natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Udstyr, som er i stand til at danne et lag af andet materiale end silicium med en lagtykkelse, der er ensartet til mindre end ±2,5 % over en længde på mindst 75 mm;
equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ±2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Metal-organisk kemisk dampudfældnings-(MOCVD)-reaktorer, der er specielt konstrueret til vækst af sammensatte halvlederkrystaller ved den kemiske reaktion mellem de materialer, der er specificeret i 3C003 eller 3C004;
metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
Udstyr til epitaksial vækst med molekylestråle ved brug af gas- eller faststofkilder;
molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Udstyr konstrueret til ionimplantering med en eller flere af følgende egenskaber:
equipment designed for ion implantation, having any of the following:
En stråleenergi (accelerationsspænding) på mere end 1 MeV;
a beam energy (accelerating voltage) exceeding 1 MeV;
Specielt konstrueret og optimeret til drift ved en stråleenergi (accelerationsspænding) på mindre end 2 keV;
being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
Direkte skrivekapacitet; eller
direct write capability; or
En stråleenergi på mindst 65 keV og en strålestrøm på mindst 45 mA beregnet til højenergioxygenimplantering på et opvarmet halvledermateriale-"substrat";
a beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Anisotropisk plasma-tørætsningsudstyr som følger:
anisotropic plasma dry etching equipment, as follows:
Udstyr med kassette-til-kassette-operation og indføringssluser og med en eller flere af følgende egenskaber:
equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
Konstrueret eller optimeret til at nå op på kritiske dimensioner på 180 nm eller derunder med en præcision på ±5 % i forhold til 3 sigma; eller
designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ±5 % 3 sigma precision; or
Konstrueret til at udvikle færre end 0,04 partikler/cm2 med en målelig partikelstørrelse på mere end 0,1 μm i diameter;
designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 μm in diameter;
Udstyr specielt konstrueret til udstyr, der er specificeret i 3B001.e, og med en eller flere af følgende egenskaber:
equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
Konstrueret itl at udvikle færre end 0,04 partikler/cm2 med en målelig partikelstørrelse på mere end 0,1 μm i diameter;
designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
Plasmaforstærket CVD-udstyr som følger:
plasma enhanced CVD equipment, as follows:
Udstyr med kassette-til-kassette-operation og indføringssluser og konstrueret efter producentens specifikationer eller optimeret med henblik på fremstilling af halvlederkomponenter med kritiske dimensioner på 180 nm eller derunder;
equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Udstyr specielt konstrueret til udstyr, der er pålagt eksportkontrol if. 3B001.e, og konstrueret efter producentens specifikationer eller optimeret med henblik på fremstilling af halvlederkomponenter med kritiske dimensioner på 180 nm eller derunder;
equipment specially designed for equipment controlled by 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Centrale flerkammerwaferhåndteringssystemer til automatisk ilægning med samtlige følgende egenskaber:
automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
Interfaces til wafer input og output, til hvilke der skal forbindes mere end to enheder af halvlederbehandlingsudstyr; og
interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
Beregnet til frembringelse af et integreret system i et vakuummiljø til sekventiel behandling af flere wafers;
designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;
Note:3B001.e lægger ikke eksportkontrol på automatiske robotsystemer til waferbehandling, der ikke er beregnet til drift i et vakuummiljø.
Note:3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Følgende litografisk udstyr:
lithography equipment, as follows:
Step and repeat-udstyr (direkte waferstepper) eller step and scan-udstyr (scanner) til positionering og eksponering i forbindelse med waferprocesser ved brug af foto-optiske eller røntgenmetoder med en eller flere af følgende egenskaber:
align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following:
Lyskildebølgelængde kortere end 245 nm; eller
a light source wavelength shorter than 245 nm; or
I stand til at frembringe et mønster med en ’mindste detaljeopløsning’ på 180 nm eller derunder.
capable of producing a pattern with a ’minimum resolvable feature’ size of 180 nm or less;
’Mindste detaljeopløsning’ beregnes efter følgende formel:
The ’minimum resolvable feature’ size is calculated by the following formula:
MRF = mindste detaljeopløsning.
MRF = minimum resolvable feature size
Litografisk udstyr til prægning, der kan frembringe detaljer på 180 nm eller mindre
imprint lithography equipment capable of producing features of 180 nm or less;
Note:3B001.f.2. omfatter
Note:3B001.f.2. includes:
Mikrokontakt-trykkeredskaber
micro contact printing tools
Varmeprægningsredskaber
hot embossing tools
Litografiske redskaber til nanoprægning
nano-imprint lithography tools
Litografiske (S-FIL) redskaber til step-and-flash-prægning
step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Udstyr, der er specielt konstrueret til maskefremstilling eller behandling af halvlederindretninger ved brug af en afbøjet fokuseret elektronstråle, ionstråle eller "laser"-stråle, med en eller flere af følgende egenskaber:
equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:
Pletstørrelse mindre end 0,2 μm;
a spot size smaller than 0,2 μm;
I stand til at frembringe et mønster med enkeltheder, der er mindre end 1 μm; eller
being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
Overlægningsnøjagtighed bedre end ±0,20 μm (3 sigma);
an overlay accuracy of better than ±0,20 μm (3 sigma);
Masker og okularmikrometre beregnet for integrerede kredsløb, der er specificeret i 3A001;
masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
Flerlagsmasker med et faseforskydningslag.
multi-layer masks with a phase shift layer.
Note:3B001.h lægger ikke eksportkontrol på flerlagsmasker med et faseforskydningslag, der er beregnet til fremstilling af hukommelsesindretninger, der ikke er pålagt eksportkontrol if. 3A001.
Note:3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
i. Litografiskabeloner til prægning beregnet til integrerede kredsløb som omhandlet i 3A001.
i. Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Til afprøvning af transistorindretningers S-parametre ved frekvenser over 31,8 GHz;
for testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Til prøvning af integrerede mikrobølgekredsløb, der er specificeret i 3A001.b.2.
for testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Silicium;
silicon;
Siliciumcarbid; eller
silicon carbide; or
Positive resists til halvlederlitografi, som er specielt justeret (optimeret) til brug under 245 nm;
positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
Alle resists, til brug med elektronstråler eller ionstråler, med en følsomhed på 0,01 mikrocoulomb/mm2 eller bedre;
all resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Alle resists, til brug med røntgenstråler, med en følsomhed på 2,5 mJ/mm2 eller bedre;
all resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
Alle resists, der er optimeret til overfladebilleddannelsesteknologi, inklusive ’silylerede’ resists.
all resists optimised for surface imaging technologies, including ’silylated’ resists.
’Silylerings’ teknik defineres som processer omfattende oxidering af resistoverfladen for at forbedre udførelsen af både våd og tør fremkaldning.
’Silylation’ techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Metalorganiske forbindelser af aluminium, gallium eller indium, med en renhed (metal-basis), der er bedre end 99,999 %;
organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Organiske arsen-, antimon- og phosphorforbindelser med en renhed (på basis af det uorganiske grundstof), der er bedre end 99,999 %.
organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Note:3C003 lægger kun eksportkontrol på forbindelser, hvis metal-, halvmetal- eller ikke-metalgrundstof er bundet direkte til kulstof i molekylets organiske del.
Note:3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Note:3C004 lægger ikke eksportkontrol på hydrider, der indeholder mindst 20 molprocent inaktive luftarter eller hydrogen.
Note:3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Plader af siliciumkarbid (SiC) med en resistivitet på over 10000 ohm-cm.
Silicon carbide (SiC) wafers having a resistivity of more than 10000 ohm-cm.
Udstyr, der er specificeret i 3B001.a-f; eller
equipment specified in 3B001.a. to f.; or
Udstyr, der er specificeret i 3B002.
equipment specified in 3B002.
’Fysikbaseret simulations’-"software", der er specielt beregnet til "udvikling" af litografiske, ætsnings- eller udfældningsprocesser til overføring af maskemønstre til specifikke topografiske mønstre i ledere, dielektrika eller halvledere.
’Physics-based’ simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Ved ’fysikbaseret’ i 3D003 forstås brug af beregninger til at fastlægge en række af fysiske årsags og virkningssammenhænge på grundlag af fysiske egenskaber (f.eks. temperatur, tryk, diffusionskonstanter og halvlederegenskaber).
’Physics-based’ in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Note:Biblioteker, konstruktionsattributter eller tilknyttede data til konstruktion af halvlederindretninger eller integrerede kredsløb betragtes som "teknologi".
Note:Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Note 1:3E001 lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til "produktion" af udstyr eller komponenter, der er specificeret i 3A003.
Note 1:3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Note 2:3E001 lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til "udvikling" eller "produktion" af integrerede kredsløb, der er specificeret i 3A001.a.3-12, med samtlige følgende egenskaber:
Note 2:3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Bruger "teknologi" til 0,5 μm eller mere; og
using "technology" of 0,5 μm or more; and
Omfatter ikke ’multilagsstrukturer’.
not incorporating ’multi-layer structures’.
’Multilagsstrukturer’ vedrører ikke indretninger, der maksimalt omfatter tre metallag og tre polysiliciumlag.
The term ’multi-layer structures’ does not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
Anden "teknologi", if. den generelle teknologinote, end den, der er pålagt eksportkontrol if. 3E001, til "udvikling" eller "produktion" af et "mikroprocessor-mikrokredsløb", "mikrocomputer-mikrokredsløb" eller en mikrocontroller-mikrokredsløbskerne med en aritmetisk logikenhed med en accessbredde på mindst 32 bit og et eller flere af følgende træk eller karakteristika:
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", or "microcomputer microcircuit" and microcontroller microcircuit core having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
En vektorprocessorenhed beregnet til at foretage mere end to beregninger på flydende-komma-vektorer (endimensionelle arrays på 32-bit-tal eller større tal) samtidig
a vector processor unit designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
En vektorprocessorenhed er et processorelement med indbygget instrukser, der udfører multible beregninger på flydende-komma-vektorer (endimensionelle arrays på 32-bit-tal eller større tal) samtidig og har mindst én aritmetisk logisk vektorenhed.
A vector processing unit is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
Beregnet til at give mere end to flydende-komma-driftsresultater på 64 bit eller derover per cyklus eller
designed to perform more than two 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
Beregnet til at give mere end fire multipelt akkumulerede fast-komma-resultater på 16 bit pr. cyklus (f.eks. digital behandling af analog information, der tidligere er omsat til digital form, også kaldet digital signalbehandling).
designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g. digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital signal processing).
Note:3E002.c. lægger ikke eksportkontrol på multimedieudvidelser.
Note:3E002.c. does not control technology for multimedia extensions.
Note 1:3E002 lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til "udvikling" eller "produktion" af mikroprocesserkerner, der har alle de følgende egenskaber:
Note 1:3E002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
Anvender "teknologi" på 0,130 um og
using "technology" at or above 0,130 µm; and
Indeholder flerlagsstrukturer med højst fem metallag.
incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
Note 2:3E002 omfatter "teknologi" for digitale signalprocessorer og digitale arrayprocessorer.
Note 2:3E002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
Vakuum mikroelektroniske indretninger;
vacuum microelectronic devices;
Heterostrukturelle halvlederindretninger som f.eks. transistorer med høj elektronmobilitet (HEMT), hetero-bipolære transistorer (HBT), quantum well- eller super-lattice-indretninger;
hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
Note:3E003.b lægger ikke eksportkontrol på teknologi til transistorer med høj elektronmobilitet (HEMT), der opererer ved frekvenser på under 31,8 GHz, og hetero-bipolære transistorer (HBT), der opererer ved frekvenser på under 31,8 GHz.
Note:3E003.b. does not control technology for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
"Superledende" elektroniske indretninger;
"superconductive" electronic devices;
Diamantsubstrater eller -film til elektronikkomponenter;
substrates of films of diamond for electronic components;
Substrater af silicon-on-insulator (SOI) til integrerede kredsløb, hvor isolatoren er siliciumdioxid;
substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
Substrater af siliciumcarbid til elektronikkomponenter;
substrates of silicon carbide for electronic components;
Elektroniske vakuumrør, der opererer ved frekvenser på 31,8 GHz eller derover.
electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
"Teknologi", if. den generelle teknologinote, til "brug" af udstyr eller "software", der er specificeret i 3A001.a.1-2, 3A101, 3A102 eller 3D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
"Teknologi", if. den generelle teknologinote, til "brug" af udstyr, der er specificeret i 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.g, 3A201, 3A225-3A233.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A233.
Note 1:Computere, beslægtet udstyr eller "software", der udfører funktioner i forbindelse med telekommunikation eller "lokalnet", skal også bedømmes på baggrund af de i kategori 5 (1. del — telekommunikation) specificerede præstationer.
Note 1:computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Note 2:Styreenheder, der direkte forbinder busser eller kanaler i centralenheder, controllere til "hovedlager" eller diske, betragtes ikke som det i kategori 5 (1. del — Telekommunikation) beskrevne telekommunikationsudstyr.
Note 2:control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
NB:For så vidt angår eksportkontrolstatus for "software", der er specielt beregnet til pakkekobling, se kategori 5D001.
N.B.:for the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
Note 3:Computere, beslægtet udstyr eller "software", der udfører kryptografiske eller kryptoanalytiske funktioner, funktioner i forbindelse med attesterbar sikkerhed på flere niveauer eller attesterbar brugerisolering, eller som begrænser elektromagnetisk kompatibilitet (EMC), skal ligeledes vurderes på baggrund af de i kategori 5 (2. del — Informationssikkerhed) specificerede præstationer.
Note 3:computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").
NB:JF. LIGELEDES 4A101
N.B.:SEE ALSO 4A101.
Specielt udviklet til at have en eller flere af følgende egenskaber:
specially designed to have any of the following characteristics:
Normeret til drift ved en omgivende temperatur under 228 K (–45 °C) eller over 358 K (+85 °C);
rated for operation at an ambient temperature below 228 K (–45 °C) or above 358 K (85 °C);
Note:4A001.a.1 finder ikke anvendelse på computere, der er specielt konstrueret til anvendelse i civile motorkøretøjer eller jernbanemateriel.
Note:4A001.a.1. does not apply to computers specially designed for civil automobile or railway train applications.
Bedre strålebeskyttelse end svarende til en eller flere af følgende specifikationer:
radiation hardened to exceed any of the following specifications:
Med egenskaber eller funktioner, der overstiger grænserne i kategori 5 (2. del — Informationssikkerhed).
having characteristics or performing functions exceeding the limits in Category 5, Part 2 ("Information Security").
Note:4A001.b lægger ikke eksportkontrol på elektroniske computere og beslægtet udstyr, når de ledsager brugeren med henblik på dennes personlige brug.
Note:4A001.b. does not control electronic computers and related equipment when accompanying their user for the user's personal use.
Note 1:4A003 omfatter følgende:
Note 1:4A003 includes the following:
Vektor-processorer;
vector processors;
Array-processorer;
array processors;
Processorer for digitale signaler;
digital signal processors;
Logikprocessorer;
logic processors;
Udstyr til "billedforbedring";
equipment designed for "image enhancement";
Udstyr til "signalbehandling".
equipment designed for "signal processing".
Note 2:Eksportkontrolstatus for de "digitale computere" eller beslægtet udstyr, der beskrives i 4A003, afhænger af eksportkontrolstatus for andet udstyr eller systemer, såfremt:
Note 2:the control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
De "digitale computere" eller det beslægtede udstyr er væsentligt for driften af andet udstyr eller systemer;
the "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
De "digitale computere" eller det beslægtede udstyr ikke er et "hovedelement" i andet udstyr eller systemer; og
the "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
NB 1:Eksportkontrolstatus for "signalbehandlings"- eller "billedforbedrings"-udstyr, som er specielt konstrueret til andet udstyr, med funktioner, der er begrænset til dem, der kræves for det andet udstyr, afhænger af det andet udstyrs eksportkontrolstatus, selv om det overstiger "hovedelement"-kriteriet.
1:the control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
NB 2:For så vidt angår eksportkontrolstatus for "digitale computere" eller beslægtet udstyr til telekommunikationsudstyr, se kategori 5 (1 del — Telekommunikation);
2:for the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
"Teknologi" til "digitale computere" og beslægtet udstyr er omfattet af 4E.
the "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E.
Note:I forbindelse med 4A003.a betragtes "digitale computere" og beslægtet udstyr ikke som konstrueret eller modificeret til "fejltolerance", hvis de bruger:
Note:for the purposes of 4A003.a., "digital computers" and related equipment are not considered to be designed or modified for "fault tolerance" if they utilise any of the following:
Fejlfindings- eller korrektionsalgoritmer i "hovedlager";
error detection or correction algorithms in "main storage";
Indbyrdes forbindelse mellem to "digitale computere", således at hvis den aktive centralenhed svigter, kan en tomgående, men spejlende centralenhed fortsætte systemets funktion;
the interconnection of two "digital computers" so that, if the active central processing unit fails, an idling but mirroring central processing unit can continue the system's functioning;