natgillin/translations-raw huggingface dataset:
rovnoměrnost magnetického pole lepší než 1 % na středových 50 % vnitřního objemu; Poznámka: Položka 3A201.b. nezahrnuje magnety speciálně konstruované a vyvážené "jako součásti" lékařských systémů k zobrazování na principu nukleární magnetické rezonance (NMR). Výraz "jako součásti" nemusí nezbytně znamenat fyzickou součást v rámci stejné dodávky; oddělené dodávky z různých zdrojů jsou povoleny za předpokladu, že příslušná vývozní dokumentace jasně vymezuje vztah těchto dodávek "jako součásti" zobrazovacího systému.
Flash X ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
zábleskové rentgenové generátory nebo pulsní elektronové urychlovače, které mají některou z těchto kombinací charakteristik:
An accelerator peak electron energy of 500 KeV or greater but less than 25 MeV; and
urychlovače s maximální energií elektronů nejméně 500 keV, avšak menší než 25 MeV a
With a 'figure of merit' (K) of 0,25 or greater; or 2. a. An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
"účinnost" (K) 0,25 nebo vyšší nebo 2. a. urychlovač s maximální energií elektronů nejméně 25 MeV a
A 'peak power' greater than 50 MW.
"špičkový výkon" větší než 50 MW. Poznámka: Položka 3A201.c. nezahrnuje urychlovače, které jsou součástmi přístrojů vyvinutých pro jiné účely než pro elektronové nebo rentgenové ozařování (např. elektronová mikroskopie) nebo přístrojů vyvinutých pro lékařské účely:
Note: 3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes.
Měniče frekvencí nebo generátory, jiné než uvedené v položce 0B001.b.13., které mají všechny tyto vlastnosti:
Frequency changers or generators, other than those specified in 0B001.b.13., having all of the following characteristics:
vícefázový výstup s výkonem nejméně 40 W,
Multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
jsou schopné provozu ve frekvenčním rozsahu 600 až 2000 Hz,
Capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
celkové harmonické zkreslení lepší (menší) než 10 % a
Total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
řízení frekvence lepší (menší) než 0,1 %.
Frequency control better (less) than 0,1 %.
Zdroje stejnosměrného proudu s vysokým výkonem, jiné než uvedené v položce 0B001.j.6., které mají obě tyto vlastnosti:
High power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
schopnost nepřetržitě produkovat po dobu 8 hodin napětí 100 V nebo větší s výstupním proudem nejméně 500 A a
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
stabilitu proudu nebo napětí po dobu 8 hodin lepší než 0,1 %.
Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
Zdroje stejnosměrného proudu s vysokým napětím, jiné než uvedené v položce 0B001.j.5., které mají obě tyto vlastnosti:
High voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
schopnost nepřetržitě produkovat po dobu 8 hodin napětí 20 kV nebo větší s výstupním proudem nejméně 1 A a
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and b. Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours. 3A228 Switching devices, as follows: a. Cold cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics: 1. Containing three or more electrodes; 2. Anode peak voltage rating of 2,5 kV or more; 3. Anode peak current rating of 100 A or more 100 A; and 4. Anode delay time of 10 μs or less; Note: 3A228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
stabilitu proudu nebo napětí po dobu 8 hodin lepší než 0,1 %. 3A228 Dále uvedená spínací zařízení: a. elektronky se studenou katodou, též plněné plynem, pracující podobně jako jiskřiště, které mají všechny tyto vlastnosti:
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
obsahují tři nebo více elektrod,
An anode delay time of 15 μs or less; and
špičkové anodové napětí 2,5 kV nebo více,
Rated for a peak current of 500 A or more; c. Modules or assemblies with a fast switching function having all of the following characteristics: 1. Anode peak voltage rating greater than 2 kV; 2. Anode peak current rating of 500 A or more; and
špičkový anodový proud 100 A nebo více a
Turn on time of 1 μs or less. 3A229
anodové zpoždění 10 μs nebo méně;
Firing sets and equivalent high current pulse generators as follows:
Poznámka: Položka 3A228 zahrnuje plynové krytronové elektronky a vakuové sprytronové elektronky.
N.B.: SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS a. Explosive detonator firing sets designed to drive multiple controlled detonators specified in 3A232;
spouštěcí jiskřiště, která mají obě tyto vlastnosti: 1. anodové zpoždění 15μs nebo méně a 2. jmenovitý špičkový proud 500A nebo více; c. moduly nebo montážní celky s rychlou spínací funkcí, které mají všechny tyto vlastnosti:
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
špičkové anodové napětí větší než 2 kV,
Designed for portable, mobile, or ruggedised-use;
jmenovitý špičkový anodový proud 500 A nebo více a 3. spínací čas 1 μs nebo méně. 3A229 Odpalovací zařízení a podobné vysokoproudé pulsní generátory: POZN.: VIZ TÉŽ SEZNAM VOJENSKÉHO MATERIÁLU. a. výbušné rozbuškové odpalovací systémy konstruované k aktivaci vícenásobně řízených rozněcovačů uvedených v položce 3A232; b. modulární elektrické pulsní generátory (pulsovače), které mají všechny tyto vlastnosti: 1. jsou konstruovány pro přenosné a mobilní užití nebo užití ve ztížených podmínkách, 2. jsou uzavřeny v prachotěsném obalu,
Enclosed in a dust tight enclosure;
schopnost předat energii v méně než 15 μs,
Capable of delivering their energy in less than 15 μs;
výstup větší než 100 A,
Having an output greater than 100 A;
"náběhový čas" kratší než 10 μs při zatížení menším než 40 Ω,
Having a 'rise time' of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
žádný rozměr nepřesahuje 254 mm,
No dimension greater than 254 mm;
hmotnost menší než 25 kg a
Weight less than 25 kg; and
jsou určeny k užití v rozšířeném teplotním rozmezí 223 K (–50 °C) až 373 K (100 °C) nebo určeny jako vhodné pro letecké a kosmické užití.
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Poznámka: Položka 3A229.b. zahrnuje budiče pro xenonové výbojky
Note: 3A229.b. includes xenon flash lamp drivers. Technical Note:
Technická poznámka:
In 3A229.b.5.
Vysokorychlostní pulsní generátory, které mají obě tyto vlastnosti:
High-speed pulse generators having both of the following characteristics:
výstupní napětí větší než 6 V při odporovém zatížení menším než 55 Ω, a
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
V položce 3A230 je "pulsní přechodový čas" definován jako časový interval mezi 10 % a 90 % napěťové amplitudy.
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude. 3A231
Systémy pro generování neutronů (včetně trubic), které mají obě tyto vlastnosti
Designed for operation without an external vacuum system; and b. Utilising electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction. 3A232
jsou konstruovány pro provoz bez vnějšího vakuového systému a
Detonators and multipoint initiation systems, as follows: N.B.: SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS a. Electrically driven explosive detonators, as follows: 1. Exploding bridge (EB); 2. Exploding bridge wire (EBW); 3. Slapper; 4. Exploding foil initiators (EFI);
využívají elektrostatické zrychlení k vyvolání tritium-deuteriové jaderné reakce.
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs. Note: 3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Rozněcovače a vícebodové rozbuškové systémy:
In nonslapper types, the exploding conductor starts a chemical detonation in a contacting high-explosive material such as PETN (Pentaerythritoltetranitrate). In slapper detonators, the explosive vapourisation of the electrical conductor drives a flyer or slapper across a gap and the impact of the slapper on an explosive starts a chemical detonation. The slapper in some designs is driven by a magnetic force.
POZN.: VIZ TÉŽ SEZNAM VOJENSKÉHO MATERIÁLU.
The term exploding foil detonator may refer to either an EB or a slapper-type detonator. Also, the word initiator is sometimes used in place of the word detonator. 3A233 Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
elektricky řízené rozněcovače: 1. odpalovací můstek (EB), 2. odpalovací můstkový drát (EBW), 3. nárazové rozbušky, 4. odpalovací fóliové rozbušky (EFI);
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
zařízení využívající jednoduché nebo násobné rozbušky, konstruované pro téměř současné odpálení výbušného povrchu většího než 5000 mm2 jedním signálem k odpálení s rozšířením přes celý povrch za méně než 2,5 μs. Poznámka: Položka 3A232 nezahrnuje rozbušky využívající pouze primární výbušniny, jako je azid olovnatý. Technická poznámka: Rozbušky zahrnuté do položky 3A232 používají drobné elektrické vodiče (můstky, můstkové dráty nebo fólie), které se, pokud jimi projde rychlý elektrický impuls o vysokém proudu, explozivně odpařují. V nenárazových typech nastartuje výbušný vodič chemickou detonaci dotykem s vysoce výbušnou látkou jako je PETN (pentaerytritol-tetranitrát). V nárazových rozbuškách přirazí výbušné odpařování elektrického vodiče nárazník přes mezeru a dopad nárazu nastartuje chemickou detonaci. Nárazník je v některých typech spouštěn magnetickou silou. Výraz výbušná fólie může označovat jak odpalovací můstek (EB), tak i nárazovou rozbušku. Místo výrazu rozbuška se někdy používá výraz iniciátor. 3A233 Hmotnostní spektrometry, jiné než uvedené v položce 0B002.g., které jsou schopné měřit ionty o 230 nebo více atomových hmotnostních jednotkách a které mají rozlišovací schopnost lepší než 2 částice z 230, a iontové zdroje pro tyto spektrometry: a. plazmové hmotnostní spektrometry s induktivní vazbou (ICP/MS),
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
hmotnostní spektrometry s doutnavým výbojem (GDMS),
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
hmotnostní spektrometry s tepelnou ionizací (TIMS),
Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
hmotnostní spektrometry s elektronovým ostřelováním, které mají komoru zdroje vyrobenou z materiálů odolných vůči UF6 nebo takovým materiálem pokrytou nebo vyloženou,
Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
hmotnostní spektrometry s molekulovým paprskem, které mají některou z těchto charakteristik:
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or 2. A source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
komoru zdroje vyrobenou z korozivzdorné oceli nebo molybdenu a které mají vymrazovací kapsu schopnou chlazení na 193 K (–80 °C) nebo méně nebo
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides. 3B Test, Inspection and Production Equipment 3B001
komoru zdroje vyrobenou z materiálů odolných vůči UF6 nebo takovým materiálem pokrytou nebo vyloženoù,
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows, and specially designed components and accessories therefor: a. Equipment designed for epitaxial growth, as follows: 1. Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more; 2. Metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004; 3. Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
hmotnostní spektrometry vybavené mikrofluorizačním iontovým zdrojem, konstruované pro aktinidy nebo fluoridy aktinidů. 3B Zkušební, kontrolní a výrobní zařízení 3B001 Zařízení pro výrobu polovodičových součástek nebo materiálů a jejich speciálně konstruované součásti a příslušenství: a. zařízení pro epitaxiální růst:
Equipment designed for ion implantation, having any of the following:
schopná produkovat vrstvy s rovnoměrností tloušťky méně než ±2,5 % v rozsahu vzdálenosti 75 mm nebo více z jiného materiálu než je silikon;
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1 MeV;
reaktory pro chemickou depozici v parní fázi za použití organokovových sloučenin (MOCVD), speciálně konstruované pro růst krystalů složených polovodičů chemickou reakcí mezi materiály uvedenými v položce 3C003 nebo 3C004; 3. zařízení pro epitaxiální růst s molekulárním svazkem při použití plynných nebo pevných zdrojů;
Being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
zařízení konstruovaná pro iontovou implantaci, která mají některou z těchto vlastností:
Direct write capability; or
energie paprsku (urychlující napětí) větší než 1 MeV, 2. jsou speciálně konstruovaná a optimalizovaná pro provoz při urychlujícím napětí menším než 2 keV, 3. jsou schopná přímého zápisu nebo
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
energie paprsku 65 keV nebo více a paprskový proud 45 mA nebo více pro implantování kyslíku s vysokou energií do zahřáté "podložky" z polovodičového materiálu;
Anisotropic plasma dry etching equipment, as follows: 1. Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following: a. Designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ± 5 % 3 sigma precision; or b. Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 μm in diameter;
Zařízení na suché leptání anizotropní plazmou:
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following: a. Designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ± 5 % 3 sigma precision; or
zařízení s provozem kazeta–kazeta a uzávěry náplně (load-locks), která mají některou těchto vlastností:
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
jsou konstruovaná nebo optimalizovaná pro tvorbu kritických rozměrů 180 nm nebo méně s přesností ±5 % 3 sigma nebo
Plasma enhanced CVD equipment, as follows:
jsou konstruovaná pro generování méně než 0,04 částic/cm2 s měřitelnou velikostí částic větší než 0,1 μm v průměru;
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
zařízení speciálně konstruovaná pro zařízení uvedená v položce 3B001.e., která mají některou z těchto vlastností:
Equipment specially designed for equipment controlled by 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less; e. Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following: 1. Interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and 2. Designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing; Note: 3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment. f. Lithography equipment, as follows: 1. Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following:
jsou konstruovaná nebo optimalizovaná pro tvorbu kritických rozměrů 180 nm nebo méně s přesností ±5 % 3 sigma nebo
A light source wavelength shorter than 245 nm; or
jsou konstruovaná pro generování méně než 0,04 částic/cm2 s měřitelnou velikostí částic větší než 0,1 μm v průměru;
Capable of producing a pattern with a'minimum resolvable feature' size of 180 nm or less; Technical Note:
Zařízení na chemické nanášení v parní fázi (CVD) zesílené plazmou:
The "minimum resolvable feature" size is calculated by the following formula:
zařízení s provozem kazeta-kazeta a uzávěry náplně (load-locks) a navržené podle technických podmínek výrobce nebo optimalizované na použití při výrobě polovodičových nástrojů s kritickými rozměry 180 nm nebo méně, 2. zařízení speciálně navržené pro zařízení podle 3B001.e. a navržené podle technických podmínek výrobce anebo optimalizované pro použití při výrobě polovodičových nástrojů s kritickými rozměry 180 nm anebo méně;
MRF = an exposure light source wavelength in nm
vícekomorové centrální manipulační systémy pro destičky polovodičů s automatickým vkládáním, které mají všechny tyto vlastnosti:
× K factor numerical aperture
prostředky pro vstup a výstup destiček, k nimž lze připojit více než dvě zařízení na zpracování polovodičů, a
where the K factor = 0,45 MRF = minimum resolvable feature size
jsou konstruovány jako integrovaný systém ve vakuu pro postupné vícenásobné zpracování destiček; Poznámka: Položka 3B001.e. nezahrnuje automatické robotizované manipulační systémy pro destičky polovodičů, které nejsou konstruovány pro provoz ve vakuovém prostředí. f. litografické zařízení: 1. nastavovací a krokovací nebo krokovací a snímací zařízení na zpracování destiček polovodičů za použití fotooptických nebo rentgenových metod, která mají některou z těchto vlastností:
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:
vlnová délka světelného zdroje kratší než 245 nm nebo
A spot size smaller than 0,2 μm;
schopnost exponovat obrazce s velikostí "nejmenšího rozlišitelného prvku" 180 nm nebo menší; Technická poznámka: Velikost "nejmenšího rozlišitelného prvku" se vypočítá podle vzorce: MRF = vlnová délka světelného zdroje v nm × K faktor číselná apertura kde K faktor = 0,45 MRF = velikost nejmenšího rozlišitelného prvku. 2. zařízení speciálně konstruovaná pro výrobu masek nebo zpracování polovodičových součástek za použití vychylovaného zaostřeného elektronového paprsku, iontového paprsku nebo "laserového" paprsku, která mají některou z těchto vlastností:
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
stopu paprsku menší než 0,2 μm,
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
jsou schopná vytvořit obrazec o velikosti prvku menší než 1 μm nebo
Masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
přesnost překrytí je lepší než ±0,20 μm (3 sigma);
Multi-layer masks with a phase shift layer. Note: 3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001. 3B002 Test equipment, specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices, as follows, and specially designed components and accessories therefor: a. For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
vícevrstvé masky s vrstvou fázového posunu. Poznámka: 3B001.h. nezahrnuje vícevrstvé masky s vrstvou fázového posuvu navržené pro výrobu paměťových přístrojů, které se neřídí podle 3A001.
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2. 3C
Zkušební zařízení, speciálně konstruovaná pro zkoušení zhotovených nebo rozpracovaných polovodičových součástek a speciálně pro ně konstruované součásti a příslušenství:
3C001 Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
pro zkoušení S-parametrů tranzistorových součástek při frekvencích větších než 31,8 GHz,
Silicon;
nevyužito, c. pro zkoušení mikrovlnných integrovaných obvodů uvedených v položce 3A001.b.2. 3C Materiály 3C001
Germanium;
Sloučeniny typu III/V jsou polykrystalické nebo binární nebo komplexní monokrystalické produkty sestávající z prvků skupin IIIA a VA Mendělejevovy periodické tabulky (např. arsenid galia, arsenid galito-hlinitý, fosfid india).
III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide).
pozitivní rezisty konstruované pro polovodičovou litografii speciálně upravené (optimalizované) pro použití při vlnových délkách pod 350 nm,
Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 350 nm;
veškeré rezisty konstruované pro použití s elektronovými nebo iontovými paprsky o citlivosti 0,01 μcoulomb/mm2 nebo lepší,
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
veškeré rezisty konstruované pro použití s rentgenovými paprsky o citlivosti 2,5 mJ/mm2 nebo lepší,
All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
organokovové sloučeniny hliníku, galia nebo india, které mají čistotu (čistotu kovu) lepší než 99,999 %,
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
organické sloučeniny arsenu, antimonu a fosforu, které mají čistotu (čistotu anorganické složky) lepší než 99,999 %.
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
zařízení uvedené v položce 3B001.a. - f. nebo
Equipment specified in 3B001.a. to f.; or
zařízení uvedené v položce 3B002.
Equipment specified in 3B002.
"software" založený na fyzikální simulaci a speciálně navržený pro "vývoj" litografických, leptacích anebo vylužovacích procesů na překládání maskovacích obrazců do speciálních topografických obrazců ve vodičích, dielektrikách nebo polovodičových materiálech.
Physics-based simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Výraz "založený na fyzikální" uvedený v položce 3D003 znamená používání výpočtů pro určení souslednosti fyzikálních příčinných a účinných dějů na základě fyzikálních vlastností (např. teplotních, tlakových, difúzních veličin a vlastností polovodičových materiálů).
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
"Technologie"ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro "vývoj " nebo "výrobu" zařízení nebo materiálů uvedených v položkách 3A, 3B nebo 3C;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Poznámka 1: Položka 3E001 nezahrnuje "technologie" pro "výrobu" zařízení nebo součástí uvedených v položce 3A003.
Note 1: 3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.