natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Например, техническите данни за процеса на нанасяне на покрития чрез химическо свързване на пари (НПХСП/CVD) са включени за полагане на силициди върху субстрати от въглерод—въглерод, керамични и метални „матрични“ „композити“, но не са включени за полагане на силициди върху субстрати от „циментиран волфрамов карбид“ (16), „силициев карбид“ (18).
"Monolithic integrated circuits";
Във втория случай полученото покритие не е включено в списъка в тази част от колона 3, която се намира точно срещу частта от колона 2 за „циментиран волфрамов карбид“ (16), „силициев карбид“ (18).
"Hybrid integrated circuits";
„Технологии“, съгласно Общата бележка за технологиите, за „употреба“ на оборудване или „софтуер“, посочени в 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119—2B122, или 2D101.
"Multichip integrated circuits";
„Технологии“, съгласно Общата бележка за технологиите, за „употреба“ на оборудване или „софтуер“, посочени в 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225—2B233, 2D201 или 2D202.
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
„Технологии“ съгласно Общата бележка за технологиите за „използване“ на изделията, описани в 2B350 до 2B352.
"Optical integrated circuits";
Таблица
"Three dimensional integrated circuits".
Методи за нанасяне на покрития
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Процес на нанасяне (1) [3]
a.
Субстрат
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
Получено покритие
b.
A. Химическо свързване на пари (CVD)
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
„Суперсплави“
c.
Алуминиди за вътрешни канали
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Керамика (19) и стъкла с нисък коефициент на разширение (14)
a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Силициди
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
Карбиди
a.
Диелектрични слоеве (15)
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Диаманти
b.
Диамантоподобен въглерод (17)
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
Въглерод—въглерод, Керамични и метални „матрични“ „композити“
c.
Огнеупорни метали
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
Смеси от горните (4)
a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Алуминиди
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
Сплавени алуминиди (2)
a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Борен нитрид
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
Циментиран волфрамов карбид (16), Силициев карбид(18)
a.
Волфрам
ADCs having any of the following:
Молибден и молибденови сплави
N.B.:
Берилий и берилиеви сплави
SEE ALSO 3A101
Материали за сензорни отвори (9)
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 1,000 million words per second;
Термично нанасяне на покрития чрез физическо отлагане на пари (ФОП-ТИ) ТЕ-PVD
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 300 million words per second;
Физическо отлагане на пари (PVD): Електроннолъчев метод (ЕB-PVD)(ЕЛ-ФОП)
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 200 million words per second;
Сплавени силициди чрез разпрашване
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 125 million words per second; or
Модифициран цирконий (12)
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 20 million words per second;
Устойчива на корозия стомана (7)
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
Бориди
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
Берилий
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
Титанови сплави (13)
For 'multiple channel ADCs', the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
Нитриди
For 'interleaved ADCs' or for 'multiple channel ADCs' that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
В.2.
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
Физическо отлагане на пари по метода на йонно съпротивително загряване (PVD) (йонно напластяване)
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Керамика (19) и Стъкла с нисък коефициент на разширение
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
Циментиран волфрамов карбид (16), Силициев карбид
'Multiple channel ADCs' are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
Физическо отлагане на пари (PVD): „Лазерно изпаряване“
'Interleaved ADCs' are defined as devices which have multiple ADC units that sample the same analogue input at different times such that when the outputs are aggregated, the analogue input has been effectively sampled and converted at a higher sampling rate.
Диамантоподобен въглерод
b.
В.4.
Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
Физическо отлагане на пари (PVD): разреждане на катодна дъга
A resolution of 10 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 3500 MSPS; or
Полимери (11) и органични „матрични“ „композити“
A resolution of 12 bit or more with an 'adjusted update rate' of equal to or greater than 1250 MSPS and having any of the following:
C. Твърда циментация (вж.
a.
A по-горе за мека циментация) (10)
A settling time less than 9 ns to 0,024 % of full scale from a full scale step; or
Огнеупорни метали и сплави (8)
b.
Оксиди
A 'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
D. Разпръскване на плазма
'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
Изтриваем никел-графит
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
Изтриваеми материали съдържащи Ni- Cr-Al
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than – 3 dBfs (full scale).
Изтриваем Al-Si-полиестер
'Adjusted update rate' for DACs:
Алуминиеви сплави (6)
For conventional (non-interpolating) DACs, the 'adjusted update rate' is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
Е.
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
Отлагане на разтвор
For interpolating DACs (oversampling DACs), the 'adjusted update rate' is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
Сплавени силициди
For interpolating DACs, the 'adjusted update rate' may be referred to by different terms including:
Сплавени алуминиди без топлоустойчиви елементи
input data rate
F. Нанасяне на покрития
input word rate
Алуминиди, модифицирани с благородни метали (3)
input sample rate
Платина
maximum total input bus rate
Керамика и стъкла с нисък коефициент на разширение (14)
maximum DAC clock rate for DAC clock input.
Диелектрични слоеве (15)
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
G. Йонна имплантация
a.
Високотемпературни лагерни стомани
One or more than one internal "laser" diode;
Добавки от хром тантал или ниобий (колумбий)
b.
Циментиран волфрамов карбид (16)
One or more than one internal light detecting element; and
ТАБЛИЦА — МЕТОДИ ЗА НАНАСЯНЕ НА ПОКРИТИЯ — БЕЛЕЖКИ
c.
Терминът „процес на нанасяне на покритие“ включва възстановяването и подновяването на покритието, както и първоначалното му нанасяне.
Optical waveguides;
Терминът „покритие от сплавени алуминиди“ включва единични или многостепенни покрития, при които даден елемент или елементи се отлагат преди или по време на полагането на алуминидното покритие, дори и ако тези елементи се отлагат чрез друг процес на нанасяне на покритие.
'Field programmable logic devices' having any of the following:
Това не включва обаче многократното прилагане на едноетапни процеси на твърда циментация за получаване на сплавени алуминиди.
a.
Терминът „покритие с алуминиди, модифицирани с благородни метали“ включва многоетапни покрития, при които благородният метал или благородните метали се полагат с някакъв друг процес на нанасяне на покритие преди нанасянето на алуминидното покритие.
A maximum number of single-ended digital input/outputs of greater than 700; or
Терминът „смеси от горните“ включва инфилтрирани материали, калибровани смеси и многослойни отлагания и се получават чрез един или повече от процесите на нанасяне на покритие, описани в таблицата.
b.
„MCrAlX“ обозначава сплав за покритие, където М означава кобалт, желязо, никел и съчетания от тях, а Х означава хафний, итрий, силиций и тантал във всякакви количества или други нарочно привнесени добавки от над 0,01 тегловни проценти в различни пропорции и съчетания, освен:
An 'aggregate one-way peak serial transceiver data rate' of 500 Gb/s or greater;
a.
a.7. includes:
CoCrAlY покрития, съдържащи по-малко от 22 тегловни процента хром, по-малко от 7 тегловни процента алуминий и по-малко от 2 тегловни процента итрий;
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
b.
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
CoCrAlY покрития, съдържащи от 22 до 24 тегловни процента хром, от 10 до 12 тегловни процента алуминий и от 0,5 до 0,7 тегловни процента итрий; или
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
c.
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
NiCrAlY покрития, съдържащи от 21 до 23 тегловни процента хром, от 10 до 12 тегловни процента алуминий и от 0,9 до 1,1 тегловни процента итрий.
Field Programmable Interconnects (FPICs)
Терминът „алуминиеви сплави“ се отнася до сплави, имащи максимална якост на опън от 190 MPa или повече, измерени при 293 К (20 °C).
Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
Терминът „стомана, устойчива на корозия“, се отнася до серията 300 на AISI (Американски институт по желязото и стоманата) или стомани отговарящи на еквивалентни национални стандарти.
'Aggregate one-way peak serial transceiver data rate' is the product of the peak serial one-way transceiver data rate times the number of transceivers on the FPGA.
„Огнеупорни метали и сплави“ включва следните метали и техните сплави: ниобий (колумбий), молибден, волфрам и тантал.
Neural network integrated circuits;
„Материали за сензорни отвори“, както следва: двуалуминиев триоксид, силиций, германий, цинков сулфид, цинков селенид, галиев арсенид, диаманти, галиев фосфид, сапфир и техните метални халогениди: материали за сензорни отвори с диаметър повече от 40 mm за циркониев флуорид и хафниев флуорид.
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
„Технологиите“ за едноетапно твърдо циментиране на твърди профили за обтичане на криле не се контролират от категория 2.
a.
„Полимери“, както следва: полиимид, полиестер, полисулфид, поликарбонати и полиуретани.
More than 1500 terminals;
„Модифициран цирконий“ се отнася до добавки на оксиди на други метали (т.е. калций, магнезий, итрий, хафний, оксиди на лантаниди) към циркония, за да се стабилизират определени кристалографски фази и фазови състави.
b.
Топлинните предпазни покрития, направени от цирконий, изменен с калций и магнезий чрез смесване или сплавяване, не са обект на контрол.
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,02 ns; or
„Титанови сплави“ се отнася да авиокосмически сплави, имащи максимална якост на опън от 900 MPa или повече, измерени при 293 К (20 °C).
c.
„Стъкла с нисък коефициент на разширение“ се отнася до стъкла, които имат коефициент на топлинно разширение от 1 × 10–7 K–1 или по-малко, измерено при 293 К (20 °C).
An operating frequency exceeding 3 GHz;
„Диелектрични слоеве“ са покрития, състоящи се от многослойни изолиращи материали, при които свойствата за смущения на конструкцията, съставена от материали с различни индекси на рефракция, се използват за отразяване, предаване или поглъщане на различни обхвати на дължините на вълните.
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Диелектрични слоеве се отнася до повече от четири диелектрични пласта или „композитни“ пластове диелектрик/метал.
a.
„Циментиран волфрамов карбид“ не включва материали за режещи и формоващи инструменти, състоящи се от волфрамов карбид/(кобалт, никел), титанов карбид/(кобалт, никел), хромов карбид/никел-хром и хромов карбид/никел.
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
„Технологии“, специално проектирани за нанасяне на диамантоподобен въглерод върху което и да е от изброените по-долу, не е обект на контрол:
b.
магнитни дискови устройства и глави, оборудване за производство на материали за еднократна употреба, вентили за водопроводни кранове, акустични диафрагми за високоговорители, части за двигатели на автомобили, режещи инструменти, комбинирани щанци, оборудване за автоматизация на офиси, микрофони или медицински устройства или матрици за отливане или оформяне на пластмаси, произведени от сплави със съдържание на берилий, по-малко от 5 %.
A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
„Силициев карбид“ не включва материалите за режещи и формоващи инструменти.
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N) /20480 ms, where N is the number of points;
Керамичните субстрати, така както се използват тук, не включват керамични материали, съдържащи 5 % в тегловно отношение или повече, глина или цимент, или като отделни съставки, или в съчетание.
When N is equal to 1,024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 μs.
ТАБЛИЦА — МЕТОДИ ЗА НАНАСЯНЕ НА ПОКРИТИЯ — ТЕХНИЧЕСКА БЕЛЕЖКА
Direct Digital Synthesizer (DDS) integrated circuits having any of the following:
Процесите, описани в колона 1 от таблицата, се дефинират, както следва:
a.
a.
A Digital-to-Analogue Converter (DAC) clock frequency of 3,5 GHz or more and a DAC resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit; or
Нанасяне на покрития чрез химическо свързване на пари (НПХСП/CVD) е метод на нанасяне на многослойни покрития или на повърхностно модифициращи покрития, при което метал, сплав, „композитен материал“, диелектрик или керамика се нанася върху нагрят субстрат.
b.
Газообразните реагенти се разлагат или свързват в средата на даден субстрат, което води до нанасяне на покритие от необходимия елементарен, сплавен или композитен материал върху субстрата.
A DAC clock frequency of 1,25 GHz or more and a DAC resolution of 12 bit or more;
Енергията за такова разлагане или процеса на химическа реакция е за сметка на загряване на субстрата, на отделяща тлеещ разряд плазма или от „лазерно“ облъчване.
The DAC clock frequency may be specified as the master clock frequency or the input clock frequency
НПХСП/CVD включва следните процеси: отлагане без циментация с насочен газов поток, импулсно CVD(НПХСП), топлинно отлагане чрез контролирано ядрено нанасяне CNTD(ТОКК), засилени или подпомогнати от плазма процеси на CVD(НПХСП).
b.
Циментация означава субстрат, потопен в прахообразна смес.
Microwave or millimetre wave components, as follows:
Газообразните реагенти, използвани в процеса без циментация, се образуват с използване на същите основни реакции и параметри, както и процеса с циментиращо вещество, освен че субстратът, който следва да бъде покрит, не влиза в контакт с прахообразната смес.
For purposes of 3A001.b., the parameter peak saturated power output may also be referred to on product data sheets as output power, saturated power output, maximum power output, peak power output, or peak envelope power output.
b.
Electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:
Термично нанасяне на покрития чрез физическо отлагане на пари (ФОП-ТИ) е систематизиран процес на нанасяне на покритие, който се провежда във вакуум с налягане, по-малко от 0,1 Pa, при което за изпаряване на материала, от който ще се прави покритието, се използва източник на топлинна енергия.
b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Този процес води до кондензация или отлагане на изпарените вещества върху съответно разположени субстрати.
Does not exceed 31,8 GHz; and
Добавянето на газове към вакуумната камера по време на процеса на нанасяне на покритие с цел синтезиране на съставни покрития е обикновено видоизменение на процеса.
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Използването на йонни или електронни лъчи или плазма за предизвикване или подпомагане на отлагането на покритието, е също така обикновено видоизменение на тази техника.
b.1. does not control non-"space-qualified" tubes having all of the following:
Използването на монитори за измерване и контрол на оптичните свойства и на дебелината на образуваните покрития по време на самия процес може да се използва в тези процеси.
An average output power equal to or less than 50 W; and
Специфичните процеси ТЕ-PVD(ФОП-ТИ) са, както следва:
Designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
ФОП по електроннолъчев метод използва електронен лъч за нагряване и изпаряване на материала, който образува покритието;
Exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
ФОП по метода на йонно съпротивително загряване използва източници на омическо нагряване в съчетание с бомбардиращ(и) йонен(ни) поток(ци) за получаване на контролиран и еднообразен поток от изпареното вещество за покритие;
a.
„Лазерното“ изпаряване използва лъчи или от импулсен „лазер“, или от такъв с непрекъсната вълна за изпаряване на материала, който образува покритието;
Travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
Отлагането с използване на катодна дъга използва катод за еднократна употреба от материала, от който се образува покритието, и се извършва разреждане на дъгата върху повърхността чрез моментен допир до заземен тригер.
Tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Управляваното движение на дъговите разряди ерозира катодната повърхност, водейки до образуване на силно йонизирана плазма.
Tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
Анодът може да представлява или конус, прикрепен към периферията на катода посредством изолатор, или камерата.
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
За отлагане извън линията на наблюдение се прилага накланяне на субстрата.
Helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
Това определение не включва хаотично отлагане с използване на катодна дъга и ненаклонени субстрати.
a.
Йонното напластяване е специална модификация на общия процес ФОП-ТИ/ТЕ-PVD, при който източник на плазма или на йони се използва за йонизиране на материала, който трябва да бъде утаен, и при субстрата се използва отрицателен наклон за улесняване отделянето на веществото от плазмата.
An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
Въвеждането на веществото реагент, изпаряването на твърди вещества в камерата и използването на монитори, осигуряващи измерване на оптичните характеристики и дебелината на покритията в хода на процесите, са обикновени модификации на тези процеси.
b.
c.
An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
Твърдата циментация е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при което субстратът се потопява в прахообразна смес (циментиращо вещество), състояща се от:
c.
Металите на прах, които трябва да се отложат (обикновено алуминий, хром, силиций или съчетания от тях);
Being "space-qualified";
Възбудител (обикновено халогенид); и
b.
Инертен прах, най-често двуалуминиев триоксид.
Crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
Субстратът и прахообразната смес се поставя в реторта, която се нагрява до температури между 1030 K (757 °C) и 1375 K (1102 °C) за достатъчно дълго време, за да се утаи покритието.
c.
d.
Impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
Разпръскването на плазма е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при което горелка (разпръскващ пистолет), която генерира и управлява плазма, приема прахообразни или във форма на тел материали за покритие, стопява и ги придвижва към субстрат, върху който се формира интегрално свързано покритие.
Microwave "Monolithic Integrated Circuits" (MMIC) power amplifiers that are any of the following:
Разпръскването на плазмата е или в условия на ниско налягане, или на висока скорост.
a.
N.B.1
Rated for operation at frequencies exceeding 2,7 GHz up to and including 6,8 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 15 %, and having any of the following:
Ниско налягане означава по-ниско от околното атмосферно налягане.
A peak saturated power output greater than 75 W (48,75 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
Висока скорост се отнася до скорост при излизане от дюзата, надхвърляща 750 m/s, изчислена при 293 К (20 °С) при налягане от 0,1 МРа.
A peak saturated power output greater than 55 W (47,4 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
Е.
A peak saturated power output greater than 40 W (46 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
Отлагане на разтвор на огнеупорна глина е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при който метален или керамичен прах с органично свързващо вещество се суспендира в течност и се полага върху субстрата чрез пръскане, потапяне или намазване, последващо сушене на въздух или в пещ и топлинна обработка до получаване на необходимото покритие.
A peak saturated power output greater than 20 W (43 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
f.
b.
Отлагане на разпрашени вещества е процес на напластяване, основаващ се на явление за предаване на инерция, при който положителните йони се ускоряват от електрическо поле към повърхността на мишена (материала за покритие).
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 16 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 10 %, and having any of the following: