natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Skemaet bør læses således, at det kun specificerer teknologien ved en bestemt belægningsproces, når den resulterende belægning i kolonne 3 er anført direkte ud for det relevante substrat i kolonne 2.
Fungi, whether natural, enhanced or modified, either in the form of "isolated live cultures" or as material which has been deliberately inoculated or contaminated with such cultures, as follows:
De tekniske data for belægningsprocessen ved kemisk dampudfældning (CVD) er for eksempel medtaget for pålægning af silicider til substrater af carboncarbon, keramiske og metal "matrix" "komposit" substrater, men er ikke medtaget for pålægning af silicider til substrater af 'cementeret wolframcarbid' (16) og 'siliciumcarbid' (18).
Colletotrichum kahawae (Colletotrichum coffeanum var. virulans);
I andet tilfælde er den resulterende belægning ikke anført i kolonne 3 direkte ud for 'cementeret wolframcarbid' (16) og 'siliciumcarbid' (18).
Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);
"Teknologi", iflg. den generelle teknologinote, til "brug" af udstyr eller "software", der er specificeret i 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119-2B122 eller 2D101.
Microcyclus ulei (syn.
"Teknologi", iflg. "den generelle teknologinote", til "brug" af udstyr eller "software", der er specificeret i 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225-2B233, 2D201 eller 2D202.
Dothidella ulei);
"Teknologi", iflg. den generelle teknologinote, til "brug" af produkter, der er specificeret i 2B350-2B352.
Puccinia graminis ssp. graminis var. graminis / Puccinia graminis ssp. graminis var. stakmanii (Puccinia graminis [syn.
Skema
Puccinia graminis f. sp. tritici]);
Udfældningsteknik
Magnaporthe oryzae (Pyricularia oryzae);
Belægningsproces (1) [3]
Peronosclerospora philippinensis (Peronosclerospora sacchari);
Substrat
Sclerophthora rayssiae var. zeae;
Resulterende belægning
Synchytrium endobioticium;
A. Kemisk dampudfældning (CVD)
Tilletia indica;
"Superlegeringer"
Thecaphora solani.
Aluminider til indvendige overflader
Toxic chemicals and toxic chemical precursors, as follows, and "chemical mixtures" containing one or more thereof:
Keramiske materialer (19) og glasarter med lav udvidelseskoefficient (14)
SEE ALSO ENTRY 1C350, 1C351.d.
Silicider
AND MILITARY GOODS CONTROLS.
Carbider
a.
Dielektriske lag (15)
Toxic chemicals, as follows:
Diamant
Amiton: O,O-Diethyl S-[2-(diethylamino)ethyl] phosphorothiolate (78-53-5) and corresponding alkylated or protonated salts;
Diamantlignende carbon (17)
PFIB: 1,1,3,3,3-Pentafluoro-2-(trifluoromethyl)-1-propene (382-21-8);
Carboncarbon-, keramiske og metal"matrix" "kompositter"
SEE MILITARY GOODS CONTROLS for BZ: 3-Quinuclidinyl benzilate (6581-06-2);
Tungtsmeltelige metaller
Phosgene: Carbonyl dichloride (75-44-5);
Blandinger heraf (4)
Cyanogen chloride (506-77-4);
Alumider
Hydrogen cyanide (74-90-8);
Legerede aluminider (2)
Chloropicrin: Trichloronitromethane (76-06-2);
Bornitrid
For exports to "States not Party to the Chemical Weapons Convention", 1C450 does not control "chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entries 1C450.a.1. and .a.2. in which no individually specified chemical constitutes more than 1 % by the weight of the mixture.
Cementeret wolframcarbid (16) Siliciumcarbid (18)
For exports to "States Party to the Chemical Weapons Convention", 1C450 does not control "chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entries 1C450.a.1. and .a.2. in which no individually specified chemical constitutes more than 30 % by the weight of the mixture.
Wolfram
450 does not control "chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entries 1C450.a.4., .a.5., .a.6. and .a.7. in which no individually specified chemical constitutes more than 30 % by the weight of the mixture.
Molybdæn og molybdænlegeringer
450 does not control products identified as consumer goods packaged for retail sale for personal use or packaged for individual use.
Beryllium og berylliumlegeringer
b.
Materialer til sensorvinduer (9)
Toxic chemical precursors, as follows:
Fysisk dampudfældning ved termisk fordampning (TE-PVD)
Chemicals, other than those specified in the Military Goods Controls or in 1C350, containing a phosphorus atom to which is bonded one methyl, ethyl or propyl (normal or iso) group but not further carbon atoms;
Fysisk dampudfældning (PVD): Elektronstråle (EB-PVD)
b.1 does not control Fonofos: O-Ethyl S-phenyl ethylphosphonothiolothionate (944-22-9);
Legerede silicider
N,N-Dialkyl [methyl, ethyl or propyl (normal or iso)] phosphoramidic dihalides, other than N,N-Dimethylaminophosphoryl dichloride;
Modificeret zirconiumoxid (12)
See 1C350.57. for N,N-Dimethylaminophosphoryl dichloride.
Korrosionsbestandigt stål (7)
Dialkyl [methyl, ethyl or propyl (normal or iso)] N,N-dialkyl [methyl, ethyl or propyl (normal or iso)]-phosphoramidates, other than Diethyl-N,N-dimethylphosphoramidate which is specified in 1C350;
Borider
N,N-Dialkyl [methyl, ethyl or propyl (normal or iso)] aminoethyl-2-chlorides and corresponding protonated salts, other than N,N-Diisopropyl-(beta)-aminoethyl chloride or N,N-Diisopropyl-(beta)-aminoethyl chloride hydrochloride which are specified in 1C350;
Titanlegeringer (13)
N-Dialkyl [methyl, ethyl or propyl (normal or iso)] aminoethane-2-ols and corresponding protonated salts, other than N,N-Diisopropyl-(beta)-aminoethanol (96-80-0) and N,N-Diethylaminoethanol (100-37-8) which are specified in 1C350;
Nitrider
b.5. does not control the following:
Fysisk dampudfældning ved ionassisteret modstandsopvarmning (Ionplettering)
N,N-Dimethylaminoethanol (108-01-0) and corresponding protonated salts;
Keramiske materialer (19) og glasarter med lav udvidelseskoefficient (14)
Protonated salts of N,N-Diethylaminoethanol (100-37-8);
Cementeret wolframcarbid (16) Siliciumcarbid
N,N-Dialkyl [methyl, ethyl or propyl (normal or iso)] aminoethane-2-thiols and corresponding protonated salts, other than N,N-Diisopropyl-(beta)-aminoethane thiol which is specified in 1C350;
Fysisk dampudfældning (PVD): "laser"fordampning
See 1C350 for ethyldiethanolamine (139-87-7);
Diamantlignende carbon
Methyldiethanolamine (105-59-9).
Fysisk dampudfældning (PVD): katodebueudladning
For exports to "States not Party to the Chemical Weapons Convention", 1C450 does not control "chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entries 1C450.b.1., .b.2., .b.3., .b.4., .b.5. and .b.6. in which no individually specified chemical constitutes more than 10 % by the weight of the mixture.
Polymerer (11) og organiske "matrix" "kompositter"
For exports to "States Party to the Chemical Weapons Convention", 1C450 does not control "chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entries 1C450.b.1., .b.2., .b.3., .b.4., .b.5. and .b.6. in which no individually specified chemical constitutes more than 30 % by the weight of the mixture.
C. Pakcementering (se A ovenfor om cementering uden for pakke) (10)
450 does not control "chemical mixtures" containing one or more of the chemicals specified in entry 1C450.b.8. in which no individually specified chemical constitutes more than 30 % by the weight of the mixture.
Tungtsmeltelige metaller og legeringer (8)
"Software" specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 1B001 to 1B003.
Oxider
"Software" for the "development" of organic "matrix", metal "matrix" or carbon "matrix" laminates or "composites".
D. Plasmasprøjtning
"Software" specially designed or modified to enable equipment to perform the functions of equipment specified in 1A004.c. or 1A004.d.
Afslideligt nikkelgrafit
"Software" specially designed or modified for the operation or maintenance of goods specified in 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 or 1B119.
Afslidelige materialer, der indeholder Ni-Cr-Al
"Software" specially designed for analysis of reduced observables such as radar reflectivity, ultraviolet/infrared signatures and acoustic signatures.
Afslideligt Al-Si-Polyester
"Software" specially designed for the "use" of goods specified in 1B201.
Aluminiumlegeringer (6)
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 1A001.b., 1A001.c., 1A002 to 1A005, 1A006.b., 1A007, 1B or 1C.
E. Slurrybelægning
Other "technology" as follows:
Smeltede silicider
a.
Smeltede aluminider undtagen til modstandsvarmeelementer
"Technology" for the "development" or "production" of polybenzothiazoles or polybenzoxazoles;
F. Sputterbelægning
b.
Aluminider modificeret med ædle metaller (3)
"Technology" for the "development" or "production" of fluoroelastomer compounds containing at least one vinylether monomer;
Platin
c.
Keramiske materialer og glasarter med lav udvidelseskoefficient (14)
"Technology" for the design or "production" of the following ceramic powders or non-"composite" ceramic materials:
Dielektriske lag (15)
Ceramic powders having all of the following:
G. Ionimplantering
a.
Lejestål til høje temperaturer
Any of the following compositions:
Tilsætninger af chrom tantal eller niobium (columbium)
Single or complex oxides of zirconium and complex oxides of silicon or aluminium;
Cementeret wolframcarbid (16)
Single nitrides of boron (cubic crystalline forms);
SKEMA — UDFÆLDNINGSTEKNIK — NOTER
Single or complex carbides of silicon or boron; or
'Belægningsprocessen' omfatter reparation og fornyelse af belægningen såvel som oprindelig belægning.
Single or complex nitrides of silicon;
Udtrykket 'legeret aluminidbelægning' omfatter éttrins- eller flertrinsbelægninger, i hvilke et eller flere grundstoffer pålægges før eller under påføring af aluminidbelægningen, selv om disse grundstoffer pålægges ved en anden belægningsproces.
b.
Det omfatter imidlertid ikke gentagen anvendelse af éttrinspakcementeringsprocesser for at opnå legerede aluminider.
Any of the following total metallic impurities (excluding intentional additions):
Udtrykket belægning med 'aluminid modificeret med ædle metaller' omfatter flertrinsbelægninger, ved hvilke det eller de ædle metaller pålægges ved en anden belægningsproces før pålægningen af aluminidbelægningen.
Less than 1000 ppm for single oxides or carbides; or
Udtrykket 'blandinger heraf' omfatter infiltreret materiale, graderede sammensætninger, samudfældninger og flerlagsudfældninger fremstillet ved en eller flere af de i dette skema specificerede processer.
Less than 5000 ppm for complex compounds or single nitrides; and
'MCrAlX' refererer til en belægningslegering, hvor M er cobalt, jern, nikkel eller sammensætninger heraf, og X er hafnium, yttrium, silicium, tantal i enhver mængde eller andre tilsigtede tilsætninger over 0,01 vægtprocent i forskellige forhold og kombinationer undtagen:
c.
a. CoCrAlY-belægninger, som indeholder mindre end 22 vægtprocent chrom, mindre end 7 vægtprocent aluminium, og mindre end 2 vægtprocent yttrium
Being any of the following:
b. CoCrAlY-belægninger, som indeholder 22-24 vægtprocent chrom, 10-12 vægtprocent aluminium, og 0,5-0,7 vægtprocent yttrium eller
Zirconia (CAS 1314-23-4) with an average particle size equal to or less than 1 μm and no more than 10 % of the particles larger than 5 μm or
c. NiCrAlY-belægninger, som indeholder 21-23 vægtprocent chrom, 10-12 vægtprocent aluminium, og 0,9-1,1 vægtprocent yttrium
Other ceramic powders with an average particle size equal to or less than 5 μm and no more than 10 % of the particles larger than 10 μm; or
'Aluminiumslegeringer' er legeringer, der har en trækbrudstyrke på mindst 190 MPa målt ved 293 K (20 °C).
Non-"composite" ceramic materials composed of the materials specified in 1E002.c.1;
'Korrosionsbestandigt stål' er stål iflg. AISI (American Iron and Steel Institute) 300 rækken eller tilsvarende nationale standarder.
c.2. does not control "technology" for the design or production of abrasives.
'Tungtsmeltelige metaller og legeringer' omfatter følgende metaller og deres legeringer: niobium (columbium), molybdæn, wolfram og tantal.
d.
'Materialer til sensorvinduer' som følger: aluminiumoxid, silicium, germanium, zinksulphid, zinkselenid, galliumarsenid, diamant, galliumfosfid, safir og følgende metalhalider: sensorvinduesmaterialer med en større diameter end 40 mm for zirconiumfluorid og hafniumfluorid.
Not used.
"Teknologi" til éttrinspakcementering af faste planprofiler pålægges ikke eksportkontrol iflg. kategori 2.
e.
'Polymerer' som følger: polyimid, polyester, polysulfid, polycarbonater og polyurethaner.
"Technology" for the installation, maintenance or repair of materials specified in 1C001;
'Modificerede zirconiumoxider' er tilsætning af andre metaloxider, f.eks. calcium-, magnesium-, yttrium- og hafnium-oxider, oxider af sjældne jordarter, osv. til zirconiumoxider for at stabilisere visse krystallografiske faser og fasesammensætninger.
f.
Termiske spærrebelægninger fremstillet af zirconiumoxid modificeret med calcium- eller magnesiumoxider ved blanding eller fusion pålægges ikke eksportkontrol.
"Technology" for the repair of "composite" structures, laminates or materials specified in 1A002, 1C007.c. or 1C007.d.;
'Titanlegeringer' er udelukkende rumfartslegeringer med en trækbrudstyrke på mindst 900 MPa målt ved 293 K (20 °C).
f. does not control "technology" for the repair of "civil aircraft" structures using carbon "fibrous or filamentary materials" and epoxy resins, contained in aircraft manufacturers' manuals.
'Glasarter med lav udvidelseskoefficient' refererer til glasarter, som har en termisk udvidelseskoefficient på højst 1 x 10–7 K–1 målt ved 293 K (20 °C).
g.
'Dielektriske lag' er belægninger, der er konstrueret af flere lag af isolerende materialer, i hvilket interferensegenskaberne ved en konstruktion, der er sammensat af materialer med forskelligt refraktivt indeks, bruges til at reflektere, transmittere eller absorbere forskellige bølgelængdebånd.
"Libraries" specially designed or modified to enable equipment to perform the functions of equipment specified in 1A004.c. or 1A004.d.
Dielektriske lag refererer til mere end fire dielektriske lag eller "kompositte" lag af dielektrikametal.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115 to 1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 to 1C118, 1D101 or 1D103.
'Cementeret wolframcarbid' omfatter ikke skære- og formværktøjsmaterialer bestående af wolframcarbid/(cobalt, nikkel), titancarbid/(cobalt, nikkel), chromcarbid/nikkel-chrom og chrom carbid/nikkel.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 1D001, 1D101 or 1D103.
"Teknologi", der specielt er beregnet på udfældning af diamantlignende carbon på følgende, pålægges ikke eksportkontrol:
"Technology" for the regulation of temperature, pressure or atmosphere in autoclaves or hydroclaves, when used for the "production" of "composites" or partially processed "composites".
magnetpladedrev og magnethoveder, udstyr til fremstilling af engangsemballager, ventiler til haner, højttalermembraner, motordele til motorkøretøjer, skære-, lokke- og presseværktøj, kontorautomationsudstyr, mikrofoner eller medicinsk udstyr eller forme til støbning af plast, fremstillet af legeringer indeholdende mindre end 5 % beryllium.
"Technology" relating to the "production" of pyrolytically derived materials formed on a mould, mandrel or other substrate from precursor gases which decompose in the 1573 K (1300 °C) to 3173 K (2900 °C) temperature range at pressures of 130 Pa to 20 kPa.
'Siliciumcarbid' omfatter ikke materialer til fremstilling af skære- og formværktøj.
104 includes "technology" for the composition of precursor gases, flow-rates and process control schedules and parameters.
Keramiske substrater som omhandlet under dette punkt omfatter ikke keramiske materialer med et indhold af ler eller cement på 5 vægtprocent eller derover enten som separate bestanddele eller i kombination.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 1A002, 1A007, 1A202, 1A225 to 1A227, 1B201, 1B225 to 1B234, 1C002.b.3. or .b.4., 1C010.b., 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 to 1C241 or 1D201.
SKEMA — UDFÆLDNINGSTEKNIK — TEKNISK NOTE
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of goods specified in 1A007, 1A202 or 1A225 to 1A227.
Processer der er specificeret i kolonne 1 i skemaet, defineres som følger:
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 1D201.
a. Kemisk dampudfældning (CVD) er en overfladebelægnings- eller overflademodificeringsproces, hvorved et metal, en legering, "komposit", dielektrikum eller keramisk materiale udfældes på et opvarmet substrat.
CATEGORY 2 —
Gasformige reaktanter spaltes eller indgår forbindelse i nærheden af substratet, således af der sker en udfældning af det ønskede grundstof, legering eller forbindelse på substratet.
MATERIALS PROCESSING
Energien til denne spaltnings- eller kemiske reaktionsproces kan bringes til veje ved substratets varme, en glødeudladningsplasma, eller ved "laser"stråling.
For quiet running bearings, see the Military Goods Controls.
CVD omfatter følgende processer: Udfældning ved en ledet gasstrøm uden pakning, pulserende CVD, styret nuklear termisk udfældning (CNTD), plasmaforstærkede eller plasmaassisterede CVD processer.
Anti-friction bearings and bearing systems, as follows, and components therefor:
Pakket betyder, at et substrat er nedlagt i en pulverblanding.
SEE ALSO 2A101.
De gasformige reaktanter, der anvendes i en ikkepakket proces, frembringes ved brug af de samme grundreaktioner og parametre som i pakkecementeringsprocessen, med undtagelse af at det substrat, der skal belægges, ikke er i kontakt med pulverblandingen.
001 does not control balls with tolerances specified by the manufacturer in accordance with ISO 3290 as grade 5 or worse.
b. Termisk fordampning-fysisk dampudfældning (TE-PVD) er en overlaybelægningsproces, der foregår i et vakuum med et tryk på mindre end 0,1 Pa, i hvilket der bruges en termisk energikilde til at fordampe belægningsmaterialet.
a.
Denne proces resulterer i kondensering eller deponering af det fordampede materiale på passende anbragte substrater.
Ball bearings and solid roller bearings, having all tolerances specified by the manufacturer in accordance with ISO 492 Tolerance Class 4 (or national equivalents), or better, and having both rings and rolling elements (ISO 5593), made from monel or beryllium;
Tilførsel af gasser til vakuumkammeret under belægningsprocessen til syntetisering af sammensatte belægninger er en normal modificering af processen.
a. does not control tapered roller bearings.
Brugen af ion- eller elektronstråler eller plasma for at aktivere eller assistere belægningens deponering er også en almindelig modifikation i denne teknik.
c.
Brugen af monitorer til opnåelse af måling af optiske egenskaber og tykkelse under processen kan være en del af disse processer.
Active magnetic bearing systems using any of the following:
Specifikke TE-PVD processer er følgende:
Materials with flux densities of 2,0 T or greater and yield strengths greater than 414 MPa;
Elektronstråle PVD bruger en elektronstråle til opvarmning og fordampning af det materiale, der danner belægningen.
All-electromagnetic 3D homopolar bias designs for actuators; or
PVD med ionstøttet modstandsopvarmning bruger elektriske resistive varmekilder i kombination med aktiverende ionstråler, så der frembringes en styret og ensartet strøm af fordampede belægningsmaterialer.
High temperature (450 K (177 °C) and above) position sensors.
"Laser" fordampning bruger enten pulserende eller kontinuert-bølge "laser"-stråler til fordampning af det materiale, der danner belægningen.
Radial ball bearings, other than those specified in 2A001, having all tolerances specified in accordance with ISO 492 Tolerance Class 2 (or ANSI/ABMA Std 20 Tolerance Class ABEC-9 or other national equivalents), or better and having all the following characteristics:
Katodebuebelægning bruger en smelteelektrode af det materiale, der danner belægningen, og som etablerer en lysbue på overfladen ved en kortvarig kontakt til jord ved en igangsætter.
a.
Styret bevægelse af buen eroderer katodeoverfladen og skaber en højioniseret plasma.
An inner ring bore diameter between 12 mm and 50 mm;
Anoden kan enten være en kegle, der er fastgjort til katodens omkreds ved hjælp af en isolator, eller kammeret.
b.
"Biasing" af substrater bruges ved belægning uden for sigtelinje.
An outer ring outside diameter between 25 mm and 100 mm; and
Denne definition omfatter ikke tilfældig katodelysbuebelægning med substrater, der ikke er "biased".
c.
Ionplettering er en speciel modificering af en generel TE-PVD-proces, hvorved en plasma- eller ionkilde bruges til at ionisere de materialer, der skal danne belægningen, og substratet gives negativ "bias" for at lette udtrækningen fra plasmaen af det materiale, der skal pålægges.
A width between 10 mm and 20 mm.
Indføringen af reaktive materialer, fordampning af faststoffer i proceskammeret, og brugen af monitorer til opnåelse af måling af belægningers optiske egenskaber og tykkelser under processen er normale modifikationer af processen.
Crucibles made of materials resistant to liquid actinide metals, as follows:
c. Pakcementering er en overflademodifikationsbelægning eller overlaybelægningsproces, hvor substratet nedlægges i en pulverblanding (en pakning), som består af:
a.
De metalliske pulvere, der skal danne belægningen (normalt aluminium, chrom, silicium eller kombinationer af disse)
Crucibles having both of the following characteristics:
En aktivator (normalt et halidsalt) og
A volume of between 150 cm3 and 8000 cm3; and
Et inaktivt pulver, hyppigst aluminiumoxid.
Made of or coated with any of the following materials, or combination of the following materials, having an overall impurity level of 2 % or less by weight:
Substratet og pulverblandingen indeholdes i en retort, som opvarmes til mellem 1030 K 757 °C) og 1375 K (1102 °C) i tilstrækkelig lang tid til udfældning af belægningen.
a.
d. Plasmasprøjtning er en overlaybelægningsproces, hvor en pistol (sprøjtebrænder), som frembringer og styrer en plasma, modtager pulver- eller trådbelægningsmaterialer, smelter dem og slynger dem mod et substrat, hvor der dannes en integreret, bonded belægning.
Calcium fluoride (CaF2);
Plasmasprøjtning kan være enten lavtryksplasmasprøjtning eller højhastighedsplasmasprøjtning.
b.
Lavtryk betyder mindre end det omgivende atmosfæriske tryk.
Calcium zirconate (metazirconate) (CaZrO3);
Høj hastighed refererer til, at gassens udgangshastighed ved dysens munding overstiger 750 m/s udregnet ved 293 K (20 °C) ved 0,1 MPa.
c.
e. Slurrybelægning er en overflademodifikationsbelægnings- eller overlaybelægningsproces, hvor et metallisk eller keramisk pulver med et organisk bindemiddel opslemmes i en væske og påføres et substrat enten ved sprøjtning, dypning eller maling, hvorefter det luft- eller ovntørres, og varmebehandles for at opnå den ønskede belægning.
Cerium sulphide (Ce2S3);
f. Sputterbelægning er en overlaybelægningsproces, der er baseret på et momentoverførselsfænomen, hvor positive ioner accelereres af et elektrisk felt mod målets (belægningsmaterialets) overflade.
d.
Når ionerne rammer overfladen, er den kinetiske energi tilstrækkelig til at frigøre overfladeatomer på målet og aflejre dem på det passende anbragte substrat.
Erbium oxide (erbia) (Er2O3);
Skemaet refererer kun til triode-, magnetron- eller reaktiv sputterbelægning, som bruges til at forbedre belægningens vedhængskraft og belægningsprocessens hastighed, og til radiofrekvens-(RF)forbedret sputterbelægning, der bruges til at frembringe fordampning af umetalliske belægningsmaterialer.
e.
Lavenergiionstråler (mindre end 5 keV) kan anvendes til at aktivere belægningsprocessen.
Hafnium oxide (hafnia) (HfO2);
g. Ionimplantering er en overflademodifikationsbelægningsproces, hvor det grundstof, der skal legeres, bliver ioniseret, accelereret gennem en spændingsgradient og implanteret i substratets overfladeområde.
f.
Dette omfatter processer, hvor ionimplanteringen sker samtidig med fysisk dampudfældning med elektronstråle eller sputterbelægning.
Magnesium oxide (MgO);
KATEGORI 3 —
g.