natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Изразът „като част от“ не означава непременно физическа част в същата пратка; допускат се отделни пратки от различни източници, при условие че съответните експортни документи ясно посочват, че пратките се изпращат „като част от“ системите за изображение.
The phrase ‘as part of’ does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched ‘as part of’ the imaging systems.
c. Импулсни генератори с рентгеново излъчване или импулсни електронни ускорители, имащи едното от следните две множества характеристики:
c. Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
a. Върхова електронна енергия на ускорителя 500 keV или по-голяма, но по-малка от 25 MeV; и
a. An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
b. С „показател на качеството“ (К) от 0,25 или по-голям; или
b. With a ‘figure of merit’ (K) of 0,25 or greater; or
a. Върхова електронна енергия на ускорителя от 25 MeV или по-голяма; и
a. An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
b. „Върхова мощност“, по-голяма от 50 MW.
b. A ‘peak power’ greater than 50 MW.
c. не контролира ускорители, които се явяват съставни части от устройства, проектирани за цели, различни от излъчване на лъчевия сноп или рентгенови лъчи (например електронна микроскопия), нито пък тези проектирани за медицински цели:
c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes:
„Показател на качеството“ (К) се дефинира като:
The ‘figure of merit’ K is defined as:
K = 1,7 × 103V2,65 × Q
K = 1,7 × 103 × V2,65 × Q
Когато импулсната продължителност на ускорителя е по-малка от или равна на 1 μѕ, то тогава Q е общият ускорен заряд в кулони.
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 μs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
В случай че импулсната продължителност на ускорителя е по-голяма от 1 μѕ, то тогава Q е максималният ускорен заряд за 1 μѕ.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 μs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 μs.
Q е равно на интеграл от i по t в зависимост през по-краткото — 1 μѕ или времетраенето на лъчевия импулс (Q = ∫ idt), където i е излъчваният ток в ампери, а t е времето в секунди.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
„Върхова мощност“ = (върхов потенциал във волтове) × (върхов поток на лъчението в ампери).
‘Peak power’ = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
При машините, които се основават на резонатори за микровълново ускоряване, времетраенето на лъчевия импулс е по-краткото от 1 μѕ или времетраенето на сноповия пакет лъчи, получен от един импулс на микровълновия модулатор.
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
Честотни преобразуватели или генератори, различни от описаните в 0B001.b.13., притежаващи всичките следни характеристики:
Frequency changers or generators, other than those specified in 0B001.b.13., having all of the following characteristics:
a. Многофазен изход, способен да даде мощност от 40 W или по-голяма;
a. Multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
b. Способни да работят в честотния диапазон между 600 и 2000 Hz;
b. Capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
c. Общо хармонично изкривяване, по-добро (по-малко) от 10 %; и
c. Total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
d. Честотен контрол, по-добър (по-малък) от 0,1 %.
d. Frequency control better (less) than 0,1 %.
Източници на постоянен ток с висока мощност, различни от описаните в 0B001.j.6., имащи и двете изброени по-долу характеристики:
High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
a. Способни непрекъснато да произвеждат за период от време 8 часа напрежение 100 V или повече при отдаден ток 500 А или повече; и
a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
b. Стабилност на тока или напрежението, по-добра от 0,1 % за период от време 8 часа.
b. Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
Източници на постоянен ток с висока мощност, различни от описаните в 0B001.j.5., имащи и двете изброени по-долу характеристики:
High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
a. Способни непрекъснато да произвеждат за период от време 8 часа напрежение 20 kV или повече при отдаден ток от 1 A или повече; и
a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
a. Студени катодни тръби, независимо дали са запълнени с газ, действащи подобно на искрова междина, имащи всички изброени по-долу характеристики:
a. Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
Време на забавяне на анода 10 μѕ или по-малко;
Anode delay time of 10 μs or less;
228 включва газови криптонови лампи и вакуумни спритронни лампи.
228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
b. Задействани искрови междини, имащи и двете изброени по-долу характеристики:
b. Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
Време на забавяне на анода 15 μѕ или по-малко; и
An anode delay time of 15 μs or less; and
c. Модули или комплекти с бързо превключване, различни от описаните в 3A001.g. или 3A001.h., имащи всички изброени по-долу характеристики:
c. Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
Време за включване от 1 μѕ или по-малко.
Turn-on time of 1 μs or less.
Вж. 1А007.a. за комплекти за задействане на експлозивни детонатори.
See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
a. Не се използва;
a. Not used;
b. Модулни електрически импулсни генератори (пулсатори), имащи всички изброени по-долу характеристики:
b. Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Проектирани за преносима и мобилна употреба или употреба в особено тежки условия;
Designed for portable, mobile, or ruggedised-use;
Способни да отдадат енергията си за по-малко от 15 μѕ;
Capable of delivering their energy in less than 15 μs;
Имат „време на нарастване“, по-малко от 10 μѕ при товари по-малки от 40 ома;
Having a ‘rise time’ of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
Предвидени за употреба в разширен температурен обхват от 223 К (– 50 °C) до 373 К (100 °C) или са определени като подходящи за космически приложения.
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
b. включва възбудители на ксенонови импулсни лампи.
b. includes xenon flash-lamp drivers.
„времето на нарастване“ се дефинира като интервал от време между 10 % и 90 % от амплитудата на тока върху активен резистивен товар.
‘rise time’ is defined as the time interval from 10 % to 90 % current amplitude when driving a resistive load.
Високоскоростни импулсни генератори, имащи и двете изброени по-долу характеристики:
High-speed pulse generators having both of the following characteristics:
a. Напрежение на изхода по-голямо от 6 V при активен резистивен товар по-малък от 55 ома; и
a. Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms; and
b. „Време за нарастване на анодния импулс“ по-малко от 500 ps.
b. ‘Pulse transition time’ less than 500 ps.
В 3A230 „времето за преминаване на импулса“ се дефинира като времевия интервал между 10 % и 90 % от амплитудата на напрежението.
In 3A230, ‘pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
a. Проектирани за работа без система за външен вакуум; и
a. Designed for operation without an external vacuum system; and
b. Използващи електростатично ускорение за индуциране на тритий-деутериева ядрена реакция.
b. Utilising electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
Многоточкови системи за иницииране, различни от описаните в 1A007, както следва:
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
За детонатори вж. 1A007.b.
See 1A007.b. for detonators.
b. Групи, които използват единични или множествени детонатори, проектирани да инициират почти едновременно експлозия върху повърхност, по-голяма от 5000 mm2 след единично сигнално възпламеняване и времетраене на иницииращия импулс, по-малко от 2,5 μѕ.
b. Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
232 не контролира детонатори, използващи само първични експлозиви, като оловен азид.
232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
a. Индуктивно свързани плазмени масспектрометри (ИСПМС/ICP/MS);
a. Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
b. Масспектрометри със тлеещ разряд (МССР/GDMS);
b. Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
c. Масспектрометри с топлинна йонизация (МСТЙ/TIMS);
c. Thermal ionisation mass spectrometers (TIMS);
d. Масспектрометри с електронно бомбардиране, при които камерата на източника е изработена от облицована или покрита с материали, устойчиви на корозия от UF6;
d. Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
е. Масспектрометри с молекулярен лъч, имащи една от изброените по-долу характеристики:
e. Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
Камерата на източника е изработена от, облицована или покрита с неръждаема стомана или молибден, и охлаждаща среда, способна да охлажда до 193 К (– 80 °C) или по-ниска температура; или
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or
f. Масспектрометри, снабдени с йонен източник за микрофлуориране, проектиран за актиниди или техни флуориди.
f. Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
a. Оборудване за епитаксиално изграждане, както следва:
a. Equipment designed for epitaxial growth as follows:
Оборудване с възможност за производство на слой от материал, различен от силиций с дебелина, равна или по-малка от ± 2,5 % на разстояния от 75 mm или по-дълги;
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
a.1. включва оборудване за епитаксия на атомния слой.
a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
b. Оборудване, проектирано за йонно имплантиране и имащо някоя от следните характеристики:
b. Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Енергия на потока (ускоряващо напрежение) над 1 МеV;
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1MeV;
Енергия на потока от 65 keV или повече и насочен ток 45 mA или повече за имплантация на кислород с висока енергия в нагрята полупроводникова материална „основа“;
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material “substrate”;
c. Оборудване за сухо ецване чрез анизотропна плазма, имащо всички изброени по-долу характеристики:
c. Anisotropic plasma dry etching equipment having both of the following:
Проектирано или оптимизирано да произвежда критически размери от 65 nm или по-малко; и
Designed or optimised to produce critical dimensions of 65 nm or less; and
Нееднородност вътре в пластината, равна на или по-малка от 10 % 3σ, измерена при изключване на ъглова зона от 2 mm или по-малко;
Within-wafer non-uniformity equal to or less than 10 % 3σ measured with an edge exclusion of 2 mm or less;
d. Подсилено с плазма оборудване за нанасяне на покрития чрез химическо свързване на пари (CVD), както следва:
d. Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition (CVD) equipment as follows:
Оборудване с действие от касета към касета с възможност за блокировка на задържането, проектирано съгласно спецификация на производителя или оптимизирано за употреба в производство на полупроводникови механизми с критически размери от 65 nm или по-малко;
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
Оборудване, специално проектирано за оборудването, посочено в 3B001.е., и проектирано съгласно спецификация на производителя или оптимизирано за употреба в производство на полупроводникови механизми с критически размери от 65 nm или по-малко;
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
е. Системи за автоматично многокамерно зареждане за централна обработка на пластини, имащи всички изброени по-долу характеристики:
e. Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having both of the following:
Интерфейси за въвеждане и извеждане на пластини, към които са проектирани да се свържат повече от два функционално различни „полупроводникови обработващи прибора“, описани в 3B001.a., 3B001.b., 3B001.c. или 3B001.d.; и
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different ‘semiconductor process tools’ specified in 3B001.a., 3B001.b., 3B001.c. or 3B001.d. are designed to be connected; and
Проектирани да образуват във вакуумна среда интегрирана система за „последователна обработка на множествена пластина“;
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for ‘sequential multiple wafer processing’;
e. не контролира автоматичните роботизирани системи за обработка на пластини, специално проектирани за паралелно обработване на пластини.
e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
За целите на 3B001.e. „полупроводникови обработващи прибори“ се отнася за модулни прибори, които осигуряват физични процеси за производството на полупроводници, които са функционално различни, като нанасяне, ецване, имплантиране или термична обработка.
For the purpose of 3B001.e., ‘semiconductor process tools’ refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.
За целите на 3B001.e. „последователна обработка на множествена пластина“ означава способността за обработване на всяка пластина в различни „полупроводникови обработващи прибори“, като например всяка пластина се прехвърля от един прибор на втори прибор и след това на трети прибор чрез системите за автоматично многокамерно зареждане за централна обработка на пластини.
For the purpose of 3B001.e., ‘sequential multiple wafer processing’ means the capability to process each wafer in different ‘semiconductor process tools’, such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
f. Литографско оборудване, както следва:
f. Lithography equipment as follows:
Оборудване за изравняващи и експониращи стъпки и повторения (директни стъпки върху пластинки) или сканиращо оборудване (скенери) за обработка на пластинки с използване на фотооптични и рентгенови методи и имащо някоя от изброените по-долу характеристики:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having either of the following:
a. Дължина на вълната на светлинния източник, по-къса от 245 nm; или
a. A light source wavelength shorter than 245 nm; or
b. Способно да оформя растер (модел) с размер на „минималната различима единица“ (MRF) от 95 nm или по-малка;
b. Capable of producing a pattern with a ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) of 95 nm or less;
Размерът на „минималната различима единица“ (MRF) се пресмята по следната формула:
The ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) is calculated by the following formula:
MRF =дължината на вълната на експониращия светлинен източник в nm
MRF =an exposure light source wavelength in nm
× фактор К
× K factor
цифрова апертура,
numerical aperture
където факторът К = 0,35
where the K factor = 0,35
Оборудване за литографски печат, способно да печата елементи от 95 nm или по-малки;
Imprint lithography equipment capable of producing features of 95 nm or less;
f.2. включва:
f.2. includes:
Инструменти за литографски печат S-FIL (step and flash imprint lithography).
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Оборудване, специално проектирано за изработване на маски или обработка на полупроводникови устройства, използващо методи за директен печат и имащо всички изброени по-долу характеристики:
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
a. Използва отклонен фокусиран електронен лъч, йонен лъч или „лазерен“ лъч; и
a. Using deflected focussed electron beam, ion beam or “laser” beam; and
Размер на светлинното петно, по-малък от 0,2 μm;
A spot size smaller than 0,2 μm;
Способност да създава растер (модел) с размер на елементите, по-малък от 1 μm; или
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
Точност на наслояване по-добра от ± 0,20 μm (3 сигма);
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
g. Маски и сита за интегралните схеми, описани в 3A001;
g. Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
h. Многопластови маски с фазово отместван слой.
h. Multi-layer masks with a phase shift layer;
h. не контролира многослойни маски с фазово променен (изместен) слой, проектирани за производство на запаметяващи устройства, които не се контролират от 3A001.
h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
a. За изпитване на S параметрите на транзисторни устройства при честоти над 31,8 GHz;
a. For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
c. За изпитване на микровълнови интегрални схеми, описани в 3A001.b.2.
c. For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Хетероепитаксиални материали, състоящи се от „основа“, върху която епитаксиално са напластени много слоеве от някои от изброените по-долу:
Hetero-epitaxial materials consisting of a “substrate” having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
a. Силиций (Si);
a. Silicon (Si);
b. Германий (Ge);
b. Germanium (Ge);
c. Силициев карбид (SiC); или
c. Silicon carbide (SiC); or
d. „III/V съединения“ на галий и индий.
d. “III/V compounds” of gallium or indium.
Съпротивителни материали, както следва, и „основи“, покрити с контролирани материали за защитни покрития:
Resist materials as follows and “substrates” coated with the following resists:
a. Съпротивителни материали, проектирани за полупроводникова литография, специално приспособени (оптимизирани) за използване при дължини на вълната под 245 nm;
a. Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
b. Всички съпротивителни покрития, проектирани за използване с електронни или йонни лъчи, с чувствителност от 0,01 μсоulomb/mm2 или по-добра;
b. All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
c. Всички съпротивителни покрития, проектирани за използване с рентгенови лъчи, с чувствителност от 2,5 mJ/mm2 или по-добра;
c. All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
d. Всички съпротивителни покрития, проектирани за технологии за повърхностни изображения, в т.ч. „силилативни“ материали за защитни покрития.
d. All resists optimised for surface imaging technologies, including ‘silylated’ resists;
„Силилативните“ техники се дефинират като процеси на въвеждане на окисляване на повърхността на материалите за защитно покритие с цел подобряване на качеството, както при мокро, така и при сухо проявяване.
‘Silylation’ techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
е. Всички съпротивителни покрития, проектирани или оптимизирани за употреба с оборудването за литографски печат, посочено в 3B001.f.2., което използва или термален процес, или процес на фотообработка.
e. All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
a. Органично-метални съединения на алуминий, галий или индий, с чистота (метална основа), по-висока от 99,999 %;
a. Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
b. Органично-арсенови, органично-антимонови и органично-фосфорни съединения с чистота (основа от неорганични елементи), по-висока от 99,999 %.
b. Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
003 контролира само съединенията, чиито метален, частично метален или неметален елемент е пряко свързан с въглерода в органичната част на молекулата.
003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
004 не контролира хидриди, съдържащи 20 % моларни или повече инертни газове или водород.
004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Силициев карбид (SiC), галиев нитрид (GaN), алуминиев нитрид (AlN) или „субстрати“ на алуминиево-галиев нитрид (AlGaN), или слитъци, блокове, или други предварителни форми на тези материали, притежаващи съпротивление по-голямо от 10000 ohm-cm при 20 °C.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) “substrates”, or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
„Субстрати“, посочени в 3C005 с поне един епитаксиален слой от силициев карбид, галиев нитрид, алуминиев нитрид или алуминиево-галиев нитрид.
“Substrates” specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
„Софтуер“, специално проектиран за „разработване“ или „производство“ на оборудването, описано в 3A001.b.—3A002.g. или 3B.
“Software” specially designed for the “development” or “production” of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
„Софтуер“, специално проектиран за „използване“ на оборудване, посочено в 3B001.a.—f. или 3B002.
“Software” specially designed for the “use” of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
Симулативен „софтуер“„на физическа основа“, специално проектиран за „разработване“ на литографиране, ецване или процеси на отлагане, за пренасяне на шаблоните от маските в специфични топографски форми в проводници, диелектрици или полупроводникови материали.
‘Physics-based’ simulation “software” specially designed for the “development” of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.