natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Солидтрони
Having an output greater than 100 A;
3A001.g. не контролира тиристорни устройства и 'тиристорни модули', съдържащи се в оборудване, предназначено за приложения в гражданския железопътен транспорт или "граждански летателни апарати".
No dimension greater than 30 cm;
За целите на 3A001.g. 'тиристорен модул' включва едно или повече тиристорни устройства.
Weight less than 30 kg; and
h.
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Полупроводникови прекъсвачи, диоди или 'модули', имащи всички изброени характеристики:
3A229.b. includes xenon flash-lamp drivers.
Предназначени за работа при околна температура по-голяма от 488 К (215oС);
c.
Пиково напрежение в изключено състояние, по-голямо от 300 V; и
Micro-firing units having all of the following characteristics:
Непрекъснат ток, по-голям от 1 А.
No dimension greater than 35 mm;
Непрекъснато пиково напрежение в изключено състояние в 3А001.h. включва напрежение дрейн към сорс, напрежение колектор към емитер, повтарящо се пиково обратно напрежение и повтарящо се пиково напрежение в изключено състояние.
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
3A001.h. включва:
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
Полеви транзистори с p-n преход (JFET)
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
Вертикални полеви транзистори с p-n преход (VJFET)
a.
Метал-оксидни полупроводникови полеви транзистори (MOSFЕT)
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
Двойно дифузни метал-оксидни полупроводникови полеви транзистори (DMOSFET)
b.
Биполярен транзистор с изолиран гейт (IGBT)
'Pulse transition time' less than 500 ps.
Транзистори с висока мобилност на електроните (HEMT)
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Хетеродвуполюсни транзистори (BJT)
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
Тиристори и силициево управлявани токоизправители (SCR)
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
Двуоперационни тиристори — Gate Turn-off Thyristors (GTO)
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
PiN диоди
Designed for operation without an external vacuum system; and
Диоди на Шотки
b.
3А001.h. не контролира прекъсвачи, диоди или 'модули', съдържащи се в оборудване, предназначено за приложения в гражданския автомобилен и железопътен транспорт или "граждански летателни апарати".
Utilizing any of the following:
За целите на 3А001.h. 'модулите' съдържат един или повече твърдотелни полупроводникови прекъсвачи или диоди.
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
i.
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
Електрооптични модулатори на интензитет, амплитуда или фаза, проектирани за аналогови сигнали и притежаващи която и да е от следните характеристики:
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
Максимална работна честота над 10 GHz, но по-малка от 20 GHz, внесено затихване, равно на или по-малко от 3 dB, и притежаващи която и да е от следните характеристики:
See 1A007.b. for detonators.
'Полувълново напрежение' ('Vπ'), по-малко от 2,7 V измерено при честота от 1 GHz или по-малка; или
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over an area greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
b.
3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
'Vπ', по-малко от 4 V, измерено при честота, по-голяма от 1 GHz; или
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 u or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Максимална работна честота, равна на или по-голяма от 20 GHz, внесено затихване, равно на или по-малко от 3 dB, и притежаващи която и да е от следните характеристики:
a.
'Vπ', по-малко от 3,3 V, измерено при честота от 1 GHz или по-малка; или
b.
'Vπ', по-малко от 5 V, измерено при честота, по-голяма от 1 GHz;
c.
3A001.i. включва електрооптични модулатори с входящи и изходящи оптически свръзки (напр. гъвкави проводници от оптични влакна).
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
За целите на 3A001.i. 'полувълновото напрежение' ('Vπ') е приложеното напрежение, необходимо за получаване на изменение на фазата от 180 градуса в дължината на вълната на светлината, разпространяваща се през оптичния модулатор.
d.
"Електронни модули", агрегати и оборудване с общо предназначение, както следва:
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
a.
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
Записващо оборудване и осцилоскопи, както следва:
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
Цифрови записващи системи, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
e.
Поддържат постоянна 'пропускателна способност' при запис в паметта на диск или SSD диск, по-голяма от 6,4 Gbit/s; и
f.
b.
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
Процесор, извършващ анализ на данните за радиочестотния сигнал в хода на записването им;
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
За записващите системи с паралелна шинна архитектура 'постоянната пропускателна способност' представлява най-високата скорост на записване на думи, умножена по броя битове в една дума.
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
'Постоянната пропускателна способност' е най-голямата скорост на данните, с която инструментът може да записва в паметта на диск или SSD диск без загуба на информация, като при това се поддържа скоростта на подаване на цифровизираните данни или скоростта на цифровото преобразуване.
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
Осцилоскопи за работа в реално време с вертикално напрежение на шум със средна квадратична стойност (rms) по-малко от 2 % от пълната скала при настройка на вертикалната скала, осигуряваща най-ниска стойност на шум за входна ширина на честотната лента при 3 dB от 60 GHz или повече на канал;
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
3A002.a.7. не контролира осцилоскопите, работещи с еквивалент на време.
a.
c.
Voltage rating greater than 2 kV; and
"Сигнални анализатори", както следва:
b Inductance of less than 20 nH.
"Сигнални анализатори", имащи 3 dB разделителна способност на честотната лента (RBW), която надвишава 40 MHz във всяка точка от честотния диапазон над 31,8 GHz и до 37 GHz;
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
"Сигнални анализатори" с посочено средно ниво на шума (DANL), по-ниско (по-добро) от –150 dBm/Hz във всяка точка от честотния диапазон над 43,5 GHz и до 90 GHz;
SEE ALSO 2B226
"Сигнални анализатори" с честота над 90 GHz;
a.
"Сигнални анализатори", имащи всички изброени по-долу характеристики:
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
a.
Equipment designed or modified to produce a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
"Широчина на честотната лента в реално време" над 170 MHz; и
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
100 % вероятност за откриване с по-малко от 3 dB съкращение спрямо пълната амплитуда поради празнини или интервали (windowing effects) за сигналите с продължителност 15 μѕ или по-малко; или
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
Функция на 'задействащ механизъм за наслагване на честоти' със 100 % вероятност от задействане (улавяне) за сигнали с продължителност 15 μѕ или по-малко;
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
'Широчина на честотната лента в реално време' е най-широкият честотен обхват, за който анализаторът може без прекъсване да преобразува данни от порядъка на времевите параметри изцяло в резултати от порядъка на честотните параметри, с използване на бързо преобразуване на Фурие или друг метод за дискретно преобразуване на време, който преобразува всяка дискретна входна времева точка, без съкращаване на измерената амплитуда с повече от 3 dB под действителната амплитуда на сигнала, причинено от празнини или интервали („windowing effects“), при предаването или излъчването на преобразуваните данни.
b.
Вероятността от откриване съгласно 3A002.c.4.b.1. се нарича също вероятност от прихващане или вероятност от улавяне.
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
По смисъла на 3A002.c.4.b.1. продължителността за постигане на 100 % вероятност от откриване е еквивалентна на минималната продължителност на сигнала, необходима за посоченото ниво на неопределеност на измерването.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
'Задействащ механизъм за наслагване на честоти' е механизъм, чрез който посредством функцията за задействане може да бъде избрано да се превключи към определен честотен обсег от ширината на честотната лента на приемане, като се игнорират останалите евентуално налични сигнали в същата ширина на честотната лента на приемане.
Direct write capability;
Един 'задействащ механизъм за наслагване на честоти' може да разполага с няколко отделни набора граници.
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
3A002.c.4. не контролира "сигнални анализатори", използващи само филтри за широчината на лентата с постоянен процент (също известни като октавни или частични октавни филтри).
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
Сигнални генератори, притежаващи която и да е от следните характеристики:
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
Предназначени да генерират във всяка точка от честотния диапазон над 31,8 GHz и до 37 GHz импулсни-модулирани сигнали, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
a.
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
'Широчина на импулса', по-малка от 25 ns; и
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
b.
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
Съотношение на включване/изключване (on/off ratio) равно на или по-голямо от 65 dB;
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
Изходна мощност над 100 mW (20 dBm) във всяка точка от честотния диапазон над 43,5 GHz и до 90 GHz;
f.
"Време за превключване на честотата", определено от която и да е от следните характеристики:
Lithography equipment as follows:
b.
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
По-малко от 100 μѕ за всяка смяна на честотата над 2,2 GHz в обхвата на честота над 4,8 GHz и до 31,8 GHz;
a.
d.
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
По-малко от 500 μѕ за всяка смяна на честотата над 550 MHz в обхвата на честота над 31,8 GHz и до 37 GHz; или
b.
e.
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
По-малко от 100 μѕ за всяка смяна на честотата над 2,2 GHz в обхвата на честота над 37 GHz и до 90 GHz;
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
Фазово изкривяване на единичната странична честота (SSB), измерено в dBc/Hz, за което е посочено, че отговаря на която и да е от следните характеристики:
where the K factor = 0,35
a.
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
По-малко (по-добро) от -(126 + 20log10F - 20log10f) във всяка точка от диапазона 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz навсякъде в рамките на честотния диапазон над 3,2 GHz и до 90 GHz; или
3B001.f.2. includes:
b.
Micro contact printing tools
По-малко (по-добро) от -(206- 20log10f) във всяка точка от диапазона 10 kHz ≤ F ≤ 100 kHz навсякъде в рамките на честотния диапазон над 3,2 GHz и до 90 GHz; или
Hot embossing tools
В 3A002.d.4.
Nano-imprint lithography tools
F е отклонението от работната честота в Hz и f е работната честота в MHz.
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Максимална честота над 90 GHz;
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
За целите на 3A002.d. сигналните генератори включват генератори на сигнали с произволна форма и функционални генератори.
a.
3A002.d. не контролира оборудване, при което изходната честотата се получава или чрез прибавяне, или чрез изваждане на две или повече честоти от кварцови генератори, или чрез прибавяне или изваждане, последвано от умножаване на резултата.
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
Максималната честота на вълна с произволна форма или функционален генератор се изчислява като честотата на дискретизация в дискрети/секунда се раздели на коефициент 2,5.
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
За целите на 3A002.d.1.а. 'продължителност на импулса' се определя като времевия интервал между предния фронт на импулса, достигащ 50 % от амплитудата на импулса, и задния фронт на импулса, достигащ 50 % от амплитудата.
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
e.
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
Изходна мощност над 31,62 mW (15 dBm) във всяка точка от диапазона на работната честота над 43,5 GHz и до 90 GHz;
A deflected focused electron beam; and
Изходна мощност над 1 mW (0 dBm) във всяка точка от диапазона на работната честота над 90 GHz и до 110 GHz;
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
'Способност за измерване на нелинейни вектори' при честоти над 50 GHz и до 110 GHz; или
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
'Способност за измерване на нелинейни вектори' означава способността на даден инструмент да анализира резултатите от изпитванията на изделия в обхвата на широкочестотните сигнали или в диапазона на нелинейно изкривяване.
g.
Максимална работна честота над 110 GHz;
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
f.
h.
Микровълнови изпитателни приемници, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified in 3B001.g. and having any of the following:
Максимална работна честота над 110 GHz; и
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
Способност за едновременно измерване на амплитуда и фаза;
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
g.
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not specified in 3A001.
Стандарти за атомни честоти, имащи някои от изброените по-долу характеристики:
i.
"Предназначени за използване в Космоса";
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Не са рубидиеви стандарти и имат дългосрочна стабилност по-малка (по-добра) от 1 × 10–11/месец; или
j.
Не са "предназначени за използване в Космоса" и притежават всички изброени по-долу характеристики:
Mask "substrate blanks" with multilayer reflector structure consisting of molybdenum and silicon, and having all of the following:
a.
Specially designed for 'Extreme Ultraviolet' ('EUV') lithography; and
Представляват рубидиев стандарт;
Compliant with SEMI Standard P37.
b.
'Extreme Ultraviolet' ('EUV') refers to electromagnetic spectrum wavelengths greater than 5 nm and less than 124 nm.
Дългосрочна стабилност (остаряване), по-малка (по-добра) от 1 × 10–11/месец; и
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
Обща консумация на енергия, по-малка от 1 W.
For testing S-parameters of items specified in 3A001.b.3.;
"Електронни модули", агрегати и оборудване, предвидени да изпълняват всички изброени по-долу:
For testing items specified in 3A001.b.2.
Аналогово-цифрово преобразуване с която и да е от следните характеристики:
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Разделителна способност 8 бита или повече, но по-малка от 10 бита, с "честота на дискретизация", по-голяма от 1,3 милиарда дискрета в секунда (GSPS);
Silicon (Si);
Разделителна способност 10 бита или повече, но по-малка от 12 бита, с "честота на дискретизация", по-голяма от 1,0 GSPS;
Germanium (Ge);
Разделителна способност 12 бита или повече, но по-малка от 14 бита, с "честота на дискретизация", по-голяма от 1,0 GSPS;
Silicon carbide (SiC); or
Разделителна способност 14 бита или повече, но по-малка от 16 бита, с "честота на дискретизация", по-голяма от 400 милиона дискрета в секунда (MSPS); или
"III/V compounds" of gallium or indium.
e.
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Разделителна способност 16 бита или повече, с "честота на дискретизация", по-голяма от 180 MSPS; и
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Производство на цифровизирани данни;
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
b.
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 193 nm but equal to or greater than 15 nm;
Съхранение на цифровизирани данни; или
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
Обработка на цифровизирани данни;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Цифровите записващи системи, осцилоскопите, "сигналните анализатори", генераторите на сигнали, мрежовите анализатори и микровълновите изпитателни приемници са посочени съответно в 3A002.a.6., 3A002.a.7., 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. и 3A002.f.
d.
За многоканални "електронни модули", агрегати или оборудване без редуване "честотата на дискретизация" не се сумира и "честотата на дискретизация" е максималната честота на който и да е от отделните канали.
All resists optimised for surface imaging technologies;
За канали с редуване на многоканални "електронни модули", агрегати или оборудване "честотите на дискретизация" се сумират и "честотата на дискретизация" е максималната сумирана обща честота на всички редуващи се канали.
e.
3A002.h. включва картите за АЦП/ADC устройства, вълновите дигитайзери, картите за събиране на данни, платките за записване на сигнал и записващите устройства за преходни процеси.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Системи за термично управление с охлаждане със спрей, използващи затворен и уплътнен контур с оборудване за събиране и възстановяване на флуида, където диелектрически флуид се разпръсква върху електронните компоненти чрез специално проектирани аерозолни дюзи, които са създадени да поддържат електронните компоненти в тяхната работна температурна област, и специално проектирани компоненти за тях.
Organo-inorganic compounds as follows:
Електронно оборудване, устройства и компоненти, различни от описаните в 3A001, както следва:
a.
Аналогово-цифрови преобразуватели, с приложение при "ракети", проектирани да отговарят на военни изисквания за износоустойчиво оборудване;
b.
Ускорители, способни да излъчват електромагнитна радиация, създадена чрез стационарно облъчване с ускорени електрони с 2 MeV или повече и системи, включващи тези ускорители.
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
3A101.b. не описва оборудване, специално проектирано за медицински цели.
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
'Топлинни акумулатори' разработени или модифицирани за 'ракети'.
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
В 3A102 'топлинни акумулатори' са акумулатори за еднократна употреба, които съдържат твърда непроводяща неорганична сол като електролит.
High resistivity materials as follows:
Тези акумулатори включват пиролитичен материал, който при запалване разтопява електролита и задейства акумулатора.
a.
В 3A102 'ракета' означава завършени ракетни системи и системи за безпилотни въздухоплавателни средства с обсег на действие над 300 km.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C;
a.
Polycrystalline "substrates" or polycrystalline ceramic "substrates", having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C and having at least one non-epitaxial single-crystal layer of silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN), or aluminium gallium nitride (AlGaN) on the surface of the "substrate".
Кондензатори, имащи едната от следните две групи характеристики:
Materials, not specified in 3C001, consisting of a "substrate" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
a.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
Напрежение, по-голямо от 1,4 kV;
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
b.
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.