natgillin/translations-raw huggingface dataset:
V položce 2B352.d.1.b. se sterilizací rozumí zničení všech živých mikrobů v zařízení použitím buď fyzických (např. pára) nebo chemických činidel.
In 2B352.d.1.b. sterlised denotes the elimination of all viable microbes from the equipment through the use of either physical (e.g. steam) or chemical agents.
průtokové prvky pro příčnou (tangenciální) filtraci (např. moduly, elementy, kazety, náboje, jednotky nebo desky) s filtrační plochou nejméně 0,2 m2 pro každý prvek a určené pro použití v průtokovém zařízení pro příčnou (tangenciální) filtraci uvedenou v položce 2B352.d.;
Cross (tangential) flow filtration components (e.g. modules, elements, cassettes, cartridges, units or plates) with filtration area equal to or greater than 0,2 m2 for each component and designed for use in cross (tangential) flow filtration equipment specified in 2B352.d.;
Poznámka:V položce 2B352.f.2. zahrnují izolátory též pružné izolátory, sušicí boxy, anaerobní komory a rukávové boxy a digestoře s laminárním prouděním (uzavřené s vertikálním prouděním).
Note:In 2B352.f.2., isolators include flexible isolators, dry boxes, anaerobic chambers, glove boxes and laminar flow hoods (closed with vertical flow).
Komory určené k aerosolovým imunologickým testům s „mikroorganismy“, viry nebo „toxiny“, o kapacitě 1 m3 nebo větší.
Chambers designed for aerosol challenge testing with "microorganisms", viruses or "toxins" and having a capacity of 1 m3 or greater.
„Software“ jiný než uvedený v položce 1D003 speciálně konstruovaný pro „užití“ zařízení uvedeného v položce 2B351.
"Software", other than that specified in 1D003, specially designed for "use" of equipment specified in 2B351.
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „výrobu“ zařízení uvedených v položkách 2A nebo 2B.
"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 2A or 2B.
„technologie“ pro „vývoj“ interaktivní grafiky jako nedílné součásti jednotek „číslicového řízení“ pro přípravu nebo úpravu součástkových programů;
"Technology" for the "development" of interactive graphics as an integrated part in "numerical control" units for preparation or modification of part programmes;
„technologie“ pro kovozpracující výrobní procesy:
"Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:
„technologie“ pro navrhování nářadí, lisovacích nástrojů nebo upínacích přípravků speciálně určených pro některý z těchto procesů:
"Technology" for the design of tools, dies or fixtures specially designed for any of the following processes:
„superplastické tváření“,
"Superplastic forming";
„difuzní spojování“nebo
"Diffusion bonding"; or
„přímočinné hydraulické lisování“;
"Direct-acting hydraulic pressing";
„superplastické tváření“ slitin hliníku, slitin titanu nebo „vysoce legovaných slitin“:
"Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
rychlost deformace,
Strain rate;
teplota,
Temperature;
tlak,
Pressure;
„difuzní spojování“„vysoce legovaných slitin“ nebo slitin titanu
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
„přímočinné hydraulické lisování“ slitin hliníku nebo titanu:
"Direct-acting hydraulic pressing" of aluminium alloys or titanium alloys:
„izostatické zhutňování za tepla“ slitin titanu, slitin hliníku nebo „vysoce legovaných slitin“:
"Hot isostatic densification" of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
„technologie“ pro „vývoj“ nebo „výrobu“ hydraulických přetahovacích strojů a jejich forem pro výrobu konstrukcí draků letadel;
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
„technologie“ pro „vývoj“ zařízení pro generování strojních obráběcích instrukcí (tj. součástkových programmů) z konstrukčních dat uložených v jednotkách „číslicového řízení“;
"Technology" for the "development" of generators of machine tool instructions (e.g., part programmes) from design data residing inside "numerical control" units;
„technologie“ pro „vývoj“ integračního „softwaru“ pro začlenění expertních systémů pro vyspělou podporu rozhodování o dílenských operacích do jednotek „číslicového řízení“;
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
„technologie“ depozice anorganických krycích povlaků nebo povlaků pro úpravu anorganického povrchu (uvedené ve sloupci 3 následující tabulky) na podkladové substráty, jiné než elektronické, (uvedené ve sloupci 2 následující tabulky) prostřednictvím procesů uvedených ve sloupci 1 následující tabulky a definovaných v technické poznámce.
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
Poznámka:Tabulka a technická poznámka jsou uvedeny za položkou 2E301.
Note:The table and Technical Note appear after entry 2E301.
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „užití“ zařízení nebo „softwaru“ uvedených v položkách 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 až 2B232, 2D201 nebo 2D202.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B232, 2D201 or 2D202.
Keramika (19) a skla s nízkou roztažností (14)
Ceramics (19) and Low- expansion glasses (14)
„Kompozity“ uhlík-uhlík, keramické a s kovovou „matricí“
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix""composites"
Cementovaný karbid wolframu (16), Karbid křemíku (18)
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
Fyzikální depozice v parní fázi s tepelným odpařováním (TE-PVD)
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
Fyzikální depozice v parní fázi elektronovým svazkem(EB-PVD)
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
Cementovaný karbid wolframu (16), karbid křemíku
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
Fyzikální depozice v parní fázi (PVD): odpařování „aserem“
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
Polymery (11) a „kompozity“ s organickou „matricí“
Polymers (11) and
„Kompozity“ uhlík-uhlík, keramické a s kovovou „matricí“
Organic "matrix""composites" Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix""composites"
Obrusný nikl-grafit Obrusné materiály
Abradable Nickel-Graphite Abradable materials
obsahující Ni-Cr-Al
containing Ni-Cr-Al
Obrusný Al-Si-polyester Legované aluminidy (2)
Abradable Al-Si-Polyester Alloyed aluminides (2)
Tavené silicidy Tavené aluminidys výjimkou aluminidů
Fused silicides
pro odporové topné prvky
Fused aluminides except for resistance heating elements
ušlechtilými kovy (3)
Noble metal modified aluminides (3)
Keramika a skla s nízkou roztažností (14)
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
Přídavky chromu, tantalu nebo niobu (kolumbia)
Additions of Chromium Tantalum orNiobium (Columbium)
‚Procesem depozice‘ se rozumí jak oprava a obnova povlaků, tak i nové povlaky.
The term ’coating process’ includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Povlaky z ‚legovaných aluminidů‘ se rozumějí povlaky připravené v jednom nebo více krocích, při nichž se před depozicí aluminidového povlaku nebo po něm nanáší jeden nebo více prvků, a to i i v případě, že jsou tyto prvky nanášeny jiným procesem.
The term ’alloyed aluminide coating’ includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Povlaky z ‚aluminidů modifikovaných ušlechtilými kovy‘ se rozumějí povlaky připravené ve více krocích, při nichž se se ušlechtilý kov nebo ušlechtilé kovy nanášejí před nanesením aluminidového povlaku jiným procesem depozice.
The term ’noble metal modified aluminide’ coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
‚Jejich směsmi‘ se rozumí infiltrovaný materiál, odstupňované kompozice, současně nanášené povlaky a vícevrsté povlaky, které se získávají jedním nebo více procesy nanášení, jež jsou uvedeny v tabulce.
The term ’mixtures thereof’ includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
Výrazem ‚MCrA1X‘ se rozumí povlaková slitina, kde M je kobalt, železo, nikl nebo jejich kombinace a X je hafnium, yttrium, křemík, tantal v jakémkoli množství nebo jiné záměrné přísady o obsahu vyšším než 0,01 % hmotnostních v různých podílech a kombinacích, kromě:
’MCrAlX’ refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
CoCrAlY povlaků, které obsahují 22 až 24 % hmotnostních chromu, 10 až 12 % hmotnostních hliníku a 0,5 až 0,7 % hmotnostních yttria nebo
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
‚Hliníkovými slitinami‘ se rozumějí slitiny, jejichž mez pevnosti v tahu měřená při 293 K (20 °C) je nejméně 190 MPa.
The term ’aluminium alloys’ refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
‚Korozivzdornou ocelí‘ se rozumí ocel řady 300 podle AISI (American Iron and Steel Institut) nebo ocel vyhovující odpovídajícím národním normám.
The term ’corrosion resistant steel’ refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
‚Žáruvzdornými materiály a slitinami‘ se rozumějí tyto kovy a jejich slitiny: niob (kolumbium), molybden, wolfram a tantal.
’Refractory metals and alloys’ include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
‚Materiály pro okénka snímačů‘ se rozumí: oxid hlinitý, křemík, germanium, sulfid zinečnatý, selenid zinečnatý, arsenid galia, diamant, fosfid galia, safír a tyto halogenidy kovů: materiály okének snímačů o průměru větším než 40 mm v případě fluoridu zirkonia a fluoridu hafnia.
’Sensor window materials’, as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
‚Polymery‘: polyimid, polyester, polysulfid, polykarbonáty a polyurethany.
’Polymers’, as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Výrazem ‚modifikovaný oxidem zirkoničitým‘ se rozumí oxid zirkoničitý, k němuž byly přidány oxidy jiných kovů (např. vápník, hořčík, yttrium, hafnium, oxidy vzácných zemin) za účelem stabilizace některých krystalografických fází a fázových skladeb.
’Modified zirconia’ refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
‚Slitinami titanu‘ se rozumějí pouze slitiny pro letectví a kosmonautiku, jejichž mez pevnosti v tahu, měřená při 293 K (20 °C), je 900 MPa nebo větší.
’Titanium alloys’ refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
‚Skly s nízkou roztažností‘ se rozumějí skla, jejichž koeficient tepelné roztažnosti, měřený při 293 K (20 °C), je 1 × 10–7 K–1 nebo menší.
’Low-expansion glasses’ refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
‚Dielektrickými vrstvami‘ se rozumějí povlaky vytvořené z více vrstev izolačních materiálů, v nichž se pro odraz, prostup nebo absorpci různých vlnových pásem využívají interferenční vlastnosti systému složeného z materiálů o různém indexu lomu.
’Dielectric layers’ are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
‚Cementovaný karbid wolframu‘ nezahrnuje materiály pro řezné a tvářecí nástroje z karbidu wolframu/(kobaltu, niklu), karbidu titanu/(kobaltu, niklu), karbidu chromu/nikl-chromu a karbidu chromu/niklu.
’Cemented tungsten carbide’ does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
‚Karbid křemíku‘ nezahrnuje materiály pro řezné a tvarovací nástroje.
’Silicon carbide’ does not include cutting and forming tool materials.
Poznámky k tabulce – Technika depozice
Table — Deposition techniques — Technical note
Chemická depozice v parní fázi (CVD) je proces nanášení povlaku nebo vytvoření povlaku modifikací povrchu, při kterém se na zahřátý substrát usazuje kov, slitina, „kompozit“, dielektrikum nebo keramika.
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Energii pro tento proces rozkladu nebo chemické reakce lze získat teplem substrátu, plazmou doutnavého výboje nebo „laserovým“ ozářením. Pozn.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
chemické depozice v parní fázi (CVD) patří tyto procesy: depozice směrovaným proudem plynu mimo obal, pulsační chemická depozice v parní fázi, řízená nukleační tepelná depozice (CNTD), plazmochemická depozice v parní fázi.
includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Pozn. 2Obalem se rozumí substrát ponořený do práškové směsi.
denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Pozn. 3Plynné reaktanty používané v procesu mimo obal se získávají za použití stejných základních reakcí a parametrů jako v procesu cementování v prášku, avšak potahovaný substrát není v kontaktu s práškovou směsí.
gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
„laserové“ odpařování využívající k odpařování materiálu, který tvoří povlak, buď pulsní „laserové“ paprsky, nebo „laserové“ paprsky se spojitou vlnou;
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Pozn.:Tato definice nezahrnuje nanášení neřízeným katodickým obloukem na substráty bez předpětí.
definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Plazmovým stříkáním se rozumí buď nízkotlaké plazmové stříkání, nebo vysokorychlostní plazmové stříkání. Pozn.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
1Výrazem nízkotlaký se rozumí, že tlak je nižší než okolní atmosférický tlak. Pozn.
pressure means less than ambient atmospheric pressure.
2Výrazem vysokorychlostní se rozumí, že rychlost plynu na výstupu z trysky je při 293 K (20 °C) a 0,1 MPa vyšší než 750 m/s.
velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Kinetická energie dopadajících iontů způsobuje, že se z povrchu terče uvolňují atomy, které se ukládají na vhodně nastavený substrát. Pozn.
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
se vztahuje pouze na proces triodového, magnetronového nebo reaktivního naprašování, které se používá pro zvýšení přilnavosti povlaku a rychlosti nanášení a na vysokofrekvenční (RF) naprašování používané za účelem odpařování nekovových povlakových materiálů. Pozn.
Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
aktivaci nanášení lze používat iontové paprsky o nízké energii (méně než 5 keV).
N.B.2Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Poznámka 1:Kontrolní status zařízení a součástí popsaných v položkách 3A001 nebo 3A002, jiných než popsaných v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.10. nebo 3A001.a.12., které jsou speciálně konstruované nebo které mají totožné funkční vlastnosti jako jiná zařízení, je určen kontrolním statusem těchto jiných zařízení.
Note 1:The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Poznámka 2:Status integrovaných obvodů popsaných v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.9. nebo 3A001.a.12., které jsou pevně naprogramovány nebo konstruovány pro specifickou funkci v jiných zařízeních, je určen statusem těchto jiných zařízení.
Note 2:The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Pozn.:Pokud výrobce nebo žadatel nemůže určit status jiného zařízení, řídí se status integrovaných obvodů položkami 3A001.a3.. až 3A001.a.9. a 3A001.a.12.
N.B.:When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Poznámka 1:Kontrolní status polovodičových destiček (dokončených nebo nedokončených) s určenou funkcí se hodnotí podle parametrů uvedených v položce 3A001.a.
Note 1:The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
integrované obvody konstruované nebo klasifikované jako radiačně odolné, které vydrží:
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
jsou určeny pro provoz při okolní teplotě nižší 218 K (–55 °C) nebo
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (–55 °C); or
jsou určeny pro provoz v celém intervalu okolních teplot od 218 K (–55 °C) do 398 K (125 °C);
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (–55 °C) to 398 K (125 °C);
„mikroprocesorové mikroobvody“, „mikropočítačové mikroobvody“ a mikroregulátorové mikroobvody vyrobené ze složených polovodičů a pracující při hodinových frekvencích vyšších než 40 MHz;
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
POZN.:VIZ TÉŽ 3A101
ALSO 3A101
rozlišení 12 bitů, s výstupní rychlostí vyšší než 105 milionů slov za sekundu,
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 105 million words per second;
rozlišení větší než 12 bitů, avšak rovnající se nebo menší než 14 bitů, s výstupní rychlostí vyšší než 10 milionů slov za sekundu nebo
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 10 million words per second; or
rozlišení větší než 14 bitů, s výstupní rychlostí vyšší než 2,5 milion slov za sekundu;
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 2,5 million words per second;
číslicově-analogové převodníky s rozlišením nejméně 12 bitů a „dobou ustálení“ menší než 10 ns;
Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more and a "settling time" of less than 10 ns;
Rozlišení n bitu odpovídá kvantizaci 2n stavu.
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
elektrooptické a „optické integrované obvody“ pro „zpracování signálů“, které mají všechny tyto vlastnosti:
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
jedna nebo více vnitřních „laserových“ diod,
One or more than one internal "laser" diode;
‚uživatelem programovatelná logická zařízení‘, která mají některou z těchto vlastností:
’Field programmable logic devices’ having any of the following:
maximální počet číselných vstupů/výstupů je vyšší než 200, nebo
A maximum number of digital input/outputs greater than 200; or
systémový počet hradel vyšší než 230000;
A system gate count of greater than 230000;
‚Uživatelem programovatelná logická zařízení‘ jsou též známa jako uživatelem programovatelná hradla nebo uživatelem programovatelná logická pole.
’Field programmable logic devices’ are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
Maximální počet číselných vstupů/výstupů uvedený v položce 3A001.a.7.a. se rovněž uvádí jako maximální vstupy/výstupy uživatele či maximální dostupné vstupy/výstupy bez ohledu na to, je-li integrovaný obvod v pouzdru, či nezapouzdřený
Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
zákaznické integrované obvody, u nichž výrobci buď není známa funkce nebo není znám kontrolní status zařízení, ve kterém bude integrovaný obvod použit a které mají některou z těchto vlastností:
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
více než 1500 vývodů,
More than 1500 terminals;
typickou „dobu zpoždění základního hradla“ menší než 0,02 ns nebo
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,02 ns; or
procesory pro rychlou Fourierovu transformaci (FFT), jejichž jmenovitá doba provádění pro N-bodovou komplexní FFT činí méně než (N log2 N)/20480 ms, kde N je počet bodů;
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N) /20480 ms, where N is the number of points;
Rovná-li se N 1024 bodům, činí doba provádění podle vzorce uvedeného v položce 3A001.a.12. 500 μs.
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 µs.
Poznámka 1:Položka 3A001.b.1. nezahrnuje elektronky konstruované nebo určené pro provoz v jakémkoliv frekvenčním pásmu se všemi těmito vlastnostmi:
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
jsou „přiděleny podle ITU“ pro radiokomunikační služby, nikoliv však pro navigační rádiové služby.
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Poznámka 2:Položka 3A001.b.1. nezahrnuje elektronky, které nejsou „vhodné pro kosmické aplikace“ a které mají všechny tyto vlastnosti:
Note 2:3A001.b.1. does not control non-"space-qualified" tubes having all of the following:
jsou konstruovány nebo určeny pro činnost v kterémkoliv frekvenčním pásmu se všemi těmito vlastnostmi:
Designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
elektronky pracují při frekvencích vyšších než 31,8 GHz,
Tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
elektronky mají topný prvek katody s dobou náběhu na jmenovitý RF výkon menší než 3 s,
Tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;