natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Пещи за обезвреждане на химикали, проектирани да унищожават химикалите специфицирани в 1C350, снабдени със специално проектирани системи за подаване на отпадъци, специални обработващи устройства и средна температура на горивната камера, по-голяма от 1273 К (1000 °C), при които всички повърхности от системите за подаване на отпадъци, влизащи в пряко съприкосновение с отпадъците, са изработени от или покрити с някои от следните материали:
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Керамика; или
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
Никел или никелови 'сплави' с тегловно съдържание на никел повече от 40 %;
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
За целите на 2B350 материалите, използвани за уплътнения, циментация, салници, винтове, шайби или други материали, изпълняващи уплътняваща функция, не предопределят контролния статус, при условие че тези компоненти са проектирани да бъдат взаимозаменяеми.
N.B.1.
'Въглероден графит' е съединение от аморфен въглерод и графит, в което съдържанието на графит е осем или повече тегловни процента.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
По отношение на изброените по-горе материали терминът 'сплав', когато не е посочена специфичната концентрация на елементите, се смята, че се отнася за сплави, които съдържат идентифицирания метал в по-високи тегловни проценти, отколкото всеки друг елемент.
N.B.2.
Системи за следене на токсични газове и специално предназначените им за откриване на отровни газове компоненти, различни от описаните в 1А004, както следва: както и детектори; сензорни устройства; сменяеми сензорни патрони за тях;
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
a.
N.B.3.
Проектирани за непрекъснато действие и годни да откриват химически бойни отровни вещества или химикали, описани в 1C350, при концентрации по-ниски от 0,3 mg/m3; или
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Проектирани за откриване на дейност, потискаща (инхибираща) холинистеразната активност.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Оборудване, което може да се използва при обработка на биологически вещества, както следва:
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
a.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
Съоръжения за херметизация и свързано с тях оборудване, както следва:
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
Окомплектовани съоръжения за херметизация, които отговарят на критериите за равнища на херметизация (съхранение) Р3 или Р4 (BL3, BL4, L3, L4) съгласно Наръчника на СЗО за биологична сигурност на лабораториите (3-то издание, Женева, 2004 г.);
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
Оборудване, предназначено за трайно монтиране в съоръжения за херметизация, контролирани от 2B352.a., както следва:
Specific TE-PVD processes are as follows:
a.
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
Автоклави за обеззаразяване, с две врати, проходни;
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
b.
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Душове за обеззаразяване на газонепропускливи костюми за химическа защита
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
c.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
Врати за преминаване с механично или надуваемо уплътнение за херметизация;
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
b.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Ферментатори и компоненти, както следва:
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Ферментатори с възможности за култивиране на "микроорганизми" или живи клетки за производството на вируси и токсини, без аерозолно разпространение, с общ капацитет от 20 литра или по-голям;
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Компоненти, проектирани за ферментаторите, описани в 2B352.b.1., като следва:
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Култивационни камери, проектирани да бъдат стерилизирани или дезинфекцирани in situ;
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
b.
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
Устройства за съхраняване на култивационни камери;
An activator (normally a halide salt); and
c.
An inert powder, most frequently alumina.
Устройства за контрол на процесите, способни да извършват едновременно наблюдение и контрол на два или повече системни параметъра за ферментация (напр. температура, pH, хранителни вещества, разклащане, разтворен кислород, приток на въздух, контрол на разпенването);
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
За целите на 2B352.b. ферментаторите включват биореактори, биореактори за еднократна употреба (еднократни), хемостати и системи с непрекъсната проточност.
d.
c.
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Центрофужни сепаратори, с възможности за непрекъснато разделяне без аерозолно разпространение, имащи всички изброени характеристики:
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Дебит над 100 литра на час;
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Компоненти от полирана неръждаема стомана или титан;
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Едно или повече паронепроницаеми уплътнени съединения в зоната на херметизация (съхранение); и
e.
Способни на стерилизация с пара in situ в затворено състояние;
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Центрофужните сепаратори включват декантаторите.
f.
d.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Филтриращо оборудване за напречен (тангенциален) поток и компоненти за него, както следва:
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Филтриращо оборудване за напречен (тангенциален) поток, способно да разделя "микроорганизми", вируси, токсини или клетъчни култури, притежаващо всички изброени по-долу характеристики:
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
a.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Пълна филтрираща площ, равна на или по-голяма от 1 m2; и
g.
b.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Притежаващи някоя от следните характеристики:
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
С възможност да бъде стерилизирано или дезинфекцирано in situ; или
CATEGORY 3 - ELECTRONICS
Използващо филтриращи компоненти за еднократна или единична употреба;
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.14, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
В 2B352.d.1.b. стерилизиран означава отстраняването на всички жизнеспособни микроби от оборудването чрез използването на физични (напр. пара) или химически агенти.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.14 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Дезинфекциране означава унищожаването на потенциална микробна инфекциозна способност в оборудването чрез използването на химични агенти с бактерициден ефект.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.14.
Дезинфекция и стерилизация се различават от хигиенизиране, като последното се отнася до процедури на почистване с цел да понижи микробното замърсяване на оборудването, без да постига непременно отстраняването на цялата микробна заразност или жизненост.
Electronic items as follows:
2B352.d. не контролира оборудване за обратна осмоза и хемодиализа, както е определено от производителя.
a.
Компоненти за филтриращо оборудване за напречен (тангенциален) поток (например модули, елементи, касети, глави, единици или пластини) с филтрираща площ, равна на или по-голяма от 0,2 m2 за всеки компонент и проектирани за използване в оборудване за напречен (тангенциален) поток, описано в 2B352.d.;
General purpose integrated circuits, as follows:
e.
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Оборудване за сушене чрез замразяване с възможност за стерилизация посредством газ или пара, с капацитет на охлаждащия агрегат 10 kg лед или повече за 24 часа и по-малко от 1000 kg лед за 24 часа;
Integrated circuits include the following types:
f.
"Monolithic integrated circuits";
Защитно и изолиращо (херметизиращо) оборудване, както следва:
"Hybrid integrated circuits";
Цели защитни или от две части (полу) скафандри, или капаци (качулки), зависещи от приток на външен въздух и функциониращи под положително налягане;
"Multichip integrated circuits";
2B352.f.1. не контролира скафандри, проектирани за употреба с оборудване за самостоятелно дишане.
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
Изолатори и камери за ограничаване на биологичното въздействие или за биологическа защита, притежаващи всички изброени по-долу характеристики, за използване при нормални условия на експлоатация:
"Optical integrated circuits";
a.
"Three dimensional integrated circuits";
Напълно затворено работно пространство, в което операторът е отделен от работния процес посредством физическа бариера;
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" ("MMICs").
b.
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Годни за експлоатация при отрицателно налягане;
a.
c.
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
Средства за безопасно боравене с изделия в работното пространство;
b.
d.
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
Подаваният и отвежданият към и от работното пространство въздух се филтрира посредством високоефективни въздушни филтри за прахови частици (HEPA);
c.
2B352.f.2. включва камери с биологическа защита клас III, съгласно последното издание на Наръчника на СЗО за биологична сигурност на лабораториите или конструирани в съответствие с национални стандарти, нормативни актове или насоки.
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
2B352.f.2. не включва изолатори, специално проектирани да осигуряват защита при предоставянето на медицински грижи или превоза на инфектирани пациенти.
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
g.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitised data, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, Electrical Erasable Programmable Read-Only Memories (EEPROMs), flash memories, Static Random-Access Memories (SRAMs), or Magnetic Random Access Memories (MRAMs), having any of the following:
Оборудване за инхалиране на аерозоли, проектирано за провокационни изпитвания с аерозоли с "микроорганизми", вируси или "токсини", както следва:
a.
Камери за експозиция на цялото тяло с капацитет равен или по-голям от 1 m3;
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Апарати за експозиция само през носа, използващи насочван аерозолен поток и с капацитет за експозиция на някое от следните:
b.
a.
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (-55 °C); or
12 или повече гризачи; или
c.
b.
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (-55 °C) to 398 K (125 °C);
2 или повече животни, различни от гризачи;
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Затворени ограничителни тръби за животни, проектирани за употреба с апарати за експозиция само през носа, използващи насочван аерозолен поток;
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
h.
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Оборудване за пулверизационно сушене, пригодени за сушене на токсини или патогенни "микроорганизми", с всички изброени по-долу характеристики:
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
Капацитет на изпаряване на вода ≥ 0,4 kg/h и ≤ 400 kg/h;
a.
Способност за генериране на продукт със среден размер на частиците ≤ 10 μm с наличните приспособления или с минимално модифициране на устройството за пулверизационно сушене посредством атомизиращи дюзи, които правят възможно генерирането на частиците с желания размер; и
ADCs having any of the following:
С възможност да бъде стерилизирана или дезинфектирана in situ.
SEE ALSO 3A101
Няма.
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 1.3 giga samples per second (GSPS);
"Софтуер", различен от определения в 2D002, както следва:
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 600 mega samples per second (MSPS);
a.
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with an output rate greater than 400 mega samples per second (MSPS);
"Софтуер", специално проектиран или модифициран за "разработване" или "производство" на оборудването, описано в 2A001 или 2B001
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with an output rate greater than 250 mega samples per second (MSPS); or
b.
A resolution of 16 bit or more with an output rate greater than 65 mega samples per second (MSPS);
"Софтуер", специално проектиран или модифициран за "използване" на оборудването, определено в 2A001.c., 2B001 или 2B003 — 2B009.
For integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitized data, see 3A001.a.14.
2D001 не контролира "софтуер" за програмиране на части, генериращ кодове за "цифрово управление" за обработка на различни елементи
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
"Софтуер" за електронни устройства, дори и да се намират в електронно устройство или система, позволяващ на такива устройства или системи да работят като устройство за "цифрово управление", способно на едновременно координиране на повече от четири оси за "контурно управление".
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
2D002 не контролира "софтуер", специално проектиран или модифициран за експлоатация на изделия, които не са посочени в категория 2.
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
2D002 не контролира "софтуер" за изделията, описани в 2B002.
For 'multiple channel ADCs', the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
Вж.
For 'interleaved ADCs' or for 'multiple channel ADCs' that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
2D001 и 2D003 за "софтуер" за изделията, описани в 2B002.
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
2D002 не контролира "софтуер", изнасян със, и необходимия минимум за функционирането на изделия, които не са описани в категория 2.
It is often specified in megahertz (MHz), mega words per second or mega samples per second (MSPS).
"Софтуер", проектиран или модифициран за експлоатация на оборудване, описано в 2B002, за превръщане на функции за оптичен дизайн, детайлни измервания и отнемане на материал в команди за "цифрово управление", с цел постигане на желаната форма на детайла.
For the purpose of measuring output rate, one sample per second is equivalent to one Hertz or one output word per second.
"Софтуер", специално проектиран или модифициран за "използване" на оборудването, посочено в 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 или 2B119 — 2B122.
'Multiple channel ADCs' are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
ВЖ.
'Interleaved ADCs' are defined as devices which have multiple ADC units that sample the same analogue input at different times such that when the outputs are aggregated, the analogue input has been effectively sampled and converted at a higher sampling rate.
СЪЩО 9D004.
b.
"Софтуер", специално проектиран за "използване" на оборудването, посочено в 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 или 2B227.
Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
"Софтуер", специално проектиран или модифициран за "разработване", "производство" или "използване" на оборудването, описано в 2B201.
A resolution of 10 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 3500 MSPS; or
2D202 не контролира "софтуер", който генерира командни кодове за "цифрово управление", но не позволява директно използване на оборудването за обработка на различни елементи.
A resolution of 12 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 1250 MSPS and having any of the following:
"Софтуер", различен от описания в 1D003, специално проектиран за "използване" на оборудване, описано в 2В351.
a.
"Технологии", съгласно Общата бележка за технологиите, за "разработване" на оборудване или "софтуер", описани в 2A, 2B или 2D.
A settling time less than 9 ns to 0,024 % of full scale from a full scale step; or
2E001 включва "технологии" за интегриране на системи от сонди в машини за измерване на координати, описани в 2B006.a.
b.
"Технологии", съгласно Общата бележка за технологиите, за "производство" на оборудването, описано в 2A или 2В.
A 'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
Други "технологии", както следва:
'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
a.
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
"Технологии" за "разработване" на интерактивни графики като интегрирана част от устройствата за "цифрово управление", за изготвяне или модифициране на части от програми;
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than -3 dBfs (full scale).
b.
'Adjusted update rate' for DACs:
"Технологии" за металообработващи производствени процеси, както следва:
For conventional (non-interpolating) DACs, the 'adjusted update rate' is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
"Технологии" за проектиране на инструменти, матрици или закрепващи устройства, специално предназначени за някой от изброените по-долу процеси:
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
a.
For interpolating DACs (oversampling DACs), the 'adjusted update rate' is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
"Свръхпластично формоване";
For interpolating DACs, the 'adjusted update rate' may be referred to by different terms including:
b.
input data rate
"Дифузионно свързване"; или
input word rate
c.
input sample rate
"Хидравлично пресоване с непосредствено действие";
maximum total input bus rate
Технически данни, състоящи се от методи и параметри на процесите, както са описани по-долу, използвани за контрол на:
maximum DAC clock rate for DAC clock input.
"Свръхпластично формоване" на алуминиеви сплави, титанови сплави или "суперсплави":
a.
Подготовка на повърхностите;
One or more than one internal "laser" diode;
Температура;
One or more than one internal light detecting element; and
Налягане;
c.
b.
Optical waveguides;
"Дифузионно свързване" на "суперсплави" или титанови сплави:
Field programmable logic devices having any of the following:
"Хидравлично пресоване с непосредствено действие" на алуминиеви сплави или титанови сплави:
A maximum number of single-ended digital input/outputs of greater than 700; or