk ilægning.
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
f. Følgende litografiske udstyr:
Abradable Al-Si-Polyester
Step and repeatudstyr (direkte waferstepper) eller step and scanudstyr (scanner) til positionering og eksponering i forbindelse med waferprocesser ved brug af foto-optiske eller røntgenmetoder og med en eller flere af følgende egenskaber:
Aluminium alloys (6)
a. Lyskildebølgelængde kortere end 193 nm eller
E. Slurry Deposition
b. I stand til at frembringe et mønster med en 'mindste detaljeopløsning' (MRF) på 45 nm eller derunder.
Fused silicides
'Mindste detaljeopløsning' (MRF) beregnes efter følgende formel:
Fused aluminides except for resistance heating elements
hvor K-faktor = 0,35.
F. Sputter Deposition
Litografisk udstyr til prægning, der kan frembringe detaljer på 45 nm eller mindre
Noble metal modified aluminides (3)
3B001.f.2. omfatter:
Platinum
Mikrokontakttrykkeredskaber
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
Varmeprægningsredskaber
Dielectic layers (15)
Litografiske redskaber til nanoprægning
G. Ion Implantation
Litografiske (S-FIL) redskaber til step-and-flash-prægning
High temperature bearing steels
Udstyr, der er specielt konstrueret til maskefremstilling med alle følgende egenskaber:
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
a. En afbøjet fokuseret elektronstråle, ionstråle eller "laser"stråle og
Cemented tungsten carbide (16)
En fuld halvværdibredde (FWHM) pletstørrelse, der er mindre end 65 nm, og en billedplacering på mindre end 17 nm (gennemsnit + 3 sigma) eller
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - NOTES
Second-layer overlay error på mindre end 23 nm (gennemsnit + 3 sigma) på masken
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Udstyr, der er konstrueret til behandling af indretninger, og som bruger direkte skrivemetoder, med alle følgende egenskaber:
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
a. En afbøjet fokuseret elektronstråle og
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
Stråle med en minimumstørrelse på højst 15 nm eller
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
Overlay error på mindre end 27 nm (gennemsnit + 3 sigma)
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
g. Masker og okularmikrometre, beregnet til integrerede kredsløb, der er specificeret i 3A001
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
h. Flerlagsmasker med et faseforskydningslag, der ikke er specificeret i 3B001.g., og med en af følgende egenskaber:
a.
Lavet på en maske "substratblanket" af glas specificeret med en dobbelt brydning på mindre end 7 nm/cm eller
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
Konstrueret til anvendelse med litografisk udstyr, hvor lyskildens bølgelængde er mindre end 245 nm
b.
3B001.h lægger ikke eksportkontrol på flerlagsmasker med et faseforskydningslag, der er beregnet til fremstilling af hukommelsesindretninger, der ikke er specificeret i 3A001.
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
i. Litografiskabeloner til prægning beregnet til integrerede kredsløb som omhandlet i 3A001
c.
j. Maske "substratblanketter" med reflektorstruktur i flere lag bestående af molybdæn og silicium og med samtlige følgende egenskaber:
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
Specielt konstrueret til 'ekstremt ultraviolet' ('EUV') litografi og
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Overholder SEMI-standard P37.
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
'Ekstremt ultraviolet' ('EUV') betyder, at det elektromagnetisk spektrum har bølgelængder på over 5 nm og under 124 nm.
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
Følgende prøveudstyr, specielt beregnet til prøvning af færdige eller ufærdige halvlederindretninger, samt særlige komponenter og tilbehørsdele dertil:
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
a. Til afprøvning af de artikler, der er specificeret i 3A001.b.2
Category 2 does not include "technology" for single-step pack cementation of solid airfoils.
c. Til afprøvning af de artikler, der er specificeret i 3A001.b.2.
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Heteroepitaksiale materialer, der består af et "substrat" med flere, stablede epitaksisk dyrkede lag af:
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
a. Silicium (Si)
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
b. Germanium (Ge)
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
c. Siliciumcarbid (SiC) eller
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
d.
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
"III/V-forbindelser" af gallium eller indium.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
3C001.d. lægger ikke eksportkontrol på et "substrat" med et eller flere P-type epitaksiale lag af GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP eller InGaAlP, uanset grundstoffernes sekvens, undtagen hvis det epitaksiale lag af P-type befinder sig mellem N-type-lag.
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
Følgende resistmaterialer samt "substrater" belagt med følgende resists:
"Technology" for depositing diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
a. Følgende resists konstrueret til halvlederlitografi:
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
Positive resists, som er justeret (optimeret) til brug ved bølgelængder under 193 nm, men lig med eller større end 15 nm
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
Resists, som er justeret (optimeret) til brug ved bølgelængder under 15 nm, men større end 1 nm
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
b. Alle resists, til brug med elektronstråler eller ionstråler, med en følsomhed på 0,01 mikrocoulomb/mm2 eller bedre
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - TECHNICAL NOTE
d. Alle resists der er optimeret til overfladebilleddannelsesteknologi
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
e. Alle resists, der er udviklet eller optimeret til brug med litografisk udstyr til prægning specificeret i 3B001.f.2., som bruger enten en termisk eller lyshærdende proces.
a.
Følgende organiske-uorganiske forbindelser:
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
a. Metalorganiske forbindelser af aluminium, gallium eller indium, med en renhed (metalbasis), der er bedre end 99,999 %
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
b. Organiske arsen-, antimon- og phosphorforbindelser, med en renhed (på basis af det uorganiske grundstof), der er bedre end 99,999 %.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
3C003 lægger kun eksportkontrol på forbindelser, hvis metal-, halvmetal- eller ikkemetalgrundstof er bundet direkte til kulstof i molekylets organiske del.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Hydrider af phosphor, arsen eller antimon, med en renhed der er bedre end 99,999 %, selv i fortynding med inaktive luftarter eller hydrogen.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
3C004 lægger ikke eksportkontrol på hydrider, der indeholder mindst 20 molprocent inaktive luftarter eller hydrogen.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Følgende højresisitve materialer:
b.
a. Halvleder "substrater" af siliciumkarbid (SiC), galliumnitrid (GaN), aluminiumnitrid (AlN) eller aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) eller ingots, boules eller andre preforms af disse materialer, med resistiviteter over 10000 ohm-cm ved 20 °C
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
b. Polykrystallinske "substrater" eller polykrystallinske keramiske "substrater" med resistiviteter over 10000 ohm-cm ved 20°C og med mindst ét ikke-epitaksialt enkeltkrystallag silicium (Si), siliciumkarbid (SiC), galliumnitrid (GaN), aluminiumnitrid (AlN) eller aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) på "substratets" overflade.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
Materialer, der ikke er specificeret i 3C001, bestående af et "substrat", der er specificeret i 3C005, med mindst ét epitaksialt lag siliciumcarbid, galliumnitrid, aluminiumnitrid eller aluminiumgalliumnitrid.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
"Software", der er specielt udviklet til "udvikling" eller "produktion" af udstyr, der er specificeret i 3A001.b. til 3A002.h. eller 3B.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
"Software", der er specielt udviklet til "brug" af udstyr specificeret i 3B001.a.-f., 3B002 eller 3A225
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
'Fysikbaseret' simulations"software", der er specielt beregnet til "udvikling" af litografiske, ætsnings- eller udfældningsprocesser til overføring af maskemønstre til specifikke topografiske mønstre i ledere, dielektrika eller halvledere.
Specific TE-PVD processes are as follows:
Ved 'fysikbaseret' i 3D003 forstås brug af beregninger til at fastlægge en række af fysiske årsags- og virkningssammenhænge på grundlag af fysiske egenskaber (f.eks. temperatur, tryk, diffusionskonstanter og halvlederegenskaber).
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
Biblioteker, konstruktionsattributter eller tilknyttede data til konstruktion af halvlederindretninger eller integrerede kredsløb betragtes som "teknologi".
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
"Software", der er specielt beregnet til "udvikling" af udstyr, der er specificeret i 3A003.
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
"Software", der er specielt udviklet eller ændret til "brug" af udstyr, der er specificeret i 3A101.b.
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
"Software", som er specielt udviklet til at forbedre eller frigive ydelsen i frekvensomformere eller -generatorer, således at de opfylder egenskaberne i 3A225.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
"Teknologi", iflg. den generelle teknologinote, til "udvikling" eller "produktion" af udstyr eller materialer, der er specificeret i 3A, 3B eller 3C.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
3E001 lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til udstyr eller komponenter, der er specificeret i 3A003.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
3E001 lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til integrerede kredsløb, der er specificeret i 3A001.a.3-12, med samtlige følgende egenskaber:
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Anvender "teknologi" på mindst 0,130 μm og
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Indeholder flerlagsstrukturer med højst tre metallag
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
3E001 lægger ikke eksportkontrol på 'procesdesignsæt' ('PDK’er'), medmindre de indeholder biblioteker, der udfører funktioner eller teknologier for de artikler, der er specificeret i 3A001.
c.
Et 'procesdesignsæt' ('PDK') er et softwareredskab, som er fremstillet af en halvlederproducent med henblik på at sikre, at de gældende krav og regler for design overholdes, for at der kan fremstilleses et specifikt integreret kredsløbsdesign i en specifik halvlederproces i overensstemmelse med de teknologiske og fremstillingsmæssige begrænsninger (hver proces til fremstilling af halvledere har sin egen 'PDK').
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Anden "teknologi", iflg. den generelle teknologinote, end den, der er pålagt eksportkontrol iflg. 3E001, til "udvikling" eller "produktion" af et "mikroprocessormikrokredsløb", "mikrocomputermikrokredsløb" eller en mikrocontroller mikrokredsløbskerne med en aritmetisk logikenhed med en accessbredde på mindst 32 bit og et eller flere af følgende træk eller karakteristika:
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
a. En 'vektorprocessorenhed' beregnet til at foretage mere end to beregninger på flydende-komma-vektorer (endimensionelle arrays på 32-bit-tal eller større tal) samtidig
An activator (normally a halide salt); and
En 'vektorprocessorenhed' er et processorelement med indbyggede instruktioner, der udfører multiple beregninger på flydende-komma-vektorer (endimensionelle arrays på 32-bit-tal eller større tal) samtidig og har mindst én aritmetisk logisk vektorenhed og vektorregistre på mindst 32 elementer hvert.
An inert powder, most frequently alumina.
b. Beregnet til at give mere end fire flydende-komma-driftsresultater på 64 bit eller derover pr. cyklus eller
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
c. Beregnet til at give mere end otte multiplicere-akkumulere fast-komma-resultater på 16 bit pr. cyklus (f.eks. digital behandling af analog information, der tidligere er omsat til digital form, også kaldet digital "signalbehandling").
d.
3E002 lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til multimedieudvidelser.
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
3E002 lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til mikroprocessorkerner, der har alle de følgende egenskaber:
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Indeholder flerlagsstrukturer med højst fem metallag.
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.