natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Твърдата циментация е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при което субстратът се потопява в прахообразна смес (циментиращо вещество), състояща се от:
A peak saturated power output greater than 90 W (49,54 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
Металите на прах, които трябва да се отложат (обикновено алуминий, хром, силиций или съчетания от тях);
b.
Възбудител (обикновено халогенид); и
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 10 %, and having any of the following:
Инертен прах, най-често двуалуминиев триоксид.
A peak saturated power output greater than 70 W (48,54 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz;
Субстратът и прахообразната смес се поставя в реторта, която се нагрява до температури между 1030 K (757 °C) и 1375 K (1102 °C) за достатъчно дълго време, за да се утаи покритието.
A peak saturated power output greater than 50 W (47 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 12 GHz;
d.
A peak saturated power output greater than 30 W (44,77 dBm) at any frequency exceeding 12 GHz up to and including 16 GHz; or
Разпръскването на плазма е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при което горелка (разпръскващ пистолет), която генерира и управлява плазма, приема прахообразни или във форма на тел материали за покритие, стопява ги и ги придвижва към субстрат, върху който се формира интегрално свързано покритие.
A peak saturated power output greater than 20 W (43 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz;
Разпръскването на плазмата е или в условия на ниско налягане, или на висока скорост.
d.
Ниско налягане означава по-ниско от околното атмосферно налягане.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 2 W (33 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Висока скорост се отнася до скорост при излизане от дюзата, надхвърляща 750 m/s, изчислена при 293 К (20 °С) при налягане от 0,1 МРа.
e.
e.
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz and having any of the following:
Отлагане на разтвор на огнеупорна глина е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при който метален или керамичен прах с органично свързващо вещество се суспендира в течност и се полага върху субстрата чрез пръскане, потапяне или намазване, последващо сушене на въздух или в пещ и топлинна обработка до получаване на необходимото покритие.
A peak saturated power output greater than 0,2 W (23 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz up to and including 75 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
f.
A peak saturated power output greater than 20 mW (13 dBm) at any frequency exceeding 75 GHz up to and including 90 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 5 %; or
Отлагането чрез катодна пулверизация е процес на напластяване, основаващ се на явление за предаване на инерция, при който положителните йони се ускоряват от електрическо поле към повърхността на мишена (материала за покритие).
A peak saturated power output greater than 0,1 nW (-70 dBm) at any frequency exceeding 90 GHz; or
Кинетичната енергия на попадащите йони е достатъчна, за да доведе до избиване на атомите от повърхността и отлагането им върху подходящо разположен субстрат.
f.
Таблицата се отнася само до триодно, магнетронно или индуктивно отлагане чрез катодна пулверизация, което се прилага за подобряване прилепването на покритието и темпото на отлагане, както и към отлагането чрез катодна пулверизация, подсилено с радиочестоти (RF), използвано за постигане на изпаряване на неметални материали за покрития.
Not used
Йонни потоци с ниска енергия (по-малко от 5 keV) могат да се използват за задействане на отлагането.
MMIC amplifiers see 3A001.b.2.
g.
For 'transmit/receive modules' and 'transmit modules' see 3A001.b.12.
Имплантация на йони е процес на нанасяне на покритие за промяна на повърхността, при който елементът, който трябва да бъде сплавен, се йонизира и ускорява чрез градиент на потенциал и се имплантира в повърхностната част на субстрата.
The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
Това включва процес, при който имплантацията на йони се извършва едновременно с физическо отлагане на пари с използване на електронен лъч или отлагане чрез катодна пулверизация.
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs and having any of the following:
КАТЕГОРИЯ 3 — ЕЛЕКТРОНИКА
a.
Доколко подлежат на контрол оборудването и компонентите му, както са описани в 3A001 или 3A002, различни от описаните в 3A001.a.3. до 3A001.a.10., 3A001.a.12. или 3A001.a.14., които са специално проектирани или имат същите функционални характеристики като другото оборудване, се определя от това, доколко подлежи на контрол другото оборудване.
A band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
Доколко подлежат на контрол интегралните схеми, описани в 3A001.a.3. до 3A001.a.9., 3A001.a.12. или 3A001.a.14., които са неизменяемо програмирани или проектирани за конкретна функция за друго оборудване, се определя от това, доколко подлежи на контрол другото оборудване.
b.
Когато производителят или подаващият заявление не могат да определят доколко подлежи на контрол другото оборудване, въпросът за контрола на интегралните схеми се решава съгласно 3A001.a.3. — до 3A001.a.9., 3A001.a.12. и 3A001.a.14.
A band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
Електронни изделия, както следва:
Converters and harmonic mixers that are any of the following:
Универсални интегрални схеми, както следва:
Designed to extend the frequency range of "signal analysers" beyond 90 GHz;
Доколко подлежат на контрол полупроводниковите пластинки (завършени или незавършени), при които функцията е била определена, трябва да се прецени съобразно параметрите от 3A001.a.
b.
Интегралните схеми включват следните видове:
Designed to extend the operating range of signal generators as follows:
"Монолитни интегрални схеми";
Beyond 90 GHz;
"Хибридни интегрални схеми";
To an output power greater than 100 mW (20 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
"Многочипови интегрални схеми";
c.
"Тънкослойни интегрални схеми", включително интегрални схеми от силиций върху сапфир;
Designed to extend the operating range of network analysers as follows:
"Оптични интегрални схеми";
Beyond 110 GHz;
"Триизмерни интегрални схеми";
To an output power greater than 31,62 mW (15 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
"Монолитни микровълнови интегрални схеми" ("MMICs").
To an output power greater than 1 mW (0 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 90 GHz but not exceeding 110 GHz; or
Интегрални схеми, проектирани или обозначени като радиационно устойчиви да издържат на някое от изброените по-долу:
d.
a.
Designed to extend the frequency range of microwave test receivers beyond 110 GHz;
Обща доза от 5 × 103 Gy (силиций) или по-голяма;
Microwave power amplifiers containing 'vacuum electronic devices' specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Колебание в мощността на дозата лъчение от 5 × 106 Gy (силиций)/s или по-голямо; или
Operating frequencies above 3 GHz;
Поток (интегриран поток) от неутрони (еквивалентен на 1 МеV) от 5 × 1013 n/cm2 или повече върху силиций, или равностойни на него материали;
An average output power to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
3A001.а.1.c. не контролира метал-изолатор-полупроводници (МИП/MIS).
c.
"Микропроцесорни микросхеми", "микрокомпютърни микросхеми", микроконтролерни микросхеми, интегрални схеми с памет, произведени от съставни полупроводници, аналогово-цифрови преобразуватели, интегрални схеми, които съдържат аналогово-цифрови преобразуватели и съхраняват или обработват цифровизираните данни, цифрово-аналогови преобразуватели, електрооптични или "оптични интегрални схеми", проектирани за "обработка на сигнали", логически устройства със зони за програмиране, интегрални схеми по поръчка, при което е неизвестна или функцията им, или доколко подлежи на контрол оборудването, за което интегралните схеми ще се използват, процесори, използващи бързо преобразувание на Фурие (FFT/БПФ), електрически изтриваеми и програмируеми памети само за четене (EEPROM/ЕИПП), свръхбързи памети, статични памети с произволен достъп (SRAM/СППД) или магнитни памети с произволен достъп (MRAMs), притежаващи която и да е от следните характеристики:
A volume of less than 400 cm3;
a.
3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Предназначени за работа при околна температура над 398 К (125 °C);
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave 'vacuum electronic device', a "monolithic microwave integrated circuit" ("MMIC") and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
Предназначени за работа при околна температура под 218 К (– 55 °C); или
A 'turn-on time' from off to fully operational in less than 10 seconds;
Предназначени за работа в целия температурен диапазон на околната среда от 218 K (– 55 °C) до 398 K (125 °C);
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
3A001.a.2. не контролира интегрални схеми за граждански автомобили или приложения при железопътни влакове.
c.
"Микропроцесорни микросхеми", "микрокомпютърни микросхеми" и микроконтролерни микросхеми, произведени от съставни полупроводници и работещи при синхронизирана (тактова) честота над 40 MHz;
An "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax > 2fmin) and having any of the following:
3A001.a.3. включва цифрови сигнални процесори, цифрови матрични процесори и цифрови копроцесори.
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
Аналогово-цифрови преобразувателни (АЦП/ADC) и цифрово-аналогови преобразувателни (ЦАП/DAC) интегрални схеми, както следва:
A frequency greater than 18 GHz;
a.
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Аналогово-цифрови преобразуватели (АЦП/ADC), притежаващи която и да е от следните характеристики:
The' turn-on time' in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
ВЖ.
Oscillators or oscillator assemblies, specified to operate with a single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, less (better) than -(126 + 20log10F - 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz;
СЪЩО 3A101
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
Разделителна способност 8 бита или повече, но по-малка от 10 бита, с изходяща честота, по-голяма от 1,3 милиарда дискрета в секунда (GSPS);
"Frequency synthesiser" "electronic assemblies" having a "frequency switching time" as specified by any of the following:
Разделителна способност 10 бита или повече, но по-малка от 12 бита, с изходяща скорост, по-голяма от 600 милиона дискрета в секунда (MSPS);
a.
Разделителна способност 12 бита или повече, но по-малка от 14 бита, с изходяща честота, по-голяма от 400 милиона дискрета в секунда (MSPS);
Less than 143 ps;
Разделителна способност 14 бита или повече, но по-малка от 16 бита, с изходяща честота, по-голяма от 250 милиона дискрета в секунда (MSPS); или
b.
Разделителна способност 16 бита или повече с изходяща честота, по-голяма от 65 милиона дискрета в секунда (MSPS);
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesised frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
За интегрални схеми, които съдържат аналогово-цифрови преобразуватели и съхраняват или обработват цифровизираните данни, вж.
d.
3A001.a.14.
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz;
Разделителна способност n бита съответства на квантуване на 2n нива.
e.
Броят на битовете в изходящата дума е равен на разделителната способност на аналогово-цифровия преобразувател (АЦП/ADC).
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesised frequency range exceeding 37 GHz but not exceeding 90 GHz;
Изходящата скорост е максималната изходяща скорост на преобразувателя, независимо от архитектурата или дискретизацията.
f.
За 'многоканални АЦП/ADC’ изходните честоти не се сумират и (общата) изходна честота е максималната изходна честота, която има някой от отделните канали.
Not used; or
За 'редуващи АЦП/ADC' или за 'многоканални АЦП/ADC', имащи редуващ режим на работа, скоростите се сумират и общата скорост на преобразуване е максималната сумирана обща скорост на преобразуване на всички изходи.
g.
Производителите могат също да наричат изходящата скорост честота (скорост) на дискретизация, скорост на преобразуване или производителна скорост.
Less than 1 ms within the synthesized frequency range exceeding 90 GHz;
Тя често се определя в мегахерци (MHz), мегадуми в секунда или милиони дискрети в секунда (MSPS).
For general purpose "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
За целите на измерване на изходящата скорост един дискрет в секунда е еквивалентен на един херц или една изходяща дума в секунда.
'Transmit/receive modules', 'transmit/receive MMICs', 'transmit modules', and 'transmit MMICs', rated for operation at frequencies above 2,7 GHz and having all of the following:
'Многоканалните АЦП/ADC' са устройства, които включват повече от един АЦП/ADC и са проектирани така, че всеки АЦП/ADC да има отделен аналогов вход.
a.
'Редуващите АЦП/ADC' са устройства, които имат няколко АЦП/ADC, следящи един аналогов вход по различно време, така че при сумиране на изходните скорости аналоговият вход да е ефективно прихванат и преобразуван на по-висока скорост на прихващане.
A peak saturated power output (in watts), Psat, greater than 505,62 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz2] for any channel;
Цифрово-аналогови преобразуватели (ЦАП/DAC), притежаващи която и да е от следните характеристики:
A "fractional bandwidth" of 5 % or greater for any channel;
Разделителна способност 10 бита или повече, с 'коригирана скорост на обновяване', по-голяма от 3500 MSPS; или
c.
Разделителна способност 12 бита или повече, с 'коригирана скорост на обновяване', по-голяма от 1250 MSPS и притежаващи която и да е от следните характеристики:
Any planar side with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15cm*GHz*N/fGHz] where N is the number of transmit or transmit/receive channels; and
Време за установяване, по-малко от 9 ns до 0,024 % от времето, необходимо за една пълна стъпка; или
An electronically variable phase shifter per channel.
b.
A 'transmit/receive module': is a multifunction "electronic assembly" that provides bi-directional amplitude and phase control for transmission and reception of signals.
'Динамичен обхват без изкривявания' (SFDR), по-висок от 68 dBc (носител) при синтезиране на аналогов сигнал от 100 MHz по цялата скала или на най-високата честота на аналогов сигнал по цялата скала, определен под 100 MHz.
A 'transmit module': is an "electronic assembly" that provides amplitude and phase control for transmission of signals.
'Динамичният обхват без изкривявания' (SFDR) се определя като съотношението между средната квадратична стойност (RMS) на носещата честота (максимален сигнален компонент) на входа на ЦАП/DAC и средната квадратична стойност (RMS) на следващия компонент на най-големи шумови или нелинейни изкривявания на изхода на ЦАП/DAC.
A 'transmit/receive MMIC': is a multifunction "MMIC" that provides bi-directional amplitude and phase control for transmission and reception of signals.
SFDR се определя пряко от спецификационната таблица или от характеристичната графика SFDR/честота.
A 'transmit MMIC': is a "MMIC" that provides amplitude and phase control for transmission of signals.
Сигналът е на максимално ниво, когато амплитудата му е по-голяма от -3 dBfs (пълна скала).
2,7 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.12.c. for transmit/receive or transmit modules that have a rated operation range extending downward to 2,7 GHz and below [d≤15cm*GHz*N/2,7 GHz].
'Коригирана скорост на обновяване' за ЦАП/DAC:
3A001.b.12. applies to 'transmit/receive modules' or 'transmit modules' with or without a heat sink.
За конвенционалните (без интерполация) ЦАП/DAC 'коригираната скорост на обновяване' е скоростта, с която цифровият сигнал се преобразува в аналогов и изходящите аналогови стойности се променят от ЦАП/DAC.
The value of d in 3A001.b.12.c. does not include any portion of the 'transmit/receive module' or 'transmit module' that functions as a heat sink.
За ЦАП/DAC, при които режимът на интерполация може да се изключва, (интерполационен фактор единица), ЦАП/DAC следва да се приема за конвенционален (без интерполация).
'Transmit/receive modules', or 'transmit modules', or 'transmit/receive MMICs' or 'transmit MMICs' may or may not have N integrated radiating antenna elements where N is the number of transmit or transmit/receive channels.
За интерполиращите ЦАП/DAC (ЦАП/DAC с дискретизация на сигнала, превишаваща основната честота на дискретизация) 'коригираната скорост на обновяване' се определя, като скоростта на обновяване на ЦАП/DAC се раздели на най-малкия фактор на интерполация.
c.
При интерполиращите ЦАП/DAC за 'коригирана скорост на обновяване' могат да се срещнат и други термини като:
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
входяща честота на данните
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
входяща честота на думите
a.
входящата честота на дискретизация
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
максимална входяща честота на шината
b.
максимална ЦАП синхронизирана (тактова) честота при ЦАП тактов вход.
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
Електрооптични и "оптични интегрални схеми", проектирани за "обработка на сигнали", притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB;
a.
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
Един или повече от един вътрешен "лазерен" диод;
A bandwidth greater than 250 MHz; or
b.
A dispersive delay of more than 10 μs; or
Един или повече от един вътрешен светлочувствителен елемент; и
c.
c.
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
Оптични вълноводи;
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
Логически устройства със зона за програмиране, притежаващи която и да е от следните характеристики:
'Frequency side-lobe rejection' is the maximum rejection value specified in data sheet.
a.
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
Максимален брой едностранни цифрови входове/изходи повече от 700; или
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
b.
3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
'Максимална сумарна скорост на еднопосочния поток на предаване на данни' от 500 Gb/s или повече;
d.
3A001.a.7. включва:
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
Обикновени програмируеми логически устройства (SPLDs/ОПЛУ)
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10-14 J; or
Сложни програмируеми логически устройства (CPLDs/СПЛУ)
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
Комбинационни логически елементи със зони за програмиране (FPGAs/КЛЕЗП)
e.
Логически матрици със зони за програмиране (FPLAs/ЛМЗП)
High energy devices as follows:
Програмируеми на място взаимовръзки (FPICs/ПМВВ)
'Cells' as follows:
За интегрални схеми с логически устройства със зона за програмиране, комбинирани с аналогово-цифров преобразувател, вж.
a.
3A001.a.14.
'Primary cells' having an 'energy density' exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
Максималният брой цифрови входове/изходи в 3A001.a.7.a. се нарича още максимални потребителски входове/изходи или максимално налични входове/изходи в зависимост от това дали интегралната схема е комплексна или базова матрична.
b.
'Максималната сумарна скорост на еднопосочния поток на предаване на данни' е произведението от максималната скорост на еднопосочния поток на предаване на данни и броя на предавателите на FPGAs/КЛЕЗП.
'Secondary cells' having an 'energy density' exceeding 350 Wh/kg at 20 °C;
Интегрални схеми с невронна мрежа;
For the purpose of 3A001.e.1.,'energy density' (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Поръчкови интегрални схеми, за които на производителя е неизвестна или функцията им, или статутът на контрол на оборудването, в което ще се използват интегралните схеми, притежаващи която и да е от следните характеристики:
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
a.
For the purpose of 3A001.e.1., a 'cell' is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Повече от 1500 извода;
It is the basic building block of a battery.
b.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a 'primary cell' is a 'cell' that is not designed to be charged by any other source.
Нормално "време за задържане (забавяне) на разпространението в основния пропускащ елемент", по-малко от 0,02 ns; или
For the purpose of 3A001.e.1.b., a 'secondary cell' is a 'cell' that is designed to be charged by an external electrical source.
c.
3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
Работна честота над 3 GHz;
High energy storage capacitors as follows:
Цифрови интегрални схеми, различни от описаните в 3A001.a.3. до 3A001.a.10. и 3A001.a.12., базирани на съставни полупроводници и притежаващи която и да е от следните характеристики:
SEE ALSO 3A201.a. and the Military Goods Controls.
Еквивалентен брой ключове над 3000 (2 входни ключа); или
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
b.
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
Гранична честота на превключване, надхвърляща 1,2 GHz;
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
Процесори, използващи бързо преобразуване на Фурие (БПФ/FFT), имащи стандартно време за изпълнение при N-точков комплекс, използващ БПФ/FFT, с брой на точките по-малък от (N log2 N) /20 480 ms, където N е броят точки;
A total energy equal to or more than 25 kJ;
Когато N е равно на 1024 точки, формулата в 3A001.a.12. дава време за изпълнение 500 μѕ.
b.
Интегрални схеми за директни цифрови синтезатори (DDS), притежаващи която и да е от следните характеристики:
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following: