natgillin/translations-raw huggingface dataset:
"Ladningsmultiplicering" (charge multiplication) er en form for elektronisk billedforstærkning og defineres som generering af ladningsbærere som følge af stødioniseringsprocesser (impact ionization gain process).
Any two sides perpendicular to one another with either length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15 cm*GHz/ fGHz];
"Ladningsmultiplicerings"sensorer kan have form af billedforstærkerrør, faststofdetektorer eller "billedplansystemer".
GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 2.7 GHz and below [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz].
a. Billedforstærkerrør med samtlige følgende egenskaber:
MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
Spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 400 nm, men ikke over 1050 nm
The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest peak saturation output threshold.
Elektronisk billedforstærkning med anvendelse af en af følgende:
b.4. includes transmit/receive modules and transmit modules.
a.
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs and having any of the following:
"Rumkvalificerede" "billedplansystemer" med mere end 2048 elementer pr. system og en spidsrespons i bølgelængdeområdet over 300 nm, men ikke over 900 nm.
a.
b. En elektronisk sensor med en afstand mellem de ikkebundne pixel på 500 μm eller mindre, der specielt er konstrueret eller ændret med henblik på at opnå en 'ladningsmultiplicering' på anden måde end ved en mikrokanalplade og
A band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
En eller flere af følgende fotokatoder:
b.
a. Multialkali fotokatoder (f.eks. S-20 og S-25), med en lysfølsomhed på over 350 μΑ/lm
A band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
b. GaAs eller GaInAs fotokatoder eller
Converters and harmonic mixers that are any of the following:
c. Andre "III-/V-forbindelse" halvlederfotokatoder, med en "strålingsfølsomhed" på over 10 mA/W.
a.
b. Billedforstærkerrør med samtlige følgende egenskaber:
Designed to extend the frequency range of "signal analysers" beyond 90 GHz;
Spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 1050 nm, men ikke over 1800 nm
b.
a. En mikrokanalplade med en hulafstand (center-til-center) på 12 μm eller mindre eller
Designed to extend the operating range of signal generators as follows:
"III-/V-forbindelse" sammensatte halvlederfotokatoder (f.eks. GaAs eller GaInAs) og overførte elektronfotokatoder med en "strålingsfølsomhed" på over 15 mA/W.
Beyond 90 GHz;
c. Specielt konstruerede komponenter som følger:
To an output power greater than 100 mW (20 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43.5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Mikrokanalplader med en hulafstand (center-til-center) på højst 12 μm
c.
En elektronisk sensor med en afstand mellem de ikkebundne pixel på 500 μm eller mindre, der specielt er konstrueret eller ændret med henblik på at opnå en 'ladningsmultiplicering' på anden måde end ved en mikrokanalplade
Designed to extend the operating range of network analysers as follows:
"III-/V-forbindelse" sammensatte halvlederfotokatoder (f.eks. GaAs eller GaInAs) og overførte elektronfotokatoder.
Beyond 110 GHz;
a.2.c.3. lægger ikke eksportkontrol på sammensatte halvlederfotokatoder konstrueret til at opnå en "strålingsfølsomhed" som følger:
To an output power greater than 31.62 mW (15 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43.5 GHz but not exceeding 90 GHz;
højst 10 mA/W ved en spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 400 nm, men ikke over 1050 nm eller
To an output power greater than 1 mW (0 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 90 GHz but not exceeding 110 GHz; or
højst 15 mA/W ved en spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 1050 nm, men ikke over 1800 nm.
d.
Ikke "rumkvalificerede" "billedplansystemer" som følger:
Designed to extend the frequency range of microwave test receivers beyond 110 GHz;
'Mikrobolometer', ikke "rumkvalificerede" "billedplansystemer", er kun specificeret i 6A002.a.3.f.
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Lineære og todimensionale multielementdetektorsystemer betegnes "billedplansystemer"
a.
a.3. omfatter fotoledende systemer og fotoelementsystemer.
Operating frequencies above 3 GHz;
a.3. lægger ikke eksportkontrol på:
b.
Multielement (højst 16 elementer) indkapslede fotoledende celler, der bruger enten blysulfid eller blyselenid
An average output power to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
Pyroelektriske detektorer, der bruger en eller flere af følgende:
c.
Triglycinsulfat og varianter
A volume of less than 400 cm3;
Bly-lantan-zirconiumtitanat og varianter
b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Lithiumtantalat
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
Polyvinylidenfluorid og varianter eller
a.
Strontiumbariumniobat og varianter
A 'turn-on time' from off to fully operational in less than 10 seconds;
"Billedplansystemer" specielt konstrueret eller ændret for at opnå ladningsmultiplicering og konstruktionsmæssigt begrænset til en maksimal "strålingsfølsomhed" på højst 10 mA/W for bølgelængder over 760 nm med begge følgende egenskaber:
b.
En responsbegrænsende mekanisme konstrueret til ikke at fjernes eller modificeres og
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
Den responsbegrænsende mekanisme er en integrerende del af eller kombineret med detektorelementet eller
c.
"Billedplansystemet" fungerer kun med den installerede responsbegrænsende mekanisme.
An "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax > 2fmin) and having any of the following:
En responsbegrænsende mekanisme, der er en integrerende del af detektorelementet, er konstrueret, så den ikke kan fjernes eller ændres uden at sætte detektoren ud af kraft.
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
a. Ikke "rumkvalificerede" "billedplansystemer" med samtlige følgende egenskaber:
A frequency greater than 18 GHz;
Individuelle elementer med spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 900 nm, dog højst 1050 nm og
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
a. Respons "tidskonstant" på mindre end 0,5 ns eller
The 'turn-on time' in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
b. Specielt konstrueret eller ændret for at opnå 'ladningsmultiplicering' og med en maksimal "strålingsfølsomhed" på over 10 mA/W
Oscillators or oscillator assemblies, specified to operate with a single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, less (better) than – (126 + 20log10F - 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz;
b. Ikke "rumkvalificerede" "billedplansystemer" med samtlige følgende egenskaber:
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
Individuelle elementer med spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 1050 nm, dog højst 1200 nm og
"Frequency synthesiser" "electronic assemblies" having a "frequency switching time" as specified by any of the following:
a. Respons "tidskonstant" på 95 ns eller mindre eller
a.
c. Ikke "rumkvalificerede" ikkelineære (2-dimensionale) "billedplansystemer" med individuelle elementer med spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 1200 nm, dog højst 30000 nm
Less than 156 ps;
Mikrobolometre, der er baseret på silicium og andre materialer, og som ikke er "rumkvalificerede" "billedplansystemer", er kun specificeret i 6A002.a.3.f.
b.
d. Ikke "rumkvalificerede" lineære (1-dimensionale) "billedplansystemer" med samtlige følgende egenskaber:
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
Individuelle elementer med spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 1200 nm, dog højst 3000 nm og
c.
a. Et forhold mellem detektorelementets skanningsretningsdimension og detektorelementets tværscanningsretningsdimension på under 3,8 eller
Less than 250 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
b. Signalbehandling i detektorelementerne
d.
a.3.d. lægger ikke eksportkontrol på "billedplansystemer" (som ikke overstiger 32 elementer) med detektorelementer begrænset til germaniummateriale.
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz;
I forbindelse med 6A002.a.3.d. forstås der ved 'tværskanningsretning' aksen parallelt med det lineære system af detektorelementer og ved 'scanningsretning' aksen vinkelret på det lineære system af detektorelementer.
e.
e. Ikke "rumkvalificerede" lineære (1-dimensionale) "billedplansystemer" med individuelle elementer med spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 3000 nm, dog højst 30000 nm
Less than 1 ms for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 56 GHz;
f. Ikke "rumkvalificerede", ikkelineære (2-dimensionelle) infrarøde "billedplansystemer" baseret på 'mikrobolometer' materiale med individuelle elementer med en ufiltreret respons i bølgelængdeområdet på 8000 nm eller derover, dog højst 14000 nm
f.
I forbindelse med 6A002.a.3.f. defineres 'mikrobolometer' som en termisk billeddetektorer, der som et resultat af temperaturændringer i detektoren på grund af absorption af infrarød stråling anvendes til at generere et brugbart signal.
Less than 1 ms for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesized frequency range exceeding 56 GHz but not exceeding 90 GHz; or
g. Ikke "rumkvalificerede" "billedplansystemer" med samtlige følgende egenskaber:
g.
Individuelle detektorelementer ved en spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 400 nm, dog højst 900 nm
Less than 1 ms within the synthesized frequency range exceeding 90 GHz;
Specielt konstrueret eller modificeret for at opnå 'ladningsmultiplicering' og med en maksimal "strålingsfølsomhed" på over 10 mA/W for bølgelængder over 760 nm og
For general purpose "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
Flere end 32 elementer.
c.
b.
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
"Monospektrale og multispektrale billedsensorer", der er konstrueret til fjernfølingsformål, med en eller flere af følgende egenskaber:
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
Instantaneous-Field-Of-View (IFOV) på mindre end 200 mikroradianer eller
a.
Specificeret til drift i bølgelængdeområdet på mere end 400 nm, dog højst 30000 nm, og med samtlige følgende egenskaber:
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
a. Udgangsbilleddata i digitalt format og
b.
"Rumkvalificeret" eller
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
Konstrueret til brug i luftfartøjer, udstyret med andet end siliciumdetektorer og med et IFOV på mindre end 2,5 milliradianer
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB;
b.1. lægger ikke eksportkontrol på "monospektrale billedsensorer" med en spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 300 nm, dog højst 900 nm, som kun har en eller flere af følgende ikke "rumkvalificerede" detektorer eller ikke "rumkvalificerede" "billedplansystemer":
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
Ladningskoblede enheder (CCD), som ikke er konstrueret eller modificeret til at opnå 'ladningsmultiplicering' eller
A bandwidth greater than 250 MHz; or
Supplerende MOS-anordninger (Metal Oxide Semiconductor) (CMOS), som ikke er konstrueret eller modificeret til at opnå 'ladningsmultiplicering'.
A dispersive delay of more than 10 μs; or
c. Billedudstyr til 'direkte betragtning' med en eller flere af følgende egenskaber:
c.
Billedforstærkerrør som er specificeret i 6A002.a.2.a; eller 6A002.a.2.b.
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
"Billedplansystemer" som er specificeret i 6A002.a.3 eller
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
Faststofdetektorer, jf. 6A002.a.1.
'Frequency side-lobe rejection' is the maximum rejection value specified in data sheet.
'Direkte betragtning' henviser til udstyr, der giver et visuelt billede for en menneskelig observatør uden at omdanne billedet til et elektronisk signal til visning på fjernsyn, og som ikke kan optage eller lagre billedet fotografisk, elektronisk eller på nogen anden måde.
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
c. lægger ikke eksportkontrol på følgende udstyr, når det omfatter andet end GaAs eller GaInAs fotokatoder:
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Industrielle eller civile adgangsalarmer, trafik eller industriovervågnings- eller tællesystemer
c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Medicinsk udstyr
d.
Industrielt udstyr til brug ved inspektion, sortering eller analyse af materialeegenskaber
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
Flammedetektorer til industriovne
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
Udstyr specielt konstrueret til laboratoriebrug.
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
d. Specielle hjælpekomponenter til optiske sensorer som følger:
e.
"Rumkvalificerede" kryokølere
High energy devices as follows:
Ikke "rumkvalificerede" kryokølere med kølekildetemperatur lavere end 218 K (-55 °C) som følger:
'Cells' as follows:
a. Lukkede kredsløb med en specificeret Mean-Time-To-Failure (MTTF), eller Mean-Time-Between-Failures (MTBF), på mere end 2500 timer
a.
b. Joule-Thomson (JT) selvregulerende minikølere med en (udvendig) diameter på mindre end 8 mm
'Primary cells' having an 'energy density' exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
Optiske følefibre, der er specielt fremstillede enten ved deres sammensætning eller struktur, eller modificeret med belægning til at være akustisk, termisk, inertimæssigt, elektromagnetisk eller nukleart strålefølsomme
b.
d.3. lægger ikke eksportkontrol på indkapslede optiske følefibre, der er specielt konstrueret til følingsformål i forbindelse med borehuller.
'Secondary cells' having an 'energy density' exceeding 300 Wh/kg at 20 °C;
e. Ikke anvendt.
For the purpose of 3A001.e.1.,'energy density' (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Kameraer, systemer eller udstyr samt komponenter hertil, som følger:
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
JF.
For the purpose of 3A001.e.1., a 'cell' is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
LIGELEDES 6A203.
It is the basic building block of a battery.
For så vidt angår fjernsyns- og filmbaserede stillbilledkameraer, der er specielt konstrueret eller modificeret til undervandsbrug, jf. 8A002.d.1. og 8A002.e.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a 'primary cell' is a 'cell' that is not designed to be charged by any other source.
a. Instrumenteringskameraer og specielt konstruerede komponenter hertil, som følger:
For the purpose of 3A001.e.1.b., a 'secondary cell' is a 'cell' that is designed to be charged by an external electrical source.
Instrumenteringskameraer, der er specificeret i 6A003.a.3.-6A003a.5. med modulær opbygning bør vurderes efter deres maksimale ydeevne ved anvendelse af plugins, der er til rådighed i henhold til kameraproducentens specifikationer.
e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
Highspeedfilmkameraer med et filmformat fra 8 mm til 16 mm inklusive, i hvilke filmen bliver fremført kontinuerligt under hele optageperioden, og som kan optage ved billedhastigheder på mere end 13150 billeder i sekundet
High energy storage capacitors as follows:
a.1. lægger ikke eksportkontrol på filmkameraer til civile formål.
N.B
Mekaniske highspeedkameraer, i hvilke filmen ikke bevæges, og som kan optage ved hastigheder på mere end 1000000 billeder i sekundet på hele billedhøjden af 35 mm film, eller ved proportionalt højere hastigheder på mindre billedhøjder, eller ved proportionalt lavere hastigheder på større billedhøjder
SEE ALSO 3A201.a. and the Military Goods Controls.
Mekaniske eller elektroniske streakkameraer, som følger:
a.
a. Mekaniske streakkameraer med skrivehastighed på mere end 10 mm pr. μs
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
b. Elektroniske streakkameraer med tidsopløsning bedre end 50 ns
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
Elektroniske billedkameraer med en hastighed på mere end 1000000 billeder i sekundet
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
Elektroniske kameraer med samtlige følgende egenskaber:
A total energy equal to or more than 25 kJ;
a. Elektronisk lukkerhastighed (gatingfunktion) på mindre end 1 mikrosekund pr. hele billede og
b.
b. Udlæsningstid, der tillader en billedhastighed på mere end 125 hele billeder i sekundet.
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Plugins med samtlige følgende egenskaber:
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
a. Specielt konstrueret til instrumenteringskameraer med modulær opbygning, der er specificeret i 6A003.a og
A total energy equal to or more than 100 J; and
b. Sætter disse kameraer i stand til at opfylde de egenskaber, der er specificeret i 6A003.a.3., 6A003.a.4. eller 6A003.a.5., i henhold til producentens specifikationer
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
b. Billedkameraer som følger:
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
b lægger ikke eksportkontrol på fjernsyns- eller videokameraer, der er specielt konstruerede til fjernsynsudsendelser.
SEE ALSO 3A201.b.
Videokameraer, der omfatter faststofsensorer med spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 10 nm, dog højst 30000 nm og med samtlige følgende egenskaber:
e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
a. En eller flere af følgende:
a.
Mere end 4 x 106 "aktive pixler" pr. faststofsystem for farvekameraer med tre faststofsystemer eller
b.
Mere end 12 x 106 "aktive pixler" pr. faststofsystem for farvekameraer med et faststofsystem og
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
Optiske spejle, der er specificeret i 6A004.a
c.
Optisk kontroludstyr, der er specificeret i 6A004.d eller
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
Kan annotere internt frembragte 'kamerasporingsdata'
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated 'AM0' illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
I dette punkt bør digitale videokameraer vurderes ud fra det maksimale antal "aktive pixler", der bruges til at fastholde bevægelige billeder.
'AM0', or 'Air Mass Zero', refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
I dette punkt forstås ved 'kamerasporingsdata' de oplysninger, der er nødvendige for at kunne fastslå kameraets sigteretning i forhold til jorden.
f.
Dette omfatter: 1) kameraets horisontale vinkel i sigteretningen i forhold til retningen af jordens magnetfelt og 2) kameraets vertikale vinkel i sigteretningen i forhold til jordens horisont.
Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ± 1,0 second of arc;
Skanningkameraer og skanningkamerasystemer med samtlige følgende egenskaber:
g.
a. Spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 10 nm, men ikke over 30000 nm
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and 'thyristor modules', using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
b. Lineære detektorsystemer med mere end 8192 elementer pr. system og
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
c. Mekanisk skanning i én retning
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
b.2. lægger ikke eksportkontrol på skanningkameraer og skanningkamerasystemer, der er specielt konstrueret til et eller flere af følgende:
a.
Industrielle eller civile fotokopieringsmaskiner
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
Billedskannere, der er specielt konstrueret til civile, stationære applikationer til skanning på kort afstand (f.eks. gengivelse af billeder eller tekst i dokumenter, billedmateriale eller fotografier) eller
b.
Medicinsk udstyr.
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
Billedkameraer med billedforstærkerør, der er specificeret i 6A002.a.2.a. eller 6A002.a.2.b.
g. includes:
Billedkameraer med "billedplansystemer", som har en eller flere af følgende egenskaber:
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
a. Omfatter "billedplansystemer", der er specificeret i 6A002.a.3.a-6A002.a.3.e.
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
b. Omfatter "billedplansystemer", der er specificeret i 6A002.a.3.f eller
Light Triggering Thyristors (LTTs)
c. Omfatter "billedplansystemer", der er specificeret i 6A002.a.3.g
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
Billedkameraer, der er specificeret i 6A003.b.4, omfatter "billedplansystemer" kombineret med tilstrækkelig "signalbehandlingselektronik", ud over det integrerede udlæsningskredsløb, til at der som et minimum kan opnås et analogt eller digitalt signaloutput, når strømmen tilsluttes.
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
b.4.a. lægger ikke eksportkontrol på kameraer med lineært "billedplansystem" med 12 elementer eller derunder, der ikke anvender tidsforsinkelse og integration i det enkelte element, og som er konstrueret til:
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
Industrielt udstyr til brug ved inspektion eller overvågning af varmestrømme i bygninger, udstyr eller industriprocesser
Solidtrons