natgillin/translations-raw huggingface dataset:
To eller flere profilstyrede omdrejningsakser;
Two or more contouring rotary axes;
X-aksens vandring er større end 2 m; og
X-axis travel greater than 2 m; and
Cylindriske, udvendige, indvendige og udvendigt-indvendige slibemaskiner med samtlige følgende egenskaber:
Cylindrical external, internal, and external-internal grinding machines having all of the following characteristics:
Begrænset til en maksimal kapacitet på 150 mm udvendig diameter eller længde på emnet; og
Limited to a maximum workpiece capacity of 150 mm outside diameter or length; and
Akser begrænset til x, z og c;
Axes limited to x, z and c;
Koordinatslibemaskiner, der ikke har en z-akse eller en w-akse med en samlet positioneringsnøjagtighed, der er mindre (bedre) end 4 μm, i overensstemmelse med ISO 230/2 (1988) eller tilsvarende nationale standarder.
Jig grinders that do not have a z-axis or a w-axis with an overall positioning accuracy less (better) than 4 μm according to ISO 230/2 (1988) [1] Manufacturers calculating positioning accuracy in accordance with ISO 230/2 (1997) should consult the competent authorities of the Member State in which they are established.
Note 1: 2B201 lægger ikke eksportkontrol på specialværktøjsmaskiner, der er begrænset til fremstilling af en eller flere af følgende dele:
or national equivalents. Note 1: 2B201 does not control special purpose machine tools limited to the manufacture of any of the following parts:
Tandhjul;
Gears;
Ekstrudersnekker;
Extruder worms.
Note 2: Værktøjsmaskiner, der har mindst to ud af tre egenskaber med hensyn til drejning, fræsning og slibning (f.eks. en drejemaskine, der kan fungere som fræsemaskine), skal vurderes i forhold til hvert af de relevante punkter 2B001.a eller 2B201.a. eller b.
Note 2: A machine tool having at least two of the three turning, milling or grinding capabilities (e.g., a turning machine with milling capability), must be evaluated against each applicable entry 2B001.a. or 2B201.a. or b.
Følgende "isostatiske presser" ud over dem, der er specificeret i 2B004 eller 2B104, samt beslægtet udstyr:
"Isostatic presses", other than those specified in 2B004 or 2B104, and related equipment, as follows:
De matricer, forme og styreanordninger, der er specielt konstrueret til "isostatiske presser", som specificeret i 2B204.a.
Dies, moulds and controls, specially designed for "isostatic presses" specified in 2B204.a.
Note 2: En maskine, der er specificeret i 2B206, er pålagt eksportkontrol, hvis den overgår eksportkontroltærskelen på noget sted i dens driftsområde.
Note 2: A machine specified in 2B206 is controlled if it exceeds the control threshold anywhere within its operating range.
Følgende "robotter", "effektorer" og kontrolenheder ud over dem, der er specificeret i 2B007:
"Robots", "end-effectors" and control units, other than those specified in 2B007, as follows:
Styreanordninger, der er specielt konstrueret til "robotter" og "effektorer", der er specificeret i 2B207.a.
Control units specially designed for any of the "robots" or "end-effectors" specified in 2B207.a.
Følgende flydeformningsmaskiner, trykkermaskiner, som kan udføre flydeformningsopgaver ud over dem, der er specificeret i 2B009 eller 2B109, og dorne:
Flow forming machines, spin forming machines capable of flow forming functions, other than those specified in 2B009 or 2B109, and mandrels, as follows:
Massekapacitet fra 0,9 til 23 kg; og
Mass capability of from 0,9 to 23 kg; and
I stand til at afbalancere ved hastigheder på mere end 5000 omdrejninger pr. minut;
Capable of balancing speed of revolution greater than 5000 r.p.m.;
I stand til at afbalancere til en rest-ubalance på højst 0,01 kg x mm/kg pr. plan; og
Capable of balancing to a residual imbalance equal to or less than 0,01 kg × mm/kg per plane; and
Bæltedrevne.
Belt drive type.
Fjernmanipulatorer, som kan bruges til at udføre fjernbevægelser i radiokemiske adskillelsesoperationer eller hotcells, som har en af følgende egenskaber:
Remote manipulators that can be used to provide remote actions in radiochemical separation operations or hot cells, having either of the following characteristics:
Er i stand til at fungere gennem en væg på mindst 0,6 m i et hot cell-anlæg (gennem væggen-operation); eller
A capability of penetrating 0,6 m or more of hot cell wall (through-the-wall operation); or
Er i stand til at række over toppen af en væg med en tykkelse på mindst 0,6 m i et hot cell-anlæg (over væggen-operation).
A capability of bridging over the top of a hot cell wall with a thickness of 0,6 m or more (over-the-wall operation).
De kan være af 'master-slave'-typen eller styres med joystick eller tastatur.
They may be of 'master/slave' type or operated by joystick or keypad.
NB: JF. LIGELEDES 3B
N.B.: SEE ALSO 3B.
Incineratorer konstrueret til destruktion af de kemiske stoffer, der er specificeret i 1C350, med specielt konstruerede affaldstilførselssystemer, specielle håndteringsfaciliteter og en gennemsnitlig temperatur i forbrændingsrummet på over 1273 K (1000 °C), hvor alle overflader, der kommer i direkte berøring med affaldsprodukterne, er fremstillet af eller foret med:
Incinerators designed to destroy chemicals specified in entry 1C350, having specially designed waste supply systems, special handling facilities and an average combustion chamber temperature greater than 1273 K (1000 °C), in which all surfaces in the waste supply system that come into direct contact with the waste products are made from or lined with any of the following materials:
Keramisk materiale; eller
Ceramics; or
Nikkel eller legeringer med mere end 40 vægtprocent nikkel.
Nickel or alloys with more than 40% nickel by weight.
'Carbongrafit' er en sammensætning bestående af amorf carbon og grafit med et grafitindhold på mindst otte vægtprocent.
'Carbon graphite' is a composition consisting of amorphous carbon and graphite, in which the graphite content is eight percent or more by weight.
Følgende kontrolsystemer til giftige gasser samt dertil hørende detektorer:
Toxic gas monitoring systems, as follows; and dedicated detectors therefor:
Konstrueret til kontinuerlig drift og brugbare til detektering af stoffer til kemisk krigsførelse eller de i 1C350 specificerede kemiske stoffer ved koncentrationer på mindre end 0,3 mg/m3; eller
Designed for continuous operation and usable for the detection of chemical warfare agents or chemicals specified in 1C350, at concentrations of less than 0,3 mg/m3; or
Komplette faciliteter til biologisk indkapsling på indkapslingsniveau P3 eller P4;
Complete biological containment facilities at P3, P4 containment level;
Mht. indkapslingsniveau P3 og P4 (BL3, BL4, L3, L4) gælder specifikationerne i WHO's 'Laboratory Biosafety manual' (2. udg., Genève, 1993).
or P4 (BL3, BL4, L3, L4) containment levels are as specified in the WHO Laboratory Biosafety manual (2nd edition, Geneva 1993).
Gæringsanlæg, der kan anvendes til dyrkning af patogene "mikroorganismer", vira, eller som kan producere toksiner uden udledning af aerosol, og som har en samlet kapacitet på mindst 20 liter;
Fermenters capable of cultivation of pathogenic "micro-organisms", viruses or capable of toxin production, without the propagation of aerosols, and having a total capacity of 20 litres or more;
Beskyttelsesdragter (hel- eller halvdragter) eller hætter med tilkoblet ekstern lufttilførsel, og som fungerer med overtryk;
Protective full or half suits, or hoods dependent upon a tethered external air supply and operating under positive pressure;
Klasse III biologiske sikkerhedsskabe eller isoleringsudstyr med tilsvarende ydelsesstandard;
Class III biological safety cabinets or isolators with similar performance standards;
Kamre, der er konstrueret til aerosolprovokationsprøvning med "mikroorganismer", virus eller "toksiner" og med en kapacitet på mindst 1 m3.
Chambers designed for aerosol challenge testing with "micro-organisms", viruses or "toxins", and having a capacity of 1 m3 or greater.
Anden "software" end software, der er specificeret i 2D002, som er specielt udviklet eller modificeret til "udvikling", "produktion" eller "brug" af udstyr, der er specificeret i anden "software" end software, der er nævnt i 2D002, som er specielt udviklet eller modificeret til "udvikling", "produktion" eller "brug" af udstyr, der er pålagt eksportkontrol if. 2A001 eller 2B001-2B009.
"Software", other than that specified in 2D002, specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 2A001 or 2B001 to 2B009.
Note 1: 2D002 lægger ikke eksportkontrol på "software", der er specielt udviklet eller modificeret til drift af værktøjsmaskiner, der ikke er specificeret i kategori 2.
Note 1: 2D002 does not control "software" specially designed or modified for the operation of machine tools not specified in Category 2.
Note 2: 2D002 lægger ikke eksportkontrol på "software" beregnet til produkter, der er specificeret i 2B002.
Note 2: 2D002 does not control "software" for items specified in 2B002.
For så vidt angår eksportkontrol på "software" beregnet til produkter, der er specificeret i 2B002, se 2D001.
See 2D001 for control of "software" for items specified in 2B002.
"Software", der er specielt udviklet eller ændret til "brug" af udstyr, der er specificeret i 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 eller 2B119-2B122.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 or 2B119 to 2B122.
NB: JF. LIGELEDES 9D004
N.B.: SEE ALSO 9D004.
"Software", der er specielt udviklet til "brug" af udstyr, der er specificeret i 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 eller 2B227.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 or 2B227.
"Software", der er specielt udviklet eller modificeret til "udvikling", "produktion" eller "brug" af udstyr, der er specificeret i 2B201.
"Software" specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 2B201.
"Teknologi", if. den generelle teknologinote, til "udvikling" af udstyr eller "software", der er specificeret i 2A, B eller D.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software" specified in 2A, 2B or 2D.
"Teknologi", if. den generelle teknologinote, til "produktion" af udstyr, der er specificeret i 2A eller B.
"Technology" according to the General Technology Note for the "production"of equipment specified in 2A or 2B.
"Diffusionsbonding"; eller
"Diffusion bonding"; or
"Direkte hydraulisk presning";
"Direct-acting hydraulic pressing";
"Superplastisk formning" af aluminiumlegeringer, titanlegeringer eller "superlegeringer":
"Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
Deformationshastighed;
Strain rate;
Antallet af bits i uddata-ordet er lig med analog-til-digital konverterens opløsning.
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the analogue-to-digital converter.
Den angives ofte i megahertz (MHz) eller megaaftastninger pr. sekund (MSPS).
It is often specified in megaghertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Note 2: Eksportkontrolstatus for et produkt, hvis nominelle driftsfrekvens omfatter frekvenser opført i mere end ét frekvensområde som defineret i 3A001.b.4.a. til 3A001.b.4.e., afgøres ved den laveste eksportkontroltærskel for middeludgangseffekt.
GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3.2 GHz and below [d≤ 15 cm*GHz/3.2 GHz]. N.B.: MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2. Note 1: 3A001.b.4. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 to 42,5 GHz. Note 2: The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Opererer ved frekvenser på mere end 3 GHz;
Operating frequencies above 3 GHz;
Gennemsnitlig udgangseffekttæthed på mere end 80 W/kg; og
An average output power density exceeding 80 W/kg; and
Rumfang på mindre end 400 cm3;
A volume of less than 400 cm3;
Bærefrekvens over 2,5 GHz;
A carrier frequency exceeding 2,5 GHz;
Frekvenssidesløjfedæmpning på mere end 55 dB;
A frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB;
Båndbredde over 250 MHz; eller
A bandwidth greater than 250 MHz; or
Volumen-akustiskbølgeudstyr (dvs. "signalbehandlings"-udstyr, der anvender elastiske bølger), som tillader direkte signalbehandling ved frekvenser på over 1 GHz;
Bulk (volume) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves) which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 1 GHz;
Akustisk-optisk "signalbehandlings"-udstyr, der anvender vekselvirkning mellem akustiske bølger (volumenbølge eller overfladebølge) og lysbølger, der tillader direkte behandling af signaler eller billeder, inklusive spektralanalyse, korrelation eller konvolution;
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
"Rumkvalificerede" og strålingshærdede fotoelementgrupper med specifik effekt på mere end 160 W/m2 ved en driftstemperatur på 301 K (28 °C) ved en wolframbelysning på 1 kW/m2 ved 2800 K (2527 °C);
"Space qualified" and radiation hardened photovoltaic arrays with a specific power exceeding 160 W/m2 at an operating temperature of 301 K (28 °C) under a tungsten illumination of 1 kW/m2 at 2800 K (2527 °C);
NB: JF. LIGELEDES 3A201.a
N.B.: SEE ALSO 3A201.a.
Energitæthed på mindst 250 J/kg; og
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
Total energi på mindst 25 kJ;
A total energy equal to or more than 25 kJ;
Opløsning bedre end 1 af 265000 (18 bit opløsning) af fuld skala; eller
A resolution of better than 1 part in 265000 (18 bit resolution) of full scale; or
Digitaliseringshastighed på mindst 100 millioner aftastninger pr. sekund og en opløsning på mindst 8 bit; og
Digitising rate equal to or more than 100 million samples per second and a resolution of 8 bit or more; and
Kontinuerlig kapacitet på mindst 1 Gbit/s;
A continuous throughput of 1 Gbit/s or more;
Langtidsstabilitet (ældning) mindre (bedre) end 1 × 10– 11/måned; eller
Long-term stability (aging) less (better) than 1 × 10– 11/month; or
Acceleratorer, der er i stand til at afgive elektromagnetisk stråling fremkaldt af bremsstrahlung fra accelererede elektroner på mindst 2 MeV, samt systemer, der indeholder sådanne acceleratorer.
Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
Mærkespænding højere end 1,4 kV;
Voltage rating greater than 1,4 kV;
I stand til at danne magnetfelter på mere end 2 T;
Capable of creating magnetic fields greater than 2 T;
Et forhold mellem længde/indvendig diameter på over 2;
A ratio of length to inner diameter greater than 2;
Et magnetfelt af en homogenitet, der er bedre end 1 % over den midterste halvdel af det indre rum;
Magnetic field uniform to better than 1 % over the central 50 % of the inner volume;
Note: 3A201.b lægger ikke eksportkontrol på magneter, der er specielt konstrueret til, og som eksporteres 'som dele af' medicinske nukleare magnetiske resonanssystemer (NMR) til billeddannelse.
Note: 3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported 'as parts of' medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Udtrykket 'som dele af' betyder ikke nødvendigvis fysisk del af den samme forsendelse; separate forsendelser fra forskellige kilder er tilladt, såfremt det i de tilhørende eksportpapirer klart anføres, at disse forsendelser er afsendt 'som dele af' de billeddannende systemer.
The phrase 'as part of' does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched 'as part of' the imaging systems.
Med et 'godhedstal' (K) på mindst 0,25; eller
With a 'figure of merit' (K) of 0,25 or greater; or
En acceleratorspidselektronenergi på mindst 25 MeV; og
An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
Er i stand til kontinuerligt at yde mindst 20 kV over en periode på 8 timer med en udgangsstrøm på mindst 1 A; og
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
Mærkeanodespidsstrøm mindst 100 A; og
Anode peak current rating of 100 A or more 100 A; and
Anodeforsinkelse højst 10 μs;
Anode delay time of 10 μs or less;
En mærkespidsstrøm på mindst 500 A;
Rated for a peak current of 500 A or more;
Anodemærkespidsspænding større end 2 kV;
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
Anodemærkespidsspænding mindst 500 A; og
Anode peak current rating of 500 A or more; and
NB: JF. LIGELEDES KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL
N.B.: SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS
Eksplosive detonatortændapparater konstrueret til at drive flere, styrede detonatorer, der er specificeret i 3A232;
Explosive detonator firing sets designed to drive multiple controlled detonators specified in 3A232;
I 3a229.b.5 defineres 'stigetid' som tidsperioden fra 10 % til 90 % strømamplitude ved styring af en resistiv belastning.
In 3A229.b.5. "rise time" is defined as the time interval from 10 % to 90 % current amplitude when driving a resistive load.
'Impulsomkoblingstid' defineres i 3A230 som tidsperioden mellem 10 % og 90 % af spændingsamplituden.
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Bruger elektrostatisk acceleration til fremkaldelse af en tritium-deuterium-kernereaktion.
Utilising electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
Eksplosive broer (EB);
Exploding bridge (EB);
Tråd til eksplosive broer (EBW);
Exploding bridge wire (EBW);
Tændere med slapper;
Slapper;
Arrangementer, der bruger enkelte eller multiple detonatorer, der er beregnet til næsten simultant at tænde en eksplosiv overflade over mere end 5000 mm2 fra et enkelt tændsignal (med en tændtid spredt over overfladen på mindre end 2,5 μs).
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
I non-slapper-typer begynder den eksplosive leder en kemisk detonation i et berørende, højeksplosivt materiale som f.eks. PETN (pentaerythritoltetranitrat).
In nonslapper types, the exploding conductor starts a chemical detonation in a contacting high-explosive material such as PETN (Pentaerythritoltetranitrate).
I slapper-detonatorer driver den eksplosive fordampning af den elektriske leder en flyer eller slapper over en spalte, og slapperens anslag på et sprængstof indleder en kemisk detonation.
In slapper detonators, the explosive vapourisation of the electrical conductor drives a flyer or slapper across a gap and the impact of the slapper on an explosive starts a chemical detonation.
I nogle udførelser drives slapperen af magnetisk kraft.
The slapper in some designs is driven by a magnetic force.
Udtrykket eksplosiv folie-detonator kan betyde enten en EB eller en detonator af slapper-typen.
The term exploding foil detonator may refer to either an EB or a slapper-type detonator.
Ordet initiator bruges også i stedet for detonator.
Also, the word initiator is sometimes used in place of the word detonator.
Følgende massespektrometre ud over dem, der er specificeret i 0B002.g, der er i stand til at måle ioner med mindst 230 atommasseenheder eller derover og med opløsning bedre end 2 dele i 230 samt ionkilder hertil:
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Kildekammer, der er konstrueret af, foret med eller belagt med rustfrit stål eller molybdæn, og som er udstyret med en kold fælde, der er i stand til at køle ned til 193 K (– 80 °C) eller derunder; eller
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or
Kildekammer, der er konstrueret af, foret med eller bilagt med UF6-bestandige materialer;
A source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Udstyr, som er i stand til at danne et lag af andet materiale end silicium med en lagtykkelse, der er ensartet til mindre end +2,5% over en længde på mindst 75 mm;
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Metal-organisk kemisk dampudfældnings-(MOCVD)-reaktorer, der er specielt konstrueret til vækst af sammensatte halvlederkrystaller ved den kemiske reaktion mellem de materialer, der er specificeret i 3C003 eller 3C004;
Metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
Udstyr til epitaksial vækst med molekylestråle ved brug af gas- eller faststofkilder;
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Konstrueret eller optimeret til at nå op på kritiske dimensioner på 180 nm eller derunder med en præcision på ± 5 % forhold til 3 sigma; eller
Designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ± 5 % 3 sigma precision; or
Konstrueret til at udvikle færre end 0,04 partikler/cm2 med en målelig partikelstørrelse på mere end 0,1 μm i diameter;
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 μm in diameter;
Udstyr specielt konstrueret til udstyr, der er specificeret i 3B001.e, og med en eller flere af følgende egenskaber:
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
Konstrueret eller optimeret til at nå op på kritiske dimensioner på 180 nm eller derunder med en præcision på ± 5 % i forhold til 3 sigma; eller
Designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ± 5 % 3 sigma precision; or
Udstyr specielt konstrueret til udstyr, der er pålagt eksportkontrol if. 3B001.e, og konstrueret efter producentens specifikationer eller optimeret med henblik på fremstilling af halvlederkomponenter med kritiske dimensioner på 180 nm eller derunder;
Equipment specially designed for equipment controlled by 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Centrale flerkammerwaferhåndteringssystemer til automatisk ilægning med samtlige følgende egenskaber:
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
Interfaces til wafer input og output, til hvilke der skal forbindes mere end to enheder af halvlederbehandlingsudstyr; og
Interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
Beregnet til frembringelse af et integreret system i et vakuummiljø til sekventiel behandling af flere wafers;
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;
Step and repeat-udstyr (direkte waferstepper) eller step and scan-udstyr (scanner) til positionering og eksponering i forbindelse med waferprocesser ved brug af foto-optiske eller røntgenmetoder med en eller flere af følgende egenskaber:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following: