natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Vibrationsprøvesystemer, som bruger teknikker med feedback eller lukket sløjfe og indeholder en digital styreenhed, og som er i stand til at vibrere et system ved en acceleration lig med eller større end 10 g rms (eff.) mellem 20 Hz og 2 kHz, mens der afsættes kræfter lig med eller større end 50 kN, målt på ’tomt vibrationsbord’;
vibration test systems employing feedback or closed loop techniques and incorporating a digital controller, capable of vibrating a system at an acceleration equal to or greater than 10 g rms between 20 Hz and 2 kHz while imparting forces equal to or greater than 50 kN, measured "bare table";
Digitale styreenheder, der kombineret med specielt konstrueret vibrationsprøvesoftware, med en realtidsbåndbredde på over 5 kHz og konstrueret til brug sammen med vibrationsprøvesystemer som specificeret i 2B116.a;
digital controllers, combined with specially designed vibration test software, with a "real time bandwidth" greater than 5 kHz designed for use with vibration test systems specified in 2B116.a.;
Vibrationsgeneratorer (rysteenheder) med eller uden forstærkere, som kan afsætte kræfter lig med eller større end 50 kN, målt på ’tomt vibrationsbord’, og som kan bruges i vibrationsprøvesystemer som specificeret i 2B116.a.;
vibration thrusters (shaker units), with or without associated amplifiers, capable of imparting a force equal to or greater than 50 kN, measured "bare table", and usable in vibration test systems specified in 2B116.a.;
Strukturer til opspændning af prøveemner og elektroniske enheder, som er konstrueret til at kombinere flere rysteenheder til et system, der kan yde en samlet effektiv kraft lig med eller større end 50 kN, målt på ’tomt vibrationsbord’, og som kan bruges i vibrationsprøvesystemer som specificeret i 2B116.a.
test piece support structures and electronic units designed to combine multiple shaker units in a system capable of providing an effective combined force equal to or greater than 50 kN, measured "bare table", and usable in vibration systems specified in 2B116.a.
I 2B116 forstås ved ’tomt vibrationsbord’ et plant bord eller en plan flade uden nogen form for stativ eller beslag.
In 2B116, "bare table" means a flat table, or surface, with no fixture or fittings.
Udstyr og processtyring ud over det, der er specificeret i 2B004, 2B005.a, 2B104 eller 2B105, konstrueret eller modificeret til densifikation og pyrolyse af strukturelle, kompositte raketdyser og næser til reentry vehicles.
Equipment and process controls, other than those specified in 2B004, 2B005.a., 2B104 or 2B105, designed or modified for densification and pyrolysis of structural composite rocket nozzles and re-entry vehicle nose tips.
Er i stand til at afbalancere til en residuel specifik ubalance på 0,2 g mm pr. kg rotormasse;
capable of balancing to a residual specific unbalance of 0,2 g mm per kg of rotor mass;
Bevægelsessimulatorer eller drejeborde, der har samtlige følgende egenskaber:
Motion simulators or rate tables having all of the following characteristics:
En positioneringsnøjagtighed lig med eller mindre (bedre) end 5 arc s.
a positioning accuracy equal to or less (better) than 5 arc second.
Centrifuger, der er i stand til at frembringe accelerationer på over 100 g, og som har slæberinge, der er i stand til at overføre elektrisk kraft og signaloplysninger.
Centrifuges capable of imparting accelerations above 100 g and having slip rings capable of transmitting electrical power and signal information.
Følgende flydeformningsmaskiner, rotationsformningsmaskiner, som kan udføre flydeformningsopgaver ud over dem, der er specificeret i 2B009 eller 2B109, og dorne:
Flow forming machines, spin forming machines capable of flow forming functions, other than those specified in 2B009 or 2B109, and mandrels, as follows:
Induktionsovne med styret atmosfære (vakuum eller inaktiv luftart) samt kraftforsyning hertil som følger:
Controlled atmosphere (vacuum or inert gas) induction furnaces, and power supplies therefor, as follows:
Fremstillet af aluminiumlegeringer af høj styrke, martensitisk stål eller "fiber- eller trådmaterialer" af høj styrke.
made of high-strength aluminium alloys, maraging steel or high-strength "fibrous or filamentary materials".
Et fuldt udslag på mindre end 13 kPa og en "nøjagtighed" bedre end ±1 % af fuldt udslag; eller
a full scale of less than 13 kPa and an"accuracy" of better than ±1 % of full scale; or
Et fuldt udslag på mindst 13 kPa og en "nøjagtighed" bedre end ±130 Pa.
a full scale of 13 kPa or greater and an "accuracy" of better than ±130 Pa.
I 2B230 omfatter "nøjagtighed" ulinearitet, hysterese og repeterbarhed ved omgivelsestemperatur.
For the purposes of 2B230, "accuracy" includes non-linearity, hysteresis and repeatability at ambient temperature.
Varmevekslere eller kondensatorer med et varmeoverføringsareal på mere end 0,15 m2 og mindre end 20 m2 samt rør, plader, spiraler eller blokke (kerner) til brug i sådanne varmevekslere eller kondensatorer, hvor alle overflader, der kommer i direkte berøring med de behandlede kemikalier, er fremstillet af:
heat exchangers or condensers with a heat transfer surface area greater than 0,15 m2, and less than 20 m2; and tubes, plates, coils or blocks (cores) designed for such heat exchangers or condensers, where all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:
Grafit eller ’carbongrafit’;
graphite or "carbon graphite";
Destillations- eller absorptionskolonner med indre diameter større end 0,1 m samt væskefordelere, dampfordelere eller væskesamlere til brug i sådanne destillations- og absorptionskolonner, hvor alle overflader, der kommer i direkte berøring med de behandlede kemikalier, er fremstillet af:
distillation or absorption columns of internal diameter greater than 0,1 m; and liquid distributors, vapour distributors or liquid collectors designed for such distillation or absorbtion columns, where all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:
’Carbongrafit’ er en sammensætning bestående af amorf carbon og grafit med et grafitindhold på mindst otte vægtprocent.
"Carbon graphite" is a composition consisting of amorphous carbon and graphite, in which the graphite content is eight percent or more by weight.
Mht. indkapslingsniveau P3 og P4 (BL3, BL4, L3, L4) gælder specifikationerne i WHO's Laboratory Biosafety manual (3. udg., Genève, 2004).
or P4 (BL3, BL4, L3, L4) containment levels are as specified in the WHO Laboratory Biosafety manual (3rd edition, Geneva 2004).
Centrifugalseparatorer, der kan foretage kontinuerlig adskillelse uden udledning af aerosol, med samtlige følgende egenskaber:
centrifugal separators, capable of continuous separation without the propagation of aerosols, having all the following characteristics:
Anden "software" end software, der er specificeret i 2D002, som er specielt udviklet eller modificeret til "udvikling", "produktion" eller "brug" af udstyr, der er specificeret i 2A001 eller 2B001-2B009.
"Software", other than that specified in 2D002, specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 2A001 or 2B001 to 2B009.
For så vidt angår "software" beregnet til produkter, der er specificeret i 2B002, se 2D001.
See 2D001 for "software" for items specified in 2B002.
Note:Skemaet og den tekniske note findes efter nr. 2E301.
Note:the table and Technical note appear after entry 2E301.
Materialer til sensorvinduer (9)
Sensor window materials (9)
’Belægningsprocessen’ omfatter reparation og fornyelse af belægningen såvel som oprindelig belægning.
The term "coating process" includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Udtrykket ’legeret aluminid’-belægning omfatter éttrins eller flertrinsbelægninger, i hvilke et eller flere grundstoffer pålægges før eller under påføring af aluminidbelægningen, selv om disse grundstoffer pålægges ved en anden belægningsproces.
The term "alloyed aluminide coating" includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Udtrykket belægning med ’aluminid modificeret med ædle metaller’ omfatter flertrinsbelægninger, ved hvilke det eller de ædle metaller pålægges ved en anden belægningsproces før pålægningen af aluminidbelægningen.
The term "noble metal modified aluminide" coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
Udtrykket ’blandinger heraf’ omfatter infiltreret materiale, graderede sammensætninger, samudfældninger og flerlags-udfældninger fremstillet ved en eller flere af de i dette skema specificerede processer.
The term "mixtures thereof" includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
’MCrAlX’ referer til en belægningslegering, hvor M er cobalt, jern, nikkel eller sammensætninger heraf, og X er hafnium, yttrium, silicium, tantal i enhver mængde eller andre tilsigtede tilsætninger over 0,01 vægtprocent i forskellige forhold og kombinationer undtagen:
"MCrAlX" refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
CoCrAlY-belægninger, som indeholder mindre end 22 vægtprocent chrom, mindre end 7 vægtprocent aluminium, og mindre end 2 vægtprocent yttrium.
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
CoCrAlY-belægninger, som indeholder 22 til 24 vægtprocent chrom, 10 til 12 vægtprocent aluminium og 0,5 til 0,7 vægtprocent yttrium, eller
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight percent of yttrium; or
NiCrAlY-belægninger, som indeholder 21 til 23 vægtprocent chrom, 10 til 12 vægtprocent aluminium og 0,9 til 1,1 vægtprocent yttrium.
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
’Aluminiumslegeringer’ er legeringer, der har en trækbrudstyrke på mindst 190 MPa målt ved 293 K (20 °C).
The term "aluminium alloys" refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
’Korrosionsbestandigt’ stål er stål if. AISI (American Iron and Steel Institute) 300-rækken eller tilsvarende nationale standarder.
The term "corrosion resistant steel" refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
’Tungtsmeltelige metaller og legeringer’ omfatter følgende metaller og deres legeringer: niobium (columbium), molybdæn, wolfram og tantal.
"Refractory metals and alloys" include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
’Materialer til sensorvinduer’ som følger: aluminiumoxid, silicium, germanium, zinksulphid, zinkselenid, galliumarsenid, diamant, galliumfosfid, safir og følgende metalhalider: sensorvinduesmaterialer med en større diameter end 40 mm for zirconiumfluorid og hafniumfluorid.
"Sensor window materials", as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
’Polymerer’ som følger: polyimid, polyester, polysulfid, polycarbonater og polyurethaner.
"Polymers", as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
’Modificerede zirconiumoxider’ er tilsætning af andre metaloxider, f.eks. calcium-, magnesium-, yttrium- og hafnium-oxider, oxider af sjældne jordarter, osv. til zirconiumoxider for at stabilisere visse krystallografiske faser og fasesammensætninger.
"Modified zirconia" refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
’Titanlegeringer’ er udelukkende rumfartslegeringer med en trækbrudstyrke på mindst 900 MPa målt ved 293 K (20 °C).
"Titanium alloys" refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
’Glasarter med lav udvidelseskoefficient’ refererer til glasarter, som har en termisk udvidelseskoefficient på højst 1 × 10–7 K–1 målt ved 293 K (20 °C).
"Low-expansion glasses" refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
’Dielektriske lag’ er belægninger, der er konstrueret af flere lag af isolerende materialer, i hvilket interferensegenskaberne ved en konstruktion, der er sammensat af materialer med forskelligt refraktivt indeks, bruges til at reflektere, transmittere eller absorbere forskellige bølgelængdebånd.
"Dielectric layers" are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Dielektriske lag refererer til mere end fire dielektriske lag eller "kompositte" lag af dielektrikametal.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
’Cementeret wolframcarbid’ omfatter ikke skære- og formeværktøjsmaterialer bestående af wolframcarbid/(cobalt, nikkel), titancarbid/(cobalt, nikkel), chromcarbid/nikkel-chrom og chrom carbid/nikkel.
"Cemented tungsten carbide" does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
’Siliciumcarbid’ omfatter ikke materialer til fremstilling af skære- og formværktøj.
"Silicon carbide" does not include cutting and forming tool materials.
Ionplettering er en speciel modificering af en generel TE-PVD-proces, hvorved en plasma- eller ionkilde bruges til at ionisere de materialer, der skal danne belægningen, og substratet gives negativ "bias" for at lette udtrækningen fra plasmaen af det materiale, der skal pålægges.
ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Sputter-belægning er en overlay-belægningsproces, der er baseret på et momentoverførselsfænomen, hvor positive ioner accelereres af et elektrisk felt mod målets (belægningsmaterialets) overflade.
sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Elektroniske komponenter og specielt konstruerede komponenter hertil som følger:
Electronic components and specially designed components therefor, as follows:
Integrerede kredsløb udviklet eller normeret som strålingsbeskyttede, således at de kan modstå en af følgende:
Integrated circuits, designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
"Mikroprocessor-mikrokredsløb", "mikrocomputer-mikrokredsløb", mikrocontroller-mikrokredsløb, integrerede hukommelseskredsløb fremstillet af en sammensat halvleder, integrerede kredsløb til analog-til-digital konvertering, integrerede kredsløb til digital-til-analog konvertering, elektro-optiske eller "optisk integrerede kredsløb" til "signalbehandling", logiske anordninger, der er programmerbare på stedet, kundespecificerede integrerede kredsløb, for hvilke enten funktionen er ukendt, eller eksportkontrolstatus for det udstyr, i hvilket de integrerede kredsløb skal anvendes, ukendt, processorer til Fast Fourier-Transformation (FFT), elektrisk sletbare programmerbare read-only-hukommelser (EEPROM), flash-hukommelser eller statiske random-access-hukommelser (SRAM) med en eller flere af følgende egenskaber:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
NB.JF. LIGELEDES 3A101
N.B.:SEE ALSO 3A101.
Digital-til-analog konvertere med en opløsning på mindst 12 bit og en "konverteringstid" på mindre end 10 ns;
digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
Elektro-optiske og "optisk integrerede kredsløb" til "signalbehandling" og med samtlige følgende:
electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
’Logiske anordninger, der er programmerbare på stedet’, med en eller flere af følgende:
"field programmable logic devices" having any of the following:
’Logiske anordninger, der er programmerbare på stedet’, kaldes også gate arrays, der er programmerbare på stedet, eller logiske arrays, der er programmerbare på stedet.
"Field programmable logic devices" are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
Digitale integrerede kredsløb, ud over de i 3A001.a.3.-10. og 3A001.a.12. beskrevne, baseret på en hvilken som helst sammensat halvleder, og med:
digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Mikrobølge- eller millimeterbølgekomponenter som følger:
microwave or millimetre wave components, as follows:
Note 1:3A001.b.1 lægger ikke eksportkontrol på rør, der er konstrueret eller normeret til drift i frekvensbånd, og som har samtlige følgende:
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band having all of the following:
Note 2:3A001.b.1 lægger ikke eksportkontrol på ikke-"rumkvalificerede" rør, som har samtlige følgende:
Note 2:3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes having all of the following:
Konstrueret eller normeret til drift i frekvensbånd, og som har samtlige følgende:
designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
Rør til drift ved frekvenser på mere end 31,8 GHz;
tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Rør med et katodevarmeelement, hvis opvarmningstid til nominel RF-effekt er på mindre end 3 sekunder;
tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
Helix-rør, eller derivater heraf, med en eller flere af følgende:
helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
Effektforstærkere med "monolitisk integrerede mikrobølgekredsløb" (MMIC) med en eller flere af følgende egenskaber:
microwave "monolithic integrated circuits" (MMIC) power amplifiers having any of the following:
Note:Eksportkontrolstatus for en transistor, hvis nominelle driftsfrekvens omfatter frekvenser opført i mere end ét frekvensområde som defineret i 3A001.b.3.a til 3A001.b.3.e., afgøres ved den laveste eksportkontroltærskel for middeludgangseffekt.
Note:the control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Mikrobølgehalvlederforstærkere og mikrobølgesamlinger/-moduler indeholdende mikrobølgehalvlederforstærkere med en eller flere af følgende egenskaber:
microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers having any of the following:
En middeludgangseffekt (i watt), P, der er større end 150 divideret med den maksimale driftsfrekvens (i GHz) i anden potens [P > 150 W*GHz2/fGHz2];
an average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P > 150 W*GHz2/fGHz2];
En "relativ båndbredde" på mindst 5 %; og
a "fractional bandwidth" of 5 % or greater; and
Elektronisk eller magnetisk afstemmelige båndpas- eller båndstopfiltre med mere end 5 afstemmelige resonatorer, der er i stand til at afstemme over et 1,5:1-frekvensbånd (fmax/fmin) på mindre end 10 µs, og som har en eller flere af følgende:
electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs and having any of the following:
Konvertere og harmoniske mixere, der er konstrueret til at udvide frekvensområdet for det udstyr, der er beskrevet i 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. eller 3A002.f., ud over de der angivne grænser;
converters and harmonic mixers designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d, 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
Mikrobølgeforstærkere med rør, som er specificeret i 3A001.b.1., og med samtlige følgende egenskaber:
microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Note:3A001.b.8 lægger ikke eksportkontrol på udstyr, der er konstrueret eller normeret til drift i frekvensbånd, som er "allokeret af ITU" til radiokommunikationstjenester, men ikke til radiostedbestemmelse.
Note:3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Mikrobølgeeffektmoduler (MPM) bestående af mindst et vandrebølgerør, et "monolitisk integreret mikrobølgekredsløb" og en integreret elektronisk energikonditioneringsanordning og med samtlige følgende:
microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
’Tændtid’ fra slukket tilstand til fuld drift på under 10 sekunder
a "turn-on time" from off to fully operational in less than 10 seconds;
Et volumen på under den maksimale nominelle effekt i watt ganget med 10 cm3/W og
a volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
En "momentan båndbredde" større end 1 oktav (fmax > 2fmin) og en eller flere af følgende egenskaber:
an "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax. > 2 fmin.) and having any of the following:
En frekvens på over 18 GHz;
a frequency greater than 18 GHz.
Til beregning af volumen i 3A001.b.9.b. gives følgende eksempel: for en maksimal nominel effekt på 20 W vil volumen være: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
to calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
’Tændtiden’ i 3A001.b.9.a. er tiden fra helt slukket tilstand til fuld drift, dvs. omfatter MPM'ens opvarmningstid.
the "turn-on time" in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational; i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
Bærefrekvens over 6 GHz;
a carrier frequency exceeding 6 GHz;
Bærefrekvens på mere end 1 GHz, men højst 6 GHz og med en eller flere af følgende:
a carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
Bærefrekvens på højst 1 GHz og med en eller flere af følgende:
a carrier frequency of 1 GHz or less, having any of the following:
Frekvenssidesløjfedæmpning på mere end 55 dB og båndbredde over 100 MHz;
a frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;