natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Položka 6A004.a.2. nezahrnuje zrcadla speciálně konstruovaná pro směrování přímého slunečního záření v pozemních heliostatických zařízeních.
g.
lehké „kompozitní“ nebo pěnové zrcadlové konstrukce s průměrnou „ekvivalentní hustotou“ menší než 30 kg/m2 a celkovou hmotností vyšší než 2 kg;
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Položka 6A004.a.3. nezahrnuje zrcadla speciálně konstruovaná pro směrování přímého slunečního záření v pozemních heliostatických zařízeních.
h.
zrcadla speciálně konstruovaná pro stupně zrcadel s řízením směru paprsku uvedené v položce 6A004.d.2.a. s plochostí λ/10 nebo lepší (pokud se λ rovná 633 nm) a mající některou z těchto vlastností:
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified in 3B001.g. and having any of the following:
a. průměr nebo délka hlavní osy 100 mm nebo větší; nebo
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
b. mající všechny tyto vlastnosti:
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
průměr nebo délka hlavní osy větší než 50 mm a menší než 100 mm; a
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not specified in 3A001.
práh poškození laserem (LIDT), který má některý z těchto parametrů:
i.
a. větší než 10 kW/cm2 při použití „CW laseru (kontinuálního laseru)“; nebo
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
b. větší než 20 J/cm2 při použití 20ns „laserových“ pulsů s opakovací frekvencí 20 Hz;
j.
b. optické součásti vyrobené ze selenidu zinečnatého (ZnSe) nebo sulfidu zinečnatého (ZnS) s propustností ve vlnovém rozsahu nad 3000 nm, avšak nejvýše 25000 nm, které mají některou z těchto vlastností:
Mask "substrate blanks" with multilayer reflector structure consisting of molybdenum and silicon, and having all of the following:
objem větší než 100 cm3; nebo
Specially designed for 'Extreme Ultraviolet' ('EUV') lithography; and
průměr nebo délka hlavní osy větší než 80 mm a tloušťka (hloubka) větší než 20 mm;
Compliant with SEMI Standard P37.
c. součásti optických systémů „vhodné pro kosmické aplikace“:
'Extreme Ultraviolet' ('EUV') refers to electromagnetic spectrum wavelengths greater than 5 nm and less than 124 nm.
součásti odlehčené na méně než 20 % „ekvivalentní hustoty“ v porovnání s plným polotovarem stejné apertury a tloušťky;
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
surové substráty, zpracované substráty s povrchovými povlaky (jednovrstvými nebo vícevrstvými, kovovými nebo dielektrickými, vodivými, polovodičovými nebo izolačními) nebo s ochrannými fóliemi;
a.
segmenty nebo sestavy zrcadel, které jsou konstruovány tak, aby mohly být v kosmickém prostoru zamontovány do optického systému se sběrnou aperturou stejnou nebo větší než u jednoduchého optického prvku o průměru 1 m;
For testing S-parameters of items specified in 3A001.b.3.;
součásti vyrobené z „kompozitních“ materiálů, jejichž koeficient lineární tepelné roztažnosti v jakémkoliv směru souřadnic je roven 5 × 10-6 nebo menší;
c.
d. optická ovládací zařízení:
For testing items specified in 3A001.b.2.
zařízení speciálně konstruovaná pro udržování tvaru povrchu nebo orientace součástí „vhodných pro kosmické aplikace“ uvedených v položce 6A004.c.1. nebo 6A004.c.3.;
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
zařízení pro směrování, sledování, stabilizaci a nastavení rezonátoru:
a.
a. stupně zrcadel s řízením směru paprsku konstruované pro zrcadla o průměru nebo délce hlavní osy větší než 50 mm, která mají všechny tyto vlastnosti, a speciálně pro ně konstruované zařízení pro elektronické řízení:
Silicon (Si);
nejvyšší úhlovou dráhu nejméně ±26 mrad;
b.
mechanickou rezonanční frekvenci nejméně 500 Hz; a
Germanium (Ge);
úhlovou „přesnost“ 10 μrad (mikroradiánů) nebo menší (lepší);
c.
b. zařízení pro nastavení rezonátoru s pásmovou šířkou rovnající se nebo větší než 100 Hz a „přesností“ 10 μrad nebo menší (lepší);
Silicon carbide (SiC); or
kardanové závěsy, které mají všechny tyto vlastnosti:
d.
a. maximální výkyv přes 5o;
"III/V compounds" of gallium or indium.
b. pásmová šířka nejméně 100 Hz;
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
c. chyby úhlového zaměřování nejvýše 200 μrad (mikroradiánů); a
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
průměr nebo délka hlavní osy větší než 0,15 m, avšak nejvýše 1 m, a schopnost dosáhnout úhlových zrychlení přesahujících 2 rad/s2; nebo
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
průměr nebo délka hlavní osy větší než 1 m a schopnost dosáhnout úhlových zrychlení přesahujících 0,5 rad/s2;
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 193 nm but equal to or greater than 15 nm;
e. ‚asférické optické prvky‘, které mají všechny tyto vlastnosti:
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
největší rozměr optické apertury je větší než 400 mm;
b.
drsnost povrchu je menší než 1 nm ve střední kvadratické hodnotě pro měřené délky rovné nebo větší než 1 mm; a
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
absolutní hodnota koeficientu lineární tepelné roztažnosti je menší než 3 × 10-6/K při 25 °C.
d.
‚Asférickým optickým prvkem‘ se rozumí jakýkoli prvek používaný v optickém systému, jehož zobrazovací povrch nebo povrchy jsou konstruovány tak, aby se odchylovaly od profilu ideální plochy.
All resists optimised for surface imaging technologies;
Měření drsnosti povrchu uváděné v položce 6A004.e.2. se od výrobců nepožaduje, pokud optický prvek nebyl záměrně konstruován nebo vyroben tak, aby byl v souladu s kontrolními parametry nebo aby je překračoval.
e.
Položka 6A004.e. nezahrnuje ‚asférické optické prvky‘, které mají některou z těchto vlastností:
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
největší rozměr optické apertury je menší než 1 m a poměr ohniskové délky k apertuře (poměr otevření) je nejméně 4,5:1;
Organo-inorganic compounds as follows:
největší rozměr optické apertury je nejméně 1 m a poměr ohniskové délky k apertuře je nejméně 7:1;
a.
jsou konstruovány jako optické prvky typu Fresnel, flyeye či páskového, hranolovitého nebo mřížkového difrakčního typu;
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
jsou vyrobeny z borokřemičitého skla s koeficientem lineární tepelné roztažnosti větším než 2,5 × 10-6/K při 25 °C; nebo
b.
jedná se o rentgenové optické prvky se schopnostmi dovnitř zaměřeného zrcadla (např. trubková zrcadla).
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
‚Asférické optické prvky‘ speciálně konstruované pro litografická zařízení viz 3B001.
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
f. Zařízení pro měření dynamické vlnoplochy, která mají všechny tyto vlastnosti:
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
‚četnost snímků‘ rovnající se nebo větší než 1 kHz; a
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
přesnost vlnoplochy rovnající se nebo menší (lepší) než λ/20 při určené vlnové délce.
High resistivity materials as follows:
Pro účely položky 6A004.f. je ‚četnost snímků‘ frekvence, při níž jsou všechny „aktivní pixely“ v „ohniskovém poli“ integrovány pro záznam obrazů promítaných optikou senzoru vlnoplochy.
a.
„Lasery“, jiné než uvedené v položce 0B001.g.5. nebo 0B001.h.6., součásti a optická zařízení:
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C;
VIZ TÉŽ 6A205.
b.
Impulsní „lasery“ zahrnují „lasery“, které pracují v režimu spojité vlny (CW) se superponovanými pulsy.
Polycrystalline "substrates" or polycrystalline ceramic "substrates", having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C and having at least one non-epitaxial single-crystal layer of silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN), or aluminium gallium nitride (AlGaN) on the surface of the "substrate".
Excimerové, polovodičové, chemické, CO, CO2 a ‚jednorázové pulsní‘ „lasery“ s neodymovým sklem jsou specifikovány v položce 6A005.d.
Materials, not specified in 3C001, consisting of a "substrate" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
Slovy ‚jednorázové pulsní‘ se označují „lasery“, které vytvářejí buď jediný výstupní puls nebo u nichž je doba mezi pulsy delší než minuta.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
Položka 6A005 zahrnuje vláknové „lasery“.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
Status „laserů“ jejichž součástí je frekvenční konverze (tj. změna vlnové délky) jinými způsoby, než tím, že jeden „laser“ poskytuje energii pro jiný „laser“, se určuje použitím kontrolních parametrů jak pro výkon zdrojového „laseru“, tak pro optický výkon po frekvenční konverzi.
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Poznámka 5:
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Položka 6A005 nezahrnuje tyto „lasery“:
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
rubínový s výstupní energií nižší než 20 J;
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
dusíkový;
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
kryptonový.
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
V položce 6A005 je ‚účinnost laseru‘ definována jako poměr výstupního výkonu „laseru“ (nebo „průměrného výstupního výkonu“) k celkovému elektrickému příkonu potřebnému k provozu „laseru“, včetně dodávky/stabilizace napájení a tepelné stabilizace / tepelného výměníku.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
a.
3E001 does not control "technology" for equipment or components specified in 3A003.
Ne-„laditelné“ kontinuální „(CW) lasery“, které mají některou z těchto vlastností:
3E001 does not control "technology" for integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
výstupní vlnovou délku menší než 150 nm a výstupní výkon vyšší než 1 W;
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
výstupní vlnovou délku 150 nm nebo větší, ale nejvýše 510 nm, a výstupní výkon vyšší než 30 W;
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
Položka 6A005.a.2. nezahrnuje argonové „lasery“ s výstupním výkonem rovným nebo nižším než 50 W.
3E001 does not control 'Process Design Kits' ('PDKs') unless they include libraries implementing functions or technologies for items specified in 3A001.
výstupní vlnovou délku větší než 510 nm, ale nejvýše 540 nm, a některou z těchto vlastností:
A 'Process Design Kit' ('PDK') is a software tool provided by a semiconductor manufacturer to ensure that the required design practices and rules are taken into account in order to successfully produce a specific integrated circuit design in a specific semiconductor process, in accordance with technological and manufacturing constraints (each semiconductor manufacturing process has its particular 'PDK').
a. jednoduchý příčný mód a výstupní výkon vyšší než 50 W; nebo
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
b. násobný příčný mód a výstupní výkon větší než 150 W;
a.
výstupní vlnovou délku větší než 540 nm, ale nejvýše 800 nm, a výstupní výkon vyšší než 30 W;
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
výstupní vlnovou délku větší než 800 nm, ale nejvýše 975 nm, a některou z těchto vlastností:
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
b. násobný příčný mód a výstupní výkon větší než 80 W;
b.
výstupní vlnovou délku větší než 975 nm, ale nejvýše 1150 nm, a některou z těchto vlastností:
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
a. jednoduchý příčný mód a výstupní výkon vyšší než 500 W; nebo
c.
b. násobný příčný mód a některou z těchto vlastností:
Designed to perform more than eight 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
‚účinnost laseru‘ vyšší než 18 % a výstupní výkon vyšší než 500 W; nebo
3E002 does not control "technology" for multimedia extensions.
výstupní výkon vyšší než 2 kW;
3E002 does not control "technology" for micro-processor cores, having all of the following:
Položka 6A005.a.6.b. nezahrnuje průmyslové „lasery“ s násobným příčným módem s výstupním výkonem vyšším než 2 kW a ne vyšším než 6 kW o celkové hmotnosti přesahující 1200 kg.
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
Pro účely této poznámky zahrnuje celková hmotnost všechny součásti nezbytné pro provoz „laseru“, např., „laser“, napájení, tepelný výměník, avšak nezahrnuje vnější optiku pro stabilizaci nebo vytváření paprsku.
3E002 includes "technology" for the "development" or "production" of digital signal processors and digital array processors.
Položka 6A005.a.6.b. nezahrnuje průmyslové „lasery“ s násobným příčným módem, které mají některou z těchto vlastností:
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
výstupní výkon vyšší než 500 W, avšak nejvýše 1 kW, a obě tyto vlastnosti:
a.
poloměr laserového svazku v krčku (BPP) větší než 0,7 mm•mrad; a
Vacuum microelectronic devices;
‚jas‘ nejvýše 1024 W/(mm•mrad)2;
b.
výstupní výkon vyšší než 1 kW, avšak nejvýše 1,6 kW, a BPP větší než 1,25 mm•mrad;
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
výstupní výkon vyšší než 1,6 kW, avšak nejvýše 2,5 kW, a BPP větší než 1,7 mm•mrad;
3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
výstupní výkon vyšší než 2,5 kW, avšak nejvýše 3,3 kW, a BPP větší než 2,5 mm•mrad;
c.
výstupní výkon vyšší než 3,3 kW, avšak nejvýše 4 kW, a BPP větší než 3,5 mm•mrad;
"Superconductive" electronic devices;
výstupní výkon vyšší než 4 kW, avšak nejvýše 5 kW, a BPP větší než 5 mm•mrad;
d.
výstupní výkon vyšší než 5 kW, avšak nejvýše 6 kW, a BPP větší než 7,2 mm•mrad;
Substrates of films of diamond for electronic components.
výstupní výkon vyšší než 6 kW, avšak nejvýše 8 kW, a BPP větší než 12 mm•mrad; nebo
e.
výstupní výkon vyšší než 8 kW, avšak nejvýše 10 kW, a BPP větší než 24 mm•mrad.
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
Pro účely poznámky 2.a. položky 6A005.a.6.b. je ‚jas‘ definován jako podíl výstupního výkonu „laseru“ a druhé mocniny poloměru laserového svazku v krčku (BPP), tj. (výstupní výkon)/BPP2.
f.
výstupní vlnovou délku větší než 1150 nm, ale nejvýše 1555 nm, a některou z těchto vlastností:
Substrates of silicon carbide for electronic components;
a. jednoduchý příčný mód a výstupní výkon vyšší než 50 W; nebo
g.
b. vícenásobný přechodový mód a výstupní výkon vyšší než 80 W;
'Vacuum electronic devices' operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
výstupní vlnovou délku větší než 1555 nm, ale nejvýše 1850 nm, a výstupní výkon vyšší než 1 W;
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
výstupní vlnovou délku větší než 1850 nm, ale nejvýše 2100 nm, a některou z těchto vlastností:
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software"specified in 3D101.
a. jednoduchý příčný mód a výstupní výkon vyšší než 1 W; nebo
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
b. násobný příčný mód a výstupní výkon větší než 120 W; nebo
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
výstupní vlnovou délku větší než 2100 nm a výstupní výkon vyšší než 1 W;
CATEGORY 4 — COMPUTERS
b. ne-„laditelné“ „pulsní lasery“, které mají některou z těchto vlastností:
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
výstupní vlnovou délku menší než 150 nm a některou z těchto vlastností:
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, 'main storage' or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
a. výstupní energie vyšší než 50 mJ na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 1 W; nebo
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
b. „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 1 W;
'Main storage' is the primary storage for data or instructions for rapid access by a central processing unit.
výstupní vlnovou délku 150 nm nebo větší, avšak nejvýše 510 nm a některou z těchto vlastností:
It consists of the internal storage of a "digital computer" and any hierarchical extension thereto, such as cache storage or non-sequentially accessed extended storage.
a. výstupní energie vyšší než 1,5 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 30 W; nebo
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
b. „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 30 W;
SEE ALSO 4A101.
Položka 6A005.b.2.b. nezahrnuje argonové „lasery“, které mají „průměrný výstupní výkon“ rovný nebo menší než 50 W.
a.
a. jednoduchý příčný mód a některou z těchto vlastností:
Specially designed to have any of the following:
výstupní energie vyšší než 1,5 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 50 W; nebo
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C); or
„průměrný výstupní výkon“ vyšší než 50 W; nebo
4A001.a.1. does not control computers specially designed for civil automobile, railway train or “civil aircraft” applications.
výstupní energie vyšší než 1,5 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 150 W; nebo
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
„průměrný výstupní výkon“ vyšší než 150 W;
Total Dose
výstupní vlnovou délku větší než 540 nm, ale nejvýše 800 nm, a některou z těchto vlastností:
5 × 103 Gy (silicon);
a. „dobu trvání pulsu“ kratší než 1 ps a některou z těchto vlastností:
Dose Rate Upset
výstupní energie vyšší než 0,005 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 5 GW; nebo
5 × 106 Gy (silicon)/s; or
„průměrný výstupní výkon“ vyšší než 20 W; nebo
Single Event Upset
b. „dobu trvání pulsu“ 1 ps nebo delší a některou z těchto vlastností:
1 × 10–8 Error/bit/day;
výstupní energie vyšší než 1,5 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 30 W; nebo
4A001.a.2. does not control computers specially designed for "civil aircraft" applications.
„průměrný výstupní výkon“ vyšší než 30 W;
b.
jednoduchý příčný mód a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 20 W;
Not used.
výstupní energie vyšší než 0,5 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 50 W;
4A003 includes the following:
jednoduchý příčný mód a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 20 W; nebo
'Vector processors';
násobný příčný mód a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 50 W; nebo
Array processors;
c. „dobu trvání pulsu“ delší než 1 μs a některou z těchto vlastností:
Digital signal processors;
výstupní energie vyšší než 2 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 50 W;
Logic processors;
jednoduchý příčný mód a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 50 W; nebo
Equipment designed for "image enhancement".
násobný příčný mód a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 80 W;
The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
a. „dobu trvání pulsu“ kratší než 1 ps a některou z těchto vlastností:
The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
výstupní „špičkový výkon“ vyšší než 2 GW na puls;
The "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
„průměrný výstupní výkon“ vyšší než 30 W; nebo
The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
výstupní energii vyšší než 0 002 J na puls;
For the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
b. „dobu trvání pulsu“ 1 ps nebo delší, ale menší než 1 ns, a některou z těchto vlastností:
The "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E.
výstupní „špičkový výkon“ vyšší než 5 GW na puls;
b.
výstupní energii vyšší než 0,1 J na puls;
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 29 Weighted TeraFLOPS (WT);
c. „dobu trvání pulsu“ 1 ns nebo delší, ale menší než 1 μs, a některou z těchto vlastností:
c.
jednoduchý příčný mód a některou z těchto vlastností:
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit specified in 4A003.b.;
a. „špičkový výkon“ vyšší než 100 MW;
4A003.c. controls only "electronic assemblies" and programmable interconnections not exceeding the limit specified in 4A003.b. when shipped as unintegrated "electronic assemblies".