natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Udgangsenergi på mere end 1,5 J pr. impuls og "spidseffekt" på mere end 150 W eller
With a 'figure of merit' (K) of 0,25 or greater; or
"Middeludgangseffekt" på mere end 150 W
a.
Udgangsbølgelængde på mere end 540 nm, men ikke mere end 800 nm, og med en eller flere af følgende egenskaber:
An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
"Impulsvarighed" på mindre end 1 ps og med en eller flere af følgende egenskaber:
A 'peak power' greater than 50 MW.
Udgangsenergi på mere end 0,005 J pr. impuls og "spidseffekt" på mere end 5 GW eller
c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes:
"Middeludgangseffekt" på mere end 20 W eller
The 'figure of merit' K is defined as:
b.
K = 1,7 × 103V2.65Q
"Impulsvarighed" på mindst 1 ps og med en eller flere af følgende egenskaber:
V is the peak electron energy in million electron volts.
Udgangsenergi på mere end 1,5 J pr. impuls og "spidseffekt" på mere end 30 W eller
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 μs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
"Middeludgangseffekt" på mere end 30 W
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 μs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 μs.
Enkelt transversal modus output og "middeludgangseffekt" på mere end 20 W
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
b.
'Peak power' = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
"Impulsvarighed" på mindst 1 ps, men ikke mere end 1 μs, og med en eller flere af følgende egenskaber:
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
Udgangsenergi på mere end 0,5 J pr. impuls og "spidseffekt" på mere end 50 W
In machines based on microwave accelerating cavities, the peak beam current is the average current in the time duration of a bunched beam packet.
Enkelt transversal modus output og "middeludgangseffekt" på mere end 20 W eller
Frequency changers or generators, other than those specified in 0B001.b.13., usable as a variable or fixed frequency motor drive, having all of the following characteristics:
Multipel transversal modus output og "middeludgangseffekt" på mere end 50 W eller
"Software" specially designed to enhance or release the performance of a frequency changer or generator to meet the characteristics of 3A225 is specified in 3D225.
c.
"Technology" in the form of codes or keys to enhance or release the performance of a frequency changer or generator to meet the characteristics of 3A225 is specified in 3E225.
"Impulsvarighed" på mere end 1 μs og med en eller flere af følgende egenskaber:
a.
Udgangsenergi på mere end 2 J pr. impuls og "spidseffekt" på mere end 50 W
Multiphase output providing a power of 40 VA or greater;
Enkelt transversal modus output og "middeludgangseffekt" på mere end 50 W eller
b.
Multipel transversal modus output og "middeludgangseffekt" på mere end 80 W
Operating at a frequency of 600 Hz or more; and
Udgangsbølgelængde på mere end 975 nm, men ikke mere end 1150 nm, og med en eller flere af følgende egenskaber:
c.
"Impulsvarighed" på mindre end 1 ps og med en eller flere af følgende egenskaber:
225 does not control frequency changers or generators if they have hardware, "software" or "technology" constraints that limit the performance to less than that specified above, provided they meet any of the following:
Udgangs "spidseffekt" på mere end 2 GW pr. impuls
They need to be returned to the original manufacturer to make the enhancements or release the constraints;
"Middeludgangseffekt" på mere end 10 W eller
They require "software" as specified in 3D225 to enhance or release the performance to meet the characteristics of 3A225; or
Udgangsenergi på mere end 0,002 J pr. impuls
They require "technology" in the form of keys or codes as specified in 3E225 to enhance or release the performance to meet the characteristics of 3A225.
"Impulsvarighed" på mindst 1 ps, men ikke mere end 1 ns, og med en eller flere af følgende egenskaber:
Frequency changers in 3A225 may be marketed as Generators, Electronic Test Equipment, AC Power Supplies, Variable Speed Motors Drives, Variable Speed Drives (VSDs), Variable Frequency Drives (VFDs), Adjustable Frequency Drives (AFDs), or Adjustable Speed Drives (ASDs).
Udgangs "spidseffekt" på mere end 5 GW pr. impuls
High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics: a.
Udgangsenergi på mere end 0,1 J pr. impuls
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
"Impulsvarighed" på mindst 1 ns, men ikke mere end 1 μs, og med en eller flere af følgende egenskaber:
Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
Enkelt transversal modus output med en eller flere af følgende egenskaber:
Switching devices, as follows:
"Spidseffekt" på mere end 100 MW
Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
"Middeludgangseffekt" på mere end 20 W, som er konstruktionsmæssigt begrænset til en maksimal impulsrepetitionsfrekvens på højst 1 kHz
Anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
c.
Anode peak current rating of 100 A or more; and
'Elektrisk-til-optisk virkningsgrad' på mere end 12 % og en "middeludgangseffekt" på mere end 100 W og kan fungere ved en pulsrepetitionsfrekvens, som er større end 1 kHz
Anode delay time of 10 μs or less;
d.
228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
"Middeludgangseffekt" på mere end 150 W og kan fungere ved en pulsrepetitionsfrekvens, som er større end 1 kHz eller
b.
e. Udgangsenergi på mere end 2 J pr. impuls eller
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
Multipel transversal modus output med en eller flere af følgende egenskaber:
An anode delay time of 15 μs or less; and
a.
Rated for a peak current of 500 A or more;
"Spidseffekt" på mere end 400 MW
c.
b.
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
'Elektrisk-til-optisk virkningsgrad' på mere end 18 % og en "middeludgangseffekt" på mere end 500 W
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
c.
Anode peak current rating of 500 A or more; and
"Middeludgangseffekt" på mere end 2 kW eller
Turn-on time of 1 μs or less.
d. Udgangsenergi på mere end 4 J pr. impuls eller
High-current pulse generators as follows:
"Impulsvarighed" på mere end 1 μs og med en eller flere af følgende egenskaber:
Detonator firing sets (initiator systems, firesets), including electronically-charged, explosively-driven and optically-driven firing sets, other than those specified in 1A007.a., designed to drive multiple controlled detonators specified in 1A007.b.;
"Spidseffekt" på mere end 500 kW
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
b.
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
"Elektrisk-til-optisk virkningsgrad" på mere end 12 % og "middeludgangseffekt" på mere end 100 W eller
Capable of delivering their energy in less than 15 μs into loads of less than 40 ohms;
c.
Having an output greater than 100 A;
"Middeludgangseffekt" på mere end 150 W eller
No dimension greater than 30 cm;
a.
Weight less than 30 kg; and
"Spidseffekt" på mere end 1 MW
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
b.
b. includes xenon flash-lamp drivers.
"Elektrisk-til-optisk virkningsgrad" på mere end 18 % og "middeludgangseffekt" på mere end 500 W eller
c.
c.
Micro-firing units having all of the following characteristics:
"Middeludgangseffekt" på mere end 2 kW
No dimension greater than 35 mm;
Udgangsbølgelængde på mere end 1150 nm, men ikke mere end 1555 nm, og med en eller flere af følgende egenskaber:
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
"Impulsvarighed" på mere end 1 μs og med en eller flere af følgende egenskaber:
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
"Impulsvarighed" på mere end 1 μs og med en eller flere af følgende egenskaber:
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
Multipel transversal modus output og "middeludgangseffekt" på mere end 80 W eller
b.
Udgangsbølgelængde på mere end 1555 nm og med en eller flere af følgende egenskaber:
'Pulse transition time' less than 500 ps.
a. Udgangsenergi på mere end 100 mJ pr. impuls og "spidseffekt" på mere end 1 W eller
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
c. Afstemmelige "lasere" med en eller flere af følgende egenskaber:
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
Udgangsbølgelængde på mindre end 600 nm og med en eller flere af følgende egenskaber:
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
b. Middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 1 W
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
c.1. lægger ikke eksportkontrol på farvelasere eller andre flydende lasere med en multifunktionsudgang og en bølgelængde på mindst 150 nm, men ikke mere end 600 nm, og med alle følgende egenskaber:
a.
Udgangsenergi på mindre end 1,5 J pr. impuls eller "spidseffekt" på mindre end 20 W og
Designed for operation without an external vacuum system; and
Middel- eller CW-udgangseffekt på mindre end 20 W.
b.
Udgangsbølgelængde på mindst 600 nm, men ikke mere end 1400 nm, og med en eller flere af følgende egenskaber:
Utilizing any of the following:
a. Udgangsenergi på mere end 1 J pr. impuls og "spidseffekt" på mere end 20 W eller
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
b. Middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 20 W eller
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
Udgangsbølgelængde på mere end 1400 nm og med en eller flere af følgende egenskaber:
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
d. Andre "lasere", som ikke er specificeret i 6A005.a., 6A005.b. eller 6A005.c., som følger:
See 1A007.b. for detonators.
Halvleder "lasere" som følger:
b.
d.1. omfatter halvleder "lasere" med optiske outputkonnektorer (f.eks. fiberoptiske forbindelsesled).
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5,000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
Eksportkontrolstatus for halvleder "lasere", der er specielt konstruerede til andet udstyr, bestemmes af dette andet udstyrs eksportkontrolstatus.
232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
a. Individuelle enkelt transversal modus halvledere "lasere" med en eller flere af følgende egenskaber:
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Bølgelængde på mindst 1510 nm og middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 1,5 W eller
a.
Bølgelængde på mere end 1510 nm, og middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 500 mW
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
b. Individuelle multipel transversal modus halvledere "lasere" med en eller flere af følgende egenskaber:
b.
Bølgelængde på mindre end 1400 nm og middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 15 W
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Bølgelængde på mindst 1400 nm og mindre end 1900 nm og middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 2,5 W eller
c.
Bølgelængde på mindst 1900 nm og middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 1 W
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
c. Individuelle systemer af halvleder "laser"'stænger' med en eller flere af følgende egenskaber:
d.
Bølgelængde på mindre end 1400 nm og middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 100 W
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
Bølgelængde på mindst 1400 nm og mindre end 1900 nm og middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 25 W eller
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
Bølgelængde på mindst 1900 nm og middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 10 W
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
d. Halvleder "laser"'stablede arrays' (todimensionale arrays) med en eller flere af følgende egenskaber:
e.
Bølgelængde på mindre end 1400 nm og med en eller flere af følgende egenskaber:
Not used;
a. Samlet middel- eller CW-udgangseffekt på mindre end 3 kW og med en middel- eller CW-udgangs'effekttæthed' på mere end 500 W/cm2
f.
b. Samlet middel- eller CW-udgangseffekt på mindst 3 kW men højst 5 kW og med en middel- eller CW-udgangs'effekttæthed' på mere end 350 W/cm2
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
c. Samlet middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 5 kW
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
d. Spidsimpuls'effekttæthed' på mere end 2500 W/cm2 eller
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
e. Rumligt kohærent samlet middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 150 W
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
Bølgelængde på mindst 1400 nm men mindre end 1900 nm og med en eller flere af følgende egenskaber:
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
a. Samlet middel- eller CW-udgangseffekt på mindre end 250 W og med en middel- eller CW-udgangs'effekttæthed' på mere end 150 W/cm2
a.
b. Samlet middel- eller CW-udgangseffekt på mindst 250 W men højst 500 W og med en middel- eller CW-udgangs'effekttæthed' på mere end 50 W/cm2
Voltage rating greater than 2 kV; and
c. Samlet middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 500 W
b.
d. Spidsimpuls'effekttæthed' på mere end 500 W/cm2 eller
Inductance of less than 20 nH.
e. Rumligt kohærent samlet middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 15 W
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Bølgelængde på mindst 1900 nm og med en eller flere af følgende egenskaber:
a.
a. Middel- eller CW-udgangs'effekttæthed' på mere end 50 W/cm2
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
b. Middel- eller CW-udgangseffekt på mindre end 10 W eller
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
c. Rumligt kohærent samlet middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 1,5 W eller
a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Mindst en "laser""stang", der er specificeret i 6A005.d.1.c.
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
I forbindelse med 6A005.d.1.d. forstås ved 'effekttæthed' den samlede "laser"udgangseffekt divideret med den 'stablede arrays' emitteroverfladeareal.
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
e. Halvleder "laser"'stablede arrays' ud over dem, der er specificeret i 6A005.d.1.d., med samtlige følgende egenskaber:
b.
Specielt konstrueret eller modificeret til at blive kombineret med andre 'stablede arrays' og derved danne en større 'stablet array' og
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Integrerede forbindelser, der anvendes såvel til elektronik som til køling
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
'Stablede arrays', der er dannet ved at kombinere halvleder "laser"'stablede arrays', der er specificeret i 6A005.d.1.e., som ikke er konstrueret til at blive yderligere kombineret eller modificeret, er specificeret i 6A005.d.1.d.
Direct write capability;
'Stablede arrays', der er dannet ved at kombinere halvleder "laser"'stablede arrays', der er specificeret i 6A005.d.1.e., som er konstrueret til at blive yderligere kombineret eller modificeret, er specificeret i 6A005.d.1.e.
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
d.1.e. lægger ikke eksportkontrol på modulære samlinger af individuelle 'stænger', der er konstrueret til at blive omdannet til end-to-end stablede lineære arrays.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
Halvleder"lasere" kaldes normalt "laser"dioder.
c.
En 'stang' (også benævnt halvleder"laser"'stang', "laser"diode'stang' eller diode'stang') består af et antal halvleder"lasere" i en endimensional array.
Anisotropic plasma dry etching equipment having all of the following:
En 'stablet array' består af et antal 'stænger', der udgør en todimensional array af halvleder"lasere".
Designed or optimised to produce critical dimensions of 65 nm or less; and
Carbonmonoxid (CO)-"lasere" med en eller flere af følgende egenskaber:
Within-wafer non-uniformity equal to or less than 10 % 3σ measured with an edge exclusion of 2 mm or less;
a. Udgangsenergi på mere end 2 J pr. impuls og "spidseffekt" på mere end 5 kW eller
d.
b. Middel- eller CW-udgangseffekt på mere end 5 kW
Not used;
Carbondioxid (CO2)-"lasere" med en eller flere af følgende egenskaber:
e.
a. CW-udgangseffekt på mere end 15 kW
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
b. Pulseret udgang med en "impulsvarighed" på mere end 10 μs og en eller flere af følgende egenskaber:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a., 3B001.b. or 3B001.c. are designed to be connected; and
"Middeludgangseffekt" på mere end 10 kW eller
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
"Spidseffekt" på mere end 100 kW eller
e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
c. Pulseret udgang med en "impulsvarighed" på højst 10 μs og en eller flere af følgende egenskaber:
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.
Pulsenergi på mere end 5 J pr. impuls eller
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
"Middeludgangseffekt" på mere end 2,5 kW
f.
Excimer-"lasere" med en eller flere af følgende egenskaber:
Lithography equipment as follows:
a. Udgangsbølgelængde på højst 150 nm og en eller flere af følgende egenskaber:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
Udgangsenergi på mere end 50 mJ pr. impuls eller
a.
"Middeludgangseffekt" på mere end 1 W
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
b. Udgangsbølgelængde på mere end 150 nm, men ikke mere end 190 nm, og med en eller flere af følgende egenskaber:
b.
Udgangsenergi på mere end 1,5 J pr. impuls eller
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
"Middeludgangseffekt" på mere end 120 W
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
Udgangsenergi på mere end 10 J pr. impuls eller
× K factor
"Middeludgangseffekt" på mere end 500 W eller
numerical aperture
Med hensyn til Excimer-"lasere" specielt til litografisk udstyr, jf. 3B001.
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
"Kemiske lasere" som følger:
f.2. includes:
a. Hydrogenfluorid (HF)-"lasere"
Micro contact printing tools
b. Deuteriumfluorid (DF)-"lasere"
Hot embossing tools
c.
Nano-imprint lithography tools
"Transferlasere" som følger:
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Oxygeniod (O2-I) "lasere"
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
Deuteriumfluorid-Carbondioxid (DF-CO2)-"lasere"
a.
'Ikkerepetitive pulserende' Nd:glass-"lasere" med en eller flere af følgende egenskaber:
Using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
a.
A spot size smaller than 0,2 μm;
"Impulsvarighed" på højst 1 μs og udgangsenergi på mere end 50 J pr. impuls eller
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
b.
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
"Impulsvarighed" på over 1 μs og udgangsenergi på mere end 100 J pr. impuls
g.
e. Komponenter som følger:
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Spejle der køles enten ved 'aktiv køling' eller ved varmerørskøling
h.
'Aktiv køling' er en køleteknik til optiske komponenter, der bruger strømmende væsker (flowing fluids) i den optiske komponents suboverflade (nominelt mindre end 1 mm under den optiske overflade) til at fjerne varme fra optikken.
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
Optiske spejle eller transmissive eller delvis transmissive optiske eller elektro-optiske komponenter, bortset fra Fused Tapered Fibre Combiners og Multi-Layer Dielectric gratings (MLD), der er specielt konstrueret til brug sammen med specificerede "lasere" Note:
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
Fibre combiners og MLD er specificeret i 6A005.e.3.
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
Fiberlaserkomponenter som følger:
h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
a. Multimode til multimode Fused Tapered Fibre Combiners med alle følgende egenskaber:
i.
Indsætningstab bedre (mindre) end eller lig med 0,3 dB opretholdt ved en samlet middel- eller CW-udgangseffekt (bortset fra udgangseffekt, der i givet fald går gennem enkeltmodekernen) på over 1000 W og
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Antal inputfibre: 3 eller derover
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
b. Enkeltmode til multimode Fused Tapered Fibre Combiners med alle følgende egenskaber:
a.
Indsætningstab bedre (mindre) end 0,5 dB opretholdt ved en samlet middel- eller CW-udgangseffekt på over 4600 W
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;