natgillin/translations-raw huggingface dataset:
chyba (základní) časového posunu, měřená v souladu s příslušnými dokumenty IRIG nebo EIA, menší než ±0,1 μs;
A time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ±0,1 µs;
Poznámka:Analogové magnetopáskové záznamníky speciálně konstruované pro civilní videozáznamy nejsou považovány za přístrojové magnetopáskové záznamníky.
Note:Analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
číslicové videorekordéry s magnetickou páskou, které mají maximální přenosovou rychlost na číslicovém rozhraní vyšší než 360 Mbit/s;
Digital video magnetic tape recorders having a maximum digital interface transfer rate exceeding 360 Mbit/s;
Poznámka:Položka 3A002.a.2. nezahrnuje číslicové videorekordéry s magnetickou páskou speciálně konstruované pro televizní záznam používající formát signálu, který může zahrnovat stlačený formát signálu podle normy nebo doporučení ITU, IEC, SMPTE, EBU, ETSI nebo IEEE pro civilní televizní užití;
Note:3A002.a.2. does not control digital video magnetic tape recorders specially designed for television recording using a signal format, which may include a compressed signal format, standardised or recommended by the ITU, the IEC, the SMPTE, the EBU, the ETSI or the IEEE for civil television applications.
číslicové přístrojové magnetopáskové přístroje, které používají techniku spirálového snímání nebo techniku pevných hlav a mají některou z těchto vlastností:
Digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having any of the following:
přenosová rychlost číslicového rozhraní vyšší než 175 Mbit/s; nebo
A maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s; or
zařízení s přenosovou rychlostí číslicového rozhraní vyšší než 175 Mbit/s a konstruovaná ke transformaci číslicových videorekordérů s magnetickou páskou k použití jako číslicové přístrojové záznamníky dat;
Equipment having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s and designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
digitizéry vlnových průběhů a záznamníky přechodových dějů, které mají všechny tyto vlastnosti:
Waveform digitisers and transient recorders, having all of the following:
rychlost digitalizace rovnající se nebo větší než 200 milionů vzorků za sekundu a rozlišení nejméně 10 bitů a
Digitising rate equal to or more than 200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more; and
‚spojitý přenos dat‘ nejméně 2 Gbit/s;
A ’continuous throughput’ of 2 Gbit/s or more;
Pro přístroje tohoto typu s architekturou paralelních sběrnic je rychlost spojitého přenosu definována jako součin nejvyšší rychlosti přenosu slov násobená počtem bitů ve slově.
For those instruments with a parallel bus architecture, the ’continuous throughput’ rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
‚Spojitý přenos dat‘ je nejvyšší rychlost přenosu dat, při níž je přístroj schopen dodávat data do velkokapacitní paměti bez ztráty jakékoli informace a při zachování vzorkovací rychlosti a analogově-číslicové převoditelnosti.
’Continuous throughput’ is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
zařízení pro nahrávání číslicových (digitálních) dat, která používají techniku magnetického disku a mají všechny tyto vlastnosti:
Digital instrumentation data recorders using magnetic disk storage technique and having all of the following:
rychlost digitalizace rovnající se nebo větší než 100 milionů vzorků za sekundu a rozlišení 8 bitů nebo více a
Digitising rate equal to or more than 100 million samples per second and a resolution of 8 bit or more; and
‚spojitý přenos dat‘ nejméně 1 Gbit/s;
A ’continuous throughput’ of 1 Gbit/s or more;
„elektronické sestavy“„frekvenčních syntetizátorů“, které mají „dobu přepínání frekvence“ z jedné vybrané frekvence na druhou nižší než 1 ms;
"Frequency synthesiser""electronic assemblies" having a "frequency switching time" from one selected frequency to another of less than 1 ms;
Pozn:Kontrolní status „analyzátorů signálů“, generátorů signálů, síťových analyzátorů, a mikrovlnných zkušebních přijímačů jako samostatně používaných přístrojů určují položky 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. a 3A002.f., podle uvedeného pořadí.
Note:The control status of "signal analysers", signal generators, network analysers, and microwave test receivers as stand-alone instruments is determined by 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., and 3A002.f., respectively.
radiofrekvenční „analyzátory signálů“:
Radio-frequency "signal analysers" as follows:
„analyzátory signálů“, které jsou schopné analyzovat frekvence vyšší než 31,8 GHz, avšak nepřesahující 37,5 GHz, a které mají šířku pásma rozlišení 3 dB (RBW) přesahující 10 MHz,
"Signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz and having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz;
„analyzátory signálů“, které jsou schopné analyzovat frekvence vyšší než 43,5 GHz,
"Signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 43,5 GHz;
„dynamické analyzátory signálů“, jejichž „šířka pásma v reálném čase“ je větší než 500 kHz;
"Dynamic signal analysers" having a "real-time bandwidth" exceeding 500 kHz;
generátory signálů na bázi frekvenčních syntetizátorů, které produkují výstupní frekvence, jejichž přesnost a krátkodobá a dlouhodobá stabilita jsou řízeny vnitřní hlavním referenčním oscilátorem nebo jsou od něj odvozeny či upraveny, a které mají některou z těchto vlastností:
Frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:
maximální syntetizovaná frekvence vyšší než 31,8 GHz a nejvýše 43,5 GHz a určená ke generování ‚impulzu trvajícího‘ méně než 100 ns,
A maximum synthesised frequency exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz and rated to generate a ’pulse duration’ of less than 100 ns;
„doba přepínání frekvence“ z jedné vybrané frekvence na druhou, určená podle kteréhokoli z těchto pravidel:
A "frequency switching time" from one selected frequency to another as specified by any of the following:
kratší než 312 ps;
Less than 312 ps;
kratší než 100 μs pro každou změnu frekvence přesahující 1,6 GHz v rámci syntetizovaného frekvenčního rozsahu přesahujícího 3,2 GHz, avšak nepřesahujícího 10,6 GHz;
Less than 100 µs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
kratší než 250 μs pro každou změnu frekvence přesahující 550 MHz v rámci syntetizovaného frekvenčního rozsahu přesahujícího 10,6 GHz, avšak nepřesahujícího31,8 GHz;
Less than 250 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
kratší než 500 μs pro každou změnu frekvence přesahující 550 MHz v rámci syntetizovaného frekvenčního rozsahu přesahujícího 31,8 GHz, avšak nepřesahujícího 43,5 GHz; nebo
Less than 500 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
kratší než 1 ms v rámci syntetizovaného frekvenčního rozsahu přesahujícího 43,5 GHz; nebo
Less than 1 ms within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz; or
maximální frekvence syntetizátoru přesahující 3,2 GHz, která má všechny tyto vlastnosti:
A maximum synthesised frequency exceeding 3,2 GHz and having all of the following:
fázový šum s jedním postranním pásmem (SSB) v dBc/Hz lepší než -(126 + 20log10F – 20log10f) pro 10 Hz < F < 10 kHz a
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(126 + 20log10F — 20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
fázový šum s jedním postranním pásmem (SSB) v dBc/Hz lepší než -(114 + 20log10F – 20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(114 + 20log10F — 20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
V položce 3A002.d.4. je F posun od pracovní frekvence v Hz a f je pracovní frekvence v MHz;
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
Poznámka 1:Pro účely položky 3A002.d. zahrnují generátory frekvenčních syntetizovaných signálů generátory s libovolným tvarem vlny a libovolnou funkci.
Note 1.:For the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Poznámka 2:Položka 3A002.d. nezahrnuje zařízení, v nichž je výstupní frekvence produkována buď sečtením nebo odečtením dvou nebo více krystalem řízených oscilačních frekvencí, nebo sečtením či odečtením s následným vynásobením výsledku.
Note 2.:3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Generátory s libovolným tvarem vlny a funkcí se obvykle specifikují na základě vzorkovací frekvence (např. Gvzorků/s), která se přepočte na vysokofrekvenční (RF) oblast za použití Nyquistova faktoru rovného 2.
Arbitrary waveform and function generators are normally specified by sample rate (e.g., GSample/s), which is converted to the RF domain by the Nyquist factor of two.
Proto má 1 Gvzorek/s libovolného tvaru vlny přímou výstupní kapacitu 500 MHz.
Thus, a 1 GSample/s arbitrary waveform has a direct output capability of 500 MHz.
Nebo, pokud se používá nadvzorkování, je maximální přímá výstupní kapacita úměrně nižší.
Or, when oversampling is used, the maximum direct output capability is proportionately lower.
Pro účely položky 3A002, d.1 se ‚trváním impulsu‘ rozumí časový interval meziokamžikem, kdy čelní okraj impulsu dosahuje 90 % vrcholné hodnoty a okamžikem, kdy zadní okraj impulsu dosahuje 10 % vrcholné hodnoty.
For the purposes of 3A002.d.1., ’pulse duration’ is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
atomové frekvenční normály, které mají některou z těchto vlastností:
Atomic frequency standards being any of the following:
jsou „vhodné pro kosmické aplikace“
"Space-qualified";
bez rubidia a s dlouhodobou stabilitou menší (lepší) než 1 × 10–11/měsíc; nebo
Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10-11/month; or
nejsou „vhodné pro kosmické aplikace“ a mají všechny tyto vlastnosti:
Non-"space-qualified" and having all of the following:
rubidiové normály;
Being a rubidium standard;
dlouhodobá stabilita menší (lepší) než 1 × 10–11/měsíc; a
Long-term stability less (better) than 1 × 10-11/month; and
celková spotřeba energie menší než 1 W.
Total power consumption of less than 1 W.
analogově-číslicové převodníky použitelné v „řízených střelách“, konstruované tak, aby splňovaly vojenské specifikace pro robustní zařízení;
Analogue-to-digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedized equipment;
‚Tepelné bateriei‘ konstruované nebo upravené pro ‚řízené střely‘.
’Thermal batteries’ designed or modified for ’missiles’.
V položce 3A102 se ‚tepelnými bateriemi‘ rozumějí baterie na jedno použití, které obsahují jako elektrolyt pevnou nevodivou organickou sůl.
In 3A102 ’thermal batteries’ are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
V položce 3A102 se ‚řízenými střelami‘ rozumějí kompletní raketové systémy a systémy bezpilotních vzdušných dopravních prostředků s dosahem více než 300 km.
In 3A102 ’missile’ means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
kondenzátory, které mají jednu z těchto kombinací charakteristik:
Capacitors having either of the following sets of characteristics:
pracovní napětí větší než 1,4 kV,
Voltage rating greater than 1,4 kV;
uchovaná energie větší než 10 J,
Energy storage greater than 10 J;
kapacita větší než 0,5 μF a
Capacitance greater than 0,5 µF; and
sériová induktance menší než 50 nH nebo
Series inductance less than 50 nH; or
pracovní napětí větší než 750 V,
Voltage rating greater than 750 V;
kapacita větší než 0,25 µF a
Capacitance greater than 0,25 µF; and
supravodivé solenoidní elektromagnety, které mají všechny tyto vlastnosti:
Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
schopné vytvořit magnetické pole větší než 2 T,
Capable of creating magnetic fields greater than 2 T;
poměr délky k vnitřnímu průměru větší než 2,
A ratio of length to inner diameter greater than 2;
vnitřní průměr větší než 300 mm a
Inner diameter greater than 300 mm; and
Poznámka:Položka 3A201.b. nezahrnuje magnety speciálně konstruované a vyvážené ‚jako součásti‘ lékařských systémů k zobrazování na principu nukleární magnetické rezonance (NMR).
Note:3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported ’as parts of’ medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Výraz ‚jako součásti‘ nemusí nezbytně znamenat fyzickou součást v rámci stejné dodávky; oddělené dodávky z různých zdrojů jsou povoleny za předpokladu, že příslušná vývozní dokumentace jasně vymezuje vztah těchto dodávek ‚jako součásti‘ zobrazovacího systému.
The phrase ’as part of’ does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched ’as part of’ the imaging systems.
zábleskové rentgenové generátory nebo pulsní elektronové urychlovače, které mají některou z těchto kombinací charakteristik:
Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
urychlovače s maximální energií elektronů nejméně 500 keV, avšak menší než 25 MeV a
An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
‚účinnost‘ (K) 0,25 nebo vyšší nebo
With a ’figure of merit’ (K) of 0,25 or greater; or
urychlovač s maximální energií elektronů nejméně 25 MeV a
An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
‚špičkový výkon‘ větší než 50 MW.
A ’peak power’ greater than 50 MW.
Poznámka:Položka 3A201.c. nezahrnuje urychlovače, které jsou součástmi přístrojů vyvinutých pro jiné účely než pro elektronové nebo rentgenové ozařování (např. elektronová mikroskopie) nebo přístrojů vyvinutých pro lékařské účely:
Note:3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes:
‚Účinnost‘ K je definována jako:
The ’figure of merit’ K is defined as:
Jestliže doba trvání pulsu paprsku urychlovače je menší nebo rovna 1µs, pak Q je celkový urychlený náboj v coulombech.
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 µs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
Pokud doba trvání pulsu paprsku urychlovače je větší než 1µs, pak Q je maximální urychlený náboj v 1µs.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 µs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 µs.
Q je rovno integrálu i podle t pro dobu méně než 1µs nebo dobu trvání pulsu (Q = ∫ idt), kde i je proud paprsku v ampérech a t je doba v sekundách.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 µs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
‚Špičkový výkon‘ = (špičkové napětí ve voltech) × (špičkový proud paprsku v ampérech).
’Peak power’ = (peak potential in volts) x (peak beam current in amperes).
Ve strojích založených na mikrovlnných urychlovacích dutinách je dobou trvání pulsu paprsku buď 1 µs, nebo doba trvání dávky svazku paprsků vyvolaných jedním pulsem mikrovlnného modulátoru, je- li menší než 1 µs.
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 µs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
jsou schopné provozu ve frekvečním rozsahu 600 až 2000 Hz,
Capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
Zdroje stejnosměrného proudu s vysokým výkonem, jiné než uvedené v položce 0B001.j.6., které mají obě tyto vlastnosti:
High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
Zdroje stejnosměrného proudu s vysokým napětím, jiné než uvedené v položce 0B001.j.5., které mají obě tyto vlastnosti:
High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
schopnost nepřetržitě produkovat po dobu 8 hodin napětí 20 kV nebo větší s výstupním proudem nejméně 1 A a
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
elektronky se studenou katodou, též plněné plynem, pracující podobně jako jiskřiště, které mají všechny tyto vlastnosti:
Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
anodové zpoždění nejvýše 10 μs;
Anode delay time of 10 µs or less;
spouštěcí jiskřiště, která mají obě tyto vlastnosti:
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
anodové zpoždění nejvýše 15 ms nebo menší a
An anode delay time of 15 µs or less; and
moduly nebo montážní celky s rychlou spínací funkcí, jiné než moduly nebo montážní celky stanovené v položce 3A001.g., které mají všechny tyto vlastnosti:
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g., having all of the following characteristics:
špičkové anodové napětí větší než 2 kV,
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
jmenovitý špičkový anodový proud 500 A nebo více a
Anode peak current rating of 500 A or more; and
spínací čas 1 µs nebo méně.
Turn-on time of 1 µs or less.
POZN.:Viz 1A007.a. pro výbušné rozbuškové odpalovací systémy.
1A007.a. for explosive detonator firing sets.
modulární elektrické pulsní generátory (pulsovače), které mají všechny tyto vlastnosti:
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
jsou konstruovány pro přenosné a mobilní užití nebo užití ve ztížených podmínkách,
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
jsou uzavřeny v prachotěsném obalu,
Enclosed in a dust-tight enclosure;
schopnost předat energii v méně než 15 µs,
Capable of delivering their energy in less than 15 µs;
‚náběhový čas‘ kratší než 10 µs při zatížení menším než 40 Ω,
Having a ’rise time’ of less than 10 µs into loads of less than 40 ohms;
jsou určeny k užití v rozšířeném teplotním rozmezí 223 K (–50 °C) až 373 K (100 °C) nebo určeny jako vhodné pro letecké a kosmické užití.
Specified for use over an extended temperature range 223 K (–50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
V položce 3A229.b.5. je ‚náběhový čas‘ definován jako časový interval od 10 % do 90 % proudové amplitudy při odporovém zatížení.
’rise time’ is defined as the time interval from 10 % to 90 % current amplitude when driving a resistive load.
‚pulsní přechodový čas‘ menší než 500 ps.
’Pulse transition time’ less than 500 ps.
V položce 3A230 je ‚pulsní přechodový čas‘ definován jako časový interval mezi 10 % a 90 % napěťové amplitudy.
In 3A230, ’pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Systémy pro generování neutronů (včetně trubic), které mají obě tyto vlastnosti:
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
zařízení využívající jednoduché nebo násobné rozbušky, konstruované pro téměř současné odpálení výbušného povrchu většího než 5000 mm2 jedním signálem k odpálení s rozšířením přes celý povrch za méně než 2,5 μs.
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 µs.
plazmové hmotnostní spektrometry s induktivní vazbou (ICP/MS),
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
hmotnostní spektrometry s doutnavým výbojem (GDMS),
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
hmotnostní spektrometry s tepelnou ionizací (TIMS),
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
hmotnostní spektrometry s elektronovým ostřelováním, které mají komoru zdroje vyrobenou z materiálů odolných vůči UF6 nebo takovým materiálem pokrytou nebo vyloženou,
Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
hmotnostní spektrometry s molekulovým paprskem, které mají některou z těchto charakteristik:
Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
komoru zdroje vyrobenou z korozivzdorné oceli nebo molybdenu a které mají vymrazovací kapsu schopnou chlazení na 193 K (–80 °C) nebo méně nebo
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (–80 °C) or less; or
komoru zdroje vyrobenou z materiálů odolných vůči UF6 nebo takovým materiálem pokrytou nebo vyloženou,
A source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Zařízení pro výrobu polovodičových součástek nebo materiálů a jejich speciálně konstruované součásti a příslušenství:
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
zařízení pro epitaxiální růst:
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
schopná produkovat vrstvy s rovnoměrností tloušťky méně než ±2,5 % v rozsahu vzdálenosti 75 mm nebo více z jiného materiálu než je silikon;
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ±2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Poznámka:Položka 3B001.a.1. zahrnuje zařízení pro epitaxi atomových vrstev (ALE)
Note:3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
reaktory pro chemickou depozici v parní fázi za použití organokovových sloučenin (MOCVD), speciálně konstruované pro růst krystalů složených polovodičů chemickou reakcí mezi materiály uvedenými v položce 3C003 nebo 3C004;
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
zařízení konstruovaná pro iontovou implantaci, která mají některou z těchto vlastností:
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
energie paprsku (urychlující napětí) větší než 1 MeV,
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1MeV;
jsou speciálně konstruovaná a optimalizovaná pro provoz při urychlujícím napětí menším než 2 keV,
Being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
jsou schopná přímého zápisu nebo
Direct write capability; or
energie paprsku 65 keV nebo více a paprskový proud 45mA nebo více pro implantování kyslíku s vysokou energií do zahřáté „podložky“ z polovodičového materiálu;
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Zařízení na suché leptání anizotropní plazmou:
Anisotropic plasma dry etching equipment as follows:
zařízení s provozem kazeta – kazeta a uzávěry náplně (load-locks), která mají některou z těchto vlastností:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
jsou konstruovaná nebo optimalizovaná pro tvorbu kritických rozměrů 180 nm nebo méně s přesností ±5 % 3 sigma nebo
Designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ±5 % 3 sigma precision; or