natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Jestliže doba trvání pulsu paprsku urychlovače je menší nebo rovna 1 μs, pak Q je celkový urychlený náboj v coulombech.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2A001.c, 2B001 or 2B003 to 2B009.
Je-li doba trvání pulsu paprsku urychlovače větší než 1 μs, pak Q je maximální urychlený náboj v 1 μs.
2D001 does not control part programming "software" that generates "numerical control" codes for machining various parts.
Q je rovno integrálu i podle t pro dobu méně než 1 μs nebo dobu trvání pulsu (Q = ∫ idt), kde i je proud paprsku v ampérech a t je doba v sekundách.
"Software" for electronic devices, even when residing in an electronic device or system, enabling such devices or systems to function as a "numerical control" unit, capable of co-ordinating simultaneously more than four axes for "contouring control".
‚Špičkový výkon‘ = (špičkové napětí ve voltech) × (špičkový proud paprsku v ampérech).
2D002 does not control "software" specially designed or modified for the operation of items not specified in Category 2.
Ve strojích založených na mikrovlnných urychlovacích dutinách je dobou trvání pulsu paprsku buď 1 μs, nebo doba trvání dávky svazku paprsků vyvolaných jedním pulsem mikrovlnného modulátoru, je-li menší než 1 μs.
2D002 does not control "software" for items specified in 2B002.
Ve strojích založených na mikrovlnných urychlovacích dutinách je špičkovým proudem paprsku průměrný proud po dobu trvání dávky svazku paprsků.
See 2D001 and 2D003 for "software" for items specified in 2B002.
Měniče frekvencí nebo generátory, jiné než uvedené v položce 0B001.b.13., použitelné jako pohon motoru s proměnnou či fixní frekvencí, které mají všechny tyto vlastnosti:
2D002 does not control "software" that is exported with, and the minimum necessary for the operation of, items not specified by Category 2.
„Software“ speciálně vyvinutý za účelem zvýšení nebo uvolnění výkonu frekvenčního měniče nebo generátoru tak, aby odpovídal vlastnostem v položce 3A225, je uveden v položce 3D225.
"Software", designed or modified for the operation of equipment specified in 2B002, that converts optical design, workpiece measurements and material removal functions into "numerical control" commands to achieve the desired workpiece form.
„Technologie“ ve formě kódů nebo klíčů, která má zvýšit nebo uvolnit výkon měniče frekvencí nebo generátoru tak, aby odpovídal vlastnostem v položce 3A225, je uvedena v položce 3E225.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 or 2B119 to 2B122.
a. vícefázový výstup s výkonem 40 VA nebo větším;
SEE ALSO 9D004.
b. pracují při frekvenci 600 Hz nebo více; a
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 or 2B227.
c. řízení frekvence lepší (menší) než 0,2 %.
"Software" specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 2B201.
Položka 3A225 se na měniče frekvencí nebo generátory nevztahuje, jestliže mají omezení hardwaru, „softwaru“ nebo „technologií“, která výkonnost snižují na úroveň nižší, než je uvedeno výše, za předpokladu, že splňují některou z těchto podmínek:
2D202 does not control part programming "software" that generates "numerical control" command codes but does not allow direct use of equipment for machining various parts.
k vylepšení výkonu nebo k odstranění omezení musí být vráceny původnímu výrobci;
"Software", other than that specified in 1D003, specially designed for "use" of equipment specified in 2B351.
k vylepšení nebo uvolnění výkonu za účelem splnění vlastností uvedených v položce 3A225 potřebují „software“ uvedený v položce 3D225; nebo
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software" specified in 2A, 2B or 2D.
k vylepšení nebo uvolnění výkonu za účelem splnění vlastností uvedených v položce 3A225 potřebují „technologii“ ve formě klíčů nebo kódů uvedenou v položce 3E225.
2E001 includes "technology" for the integration of probe systems into coordinate measurement machines specified in 2B006.a.
Měniče frekvencí v položce 3A225 jsou též známy jako konvertory nebo invertory.
"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 2A or 2B.
Měniče frekvencí v položce 3A225 mohou být na trhu pod označením generátory, elektronická zkušební zařízení, zdroje střídavého proudu, pohony s proměnnými otáčkami motoru, pohony s proměnnými otáčkami (VSD), pohony s proměnlivým kmitočtem (VFD), pohony s nastavitelným kmitočtem (AFD), nebo pohony s nastavitelnou rychlostí (ASD).
Other "technology", as follows:
a. schopnost nepřetržitě produkovat po dobu 8 hodin napětí 100 V nebo větší s výstupním proudem nejméně 500 A; a
"Technology" for the "development" of interactive graphics as an integrated part in "numerical control" units for preparation or modification of part programs;
b. stabilitu proudu nebo napětí po dobu 8 hodin lepší než 0,1 %.
b.
Zdroje stejnosměrného proudu s vysokým napětím, jiné než uvedené v položce 0B001.j.5, které mají obě tyto vlastnosti:
"Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:
a. schopnost nepřetržitě produkovat po dobu 8 hodin napětí 20 kV nebo větší s výstupním proudem nejméně 1 A; a
"Technology" for the design of tools, dies or fixtures specially designed for any of the following processes:
Níže uvedená spínací zařízení:
a.
a. elektronky se studenou katodou, též plněné plynem, pracující podobně jako jiskřiště, které mají všechny tyto vlastnosti:
"Superplastic forming";
obsahují tři nebo více elektrod;
b.
jmenovité špičkové anodové napětí 2,5 kV nebo více;
"Diffusion bonding"; or
jmenovitý špičkový anodový proud 100 A nebo více; a
c.
anodové zpoždění nejvýše 10 μs;
"Direct-acting hydraulic pressing";
Položka 3A228 zahrnuje plynové krytronové elektronky a vakuové sprytronové elektronky.
Technical data consisting of process methods or parameters as listed below used to control:
b. spouštěcí jiskřiště, která mají obě tyto vlastnosti:
a.
anodové zpoždění 15 μs nebo méně; a
"Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
jmenovitý špičkový proud 500 A nebo více.
Surface preparation;
c. moduly nebo sestavy s rychlou spínací funkcí, jiné než moduly nebo montážní celky stanovené v položce 3A001.g. nebo 3A001.h., které mají všechny tyto vlastnosti:
Strain rate;
jmenovité špičkové anodové napětí větší než 2 kV;
Temperature;
jmenovitý špičkový anodový proud 500 A nebo více; a
Pressure;
Vysokoproudé pulsní generátory:
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
a. rozbuškové odpalovací sady (rozbuškové systémy, detonační sady) včetně odpalovacích sad odpalovaných elektronicky, výbuchem nebo opticky, jiných než uvedených v položce 1A007.a., konstruované k aktivaci vícenásobně řízených rozněcovačů uvedených v položce 1A007.b.;
c.
b. modulární elektrické pulsní generátory (impulsové generátory), které mají všechny tyto vlastnosti:
"Direct-acting hydraulic pressing" of aluminium alloys or titanium alloys:
jsou konstruovány pro přenosné a mobilní užití nebo užití ve ztížených podmínkách;
Cycle time;
výstup větší než 100 A;
"Hot isostatic densification" of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
žádný rozměr nepřesahuje 30 cm;
c.
hmotnost menší než 30 kg; a
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
jsou určeny k užití v rozšířeném teplotním rozmezí 223 K (– 50 °C) až 373 K (100 °C) nebo jsou svým určením vhodné pro letecké a kosmické užití.
d.
Položka 3A229.b. zahrnuje budiče pro xenonové výbojky.
"Technology" for the "development" of generators of machine tool instructions (e.g., part programs) from design data residing inside "numerical control" units;
c. mikrodetonační jednotky, které mají všechny tyto vlastnosti:
e.
žádný rozměr nepřesahuje 35 mm;
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
napětí rovnající se nebo větší než 1 kV; a
f.
kapacita nejméně 100 nF.
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
Vysokorychlostní pulsní generátory a jejich ‚pulsní hlavice‘, které mají obě tyto vlastnosti:
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
a. výstupní napětí větší než 6 V při odporovém zatížení menším než 55 Ω; a
This table should be read to specify the "technology" for a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
b. ‚pulsní přechodový čas‘ menší než 500 ps.
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
V položce 3A230 je ‚pulsní přechodový čas‘ definován jako časový interval mezi 10 % a 90 % napěťové amplitudy.
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
‚Pulsní hlavice‘ jsou sítě vytvářející impulsy, které jsou navrženy tak, aby dokázaly pracovat s funkcí napěťových kroků a utvářet je do řady pulsních tvarů, které mohou být obdélníkového, trojúhelníkového, krokového, pulsového, exponenciálního nebo monocyklického typu.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
‚Pulsní hlavice‘ mohou být nedílnou součástí generátoru impulsů, mohou být ve formě zásuvného modulu k zařízení, anebo mohou být připojeny externě.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
Systémy pro generování neutronů (včetně trubic), které mají obě tyto vlastnosti:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
a. jsou konstruovány pro provoz bez vnějšího vakuového systému; a
Table
b. využívají některou z těchto činností:
Deposition techniques
elektrostatické zrychlení k vyvolání tritium-deuteriové jaderné reakce; nebo
Coating Process (1) [2]
elektrostatické zrychlení k vyvolání deuterium-deuterium jaderné reakce a umožňující výkon 3 × 109 neutronů/s nebo vyššího.
Substrate
Vícebodové rozbuškové systémy jiné než systémy uvedené v položce 1A007:
Resultant Coating
Rozněcovače viz položka 1A007.b.
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
b. zařízení využívající jednoduché nebo násobné rozbušky, konstruované pro téměř současné odpálení výbušného povrchu o rozměru větším než 5000 mm2 jedním signálem k odpálení s rozšířením přes celý povrch za méně než 2,5 μs.
"Superalloys"
Položka 3A232 nezahrnuje rozbušky využívající pouze primární výbušniny, jako je azid olovnatý.
Aluminides for internal passages
Hmotnostní spektrometry, jiné než uvedené v položce 0B002.g., které jsou schopné měřit ionty o 230 nebo více atomových hmotnostních jednotkách a které mají rozlišovací schopnost lepší než 2 částice z 230, a iontové zdroje pro tyto spektrometry:
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
a. plazmové hmotnostní spektrometry s induktivní vazbou (ICP/MS);
Silicides
b. hmotnostní spektrometry s doutnavým výbojem (GDMS);
Carbides
c. hmotnostní spektrometry s tepelnou ionizací (TIMS);
Dielectric layers (15)
d. hmotnostní spektrometry s elektronovým ostřelováním, které mají obě tyto vlastnosti:
Diamond
přívodový systém s molekulárním paprskem, který promítá kolimovaný paprsek molekul analytu do oblasti zdroje iontů, kde dochází k ionizaci molekul pomocí elektronového paprsku; a
Diamond-like carbon (17)
jeden nebo více ‚vymrazovacích odlučovačů‘, které lze ochladit na teplotu 193 K (–80 °C);
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"
e. nevyužito;
Refractory metals
f. hmotnostní spektrometry vybavené mikrofluorizačním iontovým zdrojem, určené pro aktinidy nebo fluoridy aktinidů.
Mixtures thereof (4)
Hmotnostní spektrometry s elektronovým ostřelováním v položce 3A233.d. se rovněž označují jako hmotnostní spektrometry s elektronovou ionizací.
Aluminides
V položce 3A233.d.2 se ‚vymrazovacím odlučovačem‘ rozumí zařízení, které odchytává molekuly plynu tím způsobem, že je zkondenzuje či zmrazí na studeném povrchu.
Alloyed aluminides (2)
Pro účely položky 3A233.d.2. se za kryogenní vývěvu s uzavřeným cyklem plynného helia nepovažuje ‚vymrazovací odlučovač‘.
Boron nitride
Šňůry s nízkou induktivní reaktancí k rozbuškám s těmito vlastnostmi:
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
a. pracovní napětí větší než 2 kV; a
Tungsten
b. induktivní reaktance menší než 20 nH;
Molybdenum and Molybdenum alloys
Zařízení pro výrobu polovodičových součástek nebo materiálů a jejich speciálně konstruované součásti a příslušenství:
Beryllium and Beryllium alloys
VIZ TÉŽ 2B226.
Sensor window materials (9)
a. zařízení pro epitaxiální růst:
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
zařízení konstruovaná nebo upravená tak, aby byla schopná produkovat vrstvu s rovnoměrností tloušťky méně než ± 2,5 % v rozsahu vzdálenosti 75 mm nebo více z jiného materiálu než je křemík;
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
Položka 3B001.a.1. zahrnuje zařízení pro epitaxi atomových vrstev (ALE).
Alloyed silicides
reaktory pro chemickou depozici z plynné fáze za použití organokovových sloučenin (MOCVD) konstruované pro epitaxiální růst složených polovodičových materiálů, které obsahují jeden nebo více z těchto prvků: hliník, galium, indium, arsen, fosfor, antimon nebo dusík;
Modified zirconia (12)
zařízení pro epitaxiální růst s molekulárním svazkem při použití plynných nebo pevných zdrojů;
Corrosion resistant steel (7)
b. zařízení konstruovaná pro iontovou implantaci, která mají některou z těchto vlastností:
Borides
jsou konstruovaná a optimalizovaná pro provoz při urychlovacím napětí 20 keV nebo více a proud ve svazku 10 mA nebo více pro implantování vodíku, deuteria nebo helia;
Beryllium
jsou schopná přímého zápisu;
Titanium alloys (13)
urychlovací napětí 65 keV nebo více a proud ve svazku 45 mA nebo více pro implantování kyslíku s vysokou energií do zahřáté „podložky“ z polovodičového materiálu; nebo
Nitrides
jsou konstruovaná a optimalizovaná pro provoz při urychlovacím napětí 20 keV nebo více a proud ve svazku 10 mA nebo více pro implantování křemíku do „podložky“ z polovodičového materiálu zahřáté na 600 °C nebo více;
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
e. vícekomorové centrální manipulační systémy pro destičky polovodičů s automatickým vkládáním, které mají všechny tyto vlastnosti:
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
prostředky pro vstup a výstup destiček, k nimž lze připojit více než dva funkčně odlišné ‚nástroje na zpracování polovodičů‘ uvedené v položkách 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 nebo 3B001.b., jsou konstruovány tak, aby byly propojeny; a
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
jsou konstruovány jako integrovaný systém ve vakuu pro ‚postupné vícenásobné zpracování destiček‘;
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
Položka 3B001.e. nezahrnuje automatické robotizované manipulační systémy pro destičky polovodičů, které jsou speciálně konstruovány pro paralelní zpracování destiček.
Diamond-like carbon
Po účely položky 3B001.e. se ‚nástroji na zpracování polovodičů‘ rozumí modulové nástroje, které zajišťují fyzikální procesy při výrobě polovodičů, které jsou funkčně odlišné, jako je například depozice, implantace nebo tepelné zpracování.
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
Pro účely položky 3B001.e. se ‚postupným vícenásobným zpracováním destiček‘ rozumí schopnost zpracovat každou destičku pomocí různých ‚nástrojů na zpracování polovodičů‘, např. přenosem jednotlivých destiček z jednoho nástroje do druhého a poté do třetího pomocí vícekomorových centrálních manipulačních systémů pro destičky polovodičů s automatickým vkládáním.
Polymers (11) and Organic "matrix" "composites"
f. litografická zařízení:
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
nastavovací a krokovací nebo krokovací a snímací zařízení na zpracování destiček polovodičů za použití fotooptických nebo rentgenových metod, která mají některou z těchto vlastností:
Refractory metals and alloys (8)
a. vlnová délka světelného zdroje kratší než 193 nm; nebo
Oxides
b. schopnost exponovat obrazce s ‚velikostí nejmenšího rozlišitelného prvku‘ (MRF) 45 nm nebo menší;
D. Plasma spraying
‚Velikost nejmenšího rozlišitelného prvku‘ se vypočítá podle vzorce:
Abradable Nickel-Graphite
vlnová délka světelného zdroje v nm
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
K faktor
Abradable Al-Si-Polyester
číselná apertura
Aluminium alloys (6)
kde K faktor = 0,35
E. Slurry Deposition
vybavení pro tiskovou litografii schopné vyrábět struktury o velikosti 45 nm nebo menší;
Fused silicides
Položka 3B001.f.2 zahrnuje:
Fused aluminides except for resistance heating elements
mikrokontaktní tiskové nástroje
F. Sputter Deposition
nástroje pro ražení za tepla
Noble metal modified aluminides (3)
nástroje pro nanotiskovou litografii
Platinum
nástroje pro tiskovou litografii technikou „Step and flash“ (S-FIL)
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
Zařízení speciálně konstruovaná pro výrobu masek, která mají všechny tyto vlastnosti:
Dielectic layers (15)
a. využívají vychylovaného zaostřeného elektronového paprsku, iontového paprsku nebo „laserového“ paprsku; a
G. Ion Implantation
stopa paprsku o šířce v polovině maxima (full-width at half maximum (FWHM)) menší než 65 nm a umístění obrazu menší než 17 nm (střed + 3 sigma); nebo
High temperature bearing steels
chyba překrytí masky druhou vrstvou menší než 23 nm (střed + 3 sigma);
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
zařízení konstruovaná pro zpracování součástek za použití metod přímého zápisu, která mají všechny tyto vlastnosti:
Cemented tungsten carbide (16)
a. mají vychylovaný zaostřený elektronový paprsek a
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - NOTES
minimální velikost paprsku nejvýše 15 nm; nebo
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
chyba překrytí menší než 27 nm (střední hodnota + 3 sigma);
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
g. masky a optické mřížky, konstruované pro integrované obvody uvedené v položce 3A001;
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
h. vícevrstvé masky s vrstvou fázového posuvu neuvedené v položce 3B001.g., které mají některou z těchto vlastností:
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
jsou na „substrátovém polotovaru“ skleněné masky, jejíž dvojlom je podle specifikace menší než 7 nm/cm; nebo
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
jsou konstruovány pro litografická zařízení, která mají vlnovou délku světelného zdroje kratší než 245 nm;
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
Položka 3B001.h. nezahrnuje vícevrstvé masky s vrstvou fázového posuvu navržené pro výrobu paměťových přístrojů, na které se nevztahuje položka 3A001.
a.
i. šablony pro tiskovou litografii určené pro integrované obvody stanovené v položce 3A001.
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
Zkušební zařízení speciálně konstruovaná pro zkoušení zhotovených nebo rozpracovaných polovodičových součástek a speciálně pro ně konstruované součásti a příslušenství:
b.
a. pro zkoušení S-parametrů tranzistorových součástek při frekvencích větších než 31,8 GHz;
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
c. pro zkoušení mikrovlnných integrovaných obvodů uvedených v položce 3A001.b.2.
c.
Heteroepitaxní materiály sestávající z „podložky“ složené z více na sobě uspořádaných epitaxně narostlých vrstev z:
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
a. křemíku (Si);
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
b. germania (Ge);
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
c. karbidu křemíku (SiC); nebo
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
d. „sloučenin galia nebo india typu III/V“.
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
Položka 3C001.d. nezahrnuje „podložky“ mající jednu nebo více epitaxiálních vrstev typu P z GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP nebo InGaAlP, nezávisle na sekvenci prvků, vyjma případu, kdy se epitaxiální vrstva typu P nachází mezi vrstvami typu N.
Category 2 does not include "technology" for single-step pack cementation of solid airfoils.
Rezistní materiály (rezisty) a „podložky“ potažené těmito rezisty:
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
a. rezisty pro polovodičovou litografii:
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
pozitivní rezisty upravené (optimalizované) pro použití při vlnových délkách kratších než 245 nm, avšak rovnajících se nebo delších než 15 nm;
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
pozitivní rezisty upravené (optimalizované) pro použití při vlnových délkách kratších než 15 nm, avšak delších než 1 nm;
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
b. veškeré rezisty konstruované pro použití s elektronovými nebo iontovými paprsky o citlivosti 0,01 μcoulomb/mm2 nebo lepší;
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10-7 K-1 or less measured at 293 K (20 °C).
d. veškeré rezisty optimalizované pro technologie zobrazování povrchu;
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.