natgillin/translations-raw huggingface dataset:
lékařská zařízení;
Frequency changers in 3A225 are also known as converters or inverters.
průmyslová zařízení používaná pro kontrolu, třídění nebo analýzu vlastností materiálů;
Frequency changers in 3A225 may be marketed as Generators, Electronic Test Equipment, AC Power Supplies, Variable Speed Motors Drives, Variable Speed Drives (VSDs), Variable Frequency Drives (VFDs), Adjustable Frequency Drives (AFDs), or Adjustable Speed Drives (ASDs).
plamenové detektory pro průmyslové pece;
High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
zařízení speciálně konstruovaná pro laboratorní použití.
a.
d. speciální podpůrné součásti pro optické snímače:
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
kryochladiče „vhodné pro kosmické aplikace“;
b.
kryochladiče, které nejsou „vhodné pro kosmické aplikace“, s chladícím zdrojem pro teploty pod 218 K (– 55 °C):
Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
a. pracující v uzavřeném cyklu a jejichž střední doba provozu do poruchy (MTTF) nebo střední doba provozu mezi poruchami (MTBF) je delší než 2500 hodin;
High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
Joule-Thompsonovy (JT) samoregulační minichladiče s vnějším průměrem otvoru menším než 8 mm;
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
citlivá optická vlákna speciálně vyrobená buď kompozičně, nebo strukturně nebo upravená povlakem za účelem dosažení citlivosti vůči akustickému, tepelnému, inertnímu, elektromagnetickému nebo jadernému záření;
Switching devices, as follows:
Položka 6A002.d.3. nezahrnuje zapouzdřená citlivá optická vlákna speciálně konstruovaná pro průzkumné vrtné aplikace.
a.
e. nevyužito.
Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
Kamery, systémy nebo zařízení a jejich součásti:
Containing three or more electrodes;
VIZ TÉŽ 6A203.
Anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
a. přístrojové kamery a jejich speciálně konstruované součásti:
Anode peak current rating of 100 A or more; and
Přístrojové kamery uvedené v položkách 6A003.a.3. až 6A003.a.5. s modulárními strukturami je třeba hodnotit podle jejich maximální schopnosti za použití výměnných karet, které jsou k dispozici podle specifikací výrobce kamer.
Anode delay time of 10 μs or less;
rychloběžné filmové záznamové kamery používající jakýkoli formát filmu od 8 mm do 16 mm včetně, v nichž se film kontinuálně posouvá během doby záznamu a které jsou schopny pracovat rychlostí větší než 13150 snímků za sekundu;
3A228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
Položka 6A003.a.1. nezahrnuje filmové záznamové kamery pro civilní účely.
b.
mechanické rychloběžné kamery, v nichž se film nepohybuje a které jsou schopny zaznamenat více než 1000000 snímků za sekundu na celé výšce snímku 35mm filmu nebo při úměrně vyšších rychlostech na menších výškách snímku filmu nebo při úměrně nižších rychlostech na větších výškách snímku;
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
mechanické nebo elektronické zábleskové kamery:
An anode delay time of 15 μs or less; and
a. mechanické zábleskové kamery s rychlostí zápisu větší než 10 mm/μs;
Rated for a peak current of 500 A or more;
b. elektronické zábleskové kamery schopné rozlišit čas 50 ns nebo méně;
c.
elektronické snímkovací kamery, které pracují s rychlostí vyšší než 1000000 snímků za sekundu;
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
elektronické kamery, které mají všechny tyto vlastnosti:
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
a. rychlost elektronické závěrky (dosažitelnost času osvitu) kratší než 1 μs na jeden úplný snímek; a
Anode peak current rating of 500 A or more; and
b. čtecí čas umožňující dosáhnout rychlosti snímkování větší než 125 úplných snímků za sekundu;
Turn-on time of 1 μs or less.
výměnné karty, které mají všechny tyto vlastnosti:
High-current pulse generators as follows:
a. speciálně konstruované pro přístrojové kamery s modulární strukturou uvedené v položce 6A003.a; a
a.
b. umožňující kamerám splňovat vlastnosti uvedené v položkách 6A003.a.3., 6A003.a.4., nebo 6A003.a.5. v souladu se specifikacemi výrobce;
Detonator firing sets (initiator systems, firesets), including electronically-charged, explosively-driven and optically-driven firing sets, other than those specified in 1A007.a., designed to drive multiple controlled detonators specified in 1A007.b.;
b. zobrazovací kamery:
b.
Položka 6A003.b. nezahrnuje televizní kamery nebo videokamery speciálně konstruované pro televizní vysílání.
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
videokamery, které mají polovodičové snímače s maximální citlivostí v rozmezí vlnových délek nad 10 nm, avšak nejvýše 30000 nm, a mají všechny tyto vlastnosti:
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
a. mají některou z těchto vlastností:
Capable of delivering their energy in less than 15 μs into loads of less than 40 ohms;
více než 4 × 106 „aktivních pixelů“ v jednom polovodičovém poli v případě monochromatických (černobílých) kamer;
Having an output greater than 100 A;
více než 4 × 106 „aktivních pixelů“ v jednom polovodičovém poli v případě barevných kamer obsahujících tři polovodičová pole; nebo
No dimension greater than 30 cm;
více než 12 × 106 „aktivních pixelů“ v jednom polovodičovém poli v případě barevných kamer obsahujících jedno polovodičové pole; a
Weight less than 30 kg; and
optická zrcadla uvedená v položce 6A004.a.;
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
optická kontrolní zařízení uvedená v položce 6A004.d.; nebo
3A229.b. includes xenon flash-lamp drivers.
schopnost okomentovat interně generované ‚sledovací údaje kamery‘;
c.
Pro účely této položky by měly být digitální videokamery hodnoceny podle maximálního počtu „aktivních pixelů“ použitých pro zachycení filmových obrazů.
Micro-firing units having all of the following characteristics:
Pro účely této položky se ‚sledovacími údaji kamery‘ rozumí informace nezbytné pro určení orientace linky hledáčku vůči zemi.
No dimension greater than 35 mm;
To zahrnuje: 1) horizontální úhel, který linka hledáčku kamery tvoří vůči směru zemského magnetického pole a 2) vertikální úhel mezi linkou hledáčku kamery a zemským horizontem.
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
rastrovací kamery a systémy rastrovacích kamer, které mají všechny tyto vlastnosti:
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
a. maximální citlivost v rozmezí vlnových délek nad 10 nm, avšak nejvýše 30000 nm;
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
b. lineární detektorová pole s více než 8192 prvky v každém poli; a
a.
c. mechanické řádkování v jednom směru;
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
Položka 6A003.b.2 se nevztahuje na kontrolní rastrovací kamery a systémy rastrovacích kamer speciálně konstruované pro některé z těchto účelů:
b.
průmyslové nebo civilní kopírovací stroje;
'Pulse transition time' less than 500 ps.
zobrazovací rastrovací kamery speciálně konstruované pro civilní, nepřenosné aplikace rastrování v bezprostřední blízkosti (např. reprodukce obrazu či nátisku v dokumentech, reprodukce uměleckých děl nebo fotografií apod.); nebo
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
zdravotnické přístroje.
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
zobrazovací kamery obsahující elektronkové zesilovače obrazu uvedené v položce 6A002.a.2.a. nebo 6A002.a.2.b;
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
zobrazovací kamery obsahující „ohnisková pole“ mající některou z těchto částí:
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
a. „ohnisková pole“ uvedená v položkách 6A002.a.3.a až 6A002.a.3.e;
a.
b. „ohnisková pole“ uvedená v položce 6A002.a.3.f; nebo
Designed for operation without an external vacuum system; and
c. „ohnisková pole“ uvedená v položce 6A002.a.3.g.;
b.
Zobrazovací kamery uvedené v položce 6A003.b.4 zahrnují vedle integrovaného čtecího okruhu „ohnisková pole“ společně s dostatečnou elektronickou částí pro „zpracování signálu“ umožňující při napájení alespoň výstup analogového nebo digitálního signálu.
Utilizing any of the following:
Položka 6A003.b.4.a nezahrnuje zobrazovací kamery obsahující lineární „ohnisková pole“ s nejvýše 12 prvky nebo méně, u nichž v prvku nedochází k časovému zpoždění a integraci a které jsou konstruované pro některý z těchto účelů: a.
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
průmyslové nebo civilní poplašné systémy proti nežádoucímu vniknutí, systémy pro řízení provozu nebo průmyslové přepravy nebo počítací systémy; b.
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
průmyslová zařízení používaná pro kontrolu nebo sledování oběhu tepla v budovách, zařízeních nebo výrobních procesech; c.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
průmyslová zařízení používaná pro kontrolu, třídění nebo analýzu vlastností materiálů; d.
See 1A007.b. for detonators.
zařízení speciálně konstruovaná pro laboratorní použití; nebo e.
b.
zdravotnické přístroje.
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over an area greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
Položka 6A003.b.4.b se nevztahuje na zobrazovací kamery, jež mají některou z těchto vlastností:
3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
maximální frekvence snímků je 9 Hz nebo méně;
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
minimální horizontální nebo vertikální ‚okamžité zorné pole‘ (IFOV) nejméně 10 mrad (miliradiánů);
a.
čočka s pevnou ohniskovou vzdáleností, jež není konstruována jako odnímatelná;
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
neobsahují displej s ‚přímým zobrazením‘; a
b.
nemají žádné zařízení pro získání zobrazitelného obrázku zjištěného zorného pole nebo
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
kamera je konstruována pro jeden druh použití a tak, aby na ní uživatel nemohl provádět úpravy; nebo
c.
kamera je speciálně konstruována pro montáž do civilního osobního pozemního vozidla a má všechny tyto vlastnosti:
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
účelem umístění a konfigurace kamery ve vozidle je výhradně pomáhat řidiči při bezpečném provozu vozidla;
d.
je funkční, pouze je-li instalována:
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
v civilním osobním pozemním vozidle, pro nějž byla určena, do hmotnosti 4500 kg (celková hmotnost vozidla); nebo
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
ve speciálně navrženém schváleném zkušebním zařízení pro údržbu; a
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
obsahuje aktivní mechanismus, který kameru vyřadí z provozu, jakmile je vyjmuta z vozidla, pro které byla určena.
e.
‚Okamžité zorné pole‘ (IFOV) uvedené v poznámce 3.b. položky 6A003.b.4. je nižší hodnota z ‚horizontálního IFOV‘ nebo ‚vertikálního IFOV‘.
Not used;
‚Horizontální IFOV‘ = horizontální zorné pole (FOV)/počet horizontálních detektorových prvků
f.
‚Vertikální IFOV‘ = vertikální zorné pole (FOV)/počet vertikálních detektorových prvků.
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
‚Přímé zobrazení‘ v poznámce 3.b. položky 6A003.b.4. se týká zobrazovací kamery pracující v infračerveném spektru, která poskytuje pozorovateli vizuální obraz za použití mikrodispleje pro přiblížení k oku, a obsahující jakýkoliv mechanismus snadného zabezpečení.
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
Položka 6A003.b.4.c nezahrnuje zobrazovací kamery mající některou z těchto vlastností:
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
kamera je speciálně konstruována pro montáž jakožto nedílná součást systémů a zařízení pro vnitřní prostory, napájených z elektrického rozvodu, jejichž konstrukce je omezena na jediný druh použití, a to:
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
sledování průmyslového procesu, kontrola jakosti nebo rozbor vlastností jednotlivých materiálů;
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
laboratorní vybavení speciálně konstruované pro vědecký výzkum;
a.
zařízení určené k odhalování finančních podvodů; a
Voltage rating greater than 2 kV; and
v systému (systémech) nebo zařízení, pro něž byla určena; nebo
b Inductance of less than 20 nH.
ve speciálně navrženém schváleném zkušebním zařízení pro údržbu; a
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
obsahuje aktivní mechanismus, který kameru vyřadí z provozu, jakmile je vyjmuta ze systému (systémů) nebo zařízení, pro něž byla určena;
SEE ALSO 2B226
kamera je speciálně konstruována pro montáž do civilního osobního pozemního vozidla nebo do plavidla pro převoz osob či vozidel a má všechny tyto vlastnosti:
a.
účelem umístění a konfigurace kamery ve vozidle nebo plavidle je výhradně pomáhat řidiči nebo obsluze při bezpečném provozu vozidla nebo plavidla;
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
v civilním osobním pozemním vozidle, pro nějž byla určena, do hmotnosti 4500 kg (celková hmotnost vozidla);
Equipment designed or modified to produce a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
v plavidle pro převoz osob či vozidel, pro něž byla určena, o celkové délce (LOA) nejméně 65 m; nebo
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
ve speciálně navrženém schváleném zkušebním zařízení pro údržbu; a
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
obsahuje aktivní mechanismus, který kameru vyřadí z provozu, jakmile je vyjmuta z vozidla, pro které byla určena;
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
kamera je konstrukčně omezena tak, aby její maximální „radiantová citlivost“ pro vlnové délky nad 760 nm byla nejvýše 10 mA/W, a má všechny tyto vlastnosti:
b.
obsahuje mechanismus omezující citlivost, který nelze odstranit ani upravit;
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
obsahuje aktivní mechanismus, který kameru vyřadí z provozu, jakmile je odstraněn mechanismus omezující citlivost; a
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
není speciálně konstruovaná ani upravená pro užití pod vodou: nebo
Direct write capability;
d. má všechny tyto vlastnosti: 1.
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
neobsahuje ‚přímé zobrazení‘ ani elektronické zobrazení; 2.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
nemá žádné zařízení pro získání zobrazitelného obrázku zjištěného zorného pole; 3.
e.
„ohniskové pole“ funguje pouze tehdy, je-li namontováno v kameře, pro niž je určeno; a 4.
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
„ohniskové pole“ obsahuje aktivní mechanismus, který zajišťuje, aby bylo trvale vyřazeno z provozu, jakmile je vyjmuto z kamery, pro niž je určeno.
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
zobrazovací kamery obsahující detektory v pevné fázi uvedené v položce 6A002.a.1.
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
Optická zařízení a součásti
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
a. optická zrcadla (reflektory):
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
Pro účely položky 6A004.a. se práh poškození laserem (LIDT) měří podle normy ISO 21254-1:2011.
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
Optická zrcadla zvlášť navržená pro litografické vybavení viz položka 3B001.
f.
„deformovatelná zrcadla“ s aktivní optickou aperturou větší než 10 mm, která mají některou z těchto vlastností, a pro ně speciálně konstruované součásti:
Lithography equipment as follows:
a. mají všechny tyto vlastnosti:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
mechanickou rezonanční frekvenci nejméně 750 Hz; a
a.
více než 200 aktuátorů; nebo
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
b. práh poškození laserem (LIDT), který má některý z těchto parametrů:
b.
větší než 1 kW/cm2 při použití „CW laseru (kontinuálního laseru)“; nebo
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
větší než 2 J/cm2 při použití 20ns „laserových“ pulsů s opakovací frekvencí 20 Hz;
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
lehká monolitická zrcadla s průměrnou „ekvivalentní hustotou“ menší než 30 kg/m2 a celkovou hmotností vyšší než 10 kg;
an exposure light source wavelength in nm
Položka 6A004.a.2. nezahrnuje zrcadla speciálně konstruovaná pro směrování přímého slunečního záření v pozemních heliostatických zařízeních.
K factor
lehké „kompozitní“ nebo pěnové zrcadlové konstrukce s průměrnou „ekvivalentní hustotou“ menší než 30 kg/m2 a celkovou hmotností vyšší než 2 kg;
numerical aperture
Položka 6A004.a.3. nezahrnuje zrcadla speciálně konstruovaná pro směrování přímého slunečního záření v pozemních heliostatických zařízeních.
where the K factor = 0,35
zrcadla speciálně konstruovaná pro stupně zrcadel s řízením směru paprsku uvedené v položce 6A004.d.2.a. s plochostí λ/10 nebo lepší (pokud se λ rovná 633 nm) a mající některou z těchto vlastností:
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
a. průměr nebo délka hlavní osy 100 mm nebo větší; nebo
3B001.f.2. includes:
průměr nebo délka hlavní osy větší než 50 mm a menší než 100 mm; a
Micro contact printing tools
práh poškození laserem (LIDT), který má některý z těchto parametrů:
Hot embossing tools
a. větší než 10 kW/cm2 při použití „CW laseru (kontinuálního laseru)“; nebo
Nano-imprint lithography tools
b. větší než 20 J/cm2 při použití 20ns „laserových“ pulsů s opakovací frekvencí 20 Hz;
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
b. optické součásti vyrobené ze selenidu zinečnatého (ZnSe) nebo sulfidu zinečnatého (ZnS) s propustností ve vlnovém rozsahu nad 3000 nm, avšak nejvýše 25000 nm, které mají některou z těchto vlastností:
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
objem větší než 100 cm3; nebo
a.
průměr nebo délka hlavní osy větší než 80 mm a tloušťka (hloubka) větší než 20 mm;
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
c. součásti optických systémů „vhodné pro kosmické aplikace“:
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
součásti odlehčené na méně než 20 % „ekvivalentní hustoty“ v porovnání s plným polotovarem stejné apertury a tloušťky;
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
surové substráty, zpracované substráty s povrchovými povlaky (jednovrstvými nebo vícevrstvými, kovovými nebo dielektrickými, vodivými, polovodičovými nebo izolačními) nebo s ochrannými fóliemi;
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
segmenty nebo sestavy zrcadel, které jsou konstruovány tak, aby mohly být v kosmickém prostoru zamontovány do optického systému se sběrnou aperturou stejnou nebo větší než u jednoduchého optického prvku o průměru 1 m;
a.
součásti vyrobené z „kompozitních“ materiálů, jejichž koeficient lineární tepelné roztažnosti v jakémkoliv směru souřadnic je roven 5 × 10–6 nebo menší;
A deflected focused electron beam; and
d. optická ovládací zařízení:
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
zařízení speciálně konstruovaná pro udržování tvaru povrchu nebo orientace součástí „vhodných pro kosmické aplikace“ uvedených v položce 6A004.c.1. nebo 6A004.c.3.;
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
zařízení pro směrování, sledování, stabilizaci a nastavení rezonátoru:
g.
a. stupně zrcadel s řízením směru paprsku konstruované pro zrcadla o průměru nebo délce hlavní osy větší než 50 mm, která mají všechny tyto vlastnosti, a speciálně pro ně konstruované zařízení pro elektronické řízení:
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
nejvyšší úhlovou dráhu nejméně ±26 mrad;
h.
mechanickou rezonanční frekvenci nejméně 500 Hz; a
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
úhlovou „přesnost“ 10 μrad (mikroradiánů) nebo menší (lepší);
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
b. zařízení pro nastavení rezonátoru s pásmovou šířkou rovnající se nebo větší než 100 Hz a „přesností“ 10 μrad nebo menší (lepší);
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
kardanové závěsy, které mají všechny tyto vlastnosti:
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
a. maximální výkyv přes 5o;
i.
b. pásmová šířka nejméně 100 Hz;
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
c. chyby úhlového zaměřování nejvýše 200 μrad (mikroradiánů); a
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
d. mají některou z těchto vlastností:
a.