natgillin/translations-raw huggingface dataset:
d. speciální podpůrné součásti pro optické snímače:
Anode delay time of 10 μs or less;
kryochladiče „vhodné pro kosmické aplikace“;
228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
kryochladiče, které nejsou „vhodné pro kosmické aplikace“, s chladícím zdrojem pro teploty pod 218 K (–55 °C):
b.
a. pracující v uzavřeném cyklu a jejichž střední doba provozu do poruchy (MTTF) nebo střední doba provozu mezi poruchami (MTBF) je delší než 2500 hodin;
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
b.
An anode delay time of 15 μs or less; and
Joule-Thompsonovy (JT) samoregulační minichladiče s vnějším průměrem otvoru menším než 8 mm;
Rated for a peak current of 500 A or more;
citlivá optická vlákna speciálně vyrobená buď kompozičně, nebo strukturně nebo upravená povlakem za účelem dosažení citlivosti vůči akustickému, tepelnému, inertnímu, elektromagnetickému nebo jadernému záření;
c.
Položka 6A002.d.3. nezahrnuje zapouzdřená citlivá optická vlákna speciálně konstruovaná pro průzkumné vrtné aplikace.
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
e. nevyužito.
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
Kamery, systémy nebo zařízení a jejich součásti:
Anode peak current rating of 500 A or more; and
VIZ TÉŽ 6A203.
Turn-on time of 1 μs or less.
Pokud jde o televizní a filmové fotografické kamery speciálně konstruované nebo upravené pro použití pod vodou, viz 8A002.d.1. a 8A002.e.
High-current pulse generators as follows:
a. přístrojové kamery a jejich speciálně konstruované součásti:
a.
Přístrojové kamery uvedené v položkách 6A003.a.3. až 6A003.a.5. s modulárními strukturami je třeba hodnotit podle jejich maximální schopnosti za použití výměnných karet, které jsou k dispozici podle specifikací výrobce kamer.
Detonator firing sets (initiator systems, firesets), including electronically-charged, explosively-driven and optically-driven firing sets, other than those specified in 1A007.a., designed to drive multiple controlled detonators specified in 1A007.b.;
rychloběžné filmové záznamové kamery používající jakýkoli formát filmu od 8 mm do 16 mm včetně, v nichž se film kontinuálně posouvá během doby záznamu a které jsou schopny pracovat rychlostí větší než 13150 snímků za sekundu;
b.
Položka 6A003.a.1. nezahrnuje filmové záznamové kamery pro civilní účely.
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
mechanické rychloběžné kamery, v nichž se film nepohybuje a které jsou schopny zaznamenat více než 1000000 snímků za sekundu na celé výšce snímku 35 mm filmu nebo při úměrně vyšších rychlostech na menších výškách snímku filmu nebo při úměrně nižších rychlostech na větších výškách snímku;
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
mechanické nebo elektronické zábleskové kamery:
Capable of delivering their energy in less than 15 μs into loads of less than 40 ohms;
a. mechanické zábleskové kamery s rychlostí zápisu větší než 10 mm/μs;
Having an output greater than 100 A;
b. elektronické zábleskové kamery schopné rozlišit čas 50 ns nebo méně;
No dimension greater than 30 cm;
elektronické snímkovací kamery, které pracují s rychlostí vyšší než 1000000 snímků za sekundu;
Weight less than 30 kg; and
elektronické kamery, které mají všechny tyto vlastnosti:
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
a. rychlost elektronické závěrky (dosažitelnost času osvitu) kratší než 1 μs na jeden úplný snímek; a
b. includes xenon flash-lamp drivers.
b. čtecí čas umožňující dosáhnout rychlosti snímkování větší než 125 úplných snímků za sekundu;
c.
výměnné karty, které mají všechny tyto vlastnosti:
Micro-firing units having all of the following characteristics:
a. speciálně konstruované pro přístrojové kamery s modulární strukturou uvedené v položce 6A003.a; a
No dimension greater than 35 mm;
b. umožňující kamerám splňovat vlastnosti uvedené v položkách 6A003.a.3., 6A003.a.4., nebo 6A003.a.5. v souladu se specifikacemi výrobce;
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
b. zobrazovací kamery:
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
Položka 6A003.b. nezahrnuje televizní kamery a videokamery speciálně konstruované pro televizní vysílání.
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
videokamery, které mají polovodičové snímače s maximální citlivostí v rozmezí vlnových délek nad 10 nm, avšak nejvýše 30000 nm, a mají všechny tyto vlastnosti:
a.
a. mají některou z těchto vlastností:
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
více než 4 × 106 „aktivních obrazových prvků“ v jednom polovodičovém poli v případě monochromatických (černobílých) kamer;
b.
více než 4 × 106 „aktivních obrazových prvků“ v jednom polovodičovém poli v případě barevných kamer obsahujících tři polovodičová pole; nebo
'Pulse transition time' less than 500 ps.
více než 12 × 106 „aktivních obrazových prvků“ v jednom polovodičovém poli v případě barevných kamer obsahujících jedno polovodičové pole; a
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
optická zrcadla uvedená v položce 6A004.a.;
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
optické kontrolní zařízení uvedené v položce 6A004.d.; nebo
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
schopnost vyložit interně generované ‚sledovací údaje kamery‘;
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
Pro účely tohoto bodu je třeba číslicové videokamery hodnotit podle maximálního počtu „aktivních obrazových prvků“ použitých pro zachycení filmových obrazů.
a.
Pro účely této položky jsou ‚sledovací údaje kamery‘ informace nezbytné pro určení linky orientace hledáčku s ohledem na zem.
Designed for operation without an external vacuum system; and
To zahrnuje: 1) horizontální úhel, který linka hledáčku vytváří ve vztahu k směru zemského magnetického pole a 2) vertikální úhel mezi linkou hledáčku kamery a zemským horizontem.
b.
rastrovací kamery a systémy rastrovacích kamer, které mají všechny tyto vlastnosti:
Utilizing any of the following:
a. maximální citlivost v rozmezí vlnových délek nad 10 nm, avšak nejvýše 30000 nm;
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
b. lineární detektorová pole s více než 8192 prvky v každém poli; a
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
c. mechanické řádkování v jednom směru;
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
Položka 6A003.b.2 se nevztahuje na kontrolní rastrovací kamery a systémy rastrovacích kamer speciálně konstruované pro některé z těchto účelů:
See 1A007.b. for detonators.
průmyslové nebo civilní kopírovací stroje;
b.
zobrazovací rastrovací kamery speciálně konstruované pro civilní, nepřenosné aplikace rastrování v bezprostřední blízkosti (např. reprodukce obrazu či nátisku v dokumentech, reprodukce uměleckých děl nebo fotografií apod.); nebo
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5,000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
zdravotnické přístroje;
232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
zobrazovací kamery obsahující elektronkové zesilovače obrazu uvedené v položce 6A002.a.2.a. nebo 6A002.a.2.b;
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
zobrazovací kamery obsahující „ohnisková pole“ mající některou z těchto částí:
a.
a. „ohnisková pole“ uvedená v položkách 6A002.a.3.a až 6A002.a.3.e;
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
b. „ohnisková pole“ uvedená v položce 6A002.a.3.f; nebo
b.
c. „ohnisková pole“ uvedená v položce 6A002.a.3.g.;
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Zobrazovací kamery uvedené v položce 6A003.b.4 zahrnují vedle integrovaného čtecího okruhu „ohnisková pole“ společně s dostatečnou elektronickou částí pro „zpracování signálu“ umožňující při napájení alespoň výstup analogového nebo digitálního signálu.
c.
Položka 6A003.b.4.a. nezahrnuje zobrazovací kamery obsahující lineární „ohnisková pole“ s nejvýše 12 prvky nebo méně, u nichž v prvku nedochází k časovému zpoždění a integraci a které jsou konstruované pro některý z těchto účelů:
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
průmyslová zařízení používaná pro kontrolu nebo sledování oběhu tepla v budovách, zařízeních nebo výrobních procesech;
d.
zařízení speciálně konstruovaná pro použití v laboratořích; nebo
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
Položka 6A003.b.4.b se nevztahuje na zobrazovací kamery, jež mají některou z těchto vlastností:
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
maximální frekvence snímků je 9 Hz nebo méně;
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
minimální horizontální nebo vertikální ‚okamžité zorné pole‘ (IFOV) nejméně 10 mrad/pixel (miliradiánů/pixel);
e.
čočky s pevnou ohniskovou vzdáleností, jež nejsou konstruovány jako odnímatelné;
Not used;
neobsahují displej s ‚přímým zobrazením‘; a
f.
nemají žádné zařízení pro získání zobrazitelného obrázku zjištěného zorného pole nebo
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
kamera je konstruována pro jeden druh použití a tak, aby na ní uživatel nemohl provádět úpravy; nebo
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
kamera je speciálně konstruována pro montáž do civilního osobního pozemního vozidla a má všechny tyto vlastnosti:
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
účelem umístění a konfigurace kamery ve vozidle je výhradně pomáhat řidiči při bezpečném provozu vozidla;
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
je funkční, pouze je-li namontována:
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
v civilním osobním pozemním vozidle, pro nějž byla určena, do hmotnosti 4 500 kg (celková hmotnost vozidla); nebo
a.
ve speciálně navrženém schváleném zkušebním zařízení pro údržbu; a
Voltage rating greater than 2 kV; and
obsahuje aktivní mechanismus, který zajistí deaktivaci kamery po jejím vyjmutí z vozidla, pro nějž byla určena.
b.
‚Okamžité zorné pole‘ (IFOV) uvedené v poznámce 3.b. položky 6A003.b.4. je nižší hodnota z ‚horizontálního IFOV‘ nebo ‚vertikálního IFOV‘.
Inductance of less than 20 nH.
‚Horizontální IFOV‘ = horizontální zorné pole (FOV)/počet horizontálních detektorových prvků
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
‚Vertikální IFOV‘ = vertikální zorné pole (FOV)/počet vertikálních detektorových prvků.
a.
‚Přímé zobrazení‘ v poznámce 3.b. položky 6A003.b.4. se týká zobrazovací kamery pracující v infračerveném spektru, která poskytuje pozorovateli vizuální obraz za použití mikrodispleje pro přiblížení k oku, a obsahující jakýkoliv mechanismus snadného zabezpečení.
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
b.4.c nezahrnuje zobrazovací kamery mající některou z těchto vlastností:
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
kamera je speciálně konstruována pro montáž jakožto nedílná součást systémů a zařízení pro vnitřní prostory, napájených z elektrického rozvodu, jejichž konstrukce je omezena pro jediný druh použití, a to:
a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
sledování průmyslového procesu, kontrola jakosti nebo rozbor vlastností jednotlivých materiálů;
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
laboratorní vybavení speciálně konstruované pro vědecký výzkum;
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
zařízení určené k odhalování finančních podvodů, a
b.
v systému (systémech) nebo zařízení, pro něž byla určena, nebo
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
do speciálně konstruovaného schváleného nástroje pro údržbu; a
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
obsahuje aktivní mechanismus, který kameru vyřadí z provozu, jakmile je vyjmuta ze systému (systémů) nebo zařízení, pro něž byla určena;
Direct write capability;
kamera je speciálně konstruována pro montáž do civilního osobního pozemního vozidla nebo do plavidla pro převoz osob či vozidel a má všechny tyto vlastnosti:
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
účelem umístění a konfigurace kamery ve vozidle nebo plavidle je výhradně pomáhat řidiči nebo obsluze při bezpečném provozu vozidla nebo plavidla;
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
v civilním osobním pozemním vozidle, pro nějž byla určena, do hmotnosti 4 500 kg (celková hmotnost vozidla);
c.
v plavidle pro převoz osob či vozidel, pro něž byla určena, o celkové délce nejméně 65 m; nebo
Anisotropic plasma dry etching equipment having all of the following:
ve speciálně navrženém schváleném zkušebním zařízení pro údržbu; a
Designed or optimised to produce critical dimensions of 65 nm or less; and
obsahuje aktivní mechanismus, který kameru vyřadí z provozu, jakmile je vyjmuta z vozidla, pro které byla určena;
Within-wafer non-uniformity equal to or less than 10 % 3σ measured with an edge exclusion of 2 mm or less;
kamera je konstrukčně omezena tak, aby její maximální „radiantová citlivost“ pro vlnové délky nad 760 nm byla nejvýše 10 mA/W, a má všechny tyto vlastnosti:
d.
obsahuje mechanismus omezující citlivost, který nelze odstranit ani upravit;
Not used;
obsahuje aktivní mechanismus, který kameru vyřadí z provozu, jakmile je odstraněn mechanismus omezující citlivost; a
e.
není speciálně konstruovaná ani upravená pro užití pod vodou; nebo
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
neobsahuje ‚přímé zobrazení‘ ani elektronické zobrazení;
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a., 3B001.b. or 3B001.c. are designed to be connected; and
nemá žádné zařízení pro získání zobrazitelného obrázku zjištěného zorného pole;
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
„ohniskové pole“ funguje pouze tehdy, je-li namontováno v kameře, pro níž je určeno; a
e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
„ohniskové pole“ obsahuje aktivní mechanismus, který zajišťuje, aby bylo trvale vyřazeno z provozu, jakmile je vyjmuto z kamery, pro niž je určeno.
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.
zobrazovací kamery obsahující detektory v pevné fázi uvedené v položce 6A002.a.1.
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
Optická zařízení a součásti
f.
a. optická zrcadla (reflektory):
Lithography equipment as follows:
Pro účely položky 6A004.a. se práh poškození laserem (LIDT) měří podle normy ISO 21254-1:2011.
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
Optická zrcadla zvlášť navržená pro litografické vybavení viz položka 3B001.
a.
„deformovatelná zrcadla“ s aktivní optickou aperturou větší než 10 mm, která mají některou z těchto vlastností, a pro ně speciálně konstruované součásti:
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
a. mají všechny tyto vlastnosti:
b.
mechanickou rezonanční frekvenci nejméně 750 Hz; a
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
více než 500 aktuátorů; nebo
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
b. práh poškození laserem (LIDT), který má některý z těchto parametrů:
an exposure light source wavelength in nm
větší než 1 kW/cm2 při použití „CW laseru (kontinuálního laseru)“; nebo
× K factor
větší než 2 J/cm2 při použití 20 ns „laserových“ pulsů s opakovací frekvencí 20 Hz;
numerical aperture
lehká monolitická zrcadla s průměrnou „ekvivalentní hustotou“ menší než 30 kg/m2 a celkovou hmotností vyšší než 10 kg;
where the K factor = 0,35
lehké „kompozitní“ nebo pěnové zrcadlové konstrukce s průměrnou „ekvivalentní hustotou“ menší než 30 kg/m2 a celkovou hmotností vyšší než 2 kg;
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
zrcadla speciálně konstruovaná pro stupně zrcadel s řízením směru paprsku uvedené v položce 6A004.d.2.a. s plochostí λ/10 nebo lepší (pokud se λ rovná 633 nm) a mající některou z těchto vlastností:
f.2. includes:
a. průměr nebo délka hlavní osy 100 mm nebo větší; nebo
Micro contact printing tools
b. mají všechny tyto vlastnosti:
Hot embossing tools
průměr nebo délka hlavní osy větší než 50 mm a menší než 100 mm; a
Nano-imprint lithography tools
práh poškození laserem (LIDT), který má některý z těchto parametrů:
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
a. větší než 10 kW/cm2 při použití „CW laseru (kontinuálního laseru)“; nebo
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
b. větší než 20 J/cm2 při použití 20 ns „laserových“ pulsů s opakovací frekvencí 20 Hz;
a.
b. optické součásti vyrobené ze selenidu zinečnatého (ZnSe) nebo sulfidu zinečnatého (ZnS) s propustností ve vlnovém rozsahu nad 3000 nm, avšak nejvýše 25000 nm, které mají některou z těchto vlastností:
Using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
objem větší než 100 cm3; nebo
A spot size smaller than 0,2 μm;
průměr nebo délka hlavní osy větší než 80 mm a tloušťka (hloubka) větší než 20 mm;
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
c. součásti optických systémů „vhodné pro kosmické aplikace“:
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
součásti odlehčené na méně než 20 % „ekvivalentní hustoty“ v porovnání s plným polotovarem stejné apertury a tloušťky;
g.
surové substráty, zpracované substráty s povrchovými povlaky (jednovrstvými nebo vícevrstvými, kovovými nebo dielektrickými, vodivými, polovodičovými nebo izolačními) nebo s ochrannými fóliemi;
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
segmenty nebo sestavy zrcadel, které jsou konstruovány tak, aby mohly být v kosmickém prostoru zamontovány do optického systému se sběrnou aperturou stejnou nebo větší než u jednoduchého optického prvku o průměru 1 m;
h.
součásti vyrobené z „kompozitních“ materiálů, jejichž koeficient lineární tepelné roztažnosti v jakémkoliv směru souřadnic je roven 5 × 10–6 nebo menší;
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
d. optická ovládací zařízení:
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
zařízení speciálně konstruovaná pro udržování tvaru povrchu nebo orientace součástí „vhodných pro kosmické aplikace“ uvedených v položce 6A004.c.1. nebo 6A004.c.3.;
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
zařízení pro směrování, sledování, stabilizaci nebo nastavení rezonátoru:
h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
a. stupně zrcadel s řízením směru paprsku konstruované pro zrcadla o průměru nebo délce hlavní osy větší než 50 mm, která mají všechny tyto vlastnosti, a speciálně pro ně konstruované zařízení pro elektronické řízení:
i.
nejvyšší úhlovou dráhu nejméně ±26 mrad;
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
mechanickou rezonanční frekvenci nejméně 500 Hz; a
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
úhlovou odchylku nejvýše 10 μrad (mikroradiánů);
a.
b. zařízení pro nastavení rezonátoru s pásmovou šířkou rovnající se nebo větší než 100 Hz a přesností 10 μrad nebo menší;
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
kardanové závěsy, které mají všechny tyto vlastnosti:
c.
a. maximální výkyv přes 5°;
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
b. pásmová šířka nejméně 100 Hz;
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
c. chyby úhlového zaměřování nejvýše 200 μrad (mikroradiánů); a
a.
d. mají některou z těchto vlastností:
Silicon (Si);
průměr nebo délka hlavní osy větší než 0,15 m, avšak nejvýše 1 m, a schopnost dosáhnout úhlových zrychlení přesahujících 2 rad/s2; nebo
b.
průměr nebo délka hlavní osy větší než 1 m a schopnost dosáhnout úhlových zrychlení přesahujících 0,5 rad/s2;
Germanium (Ge);
e. ‚asférické optické prvky‘, které mají všechny tyto vlastnosti:
c.
největší rozměr optické apertury je větší než 400 mm;
Silicon carbide (SiC); or
drsnost povrchu je menší než 1 nm ve střední kvadratické hodnotě pro měřené délky rovné nebo větší než 1 mm; a
d.
absolutní hodnota koeficientu lineární tepelné roztažnosti je menší než 3 × 10–6/K při 25 °C.
"III/V compounds" of gallium or indium.
‚Asférickým optickým prvkem‘ se rozumí jakýkoli prvek používaný v optickém systému, jehož zobrazovací povrch nebo povrchy jsou konstruovány tak, aby se odchylovaly od profilu ideální plochy.
d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Měření drsnosti povrchu uváděné v položce 6A004.e.2. se od výrobců nepožaduje, pokud optický prvek nebyl záměrně konstruován nebo vyroben tak, aby byl v souladu s kontrolními parametry nebo aby je překračoval.
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Položka 6A004.e. nezahrnuje ‚asférické optické prvky‘, které mají některou z těchto vlastností:
a.
největší rozměr optické apertury je menší než 1 m a poměr ohniskové délky k apertuře (poměr otevření) je nejméně 4,5:1;
Resists designed for semiconductor lithography as follows: