natgillin/translations-raw huggingface dataset:
’Akustisk effekttæthed’ fremkommer ved division af den akustiske udgangseffekt med produktet af arealet af den udstrålende overflade og driftsfrekvensen.
"Acoustic power density" is obtained by dividing the output acoustic power by the product of the area of the radiating surface and the frequency of operation.
Udstyr, der bruger kohærent "signalbehandling" mellem to eller flere bøjer og den hydrofonenhed, der findes om bord på overflade- eller undervandsfartøjet;
equipment using coherent "signal processing" between two or more beacons and the hydrophone unit carried by the surface vessel or underwater vehicle;
Hydrofoner med en eller flere af følgende:
hydrophones having any of the following:
Med kontinuerlige, bøjelige sensorelementer;
incorporating continuous flexible sensing elements;
Med bøjelige samlinger af diskrete sensorelementer med enten diameter eller længde på mindre end 20 mm og med adskillelse mellem elementerne på mindre end 20 mm;
incorporating flexible assemblies of discrete sensing elements with either a diameter or length less than 20 mm and with a separation between elements of less than 20 mm;
Med en eller flere af følgende sensorelementer:
having any of the following sensing elements:
’Piezoelektriske polymerfilm’ bortset fra polyvinylidenfluorid (PVDF) og dets copolymerer P(VDF-TrFE) og P(VDF-TFE); eller
"piezoelectric polymer films" other than polyvinylidene-fluoride (PVDF) and its copolymers P(VDF-TrFE) and P(VDF-TFE); or
’Bøjelige piezoelektriske kompositmaterialer’;
"flexible piezoelectric composites";
’Hydrofonfølsomhed’ bedre end –180 dB på en hvilken som helst dybde uden accelerationskompensation;
a "hydrophone sensitivity" better than –180 dB at any depth with no acceleration compensation;
Konstrueret til at operere på dybder på over 35 m, med accelerationskompensation; eller
designed to operate at depths exceeding 35 m with acceleration compensation; or
Sensorelementer af ’piezoelektriske polymerfilm’ består af polariseret polymerfilm, som er strakt ud over og fastgjort til en støtteramme eller spole (opspændingsdorn).
"Piezoelectric polymer film" sensing elements consist of polarised polymer film that is stretched over and attached to a supporting frame or spool (mandrel).
Sensorelementer af ’bøjelige piezoelektriske kompositmaterialer’ består af piezoelektriske, keramiske partikler eller fibre kombineret med en elektrisk isolerende, akustisk transparent gummi-, polymer- eller epoxyforbindelse, hvor forbindelsen er en integrerende del af sensorelementerne.
"Flexible piezoelectric composite" sensing elements consist of piezoelectric ceramic particles or fibres combined with an electrically insulating, acoustically transparent rubber, polymer or epoxy compound, where the compound is an integral part of the sensing elements.
’Hydrofonfølsomhed’ defineres som tyve gange 10-logaritmen af forholdet mellem udgangsspændingens effektivværdi og en reference på 1 V eff., når hydrofonsensoren, uden forforstærker, anbringes i et akustisk planbølgefelt med et effektivt tryk på 1 mikropascal.
"Hydrophone sensitivity" is defined as twenty times the logarithm to the base 10 of the ratio of rms output voltage to a 1 V rms reference, when the hydrophone sensor, without a pre-amplifier, is placed in a plane wave acoustic field with an rms pressure of 1 μPa.
Afstand mellem hydrofongrupperne på mindre end 12,5 m, eller som er ’i stand til at kunne modificeres’ til en afstand mellem hydrofongrupperne på mindre end 12,5 m;
hydrophone group spacing of less than 12,5 m or "able to be modified" to have hydrophone group spacing of less than 12,5 m;
Konstrueret eller i stand til at kunne modificeres til at operere på dybder på mere end 35 m;
designed or "able to be modified" to operate at depths exceeding 35 m;
’I stand til at kunne modificeres’ i betydningen i 6A001.a.2.b.1 og 2 vil sige at være forberedt til at tillade ændring af ledningsføring eller forbindelser til at forandre afstanden mellem hydrofongrupperne eller grænserne for operationsdybde.
"Able to be modified" in 6A001.a.2.b.1. and 2. means having provisions to allow a change of the wiring or interconnections to alter hydrophone group spacing or operating depth limits.
Kurssensorer, der er specificeret i 6A001.a.2.d;
heading sensors specified in 6A001.a.2.d.;
Systemslanger forstærket (armeret) i længderetningen;
longitudinally reinforced array hoses;
Et samlet system med en diameter på mindre end 40 mm;
an assembled array of less than 40 mm in diameter; or
Databehandlingsudstyr, der er specielt konstrueret til slæbte akustiske hydrofonsystemer, med "brugertilgængelig programmerbarhed" og tids- eller frekvensdomænebehandling og korrelering, herunder spektralanalyse, digital filtrering og stråleformning ved hjælp af Fast Fourier eller andre transformeringer eller processer;
processing equipment, specially designed for towed acoustic hydrophone arrays, having "user accessible programmability" and time or frequency domain processing and correlation, including spectral analysis, digital filtering and beamforming using Fast Fourier or other transforms or processes;
Kurssensorer med samtlige følgende egenskaber:
heading sensors having all of the following:
Konstrueret til at operere på dybder på mere end 35 m og udstyret med en justerbar eller aftagelig dybdesensoranordning, således at de kan anvendes på dybder på mere end 35 m;
designed to operate at depths exceeding 35 m or having an adjustable or removable depth sensing device in order to operate at depths exceeding 35 m;
Konstrueret til at operere på dybder på mere end 35 m og udstyret med en justerbar eller aftagelig dybdesensoranordning, således at de kan anvendes på dybder på mere end 35 m; og
designed to operate at depths exceeding 35 m or having an adjustable or removable depth sensing device in order to operate at depths exceeding 35 m; and
Databehandlingsudstyr, der er specielt konstrueret til dybvands- eller lavvandskabelsystemer, med "brugertilgængelig programmerbarhed" og tids- eller frekvensdomænebehandling og korrelering, herunder spektralanalyse, digital filtrering og stråleformning ved hjælp af Fast Fourier eller andre transformeringer eller processer;
processing equipment, specially designed for bottom or bay cable systems, having "user accessible programmability" and time or frequency domain processing and correlation, including spectral analysis, digital filtering and beamforming using Fast Fourier or other transforms or processes;
Sonar-log-udstyr med korrelationshastighed og Dopplerhastighed konstrueret til måling af udstyrsbærerens vandrette hastighed i forhold til havbunden som følger:
correlation-velocity and Doppler-velocity sonar log equipment, designed to measure the horizontal speed of the equipment carrier relative to the sea bed, as follows:
Sonar-log-udstyr med en af følgende egenskaber:
correlation-velocity sonar log equipment having any of the following characteristics:
Konstrueret til at operere over afstande mellem bæreren og havbunden på mere end 500 m; eller
designed to operate at distances between the carrier and the sea bed exceeding 500 m; or
Har en hastighedsnøjagtighed, der er bedre end 1 % af hastigheden;
having speed accuracy better than 1 % of speed;
Sonar-log-udstyr med Dopplerhastighed, der har en hastighedsnøjagtighed, der er bedre end 1 % af hastigheden;
Doppler-velocity sonar log equipment having speed accuracy better than 1 % of speed.
Note 1:6A001.b. lægger ikke eksportkontrol på dybdemålere, der kun udfører følgende:
Note 1:6A001.b. does not control depth sounders limited to any of the following:
Måling af vanddybden
measuring the depth of water;
Måling af afstanden til objekter under vandoverfladen eller havbunden; eller
measuring the distance of submerged or buried objects; or
Søgning efter fisk.
fish finding.
Note 2:6A001.b. lægger ikke eksportkontrol på udstyr specielt konstrueret til montering på overfladefartøjer.
Note 2:6A001.b. does not control equipment specially designed for installation on surface vessels.
Optiske sensorer eller udstyr og komponenter hertil som følger:
Optical sensors or equipment and components therefor, as follows:
Spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 10 nm dog højst 300 nm; og
a peak response in the wavelength range exceeding 10 nm but not exceeding 300 nm; and
Spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 900 nm, dog højst 1200 nm; og
a peak response in the wavelength range exceeding 900 nm but not exceeding 1200 nm; and
Respons "tidskonstant" på 95 ns eller mindre;
a response "time constant" of 95 ns or less;
Note:6A002.a.2. lægger ikke eksportkontrol på ikke-billeddannende fotomultiplikatorrør med en elektronsensor i tomrummet, der udelukkende begrænses til følgende:
Note:6A002.a.2. does not control non-imaging photomultiplier tubes having an electron sensing device in the vacuum space limited solely to any of the following:
En enkelt metalanode, eller
a single metal anode; or
Metalanoder med en center-til-center afstand over 500 μm.
metal anodes with a centre to centre spacing greater than 500 µm.
’Ladningsmultiplicering’ (charge multiplication) er en form for elektronisk billedforstærkning og defineres som generering af ladningsbærere som følge af stødioniseringsprocesser (impact ionization gain process).
"Charge multiplication" is a form of electronic image amplification and is defined as the generation of charge carriers as a result of an impact ionization gain process.
Ladningsmultipliceringssensorer kan have form af billedforstærkerrør, faststofdetektorer eller billedplansystemer.
"Charge multiplication" sensors may take the form of an image intensifier tube, solid state detector or "focal plane array".
Billedforstærkerrør med samtlige følgende:
image intensifier tubes having all of the following:
Elektronisk billedforstærkning med anvendelse af en af følgende:
electron image amplification using any of the following:
En mikrokanalplade med en hulafstand (center-til-center) på 12 μm eller mindre, eller
a microchannel plate with a hole pitch (centre-to-centre spacing) of 12 µm or less; or
En elektronisk sensor med en afstand mellem de ikke-bundne pixel på 500 μm eller mindre, der er konstrueret eller ændret med henblik på at opnå en ’ladningsmultiplicering’ på anden måde end ved en mikrokanalplade, og
an electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 µm or less, specially designed or modified to achieve "charge multiplication" other than by a microchannel plate; and
Andre "III-V-forbindelse" halvlederfotokatoder;
other "III-V compound" semiconductor photocathodes;
Note:6A002.a.2.a.3.c. lægger ikke eksportkontrol på sammensatte halvlederfotokatoder med en strålingsfølsomhed på højst 10 mA/W.
Note:6A002.a.2.a.3.c. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less.
Spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 1050 nm, men ikke over 1800 nm;
a peak response in the wavelength range exceeding 1050 nm but not exceeding 1800 nm;
En elektronisk sensor med en afstand mellem de ikke-bundne pixel på 500 μm eller mindre, der specielt er konstrueret eller ændret med henblik på at opnå en ’ladningsmultiplicering’ på anden måde end ved en mikrokanalplade, og
an electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 µm or less, specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ other than by a microchannel plate; and
"III-V-forbindelse" sammensatte halvlederfotokatoder (f.eks. GaAs eller GaInAs) og overførte elektron-fotokatoder.
"III-V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes;
Note:6A002.a.2.c.3. lægger ikke eksportkontrol på sammensatte halvlederfotokatoder med en strålingsfølsomhed på højst 15 mA/W.
Note:6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 15 mA/W or less.
En elektronisk sensor med en afstand mellem de ikke-bundne pixel på 500 µm eller mindre, der specielt er konstrueret eller ændret med henblik på at opnå en ’ladningsmultiplicering’ på anden måde end ved en mikrokanalplade;
an electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 µm or less, specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ other than by a microchannel plate;
Note:6A002.a.2.c.3. lægger ikke eksportkontrol på sammensatte halvlederfotokatoder konstrueret til at opnå en strålingsfølsomhed som følger:
Note:6A002.a.2.c.3. does not control compound semiconductor photocathodes withdesigned to achieve a maximum radiant sensitivity of any of the following:
højst 10 mA/W ved en spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 400 nm, men ikke over 1050 nm, eller
10 mA/W or less. at the peak response in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 1050 nm; or
højst 15 mA/W ved en spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 1050 nm, men ikke over 1800 nm.
15 mA/W or less at the peak response in the wavelength range exceeding 1050 nm but not exceeding 1800 nm.
NB:’Mikrobolometer’, ikke "rumkvalificerede""billedplansystemer", er kun specificeret i 6A002.a.3.f.
N.B.:silicon and other material based microbolometer non "space-qualified""focal plane arrays" are only specified in 6A002.a.3.f.
Note 1:6A002.a.3. omfatter fotoledende systemer og fotoelementsystemer.
Note 1:6A002.a.3. includes photoconductive arrays and photovoltaic arrays.
Note 2:6A002.a.3. lægger ikke eksportkontrol på:
Note 2:6A002.a.3. does not control:
Strontium-bariumniobat og varianter
strontium barium niobate and variants.
Billedplansystemer specielt konstrueret eller ændret for at opnå ladningsmultiplicering og konstruktionsmæssigt begrænset til en maksimal strålingsfølsomhed på højst 10mA/W for bølgelængder over 760 nm med samtlige følgende:
"focal plane arrays" specially designed or modified to achieve "charge multiplication" and limited by design to have a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following:
En responsbegrænsende mekanisme konstrueret til ikke at fjernes eller modificeres, og
incorporating a response limiting mechanism designed not to be removed or modified; and
Den responsbegrænsende mekanisme er en integrerende del af eller kombineret med detektorelementet, eller
the response limiting mechanism is integral to or combined with the detector element; or
Billedplansystemet fungerer kun med den installerede responsbegrænsende mekanisme.
the "focal plane array" is only operable with the response limiting mechanism in place.
En responsbegrænsende mekanisme, der er en integrerende del af detektorelementet, er konstrueret, så den ikke kan fjernes eller ændres uden at sætte detektoren ud af kraft.
A response limiting mechanism integral to the detector element is designed not to be removed or modified without rendering the detector inoperable.
’Ladningsmultiplicering’ (charge multiplication) er en form for elektronisk billedforstærkning og defineres som generering af ladningsbærere som følge af stødioniseringsprocesser (impact ionization gain process).
"Charge multiplication" is a form of electronic image amplification and is defined as the generation of charge carriers as a result of an impact ionisation gain process.
Ikke-rumkvalificerede billedplansystemer med samtlige følgende:
non-"space-qualified""focal plane arrays" having all of the following:
Respons-"tidskonstant" på mindre end 0,5 ns;
a response "time constant" of less than 0,5 ns; or
Specielt konstrueret eller ændret for at opnå ladningsmultiplicering og med en maksimal strålingsfølsomhed på over 10 mA/W;
specially designed or modified to achieve "charge multiplication" and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W;
Respons-"tidskonstant" på 95 ns eller mindre;
a response "time constant" of 95 ns or less; or
Specielt konstrueret eller ændret for at opnå ladningsmultiplicering og med en maksimal strålingsfølsomhed på over 10 mA/W;
specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W;
Ikke-"rumkvalificerede" ikke-lineære (2-dimensionale) "billedplansystemer" med individuelle elementer med spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 1200 nm, dog højst 30000 nm;
non-"space-qualified" non-linear (2-dimensional) "focal plane arrays" having individual elements with a peak response in the wavelength range exceeding 1200 nm but not exceeding 30000 nm;
NB:Mikrobolometre, der er baseret på silicium og andre materialer, og som ikke er "rumkvalificerede""billedplansystemer", er kun specificeret i 6A002.a.3.f.
N.B.:silicon and other material based "microbolometer" non-"space-qualified""focal plane arrays" are only specified in 6A.002.a.3.f.
Et forhold mellem detektorelementets skanningsretningsdimension og detektorelementets tværskanningsretningsdimension på under 3,8; eller
a ratio of "scan direction" dimension of the detector element to the "cross-scan direction" dimension of the detector element of less than 3,8; or
Signalbehandling i elementet (SPRITE);
signal processing in the element (SPRITE).
Note:6A002.a.3.d. lægger ikke eksportkontrol på billedplansystemer (som ikke overstiger 32 elementer) med detektorelementer begrænset til germaniummateriale.
Note:6A002.a.3.d. does not control "focal plane arrays" (not to exceed 32 elements) having detector elements limited solely to germanium material.
I forbindelse med 6A002.a.3.d. forstås der ved ’tværskanningsretning’ aksen parallelt med det lineære system af detektorelementer og ved ’skanningsretning’ aksen vinkelret på det lineære system af detektorelementer.
For the purposes of 6A002.a.3.d., "cross-scan direction" is defined as the axis parallel to the linear array of detector elements and the ’scan direction’ is defined as the axis perpendicular to the linear array of detector elements.
Ikke-"rumkvalificerede", ikke-lineære (2-dimensionelle) infrarøde "billedplansystemer" baseret på "mikrobolometer"materiale med individuelle elementer med en ufiltreret respons i bølgelængdeområdet på 8000 nm eller derover, dog højst 14000 nm;
non-"space-qualified" non-linear (2-dimensional) infrared "focal plane arrays" based on "microbolometer" material having individual elements with an unfiltered response in the wavelength range equal to or exceeding 8000 nm but not exceeding 14000 nm.
I forbindelse med 6A002.a.3.f. defineres ’mikrobolometer’ som en termisk billeddektorer, der som et resultat af temperaturændringer i detektoren på grund af absorption af infrarød stråling anvendes til at generere et brugbart signal.
For the purposes of 6A002.a.3.f. "microbolometer" is defined as a thermal imaging detector that, as a result of a temperature change in the detector caused by the absorption of infrared radiation, is used to generate any usable signal.
Individuelle detektorelementer ved en spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 400 nm, dog højst 900 nm
individual detector elements with a peak response in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 900 nm;
Specielt konstrueret eller ændret for at opnå lademultiplicering og med en maksimal strålingsfølsomhed på over 10 mA/W for bølgelængder over 760 nm, og
specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W for wavelengths exceeding 760 nm; and
Flere end 32 elementer.
greater than 32 elements.
"Monospektrale og multispektrale billedsensorer", der er konstrueret til fjernfølingsformål, med en eller flere af følgende egenskaber:
"monospectral imaging sensors" and "multispectral imaging sensors" designed for remote sensing applications and having any of the following:
Instantaneous-Field-Of-View (IFOV) på mindre end 200 mikroradianer; eller
an instantaneous field-of-view (IFOV) of less than 200 μrad (microradians); or
Specificeret til drift i bølgelængdeområdet på mere end 400 nm, dog højst 30000 nm, og med samtlige følgende egenskaber:
specified for operation in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 30000 nm and having all the following;
Konstrueret til brug i luftfartøjer, udstyret med andet end siliciumdetektorer og med et IFOV på mindre end 2,5 milliradianer;
designed for airborne operation, using other than silicon detectors, and having an IFOV of less than 2,5 mrad (milliradians);
Billedudstyr til ’direkte betragtning’ med en eller flere af følgende egenskaber:
"direct view" imaging equipment incorporating any of the following:
Billedforstærkerrør som er specificeret i 6A002.a.2.a. eller 6A002.a.2.b.
image intensifier tubes specified in 6A002.a.2.a. or 6A002.a.2.b.;
"Billedplansystemer" som er specificeret i 6A002.a.3. eller 6A002.e., eller
"focal plane arrays" specified in 6A002.a.3. or 6A002.e.; or
Faststofdetektorer, jf. 6A002.a.1.
solid state detectors specified in 6A002.a.1.;
’Direkte betragtning’ henviser til udstyr, der giver et visuelt billede for en menneskelig observatør uden at omdanne billedet til et elektronisk signal til visning på fjernsyn, og som ikke kan optage eller lagre billedet fotografisk, elektronisk eller på nogen anden måde.
"Direct view" refers to imaging equipment that presents a visual image to a human observer without converting the image into an electronic signal for television display, and that cannot record or store the image photographically, electronically or by any other means.
Note:6A002.c. lægger ikke eksportkontrol på følgende udstyr, når det omfatter andet end GaAs eller GaInAs fotokatoder:
Note:6A002.c. does not control equipment as follows, when incorporating other than GaAs or GaInAs photocathodes:
Medicinsk udstyr
medical equipment;
Specielle hjælpekomponenter til optiske sensorer som følger:
special support components for optical sensors, as follows:
Kameraer, systemer eller udstyr samt komponenter hertil, som følger:
Cameras, systems or equipment, and components therefor, as follows:
NB:For så vidt angår kameraer, der er specielt konstrueret eller modificeret til undervandsbrug, jf. 8A002.d. og 8A002.e.
N.B.:for cameras specially designed or modified for underwater use, see 8A002.d. and 8A002.e.
Note:Instrumenteringskameraer, der er specificeret i 6A003.a.3-6A003a.5. med modulær opbygning bør vurderes efter deres maksimale ydeevne ved anvendelse af plug-ins, der er til rådighed i henhold til kameraproducentens specifikationer.
Note:instrumentation cameras, specified in 6A003.a.3. to 6A003.a.5., with modular structures should be evaluated by their maximum capability, using plug-ins available according to the camera manufacturer's specifications.
Note:6A003.a.1. lægger ikke eksportkontrol på filmkameraer til civile formål.
Note:6A003.a.1. does not control cinema recording cameras designed for civil purposes.
Specielt konstrueret til instrumenteringskameraer med modulær opbygning, der er specificeret i 6A003.a.; og
specially designed for instrumentation cameras which have modular structures and which are specified in 6A003.a.; and
Sætter disse kameraer i stand til at opfylde de egenskaber, der er specificeret i 6A003.a.3., 6A003.a.4. eller 6A003.a.5., i henhold til producentens specifikationer;
enabling these cameras to meet the characteristics specified in 6A003.a.3., 6A003.a.4., or 6A003.a.5., according to the manufacturer's specifications.
Videokameraer, der omfatter halvledersensorer med spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 10 nm, dog højst 30000 nm og med samtlige følgende egenskaber:
video cameras incorporating solid state sensors, having a peak response in the wavelength range exceeding 10 nm, but not exceeding 30000 nm and having all of the following:
Mere end 12 × 106"aktive pixler" for halvledersystem-farvekameraer med ét halvledersystem; og
more than 12 × 106"active pixels" for solid state array colour cameras incorporating one solid state array; and
Optiske spejle, der er specificeret i 6A004.a.;
optical mirrors 6A004.a.;
Optisk kontroludstyr, der er specificeret i 6A004.d.; eller
optical control equipment 6A004.d.; or
Kan annotere internt frembragte ’kamerasporingsdata’;
the capability for annotating internally generated.
I dette punkt forstås ved ’kamerasporingsdata’ de oplysninger, der er nødvendige for at kunne fastslå kameraets sigteretning i forhold til jorden.
For the purpose of this entry, camera tracking data is the information necessary to define camera line of sight orientation with respect to the earth.