natgillin/translations-raw huggingface dataset:
"Микропроцесорни микросхеми", "микрокомпютърни микросхеми" и микроконтролерни микросхеми, произведени от съставни полупроводници и работещи при синхронизирана (тактова) честота над 40 MHz;
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
3A001.a.3. включва цифрови сигнални процесори, цифрови матрични процесори и цифрови копроцесори.
A bandwidth greater than 250 MHz; or
Аналогово-цифрови преобразувателни (АЦП/ADC) и цифрово-аналогови преобразувателни (ЦАП/DAC) интегрални схеми, както следва:
A dispersive delay of more than 10 μs; or
Аналогово-цифрови преобразуватели (АЦП/ADC), притежаващи която и да е от следните характеристики:
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
ВЖ.
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
СЪЩО 3A101
'Frequency side-lobe rejection' is the maximum rejection value specified in data sheet.
Разделителна способност 8 бита или повече, но по-малка от 10 бита с изходяща скорост, по-голяма от 1000 милиона думи за секунда;
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
Разделителна способност 10 бита или повече, но по-малка от 12 бита с изходяща скорост, по-голяма от 500 милиона думи за секунда;
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Разделителна способност 12 бита или повече, но по-малка от 14 бита с изходяща скорост, по-голяма от 200 милиона думи за секунда;
3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Разделителна способност 14 бита или повече, но по-малка от 16 бита с изходяща скорост, по-голяма от 250 милиона думи за секунда; или
d.
Разделителна способност 16 бита или повече с изходяща скорост, по-голяма от 65 милиона думи за секунда;
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
Разделителна способност n бита съответства на квантуване на 2n нива.
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10– 14 J; or
Броят на битовете в изходящата дума е равен на разделителната способност на аналогово-цифровия преобразувател (АЦП/ADC).
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
Изходящата скорост е максималната изходяща скорост на преобразувателя, независимо от архитектурата или дискретизацията.
e.
За "многоканални АЦП/ADC" изходните честоти не се сумират и (общата) изходна честота е максималната изходна честота, която има някой от отделните канали.
High energy devices as follows:
За "редуващи АЦП/ADC" или за "многоканални АЦП/ADC", имащи редуващ режим на работа, скоростите се сумират и общата скорост на преобразуване е максималната сумирана обща скорост на преобразуване на всички изходи.
'Cells' as follows:
Производителите могат също да наричат изходящата скорост "честота (скорост) на дискретизация", "скорост на преобразуване" или "производителна скорост".
a.
Тя често се определя в мегахерци (MHz) или мегасигнали за секунда (MSPS).
'Primary cells' having an 'energy density' exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
За целите на измерване на изходящата скорост една изходяща дума в секунда е еквивалентен на един херц или един сигнал за секунда.
b.
"Многоканалните АЦП/ADC" са устройства, които вклчюват повече от един АЦП/ADC и са проектирани така, че всеки АЦП/ADC да има отделен аналогов вход.
'Secondary cells' having an 'energy density' exceeding 350 Wh/kg at 20 °C;
"Редуващите АЦП/ADC" са устройства, които имат няколко АЦП/ADC, следящи един аналогов вход по различно време, така че при сумиране на изходните скорости аналоговият вход да е ефективно прихванат и преобразуван на по-висока скорост на прихващане.
For the purpose of 3A001.e.1.,'energy density' (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
b.
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
Цифрово-аналогови преобразуватели (ЦАП/DAC), притежаващи която и да е от следните характеристики:
For the purpose of 3A001.e.1., a 'cell' is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Разделителна способност 10 бита или повече, с "коригирана скорост на обновяване", по-голяма от 3500 MSPS; или
It is the basic building block of a battery.
Разделителна способност 12 бита или повече, с "коригирана скорост на обновяване", по-голяма от 1250 MSPS и притежаващи която и да е от следните характеристики:
For the purpose of 3A001.e.1.a., a 'primary cell' is a 'cell' that is not designed to be charged by any other source.
а.
For the purpose of 3A001.e.1.b., a 'secondary cell' is a 'cell' that is designed to be charged by an external electrical source.
Време за установяване, по-малко от 9 ns до 0,024 % от времето, необходимо за една пълна стъпка; или
3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
b.
High energy storage capacitors as follows:
"Динамичен обхват без изкривявания" (SFDR), по-висок от 68 dBc (носител) при синтезиране на аналогов сигнал от 100 MHz по цялата скала или на най-високата честота на аналогов сигнал по цялата скала, определен под 100 MHz.
N.B
"Динамичният обхват без изкривявания" (SFDR) се определя като съотношението между средната квадратична стойност (RMS) на носещата честота (максимален сигнален компонент) на входа на ЦАП/DAC и средната квадратична стойност (RMS) на следващия компонент на най-големи шумови или нелинейни изкривявания на изхода на ЦАП/DAC.
SEE ALSO 3A201.a. and the Military Goods Controls.
"Динамичният обхват без изкривявания" (SFDR) се определя пряко от спецификационната таблица или от характеристичната графика SFDR/честота.
a.
Сигналът е на максимално ниво, когато амплитудата му е по-голяма от – 3 dBfs (пълна скала).
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
"Коригирана скорост на обновяване" за ЦАП/DAC:
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
За конвенционалните (без интерполация) ЦАП/DAC "коригираната скорост на обновяване" е скоростта, с която цифровият сигнал се преобразува в аналогов и изходящите аналогови стойности се променят от ЦАП/DAC.
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
За ЦАП/DAC, при които режимът на интерполация може да се изключва, (интерполационен фактор единица), ЦАП/DAC следва да се приема за конвенционален (без интерполация).
A total energy equal to or more than 25 kJ;
За интерполиращите ЦАП/DAC (ЦАП/DAC с дискретизация на сигнала, превишаваща основната честота на дискретизация) "коригираната скорост на обновяване" се определя, като скоростта на обновяване на ЦАП/DAC се раздели на най-малкия фактор на интерполация.
b.
При интерполиращите ЦАП/DAC за "коригирана скорост на обновяване" могат да се срещнат и други термини като:
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
входяща честота на данните
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
скорост на записване на думите
A total energy equal to or more than 100 J; and
входящата честота на сигнала
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
максимална входяща честота на шината
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
максимална ЦАП синхронизирана (тактова) честота при ЦАП тактов вход.
SEE ALSO 3A201.b.
Електрооптични и "оптични интегрални схеми", проектирани за "обработка на сигнали", притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Един или повече от един вътрешен "лазерен" диод;
Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
Един или повече от един вътрешен светлочувствителен елемент; и
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
Оптични вълноводи;
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
"Логически устройства със зона за програмиране", притежаващи която и да е от следните характеристики:
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated 'AM0' illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
a.
'AM0', or 'Air Mass Zero', refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Максимален брой едностранни цифрови входове/изходи повече от 700; или
f.
b.
Rotary input type absolute position encoders having an "accuracy" equal to or less (better) than 1,0 second of arc;
"Максимална сумарна скорост на еднопосочния поток на предаване на данни" от 500 Gb/s или повече;
g.
3A001.a.7. включва:
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and 'thyristor modules', using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Обикновени програмируеми логически устройства (SPLDs/ОПЛУ)
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/ms and off-state voltage greater than 1100 V; or
Сложни програмируеми логически устройства (CPLDs/СПЛУ)
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/ms and having all of the following:
Комбинационни логически елементи със зони за програмиране (FPGAs/КЛЕЗП)
a.
Логически матрици със зони за програмиране (FPLAs/ЛМЗП)
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
Програмируеми на място взаимовръзки (FPICs/ПМВВ)
b.
Максималният брой цифрови входове/изходи в 3A001.a.7.a. се нарича още максимални потребителски входове/изходи или максимално налични входове/изходи в зависимост от това дали интегралната схема е комплексна или базова матрична.
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
"Максималната сумарна скорост на еднопосочния поток на предаване на данни" е произведението от максималната скорост на еднопосочния поток на предаване на данни и броя на предавателите на FPGAs/КЛЕЗП.
3A001.g. includes:
Интегрални схеми с невронна мрежа;
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Поръчкови интегрални схеми, за които на производителя е неизвестна или функцията им, или статутът на контрол на оборудването, в което ще се използват интегралните схеми, притежаващи която и да е от следните характеристики:
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
a.
Light Triggering Thyristors (LTTs)
Повече от 1500 извода;
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
b.
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
Нормално "време за задържане (забавяне) на разпространението в основния пропускащ елемент", по-малко от 0,02 ns; или
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
c.
Solidtrons
Работна честота над 3 GHz;
3A001.g. does not control thyristor devices and 'thyristor modules' incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Цифрови интегрални схеми, различни от описаните в 3A001.a.3. до 3A001.a.10. и 3A001.a.12., базирани на съставни полупроводници и притежаващи която и да е от следните характеристики:
For the purposes of 3A001.g., a 'thyristor module' contains one or more thyristor devices.
Еквивалентен брой ключове над 3000 (2 входни ключа); или
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or 'modules', having all of the following:
b.
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
Гранична честота на превключване, надхвърляща 1,2 GHz;
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
Процесори, използващи бързо преобразуване на Фурие (БПФ/FFT), имащи стандартно време за изпълнение при N-точков комплекс, използващ БПФ/FFT, с брой на точките по-малък от (N log2 N) /20480 ms, където N е броят точки;
Continuous current greater than 1 A.
Когато N е равно на 1024 точки, формулата в 3A001.a.12. дава време за изпълнение 500 μѕ.
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Интегрални схеми за директни цифрови синтезатори–(DDS), притежаващи която и да е от следните характеристики:
3A001.h. includes:
a.
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
Синхронизирана (тактова) честота на цифрово-аналогов преобразувател (ЦАП/DAC) 3,5 GHz или по-голяма и разделителна способност на ЦАП/DAC 10 bit или повече, но под 12 bit; или
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
b.
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs)
Синхронизирана (тактова) честота на ЦАП/DAC 1,25 GHz или повече и разделителна способност на ЦАП/DAC 12 bit или повече;
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
Синхронизираната (тактова) честота на ЦАП/DAC може да бъде посочена като главна или входна тактова честота.
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
b.
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
Изделия, работещи в микровълновия или милиметровия диапазон, както следва:
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
По смисъла на 3A001.b. параметърът пикова изходна мощност на насищане може да бъде посочван в информационните листове на продуктите като изходна мощност, изходна мощност на насищане, максимална изходна мощност, пикова изходна мощност или пикова мощност на изход.
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Вакуумни електронни лампи и катоди, както следва:
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
3A001.b.1. не контролира лампи, проектирани или предназначени за работа във всички честотни ленти и притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
Не надвишават 31,8 GHz; и
PiN Diodes
Са "определени от МСД/ITU" за радиокомуникационни услуги, но не за радиоопределящи.
Schottky Diodes
3A001.b.1. не контролира лампи, които не са "класифицирани като предназначени за използване в Космоса", притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
3A001.h. does not control switches, diodes, or 'modules', incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
Средна изходна мощност, равна или по-малка от 50 W; и
For the purposes of 3A001.h., 'modules' contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
Проектирани или предназначени за работа във всички честотни ленти, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
General purpose "electronic assemblies", modules and equipment, as follows:
Надхвърлят 31,8 GHz, но не надхвърлят 43,5 GHz; и
a.
a.
Recording equipment and oscilloscopes as follows:
Лампи с бягаща, импулсна или непрекъсната вълна, както следва:
Digital data recorders having all of the following:
Лампи, работещи при честоти, надхвърлящи 31,8 GHz;
a.
Лампи, снабдени с катоден нагревателен елемент с време за достигане до номиналната RF мощност, по-малко от 3 секунди;
A sustained 'continuous throughput' of more than 6,4 Gbit/s to disk or solid-state drive memory; and
Лампи със свързани резонатори или техни производни, с "относителна широчина на честотната лента" над 7 % или пикова мощност, надминаваща 2,5 kW;
b.
Спираловидни лампи или техни производни, притежаващи която и да е от следните характеристики:
A processor that performs analysis of radio frequency signal data while it is being recorded;
а.
For recorders with a parallel bus architecture, the 'continuous throughput' rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
"Моментна широчина на честотната лента" над една октава и средна мощност (изразена в kW), умножена по честотата (изразена в GHz) над 0,5;
'Continuous throughput' is the fastest data rate the instrument can record to disk or solid-state drive memory without the loss of any information while sustaining the input digital data rate or digitizer conversion rate.
b.
Real-time oscilloscopes having a vertical root-mean-square (rms) noise voltage of less than 2 % of full-scale at the vertical scale setting that provides the lowest noise value for any input 3 dB bandwidth of 60 GHz or greater per channel;
"Моментна широчина на честотната лента" от една октава или по-малко и средна мощност (изразена в kW), умножена по честотата (изразена в GHz) над 1; или
3A002.a.7. does not control equivalent-time sampling oscilloscopes.
Класифицирани като "предназначени за използване в Космоса";
"Signal analysers" as follows:
b.
"Signal analysers" having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz;
Усилвателни лампи с кръстосано поле, с коефициент на усилване над 17 dB;
"Signal analysers" having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than – 150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
c.
"Signal analysers" having a frequency exceeding 90 GHz;
Импрегнирани катоди, проектирани за електронни лампи, произвеждащи непрекъсната плътност на тока на емисията при номинални работни условия над 5 A/cm2;
"Signal analysers" having all of the following:
Усилватели на мощност с микровълнови "монолитни интегрални схеми" (MMIC), притежаващи която и да е от следните характеристики:
a.
a.
"Real-time bandwidth" exceeding 170 MHz; and
Предназначени за работа при честоти над 2,7 GHz и до 6,8 GHz включително, с "относителна широчина на честотната лента" над 15 % и която и да е от следните характеристики:
b.
Пикова изходна мощност на насищане над 75 W (48,75 dBm) при честота над 2,7 GHz и до 2,9 GHz включително;
100 % probability of discovery with less than a 3 dB reduction from full amplitude due to gaps or windowing effects of signals having a duration of 15 μs or less;
Пикова изходна мощност на насищане над 55 W (47,4 dBm) при честота над 2,9 GHz и до 3,2 GHz включително;
Probability of discovery in 3A002.c.4.b. is also referred to as probability of intercept or probability of capture.
Пикова изходна мощност на насищане над 40 W (46 dBm) при честота над 3,2 GHz и до 3,7 GHz включително; или
For the purposes of 3A002.c.4.b., the duration for 100 % probability of discovery is equivalent to the minimum signal duration necessary for the specified level measurement uncertainty.
Пикова изходна мощност на насищане над 20 W (43 dBm) при честота над 3,7 GHz и до 6,8 GHz включително;
3A002.c.4. does not control those "signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
b.
"Signal analysers" having a "frequency mask trigger" function with 100 % probability of trigger (capture) for signals having a duration of 15 μs or less;
Предназначени за работа при честоти над 6,8 GHz и до 16 GHz включително, с "относителна широчина на честотната лента" над 10 % и която и да е от следните характеристики:
d.
Пикова изходна мощност на насищане над 10 W (40 dBm) при честота над 6,8 GHz и до 8,5 GHz включително; или
Signal generators having any of the following:
Пикова изходна мощност на насищане над 5 W (37 dBm) при честота над 8,5 GHz и до 16 GHz включително;
Specified to generate pulse-modulated signals having all of the following, anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz:
Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 3 W (34,77 dBm) при честоти над 16 GHz и до 31,8 GHz включително, и с "относителна широчина на честотната лента" над 10 %;
'Pulse duration' of less than 25 ns; and
Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (– 70 dBm) при честоти над 31,8 GHz и до 37 GHz включително;
On/off ratio equal to or exceeding 65 dB;
e.
An output power exceeding 100 mW (20 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 1 W (30 dBm) при честоти над 37 GHz и до 43,5 GHz включително, и с "относителна широчина на честотната лента" над 10 %;
A "frequency switching time" as specified by any of the following:
Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 31,62 mW (15 dBm) при честоти над 43,5 GHz и до 75 GHz включително, и с "относителна широчина на честотната лента" над 10 %;
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
g.
d.
Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 10 mW (10 dBm) при честоти над 75 GHz и до 90 GHz включително, и с "относителна широчина на честотната лента" над 5 %; или
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz; or
h.
e.
Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (– 70 dBm) при честоти над 90 GHz;
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the frequency range exceeding 37 GHz but not exceeding 90 GHz;
Не се използва.
f.
Доколко подлежат на контрол MMIC, чиятo работна честота включва честоти, посочени в повече от един честотен диапазон, както е определено в 3A001.b.2.a. до 3A001.b.2.h., се определя от най-ниското ниво на пикова изходна мощност на насищане.
Not used;
Бележки 1 и 2 в 3А означават, че 3A001.b.2. не контролира MMIC, ако те специално са разработени за други приложения, т.е. телекомуникации, радари, автомобили.
Single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, specified as being any of the following:
Дискретни микровълнови транзистори, притежаващи която и да е от следните характеристики:
a.
a.
Less (better) than – (126 + 20log10F – 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz anywhere within the frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 90 GHz; or
Предназначени за работа на честоти над 2,7 GHz и до 6,8 GHz включително и притежаващи която и да е от следните характеристики:
b.
Пикова изходна мощност на насищане над 400 W (56 dBm) при честота над 2,7 GHz и до 2,9 GHz включително;
Less (better) than – (206 – 20log10f) anywhere within the range of 10 kHz < F ≤ 100 kHz anywhere within the frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 90 GHz; or
Пикова изходна мощност на насищане над 205 W (53,12 dBm) при честота над 2,9 GHz и до 3,2 GHz включително;
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
Пикова изходна мощност на насищане над 115 W (50,61 dBm) при честота над 3,2 GHz и до 3,7 GHz включително; или
A maximum frequency exceeding 90 GHz;
Пикова изходна мощност на насищане над 60 W (47,78 dBm) при честота над 3,7 GHz и до 6,8 GHz включително;
Note 1.:
b.
For the purpose of 3A002.d., signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Предназначени за работа на честоти над 6,8 GHz и до 31,8 GHz включително и притежаващи която и да е от следните характеристики:
Note 2.:
Пикова изходна мощност на насищане над 50 W (47 dBm) при честота над 6,8 GHz и до 8,5 GHz включително;
3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Пикова изходна мощност на насищане над 15 W (41,76 dBm) при честота над 8,5 GHz и до 12 GHz включително;
The maximum frequency of an arbitrary waveform or function generator is calculated by dividing the sample rate, in samples/second, by a factor of 2,5.