natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Materiály neuvedené v položce 3C001 sestávající ze „substrátu“ uvedeného v položce 3C005, které mají alespoň jednu epitaxiální vrstvu karbidu křemíku, nitridu gallitého, nitridu hlinitého nebo směsného nitridu hliníku a gallia.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
„Software“ speciálně vyvinutý pro „vývoj“ nebo „výrobu“ zařízení uvedených v položkách 3A001.b. až 3A002.h. nebo 3B.
b.
„Software“ speciálně vyvinutý pro „užití“ v zařízení uvedených v položkách 3B001.a. až f., 3B002 nebo 3A225.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
„Software“ ‚založený na fyzikální‘ simulaci a speciálně navržený pro „vývoj“ litografických, leptacích anebo vylužovacích procesů sloužících k převodu maskovacích obrazců do speciálních topografických obrazců ve vodičích, dielektrikách nebo polovodičových materiálech.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
Výraz ‚založený na fyzikální‘ uvedený v položce 3D003 znamená používání výpočtů k určení souslednosti fyzikálních příčinných a účinných dějů na základě fyzikálních vlastností (např. teplotních, tlakových, difúzních veličin a vlastností polovodičových materiálů).
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
Knihovny, atributy návrhů nebo související data pro návrh polovodičových součástek nebo integrovaných obvodů se považují za „technologii“.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
„Software“ speciálně vyvinutý pro „vývoj“ zařízení uvedených v položce 3A003.
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
„Software“ speciálně vyvinutý nebo upravený pro „užití“ zařízení uvedených v položce 3A101.b.
Specific TE-PVD processes are as follows:
„Software“ speciálně vyvinutý za účelem zvýšení nebo uvolnění výkonu frekvenčního měniče nebo generátoru tak, aby odpovídal vlastnostem v položce 3A225.
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „vývoj“ nebo „výrobu“ zařízení nebo materiálů uvedených v položkách 3A, 3B nebo 3C;
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
Položka 3E001 nezahrnuje „technologie“ pro zařízení nebo součásti uvedené v položce 3A003.
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Položka 3E001 nezahrnuje „technologie“ pro integrované obvody uvedené v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.12., které mají všechny tyto vlastnosti:
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
využívají „technologii“ s rozlišením 0,130 μm nebo vyšším; a
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
mají vícevrstvé struktury s nejvýše třemi kovovými vrstvami.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Položka 3E001 nezahrnuje ‚soupravy pro návrh zpracování‘ (‚PDK‘), pokud neobsahují knihovny provádějící funkce nebo technologie pro zboží uvedené v položce 3A001.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
‚Souprava pro návrh zpracování‘ (‚PDK‘) je softwarový nástroj poskytnutý výrobcem polovodičů, který má zajistit, aby byly požadované postupy a pravidla pro navrhování zohledněny v zájmu úspěšného vytvoření specifického návrhu integrovaných obvodů při specifickém zpracovávání polovodičů v souladu s technologickými a výrobními požadavky (každý proces výroby polovodičů má svůj ‚PDK‘).
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii, jiné než uvedené v položce 3E001, pro „vývoj“ nebo „výrobu“ „mikroprocesorového mikroobvodu“, „mikropočítačového mikroobvodu“ nebo jádra mikroregulátorového mikroobvodu, který má aritmeticko-logickou jednotku s šířkou přístupu 32 bitů nebo více a kterýkoliv z těchto rysů a vlastností:
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
a. ‚vektorová procesorová jednotka‘ určená k provádění více než dvou výpočtů vektorů s pohyblivou řádovou čárkou (jednorozměrová pole 32bitových nebo větších čísel) současně;
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
‚Vektorová procesorová jednotka‘ je procesorový prvek se zabudovanými instrukcemi, které provádějí vícenásobné výpočty vektorů s pohyblivou řádovou čárkou (jednorozměrová pole 32bitových nebo větších čísel) současně, jenž má alespoň jednu vektorovou aritmeticko-logickou jednotku a vektorové registry, každý z nich o nejméně 32 prvcích.
c.
b. určený k provádění více než dvou 64bitových nebo větších výsledků operací s pohyblivou řádovou čárkou na cyklus; nebo
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
c. určený k provádění více než osmi 16bitových výsledků násobení a akumulace s pevnou řádovou čárkou na cyklus (např. digitální zpracovávání analogových informací, které byly dříve převedeny do digitální formy, známých rovněž jako „zpracování digitálních signálů“).
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
Položka 3E002 nezahrnuje „technologii“ pro multimediální doplňky.
An activator (normally a halide salt); and
Položka 3E002 nezahrnuje „technologii“ pro mikroprocesorová jádra, která má všechny tyto vlastnosti:
An inert powder, most frequently alumina.
má vícevrstvé struktury s nejvýše třemi kovovými vrstvami.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Položka 3E002 zahrnuje „technologii“ pro „vývoj“ nebo „výrobu“ procesorů digitálních signálů a procesorů digitálních polí.
d.
Jiné „technologie“ pro „vývoj“ nebo „výrobu“:
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
a. vakuových mikroelektronických součástek;
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
b. heterostrukturních polovodičových elektronických součástek, jako jsou tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT), hetero-bipolární tranzistory (HBT), zařízení na bázi kvantových jam a supermřížek;
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Položka 3E003.b. nezahrnuje „technologie“ pro tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT), které pracují při frekvencích nižších než je 31,8 GHz, a pro heteropřechodné bipolární tranzistory (HBT), které pracují při frekvencích nižších než 31,8 GHz.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
c. „supravodivých“ elektronických součástek;
e.
d. podložek z diamantových filmů pro elektronické součástky;
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
e. podložek z křemíku na izolátoru (SOI) pro integrované obvody, kde izolátorem je oxid křemičitý;
f.
f. podložek z karbidu křemíku pro elektronické součástky;
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
g. ‚vakuových elektronických součástek‘ pracujících při frekvenci 31,8 GHz nebo vyšší.
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „užití“ zařízení nebo „softwaru“ uvedených v položkách 3A001.a.1. nebo 2., 3A101, 3A102 nebo 3D101.
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „vývoj“ „softwaru“ uvedeného v položce 3D101.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „užití“ zařízení uvedeného v položkách 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 až 3A234.
g.
„Technologie“ ve formě kódů nebo klíčů, která má zvýšit nebo uvolnit výkon měničů frekvencí nebo generátorů tak, aby odpovídal vlastnostem v položce 3A225.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
KATEGORIE 4 – POČÍTAČE
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
Počítače, jejich příslušenství a „software“ vykonávající telekomunikační funkce nebo funkce „místních sítí“ je též třeba hodnotit podle charakteristik výkonu vymezených v kategorii 5 části 1 (Telekomunikace).
CATEGORY 3 — ELECTRONICS
Řídicí jednotky, které přímo propojují sběrnice nebo kanály centrálních procesorů, řídicí jednotky ‚hlavní paměti‘ nebo řídicí jednotky diskové paměti se nepovažují za telekomunikační zařízení popsaná v kategorii 5 části 1 (Telekomunikace).
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., or 3A001.a.12. to 3A001.a.14., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Pokud jde o režim „softwaru“ speciálně vyvinutého pro přepojování paketů, viz 5D001.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., or 3A001.a.12. to 3A001.a.14. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
‚Hlavní paměť‘: primární paměť pro data nebo instrukce, do které má centrální procesor rychlý přístup.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., and 3A001.a.12. to 3A001.a.14.
Skládá se z vnitřní paměti „digitálního počítače“ a jakéhokoliv jejího hierarchického rozšíření, např. rychlé vyrovnávací paměti nebo rozšířené paměti s nesekvenčním přístupem.
Electronic items as follows:
Elektronické počítače a jejich příslušenství, které mají některou z následujících vlastností, a „elektronické sestavy“ a speciálně pro ně konstruované součásti:
a.
VIZ TÉŽ 4A101.
General purpose integrated circuits, as follows:
a. speciálně konstruované tak, aby měly některou z těchto vlastností:
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
jsou určené pro práci při okolní teplotě nižší než 228 K (–45 °C) nebo vyšší než 358 K (85 °C); nebo
Integrated circuits include the following types:
Položka 4A001.a.1. nezahrnuje počítače konstruované speciálně pro použití v civilních automobilech, civilních železničních vlacích nebo „civilních letadlech“.
"Monolithic integrated circuits";
jsou radiačně odolné tak, že přesahují některý z těchto parametrů:
"Hybrid integrated circuits";
celková dávka
"Multichip integrated circuits";
5 × 103 Gy (křemík);
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
narušení při rychlosti dávky
"Optical integrated circuits";
5 × 106 Gy (křemík)/s; nebo
"Three dimensional integrated circuits";
narušení způsobené jednorázovým dějem
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" ("MMICs").
1 × 10-8 chyba/bit/den;
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Položka 4A001.a.2. nezahrnuje počítače konstruované speciálně pro použití v „civilních letadlech“.
a.
b.
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
Nevyužito.
b.
„Digitální počítače“, „elektronické sestavy“, jejich příslušenství a speciálně pro ně konstruované součásti:
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
Položka 4A003 zahrnuje:
c.
‚vektorové procesory‘,
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
procesorová pole,
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
číslicové komunikační procesory,
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitised data, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, Static Random-Access Memories (SRAMs), or 'non-volatile memories', having any of the following:
zařízení konstruovaná pro „zlepšení obrazu“.
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Kontrolní status „digitálních počítačů“ nebo jejich příslušenství popsaného v položce 4A003 je určen kontrolním statusem jiných zařízení nebo systémů za předpokladu, že:
b.
„digitální počítače“ nebo jejich příslušenství jsou nezbytně nutné pro provoz těchto jiných zařízení nebo systémů;
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
„digitální počítače“ nebo jejich příslušenství nejsou „hlavním prvkem“ těchto jiných zařízení nebo systémů; a Pozn.
c.
Status zařízení pro „zpracování signálů“ nebo „zlepšení obrazu“ speciálně konstruovaných pro jiná zařízení, jejichž funkce jsou omezeny pouze na fungování těchto jiných zařízení, je určen statusem těchto jiných zařízení, i když přesahuje kritérium „hlavního prvku“.
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
Pozn.
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Pokud jde o status „digitálních počítačů“ nebo jejich příslušenství pro telekomunikační zařízení, viz kategorie 5 část 1 (Telekomunikace).
'Non-volatile memories' are memories with data retention over a period of time after a power shutdown.
„technologie“ pro „digitální počítače“ a jejich příslušenství je uvedena v položce 4E.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
b. „digitální počítače“, které mají „nastavený nejvyšší výkon“ („APP“) přesahující 29 vážených teraflopů (WT);
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
c. „elektronické sestavy“ speciálně konstruované nebo upravené pro zvýšení výkonu agregací procesorů tak, aby „APP“ agregátu přesáhl mez uvedenou v položce 4A003.b.;
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
Položka 4A003.c. zahrnuje pouze „elektronické sestavy“ a programovatelná propojení nepřesahující meze uvedené v položce 4A003.b., jsou-li dodávány jako nezabudované „elektronické sestavy“.
a.
Položka 4A003.c. nezahrnuje „elektronické sestavy“ speciálně konstruované pro nějaký výrobek nebo skupinu výrobků, jejichž maximální konfigurace nepřekračuje meze uvedené v položce 4A003.b.
ADCs having any of the following:
g. zařízení speciálně konstruovaná pro zvýšení výkonu „digitálních počítačů“ zajištěním externího propojení umožňujícího komunikaci při jednosměrné rychlosti dat vyšší než 2,0 GB/s na spoj.
SEE ALSO 3A101
Položka 4A003.g. nezahrnuje vnitřní propojovací zařízení (např. propojovací desky), pasivní propojovací zařízení, „řadiče přístupu do sítě“ nebo „řadiče komunikačních kanálů“.
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with a "sample rate" greater than 1,3 Giga Samples Per Second (GSPS);
Počítače a jejich speciálně konstruované příslušenství, „elektronické sestavy“ a součásti:
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with a "sample rate" greater than 600 Mega Samples Per Second (MSPS);
a. ‚systolické počítače‘;
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with a "sample rate" greater than 400 MSPS;
b. ‚neuronové počítače‘;
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with a "sample rate" greater than 250 MSPS; or
c. ‚optické počítače‘.
A resolution of 16 bit or more with a "sample rate" greater than 65 MSPS;
‚Systolické počítače‘: počítače, v jejichž případě uživatel může dynamicky ovládat tok a modifikaci dat na úrovni matice logických hradel.
For integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitized data, see 3A001.a.14.
‚Neuronové počítače‘: zařízení pro zpracování dat, konstruovaná nebo přizpůsobená pro napodobování chování jednoho neuronu nebo souboru neuronů, tj. zařízení, pro která je charakteristická schopnost hardwaru modulovat na základě předchozích údajů váhy a počet propojení většího množství strojových součástí.
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
‚Optické počítače‘: počítače konstruované nebo modifikované pro použití světla k prezentaci dat, jejichž výpočetní logické prvky jsou založeny na přímém propojení optických zařízení.
The resolution of the ADC is the number of bits of the digital output that represents the measured analogue input.
Systémy, zařízení a jejich součásti, speciálně konstruované nebo upravené pro vytváření, řízení a ovládání nebo šíření „intrusivního software“.
Effective Number of Bits (ENOB) is not used to determine the resolution of the ADC.
Analogové počítače, „digitální počítače“ nebo číslicové diferenční analyzátory, jiné než uvedené v položce 4A001.a.1., určené pro práci ve ztížených podmínkách a konstruované nebo upravené pro použití v kosmických nosných prostředcích uvedených v položce 9A004 nebo sondážních raketách uvedených v položce 9A104.
For "multiple channel ADCs", the "sample rate" is not aggregated and the "sample rate" is the maximum rate of any single channel.
„Hybridní počítače“ speciálně konstruované pro modelování, simulaci nebo návrhovou integraci kosmických nosných prostředků uvedených v položce 9A004 nebo sondážních raket uvedených v položce 9A104.
For "interleaved ADCs" or for "multiple channel ADCs" that are specified to have an interleaved mode of operation, the "sample rates" are aggregated and the "sample rate" is the maximum combined total rate of all of the interleaved channels.
Tato kontrola se provádí pouze v případě, že zboží je dodáváno spolu se „softwarem“ uvedeným v položce 7D103 nebo 9D103.
b.
Kontrolní status „softwaru“ pro zařízení popsaná v jiných kategoriích je vždy uveden v příslušné kategorii.
Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
„Software“:
A resolution of 10 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 3500 MSPS; or
a. „software“ speciálně vyvinutý nebo upravený pro „vývoj“ nebo „výrobu“ zařízení nebo „softwaru“ uvedeného v položce 4A001 až 4A004 nebo 4D;
A resolution of 12 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 1250 MSPS and having any of the following:
b. „software“, jiný než uvedený v položce 4D001.a., speciálně vyvinutý nebo upravený pro „vývoj“ nebo „výrobu“ těchto zařízení:
a.
„digitální počítače“, které mají „nastavený nejvyšší výkon“ („APP“) přesahující 15 vážených teraflopů (WT);
A settling time less than 9 ns to arrive at or within 0,024 % of full scale from a full scale step; or
„elektronické sestavy“ speciálně vyvinuté nebo upravené pro zvýšení výkonu agregací procesorů tak, aby „APP“ agregátu přesáhl mez uvedenou v položce 4D001.b.1.
b.
nevyužito;
A 'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
„Software“ speciálně napsaný nebo upravený pro vytváření, řízení a ovládání nebo šíření „intrusivního software“.
'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
Položka 4D004 nezahrnuje „software“ speciálně napsaný a vyhrazený k zajišťování aktualizací nebo modernizací „softwaru“, který má všechny tyto vlastnosti:
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
aktualizace nebo modernizace funguje pouze se souhlasem vlastníka nebo správce systému, pro který je určena; a
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than -3 dBfs (full scale).
po aktualizaci nebo modernizaci již aktualizovaný nebo modernizovaný „software“ není žádný z níže uvedených:
'Adjusted update rate' for DACs:
„software“ uvedený v položce 4D004; nebo
For conventional (non-interpolating) DACs, the 'adjusted update rate' is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
„intrusivní software“.
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
a. „Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „vývoj“, „výrobu“ nebo „užití“ zařízení nebo „softwaru“ uvedených v položkách 4A nebo 4D;
For interpolating DACs (oversampling DACs), the 'adjusted update rate' is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
b. „technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii jiné než uvedené v položce 4E001.a. k „vývoji“ nebo „výrobě“ těchto zařízení:
For interpolating DACs, the 'adjusted update rate' may be referred to by different terms including:
„elektronické sestavy“ speciálně vyvinuté nebo upravené pro zvýšení výkonu agregací procesorů tak, aby „APP“ agregátu přesáhl mez uvedenou v položce 4E001.b.1.
input data rate
c. „technologie“ pro „vývoj“ „intrusivního softwaru“.
input word rate
Položky 4E001.a. a 4E001.c. neobsahují ‚zveřejňování informací o zranitelnostech‘ nebo ‚reakci na kybernetický incident‘.
input sample rate
Poznámka 1 neomezuje práva příslušného orgánu členského státu, v němž je vývozce usazen, ověřit soulad s položkami 4E001.a. a 4E001.c.
maximum total input bus rate