natgillin/translations-raw huggingface dataset:
2 Lavenergi-ionstråler (mindre end 5 keV) kan anvendes til at aktivere belægningsprocessen.
2 Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Ion-implantering er en overflademodifikationsbelægnings-proces, hvor det grundstof, der skal legeres, bliver ioniseret, accelereret gennem en spændingsgradient og implanteret i substratets overfladeområde.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Dette omfatter processer, hvor ion-implanteringen sker samtidig med fysisk dampudfældning med elektronstråle eller "sputter"-belægning. KATEGORI 3 ELEKTRONIK 3A Systemer, udstyr og komponenter
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
Note 2: Eksportkontrolstatus for udstyr for integrerede kredsløb beskrevet i 3A001.a.3-9 og 3A001.a.12, som er uforanderligt programmeret eller udviklet til en bestemt funktion i andet udstyr, bestemmes af dette andet udstyrs eksportkontrolstatus.
Note 1: The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
NB: Hvis producenten eller ansøgeren ikke kan afgøre det andet udstyrs eksportkontrolstatus, bestemmes eksportkontrolstatus for de integrerede kredsløb i 3A001.a.3-9 og 3A001.a.12.
Note 2: The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Elektroniske komponenter som følger:
Electronic components, as follows:
Integrerede kredsløb til generelle formål som følger:
General purpose integrated circuits, as follows:
Note 1: Eksportkontrolstatus for wafers (færdigforarbejdede eller uforarbejdede), i hvilke funktionen er fastlagt, skal bedømmes efter parametrene i 3A001.a.
Note 1: The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Note 2: Integrerede kredsløb omfatter følgende typer:
Note 2: Integrated circuits include the following types:
"Monolitisk integrerede kredsløb"
"Monolithic integrated circuits";
"Hybride integrerede kredsløb"
"Hybrid integrated circuits";
"Multichip integrerede kredsløb"
"Multichip integrated circuits";
"Film-type integrerede kredsløb", inklusive silicium-på-safir integrerede kredsløb
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
"Optiske integrerede kredsløb".
"Optical integrated circuits".
Integrerede kredsløb, udviklet eller normeret som strålingsbeskyttede, således at de kan modstå en af følgende:
Integrated circuits, designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
En total dosis på mindst 5 × 103 Gy (silicium)
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
En dosisændring ved forstyrrelse på mindst 5 × 106 Gy (silicium)/s eller
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
En neutronfluens (integreret flux) (1 MeV-ækvivalent) på 5 × 1013 n/cm2 eller højere for silicium eller tilsvarende for andre materialer.
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Note: 3A001.a.1.c. finder ikke anvendelse på metalisolatorhalvledere (MIS).
Note: 3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
"Mikroprocessor-mikrokredsløb", "mikrodatamat-mikrokredsløb", mikrocontroller-mikrokredsløb, integrerede hukommelseskredsløb fremstillet af en sammensat halvleder, integrerede kredsløb til analog-til-digital konvertering, integrerede kredsløb til digital-til-analog konvertering, elektro-optiske eller "optisk integrerede kredsløb" til "signalbehandling", logiske anordninger, der er programmerbare på stedet, neurale netintegrerede kredsløb, kundespecificerede integrerede kredsløb, for hvilke enten funktionen er ukendt, eller eksportkontrolstatus for det udstyr, i hvilket de integrerede kredsløb skal anvendes, ukendt, processorer til Fast Fourier-Transformation (FFT), elektrisk sletbare programmerbare read-only-hukommelser (EEPROM), flash-hukommelser eller statiske random-access-hukommelser (SRAM) med en eller flere af følgende egenskaber:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
Normeret for drift ved en omgivelsestemperatur over 398 K (+ 125 °C)
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Normeret for drift ved en omgivelsestemperatur under 218 K (– 55 °C) eller
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
Normeret for drift ved alle omgivelsestemperaturer mellem 218 K (– 55 °C) og 398 K (+ 125 °C).
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) et 398 K (125 °C);
Note: 3A001.a.2 gælder ikke for integrerede kredsløb til anvendelse i civile motorkøretøjer eller jernbanemateriel.
Note: 3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
"Mikroprocessor-mikrokredsløb", "mikrodatamat-mikrokredsløb" og mikrocontroller-mikrokredsløb med en eller flere af følgende egenskaber:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, having any of the following characteristics:
Note: 3A001.a.3 omfatter digitale signalprocessorer, digitale array-processorer og digitale co-processorer.
Note: 3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Anvendes ikke.
Not used;
Fremstillet af en sammensat halvleder og med en taktfrekvens på mere end 40 MHz eller
Manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz; or
Mere end én data- eller instruktionsbus eller seriel kommunikationsport, der giver en direkte ekstern forbindelse mellem parallelle "mikroprocessor-mikrokredsløb" med en overføringshastighed, der er højere end 150 Mbyte/s.
More than one data or instruction bus or serial communication port that provides a direct external interconnection between parallel "microprocessor microcircuits" with a transfer rate exceeding 150 Mbyte/s;
Integrerede hukommelseskredsløb fremstillet af en sammensat halvleder.
Storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor;
Integrerede kredsløb til analog-til-digital og digital-til-analog konvertering som følger:
Analogue-to-digital and digital-to-analogue converter integrated circuits, as follows:
Analog-til-digital konvertere med en eller flere af følgende egenskaber:
Analogue-to-digital converters having any of the following:
NB. JF. LIGELEDES 3A101
SEE ALSO 3A101
Opløsning på mindst 8 bit, men mindre end 12 bit, med en "total konverteringstid" på mindre end 5 ns,
A resolution of 8 bit or more, but less than 12 bit, with a 'total conversion time' of less than 5 ns;
Opløsning på 12 bit med en "total konverteringstid" på mindre end 20 ns,
A resolution of 12 bit with a 'total conversion time' of less than 20 ns;
Opløsning på mere end 12 bit, men højst 14 bit, med en "total konverteringstid" på mindre end 200 ns eller
A resolution of more than 12 bit but equal to or less than 14 bit with a 'total conversion time' of less than 200 ns; or
Opløsning på mere end 14 bit med en "total konverteringstid" på mindre end 1 μs.
A resolution of more than 14 bit with a 'total conversion time' of less than 1 μs;
Digital-til-analog konvertere med en opløsning på mindst 12 bit, og en "konverteringstid" på mindre end 10 ns.
Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
En opløsning på n bit svarer til en kvantisering på 2n niveauer.
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
Den "totale konverteringstid" er en invers funktion af "sample rate".
'Total conversion time' is the inverse of sample rate.
Elektro-optiske og "optisk integrerede kredsløb" til "signalbehandling" med:
Electro-optical and "optical integrated circuits" designed for "signal processing" having all of the following:
En eller flere interne "laser"-dioder
One or more than one internal "laser" diode;
Et eller flere interne lysdetektorelementer og
One or more than one internal light detecting element; and
Optiske bølgeledere.
Optical waveguides;
Logiske anordninger, der er programmerbare på stedet, med:
Field programmable logic devices having any of the following:
Ækvivalent brugbart gateantal på mere end 30000 (2 input-gates)
An equivalent usable gate count of more than 30000 (2 input gates);
Typisk "basal gate-transmissionstid"på mindre end 0,1 ns eller
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
En toggle-frekvens over 133 MHz.
A toggle frequency exceeding 133 MHz;
Note: 3A001.a.7 omfatter:
Note: 3A001.a.7. includes:
Enkle programmerbare logiske anordninger (SPLD)
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
Komplekse programmerbare logiske anordninger (CPLD)
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
"gate arrays", der er programmerbare på stedet (FPGA)
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
"logiske arrays", der er programmerbare på stedet (FPLA)
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
kontakter, der er programmerbare på stedet (FPIC).
Field Programmable Interconnects (FPICs)
NB: Logiske anordninger, der er programmerbare på stedet, kaldes også "programmable gate" eller "field programmable logic arrays".
N.B.: Field programmable logic devices are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
Integrerede kredsløb til neurale net.
Neural network integrated circuits;
Kundespecificerede integrerede kredsløb, for hvilke funktionen er ukendt, eller eksportkontrolstatus for det udstyr, i hvilket de integrerede kredsløb skal anvendes, er ukendt for producenten, med en eller flere af følgende egenskaber:
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
Mere end 1000 terminaler
More than 1000 terminals;
Driftsfrekvens på mere end 3 GHz.
An operating frequency exceeding 3 GHz;
Digitale integrerede kredsløb, ud over de i 3A001.a.3-10 og 3A001.a.12 beskrevne, baseret på en hvilken som helst sammensat halvleder, og med:
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Ækvivalent gateantal på mere end 3000 (2 input-gates) eller
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
Toggle-frekvens på mere end 1,2 GHz.
A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
Processorer til Fast Fourier-transformation med en normeret udførelseshastighed for en N-punkts kompleks FFT på mindre end (N log2N)/20480 ms, hvor N er antallet af punkter.
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2N)/20480 ms, where N is the number of points;
Hvis N er lig med 1024 punkter, giver formlen i 3A001.a.12 en udførelseshastighed på 500 μs.
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 μs.
Mikro- eller millimeterbølgekomponenter som følger:
Microwave or millimetre wave components, as follows:
Elektroniske vakuumrør og katoder som følger:
Electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:
Note 1: 3A001.b.1 lægger ikke eksportkontrol på rør, der er konstrueret eller normeret til drift i frekvensbånd, som har samtlige følgende egenskaber:
Note 1: 3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
højst 31,8 GHz og
Does not exceed 31,8 GHz; and
"allokeret af ITU" til radiokommunikationstjenester, men ikke til radiostedbestemmelse.
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Note 2: 3A001.b.1 lægger ikke eksportkontrol på ikke-"rumkvalificerede" rør, som har samtlige følgende egenskaber:
Note 2: 3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes which meet all of the following characteristics:
Middeludgangseffekt på 50 W eller derunder og
An average output power equal to or less than 50 W; and
Konstrueret eller normeret til drift i frekvensbånd, som har samtlige følgende egenskaber:
Designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
mere end 31,8 GHz, men højst 43,5 GHz og
Exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
Vandrebølgerør, pulserende eller kontinuert bølge som følger:
Travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
Til drift ved frekvenser på mere end 31,8 GHz
Operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Med et katodevarmeelement, hvis opvarmningstid til nominel RF-effekt er på mindre end 3 sekunder
Having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
Koblede hulrumsrør eller derivater af disse med en "relativ båndbredde" på over 7 % eller en maksimal effekt på 2,5 kW
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
Helix-rør, eller derivater heraf, med en eller flere af følgende egenskaber:
Helix tubes, or derivatives thereof, with any of the following characteristics:
"Momentan båndbredde" på mere end en oktav og et produkt af gennemsnitlig effekt (udtrykt i kW) og frekvens (udtrykt i GHz) på mere end 0,5
An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
"Momentan båndbredde" på en oktav eller derunder og et produkt af gennemsnitlig effekt (udtrykt i kW) og frekvens (udtrykt i GHz) på mere end 1 eller
An "instantaneous bandwidth"of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
"Rumkvalificeret".
Being "space qualified";
Krydsfeltforstærkerrør med en forstærkning på mere end 17 dB.
Crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
Imprægnerede katoder til elektronrør med en kontinuerlig emissionsstrømtæthed ved nominelle driftsbetingelser på mere end 5 A/cm2.
Impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
Effektforstærkere med monolitisk integrerede mikrobølgekredsløb (MMIC) med en eller flere af følgende egenskaber:
Microwave monolithic integrated circuits (MMIC) power amplifiers having any of the following:
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 3,2 GHz til og med 6 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 4 W (36 dBm) med en "relativ båndbredde" på mere end 15 %
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 6 GHz til og med 16 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 1 W (30 dBm) med en "relativ båndbredde" på mere end 10 %
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 16 GHz til og med 31,8 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 0,8 W (29 dBm) med en "relativ båndbredde" på mere end 10 %
Rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 31,8 GHz til og med 37,5 GHz
Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 37,5 GHz til og med 43,5 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 0,25 W (24 dBm) med en "relativ båndbredde" på mere end 10 % eller
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 43,5 GHz.
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz.
Note 1: 3A001.b.2 lægger ikke eksportkontrol på broadcast-satellitudstyr, der er konstrueret eller normeret til drift i frekvensområdet mellem 40,5 GHz og 42,5 GHz.
Note 1: 3A001.b.2. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 GHz to 42,5 GHz.
Note 2: Eksportkontrolstatus for MMIC, hvis driftsfrekvens dækker mere end ét frekvensområde som defineret i 3A001.b.2, afgøres ved den laveste eksportkontroltærskel for middeludgangseffekt.
Note 2: The control status of the MMIC whose operating frequency spans more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2., is determined by the lowest average output power control threshold.
Note 3: Note 1 og 2 i hovedet til kategori 3 betyder, at 3A001.b.2 ikke lægger eksportkontrol på MMIC, der er specielt konstruerede til andre formål, f.eks. telekommunikation, radar eller motorkøretøjer.
Note 3: Notes 1 and 2 in the chapeau to Category 3 mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
Mikrobølgetransistorer med en eller flere af følgende egenskaber:
Microwave transistors having any of the following:
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 3,2 GHz til og med 6 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 60 W (47,8 dBm)
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and having an average output power greater than 60W (47,8 dBm);
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 6 GHz til og med 31,8 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 20 W (43 dBm)
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and having an average output power greater than 20W (43 dBm);
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 31,8 GHz til og med 37,5 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 0,5 W (27 dBm)
Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and having an average output power greater than 0,5W (27 dBm);
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 37,5 GHz til og med 43,5 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 1 W (30 dBm) eller
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
Note: Eksportkontrolstatus for et produkt, hvis driftsfrekvens dækker mere end ét frekvensområde som defineret i 3A001.b.3, afgøres ved den laveste eksportkontroltærskel for middeludgangseffekt.
Note: The control status of an item whose operating frequency spans more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3., is determined by the lowest average output power control threshold.
Mikrobølgehalvlederforstærkere og mikrobølgesamlinger/-moduler indeholdende mikrobølgeforstærkere med en eller flere af følgende egenskaber:
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave amplifiers having any of the following:
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 3,2 GHz til og med 6 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 60 W (47,8 dBm) med en "relativ båndbredde" på mere end 15 %
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 60W (47,8 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 6 GHz til og med 31,8 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 15 W (42 dBm) med en"relativ båndbredde" på mere end 10 %
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15W (42 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 37,5 GHz til og med 43,5 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 1 W (30 dBm) med en "relativ båndbredde" på mere end 10 %
Rated for operation at frequencies exceeding 37,.5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 43,5 GHz eller
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz; or
Normeret til drift ved frekvenser på mere end 3 GHz og med samtlige følgende egenskaber:
Rated for operation at frequencies above 3 GHz and having all of the following:
En middeludgangseffekt (i watt), P, der er større end 150 divideret med den maksimale driftsfrekvens (i GHz) i anden potens [P > 150 W * GHz2/fGHz2]
An average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P>150 W*GHz2/fGHz2];
En relativ båndbredde på mindst 5 % og
A fractional bandwidth of 5 % or greater; and
To på hinanden vinkelrette sider, hvor længden d (i cm) er mindre eller lig med 15 divideret med den laveste driftsfrekvens i GHz [d = 15 cm * GHz/fGHz].
Any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d=15cm*GHz/ fGHz].
NB: MMIC-effektforstærkere skal vurderes på baggrund af kriterierne i 3A001.b.2.
N.B.: MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
Note 1: 3A001.b.4 lægger ikke eksportkontrol på broadcast-satellitudstyr, der er konstrueret eller normeret til drift i frekvensområdet mellem 40,5 GHz og 42,5 GHz.
Note 1: 3A001.b.4. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 to 42,5 GHz.
Note 2: Eksportkontrolstatus for et produkt, hvis driftsfrekvens dækker mere end ét frekvensområde som defineret i 3A001.b.4, afgøres ved den laveste eksportkontroltærskel for middeludgangseffekt.
Note 2: The control status of an item whose operating frequency spans more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4, is determined by the lowest average output power control threshold.
Elektronisk eller magnetisk afstemmelige båndpas- eller båndstopfiltre med mere end 5 afstemmelige resonatorer, der er i stand til at afstemme over et 1,5:1-frekvensbånd (fmax/fmin) på mindre end 10 μs med:
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs having any of the following:
Gennemgangsbåndbredde på mere end 0,5 % af centerfrekvensen eller
A band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
Båndstopbåndbredde på mindre end 0,5 % af centerfrekvensen.
A band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
Miksere og konvertere, der er konstrueret til at udvide frekvensområdet for det udstyr, der er beskrevet i 3A002.c, 3A002.e eller 3A002.f, ud over de der angivne grænser.
Mixers and converters designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
Mikrobølgeforstærkere med rør, som er pålagt eksportkontrol ifølge 3A001.b, og med samtlige følgende egenskaber:
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b. and having all of the following: