natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Един или няколко „студени уловители“, които могат да бъдат охлаждани до температура от 193 K (– 80 °C);
Substrates of silicon carbide for electronic components;
Не се използва;
Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
f.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
Масспектрометри, снабдени с йонен източник за микрофлуориране, проектиран за актиниди или техни флуориди.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
Масспектрометрите с електронно бомбардиране в 3A233.d. са известни също и като масспектрометри с електронно въздействие или масспектрометри с електронна йонизация.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
В 3A233.d.2. „студен уловител“ е устройство, което улавя газови молекули, като ги кондензира или замразява върху студени повърхности.
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
За целите на 3A233.d.2. хелиево-криогенната вакуумна помпа със затворен цикъл не е „студен уловител“.
CATEGORY 4 —
Лентови системи, осигуряващи ниско индуктивен път за детонатори със следните характеристики:
COMPUTERS
a.
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Напрежение, по-голямо от 2 kV; и
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
b Индуктивност, по-малка от 20 nH.
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
Оборудване за производство на полупроводникови устройства или материали, както следва и специално проектирани компоненти и принадлежности за тях:
Computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").
а.
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
Оборудване за епитаксиално изграждане, както следва:
SEE ALSO 4A101.
Оборудване с възможност за производство на слой от материал, различен от силиций с дебелина, равна или по-малка от ± 2,5 % на разстояния от 75 mm или по-дълги;
a.
a.1. включва оборудване за епитаксия на атомния слой (Atomic LауЕr Еpitaxy).
Specially designed to have any of the following:
Реактори за нанасяне на металоорганични покрития чрез химическо свързване на пари (МОХУП/MOCVD), проектирани за епитаксиално изграждане на съставни полупроводници от материали, съдържащи два или повече от следните елементи: алуминий, галий, индий, арсен, фосфор, антимон или азот;
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C); or
Оборудване за молекулярно-лъчево епитаксиално наслагване от газови или твърдотелни източници;
a.1. does not control computers specially designed for civil automobile, railway train or "civil aircraft" applications.
b.
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
Оборудване, проектирано за йонно имплантиране и имащо някоя от следните характеристики:
Total Dose 5 × 103 Gy (silicon);
Проектирани и оптимизирани да работят при енергия на потока от 20 kЕV или повече и поток на лъчението от 10 mA или повече за имплантиране на водород, деутерий или хелий;
Dose Rate Upset 5 × 106 Gy (silicon)/s; or
Възможност за директен запис;
Single Event Upset 1 × 10–8 Error/bit/day;
Енергия на потока от 65 kЕV или повече и насочен ток 45 mA или повече за имплантиране на кислород с висока енергия в нагрята „подложка“ от полупроводников материал; или
a.2. does not control computers specially designed for "civil aircraft" applications.
Проектирани и оптимизирани да работят при енергия на потока от 20 kЕV или повече и поток на лъчението от 10 mA или повече за имплантиране на силиций в „подложка“ от полупроводников материал, нагрята до 600 °C или повече;
b.
c.
Not used.
Оборудване за сухо ецване чрез анизотропна плазма, притежаващо всички изброени по-долу характеристики:
"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows and specially designed components therefor:
Проектирано или оптимизирано да произвежда критически размери от 65 nm или по-малко; и
003 includes the following:
Нееднородност вътре в пластината, равна на или по-малка от 10 % 3σ, измерена при изключване на ъглова зона от 2 mm или по-малко;
'Vector processors';
d.
Array processors;
Не се използва;
Digital signal processors;
Е.
Logic processors;
Системи за автоматично многокамерно зареждане за централна обработка на пластини, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
Equipment designed for "image enhancement";
Интерфейси за въвеждане и извеждане на пластини, към които са проектирани да се свържат повече от два функционално различни „полупроводникови обработващи прибори“, описани в 3B001.a., 3B001.b. или 3B001.c.; и
Equipment designed for "signal processing".
Проектирани да образуват във вакуумна среда интегрирана система за „последователна обработка на множествена пластина“;
The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
Е. не контролира автоматичните роботизирани системи за обработка на пластини, специално проектирани за паралелно обработване на пластини.
The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
За целите на 3B001.Е. „полупроводникови обработващи прибори“ се отнася за модулни прибори, които осигуряват физични процеси за производството на полупроводници, които са функционално различни, като нанасяне, ецване, имплантиране или термична обработка.
The "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
За целите на 3B001.Е. „последователна обработка на множествена пластина“ означава способността за обработване на всяка пластина в различни „полупроводникови обработващи прибори“, като например всяка пластина се прехвърля от един прибор на втори прибор и след това на трети прибор чрез системите за автоматично многокамерно зареждане за централна обработка на пластини.
The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
f.
For the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Литографско оборудване, както следва:
The "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E.
Оборудване за изравняващи и експониращи стъпки и повторения (директна стъпка върху пластина) или сканиращо оборудване (скенери) за обработка на пластина с използване на фотооптични и рентгенови методи или притежаващо някоя от изброените по-долу характеристики:
b.
а.
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 8.0 Weighted TeraFLOPS (WT);
Дължина на вълната на светлинния източник, по-къса от 193 nm; или
c.
b.
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit specified in 4A003.b.;
Способно да оформя растер (модел) с размер на „минималната различима единица“ (MRF) от 45 nm или по-малка;
c. controls only "electronic assemblies" and programmable interconnections not exceeding the limit specified in 4A003.b. when shipped as unintegrated "electronic assemblies".
„Минималната различима единица“ (MRF) се пресмята по следната формула:
It does not control "electronic assemblies" inherently limited by nature of their design for use as related equipment specified in 4A003.e.
дължина на вълната на експониращ светлинен източник в nm
c. does not control "electronic assemblies" specially designed for a product or family of products whose maximum configuration does not exceed the limit specified in 4A003.b.
фактор K
e.
цифрова апертура
Equipment performing analogue-to-digital conversions exceeding the limits specified in 3A001.a.5.;
където факторът К = 0,35
f.
Оборудване за литографски печат, способно да печата елементи от 45 nm или по-малки;
Not used;
f.2. включва:
g.
Инструменти за микроконтактен печат
Equipment specially designed for aggregating the performance of "digital computers" by providing external interconnections which allows communications at unidirectional data rates exceeding 2,0 Gbyte/s per link.
Инструменти за горещо щамповане
g. does not control internal interconnection equipment (e.g. backplanes, buses), passive interconnection equipment, "network access controllers" or "communications channel controllers".
Инструменти за литографски нанопечат
Computers as follows and specially designed related equipment, "electronic assemblies" and components therefor:
Инструменти за литографски печат S-FIL (stЕp and flash imprint lithography).
a.
Оборудване, специално проектирано за изработване на маски или обработка на полупроводникови устройства, използващо методи за директен печат и имащо всички изброени по-долу характеристики:
"Systolic array computers";
а.
b.
Използва отклонен фокусиран електронен лъч, йонен лъч или „лазерен“ лъч; и
"Neural computers";
Размер на светлинното петно, по-малък от 0,2 μm;
c.
Способност да създава растер (модел) с размер на елементите, по-малък от 1 μm; или
"Optical computers".
Точност на наслояване по-добра от ± 0,20 μm (3 сигма);
Systems, equipment, and components therefor, specially designed or modified for the generation, operation or delivery of, or communication with, "intrusion software".
g.
Analogue computers, "digital computers" or digital differential analysers, other than those specified in 4A001.a.1., which are ruggedized and designed or modified for use in space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.
Маски и сита за интегралните схеми, описани в 3A001;
"Hybrid computers" specially designed for modelling, simulation or design integration of space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.
h.
This control only applies when the equipment is supplied with "software" specified in 7D103 or 9D103.
Многослойни маски с фазово променен (изместен) слой, които не са описани в 3B001.g. и притежават някоя от следните характеристики:
The control status of "software" for equipment described in other Categories is dealt with in the appropriate Category.
Изработени върху наслоена „заготовка за подложка“ от стъкло, за което е посочено, че има двулъчепречупване от по-малко от 7 nm/cm; или
"Software" as follows:
Проектирани за използване от литографско оборудване с дължина на вълната на светлинния източник по-малко от 245 nm;
a.
h. не контролира многослойни маски с фазово променен (изместен) слой, проектирани за производство на запаметяващи устройства, които не се контролират от 3A001.
"Software" specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment or "software" specified in 4A001 to 4A004, or 4D.
i.
b.
Шаблони за литографски печат, проектирани за интегрираните схеми, описани в 3A001.
"Software", other than that specified in 4D001.a., specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment as follows:
Оборудване за изпитване, специално проектирано за тестване на готови или незавършени полупроводникови устройства, както следва, и специално проектирани компоненти и принадлежности за него:
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 1,0 Weighted TeraFLOPS (WT);
а.
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit in 4D001.b.1.
За изпитване на S параметрите на транзисторни устройства при честоти над 31,8 GHz;
"Software" specially designed or modified for the generation, operation or delivery of, or communication with, "intrusion software".
За изпитване на микровълнови интегрални схеми, описани в 3A001.b.2.
"Technology" according to the General Technology Note, for the "development", "production" or "use" of equipment or "software" specified in 4A or 4D.
Хетероепитаксиални материали, състоящи се от „подложка“, върху който епитаксиално са напластени много слоеве от някои от изброените по-долу:
b.
а.
"Technology", other than that specified in 4E001.a., specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment as follows:
Силиций (Si);
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit in 4E001.b.1.
Германий (GЕ);
"Technology" for the "development" of "intrusion software".
c.
TECHNICAL NOTE ON "ADJUSTED PEAK PERFORMANCE" ("APP")
Силициев карбид (SiC); или
"APP" is an adjusted peak rate at which "digital computers" perform 64-bit or larger floating point additions and multiplications.
d. „III/V съединения“ на галий и индий.
"APP" is expressed in Weighted TeraFLOPS (WT), in units of 1012 adjusted floating point operations per second
d. не контролира „подложка“ с един или няколко епитаксиални слоя от P тип от GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP или InGaAlP, незвисимо от последователността на елементите, освен ако епитаксиалният слой от P тип е между слоевете от N тип.
Abbreviations used in this Technical Note
Съпротивителни материали, както следва, и „подложка“, покрити със следните съпротивителни покрития:
n number of processors in the "digital computer"
а.
i processor number (i,…n)
Съпротивителни материали, проектирани за полупроводникова литография, както следва:
processor cycle time (ti = 1/Fi)
Съпротивителни материали с положителен заряд, приспособени (оптимизирани) за използване при дължини на вълната под 245 nm, но равни на или над 15 nm;
processor frequency
Съпротивителни материали, приспособени (оптимизирани) за използване при дължини на вълната под 15 nm, но над 1 nm;
peak floating point calculating rate
b.
architecture adjustment factor
Всички съпротивителни покрития, проектирани за използване с електронни или йонни лъчи, с чувствителност от 0,01 μсоulomb/mm2 или по-добра;
Outline of "APP" calculation method
d.
For each processor i, determine the peak number of 64-bit or larger floating point operations, FPOi, performed per cycle for each processor in the "digital computer".
Всички съпротивителни покрития, оптимизирани за технологии за повърхностни изображения;
Note
Е.
In determining FPO, include only 64-bit or larger floating point additions and/or multiplications.
Всички съпротивителни покрития, проектирани или оптимизирани за употреба с оборудването за литографски печат, посочено в 3B001.f.2., което използва или термален процес, или процес на фотообработка.
All floating point operations must be expressed in operations per processor cycle; operations requiring multiple cycles may be expressed in fractional results per cycle.
Органично-неорганични съединения, както следва:
For processors not capable of performing calculations on floating point operands of 64-bit or more, the effective calculating rate R is zero.
а.
Calculate the floating point rate R for each processor Ri = FPOi/ti.
Органично-метални съединения на алуминий, галий или индий, с чистота (метална основа), по-висока от 99999 %;
Calculate "APP" as "APP" = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn.
b.
For 'vector processors', Wi = 0,9.
Органично-арсенови, органично-антимонови и органично-фосфорни съединения с чистота (основа от неорганични елементи), по-висока от 99999 %.
For non-'vector processors', Wi = 0,3.
003 контролира само съединенията, чиито метален, частично метален или неметален елемент е пряко свързан с въглерода в органичната част на молекулата.
Note 1
Хидриди на фосфор, арсен или антимон, с чистота, по-висока от 99999 %, дори и разредени в инертни газове или водород.
For processors that perform compound operations in a cycle, such as addition and multiplication, each operation is counted.
004 не контролира хидриди, съдържащи 20 % моларни или повече инертни газове или водород.
Note 2
Силициев карбид (SiC), галиев нитрид (GaN), алуминиев нитрид (AlN) или полупроводникови „подложка“ на алуминиево-галиев нитрид (AlGaN), или слитъци, блокове, или други предварителни форми на тези материали, притежаващи съпротивление по-голямо от 10000 ohm-cm при 20 °C.
For a pipelined processor the effective calculating rate R is the faster of the pipelined rate, once the pipeline is full, or the non-pipelined rate.
„Подложка“, посочени в 3C005, с поне един епитаксиален слой от силициев карбид, галиев нитрид, алуминиев нитрид или алуминиево-галиев нитрид.
Note 3
„Софтуер“, специално проектиран за „разработване“ или „производство“ на оборудването, описано в 3A001.b.—3A002.g. или 3B.
The calculating rate R of each contributing processor is to be calculated at its maximum value theoretically possible before the "APP" of the combination is derived.
„Софтуер“, специално проектиран за „използване“ на оборудване, посочено в 3B001.a.—f. или 3B002 или 3A225.
Simultaneous operations are assumed to exist when the computer manufacturer claims concurrent, parallel, or simultaneous operation or execution in a manual or brochure for the computer.
Симулативен „софтуер“„на физическа основа“, специално проектиран за „разработване“ на литографиране, ецване или процеси на отлагане, за пренасяне на шаблоните от маските в специфични топографски форми в проводници, диелектрици или полупроводникови материали.
Note 4
„На физическа основа“ в 3D003 означава използване на изчисления за определяне на последователността на физическите причини и следствия на базата на физически свойства (температура, налягане, дифузионна константа и свойства на полупроводниковите материали).
Do not include processors that are limited to input/output and peripheral functions (e.g., disk drive, communication and video display) when calculating "APP".
Библиотеките, конструктивните атрибути или свързаните с тях данни за проектирането на полупроводникови устройства или интегрални схеми се смятат за „технологии“.
Note 5
„Софтуер“, специално проектиран за „разработване“ на оборудване, посочено в 3А003.
"APP" values are not to be calculated for processor combinations (inter)connected by "Local Area Networks", Wide Area Networks, I/O shared connections/devices, I/O controllers and any communication interconnection implemented by "software".
„Софтуер“, специално проектиран или модифициран за „употреба“ на оборудване, описано в 3A101.b.
Note 6
„Софтуер“, специално проектиран да подобрява или улеснява работата на честотни превключватели или генератори, с цел постигане на съответствие с характеристиките в 3A225.
"APP" values must be calculated for processor combinations containing processors specially designed to enhance performance by aggregation, operating simultaneously and sharing memory;
„Технологии“ съгласно Общата бележка за технологиите за „разработване“ или „производство“ на оборудването или материалите, описани в 3A, 3B или 3C;
Aggregate all processors and accelerators operating simultaneously and located on the same die.
001 не контролира „технологии“ за „производство“ на оборудване или компоненти, контролирани от 3A003.
Processor combinations share memory when any processor is capable of accessing any memory location in the system through the hardware transmission of cache lines or memory words, without the involvement of any software mechanism, which may be achieved using "electronic assemblies" specified in 4A003.c.
001 не контролира „технологии“ за „разработване“ или „производство“ на интегралните схеми, описани в 3A001.а.3. до 3A001.а.12., притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
Note 7
Които използват „технологии“ от 0,130 μm или повече; и
A 'vector processor' is defined as a processor with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 64-bit or larger numbers) simultaneously, having at least 2 vector functional units and at least 8 vector registers of at least 64 elements each.
Които съдържат многослойни структури с три или по-малко метални слоя.
CATEGORY 5 —
„Технологии“ в съответствие с Общата бележка за технологиите, различни от описаните в 3Е001, за „разработване“ или „производство“ на „микропроцесорна микросхема“, „микрокомпютърна микросхема“ или микросхема с микроуправляващо устройство, с аритметично логическо устройство с ширина на достъпа 32 бита или повече, и някоя от следните особености или характеристики:
TELECOMMUNICATIONS AND "INFORMATION SECURITY"
а. „Векторен процесор“, проектиран да извършва повече от две изчисления едновременно върху вектори с плаваща запетая (едномерни 32-битови или по-големи матрици).
PART 1 —
„Векторният процесор“ е процесорно устройство с вградени инструкции, който извършва едновременно множество изчисления върху вектори с плаваща запетая (едномерни 32-битови или по-големи матрици), притежаващи поне едно векторно аритметично логическо устройство.
TELECOMMUNICATIONS
b.
The control status of components, "lasers", test and "production" equipment and "software", therefor which are specially designed for telecommunications equipment or systems is determined in Category 5, Part 1.
Проектирани да извършват повече от четири 64-битови или по-големи изчислителни операции на цикъл; или
N.B.
c.
For "lasers" specially designed for telecommunications equipment or systems, see 6A005.
Проектирани да извършват повече от четири 16-битови операции с умножение и събиране с фиксирана запетая (напр. цифрова обработка на аналогова информация, която е била превърната преди това в цифрова, известна също като цифрова „обработка на сигнала“).
N.B.
c. не контролира „технологии“ за мултимедийни разширения.
See also Category 5, Part 2 for equipment, components, and "software", performing or incorporating "information security" functions.
002 не контролира „технологии“ за „разработване“ или „производство“ на микропроцесорни ядра, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
"Digital computers", related equipment or "software", when essential for the operation and support of telecommunications equipment described in this Category, are regarded as specially designed components, provided they are the standard models customarily supplied by the manufacturer.
Които включват многослойни структури с пет или по-малко метални слоя.
This includes operation, administration, maintenance, engineering or billing computer systems.
002 включва „технология“ за цифрови сигнални процесори и цифрови матрични процесори.
Telecommunications systems, equipment, components and accessories as follows:
Други технологии за „разработване“ или „производство“ на следното:
a.
а.
Any type of telecommunications equipment having any of the following characteristics, functions or features:
Вакуумни микроелектронни устройства;
Specially designed to withstand transitory electronic effects or electromagnetic pulse effects, both arising from a nuclear explosion;
b.
Specially hardened to withstand gamma, neutron or ion radiation; or
Хетероструктурни полупроводникови електронни устройства като транзистори с висока мобилност на електроните (ТВМЕ), хетеробиполярни транзистори (ХБТ), източници на кванти и свръхрешетки;
Specially designed to operate outside the temperature range from 218 K (– 55 °C) to 397 K (124 °C);
b. не контролира технологии за транзистори с висока мобилност на електроните (НЕМТ/ТВМЕ), работещи при честоти, по-ниски от 31,8 GHz, и хетеросвързани биполярни транзистори (НВТ/ХБТ), работещи при честоти, по-ниски от 31,8 GHz.
a.3. applies only to electronic equipment.