natgillin/translations-raw huggingface dataset:
‚Spojitý přenos‘ je nejvyšší rychlost přenosu dat, při níž je přístroj schopen dodávat data do velkokapacitní paměti bez ztráty jakékoli informace a při zachování vzorkovací rychlosti a analogově číslicové převoditelnosti.
"Continuous throughput" is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
zařízení pro nahrávání číslicových (digitálních) dat, která používají techniku magnetického disku a mají všechny tyto vlastnosti:
digital instrumentation data recorders, using magnetic disk storage technique and having all of the following:
‚spojitý přenos dat‘ nejméně 1 Gbit/s;
a "continuous throughput" of 1 Gbit/s or more;
„elektronické sestavy“„frekvenčních syntetizátorů“, které mají „dobu přepínání frekvence“ z jedné vybrané frekvence na druhou nižší než 1 ms;
"frequency synthesiser""electronic assemblies" having a "frequency switching time" from one selected frequency to another of less than 1 ms;
Pozn:Kontrolní status „analyzátorů signálů“, generátorů signálů, síťových analyzátorů, a mikrovlnných zkušebních přijímačů jako samostatně používaných přístrojů určují položky 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. a 3A002.f. podle uvedeného pořadí.
Note:the control status of "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers as stand-alone instruments is determined by 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., and 3A002.f., respectively.
radiofrekvenční „analyzátory signálů“:
radio frequency "signal analysers" as follows:
„analyzátory signálů“, které jsou schopné analyzovat frekvence vyšší než 31,8 GHz, avšak nepřesahující 37,5 GHz, a které mají šířku pásma rozlišení 3 dB (RBW) přesahující 10 MHz,
"signal analysers"capable of analysing frequencies exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz and having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz;
„analyzátory signálů“, které jsou schopné analyzovat frekvence vyšší než 43,5 GHz,
"signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 43,5 GHz;
„dynamické analyzátory signálů“, jejichž „šířka pásma v reálném čase“ je větší než 500 kHz;
"dynamic signal analysers" having a "real-time bandwidth" exceeding 500 kHz;
Poznámka:Položka 3A002.c.3. nezahrnuje takové „dynamické analyzátory signálů“, které používají pouze pásmové filtry s konstantním procentem (známé též jako oktávové filtry nebo filtry se zlomky oktáv).
Note:3A002.c.3. does not control those "dynamic signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
maximální syntetizovaná frekvence vyšší než 31,8 GHz a nejvýše 43,5 GHz a určená ke generování ‚impulzu trvajícího‘ méně než 100 ns,
a maximum synthesised frequency exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz and rated to generate a ’pulse duration’ of less than 100 ns;
„doba přepínání frekvence“ z jedné vybrané frekvence na druhou, určená podle kteréhokoli z těchto pravidel:
a "frequency switching time" from one selected frequency to another as specified by any of the following:
kratší než 250 μs pro každou změnu frekvence přesahující 550 MHz v rámci syntetizovaného frekvenčního rozsahu přesahujícího 10,6 GHz, avšak nepřesahujícího 31,8 GHz;
less than 250 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
kratší než 500 μs pro každou změnu frekvence přesahující 550 MHz v rámci syntetizovaného frekvenčního rozsahu přesahujícího 31,8 GHz, avšak nepřesahujícího 43,5 GHz, nebo
less than 500 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
kratší než 1 ms v rámci syntetizovaného frekvenčního rozsahu přesahujícího 43,5 GHz, nebo
less than 1 ms within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz; or
Poznámka 1:Pro účely položky 3A002.d. zahrnují generátory frekvenčních syntetizovaných signálů generátory s libovolným tvarem vlny a libovolnou funkci.
Note 1:for the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Pro účely položky 3A002.d.1. se ‚trváním impulsu‘ rozumí časový interval meziokamžikem, kdy čelní okraj impulsu dosahuje 90 % vrcholné hodnoty a okamžikem, kdy zadní okraj impulsu dosahuje 10 % vrcholné hodnoty.
for the purposes of 3A002.d.1., "pulse duration" is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
atomové frekvenční normály, které mají některou z těchto vlastností:
atomic frequency standards being any of the following:
„vhodné pro kosmické aplikace“;
"space qualified";
bez rubidia a s dlouhodobou stabilitou menší (lepší) než 1 × 10–11/měsíc nebo
non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
nejsou „vhodné pro kosmické aplikace“ a mají všechny tyto vlastnosti:
non-"space qualified" and having all of the following:
rubidiové normály;
being a rubidium standard;
dlouhodobá stabilita menší (lepší) než 1 × 10–11/měsíc a
long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; and
celková spotřeba energie menší než 1 W.
total power consumption of less than 1 W.
Chladicí a rozprašovací tepelné řídící systémy využívající zařízení, které ovládá a upravuje oběh uzavřené tekutiny v utěsněném prostředí, přičemž dielektrická tekutina je rozprášená na elektronické součástky s použitím speciálně vyrobeného rozstřikovače, který udržuje v rámci operačního rozpětí teplotu elektronických součástek a zvlášť pro tento účel vyrobených součástí.
Spray cooling thermal management systems employing closed loop fluid handling and reconditioning equipment in a sealed enclosure where a dielectric fluid is sprayed onto electronic components using specially designed spray nozzles that are designed to maintain electronic components within their operating temperature range, and specially designed components therefor.
analogově-číslicové převodníky použitelné v „řízených střelách“, konstruované tak, aby splňovaly vojenské specifikace pro robustní zařízení;
analogue to digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedised equipment;
‚Tepelné baterie‘ konstruované nebo upravené pro ‚řízené střely‘.
"Thermal batteries" designed or modified for "missiles".
V položce 3A102 se ‚tepelnými bateriemi‘ rozumějí baterie na jedno použití, které obsahují jako elektrolyt pevnou nevodivou organickou sůl.
In 3A102 "thermal batteries" are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
V položce 3A102 se ‚řízenými střelami‘ rozumějí kompletní raketové systémy a systemy bezpilotních vzdušných dopravních prostředků s dosahem více než 300 km.
In 3A102 "missile" means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
pracovní napětí větší než 1,4 kV;
voltage rating greater than 1,4 kV;
uchovaná energie větší než 10 J;
energy storage greater than 10 J;
sériová induktance menší než 50 nH nebo
series inductance less than 50 nH; or
pracovní napětí větší než 750 V;
voltage rating greater than 750 V;
Poznámka:Položka 3A201.b. nezahrnuje magnety speciálně konstruované a vyvážené „jako součásti“ lékařských systémů k zobrazování na principu nukleární magnetické rezonance (NMR).
Note:3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported "as parts of" medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Výraz „jako součásti“ nemusí nezbytně znamenat fyzickou součást v rámci stejné dodávky; oddělené dodávky z různých zdrojů jsou povoleny za předpokladu, že příslušná vývozní dokumentace jasně vymezuje vztah těchto dodávek „jako součásti“ zobrazovacího systému.
The phrase "as part of" does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched "as part of" the imaging systems.
‚účinnost‘ (K) 0,25 nebo vyšší nebo
with a "figure of merit" (K) of 0,25 or greater; or
‚špičkový výkon‘ větší než 50 MW.
a "peak power" greater than 50 MW.
‚Účinnost‘ K je definována jako:
The "figure of merit" K is defined as:
Q je rovno integrálu i podle t pro dobu méně než 1 μs nebo dobu trvání pulsu (Q = H idt), kde i je proud paprsku v ampérech a t je doba v sekundách.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
‚Špičkový výkon‘ = (špičkové napětí ve voltech) × (špičkový proud paprsku v ampérech).
"Peak power" = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
vícefázový výstup s výkonem nejméně 40 W;
multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
jsou schopné provozu ve frekvenčním rozsahu 600 až 2000 Hz;
capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
Vysokoproudé pulsní generátory:
High-current pulse generators as follows:
POZN.:Viz 1A007.a. pro výbušné rozbuškové odpalovací systémy.
N.B.:See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
„náběhový čas“ kratší než 10 μs při zatížení menším než 40 Ω,
having a "rise time" of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
V položce 3A229.b.5. je „náběhový čas“ definován jako časový interval od 10 % do 90 % proudové amplitudy při odporovém zatížení.
"rise time" is defined as the time interval from 10 % to 90 % current amplitude when driving a resistive load.
výstupní napětí větší než 6 V při odporovém zatížení menším než 55 Ω a
output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
‚pulsní přechodový čas‘ menší než 500 ps.
"pulse transition time" less than 500 ps.
V položce 3A230 je ‚pulsní přechodový čas‘ definován jako časový interval mezi 10 % a 90 % napěťové amplitudy.
In 3A230, "pulse transition time" is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Vícebodové rozbuškové systémy jiné než systémy uvedené v položce 1A007:
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
POZN.:Viz 1A007.b. pro rozněcovače.
N.B.:See 1A007.b. for detonators.
plazmové hmotnostní spektrometry s induktivní vazbou (ICP/MS);
inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
hmotnostní spektrometry s doutnavým výbojem (GDMS);
glow discharge mass spectrometers (GDMS);
hmotnostní spektrometry s tepelnou ionizací (TIMS);
thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
hmotnostní spektrometry s elektronovým ostřelováním, které mají komoru zdroje vyrobenou z materiálů odolných vůči UF6 nebo takovým materiálem pokrytou nebo vyloženou;
electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
schopná produkovat vrstvy s rovnoměrností tloušťky méně než ±2,5 % v rozsahu vzdálenosti 75 mm nebo více z jiného materiálu než je silikon,
equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ±2,5 % across a distance of 75 mm or more;
reaktory pro chemickou depozici v parní fázi za použití organokovových sloučenin (MOCVD), speciálně konstruované pro růst krystalů složených polovodičů chemickou reakcí mezi materiály uvedenými v položce 3C003 nebo 3C004,
metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
zařízení konstruovaná pro iontovou implantaci, která mají některou z těchto vlastností:
equipment designed for ion implantation and having any of the following:
energie paprsku 65 keV nebo více a paprskový proud 45 mA nebo více pro implantování kyslíku s vysokou energií do zahřáté „podložky“ z polovodičového materiálu;
a beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Zařízení na chemické nanášení v parní fázi (CVD) zesílené plazmou:
plasma enhanced chemical vapour deposition (CVD) equipment as follows:
zařízení speciálně navržené pro zařízení uvedené v položce 3B001.e. a navržené podle technických podmínek výrobce anebo optimalizované pro použití při výrobě polovodičových nástrojů s kritickými rozměry 180 nm anebo méně;
equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Poznámka:Položka 3B001.e. nezahrnuje automatické robotizované manipulační systémy pro destičky polovodičů, které nejsou konstruovány pro provoz ve vakuovém prostředí.
Note:3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
nastavovací a krokovací nebo krokovací a snímací zařízení na zpracování destiček polovodičů za použití fotooptických nebo rentgenových metod, která mají některou z těchto vlastností:
align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
schopnost exponovat obrazce s ‚velikostí nejmenšího rozlišitelného prvku‘ 180 nm nebo menší;
capable of producing a pattern with a "minimum resolvable feature size" of 180 nm or less;
‚Velikost nejmenšího rozlišitelného prvku‘ se vypočítá podle vzorce:
The "minimum resolvable feature size" is calculated by the following formula:
MRF = ‚velikost nejmenšího rozlišitelného prvku‘.
MRF = "minimum resolvable feature size"
Nástroje pro tiskovou litografii technikou‚Step and flash‘ (S-FIL) bavení pro tiskovou litografii schopné vyrábět struktury o velikosti 180 nm nebo menší;
step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Zařízení speciálně konstruovaná pro výrobu masek nebo zpracování polovodičových součástek za použití metod přímého zápisu, která mají všechny tyto vlastnosti:
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
využívají vychylovaného zaostřeného elektronového paprsku, iontového paprsku nebo „laserového“ paprsku a
using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
stopu paprsku menší než 0,2 μm,
a spot size smaller than 0,2 µm;
jsou schopná vytvořit obrazec o velikosti prvku menší než 1 μm nebo
being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 µm; or
přesnost překrytí je lepší než ±0,20 μm (3 sigma);
an overlay accuracy of better than ±0,20 µm (3 sigma);
masky a optické mřížky, konstruované pro integrované obvody uvedené v položce 3A001;
masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
vícevrstvé masky s vrstvou fázového posunu;
multi-layer masks with a phase shift layer.
Zkušební zařízení speciálně konstruovaná pro zkoušení zhotovených nebo rozpracovaných polovodičových součástek a speciálně pro ně konstruované součásti a příslušenství:
Test equipment, specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
pro zkoušení S-parametrů tranzistorových součástek při frekvencích větších než 31,8 GHz;
for testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Heteroepitaxní materiály sestávající z „podložky“ složené z více na sobě uspořádaných epitaxně narostlých vrstev z:
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
křemíku (Si);
Silicon (Si);
germania (Ge);
Germanium (Ge);
karbidu křemíku (SiC) nebo
Silicon carbide (SiC); or
„sloučenin galia nebo india typu III/V“.
"III/V compounds" of gallium or indium.
Rezistní materiály (rezisty) a „podložky“ potažené těmito rezisty:
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
pozitivní rezisty konstruované pro polovodičovou litografii speciálně upravené (optimalizované) pro použití při vlnových délkách pod 245 nm;
positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
veškeré rezisty konstruované pro použití s elektronovými nebo iontovými paprsky o citlivosti 0,01 μcoulomb/mm2 nebo lepší;
all resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
veškeré rezisty konstruované pro použití s rentgenovými paprsky o citlivosti 2,5 mJ/mm2 nebo lepší;
all resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
veškeré rezisty optimalizované pro technologie zobrazování povrchu, včetně ‚silylátovaných‘ rezistů.
all resists optimised for surface imaging technologies, including "silylated" resists.
‚Silylační‘ techniky jsou definovány jako procesy, které využívají oxidace povrchu rezistu ke zlepšení vlastností jak při suchém, tak při mokrém vyvolávání;
"Silylation" techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
veškeré rezisty konstruované nebo optimalizované pro využití spolu se zařízením pro tiskovou litografii uvedené v položce 3B001.f.2., u kterých jsou používány tepelné procesy nebo procesy „photo-curable“.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified by 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
organokovové sloučeniny hliníku, galia nebo india, které mají čistotu (čistotu kovu) lepší než 99,999 %;
organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
„Podložky“ z karbidu křemíku (SiC), nitridu gallitého (GaN), nitridu hlinitého (AIN) nebo aluminium gallium nitridu (AlGaN) nebo ingoty, hrušky nebo jiné předlisky z těchto materiálů, jejichž odpor je při 20° C vyšší než 10000 ohm-cm.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
„Podložky“ uvedené v položce 3C005, které mají alespoň jednu epitaxiální vrstvu karbidu křemíku, nitridu gallitého, nitridu hlinitého nebo aluminium gallium nitridu.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
„Software“ speciálně konstruovaný pro „vývoj“ nebo „výrobu“ zařízení uvedených v položkách 3A001.b. až 3A002.g. nebo 3B.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
„Software“ speciálně konstruovaný pro „užití“ zařízení uvedeném v položce 3B001.a. až f. nebo v položce 3B002.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
„Software“‚založený na fyzikální‘ simulaci a speciálně navržený pro „vývoj“ litografických, leptacích anebo vylužovacích procesů na překládání maskovacích obrazců do speciálních topografických obrazců ve vodičích, dielektrikách nebo polovodičových materiálech.
"Physics-based" simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Výraz ‚založený na fyzikální‘ uvedený v položce 3D003 znamená používání výpočtů pro určení souslednosti fyzikálních příčinných a účinných dějů na základě fyzikálních vlastností (např. teplotních, tlakových, difúzních veličin a vlastností polovodičových materiálů).
"Physics-based" in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Poznámka:Knihovny, atributy návrhů nebo související data pro návrh polovodičových součástek nebo integrovaných obvodů se považují za „technologii“.
Note:Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
„Software“ speciálně konstruovaný pro „vývoj“ zařízení uvedených v položce 3A003.
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
„Software“ speciálně konstruovaný nebo upravený pro „užití“ zařízení uvedených v položce 3A101.b.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
„Technologie“ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro „vývoj“ nebo „výrobu“ zařízení nebo materiálů uvedených v položkách 3A, 3B nebo 3C;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Poznámka 1:Položka 3E001 nezahrnuje „technologie“ pro „výrobu“ zařízení nebo součástí uvedených v položce 3A003.
Note 1:3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Poznámka 2:Položka 3E001 nezahrnuje „technologie“ pro „vývoj“ nebo „výrobu“ integrovaných obvodů uvedených v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.12., které mají všechny tyto vlastnosti:
Note 2:3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
používají „technologii“ s rozlišením nejméně 0,5 μm a
using "technology" of 0,5 μm or more; and
nemají ‚vícevrstvé struktury‘.
not incorporating "multi-layer structures".
‚Vícevrstvé struktury‘ nezahrnují zařízení s nejvýše třemi kovovými vrstvami a třemi vrstvami polykrystalického křemíku.
"Multi-layer structures" do not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
„Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii, jiné než uvedené v položce 3E001, pro „vývoj“ nebo „výrobu“„mikroprocesorového mikroobvodu“, „mikropočítačového mikroobvodu“ a jádra mikroregulátorového mikroobvodu, který má aritmetickou logickou jednotku s šířkou přístupu 32 bitů nebo více a kterýkoliv z těchto rysů a vlastností:
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", or "microcomputer microcircuit" and microcontroller microcircuit core having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
‚Vektorová procesorová jednotka‘ určená k provádění více než dvou výpočtů vektorů s pohyblivou řádovou čárkou (jednorozměrová pole 32bitových nebo větších čísel) současně;
a "vector processor unit" designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
‚Vektorová procesorová jednotka‘ je procesorový prvek se zabudovanými instrukcemi, které provádějí vícenásobné výpočty vektorů s pohyblivou řádovou čárkou (jednorozměrová pole 32bitových nebo větších čísel) současně, jenž má alespoň jednu vektorovou aritmetickou logickou jednotku.
A "vector processing unit" is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
Určený k provádění více než dvou 64bitových nebo větších výsledků operací s pohyblivou řádovou čárkou na cyklus nebo
designed to perform more than two 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
určený k provádění více než čtyř 16bitových výsledků násobení a akumulace s pevnou řádovou čárkou na cyklus (např., digitální zpracovávání analogových informací, které byly dříve převedeny do digitální formy, „známých rovněž jako zpracování digitálních signálů“).
designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g. digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").