natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Sidescansonar (SSS) eller sonar med syntetisk blænde (SAS), der er konstrueret til havbundsbilleddannelse, og som har følgende karakteristika:
Side Scan Sonar (SSS) or Synthetic Aperture Sonar (SAS), designed for seabed imaging and having all of the following:
a. Konstrueret eller modificeret til drift på dybder på mere end 500 m og
a. Designed or modified to operate at depths exceeding 500 m; and
b. En 'områdedækningsgrad' på mere end 570 m2/s under drift med både en 'opløsning på langs af sporet' og en 'opløsning på tværs af sporet' på mindre end 15 cm.
b. An ‘area coverage rate’ of greater than 570 m2/s while operating with both an ‘along track resolution’ and ‘across track resolution’ of less than 15 cm.
'Områdedækningsgrad' (m2/s) er to gange produktet af sonarens maksimale rækkevidde (m) og sensorens maksimale driftshastighed (m/s).
‘Area coverage rate’ (m2/s) is twice the product of the maximum sonar range (m) and the maximum speed (m/s) at which the sensor can operate.
'Opløsning på langs af sporet' (cm), kun for SSS, er produktet af azimutstrålebredden (den horisontale strålebredde)(grader) og sonarens maksimale rækkevidde (m) og 0,873.
‘Along track resolution’ (cm), for SSS only, is the product of azimuth (horizontal) beamwidth (degrees) and maximum sonar range (m) and 0,873.
'Opløsning på tværs af sporet' (cm) er 75 divideret med signalbåndbredden (kHz).
‘Across track resolution’ (cm) is 75 divided by the signal bandwidth (kHz).
b. Objektsøgnings- eller stedbestemmelsessystemer med en eller flere af følgende egenskaber:
b. Object detection or location systems, having any of the following:
Sendefrekvens under 10 kHz
A transmitting frequency below 10 kHz;
Lydtrykniveau højere end 224 dB (reference 1 mikropascal på 1 m) for udstyr med en driftsfrekvens i båndet fra 10 kHz til 24 kHz inklusive
Sound pressure level exceeding 224 dB (reference 1 μPa at 1 m) for equipment with an operating frequency in the band from 10 kHz to 24 kHz inclusive;
Lydtrykniveau højere end 235 dB (reference 1 mikropascal på 1 m) for udstyr med en driftsfrekvens i båndet mellem 24 kHz og 30 kHz
Sound pressure level exceeding 235 dB (reference 1 μPa at 1 m) for equipment with an operating frequency in the band between 24 kHz and 30 kHz;
Danner stråler på mindre end 1° på nogen akse og har en driftsfrekvens på mindre end 100 kHz
Forming beams of less than 1 ° on any axis and having an operating frequency of less than 100 kHz;
Konstrueret til at arbejde med en entydig displayrækkevidde på mere end 5120 m eller
Designed to operate with an unambiguous display range exceeding 5120 m; or
a. Dynamisk trykkompensation eller
a. Dynamic compensation for pressure; or
b. Andet end blyzirconattitanat som transducerelement
b. Incorporating other than lead zirconate titanate as the transduction element;
c. Akustiske projektorer, herunder transducere, der omfatter piezoelektriske, magnetostriktive, elektrostriktive, elektrodynamiske eller hydrauliske elementer, der operer individuelt eller i en konstrueret kombination, og som har en eller flere af følgende egenskaber:
c. Acoustic projectors, including transducers, incorporating piezoelectric, magnetostrictive, electrostrictive, electrodynamic or hydraulic elements operating individually or in a designed combination and having any of the following:
Eksportkontrolstatus for akustiske projektorer, herunder transducere, specielt konstrueret til andet udstyr, bestemmes af det andet udstyrs eksportkontrolstatus.
The control status of acoustic projectors, including transducers, specially designed for other equipment is determined by the control status of the other equipment.
a.1.c lægger hverken eksportkontrol på elektroniske kilder, der kun udsender lyden i lodret retning, mekaniske lydkilder (f.eks. luftkanoner og dampstødkanoner) eller kemiske lydkilder (f.eks. eksplosivstoffer).
a.1.c. does not control electronic sources which direct the sound vertically only, or mechanical (e.g. air gun or vapour-shock gun) or chemical (e.g. explosive) sources.
Momentant udstrålet 'akustisk effekttæthed' på mere end 0,01 mW/mm2/Hz for udstyr, der opererer ved frekvenser under 10 kHz
An instantaneous radiated ‘acoustic power density’ exceeding 0,01 mW/mm2/Hz for devices operating at frequencies below 10 kHz;
Vedvarende udstrålet 'akustisk effekttæthed' på mere end 0,001 mW/mm2/Hz for udstyr, der opererer ved frekvenser på under 10 kHz eller
A continuously radiated ‘acoustic power density’ exceeding 0,001 mW/mm2/Hz for devices operating at frequencies below 10 kHz; or
'Akustisk effekttæthed' fremkommer ved division af den akustiske udgangseffekt med produktet af arealet af den udstrålende overflade og driftsfrekvensen.
‘Acoustic power density’ is obtained by dividing the output acoustic power by the product of the area of the radiating surface and the frequency of operation.
Sidesløjfeundertrykkelse på mere end 22 dB
Side-lobe suppression exceeding 22 dB;
d. Akustiske systemer og udstyr til bestemmelse af overflade- eller undervandsfartøjers position, som har alle følgende egenskaber, og specielt konstruerede komponenter hertil:
d. Acoustic systems and equipment, designed to determine the position of surface vessels or underwater vehicles and having all the following, and specially designed components therefor:
Detekteringsområde på mere end 1000 m og
Detection range exceeding 1000 m; and
Placeringsnøjagtighed på mindre end 10 m effektivværdi ved måling på en afstand af 1000 m
Positioning accuracy of less than 10 m rms (root mean square) when measured at a range of 1000 m;
a.1.d omfatter:
a.1.d. includes:
Udstyr, der bruger kohærent »signalbehandling« mellem to eller flere bøjer og den hydrofonenhed, der findes om bord på overflade- eller undervandsfartøjet
Equipment using coherent “signal processing” between two or more beacons and the hydrophone unit carried by the surface vessel or underwater vehicle;
e. Aktive individuelle sonarer specielt konstrueret eller ændret til at detektere, stedbestemme og automatisk klassificere svømmere eller dykkere, som har alle følgende egenskaber:
e. Active individual sonars, specially designed or modified to detect, locate and automatically classify swimmers or divers, having all of the following:
Detekteringsområde på mere end 530 m
Detection range exceeding 530 m;
Placeringsnøjagtighed på mindre end 15 m effektivværdi ved måling på en afstand af 530 m og
Positioning accuracy of less than 15 m rms (root mean square) when measured at a range of 530 m; and
Udsendt pulssignalbåndbredde på mere end 3 kHz
Transmitted pulse signal bandwidth exceeding 3 kHz;
For så vidt angår systemer til detektion af dykkere, der er specielt konstrueret eller ændret til militær anvendelse, se kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål.
For diver detection systems specially designed or modified for military use, see the Military Goods Controls.
For 6A001.a.1.e., hvor der er angivet flere detektionsområder i forskellige miljøer, anvendes det største detektionsområde.
For 6A001.a.1.e., where multiple detection ranges are specified for various environments, the greatest detection range is used.
Passive systemer, udstyr eller specielt konstruerede komponenter hertil som følger:
Passive systems, equipment and specially designed components therefor, as follows:
a. Hydrofoner med en eller flere af følgende:
a. Hydrophones having any of the following:
Eksportkontrolstatus for hydrofoner specielt konstrueret til andet udstyr afhænger af eksportkontrolstatus for andet udstyr.
The control status of hydrophones specially designed for other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Med kontinuerlige, bøjelige sensorelementer
Incorporating continuous flexible sensing elements;
Med bøjelige samlinger af diskrete sensorelementer med enten diameter eller længde på mindre end 20 mm og med adskillelse mellem elementerne på mindre end 20 mm
Incorporating flexible assemblies of discrete sensing elements with either a diameter or length less than 20 mm and with a separation between elements of less than 20 mm;
a. Optiske fibre
a. Optical fibres;
b. 'Piezoelektriske polymerfilm' bortset fra polyvinylidenfluorid (PVDF) og dets copolymerer P(VDF-TrFE) og P(VDF-TFE) eller
b. ‘Piezoelectric polymer films’ other than polyvinylidene-fluoride (PVDF) and its co-polymers P(VDF-TrFE) and P(VDF-TFE); or
c. 'Bøjelige piezoelektriske kompositmaterialer'
c. ‘Flexible piezoelectric composites’;
'Hydrofonfølsomhed' bedre end -180 dB på en hvilken som helst dybde uden accelerationskompensation
A ‘hydrophone sensitivity’ better than – 180 dB at any depth with no acceleration compensation;
Konstrueret til at operere på dybder på over 35 m, med accelerationskompensation eller
Designed to operate at depths exceeding 35 m with acceleration compensation; or
Konstrueret til at operere på dybder på mere end 1000 m
Designed for operation at depths exceeding 1000 m;
Sensorelementer af 'piezoelektriske polymerfilm' består af polariseret polymerfilm, som er strakt ud over og fastgjort til en støtteramme eller spole (opspændingsdorn).
‘Piezoelectric polymer film’ sensing elements consist of polarised polymer film that is stretched over and attached to a supporting frame or spool (mandrel).
Sensorelementer af 'bøjelige piezoelektriske kompositmaterialer' består af piezoelektriske, keramiske partikler eller fibre kombineret med en elektrisk isolerende, akustisk transparent gummi-, polymer- eller epoxyforbindelse, hvor forbindelsen er en integrerende del af sensorelementerne.
‘Flexible piezoelectric composite’ sensing elements consist of piezoelectric ceramic particles or fibres combined with an electrically insulating, acoustically transparent rubber, polymer or epoxy compound, where the compound is an integral part of the sensing elements.
'Hydrofonfølsomhed' defineres som tyve gange 10-logaritmen af forholdet mellem udgangsspændingens effektivværdi og en reference på 1 V eff., når hydrofonsensoren, uden forforstærker, anbringes i et akustisk planbølgefelt med et effektivt tryk på 1 mikropascal.
‘Hydrophone sensitivity’ is defined as twenty times the logarithm to the base 10 of the ratio of rms output voltage to a 1 V rms reference, when the hydrophone sensor, without a pre-amplifier, is placed in a plane wave acoustic field with an rms pressure of 1 μPa.
b. Slæbte akustiske hydrofonsystemer med en eller flere af følgende egenskaber:
b. Towed acoustic hydrophone arrays having any of the following:
Afstand mellem hydrofongrupperne på mindre end 12,5 m, eller som er 'i stand til at kunne modificeres' til en afstand mellem hydrofongrupperne på mindre end 12,5 m
Hydrophone group spacing of less than 12,5 m or ‘able to be modified’ to have hydrophone group spacing of less than 12,5 m;
Konstrueret eller i stand til at kunne modificeres til at operere på dybder på mere end 35 m
Designed or ‘able to be modified’ to operate at depths exceeding 35 m;
'I stand til at kunne modificeres' i betydningen i 6A001.a.2.b.1 og 2 vil sige at være forberedt til at tillade ændring af ledningsføring eller forbindelser til at forandre afstanden mellem hydrofongrupperne eller grænserne for operationsdybde.
‘Able to be modified’ in 6A001.a.2.b.1. and 2. means having provisions to allow a change of the wiring or interconnections to alter hydrophone group spacing or operating depth limits.
Kurssensorer, der er specificeret i 6A001.a.2.d
Heading sensors specified in 6A001.a.2.d.;
Et samlet system med en diameter på mindre end 40 mm
An assembled array of less than 40 mm in diameter; or
Hydrofonegenskaber, der er specificeret i 6A001.a.2.a
Hydrophone characteristics specified in 6A001.a.2.a.;
c. Databehandlingsudstyr, der er specielt konstrueret til slæbte akustiske hydrofonsystemer, med »brugertilgængelig programmerbarhed« og tids- eller frekvensdomænebehandling og korrelering, herunder spektralanalyse, digital filtrering og stråleformning ved hjælp af Fast Fourier eller andre transformeringer eller processer
c. Processing equipment, specially designed for towed acoustic hydrophone arrays, having “user accessible programmability” and time or frequency domain processing and correlation, including spectral analysis, digital filtering and beamforming using Fast Fourier or other transforms or processes;
d. Kurssensorer med samtlige følgende egenskaber:
d. Heading sensors having all of the following:
En nøjagtighed, der er bedre end ± 0,5° og
An accuracy of better than ± 0,5 °; and
Konstrueret til at operere på dybder på mere end 35 m og udstyret med en justerbar eller aftagelig dybdesensoranordning, således at de kan anvendes på dybder på mere end 35 m
Designed to operate at depths exceeding 35 m or having an adjustable or removable depth sensing device in order to operate at depths exceeding 35 m;
e. Dybvands- eller lavvandskabelsystemer med en eller flere af følgende egenskaber:
e. Bottom or bay cable systems, having any of the following:
Omfatter hydrofoner, der er specificeret i 6A001.a.2.a eller
Incorporating hydrophones specified in 6A001.a.2.a.; or
a. Konstrueret til at operere på dybder på mere end 35 m og udstyret med en justerbar eller aftagelig dybdesensoranordning, således at de kan anvendes på dybder på mere end 35 m, og
a. Designed to operate at depths exceeding 35 m or having an adjustable or removable depth sensing device in order to operate at depths exceeding 35 m; and
b. Er operationelt udskiftelige med slæbte akustiske hydrofonsystemmoduler
b. Capable of being operationally interchanged with towed acoustic hydrophone array modules;
f. Databehandlingsudstyr, der er specielt konstrueret til dybvands- eller lavvandskabelsystemer, med »brugertilgængelig programmerbarhed« og tids- eller frekvensdomænebehandling og korrelering, herunder spektralanalyse, digital filtrering og stråleformning ved hjælp af Fast Fourier eller andre transformeringer eller processer
f. Processing equipment, specially designed for bottom or bay cable systems, having “user accessible programmability” and time or frequency domain processing and correlation, including spectral analysis, digital filtering and beamforming using Fast Fourier or other transforms or processes;
a.2. lægger også eksportkontrol på modtageudstyr, uanset om det ved normal anvendelse har forbindelse med separat aktivt udstyr, og specielt konstruerede komponenter hertil.
a.2. also controls receiving equipment, whether or not related in normal application to separate active equipment, and specially designed components therefor.
b. Sonarlogudstyr med korrelationshastighed og Dopplerhastighed konstrueret til måling af udstyrsbærerens vandrette hastighed i forhold til havbunden som følger:
b. Correlation-velocity and Doppler-velocity sonar log equipment, designed to measure the horizontal speed of the equipment carrier relative to the sea bed, as follows:
a. Konstrueret til at operere over afstande mellem bæreren og havbunden på mere end 500 m eller
a. Designed to operate at distances between the carrier and the sea bed exceeding 500 m; or
b. Har en hastighedsnøjagtighed, der er bedre end 1 % af hastigheden
b. Having speed accuracy better than 1 % of speed;
Sonarlogudstyr med Dopplerhastighed, der har en hastighedsnøjagtighed, der er bedre end 1 % af hastigheden
Doppler-velocity sonar log equipment having speed accuracy better than 1 % of speed.
b. lægger ikke eksportkontrol på dybdemålere, der kun udfører følgende:
b. does not control depth sounders limited to any of the following:
b. lægger ikke eksportkontrol på udstyr specielt konstrueret til montering på overfladefartøjer.
b. does not control equipment specially designed for installation on surface vessels.
c. Ikke anvendt.
c. Not used.
JF. LIGELEDES 6A102.
SEE ALSO 6A102.
a. Optiske detektorer som følger:
a. Optical detectors as follows:
»Rumkvalificerede« faststofdetektorer som følger:
“Space-qualified” solid-state detectors as follows:
I forbindelse med 6A002.a.1. omfatter faststofdetektorer »billedplansystemer«.
For the purpose of 6A002.a.1., solid-state detectors include “focal plane arrays”.
a. »Rumkvalificerede« faststofdetektorer med samtlige følgende egenskaber:
a. “Space-qualified” solid-state detectors having all of the following:
Spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 10 nm dog højst 300 nm og
A peak response in the wavelength range exceeding 10 nm but not exceeding 300 nm; and
Respons på mindre end 0,1 % i forhold til spidsresponsen ved en bølgelængde på mere end 400 nm
A response of less than 0,1 % relative to the peak response at a wavelength exceeding 400 nm;
b. »Rumkvalificerede« faststofdetektorer med samtlige følgende egenskaber:
b. “Space-qualified” solid-state detectors having all of the following:
Spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 900 nm, dog højst 1200 nm og
A peak response in the wavelength range exceeding 900 nm but not exceeding 1200 nm; and
Respons »tidskonstant« på 95 ns eller mindre
A response “time constant” of 95 ns or less;
c. »Rumkvalificerede« faststofdetektorer med en spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 1200 nm, men ikke over 30000 nm
c. “Space-qualified” solid-state detectors having a peak response in the wavelength range exceeding 1200 nm but not exceeding 30000 nm;
d. »Rumkvalificerede«»billedplansystemer« med mere end 2048 elementer pr. system og en spidsrespons i bølgelængdeområdet over 300 nm, men ikke over 900 nm.
d. “Space-qualified” “focal plane arrays” having more than 2048 elements per array and having a peak response in the wavelength range exceeding 300 nm but not exceeding 900 nm.
a.2. lægger ikke eksportkontrol på ikkebilleddannende fotomultiplikatorrør med en elektronsensor i tomrummet, der udelukkende begrænses til følgende:
a.2. does not control non-imaging photomultiplier tubes having an electron sensing device in the vacuum space limited solely to any of the following:
En enkelt metalanode eller
A single metal anode; or
Metalanoder med en center-til-center afstand over 500 μm.
Metal anodes with a centre to centre spacing greater than 500 μm.
»Ladningsmultiplicering« (charge multiplication) er en form for elektronisk billedforstærkning og defineres som generering af ladningsbærere som følge af stødioniseringsprocesser (impact ionization gain process).
‘Charge multiplication’ is a form of electronic image amplification and is defined as the generation of charge carriers as a result of an impact ionisation gain process.
Ladningsmultipliceringssensorer kan have form af billedforstærkerrør, faststofdetektorer eller billedplansystemer.
‘Charge multiplication’ sensors may take the form of an image intensifier tube, solid state detector or “focal plane array”.
a. Billedforstærkerrør med samtlige følgende egenskaber:
a. Image intensifier tubes having all of the following:
Spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 400 nm, dog højst 1050 nm
A peak response in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 1050 nm;
a. En mikrokanalplade med en hulafstand (center-til-center) på 12 μm eller mindre eller
a. A microchannel plate with a hole pitch (centre-to-centre spacing) of 12 μm or less; or
b. En elektronisk sensor med en afstand mellem de ikkebundne pixel på 500 μm eller mindre, der specielt er konstrueret eller ændret med henblik på at opnå en 'ladningsmultiplicering' på anden måde end ved en mikrokanalplade, og
b. An electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 μm or less, specially designed or modified to achieve ‘charge multiplication’ other than by a microchannel plate; and
a. Multialkali fotokatoder (f.eks. S-20 og S-25), med en lysfølsomhed på over 350 μA/lm
a. Multialkali photocathodes (e.g. S-20 and S-25) having a luminous sensitivity exceeding 350 μA/lm;
b. GaAs eller GaInAs fotokatoder eller
b. GaAs or GaInAs photocathodes; or
c. Andre »III-/V-forbindelse« halvlederfotokatoder, med en »strålingsfølsomhed« på over 10 mA/W.
c. Other “III/V compound” semiconductor photocathodes having a maximum “radiant sensitivity” exceeding 10 mA/W;
b. Billedforstærkerrør med samtlige følgende:
b. Image intensifier tubes having all of the following:
»III-/V-forbindelse« sammensatte halvlederfotokatoder (f.eks. GaAs eller GaInAs) og overførte elektronfotokatoder med en »strålingsfølsomhed« på over 15 mA/W.
“III/V compound” semiconductor (e.g. GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes, having a maximum “radiant sensitivity” exceeding 15 mA/W;
c. Specielt konstruerede komponenter som følger:
c. Specially designed components as follows:
Mikrokanalplader med en hulafstand (center-til-center) på højst 12 μm
Microchannel plates having a hole pitch (centre-to-centre spacing) of 12 μm or less;
En elektronisk sensor med en afstand mellem de ikkebundne pixel på 500 μm eller mindre, der specielt er konstrueret eller ændret med henblik på at opnå en 'ladningsmultiplicering' på anden måde end ved en mikrokanalplade
An electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 μm or less, specially designed or modified to achieve ‘charge multiplication’ other than by a microchannel plate;
»III-/V-forbindelse« sammensatte halvlederfotokatoder (f.eks. GaAs eller GaInAs) og overførte elektronfotokatoder.
“III/V compound” semiconductor (e.g. GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes;
a.2.c.3. lægger ikke eksportkontrol på sammensatte halvlederfotokatoder konstrueret til at opnå en »strålingsfølsomhed« som følger:
a.2.c.3. does not control compound semiconductor photocathodes designed to achieve a maximum “radiant sensitivity” of any of the following:
Ikke »rumkvalificerede«»billedplansystemer« som følger:
Non-“space-qualified” “focal plane arrays” as follows:
'Mikrobolometer', ikke »rumkvalificerede«»billedplansystemer«, er kun specificeret i 6A002.a.3.f.
‘Microbolometer’ non-“space-qualified” “focal plane arrays” are only specified in 6A002.a.3.f.
Lineære og todimensionale multielementdetektorsystemer betegnes »billedplansystemer«
Linear or two-dimensional multi-element detector arrays are referred to as “focal plane arrays”;
a.3. omfatter fotoledende systemer og fotoelementsystemer.
a.3. includes photoconductive arrays and photovoltaic arrays.
a.3. lægger ikke eksportkontrol på:
a.3. does not control:
Multielement (højst 16 elementer) indkapslede fotoledende celler, der bruger enten blysulfid eller blyselenid
Multi-element (not to exceed 16 elements) encapsulated photoconductive cells using either lead sulphide or lead selenide;
Polyvinylidenfluorid og varianter eller
Polyvinylidene fluoride and variants; or
Strontiumbariumniobat og varianter.
Strontium barium niobate and variants.
»Billedplansystemer« specielt konstrueret eller ændret for at opnå ladningsmultiplicering og konstruktionsmæssigt begrænset til en maksimal »strålingsfølsomhed« på højst 10 mA/W for bølgelængder over 760 nm med begge følgende egenskaber:
“Focal plane arrays” specially designed or modified to achieve ‘charge multiplication’ and limited by design to have a maximum “radiant sensitivity” of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following:
Omfatter en responsbegrænsende mekanisme, der er konstrueret, så den ikke kan fjernes eller ændres, og
Incorporating a response limiting mechanism designed not to be removed or modified; and
»Billedplansystemet« fungerer kun med den installerede responsbegrænsende mekanisme.
The “focal plane array” is only operable with the response limiting mechanism in place.
a. Ikke »rumkvalificerede«»billedplansystemer« med samtlige følgende egenskaber:
a. Non-“space-qualified” “focal plane arrays” having all of the following:
Individuelle elementer med spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 900 nm, dog højst 1050 nm og
Individual elements with a peak response within the wavelength range exceeding 900 nm but not exceeding 1050 nm; and
a. Respons »tidskonstant« på mindre end 0,5 ns eller
a. A response “time constant” of less than 0,5 ns; or
b. Specielt konstrueret eller ændret for at opnå ladningsmultiplicering og med en maksimal »strålingsfølsomhed« på over 10 mA/W
b. Specially designed or modified to achieve ‘charge multiplication’ and having a maximum “radiant sensitivity” exceeding 10 mA/W;
b. Ikke »rumkvalificerede«»billedplansystemer« med samtlige følgende egenskaber:
b. Non-“space-qualified” “focal plane arrays” having all of the following: