natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Udtrykket ’legeret aluminid’ belægning omfatter éttrins- eller flertrinsbelægninger, i hvilke et eller flere grundstoffer pålægges før eller under påføring af aluminidbelægningen, selv om disse grundstoffer pålægges ved en anden belægningsproces.
The term ’alloyed aluminide coating’ includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Det omfatter imidlertid ikke gentagen anvendelse af éttrinspakcementeringsprocesser for at opnå legerede aluminider.
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
Udtrykket ’blandinger heraf’ omfatter infiltreret materiale, graderede sammensætninger, samudfældninger og flerlagsudfældninger fremstillet ved en eller flere af de i dette skema specificerede processer.
The term ’mixtures thereof’ includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
’MCrAlX’ referer til en belægningslegering, hvor M er cobalt, jern, nikkel eller sammensætninger heraf, og X er hafnium, yttrium, silicium, tantal i enhver mængde eller andre tilsigtede tilsætninger over 0,01 vægtprocent i forskellige forhold og kombinationer undtagen:
’MCrAlX’ refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
CoCrAlY-belægninger, som indeholder 22 til 24 vægtprocent chrom, 10 til 12 vægtprocent aluminium og 0,5 til 0,7 vægtprocent yttrium, eller
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
’Aluminiumslegeringer’ er legeringer, der har en trækbrudstyrke på mindst 190 MPa målt ved 293 K (20 °C.).
The term ’aluminium alloys’ refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
’Korrosionsbestandigt’ stål er stål iflg. AISI (American Iron and Steel Institute) 300 rækken eller tilsvarende nationale standarder.
The term ’corrosion resistant steel’ refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
’Materialer til sensorvinduer’ som følger: aluminiumoxid, silicium, germanium, zinksulphid, zinkselenid, galliumarsenid, diamant, galliumfosfid, safir og følgende metalhalider: sensorvinduesmaterialer med en større diameter end 40 mm for zirconiumfluorid og hafniumfluorid.
’Sensor window materials’, as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
"Teknologi" til éntrins pakcementering af faste planprofiler pålægges ikke eksportkontrol iflg. kategori 2.
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
’Titanlegeringer’ er udelukkende rumfartslegeringer med en trækbrudstyrke på mindst 900 MPa målt ved 293 K (20 °C.).
’Titanium alloys’ refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
’Glasarter med lav udvidelseskoefficient’ refererer til glasarter, som har en termisk udvidelseskoefficient på højst 1 × 10–7 K–1 målt ved 293 K (20 °C.).
’Low-expansion glasses’ refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
magnetpladedrev og magnethoveder, udstyr til fremstilling af engangsemballager, ventiler til haner, højttalermembraner, motordele til motorkøretøjer, skære–, lokke– og presseværktøj, kontorautomationsudstyr, mikrofoner eller medicinsk udstyr eller forme til støbning af plast, fremstillet af legeringer indeholdende mindre end 5 % beryllium.
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
Energien til denne spaltnings- eller kemiske reaktionsproces kan bringes til veje ved substratets varme, en glødeudladningsplasma, eller ved "laser"stråling.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
NB: 1.CVD omfatter følgende processer: Udfældning ved en ledet gasstrøm uden pakning, pulserende CVD, styret nuklear termisk udfældning (CNTD), plasmaforstærkede eller plasmaassisterede CVD processer.
includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
2.Pakket betyder, at et substrat er nedlagt i en pulverblanding.
denotes a substrate immersed in a powder mixture.
3.De gasformige reaktanter, der anvendes i en ikke-pakket proces, frembringes ved brug af de samme grundreaktioner og parametre som i pakkecementeringsprocessen, med undtagelse af, at det substrat, der skal belægges, ikke er i kontakt med pulverblandingen.
gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Termisk fordampning-fysisk dampudfældning (TE-PVD) er en overlaybelægningsproces, der foregår i et vakuum med et tryk på mindre end 0,1 Pa, i hvilket der bruges en termisk energikilde til at fordampe belægningsmaterialet.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Specifikke TE-PVD processer er følgende:
Specific TE-PVD processes are as follows:
Elektronstråle PVD bruger el elektronstråle til opvarmning og fordampning af det materiale, der danne belægningen.
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
PVD med ionstøttet modstandsopvarmning bruger elektriske resistive varmekilder i kombination med aktiverende ionstråler, så der frembringes et styret og ensartet flux af fordampede belægningsmaterialer.
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
"Laser"fordampning bruger enten pulserende eller kontinuert-bølge "laser"-stråler til fordamping af det materiale, der danner belægningen.
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
NB:Denne definition omfatter ikke tilfældig katodelysbuebelægning med substrater, der ikke er "biased".
definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Ionplettering er en speciel modificering af en generel TE-PVD-proces, hvorved en plasma- eller ionkilde bruges til at ionisere de materialer, der skal danne belægningen, og substratet gives negativ "bias" for at lette udtrækningen fra plasmaen af det materiale, der skal pålægges.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Indføringen af reaktive materialer, fordampning af faststoffer i proceskammeret, og brugen af monitorer til opnåelse af måling af belægningers optiske egenskaber og tykkelser under processen er normale modifikationer af processen.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Pakcementering er en overflademodifikationsbelægning eller overlaybelægningsproces, hvor substratet nedlægges i en pulverblanding (en pakning), som består af:
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Substratet og pulverblandingen indeholdes i en retort, som opvarmes til mellem 1030 K (757 °C.) og 1375 K (1102 °C.) i tilstrækkelig lang tid til udfældning af belægningen.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Plasmasprøjtning er en overlaybelægningsproces, hvor en pistol (sprøjtebrænder), som frembringer og styrer en plasma, modtager pulver- eller trådbelægningsmaterialer, smelter dem og slynger dem mod et substrat, hvor der dannes en integreret, bonded belægning.
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Plasmasprøjtning kan være enten lavtryksplasmasprøjtning eller højhastighedsplasmasprøjtning.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
1.Lavtryk betyder mindre end det omgivende atmosfæriske tryk.
pressure means less than ambient atmospheric pressure.
2.Høj hastighed refererer til, at gassens udgangshastighed ved dysens munding overstiger 750 m/s udregnet ved 293 K (20 °C.) ved 0,1 MPa.
velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Slurrybelægning er en overflademodifikationsbelægnings- eller overlaybelægningsproces, hvor et metallisk eller keramisk pulver med et organisk bindemiddel opslemmes i en væske og påføres et substrat enten ved sprøjtning, dypning eller maling, hvorefter det luft- eller ovntørres, og varmebehandles for at opnå den ønskede belægning.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Sputterbelægning er en overlaybelægningsproces, der er baseret på et momentoverførselsfænomen, hvor positive ioner accelereres af et elektrisk felt mod målets (belægningsmaterialets) overflade.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
1.Skemaet refererer kun til triode-, magnetron- eller reaktiv sputterbelægning, som bruges til at forbedre belægningens vedhængskraft og belægningsprocessens hastighed, og til radiofrekvens-(RF) forbedret sputterbelægning, der bruges til at frembringe fordampning af umetalliske belægningsmaterialer.
Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
2.Lavenergiionstråler (mindre end 5 keV) kan anvendes til at aktivere belægningsprocessen.
N.B.2Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Ionimplantering er en overflademodifikationsbelægningsproces, hvor det grundstof, der skal legeres, bliver ioniseret, accelereret gennem en spændingsgradient og implanteret i substratets overfladeområde.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Dette omfatter processer, hvor ionimplanteringen sker samtidig med fysisk dampudfældning med elektronstråle eller sputterbelægning.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
Note 1:Eksportkontrolstatus for udstyr og komponenter beskrevet i 3A001 eller 3A002, bortset fra det i 3A001.a.3-10 og 3A001.a.12 beskrevne, som er specielt udviklet eller som har samme funktionelle egenskaber som andet udstyr, afgøres ved dette andet udstyrs eksportkontrolstatus.
Note 1:The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Note 2:Eksportkontrolstatus for udstyr for integrerede kredsløb beskrevet i 3A001.a.3-9 og 3A001.a.12, som er uforanderligt programmeret eller udviklet til en bestemt funktion i andet udstyr, bestemmes af dette andet udstyrs eksportkontrolstatus.
Note 2:The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
NB:Hvis producenten eller ansøgeren ikke kan afgøre det andet udstyrs eksportkontrolstatus, bestemmes eksportkontrolstatus for de integrerede kredsløb i 3A001.a.3-9 og 3A001.a.12.
N.B.:When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Note 1:Eksportkontrolstatus for wafers (færdigforarbejdede eller uforarbejdede), i hvilke funktionen er fastlagt, skal bedømmes efter parametrene i 3A001.a.
Note 1:The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Integrerede kredsløb udviklet eller normeret som strålingsbeskyttede, således at de kan modstå en af følgende:
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
En total dosis på mindst 5 × 103Gy (silicium);
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
En dosisændring ved forstyrrelse på mindst 5 × 106Gy (silicium)/s; eller
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
En neutronfluens (integreret flux) (1MeV-ækvivalent) på 5 × 1013 n/cm2 eller højere for silicium eller tilsvarende for andre materialer;
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
"Mikroprocessormikrokredsløb", "mikrocomputermikrokredsløb", mikrocontrollermikrokredsløb, integrerede hukommelseskredsløb fremstillet af en sammensat halvleder, integrerede kredsløb til analog-til-digital konvertering, integrerede kredsløb til digital-til-analog konvertering, elektrooptiske eller "optisk integrerede kredsløb" til "signalbehandling", logiske anordninger, der er programmerbare på stedet, kundespecificerede integrerede kredsløb, for hvilke enten funktionen er ukendt, eller eksportkontrolstatus for det udstyr, i hvilket de integrerede kredsløb skal anvendes, ukendt, processorer til Fast Fourier-Transformation (FFT), elektrisk sletbare programmerbare read-only-hukommelser (EEPROM), flashhukommelser eller statiske random-access-hukommelser (SRAM) med en eller flere af følgende egenskaber:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
Normeret for drift ved en omgivelsestemperatur over 398 K (+125 °C.);
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Normeret for drift ved en omgivelsestemperatur under 218 K (–55 °C.); eller
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (–55 °C); or
Normeret for drift ved alle omgivelsestemperaturer mellem 218 K (–55 °C.) og 398 K (+125 °C.);
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (–55 °C) to 398 K (125 °C);
Note:3A001.a.2 gælder ikke for integrerede kredsløb til anvendelse i civile motorkøretøjer eller jernbanemateriel.
Note:3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
"Mikroprocessormikrokredsløb", "mikrocomputermikrokredsløb" og mikrocontroller mikrokredsløb fremstillet af en sammensat halvleder og med en taktfrekvens på mere end 40 MHz.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
Note:3A001.a.3. omfatter digitale signalprocessorer, digitale arrayprocessorer og digitale co-processorer.
Note:3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
NB:JF. LIGELEDES 3A101
ALSO 3A101
Opløsning på mindst 8 bit, men mindre end 10 bit, med en uddatahastighed på over 500 mio. ord pr. sekund;
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
Opløsning på mindst 10 bit, men mindre end 12 bit, med en uddatahastighed på over 200 mio. ord pr. sekund;
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
Opløsning på 12 bit med en uddatahastighed på over 105 mio. ord pr. sekund;
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 105 million words per second;
Opløsning på mere end 12 bit, men lig med eller mindre end 14 bit, med en uddatahastighed på over 10 mio. ord pr. sekund; eller
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 10 million words per second; or
Opløsning på mere end 14 bit med en uddatahastighed på over 2,5 mio. ord pr. sekund;
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 2,5 million words per second;
Digital-til-analog konvertere med en opløsning på mindst 12 bit og en "konverteringstid" på mindre end 10 ns;
Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more and a "settling time" of less than 10 ns;
Antallet af bits i uddataordet er lig med analog-til-digital konverterens opløsning.
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the analogue-to-digital converter.
Uddatahastigheden er konverterens maksimale uddatahastighed uanset arkitektur eller oversampling.
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
Sælgere kan også omtale uddatahastigheden som aftastningsfrekvens, konverteringshastighed eller kapacitet.
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
Ved måling af uddatahastighed svarer et uddataord pr. sekund til en Hertz eller en aftastning pr. sekund.
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
Elektrooptiske og "optisk integrerede kredsløb" til "signalbehandling" og med samtlige følgende:
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
En eller flere interne "laser"dioder;
One or more than one internal "laser" diode;
’Logiske anordninger, der er programmerbare på stedet’, med en eller flere af følgende:
’Field programmable logic devices’ having any of the following:
Et maksimalt antal input/outputs på over 200; eller
A maximum number of digital input/outputs greater than 200; or
Et systemgateantal på over 230000;
A system gate count of greater than 230000;
’Logiske anordninger, der er programmerbare på stedet’, kaldes også gate arrays, der er programmerbare på stedet eller logiske arrays, der er programmerbare på stedet.
’Field programmable logic devices’ are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
Det maksimale antal input/outputs i 3A001.a.7.a. kaldes også de maksimale brugerinput/outputs eller de maksimale disponible input/outputs, uanset om det integrerede kredsløb er en pakket eller upakket matrice.
Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
Mere end 1500 terminaler;
More than 1500 terminals;
Typisk "basal gatetransmissionsforsinkelse" på mindre end 0,02 ns; eller
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,02 ns; or
Digitale integrerede kredsløb, udover de i 3A001.a.3.-10. og 3A001.a.12. beskrevne, baseret på en hvilken som helst sammensat halvleder, og med:
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Ækvivalent gateantal på mere end 3000 (2 inputgates); eller
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
Togglefrekvens på mere end 1,2 GHz;
A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
Processorer til Fast Fouriertransformation (FFT) med en normeret udførelseshastighed for en N-punkts kompleks FFT på mindre end (N log2N)/20480 ms, hvor N er antallet af punkter;
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N) /20480 ms, where N is the number of points;
Hvis N er lig med 1024 punkter, giver formlen i 3A001.a.12 en udførelseshastighed på 500 μs.
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 µs.
Mikrobølge- eller millimeterbølgekomponenter som følger:
Microwave or millimetre wave components, as follows:
Note 1:3A001.b.1 lægger ikke eksportkontrol på rør, der er konstrueret eller normeret til drift i frekvensbånd, og som har samtlige følgende:
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Note 2:3A001.b.1 lægger ikke eksportkontrol på ikke-"rumkvalificerede" rør, som har samtlige følgende:
Note 2:3A001.b.1. does not control non-"space-qualified" tubes having all of the following:
Konstrueret eller normeret til drift i frekvensbånd, og som har samtlige følgende:
Designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Rør til drift ved frekvenser på mere end 31,8 GHz;
Tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Rør med et katodevarmeelement, hvis opvarmningstid til nominel RF-effekt er på mindre end 3 sekunder;
Tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
Helixrør, eller derivater heraf, med en eller flere af følgende:
Helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
"Rumkvalificeret";
Being "space-qualified";
Effektforstærkere med "monolitisk integrerede mikrobølgekredsløb" (MMIC) med en eller flere af følgende egenskaber:
Microwave "Monolithic Integrated Circuits" (MMIC) power amplifiers having any of the following:
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 43,5 GHz;
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz;
Note 1:3A001.b.2 lægger ikke eksportkontrol på broadcastsatellitudstyr, der er konstrueret eller normeret til drift i frekvensområdet mellem 40,5 GHz og 42,5 GHz.
Note 1:3A001.b.2. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 GHz to 42,5 GHz.