natgillin/translations-raw huggingface dataset:
„Software“ speciálně vyvinutý nebo upravený pro „užití“ zařízení uvedených v položce 3A101.b.
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
„Software“ speciálně vyvinutý za účelem zvýšení nebo uvolnění výkonu frekvenčního měniče nebo generátoru tak, aby odpovídal vlastnostem v položce 3A225.
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „vývoj“ nebo „výrobu“ zařízení nebo materiálů uvedených v položkách 3A, 3B nebo 3C;
a.
Položka 3E001 nezahrnuje „technologie“ pro „výrobu“ zařízení nebo součástí uvedených v položce 3A003.
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
Položka 3E001 nezahrnuje „technologie“ pro „vývoj“ nebo „výrobu“ integrovaných obvodů uvedených v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.12., které mají všechny tyto vlastnosti:
b.
využívá „technologii“ s rozlišením 0,130 μm nebo vyšším; a
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
mají vícevrstvé struktury s nejvýše třemi kovovými vrstvami.
c.
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii, jiné než uvedené v položce 3E001, pro „vývoj“ nebo „výrobu“ „mikroprocesorového mikroobvodu“, „mikropočítačového mikroobvodu“ nebo jádra mikroregulátorového mikroobvodu, který má aritmeticko-logickou jednotku s šířkou přístupu 32 bitů nebo více a kterýkoliv z těchto rysů a vlastností:
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
a. ‚vektorová procesorová jednotka‘ určená k provádění více než dvou výpočtů vektorů s pohyblivou řádovou čárkou (jednorozměrová pole 32bitových nebo větších čísel) současně;
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
‚Vektorová procesorová jednotka‘ je procesorový prvek se zabudovanými instrukcemi, které provádějí vícenásobné výpočty vektorů s pohyblivou řádovou čárkou (jednorozměrová pole 32bitových nebo větších čísel) současně, jenž má alespoň jednu vektorovou aritmeticko-logickou jednotku.
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
b. určený k provádění více než dvou 64bitových nebo větších výsledků operací s pohyblivou řádovou čárkou na cyklus; nebo
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
c. určený k provádění více než čtyř 16bitových výsledků násobení a akumulace s pevnou řádovou čárkou na cyklus (např. digitální zpracovávání analogových informací, které byly dříve převedeny do digitální formy, známých rovněž jako „zpracování digitálních signálů“).
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
Položka 3E002.c. nezahrnuje „technologii“ pro multimediální doplňky.
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
Položka 3E002 nezahrnuje „technologii“ pro „vývoj“ nebo „výrobu“ mikroprocesorových jader, která má všechny tyto vlastnosti:
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
má vícevrstvé struktury s nejvýše třemi kovovými vrstvami.
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
Položka 3E002 zahrnuje „technologii“ pro procesory digitálních signálů a procesory digitálních polí.
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
Jiné „technologie“ pro „vývoj“ nebo „výrobu“:
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
a. vakuových mikroelektronických součástek;
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
b. heterostrukturních polovodičových součástek, jako jsou tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT), hetero-bipolární tranzistory (HBT), zařízení na bázi kvantových jam a supermřížek;
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Položka 3E003.b. nezahrnuje „technologie“ pro tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT), které pracují při frekvencích nižších než je 31,8 GHz, a pro heteropřechodné bipolární tranzistory (HBT), které pracují při frekvencích nižších než 31,8 GHz.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
c. „supravodivých“ elektronických součástek;
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
d. podložek z diamantových filmů pro elektronické součástky;
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
e. podložek z křemíku na izolátoru (SOI) pro integrované obvody, kde izolátorem je oxid křemičitý;
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
f. podložek z karbidu křemíku pro elektronické součástky;
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
g. vakuových elektronek pracujících při frekvenci 31,8 GHz nebo vyšší;
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „užití“ zařízení nebo „softwaru“ uvedených v položkách 3A001.a.1. nebo 2., 3A101, 3A102 nebo 3D101.
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — TECHNICAL NOTE
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „vývoj“ „softwaru“ uvedeného v položce 3D101.
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „užití“ zařízení uvedeného v položkách 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 až 3A234.
a.
„Technologie“ ve formě kódů nebo klíčů, která má zvýšit nebo uvolnit výkon měničů frekvencí nebo generátorů tak, aby odpovídal vlastnostem v položce 3A225.
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
KATEGORIE 4 –
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
POČÍTAČE
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
Počítače, jejich příslušenství a „software“ vykonávající telekomunikační funkce nebo funkce „místních sítí“ je též třeba hodnotit podle charakteristik výkonu vymezených v kategorii 5 části 1 (Telekomunikace).
N.B.
Řídicí jednotky, které přímo propojují sběrnice nebo kanály základních jednotek, řídicí jednotky „hlavní paměti“ nebo řídicí jednotky diskové paměti se nepovažují za telekomunikační zařízení popsaná v kategorii 5 části 1 (Telekomunikace).
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Pokud jde o režim „softwaru“ speciálně vyvinutého pro přepojování paketů, viz 5D001.
N.B.
Počítače, jejich příslušenství a „software“ vykonávající šifrovací funkce, kryptoanalytické funkce, funkce zajišťující víceúrovňové zabezpečení nebo funkce zabezpečující izolaci uživatele omezující elektromagnetickou kompatibilitu (EMC) je rovněž třeba hodnotit podle vlastností uvedených v kategorii 5 části 2 („Bezpečnost informací“).
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Elektronické počítače a jejich příslušenství, které mají některou z následujících vlastností, a „elektronické sestavy“ a speciálně pro ně konstruované součásti:
N.B.
VIZ TÉŽ 4A101.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
a. speciálně konstruované tak, aby měly některou z těchto vlastností:
b.
jsou určené pro práci při okolní teplotě nižší než 228 K (–45 °C) nebo vyšší než 358 K (85 °C); nebo
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Položka 4A001.a.1nezahrnuje počítače konstruované speciálně pro použití v civilních automobilech, civilních železničních vlacích a „civilních letadlech“.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
jsou radiačně odolné tak, že přesahují některý z těchto parametrů:
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
celková dávka 5 × 103 Gy (křemík);
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
narušení při rychlosti dávky 5 × 106 Gy (křemík)/s; nebo
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
narušení způsobené jednorázovým dějem 1 × 10–8 chyby/bit/den;
Specific TE-PVD processes are as follows:
Položka 4A001.a.2 nezahrnuje počítače konstruované speciálně pro použití v „civilních letadlech“.
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
b. nevyužito;
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
„Digitální počítače“, „elektronické sestavy“, jejich příslušenství a speciálně pro ně konstruované součásti:
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Položka 4A003 zahrnuje:
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
‚vektorové procesory‘,
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
procesorová pole,
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
číslicové komunikační procesory,
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
logické procesory,
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
zařízení konstruovaná pro „zlepšení obrazu“,
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
zařízení konstruovaná pro „zpracování signálů“.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Kontrolní status „digitálních počítačů“ nebo jejich příslušenství popsané v položce 4A003 je určen kontrolním statusem jiných zařízení nebo systémů za předpokladu, že:
c.
„digitální počítače“ nebo jejich příslušenství jsou nezbytně nutné pro provoz těchto jiných zařízení nebo systémů;
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
„digitální počítače“ nebo jejich příslušenství nejsou „hlavním prvkem“ těchto jiných zařízení nebo systémů;
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
Status zařízení pro „zpracování signálů“ nebo „zlepšení obrazu“ speciálně konstruovaných pro jiná zařízení, jejichž funkce jsou omezeny pouze na fungování těchto jiných zařízení, je určen statusem těchto jiných zařízení, i když přesahuje kritérium „hlavního prvku“.
An activator (normally a halide salt); and
Pokud jde o status „digitálních počítačů“ nebo jejich příslušenství pro telekomunikační zařízení, viz kategorie 5 část 1 (Telekomunikace).
An inert powder, most frequently alumina.
„technologie“ pro „digitální počítače“ a jejich příslušenství je uvedena v položce 4E.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
b. „digitální počítače“, které mají „nastavený nejvyšší výkon“ („APP“) přesahující 8,0 vážených teraflopů (WT);
d.
c. „elektronické sestavy“ speciálně konstruované nebo upravené pro zvýšení výkonu agregací procesorů tak, aby „APP“ agregátu přesáhl mez uvedenou v položce 4A003.b.;
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Položka 4A003.c. zahrnuje pouze „elektronické sestavy“ a programovatelná propojení nepřesahující meze uvedené v položce 4A003.b., jsou-li dodávány jako nezabudované „elektronické sestavy“.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Nezahrnuje „elektronické sestavy“ přirozeně omezené povahou své konstrukce pro použití jako příslušenství pro zařízení uvedená v položce 4A003.e.
N.B. 1
Položka 4A003.c. nezahrnuje „elektronické sestavy“ speciálně konstruované pro nějaký výrobek nebo skupinu výrobků, jejichž maximální konfigurace nepřekračuje meze uvedené v položce 4A003.b.
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
e. zařízení provádějící analogově číslicové převody překračující meze uvedené v položce 3A001.a.5.;
N.B.
f. nevyužito;
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
g. zařízení speciálně konstruovaná pro zvýšení výkonu „digitálních počítačů“ zajištěním externího propojení umožňujícího komunikaci při jednosměrné rychlosti dat vyšší než 2,0 GB/s na spoj.
e.
Položka 4A003.g. nezahrnuje vnitřní propojovací zařízení (např. propojovací desky), pasivní propojovací zařízení, „řadiče přístupu do sítě“ nebo „řadiče komunikačních kanálů“.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Počítače a jejich speciálně konstruované příslušenství, „elektronické sestavy“ a součásti:
f.
a. „systolické počítače“;
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
b. „neuronové počítače“;
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
c. „optické počítače“.
N.B.
Systémy, zařízení a jejich součásti, speciálně konstruované nebo upravené pro vytváření, provádění nebo umisťování „intrusivního software“ nebo pro komunikaci s ním.
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Analogové počítače, „digitální počítače“ nebo číslicové diferenční analyzátory, jiné než uvedené v položce 4A001.a.1, určené pro práci ve ztížených podmínkách a konstruované nebo upravené pro použití v kosmických nosných prostředcích uvedených v položce 9A004 nebo sondážních raketách uvedených v položce 9A104.
N.B.
„Hybridní počítače“ speciálně konstruované pro modelování, simulaci nebo návrhovou integraci kosmických nosných prostředků uvedených v položce 9A004 nebo sondážních raket uvedených v položce 9A104.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Tato kontrola se provádí pouze v případě, že zboží je dodáváno spolu se „softwarem“ uvedeným v položce 7D103 nebo 9D103.
g.
Kontrolní status „softwaru“ pro zařízení popsaná v jiných kategoriích je vždy uveden v příslušné kategorii.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
„Software“:
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
a. „software“ speciálně vyvinutý nebo upravený pro „vývoj“ nebo „výrobu“ zařízení nebo „softwaru“ uvedeného v položce 4A001 až 4A004 nebo 4D.
CATEGORY 3 —
b. „software“, jiný než uvedený v položce 4D001.a., speciálně vyvinutý nebo upravený pro „vývoj“ nebo „výrobu“ těchto zařízení:
ELECTRONICS
„digitální počítače“, které mají „nastavený nejvyšší výkon“ („APP“) přesahující 1,0 vážených teraflopů (WT);
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.13, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
„elektronické sestavy“ speciálně vyvinuté nebo upravené pro zvýšení výkonu agregací procesorů tak, aby „APP“ agregátu přesáhl mez uvedenou v položce 4D001.b.1.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.13 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
„Software“ speciálně vyvinutý nebo upravený pro vytváření, provádění nebo umisťování „intrusivního software“ nebo pro komunikaci s ním.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.13.
a. „Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „vývoj“, „výrobu“ nebo „užití“ zařízení nebo „softwaru“ uvedených v položkách 4A nebo 4D;
Electronic components and specially designed components therefor, as follows:
b. „technologie“, jiná než uvedená v položce 4E001.a., speciálně určená nebo upravená pro „vývoj“ nebo „výrobu“ těchto zařízení:
a.
„elektronické sestavy“ speciálně vyvinuté nebo upravené pro zvýšení výkonu agregací procesorů tak, aby „APP“ agregátu přesáhl mez uvedenou v položce 4E001.b.1.;
General purpose integrated circuits, as follows:
c. „technologie“ pro „vývoj“ „intrusivního softwaru“.
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
TECHNICKÁ POZNÁMKA K „NASTAVENÉMU NEJVYŠŠÍMU VÝKONU“ („APP“)
Integrated circuits include the following types:
„APP“ je nastavený nejvyšší výkon, při němž „digitální počítače“ provádějí 64bitové nebo větší sčítání a násobení s pohyblivou řádovou čárkou.
"Monolithic integrated circuits";
„APP“ se vyjadřuje ve vážených teraflopech (WT), v jednotkách 1012 nastavených operací s pohyblivou řádovou čárkou za sekundu.
"Hybrid integrated circuits";
Zkratky používané v této technické poznámce
"Multichip integrated circuits";
n počet procesorů v „digitálním počítači“
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
i počet procesorů (i,…n)
"Optical integrated circuits";
doba cyklu procesoru (ti = 1/Fi)
"Three dimensional integrated circuits".
frekvence procesoru
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
nejvyšší výpočetní rychlost s pohyblivou řádovou čárkou
a.
faktor úpravy podle architektury
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
Shrnutí metod výpočtu „APP“
b.
Pro každý procesor i stanovte nejvyšší počet 64bitových nebo větších operací s pohyblivou řádovou čárkou FPOi, provedených za cyklus u každého procesoru v „digitálním počítači“.
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
Při stanovování FPO zohledněte pouze 64bitové nebo větší sčítání a/nebo násobení s pohyblivou řádovou čárkou.
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Všechny operace s pohyblivou řádovou čárkou musí být vyjádřeny v operacích za cyklus procesoru; operace vyžadující vícenásobné cykly mohou být vyjádřeny v dílčích výsledcích za cyklus.
a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
U procesorů, jež nejsou schopné provádět výpočty s operandy s pohyblivou řádovou čárkou 64 bitů a vyšší je efektivní rychlost výpočtu R nula.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
Vypočítejte rychlost s pohyblivou řádovou čárkou R pro každý procesor Ri = FPOi/ti.
a.
Vypočítejte „APP“ podle vzorce „APP“ = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn.
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
U ‚vektorových procesorů‘ se Wi = 0,9.
b.
U ‚nevektorových procesorů‘ se Wi = 0,3.
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
Poznámka 1:
c.
U procesorů, které provádějí složené operace v cyklu, jako je sčítání a násobení, se počítá každá operace.
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
Poznámka 2:
a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.