natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Koblede hulrumsrør eller derivater af disse med en "relativ båndbredde" på over 7 % eller en maksimal effekt på over 2,5 kW;
coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
Helix-rør, eller derivater heraf, med en eller flere af følgende egenskaber:
helix tubes, or derivatives thereof, with any of the following characteristics:
"Momentan båndbredde" på mere end en oktav og et produkt af gennemsnitlig effekt (udtrykt i kW) og frekvens (udtrykt i GHz) på mere end 0,5;
an "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
"Momentan båndbredde" på en oktav eller derunder og et produkt af gennemsnitlig effekt (udtrykt i kW) og frekvens (udtrykt i GHz) på mere end 1; eller
an "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
"Rumkvalificeret";
being "space qualified";
Krydsfeltforstærkerrør med en forstærkning på mere end 17 dB;
crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
Imprægnerede katoder til elektronrør med en kontinuerlig emissionsstrømtæthed ved nominelle driftsbetingelser på mere end 5 A/cm2;
impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
Effektforstærkere med monolitisk integrerede mikrobølgekredsløb (MMIC) med en eller flere af følgende egenskaber:
microwave monolithic integrated circuits (MMIC) power amplifiers having any of the following:
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 3,2 GHz til og med 6 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 4 W (36 dBm) med en "relativ båndbredde" på mere end 15 %;
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 6 GHz til og med 16 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 1 W (30 dBm) med en "relativ båndbredde" på mere end 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 16 GHz til og med 31,8 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 0,8 W (29 dBm) med en "relativ båndbredde" på mere end 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 31,8 GHz til og med 37,5 GHz;
rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 37,5 GHz til og med 43,5 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 0,25 W (24 dBm) med en "relativ båndbredde" på mere end 10 %; eller
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 43,5 GHz;
rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz.
Note 1:3A001.b.2 lægger ikke eksportkontrol på broadcast-satellitudstyr, der er konstrueret eller normeret til drift i frekvensområdet mellem 40,5 GHz og 42,5 GHz.
Note 1:3A001.b.2. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 GHz to 42,5 GHz.
Note 2:Eksportkontrolstatus for MMIC, hvis nominelle driftsfrekvens omfatter frekvenser opført i mere end ét frekvensområde som defineret i 3A001.b.2.a. til 3A001.b.2.f., afgøres ved den laveste eksportkontroltærskel for middeludgangseffekt.
Note 2:the control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Note 3:Note 1 og 2 i hovedet til kategori 3 betyder, at 3A001.b.2 ikke lægger eksportkontrol på MMIC, der er specielt konstruerede til andre formål, f.eks. telekommunikation, radar eller motorkøretøjer.
Note 3:Notes 1 and 2 in the chapeau to Category 3 mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
Diskrete mikrobølgetransistorer med en eller flere af følgende egenskaber:
discrete microwave transistors having any of the following:
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 3,2 GHz til og med 6 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 60 W (47,8 dBm);
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and having an average output power greater than 60W (47,8 dBm);
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 6 GHz til og med 31,8 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 20 W (43 dBm);
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and having an average output power greater than 20W (43 dBm);
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 31,8 GHz til og med 37,5 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 0,5 W (27 dBm);
rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and having an average output power greater than 0,5W (27 dBm);
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 37,5 GHz til og med 43,5 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 1 W (30 dBm); eller
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
Note:Eksportkontrolstatus for en transistor, hvis nominelle driftsfrekvens omfatter frekvenser opført i mere end ét frekvensområde som defineret i 3A001.b.3.a til 3A001b.3.e., afgøres ved den laveste eksportkontroltærskel for middeludgangseffekt.
Note:the control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Mikrobølgehalvlederforstærkere og mikrobølgesamlinger/-moduler indeholdende mikrobølgeforstærkere med en eller flere af følgende egenskaber:
microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave amplifiers having any of the following:
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 3,2 GHz til og med 6 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 60 W (47,8 dBm) med en "relativ båndbredde" på mere end 15 %;
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 60W (47,8 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 6 GHz til og med 31,8 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 15 W (42 dBm) med en"relativ båndbredde" på mere end 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15W (42 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 37,5 GHz til og med 43,5 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 1 W (30 dBm) med en "relativ båndbredde" på mere end 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 43,5 GHz; eller
rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz; or
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 3,2 GHz og med samtlige følgende egenskaber:
rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
En middeludgangseffekt (i watt), P, der er større end 150 divideret med den maksimale driftsfrekvens (i GHz) i anden potens [P > 150 W*GHz2/fGHz2];
an average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P>150 W*GHz2/fGHz2];
En relativ båndbredde på mindst 5 %; og
a fractional bandwidth of 5 % or greater; and
To på hinanden vinkelrette sider, hvor længden d (i cm) er mindre eller lig med 15 divideret med den laveste driftsfrekvens i GHz [d = 15 cm*GHz/fGHz];
any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d = 15 cm*GHz/fGHz].
3,2 GHz bør anvendes som den laveste driftsfrekvens (GHz) i formlen i 3A001.b.4.f.3. i forbindelse med forstærkere, der har en nominel aktionsradius ned til 3,2 GHz og under [d ≤ 15 cm*GHz/3.2 GHz].
3,2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3,2 GHz and below [d ≤ 15 cm*GHz/3,2 GHz].
NB:MMIC-effektforstærkere skal vurderes på baggrund af kriterierne i 3A001.b.2.
N.B.:MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
Note 1:3A001.b.4 lægger ikke eksportkontrol på broadcast-satellitudstyr, der er konstrueret eller normeret til drift i frekvensområdet mellem 40,5 GHz og 42,5 GHz.
Note 1:3A001.b.4. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 to 42,5 GHz.
Note 2:Eksportkontrolstatus for et produkt, hvis nominelle driftsfrekvens omfatter frekvenser opført i mere end ét frekvensområde som defineret i 3A001.b.4.a. til 3A001.b.4.e., afgøres ved den laveste eksportkontroltærskel for middeludgangseffekt.
Note 2:the control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Elektronisk eller magnetisk afstemmelige båndpas- eller båndstopfiltre med mere end 5 afstemmelige resonatorer, der er i stand til at afstemme over et 1,5:1-frekvensbånd (fmax/fmin) på mindre end 10 μs med:
electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs having any of the following:
Gennemgangsbåndbredde på mere end 0,5 % af centerfrekvensen; eller
a band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
Båndstopbåndbredde på mindre end 0,5 % af centerfrekvensen;
a band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
Miksere og konvertere, der er konstrueret til at udvide frekvensområdet for det udstyr, der er beskrevet i 3A002.c, 3A002.e eller 3A002.f, ud over de der angivne grænser;
mixers and converters designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
Mikrobølgeforstærkere med rør, som er specificeret i 3A001.b, og med samtlige følgende egenskaber:
microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b. and having all of the following:
Opererer ved frekvenser på mere end 3 GHz;
operating frequencies above 3 GHz;
Gennemsnitlig udgangseffekttæthed på mere end 80 W/kg; og
an average output power density exceeding 80 W/kg; and
Rumfang på mindre end 400 cm3;
a volume of less than 400 cm3;
Note:3A001.b.8 lægger ikke eksportkontrol på kontroludstyr, der er konstrueret eller normeret til drift i frekvensbånd, som er "allokeret af ITU" til radiokommunikationstjenester, men ikke til radiostedbestemmelse.
Note:3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Mikrobølgeeffektmoduler (MPM) bestående af mindst et vandrebølgerør, et monolitisk integreret mikrobølgekredsløb og en integreret elektronisk energikonditioneringsanordning og med samtlige følgende egenskaber:
microwave power modules (MPM), consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave monolithic integrated circuit and an integrated electronic power conditioner, having all of the following characteristics:
Tændtid fra slukket tilstand til fuld drift på under 10 sekunder
a turn-on time from off to fully operational in less than 10 seconds;
En volumen på under den maksimale nominelle effekt i watt ganget med 10 cm3/W og
a volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
En "momentan båndbredde" større end 1 oktav (fmax > 2fmin) og en eller flere af følgende egenskaber:
an "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax. > 2 fmin.) and any of the following:
For frekvenser på 18 GHz eller derunder en RF-udgangseffekt på over 100 W eller
for frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
En frekvens på over 18 GHz.
having a frequency greater than 18 GHz.
Til beregning af kontrolvolumen i 3A001.b.9.b. gives følgende eksempel: for en maksimal nominel effekt på 20 W vil volumen være: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
to calculate the control volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Tændtiden i 3A001.b.9.a. er tiden fra helt slukket tilstand til fuld drift, dvs. omfatter MPM'ens opvarmningstid.
the turn-on time in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational; i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
Følgende akustisk bølgeudstyr samt specielt konstruerede komponenter hertil:
acoustic wave devices, as follows, and specially designed components therefor:
Akustisk bølgeudstyr og "surface skimming" (fladt volumen) akustisk bølgeudstyr (dvs. "signalbehandlings"-udstyr, der anvender elastiske bølger i materialer), med:
surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves in materials), having any of the following:
Bærefrekvens over 2,5 GHz;
a carrier frequency exceeding 2,5 GHz;
Bærefrekvens på mere end 1 GHz, men højst 2,5 GHz, og:
a carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 2,5 GHz, and having any of the following:
Frekvenssidesløjfedæmpning på mere end 55 dB;
a frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB;
Produktet af den største forsinkelse og båndbredden (tid i μs og båndbredde i MHz) på mere end 100;
a product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
Båndbredde over 250 MHz; eller
a bandwidth greater than 250 MHz; or
Spredningsforsinkelse på mere end 10 μs; eller
a dispersive delay of more than 10 μs; or
Bærefrekvens på højst 1 GHz og med:
a carrier frequency of 1 GHz or less, having any of the following:
Frekvenssidesløjfedæmpning på mere end 55 dB og båndbredde over 50 MHz;
a frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB and a bandwidth greater than 50 MHz;
Volumen-akustiskbølgeudstyr (dvs. "signalbehandlings"-udstyr, der anvender elastiske bølger), som tillader direkte signalbehandling ved frekvenser på over 1 GHz;
bulk (volume) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves) which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 1 GHz;
Akustisk-optisk "signalbehandlings"-udstyr, der anvender vekselvirkning mellem akustiske bølger (volumenbølge eller overfladebølge) og lysbølger, der tillader direkte behandling af signaler eller billeder, inklusive spektralanalyse, korrelation eller konvolution;
acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Elektronisk udstyr eller kredsløb, der indeholder komponenter, der er fremstillet af "superledende" materialer, der er specielt beregnet til drift ved temperaturer under mindst en af de "superledende" bestanddeles "kritiske temperatur", med:
electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents, with any of the following:
Strømkobling til digitale kredsløb ved hjælp af "superledende" porte med et produkt af forsinkelse pr. port (i sekunder) og effekttab pr. port (i watt) på mindre end 10–14 J; eller
current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
Frekvensvalg ved alle frekvenser ved hjælp af resonanskredse med Q-værdier på mere end 10000;
frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
Højenergiudstyr som følger:
high energy devices, as follows:
’Celler’ som følger:
’cells’, as follows:
’Primærceller’ med en ’energitæthed’ på mere end 550 Wh/kg ved 20 °C.
’primary cells’ having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
’Sekundærceller’ med en ’energitæthed’ på mere end 250 Wh/kg.
’secondary cells’ having 250 Wh/kg;
I forbindelse med 3A001.e.1. beregnes ’energitætheden’ (Wh/kg) som den nominelle spænding ganget med den nominelle kapacitet i amperetimer divideret med massen i kg.
For the purpose of 3A001.e.1., "energy density" (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere hours divided by the mass in kilograms.
Hvis den nominelle kapacitet ikke er angivet, beregnes energitætheden som den nominelle spænding i anden og derefter ganget med udladningstiden i timer divideret med udladningsbelastningen i ohm og massen i kg.
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
I forbindelse med 3A001.e.1. defineres en ’celle’ som en elektrokemisk anordning, der har positive og negative elektroder og en elektrolyt, og som er en kilde til elektrisk energi.
for the purpose of 3A001.e.1., a ’cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, and electrolyte, and is a source of electrical energy.
Den er grundbyggeklodsen i et batteri.
It is the basic building block of a battery.
I forbindelse med 3A001.e.1.a. er en ’primærcelle’ en ’celle’, der ikke er beregnet til at blive ladet af en anden kilde.
for the purpose of 3A001.e.1.a., a ’primary cell’ is a ’cell’ that is not designed to be charged by any other source.
I forbindelse med 3A001.e.1.b. er en ’sekundærcelle’ en ’celle’, der er beregnet til at blive ladet af en ekstern elektrisk kilde.
for the purpose of 3A001.e.1.b., a ’secondary cell’ is a ’cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
Note:3A001.e.1 lægger ikke eksportkontrol på batterier, herunder enkeltcellebatterier.
Note:3A001.e.1. does not control batteries, including single cell batteries.
Følgende højenergilagerkondensatorer:
high energy storage capacitors, as follows:
NB:JF. LIGELEDES 3A201.a
N.B.:SEE ALSO 3A201.a.
Kondensatorer med en gentagelseshastighed på mindre end 10 Hz (singleshot-kondensatorer) med samtlige følgende egenskaber:
capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) having all of the following:
Mærkespænding på mindst 5 kV;
a voltage rating equal to or more than 5 kV;
Energitæthed på mindst 250 J/kg; og
an energy density equal to or more than 250 J/kg; and
Total energi på mindst 25 kJ;
a total energy equal to or more than 25 kJ;
Kondensatorer med en gentagelseshastighed på 10 Hz eller mere (gentagelseskondensatorer) med samtlige af følgende egenskaber:
capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) having all of the following:
Energitæthed på mindst 50 J/kg;
an energy density equal to or more than 50 J/kg;
Total energi på mindst 100 J; og
a total energy equal to or more than 100 J; and
Ladnings/afladningscykluslevetid på mindst 10000;
a charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
NB:JF. LIGELEDES 3A201.b
N.B.:SEE ALSO 3A201.b.
Note:3A001.e.3 lægger ikke eksportkontrol på "superledende" elektromagneter eller solenoider, der er specielt konstrueret til medicinsk udstyr til magnetisk resonansbilleddannelse (MRI).
Note:3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Energiafgivelse på mere end 10 kJ i løbet af det første sekund;
energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
Indre diameter af strømvindingerne mere end 250 mm; og
inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
Nominel magnetisk induktion mere end 8 T eller "total strømtæthed" i vindingen mere end 300 A/mm2;
rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
Solceller, samlinger af forbundne solceller med dækglas (CIC), solpaneler og solarrays, der er "rumkvalificerede" og har en mindste gennemsnitseffektivitet på over 20 % ved en driftstemperatur på 301 K (28 °C) ved en simuleret AM0-belysning med en bestråling på 1367 watt pr. kvatratmeter (W/m2).
solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2).
’AM0’ eller ’Air Mass Zero’ er sollysets spektrale bestråling i jordens ydre atmosfære, når afstanden mellem jorden og solen er én astronomisk enhed (AU).
’AM0’, or ’Air Mass Zero’, refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Enkodere til absolut akselposition med roterende input med:
rotary input type shaft absolute position encoders having any of the following:
Opløsning bedre end 1 af 265000 (18 bit opløsning) af fuld skala; eller
a resolution of better than 1 part in 265000 (18 bit resolution) of full scale; or
Nøjagtighed bedre end ±2,5 buesekund.
an accuracy better than ±2,5 seconds of arc.
Faststof-thyristorkoblingsanordninger med impulseffekt og ’thyristormoduler’, der anvender koblingsmetoder, som styres elektronisk, optisk eller med elektronstråling, og som har en eller flere af følgende egenskaber:
solid-state pulsed power switching thyristor devices and ’thyristor modules’ using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods, having any of the following:
En maksimal strømstigning ved tænding (di/dt) på over 30000 A/µs og en spænding i slukket tilstand på over 1100 V eller
a maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
En maksimal strømstigning ved tænding (di/dt) på over 2000 A/µs og alle de følgende egenskaber:
a maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and all of the following:
En spidsspænding i slukket tilstand på 3000 V eller derover og
an off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
En (kraftig) spidsstrøm på 3000 A eller derover.
a peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
Note 1:3A001.g. omfatter:
Note 1:3A001.g. includes:
Silikonestyrede ensrettere (SCR)
silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Elektrisk styrede thyristorer (ETT)
electrical Triggering Thyristors (ETTs)
Lysstyrede thyristorer (LTT)
light Triggering Thyristors (LTTs)
Integrerede brokommuterede thyristorer (IGCT)
integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
Gate Turn-Off thyristorer (GTO)
gate Turn-off Thyristors (GTOs)
MOS-styrede thyristorer (MCT)
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
Solidtroner
solidtrons
Note 2:3A001.g. lægger ikke eksportkontrol på thyristoranordninger og ’thyristormoduler’, der er indbygget i udstyr til anvendelse i civil jernbanedrift eller "civile fly".
Note 2:3A001.g. does not control thyristor devices and ’thyristor modules’ incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.