natgillin/translations-raw huggingface dataset:
"Teknologi" til pålægning af uorganiske "overlay"-belægninger eller uorganiske belægninger til overflademodifikation, (specificeret i kolonne 3 i følgende skema), til ikke-elektroniske substrater (specificeret i kolonne 2 i følgende skema), ved de processer, der er specificeret i kolonne 1 i følgende skema og defineret i den tekniske note.
"technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical note.
Note:Skemaet af den tekniske note findes efter nr. 2E301.
Note:the table and Technical note appear after entry 2E301.
’Belægningsprocessen’ omfatter reparation og fornyelse af belægningen såvel som oprindelig belægning.
The term ’coating process’ includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Udtrykket ’legeret aluminid’-belægning omfatter éttrins eller flertrinsbelægninger, i hvilke et eller flere grundstoffer pålægges før eller under opføring af aluminidbelægningen, selv om disse grundstoffer pålægges ved en anden belægningsproces.
The term ’alloyed aluminide coating’ includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Udtrykket belægning med ’aluminid modificeret med ædle metaller’ omfatter flertrinsbelægninger, ved hvilke det eller de ædle metaller pålægges ved en anden belægningsproces før pålægningen af aluminidbelægningen.
The term ’noble metal modified aluminide’ coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
Udtrykket ’blandinger heraf’ omfatter infiltreret materiale, graderede sammensætninger, samudfældninger og flerlags-udfældninger fremstillet ved en eller flere af de i dette skema specificerede processer.
The term ’mixtures thereof’ includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
’MCrAlX’ referer til en belægningslegering, hvor M er cobalt, jern, nikkel eller sammensætninger heraf, og X er hafnium, yttrium, silicium, tantal i enhver mængde eller andre tilsigtede tilsætninger over 0,01 vægtprocent i forskellige forhold og kombinationer undtagen:
’MCrAlX’ refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 weight percent in various proportions and combinations, except:
’Aluminiumslegeringer’ er legeringer, der har en trækbrudstyrke på mindst 190 MPa målt ved 293 K (20 °C).
The term ’aluminium alloys’ refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
’Korrosionsbestandigt’ stål er stål if. AISI (American Iron and Steel Institute) 300-rækken eller tilsvarende nationale standarder.
The term ’corrosion resistant steel’ refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
’Tungtsmeltelige metaller og legeringer’ omfatter følgende metaller og deres legeringer: niobium (columbium), molybdæn, wolfram og tantal.
’Refractory metals and alloys’ include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
’Materialer til følervinduer’ som følger: aluminiumoxid, silicium, germanium, zinksulphid, zinkselenid, galliumarsenid, diamant, galliumfosfid, safir og følgende metalhalider: følervinduematerialer med en større diameter end 40 mm for zirconiumfluorid og hafniumfluorid.
’Sensor window materials’, as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
’Polymerer’ som følger: polyimid, polyester, polysulfid, polycarbonater og polyurethaner.
’Polymers’, as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
’Modificerede zirconiumoxider’ er tilsætning af andre metaloxider, f.eks. calcium-, magnesium-, yttrium- og hafnium-oxider, oxider af sjældne jordarter, osv. til zirconiumoxider for at stabilisere visse krystallografiske faser og fasesammensætninger.
’Modified zirconia’ refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
’Titanlegeringer’ er udelukkende rumfartslegeringer med en trækbrudstyrke på mindst 900 MPa målt ved 293 K (20 °C).
’Titanium alloys’ refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
’Glasarter med lav udvidelseskoefficient’ refererer til glasarter, som har en termisk udvidelseskoefficient på højst 1 × 10–7 K–1 målt ved 293 K (20 °C).
’Low-expansion glasses’ refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
’Dielektriske lag’ er belægninger, der er konstrueret af flere lag af isolerende materialer, i hvilket interferensegenskaberne ved en konstruktion, der er sammensat af materialer med forskelligt refraktivt indeks, bruges til at reflektere, transmittere eller absorbere forskellige bølgelængdebånd.
’Dielectric layers’ are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
’Cementeret wolframcarbid’ omfatter ikke skære- og formeværktøjsmaterialer bestående af wolframcarbid/(cobalt, nikkel), titancarbid/(cobalt, nikkel), chromcarbid/nikkel-chrom og chrom carbid/nikkel.
’Cemented tungsten carbide’ does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
’Siliciumcarbid’ omfatter ikke materialer til fremstilling af skære- og formværktøj.
’Silicon carbide’ does not include cutting and forming tool materials.
Kemisk dampudfældning (CVD) er en overfladebelægnings- eller overflademodificeringsproces, hvorved et metal, en legering, "komposit", dielektrikum eller keramisk materiale udfældes på et opvarmet substrat.
chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
NB: 1CVD omfatter følgende processer: udfældning ved en ledet gasstrøm uden pakning, pulserende CVD, styret nuklear termisk udfældning (CNTD), plasmaforstærkede eller plasmaassisterede CVD-processer.
1:CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
2Pakket betyder, at et substrat er nedlagt i en pulverblanding.
2:Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
3De gasformige reaktanter, der anvendes i en ikke-pakket proces, frembringes ved brug af de samme grundreaktioner og parametre som i pakkecementeringsprocessen, med undtagelse af, at det substrat, der skal belægges, ikke er i kontakt med pulverblandingen.
3:The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Termisk fordampning-fysisk dampudfældning (TE-PVD) er en overlay-belægningsproces, der foregår i et vakuum med et tryk på mindre end 0,1 Pa, i hvilket der bruges en termisk energikilde til at fordampe belægningsmaterialet.
thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Elektronstråle-PVD bruger en elektronstråle til opvarmning og fordampning af det materiale, der danner belægningen.
electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
PVD med ion-støttet modstandsopvarmning bruger elektriske resistive varmekilder i kombination med aktiverende ionstråler, så der frembringes et styret og ensartet flux af fordampede belægningsmaterialer.
ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
"Laser"-fordampning bruger enten pulserende eller kontinuert-bølge "laser"-stråler til fordamping af det materiale, der danner belægningen.
"laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Katodebuebelægning bruger en smelteelektrode af det materiale, der danner belægningen, og som etablerer en lysbue på overfladen ved en kortvarig kontakt til jord ved en igangsætter.
cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
NB:Denne definition omfatter ikke tilfældig katodelysbuebelægning med substrater, der ikke er "biased".
N.B.:This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Ionplettering er en speciel modificering af en generel TE-PVD-proces, hvorved en plasma- eller ionkilde bruges til at ionisere de materialer, der skal danne belægningen, og substratet gives negativ "bias" for at lette udstrækningen fra plasmaen af det materiale, der skal pålægges.
ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Pakcementering er en overflademodifikationsbelægning eller overlay-belægningsproces, hvor substratet nedlægges i en pulverblanding (en pakning), som består af:
pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
De metalliske pulvere, der skal danne belægningen (normalt aluminium, chrom, silicium eller kombinationer af disse);
the metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
En aktivator (normalt et halidsalt); og
an activator (normally a halide salt); and
Et inaktivt pulver, hyppigst aluminiumoxid.
an inert powder, most frequently alumina.
Substratet og pulverblandingen indeholdes i en retort, som opvarmes til mellem 1030 K (757 °C) og 1375 K (1102 °C) i tilstrækkelig lang tid til udfældning af belægningen.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Plasmasprøjtning er en overlay-belægningsproces, hvor en pistol (sprøjtebrænder), som frembringer og styrer en plasma, modtager pulver- eller trådbelægningsmaterialer, smelter dem og slynger dem mod et substrat, hvor der dannes en integreret, bonded belægning.
plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
1Lavtryk betyder mindre end det omgivende atmosfæriske tryk.
1:Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
2Høj hastighed refererer til, at gassens udgangshastighed ved dysens munding overstiger 750 m/s udregnet ved 293 K (20 °C) ved 0,1 MPa.
2:High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Slurry-belægning er en overflademodifikationsbelægnings- eller overlay-belægningsproces, hvor et metallisk eller keramisk pulver med et organisk bindemiddel opslemmes i en væske og påføres et substrat enten ved sprøjtning, dypning eller maling, hvorefter det luft- eller ovntørres og varmebehandles for at opnå den ønskede belægning.
slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Sputter-belægning er en overlay-belægningsproces, der er baseret på et momentoverførselsfænomen, hvor positive ioner accelereres af et elektrisk felt med målets (belægningsmaterialets) overflade.
sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
1Skemaet refererer kun til triode-, magnetron- eller reaktiv sputter-belægning, som bruges til at forbedre belægningens vedhængskraft og belægningsprocessens hastighed, og til radiofrekvens (RF)-forbedret sputter-belægning, der bruges til at frembringe fordampning af umetalliske belægningsmaterialer.
1:The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
2Lavenergi-ionstråler (mindre end 5 keV) kan anvendes til at aktivere belægningsprocessen.
2:Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Ion-implantering er en overflademodifikationsbelægnings-proces, hvor det grundstof, der skal legeres, bliver ioniseret, accelereret gennem en spændingsgradient og implanteret i substratets overfladeområde.
ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Note 1:Eksportkontrolstatus for udstyr og komponenter beskrevet i 3A001 eller 3A002, bortset fra det i 3A001.a.3-10 og 3A001.a.12 beskrevne, som er specielt udviklet eller som har samme funktionelle egenskaber som andet udstyr, afgøres ved dette andet udstyrs eksportkontrolstatus.
Note 1:the control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Note 2:Eksportkontrolstatus for udstyr for integrerede kredsløb beskrevet i 3A001.a.3-9 og 3A001.a.12, som er uforanderligt programmeret eller udviklet til en bestemt funktion i andet udstyr, bestemmes af dette andet udstyrs eksportkontrolstatus.
Note 2:the control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
NB:Hvis producenten eller ansøgeren ikke kan afgøre det andet udstyrs eksportkontrolstatus, bestemmes eksportkontrolstatus for de integrerede kredsløb i 3A001.a.3-9 og 3A001.a.12.
N.B.:when the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Integrerede kredsløb til generelle formål som følger:
general purpose integrated circuits, as follows:
Note 1:Eksportkontrolstatus for wafers (færdigforarbejdede eller uforarbejdede), i hvilke funktionen er fastlagt, skal bedømmes efter parametrene i 3A001.a.
Note 1:the control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Note 2:Integrerede kredsløb omfatter følgende typer:
Note 2:Integrated circuits include the following types:
En total dosis på mindst 5 × 103 Gy (silicium);
a total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
En dosisændring ved forstyrrelse på mindst 5 × 106 Gy (silicium)/s; eller
a dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
En neutronfluens (integreret flux) (1 MeV-ækvivalent) på 5 × 1013 n/cm2 eller højere for silicium eller tilsvarende for andre materialer;
a fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Note:3A001.a.1.c. finder ikke anvendelse på metalisolatorhalvledere (MIS).
Note:3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Normeret for drift ved en omgivelsestemperatur over 398 K (+125 °C);
rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Normeret for drift ved en omgivelsestemperatur under 218 K (–55 °C); eller
rated for operation at an ambient temperature below 218 K (–55 °C); or
Normeret for drift ved alle omgivelsestemperaturer mellem 218 K (–55 °C) og 398 K (+125 °C);
rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (–55 °C) et 398 K (125 °C);
Note3A001.a.2 gælder ikke for integrerede kredsløb til anvendelse i civile motorkøretøjer eller jernbanemateriel.
Note:3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Note:3A001.a.3 omfatter digitale signalprocessorer, digitale array-processorer og digitale co-processorer.
Note:3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Analog-til-digital konvertere med en eller flere af følgende egenskaber:
analogue-to-digital converters having any of the following:
NB.JF. LIGELEDES 3A101
N.B.:SEE ALSO 3A101
Opløsning på mindst 8 bit, men mindre end 10 bit, med en uddata-hastighed på over 500 mio. ord pr. sekund;
a resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
Opløsning på mindst 10 bit, men mindre end 12 bit, med en uddata-hastighed på over 200 mio. ord pr. sekund;
a resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
Opløsning på 12 bit med en uddata-hastighed på over 105 mio. ord pr. sekund;
a resolution of 12 bit with an output rate greater than 105 million words per second;
Opløsning på mere end 12 bit, men lig med eller mindre end 14 bit, med en uddata-hastighed på over 10 mio. ord pr. sekund; eller
a resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 10 million words per second; or
Opløsning på mere end 14 bit med en uddata-hastighed på over 2,5 mio. ord pr. sekund;
a resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 2,5 million words per second;
Digital-til-analog konvertere med en opløsning på mindst 12 bit, og en "konverteringstid" på mindre end 10 ns;
digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
Den angives ofte i megahertz (MHz) eller megaaftastninger pr. sekund (MSPS).
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Elektro-optiske og "optisk integrerede kredsløb" til "signalbehandling" med:
electro-optical and "optical integrated circuits" designed for "signal processing" having all of the following:
En eller flere interne "laser"-dioder;
one or more than one internal "laser" diode;
Et eller flere interne lysdetektorelementer; og
one or more than one internal light detecting element; and
Optiske bølgeledere;
optical waveguides;
Logiske anordninger, der er programmerbare på stedet, med:
field programmable logic devices having any of the following:
Ækvivalent brugbart gateantal på mere end 30000 (2 input-gates);
an equivalent usable gate count of more than 30000 (2 input gates);
Typisk "basal gate-transmissionsforsinkelse" på mindre end 0,1 ns; eller
a typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
En toggle-frekvens over 133 MHz;
a toggle frequency exceeding 133 MHz;
Note:3A001.a.7 omfatter:
Note:3A001.a.7. includes:
Enkle programmerbare logiske anordninger (SPLD);
simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
Komplekse programmerbare logiske anordninger (CPLD);
complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
Gate arrays, der er programmerbare på stedet (FPGA);
field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
Logiske arrays, der er programmerbare på stedet (FPLA);
field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
Kontakter, der er programmerbare på stedet (FPIC).
field Programmable Interconnects (FPICs)
NB:Logiske anordninger, der er programmerbare på stedet, kaldes også gate arrays, der er programmerbare på stedet, eller logiske arrays, der er programmerbare på stedet.
N.B.:field programmable logic devices are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
Integrerede kredsløb til neurale net;
neural network integrated circuits;
Kundespecificerede integrerede kredsløb, for hvilke funktionen er ukendt, eller eksportkontrolstatus for det udstyr, i hvilket de integrerede kredsløb skal anvendes, er ukendt for producenten, med en eller flere af følgende egenskaber:
custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
Mere end 1000 terminaler;
more than 1000 terminals;
Driftsfrekvens på mere end 3 GHz;
an operating frequency exceeding 3 GHz;
Digitale integrerede kredsløb, ud over de i 3A001.a.3-10 og 3A001.a.12 beskrevne, baseret på en hvilken som helst sammensat halvleder, og med:
digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Ækvivalent gateantal på mere end 3000 (2 input-gates); eller
an equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
Toggle-frekvens på mere end 1,2 GHz;
a toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
Mikro- eller millimeterbølgekomponenter som følger:
microwave or millimetre wave components, as follows:
Elektroniske vakuumrør og katoder som følger:
electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:
Note 1:3A001.b.1 lægger ikke eksportkontrol på rør, der er konstrueret eller normeret til drift i frekvensbånd, som har samtlige følgende egenskaber:
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
Højst 31,8 GHz; og
does not exceed 31,8 GHz; and
"Allokeret af ITU" til radiokommunikationstjenester, men ikke til radiostedbestemmelse.
is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Note 2:3A001.b.1 lægger ikke eksportkontrol på ikke-"rumkvalificerede" rør, som har samtlige følgende egenskaber:
Note 2:3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes which meet all of the following characteristics:
Middeludgangseffekt på 50 W eller derunder; og
an average output power equal to or less than 50 W; and
Konstrueret eller normeret til drift i frekvensbånd, som har samtlige følgende egenskaber:
designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
Mere end 31,8 GHz, men højst 43,5 GHz; og
exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
Vandrebølgerør, pulserende eller kontinuert bølge som følger:
travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
Til drift ved frekvenser på mere end 31,8 GHz;
operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Med et katodevarmeelement, hvis opvarmningstid til nominel RF-effekt er på mindre end 3 sekunder;
having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;