natgillin/translations-raw huggingface dataset:
I 3A233.d.2., forstås ved 'kold fælde' en anordning, der fanger gasmolekyler ved at kondensere eller fryse dem på kolde overflader.
Rotor fabrication or assembly equipment, rotor straightening equipment, bellows-forming mandrels and dies, as follows:
I forbindelse med 3A233.d.2. er en gasholdig heliumkryogenisk vakuumpumpe med lukket sløjfe, ikke en 'kold fælde'.
a.
Striplines, der giver stier med lav induktans til detonatorer med følgende egenskaber:
Rotor assembly equipment for assembly of gas centrifuge rotor tube sections, baffles, and end caps;
a. Mærkespænding højere end 2 kV og
a. includes precision mandrels, clamps, and shrink fit machines.
b Induktans mindre end 20 nH.
b.
Udstyr, som er i stand til at danne et lag af andet materiale end silicium med en lagtykkelse, der er ensartet til mindre end ± 2,5 % over en længde på mindst 75 mm
Rotor straightening equipment for alignment of gas centrifuge rotor tube sections to a common axis;
Note:
In 2B228.b. such equipment normally consists of precision measuring probes linked to a computer that subsequently controls the action of, for example, pneumatic rams used for aligning the rotor tube sections.
a.1. omfatter atomlagsepitaksiudstyr.
c.
2.
Bellows-forming mandrels and dies for producing single-convolution bellows.
Metalorganisk kemisk dampudfældnings-(MOCVD)-reaktorer, der er konstrueret til epitaksial vækst af sammensatte halvledere bestående af materiale med to eller flere af følgende grundstoffer: aluminium, gallium, indium, arsen, phosphor, antimon og nitrogen
In 2B228.c. the bellows have all of the following characteristics:
Udstyr til epitaksial vækst med molekylestråle ved brug af gas- eller faststofkilder b. Udstyr konstrueret til ionimplantering og med en eller flere af følgende egenskaber:
Inside diameter between 75 mm and 400 mm;
Konstrueret og optimeret til drift ved en stråleenergi på 20 keV eller derover og en strålestrøm på 10 mA eller derover for hydrogen-, deuterium- eller heliumimplantering
Length equal to or greater than 12,7 mm;
Direkte skrivekapacitet
Single convolution depth greater than 2 mm; and
En stråleenergi på mindst 65 keV og en strålestrøm på mindst 45 mA beregnet til højenergioxygenimplantering i et opvarmet halvledermateriale "substrat" eller
Made of high-strength aluminium alloys, maraging steel or high strength "fibrous or filamentary materials".
d. Ikke anvendt
All types of 'pressure transducers' capable of measuring absolute pressures and having all of the following:
Konstrueret eller optimeret til at frembringe kritiske dimensioner på 65 nm eller derunder og
a.
Waferunøjagtighed lig med eller mindre end 10 % 3σ målt med et fradrag for kant på 2 mm eller derunder d. Ikke anvendt
Pressure sensing elements made of or protected by aluminium, aluminium alloy, aluminum oxide (alumina or sapphire), nickel, nickel alloy with more than 60 % nickel by weight, or fully fluorinated hydrocarbon polymers;
Interfaces til wafer input og output, der skal forbindes med mere end to funktionelt forskellige 'halvlederbearbejdningsværktøjer' som specificeret i 3B001.a., 3B001.b. eller 3B001.c. og er beregnet til at kunne forbindes, og
b.
I forbindelse med 3B001.e. er 'halvlederbearbejdningsværktøjer' modulbaserede værktøjer, som anvendes til funktionelt forskellige fysiske processer i fremstillingen af halvledere, f.eks. udfældning, ætsning, implantering eller varmebehandling.
Seals, if any, essential for sealing the pressure sensing element, and in direct contact with the process medium, made of or protected by aluminium, aluminium alloy, aluminum oxide (alumina or sapphire), nickel, nickel alloy with more than 60 % nickel by weight, or fully fluorinated hydrocarbon polymers; and
I forbindelse med 3B001.e. er 'sekventiel behandling af flere wafere' muligheden for at behandle hver enkelt wafer med forskellige 'halvlederbearbejdningsværktøjer', f.eks. ved at den enkelte wafer overføres fra et værktøj til et andet og derfra videre til et tredje værktøj med de centrale flerkammerwaferhåndteringssystemer til automatisk ilægning. f. Følgende litografisk udstyr:
Having either of the following characteristics:
Step and repeatudstyr (direkte waferstepper) eller step and scanudstyr (scanner) til positionering og eksponering i forbindelse med waferprocesser ved brug af foto-optiske eller røntgenmetoder og med en eller flere af følgende egenskaber:
A full scale of less than 13 kPa and an 'accuracy' of better than ± 1 % of full-scale; or
a. Lyskildebølgelængde kortere end 193 nm eller
A full scale of 13 kPa or greater and an 'accuracy' of better than ± 130 Pa when measured at 13 kPa.
lyskildens bølgelængde i nm
Vacuum pumps having all of the following characteristics:
K-faktor blændetal
a.
Konstrueret til anvendelse med litografisk udstyr, hvor lyskildens bølgelængde er mindre end 245 nm
High-velocity gun systems (propellant, gas, coil, electromagnetic, and electrothermal types, and other advanced systems) capable of accelerating projectiles to 1,5 km/s or greater.
h lægger ikke eksportkontrol på flerlagsmasker med et faseforskydningslag, der er beregnet til fremstilling af hukommelsesindretninger, der ikke er pålagt eksportkontrol iflg. 3A001.
SEE ALSO MILTARY GOODS CONTROLS.
i. Litografiskabeloner til prægning beregnet til integrerede kredsløb som omhandlet i 3A001.
Bellows-sealed scroll-type compressors and bellows-sealed scroll-type vacuum pumps having all of the following:
Følgende prøveudstyr, specielt beregnet til prøvning af færdige eller ufærdige halvlederindretninger, samt særlige komponenter og tilbehørsdele dertil:
SEE ALSO 2B350.i.
a. Til afprøvning af transistorers S-parametre ved frekvenser over 31,8 GHz
a.
c. Til prøvning af integrerede mikrobølgekredsløb, der er specificeret i 3A001.b.2.
Capable of an inlet volume flow rate of 50 m3/h or greater;
Heteroepitaksiale materialer, der består af et "substrat" med flere, stablede epitaksisk dyrkede lag af:
b.
a. Silicium (Si)
Capable of a pressure ratio of 2:1 or greater; and
b. Germanium (Ge)
c.
c. Siliciumcarbid (SiC) eller
Having all surfaces that come in contact with the process gas made from any of the following materials:
d.
Aluminium or aluminium alloy;
"III/V-forbindelser" af gallium eller indium.
Aluminium oxide;
d. lægger ikke eksportkontrol på et "substrat" med et eller flere P-type epitaksiale lag af GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP eller InGaAlP, uanset grundstoffernes sekvens, undtagen hvis det epitaksiale lag af P-type befinder sig mellem N-type-lag.
Stainless steel;
Følgende resistmaterialer samt "substrater" belagt med følgende resists:
Nickel or nickel alloy;
a. Følgende resists konstrueret til halvlederlitografi:
Phosphor bronze; or
Positive resists, som er justeret (optimeret) til brug ved bølgelængder under 245 nm, men lig med eller større end 15 nm
Fluoropolymers.
Resists, som er justeret (optimeret) til brug ved bølgelængder under 15 nm, men større end 1 nm
Chemical manufacturing facilities, equipment and components, as follows:
b. Alle resists, til brug med elektronstråler eller ionstråler, med en følsomhed på 0,01 mikrocoulomb/mm2 eller bedre
a.
d. Alle resists der er optimeret til overfladebilleddannelsesteknologi
Reaction vessels or reactors, with or without agitators, with total internal (geometric) volume greater than 0,1 m3 (100 litres) and less than 20 m3 (20000 litres), where all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed or contained are made from any of the following materials:
e. Alle resists, der er udviklet eller optimeret til brug med litografisk udstyr til prægning specificeret i 3B001.f.2., som bruger enten en termisk eller lyshærdende proces.
'Alloys' with more than 25 % nickel and 20 % chromium by weight;
Følgende organiske-uorganiske forbindelser:
Fluoropolymers (polymeric or elastomeric materials with more than 35 % fluorine by weight);
a. Metalorganiske forbindelser af aluminium, gallium eller indium, med en renhed (metalbasis), der er bedre end 99,999 %
Glass (including vitrified or enamelled coating or glass lining);
b. Organiske arsen-, antimon- og phosphorforbindelser, med en renhed (på basis af det uorganiske grundstof), der er bedre end 99,999 %.
Nickel or 'alloys' with more than 40 % nickel by weight;
003 lægger kun eksportkontrol på forbindelser, hvis metal-, halvmetal- eller ikkemetalgrundstof er bundet direkte til kulstof i molekylets organiske del.
Tantalum or tantalum 'alloys';
Hydrider af phosphor, arsen eller antimon, med en renhed der er bedre end 99,999 %, selv i fortynding med inaktive luftarter eller hydrogen.
Titanium or titanium 'alloys';
004 lægger ikke eksportkontrol på hydrider, der indeholder mindst 20 molprocent inaktive luftarter eller hydrogen.
Zirconium or zirconium 'alloys'; or
Halvleder "substrater" af siliciumkarbid (SiC), galliumnitrid (GaN), aluminiumnitrid (AlN) eller aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) eller ingots, boules eller andre preforms af disse materialer, med resistiviteter større end 10000 ohm-cm ved 20 °C
Niobium (columbium) or niobium 'alloys';
"Substrater" specificeret i 3C005 med mindst ét epitaksialt lag af siliciumcarbid, galliumnitrid, aluminiumnitrid eller aluminiumgalliumnitrid.
b.
"Software", der er specielt udviklet til "udvikling" eller "produktion" af udstyr, der er specificeret i 3A001.b. til 3A002.g. eller 3B.
Agitators designed for use in reaction vessels or reactors specified in 2B350.a.; and impellers, blades or shafts designed for such agitators, where all surfaces of the agitator that come in direct contact with the chemical(s) being processed or contained are made from any of the following materials:
"Software", der er specielt udviklet til "brug" af udstyr specificeret i 3B001.a.-f., 3B002 eller 3A225
Glass (including vitrified or enamelled coatings or glass lining);
'Fysikbaseret' simulations "software", der er specielt beregnet til "udvikling" af litografiske, ætsnings- eller udfældningsprocesser til overføring af maskemønstre til specifikke topografiske mønstre i ledere, dielektrika eller halvledere.
c.
Ved 'fysikbaseret' i 3D003 forstås brug af beregninger til at fastlægge en række af fysiske årsags- og virkningssammenhænge på grundlag af fysiske egenskaber (f.eks. temperatur, tryk, diffusionskonstanter og halvlederegenskaber).
Storage tanks, containers or receivers with a total internal (geometric) volume greater than 0,1 m3 (100 litres) where all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed or contained are made from any of the following materials:
Biblioteker, konstruktionsattributter eller tilknyttede data til konstruktion af halvlederindretninger eller integrerede kredsløb betragtes som "teknologi".
d.
"Software" der er specielt beregnet til "udvikling" af udstyr, der er specificeret i 3A003.
Heat exchangers or condensers with a heat transfer surface area greater than 0,15 m2, and less than 20 m2; and tubes, plates, coils or blocks (cores) designed for such heat exchangers or condensers, where all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:
"Software", der er specielt udviklet eller ændret til "brug" af udstyr, der er specificeret i 3A101.b.
Graphite or 'carbon graphite';
"Software", som er specielt udviklet til at forbedre eller frigive ydelsen i frekvensomformere eller -generatorer, således at de opfylder egenskaberne i 3A225.
Zirconium or zirconium 'alloys';
"Teknologi", iflg. den generelle teknologinote, til "udvikling" eller "produktion" af udstyr eller materialer, der er specificeret i 3A, 3B eller 3C.
Silicon carbide;
001 lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til "produktion" af udstyr eller komponenter, der er specificeret i 3A003.
Titanium carbide; or
001 lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til "udvikling" eller "produktion" af integrerede kredsløb, der er specificeret i 3A001.a.3-12, med samtlige følgende egenskaber:
e.
Anvender "teknologi" på mindst 0,130 μm og
Distillation or absorption columns of internal diameter greater than 0,1 m; and liquid distributors, vapour distributors or liquid collectors designed for such distillation or absorption columns, where all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:
Indeholder flerlagsstrukturer med højst tre metallag.
f.
Anden "teknologi", iflg. den generelle teknologinote, end den, der er pålagt eksportkontrol iflg. 3E001, til "udvikling" eller "produktion" af et "mikroprocessormikrokredsløb", "mikrocomputermikrokredsløb" eller en mikrocontroller mikrokredsløbskerne med en aritmetisk logikenhed med en accessbredde på mindst 32 bit og et eller flere af følgende træk eller karakteristika:
Remotely operated filling equipment in which all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:
a. En 'vektorprocessorenhed' beregnet til at foretage mere end to beregninger på flydende-komma-vektorer (endimensionelle arrays på 32-bit-tal eller større tal) samtidig
'Alloys' with more than 25 % nickel and 20 % chromium by weight; or
En 'vektorprocessorenhed' er et processorelement med indbyggede instruktioner, der udfører multiple beregninger på flydende-komma-vektorer (endimensionelle arrays på 32-bit-tal eller større tal) samtidig og har mindst én aritmetisk logisk vektorenhed.
g.
b. Beregnet til at give mere end fire flydende-komma-driftsresultater på 64 bit eller derover pr. cyklus eller
Valves and components, as follows:
c. Beregnet til at give mere end fire multiplicere-akkumulere fast-komma-resultater på 16 bit pr. cyklus (f.eks. digital behandling af analog information, der tidligere er omsat til digital form, også kaldet digital "signalbehandling").
Valves, having both of the following:
c. lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til multimedieudvidelser.
a.
002 omfatter "teknologi" for digitale signalprocessorer og digitale arrayprocessorer.
All surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being produced, processed, or contained are made from 'corrosion resistant materials';
c.
Casings (valve bodies) or preformed casing liners;
"Superledende" elektroniske indretninger
c.
e. Substrater af silicon-on-insulator (SOI) til integrerede kredsløb, hvor isolatoren er siliciumdioxid
d.
"Teknologi", iflg. den generelle teknologinote, til "brug" af udstyr, der er specificeret i 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.g., 3A201, 3A225-3A234.
b.
"Teknologi", i form af koder eller nøgler til at forbedre eller frigive ydelsen i en frekvensomformer eller -generator, således at den opfylder egenskaberne i 3A225.
Preformed casing liners;
KATEGORI 4 —
For the purposes of 2B350.g., 'corrosion resistant materials' means any of the following materials:
COMPUTERE
Nickel or alloys with more than 40 % nickel by weight;
Computere, beslægtet udstyr og "software", der udfører funktioner i forbindelse med telekommunikation eller "lokalnet", skal også bedømmes på baggrund af de i kategori 5, del 1 (Telekommunikation) specificerede ydeevnekarakteristika.
Alloys with more than 25 % nickel and 20 % chromium by weight;
Styreenheder, der direkte forbinder busser eller kanaler i centralenheder, controllere til "hovedlager" eller diske, betragtes ikke som det i kategori 5, del 1 (Telekommunikation) beskrevne telekommunikationsudstyr.
Glass or glass-lined (including vitrified or enamelled coating);
For så vidt angår eksportkontrolstatus for "software", der er specielt beregnet til pakkekobling, se kategori 5D001.
Tantalum or tantalum alloys;
Computere, beslægtet udstyr eller "software", der udfører kryptografiske eller kryptoanalytiske funktioner, funktioner i forbindelse med attesterbar sikkerhed på flere niveauer eller attesterbar brugerisolering, eller som begrænser elektromagnetisk kompatibilitet (EMC), skal tillige vurderes på baggrund af de i kategori 5, del 2 (Informationssikkerhed) specificerede præstationer.
Titanium or titanium alloys;
Elektroniske computere og beslægtet udstyr, med en eller flere af følgende egenskaber, herunder "elektroniske samlinger" og specielt konstruerede komponenter hertil:
Zirconium or zirconium alloys;
Normeret til drift ved en omgivelsestemperatur under 228 K (-45 °C) eller over 358 K (85 °C) eller Note:
Niobium (columbium) or niobium alloys; or
Bedre strålebeskyttelse end svarende til en eller flere af følgende specifikationer:
Ceramic materials as follows:
Enkelt forstyrrelse 1 x 10-8 Fejl/bit/dag Note:
Silicon carbide with a purity of 80 % or more by weight;
a.2 lægger ikke eksportkontrol på computere, der er specielt konstrueret til anvendelse i "civile fly". b. Ikke anvendt.
Aluminium oxide (alumina) with a purity of 99.9 % or more by weight;
Følgende "digitale computere", "elektroniske samlinger" og beslægtet udstyr hertil samt specielt konstruerede komponenter hertil: Note 1: 4A003 omfatter følgende: 'Vektorprocessorer' Arrayprocessorer Digitale signalprocessorer (DSP) Logikprocessorer Udstyr til "billedforbedring" Udstyr til "signalbehandling".
Zirconium oxide (zirconia).
Note 2: Eksportkontrolstatus for de "digitale computere" eller beslægtet udstyr, der beskrives i 4A003, afhænger af eksportkontrolstatus for andet udstyr eller systemer, såfremt:
The 'nominal size' is defined as the smaller of the inlet and outlet diameters.
De "digitale computere" eller det beslægtede udstyr er væsentligt for driften af andet udstyr eller systemer
h.
De "digitale computere" eller det beslægtede udstyr ikke er et "hovedelement" i andet udstyr eller systemer og
Multi-walled piping incorporating a leak detection port, in which all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed or contained are made from any of the following materials:
f. Ikke anvendt
i.
Eksportkontrolstatus for "signalbehandlings"- eller "billedforbedrings"-udstyr, som er specielt konstrueret til andet udstyr, med funktioner, der er begrænset til dem, der kræves for det andet udstyr, afhænger af det andet udstyrs eksportkontrolstatus, selv om det overstiger "hovedelement"-kriteriet.
Multiple-seal and seal-less pumps, with manufacturer's specified maximum flow-rate greater than 0,6 m3/hour, or vacuum pumps with manufacturer's specified maximum flow-rate greater than 5 m3/hour (under standard temperature (273 K (0 °C)) and pressure (101,3 kPa) conditions), other than those specified in 2B233; and casings (pump bodies), preformed casing liners, impellers, rotors or jet pump nozzles designed for such pumps, in which all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:
For så vidt angår eksportkontrolstatus for "digitale computere" eller beslægtet udstyr til telekommunikationsudstyr, se kategori 5, del 1 (Telekommunikation).
Ceramics;
"Teknologi" til "digitale computere" og beslægtet udstyr er omfattet af 4E.
Ferrosilicon (high silicon iron alloys);
a. Ikke anvendt
In 2B350.i., the term seal refers to only those seals that come into direct contact with the chemical(s) being processed (or are designed to), and provide a sealing function where a rotary or reciprocating drive shaft passes through a pump body.
Note 1: 4A003.c. lægger kun eksportkontrol på "elektroniske samlinger" og programmerbare forbindelser, der ikke overstiger de grænser, der er specificeret i 4A003.b., hvis de afsendes som ikke integrerede "elektroniske samlinger", men lægger ikke eksportkontrol på "elektroniske samlinger", der som en naturlig følge af deres konstruktion er begrænset til brug som beslægtet udstyr, der er pålagt eksportkontrol iflg. 4A003.e.
j.
c lægger ikke eksportkontrol på "elektroniske samlinger", der er specielt konstrueret til et produkt eller en familie af produkter, hvis maksimale konfiguration ikke overstiger de grænser, der er specificeret i 4A003.b. d. Ikke anvendt
Incinerators designed to destroy chemicals specified in entry 1C350, having specially designed waste supply systems, special handling facilities and an average combustion chamber temperature greater than 1273 K (1000 °C), in which all surfaces in the waste supply system that come into direct contact with the waste products are made from or lined with any of the following materials:
f. Ikke anvendt g. Udstyr, der er specielt konstrueret til at aggregere "digitale computeres" ydeevne ved at give mulighed for eksterne forbindelser, hvilket muliggør kommunikation med envejsdatahastigheder over 2,0 Gbyte/s pr. link.
Ceramics; or
g lægger ikke eksportkontrol på udstyr til intern forbindelse (såsom backplane og bus), passivt forbindelsesudstyr, "network access controller" eller "kommunikationskanalcontrollere".
Nickel or 'alloys' with more than 40 % nickel by weight.
Systemer, udstyr og komponenter hertil, som er specielt udviklet eller modificeret til generering, drift eller levering af, eller kommunikation med, "intrusionsoftware"
For the purposes of 2B350, the materials used for gaskets, packing, seals, screws, washers or other materials performing a sealing function do not determine the status of control, provided that such components are designed to be interchangeable.
"Software" som følger:
'Carbon graphite' is a composition consisting of amorphous carbon and graphite, in which the graphite content is eight percent or more by weight.
"Digitale computere" med en "justeret spidsydeevne" ("APP") på mere end 1,0 vægtede teraflops (WT) 2.
For the listed materials in the above entries, the term 'alloy' when not accompanied by a specific elemental concentration is understood as identifying those alloys where the identified metal is present in a higher percentage by weight than any other element.
"Elektroniske samlinger", der er specielt konstrueret eller modificeret for at kunne forbedre deres ydelse ved sammenlægning af processorer, således at de efter sammenlægningen har en "APP", der er større end den i 4D001.b.1 specificerede grænse.
Toxic gas monitoring systems and their dedicated detecting components, other than those specified in 1A004, as follows; and detectors; sensor devices; and replaceable sensor cartridges therefor:
4D002 Ikke anvendt 4D003 Ikke anvendt.
a.
4D004 "Software" specielt beregnet eller modificeret til generering, drift eller levering af, eller kommunikation med, "intrusionsoftware".
Designed for continuous operation and usable for the detection of chemical warfare agents or chemicals specified in 1C350, at concentrations of less than 0,3 mg/m3; or
4E Teknologi 4E001
b.
Note: Denne bestemmelse gælder kun, hvis udstyret leveres sammen med software, der er specificeret i 7D103 eller 9D103.
Designed for the detection of cholinesterase-inhibiting activity.
Note: Eksportkontrolstatus for "software" til det udstyr, der er beskrevet i andre kategorier, behandles i pågældende kategori.
Equipment capable of use in handling biological materials, as follows:
"Software", der er specielt beregnet eller modificeret til "udvikling" eller "produktion" af udstyr, eller "software", der er specificeret i 4A001-4A004 eller 4D.
Complete biological containment facilities at P3, P4 containment level;
b.
P3 or P4 (BL3, BL4, L3, L4) containment levels are as specified in the WHO Laboratory Biosafety manual (3rd edition Geneva 2004).
"Software", bortset fra den, der er specificeret i 4D001.a, der er specielt beregnet eller modificeret til "udvikling" eller "produktion" af følgende udstyr:
b.
"Teknologi", iflg. den generelle teknologinote, til "udvikling", "produktion" eller "brug" af udstyr eller "software", der er specificeret i 4A eller 4D b.
Fermenters capable of cultivation of pathogenic "microorganisms" or of live cells for the production of pathogenic viruses or toxins, without the propagation of aerosols, having a total capacity of 20 litres or more;
"Teknologi" bortset fra den, der er specificeret i 4E001.a, der er specielt beregnet eller modificeret til "udvikling" eller "produktion" af følgende udstyr:
Components designed for fermenters in 2B352.b.1. as follows:
"Digitale computere" med en "justeret spidsydeevne" ("APP") på mere end 1,0 vægtede teraflops (WT) 2.
a.
"Elektroniske samlinger", der er specielt konstrueret eller modificeret for at kunne forbedre deres ydelse ved sammenlægning af processorer, således at de efter sammenlægningen har en "APP", der er større end den i 4E001.b.1 specificerede grænse.
Cultivation chambers designed to be sterilised or disinfected in situ;