natgillin/translations-raw huggingface dataset:
energie paprsku 65 kV anebo více a paprskový proud 45 mA anebo více pro implantování kyslíku s vysokou energií do zahřátého "substrátu" z polovodičového materiálu;
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Zařízení na suché leptání anizotropní plazmou:
Anisotropic plasma dry etching equipment, as follows:
zařízení s provozem kazeta – kazeta a uzávěry náplně (load-locks), která mají některou z dále uvedených charakteristik:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
jsou konstruovaná nebo optimalizovaná pro tvorbu kritických rozměrů 0,3 μm nebo méně s přesností ± 5 % 3 sigma; nebo
Designed or optimised to produce critical dimensions of 0,3 μm or less with ± 5 % 3 sigma precision; or
jsou konstruovaná pro generování méně než 0,04 částic/cm2 s měřitelnou velikostí částic větší než 0,1 μm v průměru;
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 μm in diameter;
zařízení speciálně konstruovaná pro zařízení uvedená v položce 3B001.e., která mají některou z dále uvedených charakteristik:
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
jsou konstruovaná pro generování méně než 0,04 částic/cm2 s měřitelnou velikostí částic větší než 0,1 μm v průměru;
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
Zařízení na chemické vylučování z plynné fáze (CVD) zesílené plazmou:
Plasma enhanced CVD equipment, as follows:
zařízení fungující systémem z kazety do kazety a s blokovacími zařízeními a navržené podle technických podmínek výrobce anebo optimalizované na použití při výrobě polovodičových nástrojů s kritickými rozměry 180 nm anebo méně;
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
zařízení speciálně navržené pro zařízení podle 3B001.e. a navržené podle technických podmínek výrobce anebo optimalizované pro použití při výrobě polovodičových nástrojů s kritickými rozměry 180 nm anebo méně;
Equipment specially designed for equipment controlled by 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
vícekomorové centrální manipulační systémy pro destičky polovodičů s automatickým vkládáním, "řízené uloženým programem", které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
prostředky pro vstup a výstup destiček, k nimž lze připojit více než dvě zařízení na zpracování polovodičů; a
Interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
jsou konstruovány jako integrovaný systém ve vakuu pro postupné vícenásobné zpracování destiček;
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;
Poznámka: Položka 3B001.e. nezahrnuje automatické robotizované manipulační systémy pro destičky polovodičů, které nejsou konstruovány pro provoz ve vakuovém prostředí.
Note: 3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
litografické vybavení:
Lithography equipment, as follows:
Nastavovací a krokovací nebo krokovací a snímací zařízení na zpracování destiček polovodičů za použití fotooptických nebo rentgenových metod, která mají některou z dále uvedených charakteristik:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following:
vlnová délka světelného zdroje kratší než 350 nm; nebo
A light source wavelength shorter than 350 nm; or
schopnost exponovat obrazce s velikostí "nejmenšího rozlišitelného prvku" 0,5 μm nebo menší;
Capable of producing a pattern with a'minimum resolvable feature' size of 0,35 μm or less;
Velikost "nejmenšího rozlišitelného prvku" se vypočítá podle vzorce:
The "minimum resolvable feature" size is calculated by the following formula:
MRF = vlnová délka světelného zdroje v μm) × K
MRF = an exposure light source wavelength in μm × K factor
číselná apertura
numerical aperture
kde K faktor = 0,7
where the K factor = 0,7
MRF = velikost nejmenšího rozlišitelného prvku.
MRF = minimum resolvable feature size
zařízení speciálně konstruovaná pro výrobu masek nebo zpracování polovodičových součástek za použití vychylovaného zaostřeného elektronového svazku, iontového paprsku nebo "laserového" svazku, která mají některou z dále uvedených charakteristik:
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:
astopa paprsku menší než 0,2 μm;
A spot size smaller than 0,2 μm;
jsou schopná vytvořit obrazec o velikosti prvku menší než 1 μm; nebo
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
přesnost překrytí je lepší než ± 0,20 μm (3 sigma);
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
masky a optické mřížky konstruované pro integrované obvody uvedené v položce 3A001;
Masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
vícevrstvé masky s vrstvou fázového posunu.
Multi-layer masks with a phase shift layer.
Poznámka: 3B001.h. Podle 3B001.h. se neřídí vícevrstvé marky s vrstvou fázového posuvu navržené pro výrobu paměťových přístrojů, které se neřídí podle 3A001.
Note: 3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Zkušební zařízení "řízená uloženým programem", speciálně konstruovaná pro zkoušení zhotovených nebo rozpracovaných polovodičových součástek a speciálně pro ně konstruované součásti a příslušenství:
"Stored programme controlled" test equipment, specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
pro zkoušení S-parametrů tranzistorových součástek při frekvencích větších než 31,8 GHz;
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
pro zkoušení integrovaných obvodů, schopná provádět funkční zkoušení (podle pravdivostní tabulky) při "rychlosti vzorku" vyšší než 667 MHz;
For testing integrated circuits capable of performing functional (truth table) testing at a 'pattern rate' of more than 667 MHz;
Poznámka: Položka 3B002 nezahrnuje zkušební zařízení speciálně konstruovaná pro zkoušení:
Note: 3B002.b. does not control test equipment specially designed for testing:
"elektronických sestav" nebo řad "elektronických sestav" pro použití v domácnosti nebo v zařízeních pro účely zábavy;
"Electronic assemblies" or a class of "electronic assemblies" for home or entertainment applications;
elektronických součástek, "elektronických sestav" nebo integrovaných obvodů, které nejsou kontrolovány;
Uncontrolled electronic components, "electronic assemblies" or integrated circuits;
pamětí.
Memories.
Pro účely této položky je "rychlost vzorku" definována jako maximální frekvence číslicové operace zkoušecího zařízení.
For the purpose of this entry,' pattern rate' is defined as the maximum frequency of digital operation of a tester.
Je proto ekvivalentem nejvyšší možné rychlosti dat, kterou toto zařízení může poskytnout v nemultiplexním režimu.
It is therefore equivalent to the highest data rate that a tester can provide in non-multiplexed mode.
Označuje se též jako rychlost zkoušení, maximální číslicová frekvence nebo maximální číslicová rychlost.
It is also referred to as test speed, maximum digital frequency or maximum digital speed.
pro zkoušení mikrovlnných integrovaných obvodů uvedených v položce 3A001.b.2.
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Heteroepitaxní materiály sestávající z "podložky" složené z více na sobě uspořádaných epitaxně narostlých vrstev z:
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
křemíku;
Silicon;
germania;
Germanium;
sloučenin galia nebo india typu III/V.
III/V compounds of gallium or indium.
Sloučeniny typu III/V jsou polykrystalické nebo binární nebo komplexní monokrystalické produkty sestávající z prvků skupin IIIA a VA Mendělejevovy periodické tabulky (např. arsenid galia, arsenid galito - hlinitý, fosfid india).
III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide).
Rezistní materiály (rezisty) a "podložky" potažené kontrolovanými rezisty:
Resist materials, as follows, and "substrates" coated with controlled resists:
pozitivní rezisty konstruované pro polovodičovou litografii speciálně upravené (optimalizované) pro použití při vlnových délkách pod 350 nm;
Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 350 nm;
veškeré rezisty konstruované pro použití s elektronovými nebo iontovými paprsky o citlivosti 0,01 μcoulomb/mm2 nebo lepší;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
veškeré rezisty konstruované pro použití s rentgenovými paprsky o citlivosti 2,5 mJ /mm2 nebo lepší;
All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
veškeré rezisty optimalizované pro technologie zobrazování povrchu, včetně "silylátovaných" rezistů.
All resists optimised for surface imaging technologies, including 'silylated' resists.
"Silylační" techniky jsou definovány jako procesy, které využívají oxidace povrchu rezistu ke zlepšení vlastností jak při suchém, tak při mokrém vyvolávání.
'Silylation' techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Organoanorganické sloučeniny:
Organo-inorganic compounds, as follows:
organokovové sloučeniny hliníku, galia nebo india, které mají čistotu (čistotu kovu) lepší než 99,999 %;
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
organické sloučeniny arsenu, antimonu a fosforu, které mají čistotou (čistotu anorganické složky) lepší než 99,999 %.
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Poznámka: Položka 3C003 zahrnuje pouze ty sloučeniny, jejichž kovový, polokovový nebo nekovový prvek je přímo vázán na uhlík organické části molekuly.
Note: 3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Hydridy fosforu, arsenu nebo antimonu, které mají čistotu lepší než 99,999 %, případně zředěné v inertních plynech nebo vodíku.
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
Poznámka: Položka 3C004 nezahrnuje hydridy, které obsahují nejméně 20 % molárních inertních plynů nebo vodíku.
Note: 3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
"Software" speciálně konstruovaný pro "vývoj" nebo "výrobu" zařízení uvedených v položkách 3A001.b. až 3A002.g. nebo 3B.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
"Software" speciálně konstruovaný pro "užití" v těchto zařízeních:
"Software" specially designed for the "use" of any of the following:
zařízení uvedené v 3B001.a. - f.; nebo
Equipment specified in 3B001.a. to f.; or
zařízení uvedené v 3B002.
Equipment specified in 3B002.
SW založený na fyzikální simulaci speciálně navržený pro "vývoj" litografických, leptacích anebo vylužovacích procesů na překládání maskovacích obrazů do speciálních topografických obrazců ve vodičích, dielektrikách nebo polovodičových materiálech.
Physics-based simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
"Physics-based" in 3.D.3. "Fyzikálně" uložený v 3.D.3 znamená používání výpočtů pro určení souslednosti fyzikálních příčinných a účinných dějů na základě fyzikálních vlastností (např. teplotních, tlakových, difúzních veličin a vlastností polovodičových materiálů).
'Physics-based' in 3.D.3. means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Poznámka: Knihovny, atributy návrhů nebo související data pro návrh polovodičových součástek nebo integrovaných obvodů se považují za "technologii".
Note: Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
"Software" speciálně konstruovaný pro "vývoj" zařízení uvedených v položce 3A003.
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
"Software" speciálně konstruovaný nebo upravený pro "užití" zařízení uvedených v položce 3A101.b.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
„"Technologie"ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro "vývoj " nebo "výrobu" zboží uvedeného v položkách 3A, 3B nebo 3C;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Poznámka 1: Položka 3E001 nezahrnuje "technologie" pro "vývoj" nebo "výrobu" uvedené v 3A003.
Note 1: 3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Poznámka 2: Položka 3E001 nezahrnuje "technologie" pro "vývoj" nebo "výrobu" integrovaných obvodů uvedených v 3A001.a.3. až 3A001.a.12., a mají tyto charakteristiky:
Note 2: 3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
používají "technologii" s rozlišením nejméně 0,5 μm; a
Using "technology" of 0,5 μm or more, and
nemají "vícevrstvé struktury".
Not incorporating 'multi-layer structures'.
Výraz "vícevrstvé struktury" nezahrnuje zařízení s nejvýše třemi kovovými vrstvami a třemi vrstvami polykrystalického křemíku
The term "multi-layer structures" does not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
"Technologie" ve smyslu všeobecné poznámky k technologii, jiné než uvedené v položce 3E001, pro "vývoj" nebo "výrobu""mikroprocesorových mikroobvodů", "mikropočítačových mikroobvodů" a mikroregulátorových mikroobvodů, které mají "složený teoretický výkon" ("CTP") 530 milionů teoretických operací za sekundu (Mtops) nebo vyšší a aritmetickou logickou jednotku s šířkou přístupu 32 bitů nebo více;
"Technology" according to the General Technology Note other than that specified in 3E001 for the "development" or "production" of "microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits having a "composite theoretical performance" ("CTP") of 530 million theoretical operations per second (Mtops) or more and an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more.
Poznámka: Poznámka uvedená u položky 3E001 platí též pro položku 3E002.g.
Note: Decontrol note 2 to 3E001 also applies to 3E002.
Jiné "technologie" pro "vývoj" nebo "výrobu":
Other "technology" for the "development" or "production" of:
vakuových mikroelektronických součástek;
Vacuum microelectronic devices;
heterostrukturních polovodičových součástek jako jsou tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT), hetero-bipolární tranzistory (HBT), součástky na bázi kvantových jam a supermřížek; Poznámka: 3E003.b.
Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
Podle 3E003.b. se neřídí technologie pro tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT), které pracují při frekvencích nižších než je 31,8 GHz, a pro heteropřechodné bipolární tranzistory, které pracují při frekvencích nižších než 31,8 GHz.
Note: 3E003.b. does not control technology for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
supravodivých elektronických součástek;
"Superconductive" electronic devices;
podložek z diamantových filmů pro elektronické součástky;
Substrates of films of diamond for electronic components;
podložek s křemíkem na izolátoru (SOI) pro integrované obvody, kde izolátorem je oxid křemičitý;
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
podložek z karbidu křemíku pro elektronické součástky;
Substrates of silicon carbide for electronic components;
vakuových elektronek pracujících při frekvenci 31,8 GHz nebo vyšší.
Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
"Technologie" ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro "užití" zařízení nebo "softwaru" uvedených v položkách 3A001.a.1. nebo 2., 3A101 nebo 3D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101 or 3D101.
"Technologie" ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro "vývoj" zařízení nebo "softwaru" uvedeného v položce 3D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
"Technologie" ve smyslu všeobecné poznámky k technologii pro "užití" zařízení uvedeného v položkách 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A201, 3A225 až 3A233.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A201, 3A225 to 3A233.
KATEGORIE 4
CATEGORY 4
POČÍTAČE
COMPUTERS
Poznámka 1: Počítače, jejich příslušenství a "software" vykonávající telekomunikační funkce nebo funkce "místních sítí" je též třeba hodnotit podle charakteristik výkonu vymezených v kategorii 5 části 1 (Telekomunikace).
Note 1: Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Poznámka 2: Řídicí jednotky, které přímo propojují sběrnice nebo kanály základních jednotek, řídicí jednotky "hlavní paměti" nebo řídicí jednotky diskové paměti se nepovažují za telekomunikační zařízení popsaná v kategorii 5 části 1 (Telekomunikace).
Note 2: Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
POZN.: Pokud jde o režim "softwaru" speciálně konstruovaného pro přepojování paketů, viz 5D001.
N.B.: For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
Poznámka 3: Počítače, jejich příslušenství a "software" vykonávající šifrovací funkce, kryptoanalytické funkce, funkce zajišťující víceúrovňové zabezpečení nebo funkce zabezpečující izolaci uživatele omezující elektromagnetickou kompatibilitu (EMC) je rovněž třeba hodnotit podle charakteristik uvedených v kategorii 5 části 2 ("Bezpečnost informací").
Note 3: Computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").
Elektronické počítače a jejich příslušenství, "elektronické sestavy" a speciálně pro ně konstruované součásti:
Electronic computers and related equipment, as follows, and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
POZN.: VIZ TÉŽ 4A101.
N.B.: SEE ALSO 4A101.
speciálně konstruované tak, aby měly některou z dále uvedených charakteristik:
Specially designed to have any of the following characteristics:
jsou určené pro práci při okolní teplotě nižší než 228 K (– 45 °C) nebo vyšší než 358 K (85 °C);
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C);
Poznámka: Položka 4A001.a.1. se nevztahuje na počítače speciálně konstruované pro použití v civilních automobilech a vlacích.
Note: 4A001.a.1. does not apply to computers specially designed for civil automobile or railway train applications.
jsou radiačně odolné tak, že přesahují některý z těchto parametrů:
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
celková dávka 5 × 103 Gy (křemík);
Total Dose 5 × 103 Gy (silicon);
narušení při rychlosti dávky 5 × 106 Gy (křemík)/s; nebo
Dose Rate Upset 5 × 106 Gy (silicon)/s; or
narušení způsobené jednorázovým dějem 1 × 10–7 chyby/bit/den;
Single Event Upset 1 × 10–7 Error/bit/day;
mají charakteristiky nebo vykonávají funkce, které přesahují meze uvedené v kategorii 5 části 2 ("Bezpečnost informací")
Having characteristics or performing functions exceeding the limits in Category 5, Part 2 ("Information Security").
Poznámka: 4A001.b. nezahrnuje elektronické počítače a jejich příslušenství, které má jejich uživatel pro osobní užití.
Note: 4A001.b. does not control electronic computers and related equipment when accompanying their user for the user's personal use.
"Číslicové počítače", "elektronické sestavy", jejich příslušenství a speciálně pro ně konstruované součásti:
"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows, and specially designed components therefor:
Poznámka 1: Položka 4A003 zahrnuje:
Note 1: 4A003 includes the following:
vektorové procesory;
Vector processors;
procesorová pole;
Array processors;
číslicové komunikační procesory;
Digital signal processors;
logické procesory;
Logic processors;
zařízení konstruovaná pro "zlepšení obrazu";
Equipment designed for "image enhancement";
zařízení konstruovaná pro "zpracování signálů".
Equipment designed for "signal processing".
Poznámka 2: Kontrolní status "číslicových počítačů" nebo jejich příslušenství popsaných v položce 4A003 je určen kontrolním statusem jiných zařízení nebo systémů za předpokladu, že:
Note 2: The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
"číslicové počítače" nebo jejich příslušenství jsou nezbytně nutné pro provoz těchto jiných zařízení nebo systémů;
The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
"číslicové počítače" nebo jejich příslušenství nejsou "hlavním prvkem" těchto jiných zařízení nebo systémů; a
The "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
POZN.: Status zařízení pro "zpracování signálů" nebo "zlepšení obrazu" speciálně konstruovaných pro jiná zařízení, jejichž funkce jsou omezeny pouze na fungování těchto jiných zařízení, je určen statusem těchto jiných zařízení, i když přesahuje kritérium "hlavního prvku".
The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
Pozn.2: Pokud jde o status "číslicových počítačů" nebo jejich příslušenství pro telekomunikační zařízení, viz kategorie 5 část 1 (Telekomunikace).
For the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).