natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Krypton
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
a. Ikke "afstemmelige" kontinuerte "(CW)-lasere" med en eller flere af følgende egenskaber:
A deflected focused electron beam; and
Udgangsbølgelængde på mindre end 150 nm og udgangseffekt på mere end 1 W
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
Udgangsbølgelængde på mindst 150 nm, men ikke mere end 510 nm, og udgangseffekt på mere end 30 W
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
6A005.a.2. lægger ikke eksportkontrol på Argon "lasere" med en udgangseffekt på højst 50 W.
g.
Udgangsbølgelængde på mere end 510 nm, men ikke mere end 540 nm, og med en eller flere af følgende egenskaber:
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
a. Enkelt transversal modus output og udgangseffekt på mere end 50 W eller
h.
b. Multipel transversal modus output og udgangseffekt på mere end 150 W
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
Udgangsbølgelængde på mere end 540 nm, men ikke mere end 800 nm, og udgangseffekt på mere end 30 W
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
Udgangsbølgelængde på mere end 800 nm, men ikke mere end 975 nm, og med en eller flere af følgende egenskaber:
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
b. Multipel transversal modus output og udgangseffekt på mere end 80 W
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Udgangsbølgelængde på mere end 975 nm, men ikke mere end 1150 nm, og med en eller flere af følgende egenskaber:
i.
a. Enkelt transversal modus output og udgangseffekt på mere end 200 W eller
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
b. Multipel transversal modus output med en eller flere af følgende egenskaber:
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
'Elektrisk-til-optisk virkningsgrad' på mere end 18 % og udgangseffekt på mere end 500 W eller
a.
Udgangseffekt på mere end 2 kW
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
6A005.a.6.b lægger ikke eksportkontrol på multipel transversal modus "lasere" med en udgangseffekt på over 2 kW og højst 6 kW, med en total masse større end 1200 kg.
c.
I denne note omfatter total masse alle komponenter, der kræves for at drive "laseren", f.eks. "laser", strømforsyning, varmeveksler, men omfatter ikke ekstern optik til strålekonditionering og/eller-forsyning.
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
6A005.a.6.b lægger ikke eksportkontrol på multipel transversal modus industrielle "lasere" med flere af følgende egenskaber:
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Udgangseffekt på over 500 W, men ikke over 1 kW, og med alle følgende egenskaber:
a.
Beam Parameter Product (BPP) på over 0,7 mm · mrad og
Silicon (Si);
'Lysstyrke' på højst 1024 W (mm · mrad)2
b.
Udgangseffekt på over 1 kW, men ikke over 1,6 kW, og med en BPP på over 1,25 mm · mrad
Germanium (Ge);
Udgangseffekt på over 1,6 kW, men ikke over 2,5 kW, og med en BPP på over 1,7 mm · mrad
c.
Udgangseffekt på over 2,5 kW, men ikke over 3,3 kW, og med en BPP på over 2,5 mm · mrad
Silicon carbide (SiC); or
Udgangseffekt på over 3,3 kW, men ikke over 4 kW, og med en BPP på over 3,5 mm · mrad
d.
Udgangseffekt på over 4 kW, men ikke over 5 kW, og med en BPP på over 5 mm · mrad
"III/V compounds" of gallium or indium.
Udgangseffekt på over 5 kW, men ikke over 6 kW, og med en BPP på over 7,2 mm · mrad
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Udgangseffekt på over 6 kW, men ikke over 8 kW, og med en BPP på over 12 mm · mrad eller
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Udgangseffekt på over 8 kW, men ikke over 10 kW, og med en BPP på over 24 mm · mrad
a.
Udgangsbølgelængde på mere end 1150 nm, men ikke mere end 1555 nm, og med en eller flere af følgende egenskaber:
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
a. Enkelt transversal modus output og udgangseffekt på mere end 50 W eller
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
b. Multipel transversal modus output og udgangseffekt på mere end 80 W eller
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
Udgangsbølgelængde på mere end 1555 nm og udgangseffekt på mere end 1 W.
b.
b. Ikke "afstemmelige" pulserende "lasere" med en eller flere af følgende egenskaber:
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Udgangsbølgelængde på mindre end 150 nm og med en eller flere af følgende egenskaber:
d.
a. Udgangsenergi på mere end 50 mJ pr. impuls og "spidseffekt" på mere end 1 W eller
All resists optimised for surface imaging technologies;
"Middeludgangseffekt" på mere end 1 W
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Udgangsbølgelængde på mindst 150 nm, men ikke mere end 510 nm, og med en eller flere af følgende egenskaber:
Organo-inorganic compounds as follows:
a. Udgangsenergi på mere end 1,5 J pr. impuls og "spidseffekt" på mere end 30 W eller
a.
b.
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
"Middeludgangseffekt" på mere end 30 W
b.
6A005.b.2.b. lægger ikke eksportkontrol på Argon "lasere" med en "middeludgangseffekt" på højst 50 W.
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
a. Enkelt transversal modus output med en eller flere af følgende egenskaber:
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Udgangsenergi på mere end 1,5 J pr. impuls og "spidseffekt" på mere end 50 W eller
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
"Middeludgangseffekt" på mere end 50 W eller
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Udgangsenergi på mere end 1,5 J pr. impuls og "spidseffekt" på mere end 150 W eller
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
"Middeludgangseffekt" på mere end 150 W
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
Udgangsbølgelængde på mere end 540 nm, men ikke mere end 800 nm, og med en eller flere af følgende egenskaber:
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
a.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
"Impulsvarighed" på mindre end 1 ps og med en eller flere af følgende egenskaber:
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Udgangsenergi på mere end 0,005 J pr. impuls og "spidseffekt" på mere end 5 GW eller
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
"Middeludgangseffekt" på mere end 20 W eller
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
b.
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
"Impulsvarighed" på mindst 1 ps og med en eller flere af følgende egenskaber:
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
Udgangsenergi på mere end 1,5 J pr. impuls og "spidseffekt" på mere end 30 W eller
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
"Middeludgangseffekt" på mere end 30 W
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Enkelt transversal modus output og "middeludgangseffekt" på mere end 20 W
3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components specified in 3A003.
b.
3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
"Impulsvarighed" på mindst 1 ps, men ikke mere end 1 μs, og med en eller flere af følgende egenskaber:
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
Udgangsenergi på mere end 0,5 J pr. impuls og "spidseffekt" på mere end 50 W
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
Enkelt transversal modus output og "middeludgangseffekt" på mere end 20 W eller
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
Multipel transversal modus output og "middeludgangseffekt" på mere end 50 W eller
a.
c.
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
"Impulsvarighed" på mere end 1 μs og med en eller flere af følgende egenskaber:
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
Udgangsenergi på mere end 2 J pr. impuls og "spidseffekt" på mere end 50 W
b.
Enkelt transversal modus output og "middeludgangseffekt" på mere end 50 W eller
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
Multipel transversal modus output og "middeludgangseffekt" på mere end 80 W
c.
"Impulsvarighed" på mindre end 1 ps og med en eller flere af følgende egenskaber:
3E002 does not control "technology" for multimedia extensions.
Udgangs "spidseffekt" på mere end 2 GW pr. impuls
3E002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
"Middeludgangseffekt" på mere end 30 W eller
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
Udgangsenergi på mere end 0,002 J pr. impuls
3E002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
"Impulsvarighed" på mindst 1 ps, men ikke mere end 1 ns, og med en eller flere af følgende egenskaber:
a.
Udgangs "spidseffekt" på mere end 5 GW pr. impuls
Vacuum microelectronic devices;
Udgangsenergi på mere end 0,1 J pr. impuls
b.
c.
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
"Impulsvarighed" på mindst 1 ns, men ikke mere end 1 μs, og med en eller flere af følgende egenskaber:
3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
a.
"Superconductive" electronic devices;
"Spidseffekt" på mere end 100 MW
d.
b.
Substrates of films of diamond for electronic components.
"Middeludgangseffekt" på mere end 20 W, som er konstruktionsmæssigt begrænset til en maksimal impulsrepetitionsfrekvens på højst 1 kHz
e.
c.
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
'Elektrisk-til-optisk virkningsgrad' på mere end 12 % og en "middeludgangseffekt" på mere end 100 W og kan fungere ved en pulsrepetitionsfrekvens, som er større end 1 kHz
f.
d.
Substrates of silicon carbide for electronic components;
"Middeludgangseffekt" på mere end 150 W og kan fungere ved en pulsrepetitionsfrekvens, som er større end 1 kHz eller
g.
e. Udgangsenergi på mere end 2 J pr. impuls eller
Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
Multipel transversal modus output med en eller flere af følgende egenskaber:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
"Spidseffekt" på mere end 400 MW
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
'Elektrisk-til-optisk virkningsgrad' på mere end 18 % og en "middeludgangseffekt" på mere end 500 W
CATEGORY 4 — COMPUTERS
c.
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
"Middeludgangseffekt" på mere end 2 kW eller
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
d. Udgangsenergi på mere end 4 J pr. impuls eller
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
d.
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
"Impulsvarighed" på mere end 1 μs og med en eller flere af følgende egenskaber:
SEE ALSO 4A101.
"Spidseffekt" på mere end 500 kW
Specially designed to have any of the following:
b.
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C); or
"Elektrisk-til-optisk virkningsgrad" på mere end 12 % og "middeludgangseffekt" på mere end 100 W eller
4A001.a.1. does not control computers specially designed for civil automobile, railway train or "civil aircraft" applications.
c.
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
"Middeludgangseffekt" på mere end 150 W eller
a.
a.
Total Dose
"Spidseffekt" på mere end 1 MW
5 × 103 Gy (silicon);
"Elektrisk-til-optisk virkningsgrad" på mere end 18 % og "middeludgangseffekt" på mere end 500 W eller
Dose Rate Upset
c.
5 × 106 Gy (silicon)/s; or
"Middeludgangseffekt" på mere end 2 kW
c.
Udgangsbølgelængde på mere end 1150 nm, men ikke mere end 1555 nm, og med en eller flere af følgende egenskaber:
Single Event Upset
a.
1 × 10– 8 Error/bit/day;
"Impulsvarighed" på mere end 1 μs og med en eller flere af følgende egenskaber:
4A001.a.2. does not control computers specially designed for "civil aircraft" applications.
"Impulsvarighed" på mere end 1 μs og med en eller flere af følgende egenskaber:
"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows and specially designed components therefor:
Udgangsenergi på mere end 2 J pr. impuls og "spidseffekt" på mere end 50 W
4A003 includes the following:
Multipel transversal modus output og "middeludgangseffekt" på mere end 80 W eller
'Vector processors';
Udgangsbølgelængde på mere end 1555 nm og med en eller flere af følgende egenskaber:
Array processors;
a. Udgangsenergi på mere end 100 mJ pr. impuls og "spidseffekt" på mere end 1 W eller
Digital signal processors;
c. Afstemmelige "lasere" med en eller flere af følgende egenskaber:
Logic processors;
Udgangsbølgelængde på mindre end 600 nm og med en eller flere af følgende egenskaber:
Equipment designed for "image enhancement".
a. Udgangsenergi på mere end 50 mJ pr. impuls og "spidseffekt" på mere end 1 W eller
The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
b. Middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 1 W
The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
6A005.c.1. lægger ikke eksportkontrol på farve"lasere" eller andre flydende "lasere" med en multifunktionsudgang og en bølgelængde på mindst 150 nm, men ikke mere end 600 nm, og med alle følgende egenskaber:
The "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
Udgangsenergi på mindre end 1,5 J pr. impuls eller "spidseffekt" på mindre end 20 W og
The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
Middel- eller CW-udgangseffekt på mindre end 20 W.
For the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Udgangsbølgelængde på mindst 600 nm, men ikke mere end 1400 nm, og med en eller flere af følgende egenskaber:
The "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E.
a. Udgangsenergi på mere end 1 J pr. impuls og "spidseffekt" på mere end 20 W eller
b.
b. Middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 20 W eller
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 12,5 Weighted TeraFLOPS (WT);
Udgangsbølgelængde på mere end 1400 nm og med en eller flere af følgende egenskaber:
c.
d. Andre "lasere", som ikke er specificeret i 6A005.a., 6A005.b. eller 6A005.c., som følger:
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit specified in 4A003.b.;
Halvleder "lasere" som følger:
4A003.c. controls only "electronic assemblies" and programmable interconnections not exceeding the limit specified in 4A003.b. when shipped as unintegrated "electronic assemblies".
6A005.d.1. omfatter halvleder "lasere" med optiske outputkonnektorer (f.eks. fiberoptiske forbindelsesled).
4A003.c. does not control "electronic assemblies" specially designed for a product or family of products whose maximum configuration does not exceed the limit specified in 4A003.b.
Eksportkontrolstatus for halvleder "lasere", der er specielt konstruerede til andet udstyr, bestemmes af dette andet udstyrs eksportkontrolstatus.
For "electronic assemblies", modules or equipment, performing analogue-to-digital conversions, see 3A002.h.
a. Individuelle enkelt transversal modus halvledere "lasere" med en eller flere af følgende egenskaber:
g.
Bølgelængde på mindst 1510 nm og middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 1,5 W eller
Equipment specially designed for aggregating the performance of "digital computers" by providing external interconnections which allows communications at unidirectional data rates exceeding 2,0 Gbyte/s per link.
Bølgelængde på mere end 1510 nm, og middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 500 mW
4A003.g. does not control internal interconnection equipment (e.g. backplanes, buses), passive interconnection equipment, "network access controllers" or "communications channel controllers".
b. Individuelle multipel transversal modus halvledere "lasere" med en eller flere af følgende egenskaber:
Computers as follows and specially designed related equipment, "electronic assemblies" and components therefor:
Bølgelængde på mindre end 1400 nm og middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 15 W
a.
Bølgelængde på mindst 1400 nm og mindre end 1900 nm og middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 2,5 W eller
"Systolic array computers";
Bølgelængde på mindst 1900 nm og middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 1 W
b.
c. Individuelle systemer af halvleder "laser"'stænger' med en eller flere af følgende egenskaber:
"Neural computers";
Bølgelængde på mindre end 1400 nm og middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 100 W
c.
Bølgelængde på mindst 1400 nm og mindre end 1900 nm og middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 25 W eller
"Optical computers".
Bølgelængde på mindst 1900 nm og middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 10 W
Systems, equipment, and components therefor, specially designed or modified for the generation, operation or delivery of, or communication with, "intrusion software".
d. Halvleder "laser"'stablede arrays' (todimensionale arrays) med en eller flere af følgende egenskaber:
Analogue computers, "digital computers" or digital differential analysers, other than those specified in 4A001.a.1., which are ruggedized and designed or modified for use in space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.
Bølgelængde på mindre end 1400 nm og med en eller flere af følgende egenskaber:
"Hybrid computers" specially designed for modelling, simulation or design integration of space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.
a. Samlet middel- eller CW-udgangseffekt på mindre end 3 kW og med en middel- eller CW-udgangs 'effekttæthed' på mere end 500 W/cm2
This control only applies when the equipment is supplied with "software" specified in 7D103 or 9D103.
b. Samlet middel- eller CW-udgangseffekt på mindst 3 kW men højst 5 kW og med en middel- eller CW-udgangs 'effekttæthed' på mere end 350 W/cm2
The control status of "software" for equipment described in other Categories is dealt with in the appropriate Category.
c. Samlet middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 5 kW
"Software" as follows:
d. Spidsimpuls 'effekttæthed' på mere end 2500 W/cm2 eller
a.
6A005.d.1.d.1.d. lægger ikke eksportkontrol på epitaksisk fremstillede monolitter.
"Software" specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment or "software" specified in 4A001 to 4A004, or 4D.
e. Rumligt kohærent samlet middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 150 W
b.
Bølgelængde på mindst 1400 nm men mindre end 1900 nm og med en eller flere af følgende egenskaber:
"Software", other than that specified in 4D001.a., specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment as follows:
a. Samlet middel- eller CW-udgangseffekt på mindre end 250 W og med en middel- eller CW-udgangs 'effekttæthed' på mere end 150 W/cm2
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 6,0 Weighted TeraFLOPS (WT);
b. Samlet middel- eller CW-udgangseffekt på mindst 250 W men højst 500 W og med en middel- eller CW-udgangs 'effekttæthed' på mere end 50 W/cm2
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit in 4D001.b.1.
c. Samlet middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 500 W
"Software" specially designed or modified for the generation, operation or delivery of, or communication with, "intrusion software".
d. Spidsimpuls 'effekttæthed' på mere end 500 W/cm2 eller
a.
6A005.d.1.d.2.d. lægger ikke eksportkontrol på epitaksisk fremstillede monolitter.
"Technology" according to the General Technology Note, for the "development", "production" or "use" of equipment or "software" specified in 4A or 4D.
e. Rumligt kohærent samlet middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 15 W
b.