natgillin/translations-raw huggingface dataset:
»Frekvenssynthesizer«-»elektroniske samlinger« med en »frekvensskiftetid« som angivet ved en af følgende egenskaber:
“Frequency synthesiser” “electronic assemblies” having a “frequency switching time” as specified by any of the following:
a. Under 312 ps
a. Less than 312 ps;
b. Under 100 μs for frekvensændringer på over 1,6 GHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 3,2 GHz men højst 10,6 GHz
b. Less than 100 μs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
c. Under 250 μs for frekvensændringer på over 550 MHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 10,6 GHz, men ikke over 31,8 GHz
c. Less than 250 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
d. Under 500 μs for frekvensændringer på over 550 MHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 31,8 GHz men højst 43,5 GHz eller
d. Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
e. Under 1 ms inden for det syntetiserede frekvensområde på over 43,5 GHz.
e. Less than 1 ms within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz.
Vedr. »signalanalysatorer«, signalgeneratorer, netværksanalysatorer og mikrobølgetestmodtagere til generelle formål, jf. hhv. 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. og 3A002.f.
For general purpose “signal analysers”, signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
c. Følgende akustisk bølgeudstyr samt specielt konstruerede komponenter hertil:
c. Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
Akustisk bølgeudstyr og »surface skimming« (fladt volumen) akustisk bølgeudstyr med:
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
a. Bærefrekvens over 6 GHz
a. A carrier frequency exceeding 6 GHz;
b. Bærefrekvens på mere end 1 GHz, men højst 6 GHz og med en eller flere af følgende egenskaber:
b. A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
'Frekvenssidesløjfedæmpning' på mere end 65 dB
A ‘frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB;
c. Bærefrekvens på højst 1 GHz og med en eller flere af følgende egenskaber:
c. A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
'Frekvenssidesløjfedæmpning' på mere end 65 dB og båndbredde over 100 MHz
A ‘frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
'Frekvenssidesløjfedæmpning' er den maksimale dæmpningsværdi, der er specificeret i databladet.
‘Frequency side-lobe rejection’ is the maximum rejection value specified in data sheet.
Volumenakustiskbølgeudstyr, som tillader direkte signalbehandling ved frekvenser på over 6 GHz
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
Akustisk-optisk »signalbehandlings« udstyr, der anvender vekselvirkning mellem akustiske bølger (volumenbølge eller overfladebølge) og lysbølger, der tillader direkte behandling af signaler eller billeder, inklusive spektralanalyse, korrelation eller konvolution
Acoustic-optic “signal processing” devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
c. lægger ikke eksportkontrol på akustisk bølgeudstyr, der kun omfatter én båndpas-, lavpas-, højpas- eller gradfiltrering eller resonatorfunktion.
c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
d. Elektronisk udstyr eller kredsløb, der indeholder komponenter, der er fremstillet af »superledende« materialer, der er specielt beregnet til drift ved temperaturer under mindst en af de »superledende« bestanddeles »kritiske temperatur«, og som har en eller flere af følgende egenskaber:
d. Electronic devices and circuits containing components, manufactured from “superconductive” materials, specially designed for operation at temperatures below the “critical temperature” of at least one of the “superconductive” constituents and having either of the following:
Strømkobling til digitale kredsløb ved hjælp af »superledende« porte med et produkt af forsinkelse pr. port (i sekunder) og effekttab pr. port (i Watt) på mindre end 10–14J eller
Current switching for digital circuits using “superconductive” gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
Frekvensvalg ved alle frekvenser ved hjælp af resonanskredse med Q-værdier på mere end 10000
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
e. Højenergiudstyr som følger:
e. High energy devices as follows:
'Celler' som følger:
‘Cells’ as follows:
a. 'Primærceller' med en 'energitæthed' på mere end 550 Wh/kg ved 20 °C
a. ‘Primary cells’ having an ‘energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
b. 'Sekundærceller' med en 'energitæthed' på mere end 250 Wh/kg ved 20 °C
b. ‘Secondary cells’ having an ‘energy density’ exceeding 250 Wh/kg at 20 °C;
I forbindelse med 3A001.e.1. beregnes 'energitætheden' (Wh/kg) som den nominelle spænding ganget med den nominelle kapacitet i amperetimer (Ah) divideret med massen i kg.
For the purpose of 3A001.e.1.,‘energy density’ (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
I forbindelse med 3A001.e.1. defineres en 'celle' som en elektrokemisk anordning, der har positive og negative elektroder og en elektrolyt, og som er en kilde til elektrisk energi.
For the purpose of 3A001.e.1., a ‘cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
I forbindelse med 3A001.e.1.a. er en 'primærcelle' en 'celle', der ikke er beregnet til at blive ladet af en anden kilde.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a ‘primary cell’ is a ‘cell’ that is not designed to be charged by any other source.
I forbindelse med 3A001.e.1.b. er en 'sekundærcelle' en 'celle', der er beregnet til at blive ladet af en ekstern elektrisk kilde.
For the purpose of 3A001.e.1.b., a ‘secondary cell’ is a ‘cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
e.1 lægger ikke eksportkontrol på batterier, herunder enkeltcellebatterier.
e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
Jf. LIGELEDES 3A201.a.
SEE ALSO 3A201.a.
a. Kondensatorer med en gentagelseshastighed på mindre end 10 Hz (singleshot kondensatorer) og med samtlige følgende egenskaber:
a. Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Total energi på mindst 25 kJ
A total energy equal to or more than 25 kJ;
b. Kondensatorer med en gentagelseshastighed på 10 Hz eller mere (gentagelseskondensatorer) og med samtlige af følgende egenskaber:
b. Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Ladnings/afladningscykluslevetid på mindst 10000
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
»Superledende« elektromagneter eller solenoider, der er specielt konstrueret til at blive fuldt opladet eller afladet på mindre end 1 sekund, og med samtlige følgende egenskaber:
“Superconductive” electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
JF. LIGELEDES 3A201.b.
SEE ALSO 3A201.b.
e.3 lægger ikke eksportkontrol på »superledende« elektromagneter eller solenoider, der er specielt konstrueret til medicinsk udstyr til magnetisk resonans-billleddannelse (MRI).
e.3. does not control “superconductive” electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
a. Energiafgivelse på mere end 10 kJ i løbet af det første sekund
a. Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
b. Indre diameter af strømvindingerne mere end 250 mm og
b. Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
c. Nominel magnetisk induktion mere end 8 T eller »total strømtæthed« i vindingen mere end 300 A/mm2
c. Rated for a magnetic induction of more than 8 T or “overall current density” in the winding of more than 300 A/mm2;
Solceller, samlinger af forbundne solceller med dækglas (CIC), solpaneler og solarrays, der er »rumkvalificerede« og har en mindste gennemsnitseffektivitet på over 20 % ved en driftstemperatur på 301 K (28 °C) ved en simuleret 'AM0'-belysning med en bestråling på 1367 watt pr. kvatratmeter (W/m2)
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are “space-qualified”, having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ‘AM0’ illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
'AM0' eller 'Air Mass Zero' er sollysets spektrale bestråling i jordens ydre atmosfære, når afstanden mellem jorden og solen er én astronomisk enhed (AU).
’, or ‘Air Mass Zero’, refers to the spectral irradiance of sun light in the earth’s outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
f. Enkodere til absolut position med roterende input med en nøjagtighed lig med eller mindre (bedre) end ± 1,0 buesekund
f. Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ± 1,0 second of arc;
g. Faststofthyristorkoblingsanordninger med impulseffekt og 'thyristormoduler', der anvender koblingsmetoder, som styres elektronisk, optisk eller med elektronstråling, og som har en eller flere af følgende egenskaber:
g. Solid-state pulsed power switching thyristor devices and ‘thyristor modules’, using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
En maksimal strømstigning ved tænding (di/dt) på over 30000 A/μs og en spænding i slukket tilstand på over 1100 V eller
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
En maksimal strømstigning ved tænding (di/dt) på over 2000 A/μs, og som har alle følgende egenskaber:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having both of the following:
a. En spidsspænding i slukket tilstand på 3000 V eller derover og
a. An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
b. En ikkerepetitiv spidsstrøm (surge current) på 3000 A eller derover.
b. A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
g. omfatter:
g. includes:
g. lægger ikke eksportkontrol på thyristoranordninger og 'thyristormoduler', der er indbygget i udstyr til anvendelse i civil jernbanedrift eller »civile fly«.
g. does not control thyristor devices and ‘thyristor modules’ incorporated into equipment designed for civil railway or “civil aircraft” applications.
I forbindelse med 3A001.g. indeholder et 'thyristormodul' en eller flere thyristoranordninger.
For the purposes of 3A001.g., a ‘thyristor module’ contains one or more thyristor devices.
h. Faststofhalvlederswitche, -dioder eller '-moduler' med følgende egenskaber:
h. Solid-state power semiconductor switches, diodes, or ‘modules’, having all of the following:
Normeret til maksimal driftstemperatur på over 488 K (215 °C)
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
En repetitiv spidsspænding i off-tilstand (blokeringsspænding) på over 300 V og
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
Den repetitive spidsspænding i off-tilstand i 3A001.h. omfatter drainsourcespænding, kollektoremitterspænding, repetitiv spidsspærrespænding og repetitiv spidsblokeringsspænding i off-tilstand.
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
h. omfatter
h. includes:
h. lægger ikke eksportkontrolpå switche, dioder eller 'moduler' i udstyr konstrueret til anvendelse i civile motorkøretøjer, civile jernbaner eller »civile fly«.
h. does not control switches, diodes, or ‘modules’ incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or “civil aircraft” applications.
I 3A001.h. indeholder 'moduler' en eller flere faststofhalvlederkoblinger eller -dioder.
For the purposes of 3A001.h., ‘modules’ contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
a. Følgende optageudstyr samt specielt udviklet prøvebånd hertil:
a. Recording equipment as follows and specially designed test tape therefor:
a. Båndbredde over 4 MHz pr. elektronisk kanal eller spor
a. A bandwidth exceeding 4 MHz per electronic channel or track;
b. Båndbredde over 2 MHz pr. elektronisk kanal eller spor og med mere end 42 spor eller
b. A bandwidth exceeding 2 MHz per electronic channel or track and having more than 42 tracks; or
c. Tidsforskydnings(basis)-fejl, målt iflg. de relevante IRIG- eller EIA-dokumenter, på mindre end ± 0,1 μs
c. A time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ± 0,1 μs;
Analoge magnetbåndoptagere, som særlig er konstrueret til civile videoformål, betragtes ikke som instrumenteringsbåndoptagere.
Analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
Digitale videomagnetbåndoptagere med en maksimal digital interfaceoverføringshastighed på mere end 360 Mbit/s
Digital video magnetic tape recorders having a maximum digital interface transfer rate exceeding 360 Mbit/s;
a.2 lægger ikke eksportkontrol på digitale videomagnetbåndoptagere specielt konstrueret til tv-optagelse i et format, som kan omfatte et komprimeret signalformat, der er standardiseret eller anbefalet af ITU, IEC, SMPTE, EBU, ETSI eller IEEE til civil tv-anvendelse.
a.2. does not control digital video magnetic tape recorders specially designed for television recording using a signal format, which may include a compressed signal format, standardised or recommended by the ITU, the IEC, the SMPTE, the EBU, the ETSI or the IEEE for civil television applications.
Digitale magnetbåndinstrumentdataoptagere, hvori der anvendes skrueskanderingsteknik eller fasthovedteknik, og med en eller flere af følgende egenskaber:
Digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having either of the following:
a. Maksimal digital interfaceoverførselshastighed højere end 175 Mbit/s eller
a. A maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s; or
b. »Rumkvalificeret«
b. Being “space-qualified”;
a.3 lægger ikke eksportkontrol på analoge magnetbåndoptagere udstyret med HDDR-konverteringselektronik og konfigureret til kun at optage digitale data.
a.3. does not control analogue magnetic tape recorders equipped with HDDR conversion electronics and configured to record only digital data.
Udstyr med maksimal digital interfaceoverførselshastighed, der er højere end 175 Mbit/s, og beregnet på overførsel af konvertering af digitale videobåndoptagere til brug som digitale instrumentdataoptagere
Equipment having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s and designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
Bølgesignaldigitaliseringsudstyr og transientoptagere, med samtlige følgende egenskaber:
Waveform digitisers and transient recorders, having both of the following:
a. Digitaliseringshastighed på mindst 200 millioner aftastninger pr. sekund og en opløsning på mindst 10 bit og
a. Digitising rate equal to or more than 200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more; and
b. 'Kontinuerlig kapacitet' på mindst 2 Gbit/s
b. A ‘continuous throughput’ of 2 Gbit/s or more;
For instrumenter med parallel busarkitektur er den 'kontinuerlige kapacitet' den største ordhastighed ganget med ordlængen i bit.
For those instruments with a parallel bus architecture, the ‘continuous throughput’ rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Ved 'kontinuerlig kapacitet' forstås den største hastighed, hvormed instrumentet kan udlæse data til masselager uden tab af information, når aftastningsfrekvensen overholdes og analog-til-digital konverteringen opretholdes.
‘Continuous throughput’ is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
Digitale instrumentdataoptagere med en magnetisk disklagringsteknik, og som har samtlige følgende egenskaber:
Digital instrumentation data recorders using magnetic disk storage technique and having both of the following:
a. Digitaliseringshastighed på mindst 100 mio. aftastninger pr. sekund og en opløsning på mindst 8 bit og
a. Digitising rate equal to or more than 100 million samples per second and a resolution of 8 bit or more; and
b. 'Kontinuerlig kapacitet' på mindst 1 Gbit/s
b. A ‘continuous throughput’ of 1 Gbit/s or more;
c. Følgende RF-»signalanalysatorer«:
c. Radio-frequency “signal analysers” as follows:
»Signalanalysatorer« med en 3dB resolutionsbåndbredde (RBW) på over 10 MHz på noget sted inden for frekvensområdet på over 31,8 GHz, men ikke over 37,5 GHz
“Signal analysers” having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz;
»Signalanalysatorer« med et middelstøjniveau (DANL) på mindre (bedre) end – 150 dBm/Hz på noget sted inden for frekvensområdet på over 43,5 GHz, men ikke over 70 GHz
“Signal analysers” having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than - 150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 70 GHz;
»Signalanalysatorer« med en frekvens på over 70 GHz
“Signal analysers” having a frequency exceeding 70 GHz;
»Dynamiske signalanalysatorer« med en »realtidsbåndbredde« på over 40 MHz
“Dynamic signal analysers” having a “real-time bandwidth” exceeding 40 MHz;
c.4 lægger ikke eksportkontrol på »dynamiske signalanalysatorer«, som kun bruger konstantprocent båndbreddefiltre (også kendt som oktav- eller fraktionaloktavfiltre).
c.4. does not control those “dynamic signal analysers” using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
d. Frekvenssyntetiserede signalgeneratorer, der afgiver udgangsfrekvenser, hvis nøjagtighed og kort- og langtidsstabilitet styres, afledes af eller korrigeres af den interne masterreferenceoscillator, og med en eller flere af følgende egenskaber:
d. Frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:
Specificeret til frembringelse af en 'impulsvarighed' på under 100 ns på noget sted inden for det syntetiserede frekvensområde på over 31,8 GHz, men ikke over 70 GHz
Specified to generate a ‘pulse duration’ of less than 100 ns anywhere within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 70 GHz;
Udgangseffekt på over 100 mW (20 dBm) på noget sted inden for det syntetiserede frekvensområde på over 43,5 GHz, men ikke over 70 GHz
An output power exceeding 100 mW (20 dBm) anywhere within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 70 GHz;
»Frekvensskiftetid« som angivet ved en af følgende egenskaber:
A “frequency switching time” as specified by any of the following:
d. Under 500 μs for frekvensændringer på over 550 MHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 31,8 GHz, men ikke over 43,5 GHz
d. Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz;
e. Under 1 ms for frekvensændringer på over 550 MHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 43,5 GHz, men ikke over 56 GHz eller
e. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 56 GHz; or
f. Under 1 ms for frekvensændringer på over 2,2 GHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 56 GHz, men ikke over 70 GHz
f. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesised frequency range exceeding 56 GHz but not exceeding 70 GHz;
Ved syntetiserede frekvenser på over 3,2 GHz, men ikke over 70 GHz, og med alle følgende egenskaber:
At synthesised frequencies exceeding 3,2 GHz but not exceeding 70 GHz, and having both of the following:
a. Enkelt sidebånd (SSB) fasestøj, i dBc/Hz, bedre end -(126 + 20 log10F – 20 log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz og
a. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(126 + 20log10F - 20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
b. Enkelt sidebånd (SSB) fasestøj, i dBc/Hz, bedre end -(114 + 20 log10F – 20log10f) for 10 kHz < F < 500 kHz eller
b. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(114 + 20log10F - 20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz; or
I 3A002.d.4. er F afvigelsen fra driftsfrekvensen i Hz, og f er driftsfrekvensen i MHz
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
Maksimal syntetiseret frekvens på over 70 GHz
A maximum synthesised frequency exceeding 70 GHz;
Note 1:
Note 1.:
I forbindelse med 3A002.d. omfatter frekvenssyntetiserede signalgeneratorer generatorer med vilkårlig bølgeform og funktionsgeneratorer.
For the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Note 2:
Note 2.:
d lægger ikke eksportkontrol på udstyr, i hvilket udgangsfrekvensen enten frembringes ved addition eller subtraktion af to eller flere krystaloscillatorfrekvenser, eller ved addition eller subtraktion fulgt af en multiplikation af resultatet.
d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Generatorer med vilkårlig bølgeform og funktionsgeneratorer er normalt angivet med målefrekvens (f.eks. Gsample/s), der omsættes til RF-domænet ved hjælp af Nyquistfaktor to.
Arbitrary waveform and function generators are normally specified by sample rate (e.g. GSample/s), which is converted to the RF domain by the Nyquist factor of two.
I 3A002.d.1 forstås ved 'impulsvarighed' tidsperioden mellem det punkt, hvor impulsens forkant er steget til 90 % af spidsværdien, og det punkt, hvor impulsens bagkant er faldet til 10 % af spidsværdien.
For the purposes of 3A002.d.1., ‘pulse duration’ is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
e. Netværksanalysatorer med en af følgende egenskaber:
e. Network analysers having either of the following:
Maksimal driftsfrekvens på over 43,5 GHz og udgangseffekt på mere end 31,62 mW (15 dBm) eller
Maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz and output power exceeding 31,62 mW (15 dBm); or
Maksimal driftsfrekvens på over 70 GHz
Maximum operating frequency exceeding 70 GHz;
f. Mikrobølgetestmodtagere med samtlige følgende egenskaber:
f. Microwave test receivers having both of the following:
Evne til at måle amplitude og fase samtidigt
Being capable of measuring amplitude and phase simultaneously;
g. Atomfrekvensstandarder, der er en eller flere af følgende egenskaber:
g. Atomic frequency standards being any of the following:
»Rumkvalificeret«
“Space-qualified”;
Ikkerubidium og med en langtidsstabilitet mindre (bedre) end 1 × 10–11/måned eller
Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
Ikke »rumkvalificeret« og med alle følgende egenskaber:
Non-“space-qualified” and having all of the following: