natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Гранична честота на превключване, надхвърляща 1,2 GHz;
3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Процесори, използващи бързо преобразуване на Фурие (БПФ/FFT), имащи стандартно време за изпълнение при N-точков комплекс, използващ БПФ/FFT, с брой на точките по-малък от (N log2 N) /20 480 ms, където N е броят точки;
d.
Когато N е равно на 1024 точки, формулата в 3A001.a.12. дава време за изпълнение 500 μѕ.
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
Интегрални схеми за директни цифрови синтезатори (DDS), притежаващи която и да е от следните характеристики:
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
a.
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
Синхронизирана (тактова) честота на цифрово-аналогов преобразувател (ЦАП/DAC) 3,5 GHz или по-голяма и разделителна способност на ЦАП/DAC 10 bit или повече, но под 12 bit; или
e.
b.
High energy devices as follows:
Синхронизирана (тактова) честота на ЦАП/DAC 1,25 GHz или повече и разделителна способност на ЦАП/DAC 12 bit или повече;
'Cells' as follows:
Синхронизираната (тактова) честота на ЦАП/DAC може да бъде посочена като главна или входна тактова честота.
a.
Интегрални схеми, които отговарят или могат да бъдат програмирани да отговарят на всички изброени по-долу критерии:
'Primary cells' having any of the following at 20 °C;
a.
'Energy density' exceeding 550 Wh/kg and a 'continuous power density' exceeding 50 W/kg; or
Аналогово-цифрово преобразуване с която и да е от следните характеристики:
'Energy density' exceeding 50 Wh/kg and a 'continuous power density' exceeding 350 W/kg; or
Разделителна способност 8 бита или повече, но по-малка от 10 бита, с "честота на дискретизация", по-голяма от 1,3 милиарда дискрета в секунда (GSPS);
b.
Разделителна способност 10 бита или повече, но по-малка от 12 бита, с "честота на дискретизация", по-голяма от 1,0 GSPS;
'Secondary cells' having an 'energy density' exceeding 350 Wh/kg at 20 °C;
Разделителна способност 12 бита или повече, но по-малка от 14 бита, с "честота на дискретизация", по-голяма от 1,0 GSPS;
For the purpose of 3A001.e.1., 'energy density' (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Разделителна способност 14 бита или повече, но по-малка от 16 бита, с "честота на дискретизация", по-голяма от 400 милиона дискрета в секунда (MSPS); или
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
Разделителна способност 16 бита или повече, с "честота на дискретизация", по-голяма от 180 MSPS; и
For the purpose of 3A001.e.1., a 'cell' is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
b.
It is the basic building block of a battery.
Което и да е от следните:
For the purpose of 3A001.e.1.a., a 'primary cell' is a 'cell' that is not designed to be charged by any other source.
Съхранение на цифровизирани данни; или
For the purpose of 3A001.e.1.b., a 'secondary cell' is a 'cell' that is designed to be charged by an external electrical source.
Обработка на цифровизирани данни;
For the purpose of 3A001.e.1.a., 'continuous power density' (W/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the specified maximum continuous discharge current in ampere (A) divided by the mass in kilograms.
За интегрални схеми с аналогово-цифров преобразувател вж.
'Continuous power density' is also referred to as specific power.
3A001.a.5.a.
3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
За логически устройства със зона за програмиране вж.
High energy storage capacitors as follows:
3A001.a.7.
SEE ALSO 3A201.a. and the Military Goods Controls.
Разделителна способност n бита съответства на квантуване на 2n нива.
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Разделителната способност на АЦП/ADC е броят битове на цифровия изход на АЦП/ADC, който представлява измерения аналогов входящ сигнал.
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
За интегрални схеми без редуване "многоканални АЦП/ADC" "честотата на дискретизация" не се сумира и "честотата на дискретизация" е максималната честота на който и да е от отделните канали.
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
За интегрални схеми с "редуващи АЦП/ADC" или с "многоканални АЦП/ADC", имащи редуващ режим на работа, "честотите на дискретизация" се сумират и "честотата на дискретизация" е максималната сумирана обща скорост на всички редуващи се канали.
A total energy equal to or more than 25 kJ;
Изделия, работещи в микровълновия или милиметровия диапазон, както следва:
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
За целите на 3A001.b. параметърът пикова изходна мощност на насищане може да бъде посочван в информационните листове на продуктите като изходна мощност, изходна мощност на насищане, максимална изходна мощност, пикова изходна мощност или пикова мощност на изход.
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
За целите на 3A001.b.1. 'вакуумни електронни устройства' са електронни устройства на базата на взаимодействието на електронен лъч с електромагнитна вълна, разпростаняваща се във вакуумна схема или взаимодействаща със свръхвисокочестотни вакуумни резонатори.
A total energy equal to or more than 100 J; and
'Вакуумните електронни устройства' включват клистрони, лампи с бягаща вълна и техни производни.
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
'Вакуумните електронни устройства' и катоди, както следва:
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
3A001.b.1. не контролира 'вакуумни електронни устройства', проектирани или предназначени за работа във всички честотни ленти и притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
SEE ALSO 3A201.b.
Не надвишават 31,8 GHz; и
3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Са "определени от МСД/ITU" за радиокомуникационни услуги, но не за радиоопределящи.
a.
3A001.b.1. не контролира 'вакуумни електронни устройства’, които не са 'класифицирани като предназначени за използване в Космоса", притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
Средна изходна мощност, равна или по-малка от 50 W; и
b.
Проектирани или предназначени за работа във всички честотни ленти, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
Надхвърлят 31,8 GHz, но не надхвърлят 43,5 GHz; и
c.
a.
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
'Вакуумни електронни устройства' с бягаща вълна, импулсна или непрекъсната, както следва:
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated 'AM0' illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
Устройства, работещи при честоти, надхвърлящи 31,8 GHz;
'AM0', or 'Air Mass Zero', refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Устройства, снабдени с катоден нагревател с време за достигане до номиналната RF мощност, по-малко от 3 секунди;
f.
Устройства със свързани резонатори или техни производни, с "относителна широчина на честотната лента" над 7 % или пикова мощност, надминаваща 2,5 kW;
Rotary input type absolute position encoders having an "accuracy" equal to or less (better) than 1,0 second of arc and specially designed encoder rings, discs or scales therefor;
Устройства на базата на вълноводи по винтова линия, прегънати вълноводи, змиевидни вълноводи или техни производни, притежаващи която и да е от следните характеристики:
g.
a.
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and 'thyristor modules', using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
"Моментна широчина на честотната лента" над една октава и средна мощност (изразена в kW), умножена по честотата (изразена в GHz) над 0,5;
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
b.
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
"Моментна широчина на честотната лента" от една октава или по-малко и средна мощност (изразена в kW), умножена по честотата (изразена в GHz) над 1;
a.
c.
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
Класифицирани като "предназначени за използване в Космоса"; или
b.
d.
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
С растерен електронен прожектор;
3A001.g. includes:
Устройства с "относителна широчина на честотната лента", по-голяма от или равна на 10 % и с която и да е от следните характеристики:
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
a.
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
Пръстеновиден електронен лъч;
Light Triggering Thyristors (LTTs)
b.
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
Осовонесиметричен електронен лъч; или
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
c.
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
Множество електронни лъчи;
Solidtrons
b.
3A001.g. does not control thyristor devices and 'thyristor modules' incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Усилвателни 'вакуумни електронни устройства' с кръстосано поле, с коефициент на усилване над 17 dB;
For the purposes of 3A001.g., a 'thyristor module' contains one or more thyristor devices.
c.
h.
Термоелектронни катоди, проектирани за 'вакуумни електронни устройства', произвеждащи непрекъсната плътност на тока на емисията при номинални работни условия над 5 A/cm2 или пулсова (прекъсната) плътност на тока при номинални работни условия над 10 A/cm2;
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or 'modules', having all of the following:
d.
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
'Вакуумни електронни устройства' с възможност за работа в 'двоен режим'.
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
'Двоен режим' означава, че потокът на лъчението на 'вакуумното електронно устройство' може целево да се променя между режим с постоянна вълна и импулсен режим с помощта на растер и генерира изходна мощност при импулсен пик, по-голяма от изходната мощност при постоянна вълна.
Continuous current greater than 1 A.
Усилватели с "монолитни микровълнови интегрални схеми" ("MMIC"), притежаващи която и да е от следните характеристики:
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
За "MMIC" усилватели с интегрирано изместване на фазата вж.
3A001.h. includes:
3A001.b.12.
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
a.
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
Предназначени за работа при честоти над 2,7 GHz и до 6,8 GHz включително, с "относителна широчина на честотната лента" над 15 % и която и да е от следните характеристики:
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs)
Пикова изходна мощност на насищане над 75 W (48,75 dBm) при честота над 2,7 GHz и до 2,9 GHz включително;
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
Пикова изходна мощност на насищане над 55 W (47,4 dBm) при честота над 2,9 GHz и до 3,2 GHz включително;
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Пикова изходна мощност на насищане над 40 W (46 dBm) при честота над 3,2 GHz и до 3,7 GHz включително; или
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
Пикова изходна мощност на насищане над 20 W (43 dBm) при честота над 3,7 GHz и до 6,8 GHz включително;
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
b.
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Предназначени за работа при честоти над 6,8 GHz и до 16 GHz включително, с "относителна широчина на честотната лента" над 10 % и която и да е от следните характеристики:
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
Пикова изходна мощност на насищане над 10 W (40 dBm) при честота над 6,8 GHz и до 8,5 GHz включително; или
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
Пикова изходна мощност на насищане над 5 W (37 dBm) при честота над 8,5 GHz и до 16 GHz включително;
PiN Diodes
c.
Schottky Diodes
Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 3 W (34,77 dBm) при честоти над 16 GHz и до 31,8 GHz включително, и с "относителна широчина на честотната лента" над 10 %;
3A001.h. does not control switches, diodes, or 'modules', incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
d.
For the purposes of 3A001.h., 'modules' contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (– 70 dBm) при честоти над 31,8 GHz и до 37 GHz включително;
i.
e.
Intensity, amplitude, or phase electro-optic modulators, designed for analogue signals and having any of the following:
Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 1 W (30 dBm) при честоти над 37 GHz и до 43,5 GHz включително, и с "относителна широчина на честотната лента" над 10 %;
A maximum operating frequency of more than 10 GHz but less than 20 GHz, an optical insertion loss equal to or less than 3 dB and having any of the following:
Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 31,62 mW (15 dBm) при честоти над 43,5 GHz и до 75 GHz включително, и с "относителна широчина на честотната лента" над 10 %;
A 'half-wave voltage' ('Vπ') less than 2,7 V when measured at a frequency of 1 GHz or below; or
Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 10 mW (10 dBm) при честоти над 75 GHz и до 90 GHz включително, и с "относителна широчина на честотната лента" над 5 %; или
A 'Vπ' of less than 4 V when measured at a frequency of more than 1 GHz; or
h.
A maximum operating frequency equal to or greater than 20 GHz, an optical insertion loss equal to or less than 3 dB and having any of the following:
Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (– 70 dBm) при честоти над 90 GHz;
a.
Не се използва.
A 'Vπ' less than 3,3 V when measured at a frequency of 1 GHz or below; or
Доколко подлежат на контрол "MMIC", чиятo работна честота включва честоти, посочени в повече от един честотен диапазон, както е определено в 3A001.b.2.a. до 3A001.b.2.h., се определя от най-ниското ниво на пикова изходна мощност на насищане.
b.
Бележки 1 и 2 в 3А означават, че 3A001.b.2. не контролира "MMIC", ако те специално са разработени за други приложения, т.е. телекомуникации, радари, автомобили.
A 'Vπ' less than 5 V when measured at a frequency of more than 1 GHz.
Дискретни микровълнови транзистори, притежаващи която и да е от следните характеристики:
3A001.i. includes electro-optic modulators having optical input and output connectors (e.g., fibre-optic pigtails).
a.
For the purposes of 3A001.i., a 'half-wave voltage' ('Vπ') is the applied voltage necessary to make a phase change of 180 degrees in the wavelength of light propagating through the optical modulator.
Предназначени за работа на честоти над 2,7 GHz и до 6,8 GHz включително и притежаващи която и да е от следните характеристики:
General purpose "electronic assemblies", modules and equipment, as follows:
Пикова изходна мощност на насищане над 400 W (56 dBm) при честота над 2,7 GHz и до 2,9 GHz включително;
a.
Пикова изходна мощност на насищане над 205 W (53,12 dBm) при честота над 2,9 GHz и до 3,2 GHz включително;
Recording equipment and oscilloscopes as follows:
Пикова изходна мощност на насищане над 115 W (50,61 dBm) при честота над 3,2 GHz и до 3,7 GHz включително; или
Digital data recorders having all of the following:
Пикова изходна мощност на насищане над 60 W (47,78 dBm) при честота над 3,7 GHz и до 6,8 GHz включително;
a.
b.
A sustained 'continuous throughput' of more than 6,4 Gbit/s to disk or solid-state drive memory; and
Предназначени за работа на честоти над 6,8 GHz и до 31,8 GHz включително и притежаващи която и да е от следните характеристики:
b.
Пикова изходна мощност на насищане над 50 W (47 dBm) при честота над 6,8 GHz и до 8,5 GHz включително;
A processor that performs analysis of radio frequency signal data while it is being recorded;
Пикова изходна мощност на насищане над 15 W (41,76 dBm) при честота над 8,5 GHz и до 12 GHz включително;
For recorders with a parallel bus architecture, the 'continuous throughput' rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Пикова изходна мощност на насищане над 40 W (46 dBm) при честота над 12 GHz и до 16 GHz включително; или
'Continuous throughput' is the fastest data rate the instrument can record to disk or solid-state drive memory without the loss of any information while sustaining the input digital data rate or digitizer conversion rate.
Пикова изходна мощност на насищане над 7 W (38,45 dBm) при честота над 16 GHz и до 31,8 GHz включително;
Real-time oscilloscopes having a vertical root-mean-square (rms) noise voltage of less than 2 % of full-scale at the vertical scale setting that provides the lowest noise value for any input 3dB bandwidth of 60 GHz or greater per channel;
c.
3A002.a.7. does not control equivalent-time sampling oscilloscopes.
Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 0,5 W (27 dBm) при честота над 31,8 GHz и до 37 GHz включително;
c.
d.
"Signal analysers" as follows:
Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 1 W (30 dBm) при честота над 37 GHz и до 43,5 GHz включително;
"Signal analysers" having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 40 MHz anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz;
e.
"Signal analysers" having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than -150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (– 70 dBm) при честоти над 43,5 GHz;
"Signal analysers" having a frequency exceeding 90 GHz;
Доколко подлежат на контрол транзисторите, чиято работна честота включва честоти, посочени в повече от един честотен диапазон, както е определено от 3A001.b.3.a. до 3A001.b.3.e., се определя от най-ниското ниво на пикова изходна мощност на насищане.
"Signal analysers" having all of the following:
3A001.b.3. включва непокрити транзисторни чипове, транзисторни полупроводникови чипове, монтирани на носители или монтирани в корпуси.
a.
Някои обособени транзистори също могат да бъдат отнесени като усилватели на мощност, но техният статус е определен в 3A001.b.3.
'Real-time bandwidth' exceeding 170 MHz; and
Микровълнови полупроводникови усилватели и микровълнови модули/агрегати, съдържащи микровълнови полупроводникови усилватели, притежаващи която и да е от следните характеристики:
100 % probability of discovery with less than a 3 dB reduction from full amplitude due to gaps or windowing effects of signals having a duration of 15 μs or less; or
Пикова изходна мощност на насищане над 500 W (57 dBm) при честота над 2,7 GHz и до 2,9 GHz включително;
A 'frequency mask trigger' function with 100 % probability of trigger (capture) for signals having a duration of 15 μs or less;
Пикова изходна мощност на насищане над 270 W (54,3 dBm) при честота над 2,9 GHz и до 3,2 GHz включително;
'Real-time bandwidth' is the widest frequency range for which the analyser can continuously transform time-domain data entirely into frequency-domain results, using a Fourier or other discrete time transform that processes every incoming time point, without a reduction of measured amplitude of more than 3 dB below the actual signal amplitude caused by gaps or windowing effects, while outputting or displaying the transformed data.
Пикова изходна мощност на насищане над 200 W (53 dBm) при честота над 3,2 GHz и до 3,7 GHz включително; или
Probability of discovery in 3A002.c.4.b.1. is also referred to as probability of intercept or probability of capture.
Пикова изходна мощност на насищане над 90 W (49,54 dBm) при честота над 3,7 GHz и до 6,8 GHz включително;
For the purposes of 3A002.c.4.b.1., the duration for 100 % probability of discovery is equivalent to the minimum signal duration necessary for the specified level measurement uncertainty.
b.
A 'frequency mask trigger' is a mechanism where the trigger function is able to select a frequency range to be triggered on as a subset of the acquisition bandwidth while ignoring other signals that may also be present within the same acquisition bandwidth.
Предназначени за работа при честоти над 6,8 GHz и до 31,8 GHz включително, с "относителна широчина на честотната лента" над 10 % и която и да е от следните характеристики:
A 'frequency mask trigger' may contain more than one independent set of limits.
Пикова изходна мощност на насищане над 70 W (48,54 dBm) при честота над 6,8 GHz и до 8,5 GHz включително;
3A002.c.4. does not control those "signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Пикова изходна мощност на насищане над 50 W (47 dBm) при честота над 8,5 GHz и до 12 GHz включително;
d.
Пикова изходна мощност на насищане над 30 W (44,77 dBm) при честота над 12 GHz и до 16 GHz включително; или
Signal generators having any of the following:
Пикова изходна мощност на насищане над 20 W (43 dBm) при честота над 16 GHz и до 31,8 GHz включително;
Specified to generate pulse-modulated signals having all of the following, anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz:
Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 2 W (33 dBm) при честоти над 37 GHz и до 43,5 GHz включително, и с "относителна широчина на честотната лента" над 10 %;
'Pulse duration' of less than 25 ns; and
Предназначени за работа на честоти над 43,5 GHz и притежаващи която и да е от следните характеристики:
On/off ratio equal to or exceeding 65 dB;
Максимална изходна мощност на насищане над 0,2 W (23 dBm) при честота над 43,5 GHz и до 75 GHz включително, и с "относителна широчина на честотната лента" над 10 %;
An output power exceeding 100 mW (20 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Максимална изходна мощност на насищане над 20 mW (13 dBm) при честота над 75 GHz и до 90 GHz включително, и с "относителна широчина на честотната лента" над 5 %; или
A "frequency switching time" as specified by any of the following:
Пикова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (– 70 dBm) при честота над 90 GHz; или
b.
f.
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
За "MMIC" усилватели вж.
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz; or
3A001.b.2.
e.
За 'приемни/предавателни модули' и 'предавателни модули' вж.
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the frequency range exceeding 37 GHz but not exceeding 90 GHz;
3A001.b.12.
Single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, specified as being any of the following: