natgillin/translations-raw huggingface dataset:
spojitý přenos dat nejméně 1 Gbit/s;
A continuous throughput of 1 Gbit/s or more;
"elektronické sestavy""frekvenčních syntetizátorů", které mají "dobu přepínání frekvence" z jedné vybrané frekvence na druhou nižší než 1 ms;
"Frequency synthesiser""electronic assemblies" having a "frequency switching time" from one selected frequency to another of less than 1 ms;
radiofrekvenční "analyzátory signálů":
Radio frequency "signal analysers", as follows:
"analyzátory signálů" schopné analyzovat frekvence vyšší než 31 GHz, avšak nižší než 37,5 GHz nebo vyšší než 43,5 GHz;
"Signal analysers"capable of analysing frequencies exceeding 31,8 GHz but less than 37,5 GHz or exceeding 43,5 GHz;
"dynamické analyzátory signálů", jejichž "šířka pásma v reálném čase" je větší než 500 kHz;
"Dynamic signal analysers" having a"real-time bandwidth" exceeding 500 kHz;
Poznámka: Položka 3A002.c.2. nezahrnuje takové "dynamické analyzátory signálů", které používají pouze pásmové filtry s konstantním procentem (známé též jako oktávové filtry nebo filtry se zlomky oktáv).
Note: 3A002.c.2. does not control those "dynamic signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
generátory signálů na bázi frekvenčních syntetizátorů, které produkují výstupní frekvence, jejichž přesnost a krátkodobá a dlouhodobá stabilita jsou řízeny vnitřní hlavní frekvencí nebo jsou od ní odvozeny či upraveny, a které mají některou z dále uvedených charakteristik:
Frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master frequency, and having any of the following:
maximální syntetizovaná frekvence vyšší než 31,8 GHz a nejvýše 43,5 GHz a určená ke generování impulzu trvajícího méně než 100 ns;
A maximum synthesised frequency exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz and rated to generate a pulse duration of less than 100 ns;
maximální syntetizovaná frekvence vyšší než 31 GHz;
A maximum synthesised frequency exceeding 43,5 GHz;
"doba přepínání frekvence" z jedné vybrané frekvence na druhou nižší než 1 ms; nebo
A "frequency switching time" from one selected frequency to another of less than 1 ms; or
fázový šum s jedním postranním pásmem (SSB) lepší než – (126 + 20 log10F – 20 log10f) v dBc/Hz, kde F je posun od pracovní frekvence v Hz a f je pracovní frekvence v MHz;
A single sideband (SSB) phase noise better than – (126 + 20 log10F – 20 log10f) in dBc/Hz, where F is the off-set from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
Pro účely 3A002,d.1 se "trváním impulsu" rozumí časový interval mezi prvním okrajem impulsu dosahujícím 90 % vrcholu a posledním okrajem impulsu dosahujícím 10 % vrcholu.
For the purposes of 3A002.d.1., "pulse duration" is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
Poznámka: Položka 3A002.d. nezahrnuje zařízení, v nichž je výstupní frekvence produkována buď sečtením nebo odečtením dvou nebo více krystalem řízených oscilačních frekvencí, nebo sečtením či odečtením s následným vynásobením výsledku.
Note: 3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
síťové analyzátory s maximálním pracovní frekvencí vyšší než 43,5 GHz;
Network analysers with a maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz;
mikrovlnné zkušební přijímače, které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
Microwave test receivers having all of the following:
maximální syntetizovaná frekvence vyšší než 31 GHz; a
A maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz; and
schopnost měřit současně amplitudu i fázi;
Being capable of measuring amplitude and phase simultaneously;
atomové frekvenční normály, které mají některou z dále uvedených charakteristik:
Atomic frequency standards having any of the following:
dlouhodobá stabilita (stárnutí) menší (lepší) než 1 × 10– 11/měsíc; nebo
Long-term stability (aging) less (better) than 1 × 10– 11/month; or
jsou "vhodné pro kosmické aplikace".
Being "space qualified".
Poznámka: 3A002.g.1. nezahrnuje rubidiové normály, které nejsou "vhodné pro kosmické aplikace".
Note: 3A002.g.1. does not control non-"space qualified" rubidium standards.
Chladící a rozprašovací tepelné řídící systémy využívají zařízení, které ovládá a upravuje oběh uzavřené tekutiny v utěsněném prostředí, přičemž dielektrická tekutina je rozprášená na elektronické součástky s použitím speciálně vyrobeného rozstřikovače, který udržuje v rámci operačního rozpětí teplotu elektronických součástek a zvlášť pro tento účel vyrobených součástí.
Spray cooling thermal management systems employing closed loop fluid handling and reconditioning equipment in a sealed enclosure where a dielectric fluid is sprayed onto electronic components using specially designed spray nozzles that are designed to maintain electronic components within their operating temperature range, and specially designed components therefor.
Elektronická zařízení, přístroje a součásti, jiné než uvedené v položce 3A001:
Electronic equipment, devices and components, other than those specified in 3A001, as follows:
analogově-číslicové převodníky použitelné v "řízených střelách", konstruované tak, aby splňovaly vojenské specifikace pro robustní zařízení;
Analog to digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedized equipment;
urychlovače schopné dodávat elektromagnetické záření produkované brzdným zářením z urychlených elektronů 2 MeV nebo více a systémy obsahující tyto urychlovače.
Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
Poznámka: Položka 3A101.b. nezahrnuje zařízení speciálně konstruovaná pro lékařské účely.
Note: 3A101.b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
Elektronické součásti, jiné než uvedené v položce 3A001:
Electronic components, other than those specified in 3A001, as follows;
kondenzátory, které mají jednu z dále uvedených kombinací charakteristik:
Capacitors having either of the following sets of characteristics:
pracovní napětí větší než 1,4 kV;
Voltage rating greater than 1,4 kV;
uchovaná energie větší než 10 J;
Energy storage greater than 10 J;
kapacita větší než 0,5 μF; a
Capacitance greater than 0,5 μF; and
sériová induktance menší než 50 nH; nebo
Series inductance less than 50 nH; or
pracovní napětí větší než 750 V;
Voltage rating greater than 750 V;
kapacita větší než 0,25 μF; a
Capacitance greater than 0,25 μF; and
sériová induktance menší než 10 nH;
Series inductance less than 10 nH;
supravodivé solenoidní elektromagnety, které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
schopné vytvořit magnetické pole větší než 2 T;
Capable of creating magnetic fields greater than 2 T;
poměr délky k vnitřnímu průměru větší než 2;
A ratio of length to inner diameter greater than 2;
vnitřní průměr větší než 300 mm; a
Inner diameter greater than 300 mm; and
rovnoměrnost magnetického pole lepší než 1 % na středových 50 % vnitřního objemu;
Magnetic field uniform to better than 1 % over the central 50 % of the inner volume;
Poznámka: Položka 3A201.b. nezahrnuje magnety speciálně konstruované a vyvážené "jako součásti" lékařských systémů k zobrazování na principu nukleární magnetické rezonance (NMR).
Note: 3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported 'as parts of' medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Výraz "jako součásti" nemusí nezbytně znamenat fyzickou součást v rámci stejné dodávky; oddělené dodávky z různých zdrojů jsou povoleny za předpokladu, že příslušná vývozní dokumentace jasně vymezuje vztah těchto dodávek "jako součásti" zobrazovacího systému.
The phrase 'as part of' does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched 'as part of' the imaging systems.
zábleskové rentgenové generátory nebo pulsní elektronové urychlovače, které mají některou z dále uvedených kombinací charakteristik:
Flash X ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
urychlovače s maximální energií elektronů nejméně 500 keV, avšak menší než 25 MeV; a
An accelerator peak electron energy of 500 KeV or greater but less than 25 MeV; and
"účinnost" (K) 0,25 nebo vyšší; nebo
With a 'figure of merit' (K) of 0,25 or greater; or
urychlovač s maximální energií elektronů nejméně 25 MeV; a
An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
"špičkový výkon" větší než 50 MW.
A 'peak power' greater than 50 MW.
Poznámka: Položka 3A201.c. nezahrnuje urychlovače, které jsou součástmi přístrojů vyvinutých pro jiné účely než pro elektronové nebo rentgenové ozařování (např. elektronová mikroskopie) nebo přístrojů vyvinutých pro lékařské účely:
Note: 3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes.
"Účinnost" K je definována jako:
The 'figure of merit' K is defined as:
V je maximální energie elektronů v megaelektronvoltech.
V is the peak electron energy in million electron volts.
Jestliže doba trvání pulsu paprsku urychlovače je menší nebo rovna 1 μs, pak Q je celkový urychlený náboj v coulombech.
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 μs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
Pokud doba trvání pulsu paprsku urychlovače je větší než 1 μs, pak Q je maximální urychlený náboj v 1 μs.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 μs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 μs.
Q je rovno integrálu i podle t pro dobu méně než 1 μs nebo dobu trvání pulsu (Q = ∫ idt), kde i je proud paprsku v ampérech a t je doba v sekundách.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
"Špičkový výkon" = (špičkové napětí ve voltech) x (špičkový proud paprsku v ampérech).
'Peak power' = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
Ve strojích založených na mikrovlnných urychlovacích dutinách je dobou trvání pulsu paprsku buď 1 μs, nebo doba trvání dávky svazku paprsků vyvolaných jedním pulsem mikrovlnného modulátoru, je-li menší než 1 μs.
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
Ve strojích založených na mikrovlnných urychlovacích dutinách je špičkovým proudem paprsku průměrný proud po dobu trvání dávky svazku paprsků.
In machines based on microwave accelerating cavities, the peak beam current is the average current in the time duration of a bunched beam packet.
Měniče frekvencí nebo generátory, jiné než uvedené v položce 0B001.b.13., které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
Frequency changers or generators, other than those specified in 0B001.b.13., having all of the following characteristics:
vícefázový výstup s výkonem nejméně 40 W;
Multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
jsou schopné provozu ve frekvenčním rozsahu 600 až 2000 Hz;
Capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
celkové harmonické zkreslení lepší (menší) než 10 %; a
Total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
řízení frekvence lepší než 0,1 %.
Frequency control better (less) than 0,1 %.
Měniče frekvencí v položce 3A225 jsou též známy jako konvertory nebo invertory.
Frequency changers in 3A225 are also known as converters or inverters.
Zdroje stejnosměrného proudu s vysokým výkonem, jiné než uvedené v položce 0B001.j.6., které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
High power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
schopnost nepřetržitě produkovat po dobu 8 hodin napětí 100 V nebo větší s výstupním proudem nejméně 500 A; a
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
stabilita proudu nebo napětí po dobu 8 hodin lepší než 0,1 %.
Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
Zdroje stejnosměrného proudu s vysokým napětím, jiné než uvedené v položce 0B001.j.5., které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
High voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
schopnost nepřetržitě produkovat po dobu 8 hodin napětí 20 kV nebo větší s výstupním proudem nejméně 1 A; a
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
Dále uvedená spínací zařízení:
Switching devices, as follows:
elektronky se studenou katodou, též plněné plynem, pracující podobně jako jiskřiště, které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
Cold cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
obsahují tři nebo více elektrod;
Containing three or more electrodes;
špičkové anodové napětí nejméně 2,5 kV nebo více;
Anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
špičkový anodový proud nejméně 100 A; a
Anode peak current rating of 100 A or more 100 A; and
anodové zpoždění nejvýše 10 μs;
Anode delay time of 10 μs or less;
Poznámka: Položka 3A228 zahrnuje plynové krytronové elektronky a vakuové sprytronové elektronky.
Note: 3A228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
spouštěcí jiskřiště, která mají všechny dále uvedené charakteristiky:
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
anodové zpoždění nejvýše 15 ms nebo menší; a
An anode delay time of 15 μs or less; and
špičkový proud nejméně 500 A;
Rated for a peak current of 500 A or more;
moduly nebo montážní celky s rychlou spínací funkcí, které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
Modules or assemblies with a fast switching function having all of the following characteristics:
špičkové anodové napětí větší než 2 kV;
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
špičkový anodový proud nejméně 500 A; a
Anode peak current rating of 500 A or more; and
spínací čas nejvýše 1 μs.
Turn on time of 1 μs or less.
Odpalovací zařízení a podobné vysokoproudé pulsní generátory:
Firing sets and equivalent high current pulse generators as follows:
POZN.: VIZ TÉŽ SEZNAM VOJENSKÉHO MATERIÁLU.
N.B.: SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS
výbušné rozbuškové odpalovací systémy konstruované k aktivaci vícenásobně řízených rozněcovačů uvedených v položce 3A232;
Explosive detonator firing sets designed to drive multiple controlled detonators specified in 3A232;
modulární elektrické pulsní generátory (pulsovače), které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
jsou konstruovány pro přenosné a mobilní užití nebo užití ve ztížených podmínkách;
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
jsou uzavřeny v prachotěsném obalu;
Enclosed in a dust tight enclosure;
schopnost předat energii v méně než 15 μs;
Capable of delivering their energy in less than 15 μs;
výstup větší než 100 A;
Having an output greater than 100 A;
"náběhový čas" kratší než 10 μs při zatížení menším než 40 Ù;
Having a 'rise time' of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
žádný rozměr nepřesahuje 254 mm;
No dimension greater than 254 mm;
hmotnost menší než 25 kg; a
Weight less than 25 kg; and
jsou určeny k užití v rozšířeném teplotním rozmezí 223 K (– 50 °C) až 373 K (100 °C) nebo určeny jako vhodné pro letecké a kosmické užití.
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Poznámka: Položka 3A229 zahrnuje budiče pro xenonové výbojky
Note: 3A229.b. includes xenon flash lamp drivers.
V položce 3A229.b.5. je "náběhový čas" definován jako časový interval od 10 % do 90 % proudové amplitudy při odporovém zatížení.
"rise time" is defined as the time interval from 10 % to 90 % current amplitude when driving a resistive load.
Vysokorychlostní pulsní generátory, které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
High-speed pulse generators having both of the following characteristics:
výstupní napětí větší než 6 V při odporovém zatížení menším než 55 Ù; a
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
"pulsní přechodový čas" menší než 500 ps.
'Pulse transition time' less than 500 ps.
V položce 3A230 je "pulsní přechodový čas" definován jako časový interval mezi 10 % a 90 % napěťové amplitudy.
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Systémy pro generování neutronů (včetně trubic), které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
jsou konstruovány pro provoz bez vnějšího vakuového systému; a
Designed for operation without an external vacuum system; and
využívají elektrostatické zrychlení k vyvolání tritium-deuteriové jaderné reakce.
Utilizing electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
Rozněcovače a vícebodové rozbuškové systémy:
Detonators and multipoint initiation systems, as follows:
elektricky řízené rozněcovače:
Electrically driven explosive detonators, as follows:
odpalovací můstek (EB);
Exploding bridge (EB);
odpalovací můstkový drát (EBW);
Exploding bridge wire (EBW);
nárazové rozbušky;
Slapper;
výbušné fóliové rozbušky (EFI);
Exploding foil initiators (EFI);
zařízení využívající jednoduché nebo násobné rozbušky, konstruované pro téměř současné odpálení výbušného povrchu většího než 5000 mm2 jedním signálem k odpálení s rozšířením přes celý povrch za méně než 2,5 ìs.
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
Poznámka: Položka 3A232 nezahrnuje rozbušky využívající pouze primární výbušniny jako je azid olovnatý.
Note: 3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Rozbušky zahrnuté do položky 3A232 používají drobné elektrické vodiče (můstky, můstkové dráty nebo fólie), které se, pokud jimi projde rychlý elektrický impuls o vysokém proudu, explozivně odpařují.
In 3A232 the detonators of concern all utilise a small electrical conductor (bridge, bridge wire or foil) that explosively vapourises when a fast, high-current electrical pulse is passed through it.
V nenárazových typech nastartuje výbušný vodič chemickou detonaci dotykem s vysoce výbušnou látkou jako je PETN (pentaerytritol-tetranitrát).
In nonslapper types, the exploding conductor starts a chemical detonation in a contacting high-explosive material such as PETN (Pentaerythritoltetranitrate).
V nárazových rozbuškách přirazí výbušné odpařování elektrického vodiče nárazník přes mezeru a dopad nárazu nastartuje chemickou detonaci.
In slapper detonators, the explosive vapourisation of the electrical conductor drives a flyer or slapper across a gap and the impact of the slapper on an explosive starts a chemical detonation.
Nárazník je v některých typech spouštěn magnetickou silou.
The slapper in some designs is driven by a magnetic force.
Výraz výbušná fólie může označovat jak odpalovací můstek (EB), tak i nárazovou rozbušku.
The term exploding foil detonator may refer to either an EB or a slapper-type detonator.
Místo výrazu rozbuška se někdy používá výraz iniciátor.
Also, the word initiator is sometimes used in place of the word detonator.
Hmotnostní spektrometry, jiné než uvedené v položce 0B002.g., které jsou schopné měřit ionty o 230 nebo více atomových hmotnostních jednotkách a které mají rozlišovací schopnost lepší než 2 částice z 230, a iontové zdroje pro tyto spektrometry:
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
plazmové hmotnostní spektrometry s induktivní vazbou (ICP/MS);
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
hmotnostní spektrometry s doutnavým výbojem (GDMS);
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
hmotnostní spektrometry s tepelnou ionizací (TIMS);
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
hmotnostní spektrometry s elektronovým ostřelováním, které mají komoru zdroje vyrobenou z materiálů odolných vůči UF6 nebo takovým materiálem pokrytou nebo vyloženou;
Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
hmotnostní spektrometry s molekulovým paprskem, které mají:
Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
komoru zdroje vyrobenou z korozivzdorné oceli nebo molybdenu a které mají vymrazovací kapsu schopnou chlazení na 193 K (– 80 °C) nebo méně; nebo
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or
komoru zdroje vyrobenou z materiálů odolných vůči UF6 nebo takovým materiálem pokrytou nebo vyloženoù;
A source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
hmotnostní spektrometry vybavené mikrofluorizačním iontovým zdrojem, konstruované pro aktinidy nebo fluoridy aktinidů.
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
Zařízení pro výrobu polovodičových součástek nebo materiálů a jejich speciálně konstruované součásti a příslušenství:
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
zařízení pro epitaxiální růst krystalů "řízená uloženým programem":
Equipment designed for epitaxial growth, as follows:
schopná produkovat:
Equipment capable of producing any of the following:
schopná produkovat vrstvy s rovnoměrností tloušťky méně než ± 2,5 % v rozsahu vzdálenosti 200 mm nebo více; nebo
A silicon layer with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 200 mm or more; or
schopná produkovat vrstvy s rovnoměrností tloušťky méně než ± 2,5 % v rozsahu vzdálenosti 75 mm nebo více;
A layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
reaktory pro chemickou depozici z plynné fáze za použití organokovových sloučenin (MOCVD), speciálně konstruované pro růst krystalů složených polovodičů chemickou reakcí mezi materiály uvedenými v položce 3C003 nebo 3C004;
Metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
zařízení pro epitaxiální růst s molekulárním svazkem při použití plynných nebo pevných zdrojů;
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
zařízení "řízená uloženým programem" konstruovaná pro iontovou implantaci, která mají některou z dále uvedených charakteristik:
Equipment designed for ion implantation, having any of the following:
energie paprsku (urychlující napětí) větší než 1 MeV;
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1 MeV;
jsou speciálně konstruovaná a optimalizovaná pro provoz při urychlujícím napětí menším než 2 keV;
Being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
jsou schopná přímého zápisu; nebo
Direct write capability; or