natgillin/translations-raw huggingface dataset:
b. urychlovače schopné dodávat elektromagnetické záření produkované brzdným zářením z urychlených elektronů 2 MeV nebo více a systémy obsahující tyto urychlovače.
b. Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
Položka 3A101.b. nezahrnuje zařízení speciálně konstruovaná pro lékařské účely.
b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
„Tepelné baterie“ konstruované nebo upravené pro „řízené střely“.
‘Thermal batteries’ designed or modified for ‘missiles’.
V položce 3A102 se „tepelnými bateriemi“ rozumějí baterie na jedno použití, které obsahují jako elektrolyt pevnou nevodivou organickou sůl.
In 3A102 ‘thermal batteries’ are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
V položce 3A102 se „řízenými střelami“ rozumějí kompletní raketové systémy a systémy bezpilotních vzdušných prostředků s dosahem více než 300 km.
In 3A102 ‘missile’ means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
Elektronické součásti, jiné než uvedené v položce 3A001:
Electronic components, other than those specified in 3A001, as follows:
a. kondenzátory, které mají jednu z těchto kombinací charakteristik:
a. Capacitors having either of the following sets of characteristics:
a. pracovní napětí větší než 1,4 kV;
a. Voltage rating greater than 1,4 kV;
b. uchovaná energie větší než 10 J;
b. Energy storage greater than 10 J;
c. kapacita větší než 0,5 μF, a
c. Capacitance greater than 0,5 μF; and
d. sériová induktance menší než 50 nH, nebo
d. Series inductance less than 50 nH; or
a. pracovní napětí větší než 750 V;
a. Voltage rating greater than 750 V;
b. kapacita větší než 0,25 μF, a
b. Capacitance greater than 0,25 μF; and
c. sériová induktance menší než 10 nH;
c. Series inductance less than 10 nH;
b. supravodivé solenoidní elektromagnety, které mají všechny tyto vlastnosti:
b. Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
vnitřní průměr větší než 300 mm, a
Inner diameter greater than 300 mm; and
Položka 3A201.b. nezahrnuje magnety speciálně konstruované a vyvážené „jako součásti“ lékařských systémů k zobrazování na principu nukleární magnetické rezonance (NMR).
b. does not control magnets specially designed for and exported ‘as parts of’ medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Výraz „jako součásti“ nemusí nezbytně znamenat fyzickou součást v rámci stejné dodávky; oddělené dodávky z různých zdrojů jsou povoleny za předpokladu, že příslušná vývozní dokumentace jasně vymezuje vztah těchto dodávek „jako součásti“ zobrazovacího systému.
The phrase ‘as part of’ does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched ‘as part of’ the imaging systems.
c. zábleskové rentgenové generátory nebo pulsní elektronové urychlovače, které mají některou z těchto kombinací charakteristik:
c. Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
a. urychlovače s maximální energií elektronů nejméně 500 keV, avšak menší než 25 MeV, a
a. An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
b. „účinnost“ (K) 0,25 nebo vyšší, nebo
b. With a ‘figure of merit’ (K) of 0,25 or greater; or
a. urychlovač s maximální energií elektronů nejméně 25 MeV, a
a. An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
b. „špičkový výkon“ větší než 50 MW.
b. A ‘peak power’ greater than 50 MW.
Položka 3A201.c. nezahrnuje urychlovače, které jsou součástmi přístrojů vyvinutých pro jiné účely než pro elektronové nebo rentgenové ozařování (např. elektronová mikroskopie) nebo přístrojů vyvinutých pro lékařské účely:
c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes:
„Účinnost“ K je definována jako:
The ‘figure of merit’ K is defined as:
Pokud doba trvání pulsu paprsku urychlovače je větší než 1 μs, pak Q je maximální urychlený nábojzav 1 μs.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 μs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 μs.
Q je rovno integrálu i podle t buď za 1 μs nebo dobu trvání pulsu, podle toho, který časový interval je kratší (Q = ∫ idt), kde i je proud paprsku v ampérech a t je doba v sekundách.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
„Špičkový výkon“ = (špičkové napětí ve voltech) × (špičkový proud paprsku v ampérech).
‘Peak power’ = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
Ve strojích založených na mikrovlnných urychlovacích dutinách je dobou trvání pulsu paprsku buď 1 μs, nebo doba trvání dávky svazku paprsků vyvolaných jedním pulsem mikrovlnného modulátoru, je- li menší než 1 μs.
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
b. jsou schopné provozu ve frekvenčním rozsahu 600 až 2000 Hz;
b. Capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
c. celkové harmonické zkreslení lepší (menší) než 10 %, a
c. Total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
d. řízení frekvence lepší (menší) než 0,1 %.
d. Frequency control better (less) than 0,1 %.
a. schopnost nepřetržitě produkovat po dobu 8 hodin napětí 100 V nebo větší s výstupním proudem nejméně 500 A, a
a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
b. stabilitu proudu nebo napětí po dobu 8 hodin lepší než 0,1 %.
b. Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
a. schopnost nepřetržitě produkovat po dobu 8 hodin napětí 20 kV nebo větší s výstupním proudem nejméně 1 A, a
a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
a. elektronky se studenou katodou, též plněné plynem, pracující podobně jako jiskřiště, které mají všechny tyto vlastnosti:
a. Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
jmenovité špičkové anodové napětí 2,5 kV nebo více,
Anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
jmenovitý špičkový anodový proud 100 A nebo více, a
Anode peak current rating of 100 A or more; and
Položka 3A228 zahrnuje plynové krytronové elektronky a vakuové sprytronové elektronky.
228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
b. spouštěcí jiskřiště, která mají obě tyto vlastnosti:
b. Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
anodové zpoždění 15 μs nebo méně, a
An anode delay time of 15 μs or less; and
jmenovitý špičkový proud 500 A nebo více;
Rated for a peak current of 500 A or more;
c. moduly nebo montážní celky s rychlou spínací funkcí, jiné než moduly nebo montážní celky stanovené v položce 3A001.g. nebo 3a001.h., které mají všechny tyto vlastnosti:
c. Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
jmenovité špičkové anodové napětí větší než 2 kV,
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
jmenovitý špičkový anodový proud 500 A nebo více, a
Anode peak current rating of 500 A or more; and
spínací čas 1 μs nebo méně.
Turn-on time of 1 μs or less.
Viz 1A007.a. pro výbušné rozbuškové odpalovací systémy.
See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
a. nevyužito;
a. Not used;
b. modulární elektrické pulsní generátory (pulsovače), které mají všechny tyto vlastnosti:
b. Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
jsou konstruovány pro přenosné a mobilní užití nebo užití ve ztížených podmínkách,
Designed for portable, mobile, or ruggedised-use;
„náběhový čas“ kratší než 10 μs při zatížení menším než 40 Ω,
Having a ‘rise time’ of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
hmotnost menší než 25 kg, a
Weight less than 25 kg; and
Položka 3A229.b. zahrnuje budiče pro xenonové výbojky.
b. includes xenon flash-lamp drivers.
a. výstupní napětí větší než 6 V při odporovém zatížení menším než 55 Ω, a
a. Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms; and
b. „pulsní přechodový čas“ menší než 500 ps.
b. ‘Pulse transition time’ less than 500 ps.
V položce 3A230 je „pulsní přechodový čas“ definován jako časový interval mezi 10 % a 90 % napěťové amplitudy.
In 3A230, ‘pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
a. jsou konstruovány pro provoz bez vnějšího vakuového systému, a
a. Designed for operation without an external vacuum system; and
b. využívají elektrostatické zrychlení k vyvolání tritium-deuteriové jaderné reakce.
b. Utilising electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
viz 1A007.b. pro rozněcovače.
See 1A007.b. for detonators.
b. zařízení využívající jednoduché nebo násobné rozbušky, konstruované pro téměř současné odpálení výbušného povrchu většího než 5000 mm2 jedním signálem k odpálení s rozšířením přes celý povrch za méně než 2,5 μs.
b. Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
Položka 3A232 nezahrnuje rozbušky využívající pouze primární výbušniny, jako je azid olovnatý.
232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
d. hmotnostní spektrometry s elektronovým ostřelováním, které mají komoru zdroje vyrobenou z materiálů odolných vůči UF6 nebo takovým materiálem pokrytou nebo vyloženou;
d. Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
e. hmotnostní spektrometry s molekulovým paprskem, které mají některou z těchto charakteristik:
e. Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
komoru zdroje vyrobenou z korozivzdorné oceli nebo molybdenu a které mají vymrazovací kapsu schopnou chlazení na 193 K (– 80 °C) nebo méně, nebo
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or
komoru zdroje vyrobenou z materiálů odolných vůči UF6 nebo takovým materiálem pokrytou nebo vyloženou;
A source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
f. hmotnostní spektrometry vybavené mikrofluorizačním iontovým zdrojem, konstruované pro aktinidy nebo fluoridy aktinidů.
f. Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
a. zařízení pro epitaxiální růst:
a. Equipment designed for epitaxial growth as follows:
schopná produkovat vrstvy s rovnoměrností tloušťky méně než ± 2,5 % v rozsahu vzdálenosti 75 mm nebo více z jiného materiálu než je silikon;
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Položka 3B001.a.1. zahrnuje zařízení pro epitaxi atomových vrstev (ALE);
a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
b. zařízení konstruovaná pro iontovou implantaci, která mají některou z těchto vlastností:
b. Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
jsou schopná přímého zápisu, nebo
Direct write capability; or
energie paprsku 65 keV nebo více a paprskový proud 45 mA nebo více pro implantování kyslíku s vysokou energií do zahřáté „podložky“ z polovodičového materiálu;
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material “substrate”;
c. Zařízení na suché leptání anizotropní plazmou, které má všechny tyto vlastnosti:
c. Anisotropic plasma dry etching equipment having both of the following:
sou konstruovaná nebo optimalizovaná pro tvorbu kritických rozměrů 65 nm nebo méně, a
Designed or optimised to produce critical dimensions of 65 nm or less; and
nerovnoměrnost na destičce je 10 % 3σ nebo méně, měřeno s exkluzí hrany o 2 mm nebo méně;
Within-wafer non-uniformity equal to or less than 10 % 3σ measured with an edge exclusion of 2 mm or less;
d. zařízení na chemické nanášení v parní fázi (CVD) zesílené plazmou:
d. Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition (CVD) equipment as follows:
zařízení s provozem kazeta-kazeta a uzávěry náplně (load-locks) a navržené podle technických podmínek výrobce nebo optimalizované na použití při výrobě polovodičových nástrojů s kritickými rozměry 65 nm nebo méně,
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
zařízení speciálně navržené pro zařízení uvedené v položce 3B001.e. a navržené podle technických podmínek výrobce anebo optimalizované pro použití při výrobě polovodičových nástrojů s kritickými rozměry 65 nm anebo méně;
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
e. vícekomorové centrální manipulační systémy pro destičky polovodičů s automatickým vkládáním, které mají všechny tyto vlastnosti:
e. Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having both of the following:
prostředky pro vstup a výstup destiček, k nimž lze připojit více než dva funkčně odlišné ‘nástroje na zpracování polovodičů’ uvedené v položkách 3B001.a., 3B001.b., 3B001.c. nebo 3B001.d., jsou konstruovány tak, aby byly propojeny, a
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different ‘semiconductor process tools’ specified in 3B001.a., 3B001.b., 3B001.c. or 3B001.d. are designed to be connected; and
jsou konstruovány jako integrovaný systém ve vakuu pro „postupné vícenásobné zpracování destiček“;
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for ‘sequential multiple wafer processing’;
Položka 3B001.e. nezahrnuje automatické robotizované manipulační systémy pro destičky polovodičů, které jsou speciálně konstruovány pro paralelní zpracování destiček.
e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
Po účely položky 3B001.e. se „nástroji na zpracování polovodičů“ rozumí modulové nástroje, které zajišťují fyzikální procesy při výrobě polovodičů, které jsou funkčně odlišné, jako je například depozice, leptání, implantace nebo tepelné zpracování.
For the purpose of 3B001.e., ‘semiconductor process tools’ refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.
Pro účely položky 3B001.e. se „postupným vícenásobným zpracováním destiček“ rozumí schopnost zpracovat každou destičku pomocí různých „nástrojů na zpracování polovodičů“, např. přenosem jednotlivých destiček z jednoho nástroje do druhého a poté do třetího pomocí vícekomorových centrálních manipulačních systémů pro destičky polovodičů s automatickým vkládáním.
For the purpose of 3B001.e., ‘sequential multiple wafer processing’ means the capability to process each wafer in different ‘semiconductor process tools’, such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
f. litografické zařízení:
f. Lithography equipment as follows:
nastavovací a krokovací nebo krokovací a snímací zařízení na zpracování destiček polovodičů za použití fotooptických nebo rentgenových metod, která mají některou z těchto vlastností:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having either of the following:
a. vlnová délka světelného zdroje kratší než 245 nm, nebo
a. A light source wavelength shorter than 245 nm; or
b. schopnost exponovat obrazce s „velikostí nejmenšího rozlišitelného prvku“ (MRF) 95 nm nebo menší;
b. Capable of producing a pattern with a ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) of 95 nm or less;
„Velikost nejmenšího rozlišitelného prvku“ se vypočítá podle vzorce:
The ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) is calculated by the following formula:
MRF =(vlnová délka světelného zdroje v nm)
MRF =an exposure light source wavelength in nm
kde K faktor = 0,35
where the K factor = 0,35
Vybavení pro tiskovou litografii schopné vyrábět struktury o velikosti 95 nm nebo menší;
Imprint lithography equipment capable of producing features of 95 nm or less;
Položka 3B001.f.2 zahrnuje:
f.2. includes:
Nástroje pro tiskovou litografii technikou „Step and flash“ (S-FIL)
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
a. využívají vychylovaného zaostřeného elektronového paprsku, iontového paprsku nebo „laserového“ paprsku a
a. Using deflected focussed electron beam, ion beam or “laser” beam; and
stopu paprsku menší než 0,2 μm,
A spot size smaller than 0,2 μm;
jsou schopná vytvořit obrazec o velikosti prvku menší než 1 μm, nebo
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
g. masky a optické mřížky, konstruované pro integrované obvody uvedené v položce 3A001;
g. Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
h. vícevrstvé masky s vrstvou fázového posunu;
h. Multi-layer masks with a phase shift layer;
h. nezahrnuje vícevrstvé masky s vrstvou fázového posuvu navržené pro výrobu paměťových přístrojů, které se neřídí podle 3A001.
h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
a. pro zkoušení S-parametrů tranzistorových součástek při frekvencích větších než 31,8 GHz;
a. For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
c. pro zkoušení mikrovlnných integrovaných obvodů uvedených v položce 3A001.b.2.
c. For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
a. křemíku (Si);
b. Germanium (Ge);
b. germania (Ge);
c. Silicon carbide (SiC); or
c. karbidu křemíku (SiC), nebo
d. “III/V compounds” of gallium or indium.
002 Rezistní materiály (rezisty) a „podložky“ potažené těmito rezisty:
a. Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
a. pozitivní rezisty konstruované pro polovodičovou litografii speciálně upravené (optimalizované) pro použití při vlnových délkách pod 245 nm;
b. All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
c. veškeré rezisty konstruované pro použití s rentgenovými paprsky o citlivosti 2,5 mJ/mm2 nebo lepší; d. veškeré rezisty optimalizované pro technologie zobrazování povrchu, včetně „silylátovaných“ rezistů. Technická poznámka: „Silylační“ techniky jsou definovány jako procesy, které využívají oxidace povrchu rezistu ke zlepšení vlastností jak při suchém, tak při mokrém vyvolávání;
e. All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
003 Organoanorganické sloučeniny:
a. Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
b. organické sloučeniny arsenu, antimonu a fosforu, které mají čistotu (čistotu anorganické složky) lepší než 99,999 %. Poznámka: Položka 3C003 zahrnuje pouze ty sloučeniny, jejichž kovový, polokovový nebo nekovový prvek je přímo vázán na uhlík organické části molekuly.
003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Položka 3C004 nezahrnuje hydridy, které obsahují nejméně 20 % molárních inertních plynů nebo vodíku.
004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
„Substráty“ z karbidu křemíku (SiC), nitridu gallitého (GaN), nitridu hlinitého (AlN) nebo směsného nitridu hliníku a gallia (AlGaN) nebo ingoty, kužele nebo jiné předlisky z těchto materiálů, jejichž odpor je při 20 °C vyšší než 10000 ohm/cm.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) “substrates”, or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
„Substráty“ uvedené v položce 3C005, které mají alespoň jednu epitaxiální vrstvu karbidu křemíku, nitridu gallitého, nitridu hlinitého nebo aluminium gallium nitridu.
“Substrates” specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
„Software“ speciálně konstruovaný pro „vývoj“ nebo „výrobu“ zařízení uvedených v položkách 3A001.b. až 3A002.g. nebo 3B.
“Software” specially designed for the “development” or “production” of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
„Software“ speciálně konstruovaný pro „užití“ v zařízení uvedeném v položce 3B001.a. až f. nebo v položce 3B002.
“Software” specially designed for the “use” of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
„software“„založený na fyzikální“ simulaci a speciálně navržený pro „vývoj“ litografických, leptacích anebo vylužovacích procesů na překládání maskovacích obrazců do speciálních topografických obrazců ve vodičích, dielektrikách nebo polovodičových materiálech.
‘Physics-based’ simulation “software” specially designed for the “development” of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Výraz „založený na fyzikální“ uvedený v položce 3D003 znamená používání výpočtů pro určení souslednosti fyzikálních příčinných a účinných dějů na základě fyzikálních vlastností (např. teplotních, tlakových, difúzních veličin a vlastností polovodičových materiálů).
‘Physics-based’ in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g. temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Knihovny, atributy návrhů nebo související data pro návrh polovodičových součástek nebo integrovaných obvodů se považují za „technologii“.
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as “technology”.
„Software“ speciálně konstruovaný pro „vývoj“ zařízení uvedených v položce 3A003.
“Software” specially designed for the “development” of the equipment specified in 3A003.
„Software“ speciálně konstruovaný nebo upravený pro „užití“ zařízení uvedených v položce 3A101.b.
“Technology” according to the General Technology Note for the “development” or “production” of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Technologie
001 does not control “technology” for the “production” of equipment or components controlled by 3A003.
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „vývoj“ nebo „výrobu“ zařízení nebo materiálů uvedených v položkách 3 A, 3B nebo 3C; Poznámka 1:
001 does not control “technology” for the “development” or “production” of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Položka 3E001 nezahrnuje „technologie“ pro „vývoj“ nebo „výrobu“ integrovaných obvodů uvedených v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.12., které mají všechny tyto vlastnosti: a.
Using “technology” at or above 0,130 μm; and
mají „vícevrstvé struktury“ s nejvýše třemi kovovými vrstvami.
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.