natgillin/translations-raw huggingface dataset:
f. »Teknologi« til pålægning af uorganiske »overlay« belægninger eller uorganiske belægninger til overflademodifikation, (specificeret i kolonne 3 i følgende skema), til ikkeelektroniske substrater, (specificeret i kolonne 2 i følgende skema), ved de processer, der er specificeret i kolonne 1 i følgende skema og defineret i den tekniske note.
f. “Technology” for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
Skemaet og den tekniske note findes efter nr. 2E301.
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
Skemaet bør læses således, at det kun specificerer teknologien ved en bestemt belægningsproces, når den resulterende belægning i kolonne 3 er anført direkte ud for det relevante substrat i kolonne 2.
This table should be read to specify the technology of a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
De tekniske data for belægningsprocessen ved kemisk dampudfældning (CVD) er for eksempel medtaget for pålægning af silicider til substrater af carboncarbon, keramiske og metal»matrix«»komposit«substrater, men er ikke medtaget for pålægning af silicider til substrater af 'cementeret wolframcarbid' (16) og 'siliciumcarbid' (18).
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal “matrix” “composites” substrates, but are not included for the application of silicides to ‘cemented tungsten carbide’ (16), ‘silicon carbide’ (18) substrates.
I andet tilfælde er den resulterende belægning ikke anført i kolonne 3 direkte ud for 'cementeret wolframcarbid' (16) og 'siliciumcarbid' (18).
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing ‘cemented tungsten carbide’ (16), ‘silicon carbide’ (18).
»Teknologi«; iflg. »den generelle teknologinote«, til »brug« af udstyr eller »software«, der er specificeret i 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119-2B122 eller 2D101.
“Technology” according to the General Technology Note for the “use” of equipment or “software” specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
»Teknologi«, iflg. »den generelle teknologinote«, til »brug« af udstyr eller »software«, der er specificeret i 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225-2B232, 2D201 eller 2D202.
“Technology” according to the General Technology Note for the “use” of equipment or “software” specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B232, 2D201 or 2D202.
»Teknologi«, iflg. den generelle teknologinote, til »brug« af produkter, der er specificeret i 2B350-2B352.
“Technology” according to the General Technology Note for the “use” of goods specified in 2B350 to 2B352.
Belægningsproces (1) [5]
Coating Process (1) [5]
A. Kemisk dampudfældning (CVD)
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
»Superlegeringer«
“Superalloys”
Carboncarbon, keramiske og metal»matrix«»kompositter«
Carbon-carbon, Ceramic and Metal “matrix” “composites”
B. Fysisk dampudfældning ved termisk fordampning (TE-PVD)
B. Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
Fysisk dampudfældning (PVD): »laser«fordampning
Physical Vapour Deposition (PVD): “Laser” Vaporisation
Polymerer (11) og organiske »matrix«»kompositter«
Polymers (11) and Organic “matrix” “composites”
C. Pakcementering (se A ovenfor om cementering uden for pakke) (10)
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
D. Plasmasprøjtning
D. Plasma spraying
Afslideligt nikkelgrafit
Abradable Nickel-Graphite
E. Slurrybelægning
E. Slurry Deposition
F. Sputterbelægning
F. Sputter Deposition
G. Ionimplantering
G. Ion Implantation
Tilsætninger af chrom tantal eller niobium (columbium)
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
Skema — Udfældningsteknik — Noter
Table — Deposition Techniques — Notes
'Belægningsprocessen' omfatter reparation og fornyelse af belægningen såvel som oprindelig belægning.
The term ‘coating process’ includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Udtrykket 'legeret aluminid' belægning omfatter éttrins- eller flertrinsbelægninger, i hvilke et eller flere grundstoffer pålægges før eller under påføring af aluminidbelægningen, selv om disse grundstoffer pålægges ved en anden belægningsproces.
The term ‘alloyed aluminide coating’ includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Udtrykket belægning med 'aluminid modificeret med ædle metaller' omfatter flertrinsbelægninger, ved hvilke det eller de ædle metaller pålægges ved en anden belægningsproces før pålægningen af aluminidbelægningen.
The term ‘noble metal modified aluminide’ coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
Udtrykket 'blandinger heraf' omfatter infiltreret materiale, graderede sammensætninger, samudfældninger og flerlagsudfældninger fremstillet ved en eller flere af de i dette skema specificerede processer.
The term ‘mixtures thereof’ includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
'MCrAlX' refererer til en belægningslegering, hvor M er cobalt, jern, nikkel eller sammensætninger heraf, og X er hafnium, yttrium, silicium, tantal i enhver mængde eller andre tilsigtede tilsætninger over 0,01 vægtprocent i forskellige forhold og kombinationer undtagen:
‘MCrAlX’ refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
a. CoCrAlY-belægninger, som indeholder mindre end 22 vægtprocent chrom, mindre end 7 vægtprocent aluminium, og mindre end 2 vægtprocent yttrium
a. CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
b. CoCrAlY-belægninger, som indeholder 22 til 24 vægtprocent chrom, 10 til 12 vægtprocent aluminium og 0,5 til 0,7 vægtprocent yttrium, eller
b. CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
c. NiCrAlY-belægninger, som indeholder 21 til 23 vægtprocent chrom, 10 til 12 vægtprocent aluminium og 0,9 til 1,1 vægtprocent yttrium.
c. NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
'Aluminiumslegeringer' er legeringer, der har en trækbrudstyrke på mindst 190 MPa målt ved 293 K (20 °C).
The term ‘aluminium alloys’ refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
'Korrosionsbestandigt' stål er stål iflg. AISI (American Iron and Steel Institute) 300 rækken eller tilsvarende nationale standarder.
The term ‘corrosion resistant steel’ refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
'Tungtsmeltelige metaller og legeringer' omfatter følgende metaller og deres legeringer: niobium (columbium), molybdæn, wolfram og tantal.
‘Refractory metals and alloys’ include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
'Materialer til sensorvinduer' som følger: aluminiumoxid, silicium, germanium, zinksulphid, zinkselenid, galliumarsenid, diamant, galliumfosfid, safir og følgende metalhalider: sensorvinduesmaterialer med en større diameter end 40 mm for zirconiumfluorid og hafniumfluorid.
‘Sensor window materials’, as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
'Teknologi« til éntrins pakcementering af faste planprofiler pålægges ikke eksportkontrol iflg. kategori 2.
“Technology” for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
'Polymerer' som følger: polyimid, polyester, polysulfid, polycarbonater og polyurethaner.
‘Polymers’, as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
'Modificerede zirconiumoxider' er tilsætning af andre metaloxider, f.eks. calcium-, magnesium-, yttrium- og hafnium-oxider, oxider af sjældne jordarter, osv. til zirconiumoxider for at stabilisere visse krystallografiske faser og fasesammensætninger.
‘Modified zirconia’ refers to additions of other metal oxides (e.g. calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
'Titanlegeringer' er udelukkende rumfartslegeringer med en trækbrudstyrke på mindst 900 MPa målt ved 293 K (20 °C).
‘Titanium alloys’ refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
'Glasarter med lav udvidelseskoefficient' refererer til glasarter, som har en termisk udvidelseskoefficient på højst 1 × 10–7 K–1 målt ved 293 K (20 °C).
‘Low-expansion glasses’ refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
'Dielektriske lag' er belægninger, der er konstrueret af flere lag af isolerende materialer, i hvilket interferensegenskaberne ved en konstruktion, der er sammensat af materialer med forskelligt refraktivt indeks, bruges til at reflektere, transmittere eller absorbere forskellige bølgelængdebånd.
‘Dielectric layers’ are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Dielektriske lag refererer til mere end fire dielektriske lag eller »kompositte« lag af dielektrikametal.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal “composite” layers.
'Cementeret wolframcarbid' omfatter ikke skære- og formeværktøjsmaterialer bestående af wolframcarbid/(cobalt, nikkel), titancarbid/(cobalt, nikkel), chromcarbid/nikkel-chrom og chrom carbid/nikkel.
‘Cemented tungsten carbide’ does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
'Teknologi«, der specielt er beregnet på udfældning af diamantlignende carbon på følgende pålægges ikke eksportkontrol:
“Technology” specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
'Siliciumcarbid' omfatter ikke materialer til fremstilling af skære- og formværktøj.
‘Silicon carbide’ does not include cutting and forming tool materials.
Skema — Udfældningsteknik — Teknisk note
Table — Deposition Techniques — Technical Note
CVD omfatter følgende processer: Udfældning ved en ledet gasstrøm uden pakning, pulserende CVD, styret nuklear termisk udfældning (CNTD), plasmaforstærkede eller plasmaassisterede CVD processer.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Pakket betyder, at et substrat er nedlagt i en pulverblanding.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
De gasformige reaktanter, der anvendes i en ikkepakket proces, frembringes ved brug af de samme grundreaktioner og parametre som i pakkecementeringsprocessen, med undtagelse af at det substrat, der skal belægges, ikke er i kontakt med pulverblandingen.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
b. Termisk fordampning-fysisk dampudfældning (TE-PVD) er en overlaybelægningsproces, der foregår i et vakuum med et tryk på mindre end 0,1 Pa, i hvilket der bruges en termisk energikilde til at fordampe belægningsmaterialet.
b. Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporise the coating material.
Tilførsel af gasser til vakuumkammeret under belægningsprocessen til syntetisering af sammensatte belægninger er en normal modificering af processen.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesise compound coatings is an ordinary modification of the process.
Brugen af ion- eller elektronstråler eller plasma for at aktivere eller assistere belægningens deponering er også en almindelig modifikation i denne teknik.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating’s deposition is also a common modification in this technique.
»Laser«fordampning bruger enten pulserende eller kontinuert-bølge »laser«-stråler til fordamping af det materiale, der danner belægningen.
“Laser” Vaporisation uses either pulsed or continuous wave “laser” beams to vaporise the material which forms the coating;
Styret bevægelse af buen eroderer katodeoverfladen og skaber en højioniseret plasma.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionised plasma.
»Biasing« af substrater bruges ved belægning uden for sigtelinje.
Substrate biasing is used for non-line-of-sight deposition.
Denne definition omfatter ikke tilfældig katodelysbuebelægning med substrater, der ikke er »biased«.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Ionplettering er en speciel modificering af en generel TE-PVD-proces, hvorved en plasma- eller ionkilde bruges til at ionisere de materialer, der skal danne belægningen, og substratet gives negativ »bias« for at lette udtrækningen fra plasmaen af det materiale, der skal pålægges.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionise the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
c. Pakcementering er en overflademodifikationsbelægning eller overlaybelægningsproces, hvor substratet nedlægges i en pulverblanding (en pakning), som består af:
c. Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
De metalliske pulvere, der skal danne belægningen (normalt aluminium, chrom, silicium eller kombinationer af disse)
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
En aktivator (normalt et halidsalt) og
An activator (normally a halide salt); and
d. Plasmasprøjtning er en overlaybelægningsproces, hvor en pistol (sprøjtebrænder), som frembringer og styrer en plasma, modtager pulver- eller trådbelægningsmaterialer, smelter dem og slynger dem mod et substrat, hvor der dannes en integreret, bonded belægning.
d. Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Lavtryk betyder mindre end det omgivende atmosfæriske tryk.
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Høj hastighed refererer til, at gassens udgangshastighed ved dysens munding overstiger 750 m/s udregnet ved 293 K (20 °C) ved 0,1 MPa.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
e. Slurrybelægning er en overflademodifikationsbelægnings- eller overlaybelægningsproces, hvor et metallisk eller keramisk pulver med et organisk bindemiddel opslemmes i en væske og påføres et substrat enten ved sprøjtning, dypning eller maling, hvorefter det luft- eller ovntørres, og varmebehandles for at opnå den ønskede belægning.
e. Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
f. Sputterbelægning er en overlaybelægningsproces, der er baseret på et momentoverførselsfænomen, hvor positive ioner accelereres af et elektrisk felt mod målets (belægningsmaterialets) overflade.
f. Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Skemaet refererer kun til triode-, magnetron- eller reaktiv sputterbelægning, som bruges til at forbedre belægningens vedhængskraft og belægningsprocessens hastighed, og til radiofrekvens-(RF)forbedret sputterbelægning, der bruges til at frembringe fordampning af umetalliske belægningsmaterialer.
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Lavenergiionstråler (mindre end 5 keV) kan anvendes til at aktivere belægningsprocessen.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
g. Ionimplantering er en overflademodifikationsbelægningsproces, hvor det grundstof, der skal legeres, bliver ioniseret, accelereret gennem en spændingsgradient og implanteret i substratets overfladeområde.
g. Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Eksportkontrolstatus for udstyr og komponenter beskrevet i 3A001 eller 3A002, bortset fra det i 3A001.a.3-10 og 3A001.a.12 beskrevne, som er specielt udviklet eller som har samme funktionelle egenskaber som andet udstyr, afgøres ved dette andet udstyrs eksportkontrolstatus.
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Eksportkontrolstatus for udstyr for integrerede kredsløb beskrevet i 3A001.a.3-9 og 3A001.a.12, som er uforanderligt programmeret eller udviklet til en bestemt funktion i andet udstyr, bestemmes af dette andet udstyrs eksportkontrolstatus.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Hvis producenten eller ansøgeren ikke kan afgøre det andet udstyrs eksportkontrolstatus, bestemmes eksportkontrolstatus for de integrerede kredsløb i 3A001.a.3-9 og 3A001.a.12.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
a. Integrerede kredsløb til generelle formål som følger:
a. General purpose integrated circuits, as follows:
Eksportkontrolstatus for wafers (færdigforarbejdede eller uforarbejdede), i hvilke funktionen er fastlagt, skal bedømmes efter parametrene i 3A001.a.
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Integrerede kredsløb omfatter følgende typer:
Integrated circuits include the following types:
»Monolitisk integrerede kredsløb«
“Monolithic integrated circuits”;
»Hybride integrerede kredsløb«
“Hybrid integrated circuits”;
»Multichip integrerede kredsløb«
“Multichip integrated circuits”;
»Film-type integrerede kredsløb«, inklusive silicium-på-safir integrerede kredsløb
“Film type integrated circuits”, including silicon-on-sapphire integrated circuits;
»Optiske integrerede kredsløb«.
“Optical integrated circuits”.
a. En total dosis på mindst 5 × 103Gy (silicium)
a. A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
b. En dosisændring ved forstyrrelse på mindst 5 × 106Gy (silicium)/s eller
b. A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
c. En neutronfluens (integreret flux) (1MeV-ækvivalent) på 5 × 1013 n/cm2 eller højere for silicium eller tilsvarende for andre materialer
c. A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
a.1.c. finder ikke anvendelse på metalisolatorhalvledere (MIS).
a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
»Mikroprocessormikrokredsløb«, »mikrocomputermikrokredsløb«, mikrocontrollermikrokredsløb, integrerede hukommelseskredsløb fremstillet af en sammensat halvleder, integrerede kredsløb til analog-til-digital konvertering, integrerede kredsløb til digital-til-analog konvertering, elektrooptiske eller »optisk integrerede kredsløb« til »signalbehandling«, logiske anordninger, der er programmerbare på stedet, kundespecificerede integrerede kredsløb, for hvilke enten funktionen er ukendt, eller eksportkontrolstatus for det udstyr, i hvilket de integrerede kredsløb skal anvendes, ukendt, processorer til Fast Fourier-Transformation (FFT), elektrisk sletbare programmerbare read-only-hukommelser (EEPROM), flashhukommelser eller statiske random-access-hukommelser (SRAM) med en eller flere af følgende egenskaber:
“Microprocessor microcircuits”, “microcomputer microcircuits”, microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or “optical integrated circuits” designed for “signal processing”, field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
a. Normeret for drift ved en omgivelsestemperatur over 398 K (125 °C)
a. Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
b. Normeret for drift ved en omgivelsestemperatur under 218 K (– 55 °C) eller
b. Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
c. Normeret for drift ved alle omgivelsestemperaturer mellem 218 K (–55 °C) og 398 K (125 °C)
c. Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
a.2 gælder ikke for integrerede kredsløb til anvendelse i civile motorkøretøjer eller jernbanemateriel.
a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
»Mikroprocessormikrokredsløb«, »mikrocomputermikrokredsløb« og mikrocontroller mikrokredsløb fremstillet af en sammensat halvleder og med en taktfrekvens på mere end 40 MHz.
“Microprocessor microcircuits”, “microcomputer microcircuits” and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
a.3. omfatter digitale signalprocessorer, digitale arrayprocessorer og digitale co-processorer.
a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Ikke anvendt
Not used;