natgillin/translations-raw huggingface dataset:
e. veškeré rezisty konstruované nebo optimalizované pro využití spolu se zařízením pro tiskovou litografii uvedené v položce 3B001.f.2., u kterých jsou používány tepelné procesy nebo procesy photo-curable;
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
Organoanorganické sloučeniny:
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
a. organokovové sloučeniny hliníku, galia nebo india, které mají čistotu (čistotu kovu) lepší než 99,999 %;
"Technology" for depositing diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
b. organické sloučeniny arsenu, antimonu a fosforu, které mají čistotu (čistotu anorganické složky) lepší než 99,999 %.
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
Položka 3C003 zahrnuje pouze ty sloučeniny, jejichž kovový, polokovový nebo nekovový prvek je přímo vázán na uhlík organické části molekuly.
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
Hydridy fosforu, arsenu nebo antimonu, které mají čistotu lepší než 99,999 %, případně zředěné v inertních plynech nebo vodíku.
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
Položka 3C004 nezahrnuje hydridy, které obsahují nejméně 20 % molárních inertních plynů nebo vodíku.
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - TECHNICAL NOTE
„Substráty“ z karbidu křemíku (SiC), nitridu gallitého (GaN), nitridu hlinitého (AlN) nebo směsného nitridu hliníku a gallia (AlGaN) nebo ingoty, hrušky nebo jiné polotovary z těchto materiálů, jejichž odpor je při 20 °C vyšší než 10000 ohm/cm.
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
„Substráty“ uvedené v položce 3C005, které mají alespoň jednu epitaxiální vrstvu karbidu křemíku, nitridu gallitého, nitridu hlinitého nebo aluminium gallium nitridu.
a.
„Software“ speciálně vyvinutý pro „vývoj“ nebo „výrobu“ zařízení uvedených v položkách 3A001.b. až 3A002.h. nebo 3B.
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
„Software“ speciálně vyvinutý pro „užití“ v zařízení uvedených v položkách 3B001.a. až f., 3B002 nebo 3A225.
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
„Software“‚založený na fyzikální‘ simulaci a speciálně navržený pro „vývoj“ litografických, leptacích anebo vylužovacích procesů sloužících k převodu maskovacích obrazců do speciálních topografických obrazců ve vodičích, dielektrikách nebo polovodičových materiálech.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
Výraz ‚založený na fyzikální‘ uvedený v položce 3D003 znamená používání výpočtů k určení souslednosti fyzikálních příčinných a účinných dějů na základě fyzikálních vlastností (např. teplotních, tlakových, difúzních veličin a vlastností polovodičových materiálů).
N.B.1.
Knihovny, atributy návrhů nebo související data pro návrh polovodičových součástek nebo integrovaných obvodů se považují za „technologii“.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
„Software“ speciálně vyvinutý pro „vývoj“ zařízení uvedených v položce 3A003.
N.B.2.
„Software“ speciálně vyvinutý nebo upravený pro „užití“ zařízení uvedených v položce 3A101.b.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
„Software“ speciálně vyvinutý za účelem zvýšení nebo uvolnění výkonu frekvenčního měniče nebo generátoru tak, aby odpovídal vlastnostem v položce 3A225.
N.B.3.
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „vývoj“ nebo „výrobu“ zařízení nebo materiálů uvedených v položkách 3A, 3B nebo 3C;
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Položka 3E001 nezahrnuje „technologie“ pro zařízení nebo součásti uvedené v položce 3A003.
b.
Položka 3E001 nezahrnuje „technologie“ pro integrované obvody uvedené v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.12., které mají všechny tyto vlastnosti:
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
využívají „technologii“ s rozlišením 0,130 μm nebo vyšším; a
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
mají vícevrstvé struktury s nejvýše třemi kovovými vrstvami.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii, jiné než uvedené v položce 3E001, pro „vývoj“ nebo „výrobu“ „mikroprocesorového mikroobvodu“, „mikropočítačového mikroobvodu“ nebo jádra mikroregulátorového mikroobvodu, který má aritmeticko-logickou jednotku s šířkou přístupu 32 bitů nebo více a kterýkoliv z těchto rysů a vlastností:
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
a. ‚vektorová procesorová jednotka‘ určená k provádění více než dvou výpočtů vektorů s pohyblivou řádovou čárkou (jednorozměrová pole 32bitových nebo větších čísel) současně;
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
‚Vektorová procesorová jednotka‘ je procesorový prvek se zabudovanými instrukcemi, které provádějí vícenásobné výpočty vektorů s pohyblivou řádovou čárkou (jednorozměrová pole 32bitových nebo větších čísel) současně, jenž má alespoň jednu vektorovou aritmeticko-logickou jednotku a vektorové registry, každý z nich o nejméně 32 prvcích.
Specific TE-PVD processes are as follows:
b. určený k provádění více než dvou 64bitových nebo větších výsledků operací s pohyblivou řádovou čárkou na cyklus; nebo
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
c. určený k provádění více než osmi 16bitových výsledků násobení a akumulace s pevnou řádovou čárkou na cyklus (např. digitální zpracovávání analogových informací, které byly dříve převedeny do digitální formy, známých rovněž jako „zpracování digitálních signálů“).
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
Položka 3E002 nezahrnuje „technologii“ pro multimediální doplňky.
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Položka 3E002 nezahrnuje „technologii“ pro mikroprocesorová jádra, která má všechny tyto vlastnosti:
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
má vícevrstvé struktury s nejvýše třemi kovovými vrstvami.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
Položka 3E002 zahrnuje „technologii“ pro „vývoj“ nebo „výrobu“ procesorů digitálních signálů a procesorů digitálních polí.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Jiné „technologie“ pro „vývoj“ nebo „výrobu“:
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
a. vakuových mikroelektronických součástek;
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
b. heterostrukturních polovodičových elektronických součástek, jako jsou tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT), hetero-bipolární tranzistory (HBT), zařízení na bázi kvantových jam a supermřížek;
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Položka 3E003.b. nezahrnuje „technologie“ pro tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT), které pracují při frekvencích nižších než je 31,8 GHz, a pro heteropřechodné bipolární tranzistory (HBT), které pracují při frekvencích nižších než 31,8 GHz.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
c. „supravodivých“ elektronických součástek;
c.
d. podložek z diamantových filmů pro elektronické součástky;
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
e. podložek z křemíku na izolátoru (SOI) pro integrované obvody, kde izolátorem je oxid křemičitý;
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
f. podložek z karbidu křemíku pro elektronické součástky;
An activator (normally a halide salt); and
g. ‚vakuových elektronických součástek‘ pracujících při frekvenci 31,8 GHz nebo vyšší.
An inert powder, most frequently alumina.
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „užití“ zařízení nebo „softwaru“ uvedených v položkách 3A001.a.1. nebo 2., 3A101, 3A102 nebo 3D101.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „vývoj“„softwaru“ uvedeného v položce 3D101.
d.
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „užití“ zařízení uvedeného v položkách 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 až 3A234.
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
„Technologie“ ve formě kódů nebo klíčů, která má zvýšit nebo uvolnit výkon měničů frekvencí nebo generátorů tak, aby odpovídal vlastnostem v položce 3A225.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
KATEGORIE 4 – POČÍTAČE
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Počítače, jejich příslušenství a „software“ vykonávající telekomunikační funkce nebo funkce „místních sítí“ je též třeba hodnotit podle charakteristik výkonu vymezených v kategorii 5 části 1 (Telekomunikace).
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Řídicí jednotky, které přímo propojují sběrnice nebo kanály základních jednotek, řídicí jednotky „hlavní paměti“ nebo řídicí jednotky diskové paměti se nepovažují za telekomunikační zařízení popsaná v kategorii 5 části 1 (Telekomunikace).
e.
Pokud jde o režim „softwaru“ speciálně vyvinutého pro přepojování paketů, viz 5D001.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Elektronické počítače a jejich příslušenství, které mají některou z následujících vlastností, a „elektronické sestavy“ a speciálně pro ně konstruované součásti:
f.
VIZ TÉŽ 4A101.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
a. speciálně konstruované tak, aby měly některou z těchto vlastností:
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
jsou určené pro práci při okolní teplotě nižší než 228 K (– 45 °C) nebo vyšší než 358 K (85 °C); nebo
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Položka 4A001.a.1nezahrnuje počítače konstruované speciálně pro použití v civilních automobilech, civilních železničních vlacích nebo „civilních letadlech“.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
jsou radiačně odolné tak, že přesahují některý z těchto parametrů:
g.
celková dávka
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
5 × 103 Gy (křemík);
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
narušení při rychlosti dávky
CATEGORY 3 - ELECTRONICS
5 × 106 Gy (křemík)/s; nebo
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.14, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
narušení způsobené jednorázovým dějem
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.14 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
1 × 10–8 chyba/bit/den;
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.14.
Položka 4A001.a.2 nezahrnuje počítače konstruované speciálně pro použití v „civilních letadlech“.
Electronic items as follows:
b. nevyužito;
a.
„Digitální počítače“, „elektronické sestavy“, jejich příslušenství a speciálně pro ně konstruované součásti:
General purpose integrated circuits, as follows:
Položka 4A003 zahrnuje:
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
‚vektorové procesory‘,
Integrated circuits include the following types:
procesorová pole,
"Monolithic integrated circuits";
číslicové komunikační procesory,
"Hybrid integrated circuits";
logické procesory,
"Multichip integrated circuits";
zařízení konstruovaná pro „zlepšení obrazu“.
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
Kontrolní status „digitálních počítačů“ nebo jejich příslušenství popsaného v položce 4A003 je určen kontrolním statusem jiných zařízení nebo systémů za předpokladu, že:
"Optical integrated circuits";
„digitální počítače“ nebo jejich příslušenství jsou nezbytně nutné pro provoz těchto jiných zařízení nebo systémů;
"Three dimensional integrated circuits";
„digitální počítače“ nebo jejich příslušenství nejsou „hlavním prvkem“ těchto jiných zařízení nebo systémů; a
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" ("MMICs").
Status zařízení pro „zpracování signálů“ nebo „zlepšení obrazu“ speciálně konstruovaných pro jiná zařízení, jejichž funkce jsou omezeny pouze na fungování těchto jiných zařízení, je určen statusem těchto jiných zařízení, i když přesahuje kritérium „hlavního prvku“.
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Pokud jde o status „digitálních počítačů“ nebo jejich příslušenství pro telekomunikační zařízení, viz kategorie 5 část 1 (Telekomunikace). c.
a.
„technologie“ pro „digitální počítače“ a jejich příslušenství je uvedena v položce 4E.
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
b. „digitální počítače“, které mají „nastavený nejvyšší výkon“ („APP“) přesahující 16 vážených teraflopů (WT);
b.
c. „elektronické sestavy“ speciálně konstruované nebo upravené pro zvýšení výkonu agregací procesorů tak, aby „APP“ agregátu přesáhl mez uvedenou v položce 4A003.b.;
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
Položka 4A003.c. zahrnuje pouze „elektronické sestavy“ a programovatelná propojení nepřesahující meze uvedené v položce 4A003.b., jsou-li dodávány jako nezabudované „elektronické sestavy“.
c.
Položka 4A003.c. nezahrnuje „elektronické sestavy“ speciálně konstruované pro nějaký výrobek nebo skupinu výrobků, jejichž maximální konfigurace nepřekračuje meze uvedené v položce 4A003.b.
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
g. zařízení speciálně konstruovaná pro zvýšení výkonu „digitálních počítačů“ zajištěním externího propojení umožňujícího komunikaci při jednosměrné rychlosti dat vyšší než 2,0 GB/s na spoj.
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Položka 4A003.g. nezahrnuje vnitřní propojovací zařízení (např. propojovací desky), pasivní propojovací zařízení, „řadiče přístupu do sítě“ nebo „řadiče komunikačních kanálů“.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitised data, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, Electrical Erasable Programmable Read-Only Memories (EEPROMs), flash memories, Static Random-Access Memories (SRAMs), or Magnetic Random Access Memories (MRAMs), having any of the following:
Počítače a jejich speciálně konstruované příslušenství, „elektronické sestavy“ a součásti:
a.
a. „systolické počítače“;
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
b. „neuronové počítače“;
b.
c. „optické počítače“.
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (-55 °C); or
Systémy, zařízení a jejich součásti, speciálně konstruované nebo upravené pro vytváření, řízení a ovládání nebo šíření „intrusivního software“.
c.
Analogové počítače, „digitální počítače“ nebo číslicové diferenční analyzátory, jiné než uvedené v položce 4A001.a.1, určené pro práci ve ztížených podmínkách a konstruované nebo upravené pro použití v kosmických nosných prostředcích uvedených v položce 9A004 nebo sondážních raketách uvedených v položce 9A104.
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (-55 °C) to 398 K (125 °C);
„Hybridní počítače“ speciálně konstruované pro modelování, simulaci nebo návrhovou integraci kosmických nosných prostředků uvedených v položce 9A004 nebo sondážních raket uvedených v položce 9A104.
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Tato kontrola se provádí pouze v případě, že zboží je dodáváno spolu se „softwarem“ uvedeným v položce 7D103 nebo 9D103.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
Kontrolní status „softwaru“ pro zařízení popsaná v jiných kategoriích je vždy uveden v příslušné kategorii.
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
„Software“:
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
a. „software“ speciálně vyvinutý nebo upravený pro „vývoj“ nebo „výrobu“ zařízení nebo „softwaru“ uvedeného v položce 4A001 až 4A004 nebo 4D.
a.
b. „software“, jiný než uvedený v položce 4D001.a., speciálně vyvinutý nebo upravený pro „vývoj“ nebo „výrobu“ těchto zařízení:
ADCs having any of the following:
„digitální počítače“, které mají „nastavený nejvyšší výkon“ („APP“) přesahující 8,0 vážených teraflopů (WT);
SEE ALSO 3A101
„elektronické sestavy“ speciálně vyvinuté nebo upravené pro zvýšení výkonu agregací procesorů tak, aby „APP“ agregátu přesáhl mez uvedenou v položce 4D001.b.1.
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 1.3 giga samples per second (GSPS);
„software“ speciálně napsaný nebo upravený pro vytváření, řízení a ovládání nebo šíření „intrusivního software“.
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 600 mega samples per second (MSPS);
a. „Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „vývoj“, „výrobu“ nebo „užití“ zařízení nebo „softwaru“ uvedených v položkách 4A nebo 4D;
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with an output rate greater than 400 mega samples per second (MSPS);
b. „technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii jiné než uvedené v položce 4E001.a. k „vývoji“ nebo „výrobě“ těchto zařízení:
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with an output rate greater than 250 mega samples per second (MSPS); or
„elektronické sestavy“ speciálně vyvinuté nebo upravené pro zvýšení výkonu agregací procesorů tak, aby „APP“ agregátu přesáhl mez uvedenou v položce 4E001.b.1.;
A resolution of 16 bit or more with an output rate greater than 65 mega samples per second (MSPS);
c. „technologie“ pro „vývoj“ „intrusivního softwaru“.
For integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitized data, see 3A001.a.14.
TECHNICKÁ POZNÁMKA K „NASTAVENÉMU NEJVYŠŠÍMU VÝKONU“ („APP“)
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
„APP“ je nastavený nejvyšší výkon, při němž „digitální počítače“ provádějí 64bitové nebo větší sčítání a násobení s pohyblivou řádovou čárkou.
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
„APP“ se vyjadřuje ve vážených teraflopech (WT), v jednotkách 12 nastavených operací s pohyblivou řádovou čárkou za sekundu.
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
Zkratky používané v této technické poznámce
For 'multiple channel ADCs', the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
n počet procesorů v „digitálním počítači“
For 'interleaved ADCs' or for 'multiple channel ADCs' that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
i počet procesorů (i,...n)
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
doba cyklu procesoru (ti = 1/Fi)
It is often specified in megahertz (MHz), mega words per second or mega samples per second (MSPS).
frekvence procesoru
For the purpose of measuring output rate, one sample per second is equivalent to one Hertz or one output word per second.