natgillin/translations-raw huggingface dataset:
průměr nebo délka hlavní osy větší než 0,15 m, avšak nejvýše 1 m, a schopnost dosáhnout úhlových zrychlení přesahujících 2 rad/s2; nebo
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
průměr nebo délka hlavní osy větší než 1 m a schopnost dosáhnout úhlových zrychlení přesahujících 0,5 rad/s2;
c.
e. ‚asférické optické prvky‘, které mají všechny tyto vlastnosti:
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
největší rozměr optické apertury je větší než 400 mm;
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
drsnost povrchu je menší než 1 nm ve střední kvadratické hodnotě pro měřené délky rovné nebo větší než 1 mm; a
a.
absolutní hodnota koeficientu lineární tepelné roztažnosti je menší než 3 × 10–6/K při 25 °C.
Silicon (Si);
‚Asférickým optickým prvkem‘ se rozumí jakýkoli prvek používaný v optickém systému, jehož zobrazovací povrch nebo povrchy jsou konstruovány tak, aby se odchylovaly od profilu ideální plochy.
b.
Měření drsnosti povrchu uváděné v položce 6A004.e.2. se od výrobců nepožaduje, pokud optický prvek nebyl záměrně konstruován nebo vyroben tak, aby byl v souladu s kontrolními parametry nebo aby je překračoval.
Germanium (Ge);
Položka 6A004.e. nezahrnuje ‚asférické optické prvky‘, které mají některou z těchto vlastností:
c.
největší rozměr optické apertury je menší než 1 m a poměr ohniskové délky k apertuře (poměr otevření) je nejméně 4,5:1;
Silicon carbide (SiC); or
největší rozměr optické apertury je nejméně 1 m a poměr ohniskové délky k apertuře je nejméně 7:1;
d.
jsou konstruovány jako optické prvky typu Fresnel, flyeye či páskového, hranolovitého nebo mřížkového difrakčního typu;
"III/V compounds" of gallium or indium.
jsou vyrobeny z borokřemičitého skla s koeficientem lineární tepelné roztažnosti větším než 2 × 10–6/K při 25 °C; nebo
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
jedná se o rentgenové optické prvky se schopnostmi dovnitř zaměřeného zrcadla (např. trubková zrcadla).
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
‚Asférické optické prvky‘ speciálně konstruované pro litografická zařízení viz 3B001.
a.
„Lasery“, jiné než uvedené v položce 0B001.g.5. nebo 0B001.h.6., součásti a optická zařízení:
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
VIZ TÉŽ 6A205.
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
Impulsní „lasery“ zahrnují „lasery“, které pracují v režimu spojité vlny (CW) se superponovanými pulsy.
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
Excimerové, polovodičové, chemické, CO, CO2 a ‚jednorázové pulsní‘ „lasery“ s neodymovým sklem jsou specifikovány v položce 6A005.d.
b.
Slovy ‚jednorázové pulsní‘ se označují „lasery“, které vytvářejí buď jediný výstupní puls nebo u nichž je doba mezi pulsy delší než minuta.
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Položka 6A005 zahrnuje vláknové „lasery“.
d.
Status „laserů“ jejichž součástí je frekvenční konverze (tj. změna vlnové délky) jinými způsoby, než tím, že jeden „laser“ poskytuje energii pro jiný „laser“, se určuje použitím kontrolních parametrů jak pro výkon zdrojového „laseru“, tak pro optický výkon po frekvenční konverzi.
All resists optimised for surface imaging technologies;
Poznámka 5:
e.
Položka 6A005 nezahrnuje tyto „lasery“:
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
rubínový s výstupní energií nižší než 20 J;
Organo-inorganic compounds as follows:
dusíkový;
a.
kryptonový.
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
V položce 6A005 je ‚účinnost laseru‘ definována jako poměr výstupního výkonu „laseru“ (nebo „průměrného výstupního výkonu“) k celkovému elektrickému příkonu potřebnému k provozu „laseru“, včetně dodávky/stabilizace napájení a tepelné stabilizace/tepelného výměníku.
b.
a.
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Ne-„laditelné“ kontinuální „(CW) lasery“, které mají některou z těchto vlastností:
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
výstupní vlnovou délku menší než 150 nm a výstupní výkon vyšší než 1 W;
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
výstupní vlnovou délku 150 nm nebo větší, ale nejvýše 510 nm, a výstupní výkon vyšší než 30 W;
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Položka 6A005.a.2. nezahrnuje argonové „lasery“ s výstupním výkonem rovným nebo nižším než 50 W.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
výstupní vlnovou délku větší než 510 nm, ale nejvýše 540 nm, a některou z těchto vlastností:
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
a. jednoduchý příčný mód a výstupní výkon vyšší než 50 W; nebo
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
b. násobný příčný mód a výstupní výkon větší než 150 W;
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
výstupní vlnovou délku větší než 540 nm, ale nejvýše 800 nm, a výstupní výkon vyšší než 30 W;
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
výstupní vlnovou délku větší než 800 nm, ale nejvýše 975 nm, a některou z těchto vlastností:
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
b. násobný příčný mód a výstupní výkon větší než 80 W;
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
výstupní vlnovou délku větší než 975 nm, ale nejvýše 1150 nm, a některou z těchto vlastností:
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
a. jednoduchý příčný mód a výstupní výkon vyšší než 500 W; nebo
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
b. násobný příčný mód a některou z těchto vlastností:
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
‚účinnost laseru‘ vyšší než 18 % a výstupní výkon vyšší než 500 W; nebo
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
výstupní výkon vyšší než 2 kW;
3E001 does not control "technology" for equipment or components specified in 3A003.
Položka 6A005.a.6.b. nezahrnuje průmyslové „lasery“ s násobným příčným módem s výstupním výkonem vyšším než 2 kW a ne vyšším než 6 kW o celkové hmotnosti přesahující 1200 kg.
3E001 does not control "technology" for integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Pro účely této poznámky zahrnuje celková hmotnost všechny součásti nezbytné pro provoz „laseru“, např., „laser“, napájení, tepelný výměník, avšak nezahrnuje vnější optiku pro stabilizaci a/nebo vytváření paprsku.
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
Položka 6A005.a.6.b. nezahrnuje průmyslové „lasery“ s násobným příčným módem, které mají některou z těchto vlastností:
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
výstupní výkon vyšší než 500 W, avšak nejvýše 1 kW, a obě tyto vlastnosti:
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
poloměr laserového svazku v krčku (BPP) větší než 0,7 mm•mrad a a
a.
‚jas‘ nejvýše 1024 W/(mm•mrad)2;
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
výstupní výkon vyšší než 1 kW, avšak nejvýše 1,6 kW, a BPP větší než 1,25 mm•mrad;
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
výstupní výkon vyšší než 1,6 kW, avšak nejvýše 2,5 kW, a BPP větší než 1,7 mm•mrad;
b.
výstupní výkon vyšší než 2,5 kW, avšak nejvýše 3,3 kW, a BPP větší než 2,5 mm•mrad;
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
výstupní výkon vyšší než 3,3 kW, avšak nejvýše 4 kW, a BPP větší než 3,5 mm•mrad;
c.
výstupní výkon vyšší než 4 kW, avšak nejvýše 5 kW, a BPP větší než 5 mm•mrad;
Designed to perform more than eight 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
výstupní výkon vyšší než 5 kW, avšak nejvýše 6 kW, a BPP větší než 7,2 mm•mrad;
3E002 does not control "technology" for multimedia extensions.
výstupní výkon vyšší než 6 kW, avšak nejvýše 8 kW, a BPP větší než 12 mm•mrad; nebo
3E002 does not control "technology" for micro-processor cores, having all of the following:
výstupní výkon vyšší než 8 kW, avšak nejvýše 10 kW, a BPP větší než 24 mm•mrad.
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
výstupní vlnovou délku větší než 1150 nm, ale nejvýše 1555 nm, a některou z těchto vlastností:
3E002 includes "technology" for the "development" or "production" of digital signal processors and digital array processors.
a. jednoduchý příčný mód a výstupní výkon vyšší než 50 W; nebo
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
b. násobný příčný mód a výstupní výkon vyšší než 80 W;
a.
výstupní vlnovou délku větší než 1555 nm, ale nejvýše 1850 nm, a výstupní výkon vyšší než 1 W;
Vacuum microelectronic devices;
výstupní vlnovou délku větší než 1850 nm, ale nejvýše 2100 nm, a některou z těchto vlastností:
b.
a. jednoduchý příčný mód a výstupní výkon vyšší než 1 W; nebo
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
b. násobný příčný mód a výstupní výkon větší než 120 W; nebo
3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
výstupní vlnovou délku větší než 2100 nm a výstupní výkon vyšší než 1 W;
c.
b. ne-„laditelné“ „pulsní lasery“, které mají některou z těchto vlastností:
"Superconductive" electronic devices;
výstupní vlnovou délku menší než 150 nm a některou z těchto vlastností:
d.
a. výstupní energie vyšší než 50 mJ na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 1 W; nebo
Substrates of films of diamond for electronic components.
b. „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 1 W;
e.
výstupní vlnovou délku 150 nm nebo větší, avšak nejvýše 510 nm a některou z těchto vlastností:
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
a. výstupní energie vyšší než 1,5 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 30 W; nebo
f.
b. „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 30 W;
Substrates of silicon carbide for electronic components;
Položka 6A005.b.2.b. nezahrnuje argonové „lasery“, které mají „průměrný výstupní výkon“ rovný nebo menší než 50 W.
g.
a. jednoduchý příčný mód a některou z těchto vlastností:
'Vacuum electronic devices' operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
výstupní energie vyšší než 1,5 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 50 W; nebo
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
„průměrný výstupní výkon“ vyšší než 50 W; nebo
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software"specified in 3D101.
výstupní energie vyšší než 1,5 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 150 W; nebo
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
„průměrný výstupní výkon“ vyšší než 150 W;
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
výstupní vlnovou délku větší než 540 nm, ale nejvýše 800 nm, a některou z těchto vlastností:
CATEGORY 4 - COMPUTERS
a. „dobu trvání pulsu“ kratší než 1 ps a některou z těchto vlastností:
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
výstupní energie vyšší než 0 005 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 5 GW; nebo
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
„průměrný výstupní výkon“ vyšší než 20 W; nebo
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
výstupní energie vyšší než 1,5 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 30 W; nebo
SEE ALSO 4A101.
„průměrný výstupní výkon“ vyšší než 30 W;
a.
jednoduchý příčný mód a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 20 W;
Specially designed to have any of the following:
jednoduchý příčný mód a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 20 W; nebo
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
násobný příčný mód a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 50 W; nebo
Total Dose
c. „dobu trvání pulsu“ delší než 1 μs a některou z těchto vlastností:
5 × 103 Gy (silicon);
výstupní energie vyšší než 2 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 50 W;
Dose Rate Upset
jednoduchý příčný mód a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 50 W; nebo
5 × 106 Gy (silicon)/s; or
násobný příčný mód a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 80 W;
Single Event Upset
a. „dobu trvání pulsu“ kratší než 1 ps a některou z těchto vlastností:
1 × 10– 8 Error/bit/day;
výstupní „špičkový výkon“ vyšší než 2 GW na puls;
4A001.a.2. does not control computers specially designed for "civil aircraft" applications.
„průměrný výstupní výkon“ vyšší než 30 W; nebo
b.
výstupní energii vyšší než 0,002 J na puls;
Not used.
b. „dobu trvání pulsu“ 1 ps nebo delší, ale menší než 1 ns, a některou z těchto vlastností:
"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows and specially designed components therefor:
výstupní „špičkový výkon“ vyšší než 5 GW na puls;
4A003 includes the following:
výstupní energii vyšší než 0,1 J na puls;
'Vector processors';
c. „dobu trvání pulsu“ 1 ns nebo delší, ale menší než 1 μs, a některou z těchto vlastností:
Array processors;
jednoduchý příčný mód a některou z těchto vlastností:
Digital signal processors;
a. „špičkový výkon“ vyšší než 100 MW;
Logic processors;
b. „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 20 W konstrukčně omezený na maximální frekvenci opakování pulsů menší nebo rovnou 1 kHz;
Equipment designed for "image enhancement".
c. ‚účinnost laseru‘ vyšší než 12 % a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 100 W a schopnost provozu při frekvenci opakování pulsů vyšší než 1 kHz;
The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
d. „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 150 W a schopnost provozu při frekvenci opakování pulsů vyšší než 1 kHz; nebo
The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
e. výstupní energie vyšší než 2 J na impuls; nebo
The "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
násobný příčný mód a některou z těchto vlastností:
The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
a. „špičkový výkon“ vyšší než 400 MW;
For the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
b. ‚účinnost laseru‘ vyšší než 18 % a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 500 W;
c.
c. „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 2 kW; nebo
The "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E.
d. výstupní energie vyšší než 4 J na impuls; nebo
b.
d. „dobu trvání pulsu“ delší než 1 μs a některou z těchto vlastností:
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 16 Weighted TeraFLOPS (WT);
a. „špičkový výkon“ vyšší než 500 kW;
c.
b. ‚účinnost laseru‘ vyšší než 12 % a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 100 W; nebo
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit specified in 4A003.b.;
c. „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 150 W; nebo
4A003.c. controls only "electronic assemblies" and programmable interconnections not exceeding the limit specified in 4A003.b. when shipped as unintegrated "electronic assemblies".
a. „špičkový výkon“ vyšší než 1 MW;
4A003.c. does not control "electronic assemblies" specially designed for a product or family of products whose maximum configuration does not exceed the limit specified in 4A003.b.
b. ‚účinnost laseru‘ vyšší než 18 % a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 500 W; nebo
g.
c. „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 2 kW;
Equipment specially designed for aggregating the performance of "digital computers" by providing external interconnections which allows communications at unidirectional data rates exceeding 2,0 Gbyte/s per link.
výstupní vlnovou délku větší než 1150 nm, ale nejvýše 1555 nm, a některou z těchto vlastností:
4A003.g. does not control internal interconnection equipment (e.g. backplanes, buses), passive interconnection equipment, "network access controllers" or "communications channel controllers".
a. „dobu trvání pulsu“ kratší než 1 μs a některou z těchto vlastností:
Computers as follows and specially designed related equipment, "electronic assemblies" and components therefor:
násobný příčný mód a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 50 W; nebo
a.
b. „dobu trvání pulsu“ delší než 1 μs a některou z těchto vlastností:
"Systolic array computers";
výstupní energie vyšší než 2 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 50 W;
b.
násobný příčný mód a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 80 W;
"Neural computers";
výstupní vlnovou délku větší než 1555 nm, ale nejvýše 1850 nm, a některou z těchto vlastností:
c.
a. výstupní energie vyšší než 100 mJ na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 1 W; nebo
"Optical computers".
výstupní vlnovou délku větší než 1850 nm, ale nejvýše 2100 nm, a některou z těchto vlastností:
Systems, equipment, and components therefor, specially designed or modified for the generation, command and control, or delivery of "intrusion software".
a. jednoduchý příčný mód a některou z těchto vlastností:
Analogue computers, "digital computers" or digital differential analysers, other than those specified in 4A001.a.1., which are ruggedized and designed or modified for use in space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.
výstupní energie vyšší než 100 mJ na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 1 W; nebo
"Hybrid computers" specially designed for modelling, simulation or design integration of space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.
„průměrný výstupní výkon“ vyšší než 1 W; nebo
This control only applies when the equipment is supplied with "software" specified in 7D103 or 9D103.
b. násobný příčný mód a některou z těchto vlastností:
The control status of "software" for equipment described in other Categories is dealt with in the appropriate Category.
výstupní energie vyšší než 100 mJ na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 10 kW; nebo
"Software" as follows:
„průměrný výstupní výkon“ vyšší než 120 W; nebo
a.
výstupní vlnovou délku větší než 2100 nm a některou z těchto vlastností:
"Software" specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment or "software" specified in 4A001 to 4A004, or 4D.
a. výstupní energie vyšší než 100 mJ na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 1 W; nebo
b.
b. „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 1 W;
"Software", other than that specified in 4D001.a., specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment as follows:
c. „laditelné“ „lasery“ mající některou z těchto vlastností:
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 8,0 Weighted TeraFLOPS (WT);
výstupní vlnovou délku menší než 600 nm a některou z těchto vlastností:
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit in 4D001.b.1.
a. výstupní energie vyšší než 50 mJ na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 1 W; nebo
"Software" specially designed or modified for the generation, command and control, or delivery of "intrusion software".
b. průměrný výstupní výkon nebo výstupní výkon v režimu spojité vlny vyšší než 1 W;
a.
Položka 6A005.c.1. nezahrnuje barvivové „lasery“ nebo jiné kapalné „lasery“, které mají multimodální výstup a vlnovou délku 150 nm nebo vyšší, avšak nepřevyšující 600 nm a všechny tyto vlastnosti: 1.
"Technology" according to the General Technology Note, for the "development", "production" or "use" of equipment or "software" specified in 4A or 4D.
výstupní energii menší než 1,5 J na puls nebo „špičkový výkon“ menší než 20 W; a 2.
b.
průměrný výstupní výkon nebo výstupní výkon v režimu spojité vlny menší než 20 W.
"Technology", according to the General Technology Note, other than that specified in 4E001.a., for the "development" or "production" of equipment as follows:
výstupní vlnovou délku 600 nm nebo vyšší, ale nejvýše 1400 nm, a některou z těchto vlastností:
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit in 4E001.b.1.
a. výstupní energie vyšší než 1 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 20 W; nebo
c.
b. průměrný výstupní výkon nebo výstupní výkon v režimu spojité vlny vyšší než 20 W; nebo
"Technology" for the "development" of "intrusion software".
výstupní vlnovou délku větší než 1400 nm a některou z těchto vlastností:
TECHNICAL NOTE ON "ADJUSTED PEAK PERFORMANCE" ("APP")