natgillin/translations-raw huggingface dataset:
En maksimal udgangseffekt på over 50 W (47 dBm) ved frekvenser på mere end 8,5 GHz til og med 12 GHz
That dimension will be the smaller of either the inside diameter of the pressure chamber or the inside diameter of the insulated furnace chamber, depending on which of the two chambers is located inside the other.
En maksimal udgangseffekt på over 30 W (44,77 dBm) ved frekvenser på mere end 12 GHz til og med 16 GHz eller
For specially designed dies, moulds and tooling see 1B003, 9B009 and the Military Goods Controls.
En maksimal udgangseffekt på over 20 W (43 dBm) ved frekvenser på mere end 16 GHz til og med 31,8 GHz
Equipment specially designed for the deposition, processing and in-process control of inorganic overlays, coatings and surface modifications, as follows, for non-electronic substrates, by processes shown in the Table and associated Notes following 2E003.f., and specially designed automated handling, positioning, manipulation and control components therefor:
d. Normeret til drift med en maksimal udgangseffekt på mere end 2 W (33 dBm) ved frekvenser på mere end 37 GHz til og med 43,5 GHz og med en "relativ båndbredde" på mere end 10 %
a.
e. Normeret til drift ved frekvenser på mere end 43,5 GHz, og med en eller flere af følgende egenskaber:
Chemical vapour deposition (CVD) production equipment having all of the following:
Maksimal udgangseffekt på mere end 0,2 W (23 dBm) ved frekvenser på mere end 43,5 GHz til og med 75 GHz og med en "relativ båndbredde" på mere end 10 %
SEE ALSO 2B105.
Maksimal udgangseffekt på mere end 20 mW (13 dBm) ved frekvenser på mere end 75 GHz til og med 90 GHz og med en "relativ båndbredde" på mere end 5 % eller
A process modified for one of the following:
Maksimal udgangseffekt på over 0,1 nW (– 70 dBm) ved frekvenser på mere end 90 GHz eller
a.
f. Normeret til drift ved frekvenser på mere end 2,7 GHz, og med en eller flere af følgende egenskaber:
Pulsating CVD;
Maksimal udgangseffekt (i watt) Psat på over 400 divideret med den maksimale driftsfrekvens (i GHz) i anden potens [Psat > 400 W*GHz2/fGHz2]
b.
En "relativ båndbredde" på mindst 5 % og
Controlled nucleation thermal deposition (CNTD); or
To på hinanden vinkelrette sider, hvor længden d (i cm) er mindre eller lig med 15 divideret med den laveste driftsfrekvens i GHz [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz]
c.
2,7 GHz bør anvendes som den laveste driftsfrekvens (fGHz) i formlen i 3A001.b.4.f.3. i forbindelse med forstærkere, der har et nominelt driftsområde ned til 2,7 GHz og derunder [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz].
Plasma enhanced or plasma assisted CVD; and
MMIC-effektforstærkere skal vurderes på baggrund af kriterierne i 3A001.b.2.
a.
Eksportkontrolstatus for et produkt, hvis nominelle driftsfrekvens omfatter frekvenser opført i mere end ét frekvensområde som defineret i 3A001.b.4.a. til 3A001.b.4.e., afgøres ved den laveste tærskel for maksimal udgangseffekt.
Incorporating high vacuum (equal to or less than 0,01 Pa) rotating seals; or
b.4. omfatter sender/modtagermoduler og sendermoduler.
b.
Elektronisk eller magnetisk afstemmelige båndpas- eller båndstopfiltre med mere end 5 afstemmelige resonatorer, der er i stand til at afstemme over et 1,5:1 frekvensbånd (fmax./fmin.) på mindre end 10 μs, og som har en eller flere af følgende egenskaber:
Incorporating in situ coating thickness control;
a. Gennemgangsbåndbredde på mere end 0,5 % af centerfrekvensen eller
b.
b. Båndstopbåndbredde på mindre end 0,5 % af centerfrekvensen
Ion implantation production equipment having beam currents of 5 mA or more;
Konvertere og harmoniske mixere med en eller flere af følgende egenskaber:
c.
a. Konstrueret til at udvide frekvensområdet for "signalanalysatorer" ud over 90 GHz
Electron beam physical vapour deposition (EB-PVD) production equipment incorporating power systems rated for over 80 kW and having any of the following:
b. Konstrueret til at udvide driftsområdet for signalgeneratorer som følger:
A liquid pool level "laser" control system which regulates precisely the ingots feed rate; or
Ud over 90 GHz
A computer controlled rate monitor operating on the principle of photo-luminescence of the ionised atoms in the evaporant stream to control the deposition rate of a coating containing two or more elements;
Til en udgangseffekt på over 100 mW (20 dBm) ved en hvilken som helst frekvens over 43,5 GHz, men ikke over 90 GHz
d.
c. Konstrueret til at udvide driftsområdet for netværksanalysatorer som følger:
Plasma spraying production equipment having any of the following:
Ud over 110 GHz
Operating at reduced pressure controlled atmosphere (equal to or less than 10 kPa measured above and within 300 mm of the gun nozzle exit) in a vacuum chamber capable of evacuation down to 0,01 Pa prior to the spraying process; or
Til en udgangseffekt på over 31,62 mW (15 dBm) ved en hvilken som helst frekvens over 43,5 GHz, men ikke over 90 GHz
Incorporating in situ coating thickness control;
Til en udgangseffekt på over 1 mW (0 dBm) ved en hvilken som helst frekvens over 90 GHz, men ikke over 110 GHz eller
e.
d. Konstrueret til at udvide frekvensområdet for mikrobølgetestmodtagere ud over 110 GHz
Sputter deposition production equipment capable of current densities of 0,1 mA/mm2 or higher at a deposition rate of 15 μm/h or more;
Mikrobølgeforstærkere med rør, som er specificeret i 3A001.b.1., og med samtlige følgende egenskaber:
f.
a. Driftsfrekvenser på over 3 GHz
Cathodic arc deposition production equipment incorporating a grid of electromagnets for steering control of the arc spot on the cathode;
b. Gennemsnitligt forhold mellem udgangseffekt og masse på mere end 80 W/kg og
g.
c. Rumfang på mindre end 400 cm3
Ion plating production equipment capable of the in situ measurement of any of the following:
b.8 lægger ikke eksportkontrol på udstyr, der er konstrueret eller normeret til drift i frekvensbånd, som er "allokeret af ITU" til radiokommunikationstjenester, men ikke til radiostedbestemmelse.
Coating thickness on the substrate and rate control; or
Mikrobølgeeffektmoduler (MPM) bestående af mindst et vandrebølgerør, et "monolitisk integreret mikrobølgekredsløb" og en integreret elektronisk energikonditioneringsanordning og med samtlige følgende egenskaber:
Optical characteristics.
a.
005 does not control chemical vapour deposition, cathodic arc, sputter deposition, ion plating or ion implantation equipment, specially designed for cutting or machining tools.
'Tændtid' fra slukket tilstand til fuld drift på under 10 sekunder
Dimensional inspection or measuring systems, equipment and "electronic assemblies", as follows:
b. Et volumen på under den maksimale nominelle effekt i watt ganget med 10 cm3/W og
a.
Til beregning af volumen i 3A001.b.9.b. gives følgende eksempel: for en maksimal nominel effekt på 20 W vil volumen være: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Computer controlled or "numerically controlled" Coordinate Measuring Machines (CMM), having a three dimensional (volumetric) maximum permissible error of length measurement (E0, MPE) at any point within the operating range of the machine (i.e., within the length of axes) equal to or less (better) than (1,7 + L/1000) μm (L is the measured length in mm), according to ISO 10360-2 (2009);
'Tændtiden' i 3A001.b.9.a. er tiden fra helt slukket tilstand til fuld drift, dvs. omfatter MPM'ens opvarmningstid.
The E0, MPE of the most accurate configuration of the CMM specified by the manufacturer (e.g., best of the following: probe, stylus length, motion parameters, environment) and with "all compensations available" shall be compared to the 1,7 + L/1000 μm threshold.
Oscillatorer eller oscillatorsamlinger, der er angivet til at arbejde med et enkelt sidebånd (SSB) fasestøj, i dBc/Hz, mindre (bedre) end – (126 + 20log10F - 20log10f) på et hvilket som helst punkt i et interval på 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz
SEE ALSO 2B206.
I 3A001.b.10. er F afvigelsen fra driftsfrekvensen i Hz og f er driftsfrekvensen i MHz.
b.
"Frekvenssynthesizer"-"elektroniske samlinger" med en "frekvensskiftetid" som angivet ved en af følgende egenskaber:
Linear and angular displacement measuring instruments, as follows:
a. Under 156 ps
'Linear displacement' measuring instruments having any of the following:
b. Under 100 μs for frekvensændringer på over 1,6 GHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 4,8 GHz, men ikke over 10,6 GHz
Displacement measuring "laser" interferometers are only controlled in 2B006.b.1.c.
c. Under 250 μs for frekvensændringer på over 550 MHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 10,6 GHz, men ikke over 31,8 GHz
For the purpose of 2B006.b.1.
d. Under 500 μs for frekvensændringer på over 550 MHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 31,8 GHz, men ikke over 43,5 GHz
'linear displacement' means the change of distance between the measuring probe and the measured object.
e. Under 1 ms for frekvensændringer på over 550 MHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 43,5 GHz, men ikke over 56 GHz
a.
f. Under 1 ms for frekvensændringer på over 2,2 GHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 56 GHz, men ikke over 90 GHz eller
Non-contact type measuring systems with a "resolution" equal to or less (better) than 0,2 μm within a measuring range up to 0,2 mm;
g. Under 1 ms inden for det syntetiserede frekvensområde på over 90 GHz.
b.
Vedr. "signalanalysatorer", signalgeneratorer, netværksanalysatorer og mikrobølgetestmodtagere til generelle formål, jf. hhv. 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. og 3A002.f.
Linear Variable Differential Transformer (LVDT) systems having all of the following:
c. Følgende akustisk bølgeudstyr samt specielt konstruerede komponenter hertil:
a.
Akustisk bølgeudstyr og surface skimming (fladt volumen) akustisk bølgeudstyr med:
"Linearity" equal to or less (better) than 0,1 % measured from 0 to the 'full operating range', for LVDTs with a 'full operating range' up to and including ± 5 mm; or
a. Bærefrekvens på over 6 GHz
b.
b. Bærefrekvens på mere end 1 GHz, men højst 6 GHz og med en eller flere af følgende egenskaber:
"Linearity" equal to or less (better) than 0,1 % measured from 0 to 5mm for LVDTs with a 'full operating range' greater than ± 5 mm; and
'Frekvenssidesløjfedæmpning' på mere end 65 dB
Drift equal to or less (better) than 0,1 % per day at a standard ambient test room temperature ± 1 K;
Produktet af den største forsinkelse og båndbredden (tid i μs og båndbredde i MHz) på mere end 100
For the purposes of 2B006.b.1.b., 'full operating range' is half of the total possible linear displacement of the LVDT.
Båndbredde på over 250 MHz eller
For example, LVDTs with a 'full operating range' up to and including ± 5 mm can measure a total possible linear displacement of 10 mm..
Spredningsforsinkelse på mere end 10 μs eller
c.
c. Bærefrekvens på højst 1 GHz og med en eller flere af følgende egenskaber:
Measuring systems having all of the following:
'Frekvenssidesløjfedæmpning' på mere end 65 dB og båndbredde over 100MHz
Containing a "laser"; and
'Frekvenssidesløjfedæmpning' er den maksimale dæmpningsværdi, der er specificeret i databladet.
Maintaining, for at least 12 hours, at a temperature of 20 ± 1 °C, all of the following:
Volumenakustisk bølgeudstyr, som tillader direkte signalbehandling ved frekvenser på over 6 GHz
a.
Akustisk-optisk "signalbehandlings" udstyr, der anvender vekselvirkning mellem akustiske bølger (volumenbølge eller overfladebølge) og lysbølger, der tillader direkte behandling af signaler eller billeder, inklusive spektralanalyse, korrelation eller konvolution
A "resolution" over their full scale of 0,1 μm or less (better); and
c. lægger ikke eksportkontrol på akustisk bølgeudstyr, der kun omfatter én båndpas-, lavpas-, højpas- eller gradfiltrering eller resonatorfunktion.
b.
d. Elektronisk udstyr eller kredsløb, der indeholder komponenter, der er fremstillet af "superledende" materialer, der er specielt beregnet til drift ved temperaturer under mindst en af de "superledende" bestanddeles "kritiske temperatur", og som har en eller flere af følgende egenskaber:
Capable of achieving a "measurement uncertainty" equal to or less (better) than (0,2 + L/2000) μm (L is the measured length in mm) at any point within a measuring range, when compensated for the refractive index of air; or
Strømkobling til digitale kredsløb ved hjælp af "superledende" porte med et produkt af forsinkelse pr. port (i sekunder) og effekttab pr. port (i watt) på mindre end 10–14 J eller
d.
Frekvensvalg ved alle frekvenser ved hjælp af resonanskredse med Q-værdier på mere end 10000 e. Højenergiudstyr som følger:
"Electronic assemblies" specially designed to provide feedback capability in systems specified in 2B006.b.1.c.;
'Celler' som følger:
b.1. does not control measuring interferometer systems, with an automatic control system that is designed to use no feedback techniques, containing a "laser" to measure slide movement errors of machine-tools, dimensional inspection machines or similar equipment.
I forbindelse med 3A001.e.1. beregnes 'energitætheden' (Wh/kg) som den nominelle spænding ganget med den nominelle kapacitet i amperetimer (Ah) divideret med massen i kg.
Angular displacement measuring instruments having an angular position "accuracy" equal to or less (better) than 0,00025 °;
Hvis den nominelle kapacitet ikke er angivet, beregnes energitætheden som den nominelle spænding i anden og derefter ganget med udladningstiden i timer divideret med udladningsbelastningen i ohm og massen i kg.
b.2. does not control optical instruments, such as autocollimators, using collimated light (e.g., laser light) to detect angular displacement of a mirror.
I forbindelse med 3A001.e.1. defineres en 'celle' som en elektrokemisk anordning, der har positive og negative elektroder og en elektrolyt, og som er en kilde til elektrisk energi.
c.
3.
006 includes machine tools, other than those specified by 2B001, that can be used as measuring machines if they meet or exceed the criteria specified for the measuring machine function.
I forbindelse med 3A001.e.1.a. er en 'primærcelle' en 'celle', der ikke er beregnet til at blive ladet af en anden kilde.
"Robots" having any of the following characteristics and specially designed controllers and "end-effectors" therefor:
4.
SEE ALSO 2B207.
I forbindelse med 3A001.e.1.b. er en 'sekundærcelle' en 'celle', der er beregnet til at blive ladet af en ekstern elektrisk kilde.
a.
Note:
Capable in real time of full three-dimensional image processing or full three-dimensional 'scene analysis' to generate or modify "programmes" or to generate or modify numerical programme data;
Mærkespænding på mindst 5 kV
The scene analysis limitation does not include approximation of the third dimension by viewing at a given angle, or limited grey scale interpretation for the perception of depth or texture for the approved tasks (2 1/2 D).
Energitæthed på mindst 250 J/kg og
b.
Total energi på mindst 25 kJ
Specially designed to comply with national safety standards applicable to potentially explosive munitions environments;
b. Kondensatorer med en gentagelseshastighed på 10 Hz eller mere (gentagelseskondensatorer) og med samtlige af følgende egenskaber:
b. does not control "robots" specially designed for paint-spraying booths.
Energitæthed på mindst 50 J/kg
c.
Total energi på mindst 100 J og
Specially designed or rated as radiation-hardened to withstand a total radiation dose greater than 5 × 103 Gy (silicon) without operational degradation; or
Ladnings/afladningscykluslevetid på mindst 10000
The term Gy(silicon) refers to the energy in Joules per kilogram absorbed by an unshielded silicon sample when exposed to ionising radiation.
"Superledende" elektromagneter eller solenoider, der er specielt konstrueret til at blive fuldt opladet eller afladet på mindre end 1 sekund, og med samtlige følgende egenskaber:
d.
JF.
Specially designed to operate at altitudes exceeding 30000 m.
LIGELEDES 3A201.b.
Assemblies or units, specially designed for machine tools, or dimensional inspection or measuring systems and equipment, as follows:
e.3 lægger ikke eksportkontrol på "superledende" elektromagneter eller solenoider, der er specielt konstrueret til medicinsk udstyr til magnetisk resonans-billeddannelse (MRI).
a.
a. Energiafgivelse på mere end 10 kJ i løbet af det første sekund
Linear position feedback units having an overall "accuracy" less (better) than (800 + (600 × L/1000)) nm (L equals the effective length in mm);
b. Indre diameter af strømvindingerne mere end 250 mm og
For "laser" systems see also Note to 2B006.b.1.c. and d.
c. Nominel magnetisk induktion mere end 8 T eller "total strømtæthed" i vindingen mere end 300 A/mm2
b.
Solceller, samlinger af forbundne solceller med dækglas (CIC), solpaneler og solarrays, der er "rumkvalificerede" og har en mindste gennemsnitseffektivitet på over 20 % ved en driftstemperatur på 301 K (28 °C) ved en simuleret 'AM0'-belysning med en bestråling på 1367 watt pr. kvadratmeter (W/m2)
Rotary position feedback units having an "accuracy" less (better) than 0,00025 °;
'AM0' eller 'Air Mass Zero' er sollysets spektrale bestråling i jordens ydre atmosfære, når afstanden mellem jorden og solen er én astronomisk enhed (AU).
For "laser" systems see also Note to 2B006.b.2.
f. Enkodere til absolut position med roterende input med en nøjagtighed lig med eller mindre (bedre) end ± 1,0 buesekund
a. and 2B008.b. control units, which are designed to determine the positioning information for feedback control, such as inductive type devices, graduated scales, infrared systems or "laser" systems.
g. Faststofthyristorkoblingsanordninger med impulseffekt og 'thyristormoduler', der anvender koblingsmetoder, som styres elektronisk, optisk eller med elektronstråling, og som har en eller flere af følgende egenskaber:
c.
En maksimal strømstigning ved tænding (di/dt) på over 30000 A/μs og en spænding i slukket tilstand på over 1100 V eller
"Compound rotary tables" and "tilting spindles", capable of upgrading, according to the manufacturer's specifications, machine tools to or above the levels specified in 2B.
En maksimal strømstigning ved tænding (di/dt) på over 2000 A/μs og som har alle følgende egenskaber:
Spin-forming machines and flow-forming machines, which, according to the manufacturer's technical specification, can be equipped with "numerical control" units or a computer control and having all of the following:
a. En spidsspænding i slukket tilstand på 3000 V eller derover og
SEE ALSO 2B109 AND 2B209.
b. En ikkerepetitiv spidsstrøm (surge current) på 3000 A eller derover.
a.
g. omfatter:
Three or more axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control"; and
Styrede ensrettere af silicium Silicon Controlled Rectifiers (SCR)
b.
Elektrisk styrede thyristorer (ETT)
A roller force more than 60 kN.
Lysstyrede thyristorer (LTT)
For the purpose of 2B009, machines combining the function of spin-forming and flow-forming are regarded as flow-forming machines.
Integrerede brokommuterede thyristorer (IGCT)
"Isostatic presses", other than those specified in 2B004, having all of the following:
Gate Turn-Off thyristorer (GTO)
SEE ALSO 2B204.
MOS-styrede thyristorer (MCT)
a.
Solidtroner
Maximum working pressure of 69 MPa or greater;
g. lægger ikke eksportkontrol på thyristoranordninger og 'thyristormoduler', der er indbygget i udstyr til anvendelse i civil jernbanedrift eller "civile fly".
b.
I forbindelse med 3A001.g. indeholder et 'thyristormodul' en eller flere thyristoranordninger.
Designed to achieve and maintain a controlled thermal environment of 873 K (600 °C) or greater; and
h. Faststofhalvlederswitcher, -dioder eller '-moduler' med følgende egenskaber:
c.
Normeret til maksimal driftstemperatur på over 488 K (215 °C)
Possessing a chamber cavity with an inside diameter of 254 mm or greater.
En repetitiv spidsspænding i off-tilstand (blokeringsspænding) på over 300 V og
Chemical vapour deposition (CVD) furnaces, other than those specified in 2B005.a., designed or modified for the densification of carbon-carbon composites.
En kontinuerlig strøm på over 1 A.
Flow-forming machines, other than those specified in 2B009, and specially designed components as follows:
Den repetitive spidsspænding i off-tilstand i 3A001.h. omfatter drainsourcespænding, kollektoremitterspænding, repetitiv spidsspærrespænding og repetitiv spidsblokeringsspænding i off-tilstand.
SEE ALSO 2B209.
h. omfatter:
a.
Junction felteffekttransistorer (JFET)
Flow-forming machines having all of the following:
Lodrette junction felteffekttransistorer (VJFET)
According to the manufacturer's technical specification, can be equipped with "numerical control" units or a computer control, even when not equipped with such units; and
Metaloxidfelteffekttransistorer (MOSFET)
With more than two axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control".
Dobbeltdiffunderede metaloxidfelteffekttransistorer (DMOSFET)
b.
Isolerede gate bipolære transistorer (IGBT)
Specially designed components for flow-forming machines specified in 2B009 or 2B109.a.
Bipolære junction transistorer (BJT)
109 does not control machines that are not usable in the production of propulsion components and equipment (e.g. motor cases) for systems specified in 9A005, 9A007.a. or 9A105.a.
Slukbare emitterthyristorer (ETO) PiN-dioder
Machines combining the function of spin-forming and flow-forming are for the purpose of 2B109 regarded as flow-forming machines.
Note 3:
Vibration test systems, equipment and components therefor, as follows:
Teknisk note:
a.
Bølgesignaldigitaliseringsudstyr og transientoptagere, med samtlige følgende egenskaber: a. Digitaliseringshastighed på mindst 200 mio. aftastninger pr. sekund og en opløsning på mindst 10 bit
Vibration test systems employing feedback or closed loop techniques and incorporating a digital controller, capable of vibrating a system at an acceleration equal to or greater than 10 g rms between 20 Hz and 2 kHz while imparting forces equal to or greater than 50 kN, measured 'bare table';
Ved 'kontinuerlig kapacitet' forstås den største hastighed, hvormed instrumentet kan udlæse data til masselager uden tab af information, når aftastningsfrekvensen overholdes og analog-til-digital konverteringen opretholdes.
b.
I 3A002.a.5.c. kan akvisition trigges internt eller eksternt.
Digital controllers, combined with specially designed vibration test software, with a 'real-time control bandwidth' greater than 5 kHz designed for use with vibration test systems specified in 2B116.a.;
Digitale instrumentdataoptagere med en magnetisk disklagringsteknik, og som har samtlige følgende egenskaber, og specielt konstruerede digitale optagere hertil:
In 2B116.b., 'real-time control bandwidth' means the maximum rate at which a controller can execute complete cycles of sampling, processing data and transmitting control signals.
a. Digitaliseringshastighed på mindst 100 mio. aftastninger pr. sekund og en opløsning på mindst 8 bit og
c.
b.
Vibration thrusters (shaker units), with or without associated amplifiers, capable of imparting a force equal to or greater than 50 kN, measured 'bare table', and usable in vibration test systems specified in 2B116.a.;
'Kontinuerlig kapacitet' på mindst 1 Gbit/s
d.
Digitale instrumentdataoptagere kan konfigureres enten med en integreret digitiser i eller uden for den digitale optager.
Test piece support structures and electronic units designed to combine multiple shaker units in a system capable of providing an effective combined force equal to or greater than 50 kN, measured 'bare table', and usable in vibration systems specified in 2B116.a.
Tidstro oscilloskoper med en vertikal kvadratisk middelværdi (rms) for støjspænding på under 2 % af fuldt udslag på den vertikale skala, der giver den laveste støjværdi for input 3 dB båndbredde på 60 GHz eller derover pr. kanal
In 2B116, 'bare table' means a flat table, or surface, with no fixture or fittings.
a.7. lægger ikke eksportkontrol på ækvivalente stikprøveoscilloskoper.
Equipment and process controls, other than those specified in 2B004, 2B005.a., 2B104 or 2B105, designed or modified for densification and pyrolysis of structural composite rocket nozzles and reentry vehicle nose tips.
c. Følgende "signalanalysatorer":
Balancing machines and related equipment, as follows:
"Signalanalysatorer" med en 3 dB resolutionsbåndbredde (RBW) på over 10 MHz hvor som helst inden for frekvensområdet på over 31,8 GHz, men ikke over 37 GHz
SEE ALSO 2B219.