natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Кинетичната енергия на попадащите йони е достатъчна, за да доведе до избиване на атомите от повърхността и отлагането им върху подходящо разположен субстрат.
A peak saturated power output greater than 10 W (40 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz; or
Таблицата се отнася само до триодно, магнетронно или индуктивно отлагане на разпрашени вещества, което се прилага за подобряване прилепването на покритието и темпото на отлагане, както и към отлагане на разпрашени вещества, подсилено с радиочестоти (RF), използвано за постигане на изпаряване на неметални материали за покрития.
A peak saturated power output greater than 5 W (37 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 16 GHz;
Йонни потоци с ниска енергия (по-малко от 5 kЕV) могат да се използват за задействане на отлагането.
c.
g.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 3 W (34,77 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Имплантация на йони е процес на нанасяне на покритие за промяна на повърхността, при който елементът, който трябва да бъде сплавен, се йонизира и ускорява чрез градиент на потенциал и се имплантира в повърхностната част на субстрата.
d.
Това включва процес, при който имплантацията на йони се извършва едновременно с физическо отлагане на пари с използване на електронен лъч или чрез отлагане на разпрашени вещества.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (-70 dBm) at any frequency exceeding 31,8 GHz up to and including 37 GHz;
КАТЕГОРИЯ 3 —
e.
ЕЛЕКТРОНИКА
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 1 W (30 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Доколко подлежат на контрол оборудването и компонентите му, както са описани в 3A001 или 3A002, различни от описаните в 3A001.a.3. до 3A001.a.10., 3A001.a.12. или 3A001.a.13, които са специално проектирани или имат същите функционални характеристики като другото оборудване, се определя от това, доколко подлежи на контрол другото оборудване.
f.
Доколко подлежат на контрол интегралните схеми, описани в 3A001.a.3. до 3A001.a.9., 3A001.a.12. или 3A001.a.13., които са неизменяемо програмирани или проектирани за конкретна функция за друго оборудване, се определя от това, доколко подлежи на контрол другото оборудване.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 31,62 mW (15 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz up to and including 75 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Когато производителят или подаващият заявление не могат да определят доколко подлежи на контрол другото оборудване, въпросът за контрола на интегралните схеми се решава съгласно 3A001.a.3. — до 3A001.a.9., 3A001.a.12 и 3A001.a.13.
g.
Електронни компоненти и специално проектирани компоненти за тях, както следва:
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 10 mW (10 dBm) at any frequency exceeding 75 GHz up to and including 90 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 5 %; or
Универсални интегрални схеми, както следва:
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (-70 dBm) at any frequency exceeding 90 GHz;
Доколко подлежат на контрол полупроводниковите пластинки (завършени или незавършени), при които функцията е била определена, трябва да се прецени съобразно параметрите от 3A001.a.
Not used.
Интегралните схеми включват следните видове:
The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.h., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
„Монолитни интегрални схеми“;
Notes 1 and 2 in 3A mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
„Хибридни интегрални схеми“;
Discrete microwave transistors that are any of the following:
„Многочипови интегрални схеми“;
a.
„Тънкослойни интегрални схеми“, включително интегрални схеми от силиций върху сапфир;
Rated for operation at frequencies exceeding 2,7 GHz up to and including 6,8 GHz and having any of the following:
„Оптични интегрални схеми“;
A peak saturated power output greater than 400 W (56 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
„Триизмерни интегрални схеми“.
A peak saturated power output greater than 205 W (53,12 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
Интегрални схеми, проектирани или обозначени като радиационно устойчиви да издържат на някое от изброените по-долу:
A peak saturated power output greater than 115 W (50,61 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
a.
A peak saturated power output greater than 60 W (47,78 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
Обща доза от 5 × 103 Gy (силиций) или по-голяма;
b.
b.
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz and having any of the following:
Колебание в мощността на дозата лъчение от 5 × 106 Gy (силиций)/s или по-голямо; или
A peak saturated power output greater than 50 W (47 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz;
c.
A peak saturated power output greater than 15 W (41,76 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 12 GHz;
Поток (интегриран поток) от неутрони (равно на 1 МеV) от 5 × 1013 n/cm2 или повече върху силиций, или равностойни на него материали;
A peak saturated power output greater than 40 W (46 dBm) at any frequency exceeding 12 GHz up to and including 16 GHz; or
а.1.c. не контролира метал-изолатор-полупроводници (МИП/MIS).
A peak saturated power output greater than 7 W (38,45 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz;
„Микропроцесорни микросхеми“, „микрокомпютърни микросхеми“, микроконтролерни микросхеми, интегрални схеми с памет, произведени от съставни полупроводници, аналогово-цифрови преобразуватели, цифрово-аналогови преобразуватели, електрооптични или „оптични интегрални схеми“, проектирани за „обработка на сигнали“, логически устройства със зони за програмиране, интегрални схеми по поръчка, при което е неизвестна или функцията им, или доколко подлежи на контрол оборудването, за което интегралните схеми ще се използват, процесори, използващи бързо преобразувание на Фурие (FFT/БПФ), електрически изтриваеми и програмируеми памети само за четене (ЕЕPROM/ЕИПП), свръхбързи памети или статични памети с произволен достъп (SRAM/СППД), отговарящи на някои от изброените по-долу:
c.
a.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,5 W (27 dBm) at any frequency exceeding 31,8 GHz up to and including 37 GHz;
Предназначени за работа при околна температура над 398 К (125 °C);
d.
b.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 1 W (30 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz;
Предназначени за работа при околна температура под 218 К (– 55 °C); или
e.
c.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (-70 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz;
Предназначени за работа в целия температурен диапазон на околната среда от 218 K (– 55 °C) до 398 K (125 °C);
The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
a.2. не контролира интегрални схеми за граждански автомобили или приложения при железопътни влакове.
b.3. includes bare dice, dice mounted on carriers, or dice mounted in packages.
„Микропроцесорни микросхеми“, „микрокомпютърни микросхеми“ и микроконтролерни микросхеми, произведени от съставни полупроводници и работещи при синхронизирана (тактова) честота над 40 MHz;
Some discrete transistors may also be referred to as power amplifiers, but the status of these discrete transistors is determined by 3A001.b.3.
a.3. включва цифрови сигнални процесори, цифрови матрични процесори и цифрови копроцесори.
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers, that are any of the following:
Аналогово-цифрови преобразувателни (АЦП/ADC) и цифрово-аналогови преобразувателни (ЦАП/DAC) интегрални схеми, както следва:
A peak saturated power output greater than 500 W (57 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
a.
A peak saturated power output greater than 270 W (54,3 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
Аналогово-цифрови преобразуватели (АЦП/ADC), притежаващи някоя от изброените по-долу характеристики:
A peak saturated power output greater than 200 W (53 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
N.B.
A peak saturated power output greater than 90 W (49,54 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
СЪЩО 3A101
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 10 %, and having any of the following:
Разделителна способност 8 бита или повече, но по-малка от 10 бита с изходяща скорост, по-голяма от 1000 милиона цикъла за секунда;
A peak saturated power output greater than 70 W (48,54 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz;
Разделителна способност 10 бита или повече, но по-малка от 12 бита с изходяща скорост, по-голяма от 300 милиона цикъла за секунда;
A peak saturated power output greater than 50 W (47 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 12 GHz;
Разделителна способност 12 бита с изходяща скорост, по-голяма от 200 милиона цикъла за секунда;
A peak saturated power output greater than 30 W (44,77 dBm) at any frequency exceeding 12 GHz up to and including 16 GHz; or
Разделителна способност повече от 12 бита, но по-малка или равна на 14 бита, с изходяща скорост, по-голяма от 125 милиона цикъла за секунда; или
A peak saturated power output greater than 20 W (43 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz;
Разделителна способност повече от 14 бита с изходяща скорост, по-голяма от 20 милиона цикъла за секунда;
d.
Разделителна способност n бита съответства на квантуване на 2n нива.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 2 W (33 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43.5 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Броят на битовете в изходящия цикъл е равен на разделителната способност на аналогово-цифровия преобразувател (АЦП/ADC).
e.
Изходящата скорост е максималната изходяща скорост на преобразувателя, независимо от архитектурата или дискретизацията.
Rated for operation at frequencies exceeding 43.5 GHz and having any of the following:
За „многоканални АЦП/ADC“ изходните честоти не се сумират и (общата) изходна честота е максималната изходна честота, която има някой от отделните канали.
A peak saturated power output greater than 0,2 W (23 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz up to and including 75 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
За „редуващи АЦП/ADC“ или за „многоканални АЦП/ADC“, имащи редуващ режим на работа, скоростите се сумират и общата скорост на преобразуване е максималната сумирана обща скорост на преобразуване на всички изходи.
A peak saturated power output greater than 20 mW (13 dBm) at any frequency exceeding 75 GHz up to and including 90 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 5 %; or
Производителите могат също да отнесат изходящата скорост като честота (скорост) на дискретизация, скорост на преобразуване или производителна скорост.
A peak saturated power output greater than 0,1 nW (-70 dBm) at any frequency exceeding 90 GHz; or
Тя често се определя в мегахерци (MHz) или мегасигнали за секунда (MSPS).
f.
За целите на измерване на изходящата скорост един изходящ цикъл за секунда е еквивалентен на един херц или един сигнал за секунда.
Rated for operation at frequencies above 2,7 GHz and having all of the following:
„Многоканалните АЦП/ADC“ са устройства, които включват повече от един АЦП/ADC и са проектирани така, че всеки АЦП/ADC да има отделен аналогов вход.
A peak saturation power (in watts), Psat, greater than 400 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [Psat >400 W*GHz2/fGHz2];
„Редуващите АЦП/ADC“ са устройства, които имат няколко АЦП/ADC, следящи един аналогов вход по различно време, така че при сумиране на изходните скорости аналоговият вход да е ефективно прихванат и преобразуван на по-висока скорост на прихващане.
A "fractional bandwidth" of 5 % or greater; and
b.
Any two sides perpendicular to one another with either length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15 cm*GHz/ fGHz];
Цифрово-аналогови преобразуватели (ЦАП/DAC), имащи следните характеристики:
GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 2.7 GHz and below [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz].
Разделителна способност 10 бита или повече, с „коригирана скорост на обновяване“, по-голяма от 3500 MSPS; или
MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
Разделителна способност 12 бита или повече, с „коригирана скорост на обновяване“, равна на или по-голяма от 1250 MSPS и с някоя от следните характеристики:
The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest peak saturation output threshold.
а.
b.4. includes transmit/receive modules and transmit modules.
Време за установяване, по-малко от 9 ns до 0,024 % от времето, необходимо за една пълна стъпка; или
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs and having any of the following:
b. „Динамичен обхват без изкривявания“ (SFDR), по-висок от 68 dBc (носител) при синтезиране на аналогов сигнал от 100 MHz по цялата скала или на най-високата честота на аналогов сигнал по цялата скала, определен под 100 MHz.
a.
„Динамичният обхват без изкривявания“ (SFDR) се определя като съотношението между средната квадратична стойност (RMS) на носещата честота (максимален сигнален компонент) на входа на ЦАП/DAC и средната квадратична стойност (RMS) на следващия компонент на най-големи шумови или нелинейни изкривявания на изхода на ЦАП/DAC.
A band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
„Динамичният обхват без изкривявания“ (SFDR) се определя пряко от спецификационната таблица или от характеристичната графика SFDR/честота.
b.
Сигналът е на максимално ниво, когато амплитудата му е по-голяма от -3 dBfs (пълна скала).
A band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
„Коригирана скорост на обновяване“ за ЦАП/DAC:
Converters and harmonic mixers that are any of the following:
За конвенционалните (без интерполация) ЦАП/DAC „коригираната скорост на обновяване“ е скоростта, с която цифровият сигнал се преобразува в аналогов и изходящите аналогови стойности се променят от ЦАП/DAC.
a.
За ЦАП/DAC, при които режимът на интерполация може да се изключва, (интерполационен фактор единица), ЦАП/DAC следва да се приема за конвенционален (без интерполация).
Designed to extend the frequency range of "signal analysers" beyond 90 GHz;
За интерполиращите ЦАП/DAC (ЦАП/DAC с дискретизация на сигнала, превишаваща основната честота на дискретизация) „коригираната скорост на обновяване“ се определя, като скоростта на обновяване на ЦАП/DAC се раздели на най-малкия фактор на интерполация.
b.
При интерполиращите ЦАП/DAC за „коригирана скорост на обновяване“ могат да се срещнат и други термини като:
Designed to extend the operating range of signal generators as follows:
входяща честота на данните
Beyond 90 GHz;
входящата честота на цикъла
To an output power greater than 100 mW (20 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43.5 GHz but not exceeding 90 GHz;
входящата честота на сигнала
c.
максимална входяща честота на шината
Designed to extend the operating range of network analysers as follows:
максимална ЦАП синхронизирана (тактова) честота при ЦАП тактов вход.
Beyond 110 GHz;
Електрооптични и „оптични интегрални схеми“, проектирани за „обработка на сигнали“, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
To an output power greater than 31.62 mW (15 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43.5 GHz but not exceeding 90 GHz;
a.
To an output power greater than 1 mW (0 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 90 GHz but not exceeding 110 GHz; or
Един или повече от един вътрешен „лазерен“ диод;
d.
b.
Designed to extend the frequency range of microwave test receivers beyond 110 GHz;
Един или повече от един вътрешен светлочувствителен елемент; и
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Оптични вълноводи;
Operating frequencies above 3 GHz;
„Логически устройства със зона за програмиране“, имащи някоя от изброените по-долу характеристики:
b.
a.
An average output power to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
Максимален брой едностранни цифрови входове/изходи повече от 700; или
c.
b. „Максимална сумарна скорост на еднопосочния поток на предаване на данни“ от 500 Gb/s или повече;
A volume of less than 400 cm3;
a.7. включва:
b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Обикновени програмируеми логически устройства (SPLDs/ОПЛУ)
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
Сложни програмируеми логически устройства (CPLDs/СПЛУ)
a.
Комбинационни логически елементи със зони за програмиране (FPGAs/КЛЕЗП)
A 'turn-on time' from off to fully operational in less than 10 seconds;
Логически матрици със зони за програмиране (FPLAs/ЛМЗП)
b.
Програмируеми на място взаимовръзки (FPICs/ПМВВ)
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
Максималният брой цифрови входове/изходи в 3A001.a.7.a се нарича още максимални потребителски входове/изходи или максимално налични входове/изходи в зависимост от това дали интегралната схема е комплексна или базова матрична.
c.
„Максималната сумарна скорост на еднопосочния поток на предаване на данни“ е произведението от максималната скорост на еднопосочния поток на предаване на данни и броя на предавателите на FPGAs/КЛЕЗП.
An "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax > 2fmin) and having any of the following:
Интегрални схеми с невронна мрежа;
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
Поръчкови интегрални схеми, за които на производителя е неизвестна или функцията им, или статутът на контрол на оборудването, в което ще се използват интегралните схеми, имащи някои от изброените по-долу характеристики:
A frequency greater than 18 GHz;
a.
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Повече от 1500 извода;
The 'turn-on time' in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
b.
Oscillators or oscillator assemblies, specified to operate with a single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, less (better) than – (126 + 20log10F - 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz;
Нормално „време за задържане (забавяне) на разпространението в основния пропускащ елемент“, по-малко от 0,02 ns; или
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
c.
"Frequency synthesiser" "electronic assemblies" having a "frequency switching time" as specified by any of the following:
Работна честота над 3 GHz;
a.
Цифрови интегрални схеми, различни от описаните в 3A001.a.3. до 3A001.a.10. и 3A001.a.12., базирани на съставни полупроводници и притежаващи някоя от изброените по-долу характеристики:
Less than 156 ps;
Еквивалентен брой ключове над 3000 (2 входни ключа); или
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
Гранична честота на превключване, надхвърляща 1,2 GHz;
Less than 250 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
Процесори, използващи бързо преобразуване на Фурие (БПФ/FFT), имащи стандартно време за изпълнение при N-точков комплекс, използващ БПФ/FFT, с брой на точките по-малък от (N log2 N) /20480 ms, където N е броят точки;
d.
Когато N е равно на 1024 точки, формулата в 3A001.a.12. дава време за изпълнение 500 μѕ.
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz;
Интегрални схеми за директни цифрови синтезатори–(DDS), притежаващи някоя от следните характеристики:
e.
a.
Less than 1 ms for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 56 GHz;
Синхронизирана (тактова) честота на цифрово-аналогов преобразувател (–ЦАП/DAC) 3,5 GHz или по-голяма и разделителна способност на ЦАП/DAC 10 бита или повече, но под 12 бита; или
f.
b.
Less than 1 ms for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesized frequency range exceeding 56 GHz but not exceeding 90 GHz; or
Синхронизирана (тактова) честота на ЦАП/DAC 1,25 GHz или повече и разделителна способност на ЦАП/DAC 12 бита или повече;
g.
Синхронизираната (тактова) честота на ЦАП/DAC може да бъде посочена като главна или входна тактова честота.
Less than 1 ms within the synthesized frequency range exceeding 90 GHz;
b.
For general purpose "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
Компоненти, работещи в микровълновия или милиметровия диапазон, както следва:
c.
По смисъла на 3A001.b. параметърът върхова изходна мощност на насищане може да бъде посочван в информационните листове на продуктите като изходна мощност, изходна мощност на насищане, максимална изходна мощност, върхова изходна мощност или върхова мощност на изход.
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
Вакуумни електронни лампи и катоди, както следва:
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
b.1. не контролира лампи, проектирани или класифицирани за работа във всички честотни ленти и притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
a.
Не надвишават 31,8 GHz; и
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
Са „определени от МСД/ITU“ за радиокомуникационни услуги, но не за радиоопределящи.
b.
b.1. не контролира лампи, които не са „класифицирани като предназначени за използване в Космоса“, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
Средна изходна мощност, равна или по-малка от 50 W; и
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB;
Конструирани или определени да функционират във всички честотни ленти, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
Надхвърлят 31,8 GHz, но не надхвърлят 43,5 GHz; и
A bandwidth greater than 250 MHz; or
a.
A dispersive delay of more than 10 μs; or
Лампи с бягаща, импулсна или непрекъсната вълна, както следва:
c.
Лампи, работещи при честоти, надхвърлящи 31,8 GHz;
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following: