natgillin/translations-raw huggingface dataset:
jsou speciálně konstruovaná a optimalizovaná pro provoz při urychlujícím napětí menším než 2 keV,
being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
jsou schopná přímého zápisu nebo
direct write capability; or
energie paprsku 65 keV nebo více a paprskový proud 45 mA nebo více pro implantování kyslíku s vysokou energií do zahřáté "podložky" z polovodičového materiálu;
a beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Zařízení na suché leptání anizotropní plazmou:
anisotropic plasma dry etching equipment, as follows:
zařízení s provozem kazeta–kazeta a uzávěry náplně (load-locks), která mají některou těchto vlastností:
equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
jsou konstruovaná nebo optimalizovaná pro tvorbu kritických rozměrů 180 nm nebo méně s přesností ±5 % 3 sigma nebo
designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ±5 % 3 sigma precision; or
jsou konstruovaná pro generování méně než 0,04 částic/cm2 s měřitelnou velikostí částic větší než 0,1 μm v průměru;
designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 μm in diameter;
zařízení speciálně konstruovaná pro zařízení uvedená v položce 3B001.e., která mají některou z těchto vlastností:
equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
jsou konstruovaná pro generování méně než 0,04 částic/cm2 s měřitelnou velikostí částic větší než 0,12 μm v průměru;
designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
Zařízení na chemické nanášení v parní fázi (CVD) zesílené plazmou:
plasma enhanced CVD equipment, as follows:
zařízení s provozem kazeta-kazeta a uzávěry náplně (load-locks) a navržené podle technických podmínek výrobce nebo optimalizované na použití při výrobě polovodičových nástrojů s kritickými rozměry 180 nm nebo méně,
equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
zařízení speciálně navržené pro zařízení podle 3B001.e. a navržené podle technických podmínek výrobce anebo optimalizované pro použití při výrobě polovodičových nástrojů s kritickými rozměry 180 nm anebo méně;
equipment specially designed for equipment controlled by 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
vícekomorové centrální manipulační systémy pro destičky polovodičů s automatickým vkládáním, které mají všechny tyto vlastnosti:
automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
prostředky pro vstup a výstup destiček, k nimž lze připojit více než dvě zařízení na zpracování polovodičů, a
interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
jsou konstruovány jako integrovaný systém ve vakuu pro postupné vícenásobné zpracování destiček;
designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;
Poznámka: Položka 3B001.e. nezahrnuje automatické robotizované manipulační systémy pro destičky polovodičů, které nejsou konstruovány pro provoz ve vakuovém prostředí.
Note:3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
litografické zařízení:
lithography equipment, as follows:
nastavovací a krokovací nebo krokovací a snímací zařízení na zpracování destiček polovodičů za použití fotooptických nebo rentgenových metod, která mají některou z těchto vlastností:
align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following:
vlnová délka světelného zdroje kratší než 245 nm nebo
a light source wavelength shorter than 245 nm; or
schopnost exponovat obrazce s velikostí ’nejmenšího rozlišitelného prvku’ 180 nm nebo menší;
capable of producing a pattern with a ’minimum resolvable feature’ size of 180 nm or less;
Velikost ’nejmenšího rozlišitelného prvku’ se vypočítá podle vzorce:
The ’minimum resolvable feature’ size is calculated by the following formula:
MRF = vlnová délka světelného zdroje v nm
MRF = an exposure light source wavelength in nm
× K faktor
× K factor
kde K faktor = 0,45
where the K factor = 0,45
Vybavení pro tiskovou litografii schopné vyrábět struktury o velikosti 180 nm nebo menší;
imprint lithography equipment capable of producing features of 180 nm or less;
Pozn.:Položka 3B001.f.2 zahrnuje:
Note:3B001.f.2. includes:
Mikrokontaktní tiskové nástroje
micro contact printing tools
Nástroje pro ražení za tepla
hot embossing tools
Nástroje pro nanotiskovou litografii
nano-imprint lithography tools
Nástroje pro tiskovou litografii technikou’Step and flash’ (S-FIL) bavení pro tiskovou litografii schopné vyrábět struktury o velikosti 180 nm nebo menší;
step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
zařízení speciálně konstruovaná pro výrobu masek nebo zpracování polovodičových součástek za použití vychylovaného zaostřeného elektronového paprsku, iontového paprsku nebo "laserového" paprsku, která mají některou z těchto vlastností:
equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:
stopu paprsku menší než 0,2 μm,
a spot size smaller than 0,2 μm;
jsou schopná vytvořit obrazec o velikosti prvku menší než 1 μm nebo
being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
přesnost překrytí je lepší než ±0,20 μm (3 sigma);
an overlay accuracy of better than ±0,20 μm (3 sigma);
masky a optické mřížky konstruované pro integrované obvody uvedené v položce 3A001;
masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
vícevrstvé masky s vrstvou fázového posunu.
multi-layer masks with a phase shift layer.
Poznámka:3B001.h. nezahrnuje vícevrstvé masky s vrstvou fázového posuvu navržené pro výrobu paměťových přístrojů, které se neřídí podle 3A001.
Note:3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
i. šablony pro tiskovou litografii určené pro integrované obvody stanovené v položce 3A001.
i. Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Zkušební zařízení, speciálně konstruovaná pro zkoušení zhotovených nebo rozpracovaných polovodičových součástek a speciálně pro ně konstruované součásti a příslušenství:
Test equipment, specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
pro zkoušení S-parametrů tranzistorových součástek při frekvencích větších než 31,8 GHz,
for testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
pro zkoušení mikrovlnných integrovaných obvodů uvedených v položce 3A001.b.2.
for testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
křemíku,
silicon;
germania,
germanium;
karbidu křemíku nebo
silicon carbide; or
pozitivní rezisty konstruované pro polovodičovou litografii speciálně upravené (optimalizované) pro použití při vlnových délkách pod 245 nm,
positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
veškeré rezisty konstruované pro použití s elektronovými nebo iontovými paprsky o citlivosti 0,01 μcoulomb/mm2 nebo lepší,
all resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
veškeré rezisty konstruované pro použití s rentgenovými paprsky o citlivosti 2,5 mJ/mm2 nebo lepší,
all resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
veškeré rezisty optimalizované pro technologie zobrazování povrchu, včetně ’silylátovaných’ rezistů.
all resists optimised for surface imaging technologies, including ’silylated’ resists.
’Silylační’ techniky jsou definovány jako procesy, které využívají oxidace povrchu rezistu ke zlepšení vlastností jak při suchém, tak při mokrém vyvolávání.
’Silylation’ techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
organokovové sloučeniny hliníku, galia nebo india, které mají čistotu (čistotu kovu) lepší než 99,999 %,
organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
organické sloučeniny arsenu, antimonu a fosforu, které mají čistotu (čistotu anorganické složky) lepší než 99,999 %.
organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Poznámka:Položka 3C003 zahrnuje pouze ty sloučeniny, jejichž kovový, polokovový nebo nekovový prvek je přímo vázán na uhlík organické části molekuly.
Note:3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Poznámka:Položka 3C004 nezahrnuje hydridy, které obsahují nejméně 20 % molárních inertních plynů nebo vodíku.
Note:3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Desky z karbidu křemíku (SiC), jejichž odpor je vyšší než 10000 ohm-cm.
Silicon carbide (SiC) wafers having a resistivity of more than 10000 ohm-cm.
zařízení uvedené v položce 3B001.a.–f. nebo
equipment specified in 3B001.a. to f.; or
zařízení uvedené v položce 3B002.
equipment specified in 3B002.
"Software" založený na fyzikální simulaci a speciálně navržený pro "vývoj" litografických, leptacích anebo vylužovacích procesů na překládání maskovacích obrazců do speciálních topografických obrazců ve vodičích, dielektrikách nebo polovodičových materiálech.
’Physics-based’ simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Výraz ’založený na fyzikální’ uvedený v položce 3D003 znamená používání výpočtů pro určení souslednosti fyzikálních příčinných a účinných dějů na základě fyzikálních vlastností (např. teplotních, tlakových, difúzních veličin a vlastností polovodičových materiálů).
’Physics-based’ in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Poznámka:Knihovny, atributy návrhů nebo související data pro návrh polovodičových součástek nebo integrovaných obvodů se považují za "technologii".
Note:Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
"Technologie"ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro "vývoj" nebo "výrobu" zařízení nebo materiálů uvedených v položkách 3A, 3B nebo 3C;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Poznámka 1:Položka 3E001 nezahrnuje "technologie" pro "výrobu" zařízení nebo součástí uvedených v položce 3A003.
Note 1:3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Poznámka 2:Položka 3E001 nezahrnuje "technologie" pro "vývoj" nebo "výrobu" integrovaných obvodů uvedených v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.12., které mají všechny tyto vlastnosti:
Note 2:3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
používají "technologii" s rozlišením nejméně 0,5 μm; a
using "technology" of 0,5 μm or more; and
nemají ’vícevrstvé struktury’.
not incorporating ’multi-layer structures’.
Výraz ’vícevrstvé struktury’ nezahrnuje zařízení s nejvýše třemi kovovými vrstvami a třemi vrstvami polykrystalického křemíku
The term ’multi-layer structures’ does not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
"Technologie" ve smyslu všeobecné poznámky k technologii, jiné než uvedené v položce 3E001, pro "vývoj" nebo "výrobu""mikroprocesorového mikroobvodu", "mikropočítačového mikroobvodu" a jádra mikroregulátorového mikroobvodu, který má aritmetickou logickou jednotku s šířkou přístupu 32 bitů nebo více a kterýkolov z těchto rysů a vlastností:
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", or "microcomputer microcircuit" and microcontroller microcircuit core having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
Vektorová procesorová jednotka určená k provádění více než dvou výpočtů vektorů s pohyblivou řádovou čárkou (jednorozměrová pole 32bitových nebo větších čísel) současně;
a vector processor unit designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
Vektorová procesorová jednotka je procesorový prvek se zabudovanými instrukcemi, které provádějí vícenásobné výpočty vektorů s pohyblivou řádovou čárkou (jednorozměrová pole 32bitových nebo větších čísel) současně, jenž má alespoň jednu vektorovou aritmetickou logickou jednotku.
A vector processing unit is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
Určený k provádění více než dvou 64bitových nebo větších výsledků operací s pohyblivou řádovou čárkou na cyklus; nebo
designed to perform more than two 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
určený k provádění více než čtyř 16bitových výsledků násobení a akumulace s pevnou řádovou čárkou na cyklus (např., digitální zpracovávání analogových informací, které byly dříve převedeny do digitální formy, známých rovněž jako zpracování digitálních signálů).
designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g. digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital signal processing).
Pozn:Položka 3E002.c. nezahrnuje řídící technologii pro multimediální doplňky.
Note:3E002.c. does not control technology for multimedia extensions.
Pozn 1:Položka 3E002 nezahrnuje "technologii" pro "vývoj" nebo "výrobu" mikroprocesorových jader, která má všechny tyto vlastnosti:
Note 1:3E002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
využívá"technologii" s rozlišením 0,130 μm nebo vyšším; a
using "technology" at or above 0,130 µm; and
obsahuje vícevrstvé struktury s pěti nebo méně kovovými vrstvami.
incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
Pozn 2:Položka 3E002 zahrnuje "technologii" pro procesory digitálních signálů a procesory digitálních polí.
Note 2:3E002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
vakuových mikroelektronických součástek,
vacuum microelectronic devices;
heterostrukturních polovodičových součástek, jako jsou tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT), hetero-bipolární tranzistory (HBT), součástky na bázi kvantových jam a supermřížek,
hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
Poznámka:Položka 3E003.b. nezahrnuje technologie pro tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT), které pracují při frekvencích nižších než je 31,8 GHz, a pro heteropřechodné bipolární tranzistory (HBT), které pracují při frekvencích nižších než 31,8 GHz.
Note:3E003.b. does not control technology for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
"supravodivých" elektronických součástek,
"superconductive" electronic devices;
podložek z diamantových filmů pro elektronické součástky,
substrates of films of diamond for electronic components;
podložek z křemíku na izolátoru (SOI) pro integrované obvody, kde izolátorem je oxid křemičitý,
substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
podložek z karbidu křemíku pro elektronické součástky,
substrates of silicon carbide for electronic components;
vakuových elektronek pracujících při frekvenci 31,8 GHz nebo vyšší.
electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
"Technologie" ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro "užití" zařízení nebo "softwaru" uvedených v položkách 3A001.a.1. nebo 2., 3A101, 3A102 nebo 3D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
"Technologie" ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro "vývoj" "softwaru" uvedeného v položce 3D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
"Technologie" ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro "užití" zařízení uvedeného v položkách 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 až 3A233.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A233.
Poznámka 1:Počítače, jejich příslušenství a "software" vykonávající telekomunikační funkce nebo funkce "místních sítí" je též třeba hodnotit podle charakteristik výkonu vymezených v kategorii 5 části 1 (Telekomunikace).
Note 1:computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Poznámka 2:Řídicí jednotky, které přímo propojují sběrnice nebo kanály základních jednotek, řídicí jednotky "hlavní paměti" nebo řídicí jednotky diskové paměti se nepovažují za telekomunikační zařízení popsaná v kategorii 5 části 1 (Telekomunikace).
Note 2:control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
POZN.:Pokud jde o režim "softwaru" speciálně konstruovaného pro přepojování paketů, viz 5D001.
N.B.:for the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
Poznámka 3:Počítače, jejich příslušenství a "software" vykonávající šifrovací funkce, kryptoanalytické funkce, funkce zajišťující víceúrovňové zabezpečení nebo funkce zabezpečující izolaci uživatele omezující elektromagnetickou kompatibilitu (EMC) je rovněž třeba hodnotit podle vlastností uvedených v kategorii 5 části 2 ("Bezpečnost informací").
Note 3:computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").
POZN.:VIZ TÉŽ 4A101.
N.B.:SEE ALSO 4A101.
speciálně konstruované tak, aby měly některou z těchto vlastností:
specially designed to have any of the following characteristics:
jsou určené pro práci při okolní teplotě nižší než 228 K (–45 °C) nebo vyšší než 358 K (85 °C),
rated for operation at an ambient temperature below 228 K (–45 °C) or above 358 K (85 °C);
Poznámka:Položka 4A001.a.1. se nevztahuje na počítače speciálně konstruované pro použití v civilních automobilech a vlacích.
Note:4A001.a.1. does not apply to computers specially designed for civil automobile or railway train applications.
jsou radiačně odolné tak, že přesahují některý z těchto parametrů:
radiation hardened to exceed any of the following specifications:
mají vlastnosti nebo vykonávají funkce, které přesahují meze uvedené v kategorii 5 části 2 ("Bezpečnost informací")
having characteristics or performing functions exceeding the limits in Category 5, Part 2 ("Information Security").
Poznámka:Položka 4A001.b. nezahrnuje elektronické počítače a jejich příslušenství, které má jejich uživatel pro osobní užití.
Note:4A001.b. does not control electronic computers and related equipment when accompanying their user for the user's personal use.
Poznámka 1:Položka 4A003 zahrnuje:
Note 1:4A003 includes the following:
vektorové procesory,
vector processors;
procesorová pole,
array processors;
číslicové komunikační procesory,
digital signal processors;
logické procesory
logic processors;
zařízení konstruovaná pro "zlepšení obrazu",
equipment designed for "image enhancement";
zařízení konstruovaná pro "zpracování signálů".
equipment designed for "signal processing".
Poznámka 2:Kontrolní status "digitálních počítačů" nebo jejich příslušenství popsané v položce 4A003 je určen kontrolním statusem jiných zařízení nebo systémů za předpokladu, že:
Note 2:the control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
"digitální počítače" nebo jejich příslušenství jsou nezbytně nutné pro provoz těchto jiných zařízení nebo systémů;
the "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
"digitální počítače" nebo jejich příslušenství nejsou "hlavním prvkem" těchto jiných zařízení nebo systémů; a POZN.
the "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
1:Status zařízení pro "zpracování signálů" nebo "zlepšení obrazu" speciálně konstruovaných pro jiná zařízení, jejichž funkce jsou omezeny pouze na fungování těchto jiných zařízení, je určen statusem těchto jiných zařízení, i když přesahuje kritérium "hlavního prvku". POZN.
1:the control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
2:Pokud jde o status "digitálních počítačů" nebo jejich příslušenství pro telekomunikační zařízení, viz kategorie 5 část 1 (Telekomunikace).
2:for the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
"Technologie" pro "digitální počítače" a jejich příslušenství je uvedena v položce 4E.
the "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E.
Poznámka:Pro účely položky 4A003.a. se "digitální počítače" nebo jejich příslušenství nepokládají za konstruované nebo upravené pro "poruchovou odolnost", pokud používají:
Note:for the purposes of 4A003.a., "digital computers" and related equipment are not considered to be designed or modified for "fault tolerance" if they utilise any of the following:
algoritmy pro detekci nebo korekci chyb v "hlavní paměti",
error detection or correction algorithms in "main storage";
takové propojení dvou "digitálních počítačů", že v případě selhání aktivní základní jednotky může rezervní, avšak zrcadlově pracující základní jednotka dále pokračovat v řízení funkcí systému,
the interconnection of two "digital computers" so that, if the active central processing unit fails, an idling but mirroring central processing unit can continue the system's functioning;