natgillin/translations-raw huggingface dataset:
b. kapacita větší než 0,25 μF; a
a.
c. sériová induktance menší než 10 nH;
12 or more rodents; or
b. supravodivé solenoidní elektromagnety, které mají všechny tyto vlastnosti:
b.
schopné vytvořit magnetické pole větší než 2 T;
2 or more animals other than rodents;
poměr délky k vnitřnímu průměru větší než 2;
Closed animal restraint tubes designed for use with nose-only exposure apparatus utilising directed aerosol flow;
vnitřní průměr větší než 300 mm; a
h.
rovnoměrnost magnetického pole lepší než 1 % na středových 50 % vnitřního objemu;
Spray drying equipment capable of drying toxins or pathogenic "microorganisms" having all of the following:
c. zábleskové rentgenové generátory nebo pulsní elektronové urychlovače, které mají některou z těchto kombinací charakteristik:
Capable of being sterilised or disinfected in situ;
a. urychlovače s maximální energií elektronů nejméně 500 keV, avšak menší než 25 MeV; a
i.
b. ‚účinnost‘ (K) 0,25 nebo vyšší; nebo
Nucleic acid assemblers and synthesisers, which are partly or entirely automated, and designed to generate continuous nucleic acids greater than 1,5 kilobases in length with error rates less than 5 % in a single run.
a. urychlovač s maximální energií elektronů nejméně 25 MeV; a
None.
b. ‚špičkový výkon‘ větší než 50 MW.
"Software", other than that specified in 2D002, as follows:
Položka 3A201.c. nezahrnuje urychlovače, které jsou součástmi přístrojů vyvinutých pro jiné účely než pro elektronové nebo rentgenové ozařování (např. elektronová mikroskopie) nebo přístrojů vyvinutých pro lékařské účely.
a.
‚Účinnost‘ K je definována jako:
"Software" specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment specified in 2A001 or 2B001
Měniče frekvencí nebo generátory, jiné než uvedené v položce 0B001.b.13., použitelné jako pohon motoru s proměnnou či fixní frekvencí, které mají všechny tyto vlastnosti: Pozn.
2D002 does not control "software" that is exported with, and the minimum necessary for the operation of, items not specified in Category 2.
Pozn.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 or 2B119 to 2B122.
„Technologie“ ve formě kódů nebo klíčů, která má zvýšit nebo uvolnit výkon měniče frekvencí nebo generátoru tak, aby odpovídal vlastnostem v položce 3A225, je uvedena v položce 3E225.
SEE ALSO 9D004.
a. vícefázový výstup s výkonem 40 VA nebo větším;
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 or 2B227.
b. pracují při frekvenci 600 Hz nebo více; a
"Software" specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 2B201.
c. řízení frekvence lepší (menší) než 0,2 %.
2D202 does not control part programming "software" that generates "numerical control" command codes but does not allow direct use of equipment for machining various parts.
Položka 3A225 se na měniče frekvencí nebo generátory nevztahuje, jestliže mají omezení hardwaru, „softwaru“ nebo „technologií“, která výkonnost snižují na úroveň nižší, než je uvedeno výše, za předpokladu, že splňují některou z těchto podmínek:
"Software", other than that specified in 1D003, specially designed for "use" of equipment specified in 2B351.
k vylepšení výkonu nebo k odstranění omezení musí být vráceny původnímu výrobci;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software" specified in 2A, 2B or 2D.
k vylepšení nebo uvolnění výkonu za účelem splnění vlastností uvedených v položce 3A225 potřebují „software“ uvedený v položce 3D225; nebo
2E001 includes "technology" for the integration of probe systems into coordinate measurement machines specified in 2B006.a.
k vylepšení nebo uvolnění výkonu za účelem splnění vlastností uvedených v položce 3A225 potřebují „technologii“ ve formě klíčů nebo kódů uvedenou v položce 3E225.
"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 2A or 2B.
Měniče frekvencí v položce 3A225 jsou též známy jako konvertory nebo invertory.
Other "technology", as follows:
Zdroje stejnosměrného proudu s vysokým výkonem, jiné než uvedené v položce 0B001.j.6., které mají obě tyto vlastnosti:
"Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:
a. schopnost nepřetržitě produkovat po dobu 8 hodin napětí 100 V nebo větší s výstupním proudem nejméně 500 A; a
"Technology" for the design of tools, dies or fixtures specially designed for any of the following processes:
b. stabilitu proudu nebo napětí po dobu 8 hodin lepší než 0,1 %.
a.
Zdroje stejnosměrného proudu s vysokým napětím, jiné než uvedené v položce 0B001.j.5., které mají obě tyto vlastnosti:
"Superplastic forming";
a. schopnost nepřetržitě produkovat po dobu 8 hodin napětí 20 kV nebo větší s výstupním proudem nejméně 1 A; a
b.
Níže uvedená spínací zařízení:
"Diffusion bonding"; or
a. elektronky se studenou katodou, též plněné plynem, pracující podobně jako jiskřiště, které mají všechny tyto vlastnosti:
c.
obsahují tři nebo více elektrod;
'Direct-acting hydraulic pressing';
jmenovité špičkové anodové napětí 2,5 kV nebo více;
Technical data consisting of process methods or parameters as listed below used to control:
jmenovitý špičkový anodový proud 100 A nebo více; a
a.
anodové zpoždění nejvýše 10 μs;
"Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
Položka 3A228 zahrnuje plynové krytronové elektronky a vakuové sprytronové elektronky.
Surface preparation;
b. spouštěcí jiskřiště, která mají obě tyto vlastnosti:
Strain rate;
anodové zpoždění 15 μs nebo méně; a
Temperature;
jmenovitý špičkový proud 500 A nebo více.
Pressure;
jmenovité špičkové anodové napětí větší než 2 kV;
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
jmenovitý špičkový anodový proud 500 A nebo více; a
c.
spínací čas nejvýše 1 μs.
'Direct-acting hydraulic pressing'of aluminium alloys or titanium alloys:
Vysokoproudé pulsní generátory:
Cycle time;
a. rozbuškové odpalovací sady (rozbuškové systémy, detonační sady) včetně odpalovacích sad odpalovaných elektronicky, výbuchem nebo opticky, jiných než uvedených v položce 1A007.a., konstruované k aktivaci vícenásobně řízených rozněcovačů uvedených v položce 1A007.b.;
d.
b. modulární elektrické pulsní generátory (impulsové generátory), které mají všechny tyto vlastnosti:
'Hot isostatic densification' of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
jsou konstruovány pro přenosné a mobilní užití nebo užití ve ztížených podmínkách;
'Direct-acting hydraulic pressing' is a deformation process which uses a fluid-filled flexible bladder in direct contact with the workpiece.
jsou schopné předat energii v méně než 15 μs při zatížení menším než 40 Ω;
'Hot isostatic densification' is a process of pressurising a casting at temperatures exceeding 375 K (102 °C) in a closed cavity through various media (gas, liquid, solid particles, etc.) to create equal force in all directions to reduce or eliminate internal voids in the casting
výstup větší než 100 A;
c.
žádný rozměr nepřesahuje 30 cm;
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
hmotnost menší než 30 kg; a
e.
jsou určeny k užití v rozšířeném teplotním rozmezí 223 K (–50 °C) až 373 K (100 °C) nebo jsou svým určením vhodné pro letecké a kosmické užití.
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
Položka 3A229.b. zahrnuje budiče pro xenonové výbojky.
f.
c. mikrodetonační jednotky, které mají všechny tyto vlastnosti:
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
žádný rozměr nepřesahuje 35 mm;
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
napětí rovnající se nebo větší než 1 kV; a
This table should be read to specify the "technology" for a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
kapacita nejméně 100 nF.
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
Vysokorychlostní pulsní generátory a jejich ‚pulsní hlavice‘, které mají obě tyto vlastnosti:
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
a. výstupní napětí větší než 6 V při odporovém zatížení menším než 55 Ω; a
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
b. ‚pulsní přechodový čas‘ menší než 500 ps.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
V položce 3A230 je ‚pulsní přechodový čas‘ definován jako časový interval mezi 10 % a 90 % napěťové amplitudy.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
‚Pulsní hlavice‘ jsou sítě vytvářející impulsy, které jsou navrženy tak, aby dokázaly pracovat s funkcí napěťových kroků a utvářet je do řady pulsních tvarů, které mohou být obdélníkového, trojúhelníkového, krokového, pulsového, exponenciálního nebo monocyklického typu. ‚Pulsní hlavice‘ mohou být nedílnou součástí generátoru impulsů, mohou být ve formě zásuvného modulu k zařízení, anebo mohou být připojeny externě.
Table
Systémy pro generování neutronů (včetně trubic), které mají obě tyto vlastnosti:
Deposition techniques
a. jsou konstruovány pro provoz bez vnějšího vakuového systému; a
Coating Process (1)
b. využívají některou z těchto činností:
Substrate
elektrostatické zrychlení k vyvolání tritium-deuteriové jaderné reakce; nebo
Resultant Coating
elektrostatické zrychlení k vyvolání deuterium-deuterium jaderné reakce a umožňující výkon 3 × 109 neutronů/s nebo vyššího.
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
Vícebodové rozbuškové systémy jiné než systémy uvedené v položce 1A007:
"Superalloys"
Rozněcovače viz položka 1A007.b.
Aluminides for internal passages
b. zařízení využívající jednoduché nebo násobné rozbušky, konstruované pro téměř současné odpálení výbušného povrchu o rozměru větším než 5000 mm2 jedním signálem k odpálení s rozšířením přes celý povrch za méně než 2,5 μs.
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
Položka 3A232 nezahrnuje rozbušky využívající pouze primární výbušniny, jako je azid olovnatý.
Silicides
Hmotnostní spektrometry, jiné než uvedené v položce 0B002.g., které jsou schopné měřit ionty o 230 u nebo více a které mají rozlišovací schopnost lepší než 2 částice z 230, a iontové zdroje pro tyto spektrometry:
Carbides
a. plazmové hmotnostní spektrometry s induktivní vazbou (ICP/MS);
Dielectric layers (15)
b. hmotnostní spektrometry s doutnavým výbojem (GDMS);
Diamond
c. hmotnostní spektrometry s tepelnou ionizací (TIMS);
Diamond-like carbon (17)
d. hmotnostní spektrometry s elektronovým ostřelováním, které mají obě tyto vlastnosti:
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"
přívodový systém s molekulárním paprskem, který promítá kolimovaný paprsek molekul analytu do oblasti zdroje iontů, kde dochází k ionizaci molekul pomocí elektronového paprsku; a
Refractory metals
jeden nebo více ‚vymrazovacích odlučovačů‘, které lze ochladit na teplotu 193 K (–80 °C);
Mixtures thereof (4)
e. nevyužito;
Aluminides
f. hmotnostní spektrometry vybavené mikrofluorizačním iontovým zdrojem, určené pro aktinidy nebo fluoridy aktinidů.
Alloyed aluminides (2)
Hmotnostní spektrometry s elektronovým ostřelováním v položce 3A233.d. se rovněž označují jako hmotnostní spektrometry s elektronovou ionizací.
Boron nitride
V položce 3A233.d.2. se ‚vymrazovacím odlučovačem‘ rozumí zařízení, které odchytává molekuly plynu tím způsobem, že je zkondenzuje či zmrazí na studeném povrchu.
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
Pro účely položky 3A233.d.2. se za kryogenní vývěvu s uzavřeným cyklem plynného helia nepovažuje ‚vymrazovací odlučovač‘.
Tungsten
Šňůry s nízkou induktivní reaktancí k rozbuškám s těmito vlastnostmi:
Molybdenum and Molybdenum alloys
a. pracovní napětí větší než 2 kV; a
Beryllium and Beryllium alloys
b induktivní reaktance menší než 20 nH;
Sensor window materials (9)
Zařízení pro výrobu polovodičových součástek nebo materiálů a jejich speciálně konstruované součásti a příslušenství:
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
VIZ TÉŽ 2B226.
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
a. zařízení pro epitaxiální růst:
Alloyed silicides
zařízení konstruovaná nebo upravená tak, aby byla schopná produkovat vrstvu s rovnoměrností tloušťky méně než ± 2,5 % v rozsahu vzdálenosti 75 mm nebo více z jiného materiálu než je křemík;
Modified zirconia (12)
Položka 3B001.a.1. zahrnuje zařízení pro epitaxi atomových vrstev (ALE).
Corrosion resistant steel (7)
reaktory pro chemickou depozici z plynné fáze za použití organokovových sloučenin (MOCVD) konstruované pro epitaxiální růst složených polovodičových materiálů, které obsahují jeden nebo více z těchto prvků: hliník, galium, indium, arsen, fosfor, antimon nebo dusík;
Borides
zařízení pro epitaxiální růst s molekulárním svazkem při použití plynných nebo pevných zdrojů;
Beryllium
b. zařízení konstruovaná pro iontovou implantaci, která mají některou z těchto vlastností:
Titanium alloys (13)
jsou konstruovaná a optimalizovaná pro provoz při urychlovacím napětí 20 keV nebo více a proud ve svazku 10 mA nebo více pro implantování vodíku, deuteria nebo helia;
Nitrides
urychlovací napětí 65 keV nebo více a proud ve svazku 45 mA nebo více pro implantování kyslíku s vysokou energií do zahřáté „podložky“ z polovodičového materiálu; nebo
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
jsou konstruovaná a optimalizovaná pro provoz při urychlovacím napětí 20 keV nebo více a proud ve svazku 10 mA nebo více pro implantování křemíku do „podložky“ z polovodičového materiálu zahřáté na 600 °C nebo více;
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
e. vícekomorové centrální manipulační systémy pro destičky polovodičů s automatickým vkládáním, které mají všechny tyto vlastnosti:
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
prostředky pro vstup a výstup destiček, k nimž lze připojit více než dva funkčně odlišné ‚nástroje na zpracování polovodičů‘ uvedené v položkách 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3. nebo 3B001.b., jsou konstruovány tak, aby byly propojeny; a
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
jsou konstruovány jako integrovaný systém ve vakuu pro ‚postupné vícenásobné zpracování destiček‘;
Polymers (11) and Organic "matrix" "composites"
Položka 3B001.e. nezahrnuje automatické robotizované manipulační systémy pro destičky polovodičů, které jsou speciálně konstruovány pro paralelní zpracování destiček.
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
Po účely položky 3B001.e. se ‚nástroji na zpracování polovodičů‘ rozumí modulové nástroje, které zajišťují fyzikální procesy při výrobě polovodičů, které jsou funkčně odlišné, jako je například depozice, implantace nebo tepelné zpracování.
Refractory metals and alloys (8)
Pro účely položky 3B001.e. se ‚postupným vícenásobným zpracováním destiček‘ rozumí schopnost zpracovat každou destičku pomocí různých ‚nástrojů na zpracování polovodičů‘, např. přenosem jednotlivých destiček z jednoho nástroje do druhého a poté do třetího pomocí vícekomorových centrálních manipulačních systémů pro destičky polovodičů s automatickým vkládáním.
Oxides
f. litografická zařízení:
D. Plasma spraying
nastavovací a krokovací nebo krokovací a snímací zařízení na zpracování destiček polovodičů za použití fotooptických nebo rentgenových metod, která mají některou z těchto vlastností:
Abradable Nickel-Graphite
a. vlnová délka světelného zdroje kratší než 193 nm; nebo
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
b. schopnost exponovat obrazce s ‚velikostí nejmenšího rozlišitelného prvku‘ (MRF) 45 nm nebo menší;
Abradable Al-Si-Polyester
‚Velikost nejmenšího rozlišitelného prvku‘ se vypočítá podle vzorce:
Aluminium alloys (6)
Položka 3B001.f.2. zahrnuje:
Fused aluminides except for resistance heating elements
a. mají vychylovaný zaostřený elektronový paprsek; a
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - NOTES
Položka 3B001.h. nezahrnuje vícevrstvé masky s vrstvou fázového posuvu navržené pro výrobu paměťových přístrojů, které nejsou uvedeny v položce 3A001.
a.
j. „substrátové polotovary“ pro masky s vícevrstvou reflektorovou strukturou sestávající z molybdenu a křemíku, které mají všechny tyto vlastnosti:
b.
jsou speciálně konstruované pro ‚extrémní ultrafialovou‘ (‚EUV‘) litografii; a
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
jsou v souladu s normou SEMI P37.
c.
‚Extrémní ultrafialová‘ (‚EUV‘) odkazuje na vlnové délky elektromagnetického spektra větší než 5 nm a menší než 124 nm.
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
Zkušební zařízení speciálně konstruovaná pro zkoušení zhotovených nebo rozpracovaných polovodičových součástek a speciálně pro ně konstruované součásti a příslušenství:
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
a. pro zkoušení S-parametrů zboží uvedeného v položce 3A001.b.3.;
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
c. pro zkoušení zboží uvedeného v položce 3A001.b.2.
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
Heteroepitaxní materiály sestávající z „podložky“ složené z více na sobě uspořádaných epitaxně narostlých vrstev z:
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
a. křemíku (Si);
Category 2 does not include "technology" for single-step pack cementation of solid airfoils.
b. germania (Ge);
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
c. karbidu křemíku (SiC); nebo
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
d. „sloučenin galia nebo india typu III/V“.
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
Položka 3C001.d. nezahrnuje „podložky“ mající jednu nebo více epitaxiálních vrstev typu P z GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP nebo InGaAlP, nezávisle na sekvenci prvků, vyjma případu, kdy se epitaxiální vrstva typu P nachází mezi vrstvami typu N.
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Rezistní materiály (rezisty) a „podložky“ potažené těmito rezisty:
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
a. rezisty pro polovodičovou litografii:
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
pozitivní rezisty upravené (optimalizované) pro použití při vlnových délkách kratších než 193 nm, avšak rovnajících se nebo delších než 15 nm;
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
pozitivní rezisty upravené (optimalizované) pro použití při vlnových délkách kratších než 15 nm, avšak delších než 1 nm;
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
b. veškeré rezisty konstruované pro použití s elektronovými nebo iontovými paprsky o citlivosti 0,01 μcoulomb/mm2 nebo lepší;
"Technology" for depositing diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
d. veškeré rezisty optimalizované pro technologie zobrazování povrchu;
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
e. veškeré rezisty konstruované nebo optimalizované pro využití spolu se zařízením pro tiskovou litografii uvedené v položce 3B001.f.2., u kterých jsou používány tepelné procesy nebo procesy photo-curable;
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
Organoanorganické sloučeniny:
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
a. organokovové sloučeniny hliníku, galia nebo india, které mají čistotu (čistotu kovu) lepší než 99,999 %;
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - TECHNICAL NOTE
b. organické sloučeniny arsenu, antimonu a fosforu, které mají čistotu (čistotu anorganické složky) lepší než 99,999 %.
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Položka 3C003 zahrnuje pouze ty sloučeniny, jejichž kovový, polokovový nebo nekovový prvek je přímo vázán na uhlík organické části molekuly.
a.
Hydridy fosforu, arsenu nebo antimonu, které mají čistotu lepší než 99,999 %, případně zředěné v inertních plynech nebo vodíku.
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Položka 3C004 nezahrnuje hydridy, které obsahují nejméně 20 % molárních inertních plynů nebo vodíku.
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
Vysoce rezistní materiály:
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
a. „substráty“ z karbidu křemíku (SiC), nitridu gallitého (GaN), nitridu hlinitého (AlN) nebo směsného nitridu hliníku a gallia (AlGaN) nebo ingoty, hrušky nebo jiné polotovary z těchto materiálů, jejichž odpor je při 20 °C vyšší než 10000 ohm/cm;
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
b. polykrystalické „substráty“ nebo polykrystalické keramické „substráty“, jejichž odpor je při 20 °C vyšší než 10000 ohm/cm a které mají alespoň jednu neepitaxiální monokrystalickou vrstvu křemíku (Si), karbidu křemíku (SiC), nitridu gallitého (GaN), nitridu hlinitého (AlN) nebo směsného nitridu hliníku a gallia (AlGaN) na povrchu „substrátu“.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.