natgillin/translations-raw huggingface dataset:
„mikroprocesorové mikroobvody“, „mikropočítačové mikroobvody“, mikroregulátorové mikroobvody, paměťové integrované obvody vyrobené ze složených polovodičů, analogově-číslicové převodníky a číslicově-analogové převodníky, elektro-optické nebo „optické integrované obvody“ pro „zpracování signálů“, uživatelem programovatelná logická pole, zákaznické integrované obvody, pro které buď není známa funkce, nebo není znám status zařízení, ve kterém bude integrovaný obvod použit, procesory pro rychlou Fourierovu transformaci (FFT), elektricky vymazatelné programovatelné permanentní paměti (EEPROMs), vyrovnávací paměti flash nebo statické paměti s náhodným výběrem (SRAMs), které mají některou z těchto vlastností:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
jsou určeny pro provoz při okolní teplotě vyšší než 398 K (125 °C);
rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
„mikroprocesorové mikroobvody“, „mikropočítačové mikroobvody“ a mikroregulátorové mikroobvody, vyrobené ze složených polovodičů a pracující při hodinových frekvencích vyšších než 40 MHz,
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
paměťové integrované obvody vyrobené ze složených polovodičů,
Storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor;
POZN.:VIZ TÉŽ 3A101
N.B.:SEE ALSO 3A101.
číslicově-analogové převodníky s rozlišením nejméně 12 bitů a „dobou ustálení“ menší než 10 ns;
digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
elektro-optické a „optické integrované obvody“ pro „zpracování signálů“, které mají všechny tyto vlastnosti:
electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
jedna nebo více vnitřních „laserových“ diod;
one or more than one internal "laser" diode;
‚uživatelem programovatelná logická zařízení‘ která mají některou z těchto vlastností:
"field programmable logic devices" having any of the following:
ekvivalentní počet využitelných hradel větší než 30000 (dvouvstupová hradla);
an equivalent usable gate count of more than 30000 (2 input gates);
typickou „dobu zpoždění základního hradla“ menší než 0,1 ns nebo
a typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
‚Uživatelem programovatelná logická zařízení‘ jsou též známa jako uživatelem programovatelná hradla nebo uživatelem programovatelná logická pole.
"Field programmable logic devices" are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
integrované obvody pro neuronové sítě,
neural network integrated circuits;
zákaznické integrované obvody, u nichž výrobci buď není známa funkce nebo není znám kontrolní status zařízení, ve kterém bude integrovaný obvod použit a které mají některou z těchto vlastností:
custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
více než 1000 vývodů;
more than 1000 terminals;
Poznámka 1:Položka 3A001.b.1. nezahrnuje elektronky konstruované nebo určené pro provoz v jakémkoliv frekvenčním pásmu se všemi těmito vlastnostmi:
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band having all of the following:
jsou „přiděleny podle ITU“ pro radiokomunikační služby, nikoliv však pro navigační rádiové služby.
is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Poznámka 2:Položka 3A001.b.1. nezahrnuje elektronky, které nejsou „vhodné pro kosmické aplikace“ a které mají všechny tyto vlastnosti:
Note 2:3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes having all of the following:
jsou konstruovány nebo určeny pro činnost v kterémkoliv frekvenčním pásmu se všemi těmito vlastnostmi:
designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
elektronky pracují při frekvencích vyšších než 31,8 GHz,
tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
elektronky mají topný prvek katody s dobou náběhu na jmenovitý RF výkon menší než 3 s,
tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
elektronky s vázanou dutinou nebo jejich deriváty s „frakční šířkou pásma“ větší než 7 % nebo špičkovým výkonem vyšším než 2,5 kW,
coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
elektronky s elektrodou ve tvaru šroubovice nebo jejich deriváty, které mají některou z těchto vlastností:
helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
„okamžitá šířka pásma“ větší než 1 oktáva a průměrný výkon (vyjádřený v kW) násobený frekvencí (vyjádřenou v GHz) větší než 0,5;
an "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
„okamžitá šířka pásma“ nejvýše 1 oktáva a průměrný výkon (vyjádřený v kW) násobený frekvencí (vyjádřenou v GHz) větší než 1 nebo
an "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
jsou „vhodné pro kosmické aplikace“.
being "space qualified";
mikrovlnné zesilovače výkonu s ‚monolitickými integrovaným obvody‘ (MMIC), které mají některou z těchto vlastností:
microwave "monolithic integrated circuits" (MMIC) power amplifiers having any of the following:
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 3,2 GHz a nejvýše 6 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 4 W (36 dBm) s „frakční šířkou pásma“ větší než 15 %;
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 6 GHz a nejvýše 16 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 1 W (30 dBm) s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 16 GHz a nejvýše 31,8 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 0,8 W (29 dBm) s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 37,5 GHz a nejvýše 43,5 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 0,25 W (24 dBm) s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 % nebo
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
Poznámka:Kontrolní status tranzistoru, jehož jmenovitá provozní frekvence zahrnuje frekvence uvedené ve více než jednom frekvenčním pásmu podle 3A001.b.3.a až 3A001b.3.e., je určen nejnižším prahem průměrného výstupního výkonu.
Note:the control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
mikrovlnné zesilovače v pevné fázi a mikrovlnné montážní celky/moduly obsahující mikrovlnné zesilovače v pevné fázi, které mají některou z těchto vlastností:
microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers having any of the following:
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 3,2 GHz a nejvýše 6 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 60 W (47,8 dBm) s „frakční šířkou pásma“ větší než 15 %;
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 60W (47,8 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 6 GHz a nejvýše 31,8 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 15 W (42 dBm) s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15W (42 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 37,5 GHz a nejvýše 43,5 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 1 W (30 dBm) s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
průměrný výstupní výkon (ve wattech) P větší než 150 děleno maximální operační frekvencí (v GHz) na druhou [P>150 W*GHz2/fGHz2],
an average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P > 150 W*GHz2/fGHz2];
„frakční šířka pásma“ 5 % nebo více a
a "fractional bandwidth" of 5 % or greater; and
dvě strany navzájem kolmé o délce d (v cm) nejvýše 15 děleno nejmenší operační frekvencí v GHz [d≤ 15cm*GHz/fGHz];
any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d = 15 cm*GHz/fGHz].
Poznámka 1:Položka 3A001.b.4 nezahrnuje rozhlasová a televizní satelitní zařízení konstruovaná nebo určená pro provoz ve frekvenčním rozsahu 40,5GHz až 42,5GHz.
Note 1:3A001.b.4. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 to 42,5 GHz.
Poznámka 2:Kontrolní status položky, jejíž jmenovitá provozní frekvence zahrnuje frekvence uvedené ve více než jednom frekvenčním pásmu podle 3A001.b.4.a až 3A001.b.4.e, je určen nejnižším prahem průměrného výstupu výkonu.
Note 2:the control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
elektronicky nebo magneticky laditelné pásmové propusti nebo pásmové zdrže, které mají více než 5 laditelných rezonátorů s možností ladění 1,5:1 přes frekvenční pásmo (fmax/fmin) za méně než 10 ìs a které mají některou z těchto vlastností:
electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs and having any of the following:
konvertory a harmonické směšovače konstruované pro rozšíření frekvenčního rozsahu zařízení popsaných v položkách 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. nebo 3A002.f. nad stanovené mezní hodnoty;
converters and harmonic mixers designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d, 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
mikrovlnné zesilovače výkonu obsahující elektronky uvedené v položce 3A001.b.1., které mají všechny tyto vlastnosti:
microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
pracovní frekvence vyšší než 3 GHz;
operating frequencies above 3 GHz;
Poznámka:Položka 3A001.b.8. nezahrnuje zařízení konstruovaná nebo určená pro provoz v kterémkoliv frekvenčním pásmu, které je „přiděleno podle ITU“ pro radiokomunikační služby, nikoliv však pro navigační rádiové služby.
Note:3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Mikrovlnné výkonové moduly (MPM), sestávající nejméně z elektronek s postupnou vlnou, mikrovlnného ‚monolitického integrovaného obvodu‘ a integrovaného elektronického regulátoru napětí, které mají všechny tyto vlastnosti:
microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
‚čas zapnutí‘ z vypnutého stavu do plně provozního stavu kratší než 10 sekund;
a "turn-on time" from off to fully operational in less than 10 seconds;
objem menší než je maximální jmenovitý výkon ve wattech násobený 10 cm3/W a
a volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
„okamžitou šířku pásma“ větší než 1 oktáva (fmax > 2 fmin) a kteroukoliv z těchto vlastností:
an "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax. > 2 fmin.) and having any of the following:
pro frekvence rovné nebo nižší než 18 GHz, vysokofrekvenční (RF) výstupní výkon vyšší než 100 W; nebo
for frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
frekvenci vyšší než 18 GHz.
a frequency greater than 18 GHz.
Pro výpočet objemu v položce 3A001.b.9.b., je poskytnut tento příklad: pro maximální jmenovitý výkon 20 W by objem činil: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
to calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
‚Čas zapnutí‘ v položce 3A001.b.9.a. znamená dobu od plně vypnutého stavu do plně provozního stavu; tzn. tento čas zahrnuje dobu zahřátí MPM.
the "turn-on time" in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational; i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
zařízení s povrchovou akustickou vlnou a s podpovrchovou akustickou vlnou (tj. zařízení na „zpracování signálů“ používající elastické vlny v materiálech), která mají některou z těchto vlastností:
surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves in materials), having any of the following:
nosná frekvence vyšší než 6 GHz;
a carrier frequency exceeding 6 GHz;
nosná frekvence vyšší než 1 GHz, ale nejvýše 6 GHz, a některá z těchto vlastností:
a carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
potlačení postranních laloků frekvence větší než 55 dB a šířka pásma větší než 100 MHz;
a frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
zařízení s prostorovou akustickou vlnou (tj. zařízení na „zpracování signálů“, která používají elastické vlny), jež umožňují přímé zpracování signálů při frekvencích větších 2,5 GHz,
bulk (volume) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves) which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 2,5 GHz;
akusticko-optická zařízení na „zpracování signálů“, která využívají interakci mezi akustickými vlnami (prostorovými nebo povrchovými) a světelnými vlnami a umožňují přímé zpracování signálů nebo obrazů, včetně spektrální analýzy, korelace nebo konvoluce;
acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
elektronická zařízení a obvody, které obsahují součástky vyrobené ze „supravodivých“ materiálů speciálně konstruovaných pro činnost při teplotách pod „kritickou teplotou“ alespoň jedné ze „supravodivých“ složek a které mají některou z těchto vlastností:
electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents having any of the following:
spínání proudu pro číslicové obvody využívající „supravodivá“ hradla se součinem doby zpoždění na jedno hradlo (v sekundách) a ztráty výkonu na jedno hradlo (ve wattech) menším než 10–14 J nebo
current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
‚články‘:
"cells", as follows:
‚primární články‘, které mají ‚hustotu energie‘ 550 Wh/kg při 20 °C;
"primary cells" having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
‚sekundární články‘, které mají ‚hustotu energie‘ vyšší než 250 Wh/kg;
"secondary cells" having 250 Wh/kg;
Pro účely položky 3A001.e.1., se ‚hustota energie‘ (Wh/kg) vypočte z jmenovitého napětí vynásobeného jmenovitou kapacitou v ampérhodinách (Ah) děleno hmotností v kilogramech.
For the purpose of 3A001.e.1., "energy density" (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Pro účely položky 3A001.e.1. se ‚článkem‘ rozumí elektrochemické zařízení, které má kladné i záporné elektrody, a elektrolyt, a je zdrojem elektrické energie.
for the purpose of 3A001.e.1., a "cell" is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Pro účely položky 3A001.e.1.a. se ‚primárním článkem‘ rozumí ‚článek‘, který není určen k tomu, aby byl nabíjen jiným zdrojem.
for the purpose of 3A001.e.1.a., a "primary cell" is a "cell" that is not designed to be charged by any other source.
Pro účely položky 3A001.e.1.b. se ‚sekundárním článkem‘ rozumí ‚článek‘, který je určen k tomu, aby byl nabíjen vnějším elektrickým zdrojem.
for the purpose of 3A001.e.1.b., a "secondary cell" is a "cell" that is designed to be charged by an external electrical source.
Poznámka:Položka 3A001.e.1. nezahrnuje baterie, včetně jednočlánkových baterií.
Note:3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
kondenzátory s opakovací frekvencí méně než 10 Hz (jednorázové akumulační kondenzátory), které mají všechny tyto vlastnosti:
capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
kondenzátory s opakovací frekvencí nejméně 10 Hz, které mají všechny tyto vlastnosti:
capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
„supravodivé“ elektromagnety a solenoidy, speciálně konstruované k plnému nabití nebo vybití za méně než jednu sekundu, které mají všechny tyto vlastnosti:
"Superconductive" electromagnets and solenoids specially designed to be fully charged or discharged in less than one second andhaving all of the following:
Poznámka:Položka 3A001.e.3 nezahrnuje „supravodivé“ elektromagnety nebo solenoidy speciálně konstruované pro lékařské přístroje k zobrazování na principu magnetické rezonance (MRI).
Note:3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
energie dodaná při vybití vyšší než 10 kJ během první sekundy;
energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
jsou určeny pro magnetickou indukci větší než 8 T nebo „celkovou proudovou hustotu“ ve vinutí větší než 300 A/mm2;
rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
Solární články, sestavy propojených článků s krycím sklem (CIC), solární panely a solární pole, které jsou „vhodné pro kosmické aplikace“, a jejichž minimální průměrná účinnost při provozní teplotě 301 K (28 °C) za simulovaného osvětlení ‚AM0‘ s intenzitou ozáření 1367 wattů na metr čtvereční (W/m2) je vyšší než 20 %;
solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2).
Pojmem ‚AM0‘ nebo ‚Air Mass Zero‘ se rozumí spektrální intenzita záření slunečního světla ve vnější atmosféře Země, je-li vzdálenost Země od Slunce jedna astronomická jednotka (AU).
"AM0", or "Air Mass Zero", refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
přesnost lepší než ±2,5 úhlové vteřiny;
an accuracy better than ±2,5 seconds of arc.
polovodičová pulsní výkonová spínací tyristorová zařízení a „tyristorové moduly“, využívající buď elektricky, opticky řízených metod spínání nebo metod spínání řízených elektronovým zářením, a které mají kteroukoliv z těchto vlastností:
solid-state pulsed power switching thyristor devices and "thyristor modules" using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Maximální rychlost růstu proudu při zapnutí (di/dt) vyšší než 30000 A/μs a napětí ve vypnutém stavu vyšší než 1100 V nebo
a maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
Maximum rychlost růstu proudu (di/dt) vyšší než 2000 A/μs a všechny tyto vlastnosti:
a maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
špičkové napětí při vypnutém stavu rovno nebo vyšší než 3000 V a
an off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
špičkový (rázový) proud rovný neb vyšší než 3000 A.
a peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
Pozn 2:Položka 3A001.g. nezahrnuje řídící tyristorová zařízení a ‚tyristorové moduly‘ zahrnuté do vybavení určeného pro aplikace na civilních železnicích nebo v „civilních letadlech“.
Note 2:3A001.g. does not control thyristor devices and "thyristor modules" incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Pro účely položky 3A001.g. obsahuje ‚tyristorový modul‘ jedno nebo více tyristorových zařízení.
For the purposes of 3A001.g., a "thyristor module" contains one or more thyristor devices.
Univerzální elektronická zařízení a jejich příslušenství:
General purpose electronic equipment and accessories therefor, as follows:
šířka pásma větší než 4 MHz na jeden elektronický kanál nebo stopu;
a bandwidth exceeding 4 MHz per electronic channel or track;
číslicové přístrojové magnetopáskové přístroje, které používají techniku spirálového snímání nebo techniku pevných hlav a mají některou z těchto vlastností:
digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having any of the following:
přenosová rychlost číslicového rozhraní vyšší než 175 Mbits/s nebo
a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbits/s; or
zařízení s přenosovou rychlostí číslicového rozhraní vyšší než 175 Mbit/s a konstruovaná ke transformaci číslicových videorekordérů s magnetickou páskou k použití jako číslicové přístrojové záznamníky dat;
equipment, having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbits/s and designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
‚spojitý přenos dat‘ nejméně 2 Gbits/s;
a "continuous throughput" of 2 Gbit/s or more;
Pro přístroje tohoto typu s architekturou paralelních sběrnic je rychlost spojitého přenosu definována jako součin nejvyšší rychlosti přenosu slov násobená počtem bitů ve slově.
For those instruments with a parallel bus architecture, the "continuous throughput" rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.