natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Кодиращи устройства за абсолютна ъглова позиция с ротативно въвеждане, имащи "точност" равна на или по-малка (по-добра) от ±1,0 дъгови секунди;
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
g.
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
Полупроводникови тиристорни устройства за превключване на импулсни мощности и "тиристорни модули", използващи управление, основано на електрически, оптичен метод или метод с електронно излъчване, и притежаващи която и да е от следните характеристики:
a.
Максимална скорост на нарастване на тока (di/dt) в отпушено състояние, по-голяма от 30000 A/mѕ, и напрежение в изключено състояние, по-голямо от 1100 V; или
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
Максимална скорост на нарастване на тока (di/dt) в отпушено състояние, по-голяма от 2000 A/mѕ и притежаващи всички изброени по-долу характеристики;
b.
Пиково напрежение в изключено състояние, по-голямо или равно на 3000 V; и
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Пиков ток, равен на или по-голям от 3000 А.
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
3A001.g. включва:
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
Силициево управлявани токоизправители (SCRs)
a.
Електрически управлявани тиристори (ETTs)
Designed for operation without an external vacuum system; and
Тиристори управлявани със светлина (LTTs)
b.
Тиристори IGCTs (Integrated Gate Commutated Thyristors)
Utilizing any of the following:
Двуоперационни тиристори — Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
MOS управлявани тиристори (MCTs)
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
Солидтрони
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
3A001.g. не контролира тиристорни устройства и "тиристорни модули", съдържащи се в оборудване, предназначено за приложения в гражданския железопътен транспорт или "граждански летателни апарати".
See 1A007.b. for detonators.
За целите на 3A001.g. "тиристорен модул" включва едно или повече тиристорни устройства.
b.
h.
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over an area greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
Полупроводникови прекъсвачи, диоди или "модули", имащи всички изброени характеристики:
3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Предназначени за работа при околна температура по-голяма от 488 К (215 °С);
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Пиково напрежение в изключено състояние, по-голямо от 300 V; и
a.
Непрекъснат ток, по-голям от 1А.
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
Непрекъснато пиково напрежение в изключено състояние в 3А001.h включва напрежение дрейн към сорс, напрежение колектор към емитер, повтарящо се пиково обратно напрежение и повтарящо се пиково напрежение в изключено състояние.
b.
3A001.h. включва:
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Полеви транзистори с p-n преход (JFET)
c.
Вертикални полеви транзистори с p-n преход (VJFET)
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
Метал-оксидни полупроводникови полеви транзистори (MOSFЕT)
d.
Двойно дифузни метал-оксидни полупроводникови полеви транзистори (DMOSFET)
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
Биполярен транзистор с изолиран гейт (IGBT)
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
Транзистори с висока мобилност на електроните (HEMT)
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
Хетеродвуполюсни транзистори (BJT)
e.
Тиристори и силициево управлявани токоизправители (SCR)
Not used;
Двуоперационни тиристори — Gate Turn-off Thyristors (GTO)
f.
Двуоперационни тиристори — Emitter Turn-off Thyristors (ETO)
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
PiN диоди
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
Диоди на Шотки
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
3А001.h. не контролира прекъсвачи, диоди или "модули", съдържащи се в оборудване, предназначено за приложения в гражданския автомобилен и железопътен транспорт или "граждански летателни апарати".
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
За целите на 3А001.h. "модули" съдържат един или повече твърдотелни полупроводникови прекъсвачи или диоди.
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
"Електронни модули", агрегати и оборудване с общо предназначение, както следва:
a.
a.
Voltage rating greater than 2 kV; and
Записващо оборудване и осцилоскопи, както следва:
b Inductance of less than 20 nH.
Цифрови записващи системи, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Поддържат постоянна "пропускателна способност" при запис в паметта на диск или SSD диск, по-голяма от 6,4 Gbit/s; и
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
b.
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Процесор, извършващ анализ на данните за радиочестотния сигнал в хода на записването им;
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
За записващите системи с паралелна шинна архитектура "постоянна пропускателна способност" представлява най-високата скорост на записване на думи, умножена по броя битове в една дума.
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
"Постоянната пропускателна способност" е най-голямата скорост на данните, с която инструментът може да записва в паметта на диск или SSD диск без загуба на информация, като при това се поддържа скоростта на подаване на цифровизираните данни или скоростта на цифровото преобразуване.
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Осцилоскопи за работа в реално време с вертикално напрежение на шум със средна квадратична стойност (rms) по-малко от 2 % от пълната скала при настройка на вертикалната скала, осигуряваща най-ниска стойност на шум за входна ширина на честотната лента при 3 dB от 60 GHz или повече на канал;
b.
3A002.a.7. не контролира осцилоскопите, работещи с еквивалент на време.
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
c.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
"Сигнални анализатори", както следва:
Direct write capability;
"Сигнални анализатори", имащи 3 dB разделителна способност на честотната лента (RBW), която надвишава 10 MHz във всяка точка от честотния диапазон над 31,8 GHz и до 37 GHz;
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
"Сигнални анализатори" с посочено средно ниво на шума (DANL), по-ниско (по-добро) от –150 dBm/Hz във всяка точка от честотния диапазон над 43,5 GHz и до 90 GHz;
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
"Сигнални анализатори" с честота над 90 GHz;
d.
"Сигнални анализатори", имащи всички изброени по-долу характеристики:
Not used;
"Широчина на честотната лента в реално време" над 170 MHz; и
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
b.
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
100 % вероятност за откриване с по-малко от 3 dB съкращение спрямо пълната амплитуда поради празнини или интервали ("windowing effects") за сигналите с продължителност 15 μs или по-малко;
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
Вероятността от откриване съгласно 3A002.c.4.b. се нарича също вероятност от прихващане или вероятност от улавяне.
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
По смисъла на 3A002.c.4.b. продължителността за постигане на 100 % вероятност от откриване е еквивалентна на минималната продължителност на сигнала, необходима за посоченото ниво на неопределеност на измерването.
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
3A002.c.4. не контролира "сигнални анализатори", използващи само филтри за широчината на лентата с постоянен процент (също известни като октавни или частични октавни филтри).
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
"Сигнални анализатори" с функция на "задействащ механизъм за наслагване на честоти" със 100 % вероятност от задействане (улавяне) за сигнали с продължителност 15 μѕ или по-малко;
f.
d.
Lithography equipment as follows:
Сигнални генератори, притежаващи която и да е от следните характеристики:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
Предназначени да генерират във всяка точка от честотния диапазон над 31,8 GHz и до 37 GHz импулсни-модулирани сигнали, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
a.
a.
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
"Продължителност на импулса", по-малко от 25 ns; и
b.
b.
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
Съотношение на включване/изключване (on/off ratio) равно на или по-голямо от 65 dB;
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
Изходна мощност над 100 mW (20 dBm) във всяка точка от честотния диапазон над 43,5 GHz и до 90 GHz;
an exposure light source wavelength in nm
"Време за превключване на честотата", определено от която и да е от следните характеристики:
K factor
По-малко от 100 μѕ за всяка смяна на честотата над 2,2 GHz в честотния диапазон над 4,8 GHz и до 31,8 GHz;
where the K factor = 0,35
d.
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
По-малко от 500 μѕ за всяка смяна на честотата над 550 MHz в честотния диапазон над 31,8 GHz и до 37 GHz; или
3B001.f.2. includes:
e.
Micro contact printing tools
По-малко от 100 μѕ за всяка смяна на честотата над 2,2 GHz в честотния диапазон над 37 GHz и до 90 GHz;
Hot embossing tools
f.
Nano-imprint lithography tools
Не се използва;
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Фазово изкривяване на единичната странична честота (SSB), измерено в dBc/Hz, за което е посочено, че отговаря на която и да е от следните характеристики:
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
По-малко (по-добро) от – (126 + 20log10F – 20log10f) във всяка точка от диапазона 10 Hz < F < 10 kHz, във всяка точка от честотния диапазон над 3,2 GHz и до 90 GHz; или
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
b.
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
По-малко (по-добро) от – (206 – 20log10f) във всяка точка от диапазона 10 kHz < F ≤ 100 kHz, във всяка точка от честотния диапазон над 3,2 GHz и до 90 GHz; или
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
В 3A002.d.4.
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
F е отклонението от работната честота в Hz и f е работната честота в MHz.
a.
Максимална честота над 90 GHz;
A deflected focused electron beam; and
Бележка 1.:
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
За целите на 3A002.d. сигналните генератори включват генератори на сигнали с произволна форма и функционални генератори.
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
Бележка 2.:
g.
3A002.d. не контролира оборудване, при което изходната честотата се получава или чрез прибавяне, или чрез изваждане на две или повече честоти от кварцови генератори, или чрез прибавяне или изваждане, последвано от умножаване на резултата.
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Максималната честота на вълна с произволна форма или функционален генератор се изчислява като честотата на сигнала в шаблони/секунда се раздели на коефициент 2,5.
h.
За целите на 3A002.d.1.а. "продължителност на импулса" се определя като времевия интервал между предния фронт на импулса, достигащ 50 % от амплитудата на импулса, и задния фронт на импулса, достигащ 50 % от амплитудата.
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
e.
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
Мрежови анализатори, имащи някои от изброените по-долу характеристики:
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
Изходна мощност над 31,62 mW (15 dBm) във всяка точка от диапазона на работната честота над 43,5 GHz и до 90 GHz;
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Изходна мощност над 1 mW (0 dBm) във всяка точка от диапазона на работната честота над 90 GHz и до 110 GHz;
i.
"Способност за измерване на нелинейни вектори" при честоти над 50 GHz и до 110 GHz; или
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Техническа бележка:
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
"Способност за измерване на нелинейни вектори" означава способността на даден инструмент да анализира резултатите от изпитванията на изделия в обхвата на широкочестотните сигнали или в диапазона на нелинейно изкривяване.
a.
Максимална работна честота над 110 GHz;
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Микровълнови изпитателни приемници, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Максимална работна честота над 110 GHz; и
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Способност за едновременно измерване на амплитуда и фаза;
a.
g.
Silicon (Si);
Стандарти за атомни честоти, имащи някои от изброените по-долу характеристики:
b.
"Предназначени за използване в Космоса";
Germanium (Ge);
Не са рубидиеви стандарти и имат дългосрочна стабилност по-малка (по-добра) от 1 × 10– 11/месец; или
c.
Не са "предназначени за използване в Космоса" и притежават всички изброени по-долу характеристики:
Silicon carbide (SiC); or
Представляват рубидиев стандарт;
"III/V compounds" of gallium or indium.
b.
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Дългосрочна стабилност (остаряване), по-малка (по-добра) от 1 × 10– 11/месец; и
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Обща консумация на енергия, по-малка от 1 W.
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
h.
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
"Електронни модули", агрегати и оборудване, предвидени да изпълняват всички изброени по-долу:
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
Аналогово-цифрово преобразуване с която и да е от следните характеристики:
b.
a.
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Разделителна способност 8 бита или повече, но по-малка от 10 бита, с входяща честота на сигнала, по-голяма от 1300 милиона шаблона за секунда;
d.
b.
All resists optimised for surface imaging technologies;
Разделителна способност 10 бита или повече, но по-малка от 12 бита, с входяща честота на сигнала, по-голяма от 1000 милиона шаблона за секунда;
e.
c.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Разделителна способност 12 бита или повече, но по-малка от 14 бита, с входяща честота на сигнала, по-голяма от 1000 милиона шаблона за секунда;
Organo-inorganic compounds as follows:
Разделителна способност 14 бита или повече, но по-малка от 16 бита, с входяща честота на сигнала, по-голяма от 400 милиона шаблона за секунда; или
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Разделителна способност 16 бита или повече, с входяща честота на сигнала, по-голяма от 180 милиона шаблона за секунда; и
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
a.
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Производство на цифровизирани данни;
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
b.
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Съхранение на цифровизирани данни; или
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
c.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
Обработка на цифровизирани данни;
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
Цифровите записващи системи, осцилоскопите, "сигналните анализатори", генераторите на сигнали, мрежовите анализатори и микровълновите изпитателни приемници са посочени съответно в 3A002.a.6., 3A002.a.7., 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. и 3A002.f.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
Доколко подлежат на контрол многоканалните "електронни модули" или агрегати, се определя от най-високата указана производителност за едноканалните модули или сглобки.
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
3A002.h. включва картите за АЦП/ADC устройства, вълновите дигитайзери, картите за събиране на данни, платките за записване на сигнал и записващите устройства за преходни процеси.
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Системи за термично управление с охлаждане със спрей, използващи затворен и уплътнен контур с оборудване за събиране и възстановяване на флуида, където диелектрически флуид се разпръсква върху електронните компоненти чрез специално проектирани аерозолни дюзи, които са създадени да поддържат електронните компоненти в тяхната работна температурна област, и специално проектирани компоненти за тях.
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Електронно оборудване, устройства и компоненти, различни от описаните в 3A001, както следва:
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
a.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
Аналогово-цифрови преобразуватели, с приложение при "ракети", проектирани да отговарят на военни изисквания за износоустойчиво оборудване;
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
b.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Ускорители, способни да излъчват електромагнитна радиация, създадена чрез стационарно облъчване с ускорени електрони с 2 MeV или повече и системи, включващи тези ускорители.
3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components specified in 3A003.
3A101.b. не описва оборудване, специално проектирано за медицински цели.
3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
"Топлинни акумулатори" разработени или модифицирани за "ракети".
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
В 3A102 "топлинни акумулатори" са акумулатори за еднократна употреба, които съдържат твърда непроводяща неорганична сол като електролит.
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
Тези акумулатори включват пиролитичен материал, който при запалване разтопява електролита и задейства акумулатора.
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
В 3A102 "ракета" означава завършени ракетни системи и безпилотни летателни системи с обсег на действие над 300 km.
a.
Електронни компоненти, различни от описаните в 3A001, както следва:
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
a.
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
Кондензатори, имащи едната от следните две групи характеристики:
b.
a.
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
Напрежение, по-голямо от 1,4 kV;
c.