natgillin/translations-raw huggingface dataset:
За записващите системи с паралелна шинна архитектура 'постоянната пропускателна способност' представлява най-високата скорост на записване на думи, умножена по броя битове в една дума.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
'Постоянната пропускателна способност' е най-голямата скорост на данните, с която инструментът може да записва в паметта на диск или SSD диск без загуба на информация, като при това се поддържа скоростта на подаване на цифровизираните данни или скоростта на цифровото преобразуване.
Direct write capability;
Осцилоскопи за работа в реално време с вертикално напрежение на шум със средна квадратична стойност (rms) по-малко от 2 % от пълната скала при настройка на вертикалната скала, осигуряваща най-ниска стойност на шум за входна ширина на честотната лента при 3 dB от 60 GHz или повече на канал;
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
3A002.a.7. не контролира осцилоскопите, работещи с еквивалент на време.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
"Сигнални анализатори", както следва:
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
"Сигнални анализатори", имащи 3 dB разделителна способност на честотната лента (RBW), която надвишава 10 MHz във всяка точка от честотния диапазон над 31,8 GHz и до 37 GHz;
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
"Сигнални анализатори" с посочено средно ниво на шума (DANL), по-ниско (по-добро) от –150 dBm/Hz във всяка точка от честотния диапазон над 43,5 GHz и до 90 GHz;
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
"Сигнални анализатори" с честота над 90 GHz;
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
"Сигнални анализатори", имащи всички изброени по-долу характеристики:
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
a.
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
"Широчина на честотната лента в реално време" над 170 MHz; и
f.
b.
Lithography equipment as follows:
С която и да е от следните характеристики:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
100 % вероятност за откриване с по-малко от 3 dB съкращение спрямо пълната амплитуда поради празнини или интервали (windowing effects) за сигналите с продължителност 15 μѕ или по-малко; или
a.
Функция на "задействащ механизъм за наслагване на честоти" със 100 % вероятност от задействане (улавяне) за сигнали с продължителност 15 μѕ или по-малко;
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
Вероятността от откриване съгласно 3A002.c.4.b.1. се нарича също вероятност от прихващане или вероятност от улавяне.
b.
По смисъла на 3A002.c.4.b.1. продължителността за постигане на 100 % вероятност от откриване е еквивалентна на минималната продължителност на сигнала, необходима за посоченото ниво на неопределеност на измерването.
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
3A002.c.4. не контролира "сигнални анализатори", използващи само филтри за широчината на лентата с постоянен процент (също известни като октавни или частични октавни филтри).
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
d.
an exposure light source wavelength in nm
Сигнални генератори, притежаващи която и да е от следните характеристики:
K factor
Предназначени да генерират във всяка точка от честотния диапазон над 31,8 GHz и до 37 GHz импулсни-модулирани сигнали, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
numerical aperture
a.
where the K factor = 0,35
'Продължителност на импулса', по-малко от 25 ns; и
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
b.
3B001.f.2. includes:
Съотношение на включване/изключване (on/off ratio) равно на или по-голямо от 65 dB;
Micro contact printing tools
Изходна мощност над 100 mW (20 dBm) във всяка точка от честотния диапазон над 43,5 GHz и до 90 GHz;
Hot embossing tools
"Време за превключване на честотата", определено от която и да е от следните характеристики:
Nano-imprint lithography tools
b.
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
По-малко от 100 μѕ за всяка смяна на честотата над 2,2 GHz в честотния обхват над 4,8 GHz и до 31,8 GHz;
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
По-малко от 500 μѕ за всяка смяна на честотата над 550 MHz в честотния обхват над 31,8 GHz и до 37 GHz; или
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
e.
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
По-малко от 100 μѕ за всяка смяна на честотата над 2,2 GHz в честотния обхват над 37 GHz и до 90 GHz;
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
f.
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
Не се използва;
a.
Фазово изкривяване на единичната странична честота (SSB), измерено в dBc/Hz, за което е посочено, че отговаря на която и да е от следните характеристики:
A deflected focused electron beam; and
a.
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
По-малко (по-добро) от -(126 + 20log10F - 20log10f) във всяка точка от диапазона 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz навсякъде в рамките на честотния диапазон над 3,2 GHz и до 90 GHz; или
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
По-малко (по-добро) от -(206- 20log10f) във всяка точка от диапазона 10 kHz ≤ F ≤ 100 kHz навсякъде в рамките на честотния диапазон над 3,2 GHz и до 90 GHz; или
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
В 3A002.d.4.
h.
F е отклонението от работната честота в Hz и f е работната честота в MHz.
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
Максимална честота над 90 GHz;
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
За целите на 3A002.d. сигналните генератори включват генератори на сигнали с произволна форма и функционални генератори.
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
3A002.d. не контролира оборудване, при което изходната честотата се получава или чрез прибавяне, или чрез изваждане на две или повече честоти от кварцови генератори, или чрез прибавяне или изваждане, последвано от умножаване на резултата.
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Максималната честота на вълна с произволна форма или функционален генератор се изчислява като честотата на дискретизация в дискрети/секунда се раздели на коефициент 2,5.
i.
За целите на 3A002.d.1.а. 'продължителност на импулса' се определя като времевия интервал между предния фронт на импулса, достигащ 50 % от амплитудата на импулса, и задния фронт на импулса, достигащ 50 % от амплитудата.
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
e.
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
Мрежови анализатори, имащи някои от изброените по-долу характеристики:
a.
Изходна мощност над 31,62 mW (15 dBm) във всяка точка от диапазона на работната честота над 43,5 GHz и до 90 GHz;
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Изходна мощност над 1 mW (0 dBm) във всяка точка от диапазона на работната честота над 90 GHz и до 110 GHz;
c.
'Способност за измерване на нелинейни вектори' при честоти над 50 GHz и до 110 GHz; или
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
'Способност за измерване на нелинейни вектори' означава способността на даден инструмент да анализира резултатите от изпитванията на изделия в обхвата на широкочестотните сигнали или в диапазона на нелинейно изкривяване.
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Максимална работна честота над 110 GHz;
a.
f.
Silicon (Si);
Микровълнови изпитателни приемници, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
b.
Максимална работна честота над 110 GHz; и
Germanium (Ge);
Способност за едновременно измерване на амплитуда и фаза;
c.
g.
Silicon carbide (SiC); or
Стандарти за атомни честоти, имащи някои от изброените по-долу характеристики:
d.
"Предназначени за използване в Космоса";
"III/V compounds" of gallium or indium.
Не са рубидиеви стандарти и имат дългосрочна стабилност по-малка (по-добра) от 1 × 10–11/месец; или
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Не са "предназначени за използване в Космоса" и притежават всички изброени по-долу характеристики:
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Представляват рубидиев стандарт;
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
b.
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
Дългосрочна стабилност (остаряване), по-малка (по-добра) от 1 × 10–11/месец; и
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
Обща консумация на енергия, по-малка от 1 W.
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
"Електронни модули", агрегати и оборудване, предвидени да изпълняват всички изброени по-долу:
All resists optimised for surface imaging technologies;
Аналогово-цифрово преобразуване с която и да е от следните характеристики:
e.
a.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Разделителна способност 8 бита или повече, но по-малка от 10 бита, с входяща честота на дискретизация, по-голяма от 1300 милиона дискрета в секунда;
Organo-inorganic compounds as follows:
Разделителна способност 10 бита или повече, но по-малка от 12 бита, с входяща честота на дискретизация, по-голяма от 1000 милиона дискрета в секунда;
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Разделителна способност 12 бита или повече, но по-малка от 14 бита, с входяща честота на дискретизация, по-голяма от 1000 милиона дискрета в секунда;
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
d.
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Разделителна способност 14 бита или повече, но по-малка от 16 бита, с входяща честота на дискретизация, по-голяма от 400 милиона дискрета за секунда; или
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
e.
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Разделителна способност 16 бита или повече, с входяща честота на дискретизация, по-голяма от 180 милиона дискрета за секунда; и
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
a.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
Производство на цифровизирани данни;
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
b.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
Съхранение на цифровизирани данни; или
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
c.
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Обработка на цифровизирани данни;
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Цифровите записващи системи, осцилоскопите, "сигналните анализатори", генераторите на сигнали, мрежовите анализатори и микровълновите изпитателни приемници са посочени съответно в 3A002.a.6., 3A002.a.7., 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. и 3A002.f.
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
Доколко подлежат на контрол многоканалните "електронни модули" или агрегати, се определя от най-високата указана производителност за едноканалните модули или сглобки.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
3A002.h. включва картите за АЦП/ADC устройства, вълновите дигитайзери, картите за събиране на данни, платките за записване на сигнал и записващите устройства за преходни процеси.
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
Системи за термично управление с охлаждане със спрей, използващи затворен и уплътнен контур с оборудване за събиране и възстановяване на флуида, където диелектрически флуид се разпръсква върху електронните компоненти чрез специално проектирани аерозолни дюзи, които са създадени да поддържат електронните компоненти в тяхната работна температурна област, и специално проектирани компоненти за тях.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Електронно оборудване, устройства и компоненти, различни от описаните в 3A001, както следва:
3E001 does not control "technology" for equipment or components specified in 3A003.
a.
3E001 does not control "technology" for integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Аналогово-цифрови преобразуватели, с приложение при "ракети", проектирани да отговарят на военни изисквания за износоустойчиво оборудване;
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
b.
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
Ускорители, способни да излъчват електромагнитна радиация, създадена чрез стационарно облъчване с ускорени електрони с 2 MeV или повече и системи, включващи тези ускорители.
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
3A101.b. не описва оборудване, специално проектирано за медицински цели.
a.
'Топлинни акумулатори' разработени или модифицирани за 'ракети'.
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
В 3A102 'топлинни акумулатори' са акумулатори за еднократна употреба, които съдържат твърда непроводяща неорганична сол като електролит.
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
Тези акумулатори включват пиролитичен материал, който при запалване разтопява електролита и задейства акумулатора.
b.
В 3A102 'ракета' означава завършени ракетни системи и системи за безпилотни летателни апарати с обсег на действие над 300 km.
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
Електронни компоненти, различни от описаните в 3A001, както следва:
c.
a.
Designed to perform more than eight 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
Кондензатори, имащи едната от следните две групи характеристики:
3E002 does not control "technology" for multimedia extensions.
a.
3E002 does not control "technology" for micro-processor cores, having all of the following:
Напрежение, по-голямо от 1,4 kV;
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
b.
3E002 includes "technology" for the "development" or "production" of digital signal processors and digital array processors.
Съхранение на енергия, по-голямо от 10 J;
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
Капацитет, по-голям от 0,5 μF; и
Vacuum microelectronic devices;
Последователно свързана индуктивност, по-малка от 50 nH; или
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
a.
3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Напрежение, по-голямо от 750 V;
c.
Капацитет, по-голям от 0,25 μF; и
d.
c.
Substrates of films of diamond for electronic components.
Последователно свързана индуктивност, по-малка от 10 nH;
e.
b.
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
Свръхпроводящи соленоидни електромагнити, имащи всички изброени по-долу характеристики:
f.
Способни да създават магнитни полета, по-големи от 2 Т;
Substrates of silicon carbide for electronic components;
Съотношение на дължината към вътрешния диаметър, по-голямо от 2;
g.
Вътрешен диаметър, по-голям от 300 mm; и
'Vacuum electronic devices' operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
Еднородно магнитно поле в рамки, по-добри от 1 % над централните 50 % от вътрешния обем;
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
3A201.b. не контролира магнити, специално проектирани за и изнасяни 'като части от' медицински системи за изображение с ядрено-магнитен резонанс (ЯМР/NMR).
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software"specified in 3D101.
Изразът 'като част от' не означава непременно физическа част в същата пратка; допускат се отделни пратки от различни източници, при условие че съответните експортни документи ясно посочват, че пратките се изпращат 'като част от' системите за изображение.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
c.
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
Импулсни генератори с рентгеново излъчване или импулсни електронни ускорители, имащи едното от следните две множества характеристики:
CATEGORY 4 - COMPUTERS
Пикова енергия на електроните на ускорителя 500 keV или по-голяма, но по-малка от 25 MeV; и
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
С 'показател на качеството' (К) от 0,25 или по-голям; или
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
a.
SEE ALSO 4A101.
Пикова енергия на електроните на ускорителя от 25 MeV или по-голяма; и
a.
b.
Specially designed to have any of the following:
'Пикова мощност', по-голяма от 50 MW.
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (- 45 °C) or above 358 K (85 °C); or
3A201.c. не контролира ускорители, които се явяват съставни части от устройства, проектирани за цели, различни от излъчване на лъчевия сноп или рентгенови лъчи (например електронна микроскопия), нито пък тези проектирани за медицински цели.
4A001.a.1. does not control computers specially designed for civil automobile, railway train or “civil aircraft” applications.
'Показател на качеството' (К) се дефинира като:
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
K = 1,7 × 103V2,65Q
Total Dose
V е пиковата енергия на електроните в милиони електронволтове.
5 × 103 Gy (silicon);
Когато продължителността на импулса на снопа на ускорителя е по-малка от или равна на 1 μѕ, то тогава Q е общият ускорен заряд в кулони.
Dose Rate Upset
В случай че продължителността на импулса на снопа на ускорителя е по-голяма от 1 μѕ, то тогава Q е максималният ускорен заряд за 1 μѕ.
5 × 106 Gy (silicon)/s; or
Q е равно на интеграла от i по t, в по-краткото от двете времена — 1 μѕ или времетраенето на лъчевия импулс (Q = ∫ idt), където i е токът на снопа в ампери, а t е времето в секунди.
Single Event Upset
'Пикова мощност' = (пиков потенциал във волтове)×(пиков поток на лъчението в ампери).
1 × 10– 8 Error/bit/day;
При машините, които се основават на резонатори за микровълново ускоряване, продължителността на лъчевия импулс е по-краткото от 1 μѕ или времетраенето на сноповия пакет лъчи, получен от един импулс на микровълновия модулатор.
4A001.a.2. does not control computers specially designed for "civil aircraft" applications.
Честотни преобразуватели или генератори, различни от описаните в 0B001.b.13., използваеми като двигатели с променлива или постоянна честота и притежаващи всичките следни характеристики:
Not used.
В 3D225 е описан "софтуер", специално проектиран за да подобрява или улеснява работата на честотен превключвател или генератор с цел постигане на съответствие с характеристиките в 3A225.
"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows and specially designed components therefor:
В 3E225 са описани "технологии" под формата на ключове или кодове за подобряване или улесняване на работата на честотен превключвател или генератор с цел постигане на съответствие с характеристиките в 3A225.
4A003 includes the following:
a.
'Vector processors';
Многофазен изход, способен да даде мощност от 40 VA или по-голяма;
Array processors;
b.
Digital signal processors;
Работещи при честота 600 Hz или повече; и
Logic processors;
c.
Equipment designed for "image enhancement".
Честотен контрол, по-добър (по-малък) от 0,2 %.
The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided: