natgillin/translations-raw huggingface dataset:
To på hinanden vinkelrette sider, hvor længden d (i cm) er mindre eller lig med 15 divideret med den laveste driftsfrekvens i GHz [d = 15 cm*GHz/fGHz]; Teknisk note:
Any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d=15cm*GHz/ fGHz].
Gennemgangsbåndbredde på mere end 0,5 % af centerfrekvensen; eller
A band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
Båndstopbåndbredde på mindre end 0,5 % af centerfrekvensen;
A band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
Miksere og konvertere, der er konstrueret til at udvide frekvensområdet for det udstyr, der er beskrevet i 3A002.c, 3A002.e eller 3A002.f, ud over de der angivne grænser;
Mixers and converters designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
Mikrobølgeforstærkere med rør, som er specificeret i 3A001.b, og med samtlige følgende egenskaber:
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b. and having all of the following:
Produktet af den største forsinkelse og båndbredden (tid i μs og båndbredde i MHz) på mere end 100;
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
Spredningsforsinkelse på mere end 10 μs; eller
A dispersive delay of more than 10 μs; or
Frekvenssidesløjfedæmpning på mere end 55 dB og båndbredde over 50 MHz;
A frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB and a bandwidth greater than 50 MHz;
Strømkobling til digitale kredsløb ved hjælp af "superledende" porte med et produkt af forsinkelse pr. port (i sekunder) og effekttab pr. port (i watt) på mindre end 10– 14 J; eller
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10– 14 J; or
Frekvensvalg ved alle frekvenser ved hjælp af resonanskredse med Q-værdier på mere end 10000;
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
Batterier og fotovoltaiske grupper som følger:
Batteries and photovoltaic arrays, as follows:
Primærceller og batterier med en 'energitæthed' på mere end 480 Wh/kg og konstrueret til drift i temperaturområdet fra under 243 K (– 30 °C) til over 343 K (70 °C).
Primary cells and batteries having an 'energy density' exceeding 480 Wh/kg and rated for operation in the temperature range from below 243 K (– 30 °C) to above de 343 K (70 °C);
Genopladelige celler og batterier med en 'energitæthed' på mere end 150 Wh/kg efter 75 ladnings/afladningscykler ved en afladningsstrøm lig med C/5 timer (hvor C er den nominelle kapacitet i amperetimer), når de opererer i temperaturområdet fra under 253 K (– 20 °C) til over 333 K (+ 60 °C);
Rechargeable cells and batteries having an 'energy density' exceeding 150 Wh/kg after 75 charge/discharge cycles at a discharge current equal to C/5 hours (C being the nominal capacity in ampere hours) when operating in the temperature range from below 253 K (– 20 °C) to above 333 K (60 °C);
'Energitæthed' fås ved at gange middeleffekten i watt (middelspænding i volt gange middelstrøm i ampere) med varigheden af afladningen i timer til 75 % af tomgangsspænding divideret med cellens (eller batteriets) totale masse i kg.
"Energy density" is obtained by multiplying the average power in watts (average voltage in volts times average current in amperes) by the duration of the discharge in hours to 75 % of the open circuit voltage divided by the total mass of the cell (or battery) in kg.
Mærkespænding på mindst 5 kV;
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
Energitæthed på mindst 50 J/kg;
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
Total energi på mindst 100 J; og
A total energy equal to or more than 100 J; and
Ladnings/afladningscykluslevetid på mindst 10000;
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
NB: JF. LIGELEDES 3A201.b
N.B.: SEE ALSO 3A201.b.
Energiafgivelse på mere end 10 kJ i løbet af det første sekund;
Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
Indre diameter af strømvindingerne mere end 250 mm; og
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
Nominel magnetisk induktion mere end 8 T eller "total strømtæthed" i vindingen mere end 300 A/mm2;
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
Analoge instrumenteringsmagnetbåndoptagere, inklusive sådanne som muliggør optagelse af digitale signaler (f.eks. ved hjælp af High density digitalt (HDDR) optagemodul), med:
Analogue instrumentation magnetic tape recorders, including those permitting the recording of digital signals (e.g. using a high density digital recording (HDDR) module), having any of the following:
Båndbredde over 4 MHz pr. elektronisk kanal eller spor;
A bandwidth exceeding 4 MHz per electronic channel or track;
Båndbredde over 2 MHz pr. elektronisk kanal eller spor og med mere end 42 spor; eller
A bandwidth exceeding 2 MHz per electronic channel or track and having more than 42 tracks; or
Tidsforskydnings(basis)-fejl, målt if. de relevante IRIG- eller EIA-dokumenter, på mindre end ± 0,1 μs;
A time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ± 0,1 μs;
Digitale videomagnetbåndoptagere med en maksimal digital interface-overføringshastighed på mere end 360 Mbit/s;
Digital video magnetic tape recorders having a maximum digital interface transfer rate exceeding 360 Mbits/s;
Digitale magnetbåndinstrumentdataoptagere, hvori der anvendes skrueskanderingsteknik eller fasthovedteknik, med en eller flere af følgende egenskaber:
Digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques, having any of the following:
Maksimal digital interface-overførselshastighed højere end 175 Mbit/s; eller
A maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbits/s; or
Udstyr med maksimal digital interface-overførselshastighed, der er højere end 175 Mbit/s, beregnet på overførsel af konvertering af digitale videobåndoptagere til brug som digitale instrumentdataoptagere;
Equipment, having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbits/s, designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
Digitaliseringshastighed på mindst 200 millioner aftastninger pr. sekund og en opløsning på mindst 10 bit; og
Digitising rate equal to or more than 200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more; and
'Kontinuerlig kapacitet' på mindst 2 Gbit/s;
A continuous throughput of 2 Gbit/s or more;
Ved 'kontinuerlig kapacitet' forstås den største hastighed, hvormed instrumentet kan udlæse data til masselager uden tab af information, når aftastningsfrekvensen overholdes, og der foretages analog-til-digital konvertering.
Continuous throughput is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
"Frekvenssynthesizer"-"samlinger" med en "frekvensskiftetid" fra en valgt frekvens til en anden på mindre end 1 ms;
"Frequency synthesiser""electronic assemblies" having a "frequency switching time" from one selected frequency to another of less than 1 ms;
"Signalanalysatorer", der er i stand til at analysere frekvenser på over 31,8 GHz, men ikke over 37,5 GHz, og med en 3 dB resolutionsbåndbredde (RBW) på over 10 MHz;
"Signal analysers"capable of analysing frequencies exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37.5 GHz and having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz;
"Signalanalysatorer", der er i stand til at analysere frekvenser på over 43,5 GHz;
"Signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 43.5 GHz;
"Dynamiske signalanalysatorer" med en "realtidsbåndbredde" på mere end 500 kHz;
"Dynamic signal analysers" having a "real-time bandwidth" exceeding 500 kHz;
Note: 3A002.c.3 lægger ikke eksportkontrol på "dynamiske signalanalysatorer", som kun bruger konstantprocent båndbreddefiltre (også kendt som oktav- eller fraktionaloktav-filtre).
Note: 3A002.c.3. does not control those "dynamic signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Maksimal syntetiseret frekvens på over 31,8 GHz, men højst 43,5 GHz og normeret til frembringelse af en 'impulsvarighed' på under 100 ns;
A maximum synthesised frequency exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz and rated to generate a pulse duration of less than 100 ns;
Maksimal syntetiseret frekvens på over 43,5 GHz;
A maximum synthesised frequency exceeding 43,5 GHz;
"Frekvensskiftetid" fra en valgt frekvens til en anden mindre end 1 ms; eller
A "frequency switching time" from one selected frequency to another of less than 1 ms; or
Enkelt sidebånd-(SSB)-fasestøj bedre end – (126 + 20 log10F – 20 log10f) i dBc/Hz, hvor F er afvigelsen fra driftsfrekvensen i Hz, og f er driftsfrekvensen i MHz;
A single sideband (SSB) phase noise better than – (126 + 20 log10F – 20 log10f) in dBc/Hz, where F is the off-set from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
I 3A002.d.1 forstås ved 'impulsvarighed' tidsperioden mellem det punkt, hvor impulsens forkant er steget til 90 % af spidsværdien, og det punkt, hvor impulsens bagkant er faldet til 10 % af spidsværdien.
For the purposes of 3A002.d.1., "pulse duration" is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
Netanalysatorer med en maksimal driftsfrekvens på over 43,5 GHz;
Network analysers with a maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz;
Maksimal driftsfrekvens på over 43,5 GHz; og
A maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz; and
Evne til at måle amplitude og fase samtidigt;
Being capable of measuring amplitude and phase simultaneously;
Følgende elektronisk udstyr og komponenter ud over det, der er specificeret i 3A001:
Electronic equipment, devices and components, other than those specified in 3A001, as follows:
Analog-digitale omsættere, anvendelige i "missiler", konstrueret til at opfylde militære specifikationer for specielt robust udstyr;
Analogue to digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedised equipment;
Følgende elektroniske komponenter ud over dem, der er specificeret i 3A001:
Electronic components, other than those specified in 3A001, as follows;
Energiopladning mere end 10 J;
Energy storage greater than 10 J;
Kapacitans højere end 0,5 μF; og
Capacitance greater than 0,5 μF; and
Serieinduktans mindre end 50 nH; eller
Series inductance less than 50 nH; or
Mærkespænding højere end 750 V;
Voltage rating greater than 750 V;
Kapacitans højere end 0,25 μF; og
Capacitance greater than 0,25 μF; and
Serieinduktans mindre end 10 nH;
Series inductance less than 10 nH;
En indvendig diameter på mere end 300 mm; og
Inner diameter greater than 300 mm; and
En acceleratorspidselektronenergi på mindst 500 keV, men mindre end 25 MeV; og
An accelerator peak electron energy of 500 KeV or greater but less than 25 MeV; and
En 'spidseffekt' større end 50 MW.
A 'peak power' greater than 50 MW.
'Godhedstallet' K defineres som
The 'figure of merit' K is defined as:
Q er lig med integralet af i med hensyn til t over varigheden af stråleimpulsen (Q = idt), dog højst 1μs, hvor i er strålestrømmen i ampere, og t er tiden i sekunder.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
"Spidseffekt" = (spidsspænding i volt) × (spidsstrålestrøm i ampere).
'Peak power' = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
Frekvensomformere eller generatorer ud over dem, der er specificeret i 0B001.b.13, med samtlige følgende egenskaber:
Frequency changers or generators, other than those specified in 0B001.b.13., having all of the following characteristics:
Multifaseudgangseffekt i stand til at præstere mindst 40 W;
Multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
I stand til at operere i frekvensområdet mellem 600 og 2000 Hz;
Capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
Total harmonisk forvrængning bedre end (under) 10 %; og
Total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
Frekvensstyring bedre end (under) 0,1 %.
Frequency control better (less) than 0,1 %.
DC-strømforsyninger med høj effekt bortset fra dem, der er specificeret i 0B001.j.6, som har begge følgende egenskaber:
High power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
Er i stand til kontinuerligt at yde mindst 100 V over en periode på 8 timer med en udgangsstrøm på mindst 500 A; og
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
DC-strømforsyninger med høj spænding bortset fra dem, der er specificeret i 0B001.j.5, som har begge følgende egenskaber:
High voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
En anodeforsinkelse på højst 15 μs; og
An anode delay time of 15 μs or less; and
Konstrueret til bærbar, mobil eller særlig modstandsdygtig anvendelse;
Designed for portable, mobile, or ruggedised-use;
Monteret i støvtæt kapsling;
Enclosed in a dust tight enclosure;
I stand til at udelade deres energi på mindre end 15 μs;
Capable of delivering their energy in less than 15 μs;
Med en udgangsstrøm på mere end 100 A;
Having an output greater than 100 A;
Med 'stigetid' mindre end 10 μs i belastninger på mindre end 40 ohm;
Having a 'rise time' of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
Ingen dimension større end 25,4 cm;
No dimension greater than 254 mm;
Vægt mindre end 25 kg; og
Weight less than 25 kg; and
En udgangsspænding på mere end 6 V ind i en resistiv belastning på mindre end 55 ohm; og
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
En 'impulsomkoblingstid' på mindre end 500 ps.
'Pulse transition time' less than 500 ps.
Induktivt koblede plasmamassespektrometre (ICP/MS);
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
Glimudladningsmassespektrometre (GDMS);
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Termisk ioniseringsmassespektrometre (TIMS);
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
Elektronbombardementmassespektrometre, som har et kildekammer, der er konstrueret af, foret med eller belagt med UF6-bestandige materialer;
Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
En stråleenergi (accelerationsspænding) på mere end 1 MeV;
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1 MeV;
Specielt konstrueret og optimeret til drift ved en stråleenergi (accelerationsspænding) på mindre end 2 keV;
Being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
Direkte skrivekapacitet; eller
Direct write capability; or
En stråleenergi på mindst 65 keV og en strålestrøm på mindst 45 mA beregnet til højenergioxygenimplantering på et opvarmet halvledermateriale-"substrat";
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Konstrueret itl at udvikle færre end 0,04 partikler/cm2 med en målelig partikelstørrelse på mere end 0,1 μm i diameter;
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
Udstyr med kassette-til-kassette-operation og indføringssluser og konstrueret efter producentens specifikationer eller optimeret med henblik på fremstilling af halvlederkomponenter med kritiske dimensioner på 180 nm eller derunder;
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Lyskildebølgelængde kortere end 245 nm; eller
A light source wavelength shorter than 245 nm; or
'Mindste detaljeopløsning' beregnes efter følgende formel:
The "minimum resolvable feature" size is calculated by the following formula:
MRF = lyskildens bølgelængde i nm
MRF = an exposure light source wavelength in nm
Pletstørrelse mindre end 0,2 μm;
A spot size smaller than 0,2 μm;
I stand til at frembringe et mønster med enkeltheder, der er mindre end 1 μm; eller
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
Overlægningsnøjagtighed bedre end ± 0,20 μm (3 sigma);
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
Masker og okularmikrometre beregnet for integrerede kredsløb, der er specificeret i 3A001;
Masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
Silicium;
Silicon;
Positive resists til halvlederlitografi, som er specielt justeret (optimeret) til brug under 350 nm;
Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 350 nm;
Alle resists, til brug med elektronstråler eller ionstråler, med en følsomhed på 0,01 mikrocoulomb/mm2 eller bedre;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Alle resists, til brug med røntgenstråler, med en følsomhed på 2,5 mJ/mm2 eller bedre;
All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
Alle resists, der er optimeret til overfladebilleddannelsesteknologi, inklusive 'silylerede' resists.
All resists optimised for surface imaging technologies, including 'silylated' resists.
'Silylerings' teknik defineres som processer omfattende oxidering af resistoverfladen for at forbedre udførelsen af både våd og tør fremkaldning.
'Silylation' techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Metalorganiske forbindelser af aluminium, gallium eller indium, med en renhed (metal-basis), der er bedre end 99,999 %;
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
"Software", der er specielt udviklet til "udvikling" eller "produktion" af udstyr, der er specificeret i 3A001.b til 3A002.g eller 3B.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
Udstyr, der er specificeret i 3B001.a-f; eller
Equipment specified in 3B001.a. to f.; or
Udstyr, der er specificeret i 3B002.
Equipment specified in 3B002.
'Fysikbaseret simulations'-"software", der er specielt beregnet til "udvikling" af litografiske, ætsnings- eller udfældningsprocesser til overføring af maskemønstre til specifikke topografiske mønstre i ledere, dielektrika eller halvledere.
Physics-based simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Ved 'fysikbaseret' i 3D003 forstås brug af beregninger til at fastlægge en række af fysiske årsags og virkningssammenhænge på grundlag af fysiske egenskaber (f.eks. temperatur, tryk, diffusionskonstanter og halvlederegenskaber).
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Note: Biblioteker, konstruktionsattributter eller tilknyttede data til konstruktion af halvlederindretninger eller integrerede kredsløb betragtes som "teknologi".
Note: Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
"Software" der er specielt beregnet eller ændret til "udvikling" af udstyr, der er specificeret i 3A003.
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
"Software", der er specielt udviklet eller ændret til "brug" af udstyr, der er specificeret i 3A101.b.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
"Teknologi", if. den generelle teknologinote, til "udvikling" eller "produktion" af udstyr eller materialer, der er specificeret i 3A, 3B eller 3C.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Note 1: 3E001 lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til "produktion" af udstyr eller komponenter, der er specificeret i 3A003.
Note 1: 3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Note 2: 3E001 lægger ikke eksportkontrol på "teknologi" til "udvikling" eller "produktion" af integrerede kredsløb, der er specificeret i 3A001.a.3-12, med samtlige følgende egenskaber:
Note 2: 3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Bruger "teknologi" til 0,5 μm eller mere; og
Using "technology" of 0,5 μm or more, and
Omfatter ikke 'multilagsstrukturer'.
Not incorporating 'multi-layer structures'.
'Multilagsstrukturer' vedrører ikke indretninger, der maksimalt omfatter tre metallag og tre polysiliciumlag.
The term "multi-layer structures" does not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
Anden "teknologi", if. den generelle teknologinote, end den, der er pålagt eksportkontrol if. 3E001, til "udvikling" eller "produktion" af "mikroprocessor-mikrokredsløb", og "mikrocomputer-mikrokredsløb" og mikrocontroller-mikrokredsløb med en "sammensat teoretisk ydeevne" (CTP) på mindst 530 millioner teoretiske operationer i sekundet (Mtops) og en aritmetisk logikenhed med en accessbredde på mindst 32 bit.
"Technology" according to the General Technology Note other than that specified in 3E001 for the "development" or "production" of "microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits having a "composite theoretical performance" ("CTP") of 530 million theoretical operations per second (Mtops) or more and an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more.
Vakuum mikroelektroniske indretninger;
Vacuum microelectronic devices;
Heterostrukturelle halvlederindretninger som f.eks. transistorer med høj elektronmobilitet (HEMT), hetero-bipolære transistorer (HBT), quantum well- eller super-lattice-indretninger;
Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
"Superledende" elektroniske indretninger;
"Superconductive" electronic devices;
Diamantsubstrater eller -film til elektronikkomponenter;
Substrates of films of diamond for electronic components;
Substrater af silicon-on-insulator (SOI) til integrerede kredsløb, hvor isolatoren er siliciumdioxid;
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
Substrater af siliciumcarbid til elektronikkomponenter;
Substrates of silicon carbide for electronic components;
"Teknologi", if. den generelle teknologinote, til "brug" af udstyr eller "software", der er specificeret i 3A001.a.1-2, 3A101 eller 3D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101 or 3D101.
"Teknologi", if. den generelle teknologinote, til "udvikling" af "software", der er specificeret i 3D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
"Teknologi", if. den generelle teknologinote, til "brug" af udstyr, der er specificeret i 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.e.5, 3A201, 3A225-3A233.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A201, 3A225 to 3A233.
COMPUTERE
COMPUTERS