natgillin/translations-raw huggingface dataset:
3 Plynné reaktanty používané v procesu mimo obal se získávají za použití stejných základních reakcí a parametrů jako v procesu cementování v prášku, avšak potahovaný substrát není v kontaktu s práškovou směsí.
3 The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Fyzikální depozice z plynné fáze s tepelným odpařováním (TE-PVD) je proces nanášení povlaku ve vakuu při tlaku nižším než 0,1 Pa, při kterém je zdroj tepelné energie použit k odpařování nanášeného materiálu.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Výsledkem tohoto procesu je kondenzace nebo ukládání odpařené látky na vhodně umístěné substráty.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
Přidávání plynu do vakuové komory během procesu depozice za účelem syntézy sloučených vrstev je obvyklou variantou této techniky.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
Běžnou variantou této techniky je též použití svazku iontových nebo elektronových svazků nebo plazmy za účelem vyvolání nebo podpory nanášení povlaku.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
Charakteristickým rysem těchto postupů může být použití monitorů pro účely provozního měření optických charakteristik a tloušťky povlaků.
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
Specifickými TE-PVD procesy jsou:
Specific TE-PVD processes are as follows:
fyzikální depozice z plynné fáze elektronovým svazkem využívající k ohřevu a odpařování materiálu, který tvoří povlak, elektronový svazek;
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
fyzikální depozice z plynné fáze s odporovým ohřevem za podpory iontů využívající k vytváření řízeného a jednotného toku odpařených povlakových materiálů elektrické odporové topné zdroje v kombinaci se soustředěnými iontovými paprsky;
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
"laserové" odpařování využívající k odpařování materiálu, který tvoří povlak, buď pulsní "laserové" paprsky, nebo "laserové" paprsky se spojitou vlnou;
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
depozice katodickým obloukem využívající spotřebovatelnou katodu z materiálu, který tvoří povlak a má obloukový výboj vytvořený na povrchu mžikovým sepnutím uzemněného spouštěče.
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
Řízeným pohybem hoření oblouku se eroduje povrch katody, čímž vzniká vysoce ionizované plazma.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
Anodou může být buď kužel uchycený přes izolátor na obvodu katody, nebo komora.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Pro nanášení mimo osu přímé viditelnosti se používá předpětí substrátu.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
POZN.: Tato definice nezahrnuje nanášení neřízeným katodickým obloukem na substráty bez předpětí.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
iontové pokovování je speciální modifikace obecného procesu TE-PVD, ve kterém se pro ionizaci nanášených látek používá plazma nebo jiný zdroj iontů, přičem se na substrát přikládá záporné předpětí usnadňující vyloučení látek z plazmy.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Zavádění reaktivních látek, odpařování tuhých látek v provozní komoře a použití monitorů pro provozní měření optických vlastností a tloušťky povlaků jsou obvyklými modifikacemi tohoto procesu.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Cementování v prášku je proces vytvoření povlaku modifikací povrchu nebo proces nanášení povlaku, při kterém je substrát ponořován do práškové směsi (obalu) skládající se z těchto složek:
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
nanášené kovové prášky (obvykle hliník, chrom, křemík nebo jejich kombinace);
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
aktivátor (obvykle halogenidová sůl); a
An activator (normally a halide salt); and
inertní prášek, nejčastěji oxid hliníku.
An inert powder, most frequently alumina.
Substrát a prášková směs jsou uloženy v retortě, která je po dobu dostatečnou pro vytvoření povlaku vyhřívána na teplotu 1030 K (757 °C) až 1375 K (1102 °C).
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Plazmové stříkání je proces nanášení povlaku, při němž plazmový hořák (stříkací pistole), který tvoří a reguluje plazmu, přijímá povlakový materiál ve formě prášku nebo drátu, taví a vrhá ho na substrát, na kterém se tak vytváří celistvě spojený povlak.
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Plazmovým stříkáním se rozumí buď nízkotlaké plazmové stříkání, nebo vysokorychlostní plazmové stříkání. POZN.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
1 Výrazem nízkotlaký se rozumí, že tlak je nižší než okolní atmosférický tlak. POZN.
1 Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
2 Výrazem vysokorychlostní se rozumí, že rychlost plynu na výstupu z trysky je při 293 K (20 °C) a 0,1 MPa vyšší než 750 m/s.
2 High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Nanášení řídké kaše je proces vytvoření povlaku modifikací povrchu nebo nanášení povlaku, při němž kovový nebo keramický prášek s organickým pojivem suspenduje v kapalině a nanáší se na substrát buď stříkáním, ponořením, nebo natíráním. Poté se suší na vzduchu nebo v peci a tepelně zpracovává tak, aby bylo docíleno požadovaného povlaku.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Naprašování je proces vytvoření povlaku založený na přenosu pohybové energie, při němž se v elektrickém poli urychlují kladné ionty směrem k povrchu terče (povlakový materiál).
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Kinetická energie dopadajících iontů způsobuje, že se z povrchu terče uvolňují atomy, které se ukládají na vhodně nastavený substrát.
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
POZN.1 Tabulka se vztahuje pouze na proces triodového, magnetronového nebo reaktivního naprašování, které se používá pro zvýšení přilnavosti povlaku a rychlosti nanášení a na vysokofrekvenční (RF) naprašování používané za účelem odpařování nekovových povlakových materiálů. POZN.
1 The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
2 Pro aktivaci nanášení lze používat iontové paprsky o nízké energii (méně než 5 keV).
2 Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Iontová implantace je proces vytvoření povlaku modifikací povrchu, při němž se prvek, který se má legovat, ionizuje, urychluje gradientem napětí a implantuje do povrchové vrstvy substrátu.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Patří sem procesy, ve kterých se iontová implantace provádí fyzikální depozicí z plynné fáze elektronovým svazkem nebo naprašováním.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
KATEGORIE 3
CATEGORY 3
ELEKTRONIKA
ELECTRONICS
Poznámka 1: Status zařízení a součástí popsaných v položkách 3A001 nebo 3A002, jiných než popsaných v položkách 3A001.a. až 3A001.a.10. nebo 3A001.a.12., které jsou speciálně konstruované nebo které mají totožné funkční charakteristiky jako jiná zařízení, je určen statusem těchto jiných zařízení.
Note 1: The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Poznámka 2: Status integrovaných obvodů popsaných v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.9. nebo 3A001.a.12., které jsou pevně naprogramovány nebo konstruovány pro specifickou funkci v jiných zařízeních, je určen statusem těchto jiných zařízení.
Note 2: The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
POZN.: Pokud výrobce nebo žadatel nemůže určit status jiného zařízení, řídí se status integrovaných obvodů položkami 3A001.a. až 3A001.a.9. a 3A001.a.12.
N.B.: When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Je-li integrovaný obvod na křemíkové podložce "mikropočítačovým mikroobvodem" nebo mikroregulátorovým mikroobvodem popsaným v položce 3A001.a.3. a má-li délku slova operandů (dat) 8 bitů nebo méně, je status integrovaného obvodu určen položkou 3A001.a.3.
If the integrated circuit is a silicon-based "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit described in 3A001.a.3. having an operand (data) word length of 8 bit or less, the control status of the integrated circuit is determined in 3A001.a.3.
Elektronické součásti:
Electronic components, as follows:
integrované obvody pro všeobecné použití:
General purpose integrated circuits, as follows:
Poznámka 1: Status polovodičových destiček (dokončených nebo nedokončených) s určenou funkcí se hodnotí podle parametrů uvedených v položce 3A001.a.
Note 1: The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Poznámka 2: Do integrovaných obvodům patří tyto typy:
Note 2: Integrated circuits include the following types:
"Monolitické integrované obvody";
"Monolithic integrated circuits";
"Hybridní integrované obvody";
"Hybrid integrated circuits";
"Vícečipové integrované obvody";
"Multichip integrated circuits";
"Integrované obvody vrstvového typu", včetně křemíkových obvodů na safírové podložce;
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
"Optické integrované obvody".
"Optical integrated circuits".
integrované obvody konstruované nebo klasifikované jako radiačně odolné, které vydrží:
Integrated circuits, designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
celkovou dávku radiace nejméně 5 × 103 Gy (křemík);
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
rychlost dávky nejméně 5 × 106 Gy (křemík)/s; nebo
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
Kontinuální (integrovaný) tok neutronů (ekvivalent 1 MeV) 5 × 1013 n/cm2 nebo vyšší na křemíkové podložce nebo jeho ekvivalent pro jiné materiály.
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Poznámka: Položka 3A001.a.1.c. se nevztahuje na kov-izolant-polovodiče (MIS).
Note: 3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
"mikroprocesorové mikroobvody", "mikropočítačové mikroobvody", mikroregulátorové mikroobvody, paměťové integrované obvody vyrobené ze složených polovodičů, analogově-číslicové převodníky a číslicově-analogové převodníky, elektro-optické nebo "optické integrované obvody" pro "zpracování signálů", uživatelem programovatelná logická pole, integrované obvody neuronových sítí, zákaznické integrované obvody, pro které buď není známa funkce, nebo není znám status zařízení, ve kterém bude integrovaný obvod použit, procesory pro rychlou Fourierovu transformaci (FFT), elektricky vymazatelné programovatelné permanentní paměti (EEPROMs), vyrovnávací paměti flash nebo statické paměti s náhodným výběrem (SRAM), které mají některou z dále uvedených charakteristik:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
jsou určeny pro provoz při okolní teplotě vyšší než 398 K (125 °C);
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
jsou určeny pro provoz při okolní teplotě nižší 218 K (– 55 °C); nebo
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
jsou určeny pro provoz v celém intervalu okolních teplot od 218 K (– 55 °C) do 398 K (125 °C);
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) et 398 K (125 °C);
Poznámka: Položka 3A001.a.2. nezahrnuje integrované obvody pro civilní automobily nebo pro železniční vlaky.
Note: 3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
"mikroprocesorové mikroobvody", "mikropočítačové mikroobvody" a mikroregulátorové mikroobvody, které mají některou z dále uvedených charakteristik:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, having any of the following characteristics:
Poznámka: Položka 3A001.a.3. zahrnuje číslicové signální procesory, číslicové maticové procesory a číslicové koprocesory.
Note: 3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
nevyužito;
Not used;
jsou vyrobeny ze složených polovodičů a pracují při hodinových frekvencích vyšších než 40 MHz; nebo
Manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz; or
mají více než jednu datovou nebo instrukční sběrnici nebo sériový komunikační port pro vnější přímé propojení mezi paralelními "mikroprocesorovými obvody" s přenosovou rychlostí vyšší než 150 Mbyte/s;
More than one data or instruction bus or serial communication port that provides a direct external interconnection between parallel "microprocessor microcircuits" with a transfer rate exceeding 150 Mbyte/s;
paměťové integrované obvody vyrobené ze složených polovodičů;
Storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor;
integrované obvody analogově-číslicových a číslicově-analogových převodníků:
Analogue-to-digital and digital-to-analogue converter integrated circuits, as follows:
analogově-číslicové převodníky, které mají některou z dále uvedených charakteristik:
Analogue-to-digital converters having any of the following:
POZN.: VIZ TÉŽ 3A101
SEE ALSO 3A101
rozlišení nejméně 8 bitů, avšak menší než 12 bitů, s "celkovou dobou převodu" menší než 5 ns;
A resolution of 8 bit or more, but less than 12 bit, with a 'total conversion time' of less than 5 ns;
rozlišení 12 bitů s "celkovou dobou převodu" menší než 20 ns;
A resolution of 12 bit with a 'total conversion time' of less than 20 ns;
rozlišení větší než 12, avšak nejvýše 14 bitů, s "celkovou dobou převodu" menší než 200 ns; nebo
A resolution of more than 12 bit but equal to or less than 14 bit with a 'total conversion time' of less than 200 ns; or
rozlišení větší než 14 bitů s "celkovou dobou převodu" menší než 1 ìs;
A resolution of more than 14 bit with a 'total conversion time' of less than 1 μs;
číslicově-analogové převodníky s rozlišením nejméně 12 bitů a "dobou ustálení" menší než 10 ns;
Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
Rozlišení n bitu odpovídá kvantizaci 2n.
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
"Celková doba převodu" je převrácená hodnota rychlosti snímání.
'Total conversion time' is the inverse of sample rate.
elektro-optické a "optické integrované obvody" pro "zpracování signálů", které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
Electro-optical and "optical integrated circuits" designed for "signal processing" having all of the following:
jedna nebo více vnitřních "laserových" diod;
One or more than one internal "laser" diode;
jeden nebo více vnitřních prvků pro detekci světla; a
One or more than one internal light detecting element; and
optické vlnovody;
Optical waveguides;
uživatelem programovatelná logická zařízení, která mají některou z dále uvedených charakteristik:
Field programmable logic devices having any of the following:
ekvivalentní počet využitelných hradel větší než 30000 (dvouvstupová hradla);
An equivalent usable gate count of more than 30000 (2 input gates);
typická "dobu zpoždění základního hradla" menší než 0,1 ns; nebo
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
překlápěcí frekvence vyšší než 133 MHz;
A toggle frequency exceeding 133 MHz;
Poznámka: Položka 3A001.a.7. zahrnuje:
Note: 3A001.a.7. includes:
jednoduchá programovatelná logická zařízení (SPLD)
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
složitá programovatelná logická zařízení (CPLD)
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
uživatelem programovatelná hradová pole (FPGA)
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
uživatelem programovatelná logická pole (FPLA)
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
uživatelem programovatelné vnitřní spoje (FPIC)
Field Programmable Interconnects (FPICs)
POZN.: Uživatelem programovatelná logická zařízení jsou též známa jako uživatelem programovatelná hradla nebo uživatelem programovatelná logická pole.
N.B.: Field programmable logic devices are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
integrované obvody pro neuronové sítě;
Neural network integrated circuits;
zákaznické integrované obvody, u nichž výrobci buď není známa funkce, nebo není znám status zařízení, ve kterém bude integrovaný obvod použit, a které mají některou z dále uvedených charakteristik:
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
více než 1000 vývodů;
More than 1000 terminals;
pracovní frekvence větší než 3 GHz;
An operating frequency exceeding 3 GHz;
číslicové integrované obvody, jiné než popsané v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.10. a 3A001.a.12., které jsou založeny na jakémkoli složeném polovodiči a které mají některou z dále uvedených charakteristik:
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
ekvivalentní počet hradel větší než 3000 (dvouvstupová hradla); nebo
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
překlápěcí frekvence vyšší než 1,2 GHz;
A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
procesory pro rychlou Fourierovu transformaci (FFT), jejichž jmenovitá doba provádění pro N-bodovou komplexní FFT činí méně než (N log2 N)/20480 ms, kde N je počet bodů;
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2N)/20480 ms, where N is the number of points;
Rovná-li se N 1024 bodům, činí doba provádění podle vzorce uvedeného v položce 3A001.a.12. 500 ìs.
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 μs.
Mikrovlnná zařízení nebo zařízení pracující s milimetrovými vlnami:
Microwave or millimetre wave components, as follows:
vakuové elektronky a katody:
Electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:
Poznámka 1: Položka 3A001.b.1. nezahrnuje elektronky konstruované nebo určené pro provoz v jakémkoliv frekvenčním pásmu se všemi dále uvedenými charakteristikami:
Note 1: 3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
nejvýše 31,8 GHz; a
Does not exceed 31,8 GHz; and
jsou "přiděleny podle ITU" pro radiokomunikační služby, nikoliv však o navigační rádiové služby.
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Poznámka 2: Položka 3A001.b.1. nezahrnuje elektronky, které nejsou "vhodné pro kosmické aplikace" a které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
Note 2: 3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes which meet all of the following characteristics:
průměrný výstupní výkon 50 W nebo menší; a
An average output power equal to or less than 50 W; and
jsou konstruovány nebo určeny pro činnost v kterémkoliv frekvenčním pásmu se všemi následujícími charakteristikami:
Designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
více než 31,8 GHz, avšak nejvýše 43,5 GHz; a
Exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
elektronky s postupnou vlnou, impulsovou nebo trvalou vlnou, které mají tyto charakteristiky:
Travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
pracují při frekvencích vyšších než 31,8 GHz;
Operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
mají topný prvek katody s dobou náběhu na jmenovitý RF výkon menší než 3 s;
Having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
elektronky s vázanou dutinou nebo jejich deriváty s "frakční šířkou pásma" větší než 7 % nebo špičkovým výkonem vyšším než 2,5 kW;
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
elektronky s elektrodou ve tvaru šroubovice nebo jejich deriváty, které mají některou z dále uvedených charakteristik:
Helix tubes, or derivatives thereof, with any of the following characteristics: