natgillin/translations-raw huggingface dataset:
e. Konstrueret eller modificeret til at bruge kryptografiske teknikker til at danne spredekoden til andre systemer med "spredt spektrum" end dem, der er specificeret i 5A002.d., herunder hoppekoden til "frekvenshop"-systemer
c.
Systemer, udstyr og komponenter til ikkekryptografisk "informationssikkerhed" som følger:
A volume of less than 400 cm3;
a. Kommunikationskabelsystemer, der er konstrueret eller modificeret til at bruge mekaniske, elektriske eller elektroniske midler til opdagelse af hemmelig aflytning
3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
5A003.a. lægger kun eksportkontrol på sikkerhed for den fysiske grænseflade.
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
b. Specielt konstrueret eller modificeret til at reducere kompromitterende udsendelse af informationsbærende signaler, ud over hvad der er nødvendigt med henblik på overholdelse af normer for sundhed, sikkerhed eller elektromagnetisk interferens
a.
Systemer, udstyr og komponenter til at gennemtrænge, svække eller omgå "informationssikkerhed" som følger:
A 'turn-on time' from off to fully operational in less than 10 seconds;
a. Konstrueret eller modificeret til at udføre 'kryptoanalytiske funktioner'
b.
5A004.a. omfatter systemer og udstyr, der er designet eller modificeret til at udføre 'kryptoanalytiske funktioner' ved hjælp af dekompilering.
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
'Kryptoanalytiske funktioner' er funktioner, der er udviklet til at sætte kryptografiske mekanismer ud af kraft med det formål at udlede konfidentielle variabler eller følsomme data, herunder klar tekst, kodeord eller krypteringsnøgler.
c.
"Informationssikkerheds" prøvnings-, inspektions- og produktionsudstyr som følger:
An "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax > 2fmin) and having any of the following:
a. Udstyr, der er specielt konstrueret til "udvikling" eller "produktion" af udstyr, der er specificeret i 5A002, 5A003, 5A004 eller 5B002.b.
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
b. Måleudstyr, der er specielt konstrueret til vurdering og godkendelse af "informationssikkerhed" funktioner af udstyr, der er specificeret i 5A002, 5A003 eller 5A004, eller af "software", der er specificeret i 5D002.a. eller 5D002.c.
A frequency greater than 18 GHz;
a.
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
"Software", der er specielt udviklet eller modificeret til "udvikling", "produktion" eller "brug" af udstyr, der er specificeret i 5A002, 5A003 eller 5A004, eller af "software", der er specificeret i 5D002.c.
The 'turn-on time' in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
b.
Oscillators or oscillator assemblies, specified to operate with a single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, less (better) than – (126 + 20log10F – 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz;
"Software", der er specielt beregnet eller modificeret til at understøtte "teknologi", der er specificeret i 5E002.
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
c. Følgende specifik "software":
"Frequency synthesiser" "electronic assemblies" having a "frequency switching time" as specified by any of the following:
"Software" med egenskaber som, eller som udfører eller simulerer samme funktioner som, det udstyr, der er specificeret i 5A002, 5A003 eller 5A004
a.
"Software" til godkendelse af "software", der er specificeret i 5D002.c.1.
Less than 156 ps;
5D002.c. lægger ikke eksportkontrol på "software", der er begrænset til "DAV"-opgaver, og som kun anvender offentliggjorte eller kommercielle kryptografiske standarder.
b.
d.
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
"Software", der er konstrueret eller modificeret for ved hjælp af "kryptografisk aktivering" at gøre et produkt i stand til at opfylde de kriterier for den funktion, der er specificeret i 5A002.a, som ellers ikke ville blive opfyldt.
c.
a.
Less than 250 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
"Teknologi", iflg. den generelle teknologinote, til "udvikling", "produktion" eller "brug" af udstyr, der er specificeret i 5A002, 5A003, 5A004 eller 5B002, eller af "software", der er specificeret i 5D002.a. eller 5D002.c.
d.
b.
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz;
"Teknologi", der er konstrueret eller modificeret for ved hjælp af "kryptografisk aktivering" at gøre et produkt i stand til at opfylde de kriterier for den funktion, der er specificeret i 5A002.a, som ellers ikke ville blive opfyldt.
e.
5E002 omfatter tekniske data vedrørende "informationssikkerhed", som stammer fra procedurer, der udføres for at evaluere eller fastlægge gennemførelsen af funktioner, karakteristika eller teknikker specificeret i kategori 5, del 2.
Less than 1 ms for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 56 GHz;
KATEGORI 6 — SENSORER OG LASERE
f.
Akustiske systemer, udstyr og komponenter som følger:
Less than 1 ms for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesized frequency range exceeding 56 GHz but not exceeding 90 GHz; or
a. Akustiske systemer til brug på havet, udstyr eller specielt konstruerede komponenter hertil som følger:
g.
Aktive (sender eller sender/modtager) systemer, udstyr og specielt konstruerede komponenter hertil som følger:
Less than 1 ms within the synthesized frequency range exceeding 90 GHz;
6A001.a.1 lægger ikke eksportkontrol på følgende udstyr:
For general purpose "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
Ekkolodder, der virker lodret under apparatet, og hvis skannefunktion ikke er på mere end ± 20°, og som er begrænsede til at måle vanddybden, afstanden til objekter under vandoverfladen eller havbunden eller til søgning efter fisk
c.
Akustiske bøjer som følger:
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
Akustiske nødbøjer
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
Svaranordninger (pingere), som er specielt konstrueret til at genfinde eller vende tilbage til en undervandsposition.
a.
a. Akustisk udstyr til undersøgelse af havbunden som følger:
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
Undersøgelsesudstyr til overfladefartøjer, der er konstrueret til kortlægning af havbunden, og som har følgende karakteristika:
b.
a. Konstrueret til at foretage målinger under en vinkel på mere end 20° fra lodret
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
b. Konstrueret til at måle havbundstopografien ved havdybder på mere end 600 m
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB;
c.
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
'Dybdemålingsopløsning' på mindre end 2 og
A bandwidth greater than 250 MHz; or
d.
A dispersive delay of more than 10 μs; or
'Forbedring' af dybdenøjagtigheden gennem kompensation for alle følgende:
c.
Den akustiske sensors bevægelse
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
Spredning i vandet fra sensoren til havbunden og tilbage og
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
Lydhastighed ved sensoren
'Frequency side-lobe rejection' is the maximum rejection value specified in data sheet.
'Dybdemålingsopløsning' er områdebredden (grader) divideret med det maksimale antal dybdemålinger pr. område.
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
'Forbedring' omfatter evnen til at kompensere ved brug af eksterne midler.
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Udstyr til undervandsundersøgelse, der er konstrueret til kortlægning af havbunden, og som har følgende karakteristika:
3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Den akustiske sensors mærketryk afgør mærkedybden for udstyr, som er specificeret i 6A001.a.1.a.2
d.
a. Har samtlige følgende karakteristika:
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
Konstrueret eller modificeret til drift på dybder på mere end 300 m og
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10– 14 J; or
'Dybdemålingsfrekvens', der er mere end 3800 m/s eller
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
'Dybdemålingsfrekvens' er produktet af sensorens maksimale driftshastighed (m/s) og det maksimale antal dybdemålinger pr. område med 100 % dækning.
e.
For systemer, der foretager dybdemålinger i to retninger (3D-sonarer), bør den maksimale "dybdemålingsfrekvens" i begge retninger anvendes.
High energy devices as follows:
b. Undersøgelsesudstyr, som ikke er specificeret i 6A001.a.1.a.2.a, med alle følgende karakteristika:
'Cells' as follows:
Konstrueret eller modificeret til drift på dybder på mere end 100 m
a.
Konstrueret til at foretage målinger under en vinkel på mere end 20° fra lodret
'Primary cells' having an 'energy density' exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
a. Driftsfrekvens under 350 kHz eller
b.
b. Konstrueret til at kortlægge havbunden med en rækkevidde på over 200 m fra den akustiske sensor og
'Secondary cells' having an 'energy density' exceeding 350 Wh/kg at 20 °C;
'Forbedring' af dybdenøjagtigheden gennem kompensation for alle følgende:
For the purpose of 3A001.e.1.,'energy density' (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
a. Den akustiske sensors bevægelse
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
b. Spredning i vandet fra sensoren til havbunden og tilbage og
For the purpose of 3A001.e.1., a 'cell' is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
c. Lydhastighed ved sensoren
It is the basic building block of a battery.
Sidescansonar (SSS) eller sonar med syntetisk blænde (SAS), der er konstrueret til havbundsbilleddannelse, og som har alle følgende karakteristika og specielt konstruerede akustiske sende- og modtagearrays hertil:
For the purpose of 3A001.e.1.a., a 'primary cell' is a 'cell' that is not designed to be charged by any other source.
a. Konstrueret eller modificeret til drift på dybder på mere end 500 m
For the purpose of 3A001.e.1.b., a 'secondary cell' is a 'cell' that is designed to be charged by an external electrical source.
b. En 'områdedækningsgrad' på mere end 570 m2/s under drift ved den maksimale rækkevidde med en 'opløsning på langs af sporet' på mindre end 15 cm og
3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
c. En 'opløsning på tværs af sporet' på mindre end 15 cm
High energy storage capacitors as follows:
'Områdedækningsgrad' (m2/s) er to gange produktet af sonarens rækkevidde (m) og maksimale driftshastighed (m/s) ved den maksimale rækkevidde.
N.B
'Opløsning på langs af sporet' (cm), kun for SSS, er produktet af azimutstrålebredden (den horisontale strålebredde)(grader) og sonarens rækkevidde (m) og 0,873.
SEE ALSO 3A201.a. and the Military Goods Controls.
b. Systemer eller sende- og modtagearrays, beregnet til objektsøgning eller stedbestemmelse, med følgende egenskaber:
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Sendefrekvens under 10 kHz
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
Lydtrykniveau højere end 235 dB (reference 1 mikropascal på 1 m) for udstyr med en driftsfrekvens i båndet mellem 24 kHz og 30 kHz
A total energy equal to or more than 25 kJ;
Danner stråler på mindre end 1° på nogen akse og har en driftsfrekvens på mindre end 100 kHz
b.
Konstrueret til at arbejde med en entydig displayrækkevidde på mere end 5120 m eller
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Konstrueret til at modstå tryk under normal drift på dybder på mere end 1000 m og med transducere med en eller flere af følgende egenskaber:
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
a. Dynamisk trykkompensation eller
A total energy equal to or more than 100 J; and
b. Andet end blyzirconattitanat som transducerelement
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
c. Akustiske projektorer, herunder transducere, der omfatter piezoelektriske, magnetostriktive, elektrostriktive, elektrodynamiske eller hydrauliske elementer, der operer individuelt eller i en konstrueret kombination, og som har en eller flere af følgende egenskaber:
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
Eksportkontrolstatus for akustiske projektorer, herunder transducere, specielt konstrueret til andet udstyr, som ikke er specificeret i 6A001, bestemmes af det andet udstyrs eksportkontrolstatus.
SEE ALSO 3A201.b.
Opererer ved frekvenser på under 10 kHz og med en eller flere af følgende egenskaber:
Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
a. Ikke konstrueret til kontinuerlig drift ved en arbejdscyklus på 100 % og med en udstrålet 'effekt fra kilden i frit felt (SLRMS)' på over (10log(f) + 169,77) dB (reference 1 mikropascal på 1 m), hvor f er frekvensen i Hertz for maksimal Transmitting Voltage Response (TVR) under 10kHz eller
b.
b. Konstrueret til kontinuerlig drift ved en arbejdscyklus på 100 % og med en kontinuert udstrålet 'effekt fra kilden i frit felt (SLRMS)' ved en 100 % arbejdscyklus på over (10log(f) + 159,77) dB (reference 1 mikropascal på 1 m), hvor f er frekvensen i Hertz for maksimal Transmitting Voltage Response (TVR) under 10kHz eller
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
'Effekten fra kilden i frit felt (SLRMS)' fastsættes langs den maksimale responsakse og i den fjerne del af den akustiske projektors lydfelt.
c.
Den kan beregnes ud fra Transmitting Voltage Response ved hjælp af følgende ligning: SLRMS = (TVR + 20log VRMS) dB (reference 1 mikropascal på 1 m), hvor SLRMS er effekten fra kilden, TVR er Transmitting Voltage Response, og VRMS er projektorens styrespænding.
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
Sidesløjfeundertrykkelse på mere end 22 dB
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated 'AM0' illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
d. Akustiske systemer og udstyr til bestemmelse af overflade- eller undervandsfartøjers position, som har alle følgende egenskaber, og specielt konstruerede komponenter hertil:
'AM0', or 'Air Mass Zero', refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Detekteringsområde på mere end 1000 m og
f.
Bestemt positioneringsfejl på mindre end 10 m effektivværdi ved måling på en afstand af 1000 m
Rotary input type absolute position encoders having an "accuracy" equal to or less (better) than 1,0 second of arc;
6A001.a.1.d. omfatter:
g.
Udstyr, der bruger kohærent "signalbehandling" mellem to eller flere bøjer og den hydrofonenhed, der findes om bord på overflade- eller undervandsfartøjet
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and 'thyristor modules', using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Udstyr, som er i stand til automatisk at korrigere for fejl på grund af lydens udbredelseshastighed ved beregning af et punkt.
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/ms and off-state voltage greater than 1100 V; or
e. Aktive individuelle sonarer specielt konstrueret eller modificeret til at detektere, stedbestemme og automatisk klassificere svømmere eller dykkere, som har alle følgende egenskaber, og specielt konstruerede akustiske sende- og modtagearrays hertil:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/ms and having all of the following:
Detekteringsområde på mere end 530 m
a.
Bestemt positioneringsfejl på mindre end 15 m effektivværdi ved måling på en afstand af 530 m og
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
Udsendt pulssignalbåndbredde på mere end 3 kHz
b.
For så vidt angår systemer til detektion af dykkere, der er specielt konstrueret eller ændret til militær anvendelse, se kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål.
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
For 6A001.a.1.e., hvor der er angivet flere detektionsområder i forskellige miljøer, anvendes det største detektionsområde.
3A001.g. includes:
Passive systemer, udstyr eller specielt konstruerede komponenter hertil som følger:
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
a. Hydrofoner med en eller flere af følgende egenskaber:
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
Eksportkontrolstatus for hydrofoner specielt konstrueret til andet udstyr afhænger af eksportkontrolstatus for andet udstyr.
Light Triggering Thyristors (LTTs)
Hydrofoner består af et eller flere sensorelementer, der producerer en enkelt akustisk udgangskanal.
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
Hydrofoner bestående af flere elementer benævnes en hydrofongruppe.
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
Med kontinuerlige, bøjelige sensorelementer
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
Med bøjelige samlinger af diskrete sensorelementer med enten diameter eller længde på mindre end 20 mm og med adskillelse mellem elementerne på mindre end 20 mm
Solidtrons
Med en eller flere af følgende sensorelementer:
3A001.g. does not control thyristor devices and 'thyristor modules' incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
a. Optiske fibre
For the purposes of 3A001.g., a 'thyristor module' contains one or more thyristor devices.
'Piezoelektriske polymerfilm' bortset fra polyvinylidenfluorid (PVDF) og dets copolymerer P(VDF-TrFE) og P(VDF-TFE)
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or 'modules', having all of the following:
c.
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
'Bøjelige piezoelektriske kompositmaterialer'
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
d. Bly-magnesium-niobat/bly-titanat (dvs., Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3, eller PMN-PT) piezoelektriske enkeltkrystaller dyrket på fast opløsning eller
Continuous current greater than 1 A.
e. Bly-indium-niobat/bly-magnesium-niobat/bly-titanat (dvs. Pb(In1/2Nb1/2)O3–Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–PbTiO3, eller PIN-PMN-PT) piezoelektriske enkeltkrystaller dyrket på fast opløsning
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
'Hydrofonfølsomhed' bedre end – 180 dB på en hvilken som helst dybde uden accelerationskompensation
3A001.h. includes:
Konstrueret til at operere på dybder på over 35 m, med accelerationskompensation eller
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
Konstrueret til at operere på dybder på mere end 1000 m
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
Sensorelementer af 'piezoelektriske polymerfilm' består af polariseret polymerfilm, som er strakt ud over og fastgjort til en støtteramme eller spole (opspændingsdorn).
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs)
Sensorelementer af 'bøjelige piezoelektriske kompositmaterialer' består af piezoelektriske, keramiske partikler eller fibre kombineret med en elektrisk isolerende, akustisk transparent gummi-, polymer- eller epoxyforbindelse, hvor forbindelsen er en integrerende del af sensorelementerne.
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
'Hydrofonfølsomhed' defineres som 20 gange 10-logaritmen af forholdet mellem udgangsspændingens effektivværdi og en reference på 1 V eff., når hydrofonsensoren, uden forforstærker, anbringes i et akustisk planbølgefelt med et effektivt tryk på 1 mikropascal.
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
For eksempel ville en hydrofon med en følsomhed på – 160 dB (reference 1 V pr. mikropascal) yde en udgangsspænding på 10– 8 V i et sådant felt, mens en hydrofon med – 180 dB følsomhed kun ville yde 10– 9 V udgangsspænding.
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
Hydrofonsystemer består af en række hydrofoner, der frembringer flere akustiske udgangskanaler.
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
Afstand mellem hydrofongrupperne på mindre end 12,5 m, eller som er 'i stand til at kunne modificeres' til en afstand mellem hydrofongrupperne på mindre end 12,5 m
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Konstrueret eller 'i stand til at kunne modificeres' til at operere på dybder på mere end 35 m
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
'I stand til at kunne modificeres' i betydningen i 6A001.a.2.b.1 og 2 vil sige at være forberedt til at tillade ændring af ledningsføring eller forbindelser til at forandre afstanden mellem hydrofongrupperne eller grænserne for operationsdybde.
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
Disse modificeringsmuligheder er: Reserveledninger, der overstiger 10 % af antallet af ledninger, justeringsblokke til ændring af afstanden mellem hydrofongrupper eller interne indretninger til begrænsning af dybde, som er justerbare, eller som kontrollerer mere end én hydrofongruppe.
PiN Diodes
Kurssensorer, der er specificeret i 6A001.a.2.d
Schottky Diodes
Systemslanger forstærket (armeret) i længderetningen
3A001.h. does not control switches, diodes, or 'modules', incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
Et samlet system med en diameter på mindre end 40 mm
For the purposes of 3A001.h., 'modules' contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
Hydrofonegenskaber, der er specificeret i 6A001.a.2.a eller
General purpose "electronic assemblies", modules and equipment, as follows:
Accelerometerbaserede hydroakustiske sensorer er specificeret i 6A001.a.2.g
a.
c. Databehandlingsudstyr, der er specielt konstrueret til slæbte akustiske hydrofonsystemer, med "brugertilgængelig programmerbarhed" og tids- eller frekvensdomænebehandling og korrelering, herunder spektralanalyse, digital filtrering og stråleformning ved hjælp af Fast Fourier eller andre transformeringer eller processer
Recording equipment and oscilloscopes as follows:
d. Kurssensorer med samtlige følgende egenskaber:
Digital data recorders having all of the following:
En "nøjagtighed", der er bedre end 0,5° og
a.