natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Изходна мощност над 1 mW (0 dBm) във всяка точка от диапазона на работната честота над 90 GHz и до 110 GHz;
232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
„Способност за измерване на нелинейни вектори“ при честоти над 50 GHz и до 110 GHz; или
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Техническа бележка:
a.
„Способност за измерване на нелинейни вектори“ означава способността на даден инструмент да анализира резултатите от изпитванията на изделия в обхвата на широкочестотните сигнали или в диапазона на нелинейно изкривяване.
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
Максимална работна честота над 110 GHz;
b.
f.
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Микровълнови изпитателни приемници, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
c.
Максимална работна честота над 110 GHz; и
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
Способност за едновременно измерване на амплитуда и фаза;
d.
g.
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
Стандарти за атомни честоти, имащи някои от изброените по-долу характеристики:
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
„Предназначени за използване в Космоса“;
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
Не са рубидиеви стандарти и имат дългосрочна стабилност по-малка (по-добра) от 1 × 10–11/месец; или
e.
Не са „предназначени за използване в Космоса“ и притежават всички изброени по-долу характеристики:
Not used;
a.
f.
Представляват рубидиев стандарт;
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
b.
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
Дългосрочна стабилност (остаряване), по-малка (по-добра) от 1 × 10–11/месец; и
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
c.
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
Обща консумация на енергия, по-малка от 1 W.
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
Системи за термично управление с охлаждане със спрей, използващи затворен и уплътнен контур с оборудване за събиране и възстановяване на флуида, където диелектрически флуид се разпръсква върху електронните компоненти чрез специално проектирани аерозолни дюзи, които са създадени да поддържат електронните компоненти в тяхната работна температурна област, и специално проектирани компоненти за тях.
a.
Електронно оборудване, устройства и компоненти, различни от описаните в 3A001, както следва:
Voltage rating greater than 2 kV; and
Аналогово-цифрови преобразуватели, с приложение при „ракети“, проектирани да отговарят на военни изисквания за износоустойчиво оборудване;
Inductance of less than 20 nH.
b.
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Ускорители, способни да излъчват електромагнитна радиация, създадена чрез стационарно облъчване с ускорени електрони с 2 МЕV или повече и системи, включващи тези ускорители.
a.
b. не описва оборудване, специално проектирано за медицински цели.
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
„Топлинни акумулатори“ разработени или модифицирани за „ракети“.
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
В 3A102 „топлинни акумулатори“ са акумулатори за еднократна употреба, които съдържат твърда непроводяща неорганична сол като електролит.
a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Тези акумулатори включват пиролитичен материал, който при запалване разтопява електролита и задейства акумулатора.
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
В 3A102 „ракети“ означава завършени ракетни системи и безпилотни въздухоплавателни системи с обсег на действие над 300 km.
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Електронни компоненти, различни от описаните в 3A001, както следва:
b.
a.
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Кондензатори, имащи едната от следните две групи характеристики:
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
a.
Direct write capability;
Напрежение, по-голямо от 1,4 kV;
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
b.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
Съхранение на енергия, по-голямо от 10 J;
c.
c.
Anisotropic plasma dry etching equipment having all of the following:
Капацитивно съпротивление, по-голямо от 0,5 μF; и
Designed or optimised to produce critical dimensions of 65 nm or less; and
d.
Within-wafer non-uniformity equal to or less than 10 % 3σ measured with an edge exclusion of 2 mm or less;
Последователно свързана индуктивност, по-малка от 50 nH; или
d.
a.
Not used;
Напрежение, по-голямо от 750 V;
e.
b.
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
Капацитивно съпротивление, по-голямо от 0,25 μF; и
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a., 3B001.b. or 3B001.c. are designed to be connected; and
c.
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
Последователно свързана индуктивност, по-малка от 10 nH;
e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
b.
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.
Свръхпроводящи соленоидни електромагнити, имащи всички изброени по-долу характеристики:
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
Способни да създават магнитни полета, по-големи от 2 Т;
f.
Съотношение на дължината към вътрешния диаметър, по-голямо от 2;
Lithography equipment as follows:
Вътрешен диаметър, по-голям от 300 mm; и
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
Еднородно магнитно поле в рамки, по-добри от 1 % над централните 50 % от вътрешния обем;
a.
b. не контролира магнити, специално проектирани за и изнасяни „като части от“ медицински системи за изображение с ядрено-магнитен резонанс (ЯМР/NMR).
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
Изразът „като част от“ не означава непременно физическа част в същата пратка; допускат се отделни пратки от различни източници, при условие че съответните експортни документи ясно посочват, че пратките се изпращат „като част от“ системите за изображение.
b.
c.
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
Импулсни генератори с рентгеново излъчване или импулсни електронни ускорители, имащи едното от следните две множества характеристики:
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
a.
an exposure light source wavelength in nm
Върхова енергия на електроните на ускорителя 500 kЕV или по-голяма, но по-малка от 25 МЕV; и
× K factor
b.
numerical aperture
С „показател на качеството“ (К) от 0,25 или по-голям; или
where the K factor = 0,35
a.
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
Върхова енергия на електроните на ускорителя от 25 МЕV или по-голяма; и
f.2. includes:
b. „Върхова мощност“, по-голяма от 50 MW.
Micro contact printing tools
c. не контролира ускорители, които се явяват съставни части от устройства, проектирани за цели, различни от излъчване на лъчевия сноп или рентгенови лъчи (например електронна микроскопия), нито пък тези проектирани за медицински цели:
Hot embossing tools
„Показател на качеството“ (К) се дефинира като:
Nano-imprint lithography tools
K = 1,7 × 103V2.65Q
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
V е върховата енергия на електроните в милиони електронволтове.
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
Когато продължителността на импулса на снопа на ускорителя е по-малка от или равна на 1 μѕ, то тогава Q е общият ускорен заряд в кулони.
a.
В случай че продължителността на импулса на снопа на ускорителя е по-голяма от 1 μѕ, то тогава Q е максималният ускорен заряд за 1 μѕ.
Using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
Q е равно на интеграла от i по t, в по-краткото от двете времена — 1 μѕ или времетраенето на лъчевия импулс (Q = ∫ idt), където i е токът на снопа в ампери, а t е времето в секунди.
A spot size smaller than 0,2 μm;
„Върхова мощност“ = (върхов потенциал във волтове) × (върхов поток на лъчението в ампери).
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
При машините, които се основават на резонатори за микровълново ускоряване, продължителността на лъчевия импулс е по-краткото от 1 μѕ или времетраенето на сноповия пакет лъчи, получен от един импулс на микровълновия модулатор.
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
При машините, които се основават на резонатори за микровълново ускоряване, върховият поток на лъчението е средният поток за продължителността на сноповия пакет лъчи.
g.
Честотни преобразуватели или генератори, различни от описаните в 0B001.b.13., използваеми като двигатели с променлива или постоянна честота и притежаващи всичките следни характеристики:
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
В 3D225 е описан „софтуер“, специално проектиран за да подобрява или улеснява работата на честотен превключвател или генератор с цел постигане на съответствие с характеристиките в 3A225.
h.
В 3Е225 са описани „технологии“ под формата на ключове или кодове за подобряване или улесняване на работата на честотен превключвател или генератор с цел постигане на съответствие с характеристиките в 3A225.
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
a.
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
Многофазен изход, способен да даде мощност от 40 VA или по-голяма;
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
b.
h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Работещи при честота 600 Hz или повече; и
i.
c.
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Честотен контрол, по-добър (по-малък) от 0,2 %.
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
225 не контролира честотни превключватели или генератори, които се характеризират с хардуерни, „софтуерни“ или „технологични“ ограничения, които ограничават възможностите им до по-слаби от описаното по-горе, при условие че отговарят на някое от следните условия:
a.
Трябва да бъдат върнати на първоначалния производител за внасяне на подобренията или премахване на ограниченията;
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Изискват софтуер съгласно посоченото в 3D225 за подобряване или улесняване на работата им с цел постигане на съответствие с характеристиките в 3A225; или
c.
Изискват „технологии“ под формата на ключове или кодове, както е посочено в 3Е225, за подобряване или улесняване на работата с цел постигане на съответствие с характеристиките в 3A225.
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Честотните преобразуватели в 3A225 са известни също и като конвертори или инвертори.
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Честотните преобразуватели в 3A225 могат да бъдат пускани на пазара като генератори, електронно оборудване за изпитвания, източници на променлив ток, устройства с променлива скорост на мотора, устройства с променлива скорост (VSD), устройства с променлива честота (VFD), устройства с регулируема честота (AFD) или устройства с регулируема скорост (ASD).
a.
Източници на постоянен ток с висока мощност, различни от описаните в 0B001.j.6., притежаващи и двете изброени по-долу характеристики:
Silicon (Si);
Източници на постоянен ток с висока мощност, различни от описаните в 0B001.j.5., притежаващи и двете изброени по-долу характеристики: a.
b.
Способни непрекъснато да произвеждат за период от 8 часа напрежение 20 kV или повече при отдаден ток от 1 A или повече; и b.
Germanium (Ge);
Стабилност на тока или напрежението, по-добра от 0,1 % за период от време 8 часа.
c.
Превключващи устройства, както следва:
Silicon carbide (SiC); or
Студени катодни тръби, независимо дали са запълнени с газ, действащи подобно на искрова междина, имащи всички изброени по-долу характеристики:
"III/V compounds" of gallium or indium.
Съдържащи три или повече електрода;
d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Предназначени за върхово напрежение на анода 2,5 kV или повече;
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Пиков ток на анода 100 А или повече; и
a.
Време на забавяне на анода 10 μѕ или по-малко;
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
228 включва газови криптонови лампи и вакуумни спритронни лампи.
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
B. Задействани искрови междини, имащи и двете изброени по-долу характеристики:
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
Време на забавяне на анода 15 μѕ или по-малко; и
b.
Пикова сила на тока от 500 А или повече.
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Модули или комплекти с бързо превключване, различни от описаните в 3A001.g. или 3A001.h., имащи всички изброени по-долу характеристики:
All resists optimised for surface imaging technologies;
Пиково напрежение на анода, по-голямо от 2 kV;
e.
Пиков ток на анода 500 А или повече; и
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Време за включване от 1 μѕ или по-малко.
Organo-inorganic compounds as follows:
Силнотокови импулсни генератори, както следва:
a.
a.
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Комплекти за задействане на детонатори (инициатори, възпламенители), включително такива с електронен заряд, с експлозивно или оптично задействане, различни от посочените в 1A007.a., проектирани за управление на различни управляеми детонатори, посочени в 1A007.b.;
b.
b.
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Модулни електрически импулсни генератори (пулсатори), имащи всички изброени по-долу характеристики:
003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Проектирани за преносима или мобилна употреба или употреба в особено тежки условия;
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
Способни да отдадат енергията си за по-малко от 15 μѕ при товари по-малки от 40 ohms;
004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Имащи отдаден ток, по-голям от 100 А;
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
Никое от измеренията им не надхвърля 30 cm;
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
Тегло по-малко от 30 kg; и
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
Предвидени за употреба в разширен температурен диапазон от 223 K (– 50 °C) до 373 K (100 °C) или определени като подходящи за космически приложения.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
b. включва възбудители на ксенонови импулсни лампи.
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
c.
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Възпламенителни микроустройства, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Никое от измеренията им не надхвърля 35 mm;
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
Номинално напрежение, равно на или по-голямо от 1 kV; и
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
Капацитивно съпротивление, равно на или по-голямо от 100 nF.
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
Високоскоростни импулсни генератори и „импулсни глави“ за тях, притежаващи и двете изброени по-долу характеристики:
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
a.
001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Напрежение на изхода, по-голямо от 6 V при активен резистивен товар, по-малък от 55 ома, и
001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
b. „Време за преминаване на импулса“ по-малко от 500 ps.
Using "technology" at or above 0.130 μm; and
В 3A230 „времето за преминаване на импулса“ се дефинира като времевия интервал между 10 % и 90 % от амплитудата на напрежението.
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
„Импулсните глави“ са мрежи за формиране на импулси, проектирани да възприемат стъпаловидна функция на напрежение и да я оформят в импулс от правоъгълен, триъгълен, стъпаловиден, пулсов, експоненциален или моноцикличен тип.
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
„Импулсните глави“ могат да бъдат интегрална част от импулсния генератор, допълнителен модул към устройството или външно свързано устройство.
a.
Неутронни генераторни системи, включително тръби, имащи и двете изброени по-долу характеристики:
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
a.
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
Проектирани за работа без система за външен вакуум; и
b.
b.
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
Използващи някое от следните:
c.
Електростатично ускорение за индуциране на тритий-деутериева ядрена реакция; или
Designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
Електростатично ускорение за индуциране на деутерий-деутериева ядрена реакция и способност да отдават 3 × 109 неутрона/s или повече.
c. does not control "technology" for multimedia extensions.
Многоточкови системи за иницииране, различни от описаните в 1A007, както следва:
002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
За детонатори вж.
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
1A007.b.
002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
b.
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
Групи, които използват единични или множествени детонатори, проектирани да инициират почти едновременно експлозия върху повърхност, по-голяма от 5000 mm2 след единично сигнално възпламеняване и времетраене на иницииращия импулс, по-малко от 2,5 μѕ.
a.
232 не контролира детонатори, използващи само първични експлозиви, като оловен азид.
Vacuum microelectronic devices;
Масспектрометри, различни от описаните в 0B002.g., способни да измерват йони с маса от 230 атомни единици или по-голяма и имащи разделителна способност, по-добра от 2 части на 230, както следва, и йонни източници за тях:
b.
a.
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
Индуктивно свързани плазмени масспектрометри (ИСПМС/ICP/MS);
b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Масспектрометри със тлеещ разряд (МССР/GDMS);
"Superconductive" electronic devices;
Масспектрометри с топлинна йонизация (МСТЙ/TIMS);
Substrates of films of diamond for electronic components.
d.
e.
Масспектрометри, бомбардирани с електрони, притежаващи и двете посочени по-долу характеристики:
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
Система с молекулярен входен лъч, която инжектира насочен лъч от аналитни молекули в област на йонния източник, където молекулите биват йонизирани от електронен лъч; и
f.