natgillin/translations-raw huggingface dataset:
"Spidseffekt" = (spidsspænding i volt) + (spidsstrålestrøm i ampere).
'Peak power' = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
I maskiner, der er baseret på mikrobølgeaccelerationshulrum, er stråleimpulsens varighed den mindste af værdierne 1 μs eller varigheden af det strålepakkebundt, der fremkommer ved en mikrobølgemodulatorpuls.
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
I maskiner, der er baseret på mikrobølgeaccelerationshulrum, er spidsstrålestrømmen middelstrømmen under varigheden af strålepakkebundtet.
In machines based on microwave accelerating cavities, the peak beam current is the average current in the time duration of a bunched beam packet.
Frekvensomformere eller generatorer ud over dem, der er pålagt eksportkontrol if. 0B001.b.13, med samtlige følgende egenskaber:
Frequency changers or generators, other than those specified in 0B001.b.13., having all of the following characteristics:
Multifaseudgangseffekt i stand til at præstere mindst 40 W
Multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
I stand til at operere i frekvensområdet mellem 600 og 2000 Hz
Capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
Total harmonisk forvrængning bedre end (under) 10 % og
Total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
Frekvensstyring bedre end 0,1 %.
Frequency control better (less) than 0,1 %.
Frekvensomformere i 3A225 betegnes også konvertere eller invertere.
Frequency changers in 3A225 are also known as converters or inverters.
DC-strømforsyninger med høj effekt bortset fra dem, der er omhandlet i 0B001.j.6, som har begge følgende egenskaber:
High power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
Er i stand til kontinuerligt at yde mindst 100 V over en periode på 8 timer med en udgangsstrøm på mindst 500 A og
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
Med strøm- eller spændingsstabilitet bedre end 0,1 % over en periode på 8 timer.
Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
DC-strømforsyninger med høj spænding bortset fra dem, der er omhandlet i 0B001.j.5, som har begge følgende egenskaber:
High voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
Er i stand til kontinuerligt at yde mindst 20 kV over en periode på 8 timer med en udgangsstrøm på mindst 1 A og
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
Følgende koblingsindretninger:
Switching devices, as follows:
Koldkatoderør, også gasfyldte, som virker på samme måde som ved et gnistgab, og med samtlige følgende egenskaber:
Cold cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
Indeholdende 3 eller flere elektroder;
Containing three or more electrodes;
Mærkeanodespidsspænding mindst 2,5 kV
Anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
Mærkeanodespidsstrøm mindst 100 A og
Anode peak current rating of 100 A or more 100 A; and
Anodeforsinkelse højst 10 μs.
Anode delay time of 10 μs or less;
Note: 3A228 omfatter ligeledes gaskrytronrør og vakuumsprytronrør.
Note: 3A228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
Styrede gnistgab, som har begge følgende egenskaber:
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
En anodeforsinkelse på højst 15 μs og
An anode delay time of 15 μs or less; and
En mærkespidsstrøm på mindst 500 A.
Rated for a peak current of 500 A or more;
Moduler eller samlinger med en hurtig koblingsfunktion med samtlige følgende egenskaber:
Modules or assemblies with a fast switching function having all of the following characteristics:
Anodemærkespidsspænding større end 2 kV
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
Anodemærkespidsspænding mindst 500 A og
Anode peak current rating of 500 A or more; and
Tændtid højst 1 μs.
Turn on time of 1 μs or less.
Følgende tændapparater og tilsvarende stærkstømsimpulsgivere:
Firing sets and equivalent high current pulse generators as follows:
NB: JF. LIGELEDES KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL.
N.B.: SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS
Eksplosive detonatortændapparater konstrueret til at drive flere, styrede detonatorer, der er pålagt eksportkontrol if. 3A232.
Explosive detonator firing sets designed to drive multiple controlled detonators specified in 3A232;
Modulare elektriske impulsgeneratorer, der har samtlige følgende egenskaber:
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Konstrueret til bærbar, mobil eller særlig modstandsdygtig anvendelse
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
Monteret i støvtæt kapsling
Enclosed in a dust tight enclosure;
I stand til at udelade deres energi på mindre end 15 μs
Capable of delivering their energy in less than 15 μs;
Med en udgangsstrøm på mere end 100 A
Having an output greater than 100 A;
Med "stigetid" mindre end 10 μs i belastninger på mindre end 40 ohm
Having a 'rise time' of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
Ingen dimension større end 25,4 cm
No dimension greater than 254 mm;
Vægt mindre end 25 kg og
Weight less than 25 kg; and
Specificeret til brug ved et udvidet temperaturområde (223 K [– 50 °C] til 373 K [100 °C]), eller specificeret som egnet til fly- og rumbrug.
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Note: 3a229.b omfatter ligeledes xenon-udladningslampestyring.
Note: 3A229.b. includes xenon flash lamp drivers.
Højhastighedsimpulsgeneratorer, der har begge følgende egenskaber:
High-speed pulse generators having both of the following characteristics:
En udgangsspænding på mere end 6 V ind i en resistiv belastning på mindre end 55 ohm og
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
En "impulsomkoblingstid" på mindre end 500 ps.
'Pulse transition time' less than 500 ps.
"Impulsomkoblingstid" defineres i 3A230 som tidsperioden mellem 10 % og 90 % af spændingsamplituden.
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Neutrongeneratorsystemer, herunder rør, der har begge følgende egenskaber:
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
Er konstrueret til drift uden et eksternt vakuumsystem; og
Designed for operation without an external vacuum system; and
Bruger elektrostatisk acceleration til fremkaldelse af en tritium-deuterium-kernereaktion.
Utilizing electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
Følgende detonatorer og flerpunktstændsystemer:
Detonators and multipoint initiation systems, as follows:
Følgende elektrisk aktiverede detonatorer:
Electrically driven explosive detonators, as follows:
Eksplosive broer (EB)
Exploding bridge (EB);
Tråd til eksplosive broer (EBW)
Exploding bridge wire (EBW);
Tændere med "slapper"
Slapper;
Tændere med eksplosiv folie (EFI).
Exploding foil initiators (EFI);
Arrangementer, der bruger enkelte eller multiple detonatorer, der er beregnet til næsten simultant at tænde en eksplosiv overflade (over mere end 5000 mm2) fra et enkelt tændsignal (med en tændtid spredt over overfladen på mindre end 2,5 μs.
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
Note: 3A232 lægger ikke eksportkontrol på detonatorer, der kun bruger primære sprængstoffer som f.eks. blyazid.
Note: 3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
I 3A232 bruger alle de pågældende detonatorer en lille elektrisk leder (bro, brotråd eller folie), som fordamper eksplosivt, når der passerer en hurtig, høj elektrisk strøm igennem den.
In 3A232 the detonators of concern all utilise a small electrical conductor (bridge, bridge wire or foil) that explosively vapourises when a fast, high-current electrical pulse is passed through it.
I non-"slapper"-typer begynder den eksplosive leder en kemisk detonation i et berørende, højeksplosivt materiale som f.eks. PETN (pentaerythritoltetranitrat).
In nonslapper types, the exploding conductor starts a chemical detonation in a contacting high-explosive material such as PETN (Pentaerythritoltetranitrate).
I "slapper"-detonatorerdriver den eksplosive fordampning af den elektriske leder en "flyer" eller "slapper" over en spalte, og "slapperen"s anslag på et sprængstof indleder en kemisk detonation.
In slapper detonators, the explosive vapourisation of the electrical conductor drives a flyer or slapper across a gap and the impact of the slapper on an explosive starts a chemical detonation.
I nogle udførelser drives "slapperen" af magnetisk kraft.
The slapper in some designs is driven by a magnetic force.
Udtrykket "eksplosiv folie"-detonator kan betyde enten en EB eller en "detonator" af "slapper"-typen.
The term exploding foil detonator may refer to either an EB or a slapper-type detonator.
Ordet "initiator" bruges også i stedet for "detonator".
Also, the word initiator is sometimes used in place of the word detonator.
Følgende massespektrometre ud over dem, der er pålagt eksportkontrol if. 0B002.g, der er i stand til at måle ioner med mindst 230 atommasseenheder eller derover og med opløsning bedre end 2 dele i 230 samt ionkilder hertil:
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Induktivt koblede plasmamassespektrometre (ICP/MS).
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
Glimudladningsmassespektrometre (GDMS).
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Termisk ioniseringsmassespektrometre (TIMS).
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
Elektronbombardementmassespektrometre, som har et kildekammer, der er konstrueret af, foret med eller belagt med UF6-bestandige materialer.
Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Molekylestrålemassespektrometre med en af følgende egenskaber:
Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
Kildekammer, der er konstrueret af, foret med eller belagt med rustfrit stål eller molybdæn, og som er udstyret med en kold fælde, der er i stand til at køle ned til 193 K (– 80 °C) eller derunder, eller
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or
Kildekammer, der er konstrueret af, foret med eller bilagt med UF6-bestandige materialer.
A source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Massespektrometre, der er udstyret med en mikrofluoreringsionkilde, der er beregnet til actinider eller actinidfluorider.
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
Følgende udstyr til fremstilling eller prøvning af halvlederkomponenter eller halvledermaterialer samt specielt konstruerede komponenter og tilbehør hertil:
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Følgende udstyr til epitaksial vækst:
Equipment designed for epitaxial growth, as follows:
Udstyr, som er i stand til at danne noget af følgende:
Equipment capable of producing any of the following:
Et siliciumlag med lagtykkelse, der er ensartet til mindre end ± 2,5 % over en længde på mindst 200 mm, eller
A silicon layer with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 200 mm or more; or
Et lag af andet materiale end silicium med en lagtykkelse, der er ensartet til mindre end ± 2,5 % over en længde på mindst 75 mm
A layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Metal-organisk kemisk dampudfældnings-(MOCVD)-reaktorer, der er specielt konstrueret til vækst af sammensatte halvlederkrystaller ved den kemiske reaktion mellem de materialer, der er pålagt eksportkontrol if. 3C003 eller 3C004
Metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
Udstyr til epitaksial vækst med molekylestråle ved brug af gas- eller faststofkilder.
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Udstyr konstrueret til ionimplantering med en eller flere af følgende egenskaber:
Equipment designed for ion implantation, having any of the following:
En stråleenergi (accelerationsspænding) på mere end 1 MeV
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1 MeV;
Specielt konstrueret og optimeret til drift ved en stråleenergi (accelerationsspænding) på mindre end 2 keV
Being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
Direkte skrivekapacitet eller
Direct write capability; or
En stråleenergi på mindst 65 keV og en strålestrøm på mindst 45 mA beregnet til højenergioxygenimplantering på et opvarmet halvledermateriale-"substrat".
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Anisotropisk plasma-tørætsningsudstyr som følger:
Anisotropic plasma dry etching equipment, as follows:
Udstyr med kassette-til-kassette-operation og indføringssluser og med en eller flere af følgende egenskaber:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
Konstrueret eller optimeret til at nå op på kritiske dimensioner på 0,3 μm eller derunder med en præcision på ± 5 % forhold til 3 sigma eller
Designed or optimised to produce critical dimensions of 0,3 μm or less with ± 5 % 3 sigma precision; or
Konstrueret til at udvikle færre end 0,04 partikler/cm2 med en målelig partikelstørrelse på mere end 0,1 μm i diameter.
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 μm in diameter;
Udstyr specielt konstrueret til udstyr, der er pålagt eksportkontrol if. 3B001.e, og med en eller flere af følgende egenskaber:
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
Konstrueret eller optimeret til at nå op på kritiske dimensioner på 0,3 μm eller derunder med en præcision på ± 5 % i forhold til 3 sigma eller
Designed or optimised to produce critical dimensions of 0,3 μm or less with ± 5 % 3 sigma precision; or
Konstrueret itl at udvikle færre end 0,04 partikler/cm2 med en målelig partikelstørrelse på mere end 0,1 μm i diameter.
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
Plasmaforstærket CVD-udstyr som følger:
Plasma enhanced CVD equipment, as follows:
Udstyr med kassette-til-kassette-operation og indføringssluser og konstrueret efter producentens specifikationer eller optimeret med henblik på fremstilling af halvlederkomponenter med kritiske dimensioner på 180 nm eller derunder
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Udstyr specielt konstrueret til udstyr, der er pålagt eksportkontrol if. 3B001.e, og konstrueret efter producentens specifikationer eller optimeret med henblik på fremstilling af halvlederkomponenter med kritiske dimensioner på 180 nm eller derunder.
Equipment specially designed for equipment controlled by 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Centrale flerkammer-waferhåndteringssystemer til automatisk ilægning med samtlige følgende egenskaber:
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
Interfaces til wafer input og output, til hvilke der skal forbindes mere end to enheder af halvlederbehandlingsudstyr og
Interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
Beregnet til frembringelse af et integreret system i et vakuummiljø til sekventiel behandling af flere wafers.
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;
Note: 3B001.e lægger ikke eksportkontrol på automatiske robotsystemer til waferbehandling, der ikke er beregnet til drift i et vakuummiljø.
Note: 3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Følgende litografisk udstyr:
Lithography equipment, as follows:
"step and repeat"-udstyr (direkte waferstepper) eller "step and scan"-udstyr (scanner) til positionering og eksponering i forbindelse med waferprocesser ved brug af foto-optiske eller røntgenmetoder med en eller flere af følgende egenskaber:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following:
Lyskildebølgelængde kortere end 350 nm eller
A light source wavelength shorter than 350 nm; or
I stand til at frembringe et mønster med en "mindste detaljeopløsning" på 0,35 μm eller derunder.
Capable of producing a pattern with a'minimum resolvable feature' size of 0,35 μm or less;
"Mindste detaljeopløsning" beregnes efter følgende formel:
The "minimum resolvable feature" size is calculated by the following formula:
blændetal
numerical aperture
hvor K-faktor = 0,7.
where the K factor = 0,7
"MRF" = mindste detaljeopløsning.
MRF = minimum resolvable feature size
Udstyr, der er specielt konstrueret til maskefremstilling eller behandling af halvlederindretninger ved brug af en afbøjet fokuseret elektronstråle, ionstråle eller "laser"-stråle, med en eller flere af følgende egenskaber:
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:
Pletstørrelse mindre end 0,2 μm
A spot size smaller than 0,2 μm;
I stand til at frembringe et mønster med enkeltheder, der er mindre end 1 μm, eller
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
Overlægningsnøjagtighed bedre end ± 0,20 μm (3 sigma).
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
Masker og okularmikrometre beregnet for integrerede kredsløb, der er pålagt eksportkontrol if. 3A001.
Masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
Flerlagsmasker med et faseforskydningslag.
Multi-layer masks with a phase shift layer.
Note: 3B001.h lægger ikke eksportkontrol på flerlagsmasker med et faseforskydningslag, der er beregnet til fremstilling af hukommelsesindretninger, der ikke er pålagt eksportkontrol if. 3A001.
Note: 3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Følgende "programstyret" prøveudstyr, specielt beregnet til prøvning af færdige eller ufærdige halvlederindretninger, samt særlige komponenter og tilbehørsdele dertil:
"Stored programme controlled" test equipment, specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Til afprøvning af transistorindretningers S-parametre ved frekvenser over 31,8 GHz.
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Til afprøvning af integrerede kredsløb og i stand til at udføre funktionel (sandhedstabel) afprøvning ved en "mønsterhastighed" på mere end 667 MHz.
For testing integrated circuits capable of performing functional (truth table) testing at a 'pattern rate' of more than 667 MHz;
Note: 3B002.b lægger ikke eksportkontrol på prøveudstyr, der er specielt beregnet til prøvning af:
Note: 3B002.b. does not control test equipment specially designed for testing:
"Samlinger" eller en klasse "samlinger" til anvendelse i privathjem eller til underholdning
"Electronic assemblies" or a class of "electronic assemblies" for home or entertainment applications;
Elektroniske komponenter, "samlinger" eller integrerede kredsløb, der ikke er pålagt eksportkontrol
Uncontrolled electronic components, "electronic assemblies" or integrated circuits;
Hukommelser.
Memories.
I dette punkt defineres "mønsterhastighed" som en afprøvningsanordnings maksimale frekvens i forbindelse med en digital operation.
For the purpose of this entry,' pattern rate' is defined as the maximum frequency of digital operation of a tester.
Mønsterhastigheden svarer derfor til den højeste datarate, som en afprøvningsanordning kan yde i ikke-multiplex-modus.
It is therefore equivalent to the highest data rate that a tester can provide in non-multiplexed mode.
Den benævnes også prøvningshastighed, maksimal digital frekvens eller maksimal digital hastighed.
It is also referred to as test speed, maximum digital frequency or maximum digital speed.
Til prøvning af integrerede mikrobølgekredsløb, der er pålagt eksportkontrol if. 3A001.b.2.
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Hetero-epitaksiale materialer, der består af et "substrat" med flere, stablede epitaksisk dyrkede lag af:
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Silicium
Silicon;
Germanium
Germanium;
III/V-forbindelser af gallium eller indium.
III/V compounds of gallium or indium.
III/V-forbindelser er polykrystallinske eller binære eller komplekse monokrystallinske produkter, der består af grundstoffer i gruppe IIIA og VA i Mendeleyefs periodiske klassifikationssystem (gallium-arsenid, gallium-aluminiumarsenid, indiumphosphid osv.).
III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide).
Følgende resistmaterialer samt "substrater" belagt med resists, der er pålagt eksportkontrol:
Resist materials, as follows, and "substrates" coated with controlled resists:
Positive resists til halvlederlitografi, som er specielt justeret (optimeret) til brug under 350 nm
Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 350 nm;
Alle resists, til brug med elektronstråler eller ionstråler, med en følsomhed på 0,01 mikrocoulomb/mm2 eller bedre
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Alle resists, til brug med røntgenstråler, med en følsomhed på 2,5 mJ/mm2 eller bedre
All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
Alle resists, der er optimeret til overfladebilleddannelsesteknologi, inklusive "silylerede" resists.
All resists optimised for surface imaging technologies, including 'silylated' resists.
"Silyleringsteknik" defineres som processer omfattende oxidering af resistoverfladen for at forbedre udførelsen af både våd og tør fremkaldning.
'Silylation' techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Følgende organiske-uorganiske forbindelser:
Organo-inorganic compounds, as follows:
Metalorganiske forbindelser af aluminium, gallium eller indium, med en renhed (metal-basis), der er bedre end 99,999 %
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;