natgillin/translations-raw huggingface dataset:
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 37,5 GHz a nejvýše 43,5 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 0,25 W (24 dBm) s "frakční šířkou pásma" větší než 10 % nebo
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 43,5 GHz.
rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz.
Poznámka 1:Položka 3A001.b.2 nezahrnuje rozhlasová a televizní satelitní zařízení konstruovaná nebo určená pro provoz ve frekvenčním rozsahu 40,5 GHz až 42,5 GHz.
Note 1:3A001.b.2. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 GHz to 42,5 GHz.
Poznámka 2:Kontrolní status MMIC, jehož jmenovitá provozní frekvence zahrnuje frekvence uvedené ve více než jednom frekvenčním pásmu podle 3A001.b.2.a až 3A001.b.2.f. je určen nejnižším prahem průměrného výstupu výkonu.
Note 2:the control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Poznámka 3:Poznámky 1 a 2 ke kategorii 3 znamenají, že 3A001.b.2 nezahrnuje MMICs, pokud jsou speciálně vyrobené pro jiné použití, např. telekomunikace, radary, automobily.
Note 3:Notes 1 and 2 in the chapeau to Category 3 mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
Diskrétní mikrovlnné transistory, které mají některou z těchto vlastností:
discrete microwave transistors having any of the following:
určené pro provoz při frekvencích vyšších než 3,2 GHz a nejvýše 6 GHz a mající průměrný výstupní výkon vyšší než 60 W (47,8 dBm);
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and having an average output power greater than 60W (47,8 dBm);
určené pro provoz při frekvencích vyšších než 6 GHz a nejvýše 31,8 GHz a mající průměrný výstupní výkon vyšší než 20 W (43 dBm);
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and having an average output power greater than 20W (43 dBm);
určené pro provoz při frekvencích vyšších než 31,8 GHz a nejvýše 37,5 GHz a mající průměrný výstupní výkon vyšší než 0,5 W (27 dBm);
rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and having an average output power greater than 0,5W (27 dBm);
určené pro provoz při frekvencích vyšších než 37,5 GHz a nejvýše 43,5 GHz a mající průměrný výstupní výkon vyšší než 1 W (30 dBm) nebo
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
Poznámka:Kontrolní status tranzistoru, jehož jmenovitá provozní frekvence zahrnuje frekvence uvedené ve více než jednom frekvenčním pásmu podle 3A001.b.3.a až 3A001b.3.e., je určen nejnižším prahem průměrného výstupního výkonu.
Note:the control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
mikrovlnné zesilovače v pevné fázi a mikrovlnné montážní celky/moduly obsahující mikrovlnné zesilovače, které mají některou z těchto vlastností:
microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave amplifiers having any of the following:
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 3,2 GHz a nejvýše 6 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 60 W (47,8 dBm) s "frakční šířkou pásma" větší než 15 %;
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 60W (47,8 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 6 GHz a nejvýše 31,8 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 15 W (42 dBm) s "frakční šířkou pásma" větší než 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15W (42 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 37,5 GHz a nejvýše 43,5 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 1 W (30 dBm) s "frakční šířkou pásma" větší než 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 43,5 GHz nebo
rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz; or
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 3,2 GHz a mají všechny tyto vlastnosti:
rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
průměrný výstupní výkon (ve wattech) P větší než 150 děleno maximální operační frekvencí (v GHz) na druhou [P>150 W*GHz2/fGHz2],
an average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P>150 W*GHz2/fGHz2];
frakční šířka pásma 5 % nebo více a
a fractional bandwidth of 5 % or greater; and
dvě strany kolmé o délce d (v cm) nejvýše 15 děleno nejmenší operační frekvencí v GHz [d≤ 15cm*GHz/fGHz];
any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d = 15 cm*GHz/fGHz].
3,2 GHz by měla být použita jako nejnižší provozní frekvence (fGHz) ve vzorci uvedeném v položce 3A001.b.4.f.3 u zesilovačů, jež mají jmenovitý provozní rozsah směrem dolů až 3,2 GHz a nižší [d≤15 cm*GHz/3,2 GHz].
3,2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3,2 GHz and below [d ≤ 15 cm*GHz/3,2 GHz].
POZN.:Zesilovače výkonu mmIC by měly být hodnoceny podle kritérií v položce 3A001.b.2.
N.B.:MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
Poznámka 1:Položka 3A001.b.4 nezahrnuje rozhlasová a televizní satelitní zařízení konstruovaná nebo určená pro provoz ve frekvenčním rozsahu 40,5 GHz až 42,5 GHz.
Note 1:3A001.b.4. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 to 42,5 GHz.
Poznámka 2:Kontrolní status mmIC, jehož jmenovitá provozní frekvence zahrnuje frekvence uvedené ve více než jednom frekvenčním pásmu podle 3A001.b.4.a až 3A001.b.4.e, je určen nejnižším prahem průměrného výstupu výkonu.
Note 2:the control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
elektronicky nebo magneticky laditelné pásmové propusti nebo pásmové zdrže, které mají více než 5 laditelných rezonátorů s možností ladění 1,5:1 přes frekvenční pásmo (fmax/fmin) za méně než 10 ìs a které mají některou z těchto vlastností:
electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs having any of the following:
šířka pásma propusti větší než 0,5 % středové frekvence nebo
a band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
šířka pásma zdrže menší než 0,5 % středové frekvence;
a band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
směšovače a konvertory konstruované pro rozšíření frekvenčního rozsahu zařízení popsaných v položkách 3A002.c., 3A002.e. nebo 3A002.f. nad stanovené mezní hodnoty;
mixers and converters designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
mikrovlnné zesilovače výkonu obsahující elektronky uvedené v položce 3A001.b., které mají všechny tyto vlastnosti:
microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b. and having all of the following:
pracovní frekvence vyšší než 3 GHz,
operating frequencies above 3 GHz;
průměrná výstupní hustota výkonu vyšší než 80 W/kg a
an average output power density exceeding 80 W/kg; and
objem menší než 400 cm3;
a volume of less than 400 cm3;
Poznámka:Položka 3A001.b.8. nezahrnuje zařízení konstruovaná nebo určená pro provoz v kterémkoliv frekvenčním pásmu, které je "přiděleno podle ITU" pro radiokomunikační služby, nikoliv však pro navigační rádiové služby.
Note:3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Mikrovlnné výkonové moduly (MPM), sestávající nejméně z elektronek s postupnou vlnou, mikrovlnného monolitickéhe integrovaného obvodu a integrovaného elektronického regulátoru napětí, které mají všechny tyto vlastnosti:
microwave power modules (MPM), consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave monolithic integrated circuit and an integrated electronic power conditioner, having all of the following characteristics:
čas zapnutí z vypnutého stavu do plně provozního stavu kratší než 10 sekund;
a turn-on time from off to fully operational in less than 10 seconds;
objem menší než je maximální jmenovitý výkon ve wattech násobený 10 cm3/W; a
a volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
"okamžitou šířku pásma" větší než 1 oktáva (fmax > 2 fmin) a kteroukoliv z těchto vlastností:
an "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax. > 2 fmin.) and any of the following:
Pro frekvence rovné nebo nižší než 18 GHz, vysokofrekvenční (RF) výstupní výkon vyšší než 100 W; nebo
for frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
Mající frekvenci vyšší než 18 GHz.
having a frequency greater than 18 GHz.
Pro výpočet kontrolního objemu v položce 3A001.b.9.b., je poskytnut tento příklad: pro maximální jmenovitý výkon 20 W by objem činil: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
to calculate the control volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Čas zapnutí v položce 3A001.b.9.a. znamená dobu od plně vypnutého stavu do plně provozního stavu; tzn. tento čas zahrnuje dobu zahřátí MPM.
the turn-on time in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational; i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
zařízení s akustickou vlnou a speciálně pro ně konstruované součásti:
acoustic wave devices, as follows, and specially designed components therefor:
zařízení s povrchovou akustickou vlnou a s podpovrchovou akustickou vlnou (tj. zařízení na "zpracování signálů" používající elastické vlny v materiálech), které mají některou z těchto vlastností:
surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves in materials), having any of the following:
nosná frekvence vyšší než 2,5 GHz,
a carrier frequency exceeding 2,5 GHz;
nosná frekvence vyšší než 1 GHz, ale nejvýše 2,5 GHz, a některá z těchto vlastností:
a carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 2,5 GHz, and having any of the following:
potlačení postranních laloků frekvence větší než 55 dB,
a frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB;
součin maximální doby zpoždění a šířky pásma (doba v μs a šířka pásma v MHz) větší než 100,
a product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
šířka pásma větší než 250 MHz nebo
a bandwidth greater than 250 MHz; or
disperzní zpoždění větší než 10 μs nebo
a dispersive delay of more than 10 μs; or
nosná frekvence nejvýše 1 GHz a některá z těchto vlastností:
a carrier frequency of 1 GHz or less, having any of the following:
potlačení postranních laloků frekvence větší než 55 dB a šířka pásma větší než 50 MHz;
a frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB and a bandwidth greater than 50 MHz;
zařízení s prostorovou akustickou vlnou (tj. zařízení na "zpracování signálů", která používají elastické vlny), jež umožňují přímé zpracování signálů při frekvencích větších 1 GHz;
bulk (volume) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves) which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 1 GHz;
akusticko-optická zařízení na "zpracování signálů", která využívají interakci mezi akustickými vlnami (prostorovými nebo povrchovými) a světelnými vlnami a umožňují přímé zpracování signálů nebo obrazů, včetně spektrální analýzy, korelace nebo konvoluce;
acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
elektronická zařízení a obvody, které obsahují součástky vyrobené ze "supravodivých" materiálů speciálně konstruovaných pro činnost při teplotách pod "kritickou teplotou" alespoň jedné ze "supravodivých" složek a které mají některou z těchto vlastností:
electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents, with any of the following:
spínání proudu pro číslicové obvody využívající "supravodivá" hradla se součinem doby zpoždění na jedno hradlo (v sekundách) a ztráty výkonu na jedno hradlo (ve wattech) menším než 10–14 J nebo
current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
frekvenční selekce při všech frekvencích využívajících rezonanční obvody s hodnotami jakosti Q vyššími než 10000;
frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
vysokoenergetická zařízení:
high energy devices, as follows:
’články’:
’cells’, as follows:
’primární články’, které mají ’hustotu energie’ 550 Wh/kg při 20 °C;
’primary cells’ having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
’sekudnární články’, které mají ’hustotu energie’ vyšší než 250 Wh/kg;
’secondary cells’ having 250 Wh/kg;
Pro účely položky 3A001.e.1., se ’hustota energie’ (Wh/kg) vypočte z jmenovitého napětí vynásobeného jmenovitou kapacitou v ampérhodinách děleno hmotností v kilogramech.
For the purpose of 3A001.e.1., "energy density" (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere hours divided by the mass in kilograms.
Pokud jmenovitá kapacita není uvedena, vypočítá se hustota energie z čtverce jmenovitého napětí vynásobeného poté dobou vybíjení, v hodinách děleno vybíjecí zátěží v ohmech a hmotností v kilogramech.
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
Pro účely položky 3A001.e.1. se ’článkem’ rozumí elektrochemické zařízení, které má kladné i záporné elektrody, a elektrolyt, a je zdrojem elektrické energie.
for the purpose of 3A001.e.1., a ’cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, and electrolyte, and is a source of electrical energy.
Jedná se o základní stavební prvek baterie.
It is the basic building block of a battery.
Pro účely položky 3A001.e.1.a. se ’primárním článkem’ rozumí ’článek’, který není určen k tomu, aby byl nabíjen jiným zdrojem.
for the purpose of 3A001.e.1.a., a ’primary cell’ is a ’cell’ that is not designed to be charged by any other source.
Pro účely položky 3A001.e.1.b. se ’sekundárním článkem’ rozumí ’článek’, který je určen k tomu, aby byl nabíjen vnějším elektrickým zdrojem.
for the purpose of 3A001.e.1.b., a ’secondary cell’ is a ’cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
Poznámka:Položka 3A001.e.1. nezahrnuje baterie, včetně jednočlánkových baterií.
Note:3A001.e.1. does not control batteries, including single cell batteries.
v ysokoenergetické akumulační kondenzátory:
high energy storage capacitors, as follows:
POZN.:VIZ TÉŽ 3A201.a.
N.B.:SEE ALSO 3A201.a.
kondenzátory s opakovací frekvencí méně než 10 Hz (jednorázové akumulační kondenzátory), které mají všechny tyto vlastnosti:
capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) having all of the following:
jmenovité napětí rovnající se nebo větší než 5 kV,
a voltage rating equal to or more than 5 kV;
hustota energie rovnající se nebo větší než 250 J/kg a
an energy density equal to or more than 250 J/kg; and
celková energie rovnající se nebo větší než 25 kJ;
a total energy equal to or more than 25 kJ;
kondenzátory s opakovací frekvencí nejméně 10 Hz, které mají všechny tyto vlastnosti:
capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) having all of the following:
hustota energie rovnající se nebo větší než 50 J/kg,
an energy density equal to or more than 50 J/kg;
celková energie rovnající se nebo větší než 100 J a
a total energy equal to or more than 100 J; and
životnost rovnající se nebo větší než 10000 cyklů nabití/vybití;
a charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
POZN.:VIZ TÉŽ 3A201.b.
N.B.:SEE ALSO 3A201.b.
Poznámka:Položka 3A001.e.3 nezahrnuje "supravodivé" elektromagnety nebo solenoidy speciálně konstruované pro lékařské přístroje k zobrazování na principu magnetické rezonance (MRI).
Note:3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
energie dodaná při vybití vyšší než 10 kJ během první sekundy,
energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
vnitřní průměr vinutí vedoucích proud větší než 250 mm a
inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
jsou určeny pro magnetickou indukci větší než 8 T nebo "celkovou proudovou hustotu" ve vinutí větší než 300 A/mm2;
rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
Solární články, sestavy propojených článků s krycím sklem (CIC), solární panely a solární pole, které jsou "vhodné pro kosmické aplikace", a jejichž minimální průměrná účinnost při provozní teplotě 301 K (28 °C) za simulovaného osvětlení ’AM0’ s intenzitou ozáření 1367 wattů na metr čtvereční (W/m2) je vyšší než 20 %.
solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2).
Pojmem ’AM0’ nebo ’Air Mass Zero’ se rozumí spektrální intenzita záření slunečního světla ve vnější atmosféře Země, je-li vzdálenost Země od Slunce jedna astronomická jednotka (AU).
’AM0’, or ’Air Mass Zero’, refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
snímače absolutní polohy se vstupem z otočného hřídele, které mají některou z těchto vlastností:
rotary input type shaft absolute position encoders having any of the following:
rozlišení lepší než 1:265000 (rozlišení 18 bitů) z celého rozsahu stupnice nebo
a resolution of better than 1 part in 265000 (18 bit resolution) of full scale; or
přesnost lepší než ±2,5 úhlové vteřiny.
an accuracy better than ±2,5 seconds of arc.
Polovodičová pulsní výkonová spínací tyristorová zařízení a "tyristorové moduly", využívající buď elektricky, opticky řízených metod spínání nebo metod spínání řízených elektronovým zářením, a které mají kteroukoliv z těchto vlastností:
solid-state pulsed power switching thyristor devices and ’thyristor modules’ using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods, having any of the following:
Maximální rychlost růstu proudu při zapnutí (di/dt) vyšší než 30000 A/μs a napětí ve vypnutém stavu vyšší než 1100 V; nebo
a maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
Maximum rychlost růstu proudu (di/dt) vyšší než 2000 A/μs a všechny tyto vlastnosti:
a maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and all of the following:
Špičkové napětí při vypnutém stavu rovno nebo vyšší než 3000 V; a
an off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
Špičkový (rázový) proud rovný neb vyšší než 3000 A.
a peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
Pozn 1:Položka 3A001.g. zahrnuje:
Note 1:3A001.g. includes:
Křemíkově řízené usměrňovače (SCRs)
silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Elektricky spínané tyristory (ETTs)
electrical Triggering Thyristors (ETTs)
Světlem spínané tyristory (LTTs)
light Triggering Thyristors (LTTs)
Integrované hradlem komutované tyristory (IGCTs)
integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
Hradlem vypínané tyristory (GTOs)
gate Turn-off Thyristors (GTOs)
Tyristory řízené MOS (MCTs)
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
Solidtrony
solidtrons
Pozn 2:Položka 3A001.g. nezahrnuje řídící tyristorová zařízení a ’tyristorové moduly’ zahrnuté do vybavení určeného pro aplikace na civilních železnicích nebo v "civilních letadlech".
Note 2:3A001.g. does not control thyristor devices and ’thyristor modules’ incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Pro účely položky 3A001.g. obsahuje ’tyristorový modul’ jedno nebo více tyristorových zařízení.
For the purposes of 3A001.g., a ’thyristor module’ contains one or more thyristor devices.
záznamová zařízení a pro ně speciálně konstruované zkušební pásky:
recording equipment, as follows, and specially designed test tape therefor:
analogové přístrojové magnetopáskové záznamníky, včetně těch, které umožňují záznam číslicových signálů (např. používající modul s velkokapacitním číslicovým záznamem (HDDR)), které mají některou z těchto vlastností:
analogue instrumentation magnetic tape recorders, including those permitting the recording of digital signals (e.g. using a high density digital recording (HDDR) module), having any of the following:
šířka pásma větší než 4 MHz na jeden elektronický kanál nebo stopu,
a bandwidth exceeding 4 MHz per electronic channel or track;
šířka pásma větší než 2 MHz na jeden elektronický kanál nebo stopu a počet stop větší než 42 stop nebo
a bandwidth exceeding 2 MHz per electronic channel or track and having more than 42 tracks; or
chyba (základní) časového posunu, měřená v souladu s příslušnými dokumenty IRIG nebo EIA, menší než ±0,1 μs;
a time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ±0,1 μs;
Poznámka:Analogové magnetopáskové záznamníky speciálně konstruované pro civilní videozáznamy nejsou považovány za přístrojové magnetopáskové záznamníky.
Note:analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
číslicové videorekordéry s magnetickou páskou, které mají maximální přenosovou rychlost na číslicovém rozhraní vyšší než 360 Mbits/s;
digital video magnetic tape recorders having a maximum digital interface transfer rate exceeding 360 Mbits/s;
Poznámka:Položka 3A002.a.2. nezahrnuje číslicové videorekordéry s magnetickou páskou speciálně konstruované pro televizní záznam používající formát signálu, který může zahrnovat stlačený formát signálu podle normy nebo doporučení ITU, IEC, SMPTE, EBU, ETSI nebo IEEE pro civilní televizní užití.
Note:3A002.a.2. does not control digital video magnetic tape recorders specially designed for television recording using a signal format, which may include a compressed signal format, standardised or recommended by the ITU, the IEC, the SMPTE, the EBU, the ETSI or the IEEE for civil television applications.