natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Anodeforsinkelse højst 10 μs
For the listed materials in the above entries, the term 'alloy' when not accompanied by a specific elemental concentration is understood as identifying those alloys where the identified metal is present in a higher percentage by weight than any other element.
3A228 omfatter ligeledes gaskrytronrør og vakuumsprytronrør
Toxic gas monitoring systems and their dedicated detecting components, other than those specified in 1A004, as follows; and detectors; sensor devices; and replaceable sensor cartridges therefor:
b. Styrede gnistgab som har begge følgende egenskaber:
a.
Anodeforsinkelse højst 15 μs og
Designed for continuous operation and usable for the detection of chemical warfare agents or chemicals specified in 1C350, at concentrations of less than 0,3 mg/m3; or
En mærkespidsstrøm på mindst 500 A.
b.
c. Moduler eller samlinger med en hurtig koblingsfunktion bortset fra dem, der er anført i 3A001.g. eller 3A001.h, med samtlige følgende egenskaber:
Designed for the detection of cholinesterase-inhibiting activity.
Mærkeanodespidsspænding større end 2 kV
Equipment capable of use in handling biological materials, as follows:
Mærkeanodespidsstrøm mindst 500 A og
a.
Tændtid højst 1 μs
Complete biological containment facilities at P3, P4 containment level;
Følgende stærkstrømsimpulsgivere:
P3 or P4 (BL3, BL4, L3, L4) containment levels are as specified in the WHO Laboratory Biosafety manual (3rd edition Geneva 2004).
a. Detonatortændapparater (tændsystemer, tændanordninger), herunder elektronisk ladede, eksplosive og optiske tændapparater, bortset fra dem, der er specificeret i 1A007.a, der er konstrueret til at drive flere styrede detonatorer som specificeret i 1A007.b
b.
b. Modulære elektriske impulsgeneratorer, der har samtlige følgende egenskaber:
Fermenters and components as follows:
Konstrueret til bærbar, mobil eller særlig modstandsdygtig anvendelse
Fermenters capable of cultivation of pathogenic "microorganisms" or of live cells for the production of pathogenic viruses or toxins, without the propagation of aerosols, having a total capacity of 20 litres or more;
I stand til at udlade deres energi på mindre end 15 μs i belastninger på mindre end 40 ohm
Components designed for fermenters in 2B352.b.1. as follows:
Med en udgangsstrøm på mere end 100 A
a.
Ingen dimension større end 30 cm
Cultivation chambers designed to be sterilised or disinfected in situ;
Vægt mindre end 30 kg og
b.
Specificeret til brug ved et udvidet temperaturområde fra 223 K (– 50 °C) til 373 K (100 °C), eller specificeret som egnet til rumbrug.
Cultivation chamber holding devices;
3A229.b omfatter xenon-udladningslampestyring.
c.
c. Mikrodetonatorenheder, der har samtlige følgende egenskaber:
Process control units capable of simultaneously monitoring and controlling two or more fermentation system parameters (e.g., temperature, pH, nutrients, agitation, dissolved oxygen, air flow, foam control);
Ingen dimension større end 35 mm
For the purposes of 2B352.b. fermenters include bioreactors, single-use (disposable) bioreactors, chemostats and continuous-flow systems.
Mærkespænding på 1 kV eller derover og
c.
Kapacitans på 100 nF eller derover
Centrifugal separators, capable of continuous separation without the propagation of aerosols, having all the following characteristics:
Højhastighedsimpulsgeneratorer og 'impulshoveder' dertil, med begge af følgende egenskaber:
Flow rate exceeding 100 litres per hour;
a. En udgangsspænding på mere end 6 V ind i en resistiv belastning på mindre end 55 ohm, og
Components of polished stainless steel or titanium;
b. En 'impulsomkoblingstid' på mindre end 500 ps.
One or more sealing joints within the steam containment area; and
'Impulsomkoblingstid' defineres i 3A230 som tidsperioden mellem 10 % og 90 % af spændingsamplituden.
Capable of in-situ steam sterilisation in a closed state;
'Impulshoveder' er impulsdannende netværk, der er konstrueret til at acceptere en spændingstrinfunktion og omforme den til en række impulsformer, der kan omfatte rektangulære, trekantede, trin, impuls, eksponentielle eller monocykliske typer.
Centrifugal separators include decanters.
'Impulshoveder' kan være en integrerende del af impulsgeneratoren, de kan være et plug-in-modul til apparater eller de kan være tilsluttet et eksternt apparat.
d.
Neutrongeneratorsystemer, herunder rør, der har begge følgende egenskaber:
Cross (tangential) flow filtration equipment capable of separation of pathogenic micro-organisms, viruses, toxins or cell cultures having all the following characteristics:
a. Er konstrueret til drift uden et eksternt vakuumsystem; og
Cross (tangential) flow filtration equipment capable of separation of pathogenic micro-organisms, viruses, toxins or cell cultures having all of the following characteristics:
b. Bruger en af følgende:
a.
Elektrostatisk acceleration til fremkaldelse af en tritium-deuterium kernereaktion eller
A total filtration area equal to or greater than 1 m2; and
Elektrostatisk acceleration til fremkaldelse af en deuterium-deuterium kernereaktion, og i stand til en effekt på 3 × 109 neutroner/s eller derover.
b.
Følgende flerpunktstændsystemer, ud over dem, der er specificeret i 1A007:
Having any of the following characteristics:
Se 1A007.b. for detonatorer.
Capable of being sterilised or disinfected in-situ; or
b. Arrangementer, der bruger enkelte eller multiple detonatorer, der er beregnet til næsten simultant at tænde en eksplosiv overflade over et område på mere end 5000 mm2 fra et enkelt tændsignal med en tændtid spredt over overfladen på mindre end 2,5 μs.
Using disposable or single-use filtration components;
3A232 lægger ikke eksportkontrol på detonatorer, der kun bruger primære sprængstoffer som f.eks. blyazid.
In 2B352.d.1.b. sterilised denotes the elimination of all viable microbes from the equipment through the use of either physical (e.g. steam) or chemical agents.
Følgende massespektrometre ud over dem, der er specificeret i 0B002.g, der er i stand til at måle ioner på mindst 230 atommasseenheder og med en opløsning bedre end 2 dele på 230 samt ionkilder hertil:
Disinfected denotes the destruction of potential microbial infectivity in the equipment through the use of chemical agents with a germicidal effect.
a. Induktivt koblede plasmamassespektrometre (ICP/MS)
Disinfection and sterilisation are distinct from sanitisation, the latter referring to cleaning procedures designed to lower the microbial content of equipment without necessarily achieving elimination of all microbial infectivity or viability.
b. Glimudladningsmassespektrometre (GDMS)
2B352.d. does not control reverse osmosis equipment, as specified by the manufacturer.
c. Termiske ioniseringsmassespektrometre (TIMS)
Cross (tangential) flow filtration components (e.g. modules, elements, cassettes, cartridges, units or plates) with filtration area equal to or greater than 0,2 m2 for each component and designed for use in cross (tangential) flow filtration equipment specified in 2B352.d.;
d. Elektronbombardementmassespektrometre med begge følgende egenskaber:
e.
Et molekylestråleinjektionssystem, der injicerer et kollimeret strålebundt af analytte molekyler til et område i ionkilden, hvor molekylerne ioniseres af en elektronstråle og
Steam, gas or vapour sterilisable freeze-drying equipment with a condenser capacity of 10 kg of ice or more in 24 hours and less than 1000 kg of ice in 24 hours;
En eller flere 'kolde fælder', der kan nedkøles til en temperatur på 193 K (– 80 °C)
f.
e. Ikke anvendt
Protective and containment equipment, as follows:
f. Massespektrometre, der er udstyret med en mikrofluoreringsionkilde, der er beregnet til actinider eller actinidfluorider.
Protective full or half suits, or hoods dependent upon a tethered external air supply and operating under positive pressure;
Elektronbombardementmassespektrometre i 3A233.d benævnes også elektronimpaktmassespektrometre eller elektronioniseringsmassespektrometre.
2B352.f.1. does not control suits designed to be worn with self-contained breathing apparatus.
I 3A233.d.2., forstås ved 'kold fælde' en anordning, der fanger gasmolekyler ved at kondensere eller fryse dem på kolde overflader.
Biocontainment chambers, isolators, or biological safety cabinets having all of the following characteristics, for normal operation:
Striplines, der giver stier med lav induktans til detonatorer med følgende egenskaber:
Fully enclosed workspace where the operator is separated from the work by a physical barrier;
a. Mærkespænding højere end 2 kV og
b.
b Induktans mindre end 20 nH.
Able to operate at negative pressure;
Følgende udstyr til fremstilling af halvlederkomponenter eller halvledermaterialer samt specielt konstruerede komponenter og tilbehør hertil:
c.
a. Følgende udstyr til epitaksial vækst:
Means to safely manipulate items in the workspace;
Udstyr, som er i stand til at danne et lag af andet materiale end silicium med en lagtykkelse, der er ensartet til mindre end ± 2,5 % over en længde på mindst 75 mm
d.
3B001.a.1. omfatter atomlagsepitaksiudstyr.
Supply and exhaust air to and from the workspace is HEPA filtered;
Metalorganisk kemisk dampudfældnings-(MOCVD)-reaktorer, der er konstrueret til epitaksial vækst af sammensatte halvledere bestående af materiale med to eller flere af følgende grundstoffer: aluminium, gallium, indium, arsen, phosphor, antimon og nitrogen
2B352.f.2. includes Class III biosafety cabinets, as described in the latest edition of the WHO Laboratory Biosafety Manual or constructed in accordance with national standards, regulations or guidance.
Udstyr til epitaksial vækst med molekylestråle ved brug af gas- eller faststofkilder
2B352.f.2. does not include isolators specially designed for barrier nursing or transportation of infected patients.
b. Udstyr konstrueret til ionimplantering og med en eller flere af følgende egenskaber:
g.
Konstrueret og optimeret til drift ved en stråleenergi på 20 keV eller derover og en strålestrøm på 10 mA eller derover for hydrogen-, deuterium- eller heliumimplantering
Aerosol inhalation equipment designed for aerosol challenge testing with "microorganisms", "viruses" or "toxins" as follows:
Direkte skrivekapacitet
Whole-body exposure chambers having a capacity of 1 m3 or more;
En stråleenergi på mindst 65 keV og en strålestrøm på mindst 45 mA beregnet til højenergioxygenimplantering i et opvarmet halvledermateriale "substrat" eller
Nose-only exposure apparatus utilising directed aerosol flow and having capacity for exposure of any of the following:
Konstrueret og optimeret til drift ved en stråleenergi på 20 keV eller derover og en strålestrøm på 10 mA eller derover for implantering af silicium på et halvledermateriale "substrat", der er opvarmet til 600 °C eller derover
a.
d. Ikke anvendt
12 or more rodents; or
e. Centrale flerkammerwaferhåndteringssystemer til automatisk ilægning med samtlige følgende egenskaber:
b.
Interfaces til wafer input og output, til hvilke mere end to funktionelt forskellige 'halvlederbearbejdningsværktøjer' som specificeret i 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3. eller 3B001.b. er beregnet til at kunne forbindes, og
2 or more animals other than rodents;
Beregnet til frembringelse af et integreret system i et vakuummiljø til 'sekventiel behandling af flere wafere'
Closed animal restraint tubes designed for use with nose-only exposure apparatus utilising directed aerosol flow;
3B001.e. lægger ikke eksportkontrol på automatiske robotsystemer til waferbehandling, der er specielt beregnet til parallel behandling af wafere.
h.
I forbindelse med 3B001.e. er 'halvlederbearbejdningsværktøjer' modulbaserede værktøjer, som anvendes til funktionelt forskellige fysiske processer i fremstillingen af halvledere, f.eks. udfældning, implantering eller varmebehandling.
Spray drying equipment capable of drying toxins or pathogenic microorganisms having all of the following:
I forbindelse med 3B001.e. er 'sekventiel behandling af flere wafere' muligheden for at behandle hver enkelt wafer med forskellige 'halvlederbearbejdningsværktøjer', f.eks. ved at den enkelte wafer overføres fra et værktøj til et andet og derfra videre til et tredje værktøj med de centrale flerkammerwaferhåndteringssystemer til automatisk ilægning.
A water evaporation capacity of ≥ 0,4 kg/h and ≤ 400 kg/h;
f. Følgende litografisk udstyr:
The ability to generate a typical mean product particle size of ≤10 μm with existing fittings or by minimal modification of the spray-dryer with atomization nozzles enabling generation of the required particle size; and
Step and repeatudstyr (direkte waferstepper) eller step and scanudstyr (scanner) til positionering og eksponering i forbindelse med waferprocesser ved brug af foto-optiske eller røntgenmetoder og med en eller flere af følgende egenskaber:
Capable of being sterilised or disinfected in situ.
a. Lyskildebølgelængde kortere end 193 nm eller
None.
b. I stand til at frembringe et mønster med en 'mindste detaljeopløsning' (MRF) på 45 nm eller derunder.
"Software", other than that specified in 2D002, as follows:
'Mindste detaljeopløsning' (MRF) beregnes efter følgende formel:
a.
lyskildens bølgelængde i nm
"Software" specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment specified in 2A001 or 2B001
K-faktor
b.
blændetal
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2A001.c, 2B001 or 2B003 to 2B009.
hvor K-faktor = 0,35.
2D001 does not control part programming "software" that generates "numerical control" codes for machining various parts.
Litografisk udstyr til prægning, der kan frembringe detaljer på 45 nm eller mindre
"Software" for electronic devices, even when residing in an electronic device or system, enabling such devices or systems to function as a "numerical control" unit, capable of co-ordinating simultaneously more than four axes for "contouring control".
3B001.f.2. omfatter:
2D002 does not control "software" specially designed or modified for the operation of items not specified in Category 2.
Mikrokontakttrykkeredskaber
2D002 does not control "software" for items specified in 2B002.
Varmeprægningsredskaber
See 2D001 and 2D003 for "software" for items specified in 2B002.
Litografiske redskaber til nanoprægning
2D002 does not control "software" that is exported with, and the minimum necessary for the operation of, items not specified by Category 2.
Litografiske (S-FIL) redskaber til step-and-flash-prægning
"Software", designed or modified for the operation of equipment specified in 2B002, that converts optical design, workpiece measurements and material removal functions into "numerical control" commands to achieve the desired workpiece form.
Udstyr, der er specielt konstrueret til maskefremstilling med alle følgende egenskaber:
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 or 2B119 to 2B122.
a. En afbøjet fokuseret elektronstråle, ionstråle eller "laser"stråle og
SEE ALSO 9D004.
En fuld halvværdibredde (FWHM) pletstørrelse, der er mindre end 65 nm, og en billedplacering på mindre end 17 nm (gennemsnit + 3 sigma) eller
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 or 2B227.
Second-layer overlay error på mindre end 23 nm (gennemsnit + 3 sigma) på masken
"Software" specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 2B201.
Udstyr, der er konstrueret til behandling af indretninger, og som bruger direkte skrivemetoder, med alle følgende egenskaber:
2D202 does not control part programming "software" that generates "numerical control" command codes but does not allow direct use of equipment for machining various parts.
a. En afbøjet fokuseret elektronstråle og
"Software", other than that specified in 1D003, specially designed for "use" of equipment specified in 2B351.
Stråle med en minimumstørrelse på højst 15 nm eller
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software" specified in 2A, 2B or 2D.
h. Flerlagsmasker med et faseforskydningslag, der ikke er specificeret i 3B001.g., og med en af følgende egenskaber:
Other "technology", as follows:
Lavet på en maske "substratblanket" af glas specificeret med en dobbelt brydning på mindre end 7 nm/cm eller
a.
Konstrueret til anvendelse med litografisk udstyr, hvor lyskildens bølgelængde er mindre end 245 nm
"Technology" for the "development" of interactive graphics as an integrated part in "numerical control" units for preparation or modification of part programmes;
3B001.h lægger ikke eksportkontrol på flerlagsmasker med et faseforskydningslag, der er beregnet til fremstilling af hukommelsesindretninger, der ikke er pålagt eksportkontrol iflg. 3A001.
b.
i. Litografiskabeloner til prægning beregnet til integrerede kredsløb som omhandlet i 3A001.
"Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:
Følgende prøveudstyr, specielt beregnet til prøvning af færdige eller ufærdige halvlederindretninger, samt særlige komponenter og tilbehørsdele dertil:
"Technology" for the design of tools, dies or fixtures specially designed for any of the following processes:
c. Til prøvning af integrerede mikrobølgekredsløb, der er specificeret i 3A001.b.2.
"Superplastic forming";
a. Silicium (Si)
"Diffusion bonding"; or
c. Siliciumcarbid (SiC) eller
"Direct-acting hydraulic pressing";
d.
Technical data consisting of process methods or parameters as listed below used to control:
"III/V-forbindelser" af gallium eller indium.
a.
3C001.d. lægger ikke eksportkontrol på et "substrat" med et eller flere P-type epitaksiale lag af GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP eller InGaAlP, uanset grundstoffernes sekvens, undtagen hvis det epitaksiale lag af P-type befinder sig mellem N-type-lag.
"Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
Følgende resistmaterialer samt "substrater" belagt med følgende resists:
Surface preparation;
a. Følgende resists konstrueret til halvlederlitografi:
Strain rate;
Positive resists, som er justeret (optimeret) til brug ved bølgelængder under 245 nm, men lig med eller større end 15 nm
Temperature;
Resists, som er justeret (optimeret) til brug ved bølgelængder under 15 nm, men større end 1 nm
Pressure;
b. Alle resists, til brug med elektronstråler eller ionstråler, med en følsomhed på 0,01 mikrocoulomb/mm2 eller bedre
b.
d. Alle resists der er optimeret til overfladebilleddannelsesteknologi
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
e. Alle resists, der er udviklet eller optimeret til brug med litografisk udstyr til prægning specificeret i 3B001.f.2., som bruger enten en termisk eller lyshærdende proces.
c.
Følgende organiske-uorganiske forbindelser:
"Direct-acting hydraulic pressing" of aluminium alloys or titanium alloys:
a. Metalorganiske forbindelser af aluminium, gallium eller indium, med en renhed (metalbasis), der er bedre end 99,999 %
Cycle time;
b. Organiske arsen-, antimon- og phosphorforbindelser, med en renhed (på basis af det uorganiske grundstof), der er bedre end 99,999 %.
d.
3C003 lægger kun eksportkontrol på forbindelser, hvis metal-, halvmetal- eller ikkemetalgrundstof er bundet direkte til kulstof i molekylets organiske del.
"Hot isostatic densification" of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
Hydrider af phosphor, arsen eller antimon, med en renhed der er bedre end 99,999 %, selv i fortynding med inaktive luftarter eller hydrogen.
c.
3C004 lægger ikke eksportkontrol på hydrider, der indeholder mindst 20 molprocent inaktive luftarter eller hydrogen.
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
Halvleder "substrater" af siliciumkarbid (SiC), galliumnitrid (GaN), aluminiumnitrid (AlN) eller aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) eller ingots, boules eller andre preforms af disse materialer, med resistiviteter større end 10000 ohm-cm ved 20 °C
d.
"Substrater" specificeret i 3C005 med mindst ét epitaksialt lag af siliciumcarbid, galliumnitrid, aluminiumnitrid eller aluminiumgalliumnitrid.
"Technology" for the "development" of generators of machine tool instructions (e.g., part programmes) from design data residing inside "numerical control" units;
"Software", der er specielt udviklet til "udvikling" eller "produktion" af udstyr, der er specificeret i 3A001.b. til 3A002.h. eller 3B.
e.
"Software", der er specielt udviklet til "brug" af udstyr specificeret i 3B001.a.-f., 3B002 eller 3A225
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
'Fysikbaseret' simulations"software", der er specielt beregnet til "udvikling" af litografiske, ætsnings- eller udfældningsprocesser til overføring af maskemønstre til specifikke topografiske mønstre i ledere, dielektrika eller halvledere.
f.
Ved 'fysikbaseret' i 3D003 forstås brug af beregninger til at fastlægge en række af fysiske årsags- og virkningssammenhænge på grundlag af fysiske egenskaber (f.eks. temperatur, tryk, diffusionskonstanter og halvlederegenskaber).
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
Biblioteker, konstruktionsattributter eller tilknyttede data til konstruktion af halvlederindretninger eller integrerede kredsløb betragtes som "teknologi".
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
"Software" der er specielt beregnet til "udvikling" af udstyr, der er specificeret i 3A003.
This table should be read to specify the technology of a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
"Software", der er specielt udviklet eller ændret til "brug" af udstyr, der er specificeret i 3A101.b.
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
"Software", som er specielt udviklet til at forbedre eller frigive ydelsen i frekvensomformere eller -generatorer, således at de opfylder egenskaberne i 3A225.
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
"Teknologi", iflg. den generelle teknologinote, til "udvikling" eller "produktion" af udstyr eller materialer, der er specificeret i 3A, 3B eller 3C.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
3E001 lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til "produktion" af udstyr eller komponenter, der er specificeret i 3A003.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
3E001 lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til "udvikling" eller "produktion" af integrerede kredsløb, der er specificeret i 3A001.a.3-12, med samtlige følgende egenskaber:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
Anvender "teknologi" på mindst 0,130 μm og
Table
Indeholder flerlagsstrukturer med højst tre metallag.
Deposition techniques
Anden "teknologi", iflg. den generelle teknologinote, end den, der er pålagt eksportkontrol iflg. 3E001, til "udvikling" eller "produktion" af et "mikroprocessormikrokredsløb", "mikrocomputermikrokredsløb" eller en mikrocontroller mikrokredsløbskerne med en aritmetisk logikenhed med en accessbredde på mindst 32 bit og et eller flere af følgende træk eller karakteristika:
Coating Process (1) [3]