natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Vedvarende udstrålet ’akustisk effekttæthed’ på mere end 0,001 mW/mm2/Hz for udstyr, der opererer ved frekvenser på under 10 kHz; eller
A continuously radiated ’acoustic power density’ exceeding 0,001 mW/mm2/Hz for devices operating at frequencies below 10 kHz; or
Akustiske systemer, udstyr og specielt konstruerede komponenter til bestemmelse af overflade- eller undervandsfartøjers position konstrueret til at operere over en afstand på mere end 1000 m med en placeringsnøjagtighed på mindre end 10 m effektivværdi ved måling på en afstand af 1000 m;
Acoustic systems, equipment and specially designed components for determining the position of surface vessels or underwater vehicles, designed to operate at a range exceeding 1000 m with a positioning accuracy of less than 10 m rms (root mean square) when measured at a range of 1000 m;
Udstyr, der bruger kohærent "signalbehandling" mellem to eller flere bøjer og den hydrofonenhed, der findes om bord på overflade- eller undervandsfartøjet;
Equipment using coherent "signal processing" between two or more beacons and the hydrophone unit carried by the surface vessel or underwater vehicle;
Hydrofoner med en eller flere af følgende:
Hydrophones having any of the following:
Note:Eksportkontrolstatus for hydrofoner specielt konstrueret til andet udstyr afhænger af eksportkontrolstatus for andet udstyr.
Note:The control status of hydrophones specially designed for other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Med kontinuerlige, bøjelige sensorelementer;
Incorporating continuous flexible sensing elements;
Med bøjelige samlinger af diskrete sensorelementer med enten diameter eller længde på mindre end 20 mm og med adskillelse mellem elementerne på mindre end 20 mm;
Incorporating flexible assemblies of discrete sensing elements with either a diameter or length less than 20 mm and with a separation between elements of less than 20 mm;
Med en eller flere af følgende sensorelementer:
Having any of the following sensing elements:
Optiske fibre;
Optical fibres;
’Piezoelektriske polymerfilm’ bortset fra polyvinylidenfluorid (PVDF) og dets copolymerer P(VDF-TrFE) og P(VDF-TFE); eller
’Piezoelectric polymer films’ other than polyvinylidene-fluoride (PVDF) and its co-polymers P(VDF-TrFE) and P(VDF-TFE); or
’Bøjelige piezoelektriske kompositmaterialer’;
’Flexible piezoelectric composites’;
’Hydrofonfølsomhed’ bedre end –180 dB på en hvilken som helst dybde uden accelerationskompensation;
A ’hydrophone sensitivity’ better than –180 dB at any depth with no acceleration compensation;
Konstrueret til at operere på dybder på over 35 m, med accelerationskompensation; eller
Designed to operate at depths exceeding 35 m with acceleration compensation; or
Konstrueret til at operere på dybder på mere end 1000 m;
Designed for operation at depths exceeding 1000 m;
Sensorelementer af ’piezoelektriske polymerfilm’ består af polariseret polymerfilm, som er strakt ud over og fastgjort til en støtteramme eller spole (opspændingsdorn).
’Piezoelectric polymer film’ sensing elements consist of polarised polymer film that is stretched over and attached to a supporting frame or spool (mandrel).
Sensorelementer af ’bøjelige piezoelektriske kompositmaterialer’ består af piezoelektriske, keramiske partikler eller fibre kombineret med en elektrisk isolerende, akustisk transparent gummi-, polymer- eller epoxyforbindelse, hvor forbindelsen er en integrerende del af sensorelementerne.
’Flexible piezoelectric composite’ sensing elements consist of piezoelectric ceramic particles or fibres combined with an electrically insulating, acoustically transparent rubber, polymer or epoxy compound, where the compound is an integral part of the sensing elements.
’Hydrofonfølsomhed’ defineres som tyve gange 10-logaritmen af forholdet mellem udgangsspændingens effektivværdi og en reference på 1 V eff., når hydrofonsensoren, uden forforstærker, anbringes i et akustisk planbølgefelt med et effektivt tryk på 1 mikropascal.
’Hydrophone sensitivity’ is defined as twenty times the logarithm to the base 10 of the ratio of rms output voltage to a 1 V rms reference, when the hydrophone sensor, without a pre-amplifier, is placed in a plane wave acoustic field with an rms pressure of 1 µPa.
For eksempel ville en hydrofon med en følsomhed på –160 dB (reference 1 V pr. mikropascal) yde en udgangsspænding på 10–8 V i et sådant felt, mens en hydrofon med –180 dB følsomhed kun ville yde 10–9 V udgangsspænding.
For example, a hydrophone of –160 dB (reference 1 V per µPa) would yield an output voltage of 10-8 V in such a field, while one of –180 dB sensitivity would yield only 10-9 V output.
Afstand mellem hydrofongrupperne på mindre end 12,5 m, eller som er ’i stand til at kunne modificeres’ til en afstand mellem hydrofongrupperne på mindre end 12,5 m;
Hydrophone group spacing of less than 12,5 m or ’able to be modified’ to have hydrophone group spacing of less than 12,5 m;
Konstrueret eller i stand til at kunne modificeres til at operere på dybder på mere end 35 m;
Designed or ’able to be modified’ to operate at depths exceeding 35 m;
Disse modificeringsmuligheder er: Reserveledninger, der overstiger 10 % af antallet af ledninger, justeringsblokke til ændring af afstanden mellem hydrofongrupper eller interne indretninger til begrænsning af dybde, som er justerbare, eller som kontrollerer mere end én hydrofongruppe.
These provisions are: spare wiring exceeding 10 % of the number of wires, hydrophone group spacing adjustment blocks or internal depth limiting devices that are adjustable or that control more than one hydrophone group.
Kurssensorer, der er specificeret i 6A001.a.2.d;
Heading sensors specified in 6A001.a.2.d.;
Systemslanger forstærket (armeret) i længderetningen
Longitudinally reinforced array hoses;
Et samlet system med en diameter på mindre end 40 mm;
An assembled array of less than 40 mm in diameter; or
Databehandlingsudstyr, der er specielt konstrueret til slæbte akustiske hydrofonsystemer, med "brugertilgængelig programmerbarhed" og tids- eller frekvensdomænebehandling og korrelering, herunder spektralanalyse, digital filtrering og stråleformning ved hjælp af Fast Fourier eller andre transformeringer eller processer;
Processing equipment, specially designed for towed acoustic hydrophone arrays, having "user accessible programmability" and time or frequency domain processing and correlation, including spectral analysis, digital filtering and beamforming using Fast Fourier or other transforms or processes;
Kurssensorer med samtlige følgende egenskaber:
Heading sensors having all of the following:
En nøjagtighed, der er bedre end ±0,5°; og
An accuracy of better than ± 0.5°; and
Konstrueret til at operere på dybder på mere end 35 m og udstyret med en justerbar eller aftagelig dybdesensoranordning, således at de kan anvendes på dybder på mere end 35 m;
Designed to operate at depths exceeding 35 m or having an adjustable or removable depth sensing device in order to operate at depths exceeding 35 m;
Dybvands- eller lavvandskabelsystemer med en eller flere af følgende egenskaber:
Bottom or bay cable systems, having any of the following:
Konstrueret til at operere på dybder på mere end 35 m og udstyret med en justerbar eller aftagelig dybdesensoranordning, således at de kan anvendes på dybder på mere end 35 m; og
Designed to operate at depths exceeding 35 m or having an adjustable or removable depth sensing device in order to operate at depths exceeding 35 m; and
Databehandlingsudstyr, der er specielt konstrueret til dybvands- eller lavvandskabelsystemer, med "brugertilgængelig programmerbarhed" og tids- eller frekvensdomænebehandling og korrelering, herunder spektralanalyse, digital filtrering og stråleformning ved hjælp af Fast Fourier eller andre transformeringer eller processer;
Processing equipment, specially designed for bottom or bay cable systems, having "user accessible programmability" and time or frequency domain processing and correlation, including spectral analysis, digital filtering and beamforming using Fast Fourier or other transforms or processes;
Sonarlogudstyr med korrelationshastighed og Dopplerhastighed konstrueret til måling af udstyrsbærerens vandrette hastighed i forhold til havbunden som følger:
Correlation-velocity and Doppler-velocity sonar log equipment, designed to measure the horizontal speed of the equipment carrier relative to the sea bed, as follows:
Sonarlogudstyr med en af følgende egenskaber:
Correlation-velocity sonar log equipment having any of the following characteristics:
Konstrueret til at operere over afstande mellem bæreren og havbunden på mere end 500 m; eller
Designed to operate at distances between the carrier and the sea bed exceeding 500 m; or
Har en hastighedsnøjagtighed, der er bedre end 1 % af hastigheden
Having speed accuracy better than 1 % of speed;
Sonarlogudstyr med Dopplerhastighed, der har en hastighedsnøjagtighed, der er bedre end 1 % af hastigheden;
Doppler-velocity sonar log equipment having speed accuracy better than 1 % of speed.
Måling af vanddybden
Measuring the depth of water;
Måling af afstanden til objekter under vandoverfladen eller havbunden eller
Measuring the distance of submerged or buried objects; or
Søgning efter fisk.
Fish finding.
Dykkeralarm i form af akustiske systemer, der er specielt konstrueret eller modificeret til at afbryde forbindelsen til dykkere, og som har et lydtrykniveau højere end 190 dB (reference 1 mikropascal på 1 m) ved frekvenser på højst 200 Hz.
Diver deterrent acoustic systems specially designed or modified to disrupt divers and having a sound pressure level equal to or exceeding 190 dB (reference 1 µPa at 1 m) at frequencies of 200 Hz and below.
Note 1:6A001.c. kontrollerer ikke dykkeralarmsystemer baseret på eksplosive anordninger, luftkanoner eller brændbare kilder til undervandsbrug.
Note 1:6A001.c. does not control diver deterrent systems based on underwater explosive devices, air guns or combustible sources.
Note 2:6A001.c. omfatter dykkeralarm i form af akustiske systemer, der anvender gnistgabkilder, også kendt som plasmalydkilder.
Note 2:6A001.c. includes diver deterrent acoustic systems that use spark gap sources, also known as plasma sound sources.
NB:JF. LIGELEDES 6A102
N.B.:SEE ALSO 6A102.
Optiske detektorer som følger:
Optical detectors as follows:
"Rumkvalificerede" faststofdetektorer som følger:
"Space-qualified" solid-state detectors as follows:
Note:I forbindelse med 6A002.a.1. omfatter faststofdetektorer "billedplansystemer".
Note:For the purpose of 6A002.a.1., solid-state detectors include "focal plane arrays".
"Rumkvalificerede" faststofdetektorer med samtlige følgende egenskaber:
"Space-qualified" solid-state detectors having all of the following:
Spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 10 nm dog højst 300 nm; og
A peak response in the wavelength range exceeding 10 nm but not exceeding 300 nm; and
Spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 900 nm, dog højst 1200 nm; og
A peak response in the wavelength range exceeding 900 nm but not exceeding 1200 nm; and
Respons "tidskonstant" på 95 ns eller mindre;
A response "time constant" of 95 ns or less;
"Rumkvalificerede""billedplansystemer" med mere end 2048 elementer pr. system og en spidsrespons i bølgelængdeområdet over 300 nm, men ikke over 900 nm.
"Space-qualified""focal plane arrays" having more than 2048 elements per array and having a peak response in the wavelength range exceeding 300 nm but not exceeding 900 nm.
En enkelt metalanode, eller
A single metal anode; or
Metalanoder med en center-til-center afstand over 500 μm.
Metal anodes with a centre to centre spacing greater than 500 µm.
’Ladningsmultiplicering’ (charge multiplication) er en form for elektronisk billedforstærkning og defineres som generering af ladningsbærere som følge af stødioniseringsprocesser (impact ionization gain process).
’Charge multiplication’ is a form of electronic image amplification and is defined as the generation of charge carriers as a result of an impact ionization gain process.
Ladningsmultipliceringssensorer kan have form af billedforstærkerrør, faststofdetektorer eller billedplansystemer.
’Charge multiplication’ sensors may take the form of an image intensifier tube, solid state detector or "focal plane array".
Billedforstærkerrør med samtlige følgende:
Image intensifier tubes having all of the following:
Elektronisk billedforstærkning med anvendelse af en af følgende:
Electron image amplification using any of the following:
En mikrokanalplade med en hulafstand (center-til-center) på 12 μm eller mindre, eller
A microchannel plate with a hole pitch (centre-to-centre spacing) of 12 µm or less; or
En elektronisk sensor med en afstand mellem de ikke-bundne pixel på 500 μm eller mindre, der specielt er konstrueret eller ændret med henblik på at opnå en ’ladningsmultiplicering’ på anden måde end ved en mikrokanalplade, og
An electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 µm or less, specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ other than by a microchannel plate; and
Multialkali fotokatoder (f.eks. S-20 og S-25), med en lysfølsomhed på over 350 µA/lm;
Multialkali photocathodes (e.g., S-20 and S-25) having a luminous sensitivity exceeding 350 µA/lm;
Andre "III-/V-forbindelse" halvlederfotokatoder, med en strålingsfølsomhed på over 10 mA/W.
Other "III/V compound" semiconductor photocathodes having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W;
Spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 1050 nm, men ikke over 1800 nm
A peak response in the wavelength range exceeding 1050 nm but not exceeding 1800 nm;
"III-/V-forbindelse" sammensatte halvlederfotokatoder (f.eks. GaAs eller GaInAs) og overførte elektronfotokatoder med en strålingsfølsomhed på over 15 mA/W.
"III/V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes, having a maximum radiant sensitivity exceeding 15 mA/W;
Specielt konstruerede komponenter som følger:
Specially designed components as follows:
Mikrokanalplader med en hulafstand (center-til-center) på højst 12 µm;
Microchannel plates having a hole pitch (centre-to-centre spacing) of 12 µm or less;
En elektronisk sensor med en afstand mellem de ikke-bundne pixel på 500 µm eller mindre, der specielt er konstrueret eller ændret med henblik på at opnå en ’ladningsmultiplicering’ på anden måde end ved en mikrokanalplade
An electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 µm or less, specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ other than by a microchannel plate;
"III-/V-forbindelse" sammensatte halvlederfotokatoder (f.eks. GaAs eller GaInAs) og overførte elektronfotokatoder.
"III/V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes;
Note:6A002.a.2.c.3. lægger ikke eksportkontrol på sammensatte halvlederfotokatoder konstrueret til at opnå en strålingsfølsomhed som følger:
Note:6A002.a.2.c.3. does not control compound semiconductor photocathodes designed to achieve a maximum radiant sensitivity of any of the following:
højst 10 mA/W ved en spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 400 nm, men ikke over 1050 nm, eller
10 mA/W or less at the peak response in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 1050 nm; or
Ikke-"rumkvalificerede""billedplansystemer" som følger:
Non-"space-qualified""focal plane arrays" as follows:
NB:’Mikrobolometer’, ikker "rumkvalificerede""billedplansystemer", er kun specificeret i 6A002.a.3.f.
N.B.:’Microbolometer’ non-"space-qualified""focal plane arrays" are only specified in 6A002.a.3.f.
Triglycinsulfat og varianter;
Triglycine sulphate and variants;
Lithiumtantalat;
Lithium tantalate;
Polyvinylidenfluorid og varianter; eller
Polyvinylidene fluoride and variants; or
Strontiumbariumniobat og varianter
Strontium barium niobate and variants.
Billedplansystemer specielt konstrueret eller ændret for at opnå ladningsmultiplicering og konstruktionsmæssigt begrænset til en maksimal strålingsfølsomhed på højst 10mA/W for bølgelængder over 760 nm med samtlige følgende:
"Focal plane arrays" specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and limited by design to have a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following:
En responsbegrænsende mekanisme konstrueret til ikke at fjernes eller modificeres, og
Incorporating a response limiting mechanism designed not to be removed or modified; and
Den responsbegrænsende mekanisme er en integrerende del af eller kombineret med detektorelementet, eller
The response limiting mechanism is integral to or combined with the detector element; or
Billedplansystemet fungerer kun med den installerede responsbegrænsende mekanisme.
The "focal plane array" is only operable with the response limiting mechanism in place.
Ikke-rumkvalificerede billedplansystemer med samtlige følgende:
Non-"space-qualified""focal plane arrays" having all of the following:
Respons"tidskonstant" på mindre end 0,5 ns;
A response "time constant" of less than 0,5 ns; or
Specielt konstrueret eller ændret for at opnå ladningsmultiplicering og med en maksimal strålingsfølsomhed på over 10 mA/W;
Specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W;
Respons"tidskonstant" på 95 ns eller mindre
A response "time constant" of 95 ns or less; or
Ikke-"rumkvalificerede" ikke-lineære (2-dimensionale) "billedplansystemer" med individuelle elementer med spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 1200 nm, dog højst 30000 nm
Non-"space-qualified" non-linear (2-dimensional) "focal plane arrays" having individual elements with a peak response in the wavelength range exceeding 1200 nm but not exceeding 30000 nm;
NB:Mikrobolometre, der er baseret på silicium og andre materialer, og som ikke er "rumkvalificerede""billedplansystemer", er kun specificeret i 6A002.a.3.f.
N.B.:Silicon and other material based ’microbolometer’ non-"space-qualified""focal plane arrays" are only specified in 6A002.a.3.f.
Ikke-"rumkvalificerede" lineære (1-dimensionale) "billedplansystemer" med samtlige følgende egenskaber:
Non-"space-qualified" linear (1-dimensional) "focal plane arrays" having all of the following:
Individuelle elementer med spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 1200 nm, dog højst 3000 nm; og
Individual elements with a peak response in the wavelength range exceeding 1200 nm but not exceeding 3000 nm; and
Et forhold mellem detektorelementets skanningsretningsdimension og detektorelementets tværskanningsretningsdimension på under 3,8; eller
A ratio of ’scan direction’ dimension of the detector element to the ’cross-scan direction’ dimension of the detector element of less than 3,8; or
Signalbehandling i elementet (SPRITE);
Signal Processing In The Element (SPRITE);
I forbindelse med 6A002.a.3.d. forstås der ved ’tværskanningsretning’ aksen parallelt med det lineære system af detektorelementer og ved ’skanningsretning’ aksen vinkelret på det lineære system af detektorelementer.
For the purposes of 6A002.a.3.d., ’cross-scan direction’ is defined as the axis parallel to the linear array of detector elements and the ’scan direction’ is defined as the axis perpendicular to the linear array of detector elements.
Ikke-"rumkvalificerede" lineære (1-dimensionale) "billedplansystemer" med individuelle elementer med spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 3000 nm, dog højst 30000 nm;
Non-"space-qualified" linear (1-dimensional) "focal plane arrays" having individual elements with a peak response in the wavelength range exceeding 3000 nm but not exceeding 30000 nm;
Ikke-"rumkvalificerede", ikke-lineære (2-dimensionelle) infrarøde "billedplansystemer" baseret på ’mikrobolometer’ materiale med individuelle elementer med en ufiltreret respons i bølgelængdeområdet på 8000 nm eller derover, dog højst 14000 nm;
Non-"space-qualified" non-linear (2-dimensional) infrared "focal plane arrays" based on ’microbolometer’ material having individual elements with an unfiltered response in the wavelength range equal to or exceeding 8000 nm but not exceeding 14000 nm;
I forbindelse med 6A002.a.3.f. defineres ’mikrobolometer’ som en termisk billeddektorer, der som et resultat af temperaturændringer i detektoren på grund af absorption af infrarød stråling anvendes til at generere et brugbart signal.
For the purposes of 6A002.a.3.f., ’microbolometer’ is defined as a thermal imaging detector that, as a result of a temperature change in the detector caused by the absorption of infrared radiation, is used to generate any usable signal.
Individuelle detektorelementer ved en spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 400 nm, dog højst 900 nm
Individual detector elements with a peak response in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 900 nm;
Specielt konstrueret eller ændret for at opnå lademultiplicering og med en maksimal strålingsfølsomhed på over 10 mA/W for bølgelængder over 760 nm, og
Specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W for wavelengths exceeding 760 nm; and
Flere end 32 elementer.
Greater than 32 elements.
"Monospektrale og multispektrale billedsensorer", der er konstrueret til fjernfølingsformål, med en eller flere af følgende egenskaber:
"Monospectral imaging sensors" and "multispectral imaging sensors", designed for remote sensing applications and having any of the following:
Instantaneous-Field-Of-View (IFOV) på mindre end 200 mikroradianer; eller
An Instantaneous-Field-Of-View (IFOV) of less than 200 µrad (microradians); or
Specificeret til drift i bølgelængdeområdet på mere end 400 nm, dog højst 30000 nm, og med samtlige følgende egenskaber:
Specified for operation in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 30000 nm and having all the following;
Udgangsbilleddata i digitalt format; og
Providing output imaging data in digital format; and
Konstrueret til brug i luftfartøjer, udstyret med andet end siliciumdetektorer og med et IFOV på mindre end 2,5 milliradianer;
Designed for airborne operation, using other than silicon detectors, and having an IFOV of less than 2,5 mrad (milliradians);
Note:6A002.b.1. kontrollerer ikke "monospektrale billedsensorer" med en spidsrespons i bølgelængdeområdet på mere end 300 nm, dog højst 900 nm, som kun har en eller flere af følgende ikke-"rumkvalificerede" detektorer eller ikke-"rumkvalificerede""billedplansystemer":
Note:6A002.b.1. does not control "monospectral imaging sensors" with a peak response in the wavelength range exceeding 300 nm but not exceeding 900 nm and only incorporating any of the following non–"space-qualified" detectors or non–"space-qualified" focal plane arrays:
Ladningskoblede enheder (CCD), som ikke er konstrueret eller modificeret til at opnå "ladningsmultiplicering"; eller
Charge Coupled Devices (CCD) not designed or modified to achieve ’charge multiplication’; or
Supplerende MOS-anordninger (Metal Oxide Semiconductor) (CMOS), som ikke er konstrueret eller modificeret til at opnå "ladningsmultiplicering".
Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) devices not designed or modified to achieve ’charge multiplication’.
Billedudstyr til ’direkte betragtning’ med en eller flere af følgende egenskaber:
’Direct view’ imaging equipment incorporating any of the following:
Billedforstærkerrør som er specificeret i 6A002.a.2.a; eller 6A002.a.2.b.
Image intensifier tubes specified in 6A002.a.2.a. or 6A002.a.2.b.;
"Billedplansystemer" som er specificeret i 6A002.a.3. eller 6A002.e., eller
"Focal plane arrays" specified in 6A002.a.3. or 6A002.e.; or
Faststofdetektorer, jf. 6A002.a.1.
Solid state detectors specified in 6A002.a.1.;
’Direkte betragtning’ henviser til udstyr, der giver et visuelt billede for en menneskelig observatør uden at omdanne billedet til et elektronisk signal til visning på fjernsyn, og som ikke kan optage eller lagre billedet fotografisk, elektronisk eller på nogen anden måde.
’Direct view’ refers to imaging equipment that presents a visual image to a human observer without converting the image into an electronic signal for television display, and that cannot record or store the image photographically, electronically or by any other means.