natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Анодът може да представлява или конус, прикрепен към периферията на катода посредством изолатор, или камерата.
A peak saturated power output greater than 400 W (56 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
За отлагане извън линията на наблюдение се прилага накланяне на субстрата.
A peak saturated power output greater than 205 W (53,12 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
Това определение не включва хаотично отлагане с използване на катодна дъга и ненаклонени субстрати.
A peak saturated power output greater than 115 W (50,61 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
Йонното напластяване е специална модификация на общия процес ФОП-ТИ/TE-PVD, при който източник на плазма или на йони се използва за йонизиране на материала, който трябва да бъде утаен, и при субстрата се използва отрицателен наклон за улесняване отделянето на веществото от плазмата.
A peak saturated power output greater than 60 W (47,78 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
c.
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz and having any of the following:
Твърдата циментация е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при което субстратът се потопява в прахообразна смес (циментиращо вещество), състояща се от:
A peak saturated power output greater than 50 W (47 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz;
Металите на прах, които трябва да се отложат (обикновено алуминий, хром, силиций или съчетания от тях);
A peak saturated power output greater than 15 W (41,76 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 12 GHz;
Възбудител (обикновено халогенид); и
A peak saturated power output greater than 40 W (46 dBm) at any frequency exceeding 12 GHz up to and including 16 GHz; or
Инертен прах, най-често двуалуминиев триоксид.
A peak saturated power output greater than 7 W (38,45 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz;
Субстратът и прахообразната смес се поставя в реторта, която се нагрява до температури между 1030 K (757 °C) и 1375 K (1102 °C) за достатъчно дълго време, за да се утаи покритието.
c.
d.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,5 W (27 dBm) at any frequency exceeding 31,8 GHz up to and including 37 GHz;
Разпръскването на плазма е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при което горелка (разпръскващ пистолет), която генерира и управлява плазма, приема прахообразни или във форма на тел материали за покритие, стопява ги и ги придвижва към субстрат, върху който се формира интегрално свързано покритие.
d.
Разпръскването на плазмата е или в условия на ниско налягане, или на висока скорост.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 1 W (30 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz;
Ниско налягане означава по-ниско от околното атмосферно налягане.
e.
Висока скорост се отнася до скорост при излизане от дюзата, надхвърляща 750 m/s, изчислена при 293 К (20 oС) при налягане от 0,1 МРа.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (– 70 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz;
e.
The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
Отлагане на разтвор на огнеупорна глина е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при който метален или керамичен прах с органично свързващо вещество се суспендира в течност и се полага върху субстрата чрез пръскане, потапяне или намазване, последващо сушене на въздух или в пещ и топлинна обработка до получаване на необходимото покритие.
3A001.b.3. includes bare dice, dice mounted on carriers, or dice mounted in packages.
f.
Some discrete transistors may also be referred to as power amplifiers, but the status of these discrete transistors is determined by 3A001.b.3.
Отлагането чрез катодна пулверизация е процес на напластяване, основаващ се на явление за предаване на инерция, при който положителните йони се ускоряват от електрическо поле към повърхността на мишена (материала за покритие).
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers, that are any of the following:
Кинетичната енергия на попадащите йони е достатъчна, за да доведе до избиване на атомите от повърхността и отлагането им върху подходящо разположен субстрат.
A peak saturated power output greater than 500 W (57 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
Таблицата се отнася само до триодно, магнетронно или индуктивно отлагане чрез катодна пулверизация, което се прилага за подобряване прилепването на покритието и темпото на отлагане, както и към отлагането чрез катодна пулверизация, подсилено с радиочестоти (RF), използвано за постигане на изпаряване на неметални материали за покрития.
A peak saturated power output greater than 270 W (54,3 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
Йонни потоци с ниска енергия (по-малко от 5 keV) могат да се използват за задействане на отлагането.
A peak saturated power output greater than 200 W (53 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
g.
A peak saturated power output greater than 90 W (49,54 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
Имплантация на йони е процес на нанасяне на покритие за промяна на повърхността, при който елементът, който трябва да бъде сплавен, се йонизира и ускорява чрез градиент на потенциал и се имплантира в повърхностната част на субстрата.
b.
Това включва процес, при който имплантацията на йони се извършва едновременно с физическо отлагане на пари с използване на електронен лъч или отлагане чрез катодна пулверизация.
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 10 %, and having any of the following:
КАТЕГОРИЯ 3 — ЕЛЕКТРОНИКА
A peak saturated power output greater than 70 W (48,54 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz;
Доколко подлежат на контрол оборудването и компонентите му, както са описани в 3A001 или 3A002, различни от описаните в 3A001.a.3. — 3A001.a.10. или в 3A001.a.12. — 3A001.a.14., които са специално проектирани или имат същите функционални характеристики като другото оборудване, се определя от това, доколко подлежи на контрол другото оборудване.
A peak saturated power output greater than 50 W (47 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 12 GHz;
Доколко подлежат на контрол интегралните схеми, описани в 3A001.a.3. — 3A001.a.9. или в 3A001.a.12. — 3A001.a.14., които са неизменяемо програмирани или проектирани за конкретна функция за друго оборудване, се определя от това, доколко подлежи на контрол другото оборудване.
A peak saturated power output greater than 30 W (44,77 dBm) at any frequency exceeding 12 GHz up to and including 16 GHz; or
Когато производителят или подаващият заявление не могат да определят доколко подлежи на контрол другото оборудване, въпросът за контрола на интегралните схеми се решава съгласно 3A001.a.3. — 3A001.a.9. и 3A001.a.12.— 3A001.a.14.
A peak saturated power output greater than 20 W (43 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz;
Електронни изделия, както следва:
d.
a.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 2 W (33 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Универсални интегрални схеми, както следва:
e.
Доколко подлежат на контрол полупроводниковите пластинки (завършени или незавършени), при които функцията е била определена, трябва да се прецени съобразно параметрите от 3A001.a.
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz and having any of the following:
Интегралните схеми включват следните видове:
A peak saturated power output greater than 0,2 W (23 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz up to and including 75 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
"Монолитни интегрални схеми";
A peak saturated power output greater than 20 mW (13 dBm) at any frequency exceeding 75 GHz up to and including 90 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 5 %; or
"Хибридни интегрални схеми";
A peak saturated power output greater than 0,1 nW (– 70 dBm) at any frequency exceeding 90 GHz; or
"Многочипови интегрални схеми";
f.
"Тънкослойни интегрални схеми", включително интегрални схеми от силиций върху сапфир;
Not used
"Оптични интегрални схеми";
For "MMIC" amplifiers see 3A001.b.2.
"Триизмерни интегрални схеми";
For 'transmit/receive modules' and 'transmit modules' see 3A001.b.12.
"Монолитни микровълнови интегрални схеми" ("MMICs").
For converters and harmonic mixers, designed to extend the operating or frequency range of signal analysers, signal generators, network analysers or microwave test receivers, see 3A001.b.7.
Интегрални схеми, проектирани или обозначени като радиационно устойчиви да издържат на някое от изброените по-долу:
The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
a.
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs and having any of the following:
Обща доза от 5 × 103 Gy (силиций) или по-голяма;
a.
b.
A band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
Колебание в мощността на дозата лъчение от 5 × 106 Gy (силиций)/s или по-голямо; или
b.
c.
A band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
Поток (интегриран поток) от неутрони (еквивалентен на 1 МеV) от 5 × 1013 n/cm2 или повече върху силиций, или равностойни на него материали;
Converters and harmonic mixers that are any of the following:
3A001.а.1.c. не контролира метал-изолатор-полупроводници (МИП/MIS).
a.
"Микропроцесорни микросхеми", "микрокомпютърни микросхеми", микроконтролерни микросхеми, интегрални схеми с памет, произведени от съставни полупроводници, аналогово-цифрови преобразуватели, интегрални схеми, които съдържат аналогово-цифрови преобразуватели и съхраняват или обработват цифровизираните данни, цифрово-аналогови преобразуватели, електрооптични или "оптични интегрални схеми", проектирани за "обработка на сигнали", логически устройства със зони за програмиране, интегрални схеми по поръчка, при което е неизвестна или функцията им, или доколко подлежи на контрол оборудването, за което интегралните схеми ще се използват, процесори, използващи бързо преобразувание на Фурие (FFT/БПФ), статични памети с произволен достъп (SRAM/СППД) или 'енергонезависими памети', притежаващи която и да е от следните характеристики:
Designed to extend the frequency range of "signal analysers" beyond 90 GHz;
Предназначени за работа при околна температура над 398 К (125 °C);
Designed to extend the operating range of signal generators as follows:
b.
Beyond 90 GHz;
Предназначени за работа при околна температура под 218 К (– 55 °C); или
To an output power greater than 100 mW (20 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Предназначени за работа в целия температурен диапазон на околната среда от 218 K (– 55 °C) до 398 K (125 °C);
Designed to extend the operating range of network analysers as follows:
3A001.a.2. не контролира интегрални схеми за граждански автомобили или приложения при железопътни влакове.
Beyond 110 GHz;
'Енергонезависимите памети' са памети, които съхраняват данните за определен период от време след изключване на захранването.
To an output power greater than 31,62 mW (15 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
"Микропроцесорни микросхеми", "микрокомпютърни микросхеми" и микроконтролерни микросхеми, произведени от съставни полупроводници и работещи при синхронизирана (тактова) честота над 40 MHz;
To an output power greater than 1 mW (0 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 90 GHz but not exceeding 110 GHz; or
3A001.a.3. включва цифрови сигнални процесори, цифрови матрични процесори и цифрови копроцесори.
d.
Аналогово-цифрови преобразувателни (АЦП/ADC) и цифрово-аналогови преобразувателни (ЦАП/DAC) интегрални схеми, както следва:
Designed to extend the frequency range of microwave test receivers beyond 110 GHz;
a.
Microwave power amplifiers containing 'vacuum electronic devices' specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Аналогово-цифрови преобразуватели (АЦП/ADC), притежаващи която и да е от следните характеристики:
a.
ВЖ.
Operating frequencies above 3 GHz;
СЪЩО 3A101
b.
Разделителна способност 8 бита или повече, но по-малка от 10 бита, с "честота на дискретизация", по-голяма от 1,3 милиарда дискрета в секунда (GSPS);
An average output power to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
Разделителна способност 10 бита или повече, но по-малка от 12 бита, с "честота на дискретизация", по-голяма от 600 милиона дискрета в секунда (MSPS);
c.
Разделителна способност 12 бита или повече, но по-малка от 14 бита, с "честота на дискретизация", по-голяма от 400 MSPS;
A volume of less than 400 cm3;
Разделителна способност 14 бита или повече, но по-малка от 16 бита, с "честота на дискретизация", по-голяма от 250 MSPS; или
3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Разделителна способност 16 бита или повече, с "честота на дискретизация", по-голяма от 65 MSPS;
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave 'vacuum electronic device', a "monolithic microwave integrated circuit" ("MMIC") and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
За интегрални схеми, които съдържат аналогово-цифрови преобразуватели и съхраняват или обработват цифровизираните данни, вж.
a.
3A001.a.14.
A 'turn-on time' from off to fully operational in less than 10 seconds;
Разделителна способност n бита съответства на квантуване на 2n нива.
b.
Разделителната способност на АЦП/ADC е броят битове на цифровия изход, който представлява измерения аналогов входящ сигнал.
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
За определяне на разделителната способност на АЦП/ADC не се използва ефективния брой битове (ENOB).
c.
За "многоканални АЦП/ADC" "честотата на дискретизация" не се сумира и "честотата на дискретизация" е максималната честота на който и да е от отделните канали.
An "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax > 2fmin) and having any of the following:
За "редуващи АЦП/ADC" или за "многоканални АЦП/ADC", имащи редуващ режим на работа, "честотите на дискретизация" се сумират и "честотата на дискретизация" е максималната сумирана обща скорост на всички редуващи се канали.
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
b.
A frequency greater than 18 GHz;
Цифрово-аналогови преобразуватели (ЦАП/DAC), притежаващи която и да е от следните характеристики:
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Разделителна способност 10 бита или повече, с 'коригирана скорост на обновяване', по-голяма от 3500 MSPS; или
The' turn-on time' in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
Разделителна способност 12 бита или повече, с 'коригирана скорост на обновяване', по-голяма от 1250 MSPS и притежаващи която и да е от следните характеристики:
Oscillators or oscillator assemblies, specified to operate with a single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, less (better) than -(126 + 20log10F - 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz;
a.
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
Време за установяване, по-малко от 9 ns за достигане до или в рамките на 0,024 % от времето, необходимо за една пълна стъпка; или
'Frequency synthesiser' "electronic assemblies" having a "frequency switching time" as specified by any of the following:
'Динамичен обхват без изкривявания' (SFDR), по-висок от 68 dBc (носител) при синтезиране на аналогов сигнал от 100 MHz по цялата скала или на най-високата честота на аналогов сигнал по цялата скала, определен под 100 MHz.
Less than 143 ps;
'Динамичният обхват без изкривявания' (SFDR) се определя като съотношението между средната квадратична стойност (RMS) на носещата честота (максимален сигнален компонент) на входа на ЦАП/DAC и средната квадратична стойност (RMS) на следващия компонент на най-големи шумови или нелинейни изкривявания на изхода на ЦАП/DAC.
b.
SFDR се определя пряко от спецификационната таблица или от характеристичната графика SFDR/честота.
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesised frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
Сигналът е на максимално ниво, когато амплитудата му е по-голяма от -3 dBfs (пълна скала).
d.
'Коригирана скорост на обновяване' за ЦАП/DAC:
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz;
За конвенционалните (без интерполация) ЦАП/DAC 'коригираната скорост на обновяване' е скоростта, с която цифровият сигнал се преобразува в аналогов и изходящите аналогови стойности се променят от ЦАП/DAC.
e.
За ЦАП/DAC, при които режимът на интерполация може да се изключва, (интерполационен фактор единица), ЦАП/DAC следва да се приема за конвенционален (без интерполация).
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesised frequency range exceeding 37 GHz but not exceeding 90 GHz; or
За интерполиращите ЦАП/DAC (ЦАП/DAC с дискретизация на сигнала, превишаваща основната честота на дискретизация) 'коригираната скорост на обновяване' се определя, като скоростта на обновяване на ЦАП/DAC се раздели на най-малкия фактор на интерполация.
f.
При интерполиращите ЦАП/DAC за 'коригирана скорост на обновяване' могат да се срещнат и други термини като:
Not used;
входяща честота на данните
g.
входяща честота на думите
Less than 1 ms within the synthesized frequency range exceeding 90 GHz;
входящата честота на дискретизация
A 'frequency synthesiser' is any kind of frequency source, regardless of the actual technique used, providing a multiplicity of simultaneous or alternative output frequencies, from one or more outputs, controlled by, derived from or disciplined by a lesser number of standard (or master) frequencies.
максимална входяща честота на шината
For general purpose "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
максимална ЦАП синхронизирана (тактова) честота при ЦАП тактов вход.
'Transmit/receive modules', 'transmit/receive MMICs', 'transmit modules', and 'transmit MMICs', rated for operation at frequencies above 2,7 GHz and having all of the following:
Електрооптични и "оптични интегрални схеми", проектирани за "обработка на сигнали", притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
a.
a.
A peak saturated power output (in watts), Psat, greater than 505,62 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz2] for any channel;
Един или повече от един вътрешен "лазерен" диод;
b.
b.
A "fractional bandwidth" of 5 % or greater for any channel;
c.
Any planar side with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15cm*GHz*N/fGHz] where N is the number of transmit or transmit/receive channels; and
Оптични вълноводи;
d.
Логически устройства със зона за програмиране, притежаващи която и да е от следните характеристики:
An electronically variable phase shifter per channel.
a.
A 'transmit/receive module': is a multifunction "electronic assembly" that provides bi-directional amplitude and phase control for transmission and reception of signals.
Максимален брой едностранни цифрови входове/изходи повече от 700; или
A 'transmit module': is an "electronic assembly" that provides amplitude and phase control for transmission of signals.
b.
A 'transmit/receive MMIC': is a multifunction "MMIC" that provides bi-directional amplitude and phase control for transmission and reception of signals.
'Максимална сумарна скорост на еднопосочния поток на предаване на данни' от 500 Gb/s или повече;
A 'transmit MMIC': is a "MMIC" that provides amplitude and phase control for transmission of signals.
3A001.a.7. включва:
2,7 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.12.c. for transmit/receive or transmit modules that have a rated operation range extending downward to 2.7 GHz and below [d≤15cm*GHz*N/2,7 GHz].
Сложни програмируеми логически устройства (CPLDs/СПЛУ)
3A001.b.12. applies to 'transmit/receive modules' or 'transmit modules' with or without a heat sink.
Комбинационни логически елементи със зони за програмиране (FPGAs/КЛЕЗП)
The value of d in 3A001.b.12.c. does not include any portion of the 'transmit/receive module' or 'transmit module' that functions as a heat sink.
Логически матрици със зони за програмиране (FPLAs/ЛМЗП)
'Transmit/receive modules', or 'transmit modules', or 'transmit/receive MMICs' or 'transmit MMICs' may or may not have N integrated radiating antenna elements where N is the number of transmit or transmit/receive channels.
Програмируеми на място взаимовръзки (FPICs/ПМВВ)
c.
За интегрални схеми с логически устройства със зона за програмиране, комбинирани с аналогово-цифров преобразувател, вж.
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
3A001.a.14.
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
Максималният брой цифрови входове/изходи в 3A001.a.7.a. се нарича още максимални потребителски входове/изходи или максимално налични входове/изходи в зависимост от това дали интегралната схема е комплексна или базова матрична.
a.
'Максималната сумарна скорост на еднопосочния поток на предаване на данни' е произведението от максималната скорост на еднопосочния поток на предаване на данни и броя на предавателите на FPGAs/КЛЕЗП.
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
Интегрални схеми с невронна мрежа;
b.
Поръчкови интегрални схеми, за които на производителя е неизвестна или функцията им, или статутът на контрол на оборудването, в което ще се използват интегралните схеми, притежаващи която и да е от следните характеристики:
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
a.
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB;
Повече от 1500 извода;
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
b.
A bandwidth greater than 250 MHz; or
Нормално "време за задържане (забавяне) на разпространението в основния пропускащ елемент", по-малко от 0,02 ns; или
A dispersive delay of more than 10 μs; or
Работна честота над 3 GHz;
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
Цифрови интегрални схеми, различни от описаните в 3A001.a.3. до 3A001.a.10. и 3A001.a.12., базирани на съставни полупроводници и притежаващи която и да е от следните характеристики:
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
a.
'Frequency side-lobe rejection' is the maximum rejection value specified in data sheet.
Еквивалентен брой ключове над 3000 (2 входни ключа); или
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
b.
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;