natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Ve strojích založených na mikrovlnných urychlovacích dutinách je dobou trvání pulsu paprsku buď 1 μs, nebo doba trvání dávky svazku paprsků vyvolaných jedním pulsem mikrovlnného modulátoru, je-li menší než 1 μs.
2D202 does not control part programming "software" that generates "numerical control" command codes but does not allow direct use of equipment for machining various parts.
Ve strojích založených na mikrovlnných urychlovacích dutinách je špičkovým proudem paprsku průměrný proud po dobu trvání dávky svazku paprsků.
"Software", other than that specified in 1D003, specially designed for "use" of equipment specified in 2B351.
Měniče frekvencí nebo generátory, jiné než uvedené v položce 0B001.b.13., použitelné jako pohon motoru s proměnnou či fixní frekvencí, které mají všechny tyto vlastnosti:
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software" specified in 2A, 2B or 2D.
"Software" speciálně vyvinutý za účelem zvýšení nebo uvolnění výkonu frekvenčního měniče nebo generátoru tak, aby odpovídal vlastnostem v položce 3A225, je uveden v položce 3D225.
2E001 includes "technology" for the integration of probe systems into coordinate measurement machines specified in 2B006.a.
"Technologie" ve formě kódů nebo klíčů, která má zvýšit nebo uvolnit výkon měniče frekvencí nebo generátoru tak, aby odpovídal vlastnostem v položce 3A225, je uvedena v položce 3E225.
"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 2A or 2B.
a. vícefázový výstup s výkonem 40 VA nebo větším;
Other "technology", as follows:
c. řízení frekvence lepší (menší) než 0,2 %.
"Technology" for the "development" of interactive graphics as an integrated part in "numerical control" units for preparation or modification of part programmes;
Položka 3A225 se na měniče frekvencí nebo generátory nevztahuje, jestliže mají omezení hardwaru, "softwaru" nebo "technologií", která výkonnost snižují na úroveň nižší, než je uvedeno výše, za předpokladu, že splňují některou z těchto podmínek:
b.
k vylepšení výkonu nebo k odstranění omezení musí být vráceny původnímu výrobci;
"Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:
k vylepšení nebo uvolnění výkonu za účelem splnění vlastností uvedených v položce 3A225 potřebují "software" uvedený v položce 3D225; nebo
"Technology" for the design of tools, dies or fixtures specially designed for any of the following processes:
k vylepšení nebo uvolnění výkonu za účelem splnění vlastností uvedených v položce 3A225 potřebují "technologii" ve formě klíčů nebo kódů uvedenou v položce 3E225.
a.
Měniče frekvencí v položce 3A225 jsou též známy jako konvertory nebo invertory.
"Superplastic forming";
Měniče frekvencí v položce 3A225 mohou být na trhu pod označením generátory, elektronická zkušební zařízení, zdroje střídavého proudu, pohony s proměnnými otáčkami motoru, pohony s proměnnými otáčkami (VSD), pohony s proměnlivým kmitočtem (VFD), pohony s nastavitelným kmitočtem (AFD), nebo pohony s nastavitelnou rychlostí (ASD).
b.
a. schopnost nepřetržitě produkovat po dobu 8 hodin napětí 20 kV nebo větší s výstupním proudem nejméně 1 A; a b. stabilitu proudu nebo napětí po dobu 8 hodin lepší než 0,1 %.
"Diffusion bonding"; or
obsahují tři nebo více elektrod;
Technical data consisting of process methods or parameters as listed below used to control:
anodové zpoždění nejvýše 10 μs;
Surface preparation;
Položka 3A228 zahrnuje plynové krytronové elektronky a vakuové sprytronové elektronky.
Strain rate;
b. spouštěcí jiskřiště, která mají obě tyto vlastnosti:
Temperature;
anodové zpoždění 15 μs nebo méně; a
Pressure;
jmenovitý špičkový proud 500 A nebo více;
b.
c. moduly nebo montážní celky s rychlou spínací funkcí, jiné než moduly nebo montážní celky stanovené v položce 3A001.g. nebo 3A001.h., které mají všechny tyto vlastnosti:
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
jmenovité špičkové anodové napětí větší než 2 kV;
c.
jmenovitý špičkový anodový proud 500 A nebo více; a
"Direct-acting hydraulic pressing" of aluminium alloys or titanium alloys:
spínací čas nejvýše 1 μs.
Cycle time;
Vysokoproudé pulsní generátory:
d.
a. rozbuškové odpalovací sady (rozbuškové systémy, detonační sady) včetně odpalovacích sad odpalovaných elektronicky, výbuchem nebo opticky, jiných než uvedených v položce 1A007.a., konstruované k aktivaci vícenásobně řízených rozněcovačů uvedených v položce 1A007.b.;
"Hot isostatic densification" of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
b. modulární elektrické pulsní generátory (impulsové generátory), které mají všechny tyto vlastnosti:
c.
jsou konstruovány pro přenosné a mobilní užití nebo užití ve ztížených podmínkách;
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
jsou schopné předat energii v méně než 15 μs při zatížení menším než 40 Ω;
d.
výstup větší než 100 A;
"Technology" for the "development" of generators of machine tool instructions (e.g., part programmes) from design data residing inside "numerical control" units;
žádný rozměr nepřesahuje 30 cm;
e.
hmotnost menší než 30 kg; a
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
jsou určeny k užití v rozšířeném teplotním rozmezí 223 K (– 50 °C) až 373 K (100 °C) nebo jsou svým určením vhodné pro letecké a kosmické užití.
f.
Položka 3A229.b. zahrnuje budiče pro xenonové výbojky.
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
c. mikrodetonační jednotky, které mají všechny tyto vlastnosti:
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
žádný rozměr nepřesahuje 35 mm;
This table should be read to specify the technology of a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
napětí rovnající se nebo větší než 1 kV; a
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
kapacita nejméně 100 nF.
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
Vysokorychlostní pulsní generátory a jejich 'pulsní hlavice', které mají obě tyto vlastnosti:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
a. výstupní napětí větší než 6 V při odporovém zatížení menším než 55 Ω; a
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
b. 'pulsní přechodový čas' menší než 500 ps.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
V položce 3A230 je 'pulsní přechodový čas' definován jako časový interval mezi 10 % a 90 % napěťové amplitudy.
Table
'Pulsní hlavice' jsou sítě vytvářející impulsy, které jsou navrženy tak, aby dokázaly pracovat s funkcí napěťových kroků a utvářet je do řady pulsních tvarů, které mohou být obdélníkového, trojúhelníkového, krokového, pulsového, exponenciálního nebo monocyklického typu.
Deposition techniques
'Pulsní hlavice' mohou být nedílnou součástí generátoru impulsů, mohou být ve formě zásuvného modulu k zařízení, anebo mohou být připojeny externě.
Coating Process (1) [3]
Systémy pro generování neutronů (včetně trubic), které mají obě tyto vlastnosti:
Substrate
a. jsou konstruovány pro provoz bez vnějšího vakuového systému; a
Resultant Coating
b. využívají některou z těchto činností:
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
elektrostatické zrychlení k vyvolání tritium-deuteriové jaderné reakce; nebo
"Superalloys"
elektrostatické zrychlení k vyvolání deuterium-deuterium jaderné reakce a umožňující výkon 3 × 109 neutronů/s nebo vyššího.
Aluminides for internal passages
Vícebodové rozbuškové systémy jiné než systémy uvedené v položce 1A007:
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
Rozněcovače viz položka 1A007.b.
Silicides
b. zařízení využívající jednoduché nebo násobné rozbušky, konstruované pro téměř současné odpálení výbušného povrchu o rozměru větším než 5000 mm2 jedním signálem k odpálení s rozšířením přes celý povrch za méně než 2,5 μs.
Carbides
Položka 3A232 nezahrnuje rozbušky využívající pouze primární výbušniny, jako je azid olovnatý.
Dielectric layers (15)
Hmotnostní spektrometry, jiné než uvedené v položce 0B002.g., které jsou schopné měřit ionty o 230 nebo více atomových hmotnostních jednotkách a které mají rozlišovací schopnost lepší než 2 částice z 230, a iontové zdroje pro tyto spektrometry:
Diamond
a. plazmové hmotnostní spektrometry s induktivní vazbou (ICP/MS);
Diamond-like carbon (17)
b. hmotnostní spektrometry s doutnavým výbojem (GDMS);
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix""composites"
c. hmotnostní spektrometry s tepelnou ionizací (TIMS);
Refractory metals
d. hmotnostní spektrometry s elektronovým ostřelováním, které mají obě tyto vlastnosti:
Mixtures thereof (4)
přívodový systém s molekulárním paprskem, který promítá kolimovaný paprsek molekul analytu do oblasti zdroje iontů, kde dochází k ionizaci molekul pomocí elektronového paprsku; a
Aluminides
jeden nebo více 'vymrazovacích odlučovačů', které lze ochladit na teplotu 193 K (– 80 °C);
Alloyed aluminides (2)
e. nevyužito;
Boron nitride
f. hmotnostní spektrometry vybavené mikrofluorizačním iontovým zdrojem, určené pro aktinidy nebo fluoridy aktinidů.
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
Hmotnostní spektrometry s elektronovým ostřelováním v položce 3A233.d. se rovněž označují jako hmotnostní spektrometry s elektronovou ionizací.
Tungsten
V položce 3A233.d.2 se 'vymrazovacím odlučovačem' rozumí zařízení, které odchytává molekuly plynu tím způsobem, že je zkondenzuje či zmrazí na studeném povrchu.
Molybdenum and Molybdenum alloys
Pro účely položky 3A233.d.2. se za kryogenní vývěvu s uzavřeným cyklem plynného helia nepovažuje 'vymrazovací odlučovač'.
Beryllium and Beryllium alloys
Šňůry s nízkou induktivní reaktancí k rozbuškám s těmito vlastnostmi:
Sensor window materials (9)
a. pracovní napětí větší než 2 kV; a
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
b. induktivní reaktance menší než 20 nH;
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
Zařízení pro výrobu polovodičových součástek nebo materiálů a jejich speciálně konstruované součásti a příslušenství:
Alloyed silicides
a. zařízení pro epitaxiální růst:
Modified zirconia (12)
schopná produkovat vrstvy s rovnoměrností tloušťky méně než ± 2,5 % v rozsahu vzdálenosti 75 mm nebo více z jiného materiálu než je křemík;
Corrosion resistant steel (7)
Položka 3B001.a.1. zahrnuje zařízení pro epitaxi atomových vrstev (ALE).
Borides
reaktory pro chemickou depozici z plynné fáze za použití organokovových sloučenin (MOCVD) konstruované pro epitaxiální růst složených polovodičových materiálů, které obsahují jeden nebo více z těchto prvků: hliník, galium, indium, arsen, fosfor, antimon nebo dusík;
Beryllium
zařízení pro epitaxiální růst s molekulárním svazkem při použití plynných nebo pevných zdrojů;
Titanium alloys (13)
b. zařízení konstruovaná pro iontovou implantaci, která mají některou z těchto vlastností:
Nitrides
jsou konstruovaná a optimalizovaná pro provoz při urychlovacím napětí 20 keV nebo více a proud ve svazku 10 mA nebo více pro implantování vodíku, deuteria nebo helia;
B.2.
jsou schopná přímého zápisu;
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
urychlovací napětí 65 keV nebo více a proud ve svazku 45 mA nebo více pro implantování kyslíku s vysokou energií do zahřáté "podložky" z polovodičového materiálu; nebo
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
jsou konstruovaná a optimalizovaná pro provoz při urychlovacím napětí 20 keV nebo více a proud ve svazku 10 mA nebo více pro implantování křemíku do "podložky" z polovodičového materiálu zahřáté na 600 °C nebo více;
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
d. nevyužito;
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
e. vícekomorové centrální manipulační systémy pro destičky polovodičů s automatickým vkládáním, které mají všechny tyto vlastnosti:
Diamond-like carbon
prostředky pro vstup a výstup destiček, k nimž lze připojit více než dva funkčně odlišné 'nástroje na zpracování polovodičů' uvedené v položkách 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 nebo 3B001.b., jsou konstruovány tak, aby byly propojeny; a
B.4.
jsou konstruovány jako integrovaný systém ve vakuu pro 'postupné vícenásobné zpracování destiček';
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
Položka 3B001.e. nezahrnuje automatické robotizované manipulační systémy pro destičky polovodičů, které jsou speciálně konstruovány pro paralelní zpracování destiček.
Polymers (11) and Organic "matrix""composites"
Po účely položky 3B001.e. se 'nástroji na zpracování polovodičů' rozumí modulové nástroje, které zajišťují fyzikální procesy při výrobě polovodičů, které jsou funkčně odlišné, jako je například depozice, implantace nebo tepelné zpracování.
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
Pro účely položky 3B001.e. se 'postupným vícenásobným zpracováním destiček' rozumí schopnost zpracovat každou destičku pomocí různých 'nástrojů na zpracování polovodičů', např. přenosem jednotlivých destiček z jednoho nástroje do druhého a poté do třetího pomocí vícekomorových centrálních manipulačních systémů pro destičky polovodičů s automatickým vkládáním.
Refractory metals and alloys (8)
f. litografická zařízení:
Oxides
nastavovací a krokovací nebo krokovací a snímací zařízení na zpracování destiček polovodičů za použití fotooptických nebo rentgenových metod, která mají některou z těchto vlastností:
D. Plasma spraying
a. vlnová délka světelného zdroje kratší než 193 nm; nebo
Abradable Nickel-Graphite
b. schopnost exponovat obrazce s "velikostí nejmenšího rozlišitelného prvku" (MRF) 45 nm nebo menší;
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
"Velikost nejmenšího rozlišitelného prvku" se vypočítá podle vzorce:
Abradable Al-Si-Polyester
vlnová délka světelného zdroje v nm
Aluminium alloys (6)
K faktor
E. Slurry Deposition
číselná apertura
Fused silicides
kde K faktor = 0,35
Fused aluminides except for resistance heating elements
vybavení pro tiskovou litografii schopné vyrábět struktury o velikosti 45 nm nebo menší;
F. Sputter Deposition
Položka 3B001.f.2 zahrnuje:
Noble metal modified aluminides (3)
mikrokontaktní tiskové nástroje
Platinum
nástroje pro ražení za tepla
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
nástroje pro nanotiskovou litografii
Dielectic layers (15)
nástroje pro tiskovou litografii technikou "Step and flash" (S-FIL)
G. Ion Implantation
Zařízení speciálně konstruovaná pro výrobu masek, která mají všechny tyto vlastnosti:
High temperature bearing steels
a. využívají vychylovaného zaostřeného elektronového paprsku, iontového paprsku nebo "laserového" paprsku; a
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
stopa paprsku o šířce v polovině maxima (full-width at half maximum (FWHM)) menší než 65 nm a umístění obrazu menší než 17 nm (3 sigma); nebo
Cemented tungsten carbide (16)
chyba překrytí masky druhou vrstvou menší než 23 nm (3 sigma);
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — NOTES
zařízení konstruovaná pro zpracování součástek za použití metod přímého zápisu, která mají všechny tyto vlastnosti:
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
a. mají vychylovaný zaostřený elektronový paprsek a
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
minimální velikost paprsku nejvýše 15 nm; nebo
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
chyba překrytí menší než 27 nm (střední hodnota + 3 sigma);
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
g. masky a optické mřížky, konstruované pro integrované obvody uvedené v položce 3A001;
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
h. vícevrstvé masky s vrstvou fázového posuvu neuvedené v položce 3B001.g., které mají některou z těchto vlastností:
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
jsou na "substrátovém polotovaru" skleněné masky, jejíž dvojlom je podle specifikace menší než 7 nm/cm; nebo
a.
jsou konstruovány pro litografická zařízení, která mají vlnovou délku světelného zdroje kratší než 245 nm;
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
Položka 3B001.h. nezahrnuje vícevrstvé masky s vrstvou fázového posuvu navržené pro výrobu paměťových přístrojů, na které se nevztahuje položka 3A001.
b.
i. šablony pro tiskovou litografii určené pro integrované obvody stanovené v položce 3A001.
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
Zkušební zařízení speciálně konstruovaná pro zkoušení zhotovených nebo rozpracovaných polovodičových součástek a speciálně pro ně konstruované součásti a příslušenství:
c.
a. pro zkoušení S-parametrů tranzistorových součástek při frekvencích větších než 31,8 GHz;
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
c. pro zkoušení mikrovlnných integrovaných obvodů uvedených v položce 3A001.b.2.
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Heteroepitaxní materiály sestávající z "podložky" složené z více na sobě uspořádaných epitaxně narostlých vrstev z:
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
a. křemíku (Si);
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
b. germania (Ge);
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
c. karbidu křemíku (SiC); nebo
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
d. "sloučenin galia nebo india typu III/V".
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Položka 3C001.d. nezahrnuje "podložky" mající jednu nebo více epitaxiálních vrstev typu P prvků GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP nebo InGaAlP, nezávisle na sekvenci prvků, vyjma případu, kdy se epitaxiální vrstva typu P nachází mezi vrstvami typu N.
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
Rezistní materiály (rezisty) a "podložky" potažené těmito rezisty:
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
a. rezisty pro polovodičovou litografii:
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
pozitivní rezisty upravené (optimalizované) pro použití při vlnových délkách kratších než 245 nm, avšak rovnajících se nebo delších než 15 nm;
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10– 7 K– 1 or less measured at 293 K (20 °C).
pozitivní rezisty upravené (optimalizované) pro použití při vlnových délkách kratších než 15 nm, avšak delších než 1 nm;
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
b. veškeré rezisty konstruované pro použití s elektronovými nebo iontovými paprsky o citlivosti 0,01 μcoulomb/mm2 nebo lepší;
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
d. veškeré rezisty optimalizované pro technologie zobrazování povrchu;
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
e. veškeré rezisty konstruované nebo optimalizované pro využití spolu se zařízením pro tiskovou litografii uvedené v položce 3B001.f.2., u kterých jsou používány tepelné procesy nebo procesy photo-curable;
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
Organoanorganické sloučeniny:
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
a. organokovové sloučeniny hliníku, galia nebo india, které mají čistotu (čistotu kovu) lepší než 99,999 %;
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
b. organické sloučeniny arsenu, antimonu a fosforu, které mají čistotu (čistotu anorganické složky) lepší než 99,999 %.
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
Položka 3C003 zahrnuje pouze ty sloučeniny, jejichž kovový, polokovový nebo nekovový prvek je přímo vázán na uhlík organické části molekuly.
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — TECHNICAL NOTE
Hydridy fosforu, arsenu nebo antimonu, které mají čistotu lepší než 99,999 %, případně zředěné v inertních plynech nebo vodíku.
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Položka 3C004 nezahrnuje hydridy, které obsahují nejméně 20 % molárních inertních plynů nebo vodíku.
a.
"Substráty" z karbidu křemíku (SiC), nitridu gallitého (GaN), nitridu hlinitého (AlN) nebo směsného nitridu hliníku a gallia (AlGaN) nebo ingoty, hrušky nebo jiné polotovary z těchto materiálů, jejichž odpor je při 20 °C vyšší než 10000 ohm/cm.
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.