natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Volumen-akustiskbølgeudstyr (dvs. "signalbehandlings"-udstyr, der anvender elastiske bølger), som tillader direkte signalbehandling ved frekvenser på over 2,5 GHz;
bulk (volume) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves) which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 2,5 GHz;
Elektronisk udstyr eller kredsløb, der indeholder komponenter, der er fremstillet af "superledende" materialer, der er specielt beregnet til drift ved temperaturer under mindst en af de "superledende" bestanddeles "kritiske temperatur", og som har en eller flere af følgende:
electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents having any of the following:
’Celler’ som følger:
"cells", as follows:
’Primærceller’ med en ’energitæthed’ på mere end 550 Wh/kg ved 20 °C.
"primary cells" having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
’Sekundærceller’ med en ’energitæthed’ på mere end 250 Wh/kg.
"secondary cells" having 250 Wh/kg;
I forbindelse med 3A001.e.1. beregnes ’energitætheden’ (Wh/kg) som den nominelle spænding ganget med den nominelle kapacitet i amperetimer (Ah), divideret med massen i kg.
For the purpose of 3A001.e.1., "energy density" (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
I forbindelse med 3A001.e.1. defineres en ’celle’ som en elektrokemisk anordning, der har positive og negative elektroder og en elektrolyt, og som er en kilde til elektrisk energi.
for the purpose of 3A001.e.1., a "cell" is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
I forbindelse med 3A001.e.1.a. er en ’primærcelle’ en ’celle’, der ikke er beregnet til at blive ladet af en anden kilde.
for the purpose of 3A001.e.1.a., a "primary cell" is a "cell" that is not designed to be charged by any other source.
I forbindelse med 3A001.e.1.b. er en ’sekundærcelle’ en ’celle’, der er beregnet til at blive ladet af en ekstern elektrisk kilde.
for the purpose of 3A001.e.1.b., a "secondary cell" is a "cell" that is designed to be charged by an external electrical source.
Note:3A001.e.1 lægger ikke eksportkontrol på batterier, herunder enkeltcellebatterier.
Note:3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
Kondensatorer med en gentagelseshastighed på mindre end 10 Hz (singleshot-kondensatorer) og med samtlige følgende egenskaber:
capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Kondensatorer med en gentagelseshastighed på 10 Hz eller mere (gentagelseskondensatorer) og med samtlige af følgende egenskaber:
capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
"Superledende" elektromagneter eller solenoider, der er specielt konstrueret til at blive fuldt opladet eller afladet på mindre end 1 sekund, og med samtlige følgende egenskaber:
"Superconductive" electromagnets and solenoids specially designed to be fully charged or discharged in less than one second andhaving all of the following:
Solceller, samlinger af forbundne solceller med dækglas (CIC), solpaneler og solarrays, der er "rumkvalificerede" og har en mindste gennemsnitseffektivitet på over 20 % ved en driftstemperatur på 301 K (28 °C) ved en simuleret AM0-belysning med en bestråling på 1367 watt pr. kvatratmeter (W/m2);
solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2).
’AM0’ eller ’Air Mass Zero’ er sollysets spektrale bestråling i jordens ydre atmosfære, når afstanden mellem jorden og solen er én astronomisk enhed (AU).
"AM0", or "Air Mass Zero", refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Nøjagtighed bedre end ±2,5 buesekund;
an accuracy better than ±2,5 seconds of arc.
Faststof-thyristorkoblingsanordninger med impulseffekt og ’thyristormoduler’, der anvender koblingsmetoder, som styres elektronisk, optisk eller med elektronstråling, og som har en eller flere af følgende egenskaber:
solid-state pulsed power switching thyristor devices and "thyristor modules" using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
En maksimal strømstigning ved tænding (di/dt) på over 2000 A/µs, og som har alle følgende egenskaber:
a maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
En ikke-repetitiv spidsstrøm (surge current) på 3000 A eller derover.
a peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
Styrede ensrettere af silicium (Silicon Controlled Rectifiers) (SCR)
silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Note 2:3A001.g. lægger ikke eksportkontrol på thyristoranordninger og ’thyristormoduler’, der er indbygget i udstyr til anvendelse i civil jernbanedrift eller "civile fly".
Note 2:3A001.g. does not control thyristor devices and "thyristor modules" incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
I forbindelse med 3A001.g. indeholder et ’thyristormodul’ en eller flere thyristoranordninger.
For the purposes of 3A001.g., a "thyristor module" contains one or more thyristor devices.
Følgende elektroniske udstyr til generel anvendelse og tilbehør hertil:
General purpose electronic equipment and accessories therefor, as follows:
Digitale magnetbåndinstrumentdataoptagere, hvori der anvendes skrueskanderingsteknik eller fasthovedteknik, og med en eller flere af følgende egenskaber:
digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having any of the following:
Udstyr med maksimal digital interface-overførselshastighed, der er højere end 175 Mbit/s, og beregnet på overførsel af konvertering af digitale videobåndoptagere til brug som digitale instrumentdataoptagere;
equipment, having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbits/s and designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
Bølgesignaldigitaliseringsudstyr og transientoptagere, med samtlige følgende egenskaber:
waveform digitisers and transient recorders having all of the following:
’Kontinuerlig kapacitet’ på mindst 2 Gbit/s;
a "continuous throughput" of 2 Gbit/s or more;
For instrumenter med parallel busarkitektur er den ’kontinuerlige kapacitet’ den største ordhastighed ganget med ordlængen i bit.
For those instruments with a parallel bus architecture, the "continuous throughput" rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Ved ’kontinuerlig kapacitet’ forstås den største hastighed, hvormed instrumentet kan udlæse data til masselager uden tab af information, når aftastningsfrekvensen overholdes, og analog-til-digital konverteringen opretholdes.
"Continuous throughput" is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
Digitale instrumentdataoptagere med en magnetisk disklagringsteknik, og som har samtlige følgende egenskaber:
digital instrumentation data recorders, using magnetic disk storage technique and having all of the following:
’Kontinuerlig kapacitet’ på mindst 1 Gbit/s;
a "continuous throughput" of 1 Gbit/s or more;
Note:Eksportkontrolstatus for "signalanalysatorer", signalgeneratorer, netværksanalysatorer og mikrobølgetestmodtagere som stand-alone-instrumenter er fastsat i hhv. 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. og 3A002.f.
Note:the control status of "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers as stand-alone instruments is determined by 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., and 3A002.f., respectively.
Følgende RF-"signalanalysatorer":
radio frequency "signal analysers" as follows:
Enkelt sidebånd (SSB) fasestøj bedre end – (126 + 20 log10F – 20 log10f) i dBc/Hz, hvor F er afvigelsen fra driftsfrekvensen i Hz, og f er driftsfrekvensen i MHz;
a single sideband (SSB) phase noise better than — (126 + 20 log10F — 20 log10f) in dBc/Hz, where F is the off-set from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
Note 1:I forbindelse med 3A002.d. omfatter frekvenssyntetiserede signalgeneratorer generatorer med vilkårlig bølgeform og funktionsgeneratorer.
Note 1:for the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
En vilkårlig bølgeform på 1 Gsample/s har altså en direkte output-kapacitet på 500 MHz. Eller når der anvendes oversampling, er den maksimale direkte output-kapacitet forholdsmæssigt lavere.
Thus, a 1 GSample/s arbitrary waveform has a direct output capability of 500 MHz or, when oversampling is used, the maximum direct output capability is proportionately lower.
Netværksanalysatorer med en maksimal driftsfrekvens på over 43,5 GHz;
network analysers with a maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz;
Atomfrekvensstandarder, der er en eller flere af følgende:
atomic frequency standards being any of the following:
"Rumkvalificeret";
"space qualified";
Ikke-rubidium og med en langtidsstabilitet mindre (bedre) end 1 × 10–11/måned; eller
non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
Ikke-"rumkvalificeret" og med alle følgende:
non-"space qualified" and having all of the following:
Er en rubidiumstandard;
being a rubidium standard;
Langtidsstabilitet mindre (bedre) end 1 × 10–11/måned; og
long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; and
Totalt energiforbrug på mindre end 1 W.
total power consumption of less than 1 W.
’Termiske batterier’ beregnet eller ændret til brug i ’missiler’.
"Thermal batteries" designed or modified for "missiles".
I 3A102 er ’termiske batterier’ engangsbatterier, der indeholder et fast ikke-ledende uorganisk salt som elektrolyt.
In 3A102 "thermal batteries" are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
I 3A102 er ’missil’ fuldstændige raketsystemer og ubemandede luftfartøjssystemer med en rækkevidde på over 300 km.
In 3A102 "missile" means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
Kondensatorer med et af følgende sæt af egenskaber:
capacitors having either of the following sets of characteristics:
Med et "godhedstal" (K) på mindst 0,25; eller
with a "figure of merit" (K) of 0,25 or greater; or
En ’spidseffekt’ større end 50 MW.
a "peak power" greater than 50 MW.
Note:3A2301.c. lægger ikke eksportkontrol på acceleratorer, som udgør en del af apparater, der er beregnet til andre formål end elektronstråler eller røntgenstråling (f.eks. elektronmikroskopi), ejheller på sådanne konstrueret til medicinske formål.
Note:3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes.
’Godhedstallet’ K defineres som
The "figure of merit" K is defined as:
Hvis acceleratorens stråleimpulsvarighed er større end 1 μs, er Q den maksimale accelererede ladning på 1 μs.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 μs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 μs.
"Spidseffekt" = (spidsspænding i volt) × (spidsstrålestrøm i ampere).
"Peak power" = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
Multifaseudgang i stand til at præstere en effekt på mindst 40 W;
multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
Følgende stærkstømsimpulsgivere: NB:JF.
High-current pulse generators as follows:
NB.:Se 1A007.a. for eksplosive detonatortændapparater.
N.B.:See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
Modulære elektriske impulsgeneratorer, der har samtlige følgende egenskaber:
modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
I stand til at udlade deres energi på mindre end 15 μs;
capable of delivering their energy in less than 15 μs;
Med ’stigetid’ mindre end 10 μs i belastninger på mindre end 40 ohm;
having a "rise time" of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
En ’impulsomkoblingstid’ på mindre end 500 ps.
"pulse transition time" less than 500 ps.
’Impulsomkoblingstid’ defineres i 3A230 som tidsperioden mellem 10 % og 90 % af spændingsamplituden.
In 3A230, "pulse transition time" is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Følgende flerpunktstændsystemer, ud over dem, der er specificeret i 1A007: NB:JF.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
NB.:Se 1A007.b. for detonatorer.
N.B.:See 1A007.b. for detonators.
Følgende massespektrometre ud over dem, der er specificeret i 0B002.g, der er i stand til at måle ioner på mindst 230 atommasseenheder eller derover og med en opløsning bedre end 2 dele på 230 samt ionkilder hertil:
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Termiske ioniseringsmassespektrometre (TIMS);
thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
Følgende udstyr til fremstilling af halvlederkomponenter eller halvledermaterialer samt specielt konstruerede komponenter og tilbehør hertil:
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Udstyr konstrueret til ionimplantering og med en eller flere af følgende egenskaber:
equipment designed for ion implantation and having any of the following:
En stråleenergi på mindst 65 keV og en strålestrøm på mindst 45 mA beregnet til højenergioxygenimplantering i et opvarmet halvledermateriale-"substrat";
a beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Konstrueret eller optimeret til at frembringe kritiske dimensioner på 180 nm eller derunder med en præcision på ±5 % i forhold til 3 sigma; eller
designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ±5 % 3 sigma precision; or
Konstrueret til at udvikle færre end 0,04 partikler/cm2 med en målelig partikelstørrelse på mere end 0,1 μm i diameter;
designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
Udstyr til plasmaforstærket kemisk dampudfældning (CVD) som følger:
plasma enhanced chemical vapour deposition (CVD) equipment as follows:
Udstyr specielt konstrueret til udstyr, der er specificeret i 3B001.e., og konstrueret efter producentens specifikationer eller optimeret med henblik på fremstilling af halvlederkomponenter med kritiske dimensioner på 180 nm eller derunder;
equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Step and repeat-udstyr (direkte waferstepper) eller step and scan-udstyr (scanner) til positionering og eksponering i forbindelse med waferprocesser ved brug af foto-optiske eller røntgenmetoder og med en eller flere af følgende egenskaber:
align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
I stand til at frembringe et mønster med en ’mindste detaljeopløsning’ på 180 nm eller derunder.
capable of producing a pattern with a "minimum resolvable feature size" of 180 nm or less;
’Mindste detaljeopløsning’ beregnes efter følgende formel:
The "minimum resolvable feature size" is calculated by the following formula:
MRF = ’mindste detaljeopløsning’.
MRF = "minimum resolvable feature size"
Udstyr, der er specielt konstrueret til maskefremstilling eller behandling af halvlederindretninger, og som bruger direkte skrivemetoder, med alle følgende egenskaber:
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
Bruger en afbøjet fokuseret elektronstråle, ionstråle eller "laser"-stråle, og
using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
Pletstørrelse mindre end 0,2 μm;
a spot size smaller than 0,2 µm;
I stand til at frembringe et mønster med enkeltheder, der er mindre end 1 μm; eller
being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 µm; or
Overlægningsnøjagtighed bedre end ±0,20 μm (3 sigma);
an overlay accuracy of better than ±0,20 µm (3 sigma);
Masker og okularmikrometre, beregnet for integrerede kredsløb, der er specificeret i 3A001;
masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
Flerlagsmasker med et faseforskydningslag;
multi-layer masks with a phase shift layer.
Til afprøvning af transistorers S-parametre ved frekvenser over 31,8 GHz;
for testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Silicium (Si);
Silicon (Si);
Siliciumcarbid (SiC); eller
Silicon carbide (SiC); or
III/V-forbindelser af gallium eller indium.
"III/V compounds" of gallium or indium.
Følgende resistmaterialer samt "substrater" belagt med følgende resists:
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Alle resists, der er optimeret til overfladebilleddannelsesteknologi, inklusive ’silylerede’ resists;
all resists optimised for surface imaging technologies, including "silylated" resists.
’Silylerings’ teknik defineres som processer, der omfatter oxidering af resistoverfladen for at forbedre udførelsen af både våd og tør fremkaldning.
"Silylation" techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Alle resists, der er udviklet eller optimeret til brug med litografisk udstyr til prægning specificeret ved 3B001.f.2., som bruger enten en termisk eller lyshærdende proces.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified by 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Organiske arsen-, antimon- og phosphorforbindelser, med en renhed (på basis af det uorganiske grundstof), der er bedre end 99,999 %.
organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
"Substrater" af siliciumkarbid (SiC), galliumnitrid (GaN), aluminiumnitrid (AlN) eller aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) eller ingots, boules eller andre preforms af disse materialer, med resistiviteter større end 10000 ohm-cm ved 20 °C.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
"Substrater" specificeret i 3C005 med mindst ét epitaksialt lag af siliciumcarbid, galliumnitrid, aluminiumnitrid eller aluminiumgalliumnitrid.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
"Software", der er specielt udviklet til "brug" af udstyr specificeret i 3B001.a.-f. eller 3B002.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
’Fysikbaseret simulations’-"software", der er specielt beregnet til "udvikling" af litografiske, ætsnings- eller udfældningsprocesser til overføring af maskemønstre til specifikke topografiske mønstre i ledere, dielektrika eller halvledere.
"Physics-based" simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Ved ’fysikbaseret’ i 3D003 forstås brug af beregninger til at fastlægge en række af fysiske årsags og virkningssammenhænge på grundlag af fysiske egenskaber (f.eks. temperatur, tryk, diffusionskonstanter og halvlederegenskaber).
"Physics-based" in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Omfatter ikke ’multilagsstrukturer’.
not incorporating "multi-layer structures".
’Multilagsstrukturer’ vedrører ikke indretninger, der maksimalt omfatter tre metallag og tre polysiliciumlag.
"Multi-layer structures" do not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
En ’vektorprocessorenhed’ beregnet til at foretage mere end to beregninger på flydende-komma-vektorer (endimensionelle arrays på 32-bit-tal eller større tal) samtidig
a "vector processor unit" designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
En ’vektorprocessorenhed’ er et processorelement med indbyggede instruktioner, der udfører multible beregninger på flydende-komma-vektorer (endimensionelle arrays på 32-bit-tal eller større tal) samtidig og har mindst én aritmetisk logisk vektorenhed.
A "vector processing unit" is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
Beregnet til at give mere end fire multiplicere-akkumulere fast-komma-resultater på 16 bit pr. cyklus (f.eks. digital behandling af analog information, der tidligere er omsat til digital form, også kaldet digital "signalbehandling").
designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g. digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
Note:3E002.c. lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til multimedieudvidelser.
Note:3E002.c. does not control "technology" for multimedia extensions.
Anvender "teknologi" på mindst 0,130 µm og
using "technology" at or above 0,130 µm; and
Anden "teknologi" til "udvikling" eller "produktion" af følgende:
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
Note:3E003.b lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til transistorer med høj elektronmobilitet (HEMT), der opererer ved frekvenser på under 31,8 GHz, og hetero-bipolære transistorer (HBT), der opererer ved frekvenser på under 31,8 GHz.
Note:3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Substrater af diamantfilm til elektronikkomponenter;
substrates of films of diamond for electronic components;
Note 3:Computere, beslægtet udstyr eller "software", der udfører kryptografiske eller kryptoanalytiske funktioner, funktioner i forbindelse med attesterbar sikkerhed på flere niveauer eller attesterbar brugerisolering, eller som begrænser elektromagnetisk kompatibilitet (EMC), skal tillige vurderes på baggrund af de i kategori 5 (2. del — Informationssikkerhed) specificerede præstationer.
Note 3:computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").