natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Měniče frekvencí nebo generátory, jiné než uvedené v položce 0B001.b.13., použitelné jako pohon motoru s proměnnou či fixní frekvencí, které mají všechny tyto vlastnosti:
d. does not control reverse osmosis equipment, as specified by the manufacturer.
„Software“ speciálně vyvinutý za účelem zvýšení nebo uvolnění výkonu frekvenčního měniče nebo generátoru tak, aby odpovídal vlastnostem v položce 3A225, je uveden v položce 3D225.
Cross (tangential) flow filtration components (e.g. modules, elements, cassettes, cartridges, units or plates) with filtration area equal to or greater than 0,2 m2 for each component and designed for use in cross (tangential) flow filtration equipment specified in 2B352.d.;
„Technologie“ ve formě kódů nebo klíčů, která má zvýšit nebo uvolnit výkon měniče frekvencí nebo generátoru tak, aby odpovídal vlastnostem v položce 3A225, je uvedena v položce 3E225.
e.
a. vícefázový výstup s výkonem 40 VA nebo větším;
Steam sterilisable freeze drying equipment with a condenser capacity exceeding 10 kg of ice in 24 hours and less than 1000 kg of ice in 24 hours;
b. pracují při frekvenci 600 Hz nebo více; a
f.
c. řízení frekvence lepší (menší) než 0,2 %.
Protective and containment equipment, as follows:
Položka 3A225 se na měniče frekvencí nebo generátory nevztahuje, jestliže mají omezení hardwaru, „softwaru“ nebo „technologií“, která výkonnost snižují na úroveň nižší, než je uvedeno výše, za předpokladu, že splňují některou z těchto podmínek:
Protective full or half suits, or hoods dependent upon a tethered external air supply and operating under positive pressure;
k vylepšení výkonu nebo k odstranění omezení musí být vráceny původnímu výrobci;
f.1. does not control suits designed to be worn with self-contained breathing apparatus.
k vylepšení nebo uvolnění výkonu za účelem splnění vlastností uvedených v položce 3A225 potřebují „software“ uvedený v položce 3D225; nebo
Class III biological safety cabinets or isolators with similar performance standards;
k vylepšení nebo uvolnění výkonu za účelem splnění vlastností uvedených v položce 3A225 potřebují „technologii“ ve formě klíčů nebo kódů uvedenou v položce 3E225.
In 2B352.f.2., isolators include flexible isolators, dry boxes, anaerobic chambers, glove boxes and laminar flow hoods (closed with vertical flow).
Měniče frekvencí v položce 3A225 jsou též známy jako konvertory nebo invertory.
g.
Měniče frekvencí v položce 3A225 mohou být na trhu pod označením generátory, elektronická zkušební zařízení, zdroje střídavého proudu, pohony s proměnnými otáčkami motoru, pohony s proměnnými otáčkami (VSD), pohony s proměnlivým kmitočtem (VFD), pohony s nastavitelným kmitočtem (AFD), nebo pohony s nastavitelnou rychlostí (ASD).
Chambers designed for aerosol challenge testing with "microorganisms", viruses or "toxins" and having a capacity of 1 m3 or greater;
b. stabilitu proudu nebo napětí po dobu 8 hodin lepší než 0,1 %.
h.
Níže uvedená spínací zařízení:
Spray drying equipment capable of drying toxins or pathogenic microorganisms having all of the following:
a. elektronky se studenou katodou, též plněné plynem, pracující podobně jako jiskřiště, které mají všechny tyto vlastnosti:
A water evaporation capacity of ≥ 0,4 kg/h and ≤ 400 kg/h;
obsahují tři nebo více elektrod;
The ability to generate a typical mean product particle size of ≤10 μm with existing fittings or by minimal modification of the spray-dryer with atomization nozzles enabling generation of the required particle size; and
jmenovité špičkové anodové napětí 2,5 kV nebo více;
Capable of being sterilised or disinfected in situ.
jmenovitý špičkový anodový proud 100 A nebo více a
None.
anodové zpoždění nejvýše 10 μs;
"Software", other than that specified in 2D002, as follows:
Položka 3A228 zahrnuje plynové krytronové elektronky a vakuové sprytronové elektronky.
a.
b. spouštěcí jiskřiště, která mají obě tyto vlastnosti:
"Software" specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment specified in 2A001 or 2B001
jmenovitý špičkový proud 500 A nebo více;
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2A001.c, 2B001 or 2B003 to 2B009.
c. moduly nebo montážní celky s rychlou spínací funkcí, jiné než moduly nebo montážní celky stanovené v položce 3A001.g. nebo 3A001.h., které mají všechny tyto vlastnosti:
001 does not control part programming "software" that generates "numerical control" codes for machining various parts.
jmenovité špičkové anodové napětí větší než 2 kV;
"Software" for electronic devices, even when residing in an electronic device or system, enabling such devices or systems to function as a "numerical control" unit, capable of co-ordinating simultaneously more than four axes for "contouring control".
jmenovitý špičkový anodový proud 500 A nebo více; a
002 does not control "software" specially designed or modified for the operation of items not specified in Category 2.
spínací čas nejvýše 1 μs.
002 does not control "software" for items specified in 2B002.
Vysokoproudé pulsní generátory:
See 2D001 and 2D003 for "software" for items specified in 2B002.
a. rozbuškové odpalovací sady (rozbuškové systémy, detonační sady) včetně odpalovacích sad odpalovaných elektronicky, výbuchem nebo opticky, jiných než uvedených v položce 1A007.a., konstruované k aktivaci vícenásobně řízených rozněcovačů uvedených v položce 1A007.b.;
002 does not control "software" that is exported with, and the minimum necessary for the operation of, items not specified by Category 2.
b. modulární elektrické pulsní generátory (impulsové generátory), které mají všechny tyto vlastnosti:
"Software", designed or modified for the operation of equipment specified in 2B002, that converts optical design, workpiece measurements and material removal functions into "numerical control" commands to achieve the desired workpiece form.
jsou konstruovány pro přenosné a mobilní užití nebo užití ve ztížených podmínkách;
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 or 2B119 to 2B122.
jsou schopné předat energii v méně než 15 μs při zatížení menším než 40 Ω;
SEE ALSO 9D004.
výstup větší než 100 A;
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 or 2B227.
žádný rozměr nepřesahuje 30 cm;
"Software" specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 2B201.
hmotnost menší než 30 kg; a
202 does not control part programming "software" that generates "numerical control" command codes but does not allow direct use of equipment for machining various parts.
jsou určeny k užití v rozšířeném teplotním rozmezí 223 K (– 50 °C) až 373 K (100 °C) nebo jsou svým určením vhodné pro letecké a kosmické užití.
"Software", other than that specified in 1D003, specially designed for "use" of equipment specified in 2B351.
Položka 3A229.b. zahrnuje budiče pro xenonové výbojky.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software" specified in 2A, 2B or 2D.
c. mikrodetonační jednotky, které mají všechny tyto vlastnosti:
001 includes "technology" for the integration of probe systems into coordinate measurement machines specified in 2B006.a.
žádný rozměr nepřesahuje 35 mm;
"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 2A or 2B.
napětí rovnající se nebo větší než 1 kV; a
Other "technology", as follows:
kapacita nejméně 100 nF.
a.
Vysokorychlostní pulsní generátory a jejich ‚pulsní hlavice‘, které mají obě tyto vlastnosti:
"Technology" for the "development" of interactive graphics as an integrated part in "numerical control" units for preparation or modification of part programmes;
a. výstupní napětí větší než 6 V při odporovém zatížení menším než 55 Ω; a
b.
b. ‚pulsní přechodový čas‘ menší než 500 ps.
"Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:
‚Pulsní hlavice‘ jsou sítě vytvářející impulsy, které jsou navrženy tak, aby dokázaly pracovat s funkcí napěťových kroků a utvářet je do řady pulsních tvarů, které mohou být obdélníkového, trojúhelníkového, krokového, pulsového, exponenciálního nebo monocyklického typu.
a.
‚Pulsní hlavice‘ mohou být nedílnou součástí generátoru impulsů, mohou být ve formě zásuvného modulu k zařízení, anebo mohou být připojeny externě.
"Superplastic forming";
Systémy pro generování neutronů (včetně trubic), které mají obě tyto vlastnosti:
b.
a. jsou konstruovány pro provoz bez vnějšího vakuového systému; a
"Diffusion bonding"; or
b. využívají některou z těchto činností:
c.
elektrostatické zrychlení k vyvolání tritium-deuteriové jaderné reakce; nebo
"Direct-acting hydraulic pressing";
elektrostatické zrychlení k vyvolání deuterium-deuterium jaderné reakce a umožňující výkon 3 × 109 neutronů/s nebo vyššího.
Technical data consisting of process methods or parameters as listed below used to control:
Vícebodové rozbuškové systémy jiné než systémy uvedené v položce 1A007:
a.
Rozněcovače viz položka 1A007.b.
"Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
b. zařízení využívající jednoduché nebo násobné rozbušky, konstruované pro téměř současné odpálení výbušného povrchu většího než 5000 mm2 jedním signálem k odpálení s rozšířením přes celý povrch za méně než 2,5 μs.
Surface preparation;
Položka 3A232 nezahrnuje rozbušky využívající pouze primární výbušniny, jako je azid olovnatý.
Strain rate;
Hmotnostní spektrometry, jiné než uvedené v položce 0B002.g., které jsou schopné měřit ionty o 230 nebo více atomových hmotnostních jednotkách a které mají rozlišovací schopnost lepší než 2 částice z 230, a iontové zdroje pro tyto spektrometry:
Temperature;
a. plazmové hmotnostní spektrometry s induktivní vazbou (ICP/MS);
Pressure;
b. hmotnostní spektrometry s doutnavým výbojem (GDMS);
b.
c. hmotnostní spektrometry s tepelnou ionizací (TIMS);
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
d. hmotnostní spektrometry s elektronovým ostřelováním, které mají obě tyto vlastnosti:
c.
přívodový systém s molekulárním paprskem, který promítá kolimovaný paprsek molekul analytu do oblasti zdroje iontů, kde dochází k ionizaci molekul pomocí elektronového paprsku; a
"Direct-acting hydraulic pressing" of aluminium alloys or titanium alloys:
jeden nebo více ‚vymrazovacích odlučovačů‘, které lze ochladit na teplotu 193 K (– 80 °C);
Cycle time;
e. nevyužito;
d.
f. hmotnostní spektrometry vybavené mikrofluorizačním iontovým zdrojem, určené pro aktinidy nebo fluoridy aktinidů.
"Hot isostatic densification" of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
Hmotnostní spektrometry s elektronovým ostřelováním v položce 3A233.d. se rovněž označují jako hmotnostní spektrometry s elektronovou ionizací.
c.
V položce 3A233.d.2 se ‚vymrazovacím odlučovačem‘ rozumí zařízení, které odchytává molekuly plynu tím způsobem, že je zkondenzuje či zmrazí na studeném povrchu.
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
Pro účely položky 3A233.d.2. se za kryogenní vývěvu s uzavřeným cyklem plynného helia nepovažuje ‚vymrazovací odlučovač‘.
d.
Šňůry s nízkou induktivní reaktancí k rozbuškám s těmito vlastnostmi:
"Technology" for the "development" of generators of machine tool instructions (e.g., part programmes) from design data residing inside "numerical control" units;
a. pracovní napětí větší než 2 kV; a
e.
b. induktivní reaktance menší než 20 nH;
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
Zařízení pro výrobu polovodičových součástek nebo materiálů a jejich speciálně konstruované součásti a příslušenství:
f.
a. zařízení pro epitaxiální růst:
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
schopná produkovat vrstvy s rovnoměrností tloušťky méně než ± 2,5 % v rozsahu vzdálenosti 75 mm nebo více z jiného materiálu než je křemík;
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
Položka 3B001.a.1. zahrnuje zařízení pro epitaxi atomových vrstev (ALE).
This table should be read to specify the technology of a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
reaktory pro chemickou depozici z plynné fáze za použití organokovových sloučenin (MOCVD) konstruované pro epitaxiální růst složených polovodičových materiálů, které obsahují jeden nebo více z těchto prvků: hliník, galium, indium, arsen, fosfor, antimon nebo dusík;
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
zařízení pro epitaxiální růst s molekulárním svazkem při použití plynných nebo pevných zdrojů;
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
b. zařízení konstruovaná pro iontovou implantaci, která mají některou z těchto vlastností:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
jsou konstruovaná a optimalizovaná pro provoz při urychlovacím napětí 20 keV nebo více a proud ve svazku 10 mA nebo více pro implantování vodíku, deuteria nebo helia;
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
jsou schopná přímého zápisu;
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
urychlovací napětí 65 keV nebo více a proud ve svazku 45 mA nebo více pro implantování kyslíku s vysokou energií do zahřáté „podložky“ z polovodičového materiálu; nebo
Table
jsou konstruovaná a optimalizovaná pro provoz při urychlovacím napětí 20 keV nebo více a proud ve svazku 10 mA nebo více pro implantování křemíku do „podložky“ z polovodičového materiálu zahřáté na 600 °C nebo více;
Deposition Techniques
c. zařízení na suché leptání anizotropní plazmou, které má všechny tyto vlastnosti:
Coating Process (1) [3]
jsou konstruovaná nebo optimalizovaná pro tvorbu kritických rozměrů 65 nm nebo méně; a
Substrate
nerovnoměrnost na destičce je 10 % 3σ nebo méně, měřeno s exkluzí hrany o 2 mm nebo méně;
Resultant Coating
d. nevyužito;
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
e. vícekomorové centrální manipulační systémy pro destičky polovodičů s automatickým vkládáním, které mají všechny tyto vlastnosti:
"Superalloys"
prostředky pro vstup a výstup destiček, k nimž lze připojit více než dva funkčně odlišné ‚nástroje na zpracování polovodičů‘ uvedené v položkách 3B001.a., 3B001.b. nebo 3B001.c., jsou konstruovány tak, aby byly propojeny; a
Aluminides for internal passages
jsou konstruovány jako integrovaný systém ve vakuu pro ‚postupné vícenásobné zpracování destiček‘;
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
Položka 3B001.e. nezahrnuje automatické robotizované manipulační systémy pro destičky polovodičů, které jsou speciálně konstruovány pro paralelní zpracování destiček.
Silicides
Po účely položky 3B001.e. se ‚nástroji na zpracování polovodičů‘ rozumí modulové nástroje, které zajišťují fyzikální procesy při výrobě polovodičů, které jsou funkčně odlišné, jako je například depozice, leptání, implantace nebo tepelné zpracování.
Carbides
Pro účely položky 3B001.e. se ‚postupným vícenásobným zpracováním destiček‘ rozumí schopnost zpracovat každou destičku pomocí různých ‚nástrojů na zpracování polovodičů‘, např. přenosem jednotlivých destiček z jednoho nástroje do druhého a poté do třetího pomocí vícekomorových centrálních manipulačních systémů pro destičky polovodičů s automatickým vkládáním.
Dielectric layers (15)
f. litografická zařízení:
Diamond
nastavovací a krokovací nebo krokovací a snímací zařízení na zpracování destiček polovodičů za použití fotooptických nebo rentgenových metod, která mají některou z těchto vlastností:
Diamond-like carbon (17)
a. vlnová délka světelného zdroje kratší než 193 nm; nebo
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"
b. schopnost exponovat obrazce s „velikostí nejmenšího rozlišitelného prvku“ (MRF) 45 nm nebo menší;
Refractory metals
„Velikost nejmenšího rozlišitelného prvku“ se vypočítá podle vzorce:
Mixtures thereof (4)
vlnová délka světelného zdroje v nm
Aluminides
K faktor
Alloyed aluminides (2)
číselná apertura
Boron nitride
kde K faktor = 0,35
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
vybavení pro tiskovou litografii schopné vyrábět struktury o velikosti 45 nm nebo menší;
Tungsten
Položka 3B001.f.2 zahrnuje:
Molybdenum and Molybdenum alloys
mikrokontaktní tiskové nástroje
Beryllium and Beryllium alloys
nástroje pro ražení za tepla
Sensor window materials (9)
nástroje pro nanotiskovou litografii
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
nástroje pro tiskovou litografii technikou „Step and flash“ (S-FIL)
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
Zařízení speciálně konstruovaná pro výrobu masek nebo zpracování polovodičových součástek za použití metod přímého zápisu, která mají všechny tyto vlastnosti:
Alloyed silicides
a. využívají vychylovaného zaostřeného elektronového paprsku, iontového paprsku nebo „laserového“ paprsku; a
Modified zirconia (12)
stopu paprsku menší než 0,2 μm;
Corrosion resistant steel (7)
jsou schopná vytvořit obrazec o velikosti prvku menší než 1 μm; nebo
Borides
přesnost překrytí je lepší než ± 0,20 μm (3 sigma);
Beryllium
g. masky a optické mřížky, konstruované pro integrované obvody uvedené v položce 3A001;
Titanium alloys (13)
h. vícevrstvé masky s vrstvou fázového posuvu neuvedené v položce 3B001.g., které mají některou z těchto vlastností:
Nitrides
jsou na „substrátovém polotovaru“ skleněné masky, jejíž dvojlom je podle specifikace menší než 7 nm/cm; nebo
B.2.
jsou konstruovány pro litografická zařízení, která mají vlnovou délku světelného zdroje kratší než 245 nm;
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
Položka 3B001.h. nezahrnuje vícevrstvé masky s vrstvou fázového posuvu navržené pro výrobu paměťových přístrojů, na které se nevztahuje položka 3A001.
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
i. šablony pro tiskovou litografii určené pro integrované obvody stanovené v položce 3A001.
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
Zkušební zařízení speciálně konstruovaná pro zkoušení zhotovených nebo rozpracovaných polovodičových součástek a speciálně pro ně konstruované součásti a příslušenství:
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
a. pro zkoušení S-parametrů tranzistorových součástek při frekvencích větších než 31,8 GHz;
Diamond-like carbon
c. pro zkoušení mikrovlnných integrovaných obvodů uvedených v položce 3A001.b.2.
B.4.
Heteroepitaxní materiály sestávající z „podložky“ složené z více na sobě uspořádaných epitaxně narostlých vrstev z:
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
a. křemíku (Si);
Polymers (11) and Organic "matrix" "composites"
b. germania (Ge);
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
c. karbidu křemíku (SiC); nebo
Refractory metals and alloys (8)
d. „sloučenin galia nebo india typu III/V“.
Oxides
Položka 3C001.d. nezahrnuje „podložky“ mající jednu nebo více epitaxiálních vrstev typu P prvků GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP nebo InGaAlP, nezávisle na sekvenci prvků, vyjma případu, kdy se epitaxiální vrstva typu P nachází mezi vrstvami typu N.
D. Plasma spraying
Rezistní materiály (rezisty) a „podložky“ potažené těmito rezisty:
Abradable Nickel-Graphite
a. rezisty pro polovodičovou litografii:
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
pozitivní rezisty upravené (optimalizované) pro použití při vlnových délkách kratších než 245 nm, avšak rovnajících se nebo delších než 15 nm;
Abradable Al-Si-Polyester
pozitivní rezisty upravené (optimalizované) pro použití při vlnových délkách kratších než 15 nm, avšak delších než 1 nm;
Aluminium alloys (6)
b. veškeré rezisty konstruované pro použití s elektronovými nebo iontovými paprsky o citlivosti 0,01 μcoulomb/mm2 nebo lepší;
E. Slurry Deposition
d. veškeré rezisty optimalizované pro technologie zobrazování povrchu;
Fused silicides
e. veškeré rezisty konstruované nebo optimalizované pro využití spolu se zařízením pro tiskovou litografii uvedené v položce 3B001.f.2., u kterých jsou používány tepelné procesy nebo procesy photo-curable;
Fused aluminides except for resistance heating elements
Organoanorganické sloučeniny:
F. Sputter Deposition
a. organokovové sloučeniny hliníku, galia nebo india, které mají čistotu (čistotu kovu) lepší než 99999 %;
Noble metal modified aluminides (3)
b. organické sloučeniny arsenu, antimonu a fosforu, které mají čistotu (čistotu anorganické složky) lepší než 99999 %.
Platinum
Položka 3C003 zahrnuje pouze ty sloučeniny, jejichž kovový, polokovový nebo nekovový prvek je přímo vázán na uhlík organické části molekuly.
Ceramics and Low-expansion glasses (14)
Hydridy fosforu, arsenu nebo antimonu, které mají čistotu lepší než 99999 %, případně zředěné v inertních plynech nebo vodíku.
Dielectic layers (15)
Položka 3C004 nezahrnuje hydridy, které obsahují nejméně 20 % molárních inertních plynů nebo vodíku.
G. Ion Implantation
„Substráty“ z karbidu křemíku (SiC), nitridu gallitého (GaN), nitridu hlinitého (AlN) nebo směsného nitridu hliníku a gallia (AlGaN) nebo ingoty, kužele nebo jiné předlisky z těchto materiálů, jejichž odpor je při 20 °C vyšší než 10000 ohm/cm.
High temperature bearing steels
„Substráty“ uvedené v položce 3C005, které mají alespoň jednu epitaxiální vrstvu karbidu křemíku, nitridu gallitého, nitridu hlinitého nebo aluminium gallium nitridu.
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
„Software“ speciálně vyvinutý pro „vývoj“ nebo „výrobu“ zařízení uvedených v položkách 3A001.b. až 3A002.g. nebo 3B.
Cemented tungsten carbide (16)
„Software“ speciálně vyvinutý pro „užití“ v zařízení uvedených v položkách 3B001.a. až f., 3B002 nebo 3A225.
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — NOTES
„Software“ ‚založený na fyzikální‘ simulaci a speciálně navržený pro „vývoj“ litografických, leptacích anebo vylužovacích procesů sloužících k převodu maskovacích obrazců do speciálních topografických obrazců ve vodičích, dielektrikách nebo polovodičových materiálech.
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Výraz ‚založený na fyzikální‘ uvedený v položce 3D003 znamená používání výpočtů k určení souslednosti fyzikálních příčinných a účinných dějů na základě fyzikálních vlastností (např. teplotních, tlakových, difúzních veličin a vlastností polovodičových materiálů).
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Knihovny, atributy návrhů nebo související data pro návrh polovodičových součástek nebo integrovaných obvodů se považují za „technologii“.
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
„Software“ speciálně vyvinutý pro „vývoj“ zařízení uvedených v položce 3A003.
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.