natgillin/translations-raw huggingface dataset:
elektronky s vázanou dutinou nebo jejich deriváty s „frakční šířkou pásma“ větší než 7 % nebo špičkovým výkonem vyšším než 2,5 kW,
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
elektronky s elektrodou ve tvaru šroubovice nebo jejich deriváty, které mají některou z těchto vlastností:
Helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
„okamžitá šířka pásma“ větší než 1 oktáva a průměrný výkon (vyjádřený v kW) násobený frekvencí (vyjádřenou v GHz) větší než 0,5,
An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
„okamžitá šířka pásma“ nejvýše 1 oktáva a průměrný výkon (vyjádřený v kW) násobený frekvencí (vyjádřenou v GHz) větší než 1 nebo
An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
jsou „vhodné pro kosmické aplikace“.
Being "space-qualified";
mikrovlnné zesilovače výkonu s „monolitickými integrovanými obvody“ (MMIC), které mají některou z těchto vlastností:
Microwave "Monolithic Integrated Circuits" (MMIC) power amplifiers having any of the following:
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 3,2 GHz a nejvýše 6 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 4 W (36 dBm) s „frakční šířkou pásma“ větší než 15 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 6 GHz a nejvýše 16 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 1 W (30 dBm) s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 16 GHz a nejvýše 31,8 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 0,8 W (29 dBm) s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
jsou určeny pro provoz při frekvencích přesahujících 31,8 GHz až do 37,5 GHz včetně;
Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz;
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 37,5 GHz a nejvýše 43,5 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 0,25 W (24 dBm) s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 % nebo
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
jsou určeny pro provoz při frekvencích přesahujících 43,5 GHz;
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz;
Poznámka 2:Kontrolní status MMIC, jehož jmenovitá provozní frekvence zahrnuje frekvence uvedené ve více než jednom frekvenčním pásmu podle 3A001.b.2.a až 3A001.b.2.f. je určen nejnižším prahem průměrného výstupu výkonu.
Note 2:The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
určené pro provoz při frekvencích vyšších než 37,5 GHz a nejvýše 43,5 GHz a mající průměrný výstupní výkon vyšší než 1W (30 dBm) nebo
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
Poznámka:Kontrolní status tranzistoru, jehož jmenovitá provozní frekvence zahrnuje frekvence uvedené ve více než jednom frekvenčním pásmu podle 3A001.b.3.a až 3A001b.3.e., je určen nejnižším prahem průměrného výstupního výkonu.
Note:The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
mikrovlnné zesilovače v pevné fázi a mikrovlnné montážní celky/moduly obsahující mikrovlnné zesilovače v pevné fázi, které mají některou z těchto vlastností:
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers, having any of the following:
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 3,2 GHz a nejvýše 6 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 60W (47,8 dBm) s „frakční šířkou pásma“ větší než 15 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 60W (47,8 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 6 GHz a nejvýše 31,8 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 15W (42 dBm) s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15W (42 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 37,5 GHz a nejvýše 43,5 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 1W (30 dBm) s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 3,2 GHz a mají všechny tyto vlastnosti:
Rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
„frakční šířka pásma“ 5 % nebo více a
A "fractional bandwidth" of 5 % or greater; and
dvě strany navzájem kolmé o délce d (v cm) nejvýše 15 děleno nejmenší operační frekvencí v GHz [d ≤ 15cm × GHz/fGHz];
Any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15cm × GHz/fGHz];
3,2 GHz by měla být použita jako nejnižší provozní frekvence (fGHz) ve vzorci uvedeném v položce 3A001.b.4.f.3 u zesilovačů, jež mají jmenovitý provozní rozsah směrem dolů až 3,2 GHz a nižší [d ≤ 15 cm × GHz/3,2 GHz]
3,2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3.2 GHz and below [d≤ 15cm × GHz/3.2 GHz].
Pozn.:Zesilovače výkonu MMIC by měly být hodnoceny podle kritérií v položce 3A001.b.2.
N.B.:MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
Poznámka 2:Kontrolní status položky, jejíž jmenovitá provozní frekvence zahrnuje frekvence uvedené ve více než jednom frekvenčním pásmu podle 3A001.b.4.a až 3A001.b.4.e, je určen nejnižším prahem průměrného výstupu výkonu.
Note 2:The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
elektronicky nebo magneticky laditelné pásmové propusti nebo pásmové zdrže, které mají více než 5 laditelných rezonátorů s možností ladění 1,5:1 přes frekvenční pásmo (fmax/fmin) za méně než 10 μs a které mají některou z těchto vlastností:
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1.5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 µs and having any of the following:
konvertory a harmonické směšovače konstruované pro rozšíření frekvenčního rozsahu zařízení popsaných v položkách 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. nebo 3A002.f. nad stanovené mezní hodnoty;
Converters and harmonic mixers, designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
mikrovlnné zesilovače výkonu obsahující elektronky uvedené v položce 3A001.b.1., které mají všechny tyto vlastnosti:
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
pracovní frekvence vyšší než 3 GHz,
Operating frequencies above 3 GHz;
poměr průměrné výstupní hustoty výkonu k hmotnosti vyšší než 80 W/kg a
An average output power density to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
Mikrovlnné výkonové moduly (MPM), sestávající nejméně z elektronek s postupnou vlnou, mikrovlnného „monolitického integrovaného obvodu“ a integrovaného elektronického regulátoru napětí, které mají všechny tyto vlastnosti:
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
‚čas zapnutí‘ z vypnutého stavu do plně provozního stavu kratší než 10 sekund;
A ’turn-on time’ from off to fully operational in less than 10 seconds;
objem menší než je maximální jmenovitý výkon ve wattech násobený 10 cm3/W; a
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
pro frekvence rovné nebo nižší než 18 GHz, vysokofrekvenční (RF) výstupní výkon vyšší než 100W; nebo
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
frekvenci vyšší než 18 GHz.
A frequency greater than 18 GHz;
Pro výpočet objemu v položce 3A001.b.9.b., je poskytnut tento příklad: pro maximální jmenovitý výkon 20W by objem činil: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
‚Čas zapnutí‘ v položce 3A001.b.9.a. znamená dobu od plně vypnutého stavu do plně provozního stavu; tzn. tento čas zahrnuje dobu zahřátí MPM.
The’turn-on time’ in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
Oscilátory nebo montážní celky oscilátorů konstruované tak, aby fungovaly se všemi těmito vlastnostmi:
Oscillators or oscillator assemblies, designed to operate with all of the following:
fázový šum s jedním postranním pásmem (SSB) v dBc/Hz lepší než -(126+20log10F-20log10f) pro 10 Hz < F < 10 kHz a
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(126+20log10F-20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
fázový šum s jedním postranním pásmem (SSB) v dBc/Hz lepší než -(114+20log10F-20log10f) pro 10 kHz ≤ F < 500 kHz
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(114+20log10F-20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
položce 3A001.b.10. je F odchylka pracovní frekvence v Hz a f je pracovní frekvence v MHz.
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
zařízení s akustickou vlnou a speciálně pro ně konstruované součásti:
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
zařízení s povrchovou akustickou vlnou a s podpovrchovou akustickou vlnou, která mají některou z těchto vlastností:
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
nosná frekvence vyšší než 6 GHz,
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
nosná frekvence vyšší než 1 GHz, ale nejvýše 6 GHz, a některá z těchto vlastností:
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
‚potlačení postranních laloků frekvence‘ větší než 65 dB,
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB;
součin maximální doby zpoždění a šířky pásma (doba v μs a šířka pásma v MHz) větší než 100,
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in µs and bandwidth in MHz) of more than 100;
šířka pásma větší než 250 MHz nebo
A bandwidth greater than 250 MHz; or
disperzní zpoždění větší než 10 μs nebo
A dispersive delay of more than 10 µs; or
nosná frekvence nejvýše 1 GHz a některá z těchto vlastností:
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
‚potlačení postranních laloků frekvence‘ větší než 65 dB a šířka pásma větší než 100 MHz;
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
Technická poznámka:‚potlačení postranních laloků frekvence‘ je maximální hodnota potlačení uvedená na bezpečnostním listu.
Technical Note:’Frequency side-lobe rejection’ is the maximum rejection value specified in data sheet.
zařízení s prostorovou akustickou vlnou, jež umožňují přímé zpracování signálů při frekvencích větších než 6 GHz;
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
akusticko-optická zařízení na „zpracování signálů“, která využívají interakci mezi akustickými vlnami (prostorovými nebo povrchovými) a světelnými vlnami a umožňují přímé zpracování signálů nebo obrazů, včetně spektrální analýzy, korelace nebo konvoluce;
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Pozn.:Položka 3A001.c. se nevztahuje na zařízení s akustickou vlnou, která se omezují na použití jako jednopásmová propust, dolní propust, horní propust nebo pásmová zádrž, nebo na funkci rezonátoru.
Note:3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
elektronická zařízení a obvody, které obsahují součástky vyrobené ze „supravodivých“ materiálů speciálně konstruovaných pro činnost při teplotách pod „kritickou teplotou“ alespoň jedné ze „supravodivých“ složek a které mají některou z těchto vlastností:
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
spínání proudu pro číslicové obvody využívající „supravodivá“ hradla se součinem doby zpoždění na jedno hradlo (v sekundách) a ztráty výkonu na jedno hradlo (ve wattech) menším než 10–14 J nebo
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10-14 J; or
vysokoenergetická zařízení:
High energy devices as follows:
‚články‘:
’Cells’ as follows:
‚primární články‘, které mají ‚hustotu energie‘ vyšší než 550 Wh/kg při 20 °C;
’Primary cells’ having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 oC;
‚sekundární články‘, které mají ‚hustotu energie‘ vyšší než 250 Wh/kg,
’Secondary cells’ having an ’energy density’ exceeding 250 Wh/kg
Pro účely položky 3A001.e.1., se ‚hustota energie‘ (Wh/kg) vypočte z jmenovitého napětí vynásobeného jmenovitou kapacitou v ampérhodinách (Ah) děleno hmotností v kilogramech.
For the purpose of 3A001.e.1.,’energy density’ (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Pokud jmenovitá kapacita není uvedena, vypočítá se hustota energie z čtverce jmenovitého napětí vynásobeného poté dobou vybíjení v hodinách děleno vybíjecí zátěží v ohmech a hmotností v kilogramech.
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
Pro účely položky 3A001.e.1. se‚článkem‘ rozumí elektrochemické zařízení, které má kladné i záporné elektrody, a elektrolyt, a je zdrojem elektrické energie.
For the purpose of 3A001.e.1., a ’cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Pro účely položky 3A001.e.1.a. se ‚primárním článkem‘ rozumí ‚článek‘, který není určen k tomu, aby byl nabíjen jiným zdrojem.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a ’primary cell’ is a ’cell’ that is not designed to be charged by any other source.
Pro účely položky 3A001.e.1.b. se ‚sekundárním článkem‘ rozumí ‚článek‘, který je určen k tomu, aby byl nabíjen vnějším elektrickým zdrojem.
For the purpose of 3A001.e.1.b., a ’secondary cell’ is a ’cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
vysokoenergetické akumulační kondenzátory:
High energy storage capacitors as follows:
kondenzátory s opakovací frekvencí méně než 10 Hz (jednorázové akumulační kondenzátory), které mají všechny tyto vlastnosti:
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
jmenovité napětí rovnající se nebo větší než 5 kV,
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
hustota energie rovnající se nebo větší než 250 J/kg a
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
celková energie rovnající se nebo větší než 25 kJ;
A total energy equal to or more than 25 kJ;
kondenzátory s opakovací frekvencí nejméně 10 Hz, které mají všechny tyto vlastnosti:
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
„supravodivé“ elektromagnety a solenoidy, speciálně konstruované k plnému nabití nebo vybití za méně než jednu sekundu, které mají všechny tyto vlastnosti:
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
vnitřní průměr vinutí vedoucích proud větší než 250 mm, a
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
jsou určeny pro magnetickou indukci větší než 8 T nebo „celkovou proudovou hustotu“ ve vinutí větší než 300 A/mm2;
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
Solární články, sestavy propojených článků s krycím sklem (CIC), solární panely a solární pole, které jsou „vhodné pro kosmické aplikace“, a jejichž minimální průměrná účinnost při provozní teplotě 301 K (28 °C) za simulovaného osvětlení ‚AM0‘ s intenzitou ozáření 1367 wattů na metr čtvereční (W/m2) je vyšší než 20 %;
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1,367 watts per square metre (W/m2);
Pojmem ‚AM0‘ nebo ‚Air Mass Zero‘ se rozumí spektrální intenzita záření slunečního světla ve vnější atmosféře Země, je-li vzdálenost Země od Slunce jedna astronomická jednotka (AU).
’AM0’, or ’Air Mass Zero’, refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
snímače absolutní polohy se vstupem z otočného hřídele, které mají přesnost rovnou nebo menší (lepší) než ±1,0 úhlové vteřiny;
Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ±1,0 second of arc;
polovodičová pulsní výkonová spínací tyristorová zařízení a ‚tyristorové moduly‘ využívající buď elektricky, opticky řízených metod spínání nebo metod spínání řízených elektronovým zářením, a které mají kteroukoliv z těchto vlastností:
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and ’thyristor modules’, using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Maximální rychlost růstu proudu při zapnutí (di/dt) vyšší než 30000 A/μs a napětí ve vypnutém stavu vyšší než 1100 V nebo
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
Maximum rychlost růstu proudu (di/dt) vyšší než 2000 A/μs a všechny tyto vlastnosti:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
Špičkové napětí při vypnutém stavu rovno nebo vyšší než 3000 V a
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
Špičkový (rázový) proud rovný neb vyšší než 3000 A.
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
Křemíkově řízené usměrňovače (SCRs)
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Elektricky spínané tyristory (ETTs)
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
Světlem spínané tyristory (LTTs)
Light Triggering Thyristors (LTTs)
Integrované hradlem komutované tyristory (IGCTs)
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
Hradlem vypínané tyristory (GTOs)
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
Solidtrony
Solidtrons
Pozn 2:Položka 3A001.g. nezahrnuje řídící tyristorová zařízení a ‚tyristorové moduly‘ zahrnuté do vybavení určeného pro aplikace na civilních železnicích nebo v „civilních letadlech“.
Note 2:3A001.g. does not control thyristor devices and ’thyristor modules’ incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Pro účely položky 3A001.g. obsahuje ‚tyristorový modul‘ jedno nebo více tyristorových zařízení.
For the purposes of 3A001.g., a ’thyristor module’ contains one or more thyristor devices.
polovodičové výkonové spínače a diody na regulaci výkonu či ‚moduly‘, které mají tyto vlastnosti:
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or ’modules’, having all of the following:
jsou určeny pro maximální pracovní spojovací teplotu vyšší než 488 K (215 °C)
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
opakovatelné vrcholové napětí v nevodivém stavu (blokovací napětí) větší než 300 V a
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
stejnosměrný proud větší než 1 A.
Continuous current greater than 1 A.
Poznámka 1:Opakovatelné vrcholové napětí v nevodivém stavu uvedené v položce 3A001.h. zahrnuje napětí mezi vývodem a zdrojem, kolektorem a emitorem, opakovatelné vrcholové závěrné napětí a opakovatelné vrcholové blokovací napětí v nevodivém stavu.
Note 1:Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Poznámka 2:položka 3A001.h. zahrnuje:
Note 2:3A001.h. includes:
tranzistory s přechodovým hradlem (JFET)
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
vertikální tranzistory s přechodovým hradlem (VJFET)
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
výkonové tranzistory typu MOSFET
Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)
tranzistory řízené pólem s dvojitou difúzní strukturou kov-oxid-polovodič (DMOSFET)
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT)
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT)
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
bipolární plošné tranzistory (BJT)
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
tyristory a řízené křemíkové usměrňovače (SCR)
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
vypínací tyristory GTO
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
tyristory vypínané emitorem (ETO)
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
diody PIN
PiN Diodes
Schottkyho diody
Schottky Diodes
Poznámka 3:položka 3A001.h. nezahrnuje spínače, diody či ‚moduly‘ zakomponované do vybavení určeného pro použití v civilních automobilech, civilních železničních vlacích a „civilních letadlech“.
Note 3:3A001.h. does not control switches, diodes, or ’modules’ incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
Pro účely položky 3A001.h. obsahují ‚moduly‘ jeden nebo více polovodičových výkonových spínačů či diod regulaci výkonu.
For the purposes of 3A001.h., ’modules’ contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
záznamová zařízení a pro ně speciálně konstruované zkušební pásky:
Recording equipment as follows and specially designed test tape therefor:
analogové přístrojové magnetopáskové záznamníky, včetně těch, které umožňují záznam číslicových signálů (např. používající modul s velkokapacitním číslicovým záznamem (HDDR)), které mají některou z těchto vlastností:
Analogue instrumentation magnetic tape recorders, including those permitting the recording of digital signals (e.g. using a high density digital recording (HDDR) module), having any of the following: