natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Пещи за обезвреждане на химикали, проектирани да унищожават химикалите специфицирани в 1C350, снабдени със специално проектирани системи за подаване на отпадъци, специални обработващи устройства и средна температура на горивната камера, по-голяма от 1273 К (1000 °C), при които всички повърхности от системите за подаване на отпадъци, влизащи в пряко съприкосновение с отпадъците, са изработени от или покрити с някои от следните материали:
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
Керамика; или
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
k.
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
Предварително подготвени ремонтни модули с метални повърхности, които влизат в пряк контакт с химикала(ите), които се обработват и които са изработени от тантал или танталови сплави, както следва, и специално проектирани компоненти за тях:
Category 2 does not include "technology" for single-step pack cementation of solid airfoils.
Проектирани за механично прикрепяне към облицовани със стъкло реакторни съдове или реактори, описани в 2B350.a.; или
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Проектирани за механично прикрепяне към облицовани със стъкло резервоари за съхранение, контейнери или колектори, описани в 2B350.c.;
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
За целите на 2B350 материалите, използвани за уплътнения, циментация, салници, винтове, шайби или други материали, изпълняващи уплътняваща функция, не предопределят контролния статус, при условие че тези компоненти са проектирани да бъдат взаимозаменяеми.
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
'Въглероден графит' е съединение от аморфен въглерод и графит, в което съдържанието на графит е осем или повече тегловни процента.
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
По отношение на изброените по-горе материали терминът 'сплав', когато не е посочена специфичната концентрация на елементите, се смята, че се отнася за сплави, които съдържат идентифицирания метал в по-високи тегловни проценти, отколкото всеки друг елемент.
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
Датчици и системи за следене на токсични газове и специално предназначените им за откриване на отровни газове компоненти, различни от описаните в 1А004, както следва: както и детектори; сензорни устройства; сменяеми сензорни патрони за тях;
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
a.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
Проектирани за непрекъснато действие и годни да откриват химически бойни отровни вещества или химикали, описани в 1C350, при концентрации по-ниски от 0,3 mg/m3; или
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
b.
"Technology" for depositing diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
Проектирани за откриване на дейност, потискаща (инхибираща) холинистеразната активност.
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
Оборудване за биологично производство и боравене, както следва:
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
a.
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
Съоръжения за херметизация и свързано с тях оборудване, както следва:
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - TECHNICAL NOTE
Окомплектовани съоръжения за херметизация, които отговарят на критериите за равнища на херметизация (съхранение) Р3 или Р4 (BL3, BL4, L3, L4) съгласно Наръчника на СЗО за биологична сигурност на лабораториите (3-то издание, Женева, 2004 г.);
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Оборудване, предназначено за трайно монтиране в съоръжения за херметизация, описани в 2B352.a., както следва:
a.
a.
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Автоклави за обеззаразяване, с две врати, проходни;
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
b.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
Душове за обеззаразяване на газонепропускливи костюми за химическа защита;
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
c.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Врати за преминаване с механично или надуваемо уплътнение за херметизация;
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Ферментатори и компоненти, както следва:
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Ферментатори с възможности за култивиране на "микроорганизми" или живи клетки за производството на вируси и токсини, без аерозолно разпространение, с вътрешен обем от 20 литра или по-голям;
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
Компоненти, проектирани за ферментаторите, описани в 2B352.b.1., като следва:
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
a.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
Култивационни камери, проектирани да бъдат стерилизирани или дезинфекцирани in situ;
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
b.
Specific TE-PVD processes are as follows:
Устройства за съхраняване на култивационни камери;
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
c.
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
Устройства за контрол на процесите, способни да извършват едновременно наблюдение и контрол на два или повече системни параметъра за ферментация (напр. температура, pH, хранителни вещества, разклащане, разтворен кислород, приток на въздух, контрол на разпенването);
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
За целите на 2B352.b. ферментаторите включват биореактори, биореактори за еднократна употреба (еднократни), хемостати и системи с непрекъсната проточност.
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
Центрофужни сепаратори, с възможности за непрекъснато разделяне без аерозолно разпространение, имащи всички изброени характеристики:
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Дебит над 100 литра на час;
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Компоненти от полирана неръждаема стомана или титан;
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Едно или повече паронепроницаеми уплътнени съединения в зоната на херметизация (съхранение); и
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Способни на стерилизация с пара in situ в затворено състояние;
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Центрофужните сепаратори включват декантаторите.
c.
d.
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Филтриращо оборудване за напречен (тангенциален) поток и компоненти за него, както следва:
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
Филтриращо оборудване за напречен (тангенциален) поток, способно да разделя "микроорганизми", вируси, токсини или клетъчни култури, притежаващо всички изброени по-долу характеристики:
An activator (normally a halide salt); and
a.
An inert powder, most frequently alumina.
Пълна филтрираща площ, равна на или по-голяма от 1 m2; и
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Притежаващи някоя от следните характеристики:
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
С възможност да бъде стерилизирана или дезинфектирана in situ; или
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Използващо филтриращи компоненти за еднократна или единична употреба;
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
В 2B352.d.1.b. стерилизиран означава отстраняването на всички жизнеспособни микроби от оборудването чрез използването на физични (напр. пара) или химически агенти.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Дезинфекциране означава унищожаването на потенциална микробна инфекциозна способност в оборудването чрез използването на химични агенти с бактерициден ефект.
e.
Дезинфекция и стерилизация се различават от хигиенизиране, като последното се отнася до процедури на почистване с цел да понижи микробното замърсяване на оборудването, без да постига непременно отстраняването на цялата микробна заразност или жизненост.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
2B352.d. не контролира оборудване за обратна осмоза и хемодиализа, както е определено от производителя.
f.
Компоненти за филтриращо оборудване за напречен (тангенциален) поток (например модули, елементи, касети, глави, единици или пластини) с филтрираща площ, равна на или по-голяма от 0,2 m2 за всеки компонент и проектирани за използване в оборудване за напречен (тангенциален) поток, описано в 2B352.d.;
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
e.
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Оборудване за сушене чрез замразяване с възможност за стерилизация посредством газ или пара, с капацитет на охлаждащия агрегат 10 kg лед или повече за 24 часа и по-малко от 1000 kg лед за 24 часа;
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
f.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Защитно и изолиращо (херметизиращо) оборудване, както следва:
g.
Цели защитни или от две части (полу) скафандри, или капаци (качулки), зависещи от приток на външен въздух и функциониращи под положително налягане;
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
2B352.f.1. не контролира скафандри, проектирани за употреба с оборудване за самостоятелно дишане.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
Изолатори и камери за ограничаване на биологичното въздействие или за биологическа защита, притежаващи всички изброени по-долу характеристики, за използване при нормални условия на експлоатация:
CATEGORY 3 — ELECTRONICS
a.
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., or 3A001.a.12. to 3A001.a.14., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Напълно затворено работно пространство, в което операторът е отделен от работния процес посредством физическа бариера;
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., or 3A001.a.12. to 3A001.a.14. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
b.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., and 3A001.a.12. to 3A001.a.14.
Годни за експлоатация при отрицателно налягане;
Electronic items as follows:
Средства за безопасно боравене с изделия в работното пространство;
General purpose integrated circuits, as follows:
d.
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Подаваният и отвежданият към и от работното пространство въздух се филтрира посредством високоефективни въздушни филтри за прахови частици (HEPA);
Integrated circuits include the following types:
2B352.f.2. включва камери с биологическа защита клас III, съгласно последното издание на Наръчника на СЗО за биологична сигурност на лабораториите или конструирани в съответствие с национални стандарти, нормативни актове или насоки.
"Monolithic integrated circuits";
2B352.f.2. не включва изолатори, специално проектирани да осигуряват защита при предоставянето на медицински грижи или превоза на инфектирани пациенти.
"Hybrid integrated circuits";
g.
"Multichip integrated circuits";
Оборудване за инхалиране на аерозоли, проектирано за провокационни изпитвания с аерозоли с "микроорганизми", вируси или "токсини", както следва:
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
Камери за експозиция на цялото тяло с капацитет равен или по-голям от 1 m3;
"Optical integrated circuits";
Апарати за експозиция само през носа, използващи насочван аерозолен поток и с капацитет за експозиция на някое от следните:
"Three dimensional integrated circuits";
a.
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" ("MMICs").
12 или повече гризачи; или
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
2 или повече животни, различни от гризачи;
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
Затворени ограничителни тръби за животни, проектирани за употреба с апарати за експозиция само през носа, използващи насочван аерозолен поток;
b.
h.
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
Оборудване за пулверизационно сушене, пригодени за сушене на токсини или патогенни "микроорганизми", с всички изброени по-долу характеристики:
c.
Капацитет на изпаряване на вода ≥ 0,4 kg/h и ≤ 400 kg/h;
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Способност за генериране на продукт със среден размер на частиците ≤ 10 μm с наличните приспособления или с минимално модифициране на устройството за пулверизационно сушене посредством атомизиращи дюзи, които правят възможно генерирането на частиците с желания размер; и
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
С възможност да бъде стерилизирана или дезинфектирана in situ;
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitised data, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, Static Random-Access Memories (SRAMs), or 'non-volatile memories', having any of the following:
Асемблатори и синтезатори на нуклеинова киселина, които са изцяло или отчасти автоматизирани и проектирани да генерират непрекъснати нуклеинови киселини, по-големи от 1,5 килобази дължина, с процент на грешка по-малък от 5 % на единична операция.
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Няма.
b.
"Софтуер", различен от определения в 2D002, както следва:
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
"Софтуер", специално проектиран или модифициран за "разработване" или "производство" на оборудването, описано в 2A001 или 2B001
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
b.
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
"Софтуер", специално проектиран или модифициран за "използване" на оборудването, определено в 2A001.c., 2B001 или 2B003 — 2B009.
'Non-volatile memories' are memories with data retention over a period of time after a power shutdown.
2D001 не контролира "софтуер" за програмиране на части, генериращ кодове за "цифрово управление" за обработка на различни елементи
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
"Софтуер" за електронни устройства, дори и да се намират в електронно устройство или система, позволяващ на такива устройства или системи да работят като устройство за "цифрово управление", способно на едновременно координиране на повече от четири оси за "контурно управление".
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
2D002 не контролира "софтуер", специално проектиран или модифициран за експлоатация на изделия, които не са посочени в категория 2.
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
2D002 не контролира "софтуер" за изделията, описани в 2B002.
a.
Вж.
ADCs having any of the following:
2D001 и 2D003 за "софтуер" за изделията, описани в 2B002.
SEE ALSO 3A101
2D002 не контролира "софтуер", изнасян със, и необходимия минимум за функционирането на изделия, които не са описани в категория 2.
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with a "sample rate" greater than 1,3 Giga Samples Per Second (GSPS);
"Софтуер", проектиран или модифициран за експлоатация на оборудване, описано в 2B002, за превръщане на функции за оптичен дизайн, детайлни измервания и отнемане на материал в команди за "цифрово управление", с цел постигане на желаната форма на детайла.
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with a "sample rate" greater than 600 Mega Samples Per Second (MSPS);
"Софтуер", специално проектиран или модифициран за "използване" на оборудването, посочено в 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 или 2B119 — 2B122.
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with a "sample rate" greater than 400 MSPS;
ВЖ.
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with a "sample rate" greater than 250 MSPS; or
СЪЩО 9D004.
A resolution of 16 bit or more with a "sample rate" greater than 65 MSPS;
"Софтуер", специално проектиран за "използване" на оборудването, посочено в 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 или 2B227.
For integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitized data, see 3A001.a.14.
"Софтуер", специално проектиран или модифициран за "разработване", "производство" или "използване" на оборудването, описано в 2B201.
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
2D202 не контролира "софтуер", който генерира командни кодове за "цифрово управление", но не позволява директно използване на оборудването за обработка на различни елементи.
The resolution of the ADC is the number of bits of the digital output that represents the measured analogue input.
"Софтуер", различен от описания в 1D003, специално проектиран за "използване" на оборудване, описано в 2В351.
Effective Number of Bits (ENOB) is not used to determine the resolution of the ADC.
"Технологии", съгласно Общата бележка за технологиите, за "разработване" на оборудване или "софтуер", описани в 2A, 2B или 2D.
For "multiple channel ADCs", the "sample rate" is not aggregated and the "sample rate" is the maximum rate of any single channel.
2E001 включва "технологии" за интегриране на системи от сонди в машини за измерване на координати, описани в 2B006.a.
For "interleaved ADCs" or for "multiple channel ADCs" that are specified to have an interleaved mode of operation, the "sample rates" are aggregated and the "sample rate" is the maximum combined total rate of all of the interleaved channels.
"Технологии", съгласно Общата бележка за технологиите, за "производство" на оборудването, описано в 2A или 2В.
b.
Други "технологии", както следва:
Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
b.
A resolution of 10 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 3500 MSPS; or
"Технологии" за металообработващи производствени процеси, както следва:
A resolution of 12 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 1250 MSPS and having any of the following: