natgillin/translations-raw huggingface dataset:
"Технологии" за проектиране на инструменти, матрици или закрепващи устройства, специално предназначени за някой от изброените по-долу процеси:
a.
a.
A settling time less than 9 ns to arrive at or within 0,024 % of full scale from a full scale step; or
"Свръхпластично формоване";
b.
b.
A 'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
"Дифузионно свързване"; или
'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
c.
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
"Хидравлично пресоване с непосредствено действие";
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than -3 dBfs (full scale).
Технически данни, състоящи се от методи и параметри на процесите, както са описани по-долу, използвани за контрол на:
'Adjusted update rate' for DACs:
a.
For conventional (non-interpolating) DACs, the 'adjusted update rate' is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
"Свръхпластично формоване" на алуминиеви сплави, титанови сплави или "суперсплави":
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
Подготовка на повърхностите;
For interpolating DACs (oversampling DACs), the 'adjusted update rate' is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
Степен на деформация;
For interpolating DACs, the 'adjusted update rate' may be referred to by different terms including:
Температура;
input data rate
Налягане;
input word rate
"Дифузионно свързване" на "суперсплави" или титанови сплави:
maximum total input bus rate
c.
maximum DAC clock rate for DAC clock input.
"Хидравлично пресоване с непосредствено действие" на алуминиеви сплави или титанови сплави:
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
Време на цикъла;
a.
d.
One or more than one internal "laser" diode;
'Горещо изостатично уплътняване' на титанови сплави, алуминиеви сплави, или "суперсплави":
b.
'Директно хидравлично пресоване' е процес на деформация, при който се използва гъвкав балон, пълен с течност, в пряко съприкосновение с детайла.
One or more than one internal light detecting element; and
'Горещо изостатично уплътняване' e процес на повишаване на налягането върху отливка при температури над 375 К (102 oС) в затворена камера чрез различни средства (газ, течност, твърди частици и т.н.) за създаване на еднаква сила във всички посоки с цел намаляване или отстраняване на евентуални вътрешни кухини в отливката.
c.
c.
Optical waveguides;
"Технологии" за "разработване" или "производство" на хидравлични машини за ротативно огъване и матрици за тях, за производство на корпусни конструкции за летателни апарати;
Field programmable logic devices having any of the following:
"Технологии" за "разработване" на интегриращ "софтуер" за включване на експертни системи за подпомагане на изпреварващите решения при цеховите операции в устройствата за "цифрово управление";
A maximum number of single-ended digital input/outputs of greater than 700; or
"Технологии" за полагане на неорганични горни покрития или неорганични покрития, изменящи повърхността, (описани в колона 3 на следващата таблица) върху неелектронни подложки, (описани в колона 2 на следващата таблица), посредством процесите, описани в колона 1 на следващата таблица и дефинирани в Техническата бележка.
An 'aggregate one-way peak serial transceiver data rate' of 500 Gb/s or greater;
Таблицата и Техническата бележка са поместени след графа 2E301.
3A001.a.7. includes:
Тази таблица следва да се използва за уточняване на "технологията" за конкретен процес на нанасяне на покритие само когато полученото покритие в колона 3 се намира в тази част от колоната, която се намира точно срещу съответния субстрат в колона 2.
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
Например, техническите данни за процеса на нанасяне на покрития чрез химическо свързване на пари (НПХСП/CVD) са включени за полагане на силициди върху субстрати от въглерод—въглерод, керамични и метални "матрични" "композити", но не са включени за полагане на силициди върху субстрати от "циментиран волфрамов карбид" (16), "силициев карбид" (18).
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
Във втория случай полученото покритие не е включено в списъка в тази част от колона 3, която се намира точно срещу частта от колона 2 за "циментиран волфрамов карбид" (16), "силициев карбид" (18).
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
"Технологии", съгласно Общата бележка за технологиите, за "употреба" на оборудване или "софтуер", посочени в 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 — 2B122, или 2D101.
Field Programmable Interconnects (FPICs)
"Технологии", съгласно Общата бележка за технологиите, за "употреба" на оборудване или "софтуер", посочени в 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 — 2B233, 2D201 или 2D202.
For integrated circuits having field programmable logic devices that are combined with an analogue-to-digital converter, see 3A001.a.14.
"Технологии" съгласно Общата бележка за технологиите за "използване" на изделията, описани в 2B350 до 2B352.
Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
Таблица
'Aggregate one-way peak serial transceiver data rate' is the product of the peak serial one-way transceiver data rate times the number of transceivers on the FPGA.
Методи за нанасяне на покрития
Neural network integrated circuits;
Процес на нанасяне (1)
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
Субстрат
a.
Получено покритие
More than 1500 terminals;
A. Химическо свързване на пари (CVD)
b.
"Суперсплави"
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,02 ns; or
Алуминиди за вътрешни канали
c.
Керамика (19) и стъкла с нисък коефициент на разширение (14)
An operating frequency exceeding 3 GHz;
Силициди
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Диелектрични слоеве (15)
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
Диамантоподобен въглерод (17)
A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
Въглерод—въглерод, Керамични и метални "матрични" "композити"
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N) /20 480 ms, where N is the number of points;
Огнеупорни метали
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 μs.
Смеси от горните (4)
Direct Digital Synthesizer (DDS) integrated circuits having any of the following:
Сплавени алуминиди (2)
A Digital-to-Analogue Converter (DAC) clock frequency of 3,5 GHz or more and a DAC resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit; or
Борен нитрид
b.
Циментиран волфрамов карбид (16), Силициев карбид (18)
A DAC clock frequency of 1,25 GHz or more and a DAC resolution of 12 bit or more;
Волфрам
The DAC clock frequency may be specified as the master clock frequency or the input clock frequency.
Молибден и молибденови сплави
Integrated circuits that perform or are programmable to perform all of the following:
Материали за сензорни отвори (9)
Analogue-to-digital conversions meeting any of the following:
Термично нанасяне на покрития чрез физическо отлагане на пари (ФОП-ТИ) TE-PVD
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with a "sample rate" greater than 1,3 Giga Samples Per Second (GSPS);
Физическо отлагане на пари (PVD): Електроннолъчев метод (EB-PVD)(ЕЛ-ФОП)
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with a "sample rate" greater than 1,0 GSPS;
Сплавени силициди чрез разпрашване
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with a "sample rate" greater than 1,0 GSPS;
Модифициран цирконий (12)
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with a "sample rate" greater than 400 Mega Samples Per Second (MSPS); or
Устойчива на корозия стомана (7)
A resolution of 16 bit or more with a "sample rate" greater than 180 MSPS; and
Бориди
b.
Берилий
Any of the following:
Титанови сплави (13)
Storage of digitised data; or
Нитриди
Processing of digitised data;
Физическо отлагане на пари по метода на йонно съпротивително загряване (PVD) (йонно напластяване)
For analogue-to-digital converter integrated circuits see 3A001.a.5.a.
Керамика (19) и Стъкла с нисък коефициент на разширение
For field programmable logic devices see 3A001.a.7.
Циментиран волфрамов карбид (16), Силициев карбид
Technicals Notes:
Физическо отлагане на пари (PVD): "Лазерно" изпаряване
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2 n levels.
Физическо отлагане на пари (PVD): Разреждане на катодна дъга
The resolution of the ADC is the number of bits of the digital output of the ADC that represents the measured analogue input.
Полимери (11) и органични "матрични" "композити"
For integrated circuits with non-interleaving "multiple channel ADCs", the "sample rate" is not aggregated and the "sample rate" is the maximum rate of any single channel.
C. Твърда циментация (вж.
For integrated circuits with "interleaved ADCs "or with "multiple channel ADCs" that are specified to have an interleaved mode of operation, the "sample rates" are aggregated and the "sample rate" is the maximum combined total rate of all of the interleaved channels.
A по-горе за мека циментация) (10)
b.
Огнеупорни метали и сплави (8)
Microwave or millimetre wave items as follows:
Оксиди
For purposes of 3A001.b., the parameter peak saturated power output may also be referred to on product data sheets as output power, saturated power output, maximum power output, peak power output, or peak envelope power output.
D. Разпръскване на плазма
For purposes of 3A001.b.1., 'vacuum electronic devices' are electronic devices based on the interaction of an electron beam with an electromagnetic wave propagating in a vacuum circuit or interacting with radio-frequency vacuum cavity resonators.
Изтриваем никел-графит
'Vacuum electronic devices' include klystrons, travelling-wave tubes, and their derivatives.
Изтриваеми материали, съдържащи Ni- Cr-Al
'Vacuum electronic devices' and cathodes, as follows:
Изтриваем Al-Si-полиестер
3A001.b.1. does not control 'vacuum electronic devices' designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Алуминиеви сплави (6)
Does not exceed 31,8 GHz; and
E. Отлагане на суспензия
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Сплавени силициди
3A001.b.1. does not control non-"space-qualified" 'vacuum electronic devices' having all of the following:
Сплавени алуминиди без топлоустойчиви елементи
An average output power equal to or less than 50 W; and
F. Отлагане чрез катодна пулверизация
Designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Алуминиди, модифицирани с благородни метали (3)
Exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
Платина
a.
Керамика и стъкла с нисък коефициент на разширение (14)
Travelling-wave 'vacuum electronic devices', pulsed or continuous wave, as follows:
Диелектрични слоеве (15)
Devices operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
G. Йонна имплантация
Devices having a cathode heater with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
Високотемпературни лагерни стомани
Coupled cavity devices, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
Добавки от хром тантал или ниобий (колумбий)
Devices based on helix, folded waveguide, or serpentine waveguide circuits, or derivatives thereof, having any of the following:
Циментиран волфрамов карбид (16)
a.
ТАБЛИЦА — МЕТОДИ ЗА НАНАСЯНЕ НА ПОКРИТИЯ — БЕЛЕЖКИ
An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
Терминът 'процес на нанасяне на покритие' включва възстановяването и подновяването на покритието, както и първоначалното му нанасяне.
b.
Терминът 'покритие от сплавени алуминиди' включва единични или многостепенни покрития, при които даден елемент или елементи се отлагат преди или по време на полагането на алуминидното покритие, дори и ако тези елементи се отлагат чрез друг процес на нанасяне на покритие.
An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1;
Това не включва обаче многократното прилагане на едноетапни процеси на твърда циментация за получаване на сплавени алуминиди.
c.
Терминът 'покритие с алуминиди, модифицирани с благородни метали' включва многоетапни покрития, при които благородният метал или благородните метали се полагат с някакъв друг процес на нанасяне на покритие преди нанасянето на алуминидното покритие.
Being "space-qualified"; or
Терминът 'смеси от горните' включва инфилтрирани материали, калибровани смеси и многослойни отлагания и се получават чрез един или повече от процесите на нанасяне на покритие, описани в таблицата.
d.
'MCrAlX' обозначава сплав за покритие, където М означава кобалт, желязо, никел и съчетания от тях, а Х означава хафний, итрий, силиций и тантал във всякакви количества или други нарочно привнесени добавки от над 0,01 тегловни проценти в различни пропорции и съчетания, освен:
Having a gridded electron gun;
a.
Devices with a "fractional bandwidth" greater than or equal to 10 %, with any of the following:
CoCrAlY покрития, съдържащи по-малко от 22 тегловни процента хром, по-малко от 7 тегловни процента алуминий и по-малко от 2 тегловни процента итрий;
a.
b.
An annular electron beam;
CoCrAlY покрития, съдържащи от 22 до 24 тегловни процента хром, от 10 до 12 тегловни процента алуминий и от 0,5 до 0,7 тегловни процента итрий; или
b.
c.
A non-axisymmetric electron beam; or
NiCrAlY покрития, съдържащи от 21 до 23 тегловни процента хром, от 10 до 12 тегловни процента алуминий и от 0,9 до 1,1 тегловни процента итрий.
c.
Терминът 'алуминиеви сплави' се отнася до сплави, имащи максимална якост на опън от 190 MPa или повече, измерени при 293 К (20 °C).
Multiple electron beams;
Терминът 'стомана, устойчива на корозия', се отнася до серията 300 на AISI (Американски институт по желязото и стоманата) или стомани отговарящи на еквивалентни национални стандарти.
b.
'Огнеупорни метали и сплави' включва следните метали и техните сплави: ниобий (колумбий), молибден, волфрам и тантал.
Crossed-field amplifier 'vacuum electronic devices' with a gain of more than 17 dB;
'Материали за сензорни отвори', както следва: двуалуминиев триоксид, силиций, германий, цинков сулфид, цинков селенид, галиев арсенид, диаманти, галиев фосфид, сапфир и техните метални халогениди: материали за сензорни отвори с диаметър повече от 40 mm за циркониев флуорид и хафниев флуорид.
c.
В категория 2 не се включват "технологиите" за едноетапно твърдо циментиране на твърди профили за обтичане на криле.
Thermionic cathodes designed for 'vacuum electronic devices' producing an emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2 or a pulsed (non-continuous) current density at rated operating conditions exceeding 10 A/cm2;
'Полимери', както следва: полиимид, полиестер, полисулфид, поликарбонати и полиуретани.
d.
'Модифициран цирконий' се отнася до добавки на оксиди на други метали (т.е. калций, магнезий, итрий, хафний, оксиди на лантаниди) към циркония, за да се стабилизират определени кристалографски фази и фазови състави.
'Vacuum electronic devices' with the capability to operate in a 'dual mode'.
Топлинните предпазни покрития, направени от цирконий, изменен с калций и магнезий чрез смесване или сплавяване, не са обект на контрол.
'Dual mode' means the 'vacuum electronic device' beam current can be intentionally changed between continuous-wave and pulsed mode operation by use of a grid and produces a peak pulse output power greater than the continuous-wave output power.
'Титанови сплави' се отнася да авиокосмически сплави, имащи максимална якост на опън от 900 MPa или повече, измерени при 293 К (20 °C).
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" ("MMIC") amplifiers that are any of the following:
'Стъкла с нисък коефициент на разширение' се отнася до стъкла, които имат коефициент на топлинно разширение от 1 × 10–7 K–7 или по-малко, измерено при 293 К (20 °C).
For "MMIC" amplifiers that have an integrated phase shifter see 3A001.b.12.
'Диелектрични слоеве' са покрития, състоящи се от многослойни изолиращи материали, при които свойствата за смущения на конструкцията, съставена от материали с различни индекси на рефракция, се използват за отразяване, предаване или поглъщане на различни обхвати на дължините на вълните.
a.
Диелектрични слоеве се отнася до повече от четири диелектрични пласта или "композитни" пластове диелектрик/метал.
Rated for operation at frequencies exceeding 2,7 GHz up to and including 6,8 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 15 %, and having any of the following:
'Циментиран волфрамов карбид' не включва материали за режещи и формоващи инструменти, състоящи се от волфрамов карбид/(кобалт, никел), титанов карбид/(кобалт, никел), хромов карбид/никел-хром и хромов карбид/никел.
A peak saturated power output greater than 75 W (48,75 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
"Технологиите" за нанасяне на диамантоподобен въглерод върху което и да е от изброените по-долу не са обект на контрол:
A peak saturated power output greater than 55 W (47,4 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
магнитни дискови устройства и глави, оборудване за производство на материали за еднократна употреба, вентили за водопроводни кранове, акустични диафрагми за високоговорители, части за двигатели на автомобили, режещи инструменти, комбинирани щанци, оборудване за автоматизация на офиси, микрофони или медицински устройства или матрици за отливане или оформяне на пластмаси, произведени от сплави със съдържание на берилий, по-малко от 5 %.
A peak saturated power output greater than 40 W (46 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
'Силициев карбид' не включва материалите за режещи и формоващи инструменти.
A peak saturated power output greater than 20 W (43 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
Керамичните субстрати, така както се използват тук, не включват керамични материали, съдържащи 5 тегловни процента или повече глина или цимент, или като отделни съставки, или в съчетание.
b.
ТАБЛИЦА — МЕТОДИ ЗА НАНАСЯНЕ НА ПОКРИТИЯ — ТЕХНИЧЕСКА БЕЛЕЖКА
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 16 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 10 %, and having any of the following:
Процесите, описани в колона 1 от таблицата, се дефинират, както следва:
A peak saturated power output greater than 10W (40 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz; or
a.
A peak saturated power output greater than 5W (37 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 16 GHz;
Нанасяне на покрития чрез химическо свързване на пари (НПХСП/CVD) е метод на нанасяне на многослойни покрития или на повърхностно модифициращи покрития, при което метал, сплав, "композитен материал", диелектрик или керамика се нанася върху нагрят субстрат.
c.
Газообразните реагенти се разлагат или свързват в средата на даден субстрат, което води до нанасяне на покритие от необходимия елементарен, сплавен или композитен материал върху субстрата.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 3 W (34,77 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Енергията за такова разлагане или процеса на химическа реакция е за сметка на загряване на субстрата, на отделяща тлеещ разряд плазма или от "лазерно" облъчване.
d.
НПХСП/CVD включва следните процеси: отлагане без циментация с насочен газов поток, импулсно CVD(НПХСП), топлинно отлагане чрез контролирано ядрено нанасяне CNTD(ТОКК), засилени или подпомогнати от плазма процеси на CVD(НПХСП).
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (– 70 dBm) at any frequency exceeding 31,8 GHz up to and including 37 GHz;
Циментация означава субстрат, потопен в прахообразна смес.
e.
Газообразните реагенти, използвани в процеса без циментация, се образуват с използване на същите основни реакции и параметри, както и процеса с циментиращо вещество, освен че субстратът, който следва да бъде покрит, не влиза в контакт с прахообразната смес.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 1 W (30 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Термично нанасяне на покрития чрез физическо отлагане на пари (ФОП-ТИ) е систематизиран процес на нанасяне на покритие, който се провежда във вакуум с налягане, по-малко от 0,1 Pa, при което за изпаряване на материала, от който ще се прави покритието, се използва източник на топлинна енергия.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 31,62 mW (15 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz up to and including 75 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Този процес води до кондензация или отлагане на изпарените вещества върху съответно разположени субстрати.
g.
Добавянето на газове към вакуумната камера по време на процеса на нанасяне на покритие с цел синтезиране на съставни покрития е обикновено видоизменение на процеса.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 10 mW (10 dBm) at any frequency exceeding 75 GHz up to and including 90 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 5 %; or
Използването на йонни или електронни лъчи или плазма за предизвикване или подпомагане на отлагането на покритието, е също така обикновено видоизменение на тази техника.
h.
Използването на монитори за измерване и контрол на оптичните свойства и на дебелината на образуваните покрития по време на самия процес може да се използва в тези процеси.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (– 70 dBm) at any frequency exceeding 90 GHz;
Специфичните процеси TE-PVD(ФОП-ТИ) са, както следва:
Not used.
ФОП по електроннолъчев метод използва електронен лъч за нагряване и изпаряване на материала, който образува покритието;
The control status of the "MMIC" whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.h., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
ФОП по метода на йонно съпротивително загряване използва източници на омическо нагряване в съчетание с бомбардиращ(и) йонен(ни) поток(ци) за получаване на контролиран и еднообразен поток от изпареното вещество за покритие;
Notes 1 and 2 in 3A mean that 3A001.b.2. does not control "MMICs" if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
"Лазерното" изпаряване използва лъчи или от импулсен "лазер", или от такъв с непрекъсната вълна за изпаряване на материала, който образува покритието;
Discrete microwave transistors that are any of the following:
Отлагането с използване на катодна дъга използва катод за еднократна употреба от материала, от който се образува покритието, и се извършва разреждане на дъгата върху повърхността чрез моментен допир до заземен тригер.
a.
Управляваното движение на дъговите разряди ерозира катодната повърхност, водейки до образуване на силно йонизирана плазма.
Rated for operation at frequencies exceeding 2,7 GHz up to and including 6,8 GHz and having any of the following: