natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Терминът „смеси от горните“ включва инфилтрирани материали, калибровани смеси и многослойни отлагания и се получават чрез един или повече от процесите на нанасяне на покритие, описани в таблицата.
The term ‘mixtures thereof’ includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
„MCrAlX“ обозначава сплав за покритие, където М означава кобалт, желязо, никел и съчетания от тях, а Х означава хафний, итрий, силиций и тантал във всякакви количества или други нарочно привнесени добавки от над 0,01 тегловни проценти в различни пропорции и съчетания, освен:
‘MCrAlX’ refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
a. CoCrAlY покрития, съдържащи по-малко от 22 тегловни процента хром, по-малко от 7 тегловни процента алуминий и по-малко от 2 тегловни процента итрий;
a. CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
b. CoCrAlY покрития, съдържащи от 22 до 24 тегловни процента хром, от 10 до 12 тегловни процента алуминий и от 0,5 до 0,7 тегловни процента итрий; или
b. CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
c. CoCrAlY покрития, съдържащи от 21 до 23 тегловни процента хром, от 10 до 12 тегловни процента алуминий и от 0,9 до 1,1 тегловни процента итрий;
c. NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
Терминът „алуминиеви сплави“ се отнася до сплави, имащи максимална якост на опън от 190 MPa или повече, измерени при 293 К (20 °C).
The term ‘aluminium alloys’ refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Терминът „стомана, устойчива на корозия“, се отнася до серията 300 на AISI (Американски институт по желязото и стоманата) или стомани отговарящи на еквивалентни национални стандарти.
The term ‘corrosion resistant steel’ refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
„Огнеупорни метали и сплави“ включва следните метали и техните сплави: ниобий (колумбий), молибден, волфрам и тантал.
‘Refractory metals and alloys’ include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
„Материали за сензорни отвори“, както следва: двуалуминиев триоксид, силиций, германий, цинков сулфид, цинков селенид, галиев арсенид, диаманти, галиев фосфид, сапфир и техните метални халогениди: материали за сензорни отвори с диаметър повече от 40 mm за циркониев флуорид и хафниев флуорид.
‘Sensor window materials’, as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
„Технологиите“ за едноетапно твърдо циментиране на твърди профили за обтичане на криле не се контролират от категория 2.
“Technology” for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
„Полимери“, както следва: полиимид, полиестер, полисулфид, поликарбонати и полиуретани.
‘Polymers’, as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
„Модифициран цирконий“ се отнася до добавки на оксиди на други метали (т.е. калций, магнезий, итрий, хафний, оксиди на лантаниди) към циркония, за да се стабилизират определени кристалографски фази и фазови състави.
‘Modified zirconia’ refers to additions of other metal oxides (e.g. calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
„Титанови сплави“ се отнася да авиокосмически сплави, имащи максимална якост на опън от 900 MPa или повече, измерени при 293 К (20 °C).
‘Titanium alloys’ refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
„Стъкла с нисък коефициент на разширение“ се отнася до стъкла, които имат коефициент на топлинно разширение от 1 × 10–7 K–1 или по-малко, измерено при 293 К (20 °C).
‘Low-expansion glasses’ refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
„Диелектрични слоеве“ са покрития, състоящи се от многослойни изолиращи материали, при които свойствата за смущения на конструкцията, съставена от материали с различни индекси на рефракция, се използват за отразяване, предаване или поглъщане на различни обхвати на дължините на вълните.
‘Dielectric layers’ are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Диелектрични слоеве се отнася до повече от четири диелектрични пласта или „композитни“ пластове диелектрик/метал.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal “composite” layers.
„Циментиран волфрамов карбид“ не включва материали за режещи и формоващи инструменти, състоящи се от волфрамов карбид/(кобалт, никел), титанов карбид/(кобалт, никел), хромов карбид/никел-хром и хромов карбид/никел.
‘Cemented tungsten carbide’ does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
„Технологии“, специално проектирани за нанасяне на диамантоподобен въглерод върху което и да е от изброените по-долу, не е обект на контрол:
“Technology” specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
„Силициев карбид“ не включва материалите за режещи и формоващи инструменти.
‘Silicon carbide’ does not include cutting and forming tool materials.
Таблица — Методи за нанасяне на покрития — Техническа бележка
Table — Deposition Techniques — Technical Note
a. Нанасяне на покрития чрез химическо свързване на пари (НПХСП/CVD) е метод на нанасяне на многослойни покрития или на повърхностно модифициращи покрития, при което метал, сплав, „композитен материал“, диелектрик или керамика се нанася върху нагрята основа.
a. Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, “composite”, dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Енергията за такова разлагане или процеса на химическа реакция е за сметка на загряване на подложката, отделяна от плазма с тлеещ разряд или от „лазерно“ облъчване.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or “laser” irradiation.
НПХСП включва следните процеси: отлагане без циментация с насочен газов поток, импулсно CVD(НПХСП), топлинно отлагане чрез контролирано ядрено нанасяне CNTD(ТУКК), засилени или подпомогнати от плазма процеси на CVD(НПХСП).
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Циментация означава основа, потопена в прахообразна смес.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Газообразните реагенти, използвани в процеса без циментация, се образуват с използване на същите основни реакции и параметри, както и процеса с циментиращо вещество, освен че основата, която следва да бъде покрита, не влиза в контакт с прахообразната смес.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
b. Термично нанасяне на покрития чрез физическо отлагане на пари (ФУП-ТИ) е систематизиран процес на нанасяне на покритие, който се провежда във вакуум с налягане по-малко от 0,1 Pa, при което за изпаряване на материала, от който ще се прави покритието, се използва източник на топлинна енергия.
b. Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporise the coating material.
Добавянето на газове към вакуумната камера по време на процеса на нанасяне на покритие с цел синтезиране на съставни покрития е обикновено видоизменение на процеса.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesise compound coatings is an ordinary modification of the process.
Използването на йонни или електронни лъчи или плазма за предизвикване или подпомагане на отлагането на покритието, е също така обикновено видоизменение на тази техника.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating’s deposition is also a common modification in this technique.
„Лазерното“ изпаряване използва лъчи или от импулсен „лазер“, или от такъв с непрекъсната вълна за изпаряване на материала, който образува покритието;
“Laser” Vaporisation uses either pulsed or continuous wave “laser” beams to vaporise the material which forms the coating;
Управляваното движение на дъговите разряди ерозира катодната повърхност, водейки до образуване на силно йонизирана плазма.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionised plasma.
За отлагане извън линията на наблюдение се прилага накланяне на субстрата.
Substrate biasing is used for non-line-of-sight deposition.
Това определение на включва хаотично отлагане с използване на катодна дъга и ненаклонени основи.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Йонното напластяване е специална модификация на общия процес ФУП-ТИ/TE-PVD, при който източник на плазма или на йони се използва за йонизиране на материала, който трябва да бъде утаен, и при основата се използва отрицателен наклон за улесняване отделянето на веществото от плазмата.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionise the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
c. Твърдата циментация е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при което основата се потопява в прахообразна смес (циментиращо вещество), състоящо се от:
c. Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
d. Разпръскването на плазма е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при което горелка (разпръскващ пистолет), която генерира и управлява плазма, приема прахообразни или във форма на тел материали за покритие, стопява и ги придвижва към основа, върху която се формира интегрално свързано покритие.
d. Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Ниско налягане означава по-ниско от околното атмосферно налягане.
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Висока скорост се отнася до скорост при излизане от дюзата, надхвърляща 750 m/s, изчислена при 293 К (20 °С) при налягане от 0,1 МРа.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
е. Отлагане на разтвор на огнеупорна глина е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при който метален или керамичен прах с органично свързващо вещество се суспендира в течност и се полага върху основата чрез пръскане, потапяне или намазване, последващо сушене на въздух или в пещ и топлинна обработка до получаване на необходимото покритие.
e. Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
f. Отлагане на разпрашени вещества е процес на напластяване, основаващ се на явление за предаване на инерция, при който положителните йони се ускоряват от електрическо поле към повърхността на мишена (материала за покритие).
f. Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Таблицата се отнася само до триодно, магнетронно или индуктивно отлагане на разпрашени вещества, което се прилага за подобряване прилепването на покритието и темпото на отлагане, както и към отлагане на разпрашени вещества, подсилено с радиочестоти (RF/РВ), използвано за постигане на изпаряване на неметални материали за покрития.
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Йонни потоци с ниска енергия (по-малко от 5 keV) могат да се използват за задействане на отлагането.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
g. Имплантация на йони е процес на нанасяне на покритие за промяна на повърхността, при който елементът, който трябва да бъде сплавен, се йонизира и ускорява чрез градиент на потенциал и се имплантира в повърхностната част на основата.
g. Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Доколко подлежат на контрол оборудването и компонентите му, както са описани в 3A001 или 3A002, различни от описаните в 3A001.a.3. до 3A001.a.10. или 3A001.a.12., които са специално проектирани или имат същите функционални характеристики като другото оборудване, се определя от това, доколко подлежи на контрол другото оборудване.
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Доколко подлежат на контрол интегралните схеми, описани в 3A001.a.3. до 3A001.a.9. или 3A001.a.12., които са неизменяемо програмирани или проектирани за конкретна функция за друго оборудване, се определя от това, доколко подлежи на контрол другото оборудване.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Когато производителят или подаващият заявление не могат да определят доколко подлежи на контрол другото оборудване, въпросът за контрола на интегралните схеми се решава съгласно 3A001.a.3. до 3A001.a.9. и 3A001.a.12.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
a. Универсални интегрални схеми, както следва:
a. General purpose integrated circuits, as follows:
Доколко подлежат на контрол полупроводниковите пластинки (завършени или незавършени), при които функцията е била определена, трябва да се прецени съобразно параметрите от 3A001.a.
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Интегралните схеми включват следните видове:
Integrated circuits include the following types:
„Монолитни интегрални схеми“;
“Monolithic integrated circuits”;
„Хибридни интегрални схеми“;
“Hybrid integrated circuits”;
„Многочипови интегрални схеми“;
“Multichip integrated circuits”;
„Тънкослойни интегрални схеми“, включително интегрални схеми от силиций върху сапфир;
“Film type integrated circuits”, including silicon-on-sapphire integrated circuits;
„Оптични интегрални схеми“.
“Optical integrated circuits”.
Интегрални схеми, проектирани или обозначени като радиационно устойчиви да издържат на някое от изброените по-долу:
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
a. Обща доза от 5 × 103 Gy (силиций) или по-голяма;
a. A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
b. Колебание в мощността на дозата лъчение от 5 × 106 Gy (силиций)/s или по-голямо; или
b. A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
c. Поток (интегриран поток) от неутрони (равно на 1 МеV) от 5 × 1013 n/cm2 или по-високо върху силиций, или равностойни на него материали;
c. A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
а.1.c. не се прилага към метални изолиращи полупроводници (МИП/MIS).
a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
„Микропроцесорни микросхеми“, „микрокомпютърни микросхеми“, микроконтролерни микросхеми, интегрални схеми с памет, произведени от съставни полупроводници, аналогово-цифрови преобразуватели, цифрово-аналогови преобразуватели, електрооптични или „оптични интегрални схеми“, проектирани за „обработка на сигнали“, логически устройства със зони за програмиране, интегрални схеми по поръчка, при което е неизвестна или функцията им, или доколко подлежи на контрол оборудването, за което интегралните схеми ще се използват, процесори, използващи бързо преобразувание на Фурие (FFT/БПФ), електрически изтриваеми и програмируеми памети само за четене (EEPROM/ЕИПП), свръхбързи памети или статични памети с произволен достъп (SRAM/СППД), отговарящи на някои от изброените по-долу:
“Microprocessor microcircuits”, “microcomputer microcircuits”, microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or “optical integrated circuits” designed for “signal processing”, field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
a. Предназначени за работа при околна температура над 398 К (125 °C);
a. Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
b. Предназначени за работа при околна температура под 218 К (– 55 °C); или
b. Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
c. Предназначени за работа в целия температурен диапазон на околната среда от 218 К (– 55 °C) до 398 К (125 °C);
c. Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
a.2. не се прилага по отношение на интегрални схеми за граждански автомобили или приложения при железопътни влакове.
a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
„Микропроцесорни микросхеми“, „микрокомпютърни микросхеми“ и микроконтролерни микросхеми, произведени от съставни полупроводници и работещи при синхронизирана (тактова) честота над 40 MHz;
“Microprocessor microcircuits”, “microcomputer microcircuits” and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
a.3. включва цифрови сигнални процесори, цифрови матрични процесори и цифрови копроцесори.
a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Аналогово-цифрови преобразувателни (АЦП/ADC) и цифрово-аналогови преобразувателни (ЦАП/DAC) интегрални схеми, както следва:
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
a. Аналогово-цифрови преобразуватели (АЦП/ADC), имащи някои от изброените по-долу характеристики:
a. ADCs having any of the following:
ВЖ. СЪЩО 3A101
SEE ALSO 3A101
Разделителна способност 8 bit или повече, но по-малка от 10 bit с изходяща скорост, по-голяма от 500 милиона цикъла за секунда;
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
Разделителна способност 10 bit или повече, но по-малка от 12 bit, с изходяща скорост, по-голяма от 300 милиона цикъла за секунда;
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 300 million words per second;
Разделителна способност 12 bit с изходяща скорост, по-голяма от 200 милиона цикъла за секунда;
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 200 million words per second;
Разделителна способност повече от 12 bit, но по-малка или равна на 14 bit, с изходяща скорост, по-голяма от 125 милиона цикъла за секунда; или
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 125 million words per second; or
Разделителна способност повече от 14 bit с изходяща скорост, по-голяма от 20 милиона цикъла за секунда;
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 20 million words per second;
Разделителна способност n бита съответства на квантуване на 2n нива.
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
Броят на битовете в изходящия цикъл е равен на разделителната способност на аналогово-цифровия преобразувател (АЦП/ADC).
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
За „многоканални АЦП/ADC“ изходните честоти не се сумират и (общата) изходна честота е максималната изходна честота, която има някой от отделните канали.
For ‘multiple channel ADCs’, the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
За „редуващи АЦП/ADC“ или за „многоканални АЦП/ADC“, имащи редуващ режим на работа, скоростите се сумират и общата скорост на преобразуване е максималната сумирана обща скорост на преобразуване на всички изходи.
For ‘interleaved ADCs’ or for ‘multiple channel ADCs’ that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
„Многоканалните АЦП/ADC“ са устройства, които вклчюват повече от един АЦП/ADC и са проектирани така, че всеки АЦП/ADC да има отделен аналогов вход.
‘Multiple channel ADCs’ are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
„Редуващите АЦП/ADC“ са устройства, които имат няколко АЦП/ADC, следящи един аналогов вход по различно време, така че при сумиране на изходните скорости аналоговият вход да е ефективно прихванат и преобразуван на по-висока скорост на прихващане.
‘Interleaved ADCs’ are defined as devices which have multiple ADC units that sample the same analogue input at different times such that when the outputs are aggregated, the analogue input has been effectively sampled and converted at a higher sampling rate.
b. Цифрово-аналогови преобразуватели (ЦАП/DAC), имащи следните характеристики:
b. Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
Разделителна способност 10 bit или повече, с „коригирана скорост на обновяване“3500 MSPS или повече; или
A resolution of 10 bit or more with an ‘adjusted update rate’ of 3500 MSPS or greater; or
Разделителна способност 12 bit или повече, с „коригирана скорост на обновяване“1250 MSPS и имащи всяка от следните характеристики:
A resolution of 12 bit or more with an ‘adjusted update rate’ of equal to or greater than 1250 MSPS and having any of the following: