natgillin/translations-raw huggingface dataset:
„Software“ speciálně konstruovaný nebo upravený pro „vývoj“, „výrobu“ nebo „užití“ zařízení nebo „softwaru“ uvedených v položkách 5A002, 5B002 nebo 5D002;
"software" specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment or "software", specified in 5A002, 5B002 or 5D002;
„software“ speciálně konstruovaný nebo upravený pro podporu „technologie“ uvedené v položce 5E002;
"software" specially designed or modified to support "technology" specified in 5E002;
Specifický „software“:
specific "software", as follows:
„software“, který má vlastnosti nebo vykonává či simuluje funkce zařízení uvedených v položce 5A002 nebo položce 5B002,
"software" having the characteristics, or performing or simulating the functions of the equipment specified in 5A002 or 5B002;
„software“ pro certifikaci „softwaru“ uvedeného v položce 5D002.c.1.
"software" to certify "software" specified in 5D002.c.1.
Poznámka:Položka 5D002 nezahrnuje tento „software“:
Note:5D002 does not control "software" as follows:
„software“ nezbytný pro „užití“ zařízení, která jsou podle poznámek k položce 5A002 z kontroly vyloučena;
"software" required for the "use" of equipment excluded from control by the Note to 5A002;
„software“ umožňující výkon některé funkce zařízení, která jsou podle poznámky k položce 5A002 z kontroly vyloučena.
"software" providing any of the functions of equipment excluded from control by the Note to 5A002.
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „vývoj“, „výrobu“ nebo „užití“ zařízení nebo „softwaru“ uvedených v položkách 5A002, 5B002 nebo 5D002.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development", "production" or "use" of equipment or "software" specified in 5A002, 5B002 or 5D002.
Akustické systémy, zařízení a součásti:
Acoustic systems, equipment and components, as follows:
Poznámka:Položka 6A001.a.1 nezahrnuje toto zařízení:
Note:6A001.a.1. does not control equipment as follows::
širokozáběrové hloubkové vyměřovací systémy konstruované pro topografické mapování mořského dna a mající všechny tyto vlastnosti:
wide-swath bathymetric survey systems designed for sea bed topographic mapping and having all of the following:
konstruované pro měření pod úhlem odchylujícím se od vertikály o více než 20°,
designed to take measurements at an angle exceeding 20° from the vertical;
konstruované pro měření hloubek nad 600 m pod hladinou vody a
designed to measure depths exceeding 600 m below the water surface; and
konstruované pro:
designed to provide any of the following:
začlenění více paprsků, z nichž je kterýkoliv užší než 1,9°, nebo
incorporation of multiple beams any of which is less than 1,9°; or
konstruované pro provozní dosah jednoznačného rozlišení větší než 5120 m nebo
designed to operate with an unambiguous display range exceeding 5120 m; or
dynamická kompenzace tlaku nebo
dynamic compensation for pressure; or
akustické projektory, včetně měničů, obsahující piezoelektrické, magnetostrikční, elektrostrikční, elektrodynamické nebo hydraulické prvky, pracující individuálně nebo v konstruované kombinaci a mající některou z těchto vlastností:
acoustic projectors, including transducers, incorporating piezoelectric, magnetostrictive, electrostrictive, electrodynamic or hydraulic elements operating individually or in a designed combination and having any of the following:
‚hustota akustické energie‘ okamžitě vyzařované, vyšší než 0,01 mW/mm2/Hz u přístrojů pracujících při frekvencích pod 10 kHz,
an instantaneous radiated "acoustic power density" exceeding 0,01 mW/mm2/Hz for devices operating at frequencies below 10 kHz;
‚hustota akustické energie‘ trvale vyzařované, větší než 0,001 mW/mm2/Hz u přístrojů pracujících při frekvencích pod 10 kHz, nebo
a continuously radiated "acoustic power density" exceeding 0,001 mW/mm2/Hz for devices operating at frequencies below 10 kHz; or
‚Hustota akustické energie‘ se získá dělením výstupního akustického výkonu součinem plochy vyzařujícího povrchu a pracovní frekvence.
"Acoustic power density" is obtained by dividing the output acoustic power by the product of the area of the radiating surface and the frequency of operation.
zařízení, která používají koherentní „zpracování signálů“ mezi dvěma nebo více majáky a hydrofonovou jednotku nesenou povrchovým plavidlem nebo plavidlem pohybujícím se pod vodou;
equipment using coherent "signal processing" between two or more beacons and the hydrophone unit carried by the surface vessel or underwater vehicle;
hydrofony, které mají některou z těchto vlastností:
hydrophones having any of the following:
optická vlákna;
optical fibres;
‚piezoelektrické polymerní filmy‘ jiné než polyvinyliden fluorid (PVDF) a jeho kopolymery P(VDF-TrFE) a P(VDF-TFE) nebo
"piezoelectric polymer films" other than polyvinylidene-fluoride (PVDF) and its copolymers P(VDF-TrFE) and P(VDF-TFE); or
‚pružná piezoelektrická kompozita‘;
"flexible piezoelectric composites";
‚citlivost hydrofonu‘ lepší než –180 dB v jakékoli hloubce bez kompenzace zrychlení;
a "hydrophone sensitivity" better than –180 dB at any depth with no acceleration compensation;
jsou konstruovány pro provoz v hloubkách nad 35 m, s kompenzací zrychlení nebo
designed to operate at depths exceeding 35 m with acceleration compensation; or
Snímací prvky z ‚piezoelektrického polymerního filmu‘ se skládají z polarizovaného polymerního filmu, který je přetažen přes nosný rám nebo cívku (trn) a je s tímto nosným rámem nebo touto cívkou (trnem) spojen.
"Piezoelectric polymer film" sensing elements consist of polarised polymer film that is stretched over and attached to a supporting frame or spool (mandrel).
Snímací prvky z ‚pružného piezoelektrického kompozita‘ se skládají z piezoelektrických keramických částic nebo vláken kombinovaných s elektricky izolující a akusticky transparentní gumou, polymerem nebo epoxidovou sloučeninou, kdy tato sloučenina je nedílnou součástí snímacích prvků.
"Flexible piezoelectric composite" sensing elements consist of piezoelectric ceramic particles or fibres combined with an electrically insulating, acoustically transparent rubber, polymer or epoxy compound, where the compound is an integral part of the sensing elements.
‚Citlivost hydrofonu‘ je definována jako dvacetinásobek dekadického logaritmu poměru efektivního výstupního napětí k referenčnímu napětí 1 V rms, je-li snímač hydrofonu bez předzesilovače umístěn v akustickém poli rovinné vlny s tlakem 1 ìPa rms.
"Hydrophone sensitivity" is defined as twenty times the logarithm to the base 10 of the ratio of rms output voltage to a 1 V rms reference, when the hydrophone sensor, without a pre-amplifier, is placed in a plane wave acoustic field with an rms pressure of 1 μPa.
rozestup mezi skupinami hydrofonů méně než 12,5 m nebo schopná modifikace pro tento rozestup,
hydrophone group spacing of less than 12,5 m or "able to be modified" to have hydrophone group spacing of less than 12,5 m;
jsou konstruovaná nebo ‚schopná modifikace‘ pro provoz v hloubkách větších než 35 m,
designed or "able to be modified" to operate at depths exceeding 35 m;
Výraz ‚schopné modifikace‘ v 6A001.a.2.b.1. a 2. znamená, že existují prostředky, kterými lze modifikovat elektrickou instalaci nebo propojení tak, aby se změnil vzájemný rozestup mezi skupinami hydrofonů nebo omezení pracovní hloubky.
"Able to be modified" in 6A001.a.2.b.1. and 2. means having provisions to allow a change of the wiring or interconnections to alter hydrophone group spacing or operating depth limits.
průměr seskupeného pole menší než 40 mm nebo
an assembled array of less than 40 mm in diameter; or
vyhodnocovací zařízení speciálně konstruovaná pro pole vlečených akustických hydrofonních systémů, která mají „uživatelskou programovatelnost“ a zároveň časové nebo frekvenční doménové zpracování a korelaci, včetně spektrální analýzy, číslicového filtrování a tvarování paprsku za použití rychlé Fourierovy transformace nebo jiných transformací či procesů;
processing equipment, specially designed for towed acoustic hydrophone arrays, having "user accessible programmability" and time or frequency domain processing and correlation, including spectral analysis, digital filtering and beamforming using Fast Fourier or other transforms or processes;
přesnost lepší než ±0,5° a
an accuracy of better than ± 0,5°; and
zahrnují hydrofony uvedené v položce 6A001.a.2.a. nebo
incorporating hydrophones specified in 6A001.a.2.a.; or
jsou konstruovány pro provoz v hloubkách nad 35 m nebo mají nastavitelná nebo odnímatelná hloubková snímací zařízení pro umožnění provozu v hloubkách nad 35 m a
designed to operate at depths exceeding 35 m or having an adjustable or removable depth sensing device in order to operate at depths exceeding 35 m; and
vyhodnocovací zařízení speciálně konstruovaná pro podmořské nebo závěsné kabelové systémy, která mají „uživatelskou programovatelnost“ a zároveň časové nebo frekvenční doménové zpracování a korelaci, včetně spektrální analýzy, číslicového filtrování a tvarování paprsku za použití rychlé Fourierovy transformace nebo jiných transformací či procesů;
processing equipment, specially designed for bottom or bay cable systems, having "user accessible programmability" and time or frequency domain processing and correlation, including spectral analysis, digital filtering and beamforming using Fast Fourier or other transforms or processes;
sonarová registrační zařízení s korelací rychlosti a s Dopplerovými měřiči rychlosti konstruovaná pro měření horizontální rychlosti nosiče zařízení vůči mořskému dnu:
correlation-velocity and Doppler-velocity sonar log equipment, designed to measure the horizontal speed of the equipment carrier relative to the sea bed, as follows:
sonarová registrační zařízení s korelací rychlosti, které mají některou z těchto vlastností:
correlation-velocity sonar log equipment having any of the following characteristics:
jsou konstruovaná pro provoz při vzdálenostech mezi nosičem a mořským dnem větších než 500 m. nebo
designed to operate at distances between the carrier and the sea bed exceeding 500 m; or
mají přesnost rychlosti větší než 1 % rychlosti;
having speed accuracy better than 1 % of speed;
sonarová registrační zařízení s Dopplerovými měřiči rychlosti s přesností rychlosti větší než 1 % rychlosti;
Doppler-velocity sonar log equipment having speed accuracy better than 1 % of speed.
Poznámka 1:6A001.b nezahrnuje hloubkoměry omezené na:
Note 1:6A001.b. does not control depth sounders limited to any of the following:
měření hloubky vody;
measuring the depth of water;
měření vzdálenosti ponořených nebo pohřbených předmětů nebo
measuring the distance of submerged or buried objects; or
vyhledávání ryb.
fish finding.
Poznámka 2:6A001.b nezahrnuje zařízení speciálně konstruované pro instalaci na povrchových plavidlech.
Note 2:6A001.b. does not control equipment specially designed for installation on surface vessels.
Optické snímače nebo zařízení a jejich součásti:
Optical sensors or equipment and components therefor, as follows:
polovodičové detektory „vhodné pro kosmické aplikace“:
"space-qualified" solid-state detectors, as follows:
polovodičové detektory „vhodné pro kosmické aplikace“, které mají všechny tyto vlastnosti:
"space-qualified" solid-state detectors, having all of the following:
maximální citlivost v rozmezí vlnových délek nad 10 nm, avšak nejvýše 300 nm, a
a peak response in the wavelength range exceeding 10 nm but not exceeding 300 nm; and
maximální citlivost v rozmezí vlnových délek nad 900 nm, avšak nejvýše 1200 nm, a
a peak response in the wavelength range exceeding 900 nm but not exceeding 1200 nm; and
„časová konstanta“ citlivosti 95 ns nebo méně;
a response "time constant" of 95 ns or less;
polovodičové detektory „vhodné pro kosmické aplikace“ s maximální citlivostí v rozmezí vlnových délek nad 1200 nm, avšak nejvýše 30000 nm;
"space-qualified" solid-state detectors having a peak response in the wavelength range exceeding 1200 nm but not exceeding 30000 nm;
Poznámka:6A002.a.2 nezhrnuje elektronky fotonásobičů bez zobrazeníse snímacím zařízením ve vakuovém prostoru pouze tohoto typu:
Note:6A002.a.2. does not control non-imaging photomultiplier tubes having an electron sensing device in the vacuum space limited solely to any of the following:
jediná kovová anoda nebo
a single metal anode; or
kovové anody se vzdáleností mezi středy větší než 500 μm.
metal anodes with a centre to centre spacing greater than 500 µm.
‚Zesílení náboje‘ je forma zesílení elektronického obrazu a je definováno jako vznik nosičů náboje v důsledku zesilovacího procesu prostřednictvím ionizace nárazem.
"Charge multiplication" is a form of electronic image amplification and is defined as the generation of charge carriers as a result of an impact ionization gain process.
Snímače pro ‚zesílení náboje‘ mohou mít podobu elektronkových zesilovačů obrazu, detektoru v pevné fázi nebo „ohniskového pole“.
"Charge multiplication" sensors may take the form of an image intensifier tube, solid state detector or "focal plane array".
maximální citlivost v rozmezí vlnových délek nad 400 nm, avšak nejvýše 1050 nm,
a peak response in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 1050 nm;
zesílení elektronového obrazu za využití:
electron image amplification using any of the following:
mikrokanálové desky s roztečí otvorů (od středu ke středu) nejvýše 12 µm nebo
a microchannel plate with a hole pitch (centre-to-centre spacing) of 12 µm or less; or
elektronkového snímacího zařízení s roztečí nesloučených pixelů 500 µm nebo méně, speciálně navrženého nebo upraveného k dosažení ‚zesílení náboje‘ jiného než prostřednictvím mikrokanálové desky, a
an electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 µm or less, specially designed or modified to achieve "charge multiplication" other than by a microchannel plate; and
fotokatody GaAs nebo GaInAs nebo
GaAs or GaInAs photocathodes; or
fotokatody z jiných „sloučenin skupin polovodičů III–V“;
other "III-V compound" semiconductor photocathodes;
Poznámka:Položka 6A002.a.2.a.3.c. nezahrnuje fotokatody ze sloučenin polovodičů s maximální radiantovou citlivostí 10 mA/W nebo nižší.
Note:6A002.a.2.a.3.c. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less.
maximální citlivost v rozmezí vlnových délek nad 1050 nm, avšak nejvýše 1800 nm;
a peak response in the wavelength range exceeding 1050 nm but not exceeding 1800 nm;
elektronkového snímacího zařízení s roztečí nesloučených pixelů 500 µm nebo méně, speciálně navrženého nebo upraveného k dosažení ‚zesílení náboje‘ jiného než prostřednictvím mikrokanálové desky, a
an electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 µm or less, specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ other than by a microchannel plate; and
fotokatody ze sloučenin skupin „polovodičů III-V“ (například GaAs nebo GaInAs) nebo fotokatody na základě převedených elektronů;
"III-V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes;
Poznámka:Položka 6A002.a.2.b.3. nezahrnuje fotokatody ze sloučenin polovodičů s maximální radiantovou citlivostí 15 mA/W nebo nižší.
Note:6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 15 mA/W or less.
mikrokanálové desky s roztečí otvorů (od středu ke středu) nejvýše 12 μm,
microchannel plates having a hole pitch (centre-to-centre spacing) of 12 μm or less;
elektronkové snímací zařízení s roztečí nesloučených pixelů 500 µm nebo méně, speciálně navržené nebo upravené k dosažení ‚zesílení náboje‘ jiného než prostřednictvím mikrokanálové desky;
an electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 µm or less, specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ other than by a microchannel plate;
Poznámka:Položka 6A002.a.2.c.3. nezahrnuje fotokatody ze sloučenin polovodičů konstruované k dosažení maximální radiantové citlivosti:
Note:6A002.a.2.c.3. does not control compound semiconductor photocathodes withdesigned to achieve a maximum radiant sensitivity of any of the following:
10 mA/W nebo nižší při maximální citlivosti v rozmezí vlnových délek nad 400 nm, avšak nejvýše 1050 nm nebo
10 mA/W or less. at the peak response in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 1050 nm; or
15 mA/W nebo nižší při maximální citlivosti v rozmezí vlnových délek nad 1050 nm, avšak nejvýše 1800 nm.
15 mA/W or less at the peak response in the wavelength range exceeding 1050 nm but not exceeding 1800 nm.
„ohnisková pole“, která nejsou „vhodná pro kosmické aplikace“:
non-"space-qualified""focal plane arrays", as follows:
POZN.:„Ohnisková pole“ pro mikrobolometr, která nejsou „vhodná pro kosmické aplikace“, jsou specifikována pouze v položce 6A002.a.3.f.
N.B.:silicon and other material based microbolometer non "space-qualified""focal plane arrays" are only specified in 6A002.a.3.f.
Lineární nebo plošná víceprvková pole detektorů jsou považována za „ohnisková pole“.
Linear or two-dimensional multi-element detector arrays are referred to as "focal plane arrays";
poly(vinylidenfluorid) a varianty, nebo
polyvinylidene fluoride and variants; or
„ohnisková pole“ speciálně navržená nebo upravená k dosažení ‚zesílení náboje‘ a konstrukčně omezená tak, aby jejich maximální radiantová citlivost byla u vlnových délek nad 760 nm nejvýše 10 mA/W, a mající všechny tyto vlastnosti:
"focal plane arrays" specially designed or modified to achieve "charge multiplication" and limited by design to have a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following:
obsahuje mechanismus omezující citlivost, který nelze odstranit ani upravit, a
incorporating a response limiting mechanism designed not to be removed or modified; and
mechanismus pro omezení citlivosti tvoří jeden celek s detekčním prvkem nebo je s ním spojen nebo
the response limiting mechanism is integral to or combined with the detector element; or
„ohniskové pole“ je funkční pouze ve spojení se zavedeným mechanismem pro omezení citlivosti.
the "focal plane array" is only operable with the response limiting mechanism in place.
Mechanismus pro omezení citlivosti, který tvoří jeden celek s detekčním prvkem, je konstruován tak, aby nemohl být odstraněn nebo upraven, aniž by detektor přestal fungovat.
A response limiting mechanism integral to the detector element is designed not to be removed or modified without rendering the detector inoperable.
‚Zesílení náboje‘ je forma zesílení elektronického obrazu a je definováno jako vznik nosičů náboje v důsledku zesilovacího procesu prostřednictvím ionizace nárazem.
"Charge multiplication" is a form of electronic image amplification and is defined as the generation of charge carriers as a result of an impact ionisation gain process.
„ohnisková pole“, která nejsou „vhodná pro kosmické aplikace“ a mají všechny tyto vlastnosti:
non-"space-qualified""focal plane arrays" having all of the following:
jednotlivé prvky s maximální citlivostí v rozmezí vlnových délek nad 900 nm, avšak nejvýše 1050 nm, a
individual elements with a peak response within the wavelength range exceeding 900 nm but not exceeding 1050 nm; and
„časová konstanta“ citlivosti menší než 0,5 ns nebo
a response "time constant" of less than 0,5 ns; or
jsou speciálně navržená nebo upravená k dosažení ‚zesílení náboje‘ a jejich maximální radiantová citlivost je vyšší než 10mA/W.
specially designed or modified to achieve "charge multiplication" and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W;
jednotlivé prvky s maximální citlivostí v rozmezí vlnových délek nad 1050 nm, avšak nejvýše 1200 nm, a
individual elements with a peak response in the wavelength range exceeding 1050 nm but not exceeding 1200 nm; and
„časová konstanta“ citlivosti 95 ns nebo méně nebo
a response "time constant" of 95 ns or less; or
jsou speciálně navržená nebo upravená k dosažení ‚zesílení náboje‘ a jejich maximální radiantová citlivost je vyšší než 10mA/W.
specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W;
nelineární (dvourozměrná) „ohnisková pole“, která nejsou „vhodná pro kosmické aplikace“ s jednotlivými prvky s maximální citlivostí v rozmezí vlnových délek nad 1200 nm, avšak nejvýše 30000 nm;
non-"space-qualified" non-linear (2-dimensional) "focal plane arrays" having individual elements with a peak response in the wavelength range exceeding 1200 nm but not exceeding 30000 nm;
POZN.:„Ohnisková pole“ pro mikrobolometr na bázi křemíku a jiného materiálu, která nejsou „vhodná pro kosmické aplikace“, jsou specifikována pouze v položce 6A002.a.3.f.
N.B.:silicon and other material based "microbolometer" non-"space-qualified""focal plane arrays" are only specified in 6A.002.a.3.f.
lineární (jednorozměrná) „ohnisková pole“, která nejsou „vhodná pro kosmické aplikace“ a která mají všechny tyto vlastnosti:
non-"space-qualified" linear (1-dimensional) "focal plane arrays", having all of the following:
jednotlivé prvky s maximální citlivostí v rozmezí vlnových délek nad 1200 nm, avšak nejvýše 3000 nm, a
individual elements with a peak response in the wavelength range exceeding 1200 nm but not exceeding 3000 nm; and
poměr dráhy snímání prvku detektoru ve směru snímání k dráze snímání prvku detektoru příčně na směr snímání je menší než 3,8 nebo
a ratio of "scan direction" dimension of the detector element to the "cross-scan direction" dimension of the detector element of less than 3,8; or
zpracování signálu v prvku (SPRITE);
signal processing in the element (SPRITE).
Poznámka:6A002.a.3.d nezahrnuje „ohnisková pole“ (nelze překročit 32 prvků), přičemž prvky detektoru jsou omezeny pouze na germaniový materiál.
Note:6A002.a.3.d. does not control "focal plane arrays" (not to exceed 32 elements) having detector elements limited solely to germanium material.
Pro účely položky 6A002.a.3.d. je význam pojmu ‚příčně na směr snímání‘ definován jako osa rovnoběžná s lineárním polem prvků detektoru a pojem ‚směr snímání‘ je definován jako osa kolmá k lineárnímu poli prvků detektoru.
For the purposes of 6A002.a.3.d., "cross-scan direction" is defined as the axis parallel to the linear array of detector elements and the ’scan direction’ is defined as the axis perpendicular to the linear array of detector elements.
lineární (jednorozměrná) „ohnisková pole“, která nejsou „vhodná pro kosmické aplikace“ s jednotlivými prvky s maximální citlivostí v rozmezí vlnových délek nad 3000 nm, avšak nejvýše 30000 nm;
non-"space-qualified" linear (1-dimensional) "focal plane arrays", having individual elements with a peak response in the wavelength range exceeding 3000 nm but not exceeding 30000 nm.
nelineární (dvourozměrná) infračervená „ohnisková pole“, která nejsou „vhodná pro kosmické aplikace“, na bázi ‚mikrobolometrového‘ materiálu s nefiltrovanou odezvou v rozsahu vlnových délek 8000 nm nebo vyšší, avšak nejvýše 14000 nm;
non-"space-qualified" non-linear (2-dimensional) infrared "focal plane arrays" based on "microbolometer" material having individual elements with an unfiltered response in the wavelength range equal to or exceeding 8000 nm but not exceeding 14000 nm.
Pro účely položky 6A002.a.3.f. je ‚mikrobolometr‘ definován jako tepelný zobrazovací detektor, který se používá pro generování využitelného signálu, jenž vzniká v důsledku teplotní změny v detektoru způsobené pohlcením infračerveného záření.
For the purposes of 6A002.a.3.f. "microbolometer" is defined as a thermal imaging detector that, as a result of a temperature change in the detector caused by the absorption of infrared radiation, is used to generate any usable signal.
jednotlivé detekční prvky s maximální citlivostí v rozmezí vlnových délek nad 400 nm, avšak nejvýše 900 nm,
individual detector elements with a peak response in the wavelength range exceeding 400 nm but not exceeding 900 nm;
jsou speciálně navržená nebo upravená k dosažení ‚zesílení náboje‘ a jejich maximální radiantová citlivost u vlnových déle nad 760 nm je vyšší než 10mA/W a
specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W for wavelengths exceeding 760 nm; and
mají více než 32 prvků.
greater than 32 elements.