natgillin/translations-raw huggingface dataset:
'Dielektriske lag' er belægninger, der er konstrueret af flere lag af isolerende materialer, i hvilket interferensegenskaberne ved en konstruktion, der er sammensat af materialer med forskelligt refraktivt indeks, bruges til at reflektere, transmittere eller absorbere forskellige bølgelængdebånd.
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Dielektriske lag refererer til mere end fire dielektriske lag eller "sammensatte" lag af dielektrikametal.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
'Cementeret wolframcarbid' omfatter ikke skære- og formeværktøjsmaterialer bestående af wolframcarbid/(cobalt, nikkel), titancarbid/(cobalt, nikkel), chromcarbid/nikkel-chrom og chrom carbid/nikkel.
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
'Siliciumcarbid' omfatter ikke materialer til fremstilling af skære- og formværktøj.
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
2 Pakket betyder, at et substrat er nedlagt i en pulverblanding.
2 Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
3 De gasformige reaktanter, der anvendes i en ikke-pakket proces, frembringes ved brug af de samme grundreaktioner og parametre som i pakkecementeringsprocessen, med undtagelse af, at det substrat, der skal belægges, ikke er i kontakt med pulverblandingen.
3 The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Termisk fordampning-fysisk dampudfældning (TE-PVD) er en overlay-belægningsproces, der foregår i et vakuum med et tryk på mindre end 0,1 Pa, i hvilket der bruges en termisk energikilde til at fordampe belægningsmaterialet.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Elektronstråle-PVD bruger en elektronstråle til opvarmning og fordampning af det materiale, der danner belægningen.
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
Styret bevægelse af buen eroderer katodeoverfladen og skaber en højioniseret plasma.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
Ionplettering er en speciel modificering af en generel TE-PVD-proces, hvorved en plasma- eller ionkilde bruges til at ionisere de materialer, der skal danne belægningen, og substratet gives negativ "bias" for at lette udstrækningen fra plasmaen af det materiale, der skal pålægges.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Pakcementering er en overflademodifikationsbelægning eller overlay-belægningsproces, hvor substratet nedlægges i en pulverblanding (en pakning), som består af:
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
De metalliske pulvere, der skal danne belægningen (normalt aluminium, chrom, silicium eller kombinationer af disse);
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
En aktivator (normalt et halidsalt); og
An activator (normally a halide salt); and
Plasmasprøjtning er en overlay-belægningsproces, hvor en pistol (sprøjtebrænder), som frembringer og styrer en plasma, modtager pulver- eller trådbelægningsmaterialer, smelter dem og slynger dem mod et substrat, hvor der dannes en integreret, bonded belægning.
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
1 Lavtryk betyder mindre end det omgivende atmosfæriske tryk.
1 Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
2 Høj hastighed refererer til, at gassens udgangshastighed ved dysens munding overstiger 750 m/s udregnet ved 293 K (20 °C) ved 0,1 MPa.
2 High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Slurry-belægning er en overflademodifikationsbelægnings- eller overlay-belægningsproces, hvor et metallisk eller keramisk pulver med et organisk bindemiddel opslemmes i en væske og påføres et substrat enten ved sprøjtning, dypning eller maling, hvorefter det luft- eller ovntørres og varmebehandles for at opnå den ønskede belægning.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Sputter-belægning er en overlay-belægningsproces, der er baseret på et momentoverførselsfænomen, hvor positive ioner accelereres af et elektrisk felt med målets (belægningsmaterialets) overflade.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
1 Skemaet refererer kun til triode-, magnetron- eller reaktiv sputter-belægning, som bruges til at forbedre belægningens vedhængskraft og belægningsprocessens hastighed, og til radiofrekvens (RF)-forbedret sputter-belægning, der bruges til at frembringe fordampning af umetalliske belægningsmaterialer.
1 The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Ion-implantering er en overflademodifikationsbelægnings-proces, hvor det grundstof, der skal legeres, bliver ioniseret, accelereret gennem en spændingsgradient og implanteret i substratets overfladeområde.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Dette omfatter processer, hvor ion-implanteringen sker samtidig med fysisk dampudfældning med elektronstråle eller sputter-belægning.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
KATEGORI 3
CATEGORY 3
ELEKTRONIK
ELECTRONICS
Note 1: Eksportkontrolstatus for udstyr og komponenter beskrevet i 3A001 eller 3A002, bortset fra det i 3A001.a.3-10 og 3A001.a.12 beskrevne, som er specielt udviklet eller som har samme funktionelle egenskaber som andet udstyr, afgøres ved dette andet udstyrs eksportkontrolstatus.
Note 1: The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Note 2: Eksportkontrolstatus for udstyr for integrerede kredsløb beskrevet i 3A001.a.3-9 og 3A001.a.12, som er uforanderligt programmeret eller udviklet til en bestemt funktion i andet udstyr, bestemmes af dette andet udstyrs eksportkontrolstatus.
Note 2: The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
NB: Hvis producenten eller ansøgeren ikke kan afgøre det andet udstyrs eksportkontrolstatus, bestemmes eksportkontrolstatus for de integrerede kredsløb i 3A001.a.3-9 og 3A001.a.12.
N.B.: When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Er det integrerede kredsløb et siliciumbaseret "mikrocomputer-mikrokredsløb" eller mikrocontroller-mikrokredsløb som beskrevet i 3A001.a.3 med en operand- (data) ordlængde på 8 bit eller derunder, bestemmes dets eksportkontrolstatus i 3A001.a.3.
If the integrated circuit is a silicon-based "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit described in 3A001.a.3. having an operand (data) word length of 8 bit or less, the control status of the integrated circuit is determined in 3A001.a.3.
"Monolitisk integrerede kredsløb";
"Monolithic integrated circuits";
"Hybride integrerede kredsløb";
"Hybrid integrated circuits";
"Multichip integrerede kredsløb";
"Multichip integrated circuits";
"Film-type integrerede kredsløb", inklusive silicium-på-safir integrerede kredsløb;
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
En total dosis på mindst 5 × 103 Gy (silicium);
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
En dosisændring ved forstyrrelse på mindst 5 × 106 Gy (silicium)/s; eller
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
En neutronfluens (integreret flux) (1 MeV-ækvivalent) på 5 × 1013 n/cm2 eller højere for silicium eller tilsvarende for andre materialer;
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
"Mikroprocessor-mikrokredsløb", "mikrocomputer-mikrokredsløb", mikrocontroller-mikrokredsløb, integrerede hukommelseskredsløb fremstillet af en sammensat halvleder, integrerede kredsløb til analog-til-digital konvertering, integrerede kredsløb til digital-til-analog konvertering, elektro-optiske eller "optisk integrerede kredsløb" til "signalbehandling", logiske anordninger, der er programmerbare på stedet, neurale netintegrerede kredsløb, kundespecificerede integrerede kredsløb, for hvilke enten funktionen er ukendt, eller eksportkontrolstatus for det udstyr, i hvilket de integrerede kredsløb skal anvendes, ukendt, processorer til Fast Fourier-Transformation (FFT), elektrisk sletbare programmerbare read-only-hukommelser (EEPROM), flash-hukommelser eller statiske random-access-hukommelser (SRAM) med en eller flere af følgende egenskaber:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
Normeret for drift ved en omgivelsestemperatur over 398 K (+ 125 °C);
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Normeret for drift ved en omgivelsestemperatur under 218 K (– 55 °C); eller
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
Normeret for drift ved alle omgivelsestemperaturer mellem 218 K (– 55 °C) og 398 K (+ 125 °C);
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) et 398 K (125 °C);
"mikrocomputer-mikrokredsløb", "mikrocomputer-mikrokredsløb" og mikrocontroller mikrokredsløb fremstillet af en sammensat halvleder og med en taktfrekvens på mere end 40 MHz.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
Integrerede hukommelseskredsløb fremstillet af en sammensat halvleder;
Storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor;
Opløsning på mindst 8 bit, men mindre end 10 bit, med en uddata-hastighed på over 500 mio. ord pr. sekund;
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
Opløsning på mindst 10 bit, men mindre end 12 bit, med en uddata-hastighed på over 200 mio. ord pr. sekund;
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
Opløsning på 12 bit med en uddata-hastighed på over 50 mio. ord pr. sekund;
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 50 million words per second;
Opløsning på mere end 12 bit, men lig med eller mindre end 14 bit, med en uddata-hastighed på over 5 mio. ord pr. sekund; eller
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 5 million words per second; or;
Opløsning på mere end 14 bit med en uddata-hastighed på over 1 mio. ord pr. sekund;
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 1 million words per second;
Digital-til-analog konvertere med en opløsning på mindst 12 bit, og en "konverteringstid" på mindre end 10 ns;
Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
Uddata-hastigheden er konverterens maksimale uddata-hastighed uanset arkitektur eller oversampling.
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
Sælgere kan også omtale uddata-hastigheden som aftastningsfrekvens, konverteringshastighed eller kapacitet.
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
Ved måling af uddata-hastighed svarer et uddata-ord pr. sekund til en Hertz eller en aftastning pr. sekund.
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
En eller flere interne "laser"-dioder;
One or more than one internal "laser" diode;
Et eller flere interne lysdetektorelementer; og
One or more than one internal light detecting element; and
Optiske bølgeledere;
Optical waveguides;
Ækvivalent brugbart gateantal på mere end 30000 (2 input-gates);
An equivalent usable gate count of more than 30000 (2 input gates);
Typisk "basal gate-transmissionsforsinkelse" på mindre end 0,1 ns; eller
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
En toggle-frekvens over 133 MHz; Note:
A toggle frequency exceeding 133 MHz;
3A001.a.7 omfatter:
Note: 3A001.a.7. includes:
Enkle programmerbare logiske anordninger (SPLD);
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
Komplekse programmerbare logiske anordninger (CPLD);
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
Gate arrays, der er programmerbare på stedet (FPGA);
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
Logiske arrays, der er programmerbare på stedet (FPLA);
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
Kontakter, der er programmerbare på stedet (FPIC).
Field Programmable Interconnects (FPICs)
NB: Logiske anordninger, der er programmerbare på stedet, kaldes også gate arrays, der er programmerbare på stedet, eller logiske arrays, der er programmerbare på stedet.
N.B.: Field programmable logic devices are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
Integrerede kredsløb til neurale net;
Neural network integrated circuits;
Mere end 1000 terminaler;
More than 1000 terminals;
Driftsfrekvens på mere end 3 GHz;
An operating frequency exceeding 3 GHz;
Ækvivalent gateantal på mere end 3000 (2 input-gates); eller
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
Toggle-frekvens på mere end 1,2 GHz;
A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
Processorer til Fast Fourier-transformation (FFT) med en normeret udførelseshastighed for en N-punkts kompleks FFT på mindre end (N log2N)/20480 ms, hvor N er antallet af punkter;
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2N)/20480 ms, where N is the number of points;
Højst 31,8 GHz; og
Does not exceed 31,8 GHz; and
"Allokeret af ITU" til radiokommunikationstjenester, men ikke til radiostedbestemmelse.
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Middeludgangseffekt på 50 W eller derunder; og
An average output power equal to or less than 50 W; and
Mere end 31,8 GHz, men højst 43,5 GHz; og
Exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
Til drift ved frekvenser på mere end 31,8 GHz;
Operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Med et katodevarmeelement, hvis opvarmningstid til nominel RF-effekt er på mindre end 3 sekunder;
Having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
Koblede hulrumsrør eller derivater af disse med en "relativ båndbredde" på over 7 % eller en maksimal effekt på over 2,5 kW;
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
"Momentan båndbredde" på mere end en oktav og et produkt af gennemsnitlig effekt (udtrykt i kW) og frekvens (udtrykt i GHz) på mere end 0,5;
An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
"Momentan båndbredde" på en oktav eller derunder og et produkt af gennemsnitlig effekt (udtrykt i kW) og frekvens (udtrykt i GHz) på mere end 1; eller
An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
"Rumkvalificeret";
Being "space qualified";
Krydsfeltforstærkerrør med en forstærkning på mere end 17 dB;
Crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
Imprægnerede katoder til elektronrør med en kontinuerlig emissionsstrømtæthed ved nominelle driftsbetingelser på mere end 5 A/cm2;
Impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 3,2 GHz til og med 6 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 4 W (36 dBm) med en "relativ båndbredde" på mere end 15 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 6 GHz til og med 16 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 1 W (30 dBm) med en "relativ båndbredde" på mere end 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 16 GHz til og med 31,8 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 0,8 W (29 dBm) med en "relativ båndbredde" på mere end 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 31,8 GHz til og med 37,5 GHz;
Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 37,5 GHz til og med 43,5 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 0,25 W (24 dBm) med en "relativ båndbredde" på mere end 10 %; eller
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 43,5 GHz;
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz.
Note 2: Eksportkontrolstatus for MMIC, hvis nominelle driftsfrekvens omfatter frekvenser opført i mere end ét frekvensområde som defineret i 3A001.b.2.a. til 3A001.b.2.f., afgøres ved den laveste eksportkontroltærskel for middeludgangseffekt.
Note 2: The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Diskrete mikrobølgetransistorer med en eller flere af følgende egenskaber:
Discrete microwave transistors having any of the following:
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 3,2 GHz til og med 6 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 60 W (47,8 dBm);
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and having an average output power greater than 60W (47,8 dBm);
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 6 GHz til og med 31,8 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 20 W (43 dBm);
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and having an average output power greater than 20W (43 dBm);
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 31,8 GHz til og med 37,5 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 0,5 W (27 dBm);
Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and having an average output power greater than 0,5W (27 dBm);
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 37,5 GHz til og med 43,5 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 1 W (30 dBm); eller
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
Note: Eksportkontrolstatus for en transistor, hvis nominelle driftsfrekvens omfatter frekvenser opført i mere end ét frekvensområde som defineret i 3A001.b.3.a til 3A001b.3.e., afgøres ved den laveste eksportkontroltærskel for middeludgangseffekt.
Note: The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 3,2 GHz til og med 6 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 60 W (47,8 dBm) med en "relativ båndbredde" på mere end 15 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 60W (47,8 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 6 GHz til og med 31,8 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 15 W (42 dBm) med en"relativ båndbredde" på mere end 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15W (42 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 37,5 GHz til og med 43,5 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 1 W (30 dBm) med en "relativ båndbredde" på mere end 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 37,.5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 43,5 GHz; eller
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz; or
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 3,2 GHz og med samtlige følgende egenskaber:
Rated for operation at frequencies above 3.2 GHz and having all of the following:
En middeludgangseffekt (i watt), P, der er større end 150 divideret med den maksimale driftsfrekvens (i GHz) i anden potens [P > 150 W*GHz2/fGHz2];
An average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P>150 W*GHz2/fGHz2];
En relativ båndbredde på mindst 5 %; og
A fractional bandwidth of 5 % or greater; and