natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Време на цикъла;
b.
d.
An 'aggregate one-way peak serial transceiver data rate' of 500 Gb/s or greater;
"Горещо изостатично уплътняване" на титанови сплави, алуминиеви сплави, или "суперсплави":
3A001.a.7. includes:
c.
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
"Технологии" за "разработване" или "производство" на хидравлични машини за ротативно огъване и матрици за тях, за производство на корпусни конструкции за летателни апарати;
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
d.
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
"Технологии" за "разработване" на генератори на команди за инструментални машини (напр. части от програми) на базата на проектни данни, намиращи се вътре в устройствата за "цифрово управление";
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
e.
Field Programmable Interconnects (FPICs)
"Технологии" за "разработване" на интегриращ "софтуер" за включване на експертни системи за подпомагане на изпреварващите решения при цеховите операции в устройствата за "цифрово управление";
For integrated circuits having field programmable logic devices that are combined with an analogue-to-digital converter, see 3A001.a.14.
f.
Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
"Технологии" за полагане на неорганични горни покрития или неорганични покрития, изменящи повърхността, (описани в колона 3 на следващата таблица) върху неелектронни подложки, (описани в колона 2 на следващата таблица), посредством процесите, описани в колона 1 на следващата таблица и дефинирани в Техническата бележка.
'Aggregate one-way peak serial transceiver data rate' is the product of the peak serial one-way transceiver data rate times the number of transceivers on the FPGA.
Таблицата и Техническата бележка са поместени след графа 2E301.
Neural network integrated circuits;
Тази таблица следва да се използва за уточняване на "технологията" за конкретен процес на нанасяне на покритие само когато полученото покритие в колона 3 се намира в тази част от колоната, която се намира точно срещу съответния субстрат в колона 2.
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
Например, техническите данни за процеса на нанасяне на покрития чрез химическо свързване на пари (НПХСП/CVD) са включени за полагане на силициди върху субстрати от въглерод—въглерод, керамични и метални "матрични""композити", но не са включени за полагане на силициди върху субстрати от "циментиран волфрамов карбид" (16), "силициев карбид" (18).
a.
Във втория случай полученото покритие не е включено в списъка в тази част от колона 3, която се намира точно срещу частта от колона 2 за "циментиран волфрамов карбид" (16), "силициев карбид" (18).
More than 1500 terminals;
"Технологии", съгласно Общата бележка за технологиите, за "употреба" на оборудване или "софтуер", посочени в 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 — 2B122, или 2D101.
b.
"Технологии", съгласно Общата бележка за технологиите, за "употреба" на оборудване или "софтуер", посочени в 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 — 2B233, 2D201 или 2D202.
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,02 ns; or
"Технологии" съгласно Общата бележка за технологиите за "използване" на изделията, описани в 2B350 до 2B352.
c.
Таблица
An operating frequency exceeding 3 GHz;
Методи за нанасяне на покрития
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Процес на нанасяне (1) [2]
a.
Субстрат
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
A. Химическо свързване на пари (CVD)
A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
"Суперсплави"
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N) /20 480 ms, where N is the number of points;
Алуминиди за вътрешни канали
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 μs.
Керамика (19) и стъкла с нисък коефициент на разширение (14)
Direct Digital Synthesizer (DDS) integrated circuits having any of the following:
Силициди
a.
Карбиди
A Digital-to-Analogue Converter (DAC) clock frequency of 3,5 GHz or more and a DAC resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit; or
Диелектрични слоеве (15)
b.
Диаманти
A DAC clock frequency of 1,25 GHz or more and a DAC resolution of 12 bit or more;
Диамантоподобен въглерод (17)
The DAC clock frequency may be specified as the master clock frequency or the input clock frequency.
Въглерод—въглерод, Керамични и метални "матрични""композити"
Integrated circuits that perform all of the following:
Огнеупорни метали
a.
Смеси от горните (4)
Analogue-to-digital conversions meeting any of the following:
Алуминиди
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an input sample rate greater than 1,3 giga samples per second (GSPS);
Сплавени алуминиди (2)
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an input sample rate greater than 1,0 giga samples per second (GSPS);
Борен нитрид
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with an input sample rate greater than 1,0 giga samples per second (GSPS);
Циментиран волфрамов карбид (16), Силициев карбид (18)
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with an input sample rate greater than 400 mega samples per second (MSPS); or
Волфрам
A resolution of 16 bit or more with an input sample rate greater than 180 mega samples per second (MSPS); and
Молибден и молибденови сплави
b.
Берилий и берилиеви сплави
Any of the following:
Материали за сензорни отвори (9)
Storage of digitised data; or
Термично нанасяне на покрития чрез физическо отлагане на пари (ФОП-ТИ) TE-PVD
Processing of digitised data;
Физическо отлагане на пари (PVD): Електроннолъчев метод (EB-PVD)(ЕЛ-ФОП)
For analogue-to-digital converter integrated circuits see 3A001.a.5.a.
Сплавени силициди чрез разпрашване
For field programmable logic devices see 3A001.a.7.
Модифициран цирконий (12)
b.
Устойчива на корозия стомана (7)
Microwave or millimetre wave items as follows:
Бориди
For purposes of 3A001.b., the parameter peak saturated power output may also be referred to on product data sheets as output power, saturated power output, maximum power output, peak power output, or peak envelope power output.
Берилий
For purposes of 3A001.b.1., 'vacuum electronic devices' are electronic devices based on the interaction of an electron beam with an electromagnetic wave propagating in a vacuum circuit or interacting with radio-frequency vacuum cavity resonators.
Титанови сплави (13)
'Vacuum electronic devices' include klystrons, travelling-wave tubes, and their derivatives.
Нитриди
'Vacuum electronic devices' and cathodes, as follows:
Физическо отлагане на пари по метода на йонно съпротивително загряване (PVD) (йонно напластяване)
3A001.b.1. does not control 'vacuum electronic devices' designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Керамика (19) и Стъкла с нисък коефициент на разширение
Does not exceed 31,8 GHz; and
Циментиран волфрамов карбид (16), Силициев карбид
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Физическо отлагане на пари (PVD): "Лазерно" изпаряване
3A001.b.1. does not control non-"space-qualified" 'vacuum electronic devices' having all of the following:
Диамантоподобен въглерод
An average output power equal to or less than 50 W; and
Физическо отлагане на пари (PVD): Разреждане на катодна дъга
Designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Полимери (11) и органични "матрични""композити"
Exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
A по-горе за мека циментация) (10)
Travelling-wave 'vacuum electronic devices', pulsed or continuous wave, as follows:
Огнеупорни метали и сплави (8)
Devices operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Оксиди
Devices having a cathode heater with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
D. Разпръскване на плазма
Coupled cavity devices, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
Изтриваем никел-графит
Devices based on helix, folded waveguide, or serpentine waveguide circuits, or derivatives thereof, having any of the following:
Изтриваеми материали, съдържащи Ni- Cr-Al
a.
Изтриваем Al-Si-полиестер
An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
Алуминиеви сплави (6)
b.
E. Отлагане на суспензия
An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1;
Сплавени силициди
c.
Сплавени алуминиди без топлоустойчиви елементи
Being "space-qualified"; or
F. Отлагане чрез катодна пулверизация
d.
Алуминиди, модифицирани с благородни метали (3)
Having a gridded electron gun;
Платина
Devices with a "fractional bandwidth" greater than or equal to 10 %, with any of the following:
Керамика и стъкла с нисък коефициент на разширение (14)
a.
Диелектрични слоеве (15)
An annular electron beam;
G. Йонна имплантация
b.
Високотемпературни лагерни стомани
A non-axisymmetric electron beam; or
Добавки от хром тантал или ниобий (колумбий)
c.
Циментиран волфрамов карбид (16)
Multiple electron beams;
ТАБЛИЦА — МЕТОДИ ЗА НАНАСЯНЕ НА ПОКРИТИЯ — БЕЛЕЖКИ
b.
Терминът 'процес на нанасяне на покритие' включва възстановяването и подновяването на покритието, както и първоначалното му нанасяне.
Crossed-field amplifier 'vacuum electronic devices' with a gain of more than 17 dB;
Терминът 'покритие от сплавени алуминиди' включва единични или многостепенни покрития, при които даден елемент или елементи се отлагат преди или по време на полагането на алуминидното покритие, дори и ако тези елементи се отлагат чрез друг процес на нанасяне на покритие.
c.
Това не включва обаче многократното прилагане на едноетапни процеси на твърда циментация за получаване на сплавени алуминиди.
Thermionic cathodes designed for 'vacuum electronic devices' producing an emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2 or a pulsed (non-continuous) current density at rated operating conditions exceeding 10 A/cm2;
Терминът 'покритие с алуминиди, модифицирани с благородни метали' включва многоетапни покрития, при които благородният метал или благородните метали се полагат с някакъв друг процес на нанасяне на покритие преди нанасянето на алуминидното покритие.
d.
Терминът 'смеси от горните' включва инфилтрирани материали, калибровани смеси и многослойни отлагания и се получават чрез един или повече от процесите на нанасяне на покритие, описани в таблицата.
'Vacuum electronic devices' with the capability to operate in a 'dual mode'.
'MCrAlX' обозначава сплав за покритие, където М означава кобалт, желязо, никел и съчетания от тях, а Х означава хафний, итрий, силиций и тантал във всякакви количества или други нарочно привнесени добавки от над 0,01 тегловни проценти в различни пропорции и съчетания, освен:
'Dual mode' means the 'vacuum electronic device' beam current can be intentionally changed between continuous-wave and pulsed mode operation by use of a grid and produces a peak pulse output power greater than the continuous-wave output power.
a.
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" (MMIC) amplifiers that are any of the following:
CoCrAlY покрития, съдържащи по-малко от 22 тегловни процента хром, по-малко от 7 тегловни процента алуминий и по-малко от 2 тегловни процента итрий;
For "MMIC" amplifiers that have an integrated phase shifter see 3A001.b.12.
CoCrAlY покрития, съдържащи от 22 до 24 тегловни процента хром, от 10 до 12 тегловни процента алуминий и от 0,5 до 0,7 тегловни процента итрий; или
Rated for operation at frequencies exceeding 2,7 GHz up to and including 6,8 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 15 %, and having any of the following:
c.
A peak saturated power output greater than 75 W (48,75 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
NiCrAlY покрития, съдържащи от 21 до 23 тегловни процента хром, от 10 до 12 тегловни процента алуминий и от 0,9 до 1,1 тегловни процента итрий.
A peak saturated power output greater than 55 W (47,4 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
Терминът 'алуминиеви сплави' се отнася до сплави, имащи максимална якост на опън от 190 MPa или повече, измерени при 293 К (20 °C).
A peak saturated power output greater than 40 W (46 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
Терминът 'стомана, устойчива на корозия', се отнася до серията 300 на AISI (Американски институт по желязото и стоманата) или стомани отговарящи на еквивалентни национални стандарти.
A peak saturated power output greater than 20 W (43 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
'Огнеупорни метали и сплави' включва следните метали и техните сплави: ниобий (колумбий), молибден, волфрам и тантал.
b.
'Материали за сензорни отвори', както следва: двуалуминиев триоксид, силиций, германий, цинков сулфид, цинков селенид, галиев арсенид, диаманти, галиев фосфид, сапфир и техните метални халогениди: материали за сензорни отвори с диаметър повече от 40 mm за циркониев флуорид и хафниев флуорид.
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 16 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 10 %, and having any of the following:
В категория 2 не се включват "технологиите" за едноетапно твърдо циментиране на твърди профили за обтичане на криле.
A peak saturated power output greater than 10W (40 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz; or
'Полимери', както следва: полиимид, полиестер, полисулфид, поликарбонати и полиуретани.
A peak saturated power output greater than 5W (37 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 16 GHz;
'Модифициран цирконий' се отнася до добавки на оксиди на други метали (т.е. калций, магнезий, итрий, хафний, оксиди на лантаниди) към циркония, за да се стабилизират определени кристалографски фази и фазови състави.
c.
Топлинните предпазни покрития, направени от цирконий, изменен с калций и магнезий чрез смесване или сплавяване, не са обект на контрол.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 3 W (34,77 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
'Титанови сплави' се отнася да авиокосмически сплави, имащи максимална якост на опън от 900 MPa или повече, измерени при 293 К (20 °C).
d.
'Стъкла с нисък коефициент на разширение' се отнася до стъкла, които имат коефициент на топлинно разширение от 1 × 10-7 K-1 или по-малко, измерено при 293 К (20 °C).
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (-70 dBm) at any frequency exceeding 31,8 GHz up to and including 37 GHz;
'Диелектрични слоеве' са покрития, състоящи се от многослойни изолиращи материали, при които свойствата за смущения на конструкцията, съставена от материали с различни индекси на рефракция, се използват за отразяване, предаване или поглъщане на различни обхвати на дължините на вълните.
e.
Диелектрични слоеве се отнася до повече от четири диелектрични пласта или "композитни" пластове диелектрик/метал.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 1 W (30 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
'Циментиран волфрамов карбид' не включва материали за режещи и формоващи инструменти, състоящи се от волфрамов карбид/(кобалт, никел), титанов карбид/(кобалт, никел), хромов карбид/никел-хром и хромов карбид/никел.
f.
"Технологиите" за нанасяне на диамантоподобен въглерод върху което и да е от изброените по-долу не са обект на контрол:
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 31,62 mW (15 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz up to and including 75 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
магнитни дискови устройства и глави, оборудване за производство на материали за еднократна употреба, вентили за водопроводни кранове, акустични диафрагми за високоговорители, части за двигатели на автомобили, режещи инструменти, комбинирани щанци, оборудване за автоматизация на офиси, микрофони или медицински устройства или матрици за отливане или оформяне на пластмаси, произведени от сплави със съдържание на берилий, по-малко от 5 %.
g.
'Силициев карбид' не включва материалите за режещи и формоващи инструменти.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 10 mW (10 dBm) at any frequency exceeding 75 GHz up to and including 90 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 5 %; or
Керамичните субстрати, така както се използват тук, не включват керамични материали, съдържащи 5 тегловни процента или повече глина или цимент, или като отделни съставки, или в съчетание.
h.
ТАБЛИЦА — МЕТОДИ ЗА НАНАСЯНЕ НА ПОКРИТИЯ — ТЕХНИЧЕСКА БЕЛЕЖКА
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (-70 dBm) at any frequency exceeding 90 GHz;
Процесите, описани в колона 1 от таблицата, се дефинират, както следва:
Not used.
a.
The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.h., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
Нанасяне на покрития чрез химическо свързване на пари (НПХСП/CVD) е метод на нанасяне на многослойни покрития или на повърхностно модифициращи покрития, при което метал, сплав, "композитен материал", диелектрик или керамика се нанася върху нагрят субстрат.
Notes 1 and 2 in 3A mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
Газообразните реагенти се разлагат или свързват в средата на даден субстрат, което води до нанасяне на покритие от необходимия елементарен, сплавен или композитен материал върху субстрата.
Discrete microwave transistors that are any of the following:
Енергията за такова разлагане или процеса на химическа реакция е за сметка на загряване на субстрата, на отделяща тлеещ разряд плазма или от "лазерно" облъчване.
a.
N.B.1
Rated for operation at frequencies exceeding 2,7 GHz up to and including 6,8 GHz and having any of the following:
НПХСП/CVD включва следните процеси: отлагане без циментация с насочен газов поток, импулсно CVD(НПХСП), топлинно отлагане чрез контролирано ядрено нанасяне CNTD(ТОКК), засилени или подпомогнати от плазма процеси на CVD(НПХСП).
A peak saturated power output greater than 400 W (56 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
N.B.2
A peak saturated power output greater than 205 W (53,12 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
Циментация означава субстрат, потопен в прахообразна смес.
A peak saturated power output greater than 115 W (50,61 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
N.B.3
A peak saturated power output greater than 60 W (47,78 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
Газообразните реагенти, използвани в процеса без циментация, се образуват с използване на същите основни реакции и параметри, както и процеса с циментиращо вещество, освен че субстратът, който следва да бъде покрит, не влиза в контакт с прахообразната смес.
b.
b.
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz and having any of the following:
Термично нанасяне на покрития чрез физическо отлагане на пари (ФОП-ТИ) е систематизиран процес на нанасяне на покритие, който се провежда във вакуум с налягане, по-малко от 0,1 Pa, при което за изпаряване на материала, от който ще се прави покритието, се използва източник на топлинна енергия.
A peak saturated power output greater than 50 W (47 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz;
Този процес води до кондензация или отлагане на изпарените вещества върху съответно разположени субстрати.
A peak saturated power output greater than 15 W (41,76 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 12 GHz;
Добавянето на газове към вакуумната камера по време на процеса на нанасяне на покритие с цел синтезиране на съставни покрития е обикновено видоизменение на процеса.
A peak saturated power output greater than 40 W (46 dBm) at any frequency exceeding 12 GHz up to and including 16 GHz; or
Използването на йонни или електронни лъчи или плазма за предизвикване или подпомагане на отлагането на покритието, е също така обикновено видоизменение на тази техника.
A peak saturated power output greater than 7 W (38,45 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz;
Използването на монитори за измерване и контрол на оптичните свойства и на дебелината на образуваните покрития по време на самия процес може да се използва в тези процеси.
c.
Специфичните процеси TE-PVD(ФОП-ТИ) са, както следва:
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,5 W (27 dBm) at any frequency exceeding 31,8 GHz up to and including 37 GHz;
ФОП по електроннолъчев метод използва електронен лъч за нагряване и изпаряване на материала, който образува покритието;
d.
ФОП по метода на йонно съпротивително загряване използва източници на омическо нагряване в съчетание с бомбардиращ(и) йонен(ни) поток(ци) за получаване на контролиран и еднообразен поток от изпареното вещество за покритие;
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 1 W (30 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz;
"Лазерното" изпаряване използва лъчи или от импулсен "лазер", или от такъв с непрекъсната вълна за изпаряване на материала, който образува покритието;
e.
Отлагането с използване на катодна дъга използва катод за еднократна употреба от материала, от който се образува покритието, и се извършва разреждане на дъгата върху повърхността чрез моментен допир до заземен тригер.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (-70 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz;
Управляваното движение на дъговите разряди ерозира катодната повърхност, водейки до образуване на силно йонизирана плазма.
The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
Анодът може да представлява или конус, прикрепен към периферията на катода посредством изолатор, или камерата.
3A001.b.3. includes bare dice, dice mounted on carriers, or dice mounted in packages.
За отлагане извън линията на наблюдение се прилага накланяне на субстрата.
Some discrete transistors may also be referred to as power amplifiers, but the status of these discrete transistors is determined by 3A001.b.3.
Това определение не включва хаотично отлагане с използване на катодна дъга и ненаклонени субстрати.
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers, that are any of the following:
Йонното напластяване е специална модификация на общия процес ФОП-ТИ/TE-PVD, при който източник на плазма или на йони се използва за йонизиране на материала, който трябва да бъде утаен, и при субстрата се използва отрицателен наклон за улесняване отделянето на веществото от плазмата.
A peak saturated power output greater than 500 W (57 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
Въвеждането на веществото реагент, изпаряването на твърди вещества в камерата и използването на монитори, осигуряващи измерване на оптичните характеристики и дебелината на покритията в хода на процесите, са обикновени модификации на тези процеси.
A peak saturated power output greater than 270 W (54,3 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
c.
A peak saturated power output greater than 200 W (53 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or