natgillin/translations-raw huggingface dataset:
a. Er en rubidiumstandard
a. Being a rubidium standard;
b. Langtidsstabilitet mindre (bedre) end 1 × 10–11/måned og
b. Long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; and
c. Totalt energiforbrug på mindre end 1 W.
c. Total power consumption of less than 1 W.
a. Analog-digitale omsættere, anvendelige i »missiler«, konstrueret til at opfylde militære specifikationer for specielt robust udstyr
a. Analogue-to-digital converters, usable in “missiles”, designed to meet military specifications for ruggedised equipment;
b. Acceleratorer, der er i stand til at afgive elektromagnetisk stråling fremkaldt af bremsstrahlung fra accelererede elektroner på mindst 2 MeV, samt systemer, der indeholder sådanne acceleratorer.
b. Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
b omfatter ikke udstyr, der er specielt konstrueret til medicinske formål.
b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
'Termiske batterier' beregnet eller ændret til brug i 'missiler'.
‘Thermal batteries’ designed or modified for ‘missiles’.
I 3A102 er 'termiske batterier' engangsbatterier, der indeholder et fast ikkeledende uorganisk salt som elektrolyt.
In 3A102 ‘thermal batteries’ are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
I 3A102 er 'missil' fuldstændige raketsystemer og ubemandede luftfartøjssystemer med en rækkevidde på over 300 km.
In 3A102 ‘missile’ means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
Følgende elektroniske komponenter ud over dem, der er specificeret i 3A001:
Electronic components, other than those specified in 3A001, as follows:
a. Kondensatorer med et af følgende sæt af egenskaber:
a. Capacitors having either of the following sets of characteristics:
a. Mærkespænding højere end 1,4 kV
a. Voltage rating greater than 1,4 kV;
b. Energiopladning mere end 10 J
b. Energy storage greater than 10 J;
c. Kapacitans højere end 0,5 μF og
c. Capacitance greater than 0,5 μF; and
d. Serieinduktans mindre end 50 nH eller
d. Series inductance less than 50 nH; or
a. Mærkespænding højere end 750 V
a. Voltage rating greater than 750 V;
b. Kapacitans højere end 0,25 μF og
b. Capacitance greater than 0,25 μF; and
c. Serieinduktans mindre end 10 nH
c. Series inductance less than 10 nH;
b. Superledende solenoidelektromagneter med samtlige følgende egenskaber:
b. Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
Et magnetfelt af en homogenitet, der er bedre end 1 % over den midterste halvdel af det indre rum
Magnetic field uniform to better than 1 % over the central 50 % of the inner volume;
b lægger ikke eksportkontrol på magneter, der er specielt konstrueret til, og som eksporteres 'som dele af' medicinske nukleare magnetiske resonanssystemer (NMR) til billeddannelse.
b. does not control magnets specially designed for and exported ‘as parts of’ medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Udtrykket 'som dele af' betyder ikke nødvendigvis fysisk del af den samme forsendelse; separate forsendelser fra forskellige kilder er tilladt, såfremt det i de tilhørende eksportpapirer klart anføres, at disse forsendelser er afsendt 'som dele af' de billeddannende systemer.
The phrase ‘as part of’ does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched ‘as part of’ the imaging systems.
c. Røntgenudladningsgeneratorer eller impulselektronacceleratorer med et af følgende sæt af egenskaber:
c. Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
a. En acceleratorspidselektronenergi på mindst 500 keV, men mindre end 25 MeV og
a. An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
b. Med et 'godhedstal' (K) på mindst 0,25 eller
b. With a ‘figure of merit’ (K) of 0,25 or greater; or
a. En acceleratorspidselektronenergi på mindst 25 MeV og
a. An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
b. En 'spidseffekt' større end 50 MW.
b. A ‘peak power’ greater than 50 MW.
c lægger ikke eksportkontrol på acceleratorer, som udgør en del af apparater, der er beregnet til andre formål end elektronstråler eller røntgenstråling (f.eks. elektronmikroskopi), og heller ikke på sådanne konstrueret til medicinske formål.
c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes:
'Godhedstallet' K defineres som
The ‘figure of merit’ K is defined as:
K = 1,7 × 103 × V2,65 × Q
K = 1,7 × 103 × V2,65 × Q
Hvis acceleratorens stråleimpulsvarighed er større end 1μs, er Q den maksimale accelererede ladning på 1μs.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 μs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 μs.
Spidseffekt = (spidsspænding i volt) × (spidsstrålestrøm i ampere).
‘Peak power’ = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
a. Multifaseudgang i stand til at præstere en effekt på mindst 40 W
a. Multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
b. I stand til at operere i frekvensområdet mellem 600 og 2000 Hz
b. Capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
c. Total harmonisk forvrængning bedre end (under) 10 % og
c. Total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
d. Frekvensstyring bedre end (under) 0,1 %.
d. Frequency control better (less) than 0,1 %.
a. Er i stand til kontinuerligt at yde mindst 100 V over en periode på 8 timer med en udgangsstrøm på mindst 500 A og
a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
b. Med strøm- eller spændingsstabilitet bedre end 0,1 % over en periode på 8 timer.
b. Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
a. Er i stand til kontinuerligt at yde mindst 20 kV over en periode på 8 timer med en udgangsstrøm på mindst 1 A og
a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
a. Koldkatoderør, også gasfyldte, som virker på samme måde som et gnistgab, og med samtlige følgende egenskaber:
a. Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
Indeholdende 3 eller flere elektroder
Containing three or more electrodes;
Mærkeanodespidsstrøm mindst 100 A og
Anode peak current rating of 100 A or more; and
Anodeforsinkelse højst 10 μs
Anode delay time of 10 μs or less;
228 omfatter ligeledes gaskrytronrør og vakuumsprytronrør.
228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
b. Styrede gnistgab, som har begge følgende egenskaber:
b. Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
En mærkespidsstrøm på mindst 500 A
Rated for a peak current of 500 A or more;
c. Moduler eller samlinger med en hurtig koblingsfunktion bortset fra dem, der er anført i 3A001.g. eller 3A001.h, med samtlige følgende egenskaber:
c. Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
Anode mærkespidsspænding større end 2 kV
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
Tændtid højst 1 μs.
Turn-on time of 1 μs or less.
Følgende stærkstømsimpulsgivere:
High-current pulse generators as follows:
Se 1A007.a. for eksplosive detonatortændapparater.
See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
a. Anvendes ikke
a. Not used;
b. Modulære elektriske impulsgeneratorer, der har samtlige følgende egenskaber:
b. Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Konstrueret til bærbar, mobil eller særlig modstandsdygtig anvendelse
Designed for portable, mobile, or ruggedised-use;
Monteret i støvtæt kapsling
Enclosed in a dust-tight enclosure;
I stand til at udlade deres energi på mindre end 15 μs
Capable of delivering their energy in less than 15 μs;
Med 'stigetid' mindre end 10 μs i belastninger på mindre end 40 ohm
Having a ‘rise time’ of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
b omfatter ligeledes xenonudladningslampestyring.
b. includes xenon flash-lamp drivers.
a. En udgangsspænding på mere end 6 V ind i en resistiv belastning på mindre end 55 ohm og
a. Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms; and
b. En 'impulsomkoblingstid' på mindre end 500 ps.
b. ‘Pulse transition time’ less than 500 ps.
'Impulsomkoblingstid' defineres i 3A230 som tidsperioden mellem 10 % og 90 % af spændingsamplituden.
In 3A230, ‘pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
a. Er konstrueret til drift uden et eksternt vakuumsystem og
a. Designed for operation without an external vacuum system; and
b. Bruger elektrostatisk acceleration til fremkaldelse af en tritium-deuterium kernereaktion.
b. Utilising electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
Følgende flerpunktstændsystemer, ud over dem, der er specificeret i 1A007:
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
Se 1A007.b. for detonatorer.
See 1A007.b. for detonators.
b. Arrangementer, der bruger enkelte eller multiple detonatorer, der er beregnet til næsten simultant at tænde en eksplosiv overflade over mere end 5000 mm2 fra et enkelt tændsignal (med en tændtid spredt over overfladen på mindre end 2,5 μs.
b. Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
232 lægger ikke eksportkontrol på detonatorer, der kun bruger primære sprængstoffer som f.eks. blyazid.
232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
c. Termiske ioniseringsmassespektrometre (TIMS)
c. Thermal ionisation mass spectrometers (TIMS);
d. Elektronbombardementmassespektrometre, som har et kildekammer, der er konstrueret af, foret med eller belagt med UF6-bestandige materialer
d. Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Kildekammer, der er konstrueret af, foret med eller belagt med UF6-bestandige materialer
A source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
a. Følgende udstyr til epitaksial vækst:
a. Equipment designed for epitaxial growth as follows:
Udstyr, som er i stand til at danne et lag af andet materiale end silicium med en lagtykkelse, der er ensartet til mindre end ± 2,5 % over en længde på mindst 75 mm
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
a.1. omfatter atomlagsepitaksiudstyr.
a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Metalorganisk kemisk dampudfældnings-(MOCVD)reaktorer, der er specielt konstrueret til vækst af sammensatte halvlederkrystaller ved den kemiske reaktion mellem de materialer, der er specificeret i 3C003 eller 3C004
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
Udstyr til epitaksial vækst med molekylestråle ved brug af gas- eller faststofkilder
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
b. Udstyr konstrueret til ionimplantering og med en eller flere af følgende egenskaber:
b. Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
En stråleenergi (accelerationsspænding) på mere end 1 MeV
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1MeV;
En stråleenergi på mindst 65 keV og en strålestrøm på mindst 45 mA beregnet til højenergioxygenimplantering i et opvarmet halvledermateriale »substrat«
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material “substrate”;
c. Anisotropisk plasmatørætsningsudstyr med samtlige følgende egenskaber:
c. Anisotropic plasma dry etching equipment having both of the following:
Konstrueret eller optimeret til at frembringe kritiske dimensioner på 65 nm eller derunder og
Designed or optimised to produce critical dimensions of 65 nm or less; and
Waferunøjagtighed lig med eller mindre end 10 % 3σ målt med et fradrag for kant på 2 mm eller derunder
Within-wafer non-uniformity equal to or less than 10 % 3σ measured with an edge exclusion of 2 mm or less;
d. Udstyr til plasmaforstærket kemisk dampudfældning (CVD) som følger:
d. Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition (CVD) equipment as follows:
Udstyr med kassette-til-kassette operation og indføringssluser og konstrueret efter producentens specifikationer eller optimeret med henblik på fremstilling af halvlederkomponenter med kritiske dimensioner på 65 nm eller derunder
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
Udstyr specielt konstrueret til udstyr, der er specificeret i 3B001.e., og konstrueret efter producentens specifikationer eller optimeret med henblik på fremstilling af halvlederkomponenter med kritiske dimensioner på 65 nm eller derunder
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
e. Centrale flerkammerwaferhåndteringssystemer til automatisk ilægning med samtlige følgende egenskaber:
e. Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having both of the following:
Interfaces til wafer input og output, der skal forbindes med mere end to funktionelt forskellige 'halvlederbearbejdningsværktøjer' som specificeret i 3B001.a., 3B001.b., 3B001.c. eller 3B001.d. og
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different ‘semiconductor process tools’ specified in 3B001.a., 3B001.b., 3B001.c. or 3B001.d. are designed to be connected; and
Beregnet til frembringelse af et integreret system i et vakuummiljø til 'sekventiel behandling af flere wafers'
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for ‘sequential multiple wafer processing’;
e. lægger ikke eksportkontrol på automatiske robotsystemer til waferbehandling, der er specielt beregnet til parallel behandling af wafers.
e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
I forbindelse med 3B001.e. er 'halvlederbearbejdningsværktøjer' modulbaserede værktøjer, som anvedes til funktionelt forskellige fysiske processer i fremstillingen af halvledere, f.eks. udfældning, ætsning, implantering eller varmebehandling.
For the purpose of 3B001.e., ‘semiconductor process tools’ refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.
I forbindelse med 3B001.e. er 'sekventiel behandling af flere wafers' muligheden for at behandle hver enkelt wafer med forskellige 'halvlederbearbejdningsværktøjer', f.eks. ved at den enkelte wafer overføres fra et værktøj til et andet og derfra videre til et tredje værktøj med de centrale flerkammerwaferhåndteringssystemer til automatisk ilægning.
For the purpose of 3B001.e., ‘sequential multiple wafer processing’ means the capability to process each wafer in different ‘semiconductor process tools’, such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
f. Følgende litografisk udstyr:
f. Lithography equipment as follows:
Step and repeatudstyr (direkte waferstepper) eller step and scanudstyr (scanner) til positionering og eksponering i forbindelse med waferprocesser ved brug af foto-optiske eller røntgenmetoder og med en eller flere af følgende egenskaber:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having either of the following:
a. Lyskildebølgelængde kortere end 245 nm eller
a. A light source wavelength shorter than 245 nm; or
b. I stand til at frembringe et mønster med en 'mindste detaljeopløsning' (MRF) på 95 nm eller derunder.
b. Capable of producing a pattern with a ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) of 95 nm or less;
'Mindste detaljeopløsning' (MRF) beregnes efter følgende formel:
The ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) is calculated by the following formula:
MRF =lyskildens bølgelængde i nm
MRF =an exposure light source wavelength in nm
hvor K-faktor = 0,35.
where the K factor = 0,35
Litografisk udstyr til prægning, der kan frembringe detaljer på 95 nm eller mindre
Imprint lithography equipment capable of producing features of 95 nm or less;
f.2. omfatter
f.2. includes:
a. Bruger en afbøjet fokuseret elektronstråle, ionstråle eller »laser«stråle og
a. Using deflected focussed electron beam, ion beam or “laser” beam; and
Overlægningsnøjagtighed bedre end + 0,20 μm (3 sigma)
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
g. Masker og okularmikrometre, beregnet for integrerede kredsløb, der er specificeret i 3A001;
g. Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
h. Flerlagsmasker med et faseforskydningslag;
h. Multi-layer masks with a phase shift layer;
h lægger ikke eksportkontrol på flerlagsmasker med et faseforskydningslag, der er beregnet til fremstilling af hukommelsesindretninger, der ikke er pålagt eksportkontrol iflg. 3A001.
h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
a. Til afprøvning af transistorers S-parametre ved frekvenser over 31,8 GHz
a. For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
c. Til prøvning af integrerede mikrobølgekredsløb, der er specificeret i 3A001.b.2.
c. For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Heteroepitaksiale materialer, der består af et »substrat« med flere, stablede epitaksisk dyrkede lag af:
Hetero-epitaxial materials consisting of a “substrate” having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
a. Silicium (Si)
a. Silicon (Si);
b. Germanium (Ge)
b. Germanium (Ge);
c. Siliciumcarbid (SiC) eller
c. Silicon carbide (SiC); or
d. III/V-forbindelser af gallium eller indium.
d. “III/V compounds” of gallium or indium.
Følgende resistmaterialer samt »substrater« belagt med følgende resists:
Resist materials as follows and “substrates” coated with the following resists:
a. Positive resists til halvlederlitografi, som er specielt justeret (optimeret) til brug under 245 nm
a. Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
b. Alle resists, til brug med elektronstråler eller ionstråler, med en følsomhed på 0,01 mikrocoulomb/mm2 eller bedre
b. All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
c. Alle resists, til brug med røntgenstråler, med en følsomhed på 2,5 mJ/mm2 eller bedre
c. All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
d. Alle resists, der er optimeret til overfladebilleddannelsesteknologi, inklusive 'silylerede' resists
d. All resists optimised for surface imaging technologies, including ‘silylated’ resists;
'Silylerings' teknik defineres som processer, der omfatter oxidering af resistoverfladen for at forbedre udførelsen af både våd og tør fremkaldning.
‘Silylation’ techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
e. Alle resists, der er udviklet eller optimeret til brug med litografisk udstyr til prægning specificeret i 3B001.f.2., som bruger enten en termisk eller lyshærdende proces.
e. All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
a. Metalorganiske forbindelser af aluminium, gallium eller indium, med en renhed (metalbasis), der er bedre end 99,999 %
a. Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
b. Organiske arsen-, antimon- og phosphorforbindelser, med en renhed (på basis af det uorganiske grundstof), der er bedre end 99,999 %.
b. Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
003 lægger kun eksportkontrol på forbindelser, hvis metal-, halvmetal- eller ikkemetalgrundstof er bundet direkte til kulstof i molekylets organiske del.
003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
004 lægger ikke eksportkontrol på hydrider, der indeholder mindst 20 molprocent inaktive luftarter eller hydrogen.
004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
»Substrater« af siliciumkarbid (SiC), galliumnitrid (GaN), aluminiumnitrid (AlN) eller aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) eller ingots, boules eller andre preforms af disse materialer, med resistiviteter større end 10000 ohm-cm ved 20 °C
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) “substrates”, or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
»Substrater« specificeret i 3C005 med mindst ét epitaksialt lag af siliciumcarbid, galliumnitrid, aluminiumnitrid eller aluminiumgalliumnitrid.
“Substrates” specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
»Software«, der er specielt udviklet til »udvikling« eller »produktion« af udstyr, der er specificeret i 3A001.b. til 3A002.g. eller 3B.
“Software” specially designed for the “development” or “production” of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
»Software«, der er specielt udviklet til »brug« af udstyr specificeret i 3B001.a.-f. eller 3B002.
“Software” specially designed for the “use” of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
'Fysikbaseret' simulations»software«, der er specielt beregnet til »udvikling« af litografiske, ætsnings- eller udfældningsprocesser til overføring af maskemønstre til specifikke topografiske mønstre i ledere, dielektrika eller halvledere.
‘Physics-based’ simulation “software” specially designed for the “development” of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Ved 'fysikbaseret' i 3D003 forstås brug af beregninger til at fastlægge en række af fysiske årsags- og virkningssammenhænge på grundlag af fysiske egenskaber (f.eks. temperatur, tryk, diffusionskonstanter og halvlederegenskaber).
‘Physics-based’ in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g. temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Biblioteker, konstruktionsattributter eller tilknyttede data til konstruktion af halvlederindretninger eller integrerede kredsløb betragtes som »teknologi«.
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as “technology”.
»Software« der er specielt beregnet eller ændret til »udvikling« af udstyr, der er specificeret i 3A003.
“Software” specially designed for the “development” of the equipment specified in 3A003.