natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Керамика и стъкла с нисък коефициент на разширение (14)
Notes 1 and 2 in 3A mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
Диелектрични слоеве (15)
Discrete microwave transistors that are any of the following:
Високотемпературни лагерни стомани
Rated for operation at frequencies exceeding 2,7 GHz up to and including 6,8 GHz and having any of the following:
Добавки от хром тантал или ниобий (колумбий)
A peak saturated power output greater than 400 W (56 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
Циментиран волфрамов карбид (16)
A peak saturated power output greater than 205 W (53,12 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
ТАБЛИЦА — МЕТОДИ ЗА НАНАСЯНЕ НА ПОКРИТИЯ — БЕЛЕЖКИ
A peak saturated power output greater than 115 W (50,61 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
Терминът "процес на нанасяне на покритие" включва възстановяването и подновяването на покритието, както и първоначалното му нанасяне.
A peak saturated power output greater than 60 W (47,78 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
Терминът "покритие от сплавени алуминиди" включва единични или многостепенни покрития, при които даден елемент или елементи се отлагат преди или по време на полагането на алуминидното покритие, дори и ако тези елементи се отлагат чрез друг процес на нанасяне на покритие.
b.
Това не включва обаче многократното прилагане на едноетапни процеси на твърда циментация за получаване на сплавени алуминиди.
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz and having any of the following:
Терминът "покритие с алуминиди, модифицирани с благородни метали" включва многоетапни покрития, при които благородният метал или благородните метали се полагат с някакъв друг процес на нанасяне на покритие преди нанасянето на алуминидното покритие.
A peak saturated power output greater than 50 W (47 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz;
Терминът "смеси от горните" включва инфилтрирани материали, калибровани смеси и многослойни отлагания и се получават чрез един или повече от процесите на нанасяне на покритие, описани в таблицата.
A peak saturated power output greater than 15 W (41,76 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 12 GHz;
"MCrAlX" обозначава сплав за покритие, където М означава кобалт, желязо, никел и съчетания от тях, а Х означава хафний, итрий, силиций и тантал във всякакви количества или други нарочно привнесени добавки от над 0,01 тегловни проценти в различни пропорции и съчетания, освен:
A peak saturated power output greater than 40 W (46 dBm) at any frequency exceeding 12 GHz up to and including 16 GHz; or
a.
A peak saturated power output greater than 7 W (38,45 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz;
CoCrAlY покрития, съдържащи по-малко от 22 тегловни процента хром, по-малко от 7 тегловни процента алуминий и по-малко от 2 тегловни процента итрий;
c.
b.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,5 W (27 dBm) at any frequency exceeding 31,8 GHz up to and including 37 GHz;
CoCrAlY покрития, съдържащи от 22 до 24 тегловни процента хром, от 10 до 12 тегловни процента алуминий и от 0,5 до 0,7 тегловни процента итрий; или
d.
c.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 1 W (30 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz;
NiCrAlY покрития, съдържащи от 21 до 23 тегловни процента хром, от 10 до 12 тегловни процента алуминий и от 0,9 до 1,1 тегловни процента итрий.
e.
Терминът "алуминиеви сплави" се отнася до сплави, имащи максимална якост на опън от 190 MPa или повече, измерени при 293 К (20 °C).
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (– 70 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz;
Терминът "стомана, устойчива на корозия", се отнася до серията 300 на AISI (Американски институт по желязото и стоманата) или стомани отговарящи на еквивалентни национални стандарти.
The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
"Огнеупорни метали и сплави" включва следните метали и техните сплави: ниобий (колумбий), молибден, волфрам и тантал.
3A001.b.3. includes bare dice, dice mounted on carriers, or dice mounted in packages.
"Материали за сензорни отвори", както следва: двуалуминиев триоксид, силиций, германий, цинков сулфид, цинков селенид, галиев арсенид, диаманти, галиев фосфид, сапфир и техните метални халогениди: материали за сензорни отвори с диаметър повече от 40 mm за циркониев флуорид и хафниев флуорид.
Some discrete transistors may also be referred to as power amplifiers, but the status of these discrete transistors is determined by 3A001.b.3.
"Технологиите" за едноетапно твърдо циментиране на твърди профили за обтичане на криле не се контролират от категория 2.
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers, that are any of the following:
"Полимери", както следва: полиимид, полиестер, полисулфид, поликарбонати и полиуретани.
A peak saturated power output greater than 500 W (57 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
"Модифициран цирконий" се отнася до добавки на оксиди на други метали (т.е. калций, магнезий, итрий, хафний, оксиди на лантаниди) към циркония, за да се стабилизират определени кристалографски фази и фазови състави.
A peak saturated power output greater than 270 W (54,3 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
Топлинните предпазни покрития, направени от цирконий, изменен с калций и магнезий чрез смесване или сплавяване, не са обект на контрол.
A peak saturated power output greater than 200 W (53 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
"Титанови сплави" се отнася да авиокосмически сплави, имащи максимална якост на опън от 900 MPa или повече, измерени при 293 К (20 °C).
A peak saturated power output greater than 90 W (49,54 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
"Стъкла с нисък коефициент на разширение" се отнася до стъкла, които имат коефициент на топлинно разширение от 1 × 10– 7 K– 1 или по-малко, измерено при 293 К (20 °C).
b.
"Диелектрични слоеве" са покрития, състоящи се от многослойни изолиращи материали, при които свойствата за смущения на конструкцията, съставена от материали с различни индекси на рефракция, се използват за отразяване, предаване или поглъщане на различни обхвати на дължините на вълните.
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 10 %, and having any of the following:
Диелектрични слоеве се отнася до повече от четири диелектрични пласта или "композитни" пластове диелектрик/метал.
A peak saturated power output greater than 70 W (48,54 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz;
"Циментиран волфрамов карбид" не включва материали за режещи и формоващи инструменти, състоящи се от волфрамов карбид/(кобалт, никел), титанов карбид/(кобалт, никел), хромов карбид/никел-хром и хромов карбид/никел.
A peak saturated power output greater than 50 W (47 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 12 GHz;
"Технологии", специално проектирани за нанасяне на диамантоподобен въглерод върху което и да е от изброените по-долу, не е обект на контрол:
A peak saturated power output greater than 30 W (44,77 dBm) at any frequency exceeding 12 GHz up to and including 16 GHz; or
магнитни дискови устройства и глави, оборудване за производство на материали за еднократна употреба, вентили за водопроводни кранове, акустични диафрагми за високоговорители, части за двигатели на автомобили, режещи инструменти, комбинирани щанци, оборудване за автоматизация на офиси, микрофони или медицински устройства или матрици за отливане или оформяне на пластмаси, произведени от сплави със съдържание на берилий, по-малко от 5 %.
A peak saturated power output greater than 20 W (43 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz;
"Силициев карбид" не включва материалите за режещи и формоващи инструменти.
d.
Керамичните субстрати, така както се използват тук, не включват керамични материали, съдържащи 5 % в тегловно отношение или повече, глина или цимент, или като отделни съставки, или в съчетание.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 2 W (33 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
ТАБЛИЦА — МЕТОДИ ЗА НАНАСЯНЕ НА ПОКРИТИЯ — ТЕХНИЧЕСКА БЕЛЕЖКА
e.
Процесите, описани в колона 1 от таблицата, се дефинират, както следва:
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz and having any of the following:
a.
A peak saturated power output greater than 0,2 W (23 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz up to and including 75 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Нанасяне на покрития чрез химическо свързване на пари (НПХСП/CVD) е метод на нанасяне на многослойни покрития или на повърхностно модифициращи покрития, при което метал, сплав, "композитен материал", диелектрик или керамика се нанася върху нагрят субстрат.
A peak saturated power output greater than 20 mW (13 dBm) at any frequency exceeding 75 GHz up to and including 90 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 5 %; or
Газообразните реагенти се разлагат или свързват в средата на даден субстрат, което води до нанасяне на покритие от необходимия елементарен, сплавен или композитен материал върху субстрата.
A peak saturated power output greater than 0,1 nW (– 70 dBm) at any frequency exceeding 90 GHz; or
Енергията за такова разлагане или процеса на химическа реакция е за сметка на загряване на субстрата, на отделяща тлеещ разряд плазма или от "лазерно" облъчване.
f.
НПХСП/CVD включва следните процеси: отлагане без циментация с насочен газов поток, импулсно CVD(НПХСП), топлинно отлагане чрез контролирано ядрено нанасяне CNTD(ТОКК), засилени или подпомогнати от плазма процеси на CVD(НПХСП).
Rated for operation at frequencies above 2,7 GHz and having all of the following:
Циментация означава субстрат, потопен в прахообразна смес.
A peak saturated power output (in watts), Psat, greater than 400 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [Psat > 400 W*GHz2/fGHz2];
Газообразните реагенти, използвани в процеса без циментация, се образуват с използване на същите основни реакции и параметри, както и процеса с циментиращо вещество, освен че субстратът, който следва да бъде покрит, не влиза в контакт с прахообразната смес.
A "fractional bandwidth" of 5 % or greater; and
b.
Any two sides perpendicular to one another with either length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15cm*GHz/fGHz];
Термично нанасяне на покрития чрез физическо отлагане на пари (ФОП-ТИ) е систематизиран процес на нанасяне на покритие, който се провежда във вакуум с налягане, по-малко от 0,1 Pa, при което за изпаряване на материала, от който ще се прави покритието, се използва източник на топлинна енергия.
2,7 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 2,7 GHz and below [d≤ 15cm*GHz/2,7 GHz].
Този процес води до кондензация или отлагане на изпарените вещества върху съответно разположени субстрати.
MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
Добавянето на газове към вакуумната камера по време на процеса на нанасяне на покритие с цел синтезиране на съставни покрития е обикновено видоизменение на процеса.
The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
Използването на йонни или електронни лъчи или плазма за предизвикване или подпомагане на отлагането на покритието, е също така обикновено видоизменение на тази техника.
3A001.b.4. includes transmit/receive modules and transmit modules.
Използването на монитори за измерване и контрол на оптичните свойства и на дебелината на образуваните покрития по време на самия процес може да се използва в тези процеси.
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs and having any of the following:
Специфичните процеси TE-PVD(ФОП-ТИ) са, както следва:
a.
ФОП по електроннолъчев метод използва електронен лъч за нагряване и изпаряване на материала, който образува покритието;
A band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
ФОП по метода на йонно съпротивително загряване използва източници на омическо нагряване в съчетание с бомбардиращ(и) йонен(ни) поток(ци) за получаване на контролиран и еднообразен поток от изпареното вещество за покритие;
b.
"Лазерното" изпаряване използва лъчи или от импулсен "лазер", или от такъв с непрекъсната вълна за изпаряване на материала, който образува покритието;
A band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
Отлагането с използване на катодна дъга използва катод за еднократна употреба от материала, от който се образува покритието, и се извършва разреждане на дъгата върху повърхността чрез моментен допир до заземен тригер.
Converters and harmonic mixers that are any of the following:
Управляваното движение на дъговите разряди ерозира катодната повърхност, водейки до образуване на силно йонизирана плазма.
a.
Анодът може да представлява или конус, прикрепен към периферията на катода посредством изолатор, или камерата.
Designed to extend the frequency range of "signal analysers" beyond 90 GHz;
За отлагане извън линията на наблюдение се прилага накланяне на субстрата.
b.
Това определение не включва хаотично отлагане с използване на катодна дъга и ненаклонени субстрати.
Designed to extend the operating range of signal generators as follows:
Йонното напластяване е специална модификация на общия процес ФОП-ТИ/TE-PVD, при който източник на плазма или на йони се използва за йонизиране на материала, който трябва да бъде утаен, и при субстрата се използва отрицателен наклон за улесняване отделянето на веществото от плазмата.
Beyond 90 GHz;
Въвеждането на веществото реагент, изпаряването на твърди вещества в камерата и използването на монитори, осигуряващи измерване на оптичните характеристики и дебелината на покритията в хода на процесите, са обикновени модификации на тези процеси.
To an output power greater than 100 mW (20 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Твърдата циментация е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при което субстратът се потопява в прахообразна смес (циментиращо вещество), състояща се от:
Designed to extend the operating range of network analysers as follows:
Металите на прах, които трябва да се отложат (обикновено алуминий, хром, силиций или съчетания от тях);
Beyond 110 GHz;
Възбудител (обикновено халогенид); и
To an output power greater than 31,62 mW (15 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Инертен прах, най-често двуалуминиев триоксид.
To an output power greater than 1 mW (0 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 90 GHz but not exceeding 110 GHz; or
Субстратът и прахообразната смес се поставя в реторта, която се нагрява до температури между 1030 K (757 °C) и 1375 K (1102 °C) за достатъчно дълго време, за да се утаи покритието.
d.
d.
Designed to extend the frequency range of microwave test receivers beyond 110 GHz;
Разпръскването на плазма е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при което горелка (разпръскващ пистолет), която генерира и управлява плазма, приема прахообразни или във форма на тел материали за покритие, стопява и ги придвижва към субстрат, върху който се формира интегрално свързано покритие.
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Ниско налягане означава по-ниско от околното атмосферно налягане.
Operating frequencies above 3 GHz;
Висока скорост се отнася до скорост при излизане от дюзата, надхвърляща 750 m/s, изчислена при 293 К (20 °С) при налягане от 0,1 МРа.
b.
e.
An average output power to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
Отлагане на разтвор на огнеупорна глина е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при който метален или керамичен прах с органично свързващо вещество се суспендира в течност и се полага върху субстрата чрез пръскане, потапяне или намазване, последващо сушене на въздух или в пещ и топлинна обработка до получаване на необходимото покритие.
c.
f.
A volume of less than 400 cm3;
Отлагането чрез катодна пулверизация е процес на напластяване, основаващ се на явление за предаване на инерция, при който положителните йони се ускоряват от електрическо поле към повърхността на мишена (материала за покритие).
3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Кинетичната енергия на попадащите йони е достатъчна, за да доведе до избиване на атомите от повърхността и отлагането им върху подходящо разположен субстрат.
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
Таблицата се отнася само до триодно, магнетронно или индуктивно отлагане чрез катодна пулверизация, което се прилага за подобряване прилепването на покритието и темпото на отлагане, както и към отлагането чрез катодна пулверизация, подсилено с радиочестоти (RF), използвано за постигане на изпаряване на неметални материали за покрития.
a.
Йонни потоци с ниска енергия (по-малко от 5 keV) могат да се използват за задействане на отлагането.
A 'turn-on time' from off to fully operational in less than 10 seconds;
Имплантация на йони е процес на нанасяне на покритие за промяна на повърхността, при който елементът, който трябва да бъде сплавен, се йонизира и ускорява чрез градиент на потенциал и се имплантира в повърхностната част на субстрата.
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
Това включва процес, при който имплантацията на йони се извършва едновременно с физическо отлагане на пари с използване на електронен лъч или отлагане чрез катодна пулверизация.
c.
КАТЕГОРИЯ 3 — ЕЛЕКТРОНИКА
An "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax > 2fmin) and having any of the following:
Доколко подлежат на контрол оборудването и компонентите му, както са описани в 3A001 или 3A002, различни от описаните в 3A001.a.3. до 3A001.a.10., 3A001.a.12. или 3A001.a.13., които са специално проектирани или имат същите функционални характеристики като другото оборудване, се определя от това, доколко подлежи на контрол другото оборудване.
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
Доколко подлежат на контрол интегралните схеми, описани в 3A001.a.3. до 3A001.a.9., 3A001.a.12. или 3A001.a.13., които са неизменяемо програмирани или проектирани за конкретна функция за друго оборудване, се определя от това, доколко подлежи на контрол другото оборудване.
A frequency greater than 18 GHz;
Когато производителят или подаващият заявление не могат да определят доколко подлежи на контрол другото оборудване, въпросът за контрола на интегралните схеми се решава съгласно 3A001.a.3. — до 3A001.a.9., 3A001.a.12. и 3A001.a.13.
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Електронни изделия, както следва:
The 'turn-on time' in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
a.
Oscillators or oscillator assemblies, specified to operate with a single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, less (better) than – (126 + 20log10F – 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz;
Универсални интегрални схеми, както следва:
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
Доколко подлежат на контрол полупроводниковите пластинки (завършени или незавършени), при които функцията е била определена, трябва да се прецени съобразно параметрите от 3A001.a.
"Frequency synthesiser" "electronic assemblies" having a "frequency switching time" as specified by any of the following:
Интегралните схеми включват следните видове:
a.
"Монолитни интегрални схеми";
Less than 156 ps;
"Хибридни интегрални схеми";
b.
"Многочипови интегрални схеми";
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
"Тънкослойни интегрални схеми", включително интегрални схеми от силиций върху сапфир;
c.
"Оптични интегрални схеми";
Less than 250 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
"Триизмерни интегрални схеми".
d.
Интегрални схеми, проектирани или обозначени като радиационно устойчиви да издържат на някое от изброените по-долу:
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz;
Обща доза от 5 × 103 Gy (силиций) или по-голяма;
Less than 1 ms for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 56 GHz;
Колебание в мощността на дозата лъчение от 5 × 106 Gy (силиций)/s или по-голямо; или
Less than 1 ms for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesized frequency range exceeding 56 GHz but not exceeding 90 GHz; or
Поток (интегриран поток) от неутрони (равно на 1 МеV) от 5 × 1013 n/cm2 или повече върху силиций, или равностойни на него материали;
Less than 1 ms within the synthesized frequency range exceeding 90 GHz;
3A001.а.1.c. не контролира метал-изолатор-полупроводници (МИП/MIS).
For general purpose "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
"Микропроцесорни микросхеми", "микрокомпютърни микросхеми", микроконтролерни микросхеми, интегрални схеми с памет, произведени от съставни полупроводници, аналогово-цифрови преобразуватели, цифрово-аналогови преобразуватели, електрооптични или "оптични интегрални схеми", проектирани за "обработка на сигнали", логически устройства със зони за програмиране, интегрални схеми по поръчка, при което е неизвестна или функцията им, или доколко подлежи на контрол оборудването, за което интегралните схеми ще се използват, процесори, използващи бързо преобразувание на Фурие (FFT/БПФ), електрически изтриваеми и програмируеми памети само за четене (EEPROM/ЕИПП), свръхбързи памети или статични памети с произволен достъп (SRAM/СППД), притежаващи която и да е от следните характеристики:
c.
a.
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
Предназначени за работа при околна температура над 398 К (125 °C);
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
Предназначени за работа при околна температура под 218 К (– 55 °C); или
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
Предназначени за работа в целия температурен диапазон на околната среда от 218 K (– 55 °C) до 398 K (125 °C);
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
3A001.a.2. не контролира интегрални схеми за граждански автомобили или приложения при железопътни влакове.
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB;