natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Лампи, снабдени с катоден нагревателен елемент с време за достигане до номиналната RF мощност, по-малко от 3 секунди;
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
Лампи със свързани резонатори или техни производни, с „относителна широчина на честотната лента“ над 7 % или върхова мощност, надминаваща 2,5 kW;
'Frequency side-lobe rejection' is the maximum rejection value specified in data sheet.
Спираловидни лампи или техни производни, имащи която и да е от изброените по-долу характеристики:
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
а. „Моментна широчина на честотната лента“ над една октава и средна мощност (изразена в kW), умножена по честотата (изразена в GHz) над 0,5;
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
b. „Моментна широчина на честотната лента“ от една октава или по-малко и средна мощност (изразена в kW), умножена по честотата (изразена в GHz) над 1; или
c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Класифицирани като „предназначени за използване в Космоса“;
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
b.
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
Усилвателни лампи с кръстосано поле, с коефициент на усилване над 17 dB;
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
Импрегнирани катоди, проектирани за електронни лампи, произвеждащи непрекъсната плътност на тока на емисията при номинални работни условия над 5 A/cm2;
High energy devices as follows:
Усилватели на мощност с микровълнови „монолитни интегрални схеми“ (MMIC), притежаващи която и да е от следните характеристики:
'Cells' as follows:
Предназначени за работа на честоти над 2,7 GHz и до 6,8 GHz включително, с „относителна широчина на честотната лента“ над 15 % и някоя от следните характеристики:
'Primary cells' having an 'energy density' exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
Върхова изходна мощност на насищане над 75 W (48,75 dBm) при честота над 2,7 GHz и до 2,9 GHz включително;
b.
Върхова изходна мощност на насищане над 55 W (47,4 dBm) при честота над 2,9 GHz и до 3,2 GHz включително;
'Secondary cells' having an 'energy density' exceeding 300 Wh/kg at 20 °C;
Върхова изходна мощност на насищане над 40 W (46 dBm) при честота над 3,2 GHz и до 3,7 GHz включително; или
For the purpose of 3A001.e.1.,'energy density' (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Върхова изходна мощност на насищане над 20 W (43 dBm) при честота над 3,7 GHz и до 6,8 GHz включително;
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
b.
For the purpose of 3A001.e.1., a 'cell' is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Предназначени за работа на честоти над 6,8 GHz и до 16 GHz включително, с „относителна широчина на честотната лента“ над 10 % и някоя от следните характеристики:
It is the basic building block of a battery.
Върхова изходна мощност на насищане над 10 W (40 dBm) при честота над 6,8 GHz и до 8,5 GHz включително; или
For the purpose of 3A001.e.1.a., a 'primary cell' is a 'cell' that is not designed to be charged by any other source.
Върхова изходна мощност на насищане над 5 W (37 dBm) при честота над 8,5 GHz и до 16 GHz включително;
For the purpose of 3A001.e.1.b., a 'secondary cell' is a 'cell' that is designed to be charged by an external electrical source.
c.
e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 3 W (34,77 dBm) при честоти над 16 GHz и до 31,8 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 10 %;
High energy storage capacitors as follows:
d.
N.B
Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (– 70 dBm) при честоти над 31,8 GHz и до 37 GHz включително;
SEE ALSO 3A201.a. and the Military Goods Controls.
Е.
a.
Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 1 W (30 dBm) при честоти над 37 GHz и до 43,5 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 10 %;
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
f.
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 31,62 mW (15 dBm) при честоти над 43,5 GHz и до 75 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 10 %;
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
g.
A total energy equal to or more than 25 kJ;
Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 10 mW (10 dBm) при честоти над 75 GHz и до 90 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 5 %; или
b.
h.
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (– 70 dBm) при честоти над 90 GHz;
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
Не се използва.
A total energy equal to or more than 100 J; and
Контролният статут на MMIC, чиятo работна честота включва честоти, посочени в повече от един честотен диапазон, както е определено в 3A001.b.2.a. до 3A001.b.2.h., се определя от най-ниското ниво на върхова изходна мощност на насищане.
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
Бележки 1 и 2 в 3А означават, че 3A001.b.2. не контролира MMIC, ако те специално са разработени за други приложения, т.е. телекомуникации, радари, автомобили.
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
Дискретни микровълнови транзистори, притежаващи някоя от следните характеристики:
SEE ALSO 3A201.b.
a.
e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Предназначени за работа на честоти над 2,7 GHz и до 6,8 GHz включително и притежаващи някоя от следните характеристики:
a.
Върхова изходна мощност на насищане над 400 W (56 dBm) при честота над 2,7 GHz и до 2,9 GHz включително;
Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
Върхова изходна мощност на насищане над 205 W (53,12 dBm) при честота над 2,9 GHz и до 3,2 GHz включително;
b.
Върхова изходна мощност на насищане над 115 W (50,61 dBm) при честота над 3,2 GHz и до 3,7 GHz включително; или
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
Върхова изходна мощност на насищане над 60 W (47,78 dBm) при честота над 3,7 GHz и до 6,8 GHz включително;
c.
b.
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
Предназначени за работа на честоти над 6,8 GHz и до 31,8 GHz включително и притежаващи някоя от следните характеристики:
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated 'AM0' illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
Върхова изходна мощност на насищане над 50 W (47 dBm) при честота над 6,8 GHz и до 8,5 GHz включително;
'AM0', or 'Air Mass Zero', refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Върхова изходна мощност на насищане над 15 W (41,76 dBm) при честота над 8,5 GHz и до 12 GHz включително;
f.
Върхова изходна мощност на насищане над 40 W (46 dBm) при честота над 12 GHz и до 16 GHz включително; или
Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ± 1,0 second of arc;
Върхова изходна мощност на насищане над 7 W (38,45 dBm) при честота над 16 GHz и до 31,8 GHz включително;
g.
c.
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and 'thyristor modules', using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 0,5 W (27 dBm) при честота над 31,8 GHz и до 37 GHz включително;
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
d.
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 1 W (30 dBm) при честота над 37 GHz и до 43,5 GHz включително;
a.
Е.
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (– 70 dBm) при честоти над 43,5 GHz;
b.
Контролният статут на транзистор, чиято работна честота включва честоти, посочени в повече от един честотен диапазон, както е определено от 3A001.b.3.a. до 3A001.b.3.Е., се определя от най-ниското ниво на върхова изходна мощност на насищане.
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
b.3. включва непокрити транзисторни чипове, транзисторни полупроводникови чипове, монтирани на носители или монтирани в корпуси.
g. includes:
Някои обособени транзистори също могат да бъдат отнесени като усилватели на мощност, но техният статус е определен в 3A001.b.3.
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Микровълнови полупроводникови усилватели и микровълнови комплекти/модули, съдържащи микровълнови полупроводникови усилватели, притежаващи някоя от следните характеристики:
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
Върхова изходна мощност на насищане над 500 W (57 dBm) при честота над 2,7 GHz и до 2,9 GHz включително;
Light Triggering Thyristors (LTTs)
Върхова изходна мощност на насищане над 270 W (54,3 dBm) при честота над 2,9 GHz и до 3,2 GHz включително;
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
Върхова изходна мощност на насищане над 200 W (53 dBm) при честота над 3,2 GHz и до 3,7 GHz включително; или
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
Върхова изходна мощност на насищане над 90 W (49,54 dBm) при честота над 3,7 GHz и до 6,8 GHz включително;
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
b.
Solidtrons
Предназначени за работа на честоти над 6,8 GHz и до 31,8 GHz включително, с „относителна широчина на честотната лента“ над 10 % и някоя от следните характеристики:
g. does not control thyristor devices and 'thyristor modules' incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Върхова изходна мощност на насищане над 70 W (48,54 dBm) при честота над 6,8 GHz и до 8,5 GHz включително;
For the purposes of 3A001.g., a 'thyristor module' contains one or more thyristor devices.
Върхова изходна мощност на насищане над 50 W (47 dBm) при честота над 8,5 GHz и до 12 GHz включително;
h.
Върхова изходна мощност на насищане над 30 W (44,77 dBm) при честота над 12 GHz и до 16 GHz включително; или
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or 'modules', having all of the following:
Върхова изходна мощност на насищане над 20 W (43 dBm) при честота над 16 GHz и до 31,8 GHz включително;
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
d.
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 2 W (33 dBm) при честоти над 37 GHz и до 43,5 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 10 %;
Continuous current greater than 1 A.
Е.
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Предназначени за работа на честоти над 43,5 GHz и притежаващи някоя от следните характеристики:
h. includes:
Максимална изходна мощност на насищане над 0,2 W (23 dBm) при честота над 43,5 GHz и до 75 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 10 %;
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
Максимална изходна мощност на насищане над 20 mW (13 dBm) при честота над 75 GHz и до 90 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 5 %; или
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
Върхова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (– 70 dBm) при честота над 90 GHz; или
Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)
f.
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
Предназначени за работа на честоти над 2,7 GHz и притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Върхова мощност на насищане (във ватове), Psat, по-голяма от 400, разделена на максималната експлоатационна честота (в GHz), повдигната на квадрат [Psat>400 W*GHz2/fGHz2];
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
„Относителна широчина на честотната лента“ от 5 % или повече; и
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
Всеки две линии, перпендикулярни една на друга с дължина d (в сm), равна на или по-малка от 15, разделена на най-ниската работна честота в GHz [d≤ 15 cm*GHz/ fGHz];
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
2,7 GHz трябва да се използва като най-ниската работна честота (fGHz) във формулата в 3А001.b.4.f.3, за усилватели, които имат работен обхват, разширяващ спад до 2,7 GHz и по-ниско [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz].
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
MMIC усилвателите на мощност трябва да бъдат оценени на фона на критериите в 3A001.b.2.
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
Контролният статут на изделие, чиято работна честота включва честоти, посочени в повече от един честотен диапазон, както е определено в 3A001.b.4.a. —3A001.b.4.Е., се определя въз основа на най-ниското ниво на върхова изходяща мощност на насищане.
PiN Diodes
b.4. включва приемни/предавателни модули и предавателни модули.
Schottky Diodes
Електронно или магнитно настройваеми лентови филтри, разполагащи с повече от 5 настройващи се резонатора, способни за настройка в рамките на честотна лента 1,5:1 (fmax/fmin) за по-малко от 10 μѕ, и притежаващи някоя от изброените по-долу характеристики:
h. does not control switches, diodes, or 'modules', incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
a.
For the purposes of 3A001.h., 'modules' contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
Широчина на пропусканата честотна лента от над 0,5 % от централната честота; или
General purpose electronic equipment as follows:
Широчина на непропусканата честотна лента от по-малко от 0,5 % от централната честота;
Recording equipment and oscilloscopes as follows:
Преобразуватели и смесители от някоя от следните категории:
Waveform digitisers and transient recorders, having all of the following:
Проектирани за разширяване на честотния обхват на „сигнални анализатори“ отвъд ограничението от 90 GHz;
Digitising rate equal to or more than200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more;
Проектирани за разширяване на работния обхват на сигнални генератори, както следва:
A 'continuous throughput' of 2 Gbit/s or more; and
Отвъд ограничението от 90 GHz;
c.
До изходна мощност над 100 mW (20 dBm) във всяка точка от честотния диапазон над 43,5 GHz и до 90 GHz;
Triggered acquisition of transients or aperiodic signals
c.
For those instruments with a parallel bus architecture, the 'continuous throughput' rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Проектирани за разширяване на работния обхват на мрежови анализатори, както следва:
'Continuous throughput' is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
Отвъд ограничението от 110 GHz;
For the purposes of 3A002.a.5.c., acquisition can be triggered internally or externally.
До изходна мощност над 31,62 mW (15 dBm) във всяка точка от честотния диапазон над 43,5 GHz и до 90 GHz;
Digital instrumentation data recorder systems using magnetic disk storage technique and having all of the following, and specially designed digital recorders therefor:
До изходна мощност над 1 mW (0 dBm) във всяка точка от честотния диапазон над 90 GHz и до 110 GHz; или
a.
d.
Digitised instrumentation data rate equal to or more than 100 million samples per second at a resolution of 8 bit or more; and
Проектирани за разширяване на честотния обхват на микровълнови изпитателни приемници отвъд ограничението от 110 GHz;
b.
Микровълнови усилватели на мощност, съдържащи електронни лампи, определени в 3A001.b.1. и имащи всички изброени по-долу характеристики:
A 'continuous throughput' of 1 Gbit/s or more;
a.
Digital instrumentation data recorder systems can be configured either with a digitiser integrated within or outside the digital recorder.
Работни честоти над 3 GHz;
Real-time oscilloscopes having a vertical root-mean-square (rms) noise voltage of less than 2 % of full-scale at the vertical scale setting that provides the lowest noise value for any input 3dB bandwidth of 60 GHz or greater per channel;
b.
a.7. does not control equivalent-time sampling oscilloscopes
Съотношение между средната изходна мощност и масата над 80 W/kg; и
c.
c.
"Signal analysers" as follows:
Обем, по-малък от 400 cm3;
"Signal analysers" having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz;
b.8. не контролира оборудване, проектирано или класифицирано за работа в „определена от МСД/ITU“ честотна лента за радиокомуникационни услуги, но не за радиоопределящи.
"Signal analysers" having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than -150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Микровълнови модули (MPM), състоящи се поне от лампа с бягаща вълна, микровълнова „монолитна интегрална схема“ и интегриран електронен изравнител на мощността, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
"Signal analysers" having a frequency exceeding 90 GHz;
a. „Време за достигане на пълна експлоатационна мощност“ от изключено положение до пълно работно състояние за по-малко от 10 секунди;
"Signal analysers" having all of the following:
Сила на звука, по-малка от максималната изходна мощност във ватове, умножена по 10 cm3/W; и
"Real-time bandwidth" exceeding 170 MHz; and
c. „Моментна широчина на честотната лента“, по-голяма от една октава (fmax > 2fmin) и имащи някоя от изброените по-долу характеристики:
b.
За честоти по-малки или равни на 18 GHz, изходна RF мощност, по-голяма от 100 W; или
100 % probability of discovery with less than a 3 dB reduction from full amplitude due to gaps or windowing effects of signals having a duration of 15 μs or less;
Честота по-голяма от 18 GHz;
Probability of discovery in 3A002.c.4.b. is also referred to as probability of intercept or probability of capture.
За изчисляване на силата на звука в 3A001.b.9.b., се дава следният пример: за максимална изходна мощност от 20 W силата на звука ще е: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
For the purposes of 3A002.c.4.b., the duration for 100 % probability of discovery is equivalent to the minimum signal duration necessary for the specified level measurement uncertainty.
„Времето за достигане на пълна експлоатационна мощност“, посочено в 3A001.b.9.a., се отнася за времето от напълно изключено състояние до състояние на пълна експлоатационна мощност, т.е. включва се времето за загряване на микровълновия модул.
c.4. does not control those "signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Осцилатори или комплекти от осцилатори, предвидени да работят с фазово изкривяване на единичната странична честота (SSB), измерено в dBc/Hz, по-малко (по-добро) от –(126 + 20log10F - 20log10f) във всяка точка от диапазона 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz;
"Signal analysers" having a "frequency mask trigger" function with 100 % probability of trigger (capture) for signals having a duration of 15μs or less;
В 3A001.b.10 F е отклонението от работната честота в Hz и f е работната честота в MHz.
d.
„Електронни комплекти“ с „честотен синтезатор“, имащи „време за превключване на честотата“, както е определено от някое от следните:
Signal generators having any of the following:
a.
Specified to generate pulse-modulated signals having all of the following, anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz:
По-малко от 156 ps;
a.
b.
'Pulse duration' of less than 25 ns; and
По-малко от 100 μѕ за всяка смяна на честотата над 1,6 GHz в обхвата на синтезираната честота над 4,8 GHz и до 10,6 GHz;
b.
c.
On/off ratio equal to or exceeding 65 dB;
По-малко от 250 μѕ за всяка смяна на честотата над 550 MHz в обхвата на синтезираната честота над 10,6 GHz и до 31,8 GHz;
An output power exceeding 100 mW (20 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
d.
A "frequency switching time" as specified by any of the following:
По-малко от 500 μѕ за всяка смяна на честотата над 550 MHz в обхвата на синтезираната честота над 31,8 GHz и до 43,5 GHz;
a.
Е.
Not used;
По-малко от 1 mѕ за всяка смяна на честотата над 550 MHz в обхвата на синтезираната честота над 43,5 GHz и до 56 GHz;
b.
f.
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2GHz within the frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
По-малко от 1 μѕ за всяка смяна на честотата над 2,2 GHz в обхвата на синтезираната честота над 56 GHz и до 90 GHz; или
c.
g.
Not used.
По-малко от 1 ms в рамките на синтезирания честотен обсег, надвишаващ 90 GHz.
d.
За „сигнални анализатори“, генератори на сигнали, мрежови анализатори и микровълнови изпитателни приемници с общо предназначение вж. съответно 3A002.c., 3A002.d., 3A002.Е. и 3A002.f.
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz;
Акустични вълнови устройства, както следва, и специално проектирани компоненти за тях:
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the frequency range exceeding 37 GHz but not exceeding 90 GHz; or
Устройства за повърхностни акустични вълни и за плъзгащи се по повърхността (в плитка дълбочина) акустични вълни, имащи някоя от изброените по-долу характеристики:
f.
a.
Not used
Носеща честота над 6 GHz;
Single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, specified as being any of the following:
Носеща честота над 1 GHz, но под 6 GHz, и имащи която и да е от изброените по-долу характеристики:
Less (better) than –(126 + 20log10F - 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz < F < 10 kHz anywhere within the frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 90 GHz; or
„Потискане на честотата от страничния лист на диаграмата на излъчване“ над 65 dB;
b.
Произведение на максималното закъснение и широчината на честотната лента (времето в μѕ, а широчината на честотната лента в MHz), по-голямо от 100;
Less (better) than –(206- 20log10f) anywhere within the range of 10 kHz < F≤ 100 kHz anywhere within the frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 90 GHz; or
Широчина на честотната лента, по-голяма от 250 MHz; или
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
Дисперсно забавяне над 10 μѕ; или
A maximum frequency exceeding 90 GHz;
c.
Note 1.: