natgillin/translations-raw huggingface dataset:
největší rozměr optické apertury je nejméně 1 m a poměr ohniskové délky k apertuře je nejméně 7:1;
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
jsou konstruovány jako optické prvky typu Fresnel, flyeye či páskového, hranolovitého nebo mřížkového difrakčního typu;
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
jsou vyrobeny z borokřemičitého skla s koeficientem lineární tepelné roztažnosti větším než 2 × 10–6/K při 25 °C;
b.
jedná se o rentgenové optické prvky se schopnostmi dovnitř zaměřeného zrcadla (např. trubková zrcadla).
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
‚Asférické optické prvky‘ speciálně konstruované pro litografická zařízení viz 3B001.
d.
„Lasery“, jiné než uvedené v položce 0B001.g.5. nebo 0B001.h.6., součásti a optická zařízení:
All resists optimised for surface imaging technologies;
VIZ TÉŽ 6A205.
e.
Impulsní „lasery“ zahrnují „lasery“, které pracují v režimu spojité vlny (CW) se superponovanými pulsy.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Excimerové, polovodičové, chemické, CO, CO2 a ‚jednorázové impulsní‘ Nd: skleněné „lasery“ jsou uvedeny pouze v položce 6A005.d.
Organo-inorganic compounds as follows:
Slovy ‚jednorázové pulsní‘ se označují „lasery“, které vytvářejí buď jediný výstupní puls nebo u nichž je doba mezi pulsy delší než minuta.
a.
Položka 6A005 zahrnuje vláknové „lasery“.
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Status „laserů“ jejichž součástí je frekvenční konverze (tj. změna vlnové délky) jinými způsoby, než tím, že jeden „laser“ poskytuje energii pro jiný „laser“, se určuje použitím kontrolních parametrů jak pro výkon zdrojového „laseru“, tak pro optický výkon po frekvenční konverzi.
b.
Poznámka 5:
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Položka 6A005 nezahrnuje tyto „lasery“:
003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
rubínový s výstupní energií nižší než 20 J;
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
dusíkový;
004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
kryptonový.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
V položce 6A005 je ‚účinnost laseru‘ definována jako poměr výstupního výkonu „laseru“ (nebo „průměrného výstupního výkonu“) k celkovému elektrickému příkonu potřebnému k provozu „laseru“, včetně dodávky/stabilizace napájení a tepelné stabilizace/tepelného výměníku.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
a.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
Ne-„laditelné“ kontinuální „(CW) lasery“, které mají některou z těchto vlastností:
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
výstupní vlnovou délku menší než 150 nm a výstupní výkon vyšší než 1 W;
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
výstupní vlnovou délku 150 nm nebo větší, ale nejvýše 510 nm, a výstupní výkon vyšší než 30 W;
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Položka 6A005.a.2. nezahrnuje argonové „lasery“ s výstupním výkonem rovným nebo nižším než 50 W.
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
výstupní vlnovou délku větší než 510 nm, ale nejvýše 540 nm, a některou z těchto vlastností:
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
a. výstup s jediným přechodovým módem a výstupní výkon vyšší než 50 W; nebo
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
b. výstup s vícenásobným přechodovým módem a výstupní výkon větší než 150 W;
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
výstupní vlnovou délku větší než 540 nm, ale nejvýše 800 nm, a výstupní výkon vyšší než 30 W;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
výstupní vlnovou délku větší než 800 nm, ale nejvýše 975 nm, a některou z těchto vlastností:
001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
b. výstup s vícenásobným přechodovým módem a výstupní výkon větší než 80 W;
001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
výstupní vlnovou délku větší než 975 nm, ale nejvýše 1150 nm, a některou z těchto vlastností:
Using "technology" at or above 0.130 μm; and
a. jediný přechodový mód a výstupní výkon vyšší než 200 W; nebo
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
b. výstup s vícenásobným přechodovým módem a některou z těchto vlastností:
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
‚účinnost laseru‘ vyšší než 18 % a výstupní výkon vyšší než 500 W; nebo
a.
výstupní výkon vyšší než 2 kW;
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
Položka 6A005.a.6.b. nezahrnuje průmyslové „lasery“ s vícenásobným přechodovým módem s výstupním výkonem vyšším než 2 kW a ne vyšším než 6 kW o celkové hmotnosti přesahující 1200 kg.
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
Pro účely této poznámky zahrnuje celková hmotnost všechny součásti nezbytné pro provoz „laseru“, např., „laser“, napájení, tepelný výměník, avšak nezahrnuje vnější optiku pro stabilizaci a/nebo vytváření paprsku.
b.
Položka 6A005.a.6.b. nezahrnuje průmyslové „lasery“ s vícenásobným přechodovým módem, které mají některou z těchto vlastností:
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
výstupní výkon vyšší než 500 W, avšak nejvýše 1 kW, a obě tyto vlastnosti:
c.
poloměr laserového svazku v krčku (BPP) větší než 0,7 mm• mrad;a
Designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
‚jas‘ nejvýše 1 024 W/mm• mrad)2;
c. does not control "technology" for multimedia extensions.
výstupní výkon vyšší než 1 kW, avšak nejvýše 1,6 kW, a BPP větší než 1,25 mm•mrad;
002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
výstupní výkon vyšší než 1,6 kW, avšak nejvýše 2,5 kW, a BPP větší než 1,7 mm•mrad;
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
výstupní výkon vyšší než 2,5 kW, avšak nejvýše 3,3 kW, a BPP větší než 2,5 mm•mrad;
002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
výstupní výkon vyšší než 3,3 kW, avšak nejvýše 4 kW, a BPP větší než 3,5 mm•mrad;
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
výstupní výkon vyšší než 4 kW, avšak nejvýše 5 kW, a BPP větší než 5 mm•mrad;
a.
výstupní výkon vyšší než 5 kW, avšak nejvýše 6 kW, a BPP větší než 7,2 mm•mrad;
Vacuum microelectronic devices;
výstupní výkon vyšší než 6 kW, avšak nejvýše 8 kW, a BPP větší než 12 mm•mrad; nebo
b.
výstupní výkon vyšší než 8 kW, avšak nejvýše 10 kW, a BPP větší než 24 mm•mrad.
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
výstupní vlnovou délku větší než 1150 nm, ale nejvýše 1555 nm a některou z těchto vlastností:
b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
a. jediný přechodový mód a výstupní výkon vyšší než 50 W; nebo
c.
b. vícenásobný přechodový mód a výstupní výkon vyšší než 80 W; nebo
"Superconductive" electronic devices;
výstupní vlnovou délku větší než 1555 nm a výstupní výkon vyšší než 1 W.
d.
b. ne-„laditelné“ „pulsní lasery“, které mají některou z těchto vlastností:
Substrates of films of diamond for electronic components.
výstupní vlnovou délku menší než 150 nm a některou z těchto vlastností:
e.
a. výstupní energie vyšší než 50 mJ na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 1 W; nebo
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
b. „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 1 W;
f.
výstupní vlnovou délku 150 nm nebo větší, avšak nejvýše 510 nm a některou z těchto vlastností:
Substrates of silicon carbide for electronic components;
a. výstupní energie vyšší než 1,5 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 30 W; nebo
g.
b. „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 30 W;
Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
Položka 6A005.b.2.b. nezahrnuje argonové „lasery“, které mají „průměrný výstupní výkon“ rovný nebo menší než 50 W.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
a. výstup s jediným přechodovým módem a některou z těchto vlastností:
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
výstupní energie vyšší než 1,5 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 50 W; nebo
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
„průměrný výstupní výkon“ vyšší než 50 W; nebo
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
výstupní energie vyšší než 1,5 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 150 W; nebo
CATEGORY 4 —
„průměrný výstupní výkon“ vyšší než 150 W;
COMPUTERS
výstupní vlnovou délku větší než 540 nm, ale nejvýše 800 nm, a některou z těchto vlastností:
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
a. „dobu trvání pulsu“ kratší než 1 ps a některou z těchto vlastností:
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
výstupní energie vyšší než 0 005 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 5 GW; nebo
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
„průměrný výstupní výkon“ vyšší než 20 W; nebo
Computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").
b. „dobu trvání pulsu“ 1 ps nebo delší a některou z těchto vlastností:
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
výstupní energie vyšší než 1,5 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 30 W; nebo
SEE ALSO 4A101.
„průměrný výstupní výkon“ vyšší než 30 W;
a.
výstup s jediným přechodovým módem a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 20 W;
Specially designed to have any of the following:
b. „dobu trvání pulsu“ 1 ps nebo delší, ale menší než 1 ns, a některou z těchto vlastností:
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C); or
výstupní energie vyšší než 0,5 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 50 W;
a.1. does not control computers specially designed for civil automobile, railway train or "civil aircraft" applications.
výstup s jediným přechodovým módem a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 20 W; nebo
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
výstup s vícenásobným přechodovým módem a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 50 W; nebo
Total Dose 5 × 103 Gy (silicon);
c. „dobu trvání pulsu“ delší než 1 μs a některou z těchto vlastností:
Dose Rate Upset 5 × 106 Gy (silicon)/s; or
výstupní energie vyšší než 2 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 50 W;
Single Event Upset 1 × 10–8 Error/bit/day;
výstup s jediným přechodovým módem a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 50 W; nebo
a.2. does not control computers specially designed for "civil aircraft" applications.
výstup s vícenásobným přechodovým módem a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 80 W;
b.
výstupní vlnovou délku větší než 975 nm, ale nejvýše 1 150 nm, a některou z těchto vlastností:
Not used.
„průměrný výstupní výkon“ vyšší než 10 W; nebo
'Vector processors';
výstupní energii vyšší než 0,002 J na puls;
Array processors;
b. „dobu trvání pulsu“ 1 ps nebo delší, ale menší než 1 ns, a některou z těchto vlastností:
Digital signal processors;
výstupní „špičkový výkon“ vyšší než 5 GW na puls;
Logic processors;
výstupní energii vyšší než 0,1 J na puls;
Equipment designed for "image enhancement";
c. „dobu trvání pulsu“ 1 ns nebo delší, ale menší než 1 μs, a některou z těchto vlastností:
Equipment designed for "signal processing".
výstup s jediným přechodovým módem a některou z těchto vlastností:
The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
a. „špičkový výkon“ vyšší než 100 MW;
The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
b. „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 20 W konstrukčně omezený na maximální frekvenci opakování pulsů menší nebo rovnou 1 kHz;
The "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
c. ‚účinnost laseru‘ vyšší než 12 % a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 100 W a schopnost provozu při frekvenci opakování pulsů vyšší než 1 kHz;
The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
d. „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 150 W a schopnost provozu při frekvenci opakování pulsů vyšší než 1 kHz; nebo
For the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
e. výstupní energie vyšší než 2 J na impuls; nebo
The "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E.
výstup s vícenásobným přechodovým módem a některou z těchto vlastností:
b.
a. „špičkový výkon“ vyšší než 400 MW;
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 8.0 Weighted TeraFLOPS (WT);
b. ‚účinnost laseru‘ vyšší než 18 % a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 500 W;
c.
c. „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 2 kW; nebo
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit specified in 4A003.b.;
d. výstupní energie vyšší než 4 J na impuls; nebo
c. controls only "electronic assemblies" and programmable interconnections not exceeding the limit specified in 4A003.b. when shipped as unintegrated "electronic assemblies".
d. „dobu trvání pulsu“ delší než 1 μs a některou z těchto vlastností:
It does not control "electronic assemblies" inherently limited by nature of their design for use as related equipment specified in 4A003.e.
a. „špičkový výkon“ vyšší než 500 kW;
c. does not control "electronic assemblies" specially designed for a product or family of products whose maximum configuration does not exceed the limit specified in 4A003.b.
b. ‚účinnost laseru‘ vyšší než 12 % a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 100 W; nebo
e.
c. „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 150 W; nebo
Equipment performing analogue-to-digital conversions exceeding the limits specified in 3A001.a.5.;
a. „špičkový výkon“ vyšší než 1 MW;
f.
b. ‚účinnost laseru‘ vyšší než 18 % a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 500 W; nebo
Not used;
c. „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 2 kW;
g.
výstupní vlnovou délku větší než 1150 nm, ale nejvýše 1555 nm a některou z těchto vlastností:
Equipment specially designed for aggregating the performance of "digital computers" by providing external interconnections which allows communications at unidirectional data rates exceeding 2,0 Gbyte/s per link.
a. „dobu trvání pulsu“ kratší než 1 μs a některou z těchto vlastností:
g. does not control internal interconnection equipment (e.g. backplanes, buses), passive interconnection equipment, "network access controllers" or "communications channel controllers".
b. „dobu trvání pulsu“ delší než 1 μs a některou z těchto vlastností:
Computers as follows and specially designed related equipment, "electronic assemblies" and components therefor:
výstup s vícenásobným přechodovým módem a „průměrný výstupní výkon“ vyšší než 80 W; nebo
a.
výstupní vlnovou délku větší než 1555 nm a některou z těchto vlastností:
"Systolic array computers";
a. výstupní energie vyšší než 100 mJ na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 1 W; nebo
b.
c. „laditelné“ „lasery“ mající některou z těchto vlastností:
"Neural computers";
výstupní vlnovou délku menší než 600 nm a některou z těchto vlastností:
c.
b. průměrný výstupní výkon nebo výstupní výkon v režimu spojité vlny vyšší než 1 W;
"Optical computers".
Položka 6A005.c.1. nezahrnuje barvivové lasery nebo jiné kapalné lasery, které mají multimodální výstup a vlnovou délku 150 nm nebo vyšší, avšak nepřevyšující 600 nm a všechny tyto vlastnosti:
Systems, equipment, and components therefor, specially designed or modified for the generation, operation or delivery of, or communication with, "intrusion software".
výstupní energii menší než 1,5 J na puls nebo „špičkový výkon“ menší než 20 W; a
Analogue computers, "digital computers" or digital differential analysers, other than those specified in 4A001.a.1., which are ruggedized and designed or modified for use in space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.
průměrný výstupní výkon nebo výstupní výkon v režimu spojité vlny menší než 20 W.
"Hybrid computers" specially designed for modelling, simulation or design integration of space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.
výstupní vlnovou délku 600 nm nebo vyšší, ale nejvýše 1400 nm a některou z těchto vlastností:
This control only applies when the equipment is supplied with "software" specified in 7D103 or 9D103.
a. výstupní energie vyšší než 1 J na puls a „špičkový výkon“ vyšší než 20 W; nebo
The control status of "software" for equipment described in other Categories is dealt with in the appropriate Category.
b. průměrný výstupní výkon nebo výstupní výkon v režimu spojité vlny vyšší než 20 W; nebo
"Software" as follows:
výstupní vlnovou délku větší než 1400 nm a některou z těchto vlastností:
a.
d. ostatní „lasery“ neuvedené v položkách 6A005.a., 6A005.b. nebo 6A005.c.:
"Software" specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment or "software" specified in 4A001 to 4A004, or 4D.
Polovodičové „lasery“:
b.
Položka 6A005.d.1. zahrnuje polovodičové „lasery“ s optickými výstupními konektory (např. pružné kabely z optických vláken).
"Software", other than that specified in 4D001.a., specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment as follows:
Status polovodičových „laserů“ speciálně konstruovaných pro jiná zařízení je určen statusem těchto jiných zařízení.
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 1,0 Weighted TeraFLOPS (WT);
a. samostatné polovodičové „lasery“ s jediným přechodovým modem, které mají některé z těchto vlastností:
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit in 4D001.b.1.
vlnovou délku rovnou nebo menší než 1510 nm a průměrný výstupní výkon nebo výstupní výkon v režimu spojité vlny vyšší než 1,5 W; nebo
"Software" specially designed or modified for the generation, operation or delivery of, or communication with, "intrusion software".
vlnovou délku větší než 1510 nm a průměrný výstupní výkon nebo výstupní výkon v režimu spojité vlny vyšší než 500 mW;
a.
b. samostatné polovodičové „lasery“ s vícepřechodovým modem, které mají některé z těchto vlastností:
"Technology" according to the General Technology Note, for the "development", "production" or "use" of equipment or "software" specified in 4A or 4D.
vlnovou délku menší než 1400 nm a průměrný nebo výstupní výkon v režimu spojité vlny vyšší než 15 W;
b.
vlnovou délku rovnou nebo větší než 1400 nm a menší než 1900 nm a průměrný nebo výstupní výkon v režimu spojité vlny vyšší než 2,5 W; nebo
"Technology", other than that specified in 4E001.a., specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment as follows:
vlnovou délku rovnou nebo větší než 1900 nm a průměrný nebo výstupní výkon v režimu spojité vlny vyšší než 1 W;
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit in 4E001.b.1.
c. samostatné polovodičové „laserové“ ‚tyče‘, které mají některé z těchto vlastností:
c.
vlnovou délku menší než 1400 nm a průměrný nebo výstupní výkon v režimu spojité vlny vyšší než 100 W;
"Technology" for the "development" of "intrusion software".
vlnovou délku rovnou nebo větší než 1400 nm a menší než 1900 nm a průměrný nebo výstupní výkon v režimu spojité vlny vyšší než 25 W; nebo
TECHNICAL NOTE ON "ADJUSTED PEAK PERFORMANCE" ("APP")
vlnovou délku rovnou nebo větší než 1900 nm a průměrný nebo výstupní výkon v režimu spojité vlny vyšší než 10 W;
"APP" is an adjusted peak rate at which "digital computers" perform 64-bit or larger floating point additions and multiplications.
d. polovodičová „laserová“ „skupinová pole“ (dvourozměrná pole), která mají některou z těchto vlastností:
"APP" is expressed in Weighted TeraFLOPS (WT), in units of 1012 adjusted floating point operations per second
vlnovou délku menší než 1400 nm a některou z těchto vlastností:
Abbreviations used in this Technical Note