natgillin/translations-raw huggingface dataset:
"technologie" pro "vývoj" interaktivní grafiky jako nedílné součásti jednotek "číslicového řízení" pro přípravu nebo úpravu součástkových programů;
"Superplastic forming";
"technologie"pro kovozpracující výrobní procesy:
"Diffusion bonding"; or c. "Direct-acting hydraulic pressing"; 2. Technical data consisting of process methods or parameters as listed below used to control: a. "Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
"technologie" pro navrhování nářadí, lisovacích nástrojů nebo upínacích přípravků speciálně určených pro některý z těchto procesů:
Surface preparation; 2. Strain rate;
"superplastické tváření",
Temperature; 4. Pressure;
"difuzní spojování"nebo c. "přímočinné hydraulické lisování"; 2. technická data obsahující technologické postupy nebo níže uvedené parametry, kterými se řídí: a. "superplastické tváření" slitin hliníku, slitin titanu nebo "vysoce legovaných slitin":
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
příprava povrchu,
Surface preparation;
tlak,
Temperature;
doba cyklu; d. "izostatické zhutňování za tepla" slitin titanu, slitin hliníku nebo "vysoce legovaných slitin": 1. teplota, 2. tlak,
Pressure;
tlak; b. "difuzní spojování""vysoce legovaných slitin" nebo slitin titanu:
"Direct-acting hydraulic pressing" of aluminium alloys or titanium alloys:
tlak; c. "přímočinné hydraulické lisování" slitin hliníku nebo titanu:
"Hot isostatic densification" of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
Technika depozice
Deposition techniques
Substrát
Substrate
Chemická depozice v parní fázi (CVD)
Chemical Vapour Deposition (CVD)
Fyzikální depozice v parní fázi s tepelným odpařováním (TE PVD)
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
Fyzikální depozice v parní fázi elektronovým svazkem (EB-PVD)
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
Fyzikální depozice v parní fázi s odporovým ohřevem za podpory iontů (PVD) (iontové pokovování)
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
Fyzikální depozice v parní fázi odpařováním "laserem"
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporisation
Fyzikální depozice v parní fázi katodickým obloukovým výbojem
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
Polymery (11) a "kompozity" s organickou "matricí"
Polymers (11) and Organic"matrix""composites"
Poznámky k tabulce – Technika depozice
Table — Deposition techniques — Notes
CoCrAlY povlaků, které obsahují 22 až 24 % hmotnostních chromu, 10 až 12 % hmotnostních hliníku a 0,5 až 0,7 % hmotnostních yttria nebo
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 weight percent of chromium, 10 to 12 weight percent of aluminium and 0,5 to 0,7 weight percent of yttrium; or
Výrazem "modifikovaný oxidem zirkoničitým" se rozumí oxid zirkoničitý, k němuž byly přidány oxidy jiných kovů (např. vápník, hořčík, yttrium, hafnium, oxidy vzácných zemin) za účelem stabilizace některých krystalografických fází a fázových skladeb.
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
"Skly s nízkou roztažností" se rozumějí skla, jejichž koeficient tepelné roztažnosti, měřený při 293 K (20 °C), je 1 × 10 –7 K–1 nebo menší.
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10 –7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
"Cementovaný karbid wolframu" nezahrnuje materiály pro řezné a tvářecí nástroje z karbidu wolframu/(kobaltu, niklu), karbidu titanu/(kobaltu, niklu), karbidu chromu/nikl-chromu a karbidu chromu/niklu.
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
"Technologie" speciálně vyvinutá pro nanášení uhlíku s vlastnostmi diamantu na některý z níže uvedených předmětů není zahrnuta:
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
magnetické disky a hlavy, zařízení pro výrobu předmětů sloužících k jednorázovému použití, ventily pro kohoutky, akustické membrány pro reproduktory, součásti automobilových motorů, řezné nástroje, nástroje pro lisování a děrování, zařízení pro automatizaci kancelářských prací, mikrofony nebo lékařské přístroje nebo licí formy nebo formy pro plasty, vyrobené ze slitin obsahujících méně než 5 % berylia.
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
Chemická depozice v parní fázi (CVD) je proces nanášení povlaku nebo vytvoření povlaku modifikací povrchu, při kterém se na zahřátý substrát usazuje kov, slitina, "kompozit", dielektrikum nebo keramika.
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
1: Mezi chemické depozice v parní fázi (CVD) patří tyto procesy: depozice směrovaným proudem plynu mimo obal, pulsační chemická depozice v parní fázi, řízená nukleační tepelná depozice (CNTD), plazmochemická depozice v parní fázi. POZN.
1 CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
2: Obalem se rozumí substrát ponořený do práškové směsi. POZN.
2 Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Plynné reaktanty používané v procesu mimo obal se získávají za použití stejných základních reakcí a parametrů jako v procesu cementování v prášku, avšak potahovaný substrát není v kontaktu s práškovou směsí.
3 The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Fyzikální depozice v parní fázi s tepelným odpařováním (TE-PVD) je proces nanášení povlaku ve vakuu při tlaku nižším než 0,1 Pa, při kterém je zdroj tepelné energie použit k odpařování nanášeného materiálu.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
fyzikální depozice v parní fázi elektronovým svazkem využívající k ohřevu a odpařování materiálu, který tvoří povlak, elektronový svazek;
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
fyzikální depozice v parní fázi s odporovým ohřevem za podpory iontů využívající k vytváření řízeného a jednotného toku odpařených povlakových materiálů elektrické odporové topné zdroje v kombinaci se soustředěnými iontovými paprsky;
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
Pro nanášení mimo osu přímé viditelnosti se používá předpětí substrátu;
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Zavádění reaktivních látek, odpařování tuhých látek v provozní komoře a použití monitorů pro provozní měření optických vlastností a tloušťky povlaků jsou obvyklými modifikacemi tohoto procesu;
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
nanášené kovové prášky (obvykle hliník, chrom, křemík nebo jejich kombinace),
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
aktivátor (obvykle halogenidová sůl) a
An activator (normally a halide salt); and
Plazmové stříkání je proces nanášení povlaku, při němž plazmový hořák (stříkací pistole), který tvoří a reguluje plazmu, přijímá povlakový materiál ve formě prášku nebo drátu, taví a vrhá jej na substrát, na kterém se tak vytváří celistvě spojený povlak.
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
1: Výrazem nízkotlaký se rozumí, že tlak je nižší než okolní atmosférický tlak. POZN.
1 Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Výrazem vysokorychlostní se rozumí, že rychlost plynu na výstupu z trysky je při 293 K (20 °C) a 0,1 MPa vyšší než 750 m/s.
2 High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Nanášení řídké kaše je proces vytvoření povlaku modifikací povrchu nebo nanášení povlaku, při němž kovový nebo keramický prášek s organickým pojivem suspenduje v kapalině a nanáší se na substrát buď stříkáním, ponořením nebo natíráním. Poté se suší na vzduchu nebo v peci a tepelně zpracovává tak, aby bylo docíleno požadovaného povlaku.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Kinetická energie dopadajících iontů způsobuje, že se z povrchu terče uvolňují atomy, které se ukládají na vhodně nastavený substrát. POZN.
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
1: Tabulka se vztahuje pouze na proces triodového, magnetronového nebo reaktivního naprašování, které se používá pro zvýšení přilnavosti povlaku a rychlosti nanášení a na vysokofrekvenční (RF) naprašování používané za účelem odpařování nekovových povlakových materiálů. POZN.
1 The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Pro aktivaci nanášení lze používat iontové paprsky o nízké energii (méně než 5 keV).
2 Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Iontová implantace je proces vytvoření povlaku modifikací povrchu, při němž se prvek, který se má legovat, ionizuje, urychluje gradientem napětí a implantuje do povrchové vrstvy substrátu.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Patří sem procesy, ve kterých se iontová implantace provádí fyzikální depozicí v parní fázi elektronovým svazkem nebo naprašováním.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
Poznámka 1: Status zařízení a součástí popsaných v položkách 3A001 nebo 3A002, jiných než popsaných v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.10. nebo 3A001.a.12., které jsou speciálně konstruované nebo které mají totožné funkční vlastnosti jako jiná zařízení, je určen statusem těchto jiných zařízení.
Note 1: The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
POZN.: Pokud výrobce nebo žadatel nemůže určit status jiného zařízení, řídí se status integrovaných obvodů položkami 3A001.a3.. až 3A001.a.9. a 3A001.a.12.
N.B.: When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Poznámka 2: Do integrovaných obvodů patří tyto typy:
Note 2: Integrated circuits include the following types:
"monolitické integrované obvody",
"Monolithic integrated circuits";
"hybridní integrované obvody",
"Hybrid integrated circuits";
"vícečipové integrované obvody",
"Multichip integrated circuits";
"integrované obvody vrstvového typu", včetně křemíkových obvodů na safírové podložce,
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
"optické integrované obvody".
"Optical integrated circuits".
celkovou dávku radiace 5 × 103 Gy (křemík) nebo vyšší,
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
rychlost dávky 5 × 106 Gy (křemík)/s nebo vyšší nebo
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
kontinuální (integrovaný) tok neutronů (ekvivalent 1 MeV) 5 × 1013 n/cm2 nebo vyšší na křemíkové podložce nebo jeho ekvivalent pro jiné materiály;
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
"mikroprocesorové mikroobvody", "mikropočítačové mikroobvody", mikroregulátorové mikroobvody, paměťové integrované obvody vyrobené ze složených polovodičů, analogově-číslicové převodníky a číslicově-analogové převodníky, elektro-optické nebo "optické integrované obvody" pro "zpracování signálů", uživatelem programovatelná logická pole, integrované obvody neuronových sítí, zákaznické integrované obvody, pro které buď není známa funkce, nebo není znám status zařízení, ve kterém bude integrovaný obvod použit, procesory pro rychlou Fourierovu transformaci (FFT), elektricky vymazatelné programovatelné permanentní paměti (EEPROMs), vyrovnávací paměti flash nebo statické paměti s náhodným výběrem (SRAM), které mají některou z těchto vlastností:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
jsou určeny pro provoz při okolní teplotě vyšší než 398 K (125 °C),
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
jsou určeny pro provoz při okolní teplotě nižší 218 K (–55 °C) nebo
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
jsou určeny pro provoz v celém intervalu okolních teplot od 218 K (–55 °C) do 398 K (125 °C);
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) et 398 K (125 °C);
"mikroprocesorové mikroobvody", "mikropočítačové mikroobvody" a mikroregulátorové mikroobvody, vyrobené ze složených polovodičů a pracující při hodinových frekvencích vyšších než 40 MHz;
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
analogově-číslicové převodníky, které mají některou z těchto vlastností:
Analogue-to-digital converters having any of the following:
rozlišení nejméně 8 bitů, avšak menší než 10 bitů, s výstupní rychlostí vyšší než 500 milionů slov za sekundu,
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
rozlišení 10 bitů nebo větší, avšak menší než 12 bitů, s výstupní rychlostí vyšší než 200 milionů slov za sekundu,
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
rozlišení 12 bitů, s výstupní rychlostí vyšší než 50 milionů slov za sekundu,
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 50 million words per second;
rozlišení větší než 12 bitů, avšak rovnající se nebo menší než 14 bitů, s výstupní rychlostí vyšší než 5 milionů slov za sekundu nebo
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 5 million words per second; or;
rozlišení větší než 14 bitů, s výstupní rychlostí vyšší než 1 milion slov za sekundu;
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 1 million words per second;
Počet bitů ve výstupním slově je roven rozlišení analogově-číslicového převodníku.
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the analogue-to-digital converter. 3.
Výstupní rychlost je maximální výstupní rychlost převodníku, bez ohledu na architekturu nebo nadměrné vzorkování.
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
Prodejci mohou označovat výstupní rychlost i výrazy vzorkovací rychlost, rychlost konverze nebo rychlost propustnosti.
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
Často se uvádí v megahertzích (MHz) nebo v milionech vzorků za sekundu (MSPS).
It is often specified in megaghertz (MHz) or mega samples per second (MSPS). 4.
Pro účely měření výstupní rychlosti odpovídá jedno výstupní slovo za sekundu jednomu hertzi nebo jednomu vzorku za sekundu.
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
elektro-optické a "optické integrované obvody" pro "zpracování signálů", které mají všechny tyto vlastnosti:
Electro-optical and "optical integrated circuits" designed for "signal processing" having all of the following:
jedna nebo více vnitřních "laserových" diod,
One or more than one internal "laser" diode;
jeden nebo více vnitřních prvků pro detekci světla a
One or more than one internal light detecting element; and
uživatelem programovatelná logická zařízení, která mají některou z těchto vlastností:
Field programmable logic devices having any of the following:
ekvivalentní počet využitelných hradel větší než 30000 (dvouvstupová hradla),
An equivalent usable gate count of more than 30000 (2 input gates);
typickou "dobu zpoždění základního hradla" menší než 0,1 ns nebo
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
jednoduchá programovatelná logická zařízení (SPLD),
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
složitá programovatelná logická zařízení (CPLD),
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
uživatelem programovatelná hradlová pole (FPGA),
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
uživatelem programovatelná logická pole (FPLA),
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
uživatelem programovatelné vnitřní spoje (FPIC).
Field Programmable Interconnects (FPICs)
zákaznické integrované obvody, u nichž výrobci buď není známa funkce nebo není znám status zařízení, ve kterém bude integrovaný obvod použit a které mají některou z těchto vlastností:
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
více než 1000 vývodů,
More than 1000 terminals;
pracovní frekvenci větší než 3 GHz;
An operating frequency exceeding 3 GHz;
číslicové integrované obvody, jiné než popsané v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.10. a 3A001.a.12., které jsou založeny na jakémkoli složeném polovodiči a které mají některou z těchto vlastností:
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
ekvivalentní počet hradel větší než 3000 (dvouvstupová hradla) nebo
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
překlápěcí frekvenci vyšší než 1,2 GHz;
A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
Rovná-li se N 1024 bodům, činí doba provádění podle vzorce uvedeného v položce 3A001.a.12. 500 μs.
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 μs.
Poznámka 1: Položka 3A001.b.1. nezahrnuje elektronky konstruované nebo určené pro provoz v jakémkoliv frekvenčním pásmu, které má všechny tyto vlastnosti:
Note 1: 3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
nejvýše 31,8 GHz a
Does not exceed 31,8 GHz; and
jsou "přiděleny podle ITU" pro radiokomunikační služby, nikoliv však pro navigační rádiové služby.
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Poznámka 2: Položka 3A001.b.1. nezahrnuje elektronky, které nejsou "vhodné pro kosmické aplikace" a které mají všechny tyto vlastnosti:
Note 2: 3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes which meet all of the following characteristics:
průměrný výstupní výkon 50 W nebo menší a
An average output power equal to or less than 50 W; and
jsou konstruovány nebo určeny pro činnost v kterémkoliv frekvenčním pásmu, které má všechny tyto vlastnosti:
Designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
více než 31,8 GHz, avšak nejvýše 43,5 GHz a
Exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
elektronky s postupnou vlnou, impulsovou nebo trvalou vlnou, které mají tyto vlastnosti:
Travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
pracují při frekvencích vyšších než 31,8 GHz,
Operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
mají topný prvek katody s dobou náběhu na jmenovitý RF výkon menší než 3 s,
Having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
elektronky s vázanou dutinou nebo jejich deriváty s "frakční šířkou pásma" větší než 7 % nebo špičkovým výkonem vyšším než 2,5 kW,
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
elektronky s elektrodou ve tvaru šroubovice nebo jejich deriváty, které mají některou z těchto vlastností:
Helix tubes, or derivatives thereof, with any of the following characteristics:
"okamžitá šířka pásma" větší než 1 oktáva a průměrný výkon (vyjádřený v kW) násobený frekvencí (vyjádřenou v GHz) větší než 0,5,
An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
"okamžitá šířka pásma" nejvýše 1 oktáva a průměrný výkon (vyjádřený v kW) násobený frekvencí (vyjádřenou v GHz) větší než 1 nebo
An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
mikrovlnné zesilovače výkonu s monolitickými integrovaným obvody ( mmIC), které mají některou z těchto vlastností:
Microwave monolithic integrated circuits (MMIC) power amplifiers having any of the following:
jsou nastavené na činnost při frekvencích vyšších než 37,5 GHz a nejvýše 43,5 GHz a s průměrným výstupním výkonem vyšším než 0,25 W (24 dBm) s "frakční šířkou pásma" větší než 10 % nebo
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
Poznámka 2: Kontrolní status mmIC, jehož jmenovitá provozní frekvence zahrnuje frekvence uvedené ve více než jednom frekvenčním pásmu podle 3A001.b.2.a až 3A001.b.2.f. je určen nejnižším prahem průměrného výstupu výkonu.
Note 2: The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.