natgillin/translations-raw huggingface dataset:
e. „technologie“ pro „vývoj“ integračního „softwaru“ pro začlenění expertních systémů pro vyspělou podporu rozhodování o dílenských operacích do jednotek „číslicového řízení“;
e. “Technology” for the “development” of integration “software” for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into “numerical control” units;
f. „technologie“ depozice anorganických krycích povlaků nebo povlaků pro úpravu anorganického povrchu (uvedené ve sloupci 3 následující tabulky) na podkladové substráty, jiné než elektronické, (uvedené ve sloupci 2 následující tabulky) prostřednictvím procesů uvedených ve sloupci 1 následující tabulky a definovaných v technické poznámce.
f. “Technology” for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
Tabulka a technická poznámka jsou uvedeny za položkou 2E301.
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
Tuto tabulku je třeba vykládat tak, že v ní je stanovena technologie konkrétního procesu nanášení pouze v případě, že se výsledný povlak uvedený ve sloupci 3 nachází v odstavci umístěném na stejné úrovni, jako odpovídající substrát uvedený ve sloupci 2.
This table should be read to specify the technology of a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
Například technické údaje týkající se procesu nanášení chemická depozice v parní fázi (CVD) se vztahují k použití silicidů na substráty „kompozity“ uhlík-uhlík, keramické „kompozity“ a „kompozity“ s kovovou „matricí“, avšak nikoli k použití silicidů na substráty cementovaný karbid wolframu (16) a karbid křemíku (18).
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal “matrix” “composites” substrates, but are not included for the application of silicides to ‘cemented tungsten carbide’ (16), ‘silicon carbide’ (18) substrates.
V druhém případě výsledný povlak není uveden v odstavci sloupce 3 na stejné úrovni jako odstavec sloupce 2 obsahujícímu cementovaný karbid wolframu (16) a karbid křemíku (18).
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing ‘cemented tungsten carbide’ (16), ‘silicon carbide’ (18).
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „užití“ zařízení nebo „softwaru“ uvedených v položkách 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 až 2B122 nebo 2D101.
“Technology” according to the General Technology Note for the “use” of equipment or “software” specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „užití“ zařízení nebo „softwaru“ uvedených v položkách 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 až 2B232, 2D201 nebo 2D202.
“Technology” according to the General Technology Note for the “use” of equipment or “software” specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B232, 2D201 or 2D202.
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „užití“ zboží uvedeného v položkách 2B350 až 2B352.
“Technology” according to the General Technology Note for the “use” of goods specified in 2B350 to 2B352.
Proces nanášení (1) [5]
Coating Process (1) [5]
A. Chemická depozice v parní fázi (CVD)
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
Obrusné materiály obsahující Ni-Cr-Al
“Superalloys”
E. Depozice řídké kaše Žáruvzdorné kovy a slitiny a slitiny (8)
Carbon-carbon, Ceramic and Metal “matrix” “composites”
„Kompozity“ uhlík-uhlík, keramické a s kovovou „matricí“ Silicidy Karbidy
Refractory metals
Jejich směsi (4) Keramika a skla s nízkou roztažností (14) Silicidy Platina Jejich směsi (4)
Mixtures thereof (4)
Legované aluminidy (2) Obrusný nikl-grafit
Alloyed aluminides (2)
Legované aluminidy (2) Karbidy
Boron nitride
Legované aluminidy (2) Aluminidy modifikované ušlechtilými kovy (3)
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
Modifikovaný oxid zirkoničitý (12) Platina
Tungsten
„Kompozity“ uhlík-uhlík, keramické a s kovovou „matricí“ Silicidy Karbidy Žáruvzdorné kovy
Molybdenum and Molybdenum alloys
Obrusný Al-Si-polyester
Alloyed silicides
Legované aluminidy (2)
Corrosion resistant steel (7)
Berylium a slitiny berylia Boridy Dielektrické vrstvy (15) Berylium
Beryllium
B.2 Fyzikální depozice v parní fázi s odporovým ohřevem za podpory iontů (PVD)(iontové pokovování)
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
B.3 Fyzikální depozice v parní fázi (PVD): odpařování „laserem“
Physical Vapour Deposition (PVD): “Laser” Vaporisation
Silicidy
Fused silicides
Oxidy D. Plazmové stříkání
Fused aluminides except for resistance heating elements
Obrusný nikl-grafit
F. Sputter Deposition
Slitiny hliníku (6)
Noble metal modified aluminides (3)
Modifikovaný oxid zirkoničitý (12)
Platinum
Karbidy Korozivzdorná ocel (7)
Ceramics and Low-expansion glasses (14)
G. Iontová implantace
G. Ion Implantation
Poznámky k Tabulce – Technika depozice
Table — Deposition Techniques — Notes
„Procesem depozice“ se rozumí jak oprava a obnova povlaků, tak i nové povlaky.
The term ‘coating process’ includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Povlaky z „legovaných aluminidů“ se rozumějí povlaky připravené v jednom nebo více krocích, při nichž se před depozicí aluminidového povlaku nebo po něm nanáší jeden nebo více prvků, a to i v případě, že jsou tyto prvky nanášeny jiným procesem.
The term ‘alloyed aluminide coating’ includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Povlaky z „aluminidů modifikovaných ušlechtilými kovy“ se rozumějí povlaky připravené ve více krocích, při nichž se ušlechtilý kov nebo ušlechtilé kovy nanášejí před nanesením aluminidového povlaku jiným procesem depozice.
The term ‘noble metal modified aluminide’ coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
„Jejich směsmi“ se rozumí infiltrovaný materiál, odstupňované kompozice, současně nanášené povlaky a vícevrstvé povlaky, které se získávají jedním nebo více procesy nanášení, jež jsou uvedeny v tabulce.
The term ‘mixtures thereof’ includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
Výrazem „MCrA1X“ se rozumí povlaková slitina, kde M je kobalt, železo, nikl nebo jejich kombinace a X je hafnium, yttrium, křemík, tantal v jakémkoli množství nebo jiné záměrné přísady o obsahu vyšším než 0,01 % hmotnostních v různých podílech a kombinacích, kromě:
‘MCrAlX’ refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
a. CoCrA1Y povlaků, které obsahují méně než 22 % hmotnostních chromu, méně než 7 % hmotnostních hliníku a méně než 2 % hmotnostní yttria;
a. CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
b. CoCrAlY povlaků, které obsahují 22 až 24 % hmotnostních chromu, 10 až 12 % hmotnostních hliníku a 0,5 až 0,7 % hmotnostních yttria nebo
b. CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
c. NiCrA1Y povlaků, které obsahují 21 až 23 % hmotnostních chromu, 10 až 12 % hmotnostních hliníku a 0,9 až 1,1 % hmotnostních yttria.
c. NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
„Hliníkovými slitinami“ se rozumějí slitiny, jejichž mez pevnosti v tahu měřená při 293 K (20 °C) je nejméně 190 MPa.
The term ‘aluminium alloys’ refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
„Korozivzdornou ocelí“ se rozumí ocel řady 300 podle AISI (American Iron and Steel Institut) nebo ocel vyhovující odpovídajícím národním normám.
The term ‘corrosion resistant steel’ refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
„Žáruvzdornými materiály a slitinami“ se rozumějí tyto kovy a jejich slitiny: niob (kolumbium), molybden, wolfram a tantal.
‘Refractory metals and alloys’ include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
„Materiály pro okénka snímačů“ se rozumí: oxid hlinitý, křemík, germanium, sulfid zinečnatý, selenid zinečnatý, arsenid galia, diamant, fosfid galia, safír a tyto halogenidy kovů: materiály okének snímačů o průměru větším než 40 mm v případě fluoridu zirkonia a fluoridu hafnia.
‘Sensor window materials’, as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
„Technologie“ pro jednostupňové cementování v prášku u pevných profilů křídel není do kategorie 2 zahrnuta.
“Technology” for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
„Polymery“: polyimid, polyester, polysulfid, polykarbonáty a polyurethany.
‘Polymers’, as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Výrazem „modifikovaný oxidem zirkoničitým“ se rozumí oxid zirkoničitý, k němuž byly přidány oxidy jiných kovů (např. vápník, hořčík, yttrium, hafnium, oxidy vzácných zemin) za účelem stabilizace některých krystalografických fází a fázových skladeb.
‘Modified zirconia’ refers to additions of other metal oxides (e.g. calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
„Slitinami titanu“ se rozumějí pouze slitiny pro letectví a kosmonautiku, jejichž mez pevnosti v tahu, měřená při 293 K (20 °C), je 900 MPa nebo větší.
‘Titanium alloys’ refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
„Skly s nízkou roztažností“ se rozumějí skla, jejichž koeficient tepelné roztažnosti, měřený při 293 K (20 °C), je 1 × 10–7 K–1 nebo menší.
‘Low-expansion glasses’ refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
„Dielektrickými vrstvami“ se rozumějí povlaky vytvořené z více vrstev izolačních materiálů, v nichž se pro odraz, prostup nebo absorpci různých vlnových pásem využívají interferenční vlastnosti systému složeného z materiálů o různém indexu lomu.
‘Dielectric layers’ are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Dielektrickými vrstvami se zde rozumějí více než čtyři dielektrické vrstvy nebo vrstvy dielektrického/kovového „kompozitu“.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal “composite” layers.
„Cementovaný karbid wolframu“ nezahrnuje materiály pro řezné a tvářecí nástroje z karbidu wolframu/(kobaltu, niklu), karbidu titanu/(kobaltu, niklu), karbidu chromu/nikl-chromu a karbidu chromu/niklu.
‘Cemented tungsten carbide’ does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
„Technologie“ speciálně vyvinutá pro nanášení uhlíku s vlastnostmi diamantu na některý z níže uvedených předmětů není zahrnuta:
“Technology” specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
„Karbid křemíku“ nezahrnuje materiály pro řezné a tvarovací nástroje.
‘Silicon carbide’ does not include cutting and forming tool materials.
Poznámky k Tabulce – Technika depozice
Table — Deposition Techniques — Technical Note
a. chemická depozice v parní fázi (CVD) je proces nanášení povlaku nebo vytvoření povlaku modifikací povrchu, při kterém se na zahřátý substrát usazuje kov, slitina, „kompozit“, dielektrikum nebo keramika.
a. Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, “composite”, dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Energii pro tento proces rozkladu nebo chemické reakce lze získat teplem substrátu, plazmou doutnavého výboje nebo „laserovým“ ozářením; POZN.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or “laser” irradiation.
Mezi chemické depozice v parní fázi (CVD) patří tyto procesy: depozice směrovaným proudem plynu mimo obal, pulsační chemická depozice v parní fázi, řízená nukleační tepelná depozice (CNTD), plazmochemická depozice v parní fázi. POZN.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Obalem se rozumí substrát ponořený do práškové směsi. POZN.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Plynné reaktanty používané v procesu mimo obal se získávají za použití stejných základních reakcí a parametrů jako v procesu cementování v prášku, avšak potahovaný substrát není v kontaktu s práškovou směsí.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
b. fyzikální depozice v parní fázi s tepelným odpařováním (TE-PVD) je proces nanášení povlaku ve vakuu při tlaku nižším než 0,1 Pa, při kterém je zdroj tepelné energie použit k odpařování nanášeného materiálu.
b. Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporise the coating material.
Přidávání plynu do vakuové komory během procesu depozice za účelem syntézy sloučených vrstev je obvyklou variantou této techniky.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesise compound coatings is an ordinary modification of the process.
Běžnou variantou této techniky je též použití svazku iontových nebo elektronových svazků nebo plazmy za účelem vyvolání nebo podpory nanášení povlaku.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating’s deposition is also a common modification in this technique.
„laserové“ odpařování využívající k odpařování materiálu, který tvoří povlak, buď pulsní „laserové“ paprsky, nebo „laserové“ paprsky se spojitou vlnou;
“Laser” Vaporisation uses either pulsed or continuous wave “laser” beams to vaporise the material which forms the coating;
Řízeným pohybem hoření oblouku se eroduje povrch katody, čímž vzniká vysoce ionizované plazma.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionised plasma.
Pro nanášení mimo osu přímé viditelnosti se používá předpětí substrátu;
Substrate biasing is used for non-line-of-sight deposition.
Tato definice nezahrnuje nanášení neřízeným katodickým obloukem na substráty bez předpětí.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
iontové pokovování je speciální modifikace obecného procesu TE-PVD, ve kterém se pro ionizaci nanášených látek používá plazma nebo jiný zdroj iontů, přičemž se na substrát přikládá záporné předpětí usnadňující vyloučení látek z plazmy.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionise the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
c. cementování v prášku je proces vytvoření povlaku modifikací povrchu nebo proces nanášení povlaku, při kterém je substrát ponořován do práškové směsi (obalu) skládající se z těchto složek:
c. Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Substrát a prášková směs jsou uloženy v retortě, která je po dobu dostatečnou pro vytvoření povlaku vyhřívána na teplotu 1030 K (757 °C) až 1375 K (1102 °C);
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
d. plazmové stříkání je proces nanášení povlaku, při němž plazmový hořák (stříkací pistole), který tvoří a reguluje plazmu, přijímá povlakový materiál ve formě prášku nebo drátu, taví a vrhá jej na substrát, na kterém se tak vytváří celistvě spojený povlak.
d. Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Plazmovým stříkáním se rozumí buď nízkotlaké plazmové stříkání, nebo vysokorychlostní plazmové stříkání; POZN.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Výrazem nízkotlaký se rozumí, že tlak je nižší než okolní atmosférický tlak. POZN.
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Výrazem vysokorychlostní se rozumí, že rychlost plynu na výstupu z trysky je při 293 K (20 °C) a 0,1 MPa vyšší než 750 m/s.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
e. nanášení řídké kaše je proces vytvoření povlaku modifikací povrchu nebo nanášení povlaku, při němž kovový nebo keramický prášek s organickým pojivem suspenduje v kapalině a nanáší se na substrát buď stříkáním, ponořením nebo natíráním. Poté se suší na vzduchu nebo v peci a tepelně zpracovává tak, aby bylo docíleno požadovaného povlaku;
e. Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
f. naprašování je proces vytvoření povlaku založený na přenosu pohybové energie, při němž se v elektrickém poli urychlují kladné ionty směrem k povrchu terče (povlakový materiál).
f. Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Kinetická energie dopadajících iontů způsobuje, že se z povrchu terče uvolňují atomy, které se ukládají na vhodně nastavený substrát;
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Tabulka se vztahuje pouze na proces triodového, magnetronového nebo reaktivního naprašování, které se používá pro zvýšení přilnavosti povlaku a rychlosti nanášení a na vysokofrekvenční (RF) naprašování používané za účelem odpařování nekovových povlakových materiálů. POZN.
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Pro aktivaci nanášení lze používat iontové paprsky o nízké energii (méně než 5 keV).
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
g. iontová implantace je proces vytvoření povlaku modifikací povrchu, při němž se prvek, který se má legovat, ionizuje, urychluje gradientem napětí a implantuje do povrchové vrstvy substrátu.
g. Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Kontrolní status zařízení a součástí popsaných v položkách 3A001 nebo 3A002, jiných než popsaných v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.10. nebo 3A001.a.12., které jsou speciálně konstruované nebo které mají totožné funkční vlastnosti jako jiná zařízení, je určen kontrolním statusem těchto jiných zařízení.
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
a. integrované obvody pro všeobecné použití:
a. General purpose integrated circuits, as follows:
Kontrolní status polovodičových destiček (dokončených nebo nedokončených) s určenou funkcí se hodnotí podle parametrů uvedených v položce 3A001.a.
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Do integrovaných obvodů patří tyto typy:
Integrated circuits include the following types:
„monolitické integrované obvody“,
“Monolithic integrated circuits”;
„hybridní integrované obvody“,
“Hybrid integrated circuits”;
„vícečipové integrované obvody“,
“Multichip integrated circuits”;
„integrované obvody vrstvového typu“, včetně křemíkových obvodů na safírové podložce,
“Film type integrated circuits”, including silicon-on-sapphire integrated circuits;
„optické integrované obvody“.
“Optical integrated circuits”.
a. celkovou dávku radiace 5 × 103 Gy (křemík) nebo vyšší,
a. A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
b. rychlost dávky 5 × 106 Gy (křemík)/s nebo vyšší, nebo
b. A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
c. kontinuální (integrovaný) tok neutronů (ekvivalent 1 MeV) 5 × 1013 n/cm2 nebo vyšší na křemíkové podložce nebo jeho ekvivalent pro jiné materiály;
c. A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Položka 3A001.a.1.c. se nevztahuje na kov-izolant-polovodiče (MIS).
a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
„mikroprocesorové mikroobvody“, „mikropočítačové mikroobvody“, mikroregulátorové mikroobvody, paměťové integrované obvody vyrobené ze složených polovodičů, analogově-číslicové převodníky a číslicově-analogové převodníky, elektro-optické nebo „optické integrované obvody“ pro „zpracování signálů“, uživatelem programovatelná logická pole, zákaznické integrované obvody, pro které buď není známa funkce, nebo není znám status zařízení, ve kterém bude integrovaný obvod použit, procesory pro rychlou Fourierovu transformaci (FFT), elektricky vymazatelné programovatelné permanentní paměti (EEPROMs), vyrovnávací paměti flash nebo statické paměti s náhodným výběrem (SRAMs), které mají některou z těchto vlastností:
“Microprocessor microcircuits”, “microcomputer microcircuits”, microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or “optical integrated circuits” designed for “signal processing”, field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following: