natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Fyzikální depozice z plynné fáze (PVD): katodickým obloukovým výbojem
'Energetic particle beam finishing' uses Reactive Atom Plasmas (RAP) or ion-beams to selectively remove material.
Polymery (11) a „kompozity“ s organickou „matricí“
'Inflatable membrane tool finishing' is a process that uses a pressurized membrane that deforms to contact the workpiece over a small area.
C.
'Fluid jet finishing' makes use of a fluid stream for material removal.
Cementování v prášku (viz A výše, kde je cementování neprováděné v prášku) (10)
"Numerically controlled" or manual machine tools, and specially designed components, controls and accessories therefor, specially designed for the shaving, finishing, grinding or honing of hardened (Rc=40 or more) spur, helical and double-helical gears with a pitch diameter exceeding 1250 mm and a face width of 15 % of pitch diameter or larger finished to a quality of AGMA 14 or better (equivalent to ISO 1328 class 3).
Žáruvzdorné kovy a slitiny (8)
Hot "isostatic presses" having all of the following, and specially designed components and accessories therefor:
Oxidy
SEE ALSO 2B104 and 2B204.
Plazmové stříkání
A controlled thermal environment within the closed cavity and a chamber cavity with an inside diameter of 406 mm or more; and
Obrusné materiály obsahující Ni-Cr-Al
Having any of the following:
Obrusný Al-Si-polyester
A maximum working pressure exceeding 207 MPa;
Slitiny hliníku (6)
A controlled thermal environment exceeding 1773 K (1500 °C); or
E.
A facility for hydrocarbon impregnation and removal of resultant gaseous degradation products.
Depozice řídké kaše
The inside chamber dimension is that of the chamber in which both the working temperature and the working pressure are achieved and does not include fixtures.
Tavené silicidy
That dimension will be the smaller of either the inside diameter of the pressure chamber or the inside diameter of the insulated furnace chamber, depending on which of the two chambers is located inside the other.
Tavené aluminidy s výjimkou aluminidů pro odporové topné prvky
For specially designed dies, moulds and tooling see 1B003, 9B009 and the Military Goods Controls.
F.
Equipment specially designed for the deposition, processing and in-process control of inorganic overlays, coatings and surface modifications, as follows, for substrates specified in column 2, by processes shown in column 1 in the Table following 2E003.f., and specially designed automated handling, positioning, manipulation and control components therefor:
Depozice naprašováním
a.
Aluminidy modifikované ušlechtilými kovy (3)
Chemical vapour deposition (CVD) production equipment having all of the following:
Platina
SEE ALSO 2B105.
Keramika (19) a skla s nízkou roztažností (14)
A process modified for one of the following:
Dielektrické vrstvy (15)
a.
G.
Pulsating CVD;
Iontová implantace
b.
Ocele pro vysokoteplotní ložiska
Controlled nucleation thermal deposition (CNTD); or
Přídavky chromu tantalu nebo niobu (kolumbia)
c.
Cementovaný karbid wolframu (16)
Plasma enhanced or plasma assisted CVD; and
POZNÁMKY K TABULCE – TECHNIKY DEPOZICE
a.
‚Procesem depozice‘ se rozumí jak oprava a obnova povlaků, tak i nové povlaky.
Incorporating high vacuum (equal to or less than 0,01 Pa) rotating seals; or
Povlaky z ‚legovaných aluminidů‘ se rozumí povlaky připravené v jednom nebo více krocích, při nichž se před depozicí aluminidového povlaku nebo po něm nanáší jeden nebo více prvků, a to i v případě, že jsou tyto prvky nanášeny jiným procesem.
b.
Nezahrnují však vícenásobné použití procesů cementování v prášku v jediném kroku pro získání legovaných aluminidů.
Incorporating in situ coating thickness control;
‚Jejich směsmi‘ se rozumí infiltrovaný materiál, odstupňované kompozice, současně nanášené povlaky a vícevrstvé povlaky, které se získávají jedním nebo více procesy nanášení, jež jsou uvedeny v tabulce.
Ion implantation production equipment having beam currents of 5 mA or more;
Výrazem ‚MCrAlX‘ se rozumí povlaková slitina, kde M je kobalt, železo, nikl nebo jejich kombinace a X je hafnium, yttrium, křemík, tantal v jakémkoli množství nebo jiné záměrné přísady o obsahu vyšším než 0,01 % hmotnostních v různých podílech a kombinacích, kromě:
c.
a. povlaků CoCrAlY, které obsahují méně než 22 % hmotnostních chromu, méně než 7 % hmotnostních hliníku a méně než 2 % hmotnostní yttria;
Electron beam physical vapour deposition (EB-PVD) production equipment incorporating power systems rated for over 80 kW and having any of the following:
b. povlaků CoCrAlY, které obsahují 22 až 24 % hmotnostních chromu, 10 až 12 % hmotnostních hliníku a 0,5 až 0,7 % hmotnostních yttria; nebo
A liquid pool level "laser" control system which regulates precisely the ingots feed rate; or
c. povlaků NiCrAlY, které obsahují 21 až 23 % hmotnostních chromu, 10 až 12 % hmotnostních hliníku a 0,9 až 1,1 % hmotnostních yttria.
A computer controlled rate monitor operating on the principle of photo-luminescence of the ionised atoms in the evaporant stream to control the deposition rate of a coating containing two or more elements;
‚Hliníkovými slitinami‘ se rozumějí slitiny, jejichž mez pevnosti v tahu měřená při 293 K (20 °C) je nejméně 190 MPa.
d.
‚Korozivzdornou ocelí‘ se rozumí ocel řady 300 podle AISI (American Iron and Steel Institut) nebo ocel vyhovující odpovídajícím vnitrostátním normám.
Plasma spraying production equipment having any of the following:
‚Žáruvzdorné materiály a slitiny‘ zahrnují tyto kovy a jejich slitiny: niob (kolumbium), molybden, wolfram a tantal.
Operating at reduced pressure controlled atmosphere (equal to or less than 10 kPa measured above and within 300 mm of the gun nozzle exit) in a vacuum chamber capable of evacuation down to 0,01 Pa prior to the spraying process; or
‚Materiály pro okénka snímačů‘: oxid hlinitý, křemík, germanium, sulfid zinečnatý, selenid zinečnatý, arsenid galia, diamant, fosfid galia, safír a tyto halogenidy kovů: materiály pro okénka snímačů o průměru větším než 40 mm v případě fluoridu zirkonia a fluoridu hafnia.
Incorporating in situ coating thickness control;
Kategorie 2 nezahrnuje „technologii“ pro jednostupňové cementování prášků u pevných profilů křídel.
e.
‚Polymery‘: polyimid, polyester, polysulfid, polykarbonáty a polyuretany.
Sputter deposition production equipment capable of current densities of 0,1 mA/mm2 or higher at a deposition rate of 15 μm/h or more;
Výrazem ‚modifikovaný oxid zirkoničitý‘ se rozumí oxid zirkoničitý, k němuž byly přidány oxidy jiných kovů (např. vápník, hořčík, yttrium, hafnium, oxidy vzácných zemin) za účelem stabilizace některých krystalografických fází a fázových skladeb.
f.
Povlaky, které slouží jako tepelná bariéra a které jsou vyrobeny z oxidu zirkoničitého modifikovaného vápníkem nebo hořčíkem mísením nebo tavením, nejsou zahrnuty.
Cathodic arc deposition production equipment incorporating a grid of electromagnets for steering control of the arc spot on the cathode;
‚Slitinami titanu‘ se rozumějí pouze slitiny pro letectví a kosmonautiku, jejichž mez pevnosti v tahu, měřená při 293 K (20 °C), je 900 MPa nebo větší.
g.
‚Skly s nízkou roztažností‘ se rozumějí skla, jejichž koeficient tepelné roztažnosti, měřený při 293 K (20 °C), je 1 × 10–7 K-1 nebo menší.
Ion plating production equipment capable of the in situ measurement of any of the following:
‚Dielektrickými vrstvami‘ se rozumějí povlaky vytvořené z více vrstev izolačních materiálů, v nichž se pro odraz, prostup nebo absorpci různých vlnových pásem využívají interferenční vlastnosti systému složeného z materiálů o různém indexu lomu.
Coating thickness on the substrate and rate control; or
Dielektrickými vrstvami se zde rozumějí více než čtyři dielektrické vrstvy nebo vrstvy dielektrického/kovového „kompozitu“.
Optical characteristics.
‚Cementovaný karbid wolframu‘ nezahrnuje materiály pro řezné a tvářecí nástroje z karbidu wolframu/(kobaltu, niklu), karbidu titanu/(kobaltu, niklu), karbidu chromu/nikl-chromu a karbidu chromu/niklu.
2B005 does not control chemical vapour deposition, cathodic arc, sputter deposition, ion plating or ion implantation equipment, specially designed for cutting or machining tools.
„Technologie“ pro nanášení uhlíku s vlastnostmi diamantu na některý z níže uvedených předmětů není zahrnuta:
Dimensional inspection or measuring systems, equipment and "electronic assemblies", as follows:
magnetické disky a hlavy, zařízení pro výrobu předmětů sloužících k jednorázovému použití, ventily pro kohoutky, akustické membrány pro reproduktory, součásti automobilových motorů, řezné nástroje, nástroje pro lisování a děrování, zařízení pro automatizaci kancelářských prací, mikrofony nebo lékařské přístroje nebo licí formy nebo formy pro plasty, vyrobené ze slitin obsahujících méně než 5 % beryllia.
a.
‚Karbid křemíku‘ nezahrnuje materiály pro řezné a tvarovací nástroje.
Computer controlled or "numerically controlled" Coordinate Measuring Machines (CMM), having a three dimensional (volumetric) maximum permissible error of length measurement (E0,MPE) at any point within the operating range of the machine (i.e., within the length of axes) equal to or less (better) than (1,7 + L/1 000) μm (L is the measured length in mm), according to ISO 10360-2 (2009);
Keramickými substráty se ve smyslu této kategorie nerozumějí keramické materiály obsahující nejméně 5 % hmotnostních jílu nebo cementu, ať již samostatně nebo v kombinaci.
The E0,MPE of the most accurate configuration of the CMM specified by the manufacturer (e.g., best of the following: probe, stylus length, motion parameters, environment) and with "all compensations available" shall be compared to the 1,7 + L/1 000 μm threshold.
TECHNICKÁ POZNÁMKA K TABULCE – TECHNIKY DEPOZICE
SEE ALSO 2B206.
Procesy uvedené ve sloupci 1 tabulky jsou definovány takto:
b.
a. chemická depozice z plynné fáze (CVD) je proces nanášení povlaku nebo vytvoření povlaku modifikací povrchu, při kterém se na zahřátý substrát usazuje kov, slitina, „kompozit“, dielektrikum nebo keramika.
Linear and angular displacement measuring instruments, as follows:
Plynné reaktanty se rozkládají nebo slučují v blízkosti substrátu, čímž dochází k nanesení žádaného materiálu ve formě prvku, slitiny nebo sloučeniny na substrát.
'Linear displacement' measuring instruments having any of the following:
Energii pro tento proces rozkladu nebo chemické reakce lze získat teplem substrátu, plazmou doutnavého výboje nebo „laserovým“ ozářením;
Interferometer and optical-encoder displacement measuring systems containing a "laser" are only controlled in 2B006.b.1.c. and 2B206.c.
Pozn.
For the purpose of 2B006.b.1.
1.
'linear displacement' means the change of distance between the measuring probe and the measured object.
Mezi chemické depozice z plynné fáze (CVD) patří tyto procesy: depozice směrovaným proudem plynu mimo obal, pulsační chemická depozice z plynné fáze, řízená nukleační tepelná depozice (CNTD), plazmochemická depozice z plynné fáze.
a.
Pozn.
Non-contact type measuring systems with a "resolution" equal to or less (better) than 0,2 μm within a measuring range up to 0,2 mm;
Obalem se rozumí substrát ponořený do práškové směsi.
Linear Variable Differential Transformer (LVDT) systems having all of the following:
3
"Linearity" equal to or less (better) than 0,1 % measured from 0 to the 'full operating range', for LVDTs with a 'full operating range' up to and including ± 5 mm; or
b. fyzikální depozice z plynné fáze s tepelným odpařováním (TE-PVD) je proces nanášení povlaku ve vakuu při tlaku nižším než 0,1 Pa, při kterém je zdroj tepelné energie použit k odpařování nanášeného materiálu.
"Linearity" equal to or less (better) than 0,1 % measured from 0 to 5 mm for LVDTs with a 'full operating range' greater than ± 5 mm; and
Výsledkem tohoto procesu je kondenzace nebo ukládání odpařené látky na vhodně umístěné substráty.
Drift equal to or less (better) than 0,1 % per day at a standard ambient test room temperature ±1 K;
Přidávání plynu do vakuové komory během procesu depozice za účelem syntézy sloučených vrstev je obvyklou variantou této techniky.
For the purposes of 2B006.b.1.b., 'full operating range' is half of the total possible linear displacement of the LVDT.
Běžnou variantou této techniky je též použití svazku iontových nebo elektronových svazků nebo plazmy za účelem vyvolání nebo podpory nanášení povlaku.
For example, LVDTs with a 'full operating range' up to and including ± 5 mm can measure a total possible linear displacement of 10 mm.
Charakteristickým rysem těchto postupů může být použití monitorů pro účely provozního měření optických charakteristik a tloušťky povlaků.
c.
Specifickými TE-PVD procesy jsou:
Measuring systems having all of the following:
fyzikální depozice z plynné fáze elektronovým svazkem využívající k ohřevu a odpařování materiálu, který tvoří povlak, elektronový svazek;
Containing a "laser";
fyzikální depozice z plynné fáze s odporovým ohřevem za podpory iontů využívající k vytváření řízeného a jednotného toku odpařených povlakových materiálů elektrické odporové topné zdroje v kombinaci se soustředěnými iontovými paprsky;
A "resolution" over their full scale of 0,200 nm or less (better); and
„laserové“ odpařování využívající k odpařování materiálu, který tvoří povlak, buď pulsní „laserové“ paprsky, nebo „laserové“ paprsky se spojitou vlnou;
Capable of achieving a "measurement uncertainty" equal to or less (better) than (1,6 + L/2 000) nm (L is the measured length in mm) at any point within a measuring range, when compensated for the refractive index of air and measured over a period of 30 seconds at a temperature of 20 ± 0,01 °C; or
depozice katodickým obloukem využívající spotřebovatelnou katodu z materiálu, který tvoří povlak a má obloukový výboj vytvořený na povrchu mžikovým sepnutím uzemněného spouštěče.
d.
Řízeným pohybem hoření oblouku se eroduje povrch katody, čímž vzniká vysoce ionizované plazma.
"Electronic assemblies" specially designed to provide feedback capability in systems specified in 2B006.b.1.c.;
Anodou může být buď kužel uchycený přes izolátor na obvodu katody, nebo komora.
2B006.b.1. does not control measuring interferometer systems, with an automatic control system that is designed to use no feedback techniques, containing a "laser" to measure slide movement errors of machine-tools, dimensional inspection machines or similar equipment.
Pro nanášení mimo osu přímé viditelnosti se používá předpětí substrátu;
Angular displacement measuring instruments having an angular position "accuracy" equal to or less (better) than 0,00025o;
Tato definice nezahrnuje nanášení neřízeným katodickým obloukem na substráty bez předpětí.
2B006.b.2. does not control optical instruments, such as autocollimators, using collimated light (e.g., "laser" light) to detect angular displacement of a mirror.
iontové pokovování je speciální modifikace obecného procesu TE-PVD, ve kterém se pro ionizaci nanášených látek používá plazma nebo jiný zdroj iontů, přičemž se na substrát přikládá záporné předpětí usnadňující vyloučení látek z plazmy.
c.
Zavádění reaktivních látek, odpařování tuhých látek v provozní komoře a použití monitorů pro provozní měření optických vlastností a tloušťky povlaků jsou obvyklými modifikacemi tohoto procesu;
Equipment for measuring surface roughness (including surface defects), by measuring optical scatter with a sensitivity of 0,5 nm or less (better).
c. cementování v prášku je proces vytvoření povlaku modifikací povrchu nebo proces nanášení povlaku, při kterém je substrát ponořován do práškové směsi (obalu) skládající se z těchto složek:
2B006 includes machine tools, other than those specified by 2B001, that can be used as measuring machines if they meet or exceed the criteria specified for the measuring machine function.
nanášené kovové prášky (obvykle hliník, chrom, křemík nebo jejich kombinace);
"Robots" having any of the following characteristics and specially designed controllers and "end-effectors" therefor:
aktivátor (obvykle halogenidová sůl); a
SEE ALSO 2B207.
inertní prášek, nejčastěji oxid hlinitý.
a.
Substrát a prášková směs jsou uloženy v retortě, která je po dobu dostatečnou pro vytvoření povlaku vyhřívána na teplotu 1030 K (757 °C) až 1375 K (1102 °C);
Capable in real time of full three-dimensional image processing or full three-dimensional 'scene analysis' to generate or modify "programs" or to generate or modify numerical program data;
d. plazmové stříkání je proces nanášení povlaku, při němž plazmový hořák (stříkací pistole), který tvoří a reguluje plazmu, přijímá povlakový materiál ve formě prášku nebo drátu, taví a vrhá jej na substrát, na kterém se tak vytváří celistvě spojený povlak.
The 'scene analysis' limitation does not include approximation of the third dimension by viewing at a given angle, or limited grey scale interpretation for the perception of depth or texture for the approved tasks (2 1/2 D).
Plazmovým stříkáním se rozumí buď nízkotlaké plazmové stříkání, nebo vysokorychlostní plazmové stříkání;
b.
Výrazem nízkotlaký se rozumí, že tlak je nižší než okolní atmosférický tlak.
Specially designed to comply with national safety standards applicable to potentially explosive munitions environments;
Výrazem vysokorychlostní se rozumí, že rychlost plynu na výstupu z trysky je při 293 K (20 °C) a 0,1 MPa vyšší než 750 m/s.s
2B007.b. does not control "robots" specially designed for paint-spraying booths.
e. nanášení řídké kaše je proces vytvoření povlaku modifikací povrchu nebo nanášení povlaku, při němž kovový nebo keramický prášek s organickým pojivem suspenduje v kapalině a nanáší se na substrát buď stříkáním, ponořením nebo natíráním.
c.
Poté se suší na vzduchu nebo v peci a tepelně zpracovává tak, aby se docílilo požadovaného povlaku;
Specially designed or rated as radiation-hardened to withstand a total radiation dose greater than 5 × 103 Gy (silicon) without operational degradation; or
f. naprašování je proces vytvoření povlaku založený na přenosu pohybové energie, při němž se v elektrickém poli urychlují kladné ionty směrem k povrchu terče (povlakový materiál).
The term Gy(silicon) refers to the energy in Joules per kilogram absorbed by an unshielded silicon sample when exposed to ionising radiation.
Kinetická energie dopadajících iontů způsobuje, že se z povrchu terče uvolňují atomy, které se ukládají na vhodně nastavený substrát;
d.
Tabulka se vztahuje pouze na proces triodového, magnetronového nebo reaktivního naprašování, které se používá pro zvýšení přilnavosti povlaku a rychlosti nanášení a na vysokofrekvenční (RF) naprašování používané za účelem odpařování nekovových povlakových materiálů.
Specially designed to operate at altitudes exceeding 30000 m.
Pro aktivaci nanášení lze používat iontové paprsky o nízké energii (méně než 5 keV).
Assemblies or units, specially designed for machine tools, or dimensional inspection or measuring systems and equipment, as follows:
g. iontová implantace je proces vytvoření povlaku modifikací povrchu, při němž se prvek, který se má legovat, ionizuje, urychluje gradientem napětí a implantuje do povrchové vrstvy substrátu.
a.
Patří sem procesy, ve kterých se iontová implantace provádí fyzikální depozicí z plynné fáze elektronovým svazkem nebo naprašováním.
Linear position feedback units having an overall "accuracy" less (better) than (800 + (600 × L/1 000)) nm (L equals the effective length in mm);
KATEGORIE 3 – ELEKTRONIKA
For "laser" systems see also 2B006.b.1.c., 2B006.b.1.d. and 2B206.c.
Kontrolní status zařízení a součástí popsaných v položkách 3A001 nebo 3A002, jiných než popsaných v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.10., 3A001.a.12. nebo 3A001.a.14, které jsou speciálně konstruované nebo které mají totožné funkční vlastnosti jako jiná zařízení, je určen kontrolním statusem těchto jiných zařízení.
b.
Status integrovaných obvodů popsaných v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.9., 3A001.a.12. nebo 3A001.a.14, které jsou pevně naprogramovány nebo konstruovány pro specifickou funkci v jiných zařízeních, je určen statusem těchto jiných zařízení.
Rotary position feedback units having an "accuracy" less (better) than 0,00025o;
Pokud výrobce nebo žadatel nemůže určit status jiného zařízení, řídí se status integrovaných obvodů položkami 3A001.a.3. až 3A001.a.9., 3A001.a.12 a 3A001.a.14.
For "laser" systems see also Note to 2B006.b.2.
Elektronické zboží:
2B008.a. and 2B008.b. control units, which are designed to determine the positioning information for feedback control, such as inductive type devices, graduated scales, infrared systems or "laser" systems.
a. integrované obvody pro všeobecné použití:
c.
Kontrolní status polovodičových destiček (dokončených nebo nedokončených) s určenou funkcí se hodnotí podle parametrů uvedených v položce 3A001.a.
"Compound rotary tables" and "tilting spindles", capable of upgrading, according to the manufacturer's specifications, machine tools to or above the levels specified in 2B.
Do integrovaných obvodů patří tyto typy:
Spin-forming machines and flow-forming machines, which, according to the manufacturer's technical specification, can be equipped with "numerical control" units or a computer control and having all of the following:
„monolitické integrované obvody“,
SEE ALSO 2B109 AND 2B209.
„hybridní integrované obvody“,
a.
„vícečipové integrované obvody“,
Three or more axes which can be coordinated simultaneously for "contouring control"; and
„integrované obvody vrstvového typu“, včetně křemíkových obvodů na safírové podložce,
b.
„optické integrované obvody“,
A roller force more than 60 kN.
„trojrozměrné integrované obvody“,
For the purpose of 2B009, machines combining the function of spin-forming and flow-forming are regarded as flow-forming machines.
„monolitické mikrovlnné integrované obvody“ („MMIC“).
"Isostatic presses", other than those specified in 2B004, having all of the following:
integrované obvody konstruované nebo klasifikované jako radiačně odolné, které vydrží:
SEE ALSO 2B204.
a. celkovou dávku radiace 5 × 103 Gy (křemík) nebo vyšší;
a.
b. rychlost dávky 5 × 106 Gy (křemík)/s nebo vyšší; nebo
Maximum working pressure of 69 MPa or greater;
c. hustota (integrovaný tok) neutronů (ekvivalent 1 MeV) 5 × 1013 n/cm2 nebo vyšší na křemíkové podložce nebo jeho ekvivalent pro jiné materiály;
b.
Položka 3A001.a.1.c. nezahrnuje kov-izolant-polovodiče (MIS).
Designed to achieve and maintain a controlled thermal environment of 873 K (600 °C) or greater; and
„mikroprocesorové mikroobvody“, „mikropočítačové mikroobvody“, mikroregulátorové mikroobvody, paměťové integrované obvody vyrobené ze složených polovodičů, analogově-číslicové převodníky, integrované obvody obsahující analogově-číslicové převodníky a uchovávající nebo zpracovávající digitalizovaná data, číslicově-analogové převodníky, elektro-optické nebo „optické integrované obvody“ pro „zpracování signálů“, uživatelem programovatelná logická pole, zákaznické integrované obvody, pro které buď není známa funkce, nebo není znám status zařízení, ve kterém bude integrovaný obvod použit, procesory pro rychlou Fourierovu transformaci (FFT), elektricky vymazatelné programovatelné permanentní paměti (EEPROM), vyrovnávací paměti flash, statické paměti s náhodným přístupem (SRAM) nebo magnetické paměti s náhodným přístupem (MRAM), které mají některou z těchto vlastností:
c.
a. jsou určeny pro provoz při okolní teplotě vyšší než 398 K (125 °C);
Possessing a chamber cavity with an inside diameter of 254 mm or greater.
b. jsou určeny pro provoz při okolní teplotě nižší 218 K (–55 °C); nebo
Chemical vapour deposition (CVD) furnaces, other than those specified in 2B005.a., designed or modified for the densification of carbon-carbon composites.
c. jsou určeny pro provoz v celém intervalu okolních teplot od 218 K (–55 °C) do 398 K (125 °C);
Flow-forming machines, other than those specified in 2B009, and specially designed components as follows:
Položka 3A001.a.2. nezahrnuje integrované obvody pro civilní automobily nebo pro železniční vlaky.
SEE ALSO 2B209.
„mikroprocesorové mikroobvody“, „mikropočítačové mikroobvody“ a mikroregulátorové mikroobvody vyrobené ze složených polovodičů a pracující při hodinových frekvencích vyšších než 40 MHz;
a.
Položka 3A001.a.3. zahrnuje číslicové signální procesory, číslicové maticové procesory a číslicové koprocesory.
Flow-forming machines having all of the following: