natgillin/translations-raw huggingface dataset:
kryochladiče, které nejsou "vhodné pro kosmické aplikace", s chladícím zdrojem pro teploty pod 218 K (– 55 °C):
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
a. pracující v uzavřeném cyklu a jejichž střední doba provozu do poruchy (MTTF) nebo střední doba provozu mezi poruchami (MTBF) je delší než 2500 hodin;
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
b.
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
Joule-Thompsonovy (JT) samoregulační minichladiče s vnějším průměrem otvoru menším než 8 mm;
a.
citlivá optická vlákna speciálně vyrobená buď kompozičně, nebo strukturně nebo upravená povlakem za účelem dosažení citlivosti vůči akustickému, tepelnému, inertnímu, elektromagnetickému nebo jadernému záření;
Designed for operation without an external vacuum system; and
Položka 6A002.d.3. nezahrnuje zapouzdřená citlivá optická vlákna speciálně konstruovaná pro průzkumné vrtné aplikace.
b.
e. nevyužito.
Utilizing any of the following:
Kamery, systémy nebo zařízení a jejich součásti:
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
VIZ TÉŽ 6A203.
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
a. přístrojové kamery a jejich speciálně konstruované součásti:
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
Přístrojové kamery uvedené v položkách 6A003.a.3. až 6A003.a.5. s modulárními strukturami je třeba hodnotit podle jejich maximální schopnosti za použití výměnných karet, které jsou k dispozici podle specifikací výrobce kamer.
See 1A007.b. for detonators.
rychloběžné filmové záznamové kamery používající jakýkoli formát filmu od 8 mm do 16 mm včetně, v nichž se film kontinuálně posouvá během doby záznamu a které jsou schopny pracovat rychlostí větší než 13150 snímků za sekundu;
b.
Položka 6A003.a.1. nezahrnuje filmové záznamové kamery pro civilní účely.
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over an area greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
mechanické rychloběžné kamery, v nichž se film nepohybuje a které jsou schopny zaznamenat více než 1000000 snímků za sekundu na celé výšce snímku 35mm filmu nebo při úměrně vyšších rychlostech na menších výškách snímku filmu nebo při úměrně nižších rychlostech na větších výškách snímku;
3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
mechanické nebo elektronické zábleskové kamery:
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
a. mechanické zábleskové kamery s rychlostí zápisu větší než 10 mm/ms;
a.
b. elektronické zábleskové kamery schopné rozlišit čas 50 ns nebo méně;
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
elektronické snímkovací kamery, které pracují s rychlostí vyšší než 1000000 snímků za sekundu;
b.
elektronické kamery, které mají všechny tyto vlastnosti:
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
a. rychlost elektronické závěrky (dosažitelnost času osvitu) kratší než 1 μs na jeden úplný snímek; a
c.
b. čtecí čas umožňující dosáhnout rychlosti snímkování větší než 125 úplných snímků za sekundu;
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
výměnné karty, které mají všechny tyto vlastnosti:
d.
a. speciálně konstruované pro přístrojové kamery s modulární strukturou uvedené v položce 6A003.a; a
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
b. umožňující kamerám splňovat vlastnosti uvedené v položkách 6A003.a.3., 6A003.a.4., nebo 6A003.a.5. v souladu se specifikacemi výrobce;
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
b. zobrazovací kamery:
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
Položka 6A003.b. nezahrnuje televizní kamery a videokamery speciálně konstruované pro televizní vysílání.
e.
videokamery, které mají polovodičové snímače s maximální citlivostí v rozmezí vlnových délek nad 10 nm, avšak nejvýše 30000 nm, a mají všechny tyto vlastnosti:
Not used;
a. mají některou z těchto vlastností:
f.
více než 4 × 106 "aktivních obrazových prvků" v jednom polovodičovém poli v případě monochromatických (černobílých) kamer;
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
více než 4 × 106 "aktivních obrazových prvků" v jednom polovodičovém poli v případě barevných kamer obsahujících tři polovodičová pole; nebo
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
více než 12 × 106 "aktivních obrazových prvků" v jednom polovodičovém poli v případě barevných kamer obsahujících jedno polovodičové pole; a
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
optická zrcadla uvedená v položce 6A004.a.;
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
optické kontrolní zařízení uvedené v položce 6A004.d.; nebo
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
schopnost vyložit interně generované 'sledovací údaje kamery';
a.
Pro účely tohoto bodu je třeba číslicové videokamery hodnotit podle maximálního počtu "aktivních obrazových prvků" použitých pro zachycení filmových obrazů.
Voltage rating greater than 2 kV; and
Pro účely této položky jsou 'sledovací údaje kamery' informace nezbytné pro určení linky orientace hledáčku s ohledem na zem.
b Inductance of less than 20 nH.
To zahrnuje: 1) horizontální úhel, který linka hledáčku vytváří ve vztahu k směru zemského magnetického pole a 2) vertikální úhel mezi linkou hledáčku kamery a zemským horizontem.
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
rastrovací kamery a systémy rastrovacích kamer, které mají všechny tyto vlastnosti:
a.
a. maximální citlivost v rozmezí vlnových délek nad 10 nm, avšak nejvýše 30000 nm;
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
b. lineární detektorová pole s více než 8192 prvky v každém poli; a
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
c. mechanické řádkování v jednom směru;
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Položka 6A003.b.2 se nevztahuje na kontrolní rastrovací kamery a systémy rastrovacích kamer speciálně konstruované pro některé z těchto účelů:
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
průmyslové nebo civilní kopírovací stroje;
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
zobrazovací rastrovací kamery speciálně konstruované pro civilní, nepřenosné aplikace rastrování v bezprostřední blízkosti (např. reprodukce obrazu či nátisku v dokumentech, reprodukce uměleckých děl nebo fotografií apod.); nebo
b.
zdravotnické přístroje;
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
zobrazovací kamery obsahující elektronkové zesilovače obrazu uvedené v položce 6A002.a.2.a. nebo 6A002.a.2.b;
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
zobrazovací kamery obsahující "ohnisková pole" mající některou z těchto částí:
Direct write capability;
a. "ohnisková pole" uvedená v položkách 6A002.a.3.a až 6A002.a.3.e;
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
b. "ohnisková pole" uvedená v položce 6A002.a.3.f; nebo
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
c. "ohnisková pole" uvedená v položce 6A002.a.3.g.;
d.
Zobrazovací kamery uvedené v položce 6A003.b.4 zahrnují vedle integrovaného čtecího okruhu "ohnisková pole" společně s dostatečnou elektronickou částí pro "zpracování signálu" umožňující při napájení alespoň výstup analogového nebo digitálního signálu.
Not used;
Položka 6A003.b.4.a. nezahrnuje zobrazovací kamery obsahující lineární "ohnisková pole" s nejvýše 12 prvky nebo méně, u nichž v prvku nedochází k časovému zpoždění a integraci a které jsou konstruované pro některý z těchto účelů:
e.
průmyslová zařízení používaná pro kontrolu nebo sledování oběhu tepla v budovách, zařízeních nebo výrobních procesech;
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
zařízení speciálně konstruovaná pro použití v laboratořích; nebo
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
Položka 6A003.b.4.b se nevztahuje na zobrazovací kamery, jež mají některou z těchto vlastností:
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
maximální frekvence snímků je 9 Hz nebo méně;
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
minimální horizontální nebo vertikální 'okamžité zorné pole' (IFOV) nejméně 10 mrad/pixel (miliradiánů/pixel);
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
čočky s pevnou ohniskovou vzdáleností, jež nejsou konstruovány jako odnímatelné;
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
neobsahují displej s 'přímým zobrazením'; a
f.
nemají žádné zařízení pro získání zobrazitelného obrázku zjištěného zorného pole nebo
Lithography equipment as follows:
kamera je konstruována pro jeden druh použití a tak, aby na ní uživatel nemohl provádět úpravy; nebo
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
kamera je speciálně konstruována pro montáž do civilního osobního pozemního vozidla a má všechny tyto vlastnosti:
a.
účelem umístění a konfigurace kamery ve vozidle je výhradně pomáhat řidiči při bezpečném provozu vozidla;
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
je funkční, pouze je-li namontována:
b.
v civilním osobním pozemním vozidle, pro nějž byla určena, do hmotnosti 4500 kg (celková hmotnost vozidla); nebo
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
ve speciálně navrženém schváleném zkušebním zařízení pro údržbu; a
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
obsahuje aktivní mechanismus, který zajistí deaktivaci kamery po jejím vyjmutí z vozidla, pro nějž byla určena.
an exposure light source wavelength in nm
'Okamžité zorné pole' (IFOV) uvedené v poznámce 3.b. položky 6A003.b.4. je nižší hodnota z 'horizontálního IFOV' nebo 'vertikálního IFOV'.
K factor
'Horizontální IFOV' = horizontální zorné pole (FOV)/počet horizontálních detektorových prvků
numerical aperture
'Vertikální IFOV' = vertikální zorné pole (FOV)/počet vertikálních detektorových prvků.
where the K factor = 0,35
'Přímé zobrazení' v poznámce 3.b. položky 6A003.b.4. se týká zobrazovací kamery pracující v infračerveném spektru, která poskytuje pozorovateli vizuální obraz za použití mikrodispleje pro přiblížení k oku, a obsahující jakýkoliv mechanismus snadného zabezpečení.
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
6A003.b.4.c nezahrnuje zobrazovací kamery mající některou z těchto vlastností:
3B001.f.2. includes:
kamera je speciálně konstruována pro montáž jakožto nedílná součást systémů a zařízení pro vnitřní prostory, napájených z elektrického rozvodu, jejichž konstrukce je omezena pro jediný druh použití, a to:
Micro contact printing tools
sledování průmyslového procesu, kontrola jakosti nebo rozbor vlastností jednotlivých materiálů;
Hot embossing tools
laboratorní vybavení speciálně konstruované pro vědecký výzkum;
Nano-imprint lithography tools
zařízení určené k odhalování finančních podvodů, a
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
v systému (systémech) nebo zařízení, pro něž byla určena, nebo
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
do speciálně konstruovaného schváleného nástroje pro údržbu; a
a.
obsahuje aktivní mechanismus, který kameru vyřadí z provozu, jakmile je vyjmuta ze systému (systémů) nebo zařízení, pro něž byla určena;
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
kamera je speciálně konstruována pro montáž do civilního osobního pozemního vozidla nebo do plavidla pro převoz osob či vozidel a má všechny tyto vlastnosti:
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
účelem umístění a konfigurace kamery ve vozidle nebo plavidle je výhradně pomáhat řidiči nebo obsluze při bezpečném provozu vozidla nebo plavidla;
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
v civilním osobním pozemním vozidle, pro nějž byla určena, do hmotnosti 4500 kg (celková hmotnost vozidla);
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
v plavidle pro převoz osob či vozidel, pro něž byla určena, o celkové délce nejméně 65 m; nebo
a.
ve speciálně navrženém schváleném zkušebním zařízení pro údržbu; a
A deflected focused electron beam; and
obsahuje aktivní mechanismus, který kameru vyřadí z provozu, jakmile je vyjmuta z vozidla, pro které byla určena;
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
kamera je konstrukčně omezena tak, aby její maximální "radiantová citlivost" pro vlnové délky nad 760 nm byla nejvýše 10 mA/W, a má všechny tyto vlastnosti:
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
obsahuje mechanismus omezující citlivost, který nelze odstranit ani upravit;
g.
obsahuje aktivní mechanismus, který kameru vyřadí z provozu, jakmile je odstraněn mechanismus omezující citlivost; a
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
není speciálně konstruovaná ani upravená pro užití pod vodou; nebo
h.
neobsahuje 'přímé zobrazení' ani elektronické zobrazení;
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
nemá žádné zařízení pro získání zobrazitelného obrázku zjištěného zorného pole;
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
"ohniskové pole" funguje pouze tehdy, je-li namontováno v kameře, pro niž je určeno; a
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
"ohniskové pole" obsahuje aktivní mechanismus, který zajišťuje, aby bylo trvale vyřazeno z provozu, jakmile je vyjmuto z kamery, pro niž je určeno.
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
zobrazovací kamery obsahující detektory v pevné fázi uvedené v položce 6A002.a.1.
i.
Optická zařízení a součásti
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
a. optická zrcadla (reflektory):
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
Pro účely položky 6A004.a. se práh poškození laserem (LIDT) měří podle normy ISO 21254-1:2011.
a.
Optická zrcadla zvlášť navržená pro litografické vybavení viz položka 3B001.
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
"deformovatelná zrcadla" s aktivní optickou aperturou větší než 10 mm, která mají některou z těchto vlastností, a pro ně speciálně konstruované součásti:
c.
a. mají všechny tyto vlastnosti:
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
mechanickou rezonanční frekvenci nejméně 750 Hz; a
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
více než 500 aktuátorů; nebo
a.
b. práh poškození laserem (LIDT), který má některý z těchto parametrů:
Silicon (Si);
větší než 1 kW/cm2 při použití "CW laseru (kontinuálního laseru)"; nebo
b.
větší než 2 J/cm2 při použití 20 ns "laserových" pulsů s opakovací frekvencí 20 Hz;
Germanium (Ge);
lehká monolitická zrcadla s průměrnou "ekvivalentní hustotou" menší než 30 kg/m2 a celkovou hmotností vyšší než 10 kg;
c.
Položka 6A004.a.2. nezahrnuje zrcadla speciálně konstruovaná pro směrování přímého slunečního záření v pozemních heliostatických zařízeních.
Silicon carbide (SiC); or
lehké "kompozitní" nebo pěnové zrcadlové konstrukce s průměrnou "ekvivalentní hustotou" menší než 30 kg/m2 a celkovou hmotností vyšší než 2 kg;
d.
Položka 6A004.a.2. nezahrnuje zrcadla speciálně konstruovaná pro směrování přímého slunečního záření v pozemních heliostatických zařízeních.
"III/V compounds" of gallium or indium.
zrcadla speciálně konstruovaná pro stupně zrcadel s řízením směru paprsku uvedené v položce 6A004.d.2.a. s plochostí λ/10 nebo lepší (pokud se λ rovná 633 nm) a mající některou z těchto vlastností:
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
a. průměr nebo délka hlavní osy 100 mm nebo větší; nebo
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
b. mají všechny tyto vlastnosti:
a.
průměr nebo délka hlavní osy větší než 50 mm a menší než 100 mm; a
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
práh poškození laserem (LIDT), který má některý z těchto parametrů:
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
a. větší než 10 kW/cm2 při použití "CW laseru (kontinuálního laseru)"; nebo
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
b. větší než 20 J/cm2 při použití 20 ns "laserových" pulsů s opakovací frekvencí 20 Hz;
b.
b. optické součásti vyrobené ze selenidu zinečnatého (ZnSe) nebo sulfidu zinečnatého (ZnS) s propustností ve vlnovém rozsahu nad 3000 nm, avšak nejvýše 25000 nm, které mají některou z těchto vlastností:
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
objem větší než 100 cm3; nebo
d.
průměr nebo délka hlavní osy větší než 80 mm a tloušťka (hloubka) větší než 20 mm;
All resists optimised for surface imaging technologies;
c. součásti optických systémů "vhodné pro kosmické aplikace":
e.
součásti odlehčené na méně než 20 % "ekvivalentní hustoty" v porovnání s plným polotovarem stejné apertury a tloušťky;
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
surové substráty, zpracované substráty s povrchovými povlaky (jednovrstvými nebo vícevrstvými, kovovými nebo dielektrickými, vodivými, polovodičovými nebo izolačními) nebo s ochrannými fóliemi;
Organo-inorganic compounds as follows:
segmenty nebo sestavy zrcadel, které jsou konstruovány tak, aby mohly být v kosmickém prostoru zamontovány do optického systému se sběrnou aperturou stejnou nebo větší než u jednoduchého optického prvku o průměru 1 m;
a.
součásti vyrobené z "kompozitních" materiálů, jejichž koeficient lineární tepelné roztažnosti v jakémkoliv směru souřadnic je roven 5 × 10– 6 nebo menší;
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
d. optická ovládací zařízení:
b.
zařízení speciálně konstruovaná pro udržování tvaru povrchu nebo orientace součástí "vhodných pro kosmické aplikace" uvedených v položce 6A004.c.1. nebo 6A004.c.3.;
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
zařízení pro směrování, sledování, stabilizaci nebo nastavení rezonátoru:
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
a. stupně zrcadel s řízením směru paprsku konstruované pro zrcadla o průměru nebo délce hlavní osy větší než 50 mm, která mají všechny tyto vlastnosti, a speciálně pro ně konstruované zařízení pro elektronické řízení:
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
nejvyšší úhlovou dráhu nejméně ±26 mrad;
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
mechanickou rezonanční frekvenci nejméně 500 Hz; a
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
úhlovou "přesnost" 10 μrad (mikroradiánů) nebo menší (lepší);
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
b. zařízení pro nastavení rezonátoru s pásmovou šířkou rovnající se nebo větší než 100 Hz a "přesností" 10 μrad nebo menší (lepší);
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
kardanové závěsy, které mají všechny tyto vlastnosti:
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
a. maximální výkyv přes 5°;
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
b. pásmová šířka nejméně 100 Hz;
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
c. chyby úhlového zaměřování nejvýše 200 μrad (mikroradiánů); a
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
d. mají některou z těchto vlastností:
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
průměr nebo délka hlavní osy větší než 0,15 m, avšak nejvýše 1 m, a schopnost dosáhnout úhlových zrychlení přesahujících 2 rad/s2; nebo
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
průměr nebo délka hlavní osy větší než 1 m a schopnost dosáhnout úhlových zrychlení přesahujících 0,5 rad/s2;
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.