natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Výrazem ’modifikovaný oxidem zirkoničitým’ se rozumí oxid zirkoničitý, k němuž byly přidány oxidy jiných kovů (např. vápník, hořčík, yttrium, hafnium, oxidy vzácných zemin) za účelem stabilizace některých krystalografických fází a fázových skladeb.
’Modified zirconia’ refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
’Slitinami titanu’ se rozumějí pouze slitiny pro letectví a kosmonautiku, jejichž mez pevnosti v tahu, měřená při 293 K (20 °C), je 900 MPa nebo větší.
’Titanium alloys’ refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
’Skly s nízkou roztažností’ se rozumějí skla, jejichž koeficient tepelné roztažnosti, měřený při 293 K (20 °C), je 1 × 10 –7 K–1 nebo menší.
’Low-expansion glasses’ refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
’Dielektrickými vrstvami’ se rozumějí povlaky vytvořené z více vrstev izolačních materiálů, v nichž se pro odraz, prostup nebo absorpci různých vlnových pásem využívají interferenční vlastnosti systému složeného z materiálů o různém indexu lomu.
’Dielectric layers’ are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
’Cementovaný karbid wolframu’ nezahrnuje materiály pro řezné a tvářecí nástroje z karbidu wolframu/(kobaltu, niklu), karbidu titanu/(kobaltu, niklu), karbidu chromu/nikl-chromu a karbidu chromu/niklu.
’Cemented tungsten carbide’ does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
’Karbid křemíku’ nezahrnuje materiály pro řezné a tvarovací nástroje.
’Silicon carbide’ does not include cutting and forming tool materials.
Chemická depozice v parní fázi (CVD) je proces nanášení povlaku nebo vytvoření povlaku modifikací povrchu, při kterém se na zahřátý substrát usazuje kov, slitina, "kompozit", dielektrikum nebo keramika.
chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
1:Mezi chemické depozice v parní fázi (CVD) patří tyto procesy: depozice směrovaným proudem plynu mimo obal, pulsační chemická depozice v parní fázi, řízená nukleační tepelná depozice (CNTD), plazmochemická depozice v parní fázi. POZN.
1:CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
2:Obalem se rozumí substrát ponořený do práškové směsi. POZN.
2:Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
3:Plynné reaktanty používané v procesu mimo obal se získávají za použití stejných základních reakcí a parametrů jako v procesu cementování v prášku, avšak potahovaný substrát není v kontaktu s práškovou směsí.
3:The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Fyzikální depozice v parní fázi s tepelným odpařováním (TE-PVD) je proces nanášení povlaku ve vakuu při tlaku nižším než 0,1 Pa, při kterém je zdroj tepelné energie použit k odpařování nanášeného materiálu.
thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
fyzikální depozice v parní fázi elektronovým svazkem využívající k ohřevu a odpařování materiálu, který tvoří povlak, elektronový svazek;
electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
fyzikální depozice v parní fázi s odporovým ohřevem za podpory iontů využívající k vytváření řízeného a jednotného toku odpařených povlakových materiálů elektrické odporové topné zdroje v kombinaci se soustředěnými iontovými paprsky;
ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
"laserové" odpařování využívající k odpařování materiálu, který tvoří povlak, buď pulsní "laserové" paprsky, nebo "laserové" paprsky se spojitou vlnou;
"laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
depozice katodickým obloukem využívající spotřebovatelnou katodu z materiálu, který tvoří povlak a má obloukový výboj vytvořený na povrchu mžikovým sepnutím uzemněného spouštěče.
cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
POZN.:Tato definice nezahrnuje nanášení neřízeným katodickým obloukem na substráty bez předpětí.
N.B.:This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
iontové pokovování je speciální modifikace obecného procesu TE-PVD, ve kterém se pro ionizaci nanášených látek používá plazma nebo jiný zdroj iontů, přičem se na substrát přikládá záporné předpětí usnadňující vyloučení látek z plazmy.
ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Cementování v prášku je proces vytvoření povlaku modifikací povrchu nebo proces nanášení povlaku, při kterém je substrát ponořován do práškové směsi (obalu) skládající se z těchto složek:
pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
nanášené kovové prášky (obvykle hliník, chrom, křemík nebo jejich kombinace),
the metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
aktivátor (obvykle halogenidová sůl) a
an activator (normally a halide salt); and
inertní prášek, nejčastěji oxid hliníku.
an inert powder, most frequently alumina.
Substrát a prášková směs jsou uloženy v retortě, která je po dobu dostatečnou pro vytvoření povlaku vyhřívána na teplotu 1030 K (757 °C) až 1375 K (1102 °C).
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Plazmové stříkání je proces nanášení povlaku, při němž plazmový hořák (stříkací pistole), který tvoří a reguluje plazmu, přijímá povlakový materiál ve formě prášku nebo drátu, taví a vrhá jej na substrát, na kterém se tak vytváří celistvě spojený povlak.
plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
1:Výrazem nízkotlaký se rozumí, že tlak je nižší než okolní atmosférický tlak. POZN.
1:Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
2:Výrazem vysokorychlostní se rozumí, že rychlost plynu na výstupu z trysky je při 293 K (20 °C) a 0,1 MPa vyšší než 750 m/s.
2:High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Nanášení řídké kaše je proces vytvoření povlaku modifikací povrchu nebo nanášení povlaku, při němž kovový nebo keramický prášek s organickým pojivem suspenduje v kapalině a nanáší se na substrát buď stříkáním, ponořením nebo natíráním. Poté se suší na vzduchu nebo v peci a tepelně zpracovává tak, aby bylo docíleno požadovaného povlaku.
slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Naprašování je proces vytvoření povlaku založený na přenosu pohybové energie, při němž se v elektrickém poli urychlují kladné ionty směrem k povrchu terče (povlakový materiál).
sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
1:Tabulka se vztahuje pouze na proces triodového, magnetronového nebo reaktivního naprašování, které se používá pro zvýšení přilnavosti povlaku a rychlosti nanášení a na vysokofrekvenční (RF) naprašování používané za účelem odpařování nekovových povlakových materiálů. POZN.
1:The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
2:Pro aktivaci nanášení lze používat iontové paprsky o nízké energii (méně než 5 keV).
2:Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Iontová implantace je proces vytvoření povlaku modifikací povrchu, při němž se prvek, který se má legovat, ionizuje, urychluje gradientem napětí a implantuje do povrchové vrstvy substrátu.
ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Poznámka 1:Status zařízení a součástí popsaných v položkách 3A001 nebo 3A002, jiných než popsaných v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.10. nebo 3A001.a.12., které jsou speciálně konstruované nebo které mají totožné funkční vlastnosti jako jiná zařízení, je určen statusem těchto jiných zařízení.
Note 1:the control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Poznámka 2:Status integrovaných obvodů popsaných v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.9. nebo 3A001.a.12., které jsou pevně naprogramovány nebo konstruovány pro specifickou funkci v jiných zařízeních, je určen statusem těchto jiných zařízení.
Note 2:the control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
POZN.:Pokud výrobce nebo žadatel nemůže určit status jiného zařízení, řídí se status integrovaných obvodů položkami 3A001.a3.. až 3A001.a.9. a 3A001.a.12.
N.B.:when the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
integrované obvody pro všeobecné použití:
general purpose integrated circuits, as follows:
Poznámka 1:Status polovodičových destiček (dokončených nebo nedokončených) s určenou funkcí se hodnotí podle parametrů uvedených v položce 3A001.a.
Note 1:the control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Poznámka 2:Do integrovaných obvodů patří tyto typy:
Note 2:Integrated circuits include the following types:
celkovou dávku radiace 5 × 103 Gy (křemík) nebo vyšší,
a total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
rychlost dávky 5 × 106 Gy (křemík)/s nebo vyšší nebo
a dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
kontinuální (integrovaný) tok neutronů (ekvivalent 1 MeV) 5 × 1013 n/cm2 nebo vyšší na křemíkové podložce nebo jeho ekvivalent pro jiné materiály;
a fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Poznámka:Položka 3A001.a.1.c. se nevztahuje na kov-izolant-polovodiče (MIS).
Note:3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
"mikroprocesorové mikroobvody", "mikropočítačové mikroobvody", mikroregulátorové mikroobvody, paměťové integrované obvody vyrobené ze složených polovodičů, analogově-číslicové převodníky a číslicově-analogové převodníky, elektro-optické nebo "optické integrované obvody" pro "zpracování signálů", uživatelem programovatelná logická pole, integrované obvody neuronových sítí, zákaznické integrované obvody, pro které buď není známa funkce, nebo není znám status zařízení, ve kterém bude integrovaný obvod použit, procesory pro rychlou Fourierovu transformaci (FFT), elektricky vymazatelné programovatelné permanentní paměti (EEPROMs), vyrovnávací paměti flash nebo statické paměti s náhodným výběrem (SRAMs), které mají některou z těchto vlastností:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
jsou určeny pro provoz při okolní teplotě vyšší než 398 K (125 °C),
rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
jsou určeny pro provoz při okolní teplotě nižší 218 K (–55 °C) nebo
rated for operation at an ambient temperature below 218 K (–55 °C); or
jsou určeny pro provoz v celém intervalu okolních teplot od 218 K (–55 °C) do 398 K (125 °C);
rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (–55 °C) et 398 K (125 °C);
Poznámka:Položka 3A001.a.2. nezahrnuje integrované obvody pro civilní automobily nebo pro železniční vlaky.
Note:3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Poznámka:Položka 3A001.a.3. zahrnuje číslicové signální procesory, číslicové maticové procesory a číslicové koprocesory.
Note:3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
analogově-číslicové převodníky, které mají některou z těchto vlastností:
analogue-to-digital converters having any of the following:
POZN.:VIZ TÉŽ 3A101
N.B.:SEE ALSO 3A101
rozlišení nejméně 8 bitů, avšak menší než 10 bitů, s výstupní rychlostí vyšší než 500 milionů slov za sekundu,
a resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
rozlišení 10 bitů nebo větší, avšak menší než 12 bitů, s výstupní rychlostí vyšší než 200 milionů slov za sekundu,
a resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
rozlišení 12 bitů, s výstupní rychlostí vyšší než 105 milionů slov za sekundu,
a resolution of 12 bit with an output rate greater than 105 million words per second;
rozlišení větší než 12 bitů, avšak rovnající se nebo menší než 14 bitů, s výstupní rychlostí vyšší než 10 milionů slov za sekundu nebo
a resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 10 million words per second; or
rozlišení větší než 14 bitů, s výstupní rychlostí vyšší než 2,5 milion slov za sekundu;
a resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 2,5 million words per second;
číslicově-analogové převodníky s rozlišením nejméně 12 bitů a "dobou ustálení" menší než 10 ns;
digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
Počet bitů ve výstupním slově je roven rozlišení analogově-číslicového převodníku.
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the analogue-to-digital converter.
Často se uvádí v megahertzích (MHz) nebo v milionech vzorků za sekundu (MSPS).
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
elektro-optické a "optické integrované obvody" pro "zpracování signálů", které mají všechny tyto vlastnosti:
electro-optical and "optical integrated circuits" designed for "signal processing" having all of the following:
jedna nebo více vnitřních "laserových" diod,
one or more than one internal "laser" diode;
jeden nebo více vnitřních prvků pro detekci světla a
one or more than one internal light detecting element; and
optické vlnovody;
optical waveguides;
uživatelem programovatelná logická zařízení, která mají některou z těchto vlastností:
field programmable logic devices having any of the following:
ekvivalentní počet využitelných hradel větší než 30000 (dvouvstupová hradla),
an equivalent usable gate count of more than 30000 (2 input gates);
typickou "dobu zpoždění základního hradla" menší než 0,1 ns nebo
a typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
překlápěcí frekvence vyšší než 133 MHz;
a toggle frequency exceeding 133 MHz;
Poznámka:Položka 3A001.a.7. zahrnuje:
Note:3A001.a.7. includes:
jednoduchá programovatelná logická zařízení (SPLD),
simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
složitá programovatelná logická zařízení (CPLD),
complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
uživatelem programovatelná hradlová pole (FPGA),
field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
uživatelem programovatelná logická pole (FPLA),
field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
uživatelem programovatelné vnitřní spoje (FPIC).
field Programmable Interconnects (FPICs)
POZN.:Uživatelem programovatelná logická zařízení jsou též známa jako uživatelem programovatelná hradla nebo uživatelem programovatelná logická pole.
N.B.:field programmable logic devices are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
integrované obvody pro neuronové sítě;
neural network integrated circuits;
zákaznické integrované obvody, u nichž výrobci buď není známa funkce nebo není znám status zařízení, ve kterém bude integrovaný obvod použit a které mají některou z těchto vlastností:
custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
více než 1000 vývodů,
more than 1000 terminals;
pracovní frekvenci větší než 3 GHz;
an operating frequency exceeding 3 GHz;
číslicové integrované obvody, jiné než popsané v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.10. a 3A001.a.12., které jsou založeny na jakémkoli složeném polovodiči a které mají některou z těchto vlastností:
digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
ekvivalentní počet hradel větší než 3000 (dvouvstupová hradla) nebo
an equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
překlápěcí frekvenci vyšší než 1,2 GHz;
a toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
Mikrovlnná zařízení nebo zařízení pracující s milimetrovými vlnami:
microwave or millimetre wave components, as follows:
vakuové elektronky a katody:
electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:
Poznámka 1:Položka 3A001.b.1. nezahrnuje elektronky konstruované nebo určené pro provoz v jakémkoliv frekvenčním pásmu, které má všechny tyto vlastnosti:
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
nejvýše 31,8 GHz a
does not exceed 31,8 GHz; and
jsou "přiděleny podle ITU" pro radiokomunikační služby, nikoliv však pro navigační rádiové služby.
is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Poznámka 2:Položka 3A001.b.1. nezahrnuje elektronky, které nejsou "vhodné pro kosmické aplikace" a které mají všechny tyto vlastnosti:
Note 2:3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes which meet all of the following characteristics:
průměrný výstupní výkon 50 W nebo menší a
an average output power equal to or less than 50 W; and
jsou konstruovány nebo určeny pro činnost v kterémkoliv frekvenčním pásmu, které má všechny tyto vlastnosti:
designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
více než 31,8 GHz, avšak nejvýše 43,5 GHz a
exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
elektronky s postupnou vlnou, impulsovou nebo trvalou vlnou, které mají tyto vlastnosti:
travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
pracují při frekvencích vyšších než 31,8 GHz,
operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
mají topný prvek katody s dobou náběhu na jmenovitý RF výkon menší než 3 s,
having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
elektronky s vázanou dutinou nebo jejich deriváty s "frakční šířkou pásma" větší než 7 % nebo špičkovým výkonem vyšším než 2,5 kW,
coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
elektronky s elektrodou ve tvaru šroubovice nebo jejich deriváty, které mají některou z těchto vlastností:
helix tubes, or derivatives thereof, with any of the following characteristics:
"okamžitá šířka pásma" větší než 1 oktáva a průměrný výkon (vyjádřený v kW) násobený frekvencí (vyjádřenou v GHz) větší než 0,5,
an "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
"okamžitá šířka pásma" nejvýše 1 oktáva a průměrný výkon (vyjádřený v kW) násobený frekvencí (vyjádřenou v GHz) větší než 1 nebo
an "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
jsou "vhodné pro kosmické aplikace".
being "space qualified";
zesilovací elektronky se zkříženými poli o zisku větším než 17 dB;
crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
impregnované katody konstruované pro elektronky produkující trvalou emisní proudovou hustotu při jmenovitých pracovních podmínkách vyšších než 5 A/cm2;
impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
mikrovlnné zesilovače výkonu s monolitickými integrovaným obvody (MMIC), které mají některou z těchto vlastností:
microwave monolithic integrated circuits (MMIC) power amplifiers having any of the following:
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 3,2 GHz a nejvýše 6 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 4 W (36 dBm) s "frakční šířkou pásma" větší než 15 %;
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 6 GHz a nejvýše 16 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 1 W (30 dBm) s "frakční šířkou pásma" větší než 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 16 GHz a nejvýše 31,8 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 0,8 W (29 dBm) s "frakční šířkou pásma" větší než 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 31,8 GHz a nejvýše 37,5 GHz;
rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz;