natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Under 250 µs for frekvensændringer på over 550 MHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 10,6 GHz men højst 31,8 GHz
Less than 250 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
Under 500 µs for frekvensændringer på over 550 MHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 31,8 GHz men højst 43,5 GHz eller
Less than 500 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
Under 1 ms inden for det syntetiserede frekvensområde på over 43,5 GHz eller
Less than 1 ms within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz; or
Maksimal syntetiseret frekvens på over 3,2 GHz og med:
A maximum synthesised frequency exceeding 3,2 GHz and having all of the following:
Enkelt sidebånd (SSB) fasestøj, i dBc/Hz, bedre end -(126 + 20 log10F — 20 log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; og
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(126 + 20log10F — 20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
Enkelt sidebånd (SSB) fasestøj, i dBc/Hz, bedre end -(114 + 20 log10F — 20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(114 + 20log10F — 20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
I 3A002.d.4. er F afvigelsen fra driftsfrekvensen i Hz, og f er driftsfrekvensen i MHz;
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
Note 1:I forbindelse med 3A002.d. omfatter frekvenssyntetiserede signalgeneratorer generatorer med vilkårlig bølgeform og funktionsgeneratorer.
Note 1.:For the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Note 2:3A002.d lægger ikke eksportkontrol på udstyr, i hvilket udgangsfrekvensen enten frembringes ved addition eller subtraktion af to eller flere krystaloscillatorfrekvenser, eller ved addition eller subtraktion fulgt af en multiplikation af resultatet.
Note 2.:3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Generatorer med vilkårlig bølgeform og funktionsgeneratorer er normalt angivet med målefrekvens (f.eks. Gsample/s), der omsættes til RF-domænet ved hjælp af Nyquistfaktor to.
Arbitrary waveform and function generators are normally specified by sample rate (e.g., GSample/s), which is converted to the RF domain by the Nyquist factor of two.
En vilkårlig bølgeform på 1 Gsample/s har altså en direkte outputkapacitet på 500 MHz.
Thus, a 1 GSample/s arbitrary waveform has a direct output capability of 500 MHz.
Eller når der anvendes oversampling, er den maksimale direkte outputkapacitet forholdsmæssigt lavere.
Or, when oversampling is used, the maximum direct output capability is proportionately lower.
I 3A002.d.1 forstås ved ’impulsvarighed’ tidsperioden mellem det punkt, hvor impulsens forkant er steget til 90 % af spidsværdien, og det punkt, hvor impulsens bagkant er faldet til 10 % af spidsværdien.
For the purposes of 3A002.d.1., ’pulse duration’ is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
Netværksanalysatorer med en maksimal driftsfrekvens på over 43,5 GHz;
Network analysers with a maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz;
Atomfrekvensstandarder, der er en eller flere af følgende:
Atomic frequency standards being any of the following:
"Rumkvalificeret";
"Space-qualified";
Ikke-rubidium og med en langtidsstabilitet mindre (bedre) end 1 × 10–11/måned; eller
Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10-11/month; or
Ikke-"rumkvalificeret" og med alle følgende:
Non-"space-qualified" and having all of the following:
Er en rubidiumstandard;
Being a rubidium standard;
Langtidsstabilitet mindre (bedre) end 1 × 10–11/måned; og
Long-term stability less (better) than 1 × 10-11/month; and
Totalt energiforbrug på mindre end 1 W.
Total power consumption of less than 1 W.
Analog-digitale omsættere, anvendelige i "missiler", konstrueret til at opfylde militære specifikationer for specielt robust udstyr;
Analogue-to-digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedized equipment;
Kondensatorer med et af følgende sæt af egenskaber:
Capacitors having either of the following sets of characteristics:
Kapacitans højere end 0,5 µF; og
Capacitance greater than 0,5 µF; and
Kapacitans højere end 0,25 µF; og
Capacitance greater than 0,25 µF; and
Superledende solenoidelektromagneter med samtlige følgende egenskaber:
Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
Note:3A201.b lægger ikke eksportkontrol på magneter, der er specielt konstrueret til, og som eksporteres ’som dele af’ medicinske nukleare magnetiske resonanssystemer (NMR) til billeddannelse.
Note:3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported ’as parts of’ medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Udtrykket ’som dele af’ betyder ikke nødvendigvis fysisk del af den samme forsendelse; separate forsendelser fra forskellige kilder er tilladt, såfremt det i de tilhørende eksportpapirer klart anføres, at disse forsendelser er afsendt ’som dele af’ de billeddannende systemer.
The phrase ’as part of’ does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched ’as part of’ the imaging systems.
Røntgenudladningsgeneratorer eller impulselektronacceleratorer med et af følgende sæt af egenskaber:
Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
En acceleratorspidselektronenergi på mindst 500 keV, men mindre end 25 MeV; og
An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
Med et ’godhedstal’ (K) på mindst 0,25; eller
With a ’figure of merit’ (K) of 0,25 or greater; or
En ’spidseffekt’ større end 50 MW.
A ’peak power’ greater than 50 MW.
Note:3A201.c lægger ikke eksportkontrol på acceleratorer, som udgør en del af apparater, der er beregnet til andre formål end elektronstråler eller røntgenstråling (f.eks. elektronmikroskopi), og heller ikke på sådanne konstrueret til medicinske formål.
Note:3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes:
’Godhedstallet’ K defineres som:
The ’figure of merit’ K is defined as:
Hvis acceleratorens stråleimpulsvarighed er mindre end eller lig 1 μs, er Q den maksimale accelererede ladning i coulomb.
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 µs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
Hvis acceleratorens stråleimpulsvarighed er større end 1μs, er Q den maksimale accelererede ladning på 1μs.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 µs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 µs.
Q er lig med integralet af i med hensyn til t over varigheden af stråleimpulsen (Q = ∫ idt), dog højst 1μs, hvor i er strålestrømmen i ampere, og t er tiden i sekunder.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 µs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
"Spidseffekt" = (spidsspænding i volt) × (spidsstrålestrøm i ampere).
’Peak power’ = (peak potential in volts) x (peak beam current in amperes).
I maskiner, der er baseret på mikrobølgeaccelerationshulrum, er stråleimpulsens varighed den mindste af værdierne 1 µs eller varigheden af det strålepakkebundt, der fremkommer ved en mikrobølgemodulatorpuls.
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 µs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
Multifaseudgang i stand til at præstere en effekt på mindst 40 W;
Multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
DC-strømforsyninger med høj effekt bortset fra dem, der er specificeret i 0B001.j.6., som har begge følgende egenskaber:
High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
DC-strømforsyninger med høj spænding bortset fra dem, der er specificeret i 0B001.j.5, som har begge følgende egenskaber:
High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
Koldkatoderør, også gasfyldte, som virker på samme måde som ved et gnistgab, og med samtlige følgende egenskaber:
Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
Anodeforsinkelse højst 10 µs.
Anode delay time of 10 µs or less;
Note:3A228 omfatter ligeledes gaskrytronrør og vakuumsprytronrør
Note:3A228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
Styrede gnistgab som har begge følgende egenskaber:
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
En anodeforsinkelse på højst 15 µs; og
An anode delay time of 15 µs or less; and
Moduler eller samlinger med en hurtig koblingsfunktion bortset fra dem, der er anført i 3A001.g., med samtlige følgende egenskaber:
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g., having all of the following characteristics:
Anode mærkespidsspænding større end 2 kV;
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
Tændtid højst 1 µs.
Turn-on time of 1 µs or less.
NB.:Se 1A007.a. for eksplosive detonatortændapparater.
1A007.a. for explosive detonator firing sets.
Modulære elektriske impulsgeneratorer, der har samtlige følgende egenskaber:
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Konstrueret til bærbar, mobil eller særlig modstandsdygtig anvendelse;
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
Monteret i støvtæt kapsling;
Enclosed in a dust-tight enclosure;
I stand til at udlade deres energi på mindre end 15 µs;
Capable of delivering their energy in less than 15 µs;
Med ’stigetid’ mindre end 10 µs i belastninger på mindre end 40 ohm;
Having a ’rise time’ of less than 10 µs into loads of less than 40 ohms;
Specificeret til brug ved et udvidet temperaturområde (223 K [–50 °C] til 373 K [100 °C]), eller specificeret som egnet til fly- og rumbrug.
Specified for use over an extended temperature range 223 K (–50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Note:3a229.b omfatter ligeledes xenonudladningslampestyring.
Note:3A229.b. includes xenon flash-lamp drivers.
En ’impulsomkoblingstid’ på mindre end 500 ps.
’Pulse transition time’ less than 500 ps.
Bruger elektrostatisk acceleration til fremkaldelse af en tritium-deuterium kernereaktion.
Utilizing electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
Arrangementer, der bruger enkelte eller multiple detonatorer, der er beregnet til næsten simultant at tænde en eksplosiv overflade over mere end 5000 mm2 fra et enkelt tændsignal (med en tændtid spredt over overfladen på mindre end 2,5 µs.
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 µs.
Termiske ioniseringsmassespektrometre (TIMS);
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
Kildekammer, der er konstrueret af, foret med eller belagt med rustfrit stål eller molybdæn, og som er udstyret med en kold fælde, der er i stand til at køle ned til 193 K (–80 °C) eller derunder; eller
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (–80 °C) or less; or
Kildekammer, der er konstrueret af, foret med eller belagt med UF6-bestandige materialer;
A source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Følgende udstyr til fremstilling af halvlederkomponenter eller halvledermaterialer samt specielt konstruerede komponenter og tilbehør hertil:
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Følgende udstyr til epitaksial vækst:
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
Udstyr, som er i stand til at danne et lag af andet materiale end silicium med en lagtykkelse, der er ensartet til mindre end ±2,5 % over en længde på mindst 75 mm;
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ±2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Note:3B001.a.1. omfatter atomlagsepitaksiudstyr.
Note:3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Metalorganisk kemisk dampudfældnings-(MOCVD)reaktorer, der er specielt konstrueret til vækst af sammensatte halvlederkrystaller ved den kemiske reaktion mellem de materialer, der er specificeret i 3C003 eller 3C004;
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
Udstyr konstrueret til ionimplantering og med en eller flere af følgende egenskaber:
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
En stråleenergi (accelerationsspænding) på mere end 1 MeV;
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1MeV;
En stråleenergi på mindst 65 keV og en strålestrøm på mindst 45 mA beregnet til højenergioxygenimplantering i et opvarmet halvledermateriale"substrat";
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Anisotropisk plasmatørætsningsudstyr som følger:
Anisotropic plasma dry etching equipment as follows:
Udstyr med kassette-til-kassette operation og indføringssluser og med en eller flere af følgende egenskaber:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
Konstrueret eller optimeret til at frembringe kritiske dimensioner på 180 nm eller derunder med en præcision på ±5 % i forhold til 3 sigma; eller
Designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ±5 % 3 sigma precision; or
Konstrueret til at udvikle færre end 0,04 partikler/cm2 med en målelig partikelstørrelse på mere end 0,1 µm i diameter;
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 µm in diameter;
Udstyr til plasmaforstærket kemisk dampudfældning (CVD) som følger:
Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition (CVD) equipment as follows:
Udstyr med kassette-til-kassette operation og indføringssluser og konstrueret efter producentens specifikationer eller optimeret med henblik på fremstilling af halvlederkomponenter med kritiske dimensioner på 180 nm eller derunder;
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Udstyr specielt konstrueret til udstyr, der er specificeret i 3B001.e., og konstrueret efter producentens specifikationer eller optimeret med henblik på fremstilling af halvlederkomponenter med kritiske dimensioner på 180 nm eller derunder;
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Centrale flerkammerwaferhåndteringssystemer til automatisk ilægning med samtlige følgende egenskaber:
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
Note:3B001.e. lægger ikke eksportkontrol på automatiske robotsystemer til waferbehandling, der ikke er beregnet til drift i et vakuummiljø.
Note:3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Følgende litografisk udstyr:
Lithography equipment as follows:
Step and repeatudstyr (direkte waferstepper) eller step and scanudstyr (scanner) til positionering og eksponering i forbindelse med waferprocesser ved brug af foto-optiske eller røntgenmetoder og med en eller flere af følgende egenskaber:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
I stand til at frembringe et mønster med en ’mindste detaljeopløsning’ på 180 nm eller derunder.
Capable of producing a pattern with a ’minimum resolvable feature size’ of 180 nm or less;
’Mindste detaljeopløsning’ beregnes efter følgende formel:
The ’minimum resolvable feature size’ is calculated by the following formula:
"MRF" =’mindste detaljeopløsning’.
MRF = ’minimum resolvable feature size’
Litografisk udstyr til prægning, der kan frembringe detaljer på 180 nm eller mindre
Imprint lithography equipment capable of producing features of 180 nm or less;
Mikrokontakttrykkeredskaber
Micro contact printing tools
Varmeprægningsredskaber
Hot embossing tools
Litografiske redskaber til nanoprægning
Nano-imprint lithography tools
Litografiske (S-FIL) redskaber til step-and-flash-prægning
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Bruger en afbøjet fokuseret elektronstråle, ionstråle eller "laser"stråle, og
Using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
Pletstørrelse mindre end 0,2 µm;
A spot size smaller than 0,2 µm;
I stand til at frembringe et mønster med enkeltheder, der er mindre end 1 µm; eller
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 µm; or
Overlægningsnøjagtighed bedre end ±0,20 µm (3 sigma);
An overlay accuracy of better than ±0,20 µm (3 sigma);
Masker og okularmikrometre, beregnet for integrerede kredsløb, der er specificeret i 3A001;
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Flerlagsmasker med et faseforskydningslag;
Multi-layer masks with a phase shift layer;
Note:3B001.h lægger ikke eksportkontrol på flerlagsmasker med et faseforskydningslag, der er beregnet til fremstilling af hukommelsesindretninger, der ikke er pålagt eksportkontrol iflg. 3A001.
Note:3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Følgende prøveudstyr, specielt beregnet til prøvning af færdige eller ufærdige halvlederindretninger, samt særlige komponenter og tilbehørsdele dertil:
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
Til afprøvning af transistorers S-parametre ved frekvenser over 31,8 GHz;
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Heteroepitaksiale materialer, der består af et "substrat" med flere, stablede epitaksisk dyrkede lag af:
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Positive resists til halvlederlitografi, som er specielt justeret (optimeret) til brug under 245 nm;
Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
Alle resists, til brug med elektronstråler eller ionstråler, med en følsomhed på 0,01 mikrocoulomb/mm2 eller bedre;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 µcoulomb/mm2 or better;
Alle resists, der er optimeret til overfladebilleddannelsesteknologi, inklusive ’silylerede’ resists;
All resists optimised for surface imaging technologies, including ’silylated’ resists;
’Silylerings’ teknik defineres som processer, der omfatter oxidering af resistoverfladen for at forbedre udførelsen af både våd og tør fremkaldning.
’Silylation’ techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Alle resists, der er udviklet eller optimeret til brug med litografisk udstyr til prægning specificeret i 3B001.f.2., som bruger enten en termisk eller lyshærdende proces.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Følgende organiske-uorganiske forbindelser:
Organo-inorganic compounds as follows:
Metalorganiske forbindelser af aluminium, gallium eller indium, med en renhed (metalbasis), der er bedre end 99,999 %;
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Organiske arsen-, antimon- og phosphorforbindelser, med en renhed (på basis af det uorganiske grundstof), der er bedre end 99,999 %.
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
"Software", der er specielt udviklet til "udvikling" eller "produktion" af udstyr, der er specificeret i 3A001.b. til 3A002.g. eller 3B.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
’Fysikbaseret’ simulations"software", der er specielt beregnet til "udvikling" af litografiske, ætsnings- eller udfældningsprocesser til overføring af maskemønstre til specifikke topografiske mønstre i ledere, dielektrika eller halvledere.
’Physics-based’ simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Ved ’fysikbaseret’ i 3D003 forstås brug af beregninger til at fastlægge en række af fysiske årsags- og virkningssammenhænge på grundlag af fysiske egenskaber (f.eks. temperatur, tryk, diffusionskonstanter og halvlederegenskaber).
’Physics-based’ in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
"Teknologi", iflg. den generelle teknologinote, til "udvikling" eller "produktion" af udstyr eller materialer, der er specificeret i 3A, 3B eller 3C.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Note2:3E001 lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til "udvikling" eller "produktion" af integrerede kredsløb, der er specificeret i 3A001.a.3-12, med samtlige følgende egenskaber:
Note 2:3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Bruger "teknologi" til 0,5 µm eller mere; og
Using "technology" of 0,5 µm or more; and
Omfatter ikke ’multilagsstrukturer’.
Not incorporating ’multi-layer structures’.
’Multilagsstrukturer’ vedrører ikke indretninger, der maksimalt omfatter tre metallag og tre polysiliciumlag.
’Multi-layer structures’ do not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
Anden "teknologi", iflg. den generelle teknologinote, end den, der er pålagt eksportkontrol iflg. 3E001, til "udvikling" eller "produktion" af et "mikroprocessormikrokredsløb", "mikrocomputermikrokredsløb" eller en mikrocontroller mikrokredsløbskerne med en aritmetisk logikenhed med en accessbredde på mindst 32 bit og et eller flere af følgende træk eller karakteristika:
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics: