natgillin/translations-raw huggingface dataset:
"Substráty" uvedené v položce 3C005, které mají alespoň jednu epitaxiální vrstvu karbidu křemíku, nitridu gallitého, nitridu hlinitého nebo aluminium gallium nitridu.
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
"Software" speciálně vyvinutý pro "vývoj" nebo "výrobu" zařízení uvedených v položkách 3A001.b. až 3A002.h. nebo 3B.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
"Software" speciálně vyvinutý pro "užití" v zařízení uvedených v položkách 3B001.a. až f., 3B002 nebo 3A225.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
"Software" 'založený na fyzikální' simulaci a speciálně navržený pro "vývoj" litografických, leptacích anebo vylužovacích procesů sloužících k převodu maskovacích obrazců do speciálních topografických obrazců ve vodičích, dielektrikách nebo polovodičových materiálech.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Výraz 'založený na fyzikální' uvedený v položce 3D003 znamená používání výpočtů k určení souslednosti fyzikálních příčinných a účinných dějů na základě fyzikálních vlastností (např. teplotních, tlakových, difúzních veličin a vlastností polovodičových materiálů).
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Knihovny, atributy návrhů nebo související data pro návrh polovodičových součástek nebo integrovaných obvodů se považují za "technologii".
b.
"Software" speciálně vyvinutý pro "vývoj" zařízení uvedených v položce 3A003.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
"Software" speciálně vyvinutý nebo upravený pro "užití" zařízení uvedených v položce 3A101.b.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
"Software" speciálně vyvinutý za účelem zvýšení nebo uvolnění výkonu frekvenčního měniče nebo generátoru tak, aby odpovídal vlastnostem v položce 3A225.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
"Technologie" ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro "vývoj" nebo "výrobu" zařízení nebo materiálů uvedených v položkách 3A, 3B nebo 3C;
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
Položka 3E001 nezahrnuje "technologie" pro "výrobu" zařízení nebo součástí uvedených v položce 3A003.
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
Položka 3E001 nezahrnuje "technologie" pro "vývoj" nebo "výrobu" integrovaných obvodů uvedených v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.12., které mají všechny tyto vlastnosti:
Specific TE-PVD processes are as follows:
využívá "technologii" s rozlišením 0,130 μm nebo vyšším; a
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
mají vícevrstvé struktury s nejvýše třemi kovovými vrstvami.
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
"Technologie" ve smyslu všeobecné poznámky k technologii, jiné než uvedené v položce 3E001, pro "vývoj" nebo "výrobu" "mikroprocesorového mikroobvodu", "mikropočítačového mikroobvodu" nebo jádra mikroregulátorového mikroobvodu, který má aritmeticko-logickou jednotku s šířkou přístupu 32 bitů nebo více a kterýkoliv z těchto rysů a vlastností:
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
a. 'vektorová procesorová jednotka' určená k provádění více než dvou výpočtů vektorů s pohyblivou řádovou čárkou (jednorozměrová pole 32bitových nebo větších čísel) současně;
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
'Vektorová procesorová jednotka' je procesorový prvek se zabudovanými instrukcemi, které provádějí vícenásobné výpočty vektorů s pohyblivou řádovou čárkou (jednorozměrová pole 32bitových nebo větších čísel) současně, jenž má alespoň jednu vektorovou aritmeticko-logickou jednotku a vektorové registry, každý z nich o nejméně 32 prvcích.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
b. určený k provádění více než dvou 64bitových nebo větších výsledků operací s pohyblivou řádovou čárkou na cyklus; nebo
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
c. určený k provádění více než osmi 16bitových výsledků násobení a akumulace s pevnou řádovou čárkou na cyklus (např. digitální zpracovávání analogových informací, které byly dříve převedeny do digitální formy, známých rovněž jako "zpracování digitálních signálů").
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Položka 3E002 nezahrnuje "technologii" pro multimediální doplňky.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Položka 3E002 nezahrnuje "technologii" pro "vývoj" nebo "výrobu" mikroprocesorových jader, která má všechny tyto vlastnosti:
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
má vícevrstvé struktury s nejvýše třemi kovovými vrstvami.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Položka 3E002 zahrnuje "technologii" pro procesory digitálních signálů a procesory digitálních polí.
c.
Jiné "technologie" pro "vývoj" nebo "výrobu":
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
a. vakuových mikroelektronických součástek;
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
b. heterostrukturních polovodičových součástek, jako jsou tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT), hetero-bipolární tranzistory (HBT), zařízení na bázi kvantových jam a supermřížek;
An activator (normally a halide salt); and
Položka 3E003.b. nezahrnuje "technologie" pro tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT), které pracují při frekvencích nižších než je 31,8 GHz, a pro heteropřechodné bipolární tranzistory (HBT), které pracují při frekvencích nižších než 31,8 GHz.
An inert powder, most frequently alumina.
c. "supravodivých" elektronických součástek;
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
d. podložek z diamantových filmů pro elektronické součástky;
d.
e. podložek z křemíku na izolátoru (SOI) pro integrované obvody, kde izolátorem je oxid křemičitý;
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
f. podložek z karbidu křemíku pro elektronické součástky;
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
g. vakuových elektronek pracujících při frekvenci 31,8 GHz nebo vyšší.
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
"Technologie" ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro "užití" zařízení nebo "softwaru" uvedených v položkách 3A001.a.1. nebo 2., 3A101, 3A102 nebo 3D101.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
"Technologie" ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro "vývoj" "softwaru" uvedeného v položce 3D101.
e.
"Technologie" ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro "užití" zařízení uvedeného v položkách 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 až 3A234.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
"Technologie" ve formě kódů nebo klíčů, která má zvýšit nebo uvolnit výkon měničů frekvencí nebo generátorů tak, aby odpovídal vlastnostem v položce 3A225.
f.
KATEGORIE 4 – POČÍTAČE
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Počítače, jejich příslušenství a "software" vykonávající telekomunikační funkce nebo funkce "místních sítí" je též třeba hodnotit podle charakteristik výkonu vymezených v kategorii 5 části 1 (Telekomunikace).
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Řídicí jednotky, které přímo propojují sběrnice nebo kanály základních jednotek, řídicí jednotky "hlavní paměti" nebo řídicí jednotky diskové paměti se nepovažují za telekomunikační zařízení popsaná v kategorii 5 části 1 (Telekomunikace).
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Pokud jde o režim "softwaru" speciálně vyvinutého pro přepojování paketů, viz 5D001.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Elektronické počítače a jejich příslušenství, které mají některou z následujících vlastností, a "elektronické sestavy" a speciálně pro ně konstruované součásti:
g.
VIZ TÉŽ 4A101.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
a. speciálně konstruované tak, aby měly některou z těchto vlastností:
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
jsou určené pro práci při okolní teplotě nižší než 228 K (– 45 °C) nebo vyšší než 358 K (85 °C); nebo
CATEGORY 3 — ELECTRONICS
Položka 4A001.a.1 nezahrnuje počítače konstruované speciálně pro použití v civilních automobilech, civilních železničních vlacích a "civilních letadlech".
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.13, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
jsou radiačně odolné tak, že přesahují některý z těchto parametrů:
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.13 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
a. celková dávka
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.13.
5 × 103 Gy (křemík);
Electronic items as follows:
b. narušení při rychlosti dávky
a.
5 × 106 Gy (křemík)/s; nebo
General purpose integrated circuits, as follows:
c. narušení způsobené jednorázovým dějem
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
1 × 10–8 chyby/bit/den;
Integrated circuits include the following types:
Položka 4A001.a.2 nezahrnuje počítače konstruované speciálně pro použití v "civilních letadlech".
"Monolithic integrated circuits";
b. nevyužito;
"Hybrid integrated circuits";
"Digitální počítače", "elektronické sestavy", jejich příslušenství a speciálně pro ně konstruované součásti:
"Multichip integrated circuits";
Položka 4A003 zahrnuje:
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
'vektorové procesory',
"Optical integrated circuits";
procesorová pole,
"Three dimensional integrated circuits".
číslicové komunikační procesory,
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
logické procesory,
a.
zařízení konstruovaná pro "zlepšení obrazu".
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
Kontrolní status "digitálních počítačů" nebo jejich příslušenství popsaného v položce 4A003 je určen kontrolním statusem jiných zařízení nebo systémů za předpokladu, že:
b.
"digitální počítače" nebo jejich příslušenství jsou nezbytně nutné pro provoz těchto jiných zařízení nebo systémů;
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
"digitální počítače" nebo jejich příslušenství nejsou "hlavním prvkem" těchto jiných zařízení nebo systémů;
c.
Status zařízení pro "zpracování signálů" nebo "zlepšení obrazu" speciálně konstruovaných pro jiná zařízení, jejichž funkce jsou omezeny pouze na fungování těchto jiných zařízení, je určen statusem těchto jiných zařízení, i když přesahuje kritérium "hlavního prvku".
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Pokud jde o status "digitálních počítačů" nebo jejich příslušenství pro telekomunikační zařízení, viz kategorie 5 část 1 (Telekomunikace).
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
"technologie" pro "digitální počítače" a jejich příslušenství je uvedena v položce 4E.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
b. "digitální počítače", které mají "nastavený nejvyšší výkon" ("APP") přesahující 12,5 vážených teraflopů (WT);
a.
c. "elektronické sestavy" speciálně konstruované nebo upravené pro zvýšení výkonu agregací procesorů tak, aby "APP" agregátu přesáhl mez uvedenou v položce 4A003.b.;
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Položka 4A003.c. zahrnuje pouze "elektronické sestavy" a programovatelná propojení nepřesahující meze uvedené v položce 4A003.b., jsou-li dodávány jako nezabudované "elektronické sestavy".
b.
Položka 4A003.c. nezahrnuje "elektronické sestavy" speciálně konstruované pro nějaký výrobek nebo skupinu výrobků, jejichž maximální konfigurace nepřekračuje meze uvedené v položce 4A003.b.
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
"Elektronické sestavy", moduly nebo zařízení provádějící analogově číslicové převody viz položka 3A002.h.
c.
g. zařízení speciálně konstruovaná pro zvýšení výkonu "digitálních počítačů" zajištěním externího propojení umožňujícího komunikaci při jednosměrné rychlosti dat vyšší než 2,0 GB/s na spoj.
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
Položka 4A003.g. nezahrnuje vnitřní propojovací zařízení (např. propojovací desky), pasivní propojovací zařízení, "řadiče přístupu do sítě" nebo "řadiče komunikačních kanálů".
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Počítače a jejich speciálně konstruované příslušenství, "elektronické sestavy" a součásti:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
a. "systolické počítače";
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
b. "neuronové počítače";
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
c. "optické počítače".
a.
Systémy, zařízení a jejich součásti, speciálně konstruované nebo upravené pro vytváření, provádění nebo umisťování "intrusivního software" nebo pro komunikaci s ním.
ADCs having any of the following:
Analogové počítače, "digitální počítače" nebo číslicové diferenční analyzátory, jiné než uvedené v položce 4A001.a.1, určené pro práci ve ztížených podmínkách a konstruované nebo upravené pro použití v kosmických nosných prostředcích uvedených v položce 9A004 nebo sondážních raketách uvedených v položce 9A104.
SEE ALSO 3A101
"Hybridní počítače" speciálně konstruované pro modelování, simulaci nebo návrhovou integraci kosmických nosných prostředků uvedených v položce 9A004 nebo sondážních raket uvedených v položce 9A104.
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 1000 million words per second;
Tato kontrola se provádí pouze v případě, že zboží je dodáváno spolu se "softwarem" uvedeným v položce 7D103 nebo 9D103.
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
Kontrolní status "softwaru" pro zařízení popsaná v jiných kategoriích je vždy uveden v příslušné kategorii.
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
"Software":
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with an output rate greater than 250 million words per second; or
a. "software" speciálně vyvinutý nebo upravený pro "vývojv" nebo "výrobu" zařízení nebo "softwaruv" uvedeného v položce 4A001 až 4A004 nebo 4D.
A resolution of 16 bit or more with an output rate greater than 65 million words per second;
b. "softwarev", jiný než uvedený v položce 4D001.a., speciálně vyvinutý nebo upravený pro "vývoj" nebo "výrobu" těchto zařízení:
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
"digitální počítače", které mají "nastavený nejvyšší výkon" ("APP") přesahující 6,0 vážených teraflopů (WT);
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
"elektronické sestavy" speciálně vyvinuté nebo upravené pro zvýšení výkonu agregací procesorů tak, aby "APP" agregátu přesáhl mez uvedenou v položce 4D001.b.1.
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
"Software" speciálně vyvinutý nebo upravený pro vytváření, provádění nebo umisťování "intrusivního software" nebo pro komunikaci s ním.
For 'multiple channel ADCs', the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
a.
For 'interleaved ADCs' or for 'multiple channel ADCs' that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
"Technologie" ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro "vývoj", "výrobu" nebo "užití" zařízení nebo "softwaru" uvedených v položkách 4A nebo 4D;
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
b. "technologie", jiná než uvedená v položce 4E001.a., speciálně určená nebo upravená pro "vývoj" nebo "výrobu" těchto zařízení:
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
"elektronické sestavy" speciálně vyvinuté nebo upravené pro zvýšení výkonu agregací procesorů tak, aby "APP" agregátu přesáhl mez uvedenou v položce 4E001.b.1.;
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
c. "technologie" pro "vývoj" "intrusivního softwaru".
'Multiple channel ADCs' are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
TECHNICKÁ POZNÁMKA K "NASTAVENÉMU NEJVYŠŠÍMU VÝKONU" ("APP")
'Interleaved ADCs' are defined as devices which have multiple ADC units that sample the same analogue input at different times such that when the outputs are aggregated, the analogue input has been effectively sampled and converted at a higher sampling rate.
"APP" je nastavený nejvyšší výkon, při němž "digitální počítače" provádějí 64bitové nebo větší sčítání a násobení s pohyblivou řádovou čárkou.
b.
"APP" se vyjadřuje ve vážených teraflopech (WT), v jednotkách 1012 nastavených operací s pohyblivou řádovou čárkou za sekundu.
Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
Zkratky používané v této technické poznámce
A resolution of 10 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 3500 MSPS; or
n počet procesorů v "digitálním počítači"
A resolution of 12 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 1250 MSPS and having any of the following:
i počet procesorů (i, … n)
a.
doba cyklu procesoru (ti = 1/Fi)
A settling time less than 9 ns to 0,024 % of full scale from a full scale step; or
frekvence procesoru
b.
nejvyšší výpočetní rychlost s pohyblivou řádovou čárkou
A 'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
faktor úpravy podle architektury
'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
Shrnutí metod výpočtu "APP"
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
Pro každý procesor i stanovte nejvyšší počet 64bitových nebo větších operací s pohyblivou řádovou čárkou FPOi, provedených za cyklus u každého procesoru v "digitálním počítači".
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than – 3 dBfs (full scale).
Poznámka:
'Adjusted update rate' for DACs:
Při stanovování FPO zohledněte pouze 64bitové nebo větší sčítání a/nebo násobení s pohyblivou řádovou čárkou.
For conventional (non-interpolating) DACs, the 'adjusted update rate' is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
Všechny operace s pohyblivou řádovou čárkou musí být vyjádřeny v operacích za cyklus procesoru; operace vyžadující vícenásobné cykly mohou být vyjádřeny v dílčích výsledcích za cyklus.
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
U procesorů, jež nejsou schopné provádět výpočty s operandy s pohyblivou řádovou čárkou 64 bitů a vyšší je efektivní rychlost výpočtu R nula.
For interpolating DACs (oversampling DACs), the 'adjusted update rate' is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.