natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Note 2:Eksportkontrolstatus for MMIC, hvis nominelle driftsfrekvens omfatter frekvenser opført i mere end ét frekvensområde som defineret i 3A001.b.2.a. til 3A001.b.2.f., afgøres ved den laveste eksportkontroltærskel for middeludgangseffekt.
Note 2:The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Note:Eksportkontrolstatus for en transistor, hvis nominelle driftsfrekvens omfatter frekvenser opført i mere end ét frekvensområde som defineret i 3A001.b.3.a. til 3A001.b.3.e., afgøres ved den laveste eksportkontroltærskel for middeludgangseffekt.
Note:The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Mikrobølgehalvlederforstærkere og mikrobølgesamlinger/moduler indeholdende mikrobølgehalvlederforstærkere med en eller flere af følgende egenskaber:
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers, having any of the following:
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 6 GHz til og med 31,8 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 15 W (42 dBm) med en "relativ båndbredde" på mere end 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15W (42 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 37,5 GHz til og med 43,5 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 1 W (30 dBm) med en "relativ båndbredde" på mere end 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 3,2 GHz og med samtlige følgende egenskaber:
Rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
En middeludgangseffekt (i Watt), P, der er større end 150 divideret med den maksimale driftsfrekvens (i GHz) i anden potens [P>150 W*GHz2/fGHz2];
An average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P>150 W*GHz2/fGHz2];
En "relativ båndbredde" på mindst 5 %; og
A "fractional bandwidth" of 5 % or greater; and
To på hinanden vinkelrette sider, hvor længden d (i cm) er mindre eller lig med 15 divideret med den laveste driftsfrekvens i GHz [d≤ 15cm × GHz/fGHz];
Any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15cm × GHz/fGHz];
3,2 GHz bør anvendes som den laveste driftsfrekvens (fGHz) i formlen i 3A001.b.4.f.3. i forbindelse med forstærkere, der har en nominel aktionsradius ned til 3,2 GHz og under [d≤ 15cm × GHz/3.2 GHz].
3,2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3.2 GHz and below [d≤ 15cm × GHz/3.2 GHz].
Note 1:3A001.b.4 lægger ikke eksportkontrol på broadcastsatellitudstyr, der er konstrueret eller normeret til drift i frekvensområdet mellem 40,5 GHz og 42,5 GHz.
Note 1:3A001.b.4. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 to 42,5 GHz.
Note 2:Eksportkontrolstatus for et produkt, hvis nominelle driftsfrekvens omfatter frekvenser opført i mere end ét frekvensområde som defineret i 3A001.b.4.a. til 3A001.b.4.e., afgøres ved den laveste eksportkontroltærskel for middeludgangseffekt.
Note 2:The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Elektronisk eller magnetisk afstemmelige båndpas- eller båndstopfiltre med mere end 5 afstemmelige resonatorer, der er i stand til at afstemme over et 1,5:1 frekvensbånd (fmax/fmin) på mindre end 10 μs, og som har en eller flere af følgende:
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1.5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 µs and having any of the following:
Konvertere og harmoniske mixere, der er konstrueret til at udvide frekvensområdet for det udstyr, der er beskrevet i 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. eller 3A002.f., ud over de der angivne grænser;
Converters and harmonic mixers, designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
Mikrobølgeforstærkere med rør, som er specificeret i 3A001.b.1., og med samtlige følgende egenskaber:
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Gennemsnitligt forhold mellem udgangseffekttæthed og masse på mere end 80 W/kg; og
An average output power density to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
Mikrobølgeeffektmoduler (MPM) bestående af mindst et vandrebølgerør, et "monolitisk integreret mikrobølgekredsløb" og en integreret elektronisk energikonditioneringsanordning og med samtlige følgende:
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
’Tændtid’ fra slukket tilstand til fuld drift på under 10 sekunder
A ’turn-on time’ from off to fully operational in less than 10 seconds;
Et volumen på under den maksimale nominelle effekt i watt ganget med 10 cm3/W og
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
For frekvenser på 18 GHz eller derunder en RF-udgangseffekt på over 100 W eller
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
En frekvens på over 18 GHz;
A frequency greater than 18 GHz;
Til beregning af volumen i 3A001.b.9.b. gives følgende eksempel: for en maksimal nominel effekt på 20 W vil volumen være: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
’Tændtiden’ i 3A001.b.9.a. er tiden fra helt slukket tilstand til fuld drift, dvs. omfatter MPM'ens opvarmningstid.
The’turn-on time’ in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
Oscillatorer eller oscillatorsamlinger, der er konstrueret til at arbejde med alle følgende:
Oscillators or oscillator assemblies, designed to operate with all of the following:
Enkelt sidebånd (SSB) fasestøj, i dBc/Hz, bedre end -(126 + 20 log10F – 20 log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; og
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(126+20log10F-20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
Enkelt sidebånd (SSB) fasestøj, i dBc/Hz, bedre end -(114 + 20 log10F – 20 log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(114+20log10F-20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
I 3A001.b.10. er F afvigelsen fra driftsfrekvensen i Hz og f er driftsfrekvensen i MHz.
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
Følgende akustisk bølgeudstyr samt specielt konstruerede komponenter hertil:
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
Akustisk bølgeudstyr og "surface skimming" (fladt volumen) akustisk bølgeudstyr med:
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
Bærefrekvens over 6 GHz;
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
Bærefrekvens på mere end 1 GHz, men højst 6 GHz og med en eller flere af følgende:
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
’Frekvenssidesløjfedæmpning’ på mere end 65 dB;
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB;
Produktet af den største forsinkelse og båndbredden (tid i μs og båndbredde i MHz) på mere end 100;
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in µs and bandwidth in MHz) of more than 100;
Spredningsforsinkelse på mere end 10 μs; eller
A dispersive delay of more than 10 µs; or
Bærefrekvens på højst 1 GHz og med en eller flere af følgende:
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
’Frekvenssidesløjfedæmpning’ på mere end 65 dB og båndbredde over 100 MHz;
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
Teknisk note:’Frekvenssidesløjfedæmpning’ er den maksimale dæmpningsværdi, der er specificeret i databladet.
Technical Note:’Frequency side-lobe rejection’ is the maximum rejection value specified in data sheet.
Volumenakustiskbølgeudstyr, som tillader direkte signalbehandling ved frekvenser på over 6 GHz;
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
Akustisk-optisk "signalbehandlings"udstyr, der anvender vekselvirkning mellem akustiske bølger (volumenbølge eller overfladebølge) og lysbølger, der tillader direkte behandling af signaler eller billeder, inklusive spektralanalyse, korrelation eller konvolution;
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Note:3A001.c. kontrollerer ikke akustisk bølgeudstyr, der kun omfatter én båndpas-, lavpas-, højpas- eller gradfiltrering eller resonatorfunktion.
Note:3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Elektronisk udstyr eller kredsløb, der indeholder komponenter, der er fremstillet af "superledende" materialer, der er specielt beregnet til drift ved temperaturer under mindst en af de "superledende" bestanddeles "kritiske temperatur", og som har en eller flere af følgende:
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
Strømkobling til digitale kredsløb ved hjælp af "superledende" porte med et produkt af forsinkelse pr. port (i sekunder) og effekttab pr. port (i Watt) på mindre end 10–14J; eller
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10-14 J; or
Højenergiudstyr som følger:
High energy devices as follows:
’Celler’ som følger:
’Cells’ as follows:
’Primærceller’ med en ’energitæthed’ på mere end 550 Wh/kg ved 20 oC.
’Primary cells’ having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 oC;
’Sekundærceller’ med en ’energitæthed’ på mere end 250 Wh/kg
’Secondary cells’ having an ’energy density’ exceeding 250 Wh/kg
I forbindelse med 3A001.e.1. beregnes ’energitætheden’ (Wh/kg) som den nominelle spænding ganget med den nominelle kapacitet i amperetimer (Ah) divideret med massen i kg.
For the purpose of 3A001.e.1.,’energy density’ (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
I forbindelse med 3A001.e.1. defineres en ’celle’ som en elektrokemisk anordning, der har positive og negative elektroder og en elektrolyt, og som er en kilde til elektrisk energi.
For the purpose of 3A001.e.1., a ’cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
I forbindelse med 3A001.e.1.a. er en ’primærcelle’ en ’celle’, der ikke er beregnet til at blive ladet af en anden kilde.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a ’primary cell’ is a ’cell’ that is not designed to be charged by any other source.
I forbindelse med 3A001.e.1.b. er en ’sekundærcelle’ en ’celle’, der er beregnet til at blive ladet af en ekstern elektrisk kilde.
For the purpose of 3A001.e.1.b., a ’secondary cell’ is a ’cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
Følgende højenergilagerkondensatorer:
High energy storage capacitors as follows:
NB:Jf. LIGELEDES 3A201.a
N.B.:SEE ALSO 3A201.a.
Kondensatorer med en gentagelseshastighed på mindre end 10 Hz (singleshot kondensatorer) og med samtlige følgende egenskaber:
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Kondensatorer med en gentagelseshastighed på 10 Hz eller mere (gentagelseskondensatorer) og med samtlige af følgende egenskaber:
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
"Superledende" elektromagneter eller solenoider, der er specielt konstrueret til at blive fuldt opladet eller afladet på mindre end 1 sekund, og med samtlige følgende egenskaber:
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
Note:3A001.e.3 lægger ikke eksportkontrol på "superledende" elektromagneter eller solenoider, der er specielt konstrueret til medicinsk udstyr til magnetisk resonans-billleddannelse (MRI).
Note:3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Solceller, samlinger af forbundne solceller med dækglas (CIC), solpaneler og solarrays, der er "rumkvalificerede" og har en mindste gennemsnitseffektivitet på over 20 % ved en driftstemperatur på 301 K (28 °C) ved en simuleret AM0-belysning med en bestråling på 1367 watt pr. kvatratmeter (W/m2);
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1,367 watts per square metre (W/m2);
Enkodere til absolut position med roterende input med en nøjagtighed lig med eller mindre (bedre) end ±1,0 buesekund;
Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ±1,0 second of arc;
Faststofthyristorkoblingsanordninger med impulseffekt og ’thyristormoduler’, der anvender koblingsmetoder, som styres elektronisk, optisk eller med elektronstråling, og som har en eller flere af følgende egenskaber:
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and ’thyristor modules’, using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
En maksimal strømstigning ved tænding (di/dt) på over 30000 A/µs og en spænding i slukket tilstand på over 1100 V eller
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
En maksimal strømstigning ved tænding (di/dt) på over 2000 A/µs, og som har alle følgende egenskaber:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
En spidsspænding i slukket tilstand på 3000 V eller derover og
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
En ikke-repetitiv spidsstrøm (surge current) på 3000 A eller derover.
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
Styrede ensrettere af silicium (Silicon Controlled Rectifiers (SCR)
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Elektrisk styrede thyristorer (ETT)
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
Lysstyrede thyristorer (LTT)
Light Triggering Thyristors (LTTs)
Integrerede brokommuterede thyristorer (IGCT)
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
Gate Turn-Off thyristorer (GTO)
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
Solidtroner
Solidtrons
Faststofhalvlederswitche, -dioder eller ’-moduler’ med følgende egenskaber:
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or ’modules’, having all of the following:
Normeret til maksimal driftstemperatur på over 488 K (215 °C);
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
En repetitiv spidsspænding i off-tilstand (blokeringsspænding) på over 300 V; og
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
En kontinuerlig strøm på over 1 A.
Continuous current greater than 1 A.
Note 1:Den repetitive spidsspænding i off-tilstand i 3A001.h. omfatter drainsourcespænding, kollektoremitterspænding, repetitiv spidsspærrespænding og repetitiv spidsblokeringsspænding i off-tilstand.
Note 1:Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Note 2:3A001.h. omfatter
Note 2:3A001.h. includes:
Junction felteffekttransistorer (JFET)
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
Lodrette junction felteffekttransistorer (VJFET)
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
Metaloxidfelteffekttransistorer (MOSFET)
Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)
Dobbeltdiffunderede metaloxidfelteffekttransistorer (DMOSFET)
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
Isolerede gate bipolære transistorer (IGBT)
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Transistorer med høj elektronmobilitet (HEMT)
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
Bipolære junction transistorer (BJT)
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
Thyristorer og styrbare halvlederensrettere (SCR)
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Slukbare thyristorer (GTO)
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
Slukbare emitterthyristorer (ETO)
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
PiN-dioder
PiN Diodes
Schottky-dioder
Schottky Diodes
Note 3:3A001.h. kontrollerer ikke switche, dioder eller ’moduler’ i udstyr konstrueret til anvendelse i civile motorkøretøjer, civile jernbaner eller "civile fly".
Note 3:3A001.h. does not control switches, diodes, or ’modules’ incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
I 3A001.h. indeholder ’moduler’ en eller flere faststofhalvlederkoblinger eller -dioder.
For the purposes of 3A001.h., ’modules’ contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
Følgende elektronisk udstyr til generel anvendelse og tilbehør hertil:
General purpose electronic equipment and accessories therefor, as follows:
Følgende optageudstyr samt specielt udviklet prøvebånd hertil:
Recording equipment as follows and specially designed test tape therefor:
Tidsforskydnings(basis)-fejl, målt iflg. de relevante IRIG- eller EIA-dokumenter, på mindre end ±0,1 μs;
A time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ±0,1 µs;
Note:Analoge magnetbåndoptagere, som særlig er konstrueret til civile videoformål, betragtes ikke som instrumenteringsbåndoptagere.
Note:Analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
Digitale videomagnetbåndoptagere med en maksimal digital interfaceoverføringshastighed på mere end 360 Mbit/s;
Digital video magnetic tape recorders having a maximum digital interface transfer rate exceeding 360 Mbit/s;
Digitale magnetbåndinstrumentdataoptagere, hvori der anvendes skrueskanderingsteknik eller fasthovedteknik, og med en eller flere af følgende egenskaber:
Digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having any of the following:
Maksimal digital interfaceoverførselshastighed højere end 175 Mbit/s; eller
A maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s; or
Udstyr med maksimal digital interfaceoverførselshastighed, der er højere end 175 Mbit/s, og beregnet på overførsel af konvertering af digitale videobåndoptagere til brug som digitale instrumentdataoptagere;
Equipment having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s and designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
Bølgesignaldigitaliseringsudstyr og transientoptagere, med samtlige følgende egenskaber:
Waveform digitisers and transient recorders, having all of the following:
’Kontinuerlig kapacitet’ på mindst 2 Gbit/s;
A ’continuous throughput’ of 2 Gbit/s or more;
For instrumenter med parallel busarkitektur er den ’kontinuerlige kapacitet’ den største ordhastighed ganget med ordlængen i bit.
For those instruments with a parallel bus architecture, the ’continuous throughput’ rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Ved ’kontinuerlig kapacitet’ forstås den største hastighed, hvormed instrumentet kan udlæse data til masselager uden tab af information, når aftastningsfrekvensen overholdes og analog-til-digital konverteringen opretholdes.
’Continuous throughput’ is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
Digitale instrumentdataoptagere med en magnetisk disklagringsteknik, og som har samtlige følgende egenskaber:
Digital instrumentation data recorders using magnetic disk storage technique and having all of the following:
’Kontinuerlig kapacitet’ på mindst 1 Gbit/s;
A ’continuous throughput’ of 1 Gbit/s or more;
Note:Eksportkontrolstatus for "signalanalysatorer", signalgeneratorer, netværksanalysatorer og mikrobølgetestmodtagere som standaloneinstrumenter er fastsat i hhv. 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. og 3A002.f.
Note:The control status of "signal analysers", signal generators, network analysers, and microwave test receivers as stand-alone instruments is determined by 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., and 3A002.f., respectively.
Følgende RF-"signalanalysatorer":
Radio-frequency "signal analysers" as follows:
"Signalanalysatorer", der er i stand til at analysere frekvenser på over 31,8 GHz, men ikke over 37,5 GHz, og med en 3dB resolutionsbåndbredde (RBW) på over 10 MHz;
"Signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz and having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz;
"Signalanalysatorer", der er i stand til at analysere frekvenser på over 43,5 GHz;
"Signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 43,5 GHz;
Note:3A002.c.3 lægger ikke eksportkontrol på "dynamiske signalanalysatorer", som kun bruger konstantprocent båndbreddefiltre (også kendt som oktav- eller fraktionaloktavfiltre).
Note:3A002.c.3. does not control those "dynamic signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Frekvenssyntetiserede signalgeneratorer, der afgiver udgangsfrekvenser, hvis nøjagtighed og kort- og langtidsstabilitet styres, afledes af eller korrigeres af den interne masterreferenceoscillator, og med en eller flere af følgende egenskaber:
Frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:
Maksimal syntetiseret frekvens på over 31,8 GHz, men højst 43,5 GHz og normeret til frembringelse af en ’impulsvarighed’ på under 100 ns;
A maximum synthesised frequency exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz and rated to generate a ’pulse duration’ of less than 100 ns;
"Frekvensskiftetid" fra en valgt frekvens til en anden som angivet ved en af følgende egenskaber:
A "frequency switching time" from one selected frequency to another as specified by any of the following:
Under 312 ps
Less than 312 ps;
Under 100 µs for frekvensændringer på over 1,6 GHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 3,2 GHz men højst 10,6 GHz
Less than 100 µs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 10,6 GHz;